KR20210042979A - 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20210042979A
KR20210042979A KR1020217007698A KR20217007698A KR20210042979A KR 20210042979 A KR20210042979 A KR 20210042979A KR 1020217007698 A KR1020217007698 A KR 1020217007698A KR 20217007698 A KR20217007698 A KR 20217007698A KR 20210042979 A KR20210042979 A KR 20210042979A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
substrate
containing gas
pressure
hydrogen
Prior art date
Application number
KR1020217007698A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102595585B1 (ko
Inventor
케이고 니시다
타카시 오자키
타카후미 사사키
Original Assignee
가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 filed Critical 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
Publication of KR20210042979A publication Critical patent/KR20210042979A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102595585B1 publication Critical patent/KR102595585B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
    • H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45508—Radial flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

기판 표면에 형성되는 산화막의 면내 막 두께 분포의 제어성을 향상시키는 기술을 제공한다.
대기압 미만의 제1 압력 하에 있는 가열된 기판에 대하여 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하고, 상기 기판의 표면을 산화하여 제1 산화층을 형성하는 제1 공정; 및 상기 제1 압력과 다른 대기압 미만의 제2 압력 하에 있는 가열된 상기 기판에 대하여 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 함유 가스를 공급하고, 상기 제1 산화층이 형성된 상기 기판의 표면을 산화하여 제2 산화층을 형성하는 제2 공정을 포함한다.

Description

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
본 개시(開示)는 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서 처리실 내의 기판에 대하여 산소 함유 가스를 공급하여 기판 표면에 산화막을 형성하는 공정이 수행된다(예컨대 특허문헌 1, 특허문헌 2 참조).
1. 특허 제5325363호 공보 2. 특허 제6199570호 공보
하지만 종래 기술에서는 기판 표면에 형성되는 산화막의 면내(面內) 막 두께 분포를 균일하게 하는 것이 곤란했다.
본 개시의 일 형태에 따르면, 대기압 미만의 제1 압력 하에 있는 가열된 기판에 대하여 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하고, 상기 기판의 표면을 산화하여 제1 산화층을 형성하는 제1 공정; 및 상기 제1 압력과 다른 대기압 미만의 제2 압력 하에 있는 가열된 상기 기판에 대하여 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 함유 가스를 공급하고, 상기 제1 산화층이 형성된 상기 기판의 표면을 산화하여 제2 산화층을 형성하는 제2 공정을 포함하는 기술이 제공된다.
본 개시에 따르면, 기판 표면에 형성되는 산화막의 면내 막 두께 분포의 제어성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 처리로의 개략을 도시하는 종단면도(縱斷面圖).
도 2는 도 1에 도시하는 처리로의 A-A선 개략 횡단면도(橫斷面圖).
도 3은 본 개시의 일 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계를 블록도로 도시하는 도면.
도 4는 본 개시의 일 실시 형태에서의 가스 공급의 타이밍을 도시하는 도면.
도 5의 (A)는 초기 공정에 의해 형성되는 SiO층의 모델 도면을 도시하는 도면, 도 5의 (B)는 제1 공정에 의해 형성되는 SiO층의 모델 도면을 도시하는 도면, 도 5의 (C)는 제2 공정에 의해 형성되는 SiO층의 모델 도면을 도시하는 도면.
도 6은 H2 가스와 O2 가스에 의한 산화 처리 시간과 형성되는 막 두께의 관계를 도시하는 도면.
도 7은 H2 가스와 O2 가스의 혼합 가스중의 H2 가스의 비율과 성막 속도의 관계를 도시하는 도면.
도 8은 면내 균일성의 압력 의존성을 도시하는 도면.
도 9의 (A)는 본 실시예에 따른 보트 상부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO층의 막 두께 분포를 도시하는 도면, 도 9의 (B)는 본 실시예에 따른 보트 중앙부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO층의 막 두께 분포를 도시하는 도면, 도 9의 (C)는 본 실시예에 따른 보트 하부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO층의 막 두께 분포를 도시하는 도면, 도 9의 (D)는 비교예에 따른 보트 상부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO층의 막 두께 분포를 도시하는 도면, 도 9의 (E)는 비교예에 따른 보트 중앙부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO층의 막 두께 분포를 도시하는 도면, 도 9의 (F)는 비교예에 따른 보트 하부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO층의 막 두께 분포를 도시하는 도면.
다음으로 본 개시의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명한다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하면서 설명한다.
기판 처리 장치(10)는 반도체 장치의 제조 공정에서 사용되는 장치의 일례로서 구성된다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
도 1은 반도체 디바이스의 제조 방법을 실시하기 위해서 본 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치(10)의 종형 처리로의 개략 구성도이며, 처리로(202) 부분을 종단면도로 도시한다. 도 2는 본 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 종형(縱型) 처리로의 개략 구성도이며, 처리로(202) 부분을 도 1의 A-A선 단면도로 도시한다.
도 1에 도시되는 바와 같이 처리로(202)는 가열 수단(가열 기구)으로서의 히터(207)를 포함한다. 히터(207)는 원통 형상이며, 히터 베이스(미도시)에 지지되는 것에 의해 수직으로 설치된다. 또한 히터(207)는 후술하는 바와 같이 가스를 열로 활성화시키는 활성화 기구로서도 기능한다.
히터(207)의 내측에는 히터(207)와 동심원 형상으로 반응관(203)이 배설(配設)된다. 반응관(203)은 예컨대 석영(SiO2) 또는 탄화실리콘(SiC) 등의 내열성 재료로부터 이루어지고, 상단이 폐색되고 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다. 반응관(203)의 통중공(筒中空)에는 처리실(201)이 형성된다. 처리실(201)은 기판으로서의 웨이퍼(200)를 수용 가능하도록 구성된다. 이 처리실(201) 내에서 웨이퍼(200)에 대한 처리가 수행된다.
처리실(201) 내에는 제1 노즐(249a)과 제2 노즐(249b)과 제1 어시스트 노즐(249c)과 제2 어시스트 노즐(249d)과 제3 어시스트 노즐(249e)이 반응관(203)의 하부 측벽을 관통하도록 설치된다. 제1 노즐(249a) 및 제2 노즐(249b)에는 각각 제1 가스 공급관(232a) 및 제2 가스 공급관(232b)이 접속된다. 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d) 및 제3 어시스트 노즐(249e)에는 각각 제3 가스 공급관(232c), 제4 가스 공급관(232d) 및 제5 가스 공급관(232e)이 접속된다.
제1 노즐(249a), 제2 노즐(249b), 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d) 및 제3 어시스트 노즐(249e)은 각각 L자형의 노즐로서 구성되고, 그 수평부가 반응관(203)의 하부 측벽을 관통하도록 설치된다. 제1 노즐(249a), 제2 노즐(249b) 및 제1 어시스트 노즐(249c)의 수직부는, 반응관(203)의 지름 방향 외향으로 돌출되고 또한 연직 방향으로 연재되도록 형성되는 홈[溝] 형상의 예비실(201a)의 내부에 설치되고, 예비실(201a) 내에서 반응관(203)의 내벽을 따라 상방(上方)[웨이퍼(200)의 배열 방향 상방]을 향해서 설치된다. 제1 어시스트 노즐(249c)의 수직부는 제1 노즐(249a) 및 제2 노즐(249b)에 인접해서 설치된다. 제2 어시스트 노즐(249d) 및 제3 어시스트 노즐(249e)의 수직부는 예비실(201a)과 같이 반응관(203)의 지름 방향 외향으로 돌출되고, 또한 연직 방향으로 연재되도록 형성되는 홈 형상의 예비실(201b)의 내부에 설치되고, 예비실(201b) 내에서 반응관(203)의 내벽을 따라 상방을 향해서 설치된다. 제2 어시스트 노즐(249d) 및 제3 어시스트 노즐(249e)의 수직부는 인접해서 설치된다.
제1 노즐(249a) 및 제2 노즐(249b)은 처리실(201)의 하부 영역으로부터 처리실(201)의 상부 영역까지 연재되도록 설치된다. 제1 노즐(249a) 및 제2 노즐(249b)에는 각각 웨이퍼(200)와 대향하는 위치이며, 보트(217)의 하부로부터 상부까지의 높이 위치에 반응관(203)의 하부로부터 상부에 걸쳐서 복수의 가스 공급공(250a, 250b)이 설치된다. 가스 공급공(250a, 250b)은 각각 동일한 개구(開口) 면적을 가지고, 또한 동일한 개구 피치로 설치된다.
제1 어시스트 노즐(249c)은 처리실(201)의 하부 영역으로부터 처리실(201)의 상부 영역까지 연재되도록 설치된다. 제1 어시스트 노즐(249c)에는 보트(217)의 상부 영역에 배치된 웨이퍼(200)와 대향하는 위치이며, 제1 어시스트 노즐(249c)의 연신(延伸) 방향 상부의 높이 위치에만 복수의 가스 공급공(250c)이 설치된다. 가스 공급공(250c)은 각각 동일한 개구 면적을 가지고, 또한 동일한 개구 피치로 설치된다. 그렇기 때문에 제1 어시스트 노즐(249c)의 가스 공급공(250c)으로부터 처리실(201) 내에 공급된 가스는 보트(217)의 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200)에 공급된다.
제2 어시스트 노즐(249d)은 처리실(201)의 하부 영역으로부터 처리실(201)의 중부 영역까지 연재되도록 설치된다. 제2 어시스트 노즐(249d)에는 보트(217)의 중부 영역에 배치된 웨이퍼(200)와 대향하는 위치이며, 제1 어시스트 노즐(249c)의 가스 공급공(250c)보다 하방(下方)이며, 후술하는 제3 어시스트 노즐(249e)의 가스 공급공(250e)보다 상방의 높이 위치에만 복수의 가스 공급공(250d)이 설치된다. 가스 공급공(250d)은 각각 동일한 개구 면적을 가지고, 또한 동일한 개구 피치로 설치된다. 그렇기 때문에 제2 어시스트 노즐(249d)의 가스 공급공(250d)으로부터 처리실(201) 내에 공급된 가스는 보트(217)의 중부 영역에 수용된 웨이퍼(200)에 공급된다.
제3 어시스트 노즐(249e)은 처리실(201)의 하부 영역에 연재되도록 설치된다. 제3 어시스트 노즐(249e)에는 보트(217)의 하부 영역에 배치된 웨이퍼(200)와 대향하는 위치이며, 제2 어시스트 노즐(249d)의 가스 공급공(250d)보다 하방의 높이 위치에만 복수의 가스 공급공(250e)이 설치된다. 가스 공급공(250e)은 각각 동일한 개구 면적을 가지고, 또한 동일한 개구 피치로 설치된다. 그렇기 때문에 제3 어시스트 노즐(249e)의 가스 공급공(250e)으로부터 처리실(201) 내에 공급된 가스는 보트(217)의 하부 영역에 수용된 웨이퍼(200)에 공급된다.
즉 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d) 및 제3 어시스트 노즐(249e)은 서로 처리실(201) 내에서의 길이(높이)가 다르고, 또한 각 노즐에 설치된 가스 공급공(250c 내지 250e)의 적어도 일부의 높이 방향의 위치(노즐의 연신 방향의 위치)가 서로 다르다.
제1 가스 공급관(232a), 제2 가스 공급관(232b), 제3 가스 공급관(232c), 제4 가스 공급관(232d), 제5 가스 공급관(232e)에는 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241a 내지 241e) 및 개폐 밸브인 밸브(243a 내지 243e)가 각각 설치되고, 또한 제1 불활성 가스 공급관(232f), 제2 불활성 가스 공급관(232g), 제3 불활성 가스 공급관(232h), 제4 불활성 가스 공급관(232i), 제5 불활성 가스 공급관(232j)이 각각 접속된다. 이 제1 불활성 가스 공급관(232f), 제2 불활성 가스 공급관(232g), 제3 불활성 가스 공급관(232h), 제4 불활성 가스 공급관(232i), 제5 불활성 가스 공급관(232j)에는 각각 MFC(241f 내지 241j) 및 밸브(243f 내지 243j)가 설치된다.
주로 제1 가스 공급관(232a), MFC(241a), 밸브(243a)에 의해 제1 가스 공급계가 구성된다. 제1 노즐(249a)을 제1 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 제1 불활성 가스 공급관(232f), MFC(241f), 밸브(243f)에 의해 제1 불활성 가스 공급계가 구성된다.
주로 제2 가스 공급관(232b), MFC(241b), 밸브(243b)에 의해 제2 가스 공급계가 구성된다. 제2 노즐(249b)을 제2 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 제2 불활성 가스 공급관(232g), MFC(241g), 밸브(243g)에 의해 제2 불활성 가스 공급계가 구성된다.
주로 제3 가스 공급관(232c), MFC(241c), 밸브(243c)에 의해 제1 어시스트 가스 공급계가 구성된다. 제1 어시스트 노즐(249c)을 제1 어시스트 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 제3 불활성 가스 공급관(232h), MFC(241h), 밸브(243h)에 의해 제3 불활성 가스 공급계가 구성된다.
주로 제4 가스 공급관(232d), MFC(241d), 밸브(243d)에 의해 제2 어시스트 가스 공급계가 구성된다. 제2 어시스트 노즐(249d)을 제2 어시스트 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 제4 불활성 가스 공급관(232i), MFC(241i), 밸브(243i)에 의해 제4 불활성 가스 공급계가 구성된다.
주로 제5 가스 공급관(232e), MFC(241e), 밸브(243e)에 의해 제3 어시스트 가스 공급계가 구성된다. 제3 어시스트 노즐(249e)을 제3 어시스트 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 제5 불활성 가스 공급관(232j), MFC(241j), 밸브(243j)에 의해 제5 불활성 가스 공급계가 구성된다. 제1 내지 제5 불활성 가스 공급계는 각각 퍼지 가스 공급계로서도 기능한다.
제1 가스 공급관(232a)으로부터는 산화 가스(산화성 가스)로서 산소 함유 가스, 예컨대 산소(O2) 가스가 MFC(241a), 밸브(243a), 제1 노즐(249a)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급된다. 즉 제1 가스 공급계는 처리실(201) 내에 산소 함유 가스를 공급하는 산소 함유 가스 공급계로서 구성된다. 이때 동시에 제1 불활성 가스 공급관(232f)으로부터 제1 가스 공급관(232a) 내에 불활성 가스가 공급되도록 해도 좋다.
제2 가스 공급관(232b)으로부터는 환원 가스(환원성 가스)로서 수소 함유 가스, 예컨대 수소(H2) 가스가 MFC(241b), 밸브(243b), 제2 노즐(249b)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급된다. 즉 제2 가스 공급계는 처리실(201) 내에 수소 함유 가스를 공급하는 수소 함유 가스 공급계로서 구성된다. 이때 동시에 제2 불활성 가스 공급관(232g)으로부터 제2 가스 공급관(232b) 내에 불활성 가스가 공급되도록 해도 좋다.
제3 가스 공급관(232c), 제4 가스 공급관(232d), 제5 가스 공급관(232e)으로부터는 각각 환원 가스로서 수소 함유 가스, 예컨대 H2 가스가 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d), 제3 어시스트 노즐(249e)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급된다. 즉 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d), 제3 어시스트 노즐(249e)은 각각 H2 가스를 처리실(201) 내에 공급하는 수소 가스 노즐로서 이용된다. 제1 어시스트 가스 공급계, 제2 어시스트 가스 공급계 및 제3 어시스트 가스 공급계는 각각 수소 가스 공급계로서 기능한다.
또한 제3 불활성 가스 공급관(232h), 제4 불활성 가스 공급관(232i), 제5 불활성 가스 공급관(232j)으로부터는 각각 불활성 가스, 예컨대 질소(N2) 가스가 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d), 제3 어시스트 노즐(249e)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급된다. 즉 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d), 제3 어시스트 노즐(249e)은 각각 불활성 가스를 처리실(201) 내에 공급하는 불활성 가스 노즐로서도 이용된다. 제1 어시스트 가스 공급계, 제2 어시스트 가스 공급계 및 제3 어시스트 가스 공급계는 각각 불활성 가스 공급계로서도 기능한다. 본 실시 형태에서는 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d), 제3 어시스트 노즐(249e)로부터 공급하는 H2 가스 중의 N2 가스의 유량을 조정하는 것에 의해 불활성 가스 공급계로서 기능한다.
반응관(203)의 측벽 하방에는 처리실(201) 내의 분위기를 배기하는 배기관(231)이 설치된다. 배기관(231)에는 처리실(201) 내의 압력을 검출하는 압력 검출기(압력 검출부)로서의 압력 센서(245) 및 압력 조정기(압력 조정부)로서의 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(244)를 개재하여 진공 배기 장치로서의 진공 펌프(246)가 접속된다. 주로 배기관(231), APC 밸브(244), 압력 센서(245)에 의해 배기계가 구성된다. 또한 진공 펌프(246)를 배기계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 배기계는 진공 펌프(246)를 작동시키면서, 압력 센서(245)에 의해 검출된 압력 정보에 기초하여APC 밸브(244)의 밸브의 개도(開度)를 조절하는 것에 의해 처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력(진공도)이 되도록 진공 배기할 수 있도록 구성된다.
반응관(203)의 하방에는 반응관(203)의 하단 개구를 기밀하게 폐색(閉塞) 가능한 노구(爐口) 개체(蓋體)로서의 씰 캡(219)이 설치된다. 씰 캡(219)의 상면에는 반응관(203)의 하단과 당접(當接)하는 씰 부재로서의 O링(220)이 설치된다. 씰 캡(219)의 처리실(201)과 반대측에는 후술하는 기판 보지구로서의 보트(217)를 회전시키는 회전 기구(267)가 설치된다. 회전 기구(267)의 회전축(255)은 씰 캡(219)을 관통해서 보트(217)에 접속된다. 회전 기구(267)는 보트(217)를 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(200)를 회전시키도록 구성된다. 보트 엘리베이터(115)는 씰 캡(219)을 승강시키는 것에 의해 보트(217)를 처리실(201) 내외에 반입 및 반출하는 것이 가능한 것 같이 구성된다.
보트(217)는 예컨대 석영이나 탄화규소 등의 내열성 재료로 이루어지고, 복수 매의 웨이퍼(200)를 수평 자세로, 또한 서로 중심을 맞춘 상태에서 정렬시켜서 다단으로 지지하도록 구성된다. 보트(217)의 하부에는 예컨대 석영이나 탄화규소 등의 내열성 재료로 이루어지는 단열 부재(218)가 설치된다.
반응관(203) 내에는 도 2에 도시하는 바와 같이 온도 검출기로서의 온도 센서(263)가 설치된다. 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(207)로의 통전 상태를 조정하는 것에 의해 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도 분포가 되도록 구성된다.
도 3에 도시되는 바와 같이 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는 CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는 내부 버스(121e)를 개재하여 CPU(121a)과 데이터 교환 가능하도록 구성된다. 컨트롤러(121)에는 예컨대 터치패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속된다.
기억 장치(121c)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성된다. 기억 장치(121c) 내에는 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 성막 처리의 순서나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피가 판독 가능하도록 격납된다. 또한 프로세스 레시피는 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 순서를 컨트롤러(121)에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여 단순히 프로그램이라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 사용한 경우는 프로세스 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방(兩方)을 포함하는 경우가 있다. 또한 RAM(121b)은 CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보지되는 메모리 영역으로서 구성된다.
I/O 포트(121d)는 전술한 MFC(241a 내지 241j), 밸브(243a 내지 243j), 압력 센서(245), APC 밸브(244), 진공 펌프(246), 히터(207), 온도 센서(263), 회전 기구(267), 보트 엘리베이터(115) 등에 접속된다.
CPU(121a)는 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행하는 것과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(121c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성된다. 그리고 CPU(121a)는 판독한 프로세스 레시피의 내용을 따르도록 MFC(241a 내지 241j)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(243a 내지 243j)의 개폐 동작, APC 밸브(244)의 개폐 동작 및 압력 센서(245)에 기초하는 APC 밸브(244)에 의한 압력 조정 동작, 온도 센서(263)에 기초하는 히터(207)의 온도 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 회전 기구(267)에 의한 보트(217)의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 보트 엘리베이터(115)에 의한 보트(217)의 승강 동작 등을 제어하도록 구성된다.
또한 컨트롤러(121)는 전용의 컴퓨터로서 구성된 경우에 한정되지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어도 좋다. 예컨대 전술한 프로그램을 격납한 외부 기억 장치[예컨대 자기(磁氣) 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광(光) 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리](123)를 준비하고, 이러한 외부 기억 장치(123)를 이용하여 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해 본 실시 형태에 따른 컨트롤러(121)를 구성할 수 있다. 또한 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은 외부 기억 장치(123)를 개재하여 공급하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용하여 외부 기억 장치(123)를 개재하지 않고 프로그램을 공급해도 좋다. 또한 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 사용한 경우는 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다.
(2) 기판 처리 공정
다음으로 전술한 기판 처리 장치의 처리로를 이용하여 반도체 장치(디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서 실리콘 함유막인 실리콘(Si)막이 형성된 웨이퍼(200)의 표면을 산화하여 실리콘 산화막(SiO막)을 형성하는 방법의 예에 대해서 설명한다. 또한 이하의 설명에서 기판 처리 장치를 구성하는 각(各) 부(部)의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다. 또한 본 명세서에서 「웨이퍼의 표면」이라는 단어를 사용한 경우는 웨이퍼 그 자체의 표면을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성된 소정의 층 등의 표면을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「기판」이라는 단어를 사용한 경우도 「웨이퍼」라는 단어를 사용한 경우와 마찬가지이다.
본 실시 형태의 성막 시퀀스를 도 4를 이용하여 구체적으로 설명한다. 도 4는 본 개시의 일 실시 형태에서의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍을 도시하는 도면이다.
여기서는 SiO막의 성막 시퀀스로서, 대기압 미만의 제1 압력의 분위기 하에 있는 처리 용기인 처리실(201) 내에서 산소 함유 가스로서의 O2 가스와 수소 함유 가스로서의 H2 가스를 가열된 웨이퍼(200)에 공급하고, 실리콘 함유막인 Si막이 형성된 웨이퍼(200)의 표면을 산화하여 제1 산화층으로서의 실리콘산화층[SiO층(300b)]을 형성하는 제1 공정; 및 제1 압력과 다른 대기압 미만의 제2 압력의 분위기 하에 있는 처리 용기 내에서 산소 함유 가스로서의 O2 가스와 수소 함유 가스로서의 H2 가스를 가열된 웨이퍼(200)에 공급하고, SiO층(300b)이 형성된 웨이퍼(200)의 표면을 산화하여 제2 산화층으로서의 SiO층(300c)을 형성하는 제2 공정을 수행하는 예에 대해서 설명한다. 또한 본 실시 형태에서는 SiO층(300c)이 본 성막 시퀀스에서 형성되는 SiO막을 구성한다.
또한 제1 공정 전에 처리 용기 내에 산소 함유 가스로서의 O2 가스를 공급하고, Si막이 형성된 웨이퍼(200) 표면을 산화하여 초기 산화층으로서의 SiO층(300a)을 형성하는 초기 공정을 수행하는 예에 대해서 설명한다.
(웨이퍼 차지 및 보트 로드)
복수 매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전(裝塡)(웨이퍼 차지)되면 반응관(203)의 하단 개구가 개방된다. 도 1에 도시되는 바와 같이 복수 매의 웨이퍼(200)를 지지한 보트(217)는 보트 엘리베이터(115)에 의해 웨이퍼(200)를 수용하는 처리실(201) 내에 반입(보트 로드)된다. 이 상태에서 씰 캡(219)은 반응관(203)의 하단을 밀봉한 상태가 된다.
(압력 조정 및 온도 조정)
처리실(201) 내가 진공 펌프(246)에 의해 진공 배기된다. 이때 처리실(201) 내의 압력이 압력 센서(245)로 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 처리실(201) 내가 원하는 압력이 되도록 APC 밸브(244)가 피드백 제어된다(압력 조정). 또한 진공 펌프(246)는 적어도 웨이퍼(200)에 대한 처리가 완료될 때까지의 동안은 상시 작동시킨 상태를 유지한다. 또한 처리실(201) 내는 원하는 온도가 되도록 히터(207)에 의해 가열된다. 이때 처리실(201) 내가 원하는 온도 분포가 되도록 온도 센서(263)가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터(207)로의 통전 상태가 피드백 제어된다(온도 조정). 이에 의해 처리실(201) 내에 수용된 웨이퍼(200)가 원하는 온도로 가열된다. 또한 히터(207)에 의한 처리실(201) 내의 가열은 적어도 웨이퍼(200)에 대한 처리가 완료될 때까지의 동안은 계속해서 수행된다. 계속해서 회전 기구(267)에 의한 보트(217) 및 웨이퍼(200)의 회전을 시작한다. 또한 회전 기구(267)에 의한 보트(217) 및 웨이퍼(200)의 회전은 적어도 웨이퍼(200)에 대한 처리가 완료될 때까지의 동안은 계속해서 수행된다.
[초기 공정(초기 산화층 형성 공정)]
먼저, 전처리로서 웨이퍼(200) 표면에 초기 산화층으로서의 SiO층을 형성한다.
제1 가스 공급관(232a)의 밸브(243a)를 열고 제1 가스 공급관(232a)에 산소 함유 가스인 O2 가스를 흘린다. O2 가스는 제1 가스 공급관(232a)으로부터 흘러 MFC(241a)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 O2 가스는 제1 노즐(249a)의 가스 공급공(250a)으로부터 처리실(201) 내에 공급되고, 배기관(231)으로부터 배기된다. 이때 가열된 웨이퍼(200)에 대하여 O2 가스가 공급된다. 본 실시 형태에서는 산소 함유 가스로서 실질적으로 수소 비함유의 가스를 이용하고, 특히 바람직한 예로서 O2 가스 단독을 산소 함유 가스로서 처리실(201) 내에 공급한다. 즉 본 공정에서의 산소 함유 가스는 O2 가스이며, 수소를 포함하지 않는다.
이때 제1 불활성 가스 공급관(232f)의 밸브(243f)를 열고 제1 불활성 가스 공급관(232f)으로부터 산소 함유 가스의 캐리어 가스로서의 불활성 가스, 예컨대 N2 가스를 공급해도 좋다. N2 가스는 MFC(241f)에 의해 유량 조정되고, 제1 가스 공급관(232a) 내에 공급된다. 유량 조정된 N2 가스는 제1 가스 공급관(232a) 내에서 O2 가스와 혼합되어 제1 노즐(249a)로부터 가열된 감압 상태의 처리실(201) 내에 공급되고, 배기관(231)으로부터 배기된다. 또한 이때 제2 가스 공급관(232b) 내지 제5 가스 공급관(232e) 내로의 O2 가스의 침입을 방지하기 위해서 밸브(243g 내지 243j)를 열고 제2 불활성 가스 공급관(232g), 제3 불활성 가스 공급관(232h), 제4 불활성 가스 공급관(232i), 제5 불활성 가스 공급관(232j) 내에 N2 가스를 흘린다.
이때 APC 밸브(244)의 개도를 제어하여 처리실(201) 내의 압력을 예컨대 1Pa 내지 1,330Pa, 바람직하게는 20Pa 내지 133Pa의 범위 내의 압력이며, 예컨대 73Pa로 한다. MFC(241a)로 제어하는 O2 가스의 공급 유량은 예컨대 0.01slm 내지 20.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 8.7slm으로 한다. MFC(241f)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량은 예컨대 0slm 내지 40.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 1slm으로 한다. O2 가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급하는 시간, 즉 가스 공급 시간은 예컨대 10초 내지 600초의 범위 내의 시간이며, 예컨대 180초로 한다. 이때 히터(207)의 온도는 웨이퍼(200)의 온도가 예컨대 400℃ 내지 1,000℃의 범위 내의 온도이며, 예컨대 630℃가 될 수 있는 온도로 설정한다.
본 공정에 의해 웨이퍼(200) 상의 Si막이 표면으로부터 산화되고, 도 5의 (A)에 도시되는 바와 같이 웨이퍼(200)의 표면에 예컨대 0.1nm 내지 2nm의 범위 내의 두께이며, 예컨대 1nm의 초기 산화층[하지(下地) 산화층]으로서의 SiO층(300a)이 형성된다. 본 공정에서 초기 산화층을 형성하는 성막 속도(산화 레이트)는 후술하는 제1 공정 및 제2 공정에서 SiO층을 형성하는 성막 속도보다 늦고(낮고), 1Å/분 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 초기 공정에서 충분히 낮은 산화 레이트로 산화층을 형성하는 것에 의해, 이후에 수행하는 제1 공정 및 제2 공정에서 막 두께 분포(특히 동일 기판 면내의 막 두께 균일성인 면내 균일성)를 제어하기 쉽게 할 수 있다.
[제1 공정(제1 산화층 형성 공정)]
다음으로 초기 공정에 의해 초기 산화층이 형성된 웨이퍼(200) 표면에 제1 산화층으로서의 SiO층(300b)을 형성한다.
[저압 산화 처리]
제1 노즐(249a)에 의한 O2 가스의 공급과 N2 가스의 공급을 계속한 상태에서 처리실(201) 내의 압력을 대기압(101.3kPa) 미만의 소정의 압력이 되도록 컨트롤러(121)에 의해 APC 밸브(244)를 제어한다. 이때 제2 가스 공급관(232b)의 밸브(243b)를 열고 제2 가스 공급관(232b)에 수소 함유 가스로서의 H2 가스를 흘린다. H2 가스는 제2 가스 공급관(232b)으로부터 흘러 MFC(241b)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 H2 가스는 제2 노즐(249b)의 가스 공급공(250b)으로부터 처리실(201) 내에 공급되고, 배기관(231)으로부터 배기된다. 이때 산소 함유 가스로서의 O2 가스와, H2 가스와, 캐리어 가스로서의 N2 가스가 가열된 웨이퍼(200)의 외주측으로부터 그 중심을 향해서 공급된다. 또한 이때 처리실(201) 내의 O2 가스와 H2 가스의 농도비[즉 처리실(201) 내에 공급되는 O2 가스와 H2 가스의 유량비]는 소정의 농도비 영역이며, 예컨대 80:20 내지 35:65의 범위의 소정의 값으로 한다.
또한 이때 본 실시 형태에서는 제2 불활성 가스 공급관(232g)의 밸브(243g)를 열고 제2 불활성 가스 공급관(232g)으로부터 H2 가스의 캐리어 가스로서의 불활성 가스, 예컨대 N2 가스를 공급한다. N2 가스는 MFC(241g)에 의해 유량 조정되고, 제2 가스 공급관(232b) 내에 공급된다. 유량 조정된 N2 가스는 제2 가스 공급관(232b) 내에서 H2 가스와 혼합되어 제2 노즐(249b)로부터 웨이퍼(200)에 대하여 그 외주측으로부터 중심을 향해서 공급된다.
(어시스트 H2 가스 공급)
또한 이때 본 실시 형태에서는 제3 가스 공급관(232c), 제4 가스 공급관(232d) 및 제5 가스 공급관(232e)에 H2 가스를 흘린다(이 가스 공급관으로부터 공급되는 H2 가스를 어시스트 H2 가스라고 부른다.). 어시스트 H2 가스는 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d) 및 제3 어시스트 노즐(249e)로부터 웨이퍼(200)에 대하여, 그 외주측으로부터 중심을 향해서 공급된다.
여기서 어시스트 H2 가스는 본 공정 및 후술하는 제2 공정에서 웨이퍼(200) 표면에 형성되는 SiO층의 성막 분포를 조정하기 위해서 각각 필요에 따라 사용되고, 유량이 조정된다. 구체적으로는 각 노즐로부터 각각 공급되는 어시스트 H2 가스의 유량을 조정하는 것에 의해 웨이퍼(200)의 면내 방향(즉 수평 방향)에서의 H2 가스 농도, 특히 O2 가스와의 농도비의 분포를 치밀하게 조정할 수 있다. 또한 이 노즐은 가스 공급공의 높이 방향의 위치가 서로 다르므로, 각 노즐로부터 공급되는 어시스트 H2 가스의 유량을 조정하는 것에 의해 웨이퍼(200)의 면간 방향(즉 수직 방향)에서의 H2 가스 농도, 특히 O2 가스와의 농도비의 분포를 치밀하게 조정할 수 있다.
이와 같이 H2 가스 농도, 특히 O2 가스와의 농도비의 분포를 치밀하게 조정하는 것에 의해 웨이퍼(200)의 면내 및 웨이퍼 사이에서의 산화 레이트의 분포(SiO층의 성막 분포)를 보다 원하는 분포에 가까워지도록 조정할 수 있다.
(어시스트 N2 가스 공급)
또한 이때 밸브(243h, 243i, 243j)를 열고 제3 가스 공급관(232c), 제4 가스 공급관(232d) 및 제5 가스 공급관(232e)으로부터 불활성 가스로서 N2 가스를 공급해도 좋다(이 가스 공급관으로부터 공급되는 N2 가스를 어시스트 N2 가스라고 부른다.). 어시스트 N2 가스는 제3 가스 공급관(232c), 제4 가스 공급관(232d) 및 제5 가스 공급관(232e) 내에서 각각 H2 가스와 혼합되어 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d), 제3 어시스트 노즐(249e)로부터 처리실(201) 내에 수용된 웨이퍼(200)에 대하여 그 외주측으로부터 중심을 향해서 공급된다.
이때 APC 밸브(244)의 개도를 조정하여 처리실(201) 내의 압력을 대기압 미만의 제1 압력인 예컨대 1Pa 내지 665Pa의 범위 내의 압력이며, 예컨대 532Pa로 한다. MFC(241a)로 제어하는 O2 가스의 공급 유량은 예컨대 0.1slm 내지 20.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 10.0slm으로 한다. MFC(241f)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량은 각각 예컨대 0slm 내지 40.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 19.0slm으로 한다. MFC(241b)로 제어하는 H2 가스의 공급 유량은 예컨대 0.1slm 내지 10.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 3.0slm으로 한다. MFC(241g)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량은 예컨대 0slm 내지 40.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 1.5slm으로 한다. H2 가스와 O2 가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급하는 시간, 즉 가스 공급 시간은 예컨대 0.1분 내지 300분의 범위 내의 시간이며, 예컨대 28.25분으로 한다. 이때 히터(207)의 온도는 웨이퍼(200)의 온도가 예컨대 400℃ 내지 1,000℃의 범위 내의 온도이며, 예컨대 630℃가 될 수 있는 온도로 설정한다. MFC(241c 내지 241e)로 제어하는 각 H2 가스의 공급 유량은 각각 예컨대 0slm 내지 10.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 0.3slm으로 한다. MFC(241h 내지 241j)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량은 각각 예컨대 0slm 내지 40.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 3.0slm으로 한다.
본 공정에서는 전술한 조건에서 O2 가스와 H2 가스를 처리실(201) 내에 공급하는 것에 의해 O2 가스와 H2 가스가 논 플라즈마로 열적으로 활성화되어 반응하고, 그것에 의해 원자상 산소(O) 등의 산소를 포함하고 수분(H2O)을 비함유로 하는 산화종이 생성된다. 그리고 주로 이 산화종에 의해 초기 산화층[SiO층(300a)]이 형성된 웨이퍼(200)의 표면을 산화하여 제1 산화층으로서의 SiO층(300b)을 형성한다. 여기서 제1 산화층으로서의 SiO층(300b)은 본 공정 후에 웨이퍼(200)의 표면에 형성되는 SiO층을 의미한다. 따라서 본 실시 형태의 경우, SiO층(300b)은 초기 산화 공정에 의해 형성된 산화층을 포함하는 것이다. 또한 초기 산화 공정을 생략해서 본 공정만을 수행한 경우, 본 공정에 의해서만 형성된 산화층을 제1 산화층이라고 부를 수 있다.
여기서 본 공정에서는 처리실(201) 내의 압력(제1 압력)이 다음 제2 공정에서의 압력(제2 압력)과는 다른 압력이 되도록 조정된다. 이와 같이 처리 압력을 설정하는 것에 의해 웨이퍼(200)의 외주부(외주 근방)로부터 중심부까지의 사이의 지름 방향에서의 산화 레이트의 분포의 편향을 제2 공정과는 다르도록 할 수 있다.
본 실시 형태에서는 본 공정에서 제1 압력이 제2 압력보다 낮아지도록 조정된다. 이와 같이 처리 압력을 설정하는 것에 의해, 제2 공정에 비해 웨이퍼(200) 중심에 가스가 도달하기 쉽고 웨이퍼(200)의 중심부에서 산화 반응이 발생하기 쉬워진다. 따라서 제1 공정에서의 웨이퍼(200) 면내의 중심부에서의 산화 레이트가 제2 공정의 그것보다 커지고, 또한 제1 공정에서의 웨이퍼(200) 면내의 외주부에서의 산화 레이트가 제2 공정의 그것보다 작아진다.
또한 본 실시 형태에서는 본 공정에서 웨이퍼(200)의 지름 방향에서 외주부로부터 중심부를 향해서 산화 레이트가 커지도록[즉 지름 방향에서 철(凸) 형상으로 산화 레이트의 분포의 편향이 발생하도록] 제1 압력을 조정한다(설정한다). 이에 의해 도 5의 (B)에 도시되는 바와 같이, SiO층(300b)의 두께가 웨이퍼(200)의 외주부보다 웨이퍼(200)의 중심부에서 크게 되고, 두께의 분포가 웨이퍼(200) 면내에서 철 형상이 되도록 SiO층(300b)이 형성된다.
[제2 공정(제2 산화층 형성 공정)]
다음으로 제1 공정에 의해 제1 산화층이 형성된 웨이퍼(200) 표면에 제2 산화층으로서의 SiO층(300c)을 형성한다.
[고압 산화 처리]
제1 노즐(249a)에 의한 O2 가스와 N2 가스의 공급과, 제2 노즐(249b)에 의한 H2 가스와 N2 가스의 공급과, 제1 어시스트 노즐(249c), 제2 어시스트 노즐(249d) 및 제3 어시스트 노즐(249e)에 의한 H2 가스와 N2 가스의 공급을 계속한 상태에서 처리실(201) 내의 압력을 전술한 제1 압력보다 높고 대기압 미만의 소정의 압력이 되도록 컨트롤러(121)에 의해 APC 밸브(244)를 제어한다. 이때 제1 공정과 마찬가지로 O2 가스와 H2 가스와 N2 가스가 웨이퍼(200)의 외주측으로부터 중심을 향해서 공급된다. 또한 이때 O2 가스와 H2 가스의 농도비는 소정의 농도비 영역이며, 예컨대 80:20 내지 35:65의 범위의 소정의 값으로 한다. 여기서 전술한 제1 공정과 마찬가지로 어시스트 H2 가스 및 어시스트 N2 가스는 웨이퍼(200) 표면에 형성되는 SiO층의 성막 분포를 조정하기 위해서 각각 필요에 따라 사용된다.
이때 APC 밸브(244)의 개도를 조정하여 처리실(201) 내의 압력을 전술한 제1 압력과는 다른 대기압 미만의 제2 압력인 예컨대 399Pa 내지 13,300Pa의 범위 내의 압력이며, 예컨대 665Pa로 한다. MFC(241a)로 제어하는 O2 가스의 공급 유량은 예컨대 0.1slm 내지 20.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 10.0slm으로 한다. MFC(241f)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량은 예컨대 0slm 내지 40.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 3.0slm으로 한다. 즉 MFC(241f)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량을, 제1 공정에서의 MFC(241f)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량으로부터 변화시킨다. 구체적으로는 MFC(241f)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량을, 제1 공정에서의 MFC(241f)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량보다 작게 한다. MFC(241b)로 제어하는 H2 가스의 공급 유량은 예컨대 0.1slm 내지 10.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 3.0slm으로 한다. MFC(241g)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량은 예컨대 0.1slm 내지 40.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 1.5slm으로 한다. H2 가스와 O2 가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급하는 시간은 예컨대 0.1분 내지 300분의 범위 내의 시간이며, 예컨대 11.75분으로 한다. 이때 히터(207)의 온도는 웨이퍼(200)의 온도가 예컨대 400℃ 내지 1,000℃의 범위 내의 온도이며, 예컨대 630℃가 될 수 있는 온도로 설정한다. MFC(241c 내지 241e)로 제어하는 H2 가스의 공급 유량은 각각 예컨대 0.1slm 내지 10.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 0.3slm으로 한다. MFC(241h 내지 241j)로 제어하는 N2 가스의 공급 유량은 각각 예컨대 0.1slm 내지 40.0slm의 범위 내의 유량이며, 예컨대 3.0slm으로 한다.
본 공정에서는 전술한 조건에서 O2 가스와 H2 가스를 처리실(201) 내에 공급하는 것에 의해 O2 가스와 H2 가스를 논 플라즈마로 열적으로 활성화시켜서 산화종을 발생시킨다. 주로 이 산화종에 의해 SiO층(300b)이 형성된 웨이퍼(200)의 표면을 산화하여 SiO층(300b)의 막 두께를 증대시키도록 형성된 제2 산화층으로서의 SiO층(300c)이 형성된다.
여기서 본 공정에서는 전술한 바와 같이 제2 압력을 제1 압력과는 다른 압력이 되도록 조정한다. 이와 같이 공정마다 처리 압력을 다르게 하는 것에 의해 O2 가스 등의 산화 가스가 웨이퍼(200)의 외주로부터 중심부에 도달하는 확률(도달하기 쉬움 또는 도달하기 어려움)을 공정마다 조정할 수 있다. 즉 공정마다 처리 압력을 다르게 하는 것에 의해 웨이퍼(200)의 외주부와 중심부 사이에서 웨이퍼(200)의 지름 방향에서의 산화 레이트의 분포의 편향을 다르게 할 수 있다.
예컨대 본 실시 형태에서는 전술한 바와 같이 제2 압력이 제1 압력보다 높아지도록 조정된다. 이와 같이 처리 압력을 설정하는 것에 의해 제1 공정에 비해 웨이퍼(200) 중심부에 가스가 도달하기 어렵고, 가스의 흐름의 상류측인 웨이퍼(200)의 외주부에서 산화 반응이 발생하기 쉬워진다. 따라서 제2 공정에서의 웨이퍼(200)의 중심부에서의 산화 레이트를 제1 공정의 그것보다 작게 할 수 있고, 또한 제2 공정에서의 웨이퍼(200)의 외주부에서의 산화 레이트를 제1 공정의 그것보다 크게 할 수 있다.
이와 같이 압력 조건에 의해 웨이퍼(200)의 지름 방향에서의 산화 레이트의 분포가 다른 제1 공정과 제2 공정을 조합해서 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200)의 지름 방향에서의 SiO층(300c)의 막 두께의 분포를 원하는 분포로 근접시킬 수 있다. 즉 웨이퍼(200) 면내의 막 두께 분포의 제어성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는 본 공정에서 웨이퍼(200)의 지름 방향에서 외주부로부터 중심부를 향해서 산화 레이트가 작아지도록[즉 지름 방향에서 요(凹) 형상으로 산화 레이트의 분포의 편향이 발생하도록] 제2 압력을 조정한다(설정한다). 여기서 만약 제1 공정을 실시하지 않고 제2 공정을 실시한 경우, 제2 공정에 의해 형성되는 SiO층의 두께가 웨이퍼(200)의 중심보다 웨이퍼(200)의 외주부에서 크게 되고, 웨이퍼(200) 면내에서 요 형상이 되도록 SiO층이 형성된다.
본 실시 형태에서는 제1 공정에서 두께의 분포가 웨이퍼(200) 면내에서 철 형상이 되도록 SiO층(300b)이 형성되기 때문에 본 공정을 실시하는 것에 의해 본 공정 후에 형성되는 SiO층(300c)의 면내 막 두께 분포를 도 5의 (C)에 도시되는 바와 같이 균일한 상태로 근접시킬 수 있다. 즉 산화 레이트가 웨이퍼(200)의 외주부보다 중심부에서 크게 되는 제1 공정과, 산화 레이트가 웨이퍼(200)의 중심부보다 외주부에서 크게 되는 제2 공정을 조합시켜서 실시하는 것에 의해, 제1 공정에서의 산화 레이트의 불균일한 분포를 제2 공정에서의 불균일한 분포에 의해 보상하고, 막 두께의 면내 균일성이 뛰어난 SiO층(300c)을 형성한다.
또한 제1 노즐(249a) 및 제2 노즐(249b)로부터 공급되는 N2 가스의 공급 유량을 제1 공정에 비해 작게 하는 것에 의해 SiO층(300c)을 형성하는 산화 레이트를 웨이퍼(200)의 외주부보다 웨이퍼 중심에서 한층 더 늦출 수 있다. 즉 제2 공정에서 캐리어 가스인 N2 가스의 공급 유량을 작게 하는 것에 의해 웨이퍼(200)의 지름 방향에서의 요 형상의 산화 레이트의 분포를 보다 강화하도록 조정할 수도 있다.
또한 제1 공정에서는 제1 노즐(249a) 및 제2 노즐(249b)로부터 공급되는 N2 가스의 공급 유량을 크게 하는 것에 의해 SiO층(300b)을 형성하는 산화 레이트를 웨이퍼(200)의 외주부보다 웨이퍼 중심에서 한층 더 빠르게 할 수 있다. 즉 제1 공정에서 캐리어 가스인 N2 가스의 공급 유량을 크게 하는 것에 의해 웨이퍼(200)의 지름 방향에서의 철 형상의 산화 레이트의 분포를 보다 강화하도록 조정할 수도 있다.
그리고 제1 가스 공급관(232a)의 밸브(243a), 제2 가스 공급관(232b)의 밸브(243b), 제3 가스 공급관(232c), 제4 가스 공급관(232d), 제5 가스 공급관(232e)의 밸브(243c, 243d, 243e)를 각각 닫고 O2 가스, H2 가스의 공급을 정지한다. 이때 APC 밸브(244)는 연 상태로 하여 진공 펌프(246)에 의해 처리실(201) 내를 진공 배기하고, 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 또는 SiO층 형성에 기여한 후의 O2 가스, H2 가스를 처리실(201) 내로부터 배제한다(잔류 가스 제거).
(퍼지 및 대기압 복귀)
밸브(243f 내지 243j)를 연 상태로 하여 제1 불활성 가스 공급관(232f), 제2 불활성 가스 공급관(232g), 제3 불활성 가스 공급관(232h), 제4 불활성 가스 공급관(232i), 제5 불활성 가스 공급관(232j)의 각각으로부터 불활성 가스로서의 N2 가스를 처리실(201) 내에 공급하고, 배기관(231)으로부터 배기한다. N2 가스는 퍼지 가스로서 작용하고, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스가 처리실(201) 내로부터 제거된다(퍼지). 그 후, 처리실(201) 내의 분위기가 불활성 가스에 치환되어 처리실(201) 내의 압력이 상압으로 복귀된다(대기압 복귀).
(보트 언로드 및 웨이퍼 디스차지)
그 후, 보트 엘리베이터(115)에 의해 처리 완료된 웨이퍼(200)가 보트(217)에 보지된 상태에서 반응관(203)의 하단으로부터 반응관(203)의 외부에 반출(보트 언로드)된다. 그 후, 처리 완료된 웨이퍼(200)는 보트(217)로부터 취출(取出)된다(웨이퍼 디스차지).
(3) 처리 시간과 산화 레이트의 관계
다음으로 제1 공정 및 제2 공정과 마찬가지로 H2 가스와 O2 가스를 이용하여 웨이퍼 표면에 SiO막을 형성하는 경우의 산화 레이트에 대해서 설명한다. 도 6은 웨이퍼 온도 600℃로 H2 가스와 O2 가스를 이용하여 SiO막을 형성한 경우에서의, H2 가스와 O2 가스의 공급에 의한 산화 처리 시간과, 형성되는 SiO막의 막 두께와의 관계를 도시하는 도면이다.
도 6에 도시되는 바와 같이 H2 가스와 O2 가스를 이용하여 웨이퍼 표면에 SiO막을 형성한 경우, 가스의 공급 직후에서 특히 산화 레이트가 높아진다는 것을 알 수 있다. 즉 가스의 공급 직후인 초기 단계에서는 산화 레이트가 높고 SiO막이 단시간에 급속히 형성되기 때문에 웨이퍼 면내 및 웨이퍼 사이에서의 성막 분포를 제어하기 어렵다. 따라서 본 실시 형태의 초기 공정과 같이, 성막의 초기 단계에서는 산화 레이트가 낮은 O2 가스를 이용한 산화를 수행하여 면내 균일성이 높은 초기 산화층을 사전에 형성해두는 것에 의해, 이후에 수행하는 제1 공정, 제2 공정의 초기 단계에 현저하게 발생하는 산화 레이트 분포의 극단적인 편향의 발생을 회피하고, SiO층의 막 두께 분포의 제어성(특히 면내 막 두께 균일성)을 향상시킬 수 있다.
(4) H2 농도비와 산화 레이트의 관계
다음으로 H2 가스와 O2 가스 중의 H2의 비율과 성막 속도(산화 레이트)의 관계에 대해서 설명한다. 도 7은 웨이퍼 표면에 Si 원료 가스인 6염화2규소(Si2Cl6) 가스를 공급하는 공정과, H2 가스와 O2 가스를 이용한 산화 처리를 수행하는 공정을 교호(交互)적으로 반복해서 SiO막을 형성하는 처리를 수행하고, H2 가스와 O2 가스 중의 H2의 비율이 다른 복수의 조건에서 SiO막의 성막 속도를 취득한 실험의 결과를 도시한다. 즉 이 도면에서 성막 속도가 큰 조건일수록 산화 레이트가 큰 조건인 것을 나타낸다. 도 7에서의 각 플롯 점의 H2 농도는 각각 2%, 18.4%, 80%, 97.4%를 나타낸다.
도 7에 도시되는 바와 같이 H2 가스와 O2 가스의 합계 유량에 대한 H2 가스의 유량의 비율(농도비)을 변화시키는 것에 의해 웨이퍼 표면에 형성되는 SiO막의 성막 속도를 제어할 수 있다. 구체적으로는 O2 가스와 H2 가스의 농도비를 80:20 내지 35:65의 범위의 소정의 값으로 하는 것에 의해 산화 레이트를 높게 할 수 있다. 또한 O2 가스와 H2 가스의 농도비를 80:20 내지 35:65의 범위 이외의 소정의 값으로 하는 것에 의해 산화 레이트를 낮게 할 수 있다.
(5) 막 두께 분포의 압력의존성
다음으로 SiO막의 막 두께 분포의 압력 의존성에 대해서 설명한다. 도 8은 O2 가스와 H2 가스의 농도비가 33%인 경우에서의, 처리실(201) 내의 압력과 면내 균일성의 관계를 도시하는 도면이다. 도 8에서 세로축의 0은 웨이퍼 표면에 막이 평탄 형상으로 형성되는 것을 나타내고, 세로축의 0보다 큰(플러스) 값은 웨이퍼 표면에 철 형상으로 막이 형성되는 것을 나타내고, 세로축의 0보다 작은(마이너스) 값은 웨이퍼 표면에 요 형상으로 막이 형성되는 것을 나타낸다. 웨이퍼로서는 표면에 패턴이 형성되지 않은 베어 웨이퍼를 이용한다.
도 8에 도시되는 바와 같이 압력 이외의 다른 처리 조건이 같은 경우에 처리실(201) 내의 압력이 높아질수록, 웨이퍼 표면에 요 형상으로 막이 형성되는 경향이 강해진다는 것을 알 수 있다. 이는 저압 조건으로 하는 것에 의해 처리실(201) 내의 분자의 수가 감소되어 평균 자유 공정이 길어져, 웨이퍼 중심까지 가스가 도달할 확률이 커지는 한편, 고압 조건으로 하면 처리실(201) 내의 분자의 수가 증가되어 평균 자유 공정이 짧아져, 웨이퍼 중심까지 가스가 도달하는 확률이 작아지기 때문인 것으로 추측된다.
(6) 기타 실시 형태
또한 상기 실시 형태에서는 제1 공정과 제2 공정을 전술한 순서대로 실시하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 개시는 이러한 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 제2 공정을 먼저 실시해서 웨이퍼(200) 면내에서 요형상의 SiO층을 형성한 후에 제1 공정을 실시하고, 요형상의 막 두께 분포를 보상하도록 웨이퍼(200) 면내에서의 막 두께 분포를 조정해도 좋다.
또한 상기 실시 형태에서는 초기 공정에서 O2 가스를 이용하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 개시는 이러한 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 초기 공정에서도 O2 가스와 H2 가스를 이용하여 초기 산화층을 형성해도 좋다. 이 경우, 처리실(201) 내에서의 O2 가스와 H2 가스의 농도비는 80:20 내지 35:65의 범위 외의 소정의 값을 이용한다. 즉 산화 레이트가 낮은 농도비 영역이며, 바람직하게는 산화 레이트가 1Å/분 이하의 영역이 되는 농도비를 이용한다.
또한 상기 실시 형태에서는 초기 공정에서 O2 가스를 이용하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 개시는 이러한 경우에 한정되지 않는다. 바람직하게는 산화 레이트가 1Å/분 이하의 영역이 되는 성막 가스를 이용한다. 예컨대 오존(O3) 등을 이용하는 경우에도 산화 레이트를 낮게 할 수 있고, 전술한 효과를 마찬가지로 얻을 수 있다.
또한 상기 실시 형태에서는 Si 함유막이 형성된 웨이퍼 표면에 SiO층을 형성하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 개시는 이러한 경우에 한정되지 않고, 다른 금속 함유막이 형성된 웨이퍼 표면에 산화층을 형성하는 경우에도 마찬가지로 본 개시를 적용 가능하다.
또한 상기 실시 형태에서는 O2 가스 및 H2 가스를 각각 제1 노즐(249a)과 제2 노즐(249b)로부터 따로따로 공급하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 개시는 이러한 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 O2 가스 및 H2 가스의 혼합 가스를 하나의 노즐로부터 공급하도록 구성해도 좋다.
또한 상기 실시 형태에서는 초기 공정, 제1 공정 및 제2 공정 중 어느 하나에서도 산소 함유 가스로서 O2 가스를 이용하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 개시는 이러한 경우에 한정되지 않는다. 산소 함유 가스로서 O3 가스나 NO 가스 등의 다른 가스를 이용해도 좋고, 또한 각각의 공정에서 다른 산소 함유 가스를 이용해도 좋다.
이상, 본 개시의 다양한 전형적인 실시 형태를 설명해왔지만 본 개시는 그러한 실시 형태에 한정되지 않고, 적절히 조합해서 이용할 수도 있다.
(7) 실시예
실시예로서 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 이용하여 도 4에 도시하는 기판 처리 공정에 의해 웨이퍼 표면에 SiO막을 형성했다. 웨이퍼로서는 표면에 패턴이 형성되지 않은 베어 웨이퍼를 이용했다. 본 기판 처리 공정에서의 초기 공정의 O2 가스 공급 시간은 3분, 제1 공정의 H2 가스와 O2 가스 공급 시간은 27분, 제2 공정의 H2 가스와 O2 가스 공급 시간은 13분으로 했다. 다른 각 공정에서의 처리 조건은 전술한 실시 형태에서의 처리 조건 범위 내의 소정의 조건으로 했다.
비교예로서 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 이용하여 도 4에 도시하는 기판 처리 공정 중 제1 공정만을 수행하여 웨이퍼 표면에 SiO막을 형성했다. 웨이퍼로서는 실시예와 마찬가지로 베어 웨이퍼를 이용했다. 제1 공정의 H2 가스와 O2 가스 공급 시간은 40분으로 했다. 다른 처리 조건은 전술한 실시예에서의 소정의 조건으로 했다.
도 9의 (D)에 도시되는 바와 같이, 비교예에 따른 보트 상부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO막의 면내 균일성은 +4.62%, 도 9의 (E)에 도시되는 바와 같이 비교예에 따른 보트 중앙부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO막의 면내 균일성은 +3.64%, 도 9의 (F)에 도시되는 바와 같이 비교예에 따른 보트 하부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO막의 면내 균일성은 +6%이며, 보트의 하부 영역으로부터 상부 영역에 걸쳐 재치된 웨이퍼 표면에 철 형상으로 SiO막이 형성되었다.
이에 대해, 도 9의 (A)에 도시되는 바와 같이 본 실시예에 따른 보트 상부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO막의 면내 균일성은 +1.02%, 도 9의 (B)에 도시되는 바와 같이 본 실시예에 따른 보트 중앙부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO막의 면내 균일성은 -0.98%, 도 9의 (C)에 도시되는 바와 같이 본 실시예에 따른 보트 하부에 재치된 웨이퍼 표면에 형성된 SiO막의 면내 균일성은 -1.70%이며, 비교예와 비교해서 보트의 하부 영역으로부터 상부 영역에 걸쳐서 재치된 웨이퍼 표면에 형성되는 SiO막의 면내 균일성이 향상되었다.
이상의 결과로부터, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 공정을 수행하는 것에 의해 웨이퍼 표면에 형성되는 산화막의 면내 균일성이 향상되는 것이 확인되었다.
10: 기판 처리 장치 121: 컨트롤러
200: 웨이퍼(기판) 201: 처리실

Claims (16)

  1. 대기압 미만의 제1 압력 하에 있는 가열된 기판에 대하여 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하고, 상기 기판의 표면을 산화하여 제1 산화층을 형성하는 제1 공정; 및
    상기 제1 압력과 다른 대기압 미만의 제2 압력 하에 있는 가열된 상기 기판에 대하여 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 함유 가스를 공급하고, 상기 제1 산화층이 형성된 상기 기판의 표면을 산화하여 제2 산화층을 형성하는 제2 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공정 및 상기 제2 공정에서는 상기 산소 함유 가스 및 상기 수소 함유 가스를 상기 기판의 외주로부터 중심을 향해서 공급하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 공정 및 상기 제2 공정에서는 상기 기판을 회전시키면서 표면을 산화하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 압력은 상기 제2 압력보다 낮고,
    상기 제1 공정에서 상기 기판의 표면을 산화하는 속도가 상기 기판의 외주 근방보다 상기 기판의 중심에서 크게 되도록 상기 제1 압력이 설정되는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 압력은, 상기 제2 공정에서 상기 제1 산화층이 형성된 상기 기판의 표면을 산화하는 속도가 상기 기판의 외주 근방보다 상기 기판의 중심에서 작게 되도록 설정되는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공정 전에, 상기 기판에 산소 함유 가스를 공급하고 상기 기판 표면을 산화하여 초기 산화층을 형성하는 초기 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 초기 공정에서 상기 초기 산화층을 형성하는 속도는 상기 제1 공정에서 상기 제1 산화층을 형성하는 속도보다 작은 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 초기 공정에서 공급되는 산소 함유 가스는 산소 가스이자 수소 비함유인 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 산소 함유 가스 및 상기 수소 함유 가스를 상기 기판에 공급하도록 구성된 하나 또는 복수의 노즐과는 다른, 불활성 가스를 상기 기판에 공급하도록 구성된 불활성 가스 노즐이 더 설치되는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 불활성 가스 노즐은 복수 설치되는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 산소 함유 가스 및 상기 수소 함유 가스를 상기 기판에 공급하도록 구성된 하나 또는 복수의 노즐과는 다른, 수소 가스를 상기 기판에 공급하도록 구성된 수소 가스 노즐이 더 설치되는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 수소 가스 노즐은 복수 설치되는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공정과 상기 제2 공정에서는 불활성 가스를 상기 기판에 공급하고,
    상기 제1 공정 및 상기 제2 공정에서 상기 기판에 대한 상기 불활성 가스의 공급 유량을 변화시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공정과 상기 제2 공정에서는 수소 가스를 상기 기판에 공급하고,
    상기 제1 공정 및 상기 제2 공정에서 상기 기판에 대한 상기 수소 가스의 공급 유량을 변화시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 기판을 수용하는 처리 용기;
    상기 처리 용기 내에 산소 함유 가스를 공급하는 산소 함유 가스 공급계;
    상기 처리 용기 내에 수소 함유 가스를 공급하는 수소 함유 가스 공급계;
    상기 처리 용기 내에 수용된 기판을 가열하는 히터;
    상기 처리 용기 내를 배기하는 배기계; 및
    상기 기판을 가열하고, 상기 처리 용기 내를 대기압 미만의 제1 압력으로서 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 함유 가스를 가열된 상기 기판에 공급하고, 상기 기판의 표면을 산화하여 제1 산화층을 형성하는 제1 처리와, 상기 처리 용기 내를 상기 제1 압력과 다른 대기압 미만의 제2 압력으로서 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 함유 가스를 가열된 상기 기판에 공급하고, 상기 제1 산화층이 형성된 상기 기판의 표면을 산화하여 제2 산화층을 형성하는 제2 처리를 실행하도록 상기 산소 함유 가스 공급계, 상기 수소 함유 가스 공급계, 상기 히터 및 상기 배기계를 제어하도록 구성되는 제어부
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 수용되어 대기압 미만의 제1 압력 하에 있는 가열된 기판에 대하여 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하고, 상기 기판의 표면을 산화하여 제1 산화층을 형성하는 제1 단계; 및
    상기 제1 압력과 다른 대기압 미만의 제2 압력 하에 있는 상기 기판에 대하여 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 함유 가스를 공급하고, 상기 제1 산화층이 형성된 상기 기판의 표면을 산화하여 제2 산화층을 형성하는 제2 단계
    를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램을 기록한 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체.
KR1020217007698A 2018-09-21 2018-09-21 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 KR102595585B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/035147 WO2020059133A1 (ja) 2018-09-21 2018-09-21 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210042979A true KR20210042979A (ko) 2021-04-20
KR102595585B1 KR102595585B1 (ko) 2023-10-27

Family

ID=69886755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217007698A KR102595585B1 (ko) 2018-09-21 2018-09-21 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210202232A1 (ko)
JP (1) JP7129486B2 (ko)
KR (1) KR102595585B1 (ko)
SG (1) SG11202102610UA (ko)
WO (1) WO2020059133A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022084409A (ja) * 2020-11-26 2022-06-07 株式会社島津製作所 真空バルブおよび推定装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766193A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Fujitsu Ltd 半導体装置における酸化膜の形成方法
JP2002176052A (ja) * 2000-05-02 2002-06-21 Tokyo Electron Ltd 被処理体の酸化方法及び酸化装置
JP2013197421A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101807525B (zh) 2003-08-26 2012-05-23 株式会社日立国际电气 半导体装置的制造方法及衬底处理装置
JP2006120965A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Elpida Memory Inc ゲート酸化膜の形成方法
JP5529634B2 (ja) 2010-06-10 2014-06-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766193A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Fujitsu Ltd 半導体装置における酸化膜の形成方法
JP2002176052A (ja) * 2000-05-02 2002-06-21 Tokyo Electron Ltd 被処理体の酸化方法及び酸化装置
JP2013197421A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020059133A1 (ja) 2020-03-26
CN112740377A (zh) 2021-04-30
KR102595585B1 (ko) 2023-10-27
US20210202232A1 (en) 2021-07-01
JP7129486B2 (ja) 2022-09-01
SG11202102610UA (en) 2021-04-29
JPWO2020059133A1 (ja) 2021-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10388512B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
US7926445B2 (en) Oxidizing method and oxidizing unit for object to be processed
US11591694B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and recording medium
CN110205606B (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质
KR102149580B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 기록매체
KR102419555B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
US11621169B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, recording medium, and substrate processing apparatus
KR102660213B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102595585B1 (ko) 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
US20230064868A1 (en) Substrate Processing Apparatus, Substrate Processing Method, Non-transitory Computer-readable Recording Medium and Method of Manufacturing Semiconductor Device
CN112740377B (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
US20220238311A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102365948B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램
KR102154114B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR20230050451A (ko) 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치
US20240105463A1 (en) Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
JP7182572B2 (ja) 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
KR20230136556A (ko) 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치
KR20230021615A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20220131173A (ko) 노즐의 클리닝 방법, 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR20230002048A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2020077890A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2010147139A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant