KR20200132653A - Photosensitive soluble polyimide resin composition and protective film using the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition including: (a) an alkali solution-soluble polyimide resin represented by chemical formula (I) and used at 45-65 wt% based on the total solid content of the composition; (b) alkali solution-soluble inorganic powder used at 25-50 wt% based on the total solid content of the composition and having a particle size of 0.1-10 micrometers; and (c) a photoinitiator used at 1-10 wt% based on the total solid content of the composition. In chemical formula (I), Ar_1 represents a tetravalent organic group; Ar_2 represents a divalent organic group; Ar_3 represents a divalent organic group; and Ar_4 represents a divalent organic group including a group represented by structural formula 1, wherein R is H or methyl, and each of m, n and o independently represents any one integer of 10-600. After the polyimide resin composition according to the present invention is subjected to processes, such as photosensitizing, baking, or the like, the photosensitive polyimide resin layer may be dissolved and removed through dipping in an alkali solvent.

Description

감광형 가용성 폴리이미드 수지 조성물 및 이를 응용한 보호 필름{PHOTOSENSITIVE SOLUBLE POLYIMIDE RESIN COMPOSITION AND PROTECTIVE FILM USING THE SAME}A photosensitive soluble polyimide resin composition and a protective film using the same TECHNICAL FIELD {PHOTOSENSITIVE SOLUBLE POLYIMIDE RESIN COMPOSITION AND PROTECTIVE FILM USING THE SAME}

본 발명은 회로 기판 제조 공정을 위한 보호 재료의 기술 분야에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 감광형 가용성 폴리이미드 수지 조성물 및 이를 응용한 보호 필름에 관한 것이다.The present invention relates to the technical field of a protective material for a circuit board manufacturing process, and more particularly, to a photosensitive soluble polyimide resin composition and a protective film using the same.

인쇄 회로 기판 관련 공정 기술이 빠르게 발전하고 있으며, 초기의 경성 인쇄 회로 기판(PCB) 설계 방식에서 연성 인쇄 회로 기판(FPC)의 구조 설계로 발전하였다. 이 과정에서 가볍고 얇은 전자 제품, 특히 휴대용 전자 제품에 대한 사람들의 수요가 보다 강해졌다. 휴대전화, 태블릿 PC, 건강 팔찌, 디지털 카메라 등 일상용품은 모두 3차원 공간으로 구부릴 수 있는 연성 인쇄 회로 기판의 기능을 사용하여 제품의 부피와 무게를 크게 줄였으며 제품의 부가가치도 증가시켰다.Printed circuit board-related process technology is rapidly developing, and it has evolved from the initial rigid printed circuit board (PCB) design method to the flexible printed circuit board (FPC) structure design. In this process, people's demand for light and thin electronic products, especially portable electronic products, has grown stronger. Everyday items such as mobile phones, tablet PCs, health bracelets, and digital cameras all use the function of a flexible printed circuit board that can be bent into a three-dimensional space, greatly reducing the volume and weight of the product and increasing the added value of the product.

연성 인쇄 회로 기판은 상기와 같이 많은 장점을 갖고 있지만, 여전히 종래의 경성 인쇄 회로 기판을 완전히 대체하지 못한다. 주된 이유는 경성 인쇄 회로 기판은 치수 안정성이 우수하기 때문이다. 커패시터, 레지스터 및 인덕터 등과 같은 수동 소자는 연성 또는 강성 인쇄 회로 기판 상에 동시에 응용할 수 있지만 드라이버 IC, 카메라 모듈 등과 같은 보다 정밀한 구성 요소의 경우, 이 구성 요소를 경성 인쇄 회로 기판 상에 결합해 제품 안정성을 높여야 한다. 따라서 후기에 소위 연경성 결합 기판의 회로 기판 구조가 개발되었다. 즉 연성 기판과 경성 기판의 장점을 결합해 연성과 경성 인쇄 회로 기판을 동일한 회로 기판 상에 통합함으로써 정밀한 구성 요소를 경성 기판 영역에 거치시키는 동시에 연성 기판의 3차원 공간으로 구부릴 수 있는 장점을 이용하여 전체 구조를 최소화시키는 목적을 구현하였다. 연경성 결합 기판의 응용은 갈수록 광범위해지고 있으며 회로 기판 영역에서 매년 생산되는 연경성 결합 기판의 수는 상당히 많다. 따라서 연경성 결합 기판 제조 공정에서 발생하는 수율 손실, 비용 증가 등과 같은 문제들에 대한 관심이 증가하고 있다.Although the flexible printed circuit board has many advantages as described above, it still does not completely replace the conventional rigid printed circuit board. The main reason is that the rigid printed circuit board has excellent dimensional stability. Passive elements such as capacitors, resistors and inductors can be applied simultaneously on flexible or rigid printed circuit boards, but for more precise components such as driver ICs and camera modules, these components can be combined on rigid printed circuit boards to ensure product stability. Should be raised. Therefore, in the later period, a circuit board structure of a so-called flexible bonded board was developed. In other words, by combining the advantages of a flexible substrate and a rigid substrate, by integrating a flexible and rigid printed circuit board on the same circuit board, precise components can be mounted on the rigid substrate area and bent into a three-dimensional space of the flexible substrate. The purpose of minimizing the overall structure was implemented. The applications of flexible bonded boards are becoming more and more widespread, and the number of flexible bonded boards produced annually in the circuit board area is quite large. Therefore, there is increasing interest in problems such as yield loss and cost increase occurring in the manufacturing process of a flexible bonded substrate.

엄밀히 말하면, 연성 및 경성 인쇄 회로 기판은 두 가지가 매우 다른 제품이며, 최종 기능과 특징에 큰 차이가 있는 것 외에 양자의 제조 공정에도 큰 차이가 있다. 이는 연경성 결합 기판을 제작하는 과정에서 두 가지 다른 것을 하나로 결합해야 하므로 더 많은 비용을 지불해야 한다. 일반적으로 종래의 연경성 결합 기판의 제조 공정의 경우, 연성 인쇄 회로 기판 부분을 먼저 완성한 후, 상기 연성 기판을 경성 기판 제조 공정에서 가공해야 한다. 제조 공정에는 고온, 고압, 산성 및 알칼리성 용액 등의 처리 프로세스가 포함되는데, 이 때 이미 완성된 연성 기판 부분은 이러한 과정을 마친 후 통상적으로 어느 정도 마모가 발생할 수 있으며 심지어 더 이상 사용할 수 없는 상황에 이를 수 있다.Strictly speaking, flexible and rigid printed circuit boards are two very different products, and in addition to having a large difference in final functions and features, there are also large differences in the manufacturing processes of both. This has to pay more because two different things have to be combined into one in the process of manufacturing the flexible bonded substrate. In general, in the case of a conventional manufacturing process of a flexible bonded substrate, the flexible printed circuit board portion is first completed, and then the flexible substrate must be processed in a rigid substrate manufacturing process. The manufacturing process includes processing processes such as high temperature, high pressure, acidic and alkaline solutions, in which case the already completed flexible substrate part may typically undergo some abrasion after completing this process, even in situations where it is no longer usable. You can do this.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 회로 기판 제조사는 통상적으로 경성 기판을 제조하기 전에 먼저 연성 기판 부분을 보호층으로 덮고, 전체 경성 기판 제조 공정 종료 후 다시 상기 보호층을 제거한다. 그러나 보호층의 작업 프로세스가 매우 번거롭기 때문에 반드시 에폭시 수지 접착제, 폴리이미드 필름, 이형지 등과 같은 재료를 결합하고 여러 차례의 열간 프레싱, 몰드 성형 등 프로세스를 통하여 상기 보호층의 형상을 제작한다. 상기 보호층은 이중층 구조이며 상층은 폴리이미드 필름이고 하층은 에폭시 수지 접착층이고, 상기 접착층은 폴리이미드 필름의 주변에만 분포되며 가장자리를 따라 너비가 비교적 좁은 접착층을 형성한다. 이 보호층이 열간 프레싱에 의해 연성 기판 표면에 적층될 때, 주변 접착층은 접합된 연성 기판의 가장자리에 부착될 수 있고, 보호 필름의 다른 부분은 접착층에 의해 부착되지 않은 폴리이미드 필름이고 열간 프레싱으로 인해 점성을 가지지 않으며 Tg 값이 300℃ 이상에 달하기 때문에 연성 기판의 다른 부분에 접착되지 않아 연성 기판 영역을 완전히 밀봉시킬 수 있으며, 경성 기판 제조 과정 중 산, 알칼리 용액이 연성 기판 영역으로 침투하는 것을 방지할 수 있거나, 주석-납 탱크를 통과할 때 접착층에 의해 밀봉된 연성 기판 영역은 주석, 납에 의해 침식되거나 오염되지 않는다.In order to solve the above problems, a circuit board manufacturer typically covers a portion of a flexible substrate with a protective layer before manufacturing a rigid substrate, and removes the protective layer again after the entire rigid substrate manufacturing process is completed. However, since the working process of the protective layer is very cumbersome, materials such as epoxy resin adhesive, polyimide film, and release paper must be combined and the shape of the protective layer is manufactured through several processes such as hot pressing and mold molding. The protective layer has a double-layer structure, the upper layer is a polyimide film, and the lower layer is an epoxy resin adhesive layer, and the adhesive layer is distributed only around the polyimide film and forms an adhesive layer having a relatively narrow width along the edge. When this protective layer is laminated on the surface of the flexible substrate by hot pressing, the peripheral adhesive layer can be attached to the edge of the bonded flexible substrate, and the other part of the protective film is a polyimide film that is not attached by the adhesive layer and is hot pressing. Because it does not have viscosity and the Tg value reaches 300℃ or higher, it is not adhered to other parts of the flexible substrate, so it is possible to completely seal the flexible substrate area. During the manufacturing process of the rigid substrate, acid and alkali solutions penetrate into the flexible substrate area. Or the flexible substrate area sealed by the adhesive layer when passing through the tin-lead tank is not eroded or contaminated by tin, lead.

연성 기판 보호층은 제작 프로세스가 복잡하고 재료 비용이 높은 것 외에도 현 단계에서는 품질 문제에 직면하고 있다. 회로 기판의 설계가 날로 복잡해짐에 따라 연성 기판 보호층의 부피, 면적에 대한 기준이 점점 작고 정교해지고 있다. 보호 층 주위의 접착층 또한 열간 프레싱 시의 유동성을 낮춰 에폭시 수지 겔이 다른 기능성 영역으로 흘러들어가 회로 기판 선로 또는 구성 요소를 오염시키는 것을 방지해야 한다. 그러나 보호층은 열간 프레싱을 이용하여 접착층을 연화시키고 접착성을 생성함으로써 제작하기 때문에 어느 정도의 유동성을 가져야만 연성 기판 영역을 완전히 밀봉할 수 있다. 접착층의 유동성은 연성 기판의 밀봉 정도와 상당한 양의 상관관계(positive correlation)를 갖는 것을 알 수 있으며, 현 단계에서의 보호층은 접착층의 낮은 유동성 및 우수한 밀봉성의 기능을 동시에 고려할 수 없다.In addition to the complex fabrication process and high material cost, the flexible substrate protective layer faces quality problems at this stage. As circuit board designs become increasingly complex, standards for the volume and area of the flexible substrate protective layer are becoming smaller and more sophisticated. The adhesive layer around the protective layer should also lower the fluidity during hot pressing to prevent the epoxy resin gel from flowing into other functional areas and contaminating circuit board lines or components. However, since the protective layer is manufactured by softening the adhesive layer using hot pressing and generating adhesiveness, it is only possible to completely seal the flexible substrate region only if it has some degree of fluidity. It can be seen that the fluidity of the adhesive layer has a significant positive correlation with the sealing degree of the flexible substrate, and the protective layer at the present stage cannot take into account the functions of low fluidity and excellent sealing properties of the adhesive layer at the same time.

감광성 폴리이미드(PSPI) 수지는 광선 노출을 이용해 성형되며, 성형 후 제품의 외관 치수 정밀도가 매우 높고, 폴리이미드는 높은 내열성 및 내용제성을 갖는다. 현재 시판되는 PSPI는 회로 기판 선로 보호 기능에만 사용되며 PSPI 수지는 광 노출, 현상, 건조 및 베이킹 등 제조 공정을 거쳐 선로 상에 제거될 수 없는 영구적인 보호 필름을 형성할 수 있다. 출원번호가 201510273707.4, 201810173588.9, 201710660813.7 및 201710634007.2인 중국 특허에서는 다른 PSPI 수지를 개시하였으며, 이러한 수지는 감광성 또는 열전도성을 갖지만 알칼리 용해성은 갖지 못한다.Photosensitive polyimide (PSPI) resin is molded using exposure to light, and after molding, the external dimension precision of the product is very high, and polyimide has high heat resistance and solvent resistance. Currently commercially available PSPI is used only for circuit board line protection functions, and PSPI resin can form a permanent protective film that cannot be removed on the line through manufacturing processes such as light exposure, development, drying and baking. In Chinese patents with application numbers 201510273707.4, 201810173588.9, 201710660813.7 and 201710634007.2, other PSPI resins are disclosed, and these resins have photosensitive or thermal conductivity, but do not have alkali solubility.

상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은 감광형 가용성 폴리이미드 수지 조성물 및 이를 응용한 보호 필름을 제공하는 데에 있으며, 본 발명의 폴리이미드 수지 조성물은 감광, 베이킹 등의 제조 공정을 거친 후 다시 알칼리 용매에 침지함으로써 상기 감광형 폴리이미드 수지층을 용해하여 제거하며, 상기 기술적 특징을 통해 전자 제품 제조 공정 중의 보호 효과를 구현하고 제조 공정 종료 후에도 전자 제품에 잔류하지 않는다.In order to solve the above technical problem, an object of the present invention is to provide a photosensitive soluble polyimide resin composition and a protective film using the same, and the polyimide resin composition of the present invention undergoes manufacturing processes such as photosensitive, baking, etc. Then, the photosensitive polyimide resin layer is dissolved and removed by immersing it in an alkaline solvent again, and through the above technical characteristics, a protective effect is realized during the electronic product manufacturing process and does not remain in the electronic product even after the manufacturing process is finished.

본 발명의 첫 번째 목적은 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물을 제공하는 것이며, 여기에는 용매에 균일하게 분산되는The first object of the present invention is to provide an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition, which is uniformly dispersed in a solvent.

(a) 알칼리 용액 가용성의 식 (I)로 표시되며 조성물 중 고체 총 중량의 45% 내지 65%를 차지하는 폴리이미드 수지;(a) a polyimide resin represented by the formula (I) of alkali solution solubility and accounting for 45% to 65% of the total weight of solids in the composition;

Figure pat00001
Figure pat00001

여기에서 Ar1은 4가 유기기이고, Ar2는 2가 유기기이고, Ar3는 2가 유기기이고, Ar4

Figure pat00002
기를 함유하는 2가 유기기이고, 여기에서 R은 수소 또는 메틸이고,Here, Ar 1 is a tetravalent organic group, Ar 2 is a divalent organic group, Ar 3 is a divalent organic group, Ar 4 is
Figure pat00002
Is a divalent organic group containing a group, wherein R is hydrogen or methyl,

m, n 및 o는 각각 독립적으로 10 내지 600으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 정수이고,m, n and o are each independently any one integer selected from the group consisting of 10 to 600,

(b) 조성물 중 고체 총 중량의 25% 내지 50%를 차지하고 입경이 0.1㎛ 내지 10㎛인 알칼리 용액 가용성의 무기분체; 및 (b) an inorganic powder soluble in an alkali solution occupying 25% to 50% of the total weight of the solid in the composition and having a particle diameter of 0.1 μm to 10 μm; And

(c) 조성물 중 고체 총 중량의 1% 내지 10%를 차지하는 광개시제를 포함한다.(c) It comprises a photoinitiator which accounts for 1% to 10% of the total weight of the solid in the composition.

본 발명의 보다 바람직한 방안에 있어서, 상기 수지 조성물은 상기 조성물 중 고체 중량의 0% 내지 5%를, 비교적 바람직하게는 2% 내지 15%를 차지하는 아크릴산 수지계 광가교제를 더 포함한다. 광가교제는 광 노출 후 산을 생성하여 산 촉매 가교 메커니즘을 형성한다. 광가교제는 광 노출 후 일정 파장의 광 에너지를 흡수하여 자유기를 생성하며, 상응하는 단량체 또는 프리폴리머의 중합을 유발 또는 촉매하여 가교를 형성한다. 광가교제의 용량이 조성물 중 고체 총 중량의 15%를 초과할 경우 현상성이 비교적 떨어지게 된다.In a more preferred method of the present invention, the resin composition further comprises an acrylic acid resin-based photocrosslinking agent which accounts for 0% to 5%, and relatively preferably 2% to 15% of the solid weight in the composition. The photocrosslinker generates an acid after light exposure to form an acid-catalyzed crosslinking mechanism. The photocrosslinker absorbs light energy of a certain wavelength after exposure to light to generate free groups, and causes or catalyzes polymerization of a corresponding monomer or prepolymer to form a crosslink. When the dose of the photocrosslinking agent exceeds 15% of the total weight of the solid in the composition, developability is relatively poor.

본 발명의 보다 바람직한 방안에 있어서, 상기 수지 조성물은 상기 조성물 중 고체 총 중량의 0% 내지 15%, 비교적 바람직하게는 2% 내지 15%를 차지하는 열가교제를 더 포함하고, 상기 열가교제는 페놀계 화합물, 알콕시메틸아민(alkoxymethylamine) 수지 및 에폭시 수지 중 하나 이상을 포함한다. 열가교제의 첨가는 폴리이미드 분자 사슬이 광 노출 베이킹 동안 열가교제와 가교 구조를 형성하지 않도록 한다. 열가교제의 주요 목적은 노출 후 경질 소성 동안 산 촉매 및 열 처리를 통해 폴리이미드 주쇄 -OH기 또는 말단 -OH기의 오르토(ortho)와 가교되어 광이 노출된 영역과 노출되지 않은 영역이 용해도 차이를 발생시켜 패턴이 빠르게 형성되도록 하는 것이다. 열가교제의 용량이 조성물 중 고체 총 중량의 15%를 초과할 경우 알칼리를 용해하여 제거하기가 비교적 어려워진다.In a more preferred method of the present invention, the resin composition further comprises a thermal crosslinking agent accounting for 0% to 15%, relatively preferably 2% to 15% of the total weight of the solid in the composition, and the thermal crosslinking agent is phenolic Compounds, alkoxymethylamine resins, and epoxy resins. The addition of the thermal crosslinking agent prevents the polyimide molecular chain from forming a crosslinked structure with the thermal crosslinking agent during light exposure baking. The main purpose of the thermal crosslinking agent is to crosslink with ortho of the main chain -OH group or terminal -OH group of the polyimide through acid catalyst and heat treatment during hard firing after exposure, so that the solubility difference between the exposed and unexposed areas Is to be generated so that the pattern is formed quickly. When the dosage of the thermal crosslinking agent exceeds 15% of the total weight of the solids in the composition, it becomes relatively difficult to dissolve and remove the alkali.

광가교제 및 열가교제를 첨가하여 생성되는 가교 구조는 폴리이미드 수지 조성물의 현상성 및 성막성을 증가시킬 수 있다.The crosslinked structure generated by adding a photocrosslinking agent and a thermal crosslinking agent can increase developability and film-forming properties of the polyimide resin composition.

본 발명의 보다 바람직한 방안에 있어서, 폴리이미드 수지 중의 Ar1은 4가 유기기이고, 그의 주쇄 부분은 지방족 고리기를 포함할 수 있거나 방향족 고리기를 포함할 수 있으나, 이하 기(group) 중 하나에 제한되지 않는다.In a more preferred method of the present invention, Ar 1 in the polyimide resin is a tetravalent organic group, and its main chain portion may include an aliphatic cyclic group or an aromatic cyclic group, but is limited to one of the following groups. It doesn't work.

Figure pat00003
Figure pat00003

본 발명의 보다 바람직한 방안에 있어서, 폴리이미드 수지 중의 Ar2

Figure pat00004
기이며, 여기에서 q는 같거나 다르고, 각각 독립적으로 0 내지 5로 이루어진 군 중 어느 하나의 정수이고, p는 0 내지 20으로 이루어진 군 중 어느 하나의 정수이다.In a more preferred method of the present invention, Ar 2 in the polyimide resin is
Figure pat00004
Is a group, wherein q is the same or different, and each independently is an integer of any one of the group consisting of 0 to 5, and p is an integer of any one of the group consisting of 0 to 20.

보다 바람직하게는, p=0 내지 10이고, Ar2 사슬이 너무 길 경우, 식 (I)로 표시되는 폴리이미드 수지의 기계적 특성 및 열 성능이 파괴될 수 있다.More preferably, p=0 to 10, and when the Ar 2 chain is too long, the mechanical properties and thermal performance of the polyimide resin represented by formula (I) may be destroyed.

본 발명의 보다 바람직한 방안에 있어서, 폴리이미드 수지 중의 Ar3은 이하 기 중의 하나이다.In a more preferred method of the present invention, Ar 3 in the polyimide resin is one of the following groups.

Figure pat00005
Figure pat00005

Ar3은 2가 유기기이고, 그 주쇄 부분에 페놀기 또는 카르복실기를 갖고, 페놀기 또는 카르복실기의 함량은 식 (I)로 표시되는 폴리이미드 수지 몰수의 약 10% 내지 30%이다. 분지쇄 페놀기 또는 카르복실기의 함량을 조정하면 현상 시간을 제어할 수 있으며, 분지쇄 페놀기 또는 카르복실기의 함량이 비교적 높을 경우, 알칼리 현상액의 식 (I)로 표시되는 폴리이미드 수지에 대한 용해성이 비교적 우수해져 그 현상성이 개선될 수 있다.Ar 3 is a divalent organic group, has a phenol group or a carboxyl group in its main chain portion, and the content of the phenol group or carboxyl group is about 10% to 30% of the number of moles of the polyimide resin represented by formula (I). The development time can be controlled by adjusting the content of the branched phenol group or carboxyl group, and if the content of the branched chain phenol group or carboxyl group is relatively high, the solubility of the alkali developer in the polyimide resin represented by formula (I) is relatively high. It becomes excellent and its developability can be improved.

본 발명의 보다 바람직한 방안에 있어서, 폴리이미드 수지 중의 Ar4는 이하 기 중의 하나이고,In a more preferred method of the present invention, Ar 4 in the polyimide resin is one of the following groups,

Figure pat00006
Figure pat00006

여기에서 R*

Figure pat00007
기를 포함하는 유기기이고, 여기에서 R은 수소 또는 메틸이다.Where R * is
Figure pat00007
It is an organic group containing a group, wherein R is hydrogen or methyl.

상기 구조식에서 *은 다른 기가 상기 기에 연결된 경우의 연결 부위를 표시한 것이다.In the above structural formula, * indicates a linking site when another group is connected to the group.

식 (I)로 표시되는 폴리이미드 수지의 합성 단계는 적정량의 디아민(diamine) 단량체(Ar2 함유)와 디안하이드라이드(dianhydride) 단량체를 N-메틸피롤리돈 (N-methylpyrrolidone, NMP)에 용해시키고, 80℃에서 2시간 반응시킬 때 자일렌(xylene)을 첨가하며 180℃까지 가열하여 증류시킨다. 다시 페놀기 또는 카르복실기를 포함하는 디아민 단량체를 첨가하고, 80℃에서 2시간 반응시킬 때 자일렌을 첨가하며 180℃까지 가열하여 증류시키고, 약 4시간 후에 이를 냉각시킨다.In the synthesis step of the polyimide resin represented by formula (I), an appropriate amount of diamine monomer (containing Ar 2 ) and dianhydride monomer are dissolved in N-methylpyrrolidone (NMP). Then, when reacting at 80° C. for 2 hours, xylene is added and heated to 180° C. for distillation. A diamine monomer containing a phenol group or a carboxyl group is added again, and when the reaction is performed at 80° C. for 2 hours, xylene is added, heated to 180° C., distilled, and cooled after about 4 hours.

알칼리 용액 가용성의 감광형 폴리이미드 수지 조성물의 제조 방법은 상기에서 제조된 감광성 폴리이미드 콜로이드를 취하여 무기분체, 광개시제, 광가교제 및 열가교제를 첨가하여 얻을 수 있으며, 여기에서 광가교제 및 열가교제는 선택적으로 첨가할 수 있다.The method of preparing an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition can be obtained by taking the photosensitive polyimide colloid prepared above and adding an inorganic powder, a photoinitiator, a photocrosslinking agent and a thermal crosslinking agent, wherein the photocrosslinking agent and the thermal crosslinking agent are optional. Can be added as.

본 발명의 보다 바람직한 방안에 있어서, 상기 수지 조성물 중의 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide), γ-부티로락톤(γ-butyrolactone), 자일렌 및 톨루엔(toluene) 중 하나 이상을 포함하나 이에 제한되지 않는다.In a more preferred method of the present invention, the solvent in the resin composition is N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide (N,N-dimethylacetamide), γ-butyrolactone (γ-butyrolactone) , Xylene and toluene, but is not limited thereto.

본 발명의 보다 바람직한 방안에 있어서, 상기 수지 조성물 중의 광개시제는 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide), 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드(2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide) 중 하나 이상을 포함하나 이에 제한되지 않는다.In a more preferred method of the present invention, the photoinitiator in the resin composition is bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide (bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide), 2,4 ,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide (2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide) including, but not limited to, one or more of.

본 발명의 보다 바람직한 방안에 있어서, 상기 수지 조성물 중의 무기분체는 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 이산화규소 중 하나 이상을 포함하나 이에 제한되지 않는다.In a more preferred method of the present invention, the inorganic powder in the resin composition includes, but is not limited to, one or more of aluminum oxide, aluminum hydroxide, and silicon dioxide.

본 발명의 보다 바람직한 방안에 있어서, 용매는 조성물 중 고체 총 질량의 60% 내지 90%를 차지한다.In a more preferred solution of the present invention, the solvent accounts for 60% to 90% of the total mass of solids in the composition.

본 발명의 두 번째 목적은 알칼리 용액 가용성 보호 필름의 제조 방법을 제공하는 것이며, 여기에는 이하 단계가 포함된다.A second object of the present invention is to provide a method for producing an alkali solution-soluble protective film, which includes the following steps.

본 발명의 상기 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물을 기재 상에 코팅하고, 90℃ 내지 120℃에서 표면 건조하고, 광 노출 후 알칼리 용액을 이용하여 현상을 진행하거나, 또는 표면 건조 후 140℃ 내지 200℃에서 가열하여 알칼리 용액 가용성 보호 필름을 수득할 수 있다.The alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition of the present invention is coated on a substrate, surface-dried at 90°C to 120°C, and development is performed using an alkali solution after exposure to light, or from 140°C after surface drying. The alkali solution-soluble protective film can be obtained by heating at 200°C.

본 발명의 세 번째 목적은 상기 제조 방법으로 제조한 알칼리 용액 가용성 보호 필름을 제공하는 것이다.A third object of the present invention is to provide an alkali solution-soluble protective film prepared by the above production method.

본 발명의 방법에 의해 제조된 보호 필름은 회로 기판 제조 공정 중의 보호 재료로 사용될 수 있으며, 이는 알칼리 용해성과 내열성을 갖는다.The protective film produced by the method of the present invention can be used as a protective material in a circuit board manufacturing process, which has alkali solubility and heat resistance.

본 발명의 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물은 감광 후 경화된 수지층에서 최소 공경이 75㎛인 복수개의 기공 패턴을 형성할 수 있다.The alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition of the present invention may form a plurality of pore patterns having a minimum pore diameter of 75 μm in the cured resin layer after photosensitization.

본 발명의 수지 조성물은 보호 필름을 형성한 후 임의의 전자 제품을 위한 보호 재료로서 사용될 수 있으며, 제조 과정 동안 또는 제조 공정이 완료된 후 수지 조성물을 전부 또는 일부 제거할 수 있어 전자 제품의 다양한 응용 목적을 구현할 수 있다.The resin composition of the present invention can be used as a protective material for any electronic product after forming the protective film, and the resin composition can be completely or partially removed during the manufacturing process or after the manufacturing process is completed, so that various application purposes of electronic products Can be implemented.

상기 방안을 통하여 본 발명은 적어도 이하의 장점을 갖는다.Through the above solution, the present invention has at least the following advantages.

본 발명은 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물을 제공하며, 상기 조성물은 광 노출, 현상, 건조 및 베이킹 등의 공정을 거쳐 경화된 수지층이 얻어지고, 상기 수지층은 알칼리성 용매를 이용해 침지 및 용해하여 상기 수지층이 보호물체 표면으로부터 제거될 수 있으며, 상기 기술적 특징을 통해 제조 공정 중 전자 제품을 보호할 수 있으며 제조 공정이 종료된 후에도 전자 제품에 잔류하지 않는다.The present invention provides an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition, wherein the composition is subjected to processes such as light exposure, development, drying and baking to obtain a cured resin layer, and the resin layer is immersed using an alkaline solvent and By dissolving, the resin layer can be removed from the surface of the protective object, and through the above technical characteristics, the electronic product can be protected during the manufacturing process, and it does not remain on the electronic product even after the manufacturing process is finished.

상기 설명은 본 발명의 기술방안을 개괄적으로 설명한 것일 뿐이며, 본 발명의 기술적 수단에 대해 보다 명확하게 이해하고 명세서의 내용에 따라 구현할 수 있도록 만들기 위하여 이하에서는 본 발명의 비교적 바람직한 실시예와 첨부 도면을 이용해 상세히 설명한다.The above description is only a general description of the technical solution of the present invention, and in order to more clearly understand the technical means of the present invention and to be able to implement it according to the contents of the specification, the following is a comparatively preferred embodiment of the present invention and the accompanying drawings. It will be described in detail using.

도 1은 실시예 6에서 수지 조성물의 FT-IR 스펙트럼이다.
도 2는 실시예 4에서 수지 조성물의 FT-IR 스펙트럼이다.
1 is an FT-IR spectrum of a resin composition in Example 6.
2 is an FT-IR spectrum of a resin composition in Example 4.

이하에서는 첨부 도면 및 실시예를 참조하여 본 발명의 구체적인 실시방식을 보다 상세하게 설명한다. 이하 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 것으로 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.Hereinafter, a specific embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings and embodiments. The following examples are intended to illustrate the present invention and do not limit the scope of the present invention.

실시예 1Example 1

기계식 교반기와 질소 유입구가 장착된 500mL 3구 둥근 바닥 플라스크를 취하고, 19.88g(80mmol)의 비스(3-아미노프로필)]폴리디메틸실록산(Bis-(3-aminopropyl)]polydimethylsiloxane), 80.7g N-메틸피롤리돈(NMP), 39.68g(160mmol) 비시클로[2,2,2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실릭디안하이드라이드(Bicyclo[2,2,2]oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylicdianhydride)를 첨가한다. 상기 용액을 50℃ 내지 80℃에서 2시간 동안 반응시킨 후, 자일렌 45g을 첨가하여 180℃까지 승온시킨 후 1.5시간 동안 계속 교반한 다음, 12.172g(80mmol) 3,5-디아미노벤조산(3,5-Diaminobenzoic acid)을 첨가하고, 상기 용액을 50℃ 내지 80℃에서 2시간 동안 반응시킨 후, 자일렌 45g을 첨가하여 180℃까지 승온시킨 후 4시간 동안 계속 교반한다. 냉각 후 PIA-1 용액을 수득할 수 있다. PIA-1 용액 50g을 취하고, 11.38g 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate, GMA)를 첨가하고 70℃ 내지 100℃에서 24시간 동안 교반하여 식 (I)로 표시되는 감광성 폴리이미드 수지 PSPI-A1을 수득할 수 있다.Take a 500 mL 3-neck round bottom flask equipped with a mechanical stirrer and nitrogen inlet, and 19.88 g (80 mmol) bis(3-aminopropyl)]polydimethylsiloxane (Bis-(3-aminopropyl)]polydimethylsiloxane), 80.7 g N- Methylpyrrolidone (NMP), 39.68g (160mmol) Bicyclo[2,2,2]oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride (Bicyclo[2,2, 2]oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylicdianhydride) is added. After reacting the solution at 50° C. to 80° C. for 2 hours, 45 g of xylene was added and the temperature was raised to 180° C., followed by stirring for 1.5 hours, and then 12.172 g (80 mmol) 3,5-diaminobenzoic acid (3 ,5-Diaminobenzoic acid) was added, and the solution was reacted at 50°C to 80°C for 2 hours, and then 45g of xylene was added to raise the temperature to 180°C, followed by stirring for 4 hours. After cooling, a PIA-1 solution can be obtained. Take 50 g of the PIA-1 solution, add 11.38 g glycidyl methacrylate (GMA) and stir at 70° C. to 100° C. for 24 hours, and the photosensitive polyimide resin PSPI-A1 represented by Formula (I) Can be obtained.

Figure pat00008
Figure pat00008

여기에서 Ar1

Figure pat00009
이고, Ar2
Figure pat00010
이고, p=0이고, Ar3
Figure pat00011
이고, Ar4
Figure pat00012
이고, m=n+o=80이다.Where Ar 1 is
Figure pat00009
And Ar 2 is
Figure pat00010
And p=0, and Ar 3 is
Figure pat00011
And Ar 4 is
Figure pat00012
And m=n+o=80.

실시예 2Example 2

기계식 교반기와 질소 유입구가 장착된 500mL 3구 둥근 바닥 플라스크를 취하고, 19.88g(80mmol)의 비스(3-아미노프로필)]폴리디메틸실록산(Bis-(3-aminopropyl)]polydimethylsiloxane), 80.7g NMP, 26.17g(160mmol) 벤젠-1,2,4,5-테트라카르복실릭디안하이드라이드(Benzene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride)를 첨가하고, 상기 용액을 50℃ 내지 80℃에서 2시간 동안 반응시킨 후, 자일렌 45g을 첨가하여 180℃까지 승온시킨 후 1.5시간 동안 계속 교반한 다음, 12.172g(80mmol) 3,5-디아미노벤조산(3,5-Diaminobenzoic acid)을 첨가하고, 상기 용액을 50℃내지 80℃에서 2시간 동안 반응시킨 후, 자일렌 45g을 첨가하여 180℃까지 승온시킨 후 4시간 동안 계속 교반한다. 냉각 후 PIA-2 용액을 수득할 수 있다. PIA-2 용액 50g을 취하고, 11.38g GMA를 첨가하고 70℃ 내지 100℃에서 24시간 동안 교반하여 식 (I)로 표시되는 감광성 폴리이미드 수지 PSPI-A2를 수득할 수 있다.Take a 500 mL 3-neck round bottom flask equipped with a mechanical stirrer and a nitrogen inlet, 19.88 g (80 mmol) bis(3-aminopropyl)]polydimethylsiloxane (Bis-(3-aminopropyl)]polydimethylsiloxane), 80.7 g NMP, 26.17g (160mmol) benzene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride (Benzene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride) was added, and the solution was added at 50℃ to 80℃ for 2 After reacting for a period of time, 45 g of xylene was added and the temperature was raised to 180° C., followed by stirring for 1.5 hours, and then 12.172 g (80 mmol) 3,5-diaminobenzoic acid was added, After reacting the solution at 50° C. to 80° C. for 2 hours, 45 g of xylene was added to raise the temperature to 180° C., and stirring was continued for 4 hours. After cooling, a PIA-2 solution can be obtained. 50 g of the PIA-2 solution was taken, 11.38 g of GMA was added and stirred at 70° C. to 100° C. for 24 hours to obtain a photosensitive polyimide resin PSPI-A2 represented by Formula (I).

Figure pat00013
Figure pat00013

여기에서 Ar1

Figure pat00014
이고, Ar2
Figure pat00015
이고, p=0이고, Ar3
Figure pat00016
이고, Ar4
Figure pat00017
이고, m=n+o=80이다.Where Ar 1 is
Figure pat00014
And Ar 2 is
Figure pat00015
And p=0, and Ar 3 is
Figure pat00016
And Ar 4 is
Figure pat00017
And m=n+o=80.

실시예 3Example 3

기계식 교반기와 질소 유입구가 장착된 500mL 3구 둥근 바닥 플라스크를 취하고, 144.29g(80mmol)의 비스(3-아미노프로필)]폴리디메틸실록산(Bis-(3-aminopropyl)]polydimethylsiloxane)(그 사슬 구간 길이가 실시예2와 다름), 80.7g NMP, 26.17g(160mmol) 벤젠-1,2,4,5-테트라카르복실릭디안하이드라이드(Benzene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride)를 첨가하고, 상기 용액을 50℃ 내지 80℃에서 2시간 동안 반응시킨 후, 자일렌 45g을 첨가하여 180℃까지 승온시킨 후 1.5시간 동안 계속 교반한 다음, 12.172g(80mmol) 3,5-디아미노벤조산(3,5-Diaminobenzoic acid)을 첨가하고, 상기 용액을 50℃ 내지 80℃에서 2시간 동안 반응시킨 후, 자일렌 45g을 첨가하여 180℃까지 승온시킨 후 4시간 동안 계속 교반한다. 냉각 후 PIA-3 용액을 수득할 수 있다. PIA-3 용액 50g을 취하고, 11.38g GMA를 첨가하고 70℃ 내지 100℃에서 24시간 동안 교반하여 식 (I)로 표시되는 감광성 폴리이미드 수지 PSPI-A3을 수득할 수 있다.Take a 500 mL 3-neck round bottom flask equipped with a mechanical stirrer and nitrogen inlet, and take 144.29 g (80 mmol) bis (3-aminopropyl)] polydimethylsiloxane (Bis- (3-aminopropyl)] polydimethylsiloxane) (the length of the chain section Is different from Example 2), 80.7g NMP, 26.17g (160mmol) benzene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride (Benzene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride) was added Then, after reacting the solution at 50°C to 80°C for 2 hours, 45g of xylene was added and the temperature was raised to 180°C, followed by stirring for 1.5 hours, and then 12.172g (80mmol) 3,5-diaminobenzoic acid. (3,5-Diaminobenzoic acid) was added, and the solution was reacted at 50°C to 80°C for 2 hours, and then 45 g of xylene was added to raise the temperature to 180°C, followed by stirring for 4 hours. After cooling, a PIA-3 solution can be obtained. 50 g of the PIA-3 solution was taken, 11.38 g of GMA was added and stirred at 70° C. to 100° C. for 24 hours to obtain a photosensitive polyimide resin PSPI-A3 represented by the formula (I).

Figure pat00018
Figure pat00018

여기에서 Ar1

Figure pat00019
이고, Ar2
Figure pat00020
이고, p=25이고, Ar3
Figure pat00021
이고, Ar4
Figure pat00022
이고, m=n+o=80이다.Where Ar 1 is
Figure pat00019
And Ar 2 is
Figure pat00020
And p=25, and Ar 3 is
Figure pat00021
And Ar 4 is
Figure pat00022
And m=n+o=80.

실시예 4 내지 8 및 비교예 1 내지 5Examples 4 to 8 and Comparative Examples 1 to 5

표 1의 성분 조성에 따라 각 성분을 혼합하며, 표 1의 각 성분 함량은 조성물 중 고체 총 중량을 기준으로 하는 질량 백분율이다. 표 1의 각 성분 혼합물을 N-메틸피롤리돈에 용해시켜 고체 함량이 60%인 용액을 제조하여 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물을 형성하고, 이를 코팅액으로 사용한다.Each component is mixed according to the component composition in Table 1, and the content of each component in Table 1 is a mass percentage based on the total weight of solids in the composition. Each component mixture in Table 1 was dissolved in N-methylpyrrolidone to prepare a solution having a solid content of 60% to form an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition, which was used as a coating solution.

표 1에서 A1은 PSPI-A1, A2는 PSPI-A2, A3은 PSPI-A3, B1은 수산화알루미늄(4.0μm), B2는 이산화규소(2.0μm), C1은 Irgacure-819, D1은 PDBE-450A(NOF), D2는 Resin 828(EPON)을 나타낸다.In Table 1, A1 is PSPI-A1, A2 is PSPI-A2, A3 is PSPI-A3, B1 is aluminum hydroxide (4.0 μm), B2 is silicon dioxide (2.0 μm), C1 is Irgacure-819, D1 is PDBE-450A. (NOF), D2 stands for Resin 828 (EPON).

표 1 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물Table 1 Alkaline solution-soluble photosensitive polyimide resin composition

Figure pat00023
Figure pat00023

상기 수지 조성물의 패턴 형성성 시험 방법은 이하와 같다.The pattern formation test method of the resin composition is as follows.

상기 폴리이미드 수지 조성물을 동박 기재 상에 코팅한 후, 90℃에서 5분 동안 표면 건조시켜 필름을 제조하고 광 노출 후 다시 1wt% 탄산나트륨 수용액을 이용해 광 노출을 거친 감광성 수지 조성물층을 60초 동안 현상시킨다.After coating the polyimide resin composition on a copper foil substrate, surface drying at 90° C. for 5 minutes to prepare a film, and after exposure to light, the photosensitive resin composition layer subjected to light exposure using 1 wt% sodium carbonate aqueous solution again was developed for 60 seconds. Let it.

이하 기준으로 현상 후 필름이 에지 선명도가 우수한 선폭인지 평가한다. 감광성 수지 조성물층의 선폭이 작을수록 광을 조사한 부분과 광을 조사하지 않은 부분의 현상액에 대한 용해성 차이가 크다는 것을 의미하며, 이는 비교적 바람직한 결과를 획득했다는 것을 설명한다. 또한, 광 노출 에너지의 변화에 상대적으로 선폭의 변화가 작을수록 광 노출 위도가 넓어지는 것을 의미하며, 이는 비교적 바람직한 결과를 획득했다는 것을 설명한다. 광학 현미경으로 형성된 패턴을 관찰한 후 선폭/간격폭=100μm/100μm 이하의 미세한 선 패턴이 형성되는 경우는 A이고, 선폭/간격폭=100μm/100μm 초과의 미세한 선 패턴이 형성되는 경우는 B이다.Based on the following criteria, it is evaluated whether the film has excellent edge sharpness with a line width after development. The smaller the line width of the photosensitive resin composition layer means that the difference in solubility in the developer solution between the light-irradiated portion and the light-irradiated portion is large, which explains that relatively favorable results have been obtained. In addition, the smaller the change in the line width relative to the change in the light exposure energy, the wider the light exposure latitude, which explains that a relatively favorable result was obtained. After observing the pattern formed with an optical microscope, it is A when a fine line pattern of line width/interval width = 100 μm/100 μm or less is formed, and B when a fine line pattern of line width/interval width = 100 μm/100 μm or less is formed. .

알칼리 용해성 시험 방법은 이하와 같다.The alkali solubility test method is as follows.

폴리이미드 수지 조성물을 동박 기재 상에 코팅한 후 90℃에서 5분간 표면 건조시켜 필름을 제조하고, 이어서 200℃에서 1시간 동안 경질 소성 공정을 진행하여 막 두께가 약 15μm인 가용성 폴리이미드 필름을 수득할 수 있다.After coating the polyimide resin composition on a copper foil substrate, the film was prepared by surface drying at 90° C. for 5 minutes, followed by a hard firing process at 200° C. for 1 hour to obtain a soluble polyimide film having a film thickness of about 15 μm. can do.

이하 기준으로 폴리이미드 필름의 알칼리 용해성이 우수한지 여부를 평가하며, 가용성 폴리이미드 필름을 60℃ 5% NaOH에 침지시키고, 광학 현미경으로 가용성 폴리이미드 필름의 용해 시간을 관찰 및 기록한다. 1분 이내 침지시킬 때 가용성 폴리이미드 필름이 완전히 제거될 경우 상기 상황을 ◎로 표시하고, 1분 이상 3분 이하 침지시킬 때 가용성 폴리이미드 필름이 완전히 제거될 경우 상기 상황을 ○로 표시하고, 3분 이상 5분 이하 침지시킬 때 가용성 폴리이미드 필름이 완전히 제거될 경우 상기 상황을 △로 표시하고, 5분 이상 침지시켜도 표면에 폴리이미드 필름이 여전히 남아있을 경우 상기 상황을 X로 표시한다.Whether or not the polyimide film has excellent alkali solubility is evaluated based on the following criteria, the soluble polyimide film is immersed in 5% NaOH at 60° C., and the dissolution time of the soluble polyimide film is observed and recorded with an optical microscope. When the soluble polyimide film is completely removed when immersed within 1 minute, the above situation is indicated by ◎, and when the soluble polyimide film is completely removed when immersed for 1 minute or more and 3 minutes or less, the situation is indicated by ○, and 3 When the soluble polyimide film is completely removed when immersed for more than 5 minutes, the situation is indicated by △, and when the polyimide film still remains on the surface even after immersion for 5 minutes or more, the situation is indicated by X.

내열성 시험 방법은 이하와 같다.The heat resistance test method is as follows.

상기 폴리이미드 수지 조성물을 동박 기재 상에 코팅한 후 90 에서 5분간 표면 건조시켜 필름을 제조하고, 이어서 200℃에서 1시간 동안 경질 소성 공정을 진행하여 막 두께가 약 15μm의 가용성 폴리이미드 필름을 수득할 수 있다.The polyimide resin composition was coated on a copper foil substrate and then surface-dried for 5 minutes at 90 to prepare a film, followed by a hard firing process at 200° C. for 1 hour to obtain a soluble polyimide film having a thickness of about 15 μm. can do.

이하 기준으로 폴리이미드 필름이 우수한 내열성을 가지는지 여부를 평가하며, 가용성 폴리이미드 필름을 288℃ 주석로에 10초 동안 침지시킨 후 25℃ 환경에 10초간 방치하며 이를 3회 반복하여 기포가 생기는지 관찰하여 평가한다. 3회 이내 침지하여 기포가 관찰되지 않는 경우 ◎로 표시하고, 3회 이내 침지하여 기포가 관찰되는 경우 X로 표시한다.Evaluate whether the polyimide film has excellent heat resistance based on the following criteria. After immersing the soluble polyimide film in a tin furnace at 288°C for 10 seconds, leave it in an environment at 25°C for 10 seconds, and repeat this 3 times to observe whether bubbles are formed. To evaluate. If no bubbles are observed after being immersed within 3 times, it is marked with ◎, and when bubbles are observed after being immersed within 3 times, it is marked with X.

도 1은 실시예 6에서 수지 조성물의 FT-IR 스펙트럼이고, 여기에서 1019cm-1 지점의 피크는 Si-O-Si의 특성 파장 피크이다. 도 2는 실시예 4에서 수지 조성물의 FT-IR 스펙트럼이며, 여기에서 3526cm-1, 3425cm-1 및 3373cm-1 지점의 피크는 Al(OH)3의 특성 파장 피크이다.1 is an FT-IR spectrum of a resin composition in Example 6, wherein the peak at 1019 cm -1 is a characteristic wavelength peak of Si-O-Si. 2 is an FT-IR spectrum of the resin composition in Example 4, where the peaks at 3526cm -1 , 3425cm -1 and 3373cm -1 are characteristic wavelength peaks of Al(OH) 3 .

상기 설명은 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐이며 본 발명을 제한하지 않는다. 본 발명이 속한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않으면서 약간의 개선과 변형을 진행할 수 있으며, 이러한 개선과 변형은 본 발명의 보호 범위로 간주되어야 한다.The above description is only a preferred embodiment of the present invention and does not limit the present invention. Those of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains can make minor improvements and modifications without departing from the technical spirit of the present invention, and these improvements and modifications should be regarded as the protection scope of the present invention.

Claims (10)

용액에 균일하게 분산되는
(a) 알칼리 용액 가용성의 식 (I)로 표시되며 조성물 중 고체 총 중량의 45% 내지 65%를 차지하는 폴리이미드 수지; (b) 조성물 중 고체 총 중량의 25% 내지 50%를 차지하고 입경이 0.1㎛ 내지 10㎛인 알칼리 용액 가용성의 무기분체; 및 (c) 조성물 중 고체 총 중량의 1% 내지 10%를 차지하는 광개시제를 포함하고,
Figure pat00024

여기에서 Ar1은 4가 유기기이고, Ar2는 2가 유기기이고, Ar3는 2가 유기기이고, Ar4
Figure pat00025
기를 함유하는 2가 유기기이고, 여기에서 R은 수소 또는 메틸이고,
m, n 및 o는 각각 독립적으로 10 내지 600으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 정수인 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물.
Evenly distributed in the solution
(a) a polyimide resin represented by the formula (I) of alkali solution solubility and accounting for 45% to 65% of the total weight of solids in the composition; (b) an inorganic powder soluble in an alkali solution occupying 25% to 50% of the total weight of the solid in the composition and having a particle diameter of 0.1 μm to 10 μm; And (c) a photoinitiator that accounts for 1% to 10% of the total weight of solids in the composition,
Figure pat00024

Here, Ar 1 is a tetravalent organic group, Ar 2 is a divalent organic group, Ar 3 is a divalent organic group, and Ar 4 is
Figure pat00025
Is a divalent organic group containing a group, wherein R is hydrogen or methyl,
m, n and o are each independently an integer selected from the group consisting of 10 to 600, an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition.
제1항에 있어서,
상기 조성물 중 고체 총 중량의 0% 내지 15%를 차지하는 아크릴산 수지계 광가교제를 더 포함하는 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물.
The method of claim 1,
Alkaline solution-soluble photosensitive polyimide resin composition further comprising an acrylic acid resin-based photocrosslinking agent that accounts for 0% to 15% of the total weight of the solid in the composition.
제1항에 있어서,
상기 조성물 중 고체 총 중량의 0% 내지 15%를 차지하는 열가교제를 더 포함하고,
상기 열가교제는 페놀계 화합물, 알콕시메틸아민 수지 및 에폭시 수지 중 하나 이상을 포함하는 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물.
The method of claim 1,
Further comprising a thermal crosslinking agent occupying 0% to 15% of the total weight of the solid in the composition,
The thermal crosslinking agent is an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition comprising at least one of a phenolic compound, an alkoxymethylamine resin, and an epoxy resin.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar1은 이하 기 중의 하나인 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물.
Figure pat00026
The method according to any one of claims 1 to 3,
Ar 1 is an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition which is one of the following groups.
Figure pat00026
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar2
Figure pat00027
기이고,
여기에서 q는 각각 독립적으로 0 내지 5로 이루어진 군 중 어느 하나의 정수이고, p는 0 내지 20으로 이루어진 군 중 어느 하나의 정수인 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Ar 2 is
Figure pat00027
And
Here, q is each independently an integer of any one of the group consisting of 0 to 5, p is an integer of any one of the group consisting of 0 to 20, alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar3은 이하 기 중의 하나인 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물.
Figure pat00028
The method according to any one of claims 1 to 3,
Ar 3 is an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition which is one of the following groups.
Figure pat00028
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar4는 이하 기 중의 하나이고,
Figure pat00029

여기에서 R*은
Figure pat00030
기를 포함하는 유기기이고,
여기에서 R은 수소 또는 메틸인 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Ar 4 is one of the following groups,
Figure pat00029

Where R* is
Figure pat00030
It is an organic group containing a group,
Here, R is hydrogen or methyl, an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 용매는 조성물 중 고체 총 질량의 60% 내지 90%를 차지하는 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The solvent is an alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition that accounts for 60% to 90% of the total mass of the solid in the composition.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 알칼리 용액 가용성 감광형 폴리이미드 수지 조성물을 기재 상에 코팅하고, 90℃ 내지 120℃에서 표면 건조하고, 광 노출 후 알칼리 용액을 이용하여 현상을 진행하거나, 또는 표면 건조 후 140℃ 내지 200℃에서 가열하여 알칼리 용액 가용성 보호 필름을 수득하는 단계를 포함하는 알칼리 용액 가용성 보호 필름의 제조 방법.The alkali solution-soluble photosensitive polyimide resin composition of any one of claims 1 to 3 is coated on a substrate, surface-dried at 90°C to 120°C, and developing using an alkali solution after exposure to light, or Or after surface drying, heating at 140°C to 200°C to obtain an alkali solution-soluble protective film. 제9항의 제조 방법에 의해 제조되는 알칼리 용액 가용성 보호 필름.An alkali solution-soluble protective film produced by the production method of claim 9.
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US20180188651A1 (en) * 2017-01-03 2018-07-05 Taiflex Scientific Co., Ltd. Photosensitive composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030045797A (en) * 2000-10-16 2003-06-11 가네가후치 가가쿠 고교 가부시키가이샤 Photosensitive resin composition, solder resist comprising the same, cover lay film, and printed circuit board
US20180188651A1 (en) * 2017-01-03 2018-07-05 Taiflex Scientific Co., Ltd. Photosensitive composition

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