KR20200128890A - 화합물의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 출원은 Pd(OH)2/C촉매 및 엑스포스(Xphos)를 사용하는 탄소-탄소 결합을 포함하는 화합물의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 출원은 화합물의 제조방법에 관한 것이다.
탄소-탄소 결합을 형성시키는 반응은 유기 합성에서 매우 중요한 반응에 해당한다. 그 중 대표적인 것은 소노가시라(Sonogashira) 커플링 반응이다. 이 반응은 팔라듐(Pd) 촉매 뿐만 아니라 구리 (Cu) 조촉매를 사용하여 알킨 말단 부분과 아릴 또는 비닐 할로겐화물(halide)사이에 탄소 - 탄소 결합을 형성하는 것이다.
다만, 구리(Cu)를 조촉매로 사용하는 과정에서 부산물로 글레이저 호모커플링(Glaser homocoupling) 화합물을 만들고, 이는 생산물의 수율 저하를 가져온다. 이를 위해서 과량의 알킨을 사용해야 하는 문제점이 있다.
이를 해결하기 위하여, 구리 (Cu) 조촉매를 사용하지 않는 소노가시라(Sonogashira) 커플링 반응에 대한 연구가 필요한 상황이다.
본 출원은 소노가시라(Sonogashira) 커플링에서 구리(Cu) 조촉매의 사용 없이도 생성물의 수율을 확보하고, 불순물의 발생을 줄일 수 있는 화합물의 제조방법을 제공하고자 한다.
하기 화학식 1로 표시되는 화합물; Pd(OH)2/C촉매; 엑스포스(Xphos); 및 염기를 포함하는 혼합물 A를 준비하는 단계; 상기 혼합물 A에 용매를 첨가하여 혼합물 B를 준비하는 단계; 상기 혼합물 B에 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 첨가하여 혼합물 C를 준비하는 단계; 및 상기 혼합물 C를 승온하는 단계를 포함하는 하기 화학식 3의 화합물의 제조방법을 제공한다.
본 출원의 실시상태에 따른 화합물 제조방법을 사용하면, 구리 조촉매를 사용하지 않아 생산물의 수율이 높다.
본 출원의 실시상태에 따른 화합물 제조방법을 사용하면, 과량의 알킨을 사용할 필요가 없어서 제조비용 측면에서 경제적이다.
도 1 내지 5는 실시예 1 및 비교예 1 내지 4의 고속 액체 크로마토그래피(High-Performance Liquid Chromatography, HPLC) 분석 결과를 나타내는 도이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 '포함'한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, "엑스포스(Xphos)"란 바이페닐(biphenyl)에서 유래되는 포스핀 리간드(phosphine ligand)를 의미하며, 하기 화학식 A로 표시될 수 있다.
[화학식 A]
본 명세서에 있어서, "유래"란 화합물의 결합이 끊기거나, 치환기가 떨어져 나가면서 새로운 결합이 발생하는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, "염기"란 전자쌍을 제공할 수 있는 물질인 전자쌍 주개(electron pair donor)를 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물; Pd(OH)2/C촉매; 엑스포스(Xphos); 및 염기를 포함하는 혼합물 A를 준비하는 단계; 상기 혼합물 A에 용매를 첨가하여 혼합물 B를 준비하는 단계; 상기 혼합물 B에 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 첨가하여 혼합물 C를 준비하는 단계; 및 상기 혼합물 C를 승온하는 단계를 포함하는 하기 화학식 3의 화합물의 제조방법을 제공한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 화학식 1 내지 3에서,
X는 할로겐기이고, R1은 강한 전자 공여 그룹(strong electron donating group) 이고, R2는 강한 전자 유도 그룹(strong electron withdrawing group 이고, R3는 보통의 전자 유도 그룹(moderately electron withdrawing group)이며, R4는 아릴기 또는 -CH=CH2 이다.
상기 제조방법은 화합물의 탄소-탄소 결합이 형성되는 소노가시라(Sonogashira) 커플링 반응으로 볼 수 있다. 본 발명의 제조방법으로 화합물을 제조할 경우, 일반적인 소노가시라(Sonogashira) 커플링 반응과는 다르게, 구리 조촉매를 사용하지 않기 때문에, 부산물의 발생을 줄이고 생산물의 수율을 높일 수 있다. 게다가, 반응을 위해서 과량의 알킨을 사용할 필요가 없으므로 제조 비용 측면에서 경제적이다.
본 명세서에 있어서, 상기 "전자 공여 그룹(strong electron donating group)"이란, 분자 내에서 수소를 표준으로 할 때, 다른 곳에 전자를 주는 경향이 있는 기를 의미하며, "강한 전자 공여 그룹(strong electron donating group)" 이런 전자를 주는 경향이 상대적으로 큰 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 강한 전자 공여 그룹(strong electron donating group)은 -NH2, -NHRa, -NRbRc, -OH 또는 -ORd일 수 있다. 상기 Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 동일하거나 서로 다른 알킬기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 "전자 유도 그룹(strong electron withdrawing group)"이란, 분자 내에서 수소를 표준으로 할 때, 다른 곳에서 전자를 끌어당기는 경향이 있는 기를 의미하며, "강한 전자 유도 그룹(strong electron withdrawing group)" 이런 전자를 끌어당기는 경향이 큰 것을 의미하고, "보통의 전자 유도 그룹(strong electron withdrawing group)"이란 이런 전자를 끌어당기는 경향이 상대적으로 중간 정도에 해당하는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 강한 전자 유도 그룹(strong electron withdrawing group)은 -SO2CF3 -NH3 + -NReRfRg + -NO2, -SO3H, -SO3Rh, -C≡N 또는 -C(Xa)3 일 수 있고, 보통의 전자 유도 그룹(strong electron withdrawing group)은 -COXb, -CHO, -CORi, -CO2H, -CO2Rj, -CONH2, -CONHRk, 또는 -CONRlRm-일 수 있다. 상기 Re 내지 Rm은 각각 독립적으로 동일하거나 서로 다른 알킬기이고, 상기 Xa 및 Xb는 할로겐기이다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기는 F, Cl, Br, I 등일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 및 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트라이페닐레닐기, 페날레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 트리페닐렌기, 및 스피로벤조안트라센플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 F, Cl, Br 또는 I이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 Br 이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 -NH2, -NHRa, -NRbRc, -OH 또는 -ORd이고, 상기 Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 동일하거나 서로 다른 알킬기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 -NH2, -NHRa 또는 -NRbRc이고, Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 동일하거나 서로 다른 알킬기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 -NH2 이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 -SO2CF3 -NH3 + -NReRfRg + -NO2, -SO3H, -SO3Rh, -C≡N 또는 -C(Xa)3이고, 상기 Re 내지 Rh는 각각 독립적으로 동일하거나 서로 다른 알킬기이고, Xa 는 할로겐기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 -NO2이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3는 -COXb, -CHO, -CORi, -CO2H, -CO2Rj, -CONH2, -CONHRk, 또는 -CONRlRm이고, 상기 Ri 내지 Rm은 각각 독립적으로 동일하거나 서로 다른 알킬기이고, Xb 는 할로겐기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3는 -CO2H 또는 -CO2Rj이고, 상기 Ri는 알킬기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3는 -CO2H이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4는 페닐기 또는 -CH=CH2 이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4는 페닐기이다. 즉, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 페닐아세틸렌(Phenylacetylene)일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.
[화학식 4]
본 명세서에 있어서, 상기"Pd(OH)2/C촉매"는 촉매 담체에 해당하는 탄소(C) 담체 표면에 Pd(OH)2 입자가 포함되어 있는 촉매를 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 Pd(OH)2/C촉매는 탄소 담체 표면에 Pd(OH)2 입자를 1 중량% 내지 50 중량%, 바람직하게는 10 중량% 내지 30 wt%, 보다 바람직하게는 15 중량% 내지 25 중량% 포함할 수 있다. 상기 범위로 Pd(OH)2가 탄소 담체 표면에 포함되어 있는 경우에, 본 발명의 제조방법에 의한 생산물의 수율이 더욱 높아진다. 본 명세서에 있어서, 탄소 담체의 표면에 Pd(OH)2 입자를 20중량 %로 포함하는 경우 20 wt% Pd(OH)2/C로 표현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 Pd(OH)2/C 촉매는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 1 mol 기준 대비 0.01 mol 내지 0.1 mol, 바람직하게는 0.02 mol 내지 0.08 mol로 사용할 수 있다. 촉매가 상기 범위 내로 사용될 때, 본 발명의 제조방법에 의한 생산물의 수율이 더욱 높아진다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 엑스포스는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 1 mol 기준 대비 0.01 mol 내지 0.1 mol, 바람직하게는 0.02 mol 내지 0.08 mol로 사용할 수 있다. 엑스포스가 사용되어야 구리 조촉매의 사용 없이 본 발명의 제조방법이 가능하며, 상기 범위 내로 사용될 때, 생산물의 수율이 더욱 높아진다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 염기는 아민화합물일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 염기는 트리알킬아민일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 염기는 트리에틸아민일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 염기는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 1 mol 기준 대비 1 mol 내지 5 mol, 바람직하게는 2 mol 내지 4 mol로 사용할 수 있다. 염기가 상기 범위 내로 사용될 때, 본 발명의 제조방법에 의한 생산물의 수율이 더욱 높아진다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 혼합물 C를 준비하는 단계 전에 상기 혼합물 B를 승온하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 혼합물 B를 승온하는 단계의 최종 승온 온도는 50 ℃ 내지 90℃, 바람직하게는 65℃ 내지 85℃일 수 있다. 상기 온도 범위에서 반응이 더욱 효율적으로 이루어질 수 있다. 상기 승온하는 단계에서 승온 속도가 중요한 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 용매는 디메틸 설폭사이드(Dimethyl sulfoxide) 용매일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 용매는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 1 g 기준 5 ml 내지 20ml, 바람직하게는 5 ml 내지 15ml로 상기 혼합물 A에 첨가할 수 있다. 용매가 상기 범위 내로 혼합물 A에 첨가될 때, 본 발명의 제조방법에 의한 생산물의 수율이 더욱 높아진다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 상기 혼합물 C를 승온하는 단계의 최종 승온 온도는 75℃ 내지 130℃, 바람직하게는 80℃ 내지 125℃ 일 수 있다. 상기 온도 범위에서 불순물이 적게 발생하고, 반응이 더욱 효율적으로 이루어질 수 있다. 상기 승온하는 단계에서 승온 속도가 중요한 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 1 mol 기준 0.5 mol 내지 5mol, 바람직하게는 1 mol 내지 3mol로 승온된 혼합물 B에 첨가할 수 있다. 상기 화학식 2로 표시되는 화합물이 상기 범위 내로 승온된 혼합물 B에 첨가될 때, 본 발명의 제조방법에 의한 생산물의 수율이 더욱 높아진다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
<실시예 및 비교예> - 최종 화합물(생성물)의 제조
<실시예 1>
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 상기 제조예에서 제조한 출발물질(화합물 1), 20 wt% Pd(OH)2/C 촉매 및 엑스포스를 투입하여 혼합물을 제조하였다. 상기 20 wt% Pd(OH)2/C 및 상기 엑스포스의 함량은 상기 출발 물질 1 mol 기준으로 각각 0.05 mol씩 투입하였다. 이후, 상기 혼합물에 용매인 디메틸 설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO)와 염기인 트리에틸아민(Triethylamine, TEA)를 상기 플라스크에 첨가한 후 이를 교반하였다. 상기 디메틸 설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO)의 함량은 상기 출발 물질 1 g 기준으로 7ml를 첨가하였고, 상기 트리에틸아민(Triethylamine, TEA) 의 함량은 상기 출발 물질 1 mol 기준으로 3 mol의 양을 첨가하였다. 이 후, 반응기 온도를 80℃로 승온한 후, 페닐아세틸렌(Phenylacetylene, PA) (화합물 2)를 상기 출발 물질 1 mol 기준으로 1.5mol 첨가하였다. 페닐아세틸렌(Phenylacetylene, PA)를 첨가한 이후 다시 반응기의 온도를 120℃까지 승온하고, 2시간 동안 교반하여 생성물(화합물 3)을 제조하였다.
<비교예 1>
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 상기 제조예에서 제조한 출발물질(화합물 1), Pd(dppf)Cl2CH2Cl2 촉매 및 CuI 조촉매를 투입하여 혼합물을 제조하였다. 상기 Pd(dppf)Cl2CH2Cl2 촉매 및 상기 CuI 조촉매의 함량은 상기 출발 물질 1 mol 기준으로 각각 0.03 mol씩 투입하였다. 이후, 상기 혼합물에 용매인 1, 4-디옥세인(1, 4-Dioxane)과 염기인 트리에틸아민(Triethylamine, TEA)를 상기 플라스크에 첨가한 후 이를 교반하였다. 상기 1, 4-디옥세인(1, 4-Dioxane)의 함량은 상기 출발 물질 1 g 기준으로 6ml를 첨가하였고, 상기 트리에틸아민(Triethylamine, TEA) 의 함량은 상기 출발 물질 1 mol 기준으로 3 mol의 양을 첨가하였다. 이 후, 반응기 온도를 70℃로 승온한 후, 페닐아세틸렌(Phenylacetylene, PA) (화합물 2)를 상기 출발 물질 1 mol 기준으로 2.5mol 첨가하였다. 페닐아세틸렌(Phenylacetylene, PA)를 첨가한 이후 다시 반응기의 온도를 80℃까지 승온하고, 2시간 동안 교반하여 생성물(화합물 3)을 제조하였다.
<비교예 2>
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 상기 제조예에서 제조한 출발물질(화합물 1), 20 wt% Pd(OH)2/C 촉매 및 CuI 조촉매를 투입하여 혼합물을 제조하였다. 상기 20 wt% Pd(OH)2/C 촉매 및 상기 CuI 조촉매의 함량은 상기 출발 물질 1 mol 기준으로 각각 0.05 mol 및 0.003 mol씩 투입하였다. 이 후, 상기 혼합물에 용매인 1, 4-디옥세인(1, 4-Dioxane)과 염기인 트리에틸아민(Triethylamine, TEA)를 상기 플라스크에 첨가한 후 이를 교반하였다. 상기 1, 4-디옥세인(1, 4-Dioxane)의 함량은 상기 출발 물질 1 g 기준으로 10ml를 첨가하였고, 상기 트리에틸아민(Triethylamine, TEA) 의 함량은 상기 출발 물질 1 mol 기준으로 1.5 mol의 양을 첨가하였다. 이 후, 반응기 온도를 70℃로 승온한 후, 페닐아세틸렌(Phenylacetylene, PA) (화합물 2)를 상기 출발 물질 1 mol 기준으로 2.5mol 첨가하였다. 페닐아세틸렌(Phenylacetylene, PA)를 첨가한 이후 다시 반응기의 온도를 80℃까지 승온하고, 5시간 동안 교반하여 생성물(화합물 3)을 제조하였다.
<비교예 3>
리간드 물질을 전혀 사용하지 않은 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 생성물(화합물 3)을 제조하였다.
<비교예 4>
리간드 물질을 엑스포스(Xphos) 출발물질(화합물 1) 1mol 기준 0.05 mol 사용한 것 대신에 트리시클로헥실포스핀(Tricyclohexylphosphine, PCy)을 출발물질(화합물 1) 1mol 기준 0.05 mol 사용하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 생성물(화합물 3)을 제조하였다.
실시예 1 및 비교예 1 내지 4의 물질 사용량은 하기 표 1에 정리하였다.
상기 표 1에서 촉매, 조촉매, 리간드, PA, 염기의 함량은 출발물질(화합물 1) 1 mol 기준으로 할 때의 mol 수를 의미한다.
<실험예>
반응 완료 후, 상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 4의 플라스크 내의 물질에 대한 고속 액체 크로마토그래피(High-Performance Liquid Chromatography, HPLC) 분석을 하였다. 구체적으로, Waters Alliance e2695 HPLC, UV detector(250nm)를 반응분석장치로 사용하였고, Shiseido, Capcellpak C18, UG120, 5μm, 4.6mm×250mm를 Column으로 사용하고, Acetonitrile(A) 및 H2O(B)를 각각 Solvent 및 Gradient로 사용하여 하기 표 2의 조건으로 분석하였다.
| Time(min) | Acetonitrile | H2O | Flow(ml) |
| 5 | 40 | 60 | 1 |
| 10 | 50 | 50 | 1 |
| 18 | 50 | 50 | 1 |
| 22 | 100 | 0 | 1 |
| 25 | 100 | 0 | 1 |
출발물질(화합물 1), 페닐아세틸렌(Phenylacetylene, PA) (화합물 2) 및 생성물(화합물 3)을 제외한 머무름 시간(Retention time) 20분 이상에서 나오는 성분은 불순물로 판단하였다. 비교예 3의 경우, 16시간을 추가적으로 교반한 후(총 교반 시간 18시간)에도 상기 표 2의 조건과 동일하게 HPLC 분석을 하였다.
그 결과를 하기 표 3에 정리하였다.
상기 표 3에서 총 반응 시간은 마지막 반응 물질을 첨가한 후의 교반 시간을 의미한다.
도 1, 2 및 3은 각각 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2의 HPLC 분석 결과를 나타내는 도이다. 도 4의 (a)는 비교예 3의 총 반응 시간이 2시간인 경우의 HPLC 분석 결과를 나타내는 도이고, 도 4의 (b)는 비교예 3의 총 반응 시간이 18시간인 경우의 HPLC 분석 결과를 나타내는 도이다. 도 5의 경우 비교예 4의 HPLC 분석 결과를 나타내는 도이다.
해당 결과를 통해, 20 wt% Pd(OH)2/C 촉매 및 엑스포스를 포함하는 실시예 1은 비교예 1 내지 4와 다르게, 조촉매인 CuI 없이도 생성물(화합물 3)의 수율이 좋고, 불순물이 적은 것을 확인할 수 있었다.
Claims (10)
- 하기 화학식 1로 표시되는 화합물; Pd(OH)2/C촉매; 엑스포스(Xphos); 및 염기를 포함하는 혼합물 A를 준비하는 단계;
상기 혼합물 A에 용매를 첨가하여 혼합물 B를 준비하는 단계;
상기 혼합물 B에 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 첨가하여 혼합물 C를 준비하는 단계; 및
상기 혼합물 C를 승온하는 단계를 포함하는 하기 화학식 3의 화합물의 제조방법:
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 화학식 1 내지 3에서,
X는 할로겐기이고,
R1은 강한 전자 공여 그룹(strong electron donating group) 이고,
R2는 강한 전자 유도 그룹(strong electron withdrawing group) 이고,
R3는 보통의 전자 유도 그룹(moderately electron withdrawing group)이며,
R4는 아릴기 또는 -CH=CH2이다. - 제1항에 있어서,
상기 R1은 -NH2, -NHRa, -NRbRc, -OH 또는 -ORd이고, 상기 Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 동일하거나 서로 다른 알킬기인 것인 화합물의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 R2는 -SO2CF3, -NH3 +, -NReRfRg +, -NO2, -SO3H, -SO3Rh, -C≡N 또는 -C(Xa)3이고, 상기 Re 내지 Rh는 각각 독립적으로 동일하거나 서로 다른 알킬기이고, 상기 Xa 는 할로겐기인 것인 화합물의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 R3는 -COXb, -CHO, -CORi, -CO2H, -CO2Rj, -CONH2, -CONHRk, 또는 -CONRlRm이고, 상기 Ri 내지 Rm은 각각 독립적으로 동일하거나 서로 다른 알킬기이고, 상기 Xb 는 할로겐기인 것인 화합물의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 R4는 페닐기인 것인 화합물의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 혼합물 C를 준비하는 단계 전에 상기 혼합물 B를 승온하는 단계를 더 포함하는 것인 화합물의 제조방법. - 제6항에 있어서,
상기 혼합물 B를 승온하는 단계의 최종 승온 온도는 60℃ 내지 90℃인 것인 화합물의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 상기 혼합물 C를 승온하는 단계의 최종 승온 온도는 100℃ 내지 130℃인 것인 화합물의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 염기는 아민(Amine)화합물인 것인 화합물의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 용매는 디메틸 설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO) 용매인 것인 화합물의 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
| US20070101260A1 (en) | 2005-11-02 | 2007-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Information processing method and apparatus thereof |
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