KR20210047247A - Method for processing workpiece - Google Patents

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KR20210047247A
KR20210047247A KR1020200118041A KR20200118041A KR20210047247A KR 20210047247 A KR20210047247 A KR 20210047247A KR 1020200118041 A KR1020200118041 A KR 1020200118041A KR 20200118041 A KR20200118041 A KR 20200118041A KR 20210047247 A KR20210047247 A KR 20210047247A
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KR1020200118041A
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히로아키 야마다
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

A novel method is provided for the technology of protecting the side surface (the inner wall surface of a dividing slot) and the front surface of a chip with a protective film layer. A method for processing a workpiece (wafer (1)) is disclosed, in which the workpiece has a predetermined dividing line (3) set on the front surface (1a) with a metal film (21) laminated on the back side (1b). The method includes: a slot forming step of forming a slot (30) that does not reach the metal film (21) on the front surface (1a) of the workpiece along the predetermined dividing line (3); a first protective film forming step of, after the slot forming step is implemented, forming a first protective film (41) coating on the front surface (1a) of the workpiece and the inner wall surface of the slot (30) by a first protective agent which has viscosity enough to be immersed in the slot (30); a second protective film forming step of, after the first protective film forming step is performed, forming a second protective film (42) coating on at least the front surface (1a) of the workpiece by a second protective agent; and a laser processing step of, after the second protective film forming step is implemented, irradiating a laser beam (94), having a wavelength with an absorption property with respective to the workpiece, from the front surface (1a) of the workpiece along the slot (30) to cut the metal film (21).

Description

피가공물의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING WORKPIECE}Processing method of workpiece {METHOD FOR PROCESSING WORKPIECE}

본 발명은, 표면에 분할 예정 라인이 설정되고, 이면에 금속막이 적층되는 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of processing a semiconductor wafer in which a line to be divided is set on a surface and a metal film is laminated on a back surface.

종래, 예컨대 특허문헌 1에 개시된 바와 같이, 이면에 금속막이 형성된 반도체 웨이퍼에 대해, 표면에 대해 절삭 블레이드에 의해 절삭 홈을 형성하는 절삭 단계와, 표면 및 절삭 홈을 보호막으로 피복하는 보호막 형성 단계와, 금속막에 대해 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼 및 금속막을 분단하는 레이저 가공 단계와, 세정에 의해 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계를 구비한 가공 방법이 알려져 있다.Conventionally, as disclosed in Patent Document 1, for example, for a semiconductor wafer having a metal film formed on the back surface, a cutting step of forming a cutting groove with a cutting blade on the surface, a protective film forming step of covering the surface and the cutting groove with a protective film, and , A processing method including a laser processing step of dividing a wafer and a metal film by irradiating a laser beam to the metal film, and a protective film removing step of removing the protective film by cleaning is known.

이 가공 방법에 의하면, 레이저 빔이 금속막에 조사되어 발생한 금속 데브리는, 보호막에 부착하여 보호막과 함께 제거할 수 있어, 디바이스 측에 잔존시키지 않게 할 수 있다.According to this processing method, the metal debris generated when the laser beam is irradiated onto the metal film can be attached to the protective film and removed together with the protective film, so that it can be prevented from remaining on the device side.

일본 공개특허공보 2018-78162호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-78162

그러나, 절삭 홈의 홈 폭이 좁은 것 등이 원인으로, 보호제가 절삭 홈에 충분히 침수하기 어려운 경우도 있어, 절삭 홈의 내벽면에 보호막이 형성되기 어렵다는 것이 확인되었다.However, it was confirmed that the protective film was difficult to form on the inner wall surface of the cutting groove in some cases due to the fact that the groove width of the cutting groove was narrow.

여기서, 점도가 낮은 보호제를 사용하는 것에 의해, 절삭 홈에 보호제가 침수되기 쉽게 하는 것을 생각할 수 있다.Here, by using a protective agent having a low viscosity, it is conceivable that the protective agent is easily immersed in the cutting grooves.

그러나, 점도가 낮은 보호제의 경우에는, 충분한 두께의 보호막층을 웨이퍼의 표면에 형성하는 것이 어렵고, 또한, 절삭 홈의 가장자리 부분에 있어서 보호막이 용해나 박리하여 웨이퍼 표면이 노출하고, 노출한 부분에 금속 데브리가 부착해 버릴 우려가 있다.However, in the case of a low-viscosity protective agent, it is difficult to form a protective film layer having a sufficient thickness on the surface of the wafer, and the protective film melts or peels at the edge of the cutting groove to expose the wafer surface, and to the exposed portion. There is a risk that the metal debris will stick to it.

그리고, 이와 같이 금속 데브리가 노출 부분에 부착하면, 칩의 측면(절삭 홈의 내벽면)이나, 표면의 디바이스를 손상시켜 버릴 우려가 있다.In addition, if the metal debris adheres to the exposed portion in this way, there is a risk of damaging the side surface (inner wall surface of the cutting groove) or the device on the surface of the chip.

본 발명은 이상의 문제를 감안하여, 칩의 측면(절삭 홈의 내벽면)과 표면을 보호막층으로 보호하는 기술에 대해, 신규한 방법을 제안하는 것이다.In view of the above problems, the present invention proposes a novel method for a technique of protecting the side surface (inner wall surface of the cutting groove) and the surface of a chip with a protective film layer.

본 발명의 일 양태에 의하면,According to an aspect of the present invention,

표면에 분할 예정 라인이 설정되고, 이면에 금속막이 적층된 피가공물의 가공 방법에 있어서,In the processing method of a workpiece in which a line to be divided is set on the surface and a metal film is laminated on the back surface,

상기 피가공물의 상기 표면에 상기 분할 예정 라인에 따라 상기 금속막에 이르지 않는 홈을 형성하는 홈 형성 단계와,A groove forming step of forming a groove on the surface of the workpiece that does not reach the metal film along the line to be divided;

상기 홈 형성 단계를 실시한 후, 상기 홈에 침수하는 점도의 제1 보호제로 피가공물의 상기 표면과 상기 홈의 내벽면을 피복하는 제1 보호막을 형성하는 제1 보호막 형성 단계와,After performing the groove forming step, a first protective film forming step of forming a first protective film covering the surface of the workpiece and the inner wall surface of the groove with a first protective agent having a viscosity immersed in the groove,

상기 제1 보호막 형성 단계를 실시한 후, 제2 보호제로 피가공물의 적어도 상기 표면을 피복하는 제2 보호막을 형성하는 제2 보호막 형성 단계와,After performing the first protective film forming step, a second protective film forming step of forming a second protective film covering at least the surface of the workpiece with a second protective agent, and

상기 제2 보호막 형성 단계를 실시한 후, 피가공물에 대해 흡수성을 가지는 파장의 레이저 빔을 피가공물의 상기 표면측으로부터 상기 홈에 따라 조사하여 상기 금속막을 분단하는 레이저 가공 단계를 포함하는 피가공물의 가공 방법으로 한다.After performing the step of forming the second protective film, processing of a workpiece including a laser processing step of dividing the metal film by irradiating a laser beam having a wavelength having absorbing properties for the workpiece from the surface side of the workpiece along the grooves Do it in the way.

또한, 본 발명의 일 양태에 의하면,Further, according to an aspect of the present invention,

상기 제2 보호제의 점도는, 상기 제1 보호제의 점도보다 높은 것으로 한다.The viscosity of the second protective agent is set to be higher than that of the first protective agent.

본 발명의 일 양태에 의하면,According to an aspect of the present invention,

상기 제1 보호제와, 상기 제2 보호제는 동일한 것으로 한다.The first protective agent and the second protective agent are assumed to be the same.

본 발명의 일 양태에 의하면,According to an aspect of the present invention,

상기 레이저 가공 단계를 실시한 후, 상기 제1 보호막과 상기 제2 보호막을 제거하는 제거 단계를 더 포함하는 것으로 한다.After performing the laser processing step, it may further include a removing step of removing the first protective layer and the second protective layer.

본 발명의 구성에 의하면, 피가공물의 표면이나 홈의 내벽면을 이중의 보호막으로 확실히 보호할 수 있고, 레이저 가공에 의해 생기는 금속 데브리가 피가공물의 표면이나 홈의 내벽면에 부착하는 것을 방지할 수 있다.According to the configuration of the present invention, the surface of the workpiece or the inner wall surface of the groove can be reliably protected with a double protective film, and the metal debris generated by laser processing can be prevented from adhering to the surface of the workpiece or the inner wall surface of the groove. I can.

도 1은 본 발명에 의해 가공되는 피가공물의 일례로서의 반도체 웨이퍼를 도시하는 도면이다.
도 2는 표면측 홈 형성 단계를 실시하기 위한 가공 장치의 예에 대해 설명하는 도면이다.
도 3(A)는 홈이 형성된 후의 피가공물의 단면도이다. 도 3(B)는 표면 친수화 단계에 대해 설명하는 도면이다.
도 4는 제1 보호막으로 피복한 상태의 피가공물의 단면도이다.
도 5는 보호막 형성 장치의 일부 측면 단면도이다.
도 6(A)는 제2 보호막으로 피복한 상태의 피가공물의 단면도이다. 도 6(B)는 레이저 가공 단계에 의해 레이저 가공 홈이 형성된 상태에 대해 설명하는 도면이다.
도 7은 레이저 가공 단계에 대해 설명하는 도면이다.
도 8은 보호막 제거 단계 후의 피가공물의 단면도이다.
도 9(A)는 동일한 보호제로 이중의 보호막을 형성하는 예에 대해 도시하는 도면이다. 도 9(B)는 도 9(A)에 있어서 레이저 가공 홈을 형성한 예에 대해 도시하는 도면이다.1 is a diagram showing a semiconductor wafer as an example of an object to be processed according to the present invention.
2 is a view for explaining an example of a processing device for performing a surface-side groove forming step.
Fig. 3(A) is a cross-sectional view of a workpiece after a groove is formed. 3(B) is a diagram explaining the step of hydrophilizing the surface.
4 is a cross-sectional view of a workpiece covered with a first protective film.
5 is a partial cross-sectional side view of an apparatus for forming a protective film.
Fig. 6A is a cross-sectional view of a workpiece covered with a second protective film. Fig. 6(B) is a diagram explaining a state in which a laser processing groove is formed by a laser processing step.
7 is a diagram explaining a laser processing step.
8 is a cross-sectional view of a workpiece after a step of removing a protective film.
Fig. 9A is a diagram showing an example in which a double protective film is formed with the same protective agent. Fig. 9(B) is a diagram showing an example in which laser processing grooves are formed in Fig. 9(A).

이하 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은, 본 발명에 의해 가공되는 피가공물의 일례로서의 반도체 웨이퍼를 도시하는 도면이다.1 is a diagram showing a semiconductor wafer as an example of an object to be processed according to the present invention.

웨이퍼(1)의 표면(1a)은, 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인(3)(스트리트)으로 구획되고, 각 영역에는 IC(Integrated　Circuit), LSI(Large-Scale　Integrated　circuit) 등의 디바이스(5)가 형성되어 있다. 이 분할 예정 라인(3)에 따라 웨이퍼(1)를 분할함으로써, 개개의 디바이스 칩으로 개편화되는 것이 예정되어 있다.The surface 1a of the wafer 1 is divided into a plurality of divided lines 3 (streets) intersecting each other, and devices such as IC (Integrated circuit) and LSI (Large-Scale integrated circuit) and LSI (Large-Scale integrated circuit) intersecting each other ( 5) is formed. By dividing the wafer 1 along the division scheduled line 3, it is planned to be divided into individual device chips.

웨이퍼(1)의 이면(1b)에는, 동(Cu)이나 알루미늄(Al) 등으로 형성된 금속막(21)이 형성되어 있다. 금속막(21)은, 예컨대, 전극이나 히트 싱크 등으로 이용되는 것이다.On the back surface 1b of the wafer 1, a metal film 21 formed of copper (Cu), aluminum (Al), or the like is formed. The metal film 21 is used, for example, as an electrode or a heat sink.

웨이퍼(1)의 이면(1b)은, 테이프(7)의 상측의 점착층에 점착된다. 또한, 테이프(7)의 점착층에는, 웨이퍼(1)를 둘러싸도록 환형의 프레임(9)이 점착되고, 웨이퍼(1)와 프레임(9)이 일체화됨으로써, 웨이퍼 유닛(11)이 형성된다.The back surface 1b of the wafer 1 is adhered to the adhesive layer on the upper side of the tape 7. In addition, an annular frame 9 is adhered to the adhesive layer of the tape 7 so as to surround the wafer 1, and the wafer 1 and the frame 9 are integrated, thereby forming the wafer unit 11.

또한, 본 발명은, 웨이퍼의 표면에 디바이스가 형성되지 않는 것에 대해서도, 적용하는 것이 가능하다.In addition, the present invention can be applied to a case where a device is not formed on the surface of a wafer.

이상의 웨이퍼(1)를 피가공물로 하여, 이하의 단계가 실행된다.Using the above wafer 1 as a work piece, the following steps are performed.

<표면측 홈 형성 단계><Step of forming surface side groove>

도 2, 및, 도 3(A)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 대해, 분할 예정 라인(3)에 따라 금속막(21)에 도달하지 않는 깊이의 홈(30)을 형성한다.As shown in Fig. 2 and Fig. 3(A), a groove 30 with a depth that does not reach the metal film 21 along the line 3 to be divided along the surface 1a of the wafer 1 ) To form.

본 실시예에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 고속 회전하는 절삭 블레이드(66)에 의해 분할 예정 라인(3)에 따라 절삭 가공함으로써, 홈(30)이 형성되는 것으로 하고 있다. 또한, 절삭 블레이드(66)에 의한 절삭 가공에 의해 홈(30)(절삭 홈)을 형성하는 것 이외에, 레이저 빔을 조사함으로써 홈이 형성되는 것으로 해도 좋다.In the present embodiment, as shown in Fig. 2, the groove 30 is formed by cutting along the line 3 to be divided by a cutting blade 66 rotating at a high speed. Further, in addition to forming the groove 30 (cutting groove) by cutting with the cutting blade 66, the groove may be formed by irradiating a laser beam.

도 3(A)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(1)의 기판(1k)의 표면(1a)에는, 디바이스(5)가 형성되고 있고, 웨이퍼(1)의 기판(1k)의 이면(1b)에는, 금속막(21)이 형성되고, 금속막(21)이 테이프(7)에 점착되어 있다.As shown in Fig. 3(A), a device 5 is formed on the surface 1a of the substrate 1k of the wafer 1, and the back surface 1b of the substrate 1k of the wafer 1 In this, a metal film 21 is formed, and the metal film 21 is adhered to the tape 7.

도 3(A)에 도시한 바와 같이, 홈(30)은, 웨이퍼(1)의 기판(1k)의 두께 방향에 형성되고, 분할 예정 라인(3)에 따라 형성되는 것이며, 각 홈(30)의 사이에 디바이스(5)가 배치되도록 구성되어 있다.As shown in Fig. 3(A), the grooves 30 are formed in the thickness direction of the substrate 1k of the wafer 1 and are formed along the line 3 to be divided, and each groove 30 It is configured such that the device 5 is disposed between the two.

또한, 홈(30)의 저면(30b)에 있어서의 기판(1k)의 절삭 잔재부의 두께는 특별히 한정은 없지만, 이후의 단계에서의 핸들링성을 고려하여 30~50㎛ 정도의 절삭 잔재부를 잔존시키는 것이 바람직하다.In addition, the thickness of the cutting residue portion of the substrate 1k on the bottom surface 30b of the groove 30 is not particularly limited, but the cutting residue portion of about 30 to 50 μm is left in consideration of the handling properties in the subsequent steps. It is desirable.

<표면 친수화 단계><Surface hydrophilization step>

표면측 홈 형성 단계에 이어, 도 3(B)에 도시한 바와 같이, 표면의 친수화 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 대해, 자외선 조사체(46)로부터, 파장 184 nm, 254 nm의 자외선을 동시에, 또는, 차례로 조사한다. 파장 184 nm의 자외선에 의해 대기 중의 산소가 분해되어 오존층을 생성시킨다. 생성된 오존은 파장 254 nm의 자외선에 의해 분해되어 활성 산소를 생성시킨다. 생성된 활성 산소가 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 작용하여 친수성이 향상한다. 또한, 이와 동시에, 표면(1a)에 부착하고 있던 유분 등의 유기 화합물도, H2O, CO2, NO 등이 되어, 웨이퍼(1)의 표면(1a)으로부터 휘발하여 제거된다.Following the surface-side groove formation step, as shown in Fig. 3(B), it is preferable to perform a hydrophilic treatment of the surface. Specifically, the surface 1a of the wafer 1 is irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 184 nm and 254 nm from the ultraviolet irradiator 46 at the same time or sequentially. Oxygen in the atmosphere is decomposed by ultraviolet rays with a wavelength of 184 nm to create an ozone layer. The generated ozone is decomposed by ultraviolet rays with a wavelength of 254 nm to generate active oxygen. The generated active oxygen acts on the surface 1a of the wafer 1 to improve hydrophilicity. At the same time, organic compounds such as oil adhering to the surface 1a also become H 2 O, CO 2 , NO, and the like, and are removed by volatilization from the surface 1a of the wafer 1.

자외선 조사체(46)로서는, 예컨대, 파장 184 nm, 254 nm에 두 개의 피크를 갖는 저압 수은 램프나, 각각 파장 184 nm, 254 nm를 갖는 LED 램프를 이용할 수 있다. 또한, 자외선 조사를 대신하여, 플라즈마 조사에 의해 친수화 처리를 실시하는 것으로 해도 좋다. 플라즈마 생성용 가스로서는 아르곤과 수성 가스의 혼합 기 체를 이용할 수 있다.As the ultraviolet irradiator 46, for example, a low-pressure mercury lamp having two peaks at wavelengths 184 nm and 254 nm, or an LED lamp having wavelengths 184 nm and 254 nm, respectively, can be used. In addition, instead of irradiation with ultraviolet rays, a hydrophilic treatment may be performed by plasma irradiation. As the plasma generating gas, a mixed gas of argon and aqueous gas can be used.

<제1 보호막 형성 단계><First protective film formation step>

다음에, 도 4, 및, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 대해, 1층째의 보호막(41)을 형성하기 위한, 제1 보호막 형성 단계를 실시한다.Next, as shown in Figs. 4 and 5, a first protective film forming step for forming the first protective film 41 on the surface 1a of the wafer 1 is performed.

도 4에서는, 웨이퍼(1)의 표면(1a), 및, 디바이스(5)의 표면이, 제1 보호막(41)으로 피복되는 것과 동시에, 홈(30)의 내벽면(30a), 및, 저면(30b)이, 제1 보호막(41)으로 피복되는 것이 도시되어 있다.In Fig. 4, the surface 1a of the wafer 1 and the surface of the device 5 are covered with the first protective film 41, and the inner wall surface 30a of the groove 30, and the bottom surface It is shown that (30b) is covered with the first protective film 41.

도 5는, 제1 보호막(41)을 형성하기 위한 보호막 형성 장치(50)의 일부 측면 단면도이다. 보호막 형성 장치(50)는, 스피너 테이블 기구(54)와, 스피너 테이블 기구(54)를 포위하도록 배치되는 액체 받이 기구(56)를 구비하고 있다.5 is a partial cross-sectional side view of the protective film forming apparatus 50 for forming the first protective film 41. The protective film forming apparatus 50 includes a spinner table mechanism 54 and a liquid receiving mechanism 56 disposed so as to surround the spinner table mechanism 54.

스피너 테이블 기구(54)는, 웨이퍼(1)를 흡인 유지하는 스피너 테이블(유지 테이블)(58)과, 스피너 테이블(58)을 지지하는 지지 부재(60)와, 지지 부재(60)를 통해 스피너 테이블(58)을 회전 구동하는 전동 모터(62)를 구비하여 구성된다.The spinner table mechanism 54 is a spinner table (holding table) 58 that sucks and holds the wafer 1, a support member 60 that supports the spinner table 58, and a spinner through the support member 60. It is comprised with the electric motor 62 which rotates and drives the table 58.

스피너 테이블(58)에는 클램프(44)가 설치되고, 스피너 테이블(58)이 회전되면 이 클램프(44)가 원심력으로 요동하여, 도 1에 도시하는 환형의 프레임(9)을 클램프하여 유지한다.A clamp 44 is provided on the spinner table 58, and when the spinner table 58 is rotated, the clamp 44 swings with a centrifugal force to clamp and hold the annular frame 9 shown in FIG. 1.

액체 받이 기구(56)는, 액체 받이 용기(56a)와, 지지 부재(60)에 장착된 커버 부재(56b)를 구비하여 구성되고, 보호막은, 세정액 등의 액체를 받는 것과 동시에, 도시하지 않는 배출 경로를 통해 배액이 배출되도록 구성된다.The liquid receiving mechanism 56 is configured with a liquid receiving container 56a and a cover member 56b attached to the support member 60, and the protective film receives a liquid such as a cleaning liquid and is not shown. It is configured such that the drainage is discharged through the discharge path.

액체 받이 용기(56a)로 둘러싸이는 공간 내에는, 제1 보호제(40)를 토출하기 위한 제1 보호제 토출 노즐(70)이 설치되어 있다. 제1 보호제 토출 노즐(70)은, 대략 L자형 형상의 암(71)의 선단에 형성되고 있고, 암(71)의 타단은 전동 모터(72)에 의해 요동되도록 구성되어 있다. 암(71)은, 보호막 공급로(73), 및, 개폐 제어 밸브(74)를 통해 보호막 공급원(75)에 접속되어 있다.In the space surrounded by the liquid receiving container 56a, a first protective agent discharge nozzle 70 for discharging the first protective agent 40 is provided. The first protective agent discharge nozzle 70 is formed at the front end of the arm 71 having a substantially L-shaped shape, and the other end of the arm 71 is configured to be oscillated by the electric motor 72. The arm 71 is connected to the protective film supply source 75 through a protective film supply path 73 and an open/close control valve 74.

이상과 같이 구성하는 보호막 형성 장치(50)를 이용하여, 웨이퍼(1)를 미리 정해진 속도로 회전시키고, 웨이퍼(1)의 중심 부분을 향해 제1 보호제(40)를 토출하면, 원심력에 의해 반경 방향으로 제1 보호제(40)가 확장되어, 웨이퍼(1)의 표면(1a)의 전면이 제1 보호제(40)에 의해 피복된다(스핀 코팅).Using the protective film forming apparatus 50 configured as described above, when the wafer 1 is rotated at a predetermined speed and the first protective agent 40 is discharged toward the central portion of the wafer 1, the radius is reduced by centrifugal force. The first protective agent 40 extends in the direction, so that the entire surface of the surface 1a of the wafer 1 is covered by the first protective agent 40 (spin coating).

또한, 제1 보호제(40)가 확장되는 과정에 있어서, 제1 보호제(40)가 홈(30)에 침수하고, 도 4에 도시한 바와 같이, 홈(30)의 내벽면(30a), 및, 저면(30b)이, 제1 보호막(41)으로 피복된다.In addition, in the process of expanding the first protective agent 40, the first protective agent 40 is submerged into the groove 30, and as shown in FIG. 4, the inner wall surface 30a of the groove 30, and , The bottom surface 30b is covered with the first protective film 41.

제1 보호막(41)을 형성하기 위한 제1 보호제(40)는, 예컨대 PVP(폴리비닐 피롤리돈) 또는 PVA(폴리비닐 알코올) 등의 수용성의 액상 수지이다.The first protective agent 40 for forming the first protective film 41 is, for example, a water-soluble liquid resin such as PVP (polyvinyl pyrrolidone) or PVA (polyvinyl alcohol).

여기서, 제1 보호제(40)의 점도는, 홈(30) 내에 확실히 침수하는 것이 가능한 값으로 설정되는 것이 바람직하고, 예컨대, 1 cP에서 20 cP 사이의 값을 선정할 수 있고, 일례로서는 8 cP이다.Here, the viscosity of the first protective agent 40 is preferably set to a value capable of reliably immersing in the groove 30. For example, a value between 1 cP and 20 cP can be selected, and as an example, 8 cP to be.

<제2 보호막 형성 단계><Second protective film formation step>

다음에, 도 6(A)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼의 표면에 형성된 제1 보호제(41)의 위에, 2층째가 되는 제2 보호막(42)을 형성하기 위한, 제2 보호막 형성 단계를 실시한다.Next, as shown in Fig. 6(A), a second protective film forming step is performed to form a second protective film 42 serving as a second layer on the first protective agent 41 formed on the surface of the wafer. do.

도 5에 도시한 바와 같이, 상술한 보호막 형성 장치(50)에는, 제1 보호제 토출 노즐(70) 이외에, 제2 보호막(42)(도 6(A))을 형성하기 위한 제2 보호제를 토출하기 위한, 제2 보호제 토출 노즐(80)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 5, in addition to the first protective agent discharge nozzle 70, a second protective agent for forming the second protective film 42 (FIG. 6(A)) is discharged to the protective film forming apparatus 50 described above. In order to do this, a second protective agent discharge nozzle 80 is provided.

제2 보호제 토출 노즐(80)은, 대략 L자형 모양의 암(81)의 선단에 형성되어 있고, 암(81)의 타단은 전동 모터(82)에 의해 요동되도록 구성되어 있다. 암(81)은, 보호막 공급로(83), 및, 개폐 제어 밸브(84)를 통해 보호막 공급원(85)에 접속되어 있다.The second protective agent discharge nozzle 80 is formed at the front end of the arm 81 having a substantially L-shaped shape, and the other end of the arm 81 is configured to be oscillated by the electric motor 82. The arm 81 is connected to the protective film supply source 85 through the protective film supply path 83 and the open/close control valve 84.

상술한 제1 보호막 형성 단계를 완료 후, 제1 보호제 토출 노즐(70)은, 전동 모터(72)에 의해 암(71)을 회전시킴으로써 대기 위치로 퇴피되고, 아울러 전동 모터(82)에 의해 암(81)을 회전시킴으로써, 제2 보호제 토출 노즐(80)이 웨이퍼(1)의 상방에 위치된다.After completing the above-described step of forming the first protective film, the first protective agent discharge nozzle 70 is retracted to the standby position by rotating the arm 71 by the electric motor 72, and at the same time, the arm 71 is retracted by the electric motor 82. By rotating 81, the second protective agent discharge nozzle 80 is positioned above the wafer 1.

그리고, 웨이퍼(1)를 미리 정해진 속도로 회전시키는 것과 함께, 웨이퍼(1)의 중심 부분을 향해 제2 보호제를 토출하면, 원심력에 의해 반경 방향으로 제2 보호제가 확장하여, 도 6(A)에 도시한 바와 같이, 제1 보호막(41)의 표면이 제2 보호막(42)에 의해 피복된다.Then, when the wafer 1 is rotated at a predetermined speed and the second protective agent is discharged toward the central portion of the wafer 1, the second protective agent is expanded in the radial direction by the centrifugal force, and Fig. 6(A) As shown in, the surface of the first protective film 41 is covered with the second protective film 42.

제2 보호막(42)을 형성하기 위한 제2 보호제는, 예컨대 PVP(폴리비닐 피롤리돈)나 PVA(폴리비닐 알코올) 등의 수용성의 액상 수지이다.The second protective agent for forming the second protective film 42 is, for example, a water-soluble liquid resin such as PVP (polyvinyl pyrrolidone) or PVA (polyvinyl alcohol).

여기서, 제2 보호막(42)을 형성하기 위한 제2 보호제의 점도는, 제1 보호막(41)을 형성하기 위한 제1 보호제의 점도보다 높게 설정하는 것이 바람직하고, 예컨대, 40 cP에서 80 cP 사이의 값을 선정할 수 있고, 일례로서는 60 cP이다.Here, the viscosity of the second protective agent for forming the second protective layer 42 is preferably set higher than the viscosity of the first protective agent for forming the first protective layer 41, for example, between 40 cP and 80 cP. A value of can be selected, and as an example, it is 60 cP.

이와 같이, 제2 보호막(42)의 형성 시에, 높은 점도의 제2 보호제를 이용하는 것으로, 디바이스(5)의 표면에 충분한 두께의 보호막을 형성할 수 있다.In this way, when forming the second protective film 42, by using the second protective agent having a high viscosity, a protective film having a sufficient thickness can be formed on the surface of the device 5.

또한, 제2 보호제의 점도가 높아짐으로써, 도 6(A)에 도시한 바와 같이, 홈(30)에 제2 보호제가 침수하지 않게 되지만, 홈(30)의 내벽면(30a), 및, 저면(30b)에 대해서는, 제1 보호막(41)으로 이미 피복되고 있어, 보호된 상태가 되고 있다.In addition, as the viscosity of the second protective agent increases, as shown in FIG. 6(A), the second protective agent does not immerse in the groove 30, but the inner wall surface 30a of the groove 30, and the bottom surface About (30b), it is already covered with the 1st protective film 41, and is in a protected state.

<레이저 가공 단계><Laser processing step>

도 7은, 레이저 가공 단계를 실시하기 위한 레이저 가공 유닛(90)에 대해 도시하는 것이며, 홈(30)에 따르도록 집광기(92)로부터 레이저 빔을 조사시키는 것이다.7 shows a laser processing unit 90 for performing a laser processing step, and irradiates a laser beam from the condenser 92 so as to follow the groove 30.

도 6(A)에 도시한 바와 같이, 홈(30) 내를 향해 레이저 빔(94)이 조사되고, 홈(30)의 저면(30b)의 하방에 잔존하는 웨이퍼(1)의 기판(1k), 및, 금속막(21)에 레이저 빔(94)을 흡수시켜 파괴함으로써, 레이저 가공 홈(32)이 형성된다. 레이저 빔(94)의 초점 위치는, 홈(30)의 저면(30b)의 하방에 잔존하는 웨이퍼(1)의 기판(1k), 및, 금속막(21)에 대응하는 위치에 설정된다.As shown in FIG. 6(A), the laser beam 94 is irradiated toward the inside of the groove 30, and the substrate 1k of the wafer 1 remaining under the bottom surface 30b of the groove 30 , And, by absorbing and destroying the laser beam 94 in the metal film 21, the laser processing groove 32 is formed. The focal position of the laser beam 94 is set at a position corresponding to the substrate 1k of the wafer 1 and the metal film 21 remaining below the bottom surface 30b of the groove 30.

도 6(B)에 도시한 바와 같이, 레이저 빔(94)의 조사에 의해, 홈(30)을 덮고 있던 제2 보호막(42)도 제거되고, 홈(30)이 개방되어, 개구부(30m)가 형성된다. 이 때, 개구부(30m)의 주위의 가장자리 부분(30n)에 있어서 보호막이 용해나 박리하여 버리는 것이 우려되지만, 제2 보호막(42)이 충분한 두께를 가지고 있기 때문에, 웨이퍼 표면이나 디바이스가 노출하고, 노출한 부분에 금속 데브리가 부착하여 버리는 것을 방지할 수 있다.As shown in Fig. 6(B), by irradiation of the laser beam 94, the second protective film 42 covering the groove 30 is also removed, the groove 30 is opened, and the opening 30m Is formed. At this time, there is a concern that the protective film melts or peels off at the edge portion 30n around the opening 30m, but since the second protective film 42 has a sufficient thickness, the wafer surface or the device is exposed, It can prevent metal debris from adhering to the exposed part and discarding it.

또한, 만일, 제2 보호막(42)이 용해나 박리를 했을 경우에도, 그 내측의 제1 보호막(41)에 의해 웨이퍼 표면이나 디바이스를 보호하는 것이 가능해진다. 이와 같이 하여, 웨이퍼 표면이나 디바이스를 이중으로 보호하는 것이 가능해진다.In addition, even if the second protective film 42 is dissolved or peeled, it becomes possible to protect the wafer surface or the device with the first protective film 41 inside the second protective film 42. In this way, it becomes possible to double-protect the wafer surface and the device.

<보호막 제거 단계><Steps to remove the protective film>

상술한 도 5에 도시하는 보호막 형성 장치(50)에는, 제1, 제2 보호제 토출 노즐(70, 80)에 부가하여, 도시하지 않는 세정액 노즐이 설치되어 있고, 이 세정액 노즐로부터 웨이퍼(1)를 향해 세정액을 토출하는 것과 함께, 웨이퍼(1)를 회전함으로써, 웨이퍼(1)나 디바이스(5)를 덮고 있던 제1, 제2 보호막(41, 42)을 제거한다.In the protective film forming apparatus 50 shown in FIG. 5 described above, in addition to the first and second protective agent discharge nozzles 70 and 80, a cleaning liquid nozzle (not shown) is provided, from which the wafer 1 The first and second protective films 41 and 42 that were covering the wafer 1 or the device 5 are removed by rotating the wafer 1 while discharging the cleaning liquid toward the.

이상과 같이 하여, 도 8에 도시한 바와 같이, 보호막이 제거되고 디바이스(5)가 노출된 상태의 웨이퍼(1)를 형성할 수 있다. 그리고, 기판(1k), 및, 금속막(21)에 형성된 레이저 가공 홈(32)이 분할 기점으로 하여, 이후의 익스팬드 공정 등에 의해 칩으로 개편화하는 것이 가능해진다.In this way, as shown in Fig. 8, the wafer 1 can be formed with the protective film removed and the device 5 exposed. Then, the substrate 1k and the laser processing groove 32 formed in the metal film 21 serve as a starting point for division, and can be divided into chips by a subsequent expansion process or the like.

또한, 이상의 실시예에서는, 도 6(A)에 도시한 바와 같이, 점도가 다른 종류의 보호제를 이용하여, 제1, 제2 보호막(41, 42)에 의해 웨이퍼(1)의 표면을 피복하는 것으로 했지만, 도 9(A)와 도 9(B)에 도시한 바와 같이, 동일 종류의 보호막(43,43)으로 이중으로 피복한 후에, 레이저 가공 홈(32)을 형성하는 것으로 해도 좋다.In addition, in the above embodiment, as shown in Fig. 6(A), the surface of the wafer 1 is coated with the first and second protective films 41 and 42 using a protective agent of a different viscosity. However, as shown in Figs. 9(A) and 9(B), the laser processing grooves 32 may be formed after double coating with the same type of protective films 43 and 43.

이 경우, 동일한 보호제가 웨이퍼의 표면에 2회 공급되고, 1회째의 보호제, 및 2회째의 보호제가 함께 홈(30)에 침수한다. 이에 의해, 홈(30)의 내벽면(30a), 및, 저면(30b)를 이중으로 피복하는 것이 가능해진다.In this case, the same protective agent is supplied to the surface of the wafer twice, and the first protective agent and the second protective agent are immersed in the groove 30 together. Thereby, it becomes possible to cover the inner wall surface 30a and the bottom surface 30b of the groove 30 double.

이상과 같이 하여 본 발명을 실현할 수 있다.In the manner described above, the present invention can be realized.

즉, 도 1 내지 도 8에 도시한 바와 같이,That is, as shown in Figs. 1 to 8,

표면(1a)에 분할 예정 라인(3)이 설정되고, 이면(1b)에 금속막(21)이 적층된 피가공물(웨이퍼(1))의 가공 방법에 있어서,In the processing method of a workpiece (wafer 1) in which a line to be divided 3 is set on the front surface 1a and a metal film 21 is laminated on the rear surface 1b,

피가공물의 표면(1a)에 분할 예정 라인(3)에 따라 금속막(21)에 이르지 않는 홈(30)을 형성하는 홈 형성 단계와,A groove forming step of forming a groove 30 on the surface 1a of the workpiece that does not reach the metal film 21 along the line 3 to be divided;

홈 형성 단계를 실시한 후, 홈(30)에 침수하는 점도의 제1 보호제로 피가공물의 표면(1a)과 홈(30)의 내벽면을 피복하는 제1 보호막(41)을 형성하는 제1 보호막 형성 단계와, After performing the groove forming step, a first protective film forming a first protective film 41 covering the surface 1a of the workpiece and the inner wall surface of the groove 30 with a first protective agent having a viscosity that is immersed in the groove 30 Formation stage and,

제1 보호막 형성 단계를 실시한 후, 제2 보호제로 피가공물의 적어도 표면(1a)을 피복하는 제2 보호막(42)를 형성하는 제2 보호막 형성 단계와,After performing the first protective film forming step, a second protective film forming step of forming a second protective film 42 covering at least the surface 1a of the workpiece with a second protective agent,

제2 보호막 형성 단계를 실시한 후, 피가공물에 대해 흡수성을 가지는 파장의 레이저 빔(94)을 피가공물의 표면(1a) 측으로부터 홈(30)에 따라 조사하여 금속막(21)을 분단하는 레이저 가공 단계를 포함하는 피가공물의 가공 방법으로 하는 것이다.After performing the second protective film forming step, a laser beam 94 of a wavelength having absorption properties for the workpiece is irradiated along the groove 30 from the surface 1a side of the workpiece to divide the metal film 21 It is a method of processing a workpiece including a processing step.

이상의 가공 방법에 의하면, 피가공물의 표면이나 홈의 내벽면을 이중의 보호막으로 확실히 보호할 수 있고, 레이저 가공에 의해 생기는 금속 데브리가 피가공물의 표면이나 홈의 내벽면에 부착하는 것을 방지할 수 있다.According to the above processing method, the surface of the workpiece or the inner wall surface of the groove can be reliably protected with a double protective film, and the metal debris generated by laser processing can be prevented from adhering to the surface of the workpiece or the inner wall surface of the groove. have.

또한, 제2 보호제의 점도는, 제1 보호제의 점도보다 높은 것으로 하는 것이다.In addition, the viscosity of the second protective agent is to be higher than the viscosity of the first protective agent.

이에 의해, 도 6(A)와 도 6(B)에 도시한 바와 같이, 점도가 높은 제2 보호제에 의해, 두께가 두꺼운 제2 보호막(42)을 형성할 수 있어, 피가공물인 웨이퍼(1)의 표면(1a)이나 디바이스(5)를 확실히 보호할 수 있다.Thereby, as shown in Figs. 6A and 6B, the second protective film 42 having a thick thickness can be formed by the second protective agent having a high viscosity, and thus the wafer 1 as a workpiece ) Of the surface (1a) and the device (5) can be protected reliably.

또한, 제1 보호제와, 제2 보호제는 동일한 것으로 한다.In addition, it is assumed that the first protective agent and the second protective agent are the same.

이에 의해, 도 9(A)와 도 9(B)에 도시한 바와 같이, 동일 종류의 보호막(43,43)으로 이중으로 피복할 수 있다. 여기서, 사용하는 보호막의 점도를 홈(30)에 침수하기 쉬운 것으로 설정하면, 홈(30) 내에 있어서도 이중의 보호막을 확실히 형성할 수 있어, 홈(30)의 내벽면(30a)을 확실히 보호할 수 있다.Thereby, as shown in Figs. 9(A) and 9(B), the same type of protective films 43 and 43 can be double coated. Here, if the viscosity of the protective film to be used is set to be easily immersed in the grooves 30, a double protective film can be reliably formed even in the grooves 30, so that the inner wall surface 30a of the grooves 30 can be reliably protected. I can.

또한, 레이저 가공 단계를 실시한 후, 제1 보호막(41)과 제2 보호막(42)을 제거하는 제거 단계를 더 포함하는 것으로 한다.In addition, after performing the laser processing step, it is assumed that a removal step of removing the first protective film 41 and the second protective film 42 is further included.

이에 의해, 보호막을 제거하여, 이후의 분할 공정 등을 실시하는 것이 가능해진다.Thereby, it becomes possible to remove the protective film and perform a subsequent division process, etc.

1 웨이퍼 1a 표면
1b 이면 1k 기판
3 분할 예정 라인 5 디바이스
21 금속막 30 홈
30a 내벽면 30b 저면
30m 개구부 30n 가장자리 부분
32 레이저 가공 홈 41 제1 보호막
42 제2 보호막 50 보호막 형성 장치
54 스피너 테이블 기구 70 제1 보호제 토출 노즐
80 제2 보호제 토출 노즐 90 레이저 가공 유닛
92 집광기 94 레이저 빔1 wafer 1a surface
1b back side 1k substrate
Lines to be divided into 3 5 devices
21 metal film 30 groove
30a inner wall surface 30b bottom surface
30m opening 30n edge part
32 Laser processing groove 41 First protective film
42 Second protective film 50 Protective film forming device
54 Spinner table mechanism 70 First protectant discharge nozzle
80 Second protective agent discharge nozzle 90 Laser processing unit
92 Condenser 94 Laser beam

Claims (4)

표면에 분할 예정 라인이 설정되고, 이면에 금속막이 적층된 피가공물의 가공 방법에 있어서,
상기 피가공물의 상기 표면에 상기 분할 예정 라인에 따라 상기 금속막에 이르지 않는 홈을 형성하는 홈 형성 단계와,
상기 홈 형성 단계를 실시한 후, 상기 홈에 침수하는 점도의 제1 보호제로 피가공물의 상기 표면과 상기 홈의 내벽면을 피복하는 제1 보호막을 형성하는 제1 보호막 형성 단계와,
상기 제1 보호막 형성 단계를 실시한 후, 제2 보호제로 피가공물의 적어도 상기 표면을 피복하는 제2 보호막을 형성하는 제2 보호막 형성 단계와,
상기 제2 보호막 형성 단계를 실시한 후, 피가공물에 대해 흡수성을 가지는 파장의 레이저 빔을 피가공물의 상기 표면 측으로부터 상기 홈에 따라 조사하여 상기 금속막을 분단하는 레이저 가공 단계를 포함하는 피가공물의 가공 방법.In the processing method of a workpiece in which a line to be divided is set on the surface and a metal film is laminated on the back surface
A groove forming step of forming a groove on the surface of the workpiece that does not reach the metal film along the line to be divided;
After performing the groove forming step, a first protective film forming step of forming a first protective film covering the surface of the workpiece and the inner wall surface of the groove with a first protective agent having a viscosity immersed in the groove;
After performing the first protective film forming step, a second protective film forming step of forming a second protective film covering at least the surface of the workpiece with a second protective agent, and
After performing the step of forming the second protective film, processing of a workpiece including a laser processing step of dividing the metal film by irradiating a laser beam of a wavelength having absorption properties for the workpiece from the surface side of the workpiece along the grooves Way. 제1항에 있어서,
상기 제2 보호제의 점도는, 상기 제1 보호제의 점도보다 높은 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.The method of claim 1,
The viscosity of the second protective agent is higher than the viscosity of the first protective agent. 제1항에 있어서,
상기 제1 보호제와, 상기 제2 보호제는 동일한 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.The method of claim 1,
The processing method of the workpiece, characterized in that the first protective agent and the second protective agent are the same. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 레이저 가공 단계를 실시한 후, 상기 제1 보호막과 상기 제2 보호막을 제거하는 제거 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
After performing the laser processing step, the method further comprising a removing step of removing the first protective film and the second protective film.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023007679A1 (en) * 2021-07-29 2023-02-02 オリンパス株式会社 Imaging unit, endoscope, and method for manufacturing imaging unit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018078162A (en) 2016-11-08 2018-05-17 株式会社ディスコ Processing method for wafer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119594A (en) * 2010-12-03 2012-06-21 Disco Abrasive Syst Ltd Processing method of plate-like object
US8048778B1 (en) * 2010-12-10 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of dicing a semiconductor structure
JP2015095508A (en) * 2013-11-11 2015-05-18 株式会社ディスコ Method for processing wafer
JP6770858B2 (en) * 2016-09-09 2020-10-21 株式会社ディスコ Dividing method
JP6928238B2 (en) * 2017-06-21 2021-09-01 日亜化学工業株式会社 Manufacturing method of light emitting element

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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