KR101917953B1 - Compound and organic electronic device comprising the same - Google Patents

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이성재
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Abstract

본 명세서는 화학식 1 또는 2의 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다. The present invention relates to compounds of formula (I) or (II) and organic electronic devices comprising them.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자{COMPOUND AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a compound and an organic electronic device including the compound.

본 출원은 2016년 06월 02일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2016-0069087호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다. This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2016-0069087 filed with the Korean Intellectual Property Office on June 02, 2016, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다. The present disclosure relates to compounds and organic electronic devices comprising them.

유기 전자 소자의 대표적인 예로는 유기 발광 소자가 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. A representative example of the organic electronic device is an organic light emitting device. In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layer structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. When a voltage is applied between the two electrodes in the structure of such an organic light emitting device, holes are injected in the anode, electrons are injected into the organic layer in the cathode, excitons are formed when injected holes and electrons meet, When it falls back to the ground state, the light comes out.

상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.Development of new materials for such organic light emitting devices has been continuously required.

국제 특허 출원 공개 제2003-012890호International Patent Application Publication No. 2003-012890

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자를 제공하고자 한다.The present specification intends to provide a compound and an organic electronic device including the same.

본 명세서는 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 제공한다.The present invention provides a compound represented by the following general formula (1) or (2).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112017048589848-pat00001
Figure 112017048589848-pat00001

[화학식 2](2)

Figure 112017048589848-pat00002
Figure 112017048589848-pat00002

상기 화학식 1 또는 2에 있어서,In the above formula (1) or (2)

Q는 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리이고,Q is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring,

L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,L1 is a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

Ar1은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,Ar1 is hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; Imide; An amino group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylamine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,R1 to R6 are the same or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; Imide; An amino group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylamine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

n1은 1 내지 5의 정수이고,n1 is an integer of 1 to 5,

n2는 1 내지 5의 정수이며,n2 is an integer of 1 to 5,

n3은 1 내지 4의 정수이고,n3 is an integer of 1 to 4,

n4는 1 내지 3의 정수이며,n4 is an integer of 1 to 3,

n5는 1 내지 3의 정수이고,n5 is an integer of 1 to 3,

n6은 1 내지 4의 정수이며,n6 is an integer of 1 to 4,

n1 내지 n6이 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.When n1 to n6 are two or more, the structures in parentheses of two or more are the same or different from each other.

또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.Also, the present specification discloses a plasma display panel comprising a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the above-described compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전기 소자에 사용되어, 유기 전기 소자의 구동전압을 낮추고, 광효율을 향상시키며, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.The compound according to one embodiment of the present invention is used in an organic electronic device including an organic light emitting device to lower the driving voltage of the organic electronic device, improve the light efficiency, and improve the lifetime characteristics of the device by the thermal stability of the compound. have.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 전자 소자(10)를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르는 유기 전자 소자(11)를 도시한 것이다.
1 shows an organic electronic device 10 according to an embodiment of the present invention.
2 shows an organic electronic device 11 according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present invention provides a compound represented by the above formula (1).

상기 화학식 1 및 2로 표시되는 화합물은 Q가 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 가짐으로써, 삼중항 에너지를 높이고 정공수송능력을 원활하게 함으로써 소자의 성능을 향상시키는 효과가 있다. The compounds represented by the formulas (1) and (2) have an effect of enhancing the device performance by enhancing the triplet energy and facilitating the hole transporting ability by Q having a monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring.

본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of substituents herein are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서,

Figure 112017048589848-pat00003
또는
Figure 112017048589848-pat00004
는 연결되는 부위를 의미한다.In the present specification,
Figure 112017048589848-pat00003
or
Figure 112017048589848-pat00004
Refers to the connected area.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term " substituted " means that the hydrogen atom bonded to the carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the substituted position is not limited as long as the substituent is a substitutable position, , Two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 알킬기; 시클로알킬기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 알케닐기; 실릴기; 붕소기; 포스핀옥사이드기; 아민기; 아릴아민기; 아릴기; 및 N, O, S, Se 및 Si 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. As used herein, the term " substituted or unsubstituted " A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; Imide; An amino group; An alkyl group; A cycloalkyl group; An alkoxy group; An aryloxy group; An alkyloxy group; Arylthioxy group; An alkylsulfoxy group; An alkenyl group; Silyl group; Boron group; Phosphine oxide groups; An amine group; An arylamine group; An aryl group; And a heteroaryl group containing at least one of N, O, S, Se and Si atoms, or wherein at least two of the substituents exemplified above are substituted with a substituent to which they are connected, Quot; means < / RTI >

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬, 또는 요오드가 있다. In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine, and iodine.

본 명세서에 있어서, 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the carbon number of the carbonyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure 112017048589848-pat00005
Figure 112017048589848-pat00005

본 명세서에 있어서, 에스테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the ester group is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure 112017048589848-pat00006
Figure 112017048589848-pat00006

본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms in the imide group is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure 112017048589848-pat00007
Figure 112017048589848-pat00007

본 명세서에 있어서, 아미노기는 아미노기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 30의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amino group of the amino group may be substituted with hydrogen, a straight chain, branched chain or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure 112017048589848-pat00008
Figure 112017048589848-pat00008

본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec- N-pentyl, 3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-hexyl, Cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethyl Heptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl and the like.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 40인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 40 carbon atoms, and specifically includes cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, But are not limited to, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert- butylcyclohexyl, cycloheptyl, Do not.

본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. The number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20 carbon atoms. Specific examples include methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, N-hexyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, But is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, Butenyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, (Diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, stilbenyl, stilenyl, and the like.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR104R105R106로 표시되고, R104 내지 R106은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this specification, the silyl group is a substituent including Si and a direct connection as the Si atom radical, R is represented by -SiR 104 105 R 106, R 104 to R 106 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; An alkyl group; An alkenyl group; An alkoxy group; A cycloalkyl group; An aryl group; And a heterocyclic group. Specific examples of the silyl group include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group and a phenylsilyl group. But is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BR100R101일 수 있으며, 상기 R100, 및 R101은 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.In the present specification, the boron group may be -BR 100 R 101 , wherein R 100 and R 101 are the same or different and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; A nitrile group; A substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms; A substituted or unsubstituted, straight or branched chain alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; A substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms; And a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms.

본 명세서에서 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, when the aryl group is a monocyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 50 carbon atoms. Specific examples of the monocyclic aryl group include, but are not limited to, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, and the like.

상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the aryl group is a polycyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited. And preferably has 10 to 40 carbon atoms. Specific examples of the polycyclic aryl group include naphthyl, anthracenyl, phenanthryl, pyrenyl, perylenyl, klychenyl, fluorenyl, and the like.

본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and adjacent substituents may be bonded to each other to form a ring.

상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure 112017048589848-pat00009
,
Figure 112017048589848-pat00010
,
Figure 112017048589848-pat00011
,
Figure 112017048589848-pat00012
,
Figure 112017048589848-pat00013
,
Figure 112017048589848-pat00014
등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted,
Figure 112017048589848-pat00009
,
Figure 112017048589848-pat00010
,
Figure 112017048589848-pat00011
,
Figure 112017048589848-pat00012
,
Figure 112017048589848-pat00013
,
Figure 112017048589848-pat00014
And the like, but the present invention is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group is a heterocyclic group and is a heterocyclic group containing at least one of N, O, S, Si and Se. The number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 50 carbon atoms. Examples of the heteroaryl group include a thiophene group, a furane group, a furyl group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, A pyridazinyl group, a pyrazinopyrazinyl group, an isoquinoline group, a pyrazinyl group, a pyrazinyl group, a pyrazinyl group, a pyrazinyl group, a quinolinyl group, a quinazolinyl group, a quinoxalinyl group, a phthalazinyl group, a pyridopyrimidinyl group, , An indole group, a carbazole group, a benzoxazole group, a benzimidazole group, a benzothiazole group, a benzocarbazole group, A benzothiophene group, a benzothiophene group, a benzofuranyl group, a phenanthroline, a thiazolyl group, an isoxazolyl group, an oxadiazolyl group, a thiadiazolyl group, a benzothiazolyl group, But are not limited to these.

본 명세서에 있어서, 아민기는 아미노기(-NH2)의 적어도 하나의 수소 원자가 다른 치환체로 치환된 1가의 아민을 의미하며, -NR107R108로 표시되고, R107 및 R108은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다(단, R107 및 R108 중 적어도 하나는 수소가 아니다). 예컨대, -NH2; 모노알킬아민기; 디알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 모노아릴아민기; 디아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기, 모노헤테로아릴아민기 및 디헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐비페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-비페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-비페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-비페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group means a monovalent amine in which at least one hydrogen atom of the amino group (-NH 2 ) is substituted with another substituent, represented by -NR 107 R 108 , and R 107 and R 108 are the same or different Each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; An alkyl group; An alkenyl group; An alkoxy group; A cycloalkyl group; An aryl group; And a heterocyclic group (provided that at least one of R 107 and R 108 is not hydrogen). -NH 2 ; Monoalkylamine groups; A dialkylamine group; N-alkylarylamine groups; Monoarylamine groups; A diarylamine group; An N-arylheteroarylamine group; An N-alkylheteroarylamine group, a monoheteroarylamine group, and a diheteroarylamine group. The number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of the amine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, a 9- , Diphenylamine group, ditolylamine group, N-phenyltolylamine group, triphenylamine group, N-phenylbiphenylamine group; N-phenylnaphthylamine group; An N-biphenylnaphthylamine group; N-naphthylfluorenylamine group; N-phenylphenanthrenylamine group; N-biphenyl phenanthrenyl amine group; N-phenylfluorenylamine group; An N-phenyltriphenylamine group; N-phenanthrenyl fluorenylamine group; An N-biphenylfluorenylamine group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the phosphine oxide group specifically includes a diphenylphosphine oxide group, dinaphthylphosphine oxide, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴옥시기 및 아릴티옥시기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시기, p-토릴옥시기, m-토릴옥시기, 3,5-디메틸-페녹시기, 2,4,6-트리메틸페녹시기, p-tert-부틸페녹시기, 3-비페닐옥시기, 4-비페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 4-메틸-1-나프틸옥시기, 5-메틸-2-나프틸옥시기, 1-안트릴옥시기, 2-안트릴옥시기, 9-안트릴옥시기, 1-페난트릴옥시기, 3-페난트릴옥시기, 9-페난트릴옥시기 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2-메틸페닐티옥시기, 4-tert-부틸페닐티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group in the aryloxy group and arylthioxy group is the same as the above-mentioned aryl group. Specific examples of the aryloxy group include a phenoxy group, a p-tolyloxy group, a m-tolyloxy group, a 3,5-dimethyl-phenoxy group, a 2,4,6- trimethylphenoxy group, a p- Naphthyloxy group, 4-methyl-1-naphthyloxy group, 5-methyl-2-naphthyloxy group, 1-anthryloxy group , 2-anthryloxy group, 9-anthryloxy group, 1-phenanthryloxy group, 3-phenanthryloxy group and 9-phenanthryloxy group and the arylthioxy group includes phenylthio group, 2- Methylphenylthio group, 4-tert-butylphenylthio group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다. 아릴아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylamine group having at least two aryl groups may contain a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time. For example, the aryl group in the arylamine group may be selected from the examples of the aryl group described above. Specific examples of the arylamine group include phenylamine, naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 3-methylphenylamine, 4-methyl-naphthylamine, 2-methyl- But are not limited to, cenylamine, diphenylamine, phenylnaphthylamine, ditolylamine, phenyltolylamine, carbazole and triphenylamine groups.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, an arylene group means a divalent group having two bonding positions in an aryl group. The description of the aryl group described above can be applied except that each of these is 2 groups.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the heteroarylene group means that the heteroaryl group has two bonding positions, that is, divalent. The description of the above-mentioned heteroaryl groups can be applied, except that they are each 2 groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리이다.In one embodiment of the present specification, Q is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 치환 또는 비치환된 시클로펜탄, 치환 또는 비치환된 시클로헥산, 치환 또는 비치환된 시클로헵탄, 치환 또는 비치환된 시클로옥탄, 치환 또는 비치환된 비시클로헵탄, 치환 또는 비치환된 트리시클로헵탄, 또는 치환 또는 비치환된 데카히드로나프탈렌이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is selected from substituted or unsubstituted cyclopentane, substituted or unsubstituted cyclohexane, substituted or unsubstituted cycloheptane, substituted or unsubstituted cyclooctane, substituted or unsubstituted bicyclo Heptane, substituted or unsubstituted tricycloheptane, or substituted or unsubstituted decahydronaphthalene.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 시클로펜탄이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is a cyclopentane that is substituted or unsubstituted with an alkyl group or an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 시클로펜탄이다.In one embodiment of the present specification, Q is a cyclopentane substituted or unsubstituted with a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, or a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 시클로펜탄이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is cyclopentane.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 시클로헥산이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is cyclohexane substituted or unsubstituted with an alkyl group or an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 시클로헥산이다.In one embodiment of the present specification, Q is cyclohexane substituted or unsubstituted with a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, or a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 시클로헥산이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is cyclohexane.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 시클로헵탄이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is cycloheptane substituted or unsubstituted with an alkyl group or an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 시클로헵탄이다.In one embodiment of the present specification, Q is cycloheptane substituted or unsubstituted with a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, or a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 시클로헵탄이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is cycloheptane.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 시클로옥탄이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is cyclooctane substituted or unsubstituted with an alkyl group or an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 시클로옥탄이다.In one embodiment of the present specification, Q is a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, or a cyclooctane substituted or unsubstituted with a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 시클로옥탄이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is cyclooctane.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 비시클로헵탄이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is bicycloheptane substituted or unsubstituted with an alkyl group or an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 비시클로헵탄이다.In one embodiment of the present specification, Q is bicycloheptane substituted or unsubstituted with a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, or a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 비시클로헵탄이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is bicycloheptane.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 트리시클로헵탄이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is tricycloheptane substituted or unsubstituted with an alkyl group or an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 트리시클로헵탄이다.In one embodiment of the present specification, Q is tricycloheptane substituted or unsubstituted with a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, or a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 트리시클로헵탄이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is tricycloheptane.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 데카히드로나프탈렌이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is a decahydronaphthalene substituted or unsubstituted with an alkyl group or an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 데카히드로나프탈렌이다.In one embodiment of the present specification, Q is a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, or a decahydronaphthalene substituted or unsubstituted with a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 데카히드로나프탈렌이다.In one embodiment of the present disclosure, Q is decahydronaphthalene.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Q는 하기 구조식 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.In one embodiment of the present specification, Q may be any one selected from the following structural formulas.

Figure 112017048589848-pat00015
Figure 112017048589848-pat00015

Figure 112017048589848-pat00016
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Figure 112017048589848-pat00017
Figure 112017048589848-pat00017

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.In one embodiment of the present disclosure, L1 is a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 직접결합이다.In one embodiment of the present disclosure, L1 is a direct bond.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.In one embodiment of the present specification, L 1 is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted naphthylene group, a substituted or unsubstituted terphenylene group, Lt; / RTI > is a substituted fluorenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 메틸기, 에틸기, 또는 tert-부틸기가 치환 또는 비치환된 2가의 플루오레닐렌기이다.In one embodiment of the present specification, L 1 is a divalent fluorenylene group in which a methyl group, an ethyl group, or a tert-butyl group is substituted or unsubstituted.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프틸렌기, 터페닐렌기, 또는 플루오레닐렌기이다.In one embodiment of the present invention, L 1 is a phenylene group, a biphenylene group, a naphthylene group, a terphenylene group, or a fluorenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조티오펜기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 카바졸기이다.In one embodiment of the present specification, L 1 is a substituted or unsubstituted divalent dibenzofurane group, a substituted or unsubstituted divalent dibenzothiophene group, or a substituted or unsubstituted divalent carbazole group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 페닐기가 치환 또는 비치환된 2가의 카바졸기이다.In one embodiment of the present specification, L < 1 > is a divalent carbazole group in which the phenyl group is substituted or unsubstituted.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 2가의 디벤조퓨란기, 2가의 디벤조티오펜기, 또는 2가의 카바졸기이다.In one embodiment of the present specification, L < 1 > is a divalent dibenzofurane group, a divalent dibenzothiophene group, or a divalent carbazole group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 하기 구조식 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.In one embodiment of the present specification, L1 may be any one selected from the following formulas.

Figure 112017048589848-pat00018
Figure 112017048589848-pat00018

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다. In one embodiment of the present disclosure, Arl is selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; Imide; An amino group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylamine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 탄소수 6 내지 50의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 트리페닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 크라이세닐기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.In one embodiment of the present specification, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted quaterphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, A substituted or unsubstituted pyrazinyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenyl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted or unsubstituted perylenyl group, Or a substituted or unsubstituted fluorenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 트리페닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 또는 플루오레닐기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 represents a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a triphenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, Orrenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 탄소수 6 내지 50의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 50 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted dibenzofurane group or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 페닐기가 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a dibenzofurane group in which the phenyl group is substituted or unsubstituted.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 페닐기가 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a dibenzothiophene group in which the phenyl group is substituted or unsubstituted.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a dibenzofurane group or a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 하기 구조식 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.In one embodiment of the present specification, Ar1 may be any one selected from the following structural formulas.

Figure 112017048589848-pat00019
Figure 112017048589848-pat00019

Figure 112017048589848-pat00020
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Figure 112017048589848-pat00021
Figure 112017048589848-pat00021

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R' 및 R"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present invention, R 'and R "are the same or different from each other and each independently represents hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, a nitro group, a hydroxyl group, a carbonyl group, A substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group A substituted or unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted phosphine oxide group, a substituted or unsubstituted amine group, An amino group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present disclosure, R 1 to R 6 are the same or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; Imide; An amino group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylamine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소이다.In one embodiment of the present disclosure, R 1 to R 6 are the same or different from each other and each independently hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 내지 6으로 표시될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the formula (1) may be represented by the following formulas (3) to (6).

[화학식 3](3)

Figure 112017048589848-pat00022
Figure 112017048589848-pat00022

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112017048589848-pat00023
Figure 112017048589848-pat00023

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112017048589848-pat00024
Figure 112017048589848-pat00024

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure 112017048589848-pat00025
Figure 112017048589848-pat00025

상기 화학식 3 내지 6에 있어서,In the above formulas 3 to 6,

Q, L1, Ar1, R1 내지 R6 및 n1 내지 n6에 대한 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.Q, L1, Ar1, R1 to R6, and n1 to n6 are the same as defined in the above formula (1).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식 7 내지 10으로 표시될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the formula (2) may be represented by the following formulas (7) to (10).

[화학식 7](7)

Figure 112017048589848-pat00026
Figure 112017048589848-pat00026

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure 112017048589848-pat00027
Figure 112017048589848-pat00027

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure 112017048589848-pat00028
Figure 112017048589848-pat00028

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure 112017048589848-pat00029
Figure 112017048589848-pat00029

상기 화학식 7 내지 10에 있어서,In the above formulas (7) to (10)

Q, L1, Ar1, R1 내지 R6 및 n1 내지 n6에 대한 정의는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.Q, L1, Ar1, R1 to R6, and n1 to n6 are the same as defined in Formula 2 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the formula (1) may be any one selected from the following compounds.

Figure 112017048589848-pat00030
Figure 112017048589848-pat00030

Figure 112017048589848-pat00031
Figure 112017048589848-pat00031

Figure 112017048589848-pat00032
Figure 112017048589848-pat00032

Figure 112017048589848-pat00033
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Figure 112017048589848-pat00044
Figure 112017048589848-pat00044

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the formula (2) may be any one selected from the following compounds.

Figure 112017048589848-pat00045
Figure 112017048589848-pat00045

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 후술하는 제조예들에서는 대표적인 예시들을 기재하지만, 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당 기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다. The compound according to one embodiment of the present specification can be produced by a production method described below. Exemplary examples are described below in the preparation examples, but substituents can be added or removed as needed, and the position of the substituent can be changed. In addition, based on techniques known in the art, starting materials, reactants, reaction conditions, and the like can be changed.

또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 전자 소자를 제공한다. Further, the present invention provides an organic electronic device comprising the above-mentioned compounds.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 후술하는 제조예들에서는 대표적인 예시들을 기재하지만, 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당 기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다. The compound according to one embodiment of the present specification can be produced by a production method described below. Exemplary examples are described below in the preparation examples, but substituents can be added or removed as needed, and the position of the substituent can be changed. In addition, based on techniques known in the art, starting materials, reactants, reaction conditions, and the like can be changed.

또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. The present invention also provides an organic light emitting device comprising the above-described compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다. In one embodiment of the present disclosure, the first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic compound layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic compound layers includes the compound.

본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.When a member is referred to herein as being " on " another member, it includes not only a member in contact with another member but also another member between the two members.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Whenever a component is referred to as " comprising ", it is to be understood that the component may include other components as well, without departing from the scope of the present invention.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 전자 소자의 대표 적인 예로서, 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자차단층, 정공차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 전자 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, as a typical example of the organic electronic device of the present invention, the organic light emitting device has a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, . However, the structure of the organic electronic device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 및 유기트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the organic light emitting diode may be selected from the group consisting of an organic phosphor element, an organic solar battery, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present invention, the organic layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present invention, the organic layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or the hole transport layer includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present invention, the organic layer includes an electron transporting layer or an electron injecting layer, and the electron transporting layer or the electron injecting layer includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자차단층을 포함하고, 상기 전자차단층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present invention, the organic layer includes an electron blocking layer, and the electron blocking layer includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층. 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 전자차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In one embodiment of the present invention, the organic light emitting element is a hole injection layer, a hole transport layer, A light emitting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, a hole blocking layer, and an electron blocking layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자 수송과 전자주입을 동시에 하는 층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the organic light emitting device includes a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode; At least one of the two or more organic layers includes two or more organic layers disposed between the light emitting layer and the first electrode or between the light emitting layer and the second electrode. In one embodiment of the present invention, the two or more organic layers may be selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, a layer that simultaneously transports electrons and electrons, and a hole blocking layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자수송층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 상기 2층 이상의 전자수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the organic material layer includes two or more electron transporting layers, and at least one of the two or more electron transporting layers includes the above compound. Specifically, in one embodiment of the present specification, the compound may be contained in one of the two or more electron transporting layers, and may be included in each of two or more electron transporting layers.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함되는 경우, 상기 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In addition, in one embodiment of the present specification, when the compound is contained in each of the two or more electron transporting layers, the materials other than the above compounds may be the same or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아미노기, 카바졸릴기 또는 벤조카바졸릴기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공주입층 또는 정공수송층을 더 포함한다. In one embodiment of the present invention, the organic layer further includes a hole injection layer or a hole transport layer containing a compound having an arylamino group, a carbazolyl group or a benzocarbazolyl group in addition to the organic compound layer containing the compound.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another embodiment, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, at least one organic layer, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층이 전자수송층인 경우, 상기 전자수송층은 n형 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 당기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있으며, 예컨대 금속 또는 금속착체를 사용할 수 있다. 일 예에 따르면 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 전자수송층은 LiQ를 더 포함할 수 있다.When the organic compound layer containing the compound of Formula 1 is an electron transporting layer, the electron transporting layer may further include an n-type dopant. As the n-type dopant, those known in the art can be used, and for example, a metal or a metal complex can be used. According to an example, the electron transport layer containing the compound of Formula 1 may further include LiQ.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 정공수송층, 정공주입층, 정공 수송과 전자주입을 동시에 하는 층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the organic light emitting device includes a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode; At least one of the two or more organic layers includes two or more organic layers disposed between the light emitting layer and the first electrode or between the light emitting layer and the second electrode. In one embodiment of the present invention, the two or more organic layers may be selected from the group consisting of a hole transport layer, a hole injection layer, a layer that simultaneously transports holes and electrons, and a hole blocking layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 p 도핑층의 적층구조를 포함할 수 있다. In one embodiment of the present disclosure, the organic layer may include a laminated structure of a p-type doped layer.

본 명세서에서 p 도핑층은 p 도펀트가 도핑된 층을 의미한다. p 도펀트는 호스트 물질을 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질을 의미한다. p 반도체 특성이란 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위로 정공을 주입받거나 수송하는 특성 즉, 정공의 전도도가 큰 물질의 특성을 의미한다.In this specification, the p-doped layer means a layer doped with p-dopant. p dopant refers to a material that has a p semiconducting property of the host material. p semiconductor property means a property of injecting or transporting holes at a highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level, that is, a material having a high conductivity of holes.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층이 정공주입층인 경우, 상기 정공주입층은 p 도펀트로 도핑될 수 있다.In one embodiment of the present invention, when the organic compound layer containing the compound of Formula 1 is a hole injection layer, the hole injection layer may be doped with a p dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p형 도펀트는 당 기술분야에 알려져 있는 것들을 이용할 수 있으며, 상기 도핑층의 농도는 0.01wt% 내지 50wt%일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the p-type dopant may be those known in the art, and the concentration of the doping layer may be 0.01 wt% to 50 wt%.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, p형 도펀트로 도핑된 정공수송층은 발광층과 양극 사이에 포함될 수 있다. 일 예에 따르면, 화합물 1을 포함하며 도펀트로 도핑된 정공수송층은 발광층과 양극사이에 포함될 수 있다. 더 구체적으로 화합물 1을 포함하며 도펀트로 도핑된 정공수송층은 정공조절층과 정공주입층 사이에 포함될 수 있다.In one embodiment of the present specification, a hole transporting layer doped with a p-type dopant may be included between the light emitting layer and the anode. According to one example, a hole transporting layer containing Compound 1 doped with a dopant may be included between the light emitting layer and the anode. More specifically, a hole transporting layer containing Compound 1 doped with a dopant may be included between the hole adjusting layer and the hole injecting layer.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In another embodiment, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, at least one organic material layer, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타난 것과 같은 구조를 가질 수 있으나 이에만 한정되는 것은 아니다.For example, the structure of the organic light emitting device of the present invention may have a structure as shown in FIGS. 1 and 2, but the present invention is not limited thereto.

도 1에는 기판(20) 위에 제1 전극(30), 발광층(40) 및 제2 전극(50)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자(10)의 구조가 예시 되어 있다. 상기 도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.1 illustrates a structure of an organic light emitting diode 10 in which a first electrode 30, a light emitting layer 40, and a second electrode 50 are sequentially stacked on a substrate 20. 1 is an exemplary structure of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and may further include another organic layer.

도 2에는 기판(20) 위에 제1 전극(30), 정공주입층(60), 정공수송층(70), 전자차단층(80), 발광층(40), 전자수송층(90), 전자주입층(100) 및 제2 전극(50)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 도 2는 본 명세서의 실시상태에 따른 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.2 shows a structure in which a first electrode 30, a hole injecting layer 60, a hole transporting layer 70, an electron blocking layer 80, a light emitting layer 40, an electron transporting layer 90, 100 and a second electrode 50 are sequentially laminated on a transparent substrate 100. In this case, 2 is an exemplary structure according to an embodiment of the present invention, and may further include another organic layer.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present invention can be manufactured by materials and methods known in the art, except that one or more of the organic layers includes the compound of the present invention, i.e., the compound.

상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light emitting diode includes a plurality of organic layers, the organic layers may be formed of the same material or different materials.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.  The organic light emitting device of the present invention can be manufactured by materials and methods known in the art, except that one or more of the organic layers include the compound, i.e., the compound represented by the above formula (1).

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present invention can be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as a sputtering method or an e-beam evaporation method, a metal or a metal oxide having conductivity or an alloy thereof is deposited on the substrate to form a positive electrode Forming an organic material layer including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer and an electron transporting layer thereon, and depositing a material usable as a cathode thereon. In addition to such a method, an organic light emitting device can be formed by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.

또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of Formula 1 may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum evaporation method in the production of an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating and the like, but is not limited thereto.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003-012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to such a method, an organic light emitting device may be fabricated by sequentially depositing an organic material layer and a cathode material on a substrate from a cathode material (International Patent Application Publication No. 2003-012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다. In one embodiment of the present invention, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. In another embodiment, the first electrode is a cathode and the second electrode is a cathode.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SNO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but are not limited thereto.

상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injecting layer is a layer for injecting holes from an electrode. The hole injecting material has a hole injecting effect, and has a hole injecting effect on the light emitting layer or a light emitting material. A compound which prevents the migration of excitons to the electron injecting layer or the electron injecting material and is also excellent in the thin film forming ability is preferable. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material be between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injecting material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, and perylene- , Anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but the present invention is not limited thereto.

상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that transports holes from the hole injection layer to the light emitting layer. The hole transport material is a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer. The material is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.

상기 전자차단층은 정공주입층으로부터 주입된 정공이 발광층을 지나 전자주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자주입층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다. The electron blocking layer is a layer which can prevent the holes injected from the hole injection layer from entering the electron injection layer through the light emitting layer to improve the lifetime and efficiency of the device. If necessary, And may be formed in an appropriate portion between the injection layers.

상기 발광층의 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The light emitting material of the light emitting layer is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having high quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Polymers of poly (p-phenylenevinylene) (PPV) series; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 화합물, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The light emitting layer may include a host material and a dopant material. The host material is a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound. Specific examples of the condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds. Examples of heterocycle-containing compounds include compounds, dibenzofuran derivatives, ladder furan compounds , Pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material include an aromatic amine derivative, a styrylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex. Specific examples of the aromatic amine derivatives include condensed aromatic ring derivatives having substituted or unsubstituted arylamino groups, and examples thereof include pyrene, anthracene, chrysene, and peripherrhene having an arylamino group. Examples of the styrylamine compound include substituted or unsubstituted Wherein at least one aryl vinyl group is substituted with at least one aryl vinyl group, and at least one substituent selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group is substituted or unsubstituted. Specific examples thereof include, but are not limited to, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like. Examples of the metal complex include iridium complex, platinum complex, and the like, but are not limited thereto.

상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transporting layer is a layer that receives electrons from the electron injecting layer and transports electrons to the light emitting layer. The electron transporting material is a material capable of transferring electrons from the cathode well to the light emitting layer. Do. Specific examples include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transporting layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art. In particular, an example of a suitable cathode material is a conventional material having a low work function followed by an aluminum layer or a silver layer. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, in each case followed by an aluminum layer or a silver layer.

상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer for injecting electrons from the electrode. The electron injection layer has an ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, and has an excellent electron injection effect with respect to the light emitting layer or the light emitting material. A compound which prevents migration to a layer and is excellent in a thin film forming ability is preferable. Specific examples thereof include fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, A complex compound and a nitrogen-containing five-membered ring derivative, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8- Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8- hydroxyquinolinato) gallium, bis (10- Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8- quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtholato) gallium, and the like, But is not limited thereto.

상기 정공조절층은 정공수송층으로부터 정공을 효과적으로 전달 받고, 정공 이동도를 조절하는 역할을 하여 발광층으로 전달되는 정공의 양을 조절하는 역할을 한다. 또한, 발광층으로부터 공급되는 전자가 정공수송층으로 넘어가지 않도록 하는 전자장벽 역할을 동시에 수행할 수 있다. 이는 발광층에서 정공과 전자의 균형을 극대화시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있고, 정공조절층의 전자 안정성을 통하여 소자의 수명을 향상시킬 수 있으며, 당 기술 분야에 알려진 재료를 사용할 수 있다.The hole-adjusting layer effectively receives holes from the hole-transporting layer and regulates the hole mobility to control the amount of holes transferred to the light-emitting layer. In addition, it can simultaneously serve as an electron barrier to prevent electrons supplied from the light emitting layer from migrating to the hole transporting layer. This can increase the luminous efficiency by maximizing the balance of holes and electrons in the light emitting layer, improve the lifetime of the device through the electron stability of the hole controlling layer, and materials known in the art can be used.

상기 정공차단층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole blocking layer prevents holes from reaching the cathode, and may be formed under the same conditions as those of the hole injection layer. Specific examples thereof include, but are not limited to, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complexes and the like.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be of a top emission type, a back emission type, or a both-side emission type, depending on the material used.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to an organic light emitting device.

본 명세서에 따른 화합물은 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.The compound according to the present invention can act on a principle similar to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic phosphorescent devices, organic solar cells, organic photoconductors, organic transistors and the like.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예 등을 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예 및 비교예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예 및 비교예에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예 및 비교예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the examples and comparative examples according to the present specification can be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not construed as being limited to the above-described embodiments and comparative examples. The examples and comparative examples provided herein are provided to more fully describe the present specification to those skilled in the art.

<제조예><Production Example>

<제조예 1> - A1 내지 A4, B1 및 B2 의 합성 PREPARATION EXAMPLE 1 Synthesis of A1 to A4, B1 and B2

(1) A1의 합성(1) Synthesis of A1

Figure 112017048589848-pat00046
Figure 112017048589848-pat00046

2-브로모-9H-플루오렌(100g, 407.96mmol)과 50wt% 소듐 하이드록사이드 수용액(70g, 897.51mmol)을 디메틸설폭사이드(1000ml)에 첨가한 후 160℃에서 1,4-디브로모부탄(88.09g, 407.96mmol)을 적가시킨 후 3시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 톨루엔(toluene)과 물로 추출한 뒤 컬럼정제하여 상기 화합물인 아이보리색 액체인 A1(120g, 수율 98%)을 제조하였다. 2-Bromo--9 H - fluorene (100g, 407.96mmol) and 50wt% sodium hydroxide aqueous solution (70g, 897.51mmol) in 1,4-Val 160 ℃ was added to a dimethyl sulfoxide (1000ml) Mobutane (88.09 g, 407.96 mmol) was added dropwise thereto, followed by heating and stirring for 3 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction was terminated. The reaction mixture was extracted with toluene and water, and then subjected to column refinement to prepare an i-bivalent liquid A1 (120 g, yield 98%).

MS[M+H]+= 299.14MS [M + H] &lt; + &gt; = 299.14

(2) A2의 합성(2) Synthesis of A2

Figure 112017048589848-pat00047
Figure 112017048589848-pat00047

A1(10g, 33.55mmol)과 9,9'-디페닐-9H-플루오렌-2-아민(11.29g, 33.89mmol), 소듐-tert-부톡사이드(4.5g, 46.97mol)를 톨루엔(toluene)에 넣고 가열교반한 뒤 환류시키고 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(490mg. 2mmol%)을 넣는다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용해 재결정하여 A2를 제조하였다.(11.29 g, 33.89 mmol) and sodium-tert-butoxide (4.5 g, 46.97 mol) were dissolved in toluene, , And the mixture was stirred under heating, refluxed, and [1,1'-bis (diphenylphosphino) ferrocene] dichloropalladium (490 mg, 2 mmol%) was added. After the temperature was lowered to room temperature, the reaction was terminated and recrystallized using chloroform and ethyl acetate to prepare A2.

MS[M+H]+= 552.26MS [M + H] &lt; + &gt; = 552.26

(3) A3의 합성(3) Synthesis of A3

Figure 112017048589848-pat00048
Figure 112017048589848-pat00048

A1(10g, 40.79mmol)과, 9,9'-디페닐-9H-플루오렌-2-아민(13.87g, 41.61mmol), 소듐-t-부톡사이드(4.5g, 46.97mol)을 톨루엔(toluene)에 넣고 가열교반한 뒤 환류시키고 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(490mg. 2mmol%)을 넣는다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용해 재결정하여 A3를 제조하였다.(13.87 g, 41.61 mmol) and sodium-t-butoxide (4.5 g, 46.97 mol) were dissolved in toluene ), And the mixture was heated with stirring, refluxed, and [1,1'-bis (diphenylphosphino) ferrocene] dichloropalladium (490 mg, 2 mmol%) was added. After the temperature was lowered to room temperature and the reaction was terminated, recrystallization was performed using chloroform and ethyl acetate to prepare A3.

MS[M+H]+= 498.64MS [M + H] &lt; + &gt; = 498.64

(4) A4의 합성(4) Synthesis of A4

Figure 112017048589848-pat00049
Figure 112017048589848-pat00049

A1 (10g, 25.17mmol)과, 9,9'-디페닐-9H-플루오렌-2-아민(5.92g, 25.17mmol), 소듐-t-부톡사이드(4.5g, 46.97mol)을 톨루엔(toluene)에 넣고 가열교반한 뒤 환류시키고 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(490mg. 2mmol%)을 넣는다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 에틸아세테이트와 헥산(hexane)을 이용해 재결정하여 A4를 제조하였다.(5.92 g, 25.17 mmol) and sodium-t-butoxide (4.5 g, 46.97 mol) were dissolved in toluene ), And the mixture was heated with stirring, refluxed, and [1,1'-bis (diphenylphosphino) ferrocene] dichloropalladium (490 mg, 2 mmol%) was added. After lowering the temperature to room temperature, the reaction was terminated, and recrystallized using ethyl acetate and hexane to prepare A4.

MS[M+H]+= 552.73MS [M + H] &lt; + &gt; = 552.73

(5) B1의 합성(5) Synthesis of B1

Figure 112017048589848-pat00050
Figure 112017048589848-pat00050

상기 A1의 합성에서 1,4-디브로모부탄 대신 1,5-디브로모펜탄을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 B1을 제조하였다B1 was synthesized by the same method except for using 1,5-dibromopentane instead of 1,4-dibromobutane in the synthesis of A1

MS[M+H]+= 313.05MS [M + H] &lt; + &gt; = 313.05

(6) B2의 합성(6) Synthesis of B2

Figure 112017048589848-pat00051
Figure 112017048589848-pat00051

상기 A2의 합성에서 A1 대신 B1을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 B1을 제조하였다.B1 was synthesized in the same manner except that B1 was used instead of A1 in the synthesis of A2.

MS[M+H]+= 566.28MS [M + H] &lt; + &gt; = 566.28

<제조예 2> - 화합물 1의 합성 PREPARATION EXAMPLE 2 Synthesis of Compound 1

[A2] [화합물 1]      [A2] [Compound 1]

Figure 112017048589848-pat00052
Figure 112017048589848-pat00052

A2(15g, 27.16mmol)와 4-아이오도비페닐(7.75g, 27.7mmol), 소듐-tert-부톡사이드(3.57g, 38.02mmol)를 톨루엔(toluene)에 넣고 가열교반한 뒤 환류시키고 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(277mg. 2mmol%)을 넣는다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트를 이용해 재결정하여 화합물 1을 제조하였다.(7.75 g, 27.7 mmol) and sodium-tert-butoxide (3.57 g, 38.02 mmol) were added to toluene and the mixture was heated under reflux. -tert-butylphosphine) palladium (277 mg, 2 mmol%). After the temperature was lowered to room temperature and the reaction was terminated, compound 1 was prepared by recrystallization using tetrahydrofuran and ethyl acetate.

MS[M+H]+= 713.32MS [M + H] &lt; + &gt; = 713.32

<제조예 3> - 화합물 2의 합성 PREPARATION EXAMPLE 3 Synthesis of Compound 2

[A2] [화합물 2]          [A2] [Compound 2]

Figure 112017048589848-pat00053
Figure 112017048589848-pat00053

상기 화합물 1의 합성에서 4-아이오도비페닐 대신 2-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2를 제조하였다Compound 2 was prepared by the same method except for using 2-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene instead of 4-iodobiphenyl in the synthesis of Compound 1

MS[M+H]+= 744.36MS [M + H] &lt; + &gt; = 744.36

<제조예 4> - 화합물 3의 합성 &Lt; Preparation Example 4 > - Synthesis of Compound 3

[A2] [화합물 3]       [A2] [Compound 3]

Figure 112017048589848-pat00054
Figure 112017048589848-pat00054

상기 화합물 1의 합성에서 4-아이오도비페닐 대신 2-브로모-9,9-디페닐-9H-플루오렌을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3을 제조하였다.Compound 3 was synthesized in the same manner as Compound 1 except that 2-bromo-9,9-diphenyl-9H-fluorene was used instead of 4-iodobiphenyl.

MS[M+H]+= 868.39MS [M + H] &lt; + &gt; = 868.39

<제조예 5> - 화합물 4의 합성 PREPARATION EXAMPLE 5 Synthesis of Compound 4

[A2] [화합물 4]         [A2] [Compound 4]

Figure 112017048589848-pat00055
Figure 112017048589848-pat00055

상기 화합물 1의 합성에서 4-아이오도비페닐 대신 4-(4-클로로페닐)디벤조[b,d]푸란을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4를 제조하였다.Compound 4 was synthesized in the same manner as in the synthesis of Compound 1, except that 4- (4-chlorophenyl) dibenzo [ b, d ] furan was used instead of 4-iodobiphenyl.

MS[M+H]+= 794.33MS [M + H] &lt; + &gt; = 794.33

<제조예 6> - 화합물 5의 합성 PREPARATION EXAMPLE 6 Synthesis of Compound 5

[B2] [화합물 5]         [B2] [Compound 5]

Figure 112017048589848-pat00056
Figure 112017048589848-pat00056

상기 화합물 1의 합성에서 A2 대신 B2를, 4-아이오도비페닐 대신 4-브로모터페닐을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5를 제조하였다.Compound 5 was prepared by the same method as Compound 1 except that B2 was used instead of A2 and 4-bromophenyl was used instead of 4-iodobiphenyl.

MS[M+H]+= 794.37MS [M + H] &lt; + &gt; = 794.37

<제조예 7> - 화합물 6의 합성 &Lt; Preparation Example 7 > - Synthesis of Compound 6

[B2] [화합물 6]         [B2] [Compound 6]

Figure 112017048589848-pat00057
Figure 112017048589848-pat00057

상기 화합물 1의 합성에서 A2 대신 B2를, 4-아이오도비페닐 대신 4-클로로-1,1:2,1"-터페닐을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6를 제조하였다.Compound 6 was prepared by the same method as Compound 1 except that B2 was used instead of A2 and 4-chloro-1,1: 2,1 " -terphenyl was used instead of 4-iodobiphenyl.

MS[M+H]+= 794.37MS [M + H] &lt; + &gt; = 794.37

<제조예 8> - 화합물 7의 합성 PREPARATION EXAMPLE 8 Synthesis of Compound 7

[B2] [화합물 7]         [B2] [Compound 7]

Figure 112017048589848-pat00058
Figure 112017048589848-pat00058

상기 화합물 3의 합성에서 A2 대신 B2를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7를 제조하였다.Compound 7 was prepared by the same method except that B2 was used in place of A2 in the synthesis of Compound 3 above.

MS[M+H]+= 882.40MS [M + H] &lt; + &gt; = 882.40

<제조예 9> - 화합물 8의 합성 PREPARATION EXAMPLE 9 Synthesis of Compound 8

[B2] [화합물 8][B2] [Compound 8]

Figure 112017048589848-pat00059
Figure 112017048589848-pat00059

상기 화합물 1의 합성에서 A2 대신 B2를, 4-아이오도비페닐 대신 4-(4-클로로페닐)디벤조[b,d]티오펜을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8을 제조하였다.Compound 8 was prepared by the same method as Compound 1 except that B2 was used instead of A2 and 4- (4-chlorophenyl) dibenzo [ b, d ] thiophene was used instead of 4-iodobiphenyl .

MS[M+H]+= 824.33MS [M + H] &lt; + &gt; = 824.33

<제조예 10> - 화합물 9의 합성 PREPARATION EXAMPLE 10 Synthesis of Compound 9

[A2] [화합물 9]       [A2] [Compound 9]

Figure 112017048589848-pat00060
Figure 112017048589848-pat00060

A2(15g, 27.21mmol)과, 3-(4-아이오도페닐)-9-페닐카바졸(9.82g, 27.75mmol), 소듐-t-부톡사이드(3.57g, 38.02mmol)를 톨루엔(toluene)에 넣고 가열교반한 뒤 환류시키고 [비스(트라이-t-부틸포스핀)]팔라듐(277mg. 2mmol%)을 넣는다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트를 이용해 재결정하여 화합물 9를 제조하였다.T-butoxide (3.57 g, 38.02 mmol) was dissolved in toluene in the same manner as in Example 1, , And the mixture was heated with stirring, refluxed, and [bis (tri-t-butylphosphine)] palladium (277 mg, 2 mmol%) was added. After the temperature was lowered to room temperature and the reaction was terminated, compound 9 was prepared by recrystallization using tetrahydrofuran and ethyl acetate.

MS[M+H]+= 870.12MS [M + H] &lt; + &gt; = 870.12

<제조예 11> - 화합물 10의 합성 PREPARATION EXAMPLE 11 Synthesis of Compound 10

[A3] [화합물 10]      [A3] [Compound 10]

Figure 112017048589848-pat00061
Figure 112017048589848-pat00061

A3(15g, 30.17mmol)과, 4-아이오도비페닐(10.26g, 30.77mmol), 소듐-t-부톡사이드(3.57g, 38.02mmol)를 톨루엔(toluene)에 넣고 가열교반한 뒤 환류시키고 [비스(트라이-t-부틸포스핀)]팔라듐(277mg. 2mmol%)을 넣는다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트를 이용해 재결정하여 화합물 10을 제조하였다.(10.26 g, 30.77 mmol) and sodium-t-butoxide (3.57 g, 38.02 mmol) were added to toluene and the mixture was heated under reflux. (Tri-t-butylphosphine)] palladium (277 mg, 2 mmol%). After the temperature was lowered to room temperature and the reaction was terminated, compound 10 was prepared by recrystallization using tetrahydrofuran and ethyl acetate.

MS[M+H]+= 650.84MS [M + H] &lt; + &gt; = 650.84

<제조예 12> - 화합물 11의 합성 PREPARATION EXAMPLE 12 Synthesis of Compound 11

[A4] [화합물 11]   [A4] [Compound 11]

Figure 112017048589848-pat00062
Figure 112017048589848-pat00062

A4(15g, 27.18mmol)과, 4-아이오도비페닐(7.76g, 27.73mmol), 소듐-t-부톡사이드(3.57g, 38.02 mmol)을 톨루엔(toluene)에 넣고 가열교반한 뒤 환류시키고 [비스(트라이-t-부틸포스핀)]팔라듐(277mg. 2mmol%)을 넣는다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트를 이용해 재결정하여 화합물 11을 제조하였다.4-iodobiphenyl (7.76 g, 27.73 mmol) and sodium-t-butoxide (3.57 g, 38.02 mmol) were added to toluene and the mixture was heated under reflux. (Tri-t-butylphosphine)] palladium (277 mg, 2 mmol%). After the temperature was lowered to room temperature and the reaction was terminated, compound 11 was prepared by recrystallization using tetrahydrofuran and ethyl acetate.

MS[M+H]+= 704.93MS [M + H] &lt; + &gt; = 704.93

<실시예><Examples>

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

ITO(인듐 주석 산화물)가 1,000Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을, 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.A glass substrate (corning 7059 glass) coated with ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1,000 Å was immersed in distilled water containing a dispersing agent and washed with ultrasonic waves. The detergent was a product of Fischer Co. The distilled water was supplied by Millipore Co. Distilled water, which was secondly filtered with a filter of the product, was used. After the ITO was washed for 30 minutes, ultrasonic washing was repeated 10 times with distilled water twice. After the distilled water was washed, ultrasonic washing was performed in the order of isopropyl alcohol, acetone, and methanol solvent, followed by drying.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 X1(hexanitrile hexaazatriphenylene)을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 위 제조예 2에서 합성한 화합물 1을 진공증착(1100Å)한 후 이어서 상기 정공 수송층 위에 HT2를 막두께 600Å으로 진공증착하여 정공 조절층을 형성하였다. 화합물 발광층으로 호스트 H1과 도판트 D1 화합물(H1은 층의 98% 부피비, D1은 층의 2% 부피비로 존재)을 300Å의 두께로 진공 증착하였다. 그 다음에 E1 화합물을 LiQ와 1:1의 부피비(350Å)로 전자수송층으로 형성한 후 순차적으로 10Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 1000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.X1 (hexanitrile hexaazatriphenylene) was thermally vacuum deposited on the prepared ITO transparent electrode to a thickness of 500 Å to form a hole injection layer. The compound 1 synthesized in the above Preparation Example 2, which is a hole transport material, was vacuum deposited (1100 Å) on the hole transport layer, and HT2 was vacuum deposited thereon to a thickness of 600 Å on the hole transport layer to form a hole control layer. As a compound emitting layer, a host H1 and a dopant D1 compound (H1 having 98% volume ratio of the layer and D1 having 2% volume ratio of the layer) were vacuum deposited to a thickness of 300 ANGSTROM. Next, an E1 compound was formed as an electron transport layer with LiQ at a volume ratio (350 ANGSTROM) of 1: 1 with LiQ, followed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) having a thickness of 10 A and aluminum having a thickness of 1000 ANGSTROM to form a cathode. .

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였고, 리튬플루라이드는 0.2 Å/sec, 알루미늄은 3 ~ 7 Å/sec의 증착속도를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 1 Å / sec, the deposition rate of lithium fluoride was 0.2 Å / sec, and the deposition rate of aluminum was 3 to 7 Å / sec.

[X1] [X2]     [X1] [X2]

Figure 112017048589848-pat00063
Figure 112017048589848-pat00064
Figure 112017048589848-pat00063
Figure 112017048589848-pat00064

[HT1] [HT2]   [HT1] [HT2]

Figure 112017048589848-pat00065
Figure 112017048589848-pat00066
Figure 112017048589848-pat00065
Figure 112017048589848-pat00066

[HT3] [HT4]   [HT3] [HT4]

Figure 112017048589848-pat00067
Figure 112017048589848-pat00068
Figure 112017048589848-pat00067
Figure 112017048589848-pat00068

[H1] [D1]     [H1] [D1]

Figure 112017048589848-pat00069
Figure 112017048589848-pat00070
Figure 112017048589848-pat00069
Figure 112017048589848-pat00070

[E1]      [E1]

Figure 112017048589848-pat00071
Figure 112017048589848-pat00071

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 제조예 2에서 합성한 화합물 1 대신 화합물 3을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 1 except that Compound 3 was used instead of Compound 1 synthesized in Production Example 2 as a hole transport layer.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 제조예 2에서 합성한 화합물 1 대신 화합물 6을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 1 except that Compound 6 was used instead of Compound 1 synthesized in Production Example 2 as the hole transport layer.

<실시예 4><Example 4>

상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 제조예 2에서 합성한 화합물 1 대신 화합물 9를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 1 except that Compound 9 was used instead of Compound 1 synthesized in Production Example 2 as a hole transport layer.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 제조예 2에서 합성한 화합물 1 대신 HT1을 정공조절층으로 HT2 대신 화합물 5를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.In the same manner as Example 1, HT1 was used instead of Compound 1 synthesized in Preparation Example 2, and Compound 5 was used in place of HT2 as a hole transport layer.

<실시예 6>&Lt; Example 6 >

상기 실시예 5에서 정공 조절층으로 제조예 6에서 합성한 화합물 5 대신 화합물 7을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 5 except that Compound 7 was used instead of Compound 5 synthesized in Preparation Example 6 as the hole control layer.

<실시예 7>&Lt; Example 7 >

상기 실시예 5에서 정공 조절층으로 제조예 6에서 합성한 화합물 5 대신 화합물 11을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 5 except that Compound 11 was used instead of Compound 5 synthesized in Preparation Example 6 as the hole control layer.

<실시예 8>&Lt; Example 8 >

상기 실시예 5에서 정공 조절층으로 제조예 6에서 합성한 화합물 5 대신 화합물 10을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was carried out as in Example 5 except that Compound 10 was used instead of Compound 5 synthesized in Preparation Example 6 as the hole control layer.

<실시예 9>&Lt; Example 9 >

실시예 1과 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 화합물 3을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층(100Å)을 형성하되 X2를 5%의 도핑농도(화합물 3이 95%의 부피비로 층에 존재하고 X2가 5%의 부피비로 층에 존재)로 도핑하였고 그 위에 정공을 수송하는 물질인 위 화합물 3(1100Å)을 진공증착한 후 이어서 상기 정공 수송층 위에 HT2를 막두께 (600Å)으로 진공증착하여 정공 조절층을 형성하였다. 화합물 발광층으로 호스트 H1과 도판트 D1 화합물(층에 H1이 98%의 부피비로 존재하고 D1이 2% 부피비로 존재)을 300Å의 두께로 진공 증착하였다. 그 다음에 E1 화합물을 LiQ와 1:1의 부피비(350Å)로 전자 수송층으로 형성한 후 순차적으로 10Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 1000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.Compound 3 was thermally vacuum deposited to a thickness of 50 Å on a ITO transparent electrode prepared as in Example 1 to form a hole injection layer (100 Å), wherein X2 was doped at a doping concentration of 5% (compound 3 was present in a volume ratio of 95% X2 is present in the layer at a volume ratio of 5%). On top of this, the above compound 3 (1100 Å), which is a hole transporting material, is vacuum deposited and then HT2 is vacuum deposited on the HTL to a thickness of 600 Å, To form a control layer. A host H1 and a dopant D1 compound (H1 present in a volume ratio of 98% and D1 in a 2% volume ratio) to the compound light emitting layer were vacuum deposited to a thickness of 300 Å. Next, an E1 compound was formed as an electron transport layer with LiQ at a volume ratio of 1: 1 (350 ANGSTROM), followed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) having a thickness of 10 A and aluminum having a thickness of 1000 ANGSTROM to form a cathode. .

<실시예 10>&Lt; Example 10 >

상기 실시예 9에서 정공주입층 및 정공수송층으로 제조예 4에서 합성한 화합물 3 대신 화합물 4를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 9 except that Compound 4 was used instead of Compound 3 synthesized in Production Example 4 as the hole injecting layer and the hole transporting layer.

<실시예 11>&Lt; Example 11 >

상기 실시예 9에서 정공주입층 및 정공수송층으로 화합물 3 대신 HT1을, 정공조절층으로 HT2 대신 화합물 3을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다In Example 9, the same experiment was conducted except that HT1 was used instead of Compound 3 as the hole injecting layer and the hole transporting layer, and Compound 3 was used instead of HT2 as the hole adjusting layer

<실시예 12>&Lt; Example 12 >

상기 실시예 10에서 정공 조절층으로 제조예 4에서 합성한 화합물 3 대신 화합물 7을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 10 except that Compound 7 was used instead of Compound 3 synthesized in Preparation Example 4 as the hole control layer.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 제조예 2에서 합성한 화합물 1 대신 HT1을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 1 except that HT1 was used instead of Compound 1 synthesized in Production Example 2 as a hole transport layer.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

상기 비교예 1에서 정공 조절층으로 HT2 대신 HT3를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was performed except that HT3 was used instead of HT2 as the hole-adjusting layer in Comparative Example 1.

<비교예 3>&Lt; Comparative Example 3 &

상기 비교예 1에서 정공 수송층으로 HT1 대신 HT4 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was performed except that HT4 was used instead of HT1 as the hole transport layer in Comparative Example 1.

<비교예 4> &Lt; Comparative Example 4 &

상기 실시예 11에서 정공 조절층으로 제조예 4에서 합성한 화합물 3 대신 HT2를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.In the same manner as in Example 11 except that HT2 was used instead of the compound 3 synthesized in Preparation Example 4 as the hole control layer.

<비교예 5>&Lt; Comparative Example 5 &

상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 제조예 2에서 합성한 화합물 1 대신 화합물 10을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 1 except that Compound 10 was used instead of Compound 1 synthesized in Production Example 2 as a hole transport layer.

<비교예 6>&Lt; Comparative Example 6 >

상기 실시예 9에서 정공 조절층으로 제조예 4에서 합성한 화합물 3 대신 화합물 10을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 9 except that Compound 10 was used instead of Compound 3 synthesized in Production Example 4 as the hole control layer.

실험예
(10mA/cm2)
Experimental Example
(10 mA / cm 2 )
정공
주입층
Hole
Injection layer
정공
수송층
Hole
Transport layer
정공
조절층
Hole
Regulating layer
전압
(V)
Voltage
(V)
효율
(cd/A)
efficiency
(cd / A)
CIE-xCIE-x CIE-yCIE-y
실시예 1Example 1 X1X1 화합물1Compound 1 HT2HT2 4.014.01 25.9525.95 0.6580.658 0.3400.340 실시예 2Example 2 X1X1 화합물3Compound 3 HT2HT2 4.044.04 25.5325.53 0.6580.658 0.3400.340 실시예 3Example 3 X1X1 화합물6Compound 6 HT2HT2 3.993.99 25.9925.99 0.6580.658 0.3400.340 실시예 4Example 4 X1X1 화합물9Compound 9 HT2HT2 3.993.99 26.0126.01 0.6580.658 0.3400.340 실시예 5Example 5 X1X1 HT1HT1 화합물5Compound 5 3.843.84 26.3226.32 0.6580.658 0.3410.341 실시예 6Example 6 X1X1 HT1HT1 화합물7Compound 7 3.953.95 28.6628.66 0.6570.657 0.3400.340 실시예 7Example 7 X1X1 HT1HT1 화합물11Compound 11 3.953.95 28.6628.66 0.6570.657 0.3400.340 실시예 8Example 8 X1X1 HT1HT1 화합물10Compound 10 4.014.01 29.9929.99 0.6570.657 0.3400.340 실시예 9Example 9 X2+화합물3X2 + Compound 3 화합물3Compound 3 HT2HT2 3.823.82 27.0127.01 0.6580.658 0.3400.340 실시예 10Example 10 X2+화합물4X2 + compound 4 화합물4Compound 4 HT2HT2 3.933.93 28.2128.21 0.6580.658 0.3400.340 실시예 11Example 11 X2+HT1X2 + HT1 HT1HT1 화합물3Compound 3 3.863.86 27.8827.88 0.6570.657 0.3410.341 실시예 12Example 12 X2+HT1X2 + HT1 HT1HT1 화합물7Compound 7 3.883.88 28.1228.12 0.6580.658 0.3400.340 비교예 1Comparative Example 1 X1X1 HT1HT1 HT2HT2 4.324.32 23.5523.55 0.6580.658 0.3400.340 비교예 2Comparative Example 2 X1X1 HT1HT1 HT3HT3 4.424.42 24.2124.21 0.6580.658 0.3400.340 비교예 3Comparative Example 3 X1X1 HT4HT4 HT2HT2 4.334.33 23.9823.98 0.6580.658 0.3400.340 비교예 4Comparative Example 4 X2+HT1X2 + HT1 HT1HT1 HT2HT2 4.214.21 23.8823.88 0.6580.658 0.3400.340 비교예 5Comparative Example 5 X1X1 화합물10Compound 10 HT2HT2 3.993.99 22.3122.31 0.6580.658 0.3400.340 비교예 6Comparative Example 6 X2+화합물10X2 + compound 10 화합물10Compound 10 HT2HT2 3.923.92 27.3927.39 0.6580.658 0.3410.341

<실시예 13> &Lt; Example 13 >

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 전술한 X1을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 화합물 1(800Å)을 진공증착하여 정공 수송층을 형성하고 그 위에 HT2(100Å)를 정공 조절층으로 형성시킨 뒤, 차례로 호스트 H2와 도판트 D2(4중량%)를 300Å의 두께로 진공 증착하였다. 그 다음에 E1 화합물을 LiQ와 1:1의 부피비(300Å)로 전자수송층으로 형성한 후 순차적으로 10Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 800Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.The above-described X1 was thermally vacuum-deposited to a thickness of 50 Å on the ITO transparent electrode thus prepared to form a hole injection layer. Compound 1 (800 Å), which is a hole transport material, was vacuum deposited to form a hole transport layer. HT2 (100 Å) was formed as a hole adjusting layer, and host H2 and dopant D2 (4 wt%) 300 &lt; RTI ID = 0.0 &gt; A. &lt; / RTI &gt; Next, the E1 compound was formed as an electron transport layer with a volume ratio (300 ANGSTROM) of LiQ and 1: 1, followed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) having a thickness of 10 ANGSTROM and aluminum having a thickness of 800 ANGSTROM to form a cathode. .

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였고, 리튬플루라이드는 0.2 Å/sec, 알루미늄은 3 ~ 7 Å/sec의 증착속도를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 1 Å / sec, the deposition rate of lithium fluoride was 0.2 Å / sec, and the deposition rate of aluminum was 3 to 7 Å / sec.

[X1] [X2] [X1] [X2]

Figure 112017048589848-pat00072
Figure 112017048589848-pat00073
Figure 112017048589848-pat00072
Figure 112017048589848-pat00073

[HT1] [HT2]   [HT1] [HT2]

Figure 112017048589848-pat00074
Figure 112017048589848-pat00075
Figure 112017048589848-pat00074
Figure 112017048589848-pat00075

[H2] [D2][H2] [D2]

Figure 112017048589848-pat00076
Figure 112017048589848-pat00077
Figure 112017048589848-pat00076
Figure 112017048589848-pat00077

[E1] [E1]

Figure 112017048589848-pat00078
Figure 112017048589848-pat00078

<실시예 14>&Lt; Example 14 >

상기 실시예 13에서 정공 수송층으로 제조예 2에서 합성한 화합물 1 대신 화합물 3 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 13 except that Compound 3 was used instead of Compound 1 synthesized in Production Example 2 as a hole transport layer.

<실시예 15>&Lt; Example 15 >

상기 실시예 13에서 정공 수송층으로 제조예 2에서 합성한 화합물 1 대신 화합물 8 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 13 except that Compound 8 was used instead of Compound 1 synthesized in Production Example 2 as the hole transport layer.

<실시예 16>&Lt; Example 16 >

실시예 1과 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 화합물 2를 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하되 화합물 X2을 10%의 도핑농도(층에 화합물 2가 90%의 부피비로 존재하고 X2가 10%의 부피비로 존재)로 도핑하였고, 정공 수송층을 화합물 2를 (800Å)의 두께로 진공증착하여 형성하고, 그 위에 화합물 5(100Å)를 정공 조절층으로 형성시킨 뒤, 차례로 호스트 H2과 도판트 D2(4중량%)를 300Å의 두께로 진공 증착하였다. 그 다음에 E1 화합물을 LiQ와 1:1의 부피비(300Å)로 전자수송층으로 형성한 후 순차적으로 10Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 800Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.Compound 2 was thermally vacuum deposited on ITO transparent electrode prepared in Example 1 to a thickness of 50 Å to form a hole injection layer. Compound X2 was doped at a doping concentration of 10% (Compound 2 exists in a volume ratio of 90% and X2 10% by volume), and a hole transport layer was formed by vacuum evaporation of compound (2) to a thickness of 800 ANGSTROM, Compound (5) (100 ANGSTROM) was formed thereon as a hole control layer, D2 (4% by weight) was vacuum-deposited to a thickness of 300 Å. Next, the E1 compound was formed as an electron transport layer with a volume ratio (300 ANGSTROM) of LiQ and 1: 1, followed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) having a thickness of 10 ANGSTROM and aluminum having a thickness of 800 ANGSTROM to form a cathode. .

<실시예 17>&Lt; Example 17 >

상기 실시예 16에서 정공주입층 및 정공수송층으로 화합물 2 대신 화합물 5 를 사용하고, 정공 조절층으로 화합물 5 대신 화합물 7을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted except that Compound 5 was used instead of Compound 2 as the hole injecting layer and the hole transporting layer in Example 16 and Compound 7 was used in place of Compound 5 as the hole controlling layer.

<실시예 18>&Lt; Example 18 >

상기 실시예 16에서 정공주입층 및 정공수송층으로 화합물 2 대신 화합물 9 를 사용하고, 정공 조절층으로 화합물 5 대신 화합물 7을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다. The same experiment was conducted except that Compound 9 was used instead of Compound 2 as the hole injecting layer and the hole transporting layer in Example 16, and Compound 7 was used in place of Compound 5 as the hole controlling layer.

<실시예 19>&Lt; Example 19 >

상기 실시예 16에서 정공주입층 및 정공수송층으로 화합물 2 대신 HT1을, 정공조절층으로 화합물 5 대신 화합물 6을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.In Example 16, HT1 was used instead of Compound 2 as the hole injecting layer and the hole transporting layer, and Compound 6 was used instead of Compound 5 as the hole controlling layer.

<비교예 5> &Lt; Comparative Example 5 &

상기 실시예 13에서 정공 수송층으로 제조예 2에서 합성한 화합물 1 대신 HT1을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.In the same manner as in Example 13 except that HT1 was used instead of Compound 1 synthesized in Production Example 2 as a hole transport layer.

<비교예 6> &Lt; Comparative Example 6 >

상기 실시예 16에서 정공주입층 및 정공수송층으로 화합물 2 대신 HT1을, 정공조절층으로 화합물 5 대신 HT2를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was carried out as in Example 16 except that HT1 was used instead of Compound 2 as the hole injecting layer and the hole transporting layer, and HT2 was used instead of Compound 5 as the hole controlling layer.

<비교예 7>&Lt; Comparative Example 7 &

상기 실시예 13에서 정공 수송층으로 제조예 2에서 합성한 화합물 1 대신 화합물 10을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.The same experiment was conducted as in Example 13 except that Compound 10 was used instead of Compound 1 synthesized in Production Example 2 as a hole transport layer.

실험예
(10mA/cm2)
Experimental Example
(10 mA / cm 2 )
정공
주입층
Hole
Injection layer
정공
수송층
Hole
Transport layer
정공
조절층
Hole
Regulating layer
전압
(V)
Voltage
(V)
효율
(cd/A)
efficiency
(cd / A)
CIE-xCIE-x CIE-yCIE-y
실시예 13Example 13 X1X1 화합물1Compound 1 HT2HT2 3.653.65 7.797.79 0.1350.135 0.0930.093 실시예 14Example 14 X1X1 화합물3Compound 3 HT2HT2 3.563.56 7.827.82 0.1350.135 0.0930.093 실시예 15Example 15 X1X1 화합물8Compound 8 HT2HT2 3.683.68 8.128.12 0.1350.135 0.0930.093 실시예 16Example 16 X2+화합물2X2 + Compound 2 화합물2Compound 2 화합물5Compound 5 3.613.61 8.058.05 0.1350.135 0.0940.094 실시예 17Example 17 X2+화합물5X2 + Compound 5 화합물5Compound 5 화합물7Compound 7 3.713.71 7.997.99 0.1350.135 0.0930.093 실시예 18Example 18 X2+화합물9X2 + Compound 9 화합물9Compound 9 화합물7Compound 7 3.713.71 7.997.99 0.1350.135 0.0930.093 실시예 19Example 19 X2+ HT1X2 + HT1 HT1HT1 화합물6Compound 6 3.693.69 8.018.01 0.1350.135 0.0930.093 비교예 5Comparative Example 5 X1X1 HT1HT1 HT2HT2 3.913.91 7.127.12 0.1350.135 0.0930.093 비교예 6Comparative Example 6 X2+HT1X2 + HT1 HT1HT1 HT2HT2 3.983.98 7.227.22 0.1350.135 0.0930.093 비교예 7Comparative Example 7 X1X1 화합물10Compound 10 HT2HT2 3.883.88 7.027.02 0.1350.135 0.0930.093

상기 표 1 및 표 2와 같이 실시예 1 내지 19 에 사용된 화합물은 유기발광 소자에서 정공주입층 및 정공수송층, 정공조절층으로 사용되었으며, 타 물질보다 우수한 정공 수송 능력을 바탕으로 저전압, 고효율의 특성을 나타내는 것을 알 수 있다.As shown in Table 1 and Table 2, the compounds used in Examples 1 to 19 were used as a hole injecting layer, a hole transporting layer, and a hole controlling layer in an organic light emitting device. Based on the hole transporting ability superior to other materials, Quot ;. &lt; / RTI &gt;

10, 11: 유기 발광 소자
20: 기판
30: 제1 전극
40: 발광층
50: 제2 전극
60: 정공주입층
70: 정공수송층
80: 전자차단층
90: 전자수송층
100: 전자주입층
10, 11: Organic light emitting device
20: substrate
30: first electrode
40: light emitting layer
50: second electrode
60: Hole injection layer
70: hole transport layer
80: electron blocking layer
90: electron transport layer
100: electron injection layer

Claims (15)

하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure 112018057075344-pat00079

[화학식 2]
Figure 112018057075344-pat00080

상기 화학식 1 또는 2에 있어서,
Q는 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 10의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리이고, 상기 지방족 탄화수소고리가 치환되는 경우 치환기는 탄소수 6 내지 12의 아릴기로 치환된 탄소수 1 내지 3의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이며,
L1은 직접결합; 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴렌기; 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴렌기이며,
Ar1은 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기; 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기이며, 상기 Ar1이 치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기인 경우 상기 아릴기의 치환기는 탄소수 1 내지 3의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기; 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이며,
R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소이며,
n1은 1 내지 5의 정수이고,
n2는 1 내지 5의 정수이며,
n3은 1 내지 4의 정수이고,
n4는 1 내지 3의 정수이며,
n5는 1 내지 3의 정수이고,
n6은 1 내지 4의 정수이며,
n1 내지 n6이 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
A compound represented by the following formula (1) or (2):
[Chemical Formula 1]
Figure 112018057075344-pat00079

(2)
Figure 112018057075344-pat00080

In the above formula (1) or (2)
Q is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring having 5 to 10 carbon atoms, and when the aliphatic hydrocarbon ring is substituted, the substituent is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms substituted with an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, An alkyl group having 6 to 12 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
L1 is a direct bond; An arylene group having 6 to 25 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms; Or a heteroarylene group having 2 to 12 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
Ar1 is hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms; Or a heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and when Ar1 is an aryl group having 6 to 25 carbon atoms substituted, the substituent of the aryl group is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms; A heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with an aryl group having 6 to 12 carbon atoms; Or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
Gt; to R &lt; 6 &gt; are each independently hydrogen,
n1 is an integer of 1 to 5,
n2 is an integer of 1 to 5,
n3 is an integer of 1 to 4,
n4 is an integer of 1 to 3,
n5 is an integer of 1 to 3,
n6 is an integer of 1 to 4,
When n1 to n6 are two or more, the structures in parentheses of two or more are the same or different from each other.
청구항 1에 있어서, 상기 Q는 하기 구조 중에서 선택되는 것인 화합물:
Figure 112017048589848-pat00081

Figure 112017048589848-pat00082

Figure 112017048589848-pat00083
.
2. The compound according to claim 1, wherein Q is selected from the following structures:
Figure 112017048589848-pat00081

Figure 112017048589848-pat00082

Figure 112017048589848-pat00083
.
청구항 1에 있어서, 상기 L1은 하기 구조 중에서 선택되는 것인 화합물:
Figure 112017048589848-pat00084
.
2. The compound according to claim 1, wherein L &lt; 1 &gt; is selected from the following structures:
Figure 112017048589848-pat00084
.
청구항 1에 있어서, 상기 Ar1은 하기 구조 중에서 선택되는 것인 화합물:
Figure 112018057075344-pat00114

Figure 112018057075344-pat00086

Figure 112018057075344-pat00115

상기 R'은 수소; 또는 페닐기이고,
상기 Rm 및 Rn은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 3의 알킬기; 탄소수 2 내지 12의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기이다.
2. The compound according to claim 1, wherein Ar &lt; 1 &gt; is selected from the following structures:
Figure 112018057075344-pat00114

Figure 112018057075344-pat00086

Figure 112018057075344-pat00115

R 'is hydrogen; Or a phenyl group,
Rm and Rn are the same or different from each other, and each independently hydrogen; An alkyl group having 1 to 3 carbon atoms; An aryl group having 2 to 12 carbon atoms; Or a heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 내지 6 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
[화학식 3]
Figure 112018057075344-pat00088

[화학식 4]
Figure 112018057075344-pat00089

[화학식 5]
Figure 112018057075344-pat00090

[화학식 6]
Figure 112018057075344-pat00091

상기 화학식 3 내지 6에 있어서,
Q, L1, Ar1, R1 내지 R6 및 n1 내지 n6에 대한 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
The compound according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is represented by any one of Chemical Formulas 3 to 6:
(3)
Figure 112018057075344-pat00088

[Chemical Formula 4]
Figure 112018057075344-pat00089

[Chemical Formula 5]
Figure 112018057075344-pat00090

[Chemical Formula 6]
Figure 112018057075344-pat00091

In the above formulas 3 to 6,
Q, L1, Ar1, R1 to R6, and n1 to n6 are the same as defined in the above formula (1).
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식 7 내지 10 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
[화학식 7]
Figure 112018057075344-pat00092

[화학식 8]
Figure 112018057075344-pat00093

[화학식 9]
Figure 112018057075344-pat00094

[화학식 10]
Figure 112018057075344-pat00095

상기 화학식 7 내지 10에 있어서,
Q, L1, Ar1, R1 내지 R6 및 n1 내지 n6에 대한 정의는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
The compound of claim 1, wherein the compound of formula (2) is represented by any one of the following formulas (7) to (10):
(7)
Figure 112018057075344-pat00092

[Chemical Formula 8]
Figure 112018057075344-pat00093

[Chemical Formula 9]
Figure 112018057075344-pat00094

[Chemical formula 10]
Figure 112018057075344-pat00095

In the above formulas (7) to (10)
Q, L1, Ar1, R1 to R6, and n1 to n6 are the same as defined in Formula 2 above.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
Figure 112017048589848-pat00096

Figure 112017048589848-pat00097

Figure 112017048589848-pat00098

Figure 112017048589848-pat00099

Figure 112017048589848-pat00100

Figure 112017048589848-pat00101

Figure 112017048589848-pat00102


Figure 112017048589848-pat00103

Figure 112017048589848-pat00104

Figure 112017048589848-pat00105

Figure 112017048589848-pat00106

Figure 112017048589848-pat00107

Figure 112017048589848-pat00108

Figure 112017048589848-pat00109

Figure 112017048589848-pat00110
The compound according to claim 1, wherein the compound of formula (1) is any one selected from the following compounds:
Figure 112017048589848-pat00096

Figure 112017048589848-pat00097

Figure 112017048589848-pat00098

Figure 112017048589848-pat00099

Figure 112017048589848-pat00100

Figure 112017048589848-pat00101

Figure 112017048589848-pat00102


Figure 112017048589848-pat00103

Figure 112017048589848-pat00104

Figure 112017048589848-pat00105

Figure 112017048589848-pat00106

Figure 112017048589848-pat00107

Figure 112017048589848-pat00108

Figure 112017048589848-pat00109

Figure 112017048589848-pat00110
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
Figure 112017048589848-pat00111
.
2. The compound according to claim 1, wherein the formula (2) is any one selected from the following compounds:
Figure 112017048589848-pat00111
.
제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.A first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic compound layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic compound layers comprises a compound according to any one of claims 1 to 8. 2. The organic electronic device according to claim 1, Electronic device. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자. The organic electronic device according to claim 9, wherein the organic layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer comprises the compound. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.The organic electronic device according to claim 9, wherein the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or the hole transport layer comprises the compound. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층 또는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자. The organic electronic device according to claim 9, wherein the organic layer includes an electron injection layer or an electron transport layer, and the electron transport layer or the electron injection layer comprises the compound. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 전자차단층 또는 정공차단층을 포함하고, 상기 전자차단층 또는 정공차단층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.The organic electronic device according to claim 9, wherein the organic layer includes an electron blocking layer or a hole blocking layer, and the electron blocking layer or the hole blocking layer comprises the compound. 청구항 9에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입, 전자수송층, 전자차단층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 전자 소자. 10. The organic electroluminescent device according to claim 9, wherein the organic electronic device is a light emitting layer, a hole injecting layer, and a hole transporting layer. An electron injection layer, an electron transport layer, an electron blocking layer, and a hole blocking layer. 청구항 9에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.The organic electronic device according to claim 9, wherein the organic electronic device is selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic phosphor device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor.
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