JP4615032B2 - Multi-tone photomask manufacturing method and pattern transfer method - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 59
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 250
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- -1 silicide compound Chemical class 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021563 chromium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 1
- FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K trifluorochromium Chemical compound F[Cr](F)F FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/34—Phase-edge PSM, e.g. chromeless PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
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Description
本発明は、液晶表示装置（Liquid CrystalDisplay：以下、ＬＣＤと称する）製造等に好適に用いられる多階調フォトマスクの製造方法及び多階調フォトマスク、並びに当該フォトマスクを用いたパターン転写方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a multi-tone photomask, a multi-tone photomask, and a pattern transfer method using the photomask, which are suitably used for manufacturing a liquid crystal display (LCD). Is.
現在、ＬＣＤの分野において、薄膜トランジスタ液晶表示装置（Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display：以下、ＴＦＴ−ＬＣＤと呼ぶ）は、ＣＲＴ（陰極線管）に比較して、薄型にしやすく消費電力が低いという利点から、現在商品化が急速に進んでいる。ＴＦＴ−ＬＣＤは、マトリックス状に配列された各画素にＴＦＴが配列された構造のＴＦＴ基板と、各画素に対応して、レッド、グリーン、及びブルーの画素パターンが配列されたカラーフィルターが液晶相の介在の下に重ね合わされた概略構造を有する。ＴＦＴ−ＬＣＤでは、製造工程数が多く、ＴＦＴ基板だけでも５〜６枚のフォトマスクを用いて製造されていた。このような状況の下、ＴＦＴ基板の製造を４枚のフォトマスクを用いて行う方法が提案されている。 Currently, in the field of LCDs, thin film transistor liquid crystal displays (hereinafter referred to as TFT-LCDs) are easier to make thinner and have lower power consumption than CRTs (cathode ray tubes). Commercialization is progressing rapidly. A TFT-LCD includes a TFT substrate having a structure in which TFTs are arranged in pixels arranged in a matrix, and a color filter in which red, green, and blue pixel patterns are arranged corresponding to each pixel. It has a schematic structure superimposed under the intervention of. In TFT-LCD, the number of manufacturing processes is large, and the TFT substrate alone is manufactured using 5 to 6 photomasks. Under such circumstances, a method of manufacturing a TFT substrate using four photomasks has been proposed.
この方法は、遮光部と透光部の他に半透光部（グレートーン部）を有するグレートーンマスクと称されるフォトマスクを用いることにより、使用するマスク枚数を低減するというものである。ここで、半透光部とは、マスクを使用してパターンを被転写体に転写する際、透過する露光光の透過量を所定量低減させ、被転写体上のフォトレジスト膜の現像後の残膜量を制御する部分をいう。 In this method, the number of masks to be used is reduced by using a photomask called a gray tone mask having a semi-transparent portion (gray tone portion) in addition to the light shielding portion and the translucent portion. Here, the semi-transparent portion means that when a pattern is transferred to a transfer object using a mask, the amount of exposure light transmitted therethrough is reduced by a predetermined amount, and the photoresist film on the transfer object after development is developed. The part that controls the amount of remaining film.
ここで用いられるグレートーンマスクとしては、半透光部が、グレートーンマスクを使用するＬＣＤ用露光機の解像限界以下の微細パターンで形成されている構造のものが知られている。また、半透光部に、露光光の一部のみを透過する半透過性の半透光膜によって形成する構造のものも従来知られている。何れの構造のものであっても、この半透光部での露光量を所定量少なくして露光することが出来、被転写体上に、レジスト残膜値の異なる２つの転写パターンを転写することができることから、１枚のグレートーンマスクを用いて従来のフォトマスク２枚分の工程が実施されることにより、TFT-ＬＣＤなどを製造する際に、必要なマスク枚数が削減される。 As the gray tone mask used here, one having a structure in which the semi-transparent portion is formed with a fine pattern below the resolution limit of an LCD exposure machine using the gray tone mask is known. Further, a structure in which a semi-transparent portion is formed of a semi-transparent semi-transparent film that transmits only part of the exposure light is also known. Regardless of the structure, it is possible to expose the semi-translucent portion with a predetermined amount of light exposure, and transfer two transfer patterns having different resist residual film values onto the transfer target. Therefore, the number of masks required when manufacturing a TFT-LCD or the like is reduced by performing a process for two conventional photomasks using one gray-tone mask.
従来、レジストパターンの形成と金属化合物等の膜のエッチングとを所望回数繰り返すことにより得られる、光透過率が３段階以上の多段階に変化する多階調フォトマスクが下記特許文献１に開示されている。また、遮光部と透光部の他にそれぞれ異なる光透過率の第１半透光部と第２半透光部を有する４階調フォトマスクをリソグラフィ工程により少ない描画回数で製造できる４階調フォトマスクの製造方法が下記特許文献２に開示されている。
Conventionally, a multi-tone photomask whose light transmittance changes in three or more stages and obtained by repeating resist pattern formation and etching of a film such as a metal compound a desired number of times is disclosed in
しかしながら、上記特許文献１に開示された多階調フォトマスクの製造方法の場合、金属化合物等の膜をエッチングするごとに、マスクのパターン形状を順次変えていくことが必要であるため、工程が非常に煩雑である上、得ようとする金属化合物の形状（グラデーション）にも制約があり、TFT製造工程に適用することは困難である。
However, in the case of the multi-tone photomask manufacturing method disclosed in
また、上記特許文献２に開示された４階調フォトマスクの製造方法によれば、フォトリソグラフィ工程によって４階調のフォトマスクを製造することができるが、ここで使用する２種類の第１半透光膜及び第２半透光膜と遮光膜の材料の選択には多少の制約がある。すなわち、第１半透光膜と第２半透光膜は、互いのエッチング環境に対してエッチングされないような耐性を有する、つまりエッチング選択性を有することが必要であるか、又は、第１半透光膜と第２半透光膜のいずれかと、遮光膜の間にエッチング選択性があることが必要となる。
Further, according to the method for manufacturing a four-tone photomask disclosed in
したがって、材料選択の幅が制約されるという不都合がある。また、上記特許文献２に開示された４階調フォトマスクの製造方法によれば、複数回の描画工程を実施する場合のアライメントずれによる影響を出来るだけ無くすためのマージンを設けられないという不都合がある。すなわち、複数回の描画工程の位置ずれに起因する弊害として、膜が除去されるべき領域の周縁に、膜が残存してしまう。例えば、半透光部と透光部の境界に遮光膜が残存したり、遮光部と透光部の境界の透光部側に半透光膜が残存するなどが生じ得る。
特に、アライメントずれに起因する深刻な問題は、不要なところに、Crなどの遮光膜の線が残り、これが、最終製品において回路の短絡を発生させることであり、これを予め阻止することが望まれる。
Therefore, there is a disadvantage that the range of material selection is limited. In addition, according to the method for manufacturing a four-tone photomask disclosed in
In particular, a serious problem caused by misalignment is that a light shielding film line such as Cr remains in an unnecessary place, which causes a short circuit in the final product, and it is desirable to prevent this in advance. It is.
そこで、マスク製造のパターニングに際し、予めパターンデータを加工して、マージン領域を設け、結果的にアライメントずれに起因する影響を最小にしておく方法が考えられる。但し、パターンのデータ加工したあと、結果としてアライメントずれが生じなかった場合には設計どおりのフォトマスクが得られるようにすることが肝要である。
本発明者の検討により、従来技術によるフォトマスクの製造方法に比べ、本発明の方法は、４階調のフォトマスクが製造できるにもかかわらず、上記目的に沿った、アライメントずれ対策を行いつつフォトマスク製造が行えることを見出された。
In view of this, a method of processing pattern data in advance and providing a margin region in patterning for mask manufacture, and as a result, minimizing the influence caused by misalignment can be considered. However, it is important to obtain a photomask as designed if there is no misalignment after pattern data processing.
According to the inventor's study, the method of the present invention is capable of manufacturing a four-tone photomask, while taking measures against misalignment in line with the above purpose, compared to the photomask manufacturing method of the prior art. It has been found that a photomask can be manufactured.
本発明は、上記従来の事情に鑑みてなされたものであり、使用する２種類の半透光膜と遮光膜の各膜種は任意の組み合わせが可能であり、またアライメントずれ対策用のマージンが設けられる多階調フォトマスクの製造方法を提供することを第１の目的とする。また、本発明は、微細パターンが高精度に形成された多階調フォトマスクを提供することを第２の目的とする。さらに、上記多階調フォトマスクを用いたパターン転写方法を提供することを第３の目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described conventional circumstances, and the film types of the two types of semi-transparent film and the light-shielding film to be used can be arbitrarily combined, and there is a margin for measures against misalignment. It is a first object to provide a method for manufacturing a provided multi-tone photomask. It is a second object of the present invention to provide a multi-tone photomask in which a fine pattern is formed with high accuracy. It is a third object of the present invention to provide a pattern transfer method using the multi-tone photomask.
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）透明基板上に、遮光部、透光部、及びそれぞれ露光光透過率の異なる第１半透光部と第２半透光部からなるマスクパターンを有する多階調フォトマスクの製造方法であって、透明基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、前記フォトマスクブランクの前記遮光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第１レジストパターンを形成する工程と、前記第１レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、前記第１レジストパターンを除去した後、パターニングされた前記遮光膜を有する基板面に第１半透光膜を形成する工程と、前記第１半透光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第２レジストパターンを形成する工程と、前記第２レジストパターンをマスクとして少なくとも前記第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、前記第２レジストパターンを除去した後、パターニングされた前記遮光膜及び前記第１半透光膜を有する基板面に第２半透光膜を形成する工程と、前記第２半透光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第３レジストパターンを形成する工程と、前記第３レジストパターンをマスクとして少なくとも前記第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有することを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。
In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration.
(Configuration 1) Manufacture of a multi-tone photomask having a light shielding part, a light transmitting part, and a mask pattern composed of a first semi-transmissive part and a second semi-transmissive part having different exposure light transmittances on a transparent substrate. A method of preparing a photomask blank having a light shielding film on a transparent substrate, and a step of drawing and developing a resist film formed on the light shielding film of the photomask blank to form a first resist pattern Etching the light shielding film using the first resist pattern as a mask and performing a first patterning; and after removing the first resist pattern, forming a first half on the substrate surface having the patterned light shielding film Forming a light-transmitting film; drawing a resist film formed on the first semi-light-transmitting film; developing the second resist pattern; and forming the second resist pattern Etching at least the first semi-transparent film as a mask to perform second patterning, and removing the second resist pattern and then patterning the light-shielding film and the first semi-transparent film Forming a second semi-transparent film on the surface; drawing and developing a resist film formed on the second semi-transparent film to form a third resist pattern; and masking the third resist pattern And a third patterning process by etching at least the second semi-transparent film.
（構成２）前記第１半透光部は、透明基板上に第２半透光膜を有してなり、前記第２半透光部は、透明基板上に第１半透光膜と第２半透光膜を有してなることを特徴とする、構成１に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
（構成３）前記第1レジストパターン形成工程は、第２半透光部を除いた領域にレジストパターンを残存させ、かつ、前記第２半透光部と隣接する第１半透光部、及び前記第２半透光部と隣接する透光部のレジストパターンの寸法を、前記第２半透光部との境界において、得ようとする前記第１半透光部及び透光部の寸法より、所定のマージン領域分狭く形成することを特徴とする構成２に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
(Configuration 2) The first semi-transparent portion includes a second semi-transparent film on a transparent substrate, and the second semi-transparent portion includes a first semi-transparent film and a first semi-transparent film on the transparent substrate. 2. The method for producing a multi-tone photomask according to
(Structure 3) In the first resist pattern forming step, a first semi-transparent portion that leaves the resist pattern in a region excluding the second semi-transparent portion and is adjacent to the second semi-transparent portion, and The dimension of the resist pattern of the light transmissive part adjacent to the second semi light transmissive part is obtained from the dimensions of the first semi light transmissive part and the light transmissive part to be obtained at the boundary with the second semi light transmissive part. 3. A method for manufacturing a multi-tone photomask according to
（構成４）前記第２レジストパターン形成工程では、前記第１半透光部を除いた領域にレジストパターンを残存させ、かつ、前記第１半透光部と隣接する透光部のレジストパターンの寸法を、前記第１半透光部との境界において、得ようとする前期透光部の寸法より、所定のマージン領域分狭く形成することを特徴とする構成３に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
（構成５）前記第１レジストパターン形成工程は、遮光部にレジストパターンを残存させ、かつ、前記遮光部のレジストパターンの寸法を、前記遮光部と隣接する透光部及び第１半透光部との境界において、所定のマージン領域分広く形成することを特徴とする構成２に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
(Configuration 4) In the second resist pattern forming step, the resist pattern remains in a region excluding the first semi-translucent portion, and the resist pattern of the translucent portion adjacent to the first semi-transparent portion is formed. 4. The multi-tone photomask according to
(Structure 5) In the first resist pattern forming step, the resist pattern remains in the light shielding portion, and the resist pattern dimension of the light shielding portion is set so that the light transmitting portion and the first semi-light transmitting portion are adjacent to the light shielding portion. The method for manufacturing a multi-tone photomask according to
（構成６）前記第２レジストパターン形成工程は、前記遮光部と第２半透光部にレジストパターンを残存させ、かつ、前記透光部と隣接する第２半透光部、及び透光部と隣接する遮光部のレジストパターンの寸法を、所定のマージン領域分広く形成することを特徴とする構成５に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
（構成７）前記第３レジストパターン形成工程は、得ようとするマスクパターンの寸法に基づき、マージン領域を設けずに決定した寸法に基づいて行うことを特徴とする構成１乃至６のいずれかに記載の多階調フォトマスクの製造方法。
(Configuration 6) In the second resist pattern forming step, a resist pattern remains in the light-shielding portion and the second semi-transparent portion, and the second semi-transparent portion and the translucent portion adjacent to the
(Structure 7) In any one of
（構成８）前記第１半透光膜及び前記第２半透光膜はいずれも同一のエッチャントによりエッチングが可能な材料からなることを特徴とする構成１乃至７のいずれかに記載の多階調フォトマスクの製造方法。
（構成９）前記遮光膜、前記第１半透光膜及び前記第２半透光膜はいずれも同一のエッチャントによりエッチングが可能な材料からなることを特徴とする構成１乃至８のいずれかに記載の多階調フォトマスクの製造方法。
（構成１０）前記第１半透光膜及び前記第２半透光膜はいずれもクロムを主成分とした材料または金属シリサイドを主成分とした材料からなることを特徴とする構成１乃至９のいずれかに記載の多階調フォトマスクの製造方法。
(Structure 8) The multi-story according to any one of
(Arrangement 9) Any one of
(Arrangement 10) The
（構成１１）透明基板上に、遮光部、透光部、及びそれぞれ露光光透過率の異なる第１半透光部と第２半透光部からなるマスクパターンを有し、前記遮光部は、前記透明基板上に形成された遮光膜上に少なくとも第１又は第２半透光膜が積層されて形成され、前記透光部は、露出した前記透明基板により形成され、前記第1半透光部は、透明基板上に第１半透光膜を有してなり、前記第２半透光部は、透明基板上に第1半透光膜と第２半透光膜を有してなることを特徴とする多階調フォトマスク。
（構成１２）構成１乃至１０のいずれかに記載の製造方法による多階調フォトマスク、あるいは、構成１１に記載の多階調フォトマスクを用いて、被転写体に露光光を照射する露光工程を有し、被転写体上に多階調の転写パターンを形成することを特徴とするパターン転写方法。
(Configuration 11) A transparent substrate has a mask pattern including a light shielding portion, a light transmitting portion, and a first semi-transmissive portion and a second semi-transmissive portion having different exposure light transmittances. At least a first or second semi-transparent film is formed on the light-shielding film formed on the transparent substrate, and the translucent part is formed by the exposed transparent substrate, and the first semi-transparent film is formed. The part has a first semi-transparent film on a transparent substrate, and the second semi-transparent part has a first semi-transparent film and a second semi-transparent film on the transparent substrate. A multi-tone photomask characterized by the above.
(Structure 12) An exposure process of irradiating a transfer object with exposure light using the multi-tone photomask according to the manufacturing method according to any one of
本発明の多階調フォトマスクの製造方法によれば、遮光膜の他に第１半透光膜と第２半透光膜の組み合わせを用いてフォトリソグラフィ法によって簡便に製造でき、しかも使用する２種類の半透光膜と遮光膜の各膜種は任意の組み合わせが可能であり、またアライメントずれ対策用のマージンを設けることができ、微細パターンであっても高精度に形成された露光光透過率が多段階に異なる多階調のフォトマスクを製造することができる。
また、上述のように製造できることにより、微細パターンが高精度に形成された多階調のフォトマスクが得られる。
According to the method for manufacturing a multi-tone photomask of the present invention, it can be easily manufactured by photolithography using a combination of the first semi-transmissive film and the second semi-transmissive film in addition to the light-shielding film, and is used. The film types of the two types of semi-transparent film and light-shielding film can be arbitrarily combined, and a margin for preventing misalignment can be provided, and exposure light formed with high precision even for a fine pattern A multi-tone photomask having different transmittances in multiple stages can be manufactured.
In addition, since it can be manufactured as described above, a multi-tone photomask in which a fine pattern is formed with high accuracy can be obtained.
また、本発明に係る多階調フォトマスクを用いたパターン転写方法によれば、精度の高い多階調の転写パターンを被転写体に転写することができ、またその結果、例えばＴＦＴ基板の製造等においてマスク枚数の大幅な削減が可能になる。 Further, according to the pattern transfer method using the multi-tone photomask according to the present invention, a highly accurate multi-tone transfer pattern can be transferred to the transfer target, and as a result, for example, the manufacture of a TFT substrate For example, the number of masks can be greatly reduced.
本発明のフォトマスクは、透明基板上に、遮光部、透光部、及びそれぞれ露光光透過率の異なる第１半透光部と第２半透光部からなるマスクパターンを有する多階調フォトマスクである。ここで、「それぞれ露光光透過率の異なる第1半透光部と第２半透光部」とは、露光光の代表波長（例えばｇ線）に対する光透過率が異なるように形成されていて、例えば、それぞれに形成された膜の膜構成、膜素材、又は膜厚が異なることを意味する。必ずしも、それぞれに所定のパターニングを施し、実際のマスクとした後に露光を行うときに透過率が異なるとの意味ではない。この点については後述する。 The photomask of the present invention is a multi-tone photo having a light shielding portion, a light transmissive portion, and a mask pattern comprising a first semi-light transmissive portion and a second semi-light transmissive portion having different exposure light transmittances on a transparent substrate. It is a mask. Here, the “first semi-transmission part and second semi-transmission part having different exposure light transmittances” are formed so as to have different light transmittances with respect to the representative wavelength (eg, g-line) of the exposure light. For example, it means that the film configuration, the film material, or the film thickness of the film formed in each is different. It does not necessarily mean that the transmittance is different when exposure is performed after predetermined patterning is performed on each mask to form an actual mask. This point will be described later.
また、上記フォトマスクにおいて、遮光部は、前記透明基板上に形成された遮光膜上に少なくとも第１又は第２半透光膜が積層されて形成されてなる。遮光膜上に、第１及び第２半透光膜がともに積層されていてもよい。
なお、遮光膜は、遮光層と反射防止層を有することが好ましく、遮光膜、第１、第２半透光膜のうち、もっとも透明基板表面側に遮光膜が形成されている。好ましい態様としては、透明基板上に直接、遮光膜が形成されている。
また、前記透光部は、露出した前記透明基板により形成され、前記第1半透光部は、透明基板上に第１半透光膜を有してなり、前記第２半透光部は、透明基板上に第1半透光膜と第２半透光膜を有してなる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づき説明する。
In the above photomask, the light shielding portion is formed by laminating at least a first or second semi-transparent film on a light shielding film formed on the transparent substrate. Both the first and second translucent films may be laminated on the light shielding film.
The light shielding film preferably includes a light shielding layer and an antireflection layer, and the light shielding film is formed on the most transparent substrate surface side among the light shielding film and the first and second semi-transparent films. As a preferred embodiment, a light shielding film is formed directly on the transparent substrate.
The translucent part is formed of the exposed transparent substrate, the first semi-transparent part has a first semi-transparent film on the transparent substrate, and the second semi-transparent part is And a first semi-transparent film and a second semi-transparent film on the transparent substrate.
The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
［第１の実施の形態］
図１は、本発明に係る多階調フォトマスクの第１の実施の形態と、当該多階調フォトマスクを用いたパターン転写方法を説明するための断面図である。
図１に示す多階調フォトマスク１０は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やカラーフィルタ、またはプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）などを製造するための多階調フォトマスク（又はグレートーンマスク）として用いることができ、図１に示す被転写体２０上に、膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターン２３を形成する。なお、図１中において符号２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃは、被転写体２０において基板２１上に積層された膜を示す。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a first embodiment of a multi-tone photomask according to the present invention and a pattern transfer method using the multi-tone photomask.
A
上記本実施の形態のフォトマスク１０は、具体的には、当該フォトマスク１０の使用時に露光光を遮光（透過率が略０％）させる遮光部１１と、ガラス基板等の透明基板１４の表面が露出して露光光を透過させる透光部１２と、透光部１２の露光光透過率を１００％としたとき透過率を１０〜８０％程度、好ましくは、２０〜７０％程度の範囲内に低減させ、この範囲内において露光光透過率が２段階に異なる第1半透光部１３Ａと第２半透光部１３Ｂを有して構成されている。上記半透光部は、透明基板１４上に光半透過性の半透光膜が形成されて構成され、本実施の形態では、そのうちの第２半透光部１３Ｂは、第１半透光膜１６と第２半透光膜１７の積層膜により形成され、第１半透光部１３Ａは上記第２半透光膜１７により形成されている。また、上記遮光部１１は、透明基板１４上に、遮光層１５ａ及び反射防止層１５ｂの積層からなる遮光膜１５、上記第１半透光膜１６及び上記第２半透光膜１７が順に設けられて形成されている。したがって、上記フォトマスク１０は、露光光透過率が４段階に異なる４階調のフォトマスクとなっている。なお、図１に示す遮光部１１、透光部１２、及び半透光部１３Ａ、１３Ｂのパターン形状はあくまでも一例である。
Specifically, the
上述のような４階調フォトマスク１０を使用して、被転写体２０へのパターン転写を行ったときに、遮光部１１では露光光が実質的に透過せず、透光部１２では露光光が透過し、第１及び第２半透光部１３Ａ、１３Ｂでは各々の光透過率に応じて露光光が低減され、本実施の形態では第１半透光部１３Ａは第２半透光部１３Ｂよりも光透過率が高い。そのため、被転写体２０上に塗布したレジスト膜（ここではポジ型フォトレジスト膜）は、パターン転写後、現像を経たとき、上記遮光部１１に対応する部分で膜厚が最も厚くなる。また、上記第１及び第２半透光部１３Ａ、１３Ｂに対応する部分ではいずれも遮光部１１に対応する部分の膜厚よりも薄くなるが、上記第２半透光部１３Ｂに対応する部分の膜厚がその次に厚くなり、上記第１半透光部１３Ａに対応する部分の膜厚が最も薄くなる。また、透光部１２に対応する部分では膜がない。その結果、膜厚が４段階に異なる（そのうちの１段階は膜がない）レジストパターン２３を形成する。例えば、第１及び第２半透光部１３Ａ，１３Ｂの透過率は、透光部を１００％としたとき、それぞれ、６０％、４０％程度とすることができる。なお、ネガ型フォトレジストを用いた場合には、レジスト膜厚が上記と逆転することを考慮した設計を行う必要がある。
When the pattern transfer to the
そして、図１に示すレジストパターン２３の膜のない部分（上記透光部１２に対応する部分）で、被転写体２０における例えば膜２２Ａ〜２２Ｃに第１エッチングを実施する。続いて、レジストパターン２３の膜のうち膜厚が最も薄い部分（上記第１半透光部１３Ａに対応する部分）をアッシング等によって除去しこの部分で、被転写体２０における例えば膜２２Ｂ、２２Ｃに第２エッチングを実施する。続いて、レジストパターン２３のうち次に膜厚が薄い部分（上記第２半透光部１３Ｂに対応する部分）をアッシング等によって除去しこの部分で、被転写体２０における例えば膜２２Ｃに第３エッチングを実施する。このようにして、１枚の４階調フォトマスク１０を用いて、例えばＴＦＴ基板の製造における従来のフォトマスク３枚分の工程が実施されることになり、従来よりもマスク枚数を大幅に削減することが可能になる。
Then, first etching is performed on, for example, the films 22 </ b> A to 22 </ b> C in the
次に、上記４階調に係る多階調フォトマスクの製造方法について説明する。図２及び図３（図３は図２の続きである）は、本発明の第１の実施の形態に係る多階調フォトマスクの製造方法を工程順に示す断面図である。
使用するフォトマスクブランクは、図２（ａ）に示すように、ガラス基板等の透明基板１４上に、遮光層１５ａ及び反射防止層１５ｂの積層からなる遮光膜１５が形成されている。上記遮光層１５ａとしては、例えばクロム又はその化合物（例えばＣｒＮ，ＣｒＯ，ＣｒＣ等）が好ましく挙げられ、上記反射防止層１５ｂとしては、クロム系化合物（例えばＣｒＮ，ＣｒＯ，ＣｒＣ等）などが挙げられる。
Next, a method for manufacturing the multi-tone photomask according to the above-described four gradations will be described. 2 and 3 (FIG. 3 is a continuation of FIG. 2) are cross-sectional views showing the method of manufacturing the multi-tone photomask according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.
As shown in FIG. 2A, the photomask blank to be used has a
まず、上記フォトマスクブランク上にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、１度目の描画を行う。描画には、本実施の形態では例えばレーザー光を用いる。上記レジストとしてはポジ型フォトレジストを使用する。そして、レジスト膜に対し、所定のデバイスパターンを描画し、描画後に現像を行うことにより、例えば製造されるフォトマスクの第２半透光部１３Ｂを除く領域に第１レジストパターン３０を形成する（図２（ｂ）参照）。
First, a resist is applied on the photomask blank to form a resist film, and a first drawing is performed. In the present embodiment, for example, laser light is used for drawing. A positive photoresist is used as the resist. Then, by drawing a predetermined device pattern on the resist film and performing development after the drawing, the first resist
次に、上記第１レジストパターン３０をエッチングマスクとして遮光層１５ａ及び反射防止層１５ｂの積層からなる遮光膜１５をエッチングして遮光膜パターンを形成する（図２（ｃ）参照）。クロムを主成分とする遮光膜１５を用いた場合、エッチング手段としては、ドライエッチングもしくはウェットエッチングのどちらでも可能であるが、たとえば大型サイズのフォトマスク製造に好適なウェットエッチングでは、エッチング液として例えば硝酸第二セリウムアンモニウムを用いる。
Next, by using the first resist
残存する第１レジストパターン３０を除去した後（図２（ｄ）参照）、パターニングされた遮光膜１５を含む基板全面に、第１半透光膜１６を成膜する（図２（ｅ）参照）。
上記第１半透光膜１６としては、例えば、クロム又はクロム系化合物、金属シリサイド化合物などが好ましく挙げられる。クロム系化合物には、酸化クロム(ＣｒＯｘ)、窒化クロム(ＣｒＮｘ)、炭化クロム(ＣｒＣｘ)、酸窒化クロム(ＣｒＯｘＮ)、フッ化クロム(ＣｒＦｘ)や、これらに炭素や水素を含むものがある。また、金属シリサイド化合物としては特にモリブデンシリサイド化合物（MoSixのほか、MoSiの窒化物、酸化物、酸化窒化物、炭化物など）等が好ましく挙げられる。
After removing the remaining first resist pattern 30 (see FIG. 2D), a first
Preferred examples of the first
本発明の製造方法においては、上記第１半透光膜１６は、後述の第２半透光膜１７及び上述の遮光膜１５とのエッチング選択性、つまり互いのエッチング環境において耐性を有することはとくに要求されないため、本発明に使用する遮光膜と２種類の半透光膜の膜材料に関しては任意の組み合わせが可能であり、膜材料の選択の幅が大きいという優れた利点がある。したがって、上記第１半透光膜１６と後述の第２半透光膜１７は、異なる膜種を用いてもよいし、同じ膜種を用いることも出来、さらに同一の材料を用いることも可能である。また、遮光膜１５と同様の膜種、例えばクロム又はクロム系化合物を用いることもできる。上記第１半透光膜１６と第２半透光膜１７に同一、又は主成分が同一であるような素材を用いた場合、膜の分光透過率特性が同一、又は類似となる利点がある。すなわち、このマスクを使用する際に用いる露光機は、i線〜ｇ線の波長帯をもつ光源を用いるが、その分光特性は、露光機によって必ずしも一定ではない。更に、半透光膜にはその透過率に、波長依存性があることが多い。従って、照射される露光光の分光特性に応じて、透過率が変化する場合があり、膜素材が異なれば、この変化挙動も異なる。代表波長（例えばg線）で、第１、第２半透光部の透過率を予め規定して、パターンを転写しようとする被転写体上のレジスト残膜として所定値のものを期待しても、露光機の特性によって、得られるレジスト残膜値が異なってしまうのでは不都合である。結果として、所望のレジストパターンを得るための条件出しが困難になる。一方、上記のように本発明のフォトマスクにおいて、半透光膜１と半透光膜２の間にエッチング選択性が必要でなく、素材選択の自由があるということは、両者のi線〜ｇ線における、透過率波長依存性をほぼ同一とすることができるため、マスクユーザによる加工条件の条件出しが容易であるというメリットがある。また、同一の材料を用いる場合、主に膜厚を変化させることにより光透過率を変えることが可能である。
上記第１半透光膜１６は、透明基板１４（透光部）の露光光の透過量に対し１０〜８０％程度、好ましくは２０〜７０％程度の透過量を有するものが好ましい。
In the manufacturing method of the present invention, the first
The first
次に、再び全面に上記と同じレジスト膜を形成し、２度目の描画を行う。すなわち、このレジスト膜に対し、所定のパターンを描画し、描画後に現像を行うことにより、例えば製造されるフォトマスクの遮光部１１と第２半透光部１３Ｂに対応する領域に第２レジストパターン３１を形成する（図２（ｆ）参照）。
Next, the same resist film as described above is formed again on the entire surface, and a second drawing is performed. That is, a predetermined pattern is drawn on the resist film, and development is performed after the drawing, so that the second resist pattern is formed in a region corresponding to the
次に、上記第２レジストパターン３１をエッチングマスクとして、露出した第１半透光部１３Ａ及び透光部１２領域上の第１半透光膜１６及びその下の遮光膜１５をエッチングする（図３（ｇ）参照）。ここで、第１半透光膜１６と遮光膜１５とが同一エッチャントに対してエッチング可能な材料からなる場合には、同じエッチング条件で一度に行うことができる。
Next, using the second resist
残存する第２レジストパターン３１を除去した後（図３（ｈ）参照）、パターニングされた遮光膜１５及び第１半透光膜１６を含む基板全面に、第２半透光膜１７を成膜する（図３（ｉ）参照）。上記第２半透光膜１７としては、例えばクロム又はクロム系化合物、あるいはモリブデンシリサイド等の金属シリサイド化合物などが好ましく挙げられる。前述したように、上記第２半透光膜１７は、前記第１半透光膜１６と同じ膜種の材料を用いてもよい。また、上記第２半透光膜１７についても、透明基板２４（透光部）の露光光の透過量に対し１０〜８０％程度、好ましくは２０〜７０％程度の透過量を有することが望ましい。
なお、TFT製造用のフォトマスクとしては、第１半透光部、及び第２半透光部の露光光透過率を、透光部に対して、２０〜６０％程度にすることが好ましい。第１、第２半透光膜の透過率は、これらを考慮して決定することができる。
After removing the remaining second resist pattern 31 (see FIG. 3H), the second
In addition, as a photomask for TFT manufacture, it is preferable that the exposure light transmittance of a 1st semi-transmission part and a 2nd semi-transmission part shall be about 20 to 60% with respect to a translucent part. The transmittance of the first and second semi-transparent films can be determined in consideration of these.
次に、上記第２半透光膜１７上の全面に再度前記と同じレジスト膜を形成し、３度目の描画を行う。すなわち、このレジスト膜に対し、所定のパターンを描画し、描画後、現像を行うことにより、例えば製造されるフォトマスクの透光部１２を除く領域に第３レジストパターン３２を形成する（図３（ｊ）参照）。
Next, the same resist film as described above is formed again on the entire surface of the second
次いで、上記第３レジストパターン３２をエッチングマスクとして、露出した透光部１２領域上の第２半透光膜１７をエッチングする（図３（ｋ）参照）。第２半透光膜１７のエッチング手段としては、ドライエッチングもしくはウェットエッチングのどちらでも可能である。
Next, using the third resist
そして、残存する第３レジストパターン３２を除去する。
こうして、透明基板１４上に、遮光層１５ａ及び反射防止層１５ｂからなる遮光膜１５と、第１半透光膜１６と第２半透光膜１７との積層によりなる遮光部１１、透明基板１４が露出する透光部１２、及び、第２半透光膜１７によりなる第１半透光部１３Ａと、第１半透光膜１６と第２半透光膜１７の積層によりなる第２半透光部１３Ｂを有するマスクパターンが形成された、露光光透過率が４段階に異なる４階調に係る多階調フォトマスク１０が出来上がる（図３（ｌ）参照）。
Then, the remaining third resist
In this way, on the
以上説明した本実施の形態による多階調フォトマスクの製造方法によれば、遮光膜の他に第１半透光膜と第２半透光膜の組み合わせを用いてフォトリソグラフィ法によって簡便に製造でき、しかも使用する２種類の半透光膜と遮光膜の各膜種は任意の組み合わせが可能であり、効率的で、かつ欠陥発生の確率の低い工程によって、作製することができる点で、量産上のメリットが大きい。
また、上述のように製造できることにより、微細パターンが高精度に形成された多階調のフォトマスクが得られる。
According to the method for manufacturing a multi-tone photomask according to the present embodiment described above, a combination of the first semi-transmissive film and the second semi-transmissive film in addition to the light-shielding film can be easily manufactured by photolithography. In addition, the film types of the two types of semi-transparent film and light-shielding film to be used can be arbitrarily combined, and can be manufactured by a process that is efficient and has a low probability of occurrence of defects. There are great advantages in mass production.
In addition, since it can be manufactured as described above, a multi-tone photomask in which a fine pattern is formed with high accuracy can be obtained.
また、前述の図１に示すような本実施の形態に係る多階調フォトマスクを用いたパターン転写を実施すると、被転写体には精度の高い多階調の転写パターンを転写することができる。またその結果、例えばＴＦＴ基板の製造等においてマスク枚数の大幅な削減が可能になる。なお、図１には、図３（ｌ）のフォトマスク１０の一部分のパターンを代表例として示している。
In addition, when pattern transfer using the multi-tone photomask according to the present embodiment as shown in FIG. 1 is performed, a highly accurate multi-tone transfer pattern can be transferred to the transfer target. . As a result, for example, the number of masks can be greatly reduced in the manufacture of TFT substrates. FIG. 1 shows a partial pattern of the
［第２の実施の形態］
次に、図４及び図５（図５は図４の続きである）は、本発明の第２の実施の形態に係る多階調フォトマスクの製造方法を工程順に示す断面図である。本実施の形態は、アライメントずれ対策用のマージンを設ける場合を示す。
ここでアライメントずれとは、複数回の描画工程の相互の位置を完全に一致させることはほぼ不可能であるために生じる、描画パターン同士の位置ずれである。アライメントずれとして最も深刻であるのは、半透光部と透光部の相互の境界などに、遮光膜が残存してしまうことである。このようなパターニングがなされたフォトマスクを使用すると、転写パターンに不要な線が生じ、回路の短絡などの動作不良が生じる懸念がある。そこで、本発明ではこのような可能性を抑止するためパターンのデータ加工を行うことができる。
使用するフォトマスクブランクは、図４（ａ）に示すように、第１の実施の形態と同様、ガラス基板等の透明基板１４上に、遮光層１５ａ及び反射防止層１５ｂの積層からなる遮光膜１５が形成されている。
[Second Embodiment]
Next, FIG. 4 and FIG. 5 (FIG. 5 is a continuation of FIG. 4) are cross-sectional views showing a method of manufacturing a multi-tone photomask according to the second embodiment of the present invention in the order of steps. This embodiment shows a case where a margin for misalignment is provided.
Here, the misalignment is a misalignment between the drawing patterns that occurs because it is almost impossible to completely match the positions of a plurality of drawing processes. The most serious misalignment is that the light shielding film remains at the boundary between the semi-translucent portion and the translucent portion. When a photomask having such patterning is used, unnecessary lines are generated in the transfer pattern, and there is a concern that an operation failure such as a short circuit may occur. Therefore, in the present invention, pattern data processing can be performed to suppress such a possibility.
As shown in FIG. 4A, the photomask blank to be used is a light-shielding film comprising a laminate of a light-
まず、上記フォトマスクブランク上にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜に対し所定のデバイスパターンを描画し、描画後に現像を行うことにより、第１レジストパターン３３を形成する（図４（ｂ）参照）。
なお、ここでは、上記第１レジストパターン３３は、製造されるフォトマスクの第２半透光部１３Ｂを除く領域に形成するとともに、第２半透光部と隣接する第１半透光部、及び第２半透光領域と隣接する透光部のレジストパターンの寸法を、第２半透光部との境界において、描画時のアライメントずれを考慮した所定幅のマージン３３ａとして、得ようとする前記第１半透光部及び透光部の寸法より、透光部側又は第1半透光部側に削る（所定の領域幅よりも幅狭に形成する）ようにマスクパターンデータを加工する。遮光部の境界部分はデータ加工しない。
First, a resist is coated on the photomask blank to form a resist film, a predetermined device pattern is drawn on the resist film, and development is performed after the drawing to form a first resist pattern 33 (FIG. 4). (See (b)).
Here, the first resist
次に、上記第１レジストパターン３３をエッチングマスクとして遮光層１５ａ及び反射防止層１５ｂの積層からなる遮光膜１５をエッチングして遮光膜パターンを形成する（図４（ｃ）参照）。
Next, by using the first resist
残存する第１レジストパターン３３を除去した後（図４（ｄ）参照）、基板全面に、第１半透光膜１６を成膜する（図４（ｅ）参照）。なお、上記第１半透光膜１６及び後述の第２半透光膜１７の膜材料に関しては、前述の第１の実施の形態で挙げたものと同様のものを使用する。
After removing the remaining first resist pattern 33 (see FIG. 4D), the first
次に、再び全面に上記と同じレジスト膜を形成し、２度目の描画を行い、描画後に現像を行うことにより、第２レジストパターン３４を形成する（図４（ｆ）参照）。
なお、上記第２レジストパターン３４は、製造されるフォトマスクの第１半透光部１３Ａを除く領域に形成するとともに、第１半透光部と隣接する透光部のレジストパターンの寸法を、第１半透光部との境界において、得ようとする前記透光部の寸法より、描画時のアライメントずれを考慮した所定幅のマージン３４ａとして削る（所定の領域幅よりも幅狭に形成する）ようにする。
Next, the same resist film as described above is formed again on the entire surface, the second drawing is performed, and development is performed after the drawing, thereby forming the second resist pattern 34 (see FIG. 4F).
The second resist
次に、上記第２レジストパターン３４をエッチングマスクとして、露出した第１半透光膜１６及びその下の遮光膜１５をエッチングする（図５（ｇ）参照）。
Next, using the second resist
残存する第２レジストパターン３４を除去した後（図５（ｈ）参照）、基板全面に、第２半透光膜１７を成膜する（図５（ｉ）参照）。
After removing the remaining second resist pattern 34 (see FIG. 5H), the second
次に、上記第２半透光膜１７上の全面に再度前記と同じレジスト膜を形成し、３度目の描画を行い、描画後、現像を行うことにより、第３レジストパターン３５を形成する（図５（ｊ）参照）。
なお、上記第３レジストパターン３５は、製造されるフォトマスクの透光部１２を除く領域に形成し、特に前記のようなマージンは設けない。
Next, the same resist film as described above is formed again on the entire surface of the second
The third resist
次いで、上記第３レジストパターン３５をエッチングマスクとして、露出した透光部１２領域上の第２半透光膜１７、第１半透光膜１６及び遮光膜１５をすべてエッチングする（図５（ｋ）参照）。
Next, using the third resist
そして、最後に残存する第３レジストパターン３５を除去する。
こうして、透明基板１４上に、遮光層１５ａ及び反射防止層１５ｂからなる遮光膜１５と、第１半透光膜１６と第２半透光膜１７との積層によりなる遮光部１１、透明基板１４が露出する透光部１２、及び、第２半透光膜１７によりなる第１半透光部１３Ａと、第１半透光膜１６と第２半透光膜１７の積層によりなる第２半透光部１３Ｂを有するマスクパターンが形成された、露光光透過率が４段階に異なる４階調に係る多階調フォトマスク１０が出来上がる（図５（ｌ）参照）。
Finally, the remaining third resist
In this way, on the
以上説明した本実施の形態による多階調フォトマスクの製造方法によれば、遮光膜の他に第１半透光膜と第２半透光膜の組み合わせを用いてフォトリソグラフィ法によって簡便に製造でき、しかも使用する２種類の半透光膜と遮光膜の各膜種は任意の組み合わせが可能であるとともに、複数回実施する描画時におけるアライメントずれを考慮したマージンを設けることが可能であり、その結果、アライメントずれの影響を抑えることができ、微細パターンが高精度に形成された多階調のフォトマスクが得られる。 According to the method for manufacturing a multi-tone photomask according to the present embodiment described above, a combination of the first semi-transmissive film and the second semi-transmissive film in addition to the light-shielding film can be easily manufactured by photolithography. In addition, the film types of the two types of semi-transparent film and the light-shielding film to be used can be arbitrarily combined, and a margin can be provided in consideration of misalignment at the time of drawing performed a plurality of times. As a result, the influence of misalignment can be suppressed, and a multi-tone photomask having a fine pattern formed with high accuracy can be obtained.
［第３の実施の形態］
次に、図６及び図７（図７は図６の続きである）は、本発明の第３の実施の形態に係る多階調フォトマスクの製造方法を工程順に示す断面図である。本実施の形態においても、アライメントずれ対策用のマージンを設ける場合を示す。
使用するフォトマスクブランクは、図６（ａ）に示すように、第１の実施の形態と同様、ガラス基板等の透明基板１４上に、遮光層１５ａ及び反射防止層１５ｂの積層からなる遮光膜１５が形成されている。
[Third Embodiment]
Next, FIG. 6 and FIG. 7 (FIG. 7 is a continuation of FIG. 6) are cross-sectional views showing the manufacturing method of the multi-tone photomask according to the third embodiment of the present invention in the order of steps. Also in this embodiment, the case where a margin for misalignment is provided is shown.
As shown in FIG. 6A, the photomask blank to be used is a light-shielding film comprising a laminate of a light-
まず、上記フォトマスクブランク上にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜に対し所定のデバイスパターンを描画し、描画後に現像を行うことにより、第１レジストパターン３６を形成する（図６（ｂ）参照）。
なお、上記第１レジストパターン３６は、製造されるフォトマスクの遮光部１１に対応する領域に形成するとともに、遮光部１１のレジストパターンの寸法を、前記遮光部１１と隣接する透光部１２及び第１半透光部１３Ａとの境界において、透光部１２又は第１半透光部１３Ａ側に描画時のアライメントずれを考慮した所定幅のマージン３６ａとして残す（所定の領域幅よりも幅広に形成する）ようにする。
First, a resist is coated on the photomask blank to form a resist film, a predetermined device pattern is drawn on the resist film, and development is performed after the drawing, thereby forming a first resist pattern 36 (FIG. 6). (See (b)).
The first resist
次に、上記第１レジストパターン３６をエッチングマスクとして遮光層１５ａ及び反射防止層１５ｂの積層からなる遮光膜１５をエッチングして遮光膜パターンを形成する（図６（ｃ）参照）。
Next, by using the first resist
残存する第１レジストパターン３６を除去した後（図６（ｄ）参照）、基板全面に、第１半透光膜１６を成膜する（図６（ｅ）参照）。なお、上記第１半透光膜１６及び後述の第２半透光膜１７の膜材料に関しては、前述の第１の実施の形態で挙げたものと同様のものを使用する。
After removing the remaining first resist pattern 36 (see FIG. 6D), the first
次に、再び全面に上記と同じレジスト膜を形成し、２度目の描画を行い、描画後に現像を行うことにより、第２レジストパターン３７を形成する（図６（ｆ）参照）。
なお、上記第２レジストパターン３７は、製造されるフォトマスクの遮光部１１と第２半透光部１３Ｂに対応する領域に形成するとともに、透光部１２と隣接する遮光部１１及び透光部１２と隣接する第２半透光部１３Ｂのレジストパターンの寸法を、描画時のアライメントずれを考慮した所定幅のマージン３７ａとして残す（所定の領域幅よりも幅広に形成する）ようにする。
Next, the same resist film as described above is formed again on the entire surface, the second drawing is performed, and development is performed after the drawing, thereby forming the second resist pattern 37 (see FIG. 6F).
The second resist
次に、上記第２レジストパターン３７をエッチングマスクとして、露出した第１半透光膜１６及びその下の遮光膜１５をエッチングする（図７（ｇ）参照）。
Next, using the second resist
残存する第２レジストパターン３７を除去した後（図７（ｈ）参照）、基板全面に、第２半透光膜１７を成膜する（図７（ｉ）参照）。
After the remaining second resist
次に、上記第２半透光膜１７上の全面に再度前記と同じレジスト膜を形成し、３度目の描画を行い、描画後、現像を行うことにより、第３レジストパターン３８を形成する（図７（ｊ）参照）。
なお、上記第３レジストパターン３８は、製造されるフォトマスクの透光部１２を除く領域に形成し、特に前記のようなマージンは設けない。
Next, the same resist film as described above is formed again on the entire surface of the second
The third resist
次いで、上記第３レジストパターン３８をエッチングマスクとして、露出した透光部１２領域上の第２半透光膜１７、第１半透光膜１６及び遮光膜１５をすべてエッチングする（図７（ｋ）参照）。
Next, using the third resist
そして、最後に残存する第３レジストパターン３８を除去する。
こうして、透明基板１４上に、遮光層１５ａ及び反射防止層１５ｂからなる遮光膜１５と、第１半透光膜１６と第２半透光膜１７との積層によりなる遮光部１１、透明基板１４が露出する透光部１２、及び、第２半透光膜１７によりなる第１半透光部１３Ａと、第１半透光膜１６と第２半透光膜１７の積層によりなる第２半透光部１３Ｂを有するマスクパターンが形成された、露光光透過率が４段階に異なる４階調に係る多階調フォトマスク１０が出来上がる（図７（ｌ）参照）。
Finally, the remaining third resist
In this way, on the
以上説明した本実施の形態による多階調フォトマスクの製造方法においても、遮光膜の他に第１半透光膜と第２半透光膜の組み合わせを用いてフォトリソグラフィ法によって簡便に製造でき、しかも使用する２種類の半透光膜と遮光膜の各膜種は任意の組み合わせが可能であるとともに、複数回実施する描画時におけるアライメントずれを考慮したマージンを設けることが可能であり、その結果、アライメントずれによる転写不良の影響を抑えることができる。本発明におけるマージン設定は、アライメントずれが生じなかったときには、設計どおりの転写パターンが形成できる利点があり、微細パターンが高精度に形成された多階調のフォトマスクが得られる。 The multi-tone photomask manufacturing method according to the present embodiment described above can be easily manufactured by a photolithography method using a combination of the first semi-transparent film and the second semi-transparent film in addition to the light shielding film. In addition, the film types of the two types of semi-transparent film and light-shielding film to be used can be arbitrarily combined, and a margin can be provided in consideration of misalignment at the time of drawing performed multiple times. As a result, the influence of transfer failure due to misalignment can be suppressed. The margin setting in the present invention has an advantage that a transfer pattern as designed can be formed when there is no misalignment, and a multi-tone photomask in which a fine pattern is formed with high accuracy can be obtained.
なお、本発明による多階調のフォトマスクは、以下に述べるように、純粋に４階調フォトマスクとして使用する場合に限定されず、例えば３階調のフォトマスクとしても使用可能である利点がある。
一般に、本発明の属する多階調フォトマスク（遮光部、透光部のほかに半透光部を有する３階調以上のフォトマスク）においては、被転写体上に所望の残膜値をもつレジストパターンを得るために、半透光部の露光光透過率を選択し、決定する。この透過率としては、透光部（すなわち透明基板が露出している部分）の透過率を１００％としたときの、半透過膜の透過率を用いて規定する。これは、一定以上の広い領域のパターンについて、その透過率を特定する場合には問題がないが、ある程度以下の寸法のパターンに対しては、厳密にいうと、実際のパターン転写に寄与する露光光量を正確に反映していないこととなる。これは露光光の回折が原因であるため、この傾向は微小なパターンになるほど、露光光波長が長いほど顕著になる。しかし、多階調マスクの半透光部に設定する透過率を決定するにあたり、パターンの寸法や、分光特性の異なる光源に対する透過率の変化については正確に考慮されていないのが現状である。
The multi-tone photomask according to the present invention is not limited to a purely four-tone photomask as described below, and has an advantage that it can be used as a three-tone photomask, for example. is there.
In general, a multi-tone photomask to which the present invention belongs (a photomask having three or more tones having a semi-transparent portion in addition to a light-shielding portion and a light-transmitting portion) has a desired remaining film value on a transfer target. In order to obtain a resist pattern, the exposure light transmittance of the semi-translucent portion is selected and determined. The transmittance is defined using the transmittance of the semi-transmissive film when the transmittance of the light transmitting portion (that is, the portion where the transparent substrate is exposed) is 100%. This is not a problem when specifying the transmittance of a pattern of a wide area above a certain level, but strictly speaking, for a pattern with a size of a certain degree or less, exposure that contributes to actual pattern transfer. The amount of light is not accurately reflected. Since this is due to diffraction of exposure light, this tendency becomes more prominent as the exposure light wavelength becomes longer as the pattern becomes smaller. However, in determining the transmittance to be set in the semi-transparent portion of the multi-tone mask, the present situation is that the change in transmittance for light sources having different pattern dimensions and spectral characteristics is not accurately taken into consideration.
具体的には、半透光部に、非常に狭い幅を含むパターン形状と、相対的に広い領域のパターン形状とが存在すると、半透光部には、被転写体上のレジスト膜に、常に一定の残膜値を与えるものであるべきところ、パターン形状に起因して異なる残膜値のレジストパターンが形成されてしまい、所望の許容範囲を超えた残膜値のばらつきを生じると、電子デバイス製造上の不安定要素となるという問題がある。 Specifically, when a pattern shape including a very narrow width and a pattern shape of a relatively wide region are present in the semi-transparent portion, the semi-transparent portion has a resist film on the transfer target, Where a constant residual film value should always be given, a resist pattern with a different residual film value is formed due to the pattern shape, and if the residual film value varies beyond the desired tolerance, There is a problem that it becomes an unstable factor in device manufacturing.
例えば、薄膜トランジスタ用の多階調フォトマスクとしては、チャネル部に相当する領域を半透光部とし、これを挟む形で隣接するソース及びドレインに相当する領域を遮光部で構成したものが多用される。このフォトマスクは、通常i線〜ｇ線の波長帯の露光光を用いて露光されるが、チャネル部の寸法（幅）が小さくなるにしたがい、隣接する遮光部との境界が、実際の露光条件下においてぼかされ、チャネル部の露光光透過率は半透過膜の透過率よりも低くなる。図８は、遮光部Ａに挟まれた半透光部Ｂのパターン（同図（１））と、該半透光部Ｂの透過光の光強度分布（同図（２））を示したもので、同図（ａ）は一例として半透光領域の幅が４μｍ、同図（ｂ）は２μｍの場合をそれぞれ示している。すなわち、図８（ａ），（ｂ）に示すように、遮光部Ａに挟まれた半透光部Ｂの透過光の光強度分布は、その半透光部Ｂの線幅が小さくなると、全体に下がり、ピークが低くなる。つまり、幅が狭い領域を有するパターンについては、実際に露光に寄与する透過率が相対的に低い一方、相対的に線幅が広い領域を有するパターンについては、実際の露光に寄与する透過率が相対的に高い。例えば、図９に示すように、チャネル幅が５μｍ以下では、該チャネル幅に対応した幅の半透光部における、実際の露光に寄与する光の透過率が低下する。 For example, a multi-tone photomask for a thin film transistor is often used in which a region corresponding to a channel portion is a semi-translucent portion and a region corresponding to a source and a drain adjacent to each other is formed by a light shielding portion. The This photomask is normally exposed using exposure light in the wavelength band of i-line to g-line, but as the size (width) of the channel portion becomes smaller, the boundary with the adjacent light-shielding portion is the actual exposure. The exposure light transmittance of the channel portion is lower than the transmittance of the semi-transmissive film. FIG. 8 shows the pattern of the semi-transparent part B sandwiched between the light-shielding parts A (FIG. (1)) and the light intensity distribution of the transmitted light of the semi-transparent part B (FIG. (2)). FIG. 6A shows the case where the width of the semi-translucent region is 4 μm as an example, and FIG. 6B shows the case where the width is 2 μm. That is, as shown in FIGS. 8A and 8B, the light intensity distribution of the transmitted light of the semi-transparent part B sandwiched between the light-shielding parts A is as follows. The whole is lowered and the peak is lowered. In other words, the transmittance that actually contributes to the exposure is relatively low for the pattern having the narrow width region, while the transmittance that contributes to the actual exposure is the pattern that has the relatively wide line width. Relatively high. For example, as shown in FIG. 9, when the channel width is 5 μm or less, the transmissivity of light contributing to actual exposure in the semi-transparent portion having a width corresponding to the channel width decreases.
そこで、一定の寸法をもつ半透光部の透過率を、その膜固有の透過率と区別し、実際の露光光の透過量を、透光部の透過量との比において、実効透過率として把握する必要が生じる。
一方で、膜固有の透過率とは、透明基板上の該膜を形成した、十分に広い領域において、該膜の組成や膜厚によって決定されるものである。十分に広い領域とは、該領域の広さの変化によって、実効透過率が実質的に変化しないような領域をいう。なお、図９においては、半透光部Ｂの透過光の光強度分布のピーク値によって、該領域の透過率を代表させている。この部分の透過率は、この多階調マスクを使用して露光したときの、被転写体上のレジスト残膜値と相関をもつ。
Therefore, the transmissivity of the semi-transparent part having a certain size is distinguished from the transmissivity inherent to the film, and the actual amount of exposure light transmission is determined as the effective transmissivity in the ratio of the transmissivity of the translucent part. It is necessary to grasp.
On the other hand, the transmittance specific to the film is determined by the composition and film thickness of the film in a sufficiently wide region where the film is formed on the transparent substrate. A sufficiently wide region refers to a region where the effective transmittance does not substantially change due to a change in the size of the region. In FIG. 9, the transmittance of the region is represented by the peak value of the light intensity distribution of the transmitted light of the semi-translucent portion B. The transmittance of this portion has a correlation with the resist residual film value on the transfer target when the multi-tone mask is used for exposure.
そこで、半透光部のパターン形状に応じて、その部分の膜透過膜を変えることにより、パターン形状に拘わらず、半透光部のレジスト膜の残膜値をほぼ同一にできることとなる。
例えば、本発明の方法によれば、マスク構成として、４つの階調を有する多階調フォトマスクを得ることができる。すなわち、透光部、遮光部のほかに、２つの異なる膜透過率を有する半透光部を得ることができるのである。この２種類の半透光部によって、被転写体上に、それぞれ異なるレジスト残膜値をもつレジストパターンを形成してもよい。しかしながら、他方、この２種類の半透光部によって、被転写体上に、パターンの寸法が異なる（従って、同一の膜透過率を有する半透光部を使用すると、形成されるレジスト残膜値が異なってしまう）にもかかわらず、実質的に一定のレジスト残膜値を有するレジストパターンを形成してもよい。換言すれば、膜構成として２種類の膜透過率を有し、ほぼ同一の実効透過率を有する半透光部を形成しても良い。この場合、本発明に係るフォトマスクを３階調のフォトマスクとして用いることができる。
Therefore, by changing the film-transmitting film in that portion according to the pattern shape of the semi-transparent portion, the remaining film value of the resist film in the semi-transparent portion can be made almost the same regardless of the pattern shape.
For example, according to the method of the present invention, a multi-tone photomask having four gradations can be obtained as a mask configuration. That is, in addition to the light transmitting portion and the light shielding portion, a semi-light transmitting portion having two different film transmittances can be obtained. By these two types of semi-transparent portions, resist patterns having different resist residual film values may be formed on the transfer target. However, on the other hand, the two types of semi-transparent portions have different pattern dimensions on the transfer target (thus, if the semi-transparent portions having the same film transmittance are used, the resist residual film value formed However, a resist pattern having a substantially constant resist remaining film value may be formed. In other words, a semi-transparent portion having two types of membrane transmittances as the film configuration and having substantially the same effective transmittance may be formed. In this case, the photomask according to the present invention can be used as a three-tone photomask.
この場合、実質的に同一の実効透過率を有する半透光部は、マスク面内で、実際の露光条件下での実効透過率のばらつきが所定値以下（例えば２％以下）であることが好ましい。換言すれば、被転写体上に形成されるレジストパターンの残膜値をほぼ一定にするためには、従来の多階調マスクでは必ずしも十分でなく、本発明による、マスク構成として４階調以上の階調数をもつものを使用することによって、上記した、レジスト残膜値の制御が可能となる。
また、実質的に同一の実効透過率を有する半透光部を得ようとするとき、該半透光部１と半透光部２に用いる各々の半透光膜の固有の透過率の透過率差を１〜１０％の範囲内とすることが好ましい。ここでいう膜固有の透過率とは、露光機の解像度に対して十分に広い領域の半透光部を形成したときの光透過率である。
In this case, the semi-transparent portion having substantially the same effective transmittance may have a variation in effective transmittance under the actual exposure condition within a predetermined value (for example, 2% or less) within the mask surface. preferable. In other words, the conventional multi-tone mask is not always sufficient to make the residual film value of the resist pattern formed on the transfer object substantially constant, and the mask structure according to the present invention has four or more tones. By using the one having the number of gradations, it is possible to control the resist residual film value described above.
In addition, when trying to obtain a semi-transparent portion having substantially the same effective transmittance, transmission of the intrinsic transmissivity of each semi-transparent film used in the
本発明は、このような優れた効果をもたらす多階調フォトマスクを、前述したように効率的で、かつ欠陥発生の確率の低い工程によって、作製することができる点で、量産上のメリットが大きい。 The present invention has an advantage in mass production in that a multi-tone photomask that provides such excellent effects can be manufactured by a process that is efficient and has a low probability of occurrence of defects as described above. large.
１０ 多階調フォトマスク
１１ 遮光部
１２ 透光部
１３Ａ 第１半透光部
１３Ｂ 第２半透光部
１４ 透明基板
１５ 遮光膜
１６ 第１半透光膜
１７ 第２半透光膜
３０〜３８ 第１〜第３レジストパターン
２０ 被転写体
２３ レジストパターン
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記第１半透光部は、透明基板上に第２半透光膜を有してなり、前記第２半透光部は、透明基板上に第１半透光膜と第２半透光膜を有してなる多階調フォトマスクの製造方法であって、
透明基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、
前記フォトマスクブランクの前記遮光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第１レジストパターンを形成する工程と、
前記第１レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、
前記第１レジストパターンを除去した後、パターニングされた前記遮光膜を有する基板面に第１半透光膜を形成する工程と、
前記第１半透光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第２レジストパターンを形成する工程と、
前記第２レジストパターンをマスクとして少なくとも前記第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、
前記第２レジストパターンを除去した後、パターニングされた前記遮光膜及び前記第１半透光膜を有する基板面に第２半透光膜を形成する工程と、
前記第２半透光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第３レジストパターンを形成する工程と、
前記第３レジストパターンをマスクとして少なくとも前記第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程と、
を有し、
前記第1レジストパターン形成工程は、第２半透光部を除いた領域にレジストパターンを残存させ、かつ、前記第２半透光部と隣接する第１半透光部、及び前記第２半透光部と隣接する透光部のレジストパターンの寸法を、前記第２半透光部との境界において、得ようとする前記第１半透光部及び透光部の寸法より、所定のマージン領域分狭く形成することを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。 A multi-tone photomask having a mask pattern consisting of a light-shielding portion, a light-transmitting portion, and a first semi-light-transmitting portion and a second semi-light-transmitting portion having different exposure light transmittances on a transparent substrate ,
The first semi-transparent part has a second semi-transparent film on a transparent substrate, and the second semi-transparent part has a first semi-transparent film and a second semi-transparent film on the transparent substrate. A method for producing a multi-tone photomask having a film ,
Preparing a photomask blank having a light shielding film on a transparent substrate;
Drawing and developing a resist film formed on the light-shielding film of the photomask blank to form a first resist pattern;
Etching the light shielding film using the first resist pattern as a mask to perform first patterning;
Forming a first semi-transparent film on the substrate surface having the patterned light-shielding film after removing the first resist pattern;
Drawing and developing a resist film formed on the first semi-translucent film to form a second resist pattern;
Etching at least the first semi-transparent film using the second resist pattern as a mask to perform second patterning;
Forming a second semi-transparent film on the substrate surface having the patterned light-shielding film and the first semi-transparent film after removing the second resist pattern;
Drawing and developing a resist film formed on the second semi-transparent film to form a third resist pattern;
Etching at least the second semi-transparent film using the third resist pattern as a mask to perform third patterning;
I have a,
In the first resist pattern forming step, a resist pattern remains in a region excluding the second semi-transparent portion, and the first semi-transparent portion adjacent to the second semi-transparent portion, and the second semi-transparent portion. The dimension of the resist pattern of the translucent part adjacent to the translucent part is determined by a predetermined margin from the dimensions of the first semitransparent part and the translucent part to be obtained at the boundary with the second semitranslucent part. A method for manufacturing a multi-tone photomask, characterized in that the multi-tone photomask is formed narrower by an area .
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008083966A JP4615032B2 (en) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | Multi-tone photomask manufacturing method and pattern transfer method |
| KR1020090025751A KR101216849B1 (en) | 2008-03-27 | 2009-03-26 | Method of manufacturing multi-gray scale photomask and multi-gray scale photomask, and pattern transfer method |
| KR1020110052129A KR20110067088A (en) | 2008-03-27 | 2011-05-31 | Method of manufacturing multi-gray scale photomask and multi-gray scale photomask, and pattern transfer method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008083966A JP4615032B2 (en) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | Multi-tone photomask manufacturing method and pattern transfer method |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010140199A Division JP4615066B2 (en) | 2010-06-21 | 2010-06-21 | Multi-tone photomask manufacturing method and pattern transfer method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009237315A JP2009237315A (en) | 2009-10-15 |
| JP4615032B2 true JP4615032B2 (en) | 2011-01-19 |
Family
ID=41251317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008083966A Active JP4615032B2 (en) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | Multi-tone photomask manufacturing method and pattern transfer method |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4615032B2 (en) |
| KR (2) | KR101216849B1 (en) |
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| JP2010044149A (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Hoya Corp | Multi-gradation photomask, pattern transfer method, and manufacturing method of display unit using multi-gradation photomask |
| JP6586344B2 (en) * | 2015-10-20 | 2019-10-02 | Hoya株式会社 | Photomask manufacturing method, photomask, and display device manufacturing method |
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| KR20210152721A (en) | 2020-06-09 | 2021-12-16 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor package |
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| JPH09146259A (en) * | 1995-08-29 | 1997-06-06 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | Gradation mask and its production and method for generating special surface shape by using gradation mask |
| JP2003029393A (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mask, pattern forming method using the same, and lithography |
| JP2007249198A (en) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Hoya Corp | Manufacturing method for four-gradation photomask, and photomask blank |
| JP2007248988A (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Hoya Corp | Manufacturing method for gray tone mask |
| JP2008033330A (en) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Samsung Electronics Co Ltd | Multi-tone optical mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing thin-film transistor substrate by using the same |
| JP2009204934A (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hoya Corp | Five-gradation photomask, method of manufacturing the same, and pattern transfer method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009237315A (en) | 2009-10-15 |
| KR20110067088A (en) | 2011-06-21 |
| KR101216849B1 (en) | 2012-12-28 |
| KR20090103778A (en) | 2009-10-01 |
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