KR20200114741A - 유기 금속 화합물, 이를 이용한 박막의 제조 방법, 및 박막을 포함하는 반도체 소자 - Google Patents

유기 금속 화합물, 이를 이용한 박막의 제조 방법, 및 박막을 포함하는 반도체 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 금속 화합물, 이를 이용한 박막의 제조 방법, 및 박막을 포함하는 반도체 소자 {ORGANIC METAL COMPOUND, MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM USING THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDINF THIN FILM}에 관한 것이다.
일 구현예에 따른 유기 금속 화합물은 화학식 1로 표시되며, 상기 화학식 1에 대한 구체적인 내용은 명세서에서 정의된 것과 같다.

Description

유기 금속 화합물, 이를 이용한 박막의 제조 방법, 및 박막을 포함하는 반도체 소자 {ORGANIC METAL COMPOUND, MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM USING THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDINF THIN FILM}
유기 금속 화합물, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 박막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다.
반도체 소자가 점차 미세화됨으로 인하여 높은 유전율을 가지면서 낮은 전기 저항을 갖는 박막에 대한 요구가 증가하고 있다. 또한, 반도체 소자의 고집적화로 인해, 스퍼터링(sputtering) 공정 등의 기존에 사용되어 오던 물리 기상 증착 공정(PVD)으로는 상기 박막을 형성하는데 한계가 있어왔다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 최근 고유전율(high-k)의 물성을 나타내는 전이금속-탄소 결합을 가지는 유기 금속 화합물을 전구체로 사용한 화학 기상 증착 공정(CVD) 또는 원자층 증착 공정(ALD)를 통해 박막을 형성하고 있다.
화학 기상 증착 또는 원자층 증착 공정에 사용되는 유기 금속 화합물은 충분한 증기압을 제공할 수 있는 높은 기화 특성을 가져야 하며, 기화 온도와 분해 온도가 큰 격차를 가져 기화가 용이하면서도 열적안정성을 확보할 수 있어야 한다.
또한, 기화에 의해 부식성 생성물을 생성함으로써 증착 장비에 손상을 발생시키면 안되며, 낮은 독성을 가져야 함은 물론이다. 또한 화학적 안정성을 확보하여 부반응이 진행되어 부산물 입자를 생성하거나 증착 공정 이후 잔류물이 잔존해서는 안된다.
상기 조건을 만족시키지 못할 경우에는, 증착 공정에 의해 부산물 입자가 생성되거나 증착에 의해 불균일한 박막이 생성될 수 있으며, 증착 장비의 손상까지 발생될 수 있다.
한편, 화학 기상 증착 또는 원자층 증착 공정의 경우, 높은 증착 온도가 필요하기 때문에, 유기 금속 화합물이 증착 전에 열분해됨으로써 부분적으로 박막이 형성되지 않는 문제점이 발생될 수 있다. 특히, 커패시터의 유전막과 같이 종횡비가 큰 개구(deep trench)내에 박막을 형성할 경우, 커패시터 유전막의 단차 피복성(step coverage)이 확보되지 않아서 소자의 전기적 특성이 열화 될 수 있다.
일 구현예는 고온에서도 쉽게 열분해되지 않아 안정적으로 증착 공정에 이용할 수 있고 충분한 증기압을 확보할 수 있어 균일한 박막 형성이 용이한 유기 금속 화합물을 제공하고자 한다.
다른 구현예는 상기 유기 금속 화합물이 증착되어 충분한 단차 피복성을 확보하여 균일하게 형성되는 박막의 제조 방법 및 상기 박막을 포함하는 반도체 소자를 제공하고자 한다.
일 구현예에 따른 유기 금속 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
M은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 또는 하프늄(Hf)이고,
R1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 이들의 조합이고,
R2 내지 R5는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기이고,
R6 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기이고,
R6 내지 R11 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기이며,
n은 0 또는 1이다.
다른 구현예에 따른 박막의 제조 방법은 상술한 유기 금속 화합물을 포함하는 증착원을 반응 가스와 반응시켜 기판 상에 박막을 증착하는 단계를 포함한다.
또 다른 구현예에 따른 반도체 소자는 상술한 박막을 포함한다.
일 구현예에 따른 유기 금속 화합물은 고온에서도 쉽게 열분해되지 않아 안정적으로 증착 공정에 이용할 수 있고 충분한 증기압을 확보할 수 있어 균일한 박막 형성이 용이하다.
또한, 상기 유기 금속 화합물은 증착되어 충분한 단차 피복성을 확보함으로써 균일하게 형성되는 박막의 제조 방법, 및 상기 박막을 포함하는 반도체 소자를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명한다. 다만, 본 기재를 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명 중 일부는 본 기재의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
하프늄 전구체(Hafnium precursor)인 HfCl4을 수증기(H2O)와 반응시켜 박막을 제조하는 방법이 오래 전부터 연구되어 왔다. 그러나, HfCl4는 높은 녹는점(432℃)을 가지고 있어 고상으로 증착해야 하므로, 충분한 증기압을 형성하기에 어려움이 있어 왔다. 또한, HfCl4를 이용한 증착 공정은 공정 속도(GPC)가 낮아 생산성이 낮으며, 부산물로 발생하는 HCl이 장치를 부식시키는 문제점을 일으켜왔다.
이를 해결하기 위한 하프늄 알킬아미드(hafnium alkylamide) 계열 전구체가 도입되었다. 하프늄 알킬아미드계 전구체는 상온에서 액체이며 높은 증기압을 갖는 화합물로서 120℃ 내지 300℃의 비교적 낮은 공정 온도에서 증착을 시킬 수 있다. 하지만, 반도체 소자가 점차 미세화 및 고집적화됨으로 인해, 높은 유전율(유전상수 k값 >30)을 가지는 박막에 대한 필요성이 증대되고 있다.
따라서, 비교적 낮은 유전율을 가지는 기존의 monoclinic 결정구조로부터 보다 높은 유전율을 가지는 tetragonal 결정 구조로의 변형이 요구되고, tetragonal 결정 구조를 가지는 박막을 형성하기 위해서는 공정 온도를 300 ℃ 이상으로 높여야 하므로, 이러한 온도 조건에 적용할 수 있는 열안정성이 높은 구조를 갖는 전구체가 요구되고 있다.
전술한 하프늄 알킬아미드계 전구체는 열안정성이 낮아 단차 피복성이 저하되고 이로 인해 커패시터 누설이 생성되어 원자층 증착법 또는 유기 금속 화학 증착법 공정에는 적용에 한계가 있다. 특히 하프늄 전구체의 경우 350℃ 이상의 공정 온도가 요구되는데, 기화되는 과정에서 하프늄에 결합된 알킬 아미드 리간드가 분해되어, 두께 조절이 어려울 뿐만 아니라 우수한 물성의 박막을 얻기 어렵다. 따라서, 열안정성이 향상된 리간드의 개발이 필요하다.
본원 발명자들은, 하프늄 등 결합수가 4 내지 8인 전이금속을 포함하는 유기 금속 화합물로서, 높은 공정 온도에서도 열분해가 잘 되지 않고 안정적이며, 높은 유전율을 나타낼 수 있는 새로운 유기 금속 화합물을 제조하고자 노력하였으며, 그 결과, 하기 화학식 1로 표시되는 것과 같은 유기 금속 화합물이 상기한 요구 조건들을 잘 충족할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하였다. 즉, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 금속 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서,
M은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 또는 하프늄(Hf)이고,
R1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 이들의 조합이고,
R2 내지 R5는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기이고,
R6 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기이고,
R6 내지 R11 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기이며,
n은 0 또는 1이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 중심 금속 원자 및 리간드가 고리화 된 6각 또는 7각의 고리화 된 코어를 포함한다. 또한, 상기 고리화 된 코어를 이루는 탄소 중 일부는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기로 더욱 치환된 형태이다.
뿐만 아니라, 고리화 된 코어 내에 사이클로펜타디엔 리간드 및 알킬아미드계 리간드를 포함하고 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 고리화 된 코어 및 사이클로펜타디엔 리간드를 포함함으로써 열안정성이 향상된 전구체를 구현할 수 있다.
특히, 고리화 된 코어에 추가 치환된 C1 내지 C6 알킬기를 포함함으로써 이러한 추가 치환기를 포함하지 않는 화합물 대비 열안정성을 더욱 높일 수 있다.
또한, 고리화 된 코어 내에 알킬아미드계 리간드를 포함함으로써 충분한 증기압을 형성할 수 있으므로 균일한 박막 형성에 유리하다.
일 예로, 상기 화학식 1에서 상기 R6 내지 R9 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1에서 R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 화학식 1의 R1은 C1 내지 C4 알킬기, C1 내지 C6 알킬기로 치환되거나 비치환된 실릴기, 또는 이들의 조합이고, R2 내지 R5는 각각 독립적으로, C1 내지 C6 알킬기이고, R6 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소, 또는 C1 내지 C6 알킬기이고, R6 내지 R11 중 적어도 하나는 C1 내지 C6 알킬기일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 n은 1일 수 있고, 이 때 상기 R6 내지 R11은 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기 또는 프로필기이며, 상기 R6 내지 R9 중 적어도 하나는 메틸기, 에틸기 또는 프로필기일 수 있다.
구체적으로, 상기 R6 내지 R9 중 적어도 하나는 메틸기이고, 상기 R10 및 R11은 각각 수소일 수 있다.
다른 일 실시예에서, 상기 n은 0일 수 있고, 이 때 상기 R6 내지 R9는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기 또는 프로필기이며, 상기 R6 내지 R9 중 적어도 하나는 메틸기, 에틸기 또는 프로필기일 수 있다.
구체적으로, 상기 R6 내지 R9 중 적어도 하나는 메틸기일 수 있다.
일 예로, 상기 R1 내지 R5는 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기 또는 프로필기일 수 있다.
일 예로 상기 M은 Hf일 수 있으며, 원자층 증착법에 적용시 공정 속도를 더욱 증가시킬 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 가장 구체적인 예로는 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 어느 하나로 표현되는, 유기 금속 화합물을 들 수 있다.
[화학식 1-1][화학식 1-2][화학식 1-3][화학식 1-4][화학식 1-5][화학식 1-6]
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
(상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서, M은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 또는 하프늄(Hf)이다.)
이상에서는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 금속 화합물에 대해 설명하였다. 상술한 유기 금속 화합물은 증착되어 높은 유전율을 가지는 박막을 형성할 수 있으며, 종횡비가 큰 개구 내에서도 균일하게 분산되어 고르게 형성되는 박막을 제공할 수 있다.
한편, 중심 금속 원자는 높은 증기압을 유발할 수 있는 2개의 아민 리간드와 결합되어 있어 높은 증기압을 나타낼 수 있다. 이 외에도, 상기 유기 금속 화합물은 증착 시 부산물로 HCl과 같은 부식성 생성물을 형성하지 않아 장치의 부식을 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면 전술한 유기 금속 화합물이 증착되어 형성되는 박막을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 또 다른 구현 예에 따르면, 상기 박막을 제조하는 방법을 제공할 수 있다. 이하에서는 박막의 제조 방법에 대해 상세히 서술하기로 한다.
박막의 제조 방법은 상술한 유기 금속 화합물을 포함하는 증착원을 반응 가스와 반응시켜 기판 상에 박막을 증착하는 단계를 포함한다.
상기 유기 금속 화합물에 대한 내용은 전술한 것과 같으므로, 중복 기재는 생략하기로 한다.
본 발명의 박막의 증착 방법은 상기에서 얻어진 유기 금속 화합물을 포함하는 증착원을 기화시키고, 반응 가스와 반응시켜 생성되는 반응물을 기판 상에 흡착시켜 박막을 형성한다.
상술한 반응 가스는 수증기(H2O), 산소(O2), 오존(O3), 플라즈마, 과산화수소(H2O2), 암모니아(NH3) 또는 하이드라진(N2H4), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
박막을 증착하는 방법으로는 특별히 한정하지는 않으나, 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD) 또는 유기 금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)을 사용할 수 있다.
이 때, 본 발명에 따른 상기 유기 금속 화합물을 사용하여 기판 상에 증착할 때, 증착 온도는 100℃ 내지 1000 ℃인 것이 바람직하다. 상기 유기 금속 화합물을 기판 상에 이동시키는 전달 방식은 특별히 한정하지 않으나, 휘발된 기체를 이송시키는 방식, 직접 액체 주입(DLI: Direct Liquid Injection) 방식 또는 전구체 화합물을 유기 용매에 녹여 이송하는 액체 이송방식 등을 선택하여 사용할 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상술한 유기 금속 화합물이 증착되어 형성된 박막 또는 상술한 박막의 제조 방법에 의해 제조된 박막을 포함하는 반도체 소자를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예에 따라 자세히 기술한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 예시로서 이해되어야 하며, 이로써 본 발명의 범위가 제한되는 것으로 해석되어서는 안된다.
비교예 1: HIK -01의 합성
테트라키스디메틸아미노 하프늄(IV)을 저온으로 냉각한 후 싸이클로펜타디엔을 투입하고 상온에서 1시간 교반을 통해 반응을 종결한다. 감압하에서 용매를 제거하고, 생성된 액체를 진공증류하여 HIK-01의 화합물을 얻었다.
Figure pat00009
( HIK -01)
비교예 2: HIK -02의 합성
테트라키스디메틸아미노 하프늄(IV)을 저온으로 냉각한 후 싸이클로펜타디엔닐에틸메틸아민을 투입하고 상온에서 1시간 교반을 통해 반응을 종결한다. 감압하에서 용매를 제거하고, 생성된 액체를 진공증류하여 HIK-02의 화합물을 얻었다.
Figure pat00010
(HIK-02)
비교예 3: HIK -03의 합성
테트라키스디메틸아미노 하프늄(IV)을 저온으로 냉각한 후 2-(2,4-싸이클로펜타디엔)-N-메틸프로판-1아민을 투입하고 상온에서 1시간 교반을 통해 반응을 종결한다. 감압하에서 용매를 제거하고, 생성된 액체를 진공증류하여 HIK-03의 화합물을 얻었다.
Figure pat00011
(HIK-03)
비교예 4:
시판중인 테트라키스(에틸메틸아미노)하프늄 (Hf(NEtMe)4 (TEMAH, DSC社))를 준비하였다.
실시예 1: HIK -12의 합성
테트라키스디메틸아미노 하프늄(IV)을 저온으로 냉각한 후 3-(2,4-싸이클로펜타디엔)-N,3-디메틸부탄-1아민을 투입하고 상온에서 1시간 교반을 통해 반응을 종결한다. 감압하에서 용매를 제거하고, 생성된 액체를 진공증류하여 HIK-12의 화합물을 얻었다.
1H NMR (400MHz, C6D6): δ = 5.71-5.95 (m, 4 H, C5H4), 3.14 (s, 3 H), 2.93(m, 1H), 2.95 (s, 12H), 2.93 (m, 2H), 1.75 (m, 2H), 1.18 (s, 3H)
Figure pat00012
(HIK-12)
실시예 2: HIK -13의 합성
테트라키스디메틸아미노 하프늄(IV)을 저온으로 냉각한 후 3-(2,4-싸이클로펜타디엔)-N-메틸부탄-1아민을 투입하고 상온에서 1시간 교반을 통해 반응을 종결한다. 감압하에서 용매를 제거하고, 생성된 액체를 진공증류하여 HIK-13의 화합물을 얻었다.
1H NMR (400MHz, C6D6): δ = 5.71-5.95 (m, 4 H, C5H4), 3.17 (s, 3 H), 2.98(m, 1H), 2.95 (d, 12H, 5.8Hz), 2.60 (m, 1H), 1.78 (m, 1H), 1.70 (m, 1H), 1.18 (d, 3H, 7.0Hz)
Figure pat00013
(HIK-13)
실시예 3: HIK -15의 합성
테트라키스디메틸아미노 하프늄(IV)을 저온으로 냉각한 후 3-(2,4-싸이클로펜타디엔)-N,2,2,3-테트라메틸부탄-1아민을 투입하고 상온에서 1시간 교반을 통해 반응을 종결한다. 감압하에서 용매를 제거하고, 생성된 액체를 진공증류하여 HIK-15의 화합물을 얻었다.
1H NMR (400MHz, C6D6): δ = 5.87 (s, 4 H, C5H4), 3.12 (s, 3 H), 2.96 (s, 12H), 2.87 (s, 2H,), 1.23 (s, 3H), 0.93 (s, 3H);
Figure pat00014
(HIK-15)
실시예 4: HIK-16의 합성법 기재
테트라키스디메틸아미노 하프늄(IV)을 저온으로 냉각한 후 3-(2,4-싸이클로펜타디엔)-N,2,2-트리메틸부탄-1아민을 투입하고 상온에서 1시간 교반을 통해 반응을 종결한다. 감압하에서 용매를 제거하고, 생성된 액체를 진공증류하여 HIK-16의 화합물을 얻었다.
1H NMR (400MHz, C6D6): δ = 5.71-5.90 (m, 4 H, C5H4), 3.14 (s, 3 H), 3.10(d, 1H, 13.0Hz), 2.96 (d, 12H, 5.8Hz), 2.57 (d, 1H, 13.0Hz), 2.45 (m, 1H), 1.18 (d, 3H, 7.5Hz), 0.93 (s, 3H), 0.86 (s, 3H)
Figure pat00015
(HIK-16)
평가
TGA 분석
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기금속 화합물들의 기초 열특성 분석을 위하여 TGA(열중량분석기) 분석을 실시하였다. 각 유기금속 화합물을 10 mg씩 취하여 알루미나 시료용기에 넣은 후 10 ℃/min. 의 속도로 400℃까지 승온시키면서 시험물의 중량이 반으로 감소하는 온도(T1/2)를 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
DSC 분석
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기금속 화합물들의 기초 열특성 분석을 위하여 DSC(시차주사열량측정법) 분석을 실시하였다. 각 유기금속 화합물을 10 mg씩 취하여 고압펜 시료용기에 넣은 후 5 ℃/min. 의 속도로 400℃까지 승온시키면서 열분해 온도를 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
증기압 분석
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기금속 화합물들을 온도계와 진공펌프가 장착된 플라스크에 투입한 후, 5 ℃/min. 의 속도로 승온시키면서 각 화합물의 B.P를 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
T1/2(℃) DSC(Onset, ℃) DSC(Peak, ℃) B.P (℃/Torr)
비교예 1 (HIK-01) 184 303 328 71/0.25
비교예 2 (HIK-02) 203 298 326 104/0.25
비교예 3 (HIK-03) 191 304 331 114/0.25
비교예 4 (TEMAH) 175 250 290 97/0.25
실시예 1 (HIK-12) 212 325 343 103/0.25
실시예 2 (HIK-13) 207 315 342 94/0.25
실시예 3 (HIK-15) 240 337 360 134/0.25
실시예 4 (HIK-16) 232 337 358 130/0.25
표 1을 참고하면, 본원 발명의 실시예에 따라 제조된 유기금속 화합물의 T1/2 값 및 DSC 값이 비교예에 따라 제조된 화합물의 T1/2 값 및 DSC 값보다 높으며, 이로써 본원 발명상의 유기금속 화합물의 열적 안정성이 보다 우수함을 알 수 있다.
또한, 본원 발명의 실시예에 따라 제조된 유기금속 화합물의 증기압(B.P)은 94/0.25(℃/Torr) 이상의 값을 나타냄으로써 충분한 증기압을 확보할 수 있어 균일한 박막 형성이 가능할 것으로 예상된다.
박막의 제조
상기 실시예 1 내지 실시예 4로부터 제조된 유기금속 화합물을 용기에 각각 저장한 후, 90℃에서 가열하였다. 이때, 아르곤(Ar) 가스를 유속 50 sccm 하 캐리어 기체로 사용하고, O3를 산소 공급원으로서 사용하였다.
실리콘 기판을 280℃에서 가열하여 박막을 제조하기 위한 기판을 준비하였다.
1단계로, 상기 용기에 저장되어 있는 유기금속 화합물을 각각 반응 챔버에 2초간 도입하였다. 2단계, Ar 퍼징을 5초 동안 수행하였다. 3단계로, O3 퍼징을 3초 동안 수행하였다. 4단계로 Ar 퍼징을 10초 동안 수행하였다.
상기 1단계부터 4 단계를 순차적으로 100 사이클 반복하여 ZrO2 및 HfO2 증착 박막을 각각 제조하였다.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00016

    상기 화학식 1에서,
    M은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 또는 하프늄(Hf)이고,
    R1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 이들의 조합이고,
    R2 내지 R5는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기이고,
    R6 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기이고,
    R6 내지 R11 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기이며,
    n은 0 또는 1이다.
  2. 제1항에서,
    상기 R6 내지 R9 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기인, 유기 금속 화합물.
  3. 제1항에서,
    상기 R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기인, 유기 금속 화합물.
  4. 제1항에서,
    상기 R1은 C1 내지 C4 알킬기, C1 내지 C6 알킬기로 치환되거나 비치환된 실릴기, 또는 이들의 조합이고,
    상기 R2 내지 R5는 각각 독립적으로, C1 내지 C6 알킬기이고,
    상기 R6 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소, 또는 C1 내지 C6 알킬기이고,
    R6 내지 R11 중 적어도 하나는 C1 내지 C6 알킬기인 유기 금속 화합물.
  5. 제1항에서,
    상기 n은 1이고,
    상기 R6 내지 R11은 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기 또는 프로필기이며,
    상기 R6 내지 R9 중 적어도 하나는 메틸기, 에틸기 또는 프로필기인, 유기 금속 화합물.
  6. 제5항에서,
    상기 R6 내지 R9 중 적어도 하나는 메틸기이고, 상기 R10 및 R11은 각각 수소인, 유기 금속 화합물.
  7. 제1항에서,
    상기 n은 0이고,
    상기 R6 내지 R9는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기 또는 프로필기이며,
    상기 R6 내지 R9 중 적어도 하나는 메틸기, 에틸기 또는 프로필기인, 유기 금속 화합물.
  8. 제1항에서,
    하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 어느 하나로 표현되는, 유기 금속 화합물:
    [화학식 1-1][화학식 1-2][화학식 1-3][화학식 1-4][화학식 1-5][화학식 1-6]
    Figure pat00017
    Figure pat00018
    Figure pat00019
    Figure pat00020
    Figure pat00021
    Figure pat00022

    상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서, M은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 또는 하프늄(Hf)이다.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 유기 금속 화합물을 포함하는 증착원을 수증기(H2O), 산소(O2), 오존(O3), 플라즈마, 오존(O3), 과산화수소(H2O2), 암모니아(NH3) 또는 하이드라진(N2H4), 또는 이들의 조합을 포함하는 반응 가스와 반응시켜 기판 상에 박막을 증착하는 단계를 포함하는, 박막의 제조 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 반응 가스는 수증기(H2O), 산소(O2), 오존(O3), 플라즈마, 오존(O3), 과산화수소(H2O2), 암모니아(NH3) 또는 하이드라진(N2H4), 또는 이들의 조합을 포함하는, 박막의 제조 방법.
  11. 제9항에서,
    상기 박막을 증착하는 단계는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD) 또는 유기 금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD)을 포함하는, 박막의 제조 방법.
  12. 제9항에 따라 제조된 박막을 포함하는 반도체 소자.
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