KR20210007068A - 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 표시 장치는, 제1 데이터 라인, 제1 주사 라인, 및 제1 전원 라인에 연결되고, 제1 기간에서 발광하고, 상기 제1 기간 이후의 제2 기간에서 비발광하는 제1 화소; 제2 데이터 라인, 상기 제1 주사 라인, 및 상기 제1 전원 라인에 연결되고, 상기 제1 기간에서 비발광하고, 상기 제2 기간에서 발광하는 제2 화소; 상기 제1 기간에서 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 센싱 전류 값을 제공하고, 상기 제2 기간에서 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 센싱 전류 값을 제공하는 전류 센서; 및 상기 제1 센싱 전류 값에 대응하는 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 센싱 전류 값에 대응하는 제2 블록 목표 전류 값을 저장하는 메모리를 포함한다.

Description

표시 장치 및 그 구동 방법{DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 구동 방법에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결매체인 표시 장치의 중요성이 부각되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Device) 등과 같은 표시 장치의 사용이 증가하고 있다.
표시 장치는 화소들을 포함하고, 화소들이 표시하는 영상 프레임들은 서로 다른 로드 값(load value)을 가질 수 있다. 즉, 밝은 영상과 대응하는 영상 프레임은 큰 로드 값을 가질 수 있고, 어두운 영상과 대응하는 영상 프레임은 작은 로드 값을 가질 수 있다.
로드 값이 클수록, 화소들이 필요로 하는 전류 량이 증가할 수 있다. 만약 화소들에 공급되는 전류가 부족하다면, 화소들이 표시하는 영상 프레임의 휘도가 목표 휘도보다 낮을 수 있다.
로드 값이 작을수록, 화소들이 필요로 하는 전류 량이 감소할 수 있다. 만약 화소들에 공급되는 전류가 과다하다면, 화소들이 표시하는 영상 프레임의 휘도가 목표 휘도보다 높고, 불필요한 전력이 소모될 수 있다.
따라서, 영상 프레임의 로드 값에 대응하여 화소들에 적절한 전류를 공급하는 것이 중요하다. 하지만, 화소들의 공정 편차로 인해서 표시 영역 별로 화소들의 발광 효율이 다를 수 있다. 화소의 발광 효율이란 화소에 공급되는 전류 대비 화소의 발광 휘도를 의미할 수 있다. 따라서, 영상 프레임의 로드 값에 대응하여 화소들에 공급할 적절한 전류를 선택하는 것은 어려운 문제이다.
해결하고자 하는 기술적 과제는, 영상 프레임의 로드 값에 대응하여 서로 다른 발광 효율들을 갖는 화소들에 적절한 전류를 공급할 수 있는 표시 장치 및 구동 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 데이터 라인, 제1 주사 라인, 및 제1 전원 라인에 연결되고, 제1 기간에서 발광하고, 상기 제1 기간 이후의 제2 기간에서 비발광하는 제1 화소; 제2 데이터 라인, 상기 제1 주사 라인, 및 상기 제1 전원 라인에 연결되고, 상기 제1 기간에서 비발광하고, 상기 제2 기간에서 발광하는 제2 화소; 상기 제1 기간에서 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 센싱 전류 값을 제공하고, 상기 제2 기간에서 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 센싱 전류 값을 제공하는 전류 센서; 및 상기 제1 센싱 전류 값에 대응하는 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 센싱 전류 값에 대응하는 제2 블록 목표 전류 값을 저장하는 메모리를 포함한다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 기간에서 복수 회 제공된 상기 제1 센싱 전류 값의 대표 값을 상기 제1 블록 목표 전류 값으로 제공하고, 상기 제2 기간에서 복수 회 제공된 상기 제2 센싱 전류 값의 대표 값을 상기 제2 블록 목표 전류 값으로 제공하는 블록 목표 전류 값 생성부를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 블록 목표 전류 값이 포함된 히스토그램(histogram)에 대응하는 목표 전류 프로파일을 생성하는 목표 전류 프로파일 생성부를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 목표 전류 프로파일에 기초하여 목표 전류 파형들을 결정하고, 상기 목표 전류 파형들의 순시 값(instantaneous value)인 단위 목표 전류 값(unit target current value)을 제공하는 단위 목표 전류 값 생성부를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 단위 목표 전류 값과 대응하는 시점의 프레임 로드 값(frame load value)을 이용하여 목표 전류 값을 생성하고, 상기 전류 센서에서 제공하는 센싱 전류 값과 상기 목표 전류 값의 차이에 따라서 스케일 팩터(scale factor)를 생성하는 스케일 팩터 생성부를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 스케일 팩터를 이용하여 상기 제1 화소에 대한 제1 계조 값 및 상기 제2 화소에 대한 제2 계조 값을 스케일링하는 타이밍 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 스케일링된 상기 제1 계조 값에 대응하는 제1 데이터 전압을 상기 제1 데이터 라인에 인가하고, 스케일링된 상기 제2 계조 값에 대응하는 제2 데이터 전압을 상기 제2 데이터 라인에 인가하는 데이터 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 데이터 라인, 제1 주사 라인, 및 제1 전원 라인에 연결된 제1 화소; 제2 데이터 라인, 상기 제1 주사 라인, 및 상기 제1 전원 라인에 연결된 제2 화소; 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 센싱 전류 값을 제공하는 전류 센서; 프레임의 계조 값들 및 상기 센싱 전류 값에 기초하여 상기 제1 화소에 대한 제1 계조 값 및 상기 제2 화소에 대한 제2 계조 값을 스케일링하는 타이밍 제어부; 및 스케일링된 상기 제1 계조 값에 대응하는 제1 데이터 전압을 상기 제1 데이터 라인에 인가하고, 스케일링된 상기 제2 계조 값에 대응하는 제2 데이터 전압을 상기 제2 데이터 라인에 인가하는 데이터 구동부를 포함하고, 연속된 프레임들에서 상기 계조 값들이 동일하게 유지되더라도, 상기 센싱 전류 값, 상기 제1 데이터 전압, 및 상기 제2 데이터 전압은 변화한다.
상기 제1 화소는 제1 기간에서 발광하고, 상기 제1 기간 이후의 제2 기간에서 비발광하고, 상기 제2 화소는 상기 제1 기간에서 비발광하고, 상기 제2 기간에서 발광하고, 상기 전류 센서는 상기 제1 기간에서 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 센싱 전류 값을 제공하고, 상기 제2 기간에서 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 센싱 전류 값을 제공할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 기간에서 복수 회 제공된 상기 제1 센싱 전류 값의 대표 값을 제1 블록 목표 전류 값으로 제공하고, 상기 제2 기간에서 복수 회 제공된 상기 제2 센싱 전류 값의 대표 값을 제2 블록 목표 전류 값으로 제공하는 블록 목표 전류 값 생성부를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 블록 목표 전류 값을 저장하는 메모리를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 블록 목표 전류 값이 포함된 히스토그램에 대응하는 목표 전류 프로파일을 생성하는 목표 전류 프로파일 생성부를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 목표 전류 프로파일에 기초하여 목표 전류 파형들을 결정하고, 상기 목표 전류 파형들의 순시 값인 단위 목표 전류 값을 제공하는 단위 목표 전류 값 생성부를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 단위 목표 전류 값과 대응하는 시점의 프레임 로드 값을 이용하여 목표 전류 값을 생성하고, 상기 전류 센서에서 제공하는 센싱 전류 값과 상기 목표 전류 값의 차이에 따라서 스케일 팩터를 생성하는 스케일 팩터 생성부를 더 포함하고, 상기 프레임 로드 값은 상기 프레임의 상기 계조 값들과 대응할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법은, 제1 기간에서, 제1 데이터 라인, 제1 주사 라인, 및 제1 전원 라인에 연결된 제1 화소가 발광하고, 제2 데이터 라인, 상기 제1 주사 라인, 및 상기 제1 전원 라인에 연결된 제2 화소가 비발광하는 단계; 전류 센서가 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 센싱 전류 값을 제공하는 단계; 메모리가 상기 제1 센싱 전류 값에 대응하는 제1 블록 목표 전류 값을 저장하는 단계; 제2 기간에서, 상기 제1 화소가 비발광하고, 상기 제2 화소가 발광하는 단계; 상기 제2 기간에서, 상기 전류 센서가 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 센싱 전류 값을 제공하는 단계; 및 상기 메모리가 상기 제2 센싱 전류 값에 대응하는 제2 블록 목표 전류 값을 저장하는 단계를 포함한다.
상기 구동 방법은, 상기 제1 기간에서 복수 회 제공된 상기 제1 센싱 전류 값의 대표 값을 상기 제1 블록 목표 전류 값으로 생성하는 단계; 및 상기 제2 기간에서 복수 회 제공된 상기 제2 센싱 전류 값의 대표 값을 상기 제2 블록 목표 전류 값으로 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 구동 방법은, 상기 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 블록 목표 전류 값이 포함된 히스토그램에 대응하는 목표 전류 프로파일을 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 구동 방법은, 상기 목표 전류 프로파일에 기초하여 목표 전류 파형들을 결정하고, 상기 목표 전류 파형들의 순시 값인 단위 목표 전류 값을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 구동 방법은, 상기 단위 목표 전류 값과 대응하는 시점의 프레임 로드 값을 이용하여 목표 전류 값을 생성하는 단계; 및 상기 전류 센서에서 제공하는 센싱 전류 값과 상기 목표 전류 값의 차이에 따라서 스케일 팩터를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 구동 방법은, 상기 스케일 팩터를 이용하여 상기 제1 화소에 대한 제1 계조 값 및 상기 제2 화소에 대한 제2 계조 값을 스케일링하는 단계; 및 스케일링된 상기 제1 계조 값에 대응하는 제1 데이터 전압을 상기 제1 데이터 라인에 인가하고, 스케일링된 상기 제2 계조 값에 대응하는 제2 데이터 전압을 상기 제2 데이터 라인에 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 표시 장치 및 구동 방법은 영상 프레임의 로드 값에 대응하여 서로 다른 발광 효율들을 갖는 화소들에 적절한 전류를 공급할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 화소를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 화소부를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 내지 도 7은 화소부의 특정 블록에 기초하여 목표 전류 값을 설정했을 때, 발생하는 문제점을 설명하기 위한 도면들이다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 스케일 팩터 제공부를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 블록 목표 전류 값 생성부 및 메모리를 설명하기 위한 도면이다.
도 10 내지 도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 목표 전류 프로파일 생성부를 설명하기 위한 도면이다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 한 실시예에 따른 단위 목표 전류 값 생성부를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시 예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 따라서 앞서 설명한 참조 부호는 다른 도면에서도 사용할 수 있다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 과장되게 나타낼 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치(10)는 타이밍 제어부(11), 데이터 구동부(12), 주사 구동부(13), 화소부(14), 전류 센서(15), 및 스케일 팩터 제공부(16)를 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(11)는 외부 프로세서로부터 각각의 프레임(frame)에 대한 계조 값들 및 제어 신호들을 수신할 수 있다. 타이밍 제어부(11)는 표시 장치(10)의 사양(specification)에 대응하도록 계조 값들을 렌더링(rendering)할 수 있다. 예를 들어, 외부 프로세서는 각각의 단위 도트(unit dot)에 대해서 적색 계조 값, 녹색 계조 값, 청색 계조 값을 제공할 수 있다. 하지만, 예를 들어, 화소부(14)가 펜타일(pentile) 구조인 경우, 인접한 단위 도트끼리 화소를 공유하므로, 각각의 계조 값에 화소가 1대 1 대응하지 않을 수 있다. 이러한 경우, 계조 값들의 렌더링이 필요하다. 각각의 계조 값에 화소가 1대 1 대응하는 경우, 계조 값들의 렌더링이 불필요할 수도 있다. 렌더링되거나 렌더링되지 않은 계조 값들은 데이터 구동부(12)로 제공될 수 있다. 이때, 데이터 구동부(12)로 제공되는 계조 값들은 스케일 팩터 제공부(16)가 제공한 스케일 팩터에 의해 스케일링된 상태일 수 있다. 또한, 타이밍 제어부(11)는 프레임 표시를 위하여 데이터 구동부(12), 주사 구동부(13) 등에 각각의 사양에 적합한 제어 신호들을 제공할 수 있다.
데이터 구동부(12)는 계조 값들 및 제어 신호들을 이용하여 데이터 라인들(D1, D2, D3, Dj, D(j+1), Dn)로 제공할 데이터 전압들을 생성할 수 있다. 예를 들어, 데이터 구동부(12)는 클록 신호를 이용하여 계조 값들을 샘플링하고, 계조 값들에 대응하는 데이터 전압들을 화소행 단위(예를 들어, 동일한 주사 라인에 연결된 화소들의 집합)로 데이터 라인들(D1~Dn)에 인가할 수 있다. n 및 j는 0보다 큰 정수일 수 있다.
주사 구동부(13)는 타이밍 제어부(11)로부터 클록 신호, 주사 시작 신호 등을 수신하여, 주사 라인들(S1, S2, S3, Si, S(i+1), Sm)에 제공할 주사 신호들을 생성할 수 있다. m 및 i는 0보다 큰 정수일 수 있다.
주사 구동부(13)는 주사 라인들(S1~Sm)에 턴-온 레벨의 펄스를 갖는 주사 신호들을 순차적으로 공급할 수 있다. 주사 구동부(13)는 시프트 레지스터들(shift registers) 형태로 구성된 주사 스테이지들을 포함할 수 있다. 주사 구동부(13)는 클록 신호의 제어에 따라 턴-온 레벨의 펄스 형태인 주사 시작 신호를 다음 주사 스테이지로 순차적으로 전달하는 방식으로 주사 신호들을 생성할 수 있다.
화소부(14)는 화소들(PXij, PXi(j+1), PX(i+1)j)을 포함한다. 각각의 화소들(PXij, PXi(j+1), PX(i+1)j)은 대응하는 데이터 라인 및 주사 라인에 연결될 수 있다. 화소(PXij)는 스캔 트랜지스터가 i 번째 주사 라인(Si) 및 j 번째 데이터 라인(Dj)과 연결될 수 있다. 화소(PXi(j+1))는 스캔 트랜지스터가 i 번째 주사 라인(Si) 및 j+1 번째 데이터 라인(D(j+1))과 연결될 수 있다. 화소(PX(i+1)j)는 스캔 트랜지스터가 i+1 번째 주사 라인(S(i+1)) 및 j 번째 데이터 라인(Dj)과 연결될 수 있다. 화소들(PXij, PXi(j+1), PX(i+1)j)은 공통적으로 제1 전원 라인(ELVDDL)에 연결될 수 있다. 이때, 화소들(PXij, PXi(j+1), PX(i+1)j)은 공통적으로 제2 전원 라인(ELVSSL)에 연결될 수 있다. 다른 실시예에서, 화소들(PXij, PXi(j+1), PX(i+1)j)은 서로 다른 제2 전원 라인들에 연결될 수도 있다. 즉, 화소들(PXij, PXi(j+1), PX(i+1)j)에 서로 다른 제2 전원 전압이 인가될 수도 있다.
다른 실시예에 따르면, 화소들(PXij, PXi(j+1), PX(i+1)j)은 공통적으로 제2 전원 라인(ELVSSL)에 연결될 수 있고, 화소들(PXij, PXi(j+1), PX(i+1)j)은 서로 다른 제1 전원 라인들에 연결될 수도 있다. 이때는 도 1의 실시예와 달리, 전류 센서(15)가 제2 전원 라인(ELVSSL)과 연결되어, 제2 전원 라인(ELVSSL)에 흐르는 전류를 센싱할 수도 있다.
화소부(14)는 복수의 블록들(BLK1, BLK2)로 구획될 수 있다. 각각의 블록들(BLK1, BLK2)은 적어도 하나의 화소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 블록(BLK1)은 화소들(PXij, PX(i+1)j)를 포함하고, 제2 블록(BLK2)은 화소(PXi(j+1))를 포함할 수 있다.
전류 센서(15)는 제1 전원 라인(ELVDDL)에 연결될 수 있다. 이때, 전류 센서(15)는 제1 전원 라인(ELVDDL)에 흐르는 전류를 센싱하여 센싱 전류 값을 제공할 수 있다. 전술한 바와 같이, 다른 실시예에서, 전류 센서(15)는 화소들(PXij, PXi(j+1), PX(i+1)j)의 공통적인 제2 전원 라인(ELVSSL)에 연결될 수도 있다. 이때, 전류 센서(15)는 제2 전원 라인(ELVSSL)에 흐르는 전류를 센싱하여 센싱 전류 값을 제공할 수 있다. 전류 센서(15)는 화소부(14)의 전체 화소들의 공통적인 전원 라인과 연결되므로, 하나만 구비되어도 본 발명의 실시예들을 구현 가능하다.
표시 장치(10)는 블록들(BLK1, BLK2)을 순차적으로 발광시키고, 전류 센서(15)는 각 시점의 센싱 전류 값들을 제공할 수 있다. 이때, 센싱 전류 값들에 대응하는 블록 목표 전류 값들이 순차적으로 저장될 수 있다. 예를 들어, 제1 블록(BLK1)의 화소들(PXij, PX(i+1)j)은 제1 기간에서 발광하고, 제1 기간 이후의 제2 기간에서 비발광할 수 있다. 제2 블록(BLK2)의 화소(PXi(j+1))는 제1 기간에서 비발광하고, 제2 기간에서 발광할 수 있다. 전류 센서(15)는 제1 기간에서 제1 전원 라인(ELVDDL)에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 센싱 전류 값을 제공하고, 제2 기간에서 제1 전원 라인(ELVDDL)에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 센싱 전류 값을 제공할 수 있다. 메모리는 제1 센싱 전류 값에 대응하는 제1 블록 목표 전류 값을 저장하고, 제2 센싱 전류 값에 대응하는 제2 블록 목표 전류 값을 저장할 수 있다.
블록 목표 전류 값들의 저장 과정은 표시 장치(10)의 파워-온(power-on) 시에 1 회 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서, 이러한 과정이 수행되는 시점은 다양하게 설정될 수 있으며, 복수 회 수행될 수도 있다.
스케일 팩터 제공부(16)는 전류 센서(15) 및 타이밍 제어부(11)와 연결될 수 있다. 스케일 팩터 제공부(16)는 전류 센서(15)에서 제공한 센싱 전류 값과 목표 전류 값을 비교하여 스케일 팩터를 제공할 수 있다. 목표 전류 값은 전술한 블록 목표 전류 값들과 프레임 로드 값(frame load value)을 이용하여 생성될 수 있다.
이때, 타이밍 제어부(11)는 스케일 팩터를 이용하여 화소들(PXij, PXi(j+1), PX(i+1)j)의 계조 값들을 스케일링할 수 있다. 스케일 팩터는 화소부(14)의 전체 화소들에 공통적으로 적용될 수 있다. 예를 들어, 타이밍 제어부(11)는 스케일 팩터를 이용하여 화소(PXij)에 대한 계조 값을 스케일링하고, 화소(PXi(j+1))에 대한 계조 값을 스케일링할 수 있다. 즉, 타이밍 제어부(11)는 프레임의 계조 값들 및 센싱 전류 값에 기초하여 화소(PXij)에 대한 계조 값을 스케일링하고, 화소(PXi(j+1))에 대한 계조 값을 스케일링할 수 있다.
이때, 데이터 구동부(12)는 스케일링된 계조 값들에 대응하는 데이터 전압들을 대응하는 데이터 라인들(D1~Dn)에 인가할 수 있다. 예를 들어, 데이터 구동부(12)는 화소(PXij)의 스케일링된 계조 값에 대응하는 데이터 전압을 j 번째 데이터 라인(Dj)에 인가하고, 화소(PXi(j+1))의 스케일링된 계조 값에 대응하는 데이터 전압을 j+1 번째 데이터 라인(D(j+1))에 인가할 수 있다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 화소를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 화소(PXij)는 트랜지스터들(T1, T2), 스토리지 커패시터(Cst), 및 발광 다이오드(LD)를 포함한다.
이하에서는 N형 트랜지스터로 구성된 회로를 예로 들어 설명한다. 하지만 당업자라면 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성을 달리하여, P형 트랜지스터로 구성된 회로를 설계할 수 있을 것이다. 유사하게, 당업자라면 P형 트랜지스터 및 N형 트랜지스터의 조합으로 구성된 회로를 설계할 수 있을 것이다. P형 트랜지스터란 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차가 음의 방향으로 증가할 때 도통되는 전류량이 증가하는 트랜지스터를 통칭한다. N형 트랜지스터란 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차가 양의 방향으로 증가할 때 도통되는 전류량이 증가하는 트랜지스터를 통칭한다. 트랜지스터는 TFT(thin film transistor), FET(field effect transistor), BJT(bipolar junction transistor) 등 다양한 형태로 구성될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 게이트 전극이 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극에 연결되고, 제1 전극이 제1 전원 라인(ELVDDL)에 연결되고, 제2 전극이 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극에 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터로 명명될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 게이트 전극이 i 번째 주사 라인(Si)에 연결되고, 제1 전극이 j 번째 데이터 라인(Dj)에 연결되고, 제2 전극이 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 스캔 트랜지스터로 명명될 수 있다.
발광 다이오드(LD)는 애노드가 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극에 연결되고, 캐소드가 제2 전원 라인(ELVSSL)에 연결될 수 있다. 발광 다이오드(LD)는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode), 무기 발광 다이오드(inorganic light emitting diode), 퀀텀 닷 발광 다이오드(quantum dot light emitting diode) 등으로 구성될 수 있다. 다른 실시예에서, 발광 다이오드(LD)의 애노드는 제1 전원 라인(ELVDDL)에 연결되고, 캐소드는 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 연결될 수도 있다.
제1 전원 라인(ELVDDL)에는 제1 전원 전압이 인가되고, 제2 전원 라인(ELVSSL)에는 제2 전원 전압이 인가될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 전압은 제2 전원 전압보다 클 수 있다.
주사 라인(Si)을 통해서 턴-온 레벨(여기서, 로직 하이 레벨)의 주사 신호가 인가되면, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온 상태가 된다. 이때, 데이터 라인(Dj)에 인가된 데이터 전압이 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극에 저장되게 된다.
제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 및 제2 전극 사이에는 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극과 제2 전극의 전압 차이에 대응하는 양의 구동 전류가 흐르게 된다. 이에 따라, 발광 다이오드(LD)는 데이터 전압에 대응하는 휘도로 발광하게 된다. 전류 센서(15)가 제공하는 센싱 전류 값은 화소부(14)의 전체 화소들에 흐르는 구동 전류 값들을 합산한 값일 수 있다. 스케일 팩터에 의해서 데이터 전압들의 크기가 조절되므로, 화소들의 구동 전류 값들이 조절될 수 있다.
다음으로, 주사 라인(Si)을 통해서 턴-오프 레벨(여기서, 로직 로우 레벨)의 주사 신호가 인가되면, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프되고, 데이터 라인(Dj)과 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극이 전기적으로 분리된다. 따라서, 데이터 라인(Dj)의 데이터 전압이 변동되더라도, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극에 저장된 전압은 변동되지 않는다.
도 2의 화소(PXij)는 예시적인 것이며, 본 발명의 실시예들은 다른 회로의 화소들에도 적용될 수 있다. 예를 들어, 보다 복잡한 회로를 갖는 화소들은 발광 제어 신호(emission control signal)를 더 수신하여, 발광 기간이 조절될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 화소부를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 화소부(14)의 화소들은 복수의 블록들(BLK11, BLK12, BLK13, BLK14, BLK15, BLK21, BLK22, BLK23, BLK24, BLK25, BLK31, BLK32, BLK33, BLK34, BLK35)로 구획될 수 있다. 각각의 블록들(BLK11~BLK35)은 적어도 하나의 화소를 포함할 수 있다. 블록들(BLK11~BLK35)의 개수는 화소들의 개수와 동일하거나 더 작을 수 있다.
예를 들어, 화소부(14)가 UHD(Ultra High Definition)의 해상도를 갖는 경우를 가정한다. 이때, 화소부(14)는 3840*2160 개의 화소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 수평 라인에는 3840 개의 화소들이 존재할 수 있다. 예를 들어, 각 주사 라인에는 3840 개의 화소들이 연결될 수 있다. 예를 들어, 하나의 수직 라인에는 2160 개의 화소들이 존재할 수 있다. 예를 들어, 하나의 데이터 라인에는 2160 개의 화소들이 연결될 수 있다.
예를 들어, 화소부(14)는 100 개의 블록들로 구획될 수 있다. 각각의 블록들은 동일한 개수의 화소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각각의 블록들은 384*216 개의 화소들을 포함할 수 있다.
도 4 내지 도 7은 화소부의 특정 블록에 기초하여 목표 전류 값을 설정했을 때, 발생하는 문제점을 설명하기 위한 도면들이다.
표시 장치(10)의 파워-온 시에 화소부(14)의 특정 블록(BLK23)에 포함된 화소들은 최고 계조(예를 들어, 화이트 계조)로 발광하고, 나머지 블록들은 비발광(예를 들어, 블랙 계조)할 수 있다. 블록(BLK23)은 화소부(14)의 중앙에 위치한 블록일 수 있다.
이때, 전류 센서(15)는 제1 전원 라인(ELVDDL)에 흐르는 전류를 센싱하여 센싱 전류 값(SC)을 제공할 수 있다. 전술한 예와 같이 블록들이 100개라고 가정했을 때, 센싱 전류 값(SC)은 풀-화이트(full-white) 영상 프레임을 기준으로 1%에 해당하는 단위 목표 전류 값일 수 있다. 풀-화이트 영상 프레임이란 화소부(14)의 전체 화소들이 최고 계조들(화이트 계조들)로 발광하는 영상 프레임을 의미할 수 있다. 도 4 내지 도 7의 실시예에서, 단위 목표 전류 값은 표시 장치(10)의 파워-온 시에 1 회 생성되어 메모리에 저장되고, 이후 표시 장치(10)의 영상 프레임들의 표시 기간 동안 이용될 수 있다. 도 4 내지 도 7의 실시예에서, 단위 목표 전류 값은 시간 경과에 따라 변화하지 않을 수 있다. 즉, 도 4 내지 도 7의 실시예에서, 단위 목표 전류 값은 단일 값(single value)일 수 있다.
예를 들어, 표시 기간 동안, 스케일 팩터 제공부(16)는 단위 목표 전류 값에 프레임 로드 값을 곱함으로써 해당 영상 프레임에 대한 목표 전류 값(TC)을 구할 수 있다. 프레임 로드 값은 프레임의 계조 값들에 대응할 수 있다. 예를 들어, 프레임의 계조 값들을 합산한 값이 클수록 해당 프레임의 프레임 로드 값이 클 수 있다.
예를 들어, 풀-화이트 영상 프레임에서 프레임 로드 값이 100이고, 풀-블랙(full-black) 영상 프레임에서 프레임 로드 값이 0일 수 있다. 풀-블랙 영상 프레임이란 화소부(14)의 전체 화소들이 최저 계조들(블랙 계조들)로 설정되어 비발광하는 영상 프레임을 의미할 수 있다. 즉, 프레임 로드 값은 0에서 100 사이의 값을 가질 수 있다.
스케일 팩터 제공부(16)는 전류 센서(15)에서 수신된 센싱 전류 값(SC)과 목표 전류 값(TC)을 비교하여 스케일 팩터를 제공할 수 있다. 스케일 팩터 제공부(16)는 센싱 전류 값(SC)이 목표 전류 값(TC)보다 작으면 화소들의 계조 값들이 크게 스케일링되도록 스케일 팩터를 제공할 수 있다. 스케일 팩터 제공부(16)는 센싱 전류 값(SC)이 목표 전류 값(TC)보다 크면 화소들의 계조 값들이 작게 스케일링되도록 스케일 팩터를 제공할 수 있다. 상술한 구동 과정을 전역 전류 제어(global current management, GCM)라고 할 수 있다.
특정 블록(BLK23)에 기초한 전역 전류 제어는, 화소부(14)의 모든 블록들(BLK11~BLK35)이 동일한 발광 효율을 가질 때는 적절할 수 있다. 하지만, 전술한 바와 같이, 공정 편차로 인하여 각각의 블록들(BLK11~BLK35)의 발광 효율들은 서로 다를 수 있다.
도 5를 참조하면, 각각의 블록들(BLK11~BLK35)의 발광 효율들이 예시적으로 도시된다. 도 5에 도시된 발광 효율들은 각각의 블록들(BLK11~BLK35)이 500 nit로 발광할 때 필요한 전류(단위: ampere) 대비 광도(단위: candela)를 의미한다. 전술한 스케일 팩터는 특정 블록(BLK23)의 발광 효율에 기초하므로, 화소부(14)의 전체 블록들(BLK11~BLK35)의 발광 효율들이 6.08 cd/A로 서로 동일할 때에만 적합하다. 하지만, 일부 블록은 블록(BLK23)보다 낮은 발광 효율을 가질 수 있다. 예를 들어, 블록(BLK14)은 5.92 cd/A의 발광 효율을 가질 수 있다. 또한, 일부 블록은 블록(BLK23)보다 높은 발광 효율을 가질 수 있다. 예를 들어, 블록(BLK34)은 6.40 cd/A의 발광 효율을 가질 수 있다.
도 6을 참조하여, 시점(t0)에서 센싱 전류 값(SC)이 목표 전류 값(TC)보다 큰 경우를 가정한다. 이러한 경우 센싱 전류 값(SC)이 감소하도록 스케일 팩터가 제공될 것이다. 목표 전류 값(TC)은 블록(BLK23)을 기준으로 설정되었으므로, 시점(t1)에서 센싱 전류 값(SC)이 목표 전류 값(TC)에 수렴하게 되면서, 시점(t1)에서 블록(BLK23)의 휘도(L23)가 목표 휘도(TL)에 수렴할 수 있다.
블록(BLK14)은 블록(BLK23)보다 발광 효율이 낮으므로, 시점(t0)에서 블록(BLK14)의 휘도(L14)는 목표 휘도(TL)에 근접할 수 있다. 하지만 공통적으로 적용되는 스케일 팩터에 의해서, 시점(t1)에서 휘도(L14)가 목표 휘도(TL)보다 작아지게 된다. 또한, 시점(t1) 이후에서 프레임 로드 값이 동일하게 유지되는 경우를 가정할 때(예를 들어, 정지 영상), 블록(BLK14)의 부족한 휘도(L14)가 계속 유지되어 화소부(14)의 휘도 불균일이 사용자에게 시인될 수 있는 문제가 있다.
도 7을 참조하여, 시점(t0)에서 센싱 전류 값(SC)이 목표 전류 값(TC)보다 작은 경우를 가정한다. 이러한 경우 센싱 전류 값(SC)이 증가하도록 스케일 팩터가 제공될 것이다. 목표 전류 값(TC)은 특정 블록(BLK23)을 기준으로 설정되었으므로, 시점(t1)에서 센싱 전류 값(SC)이 목표 전류 값(TC)에 수렴하게 되면서, 시점(t1)에서 블록(BLK23)의 휘도(L23) 또한 목표 휘도(TL)에 수렴할 수 있다.
블록(BLK34)은 블록(BLK23)보다 발광 효율이 높으므로, 시점(t0)에서 블록(BLK34)의 휘도(L34)는 목표 휘도(TL)에 근접할 수 있다. 하지만 공통적으로 적용되는 스케일 팩터에 의해서, 시점(t1)에서 휘도(L34)가 목표 휘도(TL)보다 커지게 된다. 또한, 시점(t1) 이후에서 프레임 로드 값이 동일하게 유지되는 경우를 가정할 때(예를 들어, 정지 영상), 블록(BLK34)의 초과된 휘도(L14)가 계속 유지되어 화소부(14)의 휘도 불균일이 사용자에게 시인될 수 있는 문제가 있다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 스케일 팩터 제공부를 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 블록 목표 전류 값 생성부 및 메모리를 설명하기 위한 도면이고, 도 10 내지 도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 목표 전류 프로파일 생성부를 설명하기 위한 도면이고, 도 14 내지 도 17은 본 발명의 한 실시예에 따른 단위 목표 전류 값 생성부를 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 스케일 팩터 제공부(16)는 블록 설정부(161), 블록 목표 전류 값 생성부(162), 메모리(163), 목표 전류 프로파일 생성부(164), 단위 목표 전류 값 생성부(165), 및 스케일 팩터 생성부(166)를 선택적으로 포함할 수 있다.
스케일 팩터 제공부(16)는 타이밍 제어부(11)와 별도의 IC(integrated chip)로 구성될 수 있다. 한편, 스케일 팩터 제공부(16)의 전부 또는 일부는 타이밍 제어부(11)와 통합된 IC로 구성될 수도 있다. 한편, 스케일 팩터 제공부(16)의 전부 또는 일부는 타이밍 제어부(11)에서 소프트웨어적으로 구현될 수도 있다.
블록 설정부(161)는 각각의 블록들(BLK11~BLK35)이 적어도 하나의 화소를 포함하도록, 블록들(BLK11~BLK35)을 설정할 수 있다. 예시적으로 설정된 블록들(BLK11~BLK35)에 대해서 도 3 및 관련 설명을 참조한다. 한 실시예에 따르면, 블록 설정부(161)는 서로 다른 개수의 화소들을 포함하도록 블록들을 설정할 수도 있다. 한 실시예에 따르면, 블록 설정부(161)는 인접한 블록들이 적어도 하나의 화소를 중복하여 포함하도록 블록들을 설정할 수도 있다. 이외에도 블록 설정부(161)는 다양한 방법으로 블록들을 설정할 수 있다.
블록 목표 전류 값 생성부(162)는 각각의 블록들(BLK11~BLK35)에 대한 센싱 기간에서 복수 회 제공된 센싱 전류 값(SC)의 대표 값을 블록 목표 전류 값(BTC)으로 제공할 수 있다. 예를 들어, 대표 값은 평균 값일 수 있다. 다른 예를 들어, 대표 값은 각각의 센싱 전류 값들에 대해 가중치를 적용한 평균 값일 수도 있다. 전류 센서(15)가 해당 블록의 센싱 기간에서 센싱 전류 값(SC)을 1 회만 제공했다면, 해당 블록의 블록 목표 전류 값(BTC)은 센싱 전류 값(SC)과 동일할 수도 있다.
도 9를 참조하면, 제1 기간에서 블록(BLK11)이 최대 계조로 발광하고, 나머지 블록들이 비발광할 수 있다. 이때, 전류 센서(15)는 제1 전원 라인(ELVDDL)에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 센싱 전류 값을 제공할 수 있다. 블록 목표 전류 값 생성부(162)는 제1 기간에서 복수 회 제공된 제1 센싱 전류 값의 대표 값을 제1 블록 목표 전류 값으로 제공할 수 있다. 메모리(163)는 제1 블록 목표 전류 값을 저장할 수 있다.
제1 기간의 다음 기간인 제2 기간에서, 블록(BLK12)이 최대 계조로 발광하고, 나머지 블록들이 비발광할 수 있다. 이때, 전류 센서(15)는 제1 전원 라인(ELVDDL)에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 센싱 전류 값을 제공할 수 있다. 블록 목표 전류 값 생성부(162)는 제2 기간에서 복수 회 제공된 제2 센싱 전류 값의 대표 값을 제2 블록 목표 전류 값으로 제공할 수 있다. 메모리(163)는 제2 블록 목표 전류 값을 저장할 수 있다.
유사하게, 블록들(BLK13~BLK35)이 순차적으로 발광하면서, 메모리(163)에는 각 블록들(BLK11~BLK35)의 블록 목표 전류 값들(BTCs)이 저장될 수 있다. 블록들(BLK11~BLK35)의 발광 순서는 임의로 정해질 수 있다.
블록 목표 전류 값들(BTCs)의 저장 과정은 표시 장치(10)의 파워-온 시점에 1 회 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서, 이러한 과정이 수행되는 시점은 다양하게 설정될 수 있으며, 복수 회 수행될 수도 있다.
목표 전류 프로파일 생성부(164)는 블록 목표 전류 값들(BTCs)이 포함된 히스토그램(histogram)에 대응하는 목표 전류 프로파일(TCPF)을 생성할 수 있다.
도 10을 참조하면, 가로축을 발광 효율(cd/A)로 하고, 세로축을 블록 개수로 한 히스토그램으로 구성된 예시적인 목표 전류 프로파일(TCPF1)이 도시된다. 발광 효율의 각 구간 크기(1U)는 히스토그램이 유의미한 형상을 갖는 범위 내에서 임의로 정해질 수 있다.
블록 목표 전류 값들(BTCs)은 동일한 휘도(예를 들어, 최대 계조)에서 측정된 센싱 전류 값들이므로, 발광 효율의 역수에 대응할 수 있다. 즉, 블록 목표 전류 값들(BTCs)이 클수록 발광 효율은 작을 수 있다. 블록 목표 전류 값들(BTCs)을 발광 효율로 변환할 때 적용되는 가중치는 실시예에 따라 다양하게 설정될 수 있다. 이외에도 적절한 변환식을 이용해서 발광 효율을 계산할 수 있다. 또는, 히스토그램의 가로축을 블록 목표 전류 값들(BTCs)로 구성할 수도 있다.
도 11을 참조하면, 목표 전류 프로파일(TCPF1)의 발광 효율의 최소 값(MIN), 발광 효율의 최대 값(MAX), 및 블록 개수의 최대 값(TOP1)을 이용하여 삼각형으로 단순화한, 목표 전류 프로파일(TCPF2)이 예시적으로 도시된다.
도 10의 목표 프로 파일(TCPF1)을 그대로 이용하는 경우, 목표 전류 값(TC)이 급격하게 변동되고 이에 따라 휘도 변화가 사용자에게 시인될 수도 있다(예를 들어, 플리커(flicker)). 따라서, 목표 프로 파일(TCPF1)의 일부 파라미터를 이용하여 기울기 변화를 완만히 한 목표 프로 파일(TCPF2)을 이용할 수도 있다.
도 12를 참조하면, 목표 전류 프로파일(TCPF1)의 발광 효율의 최소 값(MIN), 발광 효율의 최대 값(MAX), 및 발광 효율의 중간 값(MID)을 이용하여 삼각형으로 단순화한, 목표 전류 프로파일(TCPF3)이 예시적으로 도시된다. 이때, 블록 개수의 최대 값(TOP2)은 최대 값(TOP1)과 동일할 수도 있고, 다를 수도 있다.
또한, 도 13을 참조하면, 목표 전류 프로파일(TCPF1)의 발광 효율의 최소 값(MIN), 발광 효율의 최대 값(MAX), 및 발광 효율의 중간 값(MID)을 이용하여 반원 형상으로 단순화한, 목표 전류 프로파일(TCPF4)이 도시된다.
이와 같이, 목표 전류 프로파일 생성부(164)는 다양한 방법으로 목표 전류 프로파일(TCPF)을 생성할 수 있다.
상술한 목표 전류 프로파일 생성부(164)의 동작은 표시 장치(10)의 파워-온 시점에 1 회 수행되거나, 표시 장치(10)의 표시 기간 중에 임의로 수행될 수도 있다.
단위 목표 전류 값 생성부(165)는 목표 전류 프로파일(TCPF)에 기초하여 목표 전류 파형들(WV1, WV2, WV3)을 결정하고, 목표 전류 파형들(WV1, WV2, WV3)의 순시 값(instantaneous value)인 단위 목표 전류 값(unit target current value, UTC)을 제공할 수 있다.
도 14를 참조하면, 도 10의 목표 전류 프로파일(TCPF1)을 목표 전류 파형들(WV1, WV2, WV3)로 결정하고, 각 시점들(t11, t12, t13)에서 순차적으로 제공되는 단위 목표 전류 값들(UTC1, UTC2, UTC3)이 예시적으로 도시된다.
각각의 목표 전류 파형들(WV1, WV2, WV3)은 목표 전류 프로파일(TCPF1)의 가로축의 단위를 시간으로 변경하고, 세로축의 단위를 전류 값으로 변경한 것일 수 있다. 단위 변경에 따른 가중치는 다양하게 설정될 수 있다. 목표 전류 파형들(WV1, WV2, WV3)은 서로 연속될 수 있다.
스케일 팩터 생성부(166)는 단위 목표 전류 값(UTC)과 대응하는 시점의 프레임 로드 값(frame load value, FL)을 이용하여 목표 전류 값(TC)을 생성하고, 전류 센서(15)에서 제공하는 센싱 전류 값(SC)과 목표 전류 값(TC)의 차이에 따라서 스케일 팩터(scale factor, SCF)를 생성할 수 있다.
예를 들어, 스케일 팩터 생성부(166)는 단위 목표 전류 값(UTC)에 프레임 로드 값(FL)을 곱함으로써 목표 전류 값(TC)을 생성할 수 있다. 이때, 임의의 가중치가 사용될 수도 있다. 단위 목표 전류 값(UTC) 및 프레임 로드 값(FL)에 대한 예시적인 설명은 도 4에 대한 설명을 참조한다. 다만, 본 실시예에서는, 단위 목표 전류 값(UTC)은 단일 값이 아니라 시간에 따라 가변하는 값일 수 있다(도 14 참조). 타이밍 제어부(11)는 영상 프레임에 대한 계조 값들을 분석하여 생성된 프레임 로드 값(FL)을 제공할 수 있다.
스케일 팩터 생성부(166)는 센싱 전류 값(SC)이 목표 전류 값(TC)보다 크면 화소들에 대한 계조 값들이 작아지도록 스케일 팩터(SCF)를 생성할 수 있다. 또한, 스케일 팩터 생성부(166)는 센싱 전류 값(SC)이 목표 전류 값(TC)보다 작으면 화소들에 대한 계조 값들이 커지도록 스케일 팩터(SCF)를 생성할 수 있다.
타이밍 제어부(11)는 스케일 팩터(SCF)를 다음 수학식 1과 같이 사용할 수 있다.
[수학식 1]
OUTG = ING*SCF/GR
여기서, OUTG은 출력 계조 값이고, ING는 입력 계조 값이고, SCF는 스케일 팩터(SCF)이고, GR은 계조 해상도일 수 있다.
입력 계조 값은 외부 프로세서로부터 타이밍 제어부(11)에 입력되는 계조 값일 수 있고, 출력 계조 값은 타이밍 제어부(11)가 데이터 구동부(12)에 제공하는 계조 값일 수 있다.
예를 들어, 각각의 계조 값들이 10bit로 표현되는 경우, 계조 해상도는 1024일 수 있다. 이때, ING 및 OUTG 각각은 0 내지 1023 중 하나의 값을 가질 수 있다. 각각의 계조 값들이 8bit로 표현되는 경우, 계조 해상도는 256일 수 있다. 이때, ING 및 OUTG는 0 내지 255 중 하나의 값을 가질 수 있다. 범위를 초과하는 OUTG는 범위 중 최대 값으로 설정될 수 있다.
스케일 팩터(SCF)의 크기는 센싱 전류 값(SC)과 목표 전류 값(TC)의 차이에 비례할 수 있다. 예를 들어, 스케일 팩터 생성부(166)는 센싱 전류 값(SC)이 목표 전류 값(TC)보다 크면 계조 해상도보다 작은 스케일 팩터(SCF)를 생성할 수 있다. 또한, 스케일 팩터 생성부(166)는 센싱 전류 값(SC)이 목표 전류 값(TC)보다 작으면 계조 해상도보다 큰 스케일 팩터(SCF)를 생성할 수 있다.
도 15를 참조하면, 도 14의 목표 전류 파형들(WV1, WV2, WV3)에 기초하여 생성된 목표 전류 값(TC)이 도시된다. 설명의 편의를 위해서, 프레임 로드 값(FL)은 일정한 것으로 가정한다(예를 들어, 정지 영상). 따라서, 도 15의 목표 전류 값(TC)의 파형은 도 14의 목표 전류 파형들(WV1, WV2, WV3)과 유사할 수 있다.
목표 전류 값(TC)이 시간에 따라 변화하므로, 스케일 팩터(SCF)도 시간에 따라 변화한다. 센싱 전류 값(SC)의 파형은 목표 전류 값(TC)의 파형을 따라가는 형상을 갖게 된다. 따라서, 센싱 전류 값(SC)의 파형은 목표 전류 값(TC)의 파형과 유사할 수 있다. 이때, 센싱 전류 값(SC)의 파형의 진폭은 목표 전류 값(TC)의 파형의 진폭보다 작을 수 있다. 또한, 센싱 전류 값(SC)의 파형의 기울기는 목표 전류 값(TC)의 파형의 기울기보다 완만할 수 있다. 이는 도 10의 단순화되지 않은 목표 전류 프로파일(TCPF1)을 사용하더라도, 급격한 휘도 변화가 어느 정도 완화될 수 있음을 의미한다.
정지 영상을 가정했으므로, 목표 휘도(TL)는 시간에 대해 일정할 수 있다. 블록(BLK23)의 휘도(L23), 블록(BLK14)의 휘도(L14), 및 블록(BLK34)의 휘도(L34)는 모두 목표 휘도(TL) 부근에서 완만하게 변화하게 된다. 따라서, 도 6 및 도 7과 달리, 각각의 블록들(BLK11~BLK35)은 목표 휘도(TL)와 유사한 휘도로 발광하므로, 화소부(14)의 화소들의 공정 편차들에도 불구하고, 휘도 불균일 현상이 완화될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 연속된 프레임들에서 계조 값들이 동일하게 유지되더라도(즉, 정지 영상일 때), 센싱 전류 값(SC) 및 블록들(BLK11~BLK35)에 포함된 화소들의 데이터 전압들이 변화할 수 있다. 화소들의 데이터 전압들이 변화하는 것은 도 15의 휘도들(L14, L23, L34)의 파형을 통해 알 수 있다. 휘도들(L14, L23, L34)의 파형과 각 화소들의 데이터 전압들의 파형은 실질적으로 동일한 패턴을 가질 수 있다.
센싱 전류 값(SC) 및 데이터 전압들은 실질적으로 동일한 패턴을 갖고 변화할 수 있다. 예를 들어, 센싱 전류 값(SC) 및 데이터 전압들은 동일한 주기성을 갖고 변화할 수 있다. 예를 들어, 센싱 전류 값(SC) 및 데이터 전압들은 동일한 증감 방향을 갖고 변화할 수 있다.
단위 목표 전류 값 생성부(165)는 목표 전류 프로파일(TCPF)에 기초하되, 목표 전류 파형들(WV1, WV2', WV3) 중 적어도 2 개가 서로 다르도록 목표 전류 파형들(WV1, WV2', WV3)을 설정할 수 있다. 도 16을 참조하면, 비반전된 목표 전류 파형들(WV1, WV3)과 반전된 목표 전류 파형(WV2')이 반복적으로 존재하도록 목표 전류 파형들(WV1, WV2', WV3)이 설정되었다. 본 실시예에 따르면, 시간에 따른 규칙성으로 인한 바람직하지 않은 표시 패턴이 사용자에게 시인되는 것이 방지될 수 있다.
단위 목표 전류 값 생성부(165)는 목표 전류 파형들(WV1", WV2", WV3")의 주파수를 달리 설정할 수도 있다. 예를 들어, 도 17의 목표 전류 파형들(WV1", WV2", WV3")의 주파수는 도 14의 목표 전류 파형들(WV1, WV2, WV3)의 주파수보다 높다. 즉, 도 17의 기간들(P1", P2", P3")은 도 14의 기간들(P1, P2, P3)보다 짧다. 이와 달리, 목표 전류 파형들의 주파수를 도 14의 목표 전류 파형들(WV1, WV2, WV3)의 주파수보다 낮게 설정할 수도 있다. 주파수는 표시 장치(10)의 온도 변화 및 플리커 시인 정도를 고려하여 적절히 설정될 수 있다.
상술한 단위 목표 전류 값 생성부(165) 및 스케일 팩터 생성부(166)의 동작은 표시 장치(10)의 영상 프레임들의 표시 기간 중에 계속하여 수행될 수 있다.
지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 표시 장치
11: 타이밍 제어부
12: 데이터 구동부
13: 주사 구동부
14: 화소부
15: 전류 센서
16: 스케일 팩터 제공부

Claims (20)

  1. 제1 데이터 라인, 제1 주사 라인, 및 제1 전원 라인에 연결되고, 제1 기간에서 발광하고, 상기 제1 기간 이후의 제2 기간에서 비발광하는 제1 화소;
    제2 데이터 라인, 상기 제1 주사 라인, 및 상기 제1 전원 라인에 연결되고, 상기 제1 기간에서 비발광하고, 상기 제2 기간에서 발광하는 제2 화소;
    상기 제1 기간에서 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 센싱 전류 값을 제공하고, 상기 제2 기간에서 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 센싱 전류 값을 제공하는 전류 센서; 및
    상기 제1 센싱 전류 값에 대응하는 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 센싱 전류 값에 대응하는 제2 블록 목표 전류 값을 저장하는 메모리를 포함하는,
    표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 기간에서 복수 회 제공된 상기 제1 센싱 전류 값의 대표 값을 상기 제1 블록 목표 전류 값으로 제공하고, 상기 제2 기간에서 복수 회 제공된 상기 제2 센싱 전류 값의 대표 값을 상기 제2 블록 목표 전류 값으로 제공하는 블록 목표 전류 값 생성부를 더 포함하는,
    표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 블록 목표 전류 값이 포함된 히스토그램(histogram)에 대응하는 목표 전류 프로파일을 생성하는 목표 전류 프로파일 생성부를 더 포함하는,
    표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 목표 전류 프로파일에 기초하여 목표 전류 파형들을 결정하고, 상기 목표 전류 파형들의 순시 값(instantaneous value)인 단위 목표 전류 값(unit target current value)을 제공하는 단위 목표 전류 값 생성부를 더 포함하는,
    표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 단위 목표 전류 값과 대응하는 시점의 프레임 로드 값(frame load value)을 이용하여 목표 전류 값을 생성하고, 상기 전류 센서에서 제공하는 센싱 전류 값과 상기 목표 전류 값의 차이에 따라서 스케일 팩터(scale factor)를 생성하는 스케일 팩터 생성부를 더 포함하는,
    표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 스케일 팩터를 이용하여 상기 제1 화소에 대한 제1 계조 값 및 상기 제2 화소에 대한 제2 계조 값을 스케일링하는 타이밍 제어부를 더 포함하는,
    표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    스케일링된 상기 제1 계조 값에 대응하는 제1 데이터 전압을 상기 제1 데이터 라인에 인가하고, 스케일링된 상기 제2 계조 값에 대응하는 제2 데이터 전압을 상기 제2 데이터 라인에 인가하는 데이터 구동부를 더 포함하는,
    표시 장치.
  8. 제1 데이터 라인, 제1 주사 라인, 및 제1 전원 라인에 연결된 제1 화소;
    제2 데이터 라인, 상기 제1 주사 라인, 및 상기 제1 전원 라인에 연결된 제2 화소;
    상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 센싱 전류 값을 제공하는 전류 센서;
    프레임의 계조 값들 및 상기 센싱 전류 값에 기초하여 상기 제1 화소에 대한 제1 계조 값 및 상기 제2 화소에 대한 제2 계조 값을 스케일링하는 타이밍 제어부; 및
    스케일링된 상기 제1 계조 값에 대응하는 제1 데이터 전압을 상기 제1 데이터 라인에 인가하고, 스케일링된 상기 제2 계조 값에 대응하는 제2 데이터 전압을 상기 제2 데이터 라인에 인가하는 데이터 구동부를 포함하고,
    연속된 프레임들에서 상기 계조 값들이 동일하게 유지되더라도, 상기 센싱 전류 값, 상기 제1 데이터 전압, 및 상기 제2 데이터 전압은 변화하는,
    표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 화소는 제1 기간에서 발광하고, 상기 제1 기간 이후의 제2 기간에서 비발광하고,
    상기 제2 화소는 상기 제1 기간에서 비발광하고, 상기 제2 기간에서 발광하고,
    상기 전류 센서는 상기 제1 기간에서 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 센싱 전류 값을 제공하고, 상기 제2 기간에서 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 센싱 전류 값을 제공하는,
    표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 기간에서 복수 회 제공된 상기 제1 센싱 전류 값의 대표 값을 제1 블록 목표 전류 값으로 제공하고, 상기 제2 기간에서 복수 회 제공된 상기 제2 센싱 전류 값의 대표 값을 제2 블록 목표 전류 값으로 제공하는 블록 목표 전류 값 생성부를 더 포함하는,
    표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 블록 목표 전류 값을 저장하는 메모리를 더 포함하는,
    표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 블록 목표 전류 값이 포함된 히스토그램에 대응하는 목표 전류 프로파일을 생성하는 목표 전류 프로파일 생성부를 더 포함하는,
    표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 목표 전류 프로파일에 기초하여 목표 전류 파형들을 결정하고, 상기 목표 전류 파형들의 순시 값인 단위 목표 전류 값을 제공하는 단위 목표 전류 값 생성부를 더 포함하는,
    표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 단위 목표 전류 값과 대응하는 시점의 프레임 로드 값을 이용하여 목표 전류 값을 생성하고, 상기 전류 센서에서 제공하는 센싱 전류 값과 상기 목표 전류 값의 차이에 따라서 스케일 팩터를 생성하는 스케일 팩터 생성부를 더 포함하고,
    상기 프레임 로드 값은 상기 프레임의 상기 계조 값들과 대응하는,
    표시 장치.
  15. 제1 기간에서, 제1 데이터 라인, 제1 주사 라인, 및 제1 전원 라인에 연결된 제1 화소가 발광하고, 제2 데이터 라인, 상기 제1 주사 라인, 및 상기 제1 전원 라인에 연결된 제2 화소가 비발광하는 단계;
    전류 센서가 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 센싱 전류 값을 제공하는 단계;
    메모리가 상기 제1 센싱 전류 값에 대응하는 제1 블록 목표 전류 값을 저장하는 단계;
    제2 기간에서, 상기 제1 화소가 비발광하고, 상기 제2 화소가 발광하는 단계;
    상기 제2 기간에서, 상기 전류 센서가 상기 제1 전원 라인에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 센싱 전류 값을 제공하는 단계; 및
    상기 메모리가 상기 제2 센싱 전류 값에 대응하는 제2 블록 목표 전류 값을 저장하는 단계를 포함하는,
    표시 장치의 구동 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 기간에서 복수 회 제공된 상기 제1 센싱 전류 값의 대표 값을 상기 제1 블록 목표 전류 값으로 생성하는 단계; 및
    상기 제2 기간에서 복수 회 제공된 상기 제2 센싱 전류 값의 대표 값을 상기 제2 블록 목표 전류 값으로 생성하는 단계를 더 포함하는,
    표시 장치의 구동 방법.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 블록 목표 전류 값 및 상기 제2 블록 목표 전류 값이 포함된 히스토그램에 대응하는 목표 전류 프로파일을 생성하는 단계를 더 포함하는,
    표시 장치의 구동 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 목표 전류 프로파일에 기초하여 목표 전류 파형들을 결정하고, 상기 목표 전류 파형들의 순시 값인 단위 목표 전류 값을 제공하는 단계를 더 포함하는,
    표시 장치의 구동 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 단위 목표 전류 값과 대응하는 시점의 프레임 로드 값을 이용하여 목표 전류 값을 생성하는 단계; 및
    상기 전류 센서에서 제공하는 센싱 전류 값과 상기 목표 전류 값의 차이에 따라서 스케일 팩터를 생성하는 단계를 더 포함하는,
    표시 장치의 구동 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 스케일 팩터를 이용하여 상기 제1 화소에 대한 제1 계조 값 및 상기 제2 화소에 대한 제2 계조 값을 스케일링하는 단계; 및
    스케일링된 상기 제1 계조 값에 대응하는 제1 데이터 전압을 상기 제1 데이터 라인에 인가하고, 스케일링된 상기 제2 계조 값에 대응하는 제2 데이터 전압을 상기 제2 데이터 라인에 인가하는 단계를 더 포함하는,
    표시 장치의 구동 방법.
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