KR20210016848A - Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus - Google Patents

Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20210016848A
KR20210016848A KR1020190095133A KR20190095133A KR20210016848A KR 20210016848 A KR20210016848 A KR 20210016848A KR 1020190095133 A KR1020190095133 A KR 1020190095133A KR 20190095133 A KR20190095133 A KR 20190095133A KR 20210016848 A KR20210016848 A KR 20210016848A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
focus ring
temperature
substrate
thermoelectric element
thermoelectric elements
Prior art date
Application number
KR1020190095133A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이동목
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190095133A priority Critical patent/KR20210016848A/en
Publication of KR20210016848A publication Critical patent/KR20210016848A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H01L35/34—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment

Abstract

A substrate processing apparatus is disclosed. A substrate processing apparatus according to the present invention includes: a chamber having a processing space therein; a substrate support unit supporting a substrate in the processing space; a gas supply unit supplying gas into the processing space; and a plasma generating unit exciting the gas to a plasma state in the processing space, wherein the substrate support unit includes: a dielectric plate on which the substrate is placed; a focus ring provided to surround the substrate placed on a support; and a temperature control unit controlling the temperature of the focus ring. The temperature control unit includes: a plurality of thermoelectric elements disposed under the focus ring and arranged in a ring shape in combination with each other; and a power supply unit supplying power to the plurality of thermoelectric elements. The substrate support unit includes a support plate disposed under the dielectric plate, and the plurality of thermoelectric elements may be disposed inside the support plate. The present invention can actively adjust the temperature of the focus ring.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING APPARATUS}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 발명이다. 보다 상세하게는, 기판 처리 장치 내에 포함된 포커스 링의 온도를 조절하는 것에 관한 발명이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. More specifically, the present invention relates to controlling the temperature of a focus ring included in a substrate processing apparatus.

반도체 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정을 포함할 수 있다. 고집적화된 반도체 소자의 미세 패턴을 형성하기 위해 건식 식각이 주로 사용된다. 건식 식각 공정은 챔버 내로 유입된 가스를 플라즈마로 변환시켜 정전 척 상에 안착된 웨이퍼를 식각하는 과정으로 진행될 수 있다. The semiconductor manufacturing process may include a process of treating a substrate using plasma. Dry etching is mainly used to form fine patterns of highly integrated semiconductor devices. The dry etching process may be performed by converting the gas introduced into the chamber into plasma and etching the wafer mounted on the electrostatic chuck.

건식 식각을 위한 설비에는 웨이퍼의 가장자리를 둘러싸서 웨이퍼 쪽으로 플라즈마를 집중시키기 위해 포커스 링이 설치된다. In equipment for dry etching, a focus ring is installed to focus plasma toward the wafer by surrounding the edge of the wafer.

반도체의 건식 식각 장치의 포커스 링의 온도는 에지 영역의 수율 및 포커스 링과 인접하는 열전도성 패드의 내구성에 큰 영향을 미친다. 일 예시로, 포커스 링의 온도가 200도 이상의 고온으로 올라가게 되면 열전도성 패드의 열분해에 의해 열전달의 특성이 변화하게 된다. 이에 따라 포커스 링의 온도는 시간에 따라 경시 변화가 발생하고, 에지 영역의 공정 경시 변화를 일으키게 된다. The temperature of the focus ring of a semiconductor dry etching apparatus has a great influence on the yield of the edge region and the durability of the thermally conductive pad adjacent to the focus ring. As an example, when the temperature of the focus ring rises to a high temperature of 200 degrees or more, heat transfer characteristics change due to thermal decomposition of the thermally conductive pad. Accordingly, the temperature of the focus ring changes with time, and the process of the edge region changes with time.

따라서 포커스 링의 온도를 조절할 수 있는 기판 처리 장치의 필요성이 대두된다. Accordingly, there is a need for a substrate processing apparatus capable of controlling the temperature of the focus ring.

본 발명에서는 포커스 링의 온도를 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of controlling the temperature of a focus ring.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-described problems, and the problems that are not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings. .

기판 처리 장치가 개시된다. A substrate processing apparatus is disclosed.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 처리 공간 내에서 상기 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛;을 포함하고, 상기 기판 지지 유닛은 A substrate processing apparatus according to the present invention includes: a chamber having a processing space therein; A substrate support unit supporting a substrate in the processing space; A gas supply unit supplying gas into the processing space; And a plasma generating unit that excites the gas in a plasma state in the processing space, wherein the substrate support unit

기판이 놓이는 유전판; 상기 유전판에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되는 포커스 링; 및 상기 포커스 링의 온도를 조절할 수 있는 온도 조절 유닛;을 포함하되, A dielectric plate on which the substrate is placed; A focus ring provided to surround a substrate placed on the dielectric plate; And a temperature control unit capable of adjusting the temperature of the focus ring;

상기 온도 조절 유닛은, 상기 포커스 링의 하부에 배치되고, 서로 조합되어 링 형상으로 배열되는 복수개의 열전 소자; 및 상기 복수개의 열전 소자에 전원을 공급하는 전원 공급부;를 포함할 수 있다.The temperature control unit may include a plurality of thermoelectric elements disposed under the focus ring, combined with each other, and arranged in a ring shape; And a power supply for supplying power to the plurality of thermoelectric elements.

상기 기판 지지 유닛은 상기 유전판의 아래에 배치되는 지지판;을 포함하고, 상기 복수개의 열전 소자는 상기 지지판 내부에 배치될 수 있다. The substrate support unit may include a support plate disposed under the dielectric plate, and the plurality of thermoelectric elements may be disposed inside the support plate.

상기 기판 지지 유닛은, 상기 열전 소자의 상부에 위치하고, 상기 열전 소자와 상하 방향으로 대향되게 제공되는 열전도성 패드;를 더 포함할 수 있다. The substrate support unit may further include a thermally conductive pad positioned on the thermoelectric element and provided to face the thermoelectric element in a vertical direction.

상기 열전도성 패드는 상기 포커스 링과 상기 지지판 사이에 배치될 수 있다. The thermally conductive pad may be disposed between the focus ring and the support plate.

상기 포커스 링의 저면에는 홈이 형성되고, 상기 열전도성 패드는 상기 홈에 삽입될 수 있다. A groove is formed in the bottom surface of the focus ring, and the thermally conductive pad may be inserted into the groove.

상기 복수개의 열전 소자는 상기 포커스 링이 제공되는 위치의 하부에 대응하여 각각 일정한 간격을 가지고 배치될 수 있다. The plurality of thermoelectric elements may be disposed at regular intervals corresponding to a lower portion of a position where the focus ring is provided.

상기 복수개의 열전 소자는 상기 포커스 링의 하부에 위치하는 상기 열전도성 패드와 상하방향으로 서로 이격되게 배치될 수 있다. The plurality of thermoelectric elements may be disposed to be spaced apart from each other in a vertical direction from the thermally conductive pad disposed under the focus ring.

상기 온도 조절 유닛은, 상기 포커스 링의 온도를 감지하고, 상기 지지판 내에 배치되는 온도 센서;를 더 포함할 수 있다.The temperature control unit may further include a temperature sensor that senses the temperature of the focus ring and is disposed in the support plate.

상기 온도 센서는 상기 포커스 링의 하부에 위치하는 상기 열전도성 패드와 상기 열전 소자 사이에 위치할 수 있다. The temperature sensor may be positioned between the thermally conductive pad positioned under the focus ring and the thermoelectric element.

상기 온도 센서는 상기 복수개의 열전 소자의 개수에 대응하는 개수로 복수 개 제공될 수 있다. A plurality of temperature sensors may be provided in a number corresponding to the number of the plurality of thermoelectric elements.

상기 온도 조절 유닛은 상기 전원 공급부를 제어하는 제어부;를 더 포함할 수 있다. The temperature control unit may further include a control unit for controlling the power supply unit.

상기 제어부는 상기 온도 센서로부터 상기 포커스 링의 현재 온도를 전달받아, 상기 포커스 링의 온도가 미리 설정한 기준 범위보다 높은 경우 상기 열전 소자가 상기 포커스 링을 냉각시키도록 상기 전원 공급부를 제어하고 상기 포커스 링의 온도가 미리 설정한 기준 범위보다 낮은 경우 상기 열전 소자가 상기 포커스 링을 가열시키도록 상기 전원 공급부를 제어할 수 있다.The control unit receives the current temperature of the focus ring from the temperature sensor and controls the power supply so that the thermoelectric element cools the focus ring when the temperature of the focus ring is higher than a preset reference range, and the focus When the temperature of the ring is lower than a preset reference range, the power supply may be controlled so that the thermoelectric element heats the focus ring.

상기 제어부는 상기 포커스 링의 온도가 상기 미리 설정한 기준 범위 내로 측정된 경우 상기 전원 공급부에서 공급하는 전류를 멈추도록 제어할 수 있다. When the temperature of the focus ring is measured within the preset reference range, the control unit may control the current supplied from the power supply to be stopped.

본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 처리 공간을 가지는 공정 챔버 내에서 기판을 감싸는 포커스 링이 제공된 지지 유닛으로 기판을 지지하고, 상기 기판에 대해 소정의 처리를 하는 기판 처리 방법이 개시된다.According to another exemplary embodiment of the present invention, a substrate processing method is disclosed in which a substrate is supported by a support unit provided with a focus ring surrounding a substrate in a process chamber having a processing space, and a predetermined process is performed on the substrate.

상기 기판 처리 방법은, 온도 센서를 통해 상기 포커스 링의 온도를 측정하는 단계; 상기 포커스 링의 온도가 미리 설정한 온도 범위 내를 벗어나는지 여부를 확인하는 단계; 상기 미리 설정한 온도 범위 내를 벗어나는 경우 상기 포커스 링의 하부에 위치한 복수개의 열전 소자에 인가되는 전류의 방향을 조절하여 상기 포커스 링의 온도를 상기 미리 설정한 온도 범위 내로 조절하는 단계;를 포함할 수 있다.The substrate processing method may include measuring a temperature of the focus ring through a temperature sensor; Checking whether the temperature of the focus ring is out of a preset temperature range; And controlling the temperature of the focus ring within the preset temperature range by adjusting a direction of current applied to a plurality of thermoelectric elements located under the focus ring when the temperature is out of the preset temperature range. I can.

상기 포커스 링의 온도를 상기 미리 설정한 온도 범위 내로 조절하는 단계;는, Adjusting the temperature of the focus ring within the preset temperature range;

상기 포커스 링의 온도가 높은 경우 상기 열전 소자가 상기 포커스 링을 냉각시키도록 전류 방향을 조절하는 단계; 및 상기 포커스 링의 온도가 낮은 경우 상기 열전 소자가 상기 포커스 링을 가열시키도록 전류 방향을 조절하는 단계;를 더 포함할 수 있다. Adjusting a current direction so that the thermoelectric element cools the focus ring when the temperature of the focus ring is high; And adjusting a current direction so that the thermoelectric element heats the focus ring when the temperature of the focus ring is low.

상기 포커스 링의 온도가 상기 미리 설정한 온도 범위 내로 측정된 경우 상기 열전 소자에 인가되는 전류를 멈추도록 제어하는 단계;를 더 포함할 수 있다. The method may further include controlling to stop a current applied to the thermoelectric element when the temperature of the focus ring is measured within the preset temperature range.

상기 포커스 링과 상기 열전 소자는 이들 사이에 제공된 열전도성 패드를 통해 열을 주고받을 수 있다. The focus ring and the thermoelectric element may exchange heat through a thermally conductive pad provided therebetween.

상기 포커스 링의 온도를 상기 미리 설정한 온도 범위 내로 조절하는 단계는 Adjusting the temperature of the focus ring within the preset temperature range

상기 복수개의 열전 소자에 대응하는 개수만큼 제공된 복수개의 온도 센서를 통해 상기 포커스 링의 부분별 온도 제어를 수행할 수 있다.Temperature control for each portion of the focus ring may be performed through a plurality of temperature sensors provided as many as the number corresponding to the plurality of thermoelectric elements.

본 발명에 따르면 포커스 링의 온도를 능동적으로 제어할 수 있는 기판 처리 장치가 개시된다. According to the present invention, a substrate processing apparatus capable of actively controlling the temperature of a focus ring is disclosed.

본 발명에 따르면 포커스 링의 부분별로 냉각 또는 가열을 하여 온도 조절을 할 수 있는 기판 처리 장치가 개시된다.According to the present invention, a substrate processing apparatus capable of controlling a temperature by cooling or heating each portion of a focus ring is disclosed.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects that are not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 지지 유닛을 상면에서 바라본 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 지지 유닛의 다른 일 실시예를 상면에서 바라본 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 지지 유닛의 일 예시에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 기판 지지 유닛의 다른 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 6(a) 내지 도 6(b)는 본 발명에 따른 열전 소자의 작동 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 6에 따른 열전 소자의 작동 원리에 따라 포커스 링의 온도를 조절하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
2 is a view as viewed from the top of the substrate support unit according to the present invention.
3 is a view as viewed from the top of another embodiment of the substrate support unit according to the present invention.
4 is a cross-sectional view according to an example of a substrate support unit according to the present invention.
5 is a cross-sectional view of a substrate support unit according to another embodiment of the present invention.
6(a) to 6(b) are diagrams for explaining the principle of operation of the thermoelectric element according to the present invention.
FIG. 7 is a diagram for explaining controlling a temperature of a focus ring according to an operating principle of the thermoelectric element according to FIG. 6.
8 is a flow chart showing a substrate processing method according to the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to embodiments to be described later in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only this embodiment is intended to complete the disclosure of the present invention, and to provide ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to those who have it, and the invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Even if not defined, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by universal technology in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by general dictionaries may be construed as having the same meaning as the related description and/or the text of this application, and not conceptualized or excessively formalized, even if not clearly defined herein. Won't.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terms used in this specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless specifically stated in the phrase. As used in the specification,'includes' and/or various conjugated forms of this verb, for example,'includes','includes','includes','includes', etc. refer to the mentioned composition, ingredient, component, Steps, operations and/or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations and/or elements. In the present specification, the term'and/or' refers to each of the listed components or various combinations thereof.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 나타내는 예시적인 도면이다. 1 is an exemplary view showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 발생 유닛(400), 가열 유닛(500)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 processes a substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a substrate support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma generating unit 400, and a heating unit 500.

챔버(100)는 내부에 공간(101)이 형성된다. 내부 공간(101)은 기판(W)에 대한 플라즈마 공정 처리를 수행하는 공간으로 제공된다. 기판(W)에 대한 플라즈마 처리는 식각 공정을 포함한다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(121)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(121)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부 공간(101)은 소정 압력으로 감압된다.The chamber 100 has a space 101 formed therein. The inner space 101 is provided as a space for performing plasma processing on the substrate W. Plasma treatment on the substrate W includes an etching process. An exhaust hole 102 is formed on the bottom surface of the chamber 100. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 121. The reaction by-products generated in the process and the gas remaining in the chamber 100 may be discharged to the outside through the exhaust line 121. The internal space 101 of the chamber 100 is depressurized to a predetermined pressure by the exhaust process.

챔버(100)의 내부에는 기판 지지 유닛(200)이 위치한다. 기판 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착 고정하는 정전 척을 포함한다. 기판 지지 유닛(200)은 유전판(210), 하부 전극(220), 히터(230), 지지판(240), 및 절연판(270)을 포함한다.A substrate support unit 200 is located inside the chamber 100. The substrate support unit 200 supports the substrate W. The substrate support unit 200 includes an electrostatic chuck for adsorbing and fixing the substrate W using electrostatic force. The substrate support unit 200 includes a dielectric plate 210, a lower electrode 220, a heater 230, a support plate 240, and an insulating plate 270.

유전판(210)은 기판 지지 유닛(200)의 상단부에 위치한다. 유전판(210)은 원판 형상의 유전체로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(210)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(210)의 외측에 위치한다. 유전판(210)에는 제1 공급 유로(211)가 형성된다. 제1 공급 유로(211)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1 공급 유로(211)는 서로 이격하여 복수 개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다. 유전판(210)에는, 기판(W)을 유전판(210)에 흡착시키기 위한 별도의 전극이 매설될 수 있다. 상기 전극에는 직류 전류가 인가될 수 있다. 인가된 전류에 의해 상기 전극과 기판 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(210)에 흡착될 수 있다.The dielectric plate 210 is located at the upper end of the substrate support unit 200. The dielectric plate 210 is provided with a disk-shaped dielectric. A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 210. The upper surface of the dielectric plate 210 has a radius smaller than that of the substrate W. Therefore, the edge region of the substrate W is located outside the dielectric plate 210. A first supply passage 211 is formed in the dielectric plate 210. The first supply flow path 211 is provided from the top surface to the bottom surface of the dielectric plate 210. A plurality of first supply passages 211 are formed to be spaced apart from each other, and are provided as passages through which a heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W. A separate electrode for adsorbing the substrate W to the dielectric plate 210 may be embedded in the dielectric plate 210. Direct current may be applied to the electrode. An electrostatic force acts between the electrode and the substrate by the applied current, and the substrate W may be adsorbed to the dielectric plate 210 by the electrostatic force.

하부 전극(220)은 하부 전력 공급부(221)와 연결된다. 하부 전력 공급부(221)는 하부 전극(220)에 전력을 인가한다. 하부 전력 공급부(221)는 하부 RF 전원(222)과 하부 임피던스 정합부(225)를 포함한다. 하부 RF 전원(222)은 복수 개 제공될 수 있으며, 또는 선택적으로 1개만 제공될 수도 있다. 하부 RF 전원(222)은 주로 이온 충격 에너지(Ion Bombardment Energy)를 조절한다. 하부 RF 전원(222)은 일 예시에 따르면 13.56MHz의 주파수 전력을 발생시킬 수 있다. 하부 임피던스 정합부(225)는 하부 RF 전원(222)과 전기적으로 연결되며, 상이한 크기의 주파수 전력들을 매칭하여 하부 전극(220)에 인가한다.The lower electrode 220 is connected to the lower power supply unit 221. The lower power supply 221 applies power to the lower electrode 220. The lower power supply unit 221 includes a lower RF power supply 222 and a lower impedance matching unit 225. A plurality of lower RF power sources 222 may be provided, or only one may be selectively provided. The lower RF power source 222 mainly controls ion bombardment energy. According to an example, the lower RF power supply 222 may generate a frequency power of 13.56 MHz. The lower impedance matching unit 225 is electrically connected to the lower RF power supply 222, matches frequency powers of different sizes, and applies them to the lower electrode 220.

히터(230)는 외부 전원(미도시)과 전기적으로 연결된다. 히터(230)는 외부 전원으로부터 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(210)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(230)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(230)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 히터(230)는 균일한 간격으로 유전판(210)에 매설될 수 있다.The heater 230 is electrically connected to an external power source (not shown). The heater 230 generates heat by resisting a current applied from an external power source. The generated heat is transferred to the substrate W through the dielectric plate 210. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated by the heater 230. The heater 230 includes a spiral-shaped coil. The heater 230 may be buried in the dielectric plate 210 at uniform intervals.

유전판(210)의 하부에는 지지판(240)이 위치한다. 유전판(210)의 저면과 지지판(240)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(240)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(240)의 상면은 중심 영역이 가장자리영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(240)의 상면 중심 영역은 유전판(210)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(210)의 저면과 접착된다. 지지판(240)에는 제1순환 유로(241), 제2순환 유로(242), 그리고 제2공급 유로(243)가 형성된다. 지지판(240)에는 온도 센서와 열전 소자가 형성될 수 있다. 온도 센서와 열전 소자에 대한 구체적인 구성은 후술한다. A support plate 240 is positioned under the dielectric plate 210. The lower surface of the dielectric plate 210 and the upper surface of the support plate 240 may be bonded by an adhesive 236. The support plate 240 may be made of aluminum. The upper surface of the support plate 240 may be stepped so that the center region is positioned higher than the edge region. The center region of the upper surface of the support plate 240 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 210 and is bonded to the bottom surface of the dielectric plate 210. A first circulation passage 241, a second circulation passage 242, and a second supply passage 243 are formed in the support plate 240. A temperature sensor and a thermoelectric element may be formed on the support plate 240. Specific configurations of the temperature sensor and the thermoelectric element will be described later.

제1순환 유로(241)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1순환 유로(241)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1순환 유로(241)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1순환 유로(241)들은 서로 연통될 수 있다. 제1순환 유로(241)들은 동일한 높이에 형성된다.The first circulation passage 241 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation flow path 241 may be formed in a spiral shape inside the support plate 240. Alternatively, the first circulation flow path 241 may be arranged such that ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 241 may communicate with each other. The first circulation passages 241 are formed at the same height.

제2순환 유로(242)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2순환 유로(242)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2순환 유로(242)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2순환 유로(242)들은 서로 연통될 수 있다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2순환 유로(242)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation passage 242 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation passage 242 may be formed in a spiral shape inside the support plate 240. Alternatively, the second circulation passage 242 may be arranged such that ring-shaped passages having different radii from each other have the same center. Each of the second circulation passages 242 may communicate with each other. The second circulation passage 242 may have a larger cross-sectional area than the first circulation passage 241. The second circulation passages 242 are formed at the same height. The second circulation passage 242 may be located below the first circulation passage 241.

제2공급 유로(243)는 제1순환 유로(241)로부터 상부로 연장되며, 지지판(240)의 상면으로 제공된다. 제2공급 유로(243)는 제1공급 유로(211)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1순환 유로(241)와 제1공급 유로(211)를 연결한다.The second supply passage 243 extends upward from the first circulation passage 241 and is provided as an upper surface of the support plate 240. The second supply passage 243 is provided in a number corresponding to the first supply passage 211 and connects the first circulation passage 241 and the first supply passage 211.

제1순환 유로(241)는 열전달 매체 공급라인(251)을 통해 열전달 매체 저장부(252)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(252)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(251)을 통해 제1순환 유로(241)에 공급되며, 제2공급 유로(243)와 제1공급 유로(211)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 기판 지지 유닛(200)로 전달되는 매개체 역할을 한다. 플라즈마에 함유된 이온 입자들은 기판 지지 유닛(200)에 형성된 전기력에 끌려 기판 지지 유닛(200)로 이동하며, 이동하는 과정에서 기판(W)과 충돌하여 식각 공정을 수행한다. 이온 입자들이 기판(W)에 충돌하는 과정에서 기판(W)에는 열이 발생한다. 기판(W)에서 발생된 열은 기판(W) 저면과 유전판(210)의 상면 사이 공간에 공급된 헬륨 가스를 통해 기판 지지 유닛(200)로 전달된다. 이에 의해, 기판(W)은 설정 온도로 유지될 수 있다.The first circulation passage 241 is connected to the heat transfer medium storage unit 252 through a heat transfer medium supply line 251. The heat transfer medium storage unit 252 stores a heat transfer medium. The heat transfer medium contains an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium includes helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation flow path 241 through the supply line 251, and is supplied to the bottom of the substrate W through the second supply flow path 243 and the first supply flow path 211 in sequence. The helium gas serves as a medium through which heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the substrate support unit 200. Ion particles contained in the plasma are attracted by the electric force formed in the substrate support unit 200 and move to the substrate support unit 200, and in the process of moving, they collide with the substrate W to perform an etching process. Heat is generated in the substrate W while the ion particles collide with the substrate W. Heat generated from the substrate W is transferred to the substrate support unit 200 through helium gas supplied to the space between the bottom surface of the substrate W and the upper surface of the dielectric plate 210. Accordingly, the substrate W can be maintained at a set temperature.

제2순환 유로(242)는 냉각 유체 공급라인(261)을 통해 냉각 유체 저장부(262)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(262)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(262) 내에는 냉각기(263)가 제공될 수 있다. 냉각기(263)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(263)는 냉각 유체 공급 라인(261) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(261)을 통해 제2순환 유로(242)에 공급된 냉각 유체는 제2순환 유로(242)를 따라 순환하며 지지판(240)을 냉각한다. 지지판(240)의 냉각은 유전판(210)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. The second circulation passage 242 is connected to the cooling fluid storage unit 262 through a cooling fluid supply line 261. The cooling fluid storage unit 262 stores the cooling fluid. A cooler 263 may be provided in the cooling fluid storage unit 262. The cooler 263 cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 263 may be installed on the cooling fluid supply line 261. The cooling fluid supplied to the second circulation passage 242 through the cooling fluid supply line 261 circulates along the second circulation passage 242 to cool the support plate 240. Cooling of the support plate 240 cools the dielectric plate 210 and the substrate W together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

지지판(240)의 하부에는 절연판(270)이 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)에 상응하는 크기로 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)과 챔버(100)의 바닥면 사이에 위치한다. 절연판(270)은 절연 재질로 제공되며, 지지판(240)과 챔버(100)를 전기적으로 절연시킨다.An insulating plate 270 is provided under the support plate 240. The insulating plate 270 is provided in a size corresponding to the support plate 240. The insulating plate 270 is positioned between the support plate 240 and the bottom surface of the chamber 100. The insulating plate 270 is made of an insulating material, and electrically insulates the support plate 240 and the chamber 100.

포커스 링(280)은 기판 지지 유닛(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(200)은 링 형상을 가지며, 유전판(210)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(280)의 상면은 외측부(280a)가 내측부(280b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리영역을 지지한다. 포커스 링(280)의 외측부(280a)는 기판(W) 가장자리영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(280)은 플라즈마가 형성되는 영역의 중심에 기판(W)이 위치하도록 전기장 형성 영역을 확장시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다. 포커스 링의 하부에는 열전도성 패드가 위치할 수 있다. 이와 관련된 설명은 후술한다. The focus ring 280 is disposed in the edge region of the substrate support unit 200. The focus ring 200 has a ring shape and is disposed along the circumference of the dielectric plate 210. The upper surface of the focus ring 280 may be stepped so that the outer portion 280a is higher than the inner portion 280b. The inner upper surface 280b of the focus ring 280 is positioned at the same height as the upper surface of the dielectric plate 210. The inner portion 280b of the upper surface of the focus ring 280 supports the edge region of the substrate W positioned outside the dielectric plate 210. The outer portion 280a of the focus ring 280 is provided to surround the edge region of the substrate W. The focus ring 280 expands the electric field formation region so that the substrate W is located at the center of the plasma region. Accordingly, plasma is uniformly formed over the entire area of the substrate W, so that each area of the substrate W can be uniformly etched. A thermally conductive pad may be positioned under the focus ring. A description related to this will be described later.

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100)에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 유입 포트(330)를 포함한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)와 가스 유입 포트(330)를 연결하며, 가스 저장부(310)에 저장된 공정 가스를 가스 유입 포트(330)에 공급한다. 가스 유입 포트(330)는 상부 전극(410)에 형성된 가스 공급홀(412)들과 연결된다.The gas supply unit 300 supplies process gas to the chamber 100. The gas supply unit 300 includes a gas storage unit 310, a gas supply line 320, and a gas inlet port 330. The gas supply line 320 connects the gas storage unit 310 and the gas inlet port 330, and supplies the process gas stored in the gas storage unit 310 to the gas inlet port 330. The gas inlet port 330 is connected to the gas supply holes 412 formed in the upper electrode 410.

플라즈마 발생 유닛(400)은 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시킨다. 플라즈마 발생 유닛(400)은 상부 전극(410), 분배판(420), 및 상부 전력 공급부를 포함한다.The plasma generation unit 400 excites the process gas remaining in the chamber 100. The plasma generating unit 400 includes an upper electrode 410, a distribution plate 420, and an upper power supply.

상부 전극(410)은 원판 형상으로 제공되며, 기판 지지 유닛(200) 상부에 위치한다. 상부 전극(410)은 상부판(410a)과 하부판(410b)를 포함한다. 상부판(410a)은 원판 형상으로 제공된다. 상부판(410a)은 상부 RF 전원(441)과 전기적으로 연결된다. 상부판(410a)은 상부 RF 전원(441)에서 발생된 제1 RF 전력을 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스에 인가하여 공정 가스를 여기시킨다. 공정 가스는 여기되어 플라즈마 상태로 변환된다. 상부판(410a)의 저면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치하도록 단차진다. 상부판(410a)의 중심 영역에는 가스 공급홀(412)들이 형성된다. 가스 공급홀(412)들은 가스 유입 포트(330)와 연결되며, 버퍼 공간(414)으로 공정 가스를 공급한다. 상부판(410a)의 내부에는 냉각 유로(411)가 형성될 수 있다. 냉각 유로(411)는 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 냉각 유로(411)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 냉각 유로(411)는 냉각 유체 공급 라인(431)을 통해 냉각 유체 저장부(432)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(432)는 냉각 유체를 저장한다. 냉각 유체 저장부(432)에 저장된 냉각 유체는 냉각 유체 공급 라인(431)을 통해 냉각 유로(411)에 공급된다. 냉각 유체는 냉각 유로(411)를 순환하며, 상부판(410a)을 냉각시킨다.The upper electrode 410 is provided in the shape of a disk and is positioned above the substrate support unit 200. The upper electrode 410 includes an upper plate 410a and a lower plate 410b. The upper plate 410a is provided in a disk shape. The upper plate 410a is electrically connected to the upper RF power source 441. The upper plate 410a excites the process gas by applying the first RF power generated from the upper RF power source 441 to the process gas remaining in the chamber 100. The process gas is excited and converted into a plasma state. The bottom surface of the upper plate 410a is stepped so that the center region is higher than the edge region. Gas supply holes 412 are formed in the center region of the upper plate 410a. The gas supply holes 412 are connected to the gas inlet port 330 and supply process gas to the buffer space 414. A cooling passage 411 may be formed inside the upper plate 410a. The cooling passage 411 may be formed in a spiral shape. Alternatively, the cooling passage 411 may be arranged so that ring-shaped passages having different radii from each other have the same center. The cooling flow path 411 is connected to the cooling fluid storage unit 432 through a cooling fluid supply line 431. The cooling fluid storage unit 432 stores cooling fluid. The cooling fluid stored in the cooling fluid storage unit 432 is supplied to the cooling flow path 411 through the cooling fluid supply line 431. The cooling fluid circulates through the cooling flow path 411 and cools the upper plate 410a.

하부판(410b)은 상부판(410a)의 하부에 위치한다. 하부판(410b)은 상부판(410a)에 상응하는 크기로 제공되며, 상부판(410a)과 마주하여 위치한다. 하부판(410b)의 상면은 중심영역이 가장자리영역보다 낮게 위치하도록 단차진다. 하부판(410b)의 상면과 상부판(410a)의 저면은 서로 조합되어 버퍼공간(414)을 형성한다. 버퍼 공간(414)은 가스 공급홀(412)들을 통해 공급된 가스가 챔버(100) 내부로 공급되기 전에 일시적으로 머무르는 공간으로 제공된다. 하부판(410b)의 중심영역에는 가스 공급홀(413)들이 형성된다. 가스 공급홀(413)들은 일정 간격으로 이격되어 복수개 형성된다. 가스 공급홀(413)들은 버퍼 공간(414)과 연결된다.The lower plate 410b is located under the upper plate 410a. The lower plate 410b is provided in a size corresponding to the upper plate 410a, and is positioned to face the upper plate 410a. The upper surface of the lower plate 410b is stepped so that the center region is positioned lower than the edge region. The upper surface of the lower plate 410b and the lower surface of the upper plate 410a are combined with each other to form a buffer space 414. The buffer space 414 is provided as a space where the gas supplied through the gas supply holes 412 temporarily stays before being supplied into the chamber 100. Gas supply holes 413 are formed in the central region of the lower plate 410b. A plurality of gas supply holes 413 are formed at a predetermined interval. The gas supply holes 413 are connected to the buffer space 414.

분배판(420)은 하부판(410b)의 하부에 위치한다. 분배판(420)은 원판 형상으로 제공된다. 분배판(420)에는 분배홀(421)들이 형성된다. 분배홀(421)들은 분배판(420)의 상면으로부터 하면으로 제공된다. 분배홀(421)들은 가스 공급홀(413)에 대응하는 개수로 제공되며, 가스 공급홀(413)들이 위치된 지점에 대응하여 위치된다. 버퍼 공간(414)에 머무르는 공정 가스는 가스 공급홀(413)과 분배홀(421)들을 통해 챔버(100) 내부로 균일하게 공급된다.The distribution plate 420 is located under the lower plate 410b. The distribution plate 420 is provided in a disk shape. Distribution holes 421 are formed in the distribution plate 420. The distribution holes 421 are provided from the top to the bottom of the distribution plate 420. The distribution holes 421 are provided in a number corresponding to the gas supply holes 413 and are located corresponding to the points where the gas supply holes 413 are located. The process gas remaining in the buffer space 414 is uniformly supplied into the chamber 100 through the gas supply holes 413 and the distribution holes 421.

상부 전력 공급부는 상부판(410a)에 RF 전력을 인가한다. 상부 전력 공급부(440)는 상부 RF 전원(441) 및 상부 임피던스 정합부(442)를 포함한다.The upper power supply unit applies RF power to the upper plate 410a. The upper power supply unit 440 includes an upper RF power source 441 and an upper impedance matching unit 442.

가열 유닛(500)은 하부판(410b)을 가열한다. 가열 유닛(500)은 히터(510), 제2상부 전원(520), 그리고 필터(530)를 포함한다. 히터(510)는 하부판(410b)의 내부에 설치된다. 히터(510)는 하부판(410b)의 가장자리영역에 제공될 수 있다. 히터(510)는 히팅 코일을 포함하며, 하부판(410b)의 중심영역을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 제2상부 전원(520)은 히터(510)와 전기적으로 연결된다. 제2상부 전원(520)은 직류 전력을 발생시킬 수 있다. 또는, 제2상부 전원(520)은 교류 전력을 발생시킬 수 있다. 제2상부 전원(520)에서 발생된 제2주파수 전력은 히터(510)에 인가되며, 히터(510)는 인가된 전류에 저항함으로써 발열한다. 히터(510)에서 발생된 열은 하부판(410b)을 가열하며, 가열된 하부판(410b)은 그 아래에 위치된 분배판(420)를 소정 온도로 가열한다. 하부판(420)은 60℃~300℃ 온도로 가열될 수 있다. 필터(530)는 제2상부 전원(520)과 히터(510) 사이 구간에서 제2상부 전원(520) 및 히터(510)와 전기적으로 연결된다.The heating unit 500 heats the lower plate 410b. The heating unit 500 includes a heater 510, a second upper power source 520, and a filter 530. The heater 510 is installed inside the lower plate 410b. The heater 510 may be provided in an edge region of the lower plate 410b. The heater 510 may include a heating coil, and may be provided to surround the central region of the lower plate 410b. The second upper power source 520 is electrically connected to the heater 510. The second upper power source 520 may generate DC power. Alternatively, the second upper power source 520 may generate AC power. The second frequency power generated from the second upper power source 520 is applied to the heater 510, and the heater 510 generates heat by resisting the applied current. The heat generated by the heater 510 heats the lower plate 410b, and the heated lower plate 410b heats the distribution plate 420 positioned below it to a predetermined temperature. The lower plate 420 may be heated to a temperature of 60°C to 300°C. The filter 530 is electrically connected to the second upper power 520 and the heater 510 in a section between the second upper power 520 and the heater 510.

이하에서는, 온도 조절 유닛을 포함하는 기판 지지 유닛(200)을 개시한다. Hereinafter, a substrate support unit 200 including a temperature control unit is disclosed.

도 2는 본 발명에 따른 기판 지지 유닛(200)을 상면에서 바라본 도면이다. 2 is a view as viewed from the top of the substrate support unit 200 according to the present invention.

도 2에 따르면 기판 지지 유닛(200)을 둘러싸는 포커스 링(280)의 위치에 대응하게 배치된 복수 개의 열전 소자(245)가 개시된다. 도 2 내지 도 3에서는 설명의 편의를 위해 포커스 링(280)을 제거한 상태의 기판 지지 유닛(200)의 상면도를 도시한다. 실제 실시 예에 따르면 열전 소자(245)는 지지판의 내부에 위치하기 때문에 포커스 링(280)이 제거된 상태의 상면도라 하더라도 실제로 보이지는 아니할 것이나, 이는 열전 소자(245)의 배치 구성을 설명하기 위하여 배치 구조가 보이는 것으로 도시한다. Referring to FIG. 2, a plurality of thermoelectric elements 245 disposed to correspond to positions of a focus ring 280 surrounding the substrate support unit 200 are disclosed. 2 to 3 illustrate top views of the substrate support unit 200 with the focus ring 280 removed for convenience of description. According to an actual embodiment, since the thermoelectric element 245 is located inside the support plate, even if it is a top view in which the focus ring 280 is removed, it will not be actually visible, but this is to explain the arrangement of the thermoelectric element 245 The arrangement structure is shown as visible.

도 2에 따르면, 본 발명에 따른 온도 조절 유닛은 복수개의 열전 소자(245)와 전원 공급부(246), 온도 센서(244) 및 제어부(247)를 포함할 수 있다. 복수개의 열전 소자(245)는 포커스 링(280)의 하부에 배치될 수 있다. 복수개의 열전 소자(245)는 서로 조합되어 링 형상으로 배열될 수 있다. 복수개의 열전 소자(245)는 서로 조합되어 포커스 링(280)의 형상으로 배열될 수 있다. 복수 개의 열전 소자(245)는 서로 일정한 간격만큼 이격 되어 배치될 수 있다. 복수 개의 열전 소자(245)는 포커스 링(280)의 하부면에 촘촘하게 배치됨으로써 열전 소자(245)와 인접하는 포커스 링(280)의 부분의 온도를 조절할 수 있다. 복수 개의 열전 소자(245)는 포커스 링(280)과 대응하는 영역의 하부에 배치됨으로써 열전 소자(245)와 대응하는 부분의 포커스 링(280)의 온도를 조절할 수 있다. Referring to FIG. 2, the temperature control unit according to the present invention may include a plurality of thermoelectric elements 245, a power supply unit 246, a temperature sensor 244, and a control unit 247. The plurality of thermoelectric elements 245 may be disposed under the focus ring 280. The plurality of thermoelectric elements 245 may be combined with each other and arranged in a ring shape. The plurality of thermoelectric elements 245 may be combined with each other to be arranged in the shape of the focus ring 280. The plurality of thermoelectric elements 245 may be disposed to be spaced apart from each other by a predetermined interval. The plurality of thermoelectric elements 245 are densely disposed on the lower surface of the focus ring 280, so that the temperature of a portion of the focus ring 280 adjacent to the thermoelectric element 245 can be adjusted. The plurality of thermoelectric elements 245 are disposed under a region corresponding to the focus ring 280, so that the temperature of the focus ring 280 at a portion corresponding to the thermoelectric element 245 may be adjusted.

도 2에 따른 복수개의 열전 소자(245)의 배치 구성은 일 예시이며, 열전 소자(245)의 개수는 도 2에 도시된 예보다 많을 수도 있으며, 더 적을 수도 있다. The arrangement configuration of the plurality of thermoelectric elements 245 according to FIG. 2 is an example, and the number of thermoelectric elements 245 may be larger or smaller than the example illustrated in FIG. 2.

온도 조절 유닛은 온도 센서(244)를 포함할 수 있다. 온도 센서(244)는 포커스 링(280)의 온도를 측정하여, 제어부(247)에 전달할 수 있다. 도 2에 따르면 온도 센서(244)는 하나로 제공되어 포커스 링(280)의 어느 한 부분에서의 온도를 측정할 수 있다. 온도 센서(244)의 구체적인 배치 구조는 후술한다. The temperature control unit may include a temperature sensor 244. The temperature sensor 244 may measure the temperature of the focus ring 280 and transmit it to the controller 247. According to FIG. 2, the temperature sensor 244 may be provided as one to measure the temperature at any part of the focus ring 280. The specific arrangement structure of the temperature sensor 244 will be described later.

온도 조절 유닛은 전원 공급부(246)를 포함할 수 있다. 전원 공급부(246)는 복수개의 열전 소자(245)와 연결되어, 복수개의 열전 소자(245)에 전원을 공급할 수 있다. 전원 공급부(246)는 DC 전원을 포함할 수 있다. 전원 공급부(246)는 열전 소자(245)에 전류를 인가할 수 있다. 전원 공급부(246)는 열전 소자(245)에 전류를 제1 방향으로 인가할 수 있다. 전원 공급부(246)는 열전 소자(245)에 전류를 제2 방향으로 인가할 수 있다. 전원 공급부(246)는 열전 소자(245)에 전류를 제1 방향으로 인가함으로써 열전 소자(245)와 대응하게 위치되는 포커스 링(280) 부분을 냉각시킬 수 있다. 전원 공급부(246)는 열전 소자(245)에 전류를 제2 방향으로 인가함으로써 열전 소자(245)와 대응하게 위치되는 포커스 링(280) 부분을 가열시킬 수 있다. 도 2에 따르면 전원 공급부(246)는 복수개의 열전 소자(245) 중 어느 하나와 연결되어 어느 하나에 전류를 인가할 수 있다. The temperature control unit may include a power supply unit 246. The power supply unit 246 is connected to the plurality of thermoelectric elements 245 and may supply power to the plurality of thermoelectric elements 245. The power supply 246 may include DC power. The power supply unit 246 may apply current to the thermoelectric element 245. The power supply 246 may apply current to the thermoelectric element 245 in the first direction. The power supply 246 may apply current to the thermoelectric element 245 in the second direction. The power supply unit 246 may cool a portion of the focus ring 280 positioned corresponding to the thermoelectric element 245 by applying current to the thermoelectric element 245 in the first direction. The power supply unit 246 may heat a portion of the focus ring 280 positioned corresponding to the thermoelectric element 245 by applying a current to the thermoelectric element 245 in the second direction. According to FIG. 2, the power supply unit 246 may be connected to any one of the plurality of thermoelectric elements 245 to apply current to any one.

온도 조절 유닛은 제어부(247)를 포함할 수 있다. 제어부(247)는 온도 센서(244)로부터 전달받은 포커스 링(280)의 온도 정보를 이용하여, 열전 소자(245)에 인가하는 전류의 크기 및 방향을 조절할 수 있다. 제어부(247)는 온도 센서(244)로부터 전달받은 포커스 링(280)의 온도를 미리 설정된 포커스 링(280)의 온도 범위와 비교할 수 있다. 비교 결과 온도 센서(244)를 통해 측정한 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정한 범위를 벗어나는 경우에는, 열전 소자(245)에 인가하는 전류의 크기 및 방향을 조절하여 포커스 링(280)을 냉각 또는 가열시키도록 하여 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정한 범위 내로 되도록 제어할 수 있다. 미리 설정한 범위란 포커스 링(280)의 안정한 온도를 의미한다. 미리 설정한 범위는 어떠한 상수 값일 수도 있고, 범위를 가지는 구간일 수도 있다. The temperature control unit may include a control unit 247. The controller 247 may adjust the magnitude and direction of the current applied to the thermoelectric element 245 by using temperature information of the focus ring 280 received from the temperature sensor 244. The controller 247 may compare the temperature of the focus ring 280 received from the temperature sensor 244 with a preset temperature range of the focus ring 280. As a result of the comparison, when the temperature of the focus ring 280 measured through the temperature sensor 244 is out of the preset range, the focus ring 280 is adjusted by adjusting the magnitude and direction of the current applied to the thermoelectric element 245. By cooling or heating, the temperature of the focus ring 280 may be controlled to fall within a preset range. The preset range means a stable temperature of the focus ring 280. The preset range may be any constant value or a section having a range.

도 2의 실시예에 따르면, 온도 센서(244)는 포커스 링(280)의 전체적인 온도를 측정하여 이를 제어부(247)에 전달하고, 제어부(247)에서는 포커스 링(280)의 전체적인 온도가 미리 설정된 안정한 범위 내에 포함되는지 여부를 먼저 판단한다. 포커스 링(280)의 전체적인 온도가 미리 설정된 안정한 범위 내에 포함되는 경우에는, 열전 소자(245)에 전류를 인가하지 않도록 제어한다. 포커스 링(280)의 전체적인 온도가 미리 설정된 안정한 범위를 벗어나는 경우에는 열전 소자(245)에 전류를 인가하여 포커스 링(280)을 냉각 또는 가열 시킨다. 도 2에 따르면 전원 공급부(246)는 복수개의 열전 소자(245) 중 어느 하나에만 전류를 인가하더라도, 열전 소자(245)끼리는 전기적으로 연결되어 있으므로 포커스 링(280)의 온도를 조절할 수 있다. According to the embodiment of FIG. 2, the temperature sensor 244 measures the overall temperature of the focus ring 280 and transmits it to the controller 247, and the controller 247 sets the overall temperature of the focus ring 280 in advance. Whether it is within a stable range is determined first. When the overall temperature of the focus ring 280 is within a preset stable range, the thermoelectric element 245 is controlled not to apply current. When the overall temperature of the focus ring 280 is out of the preset stable range, current is applied to the thermoelectric element 245 to cool or heat the focus ring 280. According to FIG. 2, even if the power supply unit 246 applies current to only one of the plurality of thermoelectric elements 245, the thermoelectric elements 245 are electrically connected to each other, so that the temperature of the focus ring 280 can be adjusted.

도 3은 본 발명에 따른 기판 지지 유닛(200)의 다른 일 실시예를 상면에서 바라본 도면이다. 3 is a view as viewed from the top of another embodiment of the substrate support unit 200 according to the present invention.

도 3의 실시 예와 도 2의 실시예에서의 구성 요소는 동일하다. 도 3의 실시 예와 도 2의 일 실시 예가 다른 부분은, 도 3에서는 복수개의 열전 소자(245)의 배치 위치 부근에 온도 센서(244)가 복수 개로 각각 제공되며, 전원 공급부(246) 역시 복수개의 열전 소자(245)에 각각 전원을 공급할 수 있도록 구성되는 점이 차이가 있다.Components in the embodiment of FIG. 3 and the embodiment of FIG. 2 are the same. The difference between the embodiment of FIG. 3 and the embodiment of FIG. 2 is that in FIG. 3, a plurality of temperature sensors 244 are provided in the vicinity of an arrangement position of a plurality of thermoelectric elements 245, respectively, and a plurality of power supply units 246 are also provided. There is a difference in that it is configured to supply power to each of the thermoelectric elements 245.

도 3에 도시된 바에 따르면 온도 센서(244)가 마치 열전 소자(245)에 연결된 것처럼 보이나, 도 3에 도시된 바는 온도 센서(244)의 배치 위치를 대략적으로 설명하기 위한 것에 불과하고 온도 센서(244)는 실질적으로 열전 소자(245)에 연결된 것은 아니며, 포커스 링(280)과 인접하게 위치하여 포커스 링(280)의 온도를 측정할 수 있다. 온도 센서(244)의 자세한 배치 구성에 대해서는 도 4 내지 도 5에서 후술한다. As shown in FIG. 3, the temperature sensor 244 appears to be connected to the thermoelectric element 245, but the bar shown in FIG. 3 is only for explaining the arrangement position of the temperature sensor 244, and the temperature sensor The 244 is not substantially connected to the thermoelectric element 245, and is positioned adjacent to the focus ring 280 to measure the temperature of the focus ring 280. A detailed arrangement configuration of the temperature sensor 244 will be described later with reference to FIGS. 4 to 5.

도 3에 도시된 실시 예에 따르면 복수개의 온도 센서(244)는 각각의 열전 소자(245)의 배치 위치 부근에 위치되어, 포커스 링(280)의 온도를 부분별로 측정할 수 있다. 복수개의 온도 센서(244)는 복수개의 열전 소자(245)의 개수에 대응하는 개수로 제공될 수 있다. 열전 소자(245)는 복수 개로 제공되어, 포커스 링(280)의 각 부분 별 온도 제어를 수행할 수 있다. 제어부(247)는 복수개의 온도 센서(244)로부터의 포커스 링(280)의 온도 측정 결과를 바탕으로 하여 어떠한 부분에서의 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정된 범위를 벗어나는지 여부를 판단할 수 있다. 제어부(247)는 복수개의 온도 센서(244)로부터의 포커스 링(280)의 온도 측정 결과를 바탕으로 하여 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정된 범위를 벗어나는 결과가 나타나는 온도 센서(244)와 가깝게 배치된 열전 소자(245)에 전류를 인가하여 포커스 링(280)을 냉각 또는 가열할 수 있다. According to the embodiment illustrated in FIG. 3, the plurality of temperature sensors 244 are located near the arrangement positions of each of the thermoelectric elements 245 to measure the temperature of the focus ring 280 for each part. The plurality of temperature sensors 244 may be provided in a number corresponding to the number of the plurality of thermoelectric elements 245. The thermoelectric element 245 may be provided in plural, and temperature control for each portion of the focus ring 280 may be performed. The control unit 247 may determine whether the temperature of the focus ring 280 is out of a preset range based on the temperature measurement results of the focus ring 280 from the plurality of temperature sensors 244. have. Based on the temperature measurement results of the focus ring 280 from the plurality of temperature sensors 244, the control unit 247 is close to the temperature sensor 244 in which a result of the temperature of the focus ring 280 is out of a preset range. The focus ring 280 may be cooled or heated by applying a current to the arranged thermoelectric element 245.

도 3에 도시된 실시 예에 따르면, 복수개의 온도 센서(244)를 통해 포커스 링(280)의 온도를 부분별로 측정함으로써 원하는 부분의 포커스 링(280)의 온도를 자유롭게 조절할 수 있는 효과가 있다. According to the embodiment illustrated in FIG. 3, by measuring the temperature of the focus ring 280 for each part through a plurality of temperature sensors 244, there is an effect that the temperature of the focus ring 280 of a desired part can be freely adjusted.

도 4는 본 발명에 따른 기판 지지 유닛(200)의 일 예시에 따른 단면도이다. 4 is a cross-sectional view according to an example of the substrate support unit 200 according to the present invention.

도 4에 따르면, 포커스 링(280)의 하부 면에는 열전도성 패드(281)가 배치될 수 있다. 열전도성 패드(281)는 포커스 링(280)의 하부에 위치할 수 있다. 열전도성 패드(281)는 열전 소자(245)의 상부에 위치할 수 있다. 열전도성 패드(281)는 열전 소자(245)의 상부에 위치하고, 포커스 링(280)의 하부에 위치함으로써 열전 소자(245)로부터 방출 또는 흡수되는 열을 포커스 링(280)에 전달할 수 있다. 열전도성 패드(281)는 열전 소자(245)와 상하 방향으로 대향되게 제공될 수 있다. 열전도성 패드(281)는 포커스 링(280)의 저면에 형성된 홈에 삽입되어 제공될 수 있다. 열전도성 패드(281)는 포커스 링(280)의 저면에 형성된 홈에 대응되는 크기로 제공될 수 있다. 일 예시에 따르면, 열전도성 패드(281)는 포커스 링(280)의 저면에 설치된 홈에 대응되는 크기로 설정되어, 열전도성 패드(281)의 하부에 위치한 열전 소자(245)로부터 전달되는 열을 포커스 링(280)으로 유연하게 전달하는 역할을 수행할 수 있다. 열전도성 패드(281)는 열전 소자(245)의 개수에 대응하는 개수로 제공될 수 있다. 열전도성 패드(281)는 열전 소자(245)의 개수에 대응하는 개수로 포커스 링(280)의 하부에 제공되어, 포커스 링(280)으로 열전 소자(245)의 열을 전달하는 매개체로써 제공될 수 있다. 일 예시에 따르면, 열전도성 패드(281)의 배치 구조와 열전 소자(245)의 배치 구조는 동일할 수 있다. 일 예시에 따르면, 열전도성 패드(281)의 위치와 대응하는 위치에 상하 방향으로 일정 간격을 가지고 열전 소자(245)가 배치될 수 있다. 열전 소자(245)는 열전도성 패드(281)와 대응하는 위치에 배치됨으로써 열의 효율적인 전달이 가능한 효과가 있다. 4, a thermally conductive pad 281 may be disposed on the lower surface of the focus ring 280. The thermally conductive pad 281 may be positioned under the focus ring 280. The thermally conductive pad 281 may be positioned on the thermoelectric element 245. The thermally conductive pad 281 is positioned above the thermoelectric element 245 and positioned below the focus ring 280 to transfer heat emitted or absorbed from the thermoelectric element 245 to the focus ring 280. The thermally conductive pad 281 may be provided to face the thermoelectric element 245 in the vertical direction. The thermally conductive pad 281 may be provided by being inserted into a groove formed in the bottom surface of the focus ring 280. The thermally conductive pad 281 may be provided with a size corresponding to a groove formed in the bottom surface of the focus ring 280. According to an example, the thermally conductive pad 281 is set to a size corresponding to the groove installed on the bottom of the focus ring 280, so that heat transferred from the thermoelectric element 245 located under the thermally conductive pad 281 is It can perform a role of flexibly transferring to the focus ring 280. The thermally conductive pads 281 may be provided in a number corresponding to the number of thermoelectric elements 245. The thermally conductive pads 281 are provided below the focus ring 280 in a number corresponding to the number of thermoelectric elements 245, and are provided as a medium for transferring heat of the thermoelectric elements 245 to the focus ring 280. I can. According to an example, the arrangement structure of the thermally conductive pad 281 and the arrangement structure of the thermoelectric element 245 may be the same. According to an example, the thermoelectric element 245 may be disposed at a position corresponding to the position of the thermally conductive pad 281 with a predetermined interval in the vertical direction. The thermoelectric element 245 is disposed at a position corresponding to the thermally conductive pad 281, thereby enabling efficient heat transfer.

도 4에 따르면, 포커스 링(280)의 하부 면에는 열전도성 패드(281)가 배치되며, 열전 소자(245)가 열전도성 패드(281)와 상하방향으로 이격 되어 제공될 수 있다. 복수개의 열전 소자(245)는 전술한 바와 같이 조합되어 포커스 링(280)의 형상으로 배치될 수 있다. Referring to FIG. 4, a thermally conductive pad 281 is disposed on a lower surface of the focus ring 280, and a thermoelectric element 245 may be provided vertically spaced apart from the thermally conductive pad 281. The plurality of thermoelectric elements 245 may be combined as described above and disposed in the shape of the focus ring 280.

열전 소자(245)는 지지판 내에 배치됨으로써 플라즈마에 노출되지 아니한다. 열전 소자(245)는 열전도성 패드(281)와 상하 방향으로 일정 거리만큼 이격 되어 배치됨으로써, 플라즈마에 노출되지 아니할 수 있다. 열전도성 패드(281)와 열전 소자(245)가 직접적으로 맞닿을 경우, 열전 소자(245)가 플라즈마에 노출되는 구조가 될 수 있다. 이러한 경우 열전 소자(245)의 소재가 플라즈마에 식각 되어 아킹 문제 등이 발생할 수 있으나, 본 발명에서는 열전 소자(245)의 배치를 지지판 내에, 그리고 열전도성 패드(281)와 이격되도록 배치함으로써 이러한 문제를 줄일 수 있다.The thermoelectric element 245 is disposed in the support plate so that it is not exposed to plasma. The thermoelectric element 245 is disposed to be spaced apart from the thermally conductive pad 281 by a predetermined distance in the vertical direction, so that it may not be exposed to plasma. When the thermally conductive pad 281 and the thermoelectric element 245 directly contact each other, the thermoelectric element 245 may be exposed to plasma. In this case, the material of the thermoelectric element 245 may be etched in the plasma, leading to an arcing problem, but in the present invention, such a problem is caused by arranging the arrangement of the thermoelectric element 245 in the support plate and spaced apart from the thermally conductive pad 281 Can be reduced.

도 4의 예시에 따르면 온도 센서(244)가 포커스 링(280)과 연결되어 포커스 링(280)의 온도를 제어부(247)에 전달하고, 제어부(247)는 전달받은 온도 정보로부터 열전 소자(245)에 인가할 전류의 크기 및 방향을 제어할 수 있다. According to the example of FIG. 4, the temperature sensor 244 is connected to the focus ring 280 to transmit the temperature of the focus ring 280 to the control unit 247, and the control unit 247 receives the thermoelectric element 245 from the received temperature information. You can control the size and direction of the current to be applied to ).

도 5는 본 발명에 따른 기판 지지 유닛(200)의 다른 일 실시예에 따른 단면도이다. 5 is a cross-sectional view according to another embodiment of the substrate support unit 200 according to the present invention.

도 5에 따르면, 온도 센서(244)가 열전 소자(245)와 열전도성 패드(281) 사이에 배치되는 구성이 개시된다. 열전 소자(245)와 열전도성 패드(281) 사이에는 온도 센서(244)가 배치될 수 있다. 온도 센서(244)는 포커스 링(280)의 부근에 위치하여, 포커스 링(280)에서의 온도를 측정할 수 있다. 온도 센서(244)는 복수 개로 제공되어, 포커스 링(280)의 일 부분의 온도를 측정할 수 있다. 다른 일 예시에 따르면, 온도 센서(244)는 열전 소자(245)가 열전도성 패드(281)에 열을 흡수 또는 발열하는 영역 밖에 위치하도록 배치됨으로써, 열전 소자(245)의 영향을 받지 아니하고 포커스 링(280)의 온도를 제어할 수 있다. 온도 센서(244)는 지지판 내에 배치됨으로써 플라즈마의 영향을 받지 아니하고 포커스 링(280)의 온도를 측정할 수 있다. 일 예시에 따르면, 온도 센서(244)는 플라즈마에 노출되지 않게 포커스 링(280)과 열전 모듈 사이에 존재하는 갭 사이에 배치될 수 있다. 온도 센서(244)는 지지판 내에 위치함으로써 플라즈마에 직접적으로 노출되는 것을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 5, a configuration in which the temperature sensor 244 is disposed between the thermoelectric element 245 and the thermally conductive pad 281 is disclosed. A temperature sensor 244 may be disposed between the thermoelectric element 245 and the thermally conductive pad 281. The temperature sensor 244 is located near the focus ring 280 and may measure the temperature in the focus ring 280. A plurality of temperature sensors 244 may be provided to measure the temperature of a portion of the focus ring 280. According to another example, the temperature sensor 244 is disposed so that the thermoelectric element 245 is located outside a region that absorbs or generates heat on the thermal conductive pad 281, and thus the focus ring is not affected by the thermoelectric element 245. The temperature of 280 can be controlled. Since the temperature sensor 244 is disposed in the support plate, it is possible to measure the temperature of the focus ring 280 without being affected by plasma. According to an example, the temperature sensor 244 may be disposed between a gap existing between the focus ring 280 and the thermoelectric module so as not to be exposed to plasma. The temperature sensor 244 can be prevented from being directly exposed to plasma by being positioned in the support plate.

일 예시에 따르면, 복수개의 온도 센서(244)와, 복수개의 열전 소자(245) 및 복수개의 열전도성 패드(281)는 모두 대응하는 개수로 제공될 수 있다. According to an example, a plurality of temperature sensors 244, a plurality of thermoelectric elements 245, and a plurality of thermally conductive pads 281 may all be provided in corresponding numbers.

도 5에 따르면 복수개의 온도 센서(244)는 포커스 링(280)의 각 부분 별로 온도를 측정하여, 이를 제어부(247)에 전달하고, 미리 설정된 범위를 벗어나는 결과를 나타내는 온도 센서(244)가 있는 경우, 해당 온도 센서(244)와 인접한 위치에 있는 열전 소자(245)에 전류를 인가함으로써 국부적인 포커스 링(280)의 온도 조절을 수행할 수 있다. According to FIG. 5, the plurality of temperature sensors 244 measure the temperature for each part of the focus ring 280, transmit the temperature to the control unit 247, and display a result outside the preset range. In this case, the temperature of the focus ring 280 may be locally controlled by applying a current to the thermoelectric element 245 located adjacent to the corresponding temperature sensor 244.

도 6(a) 내지 도 6(b)는 본 발명에 따른 열전 소자(245)의 작동 원리를 설명하기 위한 도면이다. 6(a) to 6(b) are diagrams for explaining the principle of operation of the thermoelectric element 245 according to the present invention.

본 발명에서는 열전 소자(245)에 전류를 인가하여 전자와 정공의 흐름을 발생시켜 냉각 또는 가열을 수행함으로써 포커스 링(280)의 온도를 조절할 수 있다. In the present invention, the temperature of the focus ring 280 may be adjusted by applying a current to the thermoelectric element 245 to generate a flow of electrons and holes to perform cooling or heating.

전류 흐름의 방향을 조절하는 것을 통해 냉각 또는 가열 여부를 선택할 수 있으며, 전류의 세기의 조절을 통해 냉각의 세기 또는 가열의 세기를 조절할 수 있다. 포커스 링(280)의 온도가 높으면, 냉각이 되도록 전류의 방향을 인가하여 포커스 링(280)의 온도를 낮출 수 있다. 포커스 링(280)의 온도가 낮으면, 가열이 되도록 전류의 방향을 인가하여 포커스 링(280)의 온도를 낮출 수 있다. Cooling or heating can be selected by adjusting the direction of the current flow, and the intensity of cooling or heating can be adjusted by controlling the intensity of the current. When the temperature of the focus ring 280 is high, the temperature of the focus ring 280 may be lowered by applying a current direction to cool. When the temperature of the focus ring 280 is low, the temperature of the focus ring 280 may be lowered by applying a direction of current to be heated.

도 6(a)에 따르면, 전류를 오른쪽 방향으로 흘리게 되면 전자와 정공이 위쪽으로 이동하게 된다. 이를 통해, 전자와 정공이 열을 상부에서 하부로 가져올 수 있어 냉각이 가능하다.According to FIG. 6(a), electrons and holes move upward when current flows in the right direction. Through this, electrons and holes can bring heat from the top to the bottom, so cooling is possible.

도 6(b)에 따르면, 전류를 왼쪽 방향으로 흘리게 되면 전자와 정공이 아래쪽으로 이동하게 된다. 이를 통해, 전자와 정공이 열을 하부에서 상부로 가져갈 수 있어 가열이 가능하다. According to FIG. 6(b), electrons and holes move downward when current flows in the left direction. Through this, since electrons and holes can take heat from the bottom to the top, heating is possible.

이와 같이 전류의 방향을 조절하여 열전 소자(245)와 맞닿은 부분의 포커스 링(280)의 온도 조절을 수행할 수 있다. In this way, the temperature of the focus ring 280 at a portion in contact with the thermoelectric element 245 may be adjusted by adjusting the direction of the current.

도 7은 도 6에 따른 열전 소자(245)의 작동 원리에 따라 포커스 링(280)의 온도를 조절하는 것을 설명하기 위한 도면이다. 7 is a diagram for explaining controlling the temperature of the focus ring 280 according to the operating principle of the thermoelectric element 245 according to FIG. 6.

도 7에는 설명의 편의상 온도 센서(244)의 구성은 도시하지 아니하였다. 도 7에 따르면 열전 소자(245)는 열전도성 패드(281)와 대응하는 위치에 일정 거리를 가지고 이격되도록 배치되어 전류 흐름에 따라 열 흡수 또는 열 방출을 할 수 있다. 열 흡수 또는 열 방출을 수행하는 경우 포커스 링(280)의 하부면에 위치한 열전도성 패드(281)는 포커스 링(280)으로 열을 전달하여, 포커스 링(280)을 냉각 또는 가열하도록 할 수 있다.In FIG. 7, the configuration of the temperature sensor 244 is not shown for convenience of description. According to FIG. 7, the thermoelectric element 245 is disposed at a position corresponding to the thermally conductive pad 281 to be spaced apart from each other at a predetermined distance to absorb heat or dissipate heat according to current flow. When heat absorption or heat dissipation is performed, the thermally conductive pad 281 located on the lower surface of the focus ring 280 may transfer heat to the focus ring 280 to cool or heat the focus ring 280. .

도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다. 8 is a flow chart showing a substrate processing method according to the present invention.

온도 센서(244)는 포커스 링(280)의 온도를 측정한다. 온도 센서(244)는 한 개만 제공될 수도 있고, 복수 개로 제공될 수도 있다. 온도 센서(244)는 포커스 링(280)의 전체적인 온도를 측정할 수도 있고, 포커스 링(280)의 각 부분 별 온도를 측정할 수도 있다. The temperature sensor 244 measures the temperature of the focus ring 280. Only one temperature sensor 244 may be provided, or a plurality of temperature sensors 244 may be provided. The temperature sensor 244 may measure the overall temperature of the focus ring 280 or may measure the temperature of each part of the focus ring 280.

온도 센서(244)로부터 측정된 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정된 범위 내에 포함되는지 여부를 판단한다. 미리 설정된 범위 내의 포커스 링(280)의 온도는 사용자가 미리 설정할 수 있다. 미리 설정된 범위 내의 포커스 링(280)의 온도는 에지 수율이 안정하게 측정되는 온도 범위일 수 있다. It is determined whether the temperature of the focus ring 280 measured by the temperature sensor 244 is within a preset range. The temperature of the focus ring 280 within a preset range may be preset by the user. The temperature of the focus ring 280 within a preset range may be a temperature range in which the edge yield is stably measured.

만일 온도 센서(244)로부터 측정된 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정된 범위 내에 포함되지 아니할 경우, 전류를 열전 소자(245)에 인가하여 포커스 링(280)의 온도를 조절할 수 있다. 온도 센서(244)로부터 측정된 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정된 범위보다 높은 경우에는, 포커스 링(280)을 냉각시키도록 열전 소자(245)에 인가하는 전류 방향을 조절한다. 온도 센서(244)로부터 측정된 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정된 범위보다 낮은 경우에는, 포커스 링(280)을 가열시키도록 열전 소자(245)에 인가하는 전류 방향을 조절할 수 있다. If the temperature of the focus ring 280 measured by the temperature sensor 244 is not within a preset range, a current may be applied to the thermoelectric element 245 to adjust the temperature of the focus ring 280. When the temperature of the focus ring 280 measured by the temperature sensor 244 is higher than a preset range, the direction of current applied to the thermoelectric element 245 is adjusted to cool the focus ring 280. When the temperature of the focus ring 280 measured by the temperature sensor 244 is lower than a preset range, the direction of a current applied to the thermoelectric element 245 to heat the focus ring 280 may be adjusted.

포커스 링(280)을 냉각시키기 위한 열전 소자(245)에 인가하는 전류 방향과, 포커스 링(280)을 가열시키기 위한 열전 소자(245)에 인가하는 전류 방향은 반대일 수 있다. 전류의 인가 방향을 통해 포커스 링(280)의 가열 및 냉각 여부를 조절하고, 전류의 세기를 통해 가열 세기 또는 냉각 세기를 조절할 수 있다. A direction of a current applied to the thermoelectric element 245 for cooling the focus ring 280 and a direction of a current applied to the thermoelectric element 245 for heating the focus ring 280 may be opposite. Whether heating or cooling the focus ring 280 is controlled through the application direction of the current, and the heating intensity or cooling intensity may be adjusted through the current intensity.

열전 소자(245)를 통한 포커스 링(280)의 온도 조절은 복수개의 온도 센서(244)가 존재하는 경우 각 온도 센서(244)가 배치된 부분 별로 포커스 링(280)의 부분적인 온도 조절을 수행하는 것도 가능하다. Temperature control of the focus ring 280 through the thermoelectric element 245 performs partial temperature control of the focus ring 280 for each part in which each temperature sensor 244 is disposed when a plurality of temperature sensors 244 are present. It is also possible to do.

열전 소자(245)를 통해 포커스 링(280)의 온도 조절을 수행한 뒤에는, 다시 온도 센서(244)를 통해 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정된 범위 내에 포함되도록 설정되었는지 확인할 수 있다. 만일 열전 소자(245)를 통한 온도 조절을 통해 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정된 범위 내로 조정된 경우, 열전 소자(245)에 인가하는 전류를 멈추도록 제어할 수 있다. 만일 열전 소자(245)를 통한 온도 조절을 통해 조절한 결과 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정된 범위 내로 측정되지 아니한 경우, 다시 열전 소자(245)에 인가되는 전류의 조절을 통해 포커스 링(280)의 온도가 미리 설정된 범위 내로 측정될 때 까지 반복하여 온도 조절을 수행할 수 있다. After the temperature of the focus ring 280 is adjusted through the thermoelectric element 245, it may be checked again whether the temperature of the focus ring 280 is set to be within a preset range through the temperature sensor 244. If the temperature of the focus ring 280 is adjusted within a preset range through temperature control through the thermoelectric element 245, the current applied to the thermoelectric element 245 may be controlled to stop. If the temperature of the focus ring 280 is not measured within a preset range as a result of adjusting through temperature control through the thermoelectric element 245, the focus ring 280 is again adjusted by controlling the current applied to the thermoelectric element 245. Temperature control can be performed repeatedly until the temperature of) is measured within a preset range.

본 발명에서는 열전소자가 전류 흐름 방향에 따라 발열 및 흡열 현상이 가능한 점을 이용하여 포커스 링(280)의 온도를 능동적으로 조절할 수 있다. 열전 소자(245)의 주위에 배치한 온도 센서(244)로 온도를 읽은 후에 제어부(247)로 그 결과를 전달하여 열전 소자(245)로 인가되는 전류 흐름을 조절하여 포커스 링(280)의 온도를 제어할 수 있다. 열전 소자(245)는 소형화가 가능하여 지지판 내의 공간에 설치가 가능하며, 5˚C 내지 150˚C의 저온영역까지 온도조절이 가능한 효과가 있다.In the present invention, the temperature of the focus ring 280 can be actively adjusted by using the fact that the thermoelectric element can generate heat and absorb heat according to the current flow direction. After reading the temperature by the temperature sensor 244 disposed around the thermoelectric element 245, the result is transmitted to the control unit 247 to control the current flow applied to the thermoelectric element 245 to control the temperature of the focus ring 280. Can be controlled. The thermoelectric element 245 can be miniaturized, and thus can be installed in a space within the support plate, and has an effect of controlling the temperature to a low temperature range of 5°C to 150°C.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명에서 제공되는 도면은 본 발명의 최적의 실시예를 도시한 것에 불과하다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It should be understood that the above embodiments have been presented to aid in understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and various deformable embodiments are also within the scope of the present invention. The drawings provided in the present invention are merely showing an optimal embodiment of the present invention. The technical protection scope of the present invention should be determined by the technical idea of the claims, and the technical protection scope of the present invention is not limited to the literal description of the claims itself, but a scope that has substantially equal technical value. It should be understood that it extends to the invention of.

10 : 기판 처리 장치
100 : 챔버
200 : 기판 지지 유닛
300 : 가스 공급 유닛
400 : 플라즈마 발생 유닛
244 : 온도 센서
245 : 열전 소자
246 : 전원 공급부
247 : 제어부
280 : 포커스 링
281 : 열전도성 패드10: substrate processing apparatus
100: chamber
200: substrate support unit
300: gas supply unit
400: plasma generating unit
244: temperature sensor
245: thermoelectric element
246: power supply
247: control unit
280: focus ring
281: thermally conductive pad

Claims (18)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
상기 처리 공간 내에서 상기 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛;을 포함하고,
상기 기판 지지 유닛은
기판이 놓이는 유전판;
상기 유전판에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되는 포커스 링; 및
상기 포커스 링의 온도를 조절할 수 있는 온도 조절 유닛;을 포함하되,
상기 온도 조절 유닛은,
상기 포커스 링의 하부에 배치되고, 서로 조합되어 링 형상으로 배열되는 복수개의 열전 소자; 및
상기 복수개의 열전 소자에 전원을 공급하는 전원 공급부;를 포함하는 기판 처리 장치.
In the apparatus for processing a substrate,
A chamber having a processing space therein;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
A gas supply unit supplying gas into the processing space; And
And a plasma generating unit that excites the gas in a plasma state in the processing space,
The substrate support unit
A dielectric plate on which the substrate is placed;
A focus ring provided to surround a substrate placed on the dielectric plate; And
Including; a temperature control unit capable of adjusting the temperature of the focus ring,
The temperature control unit,
A plurality of thermoelectric elements disposed under the focus ring, combined with each other, and arranged in a ring shape; And
And a power supply unit supplying power to the plurality of thermoelectric elements.
 제1항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은
상기 유전판의 아래에 배치되는 지지판;을 포함하고,
상기 복수개의 열전 소자는 상기 지지판 내부에 배치되는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The substrate support unit
Including; a support plate disposed under the dielectric plate,
The plurality of thermoelectric elements are disposed inside the support plate.
 제2항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 열전 소자의 상부에 위치하고, 상기 열전 소자와 상하 방향으로 대향되게 제공되는 열전도성 패드;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
The substrate support unit,
A substrate processing apparatus further comprising a thermally conductive pad positioned on the thermoelectric element and provided to face the thermoelectric element in a vertical direction.
 제3항에 있어서,
상기 열전도성 패드는 상기 포커스 링과 상기 지지판 사이에 배치되는 기판 처리 장치.
The method of claim 3,
The thermally conductive pad is disposed between the focus ring and the support plate.
 제4항에 있어서,
상기 포커스 링의 저면에는 홈이 형성되고, 상기 열전도성 패드는 상기 홈에 삽입되는 기판 처리 장치.
The method of claim 4,
A substrate processing apparatus in which a groove is formed on a bottom surface of the focus ring, and the thermally conductive pad is inserted into the groove.
 제5항에 있어서,
상기 복수개의 열전 소자는 상기 포커스 링이 제공되는 위치의 하부에 대응하여 각각 일정한 간격을 가지고 배치되는 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
The plurality of thermoelectric elements are disposed at regular intervals corresponding to a lower portion of a position where the focus ring is provided.
 제6항에 있어서,
상기 복수개의 열전 소자는 상기 포커스 링의 하부에 위치하는 상기 열전도성 패드와 상하방향으로 서로 이격되게 배치되는 기판 처리 장치.
The method of claim 6,
The plurality of thermoelectric elements are disposed to be spaced apart from each other in a vertical direction from the thermally conductive pad positioned under the focus ring.
 제7항에 있어서,
상기 온도 조절 유닛은,
상기 포커스 링의 온도를 감지하고, 상기 지지판 내에 배치되는 온도 센서;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 7,
The temperature control unit,
The substrate processing apparatus further comprises a temperature sensor that senses the temperature of the focus ring and is disposed in the support plate.
 제8항에 있어서,
상기 온도 센서는 상기 포커스 링의 하부에 위치하는 상기 열전도성 패드와 상기 열전 소자 사이에 위치하는 기판 처리 장치.
The method of claim 8,
The temperature sensor is a substrate processing apparatus positioned between the thermoelectric element and the thermally conductive pad positioned under the focus ring.
 제9항에 있어서,
상기 온도 센서는 상기 복수개의 열전 소자의 개수에 대응하는 개수로 복수 개 제공되는 기판 처리 장치.
The method of claim 9,
The substrate processing apparatus is provided with a plurality of temperature sensors in a number corresponding to the number of the plurality of thermoelectric elements.
 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 조절 유닛은
상기 전원 공급부를 제어하는 제어부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 8 to 10,
The temperature control unit
A substrate processing apparatus further comprising a control unit for controlling the power supply unit.
 제11항에 있어서,
상기 제어부는
상기 온도 센서로부터 상기 포커스 링의 현재 온도를 전달받아,
상기 포커스 링의 온도가 미리 설정한 기준 범위보다 높은 경우 상기 열전 소자가 상기 포커스 링을 냉각시키도록 상기 전원 공급부를 제어하고
상기 포커스 링의 온도가 미리 설정한 기준 범위보다 낮은 경우 상기 열전 소자가 상기 포커스 링을 가열시키도록 상기 전원 공급부를 제어하는 기판 처리 장치.
The method of claim 11,
The control unit
Receiving the current temperature of the focus ring from the temperature sensor,
When the temperature of the focus ring is higher than a preset reference range, the thermoelectric element controls the power supply to cool the focus ring,
A substrate processing apparatus that controls the power supply so that the thermoelectric element heats the focus ring when the temperature of the focus ring is lower than a preset reference range.
 제12항에 있어서,
상기 제어부는
상기 포커스 링의 온도가 상기 미리 설정한 기준 범위 내로 측정된 경우 상기 전원 공급부에서 공급하는 전류를 멈추도록 제어하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
The control unit
When the temperature of the focus ring is measured within the preset reference range, the substrate processing apparatus controls the current supplied from the power supply to be stopped.
 처리 공간을 가지는 공정 챔버 내에서 기판을 감싸는 포커스 링이 제공된 지지 유닛으로 기판을 지지하고, 상기 기판에 대해 소정의 처리를 하는 기판 처리 방법에 있어서,
온도 센서를 통해 상기 포커스 링의 온도를 측정하는 단계;
상기 포커스 링의 온도가 미리 설정한 온도 범위 내를 벗어나는지 여부를 확인하는 단계;
상기 미리 설정한 온도 범위 내를 벗어나는 경우 상기 포커스 링의 하부에 위치한 복수개의 열전 소자에 인가되는 전류의 방향을 조절하여 상기 포커스 링의 온도를 상기 미리 설정한 온도 범위 내로 조절하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
A substrate processing method for supporting a substrate with a support unit provided with a focus ring surrounding the substrate in a process chamber having a processing space, and performing a predetermined process on the substrate,
Measuring a temperature of the focus ring through a temperature sensor;
Checking whether the temperature of the focus ring is out of a preset temperature range;
If the temperature is out of the preset temperature range, adjusting the direction of current applied to a plurality of thermoelectric elements located under the focus ring to adjust the temperature of the focus ring within the preset temperature range; including Substrate processing method.
 제14항에 있어서,
상기 포커스 링의 온도를 상기 미리 설정한 온도 범위 내로 조절하는 단계;는,
상기 포커스 링의 온도가 높은 경우 상기 열전 소자가 상기 포커스 링을 냉각시키도록 전류 방향을 조절하는 단계; 및
상기 포커스 링의 온도가 낮은 경우 상기 열전 소자가 상기 포커스 링을 가열시키도록 전류 방향을 조절하는 단계;를 더 포함하는 기판 처리 방법.
The method of claim 14,
Adjusting the temperature of the focus ring within the preset temperature range;
Adjusting a current direction so that the thermoelectric element cools the focus ring when the temperature of the focus ring is high; And
When the temperature of the focus ring is low, adjusting a current direction so that the thermoelectric element heats the focus ring.
 제15항에 있어서,
상기 포커스 링의 온도가 상기 미리 설정한 온도 범위 내로 측정된 경우 상기 열전 소자에 인가되는 전류를 멈추도록 제어하는 단계;를 더 포함하는 기판 처리 방법.
The method of claim 15,
Controlling to stop a current applied to the thermoelectric element when the temperature of the focus ring is measured within the preset temperature range.
 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 포커스 링과 상기 열전 소자는 이들 사이에 제공된 열전도성 패드를 통해 열을 주고받는 기판 처리 방법.
The method according to any one of claims 14 to 16,
The focus ring and the thermoelectric element transmit and receive heat through a thermally conductive pad provided therebetween.
 제17항에 있어서,
상기 포커스 링의 온도를 상기 미리 설정한 온도 범위 내로 조절하는 단계는
상기 복수개의 열전 소자에 대응하는 개수만큼 제공된 복수개의 온도 센서를 통해 상기 포커스 링의 부분별 온도 제어를 수행하는 기판 처리 방법.

The method of claim 17,
Adjusting the temperature of the focus ring within the preset temperature range
A substrate processing method for performing temperature control for each portion of the focus ring through a plurality of temperature sensors provided as many as the number corresponding to the plurality of thermoelectric elements.
KR1020190095133A 2019-08-05 2019-08-05 Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus KR20210016848A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190095133A KR20210016848A (en) 2019-08-05 2019-08-05 Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190095133A KR20210016848A (en) 2019-08-05 2019-08-05 Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210016848A true KR20210016848A (en) 2021-02-17

Family

ID=74732025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190095133A KR20210016848A (en) 2019-08-05 2019-08-05 Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210016848A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11062885B2 (en) Supporting unit and substrate treating apparatus including the same
KR102644272B1 (en) electrostatic chuck assembly
KR101295794B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101951369B1 (en) Electrostatic chuck and substrate treating apparatus including the chuck
JP7376623B2 (en) Systems and methods of thermal management for wafer processing systems
JP2008522446A (en) Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution
JP2019135749A (en) Plasma processing apparatus
JP7413128B2 (en) board support stand
KR102344525B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20120133969A (en) Microwave applying uniy, substrate treating apparatus including the unit and substrate treating method using the apparatus
KR20210016848A (en) Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus
JP2021125515A (en) Electrostatic chuck heater
KR20180130068A (en) Window unit, apparatus for treating substrate comprising the same, method for treating substrate, and manufacturing method of the same
KR20220096735A (en) Apparatus for treating substrate and assembly for distributing gas
KR20130035838A (en) Microwave application unit and substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method using the apparatus
KR101754562B1 (en) Apparatus for generating plasma, apparatus for treating substrate comprising the same, and method for controlling the same
KR20210002192A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102275077B1 (en) Method and apparatus for treating substrate
US20240159590A1 (en) Focus ring inspection device and focus ring inspection method
KR20130058416A (en) Substrate treating apparatus
KR101935959B1 (en) Microwave antenna and substrate treating apparatus including the antenna
KR102290910B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101736843B1 (en) Appatus for generating plasma, and apparatus for treating substrate comprising the same
WO2022230728A1 (en) Bottom electrode mechanism, substrate processing device, and substrate processing method
KR20130025142A (en) Electrostatic chuck and substrate treating apparatus for including the chuck

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application