KR20210080192A - Holding device, lithography apparatus, and manufacturing method of article - Google Patents

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KR20210080192A
KR20210080192A KR1020200153413A KR20200153413A KR20210080192A KR 20210080192 A KR20210080192 A KR 20210080192A KR 1020200153413 A KR1020200153413 A KR 1020200153413A KR 20200153413 A KR20200153413 A KR 20200153413A KR 20210080192 A KR20210080192 A KR 20210080192A
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이즈미 카와하라
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

The present invention provides a technique advantageous for high-precision determination of the detachment of a plate from a holding surface. A holding device for holding the plate includes: a holding unit holding the plate on the holding surface; an imaging unit capturing an image of a mark formed on the plate held on the holding surface; and a processing unit for judging whether or not the plate has disengaged from the holding surface based on the image of the mark obtained by the imaging unit in a state where a force is applied to the plate.

Description

유지장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조방법{HOLDING DEVICE, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF ARTICLE}HOLDING DEVICE, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF ARTICLE

본 발명은, 유지장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조방법에 관한 것이다.\ The present invention relates to a holding apparatus, a lithographic apparatus, and a method of manufacturing an article.

최근, 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치의 중첩 정밀도의 향상에 따라, 원판 또는 기판과 그것을 유지하는 척의 평면도가 향상되어, 원판 또는 기판과 척 사이의 밀착성이 향상되고 있다. 리소그래피 장치에 있어서, 원판 또는 기판을 유지하는 방식으로서는, 진공 흡착 방식 및 정전 흡착 방식이 있다. In recent years, with the improvement of the superimposition precision of a lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate, the flatness of the original plate or the substrate and the chuck holding it is improved, and the adhesion between the original plate or the substrate and the chuck is improved. In a lithographic apparatus, as a method of holding an original plate or a substrate, there are a vacuum adsorption method and an electrostatic adsorption method.

진공 흡착 방식에 있어서는, 기판과 척 사이에 이물질이 들어가서 이물질이 기판에 고착되거나, 기판과 척이 견고하게 밀착되는 일이 있다. 정전 흡착 방식에 있어서도, 정전 척이나 기판의 대전에 의해 전원 절단시에 있어서 기판에 잔류 흡착력이 생겨, 기판과 척이 고착될 우려가 있다. In the vacuum adsorption method, a foreign material may enter between the substrate and the chuck and the foreign material may adhere to the substrate, or the substrate and the chuck may be firmly in close contact. Also in the electrostatic adsorption method, there is a possibility that a residual adsorption force is generated on the substrate when the power is turned off due to charging of the electrostatic chuck or the substrate, and the substrate and the chuck may be stuck.

특허문헌 1에는, 척 측에 설치되는 복수의 비접촉 센서를 사용하여, 척과 기판 사이의 거리 및 기판의 평면 위치 어긋남을 검출하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 2에는, 승강 핀을 사용해서 기판에 힘을 가해, 승강 핀의 위치 변화에 의해 기판의 이탈을 검지하는 것이 기재되어 있다. Patent Document 1 describes detecting the distance between the chuck and the substrate and the displacement of the plane of the substrate using a plurality of non-contact sensors provided on the chuck side. Patent document 2 describes that a force is applied to a board|substrate using a lift pin, and the detachment of a board|substrate is detected by the position change of a lift pin.

일본국 특개 2006-332519호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2006-332519 일본국 특개 2005-123422호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2005-123422

그러나, 종래기술에서는, 기판(플레이트)이 국소적으로 고정되어 있는 상태나 기판이 국소적으로 떨어져 있는 상태를, 기판이 척으로부터 이탈했다고 잘못 판정해 버린다. 또한, 종래기술에서는, 기판의 표면을 따르는 방향의 큰 위치 어긋남밖에 검지할 수 없고, 미소한 위치 어긋남을 검지할 수 없다. However, in the prior art, the state in which the substrate (plate) is locally fixed or the state in which the substrate is locally separated is erroneously determined that the substrate is detached from the chuck. Further, in the prior art, only a large displacement in the direction along the surface of the substrate can be detected, and a minute displacement cannot be detected.

본 발명은, 플레이트가 지지면으로부터 이탈한 것의 판정의 고정밀도화에 유리한 기술을 제공한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a technique advantageous for high-precision determination of whether a plate has detached from a supporting surface.

본 발명의 일 측면에 따르면, 플레이트를 유지하는 유지장치로서, 유지면에서 상기 플레이트를 유지하는 유지부와, 상기 유지면에 유지된 상기 플레이트에 형성되어 있는 마크를 촬상하는 촬상부와, 상기 플레이트를 상기 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 상기 플레이트에 주어진 상태에서 상기 촬상부에 의해 얻어진 상기 마크의 화상에 근거하여, 상기 플레이트가 상기 유지면으로부터 이탈하였는지 아닌지의 판정을 행하는 처리부를 갖는 것을 특징으로 하는 유지장치가 제공된다. According to one aspect of the present invention, there is provided a holding device for holding a plate, comprising: a holding unit for holding the plate on a holding surface; an imaging unit for capturing an image of a mark formed on the plate held on the holding surface; and a processing unit for judging whether or not the plate has detached from the holding surface, based on the image of the mark obtained by the imaging unit in a state in which a force for disengaging from the holding surface is given to the plate. A retaining device is provided.

본 발명에 따르면, 플레이트가 유지면으로부터 이탈한 것의 판정의 고정밀도화에 유리한 기술을 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a technique advantageous for high-precision determination of that the plate has detached from the holding surface.

도 1은 노광장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 레티클 얼라인먼트를 행하기 위한 마크의 배치 예를 도시한 도면이다.
도 3은 웨이퍼 얼라인먼트를 행하기 위한 마크의 배치 예를 도시한 도면이다.
도 4는 유지장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 5는 레티클 회수 동작을 설명하는 도면이다.
도 6은 레티클 얼라인먼트를 행하기 위한 마크의 배치 예를 도시한 도면이다.
도 7은 레티클 회수시의 마크를 사용한 위치 계측을 설명하는 도면이다.
도 8은 레티클 회수 동작의 흐름도이다.
1 is a diagram showing the configuration of an exposure apparatus.
Fig. 2 is a diagram showing an example of arrangement of marks for reticle alignment.
3 is a view showing an example of arrangement of marks for performing wafer alignment.
4 is a diagram showing the configuration of a holding device.
5 is a diagram for explaining a reticle collection operation.
6 is a diagram showing an example of arrangement of marks for reticle alignment.
It is a figure explaining position measurement using the mark at the time of reticle collection|recovery.
8 is a flowchart of a reticle retrieval operation.

이하, 첨부도면을 참조해서 실시형태를 상세히 설명한다. 이때, 이하의 실시형태는 청구범위에 관한 발명을 한정하는 것은 아니다. 실시형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이들 복수의 특징의 모두가 발명에 필수적인 것인 것은 아니며, 또한, 복수의 특징은 임의로 조합되어도 된다. 더구나 첨부도면에 있어서는, 동일 혹은 유사한 구성에 동일한 참조번호를 붙이고, 중복된 설명은 생략한다. DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. At this time, the following embodiment does not limit the invention concerning a claim. Although a plurality of features are described in the embodiment, not all of these plurality of features are essential to the invention, and a plurality of features may be arbitrarily combined. Moreover, in the accompanying drawings, the same reference numerals are assigned to the same or similar components, and duplicate descriptions are omitted.

<제1실시형태><First embodiment>

도 1은, 본 발명의 유지장치가 적용되는, 리소그래피 장치의 일례인 노광장치(100)의 개략도다. 본 명세서 및 도면에 있어서는, 수평면을 XY 평면으로 하는 XYZ 좌표계에 있어서 방향이 표시된다. 일반적으로는, 레티클(1)은 그것의 표면이 수평면(XY 평면)과 평행하게 되도록 레티클 스테이지(3) 위에 놓이고, 웨이퍼(4)는 그것의 표면이 수평면과 평행하게 되도록 웨이퍼 스테이지(6) 위에 놓인다. 따라서, 이하에서는, 레티클(1) 또는 웨이퍼(4)의 표면을 따르는 평면 에서 서로 직교하는 방향을 X축 및 Y축으로 하고, X축 및 Y축에 수직한 방향을 Z축으로 한다. 또한, 이하에서는, XYZ 좌표계에 있어서의 X축, Y축, Z축에 각각 평행한 방향을 X방향, Y방향, Z방향이라고 하고, X축 주위의 회전 방향, Y축 주위의 회전 방향, Z축 주위의 회전 방향을 각각 θx 방향, θy 방향, θz 방향이라고 한다. 1 is a schematic diagram of an exposure apparatus 100 that is an example of a lithographic apparatus to which a holding apparatus of the present invention is applied. In this specification and drawings, a direction is displayed in the XYZ coordinate system which makes a horizontal plane XY plane. Generally, the reticle 1 is placed on the reticle stage 3 so that its surface is parallel to the horizontal plane (XY plane), and the wafer 4 is placed on the wafer stage 6 so that its surface is parallel to the horizontal plane. placed on top Accordingly, hereinafter, directions perpendicular to each other on a plane along the surface of the reticle 1 or wafer 4 are referred to as X and Y axes, and directions perpendicular to the X and Y axes are referred to as Z axes. In the following, directions parallel to the X-axis, Y-axis, and Z-axis in the XYZ coordinate system are referred to as X-direction, Y-direction and Z-direction, and the rotational direction around the X-axis, the rotational direction around the Y-axis, The rotational directions around the axis are referred to as the θx direction, the θy direction, and the θz direction, respectively.

노광장치(100)는, 반도체 디바이스의 회로 패턴이 형성된 레티클(1)(원판, 마스크)을 사용하여, 회로 패턴을 기판인 웨이퍼(4)에 전사하는 노광장치다. 노광장치(100)는, 예를 들면, 투영 광학계(7)와 웨이퍼(4) 사이에 액체를 개재시키지 않고 기판을 노광하는 노광장치일 수 있다. 또는, 노광장치(100)는, 투영 광학계(7)와 웨이퍼(4) 사이에 액체를 개재시켜서 기판을 노광하는 액침 노광장치이어도 된다. The exposure apparatus 100 is an exposure apparatus that transfers a circuit pattern onto a wafer 4 serving as a substrate using a reticle 1 (original plate, mask) on which a circuit pattern of a semiconductor device is formed. The exposure apparatus 100 may be, for example, an exposure apparatus that exposes a substrate without interposing a liquid between the projection optical system 7 and the wafer 4 . Alternatively, the exposure apparatus 100 may be an immersion exposure apparatus that exposes a substrate with a liquid interposed between the projection optical system 7 and the wafer 4 .

본 실시형태에서는, 플레이트인 레티클(1)을 유지하는 유지장치가 노광장치(100)에 적용된 예를 설명한다. 노광장치(100)는, 레티클 스테이지(3)와, 레티클 스테이지(3)에 의해 유지되는 레티클(1)을 조명하는 조명 광학계(8)와, 웨이퍼 스테이지(6)와, 레티클(1)의 패턴을 웨이퍼 스테이지(6) 위의 웨이퍼(4)에 투영하는 투영 광학계(7)를 구비한다. 노광장치(100)는, 또한, 웨이퍼(4)의 표면의 높이(Z방향의 위치)를 검출하는 면 위치 검출기(14)와, 웨이퍼(4)의 위치맞춤을 행하기 위한 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)를 구비할 수 있다. 면 위치 검출기(14)는, 웨이퍼(4)의 표면에 투광하는 투광부(14a)와, 웨이퍼(4)의 표면에서 반사된 반사광을 수광하는 수광부(14b)를 포함한다. 노광장치는, 더구나, 노광 처리를 제어하는 제어부 C를 포함할 수 있다. 레티클(1) 및 웨이퍼(4)는 각각, 레티클 척(2)(원판 유지부) 및 웨이퍼 척(5)(기판 유지부)에 의해 유지되고 있고, 투영 광학계(7)를 거쳐 광학적으로 거의 공역의 위치(투영 광학계(7)의 물체면 및 상면)에 배치된다. 레티클 척(2)은, 예를 들면, 진공 흡착이나 정전 흡착 등에 의해 레티클(1)을 유지하고, 레티클 스테이지(3)는, 레티클 척(2) 및 레티클(1)을 수반해서 예를 들면 XY방향으로 이동가능하다. 마찬가지로, 웨이퍼 척(5)은, 예를 들면, 진공 흡착이나 정전 흡착 등에 의해 웨이퍼(4)를 유지하고, 웨이퍼 스테이지(6)는, 웨이퍼 척(5)및 웨이퍼(4)를 수반해서 예를 들면 XY 방향으로 이동가능하다. In the present embodiment, an example in which the holding device for holding the reticle 1 which is a plate is applied to the exposure apparatus 100 will be described. The exposure apparatus 100 includes a reticle stage 3 , an illumination optical system 8 for illuminating a reticle 1 held by the reticle stage 3 , a wafer stage 6 , and a pattern of the reticle 1 . A projection optical system (7) for projecting the image to the wafer (4) on the wafer stage (6) is provided. The exposure apparatus 100 further includes a surface position detector 14 for detecting the height (position in the Z direction) of the surface of the wafer 4 , and a wafer alignment detector 16 for aligning the wafer 4 . ) can be provided. The surface position detector 14 includes a light projecting portion 14a that emits light on the surface of the wafer 4 and a light receiving portion 14b that receives reflected light reflected from the surface of the wafer 4 . The exposure apparatus may further include a control unit C for controlling the exposure process. The reticle 1 and the wafer 4 are held by a reticle chuck 2 (original plate holding part) and a wafer chuck 5 (substrate holding part), respectively, and are optically substantially conjugated via a projection optical system 7 , respectively. (the object plane and the image plane of the projection optical system 7) of The reticle chuck 2 holds the reticle 1 by, for example, vacuum suction or electrostatic suction, and the reticle stage 3 is accompanied by the reticle chuck 2 and the reticle 1, for example, XY can be moved in the direction Similarly, the wafer chuck 5 holds the wafer 4 by, for example, vacuum suction or electrostatic suction, and the wafer stage 6 is accompanied by the wafer chuck 5 and the wafer 4, for example. For example, it can move in the XY direction.

레티클 스테이지(3)의 측방향에 설치된 레이저 간섭계(10)는, 레티클 스테이지(3)의 위치를 계측한다. 제어부 C는, 레티클 스테이지(3)를 구동하는 액추에이터를 제어하여, 레티클 스테이지(3)의 Y방향의 위치를 제어한다. 레티클 스테이지(3)에는, 레티클 기준 플레이트(12)가 배치되어 있다. 레티클 기준 플레이트(12)의 패턴 면의 높이는, 레티클(1)의 패턴 면의 높이와 거의 일치한다. 레티클 스테이지(3)에는, 레이저 간섭계(10)로부터 출사된 빔을 반사하는 바 미러(11)가 고정되어 있어, 레이저 간섭계(10)에 의해 레티클 스테이지(3)의 위치와 이동량이 순차 계측된다. A laser interferometer 10 provided in the lateral direction of the reticle stage 3 measures the position of the reticle stage 3 . The control unit C controls the actuator that drives the reticle stage 3 to control the position of the reticle stage 3 in the Y direction. On the reticle stage 3 , a reticle reference plate 12 is arranged. The height of the pattern surface of the reticle reference plate 12 is substantially equal to the height of the pattern surface of the reticle 1 . A bar mirror 11 that reflects the beam emitted from the laser interferometer 10 is fixed to the reticle stage 3 , and the position and movement amount of the reticle stage 3 are sequentially measured by the laser interferometer 10 .

마찬가지로, 웨이퍼 스테이지(6)의 측방향에 설치된 레이저 간섭계(10)는, 웨이퍼 스테이지(6)의 위치를 계측한다. 제어부 C는, 웨이퍼 스테이지(6)를 구동하는 액추에이터를 제어하여, 웨이퍼 스테이지(6)의 Y방향의 위치를 제어한다. 웨이퍼 스테이지(6)에는, 웨이퍼 기준 플레이트(13)가 배치되어 있다. 웨이퍼 스테이지(6)에는, 레이저 간섭계(10)로부터 출사된 빔을 반사하는 바 미러(11)가 고정되어 있어, 레이저 간섭계(10)에 의해 웨이퍼 스테이지(6)의 위치와 이동량이 순치 계측된다. Similarly, the laser interferometer 10 provided in the lateral direction of the wafer stage 6 measures the position of the wafer stage 6 . The control unit C controls the actuator that drives the wafer stage 6 to control the position of the wafer stage 6 in the Y direction. A wafer reference plate 13 is disposed on the wafer stage 6 . A bar mirror 11 that reflects the beam emitted from the laser interferometer 10 is fixed to the wafer stage 6 , and the position and movement amount of the wafer stage 6 are measured by the laser interferometer 10 .

광원(9)은, 예를 들면, 248nm의 파장의 빛을 발생하는 KrF 엑시머 레이저일 수 있지만, 그 대신에, 예를 들면, 수은 램프, ArF 엑시머 레이저(193nm), EUV 광원 등도 채용될 수 있다. 광원(9)으로부터 출사된 광속은, 조명 광학계(8)에 입사하고, 설정된 형상, 간섭성, 편광 상태로 정형된 후에, 레티클(1)을 조명한다. 레티클(1)의 밑면에 형성된 섬세한 회로 패턴에서 회절된 빛은, 투영 광학계(7)에 의해, 웨이퍼 스테이지(6) 위에 배치된 웨이퍼(4) 위에 결상한다. The light source 9 may be, for example, a KrF excimer laser that generates light of a wavelength of 248 nm, but instead, for example, a mercury lamp, an ArF excimer laser (193 nm), an EUV light source, etc. may also be employed. . The light beam emitted from the light source 9 enters the illumination optical system 8 and illuminates the reticle 1 after being shaped into a set shape, coherence, and polarization state. The light diffracted from the delicate circuit pattern formed on the underside of the reticle 1 is imaged on the wafer 4 placed on the wafer stage 6 by the projection optical system 7 .

레티클(1)의 위치 어긋남을 계측하기 위해서, 레티클 얼라인먼트 검출기(15)가 사용된다. 레티클 얼라인먼트 검출기(15)는, 레티클 척(2)의 레티클을 유지하는 유지면 위의 레티클(1)에 형성되어 있는 마크를 촬상하는 촬상부다. 제어부 C는, 레티클 스테이지(3)를 레티클 얼라인먼트 검출기(15) 위에 구동한다. 레티클 얼라인먼트 검출기(15)는, 도 2에 나타낸 것과 같은, 레티클 스테이지(3) 위의 얼라인먼트 마크 18(기준 마크) 및 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17의 화상을 촬상한다. 제어부 C는, 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해 얻어진 마크의 화상에 근거하여, 레티클(1)이 유지면으로부터 이탈하였는지 아닌지의 판정을 행하는 처리부로서 기능할 수 있다. 예를 들면, 제어부 C는, 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해 얻어진 화상으로부터, 얼라인먼트 마크 17의 얼라인먼트 마크 18에 대한 위치를 구하는 것에 의해, 레티클(1)의 레티클 스테이지(3)에 대한 위치 어긋남 량을 구한다. 도 2에 나타낸 것과 같이, 레티클 스테이지(3) 위의 얼라인먼트 마크 18 및 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17이 각각, X방향으로 복수 배치됨으로써, 레티클(1)의 레티클 스테이지(3)에 대한 X, Y, θz 방향의 위치 어긋남을 계측할 수 있다. In order to measure the displacement of the reticle 1, a reticle alignment detector 15 is used. The reticle alignment detector 15 is an image pickup unit that images a mark formed on the reticle 1 on the holding surface for holding the reticle of the reticle chuck 2 . The control unit C drives the reticle stage 3 above the reticle alignment detector 15 . The reticle alignment detector 15 captures images of the alignment mark 18 (reference mark) on the reticle stage 3 and the alignment mark 17 on the reticle 1 as shown in FIG. 2 . The control unit C can function as a processing unit that determines whether or not the reticle 1 has detached from the holding surface based on the image of the mark obtained by the reticle alignment detector 15 . For example, the control unit C obtains the position of the alignment mark 17 with respect to the alignment mark 18 from the image obtained by the reticle alignment detector 15 , and thereby the amount of position shift of the reticle 1 with respect to the reticle stage 3 . save As shown in FIG. 2 , a plurality of alignment marks 18 on the reticle stage 3 and alignment marks 17 on the reticle 1 are respectively arranged in the X direction, so that the X of the reticle 1 with respect to the reticle stage 3 is , Y, and θz directions can be measured.

웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)는, 웨이퍼(4) 위에 형성된 복수의 숏 영역 중 소정의 복수의 샘플 숏 영역의 각각에 설치된 복수의 얼라인먼트 마크를 검출한다. 제어부 C는, 그 검출의 결과에 근거하여, 해당 샘플 숏의 위치를 구한다. The wafer alignment detector 16 detects a plurality of alignment marks provided in each of a plurality of predetermined sample shot regions among a plurality of shot regions formed on the wafer 4 . The control unit C obtains the position of the sample shot based on the detection result.

이때, 도 1에 있어서, 레티클 얼라인먼트 검출기(15) 및 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)는 각각, 투영 광학계(7)를 거치지 않고 얼라인먼트 마크를 검출하는 오프액시스 검출부로서 설치되어 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 레티클 얼라인먼트 검출기(15) 및 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)는 각각, 투영 광학계(7)를 거쳐 얼라인먼트 마크를 검출하는 TTL(Through The Lens) 검출부로서 설치되어도 된다. At this time, in Fig. 1, the reticle alignment detector 15 and the wafer alignment detector 16 are each provided as an off-axis detection unit that detects the alignment mark without passing through the projection optical system 7, but is not limited thereto. . For example, the reticle alignment detector 15 and the wafer alignment detector 16 may each be provided as a TTL (Through The Lens) detection unit that detects an alignment mark via the projection optical system 7 .

도 3에, 웨이퍼 얼라인먼트를 행하기 위한 마크의 배치 예를 나타낸다. 도3a는 웨이퍼(4) 위에 격자 형상으로 형성된 복수의 숏 영역을 나타내고, 도 3b는 복수의 숏 영역 중 1개의 샘플 숏 영역의 확대도를 나타내고 있다. 도 3b에 나타낸 것과 같이, 샘플 숏 영역에는, 복수의 얼라인먼트 마크 MX, MY, PM이 형성되어 있다. 이들 복수의 얼라인먼트 마크 MX, MY, PM이 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)의 검출 영역에 위치하도록 웨이퍼 스테이지(6)가 구동된다. 그후, 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)에 의해 각 얼라인먼트 마크의 위치가 검출되고, 제어부 C에 의해 웨이퍼 스테이지(6)에 대한 웨이퍼(4)의 위치 어긋남 량이 계측된다. 이렇게 본 실시형태에서는, 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)와 제어부 C로 웨이퍼(4)의 위치 어긋남 량을 계측하는 계측부가 구성된다. In Fig. 3, an example of arrangement of marks for performing wafer alignment is shown. 3A shows a plurality of shot regions formed in a grid shape on the wafer 4, and FIG. 3B shows an enlarged view of one sample shot region among the plurality of shot regions. As shown in Fig. 3B, a plurality of alignment marks MX, MY, and PM are formed in the sample shot region. The wafer stage 6 is driven so that these plurality of alignment marks MX, MY, and PM are located in the detection area of the wafer alignment detector 16 . Thereafter, the position of each alignment mark is detected by the wafer alignment detector 16 , and the amount of displacement of the wafer 4 with respect to the wafer stage 6 is measured by the control unit C . Thus, in the present embodiment, the wafer alignment detector 16 and the control unit C constitute a measurement unit that measures the amount of position shift of the wafer 4 .

도 4는, 본 실시형태에 있어서의, 플레이트인 레티클(1)을 유지하는 유지장치의 구성을 도시한 도면이다. 도 4에 있어서, 레티클 반송부를 구성하는 레티클 핸드(21)는, 레티클(1)을 유지해서 회수 또는 공급 동작을 행한다. 레티클 핸드(21)는, 회수 동작 또는 공급 동작 종료후, 레티클 스테이지(3)의 구동에 영향을 미치지 않는 위치로 후퇴 가능하다. Fig. 4 is a diagram showing the configuration of a holding device for holding the reticle 1 serving as a plate in the present embodiment. In Fig. 4, a reticle hand 21 constituting the reticle carrying unit holds the reticle 1 and performs a collection or supply operation. The reticle hand 21 can be retracted to a position that does not affect the driving of the reticle stage 3 after the collection operation or the supply operation is completed.

유지장치는, 레티클(1)을 회수할 때, 레티클 척(2)의 레티클(1)을 유지하는 유지면으로부터 레티클(1)을 향해서 기체를 분사함으로써, 레티클(1)을 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘을 레티클(1)에 주는 기체 분사부(30)를 구비할 수 있다. 레티클(1)을 회수할 때에 기체 분사부(30)에 의해 레티클(1)의 이면에 기체를 분사함으로써, 레티클(1)의 레티클 척(2)으로부터의 이탈이 보조된다. 기체 분사부(30)는, 기체 공급부(20)와, 기체 공급부(20)로부터의 기체의 유로인 기체 공급로(19)를 포함할 수 있다. 기체 공급로(19)는, 레티클 스테이지(3) 내에 형성되어 있다. 레티클 척(2)의 유지면에는, 레티클(1)을 향해서 기체를 분사하는 복수의 기체 분사구(19a)가 형성되고, 복수의 기체 분사구(19a)는 각각, 기체 공급로(19)에 연통한다. The holding device ejects a gas toward the reticle 1 from a holding surface holding the reticle 1 of the reticle chuck 2 when the reticle 1 is retrieved, thereby releasing the reticle 1 from the holding surface. A gas injection unit 30 that applies a force to the reticle 1 may be provided. When the reticle 1 is recovered, the gas ejection unit 30 injects a gas to the back surface of the reticle 1 , thereby assisting the reticle 1 from detaching from the reticle chuck 2 . The gas injection unit 30 may include a gas supply unit 20 and a gas supply path 19 that is a flow path for the gas from the gas supply unit 20 . The gas supply path 19 is formed in the reticle stage 3 . A plurality of gas injection ports 19a for injecting gas toward the reticle 1 are formed on the holding surface of the reticle chuck 2 , and the plurality of gas injection ports 19a communicate with a gas supply path 19 , respectively. .

이때, 기체 분사에 의해 레티클(1)에 외력을 가하는 것 대신에, 유지면에 대하여 출몰가능한 리프트 핀을 구동하는 핀 구동 액추에이터를 설치해도 된다. 핀 구동 액추에이터가 리프트 핀을 밀어 올림으로써 레티클(1)을 레티클 척의 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘을 줄 수 있다. 단, 리프트 핀에 의해 레티클(1)에 가해지는 외력은, 레티클(1)이 레티클 척(2)에 고착되어 있는 경우에도 레티클(1) 또는 레티클 척(2)에 파괴가 생기지 않는 힘이 된다. At this time, instead of applying an external force to the reticle 1 by gas injection, a pin driving actuator for driving a lift pin capable of retracting and retracting with respect to the holding surface may be provided. A pin drive actuator can apply a force to disengage the reticle 1 from the holding surface of the reticle chuck by pushing up the lift pins. However, the external force applied to the reticle 1 by the lift pin is a force that does not cause damage to the reticle 1 or the reticle chuck 2 even when the reticle 1 is fixed to the reticle chuck 2 . .

또한, 레티클(1)을 회수, 공급하는 위치는, 레티클 스테이지(3)의 하부에 레티클 얼라인먼트 검출기(15)가 존재하는 위치로 한다. 따라서, 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해, 레티클 스테이지(3) 위의 얼라인먼트 마크 18 및 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17의 화상이 촬상되고, 제어부 C는, 그들의 상대 위치를 계측할 수 있다. Note that the position at which the reticle 1 is retrieved and supplied is a position where the reticle alignment detector 15 is located below the reticle stage 3 . Accordingly, the images of the alignment mark 18 on the reticle stage 3 and the alignment mark 17 on the reticle 1 are captured by the reticle alignment detector 15 , and the control unit C can measure their relative positions.

본 실시형태에 있어서의 노광장치의 구성은 대략 이상과 같다. 다음에, 본 실시형태에 있어서의, 레티클(1)에 대한 레티클 척(2)의 이탈 검지 방법에 대해 설명한다. The configuration of the exposure apparatus in the present embodiment is substantially as described above. Next, a method for detecting separation of the reticle chuck 2 from the reticle 1 according to the present embodiment will be described.

도 5를 참조하여, 유지장치에 의한 레티클 회수 동작을 설명한다. With reference to FIG. 5, the reticle collection operation by the holding device will be described.

도5a는, 레티클(1)이 레티클 척(2)으로부터 이탈되기 전의 상태를 나타내고 있다. 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해 레티클 스테이지(3) 위의 얼라인먼트 마크 18과 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17이 촬상되고, 제어부 C에 의해 상대 위치가 계측된다. 이때, 레티클 핸드(21)는 레티클(1)에는 접촉하지 않고 있다. 5A shows a state before the reticle 1 is detached from the reticle chuck 2 . The alignment mark 18 on the reticle stage 3 and the alignment mark 17 on the reticle 1 are imaged by the reticle alignment detector 15, and the relative position is measured by the control unit C. At this time, the reticle hand 21 is not in contact with the reticle 1 .

도 5b는, 도5a의 상태로부터 레티클 핸드(21)가 하강하여, 레티클(1)에 레티클 핸드(21)가 접촉하고 있는 상태를 나타낸다. 레티클 핸드(21)는, 레티클 회수를 위해 레티클(1)을 유지하고, 레티클 척(2)은, 레티클(1)의 유지 상태를 해제하기 위해서, 진공 유지력 또는 정전 유지력을 해제한다. Fig. 5B shows a state in which the reticle hand 21 is lowered from the state shown in Fig. 5A and the reticle hand 21 is in contact with the reticle 1 . The reticle hand 21 holds the reticle 1 for reticle recovery, and the reticle chuck 2 releases the vacuum holding force or the electrostatic holding force to release the holding state of the reticle 1 .

도 5c는, 도 5b의 상태로부터, 기체 분사부(30)에 의해 레티클(1)을 레티클 척(2)의 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 주어진 상태를 나타내고 있다. 레티클 핸드(21)에 의해 레티클(1)이 유지되면서, 레티클 척(2)으로부터 레티클(1)에 대하여 기체 분사부(30)에 의해 기체(22)가 분사되고, 이것에 의해 레티클(1)이 레티클 척(2)으로부터 이탈가능한 상태가 된다. FIG. 5C shows a state in which a force for releasing the reticle 1 from the holding surface of the reticle chuck 2 is applied by the gas injection unit 30 from the state of FIG. 5B . While the reticle 1 is held by the reticle hand 21, the gas 22 is ejected from the reticle chuck 2 to the reticle 1 by the gas ejection unit 30, whereby the reticle 1 is The reticle chuck 2 is in a detachable state.

도 6에 나타낸 것과 같이, 레티클(1)의 예를 들면 X 방향의 양 단부에 레티클 얼라인먼트 마크 17a 및 17b가 구성된다. 또한, 레티클 스테이지(3) 위의, 레티클 얼라인먼트 마크 17a 및 17b의 대응하는 위치에 각각, 기준 마크가 되는 얼라인먼트 마크 18a 및 18b가 구성된다. 레티클 척(2)이 분할된 구성인 경우에는, 예를 들면, 분할된 각각의 척에 도 6과 같은 2쌍의 얼라인먼트 마크가 설치된다. 이때, 도 6에 도시된 마크 배치는 일례이며, 예를 들면, 마크를 3개 이상 배치하는 것 등, 그 밖의 마크 배치가 채용되어도 된다. As shown in Fig. 6, reticle alignment marks 17a and 17b are formed at, for example, both ends of the reticle 1 in the X direction. Further, on the reticle stage 3, alignment marks 18a and 18b serving as reference marks are formed at corresponding positions of the reticle alignment marks 17a and 17b, respectively. When the reticle chuck 2 has a divided configuration, for example, two pairs of alignment marks as shown in FIG. 6 are provided on each of the divided chucks. At this time, the mark arrangement|positioning shown in FIG. 6 is an example, for example, arrangement|positioning of three or more marks, etc. other mark arrangement|positioning may be employ|adopted.

처리부로서의 제어부 C는, 레티클(1)을 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 레티클(1)에 주어지기 전의 제1 타이밍에서 촬상부인 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해 얻어진 마크의 화상인 제1 화상을 취득한다. 또한, 제어부 C는, 레티클(1)을 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 레티클(1)에 주어지고 있는 동안의 제2 타이밍에서 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해 얻어진 마크의 화상인 제2 화상을 취득한다. 제어부 C는, 취득된 제1 화상 및 제2 화상에 근거하여, 레티클(1)이 유지면으로부터 이탈했다고 판정한다. 예를 들면, 제어부 C는, 유지면을 따르는 제1방향(XY방향)에 있어서의 마크의 위치 및 유지면과 직교하는 제2 방향(Z방향)에 있어서의 마크의 위치의 적어도 어느 한쪽이 변화하였을 때에 레티클(1)이 유지면으로부터 이탈했다고 판정한다. 이하, 그것의 구체예를 설명한다. The control unit C as a processing unit receives a first image which is an image of a mark obtained by the reticle alignment detector 15 which is an imaging unit at a first timing before a force for detaching the reticle 1 from the holding surface is applied to the reticle 1 acquire Further, the control unit C receives a second image which is an image of the mark obtained by the reticle alignment detector 15 at a second timing while the force for releasing the reticle 1 from the holding surface is applied to the reticle 1 acquire The control unit C determines that the reticle 1 has detached from the holding surface based on the acquired first image and the second image. For example, the control unit C changes at least one of the position of the mark in the first direction (XY direction) along the holding surface and the position of the mark in the second direction (Z direction) orthogonal to the holding surface. When this is done, it is determined that the reticle 1 has detached from the holding surface. Hereinafter, specific examples thereof will be described.

도 7을 참조하여, 레티클 회수시에 레티클 얼라인먼트 검출기(15)를 사용한 레티클 스테이지(3) 위의 얼라인먼트 마크 18a와 레티클 위의 얼라인먼트 마크 17a의 상대 위치 계측을 설명한다. 이때, 얼라인먼트 마크 17b와 18b의 상대 위치 계측도 마찬가지로 행해진다. The relative position measurement of the alignment mark 18a on the reticle stage 3 and the alignment mark 17a on the reticle using the reticle alignment detector 15 at the time of reticle collection with reference to FIG. 7 is demonstrated. At this time, the relative position measurement of the alignment marks 17b and 18b is also performed similarly.

도7a는, 레티클(1)을 레티클 척(2)으로부터 이탈시키기 전의 상태(도 5a, 제1 타이밍)에서의 상대 위치 계측을 나타내고 있다. 이때, 얼라인먼트 마크 17a와 18a의 X방향의 상대 위치 dx1과 Y방향의 상대 위치 dy1이 계측된다. 또한, 얼라인먼트 마크 17a의 콘트라스트인 콘트라스트 1도 계측된다. Fig. 7A shows the relative position measurement in the state before the reticle 1 is detached from the reticle chuck 2 (Fig. 5A, first timing). At this time, the relative positions dx1 of the alignment marks 17a and 18a in the X direction and the relative positions dy1 in the Y direction are measured. Moreover, the contrast 1 which is the contrast of the alignment mark 17a is also measured.

도 7b)은, 레티클(1)이 레티클 척(2)으로부터 이탈한 상태(도 5c, 제2 타이밍)에서의 상대 위치 계측을 나타내고 있다. 이때, 얼라인먼트 마크 17a와 18a의 X방향의 상대 위치 dx2와 Y방향의 상대 위치 dy2가 계측된다. 또한, 얼라인먼트 마크 17a의 콘트라스트인 콘트라스트 2도 계측된다. 레티클(1)과 레티클 척(2) 사이에서 국소적으로 고착이 발생하고 있는 경우, 콘트라스트 계측시의 레티클(1)과 레티클 척(2)의 틈이 크면, 고착 개소에서 파괴가 생길 수 있다. 그 때문에, 계측할 상대 위치의 변위의 범위는 예를 들면 100μm 이하로 한다. Fig. 7B) shows the relative position measurement in a state in which the reticle 1 is detached from the reticle chuck 2 (Fig. 5C, second timing). At this time, the relative positions dx2 of the alignment marks 17a and 18a in the X direction and the relative positions dy2 in the Y direction are measured. Moreover, the contrast 2 which is the contrast of the alignment mark 17a is also measured. If the reticle 1 and the reticle chuck 2 during contrast measurement have a large gap when the reticle 1 and the reticle chuck 2 are stuck locally, the reticle 1 and the reticle chuck 2 may break. Therefore, the range of the displacement of the relative position to be measured is, for example, 100 µm or less.

제어부 C는, 얼라인먼트 마크 17a와 18a의 X방향의 상대 위치 dx1과 dx2의 차분, 얼라인먼트 마크 17a와 18a의 Y방향의 상대 위치 dy1과 dy2의 차분으로부터, 레티클(1)과 수평 방향(XY 방향)의 위치 변화량을 산출한다. 또한, 제어부 C는, 콘트라스트 1과 콘트라스트 2의 차이로부터, 레티클(1)의 연직 방향(Z 방향)의 변화량을 산출한다. The control unit C, from the difference between the relative positions dx1 and dx2 in the X direction of the alignment marks 17a and 18a, and the relative positions dy1 and dy2 in the Y direction of the alignment marks 17a and 18a, the reticle 1 and the horizontal direction (XY direction) Calculate the amount of position change of Further, the control unit C calculates the amount of change in the vertical direction (Z direction) of the reticle 1 from the difference between the contrast 1 and the contrast 2 .

마찬가지로, 제어부 C는, 또 한쪽의 얼라인먼트 마크 17b, 18b의 레티클(1)의 수평 방향, 연직 방향의 변화를 확인한다. 2쌍의 얼라인먼트 마크가 동시에, 레티클(1)의 수평 방향과 연직 방향의 적어도 어느 한쪽이 변화하고 있는 경우, 제어부 C는, 레티클(1)이 레티클 척(2)의 유지면으로부터 이탈했다고 판정한다. Similarly, the control unit C confirms a change in the horizontal direction and the vertical direction of the reticle 1 of the other alignment marks 17b and 18b. When the two pairs of alignment marks change in at least one of the horizontal direction and the vertical direction of the reticle 1 at the same time, the control unit C determines that the reticle 1 is detached from the holding surface of the reticle chuck 2 . .

상기한 예에서는, 레티클 위의 얼라인먼트 마크 17과 레티클 스테이지 위의 얼라인먼트 마크 18(기준 마크)의 상대 위치 계측에 의해, 레티클(1)의 수평 방향인 XY 위치를 계측하였다. 그러나, 레티클 얼라인먼트 마크 검출계의 기준 위치에 대한 상대 위치의 변화로 확인하는 것으로도 동일한 효과가 얻어진다. In the above example, the XY position in the horizontal direction of the reticle 1 was measured by measuring the relative positions of the alignment mark 17 on the reticle and the alignment mark 18 (reference mark) on the reticle stage. However, the same effect can be obtained by confirming with the change of the relative position with respect to the reference position of the reticle alignment mark detection system.

도8은, 본 실시형태에 있어서의 레티클 회수 동작을 나타내는 흐름도다. S102는, 레티클(1)이 레티클 척(2)으로부터 이탈되기 전의, 기체 분사부(30)에 의해 레티클(1)을 레티클 척(2)의 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 주어지지 않고 있는 상태(도5a의 상태)에서 실행되는 사전 계측 공정이다. 이 상태에 있는 제1 타이밍에서 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해, 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17의 상과 레티클 스테이지(3) 위의 기준 마크인 얼라인먼트 마크 18의 상을 포함하는 제1 화상이 취득된다. 제어부 C는, 도7a를 참조해서 설명한 방법으로, 취득된 제1 화상으로부터 양쪽 마크의 상대 위치 및 콘트라스트를 계측한다. Fig. 8 is a flowchart showing the reticle collection operation in the present embodiment. S102 is a state in which, before the reticle 1 is separated from the reticle chuck 2 , a force for releasing the reticle 1 from the holding surface of the reticle chuck 2 is not applied by the gas injection unit 30 . It is a pre-measurement process executed in (state of Fig. 5A). At the first timing in this state, by the reticle alignment detector 15, a first image including the image of the alignment mark 17 on the reticle 1 and the image of the alignment mark 18 as the reference mark on the reticle stage 3 is is acquired The control unit C measures the relative position and contrast of both marks from the acquired first image by the method described with reference to FIG. 7A.

S103에서, 제어부 C는, 레티클 척(2)에 의한 레티클(1)의 유지력을 해제하여, 레티클 척(2) 위의 레티클(1)이 레티클 핸드(21)에 유지시키고, 또한, 기체 분사부(30)에 의해 레티클(1)에 외력을 작용시킨다. S104에서는, 이 상태에 있는 제2 타이밍에서, 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해, 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17의 상과 레티클 스테이지(3) 위의 기준 마크인 얼라인먼트 마크 18의 상을 포함하는 제2 화상이 취득된다. 제어부 C는, 도 7b를 참조해서 설명한 방법으로, 취득된 제2 화상으로부터 양쪽 마크의 상대 위치 및 콘트라스트를 계측한다. In S103 , the control unit C releases the holding force of the reticle 1 by the reticle chuck 2 to hold the reticle 1 on the reticle chuck 2 in the reticle hand 21 , and further, the gas injection unit By (30), an external force is applied to the reticle (1). In S104, at the second timing in this state, the image of the alignment mark 17 on the reticle 1 and the image of the alignment mark 18 as the reference mark on the reticle stage 3 are included by the reticle alignment detector 15 A second image is acquired. The control part C measures the relative position and contrast of both marks from the acquired 2nd image by the method demonstrated with reference to FIG. 7B.

S105에서, 제어부 C는, S102 및 S104에서 계측된 상대 위치에 근거하여, 레티클(1)의 수평 위치(XY 방향의 위치)의 변화의 판정을 실시한다. 레티클(1)의 수평 위치가 변화하지 않고 있다고 판정되었을 경우, S107에서, 제어부 C는, 이탈 이상, 즉, 레티클은 유지면으로부터 정상적으로 이탈하고 있지 않다고 판정한다. 레티클(1)의 수평 위치가 변화하였다고 판정되었을 경우, S106에서, 제어부 C는, S102 및 S104에서 계측된 콘트라스트에 근거하여, 레티클(1)의 연직 방향(Z방향)의 위치의 변화의 판정을 실시한다. 콘트라스트가 변화하지 않고 있다고 판정된 경우에는, S107에서, 제어부 C는, 이탈 이상, 즉, 레티클은 유지면으로부터 정상적으로 이탈하고 있지 않다고 판정한다. 이탈 이상으로 판정되었을 경우, S108에서, 제어부 C는, 이탈 이상을 유저에게 알리기 위한 경고를 표시하는 것 등의 통지를 행한다. S106에서 레티클(1)의 연직 방향의 위치가 변화하였다고 판정된 경우에는, S109에서, 제어부 C는, 이탈 정상, 즉, 레티클(1)은 유지면으로부터 정상적으로 이탈하였다고 판정한다. 이탈 정상으로 판정되었을 경우, 제어부 C는, 레티클 핸드(21)를 제어해서 레티클(1)을 소정의 회수 위치까지 반송한다. In S105, the control unit C determines a change in the horizontal position (position in the XY direction) of the reticle 1 based on the relative positions measured in S102 and S104. When it is determined that the horizontal position of the reticle 1 has not changed, in S107, the control unit C determines that there is a deviation abnormality, that is, the reticle is not normally detached from the holding surface. When it is determined that the horizontal position of the reticle 1 has changed, in S106, the control unit C determines the change in the position in the vertical direction (Z direction) of the reticle 1 based on the contrast measured in S102 and S104. Conduct. If it is determined that the contrast has not changed, then, in S107, the control unit C determines that the deviation is abnormal, that is, the reticle is not normally detached from the holding surface. When it is determined that the deviation is abnormal, in S108, the control unit C notifies, such as displaying a warning for notifying the user of the deviation abnormality. If it is determined in S106 that the position in the vertical direction of the reticle 1 has changed, in S109, the control unit C determines that the separation is normal, that is, the reticle 1 is normally separated from the holding surface. When it is determined that the deviation is normal, the control unit C controls the reticle hand 21 to convey the reticle 1 to a predetermined recovery position.

이상 설명한 실시형태에 따르면, 레티클이 유지면으로부터 이탈한 것의 판정을 고정밀도로 행할 수 있다. According to the embodiment described above, it is possible to accurately determine that the reticle has detached from the holding surface.

<제2실시형태><Second embodiment>

상기한 제1실시형태에서는, 플레이트인 레티클(1)을 유지하는 유지장치를 갖는 노광장치(100)에 대해 설명했지만, 상기한 설명은, 플레이트인 웨이퍼(4)를 유지하는 유지장치를 갖는 노광장치에도 마찬가지로 적용할 수 있다. 그 경우, 레티클 얼라인먼트 검출기(15) 대신에 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)를, 마크를 촬상하는 촬상부로서 사용함으로써, 웨이퍼(4)가 웨이퍼 척(5)의 유지면으로부터 이탈하였는지 아닌지의 판정을 행할 수 있다. In the above-described first embodiment, the exposure apparatus 100 having a holding device for holding the reticle 1 which is a plate has been described, but the above description is an exposure having a holding device for holding the wafer 4 which is a plate. The same can be applied to devices. In that case, by using the wafer alignment detector 16 instead of the reticle alignment detector 15 as an image pickup unit for imaging a mark, it is determined whether the wafer 4 has detached from the holding surface of the wafer chuck 5 or not. can

상기한 실시형태에서는, 노광장치에 본 발명을 적용하는 실시형태에 대해 설명하였다. 그러나, 본 발명은, 임프린트 장치나 묘화장치 등의, 노광장치 이외의 리소그래피 장치에도 적용할 수 있다. 임프린트 장치는, 기판 위에 공급된 임프린트재와 몰드를 접촉시키고, 임프린트재에 경화용의 에너지를 주는 것에 의해, 몰드의 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성한다. 묘화장치는, 하전 입자선(전자선)이나 레이저빔으로 기판에 묘화를 행함으로써 기판 위에 패턴(잠상 패턴)을 형성한다. In the above-described embodiment, an embodiment in which the present invention is applied to an exposure apparatus has been described. However, the present invention is also applicable to lithographic apparatuses other than exposure apparatuses, such as an imprint apparatus and a drawing apparatus. In the imprint apparatus, the imprint material supplied on the substrate and the mold are brought into contact, and energy for curing is applied to the imprint material to form a pattern of the cured product onto which the pattern of the mold is transferred. A drawing apparatus forms a pattern (latent image pattern) on a board|substrate by drawing on a board|substrate with a charged particle beam (electron beam) or a laser beam.

<물품 제조방법의 실시형태><Embodiment of article manufacturing method>

본 발명의 실시형태에 있어서의 물품 제조방법은, 예를 들면, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 실시형태의 물품 제조방법은, 상기한 리소그래피 장치(노광장치나 임프린트 장치, 묘화장치 등)를 사용해서 기판에 원판의 패턴을 전사하는 공정과, 이러한 공정에서 패턴이 전사된 기판을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시형태의 물품 제조방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능·품질·생산성·생산 코스트의 적어도 1개에 있어서 유리하다. The article manufacturing method in the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing articles such as microdevices such as semiconductor devices and elements having microstructures, for example. The article manufacturing method of the present embodiment includes a step of transferring a pattern of an original plate onto a substrate using the lithographic apparatus (exposure apparatus, imprint apparatus, drawing apparatus, etc.) includes In addition, this manufacturing method includes other well-known processes (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous compared to the conventional method in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article.

본 발명은 상기 실시형태에 제한되는 것은 아니고, 발명의 정신 및 범위에서 이탈하지 않고, 다양한 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 밝히기 위해서 청구항을 첨부한다. The present invention is not limited to the above embodiments, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the claims are appended to clarify the scope of the invention.

1: 레티클, 2: 레티클 척, 3: 레티클 스테이지, 15: 레티클 얼라인먼트 검출기, 17, 8: 얼라인먼트 마크, 19: 기체 공급로, 20: 기체 공급부, 21: 레티클 핸드, 30: 기체 분사부1: reticle, 2: reticle chuck, 3: reticle stage, 15: reticle alignment detector, 17, 8: alignment mark, 19: gas supply path, 20: gas supply unit, 21: reticle hand, 30: gas injection unit

Claims (10)

플레이트를 유지하는 유지장치로서,
유지면에서 상기 플레이트를 유지하는 유지부와,
상기 유지면에 유지된 상기 플레이트에 형성되어 있는 마크를 촬상하는 촬상부와,
상기 플레이트를 상기 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 상기 플레이트에 주어진 상태에서 상기 촬상부에 의해 얻어진 상기 마크의 화상에 근거하여, 상기 플레이트가 상기 유지면으로부터 이탈하였는지 아닌지의 판정을 행하는 처리부를 갖는 것을 특징으로 하는 유지장치.
A retaining device for holding a plate, comprising:
a holding part for holding the plate on a holding surface;
an imaging unit for imaging a mark formed on the plate held on the holding surface;
having a processing unit that determines whether or not the plate has detached from the holding surface based on the image of the mark obtained by the imaging unit in a state where a force for releasing the plate from the holding surface is given to the plate Characteristic retaining device.
제 1항에 있어서,
상기 처리부는, 상기 힘이 상기 플레이트에 주어지기 전의 제1 타이밍에서 상기 촬상부에 의해 얻어진 상기 마크의 화상인 제1 화상과, 상기 힘이 상기 플레이트에 주어지고 있는 동안의 제2 타이밍에서 상기 촬상부에 의해 얻어진 상기 마크의 화상인 제2 화상에 근거하여, 상기 유지면을 따르는 제1 방향에 있어서의 상기 마크의 위치 및 상기 유지면과 직교하는 제2 방향에 있어서의 상기 마크의 위치의 적어도 어느 한쪽이 변화하였을 때에 상기 플레이트가 상기 유지면으로부터 이탈하였다고 판정하는 것을 특징으로 하는 유지장치.
The method of claim 1,
The processing unit includes: a first image that is an image of the mark obtained by the imaging unit at a first timing before the force is applied to the plate, and the imaging at a second timing while the force is being applied to the plate Based on the second image that is the image of the mark obtained by , at least the position of the mark in a first direction along the holding surface and the position of the mark in a second direction orthogonal to the holding surface and determining that the plate has detached from the holding surface when either one is changed.
제 2항에 있어서,
상기 유지부에 대하여 상기 플레이트의 공급 및 회수를 행하는 반송부를 더 갖고, 상기 제2 타이밍은, 상기 유지부에 의한 상기 플레이트의 유지력이 해제되어, 상기 플레이트가 상기 반송부에 의해 유지되고, 또한, 상기 힘이 상기 플레이트에 주어지고 있는 동안의 타이밍인 것을 특징으로 하는 유지장치.
3. The method of claim 2,
and a conveying unit configured to supply and retrieve the plate with respect to the holding unit, wherein at the second timing, the holding force of the plate by the holding unit is released, the plate is held by the conveying unit, and and the timing during which the force is being applied to the plate.
제 2항에 있어서,
상기 제1 화상 및 상기 제2 화상은 각각, 상기 마크의 상 및 상기 유지부에 형성되어 있는 기준 마크의 상을 포함하고,
상기 처리부는, 상기 제1 화상과 상기 제2 화상 사이에서, 상기 기준 마크에 대한 상기 마크의 상기 제1 방향의 위치 어긋남 량, 및, 상기 마크의 콘트라스트의 적어도 어느 한쪽이 변화하였을 때에, 상기 플레이트가 상기 유지면으로부터 이탈하였다고 판정하는 것을 특징으로 하는 유지장치.
3. The method of claim 2,
The first image and the second image each include an image of the mark and an image of a reference mark formed in the holding portion,
The processing unit, when at least one of a position shift amount in the first direction of the mark with respect to the reference mark, and a contrast of the mark changes between the first image and the second image, the plate A holding device, characterized in that it is determined that the is separated from the holding surface.
제 1항에 있어서,
상기 유지면으로부터 상기 플레이트를 향해서 기체를 분사함으로써 상기 힘을 상기 플레이트에 주는 기체 분사부를 갖는 것을 특징으로 하는 유지장치.
The method of claim 1,
and a gas ejection portion for imparting the force to the plate by ejecting gas from the holding surface toward the plate.
제 1항에 있어서,
상기 유지면으로부터 상기 플레이트를 리프트 핀으로 미는 것에 의해 상기 힘을 상기 플레이트에 주는 핀 구동 액추에이터를 갖는 것을 특징으로 하는 유지장치.
The method of claim 1,
and a pin drive actuator that applies the force to the plate by pushing the plate from the holding surface to a lift pin.
원판을 사용해서 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치로서,
상기 원판을 유지하는, 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 유지장치를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate using an original plate, comprising:
A lithographic apparatus comprising the holding device according to any one of claims 1 to 6, which holds the original plate.
기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치로서,
상기 기판을 유지하는, 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 유지장치를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate, comprising:
A lithographic apparatus comprising the holding device according to any one of claims 1 to 6, which holds the substrate.
청구항 7에 기재된 리소그래피 장치를 사용해서 기판에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 공정에서 상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 공정을 갖고,
상기 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조방법.
A step of forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to claim 7;
having a process of treating the substrate on which the pattern is formed in the process;
and manufacturing an article from the treated substrate.
청구항 8에 기재된 리소그래피 장치를 사용해서 기판에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 공정에서 상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 공정을 갖고,
상기 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조방법.
A step of forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to claim 8;
having a process of treating the substrate on which the pattern is formed in the process;
and manufacturing an article from the treated substrate.
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