KR20200127079A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20200127079A
KR20200127079A KR1020190050441A KR20190050441A KR20200127079A KR 20200127079 A KR20200127079 A KR 20200127079A KR 1020190050441 A KR1020190050441 A KR 1020190050441A KR 20190050441 A KR20190050441 A KR 20190050441A KR 20200127079 A KR20200127079 A KR 20200127079A
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안준건
이정환
권오열
박수영
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention provides a substrate processing method which can increase membrane removal efficiency. The substrate processing method comprises: a first processing step of irradiating a laser onto a rotating substrate to remove a membrane on the substrate, but irradiating the laser having energy lower than a melting threshold value of the membrane to firstly remove the membrane; and a second processing step of irradiating the laser onto the substrate to secondly remove the membrane after the first processing step.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Substrate processing method and substrate processing apparatus}Substrate processing method and substrate processing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

기판, 예를 들어, 반도체 웨이퍼 또는 플랫 패널 디스플레이 제조에 사용되는 것과 같은 유리 패널의 처리시 도포, 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온 주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 기판에 대한 처리 공정이 수행되면서, 기판의 표면에는 경화된 박막이 코팅 또는 증착된다. 그리고, 기판의 기판의 가장자리, 즉, 기판의 에지(Edge)에서 생산 수율을 높이기 위하여 에지 비드 제거(Edge Bead Removal) 공정이 요구된다. 에지 비드 제거(Edge Bead Removal)공정은 기판의 에지 영역에서 원하지 않는 박막과 부착된 부산물 폴리머를 제거한다.Various processes such as coating, photographing, deposition, ashing, etching, and ion implantation are performed in the processing of a substrate, for example, a glass panel such as that used to manufacture a semiconductor wafer or flat panel display. While the substrate is treated, a cured thin film is coated or deposited on the surface of the substrate. In addition, an edge bead removal process is required in order to increase production yield at the edge of the substrate, that is, the edge of the substrate. The Edge Bead Removal process removes unwanted thin films and adhered by-product polymers from the edge regions of the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치에서 에지 비드 제거 공정을 수행하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치(1)는 회전 척(2), 그리고 노즐(4)을 가진다. 회전 척(2)은 기판(W)을 지지 및 회전 시킨다. 노즐(4)은 기판(W)의 에지 영역에 케미칼(C)을 분사한다. 노즐(4)은 기판(W)의 상부 및 하부에 각각 제공되어 기판(W)의 상면 및 저면에 케미칼(C)을 분사한다. 분사된 케미칼(C)은 기판(W)의 에지 영역 상에 제공된 박막(F)을 제거한다. 그러나, 케미칼(C)을 분사하여 에지 비드 제거 공정을 수행하는 경우, 기판(W)의 에지 영역에서의 박막(F) 제거가 적절하게 수행되지 않는다. 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(W)의 에지 영역에서의 박막(F)은 기판(W)의 반경 방향으로 갈수록 하향 경사지게 제거될 수 있다. 이는, 기판(W)이 회전되는 상태에서 액상의 케미칼(C)이 공급되기 때문이다. 기판(W)의 에지 영역에서의 박막(F) 제거가 적절하게 수행되지 못하면 생산 공정의 수율을 떨어뜨린다. 또한, 공정 후 기판(W)의 표면에 핀 마크(Pin Mark)가 생성되어 추가적으로 오염될 위험이 있다. 1 is a view showing a state in which an edge bead removing process is performed in a general substrate processing apparatus. Referring to FIG. 1, a general substrate processing apparatus 1 includes a rotating chuck 2 and a nozzle 4. The rotating chuck 2 supports and rotates the substrate W. The nozzle 4 sprays the chemical C onto the edge region of the substrate W. The nozzles 4 are provided above and below the substrate W, respectively, and spray the chemical C onto the upper and lower surfaces of the substrate W. The sprayed chemical C removes the thin film F provided on the edge region of the substrate W. However, when the edge bead removal process is performed by spraying the chemical C, the thin film F in the edge region of the substrate W is not properly removed. For example, as shown in FIG. 2, the thin film F in the edge region of the substrate W may be removed to be inclined downward toward the radial direction of the substrate W. This is because the liquid chemical C is supplied while the substrate W is rotated. If the thin film F is not properly removed from the edge region of the substrate W, the yield of the production process is lowered. In addition, there is a risk of additional contamination by generating a pin mark on the surface of the substrate W after the process.

본 발명은 기판 상의 막질 제거 효율이 높은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus having high film quality removal efficiency on a substrate.

또한, 본 발명은 복수의 단위 펄스 레이저를 기판 상의 막질에 조사하여 막질 제거 효율을 높일 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of increasing film quality removal efficiency by irradiating a plurality of unit pulse lasers onto a film quality on a substrate.

또한, 본 발명은 복수의 단위 펄스 레이저를 기판 상의 막질에 조사하여 막질 제거 영역을 미세화 할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of minimizing a film quality removal region by irradiating a plurality of unit pulse lasers onto a film quality on a substrate.

또한, 본 발명은 기판 상의 막질 제거시, 오버 에치(Over Etch)가 발생하여 기판이 손상되는 것을 최소화 하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus that minimize damage to a substrate due to occurrence of over etch when removing a film on a substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 회전하는 기판 상으로 레이저를 조사하여 상기 기판 상의 막질을 제거하되, 상기 막질의 융발임계치보다 낮은 에너지를 가지는 레이저를 조사하여 상기 막질을 1차 제거하는 제1처리 단계와; 상기 제1처리 단계 이후에 상기 기판 상에 레이저를 조사하여 잔류하는 막질을 2차 제거하는 제2처리 단계를 포함할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. The method of processing a substrate includes a first processing step of irradiating a laser onto a rotating substrate to remove the film quality on the substrate, and irradiating a laser having an energy lower than the melting threshold of the film quality to first remove the film quality; and ; After the first treatment step, a second treatment step of irradiating a laser on the substrate to secondly remove the remaining film quality may be included.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1처리 단계에서 조사되는 레이저가 가지는 에너지와 상기 제2처리 단계에서 조사되는 레이저가 가지는 에너지는 서로 상이할 수 있다.According to an embodiment, energy of a laser irradiated in the first processing step and energy of a laser irradiated in the second processing step may be different from each other.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1처리 단계에서 조사되는 레이저와 상기 제2처리 단계에서 조사되는 레이저는, 복수의 단위 펄스 레이저이고, 상기 단위 펄스 레이저가 조사되는 영역의 중첩률은 0 ~ 99% 일 수 있다.According to an embodiment, the laser irradiated in the first processing step and the laser irradiated in the second processing step are a plurality of unit pulse lasers, and an overlap rate of the area irradiated with the unit pulse laser is 0 to 99%. Can be

일 실시 예에 의하면, 상기 막질의 종류에 따라 상기 단위 펄스 레이저의 펄스 폭을 변경할 수 있다.According to an embodiment, the pulse width of the unit pulse laser may be changed according to the type of the film quality.

일 실시 예에 의하면, 상기 막질의 종류에 따라 상기 기판의 회전 속도를 변경할 수 있다.According to an embodiment, the rotation speed of the substrate may be changed according to the type of the film quality.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1처리 단계와 상기 제2처리 단계에서 제거하는 막질은 상기 기판의 가장자리 영역에 형성된 막질이고, 상기 제1처리 단계 및/또는 제2처리 단계에서 상기 기판 상에 레이저가 조사되는 영역은 상기 기판의 반경방향을 따라 변경될 수 있다.According to an embodiment, the film quality removed in the first treatment step and the second treatment step is a film quality formed in the edge region of the substrate, and the laser on the substrate in the first treatment step and/or the second treatment step The irradiated area may be changed along the radial direction of the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1처리 단계에서 조사되는 레이저와 상기 제2처리 단계에서 조사되는 레이저는 150nm 내지 1200nm의 파장을 가질 수 있다.According to an embodiment, the laser irradiated in the first processing step and the laser irradiated in the second processing step may have a wavelength of 150 nm to 1200 nm.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판을 처리하는 방법은, 회전하는 기판 상으로 복수의 단위 펄스 레이저를 조사하여 상기 기판 상의 막질을 제거하되, 상기 레이저는 상기 막질의 융발임계치에 대응하는 에너지를 가지고, 각각의 상기 단위 펄스 레이저가 기판 상이 조사되는 영역은 서로 중첩되지 않을 수 있다.In addition, the method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention removes the film quality on the substrate by irradiating a plurality of unit pulse lasers onto the rotating substrate, wherein the laser is energy corresponding to the melting threshold of the film quality. And, the regions to which the unit pulse lasers are irradiated on the substrate may not overlap each other.

일 실시 예에 의하면, 상기 단위 펄스 레이저 간의 펄스 폭은, 상기 단위 펄스 레이저가 기판 상에 조사되는 영역이 중첩되지 않는 폭일 수 있다.According to an embodiment, the pulse width between the unit pulse lasers may be a width in which an area irradiated on the substrate by the unit pulse laser does not overlap.

일 실시 예에 의하면, 상기 기판의 회전 속도에 따라 상기 펄스 폭은 변경될 수 있다.According to an embodiment, the pulse width may be changed according to the rotation speed of the substrate.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부 공간을 가지는 하우징과; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판에 복수의 단위 펄스 레이저를 조사하는 레이저 조사 유닛과; 상기 지지 유닛과 상기 레이저 조사 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 회전하는 기판의 가장 자리 영역에 기판 상에 형성된 막질의 융발임계치보다 낮은 에너지를 가지는 레이저를 조사하여 상기 막질을 1차 제거하는 제1처리 단계와; 상기 제1처리 단계 이후에 회전하는 상기 기판 상에 레이저를 조사하여 잔류하는 막질을 2차 제거하는 제2처리 단계를 수행하도록 상기 지지 유닛과 상기 레이저 조사 유닛을 제어할 수 있다.Further, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate, comprising: a housing having an inner space; A support unit for supporting and rotating the substrate in the inner space; A laser irradiation unit for irradiating a plurality of unit pulse lasers onto the substrate supported by the support unit; And a controller for controlling the support unit and the laser irradiation unit, wherein the controller irradiates a laser having an energy lower than the melting threshold of the film quality formed on the substrate to the edge region of the rotating substrate to make the film quality first. A first treatment step of removing; After the first treatment step, the support unit and the laser irradiation unit may be controlled to perform a second treatment step of secondly removing residual film by irradiating a laser onto the rotating substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 제1처리 단계에서 조사되는 레이저가 가지는 에너지와 상기 제2처리 단계에서 조사되는 레이저가 가지는 에너지가 서로 상이하도록 상기 레이저 조사 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the laser irradiation unit so that energy of the laser irradiated in the first processing step and energy of the laser irradiated in the second processing step are different from each other.

일 실시 예에 의하면, 상기 레이저 조사 유닛은, 상기 단위 펄스 레이저를 조사하는 레이저 광원과; 상기 레이저 광원에서 조사된 단위 펄스 레이저를 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 조사하는 레이저 조사 부재와; 상기 기판 상에 상기 단위 펄스 레이저가 조사되는 영역이 기판의 반경 방향을 따라 변경되도록 상기 레이저 조사 부재를 이동시키는 구동 부재를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the laser irradiation unit includes: a laser light source that irradiates the unit pulse laser; A laser irradiation member for irradiating the unit pulse laser irradiated from the laser light source onto the substrate supported by the support unit; It may include a driving member for moving the laser irradiation member so that the area on the substrate to which the unit pulse laser is irradiated is changed along a radial direction of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면 막질 제거 효율을 극대화 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to maximize the film quality removal efficiency.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 복수의 단위 펄스 레이저를 기판 상의 막질에 조사하여 막질 제거 효율을 높일 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to increase the film quality removal efficiency by irradiating a plurality of unit pulse lasers onto the film quality on the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 막질 제거 영역을 미세화하고, 막질 제거 영역을 다양하게 변형할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the film material removal region may be refined and the film quality removal region may be variously modified.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 기판 상의 막질 제거시, 오버 에치(Over Etch)가 발생하여 기판이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, when the film quality on the substrate is removed, over-etching occurs, thereby minimizing damage to the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치에서 에지 비드 제거 공정을 수행하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 'A'영역을 확대하여 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 6은 레이저 조사 유닛이 기판에 레이저를 조사하는 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 제1처리 단계가 수행된 기판의 가장자리 영역을 보여주는 확대도이다.
도 8은 도 6의 제2처리 단계가 수행된 기판의 가장자리 영역을 보여주는 확대도이다.
도 9는 기판의 가장자리 영역을 처리하는 일반적인 방법을 보여주는 도면이다.
도 9과 내지 도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판의 가장자리 영역을 처리하는 방법을 보여주는 도면이다.
도 13은 기판의 가장자리 영역을 처리하는 일반적인 방법을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a state in which an edge bead removing process is performed in a general substrate processing apparatus.
FIG. 2 is a view showing an enlarged area'A' of FIG. 1.
3 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3.
5 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a diagram illustrating an example in which a laser irradiation unit irradiates a laser onto a substrate.
FIG. 7 is an enlarged view showing an edge area of the substrate on which the first processing step of FIG. 6 has been performed.
FIG. 8 is an enlarged view showing an edge region of the substrate on which the second processing step of FIG. 6 has been performed.
9 is a diagram showing a general method of processing an edge region of a substrate.
9 and 12 are diagrams illustrating a method of processing an edge region of a substrate according to an embodiment of the present invention.
13 is a diagram illustrating a general method of processing an edge region of a substrate.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for portions having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features or It is to be understood that the presence or addition of numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof does not preclude the possibility of preliminary exclusion.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

이하, 도 3 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 13.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 가진다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 3 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the substrate processing facility 10 includes an index module 100 and a process processing module 200. The index module 100 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are arranged is referred to as the first direction 12, and when viewed from above, perpendicular to the first direction 12 The direction is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease according to process efficiency and footprint conditions of the process processing module 200. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 to accommodate the substrates W in a state horizontally disposed with respect to the ground. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(200)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 액 처리 챔버(260), 그리고 레이저 처리 챔버(280)를 포함한다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 액 처리 챔버(260)들과 레이저 처리 챔버(280)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 액 처리 챔버(260)들과 레이저 처리 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 액 처리 챔버(260)들이 제공된다. 액 처리 챔버 (260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 액 처리 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 액 처리 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 액 처리 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 액 처리 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 또한 레이저 처리 챔버(280)는 액 처리 챔버(260)와 유사한 방식으로 이송 챔버(240)의 타측에 배치될 수 있다. 상술한 바와 달리, 액 처리 챔버(260)와 레이저 처리 챔버(280)의 배치는 다양한 방식으로 변형될 수 있다. 예를 들어, 액 처리 챔버(260)들과 레이저 처리 챔버(280)들은 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(260)와 레이저 처리 챔버(280)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 200 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, a liquid processing chamber 260, and a laser processing chamber 280. The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12. Liquid processing chambers 260 and laser processing chambers 280 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. The liquid processing chambers 260 and the laser processing chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240 on one side and the other side of the transfer chamber 240. A plurality of liquid processing chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the liquid processing chambers 260 are disposed along the length direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the liquid processing chambers 260 are disposed to be stacked on each other. That is, on one side of the transfer chamber 240, the liquid processing chambers 260 may be arranged in an A X B arrangement. Here, A is the number of liquid processing chambers 260 provided in a row along the first direction 12, and B is the number of liquid processing chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six liquid processing chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the liquid processing chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2. The number of liquid processing chambers 260 may increase or decrease. In addition, the laser processing chamber 280 may be disposed on the other side of the transfer chamber 240 in a similar manner to the liquid processing chamber 260. Unlike the above, the arrangement of the liquid processing chamber 260 and the laser processing chamber 280 may be modified in various ways. For example, the liquid processing chambers 260 and the laser processing chambers 280 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the liquid processing chamber 260 and the laser processing chamber 280 may be provided in a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. A slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided inside the buffer unit 220. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 open.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transport frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves linearly in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body (144b) is provided to be rotatable on the base (144a). The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to move forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the process processing module 200 to the carrier 130, and other parts of the index arms 144c are used when the substrate W is transferred from the carrier 130 to the process processing module 200. ) Can be used when returning. This may prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from adhering to the substrate W after the process treatment during the process of the index robot 144 carrying in and carrying out the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 액 처리 챔버(260) 간에, 버퍼 유닛(220)과 레이저 처리 챔버(280) 간에, 액 처리 챔버(260)들 간에, 레이저 처리 챔버(280)들 간에, 그리고 액 처리 챔버(260)와 레이저 처리 챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 즉, 이송 챔버(240)는 기판을 반송하는 반송 유닛으로 제공된다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 is between the buffer unit 220 and the liquid processing chamber 260, between the buffer unit 220 and the laser processing chamber 280, between the liquid processing chambers 260, and the laser processing chambers 280. The substrate W is transferred between and between the liquid processing chamber 260 and the laser processing chamber 280. That is, the transfer chamber 240 is provided as a transfer unit that transfers the substrate. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16.

액 처리 챔버(260)는 기판(W)에 대해 처리액을 공급하여 액 처리하는 공정을 수행한다. 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 케미칼은 DSP(Diluted Sulfuric acid Peroxide) 혼합액일 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다. The liquid processing chamber 260 performs a process of processing a liquid by supplying a processing liquid to the substrate W. The treatment liquid may be a chemical, a rinse liquid, and an organic solvent. The chemical may be a liquid having acid or basic properties. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (P 2 O 5 ), hydrofluoric acid (HF) and ammonium hydroxide (NH 4 OH). The chemical may be a mixture of Diluted Sulfuric Acid Peroxide (DSP). The rinse liquid may be pure (H 2 0). The organic solvent may be an isopropyl alcohol (IPA) liquid.

액 처리 챔버(260)는 세정 공정을 수행할 수 있다. 액 처리 챔버(260)에 제공되는 기판 처리 장치는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 액 처리 챔버(260)에 제공되는 기판 처리 장치는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 액 처리 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 액 처리 챔버(260) 내에 기판 처리 장치들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 액 처리 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(260)는 사진, 애싱, 그리고 식각 등의 다양한 공정을 수행할 수도 있다.The liquid processing chamber 260 may perform a cleaning process. The substrate processing apparatus provided in the liquid processing chamber 260 may have different structures depending on the type of cleaning process to be performed. Unlike this, the substrate processing apparatus provided in each liquid processing chamber 260 may have the same structure. Optionally, the liquid processing chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses in the liquid processing chamber 260 belonging to the same group are the same, and substrate processing provided in the liquid processing chamber 260 belonging to a different group. The structure of the device may be provided differently from each other. In addition, the liquid processing chamber 260 may perform various processes such as photography, ashing, and etching.

레이저 처리 챔버(280)는 기판(W)에 레이저를 조사하여 기판을 처리하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 레이저 처리 챔버(280)에는 기판 처리 장치(300)가 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(300)는 기판(W) 상에 레이저를 조사할 수 있다. 기판 처리 장치(300)는 기판(W)의 가장자리 영역에 레이저를 조사할 수 있다. 기판 처리 장치(300)는 기판(W)의 가장자리 영역에 레이저를 조사하여, 기판(W) 상의 막질을 제거하는 공정을 수행할 수 있다.The laser processing chamber 280 may perform a process of processing a substrate by irradiating a laser onto the substrate W. In addition, a substrate processing apparatus 300 may be provided in the laser processing chamber 280. The substrate processing apparatus 300 may irradiate a laser onto the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may irradiate a laser to an edge region of the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may perform a process of removing a film on the substrate W by irradiating a laser to the edge region of the substrate W.

이하에는, 레이저 처리 챔버(280)에 제공되는 기판 처리 장치(300)에 대하여 상세히 설명한다. 도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 하우징(310), 지지 유닛(320), 레이저 조사 유닛(400), 그리고 제어기(미도시)를 포함할 수 있다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 300 provided in the laser processing chamber 280 will be described in detail. 4 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3. Referring to FIG. 4, the substrate processing apparatus 300 may include a housing 310, a support unit 320, a laser irradiation unit 400, and a controller (not shown).

하우징(310)은 내부 공간(312)을 가진다. 내부 공간(312)은 기판(W)이 처리되는 공간으로 제공될 수 있다. 하우징(310)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(310)의 내부 공간(312)을 밀폐한다. 하우징(310)의 바닥면에는 배기구(314)가 형성된다. 배기구(314)는 배기 라인(316)과 연결된다. 이에, 내부 공간(312)에서 기판(W)이 처리되면서 발생되는 부산물을 기판 처리 장치(300)의 외부로 배기할 수 있다. 또한, 하우징(310)에는 내부 공간(312)으로 가스를 공급하는 가스 공급 라인(미도시)이 연결될 수 있다. 가스는 질소 등의 비활성 가스일 수 있다. 가스 공급 라인이 공급하는 가스는 내부 공간(312)에 기류를 제공할 수 있다. 내부 공간(312)에 제공되는 기류는 기판(W)이 처리되면서 발생되는 부산물을 더욱 효율적으로 배기할 수 있게 한다.The housing 310 has an inner space 312. The inner space 312 may be provided as a space in which the substrate W is processed. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 310. The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried. A door (not shown) is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process proceeds, the door closes the opening to seal the inner space 312 of the housing 310. An exhaust port 314 is formed on the bottom surface of the housing 310. The exhaust port 314 is connected to the exhaust line 316. Accordingly, by-products generated while the substrate W is processed in the internal space 312 may be exhausted to the outside of the substrate processing apparatus 300. In addition, a gas supply line (not shown) for supplying gas to the inner space 312 may be connected to the housing 310. The gas may be an inert gas such as nitrogen. The gas supplied by the gas supply line may provide airflow to the inner space 312. The airflow provided in the inner space 312 makes it possible to more efficiently exhaust by-products generated while the substrate W is processed.

지지 유닛(320)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 지지 유닛(320)은 지지판(322), 그리고 회전축(326)을 포함할 수 있다. 지지판(322)은 기판을 지지한다. 지지판(322)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지판(322)은 상면이 저면보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(322)의 상면 및 저면을 잇는 측면은 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 방향을 향할 수 있다. 지지판(322)의 상면은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 제공된다. 안착면은 기판(W)보다 작은 면적을 가진다. 일 예에 의하면, 안착면의 직경은 기판(W)의 반경보다 작을 수 있다. 안착면은 기판(W)의 중심 영역을 지지한다. 안착면에는 복수의 흡착홀(323)들이 형성된다. 흡착홀(323)은 안착면에 놓인 기판(W)을 감압하여 기판을 흡착시키는 홀 일 수 있다. 흡착홀(323)에는 진공 부재(325)가 연결된다. 진공 부재(325)는 흡착홀(323)을 감압하는 펌프일 수 있다. 그러나, 진공 부재(325)는 펌프인 것에 한정되는 것이 아니고, 흡착홀(323)에 감압을 제공하는 공지의 장치 등으로 다양하게 변형될 수 있다.The support unit 320 supports and rotates the substrate W. The support unit 320 may include a support plate 322 and a rotation shaft 326. The support plate 322 supports the substrate. The support plate 322 is provided to have a circular plate shape. The support plate 322 may have an upper surface having a larger diameter than a lower surface. The side surfaces connecting the upper and lower surfaces of the support plate 322 may be inclined downward as they become closer to the central axis. The upper surface of the support plate 322 is provided as a seating surface on which the substrate W is seated. The seating surface has an area smaller than that of the substrate W. According to an example, the diameter of the seating surface may be smaller than the radius of the substrate W. The seating surface supports the central region of the substrate W. A plurality of adsorption holes 323 are formed on the seating surface. The adsorption hole 323 may be a hole for adsorbing the substrate by depressurizing the substrate W placed on the seating surface. A vacuum member 325 is connected to the suction hole 323. The vacuum member 325 may be a pump that depressurizes the adsorption hole 323. However, the vacuum member 325 is not limited to being a pump, and may be variously modified with a known device for providing a reduced pressure to the suction hole 323.

회전축(326)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하는 통 형상을 가지도록 제공된다. 회전축(326)은 지지판(322)의 저면에 결합된다. 구동기(미도시)는 회전축(326)에 회전력을 전달한다. 회전축(326)은 구동기로부터 제공된 회전력에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지판(322)은 회전축(326)과 함께 회전 가능하다. 회전축(326)은 구동기에 의해 그 회전 속도가 조절되어 기판(W)의 회전 속도를 조절 가능하다. 예컨대, 구동기는 모터일 수 있다. 그러나, 구동기는 모터인 것에 한정되는 것이 아니고, 회전축(326)에 회전력을 제공하는 공지의 장치 등으로 다양하게 변형될 수 있다.The rotation shaft 326 is provided so as to have a cylindrical shape whose longitudinal direction faces up and down. The rotation shaft 326 is coupled to the bottom surface of the support plate 322. The actuator (not shown) transmits rotational force to the rotation shaft 326. The rotation shaft 326 is rotatable about a central axis by a rotational force provided from a driver. The support plate 322 is rotatable together with the rotation shaft 326. The rotation speed of the rotation shaft 326 is controlled by a driver, so that the rotation speed of the substrate W can be adjusted. For example, the driver may be a motor. However, the driver is not limited to being a motor, and may be variously modified with a known device for providing rotational force to the rotation shaft 326.

레이저 조사 유닛(400)은 지지 유닛(320)에 지지된 기판(W)에 레이저(L)를 조사할 수 있다. 레이저 조사 유닛(400)은 지지 유닛(320)에 지지된 기판(W)에 복수의 단위 펄스 레이저(L)를 조사할 수 있다. 레이저 조사 유닛(400)은 기판(W) 상의 가장자리 영역에 레이저(L)를 조사할 수 있다. 레이저 조사 유닛(400)은 레이저(L)를 조사하여 기판(W) 상의 가장자리 영역에 제공된 막질을 제거할 수 있다. 레이저 조사 유닛(400)은 레이저 광원(410), 파장 조절 부재(420), 형상 조절 부재(430), 그리고 레이저 조사 부재(440)를 포함할 수 있다.The laser irradiation unit 400 may irradiate the laser L to the substrate W supported by the support unit 320. The laser irradiation unit 400 may irradiate a plurality of unit pulse lasers L to the substrate W supported by the support unit 320. The laser irradiation unit 400 may irradiate the laser L to the edge region on the substrate W. The laser irradiation unit 400 may irradiate the laser L to remove the film quality provided on the edge region on the substrate W. The laser irradiation unit 400 may include a laser light source 410, a wavelength control member 420, a shape control member 430, and a laser irradiation member 440.

레이저 광원(410)은 레이저(L)를 조사할 수 있다. 레이저 광원(410)은 기판(W)으로 조사되는 레이저(L)의 소스(Source)일 수 있다. 레이저 광원(410)은 레이저(L)를 복수의 단위 펄스 레이저 방식으로 조사할 수 있다.The laser light source 410 may irradiate the laser (L). The laser light source 410 may be a source of a laser L irradiated onto the substrate W. The laser light source 410 may irradiate the laser L in a plurality of unit pulse laser methods.

파장 조절 부재(420)는 레이저 광원(410)에서 조사된 레이저(L)의 파장을 변경할 수 있다. 예컨대, 파장 조절 부재(420)는 레이저(L)의 파장을 변경하는 광학 소자로 제공될 수 있다. 파장 조절 부재(420)는 레이저(L)가 150nm 내지 1200nm 범위의 파장을 가지도록 레이저(L) 파장을 변경할 수 있다. 레이저(L)가 150nm 이하의 파장을 가지는 경우 기판(W) 상의 막질 뿐 아니라 기판(W)까지 식각되고, 1200nm 이상의 파장을 가지는 경우 기판(W) 상의 막질이 제거되지 않기 때문이다. 또한, 파장 조절 부재(420)는 레이저(L)가 다양한 범위의 파장을 가지도록 레이저(L)의 파장을 조절할 수 있다. 예컨대, 파장 조절 부재(420)는 레이저(L)가 750nm 내지 1200nm의 제1범위, 380nm 내지 749nm의 제2범위, 300nm 내지 379nm의 제3범위, 150nm 내지 299nm의 제4범위 중 선택된 어느 하나의 파장을 가지도록 레이저(L)의 파장을 변경할 수 있다.The wavelength adjustment member 420 may change the wavelength of the laser L irradiated by the laser light source 410. For example, the wavelength control member 420 may be provided as an optical element that changes the wavelength of the laser L. The wavelength control member 420 may change the wavelength of the laser L so that the laser L has a wavelength in the range of 150 nm to 1200 nm. This is because when the laser L has a wavelength of 150 nm or less, not only the layer on the substrate W is etched, but also the substrate W is etched, and when the laser L has a wavelength of 1200 nm or more, the layer on the substrate W is not removed. In addition, the wavelength adjustment member 420 may adjust the wavelength of the laser L so that the laser L has a wavelength in a wide range. For example, the wavelength adjusting member 420 is one of the laser L selected from the first range of 750 nm to 1200 nm, the second range of 380 nm to 749 nm, the third range of 300 nm to 379 nm, and the fourth range of 150 nm to 299 nm. It is possible to change the wavelength of the laser L to have a wavelength.

형상 조절 부재(430)는 레이저 광원(410)에서 조사되는 레이저(L)의 형상을 변경할 수 있다. 예컨대, 형상 조절 부재(430)는 레이저 광원(410)에서 조사되는 레이저(L)가 원 형상을 가지도록 변경할 수 있다. 또한, 형상 조절 부재(430)는 레이저 광원(410)에서 조사되는 레이저(L)가 사각 형상을 가지도록 변경할 수 있다. 사각 형상은 정사각형, 또는 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 또한, 형상 조절 부재(430)는 레이저 광원(410)에서 조사되는 레이저(L)가 모서리 부분이 라운드(Round)진 사각 형상을 가지도록 변경할 수 있다.The shape adjustment member 430 may change the shape of the laser L irradiated from the laser light source 410. For example, the shape adjustment member 430 may be changed so that the laser L irradiated from the laser light source 410 has a circular shape. In addition, the shape adjustment member 430 may be changed so that the laser L irradiated from the laser light source 410 has a square shape. The square shape may have a square shape or a rectangular shape. In addition, the shape adjustment member 430 may be changed so that the laser L irradiated from the laser light source 410 has a rectangular shape in which the corner portion is rounded.

레이저 조사 부재(440)는 레이저(L)를 지지 유닛(320)에 지지된 기판(W)으로 레이저(L)를 조사할 수 있다. 일 예로, 레이저 광원(410)에서 조사된 레이저(L)는 파장 조절 부재(420), 그리고 형상 조절 부재(430)를 거친다. 그리고, 파장 조절 부재(420)와 형상 조절 부재(430)에서 파장 및 형상이 조절된 레이저(L)가 레이저 조사 부재(440)로 전달될 수 있다. 레이저 조사 부재(440)는 스캐너(442), 렌즈(444), 그리고 구동 부재(446)를 포함할 수 있다. 스캐너(442)는 파장 조절 부재(420), 그리고 형상 조절 부재(430)를 거친 레이저(L)의 조사 방향을 변경할 수 있다. 렌즈(444)는 스캐너(442)를 거친 레이저(L)가 기판(W) 상에 집중되어 조사될 수 있도록 한다. 구동 부재(446)는 스캐너(442) 및/또는 렌즈(444)를 이동 시킬 수 있다. 구동 부재(446)는 스캐너(442) 및/또는 렌즈(444)를 이동시키는 구동력을 전달 할 수 있다. 구동 부재(446)는 스캐너(442) 및/또는 렌즈(444)를 수평 또는 수직 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에, 구동 부재(446)는 복수의 단위 펄스 레이저(L)가 기판(W) 상의 가장자리 영역에 조사되게 할 수 있다. 또한, 구동 부재(446)는 복수의 단위 펄스 레이저(L)가 기판(W) 상에 조사되는 영역이 기판(W)의 반경 방향을 따라 변경되게 할 수 있다. The laser irradiation member 440 may irradiate the laser L to the substrate W supported by the support unit 320. As an example, the laser L irradiated from the laser light source 410 passes through the wavelength control member 420 and the shape control member 430. In addition, the laser L whose wavelength and shape are adjusted in the wavelength control member 420 and the shape control member 430 may be transmitted to the laser irradiation member 440. The laser irradiation member 440 may include a scanner 442, a lens 444, and a driving member 446. The scanner 442 may change the irradiation direction of the laser L passing through the wavelength control member 420 and the shape control member 430. The lens 444 allows the laser L passing through the scanner 442 to be concentrated and irradiated on the substrate W. The driving member 446 may move the scanner 442 and/or the lens 444. The driving member 446 may transmit a driving force for moving the scanner 442 and/or the lens 444. The driving member 446 may move the scanner 442 and/or the lens 444 in a horizontal or vertical direction. Accordingly, the driving member 446 may cause the plurality of unit pulse lasers L to be irradiated to the edge region on the substrate W. In addition, the driving member 446 may change a region in which the plurality of unit pulse lasers L are irradiated on the substrate W along the radial direction of the substrate W.

제이기(미도시)는 기판 처리 설비(10)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기는 액 처리 챔버(260)들 간에, 레이저 처리 챔버(280)들 간에, 액 처리 챔버(260)와 레이저 처리 챔버(280) 간에 기판(W)이 반송되는 것을 제어할 수 있다. 또한 제어기는 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다. 제어기는 이하에서 설명하는 막질 제거 방법 또는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(300)를 제어할 수 있다.A second machine (not shown) may control the substrate processing facility 10. For example, the controller may control the transfer of the substrate W between the liquid processing chambers 260, between the laser processing chambers 280, and between the liquid processing chamber 260 and the laser processing chamber 280. In addition, the controller may control the substrate processing apparatus 300. The controller may control the substrate processing apparatus 300 to perform the film quality removal method or the substrate processing method described below.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판을 처리하는 방법에 대하여 상세히 설명한다. 기판을 처리하는 방법은 기판(W) 상의 가장자리 영역에 복수의 레이저를 조사하여 기판(W) 상의 막질을 제거하는 방법일 수 있다. 기판(W) 상의 막질은 증착 공정으로 형성된 막질일 수 있다. 예컨대, 기판(W) 상의 막질은 TiN, SiN, 텅스텐, 옥사이드 등일 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 막질을 제거하는 방법인 것에 한정되는 것은 아니고 레이저를 기판(W)에 조사하여 기판을 처리하는 다양한 처리 방법에도 마찬가지로 적용될 수 있다.Hereinafter, a method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention will be described in detail. The method of treating the substrate may be a method of removing a film on the substrate W by irradiating a plurality of lasers to the edge region on the substrate W. The film quality on the substrate W may be a film quality formed by a deposition process. For example, the film quality on the substrate W may be TiN, SiN, tungsten, oxide, or the like. However, the substrate processing method according to the exemplary embodiment of the present invention is not limited to a method of removing film quality, and may be applied to various processing methods of treating a substrate by irradiating a laser onto the substrate W.

도 5은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 5를 참조하면, 기판 처리 방법은 제1처리 단계(S10)와 제2처리 단계(S20)를 포함할 수 있다. 제1처리 단계(S10)와 제2처리 단계(S20)는 순차적으로 수행될 수 있다. 일 예로, 제2처리 단계(S20)는 제1처리 단계(S10) 이후에 수행될 수 있다. 제1처리 단계(S10)와 제2처리 단계(S20)에서는 기판(W) 상의 가장 자리 영역에 복수의 단위 펄스 레이저를 조사하여 기판(W) 상의 막질을 제거할 수 있다. 복수의 단위 펄스 레이저는 극 초단 펄스 레이저일 수 있다. 예컨대, 복수의 단위 펄스 레이저는 그 펄스 폭이 수십 ns ~ 수백 fs인 레이저 일 수 있다. 극 초단 펄스 레이저가 비열-비접촉식 공정으로 기판(W) 상의 막질에 조사되면 막질에 즉각적인 융발(ablation) 현상이 발생될 수 있다. 이에, 기판(W)의 가장 자리 영역에서 불필요한 부분에서의 막질 제거가 가능하다. 5 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the substrate processing method may include a first processing step (S10) and a second processing step (S20 ). The first processing step S10 and the second processing step S20 may be performed sequentially. For example, the second processing step S20 may be performed after the first processing step S10. In the first processing step (S10) and the second processing step (S20), a film quality on the substrate W may be removed by irradiating a plurality of unit pulse lasers to the edge region of the substrate W. The plurality of unit pulse lasers may be ultra-short pulse lasers. For example, the plurality of unit pulse lasers may be lasers having a pulse width of several tens of ns to several hundred fs. When the ultrashort pulse laser is irradiated to the film on the substrate W in a non-thermal-non-contact process, an immediate ablation phenomenon may occur in the film. Accordingly, it is possible to remove film quality from unnecessary portions in the edge region of the substrate W.

또한, 제1처리 단계(S10) 및/또는 제2처리 단계(S20)에서는 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 원주 방향을 따라 복수의 단위 펄스 레이저(L)의 조사가 이루어질 수 있다. 또한, 제1처리 단계(S10) 및/또는 제2처리 단계(S20)에서 단위 펄스 레이저가 조사되는 영역의 중첩률은 0 ~ 99%일 수 있다. 또한, 제1처리 단계(S10) 및/또는 제2처리 단계(S20)에서 기판(W)의 회전 속도는 막질의 종류에 따라 변경될 수 있다. 또한, 제1처리 단계(S10) 및/또는 제2처리 단계(S20)에서 단위 펄스 레이저의 펄스 폭은 막질의 종류에 따라 변경될 수 있다. 즉, 단위 펄스 레이저의 반복율[kHz]은 기판(W) 상의 막질의 종류에 따라 변경될 수 있다. In addition, in the first processing step (S10) and/or the second processing step (S20), as shown in FIG. 6, a plurality of unit pulse lasers along the circumferential direction of the substrate W by rotation of the substrate W Investigation of (L) may be made. In addition, in the first processing step (S10) and/or the second processing step (S20), the overlapping rate of the area to which the unit pulse laser is irradiated may be 0 to 99%. In addition, the rotation speed of the substrate W in the first processing step S10 and/or the second processing step S20 may be changed according to the type of film quality. Also, in the first processing step S10 and/or the second processing step S20, the pulse width of the unit pulse laser may be changed according to the type of film quality. That is, the repetition rate [kHz] of the unit pulse laser may be changed according to the type of film quality on the substrate W.

또한, 제1처리 단계(S10) 및/또는 제2처리 단계(S20)에서는 기판(W)의 반경 방향을 따라 단위 펄스 레이저(L)의 조사 위치를 변경할 수 있다. 이에, 기판(W)에서 막질(F)이 제거되는 가장자리 영역을 확장하거나 축소하는 등 변경할 수 있다.In addition, in the first processing step S10 and/or the second processing step S20, the irradiation position of the unit pulse laser L may be changed along the radial direction of the substrate W. Accordingly, it is possible to change, such as expanding or reducing the edge region from which the film material F is removed from the substrate W.

도 7은 도 6의 제1처리 단계가 수행되는 기판의 가장자리 영역을 보여주는 확대도이고, 도 8은 도 6의 제2처리 단계가 수행되는 기판의 가장자리 영역을 보여주는 확대도이다. FIG. 7 is an enlarged view showing an edge area of the substrate on which the first processing step of FIG. 6 is performed, and FIG. 8 is an enlarged view showing an edge area of the substrate on which the second processing step of FIG. 6 is performed.

도 7과 도 8을 참조하면, 제1처리 단계(S10)에는 막질(F)의 융발 임계치(alation threshold)보다 낮은 에너지를 가지는 레이저(L1)를 조사하여 막질(F)을 1차 제거할 수 있다. 제1처리 단계(S10)에는 막질(F)의 융발 임계치(alation threshold)보다 낮은 에너지를 가지는 레이저(L1)가 조사되므로, 막질(F)은 완전히 제거되지 않고 일정 두께(a1)만큼 잔존한다. 제1처리 단계(S10)에서 조사되는 레이저(L1)는 150nm 내지 1200nm의 파장을 가질 수 있다. 또한, 제1처리 단계(S10)에서 조사되는 레이저(L1)는 150nm 내지 1200nm의 범위에 내에서, 막질(F)의 융발 임계치보다 낮은 에너지를 가지는 파장 범위로 선택될 수 있다.7 and 8, in the first processing step (S10), the film material (F) may be first removed by irradiating a laser (L1) having an energy lower than the alation threshold of the film material (F). have. In the first processing step S10, since the laser L1 having an energy lower than the alation threshold of the film F is irradiated, the film F is not completely removed and remains as much as a certain thickness a1. The laser L1 irradiated in the first processing step S10 may have a wavelength of 150 nm to 1200 nm. In addition, the laser L1 irradiated in the first processing step S10 may be selected as a wavelength range having an energy lower than the melting threshold of the film quality F within a range of 150 nm to 1200 nm.

제1처리 단계(S10)의 수행이 완료된 이후, 제2처리 단계(S20)가 수행된다. 제2처리 단계(S20)에는 레이저(L)를 조사하여 제1처리 단계(S10)에서 잔류하는 막질(F)을 2차 제거한다. 제2처리 단계(S20)에서 조사되는 레이저(L2)는 150nm 내지 1200nm의 파장을 가질 수 있다. 또한, 제2처리 단계(S20)에서 조사되는 레이저(L1)는 150nm 내지 1200nm의 범위에 내에서, 막질(F)의 융발 임계치보다 낮은 에너지를 가지는 파장 범위로 선택될 수 있다. After the first processing step S10 is completed, a second processing step S20 is performed. In the second processing step (S20), a laser (L) is irradiated to secondaryly remove the film quality (F) remaining in the first processing step (S10). The laser L2 irradiated in the second processing step S20 may have a wavelength of 150 nm to 1200 nm. In addition, the laser L1 irradiated in the second processing step S20 may be selected as a wavelength range having an energy lower than the melting threshold of the film quality F within a range of 150 nm to 1200 nm.

또한, 제2처리 단계(S20)에서 조사되는 레이저(L2)의 에너지는 제1처리 단계(S10)에서 조사되는 레이저(L1)의 에너지와 상이할 수 있다. 일 예로, 제2처리 단계(S20)에서 조사되는 레이저(L2)의 에너지는 제1처리 단계(S10)에서 조사되는 레이저(L1)의 에너지 보다 작을 수 있다. 즉, 제2처리 단계(S20)에 조사되는 레이저(L2)의 파장은 제1처리 단계(S10)에서 조사되는 레이저(L1)의 파장보다 길 수 있다. Further, the energy of the laser L2 irradiated in the second processing step S20 may be different from the energy of the laser L1 irradiated in the first processing step S10. For example, the energy of the laser L2 irradiated in the second processing step S20 may be less than the energy of the laser L1 irradiated in the first processing step S10. That is, the wavelength of the laser L2 irradiated in the second processing step S20 may be longer than the wavelength of the laser L1 irradiated in the first processing step S10.

제1처리 단계(S10)에는, 막질(F)의 대부분을 제거한다. 제2처리 단계(S20)에는 제1처리 단계(S10)보다 낮은 에너지의 레이저(L2)를 조사하여, 미세 두께의 막질(F)을 제거할 수 있다. 제1처리 단계(S10)에 제거되는 막질(F)의 두께가 제2처리 단계(S20)에서 제거되는 막질(F)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 다시 말해, 처리 단계가 진행됨에 따라 제거되는 막질(F)의 두께를 순차적으로 감소시킬 수 있다. In the first processing step S10, most of the film quality F is removed. In the second processing step S20, a laser L2 having a lower energy than the first processing step S10 may be irradiated to remove the fine-thick film F. The thickness of the film F removed in the first processing step S10 may be thicker than the thickness of the film F removed in the second processing step S20. In other words, as the processing step proceeds, the thickness of the film material F to be removed may be sequentially reduced.

도 9과 내지 도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판의 가장자리 영역을 처리하는 방법을 보여주는 도면이다. 도 9 내지 도 12를 참조하면, 제1처리 단계(S10)에는 기판(W) 상으로 막질(F)의 융발 임계치보다 낮은 에너지를 가지는 레이저(L)를 조사한다. 이때, 제1처리 단계(S10)에서 레이저(L1)의 조사 위치는 기판(W)의 반경 방향을 따라 변경 될 수 있다. 제1처리 단계(S10)가 완료되면, 기판(W) 상에는 막질(F)이 잔류한다. 제1처리 단계(S10)의 수행이 완료된 이후 제2처리 단계(S20)가 수행된다. 제2처리 단계(S20)에서는 제1처리 단계(S10)와 서로 상이한 에너지를 가지는 레이저(L2)를 조사한다. 그리고, 제2처리 단계(S20)에서도 제1처리 단계(S10)와 유사하게 레이저(L2)의 조사 위치가 변경될 수 있다. 이에, 기판(W)의 가장 자리 영역보다 외측에 제공되는 막질(F)도 완전히 제거될 수 있다.9 and 12 are diagrams illustrating a method of processing an edge region of a substrate according to an embodiment of the present invention. 9 to 12, a laser L having an energy lower than the melting threshold of the film quality F is irradiated onto the substrate W in the first processing step S10. In this case, the irradiation position of the laser L1 in the first processing step S10 may be changed along the radial direction of the substrate W. When the first processing step S10 is completed, the film quality F remains on the substrate W. After the first processing step S10 is completed, the second processing step S20 is performed. In the second processing step S20, the laser L2 having energy different from that of the first processing step S10 is irradiated. Also, in the second processing step S20, the irradiation position of the laser L2 may be changed similarly to the first processing step S10. Accordingly, the film material F provided outside the edge region of the substrate W may also be completely removed.

일반적으로 기판의 가장자리 영역에 케미칼 등의 약액을 분사하여 막질을 제거하는 경우 막질 제거가 적절하게 이루어지 지지 못한다. 일 예로, 기판 상의 막질은 기판의 반경 방향을 따라 하향 경사지게 제거될 수 있다. 이는 막질을 제거하는 약액의 불균일한 선택비로 인한 것이다. 이와 같이 막질의 제거가 적절히 수행되지 못하는 경우 반도체 소자의 생산 수율을 떨어뜨린다. 또한, 기판 표면에 핀 마크(Pin Mark)등이 형성되어 추가적인 오염 가능성을 발생시킨다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판(W)에 대하여 복수의 단위 펄스 레이저를 조사하여 기판(W) 상의 막질을 제거한다. 이에 기판(W) 상의 막질의 즉각적인 융발이 발생하여 균일하고 높은 선택비로 막질을 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 단위 펄스 레이저를 이용하여 기판(W) 상의 막질을 제거하므로, 기판(W)에서 막질이 제거되는 영역을 다양하게 변경할 수 있다. 또한, 기판(W)에서 막질이 제거되는 영역을 더욱 미세화 할 수 있다. 막질이 제거되는 영역을 다양하게 변경할 수 있고, 더욱 미세화하는 것은 최근 기판 에지에서 막질이 제거되는 영역을 축소하고자 하는 최근 추세에도 부합한다.In general, when a chemical solution such as a chemical is sprayed onto the edge of the substrate to remove the film, the film cannot be properly removed. For example, the film quality on the substrate may be removed obliquely downward along the radial direction of the substrate. This is due to the non-uniform selectivity of the chemical liquid that removes the film. When the film quality is not properly removed as described above, the production yield of the semiconductor device is lowered. In addition, pin marks or the like are formed on the surface of the substrate, thereby causing additional contamination. However, according to an embodiment of the present invention, a film on the substrate W is removed by irradiating a plurality of unit pulse lasers onto the substrate W. Accordingly, the film quality on the substrate W is immediately melted, and the film quality can be removed with a uniform and high selectivity. In addition, according to an embodiment of the present invention, since the film quality on the substrate W is removed using a unit pulse laser, a region in which the film quality is removed from the substrate W can be variously changed. In addition, the region from which the film is removed from the substrate W may be further refined. The region from which the film quality is removed can be variously changed, and further refinement is consistent with the recent trend of reducing the region from which film quality is removed from the edge of the substrate.

또한, 막질의 융발 임계치(ablation threshold)를 초과하는 파장의 레이저가 기판(W)으로 조사될 경우, 도 13과 같이 기판(W) 상의 막질(F) 뿐 아니라 기판(W)이 식각되는 오버 에치(Over etch) 현상이 발생한다. 이러한 오버 에치(Over etch) 현상은 기판(W)에 손상을 가져오고, 반도체 소자 생산 수율을 떨어 뜨린다. 또한, 기판(W)이 반송되는 과정에서 기판(W)이 깨지거나 형상이 변형되어 기판 처리 설비(10) 전체의 구동에 영향을 줄 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면 제1처리 단계(S10)에는 단위 펄스 레이저는 기판(W) 상의 막질의 융발 임계치(ablation threshold) 이하의 에너지를 가지는 레이저가 조사된다. 제1처리 단계(S10)가 수행된 이후, 기판(W) 상에는 얇은 두께의 막질(F)이 잔류한다. 그리고, 제2처리 단계(S20)에는 제1처리 단계(S10)에서 제거하지 않은 잔류 막질(F)을 제거한다. 이에, 기판(W)의 막질(F)을 제거하는 과정에서 오버 에치(Over etch) 현상이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다. 또한, 막질(F) 제거 효율을 극대화 할 수 있다.In addition, when a laser having a wavelength exceeding the ablation threshold of the film quality is irradiated to the substrate W, not only the film quality F on the substrate W but also the substrate W is etched as shown in FIG. 13. (Over etch) phenomenon occurs. Such an over etch phenomenon causes damage to the substrate W and lowers the semiconductor device production yield. In addition, during the transfer of the substrate W, the substrate W is broken or its shape is deformed, which may affect the driving of the entire substrate processing facility 10. However, according to an embodiment of the present invention, in the first processing step (S10), the unit pulse laser is irradiated with a laser having an energy equal to or less than the ablation threshold of the film quality on the substrate W. After the first processing step S10 is performed, a thin film quality F remains on the substrate W. In addition, in the second processing step S20, the residual film quality F not removed in the first processing step S10 is removed. Accordingly, it is possible to minimize the occurrence of an over etch phenomenon in the process of removing the film quality F of the substrate W. In addition, it is possible to maximize the film quality (F) removal efficiency.

상술한 예에서는, 제1처리 단계(S10)에서 막질의 융발 임계치보다 낮은 에너지를 조사하여 막질을 1차 제거하고, 제2처리 단계(S20)에서 기판(W) 상에 레이저를 조사하여 잔류하는 막질을 2차 제거하는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 기판(W) 상의 막질의 융발 임계치에 대응하는 에너지를 가지는 단위 펄스 레이저를 조사하여 막질을 제거할 수 있다. 이 경우, 오버 에치(Over Etch) 현상을 방지하기 위해, 각각의 단위 펄스 레이저가 기판 상에 조사되는 영역은 서로 중첩되지 않을 수 있다. 예컨대, 단위 펄스 레이저 간의 펄스 폭은 단위 펄스 레이저가 기판 상이 조사되는 영역이 중첩되지 않는 폭일 수 있다. 또한, 단위 펄스 레이저 간의 펄스 폭은 기판(W)의 회전 속도에 따라 변경될 수 있다. 예컨대, 단위 펄스 레이저 간의 펄스 폭이 짧아지는 경우, 기판(W)의 회전 속도는 느려질 수 있다. 이와 반대로, 단위 펄스 레이저 간의 펄스 폭이 길어지는 경우, 기판(W)의 회전속도는 빨라질 수 있다. In the above-described example, the film quality is first removed by irradiating energy lower than the melting threshold of the film quality in the first processing step (S10), and the remaining by irradiating a laser on the substrate (W) in the second processing step (S20). Although the second removal of the film has been described as an example, it is not limited thereto. For example, in the substrate processing method according to another exemplary embodiment of the present invention, a film quality may be removed by irradiating a unit pulse laser having energy corresponding to the melting threshold of the film quality on the substrate W. In this case, in order to prevent an over etch phenomenon, regions irradiated with each unit pulse laser on the substrate may not overlap each other. For example, the pulse width between the unit pulse lasers may be a width in which a region to which the unit pulse laser is irradiated on the substrate does not overlap. In addition, the pulse width between unit pulse lasers may be changed according to the rotation speed of the substrate W. For example, when the pulse width between the unit pulse lasers is shortened, the rotation speed of the substrate W may be slowed. Conversely, when the pulse width between the unit pulse lasers increases, the rotational speed of the substrate W may increase.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

300 : 기판 처리 장치
310 : 하우징
320 : 지지 유닛
400 : 레이저 조사 유닛
410 : 레이저 광원
420 : 파장 조절 부재
430 : 형상 조절 부재
440 : 레이저 조사 부재300: substrate processing device
310: housing
320: support unit
400: laser irradiation unit
410: laser light source
420: wavelength control member
430: shape adjustment member
440: laser irradiation member

Claims (13)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
회전하는 기판 상으로 레이저를 조사하여 상기 기판 상의 막질을 제거하되,
상기 막질의 융발임계치보다 낮은 에너지를 가지는 레이저를 조사하여 상기 막질을 1차 제거하는 제1처리 단계와;
상기 제1처리 단계 이후에 상기 기판 상에 레이저를 조사하여 잔류하는 막질을 2차 제거하는 제2처리 단계를 포함하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
Irradiating a laser onto the rotating substrate to remove the film quality on the substrate,
A first processing step of first removing the film by irradiating a laser having an energy lower than the melting threshold of the film quality;
And a second processing step of secondly removing a film remaining by irradiating a laser on the substrate after the first processing step. 제1항에 있어서,
상기 제1처리 단계에서 조사되는 레이저가 가지는 에너지와 상기 제2처리 단계에서 조사되는 레이저가 가지는 에너지는 서로 상이한 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The energy of the laser irradiated in the first processing step and the energy of the laser irradiated in the second processing step are different from each other. 제1항에 있어서,
상기 제1처리 단계에서 조사되는 레이저와 상기 제2처리 단계에서 조사되는 레이저는,
복수의 단위 펄스 레이저이고,
상기 단위 펄스 레이저가 조사되는 영역의 중첩률은 0 ~ 99% 인 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The laser irradiated in the first processing step and the laser irradiated in the second processing step,
Is a plurality of unit pulse lasers,
The method of processing a substrate in which the overlapping rate of the area to which the unit pulse laser is irradiated is 0 to 99%. 제3항에 있어서,
상기 막질의 종류에 따라 상기 단위 펄스 레이저의 펄스 폭을 변경하는 기판 처리 방법.The method of claim 3,
The substrate processing method of changing the pulse width of the unit pulse laser according to the type of the film quality. 제4항에 있어서,
상기 막질의 종류에 따라 상기 기판의 회전 속도를 변경하는 기판 처리 방법.The method of claim 4,
A substrate processing method of changing the rotation speed of the substrate according to the type of the film quality. 제1항에 있어서,
상기 제1처리 단계와 상기 제2처리 단계에서 제거하는 막질은 상기 기판의 가장자리 영역에 형성된 막질이고,
상기 제1처리 단계 및/또는 제2처리 단계에서 상기 기판 상에 레이저가 조사되는 영역은 상기 기판의 반경방향을 따라 변경되는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The film quality removed in the first treatment step and the second treatment step is a film quality formed in the edge region of the substrate,
In the first processing step and/or the second processing step, a region to which the laser is irradiated on the substrate is changed along a radial direction of the substrate. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1처리 단계에서 조사되는 레이저와 상기 제2처리 단계에서 조사되는 레이저는 150nm 내지 1200nm의 파장을 가지는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 6,
A substrate processing method wherein the laser irradiated in the first processing step and the laser irradiated in the second processing step have a wavelength of 150 nm to 1200 nm. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
회전하는 기판 상으로 복수의 단위 펄스 레이저를 조사하여 상기 기판 상의 막질을 제거하되,
상기 레이저는 상기 막질의 융발임계치에 대응하는 에너지를 가지고,
각각의 상기 단위 펄스 레이저가 기판 상이 조사되는 영역은 서로 중첩되지 않는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
Irradiating a plurality of unit pulse lasers onto the rotating substrate to remove the film quality on the substrate,
The laser has an energy corresponding to the melting threshold of the film quality,
A substrate processing method in which regions irradiated onto the substrate by each of the unit pulse lasers do not overlap each other. 제8항에 있어서,
상기 단위 펄스 레이저 간의 펄스 폭은,
상기 단위 펄스 레이저가 기판 상에 조사되는 영역이 중첩되지 않는 폭인 기판 처리 방법.The method of claim 8,
The pulse width between the unit pulse lasers,
A substrate processing method having a width in which the area irradiated on the substrate by the unit pulse laser does not overlap. 제9항에 있어서,
상기 기판의 회전 속도에 따라 상기 펄스 폭은 변경되는 기판 처리 방법.The method of claim 9,
The substrate processing method in which the pulse width is changed according to the rotation speed of the substrate. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부 공간을 가지는 하우징과;
상기 내부 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판에 복수의 단위 펄스 레이저를 조사하는 레이저 조사 유닛과;
상기 지지 유닛과 상기 레이저 조사 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
회전하는 기판의 가장 자리 영역에 기판 상에 형성된 막질의 융발임계치보다 낮은 에너지를 가지는 레이저를 조사하여 상기 막질을 1차 제거하는 제1처리 단계와;
상기 제1처리 단계 이후에 회전하는 상기 기판 상에 레이저를 조사하여 잔류하는 막질을 2차 제거하는 제2처리 단계를 수행하도록 상기 지지 유닛과 상기 레이저 조사 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A housing having an inner space;
A support unit for supporting and rotating the substrate in the inner space;
A laser irradiation unit for irradiating a plurality of unit pulse lasers onto the substrate supported by the support unit;
Including a controller for controlling the support unit and the laser irradiation unit,
The controller,
A first processing step of irradiating a laser having an energy lower than the melting threshold of the film formed on the substrate to the edge region of the rotating substrate to first remove the film quality;
A substrate processing apparatus for controlling the support unit and the laser irradiation unit to perform a second processing step of secondarily removing a film remaining by irradiating a laser on the rotating substrate after the first processing step. 제11항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 제1처리 단계에서 조사되는 레이저가 가지는 에너지와 상기 제2처리 단계에서 조사되는 레이저가 가지는 에너지가 서로 상이하도록 상기 레이저 조사 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the laser irradiation unit such that energy of the laser irradiated in the first processing step and energy of the laser irradiated in the second processing step are different from each other. 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 레이저 조사 유닛은,
상기 단위 펄스 레이저를 조사하는 레이저 광원과;
상기 레이저 광원에서 조사된 단위 펄스 레이저를 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 조사하는 레이저 조사 부재와;.상기 기판 상에 상기 단위 펄스 레이저가 조사되는 영역이 기판의 반경 방향을 따라 변경되도록 상기 레이저 조사 부재를 이동시키는 구동 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 11 or 12,
The laser irradiation unit,
A laser light source for irradiating the unit pulse laser;
A laser irradiation member for irradiating the unit pulse laser irradiated from the laser light source to the substrate supported by the support unit; The laser irradiation so that the area on the substrate to which the unit pulse laser is irradiated changes along the radial direction of the substrate A substrate processing apparatus comprising a driving member for moving the member.
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