JP2008031409A - Low dielectric resin composition, prepreg, metal-clad laminate, printed circuit board - Google Patents

Low dielectric resin composition, prepreg, metal-clad laminate, printed circuit board Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low dielectric resin composition whose dielectric constant, dielectric loss tangent and coefficient of thermal expansion all can be reduced and whose insulation reliability can be enhanced. <P>SOLUTION: The present invention relates to a low dielectric resin composition comprising a thermosetting resin and hollow particles each comprising a shell and a hollow portion. The hollow particles have an average porosity of 30 to 80 vol.% and an average particle diameter of 0.1 to 20 μm, and ≥98 mass% of all the shells of the hollow particles are formed from silica. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、各種電子機器の製造に用いられる低誘電樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板に関するものである。   The present invention relates to a low dielectric resin composition, a prepreg, a metal-clad laminate, and a printed wiring board that are used for manufacturing various electronic devices.

近年の電子機器は、信号の高速化、配線数増加による高多層化が要求されている。このような要求を受けて積層板は、低誘電率化、低誘電正接化、低熱膨張率化(低α化)が必要となってきている。   In recent years, electronic devices are required to have a high number of layers by increasing the speed of signals and increasing the number of wires. In response to such demands, laminates are required to have a low dielectric constant, a low dielectric loss tangent, and a low thermal expansion coefficient (low α).

従来、低誘電率化、低誘電正接化を図るためには、誘電率や誘電正接の小さい材料であるポリイミドやフッ素化物が使われてきた。また、中空粒子等による空隙も利用されてきた(例えば、特許文献1−4参照。)。   Conventionally, in order to achieve a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, polyimides and fluorides, which are materials having a low dielectric constant and dielectric loss tangent, have been used. Moreover, the space | gap by a hollow particle etc. has also been utilized (for example, refer patent document 1-4).

一方、低熱膨張化の要求に対しては、無機フィラーを高充填する方法がとられてきた。
特開平5−9270号公報 特開平8−46309号公報 特開10−298407号公報 特開2005−15613号公報
On the other hand, in response to the demand for low thermal expansion, a method of highly filling an inorganic filler has been taken.
JP-A-5-9270 JP-A-8-46309 JP 10-298407 A JP-A-2005-15613

しかしながら、特許文献1−4に記載の中空粒子にあっては、不純物の影響で誘電率、誘電正接を共に小さくすることができないおそれがある。また、特許文献4のように中空粒子が有機化合物であると、誘電特性は良好であるが、熱膨張係数を下げることができず、多層化に対応できないおそれがある。さらに、多層化に伴って絶縁信頼性の要求も高まっている。   However, in the hollow particles described in Patent Documents 1-4, both the dielectric constant and the dielectric loss tangent may not be reduced due to the influence of impurities. In addition, when the hollow particles are organic compounds as in Patent Document 4, the dielectric properties are good, but the thermal expansion coefficient cannot be lowered, and there is a possibility that it is not possible to cope with multilayering. Furthermore, the requirement for insulation reliability has increased with the increase in the number of layers.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、誘電率、誘電正接、熱膨張率をいずれも小さくすることができると共に、絶縁信頼性を高く得ることができる低誘電樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above points. A low dielectric resin composition and a prepreg that can reduce the dielectric constant, dielectric loss tangent, and thermal expansion coefficient, and can obtain high insulation reliability. An object of the present invention is to provide a metal-clad laminate and a printed wiring board.

本発明の請求項1に係る低誘電樹脂組成物は、シェル及び中空部からなる中空粒子と熱硬化性樹脂とを含有する低誘電樹脂組成物において、中空粒子として、シェル全体の98質量%以上がシリカで形成されており、平均空隙率が30〜80体積%であり、かつ平均粒径が0.1〜20μmであるものを用いて成ることを特徴とするものである。   The low dielectric resin composition according to claim 1 of the present invention is a low dielectric resin composition containing a hollow particle composed of a shell and a hollow part and a thermosetting resin. Is made of silica, and has an average porosity of 30 to 80% by volume and an average particle size of 0.1 to 20 μm.

請求項2に係る発明は、請求項1において、中空粒子として、平均空隙率が50〜80体積%であるものを用いて成ることを特徴とするものである。   The invention according to claim 2 is characterized in that in claim 1, hollow particles having an average porosity of 50 to 80% by volume are used.

請求項3に係る発明は、請求項1又は2において、中空粒子として、平均粒径が0.5〜5μmであるものを用いて成ることを特徴とするものである。   The invention according to claim 3 is characterized in that in claim 1 or 2, the hollow particles are those having an average particle diameter of 0.5 to 5 μm.

請求項4に係る発明は、請求項1乃至3のいずれか一項において、中空粒子として、表面が疎水化処理されたものを用いて成ることを特徴とするものである。   The invention according to claim 4 is characterized in that in any one of claims 1 to 3, the hollow particles are those whose surfaces have been subjected to a hydrophobic treatment.

請求項5に係る発明は、請求項1乃至4のいずれか一項において、低誘電樹脂組成物全量に対して中空粒子の含有量が5〜30質量%であることを特徴とするものである。   The invention according to claim 5 is characterized in that, in any one of claims 1 to 4, the content of the hollow particles is 5 to 30% by mass with respect to the total amount of the low dielectric resin composition. .

請求項6に係る発明は、請求項1乃至5のいずれか一項において、低誘電樹脂組成物全量に対して中空粒子の含有量が5〜20質量%であることを特徴とするものである。   The invention according to claim 6 is characterized in that, in any one of claims 1 to 5, the content of the hollow particles is 5 to 20% by mass with respect to the total amount of the low dielectric resin composition. .

請求項7に係る発明は、請求項1乃至6のいずれか一項において、低誘電樹脂組成物全量に対して中空粒子の含有量が10〜20質量%であることを特徴とするものである。   The invention according to claim 7 is characterized in that, in any one of claims 1 to 6, the content of the hollow particles is 10 to 20% by mass with respect to the total amount of the low dielectric resin composition. .

請求項8に係る発明は、請求項1乃至7のいずれか一項において、熱硬化性樹脂として、ポリフェニレンエーテル樹脂を用いて成ることを特徴とするものである。   The invention according to an eighth aspect is characterized in that, in any one of the first to seventh aspects, a polyphenylene ether resin is used as the thermosetting resin.

請求項9に係る発明は、請求項8において、ポリフェニレンエーテル樹脂として、下記式(1)で示される構造を有し、かつ数平均分子量が3000〜7000であるものを用いて成ることを特徴とするものである。   The invention according to claim 9 is characterized in that in claim 8, the polyphenylene ether resin has a structure represented by the following formula (1) and has a number average molecular weight of 3000 to 7000. To do.

Figure 2008031409
Figure 2008031409

本願の請求項10に係るプリプレグは、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の低誘電樹脂組成物を基材に含浸させると共にこれを加熱乾燥して成ることを特徴とするものである。   A prepreg according to claim 10 of the present application is characterized in that the low dielectric resin composition according to any one of claims 1 to 9 is impregnated into a base material and heat-dried. .

本願の請求項11に係る金属張積層板は、請求項10に記載のプリプレグと金属箔とを積層すると共にこれを加熱加圧して成ることを特徴とするものである。   A metal-clad laminate according to claim 11 of the present application is characterized in that the prepreg according to claim 10 and a metal foil are laminated and heated and pressed.

本願の請求項12に係るプリント配線板は、請求項11に記載の金属張積層板に回路を形成して成ることを特徴とするものである。   A printed wiring board according to claim 12 of the present application is characterized in that a circuit is formed on the metal-clad laminate according to claim 11.

本発明の請求項1に係る低誘電樹脂組成物によれば、誘電率、誘電正接、熱膨張率をいずれも小さくすることができると共に、絶縁信頼性を高く得ることができるものである。   According to the low dielectric resin composition of the first aspect of the present invention, the dielectric constant, dielectric loss tangent, and thermal expansion coefficient can all be reduced, and insulation reliability can be increased.

請求項2に係る発明によれば、熱膨張率をさらに小さくすることができるものである。   According to the invention of claim 2, the coefficient of thermal expansion can be further reduced.

請求項3に係る発明によれば、はんだ耐熱性をさらに高めることができるものである。   According to the invention which concerns on Claim 3, solder heat resistance can further be improved.

請求項4に係る発明によれば、はんだ耐熱性をさらに高めることができるものである。   According to the invention which concerns on Claim 4, solder heat resistance can further be improved.

請求項5に係る発明によれば、はんだ耐熱性、絶縁信頼性、プリプレグの樹脂流れをさらに高めることができると共に、積層板の表面に凹凸が発生するのを防止して良好な外観を得ることができるものである。   According to the invention of claim 5, the heat resistance of the solder, the insulation reliability, and the resin flow of the prepreg can be further improved, and a good appearance can be obtained by preventing the unevenness on the surface of the laminate. It is something that can be done.

請求項6に係る発明によれば、スルーホールなどの穴あけの際に用いられるドリルの磨耗が少なくなってドリルの寿命を延ばすことができるものである。   According to the invention which concerns on Claim 6, wear of the drill used at the time of drilling of a through-hole etc. decreases, and the lifetime of a drill can be extended.

請求項7に係る発明によれば、誘電率、誘電正接、熱膨張率をさらに小さくすることができるものである。   According to the invention which concerns on Claim 7, a dielectric constant, a dielectric loss tangent, and a thermal expansion coefficient can be made still smaller.

請求項8に係る発明によれば、誘電率、誘電正接をさらに小さくすることができるものである。   According to the eighth aspect of the present invention, the dielectric constant and dielectric loss tangent can be further reduced.

請求項9に係る発明によれば、誘電率をさらに小さくすることができると共に、プリプレグの樹脂流れをさらに高めることができるものである。   According to the ninth aspect of the invention, the dielectric constant can be further reduced and the resin flow of the prepreg can be further increased.

本発明の請求項10に係るプリプレグによれば、誘電率、誘電正接、熱膨張率をいずれも小さくすることができると共に、絶縁信頼性を高く得ることができるものである。   According to the prepreg of the present invention, the dielectric constant, dielectric loss tangent, and thermal expansion coefficient can all be reduced, and insulation reliability can be increased.

本発明の請求項11に係る金属張積層板によれば、誘電率、誘電正接、熱膨張率をいずれも小さくすることができると共に、絶縁信頼性を高く得ることができるものである。   According to the metal-clad laminate of claim 11 of the present invention, the dielectric constant, dielectric loss tangent, and thermal expansion coefficient can all be reduced, and insulation reliability can be increased.

本発明の請求項12に係るプリント配線板によれば、誘電率、誘電正接、熱膨張率をいずれも小さくすることができると共に、絶縁信頼性を高く得ることができるものである。   According to the printed wiring board of the twelfth aspect of the present invention, the dielectric constant, dielectric loss tangent, and coefficient of thermal expansion can all be reduced, and insulation reliability can be increased.

以下、本発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

本発明に係る低誘電樹脂組成物は、シェル(外殻)及び中空部からなる中空粒子と熱硬化性樹脂とを含有するものである。   The low dielectric resin composition according to the present invention contains hollow particles composed of a shell (outer shell) and a hollow portion and a thermosetting resin.

本発明において熱硬化性樹脂としては、臭素化エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を1種類のみ又は2種類以上用いることができ、特に限定されるものではないが、ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂を用いるのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂等を用いる場合に比べて、誘電率、誘電正接をさらに小さくすることができるものである。このようなポリフェニレンエーテル樹脂としては、次の一般式(2)の構造で表される高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂を後述する分子量低減方法により分子量を低減させて得られるものを用いることができる。   In the present invention, as the thermosetting resin, one kind or two or more kinds of epoxy resins such as brominated epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin can be used, and it is not particularly limited, but polyphenylene ether (PPE) It is preferable to use a resin. Thereby, compared with the case where an epoxy resin etc. are used, a dielectric constant and a dielectric loss tangent can be made still smaller. As such a polyphenylene ether resin, those obtained by reducing the molecular weight of the high molecular weight polyphenylene ether resin represented by the structure of the following general formula (2) by a molecular weight reduction method described later can be used.

Figure 2008031409
Figure 2008031409

前記一般式(1)で表される高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂としては、ポリ(2,6−ジメチル−1,4−フェニレンオキサイド)等が挙げられる。   Examples of the high molecular weight polyphenylene ether resin represented by the general formula (1) include poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene oxide).

本発明において用いることができるポリフェニレンエーテル樹脂は、例えば、米国特許第4059568号明細書に開示されている方法で合成した数平均分子量(Mn)が13000〜25000程度の前記高分子量ポリフェニレンエーテルを、成形に適した溶融粘度に調整するために数平均分子量が2000〜10000程度に分子量を低減させることにより得られる。   The polyphenylene ether resin that can be used in the present invention is, for example, molded from the high molecular weight polyphenylene ether having a number average molecular weight (Mn) of about 13,000 to 25,000 synthesized by the method disclosed in US Pat. No. 4,059,568. In order to adjust to a melt viscosity suitable for the number, the number average molecular weight is obtained by reducing the molecular weight to about 2000 to 10,000.

分子量を低減させたポリフェニレンエーテル樹脂を得る方法としては、公知の分子量を低減させる方法、具体的には、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂にフェノール種を反応させることにより分子量を低減させる「The Journal of Organic Chemistry,34,297-303(1969)」に記載の方法及びその改良された公知の方法等を用いることができる。   As a method for obtaining a polyphenylene ether resin having a reduced molecular weight, a known method for reducing the molecular weight, specifically, for example, the method of reducing the molecular weight by reacting a phenol species with a polyphenylene ether resin, “The Journal of Organic Chemistry. , 34,297-303 (1969) ", an improved known method thereof, and the like can be used.

前記方法としては、例えば、数平均分子量が13000〜25000程度の前記高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂をフェノール種、分解過酸化物及び必要に応じて分解反応を促進するナフテン酸コバルト等の脂肪酸金属塩とともに溶剤中で反応させることにより数平均分子量が2000〜10000程度にまで分解させる方法等が挙げられる。   As the method, for example, the high molecular weight polyphenylene ether resin having a number average molecular weight of about 13,000 to 25,000 is a solvent together with a phenol species, a decomposition peroxide and, if necessary, a fatty acid metal salt such as cobalt naphthenate for promoting a decomposition reaction. The method of decomposing even the number average molecular weight to about 2000-10000 by making it react in is mentioned.

前記フェノール種としては、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、ヒドロキノン、ビスフェノールA、2,6−ジメチルフェノール、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル等が挙げられる。   Examples of the phenol species include phenol, cresol, xylenol, hydroquinone, bisphenol A, 2,6-dimethylphenol, 4,4'-dihydroxydiphenyl ether, and the like.

また、前記分解過酸化物としては、例えば、ジ(t−ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン、過酸化ベンゾイル、3,3’,5,5’−テトラメチル−1,4−ジフェノキノンクロラニル、2,4,6−トリ−t−ブチルフェノキシル、t−ブチルペルオキシイソプロピルモノカーボネート、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。   Examples of the decomposition peroxide include di (t-butylperoxyisopropyl) benzene, benzoyl peroxide, 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-1,4-diphenoquinone chloranil, 2 , 4,6-tri-t-butylphenoxyl, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, azobisisobutyronitrile and the like.

そして特にポリフェニレンエーテル樹脂としては、下記式(1)で示される構造を有し、かつ数平均分子量が3000〜7000であるものを用いるのが好ましい。   And especially as a polyphenylene ether resin, it is preferable to use what has a structure shown by following formula (1) and whose number average molecular weight is 3000-7000.

Figure 2008031409
Figure 2008031409

前記Xで示されるアリール基は前記フェノール種に由来するものである。前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、インデニル基、ナフチル基を挙げることができ、好適にはフェニル基である。また、これらアリール基が酸素原子で結合されているジフェニルエーテル基等や、カルボニル基で結合されたベンゾフェノン基等、アルキレン基により結合された2,2−ジフェニルプロパン基等も、本発明のアリール基の定義に含まれる。また、これらアリール基は、アルキル基(好適にはC1〜C6アルキル基、特にメチル基)、アルケニル基、アルキニル基やハロゲン原子など、一般的な置換基によって置換されていてもよい。   The aryl group represented by X is derived from the phenol species. Examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, an indenyl group, and a naphthyl group, and a phenyl group is preferable. In addition, the aryl group of the present invention also includes a diphenyl ether group in which these aryl groups are bonded with an oxygen atom, a benzophenone group bonded with a carbonyl group, and a 2,2-diphenylpropane group bonded with an alkylene group. Included in the definition. In addition, these aryl groups may be substituted with a general substituent such as an alkyl group (preferably a C1-C6 alkyl group, particularly a methyl group), an alkenyl group, an alkynyl group, or a halogen atom.

そして上記式(1)で示される構造を有するポリフェニレンエーテル樹脂を用いることにより、誘電率をさらに小さくすることができると共に、プリプレグの樹脂流れをさらに高めることができるものである。しかし、数平均分子量が3000未満であると、ガラス転移温度や耐熱性が低下するおそれがあり、逆に、数平均分子量が7000を超えると、流動性が小さくなり、回路間への樹脂充填不良が発生するおそれがある。   By using the polyphenylene ether resin having the structure represented by the above formula (1), the dielectric constant can be further reduced and the resin flow of the prepreg can be further increased. However, if the number average molecular weight is less than 3000, the glass transition temperature and the heat resistance may be lowered. Conversely, if the number average molecular weight exceeds 7000, the fluidity is reduced, and the resin filling between circuits is poor. May occur.

また、さらには前記一般式(1)中の下記一般式(3)で示される部分のZがフェニレン基であり、かつ、nが1であり、その数平均分子量が3000〜7000であるポリフェニレンエーテル樹脂が特に好ましい。   Further, in the general formula (1), a polyphenylene ether in which Z of the moiety represented by the following general formula (3) is a phenylene group, n is 1, and the number average molecular weight is 3000 to 7000. Resins are particularly preferred.

Figure 2008031409
Figure 2008031409

このようなポリフェニレンエーテル樹脂を用いることにより、得られるプリプレグの成形性に優れ、また、得られる積層板のはんだ耐熱性等の耐熱性も高くなり、さらに伝送速度に影響する誘電正接が低くなる傾向がある。   By using such a polyphenylene ether resin, the moldability of the resulting prepreg is excellent, the heat resistance such as solder heat resistance of the obtained laminate is increased, and the dielectric loss tangent that affects the transmission speed tends to be lower. There is.

前記一般式(3)で示される部分構造は、前記部分構造を有する化合物のハロゲン化物、例えば、ハロゲン化メチルスチレン等と前記低分子量化されたポリフェニレンエーテル樹脂とをアルカリ金属水酸化物の存在下で反応させることによって行うことができる。   In the partial structure represented by the general formula (3), a halide of a compound having the partial structure, for example, halogenated methylstyrene, and the polyphenylene ether resin reduced in molecular weight are present in the presence of an alkali metal hydroxide. It can be performed by reacting with.

具体的な一例としては、例えば、末端にフェノール基を有するポリフェニレンエーテル樹脂及びハロゲン化メチルスチレンをトルエン等の有機溶剤に溶解させ、この溶液にアルカリ金属水酸化物の水溶液を滴下することによって、前記構造の一例であるエテニルベンジル化による末端修飾されたポリフェニレンエーテル樹脂が得られる。このとき、アルカリ金属水酸化物は脱ハロゲン化水素剤(例えば、脱塩酸剤)として機能し、このアルカリ金属水酸化物がフェノール基とハロゲン化メチルスチレンからハロゲン化水素を脱離させることによって、ポリフェニレンエーテル樹脂の末端のフェノール基(−OH)のHの代わりに前記一般式(1)で示される構造がOに結合することとなる。なお、反応温度は30〜100℃、反応時間は0.5〜20時間であることが好ましい。   As a specific example, for example, by dissolving a polyphenylene ether resin having a phenol group at the terminal and halogenated methylstyrene in an organic solvent such as toluene, and dropping an aqueous solution of an alkali metal hydroxide into this solution, An end-modified polyphenylene ether resin by ethenyl benzylation, which is an example of the structure, is obtained. At this time, the alkali metal hydroxide functions as a dehydrohalogenating agent (for example, a dehydrochlorinating agent), and this alkali metal hydroxide desorbs the hydrogen halide from the phenol group and halogenated methylstyrene, The structure represented by the general formula (1) is bonded to O instead of H of the phenol group (—OH) at the terminal of the polyphenylene ether resin. In addition, it is preferable that reaction temperature is 30-100 degreeC and reaction time is 0.5 to 20 hours.

前記ハロゲン化メチルスチレンとしては、例えば、p−クロロメチルスチレン、m−クロロメチルスチレン、p−クロロメチルスチレンとm−クロロメチルスチレンとの混合体、p−ブロモメチルスチレン、m−ブロモメチルスチレン、p−ブロモメチルスチレンとm−ブロモメチルスチレンとの混合体等を用いることができる。特に、ハロゲン化メチルスチレンが、p−クロロメチルスチレン及びm−クロロメチルスチレンからなる群から選ばれる少なくとも1種のものであることが好ましい。このようなハロゲン化メチルスチレンを用いると、前記一般式(3)で示される部分構造がp−エテニルベンジル基及びm−エテニルベンジル基からなる群から選ばれる少なくとも1種のものとなり、ポリフェニレンエーテル樹脂の融点や軟化点を任意に変化させることができる。例えば、p−クロロメチルスチレンを使用すると、対称性が良好となり、高融点、高軟化点のポリフェニレンエーテル樹脂を得ることができ、また、p−クロロメチルスチレンとm−クロロメチルスチレンとの混合体を使用すると、低融点、低軟化点のポリフェニレンエーテル樹脂を得ることができ、成形時における作業性が良好となるものである。   Examples of the halogenated methylstyrene include, for example, p-chloromethylstyrene, m-chloromethylstyrene, a mixture of p-chloromethylstyrene and m-chloromethylstyrene, p-bromomethylstyrene, m-bromomethylstyrene, A mixture of p-bromomethylstyrene and m-bromomethylstyrene or the like can be used. In particular, the halogenated methylstyrene is preferably at least one selected from the group consisting of p-chloromethylstyrene and m-chloromethylstyrene. When such a halogenated methylstyrene is used, the partial structure represented by the general formula (3) becomes at least one selected from the group consisting of a p-ethenylbenzyl group and an m-ethenylbenzyl group. The melting point and softening point of the ether resin can be arbitrarily changed. For example, when p-chloromethylstyrene is used, the symmetry becomes good, and a polyphenylene ether resin having a high melting point and a high softening point can be obtained. Also, a mixture of p-chloromethylstyrene and m-chloromethylstyrene Can be used to obtain a polyphenylene ether resin having a low melting point and a low softening point, and the workability during molding is improved.

また、上記のアルカリ金属水酸化物としては、特に限定されるものではないが、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、これらの混合物等を用いることができる。なお、アルカリ金属水酸化物の配合割合はフェノール基1モルに対して1.1〜2.0倍モル程度であることが好ましい。   The alkali metal hydroxide is not particularly limited, and for example, potassium hydroxide, sodium hydroxide, a mixture thereof, and the like can be used. In addition, it is preferable that the mixture ratio of an alkali metal hydroxide is about 1.1-2.0 times mole with respect to 1 mol of phenol groups.

エテニルベンジル化を行うにあたっては、相間移動触媒を用いるようにしてもよい。相間移動触媒は、アルカリ金属水酸化物を取り込む機能をもち、水のような極性溶剤からなる相と有機溶媒のような非極性溶剤からなる相の両方の相に可溶で、これらの相間を移動することができる触媒である。相間移動触媒を用いない場合においては、アルカリ金属水酸化物のみを非極性溶剤に可溶化するのは困難であるため、非極性溶剤に溶解しているポリフェニレンエーテル樹脂及びハロゲン化メチルスチレンからハロゲン化水素を脱離するのに長時間を要するおそれがある。しかし、相間移動触媒の存在下においては、極性溶剤に溶解しているアルカリ金属水酸化物は相間移動触媒に取り込まれた後にこの相間移動触媒によって非極性溶剤中に移送されることから、アルカリ金属水酸化物を非極性溶剤に容易に可溶化することができ、エテニルベンジル化を促進することができるものである。相間移動触媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、テトラ−n−ブチルアンモニウムブロマイド等の第4級アンモニウム塩を用いることができる。なお、相間移動触媒の存在下においては、100℃以下の温度でエテニルベンジル化の反応を行うのが好ましい。   In carrying out ethenyl benzylation, a phase transfer catalyst may be used. The phase transfer catalyst has a function of incorporating an alkali metal hydroxide and is soluble in both a phase composed of a polar solvent such as water and a phase composed of a nonpolar solvent such as an organic solvent. It is a catalyst that can move. When a phase transfer catalyst is not used, it is difficult to solubilize only alkali metal hydroxide in a nonpolar solvent, so halogenation is performed from polyphenylene ether resin and halogenated methylstyrene dissolved in the nonpolar solvent. It may take a long time to desorb hydrogen. However, in the presence of the phase transfer catalyst, the alkali metal hydroxide dissolved in the polar solvent is taken into the phase transfer catalyst and then transferred into the nonpolar solvent by the phase transfer catalyst. Hydroxides can be easily solubilized in nonpolar solvents, and ethenylbenzylation can be promoted. The phase transfer catalyst is not particularly limited, and for example, a quaternary ammonium salt such as tetra-n-butylammonium bromide can be used. In the presence of a phase transfer catalyst, the ethenyl benzylation reaction is preferably performed at a temperature of 100 ° C. or lower.

上述した方法により、分子末端に前記一般式(1)で示される構造を少なくとも1つ以上(実質上の上限は4個)有するポリフェニレンエーテル樹脂を製造することができる。   By the method described above, a polyphenylene ether resin having at least one structure (substantially upper limit is 4) represented by the general formula (1) at the molecular end can be produced.

本発明に係る低誘電樹脂組成物には、熱硬化性樹脂、後述する中空粒子のほか、架橋性硬化剤等が含有されていてもよい。   The low dielectric resin composition according to the present invention may contain a crosslinkable curing agent in addition to a thermosetting resin and hollow particles described later.

前記架橋性硬化剤としては、トリアリルイソシアヌレート(TAIC)、トリアリルシアヌレート、ジアリルフタレート、ジアリルイソフタレート、ジアリルマレエート、ジアリルフマレート、ジエチレングリコールジアリルカーボネート、トリアリルホスフェート、エチレングリコールジアリルエーテル、トリメチロールプロパンのアリルエーテル、ペンタエリトリットの部分的アリルエーテル、ジアリルセバケート、アリル化ノボラック、アリル化レゾール樹脂のような化合物が用いられる。これらの中ではトリアリルイソシアネートが伝送時間のバラツキに影響を及ぼす誘電正接を低くすることができる点から好ましい。   Examples of the crosslinkable curing agent include triallyl isocyanurate (TAIC), triallyl cyanurate, diallyl phthalate, diallyl isophthalate, diallyl maleate, diallyl fumarate, diethylene glycol diallyl carbonate, triallyl phosphate, ethylene glycol diallyl ether, triaryl ether Compounds such as allyl ether of methylolpropane, partially allyl ether of pentaerythritol, diallyl sebacate, allylated novolak, allylated resole resin are used. Among these, triallyl isocyanate is preferable from the viewpoint that the dielectric loss tangent which affects the variation in transmission time can be lowered.

本発明において中空粒子としては、次の3つの条件を満たすものを用いるものである。   In the present invention, hollow particles satisfying the following three conditions are used.

まず1つ目の条件として、シェル全体の98質量%以上(実質上の上限は100質量%)がシリカ(SiO)で形成されていることが必要とされる。シリカがシェル全体の98質量%未満であると、誘電率、誘電正接、熱膨張率が大きくなったり、絶縁信頼性が低くなったりするおそれがある。ここで、中空粒子は、ゾルゲル法で製造することができるが、この方法で製造したものはシェル全体の98質量%以上がシリカで形成されていても、シラノール基が多くなり、誘電正接が悪くなるおそれがあるので、火炎溶融法で製造するのが好ましい。なお、シェル全体の2質量%未満を占める成分としては、例えば、CaO、Al、B、MgO、NaO、KO、TiO等を挙げることができる。また、中空粒子の中空部には、窒素、酸素、アルゴン等の不活性ガス、空気のような混合ガスが充填されている。 First, as a first condition, 98% by mass or more (substantially upper limit is 100% by mass) of the entire shell is required to be formed of silica (SiO 2 ). If the silica content is less than 98% by mass of the entire shell, the dielectric constant, dielectric loss tangent, thermal expansion coefficient may increase, and insulation reliability may decrease. Here, the hollow particles can be produced by the sol-gel method. Even if 98% by mass or more of the entire shell is formed of silica, the hollow particles have a large number of silanol groups and poor dielectric loss tangent. Therefore, it is preferable to manufacture by a flame melting method. As the component occupying less than 2% by weight of the total shell include, for example, CaO, Al 2 O 3, B 2 O 3, MgO, Na 2 O, K 2 O, and TiO 2 or the like. The hollow part of the hollow particles is filled with an inert gas such as nitrogen, oxygen or argon, or a mixed gas such as air.

次に2つ目の条件として、平均空隙率が30〜80体積%であることが必要とされる。平均空隙率が30体積%未満であると、中空粒子の中空部の比率が少なすぎて十分に低誘電率化することができず、逆に、平均空隙率が80体積%を超えると、積層板の製造時等に中空粒子が割れて低誘電率化することができない。特に中空粒子としては、平均空隙率が50〜80体積%であるものを用いるのが好ましい。これにより、熱膨張率をさらに小さくすることができるものである。なお、前記平均空隙率は、ピクノメータ法により平均比重を測定し、中空粒子を形成する材質の比重との比から、(1−(平均比重/中空粒子を形成する材質の比重))×100(体積%)により算出される。前記中空粒子の比重は0.9〜1.3、さらには0.9〜1.1程度のものである。このような中空粒子の具体例としては、例えば、電気化学工業(株)製の「DBSシリーズ」等が挙げられる。   Next, as the second condition, the average porosity is required to be 30 to 80% by volume. If the average porosity is less than 30% by volume, the ratio of the hollow portions of the hollow particles is too small to sufficiently reduce the dielectric constant. Conversely, if the average porosity exceeds 80% by volume, the laminate The hollow particles are broken during the production of the plate and the dielectric constant cannot be lowered. In particular, it is preferable to use hollow particles having an average porosity of 50 to 80% by volume. Thereby, the thermal expansion coefficient can be further reduced. The average porosity is measured by the pycnometer method and the ratio of the average specific gravity to the specific gravity of the material forming the hollow particles is (1− (average specific gravity / specific gravity of the material forming the hollow particles)) × 100 ( Volume%). The specific gravity of the hollow particles is about 0.9 to 1.3, more preferably about 0.9 to 1.1. Specific examples of such hollow particles include “DBS series” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. and the like.

最後に3つ目の条件として、平均粒径が0.1〜20μmであることが必要とされる。平均粒径が0.1μm未満であると、流動性が悪くなり、プリプレグの樹脂流れが低下し、逆に、平均粒径が20μmを超えると、絶縁信頼性が低下すると共に、近年の積層板の薄型化により積層板の外観が悪くなる。特に中空粒子としては、平均粒径が0.5〜5μmであるものを用いるのが好ましい。これにより、はんだ耐熱性をさらに高めることができるものである。なお、平均粒径は、レーザー回折式粒度分布測定法により、例えば、CILAS Model 920L レーザー回折式粒度分布測定装置等を用いて測定することができる。   Finally, as a third condition, the average particle size is required to be 0.1 to 20 μm. When the average particle size is less than 0.1 μm, the fluidity is deteriorated and the resin flow of the prepreg is lowered. On the contrary, when the average particle size is more than 20 μm, the insulation reliability is lowered, and a recent laminated board The appearance of the laminate is deteriorated due to the reduction in thickness. In particular, it is preferable to use hollow particles having an average particle size of 0.5 to 5 μm. Thereby, solder heat resistance can further be improved. The average particle size can be measured by a laser diffraction particle size distribution measurement method, for example, using a CILAS Model 920L laser diffraction particle size distribution measurement device or the like.

また、中空粒子としては、表面が疎水化処理されたものを用いるのが好ましい。この疎水化処理は、カップリング剤を用いて行うことができる。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、カップリング剤としてエポキシシランやアミノシラン等を用い、熱硬化性樹脂としてポリフェニレンエーテル樹脂を用いる場合には、カップリング剤としてビニルシランやシラザン等を用いるのが好ましい。このように、カップリング剤を用いて中空粒子の表面を疎水化処理すると、吸湿時におけるはんだ耐熱性をさらに高めることができ、また、ワニスを調製する際の分散性を高めることができ、また、積層板における層間密着性及び絶縁信頼性を高めることができるものである。   Moreover, as the hollow particles, it is preferable to use those whose surfaces have been subjected to a hydrophobic treatment. This hydrophobizing treatment can be performed using a coupling agent. When an epoxy resin is used as the thermosetting resin, epoxy silane, aminosilane or the like is used as the coupling agent, and when a polyphenylene ether resin is used as the thermosetting resin, vinyl silane or silazane is used as the coupling agent. Is preferred. Thus, when the surface of the hollow particles is hydrophobized using a coupling agent, the solder heat resistance during moisture absorption can be further increased, and the dispersibility when preparing the varnish can be increased. In addition, interlayer adhesion and insulation reliability in the laminate can be improved.

そして、低誘電樹脂組成物全量に対して中空粒子の含有量は5〜30質量%であることが好ましい。これにより、はんだ耐熱性、絶縁信頼性、プリプレグの樹脂流れをさらに高めることができると共に、積層板の表面に凹凸が発生するのを防止して良好な外観を得ることができるものである。しかし、中空粒子の含有量が5質量%未満であると、低誘電率化の効果を十分に得ることができないおそれがあり、逆に、中空粒子の含有量が30質量%を超えると、吸湿時におけるはんだ耐熱性が低下したり、また、プリプレグの樹脂流れが低下したり、また、積層板における層間密着性及び絶縁信頼性が低下したりするおそれがある。特に中空粒子の含有量は5〜20質量%であることがより好ましい。これにより、スルーホールなどの穴あけの際に用いられるドリルの磨耗が少なくなってドリルの寿命を延ばすことができるものである。さらに中空粒子の含有量は10〜20質量%であることがより好ましい。これにより、誘電率、誘電正接、熱膨張率をさらに小さくすることができるものである。   And it is preferable that content of a hollow particle is 5-30 mass% with respect to the low dielectric resin composition whole quantity. As a result, the solder heat resistance, the insulation reliability, and the resin flow of the prepreg can be further increased, and the appearance of irregularities on the surface of the laminated plate can be prevented and a good appearance can be obtained. However, if the content of the hollow particles is less than 5% by mass, the effect of lowering the dielectric constant may not be sufficiently obtained. Conversely, if the content of the hollow particles exceeds 30% by mass, the moisture absorption There is a possibility that the solder heat resistance at the time is lowered, the resin flow of the prepreg is lowered, and the interlayer adhesion and insulation reliability in the laminated board are lowered. In particular, the content of the hollow particles is more preferably 5 to 20% by mass. Thereby, wear of a drill used for drilling a through hole or the like is reduced, and the life of the drill can be extended. Furthermore, the content of the hollow particles is more preferably 10 to 20% by mass. As a result, the dielectric constant, dielectric loss tangent, and thermal expansion coefficient can be further reduced.

以上のように、本発明に係る低誘電樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と所定の中空粒子とを含有しているので、誘電率、誘電正接、熱膨張率をいずれも小さくすることができると共に、絶縁信頼性を高く得ることができるものである。   As described above, since the low dielectric resin composition according to the present invention contains a thermosetting resin and predetermined hollow particles, the dielectric constant, dielectric loss tangent, and thermal expansion coefficient can all be reduced. In addition, high insulation reliability can be obtained.

本発明に係る低誘電樹脂組成物は、プリプレグの製造の際に基材に含浸させる目的でワニスに調製される。以下、ワニスの調製方法について説明する。   The low dielectric resin composition according to the present invention is prepared into a varnish for the purpose of impregnating a base material during the production of a prepreg. Hereinafter, the preparation method of a varnish is demonstrated.

熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、まず加熱した有機溶媒にエポキシ樹脂を溶解し、さらにジシアンジアミド(DICY)等の硬化剤及び2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ)等の硬化促進剤を添加し、これを攪拌混合することによって樹脂ワニスを調製する。次にこの樹脂ワニスを冷却した後、中空粒子を添加し、再度攪拌混合することによって、低誘電樹脂組成物のワニスを得ることができる。   When using an epoxy resin as the thermosetting resin, first, the epoxy resin is dissolved in a heated organic solvent, and further, a curing agent such as dicyandiamide (DICY) and curing acceleration such as 2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ) are performed. A resin varnish is prepared by adding an agent and stirring and mixing it. Next, after cooling this resin varnish, a hollow particle is added, and it stirs and mixes again, The varnish of a low dielectric resin composition can be obtained.

一方、熱硬化性樹脂としてポリフェニレンエーテル樹脂を用いる場合には、まず加熱した有機溶媒にポリフェニレンエーテル樹脂を溶解し、さらにトリアリルイソシアヌレート(TAIC)等の架橋性硬化剤及びジ(t−ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン等の反応開始剤を添加し、これを攪拌混合することによって樹脂ワニスを調製する。次にこの樹脂ワニスを冷却した後、中空粒子を添加し、再度攪拌混合することによって、低誘電樹脂組成物のワニスを得ることができる。   On the other hand, when a polyphenylene ether resin is used as the thermosetting resin, first, the polyphenylene ether resin is dissolved in a heated organic solvent, and further, a crosslinkable curing agent such as triallyl isocyanurate (TAIC) and di (t-butylperoxide) are used. A resin varnish is prepared by adding a reaction initiator such as oxyisopropyl) benzene and stirring and mixing it. Next, after cooling this resin varnish, a hollow particle is added, and it stirs and mixes again, The varnish of a low dielectric resin composition can be obtained.

前記有機溶媒としては、樹脂成分を溶解し、かつ反応に悪影響を及ぼすものでなければ特に限定されるものではないが、例えば、メチルエチルケトン(MEK)等のケトン類、ジブチルエーテル等のエーテル類、酢酸エチル等のエステル類、ジメチルホルムアミド(DMF)等のアミド類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、トリクロロエチレン等の塩素化炭化水素等の適当な有機溶媒を1種類のみ用いたり、2種類以上を混合して用いたりすることができる。前記ワニスの固形分濃度は、プリプレグを製造するにあたって基材に含浸させる作業に応じて適当に調整すればよく、例えば、20〜80質量%が適当である。   The organic solvent is not particularly limited as long as it does not dissolve the resin component and does not adversely affect the reaction. For example, ketones such as methyl ethyl ketone (MEK), ethers such as dibutyl ether, acetic acid Esters such as ethyl, amides such as dimethylformamide (DMF), aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene, and a suitable organic solvent such as chlorinated hydrocarbons such as trichloroethylene may be used. A mixture of more than one can be used. What is necessary is just to adjust the solid content density | concentration of the said varnish suitably according to the operation | work which makes a base material impregnate in manufacturing a prepreg, for example, 20-80 mass% is suitable.

また、前記攪拌混合する方法としては、各成分を溶媒中に均一に溶解又は分散させる方法であれば特に限定されるものではないが、具体的には、プラネタリーミキサー、ボールミル、ビーズミル、ロールミル等を用いる方法が好ましい。   Further, the method of stirring and mixing is not particularly limited as long as each component is uniformly dissolved or dispersed in a solvent. Specifically, a planetary mixer, a ball mill, a bead mill, a roll mill, etc. The method using is preferable.

そして、本発明に係るプリプレグは、上記のようにして得られる低誘電樹脂組成物を基材に含浸させると共に、これを半硬化状態(Bステージ状態)となるまで加熱乾燥することによって、製造することができる。   The prepreg according to the present invention is produced by impregnating the base material with the low dielectric resin composition obtained as described above and heating and drying it until it is in a semi-cured state (B stage state). be able to.

前記基材としては、ガラス繊維からなるガラスクロスや有機繊維の織布等を用いることができるが、寸法安定性に優れており、剛性が高い等性能のバランスに優れているため、ガラスクロスを用いることが好ましい。   As the base material, glass cloth made of glass fiber, woven fabric of organic fiber, or the like can be used, but it has excellent dimensional stability and high balance of performance such as high rigidity. It is preferable to use it.

また、プリプレグ中の低誘電樹脂組成物の含有量は40〜95質量%であることが好ましい。含有量が40質量%未満であると、成形時にボイド・カスレ等が発生するおそれがある。なお、含有量が95質量%を超えることは困難であるため、実質的な上限は95質量%となる。   Moreover, it is preferable that content of the low dielectric resin composition in a prepreg is 40-95 mass%. If the content is less than 40% by mass, voids, creases and the like may occur during molding. In addition, since it is difficult for content to exceed 95 mass%, a substantial upper limit will be 95 mass%.

また、プリプレグを製造するにあたって、含浸は浸漬(ディッピング)や塗布等によって行うことができる。含浸は必要に応じて複数回繰り返して行うことも可能であり、またこの際組成や濃度の異なる複数の溶液を用いて含浸を繰り返し、最終的に希望とする組成及び樹脂量に調整することも可能である。   Further, in producing the prepreg, the impregnation can be performed by dipping or coating. The impregnation can be repeated several times as necessary. At this time, the impregnation can be repeated using a plurality of solutions having different compositions and concentrations, and finally adjusted to a desired composition and resin amount. Is possible.

また、低誘電樹脂組成物のワニスが含浸された基材は、所望の加熱条件、例えば、80〜170℃で1〜10分間加熱されることにより、半硬化状態のプリプレグとなる。   Moreover, the base material impregnated with the varnish of the low dielectric resin composition becomes a semi-cured prepreg by being heated at a desired heating condition, for example, 80 to 170 ° C. for 1 to 10 minutes.

次に、本発明に係る金属張積層板は、上記のようにして得られるプリプレグと金属箔とを積層すると共に、これを加熱加圧することによって、製造することができる。具体的には、プリプレグ(1枚のみ又は2枚以上重ねたもの)の両面又は片面に銅箔等の金属箔を重ね、これを加熱加圧して積層一体化することによって、両面金属張積層板又は片面金属張積層板を得ることができる。   Next, the metal-clad laminate according to the present invention can be manufactured by laminating the prepreg and the metal foil obtained as described above and heating and pressing the prepreg. Specifically, a double-sided metal-clad laminate is obtained by stacking metal foils such as copper foil on both sides or one side of a prepreg (one or two or more layers), and heating and pressurizing and integrating them. Alternatively, a single-sided metal-clad laminate can be obtained.

そして、本発明に係るプリント配線板は、上記のようにして得られる金属張積層板に回路を形成することによって、製造することができる。具体的には、金属張積層板の表面の金属箔をエッチングにより除去して導体パターンを形成することによって、プリント配線板を得ることができる。また、このプリント配線板をコア材として用いて、多層プリント配線板を製造することもできる。   And the printed wiring board which concerns on this invention can be manufactured by forming a circuit in the metal-clad laminated board obtained as mentioned above. Specifically, a printed wiring board can be obtained by removing the metal foil on the surface of the metal-clad laminate by etching to form a conductor pattern. Moreover, a multilayer printed wiring board can also be manufactured using this printed wiring board as a core material.

以上のように、本発明に係るプリプレグ、金属張積層板、プリント配線板(多層プリント配線板も含む)はいずれも、低誘電樹脂組成物を材料として用いて製造されているので、誘電率、誘電正接、熱膨張率をいずれも小さくすることができると共に、絶縁信頼性を高く得ることができるものである。   As described above, since the prepreg, the metal-clad laminate, and the printed wiring board (including a multilayer printed wiring board) according to the present invention are all manufactured using a low dielectric resin composition as a material, the dielectric constant, Both the dielectric loss tangent and the coefficient of thermal expansion can be reduced, and insulation reliability can be increased.

以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.

(実施例1〜9、11、12、15)
下記[表1]に示す配合量で、まずジメチルホルムアミド(DMF)及びメチルエチルケトン(MEK)の混合溶剤(室温)に、臭素化エポキシ樹脂である東都化成(株)製「YDB−500EK75」(エポキシ当量500、固形分75質量%)及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂である東都化成(株)製「YDCN220EK75」(エポキシ当量210、固形分75質量%)を溶解し、さらに日本カーバイト(株)製のジシアンジアミド(DICY)及び四国化成工業(株)製の2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ)を添加し、これを攪拌混合することによって樹脂ワニスを調製した。次にこの樹脂ワニスを室温まで冷却した後、下記[表4]〜[表6]に示す配合量で、中空粒子(「中空粒子−1」〜「中空粒子−8」)を添加し、再度ディスパーを用いて3000rpmで30分間攪拌混合することによって、実施例1〜9、11、12、15の低誘電樹脂組成物のワニスを得た。
(Examples 1-9, 11, 12, 15)
In the blending amount shown in the following [Table 1], first, a mixed solvent (room temperature) of dimethylformamide (DMF) and methyl ethyl ketone (MEK) is “YDB-500EK75” (epoxy equivalent) manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., which is a brominated epoxy resin. 500, solid content 75% by mass) and “YDCN220EK75” (epoxy equivalent 210, solid content 75% by mass) manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., which is a cresol novolak type epoxy resin, and further dicyandiamide manufactured by Nippon Carbide Co., Ltd. (DICY) and 2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. were added, and this was stirred and mixed to prepare a resin varnish. Next, after cooling this resin varnish to room temperature, hollow particles (“hollow particles-1” to “hollow particles-8”) are added in the blending amounts shown in [Table 4] to [Table 6] below, and again. The low dielectric resin composition varnishes of Examples 1 to 9, 11, 12, and 15 were obtained by stirring and mixing at 3000 rpm for 30 minutes using a disper.

(実施例10)
中空粒子として、エポキシシランである信越化学工業(株)製「KBM403」を用いて表面を疎水化処理したもの(「中空粒子−9」)を用いるようにした以外は、実施例1〜9、11、12、15と同様にして、実施例10の低誘電樹脂組成物のワニスを得た。
(Example 10)
Examples 1 to 9, except that the hollow particles used were “KBM403” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is an epoxy silane, whose surface was hydrophobized (“Hollow Particles-9”). In the same manner as in Nos. 11, 12, and 15, a varnish of the low dielectric resin composition of Example 10 was obtained.

(実施例13)
下記[表2]に示す配合量で、まず90℃に加熱したトルエンに、ポリフェニレンオキサイド樹脂である日本GEプラスチックス(株)製「ノリルPX9701」(Mn=20000)を溶解し、さらに日本化成(株)製のトリアリルイソシアヌレート(TAIC)及びジ(t−ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼンである日本油脂(株)製「パーブチルP」を添加し、これを攪拌混合することによって樹脂ワニスを調製した。次にこの樹脂ワニスを室温まで冷却した後、下記[表6]に示す配合量で、中空粒子(「中空粒子−10」)を添加し、再度ディスパーを用いて3000rpmで30分間攪拌混合することによって、実施例13の低誘電樹脂組成物のワニスを得た。ただし、前記中空粒子(「中空粒子−10」)は、ビニルシランである信越化学工業(株)製「KBM1003」を用いて表面を疎水化処理したものである。
(Example 13)
First, “Noryl PX9701” (Mn = 20000) manufactured by Japan GE Plastics Co., Ltd., which is a polyphenylene oxide resin, is dissolved in toluene heated to 90 ° C. in the blending amounts shown in [Table 2] below. A resin varnish was prepared by adding “Perbutyl P” manufactured by Nippon Oil & Fats Co., Ltd., which is triallyl isocyanurate (TAIC) and di (t-butylperoxyisopropyl) benzene, and stirring and mixing them. . Next, after cooling this resin varnish to room temperature, hollow particles (“hollow particle-10”) are added in the blending amounts shown in [Table 6] below, and the mixture is stirred and mixed again at 3000 rpm for 30 minutes using a disper. Thus, a varnish of the low dielectric resin composition of Example 13 was obtained. However, the hollow particles (“hollow particles-10”) are obtained by hydrophobizing the surface using “KBM1003” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is vinyl silane.

(実施例14)
まず高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂を次のようにして低分子化した。
(Example 14)
First, the molecular weight of the high molecular weight polyphenylene ether resin was reduced as follows.

トルエン200gを攪拌装置及び攪拌羽根を装備した2000mLのフラスコに入れた。前記フラスコを内温80℃に制御しながら、高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂である日本GEプラスチックス(株)製「ノリルPX9701」:100g、ビスフェノールA:4.3g、t−ブチルペルオキシイソプロピルモノカーボネートである日本油脂(株)製「パーブチルI」:2.94g及びナフテン酸コバルト溶液(トルエンに溶解された8質量%溶液):0.0042gを入れ、高分子量ポリフェニレンエーテルが完全に溶解するまで攪拌することにより、低分子量ポリフェニレンエーテル樹脂を調製した。   200 g of toluene was placed in a 2000 mL flask equipped with a stirrer and a stirring blade. While controlling the flask at an internal temperature of 80 ° C., high molecular weight polyphenylene ether resin “Noryl PX9701” manufactured by Japan GE Plastics Co., Ltd .: 100 g, bisphenol A: 4.3 g, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate “Perbutyl I” manufactured by Nippon Oil & Fats Co., Ltd .: 2.94 g and cobalt naphthenate solution (8 mass% solution dissolved in toluene): 0.0042 g are added and stirred until the high molecular weight polyphenylene ether is completely dissolved. Thus, a low molecular weight polyphenylene ether resin was prepared.

前記得られた低分子量ポリフェニレンエーテルを多量のメタノールで再沈殿させ、不純物を除去して、減圧下80℃で3時間乾燥してトルエンを完全に除去した。   The low molecular weight polyphenylene ether obtained was reprecipitated with a large amount of methanol to remove impurities, and dried at 80 ° C. under reduced pressure for 3 hours to completely remove toluene.

次に、上記のようにして得られた低分子量ポリフェニレンエーテル樹脂を次のようにしてエテニルベンジル化した。   Next, the low molecular weight polyphenylene ether resin obtained as described above was ethenylbenzylated as follows.

温度調節器、攪拌装置、冷却設備及び滴下ロートを備えた1Lの3つ口フラスコに前記低分子量ポリフェニレンエーテル樹脂を200g、クロロメチルスチレン(p−クロロメチルスチレンとm−クロロメチルスチレンの比が1:1;東京化成工業(株)製):15g、テトラ−n−ブチルアンモニウムブロマイド:0.8g、トルエン:400gを仕込み、攪拌溶解し、液温を75℃にし、水酸化ナトリウム水溶液(水酸化ナトリウム10g/水10g)を20分間かけて滴下し、さらに75℃で4時間攪拌を続けた。次に、10質量%塩酸水溶液でフラスコ内容物を中和した後、多量のメタノールを追加し、エテニルベンジル化したポリフェニレンエーテルを沈殿物として得た。前記沈殿物のろ過物をメタノールと水の混合液(80:20の質量比率)で3回洗浄した後、減圧下80℃/3時間処理することで、溶剤や水分を除去したエテニルベンジル化されたポリフェニレンエーテル樹脂を取り出した。   200 g of the low-molecular-weight polyphenylene ether resin in a 1 L three-necked flask equipped with a temperature controller, a stirrer, a cooling facility, and a dropping funnel, chloromethylstyrene (ratio of p-chloromethylstyrene and m-chloromethylstyrene is 1 1; manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.): 15 g, tetra-n-butylammonium bromide: 0.8 g, toluene: 400 g were charged, dissolved by stirring, the liquid temperature was adjusted to 75 ° C., and an aqueous sodium hydroxide solution (hydroxide) Sodium 10 g / water 10 g) was added dropwise over 20 minutes, and stirring was further continued at 75 ° C. for 4 hours. Next, after neutralizing the contents of the flask with a 10% by mass hydrochloric acid aqueous solution, a large amount of methanol was added to obtain ethenylbenzylated polyphenylene ether as a precipitate. The precipitate filtrate is washed three times with a mixed solution of methanol and water (80:20 mass ratio) and then treated under reduced pressure at 80 ° C. for 3 hours to remove ethenylbenzyl from the solvent and water. The polyphenylene ether resin was taken out.

得られたエテニルベンジル化されたポリフェニレンエーテル樹脂の数平均分子量をGPCで測定したところ、数平均分子量(Mn)が3500であった。なお、前記数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)により、TSK guard column HXL-4 G4000HXL:1本、G3000HXL:1本、G2000HXL:1本、G1000HXL:2本のカラムを用いて測定した。   When the number average molecular weight of the obtained ethenylbenzylated polyphenylene ether resin was measured by GPC, the number average molecular weight (Mn) was 3,500. The number average molecular weight was measured by gel permeation chromatography (GPC) using TSK guard column HXL-4, G4000HXL: 1, G3000HXL: 1, G2000HXL: 1, G1000HXL: 2 columns.

そして、上記のようにして得られたエテニルベンジル化されたポリフェニレンエーテル樹脂(変性ポリフェニレンエーテル樹脂)を用いて、次のようにして低誘電樹脂組成物を調製した。   Then, using the ethenylbenzylated polyphenylene ether resin (modified polyphenylene ether resin) obtained as described above, a low dielectric resin composition was prepared as follows.

下記[表3]に示す配合量で、まず70℃に加熱したトルエンに、上記のようにして得られた変性ポリフェニレンエーテル樹脂(Mn=3500)を溶解し、さらに日本化成(株)製のトリアリルイソシアヌレート(TAIC)及びジ(t−ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼンである日本油脂(株)製「パーブチルP」を添加し、これを攪拌混合することによって樹脂ワニスを調製した。次にこの樹脂ワニスを室温まで冷却した後、下記[表6]に示す配合量で、中空粒子(「中空粒子−10」)を添加し、再度ディスパーを用いて3000rpmで30分間攪拌混合することによって、実施例14の低誘電樹脂組成物のワニスを得た。ただし、前記中空粒子(「中空粒子−10」)は、ビニルシランである信越化学工業(株)製「KBM1003」を用いて表面を疎水化処理したものである。   First, the modified polyphenylene ether resin (Mn = 3500) obtained as described above is dissolved in toluene heated to 70 ° C. in the blending amounts shown in [Table 3] below. A resin varnish was prepared by adding allyl isocyanurate (TAIC) and “perbutyl P” manufactured by NOF Corporation, which is di (t-butylperoxyisopropyl) benzene, and stirring and mixing them. Next, after cooling this resin varnish to room temperature, hollow particles (“hollow particle-10”) are added in the blending amounts shown in [Table 6] below, and the mixture is stirred and mixed again at 3000 rpm for 30 minutes using a disper. Thus, a varnish of the low dielectric resin composition of Example 14 was obtained. However, the hollow particles (“hollow particles-10”) are obtained by hydrophobizing the surface using “KBM1003” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is vinyl silane.

(実施例16〜20)
実施例14と同様の樹脂ワニスに、下記[表7]に示す配合量で、中空粒子(「中空粒子−13」〜「中空粒子−16」)を添加し、ディスパーを用いて3000rpmで30分間攪拌混合することによって、実施例16〜20の低誘電樹脂組成物のワニスを得た。ただし、前記中空粒子(「中空粒子−13」〜「中空粒子−15」)は、ビニルシランである信越化学工業(株)製「KBM1003」を用いて表面を疎水化処理したものである。
(Examples 16 to 20)
Hollow particles ("Hollow particle-13" to "Hollow particle-16") were added to the same resin varnish as in Example 14 in the blending amounts shown in [Table 7] below, and 30 minutes at 3000 rpm using a disper. By stirring and mixing, the varnishes of the low dielectric resin compositions of Examples 16 to 20 were obtained. However, the hollow particles (“hollow particle-13” to “hollow particle-15”) are obtained by hydrophobizing the surface using “KBM1003” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is vinyl silane.

(比較例1)
中空粒子として、シリカがシェル全体の90質量%であり、かつ平均粒径が40μmであるもの(「中空粒子−12」:住友3M(株)製「グラスバブルフィラーK37」)を用いるようにした以外は、実施例1〜9、11、12、15と同様にして、比較例1のワニスを得た。
(Comparative Example 1)
As the hollow particles, silica having 90% by mass of the entire shell and an average particle size of 40 μm (“hollow particle-12”: “Glass Bubble Filler K37” manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.) was used. Except for the above, a varnish of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Examples 1 to 9, 11, 12, and 15.

(比較例2)
中空粒子を全く用いないようにした以外は、実施例1〜9、11、12、15と同様にして、比較例3のワニスを得た。
(Comparative Example 2)
A varnish of Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Examples 1 to 9, 11, 12, and 15 except that no hollow particles were used.

(比較例3)
中空粒子として、ゾルゲル法により製造されたもの(「中空粒子−11」)を用いると共に、この中空粒子の含有量を10質量%に設定するようにした以外は、実施例1〜9、11、12、15と同様にして、比較例3のワニスを得た。
(Comparative Example 3)
Examples 1-9, 11 and 11 except that the hollow particles produced by the sol-gel method (“hollow particles-11”) were used and the content of the hollow particles was set to 10% by mass. In the same manner as in Nos. 12 and 15, the varnish of Comparative Example 3 was obtained.

(比較例4)
中空粒子の代わりに、溶融シリカである「FB−5SDC」を用いるようにした以外は、実施例16と同様にして、比較例4のワニスを得た。
(Comparative Example 4)
A varnish of Comparative Example 4 was obtained in the same manner as in Example 16 except that “FB-5SDC” which is fused silica was used instead of the hollow particles.

(プリプレグの製造)
上記のようにして得られた各ワニスを基材(ガラスクロスである日東紡製「WEA116E」)に含浸させた後、下記[表1]〜[表3]に示す乾燥条件で、加熱乾燥することにより溶剤を除去することによって、プリプレグを得た。
(Manufacture of prepreg)
Each varnish obtained as described above is impregnated into a base material (“WEA116E” manufactured by Nittobo, which is a glass cloth), and then heated and dried under the drying conditions shown in the following [Table 1] to [Table 3]. A prepreg was obtained by removing the solvent.

(積層板の製造)
上記のようにして得られたプリプレグを6枚重ね、その両面に35μm厚の銅箔(ST箔)を配して、下記[表1]〜[表3]に示す硬化条件で、加熱加圧することによって、厚さ0.75mmの両面銅張積層板Iを得た。
(Manufacture of laminates)
Six prepregs obtained as described above are stacked, 35 μm thick copper foil (ST foil) is arranged on both surfaces, and heated and pressurized under the curing conditions shown in the following [Table 1] to [Table 3]. Thus, a double-sided copper clad laminate I having a thickness of 0.75 mm was obtained.

一方、上記のようにして得られたプリプレグ1枚の両面に35μm厚の銅箔(ST箔)を配して、下記[表1]〜[表3]に示す硬化条件で、加熱加圧することによって、厚さ0.13mmの両面銅張積層板IIを得た。   On the other hand, a 35 μm thick copper foil (ST foil) is placed on both sides of one prepreg obtained as described above, and heated and pressurized under the curing conditions shown in the following [Table 1] to [Table 3]. Thus, a double-sided copper clad laminate II having a thickness of 0.13 mm was obtained.

(誘電率・誘電正接)
IPC TM−650 2.5.5.9に基づいて両面銅張積層板Iの1GHzにおける誘電特性を測定した。
(Dielectric constant / dielectric loss tangent)
The dielectric properties at 1 GHz of the double-sided copper-clad laminate I were measured based on IPC TM-650 2.5.5.9.

(熱膨張率)
両面銅張積層板Iの表裏の銅箔をエッチングして試験片を作製し、この試験片についてTMA測定装置(セイコーインスツルメント(株)製)を用いて75〜120℃の昇温時における熱膨張率(厚み方向)を測定した。
(Coefficient of thermal expansion)
The copper foils on both sides of the double-sided copper clad laminate I are etched to produce a test piece, and this test piece is measured at a temperature rise of 75 to 120 ° C. using a TMA measuring apparatus (Seiko Instruments Co., Ltd.). The coefficient of thermal expansion (thickness direction) was measured.

(PCTはんだ耐熱性)
両面銅張積層板Iの表裏の銅箔をエッチングし、それをプレッシャークッカー処理(121℃、湿度100%)した。そして前記処理後の両面銅張積層板を260℃のはんだ浴に20秒間浸漬させた後、膨れ等の外観異常が発生しない時間を評価した。
(PCT solder heat resistance)
The copper foils on the front and back sides of the double-sided copper-clad laminate I were etched and subjected to pressure cooker treatment (121 ° C., humidity 100%). The treated double-sided copper-clad laminate was immersed in a 260 ° C. solder bath for 20 seconds, and then the time during which no abnormal appearance such as swelling occurred was evaluated.

(積層板の外観観察)
両面銅張積層板IIの外観を目視で観察し、凹凸がないものを「◎」、かすかに凹凸があるが製品として問題がないものを「○」、表面に凹凸があるものを「×」と評価した。
(Appearance observation of laminated board)
Visually observe the appearance of the double-sided copper clad laminate II. “◎” indicates that there is no unevenness, “○” indicates that there is a slight unevenness but there is no problem as a product, and “×” indicates that the surface has unevenness. It was evaluated.

(絶縁信頼性)
両面銅張積層板IIをプレッシャークッカー処理(110℃、湿度85%、100時間処理)した。
(Insulation reliability)
The double-sided copper clad laminate II was subjected to pressure cooker treatment (110 ° C., humidity 85%, treatment for 100 hours).

そして前記処理後の両面銅張積層板IIに50Vの電圧を所定時間印加して抵抗値を測定し、異常の有無を確認した。300時間電圧を印加しても異常がみられないものを「◎」、100時間電圧を印加しても異常がみられないものを「○」、電圧印加時間が100時間に達するまでに異常がみられるものを「×」と評価した。   And the voltage of 50V was applied to the double-sided copper clad laminated board II after the said process for predetermined time, the resistance value was measured, and the presence or absence of abnormality was confirmed. “A” indicates that no abnormality is observed even when a voltage is applied for 300 hours, “O” indicates that no abnormality is observed even when a voltage is applied for 100 hours, and an abnormality is observed until the voltage application time reaches 100 hours. What was seen was evaluated as “×”.

(プリプレグの樹脂流れ(グリニス))
JIS C 6521に基づいてプリプレグの樹脂流れを測定した。樹脂流れRF(%)が10%以上であるものを「◎」、5%以上10%未満であるものを「○」、5%未満であるものを「×」と評価した。
(Prepreg resin flow (Glinis))
The resin flow of the prepreg was measured based on JIS C 6521. A resin flow RF (%) of 10% or more was evaluated as “◎”, 5% or more and less than 10% as “◯”, and less than 5% as “×”.

(ドリル磨耗評価)
両面銅張積層板Iをコア材1として用い、図1に示すように、エントリーボード2とバックアップボード3の間に4枚のコア材1を挟んだ後、ドリル加工機4によって穴あけを行った。エントリーボード2としては三菱ガス化学(株)製「LE400」を用い、バックアップボード3としては厚さ1.5mmのベーク板を用い、ドリル加工機4としては日立精工(株)製「ND−1V211」を用いた。ドリルビット5としてはドリル径がφ0.4mm(ユニオン:UV L092A/HA=45°)のものを用い、ドリルの回転数は160krpm(周速:150m/分)、ドリルの送り速度は3.2m/分(チップロード:20μ/rev)に設定し、1000個の穴をあけた。
(Drill wear evaluation)
The double-sided copper-clad laminate I was used as the core material 1, and as shown in FIG. 1, four core materials 1 were sandwiched between the entry board 2 and the backup board 3, and then drilled by a drilling machine 4. . “LE400” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. is used as the entry board 2, a bake plate having a thickness of 1.5 mm is used as the backup board 3, and “ND-1V211” manufactured by Hitachi Seiko Co., Ltd. is used as the drilling machine 4. Was used. The drill bit 5 has a drill diameter of φ0.4 mm (union: UV L092A / HA = 45 °), the drill rotation speed is 160 krpm (peripheral speed: 150 m / min), and the drill feed speed is 3.2 m. / Min (chip load: 20 μ / rev), 1000 holes were drilled.

次に、ドリル加工前後のドリルビット5を先端から見たときの面積を画像解析し、この面積の減少分を求め、ドリル磨耗率を算出した。そして、ドリル磨耗率が40%未満であるものを「◎」、40%以上50%未満であるものを「○」、50%以上60%未満であるものを「△」、60%以上であるものを「×」と評価した。   Next, the area when the drill bit 5 before and after drilling was viewed from the tip was image-analyzed, the decrease in the area was obtained, and the drill wear rate was calculated. The drill wear rate of less than 40% is “◎”, 40% or more and less than 50% is “◯”, and 50% or more and less than 60% is “Δ”, and is 60% or more. Things were rated as “x”.

以上の各試験結果を下記[表4]〜[表8]に示す。   The above test results are shown in [Table 4] to [Table 8] below.

Figure 2008031409
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ドリル加工の様子を示す正面図である。It is a front view which shows the mode of a drill process.

Claims (12)

シェル及び中空部からなる中空粒子と熱硬化性樹脂とを含有する低誘電樹脂組成物において、中空粒子として、シェル全体の98質量%以上がシリカで形成されており、平均空隙率が30〜80体積%であり、かつ平均粒径が0.1〜20μmであるものを用いて成ることを特徴とする低誘電樹脂組成物。   In the low dielectric resin composition containing hollow particles composed of a shell and a hollow portion and a thermosetting resin, 98% by mass or more of the entire shell is formed of silica as hollow particles, and the average porosity is 30 to 80. A low dielectric resin composition comprising: a volume percentage and an average particle diameter of 0.1 to 20 μm. 中空粒子として、平均空隙率が50〜80体積%であるものを用いて成ることを特徴とする請求項1に記載の低誘電樹脂組成物。   2. The low dielectric resin composition according to claim 1, wherein the hollow particles are those having an average porosity of 50 to 80% by volume. 中空粒子として、平均粒径が0.5〜5μmであるものを用いて成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の低誘電樹脂組成物。   The low dielectric resin composition according to claim 1 or 2, wherein the hollow particles are those having an average particle diameter of 0.5 to 5 µm. 中空粒子として、表面が疎水化処理されたものを用いて成ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の低誘電樹脂組成物。   The low dielectric resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the hollow particles are those having a hydrophobic surface. 低誘電樹脂組成物全量に対して中空粒子の含有量が5〜30質量%であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の低誘電樹脂組成物。   The low dielectric resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the content of the hollow particles is 5 to 30% by mass with respect to the total amount of the low dielectric resin composition. 低誘電樹脂組成物全量に対して中空粒子の含有量が5〜20質量%であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の低誘電樹脂組成物。   The low dielectric resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the content of the hollow particles is 5 to 20 mass% with respect to the total amount of the low dielectric resin composition. 低誘電樹脂組成物全量に対して中空粒子の含有量が10〜20質量%であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の低誘電樹脂組成物。   The low dielectric resin composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the content of the hollow particles is 10 to 20% by mass with respect to the total amount of the low dielectric resin composition. 熱硬化性樹脂として、ポリフェニレンエーテル樹脂を用いて成ることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の低誘電樹脂組成物。   The low dielectric resin composition according to any one of claims 1 to 7, wherein a polyphenylene ether resin is used as the thermosetting resin. ポリフェニレンエーテル樹脂として、下記式(1)で示される構造を有し、かつ数平均分子量が3000〜7000であるものを用いて成ることを特徴とする請求項8に記載の低誘電樹脂組成物。
Figure 2008031409
9. The low dielectric resin composition according to claim 8, wherein the polyphenylene ether resin has a structure represented by the following formula (1) and has a number average molecular weight of 3000 to 7000.
Figure 2008031409
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の低誘電樹脂組成物を基材に含浸させると共にこれを加熱乾燥して成ることを特徴とするプリプレグ。   A prepreg obtained by impregnating a low dielectric resin composition according to any one of claims 1 to 9 into a substrate and heating and drying it. 請求項10に記載のプリプレグと金属箔とを積層すると共にこれを加熱加圧して成ることを特徴とする金属張積層板。   A metal-clad laminate obtained by laminating the prepreg according to claim 10 and a metal foil and heating and pressing the laminate. 請求項11に記載の金属張積層板に回路を形成して成ることを特徴とするプリント配線板。   A printed wiring board comprising a circuit formed on the metal-clad laminate according to claim 11.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010087097A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Dainippon Printing Co Ltd Insulating resin composition for printed circuit board, insulating resin sheet for the printed circuit board, method for manufacturing multilayer printed circuit substrate using them, and electronic apparatus
WO2011007698A1 (en) 2009-07-14 2011-01-20 花王株式会社 Low-permittivity resin composition
WO2017126417A1 (en) * 2016-01-19 2017-07-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 Polyphenylene ether resin composition, prepreg, metal-clad laminate, and printed wiring board
WO2018061736A1 (en) * 2016-09-27 2018-04-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 Metal-clad laminate, printed wiring board and metal foil with resin
CN111629998A (en) * 2018-03-01 2020-09-04 株式会社德山 Fused spherical silica powder and method for producing same
CN112521720A (en) * 2020-12-11 2021-03-19 广东生益科技股份有限公司 Resin composition for metal-clad foil plate and application thereof
KR20210090174A (en) * 2018-11-13 2021-07-19 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 Silica Spherical Particles for Semiconductor Encapsulants
JP6924533B1 (en) * 2021-02-01 2021-08-25 三水株式会社 Hollow particles and a method for producing the same, and a resin composition containing the hollow particles and a method for producing the same.
WO2021172294A1 (en) 2020-02-27 2021-09-02 Agc株式会社 Hollow silica particles and method for producing same
CN113493602A (en) * 2020-03-20 2021-10-12 江西联茂电子科技有限公司 Resin composition, prepreg and printed wiring board
WO2022202046A1 (en) * 2021-03-26 2022-09-29 株式会社カネカ Hollow particles, production method therefor, and use of hollow particles
WO2023124484A1 (en) * 2021-12-29 2023-07-06 广东生益科技股份有限公司 Resin composition and use thereof
WO2023189800A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 日本ゼオン株式会社 Hollow particles and production method therefor
KR102649474B1 (en) * 2018-03-01 2024-03-20 가부시키가이샤 도쿠야마 Fused spherical silica powder and method for producing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004067634A1 (en) * 2003-01-28 2004-08-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Poly(phenylene ether) resin composition, prepreg, and laminated sheet
JP2005206436A (en) * 2004-01-26 2005-08-04 Denki Kagaku Kogyo Kk Spherical inorganic hollow powder and its manufacturing process and resin composition
JP2007056170A (en) * 2005-08-25 2007-03-08 Matsushita Electric Works Ltd Polyphenylene ether resin composition, prepreg, and laminate
WO2007125891A1 (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Inorganic hollow particle, process for producing the same, and composition containing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004067634A1 (en) * 2003-01-28 2004-08-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Poly(phenylene ether) resin composition, prepreg, and laminated sheet
JP2005206436A (en) * 2004-01-26 2005-08-04 Denki Kagaku Kogyo Kk Spherical inorganic hollow powder and its manufacturing process and resin composition
JP2007056170A (en) * 2005-08-25 2007-03-08 Matsushita Electric Works Ltd Polyphenylene ether resin composition, prepreg, and laminate
WO2007125891A1 (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Inorganic hollow particle, process for producing the same, and composition containing the same

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010087097A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Dainippon Printing Co Ltd Insulating resin composition for printed circuit board, insulating resin sheet for the printed circuit board, method for manufacturing multilayer printed circuit substrate using them, and electronic apparatus
WO2011007698A1 (en) 2009-07-14 2011-01-20 花王株式会社 Low-permittivity resin composition
CN102471590A (en) * 2009-07-14 2012-05-23 花王株式会社 Low-permittivity resin composition
US8785522B2 (en) 2009-07-14 2014-07-22 Kao Corporation Low-permittivity resin composition
EP2455428A4 (en) * 2009-07-14 2015-12-16 Kao Corp Low-permittivity resin composition
CN108473758A (en) * 2016-01-19 2018-08-31 松下知识产权经营株式会社 Polyphenyl ether resin composition, prepreg, metal-clad and printed wiring board
WO2017126417A1 (en) * 2016-01-19 2017-07-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 Polyphenylene ether resin composition, prepreg, metal-clad laminate, and printed wiring board
WO2018061736A1 (en) * 2016-09-27 2018-04-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 Metal-clad laminate, printed wiring board and metal foil with resin
CN111629998A (en) * 2018-03-01 2020-09-04 株式会社德山 Fused spherical silica powder and method for producing same
KR20200127159A (en) * 2018-03-01 2020-11-10 가부시키가이샤 도쿠야마 Fused spherical silica powder and its manufacturing method
JPWO2019167618A1 (en) * 2018-03-01 2021-02-25 株式会社トクヤマ Fused spherical silica powder and its manufacturing method
KR102649474B1 (en) * 2018-03-01 2024-03-20 가부시키가이샤 도쿠야마 Fused spherical silica powder and method for producing the same
JP7275100B2 (en) 2018-03-01 2023-05-17 株式会社トクヤマ Fused spherical silica powder and method for producing the same
KR20210090174A (en) * 2018-11-13 2021-07-19 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 Silica Spherical Particles for Semiconductor Encapsulants
KR102579626B1 (en) 2018-11-13 2023-09-18 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 Silica spherical particles for semiconductor encapsulation materials
WO2021172294A1 (en) 2020-02-27 2021-09-02 Agc株式会社 Hollow silica particles and method for producing same
KR20220144809A (en) 2020-02-27 2022-10-27 에이지씨 가부시키가이샤 Hollow Silica Particles and Manufacturing Method Thereof
CN113493602A (en) * 2020-03-20 2021-10-12 江西联茂电子科技有限公司 Resin composition, prepreg and printed wiring board
US11503708B2 (en) 2020-03-20 2022-11-15 Iteq Corporation Resin composition, prepreg, and printed circuit board
CN112521720B (en) * 2020-12-11 2023-05-02 广东生益科技股份有限公司 Resin composition for metal-clad foil plate and application thereof
CN112521720A (en) * 2020-12-11 2021-03-19 广东生益科技股份有限公司 Resin composition for metal-clad foil plate and application thereof
JP2022117594A (en) * 2021-02-01 2022-08-12 三水株式会社 Hollow particles and method for producing the same, resin composition containing hollow particles and method for producing the same
JP6924533B1 (en) * 2021-02-01 2021-08-25 三水株式会社 Hollow particles and a method for producing the same, and a resin composition containing the hollow particles and a method for producing the same.
WO2022163738A1 (en) * 2021-02-01 2022-08-04 三水株式会社 Hollow particles and method for producing same, resin composition containing said hollow particles and method for producing same
WO2022202046A1 (en) * 2021-03-26 2022-09-29 株式会社カネカ Hollow particles, production method therefor, and use of hollow particles
WO2023124484A1 (en) * 2021-12-29 2023-07-06 广东生益科技股份有限公司 Resin composition and use thereof
WO2023189800A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 日本ゼオン株式会社 Hollow particles and production method therefor

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