KR20210085657A - Die transfer method - Google Patents

Die transfer method Download PDF

Info

Publication number
KR20210085657A
KR20210085657A KR1020190178958A KR20190178958A KR20210085657A KR 20210085657 A KR20210085657 A KR 20210085657A KR 1020190178958 A KR1020190178958 A KR 1020190178958A KR 20190178958 A KR20190178958 A KR 20190178958A KR 20210085657 A KR20210085657 A KR 20210085657A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die
stage
picking
dicing tape
onto
Prior art date
Application number
KR1020190178958A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102336913B1 (en
Inventor
김창진
김응석
정병호
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190178958A priority Critical patent/KR102336913B1/en
Publication of KR20210085657A publication Critical patent/KR20210085657A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102336913B1 publication Critical patent/KR102336913B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

Disclosed is a die transfer method in which a vacuum picker is used to pick up dies attached on a dicing tape one by one and transfer the dies onto a die stage. The method includes: detecting a first die by imaging the first die; picking up the first die from a dicing tape and transferring the first die onto a die stage; detecting a second die by imaging the second die; picking up the second die from a dicing tape and transferring the second die onto the die stage; detecting a third die by imaging the third die; determining, upon detecting the second die in the step of detecting the third die, an occurrence of pickup failure in which pickup of the second die is not normally performed; and picking up and removing the second die from the dicing tape.

Description

다이 이송 방법{DIE TRANSFER METHOD}Die transfer method {DIE TRANSFER METHOD}

본 발명의 실시예들은 다이 이송 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 장치의 제조를 위한 다이 본딩 공정에서 진공 피커를 이용하여 다이싱 테이프로부터 다이를 픽업하여 다이 스테이지 상으로 이송하기 위한 다이 이송 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a die transport method. More particularly, it relates to a die transfer method for picking up a die from a dicing tape and transferring it onto a die stage using a vacuum picker in a die bonding process for manufacturing a semiconductor device.

일반적으로 반도체 소자들은 증착, 사진 식각, 세정 등 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있다. 상기 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼는 다이싱 공정을 통해 복수의 다이들로 분할될 수 있으며, 상기 개별화된 다이들은 다이 본딩 공정을 통해 리드 프레임, 인쇄회로기판, 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 본딩될 수 있다.In general, semiconductor devices may be formed on a silicon wafer used as a semiconductor substrate by repeatedly performing a series of manufacturing processes such as deposition, photolithography, and cleaning. The wafer on which the semiconductor devices are formed may be divided into a plurality of dies through a dicing process, and the individualized dies may be bonded to a substrate such as a lead frame, a printed circuit board, or a semiconductor wafer through a die bonding process. .

상기 다이 본딩 공정을 수행하기 위한 장치는, 상기 다이들로 분할된 웨이퍼로부터 상기 다이들을 하나씩 픽업하여 다이 스테이지 상으로 이송하기 위한 다이 이송 모듈과, 상기 다이 스테이지 상으로 이송된 다이를 픽업하여 기판 상에 본딩하기 위한 다이 본딩 모듈을 포함할 수 있다. 상기 다이 이송 모듈은, 상기 웨이퍼를 지지하는 스테이지 유닛과, 상기 스테이지 유닛에 지지된 웨이퍼로부터 선택적으로 다이를 분리시키기 위한 다이 이젝터와, 상기 웨이퍼로부터 상기 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하기 위한 진공 피커를 포함할 수 있다. 상기 다이 본딩 모듈은 상기 기판을 지지하기 위한 기판 스테이지와 상기 다이를 픽업하여 상기 기판 상에 본딩하기 위한 본딩 헤드를 포함할 수 있다.The apparatus for performing the die bonding process includes: a die transfer module for picking up the dies one by one from the wafer divided into the dies and transferring them onto a die stage; It may include a die bonding module for bonding to. The die transfer module includes a stage unit for supporting the wafer, a die ejector for selectively separating a die from a wafer supported on the stage unit, and a die ejector for picking up the die from the wafer and transferring it onto the die stage A vacuum picker may be included. The die bonding module may include a substrate stage for supporting the substrate and a bonding head for picking up the die and bonding the die onto the substrate.

한편, 상기 진공 피커를 이용하여 다이를 픽업하고 상기 다이 스테이지 상으로 이동시키는 다이 이송 과정에서 에러가 발생되는 경우 후속하는 다이의 픽업 과정에서 다이들이 손상되거나 기판 상에 본딩되어야 하는 다이가 아닌 다른 다이가 기판 상에 본딩되거나 하는 심각한 문제점들이 발생될 수 있다.On the other hand, if an error occurs in the die transfer process of picking up a die using the vacuum picker and moving it onto the die stage, the dies may be damaged in the subsequent die pickup process or a die other than the die to be bonded on the substrate Serious problems may arise, such as being bonded on the substrate.

대한민국 등록특허공보 제10-1362548호 (등록일자 2014년 02월 06일)Republic of Korea Patent Publication No. 10-1362548 (Registration date February 06, 2014) 대한민국 등록특허공보 제10-1802080호 (등록일자 2017년 11월 21일)Republic of Korea Patent Publication No. 10-1802080 (Registration date November 21, 2017)

본 발명의 실시예들은 다이 이송 과정에서 에러가 발생되는 경우 이를 자동으로 해결할 수 있는 다이 이송 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a die transfer method capable of automatically resolving an error when an error occurs during a die transfer process.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 진공 피커를 이용하여 다이싱 테이프 상에 부착된 다이들을 하나씩 픽업하여 다이 스테이지 상으로 이송하는 다이 이송 방법에 있어서, 상기 다이 이송 방법은, 제1 다이를 촬상하여 상기 제1 다이를 검출하는 단계와, 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제1 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계와, 제2 다이를 촬상하여 상기 제2 다이를 검출하는 단계와, 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계와, 제3 다이를 촬상하여 상기 제3 다이를 검출하는 단계와, 상기 제3 다이를 검출하는 단계에서 상기 제2 다이가 검출되는 경우 상기 제2 다이의 픽업이 정상적으로 수행되지 않은 픽업 불량이 발생된 것으로 판단하는 단계와, 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 다이를 픽업하여 제거하는 단계를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, in the die transfer method for picking up dies attached on a dicing tape one by one using a vacuum picker and transferring them onto a die stage, the die transfer method comprises: detecting the first die by imaging one die; picking up the first die from the dicing tape and transferring it onto the die stage; and imaging a second die to detect the second die step, picking up the second die from the dicing tape and transferring it onto the die stage; detecting the third die by imaging the third die; and detecting the third die. When the second die is detected, determining that a pickup failure has occurred in which the pickup of the second die is not normally performed, and picking up and removing the second die from the dicing tape. .

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 다이 이송 방법은 상기 다이 스테이지로부터 상기 제1 다이를 픽업하여 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the die transfer method may further include picking up and removing the first die from the die stage.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 다이 이송 방법은, 상기 제1 다이를 제거한 후 상기 제3 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present disclosure, the die transfer method may further include removing the first die and then picking up the third die and transferring the third die onto the die stage.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 기 설정된 다이 픽업 횟수 이내에서 픽업 불량이 반복적으로 발생되는 경우 상기 진공 피커의 콜릿을 교체할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, when a pickup failure occurs repeatedly within a preset number of die pickups, the collet of the vacuum picker may be replaced.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 진공 피커를 이용하여 다이싱 테이프 상에 부착된 다이들을 하나씩 픽업하여 다이 스테이지 상으로 이송하는 다이 이송 방법에 있어서, 상기 다이 이송 방법은, 제1 다이를 촬상하여 상기 제1 다이를 검출하는 단계와, 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제1 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계와, 제2 다이를 촬상하여 상기 제2 다이를 검출하는 단계와, 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계와, 상기 제2 다이를 픽업하는 동안 상기 진공 피커의 높이가 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우 상기 제1 다이가 상기 진공 피커의 하부에 진공 흡착된 상태인 것으로 판단하는 단계와, 상기 진공 피커로부터 상기 제1 다이를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention for achieving the above object, in a die transfer method for picking up dies attached on a dicing tape one by one using a vacuum picker and transferring them onto a die stage, the die transfer method comprises: detecting the first die by imaging one die; picking up the first die from the dicing tape and transferring it onto the die stage; and imaging a second die to detect the second die picking up the second die from the dicing tape and transferring it onto the die stage; and when the height of the vacuum picker is outside a preset allowable range while picking up the second die, the first die It may include determining that the vacuum is adsorbed to the lower portion of the vacuum picker, and removing the first die from the vacuum picker.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 다이 이송 방법은, 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 다이를 픽업하여 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the die transfer method may further include picking up and removing the second die from the dicing tape.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 진공 피커를 이용하여 다이싱 테이프 상에 부착된 다이들을 하나씩 픽업하여 다이 스테이지 상으로 이송하는 다이 이송 방법에 있어서, 상기 다이 이송 방법은, 제1 다이를 촬상하여 상기 제1 다이를 검출하는 단계와, 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제1 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계와, 제2 다이를 촬상하여 상기 제2 다이를 검출하는 단계와, 상기 다이 스테이지의 상부를 촬상하여 상기 제1 다이를 검출하는 단계와, 상기 다이 스테이지의 상에서 상기 제1 다이가 검출되지 않는 경우 상기 진공 피커 하부에 상기 제1 다이가 붙어있는 것으로 판단하는 단계와, 상기 제1 다이를 상기 다이 스테이지 상에 내려놓는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention for achieving the above object, in the die transfer method of picking up dies attached on a dicing tape one by one using a vacuum picker and transferring them onto a die stage, the die transfer method comprises: Imaging a first die to detect the first die, picking up the first die from the dicing tape and transferring it onto the die stage, and imaging a second die to detect the second die and detecting the first die by imaging the upper part of the die stage, and when the first die is not detected on the die stage, it is determined that the first die is attached to the lower part of the vacuum picker and placing the first die on the die stage.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 다이싱 테이프로부터 다이들을 하나씩 픽업하여 다이 스테이지로 이송하는 과정에서 에러가 발생되는 경우 상기 에러는 웨이퍼 카메라, 진공 피커의 높이 측정, 또는 스테이지 카메라에 의해 검출될 수 있다. 상기와 같이 다이 이송 과정에서 에러가 발생되는 경우 상기 진공 피커는 픽업 단계에서 손상이 발생되었을 가능성이 있는 다이들을 자동으로 제거할 수 있다. 또한, 손상이 발생되기 이전인 경우 즉 상기 제1 다이가 상기 다이 스테이지에 놓여지지 않은 것으로 판단되는 경우 상기 제1 다이를 상기 다이 스테이지에 내려놓은 단계를 재수행함으로써 상기 에러를 치유할 수 있다. 결과적으로, 상기 다이 이송 과정에서 발생되는 에러를 자동으로 치유할 수 있으며 아울러 손상이 발생된 다이들이 다이 본딩 단계로 제공되는 것을 사전에 방지하여 반도체 장치의 불량률을 크게 감소시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, when an error occurs in the process of picking up dies one by one from the dicing tape and transferring them to the die stage, the error is transmitted to the wafer camera, the height measurement of the vacuum picker, or the stage camera. can be detected by When an error occurs in the die transfer process as described above, the vacuum picker may automatically remove dies that may have been damaged in the pickup step. In addition, when it is determined that the first die is not placed on the die stage before damage occurs, the error can be cured by re-performing the step of placing the first die on the die stage. As a result, errors generated in the die transfer process can be automatically cured, and damaged dies are prevented from being provided to the die bonding step in advance, thereby greatly reducing the defect rate of the semiconductor device.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이송 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 도 1에 도시된 다이 이송 방법을 이용하여 기판 상에 다이를 본딩하는 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3은 도 1에 도시된 S112 단계의 픽업 불량을 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다이 이송 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이 이송 방법을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a die transfer method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a die bonding apparatus for bonding a die on a substrate by using the die transfer method shown in FIG. 1 .
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a pickup failure in step S112 shown in FIG. 1 .
4 is a flowchart illustrating a die transfer method according to another embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a die transfer method according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below and may be embodied in various other forms. The following examples are provided to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art, rather than to enable the present invention to be fully completed.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In embodiments of the present invention, when an element is described as being disposed or connected to another element, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements may be interposed therebetween. could be Alternatively, where one element is described as being directly disposed on or connected to another element, there cannot be another element between them. Although the terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and/or portions, the items are not limited by these terms. will not

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used in the embodiments of the present invention is only used for the purpose of describing specific embodiments, and is not intended to limit the present invention. In addition, unless otherwise limited, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as understood by one of ordinary skill in the art of the present invention. The above terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be interpreted as having meanings consistent with their meanings in the context of the relevant art and description of the present invention, ideally or excessively outwardly intuitive, unless clearly defined. will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic diagrams of ideal embodiments of the present invention. Accordingly, variations from the shapes of the diagrams, eg, variations in manufacturing methods and/or tolerances, are those that can be fully expected. Accordingly, embodiments of the present invention are not to be described as being limited to the specific shapes of the areas described as diagrams, but rather to include deviations in the shapes, and the elements described in the drawings are entirely schematic and their shapes It is not intended to describe the precise shape of the elements, nor is it intended to limit the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이송 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 도 1에 도시된 다이 이송 방법을 이용하여 기판 상에 다이를 본딩하는 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략도이다.1 is a flowchart for explaining a die transfer method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a die bonding apparatus for bonding a die on a substrate using the die transfer method shown in FIG. to be.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이송 방법은 반도체 장치의 제조를 위한 다이 본딩 공정에서 다이(20)를 이송하기 위해 사용될 수 있다. 특히, 상기 다이 이송 방법은 다이싱 공정을 통해 복수의 다이들(20)로 개별화된 웨이퍼(10)로부터 다이(20)를 픽업하여 다이 스테이지(130) 상으로 이송하기 위해 사용될 수 있으며, 상기 다이 스테이지(130) 상으로 이송된 다이(20)는 리드 프레임, 인쇄회로기판, 반도체 웨이퍼 등과 같은 기판(30) 상에 본딩될 수 있다.1 and 2 , a die transfer method according to an embodiment of the present invention may be used to transfer a die 20 in a die bonding process for manufacturing a semiconductor device. In particular, the die transfer method may be used to pick up a die 20 from a wafer 10 singulated into a plurality of dies 20 through a dicing process and transfer it onto a die stage 130 , the die The die 20 transferred onto the stage 130 may be bonded to a substrate 30 such as a lead frame, a printed circuit board, or a semiconductor wafer.

상기 다이 본딩 공정을 수행하기 위한 다이 본딩 장치(100)는, 상기 웨이퍼(10)를 지지하기 위한 웨이퍼 스테이지(110)와, 상기 기판(30)을 지지하기 위한 기판 스테이지(140)와, 상기 웨이퍼 스테이지(110)와 상기 기판 스테이지(140) 사이에 배치되는 다이 스테이지(130)와, 상기 웨이퍼(10)로부터 다이(20)를 픽업하여 다이 스테이지(130) 상으로 이송하기 위한 진공 피커(120)와, 상기 다이 스테이지(130)로부터 다이(20)를 픽업하여 상기 기판(30) 상에 본딩하기 위한 본딩 헤드(150)를 포함할 수 있다.The die bonding apparatus 100 for performing the die bonding process includes a wafer stage 110 for supporting the wafer 10 , a substrate stage 140 for supporting the substrate 30 , and the wafer A die stage 130 disposed between the stage 110 and the substrate stage 140 , and a vacuum picker 120 for picking up the die 20 from the wafer 10 and transferring the die 20 onto the die stage 130 . and a bonding head 150 for picking up the die 20 from the die stage 130 and bonding the die 20 to the substrate 30 .

상기 웨이퍼(10)는 다이싱 테이프(12) 상에 부착된 상태로 제공될 수 있으며, 상기 다이싱 테이프(12)는 원형 링 형태의 마운트 프레임(14)에 장착될 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(110) 상에는 상기 다이싱 테이프(12)를 지지하기 위한 서포트 링(112)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 다이 본딩 장치(100)는 상기 마운트 프레임(14)을 하강시킴으로써 상기 다이싱 테이프(12)를 확장시키는 확장 링(114)을 포함할 수 있다.The wafer 10 may be provided in a state of being attached to the dicing tape 12 , and the dicing tape 12 may be mounted on a circular ring-shaped mount frame 14 . A support ring 112 for supporting the dicing tape 12 may be disposed on the wafer stage 110 . In addition, the die bonding apparatus 100 may include an expansion ring 114 for expanding the dicing tape 12 by lowering the mount frame 14 .

상기 다이싱 테이프(12)의 아래에는 픽업하고자 하는 다이(20)를 상승시켜 상기 다이싱 테이프(12)로부터 분리시키는 다이 이젝터(116)가 배치될 수 있으며, 상기 다이싱 테이프(116)의 상부에는 상기 픽업하고자 하는 다이(20)를 검출하기 위한 웨이퍼 카메라(118)가 배치될 수 있다. 상기 다이 이젝터(116)와 상기 웨이퍼 카메라(118)는 수직 방향으로 서로 대응하도록 배치될 수 있으며, 상기 웨이퍼 스테이지(110)는 스테이지 구동부(미도시)에 의해 수평 방향으로 이동될 수 있다. 특히, 상기 스테이지 구동부는 상기 픽업하고자 하는 다이(20)가 상기 다이 이젝터(116)와 상기 웨이퍼 카메라(118) 사이에 위치되도록 상기 웨이퍼 스테이지(110)의 위치를 조절할 수 있다.A die ejector 116 may be disposed below the dicing tape 12 to lift the die 20 to be picked up and separate it from the dicing tape 12 , and an upper portion of the dicing tape 116 may be disposed under the dicing tape 12 . A wafer camera 118 for detecting the die 20 to be picked up may be disposed there. The die ejector 116 and the wafer camera 118 may be disposed to correspond to each other in a vertical direction, and the wafer stage 110 may be moved in a horizontal direction by a stage driver (not shown). In particular, the stage driver may adjust the position of the wafer stage 110 so that the die 20 to be picked up is located between the die ejector 116 and the wafer camera 118 .

상기 진공 피커(120)는 피커 구동부(122)에 의해 수직 및 수평 방향으로 이동될 수 있다. 상기 피커 구동부(122)는 상기 다이(20)를 픽업하고 상기 다이 스테이지(130) 상에 내려놓기 위해 상기 진공 피커(120)를 수직 방향으로 이동시키며 상기 픽업된 다이(20)를 상기 다이 스테이지(130)의 상부로 이동시키기 위해 상기 진공 피커(120)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 한편, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 진공 피커(120)의 하부에는 상기 픽업하고자 하는 다이(20)를 진공 흡착하기 위한 콜릿이 장착될 수 있다. 예를 들면, 상기 콜릿은 흡착력을 향상시키기 위해 탄성을 갖는 고무 재질 또는 실리콘 수지 등으로 이루어질 수 있으며 상기 다이(20)를 진공 흡착하기 위한 진공홀을 구비할 수 있다.The vacuum picker 120 may be moved in vertical and horizontal directions by the picker driver 122 . The picker driver 122 moves the vacuum picker 120 in a vertical direction to pick up the die 20 and put it down on the die stage 130 , and moves the picked up die 20 to the die stage ( The vacuum picker 120 may be moved in a horizontal direction in order to move to the upper part of the 130 . Meanwhile, although not shown in detail, a collet for vacuum adsorbing the die 20 to be picked up may be mounted under the vacuum picker 120 . For example, the collet may be made of a rubber material or a silicone resin having elasticity to improve adsorption force, and may have a vacuum hole for vacuum adsorbing the die 20 .

상기 다이 스테이지(130)의 상부에는 상기 다이 스테이지(130) 상의 다이(20)를 검출하기 위한 스테이지 카메라(132)가 배치될 수 있다. 상기 본딩 헤드(150)는 헤드 구동부(152)에 의해 수직 및 수평 방향으로 이동될 수 있으며, 상기 헤드 구동부(152)는 상기 다이 스테이지(130) 상의 다이(20)를 픽업하여 상기 기판(30) 상에 본딩하기 위해 상기 본딩 헤드(150)를 수직 및 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.A stage camera 132 for detecting the die 20 on the die stage 130 may be disposed on the die stage 130 . The bonding head 150 may be moved in vertical and horizontal directions by a head driving unit 152 , and the head driving unit 152 picks up the die 20 on the die stage 130 to pick up the substrate 30 . The bonding head 150 may be moved in vertical and horizontal directions in order to bond the image.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이송 방법을 설명한다.Hereinafter, a die transfer method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 도 1에 도시된 S112 단계의 픽업 불량을 설명하기 위한 개략도이다.FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a pickup failure in step S112 shown in FIG. 1 .

도 1 내지 도 3을 참조하면, S102 단계에서 상기 웨이퍼 카메라(118)는 픽업하고자 하는 제1 다이(22)를 촬상하여 상기 제1 다이(22)를 검출할 수 있으며, S104 단계에서 상기 진공 피커(120)는 상기 제1 다이(22)를 픽업하여 상기 다이 스테이지(130) 상으로 이송할 수 있다.1 to 3 , in step S102, the wafer camera 118 may detect the first die 22 by imaging the first die 22 to be picked up, and in step S104, the vacuum picker Reference numeral 120 may pick up the first die 22 and transfer it onto the die stage 130 .

S106 단계에서 상기 웨이퍼 카메라(118)는 픽업하고자 하는 제2 다이(24)를 촬상하여 상기 제2 다이(24)를 검출할 수 있다. 한편, 상기 S106 단계를 수행하기 이전에 상기 스테이지 구동부는 픽업하고자 하는 제2 다이(24)가 상기 다이 이젝터(226)와 상기 웨이퍼 카메라(118) 사이에 위치되도록 상기 웨이퍼 스테이지(110)를 이동시킬 수 있다. S108 단계에서 상기 진공 피커(120)는 상기 제2 다이(24)를 픽업하여 상기 다이 스테이지(130) 상으로 이송할 수 있다.In step S106 , the wafer camera 118 may detect the second die 24 by imaging the second die 24 to be picked up. Meanwhile, before performing step S106, the stage driver moves the wafer stage 110 so that the second die 24 to be picked up is located between the die ejector 226 and the wafer camera 118. can In step S108 , the vacuum picker 120 may pick up the second die 24 and transfer it onto the die stage 130 .

S110 단계에서 상기 웨이퍼 카메라(118)는 픽업하고자 하는 제3 다이(26)를 촬상하여 상기 제3 다이(26)를 검출할 수 있다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제3 다이(26)를 검출하는 단계(S110)에서 상기 제2 다이(24)가 상기 제3 다이(26)와 함께 검출되는 경우 상기 제2 다이(24)의 픽업이 정상적으로 수행되지 않은 픽업 불량이 발생한 것으로 판단할 수 있다.(S112)In step S110 , the wafer camera 118 may detect the third die 26 by imaging the third die 26 to be picked up. At this time, according to an embodiment of the present invention, when the second die 24 is detected together with the third die 26 in the step of detecting the third die 26 ( S110 ), the second die It may be determined that a pickup failure in which the pickup of (24) is not normally performed has occurred. (S112)

도 3을 참조하면, 상기 S112 단계의 픽업 불량은 상기 다이 스테이지(130) 상에 상기 제1 다이(22)가 놓여지지 않고 상기 진공 피커(120)의 하부에 상기 제1 다이(22)가 붙어있는 상태에서 상기 제2 다이(24)의 상부로 이동된 후 상기 제2 다이(24)의 픽업 단계가 진행되는 경우에 발생될 수 있다. 이때, 도시된 바와 같이, 상기 제1 다이(22)가 상기 진공 피커(120)의 하부에 완전히 붙어있는 상태가 아닐 수 있으며, 이에 따라 상기 진공 피커(12) 내부의 진공압 체크 과정에서 상기 제1 다이(22)가 상기 진공 피커(120)로부터 완전히 분리된 것으로 잘못 판단될 수 있다.Referring to FIG. 3 , in the case of the pickup failure in step S112 , the first die 22 is not placed on the die stage 130 and the first die 22 is attached to the lower part of the vacuum picker 120 . It may occur when the pick-up step of the second die 24 is performed after moving to the upper portion of the second die 24 in the present state. At this time, as shown, the first die 22 may not be completely attached to the lower part of the vacuum picker 120 , and accordingly, in the vacuum pressure check process inside the vacuum picker 12 , the second die 22 . 1 It may be incorrectly determined that the die 22 is completely separated from the vacuum picker 120 .

결과적으로, 상기 제1 다이(22)가 상기 진공 피커(120) 하부에 붙어있는 상태에서 상기 제2 다이(24)의 픽업이 수행되므로, 이에 따라 상기 S108 단계에서 상기 제2 다이(24)의 픽업이 정상적으로 이루어지지 않으며, 상기 다이 스테이지(130) 상에는 상기 제2 다이(24)가 아닌 제1 다이(22)가 이송될 수 있다. 즉, 상기 S104 단계에서 상기 제1 다이(22)가 상기 다이 스테이지(130) 상으로 이송되지 않는 첫 번째 이송 에러가 발생되고, 이어서 상기 S108 단계에서 상기 제2 다이(24)가 픽업되지 않고 상기 다이 스테이지(130) 상으로 상기 제2 다이(24)가 아닌 상기 제1 다이(22)가 이송되는 두 번째 이송 에러가 발생될 수 있다.As a result, since the pickup of the second die 24 is performed in a state where the first die 22 is attached to the lower part of the vacuum picker 120, accordingly, the second die 24 is removed in step S108. Pick-up is not performed normally, and the first die 22 may be transferred to the die stage 130 instead of the second die 24 . That is, a first transfer error occurs in that the first die 22 is not transferred onto the die stage 130 in step S104, and then the second die 24 is not picked up in step S108 and the A second transfer error in which the first die 22 instead of the second die 24 is transferred onto the die stage 130 may occur.

상기와 같은 이송 에러들은 상기 S110 및 S112 단계들에서 상기 제3 다이(26)의 검출시 상기 제2 다이(24)가 상기 다이싱 테이프(12) 상에 잔류하는 것이 확인됨으로써 검출될 수 있다.Such transfer errors may be detected by confirming that the second die 24 remains on the dicing tape 12 when the third die 26 is detected in steps S110 and S112 .

상기와 같이 픽업 불량이 발생되는 경우 S114 단계에서 상기 진공 피커(120)를 이용하여 상기 다이싱 테이프(12)로부터 상기 제2 다이(24)를 픽업하여 제거할 수 있으며, S116 단계에서 상기 다이 스테이지(130)로부터 상기 제1 다이(22)를 픽업하여 제거할 수 있다. 이때, 상기 S114 단계와 S116 단계의 순서는 변경될 수도 있다. 상기 다이 본딩 장치(100)는 에러가 발생된 다이들(22, 24)을 회수하기 위한 용기(미도시)를 구비할 수 있으며, 상기 진공 피커(120)는 상기 제2 다이(24)와 제1 다이(22)를 각각 픽업하여 상기 용기로 떨어뜨림으로써 상기 제2 다이(24)와 제1 다이(22)를 제거할 수 있다.When a pickup failure occurs as described above, the second die 24 may be picked up and removed from the dicing tape 12 using the vacuum picker 120 in step S114, and the die stage in step S116. The first die 22 may be picked up from 130 and removed. In this case, the order of steps S114 and S116 may be changed. The die bonding apparatus 100 may include a container (not shown) for recovering the dies 22 and 24 in which an error has occurred, and the vacuum picker 120 includes the second die 24 and the second die 24 . The second die 24 and the first die 22 can be removed by picking up each of the first die 22 and dropping them into the container.

상기와 같이 제2 다이(24)와 제1 다이(22)를 제거하는 것은 상기 제1 다이(22)가 상기 진공 피커(120)의 하부에 붙어있는 상태에서 상기 제2 다이(24)의 픽업이 수행되므로, 그 과정에서 상기 제2 다이(24)와 제1 다이(22)에는 상기 진공 피커(120)와 상기 다이 이젝터(116)에 의해 과도한 압력이 인가될 수 있고, 이에 의해 상기 제2 다이(24)와 제1 다이(22)에 손상이 발생될 수 있기 때문이다.Removal of the second die 24 and the first die 22 as described above is to pick up the second die 24 while the first die 22 is attached to the lower part of the vacuum picker 120 . Since this is performed, excessive pressure may be applied to the second die 24 and the first die 22 by the vacuum picker 120 and the die ejector 116 in the process, thereby This is because damage may occur to the die 24 and the first die 22 .

상기 제2 다이(24)와 제1 다이(22)를 제거한 후 S118 단계에서 상기 진공 피커(120)를 이용하여 제3 다이(26)를 픽업하여 상기 다이 스테이지(130) 상으로 이송할 수 있다.After removing the second die 24 and the first die 22 , the third die 26 may be picked up using the vacuum picker 120 and transferred onto the die stage 130 in step S118 . .

상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 픽업 불량은 상기 웨이퍼 카메라(118)에 의해 검출될 수 있으며, 상기 픽업 불량이 검출되는 경우 상기 진공 피커(120)는 상기 제2 다이(24)와 제1 다이(22)를 제거함으로써 손상이 발생되었을 가능성이 있는 상기 제2 다이(24)와 제1 다이(22)가 다이 본딩 단계로 제공되는 문제점을 사전에 방지할 수 있으며, 아울러 작업자가 별도의 조치를 취하지 않더라도 자동으로 상기 픽업 불량에 대응할 수 있으므로 상기 다이 본딩 장치(100)의 가동률이 크게 개선될 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention as described above, the pickup failure may be detected by the wafer camera 118 , and when the pickup failure is detected, the vacuum picker 120 moves the second die 24 . By removing the first die 22 and the second die 24 and the first die 22, which may have been damaged, the problem that the second die 24 and the first die 22 are provided to the die bonding step can be prevented in advance, and the operator can Even without taking a separate action, it is possible to automatically respond to the pickup failure, so that the operation rate of the die bonding apparatus 100 can be greatly improved.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기와 같은 픽업 불량이 반복적으로 발생되는 경우 상기 진공 피커(120)의 하부에 장착된 콜릿에 이상이 있는 것으로 판단될 수 있으며, 이에 따라 상기 콜릿을 교체할 수 있다. 특히, 기 설정된 다이 픽업 횟수 이내, 예를 들면, 상기 픽업 불량이 발생된 후 수백 내지 수천 회 이내에서 동일한 형태의 픽업 불량이 재발생되는 경우 상기 콜릿을 교체할 수 있다.On the other hand, according to an embodiment of the present invention, when the pickup failure as described above occurs repeatedly, it may be determined that there is an abnormality in the collet mounted on the lower portion of the vacuum picker 120 , and thus the collet is replaced. can do. In particular, when the same type of pickup failure occurs within a preset number of die pickups, for example, within hundreds to thousands of times after the pickup failure occurs, the collet may be replaced.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다이 이송 방법을 설명하기 위한 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a die transfer method according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, S202 단계에서 상기 웨이퍼 카메라(118)는 픽업하고자 하는 제1 다이(22)를 촬상하여 상기 제1 다이(22)를 검출할 수 있으며, S204 단계에서 상기 진공 피커(120)는 상기 제1 다이(22)를 픽업하여 상기 다이 스테이지(130) 상으로 이송할 수 있다. S206 단계에서 상기 웨이퍼 카메라(118)는 픽업하고자 하는 제2 다이(24)를 촬상하여 상기 제2 다이(24)를 검출할 수 있으며, S208 단계에서 상기 진공 피커(120)는 상기 제2 다이(24)를 픽업하여 상기 다이 스테이지(130) 상으로 이송할 수 있다.4, the wafer camera 118 may detect the first die 22 by imaging the first die 22 to be picked up in step S202, and the vacuum picker 120 in step S204. may pick up the first die 22 and transfer it onto the die stage 130 . In step S206, the wafer camera 118 may detect the second die 24 by imaging the second die 24 to be picked up, and in step S208, the vacuum picker 120 moves the second die 24 ( 24) may be picked up and transferred onto the die stage 130 .

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 다이(24)를 픽업하는 동안 상기 진공 피커(120)의 높이가 측정될 수 있으며, 상기 진공 피커(120)의 높이가 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우 상기 제1 다이(22)가 상기 진공 피커(120)의 하부에 진공 흡착된 상태인 것으로 판단할 수 있다.(S210)According to another embodiment of the present invention, the height of the vacuum picker 120 may be measured while the second die 24 is picked up, and when the height of the vacuum picker 120 is out of a preset allowable range It may be determined that the first die 22 is vacuum-adsorbed to the lower portion of the vacuum picker 120 ( S210 ).

상기와 같이 제1 다이(22)가 상기 진공 피커(120)의 하부에 진공 흡착된 상태인 것으로 판단되는 경우 S212 단계에서 상기 제1 다이(22)를 제거할 수 있으며, 이어서 S214 단계에서 상기 다이싱 테이프(12)로부터 상기 제2 다이(24)를 픽업하여 제거할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 상기와 같이 제1 다이(22)와 제2 다이(24)를 제거한 후 제3 다이(26)의 검출 및 이송 단계들이 수행될 수 있다.As described above, when it is determined that the first die 22 is vacuum-adsorbed to the lower portion of the vacuum picker 120 , the first die 22 may be removed in step S212 , and then the die 22 may be removed in step S214 . The second die 24 may be picked up from the singe tape 12 and removed. Although not shown, steps of detecting and transferring the third die 26 may be performed after the first die 22 and the second die 24 are removed as described above.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이 이송 방법을 설명하기 위한 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a die transfer method according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, S302 단계에서 상기 웨이퍼 카메라(118)는 픽업하고자 하는 제1 다이(22)를 촬상하여 상기 제1 다이(22)를 검출할 수 있으며, S304 단계에서 상기 진공 피커(120)는 상기 제1 다이(22)를 픽업하여 상기 다이 스테이지(130) 상으로 이송할 수 있다. S306 단계에서 상기 웨이퍼 카메라(118)는 픽업하고자 하는 제2 다이(24)를 촬상하여 상기 제2 다이(24)를 검출할 수 있다.5, the wafer camera 118 may detect the first die 22 by imaging the first die 22 to be picked up in step S302, and the vacuum picker 120 in step S304. may pick up the first die 22 and transfer it onto the die stage 130 . In step S306 , the wafer camera 118 may detect the second die 24 by imaging the second die 24 to be picked up.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, S308 단계에서 상기 스테이지 카메라(132)는 상기 다이 스테이지(130)의 상부를 촬상하여 상기 제1 다이(22)를 검출할 수 있다. 즉 상기 스테이지 카메라(132)는 상기 다이 스테이지(130) 상에서 상기 제1 다이(22)의 존재 유무를 확인할 수 있으며, 상기 다이 스테이지(130) 상에서 상기 제1 다이(22)가 검출되지 않는 경우 S310 단계에서 상기 진공 피커(120) 하부에 상기 제1 다이(22)가 붙어있는 것으로 판단할 수 있다. 상기와 같이 제1 다이(22)가 상기 진공 피커(120) 하부에 붙어있는 것으로 판단되는 경우 S312 단계에서 상기 제1 다이(22)를 상기 다이 스테이지(130) 상에 내려놓을 수 있다.According to another embodiment of the present invention, in step S308 , the stage camera 132 may detect the first die 22 by imaging an upper portion of the die stage 130 . That is, the stage camera 132 may check the presence or absence of the first die 22 on the die stage 130 , and when the first die 22 is not detected on the die stage 130 , S310 . In the step, it may be determined that the first die 22 is attached to the lower portion of the vacuum picker 120 . As described above, when it is determined that the first die 22 is attached to the lower portion of the vacuum picker 120 , the first die 22 may be placed on the die stage 130 in step S312 .

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 다이싱 테이프(12)로부터 다이들(20)을 하나씩 픽업하여 다이 스테이지(130)로 이송하는 과정에서 에러가 발생되는 경우 상기 에러는 상기 웨이퍼 카메라(118), 상기 진공 피커(120)의 높이 측정, 또는 상기 스테이지 카메라(132)에 의해 검출될 수 있다. 상기와 같이 다이 이송 과정에서 에러가 발생되는 경우 상기 진공 피커(120)는 픽업 단계에서 손상이 발생되었을 가능성이 있는 다이들(22, 24)을 자동으로 제거할 수 있다. 또한, 손상이 발생되기 이전인 경우 즉 상기 제1 다이(22)가 상기 다이 스테이지(130)에 놓여지지 않은 것으로 판단된 경우 상기 제1 다이(22)를 상기 다이 스테이지(130)에 내려놓은 단계를 재수행함으로써 상기 에러를 치유할 수 있다. 결과적으로, 상기 다이 이송 과정에서 발생되는 에러를 자동으로 치유할 수 있으며 아울러 손상이 발생된 다이들(22, 24)이 다이 본딩 단계로 제공되는 것을 사전에 방지하여 반도체 장치의 불량률을 크게 감소시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, when an error occurs in the process of picking up the dies 20 from the dicing tape 12 one by one and transferring them to the die stage 130 , the error is the wafer camera 118 , a height measurement of the vacuum picker 120 , or may be detected by the stage camera 132 . When an error occurs in the die transfer process as described above, the vacuum picker 120 may automatically remove the dies 22 and 24 that may have been damaged in the pickup step. In addition, when it is determined that the first die 22 is not placed on the die stage 130 before damage occurs, placing the first die 22 on the die stage 130 . The above error can be cured by re-performing . As a result, errors occurring in the die transfer process can be automatically healed, and damaged dies 22 and 24 are prevented from being provided to the die bonding step in advance, thereby greatly reducing the defect rate of the semiconductor device. can

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims. You will understand that there is

10 : 웨이퍼 12 : 다이싱 테이프
20 : 다이 30 : 기판
100 : 다이 본딩 장치 110 : 웨이퍼 스테이지
116 : 다이 이젝터 118 : 웨이퍼 카메라
120 : 진공 피커 130 : 다이 스테이지
132 : 스테이지 카메라 140 : 기판 스테이지
150 : 본딩 헤드10: wafer 12: dicing tape
20: die 30: substrate
100: die bonding apparatus 110: wafer stage
116 die ejector 118 wafer camera
120: vacuum picker 130: die stage
132: stage camera 140: substrate stage
150: bonding head

Claims (7)

진공 피커를 이용하여 다이싱 테이프 상에 부착된 다이들을 하나씩 픽업하여 다이 스테이지 상으로 이송하는 다이 이송 방법에 있어서,
제1 다이를 촬상하여 상기 제1 다이를 검출하는 단계;
상기 다이싱 테이프로부터 상기 제1 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계;
제2 다이를 촬상하여 상기 제2 다이를 검출하는 단계;
상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계;
제3 다이를 촬상하여 상기 제3 다이를 검출하는 단계;
상기 제3 다이를 검출하는 단계에서 상기 제2 다이가 검출되는 경우 상기 제2 다이의 픽업이 정상적으로 수행되지 않은 픽업 불량이 발생된 것으로 판단하는 단계; 및
상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 다이를 픽업하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이송 방법.A die transfer method for picking up dies attached on a dicing tape one by one using a vacuum picker and transferring them onto a die stage,
detecting the first die by imaging the first die;
picking up the first die from the dicing tape and transferring it onto the die stage;
detecting the second die by imaging the second die;
picking up the second die from the dicing tape and transferring it onto the die stage;
detecting the third die by imaging the third die;
determining that a pickup failure in which pickup of the second die is not normally performed has occurred when the second die is detected in the detecting of the third die; and
and picking up and removing the second die from the dicing tape. 제1항에 있어서, 상기 다이 스테이지로부터 상기 제1 다이를 픽업하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이송 방법.2. The method of claim 1, further comprising the step of picking up and removing the first die from the die stage. 제2항에 있어서, 상기 제1 다이를 제거한 후 상기 제3 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이송 방법.3. The method of claim 2, further comprising the step of picking up and transferring the third die onto the die stage after removing the first die. 제1항에 있어서, 기 설정된 다이 픽업 횟수 이내에서 픽업 불량이 반복적으로 발생되는 경우 상기 진공 피커의 콜릿을 교체하는 것을 특징으로 하는 다이 이송 방법.The die transfer method according to claim 1, wherein the collet of the vacuum picker is replaced when a pickup failure occurs repeatedly within a preset number of die pickups. 진공 피커를 이용하여 다이싱 테이프 상에 부착된 다이들을 하나씩 픽업하여 다이 스테이지 상으로 이송하는 다이 이송 방법에 있어서,
제1 다이를 촬상하여 상기 제1 다이를 검출하는 단계;
상기 다이싱 테이프로부터 상기 제1 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계;
제2 다이를 촬상하여 상기 제2 다이를 검출하는 단계;
상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계;
상기 제2 다이를 픽업하는 동안 상기 진공 피커의 높이가 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우 상기 제1 다이가 상기 진공 피커의 하부에 진공 흡착된 상태인 것으로 판단하는 단계; 및
상기 진공 피커로부터 상기 제1 다이를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이송 방법.A die transfer method for picking up dies attached on a dicing tape one by one using a vacuum picker and transferring them onto a die stage,
detecting the first die by imaging the first die;
picking up the first die from the dicing tape and transferring it onto the die stage;
detecting the second die by imaging the second die;
picking up the second die from the dicing tape and transferring it onto the die stage;
determining that the first die is vacuum-adsorbed to the lower portion of the vacuum picker when the height of the vacuum picker is out of a preset allowable range while picking up the second die; and
and removing the first die from the vacuum picker. 제5항에 있어서, 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 다이를 픽업하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이송 방법.6. The method of claim 5, further comprising the step of picking up and removing the second die from the dicing tape. 진공 피커를 이용하여 다이싱 테이프 상에 부착된 다이들을 하나씩 픽업하여 다이 스테이지 상으로 이송하는 다이 이송 방법에 있어서,
제1 다이를 촬상하여 상기 제1 다이를 검출하는 단계;
상기 다이싱 테이프로부터 상기 제1 다이를 픽업하여 상기 다이 스테이지 상으로 이송하는 단계;
제2 다이를 촬상하여 상기 제2 다이를 검출하는 단계;
상기 다이 스테이지의 상부를 촬상하여 상기 제1 다이를 검출하는 단계;
상기 다이 스테이지의 상에서 상기 제1 다이가 검출되지 않는 경우 상기 진공 피커 하부에 상기 제1 다이가 붙어있는 것으로 판단하는 단계; 및
상기 제1 다이를 상기 다이 스테이지 상에 내려놓는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이송 방법.A die transfer method for picking up dies attached on a dicing tape one by one using a vacuum picker and transferring them onto a die stage,
detecting the first die by imaging the first die;
picking up the first die from the dicing tape and transferring it onto the die stage;
detecting the second die by imaging the second die;
detecting the first die by imaging an upper portion of the die stage;
determining that the first die is attached to the lower part of the vacuum picker when the first die is not detected on the die stage; and
and placing the first die on the die stage.
KR1020190178958A 2019-12-31 2019-12-31 Die transfer method KR102336913B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190178958A KR102336913B1 (en) 2019-12-31 2019-12-31 Die transfer method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190178958A KR102336913B1 (en) 2019-12-31 2019-12-31 Die transfer method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210085657A true KR20210085657A (en) 2021-07-08
KR102336913B1 KR102336913B1 (en) 2021-12-08

Family

ID=76893820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190178958A KR102336913B1 (en) 2019-12-31 2019-12-31 Die transfer method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102336913B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101362548B1 (en) 2012-11-30 2014-02-13 세메스 주식회사 Method of inspecting a die in a die bonding process
KR20150022453A (en) * 2013-08-23 2015-03-04 세메스 주식회사 Apparatus for bonding dies and method of bonding dies using the apparatus
KR20160011471A (en) * 2014-07-22 2016-02-01 한화테크윈 주식회사 Method for inspecting part pickup
KR101802080B1 (en) 2016-05-31 2017-11-27 세메스 주식회사 Method of picking up dies from wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101362548B1 (en) 2012-11-30 2014-02-13 세메스 주식회사 Method of inspecting a die in a die bonding process
KR20150022453A (en) * 2013-08-23 2015-03-04 세메스 주식회사 Apparatus for bonding dies and method of bonding dies using the apparatus
KR20160011471A (en) * 2014-07-22 2016-02-01 한화테크윈 주식회사 Method for inspecting part pickup
KR101802080B1 (en) 2016-05-31 2017-11-27 세메스 주식회사 Method of picking up dies from wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR102336913B1 (en) 2021-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102329117B1 (en) Manufacturing apparatus of semiconductor and manufacturing method of semiconductor device
KR102654506B1 (en) Wafer debonding method and wafer debonding apparatus
US10748803B2 (en) Method and apparatus for bonding semiconductor devices
KR20170132093A (en) Semiconductor manufacturing device and manufacturing method thereof
TW201725390A (en) Defect inspection apparatus
TW202107657A (en) Die pickup method
KR101802080B1 (en) Method of picking up dies from wafer
KR102000079B1 (en) Die bonding apparatus
KR102371543B1 (en) Method of setting alignment coordinates for picking up dies and method of picking up dies using the same
KR102336913B1 (en) Die transfer method
KR101790546B1 (en) Pick and place system for wafer ring frame type
CN107452641B (en) Method for picking up bare chip from wafer
KR102172744B1 (en) Die bonding apparatus
KR20070044253A (en) Pick-up method for semiconductor die
KR20220070982A (en) Die bonding method
KR102202080B1 (en) Collet exchange method, die transfer method and die bonding method
KR20200048995A (en) Method of setting height of die ejector
JP6073654B2 (en) Pickup method and pickup device
KR102316940B1 (en) Die transfer module and die bonding apparatus having the same
JP2015154030A (en) Transfer method of device and transfer apparatus of device
KR102294889B1 (en) Die pickup module and die bonding apparatus including the same
KR102161527B1 (en) Stage unit and die bonding apparatus including the same
KR102654727B1 (en) Die bonding method and die bonding apparatus
KR102696493B1 (en) Semiconductor strip aligning method and semiconductor strip sawing method
KR20170036222A (en) Method of inspecting dies

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right