KR20160117165A - Transparent conductive film - Google Patents

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KR20160117165A
KR20160117165A KR1020160015487A KR20160015487A KR20160117165A KR 20160117165 A KR20160117165 A KR 20160117165A KR 1020160015487 A KR1020160015487 A KR 1020160015487A KR 20160015487 A KR20160015487 A KR 20160015487A KR 20160117165 A KR20160117165 A KR 20160117165A
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transparent conductive
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가즈토 아이자와
데츠야 아라조에
도모오 오루이
사토루 쇼시
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린텍 가부시키가이샤
(주)맥스필름
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Abstract

The purpose of the present invention is to provide a laminate used to form a transparent conductive layer; and a transparent conductive film using the same. The laminate has etching resistance in a low refractive layer, can stably prevent the visualization of the pattern shape of a transparent conductive layer, and secures excellent adhesion between the laminate and the transparent conductive layer or the like. The laminate used to form a transparent conductive layer has an optical control layer on at least one surface of a base film. The optical control layer is formed by sequentially laminating a high refractive layer with a refractive index of 1.6 or greater and a low refractive layer with a refractive index of 1.45 or smaller on the base film. The low refractive layer is formed by photo-curing a composition used to form a low refractive layer, which includes (A) 100 parts by weight of an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin and (B) 2-120 parts by weight of a silica particle.

Description

투명 도전성 필름{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}Transparent conductive film {TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}

본 발명은, 투명 도전층 형성용 적층체 및 투명 도전성 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a laminate for forming a transparent conductive layer and a transparent conductive film.

특히, 저굴절률층에 있어서의 내에칭성이 뛰어나며, 투명 도전층의 패턴 형상을 안정적으로 불가시화할 수 있고, 또한, 투명 도전층 등과의 사이의 밀착성이 뛰어난 투명 도전층 형성용 적층체 및 그것을 사용한 투명 도전성 필름에 관한 것이다.Particularly, a laminate for forming a transparent conductive layer which is excellent in etching resistance in a low refractive index layer and which can stably impregnate the pattern shape of the transparent conductive layer and has excellent adhesion with the transparent conductive layer, And the transparent conductive film used.

종래, 화상 표시부에 직접 접촉함에 의해 정보를 입력할 수 있는 터치 패널은, 광투과성의 입력 장치를 디스플레이 상에 배치하여 이루어지는 것이다.BACKGROUND ART [0002] A touch panel capable of inputting information by directly contacting an image display unit is conventionally arranged by placing a light-transmitting input device on a display.

이러한 터치 패널의 대표적인 형식으로서는, 2매의 투명 전극 기판을 각각의 투명 전극층이 마주 보도록 극간을 마련하면서 배치하여 이루어지는 저항막식 터치 패널이나, 투명 전극막과 손가락과의 사이에 발생하는 정전 용량의 변화를 이용하는 정전 용량식 터치 패널이 존재한다.As typical examples of such a touch panel, there are a resistive film type touch panel in which two transparent electrode substrates are arranged while providing their gaps so that the respective transparent electrode layers are opposed to each other, and a change in capacitance caused between the transparent electrode film and the finger There is a capacitive touch panel using a touch panel.

이 중, 정전 용량식 터치 패널에는, 손가락의 터치 위치를 검출하기 위한 센서로서, 대별(大別)하여 투명 도전층이 유리 기재 상에 적층되어서 이루어지는 유리 센서와, 투명 도전층이 투명 플라스틱 필름 기재 상에 적층되어서 이루어지는 필름 센서가 존재한다.Among them, the capacitive touch panel includes a glass sensor in which a transparent conductive layer is layered on a glass substrate, and a transparent conductive layer is formed on the transparent plastic film substrate There is a film sensor formed by laminating on a substrate.

특히 필름 센서에 있어서는, 라인상으로 패턴화된 투명 도전층을 구비한 투명 도전성 필름 2매를, 각각의 패턴이 서로 크로스하도록 배치함에 의해, 격자상의 패턴이 형성되는 경우가 많다.Particularly in a film sensor, a grid-like pattern is often formed by arranging two transparent conductive films each having a transparent conductive layer patterned in a line so that the respective patterns cross each other.

그러나, 이와 같이 투명 도전층을 패턴화했을 경우, 패턴부와 비패턴부와의 경계 부분이 시인되기 쉬워져버려, 정전 용량식 터치 패널의 외관이 나빠진다는 문제가 보였다.However, when the transparent conductive layer is patterned in this manner, the boundary portion between the pattern portion and the non-pattern portion is liable to be visually observed, and the appearance of the capacitive touch panel is deteriorated.

그래서, 이러한 문제를 해결하기 위한 기술이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1∼2 참조).Therefore, a technique for solving such a problem is disclosed (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

즉, 특허문헌 1에는, 폴리에스테르 필름의 적어도 편측에 수지층이 마련된 적층 필름으로서, 당해 수지층은, 적어도 실리카 입자(B)와 아크릴 수지(D)를 함유하고, 당해 실리카 입자가 중공 입자 및/또는 구멍을 갖는 입자이며, 또한, 당해 실리카 입자의 수평균 입자경이 30㎚ 이상 120㎚ 이하이며, 당해 아크릴 수지(D)가, 하기 일반식(1)으로 표시되는 (메타)아크릴레이트 모노머(d-1)와, 하기 일반식(2)으로 표시되는 (메타)아크릴레이트 모노머(d-2)를 사용하여 이루어지는 수지이며, 적층 필름의 수지층 측의 최소 반사율이 2.0% 이하인 것을 특징으로 하는 광학용 적층 필름이 개시되어 있다.That is, Patent Document 1 discloses a laminated film having a resin layer on at least one side of a polyester film, wherein the resin layer contains at least a silica particle (B) and an acrylic resin (D) (Meth) acrylate monomer represented by the following general formula (1): wherein the number average particle diameter of the silica particles is 30 nm or more and 120 nm or less, and the acrylic resin (D) (d-1) represented by the following general formula (2) and a (meth) acrylate monomer (d-2) represented by the following general formula (2), wherein the minimum reflectance of the laminated film on the side of the resin layer is 2.0% Discloses an optical laminated film.

Figure pat00001
Figure pat00001

(일반식(1)에 있어서, R1기는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 또한 일반식(1)에 있어서의 n은, 9 이상 34 이하의 정수를 나타낸다)(In the general formula (1), the R 1 group represents a hydrogen atom or a methyl group, and n in the general formula (1) represents an integer of 9 or more and 34 or less)

Figure pat00002
Figure pat00002

(일반식(2)에 있어서, R1기는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내거나, 또한, R2기는, 포화의 탄소환을 2개 이상 포함하는 관능기를 나타낸다)(In the general formula (2), the R 1 group represents a hydrogen atom or a methyl group, and the R 2 group represents a functional group containing two or more saturated carbon rings)

또한, 특허문헌 2에는, 투명한 필름 기재의 편면 또는 양면에 적어도 1층의 언더 코팅층을 개재하여, 투명 도전체층을 갖고, 또한 투명 도전체층은 패턴화되어 있으며, 또한 투명 도전체층을 갖지 않는 비패턴부에는 적어도 1층의 언더 코팅층을 갖는 투명 도전성 필름의 제조 방법으로서, 투명한 필름 기재의 편면 또는 양면에, 투명한 필름 기재에 형성된 언더 코팅층을 유기물에 의해 형성하는 공정, 언더 코팅층 상에, 스퍼터링법에 의해 투명 도전체층을 형성하는 공정, 및 투명 도전체층을, 에칭하여 패턴화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조 방법이 개시되어 있다.Patent Document 2 discloses a transparent film substrate having at least one undercoat layer on one side or both sides of a transparent film substrate and having a transparent conductor layer and a transparent conductor layer patterned, A step of forming an undercoat layer formed on a transparent film substrate by an organic material on one surface or both surfaces of a transparent film substrate; a step of forming a transparent conductive film on an undercoat layer by a sputtering method A step of forming a transparent conductor layer by a photolithography method, and a step of patterning the transparent conductor layer by etching.

또한, 상술한 언더 코팅층이 2층으로 이루어지고, 최표면의 언더 코팅층을, 실리카졸을 도공함에 의해 형성된 SiO2막으로 하는 것이 기재되어 있다.It is also described that the above-mentioned undercoat layer is composed of two layers, and the outermost undercoat layer is formed as an SiO 2 film formed by coating silica sol.

일본국 특개2013-52676호 공보(특허청구범위)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-52676 (claims) 일본국 특개2011-142089호 공보(특허청구범위)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-142089 (claims)

그러나, 특허문헌 1에 개시되어 있는 광학용 적층 필름은, 투명 도전층을 에칭에 의해 패턴화할 때에, 투명 도전층이 형성되는 수지층이 에칭액에 의해 침식되기 쉽고, 그것에 의해 투명 도전층의 패턴 형상을 안정적으로 불가시화하는 것이 곤란해진다는 문제가 보였다.However, in the optical laminated film disclosed in Patent Document 1, when the transparent conductive layer is patterned by etching, the resin layer on which the transparent conductive layer is formed is likely to be eroded by the etching solution, It is difficult to stably incapacitate the liquid crystal display device.

보다 구체적으로는, 최근, 스마트폰 등의 생산 증가에 따라, 에칭 처리의 신속화가 요구되고 있으며, 특히, 에칭 처리의 최종 공정인 잔류한 포토레지스트를 제거하기 위한 알칼리 처리에는, 예를 들면, 40℃로 가온한 5중량%의 수산화나트륨 수용액을 사용하는 경우가 있다.More specifically, in recent years, in accordance with the increase in the production of smart phones and the like, it is required to speed up the etching process. Particularly, in the alkali treatment for removing the residual photoresist which is the final step of the etching treatment, Lt; RTI ID = 0.0 >% < / RTI > of aqueous sodium hydroxide solution may be used.

이러한 과혹한 알칼리 처리를 행했을 경우, 특허문헌 1에 개시되어 있는 광학용 적층 필름에서는, 수지층에 있어서의 실리카 입자가 녹거나, 탈락하거나 하기 쉽고, 그 결과, 안정적으로 투명 도전층의 패턴 형상을 불가시화하는 것이 곤란해진다는 문제가 보였다.When such a severe alkali treatment is performed, the silica particles in the resin layer in the optical laminated film disclosed in Patent Document 1 tend to melt or fall off, and as a result, the pattern shape of the transparent conductive layer It has become difficult to make it impossible to make it invisible.

또한, 특허문헌 2에 개시되어 있는 제조 방법에 의해 얻어지는 투명 도전성 필름의 경우도, 과혹한 알칼리 처리를 행했을 경우, SiO2막에 있어서의 실리카 입자가 녹거나, 탈락하거나 하기 쉽고, 그 결과, 안정적으로 투명 도전층의 패턴 형상을 불가시화하는 것이 곤란해진다는 문제가 보였다.Also in the case of the transparent conductive film obtained by the production method disclosed in Patent Document 2, silica particles in the SiO 2 film are likely to melt or fall off when a severe alkali treatment is carried out. As a result, There has been a problem that it is difficult to stably make the pattern shape of the transparent conductive layer invisible.

그래서, 본 발명자들은, 이상과 같은 사정에 감안하여, 예의 노력한 바, 투명 도전층 형성용 적층체의 최표면층인 저굴절률층을 형성하기에 있어서, 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지에 대하여, 실리카 미립자를 소정의 범위로 배합하여 이루어지는 저굴절률층 형성용 조성물을 사용함에 의해, 상술한 문제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시킨 것이다.In view of the above, the inventors of the present invention have found that, in forming the low refractive index layer which is the outermost layer of the laminate for forming a transparent conductive layer, the active energy ray curable resin containing a water- , And a composition for forming a low refractive index layer in which silica fine particles are blended in a predetermined range, the above-mentioned problem can be solved, and the present invention has been completed.

즉, 본 발명의 목적은, 저굴절률층에 있어서의 내에칭성이 뛰어나며, 투명 도전층의 패턴 형상을 안정적으로 불가시화할 수 있고, 또한, 투명 도전층 등과의 사이의 밀착성이 뛰어난 투명 도전층 형성용 적층체 및 그것을 사용한 투명 도전성 필름으로 제공하는 것에 있다.That is, an object of the present invention is to provide a transparent conductive layer having excellent etching resistance in a low refractive index layer, capable of stably invisibly patterning a transparent conductive layer, And a transparent conductive film using the same.

본 발명에 의하면, 기재 필름의 적어도 한쪽의 표면에 광학 조정층을 갖는 투명 도전층 형성용 적층체로서, 광학 조정층이, 기재 필름 측으로부터, 굴절률이 1.6 이상의 값인 고굴절률층과, 굴절률이 1.45 이하의 값인 저굴절률층을 순서대로 적층하여 이루어짐과 함께, 저굴절률층이, 하기 (A)∼(B)성분을 포함하는 저굴절률층 형성용 조성물을 광경화하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전층 형성용 적층체가 제공되어, 상술한 문제를 해결할 수 있다.According to the present invention, there is provided a laminate for forming a transparent conductive layer having an optical adjustment layer on at least one surface of a base film, wherein the optical adjustment layer comprises a high refractive index layer having a refractive index of 1.6 or more and a refractive index of 1.45 Wherein the low refractive index layer is formed by laminating in order a low refractive index layer having a refractive index lower than that of the low refractive index layer and a low refractive index layer, There is provided a laminate for forming a laminated structure, and the above-described problems can be solved.

(A) 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부(A) 100 parts by weight of an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin

(B) 실리카 미립자 2∼120중량부(B) 2 to 120 parts by weight of fine silica particles

즉, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체이면, 그 최표면층인 저굴절률층을 형성할 때에 사용하는 저굴절률층 형성용 조성물이, 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지를 포함하고, 또한, 이러한 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지에 대하여, 실리카 미립자를 비교적 적은 범위로 포함하므로, 과혹한 알칼리 처리를 포함하는 에칭 처리를 행했을 경우여도, 저굴절률층에 있어서의 실리카 미립자가 녹거나, 탈락하거나 하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다(이하, 이러한 효과를 「내에칭성」이라고 하는 경우가 있음).That is, in the case of the laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention, the composition for forming a low refractive index layer used for forming the low refractive index layer as the outermost layer includes an active energy ray curable resin containing a water repellent resin, , The active energy ray-curable resin containing such a water-repellent resin contains silica particles in a relatively small range, so that even when an etching treatment including a severe alkali treatment is performed, the silica fine particles in the low refractive index layer (Hereinafter, this effect may be referred to as " etching resistance " in some cases).

또한, 실리카 미립자의 배합량을 비교적 적은 범위로 함에 의해 증가하게 되는 저굴절률층의 굴절률을, 굴절률이 비교적 낮은 발수성 수지에 의해, 소정의 범위까지 저하시켜, 저굴절률층에 요구되는 소정의 굴절률을 얻을 수 있다.The refractive index of the low refractive index layer, which is increased by adding the silica fine particles in a relatively small range, is lowered to a predetermined range by a water repellent resin having a relatively low refractive index to obtain a predetermined refractive index required for the low refractive index layer .

그 결과, 투명 도전층의 패턴 형상을 안정적으로 불가시화할 수 있다.As a result, the pattern shape of the transparent conductive layer can be stably invisible.

또한, 발수성 수지를 포함함에 의해 저하하게 되는 저굴절률층의 표면 자유 에너지를, 실리카 미립자에 의해 형성되는 미세한 표면 요철에 의해, 소정의 범위까지 증가시켜, 저굴절률층에 요구되는 투명 도전층 등에 대한 소정의 밀착성을 얻을 수 있다.The surface free energy of the low refractive index layer, which is lowered by the inclusion of the water-repellent resin, is increased to a predetermined range by the fine surface irregularities formed by the fine silica particles, A predetermined adhesion can be obtained.

또한, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체를 구성하기에 있어서, (B)성분으로서의 실리카 미립자의 체적 평균 입자경(D50)을 20∼70㎚의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.In forming the transparent conductive layer-forming laminate of the present invention, it is preferable that the volume average particle diameter (D50) of the fine silica particles as the component (B) is within a range of 20 to 70 nm.

이와 같이 구성함에 의해, 저굴절률층에 있어서의 투명성을 저하시키지 않고, 소정의 굴절률을 얻을 수 있다.By such a constitution, a predetermined refractive index can be obtained without lowering the transparency in the low refractive index layer.

또한, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체를 구성하기에 있어서, (B)성분으로서의 실리카 미립자가 중공 실리카 미립자인 것이 바람직하다.In forming the transparent conductive layer-forming laminate of the present invention, the fine silica particles as the component (B) are preferably hollow silica fine particles.

이와 같이 구성함에 의해, 실리카 미립자의 굴절률이 더 저하하므로, 적은 배합량이어도 보다 효율적으로 저굴절률층의 굴절률을 소정의 굴절률로 조정할 수 있다.By such a constitution, the refractive index of the silica fine particles is further lowered, so that even if the amount is small, the refractive index of the low refractive index layer can be adjusted to a predetermined refractive index more efficiently.

또한, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체를 구성하기에 있어서, (B)성분으로서의 실리카 미립자가 반응성 실리카 미립자인 것이 바람직하다.In forming the transparent conductive layer-forming laminate of the present invention, it is preferable that the fine silica particles as the component (B) are reactive fine silica particles.

이와 같이 구성함에 의해, 저굴절률층에 대하여 실리카 미립자를 강고하게 고정할 수 있으므로, 보다 효과적으로 내에칭성을 향상시킬 수 있다.By such a constitution, since the silica fine particles can be firmly fixed to the low refractive index layer, the etching resistance can be improved more effectively.

또한, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체를 구성하기에 있어서, (A)성분으로서의 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지의 일부를 구성하는 발수성 수지가, 불소 수지인 것이 바람직하다.In forming the transparent conductive layer-forming laminate of the present invention, the water-repellent resin constituting a part of the active energy ray-curable resin containing the water-repellent resin as the component (A) is preferably a fluorine resin.

이와 같이 구성함에 의해, 저굴절률층에 있어서의 실리카 미립자를 보다 효과적으로 보호할 수 있으므로, 더 효과적으로 내에칭성을 향상시킬 수 있음과 함께, 저굴절률층의 굴절률을 보다 효과적으로 소정의 범위까지 저하시킬 수 있다.By such a constitution, it is possible to more effectively protect the fine silica particles in the low refractive index layer, so that the etching resistance can be more effectively improved and the refractive index of the low refractive index layer can be lowered more effectively to a predetermined range have.

또한, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체를 구성하기에 있어서, 저굴절률층에 있어서의 표면 자유 에너지를 37mN/m 이상의 값으로 하는 것이 바람직하다.In forming the transparent conductive layer-forming laminate of the present invention, the surface free energy in the low refractive index layer is preferably set to a value of 37 mN / m or more.

이와 같이 구성함에 의해, 내에칭성을 향상시키면서도, 저굴절률층에 요구되는 투명 도전층 등에 대한 소정의 밀착성을 보다 효과적으로 얻을 수 있다.By such a constitution, it is possible to more effectively obtain the predetermined adhesion to the transparent conductive layer or the like required for the low refractive index layer while improving the etching resistance.

또한, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체를 구성하기에 있어서, 저굴절률층의 막두께를 20∼150㎚의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.In forming the transparent conductive layer-forming laminate of the present invention, it is preferable that the film thickness of the low refractive index layer is within a range of 20 to 150 nm.

이와 같이 구성함에 의해, 충분한 내에칭성을 얻을 수 있고, 이에 따라, 과혹한 에칭 처리 조건을 거쳐도, 투명 도전층의 패턴 형상을 보다 안정적으로 불가시화할 수 있다.With this structure, sufficient etching resistance can be obtained, and accordingly, the pattern shape of the transparent conductive layer can be more stably prevented even under a severe etching treatment condition.

또한, 본 발명의 다른 태양은, 기재 필름의 적어도 한쪽의 표면에 광학 조정층과, 투명 도전층을 순서대로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름으로서, 광학 조정층이, 기재 필름 측으로부터, 굴절률이 1.6 이상의 값인 고굴절률층과, 굴절률이 1.45 이하의 값인 저굴절률층을 순서대로 적층하여 이루어짐과 함께, 저굴절률층이, 하기 (A)∼(B)성분을 포함하는 저굴절률층 형성용 조성물을 광경화하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a transparent conductive film comprising an optical adjustment layer and a transparent conductive layer laminated in order on at least one surface of a base film, wherein the optical adjustment layer has a refractive index of 1.6 or more And a low refractive index layer having a refractive index of 1.45 or less are stacked in this order, and the low refractive index layer is formed by laminating a composition for forming a low refractive index layer, which comprises the following components (A) to (B) Wherein the transparent conductive film is a transparent conductive film.

(A) 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부(A) 100 parts by weight of an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin

(B) 실리카 미립자 2∼120중량부(B) 2 to 120 parts by weight of fine silica particles

즉, 본 발명의 투명 도전성 필름이면, 소정의 투명 도전층 형성용 적층체를 사용하므로, 저굴절률층에 있어서의 내에칭성이 뛰어나며, 과혹한 에칭 처리를 거쳐도, 투명 도전층의 패턴 형상을 안정적으로 불가시화할 수 있고, 또한, 투명 도전층 등에 대한 뛰어난 밀착성을 얻을 수 있다.That is, in the case of the transparent conductive film of the present invention, since the laminate for forming a predetermined transparent conductive layer is used, the low-refractive index layer has excellent etching resistance, and even if a severe etching process is performed, It can be stably incapacitated and excellent adhesion to the transparent conductive layer and the like can be obtained.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름을 구성하기에 있어서, 투명 도전층이, 에칭에 의해 패턴화되어 있는 것이 바람직하다.In forming the transparent conductive film of the present invention, it is preferable that the transparent conductive layer is patterned by etching.

이와 같이 구성했을 경우여도, 저굴절률층에 있어서의 내에칭성이 뛰어남에 의해, 투명 도전층의 패턴 형상을 안정적으로 불가시화할 수 있다.Even in this case, since the etching resistance in the low refractive index layer is excellent, the pattern shape of the transparent conductive layer can be stably invisible.

도 1(a)∼(b)는, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체의 구성을 설명하기 위해서 제공하는 도면.
도 2는, 실리카 미립자의 배합량과, 저굴절률층에 있어서의 내에칭성 및 표면 자유 에너지와의 관계를 설명하기 위해서 제공하는 도면.
도 3은, 본 발명의 투명 도전성 필름의 구성을 설명하기 위해서 제공하는 도면.
1 (a) and 1 (b) are diagrams for explaining the structure of a laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention.
Fig. 2 is a view for explaining the relationship between the blending amount of the fine silica particles and the etching resistance and surface free energy in the low refractive index layer. Fig.
Fig. 3 is a view for explaining the structure of the transparent conductive film of the present invention. Fig.

[제1 실시형태][First Embodiment]

본 발명의 제1 실시형태는, 도 1(a)에 나타낸 바와 같이, 기재 필름(4)의 적어도 한쪽의 표면에 광학 조정층(2)을 갖는 투명 도전층 형성용 적층체(10)로서, 광학 조정층(2)이, 기재 필름(4)의 측으로부터, 굴절률이 1.6 이상의 값인 고굴절률층(2b)과, 굴절률이 1.45 이하의 값인 저굴절률층(2a)을 순서대로 적층하여 이루어짐과 함께, 저굴절률층(2a)이, 하기 (A)∼(B)성분을 포함하는 저굴절률층 형성용 조성물을 광경화하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전층 형성용 적층체(10)이다.The first embodiment of the present invention is a laminated body 10 for forming a transparent conductive layer having an optical adjustment layer 2 on at least one surface of a base film 4 as shown in Fig. The optical adjusting layer 2 is formed by laminating a high refractive index layer 2b having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index layer 2a having a refractive index of 1.45 or less in this order from the side of the base film 4 , And the low refractive index layer (2a) are obtained by photo-curing a composition for forming a low refractive index layer containing the following components (A) to (B).

(A) 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부(A) 100 parts by weight of an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin

(B) 실리카 미립자 2∼120중량부(B) 2 to 120 parts by weight of fine silica particles

또, 도 1(a)에 있어서는, 기재 필름(4)의 양면에 하드 코팅층(3)을 갖는 태양의 투명 도전층 형성용 적층체(10)를 일례로서 나타내고 있지만, 하드 코팅층(3)은 생략할 수 있다.1 (a), the transparent conductive layer-forming laminate 10 having the hard coat layer 3 on both sides of the base film 4 is shown as an example. However, the hard coat layer 3 is omitted can do.

또한, 도 1(a)에 있어서, 각 층 중의 입자는, 실리카 미립자나 금속 산화물 입자를 나타낸다.Further, in Fig. 1 (a), the particles in each layer represent silica fine particles or metal oxide particles.

이하, 본 발명의 제1 실시형태를, 도면을 적의 참조하여, 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

1. 기재 필름1. Base film

(1) 종류(1) Type

기재 필름의 종류로서는, 특히 제한되는 것은 아니며, 광학용 기재로서 공지의 기재 필름을 사용할 수 있다.The type of the base film is not particularly limited, and a known base film may be used as the optical base material.

예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프타레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 셀로판, 디아세틸셀룰로오스 필름, 트리아세틸셀룰로오스 필름, 아세틸셀룰로오스부티레이트 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리비닐알코올 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리설폰 필름, 폴리에테르에테르케톤 필름, 폴리에테르설폰 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름, 폴리아미드 필름, 아크릴 수지 필름, 노르보르넨계 수지 필름, 시클로올레핀 수지 필름 등의 플라스틱 필름을 바람직하게 들 수 있다.For example, a polyester film such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate and polyethylene naphthalate (PEN), a polyethylene film, a polypropylene film, a cellophane, a diacetylcellulose film, a triacetylcellulose film, Polyvinylidene chloride film, polyvinyl alcohol film, ethylene-vinyl acetate copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polymethylpentene film, polysulfone film, polyetheretherketone film, poly A plastic film such as an ether sulfone film, a polyether imide film, a polyimide film, a fluororesin film, a polyamide film, an acrylic resin film, a norbornene resin film, and a cycloolefin resin film.

또한, 이들 중에서도, 내열성의 관점에서, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 노르보르넨계 수지 필름, 시클로올레핀 수지 필름인 것이 보다 바람직하다.Among these, from the viewpoint of heat resistance, a polyester film, a polycarbonate film, a polyimide film, a norbornene resin film, and a cycloolefin resin film are more preferable.

또한, 투명성 및 필름 강도와 유연성의 양립의 관점에서, 특히 PET 필름인 것이 바람직하다.In addition, from the viewpoint of achieving both transparency and film strength and flexibility, a PET film is particularly preferable.

(2) 막두께(2) Thickness

또한, 기재 필름의 막두께를 20∼200㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.It is also preferable that the film thickness of the base film is within a range of 20 to 200 mu m.

이 이유는, 기재 필름의 막두께가 20㎛ 미만의 값이 되면, 기재 필름의 강도가 저하함에 의해, 광학 조정층에 있어서의 투명 도전층의 존재 부분과 비존재 부분에서의 어닐 처리 시의 휨의 발생을 효과적으로 억제할 수 없어지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 기재 필름의 막두께가 200㎛를 초과한 값이 되면, 기재 필름에 있어서의 투명성 등의 광학 특성이 악화하는 경우가 있기 때문이다.This is because when the film thickness of the base film is less than 20 占 퐉, the strength of the base film is lowered, so that the deflection during the annealing process in the presence and absence of the transparent conductive layer in the optical adjustment layer Can not be effectively suppressed from occurring. On the other hand, if the film thickness of the base film exceeds 200 탆, optical properties such as transparency in the base film may deteriorate.

따라서, 기재 필름의 막두께를 30∼180㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하고, 50∼150㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the thickness of the base film is more preferably in the range of 30 to 180 占 퐉, and more preferably in the range of 50 to 150 占 퐉.

또, 「어닐 처리」란, 투명 도전성 필름에 있어서의 투명 도전층의 전기 전도도를 향상시키기 위해서, 투명 도전층 형성용 적층체 상에 적층된 상태의 투명 도전층을 가열 처리에 의해 결정화하는 처리를 의미한다.The term " annealing treatment " refers to a treatment for crystallizing a transparent conductive layer in a laminated state on a laminate for forming a transparent conductive layer by heat treatment in order to improve the electrical conductivity of the transparent conductive layer in the transparent conductive film it means.

2. 하드 코팅층2. Hard coating layer

도 1(a)에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체(10)를 구성하기에 있어서, 기재 필름(4)의 양면 혹은 편면에 하드 코팅층(3)을 마련하는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 1 (a), in forming the transparent conductive layer-forming laminate 10 of the present invention, it is preferable to provide the hard coat layer 3 on both sides or one side of the base film 4 .

이 이유는, 이러한 하드 코팅층을 마련함에 의해, 투명 도전층 형성용 적층체의 제조 공정에 있어서, 기재 필름에 내찰상성을 부여하고, 광학 특성이 저하하는 것을 방지할 수 있는 것 외에, 기재 필름을 롤상으로 권취했을 경우에 기재 필름끼리가 첩부하는 현상이 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문이다(이하, 이러한 효과를 「안티블록킹성」이라고 하는 경우가 있음).The reason for this is that by providing such a hard coating layer, it is possible to prevent scratching of the base film and deterioration of optical properties in the production process of the laminate for forming a transparent conductive layer, This is because it is possible to suppress occurrence of a phenomenon in which the base films adhere to each other when the film is rolled up in a roll (hereinafter, this effect is sometimes referred to as " anti-blocking property ").

(1) 재료 물질(1) Material materials

또한, 하드 코팅층이, 재료 물질로서 실리카 미립자 및 활성 에너지선 경화성 수지를 포함하는 조성물의 경화물로 이루어지는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the hard coat layer is composed of a cured product of a composition containing fine silica particles and an active energy ray-curable resin as a material.

이 이유는, 실리카 미립자 및 활성 에너지선 경화성 수지를 포함함에 의해, 안티블록킹성을 부여할 수 있기 때문에, 권취성의 향상을 기대할 수 있을 뿐만 아니라, 하드 코팅층의 상층인 고굴절률층과의 밀착성에 대해서도 향상시켜서, 강고하게 적층시킬 수 있기 때문이다.This is because the anti-blocking property can be imparted by including the silica fine particles and the active energy ray-curable resin, so that not only the improvement in the winding property can be expected but also the adhesiveness with the high refractive index layer as the upper layer of the hard coat layer So that it can be stacked strongly.

(1)-1 활성 에너지선 경화성 수지(1) -1 active energy ray curable resin

또한, 하드 코팅층의 형성에 사용되는 활성 에너지선 경화성 수지란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것, 즉, 자외선 또는 전자선 등을 조사함에 의해, 가교, 경화하는 중합성 화합물을 의미하고, 예를 들면, 광중합성 프리폴리머나 광중합성 모노머를 들 수 있다.The active energy ray-curable resin used for forming the hard coat layer means a polymerizable compound having both energy in an electromagnetic wave or a charged particle beam, that is, a polymerizable compound which is crosslinked or cured by irradiation with ultraviolet rays or electron beams, Examples thereof include a photopolymerizable prepolymer and a photopolymerizable monomer.

또한, 상술한 광중합성 프리폴리머에는, 라디칼 중합형과 양이온 중합형이 있으며, 라디칼 중합형의 광중합성 프리폴리머로서는, 폴리에스테르아크릴레이트계, 에폭시아크릴레이트계, 우레탄아크릴레이트계, 폴리올아크릴레이트계 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerizable prepolymer include radical polymerization type and cation polymerization type. Examples of the radically polymerizable type photopolymerizable prepolymer include polyester acrylate type, epoxy acrylate type, urethane acrylate type, polyol acrylate type, and the like. .

또한, 폴리에스테르아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 예를 들면, 다가 카르복시산과 다가 알코올과의 축합에 의해 얻어지는 양말단에 수산기를 갖는 폴리에스테르 올리고머의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화함에 의해, 혹은, 다가 카르복시산에 알킬렌옥사이드를 부가하여 얻어지는 올리고머의 말단의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화함에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.The polyester acrylate-based prepolymer may be obtained by, for example, esterifying a hydroxyl group of a polyester oligomer having a hydroxyl group at both ends with condensation of a polyhydric carboxylic acid and a polyhydric alcohol with (meth) acrylic acid, And a compound obtained by esterifying the terminal hydroxyl group of an oligomer obtained by adding an alkylene oxide to a carboxylic acid with (meth) acrylic acid.

또한, 에폭시아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 예를 들면, 비교적 저분자량의 비스페놀형 에폭시 수지나 노볼락형 에폭시 수지의 옥실란환에, (메타)아크릴산으로 에스테르화함에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.Examples of the epoxy acrylate-based prepolymer include compounds obtained by esterification with oxirane rings of a relatively low molecular weight bisphenol-type epoxy resin or novolak-type epoxy resin with (meth) acrylic acid.

또한, 우레탄아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 예를 들면, 폴리에테르폴리올이나 폴리에스테르폴리올과 폴리이소시아네이트의 반응에 의해 얻어지는 폴리우레탄 올리고머를, (메타)아크릴산으로 에스테르화함에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.Examples of the urethane acrylate-based prepolymer include compounds obtained by esterifying a polyurethane oligomer obtained by the reaction of a polyether polyol or a polyester polyol with a polyisocyanate with (meth) acrylic acid.

또한, 폴리올아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 폴리에테르폴리올의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화함에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.Examples of the polyol acrylate-based prepolymer include compounds obtained by esterifying a hydroxyl group of a polyether polyol with (meth) acrylic acid.

또, 이들의 중합성 프리폴리머는 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.These polymerizable prepolymers may be used singly or in combination of two or more kinds.

한편, 양이온 중합형의 광중합성 프리폴리머로서는, 통상, 에폭시계 수지가 사용된다.On the other hand, as the cationic polymerization type photopolymerizable prepolymer, an epoxy resin is usually used.

이러한 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 수지나 노볼락 수지 등의 다가 페놀류에 에피클로로히드린 등에서 에폭시화하여 얻어지는 화합물, 직쇄상 올레핀 화합물이나 환상 올레핀 화합물을 과산화물 등으로 산화하여 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of such epoxy resins include compounds obtained by epoxidizing polyvalent phenols such as bisphenol resin and novolac resin with epichlorohydrin or the like, compounds obtained by oxidizing a linear olefin compound or cyclic olefin compound with a peroxide or the like .

또한, 광중합성 모노머로서는, 예를 들면, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메타)아크릴레이트, 알릴화시클로헥실디(메타)아크릴레이트, 이소시아누레이트디(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 다관능 아크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the photopolymerizable monomer include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di Acrylate, neopentyl glycol adipate di (meth) acrylate, hydroxypivalic acid neopentyl glycol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate, caprolactone modified dicyclopentenyl di Acrylate, isocyanurate di (meth) acrylate, propionic acid-modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, ethylene oxide modified di (meth) acrylate, allylated cyclohexyl di (Meth) acrylate, propylene oxide-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, propionic acid And polyfunctional acrylates such as modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and caprolactone modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate.

또, 이들의 광중합성 모노머는 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.These photopolymerizable monomers may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

(1)-2 광중합개시제(1) -2 Photopolymerization initiator

또한, 활성 에너지선 경화성 수지를 활성 에너지선, 특히 자외선에 의해 효율적으로 경화할 수 있으므로, 소망에 의해 광중합개시제를 병용하는 것도 바람직하다.Further, since the active energy ray-curable resin can be effectively cured by an active energy ray, particularly ultraviolet rays, it is also preferable to use a photopolymerization initiator in combination with the desired one.

이러한 광중합개시제로서는, 라디칼 중합형의 광중합성 프리폴리머나 광중합성 모노머에 대해서는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아미노아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤, 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디메틸케탈, p-디메틸아민벤조산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of such photopolymerization initiators include radically polymerizable photopolymerizable prepolymers and photopolymerizable monomers such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether, Benzoin isobutyl ether, acetophenone, dimethylaminoacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy- Propan-1-one, 4- (2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino- (Hydroxy-2-propyl) ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, dichlorobenzophenone, 2- Ethyl anthraquinone, 2-tert-butyl anthraquinone, 2-amino anthraquinone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2- chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, Thio Tone, and the like benzyl dimethyl ketal, acetophenone dimethyl ketal, p- dimethylamine benzoic acid ester.

또한, 양이온 중합형의 광중합성 프리폴리머에 대한 광중합개시제로서는, 예를 들면, 방향족 설포늄 이온, 방향족 옥소설포늄 이온, 방향족 요오도늄 이온 등의 오늄과, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트, 헥사플루오로안티모네이트, 헥사플루오로아르세네이트 등의 음이온으로 이루어지는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator for the cationic polymerization-type photopolymerizable prepolymer include an onium such as an aromatic sulfonium ion, an aromatic oxosulfonium ion, and an aromatic iodonium ion, and a photopolymerization initiator such as tetrafluoroborate, hexafluorophosphate, Hexafluoroarsenate, hexafluoroantimonate, hexafluoroarsenate and the like, and the like.

또, 이들은 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.These may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

또한, 광중합개시제의 배합량으로서는, 상술한 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 0.2∼10중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하고, 1∼5중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하다.The blending amount of the photopolymerization initiator is preferably within a range of 0.2 to 10 parts by weight, more preferably within a range of 1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the above-mentioned active energy ray curable resin.

(1)-3 실리카 미립자(1) -3 Silica fine particles

또한, 실리카 미립자로서는, 중합성 불포화기 함유 유기 화합물이 결합한 실리카 미립자, 혹은, 이러한 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 갖지 않는 통상의 콜로이달 실리카 미립자를 사용할 수 있다.As the silica fine particles, fine silica particles to which an organic compound containing a polymerizable unsaturated group is bonded, or ordinary colloidal silica fine particles which do not have such a polymerizable unsaturated group-containing organic compound can be used.

또한, 중합성 불포화기 함유 유기 화합물이 결합한 실리카 미립자로서는, 체적 평균 입자경(D50)이 0.005∼1㎛ 정도의 실리카 미립자의 표면에 있어서의 실라놀기에, 당해 실라놀기와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 반응시킴에 의해 얻어지는 것을 들 수 있다.As the silica fine particles to which the polymerizable unsaturated group-containing organic compound is bonded, a silanol group on the surface of the fine silica particles having a volume average particle size (D50) of about 0.005 to 1 mu m is preferable. The silanol group having a functional group capable of reacting with the silanol group Containing polymerizable unsaturated group and an organic compound containing a polymerizable unsaturated group.

또, 상술한 중합성 불포화기로서는, 예를 들면, 라디칼 중합성의 아크릴로일기나 메타크릴로일기 등을 들 수 있다.Examples of the above-mentioned polymerizable unsaturated group include a radical polymerizable acryloyl group and a methacryloyl group.

또한, 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 갖지 않는 통상의 콜로이달 실리카 미립자로서는, 체적 평균 입자경이 0.005∼1㎛ 정도, 바람직하게는 0.01∼0.2㎛ 정도의 실리카 미립자가, 알코올계나 셀로솔브계의 유기 용제 중에 콜로이드 상태로 현탁하여 이루어지는 콜로이달 실리카를 호적하게 사용할 수 있다.As the conventional colloidal silica fine particles not having the polymerizable unsaturated group-containing organic compound, silica fine particles having a volume average particle diameter of about 0.005 to 1 mu m, preferably about 0.01 to 0.2 mu m, Colloidal silica formed by suspending in a colloidal state in a solvent can be suitably used.

또, 실리카 미립자의 평균 입경은, 예를 들면, 제타 전위 측정법에 의해 요구할 수 있는 것 외에, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치를 사용하여 구할 수도 있고, 또한, SEM 화상을 근거로 구할 수도 있다.The average particle size of the fine silica particles can be obtained by using, for example, a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, which can be required by, for example, a zeta potential measurement method, or based on an SEM image.

또한, 실리카 미립자의 배합량으로서는, 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 5∼400중량부인 것이 바람직하고, 20∼150중량부인 것이 보다 바람직하고, 30∼100중량부인 것이 더 바람직하다.The blending amount of the fine silica particles is preferably 5 to 400 parts by weight, more preferably 20 to 150 parts by weight, and still more preferably 30 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the active energy ray curable resin.

(2) 하드 코팅층 형성용 조성물(2) Composition for forming hard coat layer

또한, 하드 코팅층은, 하드 코팅층 형성용 조성물을 미리 조제하고, 후술과 같이 도포·건조하고, 경화함에 의해 형성되는 것이 바람직하다.The hard coat layer is preferably formed by preparing a composition for forming a hard coat layer, coating, drying and curing as described below.

당해 조성물은, 필요에 따라, 적당한 용매 중에 활성 에너지선 경화성 수지, 광중합개시제, 실리카 미립자, 및 소망에 의해 사용되는 각종 첨가 성분을, 각각 소정의 비율로 첨가하고, 용해 또는 분산시킴에 의해 조제할 수 있다.The composition is prepared by adding, if necessary, an active energy ray-curable resin, a photopolymerization initiator, fine silica particles, and various additive components to be used in desired proportions in predetermined ratios, and dissolving or dispersing them .

또, 각종 첨가 성분으로서는, 예를 들면, 산화 방지제, 자외선 흡수제, (근)적외선 흡수제, 실란계 커플링제, 광안정제, 레벨링제, 대전 방지제, 소포제 등을 들 수 있다.Examples of various additives include antioxidants, ultraviolet absorbers, (near) infrared absorbers, silane coupling agents, light stabilizers, leveling agents, antistatic agents and antifoaming agents.

또한, 사용하는 용매로서는, 예를 들면, 헥산, 헵탄 등의 지방족 탄화수소, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소, 염화메틸렌, 염화에틸렌 등의 할로겐화탄화수소, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-펜탄온, 이소포론, 시클로헥산온 등의 케톤, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르, 에틸셀로솔브 등의 셀로솔브계 용제 등을 들 수 있다.Examples of the solvent to be used include aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, halogenated hydrocarbons such as methylene chloride and ethylene chloride, alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, , Ketones such as methyl ethyl ketone, 2-pentanone, isophorone and cyclohexanone, esters such as ethyl acetate and butyl acetate, and cellosolve solvents such as ethyl cellosolve.

이와 같이 하여 조제된 하드 코팅층 형성용 조성물의 농도, 점도로서는, 코팅 가능한 것이면 되며, 특히 한정되지 않고, 상황에 따라 적의 선정할 수 있다.The concentration and viscosity of the composition for forming a hard coat layer prepared as described above are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the situation.

따라서, 통상, 얻어지는 하드 코팅층 형성용 조성물의 막두께를 소정의 범위로 조절하기 쉬운 관점에서, 고형분 농도 0.05∼10중량%가 되도록 희석하는 것이 바람직하고, 0.1∼8중량%가 되도록 희석하는 것이 보다 바람직하다.Therefore, from the viewpoint of easily adjusting the film thickness of the composition for forming a hard coat layer to be obtained in a predetermined range, it is preferable to dilute the composition so as to have a solid concentration of 0.05 to 10 wt%, and dilute to 0.1 to 8 wt% desirable.

(3) 막두께(3) Thickness

또한, 하드 코팅층의 막두께를 1∼15㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.The thickness of the hard coat layer is preferably in the range of 1 to 15 占 퐉.

이 이유는, 하드 코팅층의 막두께가 1㎛ 미만의 값이 되면, 어닐 처리에 의한 기재 필름의 열수축에 대한 유지 기능이 불충분해지고, 컬의 발생을 억제할 수 없게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 하드 코팅층의 막두께가 15㎛를 초과한 값이 되면, 어닐 처리에 의해 하드 코팅층으로부터 아웃 가스가 발생하기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.The reason for this is that when the film thickness of the hard coat layer is less than 1 占 퐉, the holding function for thermal shrinkage of the base film by the annealing process becomes insufficient and the occurrence of curling can not be suppressed in some cases. On the other hand, when the film thickness of the hard coat layer exceeds 15 mu m, outgassing from the hard coat layer is likely to occur due to the annealing process.

따라서, 하드 코팅층의 막두께를 1.5∼10㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하고, 2∼5㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the thickness of the hard coat layer is more preferably in the range of 1.5 to 10 mu m, and more preferably in the range of 2 to 5 mu m.

3. 광학 조정층3. Optical adjustment layer

(1) 고굴절률층(1) High refractive index layer

(1)-1 굴절률(1) -1 Refractive index

고굴절률층의 굴절률을 1.6 이상의 값으로 하는 것을 특징으로 한다.And the refractive index of the high refractive index layer is set to a value of 1.6 or more.

이 이유는, 고굴절률층의 굴절률이 1.6 미만의 값이 되면, 저굴절률층과의 유의한 굴절률차가 얻어지지 않게 되고, 투명 도전층의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 고굴절률층의 굴절률이 과도하게 큰 값이 되면, 고굴절률층의 막이 취약해지는 경우가 있기 때문이다.This is because, when the refractive index of the high refractive index layer is less than 1.6, a difference in refractive index with respect to the low refractive index layer is not obtained, and the pattern shape of the transparent conductive layer is likely to be visually recognized. On the other hand, when the refractive index of the high refractive index layer becomes excessively large, the film of the high refractive index layer may become fragile.

따라서, 고굴절률층의 굴절률을 1.61∼2의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하고, 1.63∼1.8의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the refractive index of the high refractive index layer is more preferably in the range of 1.61 to 2, more preferably in the range of 1.63 to 1.8.

(1)-2 재료 물질(1) -2 material material

또한, 고굴절률층이, 재료 물질로서의 금속 산화물 미립자 및 활성 에너지선 경화성 수지를 포함하는 조성물의 경화물로 이루어지는 것이 바람직하다.It is also preferable that the high refractive index layer is composed of a cured product of a composition comprising metal oxide fine particles as a material and an active energy ray curable resin.

이 이유는, 금속 산화물 미립자 및 활성 에너지선 경화성 수지를 포함함에 의해, 고굴절률층에 있어서의 굴절률의 조정이 용이해지기 때문이다.This is because the inclusion of the metal oxide fine particles and the active energy ray-curable resin facilitates adjustment of the refractive index in the high refractive index layer.

또한, 금속 산화물의 종류는, 산화탄탈륨, 산화아연, 산화인듐, 산화하프늄, 산화세륨, 산화주석, 산화니오븀, 인듐주석 산화물(ITO), 안티몬주석 산화물(ATO) 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the metal oxide include tantalum oxide, zinc oxide, indium oxide, hafnium oxide, cerium oxide, tin oxide, niobium oxide, indium tin oxide (ITO), and antimony tin oxide (ATO).

또한, 투명성을 저하시키지 않고 고굴절률화를 실현하는 관점에서, 산화티타늄 및 산화지르코늄으로부터 선택되는 적어도 1종류인 것이 특히 바람직하다.From the viewpoint of realizing high refractive index without lowering transparency, it is particularly preferable that at least one kind selected from titanium oxide and zirconium oxide is used.

또, 이들의 금속 산화물은, 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.These metal oxides may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

또한, 금속 산화물 미립자의 체적 평균 입자경(D50)은, 0.005㎛∼1㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.The volume average particle diameter (D50) of the metal oxide fine particles is preferably in the range of 0.005 mu m to 1 mu m.

또, 금속 산화물 미립자의 체적 평균 입자경(D50)은, 예를 들면, 제타 전위 측정법을 사용한 측정법에 의해 구할 수 있는 것 외에, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치를 사용하여 구할 수도 있고, 또한, SEM 화상을 근거로 구할 수도 있다.The volume average particle size (D50) of the metal oxide fine particles can be determined by, for example, a measurement method using a zeta potential measurement method, a laser diffraction scattering type particle size distribution measurement device, a SEM It can also be based on images.

또한, 고굴절률층에 사용되는 활성 에너지선 경화성 수지 및 광중합개시제로서는, 하드 코팅층의 설명에서 예시한 것을 적의 사용할 수 있다.The active energy ray-curable resin and the photopolymerization initiator used in the high refractive index layer may be those exemplified in the description of the hard coat layer.

또한, 금속 산화물 미립자의 배합량으로서는, 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 20∼2000중량부인 것이 바람직하고, 80∼1000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼400중량부인 것이 더 바람직하다.The blending amount of the metal oxide fine particles is preferably 20 to 2000 parts by weight, more preferably 80 to 1,000 parts by weight, and further preferably 150 to 400 parts by weight, based on 100 parts by weight of the active energy ray curable resin.

(1)-3 고굴절률층 형성용 조성물(1) -3 composition for forming a high refractive index layer

또한, 고굴절률층은, 고굴절률층 형성용의 조성물을 미리 조제하고, 후술과 같이 도포·건조하고, 경화함에 의해 형성되는 것이 바람직하다.It is preferable that the high refractive index layer is formed by preparing a composition for forming a high refractive index layer in advance, coating, drying and curing as described below.

당해 조성물은, 필요에 따라, 적당한 용매 중에 활성 에너지선 경화성 수지, 광중합개시제, 금속 산화물 미립자, 및 소망에 의해 사용되는 각종 첨가 성분을, 각각 소정의 비율로 가하고, 용해 또는 분산시킴에 의해 조제할 수 있다.The composition is prepared by adding, if necessary, an active energy ray-curable resin, a photopolymerization initiator, a metal oxide fine particle, and various additive components to be used by a desired ratio in a suitable solvent, and dissolving or dispersing .

또, 각종 첨가 성분, 용매, 고굴절률층 형성용의 조성물의 농도 등에 대해서는, 하드 코팅층의 설명에 있어서의 내용과 같다.The concentration of the various additives, the solvent, the composition for forming the high refractive index layer, and the like are the same as those in the description of the hard coat layer.

(1)-4 막두께(1) -4 film thickness

또한, 고굴절률층의 막두께를 20∼130㎚로 하는 것이 바람직하다.The thickness of the high refractive index layer is preferably 20 to 130 nm.

이 이유는, 고굴절률층의 막두께가 20㎚ 미만의 값이 되면, 고굴절률층의 막이 취약해져, 층의 형상을 유지할 수 없게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 고굴절률층의 막두께 130㎚를 초과한 값이 되면, 투명 도전층의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.This is because when the film thickness of the high refractive index layer is less than 20 nm, the film of the high refractive index layer becomes fragile and the shape of the layer can not be maintained. On the other hand, when the film thickness of the high refractive index layer exceeds 130 nm, the pattern shape of the transparent conductive layer tends to be visually recognized.

따라서, 고굴절률층의 막두께를 23∼120㎚로 하는 것이 보다 바람직하고, 30∼110㎚로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the film thickness of the high refractive index layer is more preferably 23 to 120 nm, and more preferably 30 to 110 nm.

(2) 저굴절률층(2) Low Refractive Index Layer

(2)-1 굴절률(2) -1 Refractive index

저굴절률층의 굴절률을 1.45 이하의 값으로 하는 것을 특징으로 한다.And the refractive index of the low refractive index layer is set to a value of 1.45 or less.

이 이유는, 저굴절률층의 굴절률이 1.45를 초과한 값이 되면, 고굴절률층과의 유의한 굴절률차가 얻어지지 않게 되고, 투명 도전층의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 저굴절률층의 굴절률이 과도하게 작은 값이 되면, 저굴절률층의 막이 취약해지는 경우가 있기 때문이다.This is because, when the refractive index of the low refractive index layer exceeds 1.45, a difference in refractive index with respect to the high refractive index layer is not obtained, and the pattern shape of the transparent conductive layer is likely to be visually recognized. On the other hand, if the refractive index of the low refractive index layer becomes excessively small, the film of the low refractive index layer may become fragile.

따라서, 저굴절률층의 굴절률을 1.3∼1.44의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하고, 1.35∼1.43의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the refractive index of the low refractive index layer is more preferably in the range of 1.3 to 1.44, and more preferably in the range of 1.35 to 1.43.

(2)-2 재료 물질(2) -2 material material

또한, 본 발명에 있어서의 저굴절률층은, 재료 물질로서 하기 (A)∼(B)성분을 포함하는 저굴절률층 형성용 조성물을 광경화하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The low refractive index layer in the present invention is characterized in that a composition for forming a low refractive index layer containing the following components (A) to (B) as a material is photocured.

(A) 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부(A) 100 parts by weight of an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin

(B) 실리카 미립자 2∼120중량부(B) 2 to 120 parts by weight of fine silica particles

이 이유는, 저굴절률층을 형성할 때에 사용하는 저굴절률층 형성용 조성물이, 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지에 대하여, 실리카 미립자를 비교적 적은 범위로 포함함에 의해, 과혹한 알칼리 처리를 포함하는 에칭 처리를 행했을 경우여도, 저굴절률층에 있어서의 실리카 미립자가 녹거나, 탈락하거나 하는 것을 효과적으로 억제할 수 있기 때문이다.This is because the composition for forming a low refractive index layer used for forming the low refractive index layer contains a relatively small amount of silica fine particles in the active energy ray curable resin containing a water repellent resin, It is possible to effectively prevent the fine silica particles in the low refractive index layer from melting or falling off.

보다 구체적으로는, 도 1(a)에 나타낸 바와 같이, 저굴절률층(2a)에 있어서의 실리카 미립자의 배합량이 적을 경우, 수지로 이루어지는 매트릭스 부분의 존재 비율이 많아지기 때문에, 과혹한 알칼리 처리를 행했을 경우여도, 실리카 미립자가 매트릭스 부분에 효과적으로 보호되어, 녹거나, 탈락하거나 하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.More specifically, as shown in Fig. 1 (a), when the blending amount of the fine silica particles in the low refractive index layer 2a is small, the presence of the matrix portion made of resin becomes large, It is possible to effectively prevent the silica fine particles from being effectively protected, melted, or dropped out of the matrix portion.

한편, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 저굴절률층(2a')에 있어서의 실리카 미립자의 배합량이 많을 경우, 수지로 이루어지는 매트릭스 부분의 존재 비율이 적어지기 때문에, 과혹한 알칼리 처리를 행했을 경우에는, 실리카 미립자가 매트릭스 부분에 의해 충분하게 보호되지 않고, 녹거나, 탈락하거나 하기 쉬워진다.On the other hand, as shown in Fig. 1 (b), when the blending amount of the fine silica particles in the low refractive index layer 2a 'is large, the presence of the matrix portion made of resin becomes small, , The silica fine particles are not sufficiently protected by the matrix portion, and it becomes easy to melt or fall off.

또한, 실리카 미립자의 배합량을 비교적 적은 범위로 함에 의해 증가하게 되는 저굴절률층의 굴절률을, 굴절률이 비교적 낮은 발수성 수지에 의해, 소정의 범위까지 저하시켜, 저굴절률층에 요구되는 소정의 굴절률을 얻을 수 있다.The refractive index of the low refractive index layer, which is increased by adding the silica fine particles in a relatively small range, is lowered to a predetermined range by a water repellent resin having a relatively low refractive index to obtain a predetermined refractive index required for the low refractive index layer .

그 결과, 굴절률 조정층 상에 형성되는 투명 도전층의 패턴 형상을 안정적으로 불가시화할 수 있다.As a result, the pattern shape of the transparent conductive layer formed on the refractive index adjustment layer can be stably invisible.

또한, 발수성 수지를 포함함에 의해 저하하게 되는 저굴절률층의 표면 자유 에너지를, 실리카 미립자에 의해 형성되는 미세한 표면 요철에 의해, 소정의 범위까지 증가시켜, 굴절률층에 요구되는 투명 도전층 등에 대한 소정의 밀착성을 얻을 수 있다.Further, the surface free energy of the low refractive index layer, which is lowered by the inclusion of the water-repellent resin, is increased to a predetermined range by the fine surface irregularities formed by the fine silica particles, Can be obtained.

이하, 성분마다 설명한다.Each component will be described below.

(i) (A)성분 : 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지(i) Component (A): an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin

(A)성분은, 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지이다.The component (A) is an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin.

이러한 (A)성분을 구성하는 활성 에너지선 경화성 수지로서는, 하드 코팅층의 설명에서 예시한 광중합성 프리폴리머나 광중합성 모노머를 적의 사용할 수 있다.As the active energy ray-curable resin constituting the component (A), the photopolymerizable prepolymer exemplified in the description of the hard coat layer and the photopolymerizable monomer may be used as an enemy.

또한, (A)성분을 구성하는 발수성 수지로서는, 발수성을 갖는 수지이면 특히 제한되는 것은 아니며, 종래 공지의 발수성 수지를 사용할 수 있다.The water repellent resin constituting the component (A) is not particularly limited as long as it is a resin having water repellency, and conventionally known water repellent resins can be used.

보다 구체적으로는, 발수성 수지 단체(單體)로 형성한 수지막에 있어서의 표면 자유 에너지가 10∼30mN/m의 범위 내의 값이면, 본 발명에 있어서의 발수성 수지로서 호적하게 사용할 수 있다.More specifically, if the surface free energy of a resin film formed of a water repellent resin alone is within a range of 10 to 30 mN / m, it can be suitably used as a water repellent resin in the present invention.

또한, 발수성 수지의 구체예로서는, 예를 들면, 실리콘 수지나, 예를 들면, 폴리불화비닐리덴, 불소계 아크릴 수지 및 폴리플루오로에틸렌 등의 불소 수지를 들 수 있다.Specific examples of the water-repellent resin include silicone resins, and fluororesins such as polyvinylidene fluoride, fluorine-based acrylic resin and polyfluoroethylene.

또한, 그 중에서도, 불소 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 특히 반응성 불소 아크릴 수지가 바람직하다.Among them, a fluororesin is preferably used, and a reactive fluororesin is particularly preferable.

이 이유는, 불소 수지이면, 저굴절률층에 있어서의 실리카 미립자를 보다 효과적으로 보호할 수 있으므로, 더 효과적으로 내에칭성을 향상시킬 수 있기 때문이다.This is because if the fluororesin is used, the fine silica particles in the low refractive index layer can be more effectively protected, and the etching resistance can be more effectively improved.

또한, 발수성 수지의 함유량을, (A)성분 전체를 100중량%로 했을 경우에, 50∼90중량%의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.When the content of the water-repellent resin is 100% by weight of the entirety of the component (A), the content is preferably within a range of 50 to 90% by weight.

이 이유는, 발수성 수지의 함유량이 50중량% 미만의 값이 되면, 저굴절률층에 있어서의 실리카 미립자를 효과적으로 보호하는 것이 곤란해지고, 나아가서는 내에칭성을 향상시키는 것이 곤란해질 경우가 있기 때문이다. 또한, 저굴절률층의 굴절률을 충분히 낮은 값으로 하는 것이 곤란해질 경우가 있기 때문이다. 한편, 발수성 수지의 함유량이 90중량%를 초과한 값이 되면, 저굴절률층의 표면 자유 에너지가 과도하게 낮은 값이 되어버려, 굴절률층에 요구되는 투명 도전층 등에 대한 소정의 밀착성을 얻는 것이 곤란해질 경우가 있기 때문이다.This is because when the content of the water-repellent resin is less than 50% by weight, it is difficult to effectively protect the fine silica particles in the low refractive index layer, and furthermore, it may become difficult to improve the etching resistance . This is because it may be difficult to make the refractive index of the low refractive index layer sufficiently low. On the other hand, when the content of the water-repellent resin exceeds 90% by weight, the surface free energy of the low refractive index layer becomes excessively low, and it is difficult to obtain a desired adhesion to the transparent conductive layer or the like required for the refractive index layer This is because there is a case to be made.

따라서, 발수성 수지의 함유량을, (A)성분 전체를 100중량%로 했을 경우에, 60∼85중량%의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하고, 70∼80중량%의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, when the content of the water-repellent resin is 100% by weight based on 100% by weight of the entirety of the component (A), it is more preferably in the range of 60 to 85% by weight, and more preferably in the range of 70 to 80% More preferable.

(ⅱ) (B)성분 : 실리카 미립자(Ii) Component (B): silica fine particles

(B)성분은, 실리카 미립자이다.The component (B) is a silica fine particle.

이러한 실리카 미립자의 종류로서는, 특히 제한되는 것은 아니지만, 중공 실리카 미립자를 사용하는 것이 바람직하다.The kind of such fine silica particles is not particularly limited, but hollow silica fine particles are preferably used.

이 이유는, 중공 실리카 미립자이면, 내부의 중공 부분에 공기를 포함하므로, 실리카 미립자 전체로서의 굴절률이 더 저하하게 되고, 적은 배합량이어도 보다 효율적으로 저굴절률층의 굴절률을 소정의 굴절률로 조정할 수 있기 때문이다.This is because the hollow silica fine particles contain air in the hollow portion inside thereof, so that the refractive index as a whole of the fine silica particles is further lowered and the refractive index of the low refractive index layer can be adjusted to a predetermined refractive index more efficiently even with a small blending amount to be.

또, 「중공 실리카 미립자」란, 입자의 내부에 공동을 갖는 실리카 미립자를 의미한다.The term " hollow silica fine particles " means fine silica particles having cavities inside the particles.

또한, 실리카 미립자가 반응성 실리카 미립자인 것이 바람직하다.The silica fine particles are preferably reactive silica fine particles.

이 이유는, 반응성 실리카 미립자이면, 저굴절률층에 대하여 실리카 미립자를 강고하게 고정할 수 있으므로, 보다 효과적으로 내에칭성을 향상시킬 수 있기 때문이다.This is because the silica fine particles can be firmly fixed to the low refractive index layer in the case of the reactive silica fine particles, so that the etching resistance can be more effectively improved.

또, 「반응성 실리카 미립자」란, 중합성 불포화기 함유 유기 화합물이 결합한 실리카 미립자이며, 실리카 미립자의 표면에 있어서의 실라놀기에, 당해 실라놀기와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 반응시킴에 의해 얻을 수 있다.The term " reactive silica fine particles " is a fine silica particle to which a polymerizable unsaturated group-containing organic compound is bonded, and includes a polymerizable unsaturated group-containing organosiloxane having a functional group capable of reacting with the silanol group, Or by reacting a compound of the formula

또한, 상술한 중합성 불포화기로서는, 예를 들면, 라디칼 중합성의 아크릴로일기나 메타크릴로일기 등을 들 수 있다.Examples of the above polymerizable unsaturated group include radical polymerizable acryloyl groups and methacryloyl groups.

또한, 실리카 미립자의 체적 평균 입자경(D50)을 20∼70㎚의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.The volume average particle diameter (D50) of the fine silica particles is preferably set to a value within a range of 20 to 70 nm.

이 이유는, 실리카 미립자의 체적 평균 입자경(D50)을 이러한 범위 내의 값으로 함에 의해, 저굴절률층에 있어서의 투명성을 저하시키지 않고, 소정의 굴절률을 얻을 수 있기 때문이다.This is because a predetermined refractive index can be obtained without lowering the transparency in the low refractive index layer by setting the volume average particle diameter (D50) of the silica fine particles to a value within this range.

즉, 실리카 미립자의 체적 평균 입자경(D50)이 20㎚ 미만의 값이 되면, 특히 중공 실리카 미립자의 경우, 그 구조상, 입자 내부의 공동부를 충분하게 확보하는 것이 곤란해지고, 저굴절률층의 굴절률을 저하시키는 효과가 불충분해질 경우가 있기 때문이다. 한편, 실리카 미립자의 체적 평균 입자경(D50)이 70㎚를 초과한 값이 되면, 광의 산란이 생기기 쉬워져서, 저굴절률층에 있어서의 투명성이 저하하기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.That is, when the volume average particle size (D50) of the silica fine particles is less than 20 nm, it is difficult to sufficiently secure the cavity inside the particle, particularly in the case of hollow silica fine particles, and the refractive index of the low refractive index layer is lowered This is because there is a case where the effect of causing the problem is insufficient. On the other hand, when the volume average particle size (D50) of the silica fine particles exceeds 70 nm, scattering of light tends to occur, and transparency in the low refractive index layer tends to be lowered.

따라서, 실리카 미립자의 체적 평균 입자경(D50)을 30∼60㎚의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하고, 40∼50㎚의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the volume average particle diameter (D50) of the fine silica particles is more preferably in the range of 30 to 60 nm, and more preferably in the range of 40 to 50 nm.

또, 실리카 미립자의 체적 평균 입자경(D50)은, 예를 들면, 제타 전위 측정법에 의해 구할 수 있는 것 외에, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치를 사용하여 구할 수도 있고, 또한, SEM 화상을 근거로 구할 수도 있다.The volume average particle size (D50) of the fine silica particles can be determined by, for example, a zeta potential measurement method, a laser diffraction scattering type particle size distribution measurement device, or a SEM image It can also be obtained.

또한, 실리카 미립자의 배합량을, (A)성분으로서의 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 2∼120중량부의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 한다.The blending amount of the fine silica particles is set to a value within a range of 2 to 120 parts by weight based on 100 parts by weight of the active energy ray curable resin containing the water-repellent resin as the component (A).

이 이유는, 실리카 미립자의 배합량이 2중량부 미만의 값이 되면, 저굴절률층의 굴절률을 충분히 저하시키는 것이 곤란해지거나, 저굴절률층의 표면에 충분한 표면 요철을 형성하는 것이 곤란해지고, 투명 도전층 등에 대한 소정의 밀착성을 얻는 것이 곤란해지거나 하는 경우가 있기 때문이다. 한편, 실리카 미립자의 배합량이 120중량부를 초과한 값이 되면, 과혹한 알칼리 처리를 포함하는 에칭 처리를 행했을 경우에, 저굴절률층에 있어서의 실리카 미립자가 녹거나, 탈락하거나 하기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.This is because when the blending amount of the silica fine particles is less than 2 parts by weight, it is difficult to sufficiently lower the refractive index of the low refractive index layer, or it becomes difficult to form sufficient surface unevenness on the surface of the low refractive index layer, And it may be difficult to obtain a predetermined adhesion to the layer or the like. On the other hand, when the blending amount of the silica fine particles exceeds 120 parts by weight, there is a case where the fine silica particles in the low refractive index layer are melted or fall off easily when the etching treatment including the severe alkali treatment is performed It is because.

따라서, 실리카 미립자의 배합량을, (A)성분으로서의 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 30∼110중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하고, 50∼100중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the blending amount of the fine silica particles is more preferably within a range of 30 to 110 parts by weight, and more preferably within a range of 50 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of an active energy ray curable resin containing a water-repellent resin as the component (A) Is more preferable.

이어서, 도 2를 사용하여, 실리카 미립자의 배합량과, 저굴절률층에 있어서의 내에칭성 및 표면 자유 에너지와의 관계를 설명한다.Next, using FIG. 2, the relationship between the amount of silica fine particles blended and the etching resistance and surface free energy in the low refractive index layer will be described.

즉, 도 2에는, 횡축에 실리카 미립자의 배합량(중량부)을 채용하고, 좌종축에 저굴절률층에 있어서의 내에칭성(상대값)을 채용한 특성 곡선A 및 A' 및 우종축에 저굴절률층에 있어서의 표면 자유 에너지(mN/m)를 채용한 특성 곡선B를 나타낸다. 또한, 특성 곡선A 및 B는, (A)성분으로서 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지를 사용했을 경우의 특성 곡선이며, 특성 곡선A'는 (A)성분으로서 발수성 수지를 함유하지 않는 활성 에너지선 경화성 수지를 사용했을 경우의 특성 곡선이다.2 shows characteristic curves A and A 'in which the abrasion resistance (relative value) in the low refractive index layer is adopted as the left ordinate and the mixing curves A and A' in the abscissa, And the surface free energy (mN / m) in the refractive index layer is employed. The characteristic curves A and B are characteristic curves when an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin is used as the component (A), and the characteristic curve A 'is the activity curve of the water- This is a characteristic curve when an energy ray-curable resin is used.

또, 저굴절률층에 있어서의 내에칭성 및 표면 자유 에너지의 구체적인 측정 방법에 대해서는, 실시예에 있어서 기재한다.In addition, specific measurement methods of etching resistance and surface free energy in the low refractive index layer will be described in Examples.

또한, 내에칭성의 상대값은, 실시예에 기재한 바와 같이 하여 측정한 투명 도전층 형성용 적층체에 있어서의 알칼리 처리 전후에서의 반사율 변화량(%)을, 하기 기준에 따라 상대값화한 값이다.The relative value of the etch resistance is a relative value of the change in reflectance (%) before and after the alkali treatment in the laminate for forming a transparent conductive layer, measured as described in the examples, relative to the following criteria .

4 : 반사율 변화량이 0.5% 이하의 값4: The value of the reflectance change amount is 0.5% or less

1 : 반사율 변화량이 0.5%를 초과한 값1: Value at which the change in reflectance exceeds 0.5%

우선, 특성 곡선A로부터 이해되는 바와 같이, 내에칭성의 값은, 실리카 미립자의 배합량이 증가하는 것에 수반하여, 급격하게 저하하는 경향이 있다.First, as understood from the characteristic curve A, the value of the etch resistance tends to drop sharply as the amount of the silica fine particles to be blended increases.

보다 구체적으로는, 실리카 미립자의 배합량이 120중량부 이하의 범위에서는, 안정적으로 뛰어난 내에칭성을 유지할 수 있지만, 실리카 미립자의 배합량이 120중량부를 초과하면, 급격하게 내에칭성이 저하해버리는 것이 이해된다.More specifically, excellent etching resistance can be stably maintained in the range of the blending amount of the fine silica particles of not more than 120 parts by weight, but if the blending amount of the fine silica particles exceeds 120 parts by weight, I understand.

한편, 특성 곡선A'로부터 이해되는 바와 같이, 매트릭스를 형성하는 (A)성분이 발수성 수지를 함유하고 있지 않는 경우, 실리카 미립자의 배합량이 20중량부의 시점에서, 이미 내에칭성이 저하해버리는 것이 이해된다.On the other hand, as understood from the characteristic curve A ', when the component (A) forming the matrix does not contain the water-repellent resin, the etching resistance is already lowered at the point of 20 parts by weight of the fine silica particles I understand.

또한, 특성 곡선B로부터 이해되는 바와 같이, 표면 자유 에너지의 값은, 실리카 미립자의 배합량이 증가하는 것에 수반하여 완만하게 증가하는 경향이 있다.Further, as understood from the characteristic curve B, the value of the surface free energy tends to gradually increase with an increase in the amount of the silica fine particles to be blended.

따라서, 특성 곡선A, A' 및 B로부터는, 소정의 내에칭성을 얻기 위해서는, 매트릭스를 형성하는 (A)성분으로서 발수성 수지를 함유하는 자외선 경화성 수지를 사용하고, 또한, 실리카 미립자의 배합량을 120중량부 이하의 값으로 해야하는 것이 이해된다.Therefore, from the characteristic curves A, A 'and B, it is necessary to use an ultraviolet ray-curable resin containing a water-repellent resin as the component (A) for forming the matrix and to adjust the compounding amount of the silica fine particles to It is understood that it should be a value of 120 parts by weight or less.

또한, 저굴절률층에 요구되는 투명 도전층 등에 대한 소정의 밀착성을 얻기 위한 표면 자유 에너지(예를 들면, 37mN/m 이상)를 얻기 위해서는, 실리카 미립자의 배합량을 2중량부 이상의 값으로 해야하는 것이 이해된다.In order to obtain surface free energy (for example, 37 mN / m or more) for obtaining a predetermined adhesion to the transparent conductive layer or the like required for the low refractive index layer, it is understood that the blending amount of the silica fine particles should be 2 parts by weight or more do.

(2)-3 저굴절률층 형성용 조성물(2) -3 Composition for forming a low refractive index layer

또한, 저굴절률층은, 저굴절률층 형성용 조성물을 미리 조제하고, 후술과 같이 도포·건조하여, 경화시킴에 의해 형성된다.The low refractive index layer is formed by preparing a composition for forming a low refractive index layer in advance, coating, drying and curing as described below.

당해 조성물은, 필요에 따라, 적당한 용매 중에 상술한 (A)성분으로서의 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지, 및 (B)성분으로서의 실리카 미립자 및 광중합개시제 그 외의 각종 첨가 성분을 각각 소정의 비율로 가하고, 용해 또는 분산시킴에 의해 조제할 수 있다.The composition may contain an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin as the above-mentioned component (A) in a suitable solvent, and fine particles of silica as a component (B), a photopolymerization initiator, Followed by dissolving or dispersing the mixture.

또, 각종 첨가 성분, 용매, 저굴절률층 형성용 조성물의 농도, 점도 등에 대해서는, 하드 코팅층의 설명에 있어서의 내용과 같다.The concentration and viscosity of various additives, solvents, and compositions for forming a low refractive index layer are the same as those in the description of the hard coat layer.

(2)-4 막두께(2) -4 film thickness

또한, 저굴절률층의 막두께를 20∼150㎚의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.It is also preferable that the film thickness of the low refractive index layer is within a range of 20 to 150 nm.

이 이유는, 저굴절률층의 막두께를 이러한 범위 내의 값으로 함에 의해, 투명 도전층의 패턴 형상을 보다 안정적으로 불가시화할 수 있음과 동시에, 충분한 내에칭성을 얻을 수 있기 때문이다.This is because, by setting the film thickness of the low refractive index layer to a value within this range, the pattern shape of the transparent conductive layer can be more stably invisible and sufficient etching resistance can be obtained.

즉, 저굴절률층의 막두께가 20㎚ 미만의 값이 되면, 저굴절률층의 막이 취약해져, 내에칭성이 불충분해질 경우가 있기 때문이다. 한편, 저굴절률층의 막두께가 150㎚를 초과한 값이 되면, 투명 도전층의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.That is, when the film thickness of the low refractive index layer is less than 20 nm, the film of the low refractive index layer becomes fragile and the etching resistance becomes insufficient in some cases. On the other hand, when the film thickness of the low refractive index layer exceeds 150 nm, the pattern shape of the transparent conductive layer tends to be visually recognized.

따라서, 저굴절률층의 막두께를 25∼120㎚의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하고, 30∼100㎚의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the film thickness of the low refractive index layer is more preferably in the range of 25 to 120 nm, and more preferably in the range of 30 to 100 nm.

(2)-5 표면 자유 에너지(2) -5 surface free energy

또한, 저굴절률층에 있어서의 JIS K 6768에 준거하여 23℃의 조건하에서 측정되는 표면 자유 에너지를 37mN/m 이상의 값으로 하는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the surface free energy measured under the condition of 23 캜 according to JIS K 6768 in the low refractive index layer is a value of 37 mN / m or more.

이 이유는, 저굴절률층에 있어서의 표면 자유 에너지를 이러한 범위 내의 값으로 함에 의해, 내에칭성을 향상시키면서도, 저굴절률층에 요구되는 투명 도전층 등에 대한 소정의 밀착성을 보다 효과적으로 얻을 수 있기 때문이다.The reason for this is that by making the surface free energy of the low refractive index layer within this range, predetermined adhesion to the transparent conductive layer and the like required for the low refractive index layer can be more effectively obtained while improving the etching resistance to be.

즉, 이러한 표면 자유 에너지가 37mN/m 미만의 값이 되면, 투명 도전층 등에 대한 소정의 밀착성을 얻는 것이 곤란해질 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 표면 자유 에너지가 과도하게 큰 값이 되면, 표면 보호를 위해 투명 도전층 형성용 적층체에 적층되는 보호 필름과의 밀착성이 과도하게 강해져서, 보호 필름의 박리 공정에 있어서 작업 효율의 저하를 초래하는 경우가 있기 때문이다.That is, when the surface free energy is less than 37 mN / m, it may be difficult to obtain a predetermined adhesion to the transparent conductive layer or the like. On the other hand, if the surface free energy becomes excessively large, the adhesion to the protective film laminated on the transparent conductive layer-forming laminate for surface protection becomes excessively strong, In some cases.

따라서, 저굴절률층에 있어서의 JIS K 6768에 준거하여 측정되는 표면 자유 에너지를 40∼65mN/m의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하고, 45∼60mN/m의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the surface free energy measured in accordance with JIS K 6768 in the low refractive index layer is more preferably in the range of 40 to 65 mN / m, more preferably in the range of 45 to 60 mN / m Do.

4. 투명 도전층 형성용 적층체의 제조 방법4. Manufacturing Method of Laminate for Transparent Conductive Layer

본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체는, 예를 들면, 하기 공정(a)∼(b)를 포함하는 제조 방법에 의해 얻을 수 있다.The laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention can be obtained, for example, by a manufacturing method including the following steps (a) to (b).

(a) 기재 필름의 양면에 하드 코팅층을 형성하는 공정(a) a step of forming a hard coating layer on both surfaces of a base film

(b) 한쪽의 하드 코팅층 상에, 광학 조정층을 형성하는 공정(b) a step of forming an optical adjustment layer on one hard coat layer

이하, 지금까지의 내용과 중복하는 부분은 생략하고, 다른 부분만을 상술한다.Hereinafter, the parts overlapping with those described so far will be omitted, and only the other parts will be described in detail.

또, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체는, 하드 코팅층을 필수 구성 요건으로 하고 있지 않지만, 이하의 설명에 있어서는, 하드 코팅층을 형성했을 경우를 예로 들어서 설명한다.The transparent conductive layer-forming laminate of the present invention does not have a hard coat layer as an essential constituent requirement. In the following description, a case where a hard coat layer is formed will be described as an example.

(1) 공정(a) : 하드 코팅층을 형성하는 공정(1) Step (a): Step of forming a hard coat layer

기재 필름의 양면에, 상술한 하드 코팅층 형성용 조성물을, 종래 공지의 방법으로 도포하여 도막을 형성한 후, 건조하고, 이것에 활성 에너지선을 조사하여 도막을 경화시킴에 의해, 하드 코팅층이 형성된다.By coating the above-mentioned composition for forming a hard coat layer on both surfaces of a base film by a conventionally known method to form a coating film, drying the coating film, and irradiating it with an active energy ray to cure the coating film, do.

또한, 하드 코팅층 형성용 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 바코팅법, 나이프 코팅법, 롤코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법, 그라비어 코팅법 등을 들 수 있다.Examples of the application method of the composition for forming a hard coat layer include bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating.

또한, 건조 조건으로서는, 60∼150℃에서 10초∼10분 정도 행하는 것이 바람직하다.The drying conditions are preferably 10 to 10 minutes at 60 to 150 캜.

또한, 활성 에너지선으로서는, 예를 들면, 자외선이나 전자선 등을 들 수 있다.Examples of the active energy ray include ultraviolet rays and electron rays.

또한, 자외선의 광원으로서는, 고압 수은 램프, 무전극 램프, 메탈 할라이드 램프, 제논 램프 등을 들 수 있고, 그 조사량은, 통상, 100∼500mJ/㎠로 하는 것이 바람직하다.As a light source of ultraviolet rays, a high-pressure mercury lamp, an electrodeless lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, and the like can be used. The irradiation amount is preferably 100 to 500 mJ / cm 2.

한편, 전자선의 광원으로서는, 전자선 가속기 등을 들 수 있고, 그 조사량은, 통상, 150∼350㎸로 하는 것이 바람직하다.On the other hand, as the light source of the electron beam, an electron beam accelerator and the like can be exemplified, and it is preferable that the dose is usually 150 to 350 kV.

(2) 공정(b) : 광학 조정층을 형성하는 공정(2) Step (b): Step of forming the optical adjustment layer

이어서, 형성된 하드 코팅층 상에(하드 코팅층을 형성하지 않는 경우에는, 기재 필름 상에 직접), 고굴절률층을 형성한다.Subsequently, a high refractive index layer is formed on the formed hard coating layer (directly on the base film when no hard coating layer is formed).

즉, 고굴절률층은, 기재 필름 상에 하드 코팅층을 형성하는 것과 마찬가지로 하여, 상술한 고굴절률층 형성용 조성물을 도포·건조함과 함께, 활성 에너지선을 조사하여 경화시킴에 의해 형성할 수 있다.That is, the high refractive index layer can be formed by coating and drying the composition for forming a high refractive index layer described above and irradiating an active energy ray to cure the composition in the same manner as the hard coating layer is formed on the base film .

이어서, 형성된 고굴절률층 상에, 저굴절률층을 더 형성한다.Then, a low refractive index layer is further formed on the formed high refractive index layer.

즉, 저굴절률층은, 기재 필름 상에 하드 코팅층을 형성하는 것과 마찬가지로 하여, 상술한 저굴절률층 형성용 조성물을 도포·건조함과 함께, 활성 에너지선을 조사하여 경화시킴에 의해 형성할 수 있다.That is, the low refractive index layer can be formed by coating and drying the composition for forming a low refractive index layer described above and irradiating an active energy ray to cure the composition in the same manner as the formation of the hard coating layer on the base film .

[제2 실시형태][Second Embodiment]

본 발명의 제2 실시형태는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 기재 필름(4)의 적어도 한쪽의 표면에 광학 조정층(2)과, 투명 도전층(1)을 순서대로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름(100)으로서, 광학 조정층(2)이, 기재 필름(4)의 측으로부터, 굴절률이 1.6 이상의 값인 고굴절률층(2b)과, 굴절률이 1.45 이하의 값인 저굴절률층(2a)을 순서대로 적층하여 이루어짐과 함께, 저굴절률층(2a)이, 하기 (A)∼(B)성분을 포함하는 저굴절률층 형성용 조성물을 광경화하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름(100)이다.A second embodiment of the present invention is a transparent conductive film comprising a base film 4 and an optical adjustment layer 2 and a transparent conductive layer 1 laminated in this order on at least one surface of the base film 4, Refractive index layer 2b having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index layer 2a having a refractive index of 1.45 or less are arranged in this order from the side of the base film 4 And the low refractive index layer (2a) is a transparent conductive film (100) which is obtained by photo-curing a composition for forming a low refractive index layer containing the following components (A) to (B).

(A) 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부(A) 100 parts by weight of an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin

(B) 실리카 미립자 2∼120중량부(B) 2 to 120 parts by weight of fine silica particles

이하, 본 발명의 제2 실시형태를, 지금까지의 내용과 중복하는 부분은 생략하고, 다른 부분만을 상술한다.Hereinafter, the second embodiment of the present invention will be described in detail with respect to only the other parts, omitting parts overlapping with those of the above.

1. 투명 도전층1. Transparent conductive layer

(1) 재료 물질(1) Material materials

본 발명의 투명 도전성 필름에 있어서, 투명 도전층의 재료 물질로서는, 투명성과 도전성을 모두 가지는 것이면 특히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 인듐주석 산화물(ITO), 주석안티몬 산화물, 아연알루미늄 산화물, 인듐아연 산화물 등을 들 수 있다.In the transparent conductive film of the present invention, the material of the transparent conductive layer is not particularly limited as long as it has both transparency and conductivity, and examples thereof include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (ITO) Tin antimony oxide, zinc aluminum oxide, indium zinc oxide, and the like.

또한, 특히, 재료 물질로서 ITO를 사용하는 것이 바람직하다.In particular, ITO is preferably used as a material material.

이 이유는, ITO이면, 적당한 조막 조건을 채용함으로써, 투명성 및 도전성이 뛰어난 투명 도전층을 형성할 수 있기 때문이다.This is because, in the case of ITO, a transparent conductive layer having excellent transparency and conductivity can be formed by adopting an appropriate film forming condition.

(2) 패턴 형상(2) Pattern shape

또한, 투명 도전층이, 에칭에 의해 라인상 혹은 격자상과 같은 패턴 형상으로 형성되어서 이루어지는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the transparent conductive layer is formed in a pattern shape such as a line shape or a lattice shape by etching.

또한, 상술한 패턴 형상은, 투명 도전층이 존재하는 부분의 선폭과, 투명 도전층이 존재하지 않는 부분의 선폭이, 대략 같은 것이 바람직하다.It is preferable that the line width of the portion where the transparent conductive layer is present and the line width of the portion where the transparent conductive layer does not exist are substantially equal to each other.

또한, 당해 선폭은, 통상, 0.1∼10㎜이며, 바람직하게는, 0.2∼5㎜이며, 특히 바람직하게는 0.5∼2㎜이다.The line width is usually 0.1 to 10 mm, preferably 0.2 to 5 mm, and particularly preferably 0.5 to 2 mm.

또, 상술한 라인상 혹은 격자상에 있어서의 선폭은 일정한 경우로 한정되지 않고, 예를 들면, 정전 용량식의 터치 패널에 요구되는 형상으로 이어지는 것 등을 자유롭게 선택할 수 있다.The line widths in the above-described line-shaped or lattice-like shape are not limited to the constant case, and for example, those that lead to shapes required for the capacitive touch panel can be freely selected.

구체적으로는, 마름모형 부분과 선부가 반복하여 이어진 패턴 형상 등을 들 수 있고, 이러한 패턴 형상도 「라인상」의 범주에 포함된다.Specifically, there can be mentioned a pattern shape in which a rhombus portion and a line portion repeat repeatedly, and such pattern shape is also included in the category of " line image ".

(3) 막두께(3) Thickness

또한, 투명 도전층의 두께는, 5∼500㎚인 것이 바람직하다.The thickness of the transparent conductive layer is preferably 5 to 500 nm.

이 이유는, 투명 도전층의 두께가 5㎚ 미만의 값이 되면, 투명 도전층이 취약해질 뿐만 아니라, 충분한 도전성이 얻어지지 않게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 투명 도전층의 두께가 500㎚를 초과한 값이 되면, 투명 도전층에 기인한 색미가 강해져, 패턴 형상이 인식되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.This is because when the thickness of the transparent conductive layer is less than 5 nm, not only the transparent conductive layer becomes fragile but also sufficient conductivity may not be obtained. On the other hand, when the thickness of the transparent conductive layer exceeds 500 nm, the color tint due to the transparent conductive layer becomes strong, and the pattern shape may be easily recognized.

따라서, 투명 도전층의 두께는, 15∼250㎚인 것이 보다 바람직하고, 20∼100㎚인 것이 더 바람직하다.Therefore, the thickness of the transparent conductive layer is more preferably 15 to 250 nm, and more preferably 20 to 100 nm.

2. 투명 도전성 필름의 제조 방법2. Manufacturing method of transparent conductive film

상술한 투명 도전층 형성용 적층체의 제조 방법에 있어서의 공정(b)에서 얻어진 광학 조정층에 대하여, 진공 증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법, 스프레이법, 졸-겔법 등의 공지의 방법에 의해, 투명 도전층을 형성함에 의해, 투명 도전성 필름을 얻을 수 있다.The optical adjusting layer obtained in the step (b) in the above-mentioned method for producing a transparent conductive layer-forming laminate may be formed by a known method such as vacuum evaporation, sputtering, CVD, ion plating, spraying, By forming the transparent conductive layer by the method, a transparent conductive film can be obtained.

또한, 스퍼터링법으로서는, 화합물을 사용한 통상의 스퍼터링법, 혹은 금속 타깃을 사용한 반응성 스퍼터링법 등을 들 수 있다.Examples of the sputtering method include a conventional sputtering method using a compound or a reactive sputtering method using a metal target.

이때, 반응성 가스로서 산소, 질소, 수증기 등을 도입하거나, 오존 첨가나 이온 어시스트 등을 병용하거나 하는 것도 바람직하다.At this time, it is also preferable to introduce oxygen, nitrogen, water vapor, or the like as the reactive gas, or to use ozone addition, ion assist, or the like in combination.

또한, 투명 도전층은, 상술한 바와 같이 하여 제막한 후, 포토리소그래피법에 의해 소정의 패턴의 레지스트 마스크를 형성한 후, 공지의 방법에 의해 에칭 처리를 실시함으로써, 라인상의 패턴 등을 형성할 수 있다.The transparent conductive layer may be formed by forming a resist mask in a predetermined pattern by a photolithography method and then performing etching treatment by a known method to form a line pattern or the like .

또, 에칭액으로서는, 염산, 황산, 질산, 인산 등의 산의 수용액 등을 바람직하게 들 수 있다.As the etching solution, an aqueous solution of an acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid or phosphoric acid is preferably used.

또한, 에칭 처리의 최종 공정인 잔류한 포토레지스트를 제거하기 위한 알칼리 처리에 사용되는 액으로서는, 에칭 처리의 신속화의 관점에서, 액온 10∼50℃, 농도 1∼10중량%, pH13.4∼14.4의 강염기 수용액을 사용하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of expediting the etching treatment, the solution used for the alkali treatment for removing the residual photoresist which is the final step of the etching treatment is a solution at a temperature of 10 to 50 占 폚, a concentration of 1 to 10 wt%, a pH of 13.4 to 14.4 Of a strong base aqueous solution is preferably used.

또한, 호적한 강염기로서는, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화루비듐, 수산화세슘, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 수산화칼슘, 수산화스트론튬, 수산화바륨, 수산화유로퓸(Ⅱ), 수산화탈륨(I), 구아니딘 등을 들 수 있다.Examples of suitable strong bases include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, rubidium hydroxide, cesium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, calcium hydroxide, strontium hydroxide, barium hydroxide, europium hydroxide (II) ), Guanidine, and the like.

또한, 투명 도전층의 결정성을 높여, 저항률을 저하시키기 위해서, 어닐 공정을 마련하여 소정의 어닐 처리를 행하는 것이 바람직하다.Further, in order to increase the crystallinity of the transparent conductive layer and lower the resistivity, it is preferable to perform an annealing process and perform a predetermined annealing process.

즉, 얻어진 투명 도전성 필름을 130∼180℃의 온도 조건하에서 0.5∼2시간 노출하는 것이 바람직하다.That is, the obtained transparent conductive film is preferably exposed at a temperature of 130 to 180 캜 for 0.5 to 2 hours.

[실시예][Example]

이하, 실시예를 참조하여, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체 등을 더 상세히 설명한다.Hereinafter, the laminate for forming a transparent conductive layer and the like of the present invention will be described in more detail with reference to examples.

[실시예1][Example 1]

1. 하드 코팅층 형성용 조성물의 조제1. Preparation of a composition for forming a hard coat layer

용기 내에, 아모퍼스 실리카 함유 자외선 경화성 수지(쇼와덴코(주)제, 비니롤 FC-1000)를 60중량부(희석 용제를 제거한 순분을 나타낸다. 이하 동일)와, 아모퍼스 실리카 분산액의 실리카를 45중량부와, 가교 아크릴계 공중합 수지(세키스이가세이힝고교(주)제, 테크폴리머 XX-27LA)를 0.03중량부와, 실리콘계 레벨링제(빅케미·재팬(주)제, BKY-3550)를 0.03중량부를 수용한 후, 용제를 더해서 균일하게 혼합하여, 고형분 농도 22중량%의 하드 코팅층 형성용 조성물을 조제했다.60 parts by weight of an amorphous silica-containing ultraviolet ray-curable resin (BINILOL FC-1000, manufactured by Showa Denko K.K.) (pure fractions from which a diluting solvent was removed, hereinafter the same) and silica of an amorphous silica dispersion , 0.03 part by weight of a crosslinked acrylic copolymer resin (TECH POLYMER XX-27LA, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), and 0.5 part by weight of a silicone leveling agent (BKY-3550, And 0.03 part by weight of a polyvinyl alcohol solution were mixed and uniformly mixed to prepare a composition for forming a hard coat layer having a solid content concentration of 22% by weight.

2. 고굴절률층 형성용 조성물의 조제2. Preparation of composition for forming a high refractive index layer

용기 내에, 자외선 경화성 수지(다이이치세이카고교(주)제, 세이카빔 EXF-01L(NS))를 100중량부와, 산화지르코늄 분산액(CIK나노테크(주)제, ZRMIBK15WT%-F85)을 200중량부와, 아크릴계 레벨링제(빅케미·재팬(주)제, BYK-355)를 0.05중량부와, 광중합개시제(BASF재팬(주)제, 이르가큐어907)를 3중량부를 수용한 후, 용제를 더해서 균일하게 혼합하고, 고형분 농도 1중량%의 고굴절률층 형성용 조성물을 조제했다.100 parts by weight of an ultraviolet curable resin (Seika Beam EXF-01L (NS), manufactured by Daiichi Seika Kogyo Co., Ltd.) and a zirconium oxide dispersion (ZRMIBK15WT% -F85, manufactured by CIK Nanotech Co., Ltd.) , 0.05 part by weight of an acrylic leveling agent (BYK-355, manufactured by Big Chem Japan Co., Ltd.) and 3 parts by weight of a photopolymerization initiator (Irgacure 907, BASF Japan) And a solvent was added thereto to prepare a composition for forming a high refractive index layer having a solid content concentration of 1% by weight.

3. 저굴절률층 형성용 조성물의 조제3. Preparation of composition for forming a low refractive index layer

용기 내에, (A)성분으로서의 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지와, (B)성분으로서의 실리카 미립자와, (C)성분으로서의 레벨링제와, (D)성분으로서의 광중합개시제를 하기 조성으로 수용한 후, 용제를 더해서 균일하게 혼합하고, 고형분 농도 1중량%의 저굴절률층 형성용 조성물을 조제했다.(B), a leveling agent as the component (C), and a photopolymerization initiator as the component (D) in the following composition in an amount of 1 to 10 parts by weight, After that, a solvent was added and uniformly mixed to prepare a composition for forming a low refractive index layer having a solid content concentration of 1% by weight.

또, 하기 조성 및 표 1에 나타내는 조성에 있어서의 배합량은, 희석 용제를 제거한 순분을 나타낸다.Incidentally, the blending amount in the composition shown in the following composition and in Table 1 represents pure fractions obtained by removing the diluting solvent.

(A)성분 : 불소 수지를 함유하는 자외선 경화성 아크릴 수지 100중량부Component (A): 100 parts by weight of an ultraviolet-curable acrylic resin containing a fluororesin

(불소 수지의 종류 : 반응성 불소 아크릴 수지, 불소 수지의 함유량 : 80중량%, 불소 수지 단체의 경화 수지 도막의 표면 자유 에너지 : 25mN/m)(Type of fluororesin: reactive fluorine acrylic resin, content of fluorine resin: 80% by weight, surface free energy of cured resin coating of single fluorine resin: 25 mN / m)

(B)성분 : 반응성 중공 실리카 미립자 100중량부Component (B): 100 parts by weight of reactive hollow silica fine particles

(체적 평균 입자경(D50) 45㎚)(Volume average particle diameter (D50) 45 nm)

(C)성분 : 실리콘계 레벨링제 0.03중량부(C) Component: silicone leveling agent 0.03 part by weight

(빅케미·재팬(주)제, BYK-3550)(BYK-3550, manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.)

(D)성분 : 광중합개시제 10중량부Component (D): 10 parts by weight of photopolymerization initiator

(BASF재팬(주)제, 이르가큐어184)(Irgacure 184, manufactured by BASF Japan Co., Ltd.)

또, 상술한 (B)성분의 체적 평균 입자경(D50)은, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치로 측정했다.The volume average particle diameter (D50) of the component (B) was measured by a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus.

또한, 이하에 있어서, 상술한 (D)성분으로서의 광중합개시제를 「이르가큐어184」라고 하는 경우가 있다.In the following, the photopolymerization initiator as the above-mentioned component (D) may be referred to as " Irgacure 184 ".

4. 하드 코팅층의 형성4. Formation of hard coat layer

기재 필름으로서, 막두께 125㎛의 이접착층(易接着層) 부착 폴리에스테르 필름(테이진듀퐁(주)제, PET125KEL86W)을 준비했다.As the base film, a polyester film (PET125KEL86W, manufactured by Teijin Dupont Co., Ltd.) having an adhesive layer (easy adhesion layer) having a thickness of 125 mu m was prepared.

이어서, 준비한 기재 필름의 표면에, 하드 코팅층 형성용 조성물을 와이어바#8로 도공했다.Subsequently, on the surface of the prepared base film, a composition for forming a hard coat layer was coated with a wire bar # 8.

이어서, 70℃에서 1분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에 있어서 자외선 조사 장치(지에스유아사코포레이션(주)제)를 사용하여 하기 조건에서 자외선을 조사하여, 기재 필름의 표면에 막두께 2㎛의 하드 코팅층을 형성했다.Subsequently, the substrate was dried at 70 DEG C for 1 minute, and then irradiated with ultraviolet rays under the following conditions using an ultraviolet ray irradiation apparatus (manufactured by GSI Yuasa Corporation) under a nitrogen atmosphere to form a hard coat layer .

또한, 기재 필름의 반대 측의 면에도, 마찬가지로 하여 하드 코팅층을 형성했다.A hard coat layer was formed on the opposite side of the base film in the same manner.

광원 : 고압 수은등Light source: High-pressure mercury lamp

조도 : 150mW/㎠Illuminance: 150 mW / cm 2

광량 : 150mJ/㎠Light quantity: 150 mJ / cm 2

5. 고굴절률층의 형성5. Formation of high refractive index layer

이어서, 형성한 한쪽의 하드 코팅층 상에, 고굴절률 형성용 조성물을 와이어바#4로 도공했다.Then, on one of the formed hard coat layers, a composition for forming a high refractive index was coated with a wire bar # 4.

이어서, 50℃에서 1분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에 있어서 자외선 조사 장치(지에스유아사코포레이션(주)제)를 사용하여 하드 코팅층과 같은 조사 조건에서 자외선을 조사하여, 하드 코팅층 상에 막두께 35㎚, 굴절률 nD=1.65의 고굴절률층을 형성했다.Subsequently, the substrate was dried at 50 DEG C for 1 minute, and then irradiated with ultraviolet rays under the same irradiation condition as the hard coat layer using an ultraviolet ray irradiation apparatus (manufactured by GASUUUSA CO., LTD.) Under a nitrogen atmosphere to form a film thickness of 35 nm , And a high refractive index layer having a refractive index n D = 1.65.

6. 저굴절률층의 형성6. Formation of low refractive index layer

이어서, 형성한 고굴절률층 상에, 저굴절률층 형성용의 조성물을 와이어바#4로 도공했다.Subsequently, on the formed high refractive index layer, a composition for forming a low refractive index layer was coated with a wire bar # 4.

이어서, 50℃에서 1분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에 있어서 자외선 조사 장치(지에스유아사코포레이션(주)제)를 사용하여 하드 코팅층과 같은 조사 조건에서 자외선을 조사하여, 고굴절률층 상에 막두께 50㎚, 굴절률 nD=1.37의 저굴절률층을 형성하여, 도 1(a)에 나타낸 바와 같은 투명 도전층 형성용 적층체를 얻었다.Subsequently, the substrate was dried at 50 DEG C for 1 minute, and then irradiated with ultraviolet rays under the same irradiation condition as the hard coat layer using an ultraviolet ray irradiation apparatus (manufactured by GSI Yuasa Corporation) under a nitrogen atmosphere to form a film thickness of 50 Nm and a refractive index n D = 1.37 were formed to obtain a laminate for forming a transparent conductive layer as shown in Fig. 1 (a).

7. 평가7. Evaluation

(1) 내에칭성의 평가(1) Evaluation of etchability

얻어진 투명 도전층 형성용 적층체에 있어서의 내에칭성을 평가했다.The etching resistance in the obtained transparent conductive layer-forming laminate was evaluated.

즉, 얻어진 투명 도전층 형성용 적층체의 반사율(%)(저굴절률층 측)을, 자외 가시 근적외(UV-vis-NIR) 분광 광도계(시마즈세이사쿠쇼(주)제, UV-3600)를 사용하여, 반사 각도 : 8°, 샘플링 피치 : 1㎚, 측정 모드 : 싱글의 조건에서 측정했다.That is, the reflectance (%) (on the side of the low refractive index layer) of the resultant laminate for forming a transparent conductive layer was measured with a UV-vis-NIR spectrophotometer (UV-3600 manufactured by Shimadzu Seisakusho Co., Ltd.) At a reflection angle of 8 DEG, a sampling pitch of 1 nm, and a measurement mode: single.

이어서, 투명 도전층 형성용 적층체를, 40℃로 가온한 5중량%의 수산화나트륨 수용액에 5분간 침지시켜서 알칼리 처리한 후, 상술한 조건과 동조건에서 반사율(%)을 측정했다.Subsequently, the laminate for forming a transparent conductive layer was immersed in a 5 wt% aqueous solution of sodium hydroxide heated at 40 캜 for 5 minutes, subjected to alkali treatment, and then the reflectance (%) was measured under the same conditions as those described above.

이어서, 알칼리 처리 전의 반사율(%)로부터 알칼리 처리 후의 반사율(%)을 빼서 반사율 변화량(%)을 산출하고, 하기 기준에 따라 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.Subsequently, the reflectance (%) after the alkali treatment was subtracted from the reflectance (%) before the alkali treatment to calculate the reflectance change amount (%). The obtained results are shown in Table 1.

또, 반사율 변화량(%)에 의해 내에칭성을 평가할 수 있는 이유는, 에칭 처리에 의해 저굴절률층의 막두께 또는 굴절률 혹은 양쪽이 변화하면, 저굴절률층의 반사율이 변화하기 때문이다.The reason why the etching resistance can be evaluated by the reflectance change amount (%) is that the reflectance of the low refractive index layer changes when the film thickness, the refractive index, or both of the low refractive index layer is changed by the etching treatment.

○ : 반사율 변화량이 0.5% 이하의 값&Amp; cir &: The value of the reflectance change amount is 0.5% or less

× : 반사율 변화량이 0.5%를 초과한 값X: Value at which the change in reflectance exceeds 0.5%

(2) 패턴 시인성의 평가(2) Evaluation of pattern visibility

얻어진 투명 도전층 형성용 적층체의 저굴절률층의 표면에 대하여, 패턴화된 투명 도전층을 형성하여, 그 시인성을 평가했다.A patterned transparent conductive layer was formed on the surface of the obtained low refractive index layer of the laminate for forming a transparent conductive layer, and the visibility was evaluated.

즉, 얻어진 투명 도전층 형성용 적층체를 종 90㎜×횡 90㎜로 컷한 후, ITO 타깃(산화주석 10중량%, 산화인듐 90중량%)을 사용하여 스퍼터링을 행하여, 저굴절률층 상의 중앙부에 종 60㎜×횡 60㎜의 정방 형상, 막두께 30㎚의 투명 도전층을 형성했다.That is, the thus obtained laminate for forming a transparent conductive layer was cut into a piece of 90 mm long × 90 mm wide, and then sputtering was performed using an ITO target (10% by weight tin oxide and 90% by weight indium oxide) A transparent conductive layer having a square shape with a length of 60 mm and a width of 60 mm and a film thickness of 30 nm was formed.

이어서, 얻어진 투명 도전층의 표면 상에 격자상으로 패턴화된 포토레지스트막을 형성했다.Then, a lattice-patterned photoresist film was formed on the surface of the obtained transparent conductive layer.

이어서, 실온하에서, 10중량%의 염산에 1분간 침지시킴에 의해 에칭 처리를 행하여, 투명 도전층을 격자상으로 패턴화했다.Subsequently, the substrate was immersed in 10% by weight hydrochloric acid for 1 minute at room temperature to perform etching treatment to pattern the transparent conductive layer in a lattice pattern.

이어서, 40℃로 가온한 5중량%의 수산화나트륨 수용액에 5분간 침지시켜서 알칼리 처리를 행하고, 투명 도전층 상의 포토레지스트막을 제거하여, 패턴화된 투명 도전층을 갖는 투명 도전성 필름을 얻었다.Subsequently, the substrate was immersed in a 5 wt% aqueous solution of sodium hydroxide heated to 40 DEG C for 5 minutes to conduct an alkali treatment to remove the photoresist film on the transparent conductive layer to obtain a transparent conductive film having a patterned transparent conductive layer.

당해 투명 도전성 필름은, 선폭 2㎜의 ITO로 이루어지는 선부에 의해 1변이 2㎜의 정방형의 공극이 격자상으로 구획화된 패턴 형상을 갖는 30㎚의 투명 도전층을 갖는 것이었다.The transparent conductive film had a transparent conductive layer of 30 nm having a pattern shape in which square pores of 2 mm in each side were partitioned into a lattice by a line portion made of ITO having a line width of 2 mm.

이어서, 얻어진 투명 도전성 필름을, 백색 형광등으로부터 1m의 위치에 설치하고, 투명 도전성 필름에 백색 형광등을 비춘 상태에서, 백색 형광등이 설치되어 있는 것과 같은 측에 있어서의 투명 도전성 필름으로부터 30㎝의 위치로부터, 목시로 투명 도전층의 패턴 형상을 관찰하여, 하기 기준에 따라 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.Subsequently, the obtained transparent conductive film was placed at a position of 1 m from the white fluorescent lamp, and a white fluorescent lamp was irradiated to the transparent conductive film. The white fluorescent lamp was irradiated from a position of 30 cm from the transparent conductive film on the same side as the white fluorescent lamp , And the pattern shape of the transparent conductive layer was observed at the time of visual observation and evaluated according to the following criteria. The obtained results are shown in Table 1.

◎ : 투명 도전층의 패턴 형상이 시인되지 않음?: The pattern shape of the transparent conductive layer is not recognized

○ : 투명 도전층의 패턴 형상이 약간 시인됨?: The pattern shape of the transparent conductive layer was slightly visually observed

× : 투명 도전층의 패턴 형상이 시인됨X: The pattern shape of the transparent conductive layer is observed.

(3) 표면 자유 에너지의 평가(3) Evaluation of surface free energy

얻어진 투명 도전층 형성용 적층체에 있어서의 JIS K 6768에 준거하여 23℃의 조건하에서 측정되는 표면 자유 에너지(mN/m)의 평가를 했다.The surface free energy (mN / m) measured under the condition of 23 캜 according to JIS K 6768 in the obtained transparent conductive layer-forming laminate was evaluated.

즉, 얻어진 투명 도전층 형성용 적층체에 최표층인 저굴절률층의 상면에, 면봉을 사용하여 소정 표면 장력의 습윤 장력 시험액을, 폭 10㎜, 길이 60㎜가 되도록 도포했다.Namely, on the obtained transparent conductive layer-forming laminate, a wet tensile test liquid having a predetermined surface tension was applied on the upper surface of the outermost layer of the low refractive index layer so as to have a width of 10 mm and a length of 60 mm using a cotton swab.

그리고, 습윤 장력 시험액의 도막이 그대로 2초간 끊어지지 않으면, 그 표면 자유 에너지에 있어서 합격으로 판단하고, 순차, 보다 표면 장력이 높은 습윤 장력 시험액을 사용하여 같은 작업을 계속하고, 습윤 장력 시험액의 도막이 2초 이내에 끊어질 때까지 반복하여, 합격한 가장 높은 표면 자유 에너지를, 측정 결과로 했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.If the coating film of the wet tension test liquid is not cut off for 2 seconds, it is judged that the surface free energy is acceptable, and the same operation is continued by using a wet tensile test liquid having a higher surface tension successively, The test was repeated until it was broken within a second, and the highest surface free energy passed was the measurement result. The obtained results are shown in Table 1.

또, 열역학상, 습윤 장력과 표면 자유 에너지는 동의이므로, 본 발명에 있어서는 습윤 장력을 표면 자유 에너지로 기재한다.In addition, since the thermodynamic, wet tension and surface free energy are the same, in the present invention, wet tension is described as surface free energy.

[실시예2][Example 2]

실시예2에서는, 저굴절률층 형성용 조성물을 조제할 때에, 반응성 중공 실리카 미립자(체적 평균 입자경(D50) 45㎚)의 배합량을 60중량부로 한 것 외에는, 실시예1과 마찬가지로 투명 도전층 형성용 적층체를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Example 2, a composition for forming a low refractive index layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of the reactive hollow silica fine particles (volume average particle diameter (D50) 45 nm) was changed to 60 parts by weight, A laminate was prepared and evaluated. The obtained results are shown in Table 1.

[실시예3][Example 3]

실시예3에서는, 저굴절률층 형성용 조성물을 조제할 때에, 반응성 중공 실리카 미립자(체적 평균 입자경(D50) 45㎚)의 배합량을 40중량부로 한 것 외에는, 실시예1과 마찬가지로 투명 도전층 형성용 적층체를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Example 3, the composition for forming a low refractive index layer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the amount of the reactive hollow silica fine particles (volume average particle diameter (D50) 45 nm) A laminate was prepared and evaluated. The obtained results are shown in Table 1.

[실시예4][Example 4]

실시예4에서는, 저굴절률층 형성용 조성물을 조제할 때에, 반응성 중공 실리카 미립자(체적 평균 입자경(D50) 45㎚)의 배합량을 20중량부로 한 것 외에는, 실시예1과 마찬가지로 투명 도전층 형성용 적층체를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Example 4, a composition for forming a low refractive index layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of the reactive hollow silica fine particles (volume average particle diameter (D50) 45 nm) was 20 parts by weight, A laminate was prepared and evaluated. The obtained results are shown in Table 1.

[비교예1][Comparative Example 1]

비교예1에서는, 저굴절률층 형성용 조성물을 조제할 때에, 하기 조성으로 한 것 외에는, 실시예1과 마찬가지로 투명 도전층 형성용 적층체를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Comparative Example 1, a laminate for forming a transparent conductive layer was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the composition for forming the low refractive index layer was changed to the following composition. The obtained results are shown in Table 1.

또, 하기 조성 및 표 1에 나타내는 조성에 있어서의 배합량은, 희석 용제를 제거한 순분을 나타낸다.Incidentally, the blending amount in the composition shown in the following composition and in Table 1 represents pure fractions obtained by removing the diluting solvent.

(A)성분 : 자외선 경화성 아크릴 수지 100중량부Component (A): 100 parts by weight of an ultraviolet curable acrylic resin

(C)성분 : 아크릴계 레벨링제 0.05중량부Component (C): Acrylic leveling agent 0.05 part by weight

(빅케미·재팬(주)제, BYK-355)(BYK-355, manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.)

(D)성분 : 광중합개시제 5중량부Component (D): Photopolymerization initiator 5 parts by weight

(BASF재팬(주)제, 이르가큐어184)(Irgacure 184, manufactured by BASF Japan Co., Ltd.)

[비교예2][Comparative Example 2]

비교예2에서는, 저굴절률층 형성용 조성물을 조제할 때에, 추가로 반응성 중공 실리카 미립자(체적 평균 입자경(D50) 45㎚)를 첨가하여, 반응성 중공 실리카 미립자의 배합량을 20중량부로 한 것 외에는, 비교예1과 마찬가지로 투명 도전층 형성용 적층체를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Comparative Example 2, in preparing the composition for forming a low refractive index layer, a reactive hollow silica fine particle (volume average particle diameter (D50) of 45 nm) was further added to adjust the amount of the reactive hollow silica fine particles to 20 parts by weight, A laminate for forming a transparent conductive layer was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1. [ The obtained results are shown in Table 1.

[비교예3][Comparative Example 3]

비교예3에서는, 저굴절률층 형성용 조성물을 조제할 때에, 추가로 반응성 중공 실리카 미립자(체적 평균 입자경(D50) 45㎚)를 첨가하여, 반응성 중공 실리카 미립자의 배합량을 100중량부로 한 것 외에는, 비교예1과 마찬가지로 투명 도전층 형성용 적층체를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Comparative Example 3, in preparing a composition for forming a low refractive index layer, a reactive hollow silica fine particle (volume average particle diameter (D50) 45 nm) was further added to adjust the amount of the reactive hollow silica fine particles to 100 parts by weight, A laminate for forming a transparent conductive layer was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1. [ The obtained results are shown in Table 1.

[비교예4][Comparative Example 4]

비교예4에서는, 저굴절률층 형성용 조성물을 조제할 때에, 반응성 중공 실리카 미립자(체적 평균 입자경(D50) 45㎚)의 배합량을 130중량부로 한 것 외에는, 실시예1과 마찬가지로 투명 도전층 형성용 적층체를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Comparative Example 4, the composition for forming the low refractive index layer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the amount of the reactive hollow silica fine particles (volume average particle diameter (D50) 45 nm) A laminate was prepared and evaluated. The obtained results are shown in Table 1.

[비교예5][Comparative Example 5]

비교예5에서는, 저굴절률층 형성용 조성물을 조제할 때에, 반응성 중공 실리카 미립자(체적 평균 입자경(D50) 45㎚)의 배합량을 230중량부로 한 것 외에는, 실시예1과 마찬가지로 투명 도전층 형성용 적층체를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.In Comparative Example 5, the composition for forming the low refractive index layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of the reactive hollow silica fine particles (volume average particle diameter (D50) 45 nm) was 230 parts by weight, A laminate was prepared and evaluated. The obtained results are shown in Table 1.

[표 1][Table 1]

Figure pat00003
Figure pat00003

이상, 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 투명 도전층 형성용 적층체의 최표면층인 저굴절률층을 형성할 때에, 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지에 대하여, 실리카 미립자를 소정의 범위로 배합하여 이루어지는 저굴절률층 형성용 조성물을 사용함에 의해, 저굴절률층에 있어서의 내에칭성이 뛰어난 투명 도전층 형성용 적층체를 얻을 수 있게 되었다.As described above, according to the present invention, when forming the low refractive index layer which is the outermost layer of the laminate for forming a transparent conductive layer, the active energy ray curable resin containing the water repellent resin is immersed in the fine particles of silica in a predetermined range , A laminate for forming a transparent conductive layer having excellent resistance to etching in the low refractive index layer can be obtained.

그 결과, 투명 도전층의 패턴 형상을 안정적으로 불가시화할 수 있고, 또한, 투명 도전층 등과의 사이의 밀착성이 뛰어난 투명 도전층 형성용 적층체를 얻을 수 있게 되었다.As a result, the pattern shape of the transparent conductive layer can be stably invisible, and a laminate for forming a transparent conductive layer having excellent adhesion between the transparent conductive layer and the like can be obtained.

따라서, 본 발명의 투명 도전층 형성용 적층체 및 그것을 사용한 투명 도전성 필름은, 터치 패널의 고품질화에 현저하게 기여하는 것이 기대된다.Therefore, it is expected that the laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention and the transparent conductive film using the same will remarkably contribute to a high quality of the touch panel.

1 : 투명 도전층, 2 : 광학 조정층, 2a : 저굴절률층, 2b : 고굴절률층, 3 : 하드 코팅층, 4 : 기재 필름, 10 : 투명 도전층 형성용 적층체, 100 : 투명 도전성 필름1: transparent conductive layer, 2: optical adjusting layer, 2a: low refractive index layer, 2b: high refractive index layer, 3: hard coat layer, 4: base film, 10: laminate for forming a transparent conductive layer,

Claims (9)

기재 필름의 적어도 한쪽의 표면에 광학 조정층을 갖는 투명 도전층 형성용 적층체로서,
상기 광학 조정층이, 상기 기재 필름 측으로부터, 굴절률이 1.6 이상의 값인 고굴절률층과, 굴절률이 1.45 이하의 값인 저굴절률층을 순서대로 적층하여 이루어짐과 함께,
상기 저굴절률층이, 하기 (A)∼(B)성분을 포함하는 저굴절률층 형성용 조성물을 광경화하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전층 형성용 적층체.
(A) 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부
(B) 실리카 미립자 2∼120중량부
A laminate for forming a transparent conductive layer having an optical adjustment layer on at least one surface of a base film,
Wherein the optical adjustment layer is formed by laminating a high refractive index layer having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index layer having a refractive index of 1.45 or less in this order from the base film side,
Wherein the low refractive index layer is formed by photocuring a composition for forming a low refractive index layer containing the following components (A) to (B).
(A) 100 parts by weight of an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin
(B) 2 to 120 parts by weight of fine silica particles
제1항에 있어서,
상기 (B)성분으로서의 실리카 미립자의 체적 평균 입자경(D50)을 20∼70㎚의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 투명 도전층 형성용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the volume average particle diameter (D50) of the fine silica particles as the component (B) is set to a value within a range of 20 to 70 nm.
제1항에 있어서,
상기 (B)성분으로서의 실리카 미립자가 중공 실리카 미립자인 것을 특징으로 하는 투명 도전층 형성용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the fine silica particles as the component (B) are hollow silica fine particles.
제1항에 있어서,
상기 (B)성분으로서의 실리카 미립자가 반응성 실리카 미립자인 것을 특징으로 하는 투명 도전층 형성용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the fine silica particles as the component (B) are reactive silica fine particles.
제1항에 있어서,
상기 (A)성분으로서의 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지의 일부를 구성하는 발수성 수지가, 불소 수지인 것을 특징으로 하는 투명 도전층 형성용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the water-repellent resin constituting a part of the active energy ray-curable resin containing the water-repellent resin as the component (A) is a fluororesin.
제1항에 있어서,
상기 저굴절률층에 있어서의 표면 자유 에너지를 37mN/m 이상의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 투명 도전층 형성용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the surface free energy in the low refractive index layer is set to a value of 37 mN / m or more.
제1항에 있어서,
상기 저굴절률층의 막두께를 20∼150㎚의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 투명 도전층 형성용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the film thickness of the low refractive index layer is within a range of 20 to 150 nm.
기재 필름의 적어도 한쪽의 표면에 광학 조정층과, 투명 도전층을 순서대로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름으로서,
상기 광학 조정층이, 상기 기재 필름 측으로부터, 굴절률이 1.6 이상의 값인 고굴절률층과, 굴절률이 1.45 이하의 값인 저굴절률층을 순서대로 적층하여 이루어짐과 함께,
상기 저굴절률층이, 하기 (A)∼(B)성분을 포함하는 저굴절률층 형성용 조성물을 광경화하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
(A) 발수성 수지를 함유하는 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부
(B) 실리카 미립자 2∼120중량부
A transparent conductive film comprising an optical adjustment layer and a transparent conductive layer laminated in order on at least one surface of a base film,
Wherein the optical adjustment layer is formed by laminating a high refractive index layer having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index layer having a refractive index of 1.45 or less in this order from the base film side,
Wherein the low refractive index layer is formed by photo-curing a composition for forming a low refractive index layer containing the following components (A) to (B).
(A) 100 parts by weight of an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin
(B) 2 to 120 parts by weight of fine silica particles
제8항에 있어서,
상기 투명 도전층이, 에칭에 의해 패턴화되어 있는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
9. The method of claim 8,
Wherein the transparent conductive layer is patterned by etching.
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