KR20210040081A - Charge transport composition - Google Patents

Charge transport composition Download PDF

Info

Publication number
KR20210040081A
KR20210040081A KR1020217005351A KR20217005351A KR20210040081A KR 20210040081 A KR20210040081 A KR 20210040081A KR 1020217005351 A KR1020217005351 A KR 1020217005351A KR 20217005351 A KR20217005351 A KR 20217005351A KR 20210040081 A KR20210040081 A KR 20210040081A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
charge
composition
substituted
Prior art date
Application number
KR1020217005351A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
토시유키 엔도
Original Assignee
닛산 가가쿠 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 filed Critical 닛산 가가쿠 가부시키가이샤
Publication of KR20210040081A publication Critical patent/KR20210040081A/en

Links

Classifications

    • H01L51/0061
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/88Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H01L51/0051
    • H01L51/5056
    • H01L51/5072
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/611Charge transfer complexes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Abstract

예를 들면, 하기 식으로 표시되는 아닐린 유도체를 포함하는 전하 수송성 조성물을 제공한다.

Figure pct00019

(식 중, Ph는 페닐기이다.)For example, it provides a charge transport composition containing an aniline derivative represented by the following formula.
Figure pct00019

(In the formula, Ph is a phenyl group.)

Description

전하 수송성 조성물Charge transport composition

본 발명은 전하 수송성 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a charge transport composition.

유기 일렉트로루미네슨스(이하, 유기 EL이라고도 한다.) 소자에 사용되는 전하 수송성 박막은 그 착색이 유기 EL 소자의 색 순도 및 색채 재현을 저하시키는 등의 사정으로, 최근, 가시 영역에서의 투과율이 높고, 투명성이 우수한 것이 요망되고 있다(특허문헌 1). 이 점을 감안하여, 본 출원인은 가시 영역에서의 착색이 억제된, 투명성이 우수한 전하 수송성 박막을 공급하는 웨트 프로세스용 재료를 이미 발견했다(특허문헌 1, 2).Charge-transporting thin films used in organic electroluminescence (hereinafter, also referred to as organic EL) devices have recently had a transmittance in the visible region due to reasons such as lowering the color purity and color reproduction of the organic EL device due to their coloring. It is desired to be high and excellent in transparency (Patent Document 1). In view of this point, the present applicant has already discovered a material for a wet process that provides a charge-transporting thin film excellent in transparency in which coloration in the visible region is suppressed (Patent Documents 1 and 2).

한편, 지금까지, 유기 EL 소자를 고성능화하기 위해 여러 가지 도입이 행해져 오고 있는데, 광 취출 효율을 향상시키는 등의 목적으로, 사용하는 기능막의 굴절률을 조정하는 노력이 이루어지고 있다. 구체적으로는, 소자의 전체 구성이나 인접하는 다른 부재의 굴절률을 고려하여, 상대적으로 높은 혹은 낮은 굴절률의 정공 주입층이나 정공 수송층을 사용함으로써, 소자의 고효율화를 도모하는 시도가 이루어졌다(예를 들면, 특허문헌 3, 4,). 이와 같이, 굴절률은 유기 EL 소자의 설계상 중요한 요소이며, 유기 EL 소자용 재료에서는, 굴절률도 고려해야 할 중요한 물성값으로 여겨지고 있다.On the other hand, so far, various introductions have been made in order to increase the performance of organic EL devices, but efforts have been made to adjust the refractive index of the functional film to be used for the purpose of improving light extraction efficiency. Specifically, attempts have been made to improve the efficiency of the device by using a hole injection layer or a hole transport layer having a relatively high or low refractive index in consideration of the entire configuration of the device or the refractive index of other adjacent members (for example, , Patent Documents 3, 4,). As described above, the refractive index is an important factor in the design of an organic EL device, and in the material for an organic EL device, the refractive index is also considered to be an important physical property value to be considered.

국제공개 제2013/042623호International Publication No. 2013/042623 국제공개 제2008/032616호International Publication No. 2008/032616 일본 특표 2007-536718호Japanese Special Patent No. 2007-536718 일본 특표 2017-501585호Japan Special Issue 2017-501585

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 전하 수송성이 양호하며, 소쇠 계수(k)가 낮고 투명성이 양호하여, 굴절률(n)이 높은 박막을 공급하고, 이 박막을 정공 주입층 등에 적용한 경우에 우수한 특성을 가지는 유기 EL 소자를 실현할 수 있는 전하 수송성 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and has good charge transport properties, low extinction coefficient (k) and good transparency, when supplying a thin film having a high refractive index (n), and applying the thin film to a hole injection layer, etc. An object of the present invention is to provide a charge transport composition capable of realizing an organic EL device having excellent properties.

본 발명자는, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 분자 내에 N,N,N',N'-테트라(카르바졸-2-일)-파라페닐렌디아민 구조를 가지는 소정의 아닐린 유도체를 포함하는 전하 수송성 조성물이 유사 구조의 아닐린 유도체를 사용한 경우와 비교하여, 소쇠 계수(k)가 낮고 투명성이 양호하여, 굴절률(n)이 높은 전하 수송성 박막을 공급할 뿐만 아니라, 그 조성물 자체의 보존 안정성도 우수한 것, 및 당해 전하 수송성 박막을 정공 주입층 등에 적용한 경우에 우수한 특성을 가지는 유기 EL 소자를 공급하는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.In order to achieve the above object, the inventors of the present invention have repeatedly studied, as a result, a predetermined aniline derivative having a structure of N,N,N',N'-tetra(carbazol-2-yl)-paraphenylenediamine in the molecule. Compared with the case of using an aniline derivative having a similar structure, the charge-transporting composition comprising a has a low extinction coefficient (k) and good transparency, and not only provides a charge-transporting thin film having a high refractive index (n), but also preserves the composition itself. The present invention has been completed by finding that an organic EL device having excellent stability is also excellent, and that when the charge-transporting thin film is applied to a hole injection layer or the like, has excellent properties.

따라서, 본 발명은 하기 전하 수송성 조성물을 제공한다.Accordingly, the present invention provides the following charge transport composition.

1. 하기 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체를 포함하는 전하 수송성 조성물.1. A charge-transporting composition containing an aniline derivative represented by the following formula (1).

Figure pct00001
Figure pct00001

[식 중, 각 Ar은, 서로 독립적으로, 하기 식 (Ar1)∼(Ar9) 중 어느 하나로 표시되는 기이다.[In the formula, each Ar is each independently a group represented by any one of the following formulas (Ar1) to (Ar9).

Figure pct00002
Figure pct00002

(식 중, R1∼R21은, 서로 독립적으로, 수소 원자, Z1로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1∼20의 알킬기, Z1로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알케닐기, Z1로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알키닐기, Z2로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 Z2로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 헤테로아릴기이고,(Wherein, R 1 ~R 21 is, independently from each other, with an alkenyl group, Z 1 of 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with an alkyl group, Z 1 of 1 to 20 carbon atoms that may be substituted with hydrogen atoms, Z 1 of 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with an alkynyl group, an aryl group of 6 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 2 or heteroaryl group of 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 2, and

Z1은 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 헤테로아릴기이고,Z 1 is a heteroaryl group of 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an aryl group of 6 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 3 or Z 3,

Z2는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1∼20의 알킬기, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알케닐기 또는 Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알키닐기이고,Z 2 is two carbon atoms that may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, Z 3 an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms that may be substituted, Z 3 in the 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with an alkenyl group, or Z 3 It is an alkynyl group of ∼20,

Z3은 할로겐 원자, 니트로기 또는 시아노기이다.)]Z 3 is a halogen atom, a nitro group or a cyano group.)]

2. Ar이 모두 동일한 기인 1의 전하 수송성 조성물.2. The charge-transporting composition of 1 in which all Ar are the same group.

3. Ar이 식 (Ar1)∼(Ar5) 중 어느 하나로 표시되는 기인 2의 전하 수송성 조성물.3. The charge-transporting composition of group 2 wherein Ar is represented by any one of formulas (Ar1) to (Ar5).

4. Ar이 식 (Ar1)로 표시되는 기인 3의 전하 수송성 조성물.4. The charge-transporting composition of group 3 wherein Ar is represented by the formula (Ar1).

5. 도판트를 더 포함하는 1∼4 중 어느 하나의 전하 수송성 조성물.5. The charge-transporting composition of any one of 1 to 4 further comprising a dopant.

6. 상기 도판트가 아릴술폰산에스테르 화합물인 5의 전하 수송성 조성물.6. The charge transport composition of 5, wherein the dopant is an arylsulfonic acid ester compound.

7. 1∼5 중 어느 하나의 전하 수송성 조성물을 사용하여 제작되는 전하 수송성 박막.7. A charge-transporting thin film produced using the charge-transporting composition of any one of 1 to 5.

8. 7의 전하 수송성 박막을 갖추는 유기 EL 소자.8. An organic EL device having a charge-transporting thin film of 7.

본 발명의 전하 수송성 조성물을 사용함으로써, 유사 구조의 아닐린 유도체를 포함하는 조성물을 사용한 경우와 비교하여, 높은 투명성(저소쇠 계수(k))과 높은 굴절률(n)의 전하 수송성 박막을 제작할 수 있다. 또, 본 발명의 전하 수송성 조성물은 유사 구조의 아닐린 유도체를 포함하는 조성물과 비교하여, 보존 안정성이 우수하다. 그리고, 본 발명의 전하 수송성 조성물로부터 얻어지는 전하 수송성 박막은 유기 EL 소자를 비롯한 전자 소자용 박막으로서 적합하게 사용할 수 있고, 유기 EL 소자의 양극과 발광층의 사이에 설치되는 기능층, 특히 정공 주입층으로서 사용함으로써, 특성이 우수한 유기 EL 소자가 얻어진다.By using the charge-transporting composition of the present invention, a charge-transporting thin film having high transparency (low extinction coefficient (k)) and high refractive index (n) can be produced as compared to the case of using a composition containing an aniline derivative having a similar structure. . Further, the charge-transporting composition of the present invention is superior in storage stability compared to a composition containing an aniline derivative having a similar structure. In addition, the charge-transporting thin film obtained from the charge-transporting composition of the present invention can be suitably used as a thin film for electronic devices including organic EL devices, and as a functional layer provided between the anode of the organic EL device and the light emitting layer, particularly as a hole injection layer. By using, an organic EL device excellent in properties is obtained.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Form for carrying out the invention)

[전하 수송성 조성물][Charge transporting composition]

본 발명의 전하 수송성 조성물은 하기 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체를 포함한다.The charge-transporting composition of the present invention contains an aniline derivative represented by the following formula (1).

Figure pct00003
Figure pct00003

식 (1) 중, 각 Ar은, 서로 독립적으로, 하기 식 (Ar1)∼(Ar9) 중 어느 하나로 표시되는 기이다.In formula (1), each Ar is each independently a group represented by any one of the following formulas (Ar1) to (Ar9).

Figure pct00004
Figure pct00004

식 (Ar1)∼(Ar9) 중, R1∼R21은, 서로 독립적으로, 수소 원자, Z1로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1∼20의 알킬기, Z1로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알케닐기, Z1로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알키닐기, Z2로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 Z2로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 헤테로아릴기이다. Z1은 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 헤테로아릴기이다. Z2는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1∼20의 알킬기, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알케닐기 또는 Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알키닐기이다. Z3은 할로겐 원자, 니트로기 또는 시아노기이다.Formula (Ar1) ~ (Ar9) of, R 1 ~R 21 are, independently, of 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with an alkyl group, Z 1 of 1 to 20 carbon atoms that may be substituted with hydrogen atoms, Z 1 each alkenyl group, a heteroaryl group, a alkynyl group, having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with a carbon number of 6 to 20 aryl group, or Z 2 of which may be substituted with Z 2 of 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 1. Z 1 is a heteroaryl group of 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an aryl group of 6 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 3 or Z 3. Z 2 is two carbon atoms that may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, Z 3 an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms that may be substituted, Z 3 in the 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with an alkenyl group, or Z 3 It is an alkynyl group of -20. Z 3 is a halogen atom, a nitro group or a cyano group.

상기 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있지만, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, but a fluorine atom is preferable.

상기 탄소수 1∼20의 알킬기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등의 탄소수 1∼20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기; 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기 등의 탄소수 3∼20의 환상 알킬기를 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group , a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, and n-decyl group; Cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, and other cyclic alkyl groups having 3 to 20 carbon atoms are mentioned.

상기 탄소수 2∼20의 알케닐기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 에테닐기, n-1-프로페닐기, n-2-프로페닐기, 1-메틸에테닐기, n-1-부테닐기, n-2-부테닐기, n-3-부테닐기, 2-메틸-1-프로페닐기, 2-메틸-2-프로페닐기, 1-에틸에테닐기, 1-메틸-1-프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, n-1-펜테닐기, n-1-데세닐기 등을 들 수 있다.The alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include ethenyl group, n-1-propenyl group, n-2-propenyl group, 1-methylethenyl group, and n -1-butenyl group, n-2-butenyl group, n-3-butenyl group, 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-2-propenyl group, 1-ethylethenyl group, 1-methyl-1 -Prophenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, n-1-pentenyl group, n-1-decenyl group, etc. are mentioned.

상기 탄소수 2∼20의 알키닐기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 에티닐기, n-1-프로피닐기, n-2-프로피닐기, n-1-부티닐기, n-2-부티닐기, n-3-부티닐기, 1-메틸-2-프로피닐기, n-1-펜티닐기, n-2-펜티닐기, n-3-펜티닐기, n-4-펜티닐기, 1-메틸-n-부티닐기, 2-메틸-n-부티닐기, 3-메틸-n-부티닐기, 1,1-디메틸-n-프로피닐기, n-1-헥시닐기, n-1-데시닐기 등을 들 수 있다.The alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include ethynyl group, n-1-propynyl group, n-2-propynyl group, n-1-butynyl group, and n -2-butynyl group, n-3-butynyl group, 1-methyl-2-propynyl group, n-1-pentynyl group, n-2-pentynyl group, n-3-pentynyl group, n-4-pentynyl group, 1-methyl-n-butynyl group, 2-methyl-n-butynyl group, 3-methyl-n-butynyl group, 1,1-dimethyl-n-propynyl group, n-1-hexynyl group, n-1-decy Neil group, etc. are mentioned.

상기 탄소수 6∼20의 아릴기의 구체예로서는 페닐기, 톨릴기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl group, tolyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, etc. are mentioned.

상기 탄소수 2∼20의 헤테로아릴기의 구체예로서는 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-푸라닐기, 3-푸라닐기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 3-이소옥사졸릴기, 4-이소옥사졸릴기, 5-이소옥사졸릴기 등의 함산소 헤테로아릴기, 2-티아졸릴기, 4-티아졸릴기, 5-티아졸릴기, 3-이소티아졸릴기, 4-이소티아졸릴기, 5-이소티아졸릴기 등의 함유황 헤테로아릴기, 2-이미다졸릴기, 4-이미다졸릴기, 2-피리딜기, 3-피리딜기, 4-피리딜기, 2-피라질기, 3-피라질기, 5-피라질기, 6-피라질기, 2-피리미딜기, 4-피리미딜기, 5-피리미딜기, 6-피리미딜기, 3-피리다질기, 4-피리다질기, 5-피리다질기, 6-피리다질기, 1,2,3-트리아진-4-일기, 1,2,3-트리아진-5-일기, 1,2,4-트리아진-3-일기, 1,2,4-트리아진-5-일기, 1,2,4-트리아진-6-일기, 1,3,5-트리아진-2-일기, 1,2,4,5-테트라진-3-일기, 1,2,3,4-테트라진-5-일기, 2-퀴놀리닐기, 3-퀴놀리닐기, 4-퀴놀리닐기, 5-퀴놀리닐기, 6-퀴놀리닐기, 7-퀴놀리닐기, 8-퀴놀리닐기, 1-이소퀴놀리닐기, 3-이소퀴놀리닐기, 4-이소퀴놀리닐기, 5-이소퀴놀리닐기, 6-이소퀴놀리닐기, 7-이소퀴놀리닐기, 8-이소퀴놀리닐기, 2-퀴녹사닐기, 5-퀴녹사닐기, 6-퀴녹사닐기, 2-퀴나졸리닐기, 4-퀴나졸리닐기, 5-퀴나졸리닐기, 6-퀴나졸리닐기, 7-퀴나졸리닐기, 8-퀴나졸리닐기, 3-신놀리닐기, 4-신놀리닐기, 5-신놀리닐기, 6-신놀리닐기, 7-신놀리닐기, 8-신놀리닐기 등의 함질소 헤테로아릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms include 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-furanyl group, 3-furanyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, Oxygen-containing heteroaryl groups such as 3-isoxazolyl group, 4-isooxazolyl group, and 5-isoxazolyl group, 2-thiazolyl group, 4-thiazolyl group, 5-thiazolyl group, 3-isothia Sulfur heteroaryl groups, such as a zolyl group, 4-isothiazolyl group, and 5-isothiazolyl group, 2-imidazolyl group, 4-imidazolyl group, 2-pyridyl group, 3-pyridyl group, 4- Pyridyl Group, 2-Pyrazyl Group, 3-Pyrazyl Group, 5-Pyrazyl Group, 6-Pyrazyl Group, 2-Pyrimidyl Group, 4-Pyramidyl Group, 5-Pyrimidyl Group, 6-Pyramidyl Group, 3-Pyri Poly, 4-pyridazyl, 5-pyridazyl, 6-pyridazyl, 1,2,3-triazine-4-yl, 1,2,3-triazine-5-yl, 1,2 ,4-triazine-3-yl group, 1,2,4-triazine-5-yl group, 1,2,4-triazine-6-yl group, 1,3,5-triazine-2-yl group, 1 ,2,4,5-tetrazin-3-yl group, 1,2,3,4-tetrazin-5-yl group, 2-quinolinyl group, 3-quinolinyl group, 4-quinolinyl group, 5-quinol Nolinyl group, 6-quinolinyl group, 7-quinolinyl group, 8-quinolinyl group, 1-isoquinolinyl group, 3-isoquinolinyl group, 4-isoquinolinyl group, 5-isoquinolinyl group, 6 -Isoquinolinyl group, 7-isoquinolinyl group, 8-isoquinolinyl group, 2-quinoxanyl group, 5-quinoxanyl group, 6-quinoxanyl group, 2-quinazolinyl group, 4-quinazolinyl group, 5-quinazolinyl group, 6-quinazolinyl group, 7-quinazolinyl group, 8-quinazolinyl group, 3-cinnolinyl group, 4-cinnolinyl group, 5-cinnolinyl group, 6-cinnolinyl group, 7- Nitrogen-containing heteroaryl groups, such as a cinnolinyl group and an 8-cinnolinyl group, etc. are mentioned.

그중에서도, R1∼R21로서는 Z2로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6∼20의 아릴기, Z2로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 헤테로아릴기가 바람직하고, Z2로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6∼20의 아릴기가 보다 바람직하고, Z2로 치환되어 있어도 되는 페닐기, Z2로 치환되어 있어도 되는 1-나프틸기, Z2로 치환되어 있어도 되는 2-나프틸기가 더한층 바람직하다. 또, Z2로서는 할로겐 원자, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1∼20의 알킬기, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알케닐기가 바람직하다. Z3으로서는 할로겐 원자가 바람직하고, 불소 원자가 보다 바람직하다.Among them, R 1 ~R 21 as the number of carbon atoms which may heteroaryl group of 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with an aryl group 6 to 20 carbon atoms, Z 2 of which may be substituted with Z 2 group is preferred, and is substituted with Z 2 6 aryl groups of to 20 more preferred, and is substituted with 1-naphthyl group, Z 2 is optionally substituted by a phenyl group, Z 2 is optionally substituted by Z 2 is preferably a 2-naphthyl which may incidentally. In addition, Z 2 the halogen atom, the groups are alkenyl groups, 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with Z 3 having 1 to 20 carbon atoms that may be substituted with Z 3 are preferred. As Z 3 , a halogen atom is preferable and a fluorine atom is more preferable.

본 발명에서는, 아닐린 유도체의 합성의 용이성의 관점에서, Ar은 모두 같은 기인 것이 바람직하다. 또, 아닐린 유도체의 유기 용매에의 용해성을 향상시키고, 균일성이 높은 조성물을 재현성 좋게 얻는 관점에서, 식 (Ar1)∼(Ar5) 중 어느 하나로 표시되는 기가 바람직하고, 식 (Ar1)로 표시되는 기가 최적이다.In the present invention, from the viewpoint of ease of synthesis of the aniline derivative, it is preferable that all Ar are the same group. In addition, from the viewpoint of improving the solubility of the aniline derivative in an organic solvent and obtaining a composition having high uniformity with good reproducibility, a group represented by any one of formulas (Ar1) to (Ar5) is preferred, and a group represented by formula (Ar1) Giga is optimal.

이하, 본 발명에서 적합한 아닐린 유도체의 구체예를 들지만, 이것에 한정되지 않는다.Hereinafter, although the specific example of the aniline derivative suitable in this invention is given, it is not limited to this.

Figure pct00005
Figure pct00005

(식 중, Ph는 페닐기이다.)(In the formula, Ph is a phenyl group.)

본 발명에서 사용하는 아닐린 유도체는, 촉매의 존재하, 파라페닐렌디아민(1,4-페닐렌디아민)과, 할로겐화 또는 유사 할로겐화 카르바졸 유도체 Ar-X(Ar은 상기와 같다. X는 할로겐 원자 또는 유사 할로겐기이다.)를 반응시킴으로써 제조할 수 있다.The aniline derivative used in the present invention is, in the presence of a catalyst, paraphenylenediamine (1,4-phenylenediamine) and a halogenated or pseudohalogenated carbazole derivative Ar-X (Ar is the same as above. X is a halogen atom) Or it can be produced by reacting a similar halogen group.).

상기 할로겐 원자로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있지만, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 바람직하다. 상기 유사 할로겐기로서는 메탄술포닐옥시기, 트리플루오로메탄술포닐옥시기, 노나플루오로부탄술포닐옥시기 등의 (플루오로)알킬술포닐옥시기; 벤젠술포닐옥시기, 톨루엔술포닐옥시기 등의 방향족 술포닐옥시기 등을 들 수 있다.Examples of the halogen atom include those similar to those described above, but a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are preferable. Examples of the similar halogen group include (fluoro)alkylsulfonyloxy groups such as methanesulfonyloxy group, trifluoromethanesulfonyloxy group, and nonafluorobutanesulfonyloxy group; And aromatic sulfonyloxy groups such as a benzenesulfonyloxy group and a toluenesulfonyloxy group.

1,4-페닐렌디아민과 할로겐화 또는 유사 할로겐화 카르바졸 유도체와의 장입비는, 1,4-페닐렌디아민의 전체 NH기의 물질량에 대하여, 할로겐화 또는 유사 할로겐화 카르바졸 유도체를 당량 이상으로 할 수 있지만, 1∼1.2당량 정도가 적합하다.The charging ratio of 1,4-phenylenediamine and the halogenated or pseudohalogenated carbazole derivative can be made more than the equivalent of the halogenated or pseudohalogenated carbazole derivative with respect to the total amount of the NH group of 1,4-phenylenediamine. However, about 1 to 1.2 equivalents are suitable.

상기 반응에 사용되는 촉매로서는, 예를 들면, 염화구리, 브롬화구리, 요오드화구리 등의 구리 촉매; 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(Pd(PPh3)4), 비스(트리페닐포스핀)디클로로팔라듐(Pd(PPh3)2Cl2), 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(Pd(dba)2), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(Pd2(dba)3), 비스[트리(t-부틸포스핀)]팔라듐(Pd(P-t-Bu3)2), 아세트산 팔라듐(Pd(OAc)2) 등의 팔라듐 촉매 등을 들 수 있다. 이들 촉매는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of the catalyst used in the reaction include copper catalysts such as copper chloride, copper bromide, and copper iodide; Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (Pd(PPh 3 ) 4 ), bis (triphenylphosphine) dichloropalladium (Pd(PPh 3 ) 2 Cl 2 ), bis (dibenzylideneacetone) palladium (Pd(dba ) 2 ), tris(dibenzylideneacetone)dipalladium (Pd 2 (dba) 3 ), bis[tri(t-butylphosphine)]palladium (Pd(Pt-Bu 3 ) 2 ), palladium acetate (Pd( Palladium catalysts, such as OAc) 2 ), etc. are mentioned. These catalysts may be used alone or in combination of two or more.

또, 이들 촉매는 공지의 적절한 배위자와 함께 사용해도 된다. 이러한 배위자로서는 트리페닐포스핀, 트리-o-톨릴포스핀, 디페닐메틸포스핀, 페닐디메틸포스핀, 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리-t-부틸포스핀, 디-t-부틸(페닐)포스핀, 디-t-부틸(4-디메틸아미노페닐)포스핀, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄, 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판, 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄, 1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센 등의 3차 포스핀, 트리메틸포스파이트, 트리에틸포스파이트, 트리페닐포스파이트 등의 3차 포스파이트 등을 들 수 있다.In addition, these catalysts may be used together with a known suitable ligand. Examples of such ligands include triphenylphosphine, tri-o-tolylphosphine, diphenylmethylphosphine, phenyldimethylphosphine, trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, tri-t-butylphosphine, di. -t-butyl(phenyl)phosphine, di-t-butyl(4-dimethylaminophenyl)phosphine, 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane, 1,3-bis(diphenylphosphino)propane Tertiary phosphine, such as 1,4-bis(diphenylphosphino)butane, 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene, trimethylphosphite, triethylphosphite, triphenylphosphite, etc. Tea phosphite, etc. are mentioned.

촉매의 사용량은, 할로겐화 또는 유사 할로겐화 카르바졸 유도체 1mol에 대하여, 0.01∼0.2mol 정도로 할 수 있지만, 0.15mol 정도가 적합하다.The amount of the catalyst used may be about 0.01 to 0.2 mol per 1 mol of the halogenated or pseudohalogenated carbazole derivative, but about 0.15 mol is suitable.

또, 배위자를 사용하는 경우, 그 사용량은, 사용하는 촉매에 대하여, 0.1∼5당량으로 할 수 있지만, 1∼2당량이 적합하다.In the case of using a ligand, the amount used can be 0.1 to 5 equivalents based on the catalyst to be used, but 1 to 2 equivalents are suitable.

원료 화합물이 모두 고체인 경우 혹은 목적으로 하는 아닐린 유도체를 효율적으로 얻는 관점에서, 상기 각 반응은 용매 중에서 행한다. 용매를 사용하는 경우, 그 종류는 반응에 악영향을 끼치지 않는 것이면 특별히 제한은 없다. 구체예로서는 지방족 탄화수소류(펜탄, n-헥산, n-옥탄, n-데칸, 데칼린 등), 할로겐화 지방족 탄화수소류(클로로포름, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 사염화탄소 등), 방향족 탄화수소류(벤젠, 니트로벤젠, 톨루엔, o-크실렌, m-크실렌, p-크실렌, 메시틸렌 등), 할로겐화 방향족 탄화수소류(클로로벤젠, 브로모벤젠, o-디클로로벤젠, m-디클로로벤젠, p-디클로로벤젠 등), 에테르류(디에틸에테르, 디이소프로필에테르, t-부틸메틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산, 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄 등), 케톤류(아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디-n-부틸케톤, 시클로헥사논 등), 아미드류(N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등), 락탐 및 락톤류(N-메틸피롤리돈, γ-부티로락톤 등), 요소류(N,N-디메틸이미다졸리디논, 테트라메틸우레아 등), 술폭시드류(디메틸술폭시드, 술포란 등), 니트릴류(아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴 등) 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 이들 용매는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.When all the raw material compounds are solid or from the viewpoint of efficiently obtaining the target aniline derivative, each of the above reactions is carried out in a solvent. In the case of using a solvent, the kind is not particularly limited as long as it does not adversely affect the reaction. Specific examples include aliphatic hydrocarbons (pentane, n-hexane, n-octane, n-decane, decalin, etc.), halogenated aliphatic hydrocarbons (chloroform, dichloromethane, dichloroethane, carbon tetrachloride, etc.), aromatic hydrocarbons (benzene, nitrobenzene, etc.) Toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, mesitylene, etc.), halogenated aromatic hydrocarbons (chlorobenzene, bromobenzene, o-dichlorobenzene, m-dichlorobenzene, p-dichlorobenzene, etc.), ethers (Diethyl ether, diisopropyl ether, t-butyl methyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-diethoxyethane, etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, methyl Isobutyl ketone, di-n-butyl ketone, cyclohexanone, etc.), amides (N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, etc.), lactams and lactones (N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone), urea (N,N-dimethylimidazolidinone, tetramethylurea, etc.), sulfoxides (dimethylsulfoxide, sulfolane, etc.), nitriles (acetonitrile, propionitrile, etc.) Butyronitrile, etc.) etc. are mentioned, but it is not limited to these. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

반응 온도는 사용하는 용매의 융점부터 비점까지의 범위에서 적당하게 설정하면 되지만, 통상 0∼200℃ 정도의 범위이며, 바람직하게는 20∼150℃의 범위이다. 반응 종료 후는 상법에 따라 후처리를 하여, 목적으로 하는 아닐린 유도체를 얻을 수 있다.The reaction temperature may be appropriately set in the range from the melting point to the boiling point of the solvent to be used, but is usually in the range of about 0 to 200°C, preferably in the range of 20 to 150°C. After completion of the reaction, post-treatment according to a conventional method can be performed to obtain the desired aniline derivative.

본 발명의 전하 수송성 조성물은 유기 용매를 포함한다. 이러한 유기 용매로서는, 전하 수송성 물질인 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체를 양호하게 용해할 수 있는 고용해성 용매를 사용할 수 있다. 고용해성 용매의 구체예로서는, 예를 들면, 시클로헥사논, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸이소부틸아미드, N-메틸피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르 등의 유기 용매를 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 이들 용매는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 그 사용량은, 조성물에 사용하는 용매 전체에 대하여, 5∼100질량%로 할 수 있다.The charge transport composition of the present invention contains an organic solvent. As such an organic solvent, a high-solubility solvent capable of satisfactorily dissolving the aniline derivative represented by formula (1) as a charge-transporting substance can be used. Specific examples of the solubility solvent include, for example, cyclohexanone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylisobutylamide, N-methylpyrrolidone, 1,3 -Organic solvents, such as dimethyl-2-imidazolidinone and diethylene glycol monomethyl ether, are mentioned, but are not limited to these. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The usage amount can be 5 to 100% by mass based on the entire solvent used in the composition.

또, 조성물에, 25℃에서 10∼200mPa·s, 특히 35∼150mPa·s의 점도를 가지고, 상압(대기압)에서 비점 50∼300℃, 특히 150∼250℃의 고점도 유기 용매를 적어도 1종류 함유시킴으로써, 조성물의 점도의 조정이 용이하게 되고, 그 결과, 평탄성이 높은 박막을 재현성 좋게 공급하는, 사용하는 도포 방법에 따른 조성물의 조제가 가능하게 된다. 고점도 유기 용매로서는, 예를 들면, 시클로헥사놀, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 1,3-옥틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 1,3-부탄디올, 2,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 이들 용매는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 조성물에 사용되는 용매 전체에 대한 고점도 유기 용매의 첨가 비율은 고체가 석출하지 않는 범위 내인 것이 바람직하고, 고체가 석출하지 않는 한에 있어서, 첨가 비율은 5∼80질량%가 바람직하다.In addition, the composition contains at least one high viscosity organic solvent having a viscosity of 10 to 200 mPa·s at 25°C, particularly 35 to 150 mPa·s, and a boiling point of 50 to 300°C at normal pressure (atmospheric pressure), especially 150 to 250°C. By doing so, it becomes easy to adjust the viscosity of the composition, and as a result, it becomes possible to prepare a composition according to the coating method to be used in which a thin film having high flatness is supplied with good reproducibility. As a high viscosity organic solvent, for example, cyclohexanol, ethylene glycol, ethylene glycol diglycidyl ether, 1,3-octylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol, 1, 3-butanediol, 2,3-butanediol, 1,4-butanediol, propylene glycol, hexylene glycol, etc. may be mentioned, but the present invention is not limited thereto. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The addition ratio of the high-viscosity organic solvent to the entire solvent used in the composition is preferably within a range in which no solid precipitates, and as long as no solid precipitates, the addition ratio is preferably 5 to 80% by mass.

또한, 기판에 대한 젖음성의 향상, 용매의 표면장력의 조정, 극성의 조정, 비점의 조정 등의 목적으로, 그 밖의 용매를, 조성물에 사용하는 용매 전체에 대하여, 1∼90질량%, 바람직하게는 1∼50질량%의 비율로 혼합할 수도 있다. 이러한 용매로서는, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디아세톤알코올, γ-부티로락톤, 에틸락테이트, n-헥실아세테이트 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 이들 용매는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.In addition, for the purpose of improving the wettability to the substrate, adjusting the surface tension of the solvent, adjusting the polarity, adjusting the boiling point, etc., other solvents are used in an amount of 1 to 90% by mass, preferably based on the total solvent used in the composition. May be mixed in a ratio of 1 to 50% by mass. Examples of such a solvent include propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, and diethylene glycol monobutyl ether. Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether, diacetone alcohol, γ-butyrolactone, ethyl lactate, n-hexyl acetate, and the like, but are not limited to these. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

또, 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체가, 예를 들면, 그 분자 내의 카르바졸 부위의 9 위치의 질소 원자상에 아릴기를 가지는 경우와 같이, 분자 내의 적어도 1개의 질소 원자 상에 치환기를 가지는 경우, 바람직하게는 모든 질소 원자상에 치환기를 가지고 있는 경우, 저극성 용매만을 사용한 조성물의 조제가 용이하게 된다. 그러한 저극성 용매의 구체예로서는 클로로포름, 클로로벤젠 등의 염소계 용매; 톨루엔, 크실렌, 테트랄린, 시클로헥실벤젠, 데실벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매; 1-옥타놀, 1-노나놀, 1-데카놀 등의 지방족 알코올계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산, 아니솔, 4-메톡시톨루엔, 3-페녹시톨루엔, 디벤질에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르 등의 에테르계 용매; 벤조산 메틸, 벤조산 에틸, 벤조산 부틸, 프탈산 디메틸, 말레산 디에틸, 벤조산 이소아밀, 프탈산 비스(2-에틸헥실), 말레산 디부틸, 옥살산 디부틸, 아세트산 헥실, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에스테르계 용매 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 이들 용매는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.In addition, the aniline derivative represented by formula (1) has a substituent on at least one nitrogen atom in the molecule, for example, in the case of having an aryl group on the nitrogen atom at position 9 of the carbazole moiety in the molecule. In the case, preferably, when all nitrogen atoms have substituents, preparation of a composition using only a low polarity solvent becomes easy. Specific examples of such a low-polarity solvent include chlorine-based solvents such as chloroform and chlorobenzene; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, tetralin, cyclohexylbenzene, and decylbenzene; Aliphatic alcohol solvents such as 1-octanol, 1-nonanol, and 1-decanol; Tetrahydrofuran, dioxane, anisole, 4-methoxytoluene, 3-phenoxytoluene, dibenzyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol butyl methyl Ether solvents such as ether; Methyl benzoate, ethyl benzoate, butyl benzoate, dimethyl phthalate, diethyl maleate, isoamyl benzoate, bis(2-ethylhexyl) phthalate, dibutyl maleate, dibutyl oxalate, hexyl acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, Ester solvents, such as diethylene glycol monobutyl ether acetate, etc. are mentioned, but are not limited to these. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 전하 수송성 조성물은 용매로서 물도 포함할 수 있지만, 조성물로부터 얻어지는 전하 수송성 박막을 유기 EL 소자의 정공 주입층으로서 사용한 경우에 고내구성의 소자를 재현성 좋게 얻는 관점에서, 물의 함유량은 용매 전체의 10질량% 이하가 바람직하고, 5질량% 이하가 보다 바람직하고, 용매로서 유기 용매만을 사용하는 것이 최적이다. 또한, 이 경우에 있어서의 「유기 용매만」이란 용매로서 사용하는 것이 유기 용매만인 것을 의미하고, 사용하는 유기 용매나 고형분 등에 미량으로 포함되는 「물」의 존재마저도 부정하는 것은 아니다. 또, 본 발명에 있어서, 고형분이란 전하 수송성 조성물에 포함되는 용매 이외의 성분을 의미한다.The charge-transporting composition of the present invention may also contain water as a solvent, but from the viewpoint of obtaining a highly durable device with good reproducibility when the charge-transporting thin film obtained from the composition is used as a hole injection layer of an organic EL device, the content of water is 10 mass% or less is preferable, 5 mass% or less is more preferable, and it is optimal to use only an organic solvent as a solvent. In addition, "only organic solvent" in this case means that only an organic solvent is used as a solvent, and even the presence of "water" contained in a trace amount such as an organic solvent or solid content to be used is not denied. In addition, in the present invention, the solid content means components other than the solvent contained in the charge-transporting composition.

본 발명의 전하 수송성 조성물은, 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체로 이루어지는 전하 수송성 물질과 아울러, 그 밖의 전하 수송성 물질을 포함하고 있어도 된다.The charge-transporting composition of the present invention may contain other charge-transporting substances in addition to a charge-transporting substance composed of an aniline derivative represented by formula (1).

본 발명의 전하 수송성 조성물은 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체로 이루어지는 전하 수송성 물질과, 유기 용매를 포함하는 것이지만, 얻어지는 박막의 용도에 따라, 그 전하 수송능의 향상 등을 목적으로 도판트(전하 수용성 물질)를 포함하고 있어도 된다.The charge transport composition of the present invention contains a charge transport material composed of an aniline derivative represented by formula (1) and an organic solvent, but depending on the application of the resulting thin film, a dopant ( Charge-accepting substances) may be included.

도판트로서는 조성물에 사용하는 적어도 1종의 용매에 용해하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 무기계의 도판트, 유기계의 도판트의 어느 것이나 사용할 수 있다. 또, 무기계 및 유기계의 도판트는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또, 도판트는 조성물로부터 고체막인 전하 수송성 박막을 얻는 과정에서, 예를 들면, 소성시의 가열과 같은 외부로부터의 자극에 의해, 분자 내의 일부가 떨어짐으로써 도판트로서의 기능이 비로소 발현 또는 향상하게 되는 물질, 예를 들면, 술폰산기가 탈리하기 쉬운 기로 보호된 아릴술폰산에스테르 화합물이어도 된다.The dopant is not particularly limited as long as it is dissolved in at least one solvent used in the composition, and any of an inorganic dopant and an organic dopant can be used. Moreover, inorganic type and organic type dopant may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. In addition, in the process of obtaining a charge-transporting thin film, which is a solid film from the composition, the dopant is partially released from the molecule due to external stimulation such as heating during firing, so that the function as a dopant is finally expressed or improved. A substance to be formed, for example, an aryl sulfonic acid ester compound in which a sulfonic acid group is easily removed may be used.

조성물 중의 도판트 물질의 양은 원하는 전하 수송성의 정도나 도판트 물질의 종류에 따라 다르기 때문에 일률적으로 규정할 수 없지만, 통상, 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체 1에 대하여, 질량비로, 0.0001∼100의 범위이다.The amount of the dopant material in the composition cannot be uniformly defined because it varies depending on the degree of desired charge transportability or the type of dopant material, but usually, in terms of mass ratio, 0.0001 to 100 with respect to the aniline derivative 1 represented by formula (1). Is the range of.

본 발명에서는, 바람직한 무기계의 도판트로서는 헤테로폴리산을 들 수 있다. 헤테로폴리산이란 대표적으로 하기 식 (H1)로 표시되는 Keggin형 혹은 하기 식 (H2)로 표시되는 Dawson형의 화학 구조로 표시되는, 헤테로 원자가 분자의 중심에 위치하는 구조를 가지고, 바나듐(V), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 산소산인 이소폴리산과, 이종 원소의 산소산과 축합하여 이루어지는 폴리산이다. 이러한 이종 원소의 산소산으로서는 주로 규소(Si), 인(P), 비소(As)의 산소산을 들 수 있다.In the present invention, as a preferable inorganic dopant, a heteropolyacid is mentioned. The heteropolyacid is typically a Keggin type represented by the following formula (H1) or a Dawson type chemical structure represented by the following formula (H2), and has a structure in which a hetero atom is located at the center of a molecule, and vanadium (V), molybdenum It is a polyacid formed by condensation with an oxygen acid such as (Mo) and tungsten (W), which is an oxygen acid, and an oxygen acid of a different element. As the oxygen acid of such a heterogeneous element, mainly oxygen acids of silicon (Si), phosphorus (P), and arsenic (As) are exemplified.

Figure pct00006
Figure pct00006

헤테로폴리산의 구체예로서는 인몰리브덴산, 규몰리브덴산, 인텅스텐산, 규텅스텐산, 인텅스토몰리브덴산 등을 들 수 있다. 이들 헤테로폴리산은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또한, 이들 헤테로폴리산은 시판품으로서 입수 가능하며, 또, 공지의 방법에 의해 합성할 수도 있다.Specific examples of the heteropolyacid include phosphomolybdic acid, silicomolybdic acid, phosphotungstic acid, silicotungstic acid, phosphotungstomolybdic acid, and the like. These heteropolyacids may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. In addition, these heteropolyacids are commercially available and can also be synthesized by a known method.

특히, 1종류의 헤테로폴리산을 사용하는 경우, 그 1종류의 헤테로폴리산은 인텅스텐산 또는 인몰리브덴산이 바람직하고, 인텅스텐산이 최적이다. 또, 2종류 이상의 헤테로폴리산을 사용하는 경우, 그 2종류 이상의 헤테로폴리산의 1개는 인텅스텐산 또는 인몰리브덴산이 바람직하고, 인텅스텐산이 보다 바람직하다.In particular, when one type of heteropolyacid is used, the one type of heteropolyacid is preferably phosphotungstic acid or phosphomolybdic acid, and phosphotungstic acid is optimal. Moreover, when two or more types of heteropolyacids are used, one of the two or more types of heteropolyacids is preferably phosphotungstic acid or phosphomolybdic acid, more preferably phosphotungstic acid.

또한, 헤테로폴리산은, 원소 분석 등의 정량 분석에 있어서, 일반식으로 표시되는 구조로부터 원소의 수가 많은 것, 또는 적은 것이어도, 그것이 시판품으로서 입수한 것, 또는, 공지의 합성 방법에 따라 적절하게 합성한 것인 한, 본 발명에서 사용할 수 있다. 즉, 예를 들면, 일반적으로는, 인텅스텐산은 화학식 H3(PW12O40)·nH2O으로, 인몰리브덴산은 화학식 H3(PMo12O40)·nH2O로 각각 표시되지만, 정량 분석에 있어서, 이 식 중의 P(인), O(산소) 또는 W(텅스텐) 혹은 Mo(몰리브덴)의 수가 많은 것 또는 적은 것이어도, 그것이 시판품으로서 입수한 것, 혹은 공지의 합성 방법에 따라서 적절하게 합성한 것인 한, 본 발명에서 사용할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 규정되는 헤테로폴리산의 질량이란 합성물이나 시판품 중에 있어서의 순수한 인텅스텐산의 질량(인텅스텐산 함량)이 아니고, 시판품으로서 입수 가능한 형태 및 공지의 합성법으로 단리 가능한 형태에 있어서, 수화수나 그 밖의 불순물 등을 포함한 상태에서의 전체 질량을 의미한다.In addition, in quantitative analysis such as elemental analysis, even if the number of elements is large or small from the structure represented by the general formula, the heteropolyacid is obtained as a commercial item, or appropriately synthesized according to a known synthesis method. As long as it is one, it can be used in the present invention. That is, for example, in general, phosphotungstic acid is represented by the formula H 3 (PW 12 O 40 )·nH 2 O , and phosphomolybdic acid is represented by the formula H 3 (PMo 12 O 40 )·nH 2 O, respectively, but quantitative analysis In this formula, even if the number of P (phosphorus), O (oxygen) or W (tungsten) or Mo (molybdenum) is large or small, it is appropriately obtained as a commercial product or according to a known synthesis method. As long as it is synthesized, it can be used in the present invention. In this case, the mass of the heteropolyacid specified in the present invention is not the mass of pure phosphotungstic acid (phosphotungstic acid content) in the composite or commercial product, but in the form available as a commercial product and in a form that can be isolated by a known synthetic method, hydration It means the total mass in the state including water or other impurities.

도판트로서 헤테로폴리산을 사용하는 경우, 그 사용량은, 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체 1에 대하여, 질량비로, 0.001∼50.0 정도로 할 수 있지만, 바람직하게는 0.01∼20.0 정도, 보다 바람직하게는 0.1∼10.0 정도이다.In the case of using a heteropolyacid as a dopant, the amount used may be about 0.001 to 50.0 in terms of mass ratio with respect to the aniline derivative 1 represented by the formula (1), but it is preferably about 0.01 to 20.0, more preferably 0.1 It is about -10.0.

한편, 바람직한 유기계의 도판트로서는 테트라시아노퀴노디메탄 유도체나 벤조퀴논 유도체를 들 수 있다. 테트라시아노퀴노디메탄 유도체의 구체예로서는 7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(TCNQ)이나, 하기 식 (H3)으로 표시되는 할로테트라시아노퀴노디메탄 등을 들 수 있다. 또, 벤조퀴논 유도체의 구체예로서는 테트라플루오로-1,4-벤조퀴논(F4BQ), 테트라클로로-1,4-벤조퀴논(클로라닐), 테트라브로모-1,4-벤조퀴논, 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(DDQ) 등을 들 수 있다.On the other hand, as a preferable organic dopant, a tetracyanoquinodimethane derivative and a benzoquinone derivative are mentioned. Specific examples of the tetracyanoquinodimethane derivative include 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ) and halotetracyanoquinodimethane represented by the following formula (H3). In addition, specific examples of the benzoquinone derivative include tetrafluoro-1,4-benzoquinone (F4BQ), tetrachloro-1,4-benzoquinone (chloranyl), tetrabromo-1,4-benzoquinone, 2,3 -Dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (DDQ), etc. are mentioned.

Figure pct00007
Figure pct00007

식 (H3) 중, R101∼R104는, 서로 독립적으로, 수소 원자 또는 할로겐 원자를 나타내지만, 적어도 1개는 할로겐 원자이며, 적어도 2개가 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 적어도 3개가 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 모두가 할로겐 원자인 것이 가장 바람직하다. 할로겐 원자로서는 상기와 같은 것을 들 수 있지만, 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하고, 불소 원자가 보다 바람직하다.In formula (H3), R 101 to R 104 each independently represent a hydrogen atom or a halogen atom, but at least one is a halogen atom, at least two are preferably halogen atoms, and at least three are halogen atoms. It is more preferable that it is more preferable, and it is most preferable that all are halogen atoms. Examples of the halogen atom include those described above, but a fluorine atom or a chlorine atom is preferable, and a fluorine atom is more preferable.

이러한 할로테트라시아노퀴노디메탄의 구체예로서는 2-플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 2-클로로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 2,5-디플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 2,5-디클로로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 2,3,5,6-테트라클로로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(F4TCNQ) 등을 들 수 있다.Specific examples of such halotetracyanoquinodimethane include 2-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2-chloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,5-difluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,5-dichloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,3,5, 6-tetrachloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ), etc. Can be mentioned.

도판트로서 테트라시아노퀴노디메탄 유도체 또는 벤조퀴논 유도체를 사용하는 경우, 그 사용량은, 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체 1에 대하여, 물질량(몰)비로, 0.01∼20.0 정도로 할 수 있지만, 바람직하게는 0.1∼10.0 정도, 보다 바람직하게는 0.5∼5.0 정도이다.In the case of using a tetracyanoquinodimethane derivative or a benzoquinone derivative as a dopant, the amount used may be about 0.01 to 20.0 in terms of a substance amount (molar) ratio with respect to the aniline derivative 1 represented by formula (1). It is preferably about 0.1 to 10.0, more preferably about 0.5 to 5.0.

또, 그 밖의 바람직한 유기계의 도판트로서는 아릴술폰산 화합물을 들 수 있다. 그 구체예로서는 벤젠술폰산, 토실산, p-스티렌술폰산, 2-나프탈렌술폰산, 4-히드록시벤젠술폰산, 5-술포살리실산, p-도데실벤젠술폰산, 디헥실벤젠술폰산, 2,5-디헥실벤젠술폰산, 디부틸나프탈렌술폰산, 6,7-디부틸-2-나프탈렌술폰산, 도데실나프탈렌술폰산, 3-도데실-2-나프탈렌술폰산, 헥실나프탈렌술폰산, 4-헥실-1-나프탈렌술폰산, 옥틸나프탈렌술폰산, 2-옥틸-1-나프탈렌술폰산, 헥실나프탈렌술폰산, 7-헥실-1-나프탈렌술폰산, 6-헥실-2-나프탈렌술폰산, 디노닐나프탈렌술폰산, 2,7-디노닐-4-나프탈렌술폰산, 디노닐나프탈렌디술폰산, 2,7-디노닐-4,5-나프탈렌디술폰산, 국제공개 제2005/000832호 기재의 1,4-벤조디옥산디술폰산 화합물, 국제공개 제2006/025342호 기재의 아릴술폰산 화합물, 국제공개 제2009/096352호 기재의 아릴술폰산 화합물 등을 들 수 있다.Moreover, an arylsulfonic acid compound is mentioned as another preferable organic type dopant. Specific examples thereof include benzenesulfonic acid, tosylic acid, p-styrenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid, 4-hydroxybenzenesulfonic acid, 5-sulfosalicylic acid, p-dodecylbenzenesulfonic acid, dihexylbenzenesulfonic acid, 2,5-dihexylbenzene Sulfonic acid, dibutylnaphthalenesulfonic acid, 6,7-dibutyl-2-naphthalenesulfonic acid, dodecylnaphthalenesulfonic acid, 3-dodecyl-2-naphthalenesulfonic acid, hexylnaphthalenesulfonic acid, 4-hexyl-1-naphthalenesulfonic acid, octylnaphthalenesulfonic acid , 2-octyl-1-naphthalenesulfonic acid, hexylnaphthalenesulfonic acid, 7-hexyl-1-naphthalenesulfonic acid, 6-hexyl-2-naphthalenesulfonic acid, dinonylnaphthalenesulfonic acid, 2,7-dinonyl-4-naphthalenesulfonic acid, dino Nylnaphthalenedisulfonic acid, 2,7-dinonyl-4,5-naphthalenedisulfonic acid, 1,4-benzodioxane disulfonic acid compound described in International Publication No. 2005/000832, aryl described in International Publication No. 2006/025342 Sulfonic acid compounds and arylsulfonic acid compounds described in International Publication No. 2009/096352, and the like.

더욱 구체적으로는, 하기 식 (H4) 또는 (H5)로 표시되는 아릴술폰산 화합물을 들 수 있다.More specifically, an arylsulfonic acid compound represented by the following formula (H4) or (H5) can be mentioned.

Figure pct00008
Figure pct00008

식 (H4) 중, A1은 O 또는 S를 나타내지만, O가 바람직하다. A2는 나프탈렌 또는 안트라센에 유래하는 (q+1)가의 기(즉, 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 (q+1)개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기)이지만, 나프탈렌에 유래하는 것이 바람직하다. A3은 퍼플루오로비페닐로부터 유도되는 p가의 기(즉, 퍼플루오로비페닐로부터 p개의 불소 원자를 제거하여 얻어지는 기)이다. p는 A1과 A3과의 결합수를 나타내고, 2≤p≤4를 충족시키는 정수이지만, 2가 바람직하다. 이때, A3은 퍼플루오로비페닐디일기이지만, 바람직하게는 퍼플루오로비페닐-4,4'-디일기이다. q는 A2에 결합하는 술폰산기 수를 나타내고, 1≤q≤4를 충족시키는 정수이지만, 2가 최적이다.In formula (H4), A 1 represents O or S, but O is preferred. A 2 is a (q+1) valent group derived from naphthalene or anthracene (that is, a group obtained by removing (q+1) hydrogen atoms from naphthalene or anthracene), but is preferably derived from naphthalene. A 3 is a p-valent group derived from perfluorobiphenyl (ie, a group obtained by removing p fluorine atoms from perfluorobiphenyl). p represents the number of bonds between A 1 and A 3, and is an integer satisfying 2≦p≦4, but 2 is preferable. At this time, A 3 is a perfluorobiphenyldiyl group, but is preferably a perfluorobiphenyl-4,4'-diyl group. q represents the number of sulfonic acid groups bonded to A2, and is an integer satisfying 1≦q≦4, but 2 is optimal.

식 (H5) 중, A4∼A8은, 서로 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기 또는 탄소수 2∼20의 할로겐화 알케닐기이지만, A4∼A8 중 적어도 3개는 할로겐 원자이다.In formula (H5), A 4 to A 8 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, And at least 3 of A 4 to A 8 are halogen atoms.

탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기로서는 트리플루오로메틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 1,1,2,2,2-펜타플루오로에틸, 3,3,3-트리플루오로프로필, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필, 1,1,2,2,3,3,3-헵타플루오로프로필, 4,4,4-트리플루오로부틸, 3,3,4,4,4-펜타플루오로부틸, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부틸, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-노나플루오로부틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 2∼20의 할로겐화 알케닐기로서는 퍼플루오로비닐기, 퍼플루오로-1-프로페닐기, 퍼플루오로-2-프로페닐기, 퍼플루오로부테닐기 등을 들 수 있다. 그 외에, 할로겐 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기의 예로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있지만, 할로겐 원자로서는 불소 원자가 바람직하다.Examples of halogenated alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms include trifluoromethyl, 2,2,2-trifluoroethyl, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl, 3,3,3-trifluoropropyl, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl, 1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl, 4,4,4-trifluorobutyl, 3,3,4 ,4,4-pentafluorobutyl, 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluoro Butyl group, etc. are mentioned. Examples of the halogenated alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include perfluorovinyl group, perfluoro-1-propenyl group, perfluoro-2-propenyl group, perfluorobutenyl group, and the like. In addition, examples of the halogen atom and the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms are the same as those described above, but the halogen atom is preferably a fluorine atom.

이것들 중에서도, A4∼A8로서는 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기 또는 탄소수 2∼10의 할로겐화 알케닐기이고, 또한 A4∼A8 중 적어도 3개는 불소 원자인 것이 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 시아노기, 탄소수 1∼5의 알킬기, 탄소수 1∼5의 불화 알킬기, 또는 탄소수 2∼5의 불화 알케닐기이며, 또한, A4∼A8 중 적어도 3개는 불소 원자인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 시아노기, 탄소수 1∼5의 퍼플루오로알킬기, 또는 탄소수 1∼5의 퍼플루오로알케닐기이고, 또한, A4, A5 및 A8이 불소 원자인 것이 더한층 바람직하다. 또한, 퍼플루오로알킬기란 알킬기의 수소 원자 모두가 불소 원자에 치환된 기이며, 퍼플루오로알케닐기란 알케닐기의 수소 원자 모두가 불소 원자에 치환된 기이다.Among these, A 4 ~A 8 as a halogenated alkenyl group of a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a halogenated alkyl group having 2 to 10 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, having 1 to 10 carbon atoms, and A 4 ~A 8 of At least three are preferably a fluorine atom, a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms, and A 4 It is more preferable that at least 3 of -A 8 are a fluorine atom, a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a perfluoroalkenyl group having 1 to 5 carbon atoms, and, It is even more preferable that A 4 , A 5 and A 8 are fluorine atoms. In addition, a perfluoroalkyl group is a group in which all of the hydrogen atoms of an alkyl group are substituted with a fluorine atom, and a perfluoroalkenyl group is a group in which all of the hydrogen atoms of an alkenyl group are substituted with a fluorine atom.

식 (H5) 중, r은 나프탈렌환에 결합하는 술폰산기 수를 나타내고, 1≤r≤4를 충족시키는 정수이지만, 2∼4가 바람직하고, 2가 최적이다.In formula (H5), r represents the number of sulfonic acid groups bonded to the naphthalene ring, and is an integer that satisfies 1 ≤ r ≤ 4, but 2 to 4 are preferred, and 2 is optimal.

이하, 적합한 아릴술폰산 화합물의 구체예를 들지만, 이것들에 한정되지 않는다.Hereinafter, although a specific example of a suitable arylsulfonic acid compound is given, it is not limited to these.

Figure pct00009
Figure pct00009

도판트로서 아릴술폰산 화합물을 사용하는 경우, 그 사용량은, 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체 1에 대하여, 물질량(몰)비로, 바람직하게는 0.01∼20.0 정도, 보다 바람직하게는 0.4∼5.0 정도이다. 아릴술폰산 화합물은 시판품을 사용해도 되지만, 국제공개 제2006/025342호, 국제공개 제2009/096352호 등에 기재된 공지의 방법으로 합성할 수도 있다.In the case of using an arylsulfonic acid compound as a dopant, the amount of the arylsulfonic acid compound is used in terms of a substance amount (molar) ratio with respect to the aniline derivative 1 represented by the formula (1), preferably about 0.01 to 20.0, more preferably about 0.4 to 5.0. to be. The arylsulfonic acid compound may be commercially available, but it can also be synthesized by a known method described in International Publication No. 2006/025342, International Publication No. 2009/096352, and the like.

또, 그 밖의 바람직한 유기계의 도판트로서는 아릴술폰산에스테르 화합물을 들 수 있다. 그 구체예로서는 국제공개 제2017/217455호에 개시된 아릴술폰산에스테르 화합물, 국제공개 제2017/217457호에 개시된 아릴술폰산에스테르 화합물 등을 들 수 있다.Moreover, an aryl sulfonic acid ester compound is mentioned as another preferable organic type dopant. Specific examples thereof include an aryl sulfonic acid ester compound disclosed in International Publication No. 2017/217455, an aryl sulfonic acid ester compound disclosed in International Publication No. 2017/217457, and the like.

더욱 구체적으로는 아릴술폰산에스테르 화합물로서는 하기 식 (H6)∼(H8) 중 어느 하나로 표시되는 것이 바람직하다.More specifically, the aryl sulfonic acid ester compound is preferably represented by any one of the following formulas (H6) to (H8).

Figure pct00010
Figure pct00010

식 (H6)∼(H8) 중, m은 1≤m≤4를 충족시키는 정수이지만, 2가 바람직하다. n은 1≤n≤4를 충족시키는 정수이지만, 2가 바람직하다.In formulas (H6) to (H8), m is an integer satisfying 1≦m≦4, but 2 is preferable. n is an integer satisfying 1≦n≦4, but 2 is preferable.

식 (H6) 중, A11은 퍼플루오로비페닐로부터 유도되는 m가의 기이다. A12는 -O- 또는 -S-이지만, -O-가 바람직하다. A13은 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 유도되는 (n+1)가의 기이지만, 나프탈렌으로부터 유도되는 것이 바람직하다.In formula (H6), A 11 is an m-valent group derived from perfluorobiphenyl. A 12 is -O- or -S-, but -O- is preferable. A 13 is a (n+1) valent group derived from naphthalene or anthracene, but is preferably derived from naphthalene.

Rs1∼Rs4는, 서로 독립적으로, 수소 원자, 또는 직쇄상 혹은 분기상의 탄소수 1∼6의 알킬기이고, Rs5는 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 1가 탄화수소기이다. 상기 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼6의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중, 탄소수 1∼3의 알킬기가 바람직하다. 상기 탄소수 2∼20의 1가 탄화수소기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기 등의 알킬기; 페닐, 나프틸, 페난트릴기 등의 아릴기 등을 들 수 있다.R s1 to R s4 are each independently a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R s5 is an optionally substituted monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. Examples of the linear or branched C1-C6 alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-hexyl group, etc. Can be mentioned. Among these, a C1-C3 alkyl group is preferable. The monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, and t-butyl group. Alkyl groups such as; Aryl groups, such as phenyl, naphthyl, and phenanthryl group, etc. are mentioned.

특히, Rs1∼Rs4 중, Rs1 또는 Rs3이 탄소수 1∼3의 직쇄 알킬기이고, 나머지가 수소 원자이거나, Rs1이 탄소수 1∼3의 직쇄 알킬기이고, Rs2∼Rs4가 수소 원자인 것이 바람직하다. 이 경우, 탄소수 1∼3의 직쇄 알킬기로서는 메틸기가 바람직하다. 또, Rs5로서는 탄소수 2∼4의 직쇄 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다.In particular, R s1 and s4 of the ~R, R s1 or s3 R is a straight chain alkyl group having a carbon number of 1 to 3, or the rest is a hydrogen atom, and R s1 is a straight chain alkyl group having a carbon number of 1 to 3, R is a hydrogen atom s4 s2 ~R It is preferable to be. In this case, as a C1-C3 linear alkyl group, a methyl group is preferable. Moreover, as Rs5 , a C2-C4 linear alkyl group or a phenyl group is preferable.

식 (H7) 중, A14는 치환되어 있어도 되는, 1개 이상의 방향환을 포함하는 탄소수 6∼20의 m가의 탄화수소기이며, 이 탄화수소기는 1개 이상의 방향환을 포함하는 탄소수 6∼20의 탄화수소 화합물로부터 m개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다. 이러한 탄화수소 화합물로서는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등을 들 수 있다. 또한, 상기 탄화수소기는 그 수소 원자의 일부 또는 전부가 또한 치환기로 치환되어 있어도 되고, 이러한 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록시기, 아미노기, 실라놀기, 티올기, 카르복시기, 술폰산에스테르기, 인산기, 인산 에스테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아미드기, 1가 탄화수소기, 오가노옥시기, 오가노아미노기, 오가노실릴기, 오가노티오기, 아실기, 술포기 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, A14로서는 벤젠, 비페닐 등으로부터 유도되는 기가 바람직하다.In formula (H7), A 14 is an m-valent hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, which may be substituted, containing one or more aromatic rings, and this hydrocarbon group is a hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms containing one or more aromatic rings. It is a group obtained by removing m number of hydrogen atoms from a compound. Examples of such hydrocarbon compounds include benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, biphenyl, naphthalene, anthracene, and phenanthrene. In addition, some or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group may be further substituted with a substituent, and such substituents include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a silanol group, a thiol Group, carboxyl group, sulfonic acid ester group, phosphoric acid group, phosphoric acid ester group, ester group, thioester group, amide group, monovalent hydrocarbon group, organooxy group, organoamino group, organosilyl group, organothio group, acyl group, alcohol Such as giving up. Among these, A 14 is preferably a group derived from benzene, biphenyl, or the like.

식 (H7) 중, A15는 -O- 또는 -S-이지만, -O-가 바람직하다.In formula (H7), A 15 is -O- or -S-, but -O- is preferable.

식 (H7) 중, A16은 탄소수 6∼20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기이며, 이 방향족 탄화수소기는 탄소수 6∼20의 방향족 탄화수소 화합물의 방향환상에서 (n+1)개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다. 이러한 방향족 탄화수소 화합물로서는벤젠, 톨루엔, 크실렌, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 피렌 등을 들 수 있다. 그중에서도, A16으로서는 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 유도되는 기가 바람직하고, 나프탈렌으로부터 유도되는 기가 보다 바람직하다.In formula (H7), A 16 is a (n+1) valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, and this aromatic hydrocarbon group contains (n+1) hydrogen atoms on the aromatic ring of an aromatic hydrocarbon compound having 6 to 20 carbon atoms. It is a group obtained by removing. Examples of such aromatic hydrocarbon compounds include benzene, toluene, xylene, biphenyl, naphthalene, anthracene, and pyrene. Among them, as A 16 , a group derived from naphthalene or anthracene is preferable, and a group derived from naphthalene is more preferable.

식 (H7) 중, Rs6 및 Rs7은, 서로 독립적으로, 수소 원자, 또는 직쇄상 혹은 분기상의 1가 지방족 탄화수소기이며, Rs8은 직쇄상 또는 분기상의 1가 지방족 탄화수소기이다. 단, Rs6, Rs7 및 Rs8의 탄소수의 합계는 6 이상이다. Rs6, Rs7 및 Rs8의 탄소수의 합계의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 20 이하가 바람직하고, 10 이하가 보다 바람직하다. 상기 직쇄상 또는 분기상의 1가 지방족 탄화수소기의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-헥실기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, 데실기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기; 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 헥세닐기 등의 탄소수 2∼20의 알케닐기 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, Rs6은 수소 원자가 바람직하고, Rs7 및 Rs8은, 서로 독립적으로, 탄소수 1∼6의 알킬기가 바람직하다.In formula (H7), R s6 and R s7 are each independently a hydrogen atom or a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group, and R s8 is a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group. However, the total number of carbon atoms of R s6 , R s7 and R s8 is 6 or more. Although the upper limit of the total number of carbon atoms of R s6 , R s7 and R s8 is not particularly limited, 20 or less is preferable and 10 or less is more preferable. Specific examples of the linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-hexyl group , an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as an n-octyl group, a 2-ethylhexyl group, and a decyl group; 2 to 20 carbon atoms such as vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, isopropenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, and hexenyl group And alkenyl groups of. Among these, R s6 is preferably a hydrogen atom, and R s7 and R s8 are, independently of each other, preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

식 (H8) 중, Rs9∼Rs13은, 서로 독립적으로, 수소 원자, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기, 또는 탄소수 2∼10의 할로겐화 알케닐기이다.In formula (H8), R s9 to R s13 are each independently a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a It is a halogenated alkenyl group.

상기 탄소수 1∼10의 알킬기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group , t-butyl group, n-pentyl group, cyclopentyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, and the like.

상기 탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기는 상기 탄소수 1∼10의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이면, 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로서는 트리플루오로메틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 1,1,2,2,2-펜타플루오로에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 1,1,2,2,3,3,3-헵타플루오로프로필기, 4,4,4-트리플루오로부틸기, 3,3,4,4,4-펜타플루오로부틸기, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부틸기, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-노나플루오로부틸기 등을 들 수 있다.The halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is not particularly limited as long as some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Specific examples thereof include trifluoromethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 2,2, 3,3,3-pentafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl group, 4,4,4-trifluorobutyl group, 3,3,4, 4,4-pentafluorobutyl group, 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluoro Lobutyl group, etc. are mentioned.

상기 탄소수 2∼10의 할로겐화 알케닐기는 상기 탄소수 2∼10의 알케닐기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이면, 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로서는 퍼플루오로비닐기, 퍼플루오로-1-프로페닐기, 퍼플루오로-2-프로페닐기, 퍼플루오로-1-부테닐기, 퍼플루오로-2-부테닐기, 퍼플루오로-3-부테닐기 등을 들 수 있다.The halogenated alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms is not particularly limited as long as some or all of the hydrogen atoms of the alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Specific examples thereof include perfluorovinyl group, perfluoro-1-propenyl group, perfluoro-2-propenyl group, perfluoro-1-butenyl group, perfluoro-2-butenyl group, perfluoro-3 -Butenyl group, etc. are mentioned.

이것들 중에서도, Rs9로서는 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기, 탄소수 2∼10의 할로겐화 알케닐기가 바람직하고, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼4의 할로겐화 알킬기, 탄소수 2∼4의 할로겐화 알케닐기가 보다 바람직하고, 니트로기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로페닐기가 더한층 바람직하다.Among these, R s9 is preferably a nitro group, a cyano group, a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, and a nitro group, a cyano group, a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and 2 to 4 carbon atoms. Halogenated alkenyl group of is more preferable, and a nitro group, a cyano group, a trifluoromethyl group, and a perfluoropropenyl group are still more preferable.

식 (H8) 중, Rs10∼Rs13으로서는 할로겐 원자가 바람직하고, 불소 원자가 보다 바람직하다.In formula (H8), as Rs10 to Rs13 , a halogen atom is preferable, and a fluorine atom is more preferable.

식 (H8) 중, A17은 -O-, -S- 또는 -NH-이지만, -O-가 바람직하다.In formula (H8), A 17 is -O-, -S-, or -NH-, but -O- is preferable.

식 (H8) 중, A18은 탄소수 6∼20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기이며, 이 방향족 탄화수소기는 탄소수 6∼20의 방향족 탄화수소 화합물의 방향환상에서 (n+1)개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다. 이러한 방향족 탄화수소 화합물로서는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 피렌 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, A18로서는 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 유도되는 기가 바람직하고, 나프탈렌으로부터 유도되는 기가 보다 바람직하다.In formula (H8), A 18 is a (n+1) valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, and this aromatic hydrocarbon group contains (n+1) hydrogen atoms on the aromatic ring of an aromatic hydrocarbon compound having 6 to 20 carbon atoms. It is a group obtained by removing. Examples of such aromatic hydrocarbon compounds include benzene, toluene, xylene, biphenyl, naphthalene, anthracene, and pyrene. Among these, as A 18 , a group derived from naphthalene or anthracene is preferable, and a group derived from naphthalene is more preferable.

식 (H8) 중, Rs14∼Rs17은, 서로 독립적으로, 수소 원자, 또는 직쇄상 혹은 분기상의 탄소수 1∼20의 1가 지방족 탄화수소기이다. 1가 지방족 탄화수소기의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기; 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 헥세닐기 등의 탄소수 2∼20의 알케닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, 탄소수 1∼20의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼10의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼8의 알킬기가 더한층 바람직하다.In formula (H8), R s14 to R s17 are each independently a hydrogen atom or a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. Specific examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, cyclopentyl group, n -C1-C20 alkyl groups such as hexyl group, cyclohexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, and n-dodecyl group; 2 to 20 carbon atoms such as vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, isopropenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, and hexenyl group And alkenyl groups of. Among these, a C1-C20 alkyl group is preferable, a C1-C10 alkyl group is more preferable, and a C1-C8 alkyl group is still more preferable.

식 (H8) 중, Rs18은 직쇄상 혹은 분기상의 탄소수 1∼20의 1가 지방족 탄화수소기, 또는 ORs19이다. Rs19는 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 1가 탄화수소기이다. Rs18로 표시되는 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼20의 1가 지방족 탄화수소기로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. Rs18이 1가 지방족 탄화수소기인 경우, Rs18은 탄소수 1∼20의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼10의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼8의 알킬기가 더한층 바람직하다. Rs19로 표시되는 탄소수 2∼20의 1가 탄화수소기로서는, 전술한 1가 지방족 탄화수소기 중 메틸기 이외의 것 외에, 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기 등의 아릴기 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, Rs19로서는 탄소수 2∼4의 직쇄 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다. 또한, 상기 1가 탄화수소기가 가지고 있어도 되는 치환기로서는 불소 원자, 탄소수 1∼4의 알콕시기, 니트로기, 시아노기 등을 들 수 있다.In formula (H8), R s18 is a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms or OR s19 . R s19 is an optionally substituted monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. Examples of the linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R s18 include those similar to those described above. When R s18 is a monovalent aliphatic hydrocarbon group, R s18 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and even more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Examples of the monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms represented by R s19 include aryl groups such as a phenyl group, a naphthyl group, and a phenanthryl group in addition to those other than the methyl group among the aforementioned monovalent aliphatic hydrocarbon groups. Among these, R s19 is preferably a C 2 to C 4 linear alkyl group or a phenyl group. Further, examples of the substituent which the monovalent hydrocarbon group may have include a fluorine atom, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a nitro group, a cyano group, and the like.

적합한 아릴술폰산에스테르 화합물의 구체예로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다.Specific examples of suitable arylsulfonic acid ester compounds include those shown below, but are not limited thereto.

Figure pct00011
Figure pct00011

Figure pct00012
Figure pct00012

도판트로서 아릴술폰산에스테르 화합물을 사용하는 경우, 그 사용량은, 물질량(몰)비로, 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체 1에 대하여, 0.01∼20.0 정도로 할 수 있지만, 바람직하게는 0.1∼10.0 정도, 보다 바람직하게는 0.5∼5.0 정도이다.When an aryl sulfonic acid ester compound is used as a dopant, the amount of the aryl sulfonic acid ester compound used may be about 0.01 to 20.0 with respect to the aniline derivative 1 represented by the formula (1) in terms of the substance amount (molar), but preferably about 0.1 to 10.0. , More preferably, it is about 0.5 to 5.0.

도판트로서 유기계의 도판트를 사용하는 경우, 그 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체와 함께 사용한 경우에, 유기 용매에의 양호한 용해성을 확보하고, 균일성이 높은 조성물을 재현성 좋게 얻는 관점에서, 바람직하게는 5,000 이하, 보다 바람직하게는 3,000 이하, 더한층 바람직하게는 2,000 이하이다. 특히, 도판트로서 사용하는 아릴술폰산 화합물의 분자량은, 동일한 관점에서, 바람직하게는 2,000 이하, 보다 바람직하게는 1,500 이하이다.When an organic dopant is used as a dopant, its molecular weight is not particularly limited, but when used together with an aniline derivative represented by formula (1), a composition having good solubility in an organic solvent and high uniformity From the viewpoint of obtaining high reproducibility, it is preferably 5,000 or less, more preferably 3,000 or less, and even more preferably 2,000 or less. In particular, the molecular weight of the arylsulfonic acid compound used as a dopant is preferably 2,000 or less, more preferably 1,500 or less from the same viewpoint.

본 발명에서는, 고전하 수송성의 박막을 재현성 좋게 얻는 것, 도판트의 입수 용이성 등을 고려하면, 도판트로서 아릴술폰산 화합물, 아릴술폰산에스테르 화합물, 할로테트라시아노퀴노디메탄 및 벤조퀴논 유도체의 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하고, 보다 투명한 전하 수송성 박막을 재현성 좋게 얻는 것을 또한 고려하면, 아릴술폰산 화합물 및 아릴술폰산에스테르 화합물의 적어도 1종을 사용하는 것이 보다 바람직하고, 안정성이 우수한 전하 수송성 조성물을 얻는 것을 또한 고려하면, 아릴술폰산에스테르 화합물을 사용하는 것이 더한층 바람직하다In the present invention, in consideration of obtaining a thin film having high charge transport properties with good reproducibility and availability of a dopant, at least one of an arylsulfonic acid compound, an arylsulfonic acid ester compound, halotetracyanoquinodimethane and benzoquinone derivatives as dopants It is preferable to use one type, and in consideration of obtaining a more transparent charge-transporting thin film with good reproducibility, it is more preferable to use at least one of an arylsulfonic acid compound and an arylsulfonic acid ester compound, and a charge-transporting composition having excellent stability is prepared. In consideration of obtaining, it is more preferable to use an aryl sulfonic acid ester compound.

상기 전하 수송성 물질 및 도판트는 상기 용매에 완전히 용해되어 있거나, 균일하게 분산되어 있는 상태로 되어 있는 것이 바람직하고, 완전히 용해되어 있는 것이 최적이다.The charge-transporting substance and the dopant are preferably completely dissolved in the solvent or uniformly dispersed, and it is optimal that they are completely dissolved.

본 발명의 전하 수송성 조성물은 얻어지는 박막을 유기 EL 소자의 정공 주입층으로서 사용하는 경우에 있어서의 정공 수송층으로의 주입성의 향상, 소자의 수명 특성 등의 개선을 목적으로, 유기 실란 화합물이나 비이온계 함불소 계면활성제를 포함하고 있어도 되고, 그 함유량은, 전하 수송성 물질 및 도판트의 합계 100질량부에 대하여, 통상, 1∼30질량부 정도이다.The charge-transporting composition of the present invention is an organic silane compound or nonionic compound for the purpose of improving the injectability into the hole-transporting layer when the resulting thin film is used as a hole injecting layer of an organic EL device, and improving the life characteristics of the device. A fluorinated surfactant may be included, and the content thereof is usually about 1 to 30 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of the charge transporting substance and the dopant.

본 발명의 전하 수송성 조성물 중의 고형분 농도는 전하 수송성 물질의 석출을 억제하면서 충분한 막 두께를 확보하는 관점에서, 통상 0.1∼20질량% 정도, 바람직하게는 0.5∼15질량%이다.The solid content concentration in the charge-transporting composition of the present invention is usually about 0.1 to 20% by mass, preferably 0.5 to 15% by mass, from the viewpoint of securing a sufficient film thickness while suppressing the precipitation of the charge-transporting substance.

본 발명의 전하 수송성 조성물의 점도는, 통상, 25℃에서 1∼50mPa·s이며, 표면장력은, 통상, 25℃에서 20∼50mN/m이다. 본 발명의 전하 수송성 조성물의 점도와 표면장력은 사용하는 도포 방법, 원하는 막 두께 등의 각종 요소를 고려하여, 사용하는 유기 용매의 종류나 그것들의 비율, 고형분 농도 등을 변경함으로써 조정 가능하다.The viscosity of the charge-transporting composition of the present invention is usually 1 to 50 mPa·s at 25°C, and the surface tension is usually 20 to 50 mN/m at 25°C. The viscosity and surface tension of the charge-transporting composition of the present invention can be adjusted by changing the type of organic solvent used, their ratio, solid content concentration, etc. in consideration of various factors such as the coating method to be used and the desired film thickness.

본 발명의 전하 수송성 조성물은 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체를 유기 용매에 용해시킴으로써 제조할 수 있다. 미리 유기 용매에 상기 아닐린 유도체를 용해시키고, 거기에 그 밖의 유기 용매를 차례로 가해도 되고, 사용하는 전체 용매의 혼합 용매를 미리 조제하고, 거기에 상기 아닐린 유도체를 용해시켜도 된다. 또, 필요가 있으면, 조성물에 포함되는 성분이 분해되거나 변질되거나 하지 않도록 주의하고, 가열하여 상기 아닐린 유도체 등의 용해를 촉진해도 된다. 본 발명의 전하 수송성 조성물이 상기 아닐린 유도체와 용매 이외의 성분을 포함하는 경우도, 동일한 방법에 따른다. 또한, 본 발명의 전하 수송성 조성물은 보다 평탄성이 높은 박막을 재현성 좋게 얻는 관점에서, 전하 수송성 물질을 유기 용매에 용해시킨 후, 서브마이크로미터 크기의 필터 등을 사용하여 여과해도 된다.The charge-transporting composition of the present invention can be prepared by dissolving an aniline derivative represented by formula (1) in an organic solvent. The aniline derivative may be dissolved in advance in an organic solvent, and other organic solvents may be sequentially added thereto, or a mixed solvent of all solvents to be used may be prepared in advance, and the aniline derivative may be dissolved therein. In addition, if necessary, care may be taken not to decompose or deteriorate the components contained in the composition, and heating may be performed to promote dissolution of the aniline derivative or the like. When the charge-transporting composition of the present invention contains components other than the aniline derivative and a solvent, the same method is followed. In addition, the charge-transporting composition of the present invention may be filtered using a submicron filter or the like after dissolving a charge-transporting substance in an organic solvent from the viewpoint of obtaining a thin film having higher flatness with good reproducibility.

[전하 수송성 박막][Charge transport thin film]

본 발명의 전하 수송성 조성물을 기재 위에 도포하고 소성함으로써, 기재 위에 전하 수송성 박막을 형성할 수 있다.By applying and firing the charge transport composition of the present invention on a substrate, a charge transport thin film can be formed on the substrate.

조성물의 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 디핑법, 스핀 코팅법, 전사인쇄법, 롤 코팅법, 잉크젯법, 스프레이법, 슬릿 코팅법 등을 들 수 있다. 도포 방법에 따라, 조성물의 점도 및 표면장력을 조절하는 것이 바람직하다.The method of applying the composition is not particularly limited, and includes a dipping method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, an ink jet method, a spray method, a slit coating method, and the like. Depending on the application method, it is desirable to control the viscosity and surface tension of the composition.

소성 분위기도 특별히 한정되지 않고, 대기 분위기(공기하)뿐만 아니라, 질소 등의 불활성 가스하나 진공 중에서도 균일한 성막면 및 전하 수송성을 가지는 박막을 얻을 수 있지만, 통상, 대기 분위기에서 소성한다.The firing atmosphere is also not particularly limited, and a thin film having a uniform film formation surface and charge transport property can be obtained not only in an atmospheric atmosphere (under air), but also in an inert gas such as nitrogen or vacuum, but is usually fired in an atmospheric atmosphere.

또, 소성 조건도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 핫플레이트를 사용하여 가열 소성한다. 통상, 원하는 전하 수송성 등도 고려하여, 소성 온도는 100∼260℃의 범위 내에서, 소성 시간은 1분간∼1시간의 범위 내에서 적당하게 결정한다. 또한, 필요에 따라, 상이한 2 이상의 온도에서 다단계의 소성을 해도 된다.In addition, the firing conditions are also not particularly limited, but heat firing is performed using, for example, a hot plate. Usually, considering the desired charge transport property, etc., the firing temperature is suitably determined within the range of 100 to 260°C and the firing time within the range of 1 minute to 1 hour. Further, if necessary, multi-stage firing may be performed at two or more different temperatures.

전하 수송성 박막의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 유기 EL 소자의 기능층으로서 사용하는 경우, 5∼300nm가 바람직하다. 막 두께를 변화시키는 방법으로서는, 예를 들면, 전하 수송성 조성물 중의 고형분 농도를 변화시키거나, 도포시의 액량을 변화시키거나 하는 방법이 있다.The film thickness of the charge-transporting thin film is not particularly limited, but when used as a functional layer of an organic EL device, it is preferably 5 to 300 nm. As a method of changing the film thickness, for example, there is a method of changing the solid content concentration in the charge transporting composition or changing the amount of liquid at the time of application.

[유기 EL 소자][Organic EL device]

본 발명의 유기 EL 소자는 한 쌍의 전극을 가지고, 이들 전극의 사이에, 기능층으로서 본 발명의 전하 수송성 박막을 가지는 것이다.The organic EL device of the present invention has a pair of electrodes, and has a charge-transporting thin film of the present invention as a functional layer between these electrodes.

유기 EL 소자의 대표적인 구성으로서는 이하의 (a)∼(f)를 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 또한, 하기 구성에 있어서, 필요에 따라, 발광층과 양극의 사이에 전자 블록층 등을, 발광층과 음극의 사이에 홀(정공) 블록층 등을 설치할 수도 있다. 또, 정공 주입층, 정공 수송층 또는 정공 주입 수송층이 전자 블록층 등으로서의 기능을 겸비하고 있어도 되고, 전자 주입층, 전자 수송층 혹은 전자 주입 수송층이 홀(정공) 블록층 등으로서의 기능을 겸비하고 있어도 된다. 또, 필요에 따라 각 층의 사이에 임의의 기능층을 설치하는 것도 가능하다.Typical configurations of the organic EL device include the following (a) to (f), but are not limited thereto. Further, in the following configuration, if necessary, an electron block layer or the like may be provided between the light emitting layer and the anode, and a hole (hole) block layer or the like may be provided between the light emitting layer and the cathode. In addition, the hole injection layer, the hole transport layer, or the hole injection transport layer may have a function as an electron block layer or the like, and the electron injection layer, an electron transport layer, or the electron injection transport layer may have a function as a hole (hole) block layer or the like. . Moreover, it is also possible to provide an arbitrary functional layer between each layer as needed.

(a) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(a) anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(b) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입 수송층/음극(b) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron injection transport layer/cathode

(c) 양극/정공 주입 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(c) anode/hole injection transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(d) 양극/정공 주입 수송층/발광층/전자 주입 수송층/음극(d) anode/hole injection transport layer/light emitting layer/electron injection transport layer/cathode

(e) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/음극(e) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(f) 양극/정공 주입 수송층/발광층/음극(f) anode/hole injection transport layer/light emitting layer/cathode

「정공 주입층」, 「정공 수송층」 및 「정공 주입 수송층」이란 발광층과 양극의 사이에 형성되는 층으로서, 정공을 양극으로부터 발광층으로 수송하는 기능을 가지는 것이다. 발광층과 양극의 사이에, 정공 수송성 재료의 층이 1층만 설치되는 경우, 그것이 「정공 주입 수송층」이고, 발광층과 양극의 사이에, 정공 수송성 재료의 층이 2층 이상 설치되는 경우, 양극에 가까운 층이 「정공 주입층」이며, 그 이외의 층이 「정공 수송층」이다. 특히, 정공 주입(수송)층은 양극으로부터의 정공 수용성뿐만 아니라, 정공 수송(발광)층으로의 정공 주입성도 우수한 박막이 사용된다.The "hole injection layer", the "hole transport layer" and the "hole injection transport layer" are layers formed between the light emitting layer and the anode, and have a function of transporting holes from the anode to the light emitting layer. If only one layer of a hole transport material is provided between the light emitting layer and the anode, it is a ``hole injection transport layer,'' and when two or more layers of hole transport material are provided between the light emitting layer and the anode, close to the anode. The layer is a "hole injection layer", and the layer other than that is a "hole transport layer". In particular, as the hole injection (transport) layer, a thin film excellent in not only accepting holes from the anode but also injecting holes into the hole transport (light emitting) layer is used.

「전자 주입층」, 「전자 수송층」 및 「전자 주입 수송층」이란 발광층과 음극의 사이에 형성되는 층으로서, 전자를 음극으로부터 발광층으로 수송하는 기능을 가지는 것이다. 발광층과 음극 사이에, 전자 수송성 재료의 층이 1층만 설치되는 경우, 그것이 「전자 주입 수송층」이고, 발광층과 음극의 사이에, 전자 수송성 재료의 층이 2층 이상 설치되는 경우, 음극에 가까운 층이 「전자 주입층」이며, 그 이외의 층이 「전자 수송층」이다.The "electron injection layer", the "electron transport layer", and the "electron injection transport layer" are layers formed between the light emitting layer and the cathode, and have a function of transporting electrons from the cathode to the light emitting layer. When only one layer of electron transport material is provided between the light-emitting layer and the cathode, it is a "electron injection and transport layer", and when two or more layers of electron-transport material are provided between the light-emitting layer and the cathode, a layer close to the cathode This is the "electron injection layer", and other layers are the "electron transport layer".

「발광층」이란 발광 기능을 가지는 유기층으로서, 도핑 시스템을 채용하는 경우, 호스트 재료와 도판트 재료를 포함하고 있다. 이때, 호스트 재료는 주로 전자와 정공의 재결합을 촉진하고, 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 가지며, 도판트 재료는 재결합에서 얻어진 여기자를 효율적으로 발광시키는 기능을 가진다. 인광 소자의 경우, 호스트 재료는 주로 도판트에서 생성된 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 가진다.The "light-emitting layer" is an organic layer having a light-emitting function, and when a doping system is employed, a host material and a dopant material are included. At this time, the host material mainly promotes recombination of electrons and holes and has a function of confining excitons in the emission layer, and the dopant material has a function of efficiently emitting excitons obtained through recombination. In the case of a phosphorescent device, the host material mainly has a function of confining excitons generated from a dopant in the light emitting layer.

본 발명의 전하 수송성 박막은, 유기 EL 소자에 있어서, 양극과 발광층의 사이에 설치되는 기능층으로서 적합하며, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 수송층으로서 보다 적합하고, 정공 주입층으로서 더한층 적합하다.The charge transport thin film of the present invention is suitable as a functional layer provided between an anode and a light emitting layer in an organic EL device, more suitable as a hole injection layer, a hole transport layer, a hole injection transport layer, and even more suitable as a hole injection layer. .

본 발명의 전하 수송성 조성물을 사용하여 유기 EL 소자를 제작하는 경우의 사용 재료나, 제작 방법으로서는 하기와 같은 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다.Examples of materials and manufacturing methods used in the case of manufacturing an organic EL device using the charge-transporting composition of the present invention include the following, but are not limited thereto.

본 발명의 전하 수송성 조성물로부터 얻어지는 박막으로 이루어지는 정공 수송층을 가지는 OLED 소자의 제작 방법의 일례는 이하와 같다. 또한, 전극은 전극에 악영향을 주지 않는 범위에서, 알코올, 순수 등에 의한 세정이나, UV 오존 처리, 산소-플라스마 처리 등에 의한 표면 처리를 미리 행하는 것이 바람직하다.An example of a method of manufacturing an OLED device having a hole transport layer made of a thin film obtained from the charge transport composition of the present invention is as follows. In addition, the electrode is preferably washed with alcohol, pure water or the like, or surface treatment by UV ozone treatment, oxygen-plasma treatment, or the like in advance within a range that does not adversely affect the electrode.

양극 기판 위에, 상기의 방법에 의해, 본 발명의 전하 수송성 박막으로 이루어지는 정공 주입층을 형성한다. 이것을 진공 증착 장치 내에 도입하고, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 수송층/홀 블록층, 음극 금속을 차례로 증착한다. 또는, 당해 방법에 있어서 증착으로 정공 수송층과 발광층을 형성하는 대신에, 정공 수송성 고분자를 포함하는 정공 수송층 형성용 조성물과 발광성 고분자를 포함하는 발광층 형성용 조성물을 사용하여 웨트 프로세스에 의해 이들의 층을 형성한다. 또한, 필요에 따라, 발광층과 정공 수송층의 사이에 전자 블록층을 설치해도 된다.On the anode substrate, a hole injection layer made of the charge-transporting thin film of the present invention is formed by the above method. This is introduced into a vacuum vapor deposition apparatus, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron transport layer/hole block layer, and a cathode metal are sequentially deposited. Alternatively, instead of forming the hole transport layer and the light emitting layer by vapor deposition in the method, a composition for forming a hole transport layer containing a hole transporting polymer and a composition for forming a light emitting layer containing a light emitting polymer are used to form these layers by a wet process. To form. Further, if necessary, an electron blocking layer may be provided between the light emitting layer and the hole transport layer.

양극 재료로서는 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)로 대표되는 투명 전극이나, 알루미늄으로 대표되는 금속이나 이것들의 합금 등으로 구성되는 금속 양극을 들 수 있고, 평탄화 처리를 행한 것이 바람직하다. 고전하 수송성을 가지는 폴리티오펜 유도체나 폴리아닐린 유도체를 사용할 수도 있다. 또한, 금속 양극을 구성하는 그 밖의 금속으로서는 금, 은, 구리, 인듐이나 이것들의 합금 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다.Examples of the anode material include a transparent electrode typified by indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), or a metal anode composed of a metal typified by aluminum or an alloy thereof, and a planarization treatment is preferred. . Polythiophene derivatives or polyaniline derivatives having high charge transport properties can also be used. Further, examples of other metals constituting the metal anode include gold, silver, copper, indium, and alloys thereof, but are not limited thereto.

발광층을 형성하는 재료로서는 트리스(8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(Alq3), 비스(8-퀴놀리놀레이트)아연(II) 등의 8-히드록시퀴놀린의 알루미늄 착체, 아연 착체 등의 금속 착체, 10-히드록시벤조[h]퀴놀린의 금속 착체, 비스스티릴벤젠 유도체, 비스스티릴아릴렌 유도체, (2-히드록시페닐)벤조티아졸의 금속 착체, 실롤 유도체 등의 저분자 발광 재료; 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌], 폴리(3-알킬티오펜), 폴리비닐카르비졸 등의 고분자 화합물에 발광 재료와 전자 이동 재료를 혼합한 계 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 또, 증착으로 발광층을 형성하는 경우, 발광성 도판트와 공증착해도 되고, 발광성 도판트로서는 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III)(Ir(PPy)3) 등의 금속 착체나, 루브렌 등의 나프타센 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 페릴렌 등의 축합 다환 방향족환 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다.Materials for forming the light-emitting layer include aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline, zinc complexes such as tris(8-quinolinolate)aluminum(III)(Alq 3 ) and bis(8-quinolinolate)zinc(II). Metal complexes such as, 10-hydroxybenzo[h]quinoline metal complexes, bisstyrylbenzene derivatives, bisstyrylarylene derivatives, metal complexes of (2-hydroxyphenyl)benzothiazole, silol derivatives, etc. Luminescent material; Poly(p-phenylenevinylene), poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene], poly(3-alkylthiophene), polyvinylcar A system in which a light-emitting material and an electron transfer material are mixed with a high molecular compound such as bisol may be mentioned, but the present invention is not limited thereto. In the case of forming a light-emitting layer by evaporation, it may be co-deposited with a light-emitting dopant, and as a light-emitting dopant, a metal complex such as tris(2-phenylpyridine)iridium(III)(Ir(PPy) 3 ), rubrene, etc. And condensed polycyclic aromatic rings such as naphthacene derivatives, quinacridone derivatives, and perylene, but are not limited thereto.

전자 수송층/홀 블록층을 형성하는 재료로서는 옥시디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 페닐퀴녹실린 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 피리미딘 유도체 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다.Examples of the material for forming the electron transport layer/hole block layer include, but are not limited to, an oxidiazole derivative, a triazole derivative, a phenanthroline derivative, a phenylquinoxylin derivative, a benzimidazole derivative, a pyrimidine derivative, and the like.

전자 주입층을 형성하는 재료로서는 산화리튬(Li2O), 산화마그네슘(MgO), 알루미나(Al2O3) 등의 금속 산화물, 불화 리튬(LiF), 불화 나트륨(NaF)의 금속 불화물를 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다Materials for forming the electron injection layer include metal oxides such as lithium oxide (Li 2 O), magnesium oxide (MgO), and alumina (Al 2 O 3 ), and metal fluorides such as lithium fluoride (LiF) and sodium fluoride (NaF). However, it is not limited to these

음극 재료로서는 알루미늄, 마그네슘-은 합금, 알루미늄-리튬 합금 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다.Examples of the cathode material include, but are not limited to, aluminum, magnesium-silver alloy, aluminum-lithium alloy, and the like.

전자 블록층을 형성하는 재료로서는 트리스(페닐피라졸)이리듐 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.Although tris(phenylpyrazole) iridium etc. are mentioned as a material for forming an electron blocking layer, it is not limited to this.

정공 수송성 고분자로서는 폴리[(9,9-디헥실플루오레닐-2,7-디일)-co-(N,N'-비스{p-부틸페닐}-1,4-디아미노페닐렌)], 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일)-co-(N,N'-비스{p-부틸페닐}-1,1'-비페닐렌-4, 4-디아민)], 폴리[(9,9-비스{1'-펜텐-5'-일}플루오레닐-2,7-디일)-co-(N,N'-비스{p-부틸페닐}-1,4-디아미노페닐렌)], 폴리[N,N'-비스(4-부틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘]-엔드 캡드 위드 폴리실세스퀴옥산, 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일)-co-(4,4'-(N-(p-부틸페닐))디페닐아민)] 등을 들 수 있다.As a hole-transporting polymer, poly[(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,4-diaminophenylene)] , Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,1'-biphenylene-4, 4- Diamine)], poly[(9,9-bis{1'-pentene-5'-yl}fluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}- 1,4-diaminophenylene)], poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]-end capped with polysilsesquioxane, poly[ (9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(p-butylphenyl))diphenylamine)] and the like.

발광성 고분자로서는 폴리(9,9-디알킬플루오렌)(PDAF) 등의 폴리플루오렌 유도체, 폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸헥속시)-1,4-페닐렌비닐렌)(MEH-PPV) 등의 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리(3-알킬티오펜)(PAT) 등의 폴리티오펜 유도체, 폴리비닐카르비졸(PVCz) 등을 들 수 있다.As a luminescent polymer, polyfluorene derivatives such as poly(9,9-dialkylfluorene) (PDAF), poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene ) Polyphenylenevinylene derivatives such as (MEH-PPV), polythiophene derivatives such as poly(3-alkylthiophene) (PAT), and polyvinylcarbisol (PVCz).

양극과 음극 및 이것들의 사이에 형성되는 층을 구성하는 재료는 보텀 에미션 구조, 탑 에미션 구조의 어느 것을 갖추는 소자를 제조할 것인지에 따라 다르기 때문에, 그 점을 고려하여, 적당하게 재료 선택한다.Since the material constituting the anode, the cathode, and the layer formed therebetween differs depending on whether an element having a bottom emission structure or a top emission structure is to be manufactured, the material is appropriately selected in consideration of that point.

통상, 보텀 에미션 구조의 소자에서는, 기판측에 투명 양극이 사용되어, 기판측으로부터 광이 취출되는 것에 반해, 탑 에미션 구조의 소자에서는, 금속으로 이루어지는 반사 양극이 사용되어, 기판과 반대 방향에 있는 투명 전극(음극)측으로부터 광이 취출되는 점에서, 양극 재료에 대해 말하자면, 보텀 에미션 구조의 소자를 제조할 때는 ITO 등의 투명 양극을, 탑 에미션 구조의 소자를 제조할 때는 Al/Nd 등의 반사 양극을 각각 사용한다.In general, in a device having a bottom emission structure, a transparent anode is used on the substrate side and light is extracted from the substrate side, whereas in a device having a top emission structure, a reflective anode made of metal is used, and in the opposite direction to the substrate. Since light is extracted from the side of the transparent electrode (cathode) in the anode material, a transparent anode such as ITO is used when manufacturing a device having a bottom emission structure, and Al is used when manufacturing a device having a top emission structure. Reflective anodes such as /Nd are used respectively.

본 발명의 유기 EL 소자는, 특성 악화를 막기 위해, 정법에 따라, 필요에 따라 데시컨트 등과 함께 밀봉해도 된다.The organic EL device of the present invention may be sealed with a desiccant or the like according to a conventional method in order to prevent deterioration of characteristics.

실시예Example

이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 사용한 장치는 이하와 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples. In addition, the apparatus used is as follows.

(1) LDI-MS: Bruker사제 AutoFlex(1) LDI-MS: AutoFlex manufactured by Bruker

(2) 1H-NMR: 니혼덴시(주식)제 JNM-ECP300 FT NMRSYSTEM(2) 1 H-NMR: JNM-ECP300 FT NMRSYSTEM manufactured by Nihon Denshi Co., Ltd.

(3) 기판 세정: 쵸슈산교(주식)제 기판 세정 장치(감압 플라스마 방식)(3) Substrate cleaning: Substrate cleaning device made by Choshu Sangyo (Co., Ltd.) (pressure-sensitive plasma method)

(4) 조성물의 도포: 미카사(주식)제 스핀 코터 MS-A100(4) Application of the composition: MS-A100 spin coater manufactured by Mikasa (Co., Ltd.)

(5) 막 두께 측정: (주)코사카켄큐쇼제 미세 형상 측정기 서프 코다 ET-4000(5) Membrane thickness measurement: Kosaka Kenkyusho Co., Ltd. micro-shape measuring instrument, Surf Coda ET-4000

(6) 소자의 제작: 쵸슈산교(주식)제 다기능 증착 장치 시스템 C-E2L1G1-N(6) Fabrication of device: C-E2L1G1-N, a multifunctional vapor deposition system system manufactured by Choshu Sangyo Co., Ltd.

(7) 소자의 전류밀도 등의 측정: (주)이에이치씨제 다채널 IVL 측정 장치(7) Measurement of device current density, etc.: Multi-channel IVL measuring device manufactured by HCC Co., Ltd.

(8) 굴절률(n)과 소쇠 계수(k)의 측정: 제이에이울람 재팬사제 다입사각 분광 엘립소미터 VASE(8) Measurement of refractive index (n) and extinction coefficient (k): Multi-incidence spectral ellipsometer VASE manufactured by J.Ulam Japan

[1] 화합물의 제조[1] Preparation of compound

[합성예 1][Synthesis Example 1]

Figure pct00013
Figure pct00013

플라스크 내에, 1,4-페닐렌디아민 0.502g, 2-브로모-9-페닐-9H-카르바졸 6.26g, 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐 0.106g 및 나트륨t-부톡시드 2.24g을 넣고, 플라스크 내를 질소 치환했다. 거기에, 톨루엔 10mL 및 별도 미리 준비한 페닐디-t-부틸포스핀의 톨루엔 용액 1.3mL(농도: 62.5g/L)를 가하고, 90℃에서 3시간 교반했다. 반응 혼합액을 실온까지 냉각한 후, 냉각한 반응 혼합액과 함께, 톨루엔과 포화 식염수를 분액 깔대기에 넣고, 분액 처리를 행하여, 유기층을 회수했다. 회수한 유기층에 활성탄을 가하고 실온에서 0.5시간 교반한 후, 실리카겔 여과를 행하고, 얻어진 여과액을 농축했다. In the flask, 0.502 g of 1,4-phenylenediamine, 6.26 g of 2-bromo-9-phenyl-9H-carbazole, 0.106 g of bis(dibenzylideneacetone)palladium, and 2.24 g of sodium t-butoxide were added, The inside of the flask was purged with nitrogen. To there, 10 mL of toluene and 1.3 mL of a toluene solution of phenyldi-t-butylphosphine prepared separately in advance (concentration: 62.5 g/L) were added, and the mixture was stirred at 90°C for 3 hours. After the reaction mixture was cooled to room temperature, toluene and saturated saline were placed in a separating funnel together with the cooled reaction mixture, followed by liquid separation treatment to recover the organic layer. Activated carbon was added to the recovered organic layer and stirred at room temperature for 0.5 hours, followed by silica gel filtration, and the obtained filtrate was concentrated.

얻어진 농축액을 메탄올과 아세트산 에틸의 혼합 용매에 적하하고, 잠시 동안, 교반했다. 얻어진 슬러리 용액을 여과하고, 얻어진 여과물을 건조하여, 목적으로 하는 아닐린 유도체 A를 2.96g(수율: 59%) 얻었다. 얻어진 목적물은 1H-NMR로 동정했다.The obtained concentrated solution was added dropwise to a mixed solvent of methanol and ethyl acetate, and stirred for a while. The obtained slurry solution was filtered, and the obtained filtrate was dried to obtain 2.96 g (yield: 59%) of the target aniline derivative A. The obtained target product was identified by 1 H-NMR.

Figure pct00014
Figure pct00014

[2] 전하 수송성 조성물의 조제 및 그 보존 안정성의 평가[2] Preparation of charge-transporting composition and evaluation of storage stability thereof

[실시예 1-1][Example 1-1]

아닐린 유도체 A 0.243g과 하기 식으로 표시되는 아릴술폰산에스테르 B 0.283g의 혼합물에, 크실렌 10g을 가하고 실온에서 교반하여 용해시키고, 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 조성물을 얻었다. 또한, 아릴술폰산에스테르 B는 국제공개 제2017/217457호에 기재된 방법에 따라 합성했다(이하 동일).To a mixture of 0.243 g of aniline derivative A and 0.283 g of arylsulfonic acid ester B represented by the following formula, 10 g of xylene was added and dissolved by stirring at room temperature, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm to obtain a charge-transporting composition. . In addition, the aryl sulfonic acid ester B was synthesized according to the method described in International Publication No. 2017/217457 (the same applies hereinafter).

Figure pct00015
Figure pct00015

[실시예 1-2][Example 1-2]

아닐린 유도체 A 0.243g 및 아릴술폰산에스테르 B 0.283g의 혼합물에, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르 5g, 벤조산 부틸 3g 및 프탈산 디메틸 2g을 가하고 실온에서 교반하여 용해시키고, 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 조성물을 얻었다.To a mixture of 0.243 g of aniline derivative A and 0.283 g of arylsulfonic acid ester B, 5 g of triethylene glycol butyl methyl ether, 3 g of butyl benzoate and 2 g of dimethyl phthalate were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was dissolved in a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm Filtered to obtain a charge-transporting composition.

[실시예 1-3][Example 1-3]

아닐린 유도체 A 0.243g과, 아릴술폰산에스테르 B 0.283g의 혼합물에, 3-페녹시톨루엔 3g과 벤조산 부틸 7g을 가하고 실온에서 교반하여 용해시키고, 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 조성물을 얻었다.To a mixture of 0.243 g of aniline derivative A and 0.283 g of aryl sulfonic acid ester B, 3 g of 3-phenoxytoluene and 7 g of butyl benzoate were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and charged. A transportable composition was obtained.

[비교예 1-1][Comparative Example 1-1]

아닐린 유도체 A 대신에, 하기 식으로 표시되는 아닐린 유도체 C를 사용한 이외는, 실시예 1-1과 동일한 방법으로, 전하 수송성 조성물의 조제를 시도했다. 그러나, 상온에서 교반해도 고형분은 용해되지 않았고, 또한 50℃로 가열하여 교반해도 고형분은 용해되지 않았고, 80℃로 가열하여 교반하자 고형분은 용해되었다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 조성물을 얻었다. 또한, 아닐린 유도체 C는 국제공개 제2015/137395호에 기재된 방법에 따라 합성했다.In place of the aniline derivative A, preparation of a charge-transporting composition was attempted in the same manner as in Example 1-1, except that the aniline derivative C represented by the following formula was used. However, the solid content did not dissolve even when stirred at room temperature, and the solid content did not dissolve even when heated to 50° C. and stirred, and the solid content dissolved when heated to 80° C. and stirred. The obtained solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 µm to obtain a charge-transporting composition. In addition, the aniline derivative C was synthesized according to the method described in International Publication No. 2015/137395.

Figure pct00016
Figure pct00016

[비교예 1-2][Comparative Example 1-2]

아닐린 유도체 A 대신에 아닐린 유도체 C를 사용한 이외는, 실시예 1-2와 동일한 방법으로, 전하 수송성 조성물의 조제를 시도했다. 그러나, 상온에서 교반해도 고형분은 용해되지 않았고, 또한 50℃, 80℃의 어느 온도로 가열하여 교반해도 고형분은 용해되지 않아, 전하 수송성 박막을 제조할 수 있을 정도로 균일한 전하 수송성 조성물은 얻어지지 않았다.Preparation of a charge-transporting composition was attempted in the same manner as in Example 1-2 except that the aniline derivative C was used instead of the aniline derivative A. However, the solid content did not dissolve even when stirred at room temperature, and the solid content did not dissolve even when heated and stirred at any temperature of 50° C. or 80° C., and a charge-transporting composition uniform enough to produce a charge-transporting thin film was not obtained. .

[비교예 1-3][Comparative Example 1-3]

아닐린 유도체 A 대신에 아닐린 유도체 C를 사용한 이외는, 실시예 1-3과 동일한 방법으로, 전하 수송성 조성물의 조제를 시도했다. 그러나, 상온에서 교반해도 고형분은 용해되지 않았고, 또한 50℃로 가열하여 교반해도 고형분은 용해되지 않았고, 80℃로 가열하여 교반하자 고형분은 용해되었다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 조성물을 얻었다.Preparation of a charge-transporting composition was attempted in the same manner as in Example 1-3, except that the aniline derivative C was used instead of the aniline derivative A. However, the solid content did not dissolve even when stirred at room temperature, and the solid content did not dissolve even when heated to 50° C. and stirred, and the solid content dissolved when heated to 80° C. and stirred. The obtained solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 µm to obtain a charge-transporting composition.

얻어진 조성물을 0℃로 1주일 보관하고, 보관 후의 조성물의 고형분이 석출했는지 아닌지를 확인했다. 결과를, 각 조성물의 조제시의 고형분의 용해성과 함께, 표 1에 나타낸다.The obtained composition was stored at 0°C for one week, and it was confirmed whether or not a solid content of the composition after storage had precipitated. The results are shown in Table 1 together with the solubility of the solid content at the time of preparation of each composition.

고형분의 용해성Solubility of solids 보존 후의 석출의 유무Presence or absence of precipitation after preservation 실시예1-1Example 1-1 실온에서 용해되었다.Dissolved at room temperature. 석출 없음No precipitation 실시예1-2Example 1-2 실온에서 용해되었다.Dissolved at room temperature. 석출 없음No precipitation 실시예1-3Example 1-3 실온에서 용해되었다.Dissolved at room temperature. 석출 없음No precipitation 비교예1-1Comparative Example 1-1 80℃ 가열에서 용해되었다.Dissolved at 80° C. heating. 석출 있음There is precipitation 비교예1-2Comparative Example 1-2 80℃ 가열에서도 용해되지 않았다.It did not dissolve even at 80 degreeC heating. 비교예1-3Comparative Example 1-3 80℃ 가열에서 용해되었다.Dissolved at 80° C. heating. 석출 있음There is precipitation

표 1로부터 명확한 바와 같이, 본 발명의 조성물에서는, 어느 용매 조성에서도 석출은 확인되지 않았다. 한편, 본 발명에서 사용하는 아닐린 유도체 A와 유사한 구조를 가지는 아닐린 유도체 C를 포함하는 비교예의 조성물에서는, 석출이 확인되었다. 이 결과로부터, 본 발명의 조성물은 비교예의 조성물과 비교하여, 보존 안정성이 우수한 것을 알았다.As is clear from Table 1, in the composition of the present invention, precipitation was not observed in any solvent composition. On the other hand, in the composition of the comparative example containing the aniline derivative C having a structure similar to the aniline derivative A used in the present invention, precipitation was confirmed. From this result, it was found that the composition of the present invention has superior storage stability compared to the composition of the comparative example.

[3] 박막의 광학 물성의 평가[3] Evaluation of optical properties of thin films

[실시예 2 및 비교예 2][Example 2 and Comparative Example 2]

실시예 1-1 및 비교예 1-1에서 얻어진 전하 수송성 조성물을, 각각 스핀 코터를 사용하여 석영 기판에 도포한 후, 대기 분위기하에서, 80℃에서 1분간 건조하고, 이어서 200℃에서 15분간 소성하여, 60nm의 균일한 박막을 기판 위에 제작했다. The charge-transporting compositions obtained in Example 1-1 and Comparative Example 1-1 were each coated on a quartz substrate using a spin coater, and then dried at 80°C for 1 minute in an air atmosphere, followed by firing at 200°C for 15 minutes. Thus, a uniform thin film of 60 nm was produced on the substrate.

각 박막의 소쇠 계수 k(파장 400nm∼800nm에서의 평균 소쇠 계수)와 굴절률 n(파장 400nm∼800nm에서의 평균 굴절률)의 측정을 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.The extinction coefficient k (average extinction coefficient at a wavelength of 400 nm to 800 nm) and a refractive index n (average refractive index at a wavelength of 400 nm to 800 nm) of each thin film were measured. Table 2 shows the results.

kk nn 실시예2Example 2 0.0210.021 1.701.70 비교예2Comparative Example 2 0.0380.038 1.631.63

표 2로부터 명확한 바와 같이, 본 발명의 조성물로부터 얻어지는 박막은 비교예의 조성물로부터 얻어지는 박막과 비교하여, 낮은 소쇠 계수를 나타내고, 고투명이며, 또한 고굴절률인 것을 알았다.As is clear from Table 2, it was found that the thin film obtained from the composition of the present invention exhibits a low extinction coefficient, high transparency, and has a high refractive index compared to the thin film obtained from the composition of the comparative example.

[4] 홀 온리 소자의 제작 및 평가[4] Hall-only device fabrication and evaluation

이하의 예에 있어서, ITO 기판으로서는 인듐주석 산화물(ITO)이 표면 위에 막 두께 150nm로 패터닝 된 25mm×25mm×0.7t의 글라스 기판을 사용하고, 사용 전에 O2 플라스마 세정 장치(150W, 30초간)에 의해 표면 위의 불순물을 제거했다.In the following example, as the ITO substrate, a glass substrate of 25 mm × 25 mm × 0.7t in which indium tin oxide (ITO) was patterned with a film thickness of 150 nm on the surface was used, and an O 2 plasma cleaning device (150 W, 30 seconds) before use. To remove impurities on the surface.

[실시예 3][Example 3]

실시예 1-1에서 얻어진 조성물을, 스핀 코터를 사용하여 ITO 기판에 도포한 후, 대기하에서, 80℃에서 1분간 건조하고, 이어서 200℃에서 15분간 소성하여, 60nm 막 두께의 전하 수송성 박막을 제작했다.The composition obtained in Example 1-1 was applied to an ITO substrate using a spin coater, and then dried at 80° C. for 1 minute under air, and then fired at 200° C. for 15 minutes to form a charge-transporting thin film with a thickness of 60 nm. Made.

그 위에, 증착 장치(진공도 1.0×10-5Pa, 증착 레이트 0.2nm/초)를 사용하여, 정공 수송층으로서 α-NPD(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘)를 0.2nm/초로 30nm 성막하고, 또한 그 위에 80nm의 알루미늄 박막을 형성하여, 소자를 제작했다.On top of that, using a vapor deposition apparatus (vacuum degree 1.0 × 10 -5 Pa, vapor deposition rate 0.2 nm/sec), α-NPD(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'- Diphenylbenzidine) was formed into a 30 nm film at 0.2 nm/sec, and an 80 nm aluminum thin film was formed thereon to fabricate a device.

[비교예 3][Comparative Example 3]

실시예 1-1에서 얻어진 조성물 대신에 비교예 1-1에서 얻어진 조성물을 사용한 이외는, 실시예 3과 동일한 방법으로 소자를 제작했다.A device was produced in the same manner as in Example 3 except that the composition obtained in Comparative Example 1-1 was used instead of the composition obtained in Example 1-1.

[실시예 4][Example 4]

실시예 3과 동일한 방법으로, ITO 기판 위에 전하 수송성 박막을 제작했다.In the same manner as in Example 3, a charge-transporting thin film was formed on the ITO substrate.

그 위에, 질소 분위기의 글로브 박스 내에서, TFB 폴리머(Luminescence Technology사제 LT-N148)의 0.6질량% 크실렌 용액을 스핀 코팅에 의해 도포한 후, 130℃에서 10분간 소성하여, 20nm의 전하 수송성 박막을 정공 수송층으로서 형성했다. 또한 그 위에, 실시예 3과 동일한 방법으로 80nm의 알루미늄 박막을 형성하여, 소자를 제작했다.On top of that, in a glove box in a nitrogen atmosphere, a 0.6% by mass xylene solution of TFB polymer (LT-N148 manufactured by Luminescence Technology) was applied by spin coating, and then baked at 130° C. for 10 minutes to form a 20 nm charge-transporting thin film. It was formed as a hole transport layer. Further, on it, an 80 nm aluminum thin film was formed in the same manner as in Example 3 to fabricate an element.

[비교예 4][Comparative Example 4]

실시예 1-1에서 얻어진 조성물 대신에 비교예 1-1에서 얻어진 조성물을 사용한 이외는, 실시예 4와 동일한 방법으로 소자를 제작했다.A device was produced in the same manner as in Example 4 except that the composition obtained in Comparative Example 1-1 was used instead of the composition obtained in Example 1-1.

제작한 소자를 구동 전압 5V로 구동한 경우의 전류 밀도를 측정했다. 결과를 표 3에 나타낸다.The current density in the case of driving the fabricated device with a drive voltage of 5 V was measured. Table 3 shows the results.

전류 밀도 (mA/cm2)Current density (mA/cm 2 ) 실시예3Example 3 610610 비교예3Comparative Example 3 340340 실시예4Example 4 330330 비교예4Comparative Example 4 2626

표 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 조성물로부터 얻어지는 전하 수송성 박막은, 비교예의 조성물로부터 얻어지는 전하 수송성 박막과 비교하여, 정공 수송층으로의 홀 주입성이 우수했다. 본 발명의 조성물로부터 얻어지는 전하 수송성 박막을 사용함으로써, 고특성의 유기 EL 소자를 기대할 수 있다.As shown in Table 3, the charge-transporting thin film obtained from the composition of the present invention was superior to the charge-transporting thin film obtained from the composition of the comparative example, and the hole injection property into the hole transporting layer was excellent. By using the charge-transporting thin film obtained from the composition of the present invention, an organic EL device with high characteristics can be expected.

Claims (8)

하기 식 (1)로 표시되는 아닐린 유도체를 포함하는 전하 수송성 조성물.
Figure pct00017

[식 중, 각 Ar은, 서로 독립적으로, 하기 식 (Ar1)∼(Ar9) 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
Figure pct00018

(식 중, R1∼R21은, 서로 독립적으로, 수소 원자, Z1로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1∼20의 알킬기, Z1로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알케닐기, Z1로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알키닐기, Z2로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 Z2로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 헤테로아릴기이고,
Z1은 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 헤테로아릴기이고,
Z2는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1∼20의 알킬기, Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알케닐기 또는 Z3으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 알키닐기이고,
Z3은 할로겐 원자, 니트로기 또는 시아노기이다.)]
A charge-transporting composition containing an aniline derivative represented by the following formula (1).
Figure pct00017

[In the formula, each Ar is each independently a group represented by any one of the following formulas (Ar1) to (Ar9).
Figure pct00018

(Wherein, R 1 ~R 21 is, independently from each other, with an alkenyl group, Z 1 of 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with an alkyl group, Z 1 of 1 to 20 carbon atoms that may be substituted with hydrogen atoms, Z 1 of 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with an alkynyl group, an aryl group of 6 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 2 or heteroaryl group of 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 2, and
Z 1 is a heteroaryl group of 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an aryl group of 6 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 3 or Z 3,
Z 2 is two carbon atoms that may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, Z 3 an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms that may be substituted, Z 3 in the 2 to 20 carbon atoms that may be substituted with an alkenyl group, or Z 3 It is an alkynyl group of ∼20,
Z 3 is a halogen atom, a nitro group or a cyano group.)]
제1항에 있어서,
Ar이 모두 같은 기인 전하 수송성 조성물.
The method of claim 1,
A charge transport composition in which all Ar are the same group.
제2항에 있어서,
Ar이 식 (Ar1)∼(Ar5) 중 어느 하나로 표시되는 기인 전하 수송성 조성물.
The method of claim 2,
The charge transport composition in which Ar is a group represented by any one of formulas (Ar1) to (Ar5).
제3항에 있어서,
Ar이 식 (Ar1)로 표시되는 기인 전하 수송성 조성물.
The method of claim 3,
The charge transport composition where Ar is a group represented by the formula (Ar1).
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
도판트를 더 포함하는 전하 수송성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 4,
Charge-transporting composition further comprising a dopant.
제5항에 있어서,
상기 도판트가 아릴술폰산에스테르 화합물인 전하 수송성 조성물.
The method of claim 5,
The charge transport composition in which the dopant is an arylsulfonic acid ester compound.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 전하 수송성 조성물을 사용하여 제작되는 전하 수송성 박막.A charge-transporting thin film produced using the charge-transporting composition according to any one of claims 1 to 5. 제7항에 기재된 전하 수송성 박막을 갖추는 유기 일렉트로루미네슨스 소자.An organic electroluminescence device comprising the charge-transporting thin film according to claim 7.
KR1020217005351A 2018-08-03 2019-08-01 Charge transport composition KR20210040081A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-147125 2018-08-03
JP2018147125 2018-08-03
PCT/JP2019/030221 WO2020027262A1 (en) 2018-08-03 2019-08-01 Charge-transporting composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210040081A true KR20210040081A (en) 2021-04-12

Family

ID=69231211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217005351A KR20210040081A (en) 2018-08-03 2019-08-01 Charge transport composition

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7414001B2 (en)
KR (1) KR20210040081A (en)
CN (1) CN112534599A (en)
WO (1) WO2020027262A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7295824B2 (en) * 2020-03-31 2023-06-21 双葉電子工業株式会社 Organic EL device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007536718A (en) 2004-05-03 2007-12-13 メルク パテント ゲーエムベーハー Electronic devices including organic semiconductors
WO2008032616A1 (en) 2006-09-13 2008-03-20 Nissan Chemical Industries, Ltd. Oligoaniline compounds
WO2013042623A1 (en) 2011-09-21 2013-03-28 日産化学工業株式会社 Charge-transporting varnish
JP2017501585A (en) 2013-12-31 2017-01-12 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Organic light-emitting display device and top emission type OLED device with improved viewing angle characteristics

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104326968B (en) * 2009-10-20 2017-04-12 东曹株式会社 Carbazole compound and use thereof
JP5790901B1 (en) 2013-10-04 2015-10-07 日産化学工業株式会社 Aniline derivatives and uses thereof
WO2015137395A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 日産化学工業株式会社 Aniline derivative and use thereof
US9917257B2 (en) * 2014-07-24 2018-03-13 Duk San Neolux Co., Ltd. Organic electronic element and an electronic device comprising it
KR102504581B1 (en) * 2016-02-23 2023-03-02 덕산네오룩스 주식회사 Compound for organic electronic element, organic electronic element comprising the same, and electronic device thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007536718A (en) 2004-05-03 2007-12-13 メルク パテント ゲーエムベーハー Electronic devices including organic semiconductors
WO2008032616A1 (en) 2006-09-13 2008-03-20 Nissan Chemical Industries, Ltd. Oligoaniline compounds
WO2013042623A1 (en) 2011-09-21 2013-03-28 日産化学工業株式会社 Charge-transporting varnish
JP2017501585A (en) 2013-12-31 2017-01-12 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Organic light-emitting display device and top emission type OLED device with improved viewing angle characteristics

Also Published As

Publication number Publication date
JP7414001B2 (en) 2024-01-16
TW202018059A (en) 2020-05-16
JPWO2020027262A1 (en) 2021-08-12
CN112534599A (en) 2021-03-19
WO2020027262A1 (en) 2020-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20140001459A1 (en) Electronic device
JP7266409B2 (en) charge transport varnish
JP7351314B2 (en) Charge transport varnish
JP2023126469A (en) Charge transporting varnish
JP7414001B2 (en) Charge transporting composition
JP7420073B2 (en) Aniline derivative
JP7290149B2 (en) Aniline derivative and its use
WO2020196154A1 (en) Arylamine compound and use thereof
KR20210144750A (en) Fluorene derivatives and their use
TWI837158B (en) charge transport composition
US20210159421A1 (en) Composition for forming charge-transporting thin film
CN112513140B (en) Polymer and use thereof
TWI839495B (en) Arylamine compounds and their use
WO2020027264A1 (en) Aniline derivative
CN117121652A (en) Charge-transporting varnish

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal