KR20200127159A - Fused spherical silica powder and its manufacturing method - Google Patents
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
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- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
Abstract
[요약]
유동성 확보를 위해 입경이 큰 입자를 어느 정도 포함하면서도, 입자내에 존재하는 기포의 양을 웨이퍼 수준·패키지 타입 반도체의 봉지재용 충전재 등의 용도로 이용했을 때에도 실질적으로 문제가 없는 레벨까지 저감한 실리카 분말을 제공한다.
[해결 수단]
레이저 회절로 측정했을 때에, 누적 체적 95% 직경(d95)이 5㎛∼30㎛의 범위에 있는 용융 구형 실리카 분말로서, 상기 용융 구형 실리카 분말과 에폭시 수지를 질량비 1:1로 혼련, 경화시킨 경화체의 일부를 연마하고, 노출된 실리카 단면을 1,000배로 현미경 관찰했을 때에 검출할 수 있는 최장 직경 5㎛ 이상의 기포수가, 상기 경화체 연마면 10㎠당 50개 이하인 것을 특징으로 하는 용융 구형 실리카 분말. 소수화 처리된 흄드 실리카를 원료로 하여 실리카 공급량, 화염 온도를 특정 범위로 용융·구상화시켜 얻은 용융 실리카를 분급함으로써 얻어진다.[summary]
Silica powder that contains particles with a large particle diameter to a certain extent to ensure fluidity, while reducing the amount of air bubbles present in the particles to a level that has practically no problems even when used as a filler for sealing materials for wafers and package type semiconductors. Provides.
[Remedy]
A cured product obtained by kneading and curing the fused spherical silica powder and the epoxy resin at a mass ratio of 1:1 as a fused spherical silica powder having a cumulative volume of 95% diameter (d95) in the range of 5 µm to 30 µm as measured by laser diffraction A fused spherical silica powder, characterized in that the number of bubbles having a maximum diameter of 5 µm or more that can be detected when a part of the surface is polished and the exposed silica cross section is observed under a microscope at 1,000 times, is 50 or less per 10 cm 2 of the hardened surface. It is obtained by classifying fused silica obtained by melting and spheroidizing the silica supply amount and flame temperature in a specific range using hydrophobized fumed silica as a raw material.
Description
본 발명은 신규한 용융 구형 실리카 분말과 그 제조 방법에 관한 것이다. 자세한 내용은 반도체 봉지재의 충전재 등에 적합하게 이용되는 기포 함유량이 적은 용융 구형 실리카 분말 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a novel fused spherical silica powder and a method for producing the same. The detailed description relates to a fused spherical silica powder having a low bubble content, which is suitably used as a filler for a semiconductor encapsulant, and a method of manufacturing the same.
실리카는 다양한 용도로 사용되고 있지만, 그 하나로 반도체 봉지재의 충전재로서의 사용이 있다. 반도체 봉지재의 충전재로서 이용하는 경우, 전기 절연성 외에 고열 전도성, 저열 팽창성이 요구되며, 이들 물성을 충족시키기 위해 필러의 고충전화가 요구된다.Silica is used for various purposes, but one of them is used as a filler for semiconductor encapsulants. When used as a filler for a semiconductor encapsulant, high thermal conductivity and low thermal expansion are required in addition to electrical insulation, and high filling of the filler is required to satisfy these properties.
높은 충전성을 얻기 위해서는 충전재로서 입경이 단일하게 갖추어져 있는 것보다, 어느 정도의 입도 분포를 가지고 있는 것이 좋다. 또한, 입경이 큰 것이 충전율은 높일 수 있는 경향이 있다.In order to obtain a high filling property, it is preferable to have a certain degree of particle size distribution rather than having a single particle size as a filler. In addition, the larger the particle diameter tends to increase the filling rate.
또한 동시에 높은 성형성이 요구되며, 필러가 충전된 수지의 유동성, 즉 저점성(온도: 25℃, 전단율: 1s-1로 점도: 1000Pa·s 이하)이 요구되고 있다. 이러한 유동성을 얻기 위해서, 최근에는 충전재로서 이용하는 실리카는 구형의 것을 사용하는 것이 일반적이다. In addition, high moldability is required at the same time, and the flowability of the filler-filled resin, that is, low viscosity (temperature: 25°C, shear rate: 1s -1 , viscosity: 1000 Pa·s or less) is required. In order to obtain such fluidity, in recent years, it is common to use a spherical silica used as a filler.
또한, 점점 진행되는 반도체의 박형화, 미세화, 웨이퍼 레벨에서의 대량 개수의 일괄 봉지화에 의해, 필러의 최대 허용 입경이 소입경화되어 고충전이 어려워지는 상황에서 필러의 높은 충전율을 유지할 필요성이 더욱 높아지고 있다. In addition, due to the increasingly thinning and miniaturization of semiconductors, and encapsulation of a large number of semiconductors at the wafer level, the need to maintain a high filling rate of the filler is further increased in a situation where the maximum allowable particle diameter of the filler is reduced and high filling becomes difficult. have.
구형 또한 적당한 입도 분포를 갖는 것에 의한 충전 특성의 점에서 또한 제조 비용이 비교적 낮다는 점에서, 용융 실리카가 다른 제조법의 실리카에 비해 우수한 점을 갖는다. Fused silica has a superior point compared to silica of other production methods in that it has a spherical shape and a suitable particle size distribution, and in that it has a relatively low production cost, and a filling characteristic.
용융 실리카의 제조 방법으로서는, (1)실리콘 분말을 용융시키면서 산화시키는 방법, (2)미세한 실리카 분말을 화염중에서 용융시켜, 복수의 용융 입자를 융착시켜 입자 성장과 구상화시켜 제조하는 방법, (3)규소 원자를 포함하는 화합물을 화염중에서 연소·산화시켜 미세 실리카를 발생시켜, 더욱 해당 미세 실리카를 그대로 화염중에서 용융시켜, 용융 입자의 융착에 의한 입자 성장과 구상화를 시켜서 제조하는 방법 등이 알려져 있다. 예를 들면 특허문헌 1에서는, 유기 실란 화합물의 연소에 의해 얻어지는 미세 실리카 입자를 더욱 화염중에서 입자 성장시켜, 평균 입자경 0.05∼5㎛의 용융 구형 실리카 분말을 얻고 있다. 특허문헌 2에서는, 연무 실리카를 화염중에서 용융하여, 입경 3㎛ 이하의 입자를 다량으로 포함하는 용융 실리카를 얻고 있다.As a manufacturing method of fused silica, (1) a method of oxidizing silicon powder while melting it, (2) a method of melting fine silica powder in a flame and fusing a plurality of molten particles to form particle growth and spheroidization, and (3) A method of producing fine silica by burning and oxidizing a compound containing a silicon atom in a flame to generate fine silica, further melting the fine silica as it is in a flame, and producing particle growth and spheroidization by fusion of the molten particles are known. For example, in
그런데, 실리카 입자 내부에 기포가 존재하면, 반도체 제조 공정에서 반도체를 봉지 후에, 봉지재 부분을 절단 또는 연삭하는 공정이 있는 경우, 봉지재에 충전된 실리카 입자가 절단 또는 연삭되어, 입자 내부의 기포(공극)가 노출된다. 이 때문에, 봉지재의 절단면 또는 연삭면에 오목부가 발생할 수 있다. 도 1에 봉지체 연삭면의 모식적 평면도를 나타낸다. 실리카 입자는 통상은 조밀 입자(1)이며, 연삭면에 공극은 발생하지 않지만, 입자 내부에 기포를 갖는 중공 입자(2)에서는, 연삭에 의해 기포가 노출되고, 연삭면에 공극(3)이 발생한다. 도 2에는 도 1의 A-A선 단면도를 나타낸다. 도 2에 도시되는 바와 같이 연삭면의 공극(3)은 오목부가 된다. 이러한 오목부의 발생은 특히 FOWLP(Fan-Out wafer level package)에 의한 반도체 제품의 제조시에 문제가 된다. FOWLP의 제조는 예를 들면 다음과 같이 이루어진다. 개편화(個片化)된 복수의 반도체 칩을 전극면을 위로 향하도록 유리 등의 기판상에 배치한다. 이어서, 반도체 칩을 일괄적으로 봉지한다. 그 후, 봉지재를 연삭하여 전극을 노출시킨다. 그 후, 포토레지스트를 도공(塗工), 노광, 현상하고, 포토레지스트가 제거된 부분에 도전성 금속을 석출시켜서 재배선층을 형성한다. 마지막으로 봉지된 복수의 반도체 칩을 칩마다 잘라 나누어서 FOWLP형의 반도체 제품을 얻는다. 봉지재에 포함되는 실리카 입자가 기포를 함유하면, 봉지재를 연삭하면 기포가 노출되고 연삭면에 오목부가 발생한다. 이 오목부에 포토레지스트를 마련하면, 포토레지스트에도 오목부가 발생하여 그 오목부에 다음 공정에서 도전성 금속이 불균일하게 석출되어 버린다. 그 결과, 재배선층 형성 결함 등에 의한 제품 수율의 저하나, 반도체 제품의 장기 신뢰성의 저하 등의 문제가 발생할 가능성이 있다. However, if bubbles exist inside the silica particles, in the case of a process of cutting or grinding the part of the sealing material after sealing the semiconductor in the semiconductor manufacturing process, the silica particles filled in the sealing material are cut or ground, and bubbles inside the particles (Void) is exposed. For this reason, a recess may occur in the cut surface or the grinding surface of the sealing material. Fig. 1 shows a schematic plan view of an encapsulant grinding surface. Silica particles are usually dense particles (1), and voids are not generated on the grinding surface, but in the hollow particles (2) having bubbles inside the particles, bubbles are exposed by grinding, and voids (3) are formed on the grinding surface. Occurs. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 1. As shown in Fig. 2, the
그러나 용융 실리카의 제조시에는 상기와 같이, 화염중에서의 미세한 실리카 입자끼리의 용융과 융착에 의한 입자 성장이 동반되기 때문에, 상기 융착시에 기포도 수반되어, 그 결과 제조된 실리카에도 기포를 갖는 것이 존재한다는 문제를 피할 수 없었다. However, in the manufacture of fused silica, as described above, since the fusion of fine silica particles in the flame and particle growth due to fusion are accompanied, bubbles are also accompanied during the fusion, and as a result, the resulting silica also has bubbles. The problem of existence could not be avoided.
상기 기포의 수반은 제조시의 연소 조건 등의 개량에 의해 저감되고 있다. 이 결과, 종래의 검사 방법으로는 검지할 수 없을 정도로 기포의 함유량을 적게 하는 것이 가능하게 되고 있다. 그러나, 상기한 바와 같은, 봉지재 부분을 절단 또는 연삭하는 공정이 있는 WLP 타입의 반도체 봉지재용 충전재와 같은 용도에 사용을 시도한 경우, 또한 문제를 일으킬 수 있는 수준이다. WLP 타입의 반도체 제품의 제조에서는, 연삭 공정은 거의 최종 공정이며, 이 단계에서 결함의 발생은 비용의 증대로 직결된다. The accompanying air bubbles have been reduced by improving the combustion conditions during manufacture. As a result, it has become possible to reduce the content of air bubbles to such an extent that it cannot be detected by a conventional inspection method. However, when attempting to use it for a use such as a filler for a semiconductor encapsulant of WLP type in which there is a step of cutting or grinding a portion of the encapsulant as described above, it is also a level that may cause problems. In the manufacturing of WLP type semiconductor products, the grinding process is almost the final process, and the occurrence of defects at this stage directly leads to an increase in cost.
물론 입경보다 큰 기포는 존재할 수 없기 때문에, 분말에서 입경이 큰 입자를 완전하게 배제하면 상기 문제는 발생하지 않는다. 따라서, 실리카 입자가 소입경인 경우에는 기포에 의한 악영향은 적다. 그러나, 상기한 바와 같이, 고충전율을 얻기 위해서는 어느 정도 입경이 큰 입자도 존재하고 있는 편이 좋다. 입경이 커질수록 기포가 포함되기 쉬워진다. Of course, since bubbles larger than the particle diameter cannot exist, the above problem does not occur if particles having a larger particle diameter are completely excluded from the powder. Therefore, when the silica particles have a small particle diameter, the adverse effect due to air bubbles is small. However, as described above, in order to obtain a high filling rate, it is better to have particles having a large particle diameter to some extent. As the particle diameter increases, air bubbles are more likely to be included.
따라서 본 발명은 입경이 큰 입자를 어느 정도 포함하면서도, 이러한 기포의 양을 WLP 타입 반도체의 봉지재용 충전재 등의 용도로 이용했을 때에도 실질적으로 문제가 없는 수준까지 저감한 신규한 실리카 분말을 제공하는 것을 목적으로 한다. Therefore, the present invention is to provide a novel silica powder that contains particles having a large particle diameter to a certain extent, while reducing the amount of these bubbles to a level that is practically no problem even when used as a filler for sealing materials of WLP type semiconductors. The purpose.
본 발명자는 상기 과제에 감안하여 예의 검토를 했다. 그리고, 미세 실리카 분말을 화염중에서 융착·구상화시켜 용융 구형 실리카 분말을 제조하는 방법에 있어서, 원료 실리카 분말 및 연소 조건을 특정하며, 또한 회수되는 용융 실리카의 입경도 한정함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하여 본 발명을 완성했다. In view of the above problems, the inventors made intensive examinations. And, in the method of producing a fused spherical silica powder by fusion bonding and spheroidizing fine silica powder in a flame, the above problem can be solved by specifying the raw material silica powder and the combustion conditions, and also limiting the particle diameter of the recovered fused silica. Found that the present invention was completed.
즉, 본 발명은 레이저 회절로 측정했을 때에, 누적 체적 95% 직경(d95)이 5㎛∼30㎛의 범위에 있는 용융 구형 실리카 분말로서,That is, the present invention is a fused spherical silica powder having a cumulative volume of 95% diameter (d95) in the range of 5 μm to 30 μm, as measured by laser diffraction,
상기 용융 구형 실리카 분말과 에폭시 수지를 질량비 1:1로 혼련, 경화시킨 경화체의 일부를 연마하고, 노출된 실리카 단면을 1,000배로 현미경 관찰했을 때에 검출할 수 있는 최장 직경 5㎛ 이상의 기포수가, 상기 경화체 연마면 10㎠당 50개 이하인 것을 특징으로 하는 용융 구형 실리카 분말에 관한 것이다. Part of the cured product obtained by kneading the fused spherical silica powder and the epoxy resin at a mass ratio of 1:1, and polishing a part of the cured product, and observing the exposed silica cross section under a microscope at 1,000 times, the number of bubbles having a maximum diameter of 5 μm or more that can be detected is the cured product It relates to a fused spherical silica powder, characterized in that 50 or less per 10
본 발명의 용융 구형 실리카 분말은 기포량이 매우 적다. 따라서, WLP 타입 반도체의 봉지재용 충전재에 사용했을 때에 반도체의 제품 수율과 장기 신뢰성을 향상시킨다는 효과를 나타낸다. The fused spherical silica powder of the present invention has very few bubbles. Therefore, when used as a filler for sealing material of a WLP type semiconductor, it has the effect of improving the product yield and long-term reliability of the semiconductor.
도 1은 봉지체 연삭면의 모식적 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1의 A-A선 단면도를 나타낸다. 1 shows a schematic plan view of an encapsulant grinding surface.
2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1.
본 발명의 용융 구형 실리카 분말은 레이저 회절로 측정했을 때, 누적 체적 95% 직경(d95)이 5㎛∼30㎛의 범위에 있다. d95가 너무 작으면, 충전재로서 이용했을 경우의 수지 조성물에 높은 충전율을 얻기 어려워진다. 한편, d95가 너무 크면, 충전재로서 이용했을 경우에 수지 조성물의 협소부에 침투성이 떨어지는 등의 문제가 있다. 바람직하게는 d95가 20㎛ 이하이다. The fused spherical silica powder of the present invention has a cumulative volume of 95% diameter (d95) in the range of 5 µm to 30 µm as measured by laser diffraction. When d95 is too small, it becomes difficult to obtain a high filling rate in the resin composition when used as a filler. On the other hand, if d95 is too large, there is a problem such as poor permeability to the narrow portion of the resin composition when used as a filler. Preferably, d95 is 20 μm or less.
조대 입자를 제외한다는 의미에서 레이저 회절로 측정했을 때에 100㎛를 상회하는 입자가 0질량%인 것이 바람직하고, 75㎛를 상회하는 입자가 0질량%인 것이 보다 바람직하고, 50㎛를 상회하는 입자가 0질량%인 것이 특히 바람직하다. In the sense of excluding coarse particles, when measured by laser diffraction, particles exceeding 100 μm are preferably 0% by mass, particles exceeding 75 μm are more preferably 0% by mass, particles exceeding 50 μm It is particularly preferable that is 0% by mass.
레이저 회절에서의 측정의 상세한 내용은 후술의 실시예에서 설명한다. Details of the measurement in laser diffraction will be described in Examples to be described later.
또한, 본 발명의 실리카 분말은 상기 조건으로 측정했을 때, 누적 체적 50% 입경(d50)이 1∼20㎛의 범위에 있는 것이 바람직하고, 3∼15㎛의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. 조대 입자를 배제한다는 점에서, 본 발명의 용융 구형 실리카 분말은 습식체(????藪)로 측정했을 때에, 106㎛ 잔류 입자의 양이 0질량%이며, 더욱 45㎛ 잔류 입자의 양이 0.1질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.05질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.01질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, "106㎛ 잔류"는 구멍 106㎛의 메쉬를 패스하지 않고 메쉬 위에 잔류하는 입자의 비율을 말한다.Further, the silica powder of the present invention preferably has a cumulative volume of 50% particle diameter (d50) in the range of 1 to 20 µm, more preferably in the range of 3 to 15 µm, as measured under the above conditions. In terms of excluding coarse particles, the fused spherical silica powder of the present invention, when measured with a wet body (????藪), the amount of residual particles of 106 µm is 0 mass%, and the amount of residual particles of 45 µm is It is preferably 0.1% by mass or less, more preferably 0.05% by mass or less, and particularly preferably 0.01% by mass or less. In addition, "106 µm remaining" refers to the ratio of particles remaining on the mesh without passing through the mesh of 106 µm holes.
이러한 입경 및 입도 분포를 가짐으로써, 반도체 봉지재의 충전재, 특히 WLP 타입 반도체와 같은 용도의 액상 봉지재의 충전재로서 이용했을 때에 높은 유동성이나 협소부에 침투성의 용이함 등이 얻어진다.By having such a particle diameter and particle size distribution, when used as a filler for a semiconductor encapsulant, particularly a filler for a liquid encapsulant for use such as a WLP type semiconductor, high fluidity and ease of permeability to narrow portions can be obtained.
본 발명의 실리카 분말은 구형이다. 따라서, 각종 수지의 충전재로서 이용했을 때에 수지 조성물의 유동성이 우수하다. 여기서, 구형이란, Wadell의 실용 구형도(원상당 직경/최대 직경)가 0.7∼1.0인 것을 의미한다. 여기서, 상기 원상당 직경이란, 입자의 투영 단면적과 동일한 면적을 갖는 원의 직경이며, 최장 직경이란, 입자의 투영 외주상의 임의의 2점간의 최대 거리로 정의된다. 바람직한 Wadell의 실용 구형도는 0.8∼1.0이다. 일반적으로 용융법으로 제조된 실리카는 구형이다.The silica powder of the present invention is spherical. Therefore, when used as a filler for various resins, the fluidity of the resin composition is excellent. Here, the spherical shape means that Wadell's practical sphericity (circle equivalent diameter/maximum diameter) is 0.7 to 1.0. Here, the said equivalent circle diameter is the diameter of a circle which has the same area as the projection cross-sectional area of a particle, and the longest diameter is defined as the maximum distance between arbitrary two points on the projection outer circumference of a particle. A preferable practical sphericity of Wadell is 0.8 to 1.0. In general, silica produced by the melting method is spherical.
본 발명의 실리카 분말은 실질적으로 기포를 함유하지 않는다. 구체적으로는 실리카 분말과 에폭시 수지를 질량비 1:1로 혼련, 경화시킨 경화체의 일부를 연마하고, 노출된 실리카 단면을 1,000배로 현미경 관찰했을 때에 검출할 수 있는 최장 직경 5㎛ 이상의 기포의 수가 상기 경화체 연마면 10㎠당 50개 이하다.The silica powder of the present invention contains substantially no air bubbles. Specifically, a part of the cured product obtained by kneading and curing silica powder and epoxy resin at a mass ratio of 1:1 is polished, and the number of bubbles having a maximum diameter of 5 μm or more that can be detected when the exposed silica cross section is observed under a microscope at 1,000 times Less than 50 pieces per 10㎠ of polished surface.
상기 평가 방법을 보다 상세하게 설명하면, 상온 경화형 에폭시 수지에 대하여, 실리카 분말이 50질량%가 되도록 혼합하고, 균일하게 될 때 까지 연화(練和)한다. 이어서, 연화물을 적절한 형태로 기포가 수반되지 않도록 충전하여 상온에서 경화시킨다. 경화를 위한 형태는 경화체를 연마했을 때에 연마면이 1㎠ 이상 확보할 수 있는 형상인 것이 바람직하다.When the above evaluation method is described in more detail, the silica powder is mixed with 50% by mass of the room temperature curable epoxy resin, and softened until it becomes uniform. Subsequently, the soft product is filled in an appropriate shape so as not to be accompanied by air bubbles, and cured at room temperature. The shape for curing is preferably a shape in which a polishing surface can be secured at least 1
충분히 경화된 경화체는 계속해서 관찰면을 확보하기 위해서 일부를 연마한다. 연마 조건은 먼저 1∼3㎛ 정도의 다이아몬드 지립으로 거친 연마를 수행하고, 계속해서 콜로이달 실리카를 지립으로 2시간 정도를 기준으로 표면의 거칠기가 없고 광택이 날 때까지 표면을 연마한다.A part of the cured body, which has been sufficiently hardened, is continuously polished to secure an observation surface. As for the polishing conditions, rough polishing is first performed with diamond abrasive grains of about 1 to 3 μm, and then the surface is polished with colloidal silica abrasive grains until there is no roughness and gloss on the basis of about 2 hours.
얻어진 연마면을 1000배로 현미경 관찰한다. 현미경은 광학 현미경, 편광 현미경, 전자 현미경 등 어느 것이라도 좋지만, 바람직하게는 광학 현미경이다. 상기 현미경 관찰에서는 연마면 중 적어도 1㎠ 이상의 면적을 관찰한다.The obtained polished surface was observed under a microscope at 1000 times. The microscope may be an optical microscope, a polarization microscope, or an electron microscope, but preferably an optical microscope. In the microscopic observation, an area of at least 1
상기 연마에 의해, 에폭시 수지 경화체중의 실리카 입자의 단면(연마면)이 관찰할 수 있는 상태가 되기 때문에, 상기 현미경 관찰에 의해 관찰 범위중에서 확인 가능한 모든 실리카 단면을 관찰하여 기포의 유무를 파악한다. 그리고, 기포 중 최장 직경(대상물의 외주상의 임의의 2점간의 거리내, 최대 길이)이 5㎛ 이상의 기포수를 센다. 또한 여기서 하나의 실리카 입자가 복수의 기포를 갖는 경우에는 기포수는 복수로 세고, 각각의 기포의 최장 직경을 측정한다.By the above polishing, since the cross section (polished surface) of the silica particles in the cured epoxy resin body can be observed, all the silica cross sections that can be identified in the observation range are observed by the above microscopic observation to determine the presence or absence of bubbles. . Then, the number of bubbles having the longest diameter (within the distance between any two points on the outer circumference of the object, the maximum length) among the bubbles is 5 μm or more is counted. In addition, when one silica particle has a plurality of bubbles, the number of bubbles is counted as a plurality, and the longest diameter of each bubble is measured.
이러한 관찰에 의해 계측된 최장 직경 5㎛ 이상의 기포수와 관찰 면적으로부터, 경화체 연마면 10㎠당의 기포수를 산출할 수 있다.From the number of cells having a maximum diameter of 5 μm or more and an observation area measured by such observation, the number of bubbles per 10
상기 기포수의 계측은 육안으로도 되지만, 디지털 현미경을 이용하여 화상 해석 소프트를 이용하여 실시하는 것이 시간적으로도 노력적으로도 유리하다. Although the number of bubbles can be measured visually, it is advantageous both temporally and effortlessly to carry out using an image analysis software using a digital microscope.
본 발명의 용융 구형 실리카 분말은 상기 최장 직경 5㎛ 이상의 기포수가 경화체 연마면 10㎠당 10개 이하인 것이 바람직하고, 5개 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 최장 직경 5㎛ 미만의 기포에 대해서도, 그 수가 적을수록 바람직하다. 그러나, 이러한 미세한 기포는 재배선층 형성시의 레지스트 수지에 의해 매립(埋)되는 경향이 강하기 때문에, 본원 출원 시점에서의 반도체의 배선 미세화 수준이면 그 존재는 허용할 수 있다.In the fused spherical silica powder of the present invention, the number of bubbles having a maximum diameter of 5 µm or more is preferably 10 or less per 10
본 발명의 용융 구형 실리카 분말은 반도체 봉지재의 충전재 등으로 사용하는 것을 고려하면, 불순물 함유량이 이하의 범위인 것이 바람직하다. 즉, Fe가 10ppm 이하, 바람직하게는 7ppm 이하, Al이 0.7ppm 이하, 바람직하게는 0.6ppm 이하, U 및 Th는 각각 0.1ppb 이하, Na 및 K가 각각 1ppm 이하, Cl이 1ppm 이하이다.Considering that the spherical fused silica powder of the present invention is used as a filler for semiconductor encapsulants or the like, the impurity content is preferably in the following range. That is, Fe is 10 ppm or less, preferably 7 ppm or less, Al is 0.7 ppm or less, preferably 0.6 ppm or less, U and Th are each 0.1 ppb or less, Na and K are each 1 ppm or less, Cl is 1 ppm or less.
동일한 이유로 본 발명의 용융 구형 실리카 분말은 이온성의 불순물이 포함되지 않는 것이 바람직하다. 따라서, 용융 구형 실리카 분말의 수분산액의 전기 전도도가 낮으며, pH는 중성에 가까운 것이 바람직하다. 구체적으로는 실리카 분말 0.8g을 순수 80ml에 분산시켰을 때의 전기 전도도는 1.5μS/㎝ 이하가 바람직하고, 1.4μS/㎝ 이하가 더욱 바람직하고, 1.3μS/㎝ 이하가 보다 바람직하고, pH가 5.0∼7.0인 것이 바람직하고, 5.5∼7.0인 것이 보다 바람직하다.For the same reason, it is preferable that the fused spherical silica powder of the present invention does not contain ionic impurities. Therefore, it is preferable that the electrical conductivity of the aqueous dispersion of the fused spherical silica powder is low and that the pH is close to neutral. Specifically, the electrical conductivity when 0.8 g of silica powder is dispersed in 80 ml of pure water is preferably 1.5 μS/cm or less, more preferably 1.4 μS/cm or less, more preferably 1.3 μS/cm or less, and pH 5.0 It is preferable that it is -7.0, and it is more preferable that it is 5.5-7.0.
또한 질소를 이용한 BET 1점법에 의한 비표면적은 1∼5㎡/g인 것이 바람직하고, 1.5∼4㎡/g인 것이 보다 바람직하다.Further, the specific surface area by the BET one-point method using nitrogen is preferably 1 to 5
본 발명의 용융 구형 실리카 분말은 수분양이 적은 것이 바람직하고, 구체적으로는 0.05질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.02질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.The fused spherical silica powder of the present invention preferably has a small moisture content, specifically preferably 0.05% by mass or less, and more preferably 0.02% by mass or less.
본 발명의 용융 구형 실리카 분말은 수지와의 상용성이나 반응성을 높이는 목적으로 각종 표면 처리제로 처리되어 있어도 좋다. 표면 처리제로서는 각종 실란 화합물이나 실란 커플링제, 티타네이트(titanate)계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제, 실리콘 오일 등을 들 수 있다.The fused spherical silica powder of the present invention may be treated with various surface treatment agents for the purpose of enhancing compatibility or reactivity with a resin. Examples of the surface treatment agent include various silane compounds, silane coupling agents, titanate coupling agents, aluminate coupling agents, and silicone oils.
실란 화합물이나 실란 커플링제를 구체적으로 예시하면, 헥사메틸디실라잔, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메톡시디페닐실란, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 트리플루오로프로필 트리메톡시실란, 메틸트리클로로실란, 디메틸디클로로실란, 트리메틸클로로실란, 3-클로로프로필 트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필 트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필 메틸디메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필 트리메톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필 트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필 메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필 메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필 메틸디메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필 메틸디에톡시실란, 3-메타크릴록시프로필 트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 트리스-(트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트, 3-우레이드프로필 트리알콕시실란, 3-머캅토프로필 메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필 트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필 트리에톡시실란 등을 들 수 있다. Specific examples of the silane compound or the silane coupling agent include hexamethyldisilazane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, Decyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethoxydiphenylsilane, 1,6-bis(trimethoxysilyl)hexane, trifluoropropyl trimethoxysilane, methyltrichlorosilane, Dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, 3-chloropropyl trichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 3-(2-aminoethylamino)propyl trimethoxysilane, 3-(2-aminoethyl Amino)propyl methyldimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyl trimethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl-butylidene)propylamine, 3-glycidoxypropyl Trimethoxysilane, 3-glycidoxypropyl triethoxysilane, 3-glycidoxypropyl methyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyl methyldiethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl Trimethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl methyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl methyldiethoxysilane, 3-meth Acryloxypropyl triethoxysilane, 3-acryloxypropyl trimethoxysilane, tris-(trimethoxysilylpropyl)isocyanurate, 3-ureidepropyl trialkoxysilane, 3-mercaptopropyl methyldimethoxysilane , 3-mercaptopropyl trimethoxysilane, 3-isocyanatepropyl triethoxysilane, etc. are mentioned.
본 발명의 용융 구형 실리카 분말의 제조 방법은 한정되지 않지만, 이하의 방법에 의해 적합하게 제조할 수 있다. 즉, 소수화 처리된 흄드 실리카(fumed silica)를 다중관 버너를 이용하여, 상기 흄드 실리카의 비율이 0.3kg/N㎥∼3kg/N㎥가 되도록, 산소 가스 또는 산소 함유 가스를 동반시켜 상기 다중관 버너의 중심관으로부터 공급하여, 화염내에서 1400℃∼1700℃에서 용융, 구상화시킨 후, 0.01㎛∼100㎛의 용융 실리카를 회수하는 방법이다.The method for producing the fused spherical silica powder of the present invention is not limited, but it can be suitably produced by the following method. That is, the hydrophobized fumed silica is mixed with oxygen gas or oxygen-containing gas so that the ratio of the fumed silica is 0.3kg/Nm3 to 3kg/Nm3 by using a multi-pipe burner. This is a method of recovering fused silica of 0.01 µm to 100 µm after being supplied from the central tube of a burner, melting and spheroidizing at 1400°C to 1700°C in a flame.
원료로 이용하는 흄드 실리카(Pyrogenic silica등이라고도 함)는 소수화 처리된 것을 이용한다. 친수성의 흄드 실리카를 이용하여 본 발명의 용융 구형 실리카 분말을 얻는 것은 본 발명자가 검토한 것만으로는 어려웠다. 소수화의 정도로는 흄드 실리카가 순수에 완전하게 분산되지 않는 정도이면 좋지만, 바람직하게는 메탄올 적정법에 의한 소수화도(M값)가 25체적% 이상, 보다 바람직하게는 30체적% 이상이다. 또한, 원료로서 Si분말이나 석영 분말을 이용해도 용융 구형 실리카는 얻어지지만, 이들을 원료로 이용하면, 얻어지는 구형 실리카중의 불순물 함유량이 증대하는 경향이 있다. The fumed silica (also referred to as pyrogenic silica) used as a raw material is hydrophobicized. Obtaining the fused spherical silica powder of the present invention using hydrophilic fumed silica was difficult only by the inventors' examination. The degree of hydrophobicization may be such that the fumed silica is not completely dispersed in pure water, but the degree of hydrophobicity (M value) by methanol titration is preferably 25% by volume or more, and more preferably 30% by volume or more. Further, even if Si powder or quartz powder is used as a raw material, fused spherical silica is obtained, but if these are used as a raw material, the impurity content in the obtained spherical silica tends to increase.
소수화의 방법으로는 상기한 바와 같은 실란류(구체적으로는 헥사메틸디실라잔, 메틸트리클로로실란, 디메틸디클로로실란, 트리메틸클로로실란 등이 적합하다)에 의해, 흄드 실리카를 표면 처리하는 방법이 적합하다.As a method of hydrophobicization, a method of surface treatment of fumed silica with silanes (specifically, hexamethyldisilazane, methyltrichlorosilane, dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, etc. are suitable) as described above is suitable. Do.
원료로 이용하는 실리카의 입자성상(grain properties)은 특별히 한정은 되지는 않지만, 질소 흡착 BET 1점법에 의한 비표면적이 바람직하게는 80∼250㎡/g, 더욱 바람직하게는 100∼230㎡/g이다. 또한, 용융 구형 실리카 분말의 금속 불순물량을 적게 하기 위해서는, 원료 실리카의 불순물량은 적은 것이 바람직하며, 구체적으로는 Fe, Al, U, Th, Na, K함유량은 상기 용융 구형 실리카 분말에서의 금속 불순물량과 같은 정도 이하인 것이 바람직하다.The grain properties of silica used as a raw material are not particularly limited, but the specific surface area by the nitrogen adsorption BET one point method is preferably 80 to 250
본 발명의 용융 구형 실리카 분말의 제조 방법에서는 상기 소수화된 원료 흄드 실리카를 화염중에서 용융시켜 용융 입자의 융착에 의한 입자 성장과 구상화를 수행한다.In the method for producing a fused spherical silica powder of the present invention, the hydrophobized raw material fumed silica is melted in a flame to perform particle growth and spheroidization by fusion of the molten particles.
화염중에서의 용융 등에 있어서는 다중관 버너를 이용하여, 원료 흄드 실리카의 비율이 0.3kg/N㎥∼3kg/N㎥가 되도록, 산소 가스 또는 산소 함유 가스를 동반시켜 다중관 버너의 중심관으로부터 공급하여 수행한다. 다중관 버너는 2중관 버너, 3중관 버너 등을 사용할 수 있다.For melting in the flame, use a multi-pipe burner, so that the ratio of the raw material fumed silica is 0.3kg/Nm3 to 3kg/Nm3, accompanied by oxygen gas or oxygen-containing gas, and supplied from the central pipe of the multi-pipe burner. Perform. As a multi-pipe burner, a double pipe burner or a triple pipe burner can be used.
화염중에 공급되는 원료 흄드 실리카의 비율이 너무 적으면, 얻어지는 용융 구형 실리카 분말중의 1㎛ 이하의 입자 비율이 너무 많아지며, 고충전에 적합하지 않은 입도 분포의 분체가 되기 쉽다. 또한 화염중에 공급되는 원료 흄드 실리카가 너무 많으면, 미용융 흄드 실리카 입자나 용융이 불충분해서 구형도가 낮은 입자를 포함하는 분체가 되기 쉽다. 상기 원료 흄드 실리카의 비율은 바람직하게는 0.5kg/N㎥∼2.0kg/N㎥이다. 또한 동반시키는 산소 함유 가스로는 공기가 적합하다.If the proportion of the raw material fumed silica supplied to the flame is too small, the proportion of particles of 1 µm or less in the resulting fused spherical silica powder becomes too large, and a powder having a particle size distribution that is not suitable for high filling is likely to be formed. In addition, when there is too much fumed silica as a raw material supplied to the flame, it is likely to be a powder containing unmelted fumed silica particles or particles having low sphericity due to insufficient melting. The ratio of the raw material fumed silica is preferably 0.5 kg/
다중관 버너로서, 예를 들면 3중관 버너를 이용하는 경우, 제2환상관으로부터는 산소를 최외주관으로부터는 수소를 공급하는 것이 바람직하다.When a triple tube burner is used as the multi-pipe burner, for example, it is preferable to supply oxygen from the second annular tube and hydrogen from the outermost main tube.
화염 온도는 1400℃∼1700℃ 바람직하게는 1500℃∼1600℃로 한다. 1400℃미만에서는 용융 구상화가 불충분한 분체가 되며, 한편 1700℃를 초과하면 프로세스 온도가 상승하기 때문에 냉각 능력을 높일 필요가 있거나, 연료 사용량이 늘어 제조 비용이 증가한다. 또한, 고온만큼의 소입경(small particle) 입자의 비율이 많아지는 경향도 강하다.The flame temperature is 1400°C to 1700°C, preferably 1500°C to 1600°C. If the temperature is less than 1400°C, the molten spheroidization becomes insufficient powder. On the other hand, if the temperature exceeds 1700°C, the process temperature rises, so it is necessary to increase the cooling capacity, or the fuel consumption increases, increasing the manufacturing cost. In addition, there is a strong tendency that the proportion of small particle particles increases as high as the high temperature.
화염 온도는 버너에 공급하는 산소나 수소, 질소 등의 가스 조성 및 공급 속도에 따라 조정할 수 있다.The flame temperature can be adjusted according to the composition and supply rate of gases such as oxygen, hydrogen or nitrogen supplied to the burner.
본 발명의 용융 구형 실리카 분말의 제조 방법에서는, 화염중에서 발생한 용융 구형 실리카 중, 입자경이 0.01㎛∼100㎛의 범위인 것을 회수한다. 회수 수단으로는 먼저 평균 입경 0.01㎛∼1000㎛의 입자를 사이클론을 이용하여 회수하고, 이어서 체 및/또는 풍력 분급기를 이용하여 분급점 8㎛∼100㎛로 분급하고, 그 미립측(분급점 이하)을 회수하는 방법이 효율적으로 적합하다. 체 및/또는 풍력 분급기를 이용하는 경우의 분급점은 10㎛∼50㎛의 범위에 두는 것이 바람직하다. 이러한 분급점으로 조정함으로써, 상기 방법으로 제조했지만 미립측의 d95를 5㎛∼30㎛의 범위로 하는 것이 용이해진다. 또한, 모든 조건하에서 d95가 5㎛∼30㎛의 범위에 들어가는 것은 아니기 때문에, 이용한 분급기의 특성에 따라 적절하게 조건을 설정할 필요는 있다.In the method for producing a fused spherical silica powder of the present invention, among the fused spherical silica generated in a flame, those having a particle diameter in the range of 0.01 µm to 100 µm are recovered. As a recovery means, particles having an average particle diameter of 0.01 µm to 1000 µm are first recovered using a cyclone, and then classified into a classification point of 8 µm to 100 µm using a sieve and/or a wind classifier, and the fine side (less than the classification point ) Is efficiently suitable. In the case of using a sieve and/or a wind classifier, the classification point is preferably set in the range of 10 µm to 50 µm. By adjusting to such a classification point, although it was produced by the above method, it becomes easy to set d95 on the fine-grain side to a range of 5 µm to 30 µm. In addition, since d95 does not fall within the range of 5 µm to 30 µm under all conditions, it is necessary to appropriately set the conditions according to the characteristics of the classifier used.
체에 의한 회수는 이용한 체의 구멍 이상의 입자가 회수될 우려가 실질적으로 없다는 이점이 있다. 반면, 회수시의 수고가 크고, 공업적인 생산성은 풍력 분급기 쪽이 높다. 그러나, 풍력 분급기에서는 분급점을 상회하는 입자도 소량 회수되는 경향이 있기 때문에, 목적하는 상한 입자경 이상의 입자가 소량 포함되어 버리는 우려도 있다. 이러한 장단점을 인식하여, 목적하는 입경 범위 및 생산성 등에 따라 적절하게 선택하면 된다. 또한, 체 분급 및 풍력 분급기에 의한 분급을 병용해도 된다. 또한, 체로 분급하는 경우에는 건식 분급이라도 습식 분급이라도 된다. The sieve recovery has the advantage that there is practically no risk of recovering particles larger than the pores of the sieve used. On the other hand, the labor at the time of recovery is large, and the industrial productivity is higher in the wind classifier. However, in a wind classifier, a small amount of particles exceeding the classification point tends to be recovered, so there is a fear that a small amount of particles having a target upper limit particle diameter or more are contained. Recognizing these advantages and disadvantages, it is sufficient to select appropriately according to the desired particle size range and productivity. Further, a sieve classification and classification by a wind classifier may be used together. In the case of classification through a sieve, dry classification or wet classification may be employed.
용융 구형 실리카 분말을 표면 처리하는 경우에는, 상기 체 및/또는 풍력 분급기에 의한 분급 전에도, 후에도 가능하다.In the case of surface treatment of the fused spherical silica powder, before or after classification by the sieve and/or wind classifier is possible.
표면 처리는 이용하는 실란 화합물·실란 커플링제에 따라 공지의 방법을 적용하면 되며, 건식이라도 습식이라도 된다. 표면 처리, 특히 습식의 표면 처리에서는 입자의 응집이 발생할 수 있으므로, 필요에 따라 적절하게 파쇄하거나 새로운 분급을 해도 된다. 기계적 응력을 부여하는 장치로 처리하는 것으로 응집 파쇄, 부피 밀도 조정, 기포 함유 입자의 분쇄 효과를 얻을 수 있다. 또한, 기계적 응력을 부여하는 장치로는 자유 와류형 원심 분급기, 강제 와류형 원심 분급기, 볼밀, 제트밀, 2롤, 3롤, 맷돌식 파쇄기, 회전 날개식 교반기 등을 사용할 수 있다. For the surface treatment, a known method may be applied depending on the silane compound/silane coupling agent to be used, and may be dry or wet. In surface treatment, particularly wet surface treatment, aggregation of particles may occur, and thus may be appropriately crushed or classified as needed. By treating with a device that applies mechanical stress, cohesive crushing, bulk density adjustment, and pulverizing effects of bubble-containing particles can be obtained. In addition, as a device for applying mechanical stress, a free vortex type centrifugal classifier, a forced vortex type centrifugal classifier, a ball mill, a jet mill, a 2-roll, 3-roll, millstone crusher, a rotary vane type stirrer, and the like can be used.
[실시예][Example]
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예를 나타내지만, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, examples and comparative examples are shown to describe the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these examples.
또한, 실시예, 비교예에서의 용융 구형 실리카 제조 조건 및 각종 물성 평가 방법은 다음과 같다. In addition, the manufacturing conditions of the fused spherical silica and various physical property evaluation methods in Examples and Comparative Examples are as follows.
용융 실리카의 제조 방법을 이하에 기록한다. The method for producing fused silica is recorded below.
(1)버너에서의 용융·구상화 (1) Melting and spheroidization in the burner
3중관 버너를 이용하여 중심관으로부터 원료 흄드 실리카 및 산소를, 제2환상관으로부터는 산소를, 최외주관으로부터는 수소를 공급했다. 화염 온도는 수소/산소비 및 실리카양에 의해 조정했다. Using a triple tube burner, raw material fumed silica and oxygen were supplied from the central tube, oxygen was supplied from the second annular tube, and hydrogen was supplied from the outermost tube. The flame temperature was adjusted by the hydrogen/oxygen ratio and the amount of silica.
(2)분급 (2) Classification
상기에서 얻어진 용융 실리카는 먼저 사이클론에 의해 0.1㎛∼1000㎛의 입자를 회수하고, 이어서 회수된 실리카를 풍력 분급기를 이용하여 소정의 분급점에서 분급하여 미립측을 회수했다. In the fused silica obtained above, particles of 0.1 µm to 1000 µm were first recovered by a cyclone, and then the recovered silica was classified at a predetermined classification point using a wind classifier to collect the fine particles.
물성 평가 방법을 이하에 나타낸다. The physical property evaluation method is shown below.
(1)원료 흄드 실리카의 소수화도(M값) (1) The degree of hydrophobicity (M value) of the raw material fumed silica
원료 흄드 실리카가 순수 표면에 부유된 상태에서, 교반하면서 메탄올을 적하했다. 실리카를 전량 순수중에 현탁시키는데 필요로 한 메탄올량을 체적%로 구했다.Methanol was added dropwise while stirring while the raw material fumed silica was suspended on the pure water surface. The amount of methanol required to suspend the entire amount of silica in pure water was determined in volume %.
(2)실리카 농도(2) Silica concentration
용융 구상화 버너의 실리카 공급 노즐에 도입되는 실리카 중량을 중심관에 공급되는 산소 가스 체적으로 나누어 단위 체적당 실리카 농도를 구했다.The silica concentration per unit volume was obtained by dividing the silica weight introduced into the silica supply nozzle of the fusion spheroidizing burner by the volume of oxygen gas supplied to the center tube.
(3)화염 온도(3) Flame temperature
실리카 용융 구상화 버너에 도입하는 수소, 산소 및 흄드 실리카의 양으로, 단열 계산 화염 온도 계산식을 이용하여 버너 화염 온도를 구했다.The burner flame temperature was calculated|required using the heat insulation calculation flame temperature calculation formula with the amount of hydrogen, oxygen, and fumed silica introduced into a silica melt spheroidization burner.
(4)누적 체적 직경(4) Cumulative volume diameter
MICROTRAC제조 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(MT-3300EX2)를 이용하여 물 분산매에 의한 측정을 하고, 누적 체적 50% 직경(d50) 및 95% 직경(d95)을 산출했다. 또한, 측정 장치의 시료 슬러리 순환조(circulation tank)에 분산매 250mL, 시료 0.02g∼0.1g을 투입했다. 이어서, 시료 슬러리를 순환시키면서, 1분간 40W 초음파 분산한 후, d50 및 d95을 측정했다. 여기서, 상기 시료 투입량은 장치의 사용 설명서에 따르고, 장치 제어용 컴퓨터 화면에 표시되는 시료 슬러리 농도값(Sample Loading값)이 0.85∼0.90 사이에 들어가도록 조정했다.Measurements were made with a water dispersion medium using a laser diffraction scattering particle size distribution measuring device (MT-3300EX2) manufactured by MICROTRAC, and the cumulative volume 50% diameter (d50) and 95% diameter (d95) were calculated. Further, 250 mL of a dispersion medium and 0.02 g to 0.1 g of a sample were put into a sample slurry circulation tank of the measuring device. Subsequently, d50 and d95 were measured after 40W ultrasonic dispersion for 1 minute while circulating the sample slurry. Here, the sample input amount was adjusted so that the sample slurry concentration value displayed on the device control computer screen (Sample Loading value) was between 0.85 and 0.90 according to the instruction manual of the device.
(5)BET 비표면적(5) BET specific surface area
SIBATA SCIENTIFIC TECHNOLOGY LTD. 제조 비표면적 측정 장치(SA-1000)을 이용하여, 질소 흡착 BET 1점법에 의해 측정했다.SIBATA SCIENTIFIC TECHNOLOGY LTD. It measured by the nitrogen adsorption BET one point method using the manufacturing specific surface area measuring apparatus (SA-1000).
(6)Fe, Al농도의 측정(6) Measurement of Fe, Al concentration
실리카 입자를 불소질산혼합용액으로 용액화하여 ICP 발광 분광 분석법으로 측정했다.The silica particles were made into a solution with a fluoronitric acid mixture and measured by ICP emission spectrometry.
(7)수분(7) Moisture
실리카 입자중의 수분을 건조 감량법(110℃에서 6시간)으로 측정했다.The moisture in the silica particles was measured by a loss-on drying method (6 hours at 110°C).
(8)pH, 전기 전도도의 측정(8) pH, measurement of electrical conductivity
실리카 입자의 수분산액(실리카 8.0g/순수 80mL, 25℃)을 제작하고, 유리 전극법pH계로 pH를 교류 2전극법 전기 전도도계로 전기 전도도를 측정했다.An aqueous dispersion of silica particles (silica 8.0 g/pure water 80 mL, 25°C) was prepared, the pH was measured with a glass electrode method pH meter, and the electrical conductivity was measured with an AC two-electrode method electric conductivity meter.
(9)U농도(9) U concentration
실리카 입자를 불소질산혼합용액으로 용액화하여 ICP-MS로 측정했다.The silica particles were made into a solution with a fluorinated nitric acid mixture and measured by ICP-MS.
(10)Na+, Cl- 농도(10) Na + , Cl - concentration
실리카 입자를 110℃의 순수로 24시간 침지하여 용출 수용액을 제작하고, 원자 흡광 광도계로 Na+ 농도를, 이온 크로마토그래피로 Cl- 농도를 측정했다.Silica particles were immersed in pure water at 110° C. for 24 hours to prepare an elution aqueous solution, and Na + concentration was measured by an atomic absorption spectrophotometer, and Cl − concentration was measured by ion chromatography.
(11)수지 컴파운드 점도(11) Resin compound viscosity
에폭시 수지(Tohto Kasei Co., Ltd. 제조 비스페놀A/F혼합 수지 ZX-1059)와 각 실시예, 비교예의 실리카 입자를 실리카78: 수지 22(중량비)의 비율로 배합하고, 자전 공전식 플래니터리 믹서(THINKY CORPORATION 제조 AR-250)을 이용하여, 교반 시간 8분, 회전수 1000rpm으로 교반하고, 더욱 탈기포 시간 2분, 회전수 2000rpm의 조건으로 혼련하여 에폭시 수지 조성물을 얻었다.An epoxy resin (bisphenol A/F mixed resin ZX-1059 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) and the silica particles of each of the Examples and Comparative Examples were mixed in a ratio of silica 78: resin 22 (weight ratio), and the rotational planetary Using a mixer (AR-250 manufactured by THINKY CORPORATION), the mixture was stirred at a stirring time of 8 minutes and a rotational speed of 1000 rpm, and further kneaded under conditions of a degassing time of 2 minutes and a rotational speed of 2000 rpm to obtain an epoxy resin composition.
이어서, 에폭시 수지 조성물을 레오미터 점도계(HAAKE 제조 Rheostress RS600)을 이용하여, 온도 25℃, 플레이트 갭 50㎛, 전단율 1s-1의 조건에서 점도를 측정했다.Next, the viscosity of the epoxy resin composition was measured using a rheometer viscometer (Rheostress RS600 manufactured by HAAKE) under the conditions of a temperature of 25°C, a plate gap of 50 μm, and a shear rate of 1s -1 .
(12)기포 함유수(12) Bubble-containing water
상온 경화형 에폭시 수지(BUEHLER사 제조 EpoxiCure2)에 대하여, 실리카 분말이 50질량%이 되도록 혼합하여 균일하게 될 때까지 연화했다. 이어서, 연화물을 매립 성형(BUEHLER사 제조 플라스틱 링 내경 1인치 (25.4㎜))으로 기포가 수반되지 않도록 충전하여, 상온에서 충분히 경화시켰다.With respect to the room temperature curable epoxy resin (EpoxiCure2 manufactured by BUEHLER), the silica powder was mixed so as to be 50% by mass and softened until it became uniform. Subsequently, the soft product was filled by embedding molding (a plastic ring inner diameter of 1 inch (25.4 mm) manufactured by BUEHLER) so as not to be accompanied by air bubbles, and sufficiently cured at room temperature.
이어서, 관찰면을 확보하기 위해 경화체의 일부를 연마했다. 연마 조건은 먼저 지립경(砥粒徑) 3㎛ 및 1㎛의 연마제 (BUEHLER사 제조 MetaDi 단결정 다이아몬드 서스펜션 수성/지립경 3㎛, 그 후에 1㎛을 사용)로 거친 연마를 수행하고, 이어서 본 연마용의 연마제 (MasterMet 2 콜로이달 실리카)로 표면에 광택이 날 때까지 연마했다.Subsequently, a part of the cured body was polished to secure the observation surface. Polishing conditions are rough polishing first with abrasive grain diameters of 3㎛ and 1㎛ (MetaDi single crystal diamond suspension manufactured by BUEHLER, aqueous/abrasive diameter of 3㎛, then using 1㎛), followed by main polishing It was polished with a dragon's abrasive (
얻어진 연마면의 1㎠의 범위를 광학 현미경(KEYENCE사 제조 MICROSCOPE VHX-5000)을 이용하여 낙사조명/동축낙사로 1000배로 관찰하고, 기포 중 최장 직경(대상물의 외주상의 임의의 2점간 거리 중, 최대 길이)이 5㎛ 이상인 것의 수를 세었다.The range of 1
또한 여기서, 하나의 실리카 입자가 복수의 기포를 갖는 경우에는 복수로 계산했다. 이 관찰을 검체수 10으로 수행하고, 관찰된 기포수를 합계하여 경화체 연마면 단면적 10㎠당의 기포수를 산출했다.In addition, here, when one silica particle has a plurality of air bubbles, it was calculated as a plurality. This observation was performed with the number of specimens of 10, and the number of bubbles observed was totaled to calculate the number of bubbles per 10
(13)Wadell의 실용 구형도(13) Wadell's practical spherical figure
슬라이드 글라스(2㎝Х4㎝)의 중앙에 실리카 분말 1㎎ 정도를 두고, 순수 2∼3방울을 떨어뜨려 실리카 슬러리를 제작하고, 동일 실리카 슬러리 위에 기포가 들어가지 않도록 커버 유리를 두고, 관찰용 프레파라트를 제작했다. 동일 프레파라트를 라이카제조 광학 현미경DMLB(투과형 광원, 배율 400배)로 관찰하고, 실리카 입자의 화상을 화상 해석 장치(라이카제조 Q500IW)을 이용하여, 각 입자마다 원상당 직경/최장 직경을 구했다. 측정 입자수가 합계500개 이상이 될 때까지 관찰 시야를 이동시키면서 계측을 반복하여, 그 측정 값의 상가평균값(arithmetic mean) 을 그 실리카 분말의 Wadell의 실용 구형도의 값으로 했다.Put about 1 mg of silica powder in the center of the slide glass (2 cm to 4 cm), add 2-3 drops of pure water to prepare a silica slurry, place a cover glass to prevent bubbles from entering the same silica slurry, and place a preparat for observation. Produced. The same preparat was observed with an optical microscope manufactured by Leica DMLB (transmissive light source, magnification 400 times), and the image of the silica particles was obtained by using an image analysis device (Q500IW manufactured by Leica) to determine the equivalent circle diameter/longest diameter for each particle. Measurement was repeated while moving the observation field until the total number of measured particles reached 500 or more, and the arithmetic mean of the measured values was taken as the value of the practical sphericity of Wadell of the silica powder.
실시예 1Example 1
M값이 47, BET 비표면적이 120㎡/g의 소수화 흄드 실리카를 이용하여 버너에 흄드 실리카 공급량을 0.7kg/N㎥로 하고, 화염 온도 1600℃로 하여 용융 실리카 분말을 얻었다. 이어서 얻어진 실리카 분말을 분급점을 10㎛로 하여 분급한 후에 회수했다. 얻어진 용융 구형 실리카 분말의 물성을 표 1에 나타낸다.Using hydrophobic fumed silica having an M value of 47 and a BET specific surface area of 120
실시예 2∼5Examples 2 to 5
표 1에 기재된 M값 및 BET 비표면적의 소수화 흄드 실리카를 이용하여, 표 1에 기재된 실리카 공급량, 화염 온도, 분급점으로 실시예 1과 동일하게 용융 구형 실리카 분말을 제조했다. 얻어진 용융 구형 실리카 분말의 물성을 표 1에 나타낸다.Using the hydrophobized fumed silica having the M value and BET specific surface area shown in Table 1, a fused spherical silica powder was prepared in the same manner as in Example 1 with the silica supply amount, flame temperature, and classification point shown in Table 1. Table 1 shows the physical properties of the obtained fused spherical silica powder.
비교예 1Comparative Example 1
M값이 47, BET 비표면적이 126㎡/g의 소수화 흄드 실리카를 이용하여, 버너에 흄드 실리카 공급량을 0.3kg/N㎥, 화염 온도 1800℃ 분급점을 3㎛으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 용융 실리카를 제조했다. 얻어진 용융 실리카의 물성을 표 1에 나타내지만, 화염 온도가 높아 소입경 입자의 비율이 높아지고, 더욱 제조시의 분급점도 너무 작기 때문에 d95가 작고, 이 때문에 수지 컴파운드 조제 시의 증점(增粘; thickening)이 현저하여 수지 컴파운드는 형성하지 못했다. Example 1 and Example 1 except that the amount of fumed silica supplied to the burner was 0.3 kg/Nm3 and the flame temperature 1800°C classification point was 3 μm using hydrophobic fumed silica having an M value of 47 and a BET specific surface area of 126
비교예 2Comparative Example 2
M값이 47, BET 비표면적이 115㎡/g의 소수화 흄드 실리카를 이용하여, 버너에 흄드 실리카 공급량을 0.7kg/N㎥, 화염 온도 1600℃ 분급점을 5㎛으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 용융 실리카를 제조했다. 얻어진 용융 실리카의 물성을 표 1에 나타내지만, 제조시의 분급점이 너무 작기 때문에 d95가 작다. 비교예 1과 달리 수지 컴파운드의 형성은 가능했지만, 현저하게 점도가 높은 것이 되었다. Example 1 and Example 1 except that the amount of fumed silica supplied to the burner was 0.7 kg/
다만, 비교예 1 및 비교예 2의 용융 실리카는 실시예의 용융 실리카와 혼합하여 이용하면, 수지 컴파운드 점도는 낮아지며, 또한 기포수도 적은 상태로 할 수 있다고 생각된다.However, when the fused silica of Comparative Examples 1 and 2 is mixed with the fused silica of Examples, the viscosity of the resin compound is lowered, and it is considered that the number of bubbles can be reduced.
비교예 3Comparative Example 3
원료 흄드 실리카로서 친수성의 것(M값= O)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 용융 실리카를 제조했다. 이 경우에는 기포 함유수가 현저하게 많았다.Fused silica was prepared in the same manner as in Example 1 except that hydrophilic ones (M value = O) were used as the raw material fumed silica. In this case, the number of bubbles contained was remarkably large.
비교예 4Comparative Example 4
원료 흄드 실리카로서 친수성(M값= O), BET 비표면적이 125㎡/g의 것을 이용한 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 하여 용융 실리카를 제조했다. 이 경우에는 기포 함유수가 현저하게 많았다.A fused silica was produced in the same manner as in Example 2, except that a material having a hydrophilicity (M value = O) and a BET specific surface area of 125
비교예 5Comparative Example 5
시판의 용융 실리카(d95가 29.5㎛, d50이 10㎛)를 평가했지만, 기포 함유수가 현저하게 많았다. 더욱, 상기 비교예 1 또는 2의 소입경의 용융 실리카와 혼합하여 이용함으로써 대입경 입자와 소입경 입자를 조합시키게 되어, 충전 특성이 향상되어 수지 컴파운드 점도는 낮출 수 있지만, 기포 함유수를 충분히 저하시킬 수는 없다고 판단되었다.Commercially available fused silica (d95 is 29.5 µm, d50 is 10 µm) was evaluated, but the number of bubbles contained was remarkably large. Further, by mixing and using the fused silica having a small particle diameter of Comparative Examples 1 or 2, large particle diameter particles and small particle diameter particles are combined, and the filling property is improved to lower the resin compound viscosity, but the number of air bubbles is sufficiently reduced. It was judged that it could not be made.
[표 1][Table 1]
1: 조밀 실리카 입자
2: 중공 실리카 입자
3: 연삭에 의해 노출된 공극(오목부)
1: dense silica particles
2: hollow silica particles
3: voids exposed by grinding (recesses)
Claims (11)
상기 용융 구형 실리카 분말과 에폭시 수지를 질량비 1:1로 혼련, 경화시킨 경화체의 일부를 연마하고, 노출된 실리카 단면을 1,000배로 현미경 관찰했을 때에 검출할 수 있는 최장 직경 5㎛ 이상의 기포수가, 상기 경화체 연마면 10㎠당 50개 이하인 것을 특징으로 하는 용융 구형 실리카 분말. As a fused spherical silica powder having a cumulative volume of 95% diameter (d95) in the range of 5 μm to 30 μm as measured by laser diffraction,
Part of the cured product obtained by kneading the fused spherical silica powder and the epoxy resin at a mass ratio of 1:1, and polishing a part of the cured product, and observing the exposed silica cross section under a microscope at 1,000 times, the number of bubbles having a maximum diameter of 5 μm or more that can be detected, Fused spherical silica powder, characterized in that 50 or less per 10 cm 2 of polished surface.
입자 표면이 실란 화합물 및/또는 실란 커플링제로 처리되어 있는 용융 구형 실리카 분말. The method of claim 1,
Fused spherical silica powder whose particle surface is treated with a silane compound and/or a silane coupling agent.
BET 비표면적이 1.0㎡/g∼5.0㎡/g의 범위에 있는 용융 구형 실리카 분말. The method of claim 1,
A fused spherical silica powder having a BET specific surface area of 1.0 m 2 /g to 5.0 m 2 /g.
BET 비표면적이 1.0㎡/g∼5.0㎡/g의 범위에 있는 용융 구형 실리카 분말. The method of claim 2,
A fused spherical silica powder having a BET specific surface area of 1.0 m 2 /g to 5.0 m 2 /g.
액상 반도체 봉지재의 충전재용인 용융 구형 실리카 분말. The method of claim 1,
Fused spherical silica powder for fillers in liquid semiconductor encapsulants.
액상 반도체 봉지재의 충전재용인 용융 구형 실리카 분말. The method of claim 2,
Fused spherical silica powder for fillers in liquid semiconductor encapsulants.
액상 반도체 봉지재의 충전재용인 용융 구형 실리카 분말. The method of claim 3,
Fused spherical silica powder for fillers in liquid semiconductor encapsulants.
소수화 처리된 흄드 실리카를,
다중관 버너를 이용하여,
상기 흄드 실리카의 비율이 0.3kg/N㎥∼3kg/N㎥가 되도록, 산소 가스 또는 산소 함유 가스를 동반시켜 상기 다중관 버너의 중심관으로부터 공급하고,
화염내에서 1400℃∼1700℃에서 용융, 구상화시킨 후,
0.01㎛∼100㎛의 용융 실리카를 회수하는 것을 특징으로 하는 용융 구형 실리카 분말의 제조 방법.The method of claim 1,
Hydrophobized fumed silica,
Using a multi-pipe burner,
Oxygen gas or oxygen-containing gas is accompanied and supplied from the central pipe of the multi-pipe burner so that the ratio of the fumed silica is 0.3 kg/Nm 3 to 3 kg/Nm 3,
After melting and spheroidizing at 1400℃∼1700℃ in flame,
A method for producing a fused spherical silica powder, comprising recovering fused silica of 0.01 µm to 100 µm.
소수화 처리된 흄드 실리카를,
다중관 버너를 이용하여,
상기 흄드 실리카의 비율이 0.3kg/N㎥∼3kg/N㎥가 되도록, 산소 가스 또는 산소 함유 가스를 동반시켜 상기 다중관 버너의 중심관으로부터 공급하고,
화염내에서 1400℃∼1700℃에서 용융, 구상화시킨 후,
0.01㎛∼100㎛의 용융 실리카를 회수하는 것을 특징으로 하는 용융 구형 실리카 분말의 제조 방법.The method of claim 3,
Hydrophobized fumed silica,
Using a multi-pipe burner,
Oxygen gas or oxygen-containing gas is accompanied and supplied from the central pipe of the multi-pipe burner so that the ratio of the fumed silica is 0.3 kg/Nm 3 to 3 kg/Nm 3,
After melting and spheroidizing at 1400℃∼1700℃ in flame,
A method for producing a fused spherical silica powder, comprising recovering fused silica of 0.01 µm to 100 µm.
0.01㎛∼100㎛의 용융 실리카를 회수하는 방법이, 먼저 평균 입경 0.01㎛∼1000㎛의 입자를 사이클론을 이용하여 회수하고, 이어서 체 및/또는 풍력 분급기를 이용하여 분급점 8㎛∼100㎛로 분급하고, 그 미립측을 회수하는 방법인 용융 구형 실리카 분말의 제조 방법.The method of claim 8,
The method of recovering fused silica of 0.01 µm to 100 µm is, first, particles having an average particle diameter of 0.01 µm to 1000 µm are recovered using a cyclone, and then the classification point is reduced to 8 µm to 100 µm using a sieve and/or a wind classifier. A method for producing a fused spherical silica powder, which is a method of classifying and recovering the fine grain side.
0.01㎛∼100㎛의 용융 실리카를 회수하는 방법이, 먼저 평균 입경 0.01㎛∼1000㎛의 입자를 사이클론을 이용하여 회수하고, 이어서 체 및/또는 풍력 분급기를 이용하여 분급점 8㎛∼100㎛로 분급하고, 그 미립측을 회수하는 방법인 용융 구형 실리카 분말의 제조 방법.
The method of claim 9,
The method of recovering fused silica of 0.01 µm to 100 µm is, first, particles having an average particle diameter of 0.01 µm to 1000 µm are recovered using a cyclone, and then the classification point is reduced to 8 µm to 100 µm using a sieve and/or a wind classifier. A method for producing a fused spherical silica powder, which is a method of classifying and recovering the fine grain side.
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000191316A (en) | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Tokuyama Corp | Fused silica having low aggregability |
| KR20010062093A (en) * | 1999-12-02 | 2001-07-07 | 카나가와 치히로 | Epoxy resin compositions and premolded semiconductor packages |
| JP2003137533A (en) | 2002-09-11 | 2003-05-14 | Tokuyama Corp | Minute molten silica grain |
| JP2008031409A (en) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Low dielectric resin composition, prepreg, metal-clad laminate, printed circuit board |
| KR20100065271A (en) * | 2007-08-01 | 2010-06-16 | 덴키 가가쿠 고교 가부시기가이샤 | Silica powder, method for production of the same, and composition using the same |
| KR101260346B1 (en) * | 2012-11-16 | 2013-05-07 | 주식회사 신아티앤씨 | Epoxy resin composition |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000191315A (en) * | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Tokuyama Corp | Production of molten silica particle |
| JP4112125B2 (en) * | 1999-08-13 | 2008-07-02 | 電気化学工業株式会社 | Method for producing fine spherical silica powder |
| JP4313924B2 (en) * | 2000-03-16 | 2009-08-12 | 電気化学工業株式会社 | Spherical silica powder and method for producing the same |
| JP3796565B2 (en) * | 2000-08-15 | 2006-07-12 | 信越化学工業株式会社 | Method for producing spherical silica fine particles |
| JP2005119884A (en) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Non-porous spherical silica and method of manufacturing the same |
| JP4691321B2 (en) * | 2003-12-26 | 2011-06-01 | 三菱レイヨン株式会社 | Method for producing high-purity silicon oxide powder |
| JP4112540B2 (en) * | 2004-08-26 | 2008-07-02 | 電気化学工業株式会社 | Manufacturing method of spherical inorganic hollow powder. |
| CN101454246A (en) * | 2006-06-09 | 2009-06-10 | 株式会社德山 | Dry-process fine silica particle |
| JP2010143806A (en) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Tokuyama Corp | Surface-treated silica-based particle and process of manufacturing same |
| JP2015086120A (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 株式会社トクヤマ | Spherical silica fine powder and production method thereof |
| CN105084373A (en) * | 2015-07-24 | 2015-11-25 | 陈林 | Method for preparing low-dielectric-constant silica powder |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000191316A (en) | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Tokuyama Corp | Fused silica having low aggregability |
| KR20010062093A (en) * | 1999-12-02 | 2001-07-07 | 카나가와 치히로 | Epoxy resin compositions and premolded semiconductor packages |
| JP2003137533A (en) | 2002-09-11 | 2003-05-14 | Tokuyama Corp | Minute molten silica grain |
| JP2008031409A (en) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Low dielectric resin composition, prepreg, metal-clad laminate, printed circuit board |
| KR20100065271A (en) * | 2007-08-01 | 2010-06-16 | 덴키 가가쿠 고교 가부시기가이샤 | Silica powder, method for production of the same, and composition using the same |
| KR101260346B1 (en) * | 2012-11-16 | 2013-05-07 | 주식회사 신아티앤씨 | Epoxy resin composition |
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