KR20210060004A - condensation polymer of bisnaphtholfluorene and pyrimidine - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 내열성과 내에칭성이 동시에 만족되는 하드마스크용 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a composition for a hard mask satisfying both heat resistance and etch resistance.
예를 들면, 반도체 제조, 마이크로일렉트로닉스 등의 분야에서, 회로, 배선, 절연 패턴 등과 같은 구조물들의 집적도가 지속적으로 향상되고 있다. 이에 따라, 상기 구조물들의 미세 패터닝을 위한 포토리소그래피 공정이 함께 개발되고 있다.For example, in the fields of semiconductor manufacturing and microelectronics, the degree of integration of structures such as circuits, wirings, insulating patterns, etc. is continuously improving. Accordingly, a photolithography process for fine patterning of the structures is being developed together.
일반적으로, 식각 대상막 상에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트 층을 형성하고, 노광 및 현상 공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 식각 대상막을 부분적으로 제거함으로써 소정의 패턴을 형성할 수 있다. 상기 식각 대상막에 대한 이미지 전사가 수행된 후, 상기 포토레지스트 패턴은 애싱(ashing) 및/또는 스트립(strip) 공정을 통해 제거될 수 있다.In general, a photoresist layer is formed by applying a photoresist on a layer to be etched, and a photoresist pattern is formed through exposure and development processes. Subsequently, a predetermined pattern may be formed by partially removing the layer to be etched using the photoresist pattern as an etching mask. After image transfer is performed on the etching target layer, the photoresist pattern may be removed through an ashing and/or strip process.
상기 노광 공정 중 광반사에 의한 해상도 저하를 억제하기 위해 상기 식각 대상막 및 상기 포토레지스트 층 사이에, 반사방지코팅(anti-refractive coating; ARC) 층을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 ARC층에 대한 식각이 추가되며, 이에 따라 상기 포토레지스트 층 또는 포토레지스트 패턴의 소모량 또는 식각량이 증가될 수 있다.An anti-refractive coating (ARC) layer may be formed between the etching target layer and the photoresist layer in order to suppress a decrease in resolution due to light reflection during the exposure process. In this case, etching is added to the ARC layer, and thus the consumption or etching amount of the photoresist layer or photoresist pattern may be increased.
또한, 상기 식각 대상막의 두께가 증가하거나 원하는 패턴 형성에 필요한 식각량이 증가하는 경우 요구되는 상기 포토레지스트 층 또는 포토레지스트 패턴의 충분한 식각 내성이 확보되지 않을 수 있다.In addition, when the thickness of the target layer to be etched increases or the amount of etching required to form a desired pattern increases, sufficient etching resistance of the required photoresist layer or photoresist pattern may not be secured.
따라서, 원하는 패턴 형성을 위한 포토레지스트의 식각 내성 및 식각 선택비를 확보하기 위해 상기 식각 대상막 및 상기 포토레지스트 층 사이에 레지스트 하부막이 추가될 수 있다.Accordingly, a resist lower layer may be added between the etching target layer and the photoresist layer in order to secure etching resistance and an etching selectivity of the photoresist for forming a desired pattern.
상기 레지스트 하부막은 예를 들면, 고온 식각 공정에 대한 충분한 내에칭성(또는 식각 내성), 내열성을 가질 필요가 있으며, 또한 예를 들면 스핀-온 코팅 공정에 의해 균일한 두께로 형성될 필요가 있다.The resist lower layer needs to have sufficient etch resistance (or etch resistance) and heat resistance for a high temperature etching process, and also needs to be formed to have a uniform thickness by, for example, a spin-on coating process. .
상기의 하드마스크 조성물은 1) 용해성, 2) 내에칭성, 3)내열성, 4) 평탄성을 동시에 요구하는데, 일반적으로 용해성과 평탄성은 내에칭성과 trade-off 관계를 보이므로, “용해성, 평탄성 및 내에칭성을 동시에 만족시키기는 어려우며, 이러한 특성을 동시에 만족시키는 것이, 하드마스크 조성물의 개발의 핵심으로 여겨지고 있으나, 특수한 용도의 경우에, 기타 특성들보다 내열성을 보다 강조하는 경우가 종종 있다.The above hardmask composition requires 1) solubility, 2) etch resistance, 3) heat resistance, and 4) flatness at the same time. In general, solubility and flatness show a trade-off relationship with etch resistance. It is difficult to satisfy etch resistance at the same time, and satisfying these properties at the same time is considered to be the core of the development of a hardmask composition, but in the case of special applications, heat resistance is often emphasized more than other properties.
내열성은 고온 베이크시에 질량손실률이 적어서, 코팅 후 건조시의 막두께 감소량이 적은 특성을 의미하는데, 바람직하게는 500도 1분 가열조건에서 10%이하의 질량손실률을 보이는 것이 바람직하다.Heat resistance means a property that the mass loss rate is low during high-temperature baking, so that the amount of film thickness decreases when drying after coating is small. Preferably, it is preferable to show a mass loss rate of 10% or less under a heating condition of 500°C for 1 minute.
상기의 하드마스크 조성물은 1) 용해성, 2) 내에칭성, 3)내열성, 4) 평탄성을 동시에 요구하는데, 일반적으로 용해성과 평탄성은 내에칭성과 trade-off 관계를 보이므로, “용해성, 평탄성 및 내에칭성을 동시에 만족시키기는 어려우며, 이러한 특성을 동시에 만족시키는 것이, 하드마스크 조성물의 개발의 핵심으로 여겨지고 있으나, 특수한 용도의 경우에, 기타 특성들보다 내열성을 보다 강조하는 경우가 종종 있다.The above hardmask composition requires 1) solubility, 2) etch resistance, 3) heat resistance, and 4) flatness at the same time. In general, solubility and flatness show a trade-off relationship with etch resistance. It is difficult to satisfy etch resistance at the same time, and satisfying these properties at the same time is considered to be the core of the development of a hardmask composition, but in the case of special applications, heat resistance is often emphasized more than other properties.
내열성은 고온 베이크시에 질량손실률이 적어서, 코팅 후 건조시의 막두께 감소량이 적은 특성을 의미하는데, 바람직하게는 500도 1분 가열조건에서 10%이하의 질량손실률을 보이는 것이 바람직하다.Heat resistance means a property that the mass loss rate is low during high-temperature baking, so that the amount of film thickness decreases when drying after coating is small. Preferably, it is preferable to show a mass loss rate of 10% or less under a heating condition of 500°C for 1 minute.
본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물을 사용하여 내열성 및 내에칭성이 동시에 향상된 하드마스크를 형성할 수 있다.A hard mask with improved heat resistance and etch resistance at the same time may be formed by using the composition for a hard mask according to embodiments of the present invention.
본 발명의 화학식 1의 반복단위를 포함하는 폴리머 조성물은 하기 반응식 1~2의 예시와 같은 방법으로 제조되어질수 있다.The polymer composition including the repeating unit of Formula 1 of the present invention may be prepared in the same manner as in the following Reaction Schemes 1 to 2.
[반응식 1] [Scheme 1]
[반응식 2] [Scheme 2]
본 발명의 실시예들은 특정 구조의 반복단위를 포함하는 중합체 및 용매를 포함하는 하드마스크용 조성물을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a composition for a hardmask comprising a polymer and a solvent including a repeating unit of a specific structure.
본 발명은 상기 특정 구조의 반복단위를 포함하는 중합체를 포함함으로써, 내열성 및 내에칭성이 우수한 하드마스크용 조성물을 제공할 수 있다.The present invention may provide a composition for a hard mask having excellent heat resistance and etch resistance by including a polymer containing a repeating unit of the specific structure.
상기 하드마스크용 조성물은, 예를 들면, 포토레지스트 층 및 식각 대상막 사이에 도포되어 레지스트 하부막으로 활용되는 하드마스크 막을 형성할 수 있다. 상기 하드마스크 막을 포토레지스트 패턴을 통해 부분적으로 제거하여 하드마스크를 형성할 수 있으며, 상기 하드마스크를 추가적인 식각 마스크로 사용할 수 있다.The hardmask composition may be applied between, for example, a photoresist layer and an etching target layer to form a hardmask layer used as a resist lower layer. The hard mask layer may be partially removed through a photoresist pattern to form a hard mask, and the hard mask may be used as an additional etching mask.
상기 하드마스크 막 또는 하드마스크는, 예를 들면, 스핀-온 하드마스크(Spin-On Hardmask: SOH)로 활용될 수있다.The hardmask layer or hardmask may be used as, for example, a spin-on hardmask (SOH).
본 출원에 사용된 화학식으로 표시되는 화합물 또는 수지의 이성질체가 있는 경우에는, 해당 화학식으로 표시되는 화합물 또는 수지는 그 이성질체까지 포함하는 대표 화학식을 의미한다.When there is an isomer of a compound or resin represented by the formula used in the present application, the compound or resin represented by the formula refers to a representative formula including the isomer.
본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물은 중합체 및 용매를 포함하며, 가교제, 촉매, 계면활성제 등의 추가 제제를 더 포함할 수도 있다.The composition for a hardmask according to embodiments of the present invention includes a polymer and a solvent, and may further include additional agents such as a crosslinking agent, a catalyst, and a surfactant.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 중합체의 합량은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 하드마스크용 조성물 총 중량 중 약 5 내지 30중량%일 수 있고, 상기 범위를 만족 시 본 발명의 효과가 가장 우수하게 나타날 수 있다.In the embodiments of the present invention, the total amount of the polymer including the repeating unit represented by Formula 1 is not particularly limited, but may be, for example, about 5 to 30% by weight of the total weight of the hardmask composition, and the When the range is satisfied, the effects of the present invention may be the most excellent.
일 실시예에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 중합체의 중량평균분자량은 예를 들면, 약 1,500 내지 10,000 범위일 수 있고, 상기 범위에서 바람직한 내열성 및 평탄성이 함께 확보될 수 있다.In one embodiment, the weight average molecular weight of the polymer including the repeating unit represented by Formula 1 may be, for example, in the range of about 1,500 to 10,000, and desirable heat resistance and flatness may be secured in the range.
일 실시예에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 중합체의 다분산지수(PDI, Polydispersity index)[중량평균분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)]는 약 1.5 내지 6.0일 수 있으며, 바람직하게는 약 1.5 내지 3.0일 수 있다. 상기 범위에서 바람직한 용해성, 내에칭성 및 평탄성이 함께 확보될 수 있다.In one embodiment, the polydispersity index (PDI) [weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)] of the polymer containing the repeating unit represented by Formula 1 may be about 1.5 to 6.0 days. And, preferably, it may be about 1.5 to 3.0. In the above range, desirable solubility, etch resistance, and flatness may be secured together.
상기 다분산지수[중량 평균 분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)]가 상기 범위 내에 포함되어 있으면 전술한 화학식 1~4으로 표시되는 반복단위를 포함하는 화합물로 인한 효과가 더욱 우수해지기 때문에 바람직하다.If the polydispersity index [weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)] is included within the above range, the effect of the compound containing the repeating unit represented by the above formulas 1 to 4 becomes more excellent. desirable.
<용매><solvent>
본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물에 사용되는 용매는 특별히 제한되는 것은 아니며, 상술한 방향족 화합물의 중합체에 충분한 용해성을 갖는 유기 용매를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 용매는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate; PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(propylene glycol monomethyl ether; PGME), 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤(γ-butyrolactone; GBL), 아세틸 아세톤(acetyl acetone)등을 포함할 수 있다.The solvent used in the hardmask composition according to the embodiments of the present invention is not particularly limited, and may include an organic solvent having sufficient solubility in the polymer of the aromatic compound described above. For example, the solvent is propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone, ethyl lactate, gamma-butyrolactone (γ-butyrolactone; GBL), acetyl acetone, and the like.
상기 용매의 함량은 특별히 제한되지 않으며, 상기 방향족 화합물의 중합체 및 후술하는 추가 제제들을 제외한 잔량으로 포함될 수 있다. 예를 들면, 상기 용매는 하드마스크용 조성물 총 중량 중 50 내지 90중량%로 포함될수 있고, 상기 범위를 만족 시 전술한 본 발명의 효과가 유효하게 나타날 수 있다.The content of the solvent is not particularly limited, and may be included in a residual amount excluding the polymer of the aromatic compound and additional agents to be described later. For example, the solvent may be contained in an amount of 50 to 90% by weight of the total weight of the hardmask composition, and when the above range is satisfied, the effects of the present invention described above may be effectively exhibited.
<추가 제제><Additional formulation>
선택적으로, 본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물은 가교제, 촉매, 계면활성제와 같은 추가 제제를 더 포함할 수 있다.Optionally, the composition for a hard mask according to embodiments of the present invention may further include additional agents such as a crosslinking agent, a catalyst, and a surfactant.
상기 가교제는 상기 방향족 화합물의 중합체의 반복단위를 가교할 수 있는 것으로서, 예를 들면, 상기 중합체의 히드록시기와 반응할 수 있다. 상기 가교제에 의해, 하드마스크용 조성물의 경화특성이 보다 강화될 수 있다.The crosslinking agent is capable of crosslinking the repeating units of the polymer of the aromatic compound, and may react, for example, with a hydroxyl group of the polymer. By the crosslinking agent, the curing properties of the hardmask composition may be further enhanced.
상기 가교제의 예로서 멜라민, 아미노 수지, 글리콜루릴 화합물, 또는 비스에폭시 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent include melamine, amino resin, glycoluril compound, or bisepoxy compound.
상기 가교제는, 구체적인 예를 들면, 에테르화된 아미노 수지, 예를 들면 메틸화되거나 부틸화된 멜라민(구체적인 예로는, N-메톡시메틸-멜라민 또는 N-부톡시메틸-멜라민) 및 메틸화되거나 부틸화된 우레아(urea) 수지(구체적인 예로는, Cymel U-65 Resin 또는 UFR 80 Resin), 글리콜루릴 유도체(화학식 3 참조, 구체적인 예로는 Powderlink 1174), 화학식 4로 표시되는 비스(히드록시메틸)-p-크레졸 화합물 등을 포함할 수 있다. The crosslinking agent is, for example, an etherified amino resin, such as methylated or butylated melamine (specific examples, N-methoxymethyl-melamine or N-butoxymethyl-melamine) and methylated or butylated. Urea resin (specific examples, Cymel U-65 Resin or UFR 80 Resin), glycoluril derivatives (see Formula 3, specific examples, Powderlink 1174), bis (hydroxymethyl) represented by Formula 4 -p -It may contain a cresol compound and the like.
상기 촉매로는 산 촉매 또는 염기성 촉매를 사용할 수 있다.As the catalyst, an acid catalyst or a basic catalyst may be used.
상기 산 촉매는 열 활성화된 산 촉매를 사용할 수 있다. 산 촉매의 예로는 p-톨루엔 술폰산과 같은 유기산이 사용될 수 있다. 상기 산 촉매로서 열산 발생제(thermal acid generator: TAG)계통의 화합물을 사용할 수도 있다.As the acid catalyst, a thermally activated acid catalyst may be used. As an example of the acid catalyst, an organic acid such as p-toluene sulfonic acid may be used. As the acid catalyst, a thermal acid generator (TAG)-based compound may be used.
상기 열산 발생제 계통 촉매의 예로서 피리디늄 p-톨루엔 술포네이트(pyridinium p-toluene sulfonate),As an example of the thermal acid generator system catalyst, pyridinium p-toluene sulfonate,
2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 유기술폰산의 알킬에스테르 등을 들 수 있다.2,4,4,6-tetrabromocyclohexadienone, benzointosylate, 2-nitrobenzyltosylate, alkyl esters of organic technology phonic acid, and the like.
상기 염기성 촉매로는 NH4OH 또는 NR4OH(R은 알킬기)로 표시되는 암모늄 히드록사이드 중 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있다.As the basic catalyst, any one selected from ammonium hydroxide represented by NH4OH or NR4OH (R is an alkyl group) may be used.
상기 가교제를 포함하는 경우, 가교제의 함량은 상기 방향족 화합물의 중합체 100중량부에 대하여 약 1 내지 30중량부일 수 있고, 바람직하게 약 5 내지 20 중량부, 보다 바람직하게는 약 5 내지 10 중량부일 수 있다. 상기 촉매를 포함하는 경우, 촉매의 함량은 상기 방향족 화합물의 중합체 100중량부에 대하여 약 0.001 내지 5중량부 일 수 있고, 바람직하게는 약 0.1 내지 2중량부일 수 있고, 보다 바람직하게는 약 0.1 내지 1중량부일 수 있다.When the crosslinking agent is included, the content of the crosslinking agent may be about 1 to 30 parts by weight, preferably about 5 to 20 parts by weight, more preferably about 5 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer of the aromatic compound. have. When the catalyst is included, the content of the catalyst may be about 0.001 to 5 parts by weight, preferably about 0.1 to 2 parts by weight, and more preferably about 0.1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer of the aromatic compound. It may be 1 part by weight.
상기 가교제 및 상기 촉매의 함량 범위 내에서, 상기 방향족 화합물의 중합체의 내에칭성, 내열성, 평탄성을 열화시키지 않으면서, 적절한 가교 특성을 획득할 수 있다.Within the content range of the crosslinking agent and the catalyst, suitable crosslinking properties can be obtained without deteriorating the etch resistance, heat resistance, and flatness of the polymer of the aromatic compound.
본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물은 하드마스크의 표면 특성, 접착성 향상을 위해 계면 활성제를 더 포함할 수도 있다. 계면활성제로는 알킬벤젠설폰산염, 알킬피리디늄염, 폴리에틸렌글리콜류, 4차 암모늄염등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 계면활성제의 함량은 예를 들면, 상기 방향족 화합물의 중합체 100중량부에 대하여 약 0.1 내지 10중량부일 수 있다.The composition for a hard mask according to embodiments of the present invention may further include a surfactant to improve surface properties and adhesion of the hard mask. As the surfactant, alkylbenzene sulfonate, alkylpyridinium salt, polyethylene glycol, quaternary ammonium salt, etc. may be used, but the present invention is not limited thereto. The content of the surfactant may be, for example, about 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer of the aromatic compound.
본 발명의 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이It is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications of the present invention are possible, and such modifications and modifications are
첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.It is natural that it falls within the scope of the appended claims.
Claims (3)
[화학식 1]
[화학식 2]
[Formula 1]
[Formula 2]
[화학식 2] [화학식 4] [화학식 5]
[Formula 2] [Formula 4] [Formula 5]
A composition for a hard mask comprising the polymer of claim 1, which is used in a process condition having a baking temperature of 600 degrees or more.
Priority Applications (1)
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| KR1020190147516A KR20210060004A (en) | 2019-11-18 | 2019-11-18 | condensation polymer of bisnaphtholfluorene and pyrimidine |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR20210060004A true KR20210060004A (en) | 2021-05-26 |
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Family Applications (1)
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2019
- 2019-11-18 KR KR1020190147516A patent/KR20210060004A/en unknown
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