KR20210020127A - Method for manufacturing zero plane anchoring film and liquid crystal display device - Google Patents

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KR20210020127A
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다카히로 노다
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닛산 가가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 제로면 앵커링막의 공업적인 제조 방법, 및 그것을 이용하는 양호한 액정 표시 소자 및 액정 표시 소자의 제조 방법을 제공한다.
라디칼 발생막에 특정의 영역에 방사선을 조사하여 패터닝된 라디칼 발생막을 형성하는 스텝, 및 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을, 상기 패터닝된 라디칼 발생막에 접촉시키고, 그 상태를 유지하면서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 상기 액정 조성물에 부여하는 스텝을 포함하는, 패터닝된 제로면 앵커링막의 제조 방법, 및, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을, 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판과 라디칼 발생막을 갖지 않는 제 2 기판의 사이에 갖는 셀을 준비하는 스텝, 및 상기 셀에, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여하는 스텝을 포함하는 기능막의 작성 방법으로 한다.
The present invention provides an industrial manufacturing method of a zero plane anchoring film, and a good liquid crystal display element and a method of manufacturing a liquid crystal display element using the same.
A step of forming a patterned radical generating film by irradiating radiation to a specific region on the radical generating film, and bringing a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radical polymerizable compound into contact with the patterned radical generating film and maintaining the state , A method for producing a patterned zero surface anchoring film, comprising the step of imparting sufficient energy to the liquid crystal composition for polymerization reaction of the radically polymerizable compound, and a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound, A function comprising a step of preparing a cell having a cell between a first substrate having a generating film and a second substrate not having a radical generating film, and providing the cell with sufficient energy to polymerize the radically polymerizable compound. It is done by the method of creating a film.

Description

제로면 앵커링막의 제조 방법 및 액정 표시 소자Method for manufacturing zero plane anchoring film and liquid crystal display device

본 발명은, 염가이고 또한 복잡한 공정을 포함하지 않는 수법으로, 제로면 앵커링막을 제조하는 것이 가능한 폴리머 안정화 기술을 응용한 제조 방법, 및 당해 제조 방법을 이용하는, 한층 더 저전압 구동을 실현하기 위한 액정 표시 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention is an inexpensive and inexpensive method that does not include a complicated process, a manufacturing method to which a polymer stabilization technology capable of manufacturing a zero surface anchoring film is applied, and a liquid crystal display for realizing a further low voltage driving using the manufacturing method. It relates to a device and a method of manufacturing the same.

근래, 휴대전화, 컴퓨터 및 TV의 디스플레이 등에는 액정 표시 소자가 널리 이용되고 있다. 액정 표시 소자는 박형(薄型), 경량, 저소비 전력 등의 특성을 갖고 있어, 향후에는 VR이나 초고화질의 디스플레이 등, 한층 더 콘텐츠에의 응용이 기대되고 있다. 액정 디스플레이의 표시 방식에는, TN(Twisted Nematic), IPS(In-Plane Switching), VA(Vertical Alignment) 등 다양한 표시 모드가 제안되어 있는데, 모든 모드에는 액정을 원하는 배향 상태로 유도하는 막(액정 배향막)이 사용되고 있다.Recently, liquid crystal display elements are widely used in displays of mobile phones, computers, and TVs. The liquid crystal display device has characteristics such as thinness, light weight, and low power consumption, and in the future, further application to contents such as VR and ultra-high-definition displays is expected. Various display modes, such as TN (Twisted Nematic), IPS (In-Plane Switching), and VA (Vertical Alignment), are proposed as a display method of a liquid crystal display.In all modes, a film that guides the liquid crystal to a desired alignment state (liquid crystal alignment film) ) Is being used.

특히 태블릿 PC나 스마트폰, 스마트 TV 등의 터치 패널을 구비한 제품에는, 터치해도 표시가 흐트러지기 어려운 IPS 모드가 선호되고 있고, 근래에는 콘트라스트 향상이나 시야각 특성의 향상의 점에서 FFS(Frindge Field Switching)를 이용한 액정 표시 소자나, 광배향을 이용한 비접촉 기술을 이용한 기술이 이용되게 되어 왔다.In particular, for products equipped with touch panels such as tablet PCs, smartphones, and smart TVs, the IPS mode, which makes the display difficult to be disturbed by touching, is preferred, and in recent years, FFS (Frindge Field Switching) has improved contrast and viewing angle characteristics. ), or a technology using a non-contact technology using optical alignment has been used.

그러나, FFS는 IPS에 비해 기판의 제조 코스트가 크고, Vcom 시프트라고 불리는 FFS 모드 특유의 표시 불량이 발생하는 과제가 있다. 또, 광배향에 관해서는, 러빙법에 비해, 제조할 수 있는 소자의 크기를 크게 할 수 있는 점이나 표시 특성을 크게 향상할 수 있다는 메리트가 있지만, 광배향의 원리상의 과제(분해형이면 분해물 유래의 표시 불량, 이성화형이면 배향력 부족에 의한 번인 등)를 들 수 있다. 그러한 과제를 해결하기 위해 액정 표시 소자 메이커나 액정 배향막 메이커는 여러 가지 궁리를 하고 있는 것이 현상이다.However, FFS has a problem in that the manufacturing cost of the substrate is higher than that of IPS, and display defects peculiar to the FFS mode called Vcom shift occur. In addition, with regard to photo-alignment, compared to the rubbing method, there is an advantage in that the size of the device that can be manufactured can be increased and the display characteristics can be greatly improved. In the case of the derived display defect and the isomerization type, burn-in due to insufficient orientation force, etc.) can be mentioned. In order to solve such a problem, a liquid crystal display element maker and a liquid crystal aligning film maker are devising various inventions.

한편, 근래 제로면 앵커링이라는 것을 이용한 IPS 모드가 제안되어 있고, 이 수법을 이용함으로써 종래의 IPS 모드에 비해 콘트라스트 향상이나 대폭적인 저전압 구동이 가능해진다는 보고가 되어 있다(특허문헌 1 참조).On the other hand, in recent years, an IPS mode using zero plane anchoring has been proposed, and it has been reported that by using this method, contrast improvement and significantly lower voltage driving are possible compared to the conventional IPS mode (see Patent Document 1).

구체적으로는, 편측의 기판에는 강한 앵커링 에너지를 갖는 액정 배향막을 이용하고, 한편의 횡전계를 발생시키는 쪽의 전극을 구비한 기판측에는 일절 액정의 배향 규제력을 갖지 않게 되는 것과 같은 처리를 실시하여, 그들을 이용해 IPS 모드의 액정 표시 소자를 만드는 방법이다.Specifically, a liquid crystal alignment film having a strong anchoring energy is used for the substrate on one side, and a treatment such as not having the alignment regulating force of the liquid crystal at all is performed on the substrate side with the electrode on the side generating the transverse electric field on the other side, This is a method of making IPS mode liquid crystal display elements using them.

근래에는, 농후 폴리머 브러시 등을 이용해 제로면 상태를 만들어 내고, 제로면 앵커링 IPS 모드의 기술 제안이 이루어지고 있다(특허문헌 2). 이 기술에 의해 콘트라스트비의 대폭적인 향상이나 구동 전압의 대폭적인 저하를 실현하고 있다.In recent years, a zero surface state is created using a thick polymer brush or the like, and a technology proposal for a zero surface anchoring IPS mode has been made (Patent Document 2). With this technology, the contrast ratio is greatly improved and the driving voltage is greatly reduced.

한편, 응답 속도 특히 전압 OFF 시의 응답 속도가 현저하게 저하되는 과제가 있다. 이것은 구동 전압이 낮아지기 때문에, 통상의 구동 방식에 비해 약한 전계에서 응답시키는 것에 의한 영향과, 배향막의 앵커링력이 극히 작기 때문에, 액정의 복원에 시간이 걸려 버리는 것에 기인한다. 이것을 해결하는 방법으로서, 화소 전극 상만 제로 앵커링으로 하는 수법이 제안되어 있다(특허문헌 3). 이것에 의해 휘도의 향상과 응답 속도의 양립이 가능해지는 것이 보고되고 있다.On the other hand, there is a problem that the response speed, in particular, the response speed at the time of voltage OFF is significantly lowered. This is because the driving voltage is lowered, the effect of responding with an electric field that is weaker than that of the normal driving method, and the anchoring force of the alignment film is extremely small, and thus it takes time to restore the liquid crystal. As a method of solving this, a method of zero anchoring only on the pixel electrode has been proposed (Patent Document 3). It has been reported that this makes it possible to achieve both an improvement in luminance and a response speed.

일본국 특허 제4053530호 공보Japanese Patent No. 4053530 일본국 특개2013-231757호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-231757 일본국 특개2017-211566호 공보Japanese Patent Publication No. 2017-211566

IPS 빗살 전극의 전극 상만 제로면 앵커링으로 함으로써 구동 시의 응답 속도 지연이 억제되는 한편, 전극 상만 제로 앵커링의 상태로 하기 위해서는 매우 세세한 영역에 다른 재료를 나누어 바르는 등의 어려운 기술을 준비할 필요가 있어, 실제 공업화에는 큰 과제가 되는 것을 생각할 수 있다.The response speed delay during driving is suppressed by anchoring only the electrodes of the IPS comb electrode on the zero side, while in order to set the state of zero anchoring only on the electrode, it is necessary to prepare difficult techniques such as dividing different materials into very detailed areas. , It is conceivable to be a big problem for actual industrialization.

이와 같은 기술적 과제를 해결할 수 있다면 패널 메이커로서도 큰 코스트 메리트가 되고, 배터리의 소비 억제나 화질의 향상 등에도 메리트가 되는 것을 생각할 수 있다.If such a technical problem can be solved, it is conceivable that it will be a great cost advantage for a panel maker as well, and it will be a merit for suppressing battery consumption and improving image quality.

본 발명은, 상기와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 액정 배향막의 면내에 제로면 앵커링 부위와 앵커링력을 구비한 부위를 만들어 내는 방법, 및 앵커링 에너지를 임의의 상태로 컨트롤 하는 방법, 상온에서, 간편하고 또한 염가의 방법으로 비접촉 배향과 저구동전압화와 Off 시의 응답 속도도 빠르게 하는 것을 동시에 실현할 수 있는, 횡전계 액정 표시 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, a method of creating a region having a zero plane anchoring portion and an anchoring force in the plane of a liquid crystal alignment film, and a method of controlling anchoring energy in an arbitrary state, at room temperature An object of the present invention is to provide a transverse electric field liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can simultaneously realize non-contact orientation, reduction of driving voltage, and speeding of response speed at the time of off by a simple and inexpensive method.

본 발명자들은, 상기의 과제를 해결하기 위해, 예의 검토를 행한 결과, 상기의 과제를 해결할 수 있는 것을 찾아내어, 이하의 요지를 갖는 본 발명을 완성시켰다.In order to solve the above-described problems, the inventors of the present invention have conducted intensive examinations and found what can solve the above-described problems, and have completed the present invention having the following summary.

즉, 본 발명은 이하를 포함한다.That is, the present invention includes the following.

[1] 라디칼 발생막에 특정의 영역에 방사선을 조사하여 패터닝된 라디칼 발생막을 형성하는 스텝, 및 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을, 상기 패터닝된 라디칼 발생막에 접촉시키고, 그 상태를 유지하면서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 상기 액정 조성물에 부여하는 스텝을 포함하는, 패터닝된 제로면 앵커링막의 제조 방법.[1] forming a patterned radical generating film by irradiating radiation to a specific region on the radical generating film, and bringing a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radical polymerizable compound into contact with the patterned radical generating film, and the state A method for producing a patterned zero-side anchoring film comprising the step of imparting sufficient energy to the liquid crystal composition for polymerization reaction of the radically polymerizable compound while maintaining.

[2] 상기 라디칼 발생막이 1축 배향 처리된 라디칼 발생막인, [1]에 기재한 방법.[2] The method according to [1], wherein the radical generating film is a radical generating film subjected to a uniaxial alignment treatment.

[3] 에너지를 부여하는 스텝을 무전계에서 행하는, [1] 또는 [2]에 기재한 방법.[3] The method described in [1] or [2], wherein the step of applying energy is performed in an electric field.

[4] 상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 고정화되어 이루어지는 막인 것을 특징으로 하는 [1]∼[3] 중 어느 한 항에 기재한 방법.[4] The method according to any one of [1] to [3], wherein the radical generating film is a film obtained by immobilizing an organic group causing radical polymerization.

[5] 상기 라디칼 발생막이, 라디칼을 발생시키는 기를 갖는 화합물과 중합체와의 조성물을 도포, 경화하여 막을 형성함으로써 막 중에 고정화시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 [1]∼[3] 중 어느 한 항에 기재한 방법.[5] As described in any one of [1] to [3], wherein the radical-generating film is obtained by forming a film by applying and curing a composition of a compound having a radical-generating group and a polymer to form a film. One way.

[6] 상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 [1]∼[3] 중 어느 한 항에 기재한 방법.[6] The method according to any one of [1] to [3], wherein the radical generating film is made of a polymer containing an organic group that induces radical polymerization.

[7] 상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체가, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 디아민을 포함하는 디아민 성분을 이용하여 얻어지는 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리우레아 및 폴리아미드로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체인 것을 특징으로 하는 [6]에 기재한 방법.[7] The polymer containing an organic group inducing radical polymerization is selected from a polyimide precursor, polyimide, polyurea, and polyamide obtained by using a diamine component containing a diamine containing an organic group inducing radical polymerization. The method according to [6], which is at least one type of polymer.

[8] 상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 하기 구조 [X-1]∼[X-18], [W], [Y] 및 [Z] 중 어느 것으로 표시되는 유기기인 [4], [6] 및 [7] 중 어느 한 항에 기재한 방법:[8] The organic group causing radical polymerization is an organic group represented by any of the following structures [X-1] to [X-18], [W], [Y] and [Z] [4], [6] And the method described in any one of [7]:

[화학식 1][Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)(In formulas [X-1] to [X-18], * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of a compound molecule, and S 1 and S 2 are each independently -O-, -NR- , -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, and 1 to 4 carbon atoms Represents the alkyl group of.)

[화학식 2][Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R9과 R10이 알킬기인 경우, 말단에서 서로 결합하여 환(環)구조를 형성하고 있어도 된다. Q는 하기의 구조를 나타낸다.(In formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of the compound molecule, and Ar is a phenyl which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. Represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of ene, naphthylene and biphenylene, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R When 10 is an alkyl group, they may be bonded to each other at the terminal to form a ring structure, where Q represents the following structure.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pct00003
Figure pct00003

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, * represents other than Q of the compound molecule It indicates the binding site to the part.)

R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.).R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.).

[9] 상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 디아민이 하기 일반식 (6) 또는 하기 일반식 (7)로 표시되는 구조를 갖는 디아민인 것을 특징으로 하는 [7]에 기재한 방법:[9] The method according to [7], wherein the diamine containing an organic group causing radical polymerization is a diamine having a structure represented by the following general formula (6) or the following general formula (7):

[화학식 4][Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

(식 (6) 중, R6는 단결합, -CH2-, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-를 나타내고,(In formula (6), R 6 is a single bond, -CH 2 -, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH 2 O-, -N (CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,

R7은 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 당해 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 된다;R 7 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms which is unsubstituted or substituted by a fluorine atom, and one or more of any -CH 2 -or -CF 2-of the alkylene group are each independently -CH=CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and any of the following groups, namely -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO- , -CONH- or -NH- may be substituted with these groups provided they are not adjacent to each other;

R8은, 하기 식으로부터 선택되는 라디칼 중합 반응성기를 나타낸다:R 8 represents a radical polymerization reactive group selected from the following formula:

[화학식 5][Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 라디칼 중합 반응성기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.))(In formulas [X-1] to [X-18], * represents a bonding site with a moiety other than the radical polymerization reactive group of the compound molecule, and S 1 and S 2 are each independently -O-, -NR- , -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, and 1 to 4 carbon atoms Represents an alkyl group of))

[화학식 6][Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

(식 (7) 중, T1 및 T2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-이고,(In formula (7), T 1 and T 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-,- CH 2 O-, -N(CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,

S0는 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 당해 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 되며, S 0 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms which is unsubstituted or substituted by a fluorine atom, and one or more of any -CH 2 -or -CF 2-of the alkylene group are each independently -CH=CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and any of the following groups, namely -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO- , -CONH- or -NH- may be substituted with these groups provided they are not adjacent to each other,

J는 하기 식 중 어느 것으로 표시되는 유기기이고,J is an organic group represented by any of the following formulas,

[화학식 7][Formula 7]

Figure pct00007
Figure pct00007

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 T2와의 결합 개소를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, Q는 하기 중 어느 것의 구조를 나타낸다:(In formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with T 2 , and Ar represents phenylene, naphthylene, and biphenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. Represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and Q represents the structure of any of the following:

[화학식 8][Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, * represents other than Q of the compound molecule It indicates the binding site to the part.)

R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.)).R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.)).

[10] 상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종이, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 불포화 결합을 갖는 화합물인, [1]∼[9] 중 어느 한 항에 기재한 방법.[10] The method according to any one of [1] to [9], wherein at least one of the radically polymerizable compounds is a compound having compatibility with a liquid crystal and having one polymerizable unsaturated bond per molecule.

[11] 상기 라디칼 중합성 화합물의 중합 반응성기가 이하의 구조로부터 선택되는, [10]에 기재한 방법:[11] The method according to [10], wherein the polymerization reactive group of the radical polymerizable compound is selected from the following structures:

[화학식 9][Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

(식 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다. Rb는 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합 및 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. Rc는 수소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.).(In the formula, * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of the compound molecule. R b represents a C2-C8 linear alkyl group, and E represents a single bond, -O-, -NR c -, Represents a bonding group selected from -S-, an ester bond and an amide bond, R c represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)

[12] 상기 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물에 있어서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합시켜 얻어지는 폴리머의 Tg가 100℃ 이하의 것이 되는 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는 [1]∼[11] 중 어느 한 항에 기재한 방법.[12] In the liquid crystal composition containing the liquid crystal and the radical polymerizable compound, a liquid crystal composition containing a radical polymerizable compound in which Tg of the polymer obtained by polymerizing the radical polymerizable compound is 100°C or less is used. The method described in any one of [1] to [11].

[13] 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판과, 라디칼 발생막을 갖고 있어도 되는 제 2 기판을 준비하는 스텝,[13] a step of preparing a first substrate having a radical generating film and a second substrate which may have a radical generating film,

제 1 기판 상의 라디칼 발생막이 제 2 기판에 대향하도록 셀을 작성하는 스텝, 및,Creating a cell such that the radical generating film on the first substrate faces the second substrate, and

제 1 기판과 제 2 기판의 사이에, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 충전하는 스텝을 포함하고,Including a step of filling a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radical polymerizable compound between the first substrate and the second substrate,

[1]∼[12] 중 어느 한 항에 기재한 방법을 이용하는 액정 셀의 제조 방법.A method for producing a liquid crystal cell using the method described in any one of [1] to [12].

[14] 상기 제 2 기판이 라디칼 발생막을 갖지 않는 제 2 기판인 [13]에 기재한 액정 셀의 제조 방법.[14] The method for producing a liquid crystal cell according to [13], wherein the second substrate is a second substrate having no radical generating film.

[15] 상기 제 2 기판이, 1축 배향성을 갖는 액정 배향막이 코팅된 기판인 것을 특징으로 하는 [14]에 기재한 액정 셀의 제조 방법.[15] The method for manufacturing a liquid crystal cell according to [14], wherein the second substrate is a substrate coated with a liquid crystal alignment film having uniaxial alignment.

[16] 상기 1축 배향성을 갖는 액정 배향막이 수평 배향용의 액정 배향막인 것을 특징으로 하는 [15]에 기재한 액정 셀의 제조 방법.[16] The method for producing a liquid crystal cell according to [15], wherein the liquid crystal alignment film having uniaxial alignment is a liquid crystal alignment film for horizontal alignment.

[17] 상기 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판이 빗살 전극을 갖는 기판인 [13]∼[16] 중 어느 한 항에 기재한 액정 셀의 제조 방법.[17] The method for manufacturing a liquid crystal cell according to any one of [13] to [16], wherein the first substrate having the radical generating film is a substrate having a comb electrode.

[18] 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하고,[18] containing liquid crystal and radically polymerizable compounds,

상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종이, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 불포화 결합을 갖는 화합물이며,At least one of the radically polymerizable compounds is a compound having compatibility with a liquid crystal and having one polymerizable unsaturated bond per molecule,

중합 반응성기가 이하의 구조로부터 선택되는, 액정 조성물:The liquid crystal composition, wherein the polymerization reactive group is selected from the following structures:

[화학식 10][Formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

(식 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다. Rb는 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합 및 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. Rc는 수소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.).(In the formula, * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of the compound molecule. R b represents a C2-C8 linear alkyl group, and E represents a single bond, -O-, -NR c -, Represents a bonding group selected from -S-, an ester bond and an amide bond, R c represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)

[19] [1]∼[17] 중 어느 한 항에 기재한 방법을 이용하여 얻어진 제로면 앵커링 상태를 만들어 내는 막을 이용하는 액정 표시 소자의 제조 방법.[19] A method for manufacturing a liquid crystal display device using a film that creates a zero-plane anchoring state obtained by using the method according to any one of [1] to [17].

[20] [19]에 기재한 방법을 이용하여 얻어진 액정 표시 소자.[20] A liquid crystal display device obtained by using the method described in [19].

[21] 제 1 기판 또는 제 2 기판이 전극을 갖는, [20]에 기재한 액정 표시 소자.[21] The liquid crystal display device according to [20], wherein the first substrate or the second substrate has an electrode.

[22] 저전압 구동 횡전계 액정 표시 소자인, [20] 또는 [21]에 기재한 액정 표시 소자.[22] The liquid crystal display device according to [20] or [21], which is a low-voltage drive transverse electric field liquid crystal display device.

본 발명에 의하면, 제로면 앵커링막을 공업적으로, 수율 좋게 만들어 낼 수 있다. 본 발명의 방법을 이용하여, 염가의 원료나 기존의 제조법으로 특허문헌 1, 2에 기재된 제로면 앵커링 IPS 모드 액정 표시 소자와 유사한 액정 표시 소자를 간편하게 제조할 수 있다. 또, 본 발명의 제조 방법으로 얻어진 액정 표시 소자는, 종래 기술보다도 Off 시의 액정의 응답 속도가 빠르고, 또한 저구동전압, 휘점 없음, IPS 모드에서는 Vcom 시프트의 억제가 가능하며, FFS 모드에서는 한층 더 고정세화(高精細化)가 가능하다는 뛰어난 특성을 갖는 액정 표시 소자를 제공할 수 있다.Advantageous Effects of Invention According to the present invention, a zero plane anchoring film can be produced industrially and in good yield. By using the method of the present invention, a liquid crystal display device similar to the zero plane anchoring IPS mode liquid crystal display device described in Patent Documents 1 and 2 can be easily manufactured using inexpensive raw materials or conventional manufacturing methods. In addition, the liquid crystal display device obtained by the manufacturing method of the present invention has a faster response speed of liquid crystal when off than in the prior art, and it is possible to suppress the Vcom shift in low driving voltage, no bright spot, IPS mode, and even more in FFS mode. It is possible to provide a liquid crystal display device having excellent characteristics that further high definition is possible.

도 1은, UV 조사한 영역과 UV 조사를 하지 않은 영역을 가짐으로써, 제로면 앵커링 영역과 제로면 앵커링이 아닌 영역을 갖는 막을 형성한 기판을 갖는 TN 셀의 도면이다. 셀 중, 투명한 영역은 UV 조사 없음, 불투명한 영역은 UV 조사 있음의 영역이다.FIG. 1 is a diagram of a TN cell having a substrate formed with a film having a zero-side anchoring region and a zero-side anchoring region by having a UV-irradiated region and a UV-irradiated region. In the cell, a transparent region is a region with no UV irradiation and an opaque region is a region with UV irradiation.

본 발명은, 기판 상에 앵커링력을 갖는 라디칼 발생막을 형성시키고, 앵커링력을 유지하고 싶은 영역에 라디칼 발생막에 방사선을 조사하는 공정을 거쳐, 라디칼 발생막에 특정의 중합성 화합물을 함유하는 액정을 접촉시킨 상태에서 UV 또는 열에 의해 중합성 화합물을 중합시키는 것을 특징으로 하는 제로면 앵커링 영역과 강(强)앵커링 영역이 패터닝된 막의 제조 방법이다. 보다 구체적으로는, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을, 방사선에 의해 처리된 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판과 라디칼 발생막을 갖고 있어도 되는 제 2 기판과의 사이에 갖는 셀을 준비하는 스텝, 및 상기 셀에, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여하는 스텝을 포함하는, 제로면 앵커링 영역과 강앵커링 영역이 패터닝된 막의 제조 방법이다. 바람직하게는, 방사선 조사 처리된 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판과, 라디칼 발생막을 갖지 않는 제 2 기판을 준비하는 스텝, 라디칼 발생막이 제 2 기판에 대향하도록 셀을 작성하는 스텝, 및 제 1 기판과 제 2 기판의 사이에, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 충전하는 스텝을 포함하는 액정 셀의 제조 방법이다. 예를 들면, 제 2 기판이 라디칼 발생막을 갖지 않는 동시에, 1축 배향 처리된 액정 배향막을 갖는 기판이고, 제 1 기판이 빗살 전극을 갖는 기판인, 저전압 구동 IPS 액정 표시 소자의 작성 방법이다.The present invention is a liquid crystal containing a specific polymerizable compound in the radical generating film through a process of forming a radical generating film having an anchoring force on a substrate and irradiating radiation to the radical generating film in a region where the anchoring force is desired to be maintained. This is a method for producing a film having a patterned zero-side anchoring region and a strong anchoring region, characterized in that the polymerizable compound is polymerized by UV or heat in a contacted state. More specifically, a step of preparing a cell having a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound between a first substrate having a radical generating film treated by radiation and a second substrate which may have a radical generating film , And imparting sufficient energy to polymerize the radical polymerizable compound to the cell. A method for producing a film in which a zero plane anchoring region and a strong anchoring region are patterned. Preferably, a step of preparing a first substrate having a radical generating film subjected to radiation irradiation treatment, a second substrate having no radical generating film, a step of creating a cell such that the radical generating film faces the second substrate, and the first substrate It is a manufacturing method of a liquid crystal cell including a step of filling a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radical polymerizable compound between the second substrates. For example, this is a method for producing a low voltage driving IPS liquid crystal display device in which the second substrate does not have a radical generating film and has a liquid crystal alignment film subjected to uniaxial alignment treatment, and the first substrate is a substrate having comb electrodes.

본 발명에 있어서 「제로면 앵커링막」이란, 면내 방향에서의 액정 분자의 배향 규제력이 전혀 없거나, 있다고 해도 액정끼리의 분자간력보다도 약하고, 이 막만으로는 액정 분자를 어느 방향으로도 1축 배향시키지 않는 막을 말한다. 또, 이 제로면 앵커링막은, 고체막으로 한정되지 않고 고체 표면을 덮는 액체막도 포함된다. 통상, 액정 표시 소자에는 액정 분자의 배향을 규제하는 막, 즉 액정 배향막을 쌍으로 이용하여 액정을 배향시키지만, 이 제로면 앵커링막과 액정 배향막을 쌍으로 이용한 경우도 액정을 배향시킬 수 있다. 이것은, 액정 배향막의 배향 규제력이 액정 분자끼리의 분자간력에 의해 액정층의 두께 방향으로도 전달되고, 결과적으로 제로면 앵커링막에 근접하는 액정 분자도 배향하기 때문이다. 따라서 액정 배향막에 수평 배향용의 액정 배향막을 이용한 경우에 있어서는 액정 셀 내 전체에서 수평 배향 상태를 만들어 낼 수 있다. 수평 배향이란 액정 분자의 장축이 액정 배향막면에 대하여 거의 평행하게 배열되어 있는 상태를 말하고, 몇 도(數度) 정도의 경사 배향도 수평 배향의 범주에 포함된다.In the present invention, the term ``zero plane anchoring film'' means that there is no alignment regulating force of liquid crystal molecules in the in-plane direction, or even weaker than the intermolecular force between liquid crystals, and this film alone does not uniaxially align the liquid crystal molecules in any direction. Say the membrane. In addition, this zero plane anchoring film is not limited to a solid film, and a liquid film covering the solid surface is also included. In general, in a liquid crystal display device, a film that regulates the alignment of liquid crystal molecules, that is, a liquid crystal alignment film is used in pairs to align the liquid crystal, but the zero-plane anchoring film and the liquid crystal alignment film are also used in pairs to align the liquid crystal. This is because the alignment regulating force of the liquid crystal alignment layer is transmitted also in the thickness direction of the liquid crystal layer by the intermolecular force between the liquid crystal molecules, and as a result, the liquid crystal molecules that are close to the zero plane anchoring layer are also aligned. Therefore, when the liquid crystal alignment layer for horizontal alignment is used for the liquid crystal alignment layer, a horizontal alignment state can be created in the entire liquid crystal cell. The horizontal alignment refers to a state in which the major axes of the liquid crystal molecules are arranged substantially parallel to the surface of the liquid crystal alignment film, and an inclined alignment of several degrees is also included in the category of the horizontal alignment.

[라디칼 발생막 형성 조성물][Radial Generating Film Forming Composition]

본 발명에 이용하는 라디칼 발생막을 형성하기 위한 라디칼 발생막 형성 조성물은, 성분으로서 중합체를 함유하고, 라디칼을 발생시킬 수 있는 기를 함유한다. 그때, 당해 조성물은, 라디칼을 발생시킬 수 있는 기가 결합한 중합체를 함유하는 것이어도 되고, 라디칼을 발생시킬 수 있는 기를 갖는 화합물과, 베이스 수지가 되는 중합체와의 조성물이어도 된다. 이와 같은 조성물을 도포, 경화하여 막을 형성함으로써, 라디칼을 발생시킬 수 있는 기가 막 중에 고정화된 라디칼 발생막을 얻을 수 있다. 라디칼을 발생시킬 수 있는 기는, 라디칼 중합을 유발하는 유기기인 것이 바람직하다.The radical-generating film-forming composition for forming the radical-generating film used in the present invention contains a polymer as a component and a group capable of generating a radical. In that case, the composition may contain a polymer to which a group capable of generating radicals is bonded, or may be a composition of a compound having a group capable of generating radicals and a polymer serving as a base resin. By coating and curing such a composition to form a film, a radical-generating film immobilized in a giga film capable of generating radicals can be obtained. The group capable of generating a radical is preferably an organic group causing radical polymerization.

그와 같은, 라디칼 중합을 유발하는 유기기로는 하기 구조로 표시되는 [X-1]∼[X-18], [W], [Y] 및 [Z] 중 어느 것으로 표시되는 유기기를 들 수 있다.Examples of such organic groups that cause radical polymerization include organic groups represented by any of [X-1] to [X-18], [W], [Y] and [Z] represented by the following structures. .

[화학식 11][Formula 11]

Figure pct00011
Figure pct00011

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)(In formulas [X-1] to [X-18], * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of a compound molecule, and S 1 and S 2 are each independently -O-, -NR- , -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, and 1 to 4 carbon atoms Represents the alkyl group of.)

[화학식 12][Formula 12]

Figure pct00012
Figure pct00012

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R9 및 R10이 알킬기인 경우, 말단에서 서로 결합하여 환구조를 형성하고 있어도 된다. Q는 하기 중 어느 것의 구조를 나타낸다:(In formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of the compound molecule, and Ar is a phenyl which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. Represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of ene, naphthylene and biphenylene, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R When 10 is an alkyl group, it may be bonded to each other at the ends to form a ring structure, Q represents any of the following structures:

[화학식 13][Formula 13]

Figure pct00013
Figure pct00013

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, * represents other than Q of the compound molecule It indicates the binding site to the part.)

R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.).R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.).

중합체로는, 예를 들면 폴리이미드 전구체, 및 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리오르가노실록산 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체가 바람직하다.As the polymer, for example, a polyimide precursor and at least one polymer selected from the group consisting of polyimide, polyurea, polyamide, polyacrylate, polymethacrylate, polyorganosiloxane, and the like are preferable.

본 발명에 이용하는 라디칼 발생막을 얻기 위해, 상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 갖는 중합체를 이용하는 경우, 라디칼을 발생시킬 수 있는 기를 갖는 중합체를 얻으려면, 모노머 성분으로서, 메타크릴기, 아크릴기, 비닐기, 알릴기, 쿠마린기, 스티릴기 및 신나모일기로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 광반응성의 측쇄를 갖는 모노머나, 자외선 조사에 의해 분해되고, 라디칼을 발생시키는 부위를 측쇄에 갖는 모노머를 이용하여 제조하는 것이 바람직하다. 한편, 라디칼을 발생시키는 모노머는 그 자체가 자발적으로 중합을 해버리는 등의 문제점이 생각되어, 불안정 화합물이 되어버리기 때문에, 합성의 용이성의 점에서는 라디칼 발생 부위를 갖는 디아민으로부터 유도되는 중합체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 폴리아믹산이나 폴리아믹산 에스테르 등의 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리아미드 등이 바람직하다.In order to obtain the radical-generating film used in the present invention, in the case of using a polymer having an organic group causing radical polymerization, in order to obtain a polymer having a group capable of generating radicals, as a monomer component, a methacrylic group, an acrylic group, a vinyl group , Allyl group, coumarin group, styryl group, and a monomer having a photoreactive side chain containing at least one selected from a cinnamoyl group, or a monomer decomposing by ultraviolet irradiation and having a radical generating site in the side chain It is preferable to manufacture. On the other hand, the radical-generating monomer itself has problems such as spontaneous polymerization, and becomes an unstable compound, so from the viewpoint of ease of synthesis, a polymer derived from diamine having a radical-generating site is preferable. More preferably, polyimide precursors such as polyamic acid and polyamic acid ester, polyimide, polyurea, polyamide, and the like are preferable.

그와 같은 라디칼 발생 부위 함유 디아민은, 구체적으로는, 예를 들면, 라디칼을 발생시켜 중합 가능한 측쇄를 갖는 디아민이고, 하기 일반식 (6)으로 표시되는 디아민을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.Such a radical-generating site-containing diamine is specifically, for example, a diamine having a side chain capable of generating a radical and polymerizing, and includes a diamine represented by the following general formula (6), but is limited thereto. no.

[화학식 14][Formula 14]

Figure pct00014
Figure pct00014

(식 (6) 중, R6는 단결합, -CH2-, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-를 나타내고,(In formula (6), R 6 is a single bond, -CH 2 -, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH 2 O-, -N (CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,

R7은 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 당해 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 된다;R 7 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms which is unsubstituted or substituted by a fluorine atom, and one or more of any -CH 2 -or -CF 2-of the alkylene group are each independently -CH=CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and any of the following groups, namely -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO- , -CONH- or -NH- may be substituted with these groups provided they are not adjacent to each other;

R8은, 하기 식으로부터 선택되는 라디칼 중합 반응성기를 나타낸다:R 8 represents a radical polymerization reactive group selected from the following formula:

[화학식 15][Formula 15]

Figure pct00015
Figure pct00015

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 라디칼 중합 반응성기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내며, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)).(In formulas [X-1] to [X-18], * represents a bonding site with a moiety other than the radical polymerization reactive group of the compound molecule, and S 1 and S 2 are each independently -O-, -NR- , -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, R 1 And R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)).

식 (6)에 있어서의 2개의 아미노기(-NH2)의 결합 위치는 한정되지 않는다.The bonding position of two amino groups (-NH 2) in formula (6) is not limited.

구체적으로는, 측쇄의 결합기에 대하여, 벤젠환 상의 2, 3의 위치, 2, 4의 위치, 2, 5의 위치, 2, 6의 위치, 3, 4의 위치, 3, 5의 위치를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리아믹산을 합성할 때의 반응성의 관점에서, 2, 4의 위치, 2, 5의 위치 또는 3, 5의 위치가 바람직하다. 디아민을 합성할 때의 용이성도 가미하면, 2, 4의 위치 또는 3, 5의 위치가 보다 바람직하다.Specifically, with respect to the bonding group of the side chain, the positions of 2 and 3 on the benzene ring, the positions of 2 and 4, the positions of 2 and 5, the positions of 2 and 6, the positions of 3 and 4, and the positions of 3 and 5 are mentioned. I can. Among them, from the viewpoint of reactivity when synthesizing a polyamic acid, positions 2 and 4, positions 2 and 5, or positions 3 and 5 are preferable. If the ease in synthesizing diamine is also added, the positions 2 and 4 or the positions 3 and 5 are more preferable.

메타크릴기, 아크릴기, 비닐기, 알릴기, 쿠마린기, 스티릴기 및 신나모일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 광반응성기를 갖는 디아민으로는, 구체적으로는, 이하와 같은 화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.As a diamine having a photoreactive group containing at least one selected from the group consisting of a methacrylic group, an acrylic group, a vinyl group, an allyl group, a coumarin group, a styryl group and a cinnamoyl group, specifically, the following compounds Although can be mentioned, it is not limited to these.

[화학식 16][Formula 16]

Figure pct00016
Figure pct00016

(식 중, J1은 단결합, -O-, -COO-, -NHCO- 또는 -NH-로부터 선택되는 결합기이고, J2는 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타낸다.)(Wherein, J 1 is a single bond, a bonding group selected from -O-, -COO-, -NHCO-, or -NH-, and J 2 is a single bond, or 1 carbon number unsubstituted or substituted by a fluorine atom. It shows the alkylene group of -20.)

자외선 조사에 의해 분해되고, 라디칼을 발생시키는 부위를 측쇄로서 갖는 디아민은, 하기의 일반식 (7)로 표시되는 디아민을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.The diamine which is decomposed by ultraviolet irradiation and has a site for generating a radical as a side chain includes a diamine represented by the following general formula (7), but is not limited thereto.

[화학식 17][Formula 17]

Figure pct00017
Figure pct00017

(식 (7) 중, T1 및 T2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-이고,(In formula (7), T 1 and T 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-,- CH 2 O-, -N(CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,

S0는 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 당해 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 되며,S 0 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms which is unsubstituted or substituted by a fluorine atom, and one or more of any -CH 2 -or -CF 2-of the alkylene group are each independently -CH=CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and any of the following groups, namely -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO- , -CONH- or -NH- may be substituted with these groups provided they are not adjacent to each other,

J는 하기 식 중 어느 것으로 표시되는 유기기이고,J is an organic group represented by any of the following formulas,

[화학식 18][Formula 18]

Figure pct00018
Figure pct00018

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 T2와의 결합 개소를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, Q는 하기 중 어느 것의 구조를 나타낸다:(In formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with T 2 , and Ar represents phenylene, naphthylene, and biphenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. Represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and Q represents the structure of any of the following:

[화학식 19][Formula 19]

Figure pct00019
Figure pct00019

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, * represents other than Q of the compound molecule It indicates the binding site to the part.)

R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.)).R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.)).

상기 식 (7)에 있어서의 2개의 아미노기(-NH2)의 결합 위치는 한정되지 않는다. 구체적으로는, 측쇄의 결합기에 대하여, 벤젠환 상의 2, 3의 위치, 2, 4의 위치, 2, 5의 위치, 2, 6의 위치, 3, 4의 위치, 3, 5의 위치를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리아믹산을 합성할 때의 반응성의 관점에서, 2, 4의 위치, 2, 5의 위치 또는 3, 5의 위치가 바람직하다. 디아민을 합성할 때의 용이성도 가미하면, 2, 4의 위치 또는 3, 5의 위치가 보다 바람직하다.The bonding position of two amino groups (-NH 2 ) in the above formula (7) is not limited. Specifically, with respect to the bonding group of the side chain, the positions of 2 and 3 on the benzene ring, the positions of 2 and 4, the positions of 2 and 5, the positions of 2 and 6, the positions of 3 and 4, and the positions of 3 and 5 are mentioned. I can. Among them, from the viewpoint of reactivity when synthesizing a polyamic acid, positions 2 and 4, positions 2 and 5, or positions 3 and 5 are preferable. If the ease in synthesizing diamine is also added, the positions 2 and 4 or the positions 3 and 5 are more preferable.

특히 합성의 용이함, 범용성의 높음, 특성 등의 점을 감안하여, 하기 식 중 어느 것으로 표시되는 구조가 가장 바람직하지만, 이들에 한정되지 않는다.In particular, in view of the ease of synthesis, high versatility, and characteristics, the structure represented by any of the following formulas is most preferred, but is not limited thereto.

[화학식 20][Formula 20]

Figure pct00020
Figure pct00020

(식 중, n은 2∼8의 정수이다.)(In the formula, n is an integer of 2 to 8.)

상기의 디아민은, 라디칼 발생막으로 했을 때의 액정 배향성, 중합 반응에서의 감도, 전압 유지 특성, 축적 전하 등의 특성에 따라, 1종류 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.The above-described diamine may be used alone or in combination of two or more depending on characteristics such as liquid crystal orientation when used as a radical generating film, sensitivity in polymerization reaction, voltage retention characteristics, and accumulated charge.

이와 같은 라디칼 중합이 발생하는 부위를 갖는 디아민은, 라디칼 발생막 형성 조성물에 함유시키는 중합체의 합성에 이용하는 디아민 성분 전체의 5∼50 몰%가 되는 양을 이용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10∼40 몰%이며, 특히 바람직하게는 15∼30 몰%이다.As for the diamine having a site where such radical polymerization occurs, it is preferable to use an amount of 5 to 50 mol% of the total diamine component used for synthesizing the polymer to be contained in the radical generating film-forming composition, and more preferably 10 to It is 40 mol%, and particularly preferably 15 to 30 mol%.

또한, 본 발명의 라디칼 발생막에 이용하는 중합체를 디아민으로부터 얻는 경우, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 한에 있어서, 상기 라디칼이 발생하는 부위를 갖는 디아민 이외의, 그 외의 디아민을 디아민 성분으로서 병용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, p-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-p-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디메틸-m-페닐렌디아민, 2,5-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 2,5-디아미노페놀, 2,4-디아미노페놀, 3,5-디아미노페놀, 3,5-디아미노벤질 알코올, 2,4-디아미노벤질 알코올, 4,6-디아미노레조르시놀, 4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메톡시-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디히드록시-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디플루오로-4,4'-비페닐, 3,3'-트리플루오로메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노비페닐, 2,2'-디아미노비페닐, 2,3'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2'-디아미노디페닐메탄, 2,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐 에테르, 3,3'-디아미노디페닐 에테르, 3,4'-디아미노디페닐 에테르, 2,2'-디아미노디페닐 에테르, 2,3'-디아미노디페닐 에테르, 4,4'-술포닐디아닐린, 3,3'-술포닐디아닐린, 비스(4-아미노페닐)실란, 비스(3-아미노페닐)실란, 디메틸-비스(4-아미노페닐)실란, 디메틸-비스(3-아미노페닐)실란, 4,4'-티오디아닐린, 3,3'-티오디아닐린, 4,4'-디아미노디페닐아민, 3,3'-디아미노디페닐아민, 3,4'-디아미노디페닐아민, 2,2'-디아미노디페닐아민, 2,3'-디아미노디페닐아민, N-메틸(4,4'-디아미노디페닐)아민, N-메틸(3,3'-디아미노디페닐)아민, N-메틸(3,4'-디아미노디페닐)아민, N-메틸(2,2'-디아미노디페닐)아민, N-메틸(2,3'-디아미노디페닐)아민, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 1,4-디아미노나프탈렌, 2,2'-디아미노벤조페논, 2,3'-디아미노벤조페논, 1,5-디아미노나프탈렌, 1,6-디아미노나프탈렌, 1,7-디아미노나프탈렌, 1,8-디아미노나프탈렌, 2,5-디아미노나프탈렌, 2,6-디아미노나프탈렌, 2,7-디아미노나프탈렌, 2,8-디아미노나프탈렌, 1,2-비스(4-아미노페닐)에탄, 1,2-비스(3-아미노페닐)에탄, 1,3-비스(4-아미노페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페닐)프로판, 1,4-비스(4-아미노페닐)부탄, 1,4-비스(3-아미노페닐)부탄, 비스(3,5-디에틸-4-아미노페닐)메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노벤질)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-[1,4-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 4,4'-[1,3-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 3,4'-[1,4-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 3,4'-[1,3-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 3,3'-[1,4-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 3,3'-[1,3-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 1,4-페닐렌비스[(4-아미노페닐)메타논], 1,4-페닐렌비스[(3-아미노페닐)메타논], 1,3-페닐렌비스[(4-아미노페닐)메타논], 1,3-페닐렌비스[(3-아미노페닐)메타논], 1,4-페닐렌비스(4-아미노벤조에이트), 1,4-페닐렌비스(3-아미노벤조에이트), 1,3-페닐렌비스(4-아미노벤조에이트), 1,3-페닐렌비스(3-아미노벤조에이트), 비스(4-아미노페닐)테레프탈레이트, 비스(3-아미노페닐)테레프탈레이트, 비스(4-아미노페닐)이소프탈레이트, 비스(3-아미노페닐)이소프탈레이트, N,N'-(1,4-페닐렌)비스(4-아미노벤즈아미드), N,N'-(1,3-페닐렌)비스(4-아미노벤즈아미드), N,N'-(1,4-페닐렌)비스(3-아미노벤즈아미드), N,N'-(1,3-페닐렌)비스(3-아미노벤즈아미드), N,N'-비스(4-아미노페닐)테레프탈아미드, N,N'-비스(3-아미노페닐)테레프탈아미드, N,N'-비스(4-아미노페닐)이소프탈아미드, N,N'-비스(3-아미노페닐)이소프탈아미드, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)디페닐술폰, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2'-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-메틸페닐)프로판, 트랜스-1,4-비스(4-아미노페닐)시클로헥산, 3,5-디아미노안식향산, 2,5-디아미노안식향산, 비스(4-아미노페녹시)메탄, 1,2-비스(4-아미노페녹시)에탄, 1,3-비스(4-아미노페녹시)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)프로판, 1,4-비스(4-아미노페녹시)부탄, 1,4-비스(3-아미노페녹시)부탄, 1,5-비스(4-아미노페녹시)펜탄, 1,5-비스(3-아미노페녹시)펜탄, 1,6-비스(4-아미노페녹시)헥산, 1,6-비스(3-아미노페녹시)헥산, 1,7-비스(4-아미노페녹시)헵탄, 1,7-비스(3-아미노페녹시)헵탄, 1,8-비스(4-아미노페녹시)옥탄, 1,8-비스(3-아미노페녹시)옥탄, 1,9-비스(4-아미노페녹시)노난, 1,9-비스(3-아미노페녹시)노난, 1,10-비스(4-아미노페녹시)데칸, 1,10-비스(3-아미노페녹시)데칸, 1,11-비스(4-아미노페녹시)운데칸, 1,11-비스(3-아미노페녹시)운데칸, 1,12-비스(4-아미노페녹시)도데칸, 1,12-비스(3-아미노페녹시)도데칸 등의 방향족 디아민; 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 비스(4-아미노-3-메틸시클로헥실)메탄 등의 지환식(脂環式) 디아민; 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸 등의 지방족 디아민; 1,3-비스[2-(p-아미노페닐)에틸]우레아, 1,3-비스[2-(p-아미노페닐)에틸]-1-터셔리부틸옥시카르보닐우레아 등의 우레아 구조를 갖는 디아민; N-p-아미노페닐-4-p-아미노페닐(터셔리부틸옥시카르보닐)아미노메틸피페리딘 등의 함(含)질소 불포화 복소환 구조를 갖는 디아민; N-터셔리부톡시카르보닐-N-(2-(4-아미노페닐)에틸)-N-(4-아미노벤질)아민 등의 N-Boc기를 갖는 디아민 등을 들 수 있다.In addition, when the polymer used for the radical generating film of the present invention is obtained from diamine, as long as the effect of the present invention is not impaired, other diamines other than the diamine having the radical generating site may be used in combination as a diamine component. I can. Specifically, for example, p-phenylenediamine, 2,3,5,6-tetramethyl-p-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2 ,4-dimethyl-m-phenylenediamine, 2,5-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, 2,5-diaminophenol, 2,4-diaminophenol, 3,5-diaminophenol , 3,5-diaminobenzyl alcohol, 2,4-diaminobenzyl alcohol, 4,6-diaminoresorcinol, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4' -Diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dicarboxy -4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-difluoro-4,4'-biphenyl, 3,3'-trifluoromethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3, 4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 2,2'-diaminobiphenyl, 2,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3 ,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'-diaminodiphenylmethane, 2,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino Diphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 2,2'-diaminodiphenyl ether, 2,3'-diaminodiphenyl ether, 4, 4'-sulfonyldianiline, 3,3'-sulfonyldianiline, bis(4-aminophenyl)silane, bis(3-aminophenyl)silane, dimethyl-bis(4-aminophenyl)silane, dimethyl-bis(3 -Aminophenyl)silane, 4,4'-thiodianiline, 3,3'-thiodianiline, 4,4'-diaminodiphenylamine, 3,3'-diaminodiphenylamine, 3,4' -Diaminodiphenylamine, 2,2'-diaminodiphenylamine, 2,3'-diaminodiphenylamine, N-methyl(4,4'-diaminodiphenyl)amine, N-methyl(3 ,3'-diaminodiphenyl)amine, N-methyl(3,4'-diaminodiphenyl)amine, N-methyl(2,2'-diaminodiphenyl)amine, N-methyl(2,3 '-Diaminodiphenyl)amine, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 1,4-diaminonaphthalene, 2,2 '-Diaminobenzophenone, 2,3'-diaminobenzophenone, 1,5-diaminona Phthalene, 1,6-diaminonaphthalene, 1,7-diaminonaphthalene, 1,8-diaminonaphthalene, 2,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,7-diaminonaphthalene , 2,8-diaminonaphthalene, 1,2-bis(4-aminophenyl)ethane, 1,2-bis(3-aminophenyl)ethane, 1,3-bis(4-aminophenyl)propane, 1, 3-bis(3-aminophenyl)propane, 1,4-bis(4-aminophenyl)butane, 1,4-bis(3-aminophenyl)butane, bis(3,5-diethyl-4-aminophenyl )Methane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis( 4-aminophenyl)benzene, 1,4-bis(4-aminobenzyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 4,4'-[1,4-phenylenebis(methylene) ]Daniline, 4,4'-[1,3-phenylenebis(methylene)]dianiline, 3,4'-[1,4-phenylenebis(methylene)]dianiline, 3,4'-[ 1,3-phenylenebis(methylene)]dianiline, 3,3'-[1,4-phenylenebis(methylene)]dianiline, 3,3'-[1,3-phenylenebis(methylene) ]Daniline, 1,4-phenylenebis[(4-aminophenyl)methanone], 1,4-phenylenebis[(3-aminophenyl)methanone], 1,3-phenylenebis[(4 -Aminophenyl)methanone], 1,3-phenylenebis[(3-aminophenyl)methanone], 1,4-phenylenebis(4-aminobenzoate), 1,4-phenylenebis(3 -Aminobenzoate), 1,3-phenylenebis(4-aminobenzoate), 1,3-phenylenebis(3-aminobenzoate), bis(4-aminophenyl)terephthalate, bis(3- Aminophenyl) terephthalate, bis(4-aminophenyl)isophthalate, bis(3-aminophenyl)isophthalate, N,N'-(1,4-phenylene)bis(4-aminobenzamide), N, N'-(1,3-phenylene)bis(4-aminobenzamide), N,N'-(1,4-phenylene)bis(3-aminobenzamide), N,N'-(1, 3-phenylene) bis(3-aminobenzamide), N,N'-bis(4-aminophenyl) terephthalamide, N,N'-bis(3-aminophenyl) terephthalamide, N,N'-bis (4-aminophenyl)isophthalamide, N,N'-bis(3-ami) Nophenyl)isophthalamide, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)diphenylsulfone, 2,2'-bis[4-(4-amino Phenoxy)phenyl]propane, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 2,2'-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2 '-Bis(3-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2'-bis(3-amino-4-methylphenyl)hexafluoropropane, 2,2'-bis(4-aminophenyl)propane, 2, 2'-bis(3-aminophenyl)propane, 2,2'-bis(3-amino-4-methylphenyl)propane, trans-1,4-bis(4-aminophenyl)cyclohexane, 3,5-dia Minobenzoic acid, 2,5-diaminobenzoic acid, bis(4-aminophenoxy)methane, 1,2-bis(4-aminophenoxy)ethane, 1,3-bis(4-aminophenoxy)propane, 1 ,3-bis(3-aminophenoxy)propane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)butane, 1,4-bis(3-aminophenoxy)butane, 1,5-bis(4-amino Phenoxy)pentane, 1,5-bis(3-aminophenoxy)pentane, 1,6-bis(4-aminophenoxy)hexane, 1,6-bis(3-aminophenoxy)hexane, 1,7 -Bis(4-aminophenoxy)heptane, 1,7-bis(3-aminophenoxy)heptane, 1,8-bis(4-aminophenoxy)octane, 1,8-bis(3-aminophenoxy) )Octane, 1,9-bis(4-aminophenoxy)nonane, 1,9-bis(3-aminophenoxy)nonane, 1,10-bis(4-aminophenoxy)decane, 1,10-bis (3-aminophenoxy)decane, 1,11-bis(4-aminophenoxy)undecane, 1,11-bis(3-aminophenoxy)undecane, 1,12-bis(4-aminophenoxy) ) Aromatic diamines such as dodecane and 1,12-bis(3-aminophenoxy)dodecane; Alicyclic diamines such as bis(4-aminocyclohexyl)methane and bis(4-amino-3-methylcyclohexyl)methane; 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane, 1, Aliphatic diamines such as 9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, and 1,12-diaminododecane; Having a urea structure such as 1,3-bis[2-(p-aminophenyl)ethyl]urea, 1,3-bis[2-(p-aminophenyl)ethyl]-1-tertiary butyloxycarbonylurea Diamine; Diamines having a nitrogen-containing unsaturated heterocyclic structure such as N-p-aminophenyl-4-p-aminophenyl (tertiary butyloxycarbonyl) aminomethylpiperidine; Diamines having an N-Boc group such as N-tertiarybutoxycarbonyl-N-(2-(4-aminophenyl)ethyl)-N-(4-aminobenzyl)amine, and the like.

상기 그 외의 디아민은, 라디칼 발생막으로 했을 때의 액정 배향성, 중합 반응에서의 감도, 전압 유지 특성, 축적 전하 등의 특성에 따라, 1종류 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.The other diamines described above may be used alone or in combination of two or more depending on characteristics such as liquid crystal orientation when used as a radical generating film, sensitivity in polymerization reaction, voltage retention characteristics, and accumulated charge.

중합체가 폴리아믹산인 경우의 합성에서, 상기의 디아민 성분과 반응시키는 테트라카르복시산 이무수물은 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 피로멜리트산, 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카르복시산, 1,2,5,6-나프탈렌 테트라카르복시산, 1,4,5,8-나프탈렌 테트라카르복시산, 2,3,6,7-안트라센 테트라카르복시산, 1,2,5,6-안트라센 테트라카르복시산, 3,3',4,4'-비페닐 테트라카르복시산, 2,3,3',4'-비페닐 테트라카르복시산, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르, 3,3',4,4'-벤조페논 테트라카르복시산, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판, 비스(3,4-디카르복시페닐)디메틸실란, 비스(3,4-디카르복시페닐)디페닐실란, 2,3,4,5-피리딘 테트라카르복시산, 2,6-비스(3,4-디카르복시페닐)피리딘, 3,3',4,4'-디페닐술폰 테트라카르복시산, 3,4,9,10-페릴렌 테트라카르복시산, 1,3-디페닐-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르복시산, 옥시디프탈 테트라카르복시산, 1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르복시산, 1,2,3,4-시클로펜탄 테트라카르복시산, 1,2,4,5-시클로헥산 테트라카르복시산, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르복시산, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르복시산, 1,3-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르복시산, 1,2,3,4-시클로헵탄 테트라카르복시산, 2,3,4,5-테트라히드로푸란 테트라카르복시산, 3,4-디카르복시-1-시클로헥실호박산, 2,3,5-트리카르복시 시클로펜틸초산(酢酸), 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌호박산, 비시클로[3,3,0]옥탄-2,4,6,8-테트라카르복시산, 비시클로[4,3,0]노난-2,4,7,9-테트라카르복시산, 비시클로[4,4,0]데칸-2,4,7,9-테트라카르복시산, 비시클로[4,4,0]데칸-2,4,8,10-테트라카르복시산, 트리시클로[6.3.0.0<2,6>]운데칸-3,5,9,11-테트라카르복시산, 1,2,3,4-부탄 테트라카르복시산, 4-(2,5-디옥소테트라히드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-1,2-디카르복시산, 비시클로[2,2,2]옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복시산, 5-(2,5-디옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-3-시클로헥산-1,2-디카르복시산, 테트라시클로[6,2,1,1,0<2,7>]도데카-4,5,9,10-테트라카르복시산, 3,5,6-트리카르복시노르보르난-2:3,5:6디카르복시산, 1,2,4,5-시클로헥산 테트라카르복시산 등의 테트라카르복시산의 이무수물을 들 수 있다.In the synthesis when the polymer is a polyamic acid, the tetracarboxylic dianhydride to be reacted with the diamine component is not particularly limited. Specifically, pyromellitic acid, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid, 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic acid, 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid, 2,3,6, 7-anthracene tetracarboxylic acid, 1,2,5,6-anthracene tetracarboxylic acid, 3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic acid, 2,3,3',4'-biphenyl tetracarboxylic acid, bis( 3,4-dicarboxyphenyl) ether, 3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid, bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfone, bis(3,4-dicarboxyphenyl)methane, 2 ,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propane, bis(3 ,4-dicarboxyphenyl)dimethylsilane, bis(3,4-dicarboxyphenyl)diphenylsilane, 2,3,4,5-pyridine tetracarboxylic acid, 2,6-bis(3,4-dicarboxyphenyl) Pyridine, 3,3',4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid, 3,4,9,10-perylene tetracarboxylic acid, 1,3-diphenyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid , Oxydiphthalic tetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclopentane tetracarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclohexane tetracarboxylic acid, 1,2, 3,4-tetramethyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid, 1,2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid, 1,3-dimethyl-1,2,3 ,4-cyclobutane tetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cycloheptane tetracarboxylic acid, 2,3,4,5-tetrahydrofuran tetracarboxylic acid, 3,4-dicarboxy-1-cyclohexylsuccinic acid, 2, 3,5-tricarboxycyclopentylacetic acid, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic acid, bicyclo[3,3,0]octane-2,4 ,6,8-tetracarboxylic acid, bicyclo[4,3,0]nonane-2,4,7,9-tetracarboxylic acid, bicyclo[4,4,0]decane-2,4,7,9-tetra Carboxylic acid, bicyclo[4,4,0]decane-2,4,8,10-tetracarboxylic acid, tricyclo[6.3.0.0<2,6>]undecane-3,5,9,11-tetracarboxylic acid, 1,2, 3,4-butane tetracarboxylic acid, 4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid, bicyclo[2, 2,2]Octo-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic acid, 5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-3-cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid , Tetracyclo[6,2,1,1,0<2,7>]dodeca-4,5,9,10-tetracarboxylic acid, 3,5,6-tricarboxynorbornane-2:3,5 : A dianhydride of tetracarboxylic acid, such as 6 dicarboxylic acid and 1,2,4,5-cyclohexane tetracarboxylic acid, is mentioned.

물론, 테트라카르복시산 이무수물도, 라디칼 발생막으로 했을 때의 액정 배향성, 중합 반응에서의 감도, 전압 유지 특성, 축적 전하 등의 특성에 따라, 1종류 또는 2종류 이상 병용해도 된다.Of course, tetracarboxylic dianhydride may also be used alone or in combination of two or more depending on characteristics such as liquid crystal orientation when used as a radical generating film, sensitivity in polymerization reaction, voltage retention characteristics, and accumulated charge.

중합체가 폴리아미드산 에스테르인 경우의 합성에서, 상기의 디아민 성분과 반응시키는 테트라카르복시산 디알킬 에스테르의 구조는 특별히 한정되지 않지만, 그 구체예를 이하에 든다.In the synthesis when the polymer is a polyamic acid ester, the structure of the tetracarboxylic acid dialkyl ester to be reacted with the diamine component is not particularly limited, but specific examples thereof are given below.

지방족 테트라카르복시산 디에스테르의 구체적인 예로는, 1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 1,3-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 1,2,3,4-시클로펜탄 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 2,3,4,5-테트라히드로푸란 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 1,2,4,5-시클로헥산 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 3,4-디카르복시-1-시클로헥실호박산 디알킬 에스테르, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌호박산 디알킬 에스테르, 1,2,3,4-부탄 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 비시클로[3,3,0]옥탄-2,4,6,8-테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 3,3',4,4'-디시클로헥실 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 2,3,5-트리카르복시 시클로펜틸초산 디알킬 에스테르, 시스-3,7-디부틸시클로옥타-1,5-디엔-1,2,5,6-테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 트리시클로[4.2.1.0<2,5>]노난-3,4,7,8-테트라카르복시산-3,4:7,8-디알킬 에스테르, 헥사시클로[6.6.0.1<2,7>.0<3,6>.1<9,14>.0<10,13>]헥사데칸-4,5,11,12-테트라카르복시산-4,5:11,12-디알킬 에스테르, 4-(2,5-디옥소테트라히드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-1,2-디카르복시산 디알킬 에스테르 등을 들 수 있다.Specific examples of aliphatic tetracarboxylic acid diesters include 1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid dialkyl ester, 1,2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid dialkyl ester, 1, 3-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid dialkyl ester, 1,2,3,4-tetramethyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid dialkyl ester, 1,2 ,3,4-cyclopentane tetracarboxylic acid dialkyl ester, 2,3,4,5-tetrahydrofuran tetracarboxylic acid dialkyl ester, 1,2,4,5-cyclohexane tetracarboxylic acid dialkyl ester, 3,4- Dicarboxy-1-cyclohexylsuccinic acid dialkyl ester, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic acid dialkyl ester, 1,2,3,4-butane tetracarboxylic acid di Alkyl ester, bicyclo[3,3,0]octane-2,4,6,8-tetracarboxylic acid dialkyl ester, 3,3',4,4'-dicyclohexyl tetracarboxylic acid dialkyl ester, 2,3 ,5-tricarboxycyclopentylacetic acid dialkyl ester, cis-3,7-dibutylcycloocta-1,5-diene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid dialkyl ester, tricyclo[4.2.1.0< 2,5>]Nonane-3,4,7,8-tetracarboxylic acid-3,4:7,8-dialkyl ester, hexacyclo[6.6.0.1<2,7>.0<3,6>.1 <9,14>.0<10,13>]hexadecane-4,5,11,12-tetracarboxylic acid-4,5:11,12-dialkyl ester, 4-(2,5-dioxotetrahydro Furan-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid dialkyl ester, etc. are mentioned.

방향족 테트라카르복시산 디알킬 에스테르로는, 피로멜리트산 디알킬 에스테르, 3,3',4,4'-비페닐 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 2,2',3,3'-비페닐 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 2,3,3',4-비페닐 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 3,3',4,4'-벤조페논 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 2,3,3',4'-벤조페논 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 디알킬 에스테르, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 디알킬 에스테르, 1,2,5,6-나프탈렌 테트라카르복시산 디알킬 에스테르, 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카르복시산 디알킬 에스테르 등을 들 수 있다.As aromatic tetracarboxylic acid dialkyl ester, pyromellitic acid dialkyl ester, 3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic acid dialkyl ester, 2,2',3,3'-biphenyl tetracarboxylic acid dialkyl Ester, 2,3,3',4-biphenyl tetracarboxylic acid dialkyl ester, 3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dialkyl ester, 2,3,3',4'-benzophenone tetra Carboxylic acid dialkyl ester, bis(3,4-dicarboxyphenyl)ether dialkyl ester, bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfone dialkyl ester, 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic acid dialkyl ester, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid dialkyl ester, etc. are mentioned.

중합체가 폴리우레아인 경우의 합성에서, 상기의 디아민 성분과 반응시키는 디이소시아네이트에 관해서는, 특별히 한정은 하지 않고, 입수성 등에 따라 사용할 수 있다. 디이소시아네이트의 구체적 구조를 이하에 나타낸다.In the synthesis when the polymer is polyurea, the diisocyanate to be reacted with the diamine component is not particularly limited and can be used depending on availability and the like. The specific structure of the diisocyanate is shown below.

[화학식 21][Formula 21]

Figure pct00021
Figure pct00021

식 중 R2, R3는 탄소수 1∼10의 지방족 탄화수소를 나타낸다.In the formula, R 2 and R 3 represent an aliphatic hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms.

K-1∼K-5에 나타내는 지방족 디이소시아네이트는, 반응성은 뒤떨어지지만 용매 용해성을 향상시키는 메리트가 있고, K-6∼K-7이 나타내는 것과 같은 방향족 디이소시아네이트는 반응성이 풍부하고 내열성을 향상시키는 효과가 있지만, 용매 용해성을 저하시키는 결점을 들 수 있다. 범용성이나 특성면에서 특히 바람직하게는 K-1, K-7, K-8, K-9, K-10이 바람직하고, 전기 특성의 관점에서는 K-12, 액정 배향성의 관점에서는 K-13이 특히 바람직하다. 디이소시아네이트는 1종 이상을 병용하여 사용할 수도 있고, 얻고 싶은 특성에 따라 여러 가지 적용하는 것이 바람직하다.Aliphatic diisocyanates represented by K-1 to K-5 are inferior in reactivity, but have the merit of improving solvent solubility, and aromatic diisocyanates such as those represented by K-6 to K-7 are rich in reactivity and improve heat resistance. Although there is an effect, a drawback of reducing solvent solubility is mentioned. From the viewpoint of versatility and characteristics, K-1, K-7, K-8, K-9, K-10 are particularly preferred, and K-12 from the viewpoint of electrical properties, and K-13 from the viewpoint of liquid crystal orientation. It is particularly preferred. The diisocyanate may be used in combination of one or more, and it is preferable to apply various kinds of diisocyanates depending on the characteristics desired to be obtained.

또, 일부의 디이소시아네이트를 상기에서 설명한 테트라카르복시산 이무수물로 치환할 수도 있으며, 폴리아믹산과 폴리우레아의 공중합체와 같은 형태로 사용해도 되고, 화학 이미드화에 의해 폴리이미드와 폴리우레아의 공중합체와 같은 형태로 사용해도 된다.In addition, some diisocyanates may be substituted with the tetracarboxylic dianhydride described above, and may be used in the same form as a copolymer of polyamic acid and polyurea, or a copolymer of polyimide and polyurea by chemical imidization. You can use the same form.

중합체가 폴리아미드인 경우의 합성에서, 반응시키는 디카르복시산의 구조는 특별히 한정되지 않지만, 굳이 구체예를 이하에 들면 이하와 같다. 지방족 디카르복시산의 구체예로서, 말론산, 옥살산, 디메틸말론산, 호박산, 푸마르산, 글루타르산, 아디핀산, 무콘산, 2-메틸아디핀산, 트리메틸아디핀산, 피멜린산, 2,2-디메틸글루타르산, 3,3-디에틸호박산, 아젤라인산, 세바신산 및 수베린산 등의 디카르복시산을 들 수 있다.In the synthesis when the polymer is polyamide, the structure of the dicarboxylic acid to be reacted is not particularly limited, but a specific example is given below as follows. As specific examples of aliphatic dicarboxylic acids, malonic acid, oxalic acid, dimethylmalonic acid, succinic acid, fumaric acid, glutaric acid, adipic acid, muconic acid, 2-methyladipic acid, trimethyladipic acid, pimelic acid, 2,2-dimethyl And dicarboxylic acids such as glutaric acid, 3,3-diethylsuccinic acid, azelaic acid, sebacic acid, and suberic acid.

지환식계의 디카르복시산으로는, 1,1-시클로프로판디카르복시산, 1,2-시클로프로판디카르복시산, 1,1-시클로부탄디카르복시산, 1,2-시클로부탄디카르복시산, 1,3-시클로부탄디카르복시산, 3,4-디페닐-1,2-시클로부탄디카르복시산, 2,4-디페닐-1,3-시클로부탄디카르복시산, 1-시클로부텐-1,2-디카르복시산, 1-시클로부텐-3,4-디카르복시산, 1,1-시클로펜탄디카르복시산, 1,2-시클로펜탄디카르복시산, 1,3-시클로펜탄디카르복시산, 1,1-시클로헥산디카르복시산, 1,2-시클로헥산디카르복시산, 1,3-시클로헥산디카르복시산, 1,4-시클로헥산디카르복시산, 1,4-(2-노르보르넨)디카르복시산, 노르보르넨-2,3-디카르복시산, 비시클로[2.2.2]옥탄-1,4-디카르복시산, 비시클로[2.2.2]옥탄-2,3-디카르복시산, 2,5-디옥소-1,4-비시클로[2.2.2]옥탄디카르복시산, 1,3-아다만탄디카르복시산, 4,8-디옥소-1,3-아다만탄디카르복시산, 2,6-스피로[3.3]헵탄디카르복시산, 1,3-아다만탄이초산, 캄퍼산 등을 들 수 있다.As alicyclic dicarboxylic acid, 1,1-cyclopropanedicarboxylic acid, 1,2-cyclopropanedicarboxylic acid, 1,1-cyclobutanedicarboxylic acid, 1,2-cyclobutanedicarboxylic acid, 1,3-cyclobutane Dicarboxylic acid, 3,4-diphenyl-1,2-cyclobutanedicarboxylic acid, 2,4-diphenyl-1,3-cyclobutanedicarboxylic acid, 1-cyclobutene-1,2-dicarboxylic acid, 1-cyclo Butene-3,4-dicarboxylic acid, 1,1-cyclopentanedicarboxylic acid, 1,2-cyclopentanedicarboxylic acid, 1,3-cyclopentanedicarboxylic acid, 1,1-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclo Hexanedicarboxylic acid, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-(2-norbornene)dicarboxylic acid, norbornene-2,3-dicarboxylic acid, bicyclo[ 2.2.2]octane-1,4-dicarboxylic acid, bicyclo[2.2.2]octane-2,3-dicarboxylic acid, 2,5-dioxo-1,4-bicyclo[2.2.2]octanedicarboxylic acid , 1,3-adamantanedicarboxylic acid, 4,8-dioxo-1,3-adamantanedicarboxylic acid, 2,6-spiro[3.3]heptanedicarboxylic acid, 1,3-adamantanediacetic acid, camphoric acid And the like.

방향족 디카르복시산으로는, o-프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 5-메틸이소프탈산, 5-tert-부틸이소프탈산, 5-아미노이소프탈산, 5-히드록시이소프탈산, 2,5-디메틸테레프탈산, 테트라메틸테레프탈산, 1,4-나프탈렌디카르복시산, 2,5-나프탈렌디카르복시산, 2,6-나프탈렌디카르복시산, 2,7-나프탈렌디카르복시산, 1,4-안트라센디카르복시산, 1,4-안트라퀴논디카르복시산, 2,5-비페닐디카르복시산, 4,4'-비페닐디카르복시산, 1,5-비페닐렌디카르복시산, 4,4"-터페닐디카르복시산, 4,4'-디페닐메탄디카르복시산, 4,4'-디페닐에탄디카르복시산, 4,4'-디페닐프로판디카르복시산, 4,4'-디페닐헥사플루오로프로판디카르복시산, 4,4'-디페닐에테르디카르복시산, 4,4'-비벤질디카르복시산, 4,4'-스틸벤디카르복시산, 4,4'-톨란디카르복시산(4,4'-tolandicarboxylic acid), 4,4'-카르보닐이안식향산, 4,4'-술포닐이안식향산, 4,4'-디티오이안식향산, p-페닐렌이초산, 3,3'-p-페닐렌디프로피온산, 4-카르복시계피산, p-페닐렌디아크릴산, 3,3'-[4,4'-(메틸렌디-p-페닐렌)]디프로피온산, 4,4'-[4,4'-(옥시디-p-페닐렌)]디프로피온산, 4,4'-[4,4'-(옥시디-p-페닐렌)]이낙산(二酪酸), (이소프로필리덴디-p-페닐렌디옥시)이낙산, 비스(p-카르복시페닐)디메틸실란 등의 디카르복시산을 들 수 있다.As aromatic dicarboxylic acids, o-phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 5-methylisophthalic acid, 5-tert-butylisophthalic acid, 5-aminoisophthalic acid, 5-hydroxyisophthalic acid, 2,5-dimethyl terephthalic acid, tetra Methyl terephthalic acid, 1,4-naphthalenedicarboxylic acid, 2,5-naphthalenedicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 2,7-naphthalenedicarboxylic acid, 1,4-anthracenedicarboxylic acid, 1,4-anthraquinonedi Carboxylic acid, 2,5-biphenyldicarboxylic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 1,5-biphenylenedicarboxylic acid, 4,4"-terphenyldicarboxylic acid, 4,4'-diphenylmethanedicarboxylic acid , 4,4'-diphenylethanedicarboxylic acid, 4,4'-diphenylpropanedicarboxylic acid, 4,4'-diphenylhexafluoropropanedicarboxylic acid, 4,4'-diphenyletherdicarboxylic acid, 4, 4'-bibenzyldicarboxylic acid, 4,4'-stylbendicarboxylic acid, 4,4'-tolandicarboxylic acid, 4,4'-carbonyl benzoic acid, 4,4'- Sulfonyl benzoic acid, 4,4'-dithiobenzoic acid, p-phenylene diacetic acid, 3,3'-p-phenylenedipropionic acid, 4-carboxypic acid, p-phenylenediacrylic acid, 3,3'-[4 ,4'-(methylenedi-p-phenylene)]dipropionic acid, 4,4'-[4,4'-(oxydi-p-phenylene)]dipropionic acid, 4,4'-[4,4 Dicarboxylic acids such as'-(oxydi-p-phenylene)] dibutyric acid, (isopropylidenedi-p-phenylenedioxy) dibutyric acid, and bis(p-carboxyphenyl) dimethylsilane. have.

복소환을 포함하는 디카르복시산으로는, 1,5-(9-옥소플루오렌)디카르복시산, 3,4-푸란디카르복시산, 4,5-티아졸디카르복시산, 2-페닐-4,5-티아졸디카르복시산, 1,2,5-티아디아졸-3,4-디카르복시산, 1,2,5-옥사디아졸-3,4-디카르복시산, 2,3-피리딘디카르복시산, 2,4-피리딘디카르복시산, 2,5-피리딘디카르복시산, 2,6-피리딘디카르복시산, 3,4-피리딘디카르복시산, 3,5-피리딘디카르복시산 등을 들 수 있다.Examples of dicarboxylic acids containing heterocycles include 1,5-(9-oxofluorene)dicarboxylic acid, 3,4-furandicarboxylic acid, 4,5-thiazoledicarboxylic acid, 2-phenyl-4,5-thiazoledi Carboxylic acid, 1,2,5-thiadiazole-3,4-dicarboxylic acid, 1,2,5-oxadiazole-3,4-dicarboxylic acid, 2,3-pyridinedicarboxylic acid, 2,4-pyridine di Carboxylic acid, 2,5-pyridine dicarboxylic acid, 2,6-pyridine dicarboxylic acid, 3,4-pyridine dicarboxylic acid, 3,5-pyridine dicarboxylic acid, etc. are mentioned.

상기의 각종 디카르복시산은 산 디할라이드 또는 무수(無水)의 구조인 것이어도 된다. 이들 디카르복시산류는, 특히 직선적인 구조의 폴리아미드를 부여하는 것이 가능한 디카르복시산류인 것이 액정 분자의 배향성을 유지하는 데 있어서 바람직하다. 이들 중에서도, 테레프탈산, 이소테레프탈산, 1,4-시클로헥산디카르복시산, 4,4'-비페닐디카르복시산, 4,4'-디페닐메탄디카르복시산, 4,4'-디페닐에탄디카르복시산, 4,4'-디페닐프로판디카르복시산, 4,4'-디페닐헥사플루오로프로판디카르복시산, 2,2-비스(페닐)프로판디카르복시산, 4,4-터페닐디카르복시산, 2,6-나프탈렌디카르복시산, 2,5-피리딘디카르복시산 또는 이들의 산 디할라이드 등이 바람직하게 이용된다. 이들 화합물에는 이성체가 존재하는 것도 있는데, 그들을 포함하는 혼합물이어도 된다. 또, 2종 이상의 화합물을 병용해도 된다. 또한, 본 발명에 사용하는 디카르복시산류는, 상기의 예시 화합물로 한정되는 것은 아니다.The above various dicarboxylic acids may have an acid dihalide or an anhydrous structure. These dicarboxylic acids are particularly preferably dicarboxylic acids capable of imparting a polyamide having a linear structure in order to maintain the orientation of the liquid crystal molecules. Among these, terephthalic acid, isoterephthalic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 4,4'-diphenylmethane dicarboxylic acid, 4,4'-diphenylethanedicarboxylic acid, 4 ,4'-diphenylpropanedicarboxylic acid, 4,4'-diphenylhexafluoropropanedicarboxylic acid, 2,2-bis(phenyl)propanedicarboxylic acid, 4,4-terphenyldicarboxylic acid, 2,6-naphthalene Dicarboxylic acids, 2,5-pyridine dicarboxylic acids, or acid dihalides thereof are preferably used. Although isomers exist in some of these compounds, a mixture containing them may be sufficient. Moreover, you may use 2 or more types of compounds together. In addition, the dicarboxylic acids used in the present invention are not limited to the above exemplary compounds.

원료인 디아민(「디아민 성분」이라고도 기재한다)과 원료인 테트라카르복시산 이무수물(「테트라카르복시산 이무수물 성분」이라고도 기재한다), 테트라카르복시산 디에스테르, 디이소시아네이트 및 디카르복시산으로부터 선택되는 성분과의 반응에 의해, 폴리아믹산, 폴리아믹산 에스테르, 폴리우레아, 폴리아미드를 얻는 데 있어서는, 공지의 합성 수법을 이용할 수 있다. 일반적으로는, 디아민 성분과 테트라카르복시산 이무수물 성분, 테트라카르복시산 디에스테르, 디이소시아네이트 및 디카르복시산으로부터 선택되는 1종 이상의 성분을, 유기 용매 중에서 반응시키는 방법이다.Reaction of a raw material diamine (also referred to as a ``diamine component'') and a raw material tetracarboxylic dianhydride (also referred to as a ``tetracarboxylic dianhydride component''), a tetracarboxylic acid diester, a diisocyanate, and a component selected from dicarboxylic acid Thus, in obtaining a polyamic acid, a polyamic acid ester, a polyurea, or a polyamide, a known synthetic method can be used. In general, it is a method of reacting at least one component selected from a diamine component and a tetracarboxylic dianhydride component, a tetracarboxylic acid diester, a diisocyanate, and a dicarboxylic acid in an organic solvent.

디아민 성분과 테트라카르복시산 이무수물 성분과의 반응은, 유기 용매 중에서 비교적 용이하게 진행되고, 또한 부생성물이 발생하지 않는 점에서 유리하다.The reaction of the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component is advantageous in that it proceeds relatively easily in an organic solvent and no by-products are generated.

상기 반응에 이용하는 유기 용매로는, 생성된 중합체가 용해하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 중합체가 용해하지 않는 유기 용매여도, 생성된 중합체가 석출하지 않는 범위에서, 상기 용매에 혼합하여 사용해도 된다. 또한, 유기 용매 중의 수분은, 중합 반응을 저해하고, 더 나아가서는 생성된 중합체를 가수분해시키는 원인이 되므로, 유기 용매는 탈수 건조시킨 것을 이용하는 것이 바람직하다.The organic solvent used for the reaction is not particularly limited as long as the resulting polymer is dissolved. Moreover, even if it is an organic solvent in which a polymer does not dissolve, you may use it by mixing with the said solvent as long as the produced polymer does not precipitate. In addition, since moisture in the organic solvent inhibits the polymerization reaction and furthermore causes hydrolysis of the resulting polymer, it is preferable to use a dehydration-dried organic solvent.

유기 용매로는, 예를 들면, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, 2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드, N-메틸카프로락탐, 디메틸술폭시드, 테트라메틸요소, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 이소프로필 알코올, 메톡시메틸펜타놀, 디펜텐, 에틸 아밀 케톤, 메틸 노닐 케톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소아밀 케톤, 메틸 이소프로필 케톤, 메틸 셀로솔브, 에틸 셀로솔브, 메틸 셀로솔브 아세테이트, 부틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 부틸 카르비톨, 에틸 카르비톨, 에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 모노아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜-tert-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노아세테이트 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노아세테이트 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노아세테이트 모노프로필 에테르, 3-메틸-3-메톡시부틸 아세테이트, 트리프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 3-메틸-3-메톡시 부타놀, 디이소프로필 에테르, 에틸이소부틸 에테르, 디이소부틸렌, 아밀 아세테이트, 부틸 부티레이트, 부틸 에테르, 디이소부틸 케톤, 메틸시클로헥센, 프로필 에테르, 디헥실 에테르, 디옥산, n-헥산, n-펜탄, n-옥탄, 디에틸 에테르, 시클로헥사논, 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 유산 메틸, 유산 에틸, 초산 메틸, 초산 에틸, 초산 n-부틸, 초산 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 피루빈산 메틸, 피루빈산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 메틸 에틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산, 3-메톡시프로피온산, 3-메톡시프로피온산 프로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 디글라임, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 2-에틸-1-헥사놀 등을 들 수 있다. 이들 유기 용매는 단독으로 사용해도, 혼합하여 사용해도 된다.As an organic solvent, for example, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylformamide, N-methylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, 2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, N-methylcaprolactam, dimethylsulfoxide Seed, tetramethylurea, pyridine, dimethylsulfone, hexamethylsulfoxide, γ-butyrolactone, isopropyl alcohol, methoxymethylpentanol, dipentene, ethyl amyl ketone, methyl nonyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isoamyl Ketone, methyl isopropyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, butyl carbitol, ethyl carbitol, ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol monoiso Propyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol-tert-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate , Diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol monoacetate monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol Monoacetate monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monoacetate monopropyl ether, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, tripropylene glycol methyl ether, 3-methyl-3-methoxy butanol, Diisopropyl ether, ethylisobutyl ether, diisobutylene, amyl acetate, butyl butyrate, butyl ether, diisobutyl ketone, methylcyclohexene, propyl ether, dihexyl ether, dioxane, n-hexane, n-pentane , n-octane, diethyl ether, cyclohexanone, ethylene carbonate, propylene carbonate, methyl lactate, lactic acid Tyl, methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate, propylene glycol acetate monoethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl 3-methoxypropionate, methyl ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methoxypropionic acid Ethyl, 3-ethoxypropionic acid, 3-methoxypropionic acid, 3-methoxypropionic acid propyl, 3-methoxypropionic acid butyl, diglyme, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, 2-ethyl-1 -Hexanol, etc. are mentioned. These organic solvents may be used individually or may be mixed and used.

디아민 성분과 테트라카르복시산 이무수물 성분을 유기 용매 중에서 반응시킬 때에는, 디아민 성분을 유기 용매에 분산 또는 용해시킨 용액을 교반하고, 테트라카르복시산 이무수물 성분을 그대로, 또는 유기 용매에 분산 또는 용해시켜 첨가하는 방법, 반대로 테트라카르복시산 이무수물 성분을 유기 용매에 분산 또는 용해시킨 용액에 디아민 성분을 첨가하는 방법, 테트라카르복시산 이무수물 성분과 디아민 성분을 교대로 첨가하는 방법 등을 들 수 있고, 이들 중 어느 방법을 이용해도 된다. 또, 디아민 성분 또는 테트라카르복시산 이무수물 성분이 복수종의 화합물로 이루어지는 경우는, 미리 혼합한 상태에서 반응시켜도 되고, 개별적으로 순차 반응시켜도 되며, 또한 개별적으로 반응시킨 저분자량체를 혼합 반응시켜 고분자량체로 해도 된다.When reacting a diamine component and a tetracarboxylic dianhydride component in an organic solvent, a solution obtained by dispersing or dissolving the diamine component in an organic solvent is stirred, and the tetracarboxylic dianhydride component is added as it is or dispersed or dissolved in an organic solvent. Conversely, a method of adding a diamine component to a solution obtained by dispersing or dissolving a tetracarboxylic dianhydride component in an organic solvent, a method of alternately adding a tetracarboxylic dianhydride component and a diamine component, etc. can be mentioned. Also works. In addition, when the diamine component or the tetracarboxylic dianhydride component is made of a plurality of compounds, the reaction may be carried out in a premixed state, or may be individually sequentially reacted, or individually reacted low molecular weight compounds are mixed and reacted to obtain a high molecular weight compound. You can do it.

디아민 성분과 테트라카르복시산 이무수물 성분을 반응시킬 때의 온도는, 임의의 온도를 선택할 수 있고, 예를 들면 -20∼100℃, 바람직하게는 -5∼80℃의 범위이다. 또, 반응은 임의의 농도로 행할 수 있으며, 예를 들면 반응액에 대하여 디아민 성분과 테트라카르복시산 이무수물 성분과의 합계량이 1∼50 질량%, 바람직하게는 5∼30 질량%이다.The temperature at the time of reacting the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component can be selected from any temperature, and is, for example, in the range of -20 to 100°C, preferably -5 to 80°C. In addition, the reaction can be carried out at an arbitrary concentration, and for example, the total amount of the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component is 1 to 50 mass%, preferably 5 to 30 mass% with respect to the reaction solution.

상기의 중합 반응에서의, 디아민 성분의 합계 몰수에 대한 테트라카르복시산 이무수물 성분의 합계 몰수의 비율은, 얻고자 하는 폴리아믹산의 분자량에 따라 임의의 값을 선택할 수 있다. 통상의 중축합 반응과 마찬가지로, 이 몰비가 1.0에 가까울수록 생성하는 폴리아믹산의 분자량은 커진다. 바람직한 범위로는, 0.8∼1.2이다.In the above polymerization reaction, the ratio of the total number of moles of the tetracarboxylic acid dianhydride component to the total number of moles of the diamine component can be selected as an arbitrary value depending on the molecular weight of the polyamic acid to be obtained. Similar to a normal polycondensation reaction, the molecular weight of the polyamic acid to be produced increases as the molar ratio is closer to 1.0. In a preferred range, it is 0.8 to 1.2.

본 발명에 이용되는 중합체를 합성하는 방법은, 상기의 수법으로 한정되지 않고, 폴리아믹산을 합성하는 경우는, 일반적인 폴리아믹산의 합성 방법과 마찬가지로, 상기의 테트라카르복시산 이무수물을 대신하여, 대응하는 구조의 테트라카르복시산 또는 테트라카르복시산 디할라이드 등의 테트라카르복시산 유도체를 이용하고, 공지의 방법으로 반응시키는 것으로도 대응하는 폴리아믹산을 얻을 수 있다. 또, 폴리우레아를 합성하는 경우는, 디아민과 디이소시아네이트를 반응시키면 된다. 폴리아믹산 에스테르 또는 폴리아미드를 제조할 때에는, 디아민과, 테트라카르복시산 디에스테르 및 디카르복시산으로부터 선택되는 성분을, 공지의 축합제의 존재하에서, 또는, 공지의 방법으로 산 할라이드로 유도한 후에, 디아민과 반응시키면 된다.The method for synthesizing the polymer used in the present invention is not limited to the above method, and in the case of synthesizing polyamic acid, instead of the above tetracarboxylic dianhydride, as in the general polyamic acid synthesis method, the corresponding structure The corresponding polyamic acid can also be obtained by using a tetracarboxylic acid derivative such as tetracarboxylic acid or tetracarboxylic acid dihalide, and reacting by a known method. Moreover, when synthesizing a polyurea, what is necessary is just to make a diamine and a diisocyanate react. When preparing polyamic acid ester or polyamide, diamine, a component selected from tetracarboxylic acid diester and dicarboxylic acid, in the presence of a known condensing agent, or after inducing an acid halide by a known method, diamine and Just react.

상기한 폴리아믹산을 이미드화시켜 폴리이미드로 하는 방법으로는, 폴리아믹산의 용액을 그대로 가열하는 열 이미드화, 폴리아믹산의 용액에 촉매를 첨가하는 촉매 이미드화를 들 수 있다. 또한, 폴리아믹산으로부터 폴리이미드로의 이미드화율은, 전압 유지율을 높일 수 있는 점에서, 30% 이상인 것이 바람직하고, 30∼99%인 것이 보다 바람직하다. 한편, 백화 특성의, 즉, 바니시 중에서의 중합체의 석출을 억제하는 관점에서, 70% 이하가 바람직하다. 양쪽의 특성을 가미하면, 40∼80%가 보다 바람직하다.As a method of imidizing the above-described polyamic acid to form a polyimide, thermal imidation in which a solution of polyamic acid is heated as it is, and catalytic imidization in which a catalyst is added to a solution of polyamic acid are exemplified. Moreover, it is preferable that it is 30% or more, and it is more preferable that it is 30-99% of the imidation ratio from polyamic acid to polyimide from the point which can raise a voltage retention. On the other hand, from the viewpoint of whitening properties, that is, suppressing the precipitation of the polymer in the varnish, 70% or less is preferable. When both characteristics are added, 40-80% is more preferable.

폴리아믹산을 용액 중에서 열 이미드화시키는 경우의 온도는, 통상 100∼400℃, 바람직하게는 120∼250℃이고, 이미드화 반응에 의해 생성되는 물을 계(系) 외로 제거하면서 행하는 것이 바람직하다.When the polyamic acid is thermally imidized in a solution, the temperature is usually 100 to 400°C, preferably 120 to 250°C, and it is preferable to perform while removing water generated by the imidation reaction outside the system.

폴리아믹산의 촉매 이미드화는, 폴리아믹산의 용액에, 염기성 촉매와 산무수물을 첨가하고, 통상 -20∼250℃, 바람직하게는 0∼180℃에서 교반함으로써 행할 수 있다. 염기성 촉매의 양은, 아미드산기의 통상 0.5∼30 몰 배, 바람직하게는 2∼20 몰 배이며, 산무수물의 양은, 아미드산기의 통상 1∼50 몰 배, 바람직하게는 3∼30 몰 배이다. 염기성 촉매로는, 피리딘, 트리에틸아민, 트리메틸아민, 트리부틸아민, 트리옥틸아민 등을 들 수 있고, 그 중에서도 피리딘은 반응을 진행시키기에 적당한 염기성을 가지므로 바람직하다. 산무수물로는, 무수초산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 무수초산을 이용하면 반응 종료 후의 정제가 용이해지므로 바람직하다. 촉매 이미드화에 의한 이미드화율은, 촉매량과 반응 온도, 반응 시간 등을 조절함으로써 제어할 수 있다.The catalytic imidization of the polyamic acid can be carried out by adding a basic catalyst and an acid anhydride to a solution of the polyamic acid, and stirring at -20 to 250°C, preferably at 0 to 180°C. The amount of the basic catalyst is usually 0.5 to 30 mole times, preferably 2 to 20 mole times of the amic acid group, and the amount of the acid anhydride is usually 1 to 50 mole times, preferably 3 to 30 mole times of the amic acid group. Examples of the basic catalyst include pyridine, triethylamine, trimethylamine, tributylamine, trioctylamine, and the like. Among them, pyridine is preferable because it has a suitable basicity to advance the reaction. Examples of the acid anhydride include acetic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, and the like. Among them, acetic anhydride is preferable because purification after completion of the reaction becomes easy. The imidation rate by catalytic imidization can be controlled by adjusting the amount of catalyst, reaction temperature, reaction time, and the like.

중합체의 반응 용액으로부터, 생성된 중합체를 회수하는 경우에는, 반응 용액을 빈(貧)용매에 투입하여 침전시키면 된다. 침전 생성에 이용하는 빈용매로는, 메타놀, 아세톤, 헥산, 부틸 셀로솔브, 헵탄, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 에타놀, 톨루엔, 벤젠, 물 등을 들 수 있다. 빈용매에 투입하여 침전시킨 폴리머는, 여과하여 회수한 후, 상압 또는 감압하에서, 상온 또는 가열하여 건조할 수 있다. 또, 침전 회수한 중합체를, 유기 용매에 재용해시키고, 재침전 회수하는 조작을 2∼10회 반복하면, 중합체 중의 불순물을 줄일 수 있다. 이때의 빈용매로서, 예를 들면, 알코올류, 케톤류, 탄화수소 등을 들 수 있고, 이들 중에서 선택되는 3종류 이상의 빈용매를 이용하면, 한층 더 정제 효율이 오르므로 바람직하다.When the produced polymer is recovered from the reaction solution of the polymer, the reaction solution may be added to a poor solvent to precipitate. Examples of poor solvents used for precipitation generation include methanol, acetone, hexane, butyl cellosolve, heptane, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethanol, toluene, benzene, and water. The polymer injected into the poor solvent and precipitated may be collected by filtration and then dried at room temperature or heated under normal pressure or reduced pressure. Further, if the polymer recovered by precipitation is re-dissolved in an organic solvent and the operation of reprecipitation recovery is repeated 2 to 10 times, impurities in the polymer can be reduced. Examples of the poor solvent at this time include alcohols, ketones, hydrocarbons, and the like, and when three or more types of poor solvents selected from these are used, the purification efficiency is further increased, so it is preferable.

또, 상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체로 이루어지는 경우, 본 발명에 이용하는 라디칼 발생막 형성 조성물은, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체 이외의 다른 중합체를 함유하고 있어도 된다. 그때, 중합체 전 성분 중에서의, 다른 중합체의 함유량은 5∼95 질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30∼70 질량%이다.In addition, when the radical-generating film is made of a polymer containing an organic group that induces radical polymerization, the composition for forming a radical-generating film used in the present invention may contain a polymer other than a polymer containing an organic group that induces radical polymerization. do. In that case, the content of the other polymer in all components of the polymer is preferably 5 to 95% by mass, and more preferably 30 to 70% by mass.

라디칼 발생막 형성 조성물이 갖는 중합체의 분자량은, 라디칼 발생막을 도포하여 얻어지는 라디칼 발생막의 강도, 도막 형성 시의 작업성, 도막의 균일성 등을 고려한 경우, GPC(Gel Permeation Chromatography) 법으로 측정한 중량 평균 분자량으로, 5,000∼1,000,000이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10,000∼150,000이다.The molecular weight of the polymer contained in the radical-generating film-forming composition is the weight measured by the GPC (Gel Permeation Chromatography) method when considering the strength of the radical-generating film obtained by applying the radical-generating film, the workability when forming the film, and the uniformity of the film. As an average molecular weight, 5,000 to 1,000,000 are preferable, More preferably, it is 10,000 to 150,000.

본 발명에 이용하는 라디칼 발생막을, 라디칼을 발생시키는 기를 갖는 화합물과 중합체와의 조성물을 도포, 경화하여 막을 형성함으로써 막 중에 고정화시켜 얻는 경우의 중합체로는, 상기의 제조 방법에 준하여 제조되는 폴리이미드 전구체, 및 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 중합체로서, 라디칼 중합이 발생하는 부위를 갖는 디아민이, 라디칼 발생막 형성 조성물에 함유시키는 중합체의 합성에 이용하는 디아민 성분 전체의 0 몰%인 디아민 성분을 이용하여 얻어지는 적어도 1종의 중합체를 이용해도 된다. 그때에 첨가하는 라디칼을 발생시키는 기를 갖는 화합물로는, 이하의 것을 들 수 있다.The radical-generating film used in the present invention is a polymer obtained by immobilizing in the film by coating and curing a composition of a compound having a radical-generating group and a polymer to form a film, and a polyimide precursor prepared according to the above production method. , And a polymer selected from the group consisting of polyimide, polyurea, polyamide, polyacrylate, polymethacrylate, etc., wherein a diamine having a site where radical polymerization occurs is contained in the radical generating film-forming composition. You may use at least 1 type of polymer obtained using the diamine component which is 0 mol% of the whole diamine component used for synthesis. The following are mentioned as a compound which has a group which generates a radical added at that time.

열로 라디칼을 발생시키는 화합물로는, 분해 온도 이상으로 가열함으로써, 라디칼을 발생시키는 화합물이다. 이와 같은 라디칼 열중합 개시제로는, 예를 들면, 케톤 퍼옥사이드류(메틸 에틸 케톤 퍼옥사이드, 시클로헥사논 퍼옥사이드 등), 디아실 퍼옥사이드류(아세틸 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드 등), 하이드로퍼옥사이드류(과산화수소, tert-부틸 하이드로퍼옥사이드, 쿠멘 하이드로퍼옥사이드 등), 디알킬 퍼옥사이드류(디-tert-부틸 퍼옥사이드, 디큐밀 퍼옥사이드, 디라우로일 퍼옥사이드 등), 퍼옥시 케탈류(디부틸퍼옥시 시클로헥산 등), 알킬 퍼에스테르류(퍼옥시네오데칸산-tert-부틸 에스테르, 퍼옥시피발린산-tert-부틸 에스테르, 퍼옥시2-에틸시클로헥산산-tert-아밀 에스테르 등), 과황산염류(과황산칼륨, 과황산나트륨, 과황산암모늄 등), 아조계 화합물(아조비스이소부티로니트릴 및 2,2'-디(2-히드록시에틸)아조비스이소부티로니트릴 등)을 들 수 있다. 이와 같은 라디칼 열중합 개시제는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.As a compound that generates radicals by heat, it is a compound that generates radicals by heating above the decomposition temperature. Such radical thermal polymerization initiators include, for example, ketone peroxides (methyl ethyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide, etc.), diacyl peroxides (acetyl peroxide, benzoyl peroxide, etc.), hydroper Oxides (hydrogen peroxide, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, etc.), dialkyl peroxides (di-tert-butyl peroxide, dicumyl peroxide, dilauroyl peroxide, etc.), peroxy ketone Dehydration (dibutylperoxycyclohexane, etc.), alkyl peresters (peroxyneodecanoic acid-tert-butyl ester, peroxypivalic acid-tert-butyl ester, peroxy2-ethylcyclohexanoic acid-tert-amyl Esters, etc.), persulfates (potassium persulfate, sodium persulfate, ammonium persulfate, etc.), azo compounds (azobisisobutyronitrile and 2,2'-di(2-hydroxyethyl) azobisisobutyro Nitrile, etc.) can be mentioned. Such radical thermal polymerization initiators may be used alone, or may be used in combination of two or more.

광으로 라디칼을 발생시키는 화합물로는, 라디칼 중합을 광조사에 의해 개시하는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 이와 같은 라디칼 광중합 개시제로는, 벤조페논, 미힐러케톤, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 크산톤, 티오크산톤, 이소프로필크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-에틸안트라퀴논, 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, 2-히드록시-2-메틸-4'-이소프로필프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 이소프로필 벤조인 에테르, 이소부틸 벤조인 에테르, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 캄퍼퀴논, 벤즈안트론, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,4-디메틸아미노안식향산 에틸, 4-디메틸아미노안식향산 이소아밀, 4,4'-디(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 3,4,4'-트리(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐포스핀 옥사이드, 2-(4'-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2',4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2'-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4'-펜틸옥시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 4-[p-N,N-디(에톡시카르보닐메틸)]-2,6-디(트리클로로메틸)-s-트리아진, 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-s-트리아진, 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(4'-메톡시페닐)-s-트리아진, 2-(p-디메틸아미노스티릴)벤즈옥사졸, 2-(p-디메틸아미노스티릴)벤즈티아졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 3,3'-카르보닐비스(7-디에틸아미노쿠마린), 2-(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 3-(2-메틸-2-디메틸아미노프로피오닐)카르바졸, 3,6-비스(2-메틸-2-모르폴리노프로피오닐)-9-n-도데실카르바졸, 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 비스(5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)-비스(2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)-페닐)티타늄, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 3,3',4,4'-테트라(t-헥실퍼옥시카르보닐)벤조페논, 3,3'-디(메톡시카르보닐)-4,4'-디(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 3,4'-디(메톡시카르보닐)-4,3'-디(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 4,4'-디(메톡시카르보닐)-3,3'-디(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 2-(3-메틸-3H-벤조티아졸-2-일리덴)-1-나프탈렌-2-일-에타논, 또는 2-(3-메틸-1,3-벤조티아졸-2(3H)-일리덴)-1-(2-벤조일)에타논 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 2개 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.The compound that generates radicals with light is not particularly limited as long as it is a compound that initiates radical polymerization by light irradiation. Examples of such radical photopolymerization initiators include benzophenone, Michler's ketone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, xanthone, thioxanthone, isopropylxanthone, and 2,4-diethylthioxanthone , 2-ethylanthraquinone, acetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 2-hydroxy-2-methyl-4'-isopropylpropiophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, iso Propyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, camphorquinone, benzanthrone, 2-methyl-1-[4-( Methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1,4-dimethylaminobenzoate ethyl, 4 -Dimethylaminobenzoic acid isoamyl, 4,4'-di(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 3,4,4'-tri(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 2,4,6 -Trimethylbenzoyl diphenylphosphine oxide, 2-(4'-methoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(3',4'-dimethoxystyryl )-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(2',4'-dimethoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2 -(2'-methoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4'-pentyloxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)- s-triazine, 4-[pN,N-di(ethoxycarbonylmethyl)]-2,6-di(trichloromethyl)-s-triazine, 1,3-bis(trichloromethyl)-5 -(2'-chlorophenyl)-s-triazine, 1,3-bis(trichloromethyl)-5-(4'-methoxyphenyl)-s-triazine, 2-(p-dimethylaminostyryl )Benzoxazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)benzthiazole, 2-mercaptobenzothiazole, 3,3'-carbonylbis(7-diethylaminocoumarin), 2-(o-chloro Phenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetrakis (4-Ethoxycarbonylphenyl)-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2,4-dichlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2 '-Biimidazole, 2,2'-bis (2,4-dib Lomophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2,4,6-trichlorophenyl)-4,4',5 ,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 3-(2-methyl-2-dimethylaminopropionyl)carbazole, 3,6-bis(2-methyl-2-morpholinopropionyl )-9-n-dodecylcarbazole, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, bis(5-2,4-cyclopentadien-1-yl)-bis(2,6-difluoro-3-( 1H-pyrrol-1-yl)-phenyl) titanium, 3,3',4,4'-tetra(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 3,3',4,4'-tetra(t- Hexylperoxycarbonyl)benzophenone, 3,3'-di(methoxycarbonyl)-4,4'-di(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 3,4'-di(methoxycar) Bornyl)-4,3'-di(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 4,4'-di(methoxycarbonyl)-3,3'-di(t-butylperoxycarbonyl)benzo Phenone, 2-(3-methyl-3H-benzothiazol-2-ylidene)-1-naphthalen-2-yl-ethanone, or 2-(3-methyl-1,3-benzothiazole-2( 3H)-ylidene)-1-(2-benzoyl)ethanone, etc. are mentioned. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

또한, 상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체로 이루어지는 경우라도, 에너지를 부여했을 때에 라디칼 중합을 촉진할 목적으로, 상기의 라디칼을 발생시키는 기를 갖는 화합물을 함유시켜도 된다.Further, even when the radical-generating film is made of a polymer containing an organic group that induces radical polymerization, the compound having a group that generates a radical may be contained for the purpose of promoting radical polymerization when energy is applied.

라디칼 발생막 형성 조성물은, 중합체 성분, 필요에 따라 라디칼 발생제 그 외의 함유 성분을 용해 또는 분산하는 유기 용매를 함유할 수 있다. 그와 같은 유기 용매에 특별히 한정은 없고, 예를 들면, 상기의 폴리아믹산의 합성에서 예시한 것과 같은 유기 용매를 들 수 있다. 그 중에서도, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N-에틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드 등은, 용해성의 관점에서 바람직하다. 특히, N-메틸-2-피롤리돈 또는 N-에틸-2-피롤리돈이 바람직하지만, 2종류 이상의 혼합 용매를 이용해도 된다.The radical-generating film-forming composition may contain a polymer component and, if necessary, an organic solvent for dissolving or dispersing a radical generator and other components. There is no restriction|limiting in particular in such an organic solvent, For example, the organic solvent as exemplified in the synthesis|combination of the said polyamic acid is mentioned. Among them, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N-ethyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 3-methoxy-N,N -Dimethylpropanamide and the like are preferable from the viewpoint of solubility. In particular, N-methyl-2-pyrrolidone or N-ethyl-2-pyrrolidone is preferable, but two or more types of mixed solvents may be used.

또, 도막의 균일성이나 평활성을 향상시키는 용매를, 라디칼 발생막 형성 조성물의 함유 성분의 용해성이 높은 유기 용매에 혼합하여 사용하면 바람직하다.Moreover, it is preferable to mix and use a solvent which improves the uniformity and smoothness of a coating film with an organic solvent with high solubility of the contained component of a radical-generating film-forming composition.

도막의 균일성이나 평활성을 향상시키는 용매로는, 예를 들면, 이소프로필 알코올, 메톡시메틸펜타놀, 메틸 셀로솔브, 에틸 셀로솔브, 부틸 셀로솔브, 메틸 셀로솔브 아세테이트, 부틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 부틸 카르비톨, 에틸 카르비톨, 에틸 카르비톨 아세테이트, 에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 모노아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜-tert-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노아세테이트 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노아세테이트 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노아세테이트 모노프로필 에테르, 3-메틸-3-메톡시부틸 아세테이트, 트리프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 3-메틸-3-메톡시 부타놀, 디이소프로필 에테르, 에틸이소부틸 에테르, 디이소부틸렌, 아밀 아세테이트, 부틸 부티레이트, 부틸 에테르, 디이소부틸 케톤, 메틸시클로헥센, 프로필 에테르, 디헥실 에테르, n-헥산, n-펜탄, n-옥탄, 디에틸 에테르, 유산 메틸, 유산 에틸, 초산 메틸, 초산 에틸, 초산 n-부틸, 초산 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 피루빈산 메틸, 피루빈산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 메틸 에틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산, 3-메톡시프로피온산, 3-메톡시프로피온산 프로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 1-메톡시-2-프로파놀, 1-에톡시-2-프로파놀, 1-부톡시-2-프로파놀, 1-페녹시-2-프로파놀, 프로필렌 글리콜 모노아세테이트, 프로필렌 글리콜 디아세테이트, 프로필렌 글리콜-1-모노메틸에테르-2-아세테이트, 프로필렌 글리콜-1-모노에틸에테르-2-아세테이트, 디프로필렌 글리콜, 2-(2-에톡시프로폭시)프로파놀, 유산 메틸 에스테르, 유산 에틸 에스테르, 유산 n-프로필 에스테르, 유산 n-부틸 에스테르, 유산 이소아밀 에스테르, 2-에틸-1-헥사놀 등을 들 수 있다. 이들 용매는 복수 종류를 혼합해도 된다. 이들 용매를 이용하는 경우는, 액정 배향제에 포함되는 용매 전체의 5∼80 질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20∼60 질량%이다.As a solvent to improve the uniformity or smoothness of the coating film, for example, isopropyl alcohol, methoxymethylpentanol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, ethyl Cellosolve acetate, butyl carbitol, ethyl carbitol, ethyl carbitol acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, propylene glycol monomethyl Ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol-tert-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol mono Acetate monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monoacetate monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monoacetate monopropyl ether , 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, tripropylene glycol methyl ether, 3-methyl-3-methoxy butanol, diisopropyl ether, ethylisobutyl ether, diisobutylene, amyl acetate, butyl butyrate, Butyl ether, diisobutyl ketone, methylcyclohexene, propyl ether, dihexyl ether, n-hexane, n-pentane, n-octane, diethyl ether, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, n- acetate Butyl, propylene glycol acetate monoethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl 3-methoxypropionate, methyl ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, 3-ethoxypropionic acid, 3-methoxy Toxoxypropionic acid, 3-methoxypropionic acid propyl, 3-methoxypropionic acid butyl, 1-methoxy-2-propanol, 1-ethoxy-2-propanol, 1-butoxy-2-propanol, 1-phenoxy Cy-2-propanol, propylene glycol monoacetate, Propylene glycol diacetate, propylene glycol-1-monomethylether-2-acetate, propylene glycol-1-monoethylether-2-acetate, dipropylene glycol, 2-(2-ethoxypropoxy)propanol, methyl lactate Ester, lactic acid ethyl ester, lactic acid n-propyl ester, lactic acid n-butyl ester, lactic acid isoamyl ester, 2-ethyl-1-hexanol, and the like. You may mix multiple types of these solvents. When using these solvents, it is preferable that it is 5 to 80 mass% of the whole solvent contained in a liquid crystal aligning agent, More preferably, it is 20 to 60 mass %.

라디칼 발생막 형성 조성물에는, 상기 이외의 성분을 함유시켜도 된다. 그 예로는, 라디칼 발생막 형성 조성물을 도포했을 때의 막 두께 균일성이나 표면 평활성을 향상시키는 화합물, 라디칼 발생막 형성 조성물과 기판과의 밀착성을 향상시키는 화합물, 라디칼 발생막 형성 조성물의 막 강도를 더욱 향상시키는 화합물 등을 들 수 있다.Components other than the above may be contained in the radical generating film-forming composition. Examples thereof include compounds that improve film thickness uniformity or surface smoothness when the radical-generating film-forming composition is applied, compounds that improve adhesion between the radical-generating film-forming composition and the substrate, and the film strength of the radical-generating film-forming composition. The compound etc. which further improve are mentioned.

막 두께의 균일성이나 표면 평활성을 향상시키는 화합물로는, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 비이온계 계면활성제 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 에프톱 EF301, EF303, EF352(도켐 프로덕츠사 제조), 메가팍 F171, F173, R-30(다이니폰잉크사 제조), 플로라드 FC430, FC431(스미토모 3M사 제조), 아사히가드 AG710, 서프론 S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(아사히가라스사 제조) 등을 들 수 있다. 이들 계면활성제를 사용하는 경우, 그 사용 비율은, 라디칼 발생막 형성 조성물에 함유되는 중합체의 총량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01∼2 질량부, 보다 바람직하게는 0.01∼1 질량부이다.As a compound which improves the uniformity of the film thickness and surface smoothness, a fluorine-type surfactant, a silicone-type surfactant, a nonionic surfactant, etc. are mentioned. More specifically, for example, Ftop EF301, EF303, EF352 (manufactured by Dochem Products), Megapac F171, F173, R-30 (manufactured by Dinippon Ink), Florade FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M) ), Asahigard AG710, Surflon S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass Corporation), and the like. When these surfactants are used, their usage ratio is preferably 0.01 to 2 parts by mass, more preferably 0.01 to 1 part by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of the polymer contained in the radical generating film-forming composition.

라디칼 발생막 형성 조성물과 기판과의 밀착성을 향상시키는 화합물의 구체예로는, 관능성 실란 함유 화합물이나 에폭시기 함유 화합물 등을 들 수 있다. 예를 들면, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 2-아미노프로필트리메톡시실란, 2-아미노프로필트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-트리에톡시실릴프로필트리에틸렌트리아민, N-트리메톡시실릴프로필트리에틸렌트리아민, 10-트리메톡시실릴-1,4,7-트리아자데칸, 10-트리에톡시실릴-1,4,7-트리아자데칸, 9-트리메톡시실릴-3,6-디아자노닐 아세테이트, 9-트리에톡시실릴-3,6-디아자노닐 아세테이트, N-벤질-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-벤질-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-비스(옥시에틸렌)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-비스(옥시에틸렌)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 에틸렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 네오펜틸 글리콜 디글리시딜 에테르, 1,6-헥산디올 디글리시딜 에테르, 글리세린 디글리시딜 에테르, 2,2-디브로모네오펜틸 글리콜 디글리시딜 에테르, 1,3,5,6-테트라글리시딜-2,4-헥산디올, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3-(N-알릴-N-글리시딜)아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N,N-디글리시딜)아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound for improving the adhesion between the radical-generating film-forming composition and the substrate include a functional silane-containing compound, an epoxy group-containing compound, and the like. For example, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltriethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3 -Aminopropyltrimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, N-ethoxy Carbonyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, N-trimethoxysilylpropyltriethylenetri Amine, 10-trimethoxysilyl-1,4,7-triazadecane, 10-triethoxysilyl-1,4,7-triazadecane, 9-trimethoxysilyl-3,6-diazanonyl Acetate, 9-triethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, N-benzyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-benzyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3- Aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-bis(oxyethylene)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-bis(oxyethylene)-3-aminopropyltri Ethoxysilane, ethylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, tripropylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, neopentyl glycol di Glycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, glycerin diglycidyl ether, 2,2-dibromoneopentyl glycol diglycidyl ether, 1,3,5,6-tetragly Cidyl-2,4-hexanediol, N,N,N',N'-tetraglycidyl-m-xylenediamine, 1,3-bis(N,N-diglycidylaminomethyl)cyclohexane, N,N,N',N'-tetraglycidyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3-(N-allyl-N-glycidyl)aminopropyltrimethoxysilane, 3-(N ,N-diglycidyl)aminopropyltrimethoxysilane, etc. are mentioned.

또, 라디칼 발생막의 막 강도를 더욱 올리기 위해서는, 2,2'-비스(4-히드록시-3,5-디히드록시메틸페닐)프로판, 테트라(메톡시메틸)비스페놀 등의 페놀 화합물을 첨가해도 된다. 이들 화합물을 사용하는 경우는, 라디칼 발생막 형성 조성물에 함유되는 중합체의 총량 100 질량부에 대하여 0.1∼30 질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1∼20 질량부이다.In addition, in order to further increase the film strength of the radical generating film, a phenol compound such as 2,2'-bis(4-hydroxy-3,5-dihydroxymethylphenyl)propane and tetra(methoxymethyl)bisphenol may be added. . In the case of using these compounds, it is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the polymer contained in the radical-generating film-forming composition.

또한, 라디칼 발생막 형성 조성물에는, 상기 외에, 본 발명의 효과가 손상되지 않는 범위이면, 라디칼 발생막의 유전율이나 도전성 등의 전기 특성을 변화시키는 목적의 유전체나 도전 물질을 첨가해도 된다.Further, in addition to the above, to the radical-generating film-forming composition, a dielectric material or a conductive material for the purpose of changing electrical properties such as dielectric constant and conductivity of the radical-generating film may be added as long as the effects of the present invention are not impaired.

[라디칼 발생막][Radial Generation Film]

본 발명의 라디칼 발생막은, 상기 라디칼 발생막 형성 조성물을 이용하여 얻어진다. 예를 들면, 본 발명에 이용하는 라디칼 발생막 형성 조성물을, 기판에 도포한 후, 건조·소성을 행함으로써 얻어지는 경화막을, 그대로 라디칼 발생막으로서 이용할 수도 있다. 또, 이 경화막을 러빙하거나, 편광 또는 특정 파장의 광 등을 조사하거나, 이온 빔 등의 처리를 하거나, PSA용 배향막으로서 액정 충전 후의 액정 표시 소자에 UV를 조사하는 것도 가능하다.The radical generating film of the present invention is obtained by using the radical generating film forming composition. For example, a cured film obtained by applying the radical-generating film-forming composition used in the present invention to a substrate and then drying and firing may be used as a radical-generating film as it is. Moreover, it is also possible to rub this cured film, irradiate polarized light or light of a specific wavelength, or the like, perform treatment such as an ion beam, or irradiate UV to a liquid crystal display element after liquid crystal filling as an alignment film for PSA.

라디칼 발생막 형성 조성물을 도포하는 기판으로는, 투명성이 높은 기판이면 특별히 한정되지 않지만, 기판 상에 액정을 구동하기 위한 투명 전극이 형성된 기판이 바람직하다.The substrate on which the radical generating film-forming composition is applied is not particularly limited as long as it is a substrate having high transparency, but a substrate on which a transparent electrode for driving a liquid crystal is formed on the substrate is preferable.

구체예를 들면, 유리판, 폴리카보네이트, 폴리(메타)아크릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리우레탄, 폴리술폰, 폴리에테르, 폴리에테르케톤, 트리메틸펜텐, 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, (메타)아크릴로니트릴, 트리아세틸 셀룰로오스, 디아세틸 셀룰로오스, 아세테이트 부티레이트 셀룰로오스 등의 플라스틱판 등에 투명 전극이 형성된 기판을 들 수 있다.For example, glass plate, polycarbonate, poly(meth)acrylate, polyethersulfone, polyarylate, polyurethane, polysulfone, polyether, polyether ketone, trimethylpentene, polyolefin, polyethylene terephthalate, (meth) A plastic plate such as acrylonitrile, triacetyl cellulose, diacetyl cellulose, and acetate butyrate cellulose, etc. may include a substrate on which a transparent electrode is formed.

IPS 방식의 액정 표시 소자에 사용할 수 있는 기판에는, 표준적인 IPS 빗살 전극이나 PSA 피쉬본(Fishbone) 전극과 같은 전극 패턴이나 MVA와 같은 돌기 패턴이라도 사용할 수 있다.For a substrate that can be used for an IPS type liquid crystal display element, an electrode pattern such as a standard IPS comb electrode or a PSA fishbone electrode, or a protrusion pattern such as MVA may be used.

또, TFT형의 소자와 같은 고기능 소자에 있어서는, 액정 구동을 위한 전극과 기판의 사이에 트랜지스터와 같은 소자가 형성된 것이 이용된다.Further, in a high-function device such as a TFT-type device, a transistor-like device formed between an electrode for driving a liquid crystal and a substrate is used.

투과형의 액정 표시 소자를 의도하고 있는 경우는, 상기와 같은 기판을 이용하는 것이 일반적이지만, 반사형의 액정 표시 소자를 의도하고 있는 경우에서는, 편측의 기판에만 이라면 실리콘 웨이퍼 등의 불투명한 기판도 이용하는 것이 가능하다. 그때, 기판에 형성된 전극에는, 광을 반사하는 알루미늄과 같은 재료를 이용할 수도 있다.When a transmissive liquid crystal display device is intended, it is common to use a substrate as described above, but when a reflective liquid crystal display device is intended, an opaque substrate such as a silicon wafer is also used if it is only on one side of the substrate. It is possible. In that case, a material such as aluminum that reflects light may be used for the electrode formed on the substrate.

라디칼 발생막 형성 조성물의 도포 방법으로는, 스핀 코트법, 인쇄법, 잉크젯법, 스프레이법, 롤 코트법 등을 들 수 있지만, 생산성의 면에서 공업적으로는 전사 인쇄법이 널리 이용되고 있고, 본 발명에서도 적합하게 이용된다.Examples of the coating method of the radical-generating film-forming composition include a spin coating method, a printing method, an inkjet method, a spray method, and a roll coating method, but from the viewpoint of productivity, a transfer printing method is widely used. It is also suitably used in the present invention.

라디칼 발생막 형성 조성물을 도포한 후의 건조 공정은, 반드시 필요한 것은 아니지만, 도포 후부터 소성까지의 시간이 기판마다 일정하지 않은 경우, 또는 도포 후 즉시 소성되지 않는 경우에는, 건조 공정을 포함시키는 쪽이 바람직하다. 이 건조는, 기판의 반송 등에 의해 도막 형상이 변형하지 않을 정도로 용매가 제거되어 있으면 되고, 그 건조 수단에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 온도 40℃∼150℃, 바람직하게는 60℃∼100℃의 핫플레이트 상에서, 0.5∼30분, 바람직하게는 1∼5분 건조시키는 방법을 들 수 있다.The drying process after applying the radical-generating film-forming composition is not necessarily required, but if the time from application to firing is not constant for each substrate, or if it is not fired immediately after application, it is preferable to include a drying process. Do. For this drying, the solvent should be removed so that the shape of the coating film is not deformed by conveyance of the substrate or the like, and the drying means is not particularly limited. For example, a method of drying for 0.5 to 30 minutes, preferably 1 to 5 minutes on a hot plate having a temperature of 40°C to 150°C, preferably 60°C to 100°C is mentioned.

상기의 방법으로 라디칼 발생막 형성 조성물을 도포하여 형성되는 도막은, 소성하여 경화막으로 할 수 있다. 그때, 소성 온도는, 통상 100℃∼350℃의 임의의 온도에서 행할 수 있지만, 바람직하게는 140℃∼300℃이고, 보다 바람직하게는 150℃∼230℃, 더욱 바람직하게는 160℃∼220℃이다. 소성 시간은 통상 5분∼240분의 임의의 시간으로 소성을 행할 수 있다. 바람직하게는 10∼90분이고, 보다 바람직하게는 20∼90분이다. 가열은, 통상 공지의 방법, 예를 들면, 핫플레이트, 열풍 순환 오븐, IR 오븐, 벨트 노(爐) 등을 이용할 수 있다.The coating film formed by applying the radical generating film-forming composition by the above method may be fired to form a cured film. In that case, the firing temperature can be usually performed at an arbitrary temperature of 100°C to 350°C, preferably 140°C to 300°C, more preferably 150°C to 230°C, still more preferably 160°C to 220°C. to be. The firing time can be fired in an arbitrary time of usually 5 minutes to 240 minutes. It is preferably 10 to 90 minutes, more preferably 20 to 90 minutes. For heating, a conventionally known method, for example, a hot plate, a hot air circulation oven, an IR oven, a belt furnace, or the like can be used.

이 경화막의 두께는 필요에 따라 선택할 수 있지만, 바람직하게는 5nm 이상, 보다 바람직하게는 10nm 이상인 경우, 액정 표시 소자의 신뢰성을 얻기 쉬우므로 적합하다. 또, 경화막의 두께가 바람직하게는 300nm 이하, 보다 바람직하게는 150nm 이하인 경우는, 액정 표시 소자의 소비 전력이 극단적으로 커지지 않으므로 적합하다.Although the thickness of this cured film can be selected as needed, preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, since it is easy to obtain the reliability of a liquid crystal display element, it is suitable. In addition, when the thickness of the cured film is preferably 300 nm or less, more preferably 150 nm or less, the power consumption of the liquid crystal display element is not extremely large, so it is suitable.

이상과 같이 하여 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판을 얻을 수 있지만, 당해 라디칼 발생막에 1축 배향 처리를 실시할 수 있다. 1축 배향 처리를 행하는 방법으로는, 광배향법, 사방(斜方) 증착법, 러빙, 자기장에 의한 1축 배향 처리 등을 들 수 있다.Although the first substrate having the radical generating film can be obtained as described above, the radical generating film can be subjected to a uniaxial alignment treatment. As a method of performing the uniaxial alignment treatment, a photo-alignment method, an oblique vapor deposition method, rubbing, and a uniaxial alignment treatment using a magnetic field may be mentioned.

한 방향으로 러빙 처리하는 것에 의한 배향 처리를 행하는 경우에는, 예를 들면, 러빙포가 둘러 감겨진 러빙 롤러를 회전시키면서, 러빙포와 막이 접촉하도록 기판을 이동시킨다. 빗살 전극이 형성되어 있는 본 발명의 제 1 기판의 경우, 액정의 전기적 물성에 의해 방향이 선택되지만, 양(正)의 유전 이방성을 갖는 액정을 이용하는 경우에 있어서는 러빙 방향은 빗살 전극이 연장되고 있는 방향과 거의 동일한 방향으로 하는 것이 바람직하다.In the case of performing alignment treatment by rubbing in one direction, for example, the substrate is moved so that the rubbing cloth and the film come into contact with each other while rotating the rubbing roller wound around the rubbing cloth. In the case of the first substrate of the present invention on which the comb electrode is formed, the direction is selected according to the electrical properties of the liquid crystal, but in the case of using a liquid crystal having positive dielectric anisotropy, the rubbing direction is in which the comb electrode is extended. It is preferable to set it in almost the same direction as the direction.

제로 앵커링부와 강앵커링부를 만들어 내는 공정으로서, 포토 마스크 등을 개재하여 임의의 패턴으로 방사선을 조사하는 방법을 들 수 있다. 이것은, 미리 라디칼 발생막에 방사선을 조사함으로써 라다칼 발생 부위를 소실시켜, 제로 앵커링 상태가 되지 않도록 하는 공정이다. 이 공정을 행할 때의 방사선으로서 편광 또는 특정 파장의 광이나, 이온 빔 등을 들 수 있다. 광라디칼 발생 부위에 해당하는 부분의 흡광도가 가장 높아지는 파장의 광을 조사하는 것이 특히 바람직하다.As a step of creating the zero anchoring portion and the strong anchoring portion, a method of irradiating radiation in an arbitrary pattern through a photo mask or the like is exemplified. This is a step in which the radical generation site is eliminated by irradiating radiation to the radical generation film in advance so as not to become a zero anchoring state. As the radiation for performing this step, polarized light or light of a specific wavelength, ion beam, and the like can be mentioned. It is particularly preferable to irradiate light with a wavelength at which the absorbance of the portion corresponding to the photo radical generation site is highest.

본 발명의 제 2 기판은, 라디칼 발생막을 갖지 않는 것 외에는, 상기 제 1 기판과 마찬가지이다. 종래부터 알려져 있는 액정 배향막을 갖는 기판으로 하는 것이 바람직하다.The second substrate of the present invention is the same as the first substrate except that it does not have a radical generating film. It is preferable to use a substrate having a conventionally known liquid crystal alignment film.

<액정 셀><liquid crystal cell>

본 발명의 액정 셀은, 상기의 방법에 의해, 기판에 라디칼 발생막을 형성한 후, 당해 라디칼 발생막을 갖는 기판(제 1 기판)과, 공지의 액정 배향막을 갖는 기판(제 2 기판)을, 라디칼 발생막과 액정 배향막이 서로 마주보도록 배치하여, 스페이서를 사이에 두고 시일제로 고정하여, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 주입해 밀봉(封止)함으로써 얻어진다. 그때, 이용하는 스페이서의 크기는 통상 1∼30㎛이지만, 바람직하게는 2∼10㎛이다.In the liquid crystal cell of the present invention, after forming a radical generating film on a substrate by the above method, a substrate having the radical generating film (first substrate) and a substrate having a known liquid crystal alignment film (second substrate) It is obtained by arranging the generation film and the liquid crystal aligning film so as to face each other, fixing a sealing agent with a spacer therebetween, and injecting and sealing a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound. At that time, the size of the spacer to be used is usually 1 to 30 µm, but preferably 2 to 10 µm.

액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 주입하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 제작한 액정 셀 내를 감압으로 한 후, 액정과 중합성 화합물을 포함하는 혼합물을 주입하는 진공법, 액정과 중합성 화합물을 포함하는 혼합물을 적하(滴下)한 후에 밀봉을 행하는 적하법 등을 들 수 있다.The method of injecting a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound is not particularly limited, and a vacuum method in which a mixture containing a liquid crystal and a polymerizable compound is injected after reducing the pressure inside the produced liquid crystal cell, polymerization with liquid crystal And a dropping method in which a mixture containing the compound is added dropwise and then sealed.

<액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물><Liquid crystal and liquid crystal composition containing a radically polymerizable compound>

본 발명의 액정 표시 소자의 작성에 있어서, 액정과 함께 이용하는 중합성 화합물은, 라디칼 중합성 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1분자 중에 1개 또는 2개 이상의 중합성 불포화 결합을 갖는 화합물이다. 바람직하게는 1분자 중에 1개의 중합성 불포화 결합을 갖는 화합물이다(이하, 「일관능의 중합 반응성기를 갖는 화합물」, 「단관능의 중합 반응성기를 갖는 화합물」 등으로 칭하는 경우가 있다). 중합성 불포화 결합은, 바람직하게는 라디칼 중합성 불포화 결합이며, 예를 들면 비닐 결합이다.In the preparation of the liquid crystal display device of the present invention, the polymerizable compound used together with the liquid crystal is not particularly limited as long as it is a radical polymerizable compound, but, for example, a compound having one or two or more polymerizable unsaturated bonds per molecule to be. Preferably, it is a compound having one polymerizable unsaturated bond per molecule (hereinafter sometimes referred to as "a compound having a monofunctional polymerization reactive group", "a compound having a monofunctional polymerization reactive group", etc.). The polymerizable unsaturated bond is preferably a radical polymerizable unsaturated bond, and is, for example, a vinyl bond.

상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종은, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 불포화 결합을 갖는 화합물, 즉, 단관능의 라디칼 중합성기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.At least one of the radical polymerizable compounds is preferably a compound having compatibility with a liquid crystal and having one polymerizable unsaturated bond per molecule, that is, a compound having a monofunctional radical polymerizable group.

그리고, 상기 라디칼 중합성 화합물의 중합 반응성기로는 이하의 구조로부터 선택되는 중합성기가 바람직하다.In addition, as the polymerization reactive group of the radical polymerizable compound, a polymerizable group selected from the following structures is preferable.

[화학식 22][Formula 22]

Figure pct00022
Figure pct00022

(식 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다. Rb는 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합 및 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. Rc는 수소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.).(In the formula, * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of the compound molecule. R b represents a C2-C8 linear alkyl group, and E represents a single bond, -O-, -NR c -, Represents a bonding group selected from -S-, an ester bond and an amide bond, R c represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)

또, 상기 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물에 있어서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합시켜 얻어지는 폴리머의 Tg가 100℃ 이하의 것이 되는 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.Further, in the liquid crystal composition containing the liquid crystal and the radical polymerizable compound, it is preferable to contain a radical polymerizable compound in which the Tg of the polymer obtained by polymerizing the radical polymerizable compound is 100°C or less.

단관능의 라디칼 중합 반응성기를 갖는 화합물은, 유기 라디칼의 존재하에서 라디칼 중합을 행하는 것이 가능한 불포화 결합을 갖는 것이며, 예를 들면, t-부틸 메타크릴레이트, 헥실 메타크릴레이트, 2-에틸헥실 메타크릴레이트, 노닐 메타크릴레이트, 라우릴 메타크릴레이트, n-옥틸 메타크릴레이트 등의 메타크릴레이트계 모노머; t-부틸 아크릴레이트, 헥실 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 노닐 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, n-옥틸 아크릴레이트 등의 아크릴레이트계 모노머; 스티렌, 스티렌 유도체(예를 들면, o-, m-, p-메톡시스티렌, o-, m-, p-t-부톡시스티렌, o-, m-, p-클로로메틸스티렌 등), 비닐 에스테르류(예를 들면, 초산 비닐, 프로피온산 비닐, 안식향산 비닐 등), 비닐 케톤류(예를 들면, 비닐 메틸 케톤, 비닐 헥실 케톤, 메틸 이소프로페닐 케톤 등), N-비닐 화합물(예를 들면, N-비닐피롤리돈, N-비닐피롤, N-비닐카르바졸, N-비닐인돌 등), (메타)아크릴산 유도체(예를 들면, 아크릴로니트릴, 메타아크릴로니트릴, 아크릴아미드, 이소프로필아크릴아미드, 메타크릴아미드 등), 할로겐화 비닐류(예를 들면, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 테트라클로로에틸렌, 헥사클로로프렌, 불화 비닐 등) 등의 비닐모노머를 들 수 있지만, 이들로 한정하지는 않는다. 이들 각종 라디칼 중합성 모노머는, 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다. 또, 이들은, 액정과 상용성을 갖는 것이 바람직하다A compound having a monofunctional radical polymerization reactive group is one having an unsaturated bond capable of performing radical polymerization in the presence of an organic radical, such as t-butyl methacrylate, hexyl methacrylate, and 2-ethylhexyl methacrylate. Methacrylate monomers such as rate, nonyl methacrylate, lauryl methacrylate, and n-octyl methacrylate; acrylate monomers such as t-butyl acrylate, hexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, nonyl acrylate, benzyl acrylate, lauryl acrylate, and n-octyl acrylate; Styrene, styrene derivatives (e.g., o-, m-, p-methoxystyrene, o-, m-, pt-butoxystyrene, o-, m-, p-chloromethylstyrene, etc.), vinyl esters (E.g., vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl benzoate, etc.), vinyl ketones (e.g., vinyl methyl ketone, vinyl hexyl ketone, methyl isopropenyl ketone, etc.), N-vinyl compounds (e.g., N- Vinylpyrrolidone, N-vinylpyrrole, N-vinylcarbazole, N-vinylindole, etc.), (meth)acrylic acid derivatives (e.g., acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, isopropylacrylamide, Methacrylamide, etc.), vinyl halides (eg, vinyl chloride, vinylidene chloride, tetrachloroethylene, hexachloroprene, vinyl fluoride, etc.), and other vinyl monomers, but the present invention is not limited thereto. These various radical polymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more. Moreover, it is preferable that these have compatibility with liquid crystal

또, 상기 라디칼 중합성 화합물로는, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물도 바람직하다.Further, as the radical polymerizable compound, a compound represented by the following formula (1) is also preferable.

[화학식 23][Formula 23]

Figure pct00023
Figure pct00023

식 (1) 중 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합, 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타내며, Rc는 수소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.In formula (1), R a and R b each independently represent a straight-chain alkyl group having 2 to 8 carbon atoms, and E is selected from a single bond, -O-, -NR c -, -S-, an ester bond, and an amide bond. Represents a bonding group, and R c represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종은, 액정과 상용성을 갖는, 1 분자 중에 1개의 중합성 불포화 결합을 갖는 화합물, 즉, 단관능의 라디칼 중합성기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.At least one of the radical polymerizable compounds is preferably a compound having compatibility with a liquid crystal and having one polymerizable unsaturated bond per molecule, that is, a compound having a monofunctional radical polymerizable group.

그리고, 상기 식 (1)로 표시되는 라디칼 중합성 화합물로는, 식 중 E가 에스테르 결합(-C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-로 표시되는 결합)인 것이 합성의 용이성이나 액정에의 상용성, 중합 반응성의 관점에서 바람직하고, 구체적으로는 이하와 같은 구조를 갖는 화합물이 바람직하지만, 특별히 한정은 하지 않는다.And, as the radically polymerizable compound represented by the above formula (1), in the formula, E is an ester bond (a bond represented by -C(=O)-O- or -OC(=O)-). It is preferable from the viewpoints of ease, compatibility with liquid crystals, and polymerization reactivity, and specifically, a compound having the following structure is preferable, but is not particularly limited.

[화학식 24][Formula 24]

Figure pct00024
Figure pct00024

식 (1-1) 및 (1-2) 중, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타낸다.In formulas (1-1) and (1-2), Ra and Rb each independently represent a straight-chain alkyl group having 2 to 8 carbon atoms.

또한, 상기 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물에 있어서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합시켜 얻어지는 폴리머의 Tg가 100℃ 이하의 것이 되는 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.Further, in the liquid crystal composition containing the liquid crystal and the radical polymerizable compound, it is preferable to contain a radical polymerizable compound in which the Tg of the polymer obtained by polymerizing the radical polymerizable compound is 100°C or less.

이들 각종 라디칼 중합성 모노머는, 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다. 또, 이들은, 액정과 상용성을 갖는 것이 바람직하다.These various radical polymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more. Moreover, it is preferable that these have compatibility with a liquid crystal.

액정 조성물 중의 라디칼 중합성 화합물의 함유량은, 액정과 라디칼 중합성 화합물과의 합계 질량에 대하여, 바람직하게는 3 질량% 이상, 보다 바람직하게는 5 질량% 이상이고, 바람직하게는 50 질량% 이하, 보다 바람직하게는 20 질량% 이하이다.The content of the radical polymerizable compound in the liquid crystal composition is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and preferably 50% by mass or less, based on the total mass of the liquid crystal and the radically polymerizable compound. More preferably, it is 20 mass% or less.

상기 라디칼 중합성 화합물을 중합시켜 얻어지는 폴리머는, 그 Tg를 100℃ 이하로 하는 것이 바람직하다.It is preferable that the polymer obtained by polymerizing the radical polymerizable compound has a Tg of 100°C or less.

또한, 액정이란 일반적으로 고체와 액체의 양쪽의 성질을 나타내는 상태에 있는 물질을 말하고, 대표적인 액정상으로서 네마틱 액정과 스멕틱 액정이 있지만, 본 발명에 있어서 사용할 수 있는 액정은 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면 4-펜틸-4'-시아노비페닐이다.In addition, a liquid crystal generally refers to a substance in a state that exhibits both properties of a solid and a liquid, and typical liquid crystal phases include nematic liquid crystal and smectic liquid crystal, but the liquid crystal that can be used in the present invention is not particularly limited. An example is 4-pentyl-4'-cyanobiphenyl.

다음으로, 이 액정과 라디칼 중합성 화합물을 포함하는 혼합물(액정 조성물)이 도입된 액정 셀에 당해 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여한다. 이것은, 예를 들면, 열을 가하거나, UV 조사함으로써 실시할 수 있고, 당해 라디칼 중합성 화합물이 그 자리에서 중합됨으로써, 원하는 특성이 발현된다. 그 중에서도 UV의 사용은 배향성의 패터닝이 가능해져, 더욱 단시간에 중합 반응시킬 수 있는 점에서, UV 조사가 바람직하다.Next, the liquid crystal cell into which the mixture (liquid crystal composition) containing the liquid crystal and the radical polymerizable compound has been introduced is given energy sufficient for polymerization reaction of the radical polymerizable compound. This can be carried out, for example, by applying heat or by UV irradiation, and the radical polymerizable compound is polymerized on the spot, whereby desired properties are expressed. Among them, UV irradiation is preferred because the use of UV enables oriented patterning and polymerization reaction in a shorter time.

또 UV 조사 시, 가열을 행해도 된다. UV 조사를 행할 때의 가열 온도는, 도입된 액정이 액정성을 발현하는 온도 범위가 바람직하고, 통상 40℃ 이상이며, 액정이 등방상(等方相)으로 바뀌는 온도 미만에서의 가열이 바람직하다.Further, at the time of UV irradiation, heating may be performed. The heating temperature at the time of UV irradiation is preferably within a temperature range in which the introduced liquid crystal exhibits liquid crystallinity, and is usually 40° C. or higher, and heating at a temperature below the temperature at which the liquid crystal changes to an isotropic phase is preferable. .

여기에서, UV 조사하는 경우에서의 UV 조사 파장은, 반응하는 중합성 화합물의 반응 양자 수율이 가장 좋은 파장을 선택하는 것이 바람직하고, UV 조사량은, 통상 0.01∼30J이지만, 바람직하게는 10J 이하이며, UV 조사량이 적은 쪽이, 액정디스플레이를 구성하는 부재의 파괴로 인한 신뢰성 저하를 억제할 수 있고, 또한, UV 조사 시간을 줄일 수 있음으로써 제조상의 택트가 향상하므로 적합하다.Here, as for the UV irradiation wavelength in the case of UV irradiation, it is preferable to select a wavelength in which the reaction quantum yield of the reacting polymerizable compound is best, and the UV irradiation amount is usually 0.01 to 30 J, but preferably 10 J or less. , The smaller the amount of UV irradiation is suitable because the reduction in reliability due to destruction of the members constituting the liquid crystal display can be suppressed, and the UV irradiation time can be reduced, thereby improving the manufacturing tact.

또, UV 조사가 아니라, 가열만으로 중합시키는 경우의 가열은, 중합성 화합물이 반응하는 온도로서, 액정의 분해 온도 미만이 되는 온도 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 100℃ 이상 150℃ 이하이다.In addition, heating in the case of polymerization only by heating, not UV irradiation, is a temperature at which the polymerizable compound reacts, and is preferably performed in a temperature range below the decomposition temperature of the liquid crystal. Specifically, it is, for example, 100°C or more and 150°C or less.

라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여할 때, 전압을 인가하지 않는, 무전계 상태인 것이 바람직하다.When energy sufficient for polymerization reaction of the radically polymerizable compound is given, it is preferable that no voltage is applied and in an electric field state.

<액정 표시 소자><Liquid crystal display element>

이와 같이 하여 얻어진 액정 셀을 이용하여 액정 표시 소자를 제작할 수 있다.A liquid crystal display element can be produced using the liquid crystal cell thus obtained.

예를 들면, 이 액정 셀에 필요에 따라 반사 전극, 투명 전극, λ/4판, 편광막, 컬러 필터층 등을 상법(常法)에 따라 설치함으로써 반사형 액정 표시 소자로 할 수 있다.For example, by providing a reflective electrode, a transparent electrode, a λ/4 plate, a polarizing film, a color filter layer, and the like in this liquid crystal cell according to a conventional method, as necessary, a reflective liquid crystal display element can be obtained.

또, 이 액정 셀에 필요에 따라 백라이트, 편광판, λ/4판, 투명 전극, 편광막, 컬러 필터층 등을 상법에 따라 설치함으로써 투과형 액정 표시 소자로 할 수 있다.In addition, by providing a backlight, a polarizing plate, a λ/4 plate, a transparent electrode, a polarizing film, a color filter layer, and the like in the liquid crystal cell according to a conventional method, as necessary, a transmission type liquid crystal display element can be obtained.

실시예Example

본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되지 않는다. 폴리머의 중합 및 막 형성 조성물의 조제에서 사용한 화합물의 약호 및 특성 평가의 방법은 이하와 같다. Although the present invention will be specifically described by way of examples, the present invention is not limited to these examples. The symbol of the compound used in the polymerization of the polymer and the preparation of the film-forming composition and the method of evaluation of properties are as follows.

[화학식 25][Formula 25]

Figure pct00025
Figure pct00025

NMP: N-메틸-2-피롤리돈,NMP: N-methyl-2-pyrrolidone,

GBL: γ-부티로락톤,GBL: γ-butyrolactone,

BCS: 부틸 셀로솔브.BCS: Butyl Cellosolve.

<점도 측정><Viscosity measurement>

폴리아미드산 용액에 대해서, E형 점도계 TVE-22H(도키 산교사 제조)를 이용하여, 샘플량 1.1mL, 콘로터 TE-1(1°34' R24)으로 25℃의 점도를 측정했다.About the polyamic acid solution, the viscosity of 25 degreeC was measured with the sample volume 1.1 mL and the controller TE-1 (1 degree 34' R24) using the E-type viscometer TVE-22H (manufactured by Toki Sangyo).

<이미드화율의 측정><Measurement of imidation rate>

폴리이미드 분말 20mg을 NMR 샘플관(구사노 가가쿠사 제조 NMR 샘플링 튜브 스탠다드 φ5)에 넣고, 중수소화 디메틸술폭시드(DMSO-d6, 0.05 질량% TMS(테트라메틸실란) 혼합품) 0.53ml를 첨가하여, 초음파를 가해 완전히 용해시켰다. 이 용액의 500MHz의 프로톤 NMR을, 측정 장치(니혼덴시 데이텀사 제조, JNW-ECA500)로 측정했다.20 mg of the polyimide powder was placed in an NMR sample tube (NMR sampling tube standard φ5 manufactured by Kusano Chemical Co., Ltd.), and 0.53 ml of deuterated dimethyl sulfoxide (DMSO-d6, 0.05% by mass TMS (tetramethylsilane) mixture) was added. , And completely dissolved by applying ultrasonic waves. The 500 MHz proton NMR of this solution was measured with a measuring device (JNW-ECA500 manufactured by Nippon Denshi Datum).

이미드화율은, 이미드화 전후로 변화하지 않는 구조에서 유래하는 프로톤을 기준 프로톤으로서 정하고, 이 프로톤의 피크 적산치와, 9.5∼10.0ppm 부근에 나타나는 아미드기의 NH에서 유래하는 프로톤 피크 적산치를 이용하여 이하의 식에 의해 구했다.The imidation rate is determined using a proton derived from a structure that does not change before and after imidation as a reference proton, and the integrated peak value of this proton and the integrated value of the proton peak derived from NH of the amide group appearing around 9.5 to 10.0 ppm are used. It was determined by the following equation.

이미드화율(%)=(1-α·x/y)×100Imidation rate (%) = (1-α·x/y)×100

식 중, x는 아미드기의 NH 유래의 프로톤 피크 적산치, y는 기준 프로톤의 피크 적산치, α는 폴리아미드산(이미드화율이 0%)인 경우에서의 아미드기의 NH 프로톤 1개에 대한 기준 프로톤의 개수 비율이다.In the formula, x is the integrated value of the proton peak derived from NH of the amide group, y is the integrated value of the peak of the reference proton, and α is one of the NH protons of the amide group in the case of polyamic acid (imidation ratio is 0%). It is the ratio of the number of reference protons to

<폴리머의 중합 및 라디칼 발생막 형성 조성물의 조제><Polymer polymerization and preparation of radical generating film-forming composition>

합성예 1Synthesis Example 1

TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-2(50) 폴리이미드의 중합Polymerization of TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-2(50) polyimide

질소 도입관, 공냉관, 메커니컬 스터러를 구비한 100ml의 4구 플라스크에, DA-1을 1.62g(15.00mmol), DA-2를 3.96g(15.00mmol) 재어 취하고, NMP 48.2g을 첨가해 질소 분위기하에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 용해를 확인한 후, TC-2를 3.75g(15.00mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 60℃에서 3시간 반응시켰다. 재차 실온으로 되돌려, TC-1을 2.71g(13.80mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 40℃에서 12시간 반응시켰다. 중합 점도를 확인하고, 중합 점도가 1000mPa·s가 되도록 추가로 TC-1을 첨가하여, 폴리아믹산 농도가 20 질량%인 중합액을 얻었다.To a 100 ml 4-neck flask equipped with a nitrogen introduction tube, air cooling tube, and mechanical stirrer, measure 1.62 g (15.00 mmol) of DA-1 and 3.96 g (15.00 mmol) of DA-2, and add 48.2 g of NMP. It was stirred under a nitrogen atmosphere and completely dissolved. After confirming the dissolution, 3.75 g (15.00 mmol) of TC-2 was added and reacted at 60° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere. It returned to room temperature again, 2.71 g (13.80 mmol) of TC-1 was added, and it was made to react at 40 degreeC in nitrogen atmosphere for 12 hours. The polymerization viscosity was confirmed, TC-1 was further added so that the polymerization viscosity was 1000 mPa·s, and a polymerization solution having a polyamic acid concentration of 20% by mass was obtained.

마그네틱 스터러를 구비한 200ml의 삼각 플라스크에, 상기에서 얻어진 폴리아믹산 용액 60g을 재어 취하고, NMP를 111.4g 첨가하여, 7 질량%의 용액을 조제하고, 교반하면서 무수초산을 9.10g(88.52mmol), 피리딘을 3.76g(47.53mmol) 첨가하여, 실온에서 30분 교반 후, 55℃에서 3시간 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 용액을 실온으로 되돌려, 500ml의 메타놀 중에 교반하면서 이 반응 용액을 붓고, 고체를 석출시켰다. 고체를 여과에 의해 회수하고, 추가로 300ml의 메타놀 중에 고체를 투입하여 30분간 교반 세정을 총 2회 행하고, 고체를 여과에 의해 회수하여, 풍건(風乾)을 행한 후, 진공 오븐 60℃에서 건조를 행함으로써 수 평균 분자량은 11300, 중량 평균 분자량은 32900, 이미드화율이 53%인 폴리이미드(PI-1)를 얻었다.In a 200 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, 60 g of the polyamic acid solution obtained above was weighed, 111.4 g of NMP was added to prepare a 7 mass% solution, and 9.10 g (88.52 mmol) of acetic anhydride was added while stirring. And 3.76 g (47.53 mmol) of pyridine were added, followed by stirring at room temperature for 30 minutes, followed by stirring at 55° C. for 3 hours to react. After completion of the reaction, the solution was returned to room temperature, and the reaction solution was poured into 500 ml of methanol while stirring to precipitate a solid. The solid was recovered by filtration, and the solid was further added to 300 ml of methanol, stirred and washed twice for 30 minutes, and the solid was recovered by filtration, air-dried, and then dried in a vacuum oven at 60°C. By performing, the number average molecular weight of 11300, the weight average molecular weight of 32900, and the imidation ratio of 53% of polyimide (PI-1) were obtained.

합성예 2Synthesis Example 2

TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-3(50) 폴리이미드의 중합Polymerization of TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-3(50) polyimide

질소 도입관, 공냉관, 메커니컬 스터러를 구비한 100ml의 4구 플라스크에, DA-1을 1.62g(15.00mmol), DA-3를 4.96g(15.00mmol) 재어 취하고, NMP 51.90g을 첨가해 질소 분위기하에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 용해를 확인한 후, TC-2를 3.75g(15.00mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 60℃에서 3시간 반응시켰다. 재차 실온으로 되돌려, TC-1을 2.64g(13.5mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 40℃에서 12시간 반응시켰다. 중합 점도를 확인하고, 중합 점도가 1000mPa·s가 되도록 추가로 TC-1을 첨가하여, 폴리아믹산 농도가 20 질량%인 중합액을 얻었다.1.62 g (15.00 mmol) DA-1 and 4.96 g (15.00 mmol) DA-3 were measured in a 100 ml 4-neck flask equipped with a nitrogen inlet tube, an air cooling tube, and a mechanical stirrer, and 51.90 g of NMP was added. It was stirred under a nitrogen atmosphere and completely dissolved. After confirming the dissolution, 3.75 g (15.00 mmol) of TC-2 was added and reacted at 60° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere. It returned to room temperature again, 2.64 g (13.5 mmol) of TC-1 was added, and it was made to react at 40 degreeC in nitrogen atmosphere for 12 hours. The polymerization viscosity was confirmed, TC-1 was further added so that the polymerization viscosity was 1000 mPa·s, and a polymerization solution having a polyamic acid concentration of 20% by mass was obtained.

마그네틱 스터러를 구비한 200ml의 삼각 플라스크에, 상기에서 얻어진 폴리아믹산 용액 60g을 재어 취하고, NMP를 111.4g 첨가하여, 7 질량%의 용액을 조제하고, 교반하면서 무수초산을 8.38g(81.4mmol), 피리딘을 3.62g(45.8mmol) 첨가하여, 실온에서 30분 교반 후, 55℃에서 3시간 교반해 반응시켰다. 반응 종료 후, 용액을 실온으로 되돌려, 500ml의 메타놀 중에 교반하면서 이 반응 용액을 붓고, 고체를 석출시켰다. 고체를 여과에 의해 회수하고, 추가로 300ml의 메타놀 중에 고체를 투입해 30분간 교반 세정을 총 2회 행하고, 고체를 여과에 의해 회수하여, 풍건을 행한 후, 진공 오븐 60℃에서 건조를 행함으로써 수 평균 분자량 Mn은 13100, 중량 평균 분자량 Mw는 34000, 이미드화율이 55%인 폴리이미드(PI-2)를 얻었다.To a 200 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, weigh 60 g of the polyamic acid solution obtained above, add 111.4 g of NMP to prepare a 7 mass% solution, and add 8.38 g (81.4 mmol) of acetic anhydride while stirring And 3.62 g (45.8 mmol) of pyridine were added and stirred at room temperature for 30 minutes, followed by stirring at 55° C. for 3 hours to react. After completion of the reaction, the solution was returned to room temperature, and the reaction solution was poured into 500 ml of methanol while stirring to precipitate a solid. The solid was recovered by filtration, and the solid was further added to 300 ml of methanol, stirred and washed twice for 30 minutes, and the solid was recovered by filtration, air-dried, and then dried in a vacuum oven at 60°C. The number average molecular weight Mn was 13100, the weight average molecular weight Mw was 34000, and the imidation ratio was 55% of polyimide (PI-2).

합성예 3Synthesis Example 3

TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-4(50) 폴리이미드의 중합Polymerization of TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-4(50) polyimide

질소 도입관, 공냉관, 메커니컬 스터러를 구비한 100ml의 4구 플라스크에, DA-1을 1.62g(15.00mmol), DA-4를 5.65g(15.00mmol) 재어 취하고, NMP 55.4g을 첨가해 질소 분위기하에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 용해를 확인한 후, TC-2를 3.75g(15.00mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 60℃에서 3시간 반응시켰다. 재차 실온으로 되돌려, TC-1을 2.82g(14.40mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 40℃에서 12시간 반응시켰다. 중합 점도를 확인하고, 중합 점도가 1000mPa·s가 되도록 추가로 TC-1을 첨가하여, 폴리아믹산 농도가 20 질량%인 중합액을 얻었다.In a 100 ml 4-neck flask equipped with a nitrogen inlet tube, an air cooling tube, and a mechanical stirrer, measure 1.62 g (15.00 mmol) DA-1 and 5.65 g (15.00 mmol) DA-4, and add 55.4 g of NMP. It was stirred under a nitrogen atmosphere and completely dissolved. After confirming the dissolution, 3.75 g (15.00 mmol) of TC-2 was added and reacted at 60° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere. It returned to room temperature again, 2.82 g (14.40 mmol) of TC-1 was added, and it was made to react at 40 degreeC under nitrogen atmosphere for 12 hours. The polymerization viscosity was confirmed, TC-1 was further added so that the polymerization viscosity was 1000 mPa·s, and a polymerization solution having a polyamic acid concentration of 20% by mass was obtained.

마그네틱 스터러를 구비한 200ml의 삼각 플라스크에, 상기에서 얻어진 폴리아믹산 용액 60g을 재어 취하고, NMP를 111.4g 첨가하여, 7 질량%의 용액을 조제하고, 교반하면서 무수초산을 8.36g(81.2mmol), 피리딘을 3.65g(46.1mmol) 첨가하여, 실온에서 30분 교반 후, 55℃에서 3시간 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 용액을 실온으로 되돌려, 500ml의 메타놀 중에 교반하면서 이 반응 용액을 붓고, 고체를 석출시켰다. 고체를 여과에 의해 회수하고, 추가로 300ml의 메타놀 중에 고체를 투입해 30분간 교반 세정을 총 2회 행하고, 고체를 여과에 의해 회수하여, 풍건을 행한 후, 진공 오븐 60℃에서 건조를 행함으로써 수 평균 분자량 Mn은 12900, 중량 평균 분자량 Mw는 31000, 이미드화율이 51%인 폴리이미드(PI-3)를 얻었다.To a 200 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, weigh 60 g of the polyamic acid solution obtained above, add 111.4 g of NMP to prepare a 7% by mass solution, and add 8.36 g (81.2 mmol) of acetic anhydride while stirring And 3.65 g (46.1 mmol) of pyridine were added, followed by stirring at room temperature for 30 minutes, followed by stirring at 55° C. for 3 hours to react. After completion of the reaction, the solution was returned to room temperature, and the reaction solution was poured into 500 ml of methanol while stirring to precipitate a solid. The solid was recovered by filtration, and the solid was further added to 300 ml of methanol, stirred and washed twice for 30 minutes, and the solid was recovered by filtration, air-dried, and then dried in a vacuum oven at 60°C. The number average molecular weight Mn was 12900, the weight average molecular weight Mw was 31000, and the imidation ratio obtained the polyimide (PI-3) of 51%.

라디칼 발생막 형성 조성물: AL1의 조제Radical Generating Film Forming Composition: Preparation of AL1

마그네틱 스터러를 구비한 50ml 삼각 플라스크에, 합성예 1에서 얻어진 폴리이미드 분말(PI-1)을 2.0g 재어 취하고, NMP를 18.0g 첨가해 50℃에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 또한 NMP를 6.7g, BCS를 6.7g 첨가하고, 추가로 3시간 교반함으로써 본 발명에 관한 라디칼 발생막 형성 조성물: AL1(고형분: 6.0 질량%, NMP: 66 질량%, BCS: 30 질량%)을 얻었다.In a 50 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, 2.0 g of the polyimide powder (PI-1) obtained in Synthesis Example 1 was weighed, 18.0 g of NMP was added, and stirred at 50°C to completely dissolve. Further, by adding 6.7 g of NMP and 6.7 g of BCS, and stirring for an additional 3 hours, the radical-generating film-forming composition according to the present invention: AL1 (solid content: 6.0 mass%, NMP: 66 mass%, BCS: 30 mass%) Got it.

라디칼 발생막 형성 조성물: AL2의 조제Radical Generation Film Forming Composition: Preparation of AL2

마그네틱 스터러를 구비한 50ml 삼각 플라스크에, 합성예 2에서 얻어진 폴리이미드 분말(PI-2)을 2.0g 재어 취하고, NMP를 18.0g 첨가해 50℃에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 또한 NMP를 6.7g, BCS를 6.7g 첨가하고, 추가로 3시간 교반함으로써 본 발명에 관한 라디칼 발생막 형성 조성물: AL2(고형분: 6.0 질량%, NMP: 66 질량%, BCS: 30 질량%)를 얻었다.In a 50 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, 2.0 g of the polyimide powder (PI-2) obtained in Synthesis Example 2 was weighed, 18.0 g of NMP was added, and stirred at 50°C to completely dissolve. Further, by adding 6.7 g of NMP and 6.7 g of BCS and stirring for an additional 3 hours, the radical-generating film-forming composition of the present invention: AL2 (solid content: 6.0 mass%, NMP: 66 mass%, BCS: 30 mass%) Got it.

비(非)라디칼 발생막 형성 조성물: AL3의 조제Non-radical-generating film-forming composition: Preparation of AL3

마그네틱 스터러를 구비한 50ml 삼각 플라스크에, 합성예 3에서 얻어진 폴리이미드 분말(PI-3)을 2.0g 재어 취하고, NMP를 18.0g 첨가해 50℃에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 또한 NMP를 6.7g, BCS를 6.7g 첨가하고, 추가로 3시간 교반함으로써 비교 대상으로 하는 비라디칼 발생막 형성 조성물: AL3(고형분: 6.0 질량%, NMP: 66 질량%, BCS: 30 질량%)를 얻었다.In a 50 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, 2.0 g of the polyimide powder (PI-3) obtained in Synthesis Example 3 was weighed, 18.0 g of NMP was added, and stirred at 50°C to completely dissolve. Further, by adding 6.7 g of NMP and 6.7 g of BCS and stirring for an additional 3 hours, a non-radical-generating film-forming composition for comparison: AL3 (solid content: 6.0 mass%, NMP: 66 mass%, BCS: 30 mass%) Got it.

[표 1][Table 1]

Figure pct00026
Figure pct00026

[표 2][Table 2]

Figure pct00027
Figure pct00027

[표 3][Table 3]

Figure pct00028
Figure pct00028

<중합성 화합물의 제조><Preparation of polymerizable compound>

중합성 화합물 합성예 1Polymerizable Compound Synthesis Example 1

2-(헵타노일옥시메틸)아크릴산 에틸 에스테르의 합성Synthesis of 2-(heptanoyloxymethyl)acrylic acid ethyl ester

[화학식 26][Formula 26]

Figure pct00029
Figure pct00029

제 1 공정: 2-히드록시메틸아크릴산 에틸 에스테르의 합성First Step: Synthesis of 2-hydroxymethylacrylic acid ethyl ester

질소 도입관을 부착한 500ml의 4구 플라스크에, 4-메톡시페놀 10mg, DABCO(1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄) 21.88g(195.1mmol)을 재어 취하고, 순수(純水)를 50ml 첨가하고, 질소 분위기하에서 10℃ 이하에서 교반하면서 파라포름알데히드 11.52g(390.1mmol)을 첨가하여 1시간 교반했다. 슬러리 상태로부터 용액 상태로 변화한 것을 확인하고, 아세토니트릴을 300ml 첨가하고, 아크릴산 에틸 19.53g(195.1mmol)을 적하하면서 첨가하여, 50℃에서 5시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 분액 로트로 반응 용액을 옮기고, n-헥산 50ml를 첨가했다. 3층으로 나누어진 것을 확인하고, 아래의 2층을 회수하여, 이 조작을 3회 행하였다. 또한 pH가 4∼5가 되도록 염산을 첨가하고, 초산 에틸을 이용하여 추출을 행하였다. 추출한 용액에 무수황산 마그네슘을 첨가하고 교반하여 건조시킨 후, 여과·농축을 행하여, 무색 투명의 오일상 액체 22.9g(175.6mmol, 수율 90%)을 얻었다. 구조는 핵자기 공명 스펙트럼(1H-NMR 스펙트럼)으로 목적물인 것을 확인했다. 측정 데이터를 이하에 나타낸다.To a 500 ml four-necked flask equipped with a nitrogen introduction tube, 10 mg of 4-methoxyphenol and 21.88 g (195.1 mmol) of DABCO (1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane) were weighed, and pure water ) Was added, and paraformaldehyde 11.52 g (390.1 mmol) was added while stirring at 10° C. or less in a nitrogen atmosphere, followed by stirring for 1 hour. When it was confirmed that it changed from a slurry state to a solution state, 300 ml of acetonitrile was added, and 19.53 g (195.1 mmol) of ethyl acrylate was added dropwise, followed by reaction at 50°C for 5 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was transferred to a separation lot, and 50 ml of n-hexane was added. It was confirmed that it was divided into three layers, the lower two layers were recovered, and this operation was performed three times. Further, hydrochloric acid was added so that the pH was 4 to 5, and extraction was performed using ethyl acetate. Anhydrous magnesium sulfate was added to the extracted solution, stirred and dried, and then filtered and concentrated to obtain 22.9 g (175.6 mmol, yield 90%) of a colorless and transparent oily liquid. Structure was confirmed to be the desired compound by nuclear magnetic resonance spectra (1 H-NMR spectrum). The measurement data are shown below.

1H NMR (400MHz, CDCl3)δ: 6.81(1H), 5.80(1H), 4.31(2H), 4.17(1H), 1.98(1H), 0.93(3H) 1 H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ: 6.81 (1H), 5.80 (1H), 4.31 (2H), 4.17 (1H), 1.98 (1H), 0.93 (3H)

제 2 공정: 2-(헵타노일옥시메틸)아크릴산 에틸 에스테르의 합성Second step: Synthesis of 2-(heptanoyloxymethyl)acrylic acid ethyl ester

질소 도입관을 부착한 500ml의 4구 플라스크에, 상기 방법으로 얻어진 2-히드록시메틸아크릴산 에틸 에스테르를 19.9g(152.9mmol) 재어 취하고, THF 300ml, 트리에틸아민 23.2g(229.3mmol)을 첨가하고, 질소 분위기하 10℃ 이하로 유지하면서 헵타노일 클로리드 25.0g(168.2mmol)을 적하하면서 첨가하여, 6시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 석출한 트리에틸아민 염산염을 여과로 제거하고, 반응 용액을 농축시키고, 초산 에틸 300ml로 재용해시키고, 10% 탄산칼륨 수용액 100ml로 3회 세정하고, 순수 50ml로 3회 세정하고, 무수황산 마그네슘으로 건조시킨 후, 여과·농축을 행하여 연노랑의 점체(粘體)를 얻었다. 추가로 플래시 컬럼 크로마토그래피(전개 용매: 초산 에틸:n-헥산=20:80)로 정제하고, 용매 제거·진공 건조를 행함으로써 무색 투명의 오일상 액체 32.2g(133.0mmol: 수율 87%)을 얻었다. 구조는 핵자기 공명 스펙트럼(1H-NMR 스펙트럼)으로 목적물인 것을 확인했다. 측정 데이터를 이하에 나타낸다.To a 500 ml four-necked flask equipped with a nitrogen introduction tube, 19.9 g (152.9 mmol) of 2-hydroxymethylacrylic acid ethyl ester obtained by the above method was weighed, and 300 ml of THF and 23.2 g (229.3 mmol) of triethylamine were added. , While maintaining at 10°C or less under a nitrogen atmosphere, 25.0 g (168.2 mmol) of heptanoyl chloride was added dropwise, followed by reaction for 6 hours. After completion of the reaction, the precipitated triethylamine hydrochloride was removed by filtration, the reaction solution was concentrated, redissolved with 300 ml of ethyl acetate, washed three times with 100 ml of a 10% potassium carbonate aqueous solution, washed three times with 50 ml of pure water, After drying over anhydrous magnesium sulfate, it was filtered and concentrated to obtain a pale yellow viscous body. Further, it was purified by flash column chromatography (developing solvent: ethyl acetate:n-hexane=20:80), and solvent removal and vacuum drying were performed to obtain 32.2 g (133.0 mmol: yield: 87%) of a colorless and transparent oily liquid. Got it. Structure was confirmed to be the desired compound by nuclear magnetic resonance spectra (1 H-NMR spectrum). The measurement data are shown below.

1H NMR (400MHz, CDCl3)δ: 6.37(1H), 5.80(1H), 3.80(2H), 4.23-4.21(2H), 2.39-2.37(2H), 1.64-1.58(2H), 1.30-1.27(9H), 0.86(3H) 1 H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ: 6.37(1H), 5.80(1H), 3.80(2H), 4.23-4.21(2H), 2.39-2.37(2H), 1.64-1.58(2H), 1.30-1.27 (9H), 0.86(3H)

중합성 화합물 합성예 3Polymerizable Compound Synthesis Example 3

이타콘산 디헥실의 합성Synthesis of dihexyl itaconic acid

[화학식 27][Formula 27]

Figure pct00030
Figure pct00030

딘스타크관을 부착한 4구 플라스크에, 이타콘산 23.8g(182.9mmol), 1-헥사놀 35.5g(347.5mmol)을 재어 취하고, 시클로헥산 500ml, 농황산 0.9g(9.1mmol), 디부틸히드록시톨루엔(BHT) 0.04g(1.82mmol)을 첨가하고, 질소 분위기로 하여, 110℃에서 24시간 탈수 축합 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응 용액에 n-헥산을 100ml 첨가하고, 10% 탄산나트륨 수용액 100g으로 3회, 순수 100ml로 3회 세정하고, 무수황산 마그네슘으로 건조시켰다. 여과·농축 후 진공 건조시킴으로써 무색 투명의 오일상 액체 48.6g(162.8mmol: 수율 89%)을 얻었다. 구조는 핵자기 공명 스펙트럼(1H-NMR 스펙트럼)으로 목적물인 것을 확인했다. 측정 데이터를 이하에 나타낸다.In a four-necked flask with a Dean Stark tube, 23.8 g (182.9 mmol) of itaconic acid and 35.5 g (347.5 mmol) of 1-hexanol were weighed and taken, 500 ml of cyclohexane, 0.9 g (9.1 mmol) of concentrated sulfuric acid, and dibutylhydroxy Toluene (BHT) 0.04 g (1.82 mmol) was added, followed by a nitrogen atmosphere, followed by dehydration and condensation reaction at 110° C. for 24 hours. After completion of the reaction, 100 ml of n-hexane was added to the reaction solution, washed three times with 100 g of 10% sodium carbonate aqueous solution and three times with 100 ml of pure water, and dried over anhydrous magnesium sulfate. After filtration and concentration, and vacuum drying, 48.6 g (162.8 mmol: yield 89%) of a colorless and transparent oily liquid was obtained. Structure was confirmed to be the desired compound by nuclear magnetic resonance spectra (1 H-NMR spectrum). The measurement data are shown below.

1H NMR (400MHz, CDCl3)δ: 6.30(1H), 5.65(1H), 4.20-4.00(4H), 3.32(2H), 1.64-1.58(4H), 1.40-1.25(12H), 0.96-0.83(6H) 1 H NMR (400MHz, CDCl 3 ) δ: 6.30 (1H), 5.65 (1H), 4.20-4.00 (4H), 3.32 (2H), 1.64-1.58 (4H), 1.40-1.25 (12H), 0.96-0.83 (6H)

<액정 표시 소자의 제작><Manufacture of liquid crystal display device>

상기에서 얻은 AL1∼AL3 및 수평 배향용의 액정 배향제인 SE-6414(닛산 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조)를 이용하여, 표 3에 나타내는 구성으로 액정 표시 소자를 제작했다.Using the AL1-AL3 obtained above and SE-6414 (manufactured by Nissan Chemical Industry Co., Ltd.) which is a liquid crystal aligning agent for horizontal alignment, a liquid crystal display element was produced in the configuration shown in Table 3.

(제 1 기판)(First substrate)

제 1 기판(이후 IPS기판이라고도 한다)은, 30mm×35mm의 크기이고, 두께가 0.7mm인 무알칼리 유리 기판이다. 기판 상에는 전극 폭이 10㎛, 전극과 전극의 간격이 10㎛인 빗살형 패턴을 구비한 ITO(Indium-Tin-Oxide) 전극이 형성되어, 화소를 형성하고 있다. 각 화소의 사이즈는, 세로 10mm이고 가로 약 5mm이다.The first substrate (hereinafter, also referred to as an IPS substrate) is an alkali-free glass substrate having a size of 30 mm x 35 mm and a thickness of 0.7 mm. On the substrate, an ITO (Indium-Tin-Oxide) electrode having a comb-shaped pattern having an electrode width of 10 μm and an electrode-to-electrode spacing of 10 μm is formed to form a pixel. Each pixel has a size of 10 mm in length and about 5 mm in width.

AL1∼AL3 또는 SE-6414는, 1.0㎛의 필터로 여과한 후, 상기 IPS 기판의 전극 형성면에 스핀 코트법으로 도포하고, 80℃의 핫플레이트 상에서 1분간 건조시켰다. 이어서, AL1∼AL3는 220℃에서 20분간, SE-6414는 220℃에서 20분간 소성하여, 각각 막 두께 100nm의 도막으로 했다.After filtering AL1 to AL3 or SE-6414 with a 1.0 μm filter, it was applied to the electrode-forming surface of the IPS substrate by spin coating, and dried on a hot plate at 80° C. for 1 minute. Subsequently, AL1 to AL3 were fired at 220°C for 20 minutes and SE-6414 at 220°C for 20 minutes to obtain a coating film having a thickness of 100 nm, respectively.

이 도막 부착 기판을, 기판의 절반은 광을 받지 않도록 금속판으로 차광하고, 고압 수은 램프를 이용해 파장 313nm의 밴드 패스 필터를 개재하여 노광량이 5000mJ이 되도록 자외선을 조사했다. 이후는 이 조작을 1차 UV 처리라고 부른다.This substrate with a coating film was shielded from light with a metal plate so that half of the substrate was not exposed to light, and ultraviolet rays were irradiated with a high-pressure mercury lamp through a band pass filter having a wavelength of 313 nm so that the exposure amount was 5000 mJ. Hereafter, this operation is called primary UV treatment.

노광 처리 후, 러빙 방향이 빗살 전극의 길이 방향으로부터 5° 경사지도록 러빙했다. 러빙은 요시카와 가코 제조의 레이온포: YA-20R을 이용하고, 롤 지름 120mm, 회전수 300rpm, 이동 속도 50mm/sec, 누름량 0.4mm의 조건에서 행하였다. 러빙 처리 후에는, 순수 중에서 1분간 초음파 조사를 행하고, 80℃에서 10분간 건조했다.After the exposure treatment, the rubbing was performed so that the rubbing direction was inclined by 5° from the longitudinal direction of the comb electrode. The rubbing was performed using a rayon cloth manufactured by Kako Yoshikawa: YA-20R, under conditions of a roll diameter of 120 mm, a rotation speed of 300 rpm, a moving speed of 50 mm/sec, and a pressing amount of 0.4 mm. After the rubbing treatment, ultrasonic irradiation was performed in pure water for 1 minute, and dried at 80°C for 10 minutes.

(제 2 기판)(Second substrate)

제 2 기판(이면 ITO 기판이라고도 한다)은, 30mm×35mm의 크기이고, 두께가 0.7mm인 무알칼리 유리 기판이며, 이면(셀의 외측을 향하는 면)에 ITO 막이 성막되어 있다. 또, 표면(셀의 내측을 향하는 면)에는 높이 4㎛의 기둥 형상의 스페이서가 형성되어 있다.The second substrate (also referred to as the rear surface ITO substrate) is an alkali-free glass substrate having a size of 30 mm x 35 mm and a thickness of 0.7 mm, and an ITO film is formed on the rear surface (the surface facing the outside of the cell). Further, a columnar spacer having a height of 4 μm is formed on the surface (the surface facing the inside of the cell).

상기 이면 ITO 기판의 유리면에, SE-6414를 1.0㎛의 필터로 여과한 후, 스핀 코트법으로 도포하고, 80℃의 핫플레이트 상에서 1분간 건조시켰다. 이어서, AL1, AL2는 220℃에서 20분간 소성하고, SE-6414는 220℃에서 20분간 소성하여, 각각 막 두께 100nm의 도막으로 한 후, 러빙 처리를 행하였다. 러빙 처리는, 요시카와 가코 제조의 레이온포: YA-20R을 이용하고, 롤 지름 120mm, 회전수 1000rpm, 이동 속도 50mm/sec, 누름량 0.4mm의 조건에서 러빙을 행하였다. 러빙 처리 후에는, 순수 중에서 1분간 초음파 조사를 행하고, 80℃에서 10분간 건조했다.SE-6414 was applied to the glass surface of the rear ITO substrate with a 1.0 µm filter, applied by a spin coating method, and dried on a hot plate at 80°C for 1 minute. Next, AL1 and AL2 were fired at 220°C for 20 minutes, and SE-6414 was fired at 220°C for 20 minutes to obtain a coating film having a thickness of 100 nm, respectively, followed by rubbing treatment. For the rubbing treatment, a rayon fabric manufactured by Kako Yoshikawa: YA-20R was used, and rubbing was performed under conditions of a roll diameter of 120 mm, a rotational speed of 1000 rpm, a movement speed of 50 mm/sec, and a pressing amount of 0.4 mm. After the rubbing treatment, ultrasonic irradiation was performed in pure water for 1 minute, and dried at 80°C for 10 minutes.

(액정 셀의 제작)(Production of liquid crystal cell)

상기 액정 배향막 부착의 2종류의 기판(제 1 기판 및 제 2 기판)을 이용하고, 액정 주입구를 남기고 주위를 시일하여, 셀 갭이 약 4㎛인 빈(空) 셀을 제작했다. 이때, 제 1 기판과 제 2 기판의 러빙 방향이 역평행이 되는 것과, 85°로 교차하는 것을 각각 작성했다.Using the two types of substrates (the first substrate and the second substrate) with the liquid crystal alignment film, the liquid crystal injection port was left and the periphery was sealed to produce an empty cell having a cell gap of about 4 μm. At this time, the rubbing direction of the 1st board|substrate and 2nd board|substrate becomes antiparallel, and the thing which cross|intersects by 85 degree was created, respectively.

이 빈 셀에, 액정(머크사 제조 IPS용 포지티브 액정 MLC-3019 및 머크사 제조 TN용 액정 MLC3018U에 각 첨가제를 최적 조건으로 첨가한 것)을 상온에서 진공 주입한 후, 주입구를 밀봉하여 액정 셀로 했다. 얻어진 액정 셀은, IPS 모드 액정 표시 소자와 TN 모드 액정 표시 소자를 구성한다. 그 후, 얻어진 액정 셀을 120℃에서 10분 가열 처리를 행하였다.In this empty cell, a liquid crystal (one obtained by adding each additive to the positive liquid crystal MLC-3019 for IPS manufactured by Merck and MLC3018U for TN manufactured by Merck) was vacuum-injected at room temperature, and then the injection port was sealed to form a liquid crystal cell. did. The obtained liquid crystal cell constitutes an IPS mode liquid crystal display element and a TN mode liquid crystal display element. Then, the obtained liquid crystal cell was heat-treated at 120 degreeC for 10 minutes.

2차 UV 처리로서, 고압 수은 램프를 이용하고, 파장 313nm의 밴드 패스 필터를 개재하여 조사를 행하였다. 노광량은 5000mJ이 되도록 액정 셀에 자외선을 조사했다. 이하, 작성한 셀의 상세를 이하의 표 4에 나타낸다.As the secondary UV treatment, a high-pressure mercury lamp was used and irradiation was performed through a band pass filter having a wavelength of 313 nm. The liquid crystal cell was irradiated with ultraviolet rays so that the exposure amount was 5000 mJ. Hereinafter, the details of the created cell are shown in Table 4 below.

[표 4][Table 4]

Figure pct00031
Figure pct00031

<액정 배향성의 육안 평가><Visual evaluation of liquid crystal orientation>

크로스 니콜로 세트한 편광판을 이용하여 TN 모드 액정 셀의 배향성을 확인했다. UV 처리를 하지 않은 경우, 편측 배향막의 배향 규제력이 상실되기(즉 제로 앵커링 상태가 된다) 때문에, 액정 중의 카이랄 도펀트의 규제력으로는 충분히 트위스트 될 수 없게 되므로 수평 배향 상태로 변화한다. 한편, UV 처리한 영역은 중합 반응성이 상실되기 때문에 앵커링력이 유지된다. 따라서 트위스트 배향이 발생한다. 이것에 의해 화소 내에 2종류의 배향 상태가 발생한다. 도 1에 나타낸 바와 같이 막에 UV를 조사한 영역은 TN 배향(흰색), UV를 조사하지 않은 영역이 수평 배향(검은색)으로 되어 있는 경우는 ○, 각 영역에 변화가 없는 경우는 ×로 했다.The orientation of the TN mode liquid crystal cell was confirmed using the polarizing plate set with Cross Nicol. In the case of not performing UV treatment, since the alignment regulating force of the one-side alignment layer is lost (that is, it becomes a zero anchoring state), it cannot be sufficiently twisted by the regulating force of the chiral dopant in the liquid crystal. On the other hand, since the UV-treated region loses polymerization reactivity, the anchoring power is maintained. Thus, a twist orientation occurs. As a result, two kinds of orientation states occur in the pixel. As shown in Fig. 1, when the UV-irradiated region is in TN orientation (white), the non-UV-irradiated region is in horizontal orientation (black), it is set as ○, and when there is no change in each region, it is set as x. .

[표 5][Table 5]

Figure pct00032
Figure pct00032

액정 중에 첨가제가 없는 액정을 이용한 경우, 및 광에 의해 라디칼이 발생하지 않는 재료를 이용한 경우에는 1차 UV 처리를 행하여도 배향 패터닝, 즉 배향 규제력의 변화는 발생하지 않았다. 이와 같은 점에서 본 발명의 광라디칼 발생막과 첨가제의 조합이 중요한 것을 알 수 있다.In the case of using a liquid crystal without additives in the liquid crystal, and in the case of using a material that does not generate radicals due to light, alignment patterning, that is, a change in alignment regulating force, did not occur even after performing the primary UV treatment. In this respect, it can be seen that the combination of the optical radical generating film and the additive of the present invention is important.

<전기 광학 특성 평가><Evaluation of electro-optical properties>

셀 13∼24(수평 배향셀)를 이용해, V-T 커브를 측정함으로써 역치 전압의 변화 및 모드 효율의 측정을 행하였다. V-T 커브의 측정은, 광축이 맞도록 백색 LED 백라이트와 휘도계를 세트하고, 그 사이에, 휘도가 가장 작아지도록 편광판을 부착한 액정 셀(액정 표시 소자)을 세트하여, 1V 간격으로 8V까지 전압을 인가하고, 전압에 있어서의 휘도를 측정함으로써 행하였다. 얻어진 V-T 커브로부터 구동 역치 전압의 값을 어림잡았다. 모드 효율의 측정은, 편광판의 패러렐 니콜 시의 LED 투과광의 휘도에 대한 액정 셀의 Vmax 시의 휘도를 비율로 하여 산출함으로써 구했다.Using cells 13 to 24 (horizontal alignment cells), the V-T curve was measured to measure the change in the threshold voltage and the mode efficiency. To measure the VT curve, a white LED backlight and a luminance meter are set so that the optical axis is aligned, and a liquid crystal cell (liquid crystal display element) attached with a polarizing plate is set so that the luminance is the smallest between them, and the voltage is up to 8V at 1V intervals. Was applied and the luminance in the voltage was measured. The value of the drive threshold voltage was estimated from the obtained V-T curve. The mode efficiency was measured by calculating the luminance at Vmax of the liquid crystal cell to the luminance of the LED transmitted light at the time of parallel Nicole of the polarizing plate as a ratio.

앵커링 측정은 역치 전압의 크기로부터 프레데릭스 전이법에 의해 대략 그 값을 어림잡았다.The anchoring measurement was roughly approximated by the Frederiks transition method from the magnitude of the threshold voltage.

[표 6][Table 6]

Figure pct00033
Figure pct00033

셀 13∼24는 수평 배향 셀이기 때문에, 제로 앵커링 배향이 되어도 육안으로는 변화가 없다. 한편 1차 UV 노광부와 미노광부에서 V-T 커브의 역치 전압 및 휘도에 변화가 보였다. 이 검증으로부터도 1차 노광을 행함으로써 화소 내에 다른 앵커링력을 갖는 영역을 만들어 낼 수 있는 것을 알 수 있다.Since the cells 13 to 24 are horizontally oriented cells, there is no change to the naked eye even when the cells are in the zero anchoring orientation. Meanwhile, changes in the threshold voltage and luminance of the V-T curve were observed in the first UV-exposed and unexposed portions. From this verification as well, it can be seen that by performing the primary exposure, regions having different anchoring powers can be created in the pixel.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명에 의하면, 앵커링이 다른 제로면 영역을 염가의 원료로, 공업적으로, 수율 좋게 만들어 낼 수 있다. 또, 본 발명의 방법으로 얻어지는 액정 표시 소자는, PSA형 액정 디스플레이나 SC-PVA형 액정 디스플레이 등의 수직 배향 방식의 액정 표시 소자로서 유용하다.Advantageous Effects of Invention According to the present invention, an inexpensive raw material can be produced industrially and in a high yield in the zero plane region with different anchoring. Moreover, the liquid crystal display element obtained by the method of this invention is useful as a liquid crystal display element of a vertical alignment system, such as a PSA type liquid crystal display and an SC-PVA type liquid crystal display.

Claims (22)

라디칼 발생막에 특정의 영역에 방사선을 조사하여 패터닝된 라디칼 발생막을 형성하는 스텝, 및 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을, 상기 패터닝된 라디칼 발생막에 접촉시키고, 그 상태를 유지하면서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 상기 액정 조성물에 부여하는 스텝을 포함하는, 패터닝된 제로면 앵커링막의 제조 방법.A step of forming a patterned radical generating film by irradiating radiation to a specific region on the radical generating film, and bringing a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radical polymerizable compound into contact with the patterned radical generating film and maintaining the state And applying sufficient energy to the liquid crystal composition for polymerization reaction of the radically polymerizable compound, wherein the method for producing a patterned zero surface anchoring film. 제 1 항에 있어서,
상기 라디칼 발생막이 1축 배향 처리된 라디칼 발생막인, 방법.
The method of claim 1,
The method, wherein the radical generating film is a radical generating film subjected to a uniaxial alignment treatment.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
에너지를 부여하는 스텝을 무전계에서 행하는, 방법.
The method according to claim 1 or 2,
The method of performing the step of imparting energy in an electric field.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 고정화되어 이루어지는 막인 것을 특징으로 하는 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The method, characterized in that the radical generating film is a film formed by immobilizing an organic group causing radical polymerization.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 라디칼 발생막이, 라디칼을 발생시키는 기를 갖는 화합물과 중합체와의 조성물을 도포, 경화하여 막을 형성함으로써 막 중에 고정화시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The method characterized in that the radical-generating film is obtained by immobilizing in the film by coating and curing a composition of a compound having a radical-generating group and a polymer to form a film.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The method, characterized in that the radical generating film is made of a polymer containing an organic group that causes radical polymerization.
제 6 항에 있어서,
상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체가, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 디아민을 포함하는 디아민 성분을 이용하여 얻어지는 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리우레아 및 폴리아미드로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체인 것을 특징으로 하는 방법.
The method of claim 6,
At least one selected from polyimide precursors, polyimides, polyureas, and polyamides obtained by using a diamine component including a diamine containing an organic group inducing radical polymerization in the polymer containing an organic group causing radical polymerization Method characterized in that it is a polymer of.
제 4 항, 제 6 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 하기 구조 [X-1]∼[X-18], [W], [Y] 및 [Z] 중 어느 것으로 표시되는 유기기인 방법:
[화학식 1]
Figure pct00034

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
[화학식 2]
Figure pct00035

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R9과 R10이 알킬기인 경우, 말단에서 서로 결합하여 환(環)구조를 형성하고 있어도 된다. Q는 하기의 구조를 나타낸다.
[화학식 3]
Figure pct00036

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)
R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.).
The method according to any one of claims 4, 6 and 7,
The method in which the organic group causing radical polymerization is an organic group represented by any of the following structures [X-1] to [X-18], [W], [Y] and [Z]:
[Formula 1]
Figure pct00034

(In formulas [X-1] to [X-18], * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of a compound molecule, and S 1 and S 2 are each independently -O-, -NR- , -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, and 1 to 4 carbon atoms Represents the alkyl group of.)
[Formula 2]
Figure pct00035

(In formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of the compound molecule, and Ar is a phenyl which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. Represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of ene, naphthylene and biphenylene, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R When 10 is an alkyl group, they may be bonded to each other at the terminal to form a ring structure, where Q represents the following structure.
[Formula 3]
Figure pct00036

(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, * represents other than Q of the compound molecule It indicates the binding site to the part.)
R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.).
제 7 항에 있어서,
상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 디아민이 하기 일반식 (6) 또는 하기 일반식 (7)로 표시되는 구조를 갖는 디아민인 것을 특징으로 하는 방법:
[화학식 4]
Figure pct00037

(식 (6) 중, R6는 단결합, -CH2-, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-를 나타내고,
R7은 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 상기 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 된다;
R8은, 하기 식으로부터 선택되는 라디칼 중합 반응성기를 나타낸다:
[화학식 5]
Figure pct00038

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 라디칼 중합 반응성기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.))
[화학식 6]
Figure pct00039

(식 (7) 중, T1 및 T2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-이고,
S0는 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 상기 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 되며,
J는 하기 식 중 어느 것으로 표시되는 유기기이고,
[화학식 7]
Figure pct00040

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 T2와의 결합 개소를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, Q는 하기 중 어느 것의 구조를 나타낸다:
[화학식 8]
Figure pct00041

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)
R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.)).
The method of claim 7,
A method characterized in that the diamine containing an organic group causing radical polymerization is a diamine having a structure represented by the following general formula (6) or the following general formula (7):
[Formula 4]
Figure pct00037

(In formula (6), R 6 is a single bond, -CH 2 -, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH 2 O-, -N (CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,
R 7 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms which is unsubstituted or substituted by a fluorine atom, and one or more of any -CH 2 -or -CF 2-of the alkylene group are each independently -CH=CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and any of the following groups, namely -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO- , -CONH- or -NH- may be substituted with these groups provided they are not adjacent to each other;
R 8 represents a radical polymerization reactive group selected from the following formula:
[Formula 5]
Figure pct00038

(In formulas [X-1] to [X-18], * represents a bonding site with a moiety other than the radical polymerization reactive group of the compound molecule, and S 1 and S 2 are each independently -O-, -NR- , -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, and 1 to 4 carbon atoms Represents an alkyl group of))
[Formula 6]
Figure pct00039

(In formula (7), T 1 and T 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-,- CH 2 O-, -N(CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,
S 0 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms which is unsubstituted or substituted by a fluorine atom, and one or more of any -CH 2 -or -CF 2-of the alkylene group are each independently -CH=CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and any of the following groups, namely -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO- , -CONH- or -NH- may be substituted with these groups provided they are not adjacent to each other,
J is an organic group represented by any of the following formulas,
[Formula 7]
Figure pct00040

(In formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with T 2 , and Ar represents phenylene, naphthylene, and biphenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. Represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and Q represents the structure of any of the following:
[Formula 8]
Figure pct00041

(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, * represents other than Q of the compound molecule It represents the binding site to the part.)
R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.)).
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종이, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 불포화 결합을 갖는 화합물인, 방법.
The method according to any one of claims 1 to 9,
The method, wherein at least one of the radically polymerizable compounds is a compound having compatibility with a liquid crystal and having one polymerizable unsaturated bond per molecule.
제 10 항에 있어서,
상기 라디칼 중합성 화합물의 중합 반응성기가 이하의 구조로부터 선택되는, 방법.
[화학식 9]
Figure pct00042

(식 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다. Rb는 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합 및 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. Rc는 수소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.).
The method of claim 10,
The method, wherein the polymerization reactive group of the radically polymerizable compound is selected from the following structures.
[Formula 9]
Figure pct00042

(In the formula, * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of the compound molecule. R b represents a C2-C8 linear alkyl group, and E represents a single bond, -O-, -NR c -, Represents a bonding group selected from -S-, an ester bond and an amide bond, R c represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물에 있어서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합시켜 얻어지는 폴리머의 Tg가 100℃ 이하의 것이 되는 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
The method according to any one of claims 1 to 11,
In a liquid crystal composition containing the liquid crystal and a radically polymerizable compound, a liquid crystal composition containing a radically polymerizable compound in which Tg of the polymer obtained by polymerizing the radically polymerizable compound is 100°C or less is used. .
라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판과, 라디칼 발생막을 갖고 있어도 되는 제 2 기판을 준비하는 스텝,
제 1 기판 상의 라디칼 발생막이 제 2 기판에 대향하도록 셀을 작성하는 스텝, 및,
제 1 기판과 제 2 기판의 사이에, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 충전하는 스텝을 포함하고,
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재한 방법을 이용하는 액정 셀의 제조 방법.
A step of preparing a first substrate having a radical generating film and a second substrate which may have a radical generating film,
Creating a cell such that the radical generating film on the first substrate faces the second substrate, and
Including a step of filling a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radical polymerizable compound between the first substrate and the second substrate,
A method for producing a liquid crystal cell using the method according to any one of claims 1 to 12.
제 13 항에 있어서,
상기 제 2 기판이 라디칼 발생막을 갖지 않는 제 2 기판인 액정 셀의 제조 방법.
The method of claim 13,
A method of manufacturing a liquid crystal cell in which the second substrate is a second substrate having no radical generating film.
제 14 항에 있어서,
상기 제 2 기판이, 1축 배향성을 갖는 액정 배향막이 코팅된 기판인 것을 특징으로 하는 액정 셀의 제조 방법.
The method of claim 14,
The method for manufacturing a liquid crystal cell, wherein the second substrate is a substrate coated with a liquid crystal alignment layer having uniaxial alignment.
제 15 항에 있어서,
상기 1축 배향성을 갖는 액정 배향막이 수평 배향용의 액정 배향막인 것을 특징으로 하는 액정 셀의 제조 방법.
The method of claim 15,
The method for producing a liquid crystal cell, wherein the liquid crystal alignment film having uniaxial alignment is a liquid crystal alignment film for horizontal alignment.
제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판이 빗살 전극을 갖는 기판인 액정 셀의 제조 방법.
The method according to any one of claims 13 to 16,
A method of manufacturing a liquid crystal cell in which the first substrate having the radical generating film is a substrate having a comb electrode.
액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하고,
상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종이, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 불포화 결합을 갖는 화합물이며,
중합 반응성기가 이하의 구조로부터 선택되는, 액정 조성물:
[화학식 10]
Figure pct00043

(식 중, *는 화합물 분자의 중합성 불포화 결합 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다. Rb는 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합 및 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. Rc는 수소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.).
It contains liquid crystal and radical polymerizable compounds,
At least one of the radically polymerizable compounds is a compound having compatibility with a liquid crystal and having one polymerizable unsaturated bond per molecule,
The liquid crystal composition, wherein the polymerization reactive group is selected from the following structures:
[Formula 10]
Figure pct00043

(In the formula, * represents a bonding site with a moiety other than a polymerizable unsaturated bond of the compound molecule. R b represents a C2-C8 linear alkyl group, and E represents a single bond, -O-, -NR c -, Represents a bonding group selected from -S-, an ester bond and an amide bond, R c represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재한 방법을 이용하여 얻어진 제로면 앵커링 상태를 만들어 내는 막을 이용하는 액정 표시 소자의 제조 방법.A method for manufacturing a liquid crystal display element using a film that creates a zero-plane anchoring state obtained by using the method according to any one of claims 1 to 17. 제 19 항에 기재한 방법을 이용하여 얻어진 액정 표시 소자.A liquid crystal display device obtained by using the method according to claim 19. 제 20 항에 있어서,
제 1 기판 또는 제 2 기판이 전극을 갖는, 액정 표시 소자.
The method of claim 20,
A liquid crystal display device, wherein the first substrate or the second substrate has an electrode.
제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,
저전압 구동 횡전계 액정 표시 소자인, 액정 표시 소자.
The method of claim 20 or 21,
A liquid crystal display element which is a low-voltage drive transverse electric field liquid crystal display element.
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