KR20210022263A - Wafer cleaning apparatus and cleaning method thereof - Google Patents

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KR20210022263A KR1020190101487A KR20190101487A KR20210022263A KR 20210022263 A KR20210022263 A KR 20210022263A KR 1020190101487 A KR1020190101487 A KR 1020190101487A KR 20190101487 A KR20190101487 A KR 20190101487A KR 20210022263 A KR20210022263 A KR 20210022263A
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박종훈
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, provided is a wafer cleaning device which can prevent a particle from being re-attached to a wafer surface. The wafer cleaning device comprises: a cleaning tank containing a cleaning liquid; a plurality of supports provided inside the cleaning tank and supporting wafers placed in a line; first and second arms supporting both ends of the supports; and a reciprocating unit randomly reciprocating at least one of the supports between the first and second arms in an axial direction.

Description

웨이퍼 세정 장치 및 그 세정 방법 {Wafer cleaning apparatus and cleaning method thereof}TECHNICAL FIELD [0001] Wafer cleaning apparatus and cleaning method thereof

본 발명은 웨이퍼 표면에서 파티클을 효과적으로 제거하고, 파티클이 웨이퍼 표면에 재부착을 방지할 수 있는 웨이퍼 세정 장치 및 그 세정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer cleaning apparatus capable of effectively removing particles from a wafer surface and preventing particles from re-adhering to the wafer surface, and a cleaning method thereof.

일반적으로 웨이퍼는 슬라이싱(slicing) 공정, 그라인딩(grinding) 공정, 랩핑(lapping) 공정, 에칭(etching) 공정, 폴리싱(polishing) 공정 등의 일련의 공정을 거쳐 반도체 소자 제조용 웨이퍼로 생산된다. In general, a wafer is produced as a wafer for semiconductor device manufacturing through a series of processes such as a slicing process, a grinding process, a lapping process, an etching process, and a polishing process.

웨이퍼 제작 공정이 진행되는 동안, 웨이퍼의 표면은 미세 파티클, 금속 오염물, 유기 오염물 등에 의해 오염될 수 있다. 이러한 오염물은 웨이퍼의 품질을 저하시킬 뿐만 아니라, 반도체 소자의 물리적 결함 및 특성 저하를 일으키는 원인으로 작용하여, 궁극적으로 반도체 소자의 생산 수율을 저하시키는 원인이 된다. 따라서, 웨이퍼 표면에 묻은 오염물들을 제거하기 위해서 산 또는 알칼리 등의 에칭액이나 순수(Deionized water)를 이용하는 습식 세정 공정을 진행한다.During the wafer fabrication process, the surface of the wafer may be contaminated by fine particles, metal contaminants, organic contaminants, and the like. Such contaminants not only deteriorate the quality of the wafer, but also act as a cause of physical defects and deterioration of properties of the semiconductor device, and ultimately cause a decrease in the production yield of the semiconductor device. Therefore, in order to remove contaminants from the wafer surface, a wet cleaning process using an etching solution such as acid or alkali or deionized water is performed.

습식 세정 공정은 웨이퍼를 하나씩 세정하는 매엽식과, 웨이퍼들을 한꺼번에 세정하는 배치식으로 나뉘어진다. The wet cleaning process is divided into a single wafer type for cleaning wafers one by one, and a batch type for cleaning wafers at once.

배치식 웨이퍼 세정 장치는 세정액으로 채워진 세정조에 복수개의 웨이퍼를 일정 시간 담그고, 세정액에 초음파를 발생시켜 웨이퍼의 표면을 세정할 수 있다. The batch type wafer cleaning apparatus can clean the surface of the wafer by immersing a plurality of wafers in a cleaning tank filled with a cleaning liquid for a predetermined period of time and generating ultrasonic waves in the cleaning liquid.

웨이퍼 표면에 존재하는 파티클(particle), 유기물, 메탈 오염물 등과 같은 오염 물질을 SC1(standard cleaning-1), SC2(standard cleaning-2), 인산(phosphoric acid) 등과 같은 적절한 세정액을 사용하여 화학 반응으로 제거할 수 있다. Contaminants such as particles, organic matter, and metal contaminants present on the wafer surface are chemically reacted using an appropriate cleaning solution such as SC1 (standard cleaning-1), SC2 (standard cleaning-2), phosphoric acid, etc. Can be removed.

또한, 세정액을 통하여 전달된 초음파 진동에 의해 웨이퍼 표면의 오염물을 더 효율적으로 제거할 수 있고, 웨이퍼 표면에 형성된 산화막이나 질화막 등을 제거하는 습식 식각(wet etching)이 진행될 수 있다.In addition, contaminants on the wafer surface may be more efficiently removed by ultrasonic vibration transmitted through the cleaning solution, and wet etching may be performed to remove an oxide film or a nitride film formed on the wafer surface.

그러나, 세정조 내에서 웨이퍼를 정지시킨 상태에서 세정을 진행하면, 초음파 진동에 의한 물리적인 힘이 약하기 때문에 웨이퍼의 표면에서 파티클을 제거하는데 한계가 있고, 파티클이 웨이퍼의 표면에 쉽게 재흡착되는 문제점이 있다.However, when cleaning is performed while the wafer is stopped in the cleaning tank, there is a limitation in removing particles from the surface of the wafer because the physical force due to ultrasonic vibration is weak, and particles are easily resorbed onto the surface of the wafer. There is this.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼 표면에서 파티클을 효과적으로 제거하고, 파티클이 웨이퍼 표면에 재부착을 방지할 수 있는 웨이퍼 세정 장치 및 그 세정 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve the problems of the prior art described above, and provides a wafer cleaning apparatus and a cleaning method capable of effectively removing particles from the wafer surface and preventing re-adhesion of particles to the wafer surface. There is this.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치는 세정액이 담기는 세정조; 상기 세정조 내측에 구비되고, 일렬로 세워진 웨이퍼들을 지지하는 복수개의 지지대; 상기 지지대들의 양단을 지지하는 제1,2암; 및 상기 지지대들 중 적어도 하나를 상기 제1,2암 사이에서 축방향으로 랜덤 왕복 이동시키는 왕복 유닛;을 포함할 수 있다.A wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention includes a cleaning tank containing a cleaning liquid; A plurality of supports provided inside the cleaning tank and supporting wafers arranged in a row; First and second arms supporting both ends of the supports; And a reciprocating unit for randomly reciprocating at least one of the supports in the axial direction between the first and second arms.

상기 지지대들은, 일렬로 세워진 웨이퍼들의 최하단을 지지하는 복수개의 슬롯이 구비된 제1지지대와, 상기 제1지지대의 양측 상부에 나란히 구비되고, 일렬로 세워진 웨이퍼들의 하부 양측을 지지하는 복수개의 슬롯이 구비된 제2,3지지대를 포함할 수 있다.The supports include a first support provided with a plurality of slots for supporting the lowermost end of the wafers in a row, and a plurality of slots provided side by side on both sides of the first support and supporting both lower sides of the wafers in a row. It may include provided second and third supports.

상기 왕복 유닛은, 상기 제2,3지지대와 각각 축방향으로 연결될 수 있다.The reciprocating unit may be connected to the second and third supports in an axial direction, respectively.

상기 왕복 유닛은, 상기 지지대의 일단에 연결되고, 상기 지지대의 일단과 근접한 제1암에 고정될 수 있다.The reciprocating unit is connected to one end of the support and may be fixed to a first arm close to one end of the support.

상기 지지대의 다른 일단과 근접한 제2암에 상기 지지대의 다른 일단을 왕복 이동 가능하게 지지하는 홈이 구비될 수 있다.A second arm adjacent to the other end of the support may be provided with a groove for reciprocating the other end of the support.

상기 왕복 유닛은, 리니어 모터일 수 있다.The reciprocating unit may be a linear motor.

상기 세정조 하부에 구비되고, 상기 세정조 내부의 세정액으로 초음파를 발생시키는 메가소닉;을 더 포함할 수 있다.It may further include a megasonic provided under the cleaning tank and generating ultrasonic waves with a cleaning liquid inside the cleaning tank.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 방법은 축방향으로 일렬로 세워진 웨이퍼들을 세정액에 담그는 제1단계; 및 상기 제1단계의 웨이퍼들을 축방향으로 랜덤 왕복 운동시키는 제2단계;를 포함할 수 있다.A wafer cleaning method according to an embodiment of the present invention includes a first step of immersing wafers arranged in an axial direction in a cleaning solution; And a second step of randomly reciprocating the wafers of the first step in the axial direction.

상기 제1단계는, 일렬로 세워진 웨이퍼들의 최하단과 하부 양측을 지지하는 과정을 포함할 수 있다.The first step may include a process of supporting both the lowermost and lower sides of the wafers arranged in a line.

상기 제2단계는, 일렬로 세워진 웨이퍼들의 최하단을 고정시키는 과정을 포함할 수 있다.The second step may include fixing the lowermost ends of the wafers arranged in a row.

상기 제2단계는, 일렬로 세워진 웨이퍼들의 하부 양측을 축방향으로 이동시키는 과정을 포함할 수 있다.The second step may include a process of axially moving both lower sides of the lined wafers.

상기 제2단계의 웨이퍼들이 담긴 세정액에 초음파를 전달하는 제3단계;를 포함할 수 있다.And a third step of transmitting ultrasonic waves to the cleaning liquid containing the wafers of the second step.

상기 제3단계는, 상기 제2단계와 동시에 진행될 수 있다.The third step may be performed simultaneously with the second step.

본 발명에 따르면, 세정조 내부의 세정액에 일렬로 세워진 웨이퍼들을 담그고, 웨이퍼들을 랜덤하게 축방향으로 왕복 이동시키며, 세정조 내부의 세정액에 초음파를 전달함으로서, 축방향으로 작용하는 관성력에 의해 웨이퍼 표면의 파티클이 쉽게 떨어질 수 있고, 파티클이 웨이퍼 표면에 재흡착되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, by immersing the wafers lined up in the cleaning liquid inside the cleaning tank, reciprocating the wafers randomly in the axial direction, and transmitting ultrasonic waves to the cleaning liquid inside the cleaning tank, the wafer surface by inertial force acting in the axial direction Particles of the can easily fall off, and particles can be prevented from being re-adsorbed on the wafer surface.

따라서, 웨이퍼 표면으로부터 파티클의 제거 성능을 높일 수 있으므로, 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있고, 웨이퍼의 세정 시간을 단축시킬 수 있으며, 한꺼번에 처리할 수 있는 웨이퍼의 세정 용량을 늘릴 수 있는 이점이 있다.Therefore, since the removal performance of particles from the wafer surface can be improved, the quality of the wafer can be improved, the cleaning time of the wafer can be shortened, and the cleaning capacity of the wafer that can be processed at once can be increased.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치가 도시된 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치가 도시된 측면도.
도 3은 도 2에 적용된 지지대의 웨이퍼 지지구조 일부가 도시된 평면도.
도 4는 도 2에 적용된 지지대의 축방향 지지구조가 도시된 측면 사시도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 세정 공정이 도시된 개략도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 방법이 도시된 순서도.1 is a perspective view showing a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a side view showing a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing a portion of the wafer support structure of the support applied to FIG. 2.
Figure 4 is a side perspective view showing the axial support structure of the support applied to Figure 2 is shown.
5 is a schematic diagram showing a cleaning process of the wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a flow chart showing a wafer cleaning method according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings with respect to the present embodiment will be described in detail.

도 1 내지 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치가 도시된 사시도 및 측면도이고, 도 3은 도 2에 적용된 지지대의 웨이퍼 지지구조 일부가 도시된 평면도이고, 도 4a 내지 도 4b는 도 2에 적용된 지지대의 축방향 지지구조가 도시된 측면 사시도이다.1 to 2 are perspective and side views illustrating a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view showing a part of the wafer support structure of the support applied to FIG. 2, and FIGS. 4A to 4B are It is a side perspective view showing the axial support structure of the support applied to FIG. 2.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 세정조(110)와, 제1,2,3지지대(121,122,123)와, 제1,2암(131,132)과, 승강 유닛(140)과, 메가소닉(150)과, 왕복 유닛(160)을 포함하여 구성될 수 있다.The wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention includes a cleaning tank 110, first, second, and third supports 121, 122, 123, and first and second arms 131 and 132 as shown in FIGS. 1 to 3. It may be configured to include an elevating unit 140, a megasonic 150, and a reciprocating unit 160.

세정조(110)는 상면이 개방된 수조 형상으로서, 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용할 수 있다. The cleaning tank 110 has a shape of a water tank with an open top surface, and may contain a cleaning liquid for cleaning wafers.

세정조(110)에 담긴 세정액은 세정조(110) 상측으로 오버 플로우(over flow)될 수 있고, 세정조(110)에서 오버 플로우된 세정액에 포함된 파티클을 비롯하여 오염 물질을 제거한 다음, 세정조(110)로 다시 공급될 수 있다. The cleaning liquid contained in the cleaning tank 110 may overflow to the upper side of the cleaning tank 110, and after removing contaminants including particles contained in the cleaning liquid overflowed in the cleaning tank 110, the cleaning tank Can be fed back to (110).

세정액(110)은 산이나 알칼리 등의 에칭액 또는 각종 불순물들이 제거된 초순수(DIW, DeIonized Water)이거나, SC1(DIW + H2O2 + NH4OH)일 수 있으나, 한정되지 아니한다.The cleaning solution 110 may be an etchant such as an acid or alkali or ultrapure water (DIW, DeIonized Water) from which various impurities are removed, or SC1 (DIW + H 2 O 2 + NH 4 OH), but is not limited thereto.

세정조(110)는 세정액에 대한 내식성을 가질 뿐 아니라 하기에서 설명될 메가소닉(150)에서 발생되는 초음파를 전달할 수 있는 석영, 사파이어 등의 재질로 이루어질 수 있다. 세정조(110)의 바닥면 두께는 초음파 투과율을 높이기 위하여 초음파 진동수의 3의 배수에 비례하는 3mm, 6mm, 9mm 등으로 구성될 수 있다.The cleaning tank 110 may be made of a material such as quartz or sapphire capable of transmitting ultrasonic waves generated by the megasonic 150 to be described below as well as having corrosion resistance to the cleaning liquid. The thickness of the bottom surface of the cleaning tank 110 may be 3mm, 6mm, 9mm, etc. proportional to a multiple of 3 of the ultrasonic frequency in order to increase the ultrasonic transmittance.

제1,2,3지지대(121,122,123)는 세정조(110) 내부에 구비되는데, 축방향으로 길게 형성된 봉 형상으로서, 제1,2,3지지대(121,122,123)에는 일렬로 세워진 웨이퍼들(W)을 지지할 수 있도록 슬롯들(121h,122h,123h)이 일렬로 구비될 수 있다. The first, second, and third supports 121, 122, and 123 are provided inside the cleaning tank 110, and are rod-shaped long in the axial direction, and the first, second, and third supports 121, 122, 123 are provided with wafers W in a row. The slots 121h, 122h, and 123h may be provided in a row to support it.

제1,2,3지지대(121,122,123)는 축방향으로 나란히 배치될 수 있는데, 제1지지대(121)는 웨이퍼(W)의 최하단을 지지하고, 제2,3지지대(122,123)는 웨이퍼(W)의 하부 양측을 지지하도록 배치될 수 있으나, 한정되지 아니한다. The first, second, and third supports 121, 122, and 123 may be arranged side by side in the axial direction. The first support 121 supports the lowermost end of the wafer W, and the second and third supports 122 and 123 support the wafer W. It may be arranged to support both sides of the lower portion, but is not limited.

제1,2,3지지대(121,122,123)는 별도의 회전 유닛(미도시)에 의해 축방향을 기준으로 회전될 수 있고, 웨이퍼들(W)을 회전 가능하게 지지함으로서, 하기에서 설명될 메가소닉(150)에서 전달되는 초음파가 웨이퍼(W)의 표면에 고르게 전달될 수 있도록 구성할 수 있으나, 한정되지 아니한다.The first, second, and third supports 121, 122, 123 may be rotated based on the axial direction by a separate rotation unit (not shown), and support the wafers W so as to be rotatable, so that the megasonic ( The ultrasonic wave transmitted from 150) may be configured to be evenly transmitted to the surface of the wafer W, but is not limited thereto.

제1,2암(131,132)은 제1,2,3지지대(121,122,123)의 양단을 지지하기 위한 부재로서, 서로 대향되게 위치될 수 있다. 제1,2암(131,132)은 상하 방향으로 길게 구성되고, 세정조(110) 상측으로 외부까지 연장되며, 하기의 승강 유닛(140)과 연결될 수 있으나, 한정되지 아니한다.The first and second arms 131 and 132 are members for supporting both ends of the first, second, and third supports 121, 122, and 123 and may be positioned to face each other. The first and second arms 131 and 132 are elongated in the vertical direction, extend upwardly to the washing tank 110 to the outside, and may be connected to the following lifting unit 140, but are not limited thereto.

승강 유닛(140)은 세정조(110) 외부에 위치되고, 제1,2암(131,132)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있는 구동력을 제공할 수 있으나, 생략될 수 있다. The lifting unit 140 is located outside the cleaning tank 110 and may provide a driving force capable of moving the first and second arms 131 and 132 in the vertical direction, but may be omitted.

메가소닉(150)은 세정조(110) 하부에 위치하고, 제1,2,3지지대(121,122,123)에 지지된 웨이퍼들(W)을 향하여 초음파를 전달할 수 있다. The megasonic 150 is positioned under the cleaning tank 110 and may transmit ultrasonic waves toward the wafers W supported on the first, second, and third supports 121, 122, and 123.

물론, 세정조(110) 하부에 별도의 외부 수조(미도시)가 구비될 수 있는데, 외부 수조(미도시) 내부에 메가소닉(150)이 설치되고, 외부 수조(미도시) 내부에 초음파를 전달하기 위한 물과 같은 유체가 채워질 수 있다.Of course, a separate external water tank (not shown) may be provided under the cleaning tank 110, and a megasonic 150 is installed inside the external water tank (not shown), and ultrasonic waves are applied inside the external water tank (not shown). It may be filled with a fluid such as water for delivery.

왕복 유닛(160)은 제2,3지지대(122,123)를 제1,2암(131,132) 사이에서 축방향으로 랜덤 왕복 이동시킬 수 있다. The reciprocating unit 160 may randomly reciprocate the second and third supports 122 and 123 in the axial direction between the first and second arms 131 and 132.

실시예에 따르면, 왕복 유닛(161,162)은 제2지지대(122)와 축방향으로 연결된 제1모터(161)와, 제3지지대(123)와 축방향으로 연결된 제2모터(162)로 구성될 수 있다. According to the embodiment, the reciprocating units 161 and 162 may be composed of a first motor 161 axially connected to the second support 122 and a second motor 162 axially connected to the third support 123. I can.

제1,2모터(161,162)는 제2,3지지대(122,123)의 축방향으로 왕복 직선 구동력을 제공할 수 있는 리니어 모터(linear motor)일 수 있고, 제1,2모터(161,162)는 임의로 왕복 직선 구동력을 제어할 수 있으나, 웨이퍼들의 손상 또는 파손을 고려하여 구동력을 제어할 수 있다.The first and second motors 161 and 162 may be linear motors capable of providing a reciprocating linear driving force in the axial direction of the second and third supports 122 and 123, and the first and second motors 161 and 162 are randomly reciprocated. Although the linear driving force can be controlled, the driving force can be controlled in consideration of damage or breakage of wafers.

왕복 유닛(160)은 리니어 모터 이외에도 왕복 직선 구동력을 제공할 수 있는 실린더 등과 같이 다양한 형태로 구성될 수 있으며, 한정되지 아니한다.The reciprocating unit 160 may be configured in various forms, such as a cylinder capable of providing a reciprocating linear driving force in addition to a linear motor, but is not limited thereto.

도 4a에 도시된 바와 같이 제2,3지지대(122,123)의 일단은 제1,2모터(161,162)와 각각 연결되고, 제1,2모터(161,162)는 제1암(131)에 각각 고정될 수 있다.As shown in FIG. 4A, one end of the second and third supports 122 and 123 is connected to the first and second motors 161 and 162, respectively, and the first and second motors 161 and 162 are fixed to the first arm 131, respectively. I can.

도 4b에 도시된 바와 같이 제2,3지지대(122,123)의 타단은 제2암(132)에 구비된 지지홀(132h)에 이동 가능하게 지지될 수 있다. As shown in FIG. 4B, the other ends of the second and third supports 122 and 123 may be movably supported by a support hole 132h provided in the second arm 132.

지지홀(132h)의 길이는 적어도 제2,3지지대(122,123)의 축방향 이동 가능한 거리를 고려하여 설정될 수 있으며, 지지홀(132h) 내부에 제2,3지지대(122,123)의 이동을 돕는 베어링 등의 구조가 적용될 수 있으나, 한정되지 아니한다. The length of the support hole (132h) may be set in consideration of at least the axially movable distance of the second and third supports (122, 123), and helps the movement of the second and third supports (122, 123) inside the support hole (132h). Structures such as bearings may be applied, but are not limited thereto.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 세정 공정이 도시된 개략도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 방법이 도시된 순서도이다.5 is a schematic diagram illustrating a cleaning process of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a flowchart illustrating a wafer cleaning method according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치의 세정 공정을 살펴보면, 도 5 내지 도 6에 도시된 바와 같이 축방향으로 일렬로 세워진 웨이퍼들(W)을 세정액에 담글 수 있다.(S1 참조)Looking at the cleaning process of the wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 5 to 6, wafers W arranged in an axial direction may be immersed in a cleaning solution (see S1).

세정조(110) 내부에 세정액이 채워지면, 일렬로 세워진 웨이퍼들(W)이 제1,2,3지지대(121,122,123) 위에 올려지고, 제1,2,3지지대(121,122,123)가 승강 유닛(140)에 의해 세정조(110) 내부로 이동될 수 있다.When the cleaning liquid is filled in the cleaning tank 110, the wafers W arranged in a line are placed on the first, second, and third supports 121, 122, 123, and the first, second, and third supports 121, 122, 123 are moved to the lifting unit 140 ) Can be moved into the cleaning tank 110.

웨이퍼들의 표면에 묻은 이물질들은 세정액에 의해 세정될 수 있는데, 이물질과 세정액이 화학 반응을 일으키거나, 오버 플로우되는 세정액의 흐름에 의해 웨이퍼들의 표면으로부터 이물질이 떨어져 나올 수 있다. Foreign substances on the surfaces of the wafers may be cleaned by a cleaning solution, and the foreign substances and the cleaning solution may cause a chemical reaction, or foreign substances may be separated from the surfaces of the wafers by the overflow of the cleaning solution.

웨이퍼들(W) 표면에 잔류하는 파티클들을 제거하는 동시에 파티클들이 웨이퍼들(W) 표면에 재흡착되는 것을 방지하기 위하여, 웨이퍼들(W)을 축방향으로 랜덤 왕복 운동시킬 수 있다.(S2 참조)In order to remove particles remaining on the surfaces of the wafers W and prevent particles from being re-adsorbed on the surfaces of the wafers W, the wafers W may be randomly reciprocated in the axial direction (see S2). )

제1,2모터(161,162)가 작동되면, 제1지지대(121)는 고정된 상태를 유지하는 반면, 제2,3지지대(122,123)는 소정 간격으로 왕복 직선 이동한다. When the first and second motors 161 and 162 are operated, the first support 121 maintains a fixed state, while the second and third supports 122 and 123 reciprocate and linearly move at predetermined intervals.

따라서, 일렬로 세워진 웨이퍼들(W)의 최하단부가 고정된 상태에서 하부 양측이 축방향으로 움직이게 되고, 웨이퍼들(W)의 축방향으로 랜덤하게 물리적인 힘이 가해짐으로, 웨이퍼들(W) 표면에 묻은 파티클이 관성력에 의해 더욱 쉽게 떨어질 수 있다.Therefore, both sides of the lower side are moved in the axial direction while the lowermost ends of the wafers W standing in a row are fixed, and a physical force is applied randomly in the axial direction of the wafers W, so that the wafers W Particles on the surface can fall more easily due to the inertia force.

웨이퍼들(W)을 왕복 운동시키는 동안, 파티클 제거 효율을 높이기 위하여, 웨이퍼들(W)이 담긴 세정액에 초음파를 전달할 수 있다.(S3 참조)During the reciprocating motion of the wafers W, in order to increase particle removal efficiency, ultrasonic waves may be transmitted to the cleaning liquid containing the wafers W (see S3).

메가소닉(150)이 작동되면, 초음파가 세정조(110) 내부의 세정액을 통하여 전달되고, 웨이퍼들(W) 표면으로부터 떨어진 파티클이 다시 웨이퍼들(W) 표면에 흡착되는 것을 방지할 수 있다.When the megasonic 150 is operated, ultrasonic waves are transmitted through the cleaning liquid in the cleaning tank 110, and particles separated from the surfaces of the wafers W are prevented from being adsorbed to the surfaces of the wafers W again.

이와 같이, 웨이퍼들(W) 표면에서 떨어진 파티클들은 세정액에 포함되고, 세정조(110) 내부의 세정액이 오버 플로우됨에 따라 파티클들은 세정액과 같이 외부로 배출될 수 있다. In this way, particles that have fallen from the surfaces of the wafers W are included in the cleaning liquid, and as the cleaning liquid inside the cleaning tank 110 overflows, the particles may be discharged to the outside like the cleaning liquid.

물론, 세정조(110) 외부로 배출된 세정액은 파티클이 걸러진 다음, 세정조(110) 내부로 다시 공급되는 과정을 반복할 수 있다.Of course, after the cleaning liquid discharged to the outside of the cleaning tank 110 is filtered, the process of being supplied back to the inside of the cleaning tank 110 may be repeated.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present invention.

따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments.

본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

110 : 세정조 121,122,123 : 제1,2,3지지대
131,132 : 제1,2암 140 : 승강 유닛
150 : 메가소닉 161,162 : 제1,2모터110: washing tank 121,122,123: first, second, third support
131,132: 1st, 2nd arm 140: elevating unit
150: Megasonic 161,162: 1st, 2nd motor

Claims (13)

세정액이 담기는 세정조;
상기 세정조 내측에 구비되고, 일렬로 세워진 웨이퍼들을 지지하는 복수개의 지지대;
상기 지지대들의 양단을 지지하는 제1,2암; 및
상기 지지대들 중 적어도 하나를 상기 제1,2암 사이에서 축방향으로 랜덤 왕복 이동시키는 왕복 유닛;을 포함하는 웨이퍼 세정장치.A washing tank containing a washing liquid;
A plurality of supports provided inside the cleaning tank and supporting wafers arranged in a row;
First and second arms supporting both ends of the supports; And
And a reciprocating unit for randomly reciprocating at least one of the supports in the axial direction between the first and second arms. 제1항에 있어서,
상기 지지대들은,
일렬로 세워진 웨이퍼들의 최하단을 지지하는 복수개의 슬롯이 구비된 제1지지대와,
상기 제1지지대의 양측 상부에 나란히 구비되고, 일렬로 세워진 웨이퍼들의 하부 양측을 지지하는 복수개의 슬롯이 구비된 제2,3지지대를 포함하는 웨이퍼 세정장치.The method of claim 1,
The supports are,
A first support provided with a plurality of slots for supporting the lowermost end of the wafers arranged in a row,
A wafer cleaning apparatus comprising second and third supporters provided side by side on both sides of the first support and provided with a plurality of slots supporting both lower sides of the wafers arranged in a line. 제2항에 있어서,
상기 왕복 유닛은,
상기 제2,3지지대와 각각 축방향으로 연결되는 웨이퍼 세정장치.The method of claim 2,
The reciprocating unit,
A wafer cleaning apparatus connected to the second and third supports in an axial direction, respectively. 제1항에 있어서,
상기 왕복 유닛은,
상기 지지대의 일단에 연결되고, 상기 지지대의 일단과 근접한 제1암에 고정되는 웨이퍼 세정장치.The method of claim 1,
The reciprocating unit,
A wafer cleaning apparatus connected to one end of the support and fixed to a first arm adjacent to one end of the support. 제4항에 있어서,
상기 지지대의 다른 일단과 근접한 제2암에 상기 지지대의 다른 일단을 왕복 이동 가능하게 지지하는 지지홀이 구비되는 웨이퍼 세정 장치.The method of claim 4,
A wafer cleaning apparatus comprising a support hole for reciprocating the other end of the support in a second arm adjacent to the other end of the support. 제4항에 있어서,
상기 왕복 유닛은,
리니어 모터인 웨이퍼 세정장치.The method of claim 4,
The reciprocating unit,
Wafer cleaning device, which is a linear motor. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세정조 하부에 구비되고, 상기 세정조 내부의 세정액으로 초음파를 발생시키는 메가소닉;을 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
A wafer cleaning apparatus further comprising a megasonic provided under the cleaning tank and generating ultrasonic waves with a cleaning liquid inside the cleaning tank. 축방향으로 일렬로 세워진 웨이퍼들을 세정액에 담그는 제1단계; 및
상기 제1단계의 웨이퍼들을 축방향으로 랜덤 왕복 운동시키는 제2단계;를 포함하는 웨이퍼 세정 방법.A first step of immersing the wafers lined up in the axial direction in a cleaning solution; And
And a second step of randomly reciprocating the wafers of the first step in the axial direction. 제8항에 있어서,
상기 제1단계는,
일렬로 세워진 웨이퍼들의 최하단과 하부 양측을 지지하는 과정을 포함하는 웨이퍼 세정 방법.The method of claim 8,
The first step,
A wafer cleaning method comprising the step of supporting both the lowermost and lower ends of the lined wafers. 제9항에 있어서,
상기 제2단계는,
일렬로 세워진 웨이퍼들의 최하단을 고정시키는 과정을 포함하는 웨이퍼 세정 방법.The method of claim 9,
The second step,
Wafer cleaning method comprising the step of fixing the bottom end of the lined wafers. 제9항에 있어서,
상기 제2단계는,
일렬로 세워진 웨이퍼들의 하부 양측을 축방향으로 이동시키는 과정을 포함하는 웨이퍼 세정 방법.The method of claim 9,
The second step,
A wafer cleaning method comprising the step of axially moving both lower sides of the lined wafers. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2단계의 웨이퍼들이 잠긴 세정액에 초음파를 전달하는 제3단계;를 포함하는 웨이퍼 세정 방법.The method according to any one of claims 8 to 11,
And a third step of transmitting ultrasonic waves to a cleaning solution in which the wafers of the second step are immersed. 제12항에 있어서,
상기 제3단계는,
상기 제2단계와 동시에 진행되는 웨이퍼 세정 방법.The method of claim 12,
The third step,
A wafer cleaning method that proceeds simultaneously with the second step.
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