KR20210055209A - Transparent electrode structure and electric device including the same - Google Patents

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KR20210055209A
KR20210055209A KR1020190141401A KR20190141401A KR20210055209A KR 20210055209 A KR20210055209 A KR 20210055209A KR 1020190141401 A KR1020190141401 A KR 1020190141401A KR 20190141401 A KR20190141401 A KR 20190141401A KR 20210055209 A KR20210055209 A KR 20210055209A
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안기환
이명원
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, provided is a transparent electrode structure, which includes a transparent substrate, a lower insulating layer formed on the transparent substrate, a transparent electrode layer laminated on the lower insulating layer, and an adhesive layer formed between the transparent substrate and the lower insulating layer and containing air bubbles. When projected in the planar direction, the ratio of the area of a region in which the air bubbles are distributed may be 2 to 35% of the area of the upper surface of the adhesive layer. Through this, optical properties of the transparent electrode structure may be improved.

Description

투명 전극 구조체 및 이를 포함하는 전기 소자{TRANSPARENT ELECTRODE STRUCTURE AND ELECTRIC DEVICE INCLUDING THE SAME}A transparent electrode structure and an electric device including the same TECHNICAL FIELD

본 발명은 투명 전극 구조체 및 이를 포함하는 전기 소자에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 절연층 및 전극층을 포함하는 투명 전극 구조체 및 이를 포함하는 전기 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent electrode structure and an electric device including the same. More specifically, the present invention relates to a transparent electrode structure including an insulating layer and an electrode layer, and an electric device including the same.

전지 소자, 조명 장치, 디스플레이 장치 등과 같은 각종 전기/전자 소자에 있어 전극 구조가 도입된다. 상기 조명 장치, 디스플레이 장치의 경우 광학적 특성, 이미지 품질 등을 위해 투명성이 향상된 전극 구조가 채용된다. 또한, 태양 전지와 같은 전지 소자의 경우 광 효율 향상을 위해 역시 투명성이 향상된 전극 구조가 채용된다.Electrode structures are introduced in various electric/electronic devices such as battery devices, lighting devices, and display devices. In the case of the lighting device and the display device, an electrode structure having improved transparency is employed for optical properties and image quality. In addition, in the case of a battery device such as a solar cell, an electrode structure having improved transparency is employed to improve light efficiency.

상기 전극 구조 또는 예를 들면, 유기 발광층, 광 활성층과 같은 기능층은 상기 전지 소자의 외부로부터 침투하는 수분에 노출되는 경우 산화될 수 있으며, 상기 기능층에서의 동작도 열화될 수 있다.The electrode structure or functional layer such as, for example, an organic light emitting layer or a photoactive layer may be oxidized when exposed to moisture penetrating from the outside of the battery device, and operation in the functional layer may also be deteriorated.

최근 박형화되는 전지 소자의 경우, 수분 침투에 의한 산화, 손상에 보다 쉽게 노출될 수 있다.In the case of a battery device that has recently become thinner, it may be more easily exposed to oxidation and damage caused by moisture penetration.

따라서, 전극의 투명성을 형상시키면서 소자의 화학적 안정성을 향상시키기 위한 전극 구조의 연구가 필요하다. 예를 들면, 한국 공개특허공보 제2018-0014073호는 OLED 조명용 금속 전극을 개시하고 있으나, 상술한 특성 향상에 대해서는 인식하지 못하고 있다.Therefore, there is a need for a study of an electrode structure to improve the chemical stability of the device while shaping the transparency of the electrode. For example, Korean Laid-Open Patent Publication No. 2018-0014073 discloses a metal electrode for OLED lighting, but the above-described improvement of characteristics is not recognized.

한국공개특허공보 제2018-0014073호Korean Patent Application Publication No. 2018-0014073

본 발명의 일 과제는 향상된 광학적, 화학적, 기계적 특성을 갖는 투명 전극 구조체를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a transparent electrode structure having improved optical, chemical, and mechanical properties.

본 발명의 일 과제는 상기 투명 전극 적층체를 포함하는 조명 소자, 태양 전지와 같은 전기 소자를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an electrical device such as a lighting device and a solar cell including the transparent electrode stack.

1. 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 형성된 하부 절연층; 상기 하부 절연층 상에 적층된 투명 전극층; 및 상기 투명 기판 및 상기 하부 절연층 사이에 형성되며 기포들을 포함하는 점접착층을 포함하고, 평면 방향에서 투영될 때 상기 기포들이 분포하는 영역의 넓이의 비율은 상기 점접착층의 상면의 면적 대비 2 내지 35%인, 투명 전극 구조체.1. Transparent substrate; A lower insulating layer formed on the transparent substrate; A transparent electrode layer stacked on the lower insulating layer; And a point-adhesive layer formed between the transparent substrate and the lower insulating layer and including bubbles, and a ratio of the area of the area where the bubbles are distributed when projected in a plane direction is 2 to 35% of the transparent electrode structure.

2. 위 1에 있어서, 상기 기포들은 상기 투명 기판과 인접한 점접착층의 하부 계면 및 상기 하부 절연층과 인접한 점접착층의 상부 계면 중 적어도 어느 한 면에 분포하는, 투명 전극 구조체.2. The transparent electrode structure according to the above 1, wherein the air bubbles are distributed on at least one of a lower interface of an adhesive layer adjacent to the transparent substrate and an upper interface of an adhesive layer adjacent to the lower insulating layer.

3. 위 2에 있어서, 상기 기포들은 상기 투명 기판과 인접한 점접착층의 하부 계면 및 상기 하부 절연층과 인접한 점접착층의 상부 계면 에 함께 분포하는, 투명 전극 구조체.3. The transparent electrode structure according to the above 2, wherein the air bubbles are distributed together at a lower interface of the adhesive layer adjacent to the transparent substrate and an upper interface of the adhesive layer adjacent to the lower insulating layer.

4. 위 1에 있어서, 상기 기포들의 각 직경은 0.025 내지 2.5㎛인, 투명 전극 구조체.4. In the above 1, each diameter of the bubbles is 0.025 to 2.5㎛, the transparent electrode structure.

5. 위 1에 있어서, JIS K7136에 따라 측정되는 상기 점접착층의 헤이즈 값은 5 내지 60%인, 투명 전극 구조체.5. In the above 1, the haze value of the adhesive layer measured according to JIS K7136 is 5 to 60%, the transparent electrode structure.

6. 위 1에 있어서, 상기 하부 절연층 및 상기 점접착층의 표면 에너지 차이의 절대값은 4 내지 50mN/m 인, 투명 전극 구조체.6. In the above 1, the absolute value of the difference between the surface energy of the lower insulating layer and the adhesive layer is 4 to 50mN/m, the transparent electrode structure.

7. 위 1에 있어서, 상기 투명 기판 및 상기 점접착층의 표면 에너지 차이 절대값이 17 내지 30mN/m 인, 투명 전극 구조체.7. The transparent electrode structure according to the above 1, wherein the absolute value of the difference in surface energy between the transparent substrate and the adhesive layer is 17 to 30 mN/m.

8. 위 1에 있어서, 상기 하부 절연층 및 상기 상기 투명 전극층 사이에 배치되는 배리어 층을 더 포함하는, 투명 전극 구조체.8. The transparent electrode structure according to the above 1, further comprising a barrier layer disposed between the lower insulating layer and the transparent electrode layer.

9. 위 8에 있어서, 상기 배리어 층은 인듐-주석 산화물(ITO), 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 알루미늄 산화물-아연 산화물 복합(AZO) 물질, 실라잔(silazane), 실록산(siloxane) 및 규소 함유 무기 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 배리어 물질을 포함하는, 투명 전극 구조체.9. In the above 8, the barrier layer is indium-tin oxide (ITO), aluminum oxide, zinc oxide, aluminum oxide-zinc oxide composite (AZO) material, silazane, siloxane, and silicon-containing inorganic A transparent electrode structure comprising at least one barrier material selected from the group consisting of materials.

10. 위 8에 있어서, 상기 배리어 층의 수분투과도는 40℃, 90% 상대습도 조건에서 10-3 g/m2 24hr 이하인, 투명 전극 구조체.10. The transparent electrode structure according to the above 8, wherein the barrier layer has a moisture permeability of 10 -3 g/m 2 24hr or less under a condition of 40°C and 90% relative humidity.

11. 위 1에 있어서, 상기 하부 절연층은 상기 점접착층으로부터 순차적으로 적층된 중개층 및 보호층을 포함하는, 투명 전극 구조체.11. The transparent electrode structure according to the above 1, wherein the lower insulating layer includes an intermediary layer and a protective layer sequentially stacked from the adhesive layer.

12. 위 1에 있어서, 상기 투명 전극층은 순차적으로 적층된 제1 투명 산화물 전극층, 금속층 및 제2 투명 산화물 전극층을 포함하는, 투명 전극 구조체.12. The transparent electrode structure according to the above 1, wherein the transparent electrode layer includes a first transparent oxide electrode layer, a metal layer, and a second transparent oxide electrode layer sequentially stacked.

13. 위 1의 투명 전극 구조체; 상기 투명 전극 구조체 상에 배치된 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 배치된 상부 전극을 포함하는, 조명 소자.13. The transparent electrode structure of 1 above; An organic emission layer disposed on the transparent electrode structure; And an upper electrode disposed on the organic emission layer.

14. 위 1의 투명 전극 구조체; 상기 투명 전극 구조체 상에 배치된 광 활성층; 및 상기 광 활성층 상에 배치된 상부 전극을 포함하는, 태양 전지.14. The transparent electrode structure of 1 above; A photoactive layer disposed on the transparent electrode structure; And an upper electrode disposed on the photoactive layer.

본 발명의 실시예들에 따른 투명 전극 구조체는 기포를 포함하는 점접착층을 포함할 수 있다. 상기 기포는 투명 전극 구조체를 투과하는 빛의 산란 또는 분산을 촉진하여, 빛의 전반사를 방지할 수 있다. 이에 따라, 투명 전극 구조체의 광 효율이 향상될 수 있다.The transparent electrode structure according to embodiments of the present invention may include an adhesive layer including air bubbles. The bubbles promote scattering or dispersion of light passing through the transparent electrode structure, thereby preventing total reflection of light. Accordingly, the light efficiency of the transparent electrode structure may be improved.

일부 실시예들에 있어서, 상기 점접착층에 포함된 기포들이 분포하는 영역의 넓이는 하부 절연층 및 점접착층의 표면 에너지 차이값 또는 투명 기재 및 점접착층의 표면 에너지 차이값을 통해 조절될 수 있다. 이에 따라, 투명 전극 구조체의 광효율이 더욱 향상될 수 있다.In some embodiments, the area of the area in which the air bubbles included in the adhesive layer are distributed may be adjusted through a difference value in surface energy of the lower insulating layer and the adhesive layer or a difference value in surface energy between the transparent substrate and the adhesive layer. Accordingly, the light efficiency of the transparent electrode structure may be further improved.

일부 실시예들에 있어서, 상기 투명 전극층 및 하부 절연층 사이에 배리어 층을 삽입하여 투명 전극층의 산화를 방지하고 화학적 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다. In some embodiments, by inserting a barrier layer between the transparent electrode layer and the lower insulating layer, oxidation of the transparent electrode layer may be prevented and chemical stability may be further improved.

상기 투명 전극 구조체를 활용하여 광학적, 화학적, 기계적 안정성이 향상된 조명 소자, 전지 소자를 제조할 수 있다.By using the transparent electrode structure, it is possible to manufacture a lighting device and a battery device having improved optical, chemical, and mechanical stability.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 구조체를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2 및 도 3은 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 구조체가 적용된 전기 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 점접착층의 현미경 관찰 사진이다.
1 is a schematic cross-sectional view illustrating a transparent electrode structure according to exemplary embodiments.
2 and 3 are schematic cross-sectional views illustrating an electric device to which a transparent electrode structure according to exemplary embodiments is applied.
4 is a microscope observation photograph of an adhesive layer according to exemplary embodiments.

본 발명의 실시예들은 기포가 형성된 점접착층을 포함하여, 향상된 광학 특성을 갖는 투명 전극 구조체를 제공한다. 또한, 상기 투명 전극 구조체가 적용된 조명 소자, 전지 소자 등과 같은 전기 소자를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a transparent electrode structure having improved optical properties, including an adhesive layer in which bubbles are formed. In addition, it provides an electric device such as a lighting device, a battery device, etc. to which the transparent electrode structure is applied.

이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예들을 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. However, the following drawings attached to the present specification illustrate preferred embodiments of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention together with the contents of the present invention, so that the present invention is described in such drawings. It is limited to the matters and should not be interpreted.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 구조체를 나타내는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a transparent electrode structure according to exemplary embodiments.

도 1을 참조하면, 투명 전극 구조체(100)는 투명 기판(110). 투명 기판 상에 형성된 하부 절연층(130), 하부 절연층(130) 상에 적층된 투명 전극층(150), 투명 기판(110) 및 하부 절연층(130) 사이에 형성되는 기포(122)들을 포함하는 점접착층(120)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the transparent electrode structure 100 is a transparent substrate 110. Including the lower insulating layer 130 formed on the transparent substrate, the transparent electrode layer 150 stacked on the lower insulating layer 130, the air bubbles 122 formed between the transparent substrate 110 and the lower insulating layer 130 It may include a pressure-sensitive adhesive layer 120.

일부 실시예들에 있어서, 하부 절연층(130) 및 투명 전극층(150) 사이에 형성된 배리어 층(140)를 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 하부 절연층(130)은 점접착층(120) 상에 순차적으로 적층된 중개층(132) 및 보호층(134)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 배리어 층(140) 및 투명 전극층(150) 사이에 상부 보호층(136)을 포함할 수 있다.In some embodiments, a barrier layer 140 formed between the lower insulating layer 130 and the transparent electrode layer 150 may be further included. In some embodiments, the lower insulating layer 130 may include an intermediary layer 132 and a protective layer 134 sequentially stacked on the adhesive layer 120. In some embodiments, an upper protective layer 136 may be included between the barrier layer 140 and the transparent electrode layer 150.

투명 기판(110)은 높은 광투과율을 갖는 유리, 투명 수지 물질 등을 포함할 수 있다. 상기 투명 수지 물질의 예로서 환형올레핀중합체(COP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP), 폴리에테르술폰(PES), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 폴리카보네이트(PC), 환형올레핀공중합체(COC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 들 수 있다.The transparent substrate 110 may include glass or a transparent resin material having high light transmittance. Examples of the transparent resin material include cyclic olefin polymer (COP), polyethylene terephthalate (PET), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), Polyallylate, polyimide (PI), cellulose acetate propionate (CAP), polyethersulfone (PES), cellulose triacetate (TAC), polycarbonate (PC), cyclic olefin copolymer (COC), And polymethyl methacrylate (PMMA).

하부 절연층(130)은 점접착층(120)으로부터 순차적으로 적층된 중개층(132) 및 보호층(134)을 포함할 수 있다.The lower insulating layer 130 may include an intermediary layer 132 and a protective layer 134 sequentially stacked from the adhesive layer 120.

중개층(132)은 투명 전극층(150)을 보호하면서, 투명 전극층(150)을 투명 기판(110)으로 전사시킬 수 있다.The intermediate layer 132 may transfer the transparent electrode layer 150 to the transparent substrate 110 while protecting the transparent electrode layer 150.

중개층(132)은 유기 고분자막을 포함할 수 있으며, 비제한적인 예로서 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스티렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합되어 사용할 수 있다.The intermediate layer 132 may include an organic polymer film, and as non-limiting examples, a polyimide polymer, a polyvinyl alcohol polymer, a polyamic acid polymer, a polyamide ( polyamide) polymer, polyethylene polymer, polystylene polymer, polynorbornene polymer, phenylmaleimide copolymer polymer, polyazobenzene polymer, polyphenyl Polyphenylenephthalamide polymer, polyester polymer, polymethyl methacrylate polymer, polyarylate polymer, cinnamate polymer, coumarin It may include polymers, phthalimidine polymers, chalcone polymers, aromatic acetylene polymers, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

예를 들면, 캐리어 기판(미도시) 상에 중개층(132) 및 보호층(134)을 포함하는 하부 절연층(130) 및 투명 전극층(150)을 형성한 후, 상기 캐리어 기판을 중개층(132)으로부터 박리시킬 수 있다. 이후, 중개층(132)의 박리면에 점접착층(120)을 통해 투명 기판(110)을 접합시킬 수 있다.For example, after forming the lower insulating layer 130 and the transparent electrode layer 150 including the intermediary layer 132 and the protective layer 134 on a carrier substrate (not shown), the carrier substrate is an intermediary layer ( 132). Thereafter, the transparent substrate 110 may be bonded to the peeling surface of the intermediate layer 132 through the adhesive layer 120.

예를 들면, 중개층(132)의 두께는 비제한적 예시로서 약 5 내지 1,000nm, 바람직하게는 약 50 내지 500nm일 수 있다. 예를 들면 하부 절연층(130)의 굴절률은 약 1.48 내지 1.58일 수 있다.For example, the thickness of the intermediate layer 132 may be about 5 to 1,000 nm, preferably about 50 to 500 nm, as a non-limiting example. For example, the refractive index of the lower insulating layer 130 may be about 1.48 to 1.58.

예를 들면, 중개층(132)은 상기 캐리어 기판으로부터 용이하게 박리되며, 박리 시에 투명 전극 구조체(100) 내 크랙이 발생하지 않도록, 상기 캐리어 기판에 대한 박리력이 약 0.01 내지 0.2 N/25mm일 수 있다.For example, the intermediate layer 132 is easily peeled off from the carrier substrate, so that cracks in the transparent electrode structure 100 do not occur during peeling, the peeling force on the carrier substrate is about 0.01 to 0.2 N/25 mm Can be

상술한 바와 같이, 상기 캐리어 기판 상에 하부 절연층(130) 및 투명 전극층(150) 형성 이후, 점접착층(120)을 통해 투명 기판(110)과 결합하는 박리/전사 공정을 통해 투명 전극 구조체(100)를 수득할 수 있다. 이에 따라, 투명 전극층(150) 형성 시 수행되는 스퍼터링 공정 등과 같은 고온 증착 공정에 의해 투명 기판(110)이 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 보다 얇은 투명 기판(110)을 활용할 수 있어, 박형의 투명 전극 구조체(100) 및 전기 소자가 용이하게 구현될 수 있다.As described above, after forming the lower insulating layer 130 and the transparent electrode layer 150 on the carrier substrate, the transparent electrode structure ( 100) can be obtained. Accordingly, it is possible to prevent the transparent substrate 110 from being damaged by a high-temperature deposition process such as a sputtering process performed when the transparent electrode layer 150 is formed, and a thinner transparent substrate 110 can be used, so that the thin transparent The electrode structure 100 and the electric device can be easily implemented.

보호층(134)은 예를 들면 유기 절연막 소재를 포함할 수 있다. 예를 들면, 보호층(134)은 전극 패턴들의 패터닝 등의 공정 중에 중개층(132)의 측면이 에천트 등에 노출되는 것을 최소화 할 수 있도록 중개층(132) 측면의 중 적어도 일부를 덮을 수 있다. 중개층(132) 측면의 노출을 완전히 차단한다는 측면에서 보호층(134)은 중개층(132) 측면을 전부 덮을 수 있다.The protective layer 134 may include, for example, an organic insulating material. For example, the protective layer 134 may cover at least a part of the side of the intermediate layer 132 to minimize exposure of the side of the intermediate layer 132 to an etchant during a process such as patterning of electrode patterns. . In terms of completely blocking exposure of the side surfaces of the mediation layer 132, the protective layer 134 may cover all sides of the mediation layer 132.

예를 들면, 보호층(134)의 두께는 약 1 내지 10㎛, 바람직하게는 1 내지 3㎛인 것이 내화학성과 유연성 확보 측면에서 바람직하다. 예를 들면, 보호층(134)의 굴절률은 약 1.48 내지 1.58일 수 있다.For example, the thickness of the protective layer 134 is preferably about 1 to 10 μm, preferably 1 to 3 μm, in terms of securing chemical resistance and flexibility. For example, the refractive index of the protective layer 134 may be about 1.48 to 1.58.

하부 절연층(130)의 표면 에너지는 약 30 내지 80mN/m, 바람직하게는 약 40 내지 70mN/m일 수 있다. 예를 들면 점접착제가 도포되는 중개층(132)의 표면 에너지는 약 30 내지 80mN/m, 바람직하게는 약 40 내지 70mN/m일 수 있다.The surface energy of the lower insulating layer 130 may be about 30 to 80 mN/m, preferably about 40 to 70 mN/m. For example, the surface energy of the intermediate layer 132 to which the adhesive agent is applied may be about 30 to 80 mN/m, preferably about 40 to 70 mN/m.

하부 절연층(130)의 표면 에너지가 약 30mN/m 미만인 경우 젖음성이 낮아, 점접착층(120) 형성시 접착제의 도포가 원활하지 않아 점접착층(120)의 두께가 두꺼워질 수 있고, 표면 에너지가 약 80 mN/m를 초과할 경우 젖음성이 높아, 점접착층(120)의 접착력이 저하될 수 있다.When the surface energy of the lower insulating layer 130 is less than about 30 mN/m, the wettability is low, and the adhesive is not applied smoothly when the adhesive layer 120 is formed, so that the thickness of the adhesive layer 120 may be increased, and the surface energy is reduced. When it exceeds about 80 mN/m, the wettability is high, and the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 120 may be lowered.

예를 들면, 하부 절연층(130)의 표면 에너지 값은 비제한적 예시로서 하부 절연층(120)에 포함된 조성물의 함량을 조절하거나, 플라즈마, 코로나, 검화 등의 표면 처리 방법을 통해 상기 범위로 조절될 수 있다.For example, as a non-limiting example, the surface energy value of the lower insulating layer 130 may be adjusted to the above range through a surface treatment method such as plasma, corona, saponification, or adjusting the content of the composition included in the lower insulating layer 120. Can be adjusted.

점접착층(120)은 투명 기판(110) 및 하부 절연층(130)을 접착시킬 수 있으며, 기포(122)들을 포함할 수 있다. 점접착층(120)에 형성된 기포(122)들이 분포하는 영역의 넓이 비율은 평면 방향에서 투영될 때, 점접착층(120)의 상면의 면적 대비 약 2 내지 35%일 수 있다.The adhesive layer 120 may adhere the transparent substrate 110 and the lower insulating layer 130, and may include air bubbles 122. The area ratio of the area in which the air bubbles 122 formed in the adhesive layer 120 are distributed may be about 2 to 35% of the area of the upper surface of the adhesive layer 120 when projected in the planar direction.

예를 들면, 상기 범위에서 점접착층(120)은 하부 절연층(130) 및 투명 기판(110) 사이에서 우수한 부착력을 유지하면서도, 투명 전극 구조체(100)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.For example, in the above range, the adhesive layer 120 can improve the light efficiency of the transparent electrode structure 100 while maintaining excellent adhesion between the lower insulating layer 130 and the transparent substrate 110.

예를 들면, 기포(122)들이 분포하는 영역의 넓이 비율이 점접착층(120)의 상면 면적 대비 약 2% 미만인 경우, 전반사 방지 효과가 미미하며, 약 35%를 초과하는 경우 점접착층(20)의 부착성이 저하될 수 있다.For example, when the area ratio of the area in which the air bubbles 122 are distributed is less than about 2% of the upper surface area of the adhesive layer 120, the total reflection prevention effect is insignificant, and when it exceeds about 35%, the adhesive layer 20 The adhesion of the may be deteriorated.

예시적인 실시예들에 따르면, 기포(122)들은 투명 기판(110)과 인접한 점접착층(120)의 하부 계면 및 하부 절연층(130)과 인접한 점접착층(120)의 상부 계면 중 적어도 어느 한 면에 형성될 수 있다. 이 경우, 기포(122)가 점접착층(120) 내부가 아닌 점접착층(120)의 상부 계면 또는 하부 계면에 형성되므로, 기포(122)에 의한 점접착층(120)의 내구성 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.According to exemplary embodiments, the air bubbles 122 are at least one of the lower interface of the adhesive layer 120 adjacent to the transparent substrate 110 and the upper interface of the adhesive layer 120 adjacent to the lower insulating layer 130. Can be formed in In this case, since the air bubbles 122 are formed at the upper or lower interface of the adhesive layer 120, not inside the adhesive layer 120, the durability of the adhesive layer 120 due to the air bubbles 122 can be effectively prevented from deteriorating. have.

예를 들면, 기포(122)들은 투명 기판(110)과 인접한 점접착층(120) 하부 계면에만 형성될 수 있다. 예를 들면, 기포(122)들은 하부 절연층(130)과 인접한 점접착층(120)의 상부 계면에만 형성될 수도 있다. 이 경우, 기포(122)들이 형성되지 않은 계면 상에는 미세하게 기포(122)들이 존재할 수 있다, 기포(122)들의 점접착층의 상면의 면적 대비 면적 비율이 0.2% 이하인 경우 기포(122)가 형성되지 않은 것으로 본다.For example, the air bubbles 122 may be formed only at the lower interface of the adhesive layer 120 adjacent to the transparent substrate 110. For example, the air bubbles 122 may be formed only at the upper interface of the adhesive layer 120 adjacent to the lower insulating layer 130. In this case, bubbles 122 may be finely present on the interface where the bubbles 122 are not formed. When the area ratio of the area to the area of the upper surface of the adhesive layer of the bubbles 122 is 0.2% or less, the bubbles 122 are not formed. I don't see it.

일부 실시예들에 따르면, 기포(122)들은 투명 기판(110)과 인접한 점접착층(120)의 하부 계면 및 하부 절연층(130)과 인접한 점접착층(120)의 상부 계면에 함께 분포할 수 있다. 이 경우, 기포(122)가 점접착층(120)의 각 계면에 분산되어 기포(122)가 형성됨에 따른 부착력 저하를 최소화 할 수 있다.According to some embodiments, the air bubbles 122 may be distributed together at a lower interface of the adhesive layer 120 adjacent to the transparent substrate 110 and an upper interface of the adhesive layer 120 adjacent to the lower insulating layer 130. . In this case, the air bubbles 122 are dispersed at each interface of the adhesive layer 120 to minimize a decrease in adhesion force due to the formation of the air bubbles 122.

예시적인 실시예들에 따르면, 기포(122)의 직경은 약 0.025 내지 2.5㎛일 수 있다. 상기 범위 내에서 점접착층(120)은 우수한 부착력을 유지한 체, 투명 전극 구조체(100)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.According to exemplary embodiments, the diameter of the air bubbles 122 may be about 0.025 to 2.5 μm. Within the above range, the adhesive layer 120 may improve the light efficiency of the transparent electrode structure 100 while maintaining excellent adhesion.

예를 들면, 기포(122)의 직경이 약 0.025㎛ 미만인 경우, 전반사 방지 효과가 미미할 수 있으며, 약 2.5㎛를 초과할 경우, 직경이 큰 기포(122)에 의한 점접착층(120)의 접착력 및 내구성 저하로 인해, 투명 전극 구조체(100)의 불량률이 증가될 수 있다.For example, when the diameter of the bubble 122 is less than about 0.025 μm, the total reflection prevention effect may be insignificant, and when it exceeds about 2.5 μm, the adhesive strength of the adhesive layer 120 by the large bubble 122 and Due to the decrease in durability, the defect rate of the transparent electrode structure 100 may increase.

예시적인 실시예들에 따르면, JIS K7136에 따라 측정되는 점접착층(120)의 헤이즈(Haze) 값은 약 5 내지 60%일 수 있다. 상기 범위에서 투명 전극 구조체(100)를 통과 하는 빛의 전반사가 억제되어, 투명 전극 구조체(100)의 광 효율이 보다 향상될 수 있다. According to exemplary embodiments, the haze value of the adhesive layer 120 measured according to JIS K7136 may be about 5 to 60%. In the above range, total reflection of light passing through the transparent electrode structure 100 may be suppressed, so that the light efficiency of the transparent electrode structure 100 may be further improved.

예를 들면, 점접착층(120)의 두께는 약 0.1 내지 5㎛일 수 있다. 상기 범위에서 투명 전극 구조체의 내구성이 우수할 수 있다. 예를 들면, 점접착층(120)의 굴절률은 약 1.49 내지 1.54일 수 있다.For example, the thickness of the adhesive layer 120 may be about 0.1 to 5 μm. In the above range, the durability of the transparent electrode structure may be excellent. For example, the refractive index of the adhesive layer 120 may be about 1.49 to 1.54.

예시적인 실시예들에 따르면, 점접착층(120)의 표면 에너지 값은 예를 들면 약 20 내지 70mN/m, 바람직하게는 약 20 내지 60mN/m일 수 있다. 점접착층(120)의 표면 에너지 값이 약 20mN/m 미만인 경우 점접착제의 도포가 원활하지 않아 점접착층(120)의 두께가 두꺼워질 수 있으며, 약 70mN/m를 초과하는 경우 점접착제에 대한 젖음성이 높아 점접착층(120)의 부착력이 저하될 수 있다.According to exemplary embodiments, the surface energy value of the adhesive layer 120 may be, for example, about 20 to 70 mN/m, and preferably about 20 to 60 mN/m. If the surface energy value of the adhesive layer 120 is less than about 20 mN/m, the adhesive may not be applied smoothly, so the thickness of the adhesive layer 120 may become thick, and if it exceeds about 70 mN/m, the wettability of the adhesive agent This is high, so the adhesive force of the adhesive layer 120 may be lowered.

점접착층(120)의 표면 에너지 값은 예를 들면, 점접착층(120)을 이루는 점접착층 형성용 조성물의 성분 및 함량 등을 조절하여 구현할 수 있다.The surface energy value of the pressure-sensitive adhesive layer 120 may be implemented by controlling, for example, a component and content of the composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 120.

예를 들면, 상기 점접착층 형성용 조성물은 광 라디칼 중합성 화합물, 아크릴계 올리고머, 광 라디칼 중합 개시제 등을 포함하는 점접착제 조성물을 포함할 수 있다.For example, the composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer may include a pressure-sensitive adhesive composition including a photo-radical polymerizable compound, an acrylic oligomer, a photo-radical polymerization initiator, and the like.

상기 광 라디칼 중합성 화합물로는 에틸아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 알릴메타크릴레이트, 2-에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, 2-도데실티오에틸메타크릴레이트, 옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 이소덱실(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 테트라퍼푸릴(메타)아크릴레이트, 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 옥타데실메타크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 테트라히드로퓨릴아크릴레이트, 아크릴로일모르폴린 등의 1관능성 단량체; 1,3-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페놀A-에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메타)아크릴레이트, 비스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트디(메타)아크릴레이트, 디(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 알릴화 시클로헥실디(메타)아크릴레이트, 디메틸올디시클로펜탄디아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 헥사히드로프탈산디아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 아다만탄디아크릴레이트 등의 2관능성 단량체; 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트트리(메타)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 글리세롤트리(메타)아크릴레이트 등의 3관능성 단량체; 디글리세린테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트 등의 4관능성 단량체; 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트 등의 5관능성 단량체; 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 6관능성 단량체 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the photo-radical polymerizable compound include ethyl acrylate, methyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, butyl acrylate, isobutyl acrylate, allyl methacrylate, and 2-ethoxyethyl (meth)acrylate. )Acrylate, isodecyl (meth)acrylate, 2-dodecylthioethyl methacrylate, octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, hydroxyethyl (meth)acrylate, hydroxy Propyl (meth)acrylate, hydroxybutyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, isodexyl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, tetrafurfuryl (meth)acrylate, phenoxy Monofunctional monomers such as cyethyl (meth)acrylate, octadecyl methacrylate, isobornyl (meth)acrylate, tetrahydrofuryl acrylate, and acryloylmorpholine; 1,3-butanedioldi(meth)acrylate, 1,4-butanedioldi(meth)acrylate, 1,6-hexanedioldi(meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate, bisphenol A-ethylene Glycol diacrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) Acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate, caprolactone modified dicyclopentenyl di (meth) acrylate, ethylene oxide modified phosphoric acid Di(meth)acrylate, bis(2-hydroxyethyl)isocyanurate di(meth)acrylate, di(acryloxyethyl)isocyanurate, allylated cyclohexyldi(meth)acrylate, dimethyloldi Bifunctional monomers such as cyclopentane diacrylate, ethylene oxide-modified hexahydrophthalic acid diacrylate, tricyclodecane dimethanol acrylate, neopentyl glycol-modified trimethylolpropane diacrylate, and adamantane diacrylate; Trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate, propionic acid modified dipentaerythritol tri(meth)acrylate, propylene oxide modified trimethylolpropane Trifunctional monomers such as tri(meth)acrylate, tris(2-hydroxyethyl)isocyanurate tri(meth)acrylate, tris(acryloxyethyl)isocyanurate, and glycerol tri(meth)acrylate ; Tetrafunctional monomers such as diglycerin tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, and ditrimethylolpropane tetra(meth)acrylate; 5-functional monomers, such as propionic acid-modified dipentaerythritol penta (meth)acrylate; And hexafunctional monomers such as dipentaerythritol hexa (meth) acrylate and caprolactone-modified dipenta erythritol hexa (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 아크릴계 올리고머는 상기 광 라디칼 중합성 화합물을 적어도 1종 이상 포함하여 중합된 올리고머일 수 있다.The acrylic oligomer may be an oligomer polymerized by including at least one kind of the photo-radical polymerizable compound.

상기 광 라디칼 중합 개시제의 비제한적 예시로서, 아세토페논계, 벤조페논계, 티옥산톤계, 벤조인계, 벤조인알킬에테르계 등의 라디칼 광중합 개시제를 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As a non-limiting example of the photo-radical polymerization initiator, radical photoinitiators such as acetophenone-based, benzophenone-based, thioxanthone-based, benzoin-based, and benzoinalkylether-based may be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

예를 들면, 아세토페논, 히드록시디메틸아세토페논, 디메틸아미노아세토페논, 디메톡시-2-페닐아세토페논, 3-메틸아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 4-크로놀로세토페논, 4,4-디메톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 4-히드록시시클로페닐케톤, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4-디아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티옥산톤, 2-에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤질디메틸케탈, 디페닐케톤벤질디메틸케탈, 아세토페논디메틸케탈, p-디메틸아미노벤조산에스테르, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 플루오렌, 트리페닐아민, 카바졸 등을 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, acetophenone, hydroxydimethylacetophenone, dimethylaminoacetophenone, dimethoxy-2-phenylacetophenone, 3-methylacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2- Diethoxy-2-phenylacetophenone, 4-chronolocetophenone, 4,4-dimethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 4-hydroxycyclophenylketone , 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-one, 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl- 2-(hydroxy-2-propyl)ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4-diaminobenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, dichlorobenzophenone, anthraquinone, 2- Methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-aminoanthraquinone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethyl Thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyl dimethyl ketal , Diphenyl ketone benzyl dimethyl ketal, acetophenone dimethyl ketal, p-dimethylaminobenzoic acid ester, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, fluorene, triphenylamine, carbazole, etc., but limited thereto. It does not become.

시판되고 있는 제품으로는 시바사의 darocur 1173, darocur 4265, darocur BP, darocur TPO, darocur MBF, irgacure 184, irgacure 500, irgacure 2959, irgacure 754, irgacure 651, irgacure 369, irgacure 907, irgacure 1300, irgacure 819, irgacure 2022, irgacure 819DW, irgacure 2100, irgacure 784, irgacure 250 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Commercially available products include Shiva's darocur 1173, darocur 4265, darocur BP, darocur TPO, darocur MBF, irgacure 184, irgacure 500, irgacure 2959, irgacure 754, irgacure 651, irgacure 369, irgacure 907, irgacure 819, irgacure 1300, irgacure 1300, irgacure 1300 irgacure 2022, irgacure 819DW, irgacure 2100, irgacure 784, irgacure 250, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 광중합 개시제는 예를 들면 광중합성 화합물 100중량부에 대하여 약 0.5 내지 10중량부로 포함될 수 있다. 함량이 상기 범위 내인 경우, 적정 경화 속도를 가지며, 우수한 내구성을 갖도록 한다.The photopolymerization initiator may be included in an amount of about 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the photopolymerizable compound. When the content is within the above range, it has an appropriate curing speed and has excellent durability.

예시적인 실시예들에 따르면, 하부 절연층(130) 및 점접착층(120) 사이의 표면 에너지 차이의 절대값은 약 4 내지 50mN/m 일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 투명 기판(110)과 점접착층(120) 간의 표면 에너지 차이의 절대값은 약 17 내지 30mN/m 일 수 있다.According to exemplary embodiments, an absolute value of the difference in surface energy between the lower insulating layer 130 and the adhesive layer 120 may be about 4 to 50 mN/m. According to exemplary embodiments, an absolute value of the difference in surface energy between the transparent substrate 110 and the adhesive layer 120 may be about 17 to 30 mN/m.

상기 범위 내에서, 점접착층(120) 내에 적절한 수 및 크기의 기포를 더욱 용이하게 형성할 수 있다. 이에 따라, 점접착층(120)은 우수한 접착력을 유지하면서도, 투명 전극 구조체(100)의 광 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.Within the above range, it is possible to more easily form bubbles of an appropriate number and size in the pressure-sensitive adhesive layer 120. Accordingly, the adhesive layer 120 can further improve the light efficiency of the transparent electrode structure 100 while maintaining excellent adhesive strength.

예시적인 실시예들에 따르면, 투명 전극층(150)은 하부 절연층(130) 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 산화물 전극층(152), 금속층(154) 및 제2 투명 산화물 전극층(156)의 적층 구조를 포함할 수 있다.According to exemplary embodiments, the transparent electrode layer 150 includes a first transparent oxide electrode layer 152, a metal layer 154, and a second transparent oxide electrode layer 156 sequentially stacked on the lower insulating layer 130 It can contain structures.

제1 투명 산화물 전극층(152) 및 제2 투명 산화물 전극층(156)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 아연 주석 산화물(IZTO), 알루미늄 도핑 아연 산화물(AZO), 갈륨 도핑 아연 산화물(GZO), 아연 주석 산화물(ZTO), 인듐 갈륨 산화물(IGO), 주석 산화물(SnO2) 등과 같은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.The first transparent oxide electrode layer 152 and the second transparent oxide electrode layer 156 are indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), and aluminum-doped zinc oxide. Transparent conductive oxides such as (AZO), gallium-doped zinc oxide (GZO), zinc tin oxide (ZTO), indium gallium oxide (IGO), and tin oxide (SnO 2) may be included.

일부 실시예들에 있어서, 제1 투명 산화물 전극층(152) 및 제2 투명 산화물 전극층(156)은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.In some embodiments, the first transparent oxide electrode layer 152 and the second transparent oxide electrode layer 156 may include ITO or IZO.

금속층(154)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC))을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 금속층(154)은 바람직하게는 APC와 같은 은 합금을 포함할 수 있다.The metal layer 154 is silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), titanium (Ti), tungsten (W), Niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), molybdenum (Mo), calcium (Ca) or Alloys thereof (eg, silver-palladium-copper (APC)). These may be used alone or in combination of two or more. The metal layer 154 may preferably include a silver alloy such as APC.

상술한 바와 같이, 금속층(154)이 투명 전극층(150)에 포함되어 저항을 감소시켜 예를 들면, 조명 소자 및 전지 소자의 활성화 속도 또는 반응 속도를 향상시킬 수 있다. 또한, 금속층(154)을 통해 투명 전극 층(150)의 전체적인 유연성이 확보되어 반복 접힘, 폴딩이 인가되는 경우에도 전극 손상이 방지될 수 있다.As described above, the metal layer 154 is included in the transparent electrode layer 150 to reduce resistance, so that, for example, the activation speed or reaction speed of the lighting device and the battery device may be improved. In addition, the overall flexibility of the transparent electrode layer 150 is secured through the metal layer 154 so that damage to the electrode can be prevented even when repeatedly folding or folding is applied.

금속층(154)의 상면 및 하면 상에 상대적으로 내화학성이 향상된 투명 산화물 전극층들(152, 156)을 배치시켜, 금속층(154)의 외부 수분, 공기 침투에 의한 산화, 부식 등을 방지할 수 있다. 또한, 투명 산화물 전극층들(152, 156)에 의해 투명 전극층(150)의 투과율이 향상되어 전기 소자의 광학적 효율을 향상시킬 수 있다.By disposing the transparent oxide electrode layers 152 and 156 having relatively improved chemical resistance on the upper and lower surfaces of the metal layer 154, oxidation, corrosion, etc. due to external moisture and air penetration of the metal layer 154 can be prevented. . In addition, the transmittance of the transparent electrode layer 150 is improved by the transparent oxide electrode layers 152 and 156, so that the optical efficiency of the electric device may be improved.

예시적인 실시예들에 따르면, 투명 산화물 전극층(152, 156)의 굴절률은 금속층(154)과의 굴절률 매칭을 통한 반사 감소를 위해 약 1.7 내지 2.2 범위로 조절될 수 있다. 예를 들면, ITO의 경우 산화 인듐(In2O3) 및 산화 주석(SnO2)의 중량비가 조절된 타겟을 사용한 스퍼터링 공정을 통해 굴절률이 조절될 수 있다. 예를 들면 금속층(154)의 굴절률은 약 0.1 내지 1일 수 있다.According to exemplary embodiments, the refractive index of the transparent oxide electrode layers 152 and 156 may be adjusted in a range of about 1.7 to 2.2 to reduce reflection through refractive index matching with the metal layer 154. For example, in the case of ITO, the refractive index may be adjusted through a sputtering process using a target in which a weight ratio of indium oxide (In 2 O 3 ) and tin oxide (SnO 2) is adjusted. For example, the refractive index of the metal layer 154 may be about 0.1 to 1.

금속층(154)은 투과율 향상을 위해 제1 및 제2 투명 산화물 전극층(152, 156) 각각의 두께보다 작은 두께로 형성될 수 있다.The metal layer 154 may be formed to have a thickness smaller than the thickness of each of the first and second transparent oxide electrode layers 152 and 156 to improve transmittance.

일부 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 투명 산화물 전극층(152, 156) 각각의 두께는 약 200 내지 800Å, 바람직하게는 약 300 내지 500Å일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 금속층(154)의 두께는 약 50 내지 500Å, 바람직하게는 약 80 내지 150Å일 수 있다.In some embodiments, each of the first and second transparent oxide electrode layers 152 and 156 may have a thickness of about 200 to 800 Å, preferably about 300 to 500 Å. In some embodiments, the thickness of the metal layer 154 may be about 50 to 500 Å, preferably about 80 to 150 Å.

상기 두께 범위 내에서 상술한 식 1의 값과 조합되어 반사율 억제 및 투과율 향상 효과가 보다 효과적으로 구현될 수 있다.In the thickness range, the effect of suppressing reflectance and improving transmittance may be more effectively implemented by combining with the value of Equation 1 described above.

일 실시예에 있어서, 투명 전극층(150) 상에는 인캡슐레이션 필름 또는 이형 필름과 같은 보호 필름이 형성될 수도 있다.In one embodiment, a protective film such as an encapsulation film or a release film may be formed on the transparent electrode layer 150.

상술한 바와 같이, 투명 전극층(150)에 있어서, 금속층(154)과 함께 투명 산화물 전극층(152, 156)을 포함시킴으로써 금속층(154)의 저저항 특성을 활용하면서 수분, 공기에 의한 손상을 방지할 수 있다.As described above, in the transparent electrode layer 150, by including the transparent oxide electrode layers 152 and 156 together with the metal layer 154, it is possible to prevent damage due to moisture and air while utilizing the low resistance characteristics of the metal layer 154. I can.

예시적인 실시예들에 따르면, 하부 절연층(130) 및 투명 전극층(150) 사이에 배리어 층(140)이 배치될 수 있다. 배리어 층(140)은 투명 전극층(150)에 침투하는 외부 수분, 외부 공기를 차폐하여, 투명 전극층(150)의 기계적, 화학적 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다.According to example embodiments, the barrier layer 140 may be disposed between the lower insulating layer 130 and the transparent electrode layer 150. The barrier layer 140 shields external moisture and external air penetrating the transparent electrode layer 150, thereby further improving mechanical and chemical stability of the transparent electrode layer 150.

일부 실시예들에 있어서, 배리어 층(140)의 수분투과도는 40oC, 90% 상대습도 조건에서 10-3g/m2·24hr 이하 범위일 수 있으며, 바람직하게는 10-5 g/m2·24hr 이하 범위일 수 있다. 상기 범위에서 투명 전극 구조체(100)를 태양 전지 또는 조명 소자 등 전기 소자에 보다 용이하게 적용할 수 있다.In some embodiments, the moisture permeability of the barrier layer 140 may be in the range of 10 -3 g/m 2 ·24 hr or less at 40 o C and 90% relative humidity , and preferably 10 -5 g/m It may be in the range of 2 · 24 hours or less. In the above range, the transparent electrode structure 100 can be more easily applied to an electrical device such as a solar cell or a lighting device.

예를 들면, 배리어 층(140)는 수분 차폐능이 향상된 배리어 물질을 포함할 수 있다.For example, the barrier layer 140 may include a barrier material having improved moisture shielding ability.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 배리어 물질은 인듐-주석 산화물(ITO), 알루미늄 산화물(예를 들면, Al2O3), 아연 산화물(예를 들면, ZnO), 알루미늄 산화물(예를 들면, Al2O3)-아연 산화물(예를 들면, ZnO) 복합(AZO) 물질, 실라잔(silazne), 실록산(siloxane) 및/또는 규소 함유 무기 물질을 포함할 수 있다.According to exemplary embodiments, the barrier material is indium-tin oxide (ITO), aluminum oxide (eg, Al 2 O 3 ), zinc oxide (eg, ZnO), aluminum oxide (eg, Al 2 O 3 )-zinc oxide (eg, ZnO) composite (AZO) material, silazne, siloxane, and/or silicon-containing inorganic material.

"실라잔"은 "-Si-N-Si-" 구조를 포함하는 화합물 또는 폴리머를 포괄하는 용어로 사용된다. "실록산"은 "-Si-O-Si-" 구조를 포함하는 화합물 또는 폴리머를 포괄하는 용어로 사용된다. "Silazane" is used as a term encompassing a compound or polymer comprising a "-Si-N-Si-" structure. "Siloxane" is used as a term encompassing a compound or polymer comprising a "-Si-O-Si-" structure.

상기 규소 함유 무기 물질의 예로서, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산질화물을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 바람직하게는, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물 중 적어도 2 이상이 함께 사용되며, 보다 바람직하게는, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물이 함께 사용될 수 있다.Examples of the silicon-containing inorganic material include silicon oxide, silicon nitride and/or silicon oxynitride. These may be used alone or in combination of two or more. Preferably, at least two or more of silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride are used together, and more preferably, silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride may be used together.

배리어 층(140)은 상술한 배리어 물질을 포함하는 단층 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면 배리어 층(140)의 두께는 약 50 내지 350nm일 수 있다. 예를 들면, 배리어 층(140)의 굴절률은 약 1.6 내지 2.2일 수 있다.The barrier layer 140 may have a single-layer or multi-layer structure including the above-described barrier material. For example, the thickness of the barrier layer 140 may be about 50 to 350 nm. For example, the refractive index of the barrier layer 140 may be about 1.6 to 2.2.

일부 예시적인 실시예들에 따르면, 투명 전극 구조체(100)는 배리어 층(140) 및 투명 전극층(150) 사이에 위치하는 상부 보호층(136)을 더 포함할 수 있다.According to some exemplary embodiments, the transparent electrode structure 100 may further include an upper protective layer 136 positioned between the barrier layer 140 and the transparent electrode layer 150.

상부 보호층(136)은 그 자체로서 기재의 역할, 그리고 패시베이션층의 역할을 할 수 있다. 뿐만 아니라, 투명 패턴층(150)의 부식을 방지할 수 있다. 또한, 점접착층의 역할을 할 수 있다.The upper protective layer 136 may itself serve as a substrate and a passivation layer. In addition, corrosion of the transparent pattern layer 150 can be prevented. In addition, it can serve as an adhesive layer.

상부 보호층(136)은 단층 또는 2층 이상의 복수의 층으로 형성될 수 있다.The upper protective layer 136 may be formed of a single layer or a plurality of layers of two or more layers.

예를 들면, 상부 보호층(136)이 기재의 역할을 하는 경우, 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리오르가노실록산(POS) 등의 실리콘계 고분자; 폴리이미드계 고분자; 폴리우레탄계 고분자 등으로 제조된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.For example, when the upper protective layer 136 serves as a substrate, silicone-based polymers such as polydimethylsiloxane (PDMS) and polyorganosiloxane (POS); Polyimide polymer; It may be made of a polyurethane-based polymer, but is not limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

예를 들면, 상부 보호층(136)은 비제한적 예시로서, 실리콘 산화물과 같은 금속 산화물, 아크릴계 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물 혹은 열경화성 수지 조성물 또는 실리콘산화물(SiOx)등의 무기물을 사용하여 형성될 수 있으며 이 경우 증착, 스퍼터링 등의 방법으로 형성될 수 있다.For example, the upper protective layer 136 is a non-limiting example, and may be formed using a metal oxide such as silicon oxide, a photosensitive resin composition including an acrylic resin, a thermosetting resin composition, or an inorganic material such as silicon oxide (SiOx). In this case, it can be formed by vapor deposition or sputtering.

예를 들면, 상부 보호층(136)이 접착층의 역할을 하는 경우, 예를 들면, 상부 보호층(136)은 열경화 또는 광경화성 점접착제를 포함할 수 있. 예를 들어, 폴리에스테르계, 폴리에테르계, 우레탄계, 에폭시계, 실리콘계, 아크릴계 등의 열경화 또는 광경화성 점접착제를 포함할 수 있다.For example, when the upper protective layer 136 serves as an adhesive layer, for example, the upper protective layer 136 may include a thermosetting or photocurable adhesive. For example, it may include a heat-curable or photo-curable adhesive agent such as polyester-based, polyether-based, urethane-based, epoxy-based, silicone-based, and acrylic-based.

상기 상부 보호층(136)의 두께는 예를 들면 약 1 내지 10㎛인 것이, 바람직하게는 약 1 내지 3㎛ 인 것이 부식성과 평탄성 및 유연성 확보 측면에서 바람직하다.The thickness of the upper protective layer 136 is, for example, about 1 to 10 μm, preferably about 1 to 3 μm, in terms of securing corrosion, flatness, and flexibility.

도 2은 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 구조체가 적용된 전기 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다. 예를 들면, 도 2는 상술한 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 구조체를 포함한 조명 소자를 도시하고 있다.2 is a schematic cross-sectional view illustrating an electric device to which a transparent electrode structure according to exemplary embodiments is applied. For example, FIG. 2 illustrates a lighting device including a transparent electrode structure according to the above-described exemplary embodiments.

도 2를 참조하면, 조명 소자(200)는 상술한 투명 전극 구조체(100) 상에 순차적으로 적층된 발광층(160) 및 상부 전극(170)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the lighting device 200 may include a light emitting layer 160 and an upper electrode 170 sequentially stacked on the above-described transparent electrode structure 100.

발광층(160) 예를 들면, 당해 기술 분야에 공지된 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 조명 소자(200)는 OLED 조명 소자로 제공될 수 있다. The light-emitting layer 160 may include, for example, an organic light-emitting material known in the art. In this case, the lighting device 200 may be provided as an OLED lighting device.

일 실시예에 있어서, 투명 전극층(150) 및 발광층(160) 사이에 정공 수송층(Hole Transport Layer: HTL)이 더 포함될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 발광층(160) 및 상부 전극(170) 사이에 전자 수송층(Electron Transport Layer: ETL)이 더 포함될 수도 있다.In one embodiment, a hole transport layer (HTL) may be further included between the transparent electrode layer 150 and the light emitting layer 160. In an embodiment, an electron transport layer (ETL) may be further included between the light emitting layer 160 and the upper electrode 170.

예를 들면, 투명 전극층(150)은 조명 소자(200)의 애노드로 제공될 수 있으며, 조명 소자(200)는 투명 기판(110)을 통해 발광되는 저면 발광 방식(bottom-emission type)일 수 있다. 이 경우, 상부 전극(170)은 조명 소자(200)의 캐소드 및 반사 전극으로 제공될 수 있다.For example, the transparent electrode layer 150 may be provided as an anode of the lighting device 200, and the lighting device 200 may be a bottom-emission type that emits light through the transparent substrate 110. . In this case, the upper electrode 170 may be provided as a cathode and a reflective electrode of the lighting element 200.

도 3은 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 구조체가 적용된 전기 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다. 예를 들면, 도 3은 상술한 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 구조체를 포함한 태양 전지(solar cell)와 같은 전지 소자를 도시하고 있다.3 is a schematic cross-sectional view illustrating an electric device to which a transparent electrode structure is applied according to example embodiments. For example, FIG. 3 shows a battery device such as a solar cell including a transparent electrode structure according to the above-described exemplary embodiments.

도 3을 참조하면, 전지 소자(300)는 상술한 투명 전극 구조체(100) 상에 순차적으로 적층된 광 활성층(photo-active layer)(180) 및 상부 전극(190)을 포함할 수 있다. 광 활성층(180)은 예를 들면, 태양 전지(solar cell)에 포함되는 당해 기술분야에서 공지된 유기 고분자를 포함하는 광 흡수층을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the battery device 300 may include a photo-active layer 180 and an upper electrode 190 sequentially stacked on the above-described transparent electrode structure 100. The photoactive layer 180 may include, for example, a light absorbing layer including an organic polymer known in the art included in a solar cell.

일 실시예에 있어서, 투명 전극층(150) 및 광 활성층(180) 사이에는 정공 수송층이 더 포함될 수도 있다.In an embodiment, a hole transport layer may be further included between the transparent electrode layer 150 and the photoactive layer 180.

일 실시예에 있어서, 투명 전극층(150)은 전지 소자(300)의 애노드로 제공되며, 상부 전극(190)은 전지 소자(300)의 캐소드로 제공될 수 있다.In one embodiment, the transparent electrode layer 150 may be provided as an anode of the battery element 300, and the upper electrode 190 may be provided as a cathode of the battery element 300.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Hereinafter, preferred embodiments are presented to aid in understanding of the present invention, but these examples are only illustrative of the present invention and do not limit the scope of the appended claims, and examples within the scope and spirit of the present invention It is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications are possible, and it is natural that such modifications and modifications fall within the appended claims.

실시예 및 비교예Examples and Comparative Examples

두께 700㎛의 소다라임 글라스 상에, 하기 표 1에 기재된 조성물을 건조 두께가 해당 두께가 되도록 도포하고 경화시켜 하부 절연층을 형성하였다.On a 700 µm-thick soda lime glass, the composition shown in Table 1 was applied and cured so that the dry thickness was the corresponding thickness to form a lower insulating layer.

이후에, 고분자 수지로 소켄화학사 ZAH-115 15중량부, 경화제로 우레아 경화제 4중량부, 첨가제로 DIC사 F-554 0.5중량부 및 신에츠사 KBM-403 0.5중량부, 용매로 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 60중량부와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 20중량부의 혼합용매를 포함하는 보호층 형성용 조성물을 하부 절연층 상에 도포하고, 180Ž 에서 30분간 경화하여 두께 2㎛의 제1 보호층을 형성하였다.Thereafter, 15 parts by weight of Soken Chemical Co., Ltd. ZAH-115 as a polymer resin, 4 parts by weight of urea hardener as a curing agent, 0.5 parts by weight of DIC company F-554 as an additive, and 0.5 parts by weight of Shin-Etsu Corporation KBM-403 as a solvent, propylene glycol monomethyl ether A protective layer-forming composition containing 60 parts by weight of acetate and 20 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether was applied on the lower insulating layer and cured at 180 Ž for 30 minutes to form a 2 µm-thick first protective layer. I did.

이후에, 상기 제1 보호층 상에 진공 증착 방법으로 ITO층을 두께 0.05㎛로 형성한 후, 상기 ITO층 상에 감광성 포토레지스트를 도포하고 노광, 현상 및 에칭하여 전극 패턴층을 형성하였다.Thereafter, an ITO layer was formed to a thickness of 0.05 μm on the first protective layer by a vacuum deposition method, and then a photosensitive photoresist was applied on the ITO layer, exposed, developed, and etched to form an electrode pattern layer.

이후, 25℃의 온도 환경에서 유리 기판을 하부 절연층 및 상부 적층물로부터 박리하고, 하부 절연층의 하부에 하기 표 1의 접착층을 형성하고, 상기 접착층의 하부에 하기 표 1의 투명 기재를 접합하여, 투명 전극 구조체를 제조하였다.Thereafter, the glass substrate was peeled from the lower insulating layer and the upper stacked material in a temperature environment of 25°C, and an adhesive layer of Table 1 was formed under the lower insulating layer, and the transparent substrate of Table 1 was bonded to the lower portion of the adhesive layer Thus, a transparent electrode structure was manufactured.

투명 기재를 KOH 농도 4.5N, 액온도 45℃, 처리시간 65초로 처리하여 표면 에너지를 74mN/m, KOH 농도 4.5N, 액온도 45℃, 처리시간 95초로 처리하여 표면 에너지를 85mN/m로 하였다.The transparent substrate was treated with a KOH concentration of 4.5N, a liquid temperature of 45°C, and a treatment time of 65 seconds to make the surface energy 74mN/m, a KOH concentration of 4.5N, a liquid temperature of 45°C, and a treatment time of 95 seconds to obtain a surface energy of 85mN/m. .

하부 절연층(A), 점접착층(B) 및 투명 기재(C)의 표면 에너지 값을 접촉각 측정기 DSA 100을 이용하여 측정한 후, 표 1에 각각 기재하였다.The surface energy values of the lower insulating layer (A), the adhesive layer (B), and the transparent substrate (C) were measured using a contact angle measuring instrument DSA 100, and then respectively described in Table 1.

구분division 하부 절연층(A)Lower insulating layer (A) 점접착층(B)Adhesive layer (B) 투명 기재(C)Transparent substrate (C) 성분ingredient 두께
(㎛)
thickness
(㎛)
표면 에너지
(mN/m)
Surface energy
(mN/m)
성분ingredient 두께
(㎛)
thickness
(㎛)
표면 에너지
(mN/m)
Surface energy
(mN/m)
종류Kinds 두께
(㎛)
thickness
(㎛)
표면 에너지
(mN/m)
Surface energy
(mN/m)
실시예1Example 1 A-4A-4 0.30.3 3333 B-1B-1 77 5757 TACTAC 2020 7474 실시예2Example 2 A-3A-3 0.30.3 7474 B-1B-1 22 2828 TACTAC 2020 7474 실시예3Example 3 A-2A-2 0.10.1 4545 B-1B-1 1One 5757 TACTAC 2020 7474 실시예4Example 4 A-5A-5 0.30.3 2525 B-1B-1 22 5757 TACTAC 2020 7474 실시예5Example 5 A-1A-1 0.30.3 5353 B-2B-2 22 8585 TACTAC 2020 7474 실시예6Example 6 A-3A-3 0.30.3 7474 B-1B-1 22 5757 TACTAC 2020 7474 실시예7Example 7 A-2A-2 0.10.1 4545 B-1B-1 22 5757 TACTAC 2020 7474 실시예8Example 8 A-1A-1 0.30.3 5353 B-1B-1 22 5757 TACTAC 8080 8585 실시예9Example 9 A-4A-4 0.30.3 3333 B-1B-1 22 2828 TACTAC 2020 7474 실시예10Example 10 A-2A-2 0.10.1 4545 B-2B-2 22 8585 TACTAC 8080 8585 비교예1Comparative Example 1 A-1A-1 0.30.3 5353 B-1B-1 22 5757 TACTAC 2020 7474 비교예2Comparative Example 2 A-1A-1 0.90.9 5353 B-1B-1 44 5757 TACTAC 2020 7474 비교예3Comparative Example 3 A-3A-3 0.50.5 9191 B-1B-1 44 4343 TACTAC 2020 7474 비교예4Comparative Example 4 A-5A-5 0.10.1 1717 B-1B-1 77 6969 TACTAC 8080 8585 비교예5Comparative Example 5 A-2A-2 0.20.2 4646 B-1B-1 44 4343 TACTAC 2020 7474 비교예6Comparative Example 6 A-1A-1 0.20.2 5555 B-1B-1 77 5858 TACTAC 2020 7474 A-1: 폴리아릴레이트 (유니티카, M-2000H) 5%, 용매 시클로헥사논 95%
A-2: 폴리아릴레이트 (유니티카, M-2040) 5%, 용매 시클로헥사논 95%
A-3: 폴리아믹산 (켐필드, T-100) 1%, 용매 디메틸아세타미드 99%
A-4: 폴리메틸 메타크릴레이트 (마이크로켐, 495 PMMA A4)
A-5: 폴리스타일렌 (AldrichI, Mw35,000) 3%, 용매 톨루엔 97%
B-1: UV-NS063 (일본합성)
B-2: MA21 (메이쇼)
B-3: SKA-BL80 (신광화학산업)
A-1: Polyarylate (Unitica, M-2000H) 5%, solvent cyclohexanone 95%
A-2: Polyarylate (Unitica, M-2040) 5%, solvent cyclohexanone 95%
A-3: Polyamic acid (Chemfield, T-100) 1%, solvent dimethylacetamide 99%
A-4: Polymethyl methacrylate (Microchem, 495 PMMA A4)
A-5: Polystyrene (Aldrich I, Mw35,000) 3%, solvent toluene 97%
B-1: UV-NS063 (Japanese synthetic)
B-2: MA21 (Meisho)
B-3: SKA-BL80 (Shinkwang Chemical Industry)

실험예. 표면에너지 차이에 따른 휘도 향상율 평가Experimental example. Evaluation of the brightness improvement rate according to the difference in surface energy

기포면적 비율 측정Bubble area ratio measurement

실시예 및 비교예의 투명 전극 구조체를 확대 배율 100배의 광학 현미경으로 관찰하며, 기포가 차지하고 있는 영역의 넓이를 계산한 후, 이를 접착층 전체 넓이로 나누어 기포 면적 비율을 계산하였다. 계산 결과를 표 2에 나타내었으며, 도 4에는 기포 면적이 12.6인 실시예 4의 광학 현미경 사진을 도시하였다.The transparent electrode structures of Examples and Comparative Examples were observed with an optical microscope with a magnification of 100 times, and the area of the area occupied by the bubbles was calculated, and then the area ratio of the bubbles was calculated by dividing the area by the total area of the adhesive layer. The calculation results are shown in Table 2, and FIG. 4 shows an optical micrograph of Example 4 having a bubble area of 12.6.

헤이즈 평가Haze evaluation

실시예 및 비교예의 투명 전극 구조체에 포함된 점접착층의 Haze 값을 JIS K7136에 따라 측정하였다. 측정 결과를 표 2에 나타내었다.The Haze value of the adhesive layer included in the transparent electrode structures of Examples and Comparative Examples was measured according to JIS K7136. Table 2 shows the measurement results.

휘도 향상율 평가Evaluation of luminance improvement rate

스펙트로미터 CAS-140을 이용하여, 실시예 및 비교예의 투명 전극 구조체의 휘도를 측정하였다. 비교예 1을 기준으로 실시예 및 비교예들의 휘도 향상율을 계산하여 표 2에 나타내었다.Using the spectrometer CAS-140, the luminance of the transparent electrode structures of Examples and Comparative Examples was measured. Based on Comparative Example 1, the luminance improvement rates of Examples and Comparative Examples were calculated and shown in Table 2.

접착력 평가Adhesion evaluation

점접착층을 23℃, 상대 습도 55%에서 24시간 방치한 후에, 기재 필름 사이에 커터의 날을 밀어 넣었을 때 날이 들어가는 정도로 접착성을 평가하였다.After the pressure-sensitive adhesive layer was allowed to stand at 23° C. and a relative humidity of 55% for 24 hours, the adhesiveness was evaluated to the extent that the blade entered when the blade of the cutter was pushed between the base films.

◎: 커터의 날이 접합한 필름 사이에 들어가지 않음◎: The cutter blade does not fit between the bonded films

○: 커터의 날이 접합한 필름 사이에 2mm 이하로 들어감○: The cutter blade enters 2 mm or less between the bonded films

△: 커터의 날이 접합한 필름 사이에 2mm 초과 내지 5 mm 이하로 들어감△: The cutter blade enters between the bonded films in a range of more than 2 mm to less than 5 mm

×: 커터의 날이 접합한 필름 사이에 무리 없이 끝까지 들어감×: The blade of the cutter enters the bonded film to the end without difficulty

구분division 표면 에너지 차이Surface energy difference 평가 결과Evaluation results |하부절연층- 점접착층||Lower Insulation Layer- Adhesive Adhesive Layer| |투명기재 -
점접착층|
|Transparent materials-
Adhesive layer|
기포
면적
비율
bubble
area
ratio
헤이즈
(%)
Haze
(%)
휘도
향상율
Luminance
Improvement rate
접착력Adhesion
실시예1Example 1 2424 1717 26.426.4 3737 8.258.25 실시예2Example 2 4646 1717 32.232.2 58.258.2 10.3210.32 실시예3Example 3 1212 1717 11.311.3 28.628.6 7.127.12 실시예4Example 4 3232 1717 12.612.6 31.231.2 9.679.67 실시예5Example 5 3232 1717 9.249.24 33.333.3 8.058.05 실시예6Example 6 1717 1717 3.63.6 16.216.2 6.326.32 실시예7Example 7 1212 1717 2.122.12 8.38.3 3.213.21 실시예8Example 8 44 2828 10.310.3 23.223.2 6.826.82 실시예9Example 9 55 4747 14.114.1 40.140.1 10.0110.01 실시예10Example 10 4040 00 12.112.1 38.438.4 9.969.96 비교예1Comparative Example 1 44 1717 0.50.5 0.20.2 00 비교예2Comparative Example 2 44 1717 0.60.6 0.40.4 00 비교예3Comparative Example 3 5151 3131 5050 7878 2.012.01 XX 비교예4Comparative Example 4 5151 1616 4040 7171 5.215.21 XX 비교예5Comparative Example 5 33 3131 3636 6161 7.027.02 XX 비교예6Comparative Example 6 33 1616 0.20.2 0.30.3 00

상기 표 2를 참조하면 기포면적 비율이 2 내지 35%를 만족하는 실시예들의 경우 오히려, 기포면적이 2% 미만인 비교예들보다 투명 전극 구조체의 광 효율이 우수하였다.Referring to Table 2, in the case of the examples having a bubble area ratio of 2 to 35%, the light efficiency of the transparent electrode structure was superior to that of the comparative examples having a bubble area of less than 2%.

100: 투명 전극 구조체 110: 투명 기판
120: 점접착층 122: 기포
130: 하부 절연층 132: 중개층
134: 보호층 136: 상부 보호층
140: 배리어 층 150: 투명 전극층
152: 제1 투명 산화물 전극층 154: 금속층
156: 제2 투명 산화물 전극층
100: transparent electrode structure 110: transparent substrate
120: adhesive layer 122: air bubbles
130: lower insulating layer 132: intermediate layer
134: protective layer 136: upper protective layer
140: barrier layer 150: transparent electrode layer
152: first transparent oxide electrode layer 154: metal layer
156: second transparent oxide electrode layer

Claims (14)

투명 기판;
상기 투명 기판 상에 형성된 하부 절연층;
상기 하부 절연층 상에 적층된 투명 전극층; 및
상기 투명 기판 및 상기 하부 절연층 사이에 형성되며 기포들을 포함하는 점접착층을 포함하고, 평면 방향에서 투영될 때 상기 기포들이 분포하는 영역의 넓이의 비율은 상기 점접착층의 상면의 면적 대비 2 내지 35%인, 투명 전극 구조체.
Transparent substrate;
A lower insulating layer formed on the transparent substrate;
A transparent electrode layer stacked on the lower insulating layer; And
It is formed between the transparent substrate and the lower insulating layer and includes a point-adhesive layer including bubbles, and when projected from a plane direction, the ratio of the area of the area where the bubbles are distributed is 2 to 35 compared to the area of the upper surface of the point-of-contact layer. %, the transparent electrode structure.
청구항 1에 있어서, 상기 기포들은 상기 투명 기판과 인접한 점접착층의 하부 계면 및 상기 하부 절연층과 인접한 점접착층의 상부 계면 중 적어도 어느 한 면에 분포하는, 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure of claim 1, wherein the air bubbles are distributed on at least one of a lower interface of an adhesive layer adjacent to the transparent substrate and an upper interface of an adhesive layer adjacent to the lower insulating layer.
청구항 2에 있어서, 상기 기포들은 상기 투명 기판과 인접한 점접착층의 하부 계면 및 상기 하부 절연층과 인접한 점접착층의 상부 계면 에 함께 분포하는, 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure of claim 2, wherein the air bubbles are distributed together at a lower interface of an adhesive layer adjacent to the transparent substrate and an upper interface of an adhesive layer adjacent to the lower insulating layer.
청구항 1에 있어서, 상기 기포들의 각 직경은 0.025 내지 2.5㎛인, 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure according to claim 1, wherein each diameter of the air bubbles is 0.025 to 2.5 μm.
청구항 1에 있어서, JIS K7136에 따라 측정되는 상기 점접착층의 헤이즈 값은 5 내지 60%인, 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure according to claim 1, wherein the haze value of the pressure-sensitive adhesive layer measured according to JIS K7136 is 5 to 60%.
청구항 1에 있어서, 상기 하부 절연층 및 상기 점접착층의 표면 에너지 차이의 절대값이 4 내지 50mN/m 인, 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure according to claim 1, wherein an absolute value of a difference in surface energy between the lower insulating layer and the adhesive layer is 4 to 50 mN/m.
청구항 1에 있어서, 상기 투명 기판 및 상기 점접착층의 표면 에너지 차이의 절대값이 17 내지 30mN/m 인, 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure according to claim 1, wherein an absolute value of a difference in surface energy between the transparent substrate and the adhesive layer is 17 to 30 mN/m.
청구항 1에 있어서, 상기 하부 절연층 및 상기 상기 투명 전극층 사이에 배치되는 배리어 층을 더 포함하는, 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure of claim 1, further comprising a barrier layer disposed between the lower insulating layer and the transparent electrode layer.
청구항 8에 있어서, 상기 배리어 층은 인듐-주석 산화물(ITO), 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 알루미늄 산화물-아연 산화물 복합(AZO) 물질, 실라잔(silazane), 실록산(siloxane) 및 규소 함유 무기 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 배리어 물질을 포함하는, 투명 전극 구조체.
The method according to claim 8, wherein the barrier layer is made of indium-tin oxide (ITO), aluminum oxide, zinc oxide, aluminum oxide-zinc oxide composite (AZO) material, silazane, siloxane, and silicon-containing inorganic material. A transparent electrode structure comprising at least one barrier material selected from the group consisting of.
청구항 8에 있어서, 상기 배리어 층의 투습도는 40℃, 90% 상대습도 조건에서 10-3 g/m2 24hr 이하인, 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure according to claim 8, wherein the barrier layer has a moisture permeability of 10 -3 g/m 2 24 hr or less under a condition of 40° C. and 90% relative humidity.
청구항 1에 있어서, 상기 하부 절연층은 상기 점접착층으로부터 순차적으로 적층된 중개층 및 보호층을 포함하는, 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure according to claim 1, wherein the lower insulating layer comprises an intermediary layer and a protective layer sequentially stacked from the adhesive layer.
청구항 1에 있어서, 상기 투명 전극층은 순차적으로 적층된 제1 투명 산화물 전극층, 금속층 및 제2 투명 산화물 전극층을 포함하는, 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure of claim 1, wherein the transparent electrode layer comprises a first transparent oxide electrode layer, a metal layer, and a second transparent oxide electrode layer sequentially stacked.
청구항 1의 투명 전극 구조체;
상기 투명 전극 구조체 상에 배치된 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 배치된 상부 전극을 포함하는, 조명 소자.
The transparent electrode structure of claim 1;
An organic emission layer disposed on the transparent electrode structure; And
A lighting device comprising an upper electrode disposed on the organic emission layer.
청구항 1의 투명 전극 구조체;
상기 투명 전극 구조체 상에 배치된 광 활성층; 및
상기 광 활성층 상에 배치된 상부 전극을 포함하는, 태양 전지.
The transparent electrode structure of claim 1;
A photoactive layer disposed on the transparent electrode structure; And
A solar cell comprising an upper electrode disposed on the photoactive layer.
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