KR20210084303A - 페로브스카이트 제조용 유기 할라이드의 제조 방법, 이에 의해 제조된 페로브스카이트, 및 태양 전지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 페로브스카이트 제조용 유기 할라이드의 제조 방법, 이에 의해 제조된 페로브스카이트, 및 태양 전지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 알칼리 금속 아이오다이드 또는 알칼리 금속 브로마이드를 사용하여 이온 교환법에 의해 페로브스카이트용 유기 할라이드를 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 페로브스카이트 제조용 유기 할라이드의 제조 방법, 이에 의해 제조된 페로브스카이트, 및 태양 전지에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 알칼리 금속 아이오다이드 또는 브로마이드를 사용하는 것을 특징으로 하는 상기 제조 방법, 이에 의해 제조된 페로브스카이트, 및 태양 전지에 관한 것이다.
페로브스카이트 태양 전지는, 현재 전세계 태양 전지 시장의 93%를 차지하고 있는 결정질 실리콘 태양 전지에 대한 잠재적 대안으로서, 지난 수년에 걸쳐 매우 빠른 속도로 발전하였다. 유기 할라이드, 예컨대 메틸암모늄 할라이드 (MAX, X=I 또는 Br) 및 포름아미디늄 할라이드 (FAX)는 페로브스카이트 태양 전지에서 유기금속 트리할라이드의 광활성 층에 사용되는 중요한 물질이다. 페로브스카이트 태양 전지는 광흡수 효율이 높고 전하 운반자(charge carrier) 수명이 길며 전하 운반자의 확산 거리가 길다는 점에서 광·전기적 성질이 탁월하고 이러한 성질로 인해 최근 수년간 전력 변환 효율에 있어서 3.8%에서 25.2%까지 눈부신 개선이 이루어졌다. 통상적인 박막 태양 전지 (예를 들어, Cu(In,Ga)(S,Se) 및 CdTe에 기반한 것들)는 진공 하에서 스퍼터링 또는 증착에 의해 제조되는 데 반해, 페로브스카이트 광활성 층은 용액 상태의 유기 할라이드와 PbX2 전구체를 사용한 간단한 스핀 코팅 방법에 의해 제조된다. 이러한 용액 공정의 특성 때문에 유기금속 트리할라이드 기반 페로브스카이트 태양전지는, 진공 기술에 의존하는 박막형 태양전지보다 더 높은 경제성과 경쟁력을 갖추고 있다.
유기 할라이드 중에서도 메틸암모늄 아이오다이드 (MAX, X=I)는 재현성도 높을 뿐만 아니라, 이를 이용하여 제조한 MAPbI3 기반 페로브스카이트 태양전지는 광·전기적 성질이 탁월하고 ~21.2% 에 이르는 전력 변환 효율을 나타내므로, 메틸암모늄 아이오다이드는 중요한 전구체이다. 또한, MA 부분을 FA 로 대체하면 광흡수 파장이 더 긴 파장 영역까지 확장되어서 태양 스펙트럼의 흡수 범위가 더 넓어지므로 태양 전지의 전력 생산량이 향상된다. 그러나, MAX 및 FAX 의 합성 절차는 대부분, 유독하고 값비싼 할로겐화 수소 전구체의 사용과 관련되어 있다. 예를 들어, MAI 는 수성 메틸아민과 HI 사이의 산-염기 반응으로 합성되고, FAI도 마찬가지로, 포름아미디늄 아세테이트 (FAAc)과 HI 사이의 반응으로 제조된다. 유기 아이오다이드의 제조 방법은 수율과 재현성이 비교적 높기는 하지만, 합성시 HI를 사용하기 때문에 합성 동안에 반응 혼합물의 처리에 매우 주의해야 한다. HI는 할로겐화 수소 중에서도 가장 강한 산이고 (HI의 pKa = -9.3), 공기에 노출되었을 때 산소에 의해 쉽게 산화되어 I2로 변하므로, 영국 전문가들이 설정한 2006년 대기 오염 기준에 따르면 HI 및 HBr의 경우 0.1 ppm 및 0.2 ppm 이하의 농도가 권장된다. 또한, 페로브스카이트 태양 전지는 생산 비용이 낮다는 장점을 가졌으나, MA 또는 FA와 HI의 반응에서 반응 수율을 높이기 위해 HI를 과도하게 사용하면 제조 비용이 높아지기 때문에, 페로브스카이트 태양 전지의 경제성은 저하되게 된다.
제조 공정의 관점에서는, 유독성 수성 혼합물로부터 생성물을 분리하기 위해 물 및 미반응 HI 또는 HBr을 감압 제거하는 공정에서 특별한 주의가 필요하다. 결론적으로, 유기 할라이드를 경제적이고 친환경적으로 합성하는 방법을 개발하는 것이 페로브스카이트 태양 전지의 산업적 생산에 중요하다. 페로브스카이트 태양 전지에 있어서 안정성과 전력 변환 효율을 향상시키기 위한 방안이 최근 수년간 광범위하게 연구되어 왔으나, 유기 할라이드 전구체 제조에 대한 이슈를 다루는 연구와 특허는 거의 보고된 바가 없다.
본 발명의 일 목적은 유독성이 있는 종래의 HI 또는 HBr을 사용하지 않는, 페로브스카이트 제조용 유기 할라이드의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 제조 방법에 의해 제조될 수 있는 유기 할라이드를 전구체로서 포함하여 사용함으로써 제조되는 페로브스카이트를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 페로브스카이트를 포함하는 태양 전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 메틸암모늄 클로라이드 또는 포름아미디늄 클로라이드를 알칼리 금속 아이오다이드 또는 알칼리 금속 브로마이드와 반응시키는 단계 (a)를 포함하는, 페로브스카이트 제조용 유기 할라이드의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 상기 제조 방법에 의해 제조된 유기 할라이드를 전구체로서 포함하여 사용함으로써 제조되는 페로브스카이트가 제공된다.
본 발명의 제3 양태에 따르면, 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 적어도 부분적으로 배치되는 광활성 층으로서, 제1항의 방법에 의해 제조된 유기 할라이드를 전구체로서 포함하여 사용함으로써 수득된 페로브스카이트를 포함하는 광활성 층을 포함하는 태양 전지가 제공된다.
본 발명에서는 할라이드 공급원으로 유독성이 있는 종래의 HI 또는 HBr을 사용하는 대신에 알칼리 금속 아이오다이드 또는 알칼리 금속 브로마이드를 사용함으로써, 손쉽고 친환경적인 방법으로 페로브스카이트 전구체를 제조할 수 있다. 종래 기술에 따라 HI 또는 HBr 과 같은 강산을 사용할 경우, 공기 중에 장시간 보관시 산소와 반응하여 산화되기 때문에 특수 보관 조건이 필요하여 대량 생산에 적합하지 않으며 마약 제조에도 이용될 수 있어 미국 United States Drug Enforcement Administration (DEA)의 List I 화합물로 감시 대상이 된다. 그 뿐만 아니라 산-염기 반응의 강한 발열 특성으로 인하여 추가의 냉각 시스템이 필요하다. 이에 비해, 본 발명에 따르면, 이러한 강산을 사용하지 않기 때문에 제조 설비를 단순화할 수 있으며, 원료 비용이 싸고 폐기물 처리도 쉽게 할 수 있어, 더 안전하고 더 간단한 대량 생산을 디자인할 수 있게 하여준다. 아울러, 본 발명에 따른 제조 방법은 생산 수율도 높다. 따라서, 본 발명의 제조 방법은 종래 기술의 방법에 비하여 월등히 높은 경제성을 가진다.
도 1a 는 종래 기술에 따른 페로브스카이트용 유기 할라이드의 제조 방법을 도식화한 것이고, 도 1b 는 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법을 도식화한 것이다.
도 2 는 본 발명의 일 실험예에 따라 에탄올(EtOH) 또는 물을 용매로 하여 환류 조건 하에 제조된 4가지 유기 할라이드의 수율을 나타낸 것이다.
도 3 은 본 발명의 일 실험예에 따라 에탄올(EtOH) 또는 물을 용매로 하여 실온에서 제조된 4가지 유기 할라이드의 수율을 나타낸 것이다.
도 4 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 시료들의 수소 핵자기공명 (1H NMR) 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 5 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 시료들의 X선 회절 패턴을 나타낸 것이다.
도 6 은 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 시료들의 X선 형광분석 (XRF) 원소분석결과를 보여주는 표이며, a 괄호 안의 숫자는 제조된 시료들의 재결정 후의 분석 결과이다.
도 7a 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 유기 할라이드 또는 시판되는 유기 할라이드를 사용하여 제조된 페로브스카이트 막의 UV-Vis 흡수 스펙트럼을 나타내고, 도 7b 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 유기 할라이드 또는 시판되는 유기 할라이드를 사용하여 제조된 페로브스카이트 막의 XRD 패턴을 나타낸다. 또한, 도 7c 및 7d 는 각각, 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 유기 할라이드 또는 시판되는 유기 할라이드를 사용하여 제조된 페로브스카이트 막의 SEM 이미지의 상면도이다.
도 8a 내지 도 8c 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 유기 할라이드 또는 시판되는 유기 할라이드를 사용하여 제조된 페로브스카이트 막의 상기 도 7b의 XRD 패턴을 확대한 것이다.
도 9a 는 본 발명의 일 실험예에서 제조한 메조포러스형 페로브스카이트 태양 전지(PSC)의 구조를 도시하며, 도 9b 는 상기 태양 전지의 횡단면 SEM 이미지를 도시한다. 또한, 도 9c 내지 도 9g 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조한 유기 할라이드를 사용하여 제작한 PSC 및 시판되는 유기 할라이드를 사용하여 제작한 PSC의 전류 밀도-전압 곡선 (J-V 곡선)(도 9c), 단락 회로 전류 밀도 (Jsc) (도 9d), 개방 회로 전압 (Voc) (도 9e), 충전 인자 (FF) (도 9f), 및 전력 변환 효율 (PCE) (도 9g)을 나타낸다.
도 2 는 본 발명의 일 실험예에 따라 에탄올(EtOH) 또는 물을 용매로 하여 환류 조건 하에 제조된 4가지 유기 할라이드의 수율을 나타낸 것이다.
도 3 은 본 발명의 일 실험예에 따라 에탄올(EtOH) 또는 물을 용매로 하여 실온에서 제조된 4가지 유기 할라이드의 수율을 나타낸 것이다.
도 4 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 시료들의 수소 핵자기공명 (1H NMR) 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 5 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 시료들의 X선 회절 패턴을 나타낸 것이다.
도 6 은 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 시료들의 X선 형광분석 (XRF) 원소분석결과를 보여주는 표이며, a 괄호 안의 숫자는 제조된 시료들의 재결정 후의 분석 결과이다.
도 7a 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 유기 할라이드 또는 시판되는 유기 할라이드를 사용하여 제조된 페로브스카이트 막의 UV-Vis 흡수 스펙트럼을 나타내고, 도 7b 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 유기 할라이드 또는 시판되는 유기 할라이드를 사용하여 제조된 페로브스카이트 막의 XRD 패턴을 나타낸다. 또한, 도 7c 및 7d 는 각각, 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 유기 할라이드 또는 시판되는 유기 할라이드를 사용하여 제조된 페로브스카이트 막의 SEM 이미지의 상면도이다.
도 8a 내지 도 8c 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조된 유기 할라이드 또는 시판되는 유기 할라이드를 사용하여 제조된 페로브스카이트 막의 상기 도 7b의 XRD 패턴을 확대한 것이다.
도 9a 는 본 발명의 일 실험예에서 제조한 메조포러스형 페로브스카이트 태양 전지(PSC)의 구조를 도시하며, 도 9b 는 상기 태양 전지의 횡단면 SEM 이미지를 도시한다. 또한, 도 9c 내지 도 9g 는 본 발명의 일 실험예에 따라 제조한 유기 할라이드를 사용하여 제작한 PSC 및 시판되는 유기 할라이드를 사용하여 제작한 PSC의 전류 밀도-전압 곡선 (J-V 곡선)(도 9c), 단락 회로 전류 밀도 (Jsc) (도 9d), 개방 회로 전압 (Voc) (도 9e), 충전 인자 (FF) (도 9f), 및 전력 변환 효율 (PCE) (도 9g)을 나타낸다.
이하, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 구현예를 설명하기 위해 사용된 것으로서 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서 "페로브스카이트"는 양이온(R 및 M)과 음이온(X)이 RMX3 의 화학식으로 구성되며, 최초의 페로브스카이트형 물질인 CaTiO3와 같은 결정 구조를 가지는 유기무기 할라이드 물질을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, "페로브스카이트 태양 전지"는 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 유기무기 할라이드 물질을 포함하는 태양 전지를 의미한다.
페로브스카이트 제조용 유기 할라이드의 제조 방법
본 발명의 제1 양태에 따르면, 본 발명의 페로브스카이트 제조용 유기 할라이드의 제조 방법은 메틸암모늄 클로라이드(methylammonium chloride) 또는 포름아미디늄 클로라이드(formamidinium chloride)를 알칼리 금속 아이오다이드 또는 알칼리 금속 브로마이드와 반응시키는 단계 (a)를 포함한다.
본 발명의 상기 알칼리 금속 아이오다이드 또는 알칼리 금속 브로마이드에서, 상기 알칼리 금속은 상기 메틸암모늄 클로라이드 또는 포름아미디늄 클로라이드와 반응한다면 특별히 제한되지 않으며, 구체적으로 리튬, 나트륨, 칼륨 등일 수 있다. 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 알칼리 금속 아이오다이드 또는 알칼리 금속 브로마이드는 나트륨 아이오다이드 (NaI) 또는 나트륨 브로마이드 (NaBr)일 수 있다. 상기 NaI 및 NaBr 은 물 및 알콜과 같은 용매 중에서 용해도가 높다는 점에서 유용할 수 있다.
본 발명의 상기 제조 방법에서 유기 할라이드는 메틸암모늄 아이오다이드 (MAI), 메틸암모늄 브로마이드 (MABr), 포름아미디늄 아이오다이드 (FAI), 또는 포름아미디늄 브로마이드 (FABr)일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 반응 단계 (a)는 용매 중에서 이온 교환 반응에 의해 수행되는 것일 수 있다. 상기 용매는 물 또는 알콜일 수 있으며, 여기서 상기 알콜은 탄소수 1 내지 5개의 1가 또는 2가 알콜일 수 있으며, 구체적으로는 탄소수 1 내지 5개의 1가 알콜일 수 있고, 더 구체적으로는 에탄올일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 반응 단계 (a)는 용매 중에서 실온 또는 환류 하에 수행될 수 있다. 상기 환류에 적합한 온도는 사용 용매 등에 따라 적절히 결정될 수 있으며, 물을 용매로 사용할 경우 예를 들어 100℃, 에탄올을 용매로 사용할 경우 예를 들어 78℃ 일 수 있다. 상기 반응 시간은 반응 속도 및 목적하는 수득율 등에 따라 결정될 수 있으며, 예를 들어 교반 하에 1분에서 24시간까지 수행될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것이 아니라 24시간 이상의 시간으로도 수행될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 반응 단계 (a) 이후에, 상기 반응 단계 (a)의 생성물을 여과하는 단계 (b), 및 용매를 제거하는 단계 (c)를 추가로 포함할 수 있다. 상기 여과 단계 (b)에 의해 반응 부산물인 NaCl이 제거될 수 있다. 또한, 상기 용매 제거 단계 (c)에 있어서, 용매가 물일 경우, 물을 단계 (c)에서 먼저 제거한 후, 알콜에 생성물을 용해시키고 여과 단계 (b)를 수행할 수 있다. 한편, 용매가 알콜일 경우, 여과 단계 (b)를 먼저 수행한 후, 단계 (c)를 수행할 수 있고, 또한, 여기서 상기 단계 (c)는 알콜을 증발시킴으로써 수행될 수 있다.
본 발명의 또다른 일 구현예에 따르면, 상기 반응 단계 (a)에서 생성된 유기 할라이드로부터 알칼리 금속 클로라이드를 재결정하여 제거하는 단계 (d)를 추가로 더 포함할 수 있다. 상기 단계 (a)에서 생성된 유기 할라이드에는 이온교환법의 수행에 따라 필연적으로 이온성 염 불순물 (예를 들어, 알칼리 금속 클로라이드, 알칼리 금속 아이오다이드, 메틸암모늄 클로라이드, 또는 포름아미디늄 클로라이드)이 있을 수 있다. 따라서, 상기 단계 (a)를 수행하고, 필요에 따라 상기 단계 (b) 및/또는 (c)를 더 수행한 후, 재결정함으로써 이온성 염 불순물, 구체적으로 알칼리 금속 클로라이드 등을 추가로 더 제거할 수 있다.
본 발명의 유기 할라이드로부터 제조되는 페로브스카이트
본 발명의 제2 양태에 따르면, 전술한 바와 같은 유기 할라이드의 제조 방법에 의해 제조된 유기 할라이드를 전구체로서 포함하여 사용함으로써 제조되는 페로브스카이트가 제공된다.
상기 페로브스카이트는 RMX3 구조를 가지는 것으로서, 본 발명에 따르면, 상기 R은 메틸암모늄 양이온 또는 포름아미디늄 양이온일 수 있고, X는 아이오다이드 음이온 또는 브로마이드 음이온일 수 있고, M은 Pb2+, Sn2+, Ge2+ 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 2가의 금속 양이온일 수 있다.
본 발명에 따른 페로브스카이트는, 종래의 방법에 따라 강산을 이용하여 제조된 유기 할라이드를 사용하여 제조한 것에 비하여, 결정도 및 입자 크기가 약간 더 큰 경향이 있는데, 이는 이온교환법을 이용하는 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 유기 할라이드가 잔류 염소 이온을 불가피하게 포함하고 있기 때문인 것으로 여겨진다.
태양 전지
본 발명의 제3 양태에 따르면, 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 적어도 부분적으로 배치되는 광활성 층으로서, 전술한 바와 같은 유기 할라이드의 방법에 의해 제조된 유기 할라이드를 전구체로서 포함하여 사용함으로써 수득된 페로브스카이트를 포함하는 광활성 층을 포함하는 태양 전지가 제공된다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 페로브스카이트는 전술한 바와 같은 유기 할라이드를 화학식 MX2 의 화합물과 반응시켜 수득되는 것일 수 있다. 여기서, X는 아이오다이드 음이온 또는 브로마이드 음이온일 수 있고, M은 Pb2+, Sn2+, Ge2+ 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 2가의 금속 양이온일 수 있다. 상기 페로브스카이트를 포함하는 광활성 층은 용액 상태의 상기 유기 할라이드와 화학식 MX2의 화합물을 사용하여 예를 들어, 스핀 코팅함으로써 간단히 제조될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 전극은 애노드 및 캐소드 중 하나일 수 있고, 상기 제2 전극은 애노드 및 캐소드 중의 다른 하나일 수 있다. 본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 또는 둘 모두가 기판 상에 코팅될 수 있다. 본 발명의 또다른 일 구현예에 따르면, 상기 태양 전지는 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 전자 전달 층 및 정공 전달 층을 추가로 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 태양 전지는 상기 광활성 층이 페로브스카이트 물질 이외의 다른 광활성 물질, 예를 들어 반도체 물질을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 광활성 층은 페로브스카이트 층 이외에, 추가의 다른 광활성 물질을 포함하는 층, 예를 들어, 반도체 층을 더 포함할 수 있다.
이하, 실시예를 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
[실시예]
사용한 재료
하기의 재료를 추가 정제 없이 구입한 그대로 사용하였다: NaI (99.5%, Wako 제품), NaBr (99.5%, Junsei 제품), 메틸암모늄 클로라이드 (MACl, 98.0%, Junsei 제품), FAAc (98%, TCI 제품), 에탄올 (EtOH, 99.5%, 삼전화학 제품), 디에틸 에테르 (Et2O, ≥99.7%, Sigma-Aldrich 제품), 메틸아민 용액 (수 중 40 wt%, TCI 제품), 요오드화 수소산 (HI, 수 중 57 wt%, Sigma-Aldrich 제품), 브롬화 수소산 (HBr, 수 중 48 wt%, Sigma-Aldrich 제품), 티타늄 디이소프로폭시드 비스(아세틸아세토네이트) (이소프로판올 중 75 wt%, Sigma-Aldrich 제품), 1-부탄올 (99%, Sigma-Aldrich 제품), 테르피네올 (무수, Sigma-Aldrich 제품), PbI2 (99.9%, TCI 제품), N,N-디메틸포름아미드 (DMF, 99.8%, Sigma-Aldrich 제품), 디메틸 술폭시드 (DMSO, ≥99.9%, Sigma-Aldrich 제품), 아세토니트릴 (무수, 99.8%, Sigma-Aldrich 제품), 2,2',7,7'-테트라키스(N,N-디-p-메톡시페닐아민)-9,9'-스피로비플루오렌 (스피로-MeOTAD, >99.5%, Luminescence Technology Corp. 제품), 비스(트리플루오로메탄)술폰아미드 리튬 염 (Li-TFSI, 99%, Alfa Aesar 제품), 트리스(2-(1H-피라졸-1-일)-4-tert-부틸피리딘) 코발트(III) 트리[비스(트리플루오로메탄)술폰아미드] (Co-TFSI, FK209, Greatcell Solar 제품), 및 4-tert-부틸피리딘 (96%, Sigma-Aldrich 제품). 포름아미디늄 클로라이드 (FACl)은 통상의 방법, 즉, FAAc 및 HCl 용액의 반응으로 제조하였다 (하기 참조: [I. Levchuk, A. Osvet, X. Tang, M. Brandl, J.D. Perea, F. Hoegl, G.J.Matt, R. Hock, M. Batentschuk and C.J.Brabec, Nano Lett. 2017, 17, 2765-2770])
1. 실험예
1-(1). MAX 및 FAX (X = Br 및 I) 유기 할라이드의 합성
1-(1)-①. MAI 의 합성
NaX (X = Br 또는 I)를 물 (또는 EtOH) 중에서 MACl 또는 FACl과 함께 적합한 온도에서 반응시켜, MAX 및 FAX의 유기 할라이드를 합성하였다. 이온 교환 반응을 통한 MAI의 합성을 위해, 20 mmol (3.0 g)의 NaI 및 20 mmol (1.35 g)의 MACl을 100 mL의 탈이온수 중에 각각 따로 용해시킨 후, 실온에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 함께 넣었다. 환류 하에 (또는 실온에서) 혼합수용액을 100℃ 이상의 환류 조건 (EtOH의 경우 약 78℃)에서 격렬히 교반하며 3 시간 동안 반응을 수행하였다. 반응 완료 후, 반응 혼합물로부터 물을 진공 하에 제거하였다. 황색빛의 흰색 분말이 생성되었고, 이를 EtOH (또는 이소프로판올)에 분산시킨 후, 여과하여 NaCl을 제거하였다 (이소프로판올을 사용할 경우, EtOH 보다 많이 필요하지만 불순물인 NaCl의 양은 많이 감소하였다). EtOH (또는 이소프로판올)은 진공 하에 증발시켰다. 얻어진 생성물은 Et2O로 수차례 세척하고, 잔류 용매를 증발시켜 고순도의 MAI를 수득하였다. 용매로서 물 대신에 EtOH을 사용한 경우, MAI 여과 및 후속하는 EtOH 증발과 Et2O로의 세척 이후에 MAI가 곧바로 수득되었다. EtOH을 용매로 사용하여 반응을 진행할 경우, 환류 조건에서 상온으로 냉각한 후, NaCl을 여과하고 용매를 제거하여 MAI를 수득하였다.
1-(1)-②. MABr, FABr, 및 FAI 의 합성
상기 MAI에 사용된 합성 조건과 동일한 조건을 유지하되, 상이한 전구체를 사용하여 다른 유기 할라이드를 제조하였다: MACl 및 NaBr을 사용하여 MABr을 제조하였고; FACl 및 NaBr을 사용하여 FABr을 제조하였고; FACl 및 NaI를 사용하여 FAI를 제조하였다.
1-(1)-③. MAI 의 합성
MACl 7.36 g 및 NaI 16.34 g을 100 mL의 EtOH 에 용해시킨 것을 제외하고는, 상기 1-(1)-①의 MAI에 사용된 합성 조건과 동일한 조건을 유지하여 MAI를 합성하였다.
1-(1)-④. FAI 의 합성
FACl 14.92 g 및 NaI 27.79 g을 100 mL의 EtOH 에 용해시킨 것을 제외하고는, 상기 1-(1)-①의 MAI에 사용된 합성 조건과 동일한 조건을 유지하여 FAI를 합성하였다.
1-(2). 페로브스카이트 태양 전지 (PSC)의 제조
장치 성능의 비교를 위해, 본 발명의 전술한 1-(1)-①에 따라 이온 교환 방법에 의해 제조된 MAI (장치의 특성 분석 부분에서는 IE-MAI로 약칭했음)와 MAI 시판품 (≥99.5%, Xi'an Polymer Light Technology Corp. 제품)(장치의 특성 분석 부분에서는 CO-MAI로 약칭했음)을 태양 전지 제조에 사용하였다. 태양 전지 제조에 사용된 IE-MAI 및 CO-MAI 모두, Et2O 및 EtOH 의 혼합 용매로부터 재결정하여 얻었다.
모든 장치는 통상의 방법에 따라 제조되었다. 2 X 2 cm2 (Pilkington TEC8)의 불소-도핑된 산화주석 (FTO) 기판을, 아세톤, 탈이온수 및 이소프로필 알콜을 순차적으로 사용하여 15분 동안 초음파 욕조에서 세정하였다. 세정된 기판을 N2 가스 스트림 하에 건조하였다. 먼저, 0.15 M 티타늄 디이소프로폭시드 비스(아세틸아세토네이트)가 녹아있는 1-부탄올 용액을 20초 동안 3000 rpm에서 스핀 코팅하여 TiO2 치밀 층 (c-TiO2)을 제조하였다. 상기 c-TiO2/FTO를 5분 동안 125℃에서 구운 후, 30분 동안 70℃에서 0.05 M TiCl4 용액 중에 침지시키고, 탈이온수 및 이소프로필 알콜로 헹구었다. 그 후, TiO2 나노입자 (~50 nm 평균 직경)으로 구성된 희석된 TiO2 페이스트 (SC-HT040, SCHARECHEM Co. 제품)를 스핀 코팅하여, 메조포러스(mesoporous) TiO2 (mp-TiO2) 층을 형성시켰다. 상기 TiO2 페이스트는, 혼합 용매 (3.5:1 비의 1-프로판올 대 테르피네올) 중에, 1:3.5 비의 페이스트 대 용매 비로 희석하였다. 그 후, mp-TiO2 층을 5분 동안 125℃에서 굽고, 30분 동안 500℃에서 어닐링하였다.
MAPbI3 막은 통상의 용매 엔지니어링(solvent engineering) 방법을 통해 제조하였다. 전구체 용액을 20초 동안 4000 rpm에서 스핀 코팅함으로써, 상기 제조한 mp-TiO2/c-TiO2/FTO/유리 기판에 MAPbI3 막을 코팅하였다. 상기 전구체 용액은 52 wt%의 전구체, 즉, PbI2 및 목적하는 MAI (IE-MAI 또는 CO-MAI)를, 부피비 7.33:1 로 하여 무수 DMF 및 DMSO의 혼합 용매 중에 용해시킴으로써 제조한 것이었다. 그 후, 0.5 mL의 Et2O를 스핀 코팅 동안에 상기 기판에 주입하였다. 다음으로, 상기 기판을 순차적으로 65℃ (1 분) 및 130℃ (10 분)에서 어닐링하였다. 상기 페로브스카이트 층 위에 정공 전달 층을 30초 동안 3000 rpm에서 스핀 코팅하였다. 상기 정공 전달 재료 전구체 용액은, 18 μL의 Li-TFSI 용액 및 14.7 mg의 Co-TFSI를 1 mL의 스피로-MeOTAD 용액에 순차적으로 첨가함으로써 제조된 것이었다. 상기 Li-TFSI 용액은, 1 mL의 아세토니트릴 중에 566 mg의 Li-TSFI를 용해시킴으로써 제조한 것이었다. 상기 스피로-MeOTAD 용액은, 80 mg의 스피로-MeOTAD 및 32 μL의 4-tert-부틸피리딘을 1 mL 의 클로로벤젠에 순차적으로 용해시킴으로써 제조된 것이었다. 마지막으로, 상기 정공 전달 층 위에 열 증착법에 따라 1 Ås-1 의 증착 속도로 Au 전극을 증착하였다.
2. 특성 분석
1H 핵 자기 공명(NMR) 스펙트럼은 Bruker AVANCE III 500 분광계를 사용하여 얻었다. X선 회절 (XRD) 패턴은, Cu Kα 방사선원 (λ=1.5405 Å)이 장착된 PANalytical X'Pert PRO MPD에서 기록된 것이고, 스텝 사이즈는 0.016o 이었다. 파장 분산 X선 형광 (WD-XRF) 분광계 (Bruker S8 Tiger)를 사용하여 원소 분석을 수행하였다. 페로브스카이트 태양 전지의 성능을 알아보기 위하여, 소스 미터 (Keithley 2450)가 있는 태양광 시뮬레이터 (Newport Oriel Solar 3A Class, 94023A)를 사용하였다. 상기 태양광 시뮬레이터는 표준 Si 참조 전지 (Newport, 91150V)를 사용하여 AM 1.5G (100 mAcm-2)를 조사하도록 보정되었다. 전류 밀도-전압 (J-V) 곡선은 30 mVs-1 또는 100 mVs-1 의 주사 속도에서 순방향 바이어스 (0V 내지 1.2V)에서 역방향 바이어스 (1.2V 내지 0V)까지 기록하였다. 각 장치의 활성 영역은 0.107 cm2 이었다.
실험 결과
2-(1). 이온 교환법에 의한 유기 할라이드의 합성
다양한 알칼리 금속 할라이드 중에서도 NaI 및 NaBr이, 본 실험에서 용매로 사용된 물과 EtOH 모두에서 용해도가 높기 때문에 (100 g의 EtOH 당 NaI는 ~46 g, NaBr은 2.32 g), MACl 또는 FACl을 사용한 이온 교환 반응물로 가장 적합하였다. 반면, 반응 부산물 NaCl의 낮은 용해도 특성 (~0.065 g/100 g EtOH)은, 간단한 여과에 의해 반응 혼합물로부터 MAI가 분리되게 하여 준다. 도 2는 전술한 1-(1)-① 및 1-(1)-②에 따라 환류 조건 하에 제조된 4가지 유기 할라이드 (MAI, MABr, FAI, 및 FABr)의 수율을 보여준다. 또한, 비록 도 2에는 나타내지 않았으나, 전술한 1-(1)-③에 따라 제조된 MAI 및 1-(1)-④에 따라 제조된 FAI의 경우 수율이 각각 98% 및 94.2% 였다. 본 실험의 모든 경우에서 간단한 이온 교환 반응에 의해서도 탁월한 수율이 달성되었다는 것을 알 수 있다 (할로겐화수소를 사용한 통상의 절차를 통해 달성된 수율과 유사한 수율).
반응열과 관련해서, 이온 교환 방법은 더 안전하고 더 간단한 대량 생산을 디자인할 수 있게 하여준다. 종래 기술에 따른 유기 할라이드 합성의 HX 경로의 경우, 산-염기 반응의 강한 발열 특성으로 인하여 추가의 냉각 시스템이 필요하다. 이에 반해, 이온 교환 반응에서는 온도의 매우 경미한 상승만 관찰된다. 이러한 결과는 이온 교환 방법이 유기 할라이드 전구체의 대량 생산에 매우 적용가능하다는 점을 반영한다. 또한, 본 발명에 따르면, 고체 상태 MACl 및 NaX의 부식성이 무시할만한 수준이라는 점도, 이러한 반응물을 위한 특수 보관 조건을 필요로 하지 않기 때문에, 종래 기술의 HI 경로와 비교하여 대량 생산시의 뚜렷한 이점이 된다.
용매로서 물을 EtOH 로 대체하면, 물 제거 단계를 생략할 수 있어서 합성 방법이 더 간단해지고 최종 유기 할라이드 생성물을 반응 혼합물에서 여과에 의해 곧바로 분리시킬 수 있어서 대량 생산시 에너지 소비가 감소한다는 이점이 있다. 그러나, 이온 교환을 EtOH 용매에서 실온으로 수행할 경우, 물을 용매로 했을 때에 비하여 반응 수율이 실질적으로 감소하였다 (도 3 참조). 한편, 도 3을 참조하면, 반응 수율은 생성물의 양이온이 아니라 음이온의 특성에 명확히 의존하였다. 즉, MAI 및 FAI가 MABr 및 FABr에 비하여 반응율이 훨씬 더 높았고, 실온에서 MAI 및 FAI의 최종 수율은 ~70%인 반면 MABr 및 FABr의 최종 수율은 ~50% 였다. 한편, 합성 온도는 EtOH가 용매로 사용되었을 때 반응 동역학에 강하게 영향을 미치는데, 용매로서 EtOH를 물로 대체하면 할라이드 음이온의 특성과 관계없이 실온에서 거의 100% 반응 수율을 달성하였다 (도 3 참조).
2-(2). 이온 교환 방법에 의해 합성한 유기 할라이드의 특성 분석
전술한 1-(1)-① 및 1-(1)-②에 따라 이온 교환에 의해 합성한 유기 할라이드 시료의 순도를 1H NMR 분광계로 확인하였다 (도 4). 모든 스펙트럼에서 유기 오염원(예를 들어 2.0 ppm 에서 메틸아민의 -NH2)가 없는 순수한 MAX 및 FAX를 보여주었다.
생성물 순도를 추가로 확인하기 위하여, 전술한 1-(1)-① 및 1-(1)-②에 따라 합성한 MAI, MABr, FAI, 및 FABr의 X선 회절 패턴을 얻었다 (도 5). 도 5 에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따라 제조한 시료의 회절 피크 모두가 참조용 MAX 및 FAX의 회절 피크와 잘 일치하였다. 다만, 이온 교환 방법에서는 NaCl 및 NaI와 같은 이온성 염 불순물을 피할 수가 없다. 따라서, 이온 교환 반응으로 제조한 시료의 원소 분석을, 1H NMR 분석에서 검출되지 않는 불순물 이온에 대해 XRF 로 수행하였고, 그 결과를 도 6 에 나타낸다. 예를 들어, 제조한 그대로의 시료들에서는 소량의 Na 와 Cl 이 검출되었고, 메탄올을 이용하여 재결정한 이후에는 MAI, MABr, FAI 및 FABr 모두 Na 와 Cl 이 검출되지 않았다.
2-(3). 페로브스카이트 막의 특성 분석
본 발명의 전술한 1-(1)-① 에 따라 합성한 IE-MAI를 사용하여 메틸암모늄 납 트리아이오다이드(CH3NH3PbI3, MAPbI3) 페로브스카이트 박막을 제조하고, 이의 광학적, 구조적, 및 형태학적 성질을 조사하였다. 비교를 위해, 본 발명의 IE-MAI를 대신하여 상업용 MAI를 사용한 MAPbI3 막도 동일한 제조 방법을 사용하여 제조하였다.
도 7a 는 페로브스카이트 막의 UV-Vis 흡수 스펙트럼을 도시한다. MAI의 유형에 따른 광학 흡수 성질의 차이는 없었다. 두 막 모두가 전체 파장 범위에서의 흡광도 및 흡수 엣지가 정확히 동일하였다. 두 MaPbI3 막의 두께가 동일하므로, MAI 공급원이 다르더라도 MaPbI3 재료의 흡광 계수 α 값 (α= 2.303 A/t, 여기서, A가 흡광도, t는 두께)은 동일하게 된다.
도 7b 는 MAPbI3 막의 XRD 패턴을 보여준다. 정방 정계 페로브스카이트 (I4/mcm)의 회절 패턴이 두 막 모두에 대해 선명하게 관찰되는데, 이는 두 막의 매트릭스가 MAPbI3 라는 것을 나타낸다. 12.7o 에서의 작은 피크는 소량의 PbI2 에서 유래된 것인데, 이것은 용매 엔지니어링 방법에서의 통상적인 잔류물이다. IE-MAPbI3 및 CO-MAPbI3에 대한 PbI2의 피크 강도가 상이하다는 점이 주목할 만하다 (도 8a 참조).
MAPbI3 (110) 피크 및 12.7o에서 PbI2 피크 사이의 강도 비를 기준으로 비교했을 때(IE-MAPbI3 및 CO-MAPbI3 에 대해 0.04 및 0.13), IE-MAPbI3에서 PbI2의 상대적인 양이 CO-MAPbI3 에서의 PbI2의 양의 1/3 보다 작다. 이러한 PbI2 양의 차이는 MAI 전구체 중의 염소의 양이 상이하기 때문인 것으로 보인다. XRF 분석에 의하면, IE-MAI의 경우 0.12% 염소가 검출된 반면에, CO-MAI에서는 염소가 검출되지 않았다. 염소는 MAPbI3 형성을 촉진시킴으로써 페로브스카이트 층으로부터 PbI2 가 더 적게 추출되게 하는 것으로 보고되어 있다. PbI2가 존재할 경우, 태양 전지의 효율에 악영향을 끼치므로, PbI2의 양이 적은 것이 태양 전지 장치의 상태에 바람직하다. 따라서, 상기와 같은 XRD 피크 강도 데이터에서 IE-MAPbI3의 PbI2의 강도가 상대적으로 약하므로 페로브스카이트 층에 존재하는 PbI2의 양이 적은 것으로 보이며, 이에, IE-MAPbI3를 사용한 페로브스카이트 층이 CO-MAPbI3 를 사용한 페로브스카이트 층보다 상대적으로 더 우수한 성능을 제공할 것이라고 볼 수 있다.
IE-MAPbI3 및 CO-MAPbI3 의 XRD 패턴 사이의 다른 큰 차이점은 MAPbI3 (110) 피크의 피크 면적 및 반치 전폭(FWHM) 이다. XRD 피크로부터 측정한, 가우스 피팅 결과를 아래의 [표 1]에 요약하였다. 가우스 피팅으로 얻은 (110) 피크 면적은 IE-MAPbI3 및 CO-MAPbI3 에 대해 각각 0.67 및 0.45 이고 (도 8 및 표 1 참조), 이는 IE-MAPbI3 의 결정도가 더 높다는 것을 가리킨다. 또한, MAPbI3 (110) 피크의 FWHM 은 IE-MAPbI3 및 CO-MAPbI3 의 패턴에서 각각, 13.33 및 12.14 인 것으로 나타났고, 이는 셰러(Scherrer) 방정식 [B = Kλ/Lcosθ, 여기서 B는 FWHM 이고, K는 형상 인자 (여기서는 1에 가까움)이고, λ는 X선 파장이고, θ는 브랙 각이고, L은 평균 입도 크기이다]에 따라 추정했을 때 IE-MAPbI3 가 CO-MAPbI3 보다 결정자 크기가 10% 더 크다는 것을 가리킨다.
[표 1]
또한, IE-MAPbI3 막의 입자 크기가 약간 더 크다는 것이 SEM 이미지에서 확인되었다. 도 7c 및 7d 는 각각 IE-MAPbI3 막 및 CO-MAPbI3 의 SEM 이미지 상면도를 나타낸다. IE-MAPbI3 및 CO-MAPbI3 의 입자 크기는 평균 입자 인터셉트 방법으로 측정했을 때 각각 343 nm 및 304 nm 이고, 이는 XRD 분석 결과와 일치하였다. 높은 결정도 및 큰 입자 크기는 IE-MAI 전구체 중의 염소 존재에서 기인한 것일 수 있다. 염소 이온의 혼입은 페로브스카이트의 결정화를 촉진하고 입자 성장을 가속화시킨다고 보고되어 있다.
2-(4). 페로브스카이트 태양 전지 (PCS)의 특성 분석
IE-MAI를 기재로 한 MAPbI3 막을 평가하기 위해, 페로브스카이트 태양 전지 (PCS)를 제조하였다 (전술한 1-(1)-① 에 따라 합성한 IE-MAI를 사용하였다). 비교를 위해 CO-MAI를 기재로 한 PSC도 동일한 방법으로 제조하였다. 도 9a 는 상기 제조한 메조포러스형 PSC 의 구조를 도시한다 (전도성 투명 전극으로서 FTO 기판, 전자 전달 층으로서 치밀 TiO2 (c-TiO2) 및 메조포러스 TiO2 (mp-TiO2) 막, 광활성 층으로서 MAPbI3 페로브스카이트 막, 정공 전달 층으로서 스피로-MeOTAD 막, 및 대향 전극으로서 Au 전극으로 구성되었음). FTO, TiO2, MAPbI3, 스피로-MeOTAD 및 Au 막의 두께는, PSC의 횡단면 SEM 이미지를 보여주는 도 9b 에 도시된 바와 같으며, 각각, 600 nm, 220 nm, 430 nm, 200 nm, 및 100 nm 였다.
PSC의 각 유형 (즉, IE-PSC vs CO-PSC)마다 12개를 제조하였고 이의 전력 변환 효율을, 모의 태양광 (AM 1.5G, 100 mWcm-2 ) 하에서 전류 밀도-전압 (J-V) 곡선을 기록하여 검사하였다. 도 9c 는 IE-PSC 및 CO-PSC의 J-V 곡선을 비교한다. 단락 회로 전류 밀도 (Jsc), 개방 회로 전압 (Voc), 충전 인자 (FF), 및 전력 변환 효율 (PCE) 등의 파라미터에 대한 통계적 분석결과 각각에 대해 도 9d 내지 도 9g 에 나타내었으며, 그 결과를 하기 [표 2] 에 요약하였다.
[표 2]
IE-PSC 모두, 히스테리시스(hysteresis)가 비교적 작은 우수한 다이오드형 J-V 곡선을 나타내었다. IE-PSC의 Jsc 가 CO-PSC 보다 약간 더 높았다. PSC의 광전류는 페로스브스카이트 층의 광 흡수 능력 및 전하 이송성에 의해 주로 영향을 받는다고 알려져 있다. 앞서 설명한 바와 같이, IE-MAPbI3 막 및 CO-MAPbI3 막의 흡광도는 동일하다. 따라서, IE-PSC 막의 Jsc 가 더 높다는 것은 IE-MAPbI3 막의 전하 이송성의 향상으로 인한 것일 수 있다. IE-MAPbI3 막은 CO-MAPbI3 막에 비하여 결정도가 더 높고 입자 크기가 더 크다. 높은 결정도 및 큰 입자는 전하 환산 계수가 더 커지게 할 것이다. 또한, 결정 크기가 더 크면, 입자 경계의 밀도가 더 낮아져서 전하 트랩핑이 더 적어질 것이다. 더 높은 확산 계수 및 더 긴 수명은 확산 길이를 증가시킨다 (L = 
, 여기서 L은 확산 길이이고, D는 확산 계수이고, τ는 수명이다). 최고의 장치는 18% 초과의 상당히 높은 PCE를 나타낸다. IE-PSC의 평균 PCE (17.5%)는 역방향 스캔에서 CO-PSC의 것 (17.5%)과 동일하였고, 정방향 스캔에서는 오직 0.3% 차이만 나타날 뿐 유사했다. 따라서, IE-PSC의 전력 변환 효율은 CO-PSC의 전력 변환 효율과 유사하다는 결론을 내릴 수 있으므로, 상기 유기 할라이드 전구체의 제조를 위한 이온 교환 방법의 생산 규모를 확대할 경우, 페로브스카이트 태양 전지 산업에 적용가능하다는 것을 입증한다.
결론
본 발명에서는, MAI, MABr, FAI, 및 FABr의 대량 생산을 위한, HI 및 HBr을 사용하는 통상의 방법에 대한 대안으로서, 간단하고 친환경적인 이온 교환 방법을 이용하였다. 본 방법은 NaI (또는 NaBr)과 MACl (또는 FACl) 사이의 이온 교환으로 진행되었고, 부산물로 NaCl이 생성되었다. 4가지 유기 할라이드에 대한 분리후 수율은 96 내지 100% 였다. 상기 생산 수율을 열역학적인 측면에서 고려하면, MAI의 경우, 이온 교환 방법에서 반응물의 거의 100%가 전환된 것이다. 제조된 MAI를 재결정함으로써 순도를 최고로 할 수 있었고, 이는 시판되는 물질과 유사한 순도였다.
산업적 적용가능성을 알아보기 위해 본 발명의 이온 교환 방법으로 제조한 MAI를 사용하여 PSC를 제조하였다 (IE-PSC). 상기 IE-PSC 는, 상업용 MAI를 기재로 한 태양 전지 (CO-PSC)에 비하여 유사하거나 또는 약간 더 큰 PCE 를 나타내었다. 재결정 이후 MAI 로 미량의 Cl- 이온이 혼입되어, 페로브스카이트 층의 코팅 동안에 더 큰 결정 형성을 촉진시켰고, 이로써 PCE가 향상되었다.
PSC 전구체를 위한 본 발명의 이온 교환 방법은 공업적 규모의 기술로서 PSC 분야에 실질적으로 기여할 것으로 기대된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (10)
- 메틸암모늄 클로라이드 또는 포름아미디늄 클로라이드를 알칼리 금속 아이오다이드 또는 알칼리 금속 브로마이드와 반응시키는 단계 (a)를 포함하는, 페로브스카이트 제조용 유기 할라이드의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 알칼리 금속 아이오다이드 또는 알칼리 금속 브로마이드가 나트륨 아이오다이드 또는 나트륨 브로마이드인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응 단계 (a)가 용매 중에서 이온 교환 반응에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응 단계 (a)가 용매로서 물 또는 알콜 중에 실온 또는 환류 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응 단계 (a)의 생성물을 여과하는 단계 (b), 및 용매를 제거하는 단계 (c)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 생성된 유기 할라이드로부터 알칼리 금속 클로라이드를 재결정하여 제거하는 단계 (d)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항의 방법에 의해 제조된 유기 할라이드를 전구체로서 포함하여 사용함으로써 제조되는 페로브스카이트.
- 제1 전극,
상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 적어도 부분적으로 배치되는 광활성 층으로서, 제1항의 방법에 의해 제조된 유기 할라이드를 전구체로서 포함하여 사용함으로써 수득된 페로브스카이트를 포함하는 광활성 층을 포함하는 태양 전지. - 제8항에 있어서, 상기 페로브스카이트는 제1항의 방법에 의해 제조된 유기 할라이드와 화학식 MX2 의 화합물 (X는 아이오다이드 음이온 또는 브로마이드 음이온일 수 있고, M은 Pb2+, Sn2+, Ge2+ 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 2가의 금속 양이온일 수 있다)을 반응시켜 수득되는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 전자 전달 층 및 정공 전달 층을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023239111A1 (ko) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | 주성엔지니어링(주) | 페로브스카이트 화합물의 박막 형성 방법 및 그를 이용한 태양전지의 제조 방법 |
| WO2024025103A1 (ko) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | 한화솔루션(주) | 델타상 페로브스카이트 결정체 합성방법 및 이 방법으로 제조된 델타상 페로브스카이트 결정체 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150124412A (ko) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 성균관대학교산학협력단 | 페로브스카이트 제조용 전구체 및 그의 제조 방법, 그리고 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법 |
-
2020
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- 2020-12-24 KR KR1020200182839A patent/KR102566527B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150124412A (ko) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 성균관대학교산학협력단 | 페로브스카이트 제조용 전구체 및 그의 제조 방법, 그리고 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023239111A1 (ko) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | 주성엔지니어링(주) | 페로브스카이트 화합물의 박막 형성 방법 및 그를 이용한 태양전지의 제조 방법 |
| WO2024025103A1 (ko) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | 한화솔루션(주) | 델타상 페로브스카이트 결정체 합성방법 및 이 방법으로 제조된 델타상 페로브스카이트 결정체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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