KR20210067513A - Organic light emitting display device - Google Patents

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KR20210067513A
KR20210067513A KR1020190157219A KR20190157219A KR20210067513A KR 20210067513 A KR20210067513 A KR 20210067513A KR 1020190157219 A KR1020190157219 A KR 1020190157219A KR 20190157219 A KR20190157219 A KR 20190157219A KR 20210067513 A KR20210067513 A KR 20210067513A
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cavity control
light emitting
organic light
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김안기
안병건
권지희
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting display device, which comprises: first to third lower electrodes respectively disposed on first to third sub-pixel regions; a first cavity control layer for covering the first lower electrode, and disposed below the second and third lower electrodes; a second cavity control layer for covering the first cavity control layer and the second lower electrode, and disposed below the third lower electrode; an organic light emitting layer for covering the second cavity control layer and the third lower electrode, and emitting white light; and an upper electrode disposed on the organic light emitting layer. At least one of the first and second cavity control layers is made of a material absorbing blue light. Accordingly, color purity of red can be improved, and a color shift can be improved in a low grayscale.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 대한 것이고, 구체적으로 백색 유기 발광층을 갖는 유기 발광 표시 장치에 대한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting diode display, and more particularly, to an organic light emitting diode display having a white organic light emitting layer.

다양한 정보를 영상으로 표시하는 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel: PDP), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diodes: OLED)와 같이 다양한 방식으로 영상을 구현하고 있다. A display device that displays various information as an image is a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display device (LCD), and organic light emitting diodes (OLED) in various ways. Implementing video.

이 중, 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형으로서, 액정 표시 장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. Among them, the organic light emitting display device is a self-emission type display device, which has superior viewing angle and contrast ratio compared to a liquid crystal display device (LCD), does not require a separate backlight, can be lightweight and thin, and has advantageous power consumption.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광층의 형성이 필수적인데, 종래에는 그 형성을 위해 파인 메탈 마스크(fine metal mask: FMM)을 이용하여 서브화소 별로 적색, 녹색, 청색의 유기 발광층들을 각각 증착하였다.In the organic light emitting display device, formation of an organic light emitting layer is essential. Conventionally, red, green, and blue organic light emitting layers are respectively deposited for each sub-pixel using a fine metal mask (FMM) to form the organic light emitting layer.

그러나, 유기 발광 표시 장치가 대형화됨에 따라, 기판 및 파인 메탈 마스크의 처짐 현상 등이 발생하므로 파인 메탈 마스크를 이용한 적색, 녹색, 청색의 유기 발광층들을 형성하는 것이 어렵다. 또한, 증강현실(augmented reality, AR) 및 가상현실(virtual reality, VR)을 구현하기 위한 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display) 또는 모바일 디스플레이 등에 고해상도의 유기 발광 표시장치가 요구되고 있다. 예를 들어, 고해상도의 유기 발광 표시장치는 서브화소들의 크기가 수 um 정도로 작게 형성되기 때문에, 파인 메탈 마스크를 이용하여 적색, 녹색, 청색 유기 발광층을 형성하는 것이 어렵다.However, as the organic light emitting diode display increases in size, it is difficult to form red, green, and blue organic light emitting layers using the fine metal mask because sagging of the substrate and the fine metal mask occurs. In addition, a high-resolution organic light emitting display device is required for a head mounted display or a mobile display for realizing augmented reality (AR) and virtual reality (VR). For example, in a high-resolution organic light emitting display device, it is difficult to form red, green, and blue organic light emitting layers using a fine metal mask because sub-pixels are formed as small as several um.

이러한 파인 메탈 마스크를 이용하는 방식을 대체하기 위한 방법의 하나로서, 모든 서브화소들에 동일하게 탠덤(tandem) 구조의 백색 유기 발광층을 형성하는 것이 제안되었다. 이 경우, 서브화소 별로 서로 다른 캐비티 길이를 가지는 유기 발광 소자들을 설계하고, 서브화소 별로 서로 다른 컬러 필터들을 채용함으로써, 서브화소 별로 서로 다른 색의 광이 방출될 수 있다. As one of the methods for replacing the method of using such a fine metal mask, it has been proposed to form a white organic light emitting layer having a tandem structure in all sub-pixels. In this case, different colors of light may be emitted for each sub-pixel by designing organic light emitting devices having different cavity lengths for each sub-pixel and employing different color filters for each sub-pixel.

한편, 백색 유기 발광층을 이용하는 경우, 적색 서브화소의 유기 발광 소자에서 적색 광뿐만 아니라 청색 광이 함께 방출되므로, 색순도 향상을 위해 적색 컬러 필터로 청색 광을 필터링하는 것이 요구된다. 또한, 저계조에서는 적색 서브화소의 유기 발광 소자에서 녹색 광의 성분이 증가하여 컬러 쉬프트(color shift) 현상이 발생하는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 적색 컬러 필터에 포함되는 적색 색재의 함량을 늘리는 것이 요구되지만, 현 수준에서 적색 컬러 필터의 패터닝 이슈로 더 이상 적색 색재의 함량을 늘릴 수 없다. Meanwhile, when a white organic light emitting layer is used, not only red light but also blue light is emitted from the organic light emitting device of the red sub-pixel, so it is required to filter blue light with a red color filter to improve color purity. In addition, there is a problem in that a color shift phenomenon occurs due to an increase in a component of green light in the organic light emitting diode of the red sub-pixel in the low grayscale. In order to solve this problem, it is required to increase the content of the red color material included in the red color filter, but the content of the red color material can no longer be increased due to the patterning issue of the red color filter at the current level.

이에 본 발명의 발명자들은 적색의 색순도가 향상되고 저계조에서 컬러 쉬프트가 개선될 수 있는 유기 발광 표시 장치의 새로운 구조를 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present invention have invented a new structure of an organic light emitting diode display capable of improving the color purity of red and improving color shift in low grayscale.

본 발명의 목적은 적색 서브화소 영역에 유기 발광 소자로부터 방출되는 청색 영역의 피크를 감소시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display capable of reducing a peak in a blue region emitted from an organic light emitting diode in a red sub-pixel region.

본 발명의 목적은 적색 컬러 필터 내의 황색 색재의 함량을 줄이고 적색 색재의 함량을 늘릴 수 있도록 하는 유기 발광 표시를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting display capable of reducing the content of a yellow color material in a red color filter and increasing the content of the red color material.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the objects mentioned above, and other objects and advantages of the present invention not mentioned can be understood by the following description, and will be more clearly understood by the examples of the present invention. Further, it will be readily apparent that the objects and advantages of the present invention can be realized by the means and combinations thereof indicated in the claims.

본 발명의 일 실시예에 따른 적색의 색순도가 향상되고 저계조에서 컬러 쉬프트가 개선될 수 있는 유기 발광 표시 장치가 제공된다. According to an embodiment of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display in which color purity of red can be improved and color shift can be improved in a low gray scale.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 서브화소 영역에서 제1 하부 전극을 덮도록 제1 캐비티 조절층 및 제2 캐비티 조절층이 배치되고, 제2 캐비티 절연층 상에 백색 광을 방출하는 유기 발광층이 배치되고, 상기 유기 발광층 상에 상부 전극이 배치되고, 상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 캐비티 조절층 중 적어도 어느 하나는 청색 광을 흡수하는 물질로 이루어질 수 있다. In an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, a first cavity control layer and a second cavity control layer are disposed to cover the first lower electrode in the first sub-pixel area, and white light is disposed on the second cavity insulating layer. An organic emission layer emitting light may be disposed, an upper electrode disposed on the organic emission layer, and at least one of the first cavity control layer and the second cavity control layer may be made of a material that absorbs blue light.

이에 따라, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 적색 서브화소 영역의 유기 발광층으로부터 방출되는 청색 영역의 피크를 감소시키고, 적색 컬러 필터 내의 적색 색재의 함량을 늘릴 수 있다.Accordingly, the organic light emitting diode display according to the present invention may reduce the peak of the blue region emitted from the organic emission layer of the red sub-pixel region and increase the content of the red color material in the red color filter.

본 발명에 따르면 적색 서브화소 영역에서 하부 전극 상에 금속 산화물층을 형성함으로써, 적색의 색순도가 향상되고 저계조에서 컬러 쉬프트가 개선될 수 있다. According to the present invention, by forming the metal oxide layer on the lower electrode in the red sub-pixel region, color purity of red may be improved and color shift may be improved in a low grayscale.

또한, 본 발명에 따르면 적색 서브화소 영역에서 하부 전극 상에 금속 산화물층을 형성함으로써, 적색 서브화소 영역의 유기 발광층으로부터 방출되는 청색 영역의 피크를 감소시킬 수 있다. 이로 인해, 적색 컬러 필터 내의 황색 색재의 함량을 줄일 수 있고, 적색 색재의 함량을 늘릴 수 있다. In addition, according to the present invention, by forming the metal oxide layer on the lower electrode in the red sub-pixel region, the peak in the blue region emitted from the organic light emitting layer in the red sub-pixel region can be reduced. Accordingly, the content of the yellow colorant in the red color filter may be reduced and the content of the red colorant may be increased.

상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 사항을 설명하면서 함께 기술한다.In addition to the above-described effects, the specific effects of the present invention will be described together while describing specific details for carrying out the invention below.

도 1은 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 유기 발광 표시 장치를 구성하는 각 구성들의 연결 및 배치 관계를 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다.
도 6은 도 3의 유기 발광 표시 장치의 적색 서브화소 영역에 형성된 유기 발광 소자로부터 방출된 광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 4의 유기 발광 표시 장치의 적색 서브화소 영역에 형성된 유기 발광 소자로부터 방출된 광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 8은 도 4의 유기 발광 표시 장치의 녹색 서브화소 영역에 형성된 유기 발광 소자로부터 방출된 광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 9는 종래의 적색 서브화소 영역의 유기 발광 소자로부터 방출된 광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting display device.
FIG. 2 is a plan view schematically illustrating a connection and arrangement relationship of components constituting an organic light emitting diode display.
3 is a schematic cross-sectional view of one pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view of one pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view of one pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
FIG. 6 is a diagram illustrating a light spectrum emitted from an organic light emitting diode formed in a red sub-pixel region of the organic light emitting diode display of FIG. 3 .
FIG. 7 is a diagram illustrating a light spectrum emitted from an organic light emitting diode formed in a red sub-pixel region of the organic light emitting diode display of FIG. 4 .
FIG. 8 is a diagram illustrating a light spectrum emitted from an organic light emitting diode formed in a green sub-pixel region of the organic light emitting diode display of FIG. 4 .
9 is a diagram illustrating a light spectrum emitted from an organic light emitting diode of a conventional red sub-pixel region.

전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.The above-described objects, features and advantages will be described below in detail with reference to the accompanying drawings, and accordingly, those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to easily implement the technical idea of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to indicate the same or similar components.

이하에서 구성요소의 "상부 (또는 하부)" 또는 구성요소의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 배치된다는 것은, 임의의 구성이 상기 구성요소의 상면 (또는 하면)에 접하여 배치되는 것뿐만 아니라, 상기 구성요소와 상기 구성요소 상에 (또는 하에) 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성이 개재될 수 있음을 의미할 수 있다. In the following, that an arbitrary component is disposed on the "upper (or lower)" of a component or "top (or below)" of a component means that any component is disposed in contact with the upper surface (or lower surface) of the component. Furthermore, it may mean that other components may be interposed between the component and any component disposed on (or under) the component.

또한 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 상기 구성요소들은 서로 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있는 것으로 이해되어야 할 것이다. Also, when it is described that a component is "connected", "coupled" or "connected" to another component, the components may be directly connected or connected to each other, but other components are "interposed" between each component. It is to be understood that “or, each component may be “connected,” “coupled,” or “connected” through another component.

이하에서는, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하도록 한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display according to some embodiments of the present invention will be described.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상의 제1 서브화소 영역, 제2 서브화소 영역 및 제3 서브화소 영역에 각각 배치된 제1 하부 전극, 제2 하부 전극, 및 제3 하부 전극, 상기 제1 하부 전극을 덮고 상기 제2 하부 전극 및 상기 제3 하부 전극 아래에 배치되는 제1 캐비티 조절층, 상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 하부 전극을 덮고 상기 제3 하부 전극 아래에 배치되는 제2 캐비티 조절층, 상기 제2 캐비티 조절층 및 상기 제3 하부 전극을 덮고, 백색 광을 방출하는 유기 발광층, 및 상기 유기 발광층 상에 배치된 상부 전극을 포함하고, 상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 캐비티 조절층 중 적어도 어느 하나는 청색 광을 흡수하는 물질로 이루어질 수 있다. In an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, a first lower electrode, a second lower electrode, and a third lower electrode are respectively disposed in the first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-pixel region on a substrate. electrode, a first cavity control layer covering the first lower electrode and disposed under the second lower electrode and the third lower electrode, the first cavity control layer and the second lower electrode covering the third lower electrode a second cavity control layer disposed in a second cavity control layer, an organic emission layer covering the second cavity control layer and the third lower electrode, emitting white light, and an upper electrode disposed on the organic emission layer, wherein the first cavity At least one of the control layer and the second cavity control layer may be made of a material that absorbs blue light.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 하부 전극, 제1 캐비티 조절층, 제2 캐비티 조절층, 유기 발광층, 및 상부 전극이 적층된 제1 유기 발광소자, 제2 하부 전극, 상기 제2 캐비티 조절층, 상기 유기 발광층 및 상기 상부 전극이 적층된 제2 유기 발광소자, 및 제3 하부 전극, 상기 유기 발광층 및 상기 상부 전극을 포함하는 제3 유기 발광소자를 포함하고, 상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 캐비티 조절층 중 적어도 어느 하나는 청색 광을 흡수하는 물질로 이루어질 수 있다. An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes a first organic light emitting device in which a first lower electrode, a first cavity adjusting layer, a second cavity adjusting layer, an organic light emitting layer, and an upper electrode are stacked, a second lower electrode, a second organic light emitting device in which the second cavity control layer, the organic light emitting layer and the upper electrode are stacked, and a third organic light emitting device including a third lower electrode, the organic light emitting layer and the upper electrode, At least one of the first cavity control layer and the second cavity control layer may be made of a material that absorbs blue light.

상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 캐비티 조절층 중 적어도 어느 하나는 실리콘 산화물보다 큰 굴절율을 가질 수 있다. At least one of the first cavity control layer and the second cavity control layer may have a refractive index greater than that of silicon oxide.

상기 제1 캐비티 조절층은 상기 제2 캐비티 조절층보다 높은 굴절율을 가지고, 상기 제1 캐비티 조절층의 두께는 상기 제2 캐비티 조절층의 두께보다 작을 수 있다. The first cavity control layer may have a higher refractive index than that of the second cavity control layer, and a thickness of the first cavity control layer may be smaller than a thickness of the second cavity control layer.

상기 제2 캐비티 조절층은 상기 제1 캐비티 조절층보다 높은 굴절율을 가지고, 상기 제2 캐비티 조절층의 두께는 상기 제1 캐비티 조절층의 두께보다 작을 수 있다. The second cavity control layer may have a higher refractive index than that of the first cavity control layer, and a thickness of the second cavity control layer may be smaller than a thickness of the first cavity control layer.

상기 제2 캐비티 조절층은 상기 제2 캐비티 조절층과 동일한 굴절율을 가지고, 상기 제2 캐비티 조절층의 두께는 상기 제1 캐비티 조절층의 두께와 동일할 수 있다. The second cavity control layer may have the same refractive index as that of the second cavity control layer, and the thickness of the second cavity control layer may be the same as that of the first cavity control layer.

상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 캐비티 조절층 중 적어도 어느 하나는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 철 산화물, 하프늄 산화물, 또는 텅스텐 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. At least one of the first cavity control layer and the second cavity control layer may include a metal oxide. The metal oxide may include at least one of iron oxide, hafnium oxide, and tungsten oxide.

상기 제1 하부 전극, 상기 제2 하부 전극, 및 상기 제3 하부 전극은 반사 전극일 수 있다. The first lower electrode, the second lower electrode, and the third lower electrode may be reflective electrodes.

상기 상부 전극 상에, 상기 제1 서브화소 영역에 대응된 제1 컬러 필터, 상기 제2 서브화소 영역에 대응된 제2 컬러 필터 및 상기 제3 서브화소 영역에 대응된 제3 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. A first color filter corresponding to the first sub-pixel area, a second color filter corresponding to the second sub-pixel area, and a third color filter corresponding to the third sub-pixel area are further included on the upper electrode can do.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다. 도 2는 유기 발광 표시 장치를 구성하는 각 구성들의 연결 및 배치 관계를 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting display device. FIG. 2 is a plan view schematically illustrating a connection and arrangement relationship of components constituting an organic light emitting diode display.

다만, 도 1과 도 2의 경우 본 발명의 예시적인 일 실시예인 것으로 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 각 구성들의 연결 및 배치 관계는 이에 한정되지 않는다.However, in the case of FIGS. 1 and 2 , as an exemplary embodiment of the present invention, the connection and arrangement relationship of each component of the organic light emitting display device 100 according to the present invention is not limited thereto.

유기 발광 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 타이밍 컨트롤러(140, Timing Controller), 데이터 드라이버(120, Data Driver) 및 게이트 드라이버(130, Gate Driver)를 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display 100 may include a display panel 110 , a timing controller 140 , a data driver 120 , and a gate driver 130 .

표시 패널(110)은 화소(Pixel: P) 어레이를 포함하여 화상을 표시하는 표시부(DA)와 화상을 표시하지 않는 비표시부(NDA)를 포함할 수 있다. The display panel 110 may include a display unit DA that displays an image including a pixel (P) array and a non-display unit NDA that does not display an image.

비표시부(NDA)는 표시부(DA)의 주위를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 비표시부(NDA)에는 게이트 드라이버(130), 데이터 드라이브 IC 패드부(DPA) 및 각종 배선들이 배치될 수 있으며, 비표시부(NDA)는 베젤부에 대응될 수 있다.The non-display area NDA may be disposed to surround the periphery of the display area DA. The gate driver 130 , the data drive IC pad part DPA, and various wirings may be disposed in the non-display area NDA, and the non-display area NDA may correspond to the bezel part.

표시 패널(110)은 일 방향으로 배열된 복수의 게이트 배선들(Gate Line: GL)과 게이트 배선들(GL)과 직교하도록 일 방향으로 배열된 복수의 데이터 배선들(Data Line: DL)에 의해 형성되는 복수의 화소 영역들을 포함할 수 있다. The display panel 110 is formed by a plurality of gate lines GL arranged in one direction and a plurality of data lines DL arranged in one direction to be orthogonal to the gate lines GL. It may include a plurality of formed pixel regions.

화소 영역들은 매트릭스 형태로 배열되고, 각각의 화소 영역에는 복수의 서브화소들(Sub Pixel: SP)을 포함하는 화소(Pixel: P)가 배치될 수 있다.The pixel areas may be arranged in a matrix form, and a pixel P including a plurality of sub-pixels SP may be disposed in each pixel area.

게이트 드라이버(130)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 인가되는 게이트 제어신호에 응답하여 화소들의 구동 박막 트랜지스터(210)들의 온/오프(On/Off)를 제어하고, 데이터 드라이버(120)로부터 인가되는 데이터 전압(Vdata)이 적합한 화소 회로로 제공되도록 해준다. 이를 위하여 게이트 드라이버(130)는 스캔 신호나 발광 신호와 같은 게이트 신호들을 순차적으로 출력하며, 게이트 배선(GL)들에 게이트 신호들을 순차적으로 공급한다.The gate driver 130 controls on/off of the driving thin film transistors 210 of the pixels in response to a gate control signal applied from the timing controller 140 , and data applied from the data driver 120 . It allows the voltage Vdata to be provided to a suitable pixel circuit. To this end, the gate driver 130 sequentially outputs gate signals such as a scan signal or an emission signal, and sequentially supplies the gate signals to the gate lines GL.

게이트 신호들이 게이트 배선(GL)에 공급되는 경우, 데이터 전압은 특정한 게이트 배선(GL)과 연결된 화소 회로들의 서브화소로 인가될 수 있다.When the gate signals are supplied to the gate line GL, the data voltage may be applied to sub-pixels of the pixel circuits connected to the specific gate line GL.

게이트 드라이버(130)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로(Gate Driver Integrated Circuit: Gate Driver IC)를 포함할 수 있으며, 구동 방식이나 표시 패널(110)의 설계 방식에 따라 표시 패널(110)의 일측 또는 양측에 위치할 수 있다. The gate driver 130 may include one or more gate driver integrated circuits (Gate Driver ICs), one or both sides of the display panel 110 depending on a driving method or a design method of the display panel 110 . can be located in

게이트 드라이버(130)는 도 2에 도시된 바와 같이 게이트 인 패널(Gate In Panel: GIP) 방식으로 게이트 드라이버 집적 회로가 표시 패널(110) 상에 직접 형성될 수 있다. 게이트 인 패널 방식으로 형성된 게이트 드라이버(130)는 표시부(DA)의 좌측 및 우측 외곽부인 비표시부(NDA)에 각각 배치될 수 있다. 또한, 게이트 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시 패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다.As shown in FIG. 2 , in the gate driver 130 , a gate driver integrated circuit may be directly formed on the display panel 110 in a gate-in-panel (GIP) method. The gate driver 130 formed in the gate-in-panel method may be disposed in the non-display area NDA, which is the left and right outer portions of the display area DA, respectively. In addition, the gate driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip-on-glass (COG) method, or a chip-on-film (COF) method. : Chip On Film) method can be implemented.

데이터 드라이버(120)는 특정 게이트 배선(GL)이 열리면 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하고, 게이트 제어 신호와 동기화하여 데이터 전압을 데이터 배선(DL)으로 공급한다.When the specific gate line GL is opened, the data driver 120 converts the image data received from the timing controller 140 into an analog data voltage, and supplies the data voltage to the data line DL in synchronization with the gate control signal. do.

데이터 드라이버(120)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(121, Source Driver Integrated Circuit: Source Driver IC)를 포함하여 다수의 데이터 배선(DL)을 구동할 수 있다. 각각의 소스 드라이버 집적회로(121)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시 패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 표시 패널(110)에 직접 배치 또는 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각각의 소스 드라이버 집적회로(121)는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이, 각각의 소스 드라이버 집적회로(121)는 연성 필름(123)에 실장되고, 연성 필름(123)의 일 단은 적어도 하나의 컨트롤 인쇄회로기판(150, Control Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 표시 패널(110)의 데이터 드라이브 IC 패드부(DPA)에 본딩된다.The data driver 120 may include at least one source driver integrated circuit 121 (Source Driver Integrated Circuit: Source Driver IC) to drive a plurality of data lines DL. Each of the source driver integrated circuits 121 is connected to a bonding pad of the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip-on-glass (COG) method, or the display panel It may be disposed directly or integrated in 110 . In addition, each of the source driver integrated circuits 121 may be implemented in a Chip On Film (COF) method. For example, as shown in FIG. 2 , each source driver integrated circuit 121 is mounted on a flexible film 123 , and one end of the flexible film 123 is at least one control printed circuit board 150 , Control printed circuit board), and the other end is bonded to the data drive IC pad part DPA of the display panel 110 .

따라서, 연성 필름(123)에는 표시 패널(110)의 데이터 드라이브 IC 패드부(DPA)와 소스 드라이버 집적회로(121)를 연결하는 배선들과, 데이터 드라이브 IC 패드부(DPA)와 컨트롤 인쇄회로기판(150)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다.Accordingly, the flexible film 123 includes wires connecting the data drive IC pad part DPA of the display panel 110 and the source driver integrated circuit 121 , and the data drive IC pad part DPA and the control printed circuit board. Wires connecting the wires of 150 may be formed.

컨트롤 인쇄회로기판(150)에는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있으며, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이 타이밍 컨트롤러(140)가 배치될 수 있다. 또한 컨트롤 인쇄회로기판(150)에는, 표시 패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러가 더 배치될 수 있다.A plurality of circuits implemented with driving chips may be mounted on the control printed circuit board 150 , and for example, a timing controller 140 may be disposed as shown in FIG. 2 . In addition, a power controller for supplying various voltages or currents to the display panel 110 , the data driver 120 , the gate driver 130 , or controlling various voltages or currents to be supplied is further disposed on the control printed circuit board 150 . can

타이밍 컨트롤러(140)는 게이트 제어 신호를 게이트 드라이버(130)에 제공하고, 데이터 제어 신호를 데이터 드라이버(120)에 제공함으로써 데이터 드라이버(120)와 게이트 드라이버(130)를 제어한다.The timing controller 140 controls the data driver 120 and the gate driver 130 by providing the gate control signal to the gate driver 130 and providing the data control signal to the data driver 120 .

또한, 타이밍 컨트롤러(140)는 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다.In addition, the timing controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, and converts input image data input from the outside to match the data signal format used by the data driver 120 to output the converted image data. and control the data operation at an appropriate time according to the scan.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다. 3 is a schematic cross-sectional view of one pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.

제1 기판(201)은 도 1 및 도 2를 참조하여 상술한, 화소들(P)이 배치된 표시부(DA)와 게이트 드라이버(130), 데이터 드라이브 IC 패드부(DPA) 및 각종 배선들이 배치된 비표시부(NDA)가 형성되는 표시 패널(110)의 베이스 기판이다. 제1 기판(201)은 플라스틱 기판 또는 유리 기판일 수 있다.The first substrate 201 includes the display unit DA on which the pixels P are disposed, the gate driver 130 , the data drive IC pad part DPA, and various wirings, which are described above with reference to FIGS. 1 and 2 . It is a base substrate of the display panel 110 on which the non-display area NDA is formed. The first substrate 201 may be a plastic substrate or a glass substrate.

제1 기판(201) 상에는 박막 트랜지스터들(210)과, 박막 트랜지스터들(210)에 연결되는 유기 발광 소자들(250a, 250b, 250c)이 배치된다. Thin film transistors 210 and organic light emitting devices 250a , 250b , and 250c connected to the thin film transistors 210 are disposed on the first substrate 201 .

제1 기판(201) 상에는 박막 트랜지스터(210)들을 형성하기 전에 버퍼층(205)이 형성될 수 있다. 버퍼층(205)은 투습에 취약한 제1 기판(201)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(210)들과 유기 발광 소자들을 보호하는 역할을 한다. 버퍼층(205)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물(SiON) 등의 절연물질로 형성될 수 있다. 버퍼층(205)은 절연물질들이 다층으로 형성될 수 있다.A buffer layer 205 may be formed on the first substrate 201 before the thin film transistors 210 are formed. The buffer layer 205 serves to protect the thin film transistors 210 and the organic light emitting devices from moisture penetrating through the first substrate 201 which is vulnerable to moisture permeation. The buffer layer 205 may be formed of an insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride (SiON). The buffer layer 205 may be formed of multiple insulating materials.

버퍼층(205) 상에는 박막 트랜지스터(210)가 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(210)는 액티브층(211), 게이트 전극(212), 게이트 절연층(213), 소스 전극(214), 및 드레인 전극(215)을 포함한다. 도 3에서는 박막 트랜지스터(210)가 예시적으로 코플라나(coplanar) 구조를 가지는 것으로 도시되었으나 이에 한정되는 것은 아니며, 역 스태거드(inverted staggered) 구조와 같이 다양한 형태로 형성될 수 있다. A thin film transistor 210 may be formed on the buffer layer 205 . The thin film transistor 210 includes an active layer 211 , a gate electrode 212 , a gate insulating layer 213 , a source electrode 214 , and a drain electrode 215 . In FIG. 3 , the thin film transistor 210 exemplarily has a coplanar structure, but is not limited thereto, and may be formed in various forms such as an inverted staggered structure.

버퍼층(205) 상에는 반도체막으로 형성되는 액티브층(211)이 형성되며, 산화물 반도체 물질로 이루어지거나 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 또는 액티브층(211)은 단결정 실리콘으로 이루어질 수도 있다. 액티브층(211)의 양 가장자리에 불순물이 도핑될 수 있다. An active layer 211 formed of a semiconductor film is formed on the buffer layer 205 , and may be formed of an oxide semiconductor material or polycrystalline silicon. Alternatively, the active layer 211 may be made of single crystal silicon. Both edges of the active layer 211 may be doped with impurities.

액티브층(211) 상에는 게이트 절연층(213)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(213)은 제1 기판(201)의 상면 전체에 형성될 수 있다. 게이트 절연층(213)은 예를 들어, 실리콘 산화물로 형성할 수 있다. A gate insulating layer 213 may be formed on the active layer 211 . The gate insulating layer 213 may be formed on the entire upper surface of the first substrate 201 . The gate insulating layer 213 may be formed of, for example, silicon oxide.

게이트 절연층(213) 상에는 액티브층(211)의 적어도 일부 영역에 대응되는 게이트 전극(212)이 형성된다. 게이트 전극(212)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 게이트 전극(212)은 예를 들어, 구리(Cu)와 MoTi 합금의 이중 금속층으로 형성될 수 있다.A gate electrode 212 corresponding to at least a partial region of the active layer 211 is formed on the gate insulating layer 213 . The gate electrode 212 may include any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu) or these It may be formed as a single layer or multiple layers made of an alloy of The gate electrode 212 may be formed of, for example, a double metal layer of an alloy of copper (Cu) and MoTi.

게이트 전극(212) 상에는 층간 절연층(222)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(222)은 게이트 전극(212) 및 게이트 절연층(213)을 덮을 수 있다.An interlayer insulating layer 222 may be formed on the gate electrode 212 . The interlayer insulating layer 222 may cover the gate electrode 212 and the gate insulating layer 213 .

층간 절연층(222)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물(SiON) 등과 무기 절연물질로 형성되거나, 벤조시클로부텐 (benzocyclobutene)이나 포토아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연물질로 형성될 수 있다.The interlayer insulating layer 222 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride (SiON), or an organic insulating material such as benzocyclobutene or photo-acryl. have.

층간 절연층(222) 상에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어지는 소스 전극(214)과 드레인 전극(215)이 형성되고, 게이트 절연층(213)과 층간 절연층(222)에 형성된 컨택홀들에 의해 노출되는 액티브층(211)의 양쪽 끝단에 각각 전기적으로 연결된다.A source electrode 214 and a drain electrode 215 made of a conductive material such as metal are formed on the interlayer insulating layer 222 , and are exposed by contact holes formed in the gate insulating layer 213 and the interlayer insulating layer 222 . are electrically connected to both ends of the active layer 211, respectively.

소스 전극(214), 드레인 전극(215), 및 층간 절연층(222) 상에는 박막 트랜지스터(210)를 절연하기 위한 보호층(224)이 형성될 수 있다. 보호층(224)은 무기 절연 물질, 예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있다.A protective layer 224 for insulating the thin film transistor 210 may be formed on the source electrode 214 , the drain electrode 215 , and the interlayer insulating layer 222 . The protective layer 224 may be formed of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or a multilayer thereof.

보호층(224) 상에는 박막 트랜지스터(210)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 평탄화층(226)이 형성될 수 있다. 평탄화층(226)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. A planarization layer 226 for flattening a step caused by the thin film transistor 210 may be formed on the passivation layer 224 . The planarization layer 226 may be formed of an organic insulating material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. can

평탄화층(226) 상에는 제1 내지 제3 유기 발광 소자들(250a, 250b, 250c)과 뱅크(240)가 형성될 수 있다. First to third organic light emitting devices 250a , 250b , and 250c and a bank 240 may be formed on the planarization layer 226 .

제1 기판(201)의 제1 서브화소 영역(SP1)에 배치된 제1 유기 발광 소자(250a)는 제1 하부 전극(251a), 제1 캐비티 조절층(cavity control layer: CCL)(230), 제2 캐비티 조절층(232), 유기 발광층(253), 및 상부 전극(255)이 적층된 구조를 가진다. 제1 기판(201)의 제2 서브화소 영역(SP2)에 배치된 제2 유기 발광 소자(250b)는 제2 하부 전극(251b), 제2 캐비티 조절층(232), 유기 발광층(253), 및 상부 전극(255)이 적층된 구조를 가진다. 제1 기판(201)의 제3 서브화소 영역(SP3)에 배치된 제3 유기 발광 소자(250c)는 제3 하부 전극(251c), 유기 발광층(253), 및 상부 전극(255)이 적층된 구조를 가진다. 제1 내지 제3 하부 전극들(251a, 251b, 251c)은 애노드 전극이고, 상부 전극(255)은 캐소드 전극일 수 있다. 제1 서브화소 영역(SP1)은 적색 서브화소 영역이고, 제2 서브화소 영역(SP2)은 녹색 서브화소 영역이고, 제3 서브화소 영역(SP3)은 청색 서브화소 영역일 수 있다. The first organic light emitting diode 250a disposed in the first subpixel region SP1 of the first substrate 201 includes a first lower electrode 251a and a first cavity control layer (CCL) 230 . , a second cavity control layer 232 , an organic emission layer 253 , and an upper electrode 255 are stacked. The second organic light-emitting device 250b disposed in the second sub-pixel region SP2 of the first substrate 201 includes a second lower electrode 251b, a second cavity control layer 232 , an organic light-emitting layer 253 , and an upper electrode 255 in a stacked structure. The third organic light-emitting device 250c disposed in the third sub-pixel region SP3 of the first substrate 201 includes a third lower electrode 251c, an organic light-emitting layer 253 , and an upper electrode 255 stacked thereon. have a structure The first to third lower electrodes 251a, 251b, and 251c may be an anode electrode, and the upper electrode 255 may be a cathode electrode. The first sub-pixel area SP1 may be a red sub-pixel area, the second sub-pixel area SP2 may be a green sub-pixel area, and the third sub-pixel area SP3 may be a blue sub-pixel area.

제1 하부 전극(251a)은 평탄화층(226) 상에 형성될 수 있다. 제1 하부 전극(251a)은 보호층(224)과 평탄화층(226)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(210)의 소스 전극(214)에 접속될 수 있다. The first lower electrode 251a may be formed on the planarization layer 226 . The first lower electrode 251a may be connected to the source electrode 214 of the thin film transistor 210 through a contact hole penetrating the passivation layer 224 and the planarization layer 226 .

제1 하부 전극(251a) 및 평탄화층(226)을 덮는 제1 캐비티 조절층(230)이 형성될 수 있다. 그리고, 제2 하부 전극(251b)은 제1 캐비티 조절층(230) 상에 형성될 수 있다. 제2 하부 전극(251a)은 보호층(224), 평탄화층(226) 및 제1 캐비티 조절층(230)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(210)의 소스 전극(214)에 접속될 수 있다. A first cavity control layer 230 covering the first lower electrode 251a and the planarization layer 226 may be formed. In addition, the second lower electrode 251b may be formed on the first cavity control layer 230 . The second lower electrode 251a may be connected to the source electrode 214 of the thin film transistor 210 through a contact hole penetrating the passivation layer 224 , the planarization layer 226 , and the first cavity control layer 230 . have.

제2 하부 전극(251b) 및 제1 캐비티 조절층(230)을 덮는 제2 캐비티 조절층(232)이 형성될 수 있다. 그리고, 제3 하부 전극(251c)은 제2 캐비티 조절층(232) 상에 형성될 수 있다. 제3 하부 전극(251c)은 보호층(224), 평탄화층(226), 제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 캐비티 조절층(232)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(210)의 소스 전극(214)에 접속될 수 있다. A second cavity control layer 232 covering the second lower electrode 251b and the first cavity control layer 230 may be formed. In addition, the third lower electrode 251c may be formed on the second cavity control layer 232 . The third lower electrode 251c is formed through a contact hole penetrating through the protective layer 224 , the planarization layer 226 , the first cavity control layer 230 , and the second cavity control layer 232 of the thin film transistor 210 . It may be connected to the source electrode 214 .

제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 캐비티 조절층(232)은 화학기상증착(CVD) 또는 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 공정에 의해 형성될 수 있다. 200The first cavity control layer 230 and the second cavity control layer 232 may be formed by a chemical vapor deposition (CVD) or plasma chemical vapor deposition (PECVD) process. 200

본 실시예에서는, 제1 서브화소 영역(SP1)의 제1 하부 전극(251a)을 덮고 제2 서브화소 영역(SP2)의 제2 하부 전극(251b) 및 제3 서브화소 영역(SP3)의 제3 하부 전극(251c) 아래에 배치되는 제1 캐비티 조절층(230)을 형성하고, 제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 하부 전극(251b)을 덮고 제3 하부 전극(251c) 아래에 배치되는 제2 캐비티 조절층(232)을 형성함으로써, 상부 전극(255)으로부터 서로 다른 거리에 배치된 제1 하부 전극(251a), 제2 하부 전극(251b), 및 제3 하부 전극(251c)이 형성될 수 있다. In the present embodiment, the second lower electrode 251b of the second sub-pixel area SP2 and the second lower electrode 251b of the second sub-pixel area SP2 and the third sub-pixel area SP3 cover the first lower electrode 251a of the first sub-pixel area SP1. 3 A first cavity control layer 230 is formed under the lower electrode 251c, covers the first cavity control layer 230 and the second lower electrode 251b, and is disposed under the third lower electrode 251c The first lower electrode 251a, the second lower electrode 251b, and the third lower electrode 251c disposed at different distances from the upper electrode 255 by forming the second cavity control layer 232 can be formed.

제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 캐비티 조절층(232)의 배치를 다르게 함으로써, 제1 서브화소 영역(SP1), 제2 서브화소 영역(SP2), 및 제3 서브화소 영역(SP3)에 각각 서로 다른 캐비티 길이(cavity length)를 가지는 제1 유기 발광 소자(250a), 제2 유기 발광 소자(250b), 및 제3 유기 발광 소자(250c)가 형성될 수 있다. 제1 유기 발광 소자(250a)의 캐비티 길이(cavity length)가 제일 길고, 제3 유기 발광 소자(250c)의 캐비티 길이가 제일 짧을 수 있다. The first sub-pixel area SP1 , the second sub-pixel area SP2 , and the third sub-pixel area SP3 are different by disposition of the first cavity control layer 230 and the second cavity control layer 232 . A first organic light emitting device 250a, a second organic light emitting device 250b, and a third organic light emitting device 250c each having different cavity lengths may be formed in the ? The cavity length of the first organic light emitting device 250a may be the longest, and the cavity length of the third organic light emitting device 250c may be the shortest.

뱅크(240)는 제1 내지 제3 서브화소 영역들(SP1, SP2, SP3)을 구획하기 위해 평탄화층(226) 상에서, 구체적으로 제2 캐비티 조절층(232) 상에서 제1 내지 제3 하부 전극들(251a, 251b, 251c)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 뱅크(240)가 형성된 영역은 광을 발광하지 않으므로 비발광부로 정의될 수 있고, 뱅크(240)가 형성되지 않은 영역은 발광부로 정의될 수 있다. The bank 240 includes first to third lower electrodes on the planarization layer 226 , specifically, on the second cavity control layer 232 to partition the first to third sub-pixel regions SP1 , SP2 , and SP3 . It may be formed to cover the edges of the fields 251a, 251b, and 251c. A region in which the bank 240 is formed does not emit light and thus may be defined as a non-emission part, and a region in which the bank 240 is not formed may be defined as a light emitting part.

뱅크(240)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수 있다. The bank 240 may be formed of an organic material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. .

제1 내지 제3 하부 전극들(251a, 251b, 251c)과 뱅크(240) 상에는 유기 발광층(253)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 유기 발광층(253)은 뱅크(240) 및 뱅크(240)에 의해 덮이지 않은 제2 캐비티 조절층(232) 및 제3 하부 전극(251c)을 덮을 수 있다. 유기 발광층(253)은 제1 내지 제3 화소 영역들(SP1, SP2, SP3)에 공통적으로 형성될 수 있고, 백색 광을 방출하는 백색 발광층일 수 있다. An organic emission layer 253 may be formed on the first to third lower electrodes 251a , 251b , and 251c and the bank 240 . Specifically, the organic emission layer 253 may cover the bank 240 and the second cavity control layer 232 and the third lower electrode 251c not covered by the bank 240 . The organic emission layer 253 may be commonly formed in the first to third pixel regions SP1 , SP2 , and SP3 and may be a white emission layer emitting white light.

이 경우, 유기 발광층(253)은 2 개 이상의 스택(stack)이 적층된 탠덤(tandem) 구조로 형성될 수 있다. 각각의 스택들은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 또한, 스택들 사이에는 전하 생성층(charge generation layer)이 형성될 수 있다. 유기 발광층(253)은 예를 들어, 420nm 내지 460nm의 파장에서 피크를 가지는 청색 발광층 및 520nm 내지 560nm의 파장에서 피크를 가지는 녹색(황녹색) 발광층을 포함할 수 있다. 유기 발광층(253)은 녹색(황녹색) 발광층에 접하는 적색 발광층을 더 포함할 수 있다. 적색 발광층은 620nm 내지 640nm 의 파장에서 피크를 가질 수 있다. In this case, the organic emission layer 253 may be formed in a tandem structure in which two or more stacks are stacked. Each of the stacks may include a hole transporting layer, at least one light emitting layer, and an electron transporting layer. Also, a charge generation layer may be formed between the stacks. The organic light emitting layer 253 may include, for example, a blue light emitting layer having a peak at a wavelength of 420 nm to 460 nm and a green (yellow green) light emitting layer having a peak at a wavelength of 520 nm to 560 nm. The organic emission layer 253 may further include a red emission layer in contact with the green (yellow-green) emission layer. The red light emitting layer may have a peak at a wavelength of 620 nm to 640 nm.

그러나, 제1 서브화소 영역, 즉 적색 서브화소 영역에 형성된 제1 유기 발광 소자(250a)에서 방출되는 광은 도 9에 도시된 바와 같이, 적색 영역의 피크와 청색 영역의 피크를 함께 포함한다. 따라서, 적색의 색순도 향상을 위해 적색 컬러 필터를 이용하여 제1 유기 발광 소자(250a)에서 방출되는 광으로부터 청색 영역 피크를 필터링해 주어야 한다. However, the light emitted from the first organic light emitting diode 250a formed in the first sub-pixel region, that is, the red sub-pixel region, includes both a peak in a red region and a peak in a blue region, as shown in FIG. 9 . Therefore, in order to improve the color purity of red, the blue peak must be filtered from the light emitted from the first organic light emitting diode 250a using a red color filter.

또한, 백색 광을 방출하는 탠덤(tandem) 구조의 유기 발광층을 이용하는 경우, 계조에 따라 제1 유기 발광 소자(250a)의 광 스펙트럼이 달라질 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 저계조(15 그레이 레벨)에서는 고계조(255 그레이 레벨)에 비해 녹색 영역의 피크가 증가하여 컬러 쉬프트(color shift) 현상이 발생할 수 있다. 이러한 현상도 적색 컬러 필러를 이용하여 해결해야 한다. In addition, when an organic light emitting layer having a tandem structure emitting white light is used, the light spectrum of the first organic light emitting device 250a may vary according to a gray level. For example, as shown in FIG. 9 , in a low gray level (15 gray levels), a peak in a green region increases compared to a high gray level (255 gray levels), so that a color shift phenomenon may occur. This phenomenon should also be solved by using a red color filler.

따라서, 적색 컬러 필터는 상술한 바와 같이, 청색 영역의 피크를 필터링하고 컬러 쉬프트 현상을 제거하기 위해, 수지(resin)에 황색 색재와 적색 색재가 함께 혼합된다. 여기서, 황색 색재는 청색 영역의 피크를 제거하는 역할을 하고, 적색 색재는 저계조에서 녹색 영역의 피크의 증가로 인한 컬러 쉬프트 현상을 제거하는 역할을 한다. Therefore, in the red color filter, as described above, a yellow colorant and a red colorant are mixed together in a resin to filter the peak in the blue region and remove the color shift phenomenon. Here, the yellow color material serves to remove the peak in the blue region, and the red color material serves to remove the color shift phenomenon due to the increase in the peak in the green region in the low grayscale.

컬러 필터들은 포토리소그래피 공정에 의해 패터닝되는 데, 적색 컬러 필터에 특정 비율을 넘어서, 예를 들어, 52 중량%를 초과하여 색재를 첨가하면 패터닝 문제가 발생한다. 한편, 현재의 적색 컬러 필터에는 황색 색재와 적색 색재를 포함한 전체 색재의 함량 비율이 최대 수준으로, 52 중량% 정도로 포함되어 있지만, 적색 색재의 함량이 컬러 쉬프트 현상을 제거하기에 부족한 상황이다. 따라서, 적색 컬러 필터 내의 적색 색재의 함량을 증가시키기 위해 적색 컬러 필터에 포함된 황색 색재의 함량을 줄이는 방안이 필요하다. 여기서, 색재의 중량%는 컬러 필터 내의 전체 고형분(수지, 색재, 광개시제, 분산제, 첨가제 등)에 대한 색재의 중량 비율을 의미한다. The color filters are patterned by a photolithography process, and if a color material is added to the red color filter in excess of a certain ratio, for example, in excess of 52 wt%, a patterning problem occurs. Meanwhile, in the current red color filter, the content ratio of the total color material including the yellow color material and the red color material is at the maximum level, about 52 wt %, but the content of the red color material is insufficient to remove the color shift phenomenon. Therefore, in order to increase the content of the red colorant in the red color filter, a method for reducing the content of the yellow colorant included in the red color filter is required. Here, the weight % of the color material means a weight ratio of the color material to the total solid content (resin, color material, photoinitiator, dispersant, additive, etc.) in the color filter.

본 발명에서 제1 유기 발광 소자(250a)는 유기 발광층(253) 아래에 배치된 제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 캐비티 조절층(232)을 포함하는 데, 제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 캐비티 조절층(232) 중 적어도 어느 하나는 청색 광을 흡수하는 물질로 이루어질 수 있다. 제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 캐비티 조절층(232) 중 적어도 어느 하나는 실리콘 산화물보다 큰 굴절율을 가질 수 있다. 제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 캐비티 조절층(232) 중 적어도 어느 하나는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 철 산화물(Fe2O3), 하프늄 산화물(HfO2), 또는 텅스텐 산화물(WO3) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. In the present invention, the first organic light emitting device 250a includes a first cavity control layer 230 and a second cavity control layer 232 disposed under the organic emission layer 253 , and the first cavity control layer 230 . ) and at least one of the second cavity control layer 232 may be made of a material that absorbs blue light. At least one of the first cavity control layer 230 and the second cavity control layer 232 may have a refractive index greater than that of silicon oxide. At least one of the first cavity control layer 230 and the second cavity control layer 232 may include a metal oxide. The metal oxide may include at least one of iron oxide (Fe 2 O 3 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or tungsten oxide (WO 3 ).

본 발명에서는, 제1 유기 발광 소자(250a)에서 방출되는 광에 포함된 청색 영역의 피크가 제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 캐비티 조절층(232) 중 적어도 어느 하나에 의해 흡수되도록 함으로써, 색순도 향상을 위해 요구되는 적색 컬러 필터 내에 포함된 황색 색재의 함량을 줄일 수 있다. 따라서, 적색 컬러 필터 내의 적색 색재 함량을 더 늘릴 수 있고, 저계조에서 발생하는 컬러 쉬프트 현상을 감소시킬 수 있다.In the present invention, by allowing the peak of the blue region included in the light emitted from the first organic light emitting diode 250a to be absorbed by at least one of the first cavity control layer 230 and the second cavity control layer 232 . , it is possible to reduce the content of the yellow colorant included in the red color filter required to improve color purity. Accordingly, the content of the red color material in the red color filter may be further increased, and the color shift phenomenon occurring in the low grayscale may be reduced.

본 실시예에서는 제1 캐비티 조절층(230)이 청색 광을 흡수할 수 있으며, 실리콘 산화물보다 큰 굴절율을 가지는 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 캐비티 조절층(232)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 금속 산화물은 예를 들어, 철 산화물(Fe2O3)일 수 있다. 이 경우, 제1 캐비티 조절층(230)의 두께는 제2 캐비티 조절층(232)의 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 캐비티 조절층(230)의 두께는 400Å이고, 제2 캐비티 조절층(232)의 두께는 720Å일 수 있다. 상기 금속 산화물이 철 산화물(Fe2O3)인 경우, 제1 캐비티 조절층(230)은 200℃정도에서 플라즈마 화학기상증착 공정으로 형성될 수 있다.In the present embodiment, the first cavity control layer 230 may absorb blue light and may be formed of a metal oxide having a refractive index greater than that of silicon oxide. In addition, the second cavity control layer 232 may be formed of silicon oxide. The metal oxide may be, for example, iron oxide (Fe 2 O 3 ). In this case, the thickness of the first cavity control layer 230 may be smaller than the thickness of the second cavity control layer 232 . For example, the thickness of the first cavity control layer 230 may be 400 Å, and the thickness of the second cavity control layer 232 may be 720 Å. When the metal oxide is iron oxide (Fe 2 O 3 ), the first cavity control layer 230 may be formed by a plasma chemical vapor deposition process at about 200° C.

도 6은 도 3의 유기 발광 표시 장치의 적색 서브화소 영역에 형성된 유기 발광 소자로부터 방출된 광 스펙트럼을 나타내는 도면이다. 도 6을 참조하면, 본 실시예의 경우, 제1 유기 발광 소자(250a)로부터 방출되는 광에서 청색 영역의 피크가 비교예에 비해 28%정도 감소한 것을 확인할 수 있다. 여기서, 비교예는 제1 유기 발광 소자의 제1 캐비티 조절층 및 제2 캐비티 조절층 모두를 실리콘 산화물로 형성한 경우이다. FIG. 6 is a diagram illustrating a light spectrum emitted from an organic light emitting diode formed in a red sub-pixel region of the organic light emitting diode display of FIG. 3 . Referring to FIG. 6 , in the present embodiment, it can be seen that the peak of the blue region in the light emitted from the first organic light emitting diode 250a is reduced by about 28% compared to the comparative example. Here, in the comparative example, both the first cavity control layer and the second cavity control layer of the first organic light emitting device are formed of silicon oxide.

이와 같은, 제1 유기 발광 소자(250a)로부터 방출되는 광의 청색 영역의 피크가 감소됨으로 인해, 적색 컬러 필터(271a)에 포함된 황색 색재의 함량을 줄임일 수 있고, 전체 색재의 함량 비율을 비교예에 비해 13.3 중량%를 감소시킬 수 있다. 비교예에서는 적색 컬러 필터에 포함된 전체 색재의 함량 비율이 52 중량% 정도이지만, 본 발명의 일 실시예서는 적색 컬러 필터(271a)에 포함된 전체 색재의 함량 비율이 45 중량% 정도로 감소될 수 있다. As such, since the peak of the blue region of the light emitted from the first organic light emitting device 250a is reduced, the content of the yellow colorant included in the red color filter 271a may be reduced, and the content ratio of the total colorant may be compared. 13.3 wt% can be reduced compared to the example. In the comparative example, the content ratio of the total color material included in the red color filter is about 52 wt%, but in an embodiment of the present invention, the content ratio of the total color material included in the red color filter 271a may be reduced to about 45 wt%. have.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 적색 컬러 필터(271a) 내의 적색 색재의 함량을 비교예에 비해 13.3 중량%만큼 더 늘릴 수 있고, 비교예에 비해 저계조에서 발생하는 컬러 쉬프트 현상을 감소시킬 수 있다. Accordingly, according to an embodiment of the present invention, the content of the red color material in the red color filter 271a can be further increased by 13.3 wt% compared to the comparative example, and the color shift phenomenon occurring in the low gray scale is reduced compared to the comparative example. can do it

제1 내지 제3 유기 발광 소자(250a, 250b, 250c)는 상부 방향으로 광을 발광하는 상부 발광(top emission) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제3 하부 전극들(251a, 251b, 251c)은 반사 전극일 수 있다. 제1 내지 제3 하부 전극들(251a, 251b, 251c)은 예를 들어, 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 인듐주석산화물(ITO)의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다. The first to third organic light emitting devices 250a, 250b, and 250c may be implemented in a top emission method in which light is emitted in an upper direction. In this case, the first to third lower electrodes 251a, 251b, and 251c may be reflective electrodes. The first to third lower electrodes 251a, 251b, and 251c have, for example, a stacked structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), and a stacked structure of aluminum and indium tin oxide (ITO) (ITO/Al/ ITO), an APC alloy, and a metal material having a high reflectance such as an APC alloy and a stacked structure of ITO (ITO/APC/ITO). The APC alloy is an alloy of silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu).

유기 발광층(253) 상에는 상부 전극(255)이 형성될 수 있다. 상부 전극(255)은 제1 내지 제3 화소 영역들(SP1, SP2, SP3)에 공통적으로 형성된다. 상부 전극(255)은 투과 전극일 수 있다. 상부 전극(255)은 예를 들어, 인듐주석산화물(ITO), 안티몬주석산화물(ATO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상부 전극(255)은 반투과 전극일 수 있다. 상부 전극(255)이 광의 반투과성을 가지는 얇은 금속막으로 이루어질 수 있다. 상기 금속막은 마그네슘(Mg), 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금, 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 스트롱 캐비티(strong cavity) 효과에 의해 제1 내지 제3 유기 발광 소자(250a, 250b, 250c)의 휘도가 증가될 수 있다. An upper electrode 255 may be formed on the organic emission layer 253 . The upper electrode 255 is commonly formed in the first to third pixel areas SP1 , SP2 , and SP3 . The upper electrode 255 may be a transparent electrode. The upper electrode 255 may be formed of, for example, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), antimony tin oxide (ATO), or indium zinc oxide (IZO). Also, the upper electrode 255 may be a transflective electrode. The upper electrode 255 may be formed of a thin metal film having light transmissivity. The metal layer may be formed of magnesium (Mg), an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg), or a multilayer thereof. In this case, the luminance of the first to third organic light emitting devices 250a, 250b, and 250c may be increased due to the strong cavity effect.

상부 전극(255) 상에는 외부에서 산소 또는 수분이 제1 내지 제3 유기 발광 소자들(250a, 250b, 250c)로 침투하는 것을 방지하기 위해 봉지층(260)이 형성될 수 있다. 봉지층(260)은 무기층과 유기층이 교대로 적층된 다층으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. An encapsulation layer 260 may be formed on the upper electrode 255 to prevent oxygen or moisture from penetrating into the first to third organic light emitting devices 250a, 250b, and 250c from the outside. The encapsulation layer 260 may be formed as a multi-layer in which an inorganic layer and an organic layer are alternately stacked, but is not limited thereto.

봉지층(260) 상에는 제1 컬러 필터(271a), 제2 컬러 필터(271b), 및 제3 컬러 필터(271c)dl 형성될 수 있다. 봉지층(260) 상에 제1 내지 제3 컬러 필터들(271a, 271b, 271c)가 직접 형성하는 경우, 제1 기판(201)과 제2 기판(208)을 합착할 때에 정렬할 필요가 없을 뿐만 아니라, 별도의 접착층이 필요 없으므로 표시패널의 두께를 줄일 수 있는 장점이 있다. 이 경우, 유기 발광층(253)이 손상되는 것을 방지하기 위해 제1 내지 제3 컬러 필터들(271a, 271b, 271c)은 대략 100℃ 미만의 저온 공정으로 형성될 수 있다. 제1 컬러 필터(271a)는 적색 컬러 필터이고, 제2 컬러 필터(271b)는 녹색 컬러 필터이고, 제3 컬러 필터(271c)는 청색 컬러 필터일 수 있다.A first color filter 271a , a second color filter 271b , and a third color filter 271c dl may be formed on the encapsulation layer 260 . When the first to third color filters 271a , 271b , and 271c are directly formed on the encapsulation layer 260 , there is no need to align the first substrate 201 and the second substrate 208 when bonding them. In addition, since a separate adhesive layer is not required, the thickness of the display panel can be reduced. In this case, in order to prevent the organic emission layer 253 from being damaged, the first to third color filters 271a , 271b , and 271c may be formed by a low temperature process of less than about 100°C. The first color filter 271a may be a red color filter, the second color filter 271b may be a green color filter, and the third color filter 271c may be a blue color filter.

제1 내지 제3 컬러 필터들(271a, 271b, 271c) 상에는 오버 코트층(275)이 형성될 수 있다. 오버 코트층(275) 상에는 제2 기판(280)이 부착될 수 있다. 제2 기판(280)은 유리 기판, 또는 봉지 필름(보호 필름)일 수 있다.An overcoat layer 275 may be formed on the first to third color filters 271a, 271b, and 271c. A second substrate 280 may be attached on the overcoat layer 275 . The second substrate 280 may be a glass substrate or an encapsulation film (protective film).

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view of one pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.

본 실시예를 설명함에 있어 이전 실시예와 동일 또는 대응되는 구성요소에 대한 설명은 생략하기로 한다. 이하, 도 4를 참조하여 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해 설명하기로 한다.In describing the present embodiment, descriptions of the same or corresponding components as in the previous embodiment will be omitted. Hereinafter, an organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 4 .

본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터들(210)과, 박막 트랜지스터들(210)에 연결되는 제1 내지 제3 유기 발광 소자들(250a, 250b, 250c)을 포함한다. The organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes thin film transistors 210 and first to third organic light emitting diodes 250a , 250b , and 250c connected to the thin film transistors 210 .

제1 기판(201)의 제1 서브화소 영역(SP1)에 배치된 제1 유기 발광 소자(250a')는 제1 하부 전극(251a), 제1 캐비티 조절층(CCL)(230), 제2 캐비티 조절층(232'), 유기 발광층(253), 및 상부 전극(255)을 포함한다. 제1 기판(201)의 제2 서브화소 영역(SP2)에 배치된 제2 유기 발광 소자(250b')는 제2 하부 전극(251b), 제2 캐비티 조절층(232'), 유기 발광층(253), 및 상부 전극(255)을 포함한다. 제1 기판(201)의 제3 서브화소 영역(SP3)에 배치된 제3 유기 발광 소자(250c)는 제3 하부 전극(251c), 유기 발광층(253), 및 상부 전극(255)을 포함한다. 제1 내지 제3 하부 전극들(251a, 251b, 251c)은 애노드 전극이고, 상부 전극(255)은 캐소드 전극일 수 있다. The first organic light emitting diode 250a ′ disposed in the first subpixel region SP1 of the first substrate 201 includes a first lower electrode 251a , a first cavity control layer (CCL) 230 , and a second It includes a cavity control layer 232 ′, an organic emission layer 253 , and an upper electrode 255 . The second organic light emitting device 250b ′ disposed in the second subpixel region SP2 of the first substrate 201 includes a second lower electrode 251b , a second cavity control layer 232 ′, and an organic light emitting layer 253 . ), and an upper electrode 255 . The third organic light emitting diode 250c disposed in the third subpixel region SP3 of the first substrate 201 includes a third lower electrode 251c , an organic emission layer 253 , and an upper electrode 255 . . The first to third lower electrodes 251a, 251b, and 251c may be an anode electrode, and the upper electrode 255 may be a cathode electrode.

본 실시예에서는 제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 캐비티 조절층(232') 모두가 청색 광을 흡수할 수 있으며, 실리콘 산화물보다 큰 굴절율을 가지는 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 제1 캐비티 조절층(230) 및 제2 캐비티 조절층(232')은 동일할 수 있고, 상기 금속 산화물은 예를 들어, 철 산화물(Fe2O3)일 수 있다. 이 경우, 제1 캐비티 조절층(230)의 두께는 제2 캐비티 조절층(232')의 두께와 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 캐비티 조절층(230)의 두께 및 제2 캐비티 조절층(232)의 두께는 각각 400Å일 수 있다. 상기 금속 산화물이 철 산화물(Fe2O3)인 경우, 제1 및 제2 캐비티 조절층(230, 232')은 예를 들어, 200℃정도에서 플라즈마 화학기상증착 공정으로 형성될 수 있다.In this embodiment, both the first cavity control layer 230 and the second cavity control layer 232' may absorb blue light, and may be formed of a metal oxide having a refractive index greater than that of silicon oxide. The first cavity control layer 230 and the second cavity control layer 232 ′ may be the same, and the metal oxide may be, for example, iron oxide (Fe 2 O 3 ). In this case, the thickness of the first cavity control layer 230 may be the same as the thickness of the second cavity control layer 232 ′. For example, the thickness of the first cavity control layer 230 and the thickness of the second cavity control layer 232 may each be 400 Å. When the metal oxide is iron oxide (Fe 2 O 3 ), the first and second cavity control layers 230 and 232 ′ may be formed by, for example, a plasma chemical vapor deposition process at about 200° C.

도 7은 도 4의 유기 발광 표시 장치의 적색 서브화소 영역에 형성된 유기 발광 소자로부터 방출된 광 스펙트럼을 나타내는 도면이다. FIG. 7 is a diagram illustrating a light spectrum emitted from an organic light emitting diode formed in a red sub-pixel region of the organic light emitting diode display of FIG. 4 .

도 7을 참조하면, 본 실시예의 경우, 제1 유기 발광 소자(250a')로부터 방출되는 광에서 청색 영역의 피크가 비교예에 비해 40%정도 감소한 것을 확인할 수 있다. 여기서, 비교예는 제1 유기 발광 소자의 제1 캐비티 조절층 및 제2 캐비티 조절층 모두를 실리콘 산화물로 형성한 경우이다. 이와 같은, 금속 산화물로 이루어진 제1 캐비티 조절층(230)에 의해 제1 유기 발광 소자(250a')로부터 방출되는 광의 청색 영역의 피크가 감소됨으로 인해, 적색 컬러 필터(271a)에 포함된 황색 색재의 함량을 줄일 수 있고, 전체 색재의 함량 비율을 비교예에 비해 20 중량%를 감소시킬 수 있다. 비교예에서는 적색 컬러 필터에 포함된 전체 색재의 함량 비율이 52 중량% 정도이지만, 본 발명의 일 실시예서는 적색 컬러 필터(271a)에 포함된 전체 색재의 함량 비율이 41.6 중량% 정도로 감소될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 적색 컬러 필터(271a) 내의 적색 색재의 함량을 비교예에 비해 20 중량%만큼 더 늘릴 수 있고, 비교예에 비해 저계조에서 발생하는 컬러 쉬프트 현상을 감소시킬 수 있다. Referring to FIG. 7 , in the case of the present embodiment, it can be seen that the peak of the blue region in the light emitted from the first organic light emitting device 250a ′ is reduced by about 40% compared to the comparative example. Here, in the comparative example, both the first cavity control layer and the second cavity control layer of the first organic light emitting device are formed of silicon oxide. The yellow color included in the red color filter 271a is reduced because the peak of the blue region of the light emitted from the first organic light emitting device 250a' is reduced by the first cavity control layer 230 made of the metal oxide. The content of ash may be reduced, and the content ratio of the total color material may be reduced by 20% by weight compared to the comparative example. In the comparative example, the content ratio of the total color material included in the red color filter is about 52 wt%, but in an embodiment of the present invention, the content ratio of the total color material included in the red color filter 271a can be reduced to about 41.6 wt%. have. Accordingly, according to an embodiment of the present invention, the content of the red color material in the red color filter 271a may be further increased by 20% by weight compared to the comparative example, and the color shift phenomenon occurring in the low gray scale is reduced compared to the comparative example. can do it

도 8은 도 4의 유기 발광 표시 장치의 녹색 서브화소 영역에 형성된 유기 발광 소자로부터 방출된 광 스펙트럼을 나타내는 도면이다. FIG. 8 is a diagram illustrating a light spectrum emitted from an organic light emitting diode formed in a green sub-pixel region of the organic light emitting diode display of FIG. 4 .

도 8을 참조하면, 제2 서브화소 영역(SP2)에 배치된 제2 유기 발광 소자(250b')는 제2 하부 전극(251b), 제2 캐비티 조절층(232'), 유기 발광층(253), 및 상부 전극(255)을 포함한다. 제2 유기 발광 소자(250b')에서 방출되는 광의 녹색 영역의 피크가 13.4% 정도 감소한 것을 알 수 있다. 금속 산화물로 이루어진 제2 캐비티 조절층(232')의 투과율이 녹색 영역에서 1 보다 작기 때문에 제2 유기 발광 소자(250b')에서 방출되는 녹색 광의 휘도를 감소시킬 수 있다. Referring to FIG. 8 , the second organic light emitting device 250b ′ disposed in the second subpixel region SP2 includes a second lower electrode 251b , a second cavity control layer 232 ′, and an organic light emitting layer 253 . , and an upper electrode 255 . It can be seen that the peak of the green region of the light emitted from the second organic light emitting diode 250b' is reduced by about 13.4%. Since the transmittance of the second cavity control layer 232 ′ made of metal oxide is less than 1 in the green region, the luminance of green light emitted from the second organic light emitting device 250b ′ may be reduced.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다. 5 is a schematic cross-sectional view of one pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.

본 실시예를 설명함에 있어 이전 실시예와 동일 또는 대응되는 구성요소에 대한 설명은 생략하기로 한다. 이하, 도 5를 참조하여 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해 설명하기로 한다.In describing the present embodiment, descriptions of the same or corresponding components as in the previous embodiment will be omitted. Hereinafter, an organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 5 .

본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터들(210)과, 박막 트랜지스터들(210)에 연결되는 제1 내지 제3 유기 발광 소자들(250a", 250b", 250c)을 포함한다. The organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes thin film transistors 210 and first to third organic light emitting elements 250a″, 250b″, and 250c connected to the thin film transistors 210 .

제1 기판(201)의 제1 서브화소 영역(SP1)에 배치된 제1 유기 발광 소자(250a")는 제1 하부 전극(251a), 제1 캐비티 조절층(CCL)(230'), 제2 캐비티 조절층(232'), 유기 발광층(253), 및 상부 전극(255)을 포함한다. 제1 기판(201)의 제2 서브화소 영역(SP2)에 배치된 제2 유기 발광 소자(250b")는 제2 하부 전극(251b), 제2 캐비티 조절층(232'), 유기 발광층(253), 및 상부 전극(255)을 포함한다. 제1 기판(201)의 제3 서브화소 영역(SP3)에 배치된 제3 유기 발광 소자(250c)는 제3 하부 전극(251c), 유기 발광층(253), 및 상부 전극(255)을 포함한다. 제1 내지 제3 하부 전극들(251a, 251b, 251c)은 애노드 전극이고, 상부 전극(255)은 캐소드 전극일 수 있다. The first organic light emitting diode 250a ″ disposed in the first subpixel region SP1 of the first substrate 201 includes a first lower electrode 251a, a first cavity control layer (CCL) 230 ′, and a first organic light emitting diode (CCL) 230 ′. 2 includes a cavity control layer 232 ′, an organic emission layer 253 , and an upper electrode 255. The second organic light emitting diode 250b is disposed in the second sub-pixel region SP2 of the first substrate 201 . " ) includes a second lower electrode 251b , a second cavity control layer 232 ′, an organic emission layer 253 , and an upper electrode 255 . The third organic light emitting diode 250c disposed in the third subpixel region SP3 of the first substrate 201 includes a third lower electrode 251c , an organic emission layer 253 , and an upper electrode 255 . . The first to third lower electrodes 251a, 251b, and 251c may be an anode electrode, and the upper electrode 255 may be a cathode electrode.

본 실시예에서는 제1 캐비티 조절층(230')이 실리콘 산화물로 이루어지고, 제2 캐비티 조절층(232')이 청색 광을 흡수할 수 있으며 실리콘 산화물보다 큰 굴절율을 가지는 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 금속 산화물은 예를 들어, 철 산화물(Fe2O3)일 수 있다. 이 경우, 제1 캐비티 조절층(230')의 두께는 제2 캐비티 조절층(232')의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 캐비티 조절층(230')의 두께는 750Å이고, 제2 캐비티 조절층(232')의 두께는 400Å일 수 있다. 상기 금속 산화물이 철 산화물(Fe2O3)인 경우, 제2 캐비티 조절층(232')은 예를 들어, 200℃정도에서 플라즈마 화학기상증착 공정으로 형성될 수 있다.In this embodiment, the first cavity control layer 230' is made of silicon oxide, and the second cavity control layer 232' can absorb blue light and can be made of metal oxide having a refractive index greater than that of silicon oxide. . The metal oxide may be, for example, iron oxide (Fe 2 O 3 ). In this case, the thickness of the first cavity control layer 230 ′ may be greater than the thickness of the second cavity control layer 232 ′. For example, the thickness of the first cavity control layer 230 ′ may be 750 Å, and the thickness of the second cavity control layer 232 ′ may be 400 Å. When the metal oxide is iron oxide (Fe 2 O 3 ), the second cavity control layer 232 ′ may be formed by, for example, a plasma chemical vapor deposition process at about 200° C.

상술한 실시예들에서는 상부 발광 방식의 구조로 설명하였으나, 본 발명은 하부 발광 방식의 구조에도 적용할 수 있다. Although the above-described embodiments have been described as a structure of a top emission type, the present invention can also be applied to a structure of a bottom emission type.

이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.As described above, the present invention has been described with reference to the illustrated drawings, but the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed in the present specification, and various methods can be obtained by those skilled in the art within the scope of the technical spirit of the present invention. It is obvious that variations can be made. In addition, although the effects of the configuration of the present invention are not explicitly described and described while describing the embodiments of the present invention, it is natural that the effects predictable by the configuration should also be recognized.

100: 유기 발광 표시 장치 110: 표시 패널
120: 데이터 드라이버 121: 소스 드라이버 집적회로
123: 연성 필름 130: 게이트 드라이버
140: 타이밍 컨트롤러 150: 컨트롤 인쇄회로기판
201: 제1 기판 205: 버퍼층
210: 박막 트랜지스터 211: 액티브층
212: 게이트 전극 213: 게이트 절연층
214: 소스 전극 215: 드레인 전극
222: 층간 절연층 224: 보호층
226: 평탄화층 230: 제1 캐비티 조절층
232: 제2 캐비티 조절층 240: 뱅크
250a, 250b, 250c: 제1, 제2, 제3 유기 발광 소자
251a, 251b, 251c: 제1, 제2, 제3 하부 전극
260: 봉지층 255: 상부 전극
275: 오버코트층 280: 제2 기판
GL: 게이트 배선 DL: 데이터 배선
DA: 표시부 NDA: 비표시부
DPA: 데이터 드라이브 IC 패드부
SP1, SP2, SP3: 제1, 제2, 제3 서브화소 영역100: organic light emitting display device 110: display panel
120: data driver 121: source driver integrated circuit
123: flexible film 130: gate driver
140: timing controller 150: control printed circuit board
201: first substrate 205: buffer layer
210: thin film transistor 211: active layer
212: gate electrode 213: gate insulating layer
214: source electrode 215: drain electrode
222: interlayer insulating layer 224: protective layer
226: planarization layer 230: first cavity control layer
232: second cavity control layer 240: bank
250a, 250b, 250c: first, second, and third organic light emitting devices
251a, 251b, 251c: first, second, and third lower electrodes
260: encapsulation layer 255: upper electrode
275: overcoat layer 280: second substrate
GL: gate wiring DL: data wiring
DA: display unit NDA: non-display unit
DPA: data drive IC pad part
SP1, SP2, SP3: first, second, and third sub-pixel regions

Claims (16)

기판 상의 제1 서브화소 영역, 제2 서브화소 영역 및 제3 서브화소 영역에 각각 배치된 제1 하부 전극, 제2 하부 전극, 및 제3 하부 전극;
상기 제1 하부 전극을 덮고, 상기 제2 하부 전극 및 상기 제3 하부 전극 아래에 배치되는 제1 캐비티 조절층;
상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 하부 전극을 덮고, 상기 제3 하부 전극 아래에 배치되는 제2 캐비티 조절층;
상기 제2 캐비티 조절층 및 상기 제3 하부 전극을 덮고, 백색 광을 방출하는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 배치된 상부 전극;을 포함하고,
상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 캐비티 조절층 중 적어도 어느 하나는 청색 광을 흡수하는 물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치.a first lower electrode, a second lower electrode, and a third lower electrode respectively disposed in the first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-pixel region on the substrate;
a first cavity control layer covering the first lower electrode and disposed under the second lower electrode and the third lower electrode;
a second cavity control layer covering the first cavity control layer and the second lower electrode and disposed under the third lower electrode;
an organic light emitting layer covering the second cavity control layer and the third lower electrode and emitting white light; and
an upper electrode disposed on the organic light emitting layer; and
At least one of the first cavity control layer and the second cavity control layer is made of a material that absorbs blue light. 제1항에 있어서,
상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 캐비티 조절층 중 적어도 어느 하나는 실리콘 산화물보다 큰 굴절율을 가지는 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
At least one of the first cavity control layer and the second cavity control layer has a refractive index greater than that of silicon oxide. 제1항에 있어서,
상기 제1 캐비티 조절층은 상기 제2 캐비티 조절층보다 높은 굴절율을 가지고,
상기 제1 캐비티 조절층의 두께는 상기 제2 캐비티 조절층의 두께보다 작은 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The first cavity control layer has a higher refractive index than the second cavity control layer,
A thickness of the first cavity control layer is smaller than a thickness of the second cavity control layer. 제1항에 있어서,
상기 제2 캐비티 조절층은 상기 제1 캐비티 조절층보다 높은 굴절율을 가지고, 상기 제2 캐비티 조절층의 두께는 상기 제1 캐비티 조절층의 두께보다 작은 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The second cavity control layer has a refractive index higher than that of the first cavity control layer, and a thickness of the second cavity control layer is smaller than a thickness of the first cavity control layer. 제1항에 있어서,
상기 제2 캐비티 조절층은 상기 제2 캐비티 조절층과 동일한 굴절율을 가지고, 상기 제2 캐비티 조절층의 두께는 상기 제1 캐비티 조절층의 두께와 동일한 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The second cavity control layer has the same refractive index as the second cavity control layer, and the thickness of the second cavity control layer is the same as that of the first cavity control layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 캐비티 조절층 중 적어도 어느 하나는 금속 산화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
At least one of the first cavity control layer and the second cavity control layer includes a metal oxide. 제6항에 있어서,
상기 금속 산화물은 철 산화물, 하프늄 산화물, 또는 텅스텐 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치. 7. The method of claim 6,
The metal oxide includes at least one of iron oxide, hafnium oxide, and tungsten oxide. 제1항에 있어서,
상기 제1 하부 전극, 상기 제2 하부 전극, 및 상기 제3 하부 전극은 반사 전극인 유기 발광 표시 장치. According to claim 1,
The first lower electrode, the second lower electrode, and the third lower electrode are reflective electrodes. 제1항에 있어서,
상기 상부 전극 상에, 상기 제1 서브화소 영역에 대응된 제1 컬러 필터, 상기 제2 서브화소 영역에 대응된 제2 컬러 필터 및 상기 제3 서브화소 영역에 대응된 제3 컬러 필터를 더 포함한 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
a first color filter corresponding to the first sub-pixel area, a second color filter corresponding to the second sub-pixel area, and a third color filter corresponding to the third sub-pixel area, on the upper electrode; organic light emitting display device. 제1 하부 전극, 제1 캐비티 조절층, 제2 캐비티 조절층, 유기 발광층, 및 상부 전극이 적층된 제1 유기 발광소자;
제2 하부 전극, 상기 제2 캐비티 조절층, 상기 유기 발광층 및 상기 상부 전극이 적층된 제2 유기 발광소자; 및
제3 하부 전극, 상기 유기 발광층 및 상기 상부 전극을 포함하는 제3 유기 발광소자;를 포함하고,
상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 캐비티 조절층 중 적어도 어느 하나는 청색 광을 흡수하는 물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치.a first organic light emitting device in which a first lower electrode, a first cavity control layer, a second cavity control layer, an organic emission layer, and an upper electrode are stacked;
a second organic light emitting device in which a second lower electrode, the second cavity control layer, the organic light emitting layer, and the upper electrode are stacked; and
a third organic light emitting device including a third lower electrode, the organic light emitting layer, and the upper electrode;
At least one of the first cavity control layer and the second cavity control layer is made of a material that absorbs blue light. 제10항에 있어서,
상기 제1 캐비티 조절층 및 상기 제2 캐비티 조절층 중 적어도 어느 하나는 실리콘 산화물보다 큰 굴절율을 가지는 금속 산화물로 이루어진 유기 발광 표시 장치.11. The method of claim 10,
At least one of the first cavity control layer and the second cavity control layer is formed of a metal oxide having a refractive index greater than that of silicon oxide. 제11항에 있어서,
상기 금속 산화물은 철 산화물, 하프늄 산화물, 또는 텅스텐 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치. 12. The method of claim 11,
The metal oxide includes at least one of iron oxide, hafnium oxide, and tungsten oxide. 제10항에 있어서,
상기 제1 캐비티 조절층은 상기 제2 캐비티 조절층보다 높은 굴절율을 가지고,
상기 제1 캐비티 조절층의 두께는 상기 제2 캐비티 조절층의 두께보다 작은 유기 발광 표시 장치.11. The method of claim 10,
The first cavity control layer has a higher refractive index than the second cavity control layer,
A thickness of the first cavity control layer is smaller than a thickness of the second cavity control layer. 제10항에 있어서,
상기 제2 캐비티 조절층은 상기 제1 캐비티 조절층보다 높은 굴절율을 가지고, 상기 제2 캐비티 조절층의 두께는 상기 제1 캐비티 조절층의 두께보다 작은 유기 발광 표시 장치.11. The method of claim 10,
The second cavity control layer has a refractive index higher than that of the first cavity control layer, and a thickness of the second cavity control layer is smaller than a thickness of the first cavity control layer. 제10항에 있어서,
상기 제2 캐비티 조절층은 상기 제2 캐비티 조절층과 동일한 굴절율을 가지고, 상기 제2 캐비티 조절층의 두께는 상기 제1 캐비티 조절층의 두께와 동일한 유기 발광 표시 장치.11. The method of claim 10,
The second cavity control layer has the same refractive index as the second cavity control layer, and the thickness of the second cavity control layer is the same as that of the first cavity control layer. 제10항에 있어서,
상기 제1 하부 전극, 상기 제2 하부 전극, 및 상기 제3 하부 전극은 반사 전극인 유기 발광 표시 장치.
11. The method of claim 10,
The first lower electrode, the second lower electrode, and the third lower electrode are reflective electrodes.
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