KR20210004059A - Inductor complex element substrate - Google Patents

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KR20210004059A
KR20210004059A KR1020190079879A KR20190079879A KR20210004059A KR 20210004059 A KR20210004059 A KR 20210004059A KR 1020190079879 A KR1020190079879 A KR 1020190079879A KR 20190079879 A KR20190079879 A KR 20190079879A KR 20210004059 A KR20210004059 A KR 20210004059A
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강성복
김종석
최현석
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한국생산기술연구원
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Abstract

Provided are an inductor composite element including a liquid metal, a manufacturing method of a passive device substrate including the inductor composite element, and a tuning method of the passive device substrate. The inductor composite element includes: a base substrate; a barrier rib pattern layer disposed on the base substrate to form a channel; a liquid metal pattern layer disposed in a channel and including a liquid metal, and forming at least partially an inductor pattern; and a sealing layer disposed on the liquid metal pattern layer. Therefore, it is possible to provide the inductor composite element with excellent electrical properties by using the liquid metal.

Description

인덕터 복합 소자 기판{INDUCTOR COMPLEX ELEMENT SUBSTRATE}Inductor composite element substrate {INDUCTOR COMPLEX ELEMENT SUBSTRATE}

본 발명은 액체 금속을 포함하는 인덕터 복합 소자, 인덕터 복합 소자를 포함하는 수동 소자 기판의 제조 방법 및 액체 금속을 이용한 수동 소자 기판의 튜닝 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 인덕터 소자 및 저항 소자로서 기능하는 복합 수동 소자, 복합 수동 소자의 제조 방법 및 튜닝 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an inductor composite element containing a liquid metal, a method of manufacturing a passive element substrate including an inductor composite element, and a tuning method of a passive element substrate using a liquid metal, and more specifically, functions as an inductor element and a resistance element. It relates to a composite passive device, a method of manufacturing a composite passive device, and a tuning method.

최근 IoT 기술 발전에 힘입어 다양한 센서 디바이스가 개발되고 있다. 예를 들어, 인간 등의 동물에 부착되는 생체 모니터링 디바이스는 체표면에 부착되어 체액 성분을 측정하거나, 체온 정보, 심박 정보, 위치 정보 및 기타 다양한 정보들을 수집하고 수집된 정보를 바탕으로 신체 활동을 관리할 수 있다. 다른 예를 들어, 식품에 부착되는 식품 안전 모니터링 디바이스는 식품의 유통 이력과 품질 등에 대한 정보를 수집하여 식품 안정성을 확보하고, 국민 건강 증진에 기여할 수 있다.With the recent development of IoT technology, various sensor devices are being developed. For example, a biological monitoring device attached to an animal such as a human is attached to the body surface to measure body fluid components, or collect body temperature information, heart rate information, location information, and various other information, and monitor physical activity based on the collected information. Can be managed. For another example, a food safety monitoring device attached to a food may collect information on a distribution history and quality of food to secure food safety and contribute to the promotion of public health.

이러한 센서 디바이스는 구비되는 표면에 따라 다양한 특성을 만족하여야 한다. 전술한 생체 모니터링 또는 식품 모니터링 디바이스의 경우, 센서 디바이스가 부착되는 대상 표면이 곡면이고, 나아가 대상 표면이 유동적이어서 대상 표면과 센서 디바이스 간의 밀착성이 불량할 경우 센싱 감도가 현저하게 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 완전한 유연성(flexibility)을 갖는 센서 디바이스의 구현을 위한 기술의 개발이 절실하게 요구되고 있다. Such a sensor device must satisfy various characteristics depending on the surface to be provided. In the case of the above-described biological monitoring or food monitoring device, if the target surface to which the sensor device is attached is curved, and further, the target surface is fluid and the adhesion between the target surface and the sensor device is poor, the problem of remarkably deteriorating sensing sensitivity may occur. have. Therefore, there is an urgent need to develop a technology for implementing a sensor device having complete flexibility.

한편, 센서 디바이스 등의 전자 디바이스는 회로 기판을 포함하여 이루어질 수 있다. 회로 기판은 저항 소자, 인덕터 소자 및 커패시터 소자 등의 수동 소자를 포함하고, 수동 소자가 연결하는 전기적 선로는 전달하고자 하는 전기적 신호에 가장 적합하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 인덕터 소자는 유도기전력(induced electromotive force)이 발생할 수 있는 소자이다. 인덕터 소자는 주파수 필터 등으로 이용될 수 있다. 인덕터 소자는 그 구조에 따라 코일형, 적층형 및 박박형 등으로 구분될 수 있다. 인덕터 소자는 그 구조에 따라 유도기전력이 발생하기 때문에 회로 기판이 변형되는 경우에도 인덕터 소자 자체는 안정적인 구조를 유지하여야 한다.Meanwhile, an electronic device such as a sensor device may include a circuit board. The circuit board may include passive elements such as a resistance element, an inductor element, and a capacitor element, and an electric line connected by the passive element may be configured to be most suitable for an electric signal to be transmitted. For example, the inductor device is a device capable of generating induced electromotive force. The inductor element may be used as a frequency filter or the like. The inductor element may be classified into a coil type, a stack type, and a thin type according to its structure. Since the inductor element generates induced electromotive force according to its structure, even if the circuit board is deformed, the inductor element itself must maintain a stable structure.

미국등록특허 US 9,945,739 B2 (2018.04.17.)US registered patent US 9,945,739 B2 (2018.04.17.) 미국등록특허 US 10,184,779 B2 (2019.01.22.)US registered patent US 10,184,779 B2 (2019.01.22.) 미국등록특허 US 8,826,747 B2 (2014.09.09.)US registered patent US 8,826,747 B2 (2014.09.09.) 미국공개특허 US 2019-0003818 A1 (2019.01.03.)US Patent Publication US 2019-0003818 A1 (2019.01.03.) 미국공개특허 US 2018-0192911 A1 (2018.07.12.)US Patent Publication US 2018-0192911 A1 (2018.07.12.) 미국공개특허 US 2018-0305563 A1 (2018.10.25.)US Patent Publication US 2018-0305563 A1 (2018.10.25.) 미국공개특허 US 2017-0312849 A1 (2017.11.02.)US published patent US 2017-0312849 A1 (2017.11.02.) 중국등록특허 CN 105938021 B (2018.02.23.)Chinese Patent Registration CN 105938021 B (2018.02.23.) 한국등록특허 KR 10-1993313 B1 (2019.06.26.)Korean Patent Registration KR 10-1993313 B1 (2019.06.26.) 한국등록특허 KR 10-1993314 B1 (2019.06.26.)Korean Patent Registration KR 10-1993314 B1 (2019.06.26.)

유연성을 갖는 전자 디바이스, 나아가 유연성을 갖는 회로 기판을 구현하기 위한 한가지 방법으로 유연성을 갖는 도전성 패턴을 이용하여 회로 기판을 형성하는 방법을 들 수 있다.One method for implementing a flexible electronic device, and furthermore, a flexible circuit board is a method of forming a circuit board using a flexible conductive pattern.

예를 들어, 특허문헌 1(US 9,945,739 B2)은 비정질 금속을 이용한 압력 및 온도 센서를 개시한다. 구체적으로, 특허문헌 1은 전자 피부용도로 사용할 수 있도록 스트레처블(stretchable)한 특성을 갖는 센서 디바이스를 개시한다. 특허문헌 1은 유연한 센서를 구현하기 위해 비정질 금속 및 이의 합금을 이용하여 디바이스의 배선을 형성하고 있으나, 특허문헌 1의 센서 디바이스 또한 유연성이 개선된 금속층을 이용하는 정도에 그치고 있으며, 디바이스가 구부러지는 정도가 크거나, 완전히 폴딩될 경우 배선이 파손되는 문제를 여전히 가지고 있다.For example, Patent Document 1 (US 9,945,739 B2) discloses a pressure and temperature sensor using an amorphous metal. Specifically, Patent Document 1 discloses a sensor device having stretchable properties so that it can be used for electronic skin use. Patent Document 1 uses an amorphous metal and its alloy to form a device wiring in order to implement a flexible sensor, but the sensor device of Patent Document 1 also only uses a metal layer with improved flexibility, and the degree to which the device is bent. It still has a problem that the wiring is damaged if it is large or is completely folded.

또, 특허문헌 2(US 10,184,779 B2)는 인공 근육이나 인공 피부 등 메디컬 재료 분야 등 신축성을 갖는 센서에 사용되는 신축성 전극 및 센서 시트 등을 개시한다. 특허문헌 2는 다층 카본나노튜브를 이용한 섬유를 이용하여 전극 본체를 형성함을 교시한다. 그러나 특허문헌 2의 카본나노튜브는 국부적인 전극 형성이 가능하다 하더라도 배선 등을 형성하기 극히 어려운 한계가 있다.In addition, Patent Document 2 (US 10,184,779 B2) discloses an elastic electrode and a sensor sheet used for a sensor having elasticity, such as in the field of medical materials such as artificial muscle or artificial skin. Patent Document 2 teaches that an electrode body is formed by using fibers using multi-walled carbon nanotubes. However, although the carbon nanotubes of Patent Document 2 can be formed locally, there is a limit in which it is extremely difficult to form a wiring or the like.

그 외에도 특허문헌 3(US 8,826,747 B2), 특허문헌 4(US 2019-0003818 A1) 및 특허문헌 5(US 2018-0192911 A1) 등과 같이 유연성 센서 디바이스를 구현하기 위한 다양한 시도들이 이루어지고 있다.In addition, various attempts have been made to implement a flexible sensor device, such as Patent Document 3 (US 8,826,747 B2), Patent Document 4 (US 2019-0003818 A1), and Patent Document 5 (US 2018-0192911 A1).

또한 특허문헌 6(US 2018-0305563 A1)에서 액체 금속 혼합물을 이용하여 도전성 패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 특허문헌 6에서는 액체 금속 혼합물을 누르거나 가열하는 방법 등을 통해 도전성 패턴을 형성함을 개시한다. In addition, Patent Document 6 (US 2018-0305563 A1) discloses a method of forming a conductive pattern using a liquid metal mixture. Patent Document 6 discloses forming a conductive pattern through a method of pressing or heating a liquid metal mixture.

그 외에 액체 금속을 이용하여 도전성 패턴을 형성하기 위해 액체 금속을 잉크젯과 같이 토출하는 방법이 개발된 바 있다. 예를 들어 특허문헌 7(US 2017-0312849 A1)은 액체 금속을 사출 내지는 토출하기 위한 압출기가 개시되어 있다.In addition, a method of discharging liquid metal like ink jet has been developed to form a conductive pattern using liquid metal. For example, Patent Document 7 (US 2017-0312849 A1) discloses an extruder for injecting or discharging liquid metal.

또, 특허문헌 8(CN 105938021 B)에는 적층된 형태의 인덕터 소자가 개시되어 있다. 특허문헌 8은 인덕터 소자와 커패시터 소자를 이용하여 온도 센서로 사용할 수 있음을 교시한다.In addition, Patent Document 8 (CN 105938021 B) discloses a stacked type of inductor element. Patent Document 8 teaches that an inductor element and a capacitor element can be used as a temperature sensor.

특허문헌 9(KR 10-1993313 B1) 및 특허문헌 10(KR 10-1993314 B1)은 본 출원인에 의한 출원으로서, 특허문헌 9 및 특허문헌 10에는 액체 금속을 이용하여 구성한 기판 적층체가 개시되어 있다. 특히 특허문헌 9 및 특허문헌 10은 액체 금속을 이용하여 커패시터 소자 및 인덕터 소자를 구성하되, 이들을 적층함으로써 주파수 필터 소자로 기능할 수 있는 유연성 기판 구조체가 개시되어 있다. 그러나 이들은 인덕터 소자 및/또는 커패시터 소자를 수직 방향으로 적층함을 개시할 뿐 수평 방향으로 복합 소자를 구성하는 구조에 대해 전혀 개시되어 있지 않다.Patent Document 9 (KR 10-1993313 B1) and Patent Document 10 (KR 10-1993314 B1) are applications by the present applicant, and Patent Document 9 and Patent Document 10 disclose a substrate laminate constituted by using a liquid metal. In particular, Patent Document 9 and Patent Document 10 disclose a flexible substrate structure capable of functioning as a frequency filter element by constructing a capacitor element and an inductor element using a liquid metal, and laminating them. However, these only disclose stacking the inductor element and/or the capacitor element in the vertical direction, and are not disclosed at all for the structure constituting the composite element in the horizontal direction.

한편, 액체 금속은 상온에서 액체 상태를 유지하기 때문에 도전성 패턴에 변형을 가하기 곤란하여 종래의 액체 금속을 이용한 수동 소자는 한번 제조하고 나면 그 튜닝이 곤란한 문제가 있었다. On the other hand, since the liquid metal maintains the liquid state at room temperature, it is difficult to apply deformation to the conductive pattern, so that the conventional passive element using the liquid metal is difficult to tune once it is manufactured.

특히 서로 다른 기능을 수행하는 이종의 수동 소자, 예컨대 저항 소자와 인덕터 소자를 하나의 기판으로 일체화하여 형성할 경우 저항 소자의 튜닝 과정에서 인덕터 소자의 특성이 제어되지 않거나, 인덕터 소자의 튜닝 과정에서 저항 소자의 특성이 제어되지 않아 의도한 임피던스를 형성하기 매우 어렵다. 이러한 문제는 수동 소자 기판이 박형화, 소형화되고 회로 기판의 배치가 집적화될수록 심화된다.In particular, when heterogeneous passive elements that perform different functions, such as a resistance element and an inductor element, are integrally formed on a single substrate, the characteristics of the inductor element are not controlled during the tuning process of the resistance element, or resistance during the tuning process of the inductor element. It is very difficult to form the intended impedance because the characteristics of the device are not controlled. This problem is intensified as the passive element substrate becomes thinner and smaller, and the circuit substrate arrangement becomes more integrated.

이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 우수한 인덕턴스 내지는 임피던스를 나타낼 수 있는 인덕터 복합 소자를 제공하는 것이다. 또, 저항 소자 등과 일체화되어 형성되는 경우에, 안정적인 구조와 전기적 특성을 가짐과 동시에 그 튜닝이 용이한 구조를 갖는 인덕터 복합 소자를 제공하는 것이다.Accordingly, a problem to be solved by the present invention is to provide an inductor composite device capable of exhibiting excellent inductance or impedance. In addition, in the case of being integrated with a resistance element or the like, it is to provide an inductor composite element having a structure that has a stable structure and electrical characteristics and is easy to tune.

또, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 안정적인 구조와 전기적 특성을 가짐과 동시에 그 튜닝이 용이한 구조를 갖는 수동 소자 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.In addition, another object to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a passive element substrate having a structure that is easy to tune while having a stable structure and electrical characteristics.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 간단한 방법으로 튜닝이 가능하고, 튜닝 과정에서 안정적인 구조와 전기적 특성을 유지할 수 있는 수동 소자 기판의 튜닝 방법을 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a method of tuning a passive element substrate capable of tuning by a simple method and maintaining a stable structure and electrical characteristics during the tuning process.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 복합 소자는, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되어 채널을 형성하는 격벽 패턴층; 상기 채널 내에 배치되고 액체 금속을 포함하는 액체 금속 패턴층으로서, 적어도 부분적으로 인덕터 패턴을 형성하는 액체 금속 패턴층; 및 상기 액체 금속 패턴층 상에 배치되는 씰링층을 포함한다.An inductor composite device according to an embodiment of the present invention for solving the above problem includes: a base substrate; A partition wall pattern layer disposed on the base substrate to form a channel; A liquid metal pattern layer disposed in the channel and including a liquid metal, the liquid metal pattern layer at least partially forming an inductor pattern; And a sealing layer disposed on the liquid metal pattern layer.

상기 액체 금속 패턴층의 상기 인덕터 패턴은, 인덕터 선로 패턴부 및 상기 인덕터 선로 패턴부에 비해 확장된 패드 패턴부를 포함하고, 상기 인덕터 선로 패턴부의 측면 및 상기 패드 패턴부의 측면은 테이퍼진 경사를 가질 수 있다.The inductor pattern of the liquid metal pattern layer may include an inductor line pattern portion and a pad pattern portion that is extended compared to the inductor line pattern portion, and a side surface of the inductor line pattern portion and a side surface of the pad pattern portion may have a tapered slope. have.

이 때, 상기 인덕터 선로 패턴부의 측면 경사각은 상기 패드 패턴부의 측면 경사각 보다 클 수 있다.In this case, a side inclination angle of the inductor line pattern portion may be greater than a side inclination angle of the pad pattern portion.

또, 상기 인덕터 복합 소자는 상기 베이스 기판과 상기 격벽 패턴층 사이에 배치된 두께 조절층을 더 포함할 수 있다.In addition, the inductor composite device may further include a thickness control layer disposed between the base substrate and the partition pattern layer.

상기 인덕터 선로 패턴부는 적어도 부분적으로 상기 두께 조절층과 중첩하고, 상기 패드 패턴부는 적어도 부분적으로 상기 두께 조절층과 비중첩할 수 있다.The inductor line pattern portion may at least partially overlap the thickness control layer, and the pad pattern portion may at least partially non-overlap the thickness control layer.

상기 두께 조절층의 두께는 상기 격벽 패턴층의 두께 보다 작고, 상기 인덕터 선로 패턴부의 평균 두께는, 상기 패드 패턴부의 최대 두께 보다 작을 수 있다.A thickness of the thickness control layer may be smaller than a thickness of the partition wall pattern layer, and an average thickness of the inductor line pattern portion may be smaller than a maximum thickness of the pad pattern portion.

또, 상기 액체 금속 패턴층은 적어도 부분적으로 저항 패턴을 형성하는 저항 선로 패턴부를 더 포함할 수 있다.In addition, the liquid metal pattern layer may further include a resistance line pattern portion at least partially forming a resistance pattern.

이 경우 상기 저항 선로 패턴부의 평균 두께는 상기 인덕터 선로 패턴부의 평균 두께 보다 클 수 있다.In this case, the average thickness of the resistance line pattern portion may be greater than the average thickness of the inductor line pattern portion.

또한, 상기 저항 선로 패턴부는, 평면상 지그재그 형상을 가지고, 상기 저항 선로 패턴부의 피치는 상기 저항 선로 패턴부의 폭의 3배 이상일 수 있다.In addition, the resistance line pattern portion may have a zigzag shape in a plane, and a pitch of the resistance line pattern portion may be three times or more of a width of the resistance line pattern portion.

상기 액체 금속 패턴층의 측면은 테이퍼진 경사를 가지되, 상기 저항 선로 패턴부의 측면 경사각은 상기 인덕터 선로 패턴부의 측면 경사각 보다 크거나 같을 수 있다.A side surface of the liquid metal pattern layer may have a tapered inclination, and a side inclination angle of the resistance line pattern portion may be greater than or equal to a side inclination angle of the inductor line pattern portion.

상기 두께 조절층은 적어도 부분적으로 상기 저항 선로 패턴부와 비중첩하고, 상기 패드 패턴부의 최대 두께는 상기 저항 선로 패턴부의 최대 두께와 동일할 수 있다.The thickness control layer may be at least partially non-overlapping with the resistance line pattern portion, and a maximum thickness of the pad pattern portion may be the same as a maximum thickness of the resistance line pattern portion.

또, 상기 패드 패턴부는 상기 두께 조절층의 상면과 접하고, 상기 저항 선로 패턴부는 상기 두께 조절층의 상면과 접하지 않을 수 있다.In addition, the pad pattern portion may contact an upper surface of the thickness control layer, and the resistance line pattern portion may not contact an upper surface of the thickness control layer.

몇몇 실시예에서, 상기 인덕터 선로 패턴부는, 평면 시점에서 라운드진 나선 형상이고, 상기 나선 형상의 선로 패턴부의 폭은 인접한 선로 패턴부 간의 이격 거리 보다 클 수 있다.In some embodiments, the inductor line pattern portion has a rounded spiral shape in a plan view, and a width of the spiral line pattern portion may be greater than a separation distance between adjacent line pattern portions.

또, 상기 인덕터 선로 패턴부의 평균 두께는 상기 인덕터 선로 패턴부의 폭 보다 클 수 있다.In addition, the average thickness of the inductor line pattern portion may be greater than the width of the inductor line pattern portion.

상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 수동 소자 기판의 제조 방법은, 베이스 기판 상에 제1 채널을 형성하는 두께 조절층을 배치하는 단계; 상기 두께 조절층 상에 제2 채널을 형성하는 격벽 패턴층을 배치하는 단계; 상기 격벽 패턴층 상에 씰링층을 배치하는 단계로서, 비어있는 상기 제1 채널 및 상기 제2 채널을 형성하도록 씰링층을 배치하는 단계; 및 상기 제1 채널 및 상기 제2 채널 내에 액체 금속을 충진하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a passive device substrate according to an exemplary embodiment of the present invention for solving the above other problems may include: disposing a thickness control layer forming a first channel on a base substrate; Disposing a partition wall pattern layer forming a second channel on the thickness control layer; Disposing a sealing layer on the partition pattern layer, comprising: disposing a sealing layer to form the empty first channel and the second channel; And filling a liquid metal in the first channel and the second channel.

평면 시점에서 상기 제2 채널은, 라운드진 나선 형상의 인덕터 채널 영역, 및 지그재그 형상의 저항 채널 영역을 포함할 수 있다.In a plan view, the second channel may include an inductor channel region having a rounded spiral shape and a resistance channel region having a zigzag shape.

상기 액체 금속을 충진하는 단계에서, 한번의 주입 공정을 통해 상기 인덕터 채널 영역과 저항 채널 영역이 모두 충진될 수 있다.In the step of filling the liquid metal, both the inductor channel region and the resistance channel region may be filled through a single injection process.

이 경우, 상기 인덕터 채널 영역에 충진된 액체 금속은 인덕터 패턴을 형성하고, 상기 저항 채널 영역에 충진된 액체 금속은 저항 패턴을 형성할 수 있다.In this case, the liquid metal filled in the inductor channel region may form an inductor pattern, and the liquid metal filled in the resistance channel region may form a resistance pattern.

또, 상기 제1 채널은, 상기 인덕터 채널 영역과 연결되지 않고, 상기 제1 채널은, 상기 저항 채널 영역과 연결될 수 있다.Also, the first channel may not be connected to the inductor channel region, and the first channel may be connected to the resistance channel region.

평면 시점에서 상기 제2 채널은, 상기 인덕터 채널 영역 및 상기 저항 채널 영역에 비해 더 큰 폭을 갖는 패드 채널 영역을 더 포함할 수 있다.In a plan view, the second channel may further include a pad channel region having a larger width than that of the inductor channel region and the resistance channel region.

상기 액체 금속을 충진하는 단계에서, 한번의 주입 공정을 통해 패드 채널 영역이 충진되고, 상기 패드 채널 영역에 충진된 액체 금속은 패드 패턴을 형성할 수 있다.In the filling of the liquid metal, a pad channel region is filled through a single injection process, and the liquid metal filled in the pad channel region may form a pad pattern.

이 때, 상기 제1 채널은, 상기 인덕터 채널 영역과 연결되지 않고, 상기 제1 채널은, 상기 패드 채널 영역과 연결될 수 있다.In this case, the first channel may not be connected to the inductor channel region, and the first channel may be connected to the pad channel region.

상기 또 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 다른 수동 소자 기판의 튜닝 방법은, 플렉서블한 베이스 기판, 및 상기 베이스 기판 상에 배치되고 액체 금속을 포함하는 액체 금속 패턴층으로서, 적어도 부분적으로 인덕터 패턴 및 저항 패턴을 형성하는 액체 금속 패턴층을 포함하는 수동 소자 기판의 튜닝 방법으로서, 상기 수동 소자 기판의 저항 패턴 영역을 신축시키거나, 벤딩하거나, 가압하여 임피던스를 조절한다.A method for tuning a passive element substrate according to an embodiment of the present invention for solving the another problem is a flexible base substrate, and a liquid metal pattern layer disposed on the base substrate and comprising a liquid metal, at least partially As a tuning method of a passive element substrate including a liquid metal pattern layer forming an inductor pattern and a resistance pattern, impedance is adjusted by stretching, bending, or pressing a resistance pattern region of the passive element substrate.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description.

본 발명의 실시예들에 따르면, 액체 금속을 이용하여 우수한 전기적 특성을 갖는 인덕터 복합 소자를 제공할 수 있다. 또, 인덕터 소자 뿐만 아니라 저항 소자와 함께 일체화된 형태의 복합 수동 소자 기판을 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, it is possible to provide an inductor composite device having excellent electrical characteristics using a liquid metal. In addition, it is possible to provide not only an inductor element but also a composite passive element substrate integrated with a resistance element.

나아가 인덕터 소자를 형성하는 부분의 두께를 저항 소자를 형성하는 부분의 두께 보다 작게 형성하여 일체화된 수동 소자 기판을 튜닝하더라도 전기적 특성을 안정적으로 유지할 수 있다.Furthermore, even if the integrated passive element substrate is tuned by making the thickness of the portion forming the inductor element smaller than that of the portion forming the resistance element, the electrical characteristics can be stably maintained.

본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the embodiments of the present invention are not limited by the contents illustrated above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 저항 소자 기판의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 저항 소자 기판의 평면도이다.
도 3은 도 2의 A 영역을 확대하여 나타낸 확대도이다.
도 4는 도 2의 B-B' 선 및 C-C' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 저항 소자 기판의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 저항 소자 기판의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 저항 소자 기판의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 수동 소자 기판을 튜닝하는 방법을 나타낸 모식도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 수동 소자 기판을 튜닝하는 방법을 나타낸 모식도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수동 소자 기판을 튜닝하는 방법을 나타낸 모식도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 소자 기판의 평면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 인덕터 소자 기판의 평면도이다.
도 13은 도 12의 A 영역을 확대하여 나타낸 확대도이다.
도 14는 도 12의 B-B' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 인덕터 소자 기판의 단면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 인덕터 소자 기판의 단면도이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 인덕터 소자 기판의 단면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판의 평면도이다.
도 19는 도 18의 A-A' 선, B-B' 선 및 C-C' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판의 단면도이다.
도 21 내지 도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 25는 제조예 1-1에 따른 저항 소자의 이미지이다.
도 26은 제조예 1-2에 따른 저항 소자의 이미지이다.
도 27은 제조예 2-1에 따른 인덕터 소자의 이미지이다.
도 28은 제조예 2-2에 따른 인덕터 소자의 이미지이다.
도 29는 실험예에 따라 인덕턴스를 측정한 이미지이다.
1 is a plan view of a resistive element substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of a resistive element substrate according to another embodiment of the present invention.
3 is an enlarged view showing an enlarged area A of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view taken along lines BB′ and CC′ of FIG. 2.
5 is a cross-sectional view of a resistive element substrate according to still another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a resistive element substrate according to still another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of a resistive element substrate according to another embodiment of the present invention.
8 is a schematic diagram showing a method of tuning a passive element substrate according to an embodiment of the present invention.
9 is a schematic diagram showing a method of tuning a passive element substrate according to another embodiment of the present invention.
10 is a schematic diagram showing a method of tuning a passive element substrate according to another embodiment of the present invention.
11 is a plan view of an inductor device substrate according to an embodiment of the present invention.
12 is a plan view of an inductor device substrate according to another embodiment of the present invention.
13 is an enlarged view showing an enlarged area A of FIG. 12.
14 is a cross-sectional view taken along line BB′ of FIG. 12.
15 is a cross-sectional view of an inductor device substrate according to another embodiment of the present invention.
16 is a cross-sectional view of an inductor device substrate according to another embodiment of the present invention.
17 is a cross-sectional view of an inductor device substrate according to another embodiment of the present invention.
18 is a plan view of an inductor composite device substrate according to an embodiment of the present invention.
19 is a cross-sectional view taken along lines AA', BB' and CC' of FIG. 18.
20 is a cross-sectional view of an inductor composite device substrate according to another embodiment of the present invention.
21 to 24 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an inductor composite device substrate according to an embodiment of the present invention.
25 is an image of a resistive element according to Preparation Example 1-1.
26 is an image of a resistive element according to Preparation Example 1-2.
27 is an image of an inductor device according to Preparation Example 2-1.
28 is an image of an inductor device according to Preparation Example 2-2.
29 is an image of measuring inductance according to an experimental example.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms different from each other, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and those skilled in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person of the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.

공간적으로 상대적인 용어인 '위(above)', '상부(upper)', '상(on)', '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓일 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.Spatially relative terms such as'above','upper','on','below','beneath', and'lower' are As shown, it may be used to easily describe the correlation between one device or components and other devices or components. Spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device when used in addition to the directions shown in the drawings. For example, when an element shown in the figure is turned over, an element described as'below or beneath' another element may be placed'above' another element. Therefore, the exemplary term'below' may include both the lower and upper directions.

도면에 도시된 구성요소의 크기, 두께, 폭, 길이 등은 설명의 편의 및 명확성을 위해 과장 또는 축소될 수 있으므로 본 발명이 도시된 형태로 제한되는 것은 아니다.The size, thickness, width, length, etc. of the components shown in the drawings may be exaggerated or reduced for convenience and clarity of description, so the present invention is not limited to the illustrated form.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, '및/또는'은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. '내지'를 사용하여 나타낸 수치 범위는 그 앞과 뒤에 기재된 값을 각각 하한과 상한으로서 포함하는 수치 범위를 나타낸다. '약' 또는 '대략'은 그 뒤에 기재된 값 또는 수치 범위의 20% 이내의 값 또는 수치 범위를 의미한다.The terms used in the present specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification,'and/or' includes each and every combination of one or more of the recited items. In addition, the singular form also includes the plural form unless otherwise stated in the text. As used in the specification,'comprises' and/or'comprising' does not exclude the presence or addition of one or more other elements other than the mentioned elements. Numerical ranges indicated using'to' represent numerical ranges including the values listed before and after them as lower and upper limits, respectively. "About" or "approximately" means a value or numerical range within 20% of the value or numerical range described thereafter.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used as meanings that can be commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not interpreted ideally or excessively unless explicitly defined specifically.

본 명세서에서, 제1 방향(X)은 평면 내 임의의 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 다른 방향을 의미한다. 또, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 수직한 방향을 의미한다. 다르게 정의되지 않는 한, '평면'은 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)이 속하는 평면을 의미한다. 또, 다르게 정의되지 않는 한, '중첩'은 상기 평면 시점에서 제3 방향(Z)으로 중첩하는 것을 의미한다.In this specification, the first direction (X) refers to an arbitrary direction in the plane, and the second direction (Y) refers to another direction in the plane that intersects the first direction (X). In addition, the third direction Z means a direction perpendicular to the plane. Unless otherwise defined, a'plane' means a plane to which the first direction X and the second direction Y belong. Further, unless otherwise defined, "overlapping" means overlapping in the third direction (Z) from the plane viewpoint.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 저항 소자 기판(10)의 평면도이다.1 is a plan view of a resistive element substrate 10 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 수동 소자 기판은 저항 소자 기판(10)일 수 있다. 저항 소자 기판(10)은 베이스 기판(100) 및 베이스 기판(100) 상에 배치된 저항 패턴(200)을 포함할 수 있다. 도 1은 저항 패턴(200)이 평면 시점에서 대략 제1 방향(X)으로 연장되고, 제2 방향(Y)으로의 지그재그 형상을 가진 저항 소자를 형성하는 경우를 예시하고 있다.Referring to FIG. 1, the passive element substrate according to the present embodiment may be a resistive element substrate 10. The resistance element substrate 10 may include a base substrate 100 and a resistance pattern 200 disposed on the base substrate 100. FIG. 1 illustrates a case in which a resistance pattern 200 extends substantially in a first direction (X) from a plan view and has a zigzag shape in a second direction (Y).

베이스 기판(100)은 저항 패턴(200)이 배치되기 위한 공간을 제공할 수 있다. 즉, 베이스 기판(100)은 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)이 속하는 평면 공간을 제공할 수 있다. 베이스 기판(100)은 저항 패턴(200)을 안정적으로 지지할 수 있으면 그 재료는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 유연성(flexibility), 신축성(stretchability), 폴더블(foldable) 및/또는 롤러블(rollable) 특성을 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 구체적인 예를 들어, 베이스 기판(100)은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리아크릴레이트, 폴리이미드 등의 고분자 수지로 이루어질 수 있다. 다른 예를 들어, 베이스 기판(100)은 종이 등의 재료로 이루어질 수도 있다. 이 경우 베이스 기판(100)은 소정의 액체 투과성을 가질 수도 있다.The base substrate 100 may provide a space in which the resistance pattern 200 is disposed. That is, the base substrate 100 may provide a planar space to which the first direction X and the second direction Y belong. The material of the base substrate 100 is not particularly limited as long as it can stably support the resistance pattern 200, but, for example, flexibility, stretchability, foldable, and/or rollable ( It may be made of a material having rollable) properties. For a specific example, the base substrate 100 may be made of a polymer resin such as polydimethylsiloxane (PDMS), polyacrylate, and polyimide. For another example, the base substrate 100 may be made of a material such as paper. In this case, the base substrate 100 may have a predetermined liquid permeability.

베이스 기판(100) 상에는 액체 금속을 포함하는 액체 금속 도전성 패턴인 저항 패턴(200)이 배치될 수 있다. 상기 액체 금속은 갈륨 및 인듐을 포함하는 복합 조성의 액체 금속일 수 있다. 평면 시점에서 저항 패턴(200)은 소정의 형상을 가지고, 그 패턴의 형상으로 인해 고유한 전기적 특성을 나타낼 수 있다.A resistance pattern 200, which is a liquid metal conductive pattern including a liquid metal, may be disposed on the base substrate 100. The liquid metal may be a liquid metal having a complex composition including gallium and indium. In a plan view, the resistance pattern 200 may have a predetermined shape, and may exhibit unique electrical characteristics due to the shape of the pattern.

비제한적인 예시로서, 상기 액체 금속은 상온에서 액체 상태를 유지하는 갈륨 및 인듐 외 상온에서 고체 상태를 유지하는 나노 입자를 더 포함할 수도 있다. 상기 나노 입자는 전기 전도성을 가질 수 있다. 전기 전도성을 갖는 나노 입자로는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 철, 구리, 은, 알루미늄, 티타늄, 니켈 등의 금속 나노 입자, 또는 탄소나노튜브(CNT) 등의 탄소계 나노 입자 등일 수 있다. 상기 나노 입자에 의해 저항 패턴(200)이 갖는 면저항의 제어를 용이하게 할 수 있다.As a non-limiting example, the liquid metal may further include nanoparticles maintaining a solid state at room temperature in addition to gallium and indium maintaining a liquid state at room temperature. The nanoparticles may have electrical conductivity. The nanoparticles having electrical conductivity are not particularly limited, but may be, for example, metal nanoparticles such as iron, copper, silver, aluminum, titanium, nickel, or carbon-based nanoparticles such as carbon nanotubes (CNT). . The sheet resistance of the resistance pattern 200 may be easily controlled by the nanoparticles.

몇몇 실시예에서, 저항 패턴(200)은 저항 선로 패턴부(201) 및 패드 패턴부(202)를 포함할 수 있다. 저항 선로 패턴부(201)는 대략 일 방향으로 연장되어 전기적 선로로 기능함과 동시에, 지그재그 형상을 가짐으로써 저항 소자로 기능할 수 있다. 패드 패턴부(202)는 저항 선로 패턴부(201)에 비해 그 폭이 확장되어 접점 패드부를 형성할 수 있다. 패드 패턴부(202)는 저항 선로 패턴부(201)의 제1 방향(X) 양측 단부에 위치할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 저항 선로 패턴부(201)와 패드 패턴부(202)는 물리적 경계 없이 일체로 형성되고, 동일한 액체 금속이 연속적으로 충진된 상태일 수 있다.In some embodiments, the resistance pattern 200 may include a resistance line pattern portion 201 and a pad pattern portion 202. The resistance line pattern part 201 extends in approximately one direction to function as an electric line and at the same time, has a zigzag shape, so that it can function as a resistance element. The pad pattern portion 202 may have a width greater than that of the resistance line pattern portion 201 to form a contact pad portion. The pad pattern portion 202 may be located at both ends of the resistance line pattern portion 201 in the first direction X, but the present invention is not limited thereto. The resistance line pattern portion 201 and the pad pattern portion 202 may be integrally formed without a physical boundary, and may be continuously filled with the same liquid metal.

도면으로 표현하지 않았으나, 저항 소자 기판(10)은 외부의 다른 구성요소, 예컨대 전자 회로 기기 또는 다른 전기적 선로 등과 전기적으로 연결될 수 있다. 패드 패턴부(202)는 저항 선로 패턴부(201)에 비해 큰 폭을 가지고 외부의 다른 구성요소와의 전기적 연결을 안정적으로 수행할 수 있다.Although not shown in the drawings, the resistive element substrate 10 may be electrically connected to other external components, such as electronic circuit devices or other electrical lines. The pad pattern part 202 has a larger width than the resistance line pattern part 201 and can stably perform electrical connection with other external components.

이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 수동 소자 기판에 대하여 설명한다. 다만 앞서 설명한 실시예에 따른 수동 소자 기판과 동일한 구성요소 또는 자명한 변경이 가해진 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략하며, 이는 첨부된 도면으로부터 본 기술분야에 속하는 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Hereinafter, a passive element substrate according to another embodiment of the present invention will be described. However, redundant descriptions of the same components as those of the passive device substrate according to the above-described embodiment or components to which obvious changes have been applied are omitted, which can be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the accompanying drawings. will be.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 저항 소자 기판(11)의 평면도이다. 도 3은 도 2의 A 영역을 확대하여 나타낸 확대도이다. 도 4는 도 2의 B-B' 선 및 C-C' 선을 따라 절개한 단면도로서, 좌측은 패드 패턴부(212)를 절개한 단면이고 우측은 복수의 저항 선로 패턴부(211)를 절개한 단면이다.2 is a plan view of a resistive element substrate 11 according to another embodiment of the present invention. 3 is an enlarged view showing an enlarged area A of FIG. 2. 4 is a cross-sectional view taken along lines B-B' and C-C' of FIG. 2, in which the left side is a cross-sectional view of the pad pattern part 212 cut away, and the right side is a cross-sectional view of the plurality of resistance line pattern parts 211.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 수동 소자 기판은 저항 소자 기판(11)으로서, 평면상 제2 방향(Y)으로의 지그재그 형상을 갖지 않고 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 교차하는 대각선 방향으로 지그재그 형상을 갖는 점이 도 1의 실시예에 따른 저항 소자 기판(10)과 상이한 점이다.2 to 4, the passive element substrate according to the present embodiment is a resistive element substrate 11, which does not have a zigzag shape in the second direction Y in a plane, and has a first direction X and a second direction. A point having a zigzag shape in a diagonal direction crossing the direction Y is different from the resistance element substrate 10 according to the embodiment of FIG. 1.

본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 본 실시예에 따른 저항 소자 기판(11)은 대략 제1 방향(X)으로 연장된 저항 패턴(210)의 어느 일측에서 액체 금속이 주입되어 형성될 수 있다. 즉, 제1 방향(X) 어느 일측에서 타측 방향으로 액체 금속 주입 공정을 통해 형성될 수 있다.Although the present invention is not limited thereto, the resistive element substrate 11 according to the present exemplary embodiment may be formed by injecting a liquid metal from one side of the resistance pattern 210 extending approximately in the first direction X. That is, it may be formed through a liquid metal injection process from one side of the first direction X to the other side.

이 경우 저항 패턴(210), 구체적으로 저항 선로 패턴부(211)가 제1 방향(X)으로 연장된 부분 및 제1 방향(X)에 수직한 제2 방향(Y)으로 연장된 부분을 갖는 지그재그 형상이 아니라, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 교차하는 대각선 방향으로 연장된 부분을 갖는 지그재그 형상을 갖도록 구성하여 액체 금속의 주입이 보다 용이해질 수 있다. 예를 들어, 제1 방향(X) 좌측의 패드 패턴부(212)에서 액체 금속을 주입하는 경우에 액체 금속은 좌측에서 우측 방향으로 점진적으로 충진될 수 있다. 이 때 채널 내부를 충진하는 액체 금속에 의해 채널 내부의 압력이 증가할 수 있다. 따라서 제1 방향(X)에 수직한 방향이 아니라 제1 방향(X)에 대각선 방향으로 액체 금속이 이동하도록 하여 채널 내부의 압력 증가를 억제할 수 있고 보다 많은 양의 액체 금속의 주입이 가능해진다. In this case, the resistance pattern 210, specifically, the resistance line pattern portion 211 has a portion extending in the first direction X and a portion extending in the second direction Y perpendicular to the first direction X. It is not a zigzag shape, but a zigzag shape having a portion extending in a diagonal direction crossing the first direction X and the second direction Y, so that the injection of the liquid metal may be easier. For example, when liquid metal is injected from the pad pattern part 212 on the left side of the first direction X, the liquid metal may be gradually filled from left to right. At this time, the pressure inside the channel may increase due to the liquid metal filling the inside of the channel. Therefore, by allowing the liquid metal to move in a diagonal direction in the first direction X, not in a direction perpendicular to the first direction X, an increase in pressure inside the channel can be suppressed, and a larger amount of liquid metal can be injected. .

뿐만 아니라, 채널 내부의 압력 증가를 최소화할 수 있어 액체 금속 주입 공정에 있어 저항 선로 패턴부(211)의 평면상 각진 모서리 부분 등에 발생할 수 있는 미충진 불량을 완화할 수 있고 미충진 영역으로 인한 의도치 않은 선로 저항의 상승을 방지하고, 또는 저항 선로 패턴부(211)의 선로 도중이 개방(open)되는 등의 불량을 미연에 방지할 수 있다.In addition, since it is possible to minimize the pressure increase in the channel, it is possible to alleviate unfilled defects that may occur in the angled corner of the resistance line pattern part 211 in the liquid metal injection process, and intention due to the unfilled area. It is possible to prevent an inadequate rise in line resistance, or a defect such as an open middle of the line of the resistance line pattern part 211 can be prevented in advance.

한편, 저항 선로 패턴부(211)의 폭(W211)과 피치(P)는 소정의 관계에 있을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 저항 선로 패턴부(211)의 피치(P)는 폭(W211)의 3배 이상을 가질 수 있다. 피치(P)와 폭(W211)의 비율의 상한은 특별히 제한되지 않으나, 약 10배 이하, 또는 약 9배 이하, 또는 약 8 배 이하, 또는 약 7배 이하, 또는 약 6배 이하, 또는 약 5배 이하일 수 있다. 저항 선로 패턴부(211)의 피치(P)는, 저항 선로 패턴부(211)가 반복적인 형상을 갖는 경우에 반복 주기를 의미할 수 있다. 예를 들어, 도 2 등과 같이 제2 방향(Y) 일측과 타측으로 반복적으로 연장된 형상을 갖는 경우, 제2 방향(Y) 일측(예컨대, 도 2 기준 상측)으로 최대로 돌출된 부분에서, 다음 최대로 돌출된 부분까지의 제1 방향(X)으로의 거리를 의미할 수 있다.Meanwhile, the width W 211 and the pitch P of the resistance line pattern part 211 may have a predetermined relationship. In an exemplary embodiment, the pitch P of the resistance line pattern portion 211 may have three times or more of the width W 211 . The upper limit of the ratio of the pitch (P) and the width (W 211 ) is not particularly limited, but about 10 times or less, or about 9 times or less, or about 8 times or less, or about 7 times or less, or about 6 times or less, or It may be about 5 times or less. The pitch P of the resistance line pattern part 211 may mean a repetition period when the resistance line pattern part 211 has a repetitive shape. For example, in the case of having a shape that repeatedly extends to one side and the other side in the second direction (Y) as shown in FIG. 2, at a portion protruding maximally in one side of the second direction (Y) (for example, the upper side of FIG. It may mean the distance in the first direction X to the next largest protruding part.

앞서 설명한 것과 같이 저항 선로 패턴부(211)가 갖는 특유의 형상으로 인해 저항 패턴(210)은 저항 소자로서 기능할 수 있다. 특히 저항 선로 패턴부(211)를 상온에서 액체 상태를 유지하는 액체 금속을 이용하여 형성할 경우, 저항 선로 패턴부(211)의 형상은 저항 소자 기판(11)의 전기적 특성에 매우 민감하게 영향을 줄 수 있다. 이는 액체 금속이 상온에서 액체 상태를 유지하기 때문에 외부 환경에 따라 전기적 특성이 영향을 받기 때문일 수 있다.As described above, due to the characteristic shape of the resistance line pattern part 211, the resistance pattern 210 may function as a resistance element. In particular, when the resistance line pattern part 211 is formed by using a liquid metal that maintains a liquid state at room temperature, the shape of the resistance line pattern part 211 very sensitively affects the electrical characteristics of the resistance element substrate 11. Can give. This may be because the liquid metal maintains a liquid state at room temperature, so electrical properties are affected by the external environment.

본 발명의 발명자들은 저항 선로 패턴부(211)의 피치(P)와 폭(W211) 간의 관계에 따라 저항 소자 기판(11)의 전기적 특성의 안정성이 영향을 받음을 실험적으로 확인하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로, 저항 선로 패턴부(211)의 피치(P)가 폭(W211)의 3배 미만, 또는 2.5배 미만, 특히 2배 미만일 경우, 저항 소자 기판(11)의 전기적 특성 측정에 있어서 커패시턴스 성분이 반영되어 온전히 저항 소자로서 구현할 수 없음을 확인하였다. 따라서 액체 금속을 이용하여 저항 소자 기판(11)을 형성하는 경우, 저항 선로 패턴부(211)의 피치(P)가 폭(W211)의 3배 이상인 것이 바람직하다.The inventors of the present invention experimentally confirmed that the stability of the electrical characteristics of the resistive element substrate 11 is affected according to the relationship between the pitch (P) and the width (W 211 ) of the resistance line pattern part 211, and the present invention It came to completion. Specifically, when the pitch P of the resistance line pattern part 211 is less than 3 times, or less than 2.5 times, particularly less than 2 times the width W 211 , the capacitance in measuring the electrical properties of the resistance element substrate 11 It was confirmed that the component was reflected and could not be implemented as a completely resistive element. Therefore, in the case of forming the resistance element substrate 11 using liquid metal, it is preferable that the pitch P of the resistance line pattern portion 211 is at least three times the width W 211 .

저항 소자 기판(11)의 적층 구조에 있어서, 앞서 설명한 것과 같이 저항 소자 기판(11)은 베이스 기판(100) 및 베이스 기판(100) 상에 배치된 저항 패턴(210)을 포함하되, 도 4에 도시된 것과 같이 저항 소자 기판(11)은 베이스 기판(100) 상에 배치된 격벽 패턴층(620) 및 씰링층(700)을 더 포함할 수 있다.In the stacked structure of the resistance element substrate 11, as described above, the resistance element substrate 11 includes a base substrate 100 and a resistance pattern 210 disposed on the base substrate 100, As illustrated, the resistive element substrate 11 may further include a partition wall pattern layer 620 and a sealing layer 700 disposed on the base substrate 100.

예시적인 실시예에서, 격벽 패턴층(620)은 베이스 기판(100) 상에 직접 배치될 수 있다. 격벽 패턴층(620)은 액체 금속이 충진되어 저항 패턴(210)을 형성하기 위한 채널 내지는 트렌치를 제공할 수 있다. 즉, 평면 시점에서, 격벽 패턴층(620)은 저항 패턴(210)의 대략 역상을 갖는 형상일 수 있다. 격벽 패턴층(620)은 절연성을 가질 수 있다. 예를 들어, 격벽 패턴층(620)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 고분자 재료를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 격벽 패턴층(620)은 베이스 기판(100)에 비해 더 큰 소수성을 가질 수 있다. 즉, 중력 방향으로 저항 패턴(210) 내 액체 금속과 접촉하는 베이스 기판(100)의 친수성을 더 크게 구성하여 액체 금속의 충진 상태를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.In an exemplary embodiment, the barrier rib pattern layer 620 may be directly disposed on the base substrate 100. The partition pattern layer 620 may be filled with a liquid metal to provide a channel or a trench for forming the resistance pattern 210. That is, from a plan view, the partition wall pattern layer 620 may have a substantially inverse shape of the resistance pattern 210. The partition wall pattern layer 620 may have insulating properties. For example, the partition wall pattern layer 620 may include a polymer material such as polyethyleneterephthalate, polymethylmethacrylate, and polycarbonate, but the present invention is not limited thereto. . In some embodiments, the barrier rib pattern layer 620 may have greater hydrophobicity than the base substrate 100. That is, the hydrophilicity of the base substrate 100 in contact with the liquid metal in the resistance pattern 210 in the gravitational direction may be configured to have a greater hydrophilicity, thereby stably forming a filled state of the liquid metal.

또, 저항 패턴(210) 및 격벽 패턴층(620) 상에는 씰링층(700)이 배치될 수 있다. 씰링층(700)은 절연성을 가지고, 저항 패턴(210)의 액체 금속을 밀봉할 수 있다. 씰링층(700)은 격벽 패턴층(620)과 동일하거나 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 씰링층(700)은 베이스 기판(100)에 비해 더 큰 소수성을 가질 수 있다. 도면으로 표현하지 않았으나, 씰링층(700)과 격벽 패턴층(620) 사이에는 접착층(미도시) 등이 개재될 수도 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, a sealing layer 700 may be disposed on the resistance pattern 210 and the partition pattern layer 620. The sealing layer 700 has insulating properties and may seal the liquid metal of the resistance pattern 210. The sealing layer 700 may be made of the same or different material as the partition wall pattern layer 620. The sealing layer 700 may have greater hydrophobicity than the base substrate 100. Although not shown in the drawings, an adhesive layer (not shown) may be interposed between the sealing layer 700 and the partition pattern layer 620, but the present invention is not limited thereto.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 저항 소자 기판(12)의 단면도로서, 도 4와 상응하는 위치를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a resistive element substrate 12 according to another embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view showing a position corresponding to that of FIG. 4.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 저항 소자 기판(12)은 베이스 기판(100) 및 베이스 기판(100) 상에 배치된 저항 패턴(211, 212)을 포함하되, 격벽 패턴층을 포함하지 않고 베이스 기판(100)의 상면이 바로 패턴화된 구조를 갖는 점이 도 4 등의 실시예에 따른 저항 소자 기판(11)과 상이한 점이다.5, the resistive element substrate 12 according to the present embodiment includes a base substrate 100 and resistance patterns 211 and 212 disposed on the base substrate 100, but does not include a partition pattern layer. It is different from the resistive element substrate 11 according to the embodiment of FIG. 4 and the like in that the upper surface of the base substrate 100 has a patterned structure.

베이스 기판(100)은 그 자체로 액체 금속이 충진되기 위한 채널을 제공할 수 있다. 베이스 기판(100)의 채널 내에는 저항 패턴의 저항 선로 패턴부(211) 및 패드 패턴부(212)가 삽입 배치될 수 있다. 이 경우, 베이스 기판(100)의 상측으로 돌출된 부분은 씰링층(700)과 직접 맞닿거나, 또는 그 사이에 접착층(미도시)을 개재할 수도 있다.The base substrate 100 may itself provide a channel for filling the liquid metal. A resistance line pattern portion 211 and a pad pattern portion 212 of a resistance pattern may be inserted into the channel of the base substrate 100. In this case, the portion protruding upward of the base substrate 100 may directly contact the sealing layer 700, or an adhesive layer (not shown) may be interposed therebetween.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 저항 소자 기판(13)의 단면도로서, 도 4와 상응하는 위치를 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a resistive element substrate 13 according to another embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view showing a position corresponding to that of FIG. 4.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 저항 소자 기판(13)은 격벽 패턴층(630)과 베이스 기판(100) 사이에 개재된 두께 조절층(635)을 더 포함하는 점이 도 4 등의 실시예에 따른 저항 소자 기판(11)과 상이한 점이다.Referring to FIG. 6, the resistive element substrate 13 according to the present embodiment further includes a thickness control layer 635 interposed between the partition wall pattern layer 630 and the base substrate 100. This is different from the resistive element substrate 11 according to the example.

예시적인 실시예에서, 두께 조절층(635)은 격벽 패턴층(630)과 실질적으로 동일한 형상을 갖는 패턴층일 수 있다. 두께 조절층(635)은 절연성을 가질 수 있다. 두께 조절층(635)의 재료는 격벽 패턴층(630)의 재료와 동일하거나 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 두께 조절층(635)의 재료는 특별히 제한되지 않으나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 고분자 재료를 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the thickness control layer 635 may be a pattern layer having substantially the same shape as the partition wall pattern layer 630. The thickness control layer 635 may have insulating properties. The material of the thickness control layer 635 may be made of the same material as or different from the material of the partition pattern layer 630. The material of the thickness control layer 635 is not particularly limited, but may include a polymer material such as polyethyleneterephthalate, polymethylmethacrylate, and polycarbonate.

두께 조절층(635)은 후술할 바와 같이 저항 소자 및 인덕터 소자를 포함하는 복합 수동 소자를 일체화된 기판으로 구현하는 경우에, 인덕터 소자와 저항 소자 간의 구조적 안정성을 제공하기 위한 층일 수 있다.The thickness control layer 635 may be a layer for providing structural stability between the inductor element and the resistive element when a composite passive element including a resistive element and an inductor element is implemented as an integrated substrate as described later.

격벽 패턴층(630)은 두께 조절층(635) 상에 직접 배치될 수 있다. 예를 들어, 두께 조절층(635)의 측면과 격벽 패턴층(630)의 측면은 정렬된 상태일 수 있다.The partition wall pattern layer 630 may be directly disposed on the thickness control layer 635. For example, the side surface of the thickness control layer 635 and the side surface of the partition wall pattern layer 630 may be aligned.

한편, 두께 조절층(635) 및 격벽 패턴층(630)은 함께 액체 금속이 충진되기 위한 채널을 제공하되, 두께 조절층(635) 및 격벽 패턴층(630)이 제공하는 채널 내에는 저항 선로 패턴부(231) 및 패드 패턴부(232)가 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 두께 조절층(635)은 저항 선로 패턴부(231) 및 패드 패턴부(232)와 비중첩할 수 있다.On the other hand, the thickness control layer 635 and the partition pattern layer 630 together provide a channel for filling the liquid metal, but the resistance line pattern in the channel provided by the thickness control layer 635 and the partition pattern layer 630 The portion 231 and the pad pattern portion 232 may be disposed. In this embodiment, the thickness control layer 635 may be non-overlapping with the resistance line pattern portion 231 and the pad pattern portion 232.

또, 두께 조절층(635)과 격벽 패턴층(630)의 형상이 실질적으로 동일한 경우, 저항 선로 패턴부(231)의 평균 두께(T231)는 패드 패턴부(232)의 최대 두께(T232)와 실질적으로 동일할 수 있다.In addition, when the thickness control layer 635 and the partition pattern layer 630 have substantially the same shape, the average thickness T 231 of the resistance line pattern portion 231 is the maximum thickness T 232 of the pad pattern portion 232. ) May be substantially the same.

몇몇 실시예에서, 두께 조절층(635)의 최대 두께는 격벽 패턴층(630)의 최대 두께 보다 작을 수 있다.In some embodiments, the maximum thickness of the thickness control layer 635 may be less than the maximum thickness of the partition wall pattern layer 630.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 저항 소자 기판(14)의 단면도로서, 도 4와 상응하는 위치를 나타낸 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a resistive element substrate 14 according to another embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view showing a position corresponding to that of FIG. 4.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 저항 소자 기판(14)의 저항 패턴(241, 242)의 저항 선로 패턴부(241) 및 패드 패턴부(242)는 각각 경사진 측면을 갖는 점이 도 6의 실시예에 따른 저항 소자 기판(13)과 상이한 점이다.Referring to FIG. 7, the resistance line pattern portion 241 and the pad pattern portion 242 of the resistance patterns 241 and 242 of the resistance element substrate 14 according to the present embodiment each have inclined sides. It is different from the resistive element substrate 13 according to the embodiment of.

예시적인 실시예에서, 격벽 패턴층(640)의 측면은 부분적으로 역테이퍼진 형상의 역경사를 가지고, 저항 선로 패턴부(241) 및/또는 패드 패턴부(242)의 측면은 테이퍼진 형상의 경사를 가질 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이 저항 선로 패턴부(241) 및 패드 패턴부(242)는 상온에서 액체 상태를 유지하는 액체 금속으로 형성될 수 있다. 이 경우 채널의 상단부를 형성하는 격벽 패턴층(640)의 측면이 역경사를 갖도록 하여 액체 금속을 안정적으로 트랩할 수 있다.In an exemplary embodiment, a side surface of the partition wall pattern layer 640 has a partially reverse tapered shape, and a side surface of the resistance line pattern portion 241 and/or the pad pattern portion 242 has a tapered shape. It can have a slope. As described above, the resistance line pattern portion 241 and the pad pattern portion 242 may be formed of a liquid metal that maintains a liquid state at room temperature. In this case, the side surface of the partition wall pattern layer 640 forming the upper end of the channel may have a reverse slope, thereby stably trapping the liquid metal.

또, 저항 선로 패턴부(241)의 측면 경사각(θ1)은 패드 패턴부(242)의 측면 경사각(θ2)과 상이할 수 있다. 예를 들어, 저항 선로 패턴부(241)의 측면 경사각(θ1)은 패드 패턴부(242)의 측면 경사각(θ2) 보다 클 수 있다. 도 7은 저항 선로 패턴부(241)와 패드 패턴부(242)가 모두 90도 미만의 경사각을 갖는 경우를 예시하고 있으나, 저항 선로 패턴부(241)가 약 90도의 경사각, 즉 실질적으로 경사를 갖지 않고 패드 패턴부(242)가 90도 미만의 경사각을 갖는 경우 또한 본 실시예의 균등한 변경의 범위에 속함을 통상의 기술자는 이해할 수 있을 것이다.In addition, the side inclination angle θ 1 of the resistance line pattern portion 241 may be different from the side inclination angle θ 2 of the pad pattern portion 242. For example, the side inclination angle θ 1 of the resistance line pattern part 241 may be greater than the side inclination angle θ 2 of the pad pattern part 242. 7 illustrates a case where both the resistance line pattern portion 241 and the pad pattern portion 242 have an inclination angle of less than 90 degrees, but the resistance line pattern portion 241 has an inclination angle of about 90 degrees, that is, a substantially inclination. It will be understood by those of ordinary skill in the art that if the pad pattern portion 242 does not have an inclination angle of less than 90 degrees, it also falls within the scope of an equal change of this embodiment.

앞서 설명한 것과 같이 격벽 패턴층(640)의 측면 경사를 이용하여 액체 금속을 안정적으로 트랩할 수 있으며 저항 패턴(241, 242)의 구조적 안정성을 향상시킬 수 있다. 특히, 패드 패턴부(242)는 저항 선로 패턴부(241)에 비해 상대적으로 넓은 면적을 차지하며, 저항 소자 기판(14) 외부의 다른 구성요소와 전기적 연결이 이루어지는 부분일 수 있다. 따라서 액체 금속의 안정적인 트랩이 매우 중요하며 패드 패턴부(242)의 측면 경사각을 상대적으로 작게 형성하여 구조적 안정성 및 외부 구성요소와의 전기적 접속의 안정성을 도모할 수 있다. 또한 패드 패턴부(242)는 상대적으로 큰 폭을 갖기 때문에 측면 경사를 가짐에도 불구하고 면저항의 불균일 문제가 발생하지 않을 수 있다.As described above, the liquid metal can be stably trapped by using the side slope of the partition wall pattern layer 640 and structural stability of the resistance patterns 241 and 242 can be improved. In particular, the pad pattern portion 242 occupies a relatively large area compared to the resistance line pattern portion 241 and may be a portion in which electrical connection with other components outside the resistance element substrate 14 is made. Therefore, a stable trap of liquid metal is very important, and by forming a relatively small side inclination angle of the pad pattern portion 242, structural stability and stability of electrical connection with external components can be achieved. In addition, since the pad pattern portion 242 has a relatively large width, the problem of non-uniformity in sheet resistance may not occur despite having a side inclination.

저항 선로 패턴부(241) 또한 소정의 측면 경사각을 가지고 액체 금속이 안정적으로 트랩되어야 하는 필요성은 패드 패턴부(242)와 동일하나, 저항 선로 패턴부(241)는 패드 패턴부(242)와 다소 상이한 특성이 요구된다. 즉, 저항 선로 패턴부(241)는 전류의 흐름에 기여하는 정도가 패드 패턴부(242)에 비해 더 크고, 따라서 국부적인 면저항의 차이가 수동 소자의 전기적 특성에 영향을 줄 수 있다. The resistance line pattern portion 241 also has a predetermined side inclination angle and the necessity of stably trapping the liquid metal is the same as that of the pad pattern portion 242, but the resistance line pattern portion 241 is somewhat different from the pad pattern portion 242 Different properties are required. That is, the resistance line pattern portion 241 has a greater contribution to the current flow than the pad pattern portion 242, and thus, a difference in local sheet resistance may affect the electrical characteristics of the passive element.

예를 들어, 저항 선로 패턴부(241)의 측면 경사각이 지나치게 작을 경우 저항 선로 패턴부(241)의 상단에서의 폭과 하단에서의 폭 간에 차이가 커질 수 있고, 선로의 상부와 하부에서의 저항이 국부적으로 상이해질 수 있다. 따라서 저항 선로 패턴부(241)의 측면 경사각(θ1)은 패드 패턴부(242)의 측면 경사각(θ2) 보다 상대적으로 큰 것이 유리하다. 이 같은 관점에서, 저항 선로 패턴부(241)의 측면 경사각(θ1)은 약 80도 내지 85도이고, 패드 패턴부(242)의 측면 경사각(θ2)은 약 60도 내지 84도, 또는 약 70도 내지 80도일 수 있다.For example, when the side inclination angle of the resistance line pattern part 241 is too small, the difference between the width at the top and the bottom of the resistance line pattern part 241 may increase, and the resistance at the top and bottom of the line This can be localized. Therefore, it is advantageous that the side inclination angle θ 1 of the resistance line pattern portion 241 is relatively larger than the side inclination angle θ 2 of the pad pattern portion 242. In this respect, the side inclination angle θ 1 of the resistance line pattern part 241 is about 80 degrees to 85 degrees, and the side inclination angle θ 2 of the pad pattern part 242 is about 60 degrees to 84 degrees, or It may be about 70 degrees to 80 degrees.

또한 예시적인 실시예에서, 두께 조절층(645)은 격벽 패턴층(640)과 부분적으로 상이한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 격벽 패턴층(640)의 측면은 역테이퍼진 형상의 역경사를 가지되, 두께 조절층(645)은 격벽 패턴층(640)과 상이한 측면 경사를 갖거나, 또는 측면 경사각을 갖지 않을 수 있다.In addition, in an exemplary embodiment, the thickness control layer 645 may have a shape partially different from that of the partition wall pattern layer 640. For example, the side surface of the partition wall pattern layer 640 has a reverse slope of a reverse tapered shape, but the thickness control layer 645 has a different side slope from the partition wall pattern layer 640, or does not have a side slope angle May not.

또, 저항 선로 패턴부(241)가 배치된 저항 선로 영역(도 7에서 우측 단면)에서, 격벽 패턴층(640)의 하면의 폭은 두께 조절층(645)의 상면의 폭과 실질적으로 동일한 반면, 패드 패턴부(242)가 배치된 패드 영역(도 7에서 좌측 단면)에서, 격벽 패턴층(640)의 하면의 폭은 두께 조절층(645)의 상면의 폭과 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 패드 영역에서 격벽 패턴층(640)의 측면과 두께 조절층(645)의 측면은 정렬되지 않은 상태이고, 격벽 패턴층(640)의 상면이 부분적으로 노출된 상태일 수 있다.In addition, in the resistance line region in which the resistance line pattern portion 241 is disposed (the right cross section in FIG. 7 ), the width of the lower surface of the partition wall pattern layer 640 is substantially the same as the width of the upper surface of the thickness control layer 645 , In the pad area where the pad pattern part 242 is disposed (the left end surface in FIG. 7 ), the width of the lower surface of the partition pattern layer 640 may be different from the width of the upper surface of the thickness control layer 645. For example, in the pad area, the side surface of the partition wall pattern layer 640 and the side surface of the thickness control layer 645 are not aligned, and the upper surface of the partition wall pattern layer 640 may be partially exposed.

앞서 설명한 것과 같이 액체 금속이 충진되어 형성된 저항 선로 패턴부(241)와 패드 패턴부(242)에서 요구되는 전기적 특성 내지는 안정성은 상이할 수 있다. 즉, 저항 선로 패턴부(241)와 인접한 두께 조절층(645)과 격벽 패턴층(640)은 그 측면이 연속적으로 형성되도록 하여 저항 선로 패턴부(241)의 상부와 하부에서의 국부적인 저항 차이가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 반면, 패드 패턴부(242)는 저항 선로 패턴부(241)에 비해 폭이 크고 전류의 흐름에 기여하는 정도가 작기 때문에 안정적인 구조적 특성을 구현하는 것이 국부적인 면저항 차이의 발생 보다 더 우선시될 수 있다.As described above, electrical characteristics or stability required by the resistance line pattern portion 241 and the pad pattern portion 242 formed by filling the liquid metal may be different. That is, the thickness control layer 645 and the partition wall pattern layer 640 adjacent to the resistance line pattern part 241 have their side surfaces continuously formed so that the local resistance difference between the upper and lower portions of the resistance line pattern part 241 Can be prevented from occurring. On the other hand, since the pad pattern portion 242 has a larger width than the resistance line pattern portion 241 and a degree of contributing to the flow of current is small, implementing a stable structural characteristic may take priority over the occurrence of a local sheet resistance difference. .

따라서 패드 패턴부(242)의 상부는 격벽 패턴층(640)을 이용하여 측면 경사각을 갖도록 형성하고, 패드 패턴부(242)의 하부 부근에서는 격벽 패턴층(640)과 두께 조절층(645)을 이용하여 단차를 형성함으로써 불필요한 액체 금속 충진 영역을 최소화하고 미충진 영역이 발생하는 불량을 방지할 수 있다.Therefore, the upper portion of the pad pattern portion 242 is formed to have a side inclination angle using the partition wall pattern layer 640, and the partition wall pattern layer 640 and the thickness control layer 645 are formed near the lower portion of the pad pattern portion 242. By forming a step by using, it is possible to minimize unnecessary liquid metal filling areas and prevent defects in which unfilled areas occur.

이하, 수동 소자 기판의 튜닝 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of tuning a passive element substrate will be described.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 수동 소자 기판을 튜닝하는 방법을 나타낸 모식도이다. 도 8은 도 2 등에 따른 저항 소자 기판을 이용하여 튜닝하는 방법을 예로 하여 설명하나 본 발명이 이에 제한되지 않음은 물론이다. 다른 실시예에서, 본 실시예에 따른 튜닝 방법을 이용하여 인덕터 소자 기판을 튜닝하거나, 또는 저항 소자와 인덕터 소자가 복합된 복합 수동 소자 기판을 튜닝할 수도 있다.8 is a schematic diagram showing a method of tuning a passive element substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 illustrates a tuning method using a resistive element substrate according to FIG. 2 as an example, but the present invention is not limited thereto. In another embodiment, the inductor element substrate may be tuned using the tuning method according to the present exemplary embodiment, or a composite passive element substrate in which a resistance element and an inductor element are combined may be tuned.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 수동 소자의 튜닝 방법은 대략 제1 방향(X)으로 연장된 형상의 저항 패턴을 갖는 수동 소자 기판을 제1 방향(X)으로 신축(stretch)시켜 튜닝하는 단계를 포함할 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이, 저항 소자 기판은 유연성을 갖는 베이스 기판 및 상기 베이스 기판 상에 배치되고 액체 금속을 포함하는 저항 패턴을 포함할 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 저항 소자 기판은 신축, 특히 저항 패턴의 연장 방향(즉, 제1 방향(X))으로의 신축 특성이 우수하며, 저항 소자 기판의 신축에도 불구하고 전기적 선로로 기능하는 액체 금속 패턴이 안정적인 구조를 유지할 수 있다.Referring to FIG. 8, the passive element tuning method according to the present embodiment is tuned by stretching a passive element substrate having a resistance pattern having a shape extending in a first direction (X) in a first direction (X). It may include the step of. As described above, the resistive element substrate may include a flexible base substrate and a resistive pattern disposed on the base substrate and including a liquid metal. Therefore, the resistive element substrate according to the present invention has excellent elasticity, especially in the extension direction of the resistance pattern (i.e., in the first direction (X)), and a liquid metal functioning as an electrical line despite the expansion and contraction of the resistance element substrate. The pattern can maintain a stable structure.

만일 수동 소자 기판을 제1 방향(X)으로 늘릴 경우 수동 소자 기판의 액체 금속 패턴의 단면적이 전체적으로 감소할 수 있고 수동 소자 기판의 전체적인 저항 증가를 야기할 수 있다. 이를 통해 수동 소자 기판의 저항 변화, 나아가 임피던스 변화를 수행할 수 있고 수동 소자 기판을 튜닝할 수 있다.If the passive element substrate is stretched in the first direction (X), the cross-sectional area of the liquid metal pattern of the passive element substrate may be reduced as a whole, and overall resistance of the passive element substrate may be increased. Through this, it is possible to change the resistance of the passive element substrate, and further change the impedance, and tune the passive element substrate.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 수동 소자 기판을 튜닝하는 방법을 나타낸 모식도이다. 도 9는 도 2 등에 따른 저항 소자 기판을 이용하여 튜닝하는 방법을 예로 하여 설명하나 본 발명이 이에 제한되지 않음은 물론이다. 다른 실시예에서, 본 실시예에 따른 튜닝 방법을 이용하여 인덕터 소자 기판을 튜닝하거나, 또는 저항 소자와 인덕터 소자가 복합된 복합 수동 소자 기판을 튜닝할 수도 있다.9 is a schematic diagram showing a method of tuning a passive element substrate according to another embodiment of the present invention. 9 illustrates a method of tuning using a resistive element substrate according to FIG. 2 as an example, but the present invention is not limited thereto. In another embodiment, the inductor element substrate may be tuned using the tuning method according to the present exemplary embodiment, or a composite passive element substrate in which a resistance element and an inductor element are combined may be tuned.

도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 수동 소자의 튜닝 방법은 대략 제1 방향(X)으로 연장된 형상의 저항 패턴을 갖는 수동 소자 기판을 부분적으로 제3 방향(Z)으로 벤딩(bending)시켜 튜닝하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 저항 소자 기판은 벤딩에도 불구하고 전기적 선로로 기능하는 액체 금속 패턴이 안정적인 구조를 유지할 수 있다.9, the passive element tuning method according to the present embodiment partially bends a passive element substrate having a resistance pattern extending in a first direction X in a third direction Z. It may include the step of tuning. The resistive element substrate according to the present invention can maintain a stable structure in which a liquid metal pattern functioning as an electrical line is stable despite bending.

만일 수동 소자 기판을 제3 방향(Z)으로 벤딩시킬 경우 수동 소자 기판의 액체 금속 패턴의 단면적이 국부적으로 감소할 수 있고 수동 소자 기판의 전체적인 저항 증가를 야기할 수 있다. 이를 통해 수동 소자 기판의 저항 변화, 나아가 임피던스 변화를 수행할 수 있고 수동 소자 기판을 튜닝할 수 있다.If the passive element substrate is bent in the third direction (Z), the cross-sectional area of the liquid metal pattern of the passive element substrate may be locally reduced and the overall resistance of the passive element substrate may increase. Through this, it is possible to change the resistance of the passive element substrate, and further change the impedance, and tune the passive element substrate.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수동 소자 기판을 튜닝하는 방법을 나타낸 모식도이다. 도 10은 도 7 등에 따른 저항 소자 기판을 이용하여 튜닝하는 방법을 예로 하여 설명하나 본 발명이 이에 제한되지 않음은 물론이다. 다른 실시예에서, 본 실시예에 따른 튜닝 방법을 이용하여 인덕터 소자 기판을 튜닝하거나, 또는 저항 소자와 인덕터 소자가 복합된 복합 수동 소자 기판을 튜닝할 수도 있다.10 is a schematic diagram showing a method of tuning a passive element substrate according to another embodiment of the present invention. 10 illustrates a tuning method using a resistive element substrate according to FIG. 7 as an example, but the present invention is not limited thereto. In another embodiment, the inductor element substrate may be tuned using the tuning method according to the present exemplary embodiment, or a composite passive element substrate in which a resistance element and an inductor element are combined may be tuned.

도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 수동 소자의 튜닝 방법은 저항 선로 패턴부(241) 및 패드 패턴부(242)를 포함하는 저항 패턴을 부분적으로 가압하여 튜닝하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 저항 소자 기판은 국부적인 가압에도 불구하고 전기적 선로로 기능하는 저항 선로 패턴부(241)가 안정적인 구조를 유지할 수 있다.Referring to FIG. 10, a method of tuning a passive element according to the present exemplary embodiment may include tuning by partially pressing a resistance pattern including a resistance line pattern portion 241 and a pad pattern portion 242. The resistive element substrate according to the present invention may maintain a stable structure in which the resistive line pattern portion 241 functions as an electrical line despite local pressure.

만일 저항 선로 패턴부(241)의 일부를 상하 방향으로 가압할 경우 수동 소자 기판의 저항 선로 패턴부(241)의 단면적이 국부적으로 감소할 수 있고 수동 소자 기판의 전체적인 저항 증가를 야기할 수 있다. 이를 통해 수동 소자 기판의 저항 변화, 나아가 임피던스 변화를 수행할 수 있고 수동 소자 기판을 튜닝할 수 있다.If a part of the resistance line pattern portion 241 is pressed in the vertical direction, the cross-sectional area of the resistance line pattern portion 241 of the passive element substrate may be locally reduced and the overall resistance of the passive element substrate may increase. Through this, it is possible to change the resistance of the passive element substrate, and further change the impedance, and tune the passive element substrate.

몇몇 실시예에서, 상기 가압은 씰링층(700) 방향으로부터 수행될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 수동 소자 기판은 베이스 기판(100), 두께 조절층(645), 격벽 패턴층(640) 및 씰링층(700)을 포함할 수 있다. 두께 조절층(645) 및 격벽 패턴층(640)은 저항 선로 패턴부(241) 등의 측면 형상에 영향을 줄 수 있다. 이 경우 두께 조절층(645)은 격벽 패턴층(640)에 비해 작은 두께를 가질 수 있고, 베이스 기판(100) 측으로부터 가해지는 압력에 의해 저항 선로 패턴부(241) 하부의 형상 변화가 야기될 수 있다. 따라서 수동 소자 기판을 튜닝하는 방법에 있어서, 상기 가압은 베이스 기판(100) 측 보다 씰링층(700) 측으로부터 가해지는 것이 바람직하다.In some embodiments, the pressing may be performed from the sealing layer 700 direction. As described above, the passive element substrate may include a base substrate 100, a thickness control layer 645, a partition wall pattern layer 640, and a sealing layer 700. The thickness control layer 645 and the partition wall pattern layer 640 may affect the shape of the side surface of the resistance line pattern portion 241. In this case, the thickness control layer 645 may have a smaller thickness than the partition wall pattern layer 640, and a change in the shape of the lower portion of the resistance line pattern portion 241 may be caused by the pressure applied from the base substrate 100 side. I can. Therefore, in the method of tuning the passive element substrate, the pressure is preferably applied from the sealing layer 700 side rather than the base substrate 100 side.

이하, 인덕터 소자를 포함하는 인덕터 소자 기판 및 인덕터 복합 소자 기판에 대하여 설명한다.Hereinafter, an inductor element substrate including an inductor element and an inductor composite element substrate will be described.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(20)의 평면도이다.11 is a plan view of an inductor element substrate 20 according to an embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 수동 소자 기판은 인덕터 소자 기판(20) 또는 인덕터 복합 소자 기판일 수 있다. 인덕터 소자 기판(20)은 베이스 기판(100) 및 베이스 기판(100) 상에 배치된 인덕터 패턴(300)을 포함할 수 있다. 도 11은 인덕터 패턴(300)이 평면 시점에서 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 연장되어 각진 나선 형상을 갖는 경우를 예시하고 있다.Referring to FIG. 11, the passive element substrate according to the present embodiment may be an inductor element substrate 20 or an inductor composite element substrate. The inductor device substrate 20 may include a base substrate 100 and an inductor pattern 300 disposed on the base substrate 100. 11 illustrates a case in which the inductor pattern 300 extends in the first direction (X) and the second direction (Y) from a plan view to have an angled spiral shape.

베이스 기판(100)은 인덕터 패턴(300)이 배치되기 위한 공간을 제공할 수 있다. 베이스 기판(100)은 유연성, 신축성, 폴더블 및/또는 롤러블 특성을 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 베이스 기판(100)에 대해서는 도 1과 함께 전술한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.The base substrate 100 may provide a space in which the inductor pattern 300 is disposed. The base substrate 100 may be made of a material having flexibility, elasticity, foldable and/or rollable properties. Since the base substrate 100 has been described above with reference to FIG. 1, overlapping descriptions will be omitted.

베이스 기판(100) 상에는 액체 금속을 포함하는 액체 금속 도전성 패턴인 인덕터 패턴(300)이 배치될 수 있다. 상기 액체 금속은 갈륨 및 인듐을 포함하는 복합 조성의 액체 금속일 수 있다.An inductor pattern 300 that is a liquid metal conductive pattern including a liquid metal may be disposed on the base substrate 100. The liquid metal may be a liquid metal having a complex composition including gallium and indium.

평면 시점에서 인덕터 패턴(300)은 소정의 형상을 가지고, 그 패턴의 형상으로 인해 고유한 전기적 특성을 나타낼 수 있다. 예시적인 실시예에서, 인덕터 패턴(300)은 평면 시점에서 각진 나선 형상일 수 있다. 인덕터 패턴(300)에 전류가 흐를 경우 나선 형상의 선로에서 유도기전력이 생성될 수 있고 이를 통해 인덕터 소자로서 기능할 수 있다.In a plan view, the inductor pattern 300 has a predetermined shape and may exhibit unique electrical characteristics due to the shape of the pattern. In an exemplary embodiment, the inductor pattern 300 may have an angled spiral shape in a plan view. When a current flows through the inductor pattern 300, induced electromotive force may be generated from a spiral-shaped line, thereby functioning as an inductor element.

몇몇 실시예에서, 인덕터 패턴(300)은 인덕터 선로 패턴부(301) 및 패드 패턴부(302)를 포함할 수 있다. 인덕터 선로 패턴부(301)는 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 연장되어 전기적 선로로 기능함과 동시에 유도기전력을 생성할 수 있다. 패드 패턴부(302)는 인덕터 선로 패턴부(301)에 비해 그 폭이 확장되어 접점 패드부를 형성할 수 있다. 패드 패턴부(302)는 인덕터 선로 패턴부(301)의 양 단부에 위치할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 인덕터 선로 패턴부(301)와 패드 패턴부(302)는 물리적 경계 없이 일체로 형성되고, 동일한 액체 금속이 연속적으로 충진된 상태일 수 있다. In some embodiments, the inductor pattern 300 may include an inductor line pattern portion 301 and a pad pattern portion 302. The inductor line pattern part 301 may extend in the first direction X and the second direction Y to function as an electrical line and generate induced electromotive force. The pad pattern portion 302 may have a width greater than that of the inductor line pattern portion 301 to form a contact pad portion. The pad pattern portion 302 may be located at both ends of the inductor line pattern portion 301, but the present invention is not limited thereto. The inductor line pattern portion 301 and the pad pattern portion 302 may be integrally formed without a physical boundary, and may be continuously filled with the same liquid metal.

도면으로 표현하지 않았으나, 인덕터 소자 기판(20)은 외부의 다른 구성요소 등과 전기적으로 연결될 수 있다. 패드 패턴부(302)는 인덕터 선로 패턴부(301)에 비해 큰 폭을 가지고 외부의 다른 구성요소와의 전기적 연결을 안정적으로 수행할 수 있다.Although not shown in the drawings, the inductor element substrate 20 may be electrically connected to other external components. The pad pattern unit 302 has a larger width than the inductor line pattern unit 301 and can stably perform electrical connection with other external components.

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(21)의 평면도이다. 도 13은 도 12의 A 영역을 확대하여 나타낸 확대도이다. 도 14는 도 12의 B-B' 선을 따라 절개한 단면도이다.12 is a plan view of an inductor element substrate 21 according to another embodiment of the present invention. 13 is an enlarged view showing an enlarged area A of FIG. 12. 14 is a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 12.

도 12 내지 도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 수동 소자 기판은 인덕터 소자 기판(21)으로서, 평면상 라운드진 나선 형상을 갖는 점이 도 11의 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(20)과 상이한 점이다.12 to 14, the passive element substrate according to the present embodiment is an inductor element substrate 21, which differs from the inductor element substrate 20 according to the embodiment of FIG. 11 in that it has a rounded helical shape on a plane. Point.

본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 본 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(21)은 액체 금속 주입 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 가장자리 측의 패드 패턴부(312)로부터 중앙 측의 패드 패턴부(312) 측으로 액체 금속이 점진적으로 주입될 수 있다.Although the present invention is not limited thereto, the inductor device substrate 21 according to the present embodiment may be formed through a liquid metal injection process. For example, a liquid metal may be gradually injected from the pad pattern portion 312 on the edge side to the pad pattern portion 312 on the center side.

이 경우 인덕터 패턴(310), 구체적으로 인덕터 선로 패턴부(311)가 각진 형상을 가지지 않고 라운드진 선로 형상을 갖도록 구성하여 액체 금속의 주입이 보다 용이해질 수 있다. 이 때 채널 내부를 충진하는 액체 금속에 의해 채널 내부의 압력이 증가할 수 있다. 따라서 인덕터 선로 패턴부(311)를 라운드 형상으로 형성하고 액체 금속이 이를 따라 이동하도록 하여 채널 내부의 압력 증가를 억제할 수 있고 보다 많은 양의 액체 금속의 주입이 가능해진다.In this case, the inductor pattern 310, specifically, the inductor line pattern part 311, is configured to have a rounded line shape without having an angular shape, so that the injection of the liquid metal may be easier. At this time, the pressure inside the channel may increase due to the liquid metal filling the inside of the channel. Accordingly, by forming the inductor line pattern part 311 in a round shape and allowing the liquid metal to move along it, an increase in pressure inside the channel can be suppressed, and a larger amount of liquid metal can be injected.

뿐만 아니라, 채널 내부의 압력 증가를 최소화할 수 있어 액체 금속 주입 공정에 있어 인덕터 선로 패턴부(311)의 평면상 각진 모서리 부분 등에 발생할 수 있는 미충진 불량을 완화할 수 있고 미충진 영역으로 인한 의도치 않은 선로 저항의 상승을 방지하고, 또는 인덕터 선로 패턴부(311)의 선로 도중이 개방(open)되는 등의 불량을 미연에 방지할 수 있다.In addition, since it is possible to minimize the pressure increase in the channel, it is possible to alleviate unfilled defects that may occur in the angled corners of the inductor line pattern part 311 in the liquid metal injection process, and intention due to the unfilled area. It is possible to prevent an inadequate increase in line resistance, or to prevent a defect such as an open middle of the line of the inductor line pattern part 311 in advance.

한편, 인덕터 선로 패턴부(311)의 폭(W311)과 인접한 인덕터 선로 패턴부(311) 간의 이격 거리(D311)는 소정의 관계에 있을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 인덕터 선로 패턴부(311)의 폭(W311)은 이격 거리(D311) 보다 클 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이 인덕터 선로 패턴부(311)가 갖는 특유의 형상으로 인해 인덕터 패턴(310)은 인덕터 소자로서 기능할 수 있다. 이 경우 인덕터 선로 패턴부(311)의 폭(W311)이 이격 거리(D311) 보다 클 경우 효율적으로 유도기전력이 생성되고 누설이 방지될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 인덕터 선로 패턴부(311)의 평균 두께는 인덕터 선로 패턴부(311)의 폭(W311) 보다 클 수 있다.Meanwhile, the width W 311 of the inductor line pattern part 311 and the separation distance D 311 between the adjacent inductor line pattern part 311 may have a predetermined relationship. In an exemplary embodiment, the width W 311 of the inductor line pattern part 311 may be greater than the separation distance D 311 . As described above, due to the characteristic shape of the inductor line pattern part 311, the inductor pattern 310 may function as an inductor element. In this case, when the width W 311 of the inductor line pattern part 311 is larger than the separation distance D 311 , induced electromotive force may be efficiently generated and leakage may be prevented. In some embodiments, the average thickness of the inductor line pattern part 311 may be greater than the width W 311 of the inductor line pattern part 311.

인덕터 소자 기판(21)의 적층 구조에 있어서, 앞서 설명한 것과 같이 인덕터 소자 기판(21)은 베이스 기판(100) 및 베이스 기판(100) 상에 배치된 인덕터 패턴(310)을 포함하되, 도 14에 도시된 것과 같이 인덕터 소자 기판(21)은 베이스 기판(100) 상에 배치된 격벽 패턴층(620) 및 씰링층(700)을 더 포함할 수 있다. In the stacked structure of the inductor element substrate 21, as described above, the inductor element substrate 21 includes a base substrate 100 and an inductor pattern 310 disposed on the base substrate 100, As illustrated, the inductor element substrate 21 may further include a partition wall pattern layer 620 and a sealing layer 700 disposed on the base substrate 100.

격벽 패턴층(620)은 액체 금속이 충진되어 인덕터 패턴(310)을 형성하기 위한 채널 내지는 트렌치를 제공할 수 있다. 즉, 평면 시점에서, 격벽 패턴층(620)은 인덕터 패턴(310)의 대략 역상을 갖는 형상일 수 있다. 격벽 패턴층(620)은 절연성을 가질 수 있다. 또, 인덕터 패턴(310) 및 격벽 패턴층(620) 상에는 씰링층(700)이 배치될 수 있다. 씰링층(700)은 절연성을 가지고, 인덕터 패턴(310)의 액체 금속을 밀봉할 수 있다.The partition wall pattern layer 620 may be filled with a liquid metal to provide a channel or a trench for forming the inductor pattern 310. That is, from a plan view, the partition wall pattern layer 620 may have a substantially inverse shape of the inductor pattern 310. The partition wall pattern layer 620 may have insulating properties. Further, a sealing layer 700 may be disposed on the inductor pattern 310 and the partition pattern layer 620. The sealing layer 700 has insulating properties and may seal the liquid metal of the inductor pattern 310.

그 외의 격벽 패턴층(620) 및 씰링층(700)의 설명에 대해서는 도 4 등과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.Other descriptions of the partition wall pattern layer 620 and the sealing layer 700 have been described with reference to FIG. 4 and the like, and thus overlapping descriptions will be omitted.

도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(22)의 단면도로서, 도 14와 상응하는 위치를 나타낸 단면도이다.FIG. 15 is a cross-sectional view of an inductor element substrate 22 according to another embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view showing a position corresponding to that of FIG. 14.

도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(22)은 베이스 기판(110) 및 베이스 기판(110) 상에 배치된 인덕터 패턴(311, 312)을 포함하되, 격벽 패턴층을 포함하지 않고 베이스 기판(110)의 상면이 바로 패턴화된 구조를 갖는 점이 도 14 등의 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(21)과 상이한 점이다.Referring to FIG. 15, the inductor element substrate 22 according to the present embodiment includes a base substrate 110 and inductor patterns 311 and 312 disposed on the base substrate 110, but does not include a partition pattern layer. It is different from the inductor element substrate 21 according to the embodiment of FIG. 14 in that the upper surface of the base substrate 110 has a patterned structure.

베이스 기판(110)은 그 자체로 액체 금속이 충진되기 위한 채널을 제공할 수 있다. 베이스 기판(110)의 채널 내에는 인덕터 패턴의 인덕터 선로 패턴부(311) 및 패드 패턴부(312)가 삽입 배치될 수 있다. 이 경우, 베이스 기판(110)의 상측으로 돌출된 부분은 씰링층(700)과 직접 맞닿거나, 또는 그 사이에 접착층(미도시)을 개재할 수도 있다.The base substrate 110 may itself provide a channel for filling the liquid metal. An inductor line pattern part 311 and a pad pattern part 312 of an inductor pattern may be inserted into the channel of the base substrate 110. In this case, a portion protruding upward of the base substrate 110 may directly contact the sealing layer 700 or an adhesive layer (not shown) may be interposed therebetween.

도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(23)의 단면도로서, 도 14와 상응하는 위치를 나타낸 단면도이다.16 is a cross-sectional view of an inductor element substrate 23 according to another embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view showing a position corresponding to that of FIG. 14.

도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(23)은 격벽 패턴층(650)과 베이스 기판(100) 사이에 개재된 두께 조절층(655)을 더 포함하는 점이 도 14 등의 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(21)과 상이한 점이다.Referring to FIG. 16, the inductor element substrate 23 according to the present embodiment further includes a thickness control layer 655 interposed between the partition wall pattern layer 650 and the base substrate 100. This is different from the inductor element substrate 21 according to the example.

두께 조절층(655)은 절연성을 가질 수 있다. 두께 조절층(655)의 재료는 격벽 패턴층(650)의 재료와 동일하거나 상이할 수 있다. 두께 조절층(655)은 인덕터 선로 패턴부(331)와 패드 패턴부(332)의 두께 차이를 조절하기 위한 층일 수 있다. 또는, 두께 조절층(655)은 후술할 바와 같이 저항 소자 및 인덕터 소자를 포함하는 복합 수동 소자에서 구조적 안정성을 제공하기 위한 층일 수도 있다.The thickness control layer 655 may have insulating properties. The material of the thickness control layer 655 may be the same as or different from the material of the partition pattern layer 650. The thickness control layer 655 may be a layer for controlling a difference in thickness between the inductor line pattern portion 331 and the pad pattern portion 332. Alternatively, the thickness control layer 655 may be a layer for providing structural stability in a composite passive device including a resistive element and an inductor element, as will be described later.

예시적인 실시예에서, 두께 조절층(655)은 인덕터 패턴과 부분적으로만 중첩할 수 있다. 구체적으로, 인덕터 선로 패턴부(331)는 두께 조절층(655)과 제3 방향(Z)으로 중첩하되, 패드 패턴부(332)는 적어도 부분적으로 두께 조절층(655)과 제3 방향(Z)으로 중첩하지 않을 수 있다.In an exemplary embodiment, the thickness control layer 655 may only partially overlap the inductor pattern. Specifically, the inductor line pattern portion 331 overlaps the thickness control layer 655 in the third direction (Z), but the pad pattern portion 332 at least partially overlaps the thickness control layer 655 and the third direction (Z). ) May not overlap.

두께 조절층(655) 및 격벽 패턴층(650)은 함께 액체 금속이 충진되기 위한 채널을 제공할 수 있다. 이 경우 인덕터 선로 패턴부(331)는 격벽 패턴층(650)이 제공하는 채널 내에만 배치되고, 패드 패턴부(332)는 두께 조절층(655) 및 격벽 패턴층(650)이 제공하는 채널 내에 배치될 수 있다. The thickness control layer 655 and the partition wall pattern layer 650 may provide a channel for filling the liquid metal together. In this case, the inductor line pattern part 331 is disposed only in a channel provided by the partition wall pattern layer 650, and the pad pattern part 332 is provided in a channel provided by the thickness control layer 655 and the partition wall pattern layer 650. Can be placed.

즉, 두께 조절층(655)에 의해 인덕터 선로 패턴부(331)의 두께(T331)와 패드 패턴부(332)의 두께(T332)는 상이할 수 있다. 예를 들어, 패드 패턴부(332)의 최대 두께(T332)는 인덕터 선로 패턴부(331)의 평균 두께(T331) 보다 클 수 있다. 본 발명의 발명자들은 유도기전력을 생성하는 인덕터 선로 패턴부(331)의 두께(T331)가 지나치게 클 경우 유도기전력의 손실이 발생하는 것을 확인하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 반면 패드 패턴부(332)는 외부의 구성요소와 전기적 접속을 수행하기 때문에 충분한 두께를 가질 필요가 있다. That is, the thickness (T 332) of the inductor line pattern portion 331. The thickness (T 331) and the pad pattern portion 332 of the control by the layer 655 thickness may be different. For example, the maximum thickness T 332 of the pad pattern portion 332 may be greater than the average thickness T 331 of the inductor line pattern portion 331. The inventors of the present invention confirmed that the loss of induced electromotive force occurs when the thickness T 331 of the inductor line pattern part 331 for generating the induced electromotive force is too large, and came to complete the present invention. On the other hand, the pad pattern part 332 needs to have a sufficient thickness because it performs electrical connection with external components.

뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(23) 및 이를 포함하는 복합 수동 소자 기판은 튜닝이 수행될 수 있다. 예를 들어, 전술한 바와 같이 신축시키거나, 벤딩하거나, 또는 가압하여 튜닝이 수행될 수 있다. 이 때 액체 금속 도전성 패턴의 두께는 튜닝에 따른 임피던스 변화에 영향을 줄 수 있다. 즉, 액체 금속 도전성 패턴의 두께가 클수록 외력에 의한 구조의 왜곡이 심하게 발생하고 임피던스 변화가 많이 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 인덕터 소자와 저항 소자가 하나의 기판으로 일체로 형성되어 복합 수동 소자를 구성하는 경우, 저항 소자에 비해 인덕터 소자를 더 얇게 형성하여 원하는 전기적 특성에 매칭되도록 튜닝을 용이하게 할 수 있다.In addition, tuning may be performed on the inductor element substrate 23 and the composite passive element substrate including the same according to the present embodiment. For example, tuning may be performed by stretching, bending, or pressing as described above. In this case, the thickness of the liquid metal conductive pattern may affect the impedance change due to tuning. That is, the larger the thickness of the liquid metal conductive pattern, the more severe the distortion of the structure due to the external force may occur and the more the impedance change may occur. Therefore, although the present invention is not limited thereto, for example, when an inductor element and a resistance element are integrally formed on a single substrate to form a composite passive element, the inductor element is formed thinner than the resistance element to provide desired electrical characteristics. It can be easily tuned to match.

도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(24)의 단면도로서, 도 14와 상응하는 위치를 나타낸 단면도이다.FIG. 17 is a cross-sectional view of an inductor device substrate 24 according to another embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view showing a position corresponding to that of FIG. 14.

도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(24)의 인덕터 패턴(341, 342)의 인덕터 선로 패턴부(341) 및 패드 패턴부(342)는 각각 경사진 측면을 갖는 점이 도 16의 실시예에 따른 인덕터 소자 기판(23)과 상이한 점이다.Referring to FIG. 17, the inductor line pattern portion 341 and the pad pattern portion 342 of the inductor patterns 341 and 342 of the inductor element substrate 24 according to the present embodiment have inclined side surfaces, respectively. It is different from the inductor element substrate 23 according to the embodiment of.

예시적인 실시예에서, 격벽 패턴층(660)의 측면은 부분적으로 역테이퍼진 형상의 역경사를 가지고, 인덕터 선로 패턴부(341) 및/또는 패드 패턴부(342)의 측면은 테이퍼진 형상의 경사를 가질 수 있다. 이 경우 채널의 상단부를 형성하는 격벽 패턴층(660)의 측면이 역경사를 갖도록 하여 액체 금속을 안정적으로 트랩할 수 있다.In an exemplary embodiment, a side surface of the partition wall pattern layer 660 has a partially reverse tapered shape, and a side surface of the inductor line pattern portion 341 and/or the pad pattern portion 342 has a tapered shape. It can have a slope. In this case, the side surface of the partition wall pattern layer 660 forming the upper end of the channel has a reverse slope, so that the liquid metal can be stably trapped.

본 실시예에서, 인덕터 선로 패턴부(341)의 폭(W341)은 하단부에서의 폭, 즉 최대폭을 의미하고, 인덕터 선로 패턴부(341) 간의 이격 거리(D341)는 하단부에서의 이격 거리, 즉 최소 이격 거리를 의미할 수 있다. 인덕터 선로 패턴부(341)의 폭(W341)이 이격 거리(D341) 보다 큼은 앞서 설명한 바와 동일하다.In this embodiment, the width W 341 of the inductor line pattern portion 341 means the width at the lower end, that is, the maximum width, and the separation distance D 341 between the inductor line pattern portions 341 is the separation distance at the lower end That is, it may mean the minimum separation distance. It is the same as described above that the width W 341 of the inductor line pattern portion 341 is greater than the separation distance D 341 .

또, 인덕터 선로 패턴부(341)의 측면 경사각(θ1)은 패드 패턴부(342)의 측면 경사각(θ2)과 상이할 수 있다. 예를 들어, 인덕터 선로 패턴부(341)의 측면 경사각(θ1)은 패드 패턴부(342)의 측면 경사각(θ2) 보다 클 수 있다. 도 17은 인덕터 선로 패턴부(341)와 패드 패턴부(342)가 모두 90도 미만의 경사각을 갖는 경우를 예시하고 있으나, 인덕터 선로 패턴부(341)가 약 90도의 경사각을 가지고, 패드 패턴부(342)가 90도 미만의 경사각을 갖는 경우 또한 본 실시예의 균등한 변경의 범위에 속함을 통상의 기술자는 이해할 수 있을 것이다.In addition, the side inclination angle θ 1 of the inductor line pattern part 341 may be different from the side inclination angle θ 2 of the pad pattern part 342. For example, the side inclination angle θ 1 of the inductor line pattern part 341 may be greater than the side inclination angle θ 2 of the pad pattern part 342. 17 illustrates a case in which both the inductor line pattern portion 341 and the pad pattern portion 342 have an inclination angle of less than 90 degrees, but the inductor line pattern portion 341 has an inclination angle of about 90 degrees, and the pad pattern portion It will be understood by those of ordinary skill in the art that when 342 has an inclination angle of less than 90 degrees, it also falls within the scope of equivalent changes in this embodiment.

패드 패턴부(342)는 인덕터 선로 패턴부(341)에 비해 상대적으로 넓은 면적을 차지하며, 인덕터 소자 기판(24) 외부의 다른 구성요소와 전기적 연결이 이루어지는 부분일 수 있다. 따라서 액체 금속의 안정적인 트랩이 매우 중요하며 패드 패턴부(342)의 측면 경사각을 상대적으로 작게 형성하여 구조의 안정성 및 외부 구성요소와의 전기적 접속의 안정성을 도모할 수 있다.The pad pattern part 342 occupies a relatively large area compared to the inductor line pattern part 341 and may be a part that is electrically connected to other components outside the inductor element substrate 24. Therefore, a stable trap of liquid metal is very important, and by forming a relatively small side inclination angle of the pad pattern portion 342, stability of the structure and electrical connection with external components can be achieved.

인덕터 선로 패턴부(341) 또한 소정의 측면 경사각을 가지고 액체 금속이 안정적으로 트랩되어야 하는 필요성은 패드 패턴부(342)와 동일하나, 인덕터 선로 패턴부(341)는 패드 패턴부(342)와 다소 상이한 특성이 요구된다. 즉, 인덕터 선로 패턴부(341)는 전류의 흐름에 기여하는 정도가 패드 패턴부(342)에 비해 더 크고, 따라서 국부적인 면저항의 차이가 수동 소자의 전기적 특성에 영향을 줄 수 있다.The inductor line pattern portion 341 also has a predetermined side inclination angle and the necessity of stably trapping the liquid metal is the same as that of the pad pattern portion 342, but the inductor line pattern portion 341 is somewhat different from the pad pattern portion 342. Different properties are required. That is, the inductor line pattern portion 341 has a greater contribution to the flow of current than the pad pattern portion 342, and therefore, a difference in local sheet resistance may affect the electrical characteristics of the passive element.

예를 들어, 인덕터 선로 패턴부(341)의 측면 경사각이 지나치게 작을 경우 인덕터 선로 패턴부(341)의 상단에서의 폭과 하단에서의 폭 간에 차이가 커질 수 있고, 선로의 상부와 하부에서의 저항이 국부적으로 상이해질 수 있다. 따라서 인덕터 선로 패턴부(341)의 측면 경사각(θ1)은 패드 패턴부(342)의 측면 경사각(θ2) 보다 상대적으로 큰 것이 유리하다. 이 같은 관점에서, 인덕터 선로 패턴부(341)의 측면 경사각(θ1)은 약 80도 내지 85도이고, 패드 패턴부(342)의 측면 경사각(θ2)은 약 60도 내지 84도, 또는 약 70도 내지 80도일 수 있다.For example, when the side inclination angle of the inductor line pattern portion 341 is too small, the difference between the width at the top and the bottom of the inductor line pattern portion 341 may increase, and resistance at the top and bottom of the line This can be localized. Therefore, it is advantageous that the side inclination angle θ 1 of the inductor line pattern portion 341 is relatively larger than the side inclination angle θ 2 of the pad pattern portion 342. In this respect, the side inclination angle θ 1 of the inductor line pattern part 341 is about 80 degrees to 85 degrees, and the side inclination angle θ 2 of the pad pattern part 342 is about 60 degrees to 84 degrees, or It may be about 70 degrees to 80 degrees.

또한 예시적인 실시예에서, 패드 패턴부(342)가 배치되는 채널을 형성하는 두께 조절층(665)의 측면은 경사를 갖지 않을 수 있다. 또, 패드 패턴부(342)가 배치된 패드 영역에서, 격벽 패턴층(660)과 두께 조절층(665)의 측면은 정렬되지 않은 상태일 수 있다. 이에 따라 두께 조절층(665)의 상면은 부분적으로 노출되며 패드 패턴부(342)와 맞닿을 수 있다.In addition, in an exemplary embodiment, a side surface of the thickness control layer 665 forming a channel in which the pad pattern portion 342 is disposed may not have an inclination. In addition, in the pad area in which the pad pattern portion 342 is disposed, side surfaces of the partition wall pattern layer 660 and the thickness control layer 665 may be in a state in which they are not aligned. Accordingly, the upper surface of the thickness control layer 665 is partially exposed and may come into contact with the pad pattern portion 342.

도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판(40)의 평면도이다. 도 19는 도 18의 A-A' 선, B-B' 선 및 C-C' 선을 따라 절개한 단면도이다. 18 is a plan view of an inductor composite device substrate 40 according to an embodiment of the present invention. 19 is a cross-sectional view taken along lines A-A', B-B', and C-C' of FIG. 18.

도 18 및 도 19를 참조하면, 본 실시예에 따른 복합 수동 소자 기판은 인덕터 소자와 저항 소자를 포함하는 인덕터 복합 소자 기판(40)일 수 있다. 구체적으로, 인덕터 영역(I)과 저항 영역(R) 및 그 사이에 개재되어 위치한 패드 패턴을 포함하는 인덕터 복합 소자 기판(40) 또는 인덕터 복합 소자일 수 있다.18 and 19, the composite passive device substrate according to the present embodiment may be an inductor composite device substrate 40 including an inductor device and a resistance device. Specifically, it may be an inductor composite device substrate 40 or an inductor composite device including the inductor region I and the resistive region R, and a pad pattern interposed therebetween.

인덕터 복합 소자 기판(40)의 적층 구조에 있어서, 인덕터 복합 소자 기판(40)은 베이스 기판(100) 및 베이스 기판(100) 상에 배치된 액체 금속 패턴층(510)을 포함하고, 두께 조절층(635), 격벽 패턴층(630) 및 씰링층(700)을 더 포함할 수 있다.In the stacked structure of the inductor composite device substrate 40, the inductor composite device substrate 40 includes a base substrate 100 and a liquid metal pattern layer 510 disposed on the base substrate 100, and a thickness control layer It may further include 635, a partition wall pattern layer 630 and a sealing layer 700.

베이스 기판(100)은 액체 금속 패턴층(510)이 배치되기 위한 공간으로서, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)이 속하는 평면 공간을 제공할 수 있다. 베이스 기판(100)은 액체 금속 패턴층(510)을 안정적으로 지지할 수 있으면 그 재료는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 유연성, 신축성, 폴더블 및/또는 롤러블 특성을 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 구체적인 예를 들어, 베이스 기판(100)은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리아크릴레이트, 폴리이미드 등의 고분자 수지로 이루어질 수 있다. 다른 예를 들어, 베이스 기판(100)은 종이 등의 재료로 이루어질 수도 있다. 이 경우 베이스 기판(100)은 소정의 액체 투과성을 가질 수도 있다.The base substrate 100 is a space in which the liquid metal pattern layer 510 is disposed, and may provide a planar space to which the first direction X and the second direction Y belong. The material of the base substrate 100 is not particularly limited as long as it can stably support the liquid metal pattern layer 510, but may be made of, for example, a material having flexibility, elasticity, foldable and/or rollable properties. . For a specific example, the base substrate 100 may be made of a polymer resin such as polydimethylsiloxane (PDMS), polyacrylate, and polyimide. For another example, the base substrate 100 may be made of a material such as paper. In this case, the base substrate 100 may have a predetermined liquid permeability.

베이스 기판(100) 상에는 액체 금속을 포함하는 액체 금속 패턴층(510)이 배치될 수 있다. 상기 액체 금속은 갈륨 및 인듐을 포함하는 복합 조성의 액체 금속일 수 있다.A liquid metal pattern layer 510 including a liquid metal may be disposed on the base substrate 100. The liquid metal may be a liquid metal having a complex composition including gallium and indium.

액체 금속 패턴층(510)은 인덕터 영역(Inductor)에 위치하는 인덕터 선로 패턴부(511), 저항 영역(Resistance)에 위치하는 저항 선로 패턴부(513) 및 패드 영역(Pad)에 위치하는 패드 패턴부(512)를 포함할 수 있다. 인덕터 선로 패턴부(511), 저항 선로 패턴부(513) 및 패드 패턴부(512)는 동일한 층에 위치할 수 있다. 또, 인덕터 선로 패턴부(511), 저항 선로 패턴부(513) 및 패드 패턴부(512)는 물리적 경계 없이 일체로 형성되고, 동일한 액체 금속이 연속적으로 충진된 상태일 수 있다.The liquid metal pattern layer 510 includes an inductor line pattern portion 511 positioned in an inductor, a resistance line pattern portion 513 positioned in a resistance region, and a pad pattern positioned in a pad region Pad. It may include a part 512. The inductor line pattern part 511, the resistance line pattern part 513, and the pad pattern part 512 may be located on the same layer. In addition, the inductor line pattern portion 511, the resistance line pattern portion 513, and the pad pattern portion 512 may be integrally formed without a physical boundary, and may be continuously filled with the same liquid metal.

비제한적인 예시로서, 인덕터 선로 패턴부(511)와 저항 선로 패턴부(513)는 물리적 경계 없이 형성되되, 서로 상이한 조성을 갖는 액체 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 인덕터 선로 패턴부(511)는 갈륨과 인듐을 포함하는 복합 조성의 액체 금속이 충진된 상태이고, 저항 선로 패턴부(513)는 갈륨과 인듐 외 상온에서 고체 상태를 유지하는 나노 입자를 더 포함할 수도 있다. 액체 금속이 상당한 점도를 갖기 때문에 인덕터 선로 패턴부(511)와 저항 선로 패턴부(513)에 상이한 조성의 액체 금속이 충진되더라도 그 상태를 유지할 수 있다. 이 경우 인덕터 선로 패턴부(511)와 저항 선로 패턴부(513)가 물리적 경계를 갖지 않음은 물론이다.As a non-limiting example, the inductor line pattern portion 511 and the resistance line pattern portion 513 are formed without a physical boundary, and may include liquid metals having different compositions. For example, the inductor line pattern part 511 is in a state filled with a liquid metal of a complex composition including gallium and indium, and the resistance line pattern part 513 is a nanoparticle that maintains a solid state at room temperature other than gallium and indium. It may further include. Since the liquid metal has a considerable viscosity, even if the inductor line pattern portion 511 and the resistance line pattern portion 513 are filled with liquid metals of different compositions, the state can be maintained. In this case, it goes without saying that the inductor line pattern portion 511 and the resistance line pattern portion 513 do not have a physical boundary.

도 18은 도 2 등에 따른 저항 패턴과 도 12 등에 따른 인덕터 패턴이 복합된 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되지 않음은 물론이다. 저항 선로 패턴부(513)와 인덕터 선로 패턴부(511)의 평면상 형상, 폭, 피치, 이격 거리 및 그 특성에 대해서는 앞서서 저항 소자 기판 및 인덕터 소자 기판 각각에 대해 상세하게 설명한 바와 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.18 illustrates a case in which the resistance pattern according to FIG. 2 and the like and the inductor pattern according to FIG. 12 are combined, but the present invention is not limited thereto. The planar shape, width, pitch, separation distance, and characteristics of the resistance line pattern portion 513 and the inductor line pattern portion 511 are the same as described in detail for each of the resistance element substrate and the inductor element substrate. Description is omitted.

한편, 두께 조절층(635)은 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 두께 조절층(635)은 절연성을 갖는 재료로 이루어지고, 두께 조절층(635)의 최대 두께는 격벽 패턴층(630)의 최대 두께 보다 작음은 앞서 설명한 바와 같다.Meanwhile, the thickness control layer 635 may be disposed on the base substrate 100. As described above, the thickness control layer 635 is made of an insulating material, and the maximum thickness of the thickness control layer 635 is less than the maximum thickness of the partition pattern layer 630.

두께 조절층(635)은 인덕터 영역(I), 저항 영역(R) 및 패드 영역에 걸쳐 부분적으로 배치될 수 있다. 구체적으로, 두께 조절층(635)은 인덕터 영역(I)의 전면(全面)에 배치될 수 있다. 반면, 두께 조절층(635)은 부분적으로 채널을 형성하도록 패터닝되어 있고, 상기 채널은 적어도 부분적으로 패드 영역 및 저항 영역(R)에 위치할 수 있다. 즉, 두께 조절층(635)은 인덕터 선로 패턴부(511)와 완전히 중첩하고, 패드 패턴부(512) 및 저항 선로 패턴부(513)와 적어도 부분적으로 비중첩할 수 있다.The thickness control layer 635 may be partially disposed over the inductor region I, the resistance region R, and the pad region. Specifically, the thickness control layer 635 may be disposed on the entire surface of the inductor region I. On the other hand, the thickness control layer 635 is partially patterned to form a channel, and the channel may be at least partially located in the pad region and the resistance region R. That is, the thickness control layer 635 may completely overlap the inductor line pattern portion 511 and may at least partially non-overlap the pad pattern portion 512 and the resistance line pattern portion 513.

두께 조절층(635) 및 격벽 패턴층(630)은 함께 액체 금속이 충진되기 위한 채널을 제공할 수 있다. 이 경우 인덕터 선로 패턴부(511)는 격벽 패턴층(630)이 제공하는 채널 내에만 배치되고, 패드 패턴부(512) 및 저항 선로 패턴부(513)는 두께 조절층(635) 및 격벽 패턴층(630)이 제공하는 채널 내에 배치될 수 있다.The thickness control layer 635 and the partition wall pattern layer 630 may provide a channel for filling the liquid metal together. In this case, the inductor line pattern portion 511 is disposed only in a channel provided by the barrier rib pattern layer 630, and the pad pattern portion 512 and the resistance line pattern portion 513 are formed with a thickness control layer 635 and a barrier rib pattern layer. It may be disposed in a channel provided by 630.

즉, 두께 조절층(635)에 의해 인덕터 선로 패턴부(511)의 두께(T511)는 패드 패턴부(512)의 두께(T512) 및 저항 선로 패턴부(513)의 두께(T513)와 상이할 수 있다. 예를 들어, 패드 패턴부(512)의 최대 두께(T512)는 인덕터 선로 패턴부(511)의 평균 두께(T511) 보다 클 수 있다. 또, 저항 선로 패턴부(513)의 평균 두께(T513)는 인덕터 선로 패턴부(511)의 평균 두께(T511) 보다 클 수 있다. 몇몇 실시예에서, 저항 선로 패턴부(513)의 평균 두께(T513)는 패드 패턴부(512)의 최대 두께(T512)와 실질적으로 동일할 수 있다.That is, the thickness (T 513) of the inductor line pattern portion 511. The thickness (T 511) the thickness of the pad pattern portion (512) (T 512) and the resistor line pattern portion 513 of the by controlling layer 635 thickness It can be different from. For example, the maximum thickness T 512 of the pad pattern part 512 may be greater than the average thickness T 511 of the inductor line pattern part 511. In addition, the average thickness T 513 of the resistance line pattern portion 513 may be greater than the average thickness T 511 of the inductor line pattern portion 511. In some embodiments, the average thickness T 513 of the resistance line pattern part 513 may be substantially the same as the maximum thickness T 512 of the pad pattern part 512.

앞서 설명한 것과 같이, 패드 패턴부(512)는 외부의 구성요소와 전기적 접속을 수행하기 때문에 충분한 두께를 가질 필요가 있다. 또, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 본 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판(40)을 튜닝하는 경우에 저항 선로 패턴부(513)가 충분한 두께를 갖도록 하여 튜닝을 용이하게 할 수 있다. 반면, 인덕터 선로 패턴부(511)의 경우 상대적으로 작은 두께를 갖도록 하여 유도기전력을 극대화하고, 나아가 저항 영역(R)에서 신축, 벤딩 내지는 가압의 변형이 발생하더라도 인덕터 영역(I)의 인덕터 선로 패턴부(511)에서의 구조 왜곡을 최소화할 수 있다.As described above, the pad pattern part 512 needs to have a sufficient thickness because it performs electrical connection with external components. In addition, although the present invention is not limited thereto, when tuning the inductor composite device substrate 40 according to the present exemplary embodiment, the resistance line pattern portion 513 may have a sufficient thickness to facilitate tuning. On the other hand, in the case of the inductor line pattern part 511, the induced electromotive force is maximized by having a relatively small thickness. Furthermore, even if the deformation of expansion, bending, or pressing occurs in the resistance region R, the inductor line pattern of the inductor region I Structural distortion in the unit 511 can be minimized.

다시 말해서, 예를 들어 인덕터 복합 소자 기판(40)을 튜닝하여 임피던스를 조절하는 경우에, 인덕터 복합 소자 기판(40)을 신축하거나, 벤딩하거나, 또는 가압하는 경우에, 인덕터 영역(I)의 구조 변형의 정도에 비해 저항 영역(R)의 구조 변형을 크게 할 수 있고, 리액턴스 성분은 유지하면서 저항 성분의 크기만을 가변적으로 변화시킬 수 있다. 따라서 원하는 임피던스로의 조절이 용이해지는 장점이 있다.In other words, for example, when the inductor composite device substrate 40 is tuned to adjust the impedance, the inductor composite device substrate 40 is stretched, bent, or pressed, the structure of the inductor region I Compared to the degree of deformation, structural deformation of the resistance region R can be increased, and only the size of the resistance component can be variably changed while maintaining the reactance component. Therefore, there is an advantage in that adjustment to a desired impedance becomes easy.

도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판(41)의 단면도로서, 도 19와 상응하는 위치를 나타낸 단면도이다.FIG. 20 is a cross-sectional view of an inductor composite device substrate 41 according to another embodiment of the present invention, showing a position corresponding to that of FIG. 19.

도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판(41)의 액체 금속 패턴층(520)의 측면은 부분적으로 경사를 갖는 점이 도 19 등의 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판(40)과 상이한 점이다.Referring to FIG. 20, a side surface of the liquid metal pattern layer 520 of the inductor composite device substrate 41 according to the present embodiment has a partially inclined point. The inductor composite device substrate 40 according to the embodiment of FIG. Is different.

예시적인 실시예에서, 패드 패턴부(522)의 측면은 테이퍼진 형상의 경사를 가질 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이 액체 금속 패턴층(520)은 상온에서 액체 상태를 유지하는 액체 금속으로 형성될 수 있다. 이 경우 채널의 상단부를 형성하는 격벽 패턴층(640)의 측면이 역경사를 갖도록 하여 액체 금속을 안정적으로 트랩할 수 있다.In an exemplary embodiment, a side surface of the pad pattern portion 522 may have a tapered slope. As described above, the liquid metal pattern layer 520 may be formed of a liquid metal that maintains a liquid state at room temperature. In this case, the side surface of the partition wall pattern layer 640 forming the upper end of the channel may have a reverse slope, thereby stably trapping the liquid metal.

패드 패턴부(522)는 인덕터 선로 패턴부(521) 및 저항 선로 패턴부(523)에 비해 상대적으로 넓은 면적을 차지하며, 인덕터 복합 소자 기판(40) 외부의 다른 구성요소와 전기적 연결이 이루어지는 부분일 수 있다. 따라서 액체 금속의 안정적인 트랩이 매우 중요하며 패드 패턴부(522)의 측면 경사각을 상대적으로 작게 형성하여 구조의 안정성 및 외부 구성요소와의 전기적 접속의 안정성을 도모할 수 있다.The pad pattern portion 522 occupies a relatively large area compared to the inductor line pattern portion 521 and the resistance line pattern portion 523, and is electrically connected to other components outside the inductor composite device substrate 40 Can be Therefore, a stable trap of liquid metal is very important, and by forming a relatively small side inclination angle of the pad pattern portion 522, it is possible to achieve stability of the structure and stability of electrical connection with external components.

또, 인덕터 선로 패턴부(521)의 측면 및 저항 선로 패턴부(523)의 측면은 패드 패턴부(522)의 측면 보다 큰 경사각을 가질 수 있다. 도 20은 인덕터 선로 패턴부(521)와 저항 선로 패턴부(523)가 모두 90도 미만의 경사각을 갖는 경우를 예시하고 있으나, 패드 패턴부(522)의 측면이 90도 미만의 경사각을 가지되, 인덕터 선로 패턴부(521)와 저항 선로 패턴부(523)가 각각 약 90도의 경사각을 갖는 경우 또한 본 실시예의 균등한 변경의 범위에 속함을 통상의 기술자는 이해할 수 있을 것이다.Further, a side surface of the inductor line pattern part 521 and a side surface of the resistance line pattern part 523 may have a larger inclination angle than a side surface of the pad pattern part 522. 20 illustrates a case where both the inductor line pattern part 521 and the resistance line pattern part 523 have an inclination angle of less than 90 degrees, but the side of the pad pattern part 522 has an inclination angle of less than 90 degrees. , It will be appreciated by those of ordinary skill in the art that when the inductor line pattern portion 521 and the resistance line pattern portion 523 each have an inclination angle of about 90 degrees, they are also within the range of equal changes in the present embodiment.

인덕터 선로 패턴부(521) 및 저항 선로 패턴부(523) 또한 소정의 측면 경사각을 가지고 액체 금속이 안정적으로 트랩되어야 하는 필요성은 패드 패턴부(522)와 동일하나, 인덕터 선로 패턴부(521) 및 저항 선로 패턴부(523)는 패드 패턴부(522)와 다소 상이한 특성이 요구된다. 즉, 인덕터 선로 패턴부(521) 및 저항 선로 패턴부(523)는 전류의 흐름에 기여하는 정도가 상대적으로 더 크고, 국부적인 면저항의 차이가 수동 소자의 전기적 특성에 영향을 줄 수 있다.The inductor line pattern portion 521 and the resistance line pattern portion 523 also have a predetermined side inclination angle and the necessity of stably trapping the liquid metal is the same as that of the pad pattern portion 522, but the inductor line pattern portion 521 and The resistance line pattern portion 523 is required to have slightly different characteristics from the pad pattern portion 522. That is, the inductor line pattern part 521 and the resistance line pattern part 523 have a relatively greater degree of contributing to the flow of current, and a difference in local sheet resistance may affect the electrical characteristics of the passive element.

예를 들어, 인덕터 선로 패턴부(521) 및 저항 선로 패턴부(523)의 측면 경사각이 지나치게 작을 경우 선로의 상단에서의 폭과 하단에서의 폭 간에 차이가 커질 수 있고, 선로의 상부와 하부에서의 저항이 국부적으로 상이해질 수 있다. 이 같은 관점에서, 인덕터 선로 패턴부(521)의 측면 경사각(θ1) 및 저항 선로 패턴부(523)의 측면 경사각(θ3)은 각각 약 80도 내지 85도이고, 패드 패턴부(522)의 측면 경사각(θ2)은 약 60도 내지 84도, 또는 약 70도 내지 80도일 수 있다.For example, when the side inclination angles of the inductor line pattern part 521 and the resistance line pattern part 523 are too small, the difference between the width at the top and the bottom of the line may increase, and at the top and bottom of the line The resistance of may be locally different. In this respect, the side inclination angle θ 1 of the inductor line pattern part 521 and the side inclination angle θ 3 of the resistance line pattern part 523 are about 80 to 85 degrees, respectively, and the pad pattern part 522 The side inclination angle (θ 2 ) of may be about 60 degrees to 84 degrees, or about 70 degrees to 80 degrees.

한편, 저항 영역(R)의 격벽 패턴층(640)의 측면과 두께 조절층(645)의 측면은 정렬되되, 패드 영역에서 격벽 패턴층(640)의 측면과 두께 조절층(645)의 측면은 정렬되지 않음은 앞서 설명한 바와 동일하다.On the other hand, the side of the barrier pattern layer 640 of the resistance region R and the side of the thickness control layer 645 are aligned, but the side of the barrier pattern layer 640 and the side of the thickness control layer 645 in the pad area are Not aligned is the same as described above.

몇몇 실시예에서, 저항 선로 패턴부(523)의 측면 경사각(θ3)은 인덕터 선로 패턴부(521)의 측면 경사각(θ1) 보다 크거나 같을 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 측면 경사각이 작을 경우, 인덕터 복합 소자 기판(41)이 부분적으로 신축, 벤딩 또는 가압되는 경우에 구조의 변형이 상대적으로 작을 수 있다. 따라서 인덕터 선로 패턴부(521)의 경사각(θ1)을 저항 선로 패턴부(523)의 경사각(θ3) 보다 작게 하여 튜닝 안정성을 보다 개선할 수 있는 효과가 있다.In some embodiments, the side inclination angle θ 3 of the resistance line pattern part 523 may be greater than or equal to the side inclination angle θ 1 of the inductor line pattern part 521. Although the present invention is not limited thereto, when the side inclination angle is small, the deformation of the structure may be relatively small when the inductor composite device substrate 41 is partially stretched, bent, or pressed. Therefore, by making the inclination angle θ 1 of the inductor line pattern part 521 smaller than the inclination angle θ 3 of the resistance line pattern part 523, there is an effect of further improving tuning stability.

이하, 도 20의 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판(41)을 예로 하여 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the inductor composite device substrate 41 according to the embodiment of FIG. 20 will be described.

도 21 내지 도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 21 to 24 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an inductor composite device substrate according to an embodiment of the present invention.

우선 도 21을 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 두께 조절층(645)을 배치한다. 두께 조절층(645)은 부분적으로 제1 채널을 형성하도록 패터닝될 수 있다. 평면도로 표현하지 않았으나, 상기 제1 채널은 평면 시점에서 지그재그 형상의 채널 영역(즉, 저항 채널 영역) 및 패드 채널을 포함할 수 있다. 즉, 제1 채널은 저항 영역 내에 위치할 수 있다.First, referring to FIG. 21, a thickness control layer 645 is disposed on the base substrate 100. The thickness control layer 645 may be partially patterned to form the first channel. Although not expressed in a plan view, the first channel may include a zigzag-shaped channel region (ie, a resistance channel region) and a pad channel at a plan view. That is, the first channel may be located in the resistance region.

베이스 기판(100) 및 두께 조절층(645)에 대해서는 앞서 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.Since the base substrate 100 and the thickness control layer 645 have been described in detail above, overlapping descriptions will be omitted.

이어서 도 22를 더 참조하면, 두께 조절층(645) 상에 격벽 패턴층(640)을 배치한다. 격벽 패턴층(640)은 두께 조절층(645) 상에 직접 배치될 수 있다. 또, 격벽 패턴층(640)은 베이스 기판(100)과 맞닿지 않도록 배치될 수 있다. 격벽 패턴층(640)은 제2 채널을 형성할 수 있다. 격벽 패턴층(640)의 측면은 역테이퍼 형상의 역경사를 가질 수 있다. 평면도로 표현하지 않았으나, 상기 제2 채널은 평면 시점에서 지그재그 형상의 채널 영역(즉, 저항 채널 영역), 나선 형상의 채널 영역(즉, 인덕터 채널 영역) 및 패드 채널을 포함할 수 있다. 즉, 제2 채널은 저항 영역 및 인덕터 영역 내에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 인덕터 채널 영역은 평면상 라운드진 형상일 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 22 further, the partition wall pattern layer 640 is disposed on the thickness control layer 645. The partition wall pattern layer 640 may be directly disposed on the thickness control layer 645. In addition, the partition wall pattern layer 640 may be disposed so as not to contact the base substrate 100. The barrier rib pattern layer 640 may form a second channel. The side surface of the barrier rib pattern layer 640 may have a reverse slope of an inverted tapered shape. Although not shown in a plan view, the second channel may include a zigzag-shaped channel region (ie, a resistance channel region), a helical channel region (ie, an inductor channel region), and a pad channel at a plan view. That is, the second channel may be located in the resistance region and the inductor region. In some embodiments, the inductor channel region may be rounded in plan.

격벽 패턴층(640)에 대해서는 앞서 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.Since the partition wall pattern layer 640 has been described in detail above, overlapping descriptions will be omitted.

이어서 도 23을 더 참조하면, 격벽 패턴층(640) 상에 씰링층(700)을 배치한다. 도면으로 표현하지 않았으나, 격벽 패턴층(640)과 씰링층(700) 사이에는 접착층(미도시)이 개재될 수도 있다.Subsequently, referring to FIG. 23 further, a sealing layer 700 is disposed on the partition pattern layer 640. Although not shown in the drawings, an adhesive layer (not shown) may be interposed between the partition pattern layer 640 and the sealing layer 700.

베이스 기판(100), 두께 조절층(645), 격벽 패턴층(640) 및 씰링층(700)으로 둘러싸이는 공간은 비어있을 수 있다. 즉, 두께 조절층(645)이 형성하는 제1 채널 및 격벽 패턴층(640)이 형성하는 제2 채널은 함께 비어있는 내부 공간을 형성할 수 있다.The space surrounded by the base substrate 100, the thickness control layer 645, the partition wall pattern layer 640, and the sealing layer 700 may be empty. That is, the first channel formed by the thickness control layer 645 and the second channel formed by the partition wall pattern layer 640 may form an empty inner space together.

보다 상세하게 설명하면, 제1 채널은 패드 채널 영역 및 저항 채널 영역과 연결되되, 인덕터 채널 영역과 연결되지 않을 수 있다. 제2 채널은 패드 채널 영역, 저항 채널 영역 및 인덕터 채널 영역과 모두 연결될 수 있다.In more detail, the first channel may be connected to the pad channel region and the resistance channel region, but not to the inductor channel region. The second channel may be connected to all of the pad channel region, the resistance channel region, and the inductor channel region.

이어서 도 24를 더 참조하면, 비어있는 제1 채널 및 제2 채널 내에 액체 금속을 주입 또는 충진하여 액체 금속 패턴층(520)을 형성한다. 예시적인 실시예에서, 한번의 액체 금속 주입 공정을 통해 인덕터 채널 영역, 패드 채널 영역 및 저항 채널 영역이 모두 충진될 수 있다. 상기 인덕터 채널 영역 내에 충진된 액체 금속은 인덕터 선로 패턴부(521)를 형성하고, 패드 채널 영역 내에 충진된 액체 금속은 패드 패턴부(522)를 형성하며, 저항 채널 영역 내에 충진된 액체 금속은 저항 선로 패턴부(523)를 형성할 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 24 further, a liquid metal pattern layer 520 is formed by injecting or filling a liquid metal into the empty first and second channels. In an exemplary embodiment, all of the inductor channel region, the pad channel region, and the resistance channel region may be filled through a single liquid metal injection process. The liquid metal filled in the inductor channel region forms the inductor line pattern part 521, the liquid metal filled in the pad channel region forms the pad pattern part 522, and the liquid metal filled in the resistance channel region forms a resistance. The line pattern portion 523 may be formed.

비제한적인 예시로서, 인덕터 선로 패턴부(521)와 저항 선로 패턴부(523)는 물리적 경계 없이 형성되되, 서로 상이한 조성을 갖는 액체 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 인덕터 선로 패턴부(521)와 달리 저항 선로 패턴부(523)는 상온에서 고체 상태를 유지하는 나노 입자가 부유된 액체 금속으로 형성될 수 있다. 이 경우, 인덕터 선로 패턴부(521) 측으로부터 충진 공정이 수행되고, 저항 선로 패턴부(523) 측으로부터 충진 공정이 수행될 수 있다. 상기 양측의 충진 공정은 동시에, 또는 순차적으로 이루어질 수 있다. 액체 금속이 상당한 점도를 갖기 때문에 인덕터 선로 패턴부(521)와 저항 선로 패턴부(523)에 서로 상이한 조성의 액체 금속이 충진되더라도 그 상태를 유지할 수 있다.As a non-limiting example, the inductor line pattern portion 521 and the resistance line pattern portion 523 are formed without a physical boundary, and may include liquid metals having different compositions. For example, unlike the inductor line pattern portion 521, the resistance line pattern portion 523 may be formed of a liquid metal in which nanoparticles maintaining a solid state at room temperature are suspended. In this case, a filling process may be performed from the inductor line pattern portion 521 side, and a filling process may be performed from the resistance line pattern portion 523 side. The filling process on both sides may be performed simultaneously or sequentially. Since the liquid metal has a considerable viscosity, even if the inductor line pattern portion 521 and the resistance line pattern portion 523 are filled with liquid metals of different compositions, the state can be maintained.

본 실시예에 따른 인덕터 복합 소자 기판의 제조 방법을 통해 제조된 인덕터 복합 소자 기판은 상온에서 액체 상태를 유지하는 액체 금속 패턴층(520)을 안정적으로 유지하여 전기적 특성이 우수하다. 뿐만 아니라 인덕터 복합 소자 기판을 튜닝하는 경우에, 인덕터 선로 패턴부(521)에 가해지는 구조적 변형은 최소화하면서도 저항 선로 패턴부(523)에 가해지는 구조적 변형을 야기할 수 있어 효율적인 임피던스 제어가 가능한 효과가 있다.The inductor composite device substrate manufactured through the method of manufacturing the inductor composite device substrate according to the present exemplary embodiment has excellent electrical characteristics by stably maintaining the liquid metal pattern layer 520 maintaining a liquid state at room temperature. In addition, when tuning the inductor composite device substrate, structural deformation applied to the resistance line pattern part 523 can be minimized while minimizing structural deformation applied to the inductor line pattern part 521, thereby enabling efficient impedance control. There is.

이하, 제조예 및 실험예를 더 참조하여 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Preparation Examples and Experimental Examples.

[제조예 1-1][Production Example 1-1]

도 1에 도시된 것과 같은 형상의 저항 소자 기판을 제조하였다. 그리고 그 이미지를 도 25에 나타내었다.A resistive element substrate having a shape as shown in FIG. 1 was manufactured. And the image is shown in Figure 25.

액체 금속으로는 갈륨과 인듐의 혼합 조성을 이용하였다. 적층 구조는 도 7과 같이 구성하였다. 베이스 기판으로는 종이를 이용하였다.As the liquid metal, a mixed composition of gallium and indium was used. The laminated structure was configured as shown in FIG. 7. Paper was used as the base substrate.

[제조예 1-2][Production Example 1-2]

도 2에 도시된 것과 같은 형상의 저항 소자 기판을 제조하였다. 그리고 그 이미지를 도 26에 나타내었다. 평면상 형상을 다르게 한 것을 제외하고는 제조예 1-1과 동일한 방법으로 제조하였다.A resistive element substrate having a shape as shown in FIG. 2 was manufactured. And the image is shown in Figure 26. It was prepared in the same manner as in Preparation Example 1-1, except that the planar shape was different.

[제조예 2-1][Production Example 2-1]

도 11에 도시된 것과 같은 형상의 인덕터 소자 기판을 제조하였다. 그리고 그 이미지를 도 27에 나타내었다.An inductor element substrate having a shape as shown in FIG. 11 was manufactured. And the image is shown in Figure 27.

액체 금속으로는 갈륨과 인듐의 혼합 조성을 이용하였다. 적층 구조는 도 17과 같이 구성하였다. 베이스 기판으로는 종이를 이용하였다.As the liquid metal, a mixed composition of gallium and indium was used. The laminated structure was configured as shown in FIG. 17. Paper was used as the base substrate.

[제조예 2-2][Production Example 2-2]

도 12에 도시된 것과 같은 형상의 인덕터 소자 기판을 제조하였다. 그리고 그 이미지를 도 28에 나타내었다. 평면상 형상을 다르게 한 것을 제외하고는 제조예 2-1과 동일한 방법으로 제조하였다.An inductor element substrate having a shape as shown in FIG. 12 was manufactured. And the image is shown in Figure 28. It was prepared in the same manner as in Preparation Example 2-1, except that the planar shape was different.

[실험예][Experimental Example]

제조예 2-2에서 준비된 인덕터 소자 기판의 특성을 측정하여 도 29에 나타내었다. 도 29를 참조하면, 본 발명에 따른 액체 금속을 이용한 인덕터 소자 기판은 1.63μH의 인덕턴스를 나타내며 인덕터 소자로 기능하기에 충분한 것을 확인할 수 있다.The properties of the inductor element substrate prepared in Preparation Example 2-2 were measured and shown in FIG. 29. Referring to FIG. 29, it can be seen that the inductor element substrate using the liquid metal according to the present invention exhibits an inductance of 1.63 μH and is sufficient to function as an inductor element.

이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 이상에서 예시된 기술 사상의 변경물, 균등물 내지는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments of the present invention have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention pertains should not depart from the essential characteristics of the embodiments of the present invention. It will be appreciated that various modifications and applications not illustrated above are possible. Therefore, the scope of the present invention should be understood to include modifications, equivalents, or substitutes of the technical idea exemplified above. For example, each component specifically shown in the embodiment of the present invention can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

40: 인덕터 복합 소자 기판
100: 베이스 기판
510: 액체 금속 패턴층
511: 인덕터 선로 패턴부
512: 패드 패턴부
513: 저항 선로 패턴부
630: 격벽 패턴층
635: 두께 조절층
700: 씰링층
40: inductor composite device substrate
100: base substrate
510: liquid metal pattern layer
511: inductor line pattern portion
512: pad pattern part
513: resistance line pattern portion
630: bulkhead pattern layer
635: thickness control layer
700: sealing layer

Claims (1)

유연성 기판 상에 액체 금속을 이용하여 저항 패턴 및 인덕터 패턴을 연속적으로 구성한 유연성 인덕터 복합 소자 기판.A flexible inductor composite device substrate in which a resistance pattern and an inductor pattern are continuously formed on a flexible substrate using a liquid metal.
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