KR20200115119A

KR20200115119A - 마더보드 접지가 필요 없는 스냅-온 전자기 간섭(emi)-실딩

Info

Publication number: KR20200115119A
Application number: KR1020200024416A
Authority: KR
Inventors: 재진 이; 쥔 랴오; 샹 리; 크리스토퍼 이. 콕스
Original assignee: 인텔 코포레이션
Priority date: 2019-03-29
Filing date: 2020-02-27
Publication date: 2020-10-07
Also published as: EP3716010A1; US20190229473A1; JP7467818B2; US10938161B2; EP3716010B1; CN111757587A; JP2020167381A

Abstract

디바이스는 인쇄 회로 보드(PCB) 및 PCB를 위한 실드를 포함한다. 실드는 PCB의 하나 이상의 컴포넌트에 의해 생성된 고주파 전자기 주파수(EMF) 노이즈를 감소시킬 수 있다. PCB는 대응하는 커넥터와 인터페이스하는 패드들을 포함한다. 예를 들어, 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM) PCB에 대해, PCB는 DIMM 커넥터에 삽입하기 위한 패드들을 포함한다. 실드는 대응하는 커넥터에서의 클립들과 정렬하는 그의 둘레에서의 갭을 포함한다. 갭들은, 실드가 PCB에 부착할 수 있게 하기 위해, 대응하는 커넥터와 인터페이스하는 PCB의 유사한 피처들에 대응할 것이다. 실드는, 대응하는 커넥터와 인터페이스하는 실드의 커넥터-페이싱 에지로부터 연장되어, 실드를 대응하는 커넥터와 정렬시키기 위한 로크 핑거들을 포함한다.

Description

마더보드 접지가 필요 없는 스냅-온 전자기 간섭(EMI)-실딩{SNAP-ON ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE (EMI)-SHIELDING WITHOUT MOTHERBOARD GROUND REQUIREMENT}

설명들은 일반적으로 방사된 전자기 간섭(EMI)에 대한 실딩에 관한 것이고, 더 구체적인 설명들은 마더보드 접지를 필요로 하지 않는, 필요에 따른 EMI 실딩(as-needed EMI shielding)에 관한 것이다.

고속 통신을 하는 전자 디바이스들은 그것들이 동작할 때 고주파수 노이즈를 생성한다. 인쇄 회로 보드(PCB)의 신호 라인들에서의 고속 통신은 신호 라인들이 신호들을 송신하는 동안 전자기(EM) 에너지를 방출하게 한다. EM 에너지의 방출은 EM 주파수(EMF) 노이즈에 기초한 전자기 간섭(EMI)을 초래하며, 여기서 노이즈는 방출된 신호 에너지이며, 이는 다른 시그널링과 간섭할 수 있다.

예로서, 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)들은 고속 통신을 수행하는 메모리 디바이스들을 포함한다. 통상적으로, DIMM들은 더블 데이터 레이트(DDR) 메모리 디바이스들로 채워지는데, 이는 DDR 메모리 스펙트럼이 다수의 무선 대역에 속하고 상당한 무선 주파수 탈-감지(de-sense) 문제들을 야기하기 때문에 상당한 무선 주파수 간섭(RFI)의 전통적인 소스이다. 메모리 속도가 증가하고 시스템 폼 팩터가 감소함에 따라, 종래의 DDR 물리 계층 설계들은 심각한 무선 성능 및 사용자 경험 이슈들로 이어질 것이다.

다가오는 DDR5(더블 데이터 레이트 버전 5) 메모리 기술은 최대 6400MT/s(mega transfers per second(초당 메가 전송수))까지의 데이터 레이트들을 지원할 것이다. 따라서, 메모리 버스, 5G-무선 및 WiFi 통신들은 유사한 동작 주파수들을 갖는다. 따라서, 잠재적인 메모리 RFI 위험이 중요할 것이다.

종래의 DIMM 실딩은 메모리 칩들 자체들을 커버하는 온-보드 실드(on-board shield)들에 의존하고, PCB 상에 무언가를 장착하는 것을 요구한다. 온-보드 실드들의 구현은 매우 제한되고 PCB 라우팅에 의해 영향을 받는다. 따라서, 일관성 없는 실딩 효과가 존재하여, 상당한 양의 누설을 초래한다. 실딩에 대한 다른 종래의 접근법은 마더보드 접지 방식이며, 여기서 실드는 마더보드 접지에 전기적으로 접속된다. 이러한 방식은 설계 복잡성 및 제조 복잡성을 증가시키는 배선 또는 커넥터들 또는 접속들을 통상적으로 수반한다.

이하의 설명은 구현의 예로서 주어진 예시들을 갖는 도면들에 대한 논의를 포함한다. 도면들은 제한이 아닌 예로서 이해되어야 한다. 본 명세서에서 이용되는 것과 같이, 하나 이상의 "예"에 대한 참조들은 본 발명의 적어도 하나의 구현에 포함된 특정의 피처, 구조 또는 특성을 설명하는 것으로 이해되어야 한다. 본 명세서에 나타나는 "하나의 예에서" 또는 "대안적인 예에서"와 같은 문구들은 본 발명의 구현들의 예들을 제공하고, 반드시 모두 동일한 구현을 지칭하는 것은 아니다. 그러나, 그것들은 또한 반드시 상호 배타적인 것은 아니다.
도 1a는 스냅 온 실드(snap on shield)에 대한 국부적 접지가 없는 PCB(printed circuit board(인쇄 회로 보드))의 일 예의 블록도이다.
도 1b는 이동식 실드에 대한 국부적 접지 패드들이 있는, 대응하는 커넥터와 인터페이스된 PCB(인쇄 회로 보드)의 일 예의 블록도이다.
도 1c는 국부적 접지 패드들과 맞물리고, 대응하는 커넥터에 부착된 이동식 실드가 있는 PCB(인쇄 회로 보드)의 일 예의 블록도이다.
도 2는 이동식 실드를 대응하는 커넥터에 상호접속시키는 예의 도식적 표현이다.
도 3a는 비실드형 디바이스로부터의 전자기 노이즈의 일 예를 나타내기 위한 다이어그램이다.
도 3b는 실드형 디바이스로부터의 전자기 노이즈의 예를 나타내기 위한 다이어그램이다.
도 4a 내지 도 4d는 실드를 국부적 인쇄 회로 보드(PCB)에 접지시키는 예들의 도식적 표현들이다.
도 5는 접지된 실드에 의해 둘러싸인 PCB 컴포넌트들의 예의 블록도이다.
도 6은 필요에 따른 접지된 실딩을 적용하기 위한 프로세스의 일 예의 흐름도이다.
도 7은 접지된 실딩이 구현될 수 있는 메모리 서브시스템의 일 예의 블록도이다.
도 8은 접지된 실딩이 구현될 수 있는 컴퓨팅 시스템의 일 예의 블록도이다.
도 9는 접지된 실딩이 구현될 수 있는 모바일 디바이스의 일 예의 블록도이다.
일부 또는 모든 예들을 도시할 수 있는 도면들의 비제한적인 설명들 및 또한 다른 잠재적인 구현들을 포함하는, 특정 상세들 및 구현들의 설명들이 뒤따른다.

본 명세서에 설명된 바와 같이, 디바이스는 인쇄 회로 보드(PCB) 및 PCB에 대한 실드를 포함한다. 실드는 PCB의 하나 이상의 컴포넌트에 의해 생성된 고주파 전자기 주파수(EMF) 노이즈를 감소시킬 수 있다. EMF 노이즈는, 특히 방출된 노이즈의 주파수 범위가 다른 컴포넌트들의 동작 주파수와 동일한 범위에 있을 때, 다른 시스템 컴포넌트들의 동작에서 간섭을 야기할 수 있다. 간섭은 전자기 간섭(EMI)으로 지칭될 수 있다. 실드는 PCB에 접지되고, 방출된 노이즈의 양을 감소시킴으로써 시스템 컴포넌트들에 대한 EMI를 감소시킨다.

PCB는 대응하는 커넥터와 인터페이스하는 패드들을 포함한다. 갭들은, 실드가 PCB에 부착할 수 있게 하기 위해, 대응하는 커넥터와 인터페이스하는 PCB의 유사한 피처들에 대응할 것이다. 실드는, 실드로부터, 대응하는 커넥터와 인터페이스하는 PCB를 넘어 연장되어, 실드를 대응하는 커넥터와 정렬시키기 위한 로크 핑거(lock finger)들을 포함한다. 예를 들어, 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM) PCB에 대해, PCB는 DIMM 커넥터에 삽입하기 위한 패드들을 포함한다. 이러한 구현에서, DIMM에 대한 실드는 대응하는 DIMM 커넥터에서의 클립들과 정렬하는 그 둘레에서의 갭을 포함할 수 있다. 로크 핑거들은 DIMM 커넥터에서의 기존 슬롯들 내로 확장되고 DIMM PCB에 대한 양호한 노이즈 감소를 제공할 수 있다.

일 예에서, 실드는 이동식이다. 실드는 "스냅 온(snap on)" 실드로서 지칭될 수 있는데, 그 이유는 그것이 솔더 또는 접착제/에폭시와 같은 영구적 또는 반영구적 장착 전략을 요구하지 않고서 PCB 상의 접지에 접속될 수 있기 때문이다. 이동식 또는 스냅 온 실드는 필요에 따른 실딩을 제공할 수 있다. 예를 들어, 주어진 PCB에 대해, 실딩이 필요할 때, 실드는 실드 자체의 피처들로 또는 대응하는 커넥터의 피처들로, 또는 피처들 양자 모두의 조합으로 제 자리에 고정되고 포함될 수 있다. 동일한 주어진 PCB에 대해 실딩이 필요하지 않을 때, PCB는 접지 콘택들을 포함할 수 있지만, 실드는 포함되지 않는다.

EMI 실딩에 더하여, 스냅 온 실드는 PCB에 대한 열 솔루션을 제공할 수 있다. 실딩을 제공하는 금속은 또한 보드 상의 능동 컴포넌트들로부터 멀리 열을 전도하고 열을 소산시키는 데 도움을 줄 수 있다. 일 예에서, 스냅 온 실드는 PCB 상의 접지 콘택들에 접속하고- 이는 국부적 접지로서 지칭될 수 있음 -, 마더보드 접지에 접속될 필요가 없다. 마더보드 접지에 대한 접속은 실딩에 대한 양호한 노이즈 플로어를 보장하기 위해 시스템 접지를 제공할 수 있다. PCB의 국부적 접지에 대한 접속은 PCB에 대한 적절한 접속으로 효과적인 실딩을 여전히 제공할 수 있다.

본 명세서에 설명된 실드는 무선 통신을 위한 다수의 무선 대역의 스펙트럼 내에 속하는 무선 주파수 간섭(RFI)을 생성하는 통신 주파수를 갖는 더블 데이터 레이트(DDR) 메모리에도 효과적이다. DIMM 실딩로서 설명된 실딩을 적용하는 것은 메모리 디바이스들로부터의 무선-간섭 노이즈 방사를 감소시킨다. 따라서, 그것은 더 작은 폼 팩터들 및 더 높은 통신 주파수들로도 시스템이 신뢰성 있는 무선 성능 및 양호한 사용자 경험을 유지하는 것을 허용한다.

본 명세서에 설명된 바와 같이, 이동식 실드는 마더보드 접지에 접속할 필요가 없다. 마더보드 접지에 접속할 필요가 없는 것은 시스템 엔지니어들이 보드 수정 또는 재-스핀(re-spin) 없이 PCB들 상에 실드를 설치하는 것을 허용할 수 있다. 일 예에서, 이동식 실드는 RFI 위험이 존재하는 PCB들 상에 선택적으로 후-설치될 수 있다. 일 예에서, 실드는 DIMM 상의 메모리 디바이스들에 대한 열 솔루션으로서 수행될 수 있다. 실드는 또한 메모리 디바이스들에 대해서가 아닌 PCB 상의 다른 컴포넌트들에 대한 열 솔루션일 수 있다.

도 1a는 스냅 온 실드(snap on shield)에 대한 국부적 접지가 없는 PCB(printed circuit board(인쇄 회로 보드))의 일 예의 블록도이다. 시스템(100)은 커넥터(110), PCB(120), 및 실드(140)를 포함한다. PCB(120)는 능동 컴포넌트들이 장착되는 회로 보드(구체적으로 도시되지 않음)를 나타낸다. PCB는 커넥터(110)를 통해 마더보드 또는 1차 회로 보드에 접속될 회로를 나타낸다. 커넥터(110)는 PCB(120)와 대응하는데, 그 이유는 커넥터가 PCB를 시스템 컴포넌트로서 더 큰 시스템에 상호접속시키기 때문이다.

PCB(120) 상에 장착된 컴포넌트들은 동작 동안 EMI 노이즈를 생성한다. EMI를 실드하지 않는 것은 통신 회로들과 같은, 도 1에 도시되지 않은 시스템(100)의 다른 컴포넌트들을 교란시킬 가능성을 갖는다. 실드(140)는 PCB(120)에 의해 생성된 EMI 노이즈의 효과를 감소시킨다.

커넥터(110)는 다른 시스템 컴포넌트들에 접속하기 위해 시스템 레벨 보드에 결합하기 위한 핀들(112)을 포함한다. 예를 들어, PCB(120)가 메모리 모듈인 경우, 핀들(112)은 프로세서가 장착되는 시스템 보드에 접속할 수 있다. PCB(120)가 프로세서를 포함하는 경우, 핀들(112)은 주변 디바이스들에 결합하기 위해 접속 보드에 접속할 수 있다. PCB(120) 상의 패드들(122)은 커넥터(110)의 핀들(112)에 대응한다. 패드들(122)은 PCB(120) 상의 트레이스들을 통해 PCB 상의 컴포넌트들에 접속한다. 핀들(112)은 그 동일한 트레이스들을 다른 시스템 컴포넌트들에 접속시킨다.

커넥터(110)는, 핀들(112)로부터 멀리 연장되고 패드들(122)과 핀들(112) 사이의 충분한 전기적 콘택을 보장하기 위해 PCB(120)를 고정하도록 동작하는 아암(114)을 포함한다. 통상적으로, 시스템(100)에 예시된 바와 같이 커넥터의 양 측부 상에 아암들이 있을 것이다. 아암(114)의 단부에서, 커넥터(110)는 탭(116)을 포함한다. 탭(116)은 PCB(120)를 고정하는 하나 이상의 피처를 나타낸다. 탭(116)은 PCB(120)와의 기계적 인터페이스를 제공하기 위한 탭, 클립, 핀, 또는 다른 메커니즘일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 통상적으로, 아암(114)은 PCB(120)를 커넥터(110)에 정렬시키고, 탭(116)은 예컨대 PCB(120)를 밀기 위해 스프링력을 인가하는 것에 의해, 아암에 PCB(120)를 고정한다. 일 예에서, 아암(114)은 PCB(120)의 노치(124)와 정렬하는 정렬 탭(구체적으로 식별되지 않음)을 포함하는 한편, 하나 이상의 다른 탭은 커넥터(110)에 대해 실드 및 PCB를 고정한다. 탭(116)은 PCB(120)를 고정하기 위해 사용되는 기존 커넥터 아암들의 유지 탭으로서 지칭될 수 있다.

커넥터(110)의 탭(116)은 PCB(120)의 노치(124)와 정렬할 수 있다. 노치(124)는 커넥터(110)의 기계적 피처들과 정렬하기 위해 탭을 허용 및 정렬하기 위한 메커니즘을 나타낸다. 실드(140)는 PCB(120)를 커버하고, 또는 더 구체적으로, PCB(120)의 노이즈-생성 컴포넌트들을 커버한다. 통상적으로, 실드(140)는 PCB(120)의 한 측부만을 커버한다. 실드(140)는 커넥터(110)에 접속되는 동안 실드가 PCB(120)에 이동식으로 고정될 수 있게 하기 위해 커넥터(110)의 탭(116) 및 아암(114)과 인터페이스하는 피처들을 포함한다.

일 예에서, 실드(140)는 핑거(142)로 표현되는 로킹 핑거들을 포함한다. 핑거(142)는 커넥터(110)의 슬롯(118) 내로 연장된다. 슬롯(118)은 핀들(112) 중 마지막 것과 아암(114) 사이의 갭 또는 공간을 나타낸다. 따라서, 커넥터(110)는, 커넥터(110)와 실드(140)의 상호접속에 기계적 안정성을 제공하기 위해 핑거(142)가 삽입될 수 있는 공간을 포함한다. 일 예에서, 실드(140)는 로크 핑거들(142) 및 플랜지들(144)을 포함한다. 일 예에서, 실드(140)는 클립들(명시적으로 도시되지 않음)을 포함한다. 클립은 PCB(120) 상으로 클리핑하거나 커넥터(110) 상으로 클리핑하기 위한 실드(140)의 일부일 수 있거나, PCB(110) 상으로 클리핑하고 커넥터(110) 상으로 클리핑하는 양자 모두를 하기 위한 클립들일 수 있다.

일 예에서, 실드(140)는 플랜지(144)를 포함한다. 예시된 바와 같이, 플랜지(144)는 갭들(146)을 제외하고, 실드(140)의 전체 둘레 주위에 연장된다. 갭(146)은 PCB(120)의 노치(124)와 대응하거나 이와 정렬된다. 일 예에서, 플랜지(144)는 탭 또는 채널과 같은 아암(114)의 피처 아래에서 또는 그 내에서 슬라이딩한다. 일 예에서, 아암(114)과 인터페이스할 PCB(120)의 에지들에 대응하는 에지들 상의 플랜지(144)는 플랜지가 채널 또는 탭과의 기계적 콘택을 가질 수 있게 하고, 따라서 PCB(120)를 고정하기 위해 사용된 동일한 고정력이 또한 실드(140)를 고정할 수 있다. 갭(146)은 노치(124)와 정렬할 수 있고, 따라서 커넥터(110)의 탭 또는 피처와 정렬할 수 있다. 예를 들어, 아암(114)은 노치(124) 및 갭(146) 내에 끼워 맞춰질 돌출 요소를 포함할 수 있다. 이러한 돌출 요소는 PCB(120)의 측부들(얇은 측부들)을 향해 스프링력을 제공할 수 있다. 아암(114)의 다른 탭 피처들은 PCB(120)의 상부 표면(즉, 시스템(100)의 다이어그램을 볼 때 보이는 표면) 상에 하향력을 제공할 수 있다. PCB(120)의 상부 표면을 밀거나 당기는 힘은 또한 플랜지(144)를 밀거나 당겨서 PCB(120)에 대해 실드(140)를 고정할 수 있다.

PCB(120)와 커넥터(110) 사이의 직선 화살표는 PCB(120)가 그 방향으로 커넥터(110) 내로 삽입되는 것을 나타낸다. 실드(140)와 PCB(120) 사이의 곡선 화살표는 실드(140)가 PCB(120)의 도시된 표면을 커버하는 것을 나타낸다. PCB(120)의 도시된 표면은 접지 패드들(grounding pads)로서 또한 지칭될 수 있는 다수의 접지 패드(130)를 포함한다. 접지 패드들(130)은 연관된 간격(132)을 갖는다. 간격(132)은 PCB(120)의 둘레를 따른 인접한 접지 패드들(130) 사이의 공간을 나타낸다. 일 예에서, 간격(132)은 1/10 람다(λ) 이하이며, 여기서 λ는 실드되고 있는 노이즈의 중심 주파수의 파장을 나타낸다. 예를 들어, 5GHz를 중심으로 하는 노이즈 주파수의 경우, 파장은 λ = v/f = 3x10^8/5x10^9 = 0.6 미터이어서, λ/10은 6mm이다.

접지 패드들(130)은 PCB(120)의 국부적 접지에의 전기적 접속을 제공한다. 국부적 접지는 PCB(120) 상에 장착된 컴포넌트들에 대한 접지 기준을 지칭한다. 일 예에서, 접지는 PCB(120) 내의 하나 이상의 접지 평면을 통해 제공된다. 접지 평면은 다수의 PCB(120)의 하나의 층으로서 이해될 것이다. 접지 평면은 PCB 내의 신호 라인 라우팅 및 비아들에 대한 특정 틈들을 가질 것이다. 따라서, 평면은 반드시 배타적으로 접지 층 상의 접지 도전체인 것은 아니지만, 주로 접지 도전체이다. PCB(120)의 국부적 접지는 통상적으로 커넥터(110)를 통해 시스템 접지에 전기적으로 결합되지만, 그것은 시스템 접지에서 약간 플로팅할 수 있다. 실드(140)는 PCB(120)의 접지에 접속될 수 있고, 시스템 접지에 직접 접속될 필요가 없지만, 커넥터(110)를 통해 시스템 접지에 접속할 수 있다. 전통적으로, 실드는, 마더보드 접지에 직접 결부되는 스크류 또는 다른 전기적 접속을 사용을 통하는 등, 마더보드 접지에 직접 접속되고, 실드를 고정하기 위한 추가적인 제조를 필요로 한다. 시스템(100)에서, 실드(140)는 PCB 접지에 접속되고, 이는 그 후 커넥터(110)를 통해 마더보드 접지에 접속한다.

일 예에서, 실드(140)는 듀얼-인-메모리 모듈(DIMM)에 대한 실딩을 나타내고, PCB(120)는 메모리 모듈 보드를 나타낸다. 실드(140)는 클라이언트 시스템들에 대한 RFI 위험을 감소시킬 수 있다. PCB(120)는 이동식 실드와 DIMM 사이의 전기적 콘택을 위한 접지 패드들(130)을 포함한다. DIMM이 하나의 측부에만 장착된 메모리 디바이스들을 포함하는 예에서, 실드(140)는 해당 하나의 측부를 커버할 수 있다. DIMM이 측부들 양자 모두 상에 메모리 디바이스들을 포함하는 예에서, 양 측부 상에 장착하기 위한 별개의 실드들이 있을 수 있다. 양 측부 상의 실드는 본질적으로 동일할 수 있고, 동일하거나 유사한 접속 및 고정 메커니즘들과 유사하게 이동식일 수 있다.

PCB(120)가 DIMM일 때, EMF 노이즈를 생성하는 컴포넌트 또는 컴포넌트들은 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 디바이스들이다. DIMM으로서, PCB(120)는 아암(114)의 정렬 탭과 정렬하는 노치(124)를 포함할 수 있다. 아암(114)은 또한 PCB(120) 상에 스프링력을 제공하는 유지 탭을 포함한다. 적어도 PCB(120) 상의 DRAM 디바이스들을 커버하는 이동식 선택적 실드(140)에 의해, 실드(140)는 또한 기존의 유지 탭들과 인터페이스하기 위한 플랜지(144)를 포함할 수 있다. 따라서, 유지 탭은 또한 실드를 PCB에 고정하고 실드(140)와 접지 패드들(130) 사이의 콘택을 보장할 수 있다.

도 1b는 이동식 실드에 대한 국부적 접지 패드들이 있는, 대응하는 커넥터와 인터페이스된 도 1a의 PCB의 예의 블록도이다. 시스템(150)은 도 1a의 커넥터(110) 및 PCB(120)와 동일할 수 있는, 커넥터(110)와 PCB(120)의 상호접속을 예시한다. 상호접속될 때, PCB(120)의 노치(124)가 PCB-커넥터 맞물림(152)에서 아암(114)의 피처들과 정렬하는 것이 관찰될 수 있다.

도 1c는 국부적 접지 패드들과 맞물리고 대응하는 커넥터에 부착된 도 1a의 이동식 실드를 갖는 PCB의 일 예의 블록도이다. 시스템(160)은, 도 1a의 PCB(120)와 실드(140)의 조합 및 커넥터(110)와 동일할 수 있는 실드된 PCB(170) 및 커넥터(110)의 상호접속을 예시한다. 상호접속될 때, 실드된 PCB(170)의 노치(124)가 PCB-커넥터 맞물림(162)에서 아암(114)의 피처들과 정렬하는 것이 관찰될 수 있다. PCB-커넥터 맞물림(162)은 PCB와 실드 양자 모두와 맞물린다. 실드가 시스템(160)에서 이동식으로 접속되고, 제거될 수 있다는 것이 이해될 것이다. PCB-커넥터 맞물림(162)에 의해, 실드 상의 플랜지는 PCB 상의 접지 패드들과 접촉한다. 따라서, 실드된 PCB(170)를 커넥터(110)에 고정하는 것은 플랜지 대 접지 패드들 전기적 콘택(flange to ground pads electrical contact)(172)을 생성한다.

도 2는 이동식 실드를 대응하는 커넥터에 상호접속시키는 예의 도식적 표현이다. 시스템(200)은 도 1a의 시스템(100)의 예를 제공한다. 커넥터(210)는 PCB를 시스템 보드에 결합하기 위한 커넥터를 나타낸다. 실드(220)는 커버될 PCB의 평면에 평행한 표면 평면인 상부 표면을 갖는다. 측벽들(224)은 상부 표면(222)으로부터 커버될 PCB를 향해 연장된다. 상부 표면(222)에 대한 배향을 상부로서 생각하면, 측벽(224)은 PCB를 향해 아래로 연장된다.

실드(220)는 방금 언급된 배향을 참조하여, 측벽(224)의 하부에 플랜지(226)를 포함한다. 플랜지(226)는 측벽(224)으로부터 연장되고 커넥터(210)의 아암의 피처들과 맞물릴 수 있는 실드(220)의 둘레 주위에 립을 제공한다.

시스템(200)은 실드(220)가 커넥터(210)와 맞물리는 세그먼트들(230 및 240)을 예시한다. 실드(220)는 커넥터(210)에 접속하는 PCB를 커버하는 이동식 실드를 나타낸다. 일 예에서, 실드(220)는 커넥터(210) 내로 미끄러지고, 실드 상의 로킹 핑거들을 통해 세그먼트(230)에서 커넥터(210) 내의 공간과 맞물린다.

일 예에서, 실드(220)는 스냅 온 실드로 간주될 수 있는데, 그 이유는 실드를 커넥터(210) 내로 미끄러지게 한 후에, 실드(220) 상의 로크 핑거들 및 클립들, 탭들, 또는 플랜지들, 또는 이들의 조합이 실드 및 PCB를 제 위치로 로크(lock)할 때까지 실드가 하향으로(위에서 언급된 동일한 배향을 지칭함) 가압될 수 있기 때문이다. 세그먼트(240)는 로킹 클립 또는 스프링 탭(250)을 예시한다. 스프링 탭(250)은 스프링력을 인가하거나, 실드(220)를 대응하는 PCB(구체적으로 도시되지 않음)에 그리고 커넥터(210)에 고정하기 위해 플랜지(226) 상에 힘을 제공하는 클립 또는 탭을 나타낸다. 일 예에서, 실드(220)는 탭을 지나 아래로 가압할 때까지 스프링 탭(250)에 대해 아래로 가압하고, 이 탭은 그 후 플랜지(226) 상으로 가압할 것이다. 플랜지들(226)이 커넥터(210)의 아암과 맞물리고, 로크 핑거들이 커넥터(210)와 제 위치에 로크됨에 따라, 실드는 PCB에 고정되고 PCB 접지에 전기적으로 맞물린다.

도 3a는 비실드형 디바이스로부터의 전자기 노이즈의 일 예를 나타내기 위한 다이어그램이다. 다이어그램(302)은 비실드형 디바이스(310)로부터 방출된 방사 노이즈를 예시한다. 비실드형 디바이스는, 예를 들어, DDR DIMM일 수 있다. 더 어두운 색상은 더 높은 에너지 강도를 나타낸다. 예시된 바와 같이, 비실드형 디바이스(310)는 높은 노이즈 방사(312)를 초래한다.

도 3b는 실드형 디바이스로부터의 전자기 노이즈의 예를 나타내기 위한 다이어그램이다. 다이어그램(304)은 다이어그램(302)에 대한 상대 비교를 예시한다. 실드형 디바이스(320)는 본 명세서의 설명에 따른 동일한 디바이스가 이동식 실드를 포함하는 것을 나타낸다. 동일한 디바이스, 예를 들어, DDR DIMM은 더 낮은 노이즈 방사(322)를 초래한다. 파선 원 영역은 다이어그램(302)에 예시된 바와 같이 다이어그램(304)에서의 동일한 공간을 나타낸다. 따라서, 다이어그램(304)에서 방출되는 상당히 더 적은 노이즈 에너지가 어떻게 존재하는지가 관찰될 것이다.

예시된 바와 같이, 실드는 비실드형 디바이스(310)와 비교하여 넓은 주파수 범위에서 DIMM 노이즈 방사에 대한 20dB 초과의 실딩 효과를 초래한다. 실드형 디바이스(320)는 또한 구체적으로 도시되지 않은 플로팅(비-접지) 실드를 갖는 디바이스와 비교되었지만, 방출된 에너지는 다이어그램(302)과 유사한 노이즈 강도를 갖는다. 따라서, 설명된 접지된 실드는 플로팅 실드를 갖는 비교가능한 DIMM과 비교하여 20dB 초과의 실딩 효과를 제공한다.

도 4a 내지 도 4d는 실드를 국부적 인쇄 회로 보드(PCB)에 접지시키는 예들의 도식적 표현들이다. 도 4a, 도 4b, 도 4c 및 도 4d에는, 각각 다이어그램들(402, 404, 406, 및 408)이 존재한다. 실드와 PCB 접지 패드들 사이의 콘택 메커니즘은, 다이어그램들에 예시된 바와 같이, 펀칭된 실드 표면 또는 편평한 실드 표면, 및 돌출된 접지 패드들 또는 편평한 접지 패드들의 임의의 조합일 수 있다. 도면들은 하나의 돌출된 표면과 하나의 편평한 표면 사이의 조합만을 예시하지만, 구현들은 예시된 구성들로 제한되지 않는다. 다른 수단들 및 구성들도 사용될 수 있다. 예시된 돌출부들의 특정 형상은 반드시 대표적인 것은 아니며, 임의의 형상 및 크기가 사용될 수 있다.

다이어그램(402)을 참조하면, PCB(410)는 짧은 접지(GND) 패드(412)를 포함한다. 실드 제조 및 실드를 PCB(410) 및 대응하는 커넥터에 고정하는 것에서 높은 정밀도가 사용되는 짧은 접지 패드들이 사용될 수 있다. 실드(420)는 본 명세서의 임의의 예에 따른 실드를 나타낸다. 실드(420)로서 라벨링된 컴포넌트는 실드의 플랜지의 단면 부분을 나타낸다.

실드(420)는 플랜지의 하부 표면으로부터 PCB를 향하는 돌출부를 생성하는 펀칭된 실드 표면(422)을 포함한다. 펀칭된 실드 표면(422)은 편평한 PCB 콘택(414)과 인터페이스한다. 실드(440)의 펀칭된 표면과 편평한 PCB 콘택(434) 사이의 상호접속은 실드 대 접지(shield to ground)에 대한 전기적 접속을 제공하며, 이는 본딩 타입 대신 스프링력에 의해 유지될 수 있다. 실드(420)의 펀칭된 표면과 편평한 PCB 콘택(414) 사이의 상호접속은 실드와 PCB 사이에 작은 공간을 생성하는 것으로 이해될 것이지만, 그 간격은 매우 작을 것이다. 다이어그램(402)에 예시된 바와 같은 간격은 반드시 일정한 비율로 되어 있지는 않다.

다이어그램(404)을 참조하면, PCB(430)는 긴 접지 패드(432)를 포함한다. 실드(440)와 PCB(430) 사이의 인터페이싱에서 높은 정밀도가 보장되지 않는 긴 접지 패드들이 사용될 수 있다. 실드(440)는 본 명세서의 임의의 예에 따른 실드를 나타낸다. 실드(440)로서 라벨링된 컴포넌트는 실드의 플랜지의 단면 부분을 나타낸다.

실드(440)는 플랜지의 하부 표면으로부터 PCB를 향해 돌출부를 생성하는 펀칭된 실드 표면(442)을 포함한다. 펀칭된 실드 표면(442)은 편평한 PCB 콘택(434)과 인터페이스한다. 실드(440)의 펀칭된 표면과 편평한 PCB 콘택(434) 사이의 상호접속은 실드 대 접지에 대한 전기적 접속을 제공하며, 이는 본딩 타입 대신 스프링력에 의해 유지될 수 있다. 다이어그램(404)에 예시된 요소들은 반드시 일정한 비율로 되어 있지는 않다.

다이어그램(406)을 참조하면, PCB(450)는 짧은 접지 패드(452)를 포함한다. 실드(460)와 PCB(450) 사이의 인터페이싱에서 높은 정밀도가 보장되는 짧은 접지 패드들이 사용될 수 있다. 실드(460)는 본 명세서의 임의의 예에 따른 실드를 나타낸다. 실드(460)로서 라벨링된 컴포넌트는 실드의 플랜지의 단면 부분을 나타낸다.

실드(460)는 편평한 실드 표면(462)을 포함한다. 편평한 실드 표면(462)은 PCB의 표면 위로 돌출되는 돌출된 PCB 콘택(454)과 인터페이스한다. 실드(460)의 편평한 표면과 돌출된 PCB 콘택(454) 사이의 상호접속은 실드 대 접지에 대한 전기적 접속을 제공하고, 이는 본딩 타입 대신에 스프링력에 의해 유지될 수 있다. 다이어그램(406)에 예시된 요소들은 반드시 일정한 비율로 되어 있지는 않다.

다이어그램(408)을 참조하면, PCB(470)는 긴 접지 패드(472)를 포함한다. 실드(480)와 PCB(470) 사이의 인터페이싱에서 높은 정밀도가 보장되지 않는 긴 접지 패드들이 사용될 수 있다. 실드(480)는 본 명세서의 임의의 예에 따른 실드를 나타낸다. 실드(480)로서 라벨링된 컴포넌트는 실드의 플랜지의 단면 부분을 나타낸다.

실드(480)는 편평한 실드 표면(482)을 포함한다. 편평한 실드 표면(482)은 PCB의 표면 위로 돌출되는 돌출된 PCB 콘택(474)과 인터페이스한다. 실드(480)의 편평한 표면과 돌출된 PCB 콘택(474) 사이의 상호접속은 실드 대 접지에 대한 전기적 접속을 제공하며, 이는 본딩 타입 대신에 스프링력에 의해 유지될 수 있다. 다이어그램(408)에 예시된 요소들은 반드시 일정한 비율로 되어 있지는 않다.

도 5는 접지된 실드에 의해 둘러싸인 PCB 컴포넌트들의 예의 블록도이다. 시스템(500)은 본 명세서의 임의의 예에 따른 실딩을 갖는 PCB의 예를 제공한다. 시스템(500)은 실드(520)에 의해 커버되는 컴포넌트들(530)을 갖는 PCB(510)를 포함한다. 시스템(500)의 관점은 실드를 갖는 PCB의 측면도이다.

컴포넌트들(530)은 EMI 노이즈를 생성하는 PCB(510)의 능동 컴포넌트들을 나타낸다. 컴포넌트들(530)의 상부 부분은 파선으로 도시되어 있는데, 그 이유는 그것들이 실드(520)의 실딩 내에 또는 그 뒤에 있는 것으로 이해될 것이기 때문이다. 다이어그램은 보드 및 실드의 일부만을 나타내고, 컴포넌트들(530)은 예시된 것의 외부로 연장될 수 있다는 것이 이해될 것이다.

실드(520)는 PCB(510)의 컴포넌트 표면에 평행한 표면인 상부 표면(524)을 갖는다. 실드(520)는 또한 상부 표면(524)으로부터 멀리 PCB(510)를 향해 연장하는 측벽(526)을 갖는다. 측벽(526)은 상부 표면(524)을 플랜지(522)에 접속시킨다. 플랜지(522)는 실드(520)에서의 피처를 제공하여 PCB(510) 및 연관된 커넥터에 대한 실드의 기계적 접속을 허용한다. 커넥터는 실드(520)를 PCB(510)를 향해 가압하기 위해 플랜지 상으로 가압하기 위한 탭들 또는 다른 피처들을 포함할 수 있다.

시스템(500)은 PCB-실드 콘택들(512)을 포함한다. 콘택들은 시스템(500)에서 PCB-실드 콘택(512)으로서 예시되는데, 이는 PCB(510) 상의 접지 패드 및 실드(520)의 플랜지(522)를 포함하는 것으로 이해될 수 있다. PCB-실드 콘택(512)은, 돌출된 PCB 접지 콘택, 플랜지 내의 펀칭된 실드 돌출부, 편평한 PCB 접지 콘택, 편평한 실드 플랜지, 또는 콘택을 생성하기 위한 일부 다른 메커니즘의 임의의 조합일 수 있다. 통상적으로, PCB-실드 콘택은 하나의 돌출 측부 및 다른 편평한 측부가 있을 때 가장 확실한 전기적 콘택을 제공할 것이다. 전기적 콘택은 접지에 대한 전기적 콘택을 지칭하며, 이는 PCB(510)의 국부적 접지 평면에 대해 실드(520)를 접지시킬 수 있다. 편평한 플랜지 및 돌출된 PCB 콘택은 PCB 콘택들에 대한 더 복잡한 제조를 필요로 할 수 있지만, PCB 상의 편평한 패드와 접촉하기 위한 플랜지의 돌출된 펀칭된 영역을 갖는 것보다 오히려 가장 확실한 콘택을 제공할 수 있다는 것이 이해될 것이다.

시스템(500)은 PCB-실드 콘택들(512) 사이의 간격(514)을 예시한다. 간격(514)은 전술한 것에 따를 수 있으며, 거리는 λ/10에 대응한다. 시스템(500)은 또한, PCB-실드 콘택들(512)의 결과로서 형성되는 플랜지(522)와 PCB(510) 사이의 공간을 나타내는 에어 갭(540)을 도시한다. 전기적 콘택의 돌출된 세그먼트들은 작은 갭을 초래한다. 일 예에서, 갭은 비교적 눈에 띄지 않을 정도로 충분히 작지만, 돌출된 요소를 통한 콘택을 예시한다.

도 6은 필요에 따른 접지된 실딩을 적용하기 위한 프로세스의 일 예의 흐름도이다. 프로세스 600은 필요 기반 이동식 실딩을 제공하기 위한 프로세스를 나타낸다. 능동 사용 동안 RF(무선 주파수) 노이즈를 생성하는 컴포넌트를 갖는 PCB에 대해, 설계자는 602에서 실딩을 위해 PCB 상에 접지 패드들을 생성한다.

일 예에서, 시스템 설계자는 604에서, PCB 상에 돌출 접지 패드를 제공할지 또는 편평한 접지 패드들을 제공할지를 결정한다. 돌출 접지 패드들이 사용될 때, 시스템 설계자는 606에서, PCB 상에 돌출된 접지 패드들을 제공할 수 있다. 편평한 접지 패드들이 사용될 때, 시스템 설계자는 608에서, PCB 상에 편평한 접지 패드들을 제공할 수 있다.

일 예에서, 접지 패드들의 길이는 시스템을 조립하는 것 및 컴포넌트 처리에 적용될 정밀도에 의존한다. 일 예에서, 610에서, 정렬 허용오차가 비교적 높은 것인 경우, 시스템 설계자는 612에서, PCB 상에 짧은 접지 패드들을 제공할 수 있다. 일 예에서, 610에서, 정렬 허용오차가 비교적 더 낮은 것인 경우, 시스템 설계자는 614에서, PCB 상에 더 긴 접지 패드들을 제공할 수 있다.

일 예에서, 시스템 설계자는 PCB 상에 접지된 실드를 제공하거나 PCB 상에 실드를 사용하지 않는 옵션을 갖는다. 실딩이 필요한 경우, 616에서 예 분기인 경우, 일 예에서, 618에서 제조는 실드를 부착하고 실드를 PCB에 대한 대응하는 커넥터로 고정할 수 있으며, 이는 또한 실드를 PCB에 접속시킨다. 실딩이 필요하지 않은 경우, 616에서 아니오 분기인 경우, 일 예에서, 제조는 620에서 실드를 배제할 수 있다.

도 7은 접지된 실딩이 구현될 수 있는 메모리 서브시스템의 일 예의 블록도이다. 시스템(700)은 컴퓨팅 디바이스 내의 메모리 서브시스템의 요소들 및 프로세서를 포함한다.

일 예에서, 시스템(700)은 메모리 모듈(770) 상에 접지된 실드(780)를 포함한다. 접지된 실드(780)는 본 명세서에 설명된 임의의 실드에 따를 수 있다. 접지된 실드(780)는 메모리 모듈(770) 상의 접지 콘택들에 상호접속한다. 접지된 실드(780)는 메모리 모듈(770)을 메모리 컨트롤러(720) 및 프로세서(710)에 결합하는 커넥터와 인터페이스하는 기계적 피처들을 포함한다. 피처들은 비영구적인 방식으로 실드를 고정하여, 이동식 실드를 제공한다.

프로세서(710)는, 집합적으로 호스트 또는 메모리의 사용자로 언급될 수 있는, 운영 체제(OS) 및 애플리케이션들을 실행할 수 있는 컴퓨팅 플랫폼의 처리 유닛을 나타낸다. OS 및 애플리케이션들은 메모리 액세스들을 초래하는 동작들을 실행한다. 프로세서(710)는 하나 이상의 별개의 프로세서를 포함할 수 있다. 각각의 별개의 프로세서는 단일 처리 유닛, 멀티코어 처리 유닛, 또는 조합을 포함할 수 있다. 처리 유닛은 CPU(중앙 처리 유닛)와 같은 주 프로세서, GPU(그래픽 처리 유닛)와 같은 주변기기 프로세서, 또는 조합일 수 있다. 메모리 액세스들은 또한 네트워크 컨트롤러 또는 하드 디스크 컨트롤러와 같은 디바이스들에 의해 개시될 수 있다. 그러한 디바이스들은 일부 시스템들에서 프로세서와 통합되거나 버스(예를 들어, PCI 익스프레스)를 통해 프로세서에 부착되거나, 조합일 수 있다. 시스템(700)은 SOC(시스템 온 칩)로서 구현되거나, 독립형 컴포넌트들로 구현될 수 있다.

메모리 디바이스들에 대한 지칭은 상이한 메모리 타입들에 적용될 수 있다. 메모리 디바이스들은 종종 휘발성 메모리 기술들을 언급한다. 휘발성 메모리는 디바이스에 대해 전력이 중단되면 그것의 상태(및 따라서 그 상에 저장되는 데이터)가 불확정적인 메모리이다. 비휘발성 메모리는 디바이스에 대해 전력이 중단되더라도 그것의 상태가 확정적인 메모리를 지칭한다. 동적 휘발성 메모리는 상태를 유지하기 위해 디바이스에 저장된 데이터를 리프레시할 것을 요구한다. 동적 휘발성 메모리의 일 예는 DRAM(dynamic random access memory), 또는 SDRAM(synchronous DRAM)과 같은 일부 변종을 포함한다. 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 메모리 서브시스템은, DDR4(DDR 버전 4, JESD79, JEDEC에 의해 2012년 9월에 공개된 초기 사양), LPDDR4(low power DDR 버전 4, JESD209-4, 2014년 8월에 JEDEC에 의해 처음 공개됨), WIO2(Wide I/O2(WideIO2), JESD229-2, 2014년 8월에 JEDEC에 의해 처음 공개됨), HBM(high bandwidth memory DRAM, JESD235A, 2015년 11월에 JEDEC에 의해 처음 공개됨), DDR5(DDR 버전 5, 현재 JEDEC에 의해 논의 중임), LPDDR5(low power DDR 버전 5, JESD209-5, 2019년 2월에 JEDEC에 의해 처음 공개됨), HBM2((HBM 버전 2), 현재 JEDEC에 의해 논의 중임), 또는 다른 것들과 같은, 다수의 메모리 기술들, 또는 메모리 기술들의 조합들, 및 이러한 사양들의 파생물들 또는 확장물들에 기초하는 기술들과 호환 가능할 수 있다.

휘발성 메모리에 대해 추가적으로 또는 대안적으로, 일 예에서, 메모리 디바이스들에 대한 지칭은 디바이스에 대해 전력이 중단되더라도 그 상태가 확정적인 비휘발성 메모리 디바이스를 지칭할 수 있다. 일 예에서, 비휘발성 메모리 디바이스는 NAND 또는 NOR 기술들과 같은 블록 어드레스 지정가능한 메모리 디바이스이다. 따라서, 메모리 디바이스는 3차원 크로스포인트 메모리 디바이스, 다른 바이트 어드레싱가능 비휘발성 메모리 디바이스들, 또는 칼코게나이드 상 변화 재료(예를 들어, 칼코게나이드 글래스)를 사용하는 메모리 디바이스들과 같은 향후 세대의 비휘발성 디바이스들을 또한 포함할 수 있다. 일 예에서, 메모리 디바이스는 멀티-임계 레벨 NAND 플래시 메모리, NOR 플래시 메모리, 단일 또는 멀티-레벨 상 변화 메모리(PCM) 또는 스위치를 갖는 상 변화 메모리(PCMS), 저항성 메모리, 나노와이어 메모리, 강유전성 트랜지스터 랜덤 액세스 메모리(FeTRAM), 멤리스터 기술을 포함하는 자기저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 메모리, 또는 스핀 전달 토크(STT)-MRAM, 또는 위 항목들 중 임의의 것의 조합, 또는 다른 메모리일 수 있거나, 이들을 포함할 수 있다.

"RAM" 또는 "RAM 디바이스"를 참조하는 본 명세서에서의 설명들은 휘발성이든 비휘발성이든, 랜덤 액세스를 허용하는 임의의 메모리 디바이스에 적용될 수 있다. "DRAM" 또는 "DRAM 디바이스"를 참조하는 설명은 휘발성 랜덤 액세스 메모리 디바이스를 언급할 수 있다. 메모리 디바이스 또는 DRAM은 다이 자체, 하나 이상의 다이를 포함하는 패키징된 메모리 제품, 또는 양자 모두를 지칭할 수 있다. 일 예에서, 리프레시될 필요가 있는 휘발성 메모리를 갖는 시스템은 비휘발성 메모리를 또한 포함할 수 있다.

메모리 컨트롤러(720)는 시스템(700)을 위한 하나 이상의 메모리 컨트롤러 회로 또는 디바이스를 나타낸다. 메모리 컨트롤러(720)는 프로세서(710)에 의한 동작들의 실행에 응답하여 메모리 액세스 커맨드들을 생성하는 제어 로직을 나타낸다. 메모리 컨트롤러(720)는 하나 이상의 메모리 디바이스(740)에 액세스한다. 메모리 디바이스들(740)은 위에 언급된 임의의 것에 따른 DRAM 디바이스들일 수 있다. 일 예에서, 메모리 디바이스들(740)은 상이한 채널들로서 조직되고 관리되며, 각각의 채널은 다수의 메모리 디바이스들에 병렬로 결합되는 버스들 및 신호 라인들에 결합된다. 각각의 채널은 독립적으로 동작가능하다. 따라서, 각각의 채널은 독립적으로 액세스되고 제어되고, 타이밍, 데이터 전송, 커맨드 및 어드레스 교환들, 및 다른 동작들이 각각의 채널에 대해 개별적이다. 결합은 전기적 결합, 통신적 결합, 물리적 결합, 또는 이들의 조합을 지칭할 수 있다. 물리적 결합은 직접 접촉을 포함할 수 있다. 전기적 결합은 컴포넌트들 사이의 전기적 흐름을 허용하거나 컴포넌트들 사이의 시그널링을 허용하거나 또는 양자 모두를 허용하는 인터페이스 또는 상호접속을 포함한다. 통신적 결합은 컴포넌트들이 데이터를 교환하는 것을 가능하게 하는 유선 또는 무선을 포함하는 접속들을 포함한다.

일 예에서, 각각의 채널에 대한 설정들은 별개의 모드 레지스터들 또는 다른 레지스터 설정들에 의해 제어된다. 일 예에서, 비록 시스템(700)은 단일 컨트롤러에 의해 관리되는 다수의 채널을 갖거나, 단일의 채널 상에 다수의 컨트롤러를 갖도록 구성될 수 있지만, 각각의 메모리 컨트롤러(720)는 별개의 메모리 채널을 관리한다. 일 예에서, 메모리 컨트롤러(720)는 동일한 다이 상에 구현되거나 프로세서와 동일한 패키지 공간에서 구현되는 로직과 같은, 호스트 프로세서(710)의 일부이다.

메모리 컨트롤러(720)는 위에서 언급된 메모리 채널과 같은, 메모리 버스에 결합하기 위한 I/O 인터페이스 로직(722)을 포함한다. I/O 인터페이스 로직(722)(뿐만 아니라 메모리 디바이스(740)의 I/O 인터페이스 로직(742))은 핀들, 패드들, 커넥터들, 신호 라인들, 트레이스들, 또는 와이어들, 또는 디바이스들을 연결하기 위한 다른 하드웨어, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. I/O 인터페이스 로직(722)은 하드웨어 인터페이스를 포함할 수 있다. 예시된 바와 같이, I/O 인터페이스 로직(722)은 신호 라인들에 대한 적어도 드라이버들/송수신기들을 포함한다. 일반적으로, 집적 회로 인터페이스 내의 와이어들은 디바이스들 사이의 신호 라인들 또는 트레이스들 또는 다른 와이어들에 인터페이스하기 위해 패드, 핀, 또는 커넥터와 결합된다. I/O 인터페이스 로직(722)은 디바이스들 사이의 신호 라인들 상에서 신호들을 교환하기 위한 드라이버들, 수신기들, 송수신기들, 또는 종단 또는 다른 회로 또는 회로의 조합들을 포함할 수 있다. 신호들의 교환은 송신 또는 수신 중 적어도 하나를 포함한다. 메모리 컨트롤러(720)로부터의 I/O(722)를 메모리 디바이스(740)의 I/O(742)로 결합하는 것으로 도시되어 있지만, 메모리 디바이스(740)의 그룹들이 병렬로 액세스되는 시스템(700)의 구현에서, 다수의 메모리 디바이스들은 메모리 컨트롤러(720)의 동일한 인터페이스에 대한 I/O 인터페이스들을 포함할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 하나 이상의 메모리 모듈(770)을 포함하는 시스템(700)의 구현에서, I/O(742)는 메모리 디바이스 자체 상의 인터페이스 하드웨어에 더하여 메모리 모듈의 인터페이스 하드웨어를 포함할 수 있다. 다른 메모리 컨트롤러들(720)은 다른 메모리 디바이스들(740)에 대한 별개의 인터페이스들을 포함할 것이다.

메모리 컨트롤러(720)와 메모리 디바이스들(740) 사이의 버스는 메모리 디바이스들(740)에 메모리 컨트롤러(720)를 결합하는 다수의 신호 라인들로서 구현될 수 있다. 버스는 통상적으로 적어도 클록(CLK)(732), 커맨드/어드레스(CMD)(734), 및 기입 데이터(DQ) 및 판독 데이터(DQ)(736), 및 0개 이상의 기타 신호 라인(738)을 포함할 수 있다. 일 예에서, 메모리 컨트롤러(720)와 메모리 사이의 버스 또는 접속은 메모리 버스로 지칭될 수 있다. CMD를 위한 신호 라인들은 "C/A 버스"(또는 ADD/CMD 버스, 또는 커맨드들(C 또는 CMD) 및 어드레스(A 또는 ADD) 정보의 전송을 나타내는 일부 다른 지정)로 지칭될 수 있고 기입 및 판독 DQ를 위한 신호 라인들은 "데이터 버스"로 지칭될 수 있다. 일 예에서, 독립 채널들은 상이한 클록 신호들, C/A 버스들, 데이터 버스들, 및 다른 신호 라인들을 갖는다. 따라서, 독립적인 인터페이스 경로가 별개의 버스로 간주될 수 있다는 의미에서, 시스템(700)은 다수의 "버스들"을 갖는 것으로 간주될 수 있다. 명시적으로 도시된 라인들에 더하여, 버스는 스트로브 시그널링 라인들, 경보 라인들, 보조 라인들, 또는 다른 신호 라인들 중 적어도 하나, 또는 조합을 포함할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 직렬 버스 기술들이 메모리 컨트롤러(720)와 메모리 디바이스들(740) 사이의 접속을 위해 사용될 수 있다는 것이 또한 이해될 것이다. 직렬 버스 기술의 예는 각각의 방향으로 신호들의 단일 차동 쌍에 걸쳐 내장된 클록을 갖는 고속 데이터의 8B10B 인코딩 및 송신이다. 일 예에서, CMD(734)는 다수의 메모리 디바이스와 병렬로 공유되는 신호 라인들을 나타낸다. 일 예에서, 다수의 메모리 디바이스는 CMD(734)의 커맨드 신호 라인들을 인코딩하는 것을 공유하고, 각각은 개별 메모리 디바이스들을 선택하기 위한 개별 칩 선택(CS_n) 신호 라인을 갖는다.

시스템(700)의 예에서, 메모리 컨트롤러(720)와 메모리 디바이스들(740) 사이의 버스는 보조 커맨드 버스 CMD(734) 및 기입 및 판독 데이터를 운반하기 위한 보조 버스 DQ(736)를 포함한다는 것이 이해될 것이다. 일 예에서, 데이터 버스는 판독 데이터 및 기입/커맨드 데이터에 대한 양방향 라인들을 포함할 수 있다. 다른 예에서, 보조 버스 DQ(736)는 호스트로부터 메모리로의 기입 및 데이터에 대한 단방향 기입 신호 라인들을 포함할 수 있고, 메모리로부터 호스트로의 판독 데이터에 대한 단방향 라인들을 포함할 수 있다. 선택된 메모리 기술 및 시스템 설계에 따라, 기타 신호들(738)은 스트로브 라인들 DQS와 같은 버스 또는 서브 버스를 수반할 수 있다. 시스템(700)의 설계, 또는 구현에 기초하여, 설계가 다수의 구현을 지원하는 경우에, 데이터 버스는 메모리 디바이스(740)당 더 많은 또는 더 적은 대역폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 데이터 버스는 x32 인터페이스, x16 인터페이스, x8 인터페이스, 또는 다른 인터페이스를 갖는 메모리 디바이스들을 지원할 수 있다. 관례 "xW", 여기서, W는 메모리 컨트롤러(720)와 데이터를 교환하기 위한 신호 라인들의 수를 나타내는, 메모리 디바이스(740)의 인터페이스의 인터페이스 크기 또는 폭을 지칭하는 정수이다. 메모리 디바이스들의 인터페이스 크기는 얼마나 많은 메모리 디바이스들이 시스템(700) 내의 채널마다 동시에 사용되거나 동일한 신호 라인들에 병렬로 결합될 수 있는지에 대한 제어 인자이다. 일 예에서, 고 대역폭 메모리 디바이스들, 와이드 인터페이스 디바이스들, 또는 스택형 메모리 구성들, 또는 조합들은 x128 인터페이스, x256 인터페이스, x512 인터페이스, x1024 인터페이스, 또는 다른 데이터 버스 인터페이스 폭과 같은, 더 넓은 인터페이스들을 가능하게 할 수 있다.

일 예에서, 메모리 디바이스들(740) 및 메모리 컨트롤러(720)는 버스트에서 데이터 버스를 통해 데이터를 교환하거나, 연속적인 데이터 전송들의 시퀀스를 교환한다. 버스트는 다수의 전송 사이클에 대응하고, 이것은 버스 주파수와 관련된다. 일 예에서, 전송 사이클은 동일한 클록 또는 스트로브 신호 에지에서(예를 들어, 상승 에지에서) 발생하는 전송들에 대한 전체 클록 사이클일 수 있다. 일 예에서, 시스템 클록의 사이클을 참조하는 매 클록 사이클은 다수의 유닛 간격(UI)들로 분리되고, 여기서 각각의 UI는 전송 사이클이다. 예를 들어, 더블 데이터 레이트 전송들은 클록 신호의 양쪽 에지(예를 들어, 상승 및 하강)에서 트리거한다. 버스트는 구성된 수의 UI를 지속할 수 있으며, 이는 즉각적으로 트리거되거나, 레지스터에 저장된 구성일 수 있다. 예를 들어, 8개의 연속적인 전송 기간들의 시퀀스는 버스트 길이 8(BL8)로 간주될 수 있고, 각각의 메모리 디바이스(740)는 각각의 UI에서 데이터를 전송할 수 있다. 따라서, BL8 상에서 동작하는 x8 메모리 디바이스는 74 비트의 데이터(8개의 데이터 신호 라인 x 버스트를 통해 라인당 전송된 8개의 데이터 비트)를 전송할 수 있다. 이러한 간단한 예는 단지 예시이고 제한적이지 않다는 것이 이해될 것이다.

메모리 디바이스들(740)은 시스템(700)에 대한 메모리 리소스들을 나타낸다. 일 예에서, 각각의 메모리 디바이스(740)는 별개의 메모리 다이이다. 일 예에서, 각각의 메모리 디바이스(740)는 디바이스 또는 다이당 다수의(예를 들어, 2개) 채널과 인터페이스할 수 있다. 각각의 메모리 디바이스(740)는 디바이스의 구현에 의해 결정되는 대역폭(예를 들어, x16 또는 x8 또는 어떤 다른 인터페이스 대역폭)을 갖는 I/O 인터페이스 로직(742)을 포함한다. I/O 인터페이스 로직(742)은 메모리 디바이스들이 메모리 컨트롤러(720)와 인터페이스하는 것을 가능하게 한다. I/O 인터페이스 로직(742)은 하드웨어 인터페이스를 포함할 수 있고, 메모리 컨트롤러의 I/O(722)에 따르지만, 메모리 디바이스 단부에 있을 수 있다. 일 예에서, 다수의 메모리 디바이스(740)는 동일한 커맨드 및 데이터 버스들에 병렬로 접속된다. 다른 예에서, 다수의 메모리 디바이스(740)는 동일한 커맨드 버스에 병렬로 연결되고, 상이한 데이터 버스들에 접속된다. 예를 들어, 시스템(700)은 병렬로 결합된 다수의 메모리 디바이스(740)로 구성될 수 있고, 각각의 메모리 디바이스는 커맨드에 응답하고, 각각의 내부에 있는 메모리 리소스들(760)에 액세스한다. 기입 동작을 위해, 개별 메모리 디바이스(740)는 전체 데이터 워드의 일부를 기입할 수 있고, 판독 동작을 위해, 개별 메모리 디바이스(740)는 전체 데이터 워드의 일부를 페치할 수 있다. 비제한적인 예들로서, 특정 메모리 디바이스는, 각각, 판독 또는 기입 트랜잭션에 대한 128-비트 데이터 워드의 8개 비트, 또는 256-비트 데이터 워드의 8개 비트 또는 16개 비트(x8 또는 x16 디바이스에 의존함)를 제공 또는 수신할 수 있다. 워드의 나머지 비트들은 다른 메모리 디바이스들에 의해 병렬로 제공되거나 수신될 것이다.

일 예에서, 메모리 디바이스들(740)은 컴퓨팅 디바이스의 마더보드 또는 호스트 시스템 플랫폼(예를 들어, 프로세서(710)가 배치되는 PCB(인쇄 회로 보드)) 상에 직접 배치된다. 일 예에서, 메모리 디바이스들(740)은 메모리 모듈들(770)로 조직될 수 있다. 일 예에서, 메모리 모듈들(770)은 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)들을 나타낸다. 일 예에서, 메모리 모듈들(770)은 호스트 시스템 플랫폼과 별개의 회로, 별개의 디바이스, 또는 별개의 보드일 수 있는, 액세스 또는 제어 회로의 적어도 일부를 공유하기 위한 다수의 메모리 디바이스의 다른 조직을 나타낸다. 메모리 모듈들(770)은 다수의 메모리 디바이스(740)를 포함할 수 있고, 메모리 모듈들은 그들 상에 배치된 포함된 메모리 디바이스들에 대한 다수의 별개의 채널에 대한 지원을 포함할 수 있다. 다른 예에서, 메모리 디바이스들(740)은 예컨대 멀티-칩 모듈(MCM), 패키지-온-패키지, 실리콘 관통 비아(TSV)와 같은 기법들, 또는 다른 기법들 또는 조합들에 의해, 메모리 컨트롤러(720)와 동일한 패키지 내에 통합될 수 있다. 유사하게, 일 예에서, 다수의 메모리 디바이스(740)이 메모리 모듈들(770)에 통합될 수 있고, 이 메모리 모듈들 자체가 메모리 컨트롤러(720)와 동일한 패키지 내에 통합될 수 있다. 이들 및 다른 구현들에 대해, 메모리 컨트롤러(720)는 호스트 프로세서(710)의 일부일 수 있다는 것이 인정될 것이다.

메모리 디바이스들(740)은 각각 메모리 리소스들(760)을 포함한다. 메모리 리소스들(760)은 데이터에 대한 메모리 위치들 또는 스토리지 위치들의 개별 어레이들을 나타낸다. 통상적으로 메모리 리소스들(760)은 워드라인(행들) 및 비트라인(행 내의 개별 비트들) 제어를 통해 액세스되는 데이터의 행들로서 관리된다. 메모리 리소스들(760)은 메모리의 별개의 채널들, 랭크들, 및 뱅크들로서 조직될 수 있다. 채널들은 메모리 디바이스들(740) 내의 스토리지 위치들에 대한 독립적인 제어 경로들을 지칭할 수 있다. 랭크들은 다수의 메모리 디바이스에 걸친 공통 위치들(예를 들어, 상이한 디바이스들 내의 동일한 행 어드레스들)을 지칭할 수 있다. 뱅크들은 메모리 디바이스(740) 내의 메모리 위치들의 어레이들을 지칭할 수 있다. 일 예에서, 메모리 뱅크들은 서브-뱅크들에 대한 공유 회로(예를 들어, 드라이버들, 신호 라인들, 제어 로직)의 적어도 일부를 갖는 서브-뱅크들로 분할되어, 개별 어드레싱 및 액세스를 허용한다. 채널들, 랭크들, 뱅크들, 서브-뱅크들, 뱅크 그룹들, 또는 메모리 위치들의 다른 조직들, 및 조직들의 조합들은 물리 리소스들에 대한 그들의 적용에서 중첩할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 동일한 물리적 메모리 위치들은 랭크에 또한 속할 수 있는 특정 뱅크로서 특정 채널을 통해 액세스될 수 있다. 따라서, 메모리 리소스들의 조직은 배타적이기보다는 포괄적인 방식으로 이해될 것이다.

일 예에서, 메모리 디바이스들(740)은 하나 이상의 레지스터(744)를 포함한다. 레지스터(744)는 메모리 디바이스의 동작을 위한 구성 또는 설정들을 제공하는 하나 이상의 스토리지 디바이스 또는 스토리지 위치를 나타낸다. 일 예에서, 레지스터(744)는 메모리 디바이스(740)가 제어 또는 관리 동작의 일부로서 메모리 컨트롤러(720)에 의한 액세스를 위한 데이터를 저장하기 위한 스토리지 위치를 제공할 수 있다. 일 예에서, 레지스터(744)는 하나 이상의 모드 레지스터를 포함한다. 일 예에서, 레지스터(744)는 하나 이상의 다목적 레지스터를 포함한다. 레지스터(744) 내의 위치들의 구성은 상이한 "모드들"에서 동작하도록 메모리 디바이스(740)를 구성할 수 있고, 여기서 커맨드 정보는 모드에 기초하여 메모리 디바이스(740) 내에서 상이한 동작들을 트리거할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 상이한 모드들은 또한 모드에 따라 어드레스 정보 또는 다른 신호 라인들로부터 상이한 동작을 트리거할 수 있다. 레지스터(744)의 설정들은 I/O 설정들(예를 들어, 타이밍, 종단 또는 ODT(온-다이 종단)(746), 드라이버 구성, 또는 다른 I/O 설정들)에 대한 구성을 나타낼 수 있다.

일 예에서, 메모리 디바이스(740)는 I/O(742)와 연관된 인터페이스 하드웨어의 일부로서 ODT(746)를 포함한다. ODT(746)는 위에 언급된 바와 같이 구성될 수 있고, 특정 신호 라인들에 대한 인터페이스에 적용될 임피던스에 대한 설정들을 제공할 수 있다. 일 예에서, ODT(746)는 DQ 신호 라인들에 적용된다. 일 예에서, ODT(746)는 커맨드 신호 라인들에 적용된다. 일 예에서, ODT(746)는 어드레스 신호 라인들에 적용된다. 일 예에서, ODT(746)는 전술한 것의 임의의 조합에 적용될 수 있다. ODT 설정들은 메모리 디바이스가 액세스 동작의 선택된 타겟인지 아니면 비-타겟 디바이스인지에 기초하여 변경될 수 있다. ODT(746) 설정들은 종단된 라인들 상의 시그널링의 타이밍 및 반사들에 영향을 미칠 수 있다. ODT(746)에 대한 신중한 제어는 적용된 임피던스 및 로딩의 개선된 매칭을 이용하여 더 고속의 동작을 가능하게 할 수 있다. ODT(746)는 I/O 인터페이스(742, 722)의 특정 신호 라인들에 적용될 수 있고, 반드시 모든 신호 라인들에 적용되는 것은 아니다.

메모리 디바이스(740)는 컨트롤러(750)를 포함하고, 이 컨트롤러는 메모리 디바이스 내의 내부 동작들을 제어하기 위한 메모리 디바이스 내의 제어 로직을 나타낸다. 예를 들어, 컨트롤러(750)는 메모리 컨트롤러(720)에 의해 전송된 커맨드들을 디코딩하고, 커맨드들을 실행하거나 충족시키는 내부 동작들을 생성한다. 컨트롤러(750)는 내부 컨트롤러로 언급될 수 있고, 호스트의 메모리 컨트롤러(720)로부터 분리된다. 컨트롤러(750)는 레지스터(744)에 기초하여 어떤 모드가 선택되는지를 결정할 수 있고, 선택된 모드에 기초하여 메모리 리소스들(760)에의 액세스를 위한 동작들 또는 다른 동작들의 내부 실행을 구성할 수 있다. 컨트롤러(750)는 선택된 모드에 대한 적절한 인터페이스를 제공하고 커맨드를 적절한 메모리 위치들 또는 어드레스들로 지향시키기 위해 메모리 디바이스(740) 내의 비트들의 라우팅을 제어하기 위한 제어 신호들을 생성한다. 컨트롤러(750)는 커맨드 및 어드레스 신호 라인들 상에서 수신된 커맨드 인코딩을 디코딩할 수 있는 커맨드 로직(752)을 포함한다. 따라서, 커맨드 로직(752)은 커맨드 디코더일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 커맨드 로직(752)에 의해, 메모리 디바이스는 커맨드들을 식별하고 내부 동작들을 생성하여 요청된 커맨드들을 실행할 수 있다.

메모리 컨트롤러(720)를 다시 참조하면, 메모리 컨트롤러(720)는 메모리 디바이스들(740)에 전송할 커맨드들을 생성하는 로직 또는 회로를 나타내는 커맨드(CMD) 로직(724)을 포함한다. 커맨드들의 생성은 스케줄링 전의 커맨드, 또는 전송될 준비가 된 큐잉된 커맨드들의 준비를 지칭할 수 있다. 일반적으로, 메모리 서브시스템들 내의 시그널링은 메모리 디바이스들이 커맨드를 실행해야 하는 하나 이상의 메모리 위치를 표시하거나 선택하기 위해 커맨드 내에 또는 그와 동반하는 어드레스 정보를 포함한다. 메모리 디바이스(740)에 대한 트랜잭션들의 스케줄링에 응답하여, 메모리 컨트롤러(720)는 I/O(722)를 통해 커맨드들을 발행하여 메모리 디바이스(740)가 커맨드들을 실행하게 할 수 있다. 일 예에서, 메모리 디바이스(740)의 컨트롤러(750)는 메모리 컨트롤러(720)로부터 I/O(742)를 통해 수신된 커맨드 및 어드레스 정보를 수신하고 디코딩한다. 수신된 커맨드 및 어드레스 정보에 기초하여, 컨트롤러(750)는 커맨드들을 실행하기 위해 메모리 디바이스(740) 내의 로직 및 회로의 동작들의 타이밍을 제어할 수 있다. 컨트롤러(750)는 타이밍 및 시그널링 요건들과 같은, 메모리 디바이스(740) 내의 표준들 또는 사양들을 준수할 책임이 있다. 메모리 컨트롤러(720)는 액세스 스케줄링 및 제어에 의해 표준들 또는 사양들의 준수를 구현할 수 있다.

메모리 컨트롤러(720)는 메모리 디바이스(740)에 전송할 트랜잭션들을 생성하고 순서화하는 로직 또는 회로를 나타내는 스케줄러(730)를 포함한다. 하나의 관점에서, 메모리 컨트롤러(720)의 주 기능은 메모리 디바이스(740)에 대한 메모리 액세스 및 다른 트랜잭션들을 스케줄링하는 것이라고 말할 수 있다. 그러한 스케줄링은, 프로세서(710)에 의한 데이터에 대한 요청들을 구현하고 데이터의 무결성을 유지하기 위해(예를 들어, 리프레시에 관련된 커맨드들과 같이) 트랜잭션 자체를 생성하는 것을 포함할 수 있다. 트랜잭션들은 하나 이상의 커맨드를 포함할 수 있고, 클록 사이클들 또는 단위 간격들과 같은 하나 또는 다수의 타이밍 사이클에 걸쳐 커맨드들 또는 데이터 또는 양자 모두의 전송을 초래할 수 있다. 트랜잭션들은 판독 또는 기입 또는 관련 커맨드들 또는 조합과 같은 액세스를 위한 것일 수 있고, 다른 트랜잭션들은 구성, 설정들, 데이터 무결성, 또는 다른 커맨드들 또는 조합에 대한 메모리 관리 커맨드들을 포함할 수 있다.

메모리 컨트롤러(720)는 통상적으로 시스템(700)의 성능을 향상시키기 위해 트랜잭션들의 선택 및 순서화를 허용하기 위한 스케줄러(730)와 같은 로직을 포함한다. 따라서, 메모리 컨트롤러(720)는 미처리 트랜잭션들 중 어느 것이 어느 순서로 메모리 디바이스(740)에 전송되어야 하는지를 선택할 수 있고, 이는 통상적으로 단순한 선입선출(first-in first-out) 알고리즘보다 훨씬 더 복잡한 로직으로 달성한다. 메모리 컨트롤러(720)는 메모리 디바이스(740)에 대한 트랜잭션들의 송신을 관리하고, 트랜잭션과 연관된 타이밍을 관리한다. 일 예에서, 트랜잭션들은 결정론적 타이밍을 가지며, 이는 메모리 컨트롤러(720)에 의해 관리될 수 있고 스케줄러(730)로 트랜잭션들을 어떻게 스케줄링할지를 결정하기 위해 사용될 수 있다.

일 예에서, 메모리 컨트롤러(720)는 리프레시(REF) 로직(726)을 포함한다. 리프레시 로직(726)은 결정론적 상태를 유지하기 위해 리프레시될 필요가 있고 휘발성인 메모리 리소스들에 대해 사용될 수 있다. 일 예에서, 리프레시 로직(726)은 리프레시에 대한 위치, 및 수행할 리프레시의 타입을 나타낸다. 리프레시 로직(726)은 리프레시 커맨드들을 전송함으로써, (자동 리프레시 커맨드들로서 지칭될 수 있는) 외부 리프레시들을 실행하거나, 메모리 디바이스(740) 내의 셀프-리프레시를 트리거하거나, 또는 조합을 할 수 있다. 일 예에서, 시스템(700)은 뱅크당(per bank) 리프레시들뿐만 아니라 모든 뱅크 리프레시들을 지원한다. 모든 뱅크 리프레시들은 병렬로 결합된 모든 메모리 디바이스들(740) 내의 뱅크들의 리프레싱을 야기한다. 뱅크당 리프레시들은 지정된 메모리 디바이스(740) 내의 지정된 뱅크의 리프레싱을 야기한다. 일 예에서, 메모리 디바이스(740) 내의 컨트롤러(750)는 메모리 디바이스(740) 내의 리프레시를 적용하기 위한 리프레시 로직(754)을 포함한다. 일 예에서, 리프레시 로직(754)은 메모리 컨트롤러(720)로부터 수신된 외부 리프레시에 따라 리프레시를 수행하기 위한 내부 동작들을 생성한다. 리프레시 로직(754)은 리프레시가 메모리 디바이스(740)로 보내지고, 커맨드에 응답하여 어떤 메모리 리소스들(760)이 리프레시할지를 결정할 수 있다.

도 8은 접지된 실딩이 구현될 수 있는 컴퓨팅 시스템의 일 예의 블록도이다. 시스템(800)은 본 명세서에서의 임의의 예에 따른 컴퓨팅 디바이스를 나타내고, 랩톱 컴퓨터, 데스크톱 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 서버, 게이밍 또는 엔터테인먼트 제어 시스템, 임베디드 컴퓨팅 디바이스, 또는 다른 전자 디바이스일 수 있다.

일 예에서, 시스템(800)은 메모리(830)를 시스템(800)에 제공하는 메모리 모듈 상에서와 같이, 메모리(830) 상에 접지된 실드(890)를 포함한다. 접지된 실드(890)는 본 명세서에 설명된 임의의 실드에 따를 수 있다. 접지된 실드(890)는 메모리(830) 상의 접지 콘택들에 상호접속한다. 접지된 실드(890)는 메모리(830)를 메모리 컨트롤러(822)에 결합하는 커넥터와 인터페이스하는 기계적 피처들을 포함한다. 피처들은 비영구적인 방식으로 실드를 고정하여, 이동식 실드를 제공한다.

시스템(800)은 시스템(800)에 대한 명령어들의 처리 또는 실행을 제공하기 위해, 임의의 타입의 마이크로프로세서, 중앙 처리 유닛(CPU), 그래픽 처리 유닛(GPU), 처리 코어, 또는 다른 처리 하드웨어, 또는 조합을 포함하는 프로세서(810)를 포함한다. 프로세서(810)는 시스템(800)의 전체 동작을 제어하고, 하나 이상의 프로그램가능 범용 또는 특수 목적 마이크로프로세서들, DSP들(digital signal processors), 프로그램가능 컨트롤러들, ASIC들(application specific integrated circuits), PLD들(programmable logic devices), 또는 이러한 디바이스들의 조합일 수 있거나 이들을 포함할 수 있다.

일 예에서, 시스템(800)은 프로세서(810)에 연결되는 인터페이스(812)를 포함하고, 이는 메모리 서브시스템(820) 또는 그래픽 인터페이스 컴포넌트들(840)과 같은, 더 높은 대역폭 접속들을 필요로 하는 시스템 컴포넌트들에 대한 더 높은 속도 인터페이스 또는 높은 스루풋 인터페이스를 나타낼 수 있다. 인터페이스(812)는 인터페이스 회로를 나타내고, 이는 독립형 컴포넌트일 수 있거나 프로세서 다이 상에 통합될 수 있다. 인터페이스(812)는 프로세서 다이 상에 회로로서 통합되거나 또는 시스템 온 칩 상의 컴포넌트로서 통합될 수 있다. 존재하는 경우, 그래픽 인터페이스(840)는 시스템(800)의 사용자에게 시각적 디스플레이를 제공하기 위한 그래픽 컴포넌트들에 인터페이스한다. 그래픽 인터페이스(840)는 독립형 컴포넌트일 수 있거나 또는 프로세서 다이 또는 시스템 온 칩 상에 통합될 수 있다. 일 예에서, 그래픽 인터페이스(840)는 사용자에게 출력을 제공하는 HD(high definition) 디스플레이를 구동할 수 있다. 일 예에서, 디스플레이는 터치스크린 디스플레이를 포함할 수 있다. 일 예에서, 그래픽 인터페이스(840)는 메모리(830)에 저장된 데이터에 기초하여 또는 프로세서(810)에 의해 실행되는 동작들에 또는 양자 모두에 기초하여 디스플레이를 생성한다.

메모리 서브시스템(820)은 시스템(800)의 메인 메모리를 나타내고, 프로세서(810)에 의해 실행될 코드, 또는 루틴을 실행하는 데에 사용될 데이터 값들을 위한 스토리지를 제공한다. 메모리 서브시스템(820)은 ROM(read-only memory), 플래시 메모리, DRAM과 같은 하나 이상의 다양한 RAM(random access memory), 또는 다른 메모리 디바이스들, 또는 이러한 디바이스들의 조합과 같은 하나 이상의 메모리 디바이스(830)를 포함할 수 있다. 메모리(830)는 특히, 시스템(800) 내에서의 명령어들의 실행을 위한 소프트웨어 플랫폼을 제공하는 운영 체제(OS)(832)를 저장하고 호스팅한다. 추가적으로, 애플리케이션들(834)은 메모리(830)로부터의 OS(832)의 소프트웨어 플랫폼 상에서 실행될 수 있다. 애플리케이션들(834)은 하나 이상의 기능의 실행을 수행하는 그 자신의 동작 로직을 갖는 프로그램들을 나타낸다. 프로세스들(836)은 OS(832) 또는 하나 이상의 애플리케이션(834) 또는 조합에 보조 기능들을 제공하는 에이전트들 또는 루틴들을 나타낸다. OS(832), 애플리케이션들(834), 및 프로세스들(836)은 시스템(800)에 대한 기능들을 제공하기 위한 소프트웨어 로직을 제공한다. 일 예에서, 메모리 서브시스템(820)은 메모리 컨트롤러(822)를 포함하고, 이는 메모리(830)에 커맨드들을 생성하고 발행하는 메모리 컨트롤러이다. 메모리 컨트롤러(822)는 프로세서(810)의 물리적 부분 또는 인터페이스(812)의 물리적 부분일 수 있다는 점이 이해될 것이다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(822)는, 프로세서 다이 또는 시스템 온 칩 상에 통합되는 것과 같이, 프로세서(810)와 함께 회로 상에 통합되는, 통합 메모리 컨트롤러일 수 있다.

구체적으로 도시되지는 않지만, 시스템(800)은, 메모리 버스, 그래픽 버스, 인터페이스 버스들 등과 같은, 디바이스들 사이의 하나 이상의 버스 또는 버스 시스템들을 포함할 수 있다는 점이 이해될 것이다. 버스들 또는 다른 신호 라인들은 컴포넌트들을 함께 통신적으로 또는 전기적으로 결합하거나, 또는 컴포넌트들을 통신적으로 그리고 전기적으로 결합할 수 있다. 버스들은 물리 통신 라인들, 포인트-투-포인트 연결들, 브리지들, 어댑터들, 컨트롤러들, 또는 다른 회로 또는 조합을 포함할 수 있다. 버스들은, 예를 들어, 시스템 버스, PCI(Peripheral Component Interconnect) 버스, 하이퍼트랜스포트(HyperTransport) 또는 ISA(industry standard architecture) 버스, SCSI(small computer system interface) 버스, USB(universal serial bus), 또는 다른 버스, 또는 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

일 예에서, 시스템(800)은 인터페이스(814)를 포함하고, 이는 인터페이스(812)에 결합될 수 있다. 인터페이스(814)는 인터페이스(812)보다 더 낮은 속도 인터페이스일 수 있다. 일 예에서, 인터페이스(814)는 인터페이스 회로를 나타내고, 이는 독립형 컴포넌트들 및 집적 회로를 포함할 수 있다. 일 예에서, 다수의 사용자 인터페이스 컴포넌트 또는 주변기기 컴포넌트, 또는 양자 모두가 인터페이스(814)에 결합한다. 네트워크 인터페이스(850)는 시스템(800)에게 하나 이상의 네트워크를 통해 원격 디바이스들(예를 들어, 서버들, 또는 다른 컴퓨팅 디바이스들)과 통신하는 능력을 제공한다. 네트워크 인터페이스(850)는 이더넷(Ethernet) 어댑터, 무선 상호접속 컴포넌트들, 셀룰러 네트워크 상호접속 컴포넌트들, USB(universal serial bus), 또는 다른 유선 또는 무선 표준들 기반 또는 독점적 인터페이스들을 포함할 수 있다. 네트워크 인터페이스(850)는 메모리에 저장된 데이터를 전송하거나 메모리에 저장될 데이터를 수신하는 것을 포함할 수 있는 원격 디바이스와 데이터를 교환할 수 있다.

일 예에서, 시스템(800)은 하나 이상의 I/O(input/output)인터페이스(들)(860)을 포함한다. I/O 인터페이스(860)는 사용자가 시스템(800)과 상호작용하는 하나 이상의 인터페이스 컴포넌트(예를 들어, 오디오, 영숫자, 촉각/터치, 또는 다른 인터페이싱)를 포함할 수 있다. 주변기기 인터페이스(870)는 위에 구체적으로 언급되지 않은 임의의 하드웨어 인터페이스를 포함할 수 있다. 주변기기들은 일반적으로 시스템(800)에 의존적으로 접속하는 디바이스들을 지칭한다. 의존적 접속은 동작이 그 상에서 실행되고 사용자가 그와 상호작용하는 소프트웨어 플랫폼 또는 하드웨어 플랫폼 또는 양자 모두를 시스템(800)이 제공하는 것이다.

일 예에서, 시스템(800)은 데이터를 비휘발성 방식으로 저장하는 스토리지 서브시스템(880)을 포함한다. 일 예에서는, 특정 시스템 구현들에서, 스토리지(880)의 적어도 특정 컴포넌트들이 메모리 서브시스템(820)의 컴포넌트들과 중첩될 수 있다. 스토리지 서브시스템(880)은, 하나 이상의 자기, 솔리드 스테이트, 또는 광학 기반 디스크들, 또는 조합과 같은, 비휘발성 방식으로 대량의 데이터를 저장하기 위한 임의의 종래의 매체일 수 있거나 이를 포함할 수 있는, 스토리지 디바이스(들)(884)를 포함한다. 스토리지(884)는 코드 또는 명령어들 및 데이터(886)를 지속적인 상태로 유지한다(즉, 시스템(800)에의 전력이 일시중단되더라도 값이 유지됨). 메모리(830)는 통상적으로 프로세서(810)에 명령어들을 제공하는 실행 또는 동작 메모리이더라도, 스토리지(884)는 일반적으로 "메모리(memory)"인 것으로 고려될 수 있다. 스토리지(884)는 비휘발성이지만, 메모리(830)는 휘발성 메모리를 포함할 수 있다(즉, 시스템(800)에 전력이 차단되면, 데이터의 값 또는 상태가 불확정적임). 일 예에서, 스토리지 서브시스템(880)은 스토리지(884)와 인터페이스하기 위한 컨트롤러(882)를 포함한다. 일 예에서, 컨트롤러(882)는 인터페이스(814) 또는 프로세서(810)의 물리적 부분이거나, 또는 프로세서(810) 및 인터페이스(814) 양자 모두에서의 회로들 또는 로직을 포함할 수 있다.

전원(802)은 시스템(800)의 컴포넌트들에 전력을 제공한다. 보다 구체적으로, 전원(802)은 통상적으로 시스템(800)에서 하나의 또는 다수의 전력 공급 장치(804)와 인터페이스하여 시스템(800)의 컴포넌트들에 전력을 제공한다. 일 예에서, 전력 공급 장치(804)는 벽 콘센트에 플러그하기 위한 AC-DC(교류-직류) 어댑터를 포함한다. 그러한 AC 전력은 재생가능 에너지(예를 들어, 태양 전력) 전원(802)일 수 있다. 일 예에서, 전원(802)은 외부 AC-DC 컨버터와 같은 DC 전원을 포함한다. 일 예에서, 전원(802) 또는 전력 공급 장치(804)는 충전 필드에의 근접을 통해 충전하기 위한 무선 충전 하드웨어를 포함한다. 일 예에서, 전원(802)은 내부 배터리 또는 연료 전지 소스를 포함할 수 있다.

도 9는 접지된 실딩이 구현될 수 있는 모바일 디바이스의 일 예의 블록도이다. 디바이스(900)는, 컴퓨팅 태블릿, 모바일 폰 또는 스마트폰, 웨어러블 컴퓨팅 디바이스, 또는 다른 모바일 디바이스, 또는 임베디드 컴퓨팅 디바이스와 같은, 모바일 컴퓨팅 디바이스를 나타낸다. 컴포넌트들 중 일부가 일반적으로 도시되며, 그러한 디바이스의 모든 컴포넌트들이 디바이스(900) 내에 도시되지는 않는다는 것을 이해할 것이다.

일 예에서, 시스템(900)은 메모리(962)를 시스템(900)에 제공하는 메모리 모듈 상에서와 같이, 메모리(962) 상에 접지된 실드(990)를 포함한다. 접지된 실드(990)는 본 명세서에 설명된 임의의 실드에 따를 수 있다. 접지된 실드(990)는 메모리(962) 상의 접지 콘택들에 상호접속한다. 접지된 실드(990)는 메모리(962)를 메모리 컨트롤러(964)에 결합하는 커넥터와 인터페이스하는 기계적 피처들을 포함한다. 피처들은 비영구적인 방식으로 실드를 고정하여, 이동식 실드를 제공한다.

디바이스(900)는 디바이스(900)의 주요 처리 동작들을 수행하는 프로세서(910)를 포함한다. 프로세서(910)는 마이크로프로세서, 애플리케이션 프로세서, 마이크로컨트롤러, 프로그래밍 가능 로직 디바이스, 또는 다른 처리 수단과 같은 하나 이상의 물리 디바이스를 포함할 수 있다. 프로세서(910)에 의해 수행되는 처리 동작들은 애플리케이션들 및/또는 디바이스 기능들이 실행되는 운영 플랫폼 또는 운영 체제의 실행을 포함한다. 처리 동작들은 인간 사용자와의 또는 다른 디바이스들과의 I/O(input/output)에 관련된 동작들, 전력 관리에 관련된 동작들, 및/또는 디바이스(900)를 다른 디바이스에 접속하는 것에 관련된 동작들, 또는 조합을 포함한다. 처리 동작들은 오디오 I/O, 디스플레이 I/O, 또는 다른 인터페이싱, 또는 이들의 조합에 관련된 동작들을 또한 포함할 수 있다. 프로세서(910)는 메모리에 저장되는 데이터를 실행할 수 있다. 프로세서(910)는 메모리에 저장되는 데이터를 기입 또는 편집할 수 있다.

일 예에서, 시스템(900)은 하나 이상의 센서(912)를 포함한다. 센서들(912)은 임베디드 센서들 또는 외부 센서들에 대한 인터페이스들, 또는 조합을 나타낸다. 센서들(912)은 시스템(900)으로 하여금 시스템(900)이 구현되는 환경 또는 디바이스의 하나 이상의 조건을 모니터링 또는 검출할 수 있게 한다. 센서들(912)은 환경 센서들(예컨대, 온도 센서들, 모션 검출기들, 광 검출기들, 카메라들, 화학적 센서들(예를 들어, 일산화탄소, 이산화탄소, 또는 다른 화학적 센서들)), 압력 센서들, 가속도계들, 자이로스코프들, 의료용 또는 생리학 센서들(예를 들어, 바이오센서들, 심장 박동수 측정기들, 또는 생리학적 속성들을 검출하기 위한 다른 센서들), 또는 다른 센서들, 또는 조합을 포함할 수 있다. 센서들(912)은 지문 인식 시스템들, 얼굴 검출 또는 인식 시스템들, 또는 사용자 특징들을 검출 또는 인식하는 다른 시스템들과 같은 생체인식 시스템들을 위한 센서들을 또한 포함할 수 있다. 센서들(912)은 광범위하게 이해되어야 하고, 시스템(900)으로 구현될 수 있는 다수의 상이한 타입의 센서들에 제한을 두지 않는다. 일 예에서는, 하나 이상의 센서(912)가 프로세서(910)와 통합되는 프론트엔드 회로를 통해 프로세서(910)에 결합한다. 일 예에서는, 하나 이상의 센서(912)가 시스템(900)의 다른 컴포넌트를 통해 프로세서(910)에 결합한다.

일 예에서, 디바이스(900)는 오디오 서브시스템(920)을 포함하고, 이는 오디오 기능들을 컴퓨팅 디바이스에 제공하는 것과 연관된 하드웨어(예를 들어, 오디오 하드웨어 및 오디오 회로들) 및 소프트웨어(예를 들어, 드라이버들, 코덱들) 컴포넌트들을 나타낸다. 오디오 기능들은 스피커 및/또는 헤드폰 출력뿐만 아니라 마이크로폰 입력을 포함할 수 있다. 이러한 기능들을 위한 디바이스들은 디바이스(900) 내에 통합되거나, 또는 디바이스(900)에 접속될 수 있다. 일 예에서, 사용자는 프로세서(910)에 의해 수신되고 처리되는 오디오 커맨드들을 제공함으로써 디바이스(900)와 상호작용한다.

디스플레이 서브시스템(930)은 사용자에게 제시하기 위한 시각적 디스플레이를 제공하는 하드웨어(예를 들어, 디스플레이 디바이스들) 및 소프트웨어 컴포넌트들(예를 들어, 드라이버들)을 나타낸다. 일 예에서, 디스플레이는 사용자가 컴퓨팅 디바이스와 상호작용하기 위한 촉각 컴포넌트들 또는 터치스크린 요소들을 포함한다. 디스플레이 서브시스템(930)은, 사용자에게 디스플레이를 제공하기 위해 사용되는 특정 스크린 또는 하드웨어 디바이스를 포함하는 디스플레이 인터페이스(932)를 포함한다. 일 예에서는, 디스플레이 인터페이스(932)는 디스플레이에 관련된 적어도 일부 처리를 수행하는 프로세서(910)(예컨대, 그래픽 프로세서)와는 별도인 로직을 포함한다. 일 예에서, 디스플레이 서브시스템(930)은 사용자에게 출력 및 입력 양자 모두를 제공하는 터치스크린 디바이스를 포함한다. 일 예에서, 디스플레이 서브시스템(930)은 사용자에게 출력을 제공하는 HD(high definition) 또는 UHD(ultra-high definition) 디스플레이를 포함한다. 일 예에서, 디스플레이 서브시스템은 터치스크린 디스플레이를 포함하거나 이를 구동한다. 일 예에서, 디스플레이 서브시스템(930)은 메모리에 저장된 데이터에 기초하여 또는 프로세서(910)에 의해 실행되는 동작들에 또는 양자 모두에 기초하여 표시 정보를 생성한다.

I/O 컨트롤러(940)는 사용자와의 상호작용과 관련된 하드웨어 디바이스들 및 소프트웨어 컴포넌트들을 나타낸다. I/O 컨트롤러(940)는 오디오 서브시스템(920), 또는 디스플레이 서브시스템(930), 또는 양자 모두의 일부인 하드웨어를 관리하도록 동작할 수 있다. 추가로, I/O 컨트롤러(940)는 디바이스(900)에 접속되는 추가의 디바이스들에 대한 접속 포인트를 예시하고, 이 접속 포인트를 통해, 사용자가 시스템과 상호작용할 수 있다. 예를 들어, 디바이스(900)에 부착될 수 있는 디바이스들은 마이크 디바이스, 스피커 또는 스테레오 시스템, 비디오 시스템 또는 다른 디스플레이 디바이스, 키보드 또는 키패드 디바이스, 또는 카드 판독기들 또는 다른 디바이스들과 같은 특정 응용들에 사용하기 위한 다른 I/O 디바이스를 포함할 수 있다.

위에 언급된 바와 같이, I/O 컨트롤러(940)는 오디오 서브시스템(920) 또는 디스플레이 서브시스템(930) 또는 양자 모두와 상호작용할 수 있다. 예를 들어, 마이크로폰 또는 다른 오디오 디바이스를 통한 입력은 장치(900)의 하나 이상의 애플리케이션 또는 기능에 대한 입력 또는 커맨드들을 제공할 수 있다. 추가로, 오디오 출력이 디스플레이 출력 대신에 또는 디스플레이 출력에 추가하여 제공될 수 있다. 또 다른 예에서, 디스플레이 서브시스템이 터치스크린을 포함하면, 디스플레이 디바이스는 또한 적어도 부분적으로 I/O 컨트롤러(940)에 의해 관리될 수 있는 입력 디바이스로서 작용한다. I/O 컨트롤러(940)에 의해 관리되는 I/O 기능들을 제공하는 디바이스(900) 상의 추가의 버튼들 또는 스위치들이 또한 존재할 수 있다.

일 예에서, I/O 컨트롤러(940)는 가속도계들, 카메라들, 광 센서들 또는 다른 환경 센서들, 자이로스코프들, 글로벌 포지셔닝 시스템(GPS; global positioning system), 또는 디바이스(900) 내에 포함될 수 있는 다른 하드웨어, 또는 센서들(912)과 같은 디바이스들을 관리한다. 입력은 직접적 사용자 상호작용뿐만 아니라 시스템의 동작에 영향을 주는 시스템에 대한 환경적 입력의 제공(예컨대, 노이즈에 대한 필터링, 휘도 검출을 위한 디스플레이들을 조정, 카메라들을 위한 플래시의 적용 또는 다른 특징들)의 일부일 수 있다.

일 예에서, 디바이스(900)는 배터리 전력 사용, 배터리의 충전, 및 절전 동작과 관련된 특징들을 관리하는 전력 관리(950)를 포함한다. 전력 관리(950)는, 전력을 시스템(900)의 컴포넌트들에 제공하는, 전원(952)으로부터의 전력을 관리한다. 일 예에서, 전원(952)은 벽 콘센트에 플러그하기 위한 AC-DC(교류-직류) 어댑터를 포함한다. 그러한 AC 전력은 재생가능 에너지(예를 들어, 태양 전력, 모션 기반 전력)일 수 있다. 일 예에서, 전원(952)은 외부 AC-DC 컨버터와 같은, DC 전원에 의해 제공될 수 있는 DC 전력만을 포함한다. 일 예에서, 전원(952)은 충전 필드에 대한 근접을 통해 충전하기 위한 무선 충전 하드웨어를 포함한다. 일 예에서, 전원(952)은 내부 배터리 또는 연료 전지 소스를 포함할 수 있다.

메모리 서브시스템(960)은 디바이스(900)에서 정보를 저장하는 메모리 디바이스(들)(962)를 포함한다. 메모리 서브시스템(960)은 비휘발성(메모리 디바이스로의 전력이 중단되면 상태가 변경되지 않음) 또는 휘발성(메모리 디바이스로의 전력이 중단되면 상태가 불확정적임) 메모리 디바이스들, 또는 조합을 포함할 수 있다. 메모리(960)는 애플리케이션 데이터, 사용자 데이터, 음악, 사진들, 문서들 또는 다른 데이터뿐만 아니라, 시스템(900)의 애플리케이션들 및 기능들의 실행과 관련된(장기적인지 또는 일시적인지에 관계없이) 시스템 데이터도 저장할 수 있다. 일 예에서, 메모리 서브시스템(960)은(시스템(900)의 제어의 일부인 것으로도 생각될 수 있고 잠재적으로 프로세서(910)의 일부인 것으로 생각될 수 있는) 메모리 컨트롤러(964)를 포함한다. 메모리 컨트롤러(964)는 메모리 디바이스(962)에 대한 액세스를 제어하기 위한 커맨드들을 생성하고 발행하는 스케줄러를 포함한다.

접속성(connectivity)(970)은 디바이스(900)가 외부 디바이스들과 통신할 수 있게 하기 위한 하드웨어 디바이스들(예를 들어, 무선 또는 유선 커넥터들 및 통신 하드웨어, 또는 유선 및 무선 하드웨어의 조합) 및 소프트웨어 컴포넌트들(예를 들어, 드라이버들, 프로토콜 스택들)을 포함한다. 외부 디바이스는, 다른 컴퓨팅 디바이스들, 무선 액세스 포인트들 또는 기지국들과 같은 별개의 디바이스들뿐만 아니라 헤드셋들, 프린터들, 또는 다른 디바이스들과 같은 주변기기들일 수 있다. 일 예에서, 시스템(900)은 메모리에 저장하기 위해 또는 디스플레이 디바이스 상의 디스플레이를 위해 외부 디바이스와 데이터를 교환한다. 교환된 데이터는 데이터를 판독, 기입, 또는 편집하기 위해, 메모리에 이미 저장된 데이터, 또는 메모리에 저장될 데이터를 포함할 수 있다.

접속성(970)은 다수의 상이한 타입의 접속성을 포함할 수 있다. 일반화하기 위해, 셀룰러 접속성(972) 및 무선 접속성(974)을 갖는 디바이스(900)가 예시되어 있다. 셀룰러 접속성(972)은 일반적으로 GSM(global system for mobile communications) 또는 변형들 또는 파생물들, CDMA(code division multiple access) 또는 변형들 또는 파생물들, TDM(time division multiplexing) 또는 변형들 또는 파생물들, LTE(long term evolution - "4G"이라고도 지칭함), 또는 다른 셀룰러 서비스 표준들을 통해 제공되는 것과 같은, 무선 캐리어들(wireless carriers)에 의해 제공되는 셀룰러 네트워크 접속성을 지칭한다. 무선 접속성(974)은 셀룰러가 아닌 무선 접속성을 지칭하고, 개인 영역 네트워크들(예컨대 블루투스), 로컬 영역 네트워크(예컨대 WiFi), 또는 광역 네트워크들(예컨대 WiMax), 또는 다른 무선 통신, 또는 조합을 포함할 수 있다. 무선 통신은 비-솔리드(non-solid) 매체를 통한 변조된 전자기 방사(modulated electromagnetic radiation)의 이용을 통하여 데이터를 전송하는 것을 지칭한다. 유선 통신은 솔리드 통신 매체(solid communication medium)를 통해 일어난다.

주변기기 접속들(peripheral connections)(980)은 하드웨어 인터페이스들 및 커넥터들뿐만 아니라, 주변기기 접속들을 행하기 위한 소프트웨어 컴포넌트들(예를 들어, 드라이버들, 프로토콜 스택들)도 포함한다. 디바이스(900)는 그것에 접속된 주변 디바이스들("~로부터"(984))을 가질 수 있는 것뿐만 아니라, 다른 컴퓨팅 디바이스들에 대한 주변 디바이스("~로"(982))일 수 있는 것, 양자 모두일 수 있다는 것이 이해될 것이다. 디바이스(900)는 디바이스(900) 상의 콘텐츠를 관리하는 것(예를 들어, 다운로딩하는 것, 업로딩하는 것, 변경하는 것, 또는 동기화하는 것)과 같은 목적들을 위해 다른 컴퓨팅 디바이스들에 접속하는 "도킹(docking)" 커넥터를 보통 갖는다. 추가로, 도킹 커넥터는 예를 들어, 시청각 또는 다른 시스템들로의 콘텐츠 출력을 디바이스(900)가 제어할 수 있게 하는 특정한 주변기기들에 디바이스(900)가 접속하게 할 수 있다.

사유 도킹 커넥터(proprietary docking connector) 또는 다른 사유 접속 하드웨어에 추가하여, 디바이스(900)는 공통 또는 표준-기반 커넥터들을 통해 주변기기 접속들(980)을 행할 수 있다. 공통 타입들은 USB(Universal Serial Bus) 커넥터(다수의 상이한 하드웨어 인터페이스 중 임의의 것을 포함할 수 있음), MDP(MiniDisplayPort)를 포함하는 DisplayPort, HDMI(High Definition Multimedia Interface), 또는 다른 타입을 포함할 수 있다.

일반적으로 본 명세서의 설명들과 관련하여, 일 예에서, 장치는 다음을 포함한다: 동작 동안 고주파 전자기 주파수(EMF) 노이즈를 생성하는 컴포넌트를 포함하는 인쇄 회로 보드(PCB)- PCB는 대응하는 커넥터와 인터페이스하기 위한 패드들을 포함함 -; 및 컴포넌트를 커버하기 위한 이동식 실드- 실드는 실드를 PCB로 고정시키기 위해 대응하는 커넥터에서의 클립들과 정렬하는 실드의 둘레에서의 갭을 포함하고, 실드는 실드를 대응하는 커넥터와 정렬하기 위해 대응하는 커넥터와 인터페이스하기 위한 실드의 에지로부터 연장되는 로크 핑거들을 포함함 -.

일 예에서, 실드는 대응하는 커넥터에서의 클립들을 통해 PCB와 접촉하여 고정되는 것이다. 일 예에서, PCB는 고정될 때 이동식 실드에 접촉하기 위한 다수의 접지 패드를 포함한다. 일 예에서, 접지 패드들은 실드의 펀칭된 표면과 인터페이스하기 위해 PCB 상에 편평한 패드들을 포함한다. 일 예에서, 접지 패드들은 편평한 실드 표면과 인터페이스하기 위해 PCB 상의 돌출 패드들을 포함한다. 일 예에서, 접지 패드들은 PCB의 접지 평면에 대한 패드들을 포함하고, 여기서 실드는 접지 패드들 및 대응하는 커넥터를 통해 단지 간접적으로 시스템 접지에 접속한다. 일 예에서, 실드는 PCB에 고정하기 위해 클립들과 인터페이스하기 위한 플랜지를 포함하고, 둘레에서의 갭은 대응하는 커넥터의 클립들과 정렬하기 위한 플랜지에서의 갭을 포함한다. 일 예에서, 실드는 PCB 상의 컴포넌트를 완전히 둘러싸기 위한 측벽을 포함한다. 일 예에서, 컴포넌트는 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 디바이스를 포함한다. 일 예에서, PCB는 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)의 PCB를 포함한다.

일반적으로 본 명세서의 설명들과 관련하여, 일 예에서, 컴퓨팅 디바이스는 다음을 포함한다: 프로세서; 및 프로세서에 결합된 메모리 인쇄 회로 보드(PCB)- PCB는 동작 동안 고주파 전자기 주파수(EMF) 노이즈를 생성하는 메모리 디바이스들을 포함하고, PCB는 대응하는 커넥터와 인터페이스하기 위한 패드들을 포함함 -; 메모리 디바이스들을 커버하기 위한 이동식 실드- 실드는 실드를 PCB로 고정시키기 위해 대응하는 커넥터에서의 클립들과 정렬하는 실드의 둘레에서의 갭을 포함하고, 실드는 실드를 대응하는 커넥터와 정렬하기 위해 대응하는 커넥터와 인터페이스하기 위한 실드의 에지로부터 연장되는 로크 핑거들을 포함함 -.

일 예에서, 실드는 대응하는 커넥터에서의 클립들을 통해 PCB와 접촉하여 고정되는 것이다. 일 예에서, PCB는 고정될 때 이동식 실드에 접촉하기 위한 다수의 접지 패드를 포함한다. 일 예에서, 접지 패드들은 실드의 펀칭된 표면과 인터페이스하기 위해 PCB 상에 편평한 패드들을 포함한다. 일 예에서, 접지 패드들은 편평한 실드 표면과 인터페이스하기 위해 PCB 상의 돌출 패드들을 포함한다. 일 예에서, 접지 패드들은 PCB의 접지 평면에 대한 패드들을 포함하고, 여기서 실드는 접지 패드들 및 대응하는 커넥터를 통해 단지 간접적으로 시스템 접지에 접속한다. 일 예에서, 실드는 PCB에 고정하기 위해 클립들과 인터페이스하기 위한 플랜지를 포함하고, 둘레에서의 갭은 대응하는 커넥터의 클립들과 정렬하기 위한 플랜지에서의 갭을 포함한다. 일 예에서, 실드는 PCB 상의 컴포넌트를 완전히 둘러싸기 위한 측벽을 포함한다. 일 예에서, PCB는 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)의 PCB를 포함하고, 컴포넌트는 DIMM 상에 장착된 다수의 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 디바이스 중 하나를 포함한다. 일 예에서, 호스트 프로세서 디바이스는 멀티 코어 프로세서를 포함한다. 일 예에서, 시스템은 호스트 프로세서에 통신가능하게 결합된 디스플레이를 추가로 포함한다. 일 예에서, 시스템은 호스트 프로세서에 통신가능하게 결합된 네트워크 인터페이스를 추가로 포함한다. 일 예에서, 시스템은 컴퓨팅 디바이스에 전력을 공급하기 위한 배터리를 추가로 포함한다.

본 명세서에 예시된 흐름도들은 다양한 프로세스 액션들의 시퀀스들의 예들을 제공한다. 흐름도들은 소프트웨어 또는 펌웨어 루틴에 의해 실행될 동작들뿐 아니라 물리적 동작들을 나타낼 수 있다. 흐름도는 하드웨어 및/또는 소프트웨어로 구현될 수 있는 유한 상태 머신(FSM)의 상태들의 구현의 예를 예시할 수 있다. 특정 시퀀스 또는 순서로 도시되지만, 달리 명시되지 않는다면, 액션들의 순서는 수정될 수 있다. 따라서, 예시된 다이어그램들은 단지 예들로서 이해되어야 하고, 프로세스는 상이한 순서로 수행될 수 있고, 일부 액션들은 병렬로 수행될 수 있다. 추가적으로, 하나 이상의 액션이 생략될 수 있고; 따라서, 모든 구현들이 모든 액션들을 수행하는 것은 아닐 것이다.

다양한 동작들 또는 기능들이 본 명세서에 기술되어 있는 한, 이들은 소프트웨어 코드, 명령어들, 구성, 및/또는 데이터로서 설명되거나 정의될 수 있다. 콘텐츠는 직접 실행가능물(executable)("객체" 또는 "실행가능" 형태), 소스 코드, 또는 차가 코드("델타" 또는 "패치" 코드)일 수 있다. 본 명세서에 설명된 것의 소프트웨어 콘텐츠는 콘텐츠가 저장되어 있는 제조 물품(article of manufacture)을 통해, 또는 통신 인터페이스를 통해 데이터를 전송하기 위해 통신 인터페이스를 작동시키는 방법을 통해 제공될 수 있다. 머신 판독가능 저장 매체는 머신이 설명된 기능들 또는 동작들을 수행하게 할 수 있고, 기록가능한/기록가능하지 않은 매체(예를 들어, ROM(read only memory), RAM(random access memory), 자기 디스크 저장 매체, 광 저장 매체, 플래시 메모리 디바이스 등)와 같은, 머신(예를 들어, 컴퓨팅 디바이스, 전자 시스템 등)에 의해 액세스 가능한 형태로 정보를 저장하는 임의의 메커니즘을 포함한다. 통신 인터페이스는 메모리 버스 인터페이스, 프로세서 버스 인터페이스, 인터넷 접속, 디스크 컨트롤러 등과 같은 다른 디바이스와 통신하기 위해 하드와이어드, 무선, 광학 등의 임의의 매체와 인터페이스하는 임의의 메커니즘을 포함한다. 통신 인터페이스는 소프트웨어 콘텐츠를 설명하는 데이터 신호를 제공하기 위해 통신 인터페이스를 준비하기 위해 구성 파라미터들을 제공하고 및/또는 신호들을 전송함으로써 구성될 수 있다. 통신 인터페이스는 통신 인터페이스에 전송되는 하나 이상의 커맨드 또는 신호를 통해 액세스될 수 있다.

본 명세서에 설명된 다양한 컴포넌트들은 설명된 동작들 또는 기능들을 수행하기 위한 수단일 수 있다. 본 명세서에 설명된 각각의 컴포넌트는 소프트웨어, 하드웨어 또는 이들의 조합을 포함한다. 이러한 컴포넌트들은 소프트웨어 모듈들, 하드웨어 모듈들, 특수-목적 하드웨어(예를 들어, 주문형 하드웨어, ASIC들(application specific integrated circuits), DSP들(digital signal processors) 등), 임베디드 컨트롤러들, 하드와이어드 회로 등으로서 구현될 수 있다.

본 명세서에 설명되는 것 외에, 본 발명의 개시된 것 및 구현들에 대해 그 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 수정들이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 명세서에서의 예시들 및 예들은 예시적인 의미로 해석되고, 제한적인 의미로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 범위는 이하의 청구항들에 대한 참조에 의해서만 측정되어야 한다.

Claims

장치로서,
동작 동안 고주파 전자기 주파수(EMF) 노이즈를 생성하는 컴포넌트를 포함하는 인쇄 회로 보드(PCB)- 상기 PCB는 대응하는 커넥터와 인터페이스하기 위한 패드들을 포함함 -; 및
상기 컴포넌트를 커버하기 위한 이동식 실드- 상기 실드는 상기 실드를 상기 PCB로 고정시키기 위해 상기 대응하는 커넥터에서의 클립들과 정렬하는 상기 실드의 둘레에서의 갭을 포함하고, 상기 실드는 상기 실드를 상기 대응하는 커넥터와 정렬하기 위해 상기 대응하는 커넥터와 인터페이스하기 위한 상기 실드의 에지로부터 연장되는 로크 핑거들을 포함함 -를 포함하는 장치.
제1항에 있어서,
상기 실드는 상기 대응하는 커넥터에서의 상기 클립들을 통해 상기 PCB와 접촉하여 고정되는 것인 장치.
제2항에 있어서,
상기 PCB는 고정될 때 상기 이동식 실드에 접촉하기 위한 다수의 접지 패드를 포함하는 장치.
제3항에 있어서,
상기 접지 패드들은 상기 실드의 펀칭된 표면과 인터페이스하기 위한 상기 PCB 상의 편평한 패드들을 포함하는 장치.
제3항에 있어서,
상기 접지 패드들은 편평한 실드 표면과 인터페이스하기 위한 상기 PCB 상의 돌출 패드들을 포함하는 장치.
제3항에 있어서,
상기 접지 패드들은 상기 PCB의 접지 평면에 대한 패드들을 포함하고, 상기 실드는 상기 접지 패드들 및 상기 대응하는 커넥터를 통해 단지 간접적으로 시스템 접지에 접속하는 장치.
제1항에 있어서,
상기 실드는 상기 PCB에 고정하기 위해 상기 클립들과 인터페이스하기 위한 플랜지를 포함하고, 상기 둘레에서의 갭은 상기 대응하는 커넥터의 상기 클립들과 정렬하기 위해 상기 플랜지에서의 갭을 포함하는 장치.
제1항에 있어서,
상기 실드는 상기 PCB 상의 상기 컴포넌트를 완전히 둘러싸기 위한 측벽을 포함하는 장치.
제1항에 있어서,
상기 컴포넌트는 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 디바이스를 포함하는 장치.
제9항에 있어서,
상기 PCB는 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)의 PCB를 포함하는 장치.
컴퓨팅 디바이스로서,
프로세서;
상기 프로세서에 결합된 메모리 인쇄 회로 보드(PCB)- 상기 PCB는 동작 동안 고주파 전자기 주파수(EMF) 노이즈를 생성하는 메모리 디바이스들을 포함하고, 상기 PCB는 대응하는 커넥터와 인터페이스하기 위한 패드들을 포함함 -; 및
상기 메모리 디바이스들을 커버하기 위한 이동식 실드- 상기 실드는 상기 실드를 상기 PCB로 고정시키기 위해 상기 대응하는 커넥터에서의 클립들과 정렬하는 상기 실드의 둘레에서의 갭을 포함하고, 상기 실드는 상기 실드를 상기 대응하는 커넥터와 정렬하기 위해 상기 대응하는 커넥터와 인터페이스하기 위한 상기 실드의 에지로부터 연장되는 로크 핑거들을 포함함 -를 포함하는 컴퓨팅 디바이스.
제11항에 있어서,
상기 실드는 상기 대응하는 커넥터에서의 상기 클립들을 통해 상기 PCB와 접촉하여 고정되는 것인 컴퓨팅 디바이스.
제12항에 있어서,
상기 PCB는 고정될 때 상기 이동식 실드에 접촉하기 위한 다수의 접지 패드를 포함하는 컴퓨팅 디바이스.
제13항에 있어서,
상기 접지 패드들은 상기 실드의 펀칭된 표면과 인터페이스하기 위한 상기 PCB 상의 편평한 패드들을 포함하는 컴퓨팅 디바이스.
제13항에 있어서,
상기 접지 패드들은 편평한 실드 표면과 인터페이스하기 위한 상기 PCB 상의 돌출 패드들을 포함하는 컴퓨팅 디바이스.
제13항에 있어서,
상기 접지 패드들은 상기 PCB의 접지 평면에 대한 패드들을 포함하고, 상기 실드는 상기 접지 패드들 및 상기 대응하는 커넥터를 통해 단지 간접적으로 시스템 접지에 접속하는 컴퓨팅 디바이스.
제11항에 있어서,
상기 실드는 상기 PCB에 고정하기 위해 상기 클립들과 인터페이스하기 위한 플랜지를 포함하고, 상기 둘레에서의 갭은 상기 대응하는 커넥터의 상기 클립들과 정렬하기 위해 상기 플랜지에서의 갭을 포함하는 컴퓨팅 디바이스.
제11항에 있어서,
상기 실드는 상기 메모리 디바이스들을 완전히 둘러싸기 위한 측벽을 포함하는 컴퓨팅 디바이스.
제11항에 있어서,
상기 PCB는 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)의 PCB를 포함하고, 상기 메모리 디바이스들은 상기 DIMM 상에 장착된 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 디바이스들을 포함하는 컴퓨팅 디바이스.
제11항에 있어서,
상기 프로세서 디바이스는 멀티 코어 프로세서를 포함하거나;
상기 프로세서에 통신가능하게 결합된 디스플레이를 추가로 포함하거나;
상기 프로세서에 통신가능하게 결합된 네트워크 인터페이스를 추가로 포함하거나; 또는
상기 컴퓨팅 디바이스에 전력을 공급하는 배터리를 추가로 포함하는 컴퓨팅 디바이스.