KR20210001041A - 증발원용 리플렉터 및 증발원 - Google Patents

증발원용 리플렉터 및 증발원 Download PDF

Info

Publication number
KR20210001041A
KR20210001041A KR1020190076462A KR20190076462A KR20210001041A KR 20210001041 A KR20210001041 A KR 20210001041A KR 1020190076462 A KR1020190076462 A KR 1020190076462A KR 20190076462 A KR20190076462 A KR 20190076462A KR 20210001041 A KR20210001041 A KR 20210001041A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reflector
coupling hole
evaporation source
cover
crucible
Prior art date
Application number
KR1020190076462A
Other languages
English (en)
Inventor
길준우
Original Assignee
주식회사 선익시스템
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 선익시스템 filed Critical 주식회사 선익시스템
Priority to KR1020190076462A priority Critical patent/KR20210001041A/ko
Publication of KR20210001041A publication Critical patent/KR20210001041A/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

증발원용 리플렉터 및 증발원이 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 도가니의 노즐에 상응한 위치에 제1 노즐 결합공이 형성되는 커버 반사판과; 상기 도가니의 노즐에 상응한 위치에 제2 노즐 결합공이 형성되고, 상기 제2 노즐 결합공 주위에 결합공이 형성되며, 상기 커버 반사판에 이격되어 배치되는 내장 반사판과; 관통공이 형성되며, 상기 관통공이 상기 결합공에 상응하여 위치하도록 상기 커버 반사판과 상기 내장 반사판 사이에 개재되는 이격 와셔와; 리벳 머리와 리벳 몸체로 이루어지며, 상기 리벳 몸체가 상기 결합공과 상기 관통공을 관통하여 상기 커버 반사판에 결합되는 고정 리벳을 포함하는, 증발원용 리플렉터가 제공된다.

Description

증발원용 리플렉터 및 증발원{Reflector for deposition source and deposition source having the same}
본 발명은 증발원용 리플렉터 및 증발원에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 도가니에서 발생하는 복사열이 외부로 방사되는 것을 최소화할 수 있는 증발원용 리플렉터 및 증발원에 관한 것이다.
유기 전계 발광소자(Organic Luminescence Emitting Device: OLED)는 형광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광현상을 이용하는 스스로 빛을 내는 자발광소자로서, 비발광소자에 빛을 가하기 위한 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량이고 박형의 평판표시장치를 제조할 수 있다. 이러한 유기 전계 발광소자를 이용한 평판표시장치는 응답속도가 빠르며, 시야각이 넓어 차세대 표시장치로서 대두되고 있다.
유기 전계 발광 소자는, 애노드 및 캐소드 전극을 제외한 나머지 구성층인 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등이 유기 박막으로 되어 있고, 이러한 유기 박막은 진공열증착방법으로 기판 상에 증착하게 된다.
진공열증착법은 진공의 챔버 내에 기판을 배치하고, 일정 패턴이 형성된 마스크(mask)를 기판에 정렬시킨 후, 증발원의 도가니를 가열하여 도가니에서 증발되는 증착입자를 기판 상에 증착하는 방식으로 이루어진다.
히터 등에 의해 도가니가 가열되는 경우 도가니의 상부에서 많은 량의 복사열이 방사되는데, 이러한 복사열은 증발원의 상부에 위치한 마스크, 기판 등에 전달되어 마스크나 기판에 변형을 가하고 이에 따라 증착의 정밀도가 떨어질 우려가 있다.
따라서, 도가니 상부에서 방사되는 복사열이 상부로 방출되는 것을 최소화하기 위한 리플렉터 개발이 필요하다.
한편, 리플렉터를 제작하는 과정에서 전해 연마, 세정 등의 각종 처리가 이루어지는데, 리플렉터의 내부 구조가 폐쇄된 경우 각종 처리 과정에서 부착된 이물질이 제대로 세정이 잘 이루어지지 않아 증착 공정 중에 아웃개싱(outgassing)으로 증착 불량이 발생한 우려가 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-1481094호(2015.01.14 공고)
본 발명은 도가니에서 발생하는 복사열이 외부로 방사되는 것을 최소화할 수 있는 증발원용 리플렉터 및 증발원원 제공하는 것이다.
또한, 리플렉터의 구조를 개방된 형태 구성하여, 제작 후 세정이 말끔히 이루어질 수 있는 증발원용 리플렉터 및 증발원을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 도가니의 노즐에 상응한 위치에 제1 노즐 결합공이 형성되는 커버 반사판과; 상기 도가니의 노즐에 상응한 위치에 제2 노즐 결합공이 형성되고, 상기 제2 노즐 결합공 주위에 결합공이 형성되며, 상기 커버 반사판에 이격되어 배치되는 내장 반사판과; 관통공이 형성되며, 상기 관통공이 상기 결합공에 상응하여 위치하도록 상기 커버 반사판과 상기 내장 반사판 사이에 개재되는 이격 와셔와; 리벳 머리와 리벳 몸체로 이루어지며, 상기 리벳 몸체가 상기 결합공과 상기 관통공을 관통하여 상기 커버 반사판에 결합되는 고정 리벳을 포함하는, 증발원용 리플렉터가 제공된다.
상기 내장 반사판은, 서로 이격되어 복수 개가 배치되며, 복수의 상기 내장 반사판 사이에는 상기 이격 와셔가 개재될 수 있다.
상기 커버 반사판에는, 상기 커버 반사판의 외주를 따라 하향 연장되는 가드 링이 형성될 수 있다.
상기 커버 반사판에는 상기 내장 반사판의 결합공에 상응하는 다른 결합공이 형성될 수 있으며, 이 경우, 상기 커버 반사판의 결합공을 관통한 상기 리벳 몸체의 주위를 따라 상기 리벳 몸체와 상기 커버 반사판을 스폿 용접(spot welding)할 수 있다.
상기 결합공은 상기 제2 노즐 결합공을 중심으로 120도(120°) 간격으로 형성될 수 있다.
상기 커버 반사판과 상기 내장 반사판은, 스테인리스 스틸, 티타늄(titanium) 및 탄탈륨(tantalum)중 하나를 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 증착물질이 수용되는 도가니와; 상기 도가니를 가열하는 히터부와; 상기 도가니 상부에 배치되는 상기 증발원용 리플렉터를 포함하는, 증발원이 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 도가니에서 발생하는 복사열이 외부로 방사되는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 리플렉터의 구조를 개방된 형태 구성하여, 제작 후 세정이 말끔히 이루어질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원용 리플렉터가 적용된 증발원을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원용 리플렉터의 분해 사시도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원용 리플렉터의 분해 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원용 리플렉터의 결합 단면도.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 본 발명에 따른 증발원용 리플렉터 및 증발원의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원용 리플렉터가 적용된 증발원을 도시한 도면이다. 그리고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원용 리플렉터의 분해 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원용 리플렉터의 분해 단면도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원용 리플렉터의 결합 단면도이다.
도 1 내지 도 4에는, 도가니(12), 노즐(14), 증발원용 리플렉터(16), 제1 노즐 결합공(18), 커버 반사판(20), 결합공(22), 가드 링(24), 이격 와셔(26), 관통공(28), 제2 노즐 결합공(30), 내장 반사판(32), 리벳 머리(38), 리벳 몸체(40), 고정 리벳(42)이 도시되어 있다.
본 실시예에 따른 증발원용 리플렉터(16)는, 도가니(12)의 노즐(14)에 상응한 위치에 제1 노즐 결합공(18)이 형성되는 커버 반사판(20)과; 도가니(12)의 노즐(14)에 상응한 위치에 제2 노즐 결합공(30)이 형성되고, 제2 노즐 결합공(30) 주위에 결합공(22)이 형성되며, 커버 반사판(20)에 이격되어 배치되는 내장 반사판(32)과; 관통공(28)이 형성되며, 관통공(28)이 결합공(22)에 상응하여 위치하도록 커버 반사판(20)과 내장 반사판(32) 사이에 개재되는 이격 와셔(26)와; 리벳 머리(38)와 리벳 몸체(40)로 이루어지며, 리벳 몸체(40)가 결합공(22)과 관통공(28)을 관통하여 커버 반사판(20)에 결합되는 고정 리벳(42)을 포함한다.
도 1에는 본 실시예에 따른 증발원용 리플렉터(16)가 적용된 증발원이 도시되어 있다. 본 실시예에 따른 증발원은, 증착물질이 수용되는 도가니(12)와, 도가니(12)를 가열하는 히터부(미도시)와, 도가니(12) 상부에 배치되는 증발원용 리플렉터(16)를 포함한다.
도가니(12) 내부에는 증착물질이 수용되며, 도가니(12)의 외주에는 도가니(12)를 가열하기 위한 히터부가 배치된다. 히터부의 가열에 따라 증착물질이 증발되면서 도가니(12)의 노즐(14)를 통해 기판을 향하여 분사된다.
히터부가 도가니(12)를 가열함에 따라 도가니(12)에서는 많은 량의 복사열이 외부로 방출된다. 이때, 도가니(12) 상부에서 방출되는 복사열은 그 상향에 위치한 마스크나 기판에 도달하게 되고, 이러한 복사열에 의해 마스크나 기판에 변형이 일어나면서 증착물질의 제위치에 증착되지 못하는 경우가 있다. 이에 따라 도가니(12) 상부에 증발원용 리플렉터(16)를 배치하여 도가니(12) 상부에서 발생하는 복사열이 도가니(12)를 향해 반사되면서 마스크나 기판에 도달하지 못하도록 한다.
이러한 증발원용 리플렉터(16)의 배치로 인해 히터부에서 방출되는 복사열 에너지의 낭비를 최소화할 수 있으며, 복사열 에너지가 도가니(12)를 향해 집중적으로 향하면서 도가니(12) 내 증착물질의 증발 작용을 보다 촉진할 수 있다.
본 실시예에 따른 증발원용 리플렉터(16)는 서로 이격된 반사판을 다중으로 배치함으로써 복사열의 이동을 방지하여 복사열의 이동을 최소화할 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에서는 도가니(12)의 상부에 본 실시예에 따른 증발원용 리플렉터(16)를 배치한 형태를 제시하고 있으나, 본 실시예에 따른 증발원용 리플렉터(16)를 도가니(12)의 외주를 감싸도록 배치하여 도가니(12)의 측면에서 방출되는 복사열이 외부로 방출되는 것을 최소화할 수 있을 것이다.
이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 실시예에 따른 증발원용 리플렉터(16)에 대해 자세히 설명하기로 한다.
커버 반사판(20)은, 증발원용 리플렉터(16)의 최외측에 배치되는 반사판으로서, 도가니(12)에서 방출된 복사열이 외부로 방출되는 것을 최외각에서 방지한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 커버 반사판(20)에는 도가니(12)의 노즐(14)에 상응한 위치에 제1 노즐 결합공(18)이 형성되어 있는데, 증발원용 리플렉터(16)를 도가니(12)의 상부에서 설치한 경우 도가니(12)의 노즐(14)이 제1 노즐 결합공(18)을 관통하게 된다.
도 2를 참조하면, 커버 반사판(20)에는, 커버 반사판(20)의 외주를 따라 하향 연장되는 가드 링(24)이 형성될 수 있다. 가드 링(24)의 높이는 커버 반사판(20)의 하부에 배치되는 내장 반사판(32)의 개수에 의해 결정될 수 있는데, 가드 링(24)이 내장 반사판(32)의 측단을 커버하도록 커버 반사판(20)의 외주를 따라 가드 링(24)이 하향 연장되어 형성된다.
내장 반사판(32)은, 커버 반사판(20)의 내측에 설치되어 커버 반사판(20)과 함께 도가니(12)에서 방출된 복사열이 외부로 방출되는 것을 방지한다. 증발원용 리플렉터(16)의 복사열 이동 효율을 감안하여 다수 개가 서로 이격되어 배치될 수 있다. 도 2에서는 내장 반사판(32)이 1개가 도시되어 있으나, 도 3에 도시된 바와 같이, 이격 와샤(26)와 내장 반사판(32)를 반복적으로 설치하여 다중의 내장 반사판(32)을 내장시킬 수 있다.
커버 반사판(20)과 마찬가지로 내장 반사판(32)에는 제1 노즐 결합공(18)에 상응한 위치에 제2 노즐 결합공(30)이 형성되는데, 상술한 바와 같이, 증발원용 리플렉터(16)를 도가니(12)의 상부에서 설치한 경우 도가니(12)의 노즐(14)이 제1 노즐 결합공(18)과 제2 노즐 결합공(30)을 관통하게 된다.
커버 반사판(20)과 내장 반사판(32)은 서로 이격되어 그 사이에 이격 공간이 형성되며, 이러한 이격 공간으로 인해 도가니(12)에서 방출된 복사열의 복사 전달을 늦추게 된다.
그리고, 내장 반사판(32)에는 후술한 고정 리벳(42)이 삽입되는 결합공(22)이 제2 노즐 결합공(30)의 주위에 형성된다. 고정 리벳(42)의 리벳 몸체(40)가 결합공(22)을 관통하면서 최종적으로 리벳 몸체(40)의 단부가 커버 반사판(20)에 결합된다.
커버 반사판(20)과 내장 반사판(32)은, 스테인리스 스틸, 티타늄(Ti, titanium) 및 탄탈륨(Ta, tantalum)중 하나를 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
이격 와셔(26)는, 커버 반사판(20)과 내장 반사판(32) 사이 또는 내장 반사판(32) 사이에 개재되어 두 반사판을 서로 이격시키는 역할을 하는데, 결합공(22)에 상응하여 관통공(28)이 형성된다. 반사판의 결합공(22)에 이격 와셔(26)의 관통공(28)이 일치하도록 이격 와셔(26)를 커버 반사판(20)과 내장 반사판(32)에 개재시킨 상태에서, 고정 리벳(42)의 리벳 몸체(40)를 반사판의 결합공(22)과 관통공(28)을 관통시켜 커버 반사판(20)에 닿게 한 후 리벳 몸체(40)의 단부를 커버 반사판(20)에 고정하면 반사판들이 일체화되면서 하나의 증발원용 리플렉터(16)를 형성하게 된다.
고정 리벳(42)은, 리벳 머리(38)와 리벳 몸체(40)로 이루어지며, 리벳 머리(38)가 반사판에 지지되도록 리벳 몸체(40)가 반사판의 결합공(22)을 관통하여 커버 반사판(20)에 결합되면서 다중의 반사판을 일체화한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 커버 반사판(20) 하부에 3개의 내장 반사판(32)이 배치된 형태를 제시하고 있는데, 각 내장 반사판(32) 사이에는 이격 와셔(26)가 배치되어 내장 반사판(32) 사이 거리를 이격시킨다. 이와 같이, 다중의 내장 반사판(32)을 서로 이격되어 배치함으로써 복사열의 복사 이동을 제한하여 증발원용 리플렉터(16)의 반사 효율을 높일 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 커버 반사판(20)과 다중의 내장 반사판(32) 사이에 이격 와셔(26)를 개재시켜 반사판 간의 이격 거리를 확보하고, 최종적으로 고정 리벳(42)을 결합공(22)과 이격 와셔(26)의 관통공(28)을 순차적으로 관통시킨 상태에서 리벳 몸체(40)의 단부를 커버 반사판(20)에 고정하여 다중의 반사판의 일체화된 리플렉터(16)를 구성할 수 있다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예에서는 커버 반사판(20) 이외의 3개의 반사판을 서로 이격되게 배치하여 하나의 증발원용 리플렉터(16)를 구성한 형태를 제시한다.
고정 리벳(42)과 커버 반사판(20)의 결합을 위하여 커버 반사판(20)에도 결합공(22)이 형성될 수 있는데, 다수의 내장 반사판(32)의 결합공(22)과 이격 와셔(26)의 관통공(28)을 관통한 고정 리벳(42)의 리벳 몸체(40)는 최종적으로 커버 반사판(20)의 결합공(22)에 삽입되고, 커버 반사판(20)의 결합공(22)을 관통한 리벳 몸체(40)의 주위를 따라 리벳 몸체(40)와 커버 반사판(20)을 스폿 용접함으로써, 고정 리벳(42)과 커버 반사판(20)이 결합될 수 있다.
고정 리벳(42)의 리벳 몸체(40)의 길이는 커버 반사판(20), 개재된 내장 반사판(32)과 이격 와셔(26)의 두께에 따라 결정될 수 있는데, 내장 반사판(32), 이격 와셔(26)를 관통한 리벳 몸체(40)의 단부가 커버 반사판(20) 상면과 동일한 높이에 도달하도록 리벳 몸체(40)의 길이를 결정할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 도 2에 도시된 바와 같이, 결합공(22)을 제2 노즐 결합공(30)을 중심으로 120도(120°) 간격으로 3개 형성한 형태를 제시한다. 따라서, 3개의 고정 리벳(42)이 120도 간격으로 배치되어 커버 반사판(20)과 내장 반사판(32)을 결합하게 된다. 반사판의 크기 등으로 인해 반사판 간의 결합의 강도를 높이기 위해 더 많은 수의 고정 리벳(42)에 의해 커버 반사관과 내장 반사판(32)이 결합될 수 있음은 물론이다.
도 4는 본 실시예에 따른 증발원용 리플렉터(16)의 결합 상태를 도시하고 있는데, 고정 리벳(42)이 결합되는 결합부위 이외는 부재들이 닫힌 곳이 없이 모두 개방된 형태로 구성됨을 알 수 있다.
위에서 제시한 바와 같은 형태로 증발원 리플렉터(16)의 제작 후에는 여러 가지 화학적 처리가 이루어질 수 있는데, 이와 같이 각 부재가 개방된 형태로 구성되었기 때문에 세척 시 화학적 처리 후 남는 화학 물질이나 이물질이 깨끗하게 세척될 수 있어, 증착 공정 과정에서의 아웃개싱(outgassing)을 막을 수 있다.
상기에서는 본 발명의 특정의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
10: 도가니 14: 노즐
16: 증발원용 리플렉터 18, 30: 노즐 결합공
20: 커버 반사판 22: 결합공
24: 가드 링 26: 이격 와셔
28: 관통공 32: 내장 반사판
38: 리벳 머리 40: 리벳 몸체
42: 고정 리벳

Claims (7)

  1. 도가니의 노즐에 상응한 위치에 제1 노즐 결합공이 형성되는 커버 반사판과;
    상기 도가니의 노즐에 상응한 위치에 제2 노즐 결합공이 형성되고, 상기 제2 노즐 결합공 주위에 결합공이 형성되며, 상기 커버 반사판에 이격되어 배치되는 내장 반사판과;
    관통공이 형성되며, 상기 관통공이 상기 결합공에 상응하여 위치하도록 상기 커버 반사판과 상기 내장 반사판 사이에 개재되는 이격 와셔와;
    리벳 머리와 리벳 몸체로 이루어지며, 상기 리벳 몸체가 상기 결합공과 상기 관통공을 관통하여 상기 커버 반사판에 결합되는 고정 리벳을 포함하는, 증발원용 리플렉터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 내장 반사판은, 서로 이격되어 복수 개가 배치되며,
    복수의 상기 내장 반사판 사이에는 상기 이격 와셔가 개재되는 것을 특징으로 하는, 증발원용 리플렉터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 커버 반사판에는, 상기 커버 반사판의 외주를 따라 하향 연장되는 가드 링이 형성되는 것을 특징으로 하는, 증발원용 리플렉터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 커버 반사판에는 상기 내장 반사판의 결합공에 상응하는 다른 결합공이 형성되며,
    상기 커버 반사판의 결합공을 관통한 상기 리벳 몸체의 주위를 따라 상기 리벳 몸체와 상기 커버 반사판을 스폿 용접(spot welding)하는 것을 특징으로 하는, 증발원용 리플렉터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 결합공은 상기 제2 노즐 결합공을 중심으로 120도(120°) 간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 증발원용 리플렉터.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 커버 반사판과 상기 내장 반사판은, 스테인리스 스틸, 티타늄(titanium) 및 탄탈륨(tantalum)중 하나를 포함하는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 증발원용 리플렉터.
  7. 증착물질이 수용되는 도가니와;
    상기 도가니를 가열하는 히터부와;
    상기 도가니 상부에 배치되는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 증발원용 리플렉터를 포함하는, 증발원.
KR1020190076462A 2019-06-26 2019-06-26 증발원용 리플렉터 및 증발원 KR20210001041A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190076462A KR20210001041A (ko) 2019-06-26 2019-06-26 증발원용 리플렉터 및 증발원

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190076462A KR20210001041A (ko) 2019-06-26 2019-06-26 증발원용 리플렉터 및 증발원

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210001041A true KR20210001041A (ko) 2021-01-06

Family

ID=74128021

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190076462A KR20210001041A (ko) 2019-06-26 2019-06-26 증발원용 리플렉터 및 증발원

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210001041A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101481094B1 (ko) 2012-12-28 2015-01-14 주식회사 선익시스템 증발원 가열 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101481094B1 (ko) 2012-12-28 2015-01-14 주식회사 선익시스템 증발원 가열 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101730498B1 (ko) 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US8025735B2 (en) Multiple vacuum evaporation coating device and method for controlling the same
TWI335356B (en) Apparatus and method for depositing thin films
KR101481094B1 (ko) 증발원 가열 장치
US20060061266A1 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
JP2011132596A (ja) 蒸発源及びそれを用いた蒸着装置
KR20170100409A (ko) 쉐도우 마스크, 쉐도우 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR20150017509A (ko) 증발원용 히터블록
JP2014109050A (ja) 蒸着装置用蒸発源
KR102222876B1 (ko) 증착장치용 증발원
JP2006200040A (ja) 加熱容器支持台及びそれを備えた蒸着装置
JP2014189878A (ja) 蒸着装置
KR20210001041A (ko) 증발원용 리플렉터 및 증발원
US20120024228A1 (en) Apparatus for forming thin film
KR20170041310A (ko) 증착원 및 그 제조 방법
KR101660393B1 (ko) 증발원 및 이를 구비한 증착장치
JP7241604B2 (ja) 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法
KR20210001040A (ko) 점 증발원용 도가니 및 점 증발원
KR20080000432A (ko) 섀도우 마스크 및 그를 포함하는 증착 장치와 그 증착장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR20060131276A (ko) 쉐도우 마스크 및 이를 포함한 박막 증착 장치
KR101797959B1 (ko) 유기물 패턴의 형성 방법 및 이를 포함한 유기발광 디스플레이의 제조방법
JP7241603B2 (ja) 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法
KR20170104710A (ko) 성막 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102141853B1 (ko) 다중 증착 장치
KR101711588B1 (ko) 증발원

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal