KR101993314B1 - Layered-substrate including liquid metal, flexible filter element using the layered-substrate, and method of preparing the filter element - Google Patents

Layered-substrate including liquid metal, flexible filter element using the layered-substrate, and method of preparing the filter element Download PDF

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Abstract

Provided are a laminated substrate including liquid metal, a flexible filter element using the same, and a manufacturing method of the flexible filter element. The laminated substrate comprises: a first based on which a first contact hole is formed; a second base disposed on the other surface of the first base, having a second hole connected to the first contact hole, and having liquid permeability different from liquid permeability of the first base; a first metal pattern disposed on one surface of the first base; a second metal pattern disposed on the other surface of the second base; and a contact unit inserted into the first and second contact holes and electrically connecting the first and second metal patterns.

Description

액체 금속을 포함하는 기판 적층체, 이를 이용한 유연성 필터 소자 및 필터 소자의 제조 방법{LAYERED-SUBSTRATE INCLUDING LIQUID METAL, FLEXIBLE FILTER ELEMENT USING THE LAYERED-SUBSTRATE, AND METHOD OF PREPARING THE FILTER ELEMENT}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate laminate including a liquid metal, a flexible filter element using the same, and a method of manufacturing a filter element using the same. BACKGROUND ART < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 액체 금속을 포함하는 기판 적층체, 이를 이용한 유연성 필터 소자 및 유연성 필터 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 인덕터 소자와 커패시터 소자 간의 전기적 접속을 개선하기 위한 유연성 기판 적층체, 이를 이용한 유연성 필터 소자 및 유연성 필터 소자의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate laminate including a liquid metal, a flexible filter element using the same and a method of manufacturing a flexible filter element, and more particularly, to a flexible substrate laminate for improving electrical connection between an inductor element and a capacitor element, And a method of manufacturing the flexible filter element.

최근 IoT 기술 발전에 힘입어 다양한 센서 디바이스가 개발되고 있다. 예를 들어, 인간 등의 동물에 부착되는 생체 모니터링 디바이스는 체표면에 부착되어 체액 성분을 측정하거나, 체온 정보, 심박 정보, 위치 정보 및 기타 다양한 정보들을 수집하고 수집된 정보를 바탕으로 신체 활동을 관리할 수 있다. 다른 예를 들어, 식품에 부착되는 식품 안전 모니터링 디바이스는 식품의 유통 이력과 품질 등에 대한 정보를 수집하여 식품 안정성을 확보하고, 국민 건강 증진에 기여할 수 있다.Recently, various sensor devices are being developed due to the development of IoT technology. For example, a living body monitoring device attached to an animal such as a human is attached to a body surface to measure body fluid components, collect body temperature information, heartbeat information, position information, and other various information, Can be managed. As another example, a food safety monitoring device attached to a food can collect information on the history and quality of the food to ensure food stability and contribute to public health promotion.

이러한 센서 디바이스는 구비되는 표면에 따라 다양한 특성을 만족하여야 한다. 전술한 생체 모니터링 또는 식품 모니터링 디바이스의 경우, 센서 디바이스가 부착되는 대상 표면이 곡면이고, 나아가 대상 표면이 유동적이어서 대상 표면과 센서 디바이스 간의 밀착성이 불량할 경우 센싱 감도가 현저하게 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 완전한 유연성(flexibility)을 갖는 센서 디바이스의 구현을 위한 기술의 개발이 절실하게 요구되고 있다. Such a sensor device must satisfy various characteristics depending on the surface thereof. In the case of the above-described biomedical monitoring or food monitoring device, if the object surface to which the sensor device is attached is a curved surface and further the object surface is fluid, if the adhesion between the object surface and the sensor device is poor, have. Therefore, there is an urgent need to develop a technology for realizing a sensor device with complete flexibility.

특허문헌 1(US 9,945,739 B2)은 비정질 금속을 이용한 압력 및 온도 센서를 개시한다. 구체적으로, 특허문헌 1은 전자 피부용도로 사용할 수 있도록 스트레처블(stretchable)한 특성을 갖는 센서 디바이스를 개시한다. 특허문헌 1은 유연한 센서를 구현하기 위해 비정질 금속 및 이의 합금을 이용하여 디바이스의 배선을 형성하고 있으나, 특허문헌 1의 센서 디바이스 또한 유연성이 개선된 금속층을 이용하는 정도에 그치고 있으며, 디바이스가 구부러지는 정도가 크거나, 완전히 폴딩될 경우 배선이 파손되는 문제를 여전히 가지고 있다.Patent Document 1 (US 9,945,739 B2) discloses a pressure and temperature sensor using amorphous metal. Specifically, Patent Document 1 discloses a sensor device having a characteristic that is stretchable so that it can be used for electronic skin. Patent Document 1 discloses that a wiring of a device is formed using an amorphous metal and an alloy thereof in order to realize a flexible sensor. However, the sensor device of Patent Document 1 is limited to a degree of using a metal layer having improved flexibility, Or the wiring is broken if the wiring is completely folded.

또, 특허문헌 2(US 10,184,779 B2)는 인공 근육이나 인공 피부 등 메디컬 재료 분야 등 신축성을 갖는 센서에 사용되는 신축성 전극 및 센서 시트 등을 개시한다. 특허문헌 2는 다층 카본나노튜브를 이용한 섬유를 이용하여 전극 본체를 형성함을 교시한다. 그러나 특허문헌 2의 카본나노튜브는 국부적인 전극 형성이 가능하다 하더라도 배선 등을 형성하기 극히 어려운 한계가 있다.Patent Document 2 (US Pat. No. 10,184,779 B2) discloses a stretchable electrode and a sensor sheet for use in stretchable sensors such as artificial muscles and medical materials such as artificial skin. Patent Document 2 teaches formation of an electrode body using fibers using multi-layer carbon nanotubes. However, even if a local electrode can be formed, the carbon nanotube of Patent Document 2 has an extremely difficult limit to form wiring and the like.

그 외에도 특허문헌 3(US 8,826,747 B2), 특허문헌 4(US 2019-0003818 A1) 및 특허문헌 5(US 2018-0192911 A1) 등과 같이 유연성 센서 디바이스를 구현하기 위한 다양한 시도들이 이루어지고 있다.In addition, various attempts have been made to implement a flexible sensor device such as Patent Document 3 (US 8,826,747 B2), Patent Document 4 (US 2019-0003818 A1), and Patent Document 5 (US 2018-0192911 A1).

미국등록특허 US 9,945,739 B2 (2018.04.17.)US registered patent US 9,945,739 B2 (Apr. 17, 2018). 미국등록특허 US 10,184,779 B2 (2019.01.22.)U.S. Pat. No. 10,184,779 B2 (Apr. 21, 2019). 미국등록특허 US 8,826,747 B2 (2014.09.09.)US registered patent US 8,826,747 B2 (2014.09.09.) 미국공개특허 US 2019-0003818 A1 (2019.01.03.)US Published Patent US 2019-0003818 A1 (Mar. 미국공개특허 US 2018-0192911 A1 (2018.07.12.)US Published Patent US 2018-0192911 A1 (Jul. 12, 2018).

한편, 센서 등의 전자 디바이스는 다양한 능동 소자 및 수동 소자를 이용하여 구성된 전자 회로로 구성되어 있다. 예를 들어, 전자 디바이스는 고역 필터(high-pass filter, HPF) 및/또는 저역 필터(low-pass filter, LPF) 등과 같은 필터 소자를 포함할 수 있다. 특히 특정 주파수 대역만을 투과시키거나, 투과를 저지하기 위한 필터 소자의 경우 필터를 구성하는 배선의 안정성이 매우 중요한 요소가 될 수 있다. 예를 들어, 필터 소자의 배선이 부분적으로 파손되거나, 변형될 경우 필터 소자가 안정적인 특성을 나타내지 못하고, 나아가 센서 디바이스 등의 전자 디바이스 전체의 현저한 성능 저하가 발생할 수 있다.On the other hand, an electronic device such as a sensor is constituted by an electronic circuit configured by using various active elements and passive elements. For example, the electronic device may include a filter element such as a high-pass filter (HPF) and / or a low-pass filter (LPF). In particular, in the case of a filter element for transmitting only a specific frequency band or blocking transmission, the stability of the wiring constituting the filter can be a very important factor. For example, when the wiring of the filter element is partially broken or deformed, the filter element does not exhibit stable characteristics, and furthermore, remarkable performance degradation of the entire electronic device such as the sensor device may occur.

이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유연성을 나타낼 수 있는 기판 적층체를 제공하는 것이다. 동시에, 상부의 금속 패턴과 하부의 금속 패턴 간의 전기적 접속이 향상되어 안정적인 구조를 형성할 수 있는 기판 적층체를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate laminate capable of exhibiting flexibility. At the same time, it is an object of the present invention to provide a substrate laminate capable of improving the electrical connection between the upper metal pattern and the lower metal pattern to form a stable structure.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 우수한 유연성을 가지고, 상/하부의 수동 소자들 간의 전기적 접속이 향상되어 안정적인 구조를 형성할 수 있는 필터 소자를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a filter element having excellent flexibility and improved electrical connection between upper and lower passive elements to form a stable structure.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 유연성을 나타냄과 동시에 전기적 접속이 향상된 필터 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다. 또, 제조 비용을 절감하고 단순화된 공정을 갖는 필터 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a filter element showing flexibility and improved electrical connection. It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a filter element having a simplified manufacturing process and a reduced manufacturing cost.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing the same.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 적층체는, 제1 컨택홀이 형성된 제1 베이스; 상기 제1 베이스의 타면 상에 배치되고, 상기 제1 컨택홀과 연결된 제2 컨택홀을 가지며, 상기 제1 베이스와 상이한 액체 투과도를 갖는 제2 베이스; 상기 제1 베이스의 일면 상에 배치된 제1 금속 패턴; 상기 제2 베이스의 타면 상에 배치되는 제2 금속 패턴; 및 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀에 삽입 배치되어 상기 제1 금속 패턴과 상기 제2 금속 패턴을 전기적으로 연결하는 컨택부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate stack including: a first base having a first contact hole; A second base disposed on the other surface of the first base and having a second contact hole connected to the first contact hole, the second base having a liquid permeability different from that of the first base; A first metal pattern disposed on one surface of the first base; A second metal pattern disposed on the other surface of the second base; And a contact portion that is inserted into the first contact hole and the second contact hole and electrically connects the first metal pattern and the second metal pattern.

상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴은 각각 인덕터 소자 및 커패시터 소자를 형성할 수 있다.The first metal pattern and the second metal pattern may form an inductor element and a capacitor element, respectively.

또, 상기 제1 컨택홀 또는 상기 제2 컨택홀은 각각 상기 제2 금속 패턴 측에서 상기 제1 금속 패턴 측으로 갈수록 폭이 감소할 수 있다.The width of the first contact hole or the second contact hole may decrease from the second metal pattern side toward the first metal pattern side.

또한, 상기 제2 베이스는 상기 제1 베이스 보다 작은 액체 투과도를 가질 수 있다. 나아가, 상기 제2 베이스는 상기 제1 베이스 보다 큰 강도를 가질 수 있다.In addition, the second base may have a liquid permeability lower than that of the first base. Furthermore, the second base may have a greater strength than the first base.

상기 제1 베이스는, 상기 제1 컨택홀의 내측벽 표면에 위치하고, 액체 금속이 충진되어 형성되며, 상기 컨택부와 맞닿는 제1 침습 도통부를 포함할 수 있다.The first base may include a first intrusion conductive portion which is located on an inner wall surface of the first contact hole, is filled with liquid metal, and contacts the contact portion.

상기 제1 금속 패턴은, 서로 이격된 제1 인덕터 접점 패드부 및 제2 인덕터 접점 패드부, 및 상기 제1 인덕터 접점 패드부와 상기 제2 인덕터 접점 패드부를 전기적으로 연결된 인덕터 회로 패턴부를 포함할 수 있다.The first metal pattern may include a first inductor contact pad portion and a second inductor contact pad portion spaced apart from each other and an inductor circuit pattern portion electrically connected to the first inductor contact pad portion and the second inductor contact pad portion. have.

또, 상기 제1 베이스는, 상기 제1 베이스의 상기 일면의 표면에 위치하고, 액체 금속이 충진되어 형성된 제2 침습 도통부를 더 포함할 수 있다.In addition, the first base may further include a second immersion conductive portion located on a surface of the one surface of the first base and filled with liquid metal.

여기서, 상기 제1 침습 도통부는 상기 제1 인덕터 접점 패드부와 맞닿아 중첩하되, 상기 제2 인덕터 접점 패드부 및 상기 인덕터 회로 패턴부와 중첩하지 않을 수 있다.Here, the first intrusion conductive part may be in contact with the first inductor contact pad part so as not to overlap with the second inductor contact pad part and the inductor circuit pattern part.

또, 상기 제2 침습 도통부는 상기 제2 인덕터 접점 패드부와 맞닿아 중첩하되, 상기 제1 인덕터 접점 패드부 및 상기 인덕터 회로 패턴부와 중첩하지 않을 수 있다.In addition, the second intrusion conductive portion may be overlapped with the second inductor contact pad portion so as not to overlap with the first inductor contact pad portion and the inductor circuit pattern portion.

상기 제1 침습 도통부의 최대 두께는 상기 제1 베이스의 최대 두께의 50% 이하일 수 있다.The maximum thickness of the first intrusion conductive portion may be 50% or less of the maximum thickness of the first base.

상기 제1 침습 도통부 및 상기 제2 침습 도통부는 상기 인덕터 회로 패턴부와 맞닿지 않을 수 있다.The first intrusion conductive portion and the second intrusion conductive portion may not touch the inductor circuit pattern portion.

또, 상기 인덕터 회로 패턴부는 평면 시점에서 라운드진 형상을 가질 수 있다.In addition, the inductor circuit pattern portion may have a rounded shape at a plan view.

또한, 상기 제2 베이스는 액체 금속이 충진된 부분을 불포함할 수 있다.Further, the second base may not include the portion filled with the liquid metal.

상기 컨택부 및 상기 제1 침습 도통부는 함께 상기 제1 금속 패턴과 상기 제2 금속 패턴 사이의 전기적 도통 영역을 형성할 수 있다.The contact portion and the first intrusion conductive portion may form an electrical conduction region between the first metal pattern and the second metal pattern.

여기서, 상기 제1 컨택홀과 상기 제1 침습 도통부가 형성하는 도통 영역의 최소폭은, 상기 제2 컨택홀의 최소폭 보다 클 수 있다.Here, the minimum width of the conductive region formed by the first contact hole and the first intrusion conductive portion may be larger than the minimum width of the second contact hole.

상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴은 각각 내부에 도전성 입자가 분산된 액체 금속을 포함하되, 상기 제1 침습 도통부 및 상기 제2 침습 도통부는 상기 도전성 입자를 불포함할 수 있다.The first metal pattern and the second metal pattern each include a liquid metal in which conductive particles are dispersed, and the first and second intrusion conductive parts may not include the conductive particles.

나아가, 상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴은 각각 경사진 측면을 가질 수 있다.Further, the first metal pattern and the second metal pattern may each have an inclined side surface.

이 경우, 상기 제1 금속 패턴이 형성하는 경사각은 상기 제2 금속 패턴이 형성하는 경사각 보다 클 수 있다.In this case, the inclination angle formed by the first metal pattern may be larger than the inclination angle formed by the second metal pattern.

또, 상기 제1 금속 패턴의 최소 두께는 상기 제2 금속 패턴의 최소 두께 보다 작을 수 있다.The minimum thickness of the first metal pattern may be smaller than the minimum thickness of the second metal pattern.

기판 적층체는 상기 제1 베이스의 일면 상에 배치되어 상기 제1 금속 패턴이 배치되는 채널을 형성하는 격벽 패턴; 상기 격벽 패턴의 측면 상에 배치된 보강층; 상기 제1 베이스의 일면 상에 배치되고, 상기 채널 내에 배치되며, 상기 제1 베이스 및 상기 제1 금속 패턴과 맞닿는 투과 차단층으로서, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀과 중첩하지 않도록 배치된 투과 차단층; 상기 격벽 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀과 중첩하는 홀을 갖는 밀봉층; 및 상기 밀봉층의 홀 상에 배치되어 상기 홀을 커버하고, 상기 제1 금속 패턴과 맞닿으며, 상기 투과 차단층과 중첩하지 않도록 배치된 커버 부재를 더 포함할 수 있다.The substrate stack may include: a barrier rib pattern disposed on one surface of the first base to form a channel in which the first metal pattern is disposed; A reinforcing layer disposed on a side surface of the barrier rib pattern; A transmission barrier layer disposed on one side of the first base and disposed in the channel and contacting the first base and the first metal pattern, the first and second contact holes being arranged so as not to overlap with the first and second contact holes, A transparent barrier layer; A sealing layer disposed on the barrier rib pattern and having a hole overlapping the first contact hole and the second contact hole; And a cover member disposed on the hole of the sealing layer to cover the hole and to be in contact with the first metal pattern and not to overlap the transparent barrier layer.

상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 소자는 액체 투과성을 갖는 제1 베이스로서, 제1 컨택홀을 가지고, 적어도 부분적으로 액체 금속을 함유하는 제1 베이스; 액체 불투과성을 갖는 제2 베이스로서, 상기 제1 베이스의 타면 상에 배치되고, 제2 컨택홀을 갖는 제2 베이스; 상기 제1 베이스 상에 배치된 제1 수동 소자 패턴; 및 상기 제2 베이스 상에 배치된 제2 수동 소자 패턴으로서, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀을 통해 상기 제1 수동 소자 패턴과 전기적으로 연결된 제2 수동 소자 패턴을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a filter element comprising: a first base having liquid permeability; a first base having a first contact hole and at least partially containing a liquid metal; A second base having a liquid-impermeable property, the second base being disposed on the other surface of the first base, the second base having a second contact hole; A first passive element pattern disposed on the first base; And a second passive element pattern disposed on the second base, the second passive element pattern being electrically connected to the first passive element pattern through the first contact hole and the second contact hole.

상기 제1 컨택홀과 제2 컨택홀에 충진된 액체 금속, 및 상기 제1 베이스에 함유된 액체 금속은 함께 상기 제1 수동 소자 패턴과 상기 제2 수동 소자 패턴 사이의 전기적 통로를 형성할 수 있다.The liquid metal filled in the first contact hole and the second contact hole and the liquid metal contained in the first base together can form an electrical path between the first passive element pattern and the second passive element pattern .

또, 상기 전기적 통로의 수평 방향으로의 폭에 있어서, 수직 방향의 양단부에서의 폭이, 수직 방향 중앙부에서의 폭 보다 클 수 있다.In the horizontal width of the electric path, the width at both ends in the vertical direction may be larger than the width in the vertical direction central portion.

상기 또 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 소자의 제조 방법은, 일면에 형성된 제1 채널을 갖는 제1 패턴 기판을 준비하는 단계로서, 제1 베이스를 포함하는 제1 패턴 기판을 준비하는 단계; 타면에 형성된 제2 채널을 갖는 제2 패턴 기판을 준비하는 단계로서, 상기 제1 베이스 보다 작은 액체 투과도 및 상기 제1 베이스 보다 큰 강도를 갖는 제2 베이스를 포함하는 제2 패턴 기판을 준비하는 단계; 상기 제1 패턴 기판의 타면 상에 상기 제2 패턴 기판을 배치하는 단계; 및 상기 제2 패턴 기판에서 상기 제1 패턴 기판 방향으로 컨택홀을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a filter element, the method comprising the steps of: preparing a first pattern substrate having a first channel formed on a first surface thereof, Preparing a substrate; Preparing a second pattern substrate having a second channel formed on the other surface thereof, the method comprising the steps of: preparing a second pattern substrate including a second base having a liquid permeability lower than that of the first base and a higher strength than the first base; ; Disposing the second pattern substrate on the other surface of the first pattern substrate; And forming a contact hole from the second pattern substrate toward the first pattern substrate.

상기 필터 소자의 제조 방법은 상기 컨택홀을 형성하는 단계 후에, 상기 제1 패턴 기판 상에 제1 밀봉층을 배치하는 단계; 상기 제2 패턴 기판 상에 제2 밀봉층을 배치하는 단계; 상기 제1 밀봉층에 상기 컨택홀과 중첩하도록 홀을 형성하는 단계; 및 상기 제1 밀봉층의 홀을 통해 상기 제1 채널, 상기 컨택홀 및 상기 제2 채널에 액체 금속을 충진하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing the filter element may further include the steps of disposing a first sealing layer on the first pattern substrate after forming the contact hole; Disposing a second sealing layer on the second pattern substrate; Forming a hole in the first sealing layer so as to overlap with the contact hole; And filling the first channel, the contact hole, and the second channel with liquid metal through the holes of the first sealing layer.

상기 필터 소자의 제조 방법은 상기 액체 금속을 충진하는 단계 후에, 상기 제1 베이스에 부분적으로 액체 금속을 침투시키는 단계로서, 상기 제1 컨택홀의 내측벽 표면을 통해 액체 금속을 침투시키는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of fabricating the filter element further comprises the step of partially penetrating the liquid metal into the first base after filling the liquid metal, further comprising the step of penetrating the liquid metal through the inner wall surface of the first contact hole can do.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description.

본 발명의 실시예들에 따르면, 우수한 유연성을 가짐과 동시에 안정적인 구조를 통해 수동 소자 간의 전기적 접속이 향상된 기판 적층체, 필터 소자 및 필터 소자의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a substrate laminate, a filter element, and a method of manufacturing a filter element having excellent flexibility and improved electrical connection between passive elements through a stable structure.

본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the embodiments of the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 소자의 분해사시도이다.
도 2는 도 1의 필터 소자의 등가회로를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1의 인덕터 소자의 평면도이다.
도 4는 도 1의 커패시터 소자의 평면도이다.
도 5는 도 1의 Aa-Aa' 선 및 Ab-Ab' 선을 따라 절개한 비교단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 필터 소자의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자의 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 필터 소자의 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자의 분해사시도이다.
도 12는 도 11의 필터 소자의 등가회로를 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자의 분해사시도이다.
도 14는 도 13의 필터 소자의 등가회로를 나타낸 도면이다.
도 15는 도 13의 커패시터 소자의 평면도이다.
도 16은 도 13의 인덕터 소자의 평면도이다.
도 17은 도 13의 Ba-Ba' 선 및 Bb-Bb' 선을 따라 절개한 비교단면도이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자의 단면도이다.
도 19 내지 도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 소자의 제조 방법을 순서대로 나타낸 단면도들이다.
도 29는 제조예 1에 따른 인덕터 소자의 형상을 나타낸 도면이다.
도 30은 제조예 1의 인덕터 소자의 특성을 나타낸 도면이다.
도 31은 제조예 2에 따른 커패시터 소자의 형상을 나타낸 도면이다.
도 32는 제조예 2의 커패시터 소자의 특성을 나타낸 도면이다.
도 33은 비교예 1에 따른 인덕터 소자의 형상을 나타낸 도면이다.
도 34는 비교예 2에 따른 커패시터 소자의 형상을 나타낸 도면이다.
1 is an exploded perspective view of a filter element according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the filter element of Fig. 1. Fig.
3 is a plan view of the inductor element of FIG.
4 is a top view of the capacitor element of Fig.
5 is a cross-sectional view taken along line Aa-Aa 'and Ab-Ab' in FIG.
6 is a cross-sectional view of a filter element according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of a filter element according to another embodiment of the present invention.
8 to 10 are sectional views of a filter element according to still another embodiment of the present invention.
11 is an exploded perspective view of a filter element according to another embodiment of the present invention.
12 is a diagram showing an equivalent circuit of the filter element of Fig.
13 is an exploded perspective view of a filter element according to another embodiment of the present invention.
14 is a diagram showing an equivalent circuit of the filter element of Fig.
15 is a plan view of the capacitor element of Fig.
16 is a plan view of the inductor element of Fig.
FIG. 17 is a cross-sectional view cut along the lines Ba-Ba 'and Bb-Bb' in FIG.
18 is a cross-sectional view of a filter element according to another embodiment of the present invention.
19 to 28 are sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a filter element according to an embodiment of the present invention.
29 is a view showing the shape of the inductor element according to Production Example 1. [Fig.
30 is a diagram showing the characteristics of the inductor device of Production Example 1. Fig.
31 is a view showing a shape of a capacitor element according to Production Example 2. Fig.
32 is a diagram showing the characteristics of the capacitor element of Production Example 2;
33 is a view showing the shape of the inductor element according to Comparative Example 1. Fig.
34 is a view showing a shape of a capacitor element according to Comparative Example 2. Fig.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention will now be described more fully hereinafter with reference to the accompanying drawings, in which preferred embodiments of the invention are shown. However, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. To fully disclose the scope of the invention to a person skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

공간적으로 상대적인 용어인 '위(above)', '상부(upper)', '상(on)', '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓일 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.Spatially relative terms such as 'above', 'upper', 'on', 'below', 'beneath', 'lower' And can be used to easily describe one element or elements as well as other elements or components as shown. Spatially relative terms should be understood to include terms in different directions of the device in use, in addition to the directions shown in the figures. For example, when inverting an element shown in the figure, an element described as 'below or beneath' of another element may be placed 'above' another element. Thus, the exemplary term " below " may include both the downward and upward directions.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, '및/또는'은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. '내지'를 사용하여 나타낸 수치 범위는 그 앞과 뒤에 기재된 값을 각각 하한과 상한으로서 포함하는 수치 범위를 나타낸다. '약' 또는 '대략'은 그 뒤에 기재된 값 또는 수치 범위의 20% 이내의 값 또는 수치 범위를 의미한다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In this specification, 'and / or' include each and every combination of one or more of the mentioned items. Also, singular forms include plural forms unless the context clearly dictates otherwise. The terms 'comprises' and / or " comprising " used in the specification do not exclude the presence or addition of one or more other elements in addition to the stated element. The numerical range indicated by using " to " represents a numerical range including the values described before and after the lower limit and the upper limit, respectively. &Quot; Approximately " or " approximately " means a value or range of values within 20% of the value or numerical range described thereafter.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

본 명세서에서, 제1 방향(X)은 평면 내 임의의 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 다른 방향을 의미한다. 또, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 수직한 방향을 의미한다. 다르게 정의되지 않는 한, '평면'은 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)이 속하는 평면을 의미한다. 또, 다르게 정의되지 않는 한, '중첩'은 상기 평면 시점에서 제3 방향(Z)으로 중첩하는 것을 의미한다.In this specification, the first direction X means any direction in the plane, and the second direction Y means another direction that intersects the first direction X in the plane. In addition, the third direction Z means a direction perpendicular to the plane. Unless otherwise defined, 'plane' refers to the plane to which the first direction X and the second direction Y belong. In addition, unless otherwise defined, 'overlap' means overlap in the third direction Z at the plan view.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 소자(11)의 분해사시도이다. 도 2는 도 1의 필터 소자(11)의 등가회로를 나타낸 도면이다. 도 3은 도 1의 인덕터 소자(11a)의 평면도이다. 도 4는 도 1의 커패시터 소자(11b)의 평면도이다.1 is an exploded perspective view of a filter element 11 according to an embodiment of the present invention. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the filter element 11 of Fig. 3 is a plan view of the inductor element 11a of Fig. 4 is a plan view of the capacitor element 11b of Fig.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 필터 소자(11)는 상호 전기적으로 연결된 인덕터 소자(11a) 및 커패시터 소자(11b)를 포함한다. 필터 소자(11)는 인덕터 소자(11a)에 제1 입력 단자(IN1)가 연결되고, 커패시터 소자(11b)에 제2 입력 단자(IN2), 제1 출력 단자(OUT1) 및 제2 출력 단자(OUT2)가 연결되는 저역 필터 소자일 수 있다.Referring to Figs. 1 to 4, the filter element 11 according to the present embodiment includes an inductor element 11a and a capacitor element 11b which are electrically connected to each other. The filter element 11 has a first input terminal IN1 connected to the inductor element 11a and a second input terminal IN2 and a first output terminal OUT1 and a second output terminal OUT2 connected to the capacitor element 11b OUT2 may be connected.

인덕터 소자(11a)(inductor element)는 전류가 흐를 경우 유도기전력(induced electromotive force)이 발생하도록 구성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 인덕터 소자(11a)는 제1 금속 패턴(201)을 통해 구현될 수 있다. 제1 금속 패턴(201)은 인덕터 회로 패턴부(211) 및 인덕터 회로 패턴부(211)와 연결된 제1 인덕터 접점 패드부(221a) 및 제2 인덕터 접점 패드부(221b)를 포함할 수 있다. 또, 제1 금속 패턴(201)은 액체 금속을 포함할 수 있다. 즉, 제1 금속 패턴(201)은 액체 금속을 이용하여 형성된 액체 금속 패턴일 수 있다.The inductor element 11a (inductor element) can be configured to generate an induced electromotive force when current flows. In an exemplary embodiment, the inductor element 11a may be implemented through the first metal pattern 201. [ The first metal pattern 201 may include a first inductor contact pad portion 221a and a second inductor contact pad portion 221b connected to the inductor circuit pattern portion 211 and the inductor circuit pattern portion 211. [ In addition, the first metal pattern 201 may include a liquid metal. That is, the first metal pattern 201 may be a liquid metal pattern formed using liquid metal.

평면 시점에서, 인덕터 회로 패턴부(211)는 나선(spiral) 형상일 수 있다. 구체적으로, 인덕터 회로 패턴부(211)는 나선 중심으로부터의 거리가 점점 커지는 나사 모양을 가질 수 있다. 인덕터 회로 패턴부(211)는 액체 금속을 이용하여 형성될 수 있다. 인덕터 회로 패턴부(211)에 전류가 흐를 경우, 나선 형상 내지는 고리 형상의 선로에서 유도기전력이 생성될 수 있고, 이를 통해 인덕터(inductor) 기능을 수행할 수 있다.At the plan view, the inductor circuit pattern portion 211 may be in a spiral shape. Specifically, the inductor circuit pattern portion 211 may have a screw shape increasing in distance from the spiral center. The inductor circuit pattern portion 211 can be formed using liquid metal. When a current flows in the inductor circuit pattern portion 211, an induced electromotive force can be generated in a spiral or annular line, and an inductor function can be performed through the induced electromotive force.

또, 인덕터 회로 패턴부(211)가 평면 시점에서, 각진 형상을 가지지 않고 라운드진 선로를 형성함으로써 액체 금속을 이용한 인덕터 회로 패턴부(211)의 형성이 용이할 수 있다. 후술할 바와 같이 액체 금속을 채널 내에 주입하여 인덕터 회로 패턴부(211)를 형성할 수 있으며, 예를 들어, 인덕터 회로 패턴부가 각진 형상을 갖는 경우에 비해 본 실시예와 같이 라운드진 형상을 가질 경우, 액체 금속의 주입이 용이하며 채널 내부 압력의 증가를 억제할 수 있어 보다 많은 양의 액체 금속의 주입이 가능해진다. 뿐만 아니라, 인덕터 회로 패턴부가 평면상 각진 형상을 가질 경우, 채널 내부의 압력이 증가하여 모서리 부근에 미충진 영역이 발생하거나, 또는 선로 중간에 미충진 영역이 발생하여 선로 저항의 상승을 야기하거나, 선로가 개방(open) 되는 불량이 발생할 수도 있다.In addition, since the inductor circuit pattern portion 211 does not have an angular shape and forms a rounded line at a planar viewpoint, it is easy to form the inductor circuit pattern portion 211 using liquid metal. As described later, the inductor circuit pattern portion 211 can be formed by injecting the liquid metal into the channel. For example, when the inductor circuit pattern portion has a rounded shape as in the present embodiment, , The injection of the liquid metal is easy and the increase of the pressure inside the channel can be suppressed, so that a larger amount of the liquid metal can be injected. In addition, when the inductor circuit pattern portion has a plane-shaped angular shape, the pressure inside the channel increases to cause an unfilled region in the vicinity of the corner, or an unfilled region occurs in the middle of the line, A defect may occur that the line is opened.

선로를 형성하는 인덕터 회로 패턴부(211)의 일측 단부에는 제1 인덕터 접점 패드부(221a)가 위치하고, 타측 단부에는 제2 인덕터 접점 패드부(221b)가 위치할 수 있다. 제1 인덕터 접점 패드부(221a) 및 제2 인덕터 접점 패드부(221b)는 각각 인덕터 회로 패턴부(211)의 선폭에 비해 확장되어 전기적 접속이 유리한 구조를 가질 수 있다. 즉, 제1 인덕터 접점 패드부(221a) 및 제2 인덕터 접점 패드부(221b)의 최대폭은 인덕터 회로 패턴부(211)의 최대폭 보다 클 수 있다. 제1 인덕터 접점 패드부(221a) 및/또는 제2 인덕터 접점 패드부(221b)는 필터 소자(11)의 다른 구성요소, 필터 소자(11) 외부의 다른 소자 또는 전기적 라인과 연결될 수 있다.The first inductor contact pad portion 221a may be located at one end of the inductor circuit pattern portion 211 forming the line and the second inductor contact pad portion 221b may be located at the other end of the inductor circuit pattern portion 211 forming the line. The first inductor contact pad portion 221a and the second inductor contact pad portion 221b may have a structure that is advantageous in electrical connection by being extended compared to the line width of the inductor circuit pattern portion 211. [ That is, the maximum width of the first inductor contact pad portion 221a and the second inductor contact pad portion 221b may be greater than the maximum width of the inductor circuit pattern portion 211. The first inductor contact pad portion 221a and / or the second inductor contact pad portion 221b may be connected to other components of the filter element 11, another element or an electrical line external to the filter element 11.

제1 인덕터 접점 패드부(221a)는 나선 모양의 인덕터 회로 패턴부(211)의 대략 중심에 위치할 수 있다. 제1 인덕터 접점 패드부(221a)는 후술할 커패시터 소자(11b)와 전기적으로 연결되어 단락(short) 되는 노드를 형성할 수 있다. 또, 제1 인덕터 접점 패드부(221a)는 필터 소자(11)의 제1 출력 단자(OUT1)와 전기적으로 등가일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.The first inductor contact pad portion 221a may be positioned substantially at the center of the spiral inductor circuit pattern portion 211. [ The first inductor contact pad portion 221a may be electrically connected to the capacitor element 11b to form a node that is short-circuited. In addition, the first inductor contact pad portion 221a may be electrically equivalent to the first output terminal OUT1 of the filter element 11, but the present invention is not limited thereto.

또, 제2 인덕터 접점 패드부(221b)는 나선 모양의 인덕터 회로 패턴부(211)의 외측에 위치할 수 있다. 제2 인덕터 접점 패드부(221b)는 필터 소자(11)의 제1 입력 단자(IN1)와 전기적으로 등가일 수 있다. 제2 인덕터 접점 패드부(221b)는 하나 이상일 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the second inductor contact pad portion 221b may be located outside the spiral inductor circuit pattern portion 211. The second inductor contact pad portion 221b may be electrically equivalent to the first input terminal IN1 of the filter element 11. [ The number of the second inductor contact pad portions 221b may be one or more, but the present invention is not limited thereto.

또, 커패시터 소자(11b)(capacitor element)는 정전기 유도 현상을 이용하여 대전된 전하를 축적하도록 구성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 커패시터 소자(11b)는 제2 금속 패턴(301)을 통해 구현될 수 있다. 제2 금속 패턴(301)은 커패시터 회로 패턴부(311) 및 커패시터 회로 패턴부(311)와 연결된 제1 커패시터 접점 패드부(321a) 및 제2 커패시터 접점 패드부(321b)를 포함할 수 있다. 또, 제2 금속 패턴(301)은 액체 금속을 포함할 수 있다. 즉, 제2 금속 패턴(301)은 액체 금속을 이용하여 형성된 액체 금속 패턴일 수 있다. 제2 금속 패턴(301)을 형성하는 액체 금속의 조성은 제1 금속 패턴(201)을 형성하는 액체 금속의 조성과 실질적으로 동일할 수 있다.In addition, the capacitor element 11b (capacitor element) can be configured to accumulate the electrified charge using the electrostatic induction phenomenon. In an exemplary embodiment, the capacitor element 11b may be implemented through the second metal pattern 301. [ The second metal pattern 301 may include a first capacitor contact pad portion 321a and a second capacitor contact pad portion 321b connected to the capacitor circuit pattern portion 311 and the capacitor circuit pattern portion 311. [ In addition, the second metal pattern 301 may include a liquid metal. That is, the second metal pattern 301 may be a liquid metal pattern formed using liquid metal. The composition of the liquid metal forming the second metal pattern 301 may be substantially the same as the composition of the liquid metal forming the first metal pattern 201. [

평면 시점에서, 커패시터 회로 패턴부(311)는 서로 이격된 두 개의 선로 패턴을 포함할 수 있다. 예를 들어, 커패시터 회로 패턴부(311)는 서로 이격된 제1 커패시터 회로 패턴부(311a) 및 제2 커패시터 회로 패턴부(311b)를 포함할 수 있다. 제1 커패시터 회로 패턴부(311a) 및 제2 커패시터 회로 패턴부(311b)는 각각 커패시터 소자(11b)의 일측과 타측 단자를 형성할 수 있다.At the plan view, the capacitor circuit pattern portion 311 may include two line patterns spaced apart from each other. For example, the capacitor circuit pattern portion 311 may include a first capacitor circuit pattern portion 311a and a second capacitor circuit pattern portion 311b which are spaced apart from each other. The first capacitor circuit pattern portion 311a and the second capacitor circuit pattern portion 311b may form one side and the other side of the capacitor element 11b, respectively.

제1 커패시터 회로 패턴부(311a) 및 제2 커패시터 회로 패턴부(311b)는 각각 대략 'S'자 형상을 가지며, 일정한 간격을 가지고 이격된 상태일 수 있다. 이를 통해 제1 커패시터 회로 패턴부(311a)와 제2 커패시터 회로 패턴부(311b) 사이의 대면 면적을 증가시킬 수 있고, 커패시터 특성을 향상시킬 수 있다.The first capacitor circuit pattern portion 311a and the second capacitor circuit pattern portion 311b may have a substantially S shape and may be spaced apart at regular intervals. As a result, the surface area of the area between the first capacitor circuit pattern portion 311a and the second capacitor circuit pattern portion 311b can be increased and the capacitor characteristics can be improved.

또, 커패시터 회로 패턴부(311)가 평면 시점에서, 각진 형상을 가지지 않고 대략 'S'자의 라운드진 선로를 형성함으로써 액체 금속을 이용한 커패시터 회로 패턴부(311)의 형성이 용이할 수 있다. 후술할 바와 같이 액체 금속을 채널 내로 주입하여 커패시터 회로 패턴부(311)를 형성할 수 있으며, 예를 들어 커패시터 회로 패턴부가 각진 형상을 갖는 경우에 비해 본 실시예와 같이 라운드진 형상을 가질 경우, 액체 금속의 주입이 용이하며 채널 내부 압력의 증가를 억제할 수 있어 보다 많은 양의 액체 금속의 주입이 가능해진다. 뿐만 아니라, 커패시터 회로 패턴부가 평면상 각진 형상을 가질 경우, 채널 내부의 압력이 증가하여 모서리 부근에 미충진 영역이 발생하거나, 또는 선로 중간에 미충진 영역이 발생하여 선로 저항의 상승을 야기하거나, 선로가 개방(open) 되는 불량이 발생할 수도 있다.In addition, it is easy to form the capacitor circuit pattern portion 311 using liquid metal by forming the line of the capacitor circuit pattern portion 311 rounded to be approximately 'S' without having an angular shape at the plan view. The capacitor circuit pattern portion 311 can be formed by injecting the liquid metal into the channel as will be described later. For example, when the capacitor circuit pattern portion has a rounded shape as in the present embodiment, The injection of the liquid metal is easy and the increase of the pressure inside the channel can be suppressed, so that a larger amount of liquid metal can be injected. In addition, when the capacitor circuit pattern portion has a plane-shaped angular shape, the pressure inside the channel increases to cause an unfilled region in the vicinity of the edge, or an unfilled region in the middle of the line, A defect may occur that the line is opened.

각각 선로를 형성하는 제1 커패시터 회로 패턴부(311a)의 일측 단부에는 제1 커패시터 접점 패드부(321a)가 위치하고, 제2 커패시터 회로 패턴부(311b)의 일측 단부에는 제2 커패시터 접점 패드부(321b)가 위치할 수 있다. 제1 커패시터 접점 패드부(321a) 및 제2 커패시터 접점 패드부(321b)는 각각 커패시터 회로 패턴부(311)의 선폭에 비해 확장되어 전기적 접속이 유리한 구조를 가질 수 있다. 즉, 제1 커패시터 접점 패드부(321a) 및 제2 커패시터 접점 패드부(321b)의 최대폭은 커패시터 회로 패턴부(311)의 최대폭 보다 클 수 있다. 제1 커패시터 접점 패드부(321a) 및/또는 제2 커패시터 접점 패드부(321b)는 필터 소자(11)의 다른 구성요소, 필터 소자(11) 외부의 다른 소자 또는 전기적 라인과 연결될 수 있다.The first capacitor contact pad portion 321a is located at one end of the first capacitor circuit pattern portion 311a forming each line and the second capacitor contact pad portion 311b is located at one end of the second capacitor circuit pattern portion 311b. 321b may be located. The first capacitor contact pad portion 321a and the second capacitor contact pad portion 321b may have a structure in which electrical connection is advantageous because they are extended compared to the line width of the capacitor circuit pattern portion 311, respectively. That is, the maximum width of the first capacitor contact pad portion 321a and the second capacitor contact pad portion 321b may be greater than the maximum width of the capacitor circuit pattern portion 311. The first capacitor contact pad portion 321a and / or the second capacitor contact pad portion 321b may be connected to other components of the filter element 11, to other elements external to the filter element 11, or to an electrical line.

몇몇 실시예에서, 제2 금속 패턴(301)은 제3 커패시터 접점 패드부(321c) 및 제4 커패시터 접점 패드부(321d)를 더 포함할 수 있다. 제3 커패시터 접점 패드부(321c)는 제1 커패시터 접점 패드부(321a)와 전기적으로 등가이고, 제4 커패시터 접점 패드부(321d)는 제2 커패시터 접점 패드부(321b)와 전기적으로 등가일 수 있다.In some embodiments, the second metal pattern 301 may further include a third capacitor contact pad portion 321c and a fourth capacitor contact pad portion 321d. The third capacitor contact pad portion 321c is electrically equivalent to the first capacitor contact pad portion 321a and the fourth capacitor contact pad portion 321d is electrically equivalent to the second capacitor contact pad portion 321b have.

제1 커패시터 접점 패드부(321a)는 상술한 인덕터 소자(11a)와 전기적으로 연결되어 단락 노드를 형성할 수 있다. 또, 제1 커패시터 접점 패드부(321a)는 제3 커패시터 접점 패드부(321c)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 커패시터 접점 패드부(321a) 및 제3 커패시터 접점 패드부(321c)는 필터 소자(11)의 제1 출력 단자(OUT1)와 전기적으로 등가일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.The first capacitor contact pad portion 321a may be electrically connected to the above-described inductor element 11a to form a short-circuit node. In addition, the first capacitor contact pad portion 321a may be electrically connected to the third capacitor contact pad portion 321c. The first capacitor contact pad portion 321a and the third capacitor contact pad portion 321c may be electrically equivalent to the first output terminal OUT1 of the filter element 11 but the present invention is not limited thereto.

또, 제2 커패시터 접점 패드부(321b)는 필터 소자(11)의 제2 입력 단자(IN2)와 전기적으로 등가일 수 있다. 또, 제2 커패시터 접점 패드부(321b)는 제4 커패시터 접점 패드부(321d)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 커패시터 접점 패드부(321d)는 제2 출력 단자(OUT2)와 전기적으로 등가일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the second capacitor contact pad portion 321b may be electrically equivalent to the second input terminal IN2 of the filter element 11. In addition, the second capacitor contact pad portion 321b may be electrically connected to the fourth capacitor contact pad portion 321d. The fourth capacitor contact pad portion 321d may be electrically equivalent to the second output terminal OUT2, but the present invention is not limited thereto.

또한 도 4는 제1 커패시터 접점 패드부(321a)와 제3 커패시터 접점 패드부(321c)가 제1 방향(X)으로 이격되고, 제2 커패시터 접점 패드부(321b)와 제4 커패시터 접점 패드부(321d)가 제2 방향(Y)으로 이격된 경우를 도시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되지 않음은 물론이다.4 shows that the first capacitor contact pad portion 321a and the third capacitor contact pad portion 321c are spaced apart in the first direction X and the second capacitor contact pad portion 321b and the fourth capacitor contact pad portion 321b are spaced apart from each other in the first direction X. [ (Y) in the second direction (Y), the present invention is not limited thereto.

이하, 도 5를 더 참조하여 본 실시예에 따른 필터 소자(11)에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 도 5는 도 1의 Aa-Aa' 선 및 Ab-Ab' 선을 따라 절개한 비교단면도이다. 구체적으로, 도 5의 좌측은 제2 인덕터 접점 패드부(221b)와 제2 커패시터 접점 패드부(321b) 부근을 나타낸 단면도이다. 또, 도 5의 우측은 제1 인덕터 접점 패드부(221a)와 제1 커패시터 접점 패드부(321a) 부근을 나타낸 단면도이다.Hereinafter, the filter element 11 according to the present embodiment will be described in more detail with reference to FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line Aa-Aa 'and Ab-Ab' in FIG. 5 is a sectional view showing the vicinity of the second inductor contact pad portion 221b and the second capacitor contact pad portion 321b on the left side of FIG. 5 is a cross-sectional view showing the vicinity of the first inductor contact pad portion 221a and the first capacitor contact pad portion 321a.

도 5를 더 참조하면, 본 실시예에 따른 필터 소자(11)는 패턴 기판(101), 패턴 기판(101)의 일면(도 5 기준 상면) 상에 배치된 제1 금속 패턴(201), 패턴 기판(101)의 타면(도 5 기준 하면) 상에 배치된 제2 금속 패턴(301) 및 제1 금속 패턴(201)과 제2 금속 패턴(301)을 도통시키는 컨택부(401)를 포함하고, 제1 밀봉층(751) 및 제2 밀봉층(761)을 더 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 필터 소자(11)는 도 5에 도시된 것과 같은 기판 적층체(layered-substrate) 구조를 가질 수 있다.5, the filter element 11 according to the present embodiment includes a pattern substrate 101, a first metal pattern 201 disposed on one surface (reference upper surface in FIG. 5) of the pattern substrate 101, A second metal pattern 301 disposed on the other surface of the substrate 101 (refer to FIG. 5), and a contact portion 401 for conducting the first metal pattern 201 and the second metal pattern 301 A first sealing layer 751, and a second sealing layer 761, as shown in FIG. The filter element 11 according to the present embodiment may have a layered-substrate structure as shown in Fig.

패턴 기판(101)은 일면과 타면이 패턴화된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 패턴 기판(101)의 일면은 제1 채널 내지는 제1 트렌치를 가지고, 패턴 기판(101)의 타면은 제2 채널 내지는 제2 트렌치를 가질 수 있다.The pattern substrate 101 may have a patterned structure of one side and the other side. For example, one surface of the pattern substrate 101 may have a first channel or a first trench, and the other surface of the pattern substrate 101 may have a second channel or a second trench.

예시적인 실시예에서, 패턴 기판(101)은 제1 패턴 기판(501) 및 제2 패턴 기판(601)을 포함할 수 있다. 제1 패턴 기판(501)의 타면(하면)과 제2 패턴 기판(601)의 일면(상면)은 서로 대면하여 배치되거나, 또는 접합될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 패턴 기판(501)과 제2 패턴 기판(601) 사이에는 접합층(미도시)이 배치될 수도 있다.In an exemplary embodiment, the pattern substrate 101 may include a first pattern substrate 501 and a second pattern substrate 601. The other surface (lower surface) of the first pattern substrate 501 and one surface (upper surface) of the second pattern substrate 601 may be disposed facing each other, or may be bonded to each other. In some embodiments, a bonding layer (not shown) may be disposed between the first pattern substrate 501 and the second pattern substrate 601.

제1 패턴 기판(501)은 제1 베이스(511) 및 제1 베이스(511) 상에 배치된 제1 격벽 패턴(531)을 포함할 수 있다. 제1 베이스(511)는 유연성(flexibility) 및/또는 신축성(stretchability)을 갖는 가요성 소재로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스(511)는 종이를 포함하여 이루어지거나, 폴리디메틸실록산 또는 폴리이미드 등의 고분자 수지를 포함하여 이루어질 수 있다. 또, 제1 베이스(511)는 내부에 미세 공극을 가질 수 있다. The first pattern substrate 501 may include a first base 511 and a first barrier rib pattern 531 disposed on the first base 511. The first base 511 may be made of a flexible material having flexibility and / or stretchability. For example, the first base 511 may comprise paper, or may comprise a polymer resin such as polydimethylsiloxane or polyimide. In addition, the first base 511 may have micropores inside.

제1 격벽 패턴(531)은 제1 금속 패턴(201)이 충진되기 위한 제1 채널을 형성할 수 있다. 즉, 평면 시점에서, 제1 격벽 패턴(531)은 제1 금속 패턴(201)의 대략 역상의 형상을 갖는 패턴일 수 있다. 제1 격벽 패턴(531)에 의해 커버되지 않는 제1 베이스(511)의 상면은 노출될 수 있다. 제1 격벽 패턴(531)은 절연성을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 격벽 패턴(531)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 고분자 재료를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 또, 제1 격벽 패턴(531)은 제1 베이스(511)에 비해 더 큰 소수성을 가질 수 있다.The first barrier rib pattern 531 may form a first channel for filling the first metal pattern 201. That is, at the plan view, the first barrier rib pattern 531 may be a pattern having a substantially inverted shape of the first metal pattern 201. The upper surface of the first base 511 which is not covered by the first barrier rib pattern 531 can be exposed. The first barrier rib pattern 531 may have insulating properties. For example, the first barrier rib pattern 531 may include a polymer material such as polyethyleneterephthalate, polymethylmethacrylate, and polycarbonate, but the present invention is not limited thereto no. In addition, the first barrier rib pattern 531 may have a larger hydrophobicity than the first base 511.

앞서 설명한 것과 같이 인덕터 소자(11a)는 제1 금속 패턴(201)에 의해 구현될 수 있다. 또, 제1 금속 패턴(201)은 제1 패턴 기판(501)의 제1 채널 내에 충진된 인덕터 회로 패턴부(211), 제1 인덕터 접점 패드부(221a) 및 제2 인덕터 접점 패드부(221b)를 포함할 수 있다. 제1 금속 패턴(201)은 상온에서 액상을 유지하는 액체 금속을 포함할 수 있다. 상기 액체 금속은 갈륨 및 인듐을 포함할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 금속 패턴(201)은 제1 베이스(511)와 맞닿을 수 있다.The inductor element 11a can be realized by the first metal pattern 201 as described above. The first metal pattern 201 includes an inductor circuit pattern portion 211 filled in the first channel of the first pattern substrate 501, a first inductor contact pad portion 221a and a second inductor contact pad portion 221b ). The first metal pattern 201 may include a liquid metal that maintains a liquid state at room temperature. The liquid metal may include gallium and indium, but the present invention is not limited thereto. The first metal pattern 201 may abut the first base 511.

제1 금속 패턴(201) 상에는 제1 밀봉층(751)이 배치될 수 있다. 제1 밀봉층(751)은 절연성을 가지고, 제1 금속 패턴(201)을 밀봉할 수 있다. 제1 밀봉층(751)은 제1 격벽 패턴(531)과 동일하거나 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 제1 밀봉층(751)은 제1 베이스(511)에 비해 더 큰 소수성을 가질 수 있다.A first sealing layer 751 may be disposed on the first metal pattern 201. The first sealing layer 751 has an insulating property and can seal the first metal pattern 201. The first sealing layer 751 may be made of the same or different material as the first barrier rib pattern 531. The first sealing layer 751 may have a greater hydrophobicity than the first base 511. [

마찬가지로, 제2 패턴 기판(601)은 제2 베이스(611) 및 제2 베이스(611) 상에 배치된 제2 격벽 패턴(631)을 포함할 수 있다. 제2 베이스(611)는 유연성 및/또는 신축성을 갖는 가요성 소재로 이루어질 수 있다.Similarly, the second pattern substrate 601 may include a second base 611 and a second barrier rib pattern 631 disposed on the second base 611. The second base 611 may be made of a flexible material having flexibility and / or stretchability.

예시적인 실시예에서, 제2 베이스(611)는 제1 베이스(511) 보다 작은 액체 투과도를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스(511)는 액체 투과성을 갖는 반면, 제2 베이스(611)는 액체 불투과성을 가질 수 있다. 또, 제2 베이스(611)는 제1 베이스(511) 보다 큰 강도를 가질 수 있다. 상세한 예를 들어, 제2 베이스(611)는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트 또는 폴리아크릴레이트 등의 고분자 수지를 포함하여 이루어질 수 있다.In an exemplary embodiment, the second base 611 may have a smaller liquid permeability than the first base 511. For example, the first base 511 may be liquid permeable, while the second base 611 may be liquid impermeable. In addition, the second base 611 may have a greater strength than the first base 511. For example, the second base 611 may include a polymer resin such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, or polyacrylate.

제1 베이스(511)와 제2 베이스(611)를 기준으로, 상측에 위치하는 제1 금속 패턴(201)이 인덕터 소자(11a)를 형성하고, 하측에 위치하는 제2 금속 패턴(301)이 커패시터 소자(11b)를 형성할 경우, 제1 베이스(511)와 제2 베이스(611)의 액체 투과도 및/또는 강도는 제1 금속 패턴(201)과 제2 금속 패턴(301) 간의 전기적 접속 안정성에 영향을 미칠 수 있다. The first metal pattern 201 located on the upper side forms the inductor element 11a and the second metal pattern 301 located on the lower side is formed on the upper side of the first base 511 and the second base 611, The liquid permeability and / or the strength of the first base 511 and the second base 611 in the case of forming the capacitor element 11b is determined by the electrical connection stability between the first metal pattern 201 and the second metal pattern 301 . ≪ / RTI >

본 발명자들은 액체 금속을 이용하여 필터 소자(11)를 형성함에 있어서, 나아가 인덕터 소자(11a)와 커패시터 소자(11b)를 액체 금속을 이용하여 상호 도통시키는 경우에, 커패시터 소자(11b)가 인덕터 소자(11a)에 비해 컨택부(401)에 의해 큰 영향을 받는 것을 발견하고 이에 착안하여 본 발명을 완성시키기에 이르렀다. 또한 인덕터 회로 패턴부(211)에 비해 복잡한 구조를 갖는 커패시터 회로 패턴부(311)를 지지하는 제2 베이스(611)를 제1 베이스(511)에 비해 상대적으로 강도가 우수한 재료로 형성함으로써 컨택홀(H)의 형성을 안정적으로 할 수 있고, 커패시터 소자(11b), 나아가 필터 소자(11)의 특성을 향상시킬 수 있다. 이에 대해서는 구체적으로 후술한다.The present inventors have found that when the filter element 11 is formed using a liquid metal and further the inductor element 11a and the capacitor element 11b are made conductive with liquid metal, The contact portion 401 is greatly influenced by the contact portion 11a compared to the contact portion 11a. The second base 611 for supporting the capacitor circuit pattern portion 311 having a more complicated structure than the inductor circuit pattern portion 211 is formed of a material having relatively higher strength than the first base 511, The formation of the capacitor H can be stabilized and the characteristics of the capacitor element 11b and further the filter element 11 can be improved. This will be described later in detail.

제2 격벽 패턴(631)은 제2 금속 패턴(301)이 충진되기 위한 제2 채널을 형성할 수 있다. 즉, 평면 시점에서, 제2 격벽 패턴(631)은 제2 금속 패턴(301)의 대략 역상의 형상을 갖는 패턴일 수 있다. 제2 격벽 패턴(631)에 의해 커버되지 않는 제2 베이스(611)의 하면은 노출될 수 있다. 제2 격벽 패턴(631)은 제1 격벽 패턴(531)과 동일하거나 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 또, 제2 격벽 패턴(631)은 제2 베이스(611)에 비해 더 큰 소수성을 가질 수 있다.The second barrier rib pattern 631 may form a second channel for filling the second metal pattern 301. That is, at the plan view, the second barrier rib pattern 631 may be a pattern having a substantially inverted shape of the second metal pattern 301. The lower surface of the second base 611, which is not covered by the second barrier rib pattern 631, can be exposed. The second barrier rib pattern 631 may be formed of the same or different material as the first barrier rib pattern 531. In addition, the second barrier rib pattern 631 may have a larger hydrophobicity than the second base 611.

앞서 설명한 것과 같이 커패시터 소자(11b)는 제2 금속 패턴(301)에 의해 구현될 수 있다. 또, 제2 금속 패턴(301)은 제2 패턴 기판(601)의 제2 채널 내에 충진된 커패시터 회로 패턴부(단면도 상 미도시), 제1 커패시터 접점 패드부(321a) 및 제2 커패시터 접점 패드부(321b)를 포함하고, 제3 커패시터 접점 패드부(단면도 상 미도시) 및 제4 커패시터 접점 패드부(단면도 상 미도시)를 더 포함할 수 있다. 제1 커패시터 접점 패드부(321a)는 제1 인덕터 접점 패드부(221a)와 제3 방향(Z)으로 중첩하고, 제2 커패시터 접점 패드부(321b)는 제2 인덕터 접점 패드부(221b)와 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다. 또, 커패시터 회로 패턴부(311)는 적어도 부분적으로 인덕터 회로 패턴부(211)와 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다. 제2 금속 패턴(301)은 제1 금속 패턴(201)과 실질적으로 동일한 액상의 액체 금속을 포함할 수 있다. 제2 금속 패턴(301)은 제2 베이스(611)와 맞닿을 수 있다.The capacitor element 11b can be realized by the second metal pattern 301 as described above. The second metal pattern 301 has a capacitor circuit pattern portion (not shown in the sectional view) filled in the second channel of the second pattern substrate 601, a first capacitor contact pad portion 321a, and a second capacitor contact pad And may further include a third capacitor contact pad portion (not shown in the sectional view) and a fourth capacitor contact pad portion (not shown in the sectional view). The first capacitor contact pad portion 321a overlaps the first inductor contact pad portion 221a in the third direction Z and the second capacitor contact pad portion 321b overlaps the second inductor contact pad portion 221b Can be superposed in the third direction (Z). The capacitor circuit pattern portion 311 may be at least partially overlapped with the inductor circuit pattern portion 211 in the third direction Z. [ The second metal pattern 301 may comprise a liquid metal substantially in the same liquid phase as the first metal pattern 201. The second metal pattern 301 can abut the second base 611.

제2 금속 패턴(301) 상에는 제2 밀봉층(761)이 배치될 수 있다. 제2 밀봉층(761)은 절연성을 가지고, 제2 금속 패턴(301)을 밀봉할 수 있다. 제2 밀봉층(761)은 제2 격벽 패턴(631)과 동일하거나 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 제2 밀봉층(761)은 제2 베이스(611)에 비해 더 큰 소수성을 가질 수 있다.A second sealing layer 761 may be disposed on the second metal pattern 301. The second sealing layer 761 has an insulating property and can seal the second metal pattern 301. The second sealing layer 761 may be made of the same or different material as the second partition pattern 631. The second sealing layer 761 may have greater hydrophobicity than the second base 611.

앞서 설명한 제1 베이스(511) 및 제2 베이스(611)는 이들을 관통하는 컨택홀(H)을 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 베이스(511)는 제1 컨택홀을 가지고 제2 베이스(611)는 제2 컨택홀을 가질 수 있다. 즉, 제1 컨택홀과 제2 컨택홀은 서로 연결되어 컨택홀(H)을 형성할 수 있다. 상기 제1 컨택홀과 상기 제2 컨택홀의 폭은 대략 동일하거나 상이할 수 있다. 컨택홀(H)의 평면상 형상은 대략 원형 내지는 다각형일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.The first base 511 and the second base 611 described above may have contact holes H passing therethrough. Specifically, the first base 511 may have a first contact hole, and the second base 611 may have a second contact hole. That is, the first contact hole and the second contact hole may be connected to each other to form the contact hole H. The widths of the first contact holes and the second contact holes may be substantially the same or different. The planar shape of the contact hole H may be substantially circular or polygonal, but the present invention is not limited thereto.

컨택부(401)는 제1 컨택홀 및 제2 컨택홀 내에 삽입 배치될 수 있다. 컨택부(401)는 제1 금속 패턴(201)과 제2 금속 패턴(301), 구체적으로 제1 인덕터 접점 패드부(221a)와 제1 커패시터 접점 패드부(321a)를 전기적으로 도통시킬 수 있다. 또, 제1 인덕터 접점 패드부(221a), 컨택부(401) 및 제1 커패시터 접점 패드부(321a)는 서로 물리적 경계를 갖지 않는 상태일 수 있다. 이하, 본 명세서에서 사용되는 용어 컨택부(401)는 컨택홀(H) 내에 삽입 배치된 부분을 의미한다. 컨택부(401), 제1 인덕터 접점 패드부(221a) 및 제2 커패시터 접점 패드부(321b)는 필터 소자(11)의 제1 출력 단자(OUT1)와 전기적으로 등가를 형성할 수 있다. 컨택부(401)는 제1 금속 패턴(201) 및 제2 금속 패턴(301)과 실질적으로 동일한 조성을 갖는 액체 금속을 포함할 수 있다.The contact portion 401 can be inserted and disposed in the first contact hole and the second contact hole. The contact portion 401 can electrically conduct the first metal pattern 201 and the second metal pattern 301, specifically, the first inductor contact pad portion 221a and the first capacitor contact pad portion 321a . In addition, the first inductor contact pad portion 221a, the contact portion 401, and the first capacitor contact pad portion 321a may not have a physical boundary with each other. Hereinafter, the term " contact portion 401 " used herein means a portion inserted and arranged in the contact hole H. [ The contact portion 401, the first inductor contact pad portion 221a and the second capacitor contact pad portion 321b may be electrically equivalent to the first output terminal OUT1 of the filter element 11. The contact portion 401 may include a liquid metal having substantially the same composition as the first metal pattern 201 and the second metal pattern 301.

본 실시예에 따른 필터 소자(11)는 필터를 구성하는 수동 소자, 예컨대 인덕터 소자(11a) 및 커패시터 소자(11b)의 선로를 상온에서 액체를 유지하는 액체 금속을 이용하여 형성함으로써 우수한 유연성과 신축성을 가질 수 있다. 나아가 필터 소자(11)가 완전히 폴딩되는 경우에도 선로가 파손되거나, 크랙이 발생하는 등의 문제를 미연에 방지할 수 있다.The filter element 11 according to this embodiment is formed by using a passive element constituting the filter, for example, a line of the inductor element 11a and the capacitor element 11b by using a liquid metal for holding liquid at normal temperature, Lt; / RTI > Furthermore, even when the filter element 11 is completely folded, problems such as breakage of the line, occurrence of crack, and the like can be prevented in advance.

또, 필터 소자(11)가 서로 상이한 액체 투과도, 강도 등을 갖는 제1 베이스(511) 및 제2 베이스(611)를 포함하되, 상대적으로 높은 강도와 낮은 액체 투과도를 갖는 제2 베이스(611) 상에 커패시터 소자(11b)를 배치하여 필터 소자(11)의 특성을 향상시킬 수 있다.The second base 611 includes a first base 511 and a second base 611 having different liquid permeability and strength from each other and having a relatively high strength and a low liquid permeability, The characteristics of the filter element 11 can be improved by disposing the capacitor element 11b on the capacitor element 11b.

이하, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 필터 소자에 대하여 설명한다. 다만, 앞서 설명한 일 실시예에 따른 필터 소자(11)와 실질적으로 동일하거나, 유사한 구성에 대한 중복되는 설명은 생략하며, 이는 첨부된 도면으로부터 본 기술분야에 속하는 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다. 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, a filter element according to another embodiment of the present invention will be described. However, a duplicate description of a filter element 11 substantially identical to or similar to the filter element 11 according to the above-described embodiment is omitted, which can be clearly understood by a person skilled in the art from the accompanying drawings will be. The same reference numerals are given to the same components.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 필터 소자(12)의 단면도로서, 도 5와 대응되는 위치를 나타낸 비교단면도이다. 본 실시예에 따른 필터 소자(12)는 도 6에 도시된 것과 같은 기판 적층체 구조를 가질 수 있다.6 is a cross-sectional view of a filter element 12 according to another embodiment of the present invention, which is a comparative sectional view showing a position corresponding to that of Fig. The filter element 12 according to this embodiment may have a substrate laminate structure as shown in Fig.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 필터 소자(12)는 패턴 기판(102), 패턴 기판(102)의 일면과 타면 상에 각각 배치된 제1 금속 패턴(201) 및 제2 금속 패턴(301)을 포함하되, 제1 패턴 기판(502)의 일면(도 6 기준 상면)이 패턴화된 구조를 가지고 제1 채널을 형성하며, 제2 패턴 기판(602)의 타면(도 6 기준 하면)이 패턴화된 구조를 가지고 제2 채널을 형성하는 점이 도 5 등의 실시예에 따른 필터 소자(11)와 상이한 점이다.6, the filter element 12 according to the present embodiment includes a pattern substrate 102, a first metal pattern 201 and a second metal pattern 201 disposed on one surface and the other surface of the pattern substrate 102, respectively, 6) of the second pattern substrate 602 is formed with a patterned structure on one side (reference upper side in FIG. 6) of the first pattern substrate 502, And the second channel is formed with this patterned structure is different from the filter element 11 according to the embodiment shown in Fig. 5 and the like.

제1 패턴 기판(502)은 그 자체로 베이스를 형성할 수 있다. 마찬가지로, 제2 패턴 기판(602)은 그 자체로 베이스를 형성할 수 있다. 이 경우, 제1 패턴 기판(502)은 제2 패턴 기판(602)에 비해 높은 액체 투과도를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 패턴 기판(502)은 액체 투과성을 가지고 제2 패턴 기판(602)은 액체 불투과성을 가질 수 있다. 또, 제2 패턴 기판(602)은 제1 패턴 기판(502)에 비해 높은 강도를 가질 수 있다. 또, 제1 채널을 형성하는 제1 패턴 기판(502)의 돌출 패턴 및 제2 채널을 형성하는 제2 패턴 기판(602)의 돌출 패턴은 각각 제1 밀봉층(751) 및 제2 밀봉층(761) 보다 소수성이 작을 수 있다.The first patterned substrate 502 can form a base itself. Similarly, the second pattern substrate 602 can form the base itself. In this case, the first pattern substrate 502 may have a higher liquid permeability than the second pattern substrate 602. For example, the first pattern substrate 502 may be liquid permeable and the second pattern substrate 602 may be liquid impermeable. In addition, the second pattern substrate 602 can have a higher strength than the first pattern substrate 502. [ The protruding pattern of the first pattern substrate 502 forming the first channel and the protruding pattern of the second pattern substrate 602 forming the second channel are formed by the first sealing layer 751 and the second sealing layer 761). ≪ / RTI >

제1 패턴 기판(502)과 제2 패턴 기판(602)을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 임프린트 공정 등을 이용할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 금속 패턴(201)을 이루는 액체 금속은 부분적으로 제1 패턴 기판(502)의 돌출 패턴에 침투할 수도 있다. 본 실시예에 따른 필터 소자(12)는 베이스 상에 별도의 격벽 패턴을 형성하는 공정을 생략할 수 있는 효과가 있다.The method of forming the first pattern substrate 502 and the second pattern substrate 602 is not particularly limited, but an imprint process can be used, for example. In some embodiments, the liquid metal forming the first metal pattern 201 may partially penetrate the protruding pattern of the first patterned substrate 502. The filter element 12 according to the present embodiment has the effect of omitting the step of forming a separate barrier rib pattern on the base.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자(13)의 단면도로서, 도 5와 대응되는 위치를 나타낸 비교단면도이다. 본 실시예에 따른 필터 소자(13)는 도 7에 도시된 것과 같은 기판 적층체 구조를 가질 수 있다.7 is a cross-sectional view of a filter element 13 according to another embodiment of the present invention, which is a comparative sectional view showing a position corresponding to that of Fig. The filter element 13 according to this embodiment may have a substrate laminate structure as shown in Fig.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 필터 소자(13)는 컨택홀(H)의 폭이 변화하는 점이 도 5 등의 실시예에 따른 필터 소자(11)와 상이한 점이다.Referring to Fig. 7, the filter element 13 according to the present embodiment is different from the filter element 11 according to the embodiment shown in Fig. 5 and the like in that the width of the contact hole H changes.

예시적인 실시예에서, 컨택홀(H)은 하부의 제2 금속 패턴(301) 측에서 상부의 제1 금속 패턴(201) 측으로 갈수록 폭이 감소할 수 있다. 즉, 커패시터 소자 측에서 인덕터 소자 측으로 갈수록 폭이 감소하도록 컨택홀(H)이 형성될 수 있다. In the exemplary embodiment, the contact hole H may be reduced in width from the lower second metal pattern 301 side toward the upper first metal pattern 201 side. That is, the contact hole H may be formed so that the width decreases from the capacitor element side to the inductor element side.

도 7은 제1 베이스(513)에 형성된 제1 컨택홀과 제2 베이스(613)에 형성된 제2 컨택홀의 내측벽이 정렬되고, 제1 컨택홀 및 제2 컨택홀의 폭이 일정한 변화율로 감소되는 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 제1 컨택홀 및 제2 컨택홀 중 어느 하나는 폭이 감소하지 않을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1 컨택홀 및 제2 컨택홀은 모두 폭이 변화하되, 제1 컨택홀의 폭 감소율과 제2 컨택홀의 폭 감소율은 상이할 수도 있다.7 shows a state in which the first contact hole formed in the first base 513 and the inner wall of the second contact hole formed in the second base 613 are aligned and the width of the first contact hole and the second contact hole is reduced at a constant rate of change However, the present invention is not limited thereto. In another embodiment, either the first contact hole or the second contact hole may not be reduced in width. In another embodiment, the widths of the first contact holes and the second contact holes may be different, but the width reduction rate of the first contact holes and the width reduction rate of the second contact holes may be different.

예시적인 실시예에서, 컨택홀(H)과 접하여 제1 베이스(513)가 형성하는 경사각(θ1)은 약 75도 내지 88도, 또는 약 78도 내지 85도의 범위에 있을 수 있다. 경사각(θ1)이 75도 미만의 수준으로 너무 작으면, 컨택홀(H) 내에 삽입 배치된 컨택부(403)의 상단과 하단에서의 폭 차이가 지나치게 너무 커지고, 상부에서 하부 또는 하부에서 상부로 흐르는 전류에 대한 컨택부(403)의 면저항 차이로 인해 필터 소자(13)로서의 기능을 수행하지 못할 수 있다. 반면, 경사각(θ1)이 지나치게 크면, 즉 컨택홀(H)의 내측벽이 충분한 경사를 갖지 않으면 후술할 바와 같은 효과를 달성하지 못할 수 있다.In an exemplary embodiment, the inclination angle? 1 formed by the first base 513 in contact with the contact hole H may be in the range of about 75 degrees to about 88 degrees, or about 78 degrees to about 85 degrees. If the inclination angle? 1 is too small to be less than 75 degrees, the difference in width between the upper and lower ends of the contact portion 403 inserted into the contact hole H becomes excessively large, It may not be possible to perform the function as the filter element 13 due to the difference in sheet resistance of the contact portion 403 with respect to the current flowing to the contact portion 403. [ On the other hand, if the inclination angle? 1 is excessively large, that is, if the inner wall of the contact hole H does not have a sufficient inclination, the following effect may not be achieved.

본 발명자들은 액체 금속을 이용하여 인덕터 소자 및 커패시터 소자를 형성하고 필터 소자(13)를 구현함에 있어서, 제2 금속 패턴(301)(커패시터 소자)이 제1 금속 패턴(201)(인덕터 소자)에 비해 컨택부(403)에 의해 큰 영향을 받는 것을 발견하고 이에 착안하였다. 이는, 커패시터 소자가 근본적으로 정전기 유도 현상을 기초로 하여 충분한 전하를 축적하도록 구성되어야 하기 때문일 수 있으나, 어떠한 이론에 국한되는 것은 아니다.The present inventors have found that when the inductor element and the capacitor element are formed using the liquid metal and the second metal pattern 301 (capacitor element) is formed on the first metal pattern 201 (inductor element) The contact portion 403 has a larger influence than the contact portion 403. This may be due to the fact that the capacitor element must be constructed so as to accumulate sufficient charge on the basis of the electrostatic induction phenomenon, but it is not limited to any theory.

즉, 제1 금속 패턴(201)과 제2 금속 패턴(301)을 상호 전기적으로 연결하는 컨택부(403)를 상부에서 하부로 갈수록 폭이 증가하도록 구성하여 컨택부(403)와 제2 금속 패턴(301) 간의 전기적 접속을 향상시킬 수 있다. 다시 말해서, 컨택부(403)와 제1 금속 패턴(201)이 맞닿는 면적에 비해 컨택부(403)와 제2 금속 패턴(301)이 맞닿는 면적을 더 크게 형성하여 필터 소자(13)의 컷오프 특성을 향상시킬 수 있다.That is, the contact portion 403 for electrically connecting the first metal pattern 201 and the second metal pattern 301 is formed to have a larger width from the upper portion to the lower portion, so that the contact portion 403 and the second metal pattern 301, It is possible to improve the electrical connection between the electrodes 301. In other words, the contact area between the contact part 403 and the first metal pattern 201 is larger than the contact area between the contact part 403 and the second metal pattern 301, so that the cut-off characteristic of the filter element 13 Can be improved.

또한, 컨택부(403)와 제1 금속 패턴(201)이 맞닿는 면적이 지나치게 클 경우, 제1 금속 패턴(201)의 선폭에 따른 면저항과, 컨택부(403)가 형성하는 면저항의 변화로 인해 점진적인 유도기전력의 형성이 방해받을 수 있고, 인덕터 소자로서의 특성을 제대로 갖지 못할 수 있다. 따라서 본 실시예에 따른 필터 소자(13)는 컨택부(403)가 인덕터 소자를 형성하는 제1 금속 패턴(201)과 맞닿는 면적은 일정 수준을 유지하되, 컨택부(403)가 커패시터 소자를 형성하는 제2 금속 패턴(301)과 맞닿는 면적을 증가시킴으로써 필터 소자(13)의 전기적 접속 및 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.If the contact area between the contact part 403 and the first metal pattern 201 is excessively large, the sheet resistance due to the line width of the first metal pattern 201 and the change in sheet resistance formed by the contact part 403 The formation of the gradual induced electromotive force may be interrupted, and the characteristics as an inductor element may not be obtained properly. Therefore, the area of the contact portion 403 contacting the first metal pattern 201 forming the inductor element is maintained at a constant level, and the contact portion 403 forms a capacitor element It is possible to improve the electrical connection and the characteristics of the filter element 13 by increasing the area in contact with the second metal pattern 301. [

또한 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 컨택홀(H)의 형성을 드릴링 공정을 이용하여 수행할 경우 제2 베이스(613)를 제1 베이스(513)에 비해 더 큰 강도를 갖도록 하고, 제2 베이스(613) 측으로부터 컨택홀(H)을 형성함으로써 컨택홀(H)을 안정적으로 형성할 수 있다.Although the present invention is not limited to this, the second base 613 may have a greater strength than the first base 513 when the contact hole H is formed using a drilling process, The contact hole H can be stably formed by forming the contact hole H from the base 613 side.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자(14)의 단면도로서, 도 5와 대응되는 위치를 나타낸 비교단면도이다. 본 실시예에 따른 필터 소자(14)는 도 8에 도시된 것과 같은 기판 적층체 구조를 가질 수 있다.FIG. 8 is a cross-sectional view of a filter element 14 according to another embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view showing a position corresponding to FIG. 5. The filter element 14 according to this embodiment may have a substrate laminate structure as shown in Fig.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 필터 소자(14)의 제1 베이스(514)는 부분적으로 액체 금속을 함유하는 제1 침습 도통부(451) 및/또는 제2 침습 도통부(453)를 포함하는 점이 도 7의 실시예에 따른 필터 소자(13)와 상이한 점이다.Referring to FIG. 8, the first base 514 of the filter element 14 according to the present embodiment includes a first immersion conductive portion 451 and / or a second immersion conductive portion 453, which partially contain liquid metal. Which is different from the filter element 13 according to the embodiment of Fig.

제1 침습 도통부(451)는 컨택홀(H), 구체적으로 제1 베이스(514)가 갖는 제1 컨택홀의 내측벽 표면에 위치할 수 있다. 제1 침습 도통부(451)는 액체 금속이 제1 베이스(514)에 부분적으로 침습 내지는 침투되어 형성된 부분일 수 있다. 즉, 제1 침습 도통부(451)는 제1 베이스(514)에 액체 금속이 침투한 부분을 의미하며, 액체 금속이 침투하지 않은 제1 베이스(514)의 다른 부분과 구별된다. 제1 침습 도통부(451)는 제1 베이스(514)의 기공 등을 통해 침투한 액체 금속으로 인해 전기적 전도성을 가질 수 있다.The first intrusion conductive portion 451 may be located on the inner wall surface of the first contact hole of the contact hole H, specifically, the first base 514. The first irritation conduction part 451 may be a part formed by partially invading or infiltrating the liquid metal into the first base 514. That is, the first intrusion conductive portion 451 refers to the portion of the first base 514 that has penetrated the liquid metal, and is distinguished from the other portion of the first base 514 that does not penetrate the liquid metal. The first irrigation conduction part 451 may have electrical conductivity due to the liquid metal penetrating through the pores of the first base 514 and the like.

제1 침습 도통부(451)는 제1 인덕터 접점 패드부(221a)과 맞닿아 중첩하고, 제1 커패시터 접점 패드부(321a)와 중첩할 수 있다. 반면, 제1 침습 도통부(451)는 제2 인덕터 접점 패드부(221b), 인덕터 회로 패턴부(211), 제2 커패시터 접점 패드부(321b) 및 커패시터 회로 패턴부(단면도 상 미도시)와 중첩하지 않도록 형성될 수 있다. 또한 제1 침습 도통부(451)는 제2 인덕터 접점 패드부(221b) 및 인덕터 회로 패턴부(211)와 맞닿지 않을 수 있다.The first intrusion conductive portion 451 is in contact with the first inductor contact pad portion 221a and overlaps with the first inductor contact pad portion 221a and can overlap with the first capacitor contact pad portion 321a. The first intrusion conductive portion 451 is electrically connected to the second inductor contact pad portion 221b, the inductor circuit pattern portion 211, the second capacitor contact pad portion 321b and the capacitor circuit pattern portion They may be formed so as not to overlap each other. In addition, the first intrusion conductive portion 451 may not touch the second inductor contact pad portion 221b and the inductor circuit pattern portion 211.

제1 침습 도통부(451)는 컨택부(403)와 맞닿을 수 있다. 제1 침습 도통부(451)는 컨택부(403)와 함께 전기적 경로를 형성할 수 있다. 즉, 제1 침습 도통부(451)는 컨택부(403)와 함께 제1 금속 패턴(201)과 제2 금속 패턴(301) 사이의 전기적 도통 영역을 형성할 수 있다. 다시 말해서, 제1 침습 도통부(451)는 보조 도통부로서 기능할 수 있다.The first irritation conduction part 451 can contact the contact part 403. The first irritation conduction part 451 can form an electrical path together with the contact part 403. [ That is, the first intrusion conduction part 451 may form an electrical conduction region between the first metal pattern 201 and the second metal pattern 301 together with the contact part 403. In other words, the first intrusion conduction part 451 can function as an auxiliary conduction part.

예시적인 실시예에서, 제1 컨택홀과 제1 침습 도통부(451)가 형성하는 도통 영역의 최소폭(W1)은 제2 컨택홀의 최소폭(W2) 보다 클 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이 컨택홀(H)이 제1 베이스(514)에서 제2 베이스(613) 방향으로 갈수록 폭이 증가하도록 형성되되, 제1 베이스(514)에만 제1 침습 도통부(451)가 형성될 경우, 전기적 도통 영역의 수평 방향(가로 방향)으로의 폭은, 수직 방향(세로 방향)의 양단부에서의 폭이 수직 방향 중앙부에서 폭 보다 클 수 있다. 즉, 수직 방향을 기준으로 할 때, 전기적 도통 영역의 폭이 감소하다가 다시 증가하는 경향을 갖도록 할 수 있다. 이를 통해 컨택홀(H)의 상부에서의 폭 증가 없이도 제1 금속 패턴(201)과 전기적 도통 영역(즉, 컨택부(403)와 제1 침습 도통부(451)) 간의 접촉 면적을 증가시킬 수 있고, 안정적인 전기적 접속을 형성할 수 있다.In an exemplary embodiment, the minimum width W 1 of the conductive region formed by the first contact hole and the first intrusion conductive portion 451 may be greater than the minimum width W 2 of the second contact hole. As described above, the contact hole H is formed so that the width of the contact hole H increases from the first base 514 toward the second base 613, and the first immovable conductive portion 451 is formed only in the first base 514 The width in the horizontal direction (lateral direction) of the electrical conduction region may be greater than the width at the both ends in the vertical direction (longitudinal direction) at the central portion in the vertical direction. That is, when the vertical direction is taken as a reference, the width of the electric conduction region can be decreased and then increased again. It is possible to increase the contact area between the first metal pattern 201 and the electrical conduction region (i.e., the contact portion 403 and the first intrusion conduction portion 451) without increasing the width at the upper portion of the contact hole H And a stable electrical connection can be formed.

본 실시예에 따른 필터 소자(14)는 제1 베이스(514)는 액체 투과성을 갖는 반면, 제2 베이스(613)는 액체 불투과성을 갖도록 구성하여 제1 베이스(514)에만 제1 침습 도통부(451)를 형성할 수 있다. 즉, 비제한적인 예시로서, 제2 베이스(613)는 액체 금속 내지는 액체 금속이 침투한 부분을 불포함할 수 있다. 이를 통해 수직 방향을 기준으로 전기적 도통 영역의 폭이 증감하는 구조를 쉽게 형성할 수 있는 효과가 있다.The filter element 14 according to the present embodiment is configured such that the first base 514 has liquid permeability while the second base 613 is configured to have liquid impermeability so that only the first base 514 has the first non- (451) can be formed. That is, as a non-limiting example, the second base 613 may include no liquid metal or a portion that has penetrated the liquid metal. Thereby, it is possible to easily form a structure in which the width of the electric conduction region increases or decreases with respect to the vertical direction.

한편, 제1 베이스(514)는 제2 침습 도통부(453)를 더 포함할 수 있다. 제2 침습 도통부(453)는 제1 베이스(514)의 일면(도 8 기준 상면), 구체적으로 제1 베이스(514)의 상면 표면에 위치할 수 있다. 제2 침습 도통부(453)는 제1 침습 도통부(451)와 마찬가지로 액체 금속이 제1 베이스(514)에 부분적으로 침습 내지는 침투되어 형성된 부분일 수 있다. 즉, 제2 침습 도통부(453)는 제1 베이스(514)에 액체 금속이 침투한 부분을 의미하며, 액체 금속이 침투하지 않은 제1 베이스(514)의 다른 부분과 구별된다. 제2 침습 도통부(453)는 제1 베이스(514)의 기공 등을 통해 침투한 액체 금속으로 인해 전기적 전도성을 가질 수 있다.Meanwhile, the first base 514 may further include a second intrusion conductive portion 453. The second intrusion conductive portion 453 may be located on one surface of the first base 514 (reference upper surface in FIG. 8), specifically, on the upper surface of the first base 514. The second irritation conduction part 453 may be a part formed by partially invading or penetrating the first base 514 with the liquid metal as in the case of the first irritation conduction part 451. In other words, the second intrusion conductive portion 453 refers to the portion of the first base 514 where the liquid metal has penetrated, and is distinguished from other portions of the first base 514 that have not penetrated the liquid metal. The second intrusion conductive portion 453 may have electrical conductivity due to the liquid metal penetrating through the pores of the first base 514.

제2 침습 도통부(453)는 제2 인덕터 접점 패드부(221b)와 맞닿아 중첩하고, 제2 커패시터 접점 패드부(321b)와 중첩할 수 있다. 반면, 제2 침습 도통부(453)는 제1 인덕터 접점 패드부(221a), 인덕터 회로 패턴부(211), 제1 커패시터 접점 패드부(321a) 및 커패시터 회로 패턴부(미도시)와 중첩하지 않도록 형성될 수 있다. 또한 제2 침습 도통부(453)는 제1 인덕터 접점 패드부(221a) 및 인덕터 회로 패턴부(211)와 맞닿지 않을 수 있다.The second intrusion conductive portion 453 is in contact with the second inductor contact pad portion 221b and overlaps with the second inductor contact pad portion 221b so as to overlap with the second capacitor contact pad portion 321b. On the other hand, the second intrusion conductive portion 453 is formed to overlap with the first inductor contact pad portion 221a, the inductor circuit pattern portion 211, the first capacitor contact pad portion 321a, and the capacitor circuit pattern portion (not shown) . Also, the second intrusion conductive portion 453 may not touch the first inductor contact pad portion 221a and the inductor circuit pattern portion 211.

제2 침습 도통부(453)는 제2 인덕터 접점 패드부(221b)와 함께 전기적 경로 내지는 전기적 도통 영역을 형성할 수 있다. 다시 말해서, 제2 침습 도통부(453)는 제2 인덕터 접점 패드부와 같이 기능할 수 있다. 이를 통해 전류의 흐름 방향에 대한 전기적 도통 영역의 폭을 증가시킬 수 있다. 특히, 제2 인덕터 접점 패드부(221b)는 인덕터 회로 패턴부(211) 등에 비해 상대적으로 넓은 면적을 가지고 외부의 다른 소자와 전기적 접속이 이루어질 수 있다. 따라서 제2 인덕터 접점 패드부(221b) 기능을 하는 도통 영역을 확장함으로써 필터 소자(14)의 내부 구성요소 간 또는 외부의 다른 구성요소와의 연결성을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.The second inductive conduction part 453 may form an electrical path or an electrically conductive area together with the second inductor contact pad part 221b. In other words, the second intrusion conductive portion 453 can function as the second inductor contact pad portion. This can increase the width of the electrical conduction region with respect to the current flow direction. In particular, the second inductor contact pad portion 221b has a relatively large area compared to the inductor circuit pattern portion 211 and can be electrically connected to other external elements. Therefore, by extending the conduction region serving as the second inductor contact pad portion 221b, it is possible to increase the connectivity between the internal components of the filter element 14 or with other external components.

몇몇 실시예에서, 제2 침습 도통부(453)의 폭은 제2 인덕터 접점 패드부(221b)의 폭 보다 클 수 있다. 또, 제2 침습 도통부(453)의 최대 두께(T453)는 제1 베이스(514)의 최대 두께(T514)의 약 50% 이하, 또는 약 40% 이하, 또는 약 30% 이하, 또는 약 20% 이하일 수 있다. 제2 침습 도통부(453)의 두께(T453)가 제1 베이스(514) 두께(T514)의 50%를 초과할 경우, 제2 침습 도통부(453)를 통해 흐르는 전류에 의해 제2 금속 패턴(301)이 전기적 영향을 받을 수 있다.In some embodiments, the width of the second intrusion conductive portion 453 may be greater than the width of the second inductor contact pad portion 221b. The maximum thickness T 453 of the second intrusion conductive portion 453 is about 50% or less, or about 40% or less, or about 30% or less of the maximum thickness T 514 of the first base 514, Can be about 20% or less. When the thickness T 453 of the second intrusion conductive portion 453 exceeds 50% of the thickness T 514 of the first base 514, the current flowing through the second intrusion conductive portion 453 causes the second The metal pattern 301 may be electrically affected.

한편, 제2 인덕터 접점 패드부(221b)와 중첩하는 영역에 제2 침습 도통부(453)가 형성되는 것과 달리 인덕터 회로 패턴부(211)와 중첩하는 영역에는 액체 금속이 제1 베이스(514) 내로 침투하여 형성된 침습 도통부가 형성되지 않을 수 있다. 이는 제2 인덕터 접점 패드부(221b)와 인덕터 회로 패턴부(211)의 폭을 이용하여 제어될 수 있다. 예를 들어, 제2 인덕터 접점 패드부(221b)는 액체 금속이 제1 베이스(514)에 침투될 수 있을 정도로 충분한 폭을 가지고, 인덕터 회로 패턴부(211)는 액체 금속이 제1 베이스(514)에 침투되지 않을 정도의 작은 폭을 가질 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.Unlike the case where the second intrusion conductive portion 453 is formed in the region overlapping the second inductor contact pad portion 221b, the liquid metal is electrically connected to the first base 514 in a region overlapping the inductor circuit pattern portion 211, It is possible that an infiltration conduction portion formed by infiltration into the blood vessel can not be formed. This can be controlled by using the widths of the second inductor contact pad portion 221b and the inductor circuit pattern portion 211. [ For example, the second inductor contact pad portion 221b may have a width sufficient to allow liquid metal to penetrate the first base 514, and the inductor circuit pattern portion 211 may be configured such that the liquid metal contacts the first base 514 ), But the present invention is not limited thereto.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자(15)의 단면도로서, 도 5와 대응되는 위치를 나타낸 비교단면도이다. 본 실시예에 따른 필터 소자(15)는 도 9에 도시된 것과 같은 기판 적층체 구조를 가질 수 있다.9 is a cross-sectional view of a filter element 15 according to another embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view showing a position corresponding to that of Fig. The filter element 15 according to this embodiment may have a substrate laminate structure such as that shown in Fig.

도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 필터 소자(15)의 제1 금속 패턴(205) 및/또는 제2 금속 패턴(305)의 측면은 경사각을 갖는 점이 도 8의 실시예에 따른 필터 소자(14)와 상이한 점이다.9, the side surface of the first metal pattern 205 and / or the second metal pattern 305 of the filter element 15 according to the present embodiment has an inclination angle, (14).

예시적인 실시예에서, 제1 금속 패턴(205)의 제1 인덕터 접점 패드부(225a) 및 제2 인덕터 접점 패드부(225b)의 측면은 경사를 가질 수 있다. 또, 인덕터 회로 패턴부(215)의 측면은 경사를 가질 수 있다. 제1 인덕터 접점 패드부(225a) 및 제2 인덕터 접점 패드부(225b)가 형성하는 제2 경사각(θ2)은 인덕터 회로 패턴부(215)가 형성하는 경사각과 동일하거나 상이할 수 있다.In an exemplary embodiment, the sides of the first inductor contact pad portion 225a and the second inductor contact pad portion 225b of the first metal pattern 205 may be inclined. In addition, the side surface of the inductor circuit pattern portion 215 may be inclined. The second inclination angle? 2 formed by the first inductor contact pad portion 225a and the second inductor contact pad portion 225b may be the same as or different from the inclination angle formed by the inductor circuit pattern portion 215. [

한편, 제1 베이스(514) 상에 배치된 제1 격벽 패턴(535)의 채널의 내측벽은 부분적으로 역경사를 가질 수 있다. 본 실시예에 따른 필터 소자(15)의 인덕터 소자를 형성하는 제1 금속 패턴(205)의 액체 금속 선로는 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 상온에서 액체 상태를 유지하는 액체 금속을 안정적으로 트랩시킬 수 있다. 특히, 인덕터 소자와 커패시터 소자 간, 또는 필터 소자(15) 외부의 다른 구성요소와 전기적 연결이 이루어지는 제1 인덕터 접점 패드부(225a) 및/또는 제2 인덕터 접점 패드부(225b)는 수평 방향으로의 폭이 상대적으로 크고, 따라서 이들을 형성하는 액체 금속을 안정적으로 트랩시키는 것은 필터 소자(15)의 특성 구현에 있어서 매우 중요한 요소이다.On the other hand, the inner wall of the channel of the first partition pattern 535 disposed on the first base 514 may have a partially inverted slope. The liquid metal line of the first metal pattern 205 forming the inductor element of the filter element 15 according to the present embodiment may have a tapered shape. Accordingly, it is possible to stably trap the liquid metal that maintains the liquid state at room temperature. In particular, the first inductor contact pad portion 225a and / or the second inductor contact pad portion 225b, which are electrically connected to each other between the inductor element and the capacitor element or outside the filter element 15, And therefore, trapping the liquid metal that forms them stably is a very important factor in the characteristic implementation of the filter element 15.

한편, 제2 금속 패턴(305)의 제1 커패시터 접점 패드부(325a) 및 제2 커패시터 접점 패드부(325b)의 측면은 경사를 가질 수 있다. 또, 단면도 상으로 표현되지 않았으나 커패시터 회로 패턴부의 측면은 경사를 가질 수 있다. 제1 커패시터 접점 패드부(325a) 및 제2 커패시터 접점 패드부(325b)가 형성하는 제3 경사각(θ3)은 커패시터 회로 패턴부가 형성하는 경사각과 동일하거나 상이할 수 있다.On the other hand, the side surfaces of the first capacitor contact pad portion 325a and the second capacitor contact pad portion 325b of the second metal pattern 305 may be inclined. Although not shown in the sectional view, the side surface of the capacitor circuit pattern portion may have a slope. The third inclination angle? 3 formed by the first capacitor contact pad portion 325a and the second capacitor contact pad portion 325b may be the same as or different from the inclination angle formed by the capacitor circuit pattern portion.

몇몇 실시예에서, 제2 금속 패턴(305)이 형성하는 제3 경사각(θ3)은 제1 금속 패턴(205)이 형성하는 제2 경사각(θ2) 보다 작을 수 있다. 전술한 바와 같이 제2 금속 패턴(305)은 패턴 형상에 의해 대전된 전하를 축적하도록 구성될 수 있다. 이 경우 커패시터 소자의 커패시턴스는 단자들(예컨대, 인접한 선로들)의 대면 면적에 비례할 수 있다. 즉, 제2 금속 패턴(305)을 따라 흐르는 전류의 전기적 안정성을 해하지 않는 범위에서, 제2 금속 패턴(305)의 측면 경사각(θ3)을 상대적으로 크게 형성하여 인접한 패턴 간의 대면 면적을 증가시키는 효과가 있다. 예를 들어, 제2 경사각(θ2)은 약 80도 내지 85도이고, 제3 경사각(θ3)은 약 60도 내지 84도일 수 있다. 제1 금속 패턴(205) 및/또는 제2 금속 패턴(305)의 측면 경사각이 60도 미만인 경우, 선로의 상부와 하부에서의 면저항이 국부적으로 상이해질 수 있고, 액체 금속을 이용한 필터 소자(15)로서의 기능을 온전하게 구현할 수 없다.In some embodiments, the third inclination angle [theta] 3 formed by the second metal pattern 305 may be smaller than the second inclination angle [theta] 2 formed by the first metal pattern 205. [ As described above, the second metal pattern 305 can be configured to accumulate the charge charged by the pattern shape. In this case, the capacitance of the capacitor element may be proportional to the facing area of the terminals (e.g., adjacent lines). That is, the side inclination angle? 3 of the second metal pattern 305 is relatively increased within a range that does not impair the electrical stability of the current flowing along the second metal pattern 305, thereby increasing the facing area between adjacent patterns It is effective. For example, the second inclination angle 2 may be about 80 degrees to 85 degrees, and the third inclination angle 3 may be about 60 degrees to 84 degrees. When the side inclination angle of the first metal pattern 205 and / or the second metal pattern 305 is less than 60 degrees, the sheet resistance at the upper and lower portions of the line can be locally different, and the filter element 15 ) Can not be fully implemented.

한편, 제2 베이스(613) 상에 배치된 제2 격벽 패턴(635)의 채널의 내측벽은 제1 격벽 패턴(535)과 마찬가지로 부분적으로 역경사를 가질 수 있다. 이를 통해 상온에서 액체 상태를 유지하는 액체 금속을 안정적으로 트랩시킬 수 있고, 제1 커패시터 접점 패드부(325a) 및/또는 제2 커패시터 접점 패드부(325b)와 다른 구성요소 간의 전기적 연결 안정성을 향상시킬 수 있다.On the other hand, the inner wall of the channel of the second barrier rib pattern 635 disposed on the second base 613 may have a partially inverted slope like the first barrier rib pattern 535. This makes it possible to stably trap the liquid metal that maintains the liquid state at room temperature and to improve the electrical connection stability between the first capacitor contact pad portion 325a and / or the second capacitor contact pad portion 325b and other components .

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자(16)의 단면도로서, 도 5와 대응되는 위치를 나타낸 비교단면도이다. 본 실시예에 따른 필터 소자(16)는 도 10에 도시된 것과 같은 기판 적층체 구조를 가질 수 있다.10 is a cross-sectional view of a filter element 16 according to another embodiment of the present invention, which is a comparative cross-sectional view showing a position corresponding to that of Fig. The filter element 16 according to this embodiment may have a substrate laminate structure as shown in Fig.

도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 필터 소자(16)의 제1 패턴 기판(506)은 제1 보강층(556) 및/또는 투과 차단층(576)을 더 포함하고, 제2 패턴 기판(606)은 제2 보강층(656)을 더 포함하는 점이 도 9의 실시예에 따른 필터 소자(15)와 상이한 점이다.10, the first pattern substrate 506 of the filter element 16 according to the present embodiment further includes a first reinforcing layer 556 and / or a permeation blocking layer 576, 606 are different from the filter element 15 according to the embodiment of FIG. 9 in that the second reinforcing layer 656 is further included.

제1 보강층(556)은 제1 격벽 패턴(536)이 형성하는 채널의 내측벽의 측면 상에 배치될 수 있다. 제1 보강층(556)은 제1 금속 패턴(206)을 형성하는 액체 금속의 흐름을 보강하기 위한 부재일 수 있다. 예를 들어, 제1 보강층(556)은 제1 격벽 패턴(536)에 비해 소수성이 더 큰 재료를 포함할 수 있다. 제1 보강층(556)은 제1 격벽 패턴(536) 상에 증착 공정 등을 통해 배치되거나, 또는 플라즈마 공정 등을 통해 제1 격벽 패턴(536)의 표면을 개질하여 형성될 수 있다. 제1 보강층(556)은 제1 격벽 패턴(536)의 측면 뿐만 아니라 상면 상에 배치될 수도 있다.The first reinforcing layer 556 may be disposed on the side of the inner wall of the channel formed by the first barrier rib pattern 536. The first reinforcing layer 556 may be a member for reinforcing the flow of liquid metal forming the first metal pattern 206. [ For example, the first stiffening layer 556 may comprise a material that is more hydrophobic than the first barrier rib pattern 536. The first reinforcing layer 556 may be formed on the first barrier rib pattern 536 through a deposition process or the like or may be formed by modifying the surface of the first barrier rib pattern 536 through a plasma process or the like. The first reinforcing layer 556 may be disposed on the upper surface as well as the side surfaces of the first barrier rib pattern 536.

마찬가지로, 제2 보강층(656)은 제2 격벽 패턴(636)이 형성하는 채널의 내측벽의 측면 상에 배치될 수 있다. 제2 보강층(656)은 제2 금속 패턴(306)을 형성하는 액체 금속의 흐름을 보강하기 위한 부재일 수 있다. 예를 들어, 제2 보강층(656)은 제2 격벽 패턴(636)에 비해 소수성이 더 큰 재료를 포함할 수 있다. 제2 보강층(656)은 제1 보강층(556)과 동일하거나 상이한 공정을 통해 형성될 수 있다.Likewise, the second reinforcing layer 656 may be disposed on the side of the inner wall of the channel formed by the second partition pattern 636. [ The second reinforcing layer 656 may be a member for reinforcing the flow of liquid metal forming the second metal pattern 306. For example, the second stiffening layer 656 may comprise a material that is more hydrophobic than the second barrier rib pattern 636. The second reinforcing layer 656 may be formed through the same or different process as the first reinforcing layer 556.

또, 제1 베이스(516) 상에는 투과 차단층(576)이 배치될 수 있다. 투과 차단층(576)은 액상의 액체 금속이 원치 않게 제1 베이스(516) 측으로 침습 내지는 침투하는 것을 방지하기 위한 부재일 수 있다. 예를 들어, 투과 차단층(576)은 제1 베이스(516)에 비해 소수성이 더 크고, 액체 투과도가 작은 재료를 포함할 수 있다. 투과 차단층(576)은 제1 베이스(516) 및 제1 금속 패턴(206)과 맞닿을 수 있다. 비제한적인 일례로서, 제2 패턴 기판(606)은 투과 차단층을 불포함할 수 있다. 이 경우, 제2 금속 패턴(306)은 제2 베이스(616)와 맞닿을 수 있다.In addition, the first base 516 may be provided with a transmission blocking layer 576. The permeation barrier layer 576 may be a member for preventing liquid metal liquid from invading or penetrating to the first base 516 side unintentionally. For example, the permeation barrier layer 576 may comprise a material having greater hydrophobicity and lower liquid permeability than the first base 516. The transmissive blocking layer 576 may be in contact with the first base 516 and the first metal pattern 206. As a non-limiting example, the second pattern substrate 606 may include no transparent barrier layer. In this case, the second metal pattern 306 may abut the second base 616.

투과 차단층(576)은 인덕터 회로 패턴부(216) 및 제2 인덕터 접점 패드부(226b)와 중첩하되, 제1 인덕터 접점 패드부(226a)와 중첩하지 않도록 배치될 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이, 제1 인덕터 접점 패드부(226a)는 제1 커패시터 접점 패드부(326a)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 컨택홀(H) 부근에는 제1 침습 도통부(451)가 형성될 수 있다. 따라서, 제1 인덕터 접점 패드부(226a) 및 컨택홀(H)과 중첩하는 영역에는 투과 차단층(576)이 배치되지 않을 수 있다.The permeation barrier layer 576 may be disposed so as not to overlap the first inductor contact pad portion 226a while overlapping the inductor circuit pattern portion 216 and the second inductor contact pad portion 226b. The first inductor contact pad portion 226a may be electrically connected to the first capacitor contact pad portion 326a and the first intrusion conductive portion 451 may be formed in the vicinity of the contact hole H have. Therefore, the transmission blocking layer 576 may not be disposed in the region overlapping the first inductor contact pad portion 226a and the contact hole H.

몇몇 실시예에서, 제1 금속 패턴(206) 및 제2 금속 패턴(306)은 내부에 분산된 도전성 입자(P)들을 더 포함할 수 있다. 도전성 입자(P)는 상온에서 액체 상태인 액체 금속 내에 대략 균일하게 분산된 상태일 수 있다. 도전성 입자(P)는 액체 금속의 도전성을 더욱 개선시킬 수 있다.In some embodiments, the first metal pattern 206 and the second metal pattern 306 may further include conductive particles (P) dispersed therein. The conductive particles (P) may be substantially uniformly dispersed in the liquid metal in a liquid state at room temperature. The conductive particles (P) can further improve the conductivity of the liquid metal.

앞서 설명한 바와 같이, 제1 침습 도통부(451)는 제1 베이스(516)에 침습된 액체 금속을 포함하여 이루어질 수 있다. 이 경우, 제1 침습 도통부(451)에 포함된 액체 금속의 조성은 제1 금속 패턴(206) 및/또는 제2 금속 패턴(306)의 액체 금속의 조성과 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 금속 패턴(206) 및 제2 금속 패턴(306)은 도전성 입자(P)를 포함하는 반면, 제1 침습 도통부(451)는 도전성 입자(P)를 불포함할 수 있다. 도면으로 표현하지 않았으나, 다른 실시예에서 도 8과 같이 제2 침습 도통부(도 8의 도면 부호 453)를 더 포함할 경우, 제2 침습 도통부에 포함된 액체 금속의 조성은 제1 금속 패턴(206) 및/또는 제2 금속 패턴(306)의 액체 금속의 조성과 상이할 수도 있다.As described above, the first irritation conduction part 451 may include liquid metal infiltrated into the first base 516. In this case, the composition of the liquid metal included in the first intrusion conductive portion 451 may be different from the composition of the liquid metal of the first metal pattern 206 and / or the second metal pattern 306. For example, the first metal pattern 206 and the second metal pattern 306 include the conductive particles P, while the first intrusion conductive portion 451 may not include the conductive particles P. [ 8, the composition of the liquid metal included in the second intrusion conductive portion is not limited to the first metal pattern (not shown) Or the composition of the liquid metal of the first metal pattern 206 and / or the second metal pattern 306.

또, 제1 밀봉층(756)은 복수의 주입홀(757h)을 가질 수 있다. 주입홀(757h)은 제1 인덕터 접점 패드부(226a) 및/또는 제2 인덕터 접점 패드부(226b)와 중첩할 수 있다. 특히, 복수의 주입홀(757h) 중 적어도 일부는 컨택홀(H)과 중첩할 수 있다. 또한 복수의 주입홀(757h) 중 적어도 일부는 투과 차단층(576)과 중첩할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 주입홀(757h)을 통해 액체 금속이 주입될 수 있다. 비제한적인 일례로서, 제2 밀봉층(761)은 홀이 형성되지 않은 상태일 수 있다.In addition, the first sealing layer 756 may have a plurality of injection holes 757h. The injection hole 757h may overlap the first inductor contact pad portion 226a and / or the second inductor contact pad portion 226b. In particular, at least some of the plurality of injection holes 757h may overlap with the contact holes H. [ At least a portion of the plurality of injection holes 757h may overlap with the transmissive-blocking layer 576. The present invention is not limited thereto, but liquid metal can be injected through the injection hole 757h. As a non-limiting example, the second sealing layer 761 may be in a state where a hole is not formed.

주입홀(757h) 상에는 커버 부재(770)가 배치될 수 있다. 커버 부재(770)는 주입홀(757h)을 커버하여 내부의 제1 금속 패턴(206) 및 제2 금속 패턴(306)을 이루는 액체 금속이 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다. 커버 부재(770)는 제1 금속 패턴(206)과 맞닿을 수 있다.A cover member 770 may be disposed on the injection hole 757h. The cover member 770 covers the injection hole 757h to prevent the liquid metal constituting the first metal pattern 206 and the second metal pattern 306 from flowing out. The cover member 770 can abut the first metal pattern 206.

예시적인 실시예에서, 제1 금속 패턴(206)의 최소 두께(T206)는 제2 금속 패턴(306)의 최소 두께(T306) 보다 작을 수 있다. 비제한적인 예시로서, 제1 베이스(516) 상에 투과 차단층(576)이 배치된 경우, 제1 금속 패턴(206)의 최소 두께(T206)는 투과 차단층(576)과 중첩하는 영역에서의 제1 금속 패턴(206)의 두께를 의미할 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되지 않음은 물론이다.In an exemplary embodiment, the minimum thickness T 206 of the first metal pattern 206 may be less than the minimum thickness T 306 of the second metal pattern 306. As a non-limiting example, when the transmissive-blocking layer 576 is disposed on the first base 516, the minimum thickness T 206 of the first metal pattern 206 is greater than the minimum thickness T 206 of the region overlapping the transmissive- It is to be understood that the present invention is not limited thereto.

앞서 설명한 것과 같이 제1 금속 패턴(206)은 인덕터 소자를 형성하고 제2 금속 패턴(306)은 커패시터 소자를 형성할 수 있다. 이 경우 제1 금속 패턴(206)의 두께는 불필요한 두께 증가를 방지하도록 상대적으로 작게 형성하고, 제2 금속 패턴(306)은 인접한 패턴 간에 충분한 대면 면적을 가지도록 상대적으로 크게 형성하여 커패시터 소자로서의 특성을 향상시킬 수 있다.As described above, the first metal pattern 206 may form an inductor element and the second metal pattern 306 may form a capacitor element. In this case, the thickness of the first metal pattern 206 is formed to be relatively small to prevent an unnecessary increase in thickness, and the second metal pattern 306 is formed relatively large to have a sufficient facing surface area between adjacent patterns, Can be improved.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자(21)의 분해사시도이다. 도 12는 도 11의 필터 소자(21)의 등가회로를 나타낸 도면이다.11 is an exploded perspective view of a filter element 21 according to another embodiment of the present invention. 12 is a diagram showing an equivalent circuit of the filter element 21 in Fig.

도 11 및 도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 필터 소자(21)는 상호 전기적으로 연결된 인덕터 소자(21a) 및 커패시터 소자(21b)를 포함하되, 고역 필터 소자인 점이 도 1 등의 실시예에 따른 필터 소자(11)와 상이한 점이다.11 and 12, the filter element 21 according to the present embodiment includes an inductor element 21a and a capacitor element 21b which are electrically connected to each other, Which is different from the filter element 11 according to the first embodiment.

예시적인 실시예에서, 필터 소자(21)는 인덕터 소자(21a)에 제2 입력 단자(IN2) 및 제2 출력 단자(OUT2)가 연결되고, 커패시터 소자(21b)에 제1 입력 단자(IN1) 및 제1 출력 단자(OUT1)가 연결될 수 있다. 제2 입력 단자(IN2)와 제2 출력 단자(OUT2)는 전기적으로 등가일 수 있다. 또, 인덕터 소자(21a)와 커패시터 소자(21b) 간의 단락 노드는 제1 출력 단자(OUT1)와 전기적으로 등가일 수 있다.The filter element 21 has a second input terminal IN2 and a second output terminal OUT2 connected to the inductor element 21a and a first input terminal IN1 to the capacitor element 21b, And a first output terminal OUT1 may be connected. The second input terminal IN2 and the second output terminal OUT2 may be electrically equivalent. The short-circuiting node between the inductor element 21a and the capacitor element 21b may be electrically equivalent to the first output terminal OUT1.

본 실시예에 따른 필터 소자(21)는 도 1 등의 실시예에 따른 필터 소자(11)와 동일하게 상부에 위치하는 인덕터 소자(21a) 및 하부에 위치하는 커패시터 소자(21b)를 포함하되, 입력 단자와 출력 단자의 위치를 변경하는 것 만으로 고역 필터 소자로서의 기능을 구현할 수 있다.The filter element 21 according to the present embodiment includes the inductor element 21a located at the upper part and the capacitor element 21b located at the lower part in the same manner as the filter element 11 according to the embodiment of FIG. It is possible to realize a function as a high-pass filter element simply by changing the positions of the input terminal and the output terminal.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자(31)의 분해사시도이다. 도 14는 도 13의 필터 소자(31)의 등가회로를 나타낸 도면이다. 도 15는 도 13의 커패시터 소자(31a)의 평면도이다. 도 16은 도 13의 인덕터 소자(31b)의 평면도이다. 도 17은 도 13의 Ba-Ba' 선 및 Bb-Bb' 선을 따라 절개한 비교단면도이다. 구체적으로, 도 17의 좌측은 제2 커패시터 접점 패드부(361b)와 제2 인덕터 접점 패드부(261b) 부근을 나타낸 단면도이다. 또, 도 17의 우측은 제1 커패시터 접점 패드부(361a)와 제1 인덕터 접점 패드부(261a) 부근을 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 필터 소자(31)는 도 17에 도시된 것과 같은 기판 적층체(layered-substrate) 구조를 가질 수 있다.13 is an exploded perspective view of a filter element 31 according to another embodiment of the present invention. Fig. 14 is a diagram showing an equivalent circuit of the filter element 31 in Fig. 15 is a plan view of the capacitor element 31a of Fig. 16 is a plan view of the inductor element 31b of Fig. FIG. 17 is a cross-sectional view cut along the lines Ba-Ba 'and Bb-Bb' in FIG. Specifically, the left side of FIG. 17 is a sectional view showing the vicinity of the second capacitor contact pad portion 361b and the second inductor contact pad portion 261b. 17 is a cross-sectional view showing the vicinity of the first capacitor contact pad portion 361a and the first inductor contact pad portion 261a. The filter element 31 according to this embodiment may have a layered-substrate structure as shown in Fig.

도 13 내지 도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 필터 소자(31)는 상호 전기적으로 연결된 커패시터 소자(31a) 및 인덕터 소자(31b)를 포함하되, 커패시터 소자(31a)에 제1 입력 단자(IN1) 및 제1 출력 단자(OUT1)가 연결되고, 인덕터 소자(31b)에 제2 입력 단자(IN2) 및 제2 출력 단자(OUT2)가 연결되는 고역 필터 소자인 점이 도 1 등의 실시예에 따른 필터 소자(11)와 상이한 점이다.13 to 17, the filter element 31 according to the present embodiment includes a capacitor element 31a and an inductor element 31b electrically connected to each other, and the capacitor element 31a has a first input terminal The first and second input terminals IN1 and IN1 and the first output terminal OUT1 are connected to each other and the second input terminal IN2 and the second output terminal OUT2 are connected to the inductor element 31b. Which is different from the filter element 11 according to the first embodiment.

커패시터 소자(31a)는 제2 금속 패턴(331)을 통해 구현될 수 있다. 제2 금속 패턴(331)은 커패시터 회로 패턴부(351) 및 커패시터 회로 패턴부(351)와 연결된 제1 커패시터 접점 패드부(361a), 제2 커패시터 접점 패드부(361b) 및 제3 커패시터 접점 패드부(361c)를 포함할 수 있다. 제2 금속 패턴(331)은 액체 금속을 포함할 수 있다. 커패시터 회로 패턴부(351)는 서로 이격된 제1 커패시터 회로 패턴부(351a) 및 제2 커패시터 회로 패턴부(351b)를 포함할 수 있다. 제1 커패시터 접점 패드부(361a)는 후술할 인덕터 소자(31b)와 전기적으로 연결되어 단락 노드를 형성하고, 제2 커패시터 접점 패드부(361b)는 제1 입력 단자(IN1)와 전기적으로 등가일 수 있다. 또, 제3 커패시터 접점 패드부(361c)는 제1 출력 단자(OUT1)와 전기적으로 등가일 수 있다. 그 외 커패시터 소자(31a)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.The capacitor element 31a may be implemented through the second metal pattern 331. [ The second metal pattern 331 includes a first capacitor contact pad portion 361a connected to the capacitor circuit pattern portion 351 and the capacitor circuit pattern portion 351, a second capacitor contact pad portion 361b, Section 361c. The second metal pattern 331 may comprise a liquid metal. The capacitor circuit pattern portion 351 may include a first capacitor circuit pattern portion 351a and a second capacitor circuit pattern portion 351b spaced from each other. The first capacitor contact pad portion 361a is electrically connected to an inductor element 31b to form a shorting node and the second capacitor contact pad portion 361b is electrically equivalent to the first input terminal IN1 . In addition, the third capacitor contact pad portion 361c may be electrically equivalent to the first output terminal OUT1. The other capacitor elements 31a have been described above, so duplicate descriptions are omitted.

또, 인덕터 소자(31b)는 제1 금속 패턴(231)을 통해 구현될 수 있다. 제1 금속 패턴(231)은 인덕터 회로 패턴부(251) 및 인덕터 회로 패턴부(251)와 연결된 제1 인덕터 접점 패드부(261a), 제2 인덕터 접점 패드부(261b) 및 제3 인덕터 접점 패드부(261c)를 포함할 수 있다. 제1 금속 패턴(231)은 액체 금속을 포함할 수 있다. 제1 인덕터 접점 패드부(261a)는 전술한 커패시터 소자(31a)와 전기적으로 연결되어 단락 노드를 형성하고, 제2 인덕터 접점 패드부(261b)는 제2 입력 단자(IN2)와 전기적으로 등가일 수 있다. 또, 제3 인덕터 접점 패드부(261c)는 제2 출력 단자(OUT2)와 전기적으로 등가일 수 있다.In addition, the inductor element 31b may be implemented through the first metal pattern 231. [ The first metal pattern 231 includes a first inductor contact pad portion 261a connected to the inductor circuit pattern portion 251 and the inductor circuit pattern portion 251, a second inductor contact pad portion 261b, And a portion 261c. The first metal pattern 231 may comprise a liquid metal. The first inductor contact pad portion 261a is electrically connected to the capacitor element 31a to form a shorting node and the second inductor contact pad portion 261b is electrically equivalent to the second input terminal IN2 . In addition, the third inductor contact pad portion 261c may be electrically equivalent to the second output terminal OUT2.

한편 단면도 상에서, 필터 소자(31)는 패턴 기판(107), 패턴 기판(107)의 일면(도 17 기준 상면) 상에 배치된 제2 금속 패턴(331), 패턴 기판(107)의 타면(도 17 기준 하면) 상에 배치된 제1 금속 패턴(231) 및 제1 금속 패턴(231)과 제2 금속 패턴(331)을 도통시키는 컨택부(407)를 포함할 수 있다. 또, 제1 밀봉층(751) 및 제2 밀봉층(761)을 더 포함할 수 있다.On the other hand, in the cross-sectional view, the filter element 31 includes a pattern substrate 107, a second metal pattern 331 disposed on one surface (reference upper surface in FIG. 17) of the pattern substrate 107, The first metal pattern 231 disposed on the first metal pattern 231 and the contact portion 407 electrically connecting the first metal pattern 231 and the second metal pattern 331. Further, it may further include a first sealing layer 751 and a second sealing layer 761.

패턴 기판(107)은 상부에 배치된 제2 패턴 기판(607) 및 하부에 배치된 제1 패턴 기판(507)을 포함할 수 있다. 제2 패턴 기판(607)은 제2 베이스(617) 및 제2 베이스(617) 상에 배치된 제2 격벽 패턴(637)을 포함하고, 제1 패턴 기판(507)은 제1 베이스(517) 및 제1 베이스(517) 상에 배치된 제1 격벽 패턴(537)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 베이스(517)는 부분적으로 액체 금속을 함유하는 제1 침습 도통부(461) 및 제2 침습 도통부(463)를 포함할 수 있다. 제1 침습 도통부(461)는 컨택부(407)와 함께 전기적 도통 영역을 형성할 수 있다.The pattern substrate 107 may include a second pattern substrate 607 disposed on the upper side and a first pattern substrate 507 disposed on the lower side. The second pattern substrate 607 includes a second base pattern 617 and a second partition pattern 637 disposed on the second base 617. The first pattern substrate 507 includes a first base 517, And a first barrier rib pattern 537 disposed on the first base 517. In some embodiments, the first base 517 may include a first intrusion conduction portion 461 and a second intrusion conduction portion 463 that partially contain a liquid metal. The first intrusion conductive portion 461 may form an electric conduction region together with the contact portion 407.

예시적인 실시예에서, 컨택홀 내지는 컨택부(407)는 상부의 제2 금속 패턴(331) 측에서 하부의 제1 금속 패턴(231) 측으로 갈수록 폭이 감소할 수 있다. 즉, 커패시터 소자(31a) 측에서 인덕터 소자(31b) 측으로 갈수록 폭이 감소하도록 컨택홀 및 컨택부(407)가 형성될 수 있다.In the exemplary embodiment, the contact hole or the contact portion 407 may be reduced in width from the second metal pattern 331 on the upper side to the first metal pattern 231 on the lower side. That is, the contact hole and the contact portion 407 can be formed so that the width decreases from the capacitor element 31a side toward the inductor element 31b side.

본 실시예에 따른 필터 소자(31)는 도 8의 실시예에 따른 필터 소자(14)의 상부와 하부를 변경하고 입력 단자 및/또는 출력 단자의 변경을 통해 필터 소자(31)의 기능을 다변화할 수 있는 효과가 있다. 필터 소자(31)의 구체적인 설명에 대해서는 도 8과 함께 전술한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.The filter element 31 according to the present embodiment is configured to change the upper and lower portions of the filter element 14 according to the embodiment of Fig. 8 and change the function of the filter element 31 by changing the input terminal and / There is an effect that can be done. The detailed description of the filter element 31 has already been described above with reference to Fig. 8, so that a duplicate description will be omitted.

도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필터 소자(32)의 단면도로서, 도 17과 대응되는 위치를 나타낸 비교단면도이다. 본 실시예에 따른 필터 소자(32)는 도 18에 도시된 것과 같은 기판 적층체 구조를 가질 수 있다.FIG. 18 is a cross-sectional view of a filter element 32 according to another embodiment of the present invention, which is a comparative sectional view showing a position corresponding to FIG. 17. FIG. The filter element 32 according to this embodiment may have a substrate laminate structure as shown in Fig.

도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 필터 소자(32)의 제1 금속 패턴(232) 및/또는 제2 금속 패턴(332)의 측면은 경사각을 갖는 점이 도 17 등의 실시예에 따른 필터 소자(31)와 상이한 점이다.18, the side surface of the first metal pattern 232 and / or the second metal pattern 332 of the filter element 32 according to the present embodiment has an inclination angle, Which is different from the device 31.

제1 금속 패턴(232)의 제1 인덕터 접점 패드부(262a) 및 제2 인덕터 접점 패드부(262b)의 측면은 제4 경사각(θ4)을 형성할 수 있다. 또, 인덕터 회로 패턴부(252)의 측면은 경사를 가질 수 있다. 한편, 제1 베이스(517) 상에 배치된 제1 격벽 패턴(538)의 채널의 내측벽은 부분적으로 역경사를 가질 수 있다.The side surfaces of the first inductor contact pad portion 262a and the second inductor contact pad portion 262b of the first metal pattern 232 may form a fourth inclination angle? 4 . In addition, the side surface of the inductor circuit pattern portion 252 can have an inclination. On the other hand, the inner wall of the channel of the first partition pattern 538 disposed on the first base 517 may have a partially inverted slope.

또, 제2 금속 패턴(332)의 제1 커패시터 접점 패드부(362a) 및 제2 커패시터 접점 패드부(362b)의 측면은 제5 경사각(θ5)을 형성할 수 있다. 단면도 상으로 표현되지 않았으나 커패시터 회로 패턴부의 측면은 경사를 가질 수 있다. 한편, 제2 베이스(617) 상에 배치된 제2 격벽 패턴(638)의 채널의 내측벽은 부분적으로 역경사를 가질 수 있다.The side surfaces of the first capacitor contact pad portion 362a and the second capacitor contact pad portion 362b of the second metal pattern 332 may form a fifth inclination angle? 5 . Although not shown in cross-section, the side of the capacitor circuit pattern portion may have an inclination. On the other hand, the inner wall of the channel of the second partition pattern 638 disposed on the second base 617 may have a partially inverted slope.

예시적인 실시예에서, 제2 금속 패턴(332)이 형성하는 제5 경사각(θ5)은 제1 금속 패턴(232)이 형성하는 제4 경사각(θ4) 보다 작을 수 있다. 커패시터 소자를 형성하는 제2 금속 패턴(332)의 측면 경사각(θ5)을 상대적으로 크게 형성하여 커패시터 소자의 특성을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 제4 경사각(θ4)은 약 80도 내지 85도이고, 제5 경사각(θ5)은 약 60도 내지 84도일 수 있다.In an exemplary embodiment, the fifth inclined angle (θ 5) of the second metal pattern 332 is formed may be smaller than a fourth angle of inclination (θ 4) of the first metal pattern 232 is formed. The lateral inclination angle [theta] 5 of the second metal pattern 332 forming the capacitor element is relatively increased to improve the characteristics of the capacitor element. For example, the fourth inclination angle? 4 may be about 80 to 85 degrees, and the fifth inclination angle? 5 may be about 60 to 84 degrees.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 소자의 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다. 도 19 내지 도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 소자의 제조 방법을 순서대로 나타낸 단면도들이다. 이하에서, 도 19 내지 도 28을 참조하여 도 10의 실시예에 따른 필터 소자의 제조 방법을 예로 하여 설명하나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 본 기술분야에 속하는 통상의 기술자는 다른 실시예들에 따른 필터 소자의 제조 방법에 대해서도 명확히 이해할 수 있을 것이다.Hereinafter, a method of manufacturing a filter element according to an embodiment of the present invention will be described in detail. 19 to 28 are sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a filter element according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the method of manufacturing the filter element according to the embodiment of FIG. 10 will be described with reference to FIGS. 19 to 28, but the present invention is not limited thereto. The method of manufacturing the filter element according to the present invention can be clearly understood.

우선 도 19를 참조하면, 제1 베이스(516) 상에 투과 차단층(576)을 형성한다. 투과 차단층(576)을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 포토레지스트 공정, 식각 공정, 증착 공정 등을 이용할 수 있다. 투과 차단층(576)의 형상 및 기능 등에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.Referring first to FIG. 19, a transmission blocking layer 576 is formed on a first base 516. The method of forming the transparent barrier layer 576 is not particularly limited, but a photoresist process, an etching process, a deposition process, or the like can be used. The shape and function of the transmissive-blocking layer 576 have been described above, so that duplicate descriptions are omitted.

이어서 도 20을 더 참조하면, 제1 베이스(516) 상에 제1 격벽 패턴(536)을 형성한다. 투과 차단층(576)은 제1 격벽 패턴(536)이 형성하는 채널 중 일부 영역에만 위치하고, 다른 영역에는 위치하지 않을 수 있다. 제1 격벽 패턴(536)은 채널 내지는 트렌치를 형성할 수 있다. 제1 격벽 패턴(536)은 포토레지스트 공정, 식각 공정, 증착 공정 등을 이용할 수 있다. 제1 격벽 패턴(536)의 형상 및 기능 등에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나 본 실시예와 같이 제1 격벽 패턴(536)이 역경사를 갖는 경우, 투과 차단층(576)을 먼저 형성함으로써 제1 격벽 패턴(536)의 형성을 용이하게 할 수 있다.Next, referring to FIG. 20, a first barrier rib pattern 536 is formed on the first base 516. The transmissive barrier layer 576 may be located only in a part of the channel formed by the first barrier rib pattern 536 and may not be located in another area. The first barrier rib pattern 536 may form a channel or a trench. The first barrier rib pattern 536 may be formed by a photoresist process, an etching process, a deposition process, or the like. The shape and function of the first barrier rib pattern 536 are the same as those described above, so that duplicate descriptions are omitted. The present invention is not limited thereto. However, when the first barrier rib pattern 536 has an inverted inclination as in the present embodiment, the formation of the first barrier rib pattern 536 is facilitated by first forming the transmissive barrier layer 576 .

이어서 도 21을 더 참조하면, 제1 격벽 패턴(536) 상에 제1 보강층(556)을 형성하여 제1 패턴 기판(506)을 준비한다. 제1 보강층(556)은 제1 격벽 패턴(536)의 측면 및 상면 상에 배치될 수 있다. 제1 보강층(556)의 형상 및 기능 등에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.Next, referring to FIG. 21, a first reinforcing layer 556 is formed on the first barrier rib pattern 536 to prepare a first pattern substrate 506. The first reinforcing layer 556 may be disposed on the side surfaces and the upper surface of the first barrier rib pattern 536. Since the shape and function of the first reinforcing layer 556 have been described above, the duplicated description will be omitted.

이어서 도 22를 더 참조하면, 제2 베이스(616) 상에 제2 격벽 패턴(636) 및 제2 보강층(656)이 배치된 제2 패턴 기판(606)을 준비한다. 제2 베이스(616)는 제1 베이스(516)에 비해 액체 투과도가 낮고, 강도가 높은 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스(516)는 액체 투과성을 가지고 제2 베이스(616)는 액체 불투과성을 가질 수 있다. 그 외 제2 베이스(616), 제2 격벽 패턴(636) 및 제2 보강층(656)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.22, a second pattern substrate 606 having a second partition pattern 636 and a second reinforcement layer 656 disposed on a second base 616 is prepared. The second base 616 may be made of a material having a lower liquid permeability and higher strength than the first base 516. For example, the first base 516 may be liquid permeable and the second base 616 may be liquid impermeable. The other portions of the second base 616, the second barrier rib pattern 636, and the second reinforcing layer 656 are the same as those described above.

이어서 도 23을 더 참조하면, 제1 패턴 기판(506)의 타면(도 23 기준 하면)과 제2 패턴 기판(606)의 일면(도 23 기준 상면)을 대면하도록 배치한다. 제1 패턴 기판(506)의 제1 베이스(516)와 제2 패턴 기판(606)의 제2 베이스(616)는 서로 맞닿을 수 있다.23, the other surface (reference surface in FIG. 23) of the first pattern substrate 506 and the other surface (reference upper surface in FIG. 23) of the second pattern substrate 606 face each other. The first base 516 of the first pattern substrate 506 and the second base 616 of the second pattern substrate 606 can be in contact with each other.

이어서 도 24를 더 참조하면, 타공 부재(S)를 이용하여 컨택홀(H)을 형성한다. 컨택홀(H)은 제1 격벽 패턴(536) 및 제2 격벽 패턴(636)과 중첩하지 않는 위치에 형성될 수 있다. 24, a contact hole H is formed by using a perforated member S. The contact hole H may be formed at a position not overlapping the first barrier rib pattern 536 and the second barrier rib pattern 636.

예시적인 실시예에서, 타공 부재(S)를 이용한 컨택홀(H)의 형성은 제2 패턴 기판(606) 측으로부터 제1 패턴 기판(506) 방향으로 수행될 수 있다. 전술한 바와 같이 제2 베이스(616)는 제1 베이스(516)는 높은 강도를 가질 수 있다. 이에 따라 제2 베이스(616) 측으로부터 제1 베이스(516) 방향으로 타공 공정을 수행함으로써 안정적인 구조의 컨택홀(H)을 형성할 수 있다. 또, 제2 베이스(616)의 제2 컨택홀의 폭이 제1 베이스(516)의 제1 컨택홀 폭에 비해 큰 구조를 용이하게 형성할 수 있다. In the exemplary embodiment, the formation of the contact hole H using the perforated member S may be performed in the direction from the second pattern substrate 606 side to the first pattern substrate 506 side. As described above, the second base 616 may have a high strength of the first base 516. [ Accordingly, by performing the punching process from the side of the second base 616 toward the side of the first base 516, the contact hole H having a stable structure can be formed. In addition, a structure in which the width of the second contact hole of the second base 616 is larger than the width of the first contact hole of the first base 516 can be easily formed.

도 24는 드릴링 공정 등을 통해 컨택홀(H)을 형성하는 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 레이저 등을 이용할 수도 있다.FIG. 24 illustrates a case where the contact hole H is formed through a drilling process or the like, but the present invention is not limited thereto, and a laser or the like may be used.

이어서 도 25를 더 참조하면, 제1 패턴 기판(506) 상에 제1 밀봉층(751)을 배치하고, 제2 패턴 기판(606) 상에 제2 밀봉층(761)을 배치한다. 제1 밀봉층(751) 및 제2 밀봉층(761)은 각각 제1 패턴 기판(506) 및 제2 패턴 기판(606)과 접합될 수 있다. 이에 따라 제1 밀봉층(751)과 제2 밀봉층(761) 사이에는 에어갭(AG)이 형성될 수 있다. 제1 패턴 기판(506)이 갖는 채널과 제2 패턴 기판(606)이 갖는 채널, 및 컨택홀은 공기로 충진된 상태일 수 있다. 즉, 본 단계에서 제1 밀봉층(751) 및 제2 밀봉층(761)에 의해 내부는 외부로부터 차단될 수 있다.25, a first sealing layer 751 is disposed on the first pattern substrate 506, and a second sealing layer 761 is disposed on the second pattern substrate 606. Next, referring to FIG. The first sealing layer 751 and the second sealing layer 761 may be bonded to the first pattern substrate 506 and the second pattern substrate 606, respectively. Accordingly, an air gap AG may be formed between the first sealing layer 751 and the second sealing layer 761. The channel of the first pattern substrate 506, the channel of the second pattern substrate 606, and the contact hole may be filled with air. That is, in this step, the inside can be blocked from the outside by the first sealing layer 751 and the second sealing layer 761.

이어서 도 26을 더 참조하면, 제1 밀봉층(756)에 주입홀(757h)을 형성하고, 주입홀(757h)을 통해 제1 패턴 기판(506)의 제1 채널, 컨택홀(H) 및 제2 패턴 기판(606)의 제2 채널에 액체 금속을 주입한다. 제1 채널에 충진된 액체 금속은 제1 금속 패턴(206)을 형성하고, 제2 채널에 충진된 액체 금속은 제2 금속 패턴(306)을 형성할 수 있다. 또, 컨택홀(H)에 충진된 액체 금속은 컨택부(406)를 형성할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 금속 패턴(206), 컨택부(406) 및 제2 금속 패턴(306)을 이루는 액체 금속은 내부에 분산된 도전성 입자(P)를 더 포함할 수 있다.26, an injection hole 757h is formed in the first sealing layer 756 and the first channel of the first pattern substrate 506, the contact hole H and the second channel of the first pattern substrate 506 are formed through the injection hole 757h. The liquid metal is injected into the second channel of the second pattern substrate 606. The liquid metal filled in the first channel forms a first metal pattern 206 and the liquid metal filled in the second channel forms a second metal pattern 306. In addition, the liquid metal filled in the contact hole H can form the contact portion 406. In some embodiments, the liquid metal forming the first metal pattern 206, the contact portion 406, and the second metal pattern 306 may further include conductive particles (P) dispersed therein.

또, 본 실시예에 따른 필터 소자의 제조 방법에 따르면, 액체 금속을 제1 밀봉층(756)의 주입홀(757h)을 통해 주입함으로써 제1 채널, 컨택홀(H) 및 제2 채널 등이 액체 금속에 의해 완전히 충진되지 않는 문제를 억제할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 본 실시예와 같이 컨택홀이 제2 베이스(616)에서 제1 베이스(516) 측으로 갈수록 폭이 감소하는 경우에, 제2 밀봉층(761) 측으로부터 액체 금속을 주입할 경우 높은 점도를 갖는 액체 금속이 컨택홀(H)을 원활하게 통과하지 않는 문제가 발생할 수 있다. 즉, 상대적으로 좁은 폭을 갖는 제1 컨택홀이 위치한 상부로부터 액체 금속을 충진함으로써 액체 금속의 충진을 원활하게 할 수 있다.According to the manufacturing method of the filter element according to this embodiment, the liquid metal is injected through the injection hole 757h of the first sealing layer 756 so that the first channel, the contact hole H, The problem that the liquid metal is not completely filled can be suppressed. When the width of the contact hole decreases from the second base 616 toward the first base 516 side as in the present embodiment, the liquid metal from the second sealing layer 761 side, The liquid metal having a high viscosity may not pass through the contact hole H smoothly. That is, filling of the liquid metal can be smoothly performed by filling the liquid metal from the upper portion where the first contact hole having a relatively narrow width is located.

이어서 도 27을 더 참조하면, 주입홀(757h) 상에 커버 부재(770)를 배치하여 액체 금속을 밀봉한다. 주입홀(757h)과 중첩하도록 커버 부재(770)를 배치하여 상온에서 액체 상태인 제1 금속 패턴(206), 컨택부(406) 및 제2 금속 패턴(306)을 유지보존할 수 있다.27, a cover member 770 is disposed on the injection hole 757h to seal the liquid metal. The cover member 770 is disposed so as to overlap with the injection hole 757h so that the first metal pattern 206, the contact portion 406 and the second metal pattern 306 in a liquid state at normal temperature can be held and preserved.

이어서 도 28을 더 참조하면, 제1 침습 도통부(451)를 형성한다. 앞서 설명한 것과 같이 제1 침습 도통부(451)는 제1 인덕터 접점 패드부(226a) 내지는 컨택부(406) 부근의 액체 금속이 제1 베이스(516) 측으로 침투하여 형성된 것일 수 있다. 제1 침습 도통부(451)의 형성은 도 27에 따라 준비된 기판 적층체를 신장시키거나, 또는 압축시켜 수행될 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.28, a first intrusion conductive portion 451 is formed. The first inductive conductive portion 451 may be formed by penetrating the first inductor contact pad portion 226a or the liquid metal near the contact portion 406 toward the first base 516 side as described above. The formation of the first intrusion conductive portion 451 may be performed by stretching or compressing the substrate laminate prepared according to Fig. 27, but the present invention is not limited thereto.

본 실시예에 따른 필터 소자의 제조 방법에 따르면 컨택홀(H)을 인덕터 소자 측에서 커패시터 소자 측으로 갈수록 폭이 증가하도록 구성하여 커패시터 소자의 전기적 특성을 향상시키고, 나아가 필터 소자의 컷오프 특성을 개선할 수 있다. 뿐만 아니라 컨택홀(H)의 내측 표면에 위치한 제1 침습 도통부(451)를 형성하여 컨택홀(H)의 폭 증가 없이도 제1 금속 패턴(206)과 제2 금속 패턴(306) 간의 전기적 접속을 향상시키는 효과가 있다.According to the method of manufacturing a filter element according to the present embodiment, the contact hole H is formed to have an increased width from the inductor element side toward the capacitor element side, thereby improving the electrical characteristics of the capacitor element and further improving the cut- . The first intrusion conductive portion 451 located on the inner surface of the contact hole H may be formed so that the electrical connection between the first metal pattern 206 and the second metal pattern 306 .

이하, 제조예 및 비교예를 더 참조하여 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Production Examples and Comparative Examples.

<제조예 1: 인덕터 소자의 제조>&Lt; Preparation Example 1: Production of an inductor device >

도 29에 도시된 것과 같은 형상의 인덕터 소자를 제조하였다. 액체 금속으로는 갈륨과 인듐의 혼합 조성을 이용하였다. 인덕터의 단면 형상은 첨부된 도면으로부터 본 기술분야에 속하는 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다. 제1 베이스는 소정의 투과도를 갖는 종이 재질을 이용하였다.An inductor element having a shape as shown in Fig. 29 was manufactured. As a liquid metal, a mixed composition of gallium and indium was used. The cross-sectional shape of the inductor can be clearly understood by those skilled in the art from the accompanying drawings. The first base used paper material having a predetermined transmittance.

그리고 인덕터 소자의 특성을 측정하여 도 30에 나타내었다. 도 30을 참조하면, 제조예 1에 따른 인덕터 소자는 1.63μH의 인덕턴스를 나타내는 것을 확인할 수 있다.The characteristics of the inductor element were measured and shown in Fig. Referring to FIG. 30, it can be seen that the inductor element according to Production Example 1 exhibits an inductance of 1.63 μH.

<제조예 2: 커패시터 소자의 제조>&Lt; Preparation Example 2: Preparation of capacitor element >

도 31에 도시된 것과 같은 형상의 커패시터 소자를 제조하였다. 액체 금속으로는 갈륨과 인듐의 혼합 조성을 이용하였다. 커패시터의 단면 형상은 첨부된 도면으로부터 본 기술분야에 속하는 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다. 제2 베이스는 소정의 투과도를 갖는 종이 재질을 이용하였다.A capacitor element having a shape as shown in Fig. 31 was manufactured. As a liquid metal, a mixed composition of gallium and indium was used. The cross-sectional shape of the capacitor will be clearly understood by those skilled in the art from the accompanying drawings. The second base used a paper material having a predetermined transmittance.

그리고 커패시터 소자의 특성을 측정하여 도 32에 나타내었다. 도 32를 참조하면, 제조예 2에 따른 커패시터 소자는 13.6pF의 커패시턴스를 나타내는 것을 확인할 수 있다.The characteristics of the capacitor element were measured and shown in FIG. Referring to FIG. 32, it can be seen that the capacitor element according to Production Example 2 exhibits a capacitance of 13.6 pF.

<비교예 1: 비교 인덕터 소자의 제조>&Lt; Comparative Example 1: Fabrication of Comparative Inductor Element >

인덕터 소자의 형상을 도 33과 같이 변형한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 인덕터 소자를 제조하였다. 그러나 액체 금속 주입 공정에 있어서 각진 패턴 부분에 액체 금속이 완전히 충진되지 않는 문제가 발생하였다. 뿐만 아니라, 내부에 미충진 영역이 존재함에도 불구하고 채널 내 압력의 과다한 상승으로 패턴이 파괴되고, 액체 금속의 누수가 발생하는 문제가 발생함을 확인하였다.An inductor device was manufactured in the same manner as in Production Example 1, except that the shape of the inductor device was modified as shown in Fig. However, in the liquid metal injection process, there is a problem that the liquid metal is not completely filled in the angled pattern portion. In addition, it was confirmed that the pattern was destroyed due to the excessive increase of the pressure in the channel even though there was an unfilled region in the inside, and the leakage of liquid metal occurred.

<비교예 2: 비교 커패시터 소자의 제조>&Lt; Comparative Example 2: Fabrication of comparative capacitor element >

커패시터 소자의 형상을 도 34와 같이 변형한 것을 제외하고는 제조예 2와 동일한 방법으로 커패시터 소자를 제조하였다. 그러나 액체 금속 주입 공정에 있어서 각진 패턴 부분에 액체 금속이 완전히 충진되지 않는 문제가 발생하였다. 뿐만 아니라, 내부에 미충진 영역이 존재함에도 불구하고 채널 내 압력의 과다한 상승으로 패턴이 파괴되고, 액체 금속의 누수가 발생하는 문제가 발생함을 확인하였다.A capacitor element was manufactured in the same manner as in Production Example 2, except that the shape of the capacitor element was modified as shown in Fig. However, in the liquid metal injection process, there is a problem that the liquid metal is not completely filled in the angled pattern portion. In addition, it was confirmed that the pattern was destroyed due to the excessive increase of the pressure in the channel even though there was an unfilled region in the inside, and the leakage of liquid metal occurred.

이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but many variations and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. It will be appreciated that many variations and applications not illustrated above are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments of the present invention can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

11: 필터 소자
11a: 인덕터 소자
11b: 커패시터 소자
101: 패턴 기판
201: 제1 금속 패턴
301: 제2 금속 패턴
501: 제1 패턴 기판
511: 제1 베이스
531: 제1 격벽 패턴
601: 제2 패턴 기판
611: 제2 베이스
631: 제2 격벽 패턴
751: 제1 밀봉층
761: 제2 밀봉층
H: 컨택홀
11: Filter element
11a: Inductor element
11b: Capacitor element
101: pattern substrate
201: first metal pattern
301: second metal pattern
501: first pattern substrate
511: first base
531: first barrier rib pattern
601: second pattern substrate
611: Second base
631: second barrier rib pattern
751: first sealing layer
761: second sealing layer
H: Contact hole

Claims (17)

제1 컨택홀이 형성된 제1 베이스;
상기 제1 베이스의 타면 상에 배치되고, 상기 제1 컨택홀과 연결된 제2 컨택홀을 가지며, 상기 제1 베이스 보다 작은 액체 투과도를 갖는 제2 베이스;
상기 제1 베이스의 일면 상에 배치된 제1 금속 패턴;
상기 제2 베이스의 타면 상에 배치되는 제2 금속 패턴; 및
상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀에 삽입 배치되어 상기 제1 금속 패턴과 상기 제2 금속 패턴을 전기적으로 연결하는 컨택부를 포함하는 기판 적층체.
A first base on which a first contact hole is formed;
A second base disposed on the other surface of the first base and having a second contact hole connected to the first contact hole and having a liquid permeability lower than that of the first base;
A first metal pattern disposed on one surface of the first base;
A second metal pattern disposed on the other surface of the second base; And
And a contact portion inserted in the first contact hole and the second contact hole and electrically connecting the first metal pattern and the second metal pattern.
제1항에 있어서,
상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴은 각각 인덕터 소자 및 커패시터 소자를 형성하고,
상기 제1 컨택홀 또는 상기 제2 컨택홀은 각각 상기 제2 금속 패턴 측에서 상기 제1 금속 패턴 측으로 갈수록 폭이 감소하는 기판 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the first metal pattern and the second metal pattern each form an inductor element and a capacitor element,
Wherein the width of the first contact hole or the second contact hole decreases from the second metal pattern side toward the first metal pattern side.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 베이스는 상기 제1 베이스 보다 큰 강도를 갖는 기판 적층체.
The method according to claim 1,
And the second base has a greater strength than the first base.
제1항에 있어서,
상기 제1 베이스는, 상기 제1 컨택홀의 내측벽 표면에 위치하고, 액체 금속이 충진되어 형성되며, 상기 컨택부와 맞닿는 제1 침습 도통부를 포함하는 기판 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the first base includes a first intrusion conductive portion which is located on an inner wall surface of the first contact hole and is filled with liquid metal and abuts against the contact portion.
제5항에 있어서,
상기 제1 금속 패턴은, 서로 이격된 제1 인덕터 접점 패드부 및 제2 인덕터 접점 패드부, 및 상기 제1 인덕터 접점 패드부와 상기 제2 인덕터 접점 패드부를 전기적으로 연결된 인덕터 회로 패턴부를 포함하고,
상기 제1 베이스는, 상기 제1 베이스의 상기 일면의 표면에 위치하고, 액체 금속이 충진되어 형성된 제2 침습 도통부를 더 포함하되,
상기 제1 침습 도통부는 상기 제1 인덕터 접점 패드부와 맞닿아 중첩하되, 상기 제2 인덕터 접점 패드부 및 상기 인덕터 회로 패턴부와 중첩하지 않고,
상기 제2 침습 도통부는 상기 제2 인덕터 접점 패드부와 맞닿아 중첩하되, 상기 제1 인덕터 접점 패드부 및 상기 인덕터 회로 패턴부와 중첩하지 않는 기판 적층체.
6. The method of claim 5,
The first metal pattern includes a first inductor contact pad portion and a second inductor contact pad portion spaced apart from each other and an inductor circuit pattern portion electrically connected to the first inductor contact pad portion and the second inductor contact pad portion,
Wherein the first base further includes a second intrusion conductive part located on a surface of the one surface of the first base and formed by filling liquid metal,
Wherein the first inductive conductive part overlaps the first inductor contact pad part and overlaps the first inductive contact pad part without overlapping the second inductor contact pad part and the inductor circuit pattern part,
Wherein the second inductive conductive portion overlaps the second inductor contact pad portion to overlap the first inductor contact pad portion and the inductor circuit pattern portion.
제6항에 있어서,
상기 제1 침습 도통부의 최대 두께는 상기 제1 베이스의 최대 두께의 50% 이하인 기판 적층체.
The method according to claim 6,
Wherein the maximum thickness of the first intrusion conductive portion is 50% or less of the maximum thickness of the first base.
제6항에 있어서,
상기 제1 침습 도통부 및 상기 제2 침습 도통부는 상기 인덕터 회로 패턴부와 맞닿지 않고,
상기 인덕터 회로 패턴부는 평면 시점에서 라운드진 형상을 가지며,
상기 제2 베이스는 액체 금속이 충진된 부분을 불포함하는 기판 적층체.
The method according to claim 6,
The first and second intrusion conductive parts are not in contact with the inductor circuit pattern part,
Wherein the inductor circuit pattern portion has a rounded shape at a plan view,
Wherein the second base does not include a portion filled with liquid metal.
제6항에 있어서,
상기 컨택부 및 상기 제1 침습 도통부는 함께 상기 제1 금속 패턴과 상기 제2 금속 패턴 사이의 전기적 도통 영역을 형성하고,
상기 제1 컨택홀과 상기 제1 침습 도통부가 형성하는 도통 영역의 최소폭은, 상기 제2 컨택홀의 최소폭 보다 큰 기판 적층체.
The method according to claim 6,
The contact portion and the first intrusion conductive portion together form an electrical conduction region between the first metal pattern and the second metal pattern,
Wherein a minimum width of the conductive region formed by the first contact hole and the first intrusion conductive portion is larger than a minimum width of the second contact hole.
제9항에 있어서,
상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴은 각각 내부에 도전성 입자가 분산된 액체 금속을 포함하되,
상기 제1 침습 도통부 및 상기 제2 침습 도통부는 상기 도전성 입자를 불포함하는 기판 적층체.
10. The method of claim 9,
Wherein the first metal pattern and the second metal pattern each include a liquid metal in which conductive particles are dispersed,
Wherein the first intrusion conductive portion and the second intrusion conductive portion do not include the conductive particles.
제9항에 있어서,
상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴은 각각 경사진 측면을 가지고,
상기 제1 금속 패턴이 형성하는 경사각은 상기 제2 금속 패턴이 형성하는 경사각 보다 크며,
상기 제1 금속 패턴의 최소 두께는 상기 제2 금속 패턴의 최소 두께 보다 작은 기판 적층체.
10. The method of claim 9,
Wherein the first metal pattern and the second metal pattern each have an inclined side surface,
Wherein the inclination angle formed by the first metal pattern is larger than the inclination angle formed by the second metal pattern,
Wherein the minimum thickness of the first metal pattern is less than the minimum thickness of the second metal pattern.
제1항에 있어서,
상기 제1 베이스의 일면 상에 배치되어 상기 제1 금속 패턴이 배치되는 채널을 형성하는 격벽 패턴;
상기 격벽 패턴의 측면 상에 배치된 보강층;
상기 제1 베이스의 일면 상에 배치되고, 상기 채널 내에 배치되며, 상기 제1 베이스 및 상기 제1 금속 패턴과 맞닿는 투과 차단층으로서, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀과 중첩하지 않도록 배치된 투과 차단층;
상기 격벽 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀과 중첩하는 홀을 갖는 밀봉층; 및
상기 밀봉층의 홀 상에 배치되어 상기 홀을 커버하고, 상기 제1 금속 패턴과 맞닿으며, 상기 투과 차단층과 중첩하지 않도록 배치된 커버 부재를 더 포함하는 기판 적층체.
The method according to claim 1,
A barrier pattern disposed on one surface of the first base to form a channel in which the first metal pattern is disposed;
A reinforcing layer disposed on a side surface of the barrier rib pattern;
A transmission barrier layer disposed on one side of the first base and disposed in the channel and contacting the first base and the first metal pattern, the first and second contact holes being arranged so as not to overlap with the first and second contact holes, A transparent barrier layer;
A sealing layer disposed on the barrier rib pattern and having a hole overlapping the first contact hole and the second contact hole; And
And a cover member disposed on the hole of the sealing layer to cover the hole and to be in contact with the first metal pattern and not to overlap the transparent barrier layer.
액체 투과성을 갖는 제1 베이스로서, 제1 컨택홀을 가지고, 적어도 부분적으로 액체 금속을 함유하는 제1 베이스;
액체 불투과성을 갖는 제2 베이스로서, 상기 제1 베이스의 타면 상에 배치되고, 제2 컨택홀을 갖는 제2 베이스;
상기 제1 베이스 상에 배치된 제1 수동 소자 패턴; 및
상기 제2 베이스 상에 배치된 제2 수동 소자 패턴으로서, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀을 통해 상기 제1 수동 소자 패턴과 전기적으로 연결된 제2 수동 소자 패턴을 포함하는 필터 소자.
1. A first base having liquid permeability, comprising: a first base having a first contact hole and at least partially containing a liquid metal;
A second base having a liquid-impermeable property, the second base being disposed on the other surface of the first base, the second base having a second contact hole;
A first passive element pattern disposed on the first base; And
And a second passive element pattern disposed on the second base, the second passive element pattern being electrically connected to the first passive element pattern through the first contact hole and the second contact hole.
제13항에 있어서,
상기 제1 컨택홀과 제2 컨택홀에 충진된 액체 금속, 및 상기 제1 베이스에 함유된 액체 금속은 함께 상기 제1 수동 소자 패턴과 상기 제2 수동 소자 패턴 사이의 전기적 통로를 형성하고,
상기 전기적 통로의 수평 방향으로의 폭에 있어서, 수직 방향의 양단부에서의 폭이, 수직 방향 중앙부에서의 폭 보다 큰 필터 소자.
14. The method of claim 13,
The liquid metal filled in the first contact hole and the second contact hole and the liquid metal contained in the first base together form an electrical path between the first passive element pattern and the second passive element pattern,
Wherein the width in the horizontal direction of the electrical passage is larger than the width in the vertical direction center portion at both ends in the vertical direction.
일면에 형성된 제1 채널을 갖는 제1 패턴 기판을 준비하는 단계로서, 제1 베이스를 포함하는 제1 패턴 기판을 준비하는 단계;
타면에 형성된 제2 채널을 갖는 제2 패턴 기판을 준비하는 단계로서, 상기 제1 베이스 보다 작은 액체 투과도 및 상기 제1 베이스 보다 큰 강도를 갖는 제2 베이스를 포함하는 제2 패턴 기판을 준비하는 단계;
상기 제1 패턴 기판의 타면 상에 상기 제2 패턴 기판을 배치하는 단계; 및
상기 제2 패턴 기판에서 상기 제1 패턴 기판 방향으로 컨택홀을 형성하는 단계를 포함하는 필터 소자의 제조 방법.
Preparing a first pattern substrate having a first channel formed on one surface thereof, the method comprising: preparing a first pattern substrate including a first base;
Preparing a second pattern substrate having a second channel formed on the other surface thereof, the method comprising the steps of: preparing a second pattern substrate including a second base having a liquid permeability lower than that of the first base and a higher strength than the first base; ;
Disposing the second pattern substrate on the other surface of the first pattern substrate; And
And forming a contact hole from the second pattern substrate toward the first pattern substrate.
제15항에 있어서,
상기 컨택홀을 형성하는 단계 후에,
상기 제1 패턴 기판 상에 제1 밀봉층을 배치하는 단계;
상기 제2 패턴 기판 상에 제2 밀봉층을 배치하는 단계;
상기 제1 밀봉층에 상기 컨택홀과 중첩하도록 홀을 형성하는 단계; 및
상기 제1 밀봉층의 홀을 통해 상기 제1 채널, 상기 컨택홀 및 상기 제2 채널에 액체 금속을 충진하는 단계를 더 포함하는 필터 소자의 제조 방법.
16. The method of claim 15,
After forming the contact hole,
Disposing a first sealing layer on the first pattern substrate;
Disposing a second sealing layer on the second pattern substrate;
Forming a hole in the first sealing layer so as to overlap with the contact hole; And
Filling the first channel, the contact hole, and the second channel with a liquid metal through a hole in the first sealing layer.
제16항에 있어서,
상기 액체 금속을 충진하는 단계 후에,
상기 제1 베이스에 부분적으로 액체 금속을 침투시키는 단계로서, 상기 컨택홀의 내측벽 표면을 통해 액체 금속을 침투시키는 단계를 더 포함하는 필터 소자의 제조 방법.
17. The method of claim 16,
After filling the liquid metal,
Permeating the liquid metal partially into the first base, further comprising the step of penetrating the liquid metal through the inner wall surface of the contact hole.
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