KR20210075507A - Display apparatus - Google Patents

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KR20210075507A
KR20210075507A KR1020190166671A KR20190166671A KR20210075507A KR 20210075507 A KR20210075507 A KR 20210075507A KR 1020190166671 A KR1020190166671 A KR 1020190166671A KR 20190166671 A KR20190166671 A KR 20190166671A KR 20210075507 A KR20210075507 A KR 20210075507A
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encapsulation layer
dam
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organic
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KR1020190166671A
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강승희
박정환
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

A display device according to the present application includes a display panel including a display area and a peripheral area; an organic light emitting device disposed in the display area of the display panel; a first dam structure disposed in the peripheral area of the display panel; and an encapsulation layer covering an organic light emitting device and at least a portion of the first dam structure. The encapsulation layer includes a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer. The first dam structure includes a first recess part disposed on the first side. It is possible to prevent an organic encapsulation layer from leaking locally beyond a dam placed outside a pixel area.

Description

디스플레이 장치{DISPLAY APPARATUS}display device {DISPLAY APPARATUS}

본 출원은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 유기 봉지층이 누출되는 것을 제어할 수 있는 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present application relates to a display device, and more particularly, to a display device capable of controlling leakage of an organic encapsulation layer.

디스플레이 장치는 텔레비전, 모니터, 노트북 컴퓨터, 스마트 폰, 테블릿 컴퓨터, 전자 패드, 웨어러블 기기, 워치 폰, 휴대용 정보 기기, 네비게이션, 또는 차량 제어 디스플레이 기기 등의 전자 제품 또는 가전 제품에 탑재되어 영상을 표시하는 화면으로 사용된다.Display devices are mounted on electronic products or home appliances such as televisions, monitors, notebook computers, smart phones, tablet computers, electronic pads, wearable devices, watch phones, portable information devices, navigation devices, or vehicle control display devices to display images. used as a screen for

디스플레이 장치에 적용되는 유기 발광 소자는 수분, 산소 등에 취약하기 때문에 유기층들과 무기층들을 교대로 적용하여 봉지막을 형성하게 된다. 그러나, 일반적인 유기 발광 소자를 구비하는 디스플레이 장치에 있어서, 모노머(Monomer) 혹은 레진(Resin)으로부터 제조되는 상기 유기층들이 픽셀의 주변 영역까지 누출되기 쉬우며, 이 경우에는 외부로부터의 수분의 침투로 인하여 유기 발광 소자가 열화되고 디스플레이 장치의 수명과 신뢰성이 저하되는 문제들이 발생한다. 이처럼 유기층들이 픽셀 영역 밖으로 누출되는 것을 막기 위해 댐이라는 구조물을 비발광영역에 배치할 수 있으나, 그럼에도 불구하고 유기 봉지층이 누출되는 현상은 빈번하게 발생하였다. 또한, 상기 무기층들에 균열과 같은 손상이 발생하기 쉬우며, 이러한 균열이 유기층들 및 다른 무기층을 통해 상기 디스플레이 장치의 내부로 전파되어 디스플레이 장치의 수명, 신뢰성 등을 더욱 저하시키게 된다. Since an organic light emitting device applied to a display device is vulnerable to moisture, oxygen, and the like, an encapsulation film is formed by alternately applying organic layers and inorganic layers. However, in a display device having a general organic light emitting device, the organic layers made of a monomer or resin are likely to leak to the peripheral region of the pixel, and in this case, due to the penetration of moisture from the outside, There are problems in that the organic light emitting device is deteriorated and the lifespan and reliability of the display device are deteriorated. In order to prevent the organic layers from leaking out of the pixel region, a structure called a dam may be disposed in the non-emissive region. Nevertheless, leakage of the organic encapsulation layer occurred frequently. In addition, damage such as cracks are likely to occur in the inorganic layers, and these cracks propagate into the interior of the display device through the organic layers and other inorganic layers, further reducing the lifespan and reliability of the display device.

본 출원의 발명자들은 일반적인 디스플레이 장치에 대한 문제점들을 인식하고, 앞서 설명한 유기 봉지층들이 픽셀 영역 외곽을 둘러싸고 있는 댐구조물을 넘어 누출되는 형상을 막고자 여러 실험을 하게 되었다. 이러한 실험을 거쳐 디스플레이 패널의 사면에서 유기 봉지층이 설정 영역 내측에만 위치하고 누출되지 않는 새로운 구조의 디스플레이 장치를 발명하였다.The inventors of the present application recognized the problems of the general display device and conducted various experiments to prevent the organic encapsulation layers described above from leaking beyond the dam structure surrounding the pixel area. Through these experiments, a display device having a new structure in which the organic encapsulation layer is located only inside the setting area on the slopes of the display panel and does not leak was invented.

본 출원의 일 예에 따른 해결하고자 하는 과제는 유기 봉지층이 픽셀 영역 외곽에 배치된 댐을 넘어 국부적으로 누출되는 현상을 방지하는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.An object to be solved according to an example of the present application is to provide a display device that prevents a phenomenon in which an organic encapsulation layer is locally leaked beyond a dam disposed outside a pixel area.

본 출원의 해결하고자 하는 과제는 유기 봉지층이 픽셀 영역 외곽에 배치된 댐을 넘어 국부적으로 누출되더라도 이를 완화하여 댐 인근에서 유기 봉지층이 머물도록 하는 것을 기술적 과제로 한다.The problem to be solved by the present application is to alleviate the local leakage of the organic encapsulation layer beyond the dam disposed outside the pixel area so that the organic encapsulation layer stays near the dam as a technical problem.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the technical problems of the present invention mentioned above, other features and advantages of the present invention will be described below or will be clearly understood by those skilled in the art from such description and description.

본 출원에 따른 디스플레이 장치는 표시 영역과 주변 영역을 포함하는 디스플레이 패널, 디스플레이 패널의 표시 영역에 배치되는 유기발광소자, 디스플레이 패널의 주변 영역에 배치되는 제1 댐 구조물, 유기발광소자와 제1 댐 구조물의 적어도 일부를 덮는 봉지층, 봉지층은 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 및 제2 무기 봉지층을 포함하고, 제1 댐 구조물은 제1 측면에 배치된 제1 오목부를 포함한다. 제1 오목부로 인해 유기 봉지층이 제1 댐 구조물을 범람하는 것을 방지할 수 있다.The display device according to the present application includes a display panel including a display area and a peripheral area, an organic light emitting device disposed in a display area of the display panel, a first dam structure disposed in a peripheral area of the display panel, an organic light emitting device and a first dam An encapsulation layer covering at least a portion of the structure, the encapsulation layer comprising a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer, the first dam structure comprising a first recess disposed on a first side surface. It is possible to prevent the organic encapsulation layer from overflowing the first dam structure due to the first recess.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 오목부는 제1 댐 구조물의 제1 측면 하부에 배치되고, 언더컷 형태를 가질 수 있다. 제1 오목부의 형태로 인해 유기 봉지층이 모세관 현상으로 제1 댐 구조물의 측면으로 이동할 수 있다. 유기 봉지층이 제1 댐 구조물의 측면으로 퍼짐으로 제1 댐 구조물을 범람하는 것을 방지할 수 있다.According to some examples of the present application, the first concave portion may be disposed under the first side surface of the first dam structure and may have an undercut shape. Due to the shape of the first concave portion, the organic encapsulation layer may move to the side surface of the first dam structure due to capillary action. As the organic encapsulation layer spreads to the side of the first dam structure, overflow of the first dam structure may be prevented.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 오목부는 제1 댐 구조물의 제1 측면을 따라 표시 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 표시 영역을 둘러싸는 제1 댐 구조물의 제1 측면에 배치됨으로써, 유기 봉지층이 표시 영역을 충분히 덮을 수 있다.According to some examples of the present application, the first concave portion may be disposed to surround the display area along the first side surface of the first dam structure. By being disposed on the first side surface of the first dam structure surrounding the display area, the organic encapsulation layer may sufficiently cover the display area.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 댐 구조물은 제2 측면에 배치된 제2 오목부를 더 포함할 수 있다. 제2 오목부로 인해 제1 댐 구조물을 범람한 유기 봉지층이 제2 댐 구조물까지 흐르기 전에 제1 댐 구조물의 측면으로 퍼지게 할 수 있다. According to some examples of the present application, the first dam structure may further include a second concave portion disposed on the second side surface. The organic encapsulation layer, which overflowed the first dam structure due to the second recess, may spread to the side surface of the first dam structure before flowing to the second dam structure.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제2 오목부는 제1 댐 구조물의 제2 측면을 따라 표시 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 표시 영역을 둘러싸는 제1 댐 구조물의 제2 측면에 배치됨으로써, 유기 봉지층이 표시 영역을 충분히 덮을 수 있다. 유기 봉지층이 제2 댐 구조물까지 흐르는 것을 최소화 할 수 있다.According to some examples of the present application, the second concave portion may be disposed to surround the display area along the second side surface of the first dam structure. By being disposed on the second side surface of the first dam structure surrounding the display area, the organic encapsulation layer may sufficiently cover the display area. It is possible to minimize the flow of the organic encapsulation layer to the second dam structure.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 주변 영역에 배치되는 제2 댐 구조물을 더 포함하고, 제2 댐 구조물은 제3 오목부를 더 포함할 수 있다. 제3 오목부로 인해 제2 댐 구조물을 범람하기 전에 제2 댐 구조물의 측면으로 퍼지게 할 수 있다. According to some examples of the present application, a second dam structure disposed in the peripheral area may be further included, and the second dam structure may further include a third concave portion. The third recess may allow the second dam structure to spread out to the sides of the second dam structure before overflowing.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 유기 봉지층은 제1 오목부 또는 제2 오목부의 적어도 일부를 채울 수 있다.According to some examples of the present application, the organic encapsulation layer may fill at least a portion of the first concave portion or the second concave portion.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 유기 봉지층은 제3 오목부의 적어도 일부를 채우고, 제2 댐 구조물 위에서는 제1 무기 봉지층과 제2 무기 봉지층이 접촉하도록 배치될 수 있다. According to some examples of the present application, the organic encapsulation layer may fill at least a portion of the third concave portion, and the first inorganic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer may be in contact on the second dam structure.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 댐 구조물을 기준으로 제1 측면은 표시 영역을 마주보고 있고 제2 측면은 상기 주변 영역(또는 비표시 영역)의 최외곽을 향할 수 있다.According to some examples of the present application, with respect to the first dam structure, the first side may face the display area and the second side may face the outermost of the peripheral area (or the non-display area).

본 출원의 일 예에 따르면, 유기 봉지층의 댐 구조물 범람을 최소화하여 무기 봉지층 성막 불량을 개선하고 유기발광소자를 외부의 수분과 이물로부터 보호하여 보다 안정성이 높은 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.According to an example of the present application, it is possible to provide a display device with higher stability by minimizing the overflow of the dam structure in the organic encapsulation layer, improving the inorganic encapsulation layer deposition defect, and protecting the organic light emitting device from external moisture and foreign matter.

위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the effects of the present application mentioned above, other features and advantages of the present application will be described below, or will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which this application belongs from the description and description.

도 1은 본 출원의 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면이다.
도 2a는 도 1에 도시된 선 I - I'의 단면도이다.
도 2b는 도 1에 도시된 선 II - II'의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 2의 구조를 형성하기 위한 단계를 도시한 도면이다.
도 4는 본 출원의 다른 예에 따른 픽셀 영역에서 외곽에 이르는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 구조를 형성하기 위한 단계를 도시한 도면이다.
도 6은 본 출원의 실시예에 따른 유기 절연층이 제1 댐을 넘어 누출된 평면도이다.
도 7은 본 출원의 다른 실시예에 따른 픽셀 영역에서 외곽에 이르는 단면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 도 7의 구조를 형성하기 위한 단계를 도시한 도면이다.
도 9는 본 출원의 실시예에 따른 유기 절연층이 제2 댐에 근접하여 누출된 평면도이다.1 is a view showing a display device according to an embodiment of the present application.
Fig. 2A is a cross-sectional view taken along the line I - I' shown in Fig. 1;
FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line II - II' shown in FIG. 1 .
3A to 3C are diagrams illustrating steps for forming the structure of FIG. 2 .
4 is a cross-sectional view extending from the pixel area to the outside according to another example of the present application.
5A to 5C are diagrams illustrating steps for forming the structure of FIG. 4 .
6 is a plan view of an organic insulating layer leaking beyond a first dam according to an embodiment of the present application.
7 is a cross-sectional view extending from the pixel area to the outside according to another exemplary embodiment of the present application.
8A to 8C are diagrams illustrating steps for forming the structure of FIG. 7 .
9 is a plan view of an organic insulating layer leaking close to a second dam according to an embodiment of the present application.

본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present application, and a method of achieving them will become apparent with reference to examples described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present application is not limited to the examples disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only examples of the present application allow the disclosure of the present application to be complete, and it is common in the technical field to which the invention of the present application belongs. It is provided to fully inform those with knowledge of the scope of the invention, and the invention of the present application is only defined by the scope of the claims.

본 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.The shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining an example of the present application are exemplary, and thus the present application is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing an example of the present application, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present application, the detailed description thereof will be omitted.

본 출원에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this application are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between the two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described with 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present application.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first, second, and third items" means 2 of the first, second, and third items as well as each of the first, second, or third items. It may mean a combination of all items that can be presented from more than one.

본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various examples of the present application may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each example may be independently implemented with respect to each other or may be implemented together in a related relationship. .

이하에서는 본 출원에 따른 디스플레이 장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 그리고, 첨부된 도면에 도시된 구성요소들의 스케일은 설명의 편의를 위해 실제와 다른 스케일을 가지므로, 도면에 도시된 스케일에 한정되지 않는다.Hereinafter, an example of a display device according to the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are indicated in different drawings. And, since the scales of the components shown in the accompanying drawings have different scales from the actual for convenience of explanation, the scales shown in the drawings are not limited thereto.

도 1은 본 출원의 실시예에 따른 디스플레이 패널을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a display panel according to an embodiment of the present application.

도 1을 참조하면, 디스플레이 패널(100)의 일부를 도시하는 평면도이다. 본 출원에 따른 디스플레이 패널(100)는 영상을 표시하는 액티브 영역(120) 및/또는 표시 영역이 디스플레이 패널(100)의 가운데에 배치될 수 있다. 액티브 영역(120)의 주변부를 인액티브 영역 및/또는 비표시영역 및/또는 주변 영역일 수 있고, 인액티브 영역에는 제1 댐(510), 제2 댐(520), FPCB(Flexible Printed Circuit Board) 등과의 연결을 위한 패드(310) 등이 배치될 수 있다. 제1 댐(510) 및 제2 댐(520)이 액티브 영역(120)의 주변을 둘러싸도록 배치될 수 있으며, 액티브 영역(120)에 가까운 제1 댐(510)과 제1 댐(510)에서 일정간격 이격되어 배치된 제2 댐(520)이 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 댐(510)과 제2 댐(520)이 액티브 영역(120)의 4면을 폐쇄하도록 둘러싸게 배치될 수 있다. Referring to FIG. 1 , it is a plan view illustrating a part of the display panel 100 . In the display panel 100 according to the present application, the active area 120 and/or the display area for displaying an image may be disposed in the center of the display panel 100 . The periphery of the active region 120 may be an inactive region and/or a non-display region and/or a peripheral region, and the inactive region includes the first dam 510 , the second dam 520 , and a flexible printed circuit board (FPCB). ) and the like may be provided with a pad 310 for connection with the same. The first dam 510 and the second dam 520 may be disposed to surround the periphery of the active region 120 , and in the first dam 510 and the first dam 510 close to the active region 120 . The second dams 520 spaced apart from each other may be disposed. As shown in FIG. 1 , a first dam 510 and a second dam 520 may be disposed to surround and close four surfaces of the active region 120 .

디스플레이 패널(100)의 기판은 글라스, 금속, 또는 플라스틱 등과 같은 다양한 재료로 형성될 수 있다. 기판이 플렉서블 기판일 경우, 예를 들면, 기판은 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen naphthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyleneterephthalate,PET), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 기판은 두 개의 플라스틱 기판과 두 개의 플라스틱 기판 사이의 무기층을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 두 개의 플라스틱 기판은 상술한 고분자 수지를 포함할 수 있으며, 서로 동일하거나 다른 두께를 가질 수 있다. 무기층은 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 질화규소(SiNx) 및/또는 산화규소(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다. 무기층은 약 6000Å의 두께를 가질 수 있으나, 본 출원은 이에 한정되지 않는다. The substrate of the display panel 100 may be formed of various materials such as glass, metal, or plastic. When the substrate is a flexible substrate, for example, the substrate is polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), or polyethylene naphthalate (PEN). , polyethyleneterephthalate (PET), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide (PI), polycarbonate (PC) or cellulose acetate propionate ( and a polymer resin such as cellulose acetate propionate (CAP). In another embodiment, the substrate may have a structure including two plastic substrates and an inorganic layer between the two plastic substrates. The two plastic substrates may include the above-described polymer resin and may have the same or different thicknesses. The inorganic layer is a barrier layer that prevents penetration of foreign substances, and may be a single layer or multiple layers including an inorganic material such as silicon nitride (SiNx) and/or silicon oxide (SiOx). The inorganic layer may have a thickness of about 6000 Å, but the present application is not limited thereto.

디스플레이 패널(100)은 액정 디스플레이 패널, 유기 발광 디스플레이 패널, 양자점 발광 디스플레이 패널, 및 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널 등과 같은 모든 형태의 디스플레이 패널 또는 곡면형 디스플레이 패널일 수 있으며, 특정한 디스플레이 패널(100)에 한정되지 않는다.The display panel 100 may be any type of display panel or curved display panel, such as a liquid crystal display panel, an organic light emitting display panel, a quantum dot light emitting display panel, and a micro light emitting diode display panel, and is limited to a specific display panel 100 . doesn't happen

일 예에 따른 디스플레이 패널(100)은 복수의 게이트 라인 및/또는 복수의 데이터 라인에 의해 구성되는 복수의 픽셀과 각 픽셀을 구동하기 위해 각 픽셀에 마련된 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판, 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에 마련된 유기 발광 소자층, 및 유기 발광 소자층을 덮는 봉지(encapsulation) 기판 등을 포함할 수 있다. 여기서, 봉지 기판은 외부의 충격으로부터 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자층 등을 보호하고, 유기 발광 소자층으로 수분이 침투하는 것을 방지한다.The display panel 100 according to an example includes a thin film transistor array substrate, a thin film including a plurality of pixels configured by a plurality of gate lines and/or a plurality of data lines, and a thin film transistor provided in each pixel to drive each pixel. It may include an organic light emitting device layer provided on the transistor array substrate, and an encapsulation substrate covering the organic light emitting device layer. Here, the encapsulation substrate protects the thin film transistor and the organic light emitting device layer from external impact, and prevents moisture from penetrating into the organic light emitting device layer.

본 출원에 따른 디스플레이 패널(100)은, 화상을 표시하는 표시 영역, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역, 및 표시 영역과 비표시 영역에 중첩하여 형성되며, 디스플레이 패널의 측면에 곡면을 형성하는 벤딩 영역을 포함하고, 음향 발생 모듈은 표시 영역 및 벤딩 영역에 형성되고, 벤딩 영역에 대응되어 휘어진 곡면을 포함할 수 있다. 따라서, 본 출원의 다른 예에 따른 디스플레이 장치는 벤더블 표시 장치(bendable display apparatus)일 수 있고, 예를 들면, 에지 벤더블 표시 장치일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The display panel 100 according to the present application is formed by overlapping a display area for displaying an image, a non-display area surrounding the display area, and the display area and the non-display area, and forms a curved surface on the side surface of the display panel. region, and the sound generating module is formed in the display region and the bending region, and may include a curved surface that is curved to correspond to the bending region. Accordingly, the display apparatus according to another example of the present application may be a bendable display apparatus, for example, an edge bendable display apparatus, but is not limited thereto.

도 2a는 도 1의 절단선 I - I'의 단면도이고, 도 2b는 도 1의 II - II'의 단면도이다. FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line I - I' of FIG. 1 , and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line II - II' of FIG. 1 .

기판(101)의 액티브 영역(120)을 절단한 I - I'에는 박막 트랜지스터(210)가 배치되는데, 박막트랜지스터(210) 외에 박막트랜지스터(210)에 전기적으로 연결되는 디스플레이 소자도 배치될 수 있다. 도 2에서는 디스플레이 소자로서 유기발광소자를 도시하고 있다. 이하에서는 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 디스플레이 소자로서 유기발광소자를 포함하는 경우에 대해 설명한다. 디스플레이소자인 유기발광소자가 박막트랜지스터(210)에 전기적으로 연결되는 것은, 유기발광소자가 포함하는 애노드전극(216)이 박막 트렌지스터(210)에 전기적으로 연결되는 것으로 이해될 수 있다. 물론 기판(101)의 주변 인액티브 영역에도 박막트랜지스터(210)가 배치될 수 있다. 인액티브 영역에 위치하는 박막트랜지스터(210)는 예컨대 액티브 영역(120) 내에 인가되는 전기적 신호를 제어하기 위한 회로부의 일부일 수 있다.A thin film transistor 210 is disposed on I - I' where the active region 120 of the substrate 101 is cut. In addition to the thin film transistor 210 , a display device electrically connected to the thin film transistor 210 may also be disposed. . 2 shows an organic light emitting device as a display device. Hereinafter, a case in which the display panel 100 according to the embodiment includes an organic light emitting device as a display device will be described. When the organic light emitting device, which is a display device, is electrically connected to the thin film transistor 210 , it may be understood that the anode electrode 216 included in the organic light emitting device is electrically connected to the thin film transistor 210 . Of course, the thin film transistor 210 may also be disposed in the peripheral inactive region of the substrate 101 . The thin film transistor 210 located in the inactive region may be, for example, a part of a circuit for controlling an electrical signal applied in the active region 120 .

박막트랜지스터(210)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(211), 게이트전극(213), 소스전극(214) 및 드레인전극(215)을 포함한다. The thin film transistor 210 includes a semiconductor layer 211 including amorphous silicon, polycrystalline silicon, or an organic semiconductor material, a gate electrode 213 , a source electrode 214 , and a drain electrode 215 .

기판(101) 상에는 기판(101)의 면을 평탄화하기 위해 또는 반도체층으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층(102)이 배치되고, 이 버퍼층(102) 상에 반도체층(211)이 배치될 수 있다.A buffer layer 102 formed of silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride is disposed on the substrate 101 to planarize the surface of the substrate 101 or to prevent impurities from penetrating into the semiconductor layer, and , a semiconductor layer 211 may be disposed on the buffer layer 102 .

반도체층(211)의 상부에는 게이트전극(213)이 배치될 수 있다. 게이트전극(213)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예를 들면, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디윰(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 반도체층(211)과 게이트전극(213)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등으로 형성되는 게이트절연층(103)이 반도체층(211)과 게이트전극(213) 사이에 개재될 수 있다. 게이트전극(213)의 상부에는 층간절연층(104)이 배치될 수 있으며, 층간절연층(104)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다.A gate electrode 213 may be disposed on the semiconductor layer 211 . The gate electrode 213 is formed in consideration of adhesion to an adjacent layer, surface flatness of the layer to be laminated, and workability, for example, aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium. (Mg), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), At least one of tungsten (W) and copper (Cu) may be formed as a single layer or multiple layers. In order to secure insulation between the semiconductor layer 211 and the gate electrode 213 , the gate insulating layer 103 formed of silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride is formed between the semiconductor layer 211 and the gate electrode ( 213) may be interposed. An interlayer insulating layer 104 may be disposed on the gate electrode 213 , and the interlayer insulating layer 104 is formed as a single layer or in multiple layers made of a material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride. can be

층간절연층(104)의 상부에는 소스전극(214) 및 드레인전극(215)이 배치된다. 소스전극(214) 및 드레인전극(215)은 층간절연층(104)과 게이트절연층(103)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(211)에 각각 전기적으로 연결된다.A source electrode 214 and a drain electrode 215 are disposed on the interlayer insulating layer 104 . The source electrode 214 and the drain electrode 215 are respectively electrically connected to the semiconductor layer 211 through contact holes formed in the interlayer insulating layer 104 and the gate insulating layer 103 .

소스전극(214) 및 드레인전극(215)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The source electrode 214 and the drain electrode 215 are aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), and neodymium (Nd). ), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), copper (Cu) as a single or multi-layered material may be formed, but is not limited thereto.

박막트랜지스터(210)를 덮는 보호막이 배치될 수 있다. 보호막은 박막 트랜지스터(210)을 보호할 수 있다. 예를 들면, 보호막은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다. 보호막은 단층일 수도 있고 다층일 수도 있다.A protective film covering the thin film transistor 210 may be disposed. The passivation layer may protect the thin film transistor 210 . For example, the passivation layer may be formed of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride. The protective film may be a single layer or a multilayer.

보호막 상에는 평탄화층(105)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 것과 같이 박막트랜지스터(210) 상부에 유기발광소자가 배치될 경우, 평탄화층(105)은 박막트랜지스터(210)를 덮는 보호막 상부를 대체로 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 이러한 평탄화층(105)은, 예를 들면, Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함하는 유기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 도 2에서는 평탄화층(105)이 단층으로 도시되어 있으나, 다층으로 구성할 수 있다. 본 출원의 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 보호막과 평탄화층(105)을 모두 가질 수도 있으며, 다른 예로는 평탄화층(105)만을 가질 수도 있다. 평탄화층(105)은 제1절연층일 수 있다.A planarization layer 105 may be disposed on the passivation layer. For example, when the organic light emitting device is disposed on the thin film transistor 210 as shown in FIG. 2 , the planarization layer 105 generally planarizes the upper portion of the protective film covering the thin film transistor 210. Can serve. . The planarization layer 105 is, for example, a general general-purpose polymer such as Polymethylmethacrylate (PMMA) or Polystylene (PS), a polymer derivative having a phenolic group, an acrylic polymer, an imide-based polymer, an arylether-based polymer, and an amide-based polymer. It may include, but is not limited to, organic materials including polymers, fluorine-based polymers, p-xylene-based polymers, vinyl alcohol-based polymers, and blends thereof. In addition, although the planarization layer 105 is illustrated as a single layer in FIG. 2 , it may be configured as multiple layers. The display panel 100 according to the embodiment of the present application may have both the protective film and the planarization layer 105 , or, as another example, may have only the planarization layer 105 . The planarization layer 105 may be a first insulating layer.

기판(101)의 액티브 영역(120) 내에서, 평탄화층(105) 상에는, 애노드전극(216), 캐소드 전극(218), 및 애노드전극(216) 및 캐소드 전극(218) 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 유기발광소자(217)가 배치된다. 유기발광소자(217)는 발광층을 포함하는 유기물층으로 기재하였으나, 다른 예로는 유기발광소자(217)는 발광층, 애노드 전극(216), 및 캐소드 전극(218)을 포함할 수도 있다.In the active region 120 of the substrate 101, on the planarization layer 105, an anode electrode 216, a cathode electrode 218, and an anode electrode 216 and a cathode electrode 218 are interposed between the light emitting layer An organic light emitting device 217 is disposed. Although the organic light emitting device 217 has been described as an organic material layer including a light emitting layer, as another example, the organic light emitting device 217 may include a light emitting layer, an anode electrode 216 , and a cathode electrode 218 .

평탄화층(105)에는 박막트랜지스터(210)의 소스전극(214) 및 드레인전극(215) 중 적어도 하나를 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 개구부를 통해 소스전극(214) 및 드레인전극(215) 중 하나와 컨택하여 박막트랜지스터(210)와 전기적으로 연결되는 애노드 전극(216)이 평탄화층(105) 상에 배치될 수 있다. 애노드 전극(216)은 투명전극, 반투명전극, 또는 반사형 전극일 수 있다. 애노드 전극(216)이 투명전극 또는 반투명전극일 경우에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO를 포함할 수 있다. 애노드 전극(216)이 반사형 전극일 경우에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir,Cr 및 이들의 화합물 또는 합금 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 본 출원이 이에 한정되는 것은 아니다, 다른 예로는, 애노드 전극(216)은 다른 재질을 포함할 수 있으며, 애노드 전극(216)은 단층 또는 다층이 될 수 있다. 본 출원의 실시예에서는 애노드 전극은 화소 전극, 픽셀 전극, 제1 전극일 수 있으며, 용어에 한정되는 것은 아니다.The planarization layer 105 may include an opening exposing at least one of the source electrode 214 and the drain electrode 215 of the thin film transistor 210 . An anode electrode 216 electrically connected to the thin film transistor 210 by contacting one of the source electrode 214 and the drain electrode 215 through the opening may be disposed on the planarization layer 105 . The anode electrode 216 may be a transparent electrode, a semi-transparent electrode, or a reflective electrode. When the anode electrode 216 is a transparent electrode or a translucent electrode, it may include, for example, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO, or AZO. When the anode electrode 216 is a reflective electrode, a reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and a compound or alloy thereof, and ITO, IZO, ZnO, In2O3 , can have a layer formed of IGO or AZO. The present application is not limited thereto. As another example, the anode electrode 216 may include other materials, and the anode electrode 216 may be a single layer or a multilayer. In the embodiment of the present application, the anode electrode may be a pixel electrode, a pixel electrode, or a first electrode, but is not limited thereto.

평탄화층(105) 상부에는 뱅크(106)가 배치될 수 있다. 뱅크(106)는 각 부화소들에 대응하는 개구, 예를 들면, 적어도 애노드 전극(216)의 중앙부가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의할 수 있다. 또한, 도 2a에 도시된 바와 같은 경우, 뱅크(106)는 애노드 전극(216)의 가장자리와 애노드 전극(216) 상부의 캐소드 전극(218)과의 사이의 거리를 증가시킴으로써 애노드 전극(216)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 뱅크(106)는 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다. 뱅크(106)는 제2절연층 또는 화소정의막일 수 있으며, 용어에 한정되는 것은 아니다.A bank 106 may be disposed on the planarization layer 105 . The bank 106 may define a pixel by having an opening corresponding to each sub-pixel, for example, an opening through which at least a central portion of the anode electrode 216 is exposed. In addition, in the case shown in FIG. 2A , the bank 106 increases the distance between the edge of the anode electrode 216 and the cathode electrode 218 above the anode electrode 216 by increasing the thickness of the anode electrode 216 . It can prevent arcing etc. from occurring at the edge. For example, the bank 106 may be formed of an organic material such as polyimide or hexamethyldisiloxane (HMDSO). The bank 106 may be a second insulating layer or a pixel defining layer, but is not limited thereto.

유기발광소자(217)의 중간층은 저분자량 또는 고분자량 물질을 포함할 수 있다. 저분자량 물질을 포함할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 또는 복합 또는 2개의 층 이상의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 저분자량 물질은 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 층들은 진공 증착의 방법으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The intermediate layer of the organic light emitting device 217 may include a low molecular weight or high molecular weight material. When a low molecular weight material is included, a hole injection layer (HIL: Hole Injection Layer), a hole transport layer (HTL: Hole Transport Layer), an emission layer (EML: Emission Layer), an electron transport layer (ETL: Electron Transport Layer), an electron injection layer ( EIL: Electron Injection Layer) may have a single, complex, or laminated structure of two or more layers. For example, low molecular weight substances include copper phthalocyanine (CuPc), N,N-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine (N,N'-Di(naphthalene-1) -yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , and may include, but is not limited to, tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3). These layers may be formed by a method of vacuum deposition, but is not limited thereto.

중간층이 고분자량 물질을 포함할 경우에는 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)일 수 있다. 예를 들면, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 중간층은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있으며. 이에 한정되는 것은 아니다.When the intermediate layer includes a high molecular weight material, it may be a hole transport layer (HTL) and an emission layer (EML). For example, the hole transport layer may include PEDOT, and the emission layer may include, but is not limited to, poly-phenylenevinylene (PPV)-based, polyfluorene-based, or the like. The intermediate layer may be formed by screen printing, inkjet printing, laser induced thermal imaging (LITI), or the like. The present invention is not limited thereto.

캐소드 전극(218)은 액티브 영역(120)의 상부에 배치될 수 있으며, 도 2a 및 도2b에 도시된 바와 같이 액티브 영역(120)을 덮도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 캐소드 전극(218)은 복수개의 유기발광소자(217)들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 복수 개의 애노드 전극(216)들에 대응할 수 있다. 예를 들면, 캐소드 전극(218)은 투명 전극, 반투명전극 또는 반사형 전극일 수 있다.The cathode electrode 218 may be disposed on the active region 120 , and may be disposed to cover the active region 120 as shown in FIGS. 2A and 2B . For example, the cathode electrode 218 may be integrally formed in the plurality of organic light emitting devices 217 to correspond to the plurality of anode electrodes 216 . For example, the cathode electrode 218 may be a transparent electrode, a translucent electrode, or a reflective electrode.

캐소드 전극(218)이 투명 전극 또는 반투명 전극일 경우에는 일함수가 작은 금속, 예를 들면, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 캐소드 전극(218)이 반사형 전극일 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물 또는 합금으로 형성된 층을 가질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기발광소자(217)의 디스플레이소자는 캐소드 전극(218)을 구비하므로, 이미지를 표시하는 디스플레이를 위해서는 캐소드 전극(218)에 설정된 전기적 신호가 인가되어야 한다. 따라서, 인액티브 영역에는 전극전원공급라인(VSS)이 위치하여, 캐소드 전극(218)에 설정된 전기적 신호를 전달한다. 본 출원의 실시예에서 캐소드 전극(218)은 캐소드, 음극, 대향 전극, 제2 전극이라 할 수 있으며, 용어에 한정되는 것은 아니다. When the cathode electrode 218 is a transparent electrode or a translucent electrode, a layer formed of a metal having a small work function, for example, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, and a compound thereof, and ITO , IZO, ZnO or In2O3 may have a (semi)transparent conductive layer, but is not limited thereto. When the cathode electrode 218 is a reflective electrode, it may have a layer formed of Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, and a compound or alloy thereof, but is not limited thereto. Since the display device of the organic light emitting device 217 includes a cathode electrode 218 , an electrical signal set to the cathode electrode 218 must be applied to display an image. Accordingly, the electrode power supply line VSS is positioned in the inactive region to transmit an electrical signal set to the cathode electrode 218 . In the embodiment of the present application, the cathode electrode 218 may be referred to as a cathode, a cathode, a counter electrode, and a second electrode, and is not limited thereto.

캐소드 전극(218) 상에는 유기발광소자(217)에서 발생된 광의 효율을 향상시킬 수 있는 캡핑층(219)이 배치될 수 있다. 캡핑층(219)은 캐소드 전극(218)을 덮으며 액티브 영역 (120) 외측의 인액티브 영역까지 연장된다. 캡핑층(219)은 유기물을 포함할 수 있다.A capping layer 219 capable of improving the efficiency of light generated from the organic light emitting device 217 may be disposed on the cathode electrode 218 . The capping layer 219 covers the cathode electrode 218 and extends to an inactive region outside the active region 120 . The capping layer 219 may include an organic material.

캡핑층(219) 상부에는 봉지층이 배치한다. 봉지층은 외부로부터의 수분이나 산소 등으로부터 유기발광소자(217)를 보호할 수 있다. 이를 위해 봉지층은 유기발광소자(217)가 위치하는 액티브 영역(120)과 액티브 영역(120) 외측의 인액티브 영역에까지 연장될 수 있다. 봉지층은 도 2a에 도시된 바와 같이 다층구조를 가질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 봉지층은 제1 무기 봉지층(108), 유기 봉지층(109) 및 제2 무기 봉지층(110)을 포함할 수 있다.An encapsulation layer is disposed on the capping layer 219 . The encapsulation layer may protect the organic light emitting device 217 from moisture or oxygen from the outside. To this end, the encapsulation layer may extend to the active region 120 in which the organic light emitting diode 217 is located and the inactive region outside the active region 120 . The encapsulation layer may have a multi-layered structure as shown in FIG. 2A , but is not limited thereto. For example, the encapsulation layer may include a first inorganic encapsulation layer 108 , an organic encapsulation layer 109 , and a second inorganic encapsulation layer 110 .

제1 무기 봉지층(108)은 캡핑층(219)을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 무기 봉지층(108)은 제1 무기 봉지층(108) 하부의 구조물을 따라 형성될 수 있다.The first inorganic encapsulation layer 108 covers the capping layer 219 and may include, but is not limited to, silicon oxide, silicon nitride, and/or silicon oxynitride. The first inorganic encapsulation layer 108 may be formed along a structure under the first inorganic encapsulation layer 108 .

유기 봉지층(109)은 제1 무기 봉지층(108)을 덮으며, 유기 봉지층(109)의 상면은 액티브 영역(120) 전반에 걸쳐서 실질적으로 평탄할 수 있다. 유기 봉지층(109)은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산 중 적어도 하나 이상의 재료를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기 봉지층(109)은 파티클 캡핑 레이어(PCL : Particle Capping layer) 일 수 있다. The organic encapsulation layer 109 covers the first inorganic encapsulation layer 108 , and a top surface of the organic encapsulation layer 109 may be substantially flat throughout the active region 120 . The organic encapsulation layer 109 may include at least one material selected from among polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyethylene sulfonate, polyoxymethylene, polyarylate, and hexamethyldisiloxane, limited thereto. it is not going to be The organic encapsulation layer 109 may be a particle capping layer (PCL).

제2 무기 봉지층(110)은 유기 봉지층(109)을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 무기 봉지층(108)과 제2 무기 봉지층(110)은 유기 봉지층(109) 보다 큰 면적을 가지며, 유기 봉지층(109)의 외측에서 서로 접할 수 있다. 예를 들면, 제1 무기 봉지층(108)과 제2 무기 봉지층(110)에 의해 유기 봉지층(109)이 외부로 노출되지 않도록 할 수 있다.The second inorganic encapsulation layer 110 covers the organic encapsulation layer 109 and may include, but is not limited to, silicon oxide, silicon nitride, and/or silicon oxynitride. The first inorganic encapsulation layer 108 and the second inorganic encapsulation layer 110 have a larger area than the organic encapsulation layer 109 , and may contact each other from the outside of the organic encapsulation layer 109 . For example, the organic encapsulation layer 109 may not be exposed to the outside by the first inorganic encapsulation layer 108 and the second inorganic encapsulation layer 110 .

따라서, 봉지층은 제1 무기 봉지층(108), 유기 봉지층(109) 및 제2 무기 봉지층(110)을 포함하며, 다층 구조를 통해 봉지층 내에 크랙이 발생한다고 하더라도, 제1 무기 봉지층(108)과 유기 봉지층(109) 사이에서 또는 유기 봉지층(109)과 제2 무기 봉지층(110) 사이에서 크랙의 연결을 방지할 수 있다. 이를 통해 외부로부터의 수분이나 산소 등이 액티브 영역(120)으로 침투하게 되는 경로가 형성되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.Accordingly, the encapsulation layer includes the first inorganic encapsulation layer 108 , the organic encapsulation layer 109 , and the second inorganic encapsulation layer 110 , and even if cracks occur in the encapsulation layer through the multilayer structure, the first inorganic encapsulation layer Connection of cracks may be prevented between the layer 108 and the organic encapsulation layer 109 or between the organic encapsulation layer 109 and the second inorganic encapsulation layer 110 . Through this, it is possible to prevent or minimize the formation of a path through which moisture or oxygen from the outside penetrates into the active region 120 .

봉지층을 형성하는 과정에서 봉지층 하부의 구조물들이 손상될 수도 있다. 예를 들면, 제1 무기 봉지층(108)은 화학기상증착법을 이용하여 형성할 수 있으며, 화학기상증착법을 이용하여 제1 무기 봉지층(108)을 형성할 시에 제1 무기 봉지층(108)이 형성되는 그 바로 아래의 층이 손상될 수 있다. 따라서 제1 무기 봉지층(108)을 캡핑층(219) 상에 직접 형성하게 되면, 유기발광소자(217)에서 발생된 광의 효율을 향상시킬 수 있는 캡핑층(219)이 손상되어 디스플레이 패널(100)의 광효율이 저하될 수 있다. 따라서, 봉지층을 형성하는 과정에서 캡핑층(219)의 손상을 방지하기 위해, 캡핑층(219)과 봉지층 사이에 보호층이 개재되도록 할 수 있다. 보호층은 LiF를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.In the process of forming the encapsulation layer, structures under the encapsulation layer may be damaged. For example, the first inorganic encapsulation layer 108 may be formed using a chemical vapor deposition method, and when the first inorganic encapsulation layer 108 is formed using the chemical vapor deposition method, the first inorganic encapsulation layer 108 ) may be damaged in the layer immediately below it being formed. Therefore, when the first inorganic encapsulation layer 108 is directly formed on the capping layer 219 , the capping layer 219 capable of improving the efficiency of the light generated from the organic light emitting device 217 is damaged, and thus the display panel 100 . ) may decrease the light efficiency. Accordingly, in order to prevent damage to the capping layer 219 in the process of forming the encapsulation layer, a protective layer may be interposed between the capping layer 219 and the encapsulation layer. The protective layer may include, but is not limited to, LiF.

전술한 것과 같이 캡핑층(219)은 액티브 영역(120) 및 액티브 영역(120) 외측의 인액티브 영역에까지 연장될 수 있다. 적어도 액티브 영역(120) 내에서 캡핑층(219)이 손상되는 것을 방지하기 위해, 보호층도 액티브 영역(120)및 액티브 영역(120) 외측의 인액티브 영역에까지 연장될 수 있다. 이때, 액티브 영역(120) 외측의 인액티브 영역에서는 캡핑층(219)이 일부 손상된다 하더라도, 인액티브 영역에는 디스플레이소자가 배치되지 않으므로, 사용자가 인식하는 이미지의 품질 저하는 발생하지 않을 수 있다.As described above, the capping layer 219 may extend to the active region 120 and the inactive region outside the active region 120 . In order to prevent the capping layer 219 from being damaged at least in the active region 120 , the passivation layer may also extend to the active region 120 and the inactive region outside the active region 120 . In this case, even if the capping layer 219 is partially damaged in the inactive area outside the active area 120 , since the display device is not disposed in the inactive area, the quality of the image recognized by the user may not deteriorate.

도 2b의 기판(101)의 인액티브 영역을 절단한 II - II'에는 액티브 영역(120)에 배치된 박막트랜지스터(210)의 게이트와 연결되는 게이트 구동유닛이 배치될 수 있다. 게이트 구동유닛이 배치된 바깥 영역에 제1 댐(510), 제2 댐(520), 제3 댐(530)이 배치될 수 있다. 제1 댐(510), 제2 댐(520), 제3 댐(530)은 서로 높이가 다를 수 있다. 예를 들면, 제1 댐(510)과 제3 댐(530)은 동일한 높이로 형성하고, 제2 댐(520)의 높이를 제1 댐(510)과 제3 댐(530)보다 높게 배치하여 유기 봉지층(109)이 범람하지 않도록 할 수 있다. 제1 댐(510), 제2 댐(520), 및 제3 댐(530)은 댐 구조물 또는 댐일 수 있다. 봉지층에 포함되는 제1 무기 봉지층(108)과 제2 무기 봉지층(110)은 도 2b에 도시된 바와 같이, 제1 댐(510), 제2 댐(520), 제3 댐(530)을 덮어 제3 댐(530)의 외측까지 연장되고, 유기 봉지층(109)은 제1 댐(510)의 내측벽에 닿을 수 있다. A gate driving unit connected to the gate of the thin film transistor 210 disposed in the active region 120 may be disposed in II - II′ of the inactive region of the substrate 101 of FIG. 2B . A first dam 510 , a second dam 520 , and a third dam 530 may be disposed in an outer region where the gate driving unit is disposed. The first dam 510 , the second dam 520 , and the third dam 530 may have different heights. For example, the first dam 510 and the third dam 530 are formed at the same height, and the height of the second dam 520 is disposed higher than that of the first dam 510 and the third dam 530 . It is possible to prevent the organic encapsulation layer 109 from overflowing. The first dam 510 , the second dam 520 , and the third dam 530 may be a dam structure or a dam. As shown in FIG. 2B , the first inorganic encapsulation layer 108 and the second inorganic encapsulation layer 110 included in the encapsulation layer are a first dam 510 , a second dam 520 , and a third dam 530 . ) to extend to the outside of the third dam 530 , and the organic encapsulation layer 109 may contact the inner wall of the first dam 510 .

제1 댐(510)의 측벽 하부에 제1 오목부(511)가 배치될 수 있다. 예를 들면, 오목부는 댐의 측벽 하부에 언더컷 형태로 댐을 파고들어간 형태일 수 있다. 제1 오목부(511)에 의해 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)의 하부에 침투된 단면을 볼 수 있다. 제1 오목부(511)는 제1 댐(510)의 액티브 영역(120)쪽 내측벽 하부에 배치될 수 있다. 제1 오목부(511)는 제1 댐(510)에서 액티브 영역(120)쪽 4측면 모두에 형성될 수 있다. 제1 오목부(511)는 미세한 구멍으로 제1 댐(510) 하부 측벽에 액티브 영역(120)을 향하도록 배치된다. 제1 오목부(511)는 라인 형상일 수 있다. 예를 들면, 제1 오목부(511)를 디스플레이 패널(100)의 평면적 관점에서 본다면 제1 댐(510)과 중첩되고 액티브 영역(120)을 사면에서 둘러싸도록 배치될 수 있다. A first concave portion 511 may be disposed under a sidewall of the first dam 510 . For example, the concave portion may be in the form of digging into the dam in the form of an undercut under the sidewall of the dam. A cross-section of the organic encapsulation layer 109 penetrating into the lower portion of the first dam 510 by the first concave portion 511 can be seen. The first concave portion 511 may be disposed under the inner wall of the first dam 510 toward the active region 120 . The first concave portion 511 may be formed on all four sides of the first dam 510 toward the active region 120 . The first concave portion 511 is a fine hole and is disposed on the lower sidewall of the first dam 510 to face the active region 120 . The first concave portion 511 may have a line shape. For example, when the first concave portion 511 is viewed from a plan view of the display panel 100 , the first concave portion 511 may overlap the first dam 510 and may be disposed to surround the active region 120 on all sides.

제1 댐(510)의 하부 측벽에 배치된 미세한 홈, 예를 들면, 제1 오목부(511)는 유기 봉지층(109)과 같은 유체에 대해 모세관 현상을 발생시킬 수 있다. 유기 봉지층(109)의 물성은 초기에 유연하고 흘러내리는 성질을 가지고 있으며, 건조 및 경화를 통해 원하는 형태로 경화될 수 있다. 디스플레이 패널(100)의 제작 공정 중에 유기 봉지층(109)을 형성하는 방법은 스크린 프린팅(screen printing)이나 슬릿 코팅(slit coating), 바 코팅(bar coating)등을 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 코팅 방법들은 디스플레이 패널(100)의 정해진 영역에 정해진 두께로 도포될 수 있도록 할 수 있다. 예를 들면, 스크린 프린팅은 유기물을 코팅될 대상물의 특정위치에 일정량을 뿌리고 원하는 형상의 스크린을 대상물에 눌러 유기물의 형태를 형성하는 방식이다. 바 코팅은 스크린 프린팅과 유사하게 유기물을 코팅될 대상물의 특정위치에 일정량을 뿌리고 바(bar) 형태의 기구를 움직여 유기물을 밀어준다. 바 형태의 기구에 의해 일정한 두께의 유기물이 대상물 위에 남게 된다. 슬릿 코팅은 유기물을 뿌릴 노즐(Nozzle)을 코팅될 대상물의 상부에 일정거리 이격하여 두고, 노즐을 대상물의 제1 방향으로 서서히 움직이면서 유기물을 조금씩 뿌려줄 수 있다. 예를 들면, 유기물들은 노즐의 슬릿(slit)을 통해 배출되며, 노즐의 이동속도와 유기물의 유속을 제어하여 원하는 만큼의 유기물을 대상물에 도포할 수 있다. 도포된 유기 봉지층(109)은 열경화, 또는 광경화와 열경화를 함께 진행하여 완전히 경화될 수 있다. The minute grooves disposed on the lower sidewall of the first dam 510 , for example, the first concave portions 511 , may generate capillary action with respect to a fluid such as the organic encapsulation layer 109 . The physical properties of the organic encapsulation layer 109 are initially flexible and flowable, and may be cured in a desired shape through drying and curing. A method of forming the organic encapsulation layer 109 during the manufacturing process of the display panel 100 may use screen printing, slit coating, bar coating, etc., but is limited thereto. no. The coating methods may be applied to a predetermined area of the display panel 100 with a predetermined thickness. For example, screen printing is a method of forming the form of an organic material by spraying a certain amount of an organic material on a specific position of an object to be coated and pressing a screen of a desired shape on the object. Bar coating, similar to screen printing, sprays a certain amount of organic material on a specific location of the object to be coated and moves a bar-shaped device to push the organic material. An organic material of a certain thickness is left on the object by the bar-shaped mechanism. In the slit coating, a nozzle to be sprayed with an organic material is spaced apart from the top of the object to be coated by a predetermined distance, and the organic material may be sprayed little by little while gradually moving the nozzle in the first direction of the object. For example, organic matter is discharged through a slit of the nozzle, and a desired amount of organic matter can be applied to the object by controlling the moving speed of the nozzle and the flow rate of the organic matter. The applied organic encapsulation layer 109 may be completely cured by thermal curing or by performing photocuring and thermal curing together.

그러나, 코팅 방법으로도, 앞서 설명한, 유기물의 물성을 쉽게 제어하기는 어렵다. 디스플레이 패널(100)의 정해진 영역에만 유기 봉지층(109)이 도포되어야 하지만, 국부적으로 정해진 영역을 넘어서 유기 봉지층이(109) 넘치는 현상이 발생할 수 있다. 유기 봉지층(109)이 넘치는 현상은 제1 무기 봉지층(108)과 제2 무기 봉지층(110)의 배치에 영향을 미칠 수 있다. 예를 들면, 유기 봉지층(109)이 형성된 후에 배치되는 제2 무기 봉지층(110)은 유기 봉지층(109)이 넘침으로 인해 제2 무기 봉지층(110)의 성막 품질에 영향을 받을 수 있다. 예를 들면, 특정 영역에서 유기 봉지층(109)이 불균일한 두께를 가지거나, 유기 봉지층(109)이 국부적으로 제1 댐(510)을 넘쳐 흐를 수 있다. 이후 증착공정을 통해 배치되는 제2 무기 봉지층(110)이 유기 봉지층(109)으로 인해 고르게 배치되지 못하고, 크랙이 발생할 수 있다. 제2 무기 봉지층(110)의 크랙은, 외부로부터 수분이나 공기가 액티브 영역(120)으로 침투하는 경로가 될 수 있다. 이를 방지하기 위해 제1 댐(510)의 측벽 하부에 제1 오목부(511)를 형성하여 유기 봉지층(109)이 제1 오목부(511)의 빈 공간을 먼저 채우고, 제1 댐(510)의 측벽을 따라 채워질 수 있다. 유기 봉지층(109)이 미세하게 넘치는 경우에 제1 오목부(511)를 이용하여 넘침을 방지할 수 있다. 예를 들면, 제1 댐(510)을 유기 봉지층(109)이 미량 넘칠 수 있는 경우에, 본 출원의 실시예와 같이 제1 댐(510)의 측벽 하부에 제1 오목부(511)를 배치하여 경화되기 전인 유기 봉지층(109)의 일부가 제1 오목부(511)에 먼저 채워지게 할 수 있다. 제1 오목부(511)의 공간만큼 제1 댐(510)을 넘칠 수 있는 유기 봉지층(109)을 분산시킬 수 있다. However, even with the coating method, it is difficult to easily control the physical properties of the organic material as described above. Although the organic encapsulation layer 109 should be applied only to a predetermined area of the display panel 100 , a phenomenon in which the organic encapsulation layer 109 overflows beyond the locally determined area may occur. The overflow of the organic encapsulation layer 109 may affect the disposition of the first inorganic encapsulation layer 108 and the second inorganic encapsulation layer 110 . For example, the second inorganic encapsulation layer 110 disposed after the organic encapsulation layer 109 is formed may be affected by the film formation quality of the second inorganic encapsulation layer 110 due to overflow of the organic encapsulation layer 109 . have. For example, the organic encapsulation layer 109 may have a non-uniform thickness in a specific region, or the organic encapsulation layer 109 may locally overflow the first dam 510 . Thereafter, the second inorganic encapsulation layer 110 disposed through the deposition process may not be evenly disposed due to the organic encapsulation layer 109 , and cracks may occur. The crack of the second inorganic encapsulation layer 110 may be a path through which moisture or air from the outside penetrates into the active region 120 . In order to prevent this, the first concave portion 511 is formed under the sidewall of the first dam 510 so that the organic encapsulation layer 109 first fills the empty space of the first concave portion 511 , and the first dam 510 . ) can be filled along the sidewalls of When the organic encapsulation layer 109 is slightly overflowed, overflow may be prevented by using the first concave portion 511 . For example, when the organic encapsulation layer 109 may overflow the first dam 510 in a small amount, the first concave portion 511 is formed under the sidewall of the first dam 510 as in the embodiment of the present application. A portion of the organic encapsulation layer 109 before being disposed and cured may be filled in the first concave portion 511 first. The organic encapsulation layer 109 capable of overflowing the first dam 510 may be dispersed as much as the space of the first concave portion 511 .

도 3a 내지 도 3C는 도 2의 구조를 형성하기 위한 공정을 도시한 도면이다. 설명의 편의를 위해 기판(101)은 생략하고 버퍼층(102)을 기준으로 공정단계를 도시하였다. 3A to 3C are diagrams illustrating a process for forming the structure of FIG. 2 . For convenience of description, the substrate 101 is omitted and the process steps are illustrated based on the buffer layer 102 .

도 3a를 참조하면, 기판(101)위에 버퍼층(102)이 형성될 수 있다. 액티브 영역(120)에서 게이트 전극(213)이나 소스 전극(214), 및 드레인 전극(215)을 형성할 때, 인액티브 영역인 제1 댐(510)이 형성될 위치에도 앞서 기재한 게이트 전극(213), 소스 및 드레인 전극(214, 215) 중 하나의 메탈을 선택하여 배치할 수 있다. 제1 댐(510)의 인근에 배치되는 메탈을 제1 더미메탈(410)이라고 할 수 있다. Referring to FIG. 3A , a buffer layer 102 may be formed on a substrate 101 . When the gate electrode 213 , the source electrode 214 , and the drain electrode 215 are formed in the active region 120 , the gate electrode ( 213) and one of the source and drain electrodes 214 and 215 may be selected and disposed. A metal disposed near the first dam 510 may be referred to as a first dummy metal 410 .

도 3a는 제1 더미 메탈(410)을 제거하기 전의 단면구조를 도시한 것이다. 제1 더미메탈(410)은 제1 댐(510)의 인근에 배치되고, 제1 더미메탈(410)의 일부가 제1 댐(510)에 중첩될 수 있다. 예를 들면, 제1 더미메탈(410)을 액티브 영역(120)에 가까운 곳에 제1 댐(510)의 일측면과 중첩되도록 배치할 수 있다. 게이트 전극(213)은 두께가 약 2400Å일 수 있고, 소스 및 드레인 전극(214, 215)은 두께가 약 7400~ 8000Å 내외 일 수 있다. 게이트 전극(213)과 소스 및 드레인 전극(214, 215)의 두께는, 이에 한정되지 않는다. 제1 댐(510)과 중첩되는 메탈에 따라, 예를 들면, 제1 더미메탈(410)의 종류에 따라, 액티브 영역(120)에 가까운 제1 댐(510)의 일측면의 높이가 상승할 수 있다. 상승된 제1 댐(510)의 일측면 높이는 유기 봉지층(109)이 넘치는 현상을 방지할 수 있다. 제1 댐(510)의 폭은 약 40 ㎛ 일 수 있는데, 제1 더미메탈(410)과 중첩되는 영역은 약 5 ㎛ 정도의 폭일 수 있다. 제1 댐(510)과 제1 더미 메탈(410)이 중첩되는 영역은 제1 댐(510)의 일측면 아래 공간을 얼마나 형성할지에 따라 달라질 수 있다. 공정 순서상 액티브 영역(120)의 게이트 전극(213), 소스 및 드레인 전극(214, 215)과 인액티브 영역의 제1 더미메탈(410)이 먼저 배치되고, 평탄화층(105)과 뱅크(106)가 배치될 수 있다. 액티브 영역(120)의 뱅크(106)를 형성할 때 인액티브 영역에 적어도 하나 이상의 패턴을 남길 수 있는데, 이 패턴이 제1 댐(510), 제2 댐(520), 및 제3 댐(530)이 될 수 있다. 3A illustrates a cross-sectional structure before the first dummy metal 410 is removed. The first dummy metal 410 may be disposed near the first dam 510 , and a portion of the first dummy metal 410 may overlap the first dam 510 . For example, the first dummy metal 410 may be disposed close to the active region 120 to overlap one side of the first dam 510 . The gate electrode 213 may have a thickness of about 2400 Å, and the source and drain electrodes 214 and 215 may have a thickness of about 7400 to 8000 Å. The thickness of the gate electrode 213 and the source and drain electrodes 214 and 215 is not limited thereto. Depending on the metal overlapping the first dam 510 , for example, depending on the type of the first dummy metal 410 , the height of one side of the first dam 510 close to the active region 120 may increase. can The raised height of one side of the first dam 510 may prevent the organic encapsulation layer 109 from overflowing. The width of the first dam 510 may be about 40 μm, and the area overlapping the first dummy metal 410 may have a width of about 5 μm. A region where the first dam 510 and the first dummy metal 410 overlap may vary depending on how much space is formed under one side of the first dam 510 . In a process sequence, the gate electrode 213 , the source and drain electrodes 214 and 215 of the active region 120 , and the first dummy metal 410 of the inactive region are disposed first, followed by the planarization layer 105 and the bank 106 . ) can be placed. When the bank 106 of the active region 120 is formed, at least one pattern may be left in the inactive region, and the pattern may include the first dam 510 , the second dam 520 , and the third dam 530 . ) can be

도 3b는 제1 더미메탈(410)이 제거되어 제1 오목부(511)가 배치된 단면을 도시한 것이다. 도 3c는 제1 오목부(511)가 배치된 곳에 제1 무기 봉지층(108)과 유기 봉지층(109), 및 제2 무기 봉지층(110)이 인액티브 영역의 최외곽까지 배치된 것을 도시한 것이다. 3B illustrates a cross-section in which the first dummy metal 410 is removed and the first concave portion 511 is disposed. FIG. 3C shows that the first inorganic encapsulation layer 108, the organic encapsulation layer 109, and the second inorganic encapsulation layer 110 are arranged to the outermost part of the inactive region where the first concave portion 511 is arranged. it will be shown

도 3a에서는 이해를 돕기 위해 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 구조가 완성된 것을 도시하였지만, 실제로는 도 3a에서 뱅크(106)는 디스플레이 패널(100)의 전면에 형성된 상태일 수 있다. 도 3b에서 뱅크(106)를 제1 댐(510)과 제2 댐(520)으로 형성하는 에칭(etching)할 때 제1 더미메탈(410)을 동시에 제거하여 제1 오목부(511)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 오목부는 댐의 측벽 하부에 언더컷 형태로 댐을 파고들어간 형태일 수 있다. 또는, 제1 댐(510)과 제2 댐(520)을 먼저 형성하고 별도의 에칭공정을 통해 제1 댐(510)의 측하부에 있는 제1 더미메탈(410)을 제거하여 제1 오목부(511)를 형성할 수 도 있다. Although FIG. 3A shows that the structures of the first dam 510 and the second dam 520 are completed for better understanding, in reality, the bank 106 in FIG. 3A is in a state formed on the front surface of the display panel 100 . can In FIG. 3B , when the bank 106 is etched to form the first dam 510 and the second dam 520 , the first dummy metal 410 is simultaneously removed to form the first concave portion 511 . can do. For example, the concave portion may be in the form of digging into the dam in the form of an undercut under the sidewall of the dam. Alternatively, the first dam 510 and the second dam 520 are formed first, and the first dummy metal 410 on the lower side of the first dam 510 is removed through a separate etching process to remove the first concave portion. (511) may also be formed.

이후 도 3c를 참조하면, 제1 무기 봉지층(108), 유기 봉지층(109), 및 제2 무기 봉지층(110)이 순서대로 배치될 수 있다. 제1 무기 봉지층(108)은 제1 오목부(511)의 테이퍼(Taper) 형상으로 인해, 제1 오목부(511)에서 단절 될 수 있다. 예를 들면, 제1 오목부(511)의 내부에는 제1 무기 봉지층(108)이 없는 영역이 있고, 제1 댐(510)의 측벽 시작점에서 다시 제1 무기 봉지층(108)이 배치될 수 있다. 유기 봉지층(109)을 도포할 때, 제1 오목부(511)의 빈 공간이 모세관 현상과 표면 장력을 유발하여 유기 봉지층(109)이 제1 오목부(511)의 구석까지 잘 채워질 수 있다. 제1 오목부(511)에 의해 노출된 제1 댐(510)은 유기 봉지층(109)과 유사한 유기성 물질로 구성되어 상호 친화성이 좋을 수 있다. 유기 봉지층(109)이 국부적으로 두텁게 남아 제1 댐(510)을 넘치는 현상이 발생할 수 있으나, 제1 댐(510)의 측벽에 있는 제1 오목부(511)를 따라 유기 봉지층(109)이 측면으로 퍼질 수 있다. 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)의 측면으로 퍼짐으로 인해, 국부적으로 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)을 넘치는 현상을 방지할 수 있다. Thereafter, referring to FIG. 3C , the first inorganic encapsulation layer 108 , the organic encapsulation layer 109 , and the second inorganic encapsulation layer 110 may be sequentially disposed. The first inorganic encapsulation layer 108 may be cut off from the first concave portion 511 due to the tapered shape of the first concave portion 511 . For example, there is a region without the first inorganic encapsulation layer 108 inside the first concave portion 511 , and the first inorganic encapsulation layer 108 is again disposed at the starting point of the sidewall of the first dam 510 . can When the organic encapsulation layer 109 is applied, the empty space of the first concave portion 511 causes capillary action and surface tension, so that the organic encapsulation layer 109 can be well filled up to the corner of the first concave portion 511 . have. The first dam 510 exposed by the first concave portion 511 may be made of an organic material similar to that of the organic encapsulation layer 109 , so that mutual affinity may be good. Although the organic encapsulation layer 109 remains locally thick and overflows the first dam 510 , the organic encapsulation layer 109 along the first concave portion 511 on the sidewall of the first dam 510 . It can spread to this side. As the organic encapsulation layer 109 spreads to the side surface of the first dam 510 , it is possible to prevent the organic encapsulation layer 109 from locally overflowing the first dam 510 .

도 4는 다른 실시예에 따른 도 1의 II - II' 단면도를 도시한 것이다. 도4는 도 2와 달리 제1 댐(510)의 양측면 하부에 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)가 배치되어 있다. 제1 댐(510)은 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)을 넘치지 못하게 할 수 있으나, 유기 봉지층(109)의 도포 공정 중에 제1 댐(510)을 넘치는 경우가 발생할 수 있다. 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)을 넘는 1차 넘침 후, 유기 봉지층(109)이 더 퍼지는 것을 예방하기 위해 제2 댐(520)과 제3 댐(530)를 배치할 수 있다. 그러나, 1차 넘침 후에도 유기 봉지층(109)의 도포가 불균일하면, 제2 댐(520)을 넘는 2차 넘침이 발생할 수도 있다. 2차 넘침을 방지하기 위해, 도 2b의 제1 댐(510)의 일측벽 하부에 제1 오목부(511)를 배치하rh, 제1 댐(510)의 다른 측벽 하부에 제2 오목부(512)를 배치하는 것을 고안하였다. 제2 오목부(512)의 배치는 도2b와 도 3a내지 도3c에서 설명한 바와 같이, 유체의 모세관 현상과 표면 장력을 이용하기 위한 것이다. 디스플레이 패널(100)의 상면에 도포되는 유기 봉지층(109)은 점도는 높지만 유체의 성질을 띄게 된다. 따라서, 디스플레이 패널(100)의 정해진 영역에만 유기 봉지층(109)이 도포되어야 하지만, 국부적으로 정해진 영역을 넘어서 유기 봉지층(109)이 넘치는 현상이 발생할 수 있다. 유기 봉지층(109)은 제1 댐(510)을 넘치더라도 흘러내려 제1 댐(510)의 주변으로 퍼질 수 있다. 제1 댐(510)의 상면에는 유기 봉지층(109)이 없이 제1 무기 봉지층(108)과 제2 무기 봉지층(110)이 접하는 구조일 수 있다.FIG. 4 is a cross-sectional view taken along II - II′ of FIG. 1 according to another embodiment. Unlike FIG. 2 , in FIG. 4 , the first concave portion 511 and the second concave portion 512 are disposed under both side surfaces of the first dam 510 . The first dam 510 may prevent the organic encapsulation layer 109 from overflowing the first dam 510 , but the first dam 510 may overflow during the application process of the organic encapsulation layer 109 . . After the first overflow of the organic encapsulation layer 109 beyond the first dam 510 , the second dam 520 and the third dam 530 may be disposed to prevent the organic encapsulation layer 109 from further spreading. have. However, if the application of the organic encapsulation layer 109 is non-uniform even after the first overflow, secondary overflow exceeding the second dam 520 may occur. In order to prevent secondary overflow, a first recess 511 is disposed under one side wall of the first dam 510 in FIG. 2B , and a second recess 511 is disposed under the other side wall of the first dam 510 . 512) was devised. The arrangement of the second concave portion 512 is to utilize the capillary action and surface tension of the fluid, as described with reference to FIGS. 2B and 3A to 3C. The organic encapsulation layer 109 applied to the upper surface of the display panel 100 has a high viscosity but has fluid properties. Accordingly, although the organic encapsulation layer 109 should be applied only to a predetermined area of the display panel 100 , a phenomenon in which the organic encapsulation layer 109 overflows beyond the locally determined area may occur. Even if the organic encapsulation layer 109 overflows the first dam 510 , it may flow down and spread around the first dam 510 . The upper surface of the first dam 510 may have a structure in which the first inorganic encapsulation layer 108 and the second inorganic encapsulation layer 110 contact each other without the organic encapsulation layer 109 .

유기 봉지층(109)이 넘치는 현상은 제1 무기 봉지층(108)과 제2 무기 봉지층(110)의 배치에 영향을 줄 수 있다. 디스플레이 패널(100)에 도포되는 유기 봉지층(109)의 총량은 일정한데, 특정영역에서 국부적으로 넘친다면, 액티브 영역(120)내의 유기 봉지층(109)이 충분한 두께를 가지지 못하는 영역이 발생할 수 있다. 또한, 유기 봉지층(109)이 형성 후에 배치되는 제2 무기 봉지층(110)은 유기 봉지층(109)이 넘침으로 인한 두께 불균일로 제2 무기 봉지층(110)의 성막 품질에 영향을 받을 수 있다. 특정 영역에서 유기 봉지층(109)이 불균일한 두께를 가지거나, 유기 봉지층(109)이 국부적으로 제1 댐(510)과 제2 댐(520)을 넘쳐 흐를 수 있다. 이후, 증착공정을 통해 배치되는 제2 무기 봉지층(110)이 고르게 배치되지 못하고, 크랙이 발생할 수 있다. 제2 무기 봉지층(110)의 크랙은, 외부로부터 수분이나 공기가 액티브 영역(120)으로 침투하는 경로가 될 수 있다. The overflow of the organic encapsulation layer 109 may affect the disposition of the first inorganic encapsulation layer 108 and the second inorganic encapsulation layer 110 . The total amount of the organic encapsulation layer 109 applied to the display panel 100 is constant, but if it overflows locally in a specific area, an area in which the organic encapsulation layer 109 in the active area 120 does not have a sufficient thickness may occur. have. In addition, the second inorganic encapsulation layer 110 disposed after the organic encapsulation layer 109 is formed may be affected by the film formation quality of the second inorganic encapsulation layer 110 due to non-uniform thickness due to overflow of the organic encapsulation layer 109 . can In a specific region, the organic encapsulation layer 109 may have a non-uniform thickness, or the organic encapsulation layer 109 may locally overflow the first dam 510 and the second dam 520 . Thereafter, the second inorganic encapsulation layer 110 disposed through the deposition process may not be evenly disposed, and cracks may occur. The crack of the second inorganic encapsulation layer 110 may be a path through which moisture or air from the outside penetrates into the active region 120 .

도 5a 내지 도 5c는 도 4의 구조를 형성하기 위한 공정을 도시한 도면이다. 5A to 5C are diagrams illustrating a process for forming the structure of FIG. 4 .

도 5a를 참조하면, 기판(101)위에 버퍼층(102)이 형성될 수 있다. 액티브 영역(120)에서 게이트 전극(213)이나 소스 전극(214), 및 드레인 전극(215)을 형성할 때, 인액티브 영역인 제1 댐(510)이 형성될 위치에도 앞서 기재한 게이트 전극(213), 소스 및 드레인 전극(214, 215)중 하나의 메탈을 선택하여 배치할 수 있다. 제1 댐(510)의 인근에 배치되는 메탈을 제1 더미메탈(410)과 제2 더미메탈(420)이라고 할 수 있다. Referring to FIG. 5A , the buffer layer 102 may be formed on the substrate 101 . When the gate electrode 213 , the source electrode 214 , and the drain electrode 215 are formed in the active region 120 , the gate electrode ( 213) and one of the source and drain electrodes 214 and 215 may be selected and disposed. Metals disposed near the first dam 510 may be referred to as a first dummy metal 410 and a second dummy metal 420 .

도 5a는 제1 더미메탈(410)과 제2 더미메탈(420)을 제거하기 전의 단면구조를 도시한 것이다. 제1 더미메탈(410)과 제2 더미메탈(420)은 제1 댐(510)의 인근에 배치되고, 제1 더미메탈(410) 과 제2 더미메탈(420)의 일부가 제1 댐(510)에 중첩될 수 있다. 예를 들면, 제1 더미메탈(410)을 액티브 영역(120)에 가까운 곳에 제1 댐(510)의 일측면과 중첩되도록 배치하고, 제2 더미메탈을 디스플레이 패널(100)의 절단면과 가까운 곳에 제1 댐(510)의 다른 측면과 중첩되도록 배치할 수 있다. 게이트 전극(213)은 두께가 약 2400Å일 수 있고, 소스 및 드레인 전극(214, 215)은 두께가 약 7400~ 8000Å 내외 일 수 있다. 게이트 전극(213)과 소스 및 드레인 전극(214, 215)의 두께는 이에 한정되지 않는다. 제1 댐(510)과 중첩되는 메탈에 따라, 예를 들면, 제1 더미메탈(410) 또는 제2 더미메탈(420)의 종류에 따라, 제1 댐(510)의 측면의 높이가 상승 할 수 있다. 상승된 제1 댐(510)의 측면 높이는 유기 봉지층(109)이 넘치는 현상을 방지할 수 있다. 제1 댐(510)의 폭은 약 40 ㎛ 일 수 있는데, 제1 더미메탈(410)과 제2 더미메탈(420)에 중첩되는 영역은 약 5 ㎛ 정도의 폭일 수 있다. 제1 댐(510)과 제1 더미메탈(410) 및 제2 더미메탈(420)이 중첩되는 영역은 제1 댐(510)의 측면 아래 공동 공간을 얼마나 형성할지에 따라 달라질 수 있다. 공정 순서상 액티브 영역(120)의 게이트 전극(213), 소스 및 드레인 전극(214, 215)과 인액티브 영역의 제1 더미메탈(410) 및 제2 더미메탈(420)이 먼저 배치되고, 평탄화층(105)과 뱅크(106)가 배치될 수 있다. 제1 더미메탈(410)과 제2 더미메탈(420)은 같은 물질로 형성될 수 있고, 각각 다른 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 더미메탈(410)과 제2 더미메탈(420)을 게이트 전극(213)으로 형성하거나, 소스 및 드레인 전극(214, 215)으로 형성할 수 있다. 또한, 제1 더미메탈(410)은 게이트 전극(213)과 동일한 물질로 형성하고 제2 더미메탈(420)은 소스 및 드레인 전극(214, 215)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 액티브 영역(120)의 뱅크(106)를 형성할 때 인액티브 영역에 적어도 하나 이상의 패턴을 남길 수 있으며, 이 패턴이 제1 댐(510), 제2 댐(520), 및 제3 댐(530)이 될 수 있다. FIG. 5A illustrates a cross-sectional structure before the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 are removed. The first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 are disposed in the vicinity of the first dam 510, and a portion of the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 is formed in the first dam ( 510) may be overlapped. For example, the first dummy metal 410 is disposed close to the active region 120 to overlap one side of the first dam 510 , and the second dummy metal is disposed close to the cut surface of the display panel 100 . The first dam 510 may be disposed to overlap with the other side surface. The gate electrode 213 may have a thickness of about 2400 Å, and the source and drain electrodes 214 and 215 may have a thickness of about 7400 to 8000 Å. The thickness of the gate electrode 213 and the source and drain electrodes 214 and 215 is not limited thereto. Depending on the metal overlapping the first dam 510 , for example, depending on the type of the first dummy metal 410 or the second dummy metal 420 , the height of the side surface of the first dam 510 may rise. can The raised side height of the first dam 510 may prevent the organic encapsulation layer 109 from overflowing. The width of the first dam 510 may be about 40 μm, and a region overlapping the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 may have a width of about 5 μm. An overlapping region of the first dam 510 with the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 may vary depending on how much the cavity space is formed under the side surface of the first dam 510 . In a process sequence, the gate electrode 213 and the source and drain electrodes 214 and 215 of the active region 120 and the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 of the inactive region are first disposed, and planarization is performed. A layer 105 and a bank 106 may be disposed. The first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 may be formed of the same material or may be formed of different materials. For example, the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 may be formed as the gate electrode 213 or as the source and drain electrodes 214 and 215 . Also, the first dummy metal 410 may be formed of the same material as the gate electrode 213 , and the second dummy metal 420 may be formed of the same material as the source and drain electrodes 214 and 215 . When the bank 106 of the active region 120 is formed, at least one pattern may be left in the inactive region, and the pattern may be formed by the first dam 510 , the second dam 520 , and the third dam 530 . ) can be

도 5b는 제1 더미메탈(410)과 제2 더미메탈(420)이 제거되고 제1 오목부(511) 및 제2 오목부(512)가 배치된 단면을 도시한 것이다. 도 5c는 제1 오목부(511)과 제2 오목부(512)가 배치된 곳에 제1 무기 봉지층(108)과 유기 봉지층(109), 및 제2 무기 봉지층(110)이 인액티브 영역의 최외곽까지 배치된 것을 도시한 것이다. FIG. 5B illustrates a cross-section in which the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 are removed and the first concave portion 511 and the second concave portion 512 are disposed. FIG. 5C shows that the first inorganic encapsulation layer 108, the organic encapsulation layer 109, and the second inorganic encapsulation layer 110 are inactive where the first concave portion 511 and the second concave portion 512 are disposed. It is shown that it is arranged to the outermost part of the area.

도 5a에서는 이해를 돕기 위해 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 구조가 완성된 것을 도시하였지만, 실제로 도 5a에서 뱅크(106)는 디스플레이 패널(100)의 전면에 형성된 상태일 수 있다. 도 5b에서 뱅크(106)를 제1 댐(510)과 제2 댐(520)으로 형성하는 에칭(etching)할 때 제1 더미메탈(410)과 제2 더미메탈(420)을 동시에 제거하여 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)를 형성 할 수 있다. 또는, 제1 댐(510)과 제2 댐(520)을 먼저 형성하고 별도의 에칭공정을 통해 제1 댐(510)의 측면 하부에 있는 제1 더미메탈(410)과 제2 더미 메탈(420)을 제거하여 제1 오목부(511) 및 제2 오목부(512)를 형성 할 수 도 있다. 예를 들면, 오목부는 댐의 측벽 하부에 언더컷 형태로 댐을 파고들어간 형태일 수 있다. Although FIG. 5A shows that the structures of the first dam 510 and the second dam 520 are completed to help understanding, in fact, the bank 106 in FIG. 5A may be in a state formed on the front surface of the display panel 100 . have. In FIG. 5B , when the bank 106 is etched to form the first dam 510 and the second dam 520 , the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 are simultaneously removed to form a first dummy metal 420 . A first concave portion 511 and a second concave portion 512 may be formed. Alternatively, the first dam 510 and the second dam 520 are first formed, and the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 located on the lower side of the side of the first dam 510 through a separate etching process. ) may be removed to form the first concave portion 511 and the second concave portion 512 . For example, the concave portion may be in the form of digging into the dam in the form of an undercut under the sidewall of the dam.

이후 도 5c에서 제1 무기 봉지층(108), 유기 봉지층(109), 및 제2 무기 봉지층(110)이 순서대로 배치될 수 있다. 제1 무기 봉지층(108)은 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)의 테이퍼(Taper) 형상 때문에, 각 오목부들에서 단절 될 수 있다. 예를 들면, 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)의 내부에는 제1 무기 봉지층(108)이 없는 영역이 있고, 제1 댐(510)의 측벽 시작점에서 다시 제1 무기 봉지층(108)이 배치될 수 있다. 유기 봉지층(109)을 도포할 때, 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)의 빈 공간이 모세관 현상과 표면 장력을 유발하여 유기 봉지층(109)이 각 오목부들의 구석까지 잘 채워질 수 있다. 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)에 의해 노출된 제1 댐(510)은 유기 봉지층(109)과 유사한 유기성 물질로 구성되어 상호 친화성이 좋을 수 있다. 유기 봉지층(109)이 국부적으로 두텁게 남아 제1 댐(510)을 넘치는 현상이 발생할 수 있으나, 제1 댐(510)의 양측벽에 있는 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)를 따라 유기 봉지층(109)이 측면으로 퍼질 수 있다. 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)의 양측면으로 퍼짐으로 인해, 국부적으로 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)을 넘치더라도 그 정도를 현저히 낮출 수 있다. 예를 들면, 특정 영역에서 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)을 넘어 제2 댐(520)을 넘을 정도의 넘침이 발생할 수 있다. 이때, 제1 댐(510)에 배치된 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)가 유체상태의 유기 봉지층(109)을 모세관 현상 및 표면장력으로 끌어당길 수 있다. 제1 댐(510)을 넘쳤던 유기 봉지층(109)이 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)를 따라 제1 댐(510)의 측면으로 퍼져나감으로 제2 댐(520)을 넘치지 않을 수 있다.Thereafter, in FIG. 5C , the first inorganic encapsulation layer 108 , the organic encapsulation layer 109 , and the second inorganic encapsulation layer 110 may be sequentially disposed. Since the first inorganic encapsulation layer 108 has a tapered shape of the first concave portion 511 and the second concave portion 512 , the first inorganic encapsulation layer 108 may be cut off from each of the concave portions. For example, there is a region without the first inorganic encapsulation layer 108 inside the first concave portion 511 and the second concave portion 512 , and the first weapon again at the starting point of the sidewall of the first dam 510 . An encapsulation layer 108 may be disposed. When the organic encapsulation layer 109 is applied, the empty spaces of the first concave portion 511 and the second concave portion 512 cause capillary action and surface tension, so that the organic encapsulation layer 109 is formed at the corners of the concave portions. can be well filled. The first dam 510 exposed by the first concave portion 511 and the second concave portion 512 may be made of an organic material similar to the organic encapsulation layer 109 , so that mutual affinity may be good. Although the organic encapsulation layer 109 remains locally thick and overflows the first dam 510 , the first concave portion 511 and the second concave portion 512 on both sides of the first dam 510 . ), the organic encapsulation layer 109 may spread laterally. Since the organic encapsulation layer 109 spreads to both sides of the first dam 510 , even if the organic encapsulation layer 109 locally overflows the first dam 510 , the extent thereof can be significantly reduced. For example, in a specific region, overflow to the extent that the organic encapsulation layer 109 exceeds the first dam 510 and exceeds the second dam 520 may occur. In this case, the first concave portion 511 and the second concave portion 512 disposed in the first dam 510 may attract the organic encapsulation layer 109 in a fluid state by capillary action and surface tension. The organic encapsulation layer 109, which overflowed the first dam 510, spreads along the first concave portion 511 and the second concave portion 512 to the side of the first dam 510, so that the second dam 520 ) may not overflow.

도 6은 도 4의 평면구조를 도시한 도면이다. 도 6은 설명의 편의를 위해 제1 댐(510)과 제2 댐(520) 및 유기 봉지층(109)만 도시하였다. 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)의 특정 위치에서 넘쳐 흘러 제2 댐(520)을 향해 돌출된 것을 알 수 있다. 예를 들면, 제1 댐(510)의 양 측벽 하부에 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)가 점선 형태로 배치된 것을 알 수 있다. 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)가 유기 봉지층(109)이 넘치는 현상을 줄일 수 있다. 예를 들면, 제2 오목부(512)의 경우 제1 댐(510)을 넘어선 유기 봉지층(109)의 일부를 빨아들여 화살표 방향으로 퍼질 수 있다. 예를 들면, 범람한 유기 봉지층(109)의 일부가 제2 오목부(512)에 빨려 들어가면, 제2 댐(520)을 향해 돌출될 수 있었던 유기 봉지층(109)을 흡수 및 상쇄할 수 있다. 제1 댐(510)을 넘은 유기 봉지층(109)의 범람 정도가 약해지고 제2 댐(520)을 넘지 못할 수 있다.FIG. 6 is a view showing the planar structure of FIG. 4 . FIG. 6 illustrates only the first dam 510 , the second dam 520 , and the organic encapsulation layer 109 for convenience of explanation. It can be seen that the organic encapsulation layer 109 overflows at a specific location of the first dam 510 and protrudes toward the second dam 520 . For example, it can be seen that the first concave portion 511 and the second concave portion 512 are disposed under both sidewalls of the first dam 510 in a dotted line shape. The overflow of the organic encapsulation layer 109 in the first concave portion 511 and the second concave portion 512 may be reduced. For example, in the case of the second concave portion 512 , a portion of the organic encapsulation layer 109 that exceeds the first dam 510 may be sucked and spread in the direction of the arrow. For example, if a part of the overflowing organic encapsulation layer 109 is sucked into the second recess 512 , it can absorb and cancel the organic encapsulation layer 109 that may protrude toward the second dam 520 . have. The degree of overflow of the organic encapsulation layer 109 exceeding the first dam 510 may be reduced and may not exceed the second dam 520 .

도 7은 다른 실시예에 따른 도 1의 II - II' 단면도를 도시한 도면이다. 도7는 도 4와 달리 제2 댐(520)의 측면 하부에 제3 오목부(521)가 배치되어 있다. 제2 댐(510)은 제1 댐(510)과 동일하게 유기 봉지층(109)이 제2 댐(520)을 넘치지 못하게 할 수 있으나, 유기 봉지층(109)의 도포 공정 중에 제2 댐(520)을 넘치는 경우가 발생할 수 있다. 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)과 제2 댐(520)을 넘는 1차 및 2차 넘침 후, 유기 봉지층(109)이 더 퍼지는 것을 방지하기 위해 제3 댐(530)을 배치할 수 있다. 그러나, 1차 및 2차 넘침 후에도 유기 봉지층(109)의 도포가 불균일하면, 제3 댐(530)을 넘는 3차 넘침이 발생할 수 도 있다. 3차 넘침을 방지하기 위해, 도 4의 제1 댐(510)의 일측벽 하부에 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)를 배치하고, 제2 댐(520)의 일측벽 하부에 제3 오목부(521)를 배치하는 것을 고안하였다. 제3 오목부(521)의 배치는 앞서 도4와 도 5a내지 도5c에서 설명한 바와 같이, 유체의 모세관 현상과 표면 장력을 이용하기 위한 것이다. 디스플레이 패널(100)상면에 도포되는 유기 봉지층(109)은 점도는 높지만 유체의 성질을 띄게 된다. 따라서 디스플레이 패널(100)의 정해진 영역에만 유기 봉지층(109)이 도포되어야 하지만, 국부적으로 정해진 영역을 넘어서 유기 봉지층이(109) 넘치는 현상이 발생할 수 있다. 유기 봉지층(109)의 물질 특성상 제1 댐(510)을 넘치더라도 흘러내려 제1 댐(510)의 주변으로 퍼질 수 있다. 제1 댐(510)의 상면에는 유기 봉지층(109)이 없이 제1 무기 봉지층(108)과 제2 무기 봉지층(110)이 접하는 구조일 수 있다. 유기 봉지층(109)이 넘치는 현상은 제1 무기 봉지층(108)과 제2 무기 봉지층(110)의 배치에 영향을 줄 수 있다. 디스플레이 패널(100)에 도포되는 유기 봉지층(109)의 총량은 일정한데, 특정영역에서 국부적으로 넘친다면, 액티브 영역(120)내의 유기 봉지층(109)이 충분한 두께를 못 가지는 영역이 발생할 수 있다. 또한, 유기 봉지층(109)이 형성된 뒤에 배치되는, 제2 무기 봉지층(110)은 유기 봉지층(109)이 넘침으로 인하여 제2 무기 봉지층(110)의 두께 불균일로 성막 품질에 영향을 받을 수 있다. 특정 영역에서 유기 봉지층(109)이 불균일한 두께를 가지거나, 유기 봉지층(109)이 국부적으로 제1 댐(510)과 제2 댐(520)을 넘쳐 흐를 수 있다. 이후, 증착공정을 통해 배치되는 제2 무기 봉지층(110)이 고르게 배치되지 못하고, 크랙이 발생할 수 있다. 제2 무기 봉지층(110)의 크랙은, 외부로부터 수분이나 공기가 액티브 영역(120)으로 침투하는 경로가 될 수 있다. 7 is a view illustrating a cross-sectional view II - II' of FIG. 1 according to another embodiment. Unlike FIG. 4 , in FIG. 7 , the third concave portion 521 is disposed on the lower side of the second dam 520 . The second dam 510 may prevent the organic encapsulation layer 109 from overflowing the second dam 520 in the same way as the first dam 510, but during the application process of the organic encapsulation layer 109, the second dam ( 520) may be overflowed. After the first and second overflow of the organic encapsulation layer 109 beyond the first dam 510 and the second dam 520 , the third dam 530 is formed to prevent the organic encapsulation layer 109 from further spreading. can be placed However, if the application of the organic encapsulation layer 109 is non-uniform even after the first and second overflow, the third overflow beyond the third dam 530 may occur. In order to prevent the third overflow, the first concave portion 511 and the second concave portion 512 are disposed under one side wall of the first dam 510 in FIG. 4 , and one side wall of the second dam 520 . It was devised to arrange the third concave portion 521 in the lower portion. As described above with reference to FIGS. 4 and 5A to 5C , the arrangement of the third concave portion 521 is to utilize the capillary action and surface tension of the fluid. The organic encapsulation layer 109 applied to the upper surface of the display panel 100 has a high viscosity but has a fluid property. Therefore, although the organic encapsulation layer 109 should be applied only to a predetermined area of the display panel 100 , the organic encapsulation layer 109 may overflow beyond the locally determined area. Due to the material characteristics of the organic encapsulation layer 109 , even if it overflows the first dam 510 , it may flow down and spread around the first dam 510 . The upper surface of the first dam 510 may have a structure in which the first inorganic encapsulation layer 108 and the second inorganic encapsulation layer 110 contact each other without the organic encapsulation layer 109 . The overflow of the organic encapsulation layer 109 may affect the disposition of the first inorganic encapsulation layer 108 and the second inorganic encapsulation layer 110 . Although the total amount of the organic encapsulation layer 109 applied to the display panel 100 is constant, if it is locally overflowed in a specific area, an area in which the organic encapsulation layer 109 in the active area 120 does not have a sufficient thickness may occur. have. In addition, the second inorganic encapsulation layer 110, which is disposed after the organic encapsulation layer 109 is formed, affects the film formation quality due to the non-uniform thickness of the second inorganic encapsulation layer 110 due to overflow of the organic encapsulation layer 109 . can receive In a specific region, the organic encapsulation layer 109 may have a non-uniform thickness, or the organic encapsulation layer 109 may locally overflow the first dam 510 and the second dam 520 . Thereafter, the second inorganic encapsulation layer 110 disposed through the deposition process may not be evenly disposed, and cracks may occur. The crack of the second inorganic encapsulation layer 110 may be a path through which moisture or air from the outside penetrates into the active region 120 .

도 8a 내지 도 8c는 도 7의 구조를 형성하기 위한 공정을 도시한 도면이다. 액티브 영역(120)에서 게이트 전극(213)이나 소스 전극(214), 및 드레인 전극(215)을 형성할 때, 인액티브 영역인 제1 댐(510)과 제2 댐(520)이 형성될 위치에도 앞서 기재한 게이트 전극(213), 소스 및 드레인 전극(214, 215)중 하나의 메탈을 선택하여 배치할 수 있다. 제1 댐(510)의 인근에 배치되는 메탈을 제1 더미메탈(410)과 제2 더미메탈(420)이라고 부를 수 있다. 또한, 제2 댐(520)의 인근에 배치되는 메탈을 제3 더미메탈(430)이라고 할 수 있다. 8A to 8C are diagrams illustrating a process for forming the structure of FIG. 7 . When the gate electrode 213 , the source electrode 214 , and the drain electrode 215 are formed in the active region 120 , the first dam 510 and the second dam 520 , which are the inactive regions, are formed. Also, one of the gate electrode 213 and the source and drain electrodes 214 and 215 described above may be selected and disposed. Metals disposed near the first dam 510 may be referred to as a first dummy metal 410 and a second dummy metal 420 . Also, a metal disposed near the second dam 520 may be referred to as a third dummy metal 430 .

도 8a는 제1 더미메탈(410)과 제2 더미메탈(420), 및 제3 더미메탈(430)을 제거하기 전의 단면구조를 도시한 것이다. 제1 더미메탈(410) 과 제2 더미메탈(420)의 일부가 제1 댐(510)에 중첩될 수 있고 제3 더미메탈(430)의 일부가 제2 댐(520)에 중첩될 수 있다. 예를 들면, 제1 더미메탈(410)을 액티브 영역(120)에 가까운 곳에 제1 댐(510)의 일측면과 중첩되도록 배치하고, 제2 더미메탈을 디스플레이 패널(100)의 절단면과 가까운 곳에 제1 댐(510)의 다른 측면과 중첩되도록 배치할 수 있다. 또한, 제3 더미메탈(430)을 제2 더미메탈(420)에 인접한 제2 댐(520)의 일 측면에 중첩되도록 배치할 수 있다. 게이트 전극(213)의 두께는 약 2400Å일 수 있고, 소스 및 드레인 전극(214, 215)의 두께는 약 7400~ 8000Å 내외 일 수 있다. 게이트 전극(213)과 소스 및 드레인 전극(214, 215)의 두께에 한정되지 않는다. 제1 댐(510)과 제2 댐(520)에 중첩되는 메탈에 따라, 예를 들면, 제1 더미 메탈(410) 또는 제2 더미 메탈(420), 및 제3 더미메탈(430)의 종류에 따라, 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 측면의 높이가 상승 할 수 있다. 상승된 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 측면 높이는 유기 봉지층(109)이 넘치는 현상을 방지할 수 있다. 제1 댐(510)의 폭은 약 40 ㎛, 제2 댐(520)의 폭은 약 50㎛ 일 수 있는데, 제1 더미메탈(410), 제2 더미메탈(420), 및 제3 더미메탈(430)에 중첩되는 영역은 약 5 ㎛ 정도의 폭일 수 있다. 제1 댐(510)과 제2 댐(520)이 제1 더미메탈(410), 제2 더미메탈(420), 및 제3 더미메탈(430)과 중첩되는 영역은 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 측면 아래 공동 공간을 얼마나 형성할지에 따라 달라질 수 있다. 공정 순서상 액티브 영역(120)의 게이트 전극(213), 소스 및 드레인 전극(214, 215)과 인액티브 영역의 제1 더미메탈(410) 및 제2 더미메탈(420)이 먼저 배치되고, 평탄화층(105)과 뱅크(106)가 배치될 수 있다. 제1 더미메탈(410), 제2 더미메탈(420), 및 제3 더미메탈(430)은 같은 물질로 형성될 수 있고, 각각 다른 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 더미메탈(410), 제2 더미메탈(420), 및 제3 더미메탈(430)을 모두 게이트 전극(213)으로 형성하거나, 또는 소스 및 드레인 전극(214, 215)으로 형성할 수 있다. 또한, 제1 더미메탈(410)은 게이트 전극(213)과 동일한 물질로 형성하고 제2 더미메탈(420)과 제3 더미메탈(430)은 소스 및 드레인 전극(214, 215)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 이는 액티브 영역(120)을 기준으로 중심부에서 외곽을 갈수록 두꺼운 메탈을 사용하여 댐의 측벽 높이를 상승시켜 유기 봉지층(109)의 범람을 더 억제할 수 있다. 또한 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 측벽 하부의 오목부의 크기를 증가시켜, 유기 봉지층(109)를 보다 많이 수용하면서 측면으로 잘 퍼지게 하는 효과를 가질 수 있다. FIG. 8A illustrates a cross-sectional structure before removing the first dummy metal 410 , the second dummy metal 420 , and the third dummy metal 430 . A portion of the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 may overlap the first dam 510 , and a portion of the third dummy metal 430 may overlap the second dam 520 . . For example, the first dummy metal 410 is disposed close to the active region 120 to overlap one side of the first dam 510 , and the second dummy metal is disposed close to the cut surface of the display panel 100 . The first dam 510 may be disposed to overlap with the other side surface. Also, the third dummy metal 430 may be disposed to overlap one side of the second dam 520 adjacent to the second dummy metal 420 . The thickness of the gate electrode 213 may be about 2400 Å, and the thickness of the source and drain electrodes 214 and 215 may be about 7400 to about 8000 Å. The thickness of the gate electrode 213 and the source and drain electrodes 214 and 215 is not limited. Depending on the metal overlapping the first dam 510 and the second dam 520 , for example, the type of the first dummy metal 410 or the second dummy metal 420 , and the third dummy metal 430 . Accordingly, the height of the side surfaces of the first dam 510 and the second dam 520 may increase. The raised side heights of the first dam 510 and the second dam 520 may prevent the organic encapsulation layer 109 from overflowing. The width of the first dam 510 may be about 40 μm and the width of the second dam 520 may be about 50 μm. The first dummy metal 410 , the second dummy metal 420 , and the third dummy metal The region overlapping 430 may have a width of about 5 μm. A region where the first dam 510 and the second dam 520 overlap the first dummy metal 410 , the second dummy metal 420 , and the third dummy metal 430 is the first dam 510 and It may vary depending on how much the cavity space is formed under the side of the second dam 520 . In a process sequence, the gate electrode 213 and the source and drain electrodes 214 and 215 of the active region 120 and the first dummy metal 410 and the second dummy metal 420 of the inactive region are first disposed, and planarization is performed. A layer 105 and a bank 106 may be disposed. The first dummy metal 410 , the second dummy metal 420 , and the third dummy metal 430 may be formed of the same material or may be formed of different materials. For example, the first dummy metal 410 , the second dummy metal 420 , and the third dummy metal 430 are all formed as the gate electrode 213 or as the source and drain electrodes 214 and 215 . can be formed In addition, the first dummy metal 410 is formed of the same material as the gate electrode 213 , and the second dummy metal 420 and the third dummy metal 430 are formed of the same material as the source and drain electrodes 214 and 215 . can be formed This may further suppress overflow of the organic encapsulation layer 109 by increasing the height of the sidewall of the dam by using a thicker metal from the center to the outside with respect to the active region 120 . In addition, by increasing the size of the concave portion under the sidewalls of the first dam 510 and the second dam 520 , the organic encapsulation layer 109 may be accommodated more and spread well laterally.

도 8b는 제1 더미메탈(410), 제2 더미메탈(420), 및 제3 더미메탈(430)이 제거되고 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)가 배치된 단면을 도시한 것이다. 도 8c는 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)가 배치된 곳에 제1 무기 봉지층(108)과 유기 봉지층(109), 및 제2 무기 봉지층(110)이 인액티브 영역의 최외곽까지 배치된 것을 도시한 것이다. 도 8a에서는 이해를 돕기 위해 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 구조가 완성된 것을 도시하였지만, 실제로 도 8a에서 뱅크(106)는 디스플레이 패널(100)의 전면에 형성된 상태일 수 있다. 도 5b에서 뱅크(106)를 제1 댐(510)과 제2 댐(520)으로 형성하는 에칭(etching)할 때 제1 더미메탈(410), 제2 더미메탈(420), 및 제3 더미메탈(430)을 동시에 제거하여 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)을 형성할 수 있다. 또는, 제1 댐(510)과 제2 댐(520)을 먼저 형성하고 별도의 에칭 공정을 통해 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 측면 하부에 있는 제1 더미메탈(410), 제2 더미메탈(420), 및 제3 더미메탈(430)을 제거하여 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 오목부는 댐의 측벽 하부에 언더컷 형태로 댐을 파고들어간 형태일 수 있다. 8B shows the first dummy metal 410 , the second dummy metal 420 , and the third dummy metal 430 are removed and the first concave portion 511 , the second concave portion 512 , and the third concave portion are removed. It shows a cross-section in which the part 521 is disposed. 8C shows the first inorganic encapsulation layer 108 and the organic encapsulation layer 109, and the second concave portion 511, the second concave portion 512, and the third concave portion 521 are disposed. It shows that the inorganic encapsulation layer 110 is disposed up to the outermost part of the inactive area. Although FIG. 8A shows that the structures of the first dam 510 and the second dam 520 are completed to help understanding, in fact, the bank 106 in FIG. 8A may be in a state formed on the front surface of the display panel 100 . have. In FIG. 5B , the first dummy metal 410 , the second dummy metal 420 , and the third dummy when the bank 106 is etched to form the first dam 510 and the second dam 520 . The metal 430 may be simultaneously removed to form the first concave portion 511 , the second concave portion 512 , and the third concave portion 521 . Alternatively, the first dam 510 and the second dam 520 are first formed, and the first dummy metal 410 on the lower side of the side of the first dam 510 and the second dam 520 through a separate etching process. , the second dummy metal 420 , and the third dummy metal 430 may be removed to form the first concave portion 511 , the second concave portion 512 , and the third concave portion 521 . For example, the concave portion may be in the form of digging into the dam in the form of an undercut in the lower portion of the side wall of the dam.

이후 도 8c에서 제1 무기 봉지층(108), 유기 봉지층(109), 및 제2 무기 봉지층(110)이 순서대로 배치될 수 있다. 제1 무기 봉지층(108)은 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)의 테이퍼(Taper) 형상으로 인하여 각 오목부들에서 단절될 수 있다. 예를 들면, 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)의 내부에는 제1 무기 봉지층(108)이 없는 영역이 있고, 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 측벽 시작점에서 다시 제1 무기 봉지층(108)이 배치될 수 있다. 유기 봉지층(109)을 도포할 때, 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 제3 오목부(521)의 빈 공간이 모세관 현상과 표면 장력을 유발하여 유기 봉지층(109)이 각 오목부들의 구석까지 잘 채워질 수 있다. 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)에 의해 노출된 제1 댐(510)과 제2 댐(520)은 유기 봉지층(109)과 유사한 유기성 물질로 구성되어 상호 친화성이 좋을 수 있다. 유기 봉지층(109)이 국부적으로 두텁게 남아 제1 댐(510)과 제2 댐(520)을 넘치는 현상이 발생할 수 있다 그러나, 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 양측벽에 있는 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)를 따라 유기 봉지층(109)이 측면으로 퍼질 수 있다. 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 측면으로 퍼짐으로 인해, 국부적으로 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)을 넘치더라도 그 정도를 현저히 낮출 수 있다. 예를 들면, 특정 영역에서 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)을 넘어 제2 댐(520)을 넘을 정도의 넘침이 발생할 수 있다. 이때, 제1 댐(510)과 제2 댐(520)에 배치된 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)가 유체상태의 유기 봉지층(109)을 모세관 현상 및 표면장력으로 끌어당길 수 있다. 제1 댐(510)을 넘쳤던 유기 봉지층(109)이 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)를 따라 제1 댐(510)과 제2 댐(520)의 측면으로 퍼져나감으로 제2 댐(520)을 넘치지 않을 수 있다. Thereafter, in FIG. 8C , the first inorganic encapsulation layer 108 , the organic encapsulation layer 109 , and the second inorganic encapsulation layer 110 may be sequentially disposed. The first inorganic encapsulation layer 108 may be cut off at each of the concave portions due to the tapered shape of the first concave portion 511 , the second concave portion 512 , and the third concave portion 521 . For example, there is a region without the first inorganic encapsulation layer 108 in the first concave portion 511 , the second concave portion 512 , and the third concave portion 521 , and the first dam 510 . ) and the first inorganic encapsulation layer 108 may be disposed again at the starting point of the sidewall of the second dam 520 . When the organic encapsulation layer 109 is applied, the empty spaces of the first concave portion 511 , the second concave portion 512 , and the third concave portion 521 induce capillary action and surface tension to cause the organic encapsulation layer ( 109) can be well filled up to the corners of each recess. The first dam 510 and the second dam 520 exposed by the first recess 511 , the second recess 512 , and the third recess 521 are similar to the organic encapsulation layer 109 . It is composed of an organic material and may have good mutual affinity. The organic encapsulation layer 109 remains locally thick and overflows the first dam 510 and the second dam 520 . However, on both sides of the first dam 510 and the second dam 520 , The organic encapsulation layer 109 may spread laterally along the first concave portion 511 , the second concave portion 512 , and the third concave portion 521 . Since the organic encapsulation layer 109 spreads to the side surfaces of the first dam 510 and the second dam 520 , even if the organic encapsulation layer 109 locally overflows the first dam 510 , the extent thereof is significantly reduced. can For example, in a specific region, overflow to the extent that the organic encapsulation layer 109 exceeds the first dam 510 and exceeds the second dam 520 may occur. At this time, the first concave portion 511 , the second concave portion 512 , and the third concave portion 521 disposed in the first dam 510 and the second dam 520 are formed in a fluid organic encapsulation layer ( 109) can be attracted by capillary action and surface tension. The organic encapsulation layer 109 overflowing the first dam 510 is formed along the first concave portion 511 , the second concave portion 512 , and the third concave portion 521 to form the first dam 510 and the third concave portion 521 . Since it spreads out to the side of the second dam 520 , it may not overflow the second dam 520 .

도 9는 도 7의 평면구조를 도시한 도면이다. 도 9은 설명의 편의를 위해 제1 댐(510)과 제2 댐(520) 및 유기 봉지층(109)만 도시하였다. 유기 봉지층(109)이 제1 댐(510)과 특정 위치에서 넘쳐 흘러 제2 댐(520)의 일 측벽에 닿아있는 것을 알 수 있다. 이때 제1 댐(510)의 양 측벽 하부에 제1 오목부(511)와 제2 오목부(512)가 점선 형태로 배치되어 있고 제2 댐(520)의 일 측벽 하부에 제3 오목부(521)가 점선 형태로 배치되어 있는 것을 알 수 있다. 제1 오목부(511), 제2 오목부(512), 및 제3 오목부(521)가 유기 봉지층(109)이 넘치는 현상을 줄이는데 도움이 될 수 있다. 예를 들면, 제2 오목부(512)의 경우 제1 댐(510)을 넘어선 유기 봉지층(109)의 일부를 빨아들여 화살표 방향으로 퍼질 수 있다. 또한, 제3 오목부(521)의 경우 제2 댐(520)에 근접한 유기 봉지층(109)의 일부를 빨아들여 화살표 방향으로 퍼질 수 있다. 예를 들면, 범람한 유기 봉지층(109)의 일부가 제2 오목부(512)와 제3 오목부(521)에 빨려 들어가면, 제2 댐(520)을 넘어 범람할 수 있었던 유기 봉지층(109)을 흡수 및 상쇄할 수 있다. 제1 댐(510)을 넘은 유기 봉지층(109)의 범람 정도가 약해지고 제2 댐(520)을 넘지 못할 수 있다.FIG. 9 is a view showing the planar structure of FIG. 7 . 9 illustrates only the first dam 510, the second dam 520, and the organic encapsulation layer 109 for convenience of explanation. It can be seen that the organic encapsulation layer 109 overflows from the first dam 510 and at a specific location and comes into contact with one sidewall of the second dam 520 . At this time, the first concave portion 511 and the second concave portion 512 are disposed in the form of a dotted line under both sidewalls of the first dam 510, and the third concave portion ( 521) is arranged in the form of a dotted line. The first concave portion 511 , the second concave portion 512 , and the third concave portion 521 may help reduce overflow of the organic encapsulation layer 109 . For example, in the case of the second concave portion 512 , a portion of the organic encapsulation layer 109 that exceeds the first dam 510 may be sucked and spread in the direction of the arrow. Also, in the case of the third concave portion 521 , a portion of the organic encapsulation layer 109 adjacent to the second dam 520 may be sucked and spread in the direction of the arrow. For example, if a part of the overflowing organic encapsulation layer 109 is sucked into the second concave portion 512 and the third concave portion 521 , the organic encapsulation layer that could overflow beyond the second dam 520 ( 109) can be absorbed and offset. The degree of overflow of the organic encapsulation layer 109 exceeding the first dam 510 may be reduced and may not exceed the second dam 520 .

본 출원에 따른 디스플레이 장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.The display device according to the present application may be described as follows.

본 출원에 따른 디스플레이 장치는 표시 영역과 주변 영역을 포함하는 디스플레이 패널, 디스플레이 패널의 표시 영역에 배치되는 유기발광소자, 디스플레이 패널의 주변 영역에 배치되는 제1 댐 구조물, 유기발광소자와 제1 댐 구조물의 적어도 일부를 덮는 봉지층, 봉지층은 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 및 제2 무기 봉지층을 포함하고, 제1 댐 구조물 제1 측면에 배치된 제1 오목부를 포함한다.The display device according to the present application includes a display panel including a display area and a peripheral area, an organic light emitting device disposed in a display area of the display panel, a first dam structure disposed in a peripheral area of the display panel, an organic light emitting device and a first dam An encapsulation layer covering at least a portion of the structure, the encapsulation layer includes a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer, and includes a first recess disposed on a first side surface of the first dam structure.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 오목부는 제1 댐 구조물의 제1 측면 하부에 배치되고, 언더컷 형태를 가질 수 있다. According to some examples of the present application, the first concave portion may be disposed under the first side surface of the first dam structure and may have an undercut shape.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 오목부는 제1 댐 구조물의 제1 측면을 따라 표시 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다.According to some examples of the present application, the first concave portion may be disposed to surround the display area along the first side surface of the first dam structure.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 댐 구조물은 제2 측면에 배치된 제2 오목부를 더 포함할 수 있다.According to some examples of the present application, the first dam structure may further include a second concave portion disposed on the second side surface.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제2 오목부는 제1 댐 구조물의 제2 측면을 따라 표시 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다. According to some examples of the present application, the second concave portion may be disposed to surround the display area along the second side surface of the first dam structure.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 주변 영역에 배치되는 제2 댐 구조물을 더 포함하고, 제2 댐 구조물은 제3 오목부를 더 포함할 수 있다.According to some examples of the present application, a second dam structure disposed in the peripheral area may be further included, and the second dam structure may further include a third concave portion.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 유기 봉지층은 제1 오목부 또는 제2 오목부의 적어도 일부를 채울 수 있다.According to some examples of the present application, the organic encapsulation layer may fill at least a portion of the first concave portion or the second concave portion.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 유기 봉지층은 제3 오목부의 적어도 일부를 채우고, 제2 댐 구조물 위에서는 제1 무기 봉지층과 제2 무기 봉지층이 접촉하도록 배치될 수 있다. According to some examples of the present application, the organic encapsulation layer may fill at least a portion of the third concave portion, and the first inorganic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer may be in contact on the second dam structure.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 댐 구조물을 기준으로 제1 측면은 표시 영역을 마주보고 있고 제2 측면은 상기 비표시 영역의 최외곽을 향할 수 있다.According to some examples of the present application, with respect to the first dam structure, the first side may face the display area and the second side may face the outermost side of the non-display area.

본 출원에 따른 디스플레이 장치는, 액티브 영역과 인액티브 영역을 포함하는 디스플레이 패널, 인액티브 영역에 배치되고 액티브 영역을 둘러싸는 제1 댐, 액티브 영역을 완전히 덮고, 인액티브 영역의 적어도 일부를 덮는 봉지층, 봉지층은 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 제2 무기 봉지층을 포함하고, 제1 댐은 액티브 영역을 마주보는 측면에 제1 오목부를 포함한다.A display device according to the present application includes a display panel including an active area and an inactive area, a first dam disposed in the inactive area and surrounding the active area, and an encapsulant that completely covers the active area and covers at least a part of the inactive area The layer and the encapsulation layer include a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer, and the first dam includes a first concave portion on a side surface facing the active region.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 오목부는 제1 댐의 측면 하부에 배치되고, 제1 오목부는 제1 댐을 따라 액티브 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다.According to some examples of the present application, the first concave portion may be disposed under a side surface of the first dam, and the first concave portion may be disposed to surround the active area along the first dam.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1댐은 제1 오목부와 대칭되도록 배치되는 제2 오목부를 더 포함할 수 있다. According to some examples of the present application, the first dam may further include a second concave portion disposed to be symmetrical with the first concave portion.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 오목부와 제2 오목부 중 적어도 하나에 유기 봉지층이 채워질 수 있다.According to some examples of the present application, an organic encapsulation layer may be filled in at least one of the first concave portion and the second concave portion.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 댐 상부에는 유기 봉지층 없이 제1 무기 봉지층과 제2 무기 봉지층이 접촉할 수 있다.According to some examples of the present application, the first inorganic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer may contact the upper portion of the first dam without the organic encapsulation layer.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 인액티브 영역은 상기 제1 댐의 외곽에 제2 댐을 더 포함할 수 있다. According to some examples of the present application, the inactive area may further include a second dam outside the first dam.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제2 댐은 제3 오목부를 더 포함하고, 제3 오목부의 적어도 일부분에 상기 유기 봉지층이 채워질 수 있다. According to some examples of the present application, the second dam may further include a third concave portion, and the organic encapsulation layer may be filled in at least a portion of the third concave portion.

본 출원의 몇몇 예에 따르면, 제1 댐의 상부에는 유기 봉지층 없이 제1 무기 봉지층과 제2 무기 봉지층이 접촉할 수 있다.According to some examples of the present application, the first inorganic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer may contact the upper portion of the first dam without the organic encapsulation layer.

상술한 본 출원의 예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 본 출원의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above-described examples of the present application are included in at least one example of the present application, and are not necessarily limited to only one example. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in at least one example of the present application may be combined or modified with respect to other examples by those of ordinary skill in the art to which the present application belongs. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present application.

이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present application described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which this application belongs that various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope not departing from the technical matters of the present application. It will be clear to those who have the knowledge of Therefore, the scope of the present application is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present application.

100 : 디스플레이 패널
120 : 액티브 영역 310 : 패드
510 : 제1 댐 520 : 제2 댐
511 : 제1 오목부
512 : 제2 오목부 521 : 제3 오목부100: display panel
120: active area 310: pad
510: first dam 520: second dam
511: first concave portion
512: second concave portion 521: third concave portion

Claims (18)

표시 영역과 주변 영역을 포함하는 디스플레이 패널;
상기 디스플레이 패널의 표시 영역에 배치되는 유기발광소자;
상기 디스플레이 패널의 주변 영역에 배치되는 제1 구조물;
상기 유기발광소자와 상기 제1 구조물의 적어도 일부를 덮는 봉지층; 및
상기 봉지층은 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 및 제2 무기 봉지층을 포함하고,
상기 제1 구조물은 제1 측면에 배치된 제1 오목부를 포함하는, 디스플레이 장치.
a display panel including a display area and a peripheral area;
an organic light emitting device disposed in a display area of the display panel;
a first structure disposed in a peripheral area of the display panel;
an encapsulation layer covering at least a portion of the organic light emitting device and the first structure; and
The encapsulation layer includes a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer,
wherein the first structure includes a first recess disposed on a first side surface.
 제 1항에 있어서,
상기 제1 오목부는 상기 제1 구조물의 제1 측면의 하부에 배치되고, 언더컷 형태를 가진, 디스플레이 장치.
The method of claim 1,
The first concave portion is disposed under the first side surface of the first structure and has an undercut shape.
 제 1항에 있어서,
상기 제1 오목부는 상기 제1 구조물의 제1 측면을 따라 표시 영역을 둘러싸도록 배치되는, 디스플레이 장치.
The method of claim 1,
The display device of claim 1, wherein the first concave portion is disposed to surround a display area along a first side surface of the first structure.
 제 1항에 있어서,
상기 제1 구조물은 제2 측면에 배치된 제2 오목부를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
The method of claim 1,
The first structure further includes a second concave portion disposed on a second side surface.
 제 4항에 있어서,
상기 제2 오목부는 상기 제1 구조물의 제2 측면을 따라 표시 영역을 둘러싸도록 배치되는, 디스플레이 장치.
5. The method of claim 4,
The second concave portion is disposed to surround a display area along a second side surface of the first structure.
 제 1항에 있어서,
상기 주변 영역에 배치되는 제2 구조물을 더 포함하고,
상기 제2 구조물은 제3 오목부를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
The method of claim 1,
Further comprising a second structure disposed in the peripheral region,
The second structure further includes a third concave portion.
 제 4항에 있어서,
상기 유기 봉지층은 상기 제1 오목부 또는 상기 제2 오목부의 적어도 일부를 채우는, 디스플레이 장치.
5. The method of claim 4,
The organic encapsulation layer fills at least a portion of the first concave portion or the second concave portion.
 제 6항에 있어서,
상기 유기 봉지층은 상기 제3 오목부의 적어도 일부를 채우고,
상기 제2 구조물 상에서 상기 제1 무기 봉지층과 상기 제2 무기 봉지층이 접촉하도록 배치되는, 디스플레이 장치.
7. The method of claim 6,
the organic encapsulation layer fills at least a portion of the third concave portion;
The display device is disposed on the second structure to contact the first inorganic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer.
 제 4항에 있어서,
상기 제1 구조물을 기준으로 상기 제1 측면은 상기 표시 영역을 마주보고 있고 상기 제2 측면은 상기 주변 영역의 최외곽을 향하는, 디스플레이 장치.
5. The method of claim 4,
With respect to the first structure, the first side faces the display area and the second side faces the outermost side of the peripheral area.
 액티브 영역과 인액티브 영역을 포함하는 디스플레이 패널;
상기 인액티브 영역에 배치되고 상기 액티브 영역을 둘러싸는 제1 댐;
상기 액티브 영역 및 상기 인액티브 영역의 적어도 일부를 덮는 봉지층; 및
상기 봉지층은 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 제2 무기 봉지층을 포함하고;
상기 제1 댐은 상기 액티브 영역을 마주보는 측면에 제1 오목부를 포함하는, 디스플레이 장치.
a display panel including an active area and an inactive area;
a first dam disposed in the inactive area and surrounding the active area;
an encapsulation layer covering at least a portion of the active region and the inactive region; and
the encapsulation layer includes a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer;
The first dam includes a first concave portion on a side facing the active area.
 제 10항에 있어서,
상기 제1 오목부는 상기 제1 댐의 측면 하부에 배치되고, 상기 제1 오목부는 상기 제1 댐을 따라 상기 액티브 영역을 둘러싸도록 배치된, 디스플레이 장치.
11. The method of claim 10,
The display device of claim 1, wherein the first concave portion is disposed under a side surface of the first dam, and the first concave portion is disposed to surround the active area along the first dam.
 제 10항에 있어서,
상기 제1댐은 상기 제1 오목부와 대칭되도록 배치되는 제2 오목부를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
11. The method of claim 10,
The first dam further includes a second concave portion disposed to be symmetrical with the first concave portion.
 제 12항에 있어서,
상기 제1 오목부와 상기 제2 오목부 중 적어도 하나에 상기 유기 봉지층이 채워진, 디스플레이 장치.
13. The method of claim 12,
The organic encapsulation layer is filled in at least one of the first concave portion and the second concave portion.
 제 13항에 있어서,
상기 제1 댐 상부에는 상기 유기 봉지층 없이 상기 제1 무기 봉지층과 상기 제2 무기 봉지층이 접촉하는, 디스플레이 장치.
14. The method of claim 13,
The display device, wherein the first inorganic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer are in contact with the upper portion of the first dam without the organic encapsulation layer.
 제 10항에 있어서,
상기 인액티브 영역은 상기 제1 댐의 외곽에 제2 댐을 더 포함하는, 디스플레이 장치
11. The method of claim 10,
The inactive area further includes a second dam outside the first dam.
 제 15항에 있어서,
상기 제2 댐은 제3 오목부를 더 포함하고, 상기 제3 오목부의 적어도 일부분에 상기 유기 봉지층이 채워진, 디스플레이 장치.
16. The method of claim 15,
The second dam further includes a third concave portion, and the organic encapsulation layer is filled in at least a portion of the third concave portion.
 제 16항에 있어서,
상기 제1 댐의 상부에는 상기 유기 봉지층 없이 상기 제1 무기 봉지층과 상기 제2 무기 봉지층이 접촉하는, 디스플레이 장치.
17. The method of claim 16,
The display device, wherein the first inorganic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer are in contact with an upper portion of the first dam without the organic encapsulation layer.
 제 10항에 있어서,
상기 봉지층은 상기 액티브 영역의 전체를 덮는, 디스플레이 장치.11. The method of claim 10,
The encapsulation layer covers the entire active area.
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