KR20210030987A - 객체의 구역을 평가하기 위한 방법 - Google Patents

객체의 구역을 평가하기 위한 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210030987A
KR20210030987A KR1020217006559A KR20217006559A KR20210030987A KR 20210030987 A KR20210030987 A KR 20210030987A KR 1020217006559 A KR1020217006559 A KR 1020217006559A KR 20217006559 A KR20217006559 A KR 20217006559A KR 20210030987 A KR20210030987 A KR 20210030987A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
zone
sub
charged particle
image
imager
Prior art date
Application number
KR1020217006559A
Other languages
English (en)
Inventor
오퍼 쉬네요우르
론 나프탈리
로니 포라트
Original Assignee
어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 filed Critical 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드
Publication of KR20210030987A publication Critical patent/KR20210030987A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
    • H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
    • H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261—Details
    • H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H01L27/11524—
    • H01L27/11556—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66825—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a floating gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/20—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B41/23—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B41/27—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
    • H10B41/35—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region with a cell select transistor, e.g. NAND
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/22—Treatment of data
    • H01J2237/221—Image processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/24475—Scattered electron detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448—Secondary particle detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30466—Detecting endpoint of process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31749—Focused ion beam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

객체의 구역을 평가하기 위한 방법으로서, 방법은, 구역의 제1 서브-구역으로부터 구역의 끝에서 두 번째 서브-구역까지의 각각의 서브-구역에 대해, (a) 하전 입자 이미저에 의해, 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하고, (b) 하전 입자 밀러에 의해, 구역의 다른 서브-구역을 노출시키도록 서브-구역을 밀링하는 단계들을 반복하는 단계; 하전 입자 이미저에 의해, 구역의 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하는 단계; 및 구역의 제1 서브-구역 내지 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지들에 기반하여 구역의 콘텐츠에 관한 3차원 정보를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

객체의 구역을 평가하기 위한 방법
관련 출원들에 대한 상호-참조들
본 출원은, 2018년 8월 7일자로 출원된 미국 출원 제16/057,762호의 권익을 주장하며, 이로써 상기 출원의 내용들은 그 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.
평면형 플래시 메모리 어레이들은 점차 다수의 층들의 플래시 메모리 셀들을 포함하는 3차원 플래시 메모리 어레이들로 대체되고 있다. 수직 NAND 메모리 어레이(V-NAND)는 가장 대중적인 3차원 플래시 메모리 어레이들 중 하나이다. V-NAND는 다수의 층들(예컨대, 일부 예시들에서는 48개의 층)의 플래시 메모리 셀들을 포함한다.
3차원 객체들, 이를테면, 이에 제한되진 않지만 V-NAND들을 검사하기 위한 효율적인 방법들, 시스템들, 및 컴퓨터 프로그램 제품들을 제공할 필요성이 커지고 있다.
본 발명의 일부 실시예들은, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법을 제공한다. 방법은, 구역의 제1 서브-구역으로부터 구역의 끝에서 두 번째 서브-구역까지의 각각의 서브-구역에 대해, (a) 하전 입자 이미저에 의해, 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하고, (b) 하전 입자 밀러에 의해, 구역의 다른 서브-구역을 노출시키도록 서브-구역을 밀링하는 단계들을 반복하는 단계; 하전 입자 이미저에 의해, 구역의 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하는 단계; 및 구역의 제1 서브-구역 내지 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지들에 기반하여 구역의 콘텐츠에 관한 3차원 정보를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시예들은 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품에 관한 것으로, 명령어들은, 구역의 제1 서브-구역으로부터 구역의 끝에서 두 번째 서브-구역까지의 각각의 서브-구역에 대해,
(a) 하전 입자 이미저에 의해, 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하고,
(b) 하전 입자 밀러에 의해, 구역의 다른 서브-구역을 노출시키도록 서브-구역을 밀링하는 단계들을 반복하고; 하전 입자 이미저에 의해, 구역의 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하고, 구역의 제1 서브-구역 내지 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지들에 기반하여 구역의 콘텐츠에 관한 3차원 정보를 생성함으로써 객체의 구역을 평가하기 위한 것이다.
본 발명으로 여겨지는 주제는 본 명세서의 결론 부분에서 상세히 언급되고 명료하게 청구된다. 그러나, 본 발명은, 본 발명의 시료들, 특징들, 및 장점들과 함께, 동작의 방법 및 구성 둘 모두에 관하여, 첨부된 도면들과 함께 읽을 때 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다.
도 1은 본 개시내용에 따른 시스템 및 객체의 예를 예시한다.
도 2는 본 개시내용에 따른 시스템 및 객체의 예를 예시한다.
도 3은 본 개시내용에 따른 시스템 및 객체의 예를 예시한다.
도 4는 본 개시내용에 따른 시스템 및 객체의 예를 예시한다.
도 5는 부분적으로 밀링된 3차원 플래시 메모리 어레이 및 밀링된 구역들의 예를 예시한다.
도 6은 부분적으로 밀링된 3차원 플래시 메모리 어레이 및 밀링 평면들의 예를 예시한다.
도 7은 부분적으로 밀링된 3차원 플래시 메모리 어레이의 예를 예시한다.
도 8은 부분적으로 밀링된 3차원 플래시 메모리 어레이의 예를 예시한다.
도 9는 3차원 플래시 메모리 어레이의 3개의 층 및 3개의 구역의 예를 예시한다.
도 10은 본 개시내용에 따른 방법의 예를 예시한다.
예시의 간략화 및 명확화를 위해, 도면들에 도시된 요소들이 반드시 실측으로 도시된 것은 아니라는 것이 인식될 것이다. 예컨대, 요소들 중 일부의 치수들은, 명확화를 위해 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다. 추가로, 적절한 것으로 고려되는 경우, 대응하는 또는 유사한 요소들을 표시하기 위해 참조 번호들이 도면들 사이에서 반복될 수 있다.
다음의 상세한 설명에서는, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 많은 특정 세부사항들이 기재된다. 그러나, 본 발명은 이러한 특정 세부사항들 없이도 실시될 수 있다는 것이 관련 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 이해될 것이다. 다른 예시들에서, 잘 알려진 방법들, 절차들, 및 구성요소들은, 본 발명을 불명료하게 하지 않기 위해 상세히 설명되지 않는다.
본 발명의 예시된 실시예들은 대개 관련 기술분야의 통상의 기술자들에게 알려져 있는 전자 부품들 및 회로들을 사용하여 구현될 수 있기 때문에, 그 세부사항들은, 본 발명의 기본 개념들의 이해 및 인식을 위해 그리고 본 발명의 교시들을 모호하게 하거나 혼란스럽게 하지 않기 위해, 위에 예시된 바와 같이 필요한 것으로 여겨지는 것을 어느 정도 초과하여 설명되지는 않을 것이다.
방법에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는, 방법을 실행할 수 있는 시스템에 준용하여 적용되어야 하고, 일단 실행되면 방법의 실행을 초래하는 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품에 준용하여 적용되어야 한다.
시스템에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는, 시스템에 의해 실행될 수 있는 방법에 준용하여 적용되어야 하고, 시스템에 의해 실행될 수 있는 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품에 준용하여 적용되어야 한다.
컴퓨터 프로그램 제품에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는, 컴퓨터 프로그램 제품에 저장된 명령어들을 실행할 때 실행될 수 있는 방법에 준용하여 적용되어야 하고, 컴퓨터 프로그램 제품에 저장된 명령어들을 실행하도록 구성되는 시스템에 준용하여 적용되어야 한다.
본 명세서 및 도면들에서, 다양한 예들이 3차원 플래시 메모리 어레이를 참조한다. 3차원 플래시 메모리 어레이는 객체의 예라는 것이 유의되어야 한다.
도 1 및 도 2는 시스템(11) 및 객체(100)의 예를 예시한다. 시스템(11)은, 하전 입자 이미저(40), 하전 입자 밀러(140), 챔버(70), 기계적 스테이지(60), 제어기(20), 프로세서(30), 및 메모리 유닛(50)을 포함할 수 있다. 하전 입자 이미저(40)는, 하전 입자 이미저 챔버(45) 및 하나 이상의 센서를 포함한다. 하전 입자 밀러(140)는, 하전 입자 밀러 챔버(145) 및 하나 이상의 센서(도시되지 않음)를 포함한다.
하전 입자 이미저는, 하전 입자 빔으로 객체를 조명하고, 조명으로 인해 방출된 입자들을 검출하고, 입자들의 검출에 기반하여 하전 입자 이미지들을 생성함으로써 이미지를 생성하도록 구성되는 디바이스이다. 하전 입자 이미저의 예는 주사 전자 현미경이다.
하전 입자 밀러는, 하나 이상의 하전 입자 빔으로 객체를 조사(irradiate)함으로써 객체를 밀링하도록 구성되는 디바이스이다. 하전 입자 밀러의 예는 집속 이온 빔 디바이스이다.
챔버(70)는 진공 챔버일 수 있다. 제어기(20)는, 시스템(11)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 프로세서(30)는, 하전 입자 이미저(40)로부터의, 특히, 하전 입자 이미저(40)의 센서들, 이를테면, 렌즈-내 센서(41) 및 렌즈-밖 센서(42)로부터의 검출 신호들에 기반하여 하전 입자 이미지들을 생성하도록 구성될 수 있다. 렌즈-내 센서(41)는 하전 입자 이미저 챔버(45) 내에 위치하는 한편, 렌즈-밖 센서(42)는 하전 입자 이미저 챔버(45) 외부에 위치한다. 하전 입자 이미저(40)는 임의의 조합의 센서들을 포함할 수 있다.
기계적 스테이지(60)는, 하전 입자 이미저(40)의 시야(91)와 하전 입자 밀러(140)의 시야(92) 사이에서 객체를 이동시키도록 구성될 수 있다.
도 1에서, 객체(100)는 기계적 스테이지(60)에 의해 하전 입자 이미저(40)의 시야(91) 내에 그리고 하전 입자 밀러(140)의 시야(92) 외부에 위치한다. 하전 입자 이미저(40)는 하나 이상의 하전 입자 빔, 이를테면 1차 전자 빔(49)으로 객체를 조사한다.
도 2에서, 객체(100)는 기계적 스테이지(60)에 의해 하전 입자 밀러(140)의 시야(92) 내에 그리고 하전 입자 이미저(14)의 시야(91) 외부에 위치한다. 하전 입자 밀러(140)는 하나 이상의 하전 입자 빔, 이를테면 1차 이온 빔(149)으로 객체를 조사한다.
도 1 및 도 2에서, 하전 입자 이미저(40)의 시야(91) 및 하전 입자 밀러(140)의 시야(92)는 겹치지 않는다.
하전 입자 이미저(40) 및 하전 입자 밀러(140)는 도 1 및 도 2에서 서로 평행하다. 서로 평행한 하전 입자 이미저 및 하전 입자 밀러를 포함하는 시스템의 예가 미국 특허 제6,670,610호에 예시되며, 상기 특허는 모든 목적들을 위해 인용에 의해 본원에 포함된다.
도 3은 시스템(12) 및 객체(100)의 예를 예시한다. 시스템(12)은, 하전 입자 이미저(40), 하전 입자 밀러(140), 챔버(70), 기계적 스테이지(60), 제어기(20), 프로세서(30), 및 메모리 유닛(50)을 포함할 수 있다.
하전 입자 이미저(40)는, 하전 입자 이미저 챔버(45) 및 하나 이상의 센서를 포함한다. 하전 입자 밀러(140)는, 하전 입자 밀러 챔버(145) 및 하나 이상의 센서(도시되지 않음)를 포함한다.
시스템(12)에서, 하전 입자 이미저(40) 및 하전 입자 밀러(140)는 서로에 대해 (평행하지 않게) 일정 방향으로 배향된다. 특히, 1차 전자 빔(49)은 객체(100)에 수직이지만, 1차 이온 빔(149)은 객체(100)에 수직이 아니다. 하전 입자 밀러(140)의 배향은, 일정 방향으로 배향된 방식으로의 객체의 밀링을 용이하게 한다. 예컨대, 도 6 및 도 7을 참조한다.
도 3에서, 하전 입자 이미저(40)의 시야는 하전 입자 밀러(92)의 시야와 겹치지 않는다. 서로 평행하지 않은 하전 입자 이미저 및 하전 입자 밀러를 포함하는 시스템의 예가 미국 특허 제6,670,610호에 예시되며, 상기 특허는 모든 목적들을 위해 인용에 의해 본원에 포함된다.
도 4는, 시스템(13) 및 객체(100)의 예를 예시한다. 시스템(13)은, 하전 입자 이미저(40), 하전 입자 밀러(140), 챔버(70), 기계적 스테이지(60), 제어기(20), 프로세서(30), 및 메모리 유닛(50)을 포함할 수 있다. 하전 입자 이미저(40)는, 하전 입자 이미저 챔버(45) 및 하나 이상의 센서를 포함한다. 하전 입자 밀러(140)는, 하전 입자 밀러 챔버(145) 및 하나 이상의 센서(도시되지 않음)를 포함한다.
시스템(13)에서, 하전 입자 이미저(40) 및 하전 입자 밀러(140)는 서로에 대해 (평행하지 않게) 일정 방향으로 배향된다. 특히, 1차 전자 빔(49)은 객체(100)에 수직이지만, 1차 이온 빔(149)은 객체(100)에 수직이 아니다. 하전 입자 밀러(140)의 배향은, 일정 방향으로 배향된 방식으로의 객체의 밀링을 용이하게 한다. 예컨대, 도 6 및 도 7을 참조한다.
하전 입자 이미저(40)는, 하전 입자 이미저 챔버(45) 및 하나 이상의 센서를 포함한다. 하전 입자 밀러(140)는, 하전 입자 밀러 챔버(145) 및 하나 이상의 센서(도시되지 않음)를 포함한다.
도 4에서, 하전 입자 이미저(40)의 시야는 하전 입자 밀러의 시야(92)와 적어도 부분적으로 겹치고, 이는, 밀링과 이미징 사이에 객체를 이동시킬 필요성을 제거할 수 있다.
시스템들(11, 12, 및 13)의 각각의 시스템은 도 10의 방법(300)을 실행하도록 구성된다.
도 1, 도 2, 도 3, 및 도 4가 단일 제어기, 단일 프로세서, 및 단일 메모리 유닛을 예시하지만, 시스템들(11, 12, 및 13)의 각각의 시스템은 하나 초과의 제어기, 하나 초과의 프로세서, 및 하나 초과의 메모리 유닛을 포함할 수 있다는 것이 유의되어야 한다. 예컨대, 하전 입자 이미저(40) 및 하전 입자 밀러(140)의 각각의 하전 입자 이미저 및 하전 입자 밀러마다 제어기, 프로세서, 및 메모리 유닛이 할당될 수 있다.
도 5는 부분적으로 밀링된 3차원 플래시 메모리 어레이(200) 및 밀링된 구역들의 예를 예시한다. 3차원 플래시 메모리 어레이(200)는 32개의 층(200(1)-200(32)), 제1 수직 게이트 구조(208) 및 제2 수직 게이트 구조(209)를 포함한다. 층들의 수는 32개와 상이할 수 있다. 인접한 층들은 서로 시각적으로 구별가능할 수 있다.
도 5는, 제1 구역(201), 제2 구역(202), 제3 구역(203), 및 제4 구역(204)을 예시한다. 제1 구역(201), 제2 구역(202), 제3 구역(203), 및 제4 구역(204)의 각각의 구역은 반복적 이미징 및 밀링 프로세스를 적용함으로써 이미징될 수 있다. 도 10의 방법(300)은 반복적 이미징 및 밀링 프로세스의 예이다.
제1 구역은 제1 서브-구역(201(1)), 제2 서브-구역(201(2)), 및 제3 서브-구역(201(3))을 포함하는 것으로 예시된다. 제2 구역(202)은 제1 구역(201)보다 좁다. 제2 구역(202)은 또한 제1 구역(201)보다 두껍고, 7개의 서브-구역을 포함한다. 제3 구역(203)은 제2 구역(202)보다 좁다. 제3 구역(203)은 또한 제2 구역(202)보다 두껍고, 제2 구역(202)보다 많은 서브-구역들을 포함한다. 제4 구역(204)은 제3 구역(203)보다 좁다. 제4 구역(204)은 또한 제3 구역(203)보다 두껍고, 제3 구역(203)보다 많은 서브-구역들을 포함한다.
구역당 서브-구역들의 수, 구역들의 수, 각각의 구역의 형상, 및 각각의 구역의 크기는 도 5에 예시된 것들과 상이할 수 있다.
도 5에서, 각각의 서브-구역은 3차원 플래시 메모리 어레이(200)의 한 층의 두께와 동일한 두께를 갖는다. 하나 이상의 서브-구역은, 3차원 플래시 메모리 어레이(200)의 한 층의 두께와 상이한 두께를 가질 수 있다는 것이 유의되어야 한다.
도 6은 부분적으로 밀링된 3차원 플래시 메모리 어레이 및 밀링 평면들의 예를 예시한다. 도 7은 부분적으로 밀링된 3차원 플래시 메모리 어레이의 예를 예시한다.
도 6은 다양한 밀링 평면들(212(1)-212(12), 212(12), 212(28) 및 212(32))을 예시한다. 이러한 밀링 평면들은, 3차원 플래시 메모리 어레이(210)의 다수의 층들에 대해 (0도 초과 100도 미만으로) 일정 방향으로 배향된다. 밀링 평면은 밀링 반복의 결과를 예시한다. 이러한 밀링 평면들은, 3차원 플래시 메모리 어레이(210)의 다수의 층들에 대해 일정 방향으로 배향되는 서브-구획들을 정의한다.
서브-구획은 인접한 밀링 평면들에 의해 정의될 수 있다. 서브-구획은, 노출되고, 이미징된 다음, 다른 서브-구역을 노출시키도록 밀링된다. 객체의 층과 평행하지 않은 밀링 평면들을 사용하는 것은, 상이한 층들의 상이한 부분들이 동시에 노출될 수 있게 한다.
도 8은 부분적으로 밀링된 3차원 플래시 메모리 어레이의 예를 예시한다. 도 8에서, 일정 방향으로 배향된 밀링 평면들이 다수의 계단들로 대체된다.
도 9는, 3차원 플래시 메모리 어레이(200)의 제1 층(200(1)), 제2 층(200(2)), 및 제3 층(200(3)), 및 제1 서브-구역(201(1)), 제2 서브-구역(201(2)), 및 제3 서브-구역(201(3))의 예를 예시한다.
반복적 이미징 및 밀링 프로세스 동안:
a. 제1 서브-구역(201(1))의 하전 입자 이미지가 취득된다.
b. 제1 서브-구역(201(1))이 밀링에 의해 제거됨으로써 제2 서브-구역(201(2))이 노출된다.
c. 제2 서브-구역(201(2))의 하전 입자 이미지가 취득된다.
d. 제2 서브-구역(201(2))이 밀링에 의해 제거됨으로써 제3 서브-구역(201(3))이 노출된다.
e. 제3 서브-구역(201(3))의 하전 입자 이미지가 취득된다.
f. 제1 서브-구역(201(1)), 제2 서브-구역(201(2)), 및 제3 서브-구역(201(3))의 하전 입자 이미지들을 처리함으로써 구역(201)에 관한 정보가 획득될 수 있다.
단계 (e) 후에, 제3 서브-구역(201(3))은 밀링에 의해 제거될 수 있다. 반복적 이미징 및 밀링 프로세스가 3개의 서브-구역에 적용될 때, 제2 서브-구역이 끝에서 두 번째 서브-구역이다.
도 9는 또한 정합 프로세스를 예시한다. 제1 층(200(1)), 제2 층(200(2)), 및 제3 층(200(3))의 각각의 층의 좌측 하단 모서리가 정합 목적들에 대한 경계표(landmark)로서 사용된다. 밀링이 시작되기 전에, 밀링된(또는 이미징된) 서브-구역의 위치는, 좌측 하단 모서리와 서브-구역 사이의 알려진 공간적 관계에 기반하여 계산된다. 임의의 다른 경계표가 정합에 사용될 수 있다. 경계표 정합 프로세스는 미국 특허 제6,670,610호에 예시되며, 상기 특허는 인용에 의해 본원에 포함된다.
도 10은 방법(300)의 예를 예시한다. 방법(300)은, 하전 입자 이미저에 의해 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하는 단계(310)로 시작될 수 있다.
단계(310) 이후에, 하전 입자 밀러에 의해, 구역의 다른 서브-구역을 노출시키도록 서브-구역을 밀링하는 단계(320)가 후속될 수 있다. 단계(330)는, 구역의 제1 서브-구역 내지 구역의 끝에서 두 번째 서브-구역의 각각의 서브-구역에 대해 단계들(310 및 320)이 반복되었는지 여부를 확인하는 제어 단계이다.
응답이 부정인 경우, 단계(330)는, 새롭게 노출된 서브-구역이 이미징되는 단계(310)로 건너뛴다. 응답이 긍정인 경우, 단계(330) 이후에, 하전 입자 이미저에 의해 구역의 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하는 단계(340)가 후속된다.
단계(340) 이후에, 하전 입자 밀러에 의해 마지막 서브-구역을 밀링하는 단계(도시되지 않음)가 후속될 수 있다.
또한, 단계(330) 이후에, 구역의 제1 서브-구역 내지 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지들에 기반하여 구역의 콘텐츠에 관한 3차원 정보를 생성하는 단계(350)가 후속될 수 있다.
단계(350)는, 하전 입자 밀러를 포함하는 시스템에 의해, 하전 입자 이미저를 포함하는 시스템에 의해, 또는 하전 입자 이미저 및 하전 입자 밀러 중 어느 하나를 포함하지 않는 시스템에 의해 실행될 수 있다.
서브-구역들은, 객체의 다수의 층들과 평행할 수 있거나(예컨대, 도 5 참조) 객체의 다수의 층들에 대해 일정 방향으로 배향될 수 있다(예컨대, 도 6 및 도 7 참조).
단계들(310 및 340)의 각각의 단계는, 서브-구역의 깊이와 동일할 수 있거나 서브-구역의 깊이를 초과할 수 있는 상호작용 깊이를 갖는 하전 입자 빔으로 서브-구역을 조명하는 것을 포함할 수 있다.
단계들(310 및 340)의 각각의 단계는, 서브-구역과 이전에 밀링된 서브-구역 사이의 정합을 수행하는 것을 포함할 수 있다(또는 그러한 정합을 수행하는 것이 그에 선행될 수 있음). 예컨대, 도 9를 참조한다.
방법(300)은, 하전 입자 이미저가 객체에 액세스가능하고 하전 입자 밀러의 시야 밖에 객체가 있는 제1 위치와 하전 입자 밀러가 객체에 액세스가능하고 하전 입자 이미저의 시야 밖에 객체가 있는 제2 위치 사이에서 객체를 이동시키는 단계를 포함할 수 있다. 이동은 단계(310)와 단계(320) 사이에서 발생할 수 있다. 반대의 단계가 단계(320)와 단계(310) 사이에서 발생할 수 있다.
방법(300)은 다음의 단계들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:
g. 밀링 대비를 향상시키도록 선택적 식각 장식 가스(etch decoration gas)(이를테면, XeF2)를 유도함으로써 밀링하는 단계.
h. 밀링 동안 밀링 균일성을 향상시키도록 가스를 유도함으로써 밀링하는 단걔.
i. 취득된 이미지들(하전 입자 밀러의 하나 이상의 센서에 의해 감지됨)을 실시간으로 분석하는 것에 의한 밀링 깊이 종료점의 검출 또는 밀링 깊이의 검출 단계.
j. 높은 물질 제거율을 위해 높은 가속 전압으로 시작하여 개선된 밀링된 표면 품질을 위해 낮은 가속 전압으로 마무리되는, 구역의 밀링 동안의 이온 가속 전압의 변화 단계.
방법(300)은, 하나 초과의 구역을 평가하기 위해 적용될 수 있다. 상이한 구역들의 서브-구역들의 밀링 및 이미징은, 직렬 방식으로, 병렬 방식으로, 상호교환가능한 방식 또는 임의의 다른 방식으로 실행될 수 있다.
도 5는, 방법(300)의 하나 이상의 반복을 사용하여 평가될 수 있는, 제1 구역(201), 제2 구역(202), 제3 구역(203), 및 제4 구역(204)을 예시한다.
방법(300)은, 다수의 구역들로부터의 각각의 구역에 대해 단계들(310, 320, 330, 및 340)을 적용하는 것을 포함할 수 있다. 이는, 부가적인 구역의 제1 서브-구역으로부터 부가적인 구역의 끝에서 두 번째 서브-구역까지의 각각의 서브-구역에 대해 다음의 단계들을 반복하는 것에 해당할 수 있다:
k. 하전 입자 이미저에 의해, 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하는 단계.
l. 하전 입자 밀러에 의해, 구역의 다른 서브-구역을 노출시키도록 서브-구역을 밀링하고; 하전 입자 이미저에 의해, 부가적인 구역의 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하는 단계.
m. 부가적인 구역의 제1 서브-구역 내지 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지들에 기반하여 부가적인 구역의 콘텐츠에 관한 3차원 정보를 생성하는 단계.
구역 및 부가적인 구역은 깊이가 서로 상이할 수 있다. 구역 및 부가적인 구역은 층의 수가 서로 상이할 수 있다.
각각의 서브-구역의 하전 입자 이미지는, 서브-구역의 후방산란된 전자 이미지, 서브-구역의 2차 전자 이미지, 또는 서브-구역의 2차 전자 이미지와 서브-구역의 후방산란된 전자 이미지의 조합일 수 있다.
전술한 명세서에서, 본 발명은 본 발명의 실시예들의 특정 예들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 첨부된 청구항들에 기재된 바와 같은 본 발명의 더 넓은 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서, 그 특정 예들에서 다양한 수정들 및 변경들이 이루어질 수 있다는 것이 명백할 것이다.
더욱이, 설명에서의 그리고 청구항들에서의 "앞", "뒤", "상단", "하단", "위", "아래" 등의 용어들은, 존재한다면, 설명의 목적들을 위해 사용되고, 반드시 불변의 상대적인 위치들을 설명하기 위해 사용되는 것은 아니다. 그렇게 사용되는 용어들은, 본원에서 설명된 본 발명의 실시예들이, 예컨대, 본원에서 예시되거나 다른 방식으로 설명된 것들과 다른 배향들로 동작할 수 있도록, 적절한 환경들 하에서 상호교환가능하다는 것이 이해된다.
본원에서 논의된 바와 같은 연결들은, 예컨대 중간 디바이스들을 통해, 개개의 노드들, 유닛들, 또는 디바이스들로부터 또는 이들로 신호들을 전달하기에 적합한 임의의 유형의 연결일 수 있다. 따라서, 다르게 암시되거나 언급되지 않는 한, 연결들은, 예컨대, 직접 연결들 또는 간접 연결들일 수 있다. 연결들은, 단일 연결, 복수의 연결들, 단방향 연결들, 또는 양방향 연결들인 것으로 참조되어 예시 또는 설명될 수 있다. 그러나, 상이한 실시예들은 연결들의 구현을 변화시킬 수 있다. 예컨대, 양방향 연결들이 아니라 별개의 단방향 연결들이 사용될 수 있고, 그 반대가 또한 가능하다. 또한, 복수의 연결들은, 시간 다중화된 방식으로 또는 직렬로 다수의 신호들을 전달하는 단일 연결로 대체될 수 있다. 마찬가지로, 다수의 신호들을 반송하는 단일 연결들은, 이 신호들의 하위 세트들을 반송하는 다양한 상이한 연결들로 분리될 수 있다. 따라서, 신호들을 전달하는 것에 대해 많은 옵션들이 존재한다.
특정 전도성 유형들 또는 전위들의 극성이 예들에서 설명되었지만, 전도성 유형들 및 전위들의 극성들은 반전될 수 있다는 것이 인식될 것이다. 본원에서 설명된 각각의 신호는 긍정 또는 부정 논리로서 설계될 수 있다. 부정 논리 신호의 경우에, 신호는 액티브 로우이고, 여기서, 논리적으로 참인 상태는 논리 수준 0에 대응한다. 긍정 논리 신호의 경우에, 신호는 액티브 하이이고, 여기서, 논리적으로 참인 상태는 논리 수준 1에 대응한다. 본원에서 설명된 신호들 중 임의의 신호가 부정 또는 긍정 논리 신호들로서 설계될 수 있다는 것을 유의한다. 따라서, 대안적인 실시예들에서, 긍정 논리 신호들로서 설명되는 그 신호들은 부정 논리 신호들로서 구현될 수 있고, 부정 논리 신호들로서 설명되는 그 신호들은 긍정 논리 신호들로서 구현될 수 있다.
또한, "어써팅(assert)" 또는 "설정" 및 "부정(negate)"(또는 "디어써팅(de-assert)" 또는 "클리어(clear)")이라는 용어들은 본원에서, 각각, 신호, 상태 비트, 또는 유사한 장치의, 그의 논리적으로 참 또는 논리적으로 거짓인 상태로의 각각의 렌더링을 지칭할 때 사용된다. 논리적으로 참인 상태가 논리 수준 1인 경우, 논리적으로 거짓인 상태는 논리 수준 0이다. 그리고, 논리적으로 참인 상태가 논리 수준 0인 경우, 논리적으로 거짓인 상태는 논리 수준 1이다.
관련 기술분야의 통상의 기술자들은, 논리 블록들 사이의 경계들은 단지 예시적이며, 대안적인 실시예들이, 논리 블록들 또는 회로 소자들을 병합할 수 있거나 다양한 논리 블록들 또는 회로 소자들에 대한 기능성의 대안적인 해체를 도입할 수 있다는 것을 인지할 것이다. 따라서, 본원에 도시된 아키텍쳐들은 단지 예시적이며, 실제로, 동일한 기능성을 달성하는 많은 다른 아키텍쳐들이 구현될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
동일한 기능성을 달성하기 위한 구성요소들의 임의의 배열은, 원하는 기능성이 달성되도록 효과적으로 "연관된다". 그러므로, 특정 기능성을 달성하도록 조합된 본원에서의 임의의 2개의 구성요소는, 아키텍쳐들 또는 중간 구성요소들과 무관하게, 원하는 기능성이 달성되도록 서로 "연관된" 것으로 볼 수 있다. 마찬가지로, 그렇게 연관된 임의의 2개의 구성요소는 또한, 원하는 기능성을 달성하도록 서로에 대해 "동작가능하게 연결된" 또는 "동작가능하게 결합된" 것으로 볼 수 있다.
또한, 위에서 설명된 동작들 사이의 경계들은 단지 예시적이라는 것을 관련 기술분야의 통상의 기술자들은 인지할 것이다. 다수의 동작들은 단일 동작으로 조합될 수 있고, 단일 동작은 부가적인 동작들로 분산될 수 있고, 동작들은 시간상 적어도 부분적으로 겹쳐서 실행될 수 있다. 더욱이, 대안적인 실시예들은, 특정 동작의 다수의 예시들을 포함할 수 있고, 동작들의 순서는 다양한 다른 실시예들에서 변경될 수 있다.
또한, 예컨대, 일 실시예에서, 예시된 예들은, 단일 집적 회로 상에 또는 동일한 디바이스 내에 위치된 회로로서 구현될 수 있다. 대안적으로, 예들은, 적합한 방식으로 서로 상호연결된, 임의의 수의 별개의 집적 회로들 또는 별개의 디바이스들로서 구현될 수 있다.
또한, 예컨대, 예들 또는 그 예들의 부분들은, 물리적 회로의 또는 물리적 회로로 변환가능한 논리 표현들의 소프트 또는 코드 표현들로서, 이를테면, 임의의 적절한 유형의 하드웨어 기술(description) 언어로 구현될 수 있다.
그러나, 다른 수정들, 변형들, 및 대안들이 또한 가능하다. 따라서, 본 명세서 및 도면들은, 제한적인 의미보다는 예시적인 것으로 간주되어야 한다.
청구항들에서, 괄호들 사이에 배치된 임의의 참조 기호들은 청구항을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. '포함'이라는 단어는, 청구항에서 열거된 것들 이외의 다른 요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다. 또한, 본원에서 사용되는 바와 같은 본원의 영문 명세서에서의 부정관사 용어들("a" 또는 "an")은 하나 또는 하나 초과로서 정의된다. 또한, 청구항들에서의 "적어도 하나" 및 "하나 이상"과 같은 서두의 문구들의 사용은, 본원의 국제 출원 명세서에서의 "a" 또는 "an"의 부정관사들에 의한 다른 청구항 요소의 서두가, 심지어 동일한 청구항이 "하나 이상" 또는 "적어도 하나"의 서두의 문구들 및 본원의 국제 출원 명세서에서의 "a" 또는 "an"과 같은 부정관사들을 포함하는 경우에도, 그러한 서두가 있는 청구항 요소를 포함하는 임의의 특정 청구항을, 그러한 요소를 오직 하나만 포함하는 발명들로 제한한다는 것을 암시하는 것으로 해석되어서는 안된다. 이는 정관사들의 사용에 대해서도 마찬가지이다. 달리 언급되지 않는 한, "제1" 및 "제2"와 같은 용어들은, 그러한 용어들이 설명하는 요소들을 임의로 구별하기 위해 사용된다. 따라서, 이러한 용어들은, 반드시, 그러한 요소들의 시간적인, 또는 다른 우선순위화를 나타내도록 의도된 것은 아니다. 특정 측정치들이 서로 상이한 청구항들에서 언급된다는 단순한 사실은, 이러한 측정치들의 조합이, 유리하게 하는 데에 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.
본 발명의 특정 특징들이 본원에서 예시되고 설명되었지만, 많은 수정들, 치환들, 변경들, 및 등가물들이 이제 관련 기술분야의 통상의 기술자들에게 떠오를 것이다. 따라서, 첨부된 청구항들은 본 발명의 실제 사상 내에 속하는 모든 그러한 수정들 및 변경들을 망라하도록 의도된다는 것이 이해되어야 한다.

Claims (15)

  1. 객체의 구역을 평가하기 위한 방법으로서,
    상기 구역의 제1 서브-구역으로부터 상기 구역의 끝에서 두 번째 서브-구역까지의 각각의 서브-구역에 대해, (a) 하전 입자 이미저에 의해, 상기 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하고, (b) 하전 입자 밀러에 의해, 구역의 다른 서브-구역을 노출시키도록 상기 서브-구역을 밀링하는 단계들을 반복하는 단계;
    상기 하전 입자 이미저에 의해, 상기 구역의 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하는 단계; 및
    상기 구역의 제1 서브-구역 내지 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지들에 기반하여 상기 구역의 콘텐츠에 관한 3차원 정보를 생성하는 단계를 포함하는, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 서브-구역들은 상기 객체의 다수의 층들과 평행한, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 서브-구역들은 상기 객체의 다수의 층들에 대해 일정 방향으로 배향되는, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 구역의 각각의 서브-구역의 상기 하전 입자 이미지를 취득하는 것은, 상기 서브-구역의 깊이를 초과하는 상호작용 깊이를 갖는 하전 입자 빔으로 상기 서브-구역을 조명하는 것을 포함하는, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 구역의 각각의 서브-구역의 상기 하전 입자 이미지를 취득하는 것에, 상기 서브-구역과 이전에 밀링된 서브-구역 사이의 정합을 수행하는 것이 선행되는, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브-구역으로부터 상기 끝에서 두 번째 서브-구역까지의 각각의 서브-구역의 상기 하전 입자 이미지를 취득하는 것에 이어서, 상기 하전 입자 이미저가 상기 객체에 액세스가능하고 상기 하전 입자 밀러의 시야 밖에 상기 객체가 있는 제1 위치와 상기 하전 입자 밀러가 상기 객체에 액세스가능하고 상기 하전 입자 이미저의 시야 밖에 상기 객체가 있는 제2 위치 사이에서 상기 객체를 이동시키는 것이 후속되는, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    부가적인 구역의 제1 서브-구역으로부터 상기 부가적인 구역의 끝에서 두 번째 서브-구역까지의 각각의 서브-구역에 대해, (a) 하전 입자 이미저에 의해, 상기 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하고, (b) 하전 입자 밀러에 의해, 구역의 다른 서브-구역을 노출시키도록 상기 서브-구역을 밀링하는 단계들을 반복하는 단계;
    상기 하전 입자 이미저에 의해, 상기 부가적인 구역의 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하는 단계; 및
    상기 부가적인 구역의 상기 제1 서브-구역 내지 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지들에 기반하여 상기 부가적인 구역의 콘텐츠에 관한 3차원 정보를 생성하는 단계를 포함하는, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 구역 및 상기 부가적인 구역은 깊이 또는 층들의 수가 서로 상이한, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하전 입자 이미저는 상기 하전 입자 밀러와 평행한, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하전 입자 이미저는 상기 하전 입자 밀러에 대해 일정 방향으로 배향되는, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하전 입자 이미저는 주사 전자 현미경인, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  12. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 서브-구역의 상기 하전 입자 이미지는 상기 서브-구역의 후방산란된 전자 이미지인, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  13. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 서브-구역의 상기 하전 입자 이미지는 상기 서브-구역의 2차 전자 이미지인, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  14. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 서브-구역의 상기 하전 입자 이미지는 상기 서브-구역의 2차 전자 이미지와 상기 서브-구역의 후방산란된 전자 이미지의 조합인, 객체의 구역을 평가하기 위한 방법.
  15. 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품으로서,
    상기 명령어들은,
    구역의 제1 서브-구역으로부터 상기 구역의 끝에서 두 번째 서브-구역까지의 각각의 서브-구역에 대해, (a) 하전 입자 이미저에 의해, 상기 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하고, (b) 하전 입자 밀러에 의해, 구역의 다른 서브-구역을 노출시키도록 상기 서브-구역을 밀링하는 단계들을 반복하고;
    상기 하전 입자 이미저에 의해, 상기 구역의 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지를 취득하고;
    상기 구역의 상기 제1 서브-구역 내지 마지막 서브-구역의 하전 입자 이미지들에 기반하여 상기 구역의 콘텐츠에 관한 3차원 정보를 생성함으로써 객체의 상기 구역을 평가하기 위한 것인, 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품.
KR1020217006559A 2018-08-07 2019-07-26 객체의 구역을 평가하기 위한 방법 KR20210030987A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/057,762 2018-08-07
US16/057,762 US10811219B2 (en) 2018-08-07 2018-08-07 Method for evaluating a region of an object
PCT/US2019/043718 WO2020033170A1 (en) 2018-08-07 2019-07-26 Method for evaluating a region of an object

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210030987A true KR20210030987A (ko) 2021-03-18

Family

ID=69406282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217006559A KR20210030987A (ko) 2018-08-07 2019-07-26 객체의 구역을 평가하기 위한 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10811219B2 (ko)
JP (1) JP7550136B2 (ko)
KR (1) KR20210030987A (ko)
CN (1) CN112585735A (ko)
TW (1) TWI834701B (ko)
WO (1) WO2020033170A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RS59430B1 (sr) 2014-03-13 2019-11-29 Univ Indiana Res & Tech Corp Alosterni modulatori proteina jezgra hepatitisa b
KR20220154162A (ko) * 2020-03-13 2022-11-21 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 웨이퍼의 검사 볼륨을 단면 이미징하는 방법
US11321835B2 (en) 2020-03-17 2022-05-03 Applied Materials Israel Ltd. Determining three dimensional information
US11315754B2 (en) * 2020-04-27 2022-04-26 Applied Materials Israel Ltd. Adaptive geometry for optimal focused ion beam etching
US11728126B2 (en) 2021-06-24 2023-08-15 Applied Materials Israel Ltd. 3D metrology from 3D datacube created from stack of registered images obtained during delayering of the sample

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6670610B2 (en) * 2001-11-26 2003-12-30 Applied Materials, Inc. System and method for directing a miller
US7297965B2 (en) 2004-07-14 2007-11-20 Applied Materials, Israel, Ltd. Method and apparatus for sample formation and microanalysis in a vacuum chamber
US7468506B2 (en) * 2005-01-26 2008-12-23 Applied Materials, Israel, Ltd. Spot grid array scanning system
JP5127148B2 (ja) 2006-03-16 2013-01-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンビーム加工装置
JP5039961B2 (ja) 2007-04-24 2012-10-03 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 三次元画像構築方法
US20090296073A1 (en) 2008-05-28 2009-12-03 Lam Research Corporation Method to create three-dimensional images of semiconductor structures using a focused ion beam device and a scanning electron microscope
JP5969233B2 (ja) * 2012-03-22 2016-08-17 株式会社日立ハイテクサイエンス 断面加工観察方法及び装置
DE102012217761B4 (de) * 2012-09-28 2020-02-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zur Vermeidung von Artefakten beim Serial Block Face Imaging
JP6199978B2 (ja) * 2012-10-05 2017-09-20 エフ・イ−・アイ・カンパニー 高アスペクト比構造体の分析
EP2903773B1 (en) 2012-10-05 2016-08-31 Fei Company Bulk deposition for tilted mill protection
WO2014106182A1 (en) * 2012-12-31 2014-07-03 Fei Company Fiducial design for tilted or glancing mill operations with a charged particle beam
US9064811B2 (en) 2013-05-28 2015-06-23 Fei Company Precursor for planar deprocessing of semiconductor devices using a focused ion beam
JP6290559B2 (ja) 2013-09-03 2018-03-07 株式会社日立ハイテクサイエンス 断面加工観察方法、断面加工観察装置
JP6556993B2 (ja) * 2013-10-29 2019-08-07 エフ・イ−・アイ・カンパニー 断面形成用途のプロセス自動化のためのパターン認識を伴う差分画像化
KR101539738B1 (ko) 2013-12-27 2015-08-06 구정회 주사전자 현미경
EP2963672A1 (en) * 2014-06-30 2016-01-06 FEI Company Computational scanning microscopy with improved resolution
KR102410666B1 (ko) 2015-01-09 2022-06-20 삼성전자주식회사 반도체 소자의 계측 방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
JP6487225B2 (ja) 2015-01-30 2019-03-20 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置および欠陥検査システム

Also Published As

Publication number Publication date
TWI834701B (zh) 2024-03-11
JP7550136B2 (ja) 2024-09-12
WO2020033170A1 (en) 2020-02-13
US10811219B2 (en) 2020-10-20
CN112585735A (zh) 2021-03-30
TW202020922A (zh) 2020-06-01
JP2021532562A (ja) 2021-11-25
US20200051777A1 (en) 2020-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210030987A (ko) 객체의 구역을 평가하기 위한 방법
US20200134857A1 (en) Determining positions and orientations of objects
TWI684921B (zh) 圖案檢查裝置及圖案檢查方法
US20150279615A1 (en) Imaging a Sample with Multiple Beams and Multiple Detectors
JP6722114B2 (ja) 電子ビームシステムを使用した関心領域の検査
JP6300723B2 (ja) 並行処理のために顕微鏡画像を区画化するシステムおよび方法
JP6202147B2 (ja) 曲線検出方法と曲線検出装置
US20160003965A1 (en) X-ray backscattering safety inspection system having distributed x-ray source and method using the same
US9342867B2 (en) Apparatus and method for reconstructing super-resolution three-dimensional image from depth image
Kiy Segmentation and detection of contrast objects and their application in robot navigation
JP2023099010A (ja) サンプルをスキャンするための荷電粒子ビームシステム
US9165376B2 (en) System, method and computer readable medium for detecting edges of a pattern
JP2019515362A (ja) 多次元データの画像分析のためのシステムおよび方法
US9490101B2 (en) System and method for scanning an object
US5293433A (en) Method and device for detecting patterns adapted automatically for the level of noise
KR20190140413A (ko) 비-전도성 영역에 형성된 홀의 높이 프로파일의 측정
US20020191831A1 (en) System and process for analyzing surface defects
CN109839391B (zh) 检测缺陷的方法和用于执行该方法的设备
US20160322195A1 (en) Inspection of regions of interest using an electron beam system
US20160330437A1 (en) Method and apparatus for calibrating multiple cameras using mirrors
TW202307421A (zh) 帶電粒子檢測中之影像失真校正
WO2018173365A1 (ja) 画像処理方法および画像処理装置
JP7124156B2 (ja) オーバーレイモニタリング
US11403872B2 (en) Time-of-flight device and method for identifying image using time-of-flight device
KR102323324B1 (ko) 검사 시스템을 구성하기 위한 컴퓨터화된 방법, 컴퓨터 프로그램 제품 및 검사 시스템