KR20210080192A - Holding device, lithography apparatus, and manufacturing method of article - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 유지장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조방법에 관한 것이다.\ The present invention relates to a holding apparatus, a lithographic apparatus, and a method of manufacturing an article.
최근, 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치의 중첩 정밀도의 향상에 따라, 원판 또는 기판과 그것을 유지하는 척의 평면도가 향상되어, 원판 또는 기판과 척 사이의 밀착성이 향상되고 있다. 리소그래피 장치에 있어서, 원판 또는 기판을 유지하는 방식으로서는, 진공 흡착 방식 및 정전 흡착 방식이 있다. In recent years, with the improvement of the superimposition precision of a lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate, the flatness of the original plate or the substrate and the chuck holding it is improved, and the adhesion between the original plate or the substrate and the chuck is improved. In a lithographic apparatus, as a method of holding an original plate or a substrate, there are a vacuum adsorption method and an electrostatic adsorption method.
진공 흡착 방식에 있어서는, 기판과 척 사이에 이물질이 들어가서 이물질이 기판에 고착되거나, 기판과 척이 견고하게 밀착되는 일이 있다. 정전 흡착 방식에 있어서도, 정전 척이나 기판의 대전에 의해 전원 절단시에 있어서 기판에 잔류 흡착력이 생겨, 기판과 척이 고착될 우려가 있다. In the vacuum adsorption method, a foreign material may enter between the substrate and the chuck and the foreign material may adhere to the substrate, or the substrate and the chuck may be firmly in close contact. Also in the electrostatic adsorption method, there is a possibility that a residual adsorption force is generated on the substrate when the power is turned off due to charging of the electrostatic chuck or the substrate, and the substrate and the chuck may be stuck.
특허문헌 1에는, 척 측에 설치되는 복수의 비접촉 센서를 사용하여, 척과 기판 사이의 거리 및 기판의 평면 위치 어긋남을 검출하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 2에는, 승강 핀을 사용해서 기판에 힘을 가해, 승강 핀의 위치 변화에 의해 기판의 이탈을 검지하는 것이 기재되어 있다.
그러나, 종래기술에서는, 기판(플레이트)이 국소적으로 고정되어 있는 상태나 기판이 국소적으로 떨어져 있는 상태를, 기판이 척으로부터 이탈했다고 잘못 판정해 버린다. 또한, 종래기술에서는, 기판의 표면을 따르는 방향의 큰 위치 어긋남밖에 검지할 수 없고, 미소한 위치 어긋남을 검지할 수 없다. However, in the prior art, the state in which the substrate (plate) is locally fixed or the state in which the substrate is locally separated is erroneously determined that the substrate is detached from the chuck. Further, in the prior art, only a large displacement in the direction along the surface of the substrate can be detected, and a minute displacement cannot be detected.
본 발명은, 플레이트가 지지면으로부터 이탈한 것의 판정의 고정밀도화에 유리한 기술을 제공한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a technique advantageous for high-precision determination of whether a plate has detached from a supporting surface.
본 발명의 일 측면에 따르면, 플레이트를 유지하는 유지장치로서, 유지면에서 상기 플레이트를 유지하는 유지부와, 상기 유지면에 유지된 상기 플레이트에 형성되어 있는 마크를 촬상하는 촬상부와, 상기 플레이트를 상기 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 상기 플레이트에 주어진 상태에서 상기 촬상부에 의해 얻어진 상기 마크의 화상에 근거하여, 상기 플레이트가 상기 유지면으로부터 이탈하였는지 아닌지의 판정을 행하는 처리부를 갖는 것을 특징으로 하는 유지장치가 제공된다. According to one aspect of the present invention, there is provided a holding device for holding a plate, comprising: a holding unit for holding the plate on a holding surface; an imaging unit for capturing an image of a mark formed on the plate held on the holding surface; and a processing unit for judging whether or not the plate has detached from the holding surface, based on the image of the mark obtained by the imaging unit in a state in which a force for disengaging from the holding surface is given to the plate. A retaining device is provided.
본 발명에 따르면, 플레이트가 유지면으로부터 이탈한 것의 판정의 고정밀도화에 유리한 기술을 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a technique advantageous for high-precision determination of that the plate has detached from the holding surface.
도 1은 노광장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 레티클 얼라인먼트를 행하기 위한 마크의 배치 예를 도시한 도면이다.
도 3은 웨이퍼 얼라인먼트를 행하기 위한 마크의 배치 예를 도시한 도면이다.
도 4는 유지장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 5는 레티클 회수 동작을 설명하는 도면이다.
도 6은 레티클 얼라인먼트를 행하기 위한 마크의 배치 예를 도시한 도면이다.
도 7은 레티클 회수시의 마크를 사용한 위치 계측을 설명하는 도면이다.
도 8은 레티클 회수 동작의 흐름도이다.1 is a diagram showing the configuration of an exposure apparatus.
Fig. 2 is a diagram showing an example of arrangement of marks for reticle alignment.
3 is a view showing an example of arrangement of marks for performing wafer alignment.
4 is a diagram showing the configuration of a holding device.
5 is a diagram for explaining a reticle collection operation.
6 is a diagram showing an example of arrangement of marks for reticle alignment.
It is a figure explaining position measurement using the mark at the time of reticle collection|recovery.
8 is a flowchart of a reticle retrieval operation.
이하, 첨부도면을 참조해서 실시형태를 상세히 설명한다. 이때, 이하의 실시형태는 청구범위에 관한 발명을 한정하는 것은 아니다. 실시형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이들 복수의 특징의 모두가 발명에 필수적인 것인 것은 아니며, 또한, 복수의 특징은 임의로 조합되어도 된다. 더구나 첨부도면에 있어서는, 동일 혹은 유사한 구성에 동일한 참조번호를 붙이고, 중복된 설명은 생략한다. DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. At this time, the following embodiment does not limit the invention concerning a claim. Although a plurality of features are described in the embodiment, not all of these plurality of features are essential to the invention, and a plurality of features may be arbitrarily combined. Moreover, in the accompanying drawings, the same reference numerals are assigned to the same or similar components, and duplicate descriptions are omitted.
<제1실시형태><First embodiment>
도 1은, 본 발명의 유지장치가 적용되는, 리소그래피 장치의 일례인 노광장치(100)의 개략도다. 본 명세서 및 도면에 있어서는, 수평면을 XY 평면으로 하는 XYZ 좌표계에 있어서 방향이 표시된다. 일반적으로는, 레티클(1)은 그것의 표면이 수평면(XY 평면)과 평행하게 되도록 레티클 스테이지(3) 위에 놓이고, 웨이퍼(4)는 그것의 표면이 수평면과 평행하게 되도록 웨이퍼 스테이지(6) 위에 놓인다. 따라서, 이하에서는, 레티클(1) 또는 웨이퍼(4)의 표면을 따르는 평면 에서 서로 직교하는 방향을 X축 및 Y축으로 하고, X축 및 Y축에 수직한 방향을 Z축으로 한다. 또한, 이하에서는, XYZ 좌표계에 있어서의 X축, Y축, Z축에 각각 평행한 방향을 X방향, Y방향, Z방향이라고 하고, X축 주위의 회전 방향, Y축 주위의 회전 방향, Z축 주위의 회전 방향을 각각 θx 방향, θy 방향, θz 방향이라고 한다.
1 is a schematic diagram of an
노광장치(100)는, 반도체 디바이스의 회로 패턴이 형성된 레티클(1)(원판, 마스크)을 사용하여, 회로 패턴을 기판인 웨이퍼(4)에 전사하는 노광장치다. 노광장치(100)는, 예를 들면, 투영 광학계(7)와 웨이퍼(4) 사이에 액체를 개재시키지 않고 기판을 노광하는 노광장치일 수 있다. 또는, 노광장치(100)는, 투영 광학계(7)와 웨이퍼(4) 사이에 액체를 개재시켜서 기판을 노광하는 액침 노광장치이어도 된다.
The
본 실시형태에서는, 플레이트인 레티클(1)을 유지하는 유지장치가 노광장치(100)에 적용된 예를 설명한다. 노광장치(100)는, 레티클 스테이지(3)와, 레티클 스테이지(3)에 의해 유지되는 레티클(1)을 조명하는 조명 광학계(8)와, 웨이퍼 스테이지(6)와, 레티클(1)의 패턴을 웨이퍼 스테이지(6) 위의 웨이퍼(4)에 투영하는 투영 광학계(7)를 구비한다. 노광장치(100)는, 또한, 웨이퍼(4)의 표면의 높이(Z방향의 위치)를 검출하는 면 위치 검출기(14)와, 웨이퍼(4)의 위치맞춤을 행하기 위한 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)를 구비할 수 있다. 면 위치 검출기(14)는, 웨이퍼(4)의 표면에 투광하는 투광부(14a)와, 웨이퍼(4)의 표면에서 반사된 반사광을 수광하는 수광부(14b)를 포함한다. 노광장치는, 더구나, 노광 처리를 제어하는 제어부 C를 포함할 수 있다. 레티클(1) 및 웨이퍼(4)는 각각, 레티클 척(2)(원판 유지부) 및 웨이퍼 척(5)(기판 유지부)에 의해 유지되고 있고, 투영 광학계(7)를 거쳐 광학적으로 거의 공역의 위치(투영 광학계(7)의 물체면 및 상면)에 배치된다. 레티클 척(2)은, 예를 들면, 진공 흡착이나 정전 흡착 등에 의해 레티클(1)을 유지하고, 레티클 스테이지(3)는, 레티클 척(2) 및 레티클(1)을 수반해서 예를 들면 XY방향으로 이동가능하다. 마찬가지로, 웨이퍼 척(5)은, 예를 들면, 진공 흡착이나 정전 흡착 등에 의해 웨이퍼(4)를 유지하고, 웨이퍼 스테이지(6)는, 웨이퍼 척(5)및 웨이퍼(4)를 수반해서 예를 들면 XY 방향으로 이동가능하다.
In the present embodiment, an example in which the holding device for holding the
레티클 스테이지(3)의 측방향에 설치된 레이저 간섭계(10)는, 레티클 스테이지(3)의 위치를 계측한다. 제어부 C는, 레티클 스테이지(3)를 구동하는 액추에이터를 제어하여, 레티클 스테이지(3)의 Y방향의 위치를 제어한다. 레티클 스테이지(3)에는, 레티클 기준 플레이트(12)가 배치되어 있다. 레티클 기준 플레이트(12)의 패턴 면의 높이는, 레티클(1)의 패턴 면의 높이와 거의 일치한다. 레티클 스테이지(3)에는, 레이저 간섭계(10)로부터 출사된 빔을 반사하는 바 미러(11)가 고정되어 있어, 레이저 간섭계(10)에 의해 레티클 스테이지(3)의 위치와 이동량이 순차 계측된다.
A
마찬가지로, 웨이퍼 스테이지(6)의 측방향에 설치된 레이저 간섭계(10)는, 웨이퍼 스테이지(6)의 위치를 계측한다. 제어부 C는, 웨이퍼 스테이지(6)를 구동하는 액추에이터를 제어하여, 웨이퍼 스테이지(6)의 Y방향의 위치를 제어한다. 웨이퍼 스테이지(6)에는, 웨이퍼 기준 플레이트(13)가 배치되어 있다. 웨이퍼 스테이지(6)에는, 레이저 간섭계(10)로부터 출사된 빔을 반사하는 바 미러(11)가 고정되어 있어, 레이저 간섭계(10)에 의해 웨이퍼 스테이지(6)의 위치와 이동량이 순치 계측된다.
Similarly, the
광원(9)은, 예를 들면, 248nm의 파장의 빛을 발생하는 KrF 엑시머 레이저일 수 있지만, 그 대신에, 예를 들면, 수은 램프, ArF 엑시머 레이저(193nm), EUV 광원 등도 채용될 수 있다. 광원(9)으로부터 출사된 광속은, 조명 광학계(8)에 입사하고, 설정된 형상, 간섭성, 편광 상태로 정형된 후에, 레티클(1)을 조명한다. 레티클(1)의 밑면에 형성된 섬세한 회로 패턴에서 회절된 빛은, 투영 광학계(7)에 의해, 웨이퍼 스테이지(6) 위에 배치된 웨이퍼(4) 위에 결상한다.
The light source 9 may be, for example, a KrF excimer laser that generates light of a wavelength of 248 nm, but instead, for example, a mercury lamp, an ArF excimer laser (193 nm), an EUV light source, etc. may also be employed. . The light beam emitted from the light source 9 enters the illumination
레티클(1)의 위치 어긋남을 계측하기 위해서, 레티클 얼라인먼트 검출기(15)가 사용된다. 레티클 얼라인먼트 검출기(15)는, 레티클 척(2)의 레티클을 유지하는 유지면 위의 레티클(1)에 형성되어 있는 마크를 촬상하는 촬상부다. 제어부 C는, 레티클 스테이지(3)를 레티클 얼라인먼트 검출기(15) 위에 구동한다. 레티클 얼라인먼트 검출기(15)는, 도 2에 나타낸 것과 같은, 레티클 스테이지(3) 위의 얼라인먼트 마크 18(기준 마크) 및 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17의 화상을 촬상한다. 제어부 C는, 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해 얻어진 마크의 화상에 근거하여, 레티클(1)이 유지면으로부터 이탈하였는지 아닌지의 판정을 행하는 처리부로서 기능할 수 있다. 예를 들면, 제어부 C는, 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해 얻어진 화상으로부터, 얼라인먼트 마크 17의 얼라인먼트 마크 18에 대한 위치를 구하는 것에 의해, 레티클(1)의 레티클 스테이지(3)에 대한 위치 어긋남 량을 구한다. 도 2에 나타낸 것과 같이, 레티클 스테이지(3) 위의 얼라인먼트 마크 18 및 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17이 각각, X방향으로 복수 배치됨으로써, 레티클(1)의 레티클 스테이지(3)에 대한 X, Y, θz 방향의 위치 어긋남을 계측할 수 있다.
In order to measure the displacement of the
웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)는, 웨이퍼(4) 위에 형성된 복수의 숏 영역 중 소정의 복수의 샘플 숏 영역의 각각에 설치된 복수의 얼라인먼트 마크를 검출한다. 제어부 C는, 그 검출의 결과에 근거하여, 해당 샘플 숏의 위치를 구한다.
The
이때, 도 1에 있어서, 레티클 얼라인먼트 검출기(15) 및 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)는 각각, 투영 광학계(7)를 거치지 않고 얼라인먼트 마크를 검출하는 오프액시스 검출부로서 설치되어 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 레티클 얼라인먼트 검출기(15) 및 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)는 각각, 투영 광학계(7)를 거쳐 얼라인먼트 마크를 검출하는 TTL(Through The Lens) 검출부로서 설치되어도 된다.
At this time, in Fig. 1, the
도 3에, 웨이퍼 얼라인먼트를 행하기 위한 마크의 배치 예를 나타낸다. 도3a는 웨이퍼(4) 위에 격자 형상으로 형성된 복수의 숏 영역을 나타내고, 도 3b는 복수의 숏 영역 중 1개의 샘플 숏 영역의 확대도를 나타내고 있다. 도 3b에 나타낸 것과 같이, 샘플 숏 영역에는, 복수의 얼라인먼트 마크 MX, MY, PM이 형성되어 있다. 이들 복수의 얼라인먼트 마크 MX, MY, PM이 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)의 검출 영역에 위치하도록 웨이퍼 스테이지(6)가 구동된다. 그후, 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)에 의해 각 얼라인먼트 마크의 위치가 검출되고, 제어부 C에 의해 웨이퍼 스테이지(6)에 대한 웨이퍼(4)의 위치 어긋남 량이 계측된다. 이렇게 본 실시형태에서는, 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)와 제어부 C로 웨이퍼(4)의 위치 어긋남 량을 계측하는 계측부가 구성된다.
In Fig. 3, an example of arrangement of marks for performing wafer alignment is shown. 3A shows a plurality of shot regions formed in a grid shape on the wafer 4, and FIG. 3B shows an enlarged view of one sample shot region among the plurality of shot regions. As shown in Fig. 3B, a plurality of alignment marks MX, MY, and PM are formed in the sample shot region. The
도 4는, 본 실시형태에 있어서의, 플레이트인 레티클(1)을 유지하는 유지장치의 구성을 도시한 도면이다. 도 4에 있어서, 레티클 반송부를 구성하는 레티클 핸드(21)는, 레티클(1)을 유지해서 회수 또는 공급 동작을 행한다. 레티클 핸드(21)는, 회수 동작 또는 공급 동작 종료후, 레티클 스테이지(3)의 구동에 영향을 미치지 않는 위치로 후퇴 가능하다.
Fig. 4 is a diagram showing the configuration of a holding device for holding the
유지장치는, 레티클(1)을 회수할 때, 레티클 척(2)의 레티클(1)을 유지하는 유지면으로부터 레티클(1)을 향해서 기체를 분사함으로써, 레티클(1)을 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘을 레티클(1)에 주는 기체 분사부(30)를 구비할 수 있다. 레티클(1)을 회수할 때에 기체 분사부(30)에 의해 레티클(1)의 이면에 기체를 분사함으로써, 레티클(1)의 레티클 척(2)으로부터의 이탈이 보조된다. 기체 분사부(30)는, 기체 공급부(20)와, 기체 공급부(20)로부터의 기체의 유로인 기체 공급로(19)를 포함할 수 있다. 기체 공급로(19)는, 레티클 스테이지(3) 내에 형성되어 있다. 레티클 척(2)의 유지면에는, 레티클(1)을 향해서 기체를 분사하는 복수의 기체 분사구(19a)가 형성되고, 복수의 기체 분사구(19a)는 각각, 기체 공급로(19)에 연통한다.
The holding device ejects a gas toward the
이때, 기체 분사에 의해 레티클(1)에 외력을 가하는 것 대신에, 유지면에 대하여 출몰가능한 리프트 핀을 구동하는 핀 구동 액추에이터를 설치해도 된다. 핀 구동 액추에이터가 리프트 핀을 밀어 올림으로써 레티클(1)을 레티클 척의 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘을 줄 수 있다. 단, 리프트 핀에 의해 레티클(1)에 가해지는 외력은, 레티클(1)이 레티클 척(2)에 고착되어 있는 경우에도 레티클(1) 또는 레티클 척(2)에 파괴가 생기지 않는 힘이 된다.
At this time, instead of applying an external force to the
또한, 레티클(1)을 회수, 공급하는 위치는, 레티클 스테이지(3)의 하부에 레티클 얼라인먼트 검출기(15)가 존재하는 위치로 한다. 따라서, 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해, 레티클 스테이지(3) 위의 얼라인먼트 마크 18 및 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17의 화상이 촬상되고, 제어부 C는, 그들의 상대 위치를 계측할 수 있다.
Note that the position at which the
본 실시형태에 있어서의 노광장치의 구성은 대략 이상과 같다. 다음에, 본 실시형태에 있어서의, 레티클(1)에 대한 레티클 척(2)의 이탈 검지 방법에 대해 설명한다.
The configuration of the exposure apparatus in the present embodiment is substantially as described above. Next, a method for detecting separation of the
도 5를 참조하여, 유지장치에 의한 레티클 회수 동작을 설명한다. With reference to FIG. 5, the reticle collection operation by the holding device will be described.
도5a는, 레티클(1)이 레티클 척(2)으로부터 이탈되기 전의 상태를 나타내고 있다. 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해 레티클 스테이지(3) 위의 얼라인먼트 마크 18과 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17이 촬상되고, 제어부 C에 의해 상대 위치가 계측된다. 이때, 레티클 핸드(21)는 레티클(1)에는 접촉하지 않고 있다.
5A shows a state before the
도 5b는, 도5a의 상태로부터 레티클 핸드(21)가 하강하여, 레티클(1)에 레티클 핸드(21)가 접촉하고 있는 상태를 나타낸다. 레티클 핸드(21)는, 레티클 회수를 위해 레티클(1)을 유지하고, 레티클 척(2)은, 레티클(1)의 유지 상태를 해제하기 위해서, 진공 유지력 또는 정전 유지력을 해제한다.
Fig. 5B shows a state in which the
도 5c는, 도 5b의 상태로부터, 기체 분사부(30)에 의해 레티클(1)을 레티클 척(2)의 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 주어진 상태를 나타내고 있다. 레티클 핸드(21)에 의해 레티클(1)이 유지되면서, 레티클 척(2)으로부터 레티클(1)에 대하여 기체 분사부(30)에 의해 기체(22)가 분사되고, 이것에 의해 레티클(1)이 레티클 척(2)으로부터 이탈가능한 상태가 된다.
FIG. 5C shows a state in which a force for releasing the
도 6에 나타낸 것과 같이, 레티클(1)의 예를 들면 X 방향의 양 단부에 레티클 얼라인먼트 마크 17a 및 17b가 구성된다. 또한, 레티클 스테이지(3) 위의, 레티클 얼라인먼트 마크 17a 및 17b의 대응하는 위치에 각각, 기준 마크가 되는 얼라인먼트 마크 18a 및 18b가 구성된다. 레티클 척(2)이 분할된 구성인 경우에는, 예를 들면, 분할된 각각의 척에 도 6과 같은 2쌍의 얼라인먼트 마크가 설치된다. 이때, 도 6에 도시된 마크 배치는 일례이며, 예를 들면, 마크를 3개 이상 배치하는 것 등, 그 밖의 마크 배치가 채용되어도 된다.
As shown in Fig. 6,
처리부로서의 제어부 C는, 레티클(1)을 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 레티클(1)에 주어지기 전의 제1 타이밍에서 촬상부인 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해 얻어진 마크의 화상인 제1 화상을 취득한다. 또한, 제어부 C는, 레티클(1)을 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 레티클(1)에 주어지고 있는 동안의 제2 타이밍에서 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해 얻어진 마크의 화상인 제2 화상을 취득한다. 제어부 C는, 취득된 제1 화상 및 제2 화상에 근거하여, 레티클(1)이 유지면으로부터 이탈했다고 판정한다. 예를 들면, 제어부 C는, 유지면을 따르는 제1방향(XY방향)에 있어서의 마크의 위치 및 유지면과 직교하는 제2 방향(Z방향)에 있어서의 마크의 위치의 적어도 어느 한쪽이 변화하였을 때에 레티클(1)이 유지면으로부터 이탈했다고 판정한다. 이하, 그것의 구체예를 설명한다.
The control unit C as a processing unit receives a first image which is an image of a mark obtained by the
도 7을 참조하여, 레티클 회수시에 레티클 얼라인먼트 검출기(15)를 사용한 레티클 스테이지(3) 위의 얼라인먼트 마크 18a와 레티클 위의 얼라인먼트 마크 17a의 상대 위치 계측을 설명한다. 이때, 얼라인먼트 마크 17b와 18b의 상대 위치 계측도 마찬가지로 행해진다.
The relative position measurement of the
도7a는, 레티클(1)을 레티클 척(2)으로부터 이탈시키기 전의 상태(도 5a, 제1 타이밍)에서의 상대 위치 계측을 나타내고 있다. 이때, 얼라인먼트 마크 17a와 18a의 X방향의 상대 위치 dx1과 Y방향의 상대 위치 dy1이 계측된다. 또한, 얼라인먼트 마크 17a의 콘트라스트인 콘트라스트 1도 계측된다.
Fig. 7A shows the relative position measurement in the state before the
도 7b)은, 레티클(1)이 레티클 척(2)으로부터 이탈한 상태(도 5c, 제2 타이밍)에서의 상대 위치 계측을 나타내고 있다. 이때, 얼라인먼트 마크 17a와 18a의 X방향의 상대 위치 dx2와 Y방향의 상대 위치 dy2가 계측된다. 또한, 얼라인먼트 마크 17a의 콘트라스트인 콘트라스트 2도 계측된다. 레티클(1)과 레티클 척(2) 사이에서 국소적으로 고착이 발생하고 있는 경우, 콘트라스트 계측시의 레티클(1)과 레티클 척(2)의 틈이 크면, 고착 개소에서 파괴가 생길 수 있다. 그 때문에, 계측할 상대 위치의 변위의 범위는 예를 들면 100μm 이하로 한다.
Fig. 7B) shows the relative position measurement in a state in which the
제어부 C는, 얼라인먼트 마크 17a와 18a의 X방향의 상대 위치 dx1과 dx2의 차분, 얼라인먼트 마크 17a와 18a의 Y방향의 상대 위치 dy1과 dy2의 차분으로부터, 레티클(1)과 수평 방향(XY 방향)의 위치 변화량을 산출한다. 또한, 제어부 C는, 콘트라스트 1과 콘트라스트 2의 차이로부터, 레티클(1)의 연직 방향(Z 방향)의 변화량을 산출한다.
The control unit C, from the difference between the relative positions dx1 and dx2 in the X direction of the alignment marks 17a and 18a, and the relative positions dy1 and dy2 in the Y direction of the alignment marks 17a and 18a, the
마찬가지로, 제어부 C는, 또 한쪽의 얼라인먼트 마크 17b, 18b의 레티클(1)의 수평 방향, 연직 방향의 변화를 확인한다. 2쌍의 얼라인먼트 마크가 동시에, 레티클(1)의 수평 방향과 연직 방향의 적어도 어느 한쪽이 변화하고 있는 경우, 제어부 C는, 레티클(1)이 레티클 척(2)의 유지면으로부터 이탈했다고 판정한다.
Similarly, the control unit C confirms a change in the horizontal direction and the vertical direction of the
상기한 예에서는, 레티클 위의 얼라인먼트 마크 17과 레티클 스테이지 위의 얼라인먼트 마크 18(기준 마크)의 상대 위치 계측에 의해, 레티클(1)의 수평 방향인 XY 위치를 계측하였다. 그러나, 레티클 얼라인먼트 마크 검출계의 기준 위치에 대한 상대 위치의 변화로 확인하는 것으로도 동일한 효과가 얻어진다.
In the above example, the XY position in the horizontal direction of the
도8은, 본 실시형태에 있어서의 레티클 회수 동작을 나타내는 흐름도다. S102는, 레티클(1)이 레티클 척(2)으로부터 이탈되기 전의, 기체 분사부(30)에 의해 레티클(1)을 레티클 척(2)의 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 주어지지 않고 있는 상태(도5a의 상태)에서 실행되는 사전 계측 공정이다. 이 상태에 있는 제1 타이밍에서 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해, 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17의 상과 레티클 스테이지(3) 위의 기준 마크인 얼라인먼트 마크 18의 상을 포함하는 제1 화상이 취득된다. 제어부 C는, 도7a를 참조해서 설명한 방법으로, 취득된 제1 화상으로부터 양쪽 마크의 상대 위치 및 콘트라스트를 계측한다.
Fig. 8 is a flowchart showing the reticle collection operation in the present embodiment. S102 is a state in which, before the
S103에서, 제어부 C는, 레티클 척(2)에 의한 레티클(1)의 유지력을 해제하여, 레티클 척(2) 위의 레티클(1)이 레티클 핸드(21)에 유지시키고, 또한, 기체 분사부(30)에 의해 레티클(1)에 외력을 작용시킨다. S104에서는, 이 상태에 있는 제2 타이밍에서, 레티클 얼라인먼트 검출기(15)에 의해, 레티클(1) 위의 얼라인먼트 마크 17의 상과 레티클 스테이지(3) 위의 기준 마크인 얼라인먼트 마크 18의 상을 포함하는 제2 화상이 취득된다. 제어부 C는, 도 7b를 참조해서 설명한 방법으로, 취득된 제2 화상으로부터 양쪽 마크의 상대 위치 및 콘트라스트를 계측한다.
In S103 , the control unit C releases the holding force of the
S105에서, 제어부 C는, S102 및 S104에서 계측된 상대 위치에 근거하여, 레티클(1)의 수평 위치(XY 방향의 위치)의 변화의 판정을 실시한다. 레티클(1)의 수평 위치가 변화하지 않고 있다고 판정되었을 경우, S107에서, 제어부 C는, 이탈 이상, 즉, 레티클은 유지면으로부터 정상적으로 이탈하고 있지 않다고 판정한다. 레티클(1)의 수평 위치가 변화하였다고 판정되었을 경우, S106에서, 제어부 C는, S102 및 S104에서 계측된 콘트라스트에 근거하여, 레티클(1)의 연직 방향(Z방향)의 위치의 변화의 판정을 실시한다. 콘트라스트가 변화하지 않고 있다고 판정된 경우에는, S107에서, 제어부 C는, 이탈 이상, 즉, 레티클은 유지면으로부터 정상적으로 이탈하고 있지 않다고 판정한다. 이탈 이상으로 판정되었을 경우, S108에서, 제어부 C는, 이탈 이상을 유저에게 알리기 위한 경고를 표시하는 것 등의 통지를 행한다. S106에서 레티클(1)의 연직 방향의 위치가 변화하였다고 판정된 경우에는, S109에서, 제어부 C는, 이탈 정상, 즉, 레티클(1)은 유지면으로부터 정상적으로 이탈하였다고 판정한다. 이탈 정상으로 판정되었을 경우, 제어부 C는, 레티클 핸드(21)를 제어해서 레티클(1)을 소정의 회수 위치까지 반송한다.
In S105, the control unit C determines a change in the horizontal position (position in the XY direction) of the
이상 설명한 실시형태에 따르면, 레티클이 유지면으로부터 이탈한 것의 판정을 고정밀도로 행할 수 있다. According to the embodiment described above, it is possible to accurately determine that the reticle has detached from the holding surface.
<제2실시형태><Second embodiment>
상기한 제1실시형태에서는, 플레이트인 레티클(1)을 유지하는 유지장치를 갖는 노광장치(100)에 대해 설명했지만, 상기한 설명은, 플레이트인 웨이퍼(4)를 유지하는 유지장치를 갖는 노광장치에도 마찬가지로 적용할 수 있다. 그 경우, 레티클 얼라인먼트 검출기(15) 대신에 웨이퍼 얼라인먼트 검출기(16)를, 마크를 촬상하는 촬상부로서 사용함으로써, 웨이퍼(4)가 웨이퍼 척(5)의 유지면으로부터 이탈하였는지 아닌지의 판정을 행할 수 있다.
In the above-described first embodiment, the
상기한 실시형태에서는, 노광장치에 본 발명을 적용하는 실시형태에 대해 설명하였다. 그러나, 본 발명은, 임프린트 장치나 묘화장치 등의, 노광장치 이외의 리소그래피 장치에도 적용할 수 있다. 임프린트 장치는, 기판 위에 공급된 임프린트재와 몰드를 접촉시키고, 임프린트재에 경화용의 에너지를 주는 것에 의해, 몰드의 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성한다. 묘화장치는, 하전 입자선(전자선)이나 레이저빔으로 기판에 묘화를 행함으로써 기판 위에 패턴(잠상 패턴)을 형성한다. In the above-described embodiment, an embodiment in which the present invention is applied to an exposure apparatus has been described. However, the present invention is also applicable to lithographic apparatuses other than exposure apparatuses, such as an imprint apparatus and a drawing apparatus. In the imprint apparatus, the imprint material supplied on the substrate and the mold are brought into contact, and energy for curing is applied to the imprint material to form a pattern of the cured product onto which the pattern of the mold is transferred. A drawing apparatus forms a pattern (latent image pattern) on a board|substrate by drawing on a board|substrate with a charged particle beam (electron beam) or a laser beam.
<물품 제조방법의 실시형태><Embodiment of article manufacturing method>
본 발명의 실시형태에 있어서의 물품 제조방법은, 예를 들면, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 실시형태의 물품 제조방법은, 상기한 리소그래피 장치(노광장치나 임프린트 장치, 묘화장치 등)를 사용해서 기판에 원판의 패턴을 전사하는 공정과, 이러한 공정에서 패턴이 전사된 기판을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시형태의 물품 제조방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능·품질·생산성·생산 코스트의 적어도 1개에 있어서 유리하다. The article manufacturing method in the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing articles such as microdevices such as semiconductor devices and elements having microstructures, for example. The article manufacturing method of the present embodiment includes a step of transferring a pattern of an original plate onto a substrate using the lithographic apparatus (exposure apparatus, imprint apparatus, drawing apparatus, etc.) includes In addition, this manufacturing method includes other well-known processes (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous compared to the conventional method in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article.
본 발명은 상기 실시형태에 제한되는 것은 아니고, 발명의 정신 및 범위에서 이탈하지 않고, 다양한 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 밝히기 위해서 청구항을 첨부한다. The present invention is not limited to the above embodiments, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the claims are appended to clarify the scope of the invention.
1: 레티클, 2: 레티클 척, 3: 레티클 스테이지, 15: 레티클 얼라인먼트 검출기, 17, 8: 얼라인먼트 마크, 19: 기체 공급로, 20: 기체 공급부, 21: 레티클 핸드, 30: 기체 분사부1: reticle, 2: reticle chuck, 3: reticle stage, 15: reticle alignment detector, 17, 8: alignment mark, 19: gas supply path, 20: gas supply unit, 21: reticle hand, 30: gas injection unit
Claims (10)
유지면에서 상기 플레이트를 유지하는 유지부와,
상기 유지면에 유지된 상기 플레이트에 형성되어 있는 마크를 촬상하는 촬상부와,
상기 플레이트를 상기 유지면으로부터 이탈시키기 위한 힘이 상기 플레이트에 주어진 상태에서 상기 촬상부에 의해 얻어진 상기 마크의 화상에 근거하여, 상기 플레이트가 상기 유지면으로부터 이탈하였는지 아닌지의 판정을 행하는 처리부를 갖는 것을 특징으로 하는 유지장치.
A retaining device for holding a plate, comprising:
a holding part for holding the plate on a holding surface;
an imaging unit for imaging a mark formed on the plate held on the holding surface;
having a processing unit that determines whether or not the plate has detached from the holding surface based on the image of the mark obtained by the imaging unit in a state where a force for releasing the plate from the holding surface is given to the plate Characteristic retaining device.
상기 처리부는, 상기 힘이 상기 플레이트에 주어지기 전의 제1 타이밍에서 상기 촬상부에 의해 얻어진 상기 마크의 화상인 제1 화상과, 상기 힘이 상기 플레이트에 주어지고 있는 동안의 제2 타이밍에서 상기 촬상부에 의해 얻어진 상기 마크의 화상인 제2 화상에 근거하여, 상기 유지면을 따르는 제1 방향에 있어서의 상기 마크의 위치 및 상기 유지면과 직교하는 제2 방향에 있어서의 상기 마크의 위치의 적어도 어느 한쪽이 변화하였을 때에 상기 플레이트가 상기 유지면으로부터 이탈하였다고 판정하는 것을 특징으로 하는 유지장치.
The method of claim 1,
The processing unit includes: a first image that is an image of the mark obtained by the imaging unit at a first timing before the force is applied to the plate, and the imaging at a second timing while the force is being applied to the plate Based on the second image that is the image of the mark obtained by , at least the position of the mark in a first direction along the holding surface and the position of the mark in a second direction orthogonal to the holding surface and determining that the plate has detached from the holding surface when either one is changed.
상기 유지부에 대하여 상기 플레이트의 공급 및 회수를 행하는 반송부를 더 갖고, 상기 제2 타이밍은, 상기 유지부에 의한 상기 플레이트의 유지력이 해제되어, 상기 플레이트가 상기 반송부에 의해 유지되고, 또한, 상기 힘이 상기 플레이트에 주어지고 있는 동안의 타이밍인 것을 특징으로 하는 유지장치.
3. The method of claim 2,
and a conveying unit configured to supply and retrieve the plate with respect to the holding unit, wherein at the second timing, the holding force of the plate by the holding unit is released, the plate is held by the conveying unit, and and the timing during which the force is being applied to the plate.
상기 제1 화상 및 상기 제2 화상은 각각, 상기 마크의 상 및 상기 유지부에 형성되어 있는 기준 마크의 상을 포함하고,
상기 처리부는, 상기 제1 화상과 상기 제2 화상 사이에서, 상기 기준 마크에 대한 상기 마크의 상기 제1 방향의 위치 어긋남 량, 및, 상기 마크의 콘트라스트의 적어도 어느 한쪽이 변화하였을 때에, 상기 플레이트가 상기 유지면으로부터 이탈하였다고 판정하는 것을 특징으로 하는 유지장치.
3. The method of claim 2,
The first image and the second image each include an image of the mark and an image of a reference mark formed in the holding portion,
The processing unit, when at least one of a position shift amount in the first direction of the mark with respect to the reference mark, and a contrast of the mark changes between the first image and the second image, the plate A holding device, characterized in that it is determined that the is separated from the holding surface.
상기 유지면으로부터 상기 플레이트를 향해서 기체를 분사함으로써 상기 힘을 상기 플레이트에 주는 기체 분사부를 갖는 것을 특징으로 하는 유지장치.
The method of claim 1,
and a gas ejection portion for imparting the force to the plate by ejecting gas from the holding surface toward the plate.
상기 유지면으로부터 상기 플레이트를 리프트 핀으로 미는 것에 의해 상기 힘을 상기 플레이트에 주는 핀 구동 액추에이터를 갖는 것을 특징으로 하는 유지장치.
The method of claim 1,
and a pin drive actuator that applies the force to the plate by pushing the plate from the holding surface to a lift pin.
상기 원판을 유지하는, 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 유지장치를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate using an original plate, comprising:
A lithographic apparatus comprising the holding device according to any one of claims 1 to 6, which holds the original plate.
상기 기판을 유지하는, 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 유지장치를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate, comprising:
A lithographic apparatus comprising the holding device according to any one of claims 1 to 6, which holds the substrate.
상기 공정에서 상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 공정을 갖고,
상기 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조방법.
A step of forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to claim 7;
having a process of treating the substrate on which the pattern is formed in the process;
and manufacturing an article from the treated substrate.
상기 공정에서 상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 공정을 갖고,
상기 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조방법.A step of forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to claim 8;
having a process of treating the substrate on which the pattern is formed in the process;
and manufacturing an article from the treated substrate.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal |