KR20200118436A - 가스 로크를 포함하는 장치 - Google Patents

Abstract

리소그래피 장치의 일부분을 형성할 수 있는 장치는 기판 테이블, 투영 시스템, 가스 로크(lock); 및 가스 흐름 안내부를 포함한다. 기판 테이블은 기판을 지지하기에 적합하다. 투영 시스템은, 내부와 개구를 규정하는 본체를 갖는다. 투영 시스템은, 방사선 비임을 개구를 통해 기판 테이블에 의해 지지되는 기판 상에 투영하도록 구성 및 배치된다. 가스 로크는 내부로부터 멀어지게 개구에서 나오는 가스 흐름을 제공한다. 가스 흐름 안내부는, 가스 흐름의 적어도 일부분을 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 안내하도록 구성된다.

Description

가스 로크를 포함하는 장치

본 출원은 2018년 2월 16일에 출원된 유럽 출원 18157048.2의 우선권을 주장하고, 그 유럽 출원은 본원에 전체적으로 참조로 관련되어 있다.

본 발명은 가스 로크(lock)를 포함하는 장치에 관한 것이다. 특히, 본 장치는, 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)를 지지하기 위한 기판 테이블 및 패턴화된 방사선 비임을 기판 상에 투영하도록 배치되는 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치의 일부분을 형성할 수 있다. 가스 로크는 적어도 부분적으로 투영 시스템의 내부를 오염물질의 유입으로부터 보호하도록 배치될 수 있다.

리소그래피 장치는 요구되는 패턴을 기판 상에 가하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는 예컨대 패터닝 장치(예컨대, 마스크)에 있는 패턴을 기판 상에 제공되어 있는 방사선 민감성 재료(레지스트)의 층으로 투영할 수 있다.

패턴을 기판 상에 투영하기 위해 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 이 전자기 방사선의 파장은, 기판에 형성될 수 있는 피쳐(feature)의 최소 크기를 결정한다. 극자외선(EUV) 방사선(4 - 20 nm 내의, 예컨대 6.7 nm 또는 13.5 nm의 파장을 가짐)을 사용하는 리소그래피 장치는, 예컨대 193 nm의 파장을 갖는 방사선을 사용하는 리소그래피 장치 보다 작은 피쳐를 기판에 형성하기 위해 사용될 수 있다.

EUV 방사선은 EUV 방사선을 사용하는 리소그래피 장치 내에서 물질에 강하게 흡수되기 때문에, EUV 방사선의 광학적 경로는 진공 조건(즉, 대기압 보다 상당히 낮은 압력) 하에 있다. 특히, 투영 시스템(EUV 방사선을 기판 상에 투영하기 위한 광학 요소의 시스템을 포함함)은 진공 조건 하에 유지될 수 있다. EUV 방사선은 투영 시스템에 의해 규정되는 개구를 통해 기판 상에 투영된다. 투영 시스템 안으로의 오염물질 유입을 제한하는 것이 바람직하다. 이러한 목적으로 동적 가스 로크를 제공하는 것이 알려져 있다.

여기서 식별되든 또는 그렇지 않든, 공지된 구성과 관련된 하나 이상의 문제를 적어도 부분적으로 해결하는 가스 로크의 대안적인 구성 및 이러한 가스 로크를 포함하는 장치를 제공하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 1 양태에 따르면, 기판을 지지하기 위한 기판 테이블; 본체를 갖는 투영 시스템 - 상기 본체는 내부와 개구를 규정하고, 상기 투영 시스템은 방사선 비임을 상기 개구를 통해 상기 기판 테이블에 의해 지지되는 기판 상에 투영하도록 구성 및 배치됨 -; 상기 내부로부터 멀어지게 상기 개구에서 나오는 가스 흐름을 제공하는 가스 로크(lock); 및 상기 가스 흐름의 적어도 일부분을 상기 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 안내하도록 구성된 가스 흐름 안내부를 포함하는 장치가 제공된다.

본 발명의 제 1 양태에 따른 장치는 리소그래피 장치의 일부분을 형성할 수 있다. 예컨대, 사용시, 기판 테이블은 실리콘 웨이퍼를 지지할 수 있고, 투영 시스템은 (예컨대, 레티클의 회절 제한 이미지를 형성하기 위해) 패턴화된 방사선 비임을 웨이퍼 상에 투영하도록 배치될 수 있다. 사용시, 복수의 개별적인 타겟 영역(하나 이상의 다이에 대응할 수 있음)은, 노광 사이에서 기판 테이블을 투영 시스템에 대해 이동시켜 순차적으로 노광될 수 있다. 추가로, 그러한 각 노광은 스캐닝 노광일 수 있고, 이러한 노광 동안에 기판 테이블은 개구에 대해 스캐닝 방향으로 이동한다.

본 발명의 제 1 양태에 따른 장치는, 투영 시스템의 내부를 오염물질의 유입으로부터 보호할 수 있는 가스 로크를 제공하기 때문에 유리하다. 예컨대, 가스 로크는 그러한 오염물질이 광학 요소(예컨대, 미러 또는 렌즈)에 충돌하는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 이로써, 투영 시스템의 광학 성능이 개선될 수 있다.

또한, 가스 흐름 안내부는 가스 흐름의 적어도 일부분을 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 안내하도록 구성된다. 이는, 투영 시스템과 기판 테이블 사이에 제공되는 종래의 가스 로크와는 대조적인데, 이 종래의 가스 로크에서는, 투영 시스템의 개구에서 나오는 주 가스 흐름은 기판 테이블 쪽으로 보내진다. 종래의 가스 로크와의 이러한 차이는, 이제 논의하는 바와 같이 많은 이점을 갖는다.

개구에서 나온 가스 흐름이 기판과 기판 테이블 위를 지나가는 기존의 구성에서, 가스 흐름은 열부하를 기판에 전달할 것이다. 그리고, 그 열부하는 기판의 열적 변형을 야기할 수 있는데, 이러한 변형은 형성된 이미지의 질에 유해할 수 있다.

일반적으로, 내부로부터 멀어지게 개구에서 나오는 가스 흐름을 형성하는 가스 로크에 의해 제공되는 가스의 일부분에 추가로, 가스 로크에 의해 제공되는 가스의 다른 부분이 투영 시스템의 내부 안으로 유입할 것이다. 본 발명자는, 종래의 구성에서(투영 시스템의 개구에서 나오는 주 가스 흐름은 기판 테이블 쪽으로 향하게 됨) 내부로부터 멀어지게 개구에서 나오는 가스 흐름을 형성하는 가스 로크에 의해 제공되는 총 가스의 비율은 개구에 대한 기판 테이블의 위치에 달려 있는 것을 알았다. 이는, 상이한 위치에서, 가스의 상이한 제약부가 투영 시스템의 개구에서 제공됨에 따라, 하우징의 개구로부터 멀어지는 흐름 경로는 일반적으로 상이한 유체 전도도를 가질 것이기 때문이다. 본 발명자는 또한, 그러한 종래 기술의 구성의 경우, 사용 중에, 기판 테이블이 개구에 대해 이동함에 따라 그리고 가스의 생성률이 일정하면, 투영 시스템의 내부와 투영 시스템이 외부(예컨대, 기판 테이블(및 이에 의해 지지되는 기판)이 배치되는 부피 또는 공간) 모두에서 압력 변화가 생기게 됨을 알았다. 그러한 부피 또는 공간을 기판 테이블 격실 또는 대안적으로 웨이퍼 스테이지 격실이라고 할 수 있다. 반대되는 언급이 없다면, 여기서 사용되는 바와 같은, 기판 테이블 "근처"는, 기판 테이블(및 이에 의해 지지되는 기판)이 배치되는 부피 또는 공간의 내부를 의미하는 것임을 알 것이다. "근처" 라는 용어의 사용은, 기판 테이블(및 이에 의해 지지되는 기판)이 배치되는 부피 또는 공간의 치수에 대한 제한을 암시하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 이제 설명하는 바와 같이 그 압력 변화는 바람직하지 않다.

첫째, 이 압력 변화는 가스 흐름에 의해 제공되는 열부하로 인한 기판의 시간 변화 열적 변형을 야기할 수 있다.

둘째, 투영 시스템의 개구에 대한 기판 테이블의 위치를 정확하게 결정하고 제어하는 것이 중요함을 알 것이다. 전형적인 리소그래피 장치 내에서, 투영 시스템의 개구에 대한 기판 테이블의 위치의 그러한 결정은 전형적으로 간섭 측정 장치를 사용하여 행해진다. 이러한 간섭 측정 장치는 전형적으로, 기판 테이블에 장착되고 또한 기준체(예컨대, 투영 시스템이 연결되는 격리 프레임)(그 기준체에 대한 기판 테이블의 위치를 결정하는 것이 바람직함)에 장착되는 요소를 포함한다. 예컨대, 그러한 간섭 측정 장치는, 투영 시스템이 연결되는 격리 프레임에 장착되는 광원 및 광원에서 나온 빛을 반사시키도록 기판 테이블에 장착되는 미러를 포함한다. 그러나, 기판 테이블 주변의 압력이 시간이 지남에 따라 변하면, 결정된 위치에 오차가 생길 것이다. 특히, 빛은, 기판 테이블(및 이에 의해 지지되는 기판)이 배치되는 부피 또는 공간 내의 임의의 원하는 거리에 걸쳐 광원으로부터 미러까지 진행할 수 있고, 그래서, 이 부피 또는 공간 내에서의 압력 변화는 결정된 위치의 오차를 야기할 수 있다. 그리고 이는 예컨대 형성된 이미지의 오버레이 에러에 기여할 수 있다.

그러한 공지된 구성과는 달리, 본 발명의 제 1 양태의 장치의 가스 흐름 안내부는, 가스 흐름의 적어도 일부분을 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 안내하도록 구성된다. 이로써, 유리하게도, 전술한 바와 같은 문제가 회피된다.

"내부로부터 멀어지게 개구에서 나오는" 가스 흐름을 제공하는 것은, 내부로부터 멀어지게 대체로 개구의 근처에서 나오는 가스 흐름을 제공하는 것을 의미하는 것임을 알 것이다. 예컨대, 가스 흐름은 투영 시스템의 본체의 내부 안에서 제공될 수 있고(예컨대, 개구의 근처에서), 이 경우, 내부로부터 멀어지게 개구에서 나오는 가스 흐름은 그 개구를 통과한다. 대안적으로, 가스 흐름은 투영 시스템의 본체의 내부의 외부에서 하지만 개구의 근처에서 제공될 수도 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 개구는 개구에 대체로 수직인 방향으로(즉, 개구를 통해 투영되는 방사선 비임의 진행 방향과 대체로 정렬되는 방향으로) 영이 아닌 치수를 갖는다고 생각할 수 있다. 예컨대, 개구는 영이 아닌 두께를 갖는 벽에 의해 규정될 수 있다. 개구가 개구에 대체로 수직인 방향으로 영이 아닌 치수를 갖는 실시 형태의 경우, 가스 흐름은 개구에서 제공될 수 있다.

가스 로크는, 상기 개구를 통과하고 또한 상기 내부로부터 멀어지는 가스 흐름을 제공하도록 배치될 수 있다.

가스 흐름 안내부는 상기 가스 흐름의 적어도 일부분을 실질적으로 고정된 유체 전도도의 유체 경로를 따라 안내하도록 구성될 수 있다.

가스 흐름 안내부는, 장치가 제 1 작동 구성으로 있을 때 가스 흐름의 적어도 일부분을 실질적으로 고정된 유체 전도도의 유체 경로를 따라 안내하도록 구성될 수 있음을 알 것이다.

여기서 사용되는 바와 같은 유체 경로의 유체 전도도는 가스가 유체 경로를 따라 얼마나 쉽게 흐르는지에 대한 척도임을 알 것이다. 예컨대, 유체 전도도는 유체 경로에서의 압력차에 대한 유체 경로에서 가스의 총 처리량의 비에 비례할 수 있다.

유리하게도, 가스 흐름의 적어도 일부분을 실질적으로 고정된 유체 전도도의 유체 경로를 따라 안내함으로써, 유체 로크에 의한 가스의 생성률이 일정할 때, 투영 시스템의 내부 내의 또는 기판 테이블 근처의 압력의 변화가 실질적으로 없을 것이다.

가스 흐름 안내부는, 상기 내부로부터 멀어지게 상기 개구에서 나오는 가스 흐름의 절반 이상이 상기 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지도록 구성될 수 있다.

가스 흐름 안내부는, 장치가 제 1 작동 구성으로 있을 때, 내부로부터 멀어지게 개구에서 나오는 가스 흐름의 절반 이상이 상기 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지도록 구성될 수 있음을 알 것이다.

즉, 가스 흐름 안내부는 가스를 주 경로를 따라 안내한다고 생각할 수 있고, 그 주 경로는 내부로부터 멀어지게 개구에서 나오는 가스 흐름의 절반 이상을 받는다.

내부로부터 멀어지게 개구에서 나오는 가스 흐름의 절반 이상이 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지도록 보장하는 것은, 가스 흐름의 적어도 일부분이 가스 안내부에 의해 안내될 때 따르는 유체 경로의 유체 전도도가 충분히 높은 것을 보장함으로써 달성된다.

어떤 실시 형태에서는, 내부로부터 멀어지게 상기 개구에서 나오는 가스 흐름의 적어도 80%가 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지도록 구성될 수 있다. 어떤 실시 형태에서는, 내부로부터 멀어지게 상기 개구에서 나오는 가스 흐름의 적어도 90%가 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지도록 구성될 수 있다.

가스 흐름 안내부는, 상기 가스 흐름의 적어도 일부분을 다른 가용 유체 경로 보다 큰 유체 전도도를 갖는 유체 경로를 따라 안내하도록 구성될 수 있다.

가스 흐름 안내부는, 장치가 제 1 작동 구성으로 있을 때, 상기 가스 흐름의 적어도 일부분을 다른 가용 유체 경로 보다 큰 유체 전도도를 갖는 유체 경로를 따라 안내하도록 구성될 수 있음을 알 것이다.

이러한 구성으로, 가스는 우선적으로 상기 유체 경로를 따라 흐를 것이다.

추가적으로 또는 대안적으로, 내부로부터 멀어지는 개구에서 나오는 가스 흐름의 절반 이상이 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지도록 보장하는 것은, 가스 흐름의 적어도 일부분이 가스 안내부에 의해 안내될 때 따르는 유체 경로에서의 압력차가 충분히 높은 것을 보장함으로써 달성된다.

가스 흐름 안내부는 가스 흐름의 적어도 일부분을 유체 경로를 따라 흡인하도록 배치되는 펌프를 포함할 수 있다.

펌프는 예컨대 진공 펌프를 포함할 수 있다.

본 장치는 기판 테이블을 투영 시스템의 상기 개구에 대해 이동시키기 위한 이동 기구를 더 포함한다.

이동 기구는, 2개의 상이한 타겟 영역의 노광 사이에 기판을 개구에 대해 이동시키기 위해 사용될 수 있다(예컨대, 방사선 비임을 받는 위치에서 노광될 다음 타겟 영역을 배치하기 위해). 추가로, 이동 기구는 하나 이상의 타겟 영역의 스캐닝 노광 중에 사용될 수 있다.

본 장치는, 개구와 기판 테이블 사이에 배치되는 중간 부재를 더 포함하고, 가스 흐름 안내부는 중간 부재와 투영 시스템 사이에 규정된 경로를 포함한다.

중간 부재는, 방사선 비임의 전달을 위해 투영 시스템의 개구와 대체로 정렬되는 개구를 포함할 수 있다. 이리하여, 투영 시스템의 개구를 통해 투영되는 방사선이 기판 테이블에 의해 지지되는 기판을 조사(irradiating)할 수 있다.

사용시, 중간 부재는 방사선 비임에 의해 조사되는 기판의 영역을 둘러싸는 기판의 일부 영역의 근처에 있는 제 1 작동 위치에 있을 수 있다. 이러한 구성으로, 중간 부재는, 방사선 비임에 의해 조사되는 기판의 영역을 둘러싸는 기판의 영역 쪽으로 가스가 흐르는 것을 적어도 부분적으로 차단하도록 시일 또는 적어도 제약부로서 작용할 수 있다. 여기서 사용되는 바와 같이, 방사선 비임에 의해 조사되는 기판의 영역을 둘러싸는 기판의 일부 영역의 근처에 중간 부재가 있다라는 말은, 중간 부재와 기판 사이의 틈새를 통과하는 유체 전도도가 중간 부재와 투영 시스템 사이에 규정된 경로를 통과하는 유체 전도도 보다 상당히 작도록 되기에 충분히 가깝다는 것을 의미한다는 것을 알 것이다.

추가로, 중간 부재는, 중간 부재와 투영 시스템 사이에 규정된 경로를 따라 흐르는 가스가 대체로 기판 테이블로부터 멀어지게 구성될 수 있다.

중간 부재는, 중간 부재와 투영 시스템 사이에 규정된 경로를 따라 흐르는 가스를 투영 시스템의 본체의 벽 내부에 형성된 공동부 안으로 보내도록 구성될 수 있다.

투영 시스템의 본체의 벽 내부에 형성된 이러한 공동부는 투영 시스템의 본체의 내부로부터 격리될 수 있음을 알 것이다.

본체의 벽은 내벽(내부를 규정함) 및 외벽을 포함한다고 생각할 수 있다. 공동부는 내벽과 외벽에 의해 규정될 수 있다.

중간 부재와 투영 시스템 사이에 규정되는 경로는, 중간 부재와 투영 시스템의 본체의 내벽 사이에 규정될 수 있다. 중간 부재와 투영 시스템 사이에 규정되는 경로를 따라 흐르는 가스를 투영 시스템의 본체의 벽 내부에 형성된 공동부 안으로 보내기 위해, 중간 부재는, 투영 시스템의 본체의 외벽 쪽으로 연장되어 있고 그 외벽과 시일링 관계에 있는 시일링 부분을 포함할 수 있다.

중간 부재는. 투영 시스템의 본체의 벽 쪽으로 연장되어 있는 시일링 요소를 포함하고, 이 시일링 요소는 투영 시스템의 개구의 실질적으로 전체 둘레 주위에서 본체의 벽과 시일링 관계에 있다.

여기서 사용되는 바와 같이, 시일링 요소는 투영 시스템의 개구의 실질적으로 전체 둘레 주위에서 투영 시스템의 본체의 벽과 시일링 관계에 있다 라는 말은, 시일링 요소와 투영 시스템의 본체의 벽 사이의 틈새를 통과하는 유체 전도도가 대안적인 배출 경로를 통과하는(예컨대, 투영 시스템의 본체의 벽 내부에 형성된 공동부 안으로 들어가는) 유체 전도도 보다 상당히 작음을 의미함을 알 것이다.

시일링 요소는 강성 플랜지부를 포함하고, 시일링 요소가 시일링 관계에 있는 투영 시스템의 본체의 벽의 일부분과 강성 플랜지부 사이에 틈새가 제공되어 있다.

틈새는 중간 부재가 벽에 대해 이동할 수 있게 해주면서 시일링 요소가 투영 시스템의 본체의 벽과 시일링 관계에 있을 수 있게 해준다.

본 장치는 중간 부재와 투영 시스템의 본체의 벽 사이에 연결되는 가요성 막을 더 포함할 수 있다.

가요성 막은 중간 부재가 벽에 대해 이동할 수 있게 해주면서 중간 부재가 투영 시스템의 본체의 벽과 시일링 관계에 있을 수 있게 해준다.

중간 부재는 적어도 제 1 작동 위치와 제 2 후퇴 위치 사이에서 투영 시스템에 대해 이동할 수 있다.

중간 부재의 위치는 장치의 구성을 규정할 수 있다. 중간 부재가 제 1 작동 위치에 배치되면, 장치는 제 1 작동 구성으로 있다고 생각할 수 있다. 중간 부재가 제 2 후퇴 위치에 배치되면, 장치는 제 2 후퇴 구성으로 있다고 생각할 수 있다.

사용시, 기판이 방사선 비임에 의해 조사되고 있을 때, 중간 부재는 제 1 작동 위치에 배치될 수 있다. 위에서 논의한 바와 같이, 제 1 작동 위치에 배치될 때, 중간 부재는, 방사선 비임에 의해 조사되는 기판의 영역을 둘러싸는 기판의 일부 영역의 근처에 있을 수 있다. 그러나, 기판 테이블이 신속하게 그리고/또는 예측 불가능하게 중간 부재 쪽으로 이동하면, 중간 부재가 기판에 접촉하는 것을 방지하기 위해, 중간 부재가 제 2 후퇴 위치로 투영 시스템에 대해 이동할 수 있는 것이 바람직할 수 있다. 제어 불가능의 상황이 일어나는 경우에, 중간 부재는 예컨대 ±4 mm 정도로 이동하는 것이 바람직할 수 있다. 예컨대, 기판 테이블 위치 설정 모듈이 계획하지 않게도 빠르게 위쪽으로 이동하는 경우, 중간 부재가 접촉을 피하기에 충분히 이동할 수 없다면, 기판 테이블과 중간 부재에 상당한 손상이 있게 될 것이다.

중간 부재와 기판 테이블에 의해 지지되는 기판 사이의 틈새를 조절할 수 있는 것이 바람직할 수 있다.

중간 부재는 방사선 비임에 의해 조사되는 기판의 영역을 둘러싸는 기판의 일부 영역을 냉각하도록 작동할 수 있다.

중간 부재는, 기판 테이블(및 이에 의해 지지되는 기판) 보다 낮은 온도로 유지될 수 있는 냉각 부재를 포함할 수 있다. 예컨대, 이 냉각 부재는 약 -70℃의 온도로 유지될 수 있다. 기판 테이블은 그에 의해 지지되는 기판의 안정성을 보장하기에 적절한 온도, 예컨대, 약 22℃(이 온도는 예컨대 실리콘 웨이퍼에 적합함)로 유지될 수 있다. 냉각 부재에는 이를 원하는 온도로 유지시키도록 적절한 냉각 시스템(예컨대, 냉각제가 순환하는 폐쇄 루프)이 제공될 수 있음을 알 것이다.

중간 부재는 방사선 비임에 의해 조사되는 기판의 영역을 둘러싸는 기판의 일부 영역에 냉각 가스 흐름을 보내도록 작동 가능하다.

중간 부재는, 기판 테이블 보다 낮은 온도로 유지되는 냉각 부재를 포함하고, 또한 상기 기판 테이블 및/또는 투영 시스템을 냉각 부재로부터 열절연시키도록 배치되는 열 차폐부를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 제 2 양태에 따르면, 리소그래피 장치가 제공되며, 이 리소그래피 장치는, 방사선 비임을 조절하도록 구성되어 있는 조명 시스템; 패턴화된 방사선 비임을 형성하기 위해 상기 방사선 비임의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 장치를 지지하도록 구성되어 있는 지지 구조물; 및 본 발명의 제 1 양태에 따른 장치를 포함하고, 투영 시스템은 패턴화된 방사선 비임을 받고 또한 이를 기판 테이블에 의해 지지되는 기판 상에 투영하도록 구성되어 있다.

본 발명의 제 3 양태에 따르면, 본체를 갖는 투영 시스템을 포함하는 장치를 작동시키는 방법이 제공되며, 본체는 내부와 개구를 규정하고, 본 방법은, 기판을 기판 테이블 상에 배치하는 단계; 방사선 비임을 상기 투영 시스템의 개구를 통해 기판 테이블에 의해 지지되는 기판 상에 투영하는 단계; 상기 내부로부터 멀어지게 상기 개구에서 나오는 가스 흐름을 제공하는 단계; 및 상기 가스 흐름의 적어도 일부분을 상기 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 안내하는 단계를 포함한다.

본 발명의 제 3 양태에 따른 방법은, 내부로부터 멀어지는 가스 흐름이 개구에서 제공되며, 투영 시스템의 내부를 오염물질의 유입으로부터 보호할 수 있기 때문에 유리하다.

또한, 본 방법은, 가스 흐름의 적어도 일부분을 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 안내하는 것을 포함한다. 본 발명의 제 1 양태의 장치의 경우 처럼, 본 발명의 제 3 양태에 따른 방법은 많은 이유로 유리하다. 첬째, 가스 흐름이 기판에 열부하를 전달하는 것이 방지되며, 그 열부하는 기판의 열적 변형을 야기할 수 있는데, 이러한 열적 변형은 형성되는 이미지의 질에 유해하다. 둘째, 본 발명의 제 1 양태와 관련하여 전술한 이유로, 투영 시스템의 내부와 기판 테이블(및 이에 의해 지지되는 기판) 근처 모두에서 압력의 변화가 방지될 수 있다. 이러한 압력의 변화는 바람직하지 않은데, 왜냐하면, 압력의 변화는 기판의 시간 변화 열적 왜곡(가스 흐름에 의해 제공되는 열부하로 인한)을 야기할 수 있고 또한 기판 테이블의 위치 측정의 오차를 초래할 수 있고, 이 오차는 예컨대 형성된 이미지의 오버레이 에러에 기여할 수 있기 때문이다.

본 장치는 예컨대 본 발명의 제 1 양태에 따른 장치를 포함할 수 있다. 본 발명의 제 3 양태에 따른 방법은 적절하다면 본 발명의 제 1 양태의 장치와 동등한 특징을 포함할 수 있다. 특히, 본 장치는 가스 흐름의 적어도 일부분을 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 안내하도록 구성된 가스 흐름 안내부를 포함할 수 있다.

본 발명의 제 3 양태에 따른 방법에서, 본 장치는 본 발명의 제 1 양태에 따른 장치를 포함할 수 있다.

본 방법은 개구에서 나오는 가스 흐름을 내부로부터 멀어지게 그리고 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 흡인하는 단계를 더 포함한다.

가스 흐름은 펌프의 사용으로 내부로부터 멀어지게 개구에서 나와 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 흡인될 수 있다. 펌프는 예컨대 진공 펌프일 수 있다.

이제, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 예시적으로 설명한다.
도 1은 리소그래피 장치 및 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 시스템을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 장치를 나타내고, 이 장치는 도 1에 나타나 있는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하고, 또한 기판을 지지하기 위한 기판 테이블, 투영 시스템(투영 시스템의 일부분만 나타나 있음), 가스 로크 및 가스 흐름 안내부를 포함한다.
도 3은 공지된 장치를 나타내며, 이 장치는 도 1에 나타나 있는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하고, 도 2에 나타나 있는 장치와 유사하지만, 가스 흐름 안내부는 포함하지 않는다.
도 4a는 배리어 및 도 3에 나타나 있는 종류의 장치 내에 있는 기판 테이블과 기판 위쪽에 배치되는 투영 시스템의 개구를 개략적으로 나타내고, 기판 테이블과 기판은 투영 시스템의 개구에 대한 제 1 위치에 배치되어 있다.
도 4b는 배리어 및 도 3에 나타나 있는 종류의 장치 내에 있는 기판 테이블과 기판 위쪽에 배치되는 투영 시스템의 개구를 개략적으로 나타내고, 기판 테이블과 기판은 투영 시스템의 개구에 대한 제 2 위치에 배치되어 있다.
도 4c는 배리어 및 도 3에 나타나 있는 종류의 장치 내에 있는 기판 테이블과 기판 위쪽에 배치되는 투영 시스템의 개구를 개략적으로 나타내고, 기판 테이블과 기판은 투영 시스템의 개구에 대한 제 3 위치에 배치되어 있다.
도 5는 도 2에 나타나 있는 장치의 일부 부분을 더 상세히 나타낸 것으로, 명확성을 위해, 도 2의 시일링 부재는 도 5에 나타나 있지 않다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 따른 장치를 나타내며, 이 장치는 대체로 도 2에 나타나 있는 장치의 형태이며 시일링 부재의 특정한 실시 형태를 가지고 있다.

도 1은 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함하는 리소그래피 장치를 나타낸다. 방사선 소스(SO)는 EUV 방사선 비임(B)을 생성시키고 또한 그 EUV 방사선 비임(B)을 리소그래피 장치(LA)에 공급하도록 구성된다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 장치(MA)(예컨대, 마스크)를 지지하도록 구성된 지지 구조물(MT), 투영 시스템(PS) 및 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판 테이블(WT)을 포함한다.

조명 시스템(IL)은, EUV 방사선 비임(B)이 패터닝 장치(MA)에 입사하기 전에 그 EUV 방사선 비임(B)을 조절하도록 구성되어 있다. 또한, 조명 시스템(IL)은 패싯(facetted) 필드 미러 장치(10) 및 패싯 퓨필(pupil) 미러 장치(11)를 포함할 수 있다. 패싯 필드 미러 장치(10) 및 패싯 퓨필 미러 장치(11)는 요망되는 단면 형상과 요망되는 세기 분포를 갖는 EUV 방사선 비임(B)을 함께 제공한다. 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 미러 장치(10) 및 패싯 퓨필 미러 장치(11)에 추가로 또는 그 대신에 다른 미러 또는 장치를 포함할 수 있다.

그렇제 조절된 후에, EUV 방사선 비임(B)은 패터닝 장치(MA)와 상호 작용한다. 이 상호 작용의 결과로, 패턴화된 EUV 방사선 비임(B)이 생성된다. 투영 시스템(PS)은 패턴화된 EUV 방사선 비임(B')을 기판(W) 상에 투영하도록 구성된다. 이를 위해, 투영 시스템(PS)은 패턴화된 EUV 방사선 비임(B')을 기판 테이블(WT)에 의해 유지되는 기판(W) 상에 투영하도록 구성된 복수의 미러(13, 14)를 포함할 수 있다. 투영 시스템(PS)은, 패턴화된 EUV 방사선 비임(B')에 감소 계수를 적용하여, 패터닝 장치(MA)에 있는 대응하는 피쳐 보다 작은 피쳐를 갖는 이미지를 형성할 수 있다. 예컨대, 4 또는 8의 감소 계수가 적용될 수 있다. 투영 시스템(PS)은 도 1에서 단지 2개의 미러(13, 14)를 가지고 있는 것으로 도시되어 있지만, 투영 시스템(PS)은 다른 수의 미러(예컨대, 6개 또는 8개의 미러)를 포함할 수 있다.

기판(W)은 이전에 형성된 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우, 리소그래피 장치(LA)는, 패턴화된 EUV 방사선 비임(B')으로 형성된 이미지를 이전에 기판(W) 상에 형성된 패턴과 정렬시킨다.

상대 진공, 즉 대기압 보다 충분히 낮은 압력으로 있는 소량의 가스(예컨대, 수소)가 방사선 소스(SO), 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS)에 제공될 수 있다.

방사선 소스(SO)는 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스, 방전 생성 플라즈마(DPP) 소스, 자유 전자 레이저(FEL) 또는 EUV 방사선을 생성할 수 있는 다른 방사선 소스일 수 있다.

투영 시스템(PS)은 격리 프레임에 연결된다. 예컨대, 격리 프레임(메트로 프레임이라고 함)은 베이스 프레임(지상에서 지지될 수 있음)에 의해 지지될 수 있고, 그래서 외부의 영향(예컨대, 베이스 프레임의 진동)으로부터 실질적으로 격리된다. 이 격리는 음향 감쇠 마운트의 사용으로 달성될 수 있고, 이 마운트는 격리 프레임을 베이스 프레임(BF) 상에 지지한다. 음향 감쇠 마운트는, 베이스 프레임 및/또는 격리 프레임 자체에 의해 도입되는 진동을 격리시키도록 능동적으로 제어될 수 있다.

지지 구조물(MT)은 제 1 위치 설정 장치를 통해 격리 프레임에 가동적으로 장착된다. 제 1 위치 설정 장치를 사용하여, 패터닝 장치(MA)를 격리 프레임(및 이 프레임에 연결되어 있는 투영 시스템(PS))에 대해 이동할 수 있고 또한 정확하게 위치시킬 수 있다. 기판 테이블(WT)은 제 2 위치 설정 장치를 통해 격리 프레임에 가동적으로 장착된다. 제 2 위치 설정 장치를 사용하여, 기판(W)을 격리 프레임(및 이 프레임에 연결되어 있는 투영 시스템(PS))에 대해 이동할 수 있고 또한 정확하게 위치시킬 수 있다.

투영 시스템(PS)은, 내부와 개구를 규정하는 본체 또는 하우징을 갖는다. 2개의 미러(13, 14)가 내부 안에 배치되고, 투영 시스템(PS)은, 패턴화된 EUV 방사선 비임(B')을 개구를 통해, 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W) 상에 투영하도록 구성 및 배치된다.

투영 시스템(PS)은 패턴화된 EUV 방사선 비임(B')을 기판(W) 상에 투영하도록 구성된다. 특히, 투영 시스템(PS)은 패턴화된 EUV 방사선 비임(B')을 투영 시스템(PS)의 이미지 면에 있는 대체로 직사각형의 노광 영역 상에 투영하도록 구성되며, 그래서 이 이미지 면(대체로 기판(W)의 표면과 일치함)에서 방사선 비임(B')은 대체로 직사각형의 방사선 밴드이다. 그러므로, 개구는 대체로 직사각형일 수 있다. 투영 시스템(PS)의 이미지 면에 있는 대체로 직사각형의 노광 영역 또는 대체로 직사각형의 방사선 밴드를 슬릿 또는 노광 슬릿이라고 할 수 있다.

사용시 기판(W)의 복수의 개별 타겟 영역(하나 이상의 다이에 대응할 수 있음)은, (어느 타겟 영역이 이미지 면의 노광 영역에 배치되는지를 변경하도록) 노광 사이에서 기판 테이블(WT)을 투영 시스템(PS)에 대해 이동하여 순차적으로 노광될 수 있다. 추가로, 그러한 각 노광은 스캐닝 노광일 수 있는데, 이 노광 동안에, 기판 테이블(WT)은 노광되고 있는 타겟 영역이 이동하도록 투영 시스템(PS)에 대해 스캐닝 방향으로 이동하거나 스캐닝 방향으로 노광 영역을 통해 스캔한다. 이러한 기능을 얻기 위해, 리소그래피 장치(LA)에는, 기판 테이블(WT)을 투영 시스템(PS)에 대해 이동시키기 위한 액츄에이터가 제공되어 있다. 이들 액츄에이터는 이동 기구를 형성한다고 생각할 수 있다.

이미지 면의 노광 영역 내의 각 점은 일반적으로 방사선 원추를 받을 것이다(즉, 일정한 범위의 입사각을 갖는 방사선 비임을 받을 것임). 그러므로, 개구 근처에서, 본체의 내부는 개구 쪽으로 내측으로 테이퍼질 수 있다(패턴화된 EUV 방사선 비임(B')의 광축에 수직인 양 방향으로). 개구 근처에 있는 하우징의 이 테이퍼형 부분은 대체로 깔대기형으로 묘사될 수 있고 깔대기 부분이라고 할 수 있다.

이제 개략적인 도 2를 참조하여 본 발명의 실시 형태를 설명한다.

도 2는 기판(W)을 지지하기 위한 기판 테이블(WT) 및 투영 시스템(이 투영 시스템의 일부분만 나타나 있음)을 포함하는 장치(20)를 나타낸다. 이 장치(20)는 도 1에 개략적으로 나타나 있는 리소그래피 장치(LA)의 일부분을 형성할 수 있다. 도 2는 투영 시스템의 본체 또는 하우징의 일부분을 나타내고, 그 본체 또는 하우징은 내부(21) 및 개구(22)를 규정한다(개구(22) 근처에 있는 내부(21)의 테이퍼형 부분만 나타나 있음).

장치(20)는, 투영 시스템(PS)의 내부로부터 개구를 통과하는 가스 흐름을 제공하도록 배치되는 가스 로크(lock)를 더 포함한다. 이 가스 흐름은 화살표(23)로 개략적으로 나타나 있고, 이 화살표는, 가스가 투영 시스템의 본체 또는 하우징의 내벽에 있는 구멍을 통과하여 내부(21) 안으로 가는 것을 나타낸다. 가스 흐름(23)은 예컨대 수소 또는 질소와 같은 어떤 적절한 가스라도 포함할 수 있다. 장치는 가스 흐름(23)을 대체로 개구(22) 쪽으로 보내도록 배치된다. 이렇게 해서, 가스 로크는 투영 시스템(PS)의 내부를 오염물질의 유입으로부터 보호한다. 예컨대, 가스 로크는 그러한 오염물질이 미러(13, 14)에 충돌하는 것을 방지하며, 그래서 투영 시스템(PS)의 광학적 성능이 개선된다.

본 발명의 실시 형태는 가스 흐름 안내부를 더 포함하는데, 도 2 내지 6을 참조하여 더 설명하는 바와 같이, 그 안내부는 가스 흐름(가스 로크에 의해 개구를 통과함)의 일부분을 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)으로부터 멀어지게 안내하도록 구성된다.

어떤 실시 형태에서, 본 장치는 개구(22)와 기판 테이블(WT) 사이에 배치되는 중간 부재(24)를 더 포함한다. 이 중간 부재(24)는 가스 흐름 안내부의 일부분을 형성하고, 이는 개구(22)를 통과하는 가스 흐름(23)의 적어도 일부분을 중간 부재(24)와 투영 시스템(PS) 사이에 규정된 경로를 따라 안내하도록 배치된다.

중간 부재(24)는, 방사선 비임의 전달을 위해 투영 시스템의 개구(22)와 대체로 정렬되는 개구(25)를 포함한다. 이리하여, 투영 시스템(PS)의 개구(22)를 통해 투영되는 방사선이 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)을 조사(irradiating)할 수 있다.

또한, 장치(20)는 배리어(26)를 더 포함하고, 이 배리어는, 기판 테이블(WT)(및 그에 의해 지지되는 기판(W))에 대체로 평행한 표면(27)을 규정한다. 배리어(26)는 개구(22) 근처에서 투영 시스템의 일부분을 둘러싸고 또한 그로부터 멀어지는 방향으로 연장되어 있다. 배리어(26)는 투영 시스템(PS)의 본체 또는 하우징의 일부분 또는 연장부를 형성한다고 생각할 수 있다.

배리어(26)는 복수의 상이한 요소로 형성될 수 있음을 알 것이다.

예컨대, 배리어(26)는, 기판 테이블(WT)(및 그에 의해 지지되는 기판(W))(특정한 온도로 유지될 필요가 있음)을 장치의 다른 부분(예컨대, 리소그래피 장치(LA)의 다른 부분)으로부터 적어도 부분적으로 열적으로 격리시키도록 배치될 수 있는 기판 테이블 열 차폐부(나타나 있지 않음)를 포함할 수 있다. 이러한 기판 테이블 열 차폐부는 수냉 플레이트를 포함할 수 있다.

추가로 또는 대안적으로, 배리어(26)는 하나 이상의 미러(나타나 있지 않음)를 포함할 수 있는데, 이 미러는, 배리어(26) 및/또는 투영 시스템(PS)에 대한(또는 동등하게, 배리어(26)와 투영 시스템(PS)이 부착되어 있는 격리 프레임에 대한) 기판 테이블(WT)의 위치를 측정하도록 배치되는 측정 시스템의 일부분으로서 사용될 수 있다. 예컨대, 배리어(26)는, 간섭계 위치 설정 측정 시스템의 일부분으로서 사용되는, 간섭계 비임을 반사하기 위해 사용되는 하나 이상의 미러를 포함할 수 있다. 이러한 측정 시스템은, 기판 테이블(WT)의 면에 대체로 수직인 방향(z-방향이라고 할 수 있음)으로 배리어(26) 및/또는 투영 시스템(PS)에 대한(또는 동등하게, 배리어(26)와 투영 시스템(PS)이 부착되어 있는 격리 프레임에 대한) 기판 테이블(WT)의 위치를 결정하도록 배치될 수 있다.

추가적으로 또는 대안적으로, 배리어(26)는 투영 시스템(PS)의 내부(21)에의 접근을 제공하는 접근 햇치 또는 도어(움직일 수 있거나 제거될 수 있음)를 포함할 수 있다.

추가적으로 또는 대안적으로, 배리어(26)는 중간 부재(24)를 지지하도록 배치되는 요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 중간 부재(24)를 지지하는 이러한 요소는 투영 시스템(PS) 또는 이 투영 시스템(PS)이 부착되는 격리 프레임에 연결될 수 있다. 도 6을 참조하여 아래에서 더 설명하는 바와 같이, 중간 부재(24)가 투영 시스템(PS)(및 기판 테이블(WT))에 대해 이동할 수 있도록, 그 중간 부재(24)는 투영 시스템(PS) 또는 이 투영 시스템이 부착되는 격리 프레임에 장착될 수 있다. 그러므로, 중간 부재(24)를 지지하고 배리어(26)의 일부분을 형성할 수 있는 요소는 이동을 용이하게 해주는 액츄에이터를 포함할 수 있다.

도 2에 개략적으로 나타나 있는 바와 같이, 장치(20)는 중간 부재(24)와 배리어(26) 사이에 연장되어 있는 시일링 요소(28)를 더 포함한다. 이 시일링 요소(28)는 투영 시스템(PS)의 개구(22)의 실질적으로 전체 둘레 주위에서 중간 부재(24) 및 배리어(26) 둘 모두와 시일링 관계에 있다.

중간 부재(24)와 시일링 요소(28)는 가스 흐름 안내부를 형성한다고 생각할 수 있다. 중간 부재(24)와 시일링 요소(28)는, (가스 로크에 의해 개구(22)를 통과하는) 가스 흐름(23)의 적어도 일부분이 따르는 경로를 규정한다. 가스 흐름(23)의 이 부분은 화살표(30)로 표시되어 있고, 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)으로부터 멀어지는 방향으로 향한다. 도 2에 개략적으로 나타나 있는 바와 같이, 배리어(26) 및/또는 투영 시스템(PS)의 본체 또는 하우징에 통로(32)가 제공된다. 가스 흐름(23)의 일부분(30)은 중간 부재(24)와 시일링 요소(28)에 의해, 통로(32)를 통해 기판 테이블(WT)(및 이에 의해 지지되는 기판(W))로부터 멀어지게 안내된다.

배리어(26)는 투영 시스템(PS)의 본체 또는 하우징의 일부분 또는 연장부를 형성한다고 생각될 수 있기 때문에, 도 2에 나타나 있는 장치는, 중간 부재(24)와 투영 시스템(PS) 사이에 규정된 경로를 따라 흐르는 가스를 투영 시스템(PS)의 본체의 벽 내부에 형성된 공동부 안으로 보내도록 구성되어 있다고 생각할 수 있다. 투영 시스템의 본체의 벽 내부에 있는 그러한 공동부는 투영 시스템(PS)의 본체의 내부(21)로부터 격리될 수 있음을 알 것이다.

본체의 벽은, 내부(21)를 규정하는 내벽, 및 외벽을 포함한다고 생각할 수 있다. 공동부는 내벽과 외벽에 의해 규정될 수 있다.

중간 부재(24)와 투영 시스템(PS) 사이에 규정된 경로는 중간 부재(24)와 투영 시스템의 본체의 내벽 사이에 규정될 수 있다. 시일링 부재(28)는, 중간 부재(24)와 투영 시스템(PS) 사이에 규정된 이 경로를 따라 흐르는 가스를 투영 시스템(PS)의 본체의 벽 내부에 형성된 공동부 안으로 보내도록 제공된다.

도 2에 나타나 있는 장치(20)는 가스 흐름(23)의 일부분(30)을 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)으로부터 멀어지게 안내하도록 배치된다. 이는 투영 시스템과 기판 테이블 사이에 제공되는 종래의 가스 로크와는 대조적인데, 종래의 가스 로크에서는, 투영 시스템의 개구에서 나오는 주 가스 흐름은 기판 테이블 쪽으로 보내진다. 종래의 가스 로크와의 이 차이는 이제 도 3 및 4a - 4c를 참조하여 논의하는 바와 같은 많은 이점을 갖는다.

도 3은 기판(W)을 지지하기 위한 기판 테이블(WT) 및 투영 시스템(이 투영 시스템의 일부분만 나타나 있음)을 포함하는 종래 기술의 장치(40)를 나타낸다. 이 종래 기술의 장치(40)는, 가스 흐름의 일부분을 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)으로부터 멀어지게 안내하도록 구성된 가스 흐름 안내부를 포함하지 않지만, 대체적으로 도 2에 나타나 있는 장치(20)의 형태이다. 도 2에 있는 장치의 대응하는 요소에 대체로 상당하는 종래 기술의 장치(40)의 요소는 그와 공통의 참조 번호를 공유함을 알 것이다.

도 3에 나타나 있는 바와 같은 종래 기술의 구성에서, 개구(22)에서 나오는 가스 흐름(34)은 기판(W)과 기판 테이블(WT) 위를 지나간다. 가스 흐름은 일반적으로 배리어(26)와 기판(W) 사이를 흐른다. 이러한 구성으로, 가스 흐름은 열부하를 기판(W)에 전달할 것이다. 그리고, 그 열부하는 기판(W)의 열적 변형을 야기할 수 있는데, 이러한 변형은 리소그래피 장치(LA)로 형성되는 이미지의 질에 유해할 수 있다.

일반적으로, 개구(22)를 통과하여 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름을 형성하는 가스(23)의 일부분에 추가로, 가스 로크에 의해 제공되는 가스(23)의 일부분이 투영 시스템의 내부(21) 안으로 유입할 것이다. 본 발명자는, 도 3에 나타나 있는 바와 같은 종래의 구성에서(투영 시스템(PS)의 개구(22)에서 나오는 주 가스 흐름은 기판 테이블(WT) 쪽으로 향하게 됨) 개구(22)를 통과하여 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름을 형성하는 가스 로크에 의해 제공되는 총 가스(23)의 비율은개구(22)에 대한 기판 테이블(WT)의 위치에 달려 있는 것을 알았다. 이는, 기판 테이블(WT)이 상이한 위치에 배치되면, 가스의 상이한 제약부가 투영 시스템(PS)의 개구(22)에서 제공됨에 따라, 하우징(21)의 개구(22)로부터 멀어지는 흐름 경로는 일반적으로 상이한 유체 전도도를 가질 것이기 때문이다.

여기서 사용되는 바와 같은 유체 경로의 유체 전도도는 가스가 유체 경로를 따라 얼마나 쉽게 흐르는지에 대한 척도임을 알 것이다. 예컨대, 유체 전도도는 유체 경로에서의 압력차에 대한 유체 경로에서 가스의 총 처리량의 비에 비례할 수 있다.

이는 도 4a - 4c에서 알 수 있는데, 이 도는 배리어(26) 및 기판 테이블(WT)과 기판(W) 위쪽에 배치되는 투영 시스템(PS)의 개구(22)를 개략적으로 나타내고, 기판 테이블(WT)과 기판(W)은 투영 시스템(PS)의 개구(22)에 대한 3개의 상이한 위치에 배치된다.

도 4a에서, 기판 테이블(WT)은, 하우징의 개구(22)가 대체로 기판(W)의 중심부 위쪽에 있도록 배치되어 있다. 이 위치에서, 기판(W) 및 배리어(26)는, 일반적으로 노광 영역으로부터 멀어지는 모든 방향으로 개구(22) 밖으로 유출하는 가스에 대한 제약부를 형성한다. 도 4b에서, 기판 테이블(WT)은, 하우징의 개구(22)가 대체로 기판 테이블(WT)의 주변부 위쪽에 있도록 배치되어 있다. 이 위치에서, 기판 테이블(WT) 및 배리어(26)는, 개구(22) 밖으로 유출하는 가스에 대한 제약부를 형성한다. 개구(22)의 일측(도 4b의 우측)에서 제약부는, 도 4a에 나타나 있는 위치에 기판 테이블(WT)이 배치될 때 (모든 방향으로) 제공되는 제약부와 유사하다. 그러나, 개구(22)의 다른 측(도 4b의 좌측)에서 제약부는, 기판 테이블(WT)은 가스 흐름에 대한 제약부를 실질적으로 제공하지 않으며, 그래서 이는 증가된 유체 전도도의 경로를 제공한다. 도 4c에서, 기판 테이블(WT)은, 개구(22)가 대체로 기판 테이블(WT)에서 벗어나 있도록(즉, 기판 테이블에 인접하여 배치되지 않도록) 배치된다. 이 위치에서, 기판(WT)은 가스 흐름에 대한 제약부를 실질적으로 제공하지 않으며, 그래서 이는 증가된 유체 전도도의 경로가 형성된다.

본 발명자는 또한, 그러한 종래 기술의 구성(도 3 내지 4c를 참조하여 전술한 바와 같은)의 경우, 사용 중에, 기판 테이블(WT)이 개구(22)에 대해 이동함에 따라 그리고 가스(23)의 생성률이 일정하면, 투영 시스템의 내부(21)와 투영 시스템이 외부(예컨대, 기판 테이블(WT)(및 이에 의해 지지되는 기판(W))이 배치되는 부피 또는 공간) 모두에서 압력 변화가 생기게 됨을 알았다. 반대되는 언급이 없다면, 여기서 사용되는 바와 같은, 기판 테이블 "근처"는, 기판 테이블(및 이에 의해 지지되는 기판)이 배치되는 부피 또는 공간의 내부를 의미하는 것임을 알 것이다. 이제 설명하는 바와 같이 그 압력 변화는 바람직하지 않다.

첫째, 이 압력 변화는 가스 흐름에 의해 제공되는 열부하로 인한 기판(W)의 시간 변화 열적 왜곡을 야기할 수 있다.

둘째, 투영 시스템(PS)의 개구(22)에 대한 기판 테이블(WT)의 위치를 정확하게 결정하고 제어하는 것이 중요함을 알 것이다. 전형적인 리소그래피 장치(LA) 내에서, 투영 시스템(PS)의 개구에 대한 기판 테이블(WT)의 위치에 대한 그러한 결정은 전형적으로 간섭 측정 장치를 사용하여 행해진다. 이러한 간섭 측정 장치는 전형적으로, 기판 테이블(WT)에 장착되고 또한 기준체(예컨대, 투영 시스템(PS)이 연결되는 격리 프레임)(그 기준체에 대한 기판 테이블(WT)의 위치를 결정하는 것이 바람직함)에 장착되는 요소를 포함한다. 예컨대, 그러한 간섭 측정 장치는, 투영 시스템이 연결되는 격리 프레임에 장착되는 광원 및 광원에서 나온 빛을 반사시키도록 기판 테이블에 장착되는 미러를 포함한다. 그러한 간섭 측정 장치를 위치 센서라고 할 수 있다. 2개의 그러한 간섭 측정 장치(35)가 기판 테이블(WT)에 장착되어 도 2, 3 및 4a - 4c에 개략적으로 나타나 있다. 이들 간섭 측정 장치(35)는 기준체(예컨대, 투영 시스템(PS)이 연결되는 격리 프레임)에 장착되는 다른 요소(나타나 있지 않음)도 포함함을 알 것이다. 이들 간섭 측정 장치(35)는, 투영 시스템(PS)이 부착되는 격리 프레임에 대한 기판 테이블(WT)의 위치를 정확하게 제어하기 위해, 예컨대, 기판(W)의 상이한 타겟 부분을 패턴화된 방사선 비임(B')의 경로에 위치시키도록 사용될 수 있다.

그러나, 기판 테이블(WT) 주변의 압력이 시간이 지남에 따라 변하면, 그러한 간섭 측정 장치(35)에 의해 결정된 위치에 오차가 생길 것이다. 특히, 빛은, 기판 테이블(WT)(및 이에 의해 지지되는 기판(W))이 배치되는 부피 또는 공간 내의 임의의 원하는 거리에 걸쳐 광원(예컨대, 투영 시스템(PS)이 연결되는 격리 프레임에 있음)으로부터 기판 테이블(WT) 상의 간섭 측정 장치(35)의 일부분까지 진행할 수 있고, 그래서, 이 부피 또는 공간 내에서의 압력 변화는 결정된 위치의 오차를 야기할 수 있다. 그리고 이 오차는 예컨대 형성된 이미지의 오버레이 에러에 기여할 수 있다.

그러한 공지된 구성과는 달리, 장치(22)의 가스 흐름 안내부(중간 부재(24)와 시일링 부재(28)로 형성됨)는, 가스 흐름의 적어도 일부분을 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 안내하도록 구성된다. 이로써, 유리하게도, 전술한 바와 같은 문제가 회피된다.

중간 부재(24)의 추가 상세점을 이제 도 5를 참조하여 논의하며, 이 도는 도 2에 나타나 있는 장치(20)의 일부 부분을 더 상세히 나타낸 것이다. 명확성을 위해, 시일링 부재(28)는 도 5에 나타나 있지 않다(하지만 아래에서 도 6을 참조하여 논의할 것임).

도 2 및 3을 참조하여 위에서 논의된 가스 흐름(23)은 투영 시스템(PS)의 벽에 있는 채널(33)로부터 제공되어, 그 투영 시스템의 본체 또는 하우징의 내벽에 있는 구멍을 지나 내부(21) 안으로 들어가게 된다.

이 실시 형태에서, 중간 부재(24)는, 방사선 비임에 의해 조사되는 기판(W)의 영역(37)(노광 영역(37)이라고 할 수 있음)을 둘러싸는 기판(W)의 일부 영역을 냉각하도록 작동할 수 있다. 이를 달성하기 위해, 중간 부재(24)는 냉각 장치를 포함한다. 기판(W)을 냉각하기 위한 적절한 냉각 장치가 WO2017/005463에 개시되어 있고, 그래서 이는 참조로 관련되어 있다.

도 5에 나타나 있는 바와 같이, 중간 부재(24)는 냉각 부재(36)를 포함하고, 이 냉각 부재는 기판(WT)(이에 의해 지지되는 기판) 보다 낮은 온도로 유지될 수 있다. 예컨대, 냉각 부재(36)는 약 -70℃의 온도로 유지될 수 있다. 기판 테이블(WT)은 그에 의해 지지되는 기판(W)의 안정성을 보장하기 위해 적절한 온도, 예컨대, 약 22℃(이는 예컨대 실리콘 웨이퍼에 적절함)로 유지될 수 있다. 기판 테이블(WT)은, 기판(W)을 기판 테이블(WT)에 클램핑하기에 적절한 클램프(38)(예컨대, 정전기식 클램프)를 포함할 수 있다. 클램프(38) 및 기판 테이블(WT)의 다른 부분에는, 그의 온도(및 그에 의해 지지되는 기판(W)의 온도)를 원하는 온도(예컨대 22℃)로 유지하도록 배치되는 적절한 조화 시스템이 제공될 수 있다.

냉각 부재(36)에는, 이를 원하는 온도로 유지시키도록 적절한 냉각 시스템(예컨대, 냉각제가 순환되는 폐쇄 루프)이 제공될 수 있다. 냉각 부재는 금속으로 형성될 수 있고, 또한 적절한 냉각제가 순환되는 채널(40)이 제공될 수 있다. 적절한 냉각제는 예컨대 질소를 포함할 수 있다.

어떤 실시 형태에서, 중간 부재(24)는 방사선 비임(B')에 의해 조사되는 기판(W)의 노광 영역(37)을 둘러싸는 기판(W)의 일부 영역에 냉각 가스 흐름을 보내도록 작동할 수 있다.

중간 부재(24)의 냉각 부재(36)는 기판 테이블(WT) 보다 낮은 온도로 유지된다. 중간 부재(24)는, 기판 테이블(WT)(및 이에 의해 지지되는 기판(W))과 투영 시스템(PS) 및 배리어(26)를 냉각 부재(36)로부터 열절연시키도록 배치되는 열 차폐부(43)를 더 포함한다.

중간 부재(24)는, 화살표(42)로 개략적으로 나타나 있는 바와 같이, 투영 시스템(PS) 및 기판 테이블(WT)에 대히 이동할 수 있다. 특히, 중간 부재(24)는 기판 테이블(WT)의 면에 대체로 수직인 방향으로 이동할 수 있다. 이제 설명하는 바와 같이, 중간 부재(24)는 적어도 제 1 작동 위치와 제 2 후퇴 위치 사이에서 이동할 수 있다.

중간 부재(24)의 위치는 장치(20)의 구성을 규정할 수 있다. 중간 부재(24)가 제 1 작동 위치에 배치되면, 장치(20)는 제 1 작동 구성으로 있다고 생각할 수 있다. 중간 부재(24)가 제 2 후퇴 위치에 배치되면, 장치(20)는 제 2 후퇴 구성으로 있다고 생각할 수 있다.

사용시, 기판(W)이 방사선 비임(B')에 의해 조사되고 있을 때, 중간 부재(24)는 제 1 작동 위치에 배치될 수 있다. 제 1 작동 위치에 배치될 때, 중간 부재(24)는, 방사선 비임(B')에 의해 조사되는 기판(W)의 노광 영역(37)을 둘러싸는 기판(W)의 일부 영역의 근처에 있을 수 있다. 이러한 구성으로, 중간 부재(24)는, 방사선 비임(B')에 의해 조사되고 있는 기판(W)의 노광 영역(37)을 둘러싸는 기판의 영역 쪽으로 가스가 흐르는 것을 적어도 부분적으로 차단하도록 시일 또는 적어도 제약부로서 작용할 수 있다. 여기서 사용되는 바와 같이, 방사선 비임(B')에 의해 조사되고 있는 기판(W)의 노광 영역(37)을 둘러싸는 기판(W)의 일부 영역의 근처에 중간 부재(24)가 있다라는 말은, 중간 부재(24)와 기판(W) 사이의 틈새(44)를 통과하는 유체 전도도가 중간 부재(24)와 투영 시스템(PS) 사이에 규정된 경로를 통과하는 유체 전도도 보다 상당히 작도록 되기에 충분히 가깝다는 것을 의미한다. 즉, 냉각 부재(36)를 통해 흐르고 이어서 중간 부재(24)와 기판(W) 사이를 흐르는 경로(46)의 유체 전도도는, 중간 부재(24)와 투영 시스템(PS) 사이에 규정된 경로(48)를 통과하는 유체 전도도 보다 상당히 작다.

도 6을 참조하여 더 논의하는 바와 같이, 중간 부재(24)는, 중간 부재(24)와 투영 시스템(PS) 사이에 규정된 경로(48)를 따라 흐르는 가스가 일반적으로 기판 테이블(WT)로부터 멀어지게 안내되도록 구성된다.

사용시, 기판(W)이 방사선 비임(B')에 의해 조사되고 있을 때, 중간 부재(24)는 제 1 작동 위치에(기판(W)의 근처에) 배치되지만, 예컨대 중간 부재(24)가 기판(W)과 접촉하는 것을 방지하기 위해 그 중간 부재는 제 2 후퇴 위치로 투영 시스템(PS) 및 기판 테이블(WT)에 대해 이동할 수 있는(화살표(42)로 나타나 있는 바와 같이) 것이 바람직하다. 예컨대, 기판 테이블(WT)이 신속하게 그리고/또는 예측 불가능하게 중간 부재(24) 쪽으로 이동하면, 기판(W)과 중간 부재(24) 사이의 접촉을 피하도록 중간 부재(24)를 이동시키는 것이 바람직할 수 있다. 제어 불가능의 상황이 일어나는 경우에, 중간 부재(24)는 예컨대 ±4 mm 정도로 이동하는 것이 바람직할 수 있다. 예컨대, 기판 테이블(WT) 위치 설정 모듈이 계획하지 않게도 빠르게 위쪽으로 이동하는 경우, 중간 부재가 접촉을 피하기에 충분히 이동할 수 없다면, 기판 테이블(WT)과 중간 부재(24)에 상당한 손상이 있게 될 것이다.

추가적으로 또는 대안적으로, 중간 부재(24)와 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W) 사이의 틈새(44)를 조절할 수 있는 것이 바람직하다.

어떤 실시 형태에서, 가스 흐름 안내부(중간 부재(24)와 시일링 부재(28)에 의해 형성될 수 있음)는 개구(22)를 통과하는 가스 흐름의 적어도 일부분을 실질적으로 고정된 유체 전도도의 유체 경로를 따라 안내하도록 구성된다. 예컨대, 중간 부재(24)와 시일링 부재(28)에 의해 형성되는 가스 흐름 안내부는 가스(23)의 일부분(30)을 실질적으로 고정된 유체 전도도의 경로(통로(32)를 포함함)를 따라 안내한다. 가스 흐름 안내부는, 장치(20)가 제 1 작동 구성으로 있을 때(예컨대, 중간 부재(24)가 제 1 작동 위치에 있을 때) 가스 흐름의 적어도 일부분을 실질적으로 고정된 유체 전도도의 유체 경로를 따라 안내하도록 구성될 수 있음을 알 것이다.

유리하게는, 개구(22)를 통과하는 가스 흐름의 적어도 일부분을 실질적으로 고정된 유체 전도도의 유체 경로를 따라 안내함으로써, 유체 로크에 의한 가스(23)의 생성률이 일정할 때, 투영 시스템(PS)의 내부(21) 내의 또는 기판 테이블(WT) 근처의 압력의 변화가 실질적으로 없을 것이다.

어떤 실시 형태에서, 가스 흐름 안내부는, 개구(22)를 통과해 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름의 절반 이상이 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)으로부터 멀어지도록 구성될 수 있다. 가스 흐름 안내부는, 장치(20)가 제 1 작동 구성으로 있을 때(예컨대, 중간 부재(24)가 제 1 작동 위치에 있을 때) 개구(22)를 통과해 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름의 절반 이상이 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)으로부터 멀어지도록 구성될 수 있다.

즉, 가스 흐름 안내부는 가스를 주 경로를 따라 안내한다고 생각할 수 있고, 주 경로는 개구(22)를 통과해 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름의 절반 이상을 받는다. 개구(22)를 통과해 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름의 절반 이상이 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)으로부터 멀어지도록 보장하는 것은, 가스 흐름의 적어도 일부분이 가스 안내부에 의해 안내될 때 따르는 유체 경로의 유체 전도도가 충분히 높은 것을 보장함으로써 달성된다.

어떤 실시 형태에서, 가스 흐름 안내부는, 개구(22)를 통과해 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름의 적어도 80%가 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)으로부터 멀어지게 안내되도록 구성될 수 있다. 어떤 실시 형태에서, 가스 흐름 안내부는, 개구(22)를 통과해 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름의 적어도 90%가 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)으로부터 멀어지게 안내되도록 구성될 수 있다.

어떤 실시 형태에서, 가스 흐름 안내부는, 개구(22)를 통과해 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름의 일부분을 다른 가용 유체 경로 보다 큰 유체 전도도를 갖는 유체 경로를 따라 안내하도록 구성된다. 가스 흐름 안내부는, 장치(20)가 제 1 작동 구성으로 있을 때, 개구(22)를 통과해 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름의 일부분을 다른 가용 유체 경로 보다 큰 유체 전도도를 갖는 유체 경로를 따라 안내하도록 구성될 수 있음을 알 것이다. 이러한 구성으로, 가스는 우선적으로 상기 유체 경로를 따라 흐를 것이다.

추가적으로 또는 대안적으로, 개구(22)를 통과해 내부(21)로부터 멀어지는 가스 흐름의 절반 이상이 기판 테이블(WT)에 의해 지지되는 기판(W)으로부터 멀어지도록 보장하는 것은, 가스 흐름의 일부분이 가스 안내부에 의해 안내될 때 따르는 유체 경로에서의 압력차가 충분히 높은 것을 보장함으로써 달성된다. 어떤 실시 형태에서, 가스 흐름 안내부는 유체 경로를 따르는 가스 흐름의 일부분을 흡인하도록 배치되는 펌프를 포함할 수 있다. 이 펌프는 예컨대 진공 펌프를 포함할 수 있다.

여기서 사용되는 바와 같이, 시일링 요소(28)는 투영 시스템(PS)의 개구(22)의 실질적으로 전체 둘레 주위에서 투영 시스템의 본체의 벽과 시일링 관계에 있다 라는 말은, 시일링 요소(28)와 투영 시스템(26)의 본체의 벽 또는 배리어(26) 사이의 틈새를 통과하는 유체 전도도가 대안적인 배출 경로를 통과하는(예컨대, 통로(32)에 의해 제공되는 바와 같이, 투영 시스템의 본체의 벽 내부에 형성된 공동부 안으로 들어가는) 유체 전도도 보다 상당히 작음을 의미함을 알 것이다.

이제 시일링 부재(28)의 특정한 실시 형태를 도 6을 참조하여 논의하며, 그 도는 본 발명의 실시 형태에 따른 장치(50)를 나타낸다. 도 2 및 5에 있는 장치의 대응하는 요소에 대체로 상당하는 도 6의 장치(50)의 요소는 그와 공통의 참조 번호를 공유함을 알 것이다. 명료성을 위해, 기판 테이블과 기판은 도 6에 나타나 있지 않다.

이 실시 형태에서, 투영 시스템(PS)의 본체의 벽은, 내부(21)(및 개구(22))를 규정하는 내벽(52), 및 외벽(54)을 포함한다고 생각할 수 있다. 공동부(56)가 내벽(52)과 외벽(54)에 의해 규정된다.

경로(58)가 중간 부재(24)와 투영 시스템(PS)의 내벽(52) 사이에 규정된다. 중간 부재(24)와 투영 시스템(PS) 사이에 규정된 이 경로(58)를 따라 흐르는 가스를 투영 시스템(PS)의 본체의 벽 내부에 형성된 공동부(56) 안으로 안내하도록 시일링 부재가 제공된다.

이 실시 형태에서, 시일링 부재는 중간 부재(24)의 열 차폐부(43)에 제공되는 플랜지부(60)를 포함한다. 이 플랜지부(60)는 중간 부재(24)의 열 차폐부(43)의 주 부분에 대체로 수직하게 그 주 부분으로부터 연장되어 있다. 플랜지부(60)는 투영 시스템(PS)의 내벽(52)과 외벽(54) 사이에 형성된 공동부(56) 안으로 연장되어 있다. 플랜지부(60)와 투영 시스템(PS)의 본체의 외벽(54)의 하측 플랜지부(62) 사이에 틈새(64)가 제공된다. 이 틈새(64)는, 중간 부재(24)가 투영 시스템(PS)의 본체의 외벽(54)에 대해 이동할 수 있게 해주면서, 플랜지부(60)(시일링 요소(28)를 제공함)가 그 외벽과 시일링 관계에 있을 수 있게 해준다.

도 5에 나타나 있는 장치(50)의 플랜지부(60)는 도 2에 나타나 있는 장치(20)의 시일링 요소(28)에 상당하고 또한 그의 일 실시 형태라고 생각될 수 있음을 알 것이다. 또한, 도 5에 나타나 있는 장치(50)의 투영 시스템(PS)의 내벽(52)과 외벽(54) 사이에 형성된 공동부(56)는 도 2에 나타나 있는 장치(20)의 통로(32)에 상당하고 또한 그의 일 실시 형태라고 생각될 수 있음을 알 것이다.

어떤 실시 형태에서, 시일링 요소(28)는 중간 부재(24)와 투영 시스템(PS)의 본체의 벽 사이에 연결되는 가요성 막을 포함할 수 있다. 예컨대, 어떤 실시 형태에서, 그러한 가요성 막은 중간 부재(24)의 열 차폐부(43)의 플랜지부(60) 대신에 제공될 수 있고, 중간 부재(24)의 열 차폐부(43)와 투영 시스템(PS)의 본체의 외벽(54)의 하측 플랜지부(62) 사이에 연결될 수 있다. 대안적으로, 어떤 실시 형태에서, 그러한 가요성 막은 중간 부재(24)의 열 차폐부(43)의 플랜지부(60)에 추가로 제공될 수 있고, 열 차폐부(43)의 플랜지부(60)와 투영 시스템(PS)의 본체의 외벽(54)의 하측 플랜지부(62) 사이에 연결될 수 있다. 그러한 가요성 막은, 중간 부재(24)가 투영 시스템(PS)의 본체의 벽에 대해 이동할 수 있게 해주면서, 중간 부재(24)가 그 본체의 벽과 시일링 관계에 있을 수 있게 해준다.

본 명세서에서 IC의 제조에서 특히 리소그래피 장치의 사용을 구체적으로 참조할 수 있지만, 여기서 설명되는 리소그래피 장치는 다른 용례를 가질 수 있음을 이해할 것이다. 가능한 다른 용례는 통합형 광학 시스템, 자기 도메인 메모리를 위한 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조를 포함한다.

본 명세서에서 리소그래피 장치와 관련하여 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 참조할 수 있지만, 본 발명의 실시 형태는 다른 장치에도 사용될 수 있다. 본 발명의 실시 형태는 마스크 검사 장치, 계측 장치 또는 웨이퍼(또는 다른 기판) 또는 마스크(또는 다른 패터닝 장치)와 같은 대상물을 측정 또는 처리하는 장치의 일부분을 형성할 수 있다. 이들 장치는 일반적으로 리소그래피 도구라고 할 수 있다. 이러한 리소그래피 도구는 진공 조건 또는 주변(비진공) 조건을 사용할 수 있다.

광학 리소그래피와 관련하여 위에서 특히 본 발명의 실시 형태의 사용을 구체적으로 참조했지만, 상황이 허용하는 경우 본 발명은 광학 리소그래피에 한정되지 않고 다른 용례, 예컨대, 임프린트 리소그래피에도 사용될 수 있음을 알 것이다.

본 발명의 특정한 실시 형태를 위에서 설명했지만, 본 발명은 설명된 바와는 다르게 실시될 수 있음을 알 것이다. 위의 설명은 실례를 들기 위한 것이지 한정적인 것이 아니다. 따라서, 아래에 주어진 청구 범위에서 벗어 남이 없이, 설명된 바와 같은 본 발명에 대한 수정이 이루어질 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (20)

1. 기판을 지지하기 위한 기판 테이블;
   본체를 갖는 투영 시스템 - 상기 본체는 내부와 개구를 규정하고, 상기 투영 시스템은 방사선 비임을 상기 개구를 통해 상기 기판 테이블에 의해 지지되는 기판 상에 투영하도록 구성 및 배치됨 -;
   상기 내부로부터 멀어지게 상기 개구에서 나오는 가스 흐름을 제공하기 위한 가스 로크(lock); 및
   상기 가스 흐름의 적어도 일부분을 상기 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 안내하도록 구성된 가스 흐름 안내부를 포함하는 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 가스 로크는, 상기 개구를 통과하고 또한 상기 내부로부터 멀어지는 가스 흐름을 제공하도록 배치되어 있는, 장치.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 가스 흐름 안내부는 상기 가스 흐름의 적어도 일부분을 실질적으로 고정된 유체 전도도의 유체 경로를 따라 안내하도록 구성되어 있는, 장치.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 가스 흐름 안내부는, 상기 내부로부터 멀어지게 상기 개구에서 나오는 가스 흐름의 절반 이상이 상기 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 향도록 구성되어 있는, 장치.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 가스 흐름 안내부는, 상기 가스 흐름의 상기 적어도 일부분을 다른 가용 유체 경로 보다 큰 유체 전도도를 갖는 유체 경로를 따라 안내하도록 구성되어 있는, 장치.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 가스 흐름 안내부는 가스 흐름의 상기 적어도 일부분을 유체 경로를 따라 흡인하도록 배치되는 펌프를 포함하는, 장치.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 기판 테이블을 투영 시스템의 상기 개구에 대해 이동시키기 위한 이동 기구를 더 포함하는 장치.
8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 장치는 상기 개구와 기판 테이블 사이에 배치되는 중간 부재를 더 포함하고, 상기 가스 흐름 안내부는 상기 중간 부재와 투영 시스템 사이에 규정된 경로를 포함하는, 장치.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 중간 부재는, 중간 부재와 투영 시스템 사이에 규정된 경로를 따라 흐르는 가스를 투영 시스템의 본체의 벽 내부에 형성된 공동부 안으로 보내도록 구성되어 있는, 장치.
10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 중간 부재는 상기 투영 시스템의 본체의 벽 쪽으로 연장되어 있는 시일링 요소를 포함하고, 시일링 요소는 투영 시스템의 개구의 실질적으로 전체 둘레 주위에서 상기 본체의 벽과 시일링 관계에 있는, 장치.
11. 제 10 항에 있어서,
    상기 시일링 요소는 강성 플랜지부를 포함하고, 시일링 요소가 시일링 관계에 있는 상기 투영 시스템의 본체의 벽의 일부분과 강성 플랜지부 사이에 틈새가 제공되어 있는, 장치.
12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 중간 부재와 상기 투영 시스템의 본체의 벽 사이에 연결되는 가요성 막을 더 포함하는 장치.
13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중간 부재는 적어도 제 1 작동 위치와 제 2 후퇴 위치 사이에서 상기 투영 시스템에 대해 이동 가능한, 장치.
14. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중간 부재는 상기 방사선 비임에 의해 조사(irradiating)되는 기판의 영역을 둘러싸는 기판의 소정 영역을 냉각하도록 작동 가능한, 장치.
15. 제 14 항에 있어서,
    상기 중간 부재는 상기 방사선 비임에 의해 조사되는 기판의 영역을 둘러싸는 기판의 소정 영역에 냉각 가스 흐름을 보내도록 작동 가능한, 장치.
16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 중간 부재는, 기판 테이블 보다 낮은 온도로 유지되는 냉각 부재를 포함하고, 또한 상기 기판 테이블 및/또는 투영 시스템을 상기 냉각 부재로부터 단열시키도록 배치되는 열 차폐부를 더 포함하는, 장치.
17. 리소그래피 장치로서,
    방사선 비임을 조절하도록 구성되어 있는 조명 시스템;
    패턴화된 방사선 비임을 형성하기 위해 상기 방사선 비임의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 장치를 지지하도록 구성되어 있는 지지 구조물; 및
    제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 따른 장치를 포함하고,
    투영 시스템은 패턴화된 방사선 비임을 수광하여 기판 테이블에 의해 지지되는 기판 상에 투영하도록 구성되어 있는, 리소그래피 장치.
18. 본체를 갖는 투영 시스템을 포함하는 장치를 작동시키는 방법으로서, 상기 본체는 내부와 개구를 규정하고,
    기판을 기판 테이블 상에 배치하는 단계;
    방사선 비임을 상기 투영 시스템의 개구를 통해 기판 테이블에 의해 지지되는 기판 상에 투영하는 단계;
    상기 내부로부터 멀어지게 상기 개구에서 나오는 가스 흐름을 제공하는 단계; 및
    상기 가스 흐름의 적어도 일부분을 상기 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 안내하는 단계를 포함하는 방법.
19. 제 18 항에 있어서,
    상기 장치는 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 따른 장치를 포함하는, 방법.
20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 개구에서 나오는 가스 흐름을 상기 내부로부터 멀어지게 그리고 상기 기판 테이블에 의해 지지되는 기판으로부터 멀어지게 흡인하는 단계를 더 포함하는, 방법.

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