KR20210041691A - 다층 접합 전력 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20210041691A
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Abstract

본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 다층 접합 전력 모듈은, 상부 기판; 상기 상부 기판에 대면하는 하부 기판; 상기 하부 기판의 상면에 각기 실장되는 제1 스위칭 소자, 제1 다이오드, 제2 스위칭 소자 및 제2 다이오드; 상기 상부 기판의 하면에 각기 실장되는 제3 스위칭 소자, 제3 다이오드, 제4 스위칭 소자 및 제4 다이오드; 복수의 접합층들을 통해 상기 제1 스위칭 소자의 상면, 상기 제1 다이오드의 상면, 상기 제3 스위칭 소자의 하면 및 상기 제3 다이오드의 하면과 접합되는 제1 리드 프레임; 복수의 접합층들을 통해 상기 제2 스위칭 소자의 상면, 상기 제2 다이오드의 상면, 상기 제4 스위칭 소자의 하면 및 상기 제4 스위칭 소자의 하면과 접합되는 제2 리드 프레임; 및 상기 상부 기판 및 상기 하부 기판을 통해 상기 제2 스위칭 소자의 하면, 상기 제3 스위칭 소자의 하면, 상기 제4 스위칭 소자의 상면 및 상기 제4 다이오드의 상면과 전기적으로 연결되는 제3 리드 프레임을 포함할 수 있다.

Description

다층 접합 전력 모듈 및 그 제조 방법{Power Module Connected by Multi-layer and the Manufacturing Method thereof}
본 문서에서 개시되는 다양한 실시 예들은, 전력 반도체 모듈과 관련된다.
전력 반도체 모듈은 전력 변환을 위한 반도체 소자로서, 직류 또는 교류 전압과 전류를 시스템(예: 전력 소비 장치)에서 요구하는 형태(예: 교류, 직류)와 크기의 전압과 전류(이하, "동작 전력"이라 함)로 변환할 수 있다. 전력 반도체 모듈은 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated-Gate bipolar Transistor: IGBT), 다이오드, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET), 사이리스터(thyristor)와 같은 하나 이상의 스위칭 소자들(이하, "전력 반도체 소자"로 언급될 수 있음)이 하나의 베이스 플레이트 위에 집적화된 전력 반도체 제품을 말한다.
전력 반도체 모듈은 전력 생성을 위한 스위칭 과정에서 열이 많이 발생하기 때문에, 열도전성과 열확산성이 좋은 패키징 구조로 설계된다. 예를 들어, 열방출에 유리하도록 반도체 칩을 중심으로 두 개의 DBC 기판들을 대칭 구조로 접합한 구조의 다층 접합 전력 모듈이 개시된 바 있다.
도 1a는 종래의 다층 접합 전력 모듈의 측면도이고, 도 1b는 종래의 다층 접합 전력 모듈의 하부 기판과 하부 기판의 상측도이고, 도 1c는 종래의 다층 접합 전력 모듈의 사시도이다.
도 1a, 1b 및 1c를 참조하면, 다층 접합 전력 모듈(100)은 하부 기판(110)과 상부 기판(120)이 전력 반도체 소자들(130)을 중심으로 서로 대면한다. 하부 기판(110)은 세라믹 모재(111)의 상하에 구리층(112, 113)이 형성된 구조로 이루어지고, 상부 기판(120)은 세라믹 모재(121)의 상하에 구리층(122, 123)이 형성된 구조로 이루어질 수 있다.
리드 프레임(145)은 하부 기판(110)에 접합되고, 하부 기판(110)에 솔더에 의해 접합된 전력 반도체 소자들(135, 137)의 하면과 전기적으로 연결될 수 있다. 전력 반도체 소자들(135, 137)의 상면은 스페이서(예: 151)에 의하여 상부 기판(120)에 접합되고, 상부 기판(120)의 패턴에 의하여 리드 프레임(141) 및 전력 반도체 소자들(131, 133)의 하면과 전기적으로 연결될 수 있다. 전력 반도체 소자들(131, 133)의 상부 면은 솔더(165, 166) 및 스페이서(예: 152)에 의해 상부 기판(120)에 접합되고, 상부 기판(120)을 통해 리드 프레임(143)에 접합될 수 있다.
하부 기판(110)과 상부 기판(120) 사이에는 상부 기판(120)과 하부 기판(110) 사이의 간격을 유지하기 위한 스페이서들(151, 153, 155)이 마련된다. 스페이서들(151, 153, 155)은 전력 반도체 소자들(131, 133, 135, 137)과 상부 기판(120) 간의 전기적 연결 또는 상부 기판(120)과 하부 기판(110) 간의 전기적 연결을 보조할 수 있다.
종래의 다층 접합 전력 모듈(100)은 하부 기판(110)에 전력 반도체 소자들을 모두 실장하고, 스페이서에 의하여 전력 반도체 소자들 간을 접합하는 구조로 마련되었다.
전력 반도체 모듈(또는, 다층 접합 전력 모듈)은 정격 전력을 높이기 위하여 4개의 스위칭 소자들을 두 개씩 병렬로 연결하고, 4개의 다이오드를 하나씩 스위칭 소자들의 입출력 단에 병렬로 연결함에 따라 구성될 수 있다. 이러한 전력 반도체 모듈은 전력 반도체 소자들의 개수가 많으므로, 패턴 복잡도가 높아지고 사이즈가 증가할 수 있다. 또한, 전력 반도체 모듈의 패턴 복잡도가 높은 경우에는 전류 균형을 맞추고(또는, 전류 밀도를 분산하고) 기생 인덕턴스를 낮추기 위한 전력 반도체 모듈의 설계가 어려울 수 있다.
본 문서에 개시되는 다양한 실시 예들은 기생 인덕턴스 및 전류 불균형을 개선할 수 있는 다층 접합 전력 모듈 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 다층 접합 전력 모듈은, 상부 기판; 상기 상부 기판에 대면하는 하부 기판; 상기 하부 기판의 상면에 각기 실장되는 제1 스위칭 소자, 제1 다이오드, 제2 스위칭 소자 및 제2 다이오드; 상기 상부 기판의 하면에 각기 실장되는 제3 스위칭 소자, 제3 다이오드, 제4 스위칭 소자 및 제4 다이오드; 복수의 접합층들을 통해 상기 제1 스위칭 소자의 상면, 상기 제1 다이오드의 상면, 상기 제3 스위칭 소자의 하면 및 상기 제3 다이오드의 하면과 접합되는 제1 리드 프레임; 복수의 접합층들을 통해 상기 제2 스위칭 소자의 상면, 상기 제2 다이오드의 상면, 상기 제4 스위칭 소자의 하면 및 상기 제4 스위칭 소자의 하면과 접합되는 제2 리드 프레임; 및 상기 상부 기판 및 상기 하부 기판을 통해 상기 제2 스위칭 소자의 하면, 상기 제3 스위칭 소자의 하면, 상기 제4 스위칭 소자의 상면 및 상기 제4 다이오드의 상면과 전기적으로 연결되는 제3 리드 프레임을 포함할 수 있다.
또한, 본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 다층 접합 전력 모듈 제조 방법은, 하부 기판에 제1 스위칭 소자, 제1 다이오드, 제2 스위칭 소자 및 제2 다이오드를 실장하는 제1 동작; 제1 스위칭 소자, 제1 다이오드, 제2 스위칭 소자 및 제2 다이오드의 상부에 제1 리드 프레임, 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임을 실장하는 제2 동작; 상부 기판의 하면에 제3 스위칭 소자, 제3 다이오드, 제4 스위칭 소자 및 제4 다이오드를 실장하는 제3 동작; 및 상기 제1 리드 프레임, 상기 제2 리드 프레임 및 상기 제3 리드 프레임의 상부에 상기 상부 기판을 실장하는 제4 동작을 포함할 수 있다.
또한, 본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 다층 접합 전력 모듈은, 상부 기판; 상기 상부 기판과 대면하는 하부 기판; 접합층들을 통해 상기 상부 기판의 하면에 접합되는 제1 반도체 소자들; 접합층을 통해 상기 하부 기판의 상면에 접합되는 제2 반도체 소자들; 및 상기 제1 반도체 소자들과 상기 제2 반도체 소자들 사이에 배치되고, 접합층을 통해 상기 제1 반도체 소자들 및 상기 제2 반도체 소자들에 접합되고 외부 소자와 연결되기 위한 복수의 리드 프레임들을 포함할 수 있다.
본 문서에 개시되는 다양한 실시 예들에 따르면, 기생 인덕턴스 및 전류 불균형을 개선할 수 있다. 이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1a는 종래의 다층 접합 전력 모듈의 측면도이다.
도 1b는 종래의 다층 접합 전력 모듈의 하부 기판과 하부 기판을 상부에서 바라본 상면도이다.
도 1c는 종래의 다층 접합 전력 모듈의 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 회로도를 나타낸다.
도 3a는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 분해 사시도를 나타낸다.
도 3b는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 사시도를 나타낸다.
도 3c는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 상면도를 나타낸다.
도 4a는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 측면도를 나타낸다.
도 4b는 도 4a의 일부 확대도를 나타낸다.
도 5는 일 실시예에 따른 다층 접합 반도체 모듈 제조 방법을 나타낸다.
도 6a 및 도 6b는 종래의 다층 접합 전력 모듈의 기생 인덕턴스 해석 방향을 나타낸다.
도 7a 및 도 7b는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 기생 인덕턴스 해석 방향을 나타낸다.
도 8a는 일 실시예에 따른 종래의 다층 접합 전력 모듈의 기생 인덕턴스를 나타낸다.
도 8b는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 기생 인덕턴스를 나타낸다.
도 9a는 종래의 다층 접합 전력 모듈의 전류 밀도를 나타낸다.
도 9b는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 전류 밀도를 나타낸다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 회로도를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(200)은 회로의 로우 사이드(low side)에 연결되는 제1 반도체 소자들(210), 회로의 하이 사이드(high side)에 연결되는 제2 반도체 소자들(220), 및 외부와 연결되는 복수의 리드 프레임들(250, 260, 270)을 포함할 수 있다.
제1 반도체 소자들(210)와 제2 반도체 소자들(220)은 서로 직렬로 연결되고, 교대로 스위칭될 수 있다. 제1 반도체 소자들(210)은 제1 스위칭 소자(211)(이하, “로우사이드 IGBT”로 언급될 수 있음), 제3 스위칭 소자(213) (이하, “로우사이드 IGBT”로 언급될 수 있음), 제1 다이오드(212) (이하, “로우사이드 다이오드”로 언급될 수 있음) 및 제3 다이오드(214) (이하, “로우사이드 다이오드”로 언급될 수 있음)를 포함할 수 있다. 제2 반도체 소자들(210)은 제2 스위칭 소자(221)(이하, “하이사이드 IGBT”로 언급될 수 있음), 제4 스위칭 소자(223)(이하, “하이사이드 IGBT”로 언급될 수 있음), 제2 다이오드(222)(이하, “하이사이드 다이오드”로 언급될 수 있음) 및 제4 다이오드(224)(이하, “하이사이드 다이오드”로 언급될 수 있음)를 포함할 수 있다.
제1 스위칭 소자(211), 제2 스위칭 소자(221), 제3 스위칭 소자(213), 및 제4 스위칭 소자(223)는 각기 예를 들면, 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated-Gate bipolar Transistor: IGBT)일 수 있다. 제1 다이오드(212), 제3 다이오드(214), 제2 다이오드(222) 및 제1 다이오드(224)는 예를 들면, 정류 다이오드일 수 있다.
제1 스위칭 소자(211)는 제1 다이오드(212)와 병렬로 연결되고, 제3 스위칭 소자(213)는 제3 다이오드(214)와 병렬로 연결될 수 있다. 제1 스위칭 소자(211)의 에미터(emitter) 및 제3 스위칭 소자(213)의 에미터는 제1 다이오드(212)의 애노드(anode), 제3 다이오드(214)의 애노드 및 제1 리드 프레임(231)(이하, “N 터미널”로 언급될 수 있음)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 스위칭 소자(331)의 콜렉터(collector)는 제1 다이오드(212)의 캐소드(cathode), 제3 다이오드(214)의 캐소드 및 제2 리드 프레임(323) (이하, “U 터미널”로 언급될 수 있음)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 스위칭 소자(221)는 제2 다이오드(222)와 병렬로 연결되고, 제4 스위칭 소자(223)는 제4 다이오드(224)와 병렬로 연결될 수 있다. 제2 스위칭 소자(221)의 에미터 및 제4 스위칭 소자(223)의 에미터는 제2 다이오드(222)의 애노드, 제4 다이오드(224)의 애노드 및 제2 리드 프레임(232)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 스위칭 소자(221)의 콜렉터는 제2 다이오드(222)의 캐소드, 제4 다이오드(224)의 캐소드 및 제3 리드 프레임(233)(이하, “P 터미널”로 언급될 수 있음)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 리드 프레임(231), 제2 리드 프레임(232) 및 제3 리드 프레임(233)은 각기 외부 소자와 연결되어, 외부 소자에 다층 접합 전력 모듈(200)의 출력 전력을 공급할 수 있다. 상기 외부 소자는 예를 들면, 다층 접합 전력 모듈(200)의 출력 전력을 소비하는 전자 장치의 제1 단(예: - 단 또는 그라운드 단)과 연결될 수 있다.
제1 스위칭 소자(211)의 게이트, 제3 스위칭 소자(213)의 게이트, 제2 스위칭 소자(223)의 게이트 및 제4 스위칭 소자(223)의 게이트는 각기 상기 전자 장치(또는 다른 제어 장치)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 스위칭 소자(211), 제3 스위칭 소자(213), 제2 스위칭 소자(223) 및 제4 스위칭 소자(223)는 전자 장치(또는 다른 제어 장치)의 제어에 따라 교대로 스위칭될 수 있다.
도 3a는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 분해 사시도를 나타내고, 도 3b는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 사시도를 나타내고, 도 3c는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 상면도를 나타낸다.
도 3a, 3b 및 3c를 참조하면, 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(300)(예: 도 2의 다층 접합 전력 모듈(200))은 상부 기판(310), 하부 기판(390), 복수의 반도체 소자들(330, 370), 제1 리드 프레임(351), 제2 리드 프레임(352), 제3 리드 프레임(353) 및 복수의 접합층(321~324, 341~344, 346~348, 361~364, 366~368, 381~384)을 포함할 수 있다. 도 3a, 3b 및 3c에서, 다층 접합 전력 모듈(300)의 가장 상부에 배치된 층을 제1 층이라 칭하고, 가장 아래에 배치된 층을 제9 층이라고 칭한다.
상부 기판(310)은 다층 접합 전력 모듈(300)의 제1 층에 배치되고, 베이스 층(312) 및 베이스 층(312)의 상하 층에 형성된 복수의 구리 층들(311, 313)을 포함하는 3개 층으로 구성될 수 있다. 상부 기판(310)은 예를 들면, DBC(direct bonded copper) 기판일 수 있다. 상기 베이스 층(312)은 세라믹으로 형성된 판재일 수 있다. 베이스 층(312)은 예를 들면, 알루미나(AL203) 또는 알루미늄 나이트라이드(AIN)로 형성될 수 있다. 구리 층들(311, 313)은 구리 또는 구리합금으로 이뤄질 수 있다. 베이스 층(312)의 하부에 형성된 구리 층(311)은 상호 전기적으로 분리된 제1 구리층(311a) 및 제2 구리층(311b)을 포함할 수 있다.
하부 기판(390)은 다층 접합 전력 모듈(300)의 제9 층에 배치되고, 베이스 층(392) 및 베이스 층(392)의 상하에 형성된 복수의 구리 층들(391, 393)을 포함하는 3개 층으로 구성될 수 있다. 하부 기판(390)은 예를 들면, DBC(direct bonded copper) 기판일 수 있다. 상기 베이스 층(392)은 세라믹으로 형성된 판재일 수 있다. 베이스 층(392)은 예를 들면, 알루미나(AL203) 또는 알루미늄 나이트라이드(AIN)로 형성될 수 있다. 구리 층들(391, 393)은 구리 또는 구리합금으로 이뤄질 수 있다. 베이스 층(392)의 하부에 형성된 구리 층(391)은 상호 전기적으로 분리된 제1 구리층(391a) 및 제2 구리층(391b)을 포함할 수 있다.
복수의 반도체 소자들(330, 370)은 제1 스위칭 소자(371)(예: 도 2의 제1 스위칭 소자(211)), 제3 스위칭 소자(331)(예: 도 2의 제3 스위칭 소자(213)), 제2 스위칭 소자(373)(예: 도 2의 제2 스위칭 소자(221)), 제4 스위칭 소자(333)(예: 도 2의 제4 스위칭 소자(223)), 제1 다이오드(372)(예: 도 2 의 제1 다이오드(212)), 제3 다이오드(332)(예: 도 2 의 제3 다이오드(214)), 및 제2 다이오드(374)(예: 도 2 의 제2 다이오드(222)) 및 제4 다이오드(334)(예: 도 2 의 제1 다이오드(224)))를 포함할 수 있다. 복수의 반도체 소자들(330, 370) 중 일부 반도체 소자들(330)은 상부 기판(310)에 실장되어, 다층 접합 전력 모듈(300)의 제3 층을 구성할 수 있다. 복수의 반도체 소자들(330, 370) 중 나머지 반도체 소자들(370)은 하부 기판(390)에 실장되어, 다층 접합 전력 모듈(300)의 제6 층을 구성할 수 있다. 상기 일부 반도체 소자들(330)은 예를 들면, 제3 스위칭 소자(331), 제4 스위칭 소자, 제3 다이오드(332) 및 제4 다이오드(334)를 포함할 수 있다. 나머지 반도체 소자들(370)은 다른 예를 들면, 제1 스위칭 소자(371), 제2 스위칭 소자(373), 제1 다이오드(372), 및 제2 다이오드(374)를 포함할 수 있다. 일부 반도체 소자들(330)의 상부 기판(310)에 실장되는 면은 콜렉터 또는 캐소드이고, 상부 기판(310)과 대치되는 면은 에미터 또는 애노드일 수 있다. 나머지 반도체 소자들(370)의 하부 기판(390)에 실장되는 면은 콜렉터 또는 캐소드이고, 하부 기판(390)과 대치되는 면은 에미터 또는 애노드일 수 있다. 일부 반도체 소자들(330)은 접합층들(321~324)을 통해 상부 기판(310)에 접합될 수 있다. 나머지 반도체 소자들(370)은 접합층들(381~384)을 통해 상부 기판(310)에 접합될 수 있다.
제1 리드 프레임(351), 제2 리드 프레임(352) 및 제3 리드 프레임(353)은 상부 기판(310)과 하부 기판(390)의 사이(또는, 일부 반도체 소자들(330)과 나머지 반도체 소자들(370) 사이)에 - x축에 평행하면서 상호 이격 되어- y축 방향으로 상호 나란히 배치될 수 있다.
제1 리드 프레임(351)은 다층 접합 전력 모듈(300)의 제5 층에 배치되고, "ㄴ"자 형상과 "-"자 형상의 조합으로 형성되고 "-"자 형상의 가운데에는 외부 소자와 연결되기 위한 홀이 형성될 수 있다. 제1 리드 프레임(351)의 상면은 접합층들(341~344)를 통해 제3 스위칭 소자(331) 및 제3 다이오드(332)와 접합되고, 제1 리드 프레임(351)의 하면은 접합층들(361~364)를 통해 제1 스위칭 소자(371) 및 제1 다이오드(372)와 접합될 수 있다.
제2 리드 프레임(352)은 다층 접합 전력 모듈(300)의 제5 층에 배치되고, 제1 부분 프레임(352a) 및 제2 부분 프레임(352b)을 포함할 수 있다. 제1 부분 프레임(352a)의 일부는 "ㄱ"자 형상과 "-"자 형상의 조합으로 형성되고 "-" 자 형상의 가운데에는 외부 소자와 연결되기 위한 홀이 형성될 수 있다. 제1 부분 프레임(352a)의 일단은 y축 방향으로 제1 리드 프레임(351) 및 제3 리드 프레임(353)과 나란히 배치될 수 있다. 제1 부분 프레임(352a)은 접합층들(347, 367)을 통해 상부 기판(311b) 및 하부 기판(391b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 부분 프레임(352b)은 "ㄱ"자 형상으로 형성될 수 있다. 제2 부분 프레임(352b)의 하면은 접합층들(363, 364)을 통해 제2 스위칭 소자(373) 및 제2 다이오드(374)와 접합되고, 제2 부분 프레임(352b)의 상면은 접합층들(343, 344)을 통해 제4 스위칭 소자(333) 및 제4 다이오드(334)와 접합될 수 있다. 제2 부분 프레임(352b)의 상면은 접합층(348)을 통해 상부 기판(311b)에 접합되고, 제2 부분 프레임(352b)의 하면은 접합층(368)을 통해 하부 기판(391b)에 접합될 수 있다
제3 리드 프레임(353)은 다층 접합 전력 모듈(300)의 제5 층에 배치되고, "ㄴ"자 형상과 "-"자 형상의 조합으로 형성되고 "-"자 형상의 가운데에는 외부 소자와 연결되기 위한 홀이 형성될 수 있다. 제3 리드 프레임(353)은 접합층(346, 366)을 통해 상부 기판(311a) 및 하부 기판(391a)에 접합될 수 있다.
복수의 접합층들(321~324, 341~344, 346~348, 361~364, 366~368, 381~384)은 각기 솔더(solder) 류(예: 납)의 접합 물질로 이뤄질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 접합층들(321~324, 341~344, 346~348, 361~364, 366~368, 381~384)은 각기 전도성 에폭시(epoxy)를 포함할 수 있다. 복수의 접합층들(321~324, 341~344, 346~348, 361~364, 366~368, 381~384)의 높이(또는, 양)은 각 접합층들(321~324, 341~344, 346~348, 361~364, 366~368, 381~384)이 접합하는 구성요소들에 대응하도록 마련될 수 있다. 예를 들어, 복수의 접합층들(348, 368)은 상부 기판(310)과 하부 기판(390) 간의 간격에 대응하는 높이로 마련되고, 복수의 접합층들(346~347)은 상부 기판(310)과 제1 리드 프레임(351) 및 제2 리드 프레임(352) 상면 간의 간격에 대응하는 높이로 마련되고, 복수의 접합층들(366~367)은 하부 기판(390)과 제1 리드 프레임(351) 및 제2 리드 프레임(352)의 하면 간의 간격에 대응하는 높이로 마련될 수 있다.
이하, 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(300)에서 제1 스위칭 소자(371), 제3 스위칭 소자(331), 제2 스위칭 소자(373), 제4 스위칭 소자(333), 제1 다이오드(372), 제3 다이오드(332), 제2 다이오드(374), 제4 다이오드(334), 제1 리드 프레임(351), 제2 리드 프레임(352) 및 제3 리드 프레임(353) 간의 전기적 연결에 대하여 설명한다.
제1 스위칭 소자(371)의 하면 및 제1 다이오드(372)의 하면은 접합층(381, 382)을 통해 하부 기판(390)에 접합되고, 제1 스위칭 소자(371)의 상면 및 제1 다이오드(372)의 상면은 접합층(361, 362)을 통해 제1 리드 프레임(351)에 접합될 수 있다. 제1 스위칭 소자(371)의 콜렉터 및 제1 다이오드(372)의 캐소드는 하부 기판(390)의 구리층(391b)을 통해 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 스위칭 소자(371)의 에미터 및 제1 다이오드(372)의 애노드는 제1 리드 프레임(351)을 통해 상호 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 스위칭 소자(331)의 하면 및 제3 다이오드(332)의 하면은 접합층(341, 342)을 통해 제1 리드 프레임(351)에 접합되고, 제3 스위칭 소자(331)의 상면 및 제3 다이오드(332)의 상면은 접합층(321, 322)을 통해 상부 기판(310)에 접합될 수 있다. 제3 스위칭 소자(331)의 에미터 및 제3 다이오드(332)의 애노드는 제1 리드 프레임(351)을 통해 상호 전기적으로 연결되고, 제3 스위칭 소자(331)의 콜렉터 및 제3 다이오드(332)의 캐소드는 상부 기판(310)의 구리층(311b)을 통해 상호 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 스위칭 소자(373)의 하면 및 제2 다이오드(374)의 하면은 접합층(383, 384)을 통해 하부 기판(390)에 접합되고, 제2 스위칭 소자(373)의 상면 및 제2 다이오드(374)의 상면은 접합층(363, 363)을 통해 제2 리드 프레임(352)에 접합될 수 있다. 제2 스위칭 소자(373)의 콜렉터 및 제2 다이오드(374)의 캐소드는 하부 기판(390)의 구리층(391a)을 통해 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 스위칭 소자(373)의 에미터 및 제2 다이오드(374)의 애노드는 제2 리드 프레임(352)을 통해 상호 전기적으로 연결될 수 있다.
제4 스위칭 소자(333)의 하면 및 제4 다이오드(334)의 하면은 접합층(344, 344)을 통해 제2 리드 프레임(352)에 접합되고, 제4 스위칭 소자(333)의 상면 및 제4 다이오드(334)의 상면은 접합층(324, 324)을 통해 상부 기판(310)에 접합될 수 있다. 제4 스위칭 소자(333)의 에미터 및 제4 다이오드(334)의 애노드는 제2 리드 프레임(352)을 통해 상호 전기적으로 연결되고, 제4 스위칭 소자(333)의 콜렉터 및 제4 다이오드(334)의 캐소드는 상부 기판(310)의 구리층(311a)을 통해 상호 전기적으로 연결될 수 있다.
상부 기판(310)의 구리층(311b) 및 하부 기판(390)의 구리층(391b)은 제2 리드 프레임(352b), 접합층들(368, 348)을 통해 전기적으로 연결되므로, 제1 스위칭 소자(371)의 콜렉터, 제1 다이오드(372)의 캐소드, 제3 스위칭 소자(331)의 콜렉터 및 제3 다이오드(332)의 캐소드와 제2 스위칭 소자(373)의 에미터, 제2 다이오드(374)의 애노드, 제4 스위칭 소자(333)의 에미터 및 제4 다이오드(334)의 애노드는 상호 전기적으로 연결될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 다층 접합 전력 모듈(300)의 적어도 일부 구성요소는 생략될 수 있다. 예를 들어, 다층 접합 전력 모듈(300)은 반도체 소자들(330, 370) 중 제1 스위칭 소자(371), 제1 다이오드(372), 제3 스위칭 소자(331) 및 제3 다이오드(332)를 포함하고, 제2 스위칭 소자(373), 제2 다이오드(374), 제4 스위칭 소자(333) 및 제4 다이오드(334)를 포함을 포함하지 않을 수 있다. 이 경우, 복수의 접합층들(321~324, 341~344, 346~348, 361~364, 366~368, 381~384) 중 제2 스위칭 소자(373), 제2 다이오드(374), 제4 스위칭 소자(333) 및 제4 다이오드(334)의 접합에 관련된 접합층들 및 제2 리드 프레임(352)은 생략될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 반도체 소자들(330, 370) 중 적어도 일부는 패키지로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 스위칭 소자(371)와 제1 다이오드(372)가 하나의 패키지로 구성되고, 제3 스위칭 소자(331)와 제3 다이오드(332)는 다른 하나의 패키지로 구성되고, 제2 스위칭 소자(373)와 제2 다이오드(374)가 하나의 패키지로 구성되고, 제4 스위칭 소자(333)와 제4 다이오드(334)는 또 다른 하나의 패키지로 구성될 수 있다.
상술한 실시예에 따르면, 다층 접합 전력 모듈(300)은 하부 기판(390)은 물론 상부 기판(310)에도 반도체 소자들(370)들을 실장함에 따라 다층 접합 전력 모듈(300)의 폭을 줄이고 전체적인 크기를 줄일 수 있다.
또한, 상술한 실시예에 따르면, 다층 접합 전력 모듈(300)은 병렬로 연결되는 반도체 소자들 간의 배선 길이를 줄임에 따라 기생 인덕턴스(stray inductance) 및 전류 불균형을 개선할 수 있다.
또한, 상술한 실시예에 따르면, 다층 접합 전력 모듈(300)은 스페이서 없이 솔더링에 의해 반도체 소자들(330, 370) 간을 전기적으로 연결할 수 있어, 공정 복잡도를 낮추고, 자재비를 절감할 수 있다.
도 4a는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 측면도를 나타내고, 도 4b는 도 4a의 일부 확대도를 나타낸다.
도 4a 및 4b를 참조하면, 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(300)은 반도체 소자들(330, 370) 중 일부 반도체 소자들(330)을 상부 기판(310)에 실장하고 나머지 반도체 소자들(370)을 하부 기판(390)에 실장하고, 일부 반도체 소자들(330)과 나머지 반도체 소자들(370) 사이에 제1 리드 프레임(351), 제2 리드 프레임(352) 및 제3 리드 프레임(353)을 배치할 수 있다. 일부 반도체 소자들(330) 및 나머지 반도체 소자들(370) 중 상호 병렬로 연결되는 반도체 소자들의 배선 간격을 줄이고, 다층 접합 전력 모듈(300)의 폭을 줄일 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 다층 접합 반도체 모듈 제조 방법을 나타낸다.
도 5를 참조하면, 동작 510에서, 하부 기판(390)에 접합층(381~384)들 및 접합층(368)이 도포될 수 있다.
동작 520에서, 접합층(381~384)의 상부에 각기 제1 스위칭 소자(371), 제1 다이오드(372), 제2 스위칭 소자(373) 및 제2 다이오드(374)가 실장될 수 있다.
동작 530에서, 제1 스위칭 소자(371), 제1 다이오드(372), 제2 스위칭 소자(373) 및 제2 다이오드(374)의 상면에 접합층(361~364)이 도포될 수 있다.
동작 540에서, 제1 스위칭 소자(371), 제1 다이오드(372), 제2 스위칭 소자(373) 및 제2 다이오드(374)의 상부에 제1 리드 프레임(351), 제2 리드 프레임(352) 및 제3 리드 프레임(353)이 실장될 수 있다.
동작 550에서, 제1 리드 프레임(351), 제2 리드 프레임(352) 및 제3 리드 프레임(353)의 상면에 접합층(341~344, 346~348)이 도포될 수 있다.
동작 560에서, 제1 리드 프레임(351) 및 제2 리드 프레임(352)의 상부에 제3 스위칭 소자(331), 제3 다이오드(332), 제4 스위칭 소자(333) 및 제4 다이오드(334)가 실장될 수 있다.
동작 570에서, 제3 스위칭 소자(331), 제3 다이오드(332), 제4 스위칭 소자(333) 및 제4 다이오드(334)의 상면에 접합층들(321~324)이 도포될 수 있다.
동작 580에서, 제3 스위칭 소자(331), 제3 다이오드(332), 제4 스위칭 소자(333) 및 제4 다이오드(334)의 상부에 상부 기판(310)이 실장될 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 종래의 다층 접합 전력 모듈(예: 도 1a의 다층 접합 전력 모듈(100))의 기생 인덕턴스 해석 방향을 나타내고, 도 7a 및 도 7b는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(예: 도 3a의 다층 접합 전력 모듈(300))의 기생 인덕턴스 해석 방향을 나타낸다.
도 6a 및 도 7a를 참조하면, 제1 스위칭 소자(331)의 턴 오프 및 제3 스위칭 소자(333)의 턴 온되는 경우에 대한 기생 인덕턴스 해석 방향 변화가 종래의 다층 접합 전력 모듈(100) 보다 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(300)이 적은 것을 확인할 수 있다.
도 6b 및 도 7b를 참조하면, 제1 스위칭 소자(331)의 턴 온 및 제3 스위칭 소자(333)의 턴 오프 경우에 대한 기생 인덕턴스 해석 방향 변화가 종래의 다층 접합 전력 모듈(100) 보다 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(300)이 적은 것을 확인할 수 있다.
이 같이, 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(300)은 두 종류의 기생 인덕턴스의 해석 방향에 대하여 종래의 다층 접합 전력 모듈(300)에 비하여 복잡도가 낮음을 확인할 수 있다.
도 8a는 일 실시예에 따른 종래의 다층 접합 전력 모듈(예: 도 1a의 다층 접합 전력 모듈(100))의 기생 인덕턴스를 나타내고, 도 8b는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(예: 도 3a의 다층 접합 전력 모듈(300))의 기생 인덕턴스를 나타낸다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 종래의 다층 접합 전력 모듈(100)은 10MHz에서 약 16.441nH의 기생 인덕턴스를 가지는데 반해서, 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(300)은 동일 주파수(10MHz)에서 약 15.916nH를 가지므로 기생 인덕턴스를 감소시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
이 같이, 상술한 실시예에 따르면, 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(300)은 공정 복잡도 및 자재비를 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 기생 인덕턴스를 줄일 수 있다.
도 9a는 종래의 다층 접합 전력 모듈의 전류 밀도를 나타내고, 도 9b는 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈의 전류 밀도를 나타낸다. 도 9a 및 9b에서 빨간 색 표시 부분이 전류 밀도가 가장 높은 부분이고, 파란색 표시 부분이 전류 밀도가 가장 낮은 부분일 수 있다.
도 9a 및 9b를 참조하면, 일 실시예에 따른 다층 접합 전력 모듈(300)은 종래의 다층 접합 전력 모듈(300)에 비해 전류 불균형을 해소할 수 있음을 확인할 수 있다.
이 같이, 상술한 실시예에 따르면, 다층 접합 전력 모듈(300)은 기생 인덕턴스 및 전류의 불균형을 동시에 향상시킬 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나",“A 또는 B 중 적어도 하나”, "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나” 및 “A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims (19)

  1. 다층 접합 전력 모듈에 있어서,
    상부 기판;
    상기 상부 기판에 대면하는 하부 기판;
    상기 하부 기판의 상면에 각기 실장되는 제1 스위칭 소자, 제1 다이오드, 제2 스위칭 소자 및 제2 다이오드;
    상기 상부 기판의 하면에 각기 실장되는 제3 스위칭 소자, 제3 다이오드, 제4 스위칭 소자 및 제4 다이오드;
    복수의 접합층들을 통해 상기 제1 스위칭 소자의 상면, 상기 제1 다이오드의 상면, 상기 제3 스위칭 소자의 하면 및 상기 제3 다이오드의 하면과 접합되는 제1 리드 프레임;
    복수의 접합층들을 통해 상기 제2 스위칭 소자의 상면, 상기 제2 다이오드의 상면, 상기 제4 스위칭 소자의 하면 및 상기 제4 스위칭 소자의 하면과 접합되는 제2 리드 프레임; 및
    상기 상부 기판 및 상기 하부 기판을 통해 상기 제2 스위칭 소자의 하면, 상기 제3 스위칭 소자의 하면, 상기 제4 스위칭 소자의 상면 및 상기 제4 다이오드의 상면과 전기적으로 연결되는 제3 리드 프레임
    을 포함하는, 다층 접합 전력 모듈.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판에서 서로 대면하는 면들에는,
    전기적으로 분리되는 제1 구리층들 및 제2 구리층들이 각기 형성되고,
    상기 제3 리드 프레임은,
    복수의 접합층들을 통해 상기 제1 구리층들에 접합되어, 상기 제2 스위칭 소자의 하면, 상기 제2 다이오드의 하면, 상기 제4 스위칭 소자의 상면 및 상기 제4 다이오드의 상면과 전기적으로 연결되는, 다층 접합 전력 모듈.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 제2 리드 프레임은,
    상기 제2 스위칭 소자의 상면, 상기 제2 다이오드의 상면, 상기 제4 스위칭 소자의 하면 및 상기 제4 스위칭 소자의 하면과 접합되는 제1 부분; 및
    상기 제1 부분과 이격되고, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판의 일측에 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제3 리드 프레임과 나란히 배치되는 제2 부분을 포함하고,
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은, 복수의 접합층들을 통해 상기 제2 구리층들에 접합되어, 상호 전기적으로 연결되는, 다층 접합 전력 모듈.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 스위칭 소자, 상기 제2 스위칭 소자, 상기 제3 스위칭 소자 및 상기 제4 스위칭 소자 각각의 콜렉터는, 상기 상부 기판 또는 상기 하부 기판에 접합되고,
    상기 제1 스위칭 소자, 상기 제2 스위칭 소자, 상기 제3 스위칭 소자 및 상기 제4 스위칭 소자 각각의 에미터는, 상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임에 접합되는, 다층 접합 전력 모듈.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 다이오드, 상기 제2 다이오드, 상기 제3 다이오드 및 상기 제4 다이오드 각각의 캐소드는, 상기 상부 기판 또는 상기 하부 기판에 접합되고,
    상기 제1 다이오드, 상기 제2 다이오드, 상기 제3 다이오드 및 상기 제4 다이오드의 각각의 애노드는, 상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임에 접합되는, 다층 접합 전력 모듈.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 스위칭 소자의 상면, 상기 제1 다이오드의 상면, 상기 제3 스위칭 소자의 하면, 상기 제3 다이오드의 하면, 상기 제2 스위칭 소자의 상면, 상기 제2 다이오드의 상면, 상기 제4 스위칭 소자의 하면 및 상기 제4 스위칭 소자의 하면은,
    Ni 및 Au의 혼합물로 형성된, 다층 접합 전력 모듈.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 리드 프레임, 상기 제2 리드 프레임 및 상기 제3 리드 프레임 각각의 일단은,
    상기 상부 기판 및 상기 하부 기판 사이에서 상기 상부 기판 및 상기 하부 기판의 상호 대면하는 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 나란히 배치되는, 다층 접합 전력 모듈.
  8. 하부 기판에 제1 스위칭 소자, 제1 다이오드, 제2 스위칭 소자 및 제2 다이오드를 실장하는 제1 동작;
    제1 스위칭 소자, 제1 다이오드, 제2 스위칭 소자 및 제2 다이오드의 상부에 제1 리드 프레임, 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임을 실장하는 제2 동작;
    상부 기판의 하면에 제3 스위칭 소자, 제3 다이오드, 제4 스위칭 소자 및 제4 다이오드를 실장하는 제3 동작; 및
    상기 제1 리드 프레임, 상기 제2 리드 프레임 및 상기 제3 리드 프레임의 상부에 상기 상부 기판을 실장하는 제4 동작
    을 포함하는 다층 접합 전력 모듈 제조 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 동작 이전에,
    상기 하부 기판에서 상기 제1 스위칭 소자, 상기 제1 다이오드, 상기 제2 스위칭 소자, 상기 제2 다이오드, 상기 제1 리드 프레임, 상기 제2 리드 프레임 및 상기 제3 리드 프레임 각각의 하면과 연접하는 면에 접합층을 도포하는 동작을 더 포함하는, 다층 접합 전력 모듈 제조 방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 동작과 상기 제2 동작 사이에,
    상기 제1 스위칭 소자, 상기 제1 다이오드, 상기 제2 스위칭 소자 및 상기 제2 다이오드 각각의 상면에 접합층을 도포하는 동작을 더 포함하는, 다층 접합 전력 모듈 제조 방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 제2 동작과 상기 제4 동작 사이에, 상기 제3 스위칭 소자, 상기 제3 다이오드, 상기 제4 스위칭 소자 및 상기 제4 다이오드 각각의 하면과 연접하게 될 상기 제1 리드 프레임, 상기 제2 리드 프레임 및 상기 제3 리드 프레임 각각의 상면에 접합층들을 도포하는 동작을 더 포함하는, 다층 접합 전력 모듈 제조 방법.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 제2 동작과 상기 제3 동작 사이에, 상기 상부 기판의 상기 제3 스위칭 소자, 상기 제3 다이오드, 상기 제4 스위칭 소자, 상기 제4 다이오드, 상기 제1 리드 프레임, 상기 제2 리드 프레임 및 상기 제3 리드 프레임 각각의 각각의 상면과 연접하게 될 면에 접합층들을 도포하는 동작을 더 포함하는, 다층 접합 전력 모듈 제조 방법.
  13. 청구항 8에 있어서, 상기 제2 동작은,
    상기 제2 스위칭 소자의 상면, 상기 제2 다이오드의 상면, 상기 제4 스위칭 소자의 하면 및 상기 제4 스위칭 소자의 하면과 대면하도록 상기 제2 리드 프레임의 제1 부분을 실장하는 동작; 및
    상기 상부 기판과 상기 하부 기판의 일측에 제1 방향으로 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제3 리드 프레임과 나란히 상기 제2 리드 프레임의 제2 부분을 실장하는 동작을 포함하는, 다층 접합 전력 모듈 제조 방법.
  14. 청구항 8에 있어서, 상기 제1 동작은,
    상기 제1 다이오드 및 상기 제2 다이오드 각각의 캐소드 및 상기 제1 스위칭 소자 및 상기 제2 스위칭 소자의 각각의 콜렉터를 상기 하부 기판에 실장하는 동작을 포함하는, 다층 접합 전력 모듈 제조 방법.
  15. 청구항 8에 있어서, 상기 제3 동작은,
    상기 제3 다이오드 및 상기 제3 다이오드 각각의 캐소드 및 상기 제4 스위칭 소자 및 상기 제4 스위칭 소자의 각각의 콜렉터를 상기 상부 기판에 실장하는 동작을 포함하는, 다층 접합 전력 모듈 제조 방법.
  16. 다층 접합 전력 모듈에 있어서,
    상부 기판;
    상기 상부 기판과 대면하는 하부 기판;
    접합층들을 통해 상기 상부 기판의 하면에 접합되는 제1 반도체 소자들;
    접합층을 통해 상기 하부 기판의 상면에 접합되는 제2 반도체 소자들; 및
    상기 제1 반도체 소자들과 상기 제2 반도체 소자들 사이에 배치되고, 접합층을 통해 상기 제1 반도체 소자들 및 상기 제2 반도체 소자들에 접합되고 외부 소자와 연결되기 위한 복수의 리드 프레임들
    을 포함하는, 다층 접합 전력 모듈.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 제1 반도체 소자들 및 상기 제2 반도체 소자들 각각은,
    상호 병렬로 연결된 제1 스위칭 소자 및 제1 다이오드; 및
    상호 병렬로 연결된 제2 스위칭 소자 및 제2 다이오드를 포함하고,
    상기 제1 스위칭 소자 및 상기 제1 다이오드와 상기 제2 스위칭 소자 및 상기 제2 다이오드는, 상호 직렬로 연결된 다층 접합 전력 모듈.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 상부 기판 또는 상기 하부 기판은,
    상기 제1 스위칭 소자 및 상기 제1 다이오드를 실장하는 제1 기판; 및
    상기 제2 스위칭 소자 및 상기 제2 다이오드를 실장하는 제2 기판을 포함하는, 다층 접합 전력 모듈.
  19. 청구항 16에 있어서,
    상기 복수의 리드 프레임들 중 일부 리드 프레임은,
    접합층을 통해 상기 제1 반도체 소자들과 상기 제2 반도체 소자들 간을 전기적으로 연결하고,
    상기 복수의 리드 프레임들 중 나머지 프레임은,
    접합층과 상기 상부 기판 및 상기 하부 기판을 통해 상기 제1 반도체 소자들과 상기 제2 반도체 소자들 간을 전기적으로 연결하는, 다층 접합 전력 모듈.
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