KR20200145771A - Method for forming metal line - Google Patents

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KR20200145771A
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, provided is a method for forming a metal wiring including the steps of: forming a plurality of line-shaped grooves on a side surface of a substrate by irradiating a laser; and forming a plurality of wirings in each of the plurality of line-shaped grooves. The widths of the plurality of wirings are 5 μm to 100 μm, and the spacing of the plurality of wirings is 5 μm to 500 μm. Therefore, even if the number of the wirings is large, the wirings can be uniformly formed on the side surfaces of the substrate.

Description

배선 형성방법{METHOD FOR FORMING METAL LINE}Wire formation method {METHOD FOR FORMING METAL LINE}

실시 예는 기판 측면에 배선을 형성하는 방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a method of forming a wiring on a side of a substrate.

최근 발광소자 및 표시장치와 같은 전자 디바이스의 소형화에 따라 회로기판에 형성되는 배선은 많은 개수가 최대한 조밀하게 배치되고 있다. 최근에는 회로기판의 측면에도 배선을 조밀하게 형성할 필요성이 높아지고 있다.In recent years, as electronic devices such as light emitting devices and display devices have been miniaturized, a large number of wirings formed on a circuit board are arranged as densely as possible. In recent years, there is an increasing need for dense wiring on the side of a circuit board.

기판의 측면을 식각하여 홈을 형성하고 배선을 형성할 수 있으나, 마이크로 단위의 얇은 라인 형상의 홈을 균일하게 형성하기 어려운 문제가 있다. 따라서, 기판의 측면에 균일하게 배선을 형성하기 어려운 문제가 있다.Although the side surface of the substrate may be etched to form a groove and a wiring may be formed, there is a problem in that it is difficult to uniformly form a micro-unit thin line-shaped groove. Therefore, there is a problem in that it is difficult to uniformly form the wiring on the side of the substrate.

실시 예는 다수의 배선을 기판의 측면에 균일하게 형성할 수 있는 배선 형성방법을 제공한다.The embodiment provides a wiring formation method capable of uniformly forming a plurality of wirings on a side surface of a substrate.

실시 예는 배선 간의 쇼트가 방지되는 배선 형성방법을 제공한다.The embodiment provides a method of forming a wire in which a short circuit between wires is prevented.

실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.The problems to be solved in the embodiments are not limited thereto, and the objectives and effects that can be grasped from the solutions or embodiments of the problems described below are also included.

실시 예에 따른 배선 형성방법은, 레이저를 조사하여 기판의 측면에 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계; 및 상기 복수 개의 라인 형상의 홈에 각각 복수 개의 배선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수 개의 배선의 폭은 5㎛ 내지 100㎛이고, 상기 복수 개의 배선의 이격 간격은 5㎛ 내지 500㎛이다.The wiring formation method according to the embodiment includes the steps of forming a plurality of line-shaped grooves on a side surface of a substrate by irradiating a laser; And forming a plurality of wires in each of the plurality of line-shaped grooves, wherein a width of the plurality of wires is 5 μm to 100 μm, and a spacing between the plurality of wires is 5 μm to 500 μm.

상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계는, 상기 기판의 상면 가장자리 영역에 상기 레이저를 조사하여 상기 기판의 측면에 라인 형상의 홈을 형성할 수 있다.In the forming of the plurality of line-shaped grooves, a line-shaped groove may be formed on a side surface of the substrate by irradiating the laser to an edge region of an upper surface of the substrate.

복수 개의 배선을 형성하는 단계는, 상기 기판의 측면에 전체적으로 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 측면 중에서 상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 제외한 나머지 영역에 레이저를 조사하여 전극층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of a plurality of wirings may include forming an electrode layer entirely on a side surface of the substrate; And selectively removing the electrode layer by irradiating a laser to the rest of the side surface of the substrate except for the plurality of line-shaped grooves.

상기 기판은 유리 기판 또는 실리콘 기판일 수 있다.The substrate may be a glass substrate or a silicon substrate.

복수 개의 배선을 형성하는 단계는, 상기 기판의 측면에 제1 마스크를 배치하는 단계; 상기 제1 마스크 상에 전체적으로 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 마스크를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 제1 마스크는 상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 노출시키는 복수 개의 개구부를 포함할 수 있다.The forming of a plurality of wirings may include disposing a first mask on a side surface of the substrate; Forming an electrode layer entirely on the first mask; And removing the first mask, wherein the first mask may include a plurality of openings exposing the plurality of line-shaped grooves.

상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계는, 상기 기판의 상면 가장자리 영역에 제2 마스크를 배치하는 단계; 및 상기 제2 마스크의 개구부로 노출된 상기 기판의 상면 가장자리에 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the plurality of line-shaped grooves may include disposing a second mask in an edge region of an upper surface of the substrate; And irradiating a laser onto the edge of the upper surface of the substrate exposed through the opening of the second mask.

상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계는, 상기 기판의 상면과 측면에 제3 마스크를 배치하는 단계; 및 상기 제3 마스크의 복수 개의 개구부로 노출된 상기 기판의 상면 가장자리에 레이저를 조사하는 단계를 포함하고, 상기 제3 마스크는, 상기 기판의 상면에 배치되고 복수 개의 제1 개구부를 포함하는 제1 영역, 및 상기 기판의 측면에 배치되고 복수 개의 제2 개구부를 포함하는 제2 영역을 포함할 수 있다.The forming of the plurality of line-shaped grooves may include disposing a third mask on the top and side surfaces of the substrate; And irradiating a laser to the edge of the upper surface of the substrate exposed through the plurality of openings of the third mask, wherein the third mask is disposed on the upper surface of the substrate and includes a plurality of first openings. A region and a second region disposed on a side surface of the substrate and including a plurality of second openings may be included.

상기 제3 마스크는 상기 기판의 하면에 배치되고 복수 개의 제3 개구부를 포함하는 제3 영역을 포함할 수 있다.The third mask may include a third region disposed on a lower surface of the substrate and including a plurality of third openings.

상기 복수 개의 배선을 형성하는 단계는, 상기 제3 마스크의 제2 영역 상에 전체적으로 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 마스크를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the plurality of wirings may include forming an electrode layer entirely on the second region of the third mask; And removing the third mask.

상기 제3 마스크는 알루미늄을 포함할 수 있다.The third mask may include aluminum.

상기 제3 마스크는 상기 알루미늄을 포함하는 차단층 및 상기 차단층을 상기 기판에 고정하는 접착층을 포함할 수 있다.The third mask may include a blocking layer including the aluminum and an adhesive layer fixing the blocking layer to the substrate.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 배선 형성방법은, 기판을 복수 개 적층하여 기판 모듈을 준비하는 단계; 레이저를 조사하여 상기 기판 모듈의 측면에 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계; 및 상기 복수 개의 라인 형상의 홈에 복수 개의 배선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수 개의 배선의 폭은 5㎛ 내지 100㎛이고, 상기 복수 개의 배선의 이격 간격은 5㎛ 내지 500㎛이다.According to another embodiment of the present invention, a method of forming a wiring may include preparing a substrate module by stacking a plurality of substrates; Forming a plurality of line-shaped grooves on side surfaces of the substrate module by irradiating a laser; And forming a plurality of wires in the plurality of line-shaped grooves, wherein a width of the plurality of wires is 5 μm to 100 μm, and a spacing between the plurality of wires is 5 μm to 500 μm.

상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계는, 상기 기판 모듈의 측면에 제4 마스크를 배치하는 단계; 및 상기 제4 마스크의 복수 개의 개구부로 노출된 상기 기판 모듈의 측면에 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the plurality of line-shaped grooves may include disposing a fourth mask on a side surface of the substrate module; And irradiating a laser onto a side surface of the substrate module exposed through the plurality of openings of the fourth mask.

상기 제4 마스크는 상기 기판 모듈의 상면, 측면 및 하면에 배치되고, 상기 제4 마스크의 복수 개의 개구부는 상기 기판 모듈의 상면, 측면 및 하면을 노출할 수 있다.The fourth mask may be disposed on an upper surface, a side surface, and a lower surface of the substrate module, and a plurality of openings of the fourth mask may expose an upper surface, a side surface, and a lower surface of the substrate module.

복수 개의 배선을 형성하는 단계는, 상기 기판 모듈의 측면 상에 배치된 제4 마스크에 전체적으로 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제4 마스크를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of a plurality of wirings may include forming an electrode layer entirely on a fourth mask disposed on a side surface of the substrate module; And removing the fourth mask.

실시 예에 따르면. 배선의 개수가 많아도 기판의 측면에 균일하게 배선을 형성할 수 있다.According to the embodiment. Even if the number of wirings is large, wirings can be uniformly formed on the side of the substrate.

또한, 기판의 측면에 형성된 배선 간에 쇼트가 방지될 수 있다.In addition, short circuits between wirings formed on the side surfaces of the substrate can be prevented.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various and beneficial advantages and effects of the present invention are not limited to the above-described contents, and may be more easily understood in the course of describing specific embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 배선 형성방법을 보여주는 순서도이고,
도 2는 기판의 측면에 형성된 연장홈을 보여주는 도면이고,
도 3a은 삼각 형상의 연장홈을 보여주는 도면이고,
도 3b는 반원 형상의 연장홈을 보여주는 도면이고,
도 3c는 사각 형상의 연장홈을 보여주는 도면이고,
도 3d는 다각 형상의 연장홈을 보여주는 도면이고,
도 4는 레이저 조사 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 5는 다양한 레이저 드릴링 공법을 보여주는 도면이고,
도 6은 레이저 광학계를 보여주는 도면이고,
도 7은 레이저 광의 프로파일이 조정되기 이전과 조정된 이후를 보여주는 도면이고,
도 8은 복수 개의 레이저 광이 합성된 상태를 보여주는 도면이고,
도 9는 기판의 측면에 형성된 전극층을 보여주는 도면이고,
도 10은 일부 전극층을 제거하여 기판의 측면에 배선을 형성한 상태를 보여주는 도면이고,
도 11은 본 발명의 제2 실시 예에 따라 기판의 측면에 제1 마스크를 부착한 상태를 보여주는 도면이고,
도 12는 본 발명의 제3 실시 예에 따라 기판의 상면에 제2 마스크를 부착한 상태를 보여주는 도면이고,
도 13은 제2 마스크가 부착된 기판의 측면도이고,
도 14는 본 발명의 제4 실시 예에 따라 기판의 상면과 측면 및 하면에 제3 마스크를 부착한 상태를 보여는 도면이고,
도 15는 제3 마스크의 평면도이고,
도 16은 제3 마스크가 부착된 기판의 측면에 형성된 전극층을 보여주는 도면이고,
도 17은 기판에서 제3 마스크를 제거하여 기판의 측면에 배선을 형성한 상태를 보여주는 도면이고,
도 18은 본 발명의 제5 실시 예에 따라 기판 모듈의 상면과 측면 및 하면에 제4 마스크를 형성한 상태를 보여주는 도면이고,
도 19는 본 발명의 제6 실시 예에 따라 기판의 상면에 제1 분할 마스크를 배치하고 기판의 하면에 제2 분할 마스크를 배치한 상태를 보여주는 도면이고,
도 20은 제1 분할 마스크와 제2 분할 마스크의 끝단을 부착하여 식각을 수행하는 상태를 보여주는 도면이고,
도 21은 제1 분할 마스크와 제2 분할 마스크의 끝단을 부착한 상태를 보여주는 측면도이고,
도 22는 기판의 측면에 연장홈이 형성된 상태를 보여주는 도면이다.1 is a flow chart showing a method of forming a wiring according to a first embodiment of the present invention,
2 is a view showing an extension groove formed on the side of the substrate,
3A is a view showing a triangular-shaped extension groove,
3B is a view showing a semicircular extension groove,
Figure 3c is a view showing a square-shaped extension groove,
3D is a view showing a polygonal extension groove,
4 is a diagram for explaining a laser irradiation method,
5 is a view showing various laser drilling methods,
6 is a view showing the laser optical system,
7 is a diagram showing before and after the profile of the laser light is adjusted,
8 is a diagram showing a state in which a plurality of laser lights are synthesized,
9 is a view showing an electrode layer formed on the side of the substrate,
10 is a view showing a state in which wiring is formed on the side of a substrate by removing some electrode layers,
11 is a view showing a state in which a first mask is attached to a side of a substrate according to a second embodiment of the present invention,
12 is a view showing a state in which a second mask is attached to an upper surface of a substrate according to a third embodiment of the present invention.
13 is a side view of a substrate to which a second mask is attached,
14 is a view showing a state in which a third mask is attached to the upper, side, and lower surfaces of a substrate according to a fourth embodiment of the present invention.
15 is a plan view of a third mask,
16 is a view showing an electrode layer formed on a side surface of a substrate to which a third mask is attached,
17 is a view showing a state in which a third mask is removed from the substrate to form a wiring on the side of the substrate,
18 is a view showing a state in which a fourth mask is formed on the upper, side, and lower surfaces of the substrate module according to the fifth embodiment of the present invention.
19 is a view showing a state in which a first partition mask is disposed on an upper surface of a substrate and a second partition mask is disposed on a lower surface of the substrate according to the sixth embodiment of the present invention.
20 is a view showing a state in which an etching is performed by attaching ends of a first partition mask and a second partition mask,
FIG. 21 is a side view showing a state in which ends of a first division mask and a second division mask are attached,
22 is a view showing a state in which an extension groove is formed on a side of a substrate.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The present invention is intended to illustrate and describe specific embodiments in the drawings, as various changes may be made and various embodiments may be provided. However, this is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it is to be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수 개의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수 개의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including ordinal numbers, such as second and first, may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a second component may be referred to as a first component, and similarly, a first component may be referred to as a second component. The term and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in the middle. Should be. On the other hand, when a component is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수 개의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features. It is to be understood that the presence or addition of elements or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, does not preclude in advance.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in this application. Does not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but identical or corresponding components are denoted by the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 배선 형성방법을 보여주는 순서도이고, 도 2는 기판의 측면에 형성된 연장홈을 보여주는 도면이고, 도 3a 내지 도 3d는 다양한 형상의 연장홈을 보여주는 도면이다.1 is a flow chart showing a method of forming a wiring according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view showing an extension groove formed on a side of a substrate, and FIGS. 3A to 3D are views showing extension grooves of various shapes. .

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 실시 예에 따른 배선 형성방법은 기판의 측면에 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계(S10), 및 배선을 형성하는 단계(S20)를 포함할 수 있다.1 and 2, the method of forming a wiring according to the first embodiment may include forming a plurality of line-shaped grooves on a side surface of a substrate (S10), and forming a wiring (S20). have.

기판의 측면에 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계(S10)는, 레이저를 조사하여 기판(200)의 측면(202)에 복수 개의 라인 형상의 홈(이하 연장홈)을 형성할 수 있다. 연장홈(220)은 기판(200)의 측면(202)에 복수 개 형성될 수 있다.In the step S10 of forming a plurality of line-shaped grooves on the side surface of the substrate (S10), a plurality of line-shaped grooves (hereinafter, extended grooves) may be formed on the side surface 202 of the substrate 200 by irradiating a laser. A plurality of extension grooves 220 may be formed on the side surfaces 202 of the substrate 200.

연장홈(220)은 기판(200)의 상면(201)과 하면(203)에도 형성될 수 있다. 즉, 기판(200)의 측면에 형성된 연장홈(220)은 기판(200)의 상면과 하면으로 연장될 수 있다.The extension groove 220 may also be formed on the upper surface 201 and the lower surface 203 of the substrate 200. That is, the extension groove 220 formed on the side surface of the substrate 200 may extend to the upper and lower surfaces of the substrate 200.

실시 예에 따르면, 기판(200)의 측면에 마이크로 단위로 무수히 많은 연장홈(220)이 형성될 수 있다. 따라서, 기판(200)의 측면에 수개 또는 수십 개의 홈이 형성되는 구조와는 구별된다.According to an embodiment, a myriad of extension grooves 220 may be formed on a side surface of the substrate 200 in micro units. Accordingly, it is distinguished from a structure in which several or tens of grooves are formed on the side of the substrate 200.

예시적으로 실시 예의 기판(200)의 측면에 형성되는 배선은 기판의 상면에 형성된 복수 개의 마이크로 발광소자를 기판의 하면에 배치된 구동부에 전기적으로 연결하는 기판일 수 있다. 또는 기판(200)의 측면에 형성되는 배선은 기판의 상면에 형성된 전극과 기판의 하면에 형성된 전극을 연결시킬 수도 있다.In an exemplary embodiment, the wiring formed on the side of the substrate 200 may be a substrate that electrically connects a plurality of micro light emitting devices formed on the upper surface of the substrate to a driver disposed on the lower surface of the substrate. Alternatively, the wiring formed on the side of the substrate 200 may connect an electrode formed on the upper surface of the substrate and an electrode formed on the lower surface of the substrate.

마이크로 발광소자를 전기적으로 연결하는 배선을 형성하기 위해 연장홈(220)의 폭은 5㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 또한, 연장홈(220) 간의 이격 간격은 5㎛ 내지 500㎛일 수 있다. 마이크로 발광소자는 마이크로 사이즈의 발광다이오드(LED), 유기발광다이오드(OLED)일 수 있다.The width of the extension groove 220 may be 5 μm to 100 μm to form a wiring electrically connecting the micro light emitting device. In addition, the spacing between the extension grooves 220 may be 5 μm to 500 μm. The micro light emitting device may be a micro-sized light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED).

기판(200)은 유리 또는 실리콘 기판일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 기판(200)은 LCD의 회로기판(200)일 수도 있고, LTPS(Low-Temperature Polycrystaline Silicon)용 기판일 수도 있다.The substrate 200 may be a glass or silicon substrate, but is not limited thereto. The substrate 200 may be a circuit board 200 of an LCD, or a substrate for low-temperature polycrystaline silicon (LTPS).

연장홈(220)은 기판(200)의 상면(201)에서 하면(203)을 향하는 방향(또는 역방향)으로 형성된 라인 형상을 가질 수 있다. 연장홈(220)은 도 3a와 같이 삼각 형상일 수도 있고, 도 3b와 같이 반원 형상일 수도 있고, 도 3c와 같이 사각 형상일 수도 있고, 도 3d와 같이 다각 형상일 수도 있다. 또는 복수 개의 연장홈(220)은 서로 다른 형상을 가질 수도 있다.The extension groove 220 may have a line shape formed in a direction (or reverse direction) from the upper surface 201 of the substrate 200 to the lower surface 203. The extension groove 220 may have a triangular shape as shown in FIG. 3A, a semicircular shape as shown in FIG. 3B, a square shape as shown in FIG. 3C, or a polygonal shape as shown in FIG. 3D. Alternatively, the plurality of extension grooves 220 may have different shapes.

도 4는 레이저 조사 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 5는 다양한 레이저 드릴링 공법을 보여주는 도면이고, 도 6은 레이저 광학계를 보여주는 도면이고, 도 7은 레이저 광의 프로파일이 조정되기 이전과 조정된 이후를 보여주는 도면이고, 도 8은 복수 개의 레이저 광이 합성된 상태를 보여주는 도면이다.4 is a diagram for explaining a laser irradiation method, FIG. 5 is a view showing various laser drilling methods, FIG. 6 is a view showing a laser optical system, and FIG. 7 is a diagram illustrating before and after the laser light profile is adjusted. FIG. 8 is a view showing a state in which a plurality of laser lights are synthesized.

도 4를 참조하면, 기판(200)의 깊이(200a 내지 200f)에 따라 초점을 조절하여 레이저를 조사할 수 있다. 각 깊이에 레이저의 초점이 맞도록 DOF(Depth Of Focus)를 조절할 수 있다. 예시적으로 0.5mm의 두께의 유리 기판을 5㎛ 내지 200㎛의 깊이마다 레이저 초점을 조정할 수 있다.Referring to FIG. 4, the laser may be irradiated by adjusting the focus according to the depths 200a to 200f of the substrate 200. You can adjust the depth of focus (DOF) so that the laser focuses at each depth. For example, it is possible to adjust the laser focus on a glass substrate having a thickness of 0.5 mm every 5 μm to 200 μm.

레이저를 조사하는 방법은 특별히 한정하지 않는다. 예시적으로 레이저를 회전시키면서 조사하는 드릴링(drilling) 공법이 적용될 수 있다. 도 5를 참조하면, 레이저 드릴링 공법은 트리패닝(Trepanning) 방식, 스파이럴(spiral) 방식, 프리세션(Precession) 방식이 적용될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.The method of irradiating the laser is not particularly limited. For example, a drilling method in which a laser is rotated while irradiating may be applied may be applied. Referring to FIG. 5, as the laser drilling method, a trepanning method, a spiral method, and a precession method may be applied, but are not limited thereto.

실시 예에 따르면, 드릴링 방식으로 깊이에 따라 초점을 달리하여 레이저를 조사할 수 있다. 이러한 구성에 의하면 기판 상부에서 가공폭(W1)을 5㎛ 내지 200㎛로 제어할 수 있고 식각 각도를 좁게 제어할 수 있다. 따라서, 배선의 손상을 최소화할 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment, a laser may be irradiated by varying the focus according to the depth in a drilling method. According to this configuration, the processing width W1 on the substrate can be controlled from 5 μm to 200 μm, and the etching angle can be narrowly controlled. Therefore, there is an advantage of minimizing damage to the wiring.

직경이 작은 관통홀을 형성하기 위해서는 관통해야 할 물질의 내부의 열 분포를 조절할 필요가 있다. 레이저 조사시 개구수(Numerical Aperture, NA)가 커지면 열 분포가 커져 관통홀의 주변부에 열 충격이 가해지는 문제가 있다. 따라서, 개구수가 충분히 작아지도록 광의 프로파일을 조절할 필요가 있다. 그러나, 개구수가 너무 작아지면 레이저 스폿(spot)의 사이즈가 커지므로 레이저의 단위 면적당 에너지가 너무 작아질 수 있다. 따라서, 레이저가 기판을 식각하기에 충분한 에너지 밀도를 갖지 못해 가공이 어려워지는 문제가 있다.In order to form a through hole with a small diameter, it is necessary to control the heat distribution inside the material to be penetrated. When the numerical aperture (NA) increases during laser irradiation, the heat distribution increases, and there is a problem that thermal shock is applied to the periphery of the through hole. Therefore, it is necessary to adjust the light profile so that the numerical aperture is sufficiently small. However, if the numerical aperture is too small, the size of the laser spot increases, so the energy per unit area of the laser may be too small. Therefore, there is a problem that the laser does not have sufficient energy density to etch the substrate, making processing difficult.

도 6을 참조하면, 레이저 장치는 제1 광원(11a), 제2 광원(11b), 제1 반사경(12a), 제2 반사경(12b) 및 복수 개의 반사 렌즈를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the laser device may include a first light source 11a, a second light source 11b, a first reflector 12a, a second reflector 12b, and a plurality of reflective lenses.

제1 광원(11a)은 제1 광 프로파일을 갖는 제1 레이저 광(L1)을 출사할 수 있다. 또한, 제2 광원(11b)은 제2 광 프로파일을 갖는 제2 레이저 광(L2)을 출사할 수 있다. 제1 레이저 광(L1)과 제2 레이저 광(L2)은 모두 UV 파장대를 가질 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.The first light source 11a may emit first laser light L1 having a first optical profile. Also, the second light source 11b may emit second laser light L2 having a second optical profile. Both the first laser light L1 and the second laser light L2 may have a UV wavelength band, but are not limited thereto.

제1 광 프로파일과 제2 광 프로파일은 동일할 수도 있으나 반드시 이에 한정되지 않으며 서로 다른 광 프로파일을 가질 수 있다. 즉, 제1 광 프로파일과 제2 광 프로파일은 중심 파장, 반치폭 등이 상이할 수 있다.The first optical profile and the second optical profile may be the same, but are not necessarily limited thereto, and may have different optical profiles. That is, the first optical profile and the second optical profile may have different center wavelengths and half widths.

제1 반사경(12a)은 제1 반사 렌즈(13a)를 향해 제1 레이저 광(L1)을 반사하고 제2 반사경(12b)은 제1 반사 렌즈(13a)를 향해 제2 레이저 광(L2)을 반사할 수 있다. 따라서, 제1 레이저 광(L1) 및 제2 레이저 광(L2)은 합성되어 제1 반사 렌즈(13a)에 의해 반사될 수 있다.The first reflector 12a reflects the first laser light L1 toward the first reflective lens 13a, and the second reflector 12b reflects the second laser light L2 toward the first reflective lens 13a. Can reflect. Accordingly, the first laser light L1 and the second laser light L2 may be combined and reflected by the first reflective lens 13a.

제1 레이저 광(L1) 및 제2 레이저 광(L2)이 합성된 광은 제2 반사 렌즈(15) 및 제3 반사 렌즈(16)에 의해 반사되어 방향이 조절되고, 집광 렌즈(17)에 의해 집광되어 기판(200)에 조사될 수 있다. 구동부(13b)는 제1 반사 렌즈(13a)를 좌우로 이동시키면서 레이저의 초점을 조정할 수 있다.The light obtained by combining the first laser light L1 and the second laser light L2 is reflected by the second reflective lens 15 and the third reflective lens 16 to adjust the direction, and is applied to the condensing lens 17. It may be condensed by and irradiated onto the substrate 200. The driving unit 13b may adjust the focus of the laser while moving the first reflective lens 13a left and right.

실시 예에서는 제1 반사경(12a)과 제1 반사 렌즈(13a) 사이에는 제1 어퍼쳐(14a)가 배치되고, 제2 반사경(12b)과 제1 반사 렌즈(13a) 사이에는 제2 어퍼쳐(14b)가 배치될 수 있다. 제1 어퍼쳐(14a)는 소정의 직경을 갖는 홀로 구성되어 제1 광 프로파일을 변경할 수 있다. 예시적으로 도 7과 같이 제1 광 프로파일이 소정 파장대를 간격을 갖는 경우 파장의 가장자리 영역(테일 영역, TA1)을 컷-아웃하여 광 프로파일을 변형할 수 있다.In the embodiment, a first aperture 14a is disposed between the first reflective mirror 12a and the first reflective lens 13a, and a second aperture is disposed between the second reflector 12b and the first reflective lens 13a. (14b) can be placed. The first aperture 14a is formed of a hole having a predetermined diameter, so that the first optical profile may be changed. For example, as shown in FIG. 7, when the first optical profile has a distance in a predetermined wavelength band, the optical profile may be modified by cutting-out the edge region (tail region, TA1) of the wavelength.

따라서, 도 8과 같이 2개의 광을 합성하여 광의 세기를 증가시켜도 테일 영역의 세기는 증가하지 않을 수 있다. 즉, 혼합광은 중심 파장에 에너지가 집중된 슈퍼 가우시안(Super Gaussian) 형태의 광 프로파일을 가질 수 있다. 따라서, 개구수(NA)를 줄이면서도 에너지 밀도는 증가시킬 수 있으므로 관통홀 주변의 열 충격을 최소화하여 하면서도 레이저 가공에 필요한 에너지를 가질 수 있다. 그 결과, 작은 직경의 관통홀을 미세하게 형성할 수 있다.Accordingly, even if the intensity of light is increased by synthesizing two lights as shown in FIG. 8, the intensity of the tail region may not increase. That is, the mixed light may have a super Gaussian light profile in which energy is concentrated at a center wavelength. Therefore, since the energy density can be increased while the numerical aperture (NA) is reduced, the thermal shock around the through hole can be minimized, while still having the energy required for laser processing. As a result, it is possible to finely form a through hole having a small diameter.

도 9는 기판의 측면에 형성된 전극층을 보여주는 도면이고, 도 10은 일부 전극층을 제거하여 기판의 측면에 배선을 형성한 상태를 보여주는 도면이다.FIG. 9 is a view showing an electrode layer formed on the side of the substrate, and FIG. 10 is a view showing a state in which wiring is formed on the side of the substrate by removing some electrode layers.

도 9를 참조하면, 기판(200)의 측면에 배선(400)을 형성하는 단계는 기판(200)의 측면에 전체적으로 전극층(230a)을 형성할 수 있다. 전극층(230a)을 형성하는 방법은 특별히 한정하지 않는다. 예시적으로 기판(200)의 측면에 스퍼터 방식으로 전극층(230a)을 형성할 수도 있고 도금 방식으로 전극층(230a)을 형성할 수 있다. 이 과정에서 기판(200) 측면의 평탄면과 연장홈(220)에 모두 전극층(230a)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 9, in the step of forming the wiring 400 on the side surface of the substrate 200, the electrode layer 230a may be formed entirely on the side surface of the substrate 200. The method of forming the electrode layer 230a is not particularly limited. For example, the electrode layer 230a may be formed on the side surface of the substrate 200 by a sputtering method, or the electrode layer 230a may be formed by a plating method. In this process, the electrode layer 230a may be formed on both the flat surface of the side surface of the substrate 200 and the extension groove 220.

전극층(230a)의 재질은 도전성을 갖는 다양한 금속 재질이 제한 없이 선택될 수 있다. 예시적으로 전극층(230a)은 Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 등의 금속 재질, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide) 등의 금속성 산화물이 제한 없이 선택될 수 있다.As the material of the electrode layer 230a, various metal materials having conductivity may be selected without limitation. Exemplarily, the electrode layer 230a is a metal material such as Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, indium tin oxide (ITO) , IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide) It can be chosen without this limitation.

도 10을 참조하면, 기판(200)의 측면에 형성된 전극층(230a)을 선택적으로 제거할 수 있다. 전극층(230a)을 제거하는 방법은 특별히 한정하지 않는다. 예시적으로 기판(200)의 측면에 레이저 스캐닝 또는 라인 빔 광학계를 이용하여 전극층(230a)을 선택적으로 제거할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 그라인딩 또는 폴리싱과 같은 기계적 방법으로 전극층을 제거할 수 있다. Referring to FIG. 10, the electrode layer 230a formed on the side surface of the substrate 200 may be selectively removed. The method of removing the electrode layer 230a is not particularly limited. For example, the electrode layer 230a may be selectively removed from the side of the substrate 200 by using a laser scanning or line beam optical system. However, the present invention is not limited thereto, and the electrode layer may be removed by a mechanical method such as grinding or polishing.

이 과정에서 기판 측면(202)의 평탄면에 형성된 전극층(230a)은 제거되는 반면 연장홈(220)에 형성된 전극층(230a)은 잔존하게 되어 측면에 배선(430)을 형성하게 된다. 기판 측면(202)의 평탄면에 형성된 전극층(230a)은 제거되므로 연장홈(220)에 형성된 측면 배선(430)은 서로 전기적으로 절연될 수 있다. 따라서, 기판(200)의 측면에 균일하게 측면 배선(430)을 형성할 수 있다.In this process, the electrode layer 230a formed on the flat surface of the side surface 202 of the substrate is removed, while the electrode layer 230a formed in the extension groove 220 remains, thereby forming the wiring 430 on the side surface. Since the electrode layer 230a formed on the flat surface of the side surface 202 of the substrate is removed, the side wirings 430 formed in the extension groove 220 may be electrically insulated from each other. Accordingly, the side wiring 430 may be uniformly formed on the side surface of the substrate 200.

배선은 연장홈 내에 배치되므로 배선의 폭은 연장홈의 폭에 대응될 수 있고, 배선의 이격 간격은 연장홈의 이격 간격에 대응될 수 있다. 예시적으로 배선(430)의 폭은 5㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 또한, 배선(430) 간의 이격 간격은 5㎛ 내지 500㎛일 수 있다.Since the wiring is disposed in the extension groove, the width of the wiring may correspond to the width of the extension groove, and the spacing of the wiring may correspond to the spacing of the extension groove. For example, the width of the wiring 430 may be 5 μm to 100 μm. In addition, the spacing between the wirings 430 may be 5 μm to 500 μm.

도 11은 본 발명의 제2 실시 예에 따라 기판의 측면에 제1 마스크를 부착한 상태를 보여주는 도면이다.11 is a diagram illustrating a state in which a first mask is attached to a side surface of a substrate according to a second embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 제2 실시 예에 따른 배선 형성방법은 제1 마스크(M1)를 이용하여 전극층(230a)을 형성할 수 있다. 이때, 기판(200)의 측면(202)에 연장홈(220)을 형성하는 전술한 방법이 모두 적용될 수 있다.Referring to FIG. 11, in the method of forming a wiring according to the second embodiment, an electrode layer 230a may be formed using a first mask M1. In this case, all of the above-described methods of forming the extension groove 220 on the side surface 202 of the substrate 200 may be applied.

제2 실시 예에 따른 배선 형성방법은, 기판(200)의 측면에 연장홈(220)을 형성하고, 기판(200)의 측면에 제1 마스크(M1)를 부착할 수 있다. 제1 마스크(M1)는 연장홈(220)이 노출되는 개구부(M11)가 형성될 수 있다. In the wiring formation method according to the second exemplary embodiment, the extension groove 220 may be formed on the side surface of the substrate 200 and the first mask M1 may be attached to the side surface of the substrate 200. The first mask M1 may have an opening M11 through which the extension groove 220 is exposed.

따라서, 제1 마스크(M1)에 전체적으로 전극층을 형성한 후 제1 마스크(M1)를 제거하면 연장홈(220)에만 전극층이 잔존할 수 있다. 따라서, 별도로 기판(200)의 평탄면에 형성된 전극층을 제거하는 단계를 생략할 수 있는 장점이 있다. 또한, 배선에 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, if the first mask M1 is removed after the entire electrode layer is formed on the first mask M1, the electrode layer may remain only in the extension groove 220. Therefore, there is an advantage in that the step of separately removing the electrode layer formed on the flat surface of the substrate 200 can be omitted. Further, it is possible to prevent the occurrence of a short circuit in the wiring.

실시예에서는 제1 마스크(M1)에 개구부(M11)가 미리 형성된 상태에서 기판(200)에 부착하는 것을 예시하였으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 예시적으로 개구부(M11)가 형성되지 않은 마스크(M1)를 기판(200)에 먼저 부착한 후 연장홈을 형성할 영역의 마스크를 제거하여 개구부(M11)를 형성할 수도 있다. 이후 개구부(M11)에 레이저를 조사하여 연장홈을 형성할 수도 있다. 이때, 개구부(M11)를 형성하는 레이저와 연장홈을 형성하는 레이저의 종류는 상이할 수도 있고 동일할 수도 있다.In the embodiment, the first mask M1 is attached to the substrate 200 while the opening M11 is formed in advance, but the embodiment is not limited thereto. For example, the opening M11 may be formed by first attaching the mask M1 in which the opening M11 is not formed to the substrate 200 and then removing the mask in the region where the extension groove is to be formed. Thereafter, an extension groove may be formed by irradiating a laser to the opening M11. At this time, the types of the laser forming the opening M11 and the laser forming the extension groove may be different or the same.

도 12는 본 발명의 제3 실시 예에 따라 기판의 상면에 제2 마스크를 부착한 상태를 보여주는 도면이고, 도 13은 제2 마스크가 부착된 기판의 측면도이다.12 is a diagram illustrating a state in which a second mask is attached to an upper surface of a substrate according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a side view of a substrate to which the second mask is attached.

도 12를 참조하면, 제3 실시 예에 따른 배선 형성방법은, 제2 마스크가 부착된 기판의 상면에 레이저를 조사하는 단계, 및 배선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12, a method of forming a wiring according to a third exemplary embodiment may include irradiating a laser on an upper surface of a substrate to which a second mask is attached, and forming a wiring.

제2 마스크가 부착된 기판의 상면에 레이저를 조사하는 단계는 제2 마스크(M2)를 기판(200)의 상면에 배치할 수 있다. 도시되지는 않았으나 제2 마스크(M2)를 기판(200)의 하면에도 배치할 수 있다.In the step of irradiating the laser onto the upper surface of the substrate to which the second mask is attached, the second mask M2 may be disposed on the upper surface of the substrate 200. Although not shown, the second mask M2 may also be disposed on the lower surface of the substrate 200.

제2 마스크(M2)는 기판(200)의 상면 가장자리가 노출된 개구부(M21)가 형성될 수 있다. 따라서, 제2 마스크(M2)의 개구부(M21)로 노출된 기판(200)의 상면 가장자리에 레이저를 조사함으로써 연장홈(220)을 형성할 수 있다. 이때, 개구부(M21)에 의해 연장홈(220)의 깊이가 제어될 수 있는 장점이 있다. 또한, 연장홈(220)의 폭 및 간격을 일정하게 제어할 수 있는 장점이 있다. 전술한 바와 같이 제2 마스크(M2)는 개구부(M21)가 형성되지 않은 상태에서 기판(200)에 배치된 후 연장홈(220)이 형성될 영역에 개구부(M21)가 형성될 수도 있다.The second mask M2 may have an opening M21 in which the top edge of the substrate 200 is exposed. Accordingly, the extension groove 220 may be formed by irradiating a laser on the edge of the upper surface of the substrate 200 exposed through the opening M21 of the second mask M2. At this time, there is an advantage that the depth of the extension groove 220 can be controlled by the opening M21. In addition, there is an advantage in that the width and spacing of the extension groove 220 can be constantly controlled. As described above, after the second mask M2 is disposed on the substrate 200 in a state in which the opening M21 is not formed, the opening M21 may be formed in a region where the extension groove 220 is to be formed.

제2 마스크(M2)는 레이저에 의해 식각되지 않는 다양한 재질이 선택될 수 있다. 예시적으로 마스크는 폴리이미드, 알루미늄 호일, 또는 알루미늄 테이프 등이 선택될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. Various materials that are not etched by a laser may be selected for the second mask M2. For example, polyimide, aluminum foil, or aluminum tape may be selected as the mask, but is not limited thereto.

도 13을 참조하면, 제2 마스크(M2)는 알루미늄을 포함하는 차단층(M22) 및 차단층(M22)을 기판에 부착하는 접착층(M23)을 포함할 수 있다. 차단층(M22)은 알루미늄 재질로 제작되어 UV 레이저를 반사할 수 있다.Referring to FIG. 13, the second mask M2 may include a blocking layer M22 including aluminum and an adhesive layer M23 for attaching the blocking layer M22 to the substrate. The blocking layer M22 is made of aluminum and may reflect UV lasers.

마스크는 미리 개구부가 형성된 상태에서 기판에 부착될 수도 있고, 기판에 부착된 상태에서 개구부가 형성될 수도 있다. 연장홈을 형성한 후 마스크는 제거할 수 있다.The mask may be attached to the substrate while the opening is formed in advance, or the opening may be formed while attached to the substrate. After forming the extension groove, the mask can be removed.

배선을 형성하는 방법은, 도 9 및 10에서 설명한 바와 같이 전체적으로 전극층을 형성한 후 일부를 제거할 수도 있고, 도 11과 같이 제1 마스크를 이용할 수도 있다.As a method of forming the wiring, as described with reference to FIGS. 9 and 10, after forming the entire electrode layer, a part of the electrode layer may be removed, or a first mask may be used as shown in FIG. 11.

도 14는 본 발명의 제4 실시 예에 따라 기판의 상면과 측면 및 하면에 제3 마스크를 부착한 상태를 보여는 도면이고, 도 15는 제3 마스크의 평면도이고, 도 16은 제3 마스크가 부착된 기판의 측면에 형성된 전극층을 보여주는 도면이고, 도 17은 기판에서 제3 마스크를 제거하여 기판의 측면에 배선을 형성한 상태를 보여주는 도면이다.14 is a diagram showing a state in which a third mask is attached to the top, side, and bottom surfaces of a substrate according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 15 is a plan view of a third mask, and FIG. 16 is a third mask It is a view showing an electrode layer formed on the side of the attached substrate, and FIG. 17 is a view showing a state in which wiring is formed on the side of the substrate by removing the third mask from the substrate.

도 14 및 도 15를 참조하면, 제4 실시 예에 따른 배선 형성방법은 제3 마스크가 부착된 기판의 상면에 레이저를 조사하는 단계, 및 배선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 14 and 15, a method of forming a wiring according to a fourth exemplary embodiment may include irradiating a laser on an upper surface of a substrate to which a third mask is attached, and forming a wiring.

제3 마스크가 부착된 기판의 상면에 레이저를 조사하는 단계는 기판(200)의 상면과 하면 및 측면에 제3 마스크(M3)를 부착할 수 있다. 제3 마스크(M3)는 전술한 바와 같이 UV 레이저를 반사하는 차단층 및 차단층을 기판에 부착하는 접착층을 포함할 수 있다.In the step of irradiating the laser to the upper surface of the substrate to which the third mask is attached, the third mask M3 may be attached to the upper surface, lower surface, and side surfaces of the substrate 200. As described above, the third mask M3 may include a blocking layer that reflects the UV laser and an adhesive layer that attaches the blocking layer to the substrate.

제3 마스크(M3)는 기판(200)의 상면을 노출시키는 복수 개의 제1 개구부(M31)를 포함하는 제1 영역(M301), 기판(200)의 측면을 노출시키는 복수 개의 제2 개구부(M32)를 포함하는 제2 영역(M302), 및 기판(200)의 하면을 노출시키는 제3 개구부(M33)를 포함하는 제3 영역(M303)을 포함할 수 있다. The third mask M3 includes a first region M301 including a plurality of first openings M31 exposing the upper surface of the substrate 200 and a plurality of second openings M32 exposing the side surfaces of the substrate 200. A second region M302 including) and a third region M303 including a third opening M33 exposing a lower surface of the substrate 200 may be included.

이때, 제3 마스크(M3)의 제1 개구부(M31)로 노출된 기판(200)의 상면에 레이저를 조사하여 기판(200)의 측면에 연장홈(220)을 형성할 수 있다. 따라서, 연장홈(220) 사이의 간격을 정확하게 이격시킬 수 있는 장점이 있다. 전술한 바와 같이 제3 마스크(M3)는 개구부가 형성되지 않은 상태에서 기판(200)에 배치된 후 연장홈(220)이 형성될 영역에 개구부가 형성될 수도 있다.In this case, the extension groove 220 may be formed on the side surface of the substrate 200 by irradiating a laser on the upper surface of the substrate 200 exposed through the first opening M31 of the third mask M3. Therefore, there is an advantage that the distance between the extension grooves 220 can be accurately separated. As described above, after the third mask M3 is disposed on the substrate 200 in a state in which the opening is not formed, an opening may be formed in a region where the extension groove 220 is to be formed.

도 16 및 도 17을 참조하면, 배선을 형성하는 단계는 제3 마스크(M3)의 제2 영역에 전체적으로 전극층(230a)을 형성한 후, 제3 마스크(M3)를 제거하면 연장홈(220)에만 전극층(230a)이 잔존할 수 있다. 따라서, 별도로 기판(200)의 평탄면에 형성된 전극층을 제거하는 단계를 생략할 수 있는 장점이 있다. Referring to FIGS. 16 and 17, in the step of forming the wiring, after forming the electrode layer 230a as a whole in the second region of the third mask M3, when the third mask M3 is removed, the extension groove 220 is formed. Only the electrode layer 230a may remain. Therefore, there is an advantage in that the step of separately removing the electrode layer formed on the flat surface of the substrate 200 can be omitted.

또한, 배선(430)의 폭을 5㎛ 내지 100㎛로 형성하고, 배선(430)의 이격 간격은 5㎛ 내지 500㎛로 하여도 배선 사이에 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, even if the width of the wiring 430 is formed in a range of 5 μm to 100 μm, and the spacing between the wiring lines 430 is 5 μm to 500 μm, it is possible to prevent a short circuit from occurring between the wirings.

도 18은 본 발명의 제5 실시 예에 따라 기판 모듈의 상면과 측면 및 하면에 제4 마스크를 형성한 상태를 보여주는 도면이다.18 is a diagram illustrating a state in which a fourth mask is formed on an upper surface, a side surface, and a lower surface of a substrate module according to the fifth exemplary embodiment of the present invention.

도 18을 참조하면, 제5 실시 예에 따른 배선 형성방법은 복수 개의 배선(400)이 형성된 기판(200)을 복수 개 적층하여 기판 모듈(21)을 준비하는 단계; 및 기판 모듈(21)의 측면에 배선(400)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 18, a method of forming a wiring according to a fifth embodiment includes preparing a substrate module 21 by stacking a plurality of substrates 200 on which a plurality of wirings 400 are formed; And forming the wiring 400 on the side surface of the substrate module 21.

기판 모듈(21)을 준비하는 단계는 복수 개의 기판(200)을 적층하여 준비할 수 있다. 복수 개의 기판은 마이크로 발광소자가 실장되는 구동 기판일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.The step of preparing the substrate module 21 may be prepared by stacking a plurality of substrates 200. The plurality of substrates may be a driving substrate on which the micro light emitting device is mounted, but is not limited thereto.

기판 모듈(21)의 측면에 배선을 형성하는 단계는, 기판 모듈(21)의 상면과 하면 및 측면에 제4 마스크(M4)를 형성할 수 있다. 제4 마스크(M4)는 기판 모듈(21)의 상면을 노출시키는 제1 개구부, 기판 모듈(21)의 측면을 노출시키는 제2 개구부 및 기판 모듈(21)의 하면을 노출시키는 제3 개구부를 포함할 수 있다. 제4 마스크(M4)의 형상은 제3 마스크와 유사하게 제작될 수 있다In the step of forming the wiring on the side surface of the substrate module 21, the fourth mask M4 may be formed on the top, bottom, and side surfaces of the substrate module 21. The fourth mask M4 includes a first opening exposing the upper surface of the substrate module 21, a second opening exposing the side surface of the substrate module 21, and a third opening exposing the lower surface of the substrate module 21 can do. The shape of the fourth mask M4 may be manufactured similar to the third mask.

제4 마스크(M4)의 제1 개구부로 노출된 기판 모듈(21)의 상면에 레이저를 조사하여 기판 모듈(21)의 측면에 연장홈(220)을 형성할 수 있다. 따라서, 연장홈(220) 사이의 간격을 정확하게 이격시킬 수 있는 장점이 있다. 전술한 바와 같이 제4 마스크(M4)는 개구부가 형성되지 않은 상태에서 기판(200)에 배치된 후 연장홈(220)이 형성될 영역에 개구부가 형성될 수도 있다.An extension groove 220 may be formed on a side surface of the substrate module 21 by irradiating a laser on the upper surface of the substrate module 21 exposed through the first opening of the fourth mask M4. Therefore, there is an advantage that the distance between the extension grooves 220 can be accurately separated. As described above, after the fourth mask M4 is disposed on the substrate 200 in a state in which the opening is not formed, an opening may be formed in a region where the extension groove 220 is to be formed.

이후, 기판(200)이 측면에 전체적으로 전극층을 형성하여도 제2 개구부로 노출된 연장홈(220)에만 배선을 형성할 수 있다. 따라서, 별도로 기판(200)의 평탄면에 형성된 전극층을 제거하는 단계를 생략할 수 있는 장점이 있다.Thereafter, even if the entire electrode layer is formed on the side surface of the substrate 200, wiring may be formed only in the extension groove 220 exposed through the second opening. Therefore, there is an advantage in that the step of separately removing the electrode layer formed on the flat surface of the substrate 200 can be omitted.

도 19는 본 발명의 제6 실시 예에 따라 기판의 상면에 제1 분할 마스크를 배치하고 기판의 하면에 제2 분할 마스크를 배치한 상태를 보여주는 도면이고, 도 20은 제1 분할 마스크와 제2 분할 마스크의 끝단을 부착하여 식각을 수행하는 상태를 보여주는 도면이고, 도 21은 제1 분할 마스크와 제2 분할 마스크의 끝단을 부착한 상태를 보여주는 측면도이고, 도 22는 기판의 측면에 연장홈이 형성된 상태를 보여주는 도면이다.19 is a view showing a state in which a first partition mask is disposed on an upper surface of a substrate and a second partition mask is disposed on a lower surface of a substrate according to the sixth embodiment of the present invention. A diagram showing a state in which etching is performed by attaching the ends of the division mask, FIG. 21 is a side view showing a state in which the ends of the first division mask and the second division mask are attached, and FIG. 22 is an extension groove on the side of the substrate. It is a drawing showing the formed state.

도 19 내지 도 22를 참조하면, 실시예에 따른 배선 형성 방법은, 기판(200)의 상면(201)에 제1 분할 마스크(M51)를 배치하고 기판(200)의 하면(203)에 제2 분할 마스크(M52)를 배치하는 단계, 복수 개의 제1 돌출부(M51c)의 끝단(M51b)과 복수 개의 제2 돌출부(M52c)의 끝단(M52b)을 접합하는 단계, 및 기판의 측면(202)에 라인 형상의 홈(220)을 형성하는 단계, 및 라인 형상의 홈(220)에 배선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.19 to 22, in the wiring formation method according to the embodiment, a first division mask M51 is disposed on the upper surface 201 of the substrate 200 and the second partition mask M51 is disposed on the lower surface 203 of the substrate 200. Arranging the division mask M52, bonding the end M51b of the plurality of first protrusions M51c and the end M52b of the plurality of second protrusions M52c, and on the side surface 202 of the substrate It may include forming a line-shaped groove 220 and forming a wire in the line-shaped groove 220.

제1 분할 마스크(M51)는 기판(200)의 상면(201)에 부착되는 제1 몸체부(M51a) 및 기판(200)의 측면(202)보다 돌출되는 복수 개의 제1 돌출부(M51c)를 포함할 수 있다. 제2 분할 마스크(M52)는 기판(200)의 하면(203)에 부착되는 제2 몸체부(M52a) 및 기판(200)의 측면(202)보다 돌출되는 복수 개의 제2 돌출부(M52c)를 포함할 수 있다.The first split mask M51 includes a first body portion M51a attached to the upper surface 201 of the substrate 200 and a plurality of first protrusions M51c protruding from the side surface 202 of the substrate 200 can do. The second division mask M52 includes a second body portion M52a attached to the lower surface 203 of the substrate 200 and a plurality of second protrusions M52c protruding from the side surface 202 of the substrate 200 can do.

제1 분할 마스크(M51)의 제1 몸체부(M51a)가 기판(200)의 상면(201)에 부착되면 제1 돌출부(M51c)는 기판(200)의 측면(202)보다 돌출된 상태로 배치될 수 있다. 또한, 제2 분할 마스크(M52)의 제2 몸체부(M52a)가 기판(200)의 하면(203)에 부착되면 제2 돌출부(M52c)는 기판(200)의 측면(202)보다 도출된 상태로 배치될 수 있다. 제1 분할 마스크(M51)와 제2 분할 마스크(M52)는 반사층의 하부에 접착층이 배치될 수 있다. 반사층은 알루미늄과 같은 금속 재질일 수 있으나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 플라스틱 재질일 수도 있다.When the first body portion M51a of the first division mask M51 is attached to the upper surface 201 of the substrate 200, the first protrusion M51c is disposed to protrude from the side surface 202 of the substrate 200 Can be. In addition, when the second body portion M52a of the second division mask M52 is attached to the lower surface 203 of the substrate 200, the second protrusion M52c is derived from the side surface 202 of the substrate 200. Can be placed into In the first split mask M51 and the second split mask M52, an adhesive layer may be disposed under the reflective layer. The reflective layer may be made of a metal material such as aluminum, but is not limited thereto and may be made of a plastic material.

제1 돌출부(M51c)의 끝단(M51b)과 제2 돌출부(M52c)의 끝단(M52b)은 기판(200)의 측면(202)보다 돌출된 상태에서 접합될 수 있다. 따라서, 제1 돌출부(M51c) 및 제2 돌출부(M52c)는 기판(200)의 측면(202)에 부착되지 않고 제1 돌출부(M51c)와 제2 돌출부(M52c) 사이에는 공간(AR1)이 마련될 수 있다.The end M51b of the first protrusion M51c and the end M52b of the second protrusion M52c may be joined while protruding from the side surface 202 of the substrate 200. Accordingly, the first protrusion M51c and the second protrusion M52c are not attached to the side surface 202 of the substrate 200, and a space AR1 is provided between the first protrusion M51c and the second protrusion M52c. Can be.

이러한 구성에 의하면 광원모듈(10)에 의해 레이저(LS)가 조사될 때 마스크가 떨어지는 문제를 개선할 수 있다. 마스크가 기판(200)의 상면(201), 측면(202), 및 하면(203)에 완전히 밀착되면 레이저 조사 또는 스퍼터링을 이용한 전극 형성시 마스크가 기판에서 떨어질 수 있다. 그러나, 실시예에 따르면, 제1 돌출부(M51c) 및 제2 돌출부(M52c)는 기판(200)의 측면(202)에 부착되지 않고 제1 돌출부(M51c)와 제2 돌출부(M52c) 사이에 공간(AR1)이 마련되어 레이저 또는 스퍼터링시 부착력이 향상될 수 있다. According to this configuration, the problem of dropping the mask when the laser LS is irradiated by the light source module 10 can be improved. When the mask is completely in close contact with the upper surface 201, the side surface 202, and the lower surface 203 of the substrate 200, the mask may be detached from the substrate during electrode formation using laser irradiation or sputtering. However, according to the embodiment, the first protrusion M51c and the second protrusion M52c are not attached to the side surface 202 of the substrate 200, and there is a space between the first protrusion M51c and the second protrusion M52c. (AR1) is provided so that adhesion can be improved during laser or sputtering.

제1 분할 마스크(M51) 및 제2 분할 마스크(M52)가 기판(200)의 상면과 하면에만 부착되고 측면에는 부착되지 않으므로 정밀한 부착을 위해 시간이 소요되는 것을 개선할 수도 있다. 또한, 제1 및 제2 돌출부의 끝단(M51b, M52b)이 접합되므로 제1 분할 마스크(M51)와 제2 분할 마스크(M52)가 기판에서 떨어지는 것을 방지할 수 있다.Since the first split mask M51 and the second split mask M52 are attached only to the upper and lower surfaces of the substrate 200 and not attached to the side surfaces of the substrate 200, it is possible to improve the time required for precise attachment. In addition, since the ends M51b and M52b of the first and second protrusions are bonded to each other, the first division mask M51 and the second division mask M52 can be prevented from falling off the substrate.

실시 예에 따르면, 복수 개의 기판(200)의 측면에 배선을 동시에 형성할 수 있으므로 제조 공정이 간소화되는 장점이 있다.According to the embodiment, since wirings can be simultaneously formed on the side surfaces of the plurality of substrates 200, there is an advantage of simplifying the manufacturing process.

이러한 배선 구조가 배치된 기판은 다양한 표시장치의 기판으로 사용될 수 있다. 예를 들어 마이크로 발광소자를 이용한 표시장치의 기판에 사용될 수 있다. 또한, 자동차 해드 램프의 광원 등으로 사용될 수도 있다.The substrate on which the wiring structure is disposed may be used as a substrate for various display devices. For example, it may be used for a substrate of a display device using a micro light emitting device. It can also be used as a light source for automobile head lamps.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs are not illustrated above within the scope not departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

Claims (17)

레이저를 조사하여 기판의 측면에 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계; 및
상기 복수 개의 라인 형상의 홈에 각각 복수 개의 배선을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 복수 개의 배선의 폭은 5㎛ 내지 100㎛이고,
상기 복수 개의 배선의 이격 간격은 5㎛ 내지 500㎛인 배선 형성방법.
Forming a plurality of line-shaped grooves on a side surface of the substrate by irradiating a laser; And
And forming a plurality of wires in each of the plurality of line-shaped grooves,
The width of the plurality of wirings is 5 μm to 100 μm,
A method of forming a wiring in which the spacing between the plurality of wirings is 5 μm to 500 μm.
 제1항에 있어서,
상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계는,
상기 기판의 상면 가장자리 영역에 상기 레이저를 조사하여 상기 기판의 하면 가장자리 영역까지 관통함으로써 상기 기판의 측면에 라인 형상의 홈을 형성하는 배선 형성방법.
The method of claim 1,
The step of forming the plurality of line-shaped grooves,
A wiring forming method in which a line-shaped groove is formed on a side surface of the substrate by irradiating the laser to an upper surface edge region of the substrate to penetrate the lower surface edge region of the substrate.
 제1항에 있어서,
복수 개의 배선을 형성하는 단계는,
상기 기판의 측면에 전체적으로 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 기판의 측면 중에서 상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 제외한 나머지 영역에 레이저를 조사하여 전극층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 배선 형성방법.
The method of claim 1,
The step of forming a plurality of wirings,
Forming an electrode layer entirely on the side surface of the substrate; And
And selectively removing the electrode layer by irradiating a laser to the rest of the side surface of the substrate except for the plurality of line-shaped grooves.
 제1항에 있어서,
상기 기판은 유리 기판 또는 실리콘 기판인 배선 형성방법.
The method of claim 1,
The substrate is a glass substrate or a silicon substrate wiring forming method.
 제1항에 있어서,
복수 개의 배선을 형성하는 단계는,
상기 기판의 측면에 제1 마스크를 배치하는 단계;
상기 제1 마스크 상에 전체적으로 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 마스크를 제거하는 단계를 포함하고,
상기 제1 마스크는 상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 노출시키는 복수 개의 개구부를 포함하는 배선 형성방법.
The method of claim 1,
The step of forming a plurality of wirings,
Placing a first mask on the side of the substrate;
Forming an electrode layer entirely on the first mask; And
And removing the first mask,
The first mask includes a plurality of openings exposing the plurality of line-shaped grooves.
 제1항에 있어서,
상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계는,
상기 기판의 상면 가장자리 영역에 제2 마스크를 배치하는 단계; 및
상기 제2 마스크의 개구부로 노출된 상기 기판의 상면 가장자리에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 배선 형성방법.
The method of claim 1,
The step of forming the plurality of line-shaped grooves,
Disposing a second mask on an edge region of an upper surface of the substrate; And
And irradiating a laser to an edge of an upper surface of the substrate exposed through the opening of the second mask.
 제1항에 있어서,
상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계는,
상기 기판의 상면과 측면에 제3 마스크를 배치하는 단계; 및
상기 제3 마스크의 복수 개의 개구부로 노출된 상기 기판의 상면 가장자리에 레이저를 조사하는 단계를 포함하고,
상기 제3 마스크는,
상기 기판의 상면에 배치되고 복수 개의 제1 개구부를 포함하는 제1 영역, 및
상기 기판의 측면에 배치되고 복수 개의 제2 개구부를 포함하는 제2 영역을 포함하는 배선 형성방법.
The method of claim 1,
The step of forming the plurality of line-shaped grooves,
Disposing a third mask on the top and side surfaces of the substrate; And
Including the step of irradiating a laser to the edge of the upper surface of the substrate exposed through the plurality of openings of the third mask,
The third mask,
A first region disposed on the upper surface of the substrate and including a plurality of first openings, and
And a second region disposed on a side surface of the substrate and including a plurality of second openings.
 제7항에 있어서,
상기 제3 마스크는 상기 기판의 하면에 배치되고 복수 개의 제3 개구부를 포함하는 제3 영역을 포함하는 배선 형성방법.
The method of claim 7,
The third mask is disposed on a lower surface of the substrate and includes a third region including a plurality of third openings.
 제7항에 있어서,
상기 복수 개의 배선을 형성하는 단계는,
상기 제3 마스크의 제2 영역 상에 전체적으로 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 제3 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 배선 형성방법.
The method of claim 7,
The step of forming the plurality of wirings,
Forming an electrode layer entirely on the second region of the third mask; And
And removing the third mask.
 제7항에 있어서,
상기 제3 마스크는 알루미늄을 포함하는 배선 형성방법.
The method of claim 7,
The third mask includes aluminum.
 제10항에 있어서,
상기 제3 마스크는 상기 알루미늄을 포함하는 차단층 및 상기 차단층을 상기 기판에 고정하는 접착층을 포함하는 배선 형성방법.
The method of claim 10,
The third mask includes a blocking layer including the aluminum and an adhesive layer fixing the blocking layer to the substrate.
 제1항에 있어서,
상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계는,
상기 기판의 상면에 제1 분할 마스크를 부착하고 상기 기판의 하면에 제2 분할 마스크를 부착하는 단계; 및
상기 기판의 측면보다 돌출된 제1 분할 마스크의 복수 개의 제1 돌출부와 상기 기판의 측면보다 돌출된 제2 분할 마스크의 복수 개의 제2 돌출부를 접합하는 단계;
상기 제1 분할 마스크에서 노출된 상기 기판의 상면 가장자리에 레이저를 조사하여 기판의 측면에 라인 형성의 홈을 형성하는 단계를 포함하는 배선 형성방법.
The method of claim 1,
The step of forming the plurality of line-shaped grooves,
Attaching a first partition mask to an upper surface of the substrate and a second partition mask to a lower surface of the substrate; And
Bonding a plurality of first protrusions of a first partition mask protruding from a side surface of the substrate and a plurality of second protrusions of a second partition mask protruding from a side surface of the substrate;
And forming a groove for forming a line on a side surface of the substrate by irradiating a laser to an edge of the upper surface of the substrate exposed by the first division mask.
 제12항에 있어서,
상기 접합하는 단계는 상기 복수 개의 제1 돌출부의 끝단과 상기 복수 개의 제2 돌출부의 끝단을 접합하는 배선 형성방법.
The method of claim 12,
In the bonding step, an end of the plurality of first protrusions and an end of the plurality of second protrusions are joined together.
 기판을 복수 개 적층하여 기판 모듈을 준비하는 단계;
레이저를 조사하여 상기 기판 모듈의 측면에 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계; 및
상기 복수 개의 라인 형상의 홈에 복수 개의 배선을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 복수 개의 배선의 폭은 5㎛ 내지 100㎛이고,
상기 복수 개의 배선의 이격 간격은 5㎛ 내지 500㎛인 배선 형성방법.
Preparing a substrate module by stacking a plurality of substrates;
Forming a plurality of line-shaped grooves on side surfaces of the substrate module by irradiating a laser; And
And forming a plurality of wires in the plurality of line-shaped grooves,
The width of the plurality of wirings is 5 μm to 100 μm,
A method of forming a wiring in which the spacing between the plurality of wirings is 5 μm to 500 μm.
 제14항에 있어서,
상기 복수 개의 라인 형상의 홈을 형성하는 단계는,
상기 기판 모듈의 측면에 제4 마스크를 배치하는 단계; 및
상기 제4 마스크의 복수 개의 개구부로 노출된 상기 기판 모듈의 측면에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 배선 형성방법.
The method of claim 14,
The step of forming the plurality of line-shaped grooves,
Disposing a fourth mask on a side surface of the substrate module; And
And irradiating a laser to a side surface of the substrate module exposed through a plurality of openings of the fourth mask.
 제15항에 있어서,
상기 제4 마스크는 상기 기판 모듈의 상면, 측면 및 하면에 배치되고,
상기 제4 마스크의 복수 개의 개구부는 상기 기판 모듈의 상면, 측면 및 하면을 노출하는 배선 형성방법.
The method of claim 15,
The fourth mask is disposed on an upper surface, a side surface, and a lower surface of the substrate module,
The plurality of openings of the fourth mask expose an upper surface, a side surface, and a lower surface of the substrate module.
 제15항에 있어서,
복수 개의 배선을 형성하는 단계는,
상기 기판 모듈의 측면 상에 배치된 제4 마스크에 전체적으로 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 제4 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 배선 형성방법.The method of claim 15,
The step of forming a plurality of wirings,
Forming an electrode layer entirely on a fourth mask disposed on a side surface of the substrate module; And
And removing the fourth mask.
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