KR20200119778A - Selective catalytic reduction system of low pressure and control method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an LP SCR system, in which an SCR reactor is installed downstream of a turbo charge (T/C), and to a control method thereof. To this end, the LP SCR system of the present invention comprises: an SCR reactor; an exhaust gas receiver for receiving exhaust gas discharged from an engine, and supplying the same for a T/C; an exhaust line for inducing the exhaust gas discharged via the T/C to the SCR reactor; a bypass line for bypassing and discharging the exhaust gas discharged via the T/C without passing through the SCR reactor; a urea decomposing device for heating the introduced exhaust gas to transmit the same to the SCR reactor; a first exhaust gas bypass (EGB) line for bypassing a part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver without passing through the T/C so as to induce the part of the exhaust gas to the urea decomposing device; and a third EGB line connected between the first EGB line and the exhaust line. According to the present invention, an opening degree of the bypass line is adjusted to preferably adjust a flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device through the third EGB line. Accordingly, the temperature in the SCR reactor increases up to the temperature capable of removing an ABS, or more to remove the ABS attached to an SCR catalyst, thereby improving the performance of the SCR catalyst and extending a lifespan.

Description

LP SCR 시스템 및 그 제어 방법{SELECTIVE CATALYTIC REDUCTION SYSTEM OF LOW PRESSURE AND CONTROL METHOD THEREOF}LP SCR system and its control method {SELECTIVE CATALYTIC REDUCTION SYSTEM OF LOW PRESSURE AND CONTROL METHOD THEREOF}

본 발명은 LP SCR 시스템 및 그 제어 방법에 관한 것으로서, 특히 SCR 반응기가 T/C(Turbo Charger)의 하류에 설치되는 LP SCR 시스템 및 그 제어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an LP SCR system and a control method thereof, and in particular, to an LP SCR system and a control method thereof in which an SCR reactor is installed downstream of a T/C (Turbo Charger).

일반적으로 선박에는 선박을 추진시키기 위해 프로펠러를 구동하는 메인엔진과 선박에 탑재된 각종 장비나 의장품 등에 전원을 공급하기 위한 보조 동력 시스템인 보조엔진이 설치되어 운영되고 있다.In general, a main engine that drives a propeller to propel a ship and an auxiliary engine, which is an auxiliary power system for supplying power to various equipment or equipment mounted on the ship, are installed and operated in a ship.

이러한 선박 엔진에서 연소 후 배출되는 배기가스에는 다수의 부유성 미립자와 질소 산화물인 NOx, 황산화물인 SOx 등의 유해성 물질이 포함되어 있다.Exhaust gas emitted after combustion from such a ship engine contains a number of suspended particulates and harmful substances such as NOx as nitrogen oxide and SOx as sulfur oxide.

따라서 엔진의 배기 라인에는 매연 여과 장치(DPF:Diesel Particulate Filter), 선택적 촉매 환원 장치(SCR:Selective Catalytic Reduction), 스크러버(Scrubber, SOx 제거) 등을 설치하여 배기가스 내의 유해 성분을 제거하고 있다.Therefore, the exhaust line of the engine is equipped with a diesel particulate filter (DPF), a selective catalytic reduction device (SCR), a scrubber (SOx removal), etc. to remove harmful components in the exhaust gas.

이 중에서 SCR 시스템은 배기가스 내의 질소 산화물(NOx)을 촉매(Catalyst) 층에서 암모니아(NH3), 우레아(Urea) 등의 환원제와의 화학적 반응을 통해 인체에 무해한 물과 질소로 분해한 후 배출시키는 장치이다.Among them, the SCR system decomposes nitrogen oxide (NOx) in the exhaust gas into water and nitrogen that are harmless to the human body through a chemical reaction with reducing agents such as ammonia (NH 3 ) and urea in the catalyst layer, and then discharges it. It is a device to let you know.

여기서 SCR 촉매(Catalyst)는 압출 혹은 코팅이 형성된 다공질 촉매 필터로 이루어진 것으로서, 배기 라인에 설치된 SCR 반응기 내에 한 개 또는 두 개가 연속 설치되어 배기가스 내의 유해 성분을 제거하게 된다.Here, the SCR catalyst is composed of an extruded or coated porous catalyst filter, and one or two are continuously installed in the SCR reactor installed in the exhaust line to remove harmful components in the exhaust gas.

선박 엔진의 SCR 시스템은 ABS(Ammonium Bisulfate:NH4HSO4) 생성 방지, 분해 및 NOx 제거를 위하여 연료 중 황 함량에 따라 250℃ 이상의 고온이 필요함에 따라 엔진 튜닝을 통해 배기가스 온도를 높이거나, SCR 반응기를 배기가스 온도가 250~500℃인 엔진 T/C(Turbo Charger) 상류 측에 설치한다.The SCR system of a marine engine requires a high temperature of 250℃ or higher depending on the sulfur content in the fuel to prevent the formation of ABS (Ammonium Bisulfate: NH4HSO4), decomposition, and remove NOx. Install on the upstream side of engine T/C (Turbo Charger) where exhaust gas temperature is 250~500℃.

이와 같이 SCR 반응기가 T/C 상류에 설치되는 경우, SCR 반응기로 유입되는 배기가스의 압력이 높기 때문에 'HP SCR(High Pressure Selective Catalytic Reduction) 시스템'이라고 한다.In this way, when the SCR reactor is installed upstream of the T/C, it is called a'HP SCR (High Pressure Selective Catalytic Reduction) system' because the pressure of the exhaust gas flowing into the SCR reactor is high.

그러나 SCR 반응기를 T/C 상류에 설치하게 되면, 협소한 엔진룸으로 인하여 SCR 반응기의 배치에 어려움이 있다.However, if the SCR reactor is installed upstream of the T/C, it is difficult to arrange the SCR reactor due to the narrow engine room.

이러한 문제점을 해결하기 위해 배기가스 온도가 150~300℃이며, 압력은 대기압 수준인 T/C 하류에 SCR 반응기를 설치할 수 있다.To solve this problem, the exhaust gas temperature is 150 ~ 300 ℃, and the pressure can be installed an SCR reactor downstream of the atmospheric pressure level T/C.

SCR 시스템을 T/C 하류 측에 설치하게 되면, 엔진룸 외부에 SCR 시스템을 설치할 수 있게 된다. 따라서 SCR 시스템을 공간 제약 없이 자유로이 배치할 수 있게 된다. 이러한 시스템 구성을 'LP SCR(Low Pressure Selective Catalytic Reduction) 시스템'이라고 한다.If the SCR system is installed on the downstream side of the T/C, the SCR system can be installed outside the engine room. Therefore, it is possible to freely arrange the SCR system without space restrictions. This system configuration is called a'LP SCR (Low Pressure Selective Catalytic Reduction) system'.

한편, SCR 시스템이 배기가스 내의 질소 산화물(NOx)을 제거할 때 ABS(Ammonium Bisulfate:NH4HSO4)와 같은 부산물이 생성되는데, ABS는 특정 온도(예를 들어, 340℃) 이상에서는 기체 상태가 되지만, 특정 온도 이하에서는 액체 상태가 된다.On the other hand, when the SCR system removes nitrogen oxides (NOx) in the exhaust gas, by-products such as ABS (Ammonium Bisulfate: NH4HSO4) are generated.ABS becomes a gaseous state at a specific temperature (for example, 340°C) or higher, Below a certain temperature, it becomes liquid.

즉, 선박이 항만에 정박하거나 공해상을 운행하는 경우, SCR 시스템은 운전을 정지하고, SCR 반응기의 전후 배관은 닫히게 되며, SCR 반응기 내부 온도는 상온으로 내려가게 된다. SCR 반응기 내부 온도가 상온으로 내려가게 되면, ECA(Emission Control Area) 지역 운전 중 SCR 반응기에서 생성된 ABS가 SCR 촉매에 달라붙어 SCR 촉매 표면의 활성점을 덮어버려 SCR 촉매의 성능이 저하되거나 부식을 초래하는 문제점이 있다.That is, when a ship is anchored at a port or operates on the open sea, the SCR system stops operation, the pipes before and after the SCR reactor are closed, and the temperature inside the SCR reactor decreases to room temperature. When the temperature inside the SCR reactor decreases to room temperature, the ABS generated in the SCR reactor adheres to the SCR catalyst during operation in the Emission Control Area (ECA) area and covers the active point on the surface of the SCR catalyst, thereby reducing the performance of the SCR catalyst or preventing corrosion. There is a problem that results.

한국공개특허공보 제10-2014-0041098호(공개일 2014.04.04.)Korean Patent Application Publication No. 10-2014-0041098 (published on April 4, 2014) 한국공개특허공보 제10-2015-0074894호(공개일 2015.07.02.)Korean Patent Publication No. 10-2015-0074894 (published on 2015.07.02.)

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, SCR 반응기 내의 온도를 SCR 촉매 재생에 필요한 온도까지 가열하여 SCR 촉매에 달라붙은 ABS를 제거할 수 있도록 하는 LP SCR 시스템 및 그 제어 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention was devised to solve the above-described problem, and provides an LP SCR system and a control method for removing ABS adhered to the SCR catalyst by heating the temperature in the SCR reactor to a temperature required for regeneration of the SCR catalyst. There is a purpose.

본 발명의 다른 목적은 SCR 반응기 내로 유입되는 배기가스의 유량을 증가시켜, 가열된 배기가스가 SCR 촉매 전체에 분포될 수 있도록 하는 LP SCR 시스템 및 그 제어 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide an LP SCR system and a control method thereof that increase the flow rate of exhaust gas flowing into the SCR reactor so that the heated exhaust gas can be distributed throughout the SCR catalyst.

본 발명의 또 다른 목적은 2개의 가열 장치를 이용하여 SCR 반응기 내의 온도를 SCR 촉매 재생에 필요한 온도까지 가열할 수 있도록 하는 LP SCR 시스템 및 그 제어 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide an LP SCR system and a control method thereof that enable heating of the temperature in an SCR reactor to a temperature required for SCR catalyst regeneration using two heating devices.

본 발명의 또 다른 목적은 엔진에서 나오는 배기가스의 일부를 T/C를 거치지 않고 바이패스시켜 SCR 촉매 재생을 위한 열원으로 활용할 수 있도록 하는 LP SCR 시스템 및 그 제어 방법을 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to provide an LP SCR system and a control method thereof that allow a part of exhaust gas from an engine to be used as a heat source for SCR catalyst regeneration by bypassing it without passing through T/C.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems that are not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs from the following description. I will be able to.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 LP SCR 시스템은, SCR 반응기; 엔진에서 배출되는 배기가스를 받아 T/C(Turbo Charger)로 공급하는 배기가스 리시버; 상기 T/C를 거쳐 나오는 배기가스를 상기 SCR 반응기로 유도하는 배기 라인; 상기 T/C를 거쳐 나오는 배기가스를 상기 SCR 반응기를 거치지 않고 바이패스시켜 배출시키는 바이패스 라인; 유입되는 배기가스를 가열시켜 상기 SCR 반응기 측으로 보내는 우레아 분해 장치; 상기 배기가스 리시버의 배기가스 일부를 상기 T/C를 거치지 않고 바이패스시켜 상기 우레아 분해 장치로 유도하는 제1EGB(Exhaust Gas Bypass) 라인; 및 상기 제1EGB 라인과 상기 배기 라인 사이에 연결되는 제3EGB 라인;을 포함하며, 상기 바이패스 라인의 개도량을 조절하여 상기 제3EGB 라인을 통해 상기 우레아 분해 장치로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 것이 바람직하다.LP SCR system according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, SCR reactor; An exhaust gas receiver for receiving exhaust gas discharged from the engine and supplying it to a turbo charger (T/C); An exhaust line for guiding exhaust gas from the T/C to the SCR reactor; A bypass line for bypassing and discharging the exhaust gas exiting through the T/C without passing through the SCR reactor; A urea decomposition device that heats the incoming exhaust gas and sends it to the SCR reactor; A first EGB (Exhaust Gas Bypass) line for bypassing a part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver without passing through the T/C to induce the urea decomposition device; And a third EGB line connected between the first EGB line and the exhaust line, wherein the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device through the 3 EGB line is adjusted by adjusting the opening amount of the bypass line. It is desirable to do.

본 발명의 다른 실시예에 따른 LP SCR 시스템은, SCR 반응기; 엔진에서 배출되는 배기가스를 받아 T/C로 공급하는 배기가스 리시버; 상기 T/C를 거쳐 나오는 배기가스를 상기 SCR 반응기로 유도하는 배기 라인; 상기 T/C를 거쳐 나오는 배기가스를 상기 SCR 반응기를 거치지 않고 바이패스시켜 배출시키는 바이패스 라인; 상기 배기 라인에 설치되어, 상기 SCR 반응기로 공급되는 배기가스를 가열하는 가열 장치;를 포함하며, 상기 바이패스 라인의 개도량을 조절하여 상기 배기 라인을 통해 상기 SCR 반응기로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 것이 바람직하다.An LP SCR system according to another embodiment of the present invention includes an SCR reactor; An exhaust gas receiver that receives exhaust gas discharged from the engine and supplies it to the T/C; An exhaust line for guiding exhaust gas from the T/C to the SCR reactor; A bypass line for bypassing and discharging the exhaust gas exiting through the T/C without passing through the SCR reactor; A heating device installed on the exhaust line to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor; and a flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor through the exhaust line by adjusting the opening amount of the bypass line It is desirable to adjust.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LP SCR 시스템은, SCR 반응기; 엔진에서 배출되는 배기가스를 받아 T/C로 공급하는 배기가스 리시버; 상기 T/C를 거쳐 나오는 배기가스를 상기 SCR 반응기로 유도하는 배기 라인; 상기 T/C를 거쳐 나오는 배기가스를 상기 SCR 반응기를 거치지 않고 바이패스시켜 배출시키는 바이패스 라인; 상기 배기라인에서 분기되어 상기 배기라인의 배기가스 일부를 상기 SCR반응기로 유도하는 보조 배기 라인; 및 상기 보조 배기 라인에 설치되어, 상기 SCR 반응기로 공급되는 배기가스를 가열하는 가열 장치;를 포함하며, 상기 바이패스 라인의 개도량을 조절하여 상기 보조 배기 라인을 통해 상기 SCR 반응기로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 것이 바람직하다.An LP SCR system according to another embodiment of the present invention includes an SCR reactor; An exhaust gas receiver that receives exhaust gas discharged from the engine and supplies it to the T/C; An exhaust line for guiding exhaust gas from the T/C to the SCR reactor; A bypass line for bypassing and discharging the exhaust gas exiting through the T/C without passing through the SCR reactor; An auxiliary exhaust line branching from the exhaust line to guide a part of exhaust gas from the exhaust line to the SCR reactor; And a heating device installed in the auxiliary exhaust line to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor, and exhaust supplied to the SCR reactor through the auxiliary exhaust line by adjusting the opening amount of the bypass line. It is desirable to control the flow rate of the gas.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LP SCR 시스템은, SCR 반응기; 엔진에서 배출되는 배기가스를 받아 T/C로 공급하는 배기가스 리시버; 상기 T/C를 거쳐 나오는 배기가스를 상기 SCR 반응기로 유도하는 배기 라인; 상기 T/C를 거쳐 나오는 배기가스를 상기 SCR 반응기를 거치지 않고 바이패스시켜 배출시키는 바이패스 라인; 유입되는 배기가스를 가열시켜 상기 SCR 반응기 측으로 보내는 우레아 분해 장치; 상기 배기가스 리시버의 배기가스 일부를 상기 T/C를 거치지 않고 바이패스시켜 상기 우레아 분해 장치로 유도하는 제1EGB 라인; 및 상기 제1EGB 라인과 상기 배기 라인 사이에 연결되는 제2EGB 라인;을 포함하며, 상기 바이패스 라인의 개도량을 조절하여 상기 제2EGB 라인을 통해 상기 우레아 분해 장치로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 것이 바람직하다.An LP SCR system according to another embodiment of the present invention includes an SCR reactor; An exhaust gas receiver that receives exhaust gas discharged from the engine and supplies it to the T/C; An exhaust line for guiding exhaust gas from the T/C to the SCR reactor; A bypass line for bypassing and discharging the exhaust gas exiting through the T/C without passing through the SCR reactor; A urea decomposition device that heats the incoming exhaust gas and sends it to the SCR reactor; A first EGB line for bypassing a part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver without passing through the T/C to guide the exhaust gas to the urea decomposing device; And a second EGB line connected between the first EGB line and the exhaust line, wherein the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposition device through the second EGB line is adjusted by adjusting an opening amount of the bypass line. It is desirable to do.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법은, 바이패스 라인을 통해 SCR 반응기를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제3EGB 라인을 통해 우레아 분해 장치로 공급하는 단계; 상기 우레아 분해 장치를 통해 SCR 반응기로 공급되는 배기가스를 가열하는 단계; 및 상기 바이패스 라인의 개도량을 조절하여 상기 제3EGB 라인을 통해 상기 우레아 분해 장치로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.On the other hand, the LP SCR system control method according to an embodiment of the present invention, the step of supplying a part of the exhaust gas that is discharged by bypassing without passing through the SCR reactor through the bypass line to the urea decomposition device through the 3 EGB line; Heating the exhaust gas supplied to the SCR reactor through the urea decomposition device; And controlling the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device through the third EGB line by adjusting the opening amount of the bypass line.

본 발명의 다른 실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법은, 바이패스 라인을 통해 SCR 반응기를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 배기 라인을 통해 SCR 반응기로 공급하는 단계; 상기 SCR 반응기로 공급되는 배기가스를 가열하는 단계; 및 상기 바이패스 라인의 개도량을 조절하여 상기 배기 라인을 통해 상기 SCR 반응기로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.A method for controlling an LP SCR system according to another embodiment of the present invention includes: supplying a part of exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through the SCR reactor through the bypass line to the SCR reactor through the exhaust line; Heating the exhaust gas supplied to the SCR reactor; And controlling the flow rate of exhaust gas supplied to the SCR reactor through the exhaust line by adjusting the opening amount of the bypass line.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법은, 바이패스 라인을 통해 SCR 반응기를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 보조 배기 라인을 통해 SCR 반응기로 공급하는 단계; 상기 SCR 반응기로 공급되는 배기가스를 가열하는 단계; 및 상기 바이패스 라인의 개도량을 조절하여 상기 보조 배기 라인을 통해 상기 SCR 반응기로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.A method for controlling an LP SCR system according to another embodiment of the present invention includes: supplying a part of exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through an SCR reactor through a bypass line to an SCR reactor through an auxiliary exhaust line; Heating the exhaust gas supplied to the SCR reactor; And adjusting the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor through the auxiliary exhaust line by adjusting the opening amount of the bypass line.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법은, 바이패스 라인을 통해 SCR 반응기를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제2EGB 라인을 통해 우레아 분해 장치로 공급하는 단계; 상기 우레아 분해 장치를 통해 SCR 반응기로 공급되는 배기가스를 가열하는 단계; 및 상기 바이패스 라인의 개도량을 조절하여 상기 제2EGB 라인을 통해 상기 우레아 분해 장치로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.A method for controlling an LP SCR system according to another embodiment of the present invention includes: supplying a part of exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through an SCR reactor through a bypass line to a urea decomposition device through a second EGB line; Heating the exhaust gas supplied to the SCR reactor through the urea decomposition device; And adjusting the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device through the second EGB line by adjusting the opening amount of the bypass line.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법은, 제1EGB 라인을 통해 배기가스 리시버의 배기가스 일부를 상기 T/C를 거치지 않고 바이패스시켜 우레아 분해 장치로 공급하는 단계; 상기 우레아 분해 장치를 통해 SCR 반응기로 공급되는 배기가스를 가열하는 단계; 및 제2EGB 라인의 개도량을 조절하여 상기 제1EGB 라인을 통해 상기 우레아 분해 장치로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.A method for controlling an LP SCR system according to another embodiment of the present invention includes the steps of bypassing a part of exhaust gas from an exhaust gas receiver through a first EGB line without passing through the T/C to supply to a urea decomposing device; Heating the exhaust gas supplied to the SCR reactor through the urea decomposition device; And adjusting the opening amount of the second EGB line to control the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device through the first EGB line.

본 발명의 LP SCR 시스템 및 그 제어 방법에 따르면, SCR 반응기 내의 온도를 ABS 제거 가능한 온도 이상으로 올려 ABS를 기화시켜 SCR 촉매에 달라붙은 ABS를 제거함으로써, SCR 촉매의 성능을 향상시키고, 수명을 연장시킬 수 있게 된다.According to the LP SCR system and its control method of the present invention, the temperature in the SCR reactor is raised above the temperature at which ABS can be removed, and the ABS is vaporized to remove the ABS sticking to the SCR catalyst, thereby improving the performance of the SCR catalyst and extending the lifespan. You can make it.

또한, SCR 반응기 내로 유입되는 배기가스의 유량을 증가시켜, 가열된 배기가스가 SCR 촉매 전체에 분포될 수 있도록 함으로써, SCR 촉매 층의 온도 분포를 균일하게 하여 SCR 촉매 재생 성능을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, by increasing the flow rate of the exhaust gas flowing into the SCR reactor so that the heated exhaust gas can be distributed throughout the SCR catalyst, it is possible to improve the SCR catalyst regeneration performance by making the temperature distribution of the SCR catalyst layer uniform. .

또한, 엔진에서 나오는 배기가스의 일부를 T/C를 거치지 않고 바이패스시켜 SCR 촉매 재생을 위한 열원으로 활용함으로써, 연료 소모를 줄이고 LP SCR 시스템의 전체 열효율을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, by bypassing a part of the exhaust gas from the engine without passing through T/C and utilizing it as a heat source for SCR catalyst regeneration, it is possible to reduce fuel consumption and improve the overall thermal efficiency of the LP SCR system.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.
도 4는 본 발명의 제4실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.
도 5는 본 발명의 제5실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.
도 6은 본 발명의 제6실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.
도 7은 본 발명의 제7실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.
도 8은 본 발명의 제8실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.
도 9는 본 발명의 제9실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.
도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 11은 본 발명의 제2실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 12는 본 발명의 제3실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 13은 본 발명의 제4실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 14는 본 발명의 제5실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 15는 본 발명의 제6실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 16은 본 발명의 제7실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 17은 본 발명의 제8실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도이다.
도 18은 본 발명의 제9실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도이다.1 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a first embodiment of the present invention.
2 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a second embodiment of the present invention.
3 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a third embodiment of the present invention.
4 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a fourth embodiment of the present invention.
5 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a fifth embodiment of the present invention.
6 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a sixth embodiment of the present invention.
7 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a seventh embodiment of the present invention.
8 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to an eighth embodiment of the present invention.
9 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a ninth embodiment of the present invention.
10 is a processing diagram illustrating a method of controlling an LP SCR system according to the first embodiment of the present invention.
11 is a processing diagram illustrating a method of controlling an LP SCR system according to a second embodiment of the present invention.
12 is a processing diagram illustrating a method of controlling an LP SCR system according to a third embodiment of the present invention.
13 is a processing diagram illustrating a method of controlling an LP SCR system according to a fourth embodiment of the present invention.
14 is a processing diagram illustrating a method of controlling an LP SCR system according to a fifth embodiment of the present invention.
15 is a processing diagram illustrating a method of controlling an LP SCR system according to a sixth embodiment of the present invention.
16 is a processing diagram illustrating a method for controlling an LP SCR system according to a seventh embodiment of the present invention.
17 is a processing diagram illustrating a method of controlling an LP SCR system according to an eighth embodiment of the present invention.
18 is a processing diagram illustrating a method for controlling an LP SCR system according to a ninth embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LP SCR 시스템 및 그 제어 방법에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, an LP SCR system and a control method thereof according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.1 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a first embodiment of the present invention.

도 1에서 배기가스 리시버(5)는 엔진(1)의 실린더 왕복 운동으로 불균형한 압력을 가지고 배출된 엔진(1)의 배기가스를 고르게 완화시킨 후, 이를 T/C(Turbo Charger)(10)로 공급한다.In FIG. 1, the exhaust gas receiver 5 evenly alleviates the exhaust gas of the engine 1 discharged with an unbalanced pressure due to the cylinder reciprocating motion of the engine 1, and then it is T/C (Turbo Charger) 10. To be supplied.

T/C(10)는 엔진(1)의 배기가스가 갖는 압력으로 터빈을 돌려 엔진(1)에 새로운 외기를 공급한다.The T/C 10 supplies fresh outside air to the engine 1 by turning the turbine at the pressure of the exhaust gas of the engine 1.

엔진(1)에서 배출된 배기가스는 대략 250℃~470℃ 정도의 온도를 가질 수 있는데, T/C(10)를 거치면서 대략 150℃~250℃ 정도로 낮아질 수 있다.The exhaust gas discharged from the engine 1 may have a temperature of approximately 250°C to 470°C, and may be lowered to approximately 150°C to 250°C while passing through the T/C 10.

SCR 반응기(15)는 T/C(10)를 거쳐 나오는 배기가스 내의 유해 성분을 제거하는 SCR 촉매(도시되지 않음)가 설치된다.The SCR reactor 15 is installed with an SCR catalyst (not shown) that removes harmful components in the exhaust gas that passes through the T/C 10.

제1배기 라인(20)은 T/C(10)에서 배출되는 배기가스를 SCR 반응기(15)로 유도한다.The first exhaust line 20 guides the exhaust gas discharged from the T/C 10 to the SCR reactor 15.

제1배기 밸브(22)는 제1배기 라인(20)에 설치되며, 제어부(80)의 제어 하에 SCR 반응기(15) 운전시에는 개방되고, SCR 반응기(15) 비운전시에는 폐쇄된다.The first exhaust valve 22 is installed in the first exhaust line 20 and is opened when the SCR reactor 15 is operated under the control of the controller 80, and is closed when the SCR reactor 15 is not operated.

제2배기 라인(30)은 SCR 반응기(15) 하류 측에 설치되어 배기가스를 배출한다.The second exhaust line 30 is installed on the downstream side of the SCR reactor 15 to discharge exhaust gas.

제2배기 밸브(32)는 제2배기 라인(30)에 설치되며, 제어부(80)의 제어 하에 SCR 반응기(15) 운전시에는 개방되고, SCR 반응기(15) 비운전시에는 폐쇄된다.The second exhaust valve 32 is installed in the second exhaust line 30 and is opened when the SCR reactor 15 is operated under the control of the controller 80, and is closed when the SCR reactor 15 is not operated.

제2배기 라인(30)에는 제2배기 밸브(32) 상류에서 분기되어 제2배기 밸브(32) 하류에서 다시 합쳐지는 제2보조 배기 라인(35)과, 제2보조 배기 라인(35)에 설치되며 제어부(80)의 제어 하에 ABS를 제거하는 SCR 촉매 재생 모드 운전시에 개방되는 제2보조 배기 밸브(37)가 설치될 수 있다.The second exhaust line 30 has a second auxiliary exhaust line 35 branching upstream of the second exhaust valve 32 and recombined downstream of the second exhaust valve 32, and the second auxiliary exhaust line 35. A second auxiliary exhaust valve 37 that is installed and is opened during the SCR catalyst regeneration mode operation to remove ABS under the control of the controller 80 may be installed.

전술한, 제2보조 배기 라인(35)은 SCR 촉매 재생 모드 운전시에 개방되어 SCR 반응기(15)를 통과한 공기를 배출한다.As described above, the second auxiliary exhaust line 35 is opened during the SCR catalyst regeneration mode operation and discharges air that has passed through the SCR reactor 15.

바이패스 라인(40)은 T/C(10)에서 배출되는 배기가스를 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스시켜 배출시킨다.The bypass line 40 bypasses and discharges the exhaust gas discharged from the T/C 10 without passing through the SCR reactor 15.

바이패스 밸브(42)는 바이패스 라인(40)에 설치되며, 제어부(80)의 제어 하에 SCR 반응기(15) 운전시에는 폐쇄되고, SCR 반응기(15) 비운전시에는 개방된다.The bypass valve 42 is installed in the bypass line 40, and is closed when the SCR reactor 15 is operated under the control of the controller 80, and is opened when the SCR reactor 15 is not operated.

전술한, 바이패스 밸브(42)는 SCR 촉매 재생 모드 운전시에 개도량이 비례 제어 방식으로 조절되어, 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다.The above-described, bypass valve 42 is adjusted in a proportional control method when the SCR catalyst regeneration mode is operated, and controls the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposition device 45 through the 3EGB line 60. .

우레아 분해 장치(45)는 우레아를 분해하여 환원제인 암모니아(NH3)를 생성하는 것으로, 우레아 분해 반응이 일어나는 공간을 제공하는 우레아 분해 챔버(47)와, 우레아 분해 챔버(47)를 가열시키는 가열 장치(49)를 포함하여 이루어진다.The urea decomposition device 45 decomposes urea to generate ammonia (NH 3 ), which is a reducing agent, and heats the urea decomposition chamber 47 and the urea decomposition chamber 47 to provide a space for the urea decomposition reaction. It comprises a device (49).

전술한, 가열 장치(49)는 제어부(80)의 제어 하에 SCR 촉매 재생 모드 운전시에 연료를 연소시켜 우레아 분해 챔버(47)로 유입되는 배기가스를 가열시킨다.The above-described heating device 49 heats exhaust gas flowing into the urea decomposition chamber 47 by burning fuel during the SCR catalyst regeneration mode operation under the control of the controller 80.

이와 같이, 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스는 SCR 반응기(15)로 공급되어 SCR 반응기(15) 내의 온도를 SCR 촉매 재생에 필요한 온도(예를 들어, 400℃)까지 승온시킨다.In this way, the exhaust gas heated by the heating device 49 is supplied to the SCR reactor 15 to raise the temperature in the SCR reactor 15 to a temperature required for regeneration of the SCR catalyst (for example, 400°C).

제1EGB(Exhaust Gas Bypass) 라인(50)은 배기가스 리시버(5)의 배기가스 일부를 T/C(10)를 거치지 않고 바이패스시켜 우레아 분해 장치(45)로 공급한다.The first EGB (Exhaust Gas Bypass) line 50 bypasses a part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver 5 without passing through the T/C 10 and supplies it to the urea decomposition device 45.

제1EGB 밸브(52)는 제1EGB 라인(50)에 설치되며, 제어부(80)의 제어 하에 SCR 반응기(15) 운전시에는 개방되고, SCR 반응기(15) 비운전시에는 폐쇄된다.The first EGB valve 52 is installed on the first EGB line 50, and is opened when the SCR reactor 15 is operated under the control of the controller 80, and is closed when the SCR reactor 15 is not operated.

제2EGB 라인(55)은 제1EGB 라인(50)과 제1배기 라인(20) 사이에 연결된다.The second EGB line 55 is connected between the first EGB line 50 and the first exhaust line 20.

제2EGB 밸브(57)는 제2EGB 라인(55)에 설치되며, 제어부(80)의 제어 하에 SCR 반응기(15) 운전시에는 개방되고, SCR 반응기(15) 비운전시에는 폐쇄된다.The second EGB valve 57 is installed in the second EGB line 55, and is opened when the SCR reactor 15 is operated under the control of the controller 80, and is closed when the SCR reactor 15 is not operated.

제3EGB 라인(60)은 제1EGB 라인(50)과 제1배기 라인(20) 사이에 연결된다.The third EGB line 60 is connected between the first EGB line 50 and the first exhaust line 20.

전술한, 제3EGB 라인(60)은 제1배기 라인(20)의 분기점(P1)에서 분기되고, 합류점(P2)에서 제1EGB 라인(50)에 연결된다.As described above, the third EGB line 60 is branched at the branch point P1 of the first exhaust line 20 and is connected to the first EGB line 50 at the confluence point P2.

이에 따라, SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스되는 배기가스는 바이패스 라인(40)을 통해 밖으로 배출되는 배기가스 유량과 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스 유량으로 분배된다.Accordingly, the exhaust gas bypassed without passing through the SCR reactor 15 is the exhaust gas flow rate discharged to the outside through the bypass line 40 and the exhaust gas supplied to the urea decomposing device 45 through the 3EGB line 60. It is distributed by gas flow.

제3EGB 밸브(62)는 제3EGB 라인(60)에 설치되며, 제어부(80)의 제어 하에 SCR 촉매 재생 모드 운전시에 개방된다.The 3EGB valve 62 is installed in the 3EGB line 60 and is opened during the SCR catalyst regeneration mode operation under the control of the controller 80.

제4EGB 밸브(65)는 제2EGB 라인(55)과 제3EGB 라인(60) 사이에 설치되며, 제어부(80)의 제어 하에 SCR 반응기(15) 운전시에는 개방되고, SCR 반응기(15) 비운전시에는 폐쇄된다.The 4EGB valve 65 is installed between the 2EGB line 55 and the 3EGB line 60, and is open when the SCR reactor 15 is operated under the control of the controller 80, and when the SCR reactor 15 is not operated. Is closed.

제어부(80)는 SCR 반응기(15)를 운전하지 않는 비운전 상태에서 SCR 촉매 재생 모드 운전을 수행해야 하는 경우, 제3EGB 밸브(62)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급한다.When the SCR catalyst regeneration mode operation is to be performed in a non-operating state in which the SCR reactor 15 is not operated, the control unit 80 opens the third EGB valve 62 and the SCR reactor 15 through the bypass line 40. A portion of the exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through) is supplied to the urea decomposing device 45 through the 3EGB line 60.

그리고 가열 장치(49)를 구동 제어하여 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.Then, the heating device 49 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the urea decomposing device 45.

또한, 제어부(80)는 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다. 즉, 제어부(80)는 바이패스 밸브(42)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 증가시킨다.In addition, the control unit 80 adjusts the opening amount of the bypass line 40 in a proportional control method to distribute the exhaust gas heated by the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown). Through 60, the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device 45 is adjusted. That is, the control unit 80 increases the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposition device 45 through the 3EGB line 60 by adjusting the opening amount of the bypass valve 42 in a proportional control method.

도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.2 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a second embodiment of the present invention.

도 2에서 배기가스 리시버(5), T/C(10), SCR 반응기(15), 제1배기 라인(20), 제1배기 밸브(22), 제2배기 라인(30), 제2배기 밸브(32), 제2보조 배기 라인(35), 제2보조 배기 밸브(37), 바이패스 라인(40), 바이패스 밸브(42), 우레아 분해 장치(45), 우레아 분해 챔버(47), 가열 장치(49), 제1EGB 라인(50), 제1EGB 밸브(52), 제2EGB 라인(55), 제2EGB 밸브(57), 제3EGB 라인(60), 제3EGB 밸브(62), 제4EGB 밸브(65)는 도 1과 실질적으로 동일하므로, 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.2, the exhaust gas receiver 5, T/C 10, SCR reactor 15, the first exhaust line 20, the first exhaust valve 22, the second exhaust line 30, the second exhaust Valve (32), second auxiliary exhaust line (35), second auxiliary exhaust valve (37), bypass line (40), bypass valve (42), urea decomposition device (45), urea decomposition chamber (47) , The heating device 49, the first EGB line 50, the first EGB valve 52, the second EGB line 55, the second EGB valve 57, the third EGB line 60, the third EGB valve 62, Since the 4EGB valve 65 is substantially the same as that of FIG. 1, the same reference numerals are used for corresponding components, and detailed descriptions thereof are omitted.

다만, 도 2에서 블로워(64)는 제3EGB 라인(60)에 설치되며, SCR 촉매 재생 모드 운전시에 구동되어 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다.However, in FIG. 2, the blower 64 is installed on the 3EGB line 60, and is driven during the SCR catalyst regeneration mode operation, and the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposition device 45 through the 3EGB line 60 Adjust.

그리고 제어부(80)는 SCR 반응기(15)를 운전하지 않는 비운전 상태에서 SCR 촉매 재생 모드 운전을 수행해야 하는 경우, 제3EGB 밸브(62)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급한다.In addition, when the SCR catalyst regeneration mode operation is to be performed in a non-operating state in which the SCR reactor 15 is not operated, the control unit 80 opens the 3EGB valve 62 and the SCR reactor ( A part of the exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through 15) is supplied to the urea decomposing device 45 through the 3EGB line 60.

그리고 가열 장치(49)를 구동 제어하여 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.Then, the heating device 49 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the urea decomposing device 45.

또한, 제어부(80)는 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 블로워(64)의 구동을 제어하여 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다. 즉, 제어부(80)는 블로워(64)의 구동을 제어하여 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 증가시킨다.In addition, the control unit 80 controls the drive of the blower 64 to distribute the exhaust gas heated by the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown) to decompose urea through the 3 EGB line 60 The flow rate of the exhaust gas supplied to the device 45 is adjusted. That is, the control unit 80 controls the drive of the blower 64 to increase the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposition device 45 through the third EGB line 60.

도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.3 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a third embodiment of the present invention.

도 3에서 배기가스 리시버(5), T/C(10), SCR 반응기(15), 제1배기 라인(20), 제1배기 밸브(22), 제2배기 라인(30), 제2배기 밸브(32), 제2보조 배기 라인(35), 제2보조 배기 밸브(37), 바이패스 라인(40), 바이패스 밸브(42), 우레아 분해 장치(45), 우레아 분해 챔버(47), 가열 장치(49), 제1EGB 라인(50), 제1EGB 밸브(52), 제2EGB 라인(55), 제2EGB 밸브(57), 제4EGB 밸브(65)는 도 1과 실질적으로 동일하므로, 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.3, the exhaust gas receiver 5, T/C 10, SCR reactor 15, the first exhaust line 20, the first exhaust valve 22, the second exhaust line 30, the second exhaust Valve (32), second auxiliary exhaust line (35), second auxiliary exhaust valve (37), bypass line (40), bypass valve (42), urea decomposition device (45), urea decomposition chamber (47) , The heating device 49, the first EGB line 50, the first EGB valve 52, the second EGB line 55, the second EGB valve 57, and the fourth EGB valve 65 are substantially the same as in FIG. 1, The same reference numerals are used for corresponding components, and detailed descriptions thereof are omitted.

다만, 도 3에서 가열 장치(24)는 제1배기 라인(20)에 설치되어, SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.However, in FIG. 3, the heating device 24 is installed in the first exhaust line 20 to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15.

전술한, 가열 장치(24)에 의해 가열된 배기가스는 SCR 반응기(15)로 공급되어 SCR 반응기(15) 내의 온도를 SCR 촉매 재생에 필요한 온도(예를 들어, 400℃)까지 승온시킨다.As described above, the exhaust gas heated by the heating device 24 is supplied to the SCR reactor 15 to raise the temperature in the SCR reactor 15 to a temperature required for regeneration of the SCR catalyst (eg, 400°C).

제어부(80)는 SCR 반응기(15)를 운전하지 않는 비운전 상태에서 SCR 촉매 재생 모드 운전을 수행해야 하는 경우, 제1배기 밸브(22)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제1배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급한다.When the SCR catalyst regeneration mode operation is to be performed in a non-operating state in which the SCR reactor 15 is not operated, the controller 80 opens the first exhaust valve 22 to open the SCR reactor through the bypass line 40. A portion of the exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through 15) is supplied to the SCR reactor 15 through the first exhaust line 20.

그리고 가열 장치(24)를 구동 제어하여 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.Further, the heating device 24 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15.

또한, 제어부(80)는 가열 장치(24)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제1배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다. 즉, 제어부(80)는 바이패스 밸브(42)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제1배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 증가시킨다.In addition, the control unit 80 adjusts the opening amount of the bypass line 40 in a proportional control method to distribute the exhaust gas heated by the heating device 24 to the entire SCR catalyst (not shown) to provide the first exhaust. The flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the line 20 is adjusted. That is, the control unit 80 increases the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the first exhaust line 20 by adjusting the opening amount of the bypass valve 42 in a proportional control method.

도 4는 본 발명의 제4실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.4 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a fourth embodiment of the present invention.

도 4에서 배기가스 리시버(5), T/C(10), SCR 반응기(15), 제1배기 라인(20), 제1배기 밸브(22), 가열 장치(24), 제2배기 라인(30), 제2배기 밸브(32), 제2보조 배기 라인(35), 제2보조 배기 밸브(37), 바이패스 라인(40), 바이패스 밸브(42), 우레아 분해 장치(45), 우레아 분해 챔버(47), 가열 장치(49), 제1EGB 라인(50), 제1EGB 밸브(52), 제2EGB 라인(55), 제2EGB 밸브(57), 제4EGB 밸브(65)는 도 3과 실질적으로 동일하므로, 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.In Fig. 4, the exhaust gas receiver 5, T/C 10, SCR reactor 15, the first exhaust line 20, the first exhaust valve 22, the heating device 24, the second exhaust line ( 30), a second exhaust valve 32, a second auxiliary exhaust line 35, a second auxiliary exhaust valve 37, a bypass line 40, a bypass valve 42, a urea decomposition device 45, The urea decomposition chamber 47, the heating device 49, the first EGB line 50, the first EGB valve 52, the second EGB line 55, the second EGB valve 57, and the fourth EGB valve 65 are shown in FIG. 3. Since they are substantially the same as, the same reference numerals are used for corresponding components, and detailed descriptions thereof are omitted.

다만, 도 4에서 제어부(80)는 SCR 반응기(15)를 운전하지 않는 비운전 상태에서 SCR 촉매 재생 모드 운전을 수행해야 하는 경우, 제1배기 밸브(22)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제1배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급하는 한편, 제1EGB 밸브(52) 및 제4EGB 밸브(65)를 개방하여 제1EGB 라인(50)을 통해 배기가스 리시버(5)의 배기가스 일부를 T/C(10)를 거치지 않고 바이패스시켜 우레아 분해 장치(45)로 공급한다.However, in FIG. 4, when the SCR catalyst regeneration mode operation is to be performed in the non-operating state in which the SCR reactor 15 is not operated, the control unit 80 opens the first exhaust valve 22 to provide the bypass line 40. A part of the exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through the SCR reactor 15 is supplied to the SCR reactor 15 through the first exhaust line 20, while the first EGB valve 52 and the 4 EGB valve 65 ) Is opened to bypass a part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver 5 through the first EGB line 50 without passing through the T/C 10 to supply to the urea decomposing device 45.

그리고 가열 장치(24) 및 가열 장치(49)를 각각 구동 제어하여 제1배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스 및 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.And the SCR reactor 15 through the exhaust gas and urea decomposition device 45 supplied to the SCR reactor 15 through the first exhaust line 20 by driving and controlling the heating device 24 and the heating device 49, respectively. The exhaust gas supplied to the furnace is heated.

가열 장치(24) 및 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스는 SCR 반응기(15)로 공급되어 SCR 반응기(15) 내의 온도를 SCR 촉매 재생에 필요한 온도까지 승온시킨다.The exhaust gas heated by the heating device 24 and the heating device 49 is supplied to the SCR reactor 15 to raise the temperature in the SCR reactor 15 to a temperature required for regeneration of the SCR catalyst.

또한, 제어부(80)는 가열 장치(24) 및 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다. 즉, 제어부(80)는 바이패스 밸브(42)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 증가시킨다.In addition, the control unit 80 proportionally controls the opening amount of the bypass line 40 to distribute the exhaust gas heated by the heating device 24 and the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown). By adjusting to adjust the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor (15). That is, the control unit 80 increases the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 by adjusting the opening amount of the bypass valve 42 in a proportional control method.

도 5는 본 발명의 제5실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.5 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a fifth embodiment of the present invention.

도 5에서 배기가스 리시버(5), T/C(10), SCR 반응기(15), 제1배기 라인(20), 제1배기 밸브(22), 제2배기 라인(30), 제2배기 밸브(32), 제2보조 배기 라인(35), 제2보조 배기 밸브(37), 바이패스 라인(40), 바이패스 밸브(42), 우레아 분해 장치(45), 우레아 분해 챔버(47), 가열 장치(49), 제1EGB 라인(50), 제1EGB 밸브(52), 제2EGB 라인(55), 제2EGB 밸브(57), 제4EGB 밸브(65)는 도 1과 실질적으로 동일하므로, 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.5, the exhaust gas receiver 5, T/C 10, SCR reactor 15, the first exhaust line 20, the first exhaust valve 22, the second exhaust line 30, the second exhaust Valve (32), second auxiliary exhaust line (35), second auxiliary exhaust valve (37), bypass line (40), bypass valve (42), urea decomposition device (45), urea decomposition chamber (47) , The heating device 49, the first EGB line 50, the first EGB valve 52, the second EGB line 55, the second EGB valve 57, and the fourth EGB valve 65 are substantially the same as in FIG. 1, The same reference numerals are used for corresponding components, and detailed descriptions thereof are omitted.

다만, 도 5에서 제1보조 배기 라인(25)은 제1배기 밸브(22) 상류에서 분기되어 제1배기 밸브(22) 하류에서 다시 합쳐진다. 제1배기 밸브(22)가 배기 라인(20)을 폐쇄한 상태에서 제1배기 밸브(22)의 상류 측에 배기가스 일부는 제1보조 배기 라인(25)을 따라 제1배기 밸브(22)의 하류 쪽에 위치한 SCR 반응기(15)로 공급된다.However, in FIG. 5, the first auxiliary exhaust line 25 is branched upstream of the first exhaust valve 22 and merges again downstream of the first exhaust valve 22. Part of the exhaust gas on the upstream side of the first exhaust valve 22 with the first exhaust valve 22 closed the exhaust line 20 is the first exhaust valve 22 along the first auxiliary exhaust line 25 It is supplied to the SCR reactor 15 located on the downstream side of.

제1보조 배기 밸브(27)는 제1보조 배기 라인(25)에 설치되며 제어부(80)의 제어 하에 ABS를 제거하는 SCR 촉매 재생 모드 운전시에 개방된다.The first auxiliary exhaust valve 27 is installed in the first auxiliary exhaust line 25 and is opened during the SCR catalyst regeneration mode operation in which ABS is removed under the control of the control unit 80.

가열 장치(29)는 제1보조 배기 라인(25)에 설치되어, SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.The heating device 29 is installed in the first auxiliary exhaust line 25 to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15.

가열 장치(29)에 의해 가열된 배기가스는 SCR 반응기(15)로 공급되어 SCR 반응기(15) 내의 온도를 SCR 촉매 재생에 필요한 온도까지 승온시킨다.The exhaust gas heated by the heating device 29 is supplied to the SCR reactor 15 to raise the temperature in the SCR reactor 15 to a temperature required for regeneration of the SCR catalyst.

제어부(80)는 SCR 반응기(15)를 운전하지 않는 비운전 상태에서 SCR 촉매 재생 모드 운전을 수행해야 하는 경우, 제1보조 배기 밸브(27)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제1보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급한다.When the SCR catalyst regeneration mode operation is to be performed in a non-operating state in which the SCR reactor 15 is not operated, the control unit 80 opens the first auxiliary exhaust valve 27 to provide the SCR reactor through the bypass line 40. A portion of the exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through (15) is supplied to the SCR reactor 15 through the first auxiliary exhaust line 25.

그리고 가열 장치(29)를 구동 제어하여 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.Then, the heating device 29 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15.

또한, 제어부(80)는 가열 장치(29)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제1보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다. 즉, 제어부(80)는 바이패스 밸브(42)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제1보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 증가시킨다.In addition, the control unit 80 first assists by adjusting the opening amount of the bypass line 40 in a proportional control method to distribute the exhaust gas heated by the heating device 29 to the entire SCR catalyst (not shown). The flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the exhaust line 25 is adjusted. That is, the control unit 80 increases the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the first auxiliary exhaust line 25 by adjusting the opening amount of the bypass valve 42 in a proportional control method.

도 6은 본 발명의 제6실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.6 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a sixth embodiment of the present invention.

도 6에서 배기가스 리시버(5), T/C(10), SCR 반응기(15), 제1배기 라인(20), 제1배기 밸브(22), 제1보조 배기 라인(25), 제1보조 배기 밸브(27), 가열 장치(29), 제2배기 라인(30), 제2배기 밸브(32), 제2보조 배기 라인(35), 제2보조 배기 밸브(37), 바이패스 라인(40), 바이패스 밸브(42), 우레아 분해 장치(45), 우레아 분해 챔버(47), 가열 장치(49), 제1EGB 라인(50), 제1EGB 밸브(52), 제2EGB 라인(55), 제2EGB 밸브(57), 제4EGB 밸브(65)는 도 5와 실질적으로 동일하므로, 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.6, the exhaust gas receiver 5, T/C 10, SCR reactor 15, the first exhaust line 20, the first exhaust valve 22, the first auxiliary exhaust line 25, the first Auxiliary exhaust valve (27), heating device (29), second exhaust line (30), second exhaust valve (32), second auxiliary exhaust line (35), second auxiliary exhaust valve (37), bypass line 40, the bypass valve 42, the urea decomposition device 45, the urea decomposition chamber 47, the heating device 49, the first EGB line 50, the first EGB valve 52, the second EGB line 55 ), the second EGB valve 57, and the fourth EGB valve 65 are substantially the same as those of FIG. 5, so that the same reference numerals are used for corresponding components, and detailed descriptions thereof are omitted.

다만, 도 6에서 제어부(80)는 SCR 반응기(15)를 운전하지 않는 비운전 상태에서 SCR 촉매 재생 모드 운전을 수행해야 하는 경우, 제1보조 배기 밸브(27)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제1보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급하는 한편, 제1EGB 밸브(52) 및 제4EGB 밸브(65)를 개방하여 제1EGB 라인(50)을 통해 배기가스 리시버(5)의 배기가스 일부를 T/C(10)를 거치지 않고 바이패스시켜 우레아 분해 장치(45)로 공급한다.However, in FIG. 6, when the SCR catalyst regeneration mode operation is to be performed in a non-operating state in which the SCR reactor 15 is not operated, the control unit 80 opens the first auxiliary exhaust valve 27 and the bypass line 40 ) To the SCR reactor 15 through the first auxiliary exhaust line 25, while supplying a portion of the exhaust gas that is bypassed without passing through the SCR reactor 15 through the SCR reactor 15, and the first EGB valve 52 and the 4 EGB valve By opening 65, a part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver 5 is bypassed through the first EGB line 50 without passing through the T/C 10, and is supplied to the urea decomposing device 45.

그리고 가열 장치(29) 및 가열 장치(49)를 각각 구동 제어하여 제1보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스 및 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.And the SCR reactor 15 through the exhaust gas and urea decomposing device 45 supplied to the SCR reactor 15 through the first auxiliary exhaust line 25 by driving and controlling the heating device 29 and the heating device 49, respectively. Heat the exhaust gas supplied to ).

가열 장치(29) 및 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스는 SCR 반응기(15)로 공급되어 SCR 반응기(15) 내의 온도를 SCR 촉매 재생에 필요한 온도까지 승온시킨다.The exhaust gas heated by the heating device 29 and the heating device 49 is supplied to the SCR reactor 15 to raise the temperature in the SCR reactor 15 to a temperature required for regeneration of the SCR catalyst.

또한, 제어부(80)는 가열 장치(29) 및 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다. 즉, 제어부(80)는 바이패스 밸브(42)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 증가시킨다.In addition, the controller 80 proportionally controls the opening amount of the bypass line 40 to distribute the exhaust gas heated by the heating device 29 and the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown). By adjusting to adjust the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor (15). That is, the control unit 80 increases the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 by adjusting the opening amount of the bypass valve 42 in a proportional control method.

도 7은 본 발명의 제7실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.7 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a seventh embodiment of the present invention.

도 7에서 배기가스 리시버(5), T/C(10), SCR 반응기(15), 제1배기 라인(20), 제1배기 밸브(22), 제2배기 라인(30), 제2배기 밸브(32), 제2보조 배기 라인(35), 제2보조 배기 밸브(37), 바이패스 라인(40), 바이패스 밸브(42), 우레아 분해 장치(45), 우레아 분해 챔버(47), 가열 장치(49), 제1EGB 라인(50), 제1EGB 밸브(52), 제2EGB 라인(55), 제2EGB 밸브(57), 제4EGB 밸브(65)는 도 1과 실질적으로 동일하므로, 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.In FIG. 7, the exhaust gas receiver 5, T/C 10, SCR reactor 15, the first exhaust line 20, the first exhaust valve 22, the second exhaust line 30, and the second exhaust Valve (32), second auxiliary exhaust line (35), second auxiliary exhaust valve (37), bypass line (40), bypass valve (42), urea decomposition device (45), urea decomposition chamber (47) , The heating device 49, the first EGB line 50, the first EGB valve 52, the second EGB line 55, the second EGB valve 57, and the fourth EGB valve 65 are substantially the same as in FIG. 1, The same reference numerals are used for corresponding components, and detailed descriptions thereof are omitted.

다만, 도 7에서 제어부(80)는 SCR 반응기(15)를 운전하지 않는 비운전 상태에서 SCR 촉매 재생 모드 운전을 수행해야 하는 경우, 제2EGB 밸브(57) 및 제4EGB 밸브(65)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제2EGB 라인(55) 및 제1EGB 라인(50)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급한다.However, in FIG. 7, the controller 80 opens the 2EGB valve 57 and the 4EGB valve 65 when it is necessary to perform the SCR catalyst regeneration mode operation in the non-operation state in which the SCR reactor 15 is not operated. A portion of the exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through the SCR reactor 15 through the bypass line 40 is supplied to the urea decomposition device 45 through the second EGB line 55 and the first EGB line 50.

그리고 가열 장치(49)를 구동 제어하여 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.Then, the heating device 49 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the urea decomposing device 45.

또한, 제어부(80)는 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제2EGB 라인(55) 및 제1EGB 라인(50)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다. 즉, 제어부(80)는 바이패스 밸브(42)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제2EGB 라인(55) 및 제1EGB 라인(50)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 증가시킨다.In addition, the control unit 80 adjusts the opening amount of the bypass line 40 in a proportional control method to distribute the exhaust gas heated by the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown), The flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device 45 through 55 and the first EGB line 50 is adjusted. That is, the control unit 80 adjusts the opening amount of the bypass valve 42 in a proportional control method to reduce the amount of exhaust gas supplied to the urea decomposition device 45 through the second EGB line 55 and the first EGB line 50. Increase the flow rate.

도 8은 본 발명의 제8실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.8 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to an eighth embodiment of the present invention.

도 8에서 배기가스 리시버(5), T/C(10), SCR 반응기(15), 제1배기 라인(20), 제1배기 밸브(22), 제2배기 라인(30), 제2배기 밸브(32), 제2보조 배기 라인(35), 제2보조 배기 밸브(37), 바이패스 라인(40), 바이패스 밸브(42), 우레아 분해 장치(45), 우레아 분해 챔버(47), 가열 장치(49), 제1EGB 라인(50), 제1EGB 밸브(52), 제2EGB 라인(55), 제2EGB 밸브(57), 제4EGB 밸브(65)는 도 1과 실질적으로 동일하므로, 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.In FIG. 8, the exhaust gas receiver 5, T/C 10, SCR reactor 15, the first exhaust line 20, the first exhaust valve 22, the second exhaust line 30, and the second exhaust Valve (32), second auxiliary exhaust line (35), second auxiliary exhaust valve (37), bypass line (40), bypass valve (42), urea decomposition device (45), urea decomposition chamber (47) , The heating device 49, the first EGB line 50, the first EGB valve 52, the second EGB line 55, the second EGB valve 57, and the fourth EGB valve 65 are substantially the same as in FIG. 1, The same reference numerals are used for corresponding components, and detailed descriptions thereof are omitted.

다만, 도 8에서 제어부(80)는 SCR 반응기(15)를 운전하지 않는 비운전 상태에서 SCR 촉매 재생 모드 운전을 수행해야 하는 경우, 제1EGB 밸브(52), 제2EGB 밸브(57), 제4EGB 밸브(65)를 개방하여 제1EGB 라인(50)을 통해 배기가스 리시버(5)의 배기가스 일부를 T/C(10)를 거치지 않고 바이패스시켜 우레아 분해 장치(45)로 공급한다.However, in FIG. 8, when the control unit 80 needs to perform the SCR catalyst regeneration mode operation in a non-operating state in which the SCR reactor 15 is not operated, the first EGB valve 52, the second EGB valve 57, and the 4 EGB The valve 65 is opened to bypass a part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver 5 through the first EGB line 50 without passing through the T/C 10 to supply to the urea decomposing device 45.

그리고 가열 장치(49)를 구동 제어하여 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.Then, the heating device 49 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the urea decomposing device 45.

또한, 제어부(80)는 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 제2EGB 라인(55)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제1EGB 라인(50)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다. 즉, 제어부(80)는 제2EGB 밸브(57)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제1EGB 라인(50)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 증가시킨다.In addition, the control unit 80 adjusts the opening amount of the second EGB line 55 in a proportional control method to distribute the exhaust gas heated by the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown), Through 50, the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device 45 is adjusted. That is, the control unit 80 increases the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device 45 through the first EGB line 50 by adjusting the opening amount of the second EGB valve 57 in a proportional control method.

도 9는 본 발명의 제9실시예에 따른 LP SCR 시스템의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.9 is a diagram schematically showing the configuration of an LP SCR system according to a ninth embodiment of the present invention.

도 9에서 배기가스 리시버(5), T/C(10), SCR 반응기(15), 제1배기 라인(20), 제1배기 밸브(22), 제2배기 라인(30), 제2배기 밸브(32), 제2보조 배기 라인(35), 제2보조 배기 밸브(37), 바이패스 라인(40), 바이패스 밸브(42), 우레아 분해 장치(45), 우레아 분해 챔버(47), 가열 장치(49), 제1EGB 라인(50), 제1EGB 밸브(52), 제2EGB 라인(55), 제2EGB 밸브(57), 제3EGB 라인(60), 제3EGB 밸브(62), 블로워(64), 제4EGB 밸브(65)는 도 2와 실질적으로 동일하므로, 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.In FIG. 9, the exhaust gas receiver 5, T/C 10, SCR reactor 15, the first exhaust line 20, the first exhaust valve 22, the second exhaust line 30, and the second exhaust Valve (32), second auxiliary exhaust line (35), second auxiliary exhaust valve (37), bypass line (40), bypass valve (42), urea decomposition device (45), urea decomposition chamber (47) , Heating device 49, 1 EGB line 50, 1 EGB valve 52, 2 EGB line 55, 2 EGB valve 57, 3 EGB line 60, 3 EGB valve 62, blower (64) Since the fourth EGB valve 65 is substantially the same as that of FIG. 2, the same reference numerals are used for corresponding components, and detailed descriptions thereof are omitted.

다만, 도 9에서 순환 라인(70)은 SCR 반응기(15)의 하류와 상류를 연결하도록 설치된다.However, in FIG. 9, the circulation line 70 is installed to connect the downstream and the upstream of the SCR reactor 15.

순환 밸브(72)는 순환 라인(70)에 설치되며, 제어부(80)의 제어 하에 SCR 촉매 재생 모드 운전시에 개방된다.The circulation valve 72 is installed in the circulation line 70 and is opened during the SCR catalyst regeneration mode operation under the control of the controller 80.

순환 블로워(74)는 순환 라인(70)에 설치되어 SCR 반응기(15) 출구에서 배출된 배기가스를 다시 SCR 반응기(15) 입구로 재순환시킨다.The circulation blower 74 is installed in the circulation line 70 to recirculate the exhaust gas discharged from the outlet of the SCR reactor 15 back to the inlet of the SCR reactor 15.

제어부(80)는 SCR 반응기(15)를 운전하지 않는 비운전 상태에서 SCR 촉매 재생 모드 운전을 수행해야 하는 경우, 제3EGB 밸브(62)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급한다.When the SCR catalyst regeneration mode operation is to be performed in a non-operating state in which the SCR reactor 15 is not operated, the control unit 80 opens the third EGB valve 62 and the SCR reactor 15 through the bypass line 40. A portion of the exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through) is supplied to the urea decomposing device 45 through the 3EGB line 60.

그리고 가열 장치(49)를 구동 제어하여 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다.Then, the heating device 49 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the urea decomposing device 45.

또한, 제어부(80)는 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 블로워(64)의 구동을 제어하여 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 한편, 순환 밸브(72)를 개방하고, 순환 블로워(74)의 구동을 제어하여 SCR 반응기(15) 출구에서 배출된 배기가스를 다시 SCR 반응기(15) 입구로 재순환시킨다.In addition, the control unit 80 controls the drive of the blower 64 to distribute the exhaust gas heated by the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown) to decompose urea through the 3 EGB line 60 While controlling the flow rate of the exhaust gas supplied to the device 45, opening the circulation valve 72 and controlling the drive of the circulation blower 74, the exhaust gas discharged from the outlet of the SCR reactor 15 is returned to the SCR reactor. (15) Recycle to the inlet.

본 발명의 제9실시예와 같이, SCR 반응기(15)에서 배출되는 배기가스를 재순환시키게 되면, SCR 반응기(15)로 유입되는 배기가스의 유량을 증가시킬 수 있게 되므로, 블로워(64)의 크기를 소형화할 수 있게 된다.As in the ninth embodiment of the present invention, when the exhaust gas discharged from the SCR reactor 15 is recirculated, it is possible to increase the flow rate of the exhaust gas flowing into the SCR reactor 15, so the size of the blower 64 Can be downsized.

전술한 바와 같이, 제9실시예에 적용되는 순환 라인(70), 순환 블로워(74), 순환 밸브(72)는 전술한 제1실시예, 제3실시예 내지 제8실시예에도 각각 적용 가능하다.As described above, the circulation line 70, the circulation blower 74, and the circulation valve 72 applied to the ninth embodiment can be applied to the first embodiment, the third to eighth embodiments, respectively. Do.

도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도로, 도 1을 참조하여 설명을 진행한다.FIG. 10 is a processing diagram for explaining a method for controlling an LP SCR system according to a first embodiment of the present invention, and the description will proceed with reference to FIG. 1.

우선, 제어부(80)는 SCR 시스템의 운전 모드가 SCR 촉매 재생 모드로 전환되면(S10), 제3EGB 밸브(62)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급한다(S12).First, when the operation mode of the SCR system is switched to the SCR catalyst regeneration mode (S10), the control unit 80 opens the 3EGB valve 62 to bypass the SCR reactor 15 through the bypass line 40. Part of the exhaust gas that is passed and discharged is supplied to the urea decomposition device 45 through the third EGB line 60 (S12).

그리고 가열 장치(49)를 구동 제어하여 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다(S14).Then, the heating device 49 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the urea decomposing device 45 (S14).

그리고 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다(S16).In addition, in order to distribute the exhaust gas heated by the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown), the opening amount of the bypass line 40 is adjusted in a proportional control method to reduce urea through the 3EGB line 60. The flow rate of the exhaust gas supplied to the decomposition device 45 is adjusted (S16).

도 11은 본 발명의 제2실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도로, 도 2를 참조하여 설명을 진행한다.FIG. 11 is a processing diagram for explaining a method of controlling an LP SCR system according to a second embodiment of the present invention, and the description will proceed with reference to FIG. 2.

우선, 제어부(80)는 SCR 시스템의 운전 모드가 SCR 촉매 재생 모드로 전환되면(S20), 제3EGB 밸브(62)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급한다(S22).First, when the operation mode of the SCR system is switched to the SCR catalyst regeneration mode (S20), the control unit 80 opens the third EGB valve 62 to bypass the SCR reactor 15 through the bypass line 40. Part of the exhaust gas that is passed through and discharged is supplied to the urea decomposing device 45 through the third EGB line 60 (S22).

그리고 가열 장치(49)를 구동 제어하여 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다(S24).Then, the heating device 49 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the urea decomposing device 45 (S24).

그리고 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 블로워(64)의 구동을 제어하여 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다(S26).And, in order to distribute the exhaust gas heated by the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown), the drive of the blower 64 is controlled and supplied to the urea decomposing device 45 through the 3 EGB line 60. The flow rate of the exhaust gas is adjusted (S26).

도 12는 본 발명의 제3실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도로, 도 3을 참조하여 설명을 진행한다.12 is a processing diagram for explaining a method of controlling an LP SCR system according to a third embodiment of the present invention, and the description will be proceeded with reference to FIG. 3.

우선, 제어부(80)는 SCR 시스템의 운전 모드가 SCR 촉매 재생 모드로 전환되면(S30), 제1배기 밸브(22)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제1배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급한다(S32).First, when the operation mode of the SCR system is switched to the SCR catalyst regeneration mode (S30), the control unit 80 opens the first exhaust valve 22 without passing through the SCR reactor 15 through the bypass line 40. Part of the exhaust gas that is bypassed and discharged is supplied to the SCR reactor 15 through the first exhaust line 20 (S32).

그리고 가열 장치(24)를 구동 제어하여 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다(S34).Then, the heating device 24 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 (S34).

그리고 가열 장치(24)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제1배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다(S36).In addition, in order to distribute the exhaust gas heated by the heating device 24 to the entire SCR catalyst (not shown), the opening amount of the bypass line 40 is adjusted in a proportional control method, and the first exhaust line 20 is used. The flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 is adjusted (S36).

도 13은 본 발명의 제4실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도로, 도 4를 참조하여 설명을 진행한다.FIG. 13 is a processing diagram for explaining a method of controlling an LP SCR system according to a fourth embodiment of the present invention, and the description will proceed with reference to FIG. 4.

우선, 제어부(80)는 SCR 시스템의 운전 모드가 SCR 촉매 재생 모드로 전환되면(S40), 제1배기 밸브(22)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제1배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급하는 한편, 제1EGB 밸브(52) 및 제4EGB 밸브(65)를 개방하여 제1EGB 라인(50)을 통해 배기가스 리시버(5)의 배기가스 일부를 T/C(10)를 거치지 않고 바이패스시켜 우레아 분해 장치(45)로 공급한다(S42).First, when the operation mode of the SCR system is switched to the SCR catalyst regeneration mode (S40), the control unit 80 opens the first exhaust valve 22 without passing through the SCR reactor 15 through the bypass line 40. Part of the exhaust gas that is bypassed and discharged is supplied to the SCR reactor 15 through the first exhaust line 20, and the first EGB line 50 is opened by opening the first EGB valve 52 and the fourth EGB valve 65. Through this, a part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver 5 is bypassed without passing through the T/C 10 and is supplied to the urea decomposing device 45 (S42).

그리고 가열 장치(24) 및 가열 장치(49)를 각각 구동 제어하여 제1배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스 및 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다(S44).And the SCR reactor 15 through the exhaust gas and urea decomposition device 45 supplied to the SCR reactor 15 through the first exhaust line 20 by driving and controlling the heating device 24 and the heating device 49, respectively. The exhaust gas supplied to is heated (S44).

그리고 가열 장치(24) 및 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다(S46).In addition, in order to distribute the exhaust gas heated by the heating device 24 and the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown), the opening amount of the bypass line 40 is adjusted in a proportional control method, and the SCR reactor ( The flow rate of the exhaust gas supplied to 15) is adjusted (S46).

도 14는 본 발명의 제5실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도로, 도 5를 참조하여 설명을 진행한다.FIG. 14 is a processing diagram for explaining a method of controlling an LP SCR system according to a fifth embodiment of the present invention, and the description will proceed with reference to FIG. 5.

우선, 제어부(80)는 SCR 시스템의 운전 모드가 SCR 촉매 재생 모드로 전환되면(S50), 제1보조 배기 밸브(27)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제1보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급한다(S52).First, when the operation mode of the SCR system is switched to the SCR catalyst regeneration mode (S50), the control unit 80 opens the first auxiliary exhaust valve 27 and passes through the SCR reactor 15 through the bypass line 40. A portion of the exhaust gas that is bypassed and discharged is supplied to the SCR reactor 15 through the first auxiliary exhaust line 25 (S52).

그리고 가열 장치(29)를 구동 제어하여 제1보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다(S54).Then, the heating device 29 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the first auxiliary exhaust line 25 (S54).

그리고 가열 장치(29)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제1보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다(S56).In addition, in order to distribute the exhaust gas heated by the heating device 29 to the entire SCR catalyst (not shown), the opening amount of the bypass line 40 is adjusted in a proportional control method to thereby control the first auxiliary exhaust line 25. The flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 is adjusted through (S56).

도 15는 본 발명의 제6실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도로, 도 6을 참조하여 설명을 진행한다.FIG. 15 is a processing diagram for explaining a method of controlling an LP SCR system according to a sixth embodiment of the present invention, and the description will proceed with reference to FIG. 6.

우선, 제어부(80)는 SCR 시스템의 운전 모드가 SCR 촉매 재생 모드로 전환되면(S60), 제1보조 배기 밸브(27)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제1보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급하는 한편, 제1EGB 밸브(52) 및 제4EGB 밸브(65)를 개방하여 제1EGB 라인(50)을 통해 배기가스 리시버(5)의 배기가스 일부를 T/C(10)를 거치지 않고 바이패스시켜 우레아 분해 장치(45)로 공급한다(S62).First, when the operation mode of the SCR system is switched to the SCR catalyst regeneration mode (S60), the control unit 80 opens the first auxiliary exhaust valve 27 and passes through the SCR reactor 15 through the bypass line 40. A portion of the exhaust gas that is bypassed and discharged without being bypassed is supplied to the SCR reactor 15 through the first auxiliary exhaust line 25, while the first EGB valve 52 and the fourth EGB valve 65 are opened to open the first EGB line ( Through 50), a part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver 5 is bypassed without passing through the T/C 10 and is supplied to the urea decomposing device 45 (S62).

그리고 가열 장치(29) 및 가열 장치(49)를 각각 구동 제어하여 제1보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스 및 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다(S64).And the SCR reactor 15 through the exhaust gas and urea decomposing device 45 supplied to the SCR reactor 15 through the first auxiliary exhaust line 25 by driving and controlling the heating device 29 and the heating device 49, respectively. ) To heat the exhaust gas supplied (S64).

그리고 가열 장치(29) 및 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다(S66).And in order to distribute the exhaust gas heated by the heating device 29 and the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown), the opening amount of the bypass line 40 is adjusted in a proportional control method, The flow rate of the exhaust gas supplied to 15) is adjusted (S66).

도 16은 본 발명의 제7실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도로, 도 7을 참조하여 설명을 진행한다.16 is a processing diagram for explaining a method of controlling an LP SCR system according to a seventh embodiment of the present invention, and the description will be proceeded with reference to FIG. 7.

우선, 제어부(80)는 SCR 시스템의 운전 모드가 SCR 촉매 재생 모드로 전환되면(S70), 제2EGB 밸브(57) 및 제4EGB 밸브(65)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제2EGB 라인(55) 및 제1EGB 라인(50)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급한다(S72).First, when the operation mode of the SCR system is switched to the SCR catalyst regeneration mode (S70), the control unit 80 opens the 2EGB valve 57 and the 4EGB valve 65 to provide the SCR reactor through the bypass line 40. A portion of the exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through (15) is supplied to the urea decomposing device 45 through the second EGB line 55 and the first EGB line 50 (S72).

그리고 가열 장치(49)를 구동 제어하여 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다(S74).Then, the heating device 49 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the urea decomposing device 45 (S74).

그리고 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 바이패스 라인(40)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제2EGB 라인(55) 및 제1EGB 라인(50)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다(S76).In addition, in order to distribute the exhaust gas heated by the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown), the opening amount of the bypass line 40 is adjusted in a proportional control method to provide the second EGB line 55 and the first EGB. The flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device 45 through the line 50 is adjusted (S76).

도 17은 본 발명의 제8실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도로, 도 8을 참조하여 설명을 진행한다.FIG. 17 is a processing diagram for explaining a method of controlling an LP SCR system according to an eighth embodiment of the present invention, and the description will proceed with reference to FIG. 8.

우선, 제어부(80)는 SCR 시스템의 운전 모드가 SCR 촉매 재생 모드로 전환되면(S80), 제1EGB 밸브(52), 제2EGB 밸브(57), 제4EGB 밸브(65)를 개방하여 제1EGB 라인(50)을 통해 배기가스 리시버(5)의 배기가스 일부를 T/C(10)를 거치지 않고 바이패스시켜 우레아 분해 장치(45)로 공급한다(S82).First, when the operation mode of the SCR system is switched to the SCR catalyst regeneration mode (S80), the control unit 80 opens the first EGB valve 52, the second EGB valve 57, and the fourth EGB valve 65 to provide the first EGB line. A part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver 5 is bypassed through 50 without passing through the T/C 10 and is supplied to the urea decomposing device 45 (S82).

그리고 가열 장치(49)를 구동 제어하여 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다(S84).Then, the heating device 49 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the urea decomposing device 45 (S84).

그리고 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 제2EGB 라인(55)의 개도량을 비례 제어 방식으로 조절하여 제1EGB 라인(50)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다(S86).In addition, in order to distribute the exhaust gas heated by the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown), the opening amount of the second EGB line 55 is adjusted in a proportional control method to reduce urea through the first EGB line 50. The flow rate of the exhaust gas supplied to the decomposition device 45 is adjusted (S86).

도 18은 본 발명의 제9실시예에 따른 LP SCR 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 처리도로, 도 9를 참조하여 설명을 진행한다.FIG. 18 is a processing diagram for explaining a method of controlling an LP SCR system according to a ninth embodiment of the present invention, and the description will proceed with reference to FIG. 9.

우선, 제어부(80)는 SCR 시스템의 운전 모드가 SCR 촉매 재생 모드로 전환되면(S90), 제3EGB 밸브(62)를 개방하여 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급한다(S92).First, when the operation mode of the SCR system is switched to the SCR catalyst regeneration mode (S90), the control unit 80 opens the third EGB valve 62 to bypass the SCR reactor 15 through the bypass line 40. Part of the exhaust gas that is passed through and discharged is supplied to the urea decomposition device 45 through the 3EGB line 60 (S92).

그리고 가열 장치(49)를 구동 제어하여 우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열한다(S94).Then, the heating device 49 is driven and controlled to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the urea decomposing device 45 (S94).

그리고 가열 장치(49)에 의해 가열된 배기가스를 SCR 촉매(도시되지 않음) 전체에 분포시키기 위해 블로워(64)의 구동을 제어하여 제3EGB 라인(60)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절한다(S96).And, in order to distribute the exhaust gas heated by the heating device 49 to the entire SCR catalyst (not shown), the drive of the blower 64 is controlled and supplied to the urea decomposing device 45 through the 3 EGB line 60. The flow rate of the exhaust gas is adjusted (S96).

그리고 순환 밸브(72)를 개방하고, 순환 블로워(74)의 구동을 제어하여 SCR 반응기(15) 출구에서 배출된 배기가스를 다시 SCR 반응기(15) 입구로 재순환시킨다(S98).Then, the circulation valve 72 is opened, and the exhaust gas discharged from the outlet of the SCR reactor 15 is recirculated back to the inlet of the SCR reactor 15 by controlling the drive of the circulation blower 74 (S98).

전술한 바와 같이, 제9실시예에 적용되는 과정 S98은 전술한 제1실시예, 제3실시예 내지 제8실시예에도 각각 적용 가능하다.As described above, the process S98 applied to the ninth embodiment is applicable to the first and third to eighth embodiments, respectively.

본 발명의 LP SCR 시스템 및 그 제어 방법은 전술한 실시예에 국한되지 않고 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.The LP SCR system and its control method of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and can be implemented with various modifications within the range allowed by the technical idea of the present invention.

1. 엔진, 5. 배기가스 리시버,
10. T/C, 15. SCR 반응기,
20. 제1배기 라인, 22. 제1배기 밸브,
24, 29, 49. 가열 장치, 25. 제1보조 배기 라인,
27. 제1보조 배기 밸브, 30. 제2배기 라인,
32. 제2배기 밸브, 35. 제2보조 배기 라인,
37. 제2보조 배기 밸브, 40. 바이패스 라인,
42. 바이패스 밸브, 45. 우레아 분해 장치,
47. 우레아 분해 챔버, 50. 제1EGB 라인,
52. 제1EGB 밸브, 55. 제2EGB 라인,
57. 제2EGB 밸브, 60. 제3EGB 라인,
62. 제3EGB 밸브, 64. 블로워,
65. 제4EGB 밸브, 70. 순환 라인,
72. 순환 밸브, 74. 순환 블로워
80. 제어부1. engine, 5. exhaust gas receiver,
10. T/C, 15. SCR reactor,
20. first exhaust line, 22. first exhaust valve,
24, 29, 49. heating device, 25. first auxiliary exhaust line,
27. first auxiliary exhaust valve, 30. second exhaust line,
32. second exhaust valve, 35. second auxiliary exhaust line,
37. second auxiliary exhaust valve, 40. bypass line,
42. Bypass valve, 45. Urea digester,
47. Urea decomposition chamber, 50. First EGB line,
52. The first EGB valve, 55. The second EGB line,
57. 2nd EGB valve, 60. 3rd EGB line,
62. 3EGB valve, 64. Blower,
65. 4EGB valve, 70. circulation line,
72. Circulation valve, 74. Circulation blower
80. Control section

Claims (16)

SCR 반응기(15);
엔진(1)에서 배출되는 배기가스를 받아 T/C(Turbo Charger)(10)로 공급하는 배기가스 리시버(5);
T/C(10)를 거쳐 나오는 배기가스를 SCR 반응기(15)로 유도하는 배기 라인(20);
T/C(10)를 거쳐 나오는 배기가스가 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스하여 배출되도록 배기 라인(20)에서 분기된 바이패스 라인(40);
배기가스 리시버(5)의 배기가스 일부를 T/C(10)를 거치지 않고 바이패스시켜 우레아 분해 장치(45)로 유도하는 제1EGB(Exhaust Gas Bypass) 라인(50);
제1EGB 라인(50)을 따라 유동하는 배기가스를 가열시켜 SCR 반응기(15) 측으로 보내는 우레아 분해 장치(45)를 포함하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템.
SCR reactor 15;
An exhaust gas receiver 5 that receives exhaust gas discharged from the engine 1 and supplies it to a turbo charger (T/C) 10;
An exhaust line 20 for guiding the exhaust gas exiting through the T/C 10 to the SCR reactor 15;
A bypass line 40 branched from the exhaust line 20 so that the exhaust gas exiting through the T/C 10 is discharged by bypassing without passing through the SCR reactor 15;
A first EGB (Exhaust Gas Bypass) line 50 that bypasses a part of the exhaust gas of the exhaust gas receiver 5 without passing through the T/C 10 and guides the exhaust gas to the urea decomposition device 45;
LP SCR system, characterized in that it comprises a urea decomposition device (45) to heat the exhaust gas flowing along the first EGB line (50) to the SCR reactor (15) side.
 제1항에 있어서,
배기 라인(20)에 설치되어 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열하는 가열장치(24)를 더 포함하며,
바이패스 라인(40)의 개도량을 조절하여 배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템.
The method of claim 1,
It further includes a heating device 24 installed in the exhaust line 20 to heat the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15,
LP SCR system, characterized in that the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the exhaust line 20 by adjusting the opening amount of the bypass line (40).
 제1항에 있어서,
배기 라인(20)에 장착된 제1배기 밸브(22);
제1배기 밸브(22)의 상류 측 배기 라인에서 분기되어 제1배기 밸브(22)의 하류 측 배기 라인에 합류하며 제1배기 밸브(22)의 상류 측 배기가스 일부를 SCR 반응기(15)로 유도하는 보조 배기 라인(25); 및
바이패스 라인(40)의 개도량을 조절하여 보조 배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템.
The method of claim 1,
A first exhaust valve 22 mounted on the exhaust line 20;
It is branched from the exhaust line on the upstream side of the first exhaust valve 22 to join the exhaust line on the downstream side of the first exhaust valve 22, and part of the exhaust gas on the upstream side of the first exhaust valve 22 is transferred to the SCR reactor 15. An auxiliary exhaust line 25 leading; And
LP SCR system, characterized in that the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the auxiliary exhaust line 20 by adjusting the opening amount of the bypass line 40.
 제3항에 있어서,
보조 배기 라인(20)에 설치되며, 보조 배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열하는 가열 장치(29)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템.
The method of claim 3,
An LP SCR system, characterized in that it further comprises a heating device (29) installed in the auxiliary exhaust line (20) and heating exhaust gas supplied to the SCR reactor (15) through the auxiliary exhaust line (20).
 제1항에 있어서,
제1EGB 라인(50)과 배기 라인(20) 사이에 연결되는 제2EGB 라인(55)을 더 포함하며,
바이패스 라인(40)의 개도량을 조절하여 제2EGB 라인(55)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템.
The method of claim 1,
Further comprising a second EGB line 55 connected between the first EGB line 50 and the exhaust line 20,
LP SCR system, characterized in that the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposition device 45 through the second EGB line 55 by adjusting the opening amount of the bypass line 40.
 제5항에 있어서,
제2EGB 라인(55)의 개도량을 조절하여 제1EGB 라인(50)을 통해 우레아 분해 장치(45)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템.
The method of claim 5,
LP SCR system, characterized in that the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device 45 through the first EGB line 50 is controlled by adjusting the opening amount of the second EGB line 55.
 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
SCR 반응기(15)의 하류와 상류를 연결하도록 설치되는 순환 라인(70) 및
순환 라인(70)에 설치되는 순환 블로워(74)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템.
The method according to any one of claims 1 to 6,
A circulation line 70 installed to connect the downstream and the upstream of the SCR reactor 15 and
LP SCR system, characterized in that it further comprises a circulation blower (74) installed in the circulation line (70).
 바이패스 라인(40)을 통해 SCR 반응기(15)를 거치지 않고 바이패스 되어 배출되는 배기가스 일부를 배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급하거나 배기가스 리시버(5)에서 SCR 반응기(15)로 연장된 제1EGB 라인(50)을 통해 배기가스 일부를 SCR 반응기(15)로 공급하는 단계;와,
SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템 제어 방법.
Part of the exhaust gas that is bypassed and discharged without passing through the SCR reactor 15 through the bypass line 40 is supplied to the SCR reactor 15 through the exhaust line 20, or the SCR reactor ( 15) supplying part of the exhaust gas to the SCR reactor 15 through the first EGB line 50 extended to 15); And,
LP SCR system control method comprising the step of heating the exhaust gas supplied to the SCR reactor (15).
 제8항에 있어서,
배기가스 일부를 배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급하는 경우,
바이패스 라인(40)의 개도량을 조절하여 배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템 제어 방법.
The method of claim 8,
When some of the exhaust gas is supplied to the SCR reactor 15 through the exhaust line 20,
LP SCR system control method, characterized in that it further comprises the step of adjusting the opening amount of the bypass line (40) to control the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor (15) through the exhaust line (20).
 제8항에 있어서,
제1EGB 라인(50)을 통해 배기가스 일부는 SCR 반응기(15)로 공급하는 경우,
배기가스 일부를 우레아 분해 장치(45)로 공급하는 단계를 더 포함하며,
우레아 분해 장치(45)를 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스를 가열하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템 제어 방법.
The method of claim 8,
When some of the exhaust gas is supplied to the SCR reactor 15 through the first EGB line 50,
Further comprising the step of supplying a part of the exhaust gas to the urea decomposition device 45,
LP SCR system control method, characterized in that heating the exhaust gas supplied to the SCR reactor (15) through the urea decomposition device (45).
 제8항에 있어서,
배기가스 일부를 배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급하는 경우,
배기 라인(20)에 장착된 제1배기 밸브(22)의 상류 측 배기 라인(20)에서 분기되어 제1배기 밸브(22)의 하류 측 배기 라인에 합류하는 보조 배기 라인(25)을 통해 SCR 반응기(15)로 배기가스 일부를 공급하는 단계;와,
보조 배기 라인(25)을 따라 유동하는 배기가스를 가열하는 단계; 및
바이패스 라인(40)의 개도량을 조절하여 보조 배기 라인(20)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템 제어 방법.
The method of claim 8,
When some of the exhaust gas is supplied to the SCR reactor 15 through the exhaust line 20,
SCR through the auxiliary exhaust line 25 branching from the exhaust line 20 on the upstream side of the first exhaust valve 22 mounted on the exhaust line 20 and joining the exhaust line on the downstream side of the first exhaust valve 22 Supplying a part of exhaust gas to the reactor 15; And,
Heating the exhaust gas flowing along the auxiliary exhaust line 25; And
Adjusting the opening amount of the bypass line 40 to control the flow rate of the exhaust gas supplied to the SCR reactor 15 through the auxiliary exhaust line 20; LP SCR system control method further comprising a .
 제8항에 있어서,
배기 라인(20)과 제1EGB 라인(50)을 연결하는 제2EGB 라인(55)을 통해 배기 라인(20)의 배기가스 일부를 제1EGB 라인(50)을 통해 SCR 반응기(15)로 공급하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템 제어 방법.
The method of claim 8,
Supplying part of the exhaust gas of the exhaust line 20 to the SCR reactor 15 through the first EGB line 50 through the second EGB line 55 connecting the exhaust line 20 and the first EGB line 50 LP SCR system control method, characterized in that it further comprises.
 제12항에 있어서,
제1EGB 라인(50)을 통해 유동하는 배기가스를 우레아 분해 장치(45)가 가열하는 단계; 및
바이패스 라인(40)의 개도량을 조절하여 제2EGB 라인(55)을 통해 우레아 분해 장치로 공급되는 배기가스의 유량을 조절하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템 제어 방법.
The method of claim 12,
Heating the exhaust gas flowing through the first EGB line 50 by the urea decomposition device 45; And
The method of controlling an LP SCR system comprising: adjusting the opening amount of the bypass line 40 to control the flow rate of the exhaust gas supplied to the urea decomposing device through the second EGB line 55.
 제13항에 있어서,
제2EGB 라인(55)의 개도량은 비례 제어를 통해 조절되는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템 제어 방법.
The method of claim 13,
LP SCR system control method, characterized in that the opening amount of the second EGB line 55 is adjusted through proportional control.
 제8항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
바이패스 라인(40)의 개도량은 비례 제어를 통해 조절되는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템 제어 방법.
The method according to any one of claims 8 to 14,
The LP SCR system control method, characterized in that the opening amount of the bypass line 40 is adjusted through proportional control.
 제8항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
순환 라인(70)을 통해 SCR 반응기(15) 내의 배기가스를 순환시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LP SCR 시스템 제어 방법.The method according to any one of claims 8 to 14,
Circulating the exhaust gas in the SCR reactor 15 through the circulation line 70; LP SCR system control method further comprising a.
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