KR101952859B1 - Chip electronic component and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 코일 도체 패턴부가 매설된 자성체 본체; 및 상기 코일 도체 패턴부의 표면에 형성된 산화막;을 포함하는 칩 전자부품 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시형태의 칩 전자부품 및 그 제조방법에 의하면 종래의 절연막보다 박막의 절연막이 형성되면서도 코일 도체 패턴부의 노출을 방지하여 자성체 재료와 코일 도체 패턴부가 직접 접촉하지 않으며, 이에 따라 고주파에서의 파형 불량을 방지할 수 있다.The present invention provides a magnetic body in which the coil conductor pattern portion is embedded; And an oxide film formed on a surface of the coil conductor pattern portion. According to the chip electronic component and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention, the magnetic conductor material and the coil conductor pattern part are not directly contacted by preventing the coil conductor pattern part from being exposed even though a thin film insulating film is formed than the conventional insulating film. This can prevent waveform defects.

Description

칩 전자부품 및 그 제조방법{Chip electronic component and manufacturing method thereof}Chip electronic component and manufacturing method

본 발명은 칩 전자부품 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a chip electronic component and a method of manufacturing the same.

칩 전자부품 중 하나인 인덕터(inductor)는 저항, 커패시터와 더불어 전자회로를 이루어 노이즈(Noise)를 제거하는 대표적인 수동소자이다.
An inductor, one of the chip electronic components, is a typical passive device that removes noise by forming an electronic circuit together with a resistor and a capacitor.

박막형 인덕터는 도금으로 코일 도체 패턴부를 형성한 후, 자성체 분말 및 수지를 혼합시켜 형성한 자성체 시트를 적층, 압착 및 경화하여 제조한다.The thin film type inductor is manufactured by forming a coil conductor pattern portion by plating, and then laminating, pressing, and curing a magnetic sheet formed by mixing magnetic powder and resin.

이때, 코일 도체 패턴부와 자성체 재료와의 접촉을 방지하기 위하여 코일 도체 패턴부의 표면에는 절연막을 형성한다.
At this time, to prevent contact between the coil conductor pattern portion and the magnetic material, an insulating film is formed on the surface of the coil conductor pattern portion.

일본공개공보 제2005-210010호Japanese Laid-Open Publication No. 2005-210010 일본공개공보 제2008-166455호Japanese Laid-Open Publication No. 2008-166455

본 발명은 종래의 절연막보다 박막이면서도 자성체 재료와의 접촉을 효과적으로 방지할 수 있는 절연막이 형성된 칩 전자부품 및 그 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip electronic component having a thin film than a conventional insulating film and having an insulating film capable of effectively preventing contact with a magnetic material and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 실시형태는 코일 도체 패턴부의 표면에 상기 코일 도체 패턴부를 형성하는 적어도 하나의 금속의 산화물로 이루어진 산화막이 형성된 칩 전자부품을 제공한다.
An embodiment of the present invention provides a chip electronic component in which an oxide film made of an oxide of at least one metal forming the coil conductor pattern portion is formed on a surface of the coil conductor pattern portion.

본 발명의 일 실시형태의 칩 전자부품 및 그 제조방법에 의하면 종래의 절연막보다 박막의 절연막이 형성되면서도 코일 도체 패턴부의 노출을 방지하여 자성체 재료와 코일 도체 패턴부가 직접 접촉하지 않으며, 이에 따라 고주파에서의 파형 불량을 방지할 수 있다.
According to the chip electronic component and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention, the magnetic conductor material and the coil conductor pattern part are not directly contacted by preventing the coil conductor pattern part from being exposed even though a thin film insulating film is formed than the conventional insulating film. This can prevent waveform defects.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 코일 도체 패턴부가 나타나게 도시한 개략 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선에 의한 단면도이다.
도 3은 도 2의 A 부분의 일 실시형태를 확대하여 도시한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 LT 방향의 단면도이다.
도 5는 도 4의 B 부분의 일 실시형태를 확대하여 도시한 개략도이다.
도 6은 도 5의 C 부분의 일 실시형태를 확대하여 도시한 개략도이다.
도 7은 도 2의 A 부분의 다른 일 실시형태를 확대하여 도시한 개략도이다.
도 8은 도 4의 B 부분의 다른 일 실시형태를 확대하여 도시한 개략도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 절연막이 형성된 코일 도체 패턴부의 일부분을 확대 관찰한 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)사진이다.
도 10은 본 발명의 일 실시형태의 칩 전자부품의 제조공정을 나타내는 공정도이다.1 is a schematic perspective view showing a coil conductor pattern portion of a chip electronic component according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1.
3 is an enlarged schematic view of an embodiment of portion A of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view in the LT direction of the chip electronic component according to the embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an enlarged schematic view of an embodiment of part B of FIG. 4.
FIG. 6 is an enlarged schematic view of an embodiment of part C of FIG. 5.
FIG. 7 is an enlarged schematic view of another embodiment of part A of FIG. 2.
FIG. 8 is an enlarged schematic view of another embodiment of part B of FIG. 4.
FIG. 9 is an enlarged view of a scanning electron microscope (SEM) photograph of a portion of a coil conductor pattern part on which an insulating film of a chip electronic component according to an exemplary embodiment of the present invention is formed.
10 is a process chart showing a manufacturing process of a chip electronic component of an embodiment of the present invention.

이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to specific embodiments and the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and thicknesses are exaggerated in order to clearly express various layers and regions. It demonstrates using a sign.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise.

칩 전자부품Chip electronic components

이하에서는 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품을 설명하되, 특히 박막형 인덕터로 설명하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, a chip electronic component according to an embodiment of the present invention will be described. In particular, a thin film inductor will be described, but is not limited thereto.

도 1은 본 발명의 일 실시형태의 칩 전자부품의 코일 도체 패턴부가 나타나게 도시한 개략 사시도이며, 도 2는 도 1의 I-I'선에 의한 단면도이다.
1 is a schematic perspective view showing a coil conductor pattern portion of a chip electronic component of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 칩 전자부품의 일 예로써 전원 공급 회로의 전원 라인에 사용되는 박막형 인덕터(100)가 개시된다.
1 and 2, as an example of a chip electronic component, a thin film type inductor 100 used in a power line of a power supply circuit is disclosed.

본 발명의 일 실시형태에 따른 박막형 인덕터(100)는 자성체 본체(50), 상기 자성체 본체(50)의 내부에 매설된 코일 도체 패턴부(42, 44), 상기 자성체 본체(50)의 외측에 형성되어 상기 코일 도체 패턴부(42, 44)와 연결되는 외부전극(80)을 포함한다.
The thin film inductor 100 according to the exemplary embodiment of the present invention may include a magnetic body 50, coil conductor pattern parts 42 and 44 embedded in the magnetic body 50, and an outer side of the magnetic body 50. The external electrode 80 is formed to be connected to the coil conductor pattern parts 42 and 44.

상기 자성체 본체(50)는 박막형 인덕터(100)의 외관을 이루며, 자기 특성을 나타내는 재료라면 제한되지 않고, 예를 들어, 페라이트 또는 금속계 연자성 재료가 충진되어 형성될 수 있다. The magnetic body 50 forms the appearance of the thin film inductor 100 and is not limited as long as the material exhibits magnetic properties. For example, the magnetic body 50 may be formed by filling with a ferrite or a metal-based soft magnetic material.

상기 페라이트로, Mn-Zn계 페라이트, Ni-Zn계 페라이트, Ni-Zn-Cu계 페라이트, Mn-Mg계 페라이트, Ba계 페라이트 또는 Li계 페라이트 등의 공지된 페라이트를 포함할 수 있다.The ferrite may include a known ferrite such as Mn-Zn ferrite, Ni-Zn ferrite, Ni-Zn-Cu ferrite, Mn-Mg ferrite, Ba ferrite or Li ferrite.

상기 금속계 연자성 재료로, Fe, Si, Cr, Al 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 합금일 수 있고, 예를 들어, Fe-Si-B-Cr계 비정질 금속 입자를 포함할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.  The metal-based soft magnetic material may be an alloy including any one or more selected from the group consisting of Fe, Si, Cr, Al, and Ni, and may include, for example, Fe—Si—B—Cr based amorphous metal particles. However, the present invention is not limited thereto.

상기 금속계 연자성 재료의 입자 직경은 0.1㎛ 내지 30㎛일 수 있으며, 에폭시(epoxy) 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 등의 고분자 상에 분산된 형태로 포함될 수 있다.
The particle diameter of the metal-based soft magnetic material may be 0.1 μm to 30 μm, and may be included in a form dispersed in a polymer such as an epoxy resin or a polyimide.

상기 자성체 본체(50)는 육면체 형상일 수 있으며, 본 발명의 실시형태를 명확하게 설명하기 위해 육면체의 방향을 정의하면, 도 1에 표시된 L, W 및 T는 각각 길이 방향, 폭 방향, 두께 방향을 나타낸다.
The magnetic body 50 may have a hexahedron shape, and in order to clarify the embodiments of the present invention, the directions of the hexahedron are defined, and L, W, and T shown in FIG. 1 are respectively longitudinal, width, and thickness directions. Indicates.

상기 자성체 본체(50)의 내부에 형성되는 절연 기판(23)은 예를 들어, 폴리프로필렌글리콜(PPG) 기판, 페라이트 기판 또는 금속계 연자성 기판 등으로 형성될 수 있다.
The insulating substrate 23 formed inside the magnetic body 50 may be formed of, for example, a polypropylene glycol (PPG) substrate, a ferrite substrate, or a metal-based soft magnetic substrate.

상기 절연 기판(23)의 중앙부는 관통되어 홀을 형성하고, 상기 홀은 페라이트 또는 금속계 연자성 재료 등의 자성체로 충진되어 코어부(55)를 형성할 수 있다. 자성체로 충진되는 코어부(55)를 형성함에 따라 인덕턴스(Inductance, L)를 향상시킬 수 있다.
A central portion of the insulating substrate 23 may be formed to form a hole, and the hole may be filled with a magnetic material such as ferrite or a metal soft magnetic material to form the core portion 55. As the core part 55 filled with the magnetic material is formed, inductance L may be improved.

상기 절연 기판(23)의 일면에 코일 형상의 패턴을 가지는 코일 도체 패턴부(42)가 형성되며, 상기 절연 기판(23)의 반대 면에도 코일 형상의 패턴을 가지는 코일 도체 패턴부(44)가 형성된다. A coil conductor pattern portion 42 having a coil-shaped pattern is formed on one surface of the insulating substrate 23, and a coil conductor pattern portion 44 having a coil-shaped pattern is formed on an opposite surface of the insulating substrate 23. Is formed.

상기 코일 도체 패턴부(42, 44)는 스파이럴(spiral) 형상으로 코일 패턴이 형성될 수 있으며, 상기 절연 기판(23)의 일면과 반대 면에 형성되는 코일 도체 패턴부(42, 44)는 상기 절연 기판(23)에 형성되는 비아 전극(46)을 통해 전기적으로 접속된다.The coil conductor pattern parts 42 and 44 may have a coil pattern formed in a spiral shape, and the coil conductor pattern parts 42 and 44 formed on a surface opposite to the one surface of the insulating substrate 23 may be formed. It is electrically connected via the via electrode 46 formed in the insulated substrate 23.

상기 코일 도체 패턴부(42, 44) 및 비아 전극(46)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성될 수 있으며 예를 들어, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.
The coil conductor pattern parts 42 and 44 and the via electrode 46 may be formed of a metal having excellent electrical conductivity. For example, silver (Ag), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel ( Ni), titanium (Ti), gold (Au), copper (Cu), platinum (Pt), or an alloy thereof.

도 3은 도 2의 A 부분의 일 실시형태를 확대하여 도시한 개략도이다.
3 is an enlarged schematic view of an embodiment of portion A of FIG. 2.

도 3을 참조하면, 상기 코일 도체 패턴부(42, 44)의 표면에는 산화막(31)이 형성된다.Referring to FIG. 3, an oxide film 31 is formed on the surfaces of the coil conductor pattern parts 42 and 44.

상기 산화막(31)은 코일 도체 패턴부(42, 44)를 절연시키는 역할을 한다.
The oxide layer 31 insulates the coil conductor pattern portions 42 and 44.

종래에는 일반적으로 코일 도체 패턴부의 표면에 고분자 물질을 코팅하여 절연막을 형성시켰다. 그러나, 이와 같이 형성된 종래의 절연막은 두께를 감소시키는데 한계가 있으며, 두께를 감소시켜 박막으로 형성하는 경우 코일 도체 패턴부가 부분적으로 노출되는 문제가 발생하였다. 코일 도체 패턴부가 노출되면 누설 전류가 발생하고, 이에 따라 1MHz에서는 인덕턴스(Inductance)가 정상이나 고주파 사용 조건 하에서 인덕턴스(Inductance)가 급격히 낮아지고 파형 불량이 발생하였다.In general, an insulating film was formed by coating a polymer material on the surface of the coil conductor pattern portion. However, the conventional insulating film formed as described above has a limitation in reducing the thickness, and when the thickness is reduced to form a thin film, the coil conductor pattern part is partially exposed. When the coil conductor pattern part is exposed, leakage current is generated. Accordingly, at 1 MHz, the inductance is normal, but the inductance is drastically lowered and the waveform defect is generated under the conditions of high frequency use.

이에, 본 발명의 일 실시형태는 코일 도체 패턴부(42, 44)의 표면에 금속 산화물로 이루어진 산화막(31)을 형성함으로써 절연막이 형성되지 않는 부분 없이 균일하게 박막의 절연막을 형성시켰다.
Accordingly, in one embodiment of the present invention, an oxide film 31 made of a metal oxide is formed on the surfaces of the coil conductor pattern portions 42 and 44 to form a thin film insulating film uniformly without a portion where no insulating film is formed.

상기 산화막(31)은 코일 도체 패턴부(42, 44)에 포함되는 적어도 하나의 금속의 산화물로 형성될 수 있다. 코일 도체 패턴부(42, 44)를 고온 또는 고습의 환경에서 산화시키거나 화학적 에칭(etching)을 통해 산화시켜 산화막(31)을 형성할 수 있다.
The oxide film 31 may be formed of an oxide of at least one metal included in the coil conductor pattern parts 42 and 44. The coil conductor pattern parts 42 and 44 may be oxidized in an environment of high temperature or high humidity or oxidized through chemical etching to form the oxide film 31.

상기 산화막(31)의 표면 조도(Ra)는 0.6㎛ 내지 0.8㎛일 수 있다. The surface roughness Ra of the oxide layer 31 may be 0.6 μm to 0.8 μm.

화학적 에칭(etching) 등으로 산화막(31)을 형성하게 되면 표면 조도 (Ra)가 0.6㎛ 내지 0.8㎛로 커지게 되고, 표면 조도(Ra)가 향상되면서 표면적의 상승 효과로 산화막(31) 상에 형성되는 제 2 절연막과의 계면 접착력이 향상되고 신뢰성을 확보할 수 있다.When the oxide film 31 is formed by chemical etching or the like, the surface roughness Ra is increased from 0.6 μm to 0.8 μm, and the surface roughness Ra is improved to increase the surface area on the oxide film 31 with a synergistic effect of the surface area. The interfacial adhesion with the second insulating film formed can be improved and reliability can be ensured.

상기 산화막(31)은 침상 구조 또는 넝쿨 구조 등 다양한 형상을 나타낼 수 있다.
The oxide film 31 may have various shapes such as a needle structure or a vine structure.

상기 산화막(31)은 0.5㎛ 내지 2.5㎛의 두께로 형성될 수 있다.The oxide layer 31 may be formed to a thickness of 0.5㎛ to 2.5㎛.

산화막(31)의 두께가 0.5㎛ 미만일 경우 절연막의 손상으로 누설 전류가 발생하고 고주파에서 인덕턴스가 낮아지는 파형 불량이 발생할 수 있으며, 2.5㎛를 초과할 경우 용량 특성이 저하될 수 있다.
When the thickness of the oxide film 31 is less than 0.5 μm, a leakage current may occur due to damage to the insulating film, and a waveform defect may occur in which inductance is lowered at a high frequency.

도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 LT 방향의 단면도이고, 도 5는 도 4의 B 부분의 일 실시형태를 확대하여 도시한 개략도이다.
4 is a cross-sectional view of a chip electronic component according to an embodiment of the present invention in an LT direction, and FIG. 5 is an enlarged schematic view of an embodiment of part B of FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 산화막(31)이 형성된 코일 도체 패턴부(42, 44)의 인접하는 패턴 사이의 영역에 자성체가 충진된다.4 and 5, a magnetic material is filled in a region between adjacent patterns of the coil conductor pattern parts 42 and 44 on which the oxide film 31 is formed.

상기 산화막(31)의 표면은 코일 도체 패턴부(42, 44) 표면의 형상을 따라 얇게 형성되기 때문에 인접하는 패턴 사이의 영역에 공간이 형성될 수 있다. 상기 공간에 자성체가 충진됨으로써 자성체가 차지하는 부피가 증가하고, 자성체 부피가 증가하는 만큼 인덕턴스 향상의 효과가 발생할 수 있다.
Since the surface of the oxide film 31 is thinly formed along the shape of the surface of the coil conductor pattern parts 42 and 44, a space may be formed in an area between adjacent patterns. As the magnetic body is filled in the space, the volume occupied by the magnetic body increases, and as the magnetic body volume increases, the effect of improving inductance may occur.

도 6은 도 5의 C 부분의 일 실시형태를 확대하여 도시한 개략도이다.
FIG. 6 is an enlarged schematic view of an embodiment of part C of FIG. 5.

도 6을 참조하면, 상기 코일 도체 패턴부(42, 44)의 상부 표면에 형성된 산화막(31')의 평균 두께는 코일 도체 패턴부(42, 44)의 측부 표면에 형성된 산화막(31'')의 평균 두께에 비하여 두껍게 형성된다.Referring to FIG. 6, the average thickness of the oxide film 31 ′ formed on the upper surface of the coil conductor pattern parts 42 and 44 is the oxide film 31 ″ formed on the side surface of the coil conductor pattern parts 42 and 44. It is formed thicker than the average thickness of.

코일 도체 패턴부(42, 44)의 상부 표면이란, 코일의 폭(w)으로부터 연장되는 가상선(A, B)을 경계로 코일 상부의 표면을 의미하며, 코일 도체 패턴부(42, 44)의 측부 표면이란, 코일의 폭(w)으로부터 연장되는 가상선(A, B)을 경계로 코일 측면의 표면을 의미한다. The upper surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44 means the surface of the coil upper portion on the basis of imaginary lines A and B extending from the width w of the coil, and the coil conductor pattern portions 42 and 44. The side surface of means the surface of a coil side surface on the imaginary line A and B extended from the width w of a coil.

코일 도체 패턴부(42, 44)의 상부 표면에 형성되는 산화막(31')은 자성체 시트 압착 등의 공정에서 외력에 상대적으로 취약하기 때문에 코일 도체 패턴부(42, 44)의 측부 표면에 형성되는 산화막(31'')보다 두껍게 형성하여 절연 특성을 만족시킬 수 있다. The oxide film 31 ′ formed on the upper surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44 is formed on the side surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44 because the oxide film 31 ′ is relatively vulnerable to external force in a process such as magnetic sheet pressing. The insulating film may be formed thicker than the oxide film 31 ″ to satisfy insulating properties.

또한, 절연막의 두께가 두꺼워 짐으로 인하여 코일의 면적이 작아지고, 직류 저항(Rdc)이 증가하는 것을 방지하기 위해 외력에 상대적으로 덜 취약한 코일 도체 패턴부(42, 44)의 측부 표면에 형성되는 산화막(31'')은 코일 도체 패턴부(42, 44)의 상부 표면에 형성되는 산화막(31')에 비해 얇게 형성될 수 있다.In addition, the thickness of the insulating layer is increased, so that the area of the coil is reduced and the side surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44, which are relatively less susceptible to external force, is formed to prevent the DC resistance Rdc from increasing. The oxide film 31 ″ may be thinner than the oxide film 31 ′ formed on the upper surfaces of the coil conductor pattern parts 42 and 44.

즉, 코일 도체 패턴부(42, 44)의 상부 표면에 형성되는 산화막(31')의 평균 두께를 코일 도체 패턴부(42, 44)의 측부 표면에 형성되는 산화막(31'')의 평균 두께보다 두껍게 형성함으로써 우수한 절연 특성을 구현하면서도 직류 저항(Rdc)을 감소시킬 수 있다.
That is, the average thickness of the oxide film 31 'formed on the upper surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44 is the average thickness of the oxide film 31''formed on the side surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44. By forming a thicker thickness, the DC resistance (Rdc) can be reduced while providing excellent insulation characteristics.

상기 코일 도체 패턴부(42, 44)의 상부 표면에 형성되는 산화막(31')의 두께는 1.8㎛ 내지 2.5㎛일 수 있다.The thickness of the oxide film 31 ′ formed on the upper surfaces of the coil conductor pattern parts 42 and 44 may be 1.8 μm to 2.5 μm.

상부 표면 산화막(31')의 두께가 1.8㎛ 미만일 경우 절연막의 손상으로 누설 전류가 발생하고 고주파에서 인덕턴스가 낮아지는 파형 불량이 발생할 수 있으며, 2.5㎛를 초과할 경우 용량 특성이 저하될 수 있다. If the thickness of the upper surface oxide film 31 ′ is less than 1.8 μm, a defective waveform may occur due to damage of the insulating film and a low inductance may occur at a high frequency. When the thickness of the upper surface oxide film 31 ′ is greater than 2.5 μm, capacitance characteristics may be degraded.

상기 코일 도체 패턴부(42, 44)의 측부 표면에 형성되는 산화막(31'')의 두께는 0.8㎛ 내지 1.8㎛일 수 있다.The thickness of the oxide film 31 ″ formed on the side surfaces of the coil conductor pattern parts 42 and 44 may be 0.8 μm to 1.8 μm.

측부 표면 산화막(31'')의 두께가 0.8㎛ 미만일 경우 누설 전류가 발생하고 고주파에서 인덕턴스가 낮아지는 파형 불량이 발생할 수 있으며, 1.8㎛를 초과할 경우 코일의 면적이 감소하여 직류 저항(Rdc)가 증가할 수 있다.
If the thickness of the side surface oxide film 31 ″ is less than 0.8 μm, a leakage current may occur and a waveform defect may occur in which inductance is lowered at a high frequency. When the side surface oxide film 31 ″ is exceeded, an area of the coil may decrease to decrease the DC resistance (Rdc). May increase.

또한, 상기 코일 도체 패턴부(42, 44)의 상부 표면에 형성된 산화막(31')의 표면 조도(Ra)는 코일 도체 패턴부(42, 44)의 측부 표면에 형성된 산화막(31'')의 표면 조도(Ra)에 비하여 클 수 있다.
Further, the surface roughness Ra of the oxide film 31 'formed on the upper surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44 corresponds to the oxide film 31''formed on the side surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44. It may be larger than the surface roughness Ra.

도 7은 도 2의 A 부분의 다른 일 실시형태를 확대하여 도시한 개략도이며, 도 8은 도 4의 B 부분의 다른 일 실시형태를 확대하여 도시한 개략도이다.
FIG. 7 is an enlarged schematic view of another embodiment of portion A of FIG. 2, and FIG. 8 is an enlarged schematic view of another embodiment of portion B of FIG. 4.

도 7을 참조하면, 상기 산화막(31) 상에는 산화막(31)을 피복하는 고분자 절연막(32)이 형성된다.Referring to FIG. 7, a polymer insulating film 32 covering the oxide film 31 is formed on the oxide film 31.

상기 고분자 절연막(32)은 스크린 인쇄법, 포토레지스트(photo resist, PR)의 노광, 현상을 통한 공정, 스프레이(spray) 도포, 딥핑(dipping) 공정 등 공지의 방법으로 형성할 수 있다. The polymer insulating layer 32 may be formed by a known method such as a screen printing method, exposure of a photo resist (PR), a process through development, a spray coating, a dipping process, and the like.

상기 고분자 절연막(32)은 산화막(31) 상에 박막의 절연막을 형성할 수 있는 것이라면 특별히 제한은 없으나 예를 들어, 에폭시(epoxy)계 수지, 폴리이미드(polyimid) 수지, 페녹시(phenoxy) 수지, 폴리설폰(polysulfone) 수지 또는 폴리카보네이트(polycarbonate) 수지 등을 포함하여 형성될 수 있다.
The polymer insulating film 32 is not particularly limited as long as it can form a thin film insulating film on the oxide film 31, for example, epoxy resin, polyimide resin, phenoxy resin , Polysulfone resin or polycarbonate resin, and the like.

상기 고분자 절연막(32)은 1㎛ 내지 3㎛의 두께로 형성될 수 있다.The polymer insulating layer 32 may be formed to a thickness of 1 ㎛ to 3 ㎛.

고분자 절연막(32)의 두께가 1㎛ 미만일 경우 절연막의 손상으로 누설 전류가 발생하고 고주파에서 인덕턴스가 낮아지는 파형 불량 또는 코일 간의 쇼트 불량이 발생할 수 있으며, 3㎛를 초과할 경우 용량 특성이 저하될 수 있다.
If the thickness of the polymer insulating film 32 is less than 1 μm, leakage current may be generated by damage to the insulating film, and a waveform defect or a short circuit between coils may be reduced at high frequencies. Can be.

상기 산화막(31) 및 고분자 절연막(32)의 평균 두께 비는 1 : 1.2 내지 1 : 3일 수 있다.The average thickness ratio of the oxide film 31 and the polymer insulating film 32 may be 1: 1.2 to 1: 3.

상기 두께 비를 만족하는 산화막(31) 및 고분자 절연막(32)의 이중 절연막 구조를 형성함으로써 누설 전류의 발생을 방지하고, 파형 불량 및 쇼트 불량을 감소시킬 수 있으면서도 박막의 절연막을 형성하여 우수한 용량 특성도 확보할 수 있다.
By forming a double insulating film structure of the oxide film 31 and the polymer insulating film 32 satisfying the thickness ratio, it is possible to prevent the occurrence of leakage current and to reduce the waveform defect and the short defect, and to form an insulating film of thin film for excellent capacity characteristics. Can also be secured.

도 8을 참조하면, 고분자 절연막(32)의 표면은 상기 코일 도체 패턴부(42, 44) 표면의 형상을 따라 형성된다.Referring to FIG. 8, the surface of the polymer insulating layer 32 is formed along the shape of the surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44.

코일 도체 패턴부(42, 44) 표면의 형상을 따라 형성되는 것은 도 8에 도시된 바와 같이 고분자 절연막(32) 표면의 형상이 코일 도체 패턴부(42, 44) 표면의 형상대로 얇게 코팅되듯이 형성되는 것을 말한다. The shape of the surface of the coil conductor pattern parts 42 and 44 is formed as shown in FIG. 8 as the shape of the surface of the polymer insulating film 32 is thinly coated in the shape of the surface of the coil conductor pattern parts 42 and 44. It is what is formed.

고분자 절연막(32)의 표면이 코일 도체 패턴부(42, 44) 표면의 형상을 따라 얇게 형성되면 코일 간 사이의 영역에 공간이 형성된다. 상기 공간에 자성체가 충진됨으로써 자성체가 차지하는 부피가 증가하고, 자성체 부피가 증가하는 만큼 인덕턱스 향상의 효과가 발생할 수 있다.
When the surface of the polymer insulating film 32 is thinly formed along the shape of the surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44, a space is formed in the region between the coils. As the magnetic body is filled in the space, the volume occupied by the magnetic body increases, and as the magnetic body volume increases, the effect of improving the inductance may occur.

도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 절연막이 형성된 코일 도체 패턴 부분을 확대 관찰한 주사전자현미경(SEM)사진이다.FIG. 9 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of an enlarged observation of a portion of a coil conductor pattern on which an insulating film of a chip electronic component according to an exemplary embodiment of the present invention is formed.

도 9를 참조하면, 코일 도체 패턴부(42) 표면에는 코일 도체 패턴부(42)의 표면을 산화시켜 형성된 제 1 절연막인 산화막(31)이 형성되며, 산화막(31) 상에 제 2 절연막인 고분자 절연막(32)이 형성된 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 9, an oxide film 31, which is a first insulating film formed by oxidizing the surface of the coil conductor pattern part 42, is formed on a surface of the coil conductor pattern part 42, and a second insulating film is formed on the oxide film 31. It can be seen that the polymer insulating film 32 is formed.

이와 같은 이중 구조의 절연막을 형성함으로써 박막의 절연막을 형성하면서도 외부 자성체(50')와의 접촉을 방지하고, 파형 불량 및 쇼트 불량을 감소시킬 수 있다.
By forming the double-layered insulating film, it is possible to prevent contact with the external magnetic material 50 'while forming the thin film insulating film, and to reduce the waveform defect and the short defect.

절연 기판(23)의 일면에 형성되는 코일 도체 패턴부(42)의 일 단부는 자성체 본체(50)의 길이 방향의 일 단면으로 노출될 수 있으며, 절연 기판(23)의 반대 면에 형성되는 코일 도체 패턴부(44)의 일 단부는 자성체 본체(50)의 길이 방향의 타 단면으로 노출될 수 있다.
One end of the coil conductor pattern part 42 formed on one surface of the insulating substrate 23 may be exposed to one end surface in the longitudinal direction of the magnetic body 50, and the coil formed on the opposite surface of the insulating substrate 23. One end of the conductor pattern part 44 may be exposed to the other end surface of the magnetic body 50 in the longitudinal direction.

상기 자성체 본체(50)의 길이 방향의 양 단면으로 노출되는 상기 코일 도체 패턴부(42, 44)와 접속하도록 길이 방향의 양 단면에는 외부 전극(80)이 형성될 수 있다. External electrodes 80 may be formed at both end surfaces of the magnetic body 50 in the longitudinal direction to be connected to the coil conductor pattern parts 42 and 44 exposed at both end surfaces of the magnetic body 50.

상기 외부 전극(80)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성될 수 있으며 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn) 또는 은(Ag) 등의 단독 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.
The external electrode 80 may be formed of a metal having excellent electrical conductivity. For example, nickel (Ni), copper (Cu), tin (Sn), silver (Ag), or the like, or an alloy thereof. It can be formed as.

칩 전자부품의 제조방법Manufacturing Method of Chip Electronic Component

도 10은 본 발명의 일 실시형태의 칩 전자부품의 제조공정을 나타내는 공정도이다.
10 is a process chart showing a manufacturing process of a chip electronic component of an embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면 먼저, 절연 기판(23)에 코일 도체 패턴부(42, 44)를 형성한다.
Referring to FIG. 10, first, coil conductor pattern portions 42 and 44 are formed on an insulating substrate 23.

상기 절연 기판(23)은 특별하게 제한되지 않으며, 예를 들어, PCB 기판, 페라이트 기판, 금속계 연자성 기판 등을 사용할 수 있고, 40 내지 100 ㎛의 두께일 수 있다.
The insulating substrate 23 is not particularly limited, and for example, a PCB substrate, a ferrite substrate, a metal-based soft magnetic substrate, or the like may be used, and may have a thickness of 40 to 100 μm.

상기 코일 도체 패턴부(42, 44)의 형성 방법으로는 예를 들면, 전기 도금법을 들 수 있지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. Although the electroplating method is mentioned as a formation method of the said coil conductor pattern parts 42 and 44, it is not necessarily limited to this.

코일 도체 패턴부(42, 44)는 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성할 수 있고, 예를 들어, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 이들의 합금 등을 사용할 수 있다.
The coil conductor patterns 42 and 44 may be formed of a metal having excellent electrical conductivity. For example, silver (Ag), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), and titanium (Ti) may be formed. ), Gold (Au), copper (Cu), platinum (Pt) or alloys thereof.

상기 절연 기판(23)의 일부에는 홀을 형성하고 전도성 물질을 충진하여 비아 전극(46)을 형성할 수 있으며, 상기 비아 전극(46)을 통해 절연 기판(23)의 일면과 반대 면에 형성되는 코일 도체 패턴부(42, 44)를 전기적으로 접속시킬 수 있다.
A portion of the insulating substrate 23 may be formed with a hole and filled with a conductive material to form the via electrode 46. The via electrode 46 may be formed on a surface opposite to one surface of the insulating substrate 23. The coil conductor pattern parts 42 and 44 can be electrically connected.

상기 절연 기판(23)의 중앙부에는 드릴, 레이저, 샌드 블래스트, 펀칭 가공 등을 수행하여 절연 기판(23)을 관통하는 홀을 형성할 수 있다.
A hole penetrating the insulating substrate 23 may be formed in the center portion of the insulating substrate 23 by performing a drill, a laser, a sand blast, a punching process, or the like.

다음으로, 상기 코일 도체 패턴부(42, 44)의 표면에 산화막(31)을 형성한다.Next, an oxide film 31 is formed on the surfaces of the coil conductor pattern portions 42 and 44.

상기 산화막(31)은 코일 도체 패턴부(42, 44)에 포함되는 적어도 하나의 금속을 산화시켜 형성할 수 있다. The oxide film 31 may be formed by oxidizing at least one metal included in the coil conductor pattern parts 42 and 44.

코일 도체 패턴부(42, 44)의 표면을 산화시켜 산화막(31)을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 코일 도체 패턴부(42, 44)를 고온 또는 고습의 환경에서 산화시키거나 화학적 에칭(etching)을 통해 산화시켜 산화막(31)을 형성할 수 있다.The method of forming the oxide film 31 by oxidizing the surfaces of the coil conductor pattern parts 42 and 44 is not particularly limited. For example, the coil conductor pattern parts 42 and 44 may be oxidized in an environment of high temperature or high humidity. Or may be oxidized through chemical etching to form the oxide film 31.

상기 산화막(31)은 코일 도체 패턴부(42, 44)를 절연시키는 역할을 한다.
The oxide layer 31 insulates the coil conductor pattern portions 42 and 44.

화학적 에칭(etching)을 통한 산화막(31) 형성 시 산화막(31)의 표면 조도 값(Ra)이 향상된다.When the oxide film 31 is formed through chemical etching, the surface roughness value Ra of the oxide film 31 is improved.

산화 절열막(31)의 표면 조도(Ra)는 0.6㎛ 내지 0.8㎛일 수 있다. The surface roughness Ra of the oxide heat insulating film 31 may be 0.6 μm to 0.8 μm.

화학적 에칭(etching) 등으로 산화막(31)을 형성하게 되면 표면 조도 (Ra)가 0.6㎛ 내지 0.8㎛로 커지게 되고, 표면 조도(Ra)가 향상되면서 표면적의 상승 효과로 산화막(31) 상에 형성되는 제 2 절연막과의 계면 접착력이 향상되고 신뢰성을 확보할 수 있다.When the oxide film 31 is formed by chemical etching or the like, the surface roughness Ra is increased from 0.6 μm to 0.8 μm, and the surface roughness Ra is improved to increase the surface area on the oxide film 31 with a synergistic effect of the surface area. The interfacial adhesion with the second insulating film formed can be improved and reliability can be ensured.

상기 산화막(31)은 침상 구조 또는 넝쿨 구조 등 다양한 형상을 나타낼 수 있다.The oxide film 31 may have various shapes such as a needle structure or a vine structure.

고온의 환경에서 산화시켜 산화막(31)을 형성할 경우에는 코일 도체 패턴부(42, 44)의 코일 간의 우수한 세정 효과를 나타낼 수 있다.
When the oxide film 31 is formed by oxidation in a high temperature environment, an excellent cleaning effect between the coils of the coil conductor pattern parts 42 and 44 can be exhibited.

상기 산화막(31)은 0.5㎛ 내지 2㎛의 두께로 형성할 수 있다.The oxide film 31 may be formed to a thickness of 0.5㎛ 2㎛.

산화막(31)의 두께가 0.5㎛ 미만일 경우 절연막의 손상으로 누설 전류가 발생하고 고주파에서 인덕턴스가 낮아지는 파형 불량이 발생할 수 있으며, 2㎛를 초과할 경우 용량 특성이 저하될 수 있다.If the thickness of the oxide film 31 is less than 0.5 μm, leakage current may be generated due to damage to the insulating film, and a waveform defect may occur in which inductance is lowered at a high frequency.

산화막(31)의 형성 시 산화층 형성 용액의 농도, 산화 온도, 시간 등을 조절하여 산화막(31)의 두께를 조절할 수 있다.
When the oxide film 31 is formed, the thickness of the oxide film 31 may be adjusted by adjusting the concentration, the oxidation temperature, and the time of the oxide layer forming solution.

상기 코일 도체 패턴부(42, 44)의 상부 표면에 형성된 산화막(31')의 평균 두께는 코일 도체 패턴부(42, 44)의 측부 표면에 형성된 산화막(31'')의 평균 두께에 비하여 두껍게 형성할 수 있다.The average thickness of the oxide film 31 ′ formed on the upper surfaces of the coil conductor pattern parts 42 and 44 is thicker than the average thickness of the oxide film 31 ″ formed on the side surfaces of the coil conductor pattern parts 42 and 44. Can be formed.

코일 도체 패턴부(42, 44)의 상부 표면에 형성되는 산화막(31')의 평균 두께를 코일 도체 패턴부(42, 44)의 측부 표면에 형성되는 산화막(31'')의 평균 두께보다 두껍게 형성함으로써 우수한 절연 특성을 구현하면서도 직류 저항(Rdc)을 감소시킬 수 있다.
The average thickness of the oxide film 31 ′ formed on the upper surfaces of the coil conductor pattern portions 42 and 44 is thicker than the average thickness of the oxide film 31 ″ formed on the side surfaces of the coil conductor pattern portions 42 and 44. By forming, the DC resistance (Rdc) can be reduced while providing excellent insulation characteristics.

상기 코일 도체 패턴부(42, 44)의 상부 표면에 형성되는 산화막(31')의 두께는 1.8㎛ 내지 2.5㎛일 수 있다.The thickness of the oxide film 31 ′ formed on the upper surfaces of the coil conductor pattern parts 42 and 44 may be 1.8 μm to 2.5 μm.

상부 표면 산화막(31')의 두께가 1.8㎛ 미만일 경우 절연막의 손상으로 누설 전류가 발생하고 고주파에서 인덕턴스가 낮아지는 파형 불량이 발생할 수 있으며, 2.5㎛를 초과할 경우 용량 특성이 저하될 수 있다. If the thickness of the upper surface oxide film 31 ′ is less than 1.8 μm, a defective waveform may occur due to damage of the insulating film and a low inductance may occur at a high frequency. When the thickness of the upper surface oxide film 31 ′ is greater than 2.5 μm, capacitance characteristics may be degraded.

상기 코일 도체 패턴부(42, 44)의 측부 표면에 형성되는 산화막(31'')의 두께는 0.8㎛ 내지 1.8㎛일 수 있다.The thickness of the oxide film 31 ″ formed on the side surfaces of the coil conductor pattern parts 42 and 44 may be 0.8 μm to 1.8 μm.

측부 표면 산화막(31'')의 두께가 0.8㎛ 미만일 경우 누설 전류가 발생하고 고주파에서 인덕턴스가 낮아지는 파형 불량이 발생할 수 있으며, 1.8㎛를 초과할 경우 코일의 면적이 감소하여 직류 저항(Rdc)가 증가할 수 있다.
If the thickness of the side surface oxide film 31 ″ is less than 0.8 μm, a leakage current may occur and a waveform defect may occur in which inductance is lowered at a high frequency. When the side surface oxide film 31 ″ is exceeded, an area of the coil may decrease to decrease the DC resistance (Rdc). May increase.

다음으로, 상기 산화막(31)을 피복하는 고분자 절연막(32)을 형성할 수 있다.Next, a polymer insulating film 32 may be formed to cover the oxide film 31.

상기 고분자 절연막(32)은 스크린 인쇄법, 포토레지스트(photo resist, PR)의 노광, 현상을 통한 공정, 스프레이(spray) 도포, 딥핑(dipping) 공정 등 공지의 방법으로 형성할 수 있다. The polymer insulating layer 32 may be formed by a known method such as a screen printing method, exposure of a photo resist (PR), a process through development, a spray coating, a dipping process, and the like.

상기 고분자 절연막(32)은 산화막(31) 상에 박막의 절연막을 형성할 수 있는 것이라면 특별히 제한은 없으나, 예를 들어, 포토레지스트(PR), 에폭시(epoxy)계 수지, 폴리이미드(polyimid) 수지, 페녹시(phenoxy) 수지, 폴리설폰(polysulfone) 수지 또는 폴리카보네이트(polycarbonate) 수지 등을 포함하여 형성할 수 있다.
The polymer insulating film 32 is not particularly limited as long as it can form a thin film insulating film on the oxide film 31, for example, photoresist (PR), epoxy resin, polyimide resin , Phenoxy resin, polysulfone resin or polycarbonate resin, and the like.

상기 고분자 절연막(32)은 1㎛ 내지 3㎛의 두께로 형성할 수 있다.The polymer insulating layer 32 may be formed to a thickness of 1 ㎛ to 3 ㎛.

고분자 절연막(32)의 두께가 1㎛ 미만일 경우 절연막의 손상으로 누설 전류가 발생하고 고주파에서 인덕턴스가 낮아지는 파형 불량 또는 코일 간의 쇼트 불량이 발생할 수 있으며, 3㎛를 초과할 경우 용량 특성이 저하될 수 있다.
If the thickness of the polymer insulating film 32 is less than 1 μm, leakage current may be generated by damage to the insulating film, and a waveform defect or a short circuit between coils may be reduced at high frequencies. Can be.

상기 고분자 절연막(32)의 표면은 상기 코일 도체 패턴부(42, 44) 표면의 형상을 따라 형성될 수 있다.The surface of the polymer insulating layer 32 may be formed along the shape of the surface of the coil conductor pattern parts 42 and 44.

고분자 절연막(32)의 표면이 코일 도체 패턴부(42, 44) 표면의 형상을 따라 박막으로 형성할 수 있는 방법이라면 특별히 제한은 없으며, 예를 들어, 화학 증착법(Chemical Vapor Depsition, CVD) 또는 저점도의 고분자 코팅액을 사용하여 딥핑(dipping)법으로 형성할 수 있다. There is no particular limitation as long as the surface of the polymer insulating film 32 can be formed into a thin film along the shape of the coil conductor pattern portions 42 and 44, and for example, chemical vapor deposition (CVD) or low point. It may be formed by a dipping method using the polymer coating liquid of FIG.

고분자 절연막(32)의 표면이 코일 도체 패턴부(42, 44) 표면의 형상을 따라 얇게 형성되면 코일 간 사이의 영역에 공간이 형성될 수 있다. 상기 공간에 자성체가 충진됨으로써 자성체가 차지하는 부피가 증가하고, 자성체 부피가 증가하는 만큼 인덕턱스 향상의 효과가 발생할 수 있다.
When the surface of the polymer insulating layer 32 is formed thin along the shape of the surface of the coil conductor pattern portions 42 and 44, a space may be formed in the region between the coils. As the magnetic body is filled in the space, the volume occupied by the magnetic body increases, and as the magnetic body volume increases, the effect of improving the inductance may occur.

본 발명의 일 실시형태에 따라 이중 구조의 절연막을 형성함으로써 박막의 절연막을 형성하면서도 자성체 재료와의 접촉을 방지하고, 파형 불량 및 쇼트 불량을 감소시킬 수 있다.
According to one embodiment of the present invention, by forming an insulating film having a double structure, it is possible to prevent contact with a magnetic material while reducing an insulating film of a thin film, and to reduce waveform defects and short defects.

다음으로, 상기 코일 도체 패턴부(42, 44)가 형성된 절연 기판(23)의 상부 및 하부에 자성체 층을 적층하여 자성체 본체(50)를 형성할 수 있다.Next, the magnetic body 50 may be formed by stacking magnetic layers on the upper and lower portions of the insulating substrate 23 on which the coil conductor patterns 42 and 44 are formed.

자성체 층을 절연 기판(23)의 양면에 적층하고 라미네이트법이나 정수압 프레스법을 통해 압착하여 자성체 본체(50)를 형성할 수 있다. 이때, 상기 홀이 자성체로 충진될 수 있도록 하여 코어부(55)를 형성할 수 있다.
The magnetic body layer can be formed by laminating the magnetic layer on both sides of the insulating substrate 23 and compressing it through a lamination method or a hydrostatic press method. In this case, the hole may be filled with a magnetic material to form the core part 55.

또한, 상기 자성체 본체(50)의 단면에 노출되는 코일 도체 패턴부(42, 44)와 접속하는 외부전극(80)을 형성할 수 있다. In addition, the external electrode 80 may be formed to be connected to the coil conductor pattern parts 42 and 44 exposed on the end surface of the magnetic body 50.

상기 외부 전극(80)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하는 페이스트를 사용하여 형성될 수 있으며 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn) 또는 은(Ag) 등의 단독 또는 이들의 합금 등을 포함하는 전도성 페이스트일 수 있다. 외부전극(80)을 형성하는 방법은 외부 전극(80)의 형상에 따라 프린팅 뿐만 아니라 딥핑(dipping)법 등을 수행하여 형성할 수 있다.
The external electrode 80 may be formed using a paste containing a metal having excellent electrical conductivity, and may include, for example, nickel (Ni), copper (Cu), tin (Sn), or silver (Ag) alone or the like. It may be a conductive paste containing these alloys and the like. The method of forming the external electrode 80 may be formed by performing a dipping method as well as printing depending on the shape of the external electrode 80.

그 외 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 특징과 동일한 부분에 대해서는 여기서 생략하도록 한다.
Other parts that are the same as the features of the chip electronic component according to the embodiment of the present invention described above will be omitted here.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto.

따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
Accordingly, various forms of substitution, modification, and alteration may be made by those skilled in the art without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims, which are also within the scope of the present invention. something to do.

100 : 박막형 인덕터 32 : 고분자 절연막
50 : 자성체 본체 42, 44 : 코일 도체 패턴부
23 : 절연 기판 46 : 비아 전극
31 : 산화막 80 : 외부전극
31' : 상부 표면 산화막
31'' : 측부 표면 산화막100: thin film type inductor 32: polymer insulating film
50: magnetic body 42, 44: coil conductor pattern portion
23: insulated substrate 46: via electrode
31: oxide film 80: external electrode
31 ': top surface oxide film
31 '': Side surface oxide film

Claims (27)

코일 도체 패턴부가 매설된 자성체 본체; 및
상기 코일 도체 패턴부의 표면에 형성된 산화막;을 포함하며,
상기 코일 도체 패턴부의 상부 표면에 형성된 산화막의 표면 조도(Ra)는 상기 코일 도체 패턴부의 측부 표면에 형성된 산화막의 표면 조도(Ra)에 비하여 큰 칩 전자부품.
A magnetic body in which coil conductor patterns are embedded; And
And an oxide film formed on a surface of the coil conductor pattern portion.
The surface roughness Ra of the oxide film formed on the upper surface of the coil conductor pattern part is larger than the surface roughness Ra of the oxide film formed on the side surface of the coil conductor pattern part.
제 1항에 있어서,
상기 산화막은 상기 코일 도체 패턴부를 절연시키는 칩 전자부품.
The method of claim 1,
And the oxide film insulates the coil conductor pattern portion.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 산화막은 상기 코일 도체 패턴부를 형성하는 적어도 하나의 금속의 산화물로 형성된 칩 전자부품.
The method of claim 1,
The oxide film is a chip electronic component formed of an oxide of at least one metal forming the coil conductor pattern portion.
제 1항에 있어서,
상기 산화막의 표면 조도(Ra)는 0.6㎛ 내지 0.8㎛인 칩 전자부품.
The method of claim 1,
The surface roughness (Ra) of the oxide film is a chip electronic component is 0.6㎛ 0.8㎛.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 산화막은 0.5㎛ 내지 2.5㎛의 두께로 형성되는 칩 전자부품.
The method of claim 1,
The oxide film is a chip electronic component formed to a thickness of 0.5㎛ to 2.5㎛.
코일 도체 패턴부가 매설된 자성체 본체; 및
상기 코일 도체 패턴부의 표면에 형성된 산화막;을 포함하며,
상기 코일 도체 패턴부의 상부 표면에 형성된 산화막의 평균 두께는 상기 코일 도체 패턴부의 측부 표면에 형성된 산화막의 평균 두께에 비하여 두껍게 형성되는 칩 전자부품.
A magnetic body in which coil conductor patterns are embedded; And
And an oxide film formed on a surface of the coil conductor pattern portion.
The average thickness of the oxide film formed on the upper surface of the coil conductor pattern portion is thicker than the average thickness of the oxide film formed on the side surface of the coil conductor pattern portion.
제 1항에 있어서,
상기 코일 도체 패턴부의 상부 표면에 형성된 산화막의 두께는 1.8㎛ 내지 2.5㎛인 칩 전자부품.

The method of claim 1,
The thickness of the oxide film formed on the upper surface of the coil conductor pattern portion is 1.8㎛ to 2.5㎛ chip electronic component.

제 1항에 있어서,
상기 코일 도체 패턴부의 측부 표면에 형성된 산화막의 두께는 0.8㎛ 내지 2㎛인 칩 전자부품.
The method of claim 1,
The thickness of the oxide film formed on the side surface of the coil conductor pattern portion is 0.8㎛ 2㎛ chip electronic components.
제 1항에 있어서,
상기 산화막을 피복하는 고분자 절연막을 더 포함하며,
상기 고분자 절연막의 표면은 상기 코일 도체 패턴부 표면의 형상을 따라 형성된 칩 전자부품.
The method of claim 1,
Further comprising a polymer insulating film covering the oxide film,
The surface of the polymer insulating film chip component formed along the shape of the surface of the coil conductor pattern portion.
제 1항에 있어서,
상기 산화막을 피복하는 고분자 절연막을 더 포함하며,
상기 고분자 절연막은 1㎛ 내지 3㎛의 두께로 형성되는 칩 전자부품.
The method of claim 1,
Further comprising a polymer insulating film covering the oxide film,
The polymer insulating film is a chip electronic component formed to a thickness of 1㎛ 3㎛.
제 1항에 있어서,
상기 산화막을 피복하는 고분자 절연막을 더 포함하며,
상기 산화막 및 고분자 절연막의 평균 두께 비는 1 : 1.2 내지 1 : 3 인 칩 전자부품.
The method of claim 1,
Further comprising a polymer insulating film covering the oxide film,
A chip electronic component having an average thickness ratio of the oxide film and the polymer insulating film is 1: 1.2 to 1: 3.
제 1항에 있어서,
상기 코일 도체 패턴부의 인접하는 패턴 사이의 영역에 자성체가 충진된 칩 전자부품.
The method of claim 1,
A chip electronic component in which a magnetic material is filled in an area between adjacent patterns of the coil conductor pattern part.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 절연 기판의 적어도 일 면에 코일 도체 패턴부를 형성하는 단계;
상기 코일 도체 패턴부의 표면에 산화막을 형성하는 단계; 및
상기 코일 도체 패턴부가 형성된 절연 기판의 상부 및 하부에 자성체 층을 적층하여 자성체 본체를 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 코일 도체 패턴부의 상부 표면은 상기 코일 도체 패턴부의 측부 표면에 비하여 산화막을 두껍게 형성하는 칩 전자부품의 제조방법.
Forming a coil conductor pattern portion on at least one surface of the insulating substrate;
Forming an oxide film on a surface of the coil conductor pattern portion; And
And forming a magnetic body by stacking a magnetic layer on upper and lower portions of the insulating substrate on which the coil conductor pattern portion is formed.
And the upper surface of the coil conductor pattern portion to form an oxide film thicker than the side surface of the coil conductor pattern portion.
제 22항에 있어서,
상기 산화막은 상기 코일 도체 패턴부를 절연시키는 칩 전자부품의 제조방법.
The method of claim 22,
And the oxide film insulates the coil conductor pattern portion.
삭제delete 제 22항에 있어서,
상기 산화막은 상기 코일 도체 패턴부의 표면을 산화하여 형성하는 칩 전자부품의 제조방법.
The method of claim 22,
And the oxide film is formed by oxidizing a surface of the coil conductor pattern portion.
제 22항에 있어서,
상기 산화막은 표면 조도(Ra)가 0.6㎛ 내지 0.8㎛를 만족하도록 형성하는 칩 전자부품의 제조방법.
The method of claim 22,
The oxide film is a method of manufacturing a chip electronic component is formed so that the surface roughness (Ra) satisfies 0.6㎛ to 0.8㎛.
삭제delete
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