KR20210029402A - Delay line, delay locked loop circuit and semiconductor apparatus using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 집적 회로 기술에 관한 것으로, 더 상세하게는 지연 라인, 지연 고정 루프 회로 및 이를 이용하는 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an integrated circuit technology, and more particularly, to a delay line, a delay locked loop circuit, and a semiconductor device using the same.
전자장치는 많은 전자 구성요소를 포함하고 있고, 그 중 컴퓨터 시스템은 반도체로 구성된 많은 반도체 장치들을 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템을 구성하는 반도체 장치들은 클럭 신호와 데이터를 전송 및 수신하여 서로 통신할 수 있다. 상기 반도체 장치들은 클럭 신호에 동기되어 동작할 수 있다. 상기 반도체 장치들은 외부 장치 (즉, 또 다른 반도체 장치)와 시스템 클럭 신호를 서로 전송 및/또는 수신하고, 상기 시스템 클럭 신호에 동기하여 데이터를 전송 및 수신할 수 있다. 상기 반도체 장치들은 클럭 버퍼 및/또는 수신기를 구비하여 상기 시스템 클럭 신호를 수신하고, 수신된 시스템 클럭 신호를 데이터 입출력 동작과 관련된 내부 회로와 클럭 신호에 동기되어 동작하는 내부 회로로 전송할 수 있다. 따라서, 상기 반도체 장치들의 내부에서 발생되는 지연 시간으로 인해 상기 내부 회로들이 수신하는 클럭 신호와 상기 시스템 클럭 신호의 사이에는 위상 차이가 발생할 수 있다. 따라서, 반도체 장치들은 위와 같은 위상 차이를 보상할 수 있도록 지연 고정 루프 회로를 구비하고 있다. 일반적으로, 디지털 제어 지연 라인 (digital controlled delay line)을 사용하는 디지털 지연 고정 루프 (digital delay locked loop)와 전압 제어 지연 라인 (voltage controlled delay line)을 사용하는 아날로그 지연 고정 루프 (analog delay locked loop)가 상기 지연 고정 루프 회로로 사용되고 있다.Electronic devices include many electronic components, and among them, a computer system may include many semiconductor devices composed of semiconductors. Semiconductor devices constituting a computer system may communicate with each other by transmitting and receiving clock signals and data. The semiconductor devices may operate in synchronization with a clock signal. The semiconductor devices may transmit and/or receive an external device (ie, another semiconductor device) and a system clock signal from each other, and transmit and receive data in synchronization with the system clock signal. The semiconductor devices may include a clock buffer and/or a receiver to receive the system clock signal and transmit the received system clock signal to an internal circuit related to a data input/output operation and an internal circuit that operates in synchronization with the clock signal. Accordingly, a phase difference may occur between a clock signal received by the internal circuits and the system clock signal due to a delay time generated inside the semiconductor devices. Accordingly, semiconductor devices are provided with a delay locked loop circuit to compensate for the above phase difference. Typically, a digital delay locked loop using a digital controlled delay line and an analog delay locked loop using a voltage controlled delay line. Is used as the delay locked loop circuit.
본 발명의 실시예는 디지털 지연 고정 루프를 통해 지연 고정 동작을 수행하고, 아날로그 지연 고정 루프를 통해 복수의 내부 클럭 신호를 생성할 수 있는 지연 고정 루프 회로 및 이를 이용하는 반도체 장치를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a delay locked loop circuit capable of performing a delay fixing operation through a digital delay locked loop and generating a plurality of internal clock signals through an analog delay locked loop, and a semiconductor device using the same.
본 발명의 실시예는 아날로그 지연 고정 루프가 본질적으로 갖고 있는 미스매치를 보상할 수 있는 보정 회로를 포함하는 지연 고정 루프 회로 및 이를 이용하는 반도체 장치를 제공할 수 있다. Embodiments of the present invention can provide a delay locked loop circuit including a correction circuit capable of compensating for mismatch inherent in an analog delay locked loop, and a semiconductor device using the same.
본 발명의 실시예는 피드백 방식을 사용하여 출력 신호의 스윙 폭을 개선할 수 있는 지연 셀, 이를 포함하는 지연 라인, 지연 고정 루프 및 반도체 장치를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a delay cell capable of improving a swing width of an output signal using a feedback method, a delay line including the same, a delay locked loop, and a semiconductor device.
본 발명의 실시예는 클럭 신호의 주파수에 따라 디지털 지연 고정 루프와 아날로그 지연 고정 루프를 선택적 또는 함께 사용하여 지연 고정 동작을 수행할 수 있는 지연 고정 루프 회로 및 이를 이용하는 반도체 장치를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention can provide a delay locked loop circuit capable of performing a delay fixing operation by selectively or together using a digital delay locked loop and an analog delay locked loop according to a frequency of a clock signal, and a semiconductor device using the same.
본 발명의 실시예에 따른 지연 라인은 입력 신호를 반전시켜 제 1 출력 신호를 생성하는 제 1 지연 셀; 및 상기 제 1 출력 신호를 반전시켜 제 2 출력 신호를 생성하는 제 2 지연 셀을 포함하고, 상기 제 1 지연 셀이 상기 제 1 출력 신호를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 지연 제어 전압 및 상기 제 2 출력 신호에 기초하여 조절될 수 있다.A delay line according to an embodiment of the present invention includes: a first delay cell for generating a first output signal by inverting an input signal; And a second delay cell inverting the first output signal to generate a second output signal, wherein a pull-down driving force through which the first delay cell pulls down the first output signal is a delay control voltage and the second output signal Can be adjusted based on
본 발명의 실시예에 따른 지연 라인은 입력 신호를 반전시켜 제 1 출력 신호를 생성하는 제 1 지연 셀; 및 상기 제 1 출력 신호를 반전시켜 제 2 출력 신호를 생성하는 제 2 지연 셀을 포함하고, 상기 제 1 지연 셀이 상기 제 1 출력 신호를 풀업시키는 풀업 구동력은 지연 제어 전압 및 상기 제 2 출력 신호에 기초하여 조절될 수 있다.A delay line according to an embodiment of the present invention includes: a first delay cell for generating a first output signal by inverting an input signal; And a second delay cell inverting the first output signal to generate a second output signal, wherein a pull-up driving force through which the first delay cell pulls up the first output signal is a delay control voltage and the second output signal Can be adjusted based on
본 발명의 실시예에 따른 지연 라인은 입력 신호를 반전시켜 제 1 출력 신호를 생성하는 제 1 지연 셀; 및 상기 제 1 출력 신호를 반전시켜 제 2 출력 신호를 생성하는 제 2 지연 셀을 포함하고, 상기 제 1 지연 셀이 상기 제 1 출력 신호를 풀업시키는 풀업 구동력은 풀업 지연 제어 전압 및 상기 제 2 출력 신호에 기초하여 조절되고, 상기 제 1 지연 셀이 상기 제 1 출력 신호를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 풀다운 지연 제어 전압 및 상기 제 2 출력 신호에 기초하여 조절될 수 있다.A delay line according to an embodiment of the present invention includes: a first delay cell for generating a first output signal by inverting an input signal; And a second delay cell inverting the first output signal to generate a second output signal, wherein a pull-up driving force through which the first delay cell pulls up the first output signal is a pull-up delay control voltage and the second output A pull-down driving force that is adjusted based on a signal and pulls down the first output signal by the first delay cell may be adjusted based on a pull-down delay control voltage and the second output signal.
본 발명의 실시예는 고속으로 동작하는 반도체 장치에서 정밀한 지연 고정 동작을 가능하게 하여 원하는 위상을 갖는 내부 클럭 신호를 생성할 수 있다. 따라서, 반도체 장치의 신뢰성 및 동작 성능을 향상시킬 수 있다. The embodiment of the present invention enables a precise delay fixing operation in a semiconductor device operating at a high speed to generate an internal clock signal having a desired phase. Accordingly, it is possible to improve the reliability and operation performance of the semiconductor device.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 지연 고정 루프 회로의 구성을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 제 2 위상 감지기와 차지 펌프의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 아날로그 지연 고정 루프의 구성을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 타이밍 스큐 감지기의 구성을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4에 도시된 지연 조절기의 구성을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 보정 회로 및 지연 고정 루프의 동작을 보여주는 타이밍도이다.
도 8a는 본 발명의 실시예에 따른 지연 라인의 구성을 보여주는 도면이다.
도 8b는 도 8a에 도시된 지연 라인의 동작을 보여주는 타이밍도이다.
도 9a는 본 발명의 실시예에 따른 지연 라인의 구성을 보여주는 도면이다.
도 9b는 도 9a에 도시된 지연 라인의 동작을 보여주는 도면이다.
도 10a, 도 10b 및 도 10c는 본 발명의 실시예에 따른 지연 라인의 구성을 보여주는 도면이다.
도 11은 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 구성을 보여주는 도면이다.1 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing the configuration of a delay locked loop circuit according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram schematically showing the configuration of the second phase detector and the charge pump shown in FIG. 2.
4 is a diagram showing the configuration of an analog delay locked loop according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram showing the configuration of the timing skew detector shown in FIG. 4.
6 is a diagram showing the configuration of the delay adjuster shown in FIG. 4.
7 is a timing diagram showing an operation of a correction circuit and a delay locked loop according to an embodiment of the present invention.
8A is a diagram showing a configuration of a delay line according to an embodiment of the present invention.
8B is a timing diagram showing the operation of the delay line shown in FIG. 8A.
9A is a diagram showing a configuration of a delay line according to an embodiment of the present invention.
9B is a diagram illustrating an operation of the delay line shown in FIG. 9A.
10A, 10B, and 10C are diagrams showing a configuration of a delay line according to an embodiment of the present invention.
11 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(100)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 상기 반도체 장치(100)는 클럭 신호(CLK)를 수신하여 복수의 내부 클럭 신호를 생성할 수 있다. 상기 클럭 신호(CLK)는 상기 반도체 장치(100)와 연결되는 외부 장치로부터 전송된 외부 클럭 신호일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 클럭 신호(CLK)는 오실레이터와 같은 클럭 생성기로부터 생성된 주기 신호일 수 있다. 상기 반도체 장치(100)는 상기 클럭 신호(CLK)에 대한 지연 고정 동작을 수행하여 상기 복수의 내부 클럭 신호를 생성할 수 있다. 상기 반도체 장치(100)는 적어도 2개의 서로 다른 특성을 갖는 지연 고정 루프를 포함하는 지연 고정 루프 회로를 포함할 수 있다. 상기 지연 고정 루프 회로는 상기 2개의 지연 고정 루프 중 적어도 하나를 통해 상기 클럭 신호(CLK)에 대한 지연 고정 동작을 수행할 수 있다. 상기 2개의 지연 고정 루프는 디지털 지연 고정 루프 (digital delay locked loop)와 아날로그 지연 고정 루프 (analog delay locked loop)를 포함할 수 있다.1 is a diagram showing a configuration of a
상기 반도체 장치(100)는 클럭 수신기(110) 및 지연 고정 루프 회로(120)를 포함할 수 있다. 상기 클럭 수신기(110)는 상기 클럭 신호(CLK)를 수신할 수 있다. 상기 클럭 수신기(110)는 상기 클럭 신호(CLK)를 수신하여 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 출력할 수 있다. 상기 클럭 신호(CLK)는 상보 신호(CLKB)와 함께 차동 신호로 전송될 수도 있고, 싱글 엔디드 신호 (single-ended signal)로 전송될 수도 있다. 상기 클럭 신호(CLK)가 차동 신호로 전송될 때, 상기 클럭 수신기(110)는 상기 클럭 신호(CLK)와 상보 신호(CLKB)를 차동 증폭하여 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 출력할 수 있다. 상기 클럭 신호(CLK)가 싱글 엔디드 신호로 전송될 때, 상기 클럭 수신기(110)는 상기 클럭 신호(CLK)와 기준 전압(VREF)을 차동 증폭하여 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 생성할 수 있다. 상기 기준 전압(VREF)은 상기 클럭 신호(CLK)의 진폭의 중간에 대응하는 전압 레벨을 가질 수 있다.The
상기 지연 고정 루프 회로(120)는 기준 클럭 신호를 수신하고, 상기 기준 클럭 신호에 대한 지연 고정 동작을 수행할 수 있다. 상기 클럭 수신기(110)로부터 생성된 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)는 상기 기준 클럭 신호로 제공될 수 있다. 상기 반도체 장치(100)는 분주 회로(130)를 더 포함할 수 있다. 상기 분주 회로(130)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 수신하고, 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)의 주파수를 분주하여 분주된 클럭 신호를 상기 기준 클럭 신호로 제공할 수 있다. 상기 반도체 장치(100)가 상대적으로 낮은 주파수에서 동작할 때, 상기 지연 고정 루프 회로(120)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 상기 기준 클럭 신호로 수신하여 지연 고정 동작을 수행할 수 있다. 상기 반도체 장치(100)가 상대적으로 높은 주파수에서 동작할 때, 상기 지연 고정 루프(120)는 상기 분주 회로(130)에 의해 분주된 클럭 신호를 상기 기준 클럭 신호로 수신하여 지연 고정 동작을 수행할 수 있다. 상기 분주 회로(130)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 분주하여 제 1 분주 클럭 신호(ICLK), 제 2 분주 클럭 신호(QCLK), 제 3 분주 클럭 신호(IBCLK) 및 제 4 분주 클럭 신호(QBCLK)를 생성할 수 있다. The delay locked
상기 제 1 내지 제 4 분주 클럭 신호(ICLK, QCLK, IBCLK, QBCLK)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)보다 낮은 주파수 및/또는 긴 주기를 가질 수 있다. 상기 제 1 분주 클럭 신호(ICLK)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)와 위상이 동기되는 클럭 신호일 수 있고, 상기 제 2 분주 클럭 신호(QCLK)보다 90도만큼 앞선 위상을 가질 수 있다. 상기 제 2 분주 클럭 신호(QCLK)는 상기 제 3 분주 클럭 신호(IBCLK)보다 90도만큼 앞선 위상을 가질 수 있다. 상기 제 3 분주 클럭 신호(IBCLK)는 상기 제 4 분주 클럭 신호(QBCLK)보다 90도만큼 앞선 위상을 가질 수 있다. 상기 제 4 분주 클럭 신호(QBCLK)는 상기 제 1 분주 클럭 신호(ICLK)보다 90도만큼 앞선 위상을 가질 수 있다. 상기 지연 고정 루프 회로(120)는 상기 제 1 분주 클럭 신호(ICLK)를 상기 기준 클럭 신호로 수신하고, 상기 제 1 분주 클럭 신호(ICLK)에 대한 지연 고정 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 지연 고정 루프 회로(120)는 상기 제 2 분주 클럭 신호(QCLK)를 상기 기준 클럭 신호로 수신하고, 상기 제 2 분주 클럭 신호(QCLK)에 대한 지연 고정 동작을 수행할 수 있다.The first to fourth divided clock signals ICLK, QCLK, IBCLK, and QBCLK may have a lower frequency and/or a longer period than the buffered clock signal CLKR. The first divided clock signal ICLK may be a clock signal whose phase is synchronized with the buffered clock signal CLKR, and may have a phase preceding the second divided clock signal QCLK by 90 degrees. The second divided clock signal QCLK may have a phase ahead of the third divided clock signal IBCLK by 90 degrees. The third divided clock signal IBCLK may have a phase ahead of the fourth divided clock signal QBCLK by 90 degrees. The fourth divided clock signal QBCLK may have a phase ahead of the first divided clock signal ICLK by 90 degrees. The delay locked
상기 지연 고정 루프 회로(120)는 제 1 지연 고정 루프(121) 및 제 2 지연 고정 루프(122)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(121)는 디지털 지연 고정 루프일 수 있고, 상기 제 2 지연 고정 루프(122)는 아날로그 지연 고정 루프일 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(121)는 상기 기준 클럭 신호와 내부 기준 클럭 신호를 수신할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(121)는 상기 기준 클럭 신호와 상기 내부 기준 클럭 신호에 기초하여 상기 기준 클럭 신호에 대한 지연 고정 동작을 수행하여 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 지연 고정 루프(122)는 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL) 및 상기 내부 기준 클럭 신호를 수신할 수 있다. 상기 제 2 지연 고정 루프(122)는 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL) 및 상기 내부 기준 클럭 신호를 수신하고, 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)에 대한 지연 고정 동작을 수행하여 상기 내부 기준 클럭 신호를 생성할 수 있다.The delay locked
상기 제 1 지연 고정 루프(121)는 모델링된 지연 시간을 보상할 수 있도록 상기 기준 클럭 신호를 지연시켜 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 지연 고정 루프(122)는 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)의 위상을 조절하고, 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)로부터 서로 다른 위상을 갖는 복수의 내부 클럭 신호를 생성할 수 있다. 상기 복수의 내부 클럭 신호는 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD), 제 2 내부 클럭 신호(QCLKD), 제 3 내부 클럭 신호(IBCLKD) 및 제 4 내부 클럭 신호(QBCLKD)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)는 상기 내부 기준 클럭 신호로 제공될 수 있고, 상기 제 2 내부 클럭 신호(QCLKD)보다 90도만큼 빠른 위상을 가질 수 있다. 상기 제 2 내부 클럭 신호(QCLKD)는 상기 제 3 내부 클럭 신호(IBCLKD)보다 90도만큼 빠른 위상을 가질 수 있다. 상기 제 3 내부 클럭 신호(IBCLKD)는 상기 제 4 내부 클럭 신호(QBCLKD)보다 90도만큼 빠른 위상을 가질 수 있다. 상기 제 4 내부 클럭 신호(QBCLKD)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)보다 90도만큼 빠른 위상을 가질 수 있다. 상기 제 1 내지 제 4 내부 클럭 신호(ICLK, QCLK, IBCLK, QBCLK)는 상기 반도체 장치(100)가 포함하는 다양한 내부 회로 중에서 클럭 신호에 동기되어 동작하는 내부 회로들로 제공될 수 있다. 이하에서, 상기 내부 기준 클럭 신호와 상기 내부 클럭 신호는 동일한 클럭 신호를 가리키는 명칭으로 사용될 수 있다.The first delay locked
일반적으로 디지털 지연 고정 루프는 빠른 지연 고정 동작이 가능하고, 아날로그 지연 고정 루프에 비해 넓은 주파수 대역의 클럭 신호에 대한 지연 고정 동작을 수행할 수 있다. 하지만, 하나의 지연 라인을 구비하는 지연 고정 루프를 통해 일정한 주파수 이상의 클럭 신호에 대한 지연 고정 동작을 수행하기 어려운 문제점이 있다. 위와 같은 문제점을 해결하기 위해 2개의 지연 라인을 구비하는 듀얼 지연 고정 루프가 설계되었으나, 2개의 지연 라인 사이의 공정 변동에 따라 상기 지연 고정 루프로부터 생성되는 복수의 내부 클럭 신호의 위상에 스큐가 발생하기 쉽다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(100)는 디지털 지연 고정 루프와 아날로그 지연 고정 루프를 모두 구비하는 지연 고정 루프 회로(120)를 채용하여 높은 주파수를 갖는 클럭 신호에 대한 지연 고정 동작을 가능하게 하고, 정확한 위상 차이를 갖는 복수의 내부 클럭 신호가 생성될 수 있도록 한다.In general, a digital delay locked loop can perform a fast delay fixing operation and can perform a delay fixing operation on a clock signal of a wide frequency band compared to an analog delay locked loop. However, there is a problem in that it is difficult to perform a delay fixing operation for a clock signal of a certain frequency or higher through a delay locked loop having one delay line. To solve the above problem, a dual delay locked loop having two delay lines was designed, but skew occurs in the phases of the plurality of internal clock signals generated from the delay locked loop according to the process variation between the two delay lines. easy to do. Accordingly, the
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 지연 고정 루프 회로(200)의 구성을 보여주는 도면이다. 상기 지연 고정 루프 회로(200)는 도 1에 도시된 지연 고정 루프 회로(120)로 적용될 수 있다. 도 2를 참조하면, 상기 지연 고정 루프 회로(200)는 제 1 지연 고정 루프(210) 및 제 2 지연 고정 루프(220)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(210)는 디지털 지연 고정 루프일 수 있고, 상기 제 2 지연 고정 루프(220)는 아날로그 지연 고정 루프일 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(210)는 기준 클럭 신호(REFCLK) 및 내부 클럭 신호(ICLKD)를 수신하고, 상기 기준 클럭 신호(REFCLK) 및 상기 내부 클럭 신호(ICLKD)에 기초하여 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)에 대한 지연 고정 동작을 수행하여 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 지연 고정 루프(220)는 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)를 수신하고, 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)에 대한 지연 고정 동작을 수행하여 제 1 내지 제 4 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 내지 제 4 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD) 중에서 하나는 상기 내부 기준 클럭 신호로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLK)는 상기 내부 기준 클럭 신호로 사용될 수 있다.2 is a diagram showing the configuration of a delay locked
상기 제 1 지연 고정 루프(210)는 제 1 지연 라인(211), 레플리카(212), 제 1 위상 감지기(213) 및 지연 제어기(214)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 지연 라인(211)은 상기 기준 클럭 신호(REFCLK) 및 지연 제어 신호(DC)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 지연 라인(211)은 상기 지연 제어 신호(DC)에 기초하여 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)를 지연시켜 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 지연 라인(211)은 디지털 제어 지연 라인 (digitally controlled delay line)일 수 있다. 상기 제 1 지연 라인(211)의 지연량은 상기 지연 제어 신호(DC)에 기초하여 설정될 수 있다. 상기 제 1 지연 라인(211)은 상기 지연 제어 신호(DC)에 의해 설정된 지연량만큼 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)를 지연시켜 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)를 생성할 수 있다.The first delay locked
상기 레플리카(212)는 상기 내부 기준 클럭 신호로 상기 내부 클럭 신호(ICLKD)를 수신할 수 있다. 상기 레플리카(212)는 상기 내부 클럭 신호(ICLKD)를 지연시켜 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)를 생성할 수 있다. 상기 레플리카(212)는 도 1에 도시된 반도체 장치(100) 내부에서 상기 클럭 신호(CLK)가 전송되는 전송 경로를 모델링하여 설계될 수 있다. 따라서, 상기 레플리카(212)는 상기 클럭 신호(CLK)가 전송되는 경로에 의해 발생되는 지연 시간에 대응하는 지연량을 가질 수 있다. 상기 레플리카(212)는 상기 내부 기준 클럭 신호를 모델링된 지연 시간만큼 지연시켜 상기 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)를 생성할 수 있다.The replica 212 may receive the internal clock signal ICLKD as the internal reference clock signal. The replica 212 may generate a first feedback clock signal FBCLK1 by delaying the internal clock signal ICLKD. The replica 212 may be designed by modeling a transmission path through which the clock signal CLK is transmitted inside the
상기 제 1 위상 감지기(213)는 상기 기준 클럭 신호(REFCLK) 및 상기 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 위상 감지기(213)는 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)와 상기 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)의 위상을 비교하여 제 1 위상 감지 신호(PD1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 위상 감지기(213)는 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)의 위상이 상기 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)의 위상보다 앞서는지 또는 늦는지 여부에 따라 상기 제 1 위상 감지 신호(PD1)의 로직 레벨을 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 위상 감지기(213)는 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)의 위상이 상기 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)의 위상보다 앞서는 경우 로직 하이 레벨을 갖는 상기 제 1 위상 감지 신호(PD1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 위상 감지기(213)는 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)의 위상이 상기 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)의 위상보다 늦는 경우 로직 로우 레벨을 갖는 상기 제 1 위상 감지 신호(PD1)를 생성할 수 있다. The
상기 지연 제어기(214)는 상기 제 1 위상 감지 신호(PD1)를 수신하여 상기 지연 제어 신호(DC)를 생성할 수 있다. 상기 지연 제어 신호(DC)는 복수의 비트를 포함하는 디지털 코드 신호일 수 있다. 상기 지연 제어기(214)는 상기 제 1 위상 감지 신호(PD1)에 기초하여 상기 지연 제어 신호(DC)의 코드 값을 변화시킬 수 있다. 상기 제 1 지연 라인(211)의 지연량은 상기 지연 제어 신호(DC)의 값에 따라 증가될 수도 있고, 감소될 수도 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(210)는 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)와 상기 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)의 위상이 일치될 때까지 상기 지연 제어 신호(DC)의 값을 변화시켜 지연 고정 동작을 수행할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(210)는 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)와 상기 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)의 위상이 일치할 때, 상기 지연 제어 신호(DC)의 값을 고정시키고 락킹될 수 있다. The
상기 제 2 지연 고정 루프(220)는 제 2 지연 라인(221), 제 2 위상 감지기(222) 및 차지 펌프(223)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)은 상기 제 1 지연 고정 루프(210)에서 출력된 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)은 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)를 지연시켜 복수의 지연 클럭 신호를 생성할 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)은 전압 제어 지연 라인 (voltage controller delay line)일 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)의 지연량은 아날로그 신호인 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 설정될 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 의해 설정된 지연량만큼 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)를 지연시켜 상기 복수의 지연 클럭 신호를 생성할 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)은 상기 복수의 지연 클럭 신호 중 4개를 상기 제 1 내지 제 4 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD)로 출력할 수 있고, 상기 복수의 지연 클럭 신호 중 다른 하나를 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)로 출력할 수 있다. The second
상기 제 2 지연 라인(221)은 복수의 지연 셀을 포함할 수 있다. 도 2에서, 상기 제 2 지연 라인이 9개의 지연 셀들(DC1, DC2, DC3, DC4, DC5, DC6, DC7, DC8, DC9)을 구비하는 것을 예시하였으나, 이에 한정하려는 의도는 아니며, 상기 제 2 지연 라인(221)이 구비하는 지연 셀의 개수는 9개보다 적을수도 있고, 9개보다 많을 수도 있다. 도 1을 함께 참조하면, 하나의 지연 셀은 상기 클럭 신호(CLK)의 1/4 주기에 대응하는 지연 시간을 갖도록 설정될 수 있다. 상기 분주 회로(130)에 의해 분주된 제 1 분주 클럭 신호(ICLK) 및 제 2 분주 클럭 신호(QCLK) 중 하나가 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)로 제공될 때, 상기 하나의 지연 셀은 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)의 1/8 주기에 대응하는 지연 시간을 갖도록 설정될 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)은 첫 번째 지연 셀(DC1)로부터 출력되는 지연 클럭 신호를 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)로 출력할 수 있다. 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)는 상기 내부 기준 클럭 신호로 제공될 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)은 세 번째 지연 셀(DC3)로부터 출력되는 지연 클럭 신호를 상기 제 2 내부 클럭 신호(QCLKD)로 출력할 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)은 다섯 번째 지연 셀(DC5)로부터 출력되는 지연 클럭 신호를 상기 제 3 내부 클럭 신호(IBCLKD)로 출력할 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)은 일곱 번째 지연 셀(DC7)로부터 출력되는 지연 클럭 신호를 상기 제 4 내부 클럭 신호(QBCLKD)로 출력할 수 있다. 상기 제 2 지연 라인(221)은 마지막 지연 셀(DC9)로부터 출력되는 지연 클럭 신호를 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)로 제공할 수 있다. The
상기 제 2 위상 감지기(222)는 상기 내부 기준 클럭 신호 및 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 위상 감지기(222)는 상기 내부 기준 클럭 신호로 제공된 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)의 위상에 기초하여 제 2 위상 감지 신호(PD2)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 위상 감지 신호(PD2)는 예를 들어, 업 신호(UP) 및 다운 신호(DN)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 위상 감지기(222)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상에 기초하여 상기 업 신호(UP)를 인에이블시키고, 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)의 위상에 기초하여 상기 다운 신호(DN)를 인에이블시킬 수 있다. 상기 제 2 위상 감지기(222)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상이 로직 로우 레벨에서 로직 하이 레벨로 천이할 때, 상기 업 신호(UP)를 인에이블시킬 수 있다. 상기 제 2 위상 감지기(222)는 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)의 위상이 로직 로우 레벨에서 로직 하이 레벨로 천이할 때, 상기 다운 신호(DN)를 인에이블시킬 수 있다. 상기 제 2 위상 감지기(222)는 소정 시간이 경과되면 상기 업 신호(UP) 및 상기 다운 신호(DN)를 리셋시킬 수 있다. 상기 제 2 위상 감지기(222)는 상기 업 신호(UP) 및 상기 다운 신호(DN) 중에서 늦게 인에이블되는 신호가 인에이블되는 시점으로부터 상기 소정 시간이 경과하면 상기 업 신호(UP) 및 상기 다운 신호(DN)를 모두 디스에이블시킬 수 있다. 상기 소정 시간은 상기 기준 클럭 신호(REFCLK) 및/또는 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)의 1/2 주기에 대응하는 시간보다 짧을 수 있다.The
상기 차지 펌프(223)는 상기 제 2 위상 감지 신호(PD2)를 수신하고, 상기 제 2 위상 감지 신호(PD2)에 기초하여 상기 지연 제어 전압(VC)을 생성할 수 있다. 상기 차지 펌프(223)는 상기 업 신호(UP)에 기초하여 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨을 상승시킬 수 있고, 상기 다운 신호(DN)에 기초하여 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨을 하강시킬 수 있다. 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨이 상승하면, 상기 제 2 지연 라인(222)을 구성하는 지연 셀들(DC1-DC9)의 지연 시간은 감소될 수 있다. 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨이 하강하면, 상기 제 2 지연 라인(222)을 구성하는 지연 셀들(DC1-DC9)의 지연 시간은 증가될 수 있다. 상기 제 2 지연 고정 루프(220)는 상기 내부 기준 클럭 신호와 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)의 위상이 일치될 때까지 상기 지연 제어 전압(VC)의 값을 변화시켜 지연 고정 동작을 수행할 수 있다. 상기 제 2 지연 고정 루프(220)는 상기 내부 기준 클럭 신호와 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)의 위상이 일치할 때, 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨을 고정시키고 락킹될 수 있다.The
도 3은 도 2에 도시된 제 2 위상 감지기(222)와 차지 펌프(223)의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다. 상기 제 2 위상 감지기(222)는 제 1 복수의 드라이버(311) 및 제 2 복수의 드라이버(312)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 복수의 드라이버(311)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 수신하고, 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 드라이빙하여 상기 업 신호(UP)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 복수의 드라이버(312)는 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)를 수신하고, 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)를 드라이빙하여 상기 다운 신호(DN)를 생성할 수 있다. 3 is a diagram schematically showing the configuration of the
상기 차지 펌프(223)는 풀업 전류원(321), 풀다운 전류원(322), 캐패시터(323), 제 1 스위치(324) 및 제 2 스위치(325)를 포함할 수 있다. 상기 풀업 전류원(321)은 고전압(VH)이 공급되는 단자와 출력 노드(ON) 사이에 연결되고, 풀업 전류(IUP)를 생성할 수 있다. 상기 출력 노드(ON)로부터 상기 지연 제어 전압(VC)이 생성될 수 있다. 상기 풀업 전류원(321)은 바이어스 전압 또는 전류 제어 신호를 수신하는 적어도 하나의 P 채널 모스 트랜지스터로 구현될 수 있다. 상기 풀다운 전류원(322)은 상기 출력 노드(ON)와 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결되고, 풀다운 전류(IDN)를 생성할 수 있다. 상기 저전압(VL)은 상기 고전압(VH)보다 낮은 전압 레벨을 가질 수 있다. 상기 풀다운 전류원(322)은 바이어스 전압 또는 전류 제어 신호를 수신하는 적어도 하나의 N 채널 모스 트랜지스터로 구현될 수 있다. 상기 캐패시터(323)는 일 단이 상기 출력 노드(ON)와 연결되고, 타 단이 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 캐패시터(323)에 충전된 전하량에 따라 상기 출력 노드(ON) 및 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨이 변화될 수 있다. The
상기 제 1 스위치(324)는 상기 업 신호(UP)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 스위치(324)는 상기 업 신호(UP)에 기초하여 상기 풀업 전류원(321)을 상기 출력 노드(ON)와 연결할 수 있다. 상기 제 1 스위치(324)가 상기 업 신호(UP)에 기초하여 턴온되었을 때, 상기 풀업 전류(IUP)가 상기 출력 노드(ON)로 공급되고, 상기 캐패시터(323)가 충전될 수 있다. 따라서, 상기 출력 노드(ON) 및 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨이 상승할 수 있다. 상기 제 2 스위치(325)는 상기 다운 신호(DN)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 스위치(325)는 상기 다운 신호(DN)에 기초하여 상기 풀다운 전류원(322)을 상기 출력 노드(ON)와 연결할 수 있다. 상기 제 2 스위치(325)가 상기 다운 신호(DN)에 기초하여 턴온되었을 때, 상기 풀다운 전류(IDN)가 상기 출력 노드(ON)로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르고, 상기 캐패시터(323)는 디스차지될 수 있다. 따라서, 상기 출력 노드(ON) 및 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨은 하강할 수 있다. The
상기 제 2 위상 감지기(222)에서, 상기 제 1 복수의 드라이버(311)와 상기 제 2 복수의 드라이버(312) 사이에는 국소 공정 변동 (local process variation)에 따라 지연 미스매치 (delay mismatch)가 발생할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 라이징 에지에 따라 상기 업 신호(UP)가 인에이블되는 시간과 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)의 라이징 에지에 따라 상기 다운 신호(DN)가 인에이블되는 시간 사이에는 오차가 발생될 수 있다. 또한, 상기 차지 펌프(321)의 풀업 전류원(IUP)은 P 채널 모스 트랜지스터로 구성되는데 비해 풀다운 전류원(322)은 N 채널 모스 트랜지스터로 구성되므로, 트랜지스터들의 사이즈를 조절하여 설계를 하여도 풀업 전류(IUP)의 크기와 풀다운 전류(IDN)의 크기 사이에는 오차가 발생될 수 있다. 따라서, 도 2에 도시된 상기 제 2 지연 고정 루프(220)가 지연 고정 동작을 완료하여도 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2) 사이에는 위상 오차가 발생될 수 밖에 없다. 상기 위상 오차는 다음과 같은 식으로 표현될 수 있다.In the
Δt2 = ΔtMIS + tRESET * (1-IUP/IDN)Δt2 = Δt MIS + t RESET * (1-IUP/IDN)
여기서, Δt2 는 상기 제 2 지연 고정 루프가 락킹되었을 때 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2) 사이의 위상 오차일 수 있고, ΔtMIS 는 상기 제 2 위상 감지기(222)에 의한 지연 미스매치일 수 있으며, tRESET 은 상기 업 신호(UP) 및 상기 다운 신호(DN)를 리셋시키는 상기 소정 시간에 대응할 수 있다. 일반적으로, Δt2 를 개선하기 위해서, 차지 펌프에서 상기 지연 제어 전압을 생성하기 위해 공급되는 풀업 전류와 풀다운 전류의 크기를 조절하는 방식이 사용된다. 하지만, 차지 펌프의 전류 크기를 조절하는 방식은 고 분해능 (high resolution)을 구현하기 어렵고 조절된 풀업 전류와 풀다운 전류 사이에도 다시 미스매치가 발생될 수 있기 때문에, 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD) 및 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2) 사이의 위상 오차를 근본적으로 해결하기 어렵다.Here, Δt2 may be a phase error between the first internal clock signal ICLKD and the second feedback clock signal FBCLK2 when the second delay locked loop is locked, and Δt MIS is the second phase detector ( 222) may be a delay mismatch, and t RESET may correspond to the predetermined time for resetting the up signal UP and the down signal DN. In general, in order to improve Δt2, a method of adjusting the magnitudes of the pull-up current and the pull-down current supplied to generate the delay control voltage from a charge pump is used. However, since it is difficult to implement high resolution and a mismatch may occur again between the adjusted pull-up current and the pull-down current, the first internal clock signal ICLKD And it is difficult to fundamentally solve a phase error between the second feedback clock signal FBCLK2.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 아날로그 지연 고정 루프(400)의 구성을 보여주는 도면이다. 상기 아날로그 지연 고정 루프(400)는 도 1에 도시된 제 2 지연 고정 루프(122)로 적용될 수 있고, 도 2에 도시된 제 2 지연 고정 루프(220)를 대체할 수 있다. 상기 아날로그 지연 고정 루프(400)는 지연 라인(410), 보정 회로(420), 위상 감지기(430) 및 차지 펌프(440)를 포함할 수 있다. 상기 지연 라인(410)은 기준 클럭 신호(REFCLK) 및 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 아날로그 지연 고정 루프(400)가 도 2에 도시된 제 2 지연 고정 루프(220)를 대체하였을 때, 상기 기준 클럭 신호(REFCLK)는 상기 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL)에 대응할 수 있다. 상기 지연 라인(410)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 기준 클럭 신호(REFNCLK)를 지연시켜 복수의 지연 클럭 신호를 생성할 수 있다. 상기 지연 라인(410)은 상기 복수의 지연 클럭 신호 중 하나를 내부 기준 클럭 신호로 출력할 수 있고, 상기 복수의 지연 클럭 신호 중 다른 하나를 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)로 출력할 수 있다. 상기 지연 라인(410)은 상기 복수의 지연 클럭 신호 중 4개를 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD), 제 2 내부 클럭 신호(QCLKD), 제 3 내부 클럭 신호(IBCLKD) 및 제 4 내부 클럭 신호(QBCLKD)를 생성하고, 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)는 상기 내부 기준 클럭 신호로 제공될 수 있다. 상기 지연 라인(410)은 복수의 지연 셀(DC1-DC9)을 포함하고, 상기 복수의 지연 셀로부터 상기 복수의 지연 클럭 신호가 각각 출력될 수 있다. 상기 지연 라인(410)의 구성요소는 도 2에 도시된 제 2 지연 라인(221)의 구성요소와 동일할 수 있고, 동일한 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 4 is a diagram showing the configuration of an analog delay locked
상기 보정 회로(420)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD) 및 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 수신할 수 있다. 상기 보정 회로(420)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD) 및 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상에 기초하여 상기 기준 클럭 신호로부터 지연 기준 클럭 신호(REFD)를 생성하고 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)로부터 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 생성할 수 있다. 상기 보정 회로(420)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD) 및 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 상대적인 위상에 따라 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 지연량 및 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 보정 회로(420)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD) 및 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK) 중에서 더 늦은 위상을 갖는 클럭 신호를 더 긴 시간 동안 지연시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 보정 회로(420)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상이 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상보다 앞설 때, 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 제 1 시간만큼 지연시켜 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)를 생성하고, 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 제 2 시간만큼 지연시켜 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 시간은 상기 제 1 시간보다 긴 시간일 수 있다. 상기 보정 회로(420)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상이 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상보다 늦을 때, 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 상기 제 2 시간만큼 지연시켜 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)를 생성하고, 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 상기 제 1 시간만큼 지연시켜 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 생성할 수 있다.The
상기 위상 감지기(430)는 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD) 및 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 수신할 수 있다. 상기 위상 감지기(430)는 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)와 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)의 위상을 감지하여 위상 감지 신호(PD)를 생성할 수 있다. 상기 위상 감지 신호(PD)는 업 신호(UP) 및 다운 신호(DN)를 포함할 수 있다. 상기 차지 펌프(440)는 상기 위상 감지 신호(PD)에 기초하여 상기 지연 제어 전압(VC)을 생성할 수 있다. 상기 위상 감지기(430) 및 상기 차지 펌프(440)는 도 2 및 도 3에 도시된 제 2 위상 감지기(222) 및 차지 펌프(223)와 동일한 구성요소를 포함하고 동일한 기능을 수행할 수 있다. 동일한 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. The
상기 보정 회로(420)는 타이밍 스큐 감지기(421), 캘리브레이션 신호 생성기(422) 및 지연 조절기(423)를 포함할 수 있다. 상기 타이밍 스큐 감지기(421)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상과 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상 차이를 감지할 수 있다. 상기 타이밍 스큐 감지기(421)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상과 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상을 감지하여 제 1 위상 조절 신호(FEBINC) 및 제 2 위상 조절 신호(REFINC)를 생성할 수 있다. 상기 타이밍 스큐 감지기(421)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD) 및 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상을 감지하여 제 1 스큐 감지 신호 및 제 2 스큐 감지 신호를 생성하고, 상기 제 1 및 제 2 스큐 감지 신호의 로직 레벨이 적어도 단위 시간의 2배에 대응하는 시간 동안 유지되는지 여부에 따라 상기 제 1 위상 조절 신호(FEBINC) 및 상기 제 2 위상 조절 신호(REFINC)를 생성할 수 있다. 상기 단위 사이클의 2배에 대응하는 시간은 상기 보정 회로(420)의 루프 대역폭 (Loop Bandwidth)일 수 있고, 상기 보정 회로(420)가 업데이트되는 주기를 의미할 수 있다. 상기 보정 회로(420)의 루프 대역폭은 상기 지연 고정 루프(400)의 루프 대역폭보다 작을 수 있고, 상기 보정 회로(420)가 업데이트되는 주기는 상기 지연 고정 루프(400)가 업데이트되는 주기보다 길 수 있다. 일 실시예에서, 상기 보정 회로(420)의 루프 대역폭은 상기 단위 사이클의 3배 이상으로 설정될 수도 있다. 상기 단위 사이클은 상기 지연 라인(410)에서 생성되는 상기 복수의 지연 클럭 신호에 기초하여 결정될 수 있다. 상기 단위 사이클에 대해서는 후술하기로 한다.The
상기 캘리브레이션 신호 생성기(422)는 상기 제 1 위상 조절 신호(FEBINC) 및 상기 제 2 위상 조절 신호(REFINC)를 수신하여 캘리브레이션 신호(CAL<1:2N>)를 생성할 수 있다. 상기 캘리브레이션 신호(CAL<1:2N>)는 복수의 비트를 포함하는 디지털 코드 신호일 수 있다. 상기 캘리브레이션 신호 생성기(422)는 상기 제 1 위상 조절 신호(FEBINC)에 기초하여 상기 캘리브레이션 신호(CAL<1:2N>)의 일부의 값을 변화시킬 수 있다. 상기 캘리브레이션 신호 생성기(422)는 상기 제 2 위상 조절 신호(REFINC)에 기초하여 상기 캘리브레이션 신호(CAL<1:2N>)의 나머지의 값을 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 캘리브레이션 신호(CAL<1:2N>)는 2N 개의 비트를 포함할 수 있다. 여기서, N은 2 이상의 정수일 수 있다. 상기 캘리브레이션 신호 생성기(422)는 상기 제 1 위상 조절 신호(FEBINC)에 기초하여 상기 캘리브레이션 신호의 제 1 내지 제 N 비트(CAL<1:N>)의 값을 변화시킬 수 있고, 상기 제 2 위상 조절 신호(REFINC)에 기초하여 상기 캘리브레이션 신호의 제 N+1 내지 제 2N 비트(CAL<N+1:2N>)의 값을 변화시킬 수 있다. 상기 캘리브레이션 신호 생성기(422)는 상기 제 1 및 제 2 위상 조절 신호(FEBINC, REFINC)를 디코딩하고 디코딩된 결과에 따라 상기 캘리브레이션 신호의 제 1 내지 제 2N 비트(CAL<1:2N>)의 값을 변화시킬 수 있도록 디코딩 회로와 쉬프트 레지스터 회로와 같은 구성요소를 포함할 수 있다.The
상기 지연 조절기(423)는 상기 캘리브레이션 신호(CAL<1:2N>)를 수신할 수 있다. 상기 지연 조절기(423)는 상기 캘리브레이션 신호(CAL<1:2N>)의 일부에 기초하여 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 지연시켜 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)를 생성하고, 상기 캘리브레이션 신호(CAL<1:2N)의 나머지에 기초하여 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 지연시켜 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 생성할 수 있다. 상기 지연 조절기(423)는 상기 캘리브레이션 신호의 제 1 내지 제 N 비트(CAL<1:N>)에 기초하여 설정된 지연량만큼 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 지연시켜 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)를 생성할 수 있다. 상기 지연 조절기(423)는 상기 캘리브레이션 신호의 제 N+1 내지 제 2N 비트(CAL<N+1:2N>)에 기초하여 설정된 지연량만큼 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 지연시켜 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 생성할 수 있다. The
도 5는 도 4에 도시된 타이밍 스큐 감지기(421)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 상기 타이밍 스큐 감지기(421)는 스큐 감지기(510), 필터(520) 및 위상 조절 신호 생성기(530)를 포함할 수 있다. 상기 스큐 감지기(510)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD) 및 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상을 감지하여 제 1 스큐 감지 신호(SKW1) 및 제 2 스큐 감지 신호(SKW2)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 스큐 감지 신호(SKW1)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상이 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상보다 앞서는지 또는 늦는지 여부에 대한 정보를 포함할 수 있다. 상기 제 2 스큐 감지 신호(SKW2)는 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상이 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상보다 앞서는지 또는 늦는지 여부에 대한 정보를 포함할 수 있다. 5 is a view showing the configuration of the
상기 필터(520)는 상기 제 1 스큐 감지 신호(SKW1) 및 상기 제 2 스큐 감지 신호(SKW2)를 수신할 수 있다. 상기 필터(520)는 상기 제 1 스큐 감지 신호(SKW1) 및 상기 제 2 스큐 감지 신호(SKW2)에 기초하여 제 1 위상 정보 신호(SLOW) 및 제 2 위상 정보 신호(FAST)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW)는 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상이 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상보다 늦을 때 인에이블될 수 있고, 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)는 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상이 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상보다 앞설 때 인에이블될 수 있다. 상기 필터(520)는 상기 복수의 지연 클럭 신호 중 하나에 기초하여 상기 보정 회로(420)의 루프 대역폭을 정의할 수 있다. 상기 필터(520)는 상기 제 1 스큐 감지 신호(SKW1) 및 상기 제 2 스큐 감지 신호(SKW2)의 로직 레벨이 상기 루프 대역폭에 대응하는 시간 동안 유지되는지 여부에 기초하여 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW) 및 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)를 생성할 수 있다. The
상기 위상 조절 신호 생성기(530)는 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW) 및 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)를 수신할 수 있다. 상기 위상 조절 신호 생성기(530)는 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW)에 기초하여 상기 제 1 위상 조절 신호(FEBINC)를 생성하고, 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)에 기초하여 상기 제 2 위상 조절 신호(REFINC)를 생성할 수 있다.The phase
상기 스큐 감지기(510)는 제 1 플립플롭(511) 및 제 2 플립플롭(512)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 플립플롭(511, 512)은 D 플립플롭일 수 있다. 상기 제 1 플립플롭(511)은 입력 단자(D)로 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 수신하고, 클럭 단자로 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 수신하며, 출력 단자(Q)를 통해 제 1 스큐 감지 신호(SKW1)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 플립플롭(512)은 입력 단자(D)로 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 수신하고, 클럭 단자로 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 수신하며, 출력 단자(Q)를 통해 제 2 스큐 감지 신호(SKW2)를 출력할 수 있다. 상기 스큐 감지기(510)는 제 1 및 제 2 플립플롭(511, 512)의 셋업 타임 (setup time) 및 홀드 타임 (hold time)의 변동에 따라 발생될 수 있는 오동작을 감소시키기 위해 듀얼 모드로 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상 사이의 스큐를 감지할 수 있다. The
상기 필터(520)는 제 1 플립플롭(521), 제 2 플립플롭(522), 제 3 플립플롭(523), 제 4 플립플롭(524), 제 1 게이팅 회로(525) 및 제 2 게이팅 회로(526)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 내지 제 4 플립플롭(521, 522, 523, 524)은 D 플립플롭일 수 있다. 상기 제 1 플립플롭(521)은 입력 단자(D)로 상기 제 1 스큐 감지 신호(SKW1)를 수신하고, 클럭 단자로 제 1 클럭 신호(EVCLK)를 수신하며, 출력 단자(Q)를 통해 제 1 이븐 신호(EV1)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 플립플롭(522)은 입력 단자(D)로 상기 제 2 스큐 감지 신호(SKW2)를 수신하고, 클럭 단자로 상기 제 1 클럭 신호(EVCLK)를 수신하며, 출력 단자(Q)를 통해 제 2 이븐 신호(EV2)를 출력할 수 있다. 상기 제 3 플립플롭(523)은 입력 단자(D)로 상기 제 1 스큐 감지 신호(SKW1)를 수신하고, 클럭 단자로 제 2 클럭 신호(ODCLK)를 수신하며, 출력 단자(Q)를 통해 제 1 오드 신호(OD1)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 클럭 신호(ODCLK)는 상기 제 1 클럭 신호(EVCLK)보다 늦은 위상을 가질 수 있다. 상기 제 4 플립플롭(524)은 입력 단자(D)로 상기 제 2 스큐 감지 신호(SKW2)를 수신하고, 클럭 단자로 상기 제 2 클럭 신호(ODCLK)를 수신하며, 출력 단자(Q)를 통해 제 2 오드 신호(OD2)를 출력할 수 있다. The
상기 제 1 게이팅 회로(525)는 상기 제 1 이븐 신호(EV1), 상기 제 1 오드 신호(OD1), 상기 제 2 이븐 신호(EV2) 및 상기 제 2 오드 신호(OD2)를 수신하고, 수신된 신호들에 대한 앤드 연산을 수행하여 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 게이팅 회로(525)는 앤드 게이트를 포함할 수 있다. 상기 제 1 게이팅 회로는 상기 제 1 이븐 신호(EV1), 상기 제 1 오드 신호(OD1), 상기 제 2 이븐 신호(EV2)의 반전 신호 및 상기 제 2 오드 신호(OD2)의 반전 신호를 수신하고, 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(526)는 상기 제 1 이븐 신호(EV1), 상기 제 1 오드 신호(OD1), 상기 제 2 이븐 신호(EV2) 및 상기 제 2 오드 신호(OD2)를 수신하고, 수신된 신호들에 대한 앤드 연산을 수행하여 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(526)는 앤드 게이트를 포함할 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(526)는 상기 제 1 이븐 신호(EV1)의 반전 신호, 상기 제 1 오드 신호(OD1)의 반전 신호, 상기 제 2 이븐 신호(EV2) 및 상기 제 2 오드 신호(OD2)를 수신하고, 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)를 출력할 수 있다. 상기 필터(520)는 상기 보정 회로(420)의 루프 대역폭을 감소시키고, 상기 보정 회로(420)의 업데이트 주기를 증가시키기 위해 추가적인 플립플롭을 더 포함할 수 있다. 상기 추가적인 플립플롭은 상기 제 2 클럭 신호(ODCLK)보다 위상이 더 늦은 클럭 신호를 수신할 수 있고, 상기 게이팅 회로들은 상기 추가적인 플립플롭으로부터 출력되는 신호를 더 수신하도록 수정될 수 있다. The
상기 제 1 게이팅 회로(525)는 상기 제 1 이븐 신호(EV1) 및 상기 제 1 오드 신호(OD1)가 로직 하이 레벨이고, 상기 제 2 이븐 신호(EV2) 및 상기 제 2 오드 신호(OD2)가 로직 로우 레벨일 때, 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW)를 로직 하이 레벨로 출력할 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(526)는 상기 제 1 이븐 신호(EV1) 및 상기 제 1 오드 신호(OD1)가 로직 로우 레벨이고, 상기 제 2 이븐 신호(EV2) 및 상기 제 2 오드 신호(OD2)가 로직 하이 레벨일 때, 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)를 로직 하이 레벨로 출력할 수 있다. 상기 제 1 이븐 신호(EV1) 및 제 2 이븐 신호(EV2)는 상기 제 1 클럭 신호(EVCLK)에 동기하여 생성되고, 상기 제 1 오드 신호(OD1) 및 제 2 오드 신호(OD2)는 상기 제 2 클럭 신호(ODCLK)에 동기하여 생성될 수 있다. 따라서, 상기 필터(520)는 상기 제 1 클럭 신호(EVCLK) 및 상기 제 2 클럭 신호(ODCLK)의 천이가 모두 발생할 때까지 상기 제 1 및 제 2 스큐 감지 신호(SKW1, SKW2)의 로직 레벨이 유지될 때에만 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW) 및 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)를 로직 하이 레벨로 인에이블시킬 수 있다. 일반적으로, 지연 고정 루프는 뱅뱅 지터 (bang-bang jitter)를 발생시킬 수 있기 때문에, 상기 제 1 및 제 2 스큐 감지 신호(SKW1, SKW2)로부터 바로 위상 정보 신호를 생성하는 경우 잘못된 보정 동작이 수행될 수도 있다. 본 발명의 실시예에서는 상기 소정 시간 동안 제 1 및 제 2 스큐 감지 신호(SKW1, SKW2)의 로직 레벨이 유지될 때에만 위상 정보 신호에 따라 캘리브레이션 신호의 값이 변화될 수 있도록 하여 정확한 보정 동작이 수행될 수 있도록 한다.In the
상기 위상 조절 신호 생성기(530)는 제 1 게이팅 회로(531), 제 2 게이팅 회로(532) 및 제 3 게이팅 회로(533)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 게이팅 회로(531)는 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW) 및 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)를 수신하여 보정 인에이블 신호(CALON)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 게이팅 회로(531)는 상기 제 1 및 제 2 위상 정보 신호(SLOW, FAST)에 대해 오어 연산을 수행하여 상기 보정 인에이블 신호(CALON)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 게이팅 회로(531)는 오어 게이트를 포함할 수 있다. 상기 제 1 게이팅 회로(531)는 상기 제 1 및 제 2 위상 정보 신호(SLOW, FAST) 중 적어도 하나가 로직 하이 레벨로 인에이블되었을 때, 상기 보정 인에이블 신호(CALON)를 로직 하이 레벨로 인에이블시킬 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(532)는 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW), 상기 보정 인에이블 신호(CALON) 및 제 3 클럭 신호(ODCLKB)를 수신할 수 있다. 상기 제 3 클럭 신호(ODCLKB)는 상기 제 2 클럭 신호(ODCLK)보다 늦은 위상을 가질 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(532)는 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW), 상기 보정 인에이블 신호(CALON) 및 상기 제 3 클럭 신호(ODCLKB)에 대해 앤드 연산을 수행하여 상기 제 1 위상 조절 신호(FEBINC)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(532)는 앤드 게이트를 포함할 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로는 상기 제 3 클럭 신호(ODCLKB)의 하이 레벨 구간에서 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW) 및 상기 보정 인에이블 신호(CALON)가 모두 로직 하이 레벨일 때 상기 제 1 위상 조절 신호(FEBINC)를 로직 하이 레벨로 인에이블시킬 수 있다. 상기 제 3 게이팅 회로(533)는 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST), 상기 보정 인에이블 신호(CALON) 및 상기 제 3 클럭 신호(ODCLKB)를 수신할 수 있다. 상기 제 3 게이팅 회로(533)는 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST), 상기 보정 인에이블 신호(CALON) 및 상기 제 3 클럭 신호(ODCLKB)에 대해 앤드 연산을 수행하여 상기 제 2 위상 조절 신호(REFINC)를 생성할 수 있다. 상기 제 3 게이팅 회로(533)는 앤드 게이트를 포함할 수 있다. 상기 제 3 게이팅 회로(533)는 상기 제 3 클럭 신호(ODCLKB)의 하이 레벨 구간에서 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST) 및 상기 보정 인에이블 신호(CALON)가 모두 로직 하이 레벨일 때 상기 제 2 위상 조절 신호(REFINC)를 로직 하이 레벨로 인에이블시킬 수 있다.The phase
상기 타이밍 스큐 감지기(421)는 제어 클럭 생성기(540)를 더 포함할 수 있다. 상기 제어 클럭 생성기(540)는 도 4에 도시된 전압 제어 지연 라인(410)을 통해 생성되는 복수의 지연 클럭 신호 중 하나를 수신할 수 있다. 예를 들어, 상기 제어 클럭 생성기(540)는 상기 전압 제어 지연 라인(410)의 네 번째 지연 셀(DC4)로부터 출력되는 지연 클럭 신호(CK4)를 수신할 수 있다. 상기 제어 클럭 생성기(540)는 상기 지연 클럭 신호(CK4)로부터 상기 제 1 클럭 신호(EVCLK), 상기 제 2 클럭 신호(ODCLK) 및 상기 제 3 클럭 신호(ODCLKB)를 생성할 수 있다. 상기 제어 클럭 신호 생성기(540)는 제 1 분주기(541), 제 1 인버터(542), 제 2 분주기(543), 제 3 분주기(544) 및 제 2 인버터(545)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 분주기(541)는 상기 지연 클럭 신호(CK4)를 분주할 수 있다. 상기 제 1 인버터(542)는 상기 제 1 분주기(541)의 출력을 반전시킬 수 있다. 상기 제 2 분주기(543)는 상기 제 1 인버터(542)의 출력을 분주하여 상기 제 1 클럭 신호(EVCLK)를 생성할 수 있다. 상기 제 3 분주기(544)는 상기 제 1 분주기(541)의 출력을 분주하여 상기 제 2 클럭 신호(ODCLK)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 인버터(545)는 상기 제 2 클럭 신호(ODCLK)를 반전시켜 상기 제 3 클럭 신호(ODCLKB)를 생성할 수 있다. The
도 6은 도 4에 도시된 지연 조절기(423)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 상기 지연 조절기(423)는 제 1 가변 지연기(610) 및 제 2 가변 지연기(620)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 가변 지연기(610)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD) 및 상기 캘리브레이션 신호의 제 1 내지 제 N 비트(CAL<1:N>)를 수신하여 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 가변 지연기(610)는 상기 캘리브레이션 신호의 제 1 내지 제 N 비트(CAL<1:N>)의 기초하여 지연 시간이 설정될 수 있고, 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 설정된 지연 시간만큼 지연시켜 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 가변 지연기(620)는 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK) 및 상기 캘리브레이션 신호의 제 N+1 내지 제 2N 비트(CAL<N+1:2N>)를 수신하여 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 가변 지연기(620)는 상기 캘리브레이션 신호의 제 N+1 내지 제 2N 비트(CAL<N+1:2N>)의 기초하여 지연 시간이 설정될 수 있고, 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 설정된 지연 시간만큼 지연시켜 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 생성할 수 있다.6 is a diagram showing the configuration of the
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 보정 회로(420) 및 지연 고정 루프(400)의 동작을 보여주는 타이밍도이다. 도 3 내지 도 6을 참조하여 상기 보정 회로(420) 및 상기 지연 고정 루프(400)의 동작을 설명하면 다음과 같다. S1에서, 상기 타이밍 스큐 감지기(421)의 스큐 감지기(510)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상을 감지하여 상기 제 1 스큐 감지 신호(SKW1) 및 상기 제 2 스큐 감지 신호(SKW2)를 생성할 수 있다. 도 7에 도시된 것과 같이, 상기 위상 감지기(430) 및 상기 차지 펌프(440)에 의해 위상 오차(Δt2)가 발생하여 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)의 위상이 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상보다 늦을 때, 상기 스큐 감지기(510)는 로직 로우 레벨을 갖는 상기 제 1 스큐 감지 신호(SKW1)를 생성하고, 로직 하이 레벨을 갖는 상기 제 2 스큐 감지 신호(SKW2)를 생성할 수 있다. 상기 캘리브레이션 신호(CAL<1:2N>)는 업데이트 되기 전에 디폴트 (default) 값을 유지할 수 있고, 상기 지연 조절기(423)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 동일한 시간만큼 지연시켜 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)와 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 생성할 수 있다. 상기 위상 감지기(430)는 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)가 로직 로우 레벨에서 로직 하이 레벨로 천이할 때 상기 다운 신호(DN)를 인에이블시킬 수 있고, 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)가 로직 로우 레벨에서 로직 하이 레벨로 천이할 때 상기 업 신호(UP)를 인에이블시킬 수 있다. 상기 업 신호(UP) 및 상기 다운 신호(DN)는 리셋될 때까지 인에이블 상태를 유지할 수 있고, 상기 다운 신호(DN)의 펄스 폭은 상기 업 신호(UP)의 펄스 폭보다 넓을 수 있다. 이상적으로, 상기 차지 펌프(440)는 상기 업 신호(UP) 및 상기 다운 신호(DN)에 기초하여 보다 낮은 레벨을 갖는 지연 제어 전압(VC)을 생성해야 한다. 하지만, 상기 차지 펌프(440)의 풀업 전류(IUP) 및 풀다운 전류(IDN) 사이에 미스매치가 발생하여 상기 풀업 전류(IUP)가 상기 풀다운 전류(IDN)보다 큰 경우, 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨은 하강되지 못하고 이전 전압 레벨이 유지되는 오동작이 발생될 수 있다. 따라서, 상기 위상 감지기(430)와 상기 차지 펌프(440)의 동작만으로는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상을 매칭시킬 수 없다. 상기 보정 회로(420)의 상기 필터(520)는 상기 제 1 및 제 2 스큐 감지 신호(SKW1, SKW2)의 로직 레벨이 유지되는 경우, 상기 제 1 위상 정보 신호(SLOW)를 디스에이블 상태로 유지시키고, 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)를 로직 하이 레벨로 인에이블시킬 수 있다. 7 is a timing diagram showing the operation of the
S2에서, 상기 위상 조절 신호 생성기(530)는 상기 제 2 위상 정보 신호(FAST)에 따라 상기 제 2 위상 조절 신호(REFINC)를 인에이블시키고, 상기 캘리브레이션 신호 생성기(422)는 상기 캘리브레이션 신호의 제 n+1 내지 제 2n 비트(CAL<N+1:2N>)의 값을 증가시킬 수 있다. 상기 지연 조절기(423)는 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 상대적으로 긴 시간 동안 지연시켜 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 생성하고, 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 상대적으로 짧은 시간 동안 지연시켜 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)를 생성할 수 있다. 따라서, 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)와 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD) 사이의 위상 차이는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK) 사이의 위상 차이보다 더 커질 수 있다. 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)는 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)보다 보정 동작에 의해 설정된 보정 위상(Δt3)만큼 더 지연될 수 있다. 상기 위상 감지기(430)는 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)가 로직 로우 레벨에서 로직 하이 레벨로 천이할 때 상기 다운 신호(DN)를 인에이블시키고, 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)가 로직 로우 레벨에서 로직 하이 레벨로 천이할 때 상기 업 신호(UP)를 인에이블시킬 수 있다. 상기 업 신호(UP) 및 상기 다운 신호(DN)는 리셋될 때까지 인에이블 상태를 유지할 수 있고, 상기 업 신호(UP)는 S1에서 생성된 업 신호(UP)의 펄스 폭과 동일한 펄스 폭을 갖는 반면, 상기 다운 신호(DN)는 S1에서 생성된 다운 신호(DN)의 펄스 폭보다 긴 펄스 폭을 가질 수 있다. 상기 차지 펌프(440)는 상기 다운 신호(DN)에 의해 상기 지연 제어 전압(VC)을 보다 긴 시간 동안 풀다운시킬 수 있으므로, 상기 풀업 전류(IUP)가 상기 풀다운 전류(IDN)보다 크더라도 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨이 하강될 수 있다. In S2, the phase
S3에서, 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨이 하강되면, 상기 지연 라인(410)으로부터 생성되는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상이 매칭될 수 있다. 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)의 위상이 일치하기 때문에, 상기 보정 회로(420)는 보정 동작을 종료하고, 상기 캘리브레이션 신호(CAL<1:2N>)의 값을 유지시킬 수 있다. 상기 지연 조절기(423)는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)를 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)에 비해 보정 동작에 의해 설정된 지연 시간만큼 더 지연시켜 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)를 생성할 수 있다. 따라서, 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD)는 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)보다 보정 동작에 의해 설정된 보정 위상 (Δt3)만큼 늦은 위상을 가질 수 있다. 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD) 및 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)의 위상 차이는 상기 위상 감지기(430)의 국소 공정 변동과 상기 차지 펌프(440)의 풀업 전류(IUP) 및 풀다운 전류(IDN) 사이의 미스매치에 의한 위상 오차(Δt2) 보상할 수 있고, 상기 차지 펌프(440)에서 생성되는 지연 제어 전압(VC)은 일정한 레벨을 유지할 수 있다. 따라서, 상기 지연 고정 루프(400)는 상기 보정 회로(420)에 의해 위상이 매칭되는 상기 제 1 내부 클럭 신호(ICLKD)와 상기 피드백 클럭 신호(FBCLK)를 생성할 수 있다. In S3, when the voltage level of the delay control voltage VC falls, a phase of the first internal clock signal ICLKD generated from the
도 8a는 본 발명의 실시예에 따른 지연 라인(800)의 구성을 보여주는 도면이고, 도 8b는 도 8a에 도시된 지연 라인(800)의 동작을 보여주는 타이밍도이다. 상기 지연 라인(800)은 도 2 및 도 4에 도시된 제 2 지연 라인(221) 및 지연 라인(410)의 일부로 각각 적용될 수 있다. 도 8a을 참조하면, 상기 지연 라인(800)은 제 1 지연 셀(810) 및 제 2 지연 셀(820) 포함할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(810)은 입력 신호(IN)를 반전시켜 제 1 출력 신호(OUT1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(810)은 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전 구동하여 제 1 지연 클럭 신호(DCLK1)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(820)은 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시켜 제 2 출력 신호(OUT2)를 생성할 수 있다. 제 2 지연 셀(820)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 반전 구동하여 상기 제 2 지연 클럭 신호(DCLK2)를 출력할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(810)이 상기 입력 신호(IN)에 따라 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 변화될 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(810)의 풀다운 구동력이 변화되면, 상기 제 1 지연 셀(810)의 지연량이 변화될 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(820)이 상기 제 1 출력 신호(OUT1)에 따라 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 변화될 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(820)의 풀다운 구동력이 변화되면 상기 제 2 지연 셀(820)의 지연량이 변화될 수 있다. FIG. 8A is a diagram showing a configuration of a
상기 제 1 지연 셀(810)은 제 1 인버터(811) 및 제 1 전류원(812)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 인버터(811)는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 입력 신호(IN)를 반전시켜 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 인버터(811)는 고전압(VH)이 공급되는 단자와 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결되어 상기 입력 신호(IN)를 반전시킬 수 있다. 상기 고전압(VH)은 상기 저전압(VL)보다 높은 전압 레벨을 가질 수 있다. 상기 제 1 전류원(812)은 상기 제 1 인버터(811)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 전류원(812)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 1 전류원(812)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 1 인버터(811)의 풀다운 구동력을 변화시켜 상기 제 1 지연 셀(810)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(810)은 제 2 인버터(813)를 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 인버터(813)는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전 구동하여 상기 제 1 지연 클럭 신호(DCLK1)를 출력할 수 있다.The
상기 제 2 지연 셀(820)은 제 3 인버터(821) 및 제 2 전류원(822)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 인버터(821)는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시켜 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 생성할 수 있다. 상기 제 3 인버터(821)는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결되어 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시킬 수 있다. 상기 제 2 전류원(822)은 상기 제 3 인버터(821)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 전류원(822)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 2 전류원(822)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 3 인버터(821)의 풀다운 구동력을 변화시켜 상기 제 2 지연 셀(820)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(820)은 제 4 인버터(823)를 더 포함할 수 있다. 상기 제 4 인버터(823)는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 반전 구동하여 상기 제 2 지연 클럭 신호(DCLK2)를 출력할 수 있다.The
상기 제 1 인버터(811)는 제 1 트랜지스터(M1) 및 제 2 트랜지스터(M2)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(M1)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있고, 상기 제 2 트랜지스터(M2)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 전류원(812)은 제 3 트랜지스터(M3)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(M3)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 제 1 트랜지스터(M1)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결되며, 상기 제 1 트랜지스터(M1)의 드레인은 제 1 출력 노드(ON1)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 출력 노드(ON1)를 통해 상기 제 1 출력 신호(OUT1)가 출력될 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터(M2)의 게이트는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 제 2 트랜지스터(M2)의 드레인은 상기 제 1 출력 노드(ON1)와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 3 트랜지스터(M3)의 드레인은 상기 제 2 트랜지스터(M2)의 소스와 연결되며, 상기 제 3 트랜지스터(M3)의 소스는 상기 저전압(VL)이 인가되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(M3)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 2 트랜지스터(M2)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 변화시킬 수 있다. The
상기 제 3 인버터(821)는 제 4 트랜지스터(M4) 및 제 5 트랜지스터(M5)를 포함할 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(M4)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있고, 상기 제 5 트랜지스터(M5)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 2 전류원(822)은 제 6 트랜지스터(M6)를 포함할 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(M6)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(M4)의 게이트는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 4 트랜지스터(M4)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결되며, 상기 제 4 트랜지스터(M4)의 드레인은 제 2 출력 노드(ON2)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 출력 노드(ON2)를 통해 상기 제 2 출력 신호(OUT2)가 출력될 수 있다. 상기 제 5 트랜지스터(M5)의 게이트는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 5 트랜지스터(M5)의 드레인은 상기 제 2 출력 노드(ON2)와 연결될 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(M6)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 6 트랜지스터(M6)의 드레인은 상기 제 5 트랜지스터(M5)의 소스와 연결되며, 상기 제 6 트랜지스터(M6)의 소스는 상기 저전압(VL)이 인가되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(M6)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 5 트랜지스터(M5)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 변화시킬 수 있다.The
상기 지연 라인(800)의 지연 셀들(810, 820)은 아날로그 신호인 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 지연 량이 변화될 수 있기 때문에 상기 지연 라인(800)으로 입력되는 상기 입력 신호(IN)의 주파수가 높아지더라도 지연 변동 (delay variation)이 감소되고 위상 스큐 (Phase skew)를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 하지만, 문턱 전압 손실이 발생하는 N 채널 모스 트랜지스터의 특성과 고전압의 전압 레벨이 높아지는 전압 레벨 변동에 의해 상기 제 1 출력 신호(OUT1) 및 제 2 출력 신호(OUT2)가 도 8b에 도시된 것과 같이, 상기 저전압(VL)의 전압 레벨까지 풀리 (fully) 스윙하지 못하는 문제점이 발생될 수 있다. 상기 제 1 출력 신호(OUT1) 및 상기 제 2 출력 신호(OUT2)가 풀리 스윙하지 못하면 지연 셀의 개수가 증가할수록 최종 출력 신호의 파형이 더욱 왜곡될 수 있고, 고속 동작에서 정확한 출력 신호를 생성하지 못할 수 있다.Since the delay amount of the
도 9a는 본 발명의 실시예에 따른 지연 라인(900)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 9b는 도 9a에 도시된 지연 라인(900)의 동작을 보여주는 도면이다. 상기 지연 라인(900)은 도 2 및 도 4에 도시된 제 2 지연 라인(221) 및 지연 라인(410)의 일부로 각각 적용될 수 있다. 도 9a을 참조하면, 상기 지연 라인(900)은 제 1 지연 셀(910) 및 제 2 지연 셀(920) 포함할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(910)은 입력 신호(IN)를 반전시켜 제 1 출력 신호(OUT1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(910)은 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전 구동하여 제 1 지연 클럭 신호(DCLK1)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(920)은 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시켜 제 2 출력 신호(OUT2)를 생성할 수 있다. 제 2 지연 셀(920)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 반전 구동하여 상기 제 2 지연 클럭 신호(DLCK2)를 출력할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(910)이 상기 입력 신호(IN)에 따라 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 상기 지연 제어 전압(VC) 및 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 변화될 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(910)의 풀다운 구동력이 변화되면, 상기 제 1 지연 셀(920)의 지연량이 변화될 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(920)이 상기 제 1 출력 신호(OUT1)에 따라 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 변화될 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(920)의 풀다운 구동력이 변화되면 상기 제 2 지연 셀(920)의 지연량이 변화될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 2 지연 셀(920)은 상기 제 2 지연 셀(920)의 다음 단에 배치될 수 있는 또 다른 지연 셀 (즉, 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신하는 지연 셀)로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(920)의 풀다운 구동력 및 지연량은 상기 지연 제어 전압(VC) 및 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 변화될 수 있다. 9A is a diagram showing a configuration of a
상기 제 1 지연 셀(910)은 제 1 인버터(911), 제 1 전류원(912) 및 제 1 피드백 전류원(913)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 인버터(911)는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 입력 신호(IN)를 반전시켜 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 인버터(911)는 고전압(VH)이 공급되는 단자와 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결되어 상기 입력 신호(IN)를 반전시킬 수 있다. 상기 제 1 전류원(912)은 상기 제 1 인버터(911)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 전류원(912)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 1 전류원(912)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 1 인버터(911)의 풀다운 구동력을 변화시켜 상기 제 1 지연 셀(910)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(913)은 상기 제 1 인버터(911)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(913)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(913)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 상기 제 1 인버터(911)의 풀다운 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(910)은 제 2 인버터(914)를 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 인버터(914)는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전 구동하여 상기 제 1 지연 클럭 신호(DCLK1)를 출력할 수 있다.The
상기 제 2 지연 셀(920)은 제 3 인버터(921), 제 2 전류원(922) 및 제 2 피드백 전류원(923)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 인버터(921)는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시켜 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 생성할 수 있다. 상기 제 3 인버터(921)는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결되어 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시킬 수 있다. 상기 제 2 전류원(922)은 상기 제 3 인버터(921)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 전류원(922)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 2 전류원(922)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 3 인버터(921)의 풀다운 구동력을 변화시켜 상기 제 2 지연 셀(920)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(923)은 상기 제 3 인버터(921)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(923)은 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(923)은 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 상기 제 3 인버터(921)의 풀다운 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(920)은 제 4 인버터(924)를 더 포함할 수 있다. 상기 제 4 인버터(924)는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 반전 구동하여 상기 제 2 지연 클럭 신호(DCLK2)를 출력할 수 있다.The
상기 제 1 인버터(911)는 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T1)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있고, 상기 제 2 트랜지스터(T2)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 전류원(912)은 제 3 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T3)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(913)은 제 4 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T4)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 제 1 트랜지스터(T1)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결되며, 상기 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인은 제 1 출력 노드(ON1)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 출력 노드(ON1)를 통해 상기 제 1 출력 신호(OUT1)가 출력될 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인은 상기 제 1 출력 노드(ON1)와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T3)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인은 상기 제 2 트랜지스터(T2)의 소스와 연결되며, 상기 제 3 트랜지스터(T3)의 소스는 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T3)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 2 트랜지스터(T2)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 변화시킬 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T4)의 게이트는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신하고, 상기 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인은 상기 제 2 트랜지스터(T2)의 소스와 연결되며, 상기 제 4 트랜지스터(T4)의 소스는 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T4)는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 상기 제 2 트랜지스터(T2)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 변화시킬 수 있다. The
상기 제 3 인버터(921)는 제 5 트랜지스터(T5) 및 제 6 트랜지스터(T6)를 포함할 수 있다. 상기 제 5 트랜지스터(T5)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있고, 상기 제 6 트랜지스터(T6)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 2 전류원(922)은 제 7 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다. 상기 제 7 트랜지스터(T7)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(923)은 제 8 트랜지스터(T8)를 포함할 수 있다. 상기 제 8 트랜지스터(T8)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 5 트랜지스터(T5)의 게이트는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 5 트랜지스터(T5)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결되며, 상기 제 5 트랜지스터(T5)의 드레인은 제 2 출력 노드(ON2)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 출력 노드(ON2)를 통해 상기 제 2 출력 신호(OUT2)가 출력될 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(T6)의 게이트는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 6 트랜지스터(T6)의 드레인은 상기 제 2 출력 노드(ON2)와 연결될 수 있다. 상기 제 7 트랜지스터(T7)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 7 트랜지스터(T7)의 드레인은 상기 제 6 트랜지스터(T6)의 소스와 연결되며, 상기 제 7 트랜지스터(T7)의 소스는 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 7 트랜지스터(T7)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 6 트랜지스터(T6)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 변화시킬 수 있다. 상기 제 8 트랜지스터(T8)의 게이트는 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)를 수신하고, 상기 제 8 트랜지스터(T8)의 드레인은 상기 제 6 트랜지스터(T6)의 소스와 연결되며, 상기 제 8 트랜지스터(T8)의 소스는 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 8 트랜지스터(T8)는 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 상기 제 6 트랜지스터(T6)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 변화시킬 수 있다.The
상기 지연 라인(900)은 도 8b에 도시된 것과 같이 제 1 및 제 2 출력 신호(OUT1, OUT2)가 풀리 스윙하지 못하는 문제점을 개선할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 피드백 전류원(913, 923)은 각각 상기 제 1 및 제 3 인버터(911, 921)로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 증가시켜 상기 제 1 및 제 2 지연 셀(910, 920)의 풀다운 구동력을 추가적으로 조절할 수 있다. 도 9b에 도시된 것과 같이, 상기 제 1 및 제 2 피드백 전류원(913, 923)은 각각 다음 단에 배치되는 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호를 피드백 받아 상기 제 1 및 제 2 지연 셀(910, 920)의 풀다운 구동력을 추가적으로 조절하므로, 상기 제 1 및 제 2 출력 신호(OUT1, OUT2)가 상기 저전압(VL)의 레벨까지 풀리 스윙할 수 있도록 한다. 상기 제 1 및 제 2 피드백 전류원(913, 923)이 동작하는 시점은 피드백되는 출력 신호의 로직 레벨이 천이된 후이기 때문에, 상기 제 1 및 제 2 피드백 전류원(913, 923)은 상기 제 1 및 제 2 출력 신호(OUT1, OUT2)를 상기 저전압의 레벨까지 풀다운시킬 수 있는 반면, 상기 제 1 및 제 2 지연 셀(910, 920)의 지연량을 실질적으로 변화시키지 않을 수 있다. As shown in FIG. 8B, the
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 실시예에 따른 지연 라인(1000A, 1000B, 1000C)의 구성을 보여주는 도면이다. 상기 지연 라인들(1000A, 1000B, 1000C)은 도 2 및 도 4에 도시된 제 2 지연 라인(221) 및 지연 라인(410)으로 각각 적용될 수 있다. 도 10a를 참조하면, 상기 지연 라인(1000A)은 제 1 지연 셀(10A) 및 제 2 지연 셀(20A)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10A)은 입력 신호(IN)를 반전시켜 제 1 출력 신호(OUT1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10A)은 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전 구동하여 제 1 지연 클럭 신호(DCLK1)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20A)은 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시켜 제 2 출력 신호(OUT2)를 생성할 수 있다. 제 2 지연 셀(20A)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 반전 구동하여 상기 제 2 지연 클럭 신호(DCLK2)를 출력할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10A)이 상기 입력 신호(IN)에 따라 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 상기 지연 제어 전압(VC) 및 상기 제 2 출력 신호(OUT)에 기초하여 변화될 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20A)이 상기 제 1 출력 신호(OUT1)에 따라 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 상기 지연 제어 전압(VC)과 상기 제 2 지연 셀(20A)의 다음 단에 배치될 수 있는 또 다른 지연 셀 (즉, 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신하는 지연 셀)로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 변화될 수 있다.10A to 10C are diagrams showing configurations of
상기 제 1 지연 셀(10A)은 제 1 인버터(11A), 제 1 전류원(12A) 및 제 1 피드백 전류원(13A)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 인버터(11A)는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 입력 신호(IN)를 반전시켜 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 인버터(11A)는 고전압(VH)이 공급되는 단자와 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결되어 상기 입력 신호(IN)를 반전시킬 수 있다. 상기 제 1 전류원(12A)은 상기 제 1 인버터(11A)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 전류원(12A)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 1 전류원(12A)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11A)의 풀다운 구동력을 변화시켜 상기 제 1 지연 셀(10A)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(13A)은 상기 제 1 인버터(11A)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(13A)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(13A)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11A)의 풀다운 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 1 피드백 전류원(13A)은 제 1 스위칭 신호(SW1)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(13A)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)에 따라 상기 제 1 인버터(11A)와 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10A)은 제 2 인버터(14A)를 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 인버터(14A)는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전 구동하여 상기 제 1 지연 클럭 신호(DCLK1)를 출력할 수 있다.The
일 실시예에서, 상기 제 1 지연 셀(10A)은 제 1 보조 전류원(15A)을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(15A)은 상기 제 1 인버터(11A)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(15A)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(15A)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11A)의 풀다운 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 1 보조 전류원(15A)은 제 2 스위칭 신호(SW2)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(15A)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)에 따라 상기 제 1 인버터(11A)와 선택적으로 연결될 수 있다. In an embodiment, the
상기 제 2 지연 셀(20A)은 제 3 인버터(21A), 제 2 전류원(22A) 및 제 2 피드백 전류원(23A)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 인버터(21A)는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시켜 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 생성할 수 있다. 상기 제 3 인버터(21A)는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결되어 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시킬 수 있다. 상기 제 2 전류원(22A)은 상기 제 3 인버터(21A)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 전류원(22A)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 2 전류원(22A)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21A)의 풀다운 구동력을 변화시켜 상기 제 2 지연 셀(20A)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(23A)은 상기 제 3 인버터(21A)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(23A)은 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(23A)은 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21A)의 풀다운 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 2 피드백 전류원(23A)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(23A)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)에 따라 상기 제 3 인버터(21A)와 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20A)은 제 4 인버터(24A)를 더 포함할 수 있다. 상기 제 4 인버터(24A)는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 반전 구동하여 상기 제 2 지연 클럭 신호(DCLK2)를 출력할 수 있다.The
일 실시예에서, 상기 제 2 지연 셀(20A)은 제 2 보조 전류원(25A)을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(25A)은 상기 제 3 인버터(21A)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(25A)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(25A)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21A)의 풀다운 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 2 보조 전류원(25A)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(25A)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)에 따라 상기 제 3 인버터(21A)와 선택적으로 연결될 수 있다.In an embodiment, the
상기 제 1 인버터(11A)는 제 1 트랜지스터(T11) 및 제 2 트랜지스터(T12)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T11)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있고, 상기 제 2 트랜지스터(T12)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 전류원(12A)은 제 3 트랜지스터(T13)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T13)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(13A)은 제 4 트랜지스터(T14) 및 제 5 트랜지스터(T15)를 포함할 수 있다. 상기 제 4 및 제 5 트랜지스터(T14, T15)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(15A)은 제 6 트랜지스터(T16) 및 제 7 트랜지스터(T17)를 포함할 수 있다. 상기 제 6 및 제 7 트랜지스터(T16, T17)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T11)의 게이트는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 제 1 트랜지스터(T11)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결되며, 상기 제 1 트랜지스터(T11)의 드레인은 제 1 출력 노드(ON1)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 출력 노드(ON1)를 통해 상기 제 1 출력 신호(OUT1)가 출력될 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터(T12)의 게이트는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 제 2 트랜지스터(T12)의 드레인은 상기 제 1 출력 노드(ON1)와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T13)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 3 트랜지스터(T13)의 드레인은 상기 제 2 트랜지스터(T12)의 소스와 연결되며, 상기 제 3 트랜지스터(T13)의 소스는 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T13)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 2 트랜지스터(T12)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 변화시킬 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T14)의 게이트는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신하고, 상기 제 4 트랜지스터(T14)의 소스는 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 5 트랜지스터(T15)의 게이트는 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)를 수신하고, 상기 제 5 트랜지스터(T15)의 드레인은 상기 제 2 트랜지스터(T12)의 소스와 연결되며, 상기 제 5 트랜지스터(T15)의 소스는 상기 제 4 트랜지스터(T14)의 드레인과 연결될 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T14)는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 상기 제 2 트랜지스터(T12)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 변화시킬 수 있고, 상기 제 5 트랜지스터(T15)는 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)에 기초하여 상기 제 4 트랜지스터(T14)를 상기 제 2 트랜지스터(T12)의 소스와 선택적으로 연결할 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(T16)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 6 트랜지스터(T16)의 소스는 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 7 트랜지스터(T17)의 게이트는 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)를 수신하고, 상기 제 7 트랜지스터(T17)의 드레인은 상기 제 2 트랜지스터(T12)의 소스와 연결되며, 상기 제 7 트랜지스터(T17)의 소스는 상기 제 6 트랜지스터(T16)의 드레인과 연결될 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(T16)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 2 트랜지스터(T12)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 변화시킬 수 있고, 상기 제 7 트랜지스터(T17)는 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)에 기초하여 상기 제 6 트랜지스터(T16)를 상기 제 2 트랜지스터(T12)의 소스와 선택적으로 연결할 수 있다.The
상기 제 3 인버터(21A)는 제 1 트랜지스터(T21) 및 제 2 트랜지스터(T22)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T21)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있고, 상기 제 2 트랜지스터(T22)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 2 전류원(22A)은 제 3 트랜지스터(T23)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T23)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(23A)은 제 4 트랜지스터(T24) 및 제 5 트랜지스터(T25)를 포함할 수 있다. 상기 제 4 및 제 5 트랜지스터(T24, T25)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(25A)은 제 6 트랜지스터(T26) 및 제 7 트랜지스터(T27)를 포함할 수 있다. 상기 제 6 및 제 7 트랜지스터(T26, T27)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T21)의 게이트는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 1 트랜지스터(T21)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결되며, 상기 제 1 트랜지스터(T21)의 드레인은 제 2 출력 노드(ON2)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 출력 노드(ON2)를 통해 상기 제 2 출력 신호(OUT2)가 출력될 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터(T22)의 게이트는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 2 트랜지스터(T22)의 드레인은 상기 제 2 출력 노드(ON2)와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T23)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 3 트랜지스터(T23)의 드레인은 상기 제 2 트랜지스터(T22)의 소스와 연결되며, 상기 제 3 트랜지스터(T23)의 소스는 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T23)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 2 트랜지스터(T22)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 변화시킬 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T24)의 게이트는 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)를 수신하고, 상기 제 4 트랜지스터(T24)의 소스는 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 5 트랜지스터(T25)의 게이트는 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)를 수신하고, 상기 제 5 트랜지스터(T25)의 드레인은 상기 제 2 트랜지스터(T22)의 소스와 연결되며, 상기 제 5 트랜지스터(T25)의 소스는 상기 제 4 트랜지스터(T24)의 드레인과 연결될 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T24)는 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 상기 제 2 트랜지스터(T22)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 변화시킬 수 있고, 상기 제 5 트랜지스터(T25)는 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)에 기초하여 상기 제 4 트랜지스터(T24)를 상기 제 2 트랜지스터(T22)의 소스와 선택적으로 연결할 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(T26)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 6 트랜지스터(T26)의 소스는 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 7 트랜지스터(T27)의 게이트는 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)를 수신하고, 상기 제 7 트랜지스터(T27)의 드레인은 상기 제 2 트랜지스터(T22)의 소스와 연결되며, 상기 제 7 트랜지스터(T27)의 소스는 상기 제 6 트랜지스터(T26)의 드레인과 연결될 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(T26)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 2 트랜지스터(T22)의 소스로부터 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 변화시킬 수 있고, 상기 제 7 트랜지스터(T27)는 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)에 기초하여 상기 제 6 트랜지스터(T26)를 상기 제 2 트랜지스터(T22)의 소스와 선택적으로 연결할 수 있다.The
도 10b를 참조하면, 상기 지연 라인(1000B)은 제 1 지연 셀(10B) 및 제 2 지연 셀(20B)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10B)은 입력 신호(IN)를 반전시켜 제 1 출력 신호(OUT1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10B)은 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전 구동하여 제 1 지연 클럭 신호(DCLK1)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20B)은 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시켜 제 2 출력 신호(OUT2)를 생성할 수 있다. 제 2 지연 셀(20B)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 반전 구동하여 상기 제 2 지연 클럭 신호(DCLK2)를 출력할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10B)이 상기 입력 신호(IN)에 따라 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 풀업시키는 풀업 구동력은 상기 지연 제어 전압(VC) 및 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 변화될 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20B)이 상기 제 1 출력 신호(OUT1)에 따라 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 풀업시키는 풀다운 구동력은 상기 지연 제어 전압(VC)과 상기 제 2 지연 셀(20B)의 다음 단에 배치될 수 있는 또 다른 지연 셀 (즉, 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신하는 지연 셀)로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 변화될 수 있다.Referring to FIG. 10B, the
상기 제 1 지연 셀(10B)은 제 1 인버터(11B), 제 1 전류원(12B) 및 제 1 피드백 전류원(13B)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 인버터(11B)는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 입력 신호(IN)를 반전시켜 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 인버터(11B)는 고전압(VH)이 공급되는 단자와 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결되어 상기 입력 신호(IN)를 반전시킬 수 있다. 상기 제 1 전류원(12B)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 1 인버터(11B) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 전류원(12B)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 1 전류원(12B)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11B)의 풀업 구동력을 변화시켜 상기 제 1 지연 셀(10B)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(13B)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 1 인버터(11B) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(13B)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(13B)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11B)의 풀업 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 1 피드백 전류원(13B)은 제 1 스위칭 신호(SW1)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(13B)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)에 따라 상기 제 1 인버터(11B)와 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10B)은 제 2 인버터(14B)를 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 인버터(14B)는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전 구동하여 상기 제 1 지연 클럭 신호(DCLK1)를 출력할 수 있다.The
일 실시예에서, 상기 제 1 지연 셀(10B)은 제 1 보조 전류원(15B)을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(15B)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 1 인버터(11B) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(15B)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(15B)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11B)의 풀업 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 1 보조 전류원(15B)은 제 2 스위칭 신호(SW2)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(15B)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)에 따라 상기 제 1 인버터(11B)와 선택적으로 연결될 수 있다. In an embodiment, the
상기 제 2 지연 셀(20B)은 제 3 인버터(21B), 제 2 전류원(22B) 및 제 2 피드백 전류원(23B)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 인버터(21B)는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시켜 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 생성할 수 있다. 상기 제 3 인버터(21B)는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결되어 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시킬 수 있다. 상기 제 2 전류원(22B)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 3 인버터(21B) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 전류원(22B)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 2 전류원(22B)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21B)의 풀업 구동력을 변화시켜 상기 제 2 지연 셀(20B)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(23B)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 3 인버터(21B) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(23B)은 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(23B)은 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21B)의 풀업 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 2 피드백 전류원(23B)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(23B)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)에 따라 상기 제 3 인버터(21B)와 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20B)은 제 4 인버터(24B)를 더 포함할 수 있다. 상기 제 4 인버터(24B)는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 반전 구동하여 상기 제 2 지연 클럭 신호(DCLK2)를 출력할 수 있다.The
일 실시예에서, 상기 제 2 지연 셀(20B)은 제 2 보조 전류원(25B)을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(25B)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 3 인버터(21B)와 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(25B)은 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(25B)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21B)의 풀업 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 2 보조 전류원(25B)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(25B)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)에 따라 상기 제 3 인버터(21B)와 선택적으로 연결될 수 있다.In one embodiment, the
상기 제 1 인버터(11B)는 제 1 트랜지스터(T31) 및 제 2 트랜지스터(T32)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T31)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있고, 상기 제 2 트랜지스터(T32)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 전류원(12B)은 제 3 트랜지스터(T33)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T33)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(T13B)은 제 4 트랜지스터(T34) 및 제 5 트랜지스터(T35)를 포함할 수 있다. 상기 제 4 및 제 5 트랜지스터(T34, T35)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(15B)은 제 6 트랜지스터(T36) 및 제 7 트랜지스터(T37)를 포함할 수 있다. 상기 제 6 및 제 7 트랜지스터(T36, T37)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 게이트는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결되며, 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 드레인은 제 1 출력 노드(ON1)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 출력 노드(ON1)를 통해 상기 제 1 출력 신호(OUT1)가 출력될 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터(T32)의 게이트는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 제 2 트랜지스터(T32)의 드레인은 상기 제 1 출력 노드(ON1)와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T33)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 3 트랜지스터(T33)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결되며, 상기 제 3 트랜지스터(T33)의 드레인은 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 소스와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T33)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 소스로 흐르는 전류의 양을 변화시킬 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T34)의 게이트는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신하고, 상기 제 4 트랜지스터(T34)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 5 트랜지스터(T35)의 게이트는 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)를 수신하고, 상기 제 5 트랜지스터(T35)의 소스는 상기 제 4 트랜지스터(T34)의 드레인과 연결되며, 상기 제 5 트랜지스터(T35)의 드레인은 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 소스와 연결될 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T34)는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 소스로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 변화시킬 수 있고, 상기 제 5 트랜지스터(T35)는 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)에 기초하여 상기 제 4 트랜지스터(T34)를 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 소스와 선택적으로 연결할 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(T36)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 6 트랜지스터(T36)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 7 트랜지스터(T37)의 게이트는 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)를 수신하고, 상기 제 7 트랜지스터(T37)의 소스는 상기 제 6 트랜지스터(T36)의 드레인과 연결되며, 상기 제 7 트랜지스터(T37)의 드레인은 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 소스와 연결될 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(T36)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 소스로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 변화시킬 수 있고, 상기 제 7 트랜지스터(T37)는 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)에 기초하여 상기 제 6 트랜지스터(T36)를 상기 제 1 트랜지스터(T31)의 소스와 선택적으로 연결할 수 있다.The
상기 제 3 인버터(21B)는 제 1 트랜지스터(T41) 및 제 2 트랜지스터(T42)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T41)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있고, 상기 제 2 트랜지스터(T42)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 전류원(22B)은 제 3 트랜지스터(T43)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T43)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(23B)은 제 4 트랜지스터(T44) 및 제 5 트랜지스터(T45)를 포함할 수 있다. 상기 제 4 및 제 5 트랜지스터(T44, T45)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(25B)은 제 6 트랜지스터(T46) 및 제 7 트랜지스터(T47)를 포함할 수 있다. 상기 제 6 및 제 7 트랜지스터(T46, T47)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 게이트는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결되며, 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 드레인은 제 2 출력 노드(ON2)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 출력 노드(ON2)를 통해 상기 제 1 출력 신호(OUT1)가 출력될 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터(T42)의 게이트는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 2 트랜지스터(T42)의 드레인은 상기 제 2 출력 노드(ON2)와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T43)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 3 트랜지스터(T43)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결되며, 상기 제 3 트랜지스터(T43)의 드레인은 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 소스와 연결될 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터(T43)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 소스로 흐르는 전류의 양을 변화시킬 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T44)의 게이트는 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)를 수신하고, 상기 제 4 트랜지스터(T44)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 5 트랜지스터(T45)의 게이트는 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)를 수신하고, 상기 제 5 트랜지스터(T45)의 소스는 상기 제 4 트랜지스터(T44)의 드레인과 연결되며, 상기 제 5 트랜지스터(T45)의 드레인은 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 소스와 연결될 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터(T44)는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 소스로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 변화시킬 수 있고, 상기 제 5 트랜지스터(T45)는 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)에 기초하여 상기 제 4 트랜지스터(T44)를 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 소스와 선택적으로 연결할 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(T46)의 게이트는 상기 지연 제어 전압(VC)을 수신하고, 상기 제 6 트랜지스터(T46)의 소스는 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 7 트랜지스터(T47)의 게이트는 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)를 수신하고, 상기 제 7 트랜지스터(T47)의 소스는 상기 제 6 트랜지스터(T46)의 드레인과 연결되며, 상기 제 7 트랜지스터(T47)의 드레인은 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 소스와 연결될 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터(T46)는 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 소스로 흐르는 전류의 양을 추가적으로 변화시킬 수 있고, 상기 제 7 트랜지스터(T47)는 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)에 기초하여 상기 제 6 트랜지스터(T46)를 상기 제 1 트랜지스터(T41)의 소스와 선택적으로 연결할 수 있다.The
도 10c를 참조하면, 상기 지연 라인(1000C)은 제 1 지연 셀(10C) 및 제 2 지연 셀(20C)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10C)은 입력 신호(IN)를 반전시켜 제 1 출력 신호(OUT1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10C)은 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전 구동하여 제 1 지연 클럭 신호(DCLK1)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20C)은 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시켜 제 2 출력 신호(OUT2)를 생성할 수 있다. 제 2 지연 셀(20C)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 반전 구동하여 상기 제 2 지연 클럭 신호(DCLK2)를 출력할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10C)이 상기 입력 신호(IN)에 따라 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 풀업시키는 풀업 구동력은 풀업 지연 제어 전압(VCP) 및 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 변화될 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10C)이 상기 입력 신호(IN)에 따라 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 풀다운 지연 제어 전압(VCN) 및 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 변화될 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20C)이 상기 제 1 출력 신호(OUT1)에 따라 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 풀업시키는 풀업 구동력은 상기 풀업 지연 제어 전압(VCP)과 상기 제 2 지연 셀(20C)의 다음 단에 배치될 수 있는 또 다른 지연 셀 (즉, 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신하는 지연 셀)로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 변화될 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20C)이 상기 제 1 출력 신호(OUT1)에 따라 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 상기 풀다운 지연 제어 전압(VCN)과 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 변화될 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10C)은 제 1 인버터(11C), 제 1 전류원(12C), 제 2 전류원(13C), 제 1 피드백 전류원(14C) 및 제 2 피드백 전류원(15C)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 지연 셀(10C)은 제 2 인버터(16C), 제 1 보조 전류원(17C) 및 제 2 보조 전류원(18C)을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20C)은 제 3 인버터(21C), 제 3 전류원(22C), 제 4 전류원(23C), 제 3 피드백 전류원(24C) 및 제 4 피드백 전류원(25C)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 지연 셀(20C)은 제 4 인버터(26C), 제 3 보조 전류원(27C) 및 제 4 보조 전류원(28C)을 더 포함할 수 있다. 상기 지연 라인(1000C)은 도 10a 및 도 10b에 도시된 지연 라인(1000A, 1000B)의 구성요소가 통합된 형태를 가질 수 있다. Referring to FIG. 10C, the
상기 제 1 인버터(11C)는 상기 입력 신호(IN)를 수신하고, 상기 입력 신호(IN)를 반전시켜 제 1 출력 신호(OUT1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 전류원(12C)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 1 인버터(11C) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 전류원(12C)은 상기 풀업 지연 제어 전압(VCP)을 수신할 수 있다. 상기 제 1 전류원(12C)은 상기 풀업 지연 제어 전압(VCP)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11C)의 풀업 구동력을 조절하여 상기 제 1 지연 셀(10C)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 2 전류원(13C)은 상기 제 1 인버터(11C)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 전류원(13C)은 상기 풀다운 지연 제어 전압(VCN)을 수신할 수 있다. 상기 제 2 전류원(13C)은 상기 풀다운 지연 제어 전압(VCN)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11C)의 풀다운 구동력을 조절하여 상기 제 1 지연 셀(10C)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(14C)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 1 인버터(11C) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(14C)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(14C)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11C)의 풀업 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 1 피드백 전류원(14C)은 제 1 스위칭 신호(SW1)의 상보 신호(SW1B)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 1 피드백 전류원(14C)은 상기 상보 신호(SW1B)에 따라 상기 제 1 인버터(11C)와 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(15C)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(15C)은 상기 제 1 인버터(11C)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(15C)은 상기 제 2 출력 신호(OUT2)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11C)의 풀다운 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 2 피드백 전류원(15C)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(15C)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)에 따라 상기 제 1 인버터(11C)와 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 인버터(16C)는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전 구동하여 상기 제 1 지연 클럭 신호(DCLK1)를 출력할 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(17C)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 1 인버터(11C) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(17C)은 상기 풀업 지연 제어 전압(VCP)을 수신할 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(17C)은 상기 풀업 지연 제어 전압(VCP)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11C)의 풀업 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 1 보조 전류원(17C)은 제 2 스위칭 신호(SW2)의 상보 신호(SW2B)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 1 보조 전류원(17C)은 상기 상보 신호(SW2B)에 따라 상기 제 1 인버터(11C)와 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(18C)은 상기 제 1 인버터(11C)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(18C)은 상기 풀다운 지연 제어 전압(VCN)을 수신할 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(18C)은 상기 풀다운 지연 제어 전압(VCN)에 기초하여 상기 제 1 인버터(11C)의 풀다운 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 2 보조 전류원(18C)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 2 보조 전류원(18C)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)에 따라 상기 제 1 인버터(11C)와 선택적으로 연결될 수 있다.The
상기 제 3 인버터(21C)는 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 수신하고, 상기 제 1 출력 신호(OUT1)를 반전시켜 제 2 출력 신호(OUT2)를 생성할 수 있다. 상기 제 3 전류원(22C)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 2 인버터(21C) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 3 전류원(22C)은 상기 풀업 지연 제어 전압(VCP)을 수신할 수 있다. 상기 제 3 전류원(22C)은 상기 풀업 지연 제어 전압(VCP)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21C)의 풀업 구동력을 조절하여 상기 제 2 지연 셀(20C)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 4 전류원(23C)은 상기 제 3 인버터(21C)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 4 전류원(23C)은 상기 풀다운 지연 제어 전압(VCN)을 수신할 수 있다. 상기 제 4 전류원(23C)은 상기 풀다운 지연 제어 전압(VCN)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21C)의 풀다운 구동력을 조절하여 상기 제 2 지연 셀(20C)의 지연량을 변화시킬 수 있다. 상기 제 3 피드백 전류원(24C)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 3 인버터(21C) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 3 피드백 전류원(24C)은 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)를 수신할 수 있다. 상기 제 3 피드백 전류원(24C)은 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21C)의 풀업 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 3 피드백 전류원(24C)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)의 상보 신호(SW1B)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 3 피드백 전류원(24C)은 상기 상보 신호(SW1B)에 따라 상기 제 3 인버터(21C)와 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 제 4 피드백 전류원(25C)은 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 피드백 전류원(25C)은 상기 제 3 인버터(21C)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 4 피드백 전류원(25C)은 상기 또 다른 지연 셀로부터 출력되는 출력 신호(OUT3)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21C)의 풀다운 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 4 피드백 전류원(25C)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 4 피드백 전류원(25C)은 상기 제 1 스위칭 신호(SW1)에 따라 상기 제 3 인버터(21C)와 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 제 4 인버터(26C)는 상기 제 2 출력 신호(OUT2)를 반전 구동하여 상기 제 2 지연 클럭 신호(DCLK2)를 출력할 수 있다. 상기 제 3 보조 전류원(27C)은 상기 고전압(VH)이 공급되는 단자와 상기 제 3 인버터(21C) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 3 보조 전류원(27C)은 상기 풀업 지연 제어 전압(VCP)을 수신할 수 있다. 상기 제 3 보조 전류원(27C)은 상기 풀업 지연 제어 전압(VCP)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21C)의 풀업 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 3 보조 전류원(27C)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)의 상보 신호(SW2B)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 3 보조 전류원(27C)은 상기 상보 신호(SW2B)에 따라 상기 제 3 인버터(21C)와 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 제 4 보조 전류원(28C)은 상기 제 3 인버터(21C)와 상기 저전압(VL)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 상기 제 4 보조 전류원(28C)은 상기 풀다운 지연 제어 전압(VCN)을 수신할 수 있다. 상기 제 4 보조 전류원(28C)은 상기 풀다운 지연 제어 전압(VCN)에 기초하여 상기 제 3 인버터(21C)의 풀다운 구동력을 추가적으로 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 4 보조 전류원(28C)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)를 더 수신할 수 있다. 상기 제 4 보조 전류원(28C)은 상기 제 2 스위칭 신호(SW2)에 따라 상기 제 3 인버터(21C)와 선택적으로 연결될 수 있다.The
도 11은 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(1100)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하면, 상기 반도체 장치(1100)는 클럭 신호(CLK)를 수신하고, 상기 클럭 신호(CLK)에 대한 지연 고정 동작을 수행하여 복수의 내부 클럭 신호를 생성할 수 있다. 상기 반도체 장치(1100)는 상기 클럭 신호(CLK)로부터 상기 복수의 내부 클럭 신호를 생성하기 위해 지연 고정 루프 회로를 포함할 수 있다. 상기 반도체 장치(1100)는 클럭 수신기(1110, RX), 분주 회로(1120), 제 1 지연 고정 루프(1130), 제 2 지연 고정 루프(1140) 및 클럭 생성 회로(1150)를 포함할 수 있다. 상기 클럭 수신기(1110)는 상기 반도체 장치(1100)의 외부로부터 전송된 상기 클럭 신호(CLK)를 수신할 수 있다. 상기 클럭 수신기(1110)는 상기 클럭 신호(CLK)를 버퍼링하여 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 출력할 수 있다. 상기 분주 회로(1120)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR) 및 주파수 정보 신호(EN)를 수신할 수 있다. 상기 주파수 정보 신호(EN)는 상기 반도체 장치(1100)가 상대적으로 높은 주파수로 동작하는지 또는 상대적으로 낮은 주파수로 동작하는지 여부에 대한 정보를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 장치(1100)가 고주파수로 동작할 때, 상기 주파수 정보 신호(EN)는 인에이블될 수 있다. 상기 반도체 장치(1100)가 상기 고주파수보다 낮은 저주파수로 동작할 때, 상기 주파수 정보 신호(EN)는 디스에이블될 수 있다. 상기 분주 회로(1120)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 수신하고, 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 분주시켜 분주 클럭 신호(ICLK)를 생성할 수 있다. 상기 분주 회로(1120)는 상기 분주 클럭 신호(ICLK)를 기준 클럭 신호로 제공할 수 있다. 상기 분주 회로(1120)는 상기 주파수 정보 신호(EN)에 기초하여 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 선택적으로 출력할 수 있다. 예를 들어, 상기 분주 회로(1120)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 디스에이블되었을 때, 상기 분주 클럭 신호(ICLK)와 함께 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)로 출력할 수 있다. 11 is a diagram illustrating a configuration of a
상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 적어도 하나의 디지털 제어 지연 라인을 포함하는 디지털 지연 고정 루프일 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 상기 기준 클럭 신호, 상기 주파수 정보 신호(EN), 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1) 및 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 상기 주파수 정보 신호(EN)에 기초하여 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1) 및 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2) 중 하나와 상기 기준 클럭 신호에 기초하여 상기 기준 클럭 신호에 대한 지연 고정 동작을 수행할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 상기 분주 회로(1120)로부터 생성된 상기 분주 클럭 신호(ICLK)를 상기 기준 클럭 신호로 수신할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 상기 기준 클럭 신호를 지연시켜 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)를 생성할 수 있고, 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 지연시켜 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 인에이블되었을 때, 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1) 및 상기 분주 클럭 신호(ICLK)에 기초하여 지연 고정 동작을 수행하고, 상기 분주 클럭 신호(ICLK)를 지연시켜 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 디스에이블되었을 때, 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2) 및 상기 분주 클럭 신호(ICLK)에 기초하여 지연 고정 동작을 수행하고, 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 지연시켜 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)를 생성할 수 있다. The first delay locked
상기 제 2 지연 고정 루프(1140)는 전압 제어 지연 라인을 포함하는 아날로그 지연 고정 루프일 수 있다. 상기 제 2 지연 고정 루프(1140)는 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)를 수신하여 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 지연 고정 루프(1140)는 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)와 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)에 기초하여 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)에 대한 지연 고정 동작을 수행하여 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 지연 고정 루프(1140)는 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)를 지연시켜 제 1 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1) 중 하나는 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)로 제공될 수 있다. The second delay locked
상기 클럭 생성 회로(1150)는 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)를 수신할 수 있다. 상기 클럭 생성 회로(1150)는 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)에 기초하여 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2)를 생성할 수 있다. 상기 클럭 생성 회로(1150)는 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)로부터 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2) 중 하나는 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2)로 제공될 수 있다. 상기 클럭 생성 회로(1150)는 상기 주파수 정보 신호(EN)를 더 수신할 수 있다. 상기 클럭 생성 회로(1150)는 주파수 정보 신호(EN)에 기초하여 상기 제 1 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1) 및 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2) 중 하나를 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD)로 출력할 수 있다. 상기 클럭 생성 회로(1150)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 인에이블되었을 때, 상기 제 1 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1)를 상기 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD)로 출력할 수 있다. 상기 클럭 생성 회로(1150)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 디스에이블되었을 때, 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)를 상기 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD)로 출력할 수 있다. The
상기 반도체 장치(1100)가 고주파수로 동작할 때, 상기 주파수 정보 신호(EN)는 인에이블되고, 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)와 상기 제 2 지연 고정 루프(1140)를 통해 지연 고정 동작이 수행될 수 있다. 상기 분주 회로(1120)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 분주하여 상기 분주 클럭 신호(ICLK)를 상기 기준 클럭 신호로 출력할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 상기 분주 클럭 신호(ICLK) 및 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)에 기초하여 지연 고정 동작을 수행하여 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)의 지연 고정 동작이 완료되면, 상기 제 2 지연 고정 루프(1140)는 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)로부터 수신된 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)에 대해 지연 고정 동작을 수행할 수 있다. 상기 제 2 지연 고정 루프(1140)는 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)에 대한 지연 고정 동작을 수행하여 상기 제 1 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1)를 생성할 수 있다. 상기 클럭 생성 회로(1150)는 상기 제 2 지연 고정 루프(1140)로부터 출력된 제 1 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1)를 상기 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD)로 출력할 수 있다.When the
상기 반도체 장치(1100)가 저주파수로 동작할 때, 상기 주파수 정보 신호(EN)는 디스에이블되고, 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)를 통해 지연 고정 동작이 수행될 수 있다. 상기 분주 회로(1120)는 상기 분주 클럭 신호(ICLK)를 상기 기준 클럭 신호로 출력하고, 상기 분주 클럭 신호와 함께 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 출력할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 상기 분주 클럭 신호(ICLK)와 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2)에 기초하여 지연 고정 동작을 수행하고, 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 지연시켜 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)의 지연 고정 동작이 완료되면, 상기 클럭 생성 회로(1150)는 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)로부터 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)를 수신할 수 있다. 상기 클럭 생성 회로(1150)는 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)에 기초하여 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)를 생성할 수 있다. 상기 클럭 생성 회로(1150)는 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)를 상기 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD)로 출력할 수 있다.When the
상기 분주 회로(1120)는 클럭 분주기(1121) 및 게이팅 회로(1122)를 포함할 수 있다. 상기 클럭 분주기(1121)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 수신하고, 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 분주할 수 있다. 예를 들어, 상기 클럭 분주기(1121)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 2분주하여 4개의 분주 클럭 신호들을 생성할 수 있고, 상기 4개의 분주 클럭 신호들 중 하나를 상기 기준 클럭 신호로 출력할 수 있다. 예를 들어, 상기 클럭 분주기(1121)는 상기 4개의 분주 클럭 신호들 중에서 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)의 위상에 대응되는 위상을 갖는 하나의 분주 클럭 신호(ICLK)를 상기 기준 클럭 신호로 출력할 수 있다. 상기 게이팅 회로(1122)는 상기 주파수 정보 신호(EN)에 기초하여 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 선택적으로 출력할 수 있다. 상기 게이팅 회로(1122)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR) 및 상기 주파수 정보 신호(EN)의 상보 신호(ENB)를 수신할 수 있다. 상기 게이팅 회로(1122)는 상기 주파수 정보 신호(EN)의 상보 신호(ENB)로 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 게이팅할 수 있다. 상기 게이팅 회로(1122)는 앤드 게이트를 포함할 수 있다. 상기 게이팅 회로(1122)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 디스에이블되었을 때 (즉, 상기 주파수 정보 신호(EN)의 상보 신호(ENB)가 인에이블되었을 때) 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 상기 제 1 지연 고정 루프(1130)로 출력할 수 있다.The
상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 고주파수 지연 라인(1131), 저주파수 지연 라인(1132), 레플리카(1133), 제 1 위상 감지기(1134) 및 지연 제어기(1135)를 포함할 수 있다. 상기 고주파수 지연 라인(1131) 및 상기 저주파수 지연 라인(1132)은 모두 디지털 제어 지연 라인일 수 있다. 상기 고주파수 지연 라인(1131)은 상기 분주 클럭 신호(ICLK), 지연 제어 신호(DC) 및 상기 주파수 정보 신호(EN)를 수신할 수 있다. 상기 고주파수 지연 라인(1131)은 상기 주파수 정보 신호(EN)가 인에이블되었을 때, 상기 분주 클럭 신호(ICLK)를 상기 지연 제어 신호(DC)에 기초하여 지연시켜 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)를 생성할 수 있다. 상기 고주파수 지연 라인(1131)은 상기 주파수 정보 신호(EN)가 디스에이블되었을 때, 비활성화될 수 있다. 상기 저주파수 지연 라인(1132)은 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR) 및 상기 지연 제어 신호(DC)를 수신할 수 있다. 상기 저주파수 지연 라인(1132)은 상기 지연 제어 신호(DC)에 기초하여 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)를 지연시켜 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)를 생성할 수 있다. The first delay locked
상기 레플리카(1133)는 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1) 및 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2) 중 하나를 수신할 수 있다. 상기 레플리카(1133)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 인에이블되었을 때 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)를 수신하고, 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)를 모델링된 지연 시간만큼 지연시켜 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)를 출력할 수 있다. 상기 레플리카(1133)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 디스에이블되었을 때 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2)를 수신하고, 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2)를 모델링된 지연 시간만큼 지연시켜 상기 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)를 출력할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 레플리카(1133)는 상기 주파수 정보 신호(EN)에 무관하게 상기 클럭 생성 회로(1150)로부터 출력된 상기 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD) 중 하나를 수신하도록 수정될 수 있다. 예를 들어, 상기 레플리카(1133)는 상기 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD) 중에서 상기 제 1 및 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD1, ICLKD2)에 대응되는 위상을 갖는 상기 내부 클럭 신호(ICLKD)를 수신하도록 수정될 수 있다. The
상기 제 1 위상 감지기(1134)는 상기 기준 클럭 신호로 제공된 상기 분주 클럭 신호(ICLK)와 상기 제 1 피드백 클럭 신호(FBCLK1)의 위상을 비교하여 상기 제 1 위상 감지 신호(PD1)를 생성할 수 있다. 상기 지연 제어기(1135)는 상기 제 1 위상 감지 신호(PD1)에 기초하여 상기 지연 제어 신호(DC1)를 생성할 수 있다. 상기 지연 제어기(1135)는 상기 제 1 위상 감지 신호(PD1)의 로직 레벨에 따라 상기 지연 제어 신호(DC)의 값을 증가시키거나 감소시킬 수 있다. 상기 지연 제어 신호(DC)는 상기 고주파수 지연 라인(1131) 및 상기 저주파수 지연 라인(1132)으로 공통으로 제공될 수 있다. 상기 고주파수 지연 라인(1131) 및 상기 저주파수 지연 라인(1132)의 지연량은 상기 지연 제어 신호(DC)에 기초하여 설정될 수 있다. The
상기 제 1 지연 고정 루프(1130)는 클럭 선택기(1136)를 더 포함할 수 있다. 상기 클럭 선택기(1146)는 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1), 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2) 및 상기 주파수 정보 신호(EN)를 수신할 수 있다. 상기 클럭 선택기(1136)는 상기 주파수 정보 신호(EN)에 기초하여 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1) 및 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2) 중 하나를 수신할 수 있다. 상기 클럭 선택기(1136)는 상기 레플리카(1133)와 연결되고, 상기 클럭 선택기(1136)로부터 출력된 클럭 신호는 상기 레플리카(1133)로 입력될 수 있다. 상기 클럭 선택기(1136)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 인에이블되었을 때, 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)를 상기 레플리카(1133)로 출력할 수 있다. 상기 클럭 선택기(1136)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 디스에이블되었을 때, 상기 제 2 출력 클럭 신호(ICLKD2)를 상기 레플리카(1133)로 출력할 수 있다. The first delay locked
상기 제 2 지연 고정 루프(1140)는 전압 제어 지연 라인(1141), 보정 회로(1142), 제 2 위상 감지기(1143) 및 차지 펌프(1144)를 포함할 수 있다. 상기 전압 제어 지연 라인(1141)은 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1) 및 지연 제어 전압(VC)을 수신할 수 있다. 상기 전압 제어 지연 라인(1141)은 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)를 지연시켜 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1) 및 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)를 생성할 수 있다. 또한, 상기 전압 제어 지연 라인(1141)은 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)를 지연시켜 상기 제 1 출력 클럭 신호 이외의 나머지 제 1 복수의 출력 클럭 신호(QCLK1, IBCLK1, QBLCK1)를 생성할 수 있다. 상기 보정 회로(1142)는 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1) 및 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)를 수신할 수 있다. 상기 보정 회로(1142)는 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)와 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)의 위상을 감지하고, 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)를 지연시켜 지연 기준 클럭 신호(REFD)를 생성하며, 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2)를 지연시켜 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 생성할 수 있다. 상기 보정 회로(1142)는 상기 제 2 지연 고정 루프(1140)를 구성하는 구성 요소들로 인해 발생할 수 있는 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)와 상기 제 2 피드백 클럭 신호(FBCLK2) 사이의 위상 에러를 보상하여 상기 제 2 지연 고정 루프(1140)가 정확한 지연 고정 동작을 수행할 수 있도록 한다. 도 4에 도시된 보정 회로(420)는 상기 보정 회로(1142)로 적용될 수 있다. 상기 제 2 위상 감지기(1143)는 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD) 및 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 위상 감지기(1143)는 상기 지연 기준 클럭 신호(REFD) 및 상기 지연 피드백 클럭 신호(FEBD)의 위상을 감지하여 제 2 위상 감지 신호(PD2)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 위상 감지 신호(PD2)는 업 신호(UP) 및 다운 신호(DN)를 포함할 수 있다. 상기 차지 펌프(1144)는 상기 제 2 위상 감지 신호(PD2)를 수신하고, 상기 제 2 위상 감지 신호(PD2)에 기초하여 상기 지연 제어 전압(VC)을 생성할 수 있다. 상기 차지 펌프(1144)는 상기 업 신호(UP)에 기초하여 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨을 상승시키고, 상기 다운 신호(DN)에 기초하여 상기 지연 제어 전압(VC)의 전압 레벨을 하강시킬 수 있다.The second delay locked
상기 클럭 생성 회로(1150)는 멀티 페이즈 클럭 생성기(1151) 및 클럭 선택기(1152)를 포함할 수 있다. 상기 멀티 페이즈 클럭 생성기(1151)는 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)를 수신할 수 있다. 상기 멀티 페이즈 클럭 생성기(115)는 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)로부터 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)를 생성할 수 있다. 상기 멀티 페이즈 클럭 생성기(1151)는 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)의 위상을 분할하고, 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)의 주파수를 분주하여 일정한 위상 차이를 갖는 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)를 생성할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 멀티 페이즈 클럭 생성기(1151)는 페이즈 스플리터 (phase splitter)와 분주기 등과 같은 구성 요소를 포함할 수 있다. 상기 클럭 선택기(1152)는 상기 주파수 정보 신호(EN), 상기 제 1 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1) 및 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)를 수신할 수 있다. 상기 클럭 선택기(1152)는 상기 주파수 정보 신호(EN)에 기초하여 상기 제 1 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1) 및 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2) 중 하나를 상기 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD)로 출력할 수 있다. 상기 주파수 정보 신호(EN)가 인에이블되었을 때, 상기 클럭 선택기(1152)는 상기 제 1 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1)를 상기 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD)로 출력할 수 있다. 상기 주파수 정보 신호(EN)가 디스에이블되었을 때, 상기 클럭 선택기(1152)는 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)를 상기 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD)로 출력할 수 있다.The
상기 반도체 장치(1100)는 커맨드 수신기(1210, RX), 커맨드 디코더(1220), 커맨드 지연 라인(1230), 클럭 생성 레플리카(1240), 지연 셀 레플리카(1250), 커맨드 선택기(1260) 및 동기 회로(1270)를 포함할 수 있다. 상기 커맨드 수신기(1210)는 상기 반도체 장치(1100)의 외부로부터 전송된 커맨드 신호(CMD)를 수신할 수 있다. 상기 커맨드 신호(CMD)는 상기 반도체 장치(1100)가 다양한 동작을 수행할 수 있도록 하는 제어 신호일 수 있다. 상기 커맨드 신호(CMD)는 서로 다른 종류의 복수의 신호를 포함할 수 있다. 상기 커맨드 디코더(1220)는 상기 커맨드 수신기(1210)를 통해 수신된 상기 커맨드 신호(CMD)를 디코딩하여 내부 커맨드 신호(ICMD)를 생성할 수 있다. 상기 커맨드 디코더(1220)는 상기 커맨드 신호(CMD)에 기초하여 다양한 내부 커맨드 신호(ICMD)를 생성할 수 있다. 한정하는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 내부 커맨드 신호(ICMD)는 액티브 커맨드 신호, 프리차지 커맨드 신호, 리드 커맨드 신호, 라이트 커맨드 신호, 온 다이 터미네이션 커맨드 신호, 리프레쉬 커맨드 신호 등을 포함할 수 있다. 상기 커맨드 디코더(1220)는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)에 기초하여 상기 커맨드 수신기(1210)를 통해 수신된 커맨드 신호(CMD)를 래치하고, 래치된 커맨드 신호를 디코딩하여 상기 내부 커맨드 신호(ICMD)를 생성할 수 있다. The
상기 커맨드 지연 라인(1230)은 상기 내부 커맨드 신호(ICMD) 및 상기 지연 제어 신호(DC)를 수신할 수 있다. 상기 커맨드 지연 라인(1230)은 상기 지연 제어 신호(DC)에 기초하여 상기 내부 커맨드 신호(ICMD)를 지연시켜 지연 커맨드 신호(DCMD)를 생성할 수 있다. 상기 커맨드 지연 라인(1230)의 지연량은 상기 지연 제어 신호(DC)에 기초하여 설정될 수 있다. 상기 커맨드 지연 라인(1230)은 상기 고주파수 지연 라인(1131) 및/또는 상기 저주파수 지연 라인(1132)과 실질적으로 동일한 구성을 가질 수 있다. 상기 커맨드 지연 라인(1230), 상기 고주파수 지연 라인(1131) 및 상기 저주파수 지연 라인(1132)은 상기 지연 제어 신호(DC)를 공통으로 수신하기 때문에, 상기 커맨드 지연 라인(1230)의 지연량은 상기 고주파수 지연 라인(1131) 및/또는 상기 저주파수 지연 라인(1132)의 지연량과 동일하게 설정될 수 있다. 상기 내부 커맨드 신호(ICMD)는 상기 분주 클럭 신호(ICLK) 또는 상기 버퍼링된 클럭 신호(CLKR)가 상기 고주파수 지연 라인(1131) 또는 상기 저주파수 지연 라인(1132)을 통해 지연되는 시간만큼 상기 커맨드 지연 라인(1230)을 통해 지연될 수 있다. The
상기 클럭 생성 레플리카(1240)는 상기 지연 커맨드 신호(DCMD)를 지연시켜 추가적으로 지연된 커맨드 신호를 출력할 수 있다. 상기 클럭 생성 레플리카(1240)는 상기 클럭 생성 회로(1150)를 모델링한 회로로서 상기 클럭 생성 회로(1150)에서 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)가 생성되는데 소요되는 시간만큼 상기 지연 커맨드 신호(DCMD)를 추가적으로 지연시킬 수 있다. 상기 저주파수 지연 라인(1132)을 통해 지연된 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)는 상기 클럭 생성 회로(1150)를 통해 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)로 생성될 수 있다. 따라서, 상기 클럭 생성 레플리카(1240)는 상기 지연 커맨드 신호(DCMD)를 상기 제 2 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL2)로부터 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD2, QCLKD2, IBCLKD2, QBCLKD2)가 생성되는데 소요되는 시간만큼 지연시켜 상기 클럭 생성 레플리카(1240)로부터 출력되는 커맨드 신호의 타이밍과 상기 제 2 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1)의 위상을 매칭시킬 수 있다.The
상기 지연 셀 레플리카(1250)는 상기 전압 제어 지연 라인(1141)을 구성하는 복수의 지연 셀 중 적어도 하나를 모델링한 것일 수 있다. 상기 지연 셀 레플리카(1250)가 포함하는 지연 셀의 개수는 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)로부터 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)가 생성되는데 사용되는 지연 셀의 개수와 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 전압 제어 지연 라인(1141) 내에서 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)가 1개의 지연 셀을 통해 지연되어 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1)로 생성되는 경우, 상기 지연 셀 레플리카(1250)는 하나의 지연 셀을 포함하도록 구성될 수 있다. 상기 지연 셀 레플리카(1250)는 상기 지연 커맨드 신호(DCMD) 및 상기 지연 제어 전압(DC)을 수신하고, 상기 지연 제어 전압(VC)에 기초하여 상기 지연 커맨드 신호(DCMD)를 지연시켜 추가적으로 지연된 커맨드 신호를 생성할 수 있다. 상기 고주파수 지연 라인(1131)을 통해 지연된 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)는 상기 제 2 지연 고정 루프(1140)의 상기 전압 제어 지연 라인(1141)을 통해 추가적으로 지연될 수 있다. 상기 지연 셀 레플리가(1250)는 상기 지연 커맨드 신호(DCMD)를 상기 제 1 지연 고정 클럭 신호(CLKDLL1)로부터 상기 제 1 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1)가 생성되는데 소요되는 시간만큼 지연시켜 상기 지연 셀 레플리카(1250)로부터 출력되는 커맨드 신호의 타이밍과 상기 제 1 복수의 출력 클럭 신호(ICLKD1, QCLKD1, IBCLKD1, QBCLKD1)의 위상을 매칭시킬 수 있다.The
상기 커맨드 선택기(1260)는 상기 클럭 생성 레플리카(1240)의 출력 신호, 상기 지연 셀 레플리카(1250)의 출력 신호 및 상기 주파수 정보 신호(EN)를 수신할 수 있다. 상기 커맨드 선택기(1260)는 상기 주파수 정보 신호(EN)에 기초하여 상기 클럭 생성 레플리카(1240)의 출력 신호 및 상기 지연 셀 레플리카(1250)의 출력 신호 중 하나를 비동기 커맨드 신호(ASCMD)로 출력할 수 있다. 상기 커맨드 선택기(1260)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 인에이블되었을 때, 상기 지연 셀 레플리카(1250)의 출력 신호를 상기 비동기 커맨드 신호(ASCMD)로 출력할 수 있다. 상기 커맨드 선택기(1260)는 상기 주파수 정보 신호(EN)가 디스에이블되었을 때, 상기 클럭 생성 레플리카(1240)의 출력 신호를 상기 비동기 커맨드 신호(ASCMD)로 출력할 수 있다.The
상기 동기 회로(1270)는 상기 복수의 내부 클럭 신호(ICLKD, QCLKD, IBCLKD, QBCLKD) 중 하나와 상기 비동기 신호(ASCMD)를 수신할 수 있다. 예를 들어, 상기 동기 회로(1270)는 상기 내부 클럭 신호(ICLKD)를 수신할 수 있다. 상기 동기 회로(1270)는 상기 비동기 커맨드 신호(ASCMD)의 도메인을 변경할 수 있다. 상기 동기 회로(1270)는 상기 비동기 커맨드 신호(ASCMD)를 상기 내부 클럭 신호(ICLKD)에 동기시켜 상기 동기 커맨드 신호(SCMD)를 출력할 수 있다. 상기 동기 회로(1270)는 상기 비동기 커맨드 신호(ASCMD)를 상기 내부 클럭 신호(ICLKD)에 동기된 동기 커맨드 신호(SCMD)로 변환하고, 상기 동기 커맨드 신호(SCMD)가 상기 반도체 장치(1100)의 내부 회로에서 사용될 수 있도록 한다. 일 실시예에서, 상기 동기 회로(1270)는 상기 내부 클럭 신호(QCLKD)에 동기하여 상기 동기 커맨드 신호(SCMD)를 생성하도록 수정될 수 있다. The
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains, since the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof, the embodiments described above are illustrative in all respects and should be understood as non-limiting. Only do it. The scope of the present invention is indicated by the claims to be described later rather than the detailed description, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
Claims (30)
상기 제 1 출력 신호를 반전시켜 제 2 출력 신호를 생성하는 제 2 지연 셀을 포함하고,
상기 제 1 지연 셀이 상기 제 1 출력 신호를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 지연 제어 전압 및 상기 제 2 출력 신호에 기초하여 조절되는 지연 라인. A first delay cell inverting an input signal to generate a first output signal; And
And a second delay cell for generating a second output signal by inverting the first output signal,
A pull-down driving force through which the first delay cell pulls down the first output signal is adjusted based on a delay control voltage and the second output signal.
상기 제 1 지연 셀은, 고전압이 공급되는 단자와 상기 고전압보다 낮은 레벨을 갖는 저전압이 공급되는 단자 사이에 연결되고, 상기 입력 신호를 반전시켜 제 1 출력 신호를 출력하는 제 1 인버터;
상기 지연 제어 전압에 기초하여 상기 제 1 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 조절하는 제 1 전류원; 및
상기 제 2 출력 신호에 기초하여 상기 제 1 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 1 피드백 전류원을 포함하는 지연 라인.The method of claim 1,
The first delay cell may include: a first inverter connected between a terminal to which a high voltage is supplied and a terminal to which a low voltage having a level lower than the high voltage is supplied, and outputting a first output signal by inverting the input signal;
A first current source controlling a current flowing from the first inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on the delay control voltage; And
A delay line including a first feedback current source for additionally controlling a current flowing from the first inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on the second output signal.
상기 제 1 피드백 전류원은 제 1 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 1 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 1 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 2,
The first feedback current source further receives a first switching signal, and a delay line selectively connected to the first inverter based on the first switching signal.
상기 지연 제어 전압에 기초하여 상기 제 1 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 1 보조 전류원을 더 포함하는 지연 라인.The method of claim 2,
The delay line further comprising a first auxiliary current source for additionally controlling a current flowing from the first inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on the delay control voltage.
상기 제 1 보조 전류원은, 제 2 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 2 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 1 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 4,
The first auxiliary current source further receives a second switching signal, and a delay line selectively connected to the first inverter based on the second switching signal.
상기 제 2 지연 셀이 상기 제 2 출력 신호를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 상기 지연 제어 전압과 상기 제 2 지연 셀의 다음 단에 배치되어 상기 제 2 출력 신호를 수신하는 또 다른 지연 셀의 출력 신호에 기초하여 조절되는 지연 라인.The method of claim 1,
The pull-down driving force for pulling down the second output signal by the second delay cell is based on the delay control voltage and an output signal of another delay cell that is disposed at the next stage of the second delay cell and receives the second output signal. Delay line controlled by
상기 제 2 지연 셀은, 고전압이 공급되는 단자와 상기 고전압보다 낮은 레벨을 갖는 저전압이 공급되는 단자 사이에 연결되고, 상기 제 1 출력 신호를 반전시켜 제 2 출력 신호를 출력하는 제 2 인버터;
상기 지연 제어 전압에 기초하여 상기 제 2 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 조절하는 제 2 전류원; 및
상기 또 다른 지연 셀의 출력 신호에 기초하여 상기 제 2 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 2 피드백 전류원을 포함하는 지연 라인.The method of claim 6,
The second delay cell may include a second inverter connected between a terminal to which a high voltage is supplied and a terminal to which a low voltage having a level lower than the high voltage is supplied, and outputting a second output signal by inverting the first output signal;
A second current source controlling a current flowing from the second inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on the delay control voltage; And
A delay line including a second feedback current source for additionally controlling a current flowing from the second inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on an output signal of the another delay cell.
상기 제 2 피드백 전류원은 제 1 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 1 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 2 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 7,
The second feedback current source further receives a first switching signal, and a delay line selectively connected to the second inverter based on the first switching signal.
상기 지연 제어 전압에 기초하여 상기 제 2 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 2 보조 전류원을 더 포함하는 지연 라인.The method of claim 7,
The delay line further comprises a second auxiliary current source for additionally controlling a current flowing from the second inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on the delay control voltage.
상기 제 2 보조 전류원은, 제 2 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 2 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 2 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 9,
The second auxiliary current source further receives a second switching signal, and is a delay line selectively connected to the second inverter based on the second switching signal.
상기 제 1 출력 신호를 반전시켜 제 2 출력 신호를 생성하는 제 2 지연 셀을 포함하고,
상기 제 1 지연 셀이 상기 제 1 출력 신호를 풀업시키는 풀업 구동력은 지연 제어 전압 및 상기 제 2 출력 신호에 기초하여 조절되는 지연 라인. A first delay cell inverting an input signal to generate a first output signal; And
And a second delay cell for generating a second output signal by inverting the first output signal,
A pull-up driving force through which the first delay cell pulls up the first output signal is adjusted based on a delay control voltage and the second output signal.
상기 제 1 지연 셀은, 고전압이 공급되는 단자와 상기 고전압보다 낮은 레벨을 갖는 저전압이 공급되는 단자 사이에 연결되고, 상기 입력 신호를 반전시켜 제 1 출력 신호를 출력하는 제 1 인버터;
상기 지연 제어 전압에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 인버터로 흐르는 전류를 조절하는 제 1 전류원; 및
상기 제 2 출력 신호에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 인버터로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 1 피드백 전류원을 포함하는 지연 라인.The method of claim 11,
The first delay cell may include: a first inverter connected between a terminal to which a high voltage is supplied and a terminal to which a low voltage having a level lower than the high voltage is supplied, and outputting a first output signal by inverting the input signal;
A first current source controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the first inverter based on the delay control voltage; And
A delay line including a first feedback current source for additionally controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the first inverter based on the second output signal.
상기 제 1 피드백 전류원은 제 1 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 1 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 1 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 12,
The first feedback current source further receives a first switching signal, and a delay line selectively connected to the first inverter based on the first switching signal.
상기 지연 제어 전압에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 인버터로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 1 보조 전류원을 더 포함하는 지연 라인.The method of claim 12,
The delay line further comprises a first auxiliary current source for additionally controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the first inverter based on the delay control voltage.
상기 제 1 보조 전류원은, 제 2 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 2 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 1 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 14,
The first auxiliary current source further receives a second switching signal, and a delay line selectively connected to the first inverter based on the second switching signal.
상기 제 2 지연 셀이 상기 제 2 출력 신호를 풀업시키는 풀업 구동력은 상기 지연 제어 전압과 상기 제 2 지연 셀의 다음 단에 배치되어 상기 제 2 출력 신호를 수신하는 또 다른 지연 셀의 출력 신호에 기초하여 조절되는 지연 라인.The method of claim 11,
The pull-up driving force by which the second delay cell pulls up the second output signal is based on the delay control voltage and an output signal of another delay cell that is disposed at a next stage of the second delay cell and receives the second output signal. Delay line controlled by
상기 제 2 지연 셀은, 고전압이 공급되는 단자와 상기 고전압보다 낮은 레벨을 갖는 저전압이 공급되는 단자 사이에 연결되고, 상기 제 1 출력 신호를 반전시켜 제 2 출력 신호를 출력하는 제 2 인버터;
상기 지연 제어 전압에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 2 인버터로 흐르는 전류를 조절하는 제 2 전류원; 및
상기 또 다른 지연 셀의 출력 신호에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 2 인버터로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 2 피드백 전류원을 포함하는 지연 라인.The method of claim 16,
The second delay cell includes: a second inverter connected between a terminal to which a high voltage is supplied and a terminal to which a low voltage having a level lower than the high voltage is supplied, and outputting a second output signal by inverting the first output signal;
A second current source controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the second inverter based on the delay control voltage; And
A delay line including a second feedback current source for additionally controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the second inverter based on an output signal of the another delay cell.
상기 제 2 피드백 전류원은 제 1 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 1 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 2 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 17,
The second feedback current source further receives a first switching signal, and a delay line selectively connected to the second inverter based on the first switching signal.
상기 지연 제어 전압에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 2 인버터로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 2 보조 전류원을 더 포함하는 지연 라인.The method of claim 17,
The delay line further comprising a second auxiliary current source for additionally controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the second inverter based on the delay control voltage.
상기 제 2 보조 전류원은, 제 2 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 2 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 2 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 19,
The second auxiliary current source further receives a second switching signal, and is a delay line selectively connected to the second inverter based on the second switching signal.
상기 제 1 출력 신호를 반전시켜 제 2 출력 신호를 생성하는 제 2 지연 셀을 포함하고,
상기 제 1 지연 셀이 상기 제 1 출력 신호를 풀업시키는 풀업 구동력은 풀업 지연 제어 전압 및 상기 제 2 출력 신호에 기초하여 조절되고, 상기 제 1 지연 셀이 상기 제 1 출력 신호를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 풀다운 지연 제어 전압 및 상기 제 2 출력 신호에 기초하여 조절되는 지연 라인. A first delay cell inverting an input signal to generate a first output signal; And
And a second delay cell for generating a second output signal by inverting the first output signal,
A pull-up driving force by which the first delay cell pulls up the first output signal is adjusted based on a pull-up delay control voltage and the second output signal, and a pull-down driving force by which the first delay cell pulls down the first output signal is A delay line that is adjusted based on a pull-down delay control voltage and the second output signal.
상기 제 1 지연 셀은, 고전압이 공급되는 단자와 상기 고전압보다 낮은 레벨을 갖는 저전압이 공급되는 단자 사이에 연결되고, 상기 입력 신호를 반전시켜 제 1 출력 신호를 출력하는 제 1 인버터;
상기 풀업 지연 제어 전압에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 인버터로 흐르는 전류를 조절하는 제 1 전류원
상기 풀다운 지연 제어 전압에 기초하여 상기 제 1 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 조절하는 제 2 전류원;
상기 제 2 출력 신호에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 인버터로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 1 피드백 전류원; 및
상기 제 2 출력 신호에 기초하여 상기 제 1 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 1 피드백 전류원을 포함하는 지연 라인.The method of claim 21,
The first delay cell may include: a first inverter connected between a terminal to which a high voltage is supplied and a terminal to which a low voltage having a level lower than the high voltage is supplied, and outputting a first output signal by inverting the input signal;
A first current source for controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the first inverter based on the pull-up delay control voltage
A second current source controlling a current flowing from the first inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on the pull-down delay control voltage;
A first feedback current source additionally controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the first inverter based on the second output signal; And
A delay line including a first feedback current source for additionally controlling a current flowing from the first inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on the second output signal.
상기 제 1 및 제 2 피드백 전류원은 제 1 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 1 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 1 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 22,
The first and second feedback current sources further receive a first switching signal, and a delay line selectively connected to the first inverter based on the first switching signal.
상기 풀업 지연 제어 전압에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 1 인버터로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 1 보조 전류원; 및
상기 풀다운 지연 제어 전압에 기초하여 상기 제 1 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 2 보조 전류원을 더 포함하는 지연 라인.The method of claim 22,
A first auxiliary current source additionally controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the first inverter based on the pull-up delay control voltage; And
The delay line further comprising a second auxiliary current source for additionally controlling a current flowing from the first inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on the pull-down delay control voltage.
상기 제 1 및 제 2 보조 전류원은, 제 2 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 2 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 1 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 24,
The first and second auxiliary current sources further receive a second switching signal, and a delay line selectively connected to the first inverter based on the second switching signal.
상기 제 2 지연 셀이 상기 제 2 출력 신호를 풀업시키는 풀업 구동력은 상기 풀업 지연 제어 전압과 상기 제 2 지연 셀의 다음 단에 배치되어 상기 제 2 출력 신호를 수신하는 또 다른 지연 셀의 출력 신호에 기초하여 조절되고, 상기 제 2 지연 셀이 상기 제 2 출력 신호를 풀다운시키는 풀다운 구동력은 상기 풀다운 지연 제어 전압과 상기 또 다른 지연 셀의 출력 신호에 기초하여 조절되는 지연 라인.The method of claim 21,
The pull-up driving force through which the second delay cell pulls up the second output signal is disposed at the next stage of the pull-up delay control voltage and the second delay cell to an output signal of another delay cell receiving the second output signal. And a pull-down driving force for pulling down the second output signal by the second delay cell is adjusted based on the pull-down delay control voltage and an output signal of the another delay cell.
상기 제 2 지연 셀은, 고전압이 공급되는 단자와 상기 고전압보다 낮은 레벨을 갖는 저전압이 공급되는 단자 사이에 연결되고, 상기 제 1 출력 신호를 반전시켜 제 2 출력 신호를 출력하는 제 2 인버터;
상기 풀업 지연 제어 전압에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 2 인버터로 흐르는 전류를 조절하는 제 3 전류원;
상기 풀다운 지연 제어 전압에 기초하여 상기 제 2 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 조절하는 제 4 전류원; 및
상기 또 다른 지연 셀의 출력 신호에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 2 인버터로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 3 피드백 전류원; 및
상기 또 다른 지연 셀의 출력 신호에 기초하여 상기 제 2 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 4 피드백 전류원을 포함하는 지연 라인.The method of claim 26,
The second delay cell may include a second inverter connected between a terminal to which a high voltage is supplied and a terminal to which a low voltage having a level lower than the high voltage is supplied, and outputting a second output signal by inverting the first output signal;
A third current source controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the second inverter based on the pull-up delay control voltage;
A fourth current source controlling a current flowing from the second inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on the pull-down delay control voltage; And
A third feedback current source additionally controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the second inverter based on an output signal of the another delay cell; And
A delay line including a fourth feedback current source for additionally controlling a current flowing from the second inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on an output signal of the another delay cell.
상기 제 3 및 제 4 피드백 전류원은 제 1 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 1 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 2 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 27,
The third and fourth feedback current sources further receive a first switching signal, and a delay line selectively connected to the second inverter based on the first switching signal.
상기 풀업 지연 제어 전압에 기초하여 상기 고전압이 공급되는 단자로부터 상기 제 2 인버터로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 3 보조 전류원; 및
상기 풀다운 지연 제어 전압에 기초하여 상기 제 2 인버터로부터 상기 저전압이 공급되는 단자로 흐르는 전류를 추가적으로 조절하는 제 4 보조 전류원을 더 포함하는 지연 라인.The method of claim 27,
A third auxiliary current source additionally controlling a current flowing from a terminal to which the high voltage is supplied to the second inverter based on the pull-up delay control voltage; And
The delay line further comprising a fourth auxiliary current source for additionally adjusting a current flowing from the second inverter to a terminal to which the low voltage is supplied based on the pull-down delay control voltage.
상기 제 3 및 제 4 보조 전류원은, 제 2 스위칭 신호를 더 수신하고, 상기 제 2 스위칭 신호에 기초하여 상기 제 2 인버터와 선택적으로 연결되는 지연 라인.The method of claim 29,
The third and fourth auxiliary current sources further receive a second switching signal and are selectively connected to the second inverter based on the second switching signal.
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