KR20210016814A - Method for manufacturing mask having three or more tone - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a method for manufacturing a mask having three tones or more. The method for manufacturing a mask having three tones or more comprises the steps of: forming at least two thin film layers on a substrate; forming a photoresist layer thereon; forming a first photoresist pattern having at least two different thicknesses; etching at least one thin film layer in accordance with the first photoresist pattern; forming a second photoresist pattern by removing the first photoresist pattern to a predetermined thickness; and etching the at least one thin film layer in accordance with the second photoresist pattern. Therefore, a manufacturing process time can be shortened.

Description

3-톤 이상의 마스크 제조 방법{Method for manufacturing mask having three or more tone}Method for manufacturing mask having three or more tone}

본 발명의 실시 예는 마스크 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 3-톤(tone) 이상의 구조를 가지는 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a method of manufacturing a mask, and more particularly, to a method of manufacturing a mask having a structure of 3-tone or more.

리소그래피(lithography) 노광 공정에서 분해능(resolution) 및 초점심도(DOF, Depth Of Focus)를 향상시키기 위하여 위상반전마스크(PSM, Phase Shift Mask)를 사용하고 있다. 위상반전마스크는 빛을 완전히 차단하는 차광층, 위상 및 투과율이 조절되는 위상반전층, 그리고 빛을 완전히 투과하는 투과층의 3톤 이상의 구조를 포함한다. A phase shift mask (PSM) is used to improve the resolution and depth of focus (DOF) in the lithography exposure process. The phase inversion mask includes a three-ton or more structure of a light-shielding layer that completely blocks light, a phase inversion layer in which phase and transmittance are controlled, and a transmission layer that completely transmits light.

도 1a 내지 도 1e는 종래 3-톤 이상의 구조를 가지는 위상반전마스크를 제조하는 방법의 일 예를 도시한 도면이다.1A to 1E are diagrams showing an example of a method of manufacturing a conventional phase shift mask having a 3-tone or more structure.

도 1a을 참조하면, 투명기판(100) 위에 차광층(110) 및 위상반전층(120)이 순차적으로 형성된다. 그리고 1차 노광 공정을 통해 제1 포토레지스트 패턴(130)을 형성한다.Referring to FIG. 1A, a light blocking layer 110 and a phase inversion layer 120 are sequentially formed on the transparent substrate 100. Then, the first photoresist pattern 130 is formed through the first exposure process.

도 1b를 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(130)을 이용하여 위상반전층(120) 및 차광층(100)을 식각하여, 차광층 패턴을 형성한다.Referring to FIG. 1B, the phase inversion layer 120 and the light blocking layer 100 are etched using the first photoresist pattern 130 to form a light blocking layer pattern.

도 1c를 참조하면, 위상반전층(120)의 패턴 형성을 위하여 다시 포토레지스트를 도포한 후 노광 및 현상의 2차 노광 공정을 통해 제2 포토레지스트 패턴(130)을 형성한다.Referring to FIG. 1C, after a photoresist is applied again to form a pattern of the phase inversion layer 120, a second photoresist pattern 130 is formed through a secondary exposure process of exposure and development.

도 1d를 참조하면, 제2 포토레지스트 패턴(130)을 이용하여 위상반전층(120)을 식각하여 위상반전층 패턴을 형성한다. Referring to FIG. 1D, a phase inversion layer pattern is formed by etching the phase inversion layer 120 using the second photoresist pattern 130.

도 1e를 참조하면, 제2 포토레지스트 패턴(130)을 제거하여 3-톤의 구조를 가지는 위상반전마스크를 생성한다.Referring to FIG. 1E, a phase inversion mask having a 3-tone structure is generated by removing the second photoresist pattern 130.

이와 같이 투과영역, 위상반전영역, 차광영역 등의 3-톤 이상의 구조를 가지는 위상반전마스크를 제조하기 위해서는 적어도 2번 이상의 노광 공정이 필요하다. 이 외에도, 평판 디스플레이 패널 제작 공정에서 사용되는 MTM(Multi Tone Mask), HTM(Half Tone Mask)의 경우에도 2번 이상의 노광 공정이 필요하다. 특히 MTM은 3회 이상의 노광 공정을 요구한다. In order to manufacture a phase shift mask having a 3-tone or more structure such as a transmission region, a phase shift region, and a light shielding region, at least two exposure processes are required. In addition, in the case of MTM (Multi Tone Mask) and HTM (Half Tone Mask) used in the flat panel display panel manufacturing process, two or more exposure processes are required. In particular, MTM requires three or more exposure processes.

2번 이상의 노광 공정을 통해 패턴을 형성하는 경우, 각 노광 공정 간의 위치 정렬도(aligh accuracy)에 따른 결함(defect) 발생 가능성과 노광 복잡성 등이 증가하고, 여러 번의 노광 공정으로 인해 전체 공정 기간이 길어져 마스크 제조 단가가 증가하는 문제점이 존재한다.When a pattern is formed through two or more exposure processes, the possibility of occurrence of defects and exposure complexity according to the alignment accuracy between each exposure process increases, and the entire process period is reduced due to multiple exposure processes. As it becomes longer, there is a problem that the manufacturing cost of the mask increases.

본 발명의 실시 예가 이루고자 하는 기술적 과제는, 한 번의 노광 공정을 통해 3-톤 이상의 구조를 가지는 마스크를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.The technical problem to be achieved by the embodiments of the present invention is to provide a method of manufacturing a mask having a 3-tone or more structure through a single exposure process.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한, 본 발명의 실시 예에 따른 3-톤 이상의 마스크 제조 방법의 일 예는, 기판에 적어도 둘 이상의 박막층을 형성하는 단계; 상기 적어도 둘 이상의 박막층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 적어도 둘 이상의 서로 다른 두께를 가지는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트 패턴에 따라 적어도 하나 이상의 박막층을 식각하는 단계; 상기 제1 포토레지스트 패턴을 일정 두께 제거하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2 포토레지스트 패턴에 따라 적어도 하나 이상의 박막층을 식각하는 단계;를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, an example of a method for manufacturing a 3-tone or more mask according to an embodiment of the present invention includes: forming at least two or more thin film layers on a substrate; Forming a photoresist layer on the at least two thin film layers; Forming a first photoresist pattern having at least two or more different thicknesses; Etching at least one thin film layer according to the first photoresist pattern; Removing the first photoresist pattern by a predetermined thickness to form a second photoresist pattern; And etching at least one thin film layer according to the second photoresist pattern.

본 발명의 실시 예에 따르면, 한 번의 노광 공정으로 3-톤 이상의 구조를 가지는 마스크를 제조할 수 있다. 한 번의 노광 공정을 사용하므로 위치 정렬도는 항상 0의 결과를 얻을 수 있으며, 제조 공정의 단순화를 통해 마스크 제조 단가를 낮추고 제조 공정 시간을 단축할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a mask having a 3-tone or more structure may be manufactured in a single exposure process. Since a single exposure process is used, the alignment degree can always be 0, and through simplification of the manufacturing process, the mask manufacturing cost can be reduced and the manufacturing process time can be shortened.

도 1a 내지 도 1e는 종래 3-톤 이상의 구조를 가지는 위상반전마스크를 제조하는 방법의 일 예를 도시한 도면,
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마스크 제조 방법에 사용되는 포토레지스트의 에너지 특성의 일 예를 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 마스크 제조를 위해 노광 에너지를 조정하는 방법의 일 예를 도시한 도면,
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 실시 예에 따른 한 번의 노광 공정을 통해 3-톤 이상의 구조를 가지는 마스크 제조 방법의 일 예를 도시한 도면이다. 1A to 1E are diagrams showing an example of a method of manufacturing a phase inversion mask having a conventional 3-tone or more structure;
2 is a diagram showing an example of energy characteristics of a photoresist used in a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present invention;
3 is a diagram showing an example of a method of adjusting exposure energy for manufacturing a mask according to an embodiment of the present invention;
4A to 4E are diagrams illustrating an example of a method of manufacturing a mask having a 3-tone or more structure through a single exposure process according to an embodiment of the present invention.

이하에서, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 3-톤 이상의 마스크 제조 방법에 대해 상세히 살펴본다.Hereinafter, a method of manufacturing a 3-tone or more mask according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마스크 제조 방법에 사용되는 포토레지스트의 에너지 특성의 일 예를 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating an example of energy characteristics of a photoresist used in a method of manufacturing a mask according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 포토레지스트는 노광 에너지(Exposure Energy)가 일정 값(E0)에 도달할 때까지는 두께(R0)를 그대로 유지하지만 그 이상의 값(>E0)이 되면 두께가 감소하기 시작한다. Referring to FIG. 2, the photoresist maintains the thickness (R 0 ) until the exposure energy reaches a certain value (E 0 ), but the thickness decreases when it reaches a higher value (>E 0 ). Start.

노광 에너지가 일정 이상인 지점(E0)부터 포토레지스트의 두께는 노광 에너지가 증가함에 따라 감소한다. 노광 에너지가 계속 증가하여 임계 에너지(Eth)에 이르면, 포토레지스트는 모두 제거된다. 일반적으로 노광 공정에서는 임계 에너지(Eth)의 2배 이상을 사용한다. The thickness of the photoresist decreases as the exposure energy increases from the point E 0 where the exposure energy is above a certain level. When the exposure energy continues to increase and reaches the critical energy E th , all of the photoresist is removed. In general, the exposure process uses more than twice the critical energy (E th ).

노광 에너지가 증가할 때 포토레지스트의 두께 감소는 일정한 기울기를 가진다. 예를 들어, 노광 에너지가 E1에 도달하면, 포토레지스트의 두께는 일정량 줄어들어 R1이 된다. 노광 에너지를 조절하면, 포토레지스트의 두께를 원하는 값으로 만들 수 있다. 도 2의 그래프를 통해 남기기 원하는 포토레지스트의 두께에 해당하는 노광 에너지의 크기를 파악할 수 있다. When the exposure energy increases, the decrease in the thickness of the photoresist has a constant slope. For example, when the exposure energy reaches E 1 , the thickness of the photoresist decreases by a certain amount and becomes R1. By adjusting the exposure energy, the thickness of the photoresist can be made to a desired value. The amount of exposure energy corresponding to the thickness of the photoresist desired to be left can be determined through the graph of FIG. 2.

마스크 제조 공정에서 포토레지스트층의 각 영역에 서로 다른 노광 에너지를 입력하여 한 번의 노광 공정으로 적어도 둘 이상의 서로 다른 두께를 가진 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. In the mask manufacturing process, a photoresist pattern having at least two or more different thicknesses may be formed in a single exposure process by inputting different exposure energy to each region of the photoresist layer.

노광장비 그 자체가 포토레지스트층의 각 영역에 서로 다른 노광 에너지를 출력할 수 있다면 해당 노광장비를 이용하여 두께가 서로 다른 포토레지스트 패턴을 한 번의 노광 공정으로 형성할 수 있다. 그러나 마스크 제조 공정에서 사용하는 대부분의 노광장비는 단일의 노광 에너지를 출력하므로 기존 노광장비만으로 포토레지스트층의 각 영역에 서로 다른 노광 에너지를 입력하기가 어렵다. 이를 해결하기 위한 방법의 일 예가 도 3에 도시되어 있다.If the exposure equipment itself can output different exposure energy to each region of the photoresist layer, photoresist patterns having different thicknesses can be formed in one exposure process using the exposure equipment. However, since most of the exposure equipment used in the mask manufacturing process outputs a single exposure energy, it is difficult to input different exposure energy to each region of the photoresist layer only with the existing exposure equipment. An example of a method for solving this is shown in FIG. 3.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 마스크 제조를 위해 노광 에너지를 조정하는 방법의 일 예를 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating an example of a method of adjusting exposure energy for manufacturing a mask according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 노광 공정에서는 미리 설계된 패턴을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 가우시안 스팟 빔(Gaussian Spot Beam)을 사용하고 패턴의 크기에 따라 빔의 세기가 조절되는 그레이 톤 방식의 노광장비가 본 실시 예에서 사용될 수 있다. 이 외에도, 실시 예에 따라 다양한 종류의 노광장비를 사용할 수 있다. Referring to FIG. 3, in the exposure process, a photoresist pattern is formed using a pattern designed in advance. A gray tone type exposure apparatus using a Gaussian Spot Beam and adjusting the intensity of the beam according to the size of the pattern may be used in the present embodiment. In addition, various types of exposure equipment may be used according to embodiments.

일반적으로 노광 공정을 위해 설계된 패턴은 노광장비의 광을 그대로 투과시키는 투과영역(300)과 광을 차단하는 차단영역을 포함한다. 본 실시 예는 포토레지스트의 두께를 제어하기 위한 방법의 일 예로 광의 일부(360)를 투과시키는 반투과영역(350)을 포함한다. 다시 말해, 톤이 서로 다른 층의 패턴 영역에 서로 다른 두께의 포토레지스트를 남기기 위하여 패턴 설계시에 반투과영역(350)을 이용한다. In general, a pattern designed for an exposure process includes a transmissive area 300 through which light of the exposure equipment is transmitted as it is and a blocking area which blocks light. This embodiment includes a semi-transmissive region 350 for transmitting a part 360 of light as an example of a method for controlling the thickness of a photoresist. In other words, the transflective region 350 is used when designing a pattern in order to leave photoresists of different thicknesses in the pattern regions of different tones.

예를 들어, 차광층, 위상반전층 및 투과층을 포함하는 위상반전마스크의 경우에 위상반전층 패턴 영역에 포토레지스트를 일정 두께 남기기 위하여 위상반전층 패턴을 반투과영역(350)으로 설계할 수 있다. For example, in the case of a phase inversion mask including a light-shielding layer, a phase inversion layer, and a transmission layer, the phase inversion layer pattern can be designed as the semi-transmissive area 350 in order to leave a certain thickness of the photoresist in the phase inversion layer pattern area. have.

노광 공정에서 패턴의 투과영역(300)을 통과한 스팟 빔(310)의 노광 에너지(320)는 도 2의 임계 에너지(Eth)보다 더 크므로 투과영역(300)에 해당하는 포토레지스트는 모두 제거(330)되고, 차단영역에 해당하는 포토레지스트는 그대로 남는다. 반면, 반투과영역(350)을 통과한 스팟 빔(360)의 축적된 노광 에너지(370)는 포토레스트가 감소하는 구간(E0~Eth) 사이의 특정 에너지값(E1)을 가지므로 반투과영역(350)에 해당하는 포토레지스트는 일부 두께(380)가 남는다. In the exposure process, since the exposure energy 320 of the spot beam 310 passing through the transmission region 300 of the pattern is greater than the critical energy E th of FIG. 2, all photoresists corresponding to the transmission region 300 are After removal 330, the photoresist corresponding to the blocking area remains as it is. On the other hand, the accumulated exposure energy 370 of the spot beam 360 passing through the semi-transmissive region 350 has a specific energy value (E 1 ) between the period (E 0 ~ E th ) in which the photorest decreases. The photoresist corresponding to the transflective region 350 has a partial thickness 380 left.

반투과영역(350)은 빛을 차단하는 차단슬릿(352)을 이용하여 형성될 수 있다. 일 예로, 차단슬릿(352)은 노광장비의 광 스팟 크기(spot size)의 간격으로 배열되며, 차단슬릿(352)의 너비에 따라 광투과율이 달라질 수 있다. 차단슬릿(352)은 본 실시 예와 같은 막대모양 뿐만 아니라 격자모양 등 다양하게 변형가능하다.The transflective region 350 may be formed using a blocking slit 352 that blocks light. For example, the blocking slit 352 is arranged at intervals of the light spot size of the exposure equipment, and the light transmittance may vary according to the width of the blocking slit 352. The blocking slit 352 can be modified in various ways, such as a lattice shape as well as a rod shape as in the present embodiment.

예를 들어, 도 2에서 노광장비의 노출 에너지가 E일 때 반투과영역을 통과한 노광 에너지가 E1이 되도록 차단슬릿(352)의 모양, 너비, 개수 또는 간격 등을 조정하여 반투과영역(350)의 광투과율을 조절할 수 있다. 반투과영역(350)에 해당하는 포토레지스트는 완전히 제거되지 않고 일정한 두께가 남는다. For example, in FIG. 2, when the exposure energy of the exposure equipment is E, the shape, width, number, or spacing of the blocking slit 352 is adjusted so that the exposure energy passing through the semi-transmissive area is E 1 , and the semi-transmissive area ( 350) light transmittance can be adjusted. The photoresist corresponding to the semi-transmissive region 350 is not completely removed and a certain thickness remains.

패턴 설계시에 반투과영역(350)의 투과율을 다르게 설계하여 적어도 하나 이상의 서로 다른 두께를 가진 포토레지스트 패턴을 한 번의 노광 공정으로 형성할 수 있다. 예를 들에, 제1 투과율을 가진 반투과영역과 제2 투과율을 가진 반투과영역을 포함하도록 패턴을 설계한 경우에, 한 번의 노광 공정으로 제1 투과율에 해당하는 제1 두께와 제2 투과율에 해당하는 제2 두께를 가진 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.When designing the pattern, by designing different transmittances of the transmissive region 350, at least one photoresist pattern having a different thickness may be formed in a single exposure process. For example, when a pattern is designed to include a transflective region having a first transmittance and a transflective region having a second transmittance, the first thickness and the second transmittance corresponding to the first transmittance are performed in one exposure process. A photoresist pattern having a second thickness corresponding to may be formed.

다른 실시 예로, 반투과영역의 외곽에서 근접효과로 인해 국부적으로 빛의 양이 변하여 레지스터가 불균일하게 남는 것을 보상하기 위하여 반투과영역(350)의 차단슬릿(352)의 전부 또는 일부의 크기를 서로 다르게 할 수 있다. 예를 들어, 반투과영역(350)의 외곽의 포토레지스트가 다른 영역보다 많이 남는 경우에는 투반투과영역의 외곽에 위치한 적어도 하나 이상의 차단슬릿의 너비를 작게하고 반대의 경우에는 더 크게 할 수 있다. 이 외에, 근접효과를 보상하기 위하여 차단슬릿(352)의 너비 또는 배치간격 등은 다양하게 변형 가능하다.In another embodiment, the size of all or part of the blocking slit 352 of the semi-transmissive area 350 is changed in order to compensate for the locally changing amount of light due to the proximity effect at the outer periphery of the semi-transmissive area so that the register remains uneven. You can do it differently. For example, when the photoresist outside the transflective region 350 remains more than other regions, the width of at least one blocking slit located outside the transflective region may be reduced, and in the opposite case, it may be made larger. In addition, in order to compensate for the proximity effect, the width or the arrangement interval of the blocking slit 352 can be variously modified.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 실시 예에 따른 한 번의 노광 공정을 통해 3-톤 이상의 구조를 가지는 마스크 제조 방법의 일 예를 도시한 도면이다. 4A to 4E are diagrams illustrating an example of a method of manufacturing a mask having a 3-tone or more structure through a single exposure process according to an embodiment of the present invention.

도 4a를 참조하면, 투명기판(400)에 서로 다른 톤을 가지는 적어도 둘 이상의 박막층(410,420)을 형성한다. 예를 들어, 투명기판(400)에 차광층(410)을 형성하고, 그 위에 부분투과층(420) 또는 위상반전층(420)을 형성할 수 있다. 적어도 둘 이상의 박막층(410,420)은 이 외에도 서로 다른 톤을 가진 다양한 종류의 층으로 구성될 수 있으며, 실시 예에 따라 세 개 이상의 서로 다른 톤의 박막층이 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 4A, at least two thin film layers 410 and 420 having different tones are formed on the transparent substrate 400. For example, a light blocking layer 410 may be formed on the transparent substrate 400 and a partial transmission layer 420 or a phase inversion layer 420 may be formed thereon. At least two or more thin film layers 410 and 420 may be composed of various types of layers having different tones in addition to this, and three or more thin film layers having different tones may be formed according to embodiments.

둘 이상의 박막층(410,420) 위에 본 실시 예 따른 한 번의 노광 공정을 통해 적어도 둘 이상의 서로 다른 두께를 가진 제1 포토레지스트 패턴(430)을 형성한다. 예를 들어, 차광층과 위상반전층을 포함하는 위상반전마스크를 제조하는 경우에 도 1에서 설명한 바와 같이 차광층 패턴(110)을 위한 제1 노광 공정과 위상반전층 패턴(120)을 위한 제2 노광 공정이 필요하다. 이에 반해, 본 실시 예는 제1 박막층 패턴(410)과 제2 박막층 패턴(420)을 형성하기 위한 제1 포토레지스트 패턴(430)을 한 번의 노광 공정으로 생성한다. 즉, 투과영역으로 제1 박막층(410)의 패턴을 설계하고 반투과영역으로 제2 박막층(420)의 패턴을 설계한 후 노광 공정을 통해 서로 다른 두께를 가진 제1 포토레지스트 패턴(430)을 한 번에 형성할 수 있다. A first photoresist pattern 430 having at least two different thicknesses is formed on two or more thin film layers 410 and 420 through a single exposure process according to the present embodiment. For example, in the case of manufacturing a phase inversion mask including a light-shielding layer and a phase inversion layer, as described in FIG. 1, a first exposure process for the light-shielding layer pattern 110 and a first exposure process for the phase inversion layer pattern 120 2 An exposure process is required. In contrast, in the present embodiment, the first photoresist pattern 430 for forming the first thin film layer pattern 410 and the second thin film layer pattern 420 is generated in a single exposure process. That is, after designing a pattern of the first thin film layer 410 as a transmissive region and designing a pattern of the second thin film layer 420 as a transflective region, first photoresist patterns 430 having different thicknesses are formed through an exposure process. Can be formed at once.

다시 말해, 반투과영역을 포함하여 설계된 패턴을 이용하여 노광 공정을 수행하면, 패턴의 투과영역에 해당하는 포토레지스트층은 모두 제거(460)되고, 패턴의 차단영역에 해당하는 포토레지스트층은 그대로 남는다(450). 반면, 반투과영역에 해당하는 포토레지스트층은 설정된 투과율에 따라 일정 두께가 남는다(470).In other words, when the exposure process is performed using a pattern designed including the transmissive region, all photoresist layers corresponding to the transmissive region of the pattern are removed (460), and the photoresist layer corresponding to the blocking region of the pattern is unchanged. It remains (450). On the other hand, the photoresist layer corresponding to the semi-transmissive region remains in a certain thickness according to the set transmittance (470).

도 4b를 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(430)에 따라 두 박막층(410,420)을 식각하여 제1 톤을 가진 제1 박막층(410)의 패턴을 형성한다.Referring to FIG. 4B, two thin film layers 410 and 420 are etched according to the first photoresist pattern 430 to form a pattern of the first thin film layer 410 having a first tone.

도 4c를 참조하면, 제1 포토레지스 패턴(430)의 두께를 일부 제거하여 제2 포토레지스트 패턴(440)을 형성한다. 종래의 마스크 제조 공정에서는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하기 위하여 별도의 노광 공정을 다시 수행하여야 하나, 본 실시 예는 별도의 노광 공정 없이 제1 포토레지스트 패턴(430)을 일정 두께 제거하여 제2 포토레지스트 패턴(430)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 포토레지스트 패턴에서 반투과영역에 해당하는 포토레지스트층의 두께가 R1이면, 제1 포토레지스트 패턴(430)을 R1 두께만큼 제거하여 제2 포토레지스트 패턴(440)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 4C, a second photoresist pattern 440 is formed by partially removing the thickness of the first photoresist pattern 430. In the conventional mask manufacturing process, a separate exposure process must be performed again in order to form the second photoresist pattern. In this embodiment, the first photoresist pattern 430 is removed by a certain thickness without a separate exposure process to form the second photoresist pattern. A resist pattern 430 may be formed. For example, if the thickness of the photoresist layer corresponding to the transflective region in the first photoresist pattern is R1, the first photoresist pattern 430 is removed by the thickness R1 to form the second photoresist pattern 440. I can.

도 4d를 참조하면, 제2 포토레지스트 패턴(440)에 따라 제2 박막층(420)을 식각하여 제2 톤을 가진 제2 박막층(420)의 패턴을 형성한다. Referring to FIG. 4D, the second thin film layer 420 is etched according to the second photoresist pattern 440 to form a pattern of the second thin film layer 420 having a second tone.

도 4e를 참조하면, 제2 포토레지스트 패턴(440)을 제거하여 투과층, 차광층, 반투과층 또는 위상반전층의 3톤을 가진 마스크를 생성한다. Referring to FIG. 4E, by removing the second photoresist pattern 440, a mask having three tones of a transmission layer, a light shielding layer, a semi-transmissive layer, or a phase inversion layer is generated.

본 실시 예의 제조 방법은 위상반전마스크, MTM, HTM 등 3-톤 이상의 구조를 가진 마스크 제조 방법에 적용될 수 있다. The manufacturing method of this embodiment can be applied to a method of manufacturing a mask having a 3-tone or more structure, such as a phase inversion mask, MTM, and HTM.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far, the present invention has been looked at around its preferred embodiments. Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to understand that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered from an illustrative point of view rather than a limiting point of view. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the present invention.

350: 반투과영역 352: 차단슬릿
400: 투명기판 410: 제1 박막층
420: 제2 박막층 430: 제1 포토레지스트 패턴350: semi-transmissive region 352: blocking slit
400: transparent substrate 410: first thin film layer
420: second thin film layer 430: first photoresist pattern

Claims (7)

기판에 적어도 둘 이상의 박막층을 형성하는 단계;
상기 적어도 둘 이상의 박막층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
적어도 둘 이상의 서로 다른 두께를 가지는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 포토레지스트 패턴에 따라 적어도 하나 이상의 박막층을 식각하는 단계;
상기 제1 포토레지스트 패턴을 일정 두께 제거하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제2 포토레지스트 패턴에 따라 적어도 하나 이상의 박막층을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3-톤 이상의 마스크 제조 방법.Forming at least two thin film layers on a substrate;
Forming a photoresist layer on the at least two thin film layers;
Forming a first photoresist pattern having at least two or more different thicknesses;
Etching at least one thin film layer according to the first photoresist pattern;
Removing the first photoresist pattern by a predetermined thickness to form a second photoresist pattern; And
Etching at least one thin film layer according to the second photoresist pattern. 3 or more mask manufacturing method comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 둘 이상의 박막층은,
차광층; 및
부분투과층 또는 위상반전층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3-톤 이상의 마스크 제조 방법.The method of claim 1, wherein the at least two or more thin film layers,
Light-shielding layer; And
A method for manufacturing a 3-tone or more mask, comprising: a partial transmission layer or a phase inversion layer. 제 1항에 있어서,
상기 제1 포토레지스트 패턴은 톤이 서로 다른 층의 패턴에 대해 서로 다른 두께의 포토레지스트층을 포함하는 서로 다른 것을 특징으로 하는 3-톤 이상의 마스크 제조 방법.The method of claim 1,
The first photoresist pattern is a method of manufacturing a 3-tone or more mask, characterized in that the first photoresist pattern is different from each other including photoresist layers having different thicknesses for patterns of different tones. 제 1항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
서로 다른 층의 패턴에 해당하는 포토레지스트층의 각 영역을 서로 다른 크기의 에너지로 노광시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3-톤 이상의 마스크 제조 방법.The method of claim 1, wherein forming the first photoresist pattern comprises:
Exposing each region of the photoresist layer corresponding to the pattern of different layers to light with energy of different sizes. 3 or more mask manufacturing method comprising a. 제 4항에 있어서, 상기 노광시키는 단계는,
광을 그대로 투과시키는 투과영역, 광을 차단하는 차단영역, 광의 일부를 투과하는 반투과영역을 포함하도록 설계된 패턴을 이용하여 포토레지스트층을 서로 다른 크기의 에너지로 노광시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3-톤 이상의 마스크 제조 방법.The method of claim 4, wherein the exposing step,
And exposing the photoresist layer with energy of different sizes using a pattern designed to include a transmissive region through which light is transmitted as it is, a blocking region that blocks light, and a semi-transmissive region through which a part of the light is transmitted. A method for manufacturing a 3-tone or more mask. 제 5항에 있어서,
상기 차단슬릿은 노광장치의 스팟 빔의 크기 간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 3-톤 이상의 마스크 제조 방법.The method of claim 5,
The blocking slit is a method of manufacturing a 3-tone or more mask, characterized in that arranged at intervals of the size of the spot beam of the exposure apparatus. 제 5항에 있어서,
상기 차단슬릿의 전부 또는 일부는 크기가 서로 상이한 것을 특징으로 하는 3-톤 이상의 마스크 제조 방법.
The method of claim 5,
All or part of the blocking slit is a 3-tone or more mask manufacturing method, characterized in that the size is different from each other.
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