KR20210066897A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치의 노즐 이동 기구는, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 외주 가장자리부 (93) 에 대향하는 최외 위치로부터 직경 방향의 내측에 있어서, 노즐부 (31) 를 상면 (91) 에 근접시키면서 상면 (91) 을 따라 이동 가능하다. 기판 처리에서는, 회전하는 기판 (9) 의 상면 (91) 을 따라 노즐부 (31) 를 이동시키면서, 상면 (91) 에 대하여 노즐부 (31) 로부터 처리액을 토출하는 제 1 토출 동작과, 회전하는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대하여, 최외 위치에서 정지한 노즐부 (31) 로부터 처리액을 토출하는 제 2 토출 동작이 실시된다. 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도가, 제 1 토출 동작에 있어서의 회전 속도보다 높거나, 또는/및, 제 2 토출 동작에 있어서의 처리액의 토출 유량이, 제 1 토출 동작에 있어서의 토출 유량보다 낮다. 이로써, 처리액에 의한 외주 가장자리부 (93) 에 대한 추가의 처리를 좁은 범위로 한정하여 실시할 수 있다.The nozzle moving mechanism of the substrate processing apparatus moves the nozzle part 31 to the upper surface 91 from the outermost position facing the outer peripheral edge part 93 of the substrate 9 and radially inside. It is possible to move along the upper surface (91) while doing. In the substrate processing, a first discharging operation of discharging the processing liquid from the nozzle unit 31 with respect to the upper surface 91 while moving the nozzle unit 31 along the upper surface 91 of the rotating substrate 9 , and rotation; A second discharging operation of discharging the processing liquid from the nozzle unit 31 stopped at the outermost position is performed on the upper surface 91 of the substrate 9 to be used. The rotation speed of the substrate 9 in the second discharge operation is higher than the rotation speed in the first discharge operation, and/or the discharge flow rate of the processing liquid in the second discharge operation is the first discharge It is lower than the discharge flow rate in operation. Thereby, the additional treatment with respect to the outer peripheral edge part 93 by a process liquid can be performed by limiting it to a narrow range.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing apparatus

본 발명은, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

종래, 반도체 디바이스의 제조에서는, 반도체 기판 (이하, 간단히「기판」이라고 한다) 에 대하여, 다양한 종류의 처리액을 이용하여 처리를 실시하는 기판 처리 장치가 사용되고 있다. 예를 들어, 표면 상에 레지스트의 패턴이 형성된 기판에 처리액을 공급함으로써, 기판의 표면에 대하여 에칭 등의 처리가 실시된다. 일본 공개특허공보 2010-67819호에서는, 노즐체가 반도체 웨이퍼의 주변부에서 중심부를 향할 때에 이동 속도를 점차 증가시키고, 중심부에서 주변부를 향할 때에는 이동 속도를 점차 저하시킴으로써, 균일하게 에칭 처리하는 수법이 개시되어 있다.DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, in the manufacture of a semiconductor device, the substrate processing apparatus which processes a semiconductor substrate (henceforth simply "substrate") using various types of processing liquids is used. For example, by supplying a processing liquid to a substrate on which a pattern of resist is formed on the surface, processing such as etching is performed on the surface of the substrate. Japanese Patent Laid-Open No. 2010-67819 discloses a method of uniformly etched by gradually increasing the moving speed of the nozzle body from the periphery to the center of the semiconductor wafer and gradually decreasing the moving speed from the center to the periphery of the semiconductor wafer. have.

그런데, 기판에 대한 성막 방법 등에 따라서는, 기판 상에 형성되는 막의 두께가, 중앙부에서 외주 가장자리부를 향하여 점차 커지는 경우가 있다. 이 경우, 막의 두께를 균일화하기 (막을 평탄화) 위해, 에칭 처리에 있어서, 외주 가장자리부를 향함에 따라서 에칭량을 크게 할 것이 요구된다. 기판의 중앙부에 대향하는 중앙 위치에서 정지한 노즐부로부터 에칭액을 토출하는 경우에는, 기판의 중앙부에서 에칭량이 커져 버린다. 기판의 외주 가장자리부에 대향하는 위치와 중앙 위치 사이에서 노즐부를 일정한 이동 속도로 이동시키면서 노즐부로부터 에칭액을 토출하는 경우에도, 기판의 중앙부에서 에칭량이 커진다.By the way, depending on the film-forming method with respect to a board|substrate, etc., the thickness of the film|membrane formed on a board|substrate may gradually increase from a center part toward an outer peripheral edge part. In this case, in order to equalize the thickness of the film (planarize the film), in the etching process, it is required to increase the etching amount toward the outer periphery. In the case of discharging the etching solution from the nozzle part stopped at the central position facing the central part of the substrate, the etching amount becomes large in the central part of the substrate. Even when the etching liquid is discharged from the nozzle portion while moving the nozzle portion at a constant moving speed between the position opposite to the outer peripheral edge portion of the substrate and the central position, the etching amount is increased at the center portion of the substrate.

한편, 노즐부의 위치가 중앙 위치로부터 멀어짐에 따라서, 노즐부의 이동 속도를 낮게 함으로써, 외주 가장자리부를 향함에 따라서 에칭량을 대략 크게 하는 것이 가능해진다. 그러나, 실제로는, 기판의 외주 가장자리부 및 그 내측 근방에서는, 에칭량이 거의 일정해져 버린다. 노즐부로부터 기판의 외주 단면 (베벨부) 부근에 에칭액을 공급하여, 외주 가장자리부만에 대하여 에칭을 실시하는 것도 생각할 수 있지만, 이 경우, 기판의 외주 단면에 충돌한 에칭액이 튀어올라, 주위의 컵을 통하거나 하여, 기판에 재부착될 가능성이 있다. 컵의 존재에 의해, 노즐부를 기판의 외주 단면의 상방에 배치할 수 없는 경우도 있다.On the other hand, as the position of the nozzle part moves away from the central position, it becomes possible to substantially increase the etching amount toward the outer peripheral edge by lowering the moving speed of the nozzle part. However, in reality, an etching amount will become substantially constant in the outer peripheral edge part of a board|substrate and its inner vicinity. It is also conceivable to supply the etching solution from the nozzle part to the vicinity of the outer peripheral end face (bevel part) of the substrate and to etch only the outer peripheral edge part. There is a possibility of being reattached to the substrate through a cup or the like. Due to the existence of the cup, the nozzle portion cannot be disposed above the outer peripheral end face of the substrate in some cases.

또, 기판의 전체에 걸쳐서 막의 에칭량을 균등하게 할 것이 요구되는 경우, 기판의 외주 가장자리부에 있어서의 에칭량이 외주 가장자리부의 내측 근방에 비해 부족한 경우도 있다. 또한, 에칭액 이외의 처리액을 사용하는 경우, 기판의 외주 가장자리부에 있어서의 처리의 정도가, 외주 가장자리부의 내측 근방에 비해 부족한 경우도 있다. 따라서, 기판의 외주 단면에 있어서의 처리액의 튀어오름을 억제함과 함께, 처리액에 의한 외주 가장자리부에 대한 추가의 처리를 좁은 범위로 한정하여 실시하는 수법이 요구되고 있다.Moreover, when it is requested|required to make the etching amount of a film|membrane uniform over the whole board|substrate, the etching amount in the outer peripheral edge part of a board|substrate may be insufficient compared with the inner vicinity of an outer peripheral edge part. Moreover, when using processing liquids other than etching liquid, the grade of the process in the outer peripheral edge part of a board|substrate may be insufficient compared with the inner vicinity of an outer peripheral edge part. Accordingly, there is a demand for a method of suppressing the splashing of the processing liquid in the outer peripheral end face of the substrate and limiting the additional processing to the outer peripheral edge portion by the processing liquid to a narrow range.

본 발명은, 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법을 대상으로 하고 있으며, 기판의 외주 단면에 있어서의 처리액의 튀어오름을 억제함과 함께, 처리액에 의한 외주 가장자리부에 대한 추가의 처리를 좁은 범위로 한정하여 실시하는 것을 목적으로 하고 있다.The present invention is directed to a substrate processing method in a substrate processing apparatus, which suppresses splashing of the processing liquid in the outer peripheral end face of the substrate, and additionally processes the outer peripheral edge with the processing liquid. The purpose is to limit the implementation to a narrow range.

본 발명에 관련된 기판 처리 방법에서는, 기판 처리 장치가, 원판상의 기판을 수평 상태로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와, 상기 기판의 상면을 향하여 노즐부로부터 처리액을 토출하는 처리액 공급부와, 상기 상면의 외주 가장자리부에 대향하는 최외 위치로부터 직경 방향의 내측에 있어서, 상기 노즐부를 상기 상면에 근접시키면서 상기 상면을 따라 이동 가능한 노즐 이동 기구를 구비하고, 상기 기판 처리 방법이, a) 회전하는 상기 기판의 상기 상면을 따라 상기 노즐부를 이동시키면서, 상기 상면에 대하여 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하거나, 또는, 회전하는 상기 기판의 상기 상면에 대하여, 상기 상면의 중앙부에 대향하는 중앙 위치에서 정지한 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하는 공정과, b) 회전하는 상기 기판의 상기 상면에 대하여, 상기 최외 위치에서 정지한 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하는 공정을 구비하고, 상기 최외 위치에 배치된 상기 노즐부에 의해, 상기 기판의 외주 단면보다 내측의 영역에 대하여 상기 처리액이 토출되고, 상기 b) 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도가, 상기 a) 공정에 있어서의 상기 회전 속도보다 높거나, 또는/및, 상기 b) 공정에 있어서의 상기 처리액의 토출 유량이, 상기 a) 공정에 있어서의 상기 토출 유량보다 낮다.In the substrate processing method according to the present invention, the substrate processing apparatus includes a substrate holding part for holding a disk-shaped substrate in a horizontal state, a substrate rotation mechanism for rotating the substrate holding part, and a processing liquid from a nozzle unit toward an upper surface of the substrate. a processing liquid supply unit for discharging the , and a nozzle moving mechanism capable of moving along the upper surface while bringing the nozzle unit closer to the upper surface in a radially inner side from an outermost position opposite to the outer periphery of the upper surface; The processing method includes: a) discharging the processing liquid from the nozzle unit with respect to the upper surface while moving the nozzle unit along the upper surface of the rotating substrate, or with respect to the upper surface of the rotating substrate, the upper surface discharging the processing liquid from the nozzle unit stopped at a central position opposite to the central portion of the ; b) discharging the processing liquid from the nozzle unit stopped at the outermost position with respect to the upper surface of the rotating substrate wherein the processing liquid is discharged to a region inside the outer peripheral end face of the substrate by the nozzle unit disposed at the outermost position, and the rotation speed of the substrate in the step b) is The discharge flow rate of the processing liquid in step b) is higher than the rotation speed in step a), and/or lower than the discharge flow rate in step a).

본 발명에 의하면, 기판의 외주 단면에 있어서의 처리액의 튀어오름을 억제함과 함께, 처리액에 의한 외주 가장자리부에 대한 추가의 처리를 좁은 범위로 한정하여 실시할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while suppressing the splash of the processing liquid in the outer peripheral end surface of a board|substrate, the additional process with respect to the outer peripheral edge part with a processing liquid can be limited and performed in a narrow range.

본 발명의 하나의 바람직한 형태에서는, 상기 a) 공정에 있어서, 상기 노즐부가 상기 중앙 위치와 상기 최외 위치 사이에서 이동하고, 상기 노즐부의 위치가 상기 최외 위치에 가까울수록, 상기 노즐부의 이동 속도가 낮다.In one preferred aspect of the present invention, in the step a), the nozzle unit moves between the central position and the outermost position, and the closer the position of the nozzle unit is to the outermost position, the lower the moving speed of the nozzle unit. .

본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 a) 공정에 있어서, 상기 노즐부가 상기 중앙 위치와 상기 최외 위치 사이에서 이동하고, 상기 노즐부의 위치가 상기 최외 위치에 가까울수록, 상기 기판의 회전 속도가 낮거나, 또는, 상기 처리액의 토출 유량이 높고, 상기 b) 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도가, 상기 a) 공정에 있어서 상기 최외 위치의 내측 근방에 상기 노즐부가 배치될 때의 상기 회전 속도보다 높거나, 또는/및, 상기 b) 공정에 있어서의 상기 처리액의 토출 유량이, 상기 a) 공정에 있어서 상기 최외 위치의 내측 근방에 상기 노즐부가 배치될 때의 상기 토출 유량보다 낮다.In another preferred aspect of the present invention, in the step a), the nozzle unit moves between the central position and the outermost position, and the closer the position of the nozzle unit is to the outermost position, the lower the rotation speed of the substrate or or, the discharge flow rate of the processing liquid is high, and the rotation speed of the substrate in step b) is higher than the rotation speed when the nozzle unit is disposed near the inner side of the outermost position in step a). and/or the discharge flow rate of the processing liquid in step b) is lower than the discharge flow rate when the nozzle unit is disposed in the inner vicinity of the outermost position in step a).

바람직하게는, 상기 처리액이, 상기 상면에 형성된 막을 에칭하는 에칭액이고, 상기 상면의 상기 중앙부를 제외한 영역에 있어서, 상기 a) 및 b) 공정에 의한 상기 막의 에칭량이, 상기 외주 가장자리부를 향함에 따라서 점차 증대된다.Preferably, the processing liquid is an etchant for etching the film formed on the upper surface, and in a region excluding the central portion of the upper surface, the etching amount of the film by the steps a) and b) is toward the outer peripheral edge portion Therefore, it gradually increases.

본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 a) 공정에 있어서, 상기 노즐부가 상기 중앙 위치와 상기 최외 위치 사이를 반복하여 이동함과 함께, 상기 노즐부가 상기 최외 위치에 도달 후, 곧바로 상기 중앙 위치를 향하고, 상기 a) 공정의 완료 후, 상기 노즐부가 상기 최외 위치에 배치되고, 상기 b) 공정이 실시된다.In another preferred aspect of the present invention, in the step a), the nozzle unit moves repeatedly between the central position and the outermost position, and immediately after the nozzle unit reaches the outermost position, it faces the central position, , after completion of step a), the nozzle unit is disposed at the outermost position, and step b) is performed.

본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 a) 공정에 있어서, 상기 노즐부가 상기 중앙 위치와 상기 최외 위치 사이를 반복하여 이동하고, 상기 노즐부가 상기 최외 위치에 도달할 때, 상기 노즐부가 일시적으로 상기 최외 위치에서 정지하고, 상기 b) 공정이 실시된다.In another preferred aspect of the present invention, in the step a), when the nozzle unit repeatedly moves between the central position and the outermost position, and the nozzle unit reaches the outermost position, the nozzle unit temporarily moves to the outermost position. It is stopped at the position, and the process b) is carried out.

본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 기판 유지부가, 상기 기판의 상기 외주 단면에 맞닿는 복수의 척 핀을 구비한다.In another preferred aspect of the present invention, the substrate holding unit includes a plurality of chuck pins that abut against the outer peripheral end face of the substrate.

본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 기판 유지부에 의해 유지되는 상기 기판의 주위를 둘러싸는 컵을 추가로 구비하고, 상기 최외 위치에 배치된 상기 노즐부가, 상기 컵의 상부에 근접한다.In another preferred aspect of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a cup surrounding the periphery of the substrate held by the substrate holding unit, and the nozzle unit disposed at the outermost position is an upper portion of the cup. close to

본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 처리액이, 상기 상면에 형성된 막을 에칭하는 에칭액이고, 기판 처리 방법이, 상면에 막이 형성된 복수의 기판에 대하여, 서로 상이한 처리 조건에서 상기 a) 및 b) 공정을 실시함으로써 얻어지는 상기 막의 에칭 결과와, 상기 a) 및 b) 공정을 실시하기 전의 상기 막의 두께 정보를 취득함으로써, 상기 복수의 기판에 있어서의 상기 막의 두께 정보, 상기 처리 조건 및 상기 에칭 결과를 나타내는 교사 데이터를 준비하는 공정과, 상기 교사 데이터를 사용한 학습에 의해, 판정부를 구축하는 공정을 추가로 구비한다.In another preferred aspect of the present invention, the processing liquid is an etchant for etching the film formed on the upper surface, and the substrate processing method includes steps a) and b) under different processing conditions for a plurality of substrates on which a film is formed on the upper surface. By obtaining the etching result of the film obtained by performing the above and the thickness information of the film before performing the steps a) and b), the thickness information of the films in the plurality of substrates, the processing conditions, and the etching results are shown. The method further includes a step of preparing teacher data, and a step of constructing a determination unit by learning using the teacher data.

이 경우, 기판 처리 방법이, 처리 대상의 기판에 대하여 상기 막의 두께 정보를 취득하는 공정과, 상기 기판의 상기 막의 두께 정보를 사용하여, 상기 판정부에 의해 상기 처리 조건을 취득하는 공정을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.In this case, the substrate processing method further includes a step of acquiring information on the thickness of the film for the substrate to be processed, and a step of acquiring the processing conditions by the determination unit using the thickness information of the film on the substrate. It is preferable to have

본 발명은, 기판 처리 장치도 대상으로 하고 있다. 본 발명에 관련된 기판 처리 장치는, 원판상의 기판을 수평 상태로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와, 상기 기판의 상면을 향하여 노즐부로부터 처리액을 토출하는 처리액 공급부와, 상기 상면의 외주 가장자리부에 대향하는 최외 위치로부터 직경 방향의 내측에 있어서, 상기 노즐부를 상기 상면에 근접시키면서 상기 상면을 따라 이동 가능한 노즐 이동 기구와, 상기 기판 회전 기구, 상기 처리액 공급부 및 상기 노즐 이동 기구를 제어함으로써, 회전하는 상기 기판의 상기 상면을 따라 상기 노즐부를 이동시키면서, 상기 상면에 대하여 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하거나, 또는, 회전하는 상기 기판의 상기 상면에 대하여, 상기 상면의 중앙부에 대향하는 중앙 위치에서 정지한 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하는 제 1 토출 동작과, 회전하는 상기 기판의 상기 상면에 대하여, 상기 최외 위치에서 정지한 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하는 제 2 토출 동작을 실행시키는 제어부를 구비하고, 상기 최외 위치에 배치된 상기 노즐부에 의해, 상기 기판의 외주 단면보다 내측의 영역에 대하여 상기 처리액이 토출되고, 상기 제 2 토출 동작에 있어서의 상기 기판의 회전 속도가, 상기 제 1 토출 동작에 있어서의 상기 회전 속도보다 높거나, 또는/및, 상기 제 2 토출 동작에 있어서의 상기 처리액의 토출 유량이, 상기 제 1 토출 동작에 있어서의 상기 토출 유량보다 낮다.The present invention also includes a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to the present invention includes: a substrate holding unit for holding a disk-shaped substrate in a horizontal state; a substrate rotating mechanism for rotating the substrate holding unit; and a processing liquid for discharging a processing liquid from a nozzle unit toward an upper surface of the substrate a supply part; a nozzle moving mechanism movable along the upper surface while bringing the nozzle part closer to the upper surface in a radially inner side from an outermost position opposite to the outer peripheral edge of the upper surface; the substrate rotating mechanism; and the processing liquid supply part and discharging the processing liquid from the nozzle unit with respect to the upper surface while moving the nozzle unit along the upper surface of the rotating substrate by controlling the nozzle moving mechanism, or with respect to the upper surface of the rotating substrate. a first discharging operation of discharging the processing liquid from the nozzle unit stopped at a central position opposite to the central portion of the upper surface; and from the nozzle unit stopped at the outermost position with respect to the upper surface of the rotating substrate. a control unit configured to execute a second discharging operation for discharging the processing liquid, wherein the processing liquid is discharged to an area inside the outer peripheral end face of the substrate by the nozzle unit disposed at the outermost position, The rotation speed of the substrate in the discharging operation is higher than the rotation speed in the first discharging operation, and/or the discharge flow rate of the processing liquid in the second discharging operation is the first It is lower than the said discharge flow rate in a discharge operation.

상기 서술한 목적 및 다른 목적, 특징, 양태 및 이점은, 첨부한 도면을 참조하여 이하에 실시하는 이 발명의 상세한 설명에 의해 분명해진다.The above-mentioned and other objects, features, aspects, and advantages will become clear by the detailed description of this invention given below with reference to the accompanying drawings.

도 1 은, 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는, 노즐 이동 기구의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 3 은, 기판의 외주 가장자리부 근방을 나타내는 도면이다.
도 4 는, 기판을 처리하는 흐름을 나타내는 도면이다.
도 5 는, 직경 방향에 있어서의 노즐부의 위치와 노즐부의 이동 속도의 관계를 나타내는 도면이다.
도 6 은, 비교예의 기판 처리에 의한 에칭량의 프로파일을 나타내는 도면이다.
도 7 은, 에칭량의 프로파일을 나타내는 도면이다.
도 8 은, 직경 방향에 있어서의 노즐부의 위치와 기판의 회전 속도의 관계를 나타내는 도면이다.
도 9 는, 직경 방향에 있어서의 노즐부의 위치와 노즐부의 토출 유량의 관계를 나타내는 도면이다.
도 10 은, 처리 조건 취득부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 11 은, 판정부를 구축하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 12 는, 처리 조건을 취득하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 13 은, 노즐 이동 기구의 동작의 다른 예를 나타내는 도면이다.1 is a diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus.
It is a figure for demonstrating operation|movement of a nozzle moving mechanism.
3 : is a figure which shows the vicinity of the outer peripheral edge part of a board|substrate.
4 is a diagram showing a flow of processing a substrate.
It is a figure which shows the relationship between the position of the nozzle part in a radial direction, and the moving speed of a nozzle part.
6 : is a figure which shows the profile of the etching amount by the board|substrate process of a comparative example.
7 : is a figure which shows the profile of etching amount.
It is a figure which shows the relationship between the position of the nozzle part in a radial direction, and the rotation speed of a board|substrate.
It is a figure which shows the relationship between the position of the nozzle part in a radial direction, and the discharge flow volume of a nozzle part.
10 is a diagram showing the configuration of a processing condition acquisition unit.
11 is a diagram showing the flow of a process for constructing a determination unit.
12 is a diagram showing a flow of processing for acquiring processing conditions.
13 : is a figure which shows the other example of the operation|movement of a nozzle moving mechanism.

도 1 은, 본 발명의 하나의 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 구성을 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 원판상의 기판 (9) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 유지부 (21) 와, 기판 회전 기구 (22) 와, 컵 (23) 과, 처리액 공급부 (3) 와, 린스액 공급부 (4) 와, 노즐 이동 기구 (5) 와, 제어부 (10) 를 구비한다. 기판 유지부 (21), 기판 회전 기구 (22), 컵 (23), 노즐 이동 기구 (5) 및 후술하는 노즐부 (31) 는, 도시가 생략된 챔버 내에 형성된다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 복수의 챔버가 형성되어도 된다. 제어부 (10) 는, 예를 들어 CPU 등을 포함하는 컴퓨터이며, 기판 처리 장치 (1) 의 전체 제어를 담당한다.1 is a diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus which processes the disk-shaped board|substrates 9 one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a substrate holding unit 21 , a substrate rotation mechanism 22 , a cup 23 , a processing liquid supply unit 3 , a rinse liquid supply unit 4 , and a nozzle moving mechanism ( 5) and a control unit 10 . The substrate holding part 21 , the substrate rotation mechanism 22 , the cup 23 , the nozzle moving mechanism 5 , and the nozzle part 31 described later are formed in a chamber not shown. In the substrate processing apparatus 1 , a plurality of chambers may be formed. The control unit 10 is, for example, a computer including a CPU or the like, and is responsible for overall control of the substrate processing apparatus 1 .

기판 유지부 (21) 는, 상하 방향을 향하는 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 원판상의 베이스부 (211) 를 갖는다. 베이스부 (211) 의 상면에는, 복수의 척 핀 (212) 이 형성된다. 복수의 척 핀 (212) 은, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 원주 상에 있어서, 둘레 방향으로 등간격으로 배치된다. 기판 유지부 (21) 에서는, 도시가 생략된 액추에이터 (모터, 에어 실린더 등) 를 이용하여, 복수의 척 핀 (212) 을 구동시키는 것이 가능하다. 기판 유지부 (21) 가 기판 (9) 을 유지할 때에는, 복수의 척 핀 (212) 이 기판 (9) 의 외주 단면에 맞닿는다. 이로써, 기판 (9) 이 베이스부 (211) 의 상방에 있어서 수평 상태로 유지된다. 기판 유지부 (21) 에 의해 유지된 기판 (9) 의 중심은, 중심축 (J1) 상에 위치한다. 베이스부 (211) 의 상면은, 기판 (9) 의 하방을 향하는 주면 (主面) 과 평행이고, 양자는 간극을 두고 서로 대향한다. 기판 처리 장치 (1) 의 설계에 따라서는, 기판 유지부 (21) 가, 기판 (9) 의 하방을 향하는 주면에 맞닿는 흡착 척 또는 정전 척을 가져도 된다.The board|substrate holding part 21 has the disk-shaped base part 211 centering on the central axis J1 which goes to an up-down direction. A plurality of chuck pins 212 are formed on the upper surface of the base portion 211 . The plurality of chuck pins 212 are arranged at equal intervals in the circumferential direction on the circumference centering on the central axis J1. In the substrate holding unit 21, it is possible to drive the plurality of chuck pins 212 using an actuator (motor, air cylinder, etc.) not shown. When the substrate holding unit 21 holds the substrate 9 , the plurality of chuck pins 212 abut against the outer peripheral end face of the substrate 9 . Thereby, the board|substrate 9 is hold|maintained in a horizontal state above the base part 211. As shown in FIG. The center of the board|substrate 9 held by the board|substrate holding part 21 is located on the central axis J1. The upper surface of the base part 211 is parallel to the main surface which faces downward of the board|substrate 9, and both oppose each other with a clearance gap. Depending on the design of the substrate processing apparatus 1 , the substrate holding unit 21 may have a suction chuck or an electrostatic chuck that abuts against the downward main surface of the substrate 9 .

베이스부 (211) 의 하면의 중앙에는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 샤프트부 (221) 의 일단이 고정된다. 모터를 갖는 기판 회전 기구 (22) 가, 샤프트부 (221) 의 타단부를 회전시킴으로써, 기판 유지부 (21) 가 기판 (9) 과 함께 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 회전한다. 컵 (23) 은, 대략 통상 (筒狀) 이고, 기판 유지부 (21) 에 의해 유지되는 기판 (9) 의 주위를 둘러싼다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 도시가 생략된 컵 승강 기구에 의해, 컵 (23) 의 상부인 컵 상부 (231) 가 상하 방향으로 승강 가능하다. 후술하는 기판 (9) 의 처리에서는, 회전하는 기판 (9) 의 외주 가장자리로부터 비산되는 처리액이, 컵 상부 (231) 의 내주면에 의해 받아져 회수된다. 기판 처리 장치 (1) 에 대한 기판 (9) 의 반입 반출시에는, 컵 상부 (231) 가 하강함으로써, 컵 (23) 이 외부의 반송 기구와 간섭하는 것이 방지된다. 컵 승강 기구는, 모터 또는 에어 실린더를 동력원으로서 포함한다.One end of the shaft portion 221 centering on the central axis J1 is fixed to the center of the lower surface of the base portion 211 . The board|substrate rotation mechanism 22 which has a motor rotates the other end of the shaft part 221, so that the board|substrate holding part 21 rotates about the central axis J1 with the board|substrate 9 as a center. The cup 23 is substantially normal, and surrounds the periphery of the board|substrate 9 hold|maintained by the board|substrate holding part 21. As shown in FIG. In the substrate processing apparatus 1, the cup upper part 231 which is the upper part of the cup 23 can be raised and lowered in an up-down direction by the cup raising/lowering mechanism which was abbreviate|omitted. In the processing of the board|substrate 9 mentioned later, the processing liquid scattered from the outer peripheral edge of the rotating board|substrate 9 is received by the inner peripheral surface of the cup upper part 231, and is collect|recovered. At the time of carrying-in/out of the board|substrate 9 with respect to the substrate processing apparatus 1, it is prevented that the cup 23 interferes with an external conveyance mechanism by the cup upper part 231 descending. The cup raising/lowering mechanism includes a motor or an air cylinder as a power source.

처리액 공급부 (3) 는, 노즐부 (31) 와, 처리액 공급원 (32) 을 구비한다. 노즐부 (31) 는, 예를 들어 상하 방향으로 연장되는 스트레이트 노즐이다. 노즐부 (31) 는, 다른 형상이어도 된다. 노즐부 (31) 는, 기판 (9) 의 상방을 향하는 주면 (91) (이하,「상면 (91)」이라고 한다) 측에 위치한다. 후술하는 바와 같이, 노즐부 (31) 는, 노즐 이동 기구 (5) 에 의해 상면 (91) 을 따라 이동 가능하다. 노즐부 (31) 의 하단면은, 상면 (91) 에 직접적으로 대향한다. 노즐부 (31) 의 상단에는, 처리액 공급원 (32) 이 유량 제어 밸브 (33) 및 개폐 밸브 (34) 를 개재하여 접속되고, 처리액 공급원 (32) 으로부터 노즐부 (31) 에 에칭액이 공급된다. 에칭액은, 노즐부 (31) 의 하부의 토출구로부터 하방으로 토출된다. 즉, 노즐부 (31) 로부터, 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 에칭액이 토출된다. 노즐부 (31) 와 상면 (91) 사이에서는, 에칭액의 액주 (液柱) 가 형성된다. 에칭액은, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 형성된 후술하는 막을 에칭 가능한 처리액이며, 예를 들어, 시트르산과 과산화수소 (H2O2) 의 혼합액이다. 에칭액으로는, 기판 (9) 상의 막이 에칭 가능하다면, 산, 알칼리 등, 다양한 종류의 처리액이 이용 가능하다.The processing liquid supply unit 3 includes a nozzle unit 31 and a processing liquid supply source 32 . The nozzle part 31 is a straight nozzle extending in an up-down direction, for example. The nozzle part 31 may have another shape. The nozzle part 31 is located on the side of the main surface 91 (henceforth "upper surface 91") which faces upward of the board|substrate 9. As shown in FIG. As will be described later, the nozzle part 31 is movable along the upper surface 91 by the nozzle moving mechanism 5 . The lower end surface of the nozzle part 31 directly opposes the upper surface 91 . A processing liquid supply source 32 is connected to the upper end of the nozzle unit 31 via a flow control valve 33 and an on/off valve 34 , and the etching liquid is supplied from the processing liquid supply source 32 to the nozzle unit 31 . do. The etching liquid is discharged downward from the discharge port of the lower part of the nozzle part 31 . That is, the etching liquid is discharged from the nozzle part 31 toward the upper surface 91 of the substrate 9 . Between the nozzle part 31 and the upper surface 91, the liquid column of the etching liquid is formed. Etching solution, and possible treatment liquid film is etched to be described later formed on the upper surface 91 of the substrate 9, for example, a citric acid and a mixed solution of hydrogen peroxide (H 2 O 2). As the etching liquid, various types of treatment liquids such as acid and alkali can be used as long as the film on the substrate 9 is etchable.

린스액 공급부 (4) 는, 노즐부 (31) 와, 린스액 공급원 (42) 을 구비한다. 노즐부 (31) 는, 처리액 공급부 (3) 및 린스액 공급부 (4) 에 의해 공유된다. 노즐부 (31) 에는, 린스액 공급원 (42) 이 개폐 밸브 (44) 를 개재하여 접속된다. 린스액 공급원 (42) 으로부터 노즐부 (31) 에 린스액이 공급됨으로써, 노즐부 (31) 로부터, 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 린스액이 토출된다. 린스액은, 예를 들어 순수 (DeIonized Water) 이다. 순수 이외의 린스액이 사용되어도 된다. 린스액 공급부 (4) 에 있어서, 처리액 공급부 (3) 와는 개별의 노즐부가 형성되어도 된다.The rinsing liquid supply unit 4 includes a nozzle unit 31 and a rinsing liquid supply source 42 . The nozzle unit 31 is shared by the processing liquid supply unit 3 and the rinse liquid supply unit 4 . A rinse liquid supply source 42 is connected to the nozzle part 31 via an on-off valve 44 . When the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply source 42 to the nozzle part 31 , the rinse liquid is discharged from the nozzle part 31 toward the upper surface 91 of the substrate 9 . The rinse liquid is, for example, pure water (DeIonized Water). A rinse liquid other than pure water may be used. In the rinse liquid supply unit 4 , a nozzle unit separate from the processing liquid supply unit 3 may be formed.

노즐부 (31) 에는, 아암 (51) 의 일단이 고정된다. 아암 (51) 은, 중심축 (J1) 에 수직인 방향으로 연장된다. 아암 (51) 의 타단은, 노즐 이동 기구 (5) 에 지지된다. 노즐 이동 기구 (5) 는, 모터를 갖는다. 노즐 이동 기구 (5) 가, 중심축 (J1) 에 평행한 회동 (回動) 축 (J2) 을 중심으로 하여 아암 (51) 을 회동시킴으로써, 노즐부 (31) 가 기판 (9) 의 상면 (91) 을 따라 이동한다. 노즐 이동 기구 (5) 는, 후술하는 중앙 위치와 최외 위치 사이에 있어서, 이동 속도 (스캔 속도) 를 임의로 변경하면서 노즐부 (31) 를 연속적으로 이동시키는 것이 가능하다. 노즐 이동 기구 (5) 는, 아암 (51) 을 중심축 (J1) 의 방향으로 승강시키는 것도 가능하다. 노즐 이동 기구 (5) 의 구성은 적절히 변경되어도 되며, 예를 들어, 노즐부 (31) 를 일 방향으로 직진시키는 기구가 사용되어도 된다.One end of the arm 51 is fixed to the nozzle part 31 . The arm 51 extends in a direction perpendicular to the central axis J1. The other end of the arm 51 is supported by the nozzle moving mechanism 5 . The nozzle moving mechanism 5 has a motor. When the nozzle moving mechanism 5 rotates the arm 51 centering on a rotation axis J2 parallel to the central axis J1, the nozzle part 31 moves the upper surface of the substrate 9 ( 91) to move along. The nozzle moving mechanism 5 can continuously move the nozzle part 31 while arbitrarily changing the moving speed (scan speed) between the central position and the outermost position which will be described later. The nozzle moving mechanism 5 can also raise/lower the arm 51 in the direction of the central axis J1. The structure of the nozzle moving mechanism 5 may be changed suitably, for example, the mechanism which makes the nozzle part 31 go straight in one direction may be used.

도 2 는, 노즐 이동 기구 (5) 의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 2 에서는, 상측에서 하방을 향하여 본 기판 (9), 노즐부 (31) 및 노즐 이동 기구 (5) 를 나타내고 있다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 노즐부 (31) 를 사용하지 않는 기간에는, 도 2 중에 일점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 노즐부 (31) 가 기판 (9) 의 상방으로부터 벗어난 위치 (이하,「대기 위치」라고 한다) 에 배치된다. 중심축 (J1) 을 따라 본 경우, 대기 위치는, 노즐부 (31) 가 기판 (9) 과 중첩되지 않는 위치이다. 실제로는, 기판 유지부 (21) 의 주위에는 컵 (23) 이 형성되어 있고 (도 1 참조), 대기 위치는, 컵 (23) 보다 외측 (중심축 (J1) 과는 반대측) 의 위치이다.2 : is a figure for demonstrating operation|movement of the nozzle moving mechanism 5. As shown in FIG. In FIG. 2, the board|substrate 9, the nozzle part 31, and the nozzle moving mechanism 5 which looked downward from the upper side are shown. In the substrate processing apparatus 1, during a period in which the nozzle unit 31 is not used, as shown by a dashed-dotted line in FIG. 2 , the nozzle unit 31 deviates from the upper side of the substrate 9 (hereinafter referred to as “standby”). location”). When viewed along the central axis J1 , the standby position is a position where the nozzle portion 31 does not overlap the substrate 9 . Actually, the cup 23 is formed around the substrate holding part 21 (refer FIG. 1), and the standby position is a position outside the cup 23 (opposite to the central axis J1).

또, 노즐부 (31) 를 사용할 때에는, 노즐 이동 기구 (5) 에 의해, 노즐부 (31) 가 기판 (9) 의 상면 (91) 에 근접한 상태에서, 기판 (9) 의 상방에 배치된다. 본 실시형태에서는, 노즐부 (31) 는, 상면 (91) 의 외주 가장자리부 (93) 에 대향하는 위치 (도 2 중에 실선으로 나타내는 노즐부 (31) 의 위치이며, 이하,「최외 위치」라고 한다) 와, 상면 (91) 의 중앙부에 대향하는 위치 (도 2 중에 이점쇄선으로 나타내는 노즐부 (31) 의 위치이며, 이하,「중앙 위치」라고 한다) 사이에 있어서의 어느 위치에 배치된다.Moreover, when using the nozzle part 31, the nozzle part 31 is arrange|positioned above the board|substrate 9 in the state adjacent to the upper surface 91 of the board|substrate 9 by the nozzle moving mechanism 5. In this embodiment, the nozzle part 31 is a position opposite to the outer peripheral edge part 93 of the upper surface 91 (a position of the nozzle part 31 shown by a solid line in FIG. 2, hereinafter referred to as an "outermost position") ) and a position opposite to the central portion of the upper surface 91 (a position of the nozzle portion 31 indicated by a dashed-dotted line in FIG. 2 , hereinafter referred to as a “central position”).

이미 서술한 바와 같이, 기판 (9) 의 주위에는 컵 (23) 이 형성되어 있고, 노즐부 (31) 가 상면 (91) 에 근접한 상태에서는, 노즐부 (31) 의 하단은, 컵 상부 (231) 의 상단보다 하방에 위치한다 (후술하는 도 3 참조). 또, 최외 위치에 배치된 노즐부 (31) 는, 컵 상부 (231) 에 근접한다. 따라서, 노즐 이동 기구 (5) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 직경 방향에 관하여 최외 위치로부터 내측 (중심축 (J1) 측) 에 있어서, 노즐부 (31) 를 상면 (91) 에 근접시키면서 상면 (91) 을 따라 이동 가능하다. 또한, 대기 위치에 위치하는 노즐부 (31) 를 기판 (9) 의 상방에 배치할 때에는, 노즐 이동 기구 (5) 에 의한 노즐부 (31) 의 승강도 실시된다. 또, 컵 상부 (231) 의 상단이 기판 (9) 보다 하방으로 하강한 상태에서, 노즐부 (31) 가 대기 위치로부터 기판 (9) 의 상방으로 이동하고, 그 후, 컵 상부 (231) 가 상승해도 된다.As described above, the cup 23 is formed around the substrate 9 , and in a state where the nozzle part 31 is close to the upper surface 91 , the lower end of the nozzle part 31 is the cup upper part 231 . ) is located below the upper end of (see FIG. 3 to be described later). Moreover, the nozzle part 31 arrange|positioned at the outermost position adjoins the cup upper part 231. Therefore, the nozzle moving mechanism 5 brings the nozzle part 31 close to the upper surface 91 in the inner side (central axis J1 side) from the outermost position with respect to the radial direction centering on the central axis J1. It is possible to move along the upper surface (91) while doing. Moreover, when arrange|positioning the nozzle part 31 located in a standby position above the board|substrate 9, raising/lowering of the nozzle part 31 by the nozzle moving mechanism 5 is also implemented. Moreover, in the state where the upper end of the cup upper part 231 is lowered|falling below the board|substrate 9, the nozzle part 31 moves upwards of the board|substrate 9 from a stand-by position, and thereafter, the cup upper part 231 moves may rise

도 3 은, 기판 (9) 의 외주 가장자리부 (93) 근방을 나타내는 도면이며, 중심축 (J1) 을 포함하는 면에 있어서의 기판 (9) 의 단면을 나타내고 있다. 도 3 에서는, 최외 위치에 배치된 노즐부 (31) 도 나타내고 있다. 기판 (9) 의 상면 (91) 에는, 막 (911) 이 형성된다. 막 (911) 은, 소정의 재료 (예를 들어, 코발트 (Co), 질화티탄 (TiN) 또는 텅스텐 (W) 등의 금속을 함유하는 재료) 에 의해 형성되고, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 전체를 덮는다. 본 실시형태에서는, 막 (911) 의 두께가, 상면 (91) 의 중앙부를 제외한 영역 (즉, 중앙부보다 외측의 영역) 에 있어서, 외주 가장자리부 (93) 를 향함에 따라서 점차 증대된다. 도 3 에서는, 막 (911) 의 두께의 변화를 강조하고 있다.3 : is a figure which shows the outer peripheral edge part 93 vicinity of the board|substrate 9, and has shown the cross section of the board|substrate 9 in the surface containing the central axis J1. In FIG. 3, the nozzle part 31 arrange|positioned at the outermost position is also shown. A film 911 is formed on the upper surface 91 of the substrate 9 . The film 911 is formed of a predetermined material (eg, a material containing a metal such as cobalt (Co), titanium nitride (TiN), or tungsten (W)), and is the upper surface 91 of the substrate 9 . ) to cover the entire In the present embodiment, the thickness of the film 911 gradually increases toward the outer peripheral edge portion 93 in a region excluding the central portion of the upper surface 91 (ie, a region outside the central portion). In FIG. 3 , the change in the thickness of the film 911 is emphasized.

여기서, 기판 (9) 의 외주 가장자리부 (93) 는, 상면 (91) 에 있어서 외주 단면 (베벨부) (94) 에 인접하는 환상 영역이고, 외주 단면 (94) 보다 내측에 위치한다. 외주 단면 (94) 에서는, 법선 방향이 상하 방향에 대하여 경사지는 반면, 외주 가장자리부 (93) 에서는, 법선 방향이 상하 방향에 대하여 평행이다. 직경 300 ㎜ 의 기판 (9) 이 사용되는 경우, 외주 가장자리부 (93) 의 폭은, 예를 들어 5 ∼ 15 ㎜ 이다. 이미 서술한 바와 같이, 최외 위치에 배치된 노즐부 (31) 는, 상하 방향에 있어서 외주 가장자리부 (93) 에 대향하고, 외주 가장자리부 (93) 를 향하여 에칭액을 토출한다. 노즐부 (31) 로부터 토출된 에칭액은, 외주 가장자리부 (93) 에 충돌한다. 이 때, 에칭액의 액주는, 외주 단면 (94) 에는 닿지 않고, 즉, 에칭액이 외주 단면 (94) 에 직접 충돌하지는 않는다.Here, the outer peripheral edge portion 93 of the substrate 9 is an annular region adjacent to the outer peripheral end surface (bevel portion) 94 on the upper surface 91 , and is located inside the outer peripheral end surface 94 . In the outer circumferential cross section 94, the normal direction is inclined with respect to the up-down direction, whereas in the outer circumferential edge portion 93, the normal direction is parallel to the up-down direction. When the board|substrate 9 of diameter 300mm is used, the width|variety of the outer peripheral edge part 93 is 5-15 mm, for example. As mentioned above, the nozzle part 31 arrange|positioned at the outermost position opposes the outer peripheral edge part 93 in an up-down direction, and discharges etching liquid toward the outer peripheral edge part 93. The etching liquid discharged from the nozzle part 31 collides with the outer peripheral edge part 93 . At this time, the liquid column of the etching liquid does not touch the outer peripheral end face 94 , that is, the etching liquid does not directly collide with the outer peripheral end surface 94 .

도 4 는, 기판 처리 장치 (1) 가 기판 (9) 을 처리하는 흐름을 나타내는 도면이다. 도 1 의 기판 처리 장치 (1) 에서는, 사전에 외부의 반송 기구에 의해 처리 대상의 기판 (9) 이 반입되고, 기판 유지부 (21) 에 의해 유지되어 있다. 기판 (9) 의 처리에서는, 먼저, 기판 회전 기구 (22) 에 의해 기판 (9) 의 회전이 개시된다 (스텝 S11). 기판 (9) 은, 미리 설정된 일정한 회전 속도 (예를 들어, 500 ∼ 2500 rpm) 로 수평 상태에서 회전한다.FIG. 4 is a diagram showing a flow in which the substrate processing apparatus 1 processes the substrate 9 . In the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1 , the substrate 9 to be processed is loaded in advance by an external conveyance mechanism, and is held by the substrate holding unit 21 . In the processing of the board|substrate 9, first, rotation of the board|substrate 9 is started by the board|substrate rotation mechanism 22 (step S11). The substrate 9 rotates in a horizontal state at a preset constant rotation speed (eg, 500 to 2500 rpm).

계속해서, 대기 위치에 위치하는 노즐부 (31) 가, 노즐 이동 기구 (5) 에 의해 중앙 위치에 배치된다. 그리고, 노즐부 (31) 로부터의 에칭액의 토출, 및 중앙 위치와 최외 위치 사이에 있어서의 노즐부 (31) 의 이동 (요동) 이 개시된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 을 따라 노즐부 (31) 를 이동시키면서, 상면 (91) 에 대하여 노즐부 (31) 로부터 에칭액을 토출하는 제 1 토출 동작이 실행된다 (스텝 S12). 제 1 토출 동작에서는, 노즐부 (31) 에 있어서의 에칭액의 토출 유량은 일정하다. 또, 노즐부 (31) 는, 최외 위치에 도달 후, 곧바로 중앙 위치를 향하고, 또, 중앙 위치에 도달 후, 곧바로 최외 위치를 향한다. 이와 같이, 노즐부 (31) 는, 중앙 위치와 최외 위치 사이를 반복하여 이동한다.Then, the nozzle part 31 located in a standby position is arrange|positioned at a center position by the nozzle moving mechanism 5. As shown in FIG. And discharge of the etching liquid from the nozzle part 31 and movement (fluctuation) of the nozzle part 31 between a center position and an outermost position are started. Thereby, while moving the nozzle part 31 along the upper surface 91 of the board|substrate 9, the 1st discharge operation which discharges the etching liquid from the nozzle part 31 with respect to the upper surface 91 is performed (step S12). In the first discharge operation, the discharge flow rate of the etching liquid in the nozzle part 31 is constant. Moreover, after reaching the outermost position, the nozzle part 31 goes to a central position immediately, and, after reaching a central position, goes straight to an outermost position. In this way, the nozzle part 31 moves repeatedly between the center position and the outermost position.

이 때, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 직경 방향에 있어서의 노즐부 (31) 의 위치가 최외 위치 (P2) 에 가까울수록, 노즐부 (31) 의 이동 속도가 낮아진다. 바꿔 말하면, 노즐부 (31) 의 이동 속도는, 노즐부 (31) 가 중앙 위치 (P1) 에서 최외 위치 (P2) 를 향함에 따라서 점차 낮아지고, 최외 위치 (P2) 에서 중앙 위치 (P1) 를 향함에 따라서 점차 높아진다. 노즐부 (31) 의 이동 속도가 낮을수록, 상면 (91) 에 있어서의 에칭액의 토출 위치 (직경 방향의 위치) 에 대한 에칭액의 공급량이 많아지거나, 또는, 단위 면적당의 에칭 시간이 길어지는 것으로 파악된다. 그 결과, 기판 (9) 의 중앙부에서 외주 가장자리부 (93) 근방을 향함에 따라서, 에칭액에 의한 막 (911) 의 에칭량을 크게 하는 것이 가능해진다. 물론, 노즐부 (31) 의 이동 속도의 변화는, 선형에는 한정되지 않고, 비선형이어도 된다. 또, 노즐부 (31) 의 이동 속도는, 도 5 중에 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이 스텝상으로 변화해도 된다. 이 경우에도, 노즐부 (31) 의 위치가 최외 위치 (P2) 에 가까울수록, 노즐부 (31) 의 이동 속도가 낮다고 할 수 있다.At this time, as shown in FIG. 5, the moving speed of the nozzle part 31 becomes low, so that the position of the nozzle part 31 in a radial direction is close to the outermost position P2. In other words, the moving speed of the nozzle part 31 gradually becomes lower as the nozzle part 31 moves from the central position P1 to the outermost position P2, and from the outermost position P2 to the central position P1 It gradually increases as you go. It is understood that the lower the moving speed of the nozzle part 31, the larger the amount of the etching solution supplied to the discharge position (the position in the radial direction) of the etching solution on the upper surface 91, or the etching time per unit area becomes longer. do. As a result, it becomes possible to increase the amount of etching of the film 911 by the etching solution from the central portion of the substrate 9 toward the peripheral edge portion 93 vicinity. Of course, the change in the moving speed of the nozzle part 31 is not limited to linear, and may be non-linear. In addition, the moving speed of the nozzle part 31 may change in step shape, as shown by the dashed-dotted line in FIG. Also in this case, it can be said that the moving speed of the nozzle part 31 is low, so that the position of the nozzle part 31 is close to the outermost position P2.

중앙 위치와 최외 위치 사이에 있어서의 노즐부 (31) 의 이동이 소정 시간 (예를 들어, 수 초) 계속되면, 노즐부 (31) 가 최외 위치에 배치된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대하여, 최외 위치에서 정지한 노즐부 (31) 로부터 에칭액을 토출하는 제 2 토출 동작이 실행된다 (스텝 S13). 제 2 토출 동작에서는, 기판 (9) 의 회전 속도가, 제 1 토출 동작시의 회전 속도보다 높은 회전 속도 (예를 들어, 제 1 토출 동작시의 회전 속도의 수 배) 로 변경된다. 본 처리예에서는, 노즐부 (31) 에 있어서의 에칭액의 토출 유량은, 제 1 토출 동작과 동일하다.When the movement of the nozzle part 31 between the central position and the outermost position continues for a predetermined time (for example, several seconds), the nozzle part 31 is disposed at the outermost position. Thereby, the 2nd discharge operation|movement which discharges the etching liquid from the nozzle part 31 which stopped at the outermost position with respect to the upper surface 91 of the board|substrate 9 is performed (step S13). In the second discharging operation, the rotational speed of the substrate 9 is changed to a rotational speed higher than the rotational speed in the first discharging operation (eg, several times the rotational speed in the first discharging operation). In this processing example, the discharge flow rate of the etching liquid in the nozzle part 31 is the same as that of the 1st discharge operation|movement.

여기서, 제 1 토출 동작에 있어서도 노즐부 (31) 가 최외 위치를 통과하고, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 외주 가장자리부 (93) 에 대하여 에칭액이 토출된다. 제 1 토출 동작에서는, 기판 (9) 의 회전에 의한 원심력에 의해, 외주 가장자리부 (93) 에 부착된 에칭액이, 상면 (91) 상에 있어서 외측으로 확산된다. 이 때, 기판 (9) 의 회전 속도가 비교적 낮기 때문에, 도 3 중에 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 에칭액 (81) 이 상면 (91) 상에 있어서 내측으로도 확산되고, 이 상태가 유지되기 쉬워진다 (확산된 에칭액 (81) 이 잔존하기 쉽다). 한편, 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도는, 제 1 토출 동작에 있어서의 회전 속도보다 높다. 따라서, 도 3 중에 실선으로 나타내는 바와 같이, 노즐부 (31) 로부터 토출된 에칭액 (81) 이, 상면 (91) 에 부착된 후, 곧바로 외측 (즉, 외주 단면 (94) 측) 으로 확산되어, 에칭액 (81) 의 내측으로의 확산이 제 1 토출 동작에 비해 억제된다. 바람직하게는, 에칭액 (81) 은, 내측으로는 거의 확산되지 않는다. 그 결과, 제 2 토출 동작에서는, 외주 가장자리부 (93) 의 좁은 범위만에 대하여 에칭액에 의한 에칭이 실시된다.Here, also in the 1st discharge operation|movement, the nozzle part 31 passes through the outermost position, and the etching liquid is discharged with respect to the outer peripheral edge part 93 of the upper surface 91 of the board|substrate 9. As shown in FIG. In the first discharging operation, the etchant adhering to the outer peripheral edge portion 93 is diffused outward on the upper surface 91 by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate 9 . At this time, since the rotational speed of the board|substrate 9 is comparatively low, as shown by the double-dotted line in FIG. 3, the etching liquid 81 diffuses also inside on the upper surface 91, and this state becomes easy to be maintained. (The diffused etching liquid 81 tends to remain|survive). On the other hand, the rotation speed of the substrate 9 in the second discharge operation is higher than the rotation speed in the first discharge operation. Therefore, as shown by a solid line in FIG. 3 , the etching solution 81 discharged from the nozzle part 31 adheres to the upper surface 91 and then spreads to the outside (that is, the outer peripheral end face 94 side) immediately, The diffusion to the inside of the etching liquid 81 is suppressed compared to the first discharging operation. Preferably, the etching liquid 81 hardly diffuses inward. As a result, in the second discharging operation, etching with the etchant is performed with respect to only a narrow range of the outer peripheral edge portion 93 .

최외 위치에 배치된 노즐부 (31) 로부터의 에칭액의 토출이 소정 시간 (예를 들어, 5 ∼ 10 초) 계속되면, 에칭액의 토출이 정지된다. 또, 기판 (9) 의 회전 속도가, 예를 들어 제 1 토출 동작시의 회전 속도까지 낮아진다. 계속해서, 노즐부 (31) 가 중앙 위치에서 정지함과 함께, 린스액 공급부 (4) 에 의해 노즐부 (31) 를 통하여 상면 (91) 에 린스액이 공급된다 (스텝 S14). 상면 (91) 에서는, 기판 (9) 의 회전에 의해 린스액이 기판 (9) 의 외주를 향하여 확산되고, 상면 (91) 의 전체에 린스액이 공급된다. 린스액의 공급에 의해, 상면 (91) 에 부착되는 에칭액이 제거된다. 린스 처리에 있어서, 노즐부 (31) 가 중앙 위치와 최외 위치 사이에서 이동해도 된다.When discharge of the etching liquid from the nozzle part 31 arrange|positioned at the outermost position continues for a predetermined time (for example, 5 to 10 second), discharge of the etching liquid is stopped. Moreover, the rotation speed of the board|substrate 9 becomes low to the rotation speed at the time of 1st discharge operation, for example. Subsequently, the nozzle part 31 stops at the central position, and the rinse liquid supply part 4 supplies the rinse liquid to the upper surface 91 through the nozzle part 31 (step S14). On the upper surface 91 , the rinsing liquid is diffused toward the outer periphery of the substrate 9 by rotation of the substrate 9 , and the rinsing liquid is supplied to the entire upper surface 91 . By supplying the rinse liquid, the etching liquid adhering to the upper surface 91 is removed. In the rinse process, the nozzle part 31 may move between the central position and the outermost position.

린스액의 토출이 소정 시간 계속되면, 린스액의 토출이 정지된다. 또, 노즐 이동 기구 (5) 에 의해 노즐부 (31) 가 대기 위치로 이동한다. 그리고, 기판 회전 기구 (22) 가 기판 (9) 의 회전 속도를 높임으로써, 기판 (9) 의 건조 처리 (스핀 드라이) 가 실시된다 (스텝 S15). 건조 처리가 완료되면, 기판 (9) 의 회전이 정지된다 (스텝 S16). 기판 (9) 은, 외부의 반송 기구에 의해 기판 처리 장치 (1) 로부터 반출된다. 이상에 의해, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 (9) 의 처리가 완료된다. 상기 처리예에서는, 제 1 토출 동작의 완료 후, 제 2 토출 동작이 실시되지만, 제 2 토출 동작이 먼저 실시되고, 제 2 토출 동작의 완료 후, 제 1 토출 동작이 실시되어도 된다. 또, 린스액의 공급 후, 건조 처리 전에, IPA (이소프로필알코올) 등의 유기 용제가 상면 (91) 에 공급되어, 린스액이 유기 용제로 치환되어도 된다.When the discharge of the rinse liquid continues for a predetermined time, the discharge of the rinse liquid is stopped. Moreover, the nozzle part 31 moves to a standby position by the nozzle moving mechanism 5. As shown in FIG. And when the board|substrate rotation mechanism 22 raises the rotation speed of the board|substrate 9, the drying process (spin drying) of the board|substrate 9 is performed (step S15). When the drying process is completed, the rotation of the substrate 9 is stopped (step S16). The substrate 9 is carried out from the substrate processing apparatus 1 by an external conveyance mechanism. As described above, the processing of the substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 is completed. In the above processing example, after completion of the first discharging operation, the second discharging operation is performed, but the second discharging operation may be performed first and the first discharging operation may be performed after the completion of the second discharging operation. Moreover, after supply of a rinse liquid, before a drying process, organic solvents, such as IPA (isopropyl alcohol), may be supplied to the upper surface 91, and the rinse liquid may be substituted with the organic solvent.

여기서, 도 4 의 기판 처리에 있어서 제 2 토출 동작 (스텝 S13) 을 생략한 비교예의 기판 처리에 대해 설명한다. 비교예의 기판 처리에서는, 중앙 위치와 최외 위치 사이에서 노즐부 (31) 를 이동시키면서 노즐부 (31) 로부터 에칭액을 토출하는 제 1 토출 동작에 의해, 상면 (91) 의 막 (911) 이 에칭된다 (스텝 S12). 그 후, 제 2 토출 동작을 생략하여 린스 처리 및 건조 처리가 실시되고, 기판 (9) 의 처리가 완료된다 (스텝 S14 ∼ S16).Here, the substrate processing of the comparative example in which the 2nd discharge operation|movement (step S13) was abbreviate|omitted in the substrate processing of FIG. 4 is demonstrated. In the substrate processing of the comparative example, the film 911 on the upper surface 91 is etched by the first discharging operation of discharging the etchant from the nozzle unit 31 while moving the nozzle unit 31 between the central position and the outermost position. (Step S12). Thereafter, the second discharging operation is omitted, rinsing processing and drying processing are performed, and the processing of the substrate 9 is completed (steps S14 to S16).

도 6 은, 비교예의 기판 처리에 의해 얻어지는 에칭량의 프로파일을 나타내는 도면이다. 이하의 설명에 있어서, 에칭량의 프로파일은, 막 (911) 의 에칭량의 직경 방향에 있어서의 변화를 의미하고, 막 (911) 의 두께의 프로파일은, 막 (911) 의 두께의 직경 방향에 있어서의 변화를 의미한다. 도 6 에서는, 비교예의 기판 처리에 의한 에칭량의 프로파일을 부호 L2 를 붙이는 파선으로 나타내고, 이상적인 (목표로 하는) 에칭량의 프로파일을 부호 L0 을 붙이는 일점쇄선으로 나타내고 있다. 프로파일 L2 가 얻어졌을 때의 제 1 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도는, 400 rpm 이다. 이상적인 프로파일 L0 의 형상은, 예를 들어, 에칭 전의 기판 (9) 의 막 (911) 의 두께의 프로파일에 근사 (近似) 하다. 또한, 이상적인 프로파일 L0 에서는, 0 ∼ 10 ㎜ 의 중앙부 근방을 제외하고, 에칭량이 외측을 향함에 따라서 점차 증대된다.It is a figure which shows the profile of the etching amount obtained by the board|substrate process of a comparative example. In the following description, the profile of the etching amount means a change in the radial direction of the etching amount of the film 911 , and the profile of the thickness of the film 911 is in the radial direction of the thickness of the film 911 . means change in In FIG. 6, the profile of the etching amount by the substrate processing of the comparative example is shown by the broken line attached with the code|symbol L2, and the profile of the ideal (target) etching amount is represented by the dashed-dotted line attached with the code|symbol L0. The rotational speed of the board|substrate 9 in 1st discharge operation|movement when the profile L2 is obtained is 400 rpm. The shape of the ideal profile L0 approximates the profile of the thickness of the film 911 of the substrate 9 before etching, for example. Moreover, in the ideal profile L0, it increases gradually as etching amount goes outward except for the vicinity of the central part of 0-10 mm.

여기서, 기판 (9) 의 반경은 150 ㎜ 이며, 비교예의 기판 처리에 의한 프로파일 L2 는, 직경 방향에 있어서의 0 ∼ 130 ㎜ 의 범위에서는, 이상적인 프로파일 L0 을 따른 형상이 되지만, 130 ∼ 150 ㎜ 의 범위에서는, 이상적인 프로파일 L0 과는 달리, 대략 일정한 에칭량이 된다. 직경 방향에 있어서의 130 ∼ 150 ㎜ 의 범위에 있어서, 노즐부 (31) 의 이동 속도를 가능한 범위에서 낮춰 (또는, 최외 위치에 있어서 노즐부 (31) 를 일시적으로 정지하여) 스텝 S12 의 처리를 실시해도, 130 ∼ 150 ㎜ 의 범위에서는, 대략 일정한 에칭량이 되어 버린다. 이미 서술한 바와 같이, 제 1 토출 동작에서는, 도 3 중에 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 최외 위치의 노즐부 (31) 로부터 토출된 에칭액 (81) 이 상면 (91) 상에 있어서 내측으로도 확산되기 때문에, 직경 방향에 있어서의 130 ∼ 150 ㎜ 의 범위, 즉, 외주 가장자리부 (93) 의 근방에 있어서의 비교적 넓은 범위에서, 에칭량이 일정해지는 것으로 생각된다.Here, the radius of the board|substrate 9 is 150 mm, The profile L2 by the board|substrate process of a comparative example becomes a shape along the ideal profile L0 in the range of 0-130 mm in a radial direction, but 130-150 mm. In the range, unlike the ideal profile L0, the etching amount is approximately constant. In the range of 130 to 150 mm in the radial direction, lowering the moving speed of the nozzle part 31 as much as possible (or temporarily stopping the nozzle part 31 in the outermost position) the process of step S12 Even if it implements, it will become substantially constant etching amount in the range of 130-150 mm. As described above, in the first discharging operation, the etching solution 81 discharged from the nozzle part 31 at the outermost position is also diffused inward on the upper surface 91 as indicated by the double-dotted line in FIG. 3 . Therefore, in the range of 130-150 mm in the radial direction, ie, in the comparatively wide range in the vicinity of the outer peripheral edge part 93, it is thought that an etching amount becomes constant.

도 7 은, 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작을 포함하는 도 4 의 기판 처리에 의해 얻어지는 에칭량의 프로파일을 나타내는 도면이다. 도 7 에서는, 도 4 의 기판 처리에 의한 에칭량의 프로파일을 부호 L1 을 붙이는 실선으로 나타내고, 비교예의 기판 처리에 의한 에칭량의 프로파일을 부호 L2 를 붙이는 파선으로 나타내고 있다. 프로파일 L1 이 얻어졌을 때의 제 1 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전수는 400 rpm 이며, 제 2 토출 동작에 있어서의 회전수는 1500 rpm 이다.FIG. 7 is a diagram showing a profile of an etching amount obtained by the substrate processing of FIG. 4 including a first discharge operation and a second discharge operation. In FIG. 7, the profile of the etching amount by the substrate process of FIG. 4 is shown by the solid line attached with code|symbol L1, and the profile of the etching amount by the board|substrate process of a comparative example is shown by the broken line attached with code L2. The rotation speed of the board|substrate 9 in 1st discharge operation when the profile L1 was obtained is 400 rpm, and the rotation speed in 2nd discharge operation is 1500 rpm.

도 4 의 기판 처리에 의한 프로파일 L1 은, 0 ∼ 130 ㎜ 의 범위에서는, 비교예의 기판 처리에 의한 프로파일 L2, 및 도 6 의 이상적인 프로파일 L0 을 따른 형상으로 되어 있다. 또, 130 ∼ 150 ㎜ 의 범위에 있어서도, 외측을 향함에 따라서 에칭량이 점차 증대되고 있다. 따라서, 프로파일 L1 에서는, 직경 방향의 전체에 걸쳐서 이상적인 프로파일 L0 을 따른 형상이 얻어진다. 본 실시형태에서는, 이상적인 프로파일 L0 에 근사하는 프로파일 L1 을 얻기 위한 처리 조건 (예를 들어, 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작의 각각에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도 및 시간 등) 은, 실험 등에 의해 결정된다.Profile L1 by the substrate processing of FIG. 4 has a shape along the profile L2 by the substrate processing of a comparative example, and the ideal profile L0 of FIG. 6 in the range of 0-130 mm. Moreover, also in the range of 130-150 mm, etching amount is increasing gradually as it goes outward. Therefore, in the profile L1, the shape along the ideal profile L0 over the whole radial direction is obtained. In the present embodiment, the processing conditions for obtaining the profile L1 approximate to the ideal profile L0 (for example, the rotation speed and time of the substrate 9 in each of the first discharge operation and the second discharge operation) are, determined by experimentation.

이상에 설명한 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 회전하는 기판 (9) 의 상면 (91) 을 따라 노즐부 (31) 를 이동시키면서, 상면 (91) 에 대하여 노즐부 (31) 로부터 에칭액을 토출하는 제 1 토출 동작 (스텝 S12) 과, 회전하는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대하여, 최외 위치에서 정지한 노즐부 (31) 로부터 에칭액을 토출하는 제 2 토출 동작 (스텝 S13) 이 실행된다. 또, 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도가, 제 1 토출 동작에 있어서의 회전 속도보다 높게 된다. 이로써, 제 2 토출 동작에 있어서, 기판 (9) 의 외주 가장자리부 (93) 에 토출된 에칭액이 내측으로 확산되는 것을 제 1 토출 동작과 비교하여 억제할 수 있고, 에칭액에 의한 외주 가장자리부 (93) 에 대한 추가의 처리 (여기서는, 에칭) 를 좁은 범위로 한정하여 실시할 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 1 , while moving the nozzle unit 31 along the upper surface 91 of the rotating substrate 9 , the etching liquid is discharged from the nozzle unit 31 with respect to the upper surface 91 . The first discharge operation (step S12) for discharging, and the second discharge operation (step S13) for discharging the etching liquid from the nozzle unit 31 stopped at the outermost position with respect to the upper surface 91 of the rotating substrate 9 are is executed Moreover, the rotation speed of the board|substrate 9 in 2nd discharge operation|movement becomes higher than the rotation speed in 1st discharge operation. Thereby, in the second discharging operation, it is possible to suppress the diffusion of the etchant discharged to the outer peripheral edge portion 93 of the substrate 9 inward compared with the first discharging operation, and the outer peripheral portion 93 by the etchant can be suppressed. ) (here, etching) can be carried out by limiting it to a narrow range.

또, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 최외 위치에 배치된 노즐부 (31) 에 의해, 기판 (9) 의 외주 단면 (94) 보다 내측의 영역에 대하여 에칭액이 토출된다. 이로써, 노즐부 (31) 로부터 토출되는 에칭액이, 기판 (9) 의 외주 단면 (94) 및 척 핀 (212) 에 직접 충돌하는 것을 방지하여, 외주 단면 (94) 및 척 핀 (212) 에 있어서의 에칭액의 튀어오름 (액 튐) 을 억제할 수 있다. 그 결과, 튀어오른 에칭액이, 컵 상부 (231) 의 내주면을 통하여 상면 (91) 에 재부착되어, 상면 (91) 이 오염되는 것 등을 억제할 수 있다. 또한, 도 1 의 기판 처리 장치 (1) 에서는, 최외 위치에 배치된 노즐부 (31) 가, 컵 상부 (231) 에 근접하기 때문에, 최외 위치보다 외측에 노즐부 (31) 를 배치하는 것도 곤란하다.Moreover, in the substrate processing apparatus 1, etching liquid is discharged with respect to the area|region inside the outer peripheral end surface 94 of the board|substrate 9 by the nozzle part 31 arrange|positioned at the outermost position. Thereby, the etching liquid discharged from the nozzle part 31 is prevented from directly colliding with the outer peripheral end face 94 and the chuck pin 212 of the substrate 9 , and in the outer peripheral end surface 94 and the chuck pin 212 , splashing of the etching solution (liquid splashing) can be suppressed. As a result, it is possible to suppress, for example, that the splashed etching liquid is re-adhered to the upper surface 91 through the inner peripheral surface of the cup upper surface 231 and the upper surface 91 is contaminated. Moreover, in the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1, since the nozzle part 31 arrange|positioned at the outermost position approaches the cup upper part 231, it is also difficult to arrange|position the nozzle part 31 outside the outermost position. Do.

상기 기판 처리에서는, 제 1 토출 동작에 있어서, 직경 방향에 있어서의 노즐부 (31) 의 위치가 최외 위치에 가까울수록, 노즐부 (31) 의 이동 속도가 낮게 된다. 이로써, 제 1 토출 동작에서는, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 중앙부를 제외한 영역에 있어서, 처리액에 의한 처리의 정도, 즉, 에칭액에 의한 에칭량을, 외주 가장자리부 (93) 근방을 향함에 따라서 크게 할 수 있다. 또, 제 2 토출 동작에서는, 외주 가장자리부 (93) 의 좁은 범위로 한정하여 에칭이 실시되기 때문에, 외주 가장자리부 (93) 의 근방에 있어서, 에칭량을 외측을 향함에 따라서 크게 하는 것이 가능하다. 그 결과, 상면 (91) 의 중앙부를 제외한 영역에 있어서, 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작에 의한 막 (911) 의 에칭량이, 외주 가장자리부 (93) 를 향함에 따라서 점차 증대되는 바람직한 프로파일을 실현할 수 있다.In the said substrate processing, in a 1st discharge operation|movement, the moving speed of the nozzle part 31 becomes low, so that the position of the nozzle part 31 in a radial direction is close to an outermost position. Accordingly, in the first discharging operation, in the region except for the central portion of the upper surface 91 of the substrate 9 , the degree of processing by the processing liquid, that is, the etching amount by the etching liquid, is determined in the vicinity of the outer peripheral edge portion 93 . You can make it bigger depending on your direction. Further, in the second discharging operation, since etching is performed within a narrow range of the outer peripheral edge portion 93 , it is possible to increase the etching amount toward the outside in the vicinity of the outer peripheral edge portion 93 . . As a result, in the region except for the central portion of the upper surface 91, the etching amount of the film 911 by the first and second ejection operations gradually increases toward the outer peripheral edge portion 93. A desirable profile is obtained. can be realized

기판 (9) 상에 형성되는 막 (911) 의 두께의 프로파일에 따라서는, 상면 (91) 의 전체에 있어서, 막 (911) 의 에칭량이, 외주 가장자리부 (93) 를 향함에 따라서 점차 증대되는 프로파일이 실현되어도 된다. 또, 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작에 의한 막 (911) 의 에칭량 (처리액에 의한 처리의 정도) 이, 직경 방향의 전체에 걸쳐서 균등해지도록, 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작의 처리 조건이 결정되어도 된다. 이 경우, 제 1 토출 동작만으로는, 외주 가장자리부 (93) 에 있어서의 에칭량이 외주 가장자리부 (93) 의 내측 근방에 비해 부족할 때에도, 제 2 토출 동작을 실시함으로써, 외주 가장자리부 (93) 에 있어서의 에칭량의 부족을 해소할 수 있다.Depending on the profile of the thickness of the film 911 formed on the substrate 9 , in the entire upper surface 91 , the etching amount of the film 911 gradually increases toward the outer peripheral edge portion 93 . A profile may be realized. In addition, the first discharge operation and the second discharge operation so that the etching amount (degree of treatment with the processing liquid) of the film 911 by the first discharge operation and the second discharge operation becomes uniform over the entire radial direction. may be determined. In this case, even when the etching amount in the outer peripheral edge portion 93 is insufficient with only the first discharge operation compared to the inner vicinity of the outer peripheral edge portion 93, by performing the second discharge operation, in the outer peripheral edge portion 93 shortage of etching amount can be eliminated.

상기 처리예에서는, 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도가, 제 1 토출 동작에 있어서의 회전 속도보다 높게 되지만, 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도를 일정하게 하면서, 제 2 토출 동작에 있어서의 에칭액의 토출 유량이, 제 1 토출 동작에 있어서의 토출 유량보다 낮게 되어도 된다. 이 경우에도, 제 2 토출 동작에 있어서, 기판 (9) 의 외주 가장자리부 (93) 에 토출된 에칭액이 내측으로 확산되는 것을 제 1 토출 동작과 비교하여 억제할 수 있고, 에칭액에 의한 외주 가장자리부 (93) 에 대한 추가의 처리를 좁은 범위로 한정하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 제 1 토출 동작에 있어서의 토출 유량은, 1000 ∼ 2000 ㎖/min 이며, 제 2 토출 동작에 있어서의 토출 유량은, 제 1 토출 동작에 있어서의 토출 유량의 0.3 ∼ 0.5 배이다.In the above processing example, the rotation speed of the substrate 9 in the second discharge operation is higher than the rotation speed in the first discharge operation, but the substrate 9 in the first discharge operation and the second discharge operation The discharge flow rate of the etching liquid in the second discharge operation may be lower than the discharge flow rate in the first discharge operation while keeping the rotational speed of . Even in this case, in the second discharging operation, diffusion of the etching solution discharged to the outer peripheral edge portion 93 of the substrate 9 inward can be suppressed as compared with the first discharging operation, and the outer peripheral edge portion by the etching solution Further processing for (93) can be carried out by limiting it to a narrow range. For example, the discharge flow rate in the first discharge operation is 1000 to 2000 ml/min, and the discharge flow rate in the second discharge operation is 0.3 to 0.5 times the discharge flow rate in the first discharge operation.

또, 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도가, 제 1 토출 동작에 있어서의 회전 속도보다 높게 되고, 또한 제 2 토출 동작에 있어서의 에칭액의 토출 유량이, 제 1 토출 동작에 있어서의 토출 유량보다 낮게 되어도 된다. 이상과 같이, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도가, 제 1 토출 동작에 있어서의 회전 속도보다 높거나, 또는/및, 제 2 토출 동작에 있어서의 에칭액의 토출 유량이, 제 1 토출 동작에 있어서의 토출 유량보다 낮은 것이 중요하다.In addition, the rotation speed of the substrate 9 in the second discharge operation is higher than the rotation speed in the first discharge operation, and the discharge flow rate of the etching solution in the second discharge operation is increased in the first discharge operation. It may be lower than the discharge flow rate in As described above, in the substrate processing apparatus 1, the rotation speed of the substrate 9 in the second discharge operation is higher than the rotation speed in the first discharge operation, and/or in the second discharge operation. It is important that the discharge flow rate of the etching liquid in this is lower than the discharge flow rate in the first discharge operation.

기판 처리 장치 (1) 에서는, 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작 중 일방의 완료 후에 타방을 실시하는 상기 서술한 처리예 (이하,「전체 축차 처리」라고 한다) 이외의 처리가 실시되어도 된다. 다음으로, 부분 축차 처리에 대해 설명한다. 부분 축차 처리에 있어서의 제 1 토출 동작에서는, 상기 서술한 전체 축차 처리와 동일하게, 노즐부 (31) 가 중앙 위치와 최외 위치 사이를 반복하여 이동하면서, 노즐부 (31) 로부터 에칭액이 토출된다 (도 4 : 스텝 S12). 제 1 토출 동작에서는, 노즐부 (31) 의 위치가 최외 위치에 가까울수록, 노즐부 (31) 의 이동 속도가 낮아진다. 또, 노즐부 (31) 가 최외 위치에 도달할 때, 노즐부 (31) 가 일시적으로 최외 위치에서 정지하고, 제 2 토출 동작이 실시된다 (스텝 S13). 이 때, 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도가, 제 1 토출 동작에 있어서의 회전 속도보다 높게 되거나, 또는/및, 제 2 토출 동작에 있어서의 에칭액의 토출 유량이, 제 1 토출 동작에 있어서의 토출 유량보다 낮게 된다.In the substrate processing apparatus 1, processing other than the above-mentioned processing example (hereinafter referred to as "all sequential processing") which performs the other after completion of one of the 1st discharge operation and the 2nd discharge operation may be performed. Next, the partial sequential processing will be described. In the first discharge operation in the partial successive processing, the etching liquid is discharged from the nozzle part 31 while the nozzle part 31 repeatedly moves between the central position and the outermost position, similarly to the overall sequential process described above. (Fig. 4: Step S12). In the first discharge operation, the closer the position of the nozzle part 31 is to the outermost position, the lower the moving speed of the nozzle part 31 is. Moreover, when the nozzle part 31 reaches the outermost position, the nozzle part 31 temporarily stops at the outermost position, and a 2nd discharge operation is implemented (step S13). At this time, the rotation speed of the substrate 9 in the second discharge operation is higher than the rotation speed in the first discharge operation, or/and the discharge flow rate of the etching liquid in the second discharge operation is It becomes lower than the discharge flow rate in 1 discharge operation.

최외 위치에 있어서의 에칭액의 토출이 소정 시간 계속되면, 노즐부 (31) 가 중앙 위치를 향하여 이동을 개시하고, 제 1 토출 동작이 재개된다. 그리고, 노즐부 (31) 가 최외 위치에 다시 도달하면, 제 2 토출 동작이 실시된다. 이와 같이, 상기 부분 축차 처리에서는, 노즐부 (31) 가 최외 위치에 도달할 때마다, 제 1 토출 동작을 중단하고, 제 2 토출 동작이 실시된다. 제 2 토출 동작은, 반드시 노즐부 (31) 가 최외 위치에 도달할 때마다 실시될 필요는 없고, 제 1 토출 동작의 도중에 있어서 노즐부 (31) 가 최외 위치에 도달하는 적어도 한 번의 타이밍에 있어서 실시되면 된다.When the discharge of the etching liquid in the outermost position continues for a predetermined time, the nozzle part 31 starts moving toward the central position, and the first discharge operation is restarted. And when the nozzle part 31 reaches the outermost position again, a 2nd discharge operation is implemented. In this way, in the partial sequential processing, whenever the nozzle part 31 reaches the outermost position, the first discharge operation is interrupted, and the second discharge operation is performed. The second discharging operation is not necessarily performed every time the nozzle unit 31 reaches the outermost position, and at least one timing at which the nozzle unit 31 reaches the outermost position in the middle of the first discharging operation. it should be implemented

이상과 같이, 부분 축차 처리에서는, 제 1 토출 동작에 있어서 노즐부 (31) 가 최외 위치에 도달할 때, 노즐부 (31) 가 일시적으로 최외 위치에서 정지된다. 그리고, 기판 (9) 의 회전 속도를 높게 하거나, 또는/및, 에칭액의 토출 유량을 낮게 함으로써, 제 2 토출 동작이 실시된다. 이 경우에도, 제 2 토출 동작에 있어서, 외주 가장자리부 (93) 에 토출된 에칭액이 내측으로 확산되는 것을 억제할 수 있고, 에칭액에 의한 외주 가장자리부 (93) 에 대한 추가의 처리를 좁은 범위로 한정하여 실시할 수 있다.As described above, in the partial sequential processing, when the nozzle part 31 reaches the outermost position in the first ejection operation, the nozzle part 31 is temporarily stopped at the outermost position. And 2nd discharge operation|movement is performed by making the rotation speed of the board|substrate 9 high, or/and making the discharge flow volume of etching liquid low. Even in this case, in the second discharging operation, it is possible to suppress diffusion of the etching liquid discharged to the outer peripheral edge portion 93 inward, and further processing of the outer peripheral edge portion 93 by the etching liquid is limited to a narrow range. It can be done in a limited way.

전체 축차 처리 및 부분 축차 처리의 어느 경우에도, 제 1 토출 동작에 있어서, 노즐부 (31) 의 이동 속도를 일정하게 하면서, 기판 (9) 의 회전 속도, 또는, 에칭액의 토출 유량이, 직경 방향에 있어서의 노즐부 (31) 의 위치에 따라 변경되어도 된다.In either case of the entire sequential process and the partial sequential process, in the first ejection operation, the rotational speed of the substrate 9 or the ejection flow rate of the etching liquid is the radial direction while the moving speed of the nozzle part 31 is constant. You may change according to the position of the nozzle part 31 in.

기판 (9) 의 회전 속도를 변경하는 경우, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 직경 방향에 있어서의 노즐부 (31) 의 위치가 최외 위치 (P2) 에 가까울수록, 기판 (9) 의 회전 속도가 낮아진다. 바꿔 말하면, 기판 (9) 의 회전 속도는, 노즐부 (31) 가 중앙 위치 (P1) 에서 최외 위치 (P2) 를 향함에 따라서 점차 낮아지고, 최외 위치 (P2) 에서 중앙 위치 (P1) 를 향함에 따라서 점차 높아진다. 기판 (9) 의 회전 속도가 낮을수록, 노즐부 (31) 로부터 토출된 에칭액은, 그 토출 위치에 머물기 쉬워지는 것으로 생각된다. 그 결과, 에칭액에 의한 막 (911) 의 에칭량 (즉, 처리액에 의한 처리의 정도) 을, 기판 (9) 의 중앙부 근방에서 외주 가장자리부 (93) 근방을 향함에 따라서 크게 하거나, 또는, 균등하게 하는 것이 가능해진다. 물론, 기판 (9) 의 회전 속도의 변화는, 선형에는 한정되지 않고, 비선형이어도 된다. 또, 기판 (9) 의 회전 속도는, 도 8 중에 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이 스텝상으로 변화해도 된다. 이 경우에도, 노즐부 (31) 의 위치가 최외 위치 (P2) 에 가까울수록, 기판 (9) 의 회전 속도가 낮다고 할 수 있다.When changing the rotation speed of the board|substrate 9, as shown in FIG. 8, the rotation speed of the board|substrate 9 becomes low, so that the position of the nozzle part 31 in a radial direction is close to the outermost position P2. . In other words, the rotational speed of the substrate 9 gradually becomes lower as the nozzle portion 31 moves from the central position P1 to the outermost position P2, and from the outermost position P2 toward the central position P1. gradually increases accordingly. It is thought that the etching liquid discharged from the nozzle part 31 becomes easy to stay at the discharge position, so that the rotation speed of the board|substrate 9 is low. As a result, the etching amount of the film 911 by the etching solution (that is, the degree of treatment with the processing liquid) is increased from the vicinity of the center of the substrate 9 toward the vicinity of the outer peripheral portion 93, or It becomes possible to equalize. Of course, the change in the rotational speed of the substrate 9 is not limited to linear, and may be non-linear. Moreover, you may change the rotation speed of the board|substrate 9 stepwise, as shown by the dashed-dotted line in FIG. Also in this case, it can be said that the rotation speed of the board|substrate 9 is low, so that the position of the nozzle part 31 is close|similar to the outermost position P2.

제 1 토출 동작에 있어서 기판 (9) 의 회전 속도를 변경하는 경우, 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도는, 제 1 토출 동작에 있어서 최외 위치의 내측 근방에 노즐부 (31) 가 배치될 때의 회전 속도보다 높게 된다. 이로써, 제 2 토출 동작에 있어서, 외주 가장자리부 (93) 에 토출된 에칭액이 내측으로 확산되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 기판 (9) 의 외주 가장자리부 (93) 의 근방에 있어서도, 에칭량을 외측을 향함에 따라서 크게 하거나, 또는, 균등하게 하는 등, 에칭량의 바람직한 프로파일을 실현할 수 있다.When the rotational speed of the substrate 9 is changed in the first ejection operation, the rotational speed of the substrate 9 in the second ejection operation is the nozzle part 31 in the inner vicinity of the outermost position in the first ejection operation. ) is higher than the rotational speed when it is placed. Thereby, in 2nd discharge operation|movement, it can suppress that the etching liquid discharged to the outer peripheral edge part 93 diffuses inward. As a result, also in the vicinity of the outer peripheral edge part 93 of the board|substrate 9, the preferable profile of an etching amount can be implement|achieved, such as increasing an etching amount as it goes outward, or making it equal.

에칭액의 토출 유량을 변경하는 경우, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 직경 방향에 있어서의 노즐부 (31) 의 위치가 최외 위치 (P2) 에 가까울수록, 에칭액의 토출 유량이 높아진다. 바꿔 말하면, 에칭액의 토출 유량은, 노즐부 (31) 가 중앙 위치 (P1) 에서 최외 위치 (P2) 를 향함에 따라서 점차 높아지고, 최외 위치 (P2) 에서 중앙 위치 (P1) 를 향함에 따라서 점차 낮아진다. 에칭액의 토출 유량이 높을수록, 상면 (91) 에 있어서의 에칭액의 토출 위치 (직경 방향의 위치) 에 대한 에칭액의 공급량이 많아진다. 그 결과, 에칭액에 의한 막 (911) 의 에칭량 (즉, 처리액에 의한 처리의 정도) 을, 기판 (9) 의 중앙부 근방에서 외주 가장자리부 (93) 근방을 향함에 따라서 크게 하거나, 또는, 균등하게 하는 것이 가능해진다. 물론, 에칭액의 토출 유량의 변화는, 선형에는 한정되지 않고, 비선형이어도 된다. 또, 에칭액의 토출 유량은, 도 9 중에 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이 스텝상으로 변화해도 된다. 이 경우에도, 노즐부 (31) 의 위치가 최외 위치 (P2) 에 가까울수록, 에칭액의 토출 유량이 높다고 할 수 있다.When changing the discharge flow rate of etching liquid, as shown in FIG. 9, the discharge flow volume of etching liquid becomes high, so that the position of the nozzle part 31 in a radial direction is close to the outermost position P2. In other words, the discharge flow rate of the etching liquid gradually increases as the nozzle portion 31 moves from the central position P1 to the outermost position P2, and gradually decreases from the outermost position P2 to the central position P1. . The supply amount of the etching liquid with respect to the discharge position (position of a radial direction) of the etching liquid in the upper surface 91 increases, so that the discharge flow volume of etching liquid is high. As a result, the etching amount of the film 911 by the etching solution (that is, the degree of treatment with the processing liquid) is increased from the vicinity of the center of the substrate 9 toward the vicinity of the outer peripheral portion 93, or It becomes possible to equalize. Of course, the change in the discharge flow rate of the etching solution is not limited to linear, and may be non-linear. In addition, the discharge flow rate of the etching liquid may change in a step shape as shown by the dashed-dotted line in FIG. Also in this case, it can be said that the discharge flow volume of etching liquid is high, so that the position of the nozzle part 31 is close to the outermost position P2.

제 1 토출 동작에 있어서 에칭액의 토출 유량을 변경하는 경우, 제 2 토출 동작에 있어서의 에칭액의 토출 유량은, 제 1 토출 동작에 있어서 최외 위치의 내측 근방에 노즐부 (31) 가 배치될 때의 토출 유량보다 낮게 된다. 이로써, 제 2 토출 동작에 있어서, 외주 가장자리부 (93) 에 토출된 에칭액이 내측으로 확산되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 기판 (9) 의 외주 가장자리부 (93) 의 근방에 있어서도, 에칭량을 외측을 향함에 따라서 크게 하거나, 또는, 균등하게 하는 등, 에칭량의 바람직한 프로파일을 실현할 수 있다. 제 1 토출 동작에서는, 노즐부 (31) 의 이동 속도, 기판 (9) 의 회전 속도, 및 에칭액의 토출 유량 중 2 개 이상이, 직경 방향에 있어서의 노즐부 (31) 의 위치에 따라 변경되어도 된다.In the case of changing the discharge flow rate of the etching liquid in the first discharge operation, the discharge flow rate of the etching liquid in the second discharge operation is determined when the nozzle part 31 is disposed in the inner vicinity of the outermost position in the first discharge operation. lower than the discharge flow rate. Thereby, in 2nd discharge operation|movement, it can suppress that the etching liquid discharged to the outer peripheral edge part 93 diffuses inward. As a result, also in the vicinity of the outer peripheral edge part 93 of the board|substrate 9, the preferable profile of an etching amount can be implement|achieved, such as increasing an etching amount as it goes outward, or making it equal. In the first discharge operation, even if two or more of the moving speed of the nozzle unit 31 , the rotational speed of the substrate 9 , and the discharge flow rate of the etching solution are changed according to the position of the nozzle unit 31 in the radial direction do.

도 10 은, 기판 처리 장치 (1) 에 부가되는 처리 조건 취득부 (7) 의 구성을 나타내는 도면이다. 처리 조건 취득부 (7) 는, 예를 들어 CPU 등을 포함하는 컴퓨터이며, 특징 벡터 산출부 (71) 와, 판정부 (72) 와, 학습부 (기계 학습부) (73) 와, (기억부에 기억된) 데이터베이스 (74) 를 구비한다. 처리 조건 취득부 (7) 에서는, 처리 대상의 기판 (9) 에 있어서의 후술하는 두께 정보를 입력함으로써, 에칭량의 바람직한 프로파일을 얻기 위한, 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작의 처리 조건이 자동적으로 취득된다. 특징 벡터 산출부 (71), 판정부 (72) 및 학습부 (73) 는, 예를 들어, 소정의 프로그램의 실행에 의해 실현된다. 처리 조건 취득부 (7) 의 전부 또는 일부가, 전용의 전기적 회로에 의해 실현되어도 된다. 또, 처리 조건 취득부 (7) 가, 제어부 (10) 와 동일한 컴퓨터에 의해 실현되어도 된다.10 is a diagram showing the configuration of the processing condition acquisition unit 7 added to the substrate processing apparatus 1 . The processing condition acquisition unit 7 is, for example, a computer including a CPU or the like, and includes a feature vector calculation unit 71 , a determination unit 72 , a learning unit (machine learning unit) 73 , and (storage). and a database 74 (stored in the unit). In the processing condition acquisition unit 7, by inputting thickness information described later on the substrate 9 to be processed, the processing conditions of the first discharge operation and the second discharge operation for obtaining a preferable profile of the etching amount are automatically set. is acquired with The feature vector calculation unit 71 , the determination unit 72 , and the learning unit 73 are realized by, for example, execution of a predetermined program. All or part of the processing condition acquisition unit 7 may be realized by a dedicated electric circuit. In addition, the processing condition acquisition unit 7 may be realized by the same computer as the control unit 10 .

도 11 은, 판정부 (72) 를 구축하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다. 처리 조건 취득부 (7) 에서는, 처리 조건의 취득의 사전 준비로서 판정부 (72) 가 구축된다. 판정부 (72) 의 구축에서는, 먼저, 상면 (91) 에 막 (911) 이 형성된 복수의 기판 (9) (후술하는 처리 대상의 기판 (9) 과 구별하기 위해, 이하,「참조 기판 (9)」이라고 한다) 이 준비된다. 계속해서, 복수의 참조 기판 (9) 의 각각에 대하여, 외부의 막두께 측정 장치를 사용하여 막 (911) 의 두께의 프로파일이 취득된다. 이하의 설명에서는, 막 (911) 의 두께의 프로파일을「두께 정보」라고 한다. 또한, 막두께 측정 장치가, 기판 처리 장치 (1) 에 형성되어도 된다.11 is a diagram showing the flow of processing for constructing the determination unit 72 . In the processing condition acquisition unit 7 , the determination unit 72 is constructed as a preliminary preparation for acquisition of processing conditions. In the construction of the determination unit 72 , first, a plurality of substrates 9 on which a film 911 is formed on the upper surface 91 (to be distinguished from a substrate 9 to be processed to be described later) is hereinafter referred to as a “reference substrate 9 . )”) is prepared. Then, for each of the plurality of reference substrates 9 , a profile of the thickness of the film 911 is acquired using an external film thickness measuring device. In the following description, the profile of the thickness of the film 911 is referred to as "thickness information". In addition, a film thickness measuring apparatus may be provided in the substrate processing apparatus 1 .

두께 정보가 취득되면, 복수의 참조 기판 (9) 에 대하여 도 4 의 기판 처리가 실시된다. 이 때, 복수의 참조 기판 (9) 은, 서로 상이한 처리 조건에서 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작이 실시된다. 처리 조건은, 예를 들어, 챔버 내의 온도 및 습도, 전체 축차 처리 또는 부분 축차 처리의 선택, 제 1 토출 동작에 있어서의 참조 기판 (9) 의 회전 속도, 시간, 토출 유량 및 노즐부 (31) 의 이동 속도, 그리고, 제 2 토출 동작에 있어서의 참조 기판 (9) 의 회전 속도, 시간, 토출 유량 및 노즐부 (31) 의 위치 (최외 위치) 등을 포함한다. 기판 처리 장치 (1) 가 복수의 챔버를 포함하는 경우에는, 챔버의 식별 번호가 처리 조건에 포함되어도 된다.When the thickness information is acquired, the substrate processing of FIG. 4 is performed on the plurality of reference substrates 9 . At this time, the plurality of reference substrates 9 are subjected to a first discharge operation and a second discharge operation under processing conditions different from each other. The processing conditions are, for example, the temperature and humidity in the chamber, selection of the total sequential processing or partial sequential processing, the rotation speed of the reference substrate 9 in the first ejection operation, time, the ejection flow rate, and the nozzle unit 31 . the moving speed of , and the rotational speed, time, and discharge flow rate of the reference substrate 9 in the second discharging operation, and the position (outermost position) of the nozzle part 31 , and the like. When the substrate processing apparatus 1 includes a plurality of chambers, the chamber identification number may be included in the processing conditions.

복수의 참조 기판 (9) 에 대한 기판 처리가 완료되면, 각 참조 기판 (9) 에 대한 막 (911) 의 에칭 결과가 취득된다. 에칭 결과는, 예를 들어, 에칭 후의 막 (911) 의 두께의 프로파일 (또는, 에칭량의 프로파일), 및 작업자가 당해 프로파일에 대하여 판정한 양호 여부의 라벨을 포함한다. 이상의 처리에 의해, 복수의 참조 기판에 있어서의 막 (911) 의 두께 정보 (에칭 전의 막 (911) 의 두께 정보), 처리 조건 및 에칭 결과를 나타내는 교사 데이터가 준비된다 (스텝 S21).When the substrate processing for the plurality of reference substrates 9 is completed, the etching result of the film 911 for each reference substrate 9 is obtained. The etching result includes, for example, a profile of the thickness of the film 911 after etching (or a profile of an etching amount), and a label of good or good judged by the operator with respect to the profile. By the above processing, the teacher data indicating the thickness information (thickness information of the film 911 before etching) of the film 911 in the plurality of reference substrates, the processing conditions, and the etching results are prepared (step S21).

교사 데이터는, 학습부 (73) 에 입력된다. 학습부 (73) 는, 교사 데이터에 포함되는 각 참조 기판 (9) 에 대한 막 (911) 의 두께 정보로부터 복수의 특징량을 산출한다. 예를 들어, 복수의 특징량은, 에칭 전의 막 (911) 의 두께의 프로파일에 있어서의, 직경 방향의 복수의 위치에서의 기울기이다. 복수의 특징량의 산출은 특징 벡터 산출부 (71) 에 있어서 실시되어도 된다. 학습부 (73) 에서는, 복수의 특징량의 집합이, 특징 벡터로서 취급된다. 계속해서, 학습부 (73) 가, 복수의 참조 기판 (9) 에 있어서의 특징 벡터, 처리 조건 및 에칭 결과 (즉, 교사 데이터) 를 사용하여, 뉴럴 네트워크 등을 이용하는 분류기 (인공 지능 (AI) 을 포함한다) 를 학습시킴으로써, 판정부 (72) 가 구축된다 (스텝 S22). 여기서, 판정부 (72) 의 구축은, 뉴럴 네트워크 등에 있어서의 파라미터의 값의 결정을 포함한다. 판정부 (72) 는, 특징 벡터의 입력에 의해, 양호로 판정되는 에칭 후의 두께의 프로파일이 얻어질 예정의 처리 조건을 출력한다. 교사 데이터는, 데이터베이스 (74) 에 포함되고, 기억된다.The teacher data is input to the learning unit 73 . The learning unit 73 calculates a plurality of feature quantities from the thickness information of the film 911 for each reference substrate 9 included in the teacher data. For example, the plurality of feature quantities are inclinations at a plurality of positions in the radial direction in the profile of the thickness of the film 911 before etching. Calculation of a plurality of feature quantities may be performed in the feature vector calculator 71 . In the learning unit 73, a set of a plurality of feature quantities is treated as a feature vector. Subsequently, the learning unit 73 uses the feature vectors, processing conditions, and etching results (that is, teacher data) in the plurality of reference substrates 9 to perform a classifier (artificial intelligence (AI)) using a neural network or the like. ), the determination unit 72 is constructed (step S22). Here, the construction of the determination unit 72 includes determination of parameter values in a neural network or the like. The determination unit 72 outputs, by input of the feature vector, a processing condition under which the profile of the thickness after etching determined to be good is obtained. The teacher data is included and stored in the database 74 .

도 12 는, 처리 대상의 기판 (9) 에 대하여 처리 조건을 취득하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다. 처리 조건을 취득할 때에는, 먼저, 처리 대상의 기판 (9) 에 대하여, 막두께 측정 장치를 사용하여 막 (911) 의 두께 정보가 취득된다 (스텝 S31). 이미 서술한 바와 같이, 막두께 측정 장치가, 기판 처리 장치 (1) 에 형성되어도 된다. 막 (911) 의 두께 정보는, 특징 벡터 산출부 (71) 에 입력되고, 판정부 (72) 의 구축시와 동일하게 하여 특징 벡터가 취득된다. 그리고, 당해 특징 벡터가 판정부 (72) 에 입력됨으로써, 처리 대상의 기판 (9) 에 대한 처리 조건이 출력된다. 이와 같이, 판정부 (72) 에서는, 막 (911) 의 두께 정보를 사용하여 처리 조건이 취득된다 (스텝 S32). 처리 조건의 일례는, 사용해야 할 챔버의 식별 번호, 전체 축차 처리 또는 부분 축차 처리의 선택, 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도 및 노즐부 (31) 의 위치 (최외 위치) 등을 나타낸다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 취득된 처리 조건에 따라서, 도 4 의 기판 처리가 실시된다. 당해 기판 처리가 실시된 기판 (9) 에서는, 양호로 판정되는 에칭 후의 두께의 프로파일 (또는, 에칭량의 프로파일) 이 얻어진다.12 is a diagram showing a flow of processing for acquiring processing conditions for the substrate 9 to be processed. When acquiring processing conditions, first, with respect to the substrate 9 to be processed, thickness information of the film 911 is acquired using a film thickness measuring device (step S31 ). As described above, the film thickness measuring apparatus may be provided in the substrate processing apparatus 1 . The thickness information of the film 911 is input to the feature vector calculating unit 71 , and the feature vector is obtained in the same manner as in the construction of the determining unit 72 . Then, when the feature vector is input to the determination unit 72 , the processing conditions for the substrate 9 to be processed are output. In this way, in the determination unit 72, processing conditions are acquired using the thickness information of the film 911 (step S32). Examples of the processing conditions include the identification number of the chamber to be used, selection of full sequential processing or partial sequential processing, the rotational speed of the substrate 9 in the second ejection operation, and the position (outermost position) of the nozzle unit 31 , etc. indicates In the substrate processing apparatus 1, the substrate processing of FIG. 4 is performed according to the acquired processing conditions. In the board|substrate 9 to which the said board|substrate process was performed, the profile of the thickness after etching determined as favorable (or the profile of the etching amount) is obtained.

처리 조건 취득부 (7) 에 의해 취득되는 처리 조건이, 예를 들어, 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도 및 시간, 또는, 제 2 토출 동작에 있어서의 토출 유량 및 시간만을 포함하고, 다른 조건은 미리 정해진 고정값이어도 된다. 바람직하게는, 처리 조건 취득부 (7) 에 의해 취득되는 처리 조건은, 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작의 각각에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도 및 시간, 또는, 제 1 토출 동작 및 제 2 토출 동작의 각각에 있어서의 토출 유량 및 시간을 포함한다.The processing conditions acquired by the processing condition acquisition unit 7 are, for example, only the rotation speed and time of the substrate 9 in the second discharge operation, or the discharge flow rate and time in the second discharge operation. Including, the other condition may be a predetermined fixed value. Preferably, the processing conditions acquired by the processing condition acquisition unit 7 include the rotation speed and time of the substrate 9 in each of the first discharge operation and the second discharge operation, or the first discharge operation and The discharge flow rate and time in each of the second discharge operations are included.

또한, 기판 처리 장치 (1) 의 챔버 내에 촬상부가 형성되고, 기판 (9) 의 촬상 화상으로부터 구해지는 특징량이 특징 벡터에 포함되어도 된다 (교사 데이터에 있어서 동일). 또, 판정부 (72), 학습부 (73) 및 데이터베이스 (74) (도 10 중에서 파선으로 둘러싸는 구성) 가, 외부의 서버에 있어서 실현되어도 된다. 이 경우, 복수의 참조 기판 (9) 에 있어서의 막 (911) 의 두께 정보 (또는 특징 벡터), 처리 조건 및 에칭 결과를 나타내는 교사 데이터가 통신부를 통하여, 당해 서버로 송신되고, 판정부 (72) 가 구축된다. 처리 대상의 기판 (9) 에 대하여 처리 조건을 취득할 때에는, 특징 벡터 산출부 (71) 에서 구해진 특징 벡터 (또는 막 (911) 의 두께 정보) 가 통신부를 통하여, 당해 서버로 송신된다. 판정부 (72) 에서는, 특징 벡터를 사용하여 처리 조건이 취득되고, 통신부를 통하여 제어부 (10) 에 입력된다. 이로써, 당해 처리 조건에 따른 기판 (9) 의 처리가 실시된다. 상기 경우에 있어서, 당해 서버가 기판 처리 장치 (1) 의 일부로서 파악되어도 된다. 또, 처리 대상의 기판 (9) 에 대하여 취득된 데이터가, 교사 데이터에 추가되고, 판정부 (72) 가 갱신되어도 된다. 또한, 막 (911) 의 종류나, 기판 (9) 의 사이즈마다, 판정부 (72) 및 데이터베이스 (74) 등이 준비되어도 된다.In addition, an imaging part is formed in the chamber of the substrate processing apparatus 1, and the feature amount calculated|required from the captured image of the board|substrate 9 may be contained in a feature vector (it is the same in teacher data). Moreover, the determination part 72, the learning part 73, and the database 74 (configuration enclosed by the broken line in FIG. 10) may be implement|achieved in an external server. In this case, teacher data indicating the thickness information (or feature vectors) of the films 911 in the plurality of reference substrates 9, processing conditions, and etching results are transmitted to the server via the communication unit, and the determination unit 72 ) is built. When acquiring processing conditions for the substrate 9 to be processed, the feature vector (or thickness information of the film 911) obtained by the feature vector calculating unit 71 is transmitted to the server via the communication unit. In the determination unit 72, processing conditions are obtained using the feature vector, and input to the control unit 10 via the communication unit. Thereby, the process of the board|substrate 9 according to the said process condition is performed. In the above case, the server may be grasped as a part of the substrate processing apparatus 1 . Moreover, the data acquired with respect to the board|substrate 9 to be processed may be added to the teacher data, and the determination part 72 may be updated. Moreover, the determination part 72, the database 74, etc. may be prepared for every kind of film|membrane 911 and the size of the board|substrate 9. As shown in FIG.

상기 기판 처리 장치 (1) 에서는 다양한 변형이 가능하다.Various modifications are possible in the substrate processing apparatus 1 .

기판 (9) 에 대하여 구해지는 처리의 정밀도에 따라서는, 제 1 토출 동작에 있어서, 반드시 노즐부 (31) 가 중앙 위치와 최외 위치 사이에서 이동할 필요는 없으며, 예를 들어, 노즐부 (31) 가 중앙 위치와 최외 위치보다 내측의 위치 사이에서 이동해도 된다. 또, 제 1 토출 동작에 있어서, 회전하는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대하여, 중앙 위치에서 정지한 노즐부 (31) 로부터 에칭액이 토출되어도 된다.Depending on the precision of the processing obtained for the substrate 9, in the first discharge operation, the nozzle part 31 does not necessarily need to move between the central position and the outermost position, for example, the nozzle part 31 may move between the central position and the position inside the outermost position. Moreover, in 1st discharge operation|movement, with respect to the upper surface 91 of the board|substrate 9 which rotates, the etching liquid may be discharged from the nozzle part 31 which stopped at the center position.

기판 처리 장치 (1) 에서는, 에칭액 이외에, 막 (911) 을 변질시키는 약액 등, 다른 종류의 처리액이 사용되어도 된다. 이 경우에도, 제 2 토출 동작에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도가, 제 1 토출 동작에 있어서의 회전 속도보다 높거나, 또는/및, 제 2 토출 동작에 있어서의 처리액의 토출 유량이, 제 1 토출 동작에 있어서의 토출 유량보다 낮음으로써, 처리액에 의한 외주 가장자리부 (93) 에 대한 추가의 처리를 좁은 범위로 한정하여 실시하는 것이 가능해진다. 또, 최외 위치에 배치된 노즐부 (31) 에 의해, 기판 (9) 의 외주 단면 (94) 보다 내측의 영역에 대하여 처리액이 토출됨으로써, 기판 (9) 의 외주 단면 (94) 에 있어서의 처리액의 튀어오름을 억제할 수 있다.In the substrate processing apparatus 1, other types of processing liquids, such as a chemical|medical liquid which changes the quality of the film|membrane 911 other than an etching liquid, may be used. Also in this case, the rotation speed of the substrate 9 in the second discharge operation is higher than the rotation speed in the first discharge operation, and/or the discharge flow rate of the processing liquid in the second discharge operation is , lower than the discharge flow rate in the first discharging operation, it becomes possible to carry out the additional processing with respect to the outer periphery 93 by the processing liquid in a narrow range. In addition, the processing liquid is discharged to a region inside the outer peripheral end face 94 of the substrate 9 by the nozzle part 31 disposed at the outermost position, so that the outer peripheral end face 94 of the substrate 9 is Splashing of the treatment liquid can be suppressed.

노즐 이동 기구 (5) 의 설계에 따라서는, 노즐부 (31) 가, 도 13 중에 실선으로 나타내는 최외 위치로부터 중앙 위치를 통과하여, 이점쇄선으로 나타내는 최외 위치 (실선의 최외 위치와 동일한 직경 방향의 위치이다) 까지 이동 가능해도 된다. 이 경우에도, 도 2 의 예와 동일하게, 노즐부 (31) 가 중앙 위치와 최외 위치 사이에서 이동하고 있는 것으로 파악하는 것이 가능하다.Depending on the design of the nozzle moving mechanism 5, the nozzle part 31 passes from the outermost position indicated by the solid line in FIG. 13 to the central position, and is the outermost position indicated by the double-dotted line (in the same radial direction as the outermost position of the solid line). position) may be movable. Also in this case, similarly to the example of FIG. 2, it is possible to grasp|ascertain that the nozzle part 31 is moving between a center position and an outermost position.

기판 처리 장치 (1) 에 있어서 처리가 실시되는 기판은 반도체 기판에는 한정되지 않고, 유리 기판이나 다른 기판이어도 된다.The substrate to be processed in the substrate processing apparatus 1 is not limited to a semiconductor substrate, and may be a glass substrate or another substrate.

상기 실시형태 및 각 변형예에 있어서의 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합되어도 된다.The configurations in the above embodiment and each modification may be appropriately combined as long as they do not contradict each other.

발명을 상세하게 묘사하여 설명하였지만, 이미 서술한 설명은 예시적이며 한정적인 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한, 다수의 변형이나 양태가 가능하다고 할 수 있다.Although the invention has been described and described in detail, the foregoing description is illustrative and not restrictive. Therefore, it can be said that many modifications and aspects are possible without departing from the scope of the present invention.

1 : 기판 처리 장치
3 : 처리액 공급부
5 : 노즐 이동 기구
9 : 기판
10 : 제어부
21 : 기판 유지부
22 : 기판 회전 기구
23 : 컵
31 : 노즐부
72 : 판정부
81 : 에칭액
91 : (기판의) 상면
93 : (기판의) 외주 가장자리부
94 : (기판의) 외주 단면
212 : 척 핀
231 : 컵 상부
911 : 막
P1 : 중앙 위치
P2 : 최외 위치
S11 ∼ S16, S21, S22, S31, S32 : 스텝1: Substrate processing device
3: treatment liquid supply unit
5: Nozzle moving mechanism
9: substrate
10: control unit
21: substrate holding part
22: substrate rotation mechanism
23 : Cup
31: nozzle part
72: judgment unit
81: etching solution
91: (substrate) upper surface
93: (substrate) outer peripheral edge portion
94: (substrate) outer peripheral section
212: chuck pin
231: upper cup
911: just
P1: central position
P2: outermost position
S11 to S16, S21, S22, S31, S32: Step

Claims (11)

기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서,
상기 기판 처리 장치가,
원판상의 기판을 수평 상태로 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와,
상기 기판의 상면을 향하여 노즐부로부터 처리액을 토출하는 처리액 공급부와,
상기 상면의 외주 가장자리부에 대향하는 최외 위치로부터 직경 방향의 내측에 있어서, 상기 노즐부를 상기 상면에 근접시키면서 상기 상면을 따라 이동 가능한 노즐 이동 기구를 구비하고,
상기 기판 처리 방법이,
a) 회전하는 상기 기판의 상기 상면을 따라 상기 노즐부를 이동시키면서, 상기 상면에 대하여 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하거나, 또는, 회전하는 상기 기판의 상기 상면에 대하여, 상기 상면의 중앙부에 대향하는 중앙 위치에서 정지한 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하는 공정과,
b) 회전하는 상기 기판의 상기 상면에 대하여, 상기 최외 위치에서 정지한 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하는 공정을 구비하고,
상기 최외 위치에 배치된 상기 노즐부에 의해, 상기 기판의 외주 단면보다 내측의 영역에 대하여 상기 처리액이 토출되고,
상기 b) 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도가, 상기 a) 공정에 있어서의 상기 회전 속도보다 높거나, 또는/및, 상기 b) 공정에 있어서의 상기 처리액의 토출 유량이, 상기 a) 공정에 있어서의 상기 토출 유량보다 낮은, 기판 처리 방법.A substrate processing method in a substrate processing apparatus, comprising:
The substrate processing apparatus,
a substrate holding unit for holding the disk-shaped substrate in a horizontal state;
a substrate rotation mechanism for rotating the substrate holding unit;
a processing liquid supply unit for discharging the processing liquid from the nozzle unit toward the upper surface of the substrate;
a nozzle moving mechanism capable of moving along the upper surface while bringing the nozzle portion closer to the upper surface in a radially inner side from an outermost position opposite to the outer peripheral edge portion of the upper surface;
The substrate processing method,
a) discharging the processing liquid from the nozzle unit with respect to the upper surface while moving the nozzle unit along the upper surface of the rotating substrate, or facing the central portion of the upper surface with respect to the upper surface of the rotating substrate discharging the treatment liquid from the nozzle unit stopped at a central position;
b) discharging the processing liquid from the nozzle unit stopped at the outermost position with respect to the upper surface of the rotating substrate;
The processing liquid is discharged to an area inside the outer peripheral end face of the substrate by the nozzle unit disposed at the outermost position,
The rotation speed of the substrate in the step b) is higher than the rotation speed in the step a), or/and the discharge flow rate of the processing liquid in the step b) is a) The substrate processing method which is lower than the said discharge flow rate in a process. 제 1 항에 있어서,
상기 a) 공정에 있어서, 상기 노즐부가 상기 중앙 위치와 상기 최외 위치 사이에서 이동하고, 상기 노즐부의 위치가 상기 최외 위치에 가까울수록, 상기 노즐부의 이동 속도가 낮은, 기판 처리 방법.The method of claim 1,
In the step a), the nozzle unit moves between the central position and the outermost position, and the closer the position of the nozzle unit is to the outermost position, the lower the moving speed of the nozzle unit. 제 1 항에 있어서,
상기 a) 공정에 있어서, 상기 노즐부가 상기 중앙 위치와 상기 최외 위치 사이에서 이동하고, 상기 노즐부의 위치가 상기 최외 위치에 가까울수록, 상기 기판의 회전 속도가 낮거나, 또는, 상기 처리액의 토출 유량이 높고,
상기 b) 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도가, 상기 a) 공정에 있어서 상기 최외 위치의 내측 근방에 상기 노즐부가 배치될 때의 상기 회전 속도보다 높거나, 또는/및, 상기 b) 공정에 있어서의 상기 처리액의 토출 유량이, 상기 a) 공정에 있어서 상기 최외 위치의 내측 근방에 상기 노즐부가 배치될 때의 상기 토출 유량보다 낮은, 기판 처리 방법.The method of claim 1,
In step a), the nozzle unit moves between the central position and the outermost position, and the closer the position of the nozzle unit is to the outermost position, the lower the rotation speed of the substrate or the discharge of the treatment liquid flow is high,
The rotation speed of the substrate in step b) is higher than the rotation speed when the nozzle unit is disposed in the inner vicinity of the outermost position in step a), or/and, in step b), The discharge flow rate of the processing liquid in the step a) is lower than the discharge flow rate when the nozzle unit is disposed in the inner vicinity of the outermost position in the step a). 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 처리액이, 상기 상면에 형성된 막을 에칭하는 에칭액이고,
상기 상면의 상기 중앙부를 제외한 영역에 있어서, 상기 a) 및 b) 공정에 의한 상기 막의 에칭량이, 상기 외주 가장자리부를 향함에 따라서 점차 증대되는, 기판 처리 방법.4. The method according to claim 2 or 3,
The processing liquid is an etchant for etching the film formed on the upper surface,
In a region excluding the central portion of the upper surface, the etching amount of the film by the steps a) and b) gradually increases as it goes toward the outer peripheral edge portion. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 a) 공정에 있어서, 상기 노즐부가 상기 중앙 위치와 상기 최외 위치 사이를 반복하여 이동함과 함께, 상기 노즐부가 상기 최외 위치에 도달 후, 곧바로 상기 중앙 위치를 향하고,
상기 a) 공정의 완료 후, 상기 노즐부가 상기 최외 위치에 배치되고, 상기 b) 공정이 실시되는, 기판 처리 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
In the step a), while the nozzle unit repeatedly moves between the central position and the outermost position, the nozzle unit faces the central position immediately after reaching the outermost position,
After completion of the step a), the nozzle unit is disposed at the outermost position, and the step b) is performed. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 a) 공정에 있어서, 상기 노즐부가 상기 중앙 위치와 상기 최외 위치 사이를 반복하여 이동하고, 상기 노즐부가 상기 최외 위치에 도달할 때, 상기 노즐부가 일시적으로 상기 최외 위치에서 정지하고, 상기 b) 공정이 실시되는, 기판 처리 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
In the step a), the nozzle unit repeatedly moves between the central position and the outermost position, and when the nozzle unit reaches the outermost position, the nozzle unit temporarily stops at the outermost position, and b) A method of processing a substrate, wherein the process is carried out. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 유지부가, 상기 기판의 상기 외주 단면에 맞닿는 복수의 척 핀을 구비하는, 기판 처리 방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The substrate processing method, wherein the substrate holding unit includes a plurality of chuck pins that abut against the outer peripheral end face of the substrate. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치가, 상기 기판 유지부에 의해 유지되는 상기 기판의 주위를 둘러싸는 컵을 추가로 구비하고,
상기 최외 위치에 배치된 상기 노즐부가, 상기 컵의 상부에 근접하는, 기판 처리 방법.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The substrate processing apparatus further includes a cup surrounding the periphery of the substrate held by the substrate holding unit;
The said nozzle part arrange|positioned at the said outermost position adjoins the upper part of the said cup. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액이, 상기 상면에 형성된 막을 에칭하는 에칭액이고, 상면에 막이 형성된 복수의 기판에 대하여, 서로 상이한 처리 조건에서 상기 a) 및 b) 공정을 실시함으로써 얻어지는 상기 막의 에칭 결과와, 상기 a) 및 b) 공정을 실시하기 전의 상기 막의 두께 정보를 취득함으로써, 상기 복수의 기판에 있어서의 상기 막의 두께 정보, 상기 처리 조건 및 상기 에칭 결과를 나타내는 교사 데이터를 준비하는 공정과,
상기 교사 데이터를 사용한 학습에 의해, 판정부를 구축하는 공정을 추가로 구비하는, 기판 처리 방법.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The processing liquid is an etchant for etching the film formed on the upper surface, and the etching result of the film obtained by performing the steps a) and b) under different processing conditions for a plurality of substrates on which the film is formed on the upper surface; and b) obtaining the thickness information of the film before performing the process, thereby preparing teacher data indicating the thickness information of the films in the plurality of substrates, the processing conditions, and the etching results;
The substrate processing method further comprising the step of constructing a determination unit by learning using the teacher data. 제 9 항에 있어서,
처리 대상의 기판에 대하여 상기 막의 두께 정보를 취득하는 공정과,
상기 기판의 상기 막의 두께 정보를 사용하여, 상기 판정부에 의해 상기 처리 조건을 취득하는 공정을 추가로 구비하는, 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
obtaining information on the thickness of the film for the substrate to be processed;
and using the thickness information of the film of the substrate to acquire the processing conditions by the determination unit. 기판 처리 장치로서,
원판상의 기판을 수평 상태로 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와,
상기 기판의 상면을 향하여 노즐부로부터 처리액을 토출하는 처리액 공급부와,
상기 상면의 외주 가장자리부에 대향하는 최외 위치로부터 직경 방향의 내측에 있어서, 상기 노즐부를 상기 상면에 근접시키면서 상기 상면을 따라 이동 가능한 노즐 이동 기구와,
상기 기판 회전 기구, 상기 처리액 공급부 및 상기 노즐 이동 기구를 제어함으로써, 회전하는 상기 기판의 상기 상면을 따라 상기 노즐부를 이동시키면서, 상기 상면에 대하여 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하거나, 또는, 회전하는 상기 기판의 상기 상면에 대하여, 상기 상면의 중앙부에 대향하는 중앙 위치에서 정지한 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하는 제 1 토출 동작과, 회전하는 상기 기판의 상기 상면에 대하여, 상기 최외 위치에서 정지한 상기 노즐부로부터 상기 처리액을 토출하는 제 2 토출 동작을 실행시키는 제어부를 구비하고,
상기 최외 위치에 배치된 상기 노즐부에 의해, 상기 기판의 외주 단면보다 내측의 영역에 대하여 상기 처리액이 토출되고,
상기 제 2 토출 동작에 있어서의 상기 기판의 회전 속도가, 상기 제 1 토출 동작에 있어서의 상기 회전 속도보다 높거나, 또는/및, 상기 제 2 토출 동작에 있어서의 상기 처리액의 토출 유량이, 상기 제 1 토출 동작에 있어서의 상기 토출 유량보다 낮은, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a substrate holding unit for holding the disk-shaped substrate in a horizontal state;
a substrate rotation mechanism for rotating the substrate holding unit;
a processing liquid supply unit for discharging the processing liquid from the nozzle unit toward the upper surface of the substrate;
a nozzle moving mechanism capable of moving along the upper surface while bringing the nozzle portion closer to the upper surface in a radially inner side from an outermost position opposite to the outer peripheral edge portion of the upper surface;
By controlling the substrate rotating mechanism, the processing liquid supply unit, and the nozzle movement mechanism, the processing liquid is discharged from the nozzle unit with respect to the upper surface while moving the nozzle unit along the upper surface of the rotating substrate, or a first discharging operation of discharging the processing liquid from the nozzle unit stopped at a central position opposite to the central portion of the upper surface with respect to the upper surface of the rotating substrate; and with respect to the upper surface of the rotating substrate, the outermost a control unit for executing a second discharging operation of discharging the processing liquid from the nozzle unit stopped at a position;
The processing liquid is discharged to an area inside the outer peripheral end face of the substrate by the nozzle unit disposed at the outermost position,
a rotation speed of the substrate in the second discharging operation is higher than the rotation speed in the first discharging operation, or/and a discharge flow rate of the processing liquid in the second discharging operation; The substrate processing apparatus is lower than the discharge flow rate in the first discharge operation.
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