KR20210075377A - 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용해 기판 상에 박막, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지플레이트(210) 및 상기 기판지지플레이트(210)를 지지하는 지지샤프트(220)를 포함하는 기판지지대(200)와; 상기 기판지지대(200)에 대향하여 배치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(300)를 포함하는 기판처리장치로서, 상기 기판지지샤프트(220)에 결합되어 상기 기판지지대(200)를 지지하며, 상기 기판지지플레이트(220) 내부에 구비되는 접지전극(600)과 전기적으로 연결되며 상기 기판지지샤프트(220)를 따라 연장되는 전극로드(610)가 관통되는 지지플랜지(230)를 포함하며, 상기 지지플랜지(230)는, 상기 전극로드(610)가 관통되는 제1관통구(231)가 형성되는 몸체부(232)와, 상기 몸체부(232)의 외측면에 구비되는 제1절연층(234)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치 {Substrate support unit and substrate processing apparatus having the same}
본 발명은 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용해 기판 상에 박막, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자의 제조에 있어서 플라즈마를 이용한 공정이 적용되고 있으며, 이러한 플라즈마를 이용한 공정은 공정 기체를 활성화함으로써 낮은 공정 온도에서도 빠른 속도로 증착 또는 에칭 등의 공정을 수행할 수 있다.
이러한 플라즈마 환경을 조성하기 위해서, 기판이 지지되는 기판지지대에 접지전극이 구비되고, 이에 대향하는 가스분사부에 RF전원이 인가되는 상부전극이 구비되며, 이로써 기판지지대와 가스분사부 사이에 플라즈마가 형성되고 이를 활용하여 기판에 박막을 형성할 수 있다.
또한 이 경우, 적절한 온도 환경을 조성하기 위하여, 기판지지대 내부에 히터가 추가로 설치될 수 있으며, 이를 통해 기판이 처리되는 공정챔버 및 기판의 온도를 제어할 수 있다.
한편, 기판지지대 내부의 접지전극을 접지상태로 유지하기 위해서는, 외부접지와 접지전극이 물리적, 전기적으로 연결될 필요가 있고, 이를 위하여 기판지지대 내부에 접지전극과 외부접지를 연결하는 전극로드(RF로드)가 설치된다.
유사하게, 기판지지대 내부의 히터와 외부의 RF히터전원을 전기적으로 연결하기 위한 히터로드가 기판지지대 내부에 설치된다.
이때, 상기 전극로드와 히터로드는 기판지지대 하부에 결합되어 기판지지대를 지지하며 전극로드 및 히터로드를 보호하기 위한 지지플랜지를 관통해 외부접지 또는 RF히터전원에 전기적으로 연결될 수 있다.
그런데, 상기 지지플랜지는 기판지지대에 대한 지지기능, 전극로드 및 히터로드 보호기능, 및 냉각기능(내부에 쿨링패스 형성)을 위하여 금속재질로 이루어짐이 일반적이다.
그런데, 종래 기판처리장치의 경우, 지지플랜지의 표면에 누설전류가 발생되고 그로 인해 접지특성이 약화될 수 있고 지지플랜지의 표면에 이온성 물질이 흡착되어 파티클이 형성되는 문제점이 있다.
또한, 지지플랜지의 내부가 완전히 절연되지 않아 접지로드의 접지경로(Ground path)가 약하되어 접지로드의 접지기능이 약화되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판지지대 하부에 설치되는 지지플랜지의 표면에 파티클이 적층되는 것을 방지하고 지지플랜지를 관통하는 접지로드의 접지특성 저하를 방지할 수 있는 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는데 있다.
본 발명은, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지플레이트(210) 및 상기 기판지지플레이트(210)를 지지하는 기판지지샤프트(220)를 포함하는 기판지지대(200)와; 상기 기판지지대(200)에 대향하여 배치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(300)를 포함하는 기판처리장치의 기판지지대(200)로서, 상기 기판지지샤프트(220)에 결합되어 상기 기판지지대(200)를 지지하며, 상기 기판지지플레이트(210) 내부에 구비되는 접지전극(600)과 전기적으로 연결되며 상기 기판지지샤프트(220)를 따라 연장되는 전극로드(610)가 관통되는 지지플랜지(230)를 포함하며, 상기 지지플랜지(230)는, 상기 전극로드(610)가 관통되는 제1관통구(231)가 형성되는 몸체부(232)와, 상기 몸체부(232)의 외측면에 구비되는 제1절연층(234)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대(200)를 개시한다.
상기 몸체부(232)는, 금속재질로 이루어지며, 상기 제1절연층(234)은, 상기 몸체부(232)의 외측면에 형성되는 산화피막일 수 있다.
상기 지지플랜지(230)는, 상기 제1관통구(231) 내주면에 구비되는 제2절연층(236)을 추가로 포함할 수 있다.
상기 몸체부(232)는, 금속재질로 이루어지며, 상기 제2절연층(236)은, 상기 제1관통구(231) 내주면에 형성되는 산화피막일 수 있다.
상기 몸체부(232)는, 알루미늄재질로 이루어지며, 상기 제1절연층(234) 및 상기 제2절연층(236)은, 플라즈마전해산화(Plasma Electrolytic Oxidation)에 의해 형성될 수 있다.
상기 몸체부(232)에는, 상기 기판지지대(200) 내부에 구비되는 히터부(700)와 전기적으로 연결되며 상기 기판지지샤프트(220)를 따라 연장되는 한 쌍의 히터파워로드(710)가 관통되는 한 쌍의 제2관통구(233)가 형성될 수 있다.
상기 지지플랜지(230)는, 상기 한 쌍의 제2관통구(233) 내주면에 각각 구비되는 제3절연층(238)을 추가로 포함할 수 있다.
상기 몸체부(232)는, 금속재질로 이루어지며, 상기 제3절연층(238)은, 상기 한 쌍의 제2관통구(233) 내주면에 형성되는 산화피막일 수 있다.
다른 측면에서 본 발명은, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지플레이트(210) 및 상기 기판지지플레이트(210)를 지지하는 기판지지샤프트(220)를 포함하는 기판지지대(200)와; 상기 기판지지대(200)에 대향하여 배치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(300)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.
본 발명에 따른 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 기판지지대 하부에 설치되는 지지플랜지의 표면에 파티클이 적층되는 것을 방지하고 지지플랜지를 관통하는 접지로드의 접지특성 저하를 방지할 수 있는 이점이 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 지지플랜지의 외측면에 제1절연층을 형성하고 지지플랜지의 내부 또한 전극로드가 관통하는 제1관통구의 내주면에 제2절연층을 형성함으로써, 지지플랜지를 통해 접지특성이 약화되거나 또는 지지플랜지의 외주면에 파티클이 적층되는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 이점이 있다.
그에 따라, 본 발명의 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 지지플랜지의 외주면에 파티클 적층이 최소화 되므로, 그에 따라 기판처리장치의 클리닝이 보다 용이하며 유지보수 주기를 보다 길게 할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 지지플랜지의 제1절연층 및 제2절연층을 지지플랜지에 대한 산화피막으로 형성하는 경우, 사용 후 산화피막 재생을 통해 재활용도 가능한 이점이 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 구성 일부를 확대하여 보여주는 확대단면도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지플레이트(210) 및 상기 기판지지플레이트(210)를 지지하는 기판지지샤프트(220)를 포함하는 기판지지대(200)와; 상기 기판지지대(200)에 대향하여 배치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(300)를 포함한다.
본 발명의 처리대상인 기판(10)은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.
상기 공정챔버(100)는, 내부에 기판(1)이 처리되는 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 개구에 탈착가능하게 결합되어, 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함할 수 있다.
상기 공정챔버(100)의 일측에는 기판(10) 출입을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성될 수 있다.
상기 기판지지대(200)는, 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지플레이트(210) 및 상기 기판지지플레이트(210)를 지지하는 기판지지샤프트(220)를 포함하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지플레이트(210)는, 기판(10)을 지지하기 위한 기판안착면을 구비하는 플레이트로 기판(10)과 대응되는 형상으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 기판지지플레이트(210)는, 내부에 접지전극(600)이 내장되어 설치될 수 있다.
상기 접지전극(600)은, 외부접지와 전기적으로 연결되어 기판지지대(200)를 접지시키기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
또한, 상기 기판지지플레이트(210)는, 내부에 안착되는 기판(10)을 공정에 적정한 온도로 가열하기 위한 히터부(700)가 내장되어 설치될 수 있다.
상기 기판지지샤프트(220)는, 상기 기판지지플레이트(210)를 지지하는 샤프트로서, 예로서, 도 1에 도시된 바와 같이 기판지지플레이트(210)의 하부면 중앙에서 기판지지플레이트(210)에 결합될 수 있다.
이때, 상기 기판지지샤프트(220)는, 공정챔버(100) 하부의 개구(114)를 관통하여 기판지지플레이트(210)에 결합될 수 있다.
상기 기판지지샤프트(220)는, 내부에 접지전극(600)과 연결되는 전극로드(610) 및 히터부(700)와 연결되는 히터로드(710)가 설치되기 위해 중공형 구조로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 전극로드(610)는 외부접지와 연결되어 기판지지플레이트(210)의 접지전극(600)을 접지시키기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
구체적으로, 상기 전극로드(610)는, 기판지지플레이트(210) 내부에 구비되는 접지전극(600)과 전기적으로 연결되며 상기 기판지지샤프트(220)를 따라 연장될 수 있다.
유사하게, 상기 히터로드(710)는, 외부 RF히터전원과 연결되어 기판지지플레이트(210) 내부의 히터부(700)의 전원을 공급하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
구체적으로, 상기 히터로드(710)는, 기판지지플레이트(210) 내부에 구비되는 히터부(700)과 전기적으로 연결되며 상기 기판지지샤프트(220)를 따라 연장될 수 있다.
또한, 상기 히터로드(710)는 RF히터전원 한 쌍의 단자와 각각 연결될 수 있도록 한 쌍으로 이루어질 수 있다.
이때, 히터부(700)와 RF히터전원 사이에는 노이즈신호를 필터링하기 위한 RF필터(900)가 추가로 설치될 수 있다.
이때, 상기 기판지지샤프트(220)는, 공정챔버(100) 외부의 상하구동부(미도시)에 의해 상하구동될 수 있다.
이를 위해 상기 기판지지샤프트(220)의 외주측 둘레에는 처리공간(S) 내의 환경을 유지하기 위한 벨로우즈(510)가 설치될 수 있다.
또한, 상기 기판지지플레이트(210) 및 기판지지샤프트(220)는, AlN(Aluminium nitride), 세라믹 (실리콘카바이드, 알루미나), 또는 알루미늄 등 플라즈마에 강한 재질로 이루어짐이 바람직하다.
상기 가스분사부(300)는, 상기 기판지지대(200)에 대향하여 배치되며 처리공간(S)으로 가스를 분사하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 가스분사부(300)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100) 상측에 설치될 수 있고, 외부의 가스공급장치(미도시)로부터 가스를 공급받기 위한 가스공급관이 연결되는 탑플레이트(미도시)와, 탑플레이트 하부에 간격을 두고 설치되어 가스확산공간을 형성하며 처리공간(S)으로 균일한 가스분사를 위한 다수의 분사홀이 형성되는 분사플레이트(미도시)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스분사부(300)는, 외부의 RF전원에 전기적으로 연결됨으로써, 접지되는 기판지지대(200)와 함께 플라즈마형성을 위한 전극을 구성할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 기판지지대(200)는, 기판지지샤프트(220)에 결합되어 기판지지샤프트(220)를 지지하며, 전극로드(610)가 관통되는 지지플랜지(230)를 포함할 수 있다.
상기 지지플랜지(230)는, 기판지지샤프트(220)에 결합되어 기판지지샤프트(220)를 지지하며, 전극로드(610)가 관통되는 구성으로, 기판지지대(200)를 지지하는 기능에 더해 전극로드(610) 및 상술한 한 쌍의 히터로드(710)를 보호하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 지지플랜지(230)는, 기판지지대(200)에 대한 지지기능에 더하여 내부에 냉각을 위한 쿨링패스가 형성되어야하는 바 금속재질로 이루어지며, 바람직하게는 알루미늄재질로 이루어질 수 있다.
상기 지지플랜지(230) 내부에는 상술한 전극로드(610) 및 한 쌍의 히터로드(710)가 관통설치되며, 이를 위해 지지플랜지(230)에는 전극로드(610) 관통설치를 위한 제1관통구(231)와 히터로드(710) 관통설치를 위한 한 쌍의 제2관통구(233)가 형성될 수 있다.
그런데, 상기 지지플랜지(230)는 기판지지대(200)를 지지함과 아울러 기판지지대(200)의 열이 지지플랜지(230)를 통해 외부로 빠져나가는 것을 방지하기 위하여 기판지지샤프트(220)보다 열전도도가 낮은 금속재질(예로서 알루미늄)로 이루어지는데, 지지플렌지(230)의 외측면이 공정챔버(100) 내부공간에 그대로 노출되는 경우, 지지플랜지(230)를 통해 열손실이 발생되고, 지지플렌지(230)의 외측면에 파티클이 적층되는 문제점이 있다.
특히, 지지플렌지(230) 내부에 접지로드(610)에 의한 접지특성에 의해 지지플랜지(230)의 표면에 누설전류가 발생될 수 있고, 그에 따라 지지플랜지(230)의 외측면에 이온성입자들이 더 흡착되기 쉬운 환경이 조성되는 문제점이 있다.
또한, 지지플렌지(230) 내부의 접지로드(610)와의 절연성이 약화되면 접지로드(610)에 의한 기판지지대(200)의 접지특성이 약화되는 문제점도 발생될 수 있다.
이에, 본 발명에 따른 지지플랜지(230)는, 상기 전극로드(610)가 관통되는 제1관통구(231)가 형성되는 몸체부(232)와, 상기 몸체부(232)의 외측면에 구비되는 제1절연층(234)을 포함할 수 있다.
상기 몸체부(232)는, 기판지지샤프트(220)의 하부에 결합되며 금속재질(예로서, 알루미늄재질)로 이루어지는 모재로서 다양한 형상이 가능하다.
상기 몸체부(232)에는, 전극로드(610)가 관통설치되는 제1관통구(231)가 형성될 수 있다.
상기 제1절연층(234)은, 몸체부(232)의 외측면이 공정챔버(100) 내부공간에 그대로 노출되는 것을 방지하며 외측면에 누설전류가 형성되는 것을 방지하기 위한 절연층으로 다양한 방식으로 몸체부(232)의 외측면에 형성될 수 있다.
더 나아가, 지지플랜지(230) 내부에는 기판지지대(200)의 온도균일도(Thermal uniformity)를 유지하기 위해 쿨링패스가 형성되는데, 이로 인해 지지플랜지(230)의 온도가 급격히 떨어져 지지플랜지(230) 외측면에 파티클이 보다 쉽게 적층될 수 있다.
상기 제1절연층(234)은 몸체부(323) 보다 상대적으로 낮은 열전도도를 가지므로, 몸체부(232) 외측면에 제1절연층(234)이 형성됨으로써 지지플랜지(230)의 온도가 급격히 떨어지는 것이 방지될 수 있고, 그에 따라 파티클이 지지플랜지(230)의 외측면에 적층되는 것이 효과적으로 방지될 수 있다.
상기 제1절연층(234)는 다양한 방식으로 형성될 수 있고, 일 예로서, 상기 제1절연층(234)은, 몸체부(232)의 외측면에 형성되는 산화피막일 수 있다.
구체적으로, 상기 제1절연층(234)은, 알루미늄재질의 몸체부(232)에 대한 플라즈마전해산화(Plasma Electrolytic Oxidation)에 의해 형성되는 알루미늄산화피막일 수 있다.
이러한 경우, 상기 제1절연층(234)은, 저열전도도, 저유전손실 특성을 가짐으로써, 몸체부(232) 외측면에 누설전류가 흐르고 파티클이 적층되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 지지플랜지(230)는, 상기 제1관통구(231) 내주면에 구비되는 제2절연층(236)을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제2절연층(236)는, 접지로드(610)와 몸체부(232) 사이의 절연층으로 다양한 방식으로 제1관통구(231) 내주면에 형성될 수 있다.
상기 제2절연층(236)은, 제1관통구(231)에 관통설치되는 접지로드(610)와 몸체부(232) 사이에 위치됨으로써 접지로드(610)와 몸체부(232) 사이의 보다 확실한 절연을 구현할 수 있고, 이를 통해 제1관통구(231)를 통한 접지로드(610)의 그라운드패스(ground path)가 약화되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
예로서, 상기 제2절연층(236)은, 제1관통구(231) 내주면에 형성되는 산화피막일 수 있다.
구체적으로, 상기 제2절연층(236)은, 알루미늄재질의 몸체부(232)에 대한 플라즈마전해산화(Plasma Electrolytic Oxidation)에 의해 형성되는 알루미늄산화피막일 수 있다.
또한, 상기 몸체부(232)에는, 상기 기판지지대(200) 내부에 구비되는 히터부(700)와 전기적으로 연결되며 상기 기판지지샤프트(220)를 따라 연장되는 한 쌍의 히터파워로드(710)가 관통되는 한 쌍의 제2관통구(233)가 형성될 수 있다.
이때, 상기 지지플랜지(230)는, 상기 한 쌍의 제2관통구(233) 내주면에 각각 구비되는 제3절연층(238)을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제3절연층(238)는, 히터로드(710)와 몸체부(232) 사이의 절연층으로 다양한 방식으로 제2관통구(233) 내주면에 형성될 수 있다.
상기 제3절연층(238)은, 제2관통구(233)에 관통설치되는 히터로드(710)와 몸체부(232) 사이에 위치됨으로써 히터로드(710)와 몸체부(232) 사이의 보다 확실한 절연을 구현할 수 있다.
예로서, 상기 제3절연층(238)은, 제2관통구(233) 내주면에 형성되는 산화피막일 수 있다.
구체적으로, 상기 제3절연층(238)은, 알루미늄재질의 몸체부(232)에 대한 플라즈마전해산화(Plasma Electrolytic Oxidation)에 의해 형성되는 알루미늄산화피막일 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
100: 공정챔버 200: 기판지지대
300: 가스분사부

Claims (9)

  1. 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지플레이트(210) 및 상기 기판지지플레이트(210)를 지지하는 기판지지샤프트(220)를 포함하는 기판지지대(200)와; 상기 기판지지대(200)에 대향하여 배치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(300)를 포함하는 기판처리장치의 기판지지대(200)로서,
    상기 기판지지샤프트(220)에 결합되어 상기 기판지지샤프트(220)를 지지하며, 상기 기판지지플레이트(210) 내부에 구비되는 접지전극(600)과 전기적으로 연결되며 상기 기판지지샤프트(220)를 따라 연장되는 전극로드(610)가 관통되는 지지플랜지(230)를 포함하며,
    상기 지지플랜지(230)는, 상기 전극로드(610)가 관통되는 제1관통구(231)가 형성되는 몸체부(232)와, 상기 몸체부(232)의 외측면에 구비되는 제1절연층(234)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대(200).
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체부(232)는, 금속재질로 이루어지며,
    상기 제1절연층(234)은, 상기 몸체부(232)의 외측면에 형성되는 산화피막인 것을 특징으로 하는 기판지지대(200).
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지플랜지(230)는, 상기 제1관통구(231) 내주면에 구비되는 제2절연층(236)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대(200).
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 몸체부(232)는, 금속재질로 이루어지며,
    상기 제2절연층(236)은, 상기 제1관통구(231) 내주면에 형성되는 산화피막인 것을 특징으로 하는 기판지지대(200).
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 몸체부(232)는, 알루미늄재질로 이루어지며,
    상기 제1절연층(234) 및 상기 제2절연층(236)은, 플라즈마전해산화(Plasma Electrolytic Oxidation)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(200).
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체부(232)에는, 상기 기판지지대(200) 내부에 구비되는 히터부(700)와 전기적으로 연결되며 상기 기판지지샤프트(220)를 따라 연장되는 한 쌍의 히터파워로드(710)가 관통되는 한 쌍의 제2관통구(233)가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(200).
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 지지플랜지(230)는, 상기 한 쌍의 제2관통구(233) 내주면에 각각 구비되는 제3절연층(238)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대(200).
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 몸체부(232)는, 금속재질로 이루어지며,
    상기 제3절연층(238)은, 상기 한 쌍의 제2관통구(233) 내주면에 형성되는 산화피막인 것을 특징으로 하는 기판지지대(200).
  9. 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지플레이트(210) 및 상기 기판지지플레이트(210)를 지지하는 기판지지샤프트(220)를 포함하는 청구항 제1항 내지 청구항 제8항 중 어느 하나의 항에 따른 기판지지대(200)와; 상기 기판지지대(200)에 대향하여 배치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(300)를 포함하는 기판처리장치.
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