KR20200113368A - Wafer polishing pad and wafer polishing Apparatus having the same - Google Patents

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KR20200113368A KR1020190033412A KR20190033412A KR20200113368A KR 20200113368 A KR20200113368 A KR 20200113368A KR 1020190033412 A KR1020190033412 A KR 1020190033412A KR 20190033412 A KR20190033412 A KR 20190033412A KR 20200113368 A KR20200113368 A KR 20200113368A
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윤삼문
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Abstract

The present invention relates to a polishing pad for a wafer polishing apparatus, capable of improving the flatness of a wafer by preventing glazing occurring in a wafer polishing process, and the wafer polishing apparatus having the same. The polishing pad for the wafer polishing apparatus includes: a front portion where a plurality of pores are exposed and which is rubbed against the wafer; and a rear portion located on the opposite side of the front portion and in close contact with an upper or lower surface plate, wherein an overlapping area of the front portion according to the polishing trajectory of the wafer is buffed with a mesh of #100 or more and #150 or less.

Description

웨이퍼 연마 장치용 연마 패드 및 그를 구비한 웨이퍼 연마 장치{Wafer polishing pad and wafer polishing Apparatus having the same}A polishing pad for a wafer polishing apparatus, and a wafer polishing apparatus having the same.

본 발명은 웨이퍼 연마 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 연마에 사용되는 연마 패드에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer polishing apparatus, and more particularly, to a polishing pad used for wafer polishing.

단결정 실리콘 잉곳(Single Crystal Silicon Ingot)은 일반적으로 초크랄스키법(Czochralski method)에 따라 성장되어 제조된다. 이 방법은 챔버 내의 도가니에서 다결정 실리콘을 용융시키고, 용융된 실리콘에 단결정인 종자 결정(seed crystal)을 담근 후, 이를 서서히 상승시키면서 원하는 지름의 단결정 실리콘 잉곳(이하, 잉곳)으로 성장시키는 방법이다.Single crystal silicon ingots are generally grown and manufactured according to the Czochralski method. In this method, polycrystalline silicon is melted in a crucible in a chamber, a single crystal seed crystal is immersed in the molten silicon, and then grown into a single crystal silicon ingot (hereinafter, referred to as an ingot) having a desired diameter while gradually increasing it.

단결정 실리콘 웨이퍼(Single Silicon Wafer)의 제조 공정은 상술한 방법을 이용하여 잉곳을 만들기 위한 단결정 성장(Growing) 공정과, 잉곳을 슬라이싱(Slicing)하여 얇은 원판 모양의 웨이퍼를 얻는 슬라이싱(Slicing) 공정과, 슬라이싱 공정에 의해 얻어진 웨이퍼의 깨짐, 일그러짐을 방지하기 위해 그 외주부를 가공하는 에지 연마(Edge Polishing) 공정과, 웨이퍼에 잔존하는 기계적 가공에 의한 손상(Damage)을 제거하여 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위한 랩핑(Lapping) 공정과, 웨이퍼를 경면화하는 연마(Polishing) 공정과, 연마된 웨이퍼에 부착된 연마제나 이물질을 제거하는 세정(Cleaning) 공정으로 이루어진다.The manufacturing process of a single silicon wafer includes a single crystal growing process for making an ingot using the above-described method, a slicing process for obtaining a thin disk-shaped wafer by slicing the ingot, and , Edge Polishing process that processes the outer periphery of the wafer obtained by the slicing process to prevent cracking and distortion, and improving the flatness of the wafer by removing damage caused by mechanical processing remaining on the wafer. It consists of a lapping process for making the wafer, a polishing process for mirroring the wafer, and a cleaning process for removing abrasives or foreign substances attached to the polished wafer.

이 가운데 웨이퍼 연마 공정은 양면 연마 장치(DSP, Double Side Polishing Apparatus)를 이용하여, 웨이퍼의 양면을 동시에 연마할 수 있다.Among them, the wafer polishing process can simultaneously polish both sides of the wafer by using a double side polishing apparatus (DSP).

도 1은 일반적인 웨이퍼 연마 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 연마 패드의 평면도이다.1 is a perspective view of a general wafer polishing apparatus, and FIG. 2 is a plan view of the polishing pad of FIG. 1.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 웨이퍼 연마 장치(100)는 상정반(110), 하정반(120), 상부 패드(pad)(또는, 상부 연마 패드)(130), 하부 패드(또는, 하부 연마 패드)(140), 캐리어(carrier)(150), 선 기어(sun gear)(160), 인터널 기어(internal gear)(170) 및 중심축(180)을 포함한다.As shown in FIG. 1, a general wafer polishing apparatus 100 includes an upper plate 110, a lower plate 120, an upper pad (or upper polishing pad) 130, and a lower pad (or lower A polishing pad) 140, a carrier 150, a sun gear 160, an internal gear 170, and a central shaft 180.

상정반(110)과 하정반(120)은 서로 마주보며 회전 가능하도록 배치된다.The upper platen 110 and the lower platen 120 are disposed to be rotatable while facing each other.

상부 패드(130)는 상정반(110)의 아래에 배치되고, 하부 패드(140)는 하정반(120)의 위에 배치된다. 상정반(110)과 하정반(120)의 내측에는 상부 및 하부 패드(130, 140)가 서로 마주보며 배치되면서 웨이퍼(W)를 연마하게 된다.The upper pad 130 is disposed below the upper platen 110, and the lower pad 140 is disposed above the lower platen 120. The upper and lower pads 130 and 140 face each other on the inner side of the upper plate 110 and the lower plate 120 to polish the wafer W.

상정반(110)과 하정반(120) 각각은 원반 형상을 가질 수 있으며, 상정반(110) 및 하정반(120)에 각각 부착되는 상부 및 하부 패드(130, 140) 역시 원반 형상을 가질 수 있다.Each of the upper platen 110 and the lower platen 120 may have a disk shape, and the upper and lower pads 130 and 140 attached to the upper platen 110 and the lower platen 120 may also have a disk shape. have.

선 기어(160)는 중심축(180)의 외주에 설치되며, 인터널 기어(170)는 하정반(120)의 외주에 설치된다. 인터널 기어(170)는 선 기어(160)와 반대 방향으로 회전할 수 있다.The sun gear 160 is installed on the outer periphery of the central shaft 180, and the internal gear 170 is installed on the outer periphery of the lower platen 120. The internal gear 170 may rotate in a direction opposite to the sun gear 160.

캐리어(150)는 상부 패드(130)와 하부 패드(140) 사이에 배치되어, 선 기어(160)와 인터널 기어(170)의 회전에 의해 회전할 수 있다. 또한, 캐리어(150)는 웨이퍼(W)가 삽입 가능한 삽입공과 슬러리(slurry)가 유입 가능한 슬러리 홀을 갖는다. 캐리어(150)는 외주면에 나사가 형성된 원반 형상일 수 있다.The carrier 150 is disposed between the upper pad 130 and the lower pad 140 and may rotate by rotation of the sun gear 160 and the internal gear 170. In addition, the carrier 150 has an insertion hole into which the wafer W can be inserted and a slurry hole into which the slurry can be introduced. The carrier 150 may have a disk shape in which a screw is formed on an outer circumferential surface.

선 기어(160)의 외주면에 형성된 기어부 및 인터널 기어(170)의 내부면에 형성된 기어부는 캐리어(150)의 외주 면에 형성된 기어(152)와 서로 치합된다. 이에, 상정반(110)과 하정반(120)이 구동원(미도시)에 의해 구동축(180)을 중심으로 회전함에 따라, 캐리어(150)는 자전 및 공전하게 된다.The gear portion formed on the outer peripheral surface of the sun gear 160 and the gear portion formed on the inner surface of the internal gear 170 are engaged with the gear 152 formed on the outer peripheral surface of the carrier 150. Accordingly, as the upper platen 110 and the lower platen 120 rotate around the driving shaft 180 by a driving source (not shown), the carrier 150 rotates and revolves.

도시되지는 않았지만, 상정반(110)의 상부에는 슬러리를 공급하는 노즐이 설치되는 다수의 슬러리 공급홀(190)이 관통 형성될 수 있다.Although not shown, a plurality of slurry supply holes 190 through which nozzles for supplying slurry are installed may be formed in the upper part of the upper plate 110.

상술한 구성을 갖는 일반적인 웨이퍼 연마 장치(100)는 상정반(110)과 하정반(120)의 사이에 설치된 캐리어(150)의 삽입공에 웨이퍼(W)가 삽입되어 안착되면, 웨이퍼(W)는 상정반(110)과 하정반(120)에 각각 부착된 상부 및 하부 패드(130, 140)와 마찰된다. 이때, 캐리어(140)에 장착된 복수의 웨이퍼(W)의 양면은 상정반(110)의 상부로부터 내측으로 공급되는 슬러리와 연마 패드(130, 140)에 의해 배치(batch) 형태로 마찰 연마된다. 즉, 웨이퍼(W)가 마찰되어 연마되는 것은, 상정반(110)의 상부 패드(130)와 하정반(120)의 하부 패드(140)가 서로 반대되는 방향으로 회전함에 따라 이루어질 수 있다.In the general wafer polishing apparatus 100 having the above-described configuration, when the wafer W is inserted and seated in the insertion hole of the carrier 150 installed between the upper plate 110 and the lower plate 120, the wafer W Is rubbed against the upper and lower pads 130 and 140 attached to the upper platen 110 and the lower platen 120, respectively. At this time, both sides of the plurality of wafers W mounted on the carrier 140 are friction polished in a batch form by the slurry and polishing pads 130 and 140 supplied from the top of the upper plate 110 to the inside. . That is, the wafer W may be rubbed and polished as the upper pad 130 of the upper plate 110 and the lower pad 140 of the lower plate 120 rotate in opposite directions to each other.

도 2를 참조하면, 연마 패드(130, 140)는 내부 영역(IA:Internal Area), 외부 영역(OA:Outer Area) 및 중첩 영역(CA:Central Area)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the polishing pads 130 and 140 include an internal area (IA), an outer area (OA), and a central area (CA).

내부 영역(IA)은 상정반(110)과 하정반(120)의 내주 측에 배치된다. 구체적으로, 내부 영역(IA)은 연마 패드(130, 140)의 내측 경계(130-1)에 인접한다.The inner region IA is disposed on the inner circumferential side of the upper platen 110 and the lower platen 120. Specifically, the inner region IA is adjacent to the inner boundary 130-1 of the polishing pads 130 and 140.

외부 영역(OA)은 상정반(110)과 하정반(120)의 외주 측에 배치된다. 구체적으로, 외부 영역(OA)은 연마 패드(130, 140)의 외측 경계(130-2)에 인접한다.The outer region OA is disposed on the outer circumference side of the upper platen 110 and the lower platen 120. Specifically, the outer region OA is adjacent to the outer boundary 130-2 of the polishing pads 130 and 140.

중첩 영역(CA)은 내부 영역(IA)과 외부 영역(OA) 사이에 배치된다. 구체적으로, 중첩 영역(CA)은 웨이퍼(W)가 캐리어(150)의 회전에 따라서 연마 패드(130, 140) 내에서 움직일 때, 중첩되는 연마 궤적을 의미한다.The overlapping area CA is disposed between the inner area IA and the outer area OA. Specifically, the overlapping area CA refers to a polishing trajectory that overlaps when the wafer W moves within the polishing pads 130 and 140 according to the rotation of the carrier 150.

그런데 이러한 중첩 영역(CA)은 웨이퍼(W)의 마찰에 따라 연마 패드(130, 140)의 표면 상태가 변화되어 마찰 계수가 낮아지는 글레이징(Glazing)을 야기하여 연마 품질을 열위시키는 문제가 있다.However, there is a problem in that the surface conditions of the polishing pads 130 and 140 are changed according to the friction of the wafer W, causing glazing in which the friction coefficient is lowered, thereby deteriorating polishing quality.

따라서 본 발명은 웨이퍼의 연마 공정에서 발생하는 글레이징을 방지하여 웨이퍼의 평탄도 품질을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드 및 그를 구비한 웨이퍼 연마 장치를 제공하고자 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a polishing pad for a wafer polishing apparatus and a wafer polishing apparatus including the same, capable of improving the flatness quality of a wafer by preventing glazing occurring in a wafer polishing process.

본 발명은 다수의 기공이 노출되며 웨이퍼와 마찰되는 전면부; 상기 전면부의 반대측에 위치하며 상정반 또는 하정반과 밀착되는 배면부;를 가지며, 상기 웨이퍼의 연마 궤적에 따른 상기 전면부의 중첩 영역은 #100 이상 #150 이하의 메쉬로 버핑 가공된 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드를 제공한다.The present invention is a plurality of pores are exposed and the front portion rubbing against the wafer; A polishing pad for a wafer polishing apparatus that is located on the opposite side of the front part and is in close contact with the upper or lower surface, wherein the overlapping area of the front part according to the polishing trajectory of the wafer is buffed with a mesh of #100 or more and #150 or less Provides.

상기 #은 상기 메쉬의 표면적에서 25.4mm2 당 구멍의 개수일 수 있다.The # may be the number of holes per 25.4 mm 2 in the surface area of the mesh.

상기 전면부의 중첩 영역의 표면 기공율은 38 내지 45 %를 가질 수 있다.The surface porosity of the overlapping region of the front portion may have 38 to 45%.

상기 중첩 영역의 표면 기공율은 그 외 영역의 표면 기공율보다 높을 수 있다.The surface porosity of the overlapping region may be higher than that of other regions.

상기 중첩 영역과 그 외 영역의 표면 기공율의 갭(Gap)은 6 내지 7 %를 가질 수 있다.A gap of the surface porosity of the overlapping region and the other region may have 6 to 7%.

상기 연마 패드의 밀도는 0.44 내지 0.55 g/cm3 일 수 있다.The density of the polishing pad may be 0.44 to 0.55 g/cm 3 .

상기 연마 패드의 압축율은 1.9 내지 2.0 % 일 수 있다.The compressibility of the polishing pad may be 1.9 to 2.0%.

상기 연마 패드의 경도는 88 Asker C일 수 있다.The hardness of the polishing pad may be 88 Asker C.

상기 중첩 영역 외의 영역은 # 150 메쉬로 버핑 가공 될 수 있다.Areas other than the overlapping area may be buffed with # 150 mesh.

한편, 본 발명은 상정반; 하정반; 및 상기 상정반 또는 상기 하정반에 장착되는 상술한 연마 패드를 포함하는 웨이퍼 연마 장치를 제공한다.On the other hand, the present invention is top table; Lower half; And it provides a wafer polishing apparatus including the above-described polishing pad mounted on the upper plate or the lower platen.

한편, 본 발명은 상정반; 하정반; 및 상기 상정반 또는 상기 하정반에 장착되는 연마 패드를 포함하며, 상기 연마 패드는 다수의 기공이 노출되며 웨이퍼와 마찰되는 전면부; 상기 전면부의 반대측에 위치하며 상정반 또는 하정반과 밀착되는 배면부;를 가지며, 상기 웨이퍼의 연마 궤적에 따른 상기 전면부의 중첩 영역은 #100 이상의 메쉬로 버핑 가공되고, 상기 중첩 영역 외의 영역은 # 150 메쉬로 버핑 가공되는 웨이퍼 연마 장치를 제공한다.On the other hand, the present invention is top table; Lower half; And a polishing pad mounted on the upper platen or the lower platen, wherein the polishing pad includes a front surface portion exposed to a plurality of pores and rubbing against the wafer; It has a rear part located on the opposite side of the front part and in close contact with the upper platen or the lower platen, and the overlapping area of the front part according to the polishing trajectory of the wafer is buffed with a mesh of #100 or more, and an area other than the overlapping area is #150 mesh It provides a wafer polishing apparatus that is buffed into.

본 발명의 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드 및 그를 구비한 웨이퍼 연마 장치에 따르면, 중첩 영역을 고려하여 버핑 롤의 메쉬 크기를 적절하게 변형하여 표면을 버핑 가공함으로써 웨이퍼의 연마 공정에서 발생하는 글레이징을 방지하여 웨이퍼의 평탄도 품질을 향상시킬 수 있다.According to the polishing pad for a wafer polishing apparatus of the present invention and a wafer polishing apparatus having the same, the surface is buffed by appropriately deforming the mesh size of the buffing roll in consideration of the overlapping area, thereby preventing glazing occurring in the wafer polishing process. The flatness quality of the wafer can be improved.

도 1은 일반적인 웨이퍼 연마 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 연마 패드의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 패드를 가공하는 버핑 롤(Buffing Roll)을 예시한 도면이다.
도 4는 캐리어의 회전에 따른 웨이퍼의 연마 궤적과 버핑 영역의 구분 범위에 대한 관계를 보여준다.1 is a perspective view of a general wafer polishing apparatus.
2 is a plan view of the polishing pad of FIG. 1.
3 is a diagram illustrating a buffing roll for processing a polishing pad according to an embodiment of the present invention.
4 shows the relationship between the polishing trajectory of the wafer and the division range of the buffing area according to the rotation of the carrier.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and descriptions of the embodiments. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern, or structure is "on" or "under" of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. In the case of being described as being formed in, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed do. In addition, the standards for the top/top or bottom/bottom of each layer will be described based on the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.In the drawings, the sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size. Also, the same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예 따른 웨이퍼 연마 장치(100)는, 도 1 및 도 2에 도시된 웨이퍼 연마 장치(100)의 구성을 채용할 수 있다. 즉, 도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예의 웨이퍼 연마 장치(100)는 상정반(110), 하정반(120), 상부 패드(pad)(또는, 상부 연마 패드)(130), 하부 패드(또는, 하부 연마 패드)(140), 캐리어(carrier)(150), 선 기어(sun gear)(160), 인터널 기어(internal gear)(170) 및 중심축(180)을 포함한다.The wafer polishing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may employ the configuration of the wafer polishing apparatus 100 shown in FIGS. 1 and 2. That is, referring to FIGS. 1 and 2, the wafer polishing apparatus 100 of the embodiment includes an upper plate 110, a lower plate 120, an upper pad (or upper polishing pad) 130, and a lower pad. (Or, lower polishing pad) 140, a carrier (carrier) 150, a sun gear (sun gear) 160, an internal gear (internal gear) 170 and a central axis 180.

상부 패드(130)는 상정반(110)의 아래에 배치되고, 하부 패드(140)는 하정반(120)의 위에 배치된다. 상정반(110)과 하정반(120)의 내측에는 상부 및 하부 패드(130, 140)가 서로 마주보도록 장착되면서 웨이퍼(W)를 연마하게 된다.The upper pad 130 is disposed below the upper platen 110, and the lower pad 140 is disposed above the lower platen 120. The wafer W is polished while the upper and lower pads 130 and 140 are mounted on the inner side of the upper plate 110 and the lower plate 120 to face each other.

여기서, 본 발명이 적용된 상부 패드(130) 또는 하부 패드(140)는 연마 패드(130, 140) 라는 용어로 부르기로 한다.Here, the upper pad 130 or the lower pad 140 to which the present invention is applied will be referred to as polishing pads 130 and 140.

연마 패드(130, 140)는 벨로어 형(velour type)의 인조 가죽으로써 실들이 엉켜 있는 상태일 수 있다. 인조 가죽은 합성 섬유에 의해서 형성된 섬유질 조직을 연결시키고 기공들을 채울 수 있도록 신축성 있는 폴리머(polymer) 구조로 구현될 수 있다. 또한, 연마 패드(130, 140)는 직물이나 편물과 같이 2차원적인 섬유 제품이 아닌 3차원적인 기공 조직(porous structure)을 갖는 인조 가죽일 수 있다. 따라서 겉보기에 평탄해 보이지만, 바느질 작업(needle punching)에 의해서 그물처럼 엉켜있는 조직 형태를 보일 수도 있다. 그러나 연마 패드(130, 140)는 상술한 재질이나 형태에 제한되지 않고 변형 실시될 수 있다.The polishing pads 130 and 140 are velor-type artificial leather and may be in a state in which threads are tangled. Artificial leather can be implemented in a flexible polymer structure to connect fibrous tissues formed by synthetic fibers and fill pores. Further, the polishing pads 130 and 140 may be artificial leather having a three-dimensional porous structure rather than a two-dimensional fiber product such as a fabric or knitted fabric. Therefore, it looks flat on the outside, but it can also show a structure that is entangled like a net by needle punching. However, the polishing pads 130 and 140 are not limited to the above-described material or shape and may be modified.

연마 패드(130, 140)는 웨이퍼 연마 장치(100)에 장착되기 전에 여러 단계의 가공을 거쳐서 원하는 형태로 제조될 수 있다.The polishing pads 130 and 140 may be manufactured in a desired shape through several steps before being mounted on the wafer polishing apparatus 100.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 패드를 가공하는 버핑 롤(Buffing Roll)을 예시한 도면이고, 도 4는 캐리어의 회전에 따른 웨이퍼의 연마 궤적과 버핑 영역의 구분 범위에 대한 관계를 보여준다.3 is a diagram illustrating a buffing roll for processing a polishing pad according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a polishing trajectory of a wafer and a division range of a buffing area according to rotation of a carrier. Show.

도 3 및 도 4를 참조하면, 실시예의 연마 패드(130, 140)는 다수의 기공(P)이 노출되며 웨이퍼(W)와 마찰되는 전면부(Front)와, 전면부(Front)의 반대측에 위치하며 상정반 또는 하정반과 밀착되는 배면부(Back)를 가질 수 있다.3 and 4, in the polishing pads 130 and 140 of the embodiment, a plurality of pores P are exposed, and a front part that rubs against the wafer W and the opposite side of the front part It is located and may have a back that is in close contact with the upper or lower plate.

여기서 연마 패드(130, 140)는 버핑(Buffing) 가공을 통해 표면의 일부를 제거하여 전면부(Front)에서 기공(P)들을 노출하는 과정을 거칠 수 있다. Here, the polishing pads 130 and 140 may undergo a process of exposing the pores P at the front by removing a part of the surface through buffing.

버핑 가공은 연마 패드(130, 140)의 타겟(Target) 두께 및 면내 두께의 균일도를 확보하고 기공율을 결정하는 최종 제작 공정이다. 버핑 가공은 도 3에 도시된 바와 같이 버핑 롤(10, Buffing Roll)에 의해 이루어지며, 버핑 롤(10)에는 연마 패드(130, 140)의 전면부(Front) 가공을 위해 샌드페이퍼(Sandpaper) 또는 다이아몬드(Diamond)를 포함한 메쉬(Mesh)가 설치될 수 있다. The buffing process is a final fabrication process in which the uniformity of the target thickness and the in-plane thickness of the polishing pads 130 and 140 is secured and the porosity is determined. The buffing process is made by a buffing roll 10 as shown in FIG. 3, and the buffing roll 10 includes sandpaper or sandpaper for processing the front of the polishing pads 130 and 140. A mesh including diamond can be installed.

여기서 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼 연마 공정시, 웨이퍼(W)의 연마 궤적에 따른 전면부(Front)의 중첩 영역(CA)은 소구경 DSP와 같이 중첩 영역(CA)이 작은 경우와 대구경 DSP와 같이 중첩 영역(CA)이 큰 경우에 따라 변화될 수 있다. 즉, 중첩 영역(CA)은 고정된 영역이 아니라 웨이퍼 연마 장치(DSP)에 따라서 크기가 변화될 수 있음을 의미한다.Here, as shown in FIG. 4, during the wafer polishing process, the overlapping area CA of the front surface according to the polishing trajectory of the wafer W is a case where the overlapping area CA is small like a small-diameter DSP and a large-diameter DSP. As described above, it may be changed depending on the case where the overlapping area CA is large. That is, the overlapping area CA is not a fixed area, but the size of the overlapping area CA may be changed according to the wafer polishing apparatus DSP.

실시예의 연마 패드(130, 140)는 전면부(Front)의 중첩 영역(CA)은 #100 이상 내지 # 150 이하의 메쉬로 버핑 가공되는 것을 특징으로 한다.The polishing pads 130 and 140 according to the embodiment are characterized in that the overlapping area CA of the front portion is buffed with a mesh of #100 or more to #150 or less.

여기서 #은 메쉬의 표면적에서 기준면적(25.4mm2 )당 구멍의 개수를 의미한다. 즉, #100은 기준면적 당 100개의 구멍(P)들이 노출되어 있음을 의미한다.Here, # means the number of holes per reference area (25.4mm 2 ) in the surface area of the mesh. That is, #100 means that 100 holes P are exposed per reference area.

연마 패드(130, 140)를 #100 미만으로 버핑 가공했을 경우(예를 들어 #80), 표면 기공율의 개선이 이루어지지 않으며, 버핑 성능이 떨어져 두께 타겟을 조정하기 힘들 뿐만 아니라 면내 산포로 인해 표면이 균일한 연마 패드(130, 140)의 제작하기 어려운 문제가 있다. If the polishing pads 130 and 140 are buffed to less than #100 (for example, #80), surface porosity is not improved, and it is difficult to adjust the thickness target due to poor buffing performance. There is a problem that it is difficult to manufacture the uniform polishing pads 130 and 140.

따라서 연마 패드(130, 140)는 #100 이상에서 가공했을 경우, 상술한 조건(표면 기공율, 타겟 두께, 균일한 표면 등)을 모두 만족할 수 있다.Therefore, when the polishing pads 130 and 140 are processed at #100 or higher, all of the above-described conditions (surface porosity, target thickness, uniform surface, etc.) can be satisfied.

만약, 연마 패드(130, 140)를 #100 에서 #150의 메쉬로 버핑 가공했을 때, 전면부(Front)의 중첩 영역(CA)에 대한 표면 기공율은 글레이징을 개선할 수 있는 38 내지 45 %를 가질 수 있다. 즉, 실시예의 연마 패드(130, 140)의 전면부(Front)의 중첩 영역(CA)에 대한 표면 기공율은 #100의 메쉬로 버핑 가공 했을 때의 45 %를 가질 수 있다.If the polishing pads 130 and 140 are buffed with a mesh of #100 to #150, the surface porosity of the overlapping area CA of the front portion is 38 to 45%, which can improve glazing. Can have. That is, the surface porosity of the overlapping area CA of the front portions of the polishing pads 130 and 140 of the embodiment may have 45% of that when buffing is performed with a #100 mesh.

여기서 중첩 영역(CA)의 표면 기공율은 그 외 영역(IA, OA)의 표면 기공율보다 높을 수 있다. 즉, 중첩 영역(CA)은 가공 부산물들이 연마 패드(130, 140) 표면에 적층되어 표면 변화를 일으키는 글레이징이 발생할 우려가 있는 영역이다. 따라서 중첩 영역(CA)의 표면 기공율을 높이도록 버핑 가공함으로써 슬러리의 이동을 쉽게 하여 연마 패드(130, 140)에 정체되는 부산물들을 외부로 배출시켜 글레이징을 억제할 수 있다.Here, the surface porosity of the overlapping area CA may be higher than that of the other areas IA and OA. That is, the overlapping area CA is an area in which there is a risk of occurrence of glazing causing a surface change by stacking processing byproducts on the surfaces of the polishing pads 130 and 140. Accordingly, by buffing the overlapping area CA to increase the surface porosity, the slurry can be easily moved and by-products stagnant in the polishing pads 130 and 140 are discharged to the outside, thereby suppressing glazing.

중첩 영역(CA)과 그 외 영역(IA, OA)의 표면 기공율의 갭(Gap)은 6 내지 7 %를 갖는 것이 바람직하다. 즉, 중첩 영역(CA)은 #100의 메쉬로 버핑 가공되고, 중첩 영역(CA) 외의 영역(IA, OA)은 # 150 메쉬로 버핑 가공될 수 있다.It is preferable that the gap of the surface porosity of the overlapping region CA and the other regions IA and OA is 6 to 7%. That is, the overlapping area CA may be buffed with a mesh of #100, and areas IA and OA other than the overlapping area CA may be buffed with a #150 mesh.

전 구간에 표면 기공율을 높였을 경우 (모두 #100 또는 모두 #120), 기존 대비 글레이징은 개선되지만 중첩 영역(CA)과 그 외 영역(IA, OA)의 표면 기공율 갭 차이로 인해 개선폭이 작아지는 결과를 얻을 수 있다. When the surface porosity is increased in all sections (all #100 or all #120), the glazing is improved compared to the previous one, but the improvement width is reduced due to the difference in the surface porosity gap between the overlapping area (CA) and other areas (IA, OA). You can get the result.

그 밖에 연마 패드(130, 140)의 밀도는 0.44 내지 0.55 g/cm3 일 수 있고, 연마 패드(130, 140)의 압축율은 1.9 내지 2.0 %이며, 연마 패드(130, 140)의 경도는 88 Asker C일 수 있다. In addition, the density of the polishing pads 130 and 140 may be 0.44 to 0.55 g/cm 3 , the compressibility of the polishing pads 130 and 140 is 1.9 to 2.0%, and the hardness of the polishing pads 130 and 140 is 88 Could be Asker C.

연마 패드(130, 140)의 밀도, 압축율, 경도는 상술한 형태를 유지하거나 기존의 물성을 동등하게 유지시킬 수 있다.The density, compressibility, and hardness of the polishing pads 130 and 140 may maintain the above-described shape or maintain existing physical properties equally.

이와 같이 본 발명의 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드 및 그를 구비한 웨이퍼 연마 장치에 따르면, 중첩 영역(CA)을 고려하여 버핑 롤의 메쉬 크기를 적절하게 변형하여 표면을 버핑 가공함으로써 웨이퍼의 연마 공정에서 발생하는 글레이징을 방지하여 웨이퍼의 평탄도 품질을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the polishing pad for a wafer polishing apparatus and a wafer polishing apparatus having the same, the surface is buffed by appropriately deforming the mesh size of the buffing roll in consideration of the overlapping area (CA). By preventing glazing, the flatness quality of the wafer can be improved.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Accordingly, contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100 : 웨이퍼 연마 장치 110 : 상정반
120 : 하정반 130 : 상부 연마패드
140 : 하부 연마패드 150 : 캐리어
160 : 선기어 170 : 인터널 기어
180 : 중심축 190 : 슬러리 유입공
10 : 버핑 롤 130-1(140-1) : 내측 경계
130-2(140-2) : 외측 경계 IA : 내부 영역
CA : 중첩 영역 OA : 외부 영역
W : 웨이퍼 P : 기공100: wafer polishing device 110: upper plate
120: lower platen 130: upper polishing pad
140: lower polishing pad 150: carrier
160: sun gear 170: internal gear
180: central axis 190: slurry inlet hole
10: buffing roll 130-1 (140-1): inner boundary
130-2(140-2): outer boundary IA: inner area
CA: overlapping area OA: outer area
W: Wafer P: Pore

Claims (11)

다수의 기공이 노출되며 웨이퍼와 마찰되는 전면부;
상기 전면부의 반대측에 위치하며 상정반 또는 하정반과 밀착되는 배면부;를 가지며,
상기 웨이퍼의 연마 궤적에 따른 상기 전면부의 중첩 영역은 #100 이상 #150 이하의 메쉬로 버핑 가공된 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드.A front portion of which a plurality of pores are exposed and rubbed against the wafer;
It is located on the opposite side of the front portion and has a rear portion in close contact with the upper or lower platen; and,
A polishing pad for a wafer polishing apparatus in which the overlapping area of the front surface according to the polishing trajectory of the wafer is buffed with a mesh of #100 or more and #150 or less. 제1항에 있어서,
상기 #은 상기 메쉬의 표면적에서 25.4mm2 당 구멍의 개수인 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드.The method of claim 1,
Wherein # is the number of holes per 25.4 mm 2 in the surface area of the mesh, a polishing pad for a wafer polishing apparatus. 제2항에 있어서,
상기 전면부의 중첩 영역의 표면 기공율은 38 내지 45 %를 갖도록 버핑 가공된 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드.The method of claim 2,
A polishing pad for a wafer polishing apparatus subjected to a buffing process such that the surface porosity of the overlapped region of the front portion is 38 to 45%. 제3항에 있어서,
상기 중첩 영역의 표면 기공율은 그 외 영역의 표면 기공율보다 높은 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드.The method of claim 3,
A polishing pad for a wafer polishing apparatus wherein the surface porosity of the overlapping region is higher than that of other regions. 제4항에 있어서,
상기 중첩 영역과 그 외 영역의 표면 기공율의 갭(Gap)은 6 내지 7 %를 갖는 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드.The method of claim 4,
A polishing pad for a wafer polishing apparatus having a gap of 6 to 7% of the surface porosity between the overlapping region and the other region. 제1항에 있어서,
상기 연마 패드의 밀도는 0.44 내지 0.55 g/cm3 인 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드.The method of claim 1,
A polishing pad for a wafer polishing apparatus having a density of the polishing pad of 0.44 to 0.55 g/cm 3 . 제6항에 있어서,
상기 연마 패드의 압축율은 1.9 내지 2.0 %인 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드.The method of claim 6,
A polishing pad for a wafer polishing apparatus having a compressibility of the polishing pad of 1.9 to 2.0%. 제1항에 있어서,
상기 연마 패드의 경도는 88 Asker C인 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드.The method of claim 1,
A polishing pad for a wafer polishing apparatus having a hardness of the polishing pad of 88 Asker C. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중첩 영역 외의 영역은 # 150 메쉬로 버핑 가공되는 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드.The method according to any one of claims 1 to 8,
A polishing pad for a wafer polishing apparatus in which an area other than the overlapping area is buffed with # 150 mesh. 상정반;
하정반; 및
상기 상정반 또는 상기 하정반에 장착되는 상기 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 연마 패드를 포함하는 웨이퍼 연마 장치.Upper half;
Lower half; And
A wafer polishing apparatus comprising the polishing pad according to any one of claims 1 to 8 mounted on the upper plate or the lower plate. 상정반;
하정반; 및
상기 상정반 또는 상기 하정반에 장착되는 연마 패드를 포함하며,
상기 연마 패드는
다수의 기공이 노출되며 웨이퍼와 마찰되는 전면부; 및
상기 전면부의 반대측에 위치하며 상정반 또는 하정반과 밀착되는 배면부;를 가지며,
상기 웨이퍼의 연마 궤적에 따른 상기 전면부의 중첩 영역은 #100 이상의 메쉬로 버핑 가공되고, 상기 중첩 영역 외의 영역은 # 150 메쉬로 버핑 가공되는 웨이퍼 연마 장치.Upper half;
Lower half; And
It includes a polishing pad mounted on the upper or lower plate,
The polishing pad
A front portion of which a plurality of pores are exposed and rubbed against the wafer; And
It is located on the opposite side of the front portion and has a rear portion in close contact with the upper or lower platen; and,
A wafer polishing apparatus in which an overlapping area of the front part according to the polishing trajectory of the wafer is buffed with a mesh of #100 or more, and an area other than the overlapping area is buffed with a #150 mesh.
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