KR20210054104A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to an example, the apparatus includes: a housing for providing a processing space therein; and a support unit for supporting the substrate in the processing space. The support unit comprises: a support plate for supporting the substrate; a heater member provided on the support plate to heat the substrate; and a cooling unit provided below the support plate and forcibly cooling the support plate. The cooling unit includes: a cooling plate disposed to be spaced apart from the heater member; and a nozzle installed on the cooling plate to supply cooling gas toward the bottom of the heater member. The nozzle may be provided to be movable in a direction from the cooling plate toward the heater member. It is possible to increase cooling efficiency.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 가열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for heat treating a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 감광액과 같은 액막을 형성하는 공정을 포함한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photographing, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photography process includes forming a liquid film such as a photoresist on a substrate.

기판 상에 액막을 형성한 후에는 기판을 가열하는 베이크 공정이 진행된다. 베이크 공정은 상온에 비해 매우 높은 온도에서 진행되며, 이를 위해 기판을 가열하는 히터가 이용된다. After the liquid film is formed on the substrate, a bake process of heating the substrate is performed. The bake process is performed at a very high temperature compared to room temperature, and for this purpose, a heater for heating the substrate is used.

베이크 공정을 수행하는 챔버는 기판에 따라 서로 상이한 온도로 기판을 가열한다. 예컨대, 선행 기판을 제1온도로 처리하고, 이후에 베이크 챔버로 반입되는 후속 기판은 제1온도 보다 낮은 제2온도로 처리한다. 선행 기판을 제1온도로 처리한 이후에, 후속 기판을 제1온도 보다 낮은 제2온도로 처리하기 위해서는 히터를 냉각시키는 냉각 과정이 요구된다.The chamber performing the bake process heats the substrate at different temperatures depending on the substrate. For example, a preceding substrate is treated at a first temperature, and a subsequent substrate carried into the bake chamber is treated at a second temperature lower than the first temperature. After treating the preceding substrate to the first temperature, in order to treat the subsequent substrate to a second temperature lower than the first temperature, a cooling process of cooling the heater is required.

일반적으로, 냉각 과정에서, 히터를 향해 냉각 가스를 공급하여 히터를 냉각시킨다. 냉각 가스를 분사할 시에 분사되는 냉각 가스의 유속은 냉각 효율에 영향을 미친다. 동일 유량을 분사할 때, 더 빠른 유속을 확보하기 위해 냉각 가스를 공급하는 노즐의 길이가 길어져야 하나, 이 경우 베이크 챔버의 크기가 커지는 문제가 있다.In general, in the cooling process, cooling gas is supplied toward the heater to cool the heater. When injecting the cooling gas, the flow rate of the injected cooling gas affects the cooling efficiency. When spraying the same flow rate, the length of the nozzle supplying the cooling gas must be lengthened to secure a faster flow rate, but in this case, there is a problem that the size of the bake chamber is increased.

본 발명은 가열 유닛의 냉각 시, 냉각 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of increasing cooling efficiency when cooling a heating unit.

본 발명은 제한된 크기를 가지는 베이크 챔버에서 히터의 냉각에 사용되는 냉각 가스의 유속을 증대시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of increasing a flow rate of a cooling gas used for cooling a heater in a bake chamber having a limited size.

본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 내부에 처리공간을 제공하는 하우징; 그리고 처리공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하고, 지지 유닛은, 기판을 지지하는 지지 플레이트; 지지 플레이트에 제공되어 기판을 가열하는 히터 부재; 지지 플레이트의 아래에 제공되며 지지 플레이트를 강제 냉각하는 냉각 유닛을 포함하되, 냉각 유닛은, 히터 부재와 이격되게 배치되는 냉각 플레이트; 그리고 냉각 플레이트에 설치되어 히터 부재의 저면을 향해 냉각 가스를 공급하는 노즐을 포함하며, 노즐은, 냉각 플레이트에서 히터 부재를 향하는 방향으로 이동 가능하게 제공될 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus includes: a housing providing a processing space therein; And a support unit for supporting the substrate in the processing space, the support unit comprising: a support plate for supporting the substrate; A heater member provided on the support plate to heat the substrate; A cooling unit provided below the support plate and forcibly cooling the support plate, wherein the cooling unit comprises: a cooling plate disposed to be spaced apart from the heater member; And it includes a nozzle installed on the cooling plate to supply the cooling gas toward the bottom surface of the heater member, the nozzle may be provided so as to be movable in a direction from the cooling plate toward the heater member.

일 실시예에 의하면, 냉각 플레이트는 그 상면에 장착홈이 형성되고, 노즐은 장착홈 내에 이동 가능하게 배치될 수 있다.According to an embodiment, the cooling plate may have a mounting groove formed on its upper surface, and the nozzle may be movably disposed in the mounting groove.

일 실시예에 의하면, 냉각 유닛은, 장착홈 내에 배치되며 노즐이 수용되는 노즐 하우징; 노즐 하우징 내로 냉각 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 더 포함하고, 노즐은 노즐 하우징 내로 공급된 냉각 가스의 압력에 의해 히터 부재를 향하는 방향으로 이동하도록 제공될 수 있다.According to an embodiment, the cooling unit includes: a nozzle housing disposed in the mounting groove and accommodating the nozzle; A gas supply member for supplying a cooling gas into the nozzle housing may be further included, and the nozzle may be provided to move in a direction toward the heater member by a pressure of the cooling gas supplied into the nozzle housing.

일 실시예에 의하면, 장착홈은 냉각 플레이트에 복수 개가 제공되고, 각각의 장착홈에 노즐이 배치될 수 있다.According to an embodiment, a plurality of mounting grooves may be provided on the cooling plate, and nozzles may be disposed in each of the mounting grooves.

일 실시예에 의하면, 장착홈은 냉각 플레이트의 원주방향으로 서로 이격되게 복수 개 배치될 수 있다.According to an embodiment, a plurality of mounting grooves may be disposed to be spaced apart from each other in the circumferential direction of the cooling plate.

일 실시예에 의하면, 노즐 하우징은, 노즐 하우징의 내부를 제1공간과 제1공간의 하부에 위치하는 제2공간으로 구획하는 스토퍼가 형성될 수 있다.According to an embodiment, the nozzle housing may have a stopper that divides the inside of the nozzle housing into a first space and a second space positioned below the first space.

일 실시예에 의하면, 스토퍼에 형성된 연통홀에 의해 제1공간과 제2공간이 연통되며 노즐은 제1공간에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first space and the second space communicate with each other by the communication hole formed in the stopper, and the nozzle may be provided in the first space.

일 실시예에 의하면, 노즐은, 노즐의 상하 방향으로 관통홀이 형성되고, 관통홀은 노즐 하우징의 내부와 통하도록 제공되고, 노즐은 제2공간 내로 공급된 냉각 가스의 압력에 의해 제1공간의 내부에서 이동 가능 하도록 제공될 수 있다.According to an embodiment, the nozzle has a through hole formed in the vertical direction of the nozzle, the through hole is provided to communicate with the inside of the nozzle housing, and the nozzle is the first space by the pressure of the cooling gas supplied into the second space. It may be provided to be movable inside of.

일 실시예에 의하면, 노즐은, 베이스부; 그리고 베이스부로부터 상부로 연장된 노즐부를 가지고, 베이스부는 제1공간 내에서만 이동 가능하도록 형상 지어질 수 있다.According to one embodiment, the nozzle, the base portion; And, having a nozzle portion extending upward from the base portion, the base portion may be shaped to be movable only within the first space.

일 실시예에 의하면, 노즐은, 단면이 삼각형 형상으로 제공되는 노즐부; 그리고 노즐부 내부에 형성된 관통홀을 가지고, 관통홀은 삼각형의 최상부 꼭지점까지 연장될 수 있다.According to an embodiment, the nozzle includes: a nozzle portion having a triangular cross-section; In addition, the through hole may be formed inside the nozzle unit, and the through hole may extend to a top vertex of a triangle.

일 실시예에 의하면, 노즐부의 너비는 노즐 하우징의 내측 너비와 같게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the width of the nozzle unit may be provided equal to the inner width of the nozzle housing.

일 실시예에 의하면, 노즐은, 내부에 관통홀을 가지며 히터 부재의 저면을 향하도록 상향 경사지게 제공되는 노즐부를 더 포함하고, 스토퍼에 노즐부가 결합되며 스토퍼는 제2공간 내로 공급된 냉각 가스의 압력에 의해 노즐 하우징 내부에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the nozzle further includes a nozzle portion having a through hole therein and provided to be inclined upwardly toward the bottom surface of the heater member, the nozzle portion is coupled to the stopper, and the stopper is the pressure of the cooling gas supplied into the second space By this, it may be provided to be movable inside the nozzle housing.

일 실시예에 의하면, 스토퍼의 너비는 노즐 하우징의 내측 너비와 같게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the width of the stopper may be provided equal to the inner width of the nozzle housing.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 지지 플레이트가 기판을 제1온도로 가열하는 제1 가열 단계; 그리고 지지 플레이트에 냉각 가스를 공급하여 기 설정 온도가 되도록 강제 냉각시키는 냉각 단계를 포함하고, 노즐은, 냉각 단계에서 냉각 플레이트에서 히터 부재를 향하는 방향으로 이동되어 지지 플레이트를 냉각할 수 있다.In addition, the present invention provides a method of processing a substrate. According to an embodiment, a method of processing a substrate includes: a first heating step of heating a substrate by a support plate to a first temperature; And a cooling step of supplying a cooling gas to the support plate to forcibly cool it to a preset temperature, and the nozzle may be moved in a direction from the cooling plate toward the heater member in the cooling step to cool the support plate.

일 실시예에 의하면, 냉각 단계 이후에, 지지 플레이트가 기판을 제1온도 보다 낮은 제2온도로 가열하는 제2가열 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, after the cooling step, the support plate may further include a second heating step of heating the substrate to a second temperature lower than the first temperature.

일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 기판이 지지 플레이트에 놓인 상태에서 히터 부재로 기판을 가열하고, 기판의 가열이 완료된 후 냉각 유닛으로부터 히터 부재의 저면으로 냉각 가스를 공급하여 지지 플레이트를 강제 냉각하되, 히터 부재로부터 이격된 위치에 고정되게 배치되는 냉각 플레이트에 냉각 가스를 공급하는 노즐이 설치되고, 노즐은 기판을 가열할 때에는 히터 부재로부터 제1거리인 대기 위치에 위치하고, 냉각 가스를 공급하여 지지 플레이트를 냉각할 때에는 히터 부재로부터 제2거리인 냉각 위치에 위치하도록 냉각 플레이트에 이동 가능하게 제공되며, 제2거리는 제1거리보다 짧을 수 있다.According to an embodiment, in the substrate processing method, a substrate is heated with a heater member while the substrate is placed on a support plate, and after heating of the substrate is completed, a cooling gas is supplied from the cooling unit to the bottom of the heater member to force the support plate. While cooling, a nozzle for supplying cooling gas is installed on a cooling plate fixedly disposed at a position spaced apart from the heater member, and the nozzle is located at a stand-by position that is the first distance from the heater member when heating the substrate, and supplies cooling gas Thus, when cooling the support plate, it is movably provided to the cooling plate so as to be located at a cooling position that is a second distance from the heater member, and the second distance may be shorter than the first distance.

일 실시예에 의하면, 노즐은 냉각 플레이트로 공급되는 냉각 가스의 압력에 의해 대기 위치에서 냉각 위치로 이동될 수 있다.According to an embodiment, the nozzle may be moved from the standby position to the cooling position by the pressure of the cooling gas supplied to the cooling plate.

일 실시예에 의하면, 노즐은 냉각 플레이트로 냉각 가스의 공급이 중단될 때 자중에 의해 냉각 위치에서 대기 위치로 이동될 수 있다.According to one embodiment, the nozzle may be moved from the cooling position to the standby position by its own weight when the supply of cooling gas to the cooling plate is stopped.

본 발명의 실시예에 의하면, 가열 유닛의 냉각 시, 냉각 효율을 높일 수 있다.According to the embodiment of the present invention, when cooling the heating unit, it is possible to increase the cooling efficiency.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 7은 도 6의 가열 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8 내지 도 9는 각각 도 7의 지지 유닛을 보여주는 평면도와 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐을 보여주는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 순서를 보여주는 도면이다.
도 13 내지 도 14는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 유닛의 모습을 나타내는 도면이다.
도 15 내지 도 18은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐의 모습을 보여주는 단면도이다. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 1.
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 3.
5 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 3.
6 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 5.
7 is a cross-sectional view showing the heating device of FIG. 6.
8 to 9 are plan and cross-sectional views, respectively, showing the support unit of FIG. 7.
10 is a plan view showing a cooling plate according to an embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view showing a nozzle according to an embodiment of the present invention.
12 is a diagram illustrating a procedure of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
13 to 14 are views each showing a state of a cooling unit according to an embodiment of the present invention.
15 to 18 are cross-sectional views each showing a state of a nozzle according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2은 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 1, and FIG. 3 is a substrate processing apparatus of FIG. 1 It is a top view.

도 1 내지 도 3를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.Referring to FIGS. 1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to an embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as The second direction 14 is referred to as, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and stores the processed substrate W into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 based on the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a container 10 for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed on the load port 22 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. I can.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 in which the longitudinal direction is provided in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and rotates the third direction 16. It may be provided to be movable along the way.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of coating blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 2, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The coating blocks 30a may be disposed under the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a perform the same process with each other, and may be provided with the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other, and may be provided with the same structure.

도 4를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 4, the coating block 30a includes a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid onto the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the coating block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided in its longitudinal direction parallel to the first direction 12. A transfer robot 3422 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer robot 3422 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, a rotation about the third direction 16, and a third direction. It may be provided to be movable along (16). In the transfer chamber 3400, a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided in parallel with the first direction 12 may be provided, and the transfer robot 3422 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 4 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 3. 4, the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 are provided and support an edge region of the substrate W. According to an example, the support protrusions 3429 may be provided with four at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 도 3와 도 4를 참조하면, 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.The heat treatment chamber 3200 is provided in plural. 3 and 4, the heat treatment chambers 3200 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located on one side of the transfer chamber 3400.

도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 장치(3220), 가열 장치(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 5 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 3, and FIG. 6 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 5. The heat treatment chamber 3200 has a housing 3210, a cooling device 3220, a heating device 3230, and a conveying plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 장치(3220), 가열 장치(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 장치(3220) 및 가열 장치(3230)는 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 장치(3220)은 가열 장치(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carry-in port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210. The entrance can be kept open. A door (not shown) may be provided to selectively open and close the entrance. The cooling device 3220, the heating device 3230, and the conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling device 3220 and the heating device 3230 are provided side by side along the second direction 14. In one example, the cooling device 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating device 3230.

냉각 장치(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling device 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member 3224 is provided on the cooling plate 3222. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 장치(3230)는 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 가열 유닛(1000)으로 제공된다. 가열 장치(3230)는 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. The heating device 3230 is provided as a heating unit 1000 that heats the substrate to a temperature higher than room temperature. The heating device 3230 heats the substrate W in an atmosphere of atmospheric pressure or a lower pressure.

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 장치(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The transfer plate 3240 has a generally disk shape and has a diameter corresponding to the substrate W. A notch 3244 is formed at the edge of the transfer plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robot 3422 and 3424 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand 3420 and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the vertical position of the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed in the position where the hand 3420 and the transfer plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W between the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed. Delivery takes place. The transfer plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and may be moved between the first area 3212 and the second area 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246. The transfer plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3242. The guide groove 3242 extends from the end of the transfer plate 3240 to the inside of the transfer plate 3240. The guide groove 3242 is provided along the second direction 14 in its longitudinal direction, and the guide grooves 3242 are positioned to be spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pin 1340 from interfering with each other when the transfer of the substrate W is made between the transfer plate 3240 and the heating device 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)는 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)는 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the support plate 1320, and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed. It is made in the state of being in contact with. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well performed. According to an example, the transfer plate 3240 may be made of a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 장치(3230)는 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating apparatus 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply a gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. The liquid processing chamber 3600 is provided in plural. Some of the liquid treatment chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as a front liquid treatment chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front liquid treatment chamber 3602 applies the first liquid onto the substrate W, and the rear liquid treatment chamber 3604 applies the second liquid onto the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquids. According to an embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied on the substrate W on which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are of the same type, and they may both be photoresists.

도 7은 도 6의 가열 장치를 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 가열 유닛(1000)은 하우징(1100), 지지 유닛(1300) 그리고 배기 유닛(1500)을 포함한다. 7 is a cross-sectional view showing the heating device of FIG. 6. Referring to FIG. 7, the heating unit 1000 includes a housing 1100, a support unit 1300, and an exhaust unit 1500.

하우징(1100)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 하우징(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The housing 1100 provides a processing space 1110 for heating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The housing 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 배기홀(1122) 및 유입홀(1124)이 형성된다. 배기홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 유입홀(1124)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 배기홀(1122)을 감싸도록 배열된다. 유입홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류를 유입한다. 일 예에 의하면, 유입홀(1124)은 4 개이고, 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower part. An exhaust hole 1122 and an inlet hole 1124 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The exhaust hole 1122 is formed in the center of the upper body 1120. The exhaust hole 1122 exhausts the atmosphere of the processing space 1110. A plurality of inlet holes 1124 are provided so as to be spaced apart, and are arranged to surround the exhaust hole 1122. The inlet holes 1124 introduce external airflow into the processing space 1110. According to an example, there are four inlet holes 1124, and the external airflow may be air.

선택적으로, 유입홀들(1124)은 3 개 또는 5 개 이상으로 제공되거나, 외기는 비활성 가스일 수 있다.Optionally, three or five or more inlet holes 1124 may be provided, or outside air may be an inert gas.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower body 1140 is located under the upper body 1120. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned so that their central axes coincide with each other in the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned to face the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the blocked position by the elevating member 1130, and the other position is fixed. In this embodiment, it will be described that the position of the lower body 1140 is fixed and the upper body 1120 is moved. The open position is a position in which the upper body 1120 and the lower body 1140 are spaced apart from each other to open the processing space 1110. The blocking position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다.The sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 allows the processing space to be sealed from the outside when the upper body 1120 and the lower body 1140 contact each other. The sealing member 1160 may be provided in an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 히터 부재(1400), 리프트 핀(1340), 지지핀(1360) 그리고 냉각 유닛(900)을 포함한다. The support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110. The support unit 1300 includes a support plate 1320, a heater member 1400, a lift pin 1340, a support pin 1360, and a cooling unit 900.

도 8은 도 7의 지지 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 7 및 도 8를 참조하면, 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 8 is a plan view showing the support unit of FIG. 7. 7 and 8, the support plate 1320 transfers heat generated from the heater unit 1400 to the substrate W. The support plate 1320 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate W.

지지 플레이트(1320)는 기판(W)이 놓이는 안착면으로 기능한다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322)은 각각 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. The support plate 1320 functions as a seating surface on which the substrate W is placed. When viewed from the top, the lift holes 1322 are arranged to surround the center of the upper surface of the support plate 1320, respectively. Each of the lift holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The lift holes 1322 are positioned to be spaced apart from each other at equal intervals.

지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1340)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1340)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1340)의 상단이 안착면보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1340)의 상단이 안착면과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 하우징(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.The support plate 1320 may be made of a material including aluminum nitride (AlN). The lift pin 1340 raises and lowers the substrate W on the support plate 1320. A plurality of lift pins 1340 are provided, and each of the lift pins 1340 is provided in a pin shape facing a vertical vertical direction. A lift pin 1340 is positioned in each lift hole 1322. A driving member (not shown) moves each of the lift pins 1340 between the lifting position and the lowering position. Here, the lifting position is a position where the upper end of the lift pin 1340 is higher than the seating surface, and the lowering position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1340 is equal to or lower than the seating surface. The driving member (not shown) may be located outside the housing 1100. The driving member (not shown) may be a cylinder.

지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1340)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.The support pin 1360 prevents the substrate W from directly contacting the mounting surface. The support pin 1360 is provided in a pin shape having a longitudinal direction parallel to the lift pin 1340. A plurality of support pins 1360 are provided, each of which is fixedly installed on a seating surface. The support pins 1360 are positioned to protrude upward from the seating surface. The upper end of the support pin 1360 is provided as a contact surface that directly contacts the bottom surface of the substrate W, and the contact surface has a convex upward shape. Accordingly, the contact area between the support pin 1360 and the substrate W can be minimized.

가이드(1380)는 기판(W)이 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 안착면을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. 또한 가이드(1380)는 기판(W)과 안착면의 사이에 유입되는 기류를 소량 방지할 수 있다.The guide 1380 guides the substrate W so that the substrate W is placed in a proper position. The guide 1380 is provided to have an annular ring shape surrounding the seating surface. The guide 1380 has a larger diameter than the substrate W. The inner surface of the guide 1380 has a shape inclined downward as it approaches the central axis of the support plate 1320. Accordingly, the substrate W over the inner surface of the guide 1380 is moved to the correct position along the inclined surface. In addition, the guide 1380 may prevent a small amount of airflow flowing between the substrate W and the seating surface.

히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)에 놓인 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)에 놓인 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1400)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. The heater unit 1400 heats the substrate W placed on the support plate 1320. The heater unit 1400 is positioned below the substrate W placed on the support plate 1320. The heater unit 1400 includes a plurality of heaters 1420. The heaters 1420 are located in the support plate 1320.

히터들(1420)은 지지면의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1420)에 대응되는 지지 플레이트(1320)의 영역은 복수 개의 히팅존들로 제공될 수 있다. 각각의 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 측정 부재(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다. 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)를 공정 온도로 가열할 수 있다. The heaters 1420 heat different regions of the support surface. When viewed from above, a region of the support plate 1320 corresponding to each heater 1420 may be provided as a plurality of heating zones. Each heater 1420 is independently adjustable in temperature. For example, there may be 15 heating zones. The temperature of each heating zone is measured by a measuring member (not shown). The heaters 1420 may be printed patterns or heating wires. The heater unit 1400 may heat the support plate 1320 to a process temperature.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530) 및 안내판(1540)을 포함한다. 배기관(1530)은 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)은 상부 바디(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)은 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 배기관(1530)의 상단에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)를 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1542) 및 배기관(1530)를 순차적으로 거쳐 배기된다.The exhaust unit 1500 forcibly exhausts the interior of the processing space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1530 and a guide plate 1540. The exhaust pipe 1530 has a tubular shape in which the longitudinal direction faces in a vertical direction. The exhaust pipe 1530 is positioned to penetrate the upper wall of the upper body 1120. According to an example, the exhaust pipe 1530 may be positioned to be inserted into the exhaust hole 1122. That is, the lower end of the exhaust pipe 1530 is located in the processing space 1110, and the upper end of the exhaust pipe 1530 is located outside the processing space 1110. A pressure reducing member 1560 is connected to an upper end of the exhaust pipe 1530. The pressure reducing member 1560 depressurizes the exhaust pipe 1530. Accordingly, the atmosphere in the treatment space 1110 is exhausted through the through hole 1542 and the exhaust pipe 1530 in sequence.

안내판(1540)은 중심에 통공(1542)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 배기관(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 통공(1542)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1540)은 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 지지면과 마주하게 위치된다. 안내판(1540)은 하부 바디(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1540)은 상부 바디(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1540)은 유입홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 바디(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1540)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 유입홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.The guide plate 1540 has a plate shape having a through hole 1542 in the center. The guide plate 1540 has a circular plate shape extending from the lower end of the exhaust pipe 1530. The guide plate 1540 is fixedly coupled to the exhaust pipe 1530 so that the through hole 1542 and the inside of the exhaust pipe 1530 communicate with each other. The guide plate 1540 is positioned above the support plate 1320 to face the support surface of the support plate 1320. The guide plate 1540 is positioned higher than the lower body 1140. According to an example, the guide plate 1540 may be positioned at a height facing the upper body 1120. When viewed from the top, the guide plate 1540 is positioned to overlap the inlet hole 1124 and has a diameter spaced apart from the inner surface of the upper body 1120. Accordingly, a gap is generated between the side end of the guide plate 1540 and the inner surface of the upper body 1120, and this gap is provided as a flow path through which the air flow introduced through the inlet hole 1124 is supplied to the substrate W.

냉각 유닛(900)에 대해서는 도 9 내지 도 10을 참조하여 자세히 설명한다. 도 9는 도 7의 지지유닛을 보여주는 단면도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 플레이트(920)를 보여주는 평면도이다. The cooling unit 900 will be described in detail with reference to FIGS. 9 to 10. 9 is a cross-sectional view showing the support unit of FIG. 7, and FIG. 10 is a plan view showing a cooling plate 920 according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 지지 플레이트(1320)에는 히터 부재(1400)가 제공된다. 히터 부재(1400)에는 복수 개의 히터(1420)가 제공된다. 일 예에서, 히터 부재(1400)는 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(920)는 히터 부재(1400)의 저면에 냉각 가스를 공급하여 지지 플레이트(1320)를 냉각시킨다.Referring to FIG. 9, a heater member 1400 is provided on the support plate 1320. The heater member 1400 is provided with a plurality of heaters 1420. In one example, the heater member 1400 is provided in a plate shape. The cooling plate 920 cools the support plate 1320 by supplying cooling gas to the bottom surface of the heater member 1400.

냉각 유닛(900)은, 냉각 플레이트(920), 그리고 가스 공급 부재(950)를 포함한다. 냉각 플레이트(920)는, 히터 부재(1400)와 이격되게 배치된다.The cooling unit 900 includes a cooling plate 920 and a gas supply member 950. The cooling plate 920 is disposed to be spaced apart from the heater member 1400.

가스 공급 부재(950)는, 가스 공급 라인(954), 조절 밸브(956) 그리고 노즐(952)을 포함한다. 가스 공급 부재(950)는, 노즐 하우징(9521) 내로 냉각 가스를 공급한다. 일 예에서, 가스는 공기이다. 가스 공급 라인(954)은 가스 공급 노즐(952)로 냉각 가스를 공급한다. 조절 밸브(956)는 가스 공급원(미도시)로부터 가스 공급 라인(954)으로 공급되는 냉각 가스의 유량을 조절한다.The gas supply member 950 includes a gas supply line 954, a control valve 956 and a nozzle 952. The gas supply member 950 supplies cooling gas into the nozzle housing 9521. In one example, the gas is air. The gas supply line 954 supplies cooling gas to the gas supply nozzle 952. The control valve 956 regulates the flow rate of the cooling gas supplied to the gas supply line 954 from a gas supply source (not shown).

노즐(952)은, 냉각 플레이트(920)에 설치되어 히터 부재(1400)의 저면을 향해 냉각 가스를 직접 공급한다. 이때, 노즐(952)은, 냉각 플레이트(920)에서 히터 부재(1400)를 향하는 방향으로 이동 가능하게 제공된다. 냉각 플레이트(920)는 그 상면에 장착홈(953)이 형성되고, 노즐(952)은 장착홈(953) 내에 배치된다. 일 예에서, 장착홈(953)은 냉각 플레이트(920)에 복수 개가 제공된다. 예컨대, 장착홈(953)은 냉각 플레이트(920)의 원주방향으로 서로 이격되게 복수 개 배치되고, 각각의 장착홈(953)에 노즐(952)이 배치된다. The nozzle 952 is installed on the cooling plate 920 to directly supply the cooling gas toward the bottom surface of the heater member 1400. In this case, the nozzle 952 is provided to be movable in a direction from the cooling plate 920 toward the heater member 1400. The cooling plate 920 has a mounting groove 953 formed on its upper surface, and the nozzle 952 is disposed in the mounting groove 953. In one example, a plurality of mounting grooves 953 are provided on the cooling plate 920. For example, a plurality of mounting grooves 953 are disposed to be spaced apart from each other in the circumferential direction of the cooling plate 920, and nozzles 952 are disposed in each of the mounting grooves 953.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐(952)을 보여주는 단면도이다. 도 11을 참조하면, 노즐 하우징(9521)은 장착홈(953) 내에 배치되며, 노즐(952)이 그 내부에 수용된다. 노즐 하우징(9521)에는 스토퍼(9523)가 형성된다. 스토퍼(9523)는 노즐 하우징(9521)의 내부를 제1공간(9524)과 제2공간(9526)의 하부에 위치하는 제2공간(9526)으로 구획한다. 스토퍼(9523)에 형성된 연통홀(9522)에 의해 제1공간(9524)과 제2공간(9526)이 연통된다. 이때, 노즐(952)은 제1공간(9524)에 제공된다.11 is a cross-sectional view showing a nozzle 952 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 11, the nozzle housing 9521 is disposed in the mounting groove 953, and the nozzle 952 is accommodated therein. A stopper 9523 is formed in the nozzle housing 9521. The stopper 9523 divides the inside of the nozzle housing 9521 into a first space 9524 and a second space 9526 positioned below the second space 9526. The first space 9524 and the second space 9526 communicate with each other by a communication hole 9522 formed in the stopper 9523. In this case, the nozzle 952 is provided in the first space 9524.

노즐(952)은 그 상하 방향으로 관통홀(9527)이 형성된다. 관통홀(9527)은 노즐 하우징(9521)의 내부와 통하도록 제공된다. 예컨대, 관통홀(9527)은 제2공간(9526)과 통하도록 제공된다.The nozzle 952 has a through hole 9527 formed in the vertical direction thereof. The through hole 9527 is provided to communicate with the inside of the nozzle housing 9521. For example, the through hole 9527 is provided to communicate with the second space 9526.

가스 공급 라인(954)로부터 제2공간(9654)에 냉각 가스가 공급되면, 냉각 가스는 베이스부(9525)를 상방으로 이동시킨다. 노즐(952)이 제1공간(9524) 내에서 상승하고, 관통홀(9527)을 통해 냉각 가스가 토출된다.When cooling gas is supplied from the gas supply line 954 to the second space 9654, the cooling gas moves the base portion 9525 upward. The nozzle 952 rises in the first space 9524 and cooling gas is discharged through the through hole 9527.

일 예에서, 노즐(952)은 베이스(9525)부 그리고 노즐부(9528)를 갖는다. 노즐부(9528)는 베이스(9525)부로부터 상부로 연장된다. 베이스(9525)부는 제1공간(9524) 내에서만 이동 가능하도록 형상 지어진다. 일 예에서, 노즐 하우징(9521)의 상부에는 노즐부(9528)만이 출입 가능한 너비를 가지는 홀이 형성된다. 베이스(9525)부는 노즐 하우징(9521)에 형성된 홀의 너비보다 그 너비가 넓게 제공되어, 노즐 하우징(9521) 상부로 이탈이 방지된다.In one example, the nozzle 952 has a base 9525 portion and a nozzle portion 9528. The nozzle part 9528 extends upwardly from the base 9525 part. The base 9525 is shaped so as to be movable only within the first space 9524. In one example, a hole having a width in which only the nozzle part 9528 can enter and exit is formed in the upper portion of the nozzle housing 9521. The base 9525 is provided with a width wider than the width of the hole formed in the nozzle housing 9521, so that it is prevented from being separated from the top of the nozzle housing 9521.

노즐(952)은 제2공간(9526) 내로 공급된 냉각 가스의 압력에 의해 제1공간(9524)의 내부에서 이동 가능 하도록 제공된다. 일 예에서, 관통홀(9527)의 직경은 연통홀(9522)의 직경보다 작게 제공된다. 이에, 제2공간(9536)으로 공급된 냉각 가스는 연통홀(9522) 상부에 위치하는 베이스(9525)부를 상방으로 밀어 올린다. 일 예에서, 베이스(9525)의 너비는 제1공간(9524)의 너비와 같게 제공된다. 이에, 노즐(952)이 흔들림 없이 제1공간(9524)의 내부에서 상하로 이동될 수 있다.The nozzle 952 is provided so as to be movable inside the first space 9524 by the pressure of the cooling gas supplied into the second space 9526. In one example, the diameter of the through hole 9527 is provided smaller than the diameter of the communication hole (9522). Accordingly, the cooling gas supplied to the second space 9536 pushes the base 9525 located above the communication hole 9522 upward. In one example, the width of the base 9525 is provided equal to the width of the first space 9524. Accordingly, the nozzle 952 may be moved up and down inside the first space 9524 without shaking.

일 예에서, 노즐부(9528)와 베이스부(9525)를 합친 노즐(952)의 상하방향의 길이는 스토퍼(9523)에 노즐(952)이 놓인 상태에서, 노즐(952)의 상단이 노즐 하우징(9521)의 상단과 같은 높이에 놓이도록 제공된다. 이에, 노즐(952)이 제1공간(9524) 내에서 하방으로 이동한 후에도, 노즐부(9528)가 오차없이 노즐 하우징(9521) 상단에 형성된 홀을 통과하여 상방으로 이동할 수 있다.In one example, the length in the vertical direction of the nozzle 952 in which the nozzle part 9528 and the base part 9525 are combined is in a state where the nozzle 952 is placed on the stopper 9523, and the upper end of the nozzle 952 is the nozzle housing. It is provided to lie flush with the top of (9521). Accordingly, even after the nozzle 952 moves downward in the first space 9524, the nozzle unit 9528 may move upward through the hole formed at the upper end of the nozzle housing 9521 without error.

이하, 도 12내지 도 14를 참조하여, 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 12는 본 발명의 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이고, 도 13 내지 도 14는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 유닛의 모습을 나타내는 도면이다.Hereinafter, a substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 to 14. 12 is a flowchart showing a substrate processing method of the present invention, and FIGS. 13 to 14 are views each showing a state of a cooling unit according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 방법은, 제1 가열 단계(S10), 냉각 단계(S20) 그리고 제2 가열 단계(S30)를 포함한다.Referring to FIG. 12, the substrate processing method of the present invention includes a first heating step (S10), a cooling step (S20), and a second heating step (S30).

일 예에서, 제1 가열 단계(S10)에서 제1온도로 선행 기판을 처리하고, 제2 가열 단계(S20)에서 제2온도로 후속 기판을 처리하기 위해 냉각 단계(S20)을 포함한다.In one example, a cooling step (S20) is included to treat a preceding substrate at a first temperature in the first heating step (S10), and to process a subsequent substrate at a second temperature in the second heating step (S20).

제1 가열 단계(S10)에서, 지지 플레이트(1320)가 기판을 제1온도로 가열한다. 이때, 노즐(952)은 도 13에 도시된 바와 같이 장착홈(953)을 벗어나지 않도록 위치한다. In the first heating step S10, the support plate 1320 heats the substrate to a first temperature. At this time, the nozzle 952 is positioned so as not to deviate from the mounting groove 953 as shown in FIG. 13.

이후에, 냉각 단계(S20)에서, 지지 플레이트(1320)에 냉각 가스를 공급하여 기 설정 온도가 되도록 강제 냉각시킨다. 냉각 단계(S20)에서, 가스 공급 부재(950)를 통해 히터 부재(1400)의 저면으로 냉각 가스가 공급되어 히터 부재(1400)의 온도가 하강된다. 냉각 단계(S20)에서, 도 14에 도시된 바와 같이 노즐(952)은 냉각 플레이트(920)에서 히터 부재(1400)를 향하는 방향으로 이동되어 지지 플레이트(1320)를 냉각한다. Thereafter, in the cooling step (S20), a cooling gas is supplied to the support plate 1320 to forcibly cool to a preset temperature. In the cooling step S20, cooling gas is supplied to the bottom surface of the heater member 1400 through the gas supply member 950, so that the temperature of the heater member 1400 is lowered. In the cooling step (S20), as shown in FIG. 14, the nozzle 952 is moved in a direction from the cooling plate 920 toward the heater member 1400 to cool the support plate 1320.

냉각 단계(S20)는 히터 부재(1400)의 온도가 제1온도 보다 낮은 제2온도가 될 때까지 계속된다. The cooling step S20 continues until the temperature of the heater member 1400 becomes a second temperature lower than the first temperature.

냉각 단계(S20) 이후에, 제2 가열 단계(S30)가 시작된다. 노즐(952)은 노즐 하우징(9521) 내부로 냉각 가스의 공급이 중단될 때 자중에 의해 도 14에 도시된 대기 위치로 이동된다. 제2 가열 단계(S30)에서 지지 플레이트(1320)가 기판을 제1온도보다 낮은 제2온도로 기판을 처리한다. 이때, 노즐(952)은 제1 가열 단계(S10)와 마찬가지로, 도 13에 도시된 바와 같이 장착홈(953)을 벗어나지 않도록 위치한다.After the cooling step (S20), the second heating step (S30) is started. The nozzle 952 is moved to the standby position shown in FIG. 14 by its own weight when the supply of the cooling gas into the nozzle housing 9521 is stopped. In the second heating step (S30), the support plate 1320 treats the substrate to a second temperature lower than the first temperature. At this time, the nozzle 952 is positioned so as not to deviate from the mounting groove 953 as shown in FIG. 13, similar to the first heating step (S10).

상술한 예에서는 노즐(952)이 도 11에 도시된 바와 같이 같이 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 노즐(952a)은 단면이 삼각형 형상으로 제공될 수 있다. 도 15 내지 16를 참조하면, 노즐(952a)은, 단면이 삼각형 형상으로 제공되는 노즐부(9514) 그리고 노즐부(9514) 내부에 형성된 관통홀(9527a)을 가진다. 관통홀(9527a)은 삼각형의 최상부 꼭지점까지 연장된다. 노즐부(9514)의 최하부의 너비는 노즐 하우징(9521)의 내측 너비와 같게 제공된다. 이에 따라, 관통홀(9527a) 내부의 가스 밀폐되고 제1공간(9524)으로의 유출이 차단된다. 이에, 제2공간(9526)으로 가스가 공급됨에 따라 노즐(952)이 제1공간(9524) 내부에서 상승 가능하게 제공된다. In the above-described example, it has been described that the nozzle 952 is provided as shown in FIG. 11. However, in another example, the nozzle 952a may be provided in a triangular cross-section. 15 to 16, the nozzle 952a has a nozzle portion 9514 having a triangular cross-section and a through hole 9527a formed in the nozzle portion 9514. The through hole 9527a extends to the uppermost vertex of the triangle. The width of the lowermost portion of the nozzle portion 9514 is provided equal to the inner width of the nozzle housing 9521. Accordingly, the gas inside the through-hole 9527a is sealed, and outflow into the first space 9524 is blocked. Accordingly, as the gas is supplied to the second space 9526, the nozzle 952 is provided so as to be able to rise inside the first space 9524.

다른 예에서, 노즐(952b)은, 히터 부재(1400)의 저면을 향하도록 상향 경사지게 제공될 수 있다. 도 17 내지 도 18을 참조하면, 노즐(952b)은, 내부에 관통홀(9527b)을 가지며 히터 부재(1400)의 저면을 향하도록 상향 경사지게 제공되는 노즐부(9528b)포함한다. 스토퍼(9523b)에 노즐부(9528b)가 결합되며 스토퍼(9523b)는 노즐 하우징(9521) 내로 공급된 냉각 가스의 압력에 의해 노즐 하우징(9521) 내부에서 이동 가능하게 제공된다. 일 예에서, 스토퍼(9523b)의 너비는 노즐 하우징(9521)의 내측 너비와 같게 제공된다. 이에, 노즐(952)이 노즐 하우징(9521)의 내부로 가스가 공급됨에 따라 히터 부재(1400) 방향으로 상승하게 된다.In another example, the nozzle 952b may be provided to be inclined upward toward the bottom surface of the heater member 1400. Referring to FIGS. 17 to 18, the nozzle 952b includes a nozzle part 9528b having a through hole 9528b therein and provided to be inclined upwardly toward the bottom surface of the heater member 1400. The nozzle part 9528b is coupled to the stopper 9523b, and the stopper 9523b is provided to be movable inside the nozzle housing 9521 by the pressure of the cooling gas supplied into the nozzle housing 9521. In one example, the width of the stopper (9523b) is provided equal to the inner width of the nozzle housing (9521). Accordingly, the nozzle 952 rises in the direction of the heater member 1400 as gas is supplied into the nozzle housing 9521.

본 발명에 의하면, 제1 가열 단계(S20)또는 제2 가열 단계(S30)에서 냉각 유닛(900)이 히터 부재(1400)와 소정의 거리를 유지함에 따라, 기판을 가열할 시에 히터 부재(1400)에 대한 냉각 유닛(900)의 영향을 감소시켜, 히터 부재(1400)의 열손실을 최소화할 수 있는 이점이 있다. According to the present invention, as the cooling unit 900 maintains a predetermined distance from the heater member 1400 in the first heating step (S20) or the second heating step (S30), the heater member ( By reducing the influence of the cooling unit 900 on the 1400, there is an advantage of minimizing heat loss of the heater member 1400.

또한, 냉각 단계(S20)에서 노즐(952)이 히터 부재(1400)를 향하는 방향으로 이동되어 히터 부재(1400)와 근접한 위치에서 냉각 가스를 분사함에 따라, 노즐(952)로부터 토출되는 냉각 가스의 빠른 유속을 확보할 수 있는 이점이 있다.In addition, in the cooling step (S20), as the nozzle 952 is moved in a direction toward the heater member 1400 to inject the cooling gas at a position close to the heater member 1400, the cooling gas discharged from the nozzle 952 There is an advantage of securing a fast flow rate.

또한, 노즐(952)가 히터 부재(1400)를 향하는 방향으로 이동되어 히터 부재(1400)를 향해 냉각 가스를 직접 분사함에 따라, 지지 플레이트(1320)를 냉각시키는 시간을 단축하는 이점이 있다.In addition, as the nozzle 952 is moved in a direction toward the heater member 1400 to directly inject the cooling gas toward the heater member 1400, there is an advantage of shortening the time for cooling the support plate 1320.

본 발명에 의하면, 노즐(952)이 제1 가열 단계(S10) 또는 제2 가열 단계(S30)에서 냉각 플레이트(920)에 삽입되어 위치함에 따라 가열 유닛의 부품의 부피를 감소시키고, 주변 공간의 설계 자유도를 향상시키는 이점이 있다.According to the present invention, as the nozzle 952 is inserted and positioned in the cooling plate 920 in the first heating step (S10) or the second heating step (S30), the volume of the parts of the heating unit is reduced, and There is an advantage of improving design freedom.

다시 도 2 및 도 3를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 2 and 3, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802. The shear buffers 3802 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Other portions of the buffer chambers 3802 and 3804 are disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Each of the front buffers 3802 and the rear buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or taken out by the index robot 2200 and the transfer robot 3422. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is carried in or taken out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the coating block 30a. ) And is provided in a generally similar structure and arrangement, so it is for this. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as a developing chamber 3600 for developing and processing a substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a conveying member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit may be provided at an upper end of the interface frame 4100 to form a downward airflow therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the coating block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed by the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W I can. A plurality of additional process chambers 4200 are provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer process. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side based on an extension line in the length direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the carrying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 is the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. Each of the first robot 4602 and the second robot 4606 includes a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hand of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424. Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate (W) with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hands of the other robots have a different shape. Can be provided.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 장치(3230)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating device 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the coating block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the coating block 30a and the developing block 30b may be provided to directly exchange the substrate W with the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다. The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating treatment process and a development treatment process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only a coating process, and a film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film SOH.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the technology or knowledge in the art. The above-described embodiments are to describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are also possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

900: 냉각 유닛
620: 냉각 플레이트
950: 가스 공급부재
952: 노즐
1320: 지지 플레이트900: cooling unit
620: cooling plate
950: gas supply member
952: nozzle
1320: support plate

Claims (18)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리공간을 제공하는 하우징; 그리고
상기 처리공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하고,
상기 지지 유닛은,
상기 기판을 지지하는 지지 플레이트;
상기 지지 플레이트에 제공되어 상기 기판을 가열하는 히터 부재; 그리고,
상기 히터 부재의 아래에 제공되며 상기 지지 플레이트를 강제 냉각하는 냉각 유닛을 포함하되,
상기 냉각 유닛은,
상기 히터 부재와 이격되게 배치되는 냉각 플레이트; 그리고
상기 냉각 플레이트에 설치되어 상기 히터 부재의 저면을 향해 냉각 가스를 공급하는 노즐을 포함하며,
상기 노즐은,
상기 냉각 플레이트에서 상기 히터 부재를 향하는 방향으로 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A housing providing a processing space therein; And
It includes a support unit for supporting the substrate in the processing space,
The support unit,
A support plate supporting the substrate;
A heater member provided on the support plate to heat the substrate; And,
And a cooling unit provided under the heater member and forcibly cooling the support plate,
The cooling unit,
A cooling plate disposed to be spaced apart from the heater member; And
It is installed on the cooling plate and includes a nozzle for supplying a cooling gas toward the bottom surface of the heater member,
The nozzle,
A substrate processing apparatus provided to be movable in a direction from the cooling plate toward the heater member. 제1항에 있어서,
상기 냉각 플레이트는 그 상면에 장착홈이 형성되고,
상기 노즐은 상기 장착홈 내에 이동 가능하게 배치되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The cooling plate has a mounting groove formed on its upper surface,
The nozzle is a substrate processing apparatus disposed to be movable in the mounting groove. 제2항에 있어서,
상기 냉각 유닛은,
상기 장착홈 내에 배치되며 상기 노즐이 수용되는 노즐 하우징;
상기 노즐 하우징 내로 상기 냉각 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 더 포함하고,
상기 노즐은 상기 노즐 하우징 내로 공급된 상기 냉각 가스의 압력에 의해 상기 히터 부재를 향하는 방향으로 이동하도록 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The cooling unit,
A nozzle housing disposed in the mounting groove and accommodating the nozzle;
Further comprising a gas supply member for supplying the cooling gas into the nozzle housing,
The nozzle is provided to move in a direction toward the heater member by the pressure of the cooling gas supplied into the nozzle housing. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 장착홈은 상기 냉각 플레이트에 복수 개가 제공되고,
각각의 상기 장착홈에 상기 노즐이 배치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 2 or 3,
The mounting groove is provided with a plurality of the cooling plate,
A substrate processing apparatus in which the nozzle is disposed in each of the mounting grooves. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 장착홈은 상기 냉각 플레이트의 원주방향으로 서로 이격되게 복수 개 배치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 2 or 3,
A substrate processing apparatus in which a plurality of mounting grooves are disposed to be spaced apart from each other in the circumferential direction of the cooling plate. 제3항에 있어서,
상기 노즐 하우징은,
상기 노즐 하우징의 내부를 제1공간과 상기 제1공간의 하부에 위치하는 제2공간으로 구획하는 스토퍼가 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The nozzle housing,
A substrate processing apparatus having a stopper that divides the inside of the nozzle housing into a first space and a second space positioned below the first space. 제6항에 있어서,
상기 스토퍼에 형성된 연통홀에 의해 상기 제1공간과 제2공간이 연통되며 상기 노즐은 상기 제1공간에 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The first space and the second space are communicated with each other by a communication hole formed in the stopper, and the nozzle is provided in the first space. 제7항에 있어서,
상기 노즐은,
상기 노즐의 상하 방향으로 관통홀이 형성되고,
상기 관통홀은 상기 노즐 하우징의 내부와 통하도록 제공되고,
상기 노즐은 상기 제2공간 내로 공급된 상기 냉각 가스의 압력에 의해 상기 제1공간의 내부에서 이동 가능 하도록 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The nozzle,
Through holes are formed in the vertical direction of the nozzle,
The through hole is provided to communicate with the inside of the nozzle housing,
The nozzle is provided to be movable inside the first space by the pressure of the cooling gas supplied into the second space. 제6항에 있어서,
상기 노즐은,
베이스부; 그리고
상기 베이스부로부터 상부로 연장된 노즐부를 가지고,
상기 베이스부는 상기 제1공간 내에서만 이동 가능하도록 형상 지어진 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The nozzle,
Base portion; And
Having a nozzle portion extending upward from the base portion,
The substrate processing apparatus is shaped such that the base portion is movable only within the first space. 제6항에 있어서,
상기 노즐은,
단면이 삼각형 형상으로 제공되는 노즐부; 그리고
상기 노즐부 내부에 형성된 관통홀을 가지고,
상기 관통홀은 상기 삼각형의 최상부 꼭지점까지 연장되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The nozzle,
Nozzle portion provided in a triangular cross-section; And
It has a through hole formed inside the nozzle part,
The through hole is a substrate processing apparatus extending to a top vertex of the triangle. 제10항에 있어서,
상기 노즐부의 너비는 상기 노즐 하우징의 내측 너비와 같게 제공되는 기판 처리 장치. The method of claim 10,
The substrate processing apparatus is provided with a width of the nozzle unit equal to an inner width of the nozzle housing. 제6항에 있어서,
상기 노즐은,
내부에 관통홀을 가지며 상기 히터 부재의 저면을 향하도록 상향 경사지게 제공되는 노즐부를 더 포함하고,
상기 스토퍼에 상기 노즐부가 결합되며 상기 스토퍼는 상기 제2공간 내로 공급된 상기 냉각 가스의 압력에 의해 상기 노즐 하우징 내부에서 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The nozzle,
Further comprising a nozzle portion having a through hole therein and provided to be inclined upwardly toward the bottom surface of the heater member,
The substrate processing apparatus is provided so as to be movable inside the nozzle housing by the pressure of the cooling gas supplied into the second space, and the nozzle part is coupled to the stopper. 제12항에 있어서,
상기 스토퍼의 너비는 상기 노즐 하우징의 내측 너비와 같게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 12,
The substrate processing apparatus is provided with a width of the stopper equal to an inner width of the nozzle housing. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 지지 플레이트가 기판을 제1온도로 가열하는 제1 가열 단계; 그리고
상기 지지 플레이트에 상기 냉각 가스를 공급하여 기 설정 온도가 되도록 강제 냉각시키는 냉각 단계를 포함하고,
상기 노즐은,
상기 냉각 단계에서 상기 냉각 플레이트에서 상기 히터 부재를 향하는 방향으로 이동되어 상기 지지 플레이트를 냉각시키는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1,
A first heating step in which the support plate heats the substrate to a first temperature; And
A cooling step of forcibly cooling to a preset temperature by supplying the cooling gas to the support plate,
The nozzle,
In the cooling step, the substrate processing method is moved in a direction from the cooling plate toward the heater member to cool the support plate. 제14항에 있어서,
상기 냉각 단계 이후에,
상기 지지 플레이트가 상기 기판을 상기 제1온도 보다 낮은 제2온도로 가열하는 제2가열 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 14,
After the cooling step,
A second heating step of heating the substrate to a second temperature lower than the first temperature by the support plate. 기판이 지지 플레이트에 놓인 상태에서 히터 부재로 기판을 가열하고,
상기 기판의 가열이 완료된 후 냉각 유닛으로부터 상기 히터 부재의 저면으로 냉각 가스를 공급하여 상기 지지 플레이트를 강제 냉각하되,
상기 히터 부재로부터 이격된 위치에 고정되게 배치되는 냉각 플레이트에 상기 냉각 가스를 공급하는 노즐이 설치되고,
상기 노즐은 상기 기판을 가열할 때에는 상기 히터 부재로부터 제1거리인 대기 위치에 위치하고, 상기 냉각 가스를 공급하여 상기 지지 플레이트를 냉각할 때에는 상기 히터 부재로부터 제2거리인 냉각 위치에 위치하도록 상기 냉각 플레이트에 이동 가능하게 제공되며,
상기 제2거리는 상기 제1거리보다 짧은 기판 처리 방법.Heating the substrate with a heater member while the substrate is placed on the support plate,
After heating of the substrate is completed, a cooling gas is supplied from a cooling unit to the bottom surface of the heater member to forcibly cool the support plate,
A nozzle for supplying the cooling gas is installed on a cooling plate fixedly disposed at a position spaced apart from the heater member,
The nozzle is positioned at a standby position that is a first distance from the heater member when heating the substrate, and when cooling the support plate by supplying the cooling gas, the nozzle is positioned at a cooling position that is a second distance from the heater member. It is provided to be movable on the plate,
The second distance is shorter than the first distance. 제16항에 있어서,
상기 노즐은 상기 냉각 플레이트로 공급되는 상기 냉각 가스의 압력에 의해 상기 대기 위치에서 상기 냉각 위치로 이동되는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
The nozzle is moved from the standby position to the cooling position by the pressure of the cooling gas supplied to the cooling plate. 제16항에 있어서,
상기 노즐은 상기 냉각 플레이트로 상기 냉각 가스의 공급이 중단될 때 자중에 의해 상기 냉각 위치에서 상기 대기 위치로 이동되는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
The nozzle is moved from the cooling position to the standby position by its own weight when supply of the cooling gas to the cooling plate is stopped.
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KR20050120492A (en) * 2004-06-19 2005-12-22 삼성전자주식회사 Heat treatment apparatus
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