KR20210081080A - Temporary bonded wafer debonding apparatus and thereof method - Google Patents

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KR20210081080A
KR20210081080A KR1020190173273A KR20190173273A KR20210081080A KR 20210081080 A KR20210081080 A KR 20210081080A KR 1020190173273 A KR1020190173273 A KR 1020190173273A KR 20190173273 A KR20190173273 A KR 20190173273A KR 20210081080 A KR20210081080 A KR 20210081080A
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지영호
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코스텍시스템(주)
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Abstract

The present invention provides a temporary bonded wafer debonding apparatus which is capable of accurately and rapidly debonding temporarily bonded wafers by guiding a debonding wire to a temporary bonded layer of a temporarily bonded carrier wafer and device wafer and reducing device wafer defects, thereby reducing debonding process time. The temporary bonded wafer debonding apparatus includes: a supporting part that supports a temporary bonded wafer to which a carrier wafer and a device wafer are bonded with a temporary bonded layer interposed therebetween; a movement guide part which is divided into both sides at the periphery of the supporting part and is lengthily provided in the longitudinal direction on the upper side of a base plate; and a debonding part for debonding the temporary bonded layer by guiding the wire in a direction for debonding the temporary bonded layer with a predetermined debonding tension, wherein each wire is coupled to the upper side of the movement guide part to move along the longitudinal direction of the movement guide part.

Description

임시 접합 웨이퍼 디본딩장치 및 방법{TEMPORARY BONDED WAFER DEBONDING APPARATUS AND THEREOF METHOD}TEMPORARY BONDED WAFER DEBONDING APPARATUS AND THEREOF METHOD

본 발명은 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a temporary bonded wafer debonding apparatus and method.

일반적으로, 디바이스 웨이퍼(Device Wafer)의 백그라인딩 공정 시 웨이퍼의 평면 상태 유지를 위해 기판(Carrier Glass)과 임시 접합(Temporary Wafer Bonding)을 진행하게 된다. 임시 접합과 제조 공정(build up) 이후 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 다시 디본딩하는 디본딩(De-bonding) 공정이 필요하다.In general, during a backgrinding process of a device wafer, temporary wafer bonding is performed with a substrate (Carrier Glass) in order to maintain a flat state of the wafer. A de-bonding process of debonding the device wafer and the carrier wafer again is required after temporary bonding and a manufacturing process (build up).

디본딩 방식에는 케미컬을 이용한 디핑(Dipping)방식, 자외선(UV) 조사(irradiation)방식, 레이저(Laser) 조사방식, 기구적 디본딩(Mechanical De-bonding)방식 등 여러 가지 디본딩 방식이 있다. 이러한 종래의 디본딩 방식에서 기구적 디본딩 방식은 칼날(knife)과 영상 보정장치(Vision)를 이용하여 임시 접합된 웨이퍼(wafer) 측면을 확인, 위치 보정하고 칼날 끝을 삽입하는 방식이다.There are various debonding methods such as a chemical dipping method, an ultraviolet (UV) irradiation method, a laser irradiation method, and a mechanical de-bonding method. In this conventional debonding method, the mechanical debonding method is a method of checking and correcting the position of the temporarily bonded wafer side using a knife and an image compensating device (Vision), and inserting the tip of the blade.

이때 촬영된 영상의 왜곡 및 기구적 정밀도에 따라 정확한 위치 보정이 어려우며, 칼날의 삽입 시 디바이스 웨이퍼의 손상이 동반된다. 또한 웨이퍼 디본딩 시 칼날의 깊이 조절이 필요한데 초기 진입은 가능하나 초기 삽입 이후 깊이는 기구적 간섭으로 인해 연속 삽입이 불가능하다. 왜냐하면 칼날 끝부분 이외에 몸통의 두께와 고정부의 간섭으로 초기 부분 이후에는 진입하기 어렵다. 이와 더불어 기구적 위치 및 반복 정밀도, 영상 보정장치의 영상처리 기술, 다양한 크기(size)에 대한 대응 등의 어려움이 있다.At this time, it is difficult to correct the exact position depending on the distortion and mechanical precision of the captured image, and the device wafer is damaged when the blade is inserted. In addition, during wafer debonding, it is necessary to adjust the depth of the blade. Initial entry is possible, but continuous insertion is impossible after initial insertion due to mechanical interference. Because it is difficult to enter after the initial part due to the interference of the thickness of the body and the fixing part other than the tip of the blade. In addition, there are difficulties in mechanical position and repeatability, image processing technology of the image correction device, and response to various sizes.

본 발명의 실시예는 임시 접합된 캐리어　웨이퍼와 디바이스　웨이퍼의 임시 접합층에 디본딩용 와이어를 안내하여 정확하고 신속하게 임시 접합된　웨이퍼들을 디본딩시키며 디바이스　웨이퍼의 불량을 감소시켜　디본딩　공정 시간을 절감시킬 수 있는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치를 제공하기 위한 것이다.The embodiment of the present invention guides the debonding wire to the temporary bonding layer of the temporarily bonded carrier wafer and the device wafer to accurately and quickly debond the temporarily bonded wafers, and reduces the device wafer defect, thereby reducing the debonding process time. It is to provide a temporary bonding wafer debonding apparatus that can save money.

본 발명의 실시예에 따른 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치는 임시 접합층을 사이에 두고 캐리어 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼가 접합된 임시 접합 웨이퍼를 지지하는 지지부, 지지부의 주변에서 양측으로 구분되어 베이스 플레이트의 상측에 길이방향을 따라 길게 구비되는 이동 안내부, 그리고 이동 안내부의 상측에 각각 결합되어 이동 안내부의 길이방향을 따라 이동되는 와이어가 미리 설정된 디본딩 장력을 갖고 임시 접합층을 디본딩하는 방향으로 안내되어 임시 접합층을 디본딩하는 디본딩부를 포함한다.Temporary bonding wafer debonding apparatus according to an embodiment of the present invention is divided into both sides at the periphery of the support part and the support part for supporting the temporary bonding wafer to which the carrier wafer and the device wafer are bonded with the temporary bonding layer therebetween, so that the upper side of the base plate The movement guide provided long in the longitudinal direction, and the wire coupled to the upper side of the movement guide and moved along the longitudinal direction of the movement guide are guided in the direction of debonding the temporary bonding layer with a preset debonding tension to temporarily and a debonding unit for debonding the bonding layer.

이동 안내부는 지지부의 일측에 구비되어 디본딩부의 이동경로를 형성하는 제1 가이드 레일, 그리고 지지부의 타측에서 제1 가이드 레일과 대응하는 위치에 구비되어 디본딩부의 이동경로를 형성하는 제2 가이드 레일을 포함할 수 있다.The movement guide part is provided on one side of the support part to form a first guide rail that forms a movement path of the debonding part, and the second guide rail is provided at a position corresponding to the first guide rail on the other side of the support part to form a movement path of the debonding part. may include.

디본딩부는 제1 가이드 레일에 결합되어 와이어의 디본딩 이동을 안내하는 제1 이동 분리부, 그리고 제1 이동 분리부와 서로 대향되는 위치에서 동일한 형상으로 형성되며, 제2 가이드 레일에 결합되어 와이어의 디본딩 이동을 안내하는 제2 이동 분리부를 포함할 수 있다.The debonding unit is coupled to the first guide rail and formed in the same shape at positions opposite to the first moving separation unit and the first moving separation unit for guiding the debonding movement of the wire, and is coupled to the second guide rail to form a wire It may include a second movement separation unit for guiding the debonding movement of the.

제1 이동 분리부는 제1 가이드 레일에 결합되어 제1 가이드 레일의 길이방향을 따라 이동되는 제1 이동부, 그리고 제1 이동부에 결합되어 와이어의 디본딩 작업을 지지하는 제1 고정부를 포함할 수 있다.The first moving separation unit includes a first moving unit coupled to the first guide rail to move along the longitudinal direction of the first guide rail, and a first fixing unit coupled to the first moving unit to support the debonding operation of the wire. can do.

제1 이동부는 와이어의 위치를 임시 접합 웨이퍼와 수평한 방향으로 조절하는 제1 위치 조절부, 그리고 와이어의 위치를 임시 접합 웨이퍼의 높이방향으로 조절하는 제2 위치 조절부를 포함할 수 있다.The first moving unit may include a first position adjusting unit for adjusting the position of the wire in a direction horizontal to the temporary bonding wafer, and a second position adjusting unit for adjusting the position of the wire in a height direction of the temporary bonding wafer.

제1 고정부는 제2 위치 조절부의 일측에 결합되는 제1 플레이트, 제1 플레이트에 결합되는 로드부, 로드부의 일측에 결합되며, 와이어의 결합과 이동을 안내하는 제1 홈이 구비되는 제1 안내축, 그리고 제1 플레이트의 하측에 결합되어 로드부를 지지하며, 제1 안내축을 통해 이동되는 와이어를 안내하는 제1 절개홈을 갖는 제2 플레이트를 포함할 수 있다.The first fixing part is coupled to a first plate coupled to one side of the second position adjusting part, a rod part coupled to the first plate, and one side of the rod part, a first guide provided with a first groove for guiding the coupling and movement of the wire A shaft and a second plate coupled to the lower side of the first plate to support the rod portion, and a second plate having a first cut-out groove for guiding the wire moving through the first guide shaft.

로드부에 결합되어 와이어의 디본딩 장력을 조절하는 장력 조절부를 더 포함할 수 있다. 여기서, 장력 조절부는 와이어의 진입경로에 구비되어 와이어의 디본딩 작업 이동시 발생되는 디본딩 장력을 검출하는 로드셀을 포함할 수 있다.It is coupled to the rod portion may further include a tension adjusting unit for adjusting the debonding tension of the wire. Here, the tension adjusting unit may include a load cell that is provided on the entry path of the wire to detect the debonding tension generated during the movement of the wire debonding operation.

와이어는 방전 가공용 금속 와이어를 포함할 수 있다. 와이어의 이동경로에 구비되어 와이어의 끊어짐을 검출하는 와이어 검출부를 더 포함할 수 있다.The wire may include a metal wire for electrical discharge machining. It may further include a wire detection unit provided on the moving path of the wire to detect the breakage of the wire.

지지부의 상측에 구비되며, 임시 접합층의 디본딩 개시를 기준으로 캐리어 웨이퍼를 미리 설정된 디본딩 각도로 경사지게 들어올려 임시 접합 웨이퍼로부터 캐리어 웨이퍼의 디본딩을 보조하는 보조 디본딩부를 더 포함할 수 있다.It may further include an auxiliary debonding unit provided on the upper side of the support part and assisting debonding of the carrier wafer from the temporary bonding wafer by tilting the carrier wafer at a preset debonding angle based on the start of debonding of the temporary bonding layer. .

보조 디본딩부는 임시 접합 웨이퍼의 상부에 위치된 캐리어 웨이퍼를 흡착하는 보조 흡착부, 보조 흡착부를 지지하는 흡착 가이드부, 그리고 복수의 링크부를 구비하며, 적어도 어느 하나의 링크부가 흡착 가이드부에 결합되어 보조 흡착부를 디본딩 각도로 경사지게 들어올리는 각도 조절부를 포함할 수 있다.The auxiliary debonding unit includes an auxiliary adsorption unit for adsorbing the carrier wafer positioned on the temporary bonding wafer, a suction guide unit supporting the auxiliary adsorption unit, and a plurality of link units, at least one link unit being coupled to the adsorption guide unit. It may include an angle adjusting unit for inclinedly lifting the auxiliary adsorption unit at a debonding angle.

각도 조절부는 서로 각도를 갖고 이격된 제1 결합구멍과 제2 결합구멍을 가지며, 가이드 프레임을 따라 수직방향으로 이동되는 슬라이딩 가이드, 일단이 제1 결합구멍에 힌지 결합되며, 타단이 구동부의 로드에 연결되는 제1 링크부, 일단이 제2 결합구멍에 힌지 결합되며, 타단이 길이방향으로 형성되는 제2 링크부, 그리고 흡착 가이드부와 결합되며, 일단이 제1 링크부의 중심부에 결합되고, 타단이 제2 링크부의 타단과 결합되는 제3 링크부를 포함할 수 있다.The angle adjusting unit has a first coupling hole and a second coupling hole spaced apart from each other at an angle, a sliding guide moving in a vertical direction along the guide frame, one end is hinged to the first coupling hole, and the other end is attached to the rod of the driving unit. A first link part to be connected, one end is hinged to the second coupling hole, the other end is coupled to the second link part formed in the longitudinal direction, and the suction guide part, one end is coupled to the center of the first link part, the other end It may include a third link portion coupled to the other end of the second link portion.

임시 접합층의 디본딩 위치에 대응되도록 흡착 가이드부의 일측에 구비되어 와이어를 임시 접합층의 디본딩 위치로 안내하는 가이드부를 더 포함할 수 있다.A guide part provided on one side of the adsorption guide part to correspond to the debonding position of the temporary bonding layer to guide the wire to the debonding position of the temporary bonding layer may be further included.

가이드부는 와이어가 접하는 부분이 미리 설정된 경사각도로 경사진 형상으로 형성될 수 있다. 와이어의 이동경로에 구비되어 와이어의 가이드 상태를 모니터링하는 비젼을 더 포함할 수 있다.The guide part may be formed in a shape where a portion in contact with the wire is inclined at a preset inclination angle. It is provided in the movement path of the wire may further include a vision for monitoring the guide state of the wire.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 임시 접합 웨이퍼 디본딩방법은 임시 접합층을 사이에 두고 캐리어 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼가 접합된 임시 접합 웨이퍼를 지지부로 지지하는 단계, 가이드부를 통해 임시 접합층으로 와이어를 안내하는 와이어 안내단계, 임시 접합층의 디본딩 위치에 대응되도록 와이어를 임시 접합층의 디본딩 위치로 안내하는 와이어 디본딩 위치 안내단계, 임시 접합층의 디본딩 위치에 와이어를 접하고 임시 접합층을 디본딩하는 방향으로 안내하여 임시 접합층을 디본딩하는 제1 디본딩 단계, 그리고 임시 접합층을 기준으로 캐리어 웨이퍼를 디본딩 각도로 경사지게 들어올려 임시 접합 웨이퍼로부터 캐리어 웨이퍼의 디본딩을 보조하는 제2 디본딩 단계를 포함한다.On the other hand, the temporary bonding wafer debonding method according to an embodiment of the present invention includes the steps of supporting the temporary bonding wafer, in which the carrier wafer and the device wafer are bonded, with a support part with a temporary bonding layer interposed therebetween, and a wire to the temporary bonding layer through the guide part. A wire guide step for guiding, a wire debonding position guiding step for guiding the wire to the debonding position of the temporary bonding layer so as to correspond to the debonding position of the temporary bonding layer, a wire debonding position guiding step for guiding the wire to the debonding position of the temporary bonding layer A first debonding step of debonding the temporary bonding layer by guiding in the debonding direction, and a second debonding step of assisting the debonding of the carrier wafer from the temporary bonding wafer by tilting the carrier wafer at a debonding angle based on the temporary bonding layer. 2 debonding steps.

임시 접합된 캐리어　웨이퍼와 디바이스　웨이퍼를 임시 접합층에 디본딩용 와이어를 이용하여 디바이스　웨이퍼를 신속하고 용이하게 디본딩함으로써 디바이스　웨이퍼의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The device and wafer production yield can be improved by quickly and easily debonding the device and wafer using a wire for debonding the temporarily bonded carrier and wafer to the temporary bonding layer.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 디본딩부의 배치관계를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 가이드부와 디본딩부의 배치관계를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가이드부를 통해 와이어가 임시 접합층으로 안내되는 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 제1 이동 분리부를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 와이어 진행방향과 장력 측정방향을 도시한 도면이다.1 is a view showing a temporary bonding wafer debonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating an arrangement relationship of a debonding unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing the arrangement relationship of the guide part and the debonding part according to an embodiment of the present invention.
4 is a view illustrating a state in which a wire is guided to a temporary bonding layer through a guide unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a first moving separation unit according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a wire traveling direction and a tension measurement direction according to an embodiment of the present invention.

여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The terminology used herein is for the purpose of referring to specific embodiments only, and is not intended to limit the invention. As used herein, the singular forms also include the plural forms unless the phrases clearly indicate the opposite. The meaning of "comprising," as used herein, specifies a particular characteristic, region, integer, step, operation, element and/or component, and other specific characteristic, region, integer, step, operation, element, component, and/or group. It does not exclude the existence or addition of

다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.Although not defined otherwise, all terms including technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Commonly used terms defined in the dictionary are additionally interpreted as having a meaning consistent with the related technical literature and the presently disclosed content, and unless defined, they are not interpreted in an ideal or very formal meaning.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily implement them. However, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치를 도시한 도면이며, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 디본딩부의 배치관계를 도시한 도면이다. 그리고 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 가이드부와 디본딩부의 배치관계를 도시한 도면이며, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가이드부를 통해 와이어가 임시 접합층으로 안내되는 상태를 도시한 도면이다. 그리고 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 제1 이동 분리부를 도시한 도면이며, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 와이어 진행방향과 장력 측정방향을 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a temporary bonding wafer debonding apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating an arrangement relationship of a debonding unit according to an embodiment of the present invention. And FIG. 3 is a view showing the arrangement relationship of the guide part and the debonding part according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows a state in which the wire is guided to the temporary bonding layer through the guide part according to the embodiment of the present invention. It is a drawing. And FIG. 5 is a view showing a first moving separation unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a view showing a wire traveling direction and a tension measurement direction according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치는 지지부(20), 이동 안내부, 디본딩부를 포함하며, 임시 접합된 캐리어 웨이퍼(304)와 디바이스 웨이퍼(302)를 임시 접합층(306)에 디본딩용 와이어를 이용하여 디바이스 웨이퍼(302)를 신속하고 용이하게 디본딩함으로써 디바이스 웨이퍼(302)의 생산 수율을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치는 지지부(20)를 상승 및 하강시키는 승강 구동부를 더 포함할 수 있다. 승강 구동부는 실질적으로 임시 접합 웨이퍼(300)를 상승 및 하강시키는 기능을 하며, 통상적인 디본딩 장치에 적용되는 승강 구동부와 동일한 구성으로 적용될 수 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.1 to 6, the temporarily bonded wafer debonding apparatus according to an embodiment of the present invention includes a support 20, a movement guide, and a debonding portion, and the temporarily bonded carrier wafer 304 and the device wafer ( The production yield of the device wafer 302 can be improved by quickly and easily debonding the device wafer 302 using a wire for debonding the 302 to the temporary bonding layer 306 . Temporary bonding wafer debonding apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a lift driving unit for raising and lowering the support unit 20 . The elevating driver substantially raises and lowers the temporary bonding wafer 300 , and since it may be applied in the same configuration as the elevating driver applied to a conventional debonding apparatus, a detailed description thereof will be omitted.

지지부(20)는 임시 접합층(306)을 사이에 두고 캐리어 웨이퍼(304)와 디바이스 웨이퍼(302)가 접합된 임시 접합 웨이퍼(300)를 지지한다. 지지부(20)에 안착된 임시 접합 웨이퍼(300)는 지지부(20)에 흡착 고정되어 안정된 상태로 유지될 수 있다. 지지부(20)는 임시 접합 웨이퍼(300)의 하부에 위치된 디바이스 웨이퍼(302)를 흡착하는 흡착부를 더 포함할 수 있다. 흡착부는 다공성(porous)으로 형성된 평판 형태로 형성될 수 있다. 흡착부의 다공성 평판은 별도로 구비되는 흡착기구와 연결되어 임시 접합 웨이퍼(300)를 진공 흡착시킬 수 있다. 따라서, 흡착부를 통해 디바이스 웨이퍼(302)를 진공 흡착하여 견고하게 고정된 상태를 유지함으로써 보다 안정된 상태로 디본딩을 실시할 수 있다.The support 20 supports the temporary bonding wafer 300 to which the carrier wafer 304 and the device wafer 302 are bonded with the temporary bonding layer 306 interposed therebetween. The temporary bonded wafer 300 seated on the support 20 may be adsorbed and fixed to the support 20 and maintained in a stable state. The support unit 20 may further include a suction unit for adsorbing the device wafer 302 positioned below the temporary bonding wafer 300 . The adsorption unit may be formed in the form of a porous plate. The porous plate of the adsorption unit may be connected to a separately provided adsorption mechanism to vacuum adsorb the temporary bonding wafer 300 . Accordingly, debonding can be performed in a more stable state by vacuum adsorbing the device wafer 302 through the adsorption unit to maintain a firmly fixed state.

이동 안내부는 지지부(20)의 주변에서 양측으로 구분되어 베이스 플레이트(10)의 상측에 길이방향을 따라 길게 구비된다. 이동 안내부는 제1 가이드 레일(110), 그리고 제2 가이드 레일(110a)을 포함할 수 있다. 제1 가이드 레일(110)은 지지부(20)의 일측에 구비되어 디본딩부의 이동경로를 형성한다. 제2 가이드 레일(110a)은 지지부(20)의 타측에서 제1 가이드 레일(110)과 대응하는 위치에 구비되어 디본딩부의 이동경로를 형성할 수 있다.The movement guide is divided into both sides around the support 20 and is provided long along the longitudinal direction on the upper side of the base plate 10 . The movement guide may include a first guide rail 110 and a second guide rail 110a. The first guide rail 110 is provided on one side of the support part 20 to form a movement path of the debonding part. The second guide rail 110a may be provided at a position corresponding to the first guide rail 110 on the other side of the support part 20 to form a movement path of the debonding part.

디본딩부는 이동 안내부의 상측에 각각 결합되어 이동 안내부의 길이방향을 따라 이동되며 미리 설정된 디본딩 장력을 갖고 임시 접합층(306)을 디본딩하는 방향으로 안내되어 임시 접합층(306)을 디본딩하는 와이어(100)를 포함한다. 여기서, 와이어(100)는 방전 가공용 금속 와이어를 포함할 수 있다. 방전 가공용 금속 와이어는 내구성이 우수한 직경 0.02mm~0.05mm를 이용할 수 있다. 그리고 임시 접합층(306)의 디본딩 위치에 대응되도록 흡착 가이드부(40)의 일측에 구비되어 와이어(100)를 임시 접합층(306)의 디본딩 위치로 안내하는 가이드부를 더 포함할 수 있다. 가이드부는 와이어(100)가 접하는 부분이 미리 설정된 경사각도로 경사진 형상으로 형성될 수 있다. 가이드부는 본체(210), 조절부(220), 접촉부(230)를 포함할 수 있다. 본체(210)는 경사진 형상으로 형성된다. 조절부(220)는 본체(210)의 일측에 구비되어 높이방향 길이조절 구조로 결합될 수 있다. 접촉부(230)는 본체(210)의 타측에서 돌출되어 실질적으로 임시 접합층(306)에 접촉되는 부분이며, 임시 접합 웨이퍼(300)의 형상에 대응하는 라운드 형상으로 형성될 수 있다. 가이드부를 구비함에 따라 임시 접합층(306)을 기준으로 하여 항상 같은 위치에 와이어(100)를 세팅할 수 있다. 와이어(100)의 이동경로에 구비되어 와이어(100)의 가이드 상태를 모니터링하는 비젼을 더 포함할 수 있다. 한편, 와이어(100)의 이동경로에 구비되어 와이어(100)의 끊어짐을 검출하는 와이어 검출부를 더 포함할 수 있다. 와이어 검출부는 와이어(100)의 끊어짐을 직접 검출하는 센서로 구비될 수 있다. 또한, 와이어 검출부는 간단한 영상장치를 포함하여 사용자의 육안으로 모니터링할 수도 있다. 영상장치는 CCD 카메라나 CMOS 카메라 등의 카메라를 포함할 수 있으며, 촬영된 영상을 처리하는 영상 처리부를 더 포함할 수 있다. 영상 처리부는 제어부와 메모리를 포함하는 컴퓨터로 형성할 수 있다. 상기한 바와 같이 와이어(100)의 초기 진입에 대한 영상을 확인하고 와이어(100)의 끊어짐에 대한 검출이 필요하다.The debonding units are respectively coupled to the upper sides of the movement guides to move along the longitudinal direction of the movement guides, have a preset debonding tension and are guided in the direction of debonding the temporary bonding layer 306 to debond the temporary bonding layer 306 . It includes a wire 100 that does. Here, the wire 100 may include a metal wire for electric discharge machining. The metal wire for electric discharge machining can use a diameter of 0.02mm to 0.05mm with excellent durability. And it may further include a guide part provided on one side of the adsorption guide part 40 to correspond to the debonding position of the temporary bonding layer 306 to guide the wire 100 to the debonding position of the temporary bonding layer 306 . . The guide part may be formed in a shape in which a portion in contact with the wire 100 is inclined at a preset inclination angle. The guide unit may include a body 210 , an adjustment unit 220 , and a contact unit 230 . The body 210 is formed in an inclined shape. The adjusting unit 220 may be provided on one side of the main body 210 to be coupled in a height direction length adjustment structure. The contact portion 230 is a portion protruding from the other side of the main body 210 to substantially contact the temporary bonding layer 306 , and may be formed in a round shape corresponding to the shape of the temporary bonding wafer 300 . As the guide part is provided, the wire 100 can always be set at the same position based on the temporary bonding layer 306 . It is provided in the moving path of the wire 100 may further include a vision for monitoring the guide state of the wire (100). On the other hand, it is provided in the moving path of the wire 100 may further include a wire detector for detecting the break of the wire (100). The wire detection unit may be provided as a sensor that directly detects the breakage of the wire 100 . In addition, the wire detector may include a simple imaging device to monitor the user's eyes. The imaging device may include a camera such as a CCD camera or a CMOS camera, and may further include an image processing unit for processing the captured image. The image processing unit may be formed of a computer including a controller and a memory. As described above, it is necessary to check the image for the initial entry of the wire 100 and to detect the breakage of the wire 100 .

디본딩부는 제1 이동 분리부(120), 그리고 제2 이동 분리부(120a)를 포함할 수 있다. The debonding unit may include a first moving separation unit 120 and a second moving separation unit 120a.

제1 이동 분리부(120)는 제1 가이드 레일(110)에 결합되어 와이어(100)의 디본딩 이동을 안내한다. 제1 이동 분리부(120)는 제1 가이드 레일(110)에 결합되어 제1 가이드 레일(110)의 길이방향을 따라 이동되는 제1 이동부(1210), 그리고 제1 이동부(1210)에 결합되어 와이어(100)의 디본딩 작업을 지지하는 제1 고정부(1220)를 포함할 수 있다.The first moving separation unit 120 is coupled to the first guide rail 110 to guide the debonding movement of the wire 100 . The first moving separation unit 120 is coupled to the first guide rail 110 , the first moving unit 1210 moving along the longitudinal direction of the first guide rail 110 , and the first moving unit 1210 . It may include a first fixing unit 1220 coupled to support the debonding operation of the wire (100).

제1 이동부(1210)는 와이어(100)의 위치를 임시 접합 웨이퍼(300)와 수평한 방향으로 조절하는 제1 위치 조절부(1212), 그리고 와이어(100)의 위치를 임시 접합 웨이퍼(300)의 높이방향으로 조절하는 제2 위치 조절부(1214)를 포함할 수 있다. 제1 이동부(1210)는 와이어(100)의 위치에 대한 세팅(Setting)의 편의성을 제공할 수 있다. 즉, 매뉴얼 스테이지(Manual stage)를 이용하여 정밀 세팅으로 와이어(100)의 위치를 조절할 수 있다. 따라서, 별도의 영상 보정장치가 불필요하다.The first moving unit 1210 includes a first position adjusting unit 1212 for adjusting the position of the wire 100 in a horizontal direction to the temporary bonding wafer 300 , and a temporary bonding wafer 300 for the position of the wire 100 . ) may include a second position adjusting unit 1214 for adjusting the height direction. The first moving unit 1210 may provide convenience of setting the position of the wire 100 . That is, it is possible to adjust the position of the wire 100 with a precise setting using a manual stage. Accordingly, a separate image correction device is not required.

제1 고정부(1220)는 제2 위치 조절부(1214)의 일측에 결합되는 제1 플레이트(1222), 제1 플레이트(1222)에 결합되는 로드부(1224), 로드부(1224)의 일측에 결합되며, 와이어(100)의 결합과 이동을 안내하는 제1 홈이 구비되는 제1 안내축(1225), 그리고 제1 플레이트(1222)의 하측에 결합되어 로드부(1224)를 지지하며, 제1 안내축(1225)을 통해 이동되는 와이어(100)를 안내하는 제1 절개홈(1227)을 갖는 제2 플레이트(1226)를 포함할 수 있다.The first fixing part 1220 includes a first plate 1222 coupled to one side of the second position adjusting part 1214 , a rod part 1224 coupled to the first plate 1222 , and one side of the rod part 1224 . is coupled to the first guide shaft 1225 provided with a first groove for guiding the coupling and movement of the wire 100, and is coupled to the lower side of the first plate 1222 to support the rod portion 1224, A second plate 1226 having a first cut-out groove 1227 for guiding the wire 100 moving through the first guide shaft 1225 may be included.

로드부(1224)에 결합되어 와이어(100)의 디본딩 장력을 조절하는 장력 조절부(1228)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 장력 조절부(1228)는 와이어(100)의 진입경로에 구비되어 와이어(100)의 디본딩 작업 이동시 발생되는 디본딩 장력을 검출하는 로드셀(Load cell)을 포함할 수 있다. 임시 접합층(306)의 디본딩 과정에서 와이어(100)가 가이드부를 통해 임시 접합층(306)에 진입 시 임시 접합층(306)에 가해지는 힘은 측정 가능해야 한다. 따라서, 와이어(100)의 디본딩 장력을 측정하기 위해 와이어 진입경로에 로드셀이 장착될 수 있다.It may further include a tension adjusting unit 1228 coupled to the rod unit 1224 to adjust the debonding tension of the wire 100 . Here, the tension adjusting unit 1228 may include a load cell provided in the entry path of the wire 100 to detect the debonding tension generated when the wire 100 moves in the debonding operation. In the debonding process of the temporary bonding layer 306 , the force applied to the temporary bonding layer 306 when the wire 100 enters the temporary bonding layer 306 through the guide part should be measurable. Accordingly, a load cell may be mounted on the wire entry path to measure the debonding tension of the wire 100 .

제2 이동 분리부(120a)는 제1 이동 분리부(120)와 서로 대향되는 위치에서 동일한 형상으로 형성되며, 제2 가이드 레일(110a)에 결합되어 와이어(100)의 디본딩 이동을 안내할 수 있다. 제1 이동 분리부(120)와 제2 이동 분리부(120a)는 서로 동일한 대응하는 형상으로 구비되어 상호 호환될 수 있다. 따라서, 제2 이동 분리부(120a)에 대한 상세한 설명은 생략한다.The second moving separation unit 120a is formed in the same shape at a position opposite to the first moving separation unit 120 and is coupled to the second guide rail 110a to guide the debonding movement of the wire 100 . can The first movable separation unit 120 and the second movable separation unit 120a may be provided in the same and corresponding shape to be compatible with each other. Accordingly, a detailed description of the second moving separation unit 120a will be omitted.

한편, 지지부(20)의 상측에 구비되며, 임시 접합층(306)의 디본딩 개시를 기준으로 캐리어 웨이퍼(304)를 미리 설정된 디본딩 각도로 경사지게 들어올려 임시 접합 웨이퍼(300)로부터 캐리어 웨이퍼(304)의 디본딩을 보조하는 보조 디본딩부를 더 포함할 수 있다.On the other hand, provided on the upper side of the support 20, the carrier wafer 304 is inclined at a preset debonding angle based on the start of debonding of the temporary bonding layer 306, and from the temporary bonding wafer 300 to the carrier wafer ( 304) may further include an auxiliary debonding unit to assist the debonding.

보조 디본딩부는 임시 접합 웨이퍼(300)의 상부에 위치된 캐리어 웨이퍼(304)를 흡착하는 보조 흡착부(30), 보조 흡착부(30)를 지지하는 흡착 가이드부(40), 그리고 복수의 링크부를 구비하며, 적어도 어느 하나의 링크부가 흡착 가이드부(40)에 결합되어 보조 흡착부(30)를 디본딩 각도로 경사지게 들어올리는 각도 조절부를 포함할 수 있다.The auxiliary debonding unit includes the auxiliary adsorption unit 30 for adsorbing the carrier wafer 304 positioned on the temporary bonding wafer 300 , the adsorption guide unit 40 supporting the auxiliary adsorption unit 30 , and a plurality of links. part, and at least one link part is coupled to the adsorption guide unit 40 and may include an angle adjusting unit for inclinedly lifting the auxiliary adsorption unit 30 at a debonding angle.

각도 조절부는 서로 각도를 갖고 이격된 제1 결합구멍과 제2 결합구멍을 가지며, 가이드 프레임을 따라 수직방향으로 이동되는 슬라이딩 가이드(50), 일단이 제1 결합구멍에 힌지 결합되며, 타단이 구동부의 로드에 연결되는 제1 링크부(60), 일단이 제2 결합구멍에 힌지 결합되며, 타단이 길이방향으로 형성되는 제2 링크부(70), 그리고 흡착 가이드부(40)와 결합되며, 일단이 제1 링크부의 중심부에 결합되고, 타단이 제2 링크부의 타단과 결합되는 제3 링크부(80)를 포함할 수 있다.The angle adjusting unit has a first coupling hole and a second coupling hole spaced apart from each other at an angle, the sliding guide 50 moving in the vertical direction along the guide frame, one end is hinged to the first coupling hole, and the other end is the driving unit The first link portion 60 connected to the rod of the, one end is hinged to the second coupling hole, the other end is coupled to the second link portion 70 formed in the longitudinal direction, and the suction guide portion 40, It may include a third link part 80 having one end coupled to the center of the first link part and the other end coupled to the other end of the second link part.

도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 임시 접합 웨이퍼 디본딩방법을 설명한다.A temporary bonding wafer debonding method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6 .

먼저, 임시 접합층(306)을 사이에 두고 캐리어 웨이퍼(304)와 디바이스 웨이퍼(302)가 접합된 임시 접합 웨이퍼(300)를 이동수단을 이용해 지지부(20)에 안착시킨다. 이어서, 가이드부를 통해 임시 접합층(306)으로 와이어(100)를 안내한다. 보다 정밀한 와이어 디본딩 위치 안내를 위해 제1 이동 분리부(120)와 제2 이동 분리부(120a)를 이용하여 와이어(100)의 위치를 임시 접합 웨이퍼(300)와 수평한 방향 또는 높이 방향으로 조절한다. 즉, 임시 접합층(306)의 디본딩 위치에 대응되도록 와이어(100)를 임시 접합층(306)의 디본딩 위치로 정밀하게 안내한다. 이와 같이 와이어(100)가 임시 접합층(306)의 디본딩 위치에 접한 상태에서 임시 접합층(306)을 디본딩하는 방향으로 와이어(100)를 계속 안내하여 임시 접합층(306)을 디본딩한다. 임시 접합층(306)의 디본딩단계는 와이어(100)를 이용한 제1 디본딩 단계, 그리고 캐리어 웨이퍼(304)를 들어올려 디본딩을 보조하는 제2 디본딩 단계를 포함할 수 있다. 제2 디본딩 단계는 임시 접합층(306)을 기준으로 캐리어 웨이퍼(304)를 디본딩 각도로 경사지게 들어올려 임시 접합 웨이퍼(300)로부터 캐리어 웨이퍼(304)의 디본딩을 보조하는 단계이다.First, the temporary bonding wafer 300 to which the carrier wafer 304 and the device wafer 302 are bonded with the temporary bonding layer 306 interposed therebetween is mounted on the support 20 using a moving means. Then, the wire 100 is guided to the temporary bonding layer 306 through the guide portion. For more precise wire debonding position guidance, using the first moving separation unit 120 and the second moving separation unit 120a, the position of the wire 100 is moved horizontally or in the height direction with the temporary bonding wafer 300 . Adjust. That is, the wire 100 is precisely guided to the debonding position of the temporary bonding layer 306 to correspond to the debonding position of the temporary bonding layer 306 . In this way, while the wire 100 is in contact with the debonding position of the temporary bonding layer 306 , the wire 100 is continuously guided in the direction of debonding the temporary bonding layer 306 to debond the temporary bonding layer 306 . do. The debonding step of the temporary bonding layer 306 may include a first debonding step using the wire 100 and a second debonding step of lifting the carrier wafer 304 to assist in debonding. The second debonding step is a step to assist debonding of the carrier wafer 304 from the temporary bonding wafer 300 by tilting the carrier wafer 304 at a debonding angle with respect to the temporary bonding layer 306 .

상기한 바와 같이 제1 디본딩 단계에서 와이어(100)를 이용한 1차 디본딩을 실시하면, 임시 접합층(306)에 형성된 와이어 분리면을 기준으로 캐리어 웨이퍼(304)를 분리 각도로 경사지게 들어올려 임시 접합 웨이퍼(300)로부터 캐리어 웨이퍼(304)를 분리시키는 제2 디본딩 단계를 수행할 수 있다. 제2 디본딩 단계에서는 와이어 분리면을 기준으로 캐리어 웨이퍼(304)의 분리력을 자연스럽게 다른 방향으로 유도할 수 있어 캐리어 웨이퍼(304)의 분리 시점에서의 분리력을 감소시키며 분리할 수 있다. 따라서, 제2 디본딩 단계에서는 각도 조절부만을 이용하여 각도를 조절하여 캐리어 웨이퍼(304)를 분리할 수 있다. 즉, 임시 접합층(306)에 와이어 분리면이 형성된 상태에서 와이어 분리면을 기준으로 캐리어 웨이퍼(304)를 경사지게 들어 올리기 때문에 캐리어 웨이퍼(304)의 분리력이 자연스럽게 다른 방향으로 전달되어 임시 접합 웨이퍼(300)로부터 캐리어 웨이퍼(304)의 분리가 쉽게 이루어질 수 있다. 또한, 제2 디본딩 단계에서 각도 조절부의 각도 조절과 수직 이동을 병행하면서 캐리어 웨이퍼(304)를 분리되도록 할 수도 있다. 이와 같이 임시 접합층(306)에 와이어 분리면이 형성된 상태에서 캐리어 웨이퍼(304)를 경사지게 들어 올리며 분리하는 동작과 캐리어 웨이퍼(304) 전체를 들어 올리는 동작을 동시에 진행함으로써 임시 접합 웨이퍼(300)로부터 캐리어 웨이퍼(304)의 분리를 더 용이하게 할 수 있다.As described above, when the first debonding using the wire 100 is performed in the first debonding step, the carrier wafer 304 is lifted up obliquely at a separation angle based on the wire separation surface formed in the temporary bonding layer 306 . A second debonding step of separating the carrier wafer 304 from the temporary bonded wafer 300 may be performed. In the second debonding step, the separation force of the carrier wafer 304 can be naturally induced in a different direction based on the wire separation surface, so that the separation force at the time of separation of the carrier wafer 304 can be reduced and separated. Accordingly, in the second debonding step, the carrier wafer 304 may be separated by adjusting the angle using only the angle adjusting unit. That is, since the carrier wafer 304 is lifted at an angle with respect to the wire separation surface in a state in which the wire separation surface is formed in the temporary bonding layer 306, the separation force of the carrier wafer 304 is naturally transferred to the other direction, so that the temporary bonding wafer ( Separation of carrier wafer 304 from 300 can be easily accomplished. In addition, in the second debonding step, the carrier wafer 304 may be separated while simultaneously adjusting the angle and vertical movement of the angle adjusting unit. In a state in which the wire separation surface is formed on the temporary bonding layer 306 as described above, the operation of lifting and separating the carrier wafer 304 at an angle and the operation of lifting the entire carrier wafer 304 are simultaneously performed to separate the temporary bonding wafer 300 from the temporary bonding layer 306 . Separation of the carrier wafer 304 may be easier.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 여기에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 다양하게 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이것도 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and it is possible to carry out various modifications within the scope of the claims, the detailed description of the invention, and the accompanying drawings, and this is also It goes without saying that they fall within the scope of the present invention.

10 ; 베이스 플레이트 20 ; 지지부
30 ; 보조 흡착부 40 ; 흡착 가이드부
50 ; 슬라이딩 가이드 60 ; 제1 링크부
70 ; 제2 링크부 80 ; 제3 링크부
100 ; 와이어 110 ; 제1 가이드 레일
110a ; 제2 가이드 레일 120 ; 제1 이동 분리부
120a ; 제2 이동 분리부 1210 ; 제1 이동부
1212 ; 제1 위치 조절부 1214 ; 제2 위치 조절부
1220 ; 제1 고정부 1222 ; 제1 플레이트
1224 ; 로드부 1226 ; 제2 플레이트
1228 ; 장력 조절부 300 ; 임시 접합 웨이퍼
302 ; 디바이스 웨이퍼 304 ; 캐리어 웨이퍼
306 ; 임시 접합층10 ; base plate 20 ; support
30 ; auxiliary adsorption unit 40 ; adsorption guide
50 ; sliding guide 60 ; first link
70 ; second link part 80; third link
100 ; wire 110 ; first guide rail
110a; second guide rail 120 ; first moving separator
120a; a second moving separation unit 1210 ; first moving part
1212 ; first position control unit 1214; second position control unit
1220 ; first fixing part 1222 ; first plate
1224 ; rod part 1226; second plate
1228 ; Tension control unit 300 ; temporary bonding wafer
302 ; device wafer 304 ; carrier wafer
306; temporary bonding layer

Claims (17)

임시 접합층을 사이에 두고 캐리어 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼가 접합된 임시 접합 웨이퍼를 지지하는 지지부,
상기 지지부의 주변에서 양측으로 구분되어 베이스 플레이트의 상측에 길이방향을 따라 길게 구비되는 이동 안내부, 그리고
상기 이동 안내부의 상측에 각각 결합되어 상기 이동 안내부의 길이방향을 따라 이동되는 와이어가 미리 설정된 디본딩 장력을 갖고 상기 임시 접합층을 디본딩하는 방향으로 안내되어 상기 임시 접합층을 디본딩하는 디본딩부
를 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.A support part for supporting the temporary bonding wafer to which the carrier wafer and the device wafer are bonded with the temporary bonding layer interposed therebetween;
A movement guide part divided on both sides around the support part and provided long along the longitudinal direction on the upper side of the base plate, and
Debonding for debonding the temporary bonding layer by being guided in the direction of debonding the temporary bonding layer with a predetermined debonding tension in the wires each coupled to the upper side of the movement guide and moving along the longitudinal direction of the movement guide part
Temporary bonding wafer debonding apparatus comprising a. 제1항에서,
상기 이동 안내부는
상기 지지부의 일측에 구비되어 상기 디본딩부의 이동경로를 형성하는 제1 가이드 레일, 그리고
상기 지지부의 타측에서 상기 제1 가이드 레일과 대응하는 위치에 구비되어 상기 디본딩부의 이동경로를 형성하는 제2 가이드 레일을 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 1,
The movement guide
A first guide rail provided on one side of the support portion to form a movement path of the debonding portion, and
and a second guide rail provided at a position corresponding to the first guide rail on the other side of the support part to form a movement path of the debonding part. 제2항에서,
상기 디본딩부는
상기 제1 가이드 레일에 결합되어 상기 와이어의 디본딩 이동을 안내하는 제1 이동 분리부, 그리고
상기 제1 이동 분리부와 서로 대향되는 위치에서 동일한 형상으로 형성되며, 상기 제2 가이드 레일에 결합되어 상기 와이어의 디본딩 이동을 안내하는 제2 이동 분리부를 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 2,
The debonding unit
A first moving separation unit coupled to the first guide rail to guide the debonding movement of the wire, and
Temporary bonding wafer debonding apparatus including a second moving separation unit formed in the same shape at a position opposite to the first moving separation unit and coupled to the second guide rail to guide the debonding movement of the wire. 제3항에서,
상기 제1 이동 분리부는
상기 제1 가이드 레일에 결합되어 상기 제1 가이드 레일의 길이방향을 따라 이동되는 제1 이동부, 그리고
상기 제1 이동부에 결합되어 상기 와이어의 디본딩 작업을 지지하는 제1 고정부를 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 3,
The first moving separation unit
a first moving part coupled to the first guide rail and moving along the longitudinal direction of the first guide rail; and
Temporary bonding wafer debonding apparatus including a first fixing part coupled to the first moving part to support the debonding operation of the wire. 제4항에서,
상기 제1 이동부는
상기 와이어의 위치를 상기 임시 접합 웨이퍼와 수평한 방향으로 조절하는 제1 위치 조절부, 그리고
상기 와이어의 위치를 상기 임시 접합 웨이퍼의 높이방향으로 조절하는 제2 위치 조절부를 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 4,
The first moving part
a first position adjusting unit for adjusting the position of the wire in a direction horizontal to the temporary bonding wafer; and
and a second position adjusting unit for adjusting a position of the wire in a height direction of the temporary bonding wafer. 제5항에서,
상기 제1 고정부는
상기 제2 위치 조절부의 일측에 결합되는 제1 플레이트,
상기 제1 플레이트에 결합되는 로드부,
상기 로드부의 일측에 결합되며, 상기 와이어의 결합과 이동을 안내하는 제1 홈이 구비되는 제1 안내축, 그리고
상기 제1 플레이트의 하측에 결합되어 상기 로드부를 지지하며, 상기 제1 안내축을 통해 이동되는 상기 와이어를 안내하는 제1 절개홈을 갖는 제2 플레이트를 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 5,
The first fixing part
a first plate coupled to one side of the second position adjusting unit;
a rod unit coupled to the first plate;
a first guide shaft coupled to one side of the rod part and provided with a first groove for guiding the coupling and movement of the wire; and
Temporary bonding wafer debonding apparatus including a second plate coupled to a lower side of the first plate to support the rod, and having a first cutout groove for guiding the wire moving through the first guide shaft. 제6항에서,
상기 로드부에 결합되어 상기 와이어의 디본딩 장력을 조절하는 장력 조절부를 더 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 6,
Temporary bonding wafer debonding apparatus further comprising a tension adjusting unit coupled to the rod unit to adjust the debonding tension of the wire. 제7항에서,
상기 장력 조절부는 상기 와이어의 진입경로에 구비되어 상기 와이어의 디본딩 작업 이동시 발생되는 디본딩 장력을 검출하는 로드셀을 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 7,
Temporary bonding wafer debonding apparatus including a load cell that the tension control unit is provided in the entry path of the wire to detect the debonding tension generated during the movement of the debonding operation of the wire. 제1항에서,
상기 와이어는 방전 가공용 금속 와이어를 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 1,
The wire is a temporary bonding wafer debonding device including a metal wire for electrical discharge machining. 제1항에서,
상기 와이어의 이동경로에 구비되어 상기 와이어의 끊어짐을 검출하는 와이어 검출부를 더 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 1,
Temporary bonding wafer debonding apparatus further comprising a wire detection unit provided on the moving path of the wire to detect the breakage of the wire. 제1항에서,
상기 지지부의 상측에 구비되며, 상기 임시 접합층의 디본딩 개시를 기준으로 상기 캐리어 웨이퍼를 미리 설정된 디본딩 각도로 경사지게 들어올려 상기 임시 접합 웨이퍼로부터 상기 캐리어 웨이퍼의 디본딩을 보조하는 보조 디본딩부를 더 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 1,
Auxiliary debonding unit provided on the upper side of the support part to assist in debonding of the carrier wafer from the temporary bonding wafer by tilting the carrier wafer at a predetermined debonding angle based on the start of debonding of the temporary bonding layer. Temporary bonding wafer debonding apparatus further comprising. 제11항에서,
상기 보조 디본딩부는
상기 임시 접합 웨이퍼의 상부에 위치된 상기 캐리어 웨이퍼를 흡착하는 보조 흡착부,
상기 보조 흡착부를 지지하는 흡착 가이드부, 그리고
복수의 링크부를 구비하며, 적어도 어느 하나의 링크부가 상기 흡착 가이드부에 결합되어 상기 보조 흡착부를 디본딩 각도로 경사지게 들어올리는 각도 조절부를 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 11,
The auxiliary debonding unit
an auxiliary adsorption unit for adsorbing the carrier wafer positioned on the temporary bonding wafer;
an adsorption guide part supporting the auxiliary adsorption part; and
Temporary bonding wafer debonding apparatus comprising a plurality of link portions, and at least one link portion coupled to the suction guide portion to include an angle adjusting portion for inclinedly lifting the auxiliary suction portion at a debonding angle. 제12항에서,
상기 각도 조절부는
서로 각도를 갖고 이격된 제1 결합구멍과 제2 결합구멍을 가지며, 가이드 프레임을 따라 수직방향으로 이동되는 슬라이딩 가이드,
일단이 상기 제1 결합구멍에 힌지 결합되며, 타단이 구동부의 로드에 연결되는 제1 링크부,
일단이 상기 제2 결합구멍에 힌지 결합되며, 타단이 길이방향으로 형성되는 제2 링크부, 그리고
상기 흡착 가이드부와 결합되며, 일단이 상기 제1 링크부의 중심부에 결합되고, 타단이 상기 제2 링크부의 타단과 결합되는 제3 링크부를 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 12,
The angle adjuster
A sliding guide having a first coupling hole and a second coupling hole spaced apart at an angle from each other and moving in a vertical direction along the guide frame;
a first link part having one end hinge-coupled to the first coupling hole and the other end connected to the rod of the driving unit;
A second link portion having one end hinged to the second coupling hole and the other end formed in the longitudinal direction, and
and a third link part coupled to the suction guide part, one end coupled to the central part of the first link part, and the other end coupled to the other end of the second link part. 제1항에서,
상기 임시 접합층의 디본딩 위치에 대응되도록 상기 흡착 가이드부의 일측에 구비되어 상기 와이어를 상기 임시 접합층의 디본딩 위치로 안내하는 가이드부를 더 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.In claim 1,
Temporary bonding wafer debonding apparatus further comprising a guide part provided on one side of the adsorption guide part to correspond to the debonding position of the temporary bonding layer to guide the wire to the debonding position of the temporary bonding layer. 제14항에서,
상기 가이드부는 상기 와이어가 접하는 부분이 미리 설정된 경사각도로 경사진 형상을 갖는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.15. In claim 14,
Temporary bonding wafer debonding device having a shape in which the guide portion is inclined at a preset inclination angle in which the wire is in contact. 제14항에서,
상기 와이어의 이동경로에 구비되어 상기 와이어의 가이드 상태를 모니터링하는 비젼을 더 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치.15. In claim 14,
Temporary bonding wafer debonding apparatus further comprising a vision provided in the movement path of the wire to monitor the guide state of the wire. 임시 접합층을 사이에 두고 캐리어 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼가 접합된 임시 접합 웨이퍼를 지지부로 지지하는 단계,
가이드부를 통해 상기 임시 접합층으로 와이어를 안내하는 와이어 안내단계,
상기 임시 접합층의 디본딩 위치에 대응되도록 상기 와이어를 상기 임시 접합층의 디본딩 위치로 안내하는 와이어 디본딩 위치 안내단계,
상기 임시 접합층의 디본딩 위치에 상기 와이어를 접하고 상기 임시 접합층을 디본딩하는 방향으로 안내하여 상기 임시 접합층을 디본딩하는 제1 디본딩 단계, 그리고
상기 임시 접합층을 기준으로 상기 캐리어 웨이퍼를 디본딩 각도로 경사지게 들어올려 상기 임시 접합 웨이퍼로부터 상기 캐리어 웨이퍼의 디본딩을 보조하는 제2 디본딩 단계를 포함하는 임시 접합 웨이퍼 디본딩방법.supporting the temporary bonding wafer to which the carrier wafer and the device wafer are bonded with a support part with a temporary bonding layer interposed therebetween;
A wire guide step of guiding the wire to the temporary bonding layer through the guide part;
a wire debonding position guiding step of guiding the wire to a debonding position of the temporary bonding layer to correspond to the debonding position of the temporary bonding layer;
A first debonding step of debonding the temporary bonding layer by contacting the wire at the debonding position of the temporary bonding layer and guiding the temporary bonding layer in a debonding direction; and
and a second debonding step of supporting debonding of the carrier wafer from the temporary bonding wafer by tilting the carrier wafer at a debonding angle based on the temporary bonding layer.
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