KR20210004849A - Compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

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Abstract

The present specification provides a compound represented by chemical formula 1 and an organic light emitting device including the same. The compound may improve lifespan characteristics of the organic light emitting device.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}Compound and organic light-emitting device comprising the same TECHNICAL FIELD

본 명세서는 2019년 7월 5일 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2019-0081382호의 출원일 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This specification claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2019-0081382 filed with the Korean Intellectual Property Office on July 5, 2019, the entire contents of which are incorporated herein.

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound and an organic light emitting device including the same.

유기 발광 소자란 유기 반도체 물질을 이용한 발광소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 발광 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 발광소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 발광소자이다.An organic light-emitting device is a light-emitting device using an organic semiconductor material, and requires exchange of holes and/or electrons between an electrode and an organic semiconductor material. The organic light emitting device can be divided into two types as follows according to the operating principle. First, excitons are formed in the organic material layer by photons introduced into the device from an external light source, and the excitons are separated into electrons and holes, and these electrons and holes are transferred to different electrodes, and used as a current source (voltage source). It is a type of light emitting device. The second is a light emitting device in which holes and/or electrons are injected into an organic semiconductor material layer forming an interface with the electrode by applying voltage or current to two or more electrodes, and operated by the injected electrons and holes.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자조절층, 정공조절층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, the organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which electrical energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often made of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device. For example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron control layer, a hole control layer, an electron transport layer, and an electron injection. It can be made of layers, etc. In the structure of such an organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic layer, and excitons are formed when the injected holes and electrons meet. It glows when it falls back to the ground. These organic light emitting devices are known to have characteristics such as self-luminescence, high brightness, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, and high contrast.

유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 억제 물질, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료가 있다.Materials used as the organic material layer in the organic light-emitting device may be classified into light-emitting materials and charge transport materials, such as hole injection materials, hole transport materials, electron suppression materials, electron transport materials, electron injection materials, and the like, according to their functions. The light-emitting material includes blue, green, and red light-emitting materials and yellow and orange light-emitting materials necessary to realize better natural colors according to the light-emitting color.

또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도펀트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도펀트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도펀트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도펀트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도펀트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.In addition, in order to increase color purity and increase luminous efficiency through energy transfer, a host/dopant system may be used as a light emitting material. The principle is that when a small amount of a dopant having an energy band gap smaller than that of a host that mainly constitutes the light emitting layer is mixed with the light emitting layer, excitons generated from the host are transported as a dopant to emit light with high efficiency. At this time, since the wavelength of the host moves to the wavelength of the dopant, light having a desired wavelength can be obtained according to the type of dopant used.

전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 억제 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되므로 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.In order to fully exhibit the excellent characteristics of the organic light emitting device described above, materials that form the organic material layer in the device, such as hole injection materials, hole transport materials, light-emitting materials, electron suppression materials, electron transport materials, electron injection materials, etc., are stable and efficient materials. As it is supported by, the development of new materials is continuously required.

국제 특허 출원 공개 제2003-012890호International Patent Application Publication No. 2003-012890

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides a compound and an organic light emitting device including the same.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서, In Formula 1,

Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 O 또는 S이고,Y1 and Y2 are each independently O or S,

X1 내지 X3는 각각 독립적으로 N 또는 CR이며, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고,X1 to X3 are each independently N or CR, and at least one of X1 to X3 is N,

L1 및 L2 중 적어도 1개는 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고, 나머지는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,At least one of L1 and L2 is a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group, the remainder is a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

L3는 직접결합; 치환 또는 비치환된 3환 이하의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 이상의 헤테로아릴렌기이고,L3 is a direct bond; A substituted or unsubstituted 3 ring or less arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 or more carbon atoms,

Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리와 방향족 탄화수소고리의 축합고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Ar1 and Ar2 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; A condensed ring group of a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring and an aromatic hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

Ar3는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 3환 이하의 아릴기; 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리와 방향족 탄화수소고리의 축합고리기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 이상의 헤테로아릴기이고,Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted tricyclic aryl group; A condensed ring group of a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring and an aromatic hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 or more carbon atoms,

R은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록실기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티오기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴티오기이며,R is hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxyl group; Halogen group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted alkynyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted heteroaryl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; Or a substituted or unsubstituted arylthio group,

a 내지 d는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, a to d are each independently an integer of 1 to 4,

a, b, c 및 d가 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,When a, b, c, and d are each 2 or more, the substituents in the two or more parentheses are the same as or different from each other,

c 및 d가 각각 2 이상인 경우, 인접한 괄호 내 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하지 않는다.When c and d are each 2 or more, the substituents in adjacent parentheses are bonded to each other to form a ring.

또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 적어도 하나는 전술한 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, an exemplary embodiment of the present specification is a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, and at least one of the organic material layers includes the aforementioned compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에 사용되었을 때 소자의 휘도를 높히고, 구동전압을 낮추며, 발광효율을 향상시키고, 수명 특성을 개선 시키는 효과가 있다.When the compound according to the exemplary embodiment of the present specification is used in an organic light-emitting device, there is an effect of increasing the luminance of the device, lowering the driving voltage, improving luminous efficiency, and improving life characteristics.

도 1은 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the specification.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 1에 있어서, In Formula 1,

Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 O 또는 S이고,Y1 and Y2 are each independently O or S,

X1 내지 X3는 각각 독립적으로 N 또는 CR이며, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고,X1 to X3 are each independently N or CR, and at least one of X1 to X3 is N,

L1 및 L2 중 적어도 1개는 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고, 나머지는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,At least one of L1 and L2 is a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group, the remainder is a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

L3는 직접결합; 치환 또는 비치환된 3환 이하의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 이상의 헤테로아릴렌기이고,L3 is a direct bond; A substituted or unsubstituted 3 ring or less arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 or more carbon atoms,

Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리와 방향족 탄화수소고리의 축합고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Ar1 and Ar2 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; A condensed ring of a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring and an aromatic hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

Ar3는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 3환 이하의 아릴기; 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리와 방향족 탄화수소고리의 축합고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 이상의 헤테로아릴기이고,Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted tricyclic aryl group; A condensed ring of a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring and an aromatic hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 or more carbon atoms,

R은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록실기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티오기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴티오기이며,R is hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxyl group; Halogen group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted alkynyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted heteroaryl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; Or a substituted or unsubstituted arylthio group,

a 내지 d는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, a to d are each independently an integer of 1 to 4,

a, b, c 및 d가 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,When a, b, c, and d are each 2 or more, the substituents in the two or more parentheses are the same as or different from each other,

c 및 d가 각각 2 이상인 경우, 인접한 괄호 내 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하지 않는다.When c and d are each 2 or more, the substituents in adjacent parentheses are bonded to each other to form a ring.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 대표적인 전자흡인그룹(electron withdrawing group)인 아진류를 중심으로 전자흡인기인 옥사디아졸 또는 티아디아졸 2종을 결합시켜 대칭성 및 전자끌개의 능력의 조절을 통하여 전자수송 및 전자조절의 성능을 변경할 수 있다. 따라서, 유기 발광 소자로서의 캐리어 균형을 각 소자에 맞게 이끌어 낼 수 있다. 특히 옥사디아졸 또는 티아디아졸 그룹의 다이머 형태와 아진류의 결합을 통한 강한 전자끌개 능력으로 인하여 전자 수송능력이 우수하며 알칼리 금속착체와의 혼합에서도 우수한 혼합 효과를 보이므로, 유기 발광 소자에 사용되었을 때 소자의 휘도를 높히고, 구동전압을 낮추며, 발광효율을 향상시키고, 수명 특성을 개선 시키는 효과가 있다.The compound represented by Chemical Formula 1 binds two types of oxadiazole or thiadiazole, which are electron withdrawing groups, centered on azine, a representative electron withdrawing group, to transport electrons through control of symmetry and ability to attract electrons. And it is possible to change the performance of the electronic control. Accordingly, the carrier balance as an organic light-emitting device can be derived for each device. In particular, it has excellent electron transport ability due to the strong electron attracting ability through the combination of the dimer form of the oxadiazole or thiadiazole group and the azines, and shows an excellent mixing effect even when mixed with an alkali metal complex, so it is used for organic light emitting devices. When this occurs, the effect of increasing the luminance of the device, lowering the driving voltage, improving the luminous efficiency, and improving the life characteristics have.

본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituent in the present specification are described below, but are not limited thereto.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that the hydrogen atom bonded to the carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position where the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent can be substituted, and when two or more are substituted , Two or more substituents may be the same or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록실기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 실릴기; 아민기; 포스핀옥사이드기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 알킬티오기; 아릴기; 술포닐기 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다. In the present specification, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxyl group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amino group; Silyl group; Amine group; Phosphine oxide group; Alkyl group; Cycloalkyl group; Alkenyl group; Alkoxy group; Alkylthio group; Aryl group; It means that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a sulfonyl group and a heterocyclic group, or is substituted with a substituent to which two or more of the substituents are connected, or does not have any substituents. For example, "a substituent to which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent to which two phenyl groups are connected.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다. In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 50. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n-pentyl , Isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n -Heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethyl Heptyl, 1-ethylpropyl, 1,1-dimethylpropyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 30 carbon atoms, and specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, etc., but are limited thereto. It is not.

본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. The number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 30 carbon atoms. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, Isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy, etc. May be, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬티오기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알킬티오기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, 이소프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, 이소부틸티오, tert-부틸티오, sec-부틸티오, n-펜틸티오, 네오펜틸티오, 이소펜틸티오, n-헥실티오, 3,3-디메틸부틸티오, 2-에틸부틸티오, n-옥틸티오, n-노닐티오, n-데실티오, 벤질티오 및 p-메틸벤질티오 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkylthio group may be linear, branched or cyclic. Although the number of carbon atoms of the alkylthio group is not particularly limited, it is preferably 1 to 20 carbon atoms. Specifically, methylthio, ethylthio, n-propylthio, isopropylthio, i-propylthio, n-butylthio, isobutylthio, tert-butylthio, sec-butylthio, n-pentylthio, neopentylthio , Isopentylthio, n-hexylthio, 3,3-dimethylbutylthio, 2-ethylbutylthio, n-octylthio, n-nonylthio, n-decylthio, benzylthio and p-methylbenzylthio, etc. , But is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 아릴기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 6 내지 60 또는 6 내지 30일 수 있으며, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다.In the present specification, the number of carbon atoms of the aryl group is not particularly limited, but may be 6 to 60 or 6 to 30, and the aryl group may be monocyclic or polycyclic.

본 명세서에서 상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, when the aryl group is a monocyclic aryl group, it may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and the like, but is not limited thereto.

상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이센기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the aryl group is a polycyclic aryl group, it may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysene group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가의 아릴기를 의미하며, 2가기인 점만 제외하고는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, the arylene group means that the aryl group has two bonding positions, that is, a divalent aryl group, and may be selected from the examples of the aryl group described above except that it is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se, Si 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 헤테로아릴기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60 또는 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 트리아졸릴기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기, 나프토벤조퓨라닐기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl group), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기, 페녹사진기 및 이들의 축합구조 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group is an atom other than carbon and contains one or more heteroatoms, and specifically, the heteroatom may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se, Si, and S. have. The number of carbon atoms of the heteroaryl group is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms or 2 to 30 carbon atoms. Examples of the heteroaryl group include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazolyl group, thiazolyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, triazolyl group, pyridyl group, bipyridyl group, pyrimidyl group, tria Genyl group, acridyl group, pyridazinyl group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyridopyrazinyl group, pyrazinopyrazinyl group , Isoquinolinyl group, indole group, carbazolyl group, benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, benzothiophene group, dibenzothiophene group , Benzofuranyl group, dibenzofuranyl group, naphthobenzofuranyl group, benzosilol group, dibenzosilol group, phenanthrolinyl group, isoxazolyl group, thiadiazolyl group, phenothiazinyl group, phenoxazine group And their condensation structures, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 헤테로아릴렌기은 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가의 헤테로아릴기를 의미하며, 2가기인 점만 제외하고는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, the heteroarylene group refers to a heteroaryl group having two bonding positions, that is, a divalent heteroaryl group, and may be selected from the examples of the aryl group described above except that it is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기는 전술한 알킬기, 아릴기, 헤테로고리기, 알케닐기, 시클로알킬기 및 이들의 조합 등이 치환될 수 있으며, 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms in the amine group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. The amine group may be substituted with the aforementioned alkyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkyl group, and combinations thereof, and specific examples of the amine group include methylamine group, dimethylamine group, ethylamine group, diethylamine Group, phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, 9-methyl-anthracenylamine group, diphenylamine group, phenylnaphthylamine group, ditolylamine group, phenyltolylamine group And triphenylamine groups, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 이미드기, 카보닐기 및 에스테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group, the carbonyl group and the ester group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 50 carbon atoms.

본 명세서에 있어서, 아미드기는 아미드기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 30의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. In the present specification, the nitrogen of the amide group may be substituted with hydrogen, a straight-chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기 및 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the phosphine oxide group specifically includes a diphenylphosphine oxide group and a dinaphthylphosphine oxide, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기 및 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be a linear or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, and styrenyl group, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR104R105R106로 표시되고, R104 내지 R106은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기 및 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the silyl group is a substituent including Si and the Si atom is directly connected as a radical, represented by -SiR 104 R 105 R 106 , R 104 to R 106 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Alkyl group; Alkenyl group; Alkoxy group; Cycloalkyl group; Aryl group; And it may be a substituent consisting of at least one of a heterocyclic group. Specific examples of the silyl group include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group and phenylsilyl group. It is not limited.

본 명세서에 있어서, 고리는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 의미한다.In the present specification, the ring is a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring; Or it means a substituted or unsubstituted heterocycle.

본 명세서에 있어서, 탄화수소고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, the hydrocarbon ring may be an aromatic, aliphatic, or condensed ring of aromatic and aliphatic, and may be selected from examples of the cycloalkyl group or the aryl group, except for the non-monovalent one.

본 명세서에 있어서, 방향족고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, the aromatic ring may be monocyclic or polycyclic, and may be selected from examples of the aryl group except that it is not monovalent.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 탄소가 아닌 원자, 헤테로원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 헤테로원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 상기 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, the heterocycle is an atom other than carbon and includes one or more heteroatoms, and specifically, the heteroatom may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se, and S. . The heterocycle may be monocyclic or polycyclic, and may be an aromatic, aliphatic, or condensed ring of aromatic and aliphatic, and may be selected from examples of the heteroaryl group except that it is not monovalent.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 및 Y2는 동일하다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y1 and Y2 are the same.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 및 Y2는 각각 O이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y1 and Y2 are each O.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 및 Y2는 각각 S이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y1 and Y2 are each S.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1은 O이고, 상기 Y2는 S이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y1 is O, and Y2 is S.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1은 S이고, 상기 Y2는 O이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y1 is S, and Y2 is O.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 may be represented by any one of Formulas 1-1 to 1-3 below.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 1-1 내지 1-3에서, In Formulas 1-1 to 1-3,

X1 내지 X3, L1 내지 L3, Ar1 내지 Ar3, 및 a 내지 d는 상기 화학식 1에서 정의한 것과 동일하다.X1 to X3, L1 to L3, Ar1 to Ar3, and a to d are the same as defined in Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 내지 X3는 각각 N이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 to X3 are each N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 각각 N이고, 상기 X3는 CR이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 and X2 are each N, and X3 is CR.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X3는 각각 N이고, 상기 X2는 CR이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 and X3 are each N, and X2 is CR.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X2 및 X3는 각각 N이고, 상기 X1은 CR이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X2 and X3 are each N, and X1 is CR.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 각각 CR이고, 상기 X3는 N이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 and X2 are each CR, and X3 is N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X3는 각각 CR이고, 상기 X2는 N이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 and X3 are each CR, and X2 is N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X2 및 X3는 각각 CR이고, 상기 X1은 N이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X2 and X3 are each CR, and X1 is N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 구조식 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 may be represented by any one of the following structural formulas.

Figure pat00006
Figure pat00006

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 구조식에서, In the above structural formula,

L1 내지 L3, Ar1 내지 Ar3, R 및 a 내지 d는 상기 화학식 1에서 정의한 것과 동일하고,L1 to L3, Ar1 to Ar3, R and a to d are the same as defined in Formula 1,

상기 n2는 0 내지 2의 정수이고, n2가 2일 경우 괄호 내의 R은 서로 같거나 상이하다.The n2 is an integer of 0 to 2, and when n2 is 2, R in parentheses is the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n2는 0 또는 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n2 is 0 or 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n2는 1 또는 2이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n2 is 1 or 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n2는 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n2 is 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3가 헤테로원자를 포함하지 않는 아릴렌기인 경우, 비축합 아릴렌기; 또는 3환 이하의 축합 아릴렌기이다. 즉, 4환 이상의 축합 아릴렌기는 배제된다. 또한, L3가 헤테로아릴렌기인 경우, 헤테로아릴렌기를 이루는 고리에 포함된 탄소수가 3 이상이다. 예컨대, 2가의 옥사디아졸 또는 2가의 티아디아졸과 같이 탄소수가 2개인 헤테로아릴렌기는 배제된다. 이러한 조건은 별도의 언급이 없더라도 이하의 L3에 대한 설명에 모두 적용된다.In the exemplary embodiment of the present specification, when L3 is an arylene group not containing a hetero atom, a non-condensed arylene group; Or it is a 3 ring or less condensed arylene group. That is, the condensed arylene group of 4 or more rings is excluded. In addition, when L3 is a heteroarylene group, the number of carbon atoms contained in the ring constituting the heteroarylene group is 3 or more. For example, a heteroarylene group having 2 carbon atoms, such as a divalent oxadiazole or a divalent thiadiazole, is excluded. These conditions are all applied to the description of L3 below, even if there is no separate mention.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3가 헤테로원자를 포함하지 않는 아릴기인 경우, 비축합 아릴기; 또는 3환 이하의 축합 아릴기이다. 즉, 4환 이상의 축합 아릴기는 배제된다. 또한, Ar3가 헤테로아릴기인 경우, 헤테로아릴기를 이루는 고리에 포함된 탄소수가 3 이상이다. 예컨대, 옥사디아졸 또는 티아디아졸과 같이 탄소수가 2개인 헤테로아릴기는 배제된다. 이러한 조건은 별도의 언급이 없더라도, 이하의 Ar3에 대한 설명에 모두 적용된다.In the exemplary embodiment of the present specification, when Ar3 is an aryl group not containing a hetero atom, a non-condensed aryl group; Or it is a condensed aryl group of 3 or less rings. That is, condensed aryl groups of 4 or more rings are excluded. In addition, when Ar3 is a heteroaryl group, the number of carbon atoms contained in the ring constituting the heteroaryl group is 3 or more. For example, heteroaryl groups having 2 carbon atoms such as oxadiazole or thiadiazole are excluded. These conditions are all applied to the description of Ar3 below, even if there is no separate mention.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3는 치환 또는 비치환된 실릴기; 단환 또는 다환의 C3-C10의 시클로알킬기; 단환 또는 다환의 C6-C14의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C3-C20의 지방족 탄화수소고리와 C6-C20의 방향족 탄화수소고리의 축합고리; 또는 N, O 및 S 중 하나 이상을 포함하는 C3-C31의 헤테로아릴기이며, 상기 치환기들은 중수소, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 치환 또는 비치환된 알킬기 중 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted silyl group; Monocyclic or polycyclic C 3 -C 10 cycloalkyl group; Monocyclic or polycyclic C 6 -C 14 aryl group; A condensed ring of a substituted or unsubstituted C 3 -C 20 aliphatic hydrocarbon ring and a C 6 -C 20 aromatic hydrocarbon ring; Or a C 3 -C 31 heteroaryl group comprising at least one of N, O and S, and the substituents are deuterium, nitrile group, substituted or unsubstituted silyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted It may be substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from a cyclic aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group, and a substituted or unsubstituted alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar3는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 디페닐플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디메틸플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 스피로비플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 아다만틸기, 치환 또는 비치환된 시클로헥실기, 치환 또는 비치환된 테트라하이드로나프탈렌, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조이미다졸기, 치환 또는 비치환된 벤조티아졸기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 나프토벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조다이옥신기(dibenzodioxine), 치환 또는 비치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기, 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸기, 치환 또는 비치환된 티안트레닐기(thianthrene), 치환 또는 비치환된 잔텐기, 치환 또는 비치환된 스피로플루오렌잔텐기 또는 치환 또는 비치환된 스피로플루오렌인돌로아크리딜기이다. 상기 치환기들은 중수소, 니트릴기, C-1-C10의 알킬기, C6-C30의 아릴기, C3-C20의 트리알킬실릴기 및 C18-C30의 트리아릴실릴기 중 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthre. Nyl group, substituted or unsubstituted diphenylfluorenyl group, substituted or unsubstituted dimethylfluorenyl group, substituted or unsubstituted spirobifluorenyl group, substituted or unsubstituted adamantyl group, substituted or unsubstituted cyclohex Sil group, substituted or unsubstituted tetrahydronaphthalene, substituted or unsubstituted pyridyl group, substituted or unsubstituted furanyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, substituted or unsubstituted Naphthobenzofuranyl group, substituted or unsubstituted benzoimidazole group, substituted or unsubstituted benzothiazole group, substituted or unsubstituted thiophenyl group, substituted or unsubstituted benzothiophenyl group, substituted or unsubstituted dibenzo Thiophenyl group, substituted or unsubstituted naphthobenzothiophenyl group, substituted or unsubstituted dibenzodioxine, substituted or unsubstituted carbazole group, substituted or unsubstituted benzocarbazole group, substituted or unsubstituted benzo It is an oxazole group, a substituted or unsubstituted thianthrene group, a substituted or unsubstituted xanthene group, a substituted or unsubstituted spirofluorenexanthene group, or a substituted or unsubstituted spirofluorene indoloacridyl group. The substituents are selected from deuterium, a nitrile group, a C- 1 -C 10 alkyl group, a C 6 -C 30 aryl group, a C 3 -C 20 trialkylsilyl group, and a C 18 -C 30 triarylsilyl group It may be substituted or unsubstituted with the above substituents.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3는 실릴기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만틸(adamantyl)기, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 테트라하이드로나프틸기, 벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조티오펜기, 디벤조퓨라닐기, 나프토벤조퓨라닐기, 벤조이미다졸릴기, 디벤조다이옥신기, 티안트레닐(thianthrenyl)기, 카바졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 티오펜기, 크산테닐기, 스피로플루오렌크산테닐기, 스피로플루오렌인돌로아크리디닐기, 테트랄리닐(tetralinyl)기 또는 페노티아지닐(phenothiazinyl)기이며,상기 치환기들은 중수소, 니트릴기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 카바졸릴기, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 중 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a silyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a phenanthrenyl group, a fluorenyl group, Tetrahydronaphthyl group, benzothiophene group, benzofuranyl group, dibenzothiophene group, dibenzofuranyl group, naphthobenzofuranyl group, benzoimidazolyl group, dibenzodioxin group, thianthrenyl group, Carbazolyl group, benzocarbazolyl group, benzooxazolyl group, benzothiazolyl group, thiophene group, xanthenyl group, spirofluorenxanthenyl group, spirofluorene indoloacridinyl group, tetralinyl group or Phenothiazinyl group, and the substituents are deuterium, nitrile group, trimethylsilyl group, triphenylsilyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, phenyl group, naphthyl group, carbazolyl group, methyl group, ethyl group , May be unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from a propyl group and a butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3는 하기 구조식 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 may be represented by any one of the following structural formulas.

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 구조식에서,In the above structural formula,

Q 및 Q'는 각각 독립적으로 NRa, CRbRc, O 또는 S이며,Q and Q'are each independently NRa, CRbRc, O or S,

R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R1 to R3 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

d3 내지 d9가 각각 2 이상인 경우, 인접한 괄호 내 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,When d3 to d9 are each 2 or more, substituents in adjacent parentheses may be bonded to each other to form a ring,

Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,Ra to Rc are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,

d3는 0 내지 3의 정수이고,d3 is an integer from 0 to 3,

d4는 0 내지 4의 정수이며,d4 is an integer from 0 to 4,

d5는 0 내지 5의 정수이고,d5 is an integer from 0 to 5,

d6는 0 내지 6의 정수이고,d6 is an integer from 0 to 6,

d7는 0 내지 7의 정수이며,d7 is an integer from 0 to 7,

d8는 0 내지 8의 정수이고,d8 is an integer from 0 to 8,

d9는 0 내지 9의 정수이며,d9 is an integer from 0 to 9,

d1은 1 내지 4의 정수이고,d1 is an integer of 1 to 4,

d3 내지 d9 및 d1이 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내 치환기는 서로 같거나 상이하고,When d3 to d9 and d1 are each 2 or more, the substituents in two or more parentheses are the same or different from each other,

*은 상기 화학식 1과 연결되는 위치이다.* Is a position connected to Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q 및 Q'는 각각 독립적으로 O 또는 S이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Q and Q'are each independently O or S.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q는 O 또는 S이고, Q'는 CRbRc이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Q is O or S, and Q'is CRbRc.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q는 O 또는 S이고, Q'는 NRa이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Q is O or S, and Q'is NRa.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3는 각각 독립적으로 중수소, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R3 are each independently deuterium, a nitrile group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted A substituted heteroaryl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3는 각각 독립적으로 중수소, 니트릴기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 카바졸릴기, 메틸기, 에틸기, 프로필기 또는 부틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R3 are each independently deuterium, nitrile group, trimethylsilyl group, triphenylsilyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, phenyl group, naphthyl group, carbazolyl Group, methyl group, ethyl group, propyl group or butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 d3 내지 d9는 각각 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, d3 to d9 are each 0.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 d3 내지 d9는 각각 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, d3 to d9 are each 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 d1은 1 내지 3의 정수이다.In the exemplary embodiment of the present specification, d1 is an integer of 1 to 3.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 d1은 1 또는 2이다.In the exemplary embodiment of the present specification, d1 is 1 or 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 d1은 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, d1 is 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc는 각각 수소, 알킬기 또는 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rc are each hydrogen, an alkyl group, or an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc는 각각 수소, 메틸기 또는 페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rc are each hydrogen, a methyl group, or a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 인접한 두 개의 R1은 서로 결합하여 축합된 벤젠고리를 형성할 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, two adjacent R1s may be bonded to each other to form a condensed benzene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C10의 알킬기; 알킬기로 치환된 실릴기; 단환 또는 다환의 C3-C10의 시클로알킬기; 단환 또는 다환의 C6-C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C3-C20의 지방족 탄화수소고리와 C6-C20의 방향족 탄화수소고리의 축합고리기; 또는 N, O 및 S 중 하나 이상을 포함하는 C2-C31의 헤테로아릴기이며, 상기 치환기들은 중수소, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기 중 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; A linear or branched C 1 -C 10 alkyl group; A silyl group substituted with an alkyl group; Monocyclic or polycyclic C 3 -C 10 cycloalkyl group; Monocyclic or polycyclic C 6 -C 30 aryl group; A condensed ring group of a substituted or unsubstituted C 3 -C 20 aliphatic hydrocarbon ring and a C 6 -C 20 aromatic hydrocarbon ring; Or a C 2 -C 31 heteroaryl group comprising at least one of N, O and S, and the substituents are deuterium, a nitrile group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted It may be unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from a cyclic aryl group and a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 헥실기, 치환 또는 비치환된 트리알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기, 치환 또는 비치환된 시클로헥실기, 치환 또는 비치환된 아다만틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티아졸릴기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기이다. 상기 치환기들은 중수소, 니트릴기, C1-C10의 알킬기 및 C6-C30의 아릴기 중 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.In another exemplary embodiment, Ar1 and Ar2 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Substituted or unsubstituted methyl group, substituted or unsubstituted ethyl group, substituted or unsubstituted propyl group, substituted or unsubstituted butyl group, substituted or unsubstituted hexyl group, substituted or unsubstituted trialkylsilyl group, substituted or Unsubstituted cyclopentyl group, substituted or unsubstituted cyclohexyl group, substituted or unsubstituted adamantyl group, substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or Unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted furanyl group, substituted or unsubstituted thiophenyl group, substituted or unsubstituted benzothiophenyl group, substituted or unsubstituted benzothiazolyl group, or substituted or unsubstituted dibenzo It is a furanyl group. The substituents may be substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from deuterium, a nitrile group, a C 1 -C 10 alkyl group and a C 6 -C 30 aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 트리메틸실릴기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만틸(adamantyl)기, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 플루오레닐기, 테트라하이드로나프틸기, 벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조티오펜기, 디벤조퓨라닐기, 나프토벤조퓨라닐기, 벤조이미다졸릴기, 디벤조다이옥신기, 티안트레닐(thianthrenyl)기, 카바졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 티오펜기, 크산테닐기, 스피로플루오렌크산테닐기, 스피로바이플루오레닐기, 테트랄리닐(tetralinyl)기 또는 페노티아지닐(phenothiazinyl)기이며, 상기 치환기들은 중수소, 니트릴기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 중 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are each independently hydrogen, nitrile group, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, trimethylsilyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group (adamantyl) group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, phenanthrenyl group, triphenylenyl group, fluorenyl group, tetrahydronaphthyl group, benzothiophene group, benzofuranyl group, dibenzothiophene group, di Benzofuranyl group, naphthobenzofuranyl group, benzoimidazolyl group, dibenzodioxin group, thianthrenyl group, carbazolyl group, benzocarbazolyl group, benzooxazolyl group, benzothiazolyl group, thiophene Group, xanthenyl group, spirofluorenxanthenyl group, spirobifluorenyl group, tetralinyl group or phenothiazinyl group, and the substituents are deuterium, nitrile group, trimethylsilyl group, triphenylsilyl Group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, phenyl group, naphthyl group, methyl group, ethyl group, propyl group, and may be unsubstituted with one or more substituents selected from butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 하기 구조식 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 may each independently be represented by any one of the following structural formulas.

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 구조식에서,In the above structural formula,

Q1 및 Q1'는 각각 독립적으로 NRd, CReRf, O 또는 S이며,Q 1 and Q 1 ′ are each independently NRd, CReRf, O or S,

R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R4 and R5 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

e3, e4, e5, e7, e8 및 e9가 각각 2 이상인 경우, 인접한 괄호 내 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,When e3, e4, e5, e7, e8 and e9 are each 2 or more, substituents in adjacent parentheses may be bonded to each other to form a ring,

Rd 내지 Rf는 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,Rd to Rf are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,

e3는 0 내지 3의 정수이고,e3 is an integer from 0 to 3,

e4는 0 내지 4의 정수이며,e4 is an integer from 0 to 4,

e5는 0 내지 5의 정수이고,e5 is an integer from 0 to 5,

e7는 0 내지 7의 정수이며,e7 is an integer from 0 to 7,

e8는 0 내지 8의 정수이고,e8 is an integer from 0 to 8,

e9는 0 내지 9의 정수이며,e9 is an integer from 0 to 9,

e는 1 내지 4의 정수이고,e is an integer from 1 to 4,

e3, e4, e5, e7, e8, e9 또는 e가 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내 치환기는 서로 같거나 상이하고,When e3, e4, e5, e7, e8, e9, or e are each 2 or more, the substituents in the two or more parentheses are the same as or different from each other,

*은 상기 화학식 1과 연결되는 위치이다.* Is a position connected to Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q1 및 Q1'는 각각 독립적으로 O 또는 S이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Q 1 and Q 1 ′ are each independently O or S.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q1은 O 또는 S이고, Q1'는 CReRf이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Q 1 is O or S, and Q 1 ′ is CReRf.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q1은 O 또는 S이고, Q1'는 NRd이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Q 1 is O or S, and Q 1 ′ is NRd.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4 및 R5는 각각 독립적으로 중수소, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R4 and R5 are each independently deuterium, a nitrile group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted It is a cyclic heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4 및 R5는 각각 독립적으로 중수소, 니트릴기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만틸기, 페닐기, 나프틸기, 메틸기, 에틸기, 프로필기 또는 부틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R4 and R5 are each independently deuterium, nitrile group, trimethylsilyl group, triphenylsilyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, phenyl group, naphthyl group, methyl group, It is an ethyl group, a propyl group, or a butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 e3, e4, e5, e7, e8 및 e9는 각각 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, e3, e4, e5, e7, e8, and e9 are each 0.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 e3, e4, e5, e7, e8 및 e9는 각각 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, e3, e4, e5, e7, e8, and e9 are each 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 e는 1 내지 3의 정수이다.In the exemplary embodiment of the present specification, e is an integer of 1 to 3.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 e는 1 또는 2이다.In the exemplary embodiment of the present specification, e is 1 or 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 e는 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, e is 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rd 내지 Rf는 각각 수소, 알킬기 또는 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Rd to Rf are each hydrogen, an alkyl group, or an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rd 내지 Rf는 각각 수소, 메틸기 또는 페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Rd to Rf are each hydrogen, a methyl group, or a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 인접한 두 개의 R4는 서로 결합하여 축합된 벤젠고리를 형성할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, two adjacent R4s may be bonded to each other to form a condensed benzene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기; 치환 또는 비치환된 티오페닐렌기; 치환 또는 비치환된 퓨라닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 페노티아지닐렌기이다. In the exemplary embodiment of the present specification, L3 is a direct bond; A substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted naphthylene group; A substituted or unsubstituted carbazolylene group; A substituted or unsubstituted thiophenylene group; A substituted or unsubstituted furanylene group; A substituted or unsubstituted dibenzothiophenylene group; A substituted or unsubstituted dibenzofuranylene group; Or a substituted or unsubstituted phenothiazinylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3는 직접결합; 페닐렌기; 나프틸렌기; 카바졸릴렌기; 티오페닐렌기; 퓨라닐렌기; 디벤조티오페닐렌기; 디벤조퓨라닐렌기; 또는 페노티아지닐렌기이며, 상기 치환기들은 C1-C10의 알킬기로 치환 또는 비치환될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, L3 is a direct bond; Phenylene group; Naphthylene group; Carbazolylene group; Thiophenylene group; Furanylene group; Dibenzothiophenylene group; Dibenzofuranylene group; Or a phenothiazinylene group, and the substituents may be unsubstituted or substituted with a C 1 -C 10 alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 및 L2 중 적어도 1개는 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기이고, 나머지는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of L1 and L2 is a substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted biphenylene group; A substituted or unsubstituted terphenylene group; A substituted or unsubstituted naphthylene group; A substituted or unsubstituted dibenzothiophenylene group; Or a substituted or unsubstituted dibenzofuranylene group, and the remainder is a direct bond; A substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted biphenylene group; A substituted or unsubstituted terphenylene group; A substituted or unsubstituted naphthylene group; A substituted or unsubstituted dibenzothiophenylene group; Or a substituted or unsubstituted dibenzofuranylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 및 L2 중 적어도 1개는 페닐렌기; 바이페닐렌기; 터페닐렌기; 나프틸렌기; 디벤조티오페닐렌기; 또는 디벤조퓨라닐렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of L1 and L2 is a phenylene group; Biphenylene group; Terphenylene group; Naphthylene group; Dibenzothiophenylene group; Or a dibenzofuranylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 및 L2 중 적어도 1개는 페닐렌기, 바이페닐렌기 또는 터페닐렌기이고, 나머지는 직접결합, 페닐렌기, 바이페닐렌기 또는 터페닐렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of L1 and L2 is a phenylene group, a biphenylene group, or a terphenylene group, and the rest are a direct bond, a phenylene group, a biphenylene group, or a terphenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 및 L2는 각각 페닐렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are each a phenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조식들 중 선택된 어느 하나일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 may be any one selected from the following structural formulas.

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본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조방법으로 제조될 수 있다.The compound according to an exemplary embodiment of the present specification may be prepared by a manufacturing method described below.

예컨대, 상기 화학식 1의 화합물은 후술하는 제조예와 같은 반응에 의해 코어구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.For example, the core structure of the compound of Formula 1 may be prepared by the same reaction as in Preparation Example to be described later. Substituents may be bonded by methods known in the art, and the type, position, or number of substituents may be changed according to techniques known in the art.

본 명세서에 있어서, "에너지 준위"는 에너지 크기를 의미하는 것이다. 따라서 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, 에너지 준위가 깊다는 것은 진공 준위로부터 마이너스 방향으로 절대값이 커지는 것을 의미한다.In the present specification, "energy level" means the energy level. Therefore, the energy level is interpreted to mean the absolute value of the corresponding energy value. For example, a deep energy level means that the absolute value increases in the negative direction from the vacuum level.

본 명세서에 있어서, HOMO(highest occupied molecular orbital)란, 전자가 결합에 참여할 수 있는 영역에서 가장 에너지가 높은 영역에 있는 분자궤도함수(최고 점유 분자 오비탈)를 의미하고, LUMO(lowest unoccupied molecular orbital)란, 전자가 반결합영역 중 가장 에너지가 낮은 영역에 있는 분자궤도함수(최저 비점유 분자 오비탈)를 의미하고, HOMO 에너지 준위란 진공 준위로부터 HOMO까지의 거리를 의미한다. 또한, LUMO 에너지 준위란 진공 준위로부터 LUMO까지의 거리를 의미한다.In the present specification, HOMO (highest occupied molecular orbital) means a molecular orbital function (highest occupied molecular orbital) in a region with the highest energy in a region where electrons can participate in binding, and LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) Means a molecular orbital function (lowest unoccupied molecular orbital) in which electrons have the lowest energy among the anti-bonding regions, and the HOMO energy level means the distance from the vacuum level to the HOMO. In addition, the LUMO energy level means the distance from the vacuum level to the LUMO.

본 명세서에 있어서, 밴드갭(bandgap)이란, HOMO와 LUMO의 에너지 준위 차이, 즉, HOMO-LUMO 갭(Gap)을 의미한다.In the present specification, a bandgap means a difference in energy levels between HOMO and LUMO, that is, a HOMO-LUMO gap.

또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. In addition, the present specification provides an organic light-emitting device including the above-described compound.

본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다. An exemplary embodiment of the present specification is a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound.

본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.When a member is referred to herein as being “on” another member, this includes not only the case where a member is in contact with another member, but also the case where another member exists between the two members.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공조절층, 발광층, 전자조절층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present specification may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a hole control layer, a light emitting layer, an electron control layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함한다. 구체적으로, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하며, 상기 화합물은 호스트로서 포함된다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the compound. Specifically, the light emitting layer includes a host and a dopant, and the compound is included as a host.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루 오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 파이렌, 안트라센, 크라이센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In an exemplary embodiment of the present specification, the dopant material includes an aromatic amine derivative, a strylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamine group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, and periflanthene having an arylamine group, and the styrylamine compound is substituted or unsubstituted. A compound in which at least one arylvinyl group is substituted on the cyclic arylamine, and one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, silyl group, alkyl group, cycloalkyl group and arylamine group are substituted or unsubstituted. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but are not limited thereto. In addition, the metal complex includes an iridium complex, a platinum complex, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 1층 이상의 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes one or more electron transport layers, and at least one of the electron transport layers includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 1층 이상의 전자조절층을 포함하고, 상기 전자조절층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes one or more electron controlling layers, and at least one of the electron controlling layers includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고, 상기 발광층 및 전자수송층은 상기 화합물을 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer and an electron transport layer, and the emission layer and the electron transport layer include the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자조절층 및 전자수송층을 포함하고, 상기 전자조절층 및 전자수송층은 상기 화합물을 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an electron controlling layer and an electron transport layer, and the electron controlling layer and the electron transport layer include the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층 100wt%를 기준으로 5wt% 내지 99wt%로 포함할 수 있으며, 바람직하게는 10wt% 내지 30wt%로 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer may include 5 wt% to 99 wt% of the compound based on 100 wt% of the emission layer, and preferably 10 wt% to 30 wt% do.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 호스트로 포함하며, 도펀트를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 도펀트의 함량은 호스트 100wt%를 기준으로 10wt% 내지 99wt%일 수 있으며, 바람직하게는 10wt% 내지 50wt%일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, the emission layer includes the compound as a host of the emission layer, and may further include a dopant. In this case, the content of the dopant may be 10 wt% to 99 wt%, and preferably 10 wt% to 50 wt% based on 100 wt% of the host.

본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 호스트로 사용되는 경우, 소자의 수명 및 효율이 향상된다. When the compound represented by Chemical Formula 1 in the present specification is used as a host of an emission layer, the lifespan and efficiency of the device are improved.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 전자조절층을 포함하고, 상기 전자조절층은 상기 화합물을 전자조절층 100wt%를 기준으로 5wt% 내지 99wt%로 포함할 수 있으며, 바람직하게는 10wt% 내지 30wt%로 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an electron controlling layer, and the electron controlling layer may contain the compound in an amount of 5 wt% to 99 wt% based on 100 wt% of the electron controlling layer, and preferably 10 wt% % To 30wt%.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 화합물을 전자수송층 100wt%를 기준으로 5wt% 내지 99wt%로 포함할 수 있으며, 바람직하게는 10wt% 내지 30wt%로 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an electron transport layer, and the electron transport layer may include 5wt% to 99wt% of the compound based on 100wt% of the electron transport layer, and preferably 10wt% to 30wt% Included in %.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be an organic light emitting device having a structure (normal type) in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another embodiment, the organic light-emitting device may be an inverted type organic light-emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

예컨대, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 예시되어 있다. For example, the structure of the organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present application is illustrated in FIG. 1.

도 1은 제1 전극(1), 정공주입층(2), 정공수송층(3), 정공조절층(4), 발광층(5), 전자조절층(6), 전자수송층(7), 전자주입층(8) 및 제2 전극(9)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 정공주입층(2), 정공수송층(3), 정공조절층(4), 발광층(5), 전자조절층(6), 전자수송층(7) 및 전자주입층(8) 중 하나 이상의 층에 포함될 수 있으며, 구체적으로는 전자수송층 및/또는 전자조절층에 포함될 수 있다. 1 is a first electrode (1), hole injection layer (2), hole transport layer (3), hole control layer (4), light emitting layer (5), electron control layer (6), electron transport layer (7), electron injection A structure of an organic light-emitting device in which the layer 8 and the second electrode 9 are sequentially stacked is illustrated. In this structure, the compound is the hole injection layer (2), the hole transport layer (3), the hole control layer (4), the light emitting layer (5), the electron control layer (6), the electron transport layer (7) and the electron injection It may be included in one or more of the layers 8, and specifically, may be included in the electron transport layer and/or the electron control layer.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 출원의 화합물, 즉 상기 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers contains the compound of the present application, that is, the compound.

상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or alloy thereof is deposited on the substrate to form an anode. And, after forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, it can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light-emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. In another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

상기 양극은 정공을 주입하는 전극으로, 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. The anode is an electrode for injecting holes, and a material having a large work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer as the anode material.

상기 음극은 전자를 주입하는 전극으로, 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. The cathode is an electrode for injecting electrons, and the cathode material is usually a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.

본 명세서에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the anode material that can be used in the present specification include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.

상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; There are multilayered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but are not limited thereto.

상기 정공주입층은 양극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 정공주입층의 두께는 1nm 내지 150nm일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 1nm 이상이면, 정공 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150nm 이하이면, 정공주입층의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The hole injection layer is a layer that facilitates injection of holes from the anode to the light emitting layer, and the hole injection material is a material capable of receiving holes from the anode at a low voltage, and is a high occupied HOMO (highest occupied material) of the hole injection material. It is preferable that molecular orbital) is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of hole injection materials include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic substances, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic substances, quinacridone-based organic substances, and perylene-based organic substances. Organic substances, anthraquinone, polyaniline, and polythiophene-based conductive polymers, etc., but are not limited thereto. The thickness of the hole injection layer may be 1 nm to 150 nm. When the thickness of the hole injection layer is 1 nm or more, there is an advantage of preventing deterioration of the hole injection characteristics, and when the thickness of the hole injection layer is 150 nm or less, the thickness of the hole injection layer is too thick to increase the driving voltage to improve the movement of holes. There is an advantage that can prevent it.

상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer may serve to facilitate transport of holes. As the hole transport material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer and transferring them to the emission layer, and a material having high mobility for holes is suitable. Specific examples include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer including a conjugated portion and a non-conjugated portion, but are not limited thereto.

상기 정공조절층은 상기 정공수송층과 상기 발광층 사이에 구비될 수 있으며, 정공수송층으로부터 정공을 효과적으로 전달 받고, 정공이동도를 조절하여 발광층으로 전달되는 정공의 양을 조절하는 역할을 한다. 또한, 발광층으로부터 공급되는 전자가 정공수송층으로 넘어가지 않도록 하는 전자 장벽 역할을 동시에 수행할 수 있다. 이를 통해 발광층에서 정공과 전자의 균형을 극대화시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있고, 안정성 및 수명을 향상시킬 수 있다. 정공조절층의 재료로는 당 기술 분야에 알려진 재료를 사용할 수 있다.The hole control layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and serves to effectively receive holes from the hole transport layer and control the amount of holes transferred to the light emitting layer by adjusting hole mobility. In addition, the electrons supplied from the light emitting layer can simultaneously perform the role of an electron barrier to prevent passing to the hole transport layer. Through this, it is possible to maximize the balance of holes and electrons in the emission layer to increase luminous efficiency, and improve stability and lifespan. Materials known in the art may be used as the material for the hole control layer.

발광층의 호스트 재료로는 상기 화합물 외에도 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In addition to the compounds described above, as a host material for the light emitting layer, there are condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic-containing compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The emission layer may emit red, green, or blue light, and may be made of a phosphorescent material or a fluorescent material. The light-emitting material is a material capable of emitting light in a visible light region by transporting and bonding holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole, and benzimidazole-based compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymer; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), 안트라센계 화합물, 파이렌계 화합물, 보론계 화합물 등과 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자, 안트라센계 화합물, 파이렌계 화합물, 보론계 화합물 등과 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.When the emission layer emits red light, the emission dopants include PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium). ), a phosphorescent material such as octaethylporphyrin platinum (PtOEP), or a fluorescent material such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), but is not limited thereto. When the emission layer emits green light, the emission dopant is a phosphor such as Ir(ppy) 3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium), or Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), anthracene compound, pyrene type A fluorescent material such as a compound or a boron-based compound may be used, but is not limited thereto. When the light emitting layer emits blue light, the light emitting dopant is a phosphorescent material such as (4,6-F 2 ppy) 2 Irpic, but spiro-DPVBi, spiro-6P, distillbenzene (DSB), distrylarylene (DSA ), a PFO-based polymer, a PPV-based polymer, an anthracene-based compound, a pyrene-based compound, a boron-based compound, or the like may be used, but is not limited thereto.

상기 전자조절층은 상기 발광층과 전자수송층 사이에 구비될 수 있으며, 전자수송층으로부터 전자를 효과적으로 전달 받고, 전자 이동도를 조절하여 발광층으로 전달되는 전자의 양을 조절하는 역할을 한다. 또한, 발광층으로부터 공급되는 정공이 전자수송층으로 넘어가지 않도록 하는 정공 장벽 역할을 동시에 수행할 수 있다. 이를 통해 발광층에서 정공과 전자의 균형을 극대화시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있고, 안정성 및 수명을 향상시킬 수 있다. 전자조절층의 재료로는 상기 화합물 외에도 당 기술 분야에 알려진 재료를 사용할 수 있다.The electron control layer may be provided between the light emitting layer and the electron transport layer, and serves to control the amount of electrons transferred to the light emitting layer by effectively receiving electrons from the electron transport layer and controlling electron mobility. In addition, it can simultaneously serve as a hole barrier preventing holes supplied from the emission layer from passing over to the electron transport layer. Through this, it is possible to maximize the balance of holes and electrons in the emission layer to increase luminous efficiency, and improve stability and lifespan. Materials known in the art may be used as a material for the electron control layer in addition to the compound.

상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 상기 화합물 외 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The electron transport layer may serve to facilitate transport of electrons. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer, and a material having high mobility for electrons is suitable. Specific examples other than the above compounds include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자수송층은 유기 금속 착체를 더 포함할 수 있으며, 상기 유기 금속 착체가 상기 화합물과 혼합되어 하나의 층에 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기 화합물과 유기 금속 착체를 섞은 후 진공 증착하거나, 각각 증착하여 혼합층을 형성할 수 있다. 이 경우 음극 또는 전자주입층과의 에너지 레벨 조절, 유기물과 금속의 계면에서 접합 능력 향상 등의 효과가 있다. 상기 유기 금속 착체로는 LiQ, NaQ, LiF, CsF, BaF, BaO 및 Al2O3 중 선택된 1종 이상이 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the exemplary embodiment of the present specification, the electron transport layer may further include an organometallic complex, and the organometallic complex may be mixed with the compound to be included in one layer. Specifically, the compound and the organic metal complex may be mixed and then vacuum-deposited, or a mixed layer may be formed by depositing each. In this case, there are effects such as controlling the energy level between the cathode or the electron injection layer and improving the bonding ability at the interface between the organic material and the metal. As the organometallic complex, at least one selected from LiQ, NaQ, LiF, CsF, BaF, BaO, and Al 2 O 3 may be used, but is not limited thereto.

전자수송층의 두께는 1nm 내지 50nm일 수 있다. 전자수송층의 두께가 1nm 이상이면, 전자 수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자수송층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The thickness of the electron transport layer may be 1 nm to 50 nm. If the thickness of the electron transport layer is 1 nm or more, there is an advantage of preventing deterioration of the electron transport characteristics, and if the thickness of the electron transport layer is 50 nm or less, the thickness of the electron transport layer is too thick to prevent an increase in the driving voltage to improve the movement of electrons. There is an advantage to be able to.

상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer may serve to facilitate injection of electrons. The electron injection material has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect for the light emitting layer or the light emitting material, prevents the movement of excitons generated in the light emitting layer to the hole injection layer, and , A compound having excellent thin film forming ability is preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, and their derivatives, metals Complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 음극 상에 캡핑층이 구비될 수 있다. 상기 캡핑층은 카바졸계 화합물 등의 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.A capping layer may be provided on the cathode. Materials known in the art, such as a carbazole-based compound, may be used for the capping layer.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include lithium 8-hydroxyquinolinato, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( o-cresolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtholato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtholato)gallium, etc. It is not limited to this.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하기 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 출원의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 출원의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, in order to explain the present specification in detail, it will be described in detail with reference to examples. However, the embodiments according to the present specification may be modified in various forms, and the scope of the present application is not construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present application are provided to more completely describe the present specification to those of ordinary skill in the art.

<제조예><Production Example>

제조예 1. 중간체 A1-1 내지 A1-6의 합성Preparation Example 1. Synthesis of Intermediates A1-1 to A1-6

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하기 표 1에 기재된 조합으로 SM1(히드라진 화합물; 1eq), SM2(트리에틸오쏘에스터; 1.1eq) 및 암모늄클로라이드(3.5eq)를 과량의 에탄올에 첨가한 후 가열 환류시켰다. 10시간 후 반응을 종결하고 상온으로 온도를 안정화한 후 감압 증류하였다. 이 후 헥산과 diethylether를 통하여 슬러리 교반 후, 필터링하고 헥산만으로 컬럼크로마토그래피를 통하여 정제하여 하기 표 1의 중간체 A1-1 내지 A1-6를 하기 제조하였다. SM1 (hydrazine compound; 1 eq), SM2 (triethyl orthoester; 1.1 eq) and ammonium chloride (3.5 eq) were added to an excess of ethanol and heated to reflux according to the combination shown in Table 1 below. After 10 hours, the reaction was terminated and the temperature was stabilized at room temperature, followed by distillation under reduced pressure. Thereafter, the slurry was stirred through hexane and diethylether, filtered, and purified through column chromatography with only hexane to prepare intermediates A1-1 to A1-6 in Table 1 below.

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제조예Manufacturing example 2. 중간체 A2-1 내지 A2-6의 합성 2. Synthesis of intermediates A2-1 to A2-6

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하기 표 2에 기재된 조합으로 SM1(1eq) 및 SM2(1.3eq)를 1,4-디옥산(질량비 기준 SM1 대비 12배)에 투입하고 포타슘아세테이트(3eq)를 추가하여 교반 및 환류시켰다. 팔라듐아세테이트(0.02eq) 및 트리시클로헥실포스핀(0.04eq)를 1,4-디옥산에서 5분간 교반 후 투입하고, 2시간 후 반응의 종결을 확인한 후 상온으로 식혔다. 에탄올과 물을 투입하고 필터링한 후 에틸아세테이트와 헥산으로 재결정화하여 하기 표 2의 중간체 A2-1 내지 A2-6을 제조하였다.In the combination described in Table 2 below, SM1 (1eq) and SM2 (1.3eq) were added to 1,4-dioxane (12 times compared to SM1 in terms of mass ratio), and potassium acetate (3eq) was added, followed by stirring and refluxing. Palladium acetate (0.02eq) and tricyclohexylphosphine (0.04eq) were stirred in 1,4-dioxane for 5 minutes and then added. After 2 hours, the reaction was confirmed to be terminated, and then cooled to room temperature. After ethanol and water were added, filtered, and recrystallized with ethyl acetate and hexane, intermediates A2-1 to A2-6 of Table 2 were prepared.

Figure pat00048
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제조예 3. 중간체 B1-1 내지 B1-5의 합성Preparation Example 3. Synthesis of Intermediates B1-1 to B1-5

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상기 제조예 1에서 SM1 및 SM2의 조합을 하기 표 3과 같이 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 1과 동일한 과정으로 하기 표 3의 중간체 B1-1 내지 B1-5를 제조하였다.In Preparation Example 1, the intermediates B1-1 to B1-5 of Table 3 were prepared in the same manner as in Preparation Example 1, except that the combination of SM1 and SM2 was used as shown in Table 3 below.

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제조예Manufacturing example 4. 중간체 B2-1 내지 B2-5의 합성 4. Synthesis of intermediates B2-1 to B2-5

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상기 제조예 3에서 제조한 B1-1 내지 B1-5(1eq)를 각각 과량의 테트라하이드로퓨란에 첨가한 후, 교반하면서 -78℃로 온도 안정화를 시켰다. 이 후 n-부틸리튬(n-BuLi; 헥산 용액, 2.5M, 1.3eq)을 추가하고 1시간 동안 교반한 후 브로민(1.3eq)을 적가하였다. 1시간 후 반응을 종결하고 0℃로 온도 안정화하고, 1N 염화수소로 적정한 후 에틸아세테이트 및 소듐티오설페이트 수용액으로 추출한다. 이 후 diethylether로 재결정화하여 하기 표 4의 중간체 B2-1 내지 B2-5를 각각 제조하였다.After adding B1-1 to B1-5 (1eq) prepared in Preparation Example 3 to an excess of tetrahydrofuran, respectively, the temperature was stabilized at -78°C while stirring. Thereafter, n-butyllithium (n-BuLi; hexane solution, 2.5M, 1.3eq) was added, stirred for 1 hour, and bromine (1.3eq) was added dropwise. After 1 hour, the reaction was terminated, the temperature was stabilized at 0° C., titrated with 1N hydrogen chloride, and extracted with ethyl acetate and sodium thiosulfate aqueous solution. After that, it was recrystallized with diethylether to prepare intermediates B2-1 to B2-5 in Table 4 below.

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제조예 5. 중간체 B3-1 내지 B3-12의 합성Preparation Example 5. Synthesis of Intermediates B3-1 to B3-12

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하기 표 5에 기재된 조합으로 SM1(1eq) 및 SM2(1.02eq)를 과량의 테트라하이드로퓨란(THF)에 첨가한 후 2M의 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30vol%)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)을 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층을 분리하였다. 용매 제거 후 진공 증류하고 에틸아세테이트와 에탄올로 재결정화하여 하기 표 5의 중간체 B3-1 내지 B3-12를 제조하였다.After adding SM1 (1eq) and SM2 (1.02eq) to an excess amount of tetrahydrofuran (THF) in the combination shown in Table 5 below, 2M potassium carbonate aqueous solution (30 vol% of THF) was added, and tetrakistriphenyl- Phosphinopalladium (2mol%) was added, followed by heating and stirring for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and terminating the reaction, the aqueous potassium carbonate solution was removed to separate the layers. After removing the solvent, distillation under vacuum and recrystallization with ethyl acetate and ethanol were performed to prepare intermediates B3-1 to B3-12 of Table 5 below.

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제조예 6. 중간체 B4-1 내지 B4-12의 합성Preparation Example 6. Synthesis of Intermediates B4-1 to B4-12

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상기 제조예 2에서 SM1 및 SM2의 조합을 하기 표 6과 같이 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 2와 동일한 과정으로 하기 표 6의 중간체 B4-1 내지 B4-12를 제조하였다.In Preparation Example 2, the intermediates B4-1 to B4-12 of Table 6 were prepared in the same manner as in Preparation Example 2, except that the combination of SM1 and SM2 was used as shown in Table 6 below.

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Figure pat00058

제조예Manufacturing example 7. 중간체 C1-1 내지 C1-3의 합성 7. Synthesis of intermediates C1-1 to C1-3

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Figure pat00059

하기 표 7에 기재된 SM1(1-벤조일-2-포르밀하이드라진 화합물; 1eq)를 과량의 톨루엔에 첨가한 후 Lawesson's reagent(1.1eq)를 첨가하고 가열 환류시켰다. 3시간 후 반응을 종결하고 상온으로 온도 안정화한 후 감압 증류하였다. 이 후 헥산만으로 컬럼크로마토그래피를 통하여 정제하고 에탄올로 고체화시켜 하기 표 7의 C1-1 내지 C1-3를 각각 제조하였다. SM1 (1-benzoyl-2-formylhydrazine compound; 1 eq) described in Table 7 below was added to an excess of toluene, followed by addition of Lawesson's reagent (1.1 eq), followed by heating to reflux. After 3 hours, the reaction was terminated and the temperature was stabilized at room temperature, followed by distillation under reduced pressure. After that, purified through column chromatography with only hexane and solidified with ethanol to prepare C1-1 to C1-3 in Table 7 below.

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제조예Manufacturing example 8. 중간체 C2-1 내지 C2-3의 합성 8. Synthesis of intermediates C2-1 to C2-3

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Figure pat00061

상기 제조예 2에서 SM1 및 SM2의 조합을 하기 표 8과 같이 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 2와 동일한 과정으로 하기 표 8의 중간체 C2-1 내지 C2-3를 제조하였다.In Preparation Example 2, the intermediates C2-1 to C2-3 of Table 8 were prepared in the same manner as in Preparation Example 2, except that the combination of SM1 and SM2 was used as shown in Table 8 below.

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Figure pat00062

제조예Manufacturing example 9. 중간체 D1-1 내지 D1-3의 합성 9. Synthesis of intermediates D1-1 to D1-3

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Figure pat00063

상기 제조예 7에서 SM1을 하기 표 9에 기재된 것과 같이 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 7과 동일한 과정으로 하기 표 9의 중간체 D1-1 내지 D1-3을 제조하였다.In Preparation Example 7, the intermediates D1-1 to D1-3 of Table 9 were prepared in the same manner as in Preparation Example 7, except that SM1 was used as described in Table 9 below.

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제조예Manufacturing example 10. 중간체 D2-1 내지 D2-3의 합성 10. Synthesis of intermediates D2-1 to D2-3

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상기 제조예 4에서 B1-1 내지 B1-5 대신 상기 제조예 9에서 합성한 D1-1 내지 D1-3을 각각 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 4와 동일한 과정으로 하기 표 10의 중간체 D2-1 내지 D2-3을 제조하였다.Intermediate D2-1 of Table 10 below in the same procedure as in Preparation Example 4, except that D1-1 to D1-3 synthesized in Preparation Example 9 were used instead of B1-1 to B1-5 in Preparation Example 4, respectively. To D2-3 were prepared.

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제조예Manufacturing example 11. 중간체 D3-1 내지 D3-3의 합성 11. Synthesis of intermediates D3-1 to D3-3

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상기 제조예 5에서 SM1 및 SM2의 조합을 하기 표 11과 같이 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 5와 동일한 과정으로 하기 표 11의 중간체 D3-1 내지 D3-3를 제조하였다.In Preparation Example 5, the intermediates D3-1 to D3-3 of Table 11 were prepared in the same manner as in Preparation Example 5, except that the combination of SM1 and SM2 was used as shown in Table 11 below.

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제조예Manufacturing example 12. 중간체 D4-1 내지 D4-3의 합성 12. Synthesis of intermediates D4-1 to D4-3

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상기 제조예 6에서 SM1 및 SM2의 조합을 하기 표 12와 같이 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 6과 동일한 과정으로 하기 표 12의 중간체 D4-1 내지 D4-3를 제조하였다.In Preparation Example 6, the intermediates D4-1 to D4-3 of Table 12 were prepared in the same manner as in Preparation Example 6, except that the combination of SM1 and SM2 was used as shown in Table 12 below.

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제조예Manufacturing example 13. 중간체 A1 내지 A8의 합성 13. Synthesis of Intermediates A1 to A8

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하기 표 13에 기재된 조합으로 SM1(1eq) 및 SM2(1.02eq)를 과량의 테트라하이드로퓨란(THF)에 첨가한 후 2M의 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30vol%)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)을 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층을 분리하였다. 용매 제거 후 진공 증류하고 테트라하이드로퓨란와 에틸아세테이트으로 재결정화하여 하기 표 13의 중간체 A1 내지 A8 를 제조하였다.After adding SM1 (1eq) and SM2 (1.02eq) to an excess of tetrahydrofuran (THF) in the combination described in Table 13 below, 2M potassium carbonate aqueous solution (30 vol% compared to THF) was added, and tetrakistriphenyl- Phosphinopalladium (2mol%) was added, followed by heating and stirring for 10 hours. After the temperature was lowered to room temperature and the reaction was terminated, the aqueous potassium carbonate solution was removed to separate the layers. After removal of the solvent, distillation under vacuum and recrystallization with tetrahydrofuran and ethyl acetate were performed to prepare intermediates A1 to A8 of Table 13 below.

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제조예 14. 중간체 B1 내지 B17의 합성Preparation Example 14. Synthesis of Intermediates B1 to B17

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상기 제조예 13에서 SM1 및 SM2의 조합을 하기 표 14와 같이 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 13과 동일한 과정으로 하기 표 14의 중간체 B1 내지 B17을 제조하였다.Intermediates B1 to B17 of Table 14 were prepared in the same manner as in Preparation Example 13, except that the combination of SM1 and SM2 in Preparation Example 13 was used as shown in Table 14 below.

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제조예Manufacturing example 15. 중간체 C1 내지 C8의 합성 15. Synthesis of intermediates C1 to C8

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상기 제조예 13에서 SM1 및 SM2의 조합을 하기 표 15와 같이 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 13과 동일한 과정으로 하기 표 15의 중간체 C1 내지 C8을 제조하였다.In Preparation Example 13, the intermediates C1 to C8 of Table 15 were prepared in the same manner as in Preparation Example 13, except that the combination of SM1 and SM2 was used as shown in Table 15 below.

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제조예Manufacturing example 16. 화합물 1 내지 32의 합성 16. Synthesis of compounds 1 to 32

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상기 제조예 13에서 SM1 및 SM2의 조합을 하기 표 16과 같이 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 13과 동일한 과정으로 하기 표 16의 화합물 1 내지 32을 제조하였다.Compounds 1 to 32 of Table 16 were prepared in the same manner as in Preparation Example 13, except that the combination of SM1 and SM2 in Preparation Example 13 was used as shown in Table 16 below.

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<실시예: 유기 발광 소자의 제조><Example: Fabrication of organic light emitting device>

실시예 1.Example 1.

양극으로서 ITO/Ag/ITO가 각각 70Å/1000Å/70Å의 두께로 증착된 기판을 50mm×50mm×0.5mm의 크기로 잘라서 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차례 걸러진 증류수를 사용하였다. 상기 양극를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.A substrate on which ITO/Ag/ITO was deposited to a thickness of 70 Å/1000 Å/70 Å as an anode was cut into a size of 50 mm×50 mm×0.5 mm, put in distilled water dissolved in a dispersant, and washed with ultrasonic waves. The detergent was manufactured by Fischer Co., and the distilled water was Millipore Co. Distilled water filtered twice with the product's filter was used. After washing the anode for 30 minutes, ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed in the order of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, followed by drying.

이렇게 준비된 양극 위에 하기 HI-1을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하고, 그 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 HT1을 1150Å의 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 그 다음에 HT2 (150Å)를 이용하여 정공조절층을 형성하고 호스트로 하기 BH1과 도펀트로 하기 BD1(2중량%)을 360Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 그 후 하기 ETM1을 50Å의 두께로 증착하여 전자조절층을 형성하고, 제조예 16에서 제조된 화합물 1과 Liq를 7:3의 질량비로 혼합하여 두께 250Å의 전자수송층을 형성하였다. 순차적으로 50Å 두께의 마그네슘과 리튬 플루오라이드(LiF)을 전자주입층으로 성막한 후 음극으로 마그네슘과 은을 1:4의 두께비로 하여 200Å로 형성시킨 후 하기 CP1을 음극의 CPL(Capping layer)로서 600Å의 두께로 증착하여 소자를 완성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1Å/sec를 유지하였다.On the prepared anode, the following HI-1 was thermally vacuum deposited to a thickness of 50 Å to form a hole injection layer, and the following HT1, which is a material for transporting holes, was vacuum deposited on the anode to a thickness of 1150 Å to form a hole transport layer. Then, a hole control layer was formed using HT2 (150Å), and the following BH1 as a host and BD1 (2% by weight) as a dopant were vacuum deposited to a thickness of 360Å to form a light emitting layer. Thereafter, the following ETM1 was deposited to a thickness of 50 Å to form an electron control layer, and Compound 1 prepared in Preparation Example 16 and Liq were mixed at a mass ratio of 7:3 to form an electron transport layer having a thickness of 250 Å. After sequentially forming a film of magnesium and lithium fluoride (LiF) having a thickness of 50 Å as an electron injection layer, magnesium and silver as a negative electrode were formed to be 200 Å in a thickness ratio of 1:4, and then CP1 was used as a capping layer (CPL) of the negative electrode The device was completed by depositing to a thickness of 600Å. In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 1 Å/sec.

Figure pat00090
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실시예Example 2 내지 2 to 실시예Example 38. 38.

상기 실시예 1에서 전자조절층 및 전자수송층 형성시 각각 ETM1 및 화합물 1 대신 하기 표 17에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 2 내지 38의 유기 발광 소자를 제조하였다. 실시예 33의 경우 전자조절층을 형성하지 않은 것이다.Organic light emitting devices of Examples 2 to 38 were prepared in the same manner as in Example 1, except that the compounds shown in Table 17 below were used instead of ETM1 and Compound 1 when forming the electron controlling layer and the electron transport layer in Example 1, respectively. I did. In the case of Example 33, the electron control layer was not formed.

실시예Example 39 내지 39 to 실시예Example 44. 44.

상기 실시예 1 내지 38 에서 사용된 화합물 1 내지 32 와 동일한 방법으로 하기 화합물 33 내지 36을 제조하였다.The following compounds 33 to 36 were prepared in the same manner as the compounds 1 to 32 used in Examples 1 to 38.

상기 실시예 1에서 전자조절층 및 전자수송층 형성시 각각 ETM1 및 화합물 1 대신 하기 표 17에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 39 내지 44의 유기 발광 소자를 제조하였다. The organic light emitting devices of Examples 39 to 44 were prepared in the same manner as in Example 1, except that the compounds shown in Table 17 below were used instead of ETM1 and Compound 1 when forming the electron controlling layer and the electron transport layer in Example 1, respectively. I did.

Figure pat00092
Figure pat00092

화합물33 화합물34 화합물35 화합물36 Compound 33 Compound 34 Compound 35 Compound 36

비교예Comparative example 1 내지 1 to 비교예Comparative example 5. 5.

상기 실시예 1에서 전자조절층 및 전자수송층 형성시 각각 ETM1 및 화합물 1 대신 하기 표 17에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 1 내지 5의 유기 발광 소자를 제조하였다. 비교예 1의 경우 전자조절층을 형성하지 않은 것이다.The organic light emitting devices of Comparative Examples 1 to 5 were prepared in the same manner as in Example 1, except that the compounds shown in Table 17 below were used instead of ETM1 and Compound 1 when forming the electron controlling layer and the electron transport layer in Example 1, respectively. I did. In the case of Comparative Example 1, the electron control layer was not formed.

비교예Comparative example 6 내지 8. 6 to 8.

상기 비교예 2에서 전자수송층 형성시 ET1 대신 하기 표 17에 기재된 화합물(ET4 내지 ET6)을 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 2와 동일한 방법으로 비교예 6 내지 8의 유기 발광 소자를 제조하였다. Organic light emitting devices of Comparative Examples 6 to 8 were manufactured in the same manner as in Comparative Example 2, except that the compounds (ET4 to ET6) shown in Table 17 below were used instead of ET1 when forming the electron transport layer in Comparative Example 2.

Figure pat00093
Figure pat00093

ET4 ET5 ET6 ET4 ET5 ET6

상기 실시예 및 비교예의 유기 발광 소자에 대하여, 20mA/cm2의 전류 밀도에서 전압, 발광효율, 색좌표 및 수명 등의 성능을 측정한 결과를 하기 표 17에 나타내었다. T95는 휘도가 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간을 측정한 것이다.For the organic light emitting diodes of the Examples and Comparative Examples, the results of measuring the performance such as voltage, luminous efficiency, color coordinates, and lifetime at a current density of 20 mA/cm 2 are shown in Table 17 below. T95 is a measure of the time when the luminance becomes 95% of the initial luminance.

전자조절층Electronic control layer 전자수송층Electron transport layer 전압(V) Voltage(V) 발광효율
(Cd/A)
Luminous efficiency
(Cd/A)
색좌표
(x,y)
Color coordinates
(x,y)
수명
(T95, h)
life span
(T95, h)
실시예 1Example 1 ETM1ETM1 화합물 1Compound 1 3.55 3.55 7.01 7.01 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 51.0 51.0 실시예 2Example 2 ETM1ETM1 화합물 2Compound 2 3.54 3.54 6.99 6.99 (0.134, 0.137)(0.134, 0.137) 52.3 52.3 실시예 3Example 3 ETM1ETM1 화합물 3Compound 3 3.48 3.48 7.11 7.11 (0.133, 0.139)(0.133, 0.139) 54.5 54.5 실시예 4Example 4 ETM1ETM1 화합물 4Compound 4 3.55 3.55 6.90 6.90 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 55.0 55.0 실시예 5Example 5 ETM1ETM1 화합물 5Compound 5 3.54 3.54 7.05 7.05 (0.134, 0.138)(0.134, 0.138) 54.2 54.2 실시예 6Example 6 ETM1ETM1 화합물 6Compound 6 3.51 3.51 7.03 7.03 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 50.8 50.8 실시예 7Example 7 ETM1ETM1 화합물 7Compound 7 3.43 3.43 7.10 7.10 (0.133, 0.139)(0.133, 0.139) 51.5 51.5 실시예 8Example 8 ETM1ETM1 화합물 8Compound 8 3.49 3.49 7.13 7.13 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 53.2 53.2 실시예 9Example 9 ETM1ETM1 화합물 9Compound 9 3.58 3.58 7.08 7.08 (0.134, 0.138)(0.134, 0.138) 54.8 54.8 실시예 10Example 10 ETM1ETM1 화합물 10Compound 10 3.44 3.44 6.98 6.98 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 55.0 55.0 실시예 11Example 11 ETM1ETM1 화합물 11Compound 11 3.41 3.41 7.09 7.09 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 53.1 53.1 실시예 12Example 12 ETM1ETM1 화합물 12Compound 12 3.58 3.58 7.00 7.00 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 54.0 54.0 실시예 13Example 13 ETM1ETM1 화합물 13Compound 13 3.41 3.41 7.01 7.01 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 53.1 53.1 실시예 14Example 14 ETM1ETM1 화합물 14Compound 14 3.47 3.47 6.99 6.99 (0.134, 0.138)(0.134, 0.138) 49.1 49.1 실시예 15Example 15 ETM1ETM1 화합물 15Compound 15 3.53 3.53 6.90 6.90 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 58.0 58.0 실시예 16Example 16 ETM1ETM1 화합물 16Compound 16 3.50 3.50 6.97 6.97 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 54.5 54.5 실시예 17Example 17 ETM1ETM1 화합물 17Compound 17 3.54 3.54 6.59 6.59 (0.133, 0.139)(0.133, 0.139) 57.1 57.1 실시예 18Example 18 ETM1ETM1 화합물 18Compound 18 3.55 3.55 6.89 6.89 (0.134, 0.138)(0.134, 0.138) 58.1 58.1 실시예 19Example 19 ETM1ETM1 화합물 19Compound 19 3.41 3.41 6.78 6.78 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 56.5 56.5 실시예 20Example 20 ETM1ETM1 화합물 20Compound 20 3.38 3.38 6.66 6.66 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 54.8 54.8 실시예 21Example 21 ETM1ETM1 화합물 21Compound 21 3.58 3.58 6.79 6.79 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 55.1 55.1 실시예 22Example 22 ETM1ETM1 화합물 22Compound 22 3.51 3.51 6.98 6.98 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 56.1 56.1 실시예 23Example 23 ETM1ETM1 화합물 23Compound 23 3.55 3.55 6.90 6.90 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 57.5 57.5 실시예 24Example 24 ETM1ETM1 화합물 24Compound 24 3.44 3.44 7.01 7.01 (0.134, 0.138)(0.134, 0.138) 59.1 59.1 실시예 25Example 25 ETM1ETM1 화합물 25Compound 25 3.42 3.42 7.03 7.03 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 58.4 58.4 실시예 26Example 26 ETM1ETM1 화합물 26Compound 26 3.43 3.43 6.98 6.98 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 55.9 55.9 실시예 27Example 27 ETM1ETM1 화합물 27Compound 27 3.50 3.50 6.88 6.88 (0.133, 0.139)(0.133, 0.139) 57.0 57.0 실시예 28Example 28 ETM1ETM1 화합물 28Compound 28 3.51 3.51 6.81 6.81 (0.134, 0.138)(0.134, 0.138) 56.1 56.1 실시예 29Example 29 ETM1ETM1 화합물 29Compound 29 3.53 3.53 6.93 6.93 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 58.1 58.1 실시예 30Example 30 ETM1ETM1 화합물 30Compound 30 3.49 3.49 6.89 6.89 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 60.1 60.1 실시예 31Example 31 ETM1ETM1 화합물 31Compound 31 3.50 3.50 7.10 7.10 (0.134, 0.138)(0.134, 0.138) 58.1 58.1 실시예 32Example 32 ETM1ETM1 화합물 32Compound 32 3.52 3.52 6.99 6.99 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 55.8 55.8 실시예 33Example 33 -- 화합물 26Compound 26 3.72 3.72 7.01 7.01 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 64.0 64.0 실시예 34Example 34 화합물 13Compound 13 ETM2ETM2 3.58 3.58 6.87 6.87 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 55.1 55.1 실시예 35Example 35 화합물 22Compound 22 ETM2ETM2 3.59 3.59 6.78 6.78 (0.134, 0.138)(0.134, 0.138) 53.1 53.1 실시예 36Example 36 화합물 27Compound 27 ETM2ETM2 3.49 3.49 6.68 6.68 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 50.8 50.8 실시예 37Example 37 화합물 7Compound 7 화합물 4Compound 4 3.44 3.44 6.88 6.88 (0.134, 0.137)(0.134, 0.137) 51.4 51.4 실시예 38Example 38 화합물 30Compound 30 화합물 20Compound 20 3.49 3.49 6.90 6.90 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 52.9 52.9 실시예 39Example 39 ETM1ETM1 화합물 33Compound 33 3.52 3.52 6.78 6.78 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 50.150.1 실시예 40Example 40 ETM1ETM1 화합물 34Compound 34 3.603.60 6.666.66 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 53.253.2 실시예 41Example 41 ETM1ETM1 화합물 35Compound 35 3.62 3.62 6.886.88 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 52.9 52.9 실시예 42Example 42 ETM1ETM1 화합물 36Compound 36 3.58 3.58 6.386.38 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 49.549.5 실시예 43Example 43 화합물 27Compound 27 화합물 35Compound 35 3.50 3.50 6.91 6.91 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 55.155.1 실시예 44Example 44 화합물 33Compound 33 화합물 36Compound 36 3.45 3.45 6.78 6.78 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 48.548.5 비교예 1Comparative Example 1 -- ET1ET1 4.38 4.38 5.89 5.89 (0.133, 0.139)(0.133, 0.139) 43.1 43.1 비교예 2Comparative Example 2 ETM1ETM1 ET1ET1 4.12 4.12 6.03 6.03 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 38.5 38.5 비교예 3Comparative Example 3 ETM1ETM1 ET1ET1 4.10 4.10 6.11 6.11 (0.134, 0.138)(0.134, 0.138) 42.2 42.2 비교예 4Comparative Example 4 ETM1ETM1 ET2ET2 4.23 4.23 5.97 5.97 (0.133, 0.139)(0.133, 0.139) 38.1 38.1 비교예 5Comparative Example 5 ETM1ETM1 ET3ET3 4.52 4.52 6.20 6.20 (0.133, 0.139)(0.133, 0.139) 34.5 34.5 비교예 6Comparative Example 6 ETM1ETM1 ET4ET4 4.484.48 5.745.74 (0.133, 0.139)(0.133, 0.139) 28.128.1 비교예 7Comparative Example 7 ETM1ETM1 ET5ET5 4.38 4.38 6.08 6.08 (0.133, 0.139)(0.133, 0.139) 30.9 30.9 비교예 8Comparative Example 8 ETM1ETM1 ET6ET6 4.02 4.02 6.12 6.12 (0.133, 0.139)(0.133, 0.139) 39.5 39.5

상기 표 17의 결과를 통해, 전자조절층 및/또는 전자수송층에 본원 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물을 포함할 경우, 그렇지 않은 경우에 비해 발광 효율 및 수명이 향상되는 것을 확인할 수 있다.From the results of Table 17, it can be seen that when the compound according to an exemplary embodiment of the present specification is included in the electron controlling layer and/or the electron transport layer, luminous efficiency and lifespan are improved compared to the case where it is not.

구체적으로, 옥사디아졸이 하나만 포함된 ET1을 사용하거나, 본원 화학식 1의 Ar3 위치에 4환의 아릴기를 포함하는 ET2를 사용하는 경우, 및 옥사디아졸이 3개 포함된(화학식 1의 Ar3 위치에 탄소수 3 미만의 헤테로아릴기가 치환된 경우) ET 3를 사용하는 경우, 실시예에 비해 성능이 좋지 못함을 알 수 있다.Specifically, when ET1 containing only one oxadiazole is used, or ET2 containing a 4-cyclic aryl group at the Ar3 position of the present formula 1 is used, and three oxadiazoles are included (at the Ar3 position of Formula 1) When a heteroaryl group having less than 3 carbon atoms is substituted) When using ET 3, it can be seen that the performance is poor compared to the examples.

또한, 피리딘에 2개의 옥사디아졸이 직접결합한 ET4 내지 ET6를 사용하는 경우에도, 실시예에 비해 구동전압, 발광효율 및 수명 측면에서 성능이 좋지 못함을 확인할 수 있다.In addition, even when ET4 to ET6 in which two oxadiazoles are directly bonded to pyridine are used, it can be seen that performance is poor in terms of driving voltage, luminous efficiency, and lifetime compared to the embodiment.

1: 제1 전극
2: 정공주입층
3: 정공수송층
4: 정공조절층
5: 발광층
6: 전자조절층
7: 전자수송층
8: 전자주입층
9: 제2 전극
1: first electrode
2: hole injection layer
3: hole transport layer
4: hole control layer
5: light emitting layer
6: electronic control layer
7: electron transport layer
8: electron injection layer
9: second electrode

Claims (15)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00094

상기 화학식 1에 있어서,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 O 또는 S이고,
X1 내지 X3는 각각 독립적으로 N 또는 CR이며, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고,
L1 및 L2 중 적어도 1개는 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고, 나머지는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,
L3는 직접결합; 치환 또는 비치환된 3환 이하의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 이상의 헤테로아릴렌기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리와 방향족 탄화수소고리의 축합고리기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
Ar3는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 3환 이하의 아릴기; 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리와 방향족 탄화수소고리의 축합고리기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 이상의 헤테로아릴기이고,
R은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록실기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티오기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴티오기이며,
a 내지 d는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,
a, b, c 및 d가 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,
c 및 d가 각각 2 이상인 경우, 인접한 괄호 내 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하지 않는다.
Compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure pat00094

In Formula 1,
Y1 and Y2 are each independently O or S,
X1 to X3 are each independently N or CR, and at least one of X1 to X3 is N,
At least one of L1 and L2 is a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group, the remainder is a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
L3 is a direct bond; A substituted or unsubstituted 3 ring or less arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 or more carbon atoms,
Ar1 and Ar2 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; A condensed ring group of a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring and an aromatic hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ar3 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted tricyclic aryl group; A condensed ring group of a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring and an aromatic hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 or more carbon atoms,
R is hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxyl group; Halogen group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted alkynyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted heteroaryl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; Or a substituted or unsubstituted arylthio group,
a to d are each independently an integer of 1 to 4,
When a, b, c, and d are each 2 or more, the substituents in the two or more parentheses are the same as or different from each other,
When c and d are each 2 or more, the substituents in adjacent parentheses are bonded to each other to form a ring.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 1-1]
Figure pat00095

[화학식 1-2]
Figure pat00096

[화학식 1-3]
Figure pat00097

상기 화학식 1-1 내지 1-3에서,
X1 내지 X3, L1 내지 L3, Ar1 내지 Ar3, 및 a 내지 d는 상기 화학식 1에서 정의한 것과 동일하다.
The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by any one of the following Formulas 1-1 to 1-3:
[Formula 1-1]
Figure pat00095

[Formula 1-2]
Figure pat00096

[Formula 1-3]
Figure pat00097

In Formulas 1-1 to 1-3,
X1 to X3, L1 to L3, Ar1 to Ar3, and a to d are the same as defined in Formula 1 above.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 구조식 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
Figure pat00098

Figure pat00099

상기 구조식에서,
L1 내지 L3, Ar1 내지 Ar3, R 및 a 내지 d는 상기 화학식 1에서 정의한 것과 동일하고,
상기 n2는 0 내지 2의 정수이고, n2가 2일 경우 괄호 내의 R은 서로 같거나 상이하다.
The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by any one of the following structural formulas:
Figure pat00098

Figure pat00099

In the above structural formula,
L1 to L3, Ar1 to Ar3, R and a to d are the same as defined in Formula 1,
The n2 is an integer of 0 to 2, and when n2 is 2, R in parentheses is the same as or different from each other.
청구항 1에 있어서,
상기 Ar3는 하기 구조식 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
Figure pat00100

상기 구조식에서,
Q 및 Q'는 각각 독립적으로 NRa, CRbRc, O 또는 S이며,
R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
d3 내지 d9가 각각 2 이상인 경우, 인접한 괄호 내 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
d3는 0 내지 3의 정수이고,
d4는 0 내지 4의 정수이며,
d5는 0 내지 5의 정수이고,
d6는 0 내지 6의 정수이고,
d7는 0 내지 7의 정수이며,
d8는 0 내지 8의 정수이고,
d9는 0 내지 9의 정수이며,
d1은 1 내지 4의 정수이고,
d3 내지 d9 및 d1이 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내 치환기는 서로 같거나 상이하고,
*은 상기 화학식 1과 연결되는 위치이다.
The method according to claim 1,
Ar3 is a compound represented by any one of the following structural formulas:
Figure pat00100

In the above structural formula,
Q and Q'are each independently NRa, CRbRc, O or S,
R1 to R3 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
When d3 to d9 are each 2 or more, substituents in adjacent parentheses may be bonded to each other to form a ring,
Ra to Rc are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
d3 is an integer from 0 to 3,
d4 is an integer from 0 to 4,
d5 is an integer from 0 to 5,
d6 is an integer from 0 to 6,
d7 is an integer from 0 to 7,
d8 is an integer from 0 to 8,
d9 is an integer from 0 to 9,
d1 is an integer of 1 to 4,
When d3 to d9 and d1 are each 2 or more, the substituents in two or more parentheses are the same as or different from each other,
* Is a position connected to Formula 1 above.
청구항 1에 있어서,
상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 하기 구조식 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
Figure pat00101

상기 구조식에서,
Q1 및 Q1'는 각각 독립적으로 NRd, CReRf, O 또는 S이며,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
e3, e4, e5, e7, e8 또는 e9가 각각 2 이상인 경우, 인접한 괄호 내 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
Rd 내지 Rf는 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
e3는 0 내지 3의 정수이고,
e4는 0 내지 4의 정수이며,
e5는 0 내지 5의 정수이고,
e7는 0 내지 7의 정수이며,
e8는 0 내지 8의 정수이고,
e9는 0 내지 9의 정수이며,
e는 1 내지 4의 정수이고,
e3, e4, e5, e7, e8, e9 및 e가 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내 치환기는 서로 같거나 상이하고,
*은 상기 화학식 1과 연결되는 위치이다.
The method according to claim 1,
The compounds Ar1 and Ar2 are each independently represented by any one of the following structural formulas:
Figure pat00101

In the above structural formula,
Q 1 and Q 1 ′ are each independently NRd, CReRf, O or S,
R4 and R5 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
When e3, e4, e5, e7, e8, or e9 are each 2 or more, substituents in adjacent parentheses may be bonded to each other to form a ring,
Rd to Rf are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
e3 is an integer from 0 to 3,
e4 is an integer from 0 to 4,
e5 is an integer from 0 to 5,
e7 is an integer from 0 to 7,
e8 is an integer from 0 to 8,
e9 is an integer from 0 to 9,
e is an integer from 1 to 4,
When e3, e4, e5, e7, e8, e9 and e are each 2 or more, the substituents in the two or more parentheses are the same or different from each other,
* Is a position connected to Formula 1 above.
청구항 1에 있어서,
상기 L3는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기; 치환 또는 비치환된 티오페닐렌기; 치환 또는 비치환된 퓨라닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 페노티아지닐렌기인 것인 화합물.
The method according to claim 1,
L3 is a direct bond; A substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted naphthylene group; A substituted or unsubstituted carbazolylene group; A substituted or unsubstituted thiophenylene group; A substituted or unsubstituted furanylene group; A substituted or unsubstituted dibenzothiophenylene group; A substituted or unsubstituted dibenzofuranylene group; Or a substituted or unsubstituted phenothiazinylene group.
청구항 1에 있어서,
상기 L1 및 L2 중 적어도 1개는 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기이고, 나머지는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기인 것인 화합물.
The method according to claim 1,
At least one of L1 and L2 is a substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted biphenylene group; A substituted or unsubstituted terphenylene group; A substituted or unsubstituted naphthylene group; A substituted or unsubstituted dibenzothiophenylene group; Or a substituted or unsubstituted dibenzofuranylene group, and the remainder is a direct bond; A substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted biphenylene group; A substituted or unsubstituted terphenylene group; A substituted or unsubstituted naphthylene group; A substituted or unsubstituted dibenzothiophenylene group; Or a substituted or unsubstituted dibenzofuranylene group.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조식들 중 선택된 어느 하나인 것인 화합물:
Figure pat00102

Figure pat00103

Figure pat00104

Figure pat00105

Figure pat00106

Figure pat00107

Figure pat00108

Figure pat00109

Figure pat00110

Figure pat00111

Figure pat00112

Figure pat00113

Figure pat00114

Figure pat00115

Figure pat00116

Figure pat00117

Figure pat00118

Figure pat00119

Figure pat00120

Figure pat00121

Figure pat00122

Figure pat00123

Figure pat00124

Figure pat00125

Figure pat00126

Figure pat00127

Figure pat00128

Figure pat00129

Figure pat00130

Figure pat00131

Figure pat00132

Figure pat00133

Figure pat00134

Figure pat00135

Figure pat00136
.
The method according to claim 1,
The compound represented by Formula 1 is any one selected from the following structural formulas:
Figure pat00102

Figure pat00103

Figure pat00104

Figure pat00105

Figure pat00106

Figure pat00107

Figure pat00108

Figure pat00109

Figure pat00110

Figure pat00111

Figure pat00112

Figure pat00113

Figure pat00114

Figure pat00115

Figure pat00116

Figure pat00117

Figure pat00118

Figure pat00119

Figure pat00120

Figure pat00121

Figure pat00122

Figure pat00123

Figure pat00124

Figure pat00125

Figure pat00126

Figure pat00127

Figure pat00128

Figure pat00129

Figure pat00130

Figure pat00131

Figure pat00132

Figure pat00133

Figure pat00134

Figure pat00135

Figure pat00136
.
제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 적어도 하나는 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.A first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers comprises the compound according to any one of claims 1 to 8 device. 청구항 9에 있어서,
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 호스트로 포함하는 것인 유기 발광 소자.
The method of claim 9,
The organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the compound as a host.
청구항 9에 있어서,
상기 유기물층은 1층 이상의 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
The method of claim 9,
The organic material layer includes one or more electron transport layers, and at least one of the electron transport layers includes the compound.
청구항 11에 있어서,
상기 화합물을 포함하는 전자수송층은 유기 금속 착체를 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.
The method of claim 11,
An organic light-emitting device wherein the electron transport layer comprising the compound further comprises an organic metal complex.
청구항 9에 있어서,
상기 유기물층은 1층 이상의 전자조절층을 포함하고, 상기 전자조절층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
The method of claim 9,
The organic material layer includes one or more electron controlling layers, and at least one of the electron controlling layers includes the compound.
청구항 9에 있어서,
상기 유기물층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고, 상기 발광층 및 전자수송층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
The method of claim 9,
The organic material layer includes an emission layer and an electron transport layer, and the emission layer and the electron transport layer include the compound.
청구항 9에 있어서,
상기 유기물층은 전자조절층 및 전자수송층을 포함하고, 상기 전자조절층 및 전자수송층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
The method of claim 9,
The organic material layer includes an electron control layer and an electron transport layer, and the electron control layer and the electron transport layer contain the compound.
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