KR20200142953A - Laser bonding apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 레이저 본딩장치에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 레이저를 이용하여 복수의 반도체 칩을 회로기판에 본딩시키는 레이저 본딩장치에 관한 것이다.The present invention relates to a laser bonding device. More specifically, the present invention relates to a laser bonding apparatus for bonding a plurality of semiconductor chips to a circuit board using a laser.
일반적으로 플립칩 본딩 방법은 반도체 칩을 회로기판에 부착시킬 때 금속 리드(와이어)와 같은 추가적인 연결 구조나 볼 그리드 어레이(BGA)와 같은 중간 매체를 사용하지 않고 반도체 칩 아랫면의 전극 패턴을 이용해 그대로 융착시키는 방식을 말한다. 이와 같은 플립칩 본딩 방법에 의해 생산된 반도체는 선 없는(leadless) 반도체라고도 불리우며, 그에 따라 플립칩 본딩 방법은 칩 사이즈의 소형화 및 경량화에 유리하고, 전극 간 거리(피치)를 훨씬 미세하게 할 수 있기 때문에 널리 사용되고 있다.In general, the flip chip bonding method does not use an additional connection structure such as a metal lead (wire) or an intermediate medium such as a ball grid array (BGA) when attaching a semiconductor chip to a circuit board, but by using the electrode pattern on the bottom of the semiconductor chip as it is. It refers to the method of fusing. Semiconductors produced by the flip-chip bonding method are also called leadless semiconductors, and accordingly, the flip-chip bonding method is advantageous for miniaturization and weight reduction of the chip size, and the distance (pitch) between electrodes can be made much finer. Because it is widely used.
상기와 같은 플립칩 본딩 방법은 열압착 방식을 주로 사용한다. 이와 같은 종래의 열압착 방식은 회로기판의 상면에 도전층이 형성되고, 반도체 칩의 하단에 온도가 높아지면 액체화되고 온도가 낮아지면 경화되는 범프 볼(Bump ball)이 형성된다. 이때 반도체 칩을 가열하면 범프 볼이 액체화 되고, 서서히 반도체 칩을 회로기판 방향으로 가압하면 회로기판의 도전층에 반도체 칩이 안착된다. 그 후, 범프 볼이 경화됨에 따라 반도체 칩과 회로기판이 상호 융착이 이루어진다.The flip-chip bonding method as described above mainly uses a thermocompression bonding method. In such a conventional thermocompression bonding method, a conductive layer is formed on an upper surface of a circuit board, and a bump ball is formed at a lower end of a semiconductor chip, which becomes liquid when the temperature increases and hardens when the temperature decreases. At this time, when the semiconductor chip is heated, the bump balls become liquid, and when the semiconductor chip is gradually pressed in the direction of the circuit board, the semiconductor chip is seated on the conductive layer of the circuit board. Thereafter, as the bump balls are hardened, the semiconductor chip and the circuit board are fused to each other.
상술한 바와 같은 종래의 플립칩 본딩 방법은 반도체 칩을 가열할 때 범프 볼을 액체화시키기 위한 온도에 도달할 때까지 장시간이 필요하다. 또한, 반도체 칩을 장시간 가열하면 반도체 칩이 열에 의해 손상되는 경우가 발생한다. 그에 따라, 종래의 플립칩 본딩 방법을 사용하는 경우, 반도체의 생산성 향상과 양산을 기대하기 어려울 뿐만 아니라, 특히 고온에 민감한 재질로 이루어진 반도체 칩에 대해서는 그 적용이 불가능하다는 문제점이 있었다.The conventional flip chip bonding method as described above requires a long time to reach a temperature for liquefying the bump balls when heating a semiconductor chip. In addition, when the semiconductor chip is heated for a long time, the semiconductor chip may be damaged by heat. Accordingly, in the case of using the conventional flip chip bonding method, it is difficult to expect improved productivity and mass production of a semiconductor, and there is a problem that it is not possible to apply the semiconductor chip made of a material sensitive to high temperature in particular.
또한, 반도체 칩이 배치된 회로기판을 본딩을 위해 요구되는 이송 과정에서 회로기판의 수평 상태가 틀어지게 되어 본딩 정밀도가 저하되는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem in that bonding precision is deteriorated because the horizontal state of the circuit board is distorted during the transfer process required for bonding the circuit board on which the semiconductor chip is disposed.
또한, 다양한 사이즈의 회로기판에 대응하기 위해서, 회로기판의 사이즈가 변경될 때마다 회로기판을 이송시키기 위한 회로기판 이송유닛의 폭을 조절해야만 하는 문제점이 있었다.In addition, in order to cope with circuit boards of various sizes, there is a problem in that the width of the circuit board transfer unit for transferring the circuit board must be adjusted whenever the size of the circuit board is changed.
따라서, 반도체 칩에 부착된 범프 볼을 액체화시키기 위해 고온으로 짧은 시간 가열할 수 있으며, 반도체 칩을 가열 시 반도체 칩의 열 손상 또는 최소화시킬 수 있는 새로운 가열 수단을 구비하며, 다양한 크기의 회로기판에도 적용할 수 있는 본딩장치가 요구된다.Therefore, in order to liquefy the bump balls attached to the semiconductor chip, it can be heated at a high temperature for a short time, and when heating the semiconductor chip, a new heating means to minimize or damage the heat of the semiconductor chip is provided. A bonding device that can be applied is required.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 복수의 반도체 칩이 배치된 회로기판의 수평을 조절할 수 있고, 레이저 빔의 조사 면적을 조절하여 회로기판에 배치된 복수의 반도체 칩 중 일부만을 본딩할 수 있으며, 다양한 사이즈의 회로기판에 적용할 수 있는 레이저 본딩장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention has been devised to solve the problems of the prior art as described above, and a plurality of semiconductors disposed on a circuit board by adjusting the level of a circuit board on which a plurality of semiconductor chips are disposed, and by adjusting the irradiation area of a laser beam This is to provide a laser bonding device that can bond only some of the chips and can be applied to circuit boards of various sizes.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 회로기판 상에 배치된 복수의 반도체 칩을 본딩하기 위한 레이저 본딩장치에 있어서, 지지대의 상측에 배치되며, 공급되는 상기 회로기판 상에 배치된 상기 복수의 반도체 칩을 본딩 위치로 이송하도록 상기 회로기판을 지지하면서 이송시키는 회로기판 이송유닛; 상기 회로기판 이송유닛의 상측에 배치되며, 상기 본딩 위치로 이송된 상기 회로기판을 향해 레이저 빔을 조사하여 상기 반도체 칩과 상기 회로기판을 본딩시키기 위한 본딩헤드; 상기 지지대 상에 배치되며, 상기 본딩헤드를 X, Y 및 Z 축 방향으로 이송시키는 본딩헤드 이송유닛; 및 상기 본딩헤드의 하측에 배치되며, 상기 본딩헤드와 함께 이동하면서 상기 본딩헤드로부터 조사되는 레이저 빔의 조사 면적을 조절하는 빔 조사 면적 조절유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the laser bonding apparatus according to an embodiment of the present invention is a laser bonding apparatus for bonding a plurality of semiconductor chips disposed on a circuit board, which is disposed on the upper side of the support and supplied A circuit board transfer unit supporting and transferring the plurality of semiconductor chips disposed on the circuit board to a bonding position; A bonding head disposed above the circuit board transfer unit and configured to bond the semiconductor chip and the circuit board by irradiating a laser beam toward the circuit board transferred to the bonding position; A bonding head transfer unit disposed on the support and transferring the bonding head in the X, Y and Z axis directions; And a beam irradiation area control unit disposed under the bonding head and moving together with the bonding head to adjust an irradiation area of the laser beam irradiated from the bonding head.
본 발명의 실시예에 따른 레이저 본딩장치를 사용하면 다음과 같은 효과가 달성된다.The following effects are achieved by using the laser bonding apparatus according to the embodiment of the present invention.
1. 수평 조절유닛에 의해 회로기판의 수평을 조절할 수 있도록 함으로써, 복수의 반도체 칩과 회로기판의 본딩 정밀도를 최대한 향상시킬 수 있다.1. By allowing the level of the circuit board to be adjusted by the leveling unit, the bonding precision between a plurality of semiconductor chips and the circuit board can be improved as much as possible.
2. 빔 조사 면적 조절유닛에 의해 레이저 빔의 조사 면적을 조절할 수 있도록 함으로써, 회로기판에 배치된 복수의 반도체 칩 중 일부만을 본딩시킬 수 있을 뿐만 아니라, 동시에 다양한 사이즈의 회로기판에 적용이 가능하다.2. By allowing the irradiation area of the laser beam to be adjusted by the beam irradiation area control unit, not only a part of the plurality of semiconductor chips arranged on the circuit board can be bonded, but also applicable to various size circuit boards at the same time. .
3. 회로기판 공급유닛에 의해 반도체 칩이 배치된 회로기판을 2개의 컨베이어 모듈 측으로 교대로 공급함에 따라 공정 시간을 최대한 줄일 수 있다.3. Process time can be reduced as much as possible by alternately supplying the circuit boards on which the semiconductor chips are arranged by the circuit board supply unit to the two conveyor modules.
4. 열화상 카메라에 의해 레이저 빔이 조사되는 회로기판 측의 온도를 측정함으로써, 본딩온도가 적정한지에 대한 여부를 확인할 수 있다.4. By measuring the temperature on the circuit board side to which the laser beam is irradiated by the thermal imaging camera, it is possible to check whether the bonding temperature is appropriate.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 회로기판 이송유닛, 수평 조절유닛 및 회로기판 공급유닛의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2에서 수평 조절유닛에 의해 회로기판의 수평이 조절된 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 빔 조사 면적 조절유닛의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 빔 조사 면적 조절유닛의 내부 구조 및 동작과정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view schematically showing the structure of a laser bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view schematically showing the structures of a circuit board transfer unit, a horizontal control unit, and a circuit board supply unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining a state in which the level of the circuit board is adjusted by the leveling unit in FIG. 2.
4 is a perspective view schematically showing the structure of a beam irradiation area control unit according to an embodiment of the present invention.
5 and 6 are views for explaining the internal structure and operation process of the beam irradiation area control unit according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 레이저 본딩장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이 때 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다.Hereinafter, a laser bonding device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this case, it should be noted that the same components in the accompanying drawings are indicated by the same reference numerals as possible. In addition, detailed descriptions of known functions and configurations that may obscure the subject matter of the present invention will be omitted.
이하, 첨부된 도면 도 1 내지 도 6을 참조로 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치를 설명한다.Hereinafter, a laser bonding apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 회로기판 이송유닛, 수평 조절유닛 및 회로기판 공급유닛의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이며, 도 3은 도 2에서 수평 조절유닛에 의해 회로기판의 수평이 조절된 상태를 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view schematically showing the structure of a laser bonding device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a structure of a circuit board transfer unit, a horizontal adjustment unit, and a circuit board supply unit according to an embodiment of the present invention. It is a schematic perspective view, and FIG. 3 is a view for explaining a state in which the level of the circuit board is adjusted by the leveling unit in FIG. 2.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 회로기판 이송유닛(2000), 본딩헤드(5100), 본딩헤드 이송유닛(6000), 및 빔 조사 면적 조절유닛(7000)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a laser bonding apparatus according to an embodiment of the present invention includes a circuit
도 2 및 도 3을 도 1과 함께 참조하면, 회로기판 이송유닛(2000)은 지지대(1000)의 상측에 배치될 수 있으며, 후술하는 회로기판 공급유닛(3000)으로부터 공급되는 회로기판(10) 상에 배치된 복수의 반도체 칩(11)을 본딩 위치로 이송하도록 회로기판(10)을 이송시킬 수 있다. 회로기판 이송유닛(2000)은 회로기판(10)을 지지한 상태로 이송시키는 적어도 하나의 컨베이어 모듈을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 지지대(1000)의 상측에 두 개의 컨베이어 모듈, 즉, 제1 컨베이어 모듈(2100) 및 제2 컨베이어 모듈(2200)이 서로 일정 간격 이격된 상태로 배치된 것을 도시하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니라는 점에 유의하여야 한다.Referring to FIGS. 2 and 3 together with FIG. 1, the circuit
제1 컨베이어 모듈(2100)은 회로기판(10)의 일측을 지지하여 이송시키는 제1 컨베이어부(2110), 제1 컨베이어부(2110)로부터 일정간격 이격되게 배치되며, 회로기판(10)의 타측을 지지하여 이송시키는 제2 컨베이어부(2120), 및 제1 컨베이어부(2110)와 제2 컨베이어부(2120)를 구동시키기 위한 제1 컨베이어 구동부(2130)를 포함할 수 있다.The
제1 컨베이어부(2110) 및 제2 컨베이어부(2120)는 동일한 구조로 형성될 수 있으며, 각각의 컨베이어부(2110, 2120)에는 회로기판(10)을 이동시키기 위한 복수의 롤러(R)가 마련될 수 있다. 제1 컨베이어부(2110)와 제2 컨베이어부(2120)는 제1 컨베이어 구동부(2130)의 제1 컨베이어 구동축(2131)에 의해 연결될 수 있다. 제1 컨베이어 구동축(2131)은 제1 컨베이어 구동축(2131)의 일측에 구비된 제1 컨베이어 구동모터(2132)에 의해 회전되어 제1 컨베이어부(2110)의 롤러(R) 및 제2 컨베이어부(2120)의 롤러(R)를 각각 회전시킬 수 있다. 이러한 제1 컨베이어 모듈(2100)의 제1 컨베이어부(2110), 제2 컨베이어부(2120), 및 제1 컨베이어 구동부(2130)는 회로기판(10)을 본딩 위치로 이송시키기 위해 통상적으로 사용되는 롤러 컨베이어로 구현될 수 있는 것이어서, 그 구성 및 동작에 대한 상세한 설명은 생략한다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 제2 컨베이어 모듈(2200)은 제1 컨베이어 모듈(2100)의 구성과 동일하게 제3 컨베이어부(2210), 제4 컨베이어부(2220), 및 제2 컨베이어 구동부(2230)를 포함할 수 있다. The
여기서, 제2 컨베이어 모듈(2200)의 제3 컨베이어부(2210), 제4 컨베이어부(2220), 및 제2 컨베이어 구동부(2230)는 앞서 상술한 제1 컨베이어 모듈(2100)의 제1 컨베이어부(2110), 제2 컨베이어부(2120) 및 제1 컨베이어 구동부(2130)와 그 구조 및 동작이 동일하여 상세한 설명은 생략한다.Here, the
본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 복수의 반도체 칩(11)이 배치된 회로기판(10)을 제1 컨베이어 모듈(2100) 및 제2 컨베이어 모듈(2200) 측으로 교대로 공급하기 위한 회로기판 공급유닛(3000)을 더 포함할 수 있다.The laser bonding apparatus according to an embodiment of the present invention is a circuit for alternately supplying the
다시 도 2 및 도 3을 도 1과 함께 참조하면, 회로기판 공급유닛(3000)은 지지대(1000)의 상면에 배치되되 회로기판 이송유닛(2000)의 전방측에 배치될 수 있으며, 복수개의 반도체 칩(11)이 배치된 회로기판(10)을 회로기판 이송유닛(2000)의 제1 컨베이어 모듈(2100)과 제2 컨베이어 모듈(2200) 측으로 교대로 공급할 수 있다. Referring back to FIGS. 2 and 3 together with FIG. 1, the circuit
이때, 회로기판 공급유닛(3000)은 제3 컨베이어 모듈(3100) 및 제3 컨베이어 모듈 이송부(3200)를 포함할 수 있다.In this case, the circuit
제3 컨베이어 모듈(3100)은 앞서 상술한 제1 컨베이어 모듈(2100)의 구성과 동일하게 제5 컨베이어부(3110), 제6 컨베이어부(3120), 및 제3 컨베이어 구동부(3130)를 포함할 수 있다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 제3 컨베이어 모듈(3100)의 제5 컨베이어부(3110)와, 제6 컨베이어부(3120), 및 제3 컨베이어 구동부(3130)는 제1 컨베이어 모듈(2100)의 제1 컨베이어부(2110)와, 제2 컨베이어부(2120) 및 제1 컨베이어 구동부(2130)와 그 구조 및 동작이 동일하여 상세한 설명은 생략한다.The
제3 컨베이어 모듈 이송부(3200)는 제3 컨베이어 모듈(3100)의 하측에 배치될 수 있으며, 제3 컨베이어 모듈 이송부(3200)은 제3 컨베이어 모듈(3100) 내에 지지되어 이송되는 회로기판을 제1 컨베이어 모듈(2100) 및 제2 컨베이어 모듈(2200)로 공급하도록 이송시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 제3 컨베이어 모듈 이송부(3200)가 엘엠가이드(Linear Motion Guide) 구조로 구현되는 것을 도시하고 있지만, 이에 한정되는 것이 아니라는 점에 유의하여야 한다.The third conveyor
상술한 바와 같이, 회로기판(10)이 제3 컨베이어 모듈(3100)에 의해 제1 컨베이어 모듈(2100) 또는 제2 컨베이어 모듈(2200)로 공급되면, 제1 컨베이어 모듈(2100) 또는 제2 컨베이어 모듈(2200)은 공급된 회로기판(10)을 본딩 위치로 이송하고, 후술하는 바와 같이 본딩헤드(5100)가 회로기판(10) 상으로 레이저 빔을 조사하여 복수의 반도체 칩(11)과 회로기판(10)을 본딩하게 된다.As described above, when the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 하나의 제3 컨베이어 모듈(3100)을 이용하여 제1 컨베이어 모듈(2100) 및 제2 컨베이어 모듈(2200)로 복수의 반도체 칩(11)이 배치된 회로기판(10)을 교대로 공급하여 복수의 반도체 칩(11)과 회로기판(10)을 본딩함에 따라 레이저 본딩장치의 크기 및 공정시간을 최대한 줄일 수 있는 이점이 있다.According to an embodiment of the present invention, a circuit board on which a plurality of
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 제3 컨베이어 모듈(3100)을 이용하여 제1 컨베이어 모듈(2100)로 공급된 후, 제1 컨베이어 모듈(2100)에 의해 본딩 위치로 이송된 회로기판(10)의 수평을 조절하기 위한 수평 조절유닛(4000)을 더 포함할 수 있다.Referring back to FIGS. 1 to 3, the laser bonding apparatus according to an embodiment of the present invention is supplied to the
이러한 수평 조절유닛(4000)은 수평 조절틀(4100), 수평 조절지그(4200), 및 회로기판 이동실린더(4300)를 포함할 수 있다.The
수평 조절틀(4100)은 복수의 지지봉(4101)에 의해 지지대(1000) 상에서 승강 가능하게 지지된 상태로 제1 컨베이어 모듈(2100)의 상측에 배치될 수 있다.The
수평 조절지그(4200)는 수평 조절틀(4100) 상에 배치될 수 있으며, 회로기판(10)의 수평이 조절될 수 있도록 회로기판(10)이 밀착되는 적어도 하나의 수평 조절창(4210)가 마련될 수 있다. The
자세히 도시되지는 않았지만, 회로기판 이동실린더(4300)는 제1 컨베이어부(2110) 및 제2 컨베이어부(2120) 사이 사이와 제3 컨베이어부(2210) 및 제4 컨베이어부(2220) 사이에 각각 배치되어 제1 컨베이어 모듈(2100) 및 제2 컨베이어 모듈(2200)에 의해 각각 본딩 위치로 이송된 회로기판(10)을 각각의 수평 조절창(4210)의 하면에 밀착시키기 위해 회로기판(10)을 상하방향으로 이동시킬 수 있다.Although not shown in detail, the circuit
이때, 수평 조절창(4210)의 하면에 회로기판(10)이 밀착되면서 회로기판(10)의 수평을 조절할 수 있게 된다.At this time, the
본 발명의 일 시시예에 따른 본딩헤드(5100)는 수평 조절유닛(4000)을 통해 수평이 조절된 회로기판(10) 상으로 레이저 빔을 조사하여 복수의 반도체 칩(11)과 회로기판(10)을 본딩하게 된다.The
다시 1을 참조하면, 본딩헤드 이송유닛(6000)은 본딩헤드(5100)가 X, Y, 및 Z 축 방향으로 이동이 가능하도록 지지대(1000)의 상측에 배치되어 본딩헤드(5100)의 수평 방향(X 및 Y축 방향) 및 수직 방향(Z축 방향)의 이동을 제어할 수 있다. 구체적으로, 본딩헤드 이송유닛(6000)은 본딩헤드(5100)를 X축 방향으로 이동시키기 위한 제1 본딩헤드 구동부(6100), Y축 방향으로 이송시키기 위한 제2 본딩헤드 구동부(6200), 및 Z축 방향으로 이동시키기 위한 제3 본딩헤드 구동부(6300)를 포함할 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 본딩헤드 구동부(6100, 6200, 6300)는 액추에이터 및 구동모터 등으로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니라는 점에 유의하여야 한다.Referring back to 1, the bonding
본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 본딩헤드(5100)의 일측에 배치되며, 회로기판(10) 상에 형성된 얼라인 마크(미도시)를 인식하여 회로기판(10)의 얼라인 상태를 확인하는 비전카메라(5200)를 더 포함할 수 있다. The laser bonding device according to an embodiment of the present invention is disposed on one side of the
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 본딩헤드(5100)의 일측에 배치되며, 반도체 칩(11)과 회로기판(10)이 본딩되는 과정에서 회로기판(10) 측의 온도를 측정하기 위한 열화상 카메라(5300)를 더 포함할 수 있다. 즉, 열화상 카메라(5300)를 통해 회로기판(10) 측을 촬영하여 본딩 과정에서의 온도를 확인 또는 표시함으로써 본딩온도의 적정 여부를 체크할 수 있게 된다.In addition, the laser bonding apparatus according to an embodiment of the present invention is disposed on one side of the
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 빔 조사 면적 조절유닛의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 빔 조사 면적 조절유닛의 내부 구조 및 동작과정을 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 5는 통과부의 면적을 증가시킨 상태를 나타낸 것이고, 도 6은 통과부의 면적을 감소시킨 상태를 나타낸 것이다. 4 is a perspective view schematically showing the structure of a beam irradiation area control unit according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are an internal structure and operation process of the beam irradiation area control unit according to an embodiment of the present invention. It is a figure for explaining. Here, FIG. 5 shows a state in which the area of the passage part is increased, and FIG. 6 shows a state in which the area of the passage part is reduced.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 빔 조사 면적 조절유닛(7000)은 지지대(1000) 상에서 본딩헤드(5100)의 하측에 배치되며, 본딩헤드(5100)와 함께 이동하면서 본딩헤드(5100)로부터 조사되는 레이저 빔의 조사 면적을 조절할 수 있다.4 to 6, the beam irradiation
이러한 빔 조사 면적 조절유닛(7000)은 빔 조사 면적 조절플레이트(7100), 제1 폭조절부(7200), 제2 폭조절부(7300) 및 연결부재(7400)를 포함할 수 있다.The beam irradiation
한편, 빔 조사 면적 조절유닛(7000)의 설명시 세로방향은 도 1의 도시된 X 축 방향으로 정의되고, 가로방향은 Y 축 방향으로 정의될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니라는 점에 유의하여야 한다.Meanwhile, when describing the beam irradiation
빔 조사 면적 조절플레이트(7100)는 상부공간(7110)을 가지도록 형성될 수 있으며, 상부면의 일정영역에는 본딩헤드(5100)로부터 조사되는 레이저 빔이 통과될 수 있도록 통과부(7122)가 마련될 수 있다. The beam irradiation
제1 폭조절부(7200)는 빔 조사 면적 조절플레이트(7100)의 상부공간(7110)에 마련되어, 통과부(7122)의 세로방향 폭을 조절할 수 있다. 이러한 제1 폭조절부(7200)는 제1 폭조절바(7210)와, 제2 폭조절바(7220), 및 제1 폭조절 구동부(7230)를 포함할 수 있다.The first
제1 폭조절바(7210)는 일정길이를 가지고 통과부(7122) 상에서 가로방향으로 배치될 수 있다.The first
제2 폭조절바(7220)는 제1 폭조절바(7210)와 동일한 형상으로 형성될 수 있으며, 통과부(7122) 상에서 제1 폭조절바(7210)와 나란하게 배치될 수 있다. 제2 폭조절바(7220)는 제1 폭조절바(7210)의 이동 시 상대 이동하면서 제1 폭조절바(7210)와 함께 통과부(7122)의 세로방향 폭을 조절한다.The second
제1 폭조절 구동부(7230)는 제1 폭조절바(7210) 및 제2 폭조절바(7220)와 연결되도록 배치되며, 제1 폭조절바(7210)와 제2 폭조절바(7220)를 상대 이동시킨다.The first width
이러한 제1 폭조절 구동부(7230)는 제1 랙 기어(7231)와, 제2 랙 기어(7232)와, 제1 피니언 기어(7233), 및 제1 구동모터(7234)(도 4 참조)를 포함할 수 있다.The first width
제1 랙 기어(7231)는 빔 조사 면적 조절플레이트(7100)의 상부공간(7110) 일측에 배치될 수 있으며, 제1 폭조절바(7210)의 일측과 연결되어 제1 피니언 기어(7233)의 회전에 의해 직선 왕복 이동하면서 제1 폭조절바(7210)를 이동시킬 수 있다.The
제2 랙 기어(7232)는 제1 랙 기어(7231)의 일측에 배치될 수 있으며, 제2 폭조절바(7220)의 일측과 연결되어 제1 피니언 기어(7233)의 회전에 의해 직선 왕복 이동하면서 제2 폭조절바(7220)를 이동시킬 수 있다.The
제1 피니언 기어(7233)는 일측 단부가 제1 랙 기어(7231) 및 제2 랙 기어(7232)와 기어 결합될 수 있으며, 그 상단에 제공된 제1 구동모터(7234)의 회전에 의해 회전되어 제1 랙 기어(7231)와 제2 랙 기어(7232)를 상대 직선 이동시킬 수 있다.One end of the
즉, 제1 구동모터(7234)의 작동에 의해 제1 피니언 기어(7233)가 회전함에 따라 제1 랙 기어(7231) 및 제2 랙 기어(7232)가 상대 직선 이동하게 되면 제1 랙 기어(7231)에 연결된 제1 폭조절바(7210) 및 제2 랙 기어(7232)에 연결된 제2 폭조절바(7220)가 상대적으로 직선 왕복 이동하게 되어 통과부(7122)의 세로방향 폭을 조절할 수 있게 된다.That is, as the
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 폭조절부(7200)는 빔 조사 면적 조절플레이트(7100)의 상에 마련되어, 제1 랙 기어(7231) 및 제2 랙 기어(7232)의 이동을 각각 제한하는 제1 이동제한부재(7240) 및 제2 이동제한부재(7250)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the first
보다 구체적으로, 제1 통과부(7122)의 세로방향 폭을 넓히기 위해 제1 폭조절부(7200)를 조절하는 과정에서 제1 랙 기어(7231)의 일측이 제1 이동제한부재(7240)에 접촉되면 통과부(7122)의 세로방향 폭이 더 이상 넓혀지지 않도록 제1 랙 기어(7231) 및 제2 랙 기어(7232)의 이동을 제한하고, 통과부(7122)의 세로방향 폭을 좁히기 위해 제1 폭조절부(7200)를 조절하는 과정에서 제2 랙 기어(7232)의 일측이 제2 이동제한부재(7250)에 접촉되면 통과부(7122)의 세로방향 폭이 더 이상 좁혀지지 않도록 제1 랙 기어(7231) 및 제2 랙 기어(7232)의 이동을 제한하게 된다. More specifically, one side of the
본 발명의 일 실시예에 따른 제2 폭조절부(7300)는 빔 조사 면적 조절플레이트(7100)의 상부공간(7110)에 마련되되 제1 폭조절부(7200)의 설치방향에 대해 수직 방향으로 마련되어, 통과부(7122)의 가로방향 폭을 조절할 수 있다. 이러한 제2 폭조절부(7300)는 제3 폭조절바(7310), 제4 폭조절바(7320), 및 제2 폭조절 구동부(7330)를 포함할 수 있다.The second
제3 폭조절바(7310)는 일정길이를 가지고 통과부(7122) 상에서 세로방향으로 배치될 수 있다.The third
제4 폭조절바(7320)는 제3 폭조절바(7310)와 동일한 형상으로 형성될 수 있으며, 통과부(7122) 상에서 제3 폭조절바(7310)와 나란하게 배치될 수 있다. 제4 폭조절바(7320)는 제3 폭조절바(7310)의 이동 시 상대 이동하면서 제3 폭조절바(7310)와 함께 통과부(7122)의 가로방향 폭을 조절한다.The fourth
제2 폭조절 구동부(7330)는 제3 폭조절바(7310) 및 제4 폭조절바(7320)와 연결되도록 배치되며, 제3 폭조절바(7310)와 제4 폭조절바(7320)를 상대 이동시킨다.The second width
이러한 제2 폭조절 구동부(7330)는 제3 랙 기어(7331)와, 제4 랙 기어(7332)와, 제2 피니언 기어(7333), 및 제2 구동모터(미도시)를 포함할 수 있다.The second width
제2 랙 기어(7232)는 빔 조사 면적 조절플레이트(7100)의 일측 가장자리에 배치될 수 있으며, 제3 폭조절바(7310)의 일측과 연결되어 제2 피니언 기어(7333)의 회전에 의해 직선 왕복 이동하면서 제3 폭조절바(7310)를 이동시킬 수 있다.The
제4 랙 기어(7332)는 제3 랙 기어(7331)의 일측에 배치될 수 있으며, 제4 폭조절바(7320)의 일측과 연결되어 제2 피니언 기어(7333)의 회전에 의해 직선 왕복 이동하면서 제4 폭조절바(7320)를 이동시킬 수 있다.The
제2 피니언 기어(7333)는 일측 단부가 제3 랙 기어(7331) 및 제4 랙 기어(7332)와 기어 결합될 수 있으며, 그 상단에 제공된 제2 구동모터의 회전에 의해 회전되어 제3 랙 기어(7331)와 제4 랙 기어(7332)를 상대 직선 이동시킬 수 있다.The
즉, 제2 구동모터의 작동에 의해 제2 피니언 기어(7333)가 회전함에 따라 제3 랙 기어(7331) 및 제4 랙 기어(7332)가 상대 직선 이동하게 되면 제3 랙 기어(7331)에 연결된 제3 폭조절바(7310) 및 제4 랙 기어(7332)에 연결된 제4 폭조절바(7320)가 상대 직선 이동하게 되어 제2 통과부(7122)의 가로방향 폭을 조절할 수 있게 된다.That is, as the
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 폭조절부(7300)는 빔 조사 면적 조절플레이트(7100)의 상에 마련되어, 제3 랙 기어(7331) 및 제4 랙 기어(7332)의 이동을 각각 제한하는 제3 이동제한부재(7340) 및 제4 이동제한부재(7350)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the second
보다 구체적으로, 통과부(7122)의 가로방향 폭을 넓히기 위해 제2 폭조절부(7300)를 조절하는 과정에서 제3 랙 기어(7331)의 일측이 제3 이동제한부재(7340)에 접촉되면 통과부(7122)의 가로방향 폭이 더 이상 넓혀지지 않도록 제3 랙 기어(7331) 및 제4 랙 기어(7332)의 이동을 제한하고, 통과부(7122)의 가로방향 폭을 좁히기 위해 제2 폭조절부(7300)를 조절하는 과정에서 제4 랙 기어(7332)의 일측이 제4 이동제한부재(7350)에 접촉되면 통과부(7122)의 세로방향 폭이 더 이상 좁혀지지 않도록 제3 랙 기어(7331) 및 제4 랙 기어(7332)의 이동을 제한하게 된다.More specifically, when one side of the
본 발명의 일 실시예에 따른 연결부재(7400)는 빔 조사 면적 조절플레이트(7100)를 본딩헤드(5100)와 함께 이동시키기 위하여 일측이 빔 조사 면적 조절플레이트(7100)와 연결되고 타측이 본딩헤드 이송유닛(6000)의 제3 구동부(6300)와 연결시킬 수 있다.In order to move the beam irradiation
그러나, 당업자라면 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치가 상술한 연결부재(7400)를 구비하지 않는 빔 조사 면적 조절유닛(7000)을 제1 컨베이어 모듈(2100) 및 제2 컨베이어 모듈(2200)의 본딩 위치 상부에 각각 개별적으로 제공할 수도 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다. 이 경우, 본딩헤드 이송유닛(6000)을 이용하여 본딩헤드(5100)를 상기 제1 컨베이어 모듈(2100) 및 제2 컨베이어 모듈(2200)의 본딩 위치 상부에 각각 개별적으로 제공되는 빔 조사 면적 조절유닛(7000) 상의 교대로 이송하여 본딩 공정을 수행할 수 있다.However, those skilled in the art may use the
그 결과, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 본딩장치는, 빔 조사 면적 조절유닛(7000)을 통해 본딩헤드(5100)로부터 조사되는 빔의 조사 면적을 조절함에 따라, 회로기판(10) 상에 배치된 복수의 반도체 칩(11) 중 일부만을 본딩시키거나 또는 다양한 사이즈의 회로기판(10)에 적용할 수 있게 된다.As a result, the laser bonding apparatus according to an embodiment of the present invention, by adjusting the irradiation area of the beam irradiated from the
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 회로기판 공급유닛에 의해 반도체 칩이 배치된 회로기판을 제1 컨베이어 모듈 및 제2 컨베이어 모듈 측으로 교대로 공급함에 따라 공정 시간을 최대한 줄일 수 있다.As described above, in the laser bonding apparatus according to the embodiment of the present invention, the circuit board on which the semiconductor chips are disposed is alternately supplied by the circuit board supply unit to the side of the first conveyor module and the second conveyor module, thereby maximizing the process time. Can be reduced.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 수평 조절유닛에 의해 회로기판의 수평을 조절할 수 있도록 함으로써, 복수의 반도체 칩과 회로기판의 본딩 정밀도를 최대한 향상시킬 수 있다.In addition, the laser bonding apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention enables the horizontal adjustment of the circuit board by the horizontal adjustment unit, thereby maximizing bonding accuracy between a plurality of semiconductor chips and a circuit board.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 빔 조사 면적 조절유닛에 의해 레이저 빔의 조사 면적을 조절할 수 있도록 함으로써, 회로기판에 배치된 복수의 반도체 칩 중 일부만을 본딩시킬 수 있는 것과 동시에 다양한 사이즈의 회로기판에 적용할 수 있다.In addition, the laser bonding apparatus according to the embodiment of the present invention allows the irradiation area of the laser beam to be adjusted by the beam irradiation area control unit, so that only some of the plurality of semiconductor chips disposed on the circuit board can be bonded, and at the same time, various It can be applied to the size of the circuit board.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 회로기판 공급유닛에 의해 반도체 칩이 배치된 회로기판을 제1 컨베이어 모듈 및 제2 컨베이어 모듈 측으로 교대로 공급함에 따라 공정 시간을 최대한 줄일 수 있다.In addition, the laser bonding apparatus according to an embodiment of the present invention can reduce the processing time as much as possible by alternately supplying the circuit board on which the semiconductor chips are disposed by the circuit board supply unit to the side of the first conveyor module and the second conveyor module.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 본딩장치는 열화상 카메라에 의해 레이저 빔이 조사되는 회로기판 측의 온도를 측정함으로써, 본딩온도가 적정한지에 대한 여부를 확인할 수 있다.In addition, the laser bonding apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention can determine whether the bonding temperature is appropriate by measuring the temperature of the circuit board to which the laser beam is irradiated by the thermal imaging camera.
이상으로 본 발명에 관하여 실시예를 들어 설명하였지만 반드시 이에 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서는 얼마든지 수정 및 변형 실시가 가능하다. The embodiments have been described above with respect to the present invention, but the present invention is not limited thereto, and modifications and variations can be implemented within the scope of the technical idea of the present invention.
10: 회로기판 11: 반도체 칩
1000: 지지대 2000: 회로기판 이송유닛
2100: 제1 컨베이어 모듈 2110: 제1 컨베이어부
2120: 제2 컨베이어부 2130: 제1 컨베이어 구동부
2131: 제1 컨베이어 구동축 2132: 제1 컨베이어 구동모터
2200: 제2 컨베이어 모듈 2210: 제3 컨베이어부
2220: 제4 컨베이어부 2230: 제2 컨베이어 구동부
3000: 회로기판 공급유닛 3100: 제3 컨베이어 모듈
3110: 제5 컨베이어부 3120: 제6 컨베이어부
3130: 제3 컨베이어 구동부 3200: 제3 컨베이어 모듈 이송부
4000: 수평 조절유닛 4100: 수평 조절틀
4200: 수평 조절지그 4210: 수평 조절창
4300: 회로기판 이동실린더 5100: 본딩헤드
5200: 비전카메라 5300: 열화상 카메라
600: 본딩헤드 이송유닛 6100: 제1 구동부
6200: 제2 구동부 6300: 제3 구동부
7000: 빔 조사 면적 조절유닛 7100: 빔 조사 면적 조절플레이트
7110: 상부공간 7122: 통과부
7200: 제1 폭조절부 7210: 제1 폭조절바
7220: 제2 폭조절바 7230: 제1 폭조절 구동부
7231: 제1 랙 기어 7232: 제2 랙 기어
7233: 제1 피니언 기어 7234: 제1 구동모터
7240: 제1 이동제한부재 7250: 제2 이동제한부재
7300: 제2 폭조절부 7310: 제3 폭조절바
7320: 제4 폭조절바 7330: 제2 폭조절 구동부
7331: 제3 랙 기어 7332: 제4 랙 기어
7333: 제2 피니언 기어 7340: 제3 이동제한부재
7350: 제4 이동제한부재 7400: 연결부재10: circuit board 11: semiconductor chip
1000: support 2000: circuit board transfer unit
2100: first conveyor module 2110: first conveyor unit
2120: second conveyor unit 2130: first conveyor driving unit
2131: first conveyor drive shaft 2132: first conveyor drive motor
2200: second conveyor module 2210: third conveyor unit
2220: fourth conveyor unit 2230: second conveyor driving unit
3000: circuit board supply unit 3100: third conveyor module
3110: fifth conveyor unit 3120: sixth conveyor unit
3130: third conveyor drive unit 3200: third conveyor module transfer unit
4000: leveling unit 4100: leveling frame
4200: leveling jig 4210: leveling window
4300: circuit board moving cylinder 5100: bonding head
5200: vision camera 5300: thermal imaging camera
600: bonding head transfer unit 6100: first driving unit
6200: second driving unit 6300: third driving unit
7000: beam irradiation area adjustment unit 7100: beam irradiation area adjustment plate
7110: upper space 7122: passage
7200: first width adjustment unit 7210: first width adjustment bar
7220: second width adjustment bar 7230: first width adjustment driving unit
7231: first rack gear 7232: second rack gear
7233: first pinion gear 7234: first drive motor
7240: first movement limiting member 7250: second movement limiting member
7300: second width adjustment unit 7310: third width adjustment bar
7320: fourth width adjustment bar 7330: second width adjustment driving unit
7331: third rack gear 7332: fourth rack gear
7333: second pinion gear 7340: third movement limiting member
7350: fourth movement limiting member 7400: connecting member
Claims (14)
지지대의 상측에 배치되며, 공급되는 상기 회로기판 상에 배치된 상기 복수의 반도체 칩을 본딩 위치로 이송하도록 상기 회로기판을 지지하면서 이송시키는 회로기판 이송유닛;
상기 회로기판 이송유닛의 상측에 배치되며, 상기 본딩 위치로 이송된 상기 회로기판을 향해 레이저 빔을 조사하여 상기 반도체 칩과 상기 회로기판을 본딩시키기 위한 본딩헤드;
상기 지지대 상에 배치되며, 상기 본딩헤드를 X, Y 및 Z 축 방향으로 이송시키는 본딩헤드 이송유닛; 및
상기 본딩헤드의 하측에 배치되며, 상기 본딩헤드와 함께 이동하면서 상기 본딩헤드로부터 조사되는 레이저 빔의 조사 면적을 조절하는 빔 조사 면적 조절유닛을 포함하는
레이저 본딩장치.In the laser bonding apparatus for bonding a plurality of semiconductor chips disposed on a circuit board,
A circuit board transfer unit disposed on an upper side of the support and supporting and transferring the plurality of semiconductor chips disposed on the supplied circuit board to a bonding position;
A bonding head disposed above the circuit board transfer unit and configured to bond the semiconductor chip and the circuit board by irradiating a laser beam toward the circuit board transferred to the bonding position;
A bonding head transfer unit disposed on the support and transferring the bonding head in the X, Y and Z axis directions; And
It is disposed under the bonding head, and includes a beam irradiation area control unit for adjusting the irradiation area of the laser beam irradiated from the bonding head while moving together with the bonding head
Laser bonding device.
상기 회로기판 이송유닛은,
상기 회로기판의 일측을 지지하면서 이송시키는 제1 컨베이어부와, 상기 제1 컨베이어부로부터 일정간격 이격되게 배치되어 상기 회로기판의 타측을 지지하면서 이송시키는 제2 컨베이어부, 및 상기 제1 컨베이어부와 상기 제2 컨베이어부를 구동시키기 위한 제1 컨베이어 구동부로 구성되는 제1 컨베이어 모듈을 포함하는 레이저 본딩장치.The method of claim 1,
The circuit board transfer unit,
A first conveyor unit for transporting while supporting one side of the circuit board, a second conveyor unit disposed at a predetermined interval from the first conveyor unit to transfer while supporting the other side of the circuit board, and the first conveyor unit A laser bonding apparatus comprising a first conveyor module configured as a first conveyor driving unit for driving the second conveyor unit.
상기 제1 컨베이어 모듈에 의해 상기 본딩 위치로 이송된 상기 회로기판의 수평을 조절하기 위한 수평 조절유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 본딩장치.The method of claim 2,
The laser bonding apparatus further comprising a horizontal adjustment unit for adjusting the level of the circuit board transferred to the bonding position by the first conveyor module.
상기 수평 조절유닛은,
상기 제1 컨베이어 모듈의 상측에 배치되는 수평 조절틀;
상기 수평 조절틀 상에 배치되며, 상기 회로기판의 수평을 조절하기 위해 상기 회로기판이 밀착되는 적어도 하나의 수평 조절창이 마련된 수평 조절지그; 및
상기 회로기판을 상하방향으로 이송시키는 회로기판 이송실린더를 포함하는 레이저 본딩장치.The method of claim 3,
The horizontal adjustment unit,
A horizontal adjustment frame disposed on the upper side of the first conveyor module;
A horizontal adjustment jig disposed on the horizontal adjustment frame and provided with at least one horizontal adjustment window to which the circuit board is in close contact to adjust the level of the circuit board; And
Laser bonding apparatus comprising a circuit board transfer cylinder for transferring the circuit board in the vertical direction.
상기 빔 조사 면적 조절유닛은,
상부공간을 가지도록 형성되며, 상부면의 일정영역서 상기 레이저 빔이 통과되는 통과부가 마련된 빔 조사 면적 조절플레이트;
상기 상부공간에 마련되며, 상기 통과부의 세로방향 폭을 조절하는 제1 폭조절부;
상기 상부공간에 마련되되 상기 제1 폭조절부의 설치방향에 대해 수직 방향으로 마련되어, 상기 통과부의 가로방향 폭을 조절하는 제2 폭조절부; 및
상기 빔 조사 면적 조절플레이트를 상기 본딩헤드와 함께 이동시키기 위하여 일측이 상기 빔 조사 면적 조절플레이트와 연결되고 타측이 상기 본딩헤드 이송유닛과 연결되는 연결부재를 포함하는 레이저 본딩장치.The method of claim 1,
The beam irradiation area adjustment unit,
A beam irradiation area control plate formed to have an upper space and provided with a passage portion through which the laser beam passes;
A first width adjustment part provided in the upper space and adjusting a vertical width of the passage part;
A second width adjusting part provided in the upper space and provided in a direction perpendicular to the installation direction of the first width adjusting part, and adjusting a width of the passage part in a horizontal direction; And
In order to move the beam irradiation area control plate together with the bonding head, one side of the beam irradiation area control plate and the other side of the bonding head transfer unit are connected to the connecting member.
상기 제1 폭조절부는,
상기 통과부 상에서 가로방향으로 배치되는 제1 폭조절바;
상기 통과부 상에서 상기 제1 폭조절바와 나란하게 배치되며, 상기 제1 폭조절바의 이동 시 상대 이동하면서 상기 제1 폭조절바와 함께 상기 통과부의 세로방향 폭을 조절하는 제2 폭조절바; 및
상기 제1 폭조절바와 상기 제2 폭조절바를 상대 이동시키기 위한 제1 폭조절 구동부를 포함하는 레이저 본딩장치.The method of claim 5,
The first width adjustment unit,
A first width adjustment bar disposed in a horizontal direction on the passage portion;
A second width adjustment bar disposed in parallel with the first width adjustment bar on the passage portion, and adjusting a vertical width of the passage portion together with the first width adjustment bar while moving relative to the first width adjustment bar; And
A laser bonding apparatus comprising a first width adjustment driving unit for moving the first width adjustment bar and the second width adjustment bar relative to each other.
상기 제1 폭조절 구동부는,
상기 제1 폭조절바의 일측과 연결되어 상기 제1 폭조절바를 이동시키기 위한 제1 랙 기어;
상기 제2 폭조절바의 일측과 연결되어 상기 제2 폭조절바를 이동시키는 제2 랙 기어; 및
상기 제1 랙 기어 및 상기 제2 랙 기어와 기어 결합되며, 제1 구동모터의 회전에 의해 회전되어 상기 제1 랙 기어와 상기 제2 랙 기어를 상대적으로 직선 왕복 이동시키는 제1 피니언 기어를 포함하는 레이저 본딩장치.The method of claim 6,
The first width adjustment driving unit,
A first rack gear connected to one side of the first width adjustment bar to move the first width adjustment bar;
A second rack gear connected to one side of the second width adjustment bar to move the second width adjustment bar; And
And a first pinion gear that is gear-coupled with the first rack gear and the second rack gear and rotates by rotation of a first drive motor to relatively linearly reciprocate the first rack gear and the second rack gear Laser bonding device.
상기 제1 폭조절부는,
상기 빔 조사 면적 조절플레이트 상에 마련되어, 상기 제1 랙 기어 및 상기 제2 랙 기어의 이동을 각각 제한하는 제1 이동제한부재 및 제2 이동제한부재를 더 포함하는 레이저 본딩장치. The method of claim 7,
The first width adjustment unit,
A laser bonding apparatus further comprising a first movement limiting member and a second movement limiting member provided on the beam irradiation area control plate and respectively limiting movements of the first rack gear and the second rack gear.
상기 제2 폭조절부는,
상기 통과부 상에서 세로방향으로 배치되는 제3 폭조절바;
상기 통과부 상에서 상기 제3 폭조절바와 나란하게 배치되며, 상기 제3 폭조절바에 대해 상대 이동하면서 상기 제3 폭조절바와 함께 상기 통과부의 가로방향 폭을 조절하는 제4 폭조절바; 및
상기 제3 폭조절바와 상기 제4 폭조절바를 상대 이동시키기 위한 제2 폭조절 구동부를 포함하는 레이저 본딩장치.The method of claim 5,
The second width adjustment unit,
A third width adjustment bar disposed vertically on the passage portion;
A fourth width adjustment bar disposed in parallel with the third width adjustment bar on the passage part, and adjusting a horizontal width of the passage part together with the third width adjustment bar while moving relative to the third width adjustment bar; And
A laser bonding apparatus comprising a second width adjustment driving unit for moving the third width adjustment bar and the fourth width adjustment bar relative to each other.
상기 제2 폭조절 구동부는,
상기 제3 폭조절바의 일측과 연결되어 상기 제3 폭조절부를 이동시키기 위한 제3 랙 기어;
상기 제4 폭조절바의 일측과 연결되어 상기 제4 폭조절부를 이동시키는 제4 랙 기어; 및
상기 제3 랙 기어 및 상기 제4 랙 기어와 기어 결합되며, 제2 구동모터의 회전에 의해 회전되어 상기 제3 랙 기어와 상기 제4 랙 기어를 상대 직선 이동시키기는 제2 피니언 기어를 포함하는 레이저 본딩장치.The method of claim 9,
The second width adjustment driving unit,
A third rack gear connected to one side of the third width adjusting bar to move the third width adjusting part;
A fourth rack gear connected to one side of the fourth width adjusting bar to move the fourth width adjusting part; And
And a second pinion gear that is gear-coupled with the third rack gear and the fourth rack gear, and is rotated by the rotation of a second drive motor to move the third rack gear and the fourth rack gear in a relative straight line. Laser bonding device.
상기 본딩헤드의 일측에 배치되며, 상기 회로기판에 형성된 얼라인 마크를 인식하여 상기 회로기판의 얼라인 상태를 확인하는 비전카메라; 및
상기 본딩헤드의 일측에 배치되며, 상기 반도체 칩과 상기 회로기판이 본딩되는 과정에서 상기 회로기판 측의 온도를 측정하는 열화상 카메라를 더 포함하는 레이저 본딩장치. The method of claim 1,
A vision camera disposed on one side of the bonding head and recognizing an alignment mark formed on the circuit board to check an alignment state of the circuit board; And
The laser bonding apparatus further comprises a thermal imaging camera disposed on one side of the bonding head and measuring a temperature of the circuit board side while the semiconductor chip and the circuit board are bonded.
상기 회로기판 이송유닛은,
상기 제1 컨베이어 모듈로부터 일정간격 이격되게 배치되되, 상기 회로기판의 일측을 지지하면서 이송시키는 제3 컨베이어부, 상기 제3 컨베이어부로부터 일정간격 이격되게 배치되어 상기 회로기판의 타측을 지지하면서 이송시키는 제4 컨베이어부, 및 상기 제3 컨베이어부와 상기 제4 컨베이어부를 구동시키기 위한 제2 컨베이어 구동부로 구성되는 제2 컨베이어 모듈을 더 포함하는 레이저 본딩장치.The method of claim 2,
The circuit board transfer unit,
A third conveyor unit disposed at a predetermined interval from the first conveyor module and transporting while supporting one side of the circuit board, and a third conveyor unit disposed at a predetermined interval from the third conveyor unit and transferring while supporting the other side of the circuit board A laser bonding apparatus further comprising a second conveyor module comprising a fourth conveyor unit, and a second conveyor driving unit for driving the third conveyor unit and the fourth conveyor unit.
상기 복수의 반도체 칩이 배치된 회로기판을 상기 제1 및 제2 컨베이어 모듈 측으로 교대로 공급하기 위한 회로기판 공급유닛을 더 포함하는 레이저 본딩장치.The method of claim 12,
A laser bonding apparatus further comprising a circuit board supply unit for alternately supplying the circuit boards on which the plurality of semiconductor chips are disposed to the first and second conveyor modules.
상기 빔 조사 면적 조절유닛이 상기 제1 컨베이어 모듈 및 상기 제2 컨베이어 모듈의 본딩 위치 상부에 각각 개별적으로 제공되고,
상기 본딩헤드는 상기 본딩헤드 이송유닛에 의해 상기 개별적으로 제공되는 상기 빔 조사 면적 조절유닛 상에 교대로 이송되는 것을 특징으로 하는 레이저 본딩장치.The method of claim 12,
The beam irradiation area control unit is provided individually above the bonding position of the first conveyor module and the second conveyor module, respectively,
The bonding head is a laser bonding apparatus, characterized in that alternately transferred on the beam irradiation area control unit provided separately by the bonding head transfer unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190070590A KR20200142953A (en) | 2019-06-14 | 2019-06-14 | Laser bonding apparatus |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020190070590A KR20200142953A (en) | 2019-06-14 | 2019-06-14 | Laser bonding apparatus |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200142953A true KR20200142953A (en) | 2020-12-23 |
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ID=74089184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020190070590A KR20200142953A (en) | 2019-06-14 | 2019-06-14 | Laser bonding apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20200142953A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112872912A (en) * | 2021-03-10 | 2021-06-01 | 江苏安全技术职业学院 | High-automation numerical control machine tool |
KR20230009005A (en) | 2021-07-08 | 2023-01-17 | 주식회사 엠아이이큅먼트코리아 | A precise pressing device for flip chip bonding |
KR20230024511A (en) | 2021-08-12 | 2023-02-21 | 주식회사 엠아이이큅먼트코리아 | A flip chip laser assisted bonder with precise pressing device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090131863A (en) | 2008-06-19 | 2009-12-30 | 주식회사 탑 엔지니어링 | Apparatus for bonding of flip chip |
-
2019
- 2019-06-14 KR KR1020190070590A patent/KR20200142953A/en active IP Right Grant
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---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112872912A (en) * | 2021-03-10 | 2021-06-01 | 江苏安全技术职业学院 | High-automation numerical control machine tool |
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