KR20210084135A - Coating method of base material by solution masking manner - Google Patents
Coating method of base material by solution masking manner Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210084135A KR20210084135A KR1020190177139A KR20190177139A KR20210084135A KR 20210084135 A KR20210084135 A KR 20210084135A KR 1020190177139 A KR1020190177139 A KR 1020190177139A KR 20190177139 A KR20190177139 A KR 20190177139A KR 20210084135 A KR20210084135 A KR 20210084135A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- coating
- substrate
- coating layer
- present
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/32—Processes for applying liquids or other fluent materials using means for protecting parts of a surface not to be coated, e.g. using stencils, resists
- B05D1/322—Removable films used as masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/32—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
- H01L21/475—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers using masks
Abstract
Description
본 발명의 실시예는 용액 마스킹 방식에 의한 기재의 코팅 방법에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a method of coating a substrate by a solution masking method.
일반적으로 마스크는 분말, 입자, 산화막 등을 기재 상의 코팅면에 미리 결정된 패턴대로 코팅층을 형성하는데 이용되고 있다. 일례로, 디스플레이, 반도체, 인쇄전자 등의 분야에서 마스크가 사용되고 있다.In general, a mask is used to form a coating layer in a predetermined pattern on a coating surface on a substrate, such as powder, particles, oxide film, or the like. For example, masks are used in fields such as displays, semiconductors, and printed electronics.
종래에는 비코팅면의 보호를 위해 접착식 또는 지그 타입의 마스크를 사용하였다. 일례로, 비코팅면에 마스크로서 접착 테이프를 부착하고, 코팅면에 코팅층을 형성하며, 코팅층의 형성 이후 접착 테이프를 비코팅면으로부터 제거하였다.Conventionally, an adhesive or jig type mask is used to protect the uncoated surface. For example, an adhesive tape was attached to the uncoated surface as a mask, a coating layer was formed on the coated surface, and the adhesive tape was removed from the uncoated surface after formation of the coating layer.
그런데, 이러한 접착 테이프의 제거 시 접착 테이프와 코팅층의 경계에서 불안정한 경계면이 형성되는 문제가 있었다. 일례로, 도 1을 참조하면, 임시 접착 테이프의 제거 후 코팅층과 비코팅면 사이의 경계 영역에 미세한 박리 현상이 발생됨을 볼 수 있다. However, when the adhesive tape is removed, there is a problem in that an unstable interface is formed at the boundary between the adhesive tape and the coating layer. For example, referring to FIG. 1 , it can be seen that a fine peeling phenomenon occurs in the boundary region between the coated layer and the uncoated surface after the temporary adhesive tape is removed.
이와 같이 코팅층과 비코팅면 사이의 미세 박리 현상은 후 공정에서 다양한 문제를 야기한다. 일례로, 후 공정에서 코팅층으로부터 파티클이 분리되어 파티클 오염을 유발할 수 있다.As such, the micro peeling phenomenon between the coated layer and the uncoated surface causes various problems in the subsequent process. For example, particles may be separated from the coating layer in a later process to cause particle contamination.
이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.The above-described information disclosed in the background technology of the present invention is only for improving the understanding of the background of the present invention, and thus may include information that does not constitute the prior art.
본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 코팅층과 비코팅면 사이의 경계 영역에서 미세 박리 현상을 억제할 수 있는 용액 마스킹 방식에 의한 기재의 코팅 방법을 제공하는데 있다.An object to be solved according to an embodiment of the present invention is to provide a method for coating a substrate by a solution masking method capable of suppressing a micro-peel phenomenon in a boundary region between a coating layer and an uncoated surface.
본 발명의 실시예에 따른 용액 마스킹 방식에 의한 기재의 코팅 방법은 코팅면 및 비코팅면이 형성될 기재를 준비하는 단계; 기재의 비코팅면 상에 용액 마스킹 방식으로 마스크를 형성하는 단계; 마스크를 이용하여 기재의 코팅면 상에 코팅층을 형성하는 단계; 및 기재의 비코팅면으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.A method of coating a substrate by a solution masking method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a substrate on which a coated surface and an uncoated surface are to be formed; forming a mask on the uncoated surface of the substrate by a solution masking method; forming a coating layer on the coating surface of the substrate using a mask; and removing the mask from the uncoated side of the substrate.
마스크의 접촉각은 10도 내지 90도일 수 있다.The contact angle of the mask may be 10 degrees to 90 degrees.
용액 마스킹 방식으로 형성된 마스크는 광경화 또는 열경화성 수지를 포함할 수 있다.The mask formed by the solution masking method may include a photocurable or thermosetting resin.
용액을 분사하는 분사 노즐의 이송 속도는 6 mm/s 내지 30 mm/s일 수 있다.The feed rate of the spray nozzle for spraying the solution may be 6 mm/s to 30 mm/s.
본 발명의 실시예는 코팅층과 비코팅면 사이의 경계 영역에서 미세 박리 현상을 억제할 수 있는 용액 마스킹 방식에 의한 기재의 코팅 방법을 제공한다.An embodiment of the present invention provides a method of coating a substrate by a solution masking method capable of suppressing the micro-peel phenomenon in the boundary region between the coating layer and the uncoated surface.
도 1은 종래 비코팅면과 코팅층 사이의 경계 영역에 형성된 미세 박리 영역을 도시한 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 용액 마스킹 방식에 의한 기재의 코팅 방법을 도시한 순서도이다.
도 3은 비교예에 따른 비코팅면의 보호를 위한 용액 마스킹 및 코팅층의 상태를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 비코팅면의 보호를 위한 용액 마스킹 및 코팅층의 상태를 도시한 단면도이다.
도 5는 비교예에 따른 비코팅면의 보호를 위한 용액 마스킹 및 코팅층의 상태를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 코팅층의 상태를 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 비코팅면의 보호를 위한 용액 마스킹 및 코팅층의 상태를 정리한 표이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 용액 마스킹 방식에 의한 기재의 코팅 방법에 의해 형성된 비코팅면 및 코팅층 사이의 경계를 도시한 사진이다.1 is a photograph showing a micro-exfoliation region formed in a boundary region between a conventional uncoated surface and a coating layer.
2 is a flowchart illustrating a method of coating a substrate by a solution masking method according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a state of a solution masking and coating layer for protection of an uncoated surface according to a comparative example.
4 is a cross-sectional view illustrating a state of a solution masking and coating layer for protection of an uncoated surface according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a state of a solution masking and coating layer for protection of an uncoated surface according to a comparative example.
6 is a cross-sectional view showing the state of the coating layer according to an embodiment of the present invention.
7 is a table summarizing the state of the solution masking and coating layer for protection of the uncoated surface according to Examples and Comparative Examples of the present invention.
8 is a photograph showing the boundary between the uncoated surface and the coating layer formed by the coating method of the substrate by the solution masking method according to the embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.Examples of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows It is not limited to an Example. Rather, these examples are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art.
또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.In addition, in the following drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated for convenience and clarity of description, and the same reference numerals in the drawings refer to the same elements. As used herein, the term “and/or” includes any one and any combination of one or more of those listed items. In addition, in the present specification, "connected" means not only when member A and member B are directly connected, but also when member A and member B are indirectly connected by interposing member C between member A and member B. do.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise, include)" 및/또는 "포함하는(comprising, including)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is used to describe specific embodiments, not to limit the present invention. As used herein, the singular forms may include the plural forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, as used herein, “comprise, include” and/or “comprising, including” refer to the recited shapes, numbers, steps, actions, members, elements, and/or groups thereof. It specifies the presence and does not exclude the presence or addition of one or more other shapes, numbers, movements, members, elements and/or groups.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various members, parts, regions, layers and/or parts, these members, parts, regions, layers, and/or parts are limited by these terms so that they It is self-evident that These terms are used only to distinguish one member, component, region, layer or portion from another region, layer or portion. Accordingly, a first member, component, region, layer, or portion described below may refer to a second member, component, region, layer or portion without departing from the teachings of the present invention.
"하부(beneath)", "아래(below)", "낮은(lower)", "상부(above)", "위(upper)"와 같은 공간에 관련된 용어가 도면에 도시된 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 용이한 이해를 위해 이용될 수 있다. 이러한 공간에 관련된 용어는 본 발명의 다양한 공정 상태 또는 사용 상태에 따라 본 발명의 용이한 이해를 위한 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예를 들어, 도면의 요소 또는 특징이 뒤집어지면, "하부" 또는 "아래"로 설명된 요소 또는 특징은 "상부" 또는 "위에"로 된다. 따라서, "하부"는 "상부" 또는 "아래"를 포괄하는 개념이다.Space-related terms such as “beneath”, “below”, “lower”, “above”, and “upper” refer to an element or feature shown in the drawings and It may be used to facilitate understanding of other elements or features. These space-related terms are for easy understanding of the present invention according to various process conditions or usage conditions of the present invention, and are not intended to limit the present invention. For example, if an element or feature in a figure is turned over, an element or feature described as "below" or "below" becomes "above" or "above". Accordingly, "lower" is a concept encompassing "upper" or "below".
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 용액 마스킹 방식에 의한 기재의 코팅 방법을 도시한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of coating a substrate by a solution masking method according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 용액 마스킹 방식에 의한 기재의 코팅 방법은 기재 준비 단계(S1), 용액 마스킹 단계(S2), 코팅 단계(S3) 및 마스크 제거 단계(S4)를 포함할 수 있다.As shown in Figure 2, the coating method of the substrate by the solution masking method according to the embodiment of the present invention is a substrate preparation step (S1), a solution masking step (S2), a coating step (S3) and a mask removal step (S4) ) may be included.
기재 준비 단계(S1)는, 코팅면 및 비코팅면이 형성될 기재를 준비하여 이루어질 수 있다. 일부 예들에서, 기재는 평평한 상면을 포함할 수 있고, 소재는 글래스, 금속, 세라믹, 플라스틱 및 그 혼합물 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 코팅면은 추후 공정에서 코팅층이 형성될 영역을 의미하고, 비코팅면은 코팅층의 형성 이후에도, 외부로 노출되는 영역을 의미할 수 있다.The substrate preparation step (S1) may be made by preparing a substrate on which a coated surface and an uncoated surface will be formed. In some examples, the substrate may include a flat top surface, and the material may include any one of glass, metal, ceramic, plastic, and mixtures thereof. Here, the coated surface may mean an area where the coating layer will be formed in a later process, and the uncoated surface may mean an area exposed to the outside even after the coating layer is formed.
용액 마스킹 단계(S2)는, 기재의 비코팅면 상에 용액 마스킹 방식으로 일정 두께의 마스크를 형성할 수 있다. 일부 예들에서, 마스크는 용액을 분사하는 분사 노즐의 이송에 의해 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 용액을 분사하는 분사 노즐의 이송 속도는 대략 6 mm/s 내지 대략 30 mm/s일 수 있다. 분사 노즐의 이송 속도가 대략 6 mm/s보다 작거나 대략 30 mm/s보다 클 경우, 마스크의 원하는 접촉 각도가 구현되지 않을 수 있다.In the solution masking step (S2), a mask having a predetermined thickness may be formed on the uncoated surface of the substrate by a solution masking method. In some examples, the mask may be formed by transfer of a spray nozzle that sprays the solution. In some examples, the feed rate of the spray nozzle that sprays the solution may be between about 6 mm/s and about 30 mm/s. If the feed rate of the spray nozzle is less than about 6 mm/s or greater than about 30 mm/s, the desired contact angle of the mask may not be realized.
일부 예들에서, 분사 노즐의 이송 속도가 대략 6 mm/s 내지 대략 30 mm/s일 경우, 기재와 마스크의 사이에 형성되는 접촉각은 대략 10도 내지 대략 90도(본 발명에서 구현하고자 하는 접촉 각도)로 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 분사 노즐의 이송 속도가 대략 6 mm/s 보다 작을 경우, 기재와 마스크의 사이에 형성되는 접촉각은 90도보다 크게 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 분사 노즐의 이송 속도가 대략 30 mm/s 보다 클 경우, 기재와 마스크의 사이에 형성되는 접촉각은 10도보다 작게 형성될 수 있다.In some examples, when the feed rate of the spray nozzle is about 6 mm/s to about 30 mm/s, the contact angle formed between the substrate and the mask is about 10 degrees to about 90 degrees (the contact angle to be implemented in the present invention) ) can be formed. In some examples, when the feed rate of the spray nozzle is less than approximately 6 mm/s, the contact angle formed between the substrate and the mask may be greater than 90 degrees. In some examples, when the feed rate of the spray nozzle is greater than approximately 30 mm/s, the contact angle formed between the substrate and the mask may be formed to be less than 10 degrees.
일부 예들에서, 용액 마스킹 방식으로 형성된 마스크는 광경화 및/또는 열경화성 수지를 포함할 수 있다. In some examples, a mask formed by a solution masking method may include a photocurable and/or thermosetting resin.
일부 예들에서, 광경화성 수지(베이스 수지)는 고압 수은등 g 선인 파장 436nm에서 경화되는 노 볼락 수지+1.2-나프 토키노 레인지 지드 술폰산 에스테르 (NQD), 고압 수은등 i 선인 파장 365nm에서 경화되는 폴리 하이드 록시 스티렌 (PHS), KrF 엑시머 레이저인 파장 248nm에서 경화되는 p-히드 록시 스티렌 (PHS)와 tert- 부틸 메타 크릴 레이트와의 공중합체, ArF 엑시머 레이저인 파장 193nm에서 경화되는 (메타) 아크릴산 에스테르 폴리머, F2 레이저인 157nm에서 경화되는 불소계 뽀리모·실록 산계 폴리머 등을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 열경화성 수지는 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 규소 수지, 에폭시 수지, 폴리 우레탄, 불포화 폴리에스테르(알키드) 수지를 포함할 수 있다.In some examples, the photocurable resin (base resin) is a novolac resin + 1.2-naphthochino ranged sulfonic acid ester (NQD) that cures at a wavelength of 436 nm, a high-pressure mercury lamp g-line, polyhydroxyl which cures at a wavelength of 365 nm, a high-pressure mercury lamp i-line. Styrene (PHS), a copolymer of p-hydroxystyrene (PHS) and tert-butyl methacrylate, which is cured at a wavelength of 248 nm with a KrF excimer laser, (meth)acrylic acid ester polymer cured at a wavelength of 193 nm with an ArF excimer laser, It may include a fluorine-based polymo-siloxane-based polymer that is cured at 157 nm, which is an F2 laser. In some examples, the thermosetting resin may include a phenolic resin, a urea resin, a melamine resin, a silicon resin, an epoxy resin, a polyurethane, an unsaturated polyester (alkyd) resin.
코팅 단계(S3)는, 마스크를 이용하여 기재의 코팅면 상에 일정 두께의 코팅층을 형성하여 이루어질 수 있다. 일부 예들에서, 코팅층의 소재는 금속, 세라믹, 글래스, 플라스틱 및 그 혼합물 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 일부 예들에서, 코팅층은 아노다이징, 고온(열) 용사, 저온 분사, 상온 분사, 에어로졸 디포지션, 상온 진공 분사, 상온 대기압 분사 등의 방식으로 형성될 수 있다.The coating step (S3) may be made by forming a coating layer of a predetermined thickness on the coating surface of the substrate using a mask. In some examples, the material of the coating layer may include any one of metal, ceramic, glass, plastic, and mixtures thereof. Also, in some examples, the coating layer may be formed by anodizing, high temperature (heat) spraying, low temperature spraying, room temperature spraying, aerosol deposition, room temperature vacuum spraying, room temperature atmospheric pressure spraying, or the like.
마스크 제거 단계(S4)는, 기재의 비코팅면으로부터 마스크를 제거하여 이루어질 수 있다. 일부 예들에서, 마스크는 기재로부터 기계적으로 또는 화학적으로 벗겨져 제거될 수 있다.The mask removal step S4 may be performed by removing the mask from the uncoated surface of the substrate. In some examples, the mask may be removed by mechanically or chemically peeling off the substrate.
도 3은 비교예에 따른 비코팅면의 보호를 위한 용액 마스킹 및 코팅층의 상태를 도시한 단면도이다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 비코팅면의 보호를 위한 용액 마스킹 및 코팅층의 상태를 도시한 단면도이다. 도 5는 비교예에 따른 비코팅면의 보호를 위한 용액 마스킹 및 코팅층의 상태를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a state of a solution masking and coating layer for protection of an uncoated surface according to a comparative example. 4 is a cross-sectional view illustrating a state of a solution masking and coating layer for protection of an uncoated surface according to an embodiment of the present invention. 5 is a cross-sectional view illustrating a state of a solution masking and coating layer for protection of an uncoated surface according to a comparative example.
여기서, 도 3은 기재(110)와 마스크(120) 사이의 접촉 각도가 대략 90도보다 큰 것을 도시하고 있고, 도 4는 기재(110)와 마스크(120) 사이의 접촉 각도가 대략 10도 내지 대략 90도인 것을 도시하고 있으며, 도 5는 기재(110)와 마스크(120) 사이의 접촉 각도가 대략 10도보다 작은 것을 도시한다.Here, FIG. 3 shows that the contact angle between the
도 3에 도시된 바와 같이, 마스크(120)의 접촉 각도가 대략 90도보다 클 경우(이때, 마스크(120)는 상부 영역이 대략 타원 형태로 형성됨), 마스크(120)에 접촉하는 코팅층(130)의 경계 영역이 균일한 두께를 갖지 않고 거칠게 형성됨을 볼 수 있다. As shown in FIG. 3 , when the contact angle of the
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 마스크(120)의 접촉 각도가 대략 10도보다 작을 경우(이때, 마스크(120)는 상부 영역이 대략 납작한 형태로 형성됨), 마스크(120)에 접촉하는 코팅층(130)의 경계 영역이 균일한 두께를 갖지 않고 거칠게 형성됨을 볼 수 있다. 다르게 설명하면, 기재(110)에 형성된 마스크(120)의 접촉 각도가 대략 90도보다 크거나, 대략 10도보다 작을 경우, 이와 접촉하는 코팅층(130)의 영역(즉, 경계 영역)이 균일한 두께를 갖지 않고, 거칠기가 높은 두께를 갖는다. 따라서, 이러한 거칠기가 높은 영역은 추후 공정(반도체 제조 공정이나 디스플레이 제조 공정 등)에서 파티클 이슈를 발생시킬 수 있다.In addition, as shown in FIG. 5 , when the contact angle of the
한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 마스크(120)의 접촉 각도가 대략 10도 내지 대략 90도일 경우(이때, 마스크(120)는 상부 영역이 대략 반구 형태로 형성됨), 마스크(120)에 접촉하는 코팅층(130)의 경계 영역이 균일한 두께로 형성됨을 볼 수 있다. 따라서, 이러한 균일한 두께로 형성된 코팅층(130)에 의해 추후 공정에서 파티클 이슈가 억제될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 4 , when the contact angle of the
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 코팅층의 상태를 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing the state of the coating layer according to an embodiment of the present invention.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 코팅층(130)은 대략 3가지 형태로 형성될 수 있다. 다르게 설명하면, 마스크(120)의 접촉 각도가 대략 10도 내지 대략 90도일 경우, 코팅층(130)과 비코팅면 사이의 경계 영역은 도 6의 (a)에서와 같이 상단이 대략 라운드진 형태이거나, 코팅층(130)의 경계 영역이 도 6의 (b)에서와 같이 두께가 점차 두꺼워지는 경사진 형태이거나, 코팅층(130)의 경계 영역이 도 6의 (c)에서와 같이 직각인 형태일 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 코팅층(130)은 경계 영역에서 거칠기가 큰 부분이 형성되지 않아, 종래와 같은 미세 박리 현상 및/또는 파티클 이슈가 발생되지 않는다.As shown in FIG. 6 , the
도 7은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 비코팅면의 보호를 위한 용액 마스킹 및 코팅층의 상태를 정리한 표이다. 도 7에서, 1,3은 각각 비교예를 도시한 것이고, 2는 본 발명의 실시예를 도시한 것이다.7 is a table summarizing the state of the solution masking and coating layer for protection of the uncoated surface according to Examples and Comparative Examples of the present invention. In Fig. 7,
도 7에 도시된 바와 같이, 1의 비교예에서 마스크(120)의 형성을 위한 용액 분사 노즐의 속도가 대략 6mm/s보다 작을 경우, 마스크(120)의 접촉 각도가 대략 90보다 높게 형성되고, 이에 따라 완성된 코팅층(130)의 경계 영역에 다수의 요철이 형성됨으로써, 미세 박리 현상이 발생될 수 있다. 7, when the speed of the solution spray nozzle for forming the
또한, 3의 비교예에서 마스크(120)의 형성을 위한 용액 분사 노즐의 속도가 대략 30 mm/s보다 클 경우, 마스크(120)의 접촉 각도가 대략 10도보다 작게 형성되고, 이에 따라 완성된 코팅층(130)의 경계 영역에 다수의 요철이 형성됨으로써, 미세 박리 현상이 발생될 수 있다.In addition, in Comparative Example 3, when the speed of the solution spray nozzle for forming the
한편, 2의 실시예에서 마스크(120)의 형성을 위한 용액 분사 노즐의 속도가 대략 6 mm/s 내지 대략 30 mm/s, 예를 들면, 대략 15 mm/s일 경우, 마스크(120)의 접촉 각도가 대략 10 도 내지 대략 90도로 형성되고, 이에 따라 완성된 코팅층(130)의 경계 영역에 요철이 형성되지 않고, 대략 직각 형태(또는 상단이 라운드진 직각 형태 또는 경사진 형태)로 형성될 수 있다. 따라서, 코팅층(130)의 경계 영역에서 미세 박리 현상이나 파티클 이슈가 발생되지 않게 된다.On the other hand, in the second embodiment, when the speed of the solution jet nozzle for forming the
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 용액 마스킹 방식에 의한 기재의 코팅 방법에 의해 형성된 비코팅면 및 코팅층 사이의 경계를 도시한 사진이다.8 is a photograph showing the boundary between the uncoated surface and the coating layer formed by the coating method of the substrate by the solution masking method according to the embodiment of the present invention.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 기재(110)의 비코팅면(112)과 코팅층(130) 사이의 경계 영역, 다르게 설명하면, 코팅층(130)의 단부 영역에는 종래와 같은 불안정한 경계 영역 대신 명확한 경계 영역이 형성될 수 있다. 따라서, 코팅층(130)의 경계 영역에서 미세 박리 현상이 발생하지 않고, 이에 따라 후속 공정에서 파티클 이슈도 발생하지 않게 된다.As shown in Figure 8, according to the embodiment of the present invention, the boundary region between the
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 용액 마스킹 방식에 의한 기재의 코팅 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for carrying out the coating method of the substrate by the solution masking method according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, but as claimed in the claims below. Likewise, without departing from the gist of the present invention, it will be said that the technical spirit of the present invention exists to the extent that various modifications can be made by anyone with ordinary knowledge in the field to which the invention pertains.
110; 기재
111; 코팅면
112; 비코팅면
120; 마스크
130; 코팅층110; materials
111; coated side
112; uncoated side
120; Mask
130; coating layer
Claims (4)
기재의 비코팅면 상에 용액 마스킹 방식으로 마스크를 형성하는 단계;
마스크를 이용하여 기재의 코팅면 상에 코팅층을 형성하는 단계; 및
기재의 비코팅면으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는, 기재의 코팅 방법.preparing a substrate on which a coated surface and an uncoated surface will be formed;
forming a mask on the uncoated surface of the substrate by a solution masking method;
forming a coating layer on the coating surface of the substrate using a mask; and
A method of coating a substrate comprising removing the mask from the uncoated side of the substrate.
마스크의 접촉각은 10도 내지 90도인, 기재의 코팅 방법.The method of claim 1,
The method of coating a substrate, wherein the contact angle of the mask is 10 degrees to 90 degrees.
용액 마스킹 방식으로 형성된 마스크는 광경화 또는 열경화성 수지를 포함하는, 기재의 코팅 방법.The method of claim 1,
A method for coating a substrate, wherein the mask formed by the solution masking method comprises a photocurable or thermosetting resin.
용액을 분사하는 분사 노즐의 이송 속도는 6 mm/s 내지 30 mm/s인, 기재의 코팅 방법.The method of claim 1,
The feed rate of the spray nozzle for spraying the solution is 6 mm / s to 30 mm / s, the coating method of the substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190177139A KR20210084135A (en) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | Coating method of base material by solution masking manner |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190177139A KR20210084135A (en) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | Coating method of base material by solution masking manner |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210084135A true KR20210084135A (en) | 2021-07-07 |
Family
ID=76862489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190177139A KR20210084135A (en) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | Coating method of base material by solution masking manner |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20210084135A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102619508B1 (en) * | 2023-03-21 | 2024-01-02 | (주)미래몰드에칭 | Mold surface coating method and mold product |
-
2019
- 2019-12-27 KR KR1020190177139A patent/KR20210084135A/en active Search and Examination
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102619508B1 (en) * | 2023-03-21 | 2024-01-02 | (주)미래몰드에칭 | Mold surface coating method and mold product |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5595861A (en) | Method of selecting and applying a top antireflective coating of a partially fluorinated compound | |
US8178026B2 (en) | Nanoimprinting method and mold for use in nanoimprinting | |
JP4845936B2 (en) | Liquid phase etching equipment | |
US20160379800A1 (en) | Plasma etching method and method of manufacturing patterned substrate | |
KR20210084135A (en) | Coating method of base material by solution masking manner | |
JP6196123B2 (en) | Chuck cleaner and cleaning method | |
CN101165852A (en) | Method of plasma etching with pattern mask | |
US20090225422A1 (en) | Transfer of optical element patterns on a same side of a substrate already having a feature thereon | |
KR20210084136A (en) | Coating method of base material having hole by solution masking manner | |
CN105900210A (en) | Methods for texturing a chamber component and chamber components having a textured surface | |
US9457450B2 (en) | Pad conditioning tool | |
KR101888511B1 (en) | Method of fabricating micro pattern on flexible copper clad laminate using imprinting process | |
TWI676860B (en) | Masked substrate, and method of manufacturing substrate having concave and convex structure | |
KR101855942B1 (en) | Method for manufacturing a nano pattern having high slenderness ratio | |
TWI820311B (en) | Device and method of anti-glare glass processing | |
JP4399310B2 (en) | Dry etching method, microlens array and manufacturing method thereof | |
US11167469B2 (en) | Template, method for manufacturing template, and pattern formation method | |
KR101977122B1 (en) | Nano mold and method of fabricating thereof | |
US20220082934A1 (en) | Template, manufacturing method of template, and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2007214232A (en) | Method for forming pattern | |
TWI724215B (en) | Method for cleaning wafer edge | |
TWI437383B (en) | A resist removing apparatus, mask blanks and methods of manufacturing the same | |
WO2017104382A1 (en) | Imprint apparatus, and method of manufacturing article | |
WO2023223792A1 (en) | Method for manufacturing circuit board | |
JP7293845B2 (en) | Evaporation mask manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination |