KR20210001258A

KR20210001258A - 전계 발광 표시 장치

Info

Publication number: KR20210001258A
Application number: KR1020190077094A
Authority: KR
Inventors: 유충근; 김민기; 김호진
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2019-06-27
Filing date: 2019-06-27
Publication date: 2021-01-06

Abstract

본 발명은 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 및 제3 서브 화소를 구비한 기판; 상기 기판 상에서 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 각각 구비된 구동 박막 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층; 상기 회로 소자층 상에서 상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 반사층, 상기 제2 서브 화소에 구비된 제2 반사층 및 상기 제3 서브 화소에 구비된 제3 반사층; 상기 제1 내지 제3 서브 화소에서 상기 제1 반사층, 상기 제2 반사층 및 상기 제3 반사층 위에 각각 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 구비된 발광층; 및 상기 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 서브 화소의 제1 전극과 상기 제1 반사층 사이의 제1 거리, 상기 제2 서브 화소의 제1 전극과 상기 제2 반사층 사이의 제2 거리, 및 상기 제3 서브 화소의 제1 전극과 상기 제3 반사층 사이의 제3 거리는 서로 상이하고, 상기 제2 반사층은 제1 식각 방지층 및 상기 제1 식각 방지층 상에 구비된 제1 반사 물질층을 포함하여 이루어진 전계 발광 표시 장치를 제공한다.

Description

전계 발광 표시 장치{Electroluminescent Display Device}

본 발명은 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 백색광을 발광하는 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다.

전계 발광 표시 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 발광층이 형성된 구조로 이루어져, 상기 두 개의 전극 사이의 전계에 의해 상기 발광층이 발광함으로써 화상을 표시하는 장치이다.

상기 발광층은 전자와 정공의 결합에 의해 엑시톤(exciton)이 생성되고 생성된 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 하는 유기물로 이루어질 수도 있고, 퀀텀 도트(Quantum dot)와 같은 무기물로 이루어질 수도 있다.

상기 발광층은 서브 화소 별로 상이한 색상, 예로서, 적색, 녹색, 및 청색의 광을 발광하도록 이루어질 수도 있고, 서브 화소 별로 동일한 색상, 예로서, 백색의 광을 발광하도록 이루어질 수도 있다.

상기 발광층이 서브 화소 별로 상이한 색상의 광이 발광하는 경우에는, 소정의 마스크를 이용하여 서브 화소 별로 상이한 발광층을 증착해야 하기 때문에, 마스크 공정이 추가되는 한계가 있고 또한 마스크를 정밀하게 얼라인하지 못할 경우 발광층을 서브 화소 별로 정밀하게 증착하기 어려운 문제가 있다.

그에 반하여, 상기 발광층이 서브 화소 별로 동일한 색상, 예로서, 백색의 광이 발광하는 경우에는, 상기 발광층 형성을 위한 마스크가 필요 없기 때문에 마스크 공정으로 인한 문제가 발생하지 않는다.

그러나, 상기 발광층이 백색의 광을 발광하도록 이루어진 경우에는 서브 화소 별로 컬러 필터가 추가로 구비되어야 하므로, 상기 발광층에서 발광된 광이 상기 컬러 필터에서 흡수되어 광효율이 떨어지는 단점이 있다.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 백색의 광을 발광하는 발광층을 포함하면서도 광효율을 향상시킬 수 있는 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 및 제3 서브 화소를 구비한 기판; 상기 기판 상에서 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 각각 구비된 구동 박막 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층; 상기 회로 소자층 상에서 상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 반사층, 상기 제2 서브 화소에 구비된 제2 반사층 및 상기 제3 서브 화소에 구비된 제3 반사층; 상기 제1 내지 제3 서브 화소에서 상기 제1 반사층, 상기 제2 반사층 및 상기 제3 반사층 위에 각각 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 구비된 발광층; 및 상기 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 서브 화소의 제1 전극과 상기 제1 반사층 사이의 제1 거리, 상기 제2 서브 화소의 제1 전극과 상기 제2 반사층 사이의 제2 거리, 및 상기 제3 서브 화소의 제1 전극과 상기 제3 반사층 사이의 제3 거리는 서로 상이하고, 상기 제2 반사층은 제1 식각 방지층 및 상기 제1 식각 방지층 상에 구비된 제1 반사 물질층을 포함하여 이루어진 전계 발광 표시 장치를 제공한다.

본 발명은 또한 제1 발광 영역과 제1 콘택 영역을 구비한 제1 서브 화소; 제2 발광 영역과 제2 콘택 영역을 구비한 제2 서브 화소; 제3 발광 영역과 제3 콘택 영역을 구비한 제3 서브 화소; 상기 제1 발광 영역에 구비된 제1 반사층과 하나의 제1 전극; 상기 제2 발광 영역에 구비된 제2 반사층과 다른 하나의 제1 전극; 및 상기 제3 발광 영역에 구비된 제3 반사층과 또 다른 하나의 제1 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 서브 화소의 제1 전극과 상기 제1 반사층 사이의 제1 거리, 상기 제2 서브 화소의 제1 전극과 상기 제2 반사층 사이의 제2 거리, 및 상기 제3 서브 화소의 제1 전극과 상기 제3 반사층 사이의 제3 거리는 서로 상이하고, 상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층은 서로 상이한 적층 구조로 이루어진 전계 발광 표시 장치를 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 서브 화소에서의 제1 반사층과 제1 전극 사이의 제1 거리, 제2 서브 화소에서의 제2 반사층과 제1 전극 사이의 제2 거리, 및 제3 서브 화소에서의 제3 반사층과 제1 전극 사이의 제3 거리가 모두 상이하게 구성되기 때문에, 각각의 서브 화소에서 마이크로 캐버티 특성을 얻을 수 있고, 그에 따라 광효율이 향상될 수 있다.

특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 반사층과 제3 반사층이 각각 식각방지층을 포함하는 구조로 이루어짐으로써, 상기 제2 반사층과 제3 반사층의 패터닝 공정시에 상기 제1 반사층과 제1 전극 사이의 절연층 및 상기 제2 반사층과 제1 전극 사이의 절연층이 식각되는 것이 방지될 수 있어 상기 제1 거리와 상기 제2 거리를 정밀하게 제어할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 도 2a는 도 1의 A-B라인의 단면도이고, 도 2b는 도 1의 C-D라인의 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 도 3a는 도 1의 A-B라인의 단면도이고, 도 3b는 도 1의 C-D라인의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 도 1의 A-B라인의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 도 6a는 도 5의 A-B라인의 단면도이고, 도 6b는 도 5의 C-D라인의 단면도이다.
도 6c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 도 5의 C-D라인의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 도 8a는 도 7의 A-B라인의 단면도이고, 도 8b는 도 7의 C-D라인의 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 도 9a는 도 7의 A-B라인의 단면도이고, 도 9b는 도 7의 C-D라인의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 도 7의 A-B라인의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 도 12a는 도 11의 A-B라인의 단면도이고, 도 12b는 도 11의 C-D라인의 단면도이다.
도 13a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 13b는 도 13a의 E-F라인의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 16a 내지 도 16c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 도 1에는 3개의 서브 화소만을 도시하였다.

도 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판(100), 제1 전극(310, 320, 330), 및 뱅크(600)를 포함하여 이루어진다.

상기 기판(100) 상에는 복수의 서브 화소(P1, P2, P3)가 형성되어 있다.

상기 복수의 서브 화소(P1, P2, P3)에는 복수의 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 복수의 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)이 구비되어 있다.

구체적으로, 제1 서브 화소(P1)에 제1 발광 영역(E1) 및 제1 콘택 영역(CA1)이 구비되어 있고, 제2 서브 화소(P2)에 제2 발광 영역(E2) 및 제2 콘택 영역(CA2)이 구비되어 있고, 제3 서브 화소(P3)에 제3 발광 영역(E3) 및 제3 콘택 영역(CA3)이 구비되어 있다.

상기 복수의 발광 영역(EA1, EA2, EA3)은 상기 뱅크(600)에 의해 정의된다. 즉, 상기 뱅크(600)에 의해 가려지지 않고 노출된 영역이 상기 복수의 발광 영역(EA1, EA2, EA3)이 된다. 상기 제1 발광 영역(E1)은 적색 발광 영역으로 이루어지고, 상기 제2 발광 영역(E2)은 녹색 발광 영역으로 이루어지고, 상기 제3 발광 영역(E3)은 청색 발광 영역으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.

상기 복수의 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)은 상기 뱅크(600)에 의해 가려진 영역에 구비될 수 있다. 그에 따라, 상기 복수의 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)은 상기 복수의 발광 영역(EA1, EA2, EA3)의 일측 외곽에 위치할 수 있다. 예로서, 제1 발광 영역(EA1)의 상측 외곽에 제1 콘택 영역(CA1)이 구비되고, 제2 발광 영역(EA2)의 상측 외곽에 제2 콘택 영역(CA2)이 구비되고, 제3 발광 영역(EA3)의 상측 외곽에 제3 콘택 영역(CA3)이 구비될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.

상기 복수의 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)에는 복수의 콘택홀(CH1, CH2, CH3)이 형성되어 있다. 상기 복수의 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)은 상기 뱅크(600)로 가려져 상기 복수의 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 중첩되지 않도록 형성될 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 복수의 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 적어도 일부를 상기 뱅크(600)로 가리지 않음으로써 상기 복수의 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 적어도 일부를 상기 복수의 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 중첩되도록 형성하는 것도 가능하다.

상기 제1 전극(310, 320, 330)은 개별 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성되어 있다. 즉, 제1 서브 화소(P1)에 하나의 제1 전극(310)이 형성되어 있고, 제2 서브 화소(P2)에 다른 하나의 제1 전극(320)이 형성되어 있고, 제3 서브 화소(P3)에 또 다른 하나의 제1 전극(330)이 형성되어 있다. 상기 제1 전극(310, 320, 330)은 전계 발광 표시 장치의 양극으로 기능할 수 있다.

상기 제1 서브 화소(P1)의 제1 전극(310)은 제1 발광 영역(EA1)에서부터 제1 콘택 영역(CA1)까지 연장되어 있고, 상기 뱅크(600)에 의해 가려지지 않고 노출된 상기 제1 전극(310)의 노출 부분이 상기 제1 발광 영역(EA1)이 된다.

상기 제2 서브 화소(P2)의 제1 전극(320)은 제2 발광 영역(EA2)에서부터 제2 콘택 영역(CA2)까지 연장되어 있고, 상기 뱅크(600)에 의해 가려지지 않고 노출된 상기 제1 전극(320)의 노출 부분이 상기 제2 발광 영역(EA2)이 된다.

상기 제3 서브 화소(P3)의 제1 전극(330)은 제3 발광 영역(EA3)에서부터 제3 콘택 영역(CA3)까지 연장되어 있고, 상기 뱅크(600)에 의해 가려지지 않고 노출된 상기 제1 전극(330)의 노출 부분이 상기 제3 발광 영역(EA3)이 된다.

이하에서는 단면구조를 통해서 본 발명의 다양한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 도 1의 A-B라인의 단면에 해당한다.

도 2a에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판(100), 회로 소자층(200), 제1 전극(310, 320, 330), 반사층(315, 325, 335), 절연층(510, 520, 530), 뱅크(600), 발광층(700), 제2 전극(800), 봉지층(850), 컬러 필터층(900)을 포함하여 이루어진다.

상기 기판(100)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 상기 기판(100)은 투명한 재료로 이루어질 수도 있고 불투명한 재료로 이루어질 수도 있다. 상기 기판(100) 상에는 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2), 및 제3 서브 화소(P3)가 구비되어 있다. 상기 제1 서브 화소(P1)는 적색 광을 방출하고, 상기 제2 서브 화소(P2)는 녹색 광을 방출하고, 상기 제3 서브 화소(P3)는 청색 광을 방출하도록 구비될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)들의 배열 순서는 다양하게 변경될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 발광된 광이 상부쪽으로 방출되는 소위 상부 발광(Top emisison) 방식으로 이루어지고, 따라서, 상기 기판(100)의 재료로는 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있다.

상기 회로 소자층(200)은 상기 기판(100) 상에 형성되어 있다.

상기 회로 소자층(200)에는 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 구비되어 있다. 상기 신호 배선들은 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 및 기준 배선을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터(250) 및 센싱 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 게이트 배선에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 배선으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 역할을 한다.

상기 구동 박막 트랜지스터(250)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 전원 배선에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 상기 제1 전극(310, 320, 330)에 공급하는 역할을 한다.

상기 센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 상기 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하는 역할을 하는 것으로서, 상기 게이트 배선 또는 별도의 센싱 배선에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 전류를 상기 기준 배선으로 공급한다.

상기 커패시터는 상기 구동 박막 트랜지스터(250)에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 역할을 하는 것으로서, 상기 구동 박막 트랜지스터(250)의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.

상기 제1 전극(310, 320, 330)은 상기 절연층(510, 520, 530) 상에서, 보다 구체적으로 제3 절연층(530) 상에서 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성되어 있다. 제1 서브 화소(P1)에 하나의 제1 전극(310)이 형성되고, 제2 서브 화소(P2)에 다른 하나의 제1 전극(320)이 형성되고, 제3 서브 화소(P3)에 또 다른 하나의 제1 전극(330)이 형성된다.

상기 제1 전극(310, 320, 330)은 상기 회로 소자층(200)에 구비된 구동 박막 트랜지스터(250)와 전기적으로 연결되어 있다. 구체적으로, 상기 제1 전극(310, 320, 330)은 상기 회로 소자층(200) 및 상기 절연층(510, 520, 530)에 구비된 콘택홀(CH1, CH2, CH3)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(250)의 소스 단자 또는 드레인 단자와 연결되어 있다. 즉, 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(310)은 제1 서브 화소(P1)에 구비된 콘택홀(CH1)을 통해서 제1 서브 화소(P1)에 구비된 구동 박막 트랜지스터(250)의 소스 단자 또는 드레인 단자와 연결되고, 제2 서브 화소(P2)에 구비된 제1 전극(320)은 제2 서브 화소(P2)에 구비된 콘택홀(CH2)을 통해서 제2 서브 화소(P2)에 구비된 구동 박막 트랜지스터(250)의 소스 단자 또는 드레인 단자와 연결되고, 제3 서브 화소(P3)에 구비된 제1 전극(330)은 제3 서브 화소(P3)에 구비된 콘택홀(CH3)을 통해서 제3 서브 화소(P3)에 구비된 구동 박막 트랜지스터(250)의 소스 단자 또는 드레인 단자와 연결된다. 경우에 따라서, 상기 제1 전극(310, 320, 330)은 상기 콘택홀(CH1, CH2, CH3)에 채워진 도전물질을 통해서 상기 구동 박막 트랜지스터(250)에 연결될 수도 있다.

상기 반사층(315, 325, 335)은 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성되어 있다. 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1)에 제1 반사층(315)이 형성되고, 제2 서브 화소(P2)의 제2 발광 영역(EA2)에 제2 반사층(325)이 형성되고, 제3 서브 화소(P3)의 제3 발광 영역(EA3)에 제3 반사층(335)이 형성된다.

상기 제1 반사층(315)과 상기 제1 서브 화소(P1)의 제1 전극(310)은 전기적으로 절연되어 있고, 상기 제2 반사층(325)과 상기 제2 서브 화소(P2)의 제1 전극(320)은 전기적으로 절연되어 있고, 상기 제3 반사층(335)과 상기 제3 서브 화소(P3)의 제1 전극(330)은 전기적으로 절연되어 있다.

상기 제1 반사층(315)은 상기 회로소자층(200) 상에 형성되어 있고, 상기 제2 반사층(325)은 상기 제1 절연층(510) 상에 형성되어 있고, 상기 제3 반사층(335)은 상기 제2 절연층(520) 상에 형성되어 있다. 그에 따라, 상기 제1 서브 화소(P1) 에서 상기 제1 반사층(315)과 상기 제1 전극(310) 사이에는 상기 제1 절연층(510), 제2 절연층(520) 및 제3 절연층(530)이 형성되어 있고, 상기 제2 서브 화소(P2) 에서 상기 제2 반사층(325)과 상기 제1 전극(320) 사이에는 상기 제2 절연층(520) 및 제3 절연층(530)이 형성되어 있고, 상기 제3 서브 화소(P3) 에서 상기 제3 반사층(335)과 상기 제1 전극(330) 사이에는 상기 제3 절연층(530)이 형성되어 있다.

상기 제1 반사층(315)은 반사특성이 우수한 도전물질 또는 비도전물질로 이루어질 수 있다. 특히, 상기 제1 반사층(315)은 단일층으로 이루어질 수 있다. 그에 반하여, 상기 제2 반사층(325) 및 상기 제3 반사층(335)은 상기 제1 반사층(315)과 상이한 적층 구조로 이루어진다. 구체적으로, 상기 제2 반사층(325) 및 상기 제3 반사층(335)은 3층 구조의 서로 동일한 적층 구조로 이루어질 수 있다. 특히, 상기 제2 반사층(325)은 하부층으로서 식각방지층(325a), 중간층으로서 버퍼층(325b), 및 상부층으로서 반사 물질층(325c)으로 이루어지고, 상기 제3 반사층(335)은 하부층으로서 식각방지층(335a), 중간층으로서 버퍼층(335b), 및 상부층으로서 반사 물질층(335c)으로 이루어질 수 있다.

상기 식각방지층(325a, 335a)은 투명한 물질로 이루어질 수 있고, 예로서, ITO 또는 IZO와 같은 금속산화물 또는 Ti, TiN 또는 Al과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 버퍼층(325b, 335b)은 무기절연물로 이루어질 수 있지만 경우에 따라서 상기 식각방지층(325a, 335a)과 식각율이 상이한 도전물질로 이루어질 수도 있다. 상기 반사물질층(325c, 335c)은 상기 제1 반사층(315)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 서브 화소(P1)에서의 상기 제1 반사층(315)과 제1 전극(310) 사이의 제1 거리, 제2 서브 화소(P2)에서의 상기 제2 반사층(325)과 제1 전극(320) 사이의 제2 거리, 및 제3 서브 화소(P3)에서의 상기 제3 반사층(335)과 제1 전극(330) 사이의 제3 거리가 모두 상이하게 구성되어 마이크로 캐버티 특성을 얻을 수 있다.

상기 제1 전극(310, 320, 330)이 투명전극으로 이루어진 경우, 상기 발광층(700)에서 발광된 광의 일부는 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335)에서 반사된 후 상기 제1 전극(310, 320, 330)을 투과하여 상부 방향으로 방출된다. 한편, 상기 제1 전극(310, 320, 330)이 반투명전극으로 이루어진 경우, 상기 발광층(700)에서 발광된 광의 일부는 상기 제1 전극(310, 320, 330)에서 반사되어 상부 방향으로 방출되고, 상기 발광층(700)에서 발광된 광의 다른 일부는 상기 제1 전극(310, 320, 330)을 투과하여 하부 방향으로 진행한 후 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335)에서 반사된다. 이때, 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335)에서 반사된 광의 일부는 상기 제1 전극(310, 320, 330)을 투과하여 상부 방향으로 방출되고, 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335)에서 반사된 광의 다른 일부는 상기 제1 전극(310, 320, 330)에서 반사되어 하부 방향으로 진행하고 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335)에서 재반사되면서 전술한 과정을 반복하게 된다. 이와 같이, 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335)과 상기 제1 전극(310, 320, 330) 사이에서 반사와 재반사가 반복되면서 광이 증폭되어 광효율이 향상될 수 있다.

특히, 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335)과 상기 제1 전극(310, 320, 330) 사이의 거리가 각 서브 화소(P1, P2, P3)에서 방출되는 광의 반파장(λ/2)의 정수배가 되면 보강간섭이 일어나 광이 더욱 증폭되며, 전술한 반사 및 재반사 과정이 반복되면 광이 증폭되는 정도가 지속적으로 커져서 광의 외부 추출 효율이 향상될 수 있다. 이와 같은 특성을 마이크로 캐버티(microcavity) 특성이라 한다.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335)을 이용하여, 제1 서브 화소(P1)에서 상기 제1 반사층(315)과 제1 전극(310) 사이의 제1 거리, 제2 서브 화소(P2)에서 상기 제2 반사층(325)과 제1 전극(320) 사이의 제2 거리, 및 제3 서브 화소(P3)에서 상기 제3 반사층(335)과 제1 전극(330) 사이의 제3 거리를 모두 상이하게 구성할 수 있기 때문에, 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)에서 마이크로 캐버티 특성을 얻을 수 있다. 예를 들어, 장파장대인 적색의 광을 방출하는 제1 서브 화소(P1)에서의 상기 제1 거리를 가장 길게 구성하고, 단파장대인 청색의 광을 방출하는 제3 서브 화소(P3)에서의 상기 제3 거리를 가장 짧게 구성할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.

상기 마이크로 캐버티 특성을 얻기 위해서는 상기 제1 거리, 상기 제2 거리, 및 상기 제3 거리를 정밀하게 제어할 필요가 있는데, 본 발명은 상기 제2 반사층(325) 및 상기 제3 반사층(335)을 3층 구조로 형성함으로써, 상기 제2 거리 및 상기 제3 거리를 정밀하게 제어할 수 있다.

상기 제1 서브 화소(P1)에 상기 제1 반사층(315)을 패턴 형성하기 위해서는 상기 회로 소자층(200)의 전체면 상에 반사물질을 적층한 후 상기 제1 반사층(315) 영역을 제외한 다른 영역, 예로서 제2 및 제3 서브 화소(P2, P3) 영역에 적층된 반사물질을 식각하는 공정을 수행한다. 이때, 상기 제2 및 제3 서브 화소(P2, P3)의 반사물질을 식각하는 공정 중에 상기 반사물질 아래에 위치한 회로 소자층(200)의 일부가 함께 식각될 가능성이 있지만, 상기 제2 및 제3 서브 화소(P2, P3)에서 회로 소자층(200)의 일부가 함께 식각된다 하더라도 상기 제2 거리 및 제3 거리에는 변화가 생기지 않아서 문제가 되지 않는다.

그러나, 상기 제2 서브 화소(P2)에 상기 제2 반사층(325)을 패턴 형성하기 위해서 상기 제1 절연층(510)의 전체면 상에 반사물질을 적층한 후 상기 제2 반사층(325) 영역을 제외한 다른 영역, 예로서 제1 및 제3 서브 화소(P1, P3) 영역에 적층된 반사물질을 식각하는 공정을 수행하는 경우에 있어서, 상기 반사물질 아래의 제1 절연층(510)의 일부가 함께 식각되면, 상기 제3 거리에는 변화가 생기지 않지만 상기 제1 거리에는 변화가 생겨서 문제가 될 수 있다.

또한, 상기 제3 서브 화소(P3)에 상기 제3 반사층(335)을 패턴 형성하기 위해서 상기 제2 절연층(520)의 전체면 상에 반사물질을 적층한 후 상기 제3 반사층(335) 영역을 제외한 다른 영역, 예로서 제1 및 제2 서브 화소(P1, P2) 영역에 적층된 반사물질을 식각하는 공정을 수행하는 경우에 있어서, 상기 반사물질 아래의 제2 절연층(520)의 일부가 함께 식각되면, 상기 제1 거리 및 제2 거리에 변화가 생겨서 문제가 될 수 있다.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 반사층(325)을 식각방지층(325a), 버퍼층(325b) 및 반사 물질층(325c)의 3층 구조로 형성함으로써, 상기 제2 반사층(325)의 패턴 형성공정 중에 제1 서브 화소(P1)에서 제1 절연층(510)의 일부가 식각되는 것을 방지하여 상기 제1 거리를 정밀하게 제어할 수 있게 된다.

구체적으로 설명하면, 상기 제1 절연층(510)의 전체면 상에 상기 식각방지층(325a), 버퍼층(325b) 및 반사 물질층(325c)을 차례로 적층한 후 제1 및 제3 서브 화소(P1, P3) 영역에 적층된 상기 식각방지층(325a), 버퍼층(325b) 및 반사 물질층(325c)을 식각하게 되는데, 이때, 1차 식각공정을 통해서 상기 반사 물질층(325c)을 식각하고, 2차식각을 통해서 상기 버퍼층(325b)을 식각하고, 3차식각을 통해서 상기 식각방지층(325a)을 식각한다. 상기 1차 식각공정시 상기 버퍼층(325b)의 일부가 함께 식각될 가능성이 있지만 설령 그렇다 하더라도 아무런 문제가 발생하지 않고, 또한, 상기 2차 식각공정시에는 상기 식각방지층(325a)은 식각되지 않고 상기 버퍼층(325b)만이 식각되므로 역시 아무런 문제가 발생하지 않는다. 또한, 상기 3차 식각공정시에는 비교적 얇은 두께의 상기 식각방지층(325a)만을 식각하기 때문에 상기 식각방지층(325a) 아래의 제1 절연층(510)이 함께 식각될 가능성이 작다.

상기 식각방지층(325a)의 두께는 10nm 내지 20nm범위가 바람직할 수 있다. 만약, 상기 식각방지층(325a)의 두께가 상기 10nm 미만일 경우에는 상기 3차 식각공정시에 상기 식각방지층(325a) 아래의 제1 절연층(510)이 함께 식각될 가능성이 커지고, 상기 식각방지층(325a)의 두께가 상기 20nm를 초과할 경우에는 식각 가스의 투입량이 증가되어 상기 식각방지층(325a) 아래의 제1 절연층(510)이 함께 식각될 가능성이 커질 수 있기 때문이다.

상기 버퍼층(325b)은 상기 반사 물질층(325c)에 대한 1차 식각공정시에 상기 식각방지층(325a)이 함께 식각되는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 버퍼층(325b)이 구비되지 않고 상기 식각방지층(325a) 위에 상기 반사 물질층(325c)이 바로 적층된 경우에 있어서, 만약 상기 식각방지층(325a)과 상기 반사 물질층(325c)이 동일한 식각가스에 대해서 함께 식각되는 물질로 이루어진 경우에는, 상기 반사 물질층(325c)을 식각할 때 상기 식각방지층(325a)이 함께 식각되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 식각방지층(325a)과 상기 반사 물질층(325c) 사이에 상기 버퍼층(325b)을 추가함으로써, 상기 반사 물질층(325c)을 식각할 때 상기 식각방지층(325a)이 함께 식각되지 않게 된다. 이를 위해서, 상기 버퍼층(325b)의 두께는 10 내지 30nm범위가 바람직할 수 있다. 상기 버퍼층(325b)의 두께가 10nm 미만일 경우에는 상기 반사 물질층(325c)을 식각할 때 상기 버퍼층(325b)과 상기 식각방지층(325a)이 함께 식각될 가능성이 있고, 상기 버퍼층(325b)의 두께가 20nm를 초과할 경우에는 상기 제2 반사층(325)의 두께가 너무 두꺼워질 수 있기 때문이다.

한편, 상기 식각방지층(325a)과 상기 반사 물질층(325c)이 동일한 식각가스에 대해서 함께 식각되지 않는 서로 상이한 물질로 이루어진 경우에는 상기 버퍼층(325b)이 생략될 수 있고, 이 경우, 상기 제2 반사층(325)은 상기 식각방지층(325a)과 상기 반사 물질층(325c)의 2층 구조로 이루어질 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제3 반사층(335)을 식각방지층(335a), 버퍼층(335b) 및 반사 물질층(335c)의 3층 구조로 형성함으로써, 상기 제3 반사층(335)의 패턴 형성공정 중에 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2)에서 제2 절연층(520)의 일부가 식각되는 것을 방지하여 상기 제1 거리 및 제2 거리를 정밀하게 제어할 수 있게 된다.

상기 제3 반사층(335)의 식각방지층(335a)은 상기 제2 반사층(325)의 식각방지층(325a)과 동일한 재료로 동일하게 형성될 수 있고, 상기 제3 반사층(335)의 버퍼층(335b)은 상기 제2 반사층(325)의 버퍼층(325b)과 동일한 재료로 동일하게 형성될 수 있고, 상기 제3 반사층(335)의 반사 물질층(335c)은 상기 제2 반사층(325)의 반사 물질층(325c)과 동일한 재료로 동일하게 형성될 수 있다. 또한, 상기 식각방지층(335a)과 상기 반사 물질층(335c)이 동일한 식각가스에 대해서 함께 식각되지 않는 서로 상이한 물질로 이루어진 경우에는 상기 버퍼층(335b)이 생략될 수 있고, 이 경우, 상기 제3 반사층(335)은 상기 식각방지층(335a)과 상기 반사 물질층(335c)의 2층 구조로 이루어질 수 있다.

상기 제1 절연층(510)은 상기 회로 소자층(200) 상에 구비되어 있다. 상기 제1 절연층(510)은 상기 제1 반사층(315)과 상기 제2 반사층(325) 사이에 구비되어 있다. 상기 제1 절연층(510)은 상기 콘택홀(CH1, CH2, CH3) 영역을 제외하고 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 영역에 전체적으로 형성될 수 있으며, 그에 따라 제1 서브 화소(P1)에 형성된 제1 절연층(510), 제2 서브 화소(P2)에 형성된 제1 절연층(510) 및 제3 서브 화소(P3)에 형성된 제1 절연층(510)은 서로 연결될 수 있다.

상기 제2 절연층(520)은 상기 제1 절연층(510) 상에 구비되어 있다. 상기 제2 절연층(520)은 상기 제2 반사층(325)과 상기 제3 반사층(335) 사이에 구비되어 있다. 상기 제2 절연층(520)은 상기 콘택홀(CH1, CH2, CH3) 영역을 제외하고 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 영역에 전체적으로 형성될 수 있으며, 그에 따라 제1 서브 화소(P1)에 형성된 제2 절연층(520), 제2 서브 화소(P2)에 형성된 제2 절연층(520) 및 제3 서브 화소(P3)에 형성된 제2 절연층(520)은 서로 연결될 수 있다.

상기 제3 절연층(530)은 상기 제2 절연층(520) 상에 구비되어 있다. 상기 제3 절연층(530)은 상기 제3 반사층(335)과 상기 제1 전극(310, 320, 330) 사이에 구비되어 있다. 상기 제3 절연층(530)은 상기 콘택홀(CH1, CH2, CH3) 영역을 제외하고 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 영역에 전체적으로 형성될 수 있으며, 그에 따라 제1 서브 화소(P1)에 형성된 제3 절연층(530), 제2 서브 화소(P2)에 형성된 제3 절연층(530) 및 제3 서브 화소(P3)에 형성된 제3 절연층(530)은 서로 연결될 수 있다.

상기 뱅크(600)는 제3 절연층(530) 상에서 상기 제1 전극(310, 320, 330)의 끝단을 덮도록 형성되며, 그에 따라 상기 제1 전극(310, 320, 330)의 끝단에 전류가 집중되어 발광효율이 저하되는 문제가 방지될 수 있다.

상기 뱅크(600)는 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 경계에 매트릭스 구조로 형성되면서 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 각각에 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 정의한다. 즉, 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)에서 상기 뱅크(600)가 형성되지 않고 노출된 상기 제1 전극(310, 320, 330)의 노출 영역이 발광 영역(EA1, EA2, EA3)이 된다.

상기 뱅크(600)는 상대적으로 얇은 두께의 무기 절연막으로 이루어질 수 있지만, 상대적으로 두꺼운 두께의 유기 절연막으로 이루어질 수도 있다.

상기 발광층(700)은 상기 제1 전극(310, 320, 330) 상에 형성된다. 상기 발광층(700)은 상기 뱅크(600) 상에도 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광층(700)은 각각의 서브 화소(P1, P2, P3) 및 그들 사이의 경계 영역에도 형성된다.

상기 발광층(700)은 백색(W) 광을 발광하도록 구비될 수 있다. 이를 위해서, 상기 발광층(700)은 서로 상이한 색상의 광을 발광하는 복수의 스택(stack)을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(700)은 청색의 광을 발광하는 제1 스택, 황녹색의 광의 발광하는 제2 스택, 및 상기 제1 스택과 제2 스택 사이에 구비된 전하생성층(Charge generation layer; CGL)을 포함하여 이루어질 수도 있고, 청색의 광을 발광하는 제1 스택, 녹색의 광의 발광하는 제2 스택, 적색의 광을 발광하는 제3 스택, 상기 제1 스택과 상기 제2 스택 사이에 구비된 제1 전하생성층 및 상기 제2 스택과 상기 제3 스택 사이에 구비된 제2 전하생성층을 포함하여 이루어질 수도 있다. 상기 각각의 스택은 차례로 적층된 정공수송층, 유기발광층 및 전자수송층을 포함하여 이루어질 수 있다. 이와 같은 발광층(700)의 구성은 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다.

상기 제2 전극(800)은 상기 발광층(700) 상에 형성되어 있다. 상기 제2 전극(800)은 전계 발광 표시 장치의 음극(Cathode)으로 기능할 수 있다. 상기 제2 전극(800)은 상기 발광층(700)과 마찬가지로 각각의 서브 화소(P1, P2, P3) 및 그들 사이의 경계 영역에도 형성된다. 즉, 상기 제2 전극(800)은 상기 뱅크(600)의 위쪽 상에도 형성될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 각각에서 제1 전극(310, 320, 330)과 제2 전극(800) 사이의 거리는 모두 동일할 수 있고, 상기 제1 전극(310, 320, 330)은 제3 절연층(530) 상에서 동일한 높이에 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(310, 320, 330) 상에 형성되는 발광층(700)의 하면이 전체적으로 균일한 높이를 가지기 때문에, 상기 제1 전극(310, 320, 330)이 서로 상이한 높이에 형성되는 경우보다 상기 발광층(700)의 프로파일이 개선될 수 있다. 이하의 다양한 실시예에서도 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 각각에서 제1 전극(310, 320, 330)과 제2 전극(800) 사이의 거리는 모두 동일하게 형성되고, 상기 제1 전극(310, 320, 330)은 제3 절연층(530) 상에서 동일한 높이에 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 상부 발광 방식으로 이루어지기 때문에, 상기 제2 전극(800)은 상기 발광층(700)에서 발광된 광을 상부쪽으로 투과시키기 위해서 투명한 도전물질을 포함하여 이루어질 수 있다.

또한, 상기 제2 전극(800)은 반투명 전극으로 이루어질 수도 있으며 그에 따라 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 마이크로 캐버티(Micro Cavity) 효과를 얻을 수 있다. 상기 제2 전극(800)이 반투명 전극으로 이루어진 경우, 상기 제2 전극(800)과 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335) 사이에서 광의 반사와 재반사가 반복되면서 마이크로 캐버티 효과를 얻을 수도 있고 상기 제2 전극(800)과 상기 제1 전극(310, 320, 330) 사이에서 광의 반사와 재반사가 반복되면서 마이크로 캐버티 효과를 얻을 수도 있다.

상기 봉지층(850)은 상기 제2 전극(800) 상에 형성되어 상기 발광층(700)으로 외부의 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 봉지층(850)은 무기절연물로 이루어질 수도 있고 무기절연물과 유기절연물이 교대로 적층된 구조로 이루어질 수도 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.

상기 컬러 필터층(900)은 상기 봉지층(850) 상에 형성된다. 상기 컬러 필터층(900)은 개별 서브 화소(P1, P2, P3) 내의 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 마주하도록 형성된다. 상기 컬러 필터층(900)은 제1 서브 화소(P1)에 구비된 적색 컬러 필터, 제2 서브 화소(P2)에 구비된 녹색 컬러 필터, 및 제3 서브 화소(P3)에 구비된 청색 컬러 필터를 포함하여 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 한편, 도시하지는 않았지만, 상기 컬러 필터층(900) 사이의 경계에 블랙 매트릭스가 추가로 형성되어 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 이외의 영역으로 광이 누설되는 것을 방지할 수 있다.

도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 도 1의 C-D라인의 단면에 해당한다. 즉, 도 2b는 복수의 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 도시한 단면도이다.

도 2b에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 회로 소자층(200)이 형성되어 있고, 상기 회로 소자층(200) 상의 제1 서브 화소(P1)에는 제1 반사층(315)이 형성되어 있다.

상기 제1 반사층(315) 상에는 제1 절연층(510)이 형성되어 있고, 상기 제1 절연층(510) 상의 제2 서브 화소(P2)에는 제2 반사층(325)이 형성되어 있다.

상기 제2 반사층(325) 상에는 제2 절연층(520)이 형성되어 있고, 상기 제2 절연층(520) 상의 제3 서브 화소(P3)에는 제3 반사층(335)이 형성되어 있다.

상기 제3 반사층(335) 상에는 제3 절연층(530)이 형성되어 있고, 상기 제3 절연층(530) 상에는 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 제1 전극(310, 320, 330)이 형성되어 있다.

상기 제1 전극(310, 320, 330) 상에는 그들의 양 끝단을 가리는 뱅크(600)가 형성되어 있다.

상기 뱅크(600) 상에는 발광층(700)이 형성되어 있고, 상기 발광층(700) 상에는 제2 전극(800)이 형성되어 있고, 상기 제2 전극(800) 상에는 봉지층(850)이 형성되어 있고, 상기 봉지층(850) 상에는 컬러 필터층(900)이 형성되어 있다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 도 3a는 도 1의 A-B라인의 단면에 해당하고, 도 3b는 도 1의 C-D라인의 단면에 해당한다.

도 3a 및 도 3b는 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1)에 식각 방지층(325a, 335a)이 추가로 구비되고 제2 서브 화소(P2)의 제2 발광 영역(EA2)에 식각 방지층(335a)이 추가로 구비된 점을 제외하고, 각각 전술한 도 2a 및 도 2b와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

도 3a 및 도 3b에서 알 수 있듯이, 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1)에서 제1 절연층(510) 상에 하나의 식각 방지층(325a)이 추가로 구비되어 있고, 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1) 및 제2 서브 화소(P2)의 제2 발광 영역(EA2)에서 제2 절연층(520) 상에 다른 하나의 식각 방지층(335a)이 추가로 구비되어 있다.

상기 하나의 식각 방지층(325a)은 제2 서브 화소(P2)의 제2 반사층(325)을 구성하는 식각 방지층(325a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 상기 하나의 식각 방지층(325a)은 상기 제2 반사층(325)을 패턴 형성하는 공정시에 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 절연층(510)이 식각되는 것을 방지한다.

상기 다른 하나의 식각 방지층(335a)은 제3 서브 화소(P3)의 제3 반사층(335)을 구성하는 식각 방지층(335a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 상기 다른 하나의 식각 방지층(335a)은 상기 제3 반사층(335)을 패턴 형성하는 공정시에 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P3)에 구비된 제2 절연층(520)이 식각되는 것을 방지한다.

이와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1)에 하나의 식각 방지층(325a)이 추가로 구비되어 있고 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1) 및 제2 서브 화소(P2)의 제2 발광 영역(EA2)에 다른 하나의 식각 방지층(335a)이 추가로 구비되어 있기 때문에, 상기 제2 반사층(325)과 제3 반사층(335)을 패턴 형성하는 공정 시에 상기 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1) 및 제2 서브 화소(P2)의 제2 발광 영역(EA2)에서 제1 절연층(510)과 제2 절연층(520)이 식각되는 것이 방지될 수 있다. 그에 따라, 제1 서브 화소(P1)에서 제1 반사층(315)과 제1 전극(310) 사이의 제1 거리 및 제2 서브 화소(P2)에서 제2 반사층(325)과 제1 전극(320) 사이의 제2 거리를 정밀하게 제어할 수 있다.

상기 하나의 식각 방지층(325a) 및 상기 다른 하나의 식각 방지층(335a)은 광의 이동 경로에 위치하기 때문에 투명한 물질로 이루어진다.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 도 1의 A-B라인의 단면에 해당한다. 도 4에 따른 전계 발광 표시 장치는 제3 절연층(530)이 구비되지 않은 점에서 전술한 도 2a에 따른 전계 발광 표시 장치와 상이하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1)에서는 제1 반사층(315)과 제1 전극(310) 사이에 제1 절연층(510)과 제2 절연층(520)이 구비되어 있고, 제2 서브 화소(P2)의 제2 발광 영역(EA2)에서는 제2 반사층(325)과 제1 전극(320) 사이에 제2 절연층(520)이 구비되어 있고, 제3 서브 화소(P3)의 제3 발광 영역(EA3)에서는 제3 반사층(335)과 제1 전극(330) 사이에 절연층이 구비되어 있지 않고, 제3 반사층(335)과 제1 전극(330)이 직접 접촉하고 있다.

도 4에 따른 구조에서 제1 서브 화소(P1)에서 상기 제1 반사층(315)과 제1 전극(310) 사이의 제1 거리는 도 2a에 따른 구조에서 제1 서브 화소(P1)에서 상기 제1 반사층(315)과 제1 전극(310) 사이의 제1 거리보다 짧다. 또한, 도 4에 따른 구조에서 제2 서브 화소(P2)에서 상기 제2 반사층(325)과 제1 전극(320) 사이의 제2 거리는 도 2a에 따른 구조에서 제2 서브 화소(P2)에서 상기 제2 반사층(325)과 제1 전극(320) 사이의 제2 거리보다 짧다. 또한, 도 4에 따른 구조에서 제3 서브 화소(P3)에서 상기 제3 반사층(335)과 제1 전극(330) 사이의 제3 거리는 도 2a에 따른 구조에서 제3 서브 화소(P3)에서 상기 제3 반사층(335)과 제1 전극(330) 사이의 제3 거리보다 짧다.

전술한 바와 같이, 개별 서브 화소(P1, P2, P3)에서 마이크로 캐버티 효과를 얻기 위해서 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335)과 상기 제1 전극(310, 320, 330) 사이의 거리가 각 서브 화소(P1, P2, P3)에서 방출되는 광의 반파장(λ/2)의 정수배가 되는 것이 바람직하다. 따라서, 광의 반파장(λ/2)의 정수배를 구현하기 위해서 상기 제1 내지 제3 반사층(315, 325, 335)과 상기 제1 전극(310, 320, 330) 사이의 거리는 전술한 도 2a 또는 도 4와 같은 구조를 통해 다양하게 변경될 수 있다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 경계에 트렌치(T)가 추가로 구비된 점에서 전술한 도 1에 따른 전계 발광 표시 장치와 상이하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

도 5에서 알 수 있듯이, 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 경계 영역에 트렌치(T)가 형성되어 있다. 이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 트렌치(T)가 구비됨으로써, 인접하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에 전류 패스가 길게 형성되어, 인접하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에 누설전류가 발생하는 것이 줄어들 수 있는데, 이에 대해서는 단면 구조를 통해서 보다 구체적으로 설명하기로 한다.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 도 6a는 도 5의 A-B라인의 단면도이고, 도 6b는 도 5의 C-D라인의 단면도이다. 도 6a는 뱅크(600) 및 그 아래의 제3 절연층(530)에 트렌치(T)가 추가로 구비된 점에서 전술한 도 2a와 상이하고, 도 6b는 뱅크(600) 및 그 아래의 제3 절연층(530)에 트렌치(T)가 추가로 구비된 점에서 전술한 도 2b와 상이하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

도 6a 및 도 6b에서 알 수 있듯이, 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 경계 영역에서 뱅크(600) 및 제3 절연층(530)에 트렌치(T)가 형성되어 있다.

이와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 뱅크(600) 및 제3 절연층(530) 내에 트렌치(T)가 형성되어 있기 때문에, 발광층(700)이 상기 트렌치(T)내에 형성될 수 있다. 따라서, 인접하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에 전류 패스가 길게 형성되어, 인접하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에 누설전류가 발생하는 것을 줄일 수 있다. 즉, 고해상도를 구현하기 위해서 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 간격이 조밀하게 구성된 경우에 있어서, 어느 하나의 서브 화소(P1, P2, P3) 내의 발광층(700)에서 발광이 이루어진 경우 그 발광층(700) 내의 전하가 인접하는 다른 서브 화소(P1, P2, P3) 내의 발광층(700)으로 이동하여 누설전류가 발생할 가능성이 있다.

따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 경계에 트렌치(T)를 형성하고 상기 발광층(700)을 상기 트렌치(T)내에 형성함으로써, 인접하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 전류 패스를 길게 형성하여 저항을 증가시킴으로써 누설전류 발생을 줄일 수 있도록 한 것이다.

한편, 상기 트렌치(T)는 상기 뱅크(600)에만 형성될 수도 있다. 또는, 상기 트렌치(T)는 상기 뱅크(600) 및 제3 절연층(530) 뿐만 아니라 그 아래의 제2 절연층(520)의 내부, 제1 절연층(510)의 내부, 또는 회로 소자층(200)의 내부까지 연장될 수도 있다.

특히, 도 6b의 확대도를 참조하면, 상기 발광층(700)은 제1 색상의 광을 발광하는 제1 스택(710), 제2 색상의 광을 발광하는 제2 스택(730), 및 상기 제1 스택(710)과 제2 스택(730) 사이에 구비된 전하생성층(720)을 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 제1 스택(710)은 상기 트렌치(T) 내부의 측면에 형성되며 상기 트렌치(T) 내부의 하면에도 형성될 수 있다. 이때, 상기 트렌치(T) 내부의 측면에 형성된 제1 스택(710)의 일 부분과 상기 트렌치(T) 내부의 하면에 형성된 제1 스택(710)의 일 부분은 서로 연결되지 않고 단절되어 있다. 따라서, 상기 트렌치(T) 내부의 일 측면, 예로서 좌측 측면에 형성된 제1 스택(710)의 일 부분과 상기 트렌치(T) 내부의 다른 측면, 예로서 우측 측면에 형성된 제1 스택(710)의 일 부분은 서로 연결되지 않고 단절되어 있다. 이에 따라, 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서는 상기 제1 스택(710)을 통해 전하가 이동할 수는 없다.

또한, 상기 전하 생성층(720)은 상기 트렌치(T) 내부의 측면에서 상기 제1 스택(710) 상에 형성될 수 있다. 이때, 상기 트렌치(T) 내부의 일 측면, 예로서 좌측 측면에 형성된 전하 생성층(720)의 일 부분과 상기 트렌치(T) 내부의 다른 측면, 예로서 우측 측면에 형성된 전하 생성층(720)의 일 부분은 서로 연결되지 않고 단절되어 있다. 이에 따라, 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서는 상기 전하 생성층(720)을 통해 전하가 이동할 수는 없다.

또한, 상기 제2 스택(730)은 상기 전하 생성층(720) 상에서 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서 단절되지 않고 서로 연결될 수 있다. 따라서, 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서는 상기 제2 스택(730)을 통해 전하가 이동할 수는 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 트렌치(T)의 형상 및 발광층(700)의 증착 공정을 적절히 조절함으로써, 상기 제2 스택(730)도 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서 단절되도록 구성할 수도 있다. 특히, 상기 전하 생성층(720)과 인접하는 상기 제2 스택(730)의 하부 일 부분만이 서브 화소(P1, P2, P3) 사이 영역에서 단절될 수 있다.

상기 전하 생성층(720)은 상기 제1 스택(710) 및 상기 제2 스택(730)에 비하여 도전성이 크다. 특히, 상기 전하 생성층(720)을 구성하는 N형 전하 생성층은 금속 물질을 포함하여 이루어질 수 있기 때문에, 상기 제1 스택(710) 및 상기 제2 스택(730)에 비하여 도전성이 크다. 따라서, 서로 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서의 전하의 이동은 주로 전하 생성층(720)을 통해 이루어지고, 상기 제2 스택(730)을 통해서 이루어지는 전하의 이동량은 미미하다.

본 발명의 또 다른 실시예에서는, 상기 발광층(700)이 상기 트렌치(T) 내에 형성될 때 상기 트렌치(T) 내에서 상기 발광층(700)의 일부가 단절되도록 구성함으로써, 특히, 상기 제1 스택(710)과 상기 전하생성층(720)이 단절되도록 구성함으로써 인접 하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에 누설전류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

도 6c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 도 5의 C-D라인의 단면도이다. 도 6c는 도 6b에서 트렌치(T) 내의 공극(H)을 보다 구체적으로 도시한 것이다.

도 6c에서 알 수 있듯이, 트렌치(T)는 발광층(700)의 적어도 일부를 단절시키기 위한 것이다. 즉, 상기 발광층(700)의 적어도 일부가 상기 트렌치(T) 내에서 단절됨으로써, 상기 발광층(700)을 통해서 이웃하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에 전하가 이동하는 것이 방지되어 이웃하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서 누설전류가 발생하는 것이 방지될 수 있다. 이와 같이 상기 발광층(700)의 적어도 일부가 상기 트렌치(T) 내에서 단절되도록 하기 위해서, 상기 트렌치(T)의 폭(a)보다 상기 트렌치(T)의 깊이(b)가 큰 것이 바람직하다. 특히, 상기 트렌치(T)의 폭(a)은 0.1um 내지 0.2um 범위이고, 상기 트렌치(T)의 깊이(b)는 0.2um 내지 0.4um 범위인 것이 바람직할 수 있다. 상기 트렌치(T)의 폭(a)이 0.1um보다 작으면 상기 트렌치(T)의 폭(a)이 너무 작게 되어 상기 발광층(700)이 상기 트렌치(T) 위에서 연속적으로 증착되어 상기 발광층(700)의 적어도 일부가 상기 트렌치(T) 내에서 단절되지 않을 수 있고, 상기 트렌치(T)의 폭(a)이 0.2um를 초과하게 되면 상기 트렌치(T) 내에 공극(H)이 형성되지 않고 상기 발광층(700)이 상기 트렌치(T) 내에서 연속적으로 증착되어 상기 발광층(700)의 적어도 일부가 상기 트렌치(T) 내에서 단절되지 않을 수 있다. 상기 트렌치(T)의 깊이(b)가 0.2um보다 작으면 상기 트렌치(T) 내에 공극(H)이 형성되지 않고 상기 발광층(700)이 상기 트렌치(T) 내에서 연속적으로 증착되어 상기 발광층(700)의 적어도 일부가 상기 트렌치(T) 내에서 단절되지 않을 수 있고, 상기 트렌치(T)의 깊이(b)가 0.4um보다 크게 되면 상기 트렌치(T) 형성 공정이 용이하지 않을 수 있다.

서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 경계에 형성되는 상기 트렌치(T)의 폭(a)이 0.1um 내지 0.2um 범위임을 감안할 때, 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 이격된 제1 전극(310, 320, 330) 사이의 간격은 0.4um 이상인 것이 바람직할 수 있다.

상기 발광층(700)은 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 영역 및 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 경계 영역에 형성된다. 즉, 상기 발광층(700)은 상기 제1 전극(310, 320, 330) 및 상기 뱅크(600) 상에 형성되고, 상기 트렌치(T) 내의 상기 제3 절연층(530) 상에도 형성된다.

상기 발광층(700)은 상기 트렌치(T) 내부 및 상기 트렌치(T) 위쪽에 형성된다. 상기 발광층(700)이 상기 트렌치(T) 내부에 형성될 때, 상기 발광층(700)의 적어도 일부가 단절됨으로써, 인접하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서 누설전류 발생이 방지될 수 있다.

상기 발광층(700)의 제1 스택(710)은 상기 트렌치(T) 내부의 측면에 형성되며 상기 트렌치(T) 내부의 하면에도 형성될 수 있다.

이때, 상기 트렌치(T)의 중앙부를 기준으로 하여, 상기 트렌치(T) 내부의 일 측면, 예로서 좌측 측면에 형성된 제1 스택(710)의 제1 부분(710a)과 상기 트렌치(T) 내부의 다른 측면, 예로서 우측 측면에 형성된 제1 스택(710)의 제2 부분(710b)은 서로 연결되지 않고 단절되어 있다. 또한, 상기 트렌치(T) 내부의 하면에 형성된 제1 스택(710)의 제3 부분(710c)은 상기 트렌치(T) 내부의 측면에 형성된 제1 스택(710)의 제1 부분(710a) 및 제2 부분(710b)과 서로 연결되지 않고 단절되어 있다. 이에 따라, 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서는 상기 제1 스택(710)을 통해 전하가 이동할 수는 없다.

또한, 상기 발광층(700)의 전하 생성층(720)은 상기 제1 스택(710) 상에 형성되어 있다. 이때, 상기 전하 생성층(720)은 상기 트렌치(T) 내부까지 연장되지 않고 상기 트렌치(T)의 위쪽에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 전하 생성층(720)은 상기 트렌치(T)에 의해 관통된 상기 뱅크(600)의 일단의 상면(600a), 다시 말하면 상기 트렌치(T)와 접하는 상기 뱅크(600)의 일단의 상면(600a)보다 위쪽에 형성될 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 전하 생성층(720)이 상기 트렌치(T) 내부까지 연장되는 것도 가능하다.

이때, 상기 트렌치(T)의 중앙부를 기준으로 하여, 상기 트렌치(T)의 일 측, 예로서 좌측에 형성된 전하 생성층(720)의 제1 부분(720a)과 상기 트렌치(T)의 다른 측, 예로서 우측에 형성된 전하 생성층(720)의 제2 부분(720b)은 서로 연결되지 않고 단절되어 있다. 상기 전하 생성층(720)의 제1 부분(720a)은 상기 제1 스택(710)의 제1 부분(710a) 상에 형성되고, 상기 전하 생성층(720)의 제2 부분(720b)은 상기 제1 스택(710)의 제2 부분(710b) 상에 형성된 것이다.

이에 따라, 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서는 상기 전하 생성층(720)을 통해 전하가 이동할 수는 없다.

또한, 상기 발광층(700)의 제2 스택(730)은 상기 전하 생성층(720) 상에서 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서 단절되지 않고 서로 연결될 수 있다. 즉, 상기 트렌치(T)의 중앙부를 기준으로 하여, 상기 트렌치(T)의 일 측, 예로서 좌측에 형성된 제2 스택(730)의 제1 부분(730a)과 상기 트렌치(T)의 다른 측, 예로서 우측에 형성된 제2 스택층(730)의 제2 부분(730b)은 서로 연결되어 있다. 따라서, 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에서는 상기 제2 스택(730)을 통해 전하가 이동할 수는 있다.

이때, 상기 전하 생성층(720)이 단절된 상기 트렌치(T) 영역에 대응하는 제2 스택(730) 부분의 제1 두께(d)는, 상기 트렌치(T)와 중첩되지 않는 영역에 대응하는 상기 제2 스택(730) 부분의 제2 두께(d2) 보다 얇게 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상기 전하 생성층(720)의 제1 부분(720a)과 제2 부분(720b)의 사이 영역과 중첩되는 상기 제2 스택(730) 부분의 제1 두께(d1)는, 상기 뱅크(600)와 중첩되는 상기 제2 스택(730)의 제1 부분(730a) 또는 제2 부분(730b)의 제2 두께(d2) 보다 얇게 형성될 수 있다.

이와 같이 상기 제2 스택(730) 부분의 제1 두께(d1)가 상대적으로 얇게 형성되는 이유는 상기 제2 스택(730)이 상기 전하 생성층(720)의 제1 부분(720a) 및 제2 부분(720b)의 상면 각각에서부터 서로 이격된 상태로 증착되다가 서로 만나면서 형성될 수 있기 때문이다. 따라서, 상대적으로 얇은 제1 두께(d1)로 형성되는 상기 제2 스택(730) 부분의 하부 일부는 상기 트렌치(T) 위쪽에서 단절되도록 구성될 수 있다. 즉, 상기 제2 스택(730)의 제1 부분(730a)의 하부 일부와 상기 제2 스택층(730)의 제2 부분(730b)의 하부 일부는 서로 단절될 수 있다.

이상과 같은 제1 스택(710), 전하 생성층(720), 및 제2 스택(720)의 구조에 의해서 상기 트렌치(T) 내에는 공극(H)이 형성된다. 상기 공극(H)은 상기 절연층(500) 및 상기 발광층(700)에 의해서 정의되며, 따라서, 상기 공극(H)은 상기 발광층(700) 아래에 마련된다. 즉, 상기 발광층(700) 아래에 마련되는 공극(H)은 상기 절연층(500), 상기 제1 스택(710), 상기 전하 생성층(720), 및 상기 제2 스택(720)에 의해서 정의된다. 상기 공극(H)은 상기 트렌치(T) 내부에서부터 상기 트렌치(T) 위쪽까지 연장되고, 상기 공극(H)의 끝단(HT)은 상기 트렌치(T) 내에서 단절된 상기 발광층(700)의 적어도 일부 보다 높은 위치에 구비된다. 구체적으로, 상기 공극(H)의 끝단(HT)은 상기 전하 생성층(720) 보다 높은 위치에 형성되며, 그에 따라, 상기 공극(H)에 의해서 상기 전하 생성층(720)의 제1 부분(720a)과 제2 부분(720b)이 단절되게 된다.

이와 같은 도 6a 내지 도 6c에 따른 트렌치(T)의 구성은 전술한 도 3a 및 도 3b에 따른 구조 및 도 4에 따른 구조에도 적용될 수 있다.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 콘택 전극(410, 420, 430)이 추가된 점을 제외하고 전술한 도 1에 따른 전계 발광 표시 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면 부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

도 7에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)에는 복수의 콘택홀(CH11~CH14, CH21~CH24, CH31~CH34) 및 콘택 전극(410, 420, 430)이 형성되어 있다.

제1 서브 화소(P1)의 제1 전극(310)은 제1 콘택 영역(CA1)에서 제1 콘택 전극(410)과 연결되어 있고, 제2 서브 화소(P2)의 제1 전극(320)은 제2 콘택 영역(CA2)에서 제2 콘택 전극(420)과 연결되어 있고, 제3 서브 화소(P3)의 제1 전극(330)은 제3 콘택 영역(CA3)에서 제3 콘택 전극(430)과 연결되어 있다.

따라서, 상기 제1 콘택 전극(410)은 상기 제1 콘택 영역(CA1)에서 상기 제1 서브 화소(P1)의 제1 전극(310)과 중첩되면서 상기 제1 전극(310)과 연결되어 있다. 도면에는 상기 제1 콘택 전극(410)의 좌우 폭이 상기 제1 전극(310)의 좌우 폭보다 크게 도시되었지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 제1 콘택 전극(410)의 좌우 폭이 상기 제1 전극(310)의 좌우 폭과 같거나 그보다 작을 수도 있다.

상기 제2 콘택 전극(420)은 상기 제2 콘택 영역(CA2)에서 상기 제2 서브 화소(P2)의 제1 전극(320)과 중첩되면서 상기 제1 전극(320)과 연결되어 있다. 도면에는 상기 제2 콘택 전극(420)의 좌우 폭이 상기 제1 전극(320)의 좌우 폭보다 크게 도시되었지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 제2 콘택 전극(420)의 좌우 폭이 상기 제1 전극(320)의 좌우 폭과 같거나 그보다 작을 수도 있다.

상기 제3 콘택 전극(430)은 상기 제3 콘택 영역(CA3)에서 상기 제3 서브 화소(P3)의 제1 전극(330)과 중첩되면서 상기 제1 전극(330)과 연결되어 있다. 도면에는 상기 제3 콘택 전극(430)의 좌우 폭이 상기 제1 전극(330)의 좌우 폭보다 크게 도시되었지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 제3 콘택 전극(430)의 좌우 폭이 상기 제1 전극(330)의 좌우 폭과 같거나 그보다 작을 수도 있다.

도 8a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 도 7의 A-B라인의 단면에 해당한다.

도 8a에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판(100), 회로 소자층(200), 제1 전극(310, 320, 330), 반사층(315, 325, 335), 콘택 전극(410, 420, 430), 절연층(510, 520, 530), 뱅크(600), 발광층(700), 제2 전극(800), 봉지층(850), 컬러 필터층(900)을 포함하여 이루어진다.

상기 기판(100) 및 상기 회로 소자층(200)은 전술한 실시예들과 동일하므로 반복설명은 생략한다.

상기 회로 소자층(200)에는 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 제1 콘택홀(CH11, CH21, CH31)이 구비되어 있어, 상기 제1 콘택홀(CH11, CH21, CH31)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(250)의 소스 단자 또는 드레인 단자가 노출된다.

상기 제1 전극(310, 320, 330), 상기 반사층(315, 325, 335), 및 상기 콘택 전극(410, 420, 430)은 상기 회로 소자층(200) 상에서 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성되어 있다. 제1 서브 화소(P1)에 하나의 제1 전극(310), 제1 반사층(315), 및 제1 콘택 전극(410)이 형성되고, 제2 서브 화소(P2)에 다른 하나의 제1 전극(320), 제2 반사층(325), 및 제2 콘택 전극(420)이 형성되고, 제3 서브 화소(P3)에 또 다른 하나의 제1 전극(330), 제3 반사층(335), 및 제3 콘택 전극(430)이 형성된다.

상기 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(310) 및 제1 반사층(315)은 제1 발광 영역(EA1)에서 제1 콘택 영역(CA1)까지 연장되어 있다.

상기 제1 반사층(315)은 제1 서브 화소(P1) 영역에 구비된 상기 회로 소자층(200)의 제1 콘택홀(CH11)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(250)에 연결되어 있다. 경우에 따라서, 상기 제1 반사층(315)은 제1 콘택홀(CH11)에 채워진 도전물질을 통해서 상기 구동 박막 트랜지스터(250)에 연결될 수도 있으며, 이는 이하의 모든 실시예에 동일하게 적용될 수 있다.

상기 제1 전극(310)은 제1 서브 화소(P1) 영역에 구비된 제3 절연층(530)의 제4 콘택홀(CH14)을 통해서 상기 제1 콘택 전극(410)을 구성하는 제1 상부 콘택 전극(412)에 연결되어 있다.

상기 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 콘택 전극(410)은 제1 하부 콘택 전극(411) 및 제1 상부 콘택 전극(412)을 포함하여 이루어진다. 상기 제1 하부 콘택 전극(411)은 제1 서브 화소(P1) 영역에 구비된 제1 절연층(510)의 제2 콘택홀(CH12)을 통해서 상기 제1 반사층(315)에 연결되고, 상기 제1 상부 콘택 전극(412)은 제1 서브 화소(P1) 영역에 구비된 제2 절연층(520)의 제3 콘택홀(CH13)을 통해서 상기 제1 하부 콘택 전극(411)에 연결된다.

상기 제1 서브 화소(P1)에 있어서, 제1 반사층(315)은 상기 회로소자층(200)에 구비된 구동 박막 트랜지스터(250)와 직접 연결되고, 제1 전극(310)은 상기 제1 하부 콘택 전극(411) 및 제1 상부 콘택 전극(412)을 통해서 상기 제1 반사층(315)에 연결되어 있다.

상기 제2 서브 화소(P2)에 구비된 제2 반사층(325) 및 제1 전극(320)은 제2 발광 영역(EA2)에서 제2 콘택 영역(CA2)까지 연장되어 있다.

상기 제2 반사층(325)은 제2 서브 화소(P2) 영역에 구비된 제1 절연층(510)의 제2 콘택홀(CH22)을 통해서 제2 콘택 전극(420)을 구성하는 제2 하부 콘택 전극(421)에 연결되어 있다. 상기 제1 전극(320)은 제2 서브 화소(P2) 영역에 구비된 제3 절연층(530)의 제4 콘택홀(CH24)을 통해서 상기 제2 콘택 전극(420)을 구성하는 제2 상부 콘택 전극(422)에 연결되어 있다.

상기 제2 서브 화소(P2)에 구비된 제2 콘택 전극(420)은 제2 하부 콘택 전극(421) 및 제2 상부 콘택 전극(422)을 포함하여 이루어진다. 상기 제2 하부 콘택 전극(421)은 제2 서브 화소(P2) 영역에 구비된 상기 회로 소자층(200)의 제1 콘택홀(CH21)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(250)에 연결되고, 상기 제2 상부 콘택 전극(422)은 제2 서브 화소(P2) 영역에 구비된 제2 절연층(520)의 제3 콘택홀(CH23)을 통해서 상기 제2 반사층(325)에 연결된다. 경우에 따라서, 상기 제2 하부 콘택 전극(421)은 제1 콘택홀(CH21)에 채워진 도전물질을 통해서 상기 구동 박막 트랜지스터(250)에 연결될 수도 있으며, 이는 이하의 모든 실시예에 동일하게 적용될 수 있다.

상기 제2 서브 화소(P2)에 있어서, 상기 제2 반사층(325)은 상기 제2 하부 콘택 전극(421)을 통해서 상기 회로소자층(200)에 구비된 구동 박막 트랜지스터(250)와 연결되고, 제1 전극(320)은 상기 제2 상부 콘택 전극(422)을 통해서 상기 제2 반사층(325)에 연결되어 있다.

상기 제3 서브 화소(P3)에 구비된 제3 반사층(335) 및 제1 전극(330)은 제3 발광 영역(EA3)에서 제3 콘택 영역(CA3)까지 연장되어 있다.

상기 제3 반사층(335)은 제3 서브 화소(P3) 영역에 구비된 제2 절연층(520)의 제3 콘택홀(CH33)을 통해서 제3 콘택 전극(430)을 구성하는 제3 상부 콘택 전극(432)에 연결되어 있다. 상기 제1 전극(330)은 제3 서브 화소(P3) 영역에 구비된 제3 절연층(530)의 제4 콘택홀(CH34)을 통해서 상기 제3 반사층(335)에 연결되어 있다.

상기 제3 서브 화소(P3)에 구비된 제3 콘택 전극(430)은 제3 하부 콘택 전극(431) 및 제3 상부 콘택 전극(432)을 포함하여 이루어진다. 상기 제3 하부 콘택 전극(431)은 제3 서브 화소(P3) 영역에 구비된 상기 회로 소자층(200)의 제1 콘택홀(CH31)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(250)에 연결되고, 상기 제3 상부 콘택 전극(432)은 제3 서브 화소(P3) 영역에 구비된 제1 절연층(510)의 제2 콘택홀(CH32)을 통해서 상기 제3 하부 콘택 전극(431)에 연결된다.

상기 제3 서브 화소(P3)에 있어서, 상기 제3 반사층(335)은 상기 제3 하부 콘택 전극(431) 및 제3 상부 콘택 전극(432)을 통해서 상기 회로소자층(200)에 구비된 구동 박막 트랜지스터(250)와 연결되고, 제1 전극(330)은 상기 제3 반사층(335)에 직접 연결되어 있다. 경우에 따라서, 상기 제3 하부 콘택 전극(431)은 제1 콘택홀(CH31)에 채워진 도전물질을 통해서 상기 구동 박막 트랜지스터(250)에 연결될 수도 있으며, 이는 이하의 모든 실시예에 동일하게 적용될 수 있다.

상기 제1 서브 화소(P1)의 제1 반사층(315)과 동일한 층에 위치하는 상기 제2 서브 화소(P2)의 제2 하부 콘택 전극(421) 및 상기 제3 서브 화소(P3)의 제3 하부 콘택 전극(431)은 상기 제1 반사층(315)과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 패턴 형성될 수 있다.

상기 제1 반사층(315), 상기 제2 하부 콘택 전극(421), 및 상기 제3 하부 콘택 전극(431)은 반사특성이 우수한 도전물질로 이루어질 수 있으며, 특히, 단일층으로 이루어질 수 있다.

상기 제2 서브 화소(P2)의 제2 반사층(325)과 동일한 층에 위치하는 상기 제1 서브 화소(P1)의 제1 하부 콘택 전극(411) 및 상기 제3 서브 화소(P3)의 제3 상부 콘택 전극(432)은 상기 제2 반사층(325)과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 패턴 형성될 수 있다.

상기 제2 반사층(325), 상기 제1 하부 콘택 전극(411) 및 상기 제3 상부 콘택 전극(432)은 하부의 식각방지층(325a) 및 상부의 반사물질층(325c)의 2층 구조로 이루어질 수 있다. 이때, 하부의 식각방지층(325a) 및 상부의 반사물질층(325c)은 모두 도전물질로 이루어진다. 또한, 상기 식각방지층(325a)과 상기 반사 물질층(325c)은 동일한 식각가스에 대해서 함께 식각되지 않는 서로 상이한 물질로 이루어진다.

한편, 전술한 도 2a의 제2 반사층(325)과 마찬가지로, 상기 제2 반사층(325), 상기 제1 하부 콘택 전극(411) 및 상기 제3 상부 콘택 전극(432)이 하부층으로서 식각방지층(325a), 중간층으로서 버퍼층(325b), 및 상부층으로서 반사 물질층(325c)으로 이루어질 수도 있고, 이 경우, 상기 버퍼층(325b)도 도전물질로 이루어진다.

상기 제3 서브 화소(P3)의 제3 반사층(335)과 동일한 층에 위치하는 상기 제1 서브 화소(P1)의 제1 상부 콘택 전극(412) 및 상기 제2 서브 화소(P2)의 제2 상부 콘택 전극(422)은 상기 제3 반사층(335)과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 패턴 형성된다.

상기 제3 반사층(335), 상기 제1 상부 콘택 전극(412) 및 상기 제2 상부 콘택 전극(422)은 하부의 식각방지층(335a) 및 상부의 반사물질층(335c)의 2층 구조로 이루어질 수 있다. 이때, 하부의 식각방지층(335a) 및 상부의 반사물질층(335c)은 모두 도전물질로 이루어진다. 또한, 상기 식각방지층(335a)과 상기 반사 물질층(335c)은 동일한 식각가스에 대해서 함께 식각되지 않는 서로 상이한 물질로 이루어진다.

한편, 전술한 도 2a의 제3 반사층(335)과 마찬가지로, 상기 제3 반사층(335), 상기 제1 상부 콘택 전극(412) 및 상기 제2 상부 콘택 전극(422)이 하부층으로서 식각방지층(335a), 중간층으로서 버퍼층(335b), 및 상부층으로서 반사 물질층(335c)으로 이루어질 수도 있고, 이 경우, 상기 버퍼층(335b)도 도전물질로 이루어진다.

상기 제1 절연층(510)은 상기 회로 소자층(200) 상에 구비되어 있다. 특히, 상기 제1 절연층(510)은 상기 제1 하부 콘택 전극(411), 상기 제2 반사층(325), 및 상기 제3 상부 콘택 전극(432) 아래에 구비되어 있다. 상기 제1 절연층(510)에는 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 제2 콘택홀(CH12, CH22, CH32)이 구비되어 있다. 상기 제1 절연층(510)은 상기 제2 콘택홀(CH12, CH22, CH32) 영역을 제외하고 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 영역에 전체적으로 형성될 수 있으며, 그에 따라 제1 서브 화소(P1)에 형성된 제1 절연층(510), 제2 서브 화소(P2)에 형성된 제1 절연층(510) 및 제3 서브 화소(P3)에 형성된 제1 절연층(510)은 서로 연결될 수 있다.

상기 제2 절연층(520)은 상기 제1 절연층(510) 상에 구비되어 있다. 특히, 상기 제2 절연층(520)은 상기 제1 상부 콘택 전극(412), 상기 제2 상부 콘택 전극(422), 및 제3 반사층(335) 아래에 구비되어 있다. 상기 제2 절연층(520)에는 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 제3 콘택홀(CH13, CH23, CH33)이 구비되어 있다. 상기 제2 절연층(520)은 상기 제3 콘택홀(CH13, CH23, CH33) 영역을 제외하고 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 영역에 전체적으로 형성될 수 있으며, 그에 따라 제1 서브 화소(P1)에 형성된 제2 절연층(520), 제2 서브 화소(P2)에 형성된 제2 절연층(520) 및 제3 서브 화소(P3)에 형성된 제2 절연층(520)은 서로 연결될 수 있다.

상기 제3 절연층(530)은 상기 제2 절연층(520) 상에 구비되어 있다. 특히, 상기 제3 절연층(530)은 제1 전극(310, 320, 330) 아래에 구비되어 있다. 상기 제3 절연층(530)에는 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 제4 콘택홀(CH14, CH24, CH34)이 구비되어 있다.

상기 제3 절연층(530)은 상기 제4 콘택홀(CH14, CH24, CH34) 영역을 제외하고 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 영역에 전체적으로 형성될 수 있으며, 그에 따라 제1 서브 화소(P1)에 형성된 제3 절연층(530), 제2 서브 화소(P2)에 형성된 제3 절연층(530) 및 제3 서브 화소(P3)에 형성된 제3 절연층(530)은 서로 연결될 수 있다.

상기 뱅크(600)는 상기 콘택 전극(410, 420, 430)이 형성된 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)과 오버랩되도록 형성될 수 있으며, 그에 따라, 단차진 상기 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)은 상기 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 오버랩되지 않게 될 수 있다.

상기 발광층(700), 상기 제2 전극(800), 상기 봉지층(850), 및 상기 컬러 필터층(900)은 전술한 실시예와 동일하므로 반복설명은 생략한다.

도 8b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 도 7의 C-D라인의 단면에 해당한다.

도 8b에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 회로 소자층(200)이 형성되어 있고, 상기 회로 소자층(200) 상의 제1 서브 화소(P1)에는 제1 반사층(315)이 형성되어 있다.

상기 제2 반사층(325)과 상기 제3 반사층(335)은 전술한 도 8a에서와 동일하므로 반복 설명은 생략한다.

도 9a 및 도 9b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 도 9a는 도 7의 A-B라인의 단면에 해당하고, 도 9b는 도 7의 C-D라인의 단면에 해당한다.

도 9a 및 도 9b는 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1)에 식각 방지층(325a, 335a)이 추가로 구비되고 제2 서브 화소(P2)의 제2 발광 영역(EA2)에 식각 방지층(335a)이 추가로 구비된 점을 제외하고, 각각 전술한 도 8a 및 도 8b와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

도 9a 및 도 9b에서 알 수 있듯이, 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1)에서 제1 절연층(510) 상에 하나의 식각 방지층(325a)이 추가로 구비되어 있고, 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1) 및 제2 서브 화소(P2)의 제2 발광 영역(EA2)에서 제2 절연층(520) 상에 다른 하나의 식각 방지층(335a)이 추가로 구비되어 있다.

상기 제1 서브 화소(P1)의 하나의 식각 방지층(325a)은 상기 제1 하부 콘택 전극(411)의 식각방지층(325a)이 상기 제1 발광 영역(EA1)으로 연장된 것이다.

상기 제1 서브 화소(P1)의 다른 하나의 식각 방지층(335a)은 상기 제1 상부 콘택 전극(412)의 식각방지층(335a)이 상기 제1 발광 영역(EA1)으로 연장된 것이다.

상기 제2 서브 화소(P2)의 다른 하나의 식각 방지층(335a)은 상기 제2 상부 콘택 전극(422)의 식각방지층(335a)이 상기 제2 발광 영역(EA2)으로 연장된 것이다.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 도 7의 A-B라인의 단면에 해당한다. 도 10에 따른 전계 발광 표시 장치는 제3 절연층(530)이 구비되지 않은 점에서 전술한 도 8a에 따른 전계 발광 표시 장치와 상이하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

도 10에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광 영역(EA1)에서는 제1 반사층(315)과 제1 전극(310) 사이에 제1 절연층(510)과 제2 절연층(520)이 구비되어 있고, 제2 서브 화소(P2)의 제2 발광 영역(EA2)에서는 제2 반사층(325)과 제1 전극(320) 사이에 제2 절연층(520)이 구비되어 있고, 제3 서브 화소(P3)의 제3 발광 영역(EA3)에서는 제3 반사층(335)과 제1 전극(330) 사이에 절연층이 구비되어 있지 않고, 제3 반사층(335)과 제1 전극(330)이 직접 접촉하고 있다.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 경계에 트렌치(T)가 추가로 구비된 점에서 전술한 도 7에 따른 전계 발광 표시 장치와 상이하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

도 11에서 알 수 있듯이, 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 경계 영역에 트렌치(T)가 형성되어 있다. 이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 트렌치(T)가 구비됨으로써, 인접하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에 전류 패스가 길게 형성되어, 인접하는 서브 화소(P1, P2, P3) 사이에 누설전류가 발생하는 것이 줄어들 수 있는데, 이에 대해서는 단면 구조를 통해서 보다 구체적으로 설명하기로 한다.

도 12a 및 도 12b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 도 12a는 도 11의 A-B라인의 단면도이고, 도 12b는 도 11의 C-D라인의 단면도이다. 도 12a는 뱅크(600) 및 그 아래의 제3 절연층(530)에 트렌치(T)가 추가로 구비된 점에서 전술한 도 8a와 상이하고, 도 12b는 뱅크(600) 및 그 아래의 제3 절연층(530)에 트렌치(T)가 추가로 구비된 점에서 전술한 도 8b와 상이하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

도 12a 및 도 12b에서 알 수 있듯이, 서브 화소(P1, P2, P3) 사이의 경계 영역에서 뱅크(600) 및 제3 절연층(530)에 트렌치(T)가 형성되어 있고, 그에 따라, 발광층(700)이 상기 트렌치(T)내에 형성될 수 있다.

상기 트렌치(T)는 상기 뱅크(600)에만 형성될 수도 있다. 또는, 상기 트렌치(T)는 상기 뱅크(600) 및 제3 절연층(530) 뿐만 아니라 그 아래의 제2 절연층(520)의 내부, 제1 절연층(510)의 내부, 또는 회로 소자층(200)의 내부까지 연장될 수도 있다.

특히, 도 12b의 확대도를 참조하면, 상기 발광층(700)은 제1 색상의 광을 발광하는 제1 스택(710), 제2 색상의 광을 발광하는 제2 스택(730), 및 상기 제1 스택(710)과 제2 스택(730) 사이에 구비된 전하생성층(720)을 포함하여 이루어질 수 있는데, 그 구체적인 모습은 전술한 도 6b의 확대도와 동일하므로 반복 설명은 생략한다.

이와 같은 도 12a 및 도 12b에 따른 트렌치(T)의 구성은 전술한 도 9a 및 도 9b에 따른 구조 및 도 10에 따른 구조에도 적용될 수 있다.

도 13a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 13b는 도 13a의 E-F라인의 단면도이다. 도 13a 및 도 13b에 다른 전계 발광 표시 장치는 콘택홀(CH11~CH13, CH21~CH23, CH31~CH33)의 구성이 변경된 점에서 전술한 도 11에 따른 전계 발광 표시 장치와 상이하다.

전술한 도 11에 따르면, 제1 서브 화소(P1) 내의 제1 콘택홀(CH11), 제2 콘택홀(CH12), 제3 콘택홀(CH13), 및 제4 콘택홀(CH14)이 서로 중첩되도록 형성되고, 제2 서브 화소(P2) 내의 제1 콘택홀(CH21), 제2 콘택홀(CH22), 제3 콘택홀(CH23), 및 제4 콘택홀(CH24)이 서로 중첩되도록 형성되고, 제3 서브 화소(P3) 내의 제1 콘택홀(CH31), 제2 콘택홀(CH32), 제3 콘택홀(CH33) 및 제4 콘택홀(CH34)이 서로 중첩되도록 형성된다.

그에 반하여, 도 13a 및 도 13b에 따르면, 제1 서브 화소(P1) 내에서 제1 콘택홀(CH11)은 제2 콘택홀(CH12)과는 중첩되지만 제3 콘택홀(CH13)과는 중첩되지 않고, 제2 서브 화소(P2) 내에서 제1 콘택홀(CH21)은 제2 콘택홀(CH22)과는 중첩되지만 제3 콘택홀(CH23)과는 중첩되지 않고, 제3 서브 화소(P3) 내에서 제1 콘택홀(CH31)은 제2 콘택홀(CH32)과는 중첩되지만 제3 콘택홀(CH33)과는 중첩되지 않는다.

도시하지는 않았지만, 제1 서브 화소(P1) 내에서 제1 콘택홀(CH11)이 제3 콘택홀(CH13)과는 중첩되지만 제2 콘택홀(CH12)과는 중첩되지 않고, 제2 서브 화소(P2) 내에서 제1 콘택홀(CH21)은 제3 콘택홀(CH23)과는 중첩되지만 제2 콘택홀(CH22)과는 중첩되지 않고, 제3 서브 화소(P3) 내에서 제1 콘택홀(CH31)은 제3 콘택홀(CH33)과는 중첩되지만 제2 콘택홀(CH32)과는 중첩되지 않을 수 있다.

또한, 제1 서브 화소(P1) 내에서 제1 콘택홀(CH11), 제2 콘택홀(CH12), 및 제3 콘택홀(CH13) 모두가 서로 중첩되지 않을 수도 있고, 제2 서브 화소(P2) 내에서 제1 콘택홀(CH21), 제2 콘택홀(CH22), 및 제3 콘택홀(CH23) 모두가 서로 중첩되지 않을 수도 있고, 제3 서브 화소(P3) 내에서 제1 콘택홀(CH31), 제2 콘택홀(CH32), 및 제3 콘택홀(CH33) 모두가 서로 중첩되지 않을 수도 있다.

이와 같이, 동일한 서브 화소(P1, P2, P3) 내에서 제1 콘택홀(CH11, CH21, CH31), 제2 콘택홀(CH12, CH22, CH32) 및 제3 콘택홀(CH13, CH23, CH33) 중에서 적어도 하나가 나머지와 중첩되지 않는 경우는 모두가 중첩되는 경우에 비하여, 콘택홀(CH11~CH13, CH21~CH23, CH31~CH33) 형성 공정이 용이할 수 있고, 콘택홀(CH11~CH13, CH21~CH23, CH31~CH33)의 크기를 줄일 수 있다.

도 13a에 도시된 바와 같은 콘택홀(CH11~CH13, CH21~CH23, CH31~CH33)의 구조는 제3 절연층(530)과 제4 콘택홀(CH14, CH24, CH34)을 포함한 전술한 도 12a에 따른 구조에도 적용될 수 있다. 이때, 도 12a에서, 제4 콘택홀(CH14, CH24, CH34)는 동일한 서브 화소(P1, P2, P3) 내에서 제1 콘택홀(CH11, CH21, CH31), 제2 콘택홀(CH12, CH22, CH32) 및 제3 콘택홀(CH13, CH23, CH33) 중에서 적어도 하나와 중첩될 수도 있고 중첩되지 않을 수도 있다.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 구조가 변경된 점에서 전술한 도 11에 다른 전계 발광 표시 장치와 상이하다.

전술한 도 11에 따르면, 제1 콘택 영역(CA1)의 일변만이 제1 발광 영역(EA1)과 마주하고, 제2 콘택 영역(CA2)의 일변 만이 제2 발광 영역(EA2)과 마주하고, 제3 콘택 영역(CA3)의 일변 만이 제3 발광 영역(EA3)과 마주하고 있다.

그에 반하여, 도 14에 따르면, 제1 콘택 영역(CA1)의 두 변, 구체적으로 하변 및 우변이 제1 발광 영역(EA1)과 마주하고, 제2 콘택 영역(CA2)의 두 변, 구체적으로 하변 및 우변이 제2 발광 영역(EA2)과 마주하고, 제3 콘택 영역(CA3)의 두 변, 구체적으로 하변 및 우변이 제3 발광 영역(EA3)과 마주하고 있다.

따라서, 도 14의 경우는, 발광 영역(EA1, EA2, EA3)이 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 하측에 위치하면서 상대적으로 넓은 제1 폭(W1)을 가지는 제1 부분 및 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 우측에 위치하면서 상대적으로 좁은 제2 폭(W2)을 가지는 제2 부분을 포함하게 된다.

전술한 도 11의 경우에는 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)이 발광 영역(EA1, EA2, EA3)의 상측에서 가로 방향으로 길게 형성되어 있기 때문에 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 가로 방향의 폭을 줄이는데 한계가 있고 설령 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 가로 방향의 폭을 발광 영역(EA1, EA2, EA3)의 가로 방향의 폭보다 작게 형성한다 하여도 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 측면에 남아있는 공간이 작아서 상기 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 측면에 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 형성하기가 어렵다. 따라서, 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 가로 방향의 폭을 최대로 줄인다 하여도 발광 영역(EA1, EA2, EA3)의 크기를 증가시키기는 어렵다.

그에 반하여, 도 14의 경우에는 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)이 세로 방향으로 길게 형성되어 있기 때문에 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 우측에 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 형성할 수 있고 특히 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)의 세로 방향의 폭을 줄일 경우 그만큼 발광 영역(EA1, EA2, EA3)의 크기를 증가시킬 수 있어 개구율이 향상될 수 있다.

한편, 제1 서브 화소(P1)에서 제1 콘택 전극(410)의 상변 및 좌변이 제1 전극(310)의 상변 및 좌변과 일치하지 않을 수도 있지만 일치할 수도 있다. 유사하게, 제2 서브 화소(P2)에서 제2 콘택 전극(420)의 상변 및 좌변이 제1 전극(320)의 상변 및 좌변과 일치하지 않을 수도 있지만 일치할 수도 있고, 제3 서브 화소(P3)에서 제3 콘택 전극(430)의 상변 및 좌변이 제1 전극(330)의 상변 및 좌변과 일치하지 않을 수도 있지만 일치할 수도 있다.

한편, 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)이 발광 영역(EA1, EA2, EA3)의 우측 상단 위에 위치함으로써, 제1 콘택 영역(CA1)의 하변 및 좌변이 제1 발광 영역(EA1)과 마주하고, 제2 콘택 영역(CA2)의 하변 및 좌변이 제2 발광 영역(EA2)과 마주하고, 제3 콘택 영역(CA3)의 하변 및 좌변이 제3 발광 영역(EA3)과 마주할 수도 있다.

도 14에 도시된 바와 같은 콘택 영역(CA1, CA2, CA3)과 발광 영역(EA1, EA2, EA3)의 구조는 전술한 실시예들에 다양하게 적용될 수 있다.

도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 콘택홀(CH11~CH13, CH21~CH23, CH31~CH33)의 구성이 변경된 점에서 전술한 도 14에 따른 전계 발광 표시 장치와 상이하다.

도 15에 따르면, 제1 서브 화소(P1) 내에서 제1 콘택홀(CH11)은 제2 콘택홀(CH12)과는 중첩되지만 제3 콘택홀(CH13)과는 중첩되지 않고, 제2 서브 화소(P2) 내에서 제1 콘택홀(CH21)은 제2 콘택홀(CH22)과는 중첩되지만 제3 콘택홀(CH23)과는 중첩되지 않고, 제3 서브 화소(P3) 내에서 제1 콘택홀(CH31)은 제2 콘택홀(CH32)과는 중첩되지만 제3 콘택홀(CH33)과는 중첩되지 않는다.

도 16a내지 도 16c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다. 도 16a는 개략적인 사시도이고, 도 16b는 VR(Virtual Reality) 구조의 개략적인 평면도이고, 도 16c는 AR(Augmented Reality) 구조의 개략적인 단면도이다.

도 16a에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 헤드 장착형 표시 장치는 수납 케이스(10), 및 헤드 장착 밴드(30)를 포함하여 이루어진다.

상기 수납 케이스(10)는 그 내부에 표시 장치, 렌즈 어레이, 및 접안 렌즈 등의 구성을 수납하고 있다.

상기 헤드 장착 밴드(30)는 상기 수납 케이스(10)에 고정된다. 상기 헤드 장착밴드(30)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 헤드 장착 밴드(30)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태의 구조물로 대체될 수 있다.

도 16b에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 VR(Virtual Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)를 포함하여 이루어진다.

상기 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 상기 렌즈 어레이(13), 및 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)는 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다.

상기 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11)는 동일한 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 2D 영상을 시청할 수 있다. 또는, 상기 좌안용 표시 장치(12)는 좌안 영상을 표시하고 상기 우안용 표시장치(11)는 우안 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 입체 영상을 시청할 수 있다. 상기 좌안용 표시 장치(12)와 상기 우안용 표시 장치(11) 각각은 전술한 도 1 내지 도 15에 따른 전계 발광 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 15에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 컬러 필터층(900)이 상기 렌즈 어레이(13)와 마주하게 된다.

상기 렌즈 어레이(13)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 좌안용 표시 장치(12) 각각과 이격되면서 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 좌안용 표시 장치(12) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(13)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)의 전방 및 상기 좌안용 표시 장치(12)의 후방에 위치할 수 있다. 또한, 상기 렌즈 어레이(13)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(11) 각각과 이격되면서 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(11) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(13)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)의 전방 및 상기 우안용 표시 장치(11)의 후방에 위치할 수 있다.

상기 렌즈 어레이(13)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)일 수 있다. 상기 렌즈 어레이(13)는 핀홀 어레이(Pin Hole Array)로 대체될 수 있다. 상기 렌즈 어레이(13)로 인해 좌안용 표시장치(12) 또는 우안용 표시장치(11)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다.

상기 좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안(LE)이 위치하고, 상기 우안 접안 렌즈(20b)에는 사용자의 우안(RE)이 위치할 수 있다.

도 16c에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 AR(Augmented Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)을 포함하여 이루어진다. 도 16c에는 편의상 좌안쪽 구성만을 도시하였으며, 우안쪽 구성도 좌안쪽 구성과 동일하다.

상기 좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)은 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다.

상기 좌안용 표시 장치(12)는 상기 투과창(15)을 가리지 않으면서 상기 투과 반사부(14)의 일측, 예로서 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 상기 좌안용 표시 장치(12)가 상기 투과창(15)을 통해 보이는 외부 배경을 가리지 않으면서 상기 투과 반사부(14)에 영상을 제공할 수 있다.

상기 좌안용 표시 장치(12)는 전술한 도 1 내지 도 15에 따른 전계 발광 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 15에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 컬러 필터층(900)이 상기 투과 반사부(14)와 마주하게 된다.

상기 렌즈 어레이(13)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 투과반사부(14) 사이에 구비될 수 있다.

상기 좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안이 위치한다.

상기 투과 반사부(14)는 상기 렌즈 어레이(13)와 상기 투과창(15) 사이에 배치된다. 상기 투과 반사부(14)는 광의 일부를 투과시키고, 광의 다른 일부를 반사시키는 반사면(14a)을 포함할 수 있다. 상기 반사면(14a)은 상기 좌안용 표시 장치(12)에 표시된 영상이 상기 렌즈 어레이(13)로 진행하도록 형성된다. 따라서, 사용자는 상기 투과층(15)을 통해서 외부의 배경과 상기 좌안용 표시 장치(12)에 의해 표시되는 영상을 모두 볼 수 있다. 즉, 사용자는 현실의 배경과 가상의 영상을 겹쳐 하나의 영상으로 볼수 있으므로, 증강현실(Augmented Reality, AR)이 구현될 수 있다.

상기 투과층(15)은 상기 투과 반사부(14)의 전방에 배치되어 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100: 기판 200: 회로 소자층
250: 구동 박막 트랜지스터 310, 320, 330: 제1 전극
315, 325, 335: 제1, 제2, 제3 반사층
410, 420, 430: 제1, 제2, 제3 콘택 전극
510, 520, 530: 제1, 제2, 제3 절연층
600: 뱅크 700: 발광층
800: 제2 전극 850: 봉지층
900: 컬러 필터층

Claims

제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 및 제3 서브 화소를 구비한 기판;
상기 기판 상에서 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 각각 구비된 구동 박막 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층;
상기 회로 소자층 상에서 상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 반사층, 상기 제2 서브 화소에 구비된 제2 반사층 및 상기 제3 서브 화소에 구비된 제3 반사층;
상기 제1 내지 제3 서브 화소에서 상기 제1 반사층, 상기 제2 반사층 및 상기 제3 반사층 위에 각각 구비된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 구비된 발광층; 및
상기 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 서브 화소의 제1 전극과 상기 제1 반사층 사이의 제1 거리, 상기 제2 서브 화소의 제1 전극과 상기 제2 반사층 사이의 제2 거리, 및 상기 제3 서브 화소의 제1 전극과 상기 제3 반사층 사이의 제3 거리는 서로 상이하고,
상기 제2 반사층은 제1 식각 방지층 및 상기 제1 식각 방지층 상에 구비된 제1 반사 물질층을 포함하여 이루어진 전계 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 반사층은 상기 제1 반사 물질층과 동일한 물질로 구성된 단일층으로 이루어진 전계 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제3 반사층은 제2 식각 방지층 및 상기 제2 식각 방지층 상에 구비된 제2 반사 물질층을 포함하여 이루어진 전계 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제2 반사층은 상기 제1 식각 방지층과 상기 제1 반사 물질층 사이에 구비된 제1 버퍼층을 추가로 포함하여 이루어진 전계 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 사이에 구비된 제1 절연층을 추가로 포함하고,
상기 제1 서브 화소에서 상기 제1 절연층 상에는 상기 제1 식각 방지층이 추가로 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 제2 반사층과 상기 제3 반사층 사이에 구비된 제2 절연층을 추가로 포함하고,
상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소에서 상기 제2 절연층 상에는 상기 제2 식각 방지층이 추가로 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브 화소의 제1 전극과 상기 제1 반사층은 전기적으로 절연되어 있는 전계 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브 화소의 제1 전극과 상기 제1 반사층은 전기적으로 연결되어 있는 전계 발광 표시 장치.
제8항에 있어서,
상기 제1 서브 화소의 제1 전극과 상기 제1 반사층 사이에는 제1 콘택 전극이 추가로 구비되어 있고, 상기 제1 콘택 전극은 콘택홀을 통해서 상기 제1 서브 화소의 제1 전극 및 상기 제1 반사층과 각각 연결되어 있는 전계 발광 표시 장치.
제9항에 있어서,
상기 제1 콘택 전극은 제1 하부 콘택 전극 및 제1 상부 콘택 전극을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 하부 콘택 전극은 상기 제1 반사층과 상기 제1 상부 콘택 전극 사이에 구비되어 상기 제1 반사층과 상기 제1 상부 콘택 전극을 연결하고,
상기 제1 상부 콘택 전극은 상기 제1 하부 콘택 전극과 상기 제1 서브 화소의 제1 전극 사이에 구비되어 상기 제1 하부 콘택 전극과 상기 제1 서브 화소의 제1 전극을 연결하고,
상기 제1 반사층은 상기 회로 소자층에 구비된 콘택홀을 통해서 상기 제1 서브 화소에 구비된 구동 박막 트랜지스터와 연결되는 전계 발광 표시 장치.
제9항에 있어서,
상기 제1 서브 화소의 제1 전극과 상기 제1 반사층은 복수의 콘택홀을 통해서 서로 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 콘택홀 중 적어도 하나는 나머지와 중첩되지 않도록 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 서브 화소의 경계에 구비된 뱅크를 추가로 포함하고,
상기 뱅크는 상기 제1 내지 제3 서브 화소 사이의 경계 영역에 트렌치가 구비되어 있고,
상기 발광층의 적어도 일부는 상기 트렌치 내에서 단절되어 있는 전계 발광 표시 장치.
제12항에 있어서,
상기 발광층은 제1 색상의 광을 발광하는 제1 스택, 제2 색상의 광을 발광하는 제2 스택, 및 상기 제1 스택과 제2 스택 사이에 구비된 전하 생성층을 포함하여 이루어지고,
상기 트렌치 내에는 상기 발광층 아래에 공극이 구비되어 있으며, 상기 공극의 상단은 상기 전하 생성층 보다 높은 위치에 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브 화소의 제1 전극과 상기 제1 반사층 사이에 구비된 절연층의 개수는 상기 제2 서브 화소의 제1 전극과 상기 제2 반사층 사이에 구비된 절연층의 개수와 상이한 전계 발광 표시 장치.
제1 발광 영역과 제1 콘택 영역을 구비한 제1 서브 화소;
제2 발광 영역과 제2 콘택 영역을 구비한 제2 서브 화소;
제3 발광 영역과 제3 콘택 영역을 구비한 제3 서브 화소;
상기 제1 발광 영역에 구비된 제1 반사층과 하나의 제1 전극;
상기 제2 발광 영역에 구비된 제2 반사층과 다른 하나의 제1 전극; 및
상기 제3 발광 영역에 구비된 제3 반사층과 또 다른 하나의 제1 전극을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 서브 화소의 제1 전극과 상기 제1 반사층 사이의 제1 거리, 상기 제2 서브 화소의 제1 전극과 상기 제2 반사층 사이의 제2 거리, 및 상기 제3 서브 화소의 제1 전극과 상기 제3 반사층 사이의 제3 거리는 서로 상이하고,
상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층은 서로 상이한 적층 구조로 이루어진 전계 발광 표시 장치.
제14항에 있어서,
상기 제2 반사층은 제1 식각 방지층 및 상기 제1 식각 방지층 상에 구비된 제1 반사 물질층을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 반사층은 상기 제1 반사 물질층과 동일한 물질로 구성된 단일층으로 이루어진 전계 발광 표시 장치.
제16항에 있어서,
상기 제2 반사층은 상기 제1 식각 방지층과 상기 제1 반사 물질층 사이에 구비된 제1 버퍼층을 추가로 포함하여 이루어진 전계 발광 표시 장치.
제15항에 있어서,
상기 제3 반사층은 상기 제2 반사층과 동일한 적층 구조로 이루어진 전계 발광 표시 장치.
제15항에 있어서,
상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 사이에 구비된 제1 절연층을 추가로 포함하고,
상기 제1 서브 화소에서 상기 제1 절연층 상에는 상기 제1 식각 방지층이 추가로 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
제15항에 있어서,
상기 제1 콘택 영역에 구비되고, 상기 제1 반사층 및 상기 하나의 제1 전극과 연결되는 제1 콘택 전극;
상기 제2 콘택 영역에 구비되고, 상기 제2 반사층 및 상기 다른 하나의 제1 전극에 연결되는 제2 콘택 전극; 및
상기 제3 콘택 영역에 구비되고, 상기 제3 반사층에 연결되는 제3 콘택 전극을 포함하여 이루어진 전계 발광 표시 장치.
제15항에 있어서,
상기 제1 반사층 및 상기 하나의 제1 전극은 상기 제1 콘택 영역까지 연장되어 있고,
상기 제2 반사층 및 상기 다른 하나의 제1 전극은 상기 제2 콘택 영역까지 연장되어 있고,
상기 제3 반사층 및 상기 또 다른 하나의 제1 전극은 상기 제3 콘택 영역까지 연장되어 있는 전계 발광 표시 장치.
제15항에 있어서,
상기 제1 콘택 영역의 두 변이 상기 제1 발광 영역과 마주하고, 상기 제1 발광 영역은 상대적으로 넓은 제1 폭을 가지는 제1 부분 및 상대적으로 좁은 제2 폭을 가지는 제2 부분을 포함하여 이루어진 전계 발광 표시 장치.
제1항 또는 제15항에 있어서,
상기 기판과 이격되는 렌즈 어레이, 및 상기 기판과 상기 렌즈 어레이를 수납하는 수납 케이스를 추가로 포함하여 이루어진 전계 발광 표시 장치.