KR20210113763A

KR20210113763A - Wafer Carrier and Wafer Lapping Apparatus having the same

Info

Publication number: KR20210113763A
Application number: KR1020200028902A
Authority: KR
Inventors: 강동현; 이형락
Original assignee: 에스케이실트론 주식회사
Priority date: 2020-03-09
Filing date: 2020-03-09
Publication date: 2021-09-17

Abstract

The present invention provides a wafer carrier which comprises: a carrier main body where at least one wafer mounting hole is penetrated; and a coating unit coated on an outer circumference unit of a surface of the carrier main body.

Description

A wafer carrier and a wafer lapping apparatus having the same

본 발명은 웨이퍼 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 평탄도를 향상시키는 웨이퍼 랩핑 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer manufacturing apparatus, and more particularly, to a wafer lapping apparatus for improving the flatness of a wafer.

단결정 실리콘 잉곳(Single Crystal Silicon Ingot)은 일반적으로 초크랄스키법(Czochralski method)에 따라 성장되어 제조된다. 이 방법은 챔버 내의 도가니에서 다결정 실리콘(Polycrystal)을 용융시키고, 용융된 실리콘에 단결정인 종자 결정(seed crystal)을 담근 후, 이를 서서히 상승시키면서 원하는 지름의 단결정 실리콘 잉곳(이하, 잉곳)으로 성장시키는 방법이다.A single crystal silicon ingot is generally grown and manufactured according to the Czochralski method. In this method, polycrystal is melted in a crucible in a chamber, a single-crystal seed crystal is immersed in the molten silicon, and then it is gradually raised to grow into a single-crystal silicon ingot (hereinafter, ingot) of a desired diameter. way.

단결정 실리콘 웨이퍼(Single Silicon Wafer)의 제조 공정은 상술한 방법을 이용하여 잉곳을 만들기 위한 단결정 성장(Growing) 공정과, 잉곳을 슬라이싱(Slicing)하여 얇은 원판 모양의 웨이퍼를 얻는 슬라이싱(Slicing) 공정과, 슬라이싱 공정에 의해 얻어진 웨이퍼의 깨짐, 일그러짐을 방지하기 위해 그 외주부를 가공하는 외주 그라인딩(Edge Grinding) 공정과, 웨이퍼에 잔존하는 기계적 가공에 의한 손상(Damage)을 제거하여 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위한 랩핑(Lapping) 공정과, 웨이퍼를 경면화하는 연마(Polishing) 공정과, 연마된 웨이퍼에 부착된 연마제나 이물질을 제거하는 세정(Cleaning) 공정으로 이루어진다.The manufacturing process of a single crystal silicon wafer (Single Silicon Wafer) includes a single crystal growing process for making an ingot using the above-described method, a slicing process for obtaining a thin disk-shaped wafer by slicing the ingot, and , the edge grinding process that processes the outer periphery to prevent cracking and distortion of the wafer obtained by the slicing process, and the removal of damage caused by mechanical processing remaining on the wafer to improve the flatness of the wafer It consists of a lapping process to make the wafer mirror-finished, a polishing process to mirror-finish the wafer, and a cleaning process to remove abrasives or foreign substances attached to the polished wafer.

여기서, 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위한 1차적인 연마 공정으로서의 랩핑을 수행하고 있다. 랩핑 공정은 웨이퍼 랩핑 장치를 통해 이루어지며, 웨이퍼 랩핑 장치 내에 위치한 웨이퍼를 연마면에 접촉시킨 후, 화학적 연마제인 슬러리(Slurry)를 웨이퍼에 공급하여 기계적인 마찰을 수행한다.Here, lapping is performed as a primary polishing process to improve the flatness of the wafer. The lapping process is performed through a wafer lapping apparatus, and after a wafer positioned in the wafer lapping apparatus is brought into contact with a polishing surface, a chemical abrasive slurry (Slurry) is supplied to the wafer to perform mechanical friction.

보다 상세하게는, 웨이퍼 랩핑 장치는 상정반과 하정반으로 이루어지는 정반을 구비한다. 상정반과 하정반 사이에는 웨이퍼 캐리어가 배치되며, 웨이퍼 캐리어에는 다수의 웨이퍼가 장착된다. 웨이퍼 캐리어는 상정반과 하정반의 중심 영역인 회전축 상에 배치되는 선 기어와 원주의 내측 방향에 형성된 인터널 기어에 맞물려 있다.More specifically, the wafer lapping apparatus includes a surface plate composed of an upper surface plate and a lower surface plate. A wafer carrier is disposed between the upper platen and the lower platen, and a plurality of wafers are mounted on the wafer carrier. The wafer carrier is meshed with a sun gear disposed on a rotation shaft, which is a central region of the upper and lower table, and an internal gear formed in the inner direction of the circumference.

상정반에는 다수의 통공이 수직 방향으로 관통 형성되며, 다수의 통공은 다수의 슬러리 공급관과 결합될 수 있다. 슬러리 공급관을 통해 연마용 입자와 분산제, 희석제 등이 혼합된 슬러리(Slurry)가 상정반 아래의 웨이퍼로 공급될 수 있다.A plurality of through-holes are formed through the upper plate in a vertical direction, and the plurality of through-holes may be combined with a plurality of slurry supply pipes. A slurry in which abrasive particles, a dispersant, a diluent, etc. are mixed may be supplied to the wafer under the table plate through the slurry supply pipe.

랩핑 공정 동안, 웨이퍼 캐리어가 정반 사이에 움직이면서 회전하게 되며, 웨이퍼는 웨이퍼 캐리어 내부에서 회전하면서 슬러리, 정반과 마찰로 인해 표면이 연마된다.During the lapping process, the wafer carrier is rotated while moving between the surface plates, and the wafer is rotated inside the wafer carrier and the surface is polished due to friction with the slurry and the surface plate.

그런데 웨이퍼 캐리어는 랩핑 공정이 반복되는 동안, 편마모되면서 웨이퍼 연마 두께의 편차를 발생시켜 웨이퍼 랩핑 공정에 악영향을 끼치는 문제를 야기할 수 있다.However, while the lapping process is repeated, the wafer carrier may cause a problem of adversely affecting the wafer lapping process by causing a deviation in the wafer polishing thickness while being worn out.

본 발명은 웨이퍼 캐리어의 편마모를 방지함으로써 웨이퍼 랩핑 공정의 품질을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 캐리어 및 그를 구비한 웨이퍼 랩핑 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a wafer carrier capable of improving the quality of a wafer lapping process by preventing uneven wear of the wafer carrier, and a wafer lapping apparatus having the same.

본 발명은 적어도 하나의 웨이퍼 장착홀이 관통 형성된 캐리어 본체; 및 상기 캐리어 본체의 표면 외주부에 코팅되는 코팅부를 포함하는 웨이퍼 캐리어를 제공한다.The present invention provides a carrier body through which at least one wafer mounting hole is formed; And it provides a wafer carrier comprising a coating portion coated on the outer peripheral surface of the carrier body.

상기 캐리어 본체는 다수의 웨이퍼 장착홀이 형성되고, 상기 코팅부는 적어도 상기 웨이퍼 장착홀의 가장자리 일부 영역 감싸는 형상으로 배치될 수 있다.The carrier body may have a plurality of wafer mounting holes formed therein, and the coating portion may be disposed to surround at least a portion of an edge of the wafer mounting hole.

상기 코팅부는 다수의 웨이퍼 장착홀의 가장자리 일부 영역을 각각 감싸는 호(arc) 형상을 가지며 다수개로 이루어질 수 있다.The coating portion may have an arc shape that surrounds a portion of the edge of the plurality of wafer mounting holes, and may be formed in plurality.

상기 코팅부는 DLC(Diamond Like Carbon) 코팅을 포함할 수 있다.The coating part may include a diamond like carbon (DLC) coating.

상기 웨이퍼 캐리어는 열처리 후, 상기 캐리어 본체에 상기 코팅부를 형성할 수 있다.After the wafer carrier is heat-treated, the coating portion may be formed on the carrier body.

상기 열처리는 상기 캐리어 본체의 외주부의 냉각 속도가 내주부의 냉각 속도보다 빠르도록 이루어질 수 있다.The heat treatment may be performed so that the cooling rate of the outer periphery of the carrier body is faster than the cooling rate of the inner periphery.

상기 코팅부는 상기 캐리어 본체의 양 표면에 모두 구비될 수 있다.The coating portion may be provided on both surfaces of the carrier body.

한편, 본 발명은 웨이퍼 장착홀과 슬러리홀이 관통 형성된 캐리어 본체; 및 상기 웨이퍼 장착홀의 가장자리 일부 영역을 감싸도록 상기 캐리어 본체의 양측 표면 외주부에 각각 코팅되는 DLC(Diamond Like Carbon) 코팅부를 포함하는 웨이퍼 캐리어를 제공한다.On the other hand, the present invention is a carrier body through which the wafer mounting hole and the slurry hole are formed; and DLC (Diamond Like Carbon) coating parts respectively coated on the outer periphery of both surfaces of the carrier body so as to surround a partial region of the edge of the wafer mounting hole.

상기 코팅부는 다수의 웨이퍼 장착홀의 가장자리 일부 영역을 각각 감싸는 호(arc) 형상을 가질 수 있다.The coating portion may have an arc shape that surrounds a portion of the edge of the plurality of wafer mounting holes, respectively.

상기 코팅부의 폭은 상기 캐리어 본체의 웨이퍼 장작홀과 치형 사이의 거리에서 선택된 길이를 가질 수 있다.The width of the coating portion may have a length selected from the distance between the wafer firewood hole and the tooth of the carrier body.

한편, 본 발명은 상정반; 하정반; 및 상기 상정반과 상기 하정반 사이에 장착되는 상술한 어느 한 형태의 웨이퍼 캐리어를 포함하는 웨이퍼 랩핑 장치를 제공한다.On the other hand, the present invention is a table plate; lower lip; and a wafer carrier of any one of the above types mounted between the upper platen and the lower platen.

본 발명의 웨이퍼 캐리어 및 그를 구비한 웨이퍼 랩핑 장치에 따르면, 웨이퍼 캐리어의 외주부에 코팅부를 형성하여 웨이퍼 캐리어의 내부와 외부의 마모를 유사하게 함으로써 웨이퍼 캐리어의 편마모를 방지할 수 있기 때문에 웨이퍼 랩핑 공정의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the wafer carrier and the wafer lapping apparatus having the same of the present invention, it is possible to prevent uneven wear of the wafer carrier by forming a coating part on the outer periphery of the wafer carrier to make the wear of the inside and the outside of the wafer carrier similar. It has the effect of improving quality.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 개략적인 부분 절개 사시도이다.
도 2는 도 1의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 평면도이다.
도 3은 제2 및 제3 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 평면도이다.
도 4는 제4 및 제5 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 평면도이다.1 is a schematic partially cut-away perspective view of a wafer lapping apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of a wafer carrier according to the first embodiment of FIG. 1 ;
3 is a plan view of a wafer carrier according to second and third embodiments;
4 is a plan view of a wafer carrier according to the fourth and fifth embodiments;

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, the embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and the description of the embodiments. In the description of an embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is “on” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed on, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for the upper / upper or lower / lower of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not fully reflect the actual size. Also, like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 개략적인 부분 절개 사시도이다.1 is a schematic partially cut-away perspective view of a wafer lapping apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 실시예의 웨이퍼 랩핑 장치(1)는 상정반(10), 하정반(20), 선 기어(30, Sun Gear), 인터널 기어(40, Internal Gear), 웨이퍼 캐리어(50, Wafer Carrier), 슬러리 공급관(60)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the wafer lapping apparatus 1 of the embodiment includes an upper platen 10 , a lower platen 20 , a sun gear 30 , Sun Gear, an internal gear 40 , an Internal Gear, and a wafer carrier. (50, Wafer Carrier), it may be configured to include a slurry supply pipe (60).

상정반(10)은 연마 대상의 웨이퍼(W)의 상부면과 접촉되면서 웨이퍼(W)를 연마할 수 있다. 상정반(10)은 선 기어(30)가 위치한 회전축(15)을 중심으로 회전할 수 있으며, 회전하지 않고 정위치에 있을 수도 있다. 상정반(10)은 하정반(20)의 상측에 배치되며, 하정반(20)을 향해 접근하거나 멀어지도록 상하 방향으로 승강할 수 있다.The upper plate 10 may polish the wafer W while in contact with the upper surface of the wafer W to be polished. The upper table 10 may rotate about the rotation shaft 15 on which the sun gear 30 is located, and may be in a fixed position without rotating. The upper plate 10 is disposed on the upper side of the lower plate 20 , and can be raised and lowered in the vertical direction so as to approach or move away from the lower plate 20 .

하정반(20)은 상정반(10)의 하부에 배치되며 연마 대상의 웨이퍼(W)의 하부면과 접촉되면서 웨이퍼(W)를 연마할 수 있다. 하정반(20)은 회전축(15)을 중심으로 회전가능하게 장착될 수 있다. 예를 들어 하정반(20)은 상정반(10)이 회전할 경우 상정반(10)과 반대 방향으로 회전할 수 있으며, 상정반(10)이 회전하지 않으면 일 방향 또는 정방향 또는 역방향으로 회전할 수 있다.The lower platen 20 is disposed under the upper platen 10 and can polish the wafer W while in contact with the lower surface of the wafer W to be polished. The lower plate 20 may be rotatably mounted about the rotation shaft 15 . For example, the lower table 20 may rotate in the opposite direction to the upper table 10 when the upper table 10 rotates, and if the upper table 10 does not rotate, it can rotate in one direction or in a forward or reverse direction. can

상술한 상정반(10)과 하정반(20)은 사이에 내부 공간을 두고 접촉하며, 하나의 정반을 이룰 수 있다. 상정반(10)과 하정반(20)은 일반적으로 흑연 주철로 이루어질 수 있다.The above-described upper plate 10 and the lower plate 20 are in contact with an internal space therebetween, and may form a single plate. The upper platen 10 and the lower platen 20 may be generally made of graphite cast iron.

그리고 상정반(10)과 하정반(20) 내에는 격자 형상을 갖는 복수 개의 슬러리 홈(Groove)이 각각 형성될 수 있다. 웨이퍼(W) 연마시에는 후술할 슬러리 공급관(60)으로 공급된 슬러리가 슬러리 홈으로 이동하여 채워지며, 공급되는 슬러리 입자를 이용하여 상정반(10)과 하정반(20)은 웨이퍼(W)를 효율적으로 연마할 수 있다.In addition, a plurality of slurry grooves having a lattice shape may be respectively formed in the upper platen 10 and the lower platen 20 . When the wafer (W) is polished, the slurry supplied to the slurry supply pipe 60, which will be described later, moves to the slurry groove and is filled, and the upper platen 10 and the lower platen 20 are the wafers (W) using the supplied slurry particles. can be polished efficiently.

선 기어(30)는 하정반(20)의 중심부에 배치되어 회전축(15)을 중심으로 회전할 수 있다. 선 기어(30)는 인터널 기어(40)와 함께 웨이퍼 캐리어(50)의 회전 동작을 안내할 수 있도록 웨이퍼 캐리어(50)와 맞물려 질 수 있다.The sun gear 30 may be disposed at the center of the lower plate 20 and rotate around the rotation shaft 15 . The sun gear 30 may be engaged with the wafer carrier 50 to guide the rotational operation of the wafer carrier 50 together with the internal gear 40 .

인터널 기어(40)는 하정반(20)의 외주면을 감싸는 형상으로 배치되며, 상정반(10)의 아래에 배치될 수 있다. 인터널 기어(40)의 내주면에는 웨이퍼 캐리어(50)가 맞물려지면서 웨이퍼 캐리어(50)의 회전 운동을 안내할 수 있다. 인터널 기어(40)는 선 기어(30)와 함께 독립 회전이 가능하게 구성될 수 있다. 예를 들어 도 1에 화살표로 도시된 바와 같이 인터널 기어(40)는 하정반(20)의 회전 방향과 같은 방향으로 회전하고, 선 기어(30)는 반대 방향으로 회전할 수 있다.The internal gear 40 is disposed in a shape surrounding the outer circumferential surface of the lower plate 20 , and may be disposed under the upper plate 10 . The wafer carrier 50 may be engaged with the inner circumferential surface of the internal gear 40 to guide the rotational movement of the wafer carrier 50 . The internal gear 40 may be configured to independently rotate together with the sun gear 30 . For example, as shown by an arrow in FIG. 1 , the internal gear 40 may rotate in the same direction as the rotational direction of the lower surface plate 20 , and the sun gear 30 may rotate in the opposite direction.

웨이퍼 캐리어(50)는 정반(10, 20) 내부 공간에 설치되면서, 연마 대상의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있다. 웨이퍼 캐리어(50)에는 적어도 하나의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 웨이퍼 장착홀(52, 도 2 참조)이 형성될 수 있다. 도 1에서는 하나의 웨이퍼 캐리어(50)에 4개의 웨이퍼(W)가 장착되는 것을 도시하였으나 그 개수와 크기, 설치 위치 등은 변형가능하다.The wafer carrier 50 may accommodate the wafer W to be polished while being installed in the inner space of the surface plates 10 and 20 . A wafer mounting hole 52 (refer to FIG. 2 ) capable of accommodating at least one wafer W may be formed in the wafer carrier 50 . In FIG. 1 , four wafers W are mounted on one wafer carrier 50 , but the number, size, and installation position thereof are variable.

웨이퍼 캐리어(50)의 외주 가장자리에는 치형(tooth profile, 齒形, 54)가 형성되어 상술한 선 기어(30) 및 인터널 기어(40)와 맞물리면서 랩핑 공정시 하정반(20)과 상정반(10) 사이에서 회전할 수 있다. 웨이퍼 캐리어(50)에 수용되어 상정반(10)과 하정반(20) 사이에서 회전하게 되는 웨이퍼(W)는 상정반(10)의 하면과 하정반(20)의 상면과 접촉하면서 양측 표면의 연마가 동시에 이루어질 수 있다.A tooth profile 54 is formed on the outer periphery of the wafer carrier 50 to mesh with the above-described sun gear 30 and internal gear 40, and during the lapping process, the lower platen 20 and the upper platen ( 10) can be rotated between The wafer W, which is accommodated in the wafer carrier 50 and rotates between the upper platen 10 and the lower platen 20, is in contact with the lower surface of the upper platen 10 and the upper surface of the lower platen 20. Grinding can be done simultaneously.

상술한 구성을 통해서 랩핑 공정 동안, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 캐리어(50)에 수용되어 상정반(10)과 하정반(20) 내측에서 회전하면서 연마될 수 있다.Through the above configuration, during the lapping process, the wafer W may be accommodated in the wafer carrier 50 and polished while rotating inside the upper platen 10 and the lower platen 20 .

한편, 본 발명은 웨이퍼 캐리어(50)의 내부와 외부의 마모를 유사하게 함으로써 웨이퍼 캐리어(50)의 편마모를 방지할 수 있기 때문에 웨이퍼 랩핑 공정의 품질을 향상시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다. 이하, 상술한 효과를 제공하는 본 실시예의 웨이퍼 캐리어(50)에 대하 상세하게 설명하기로 한다.On the other hand, the present invention can provide the effect of improving the quality of the wafer lapping process because it is possible to prevent uneven wear of the wafer carrier 50 by making the wear of the inside and the outside of the wafer carrier 50 similar. Hereinafter, the wafer carrier 50 of the present embodiment that provides the above-described effects will be described in detail.

도 2는 도 1의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 평면도이다.FIG. 2 is a plan view of a wafer carrier according to the first embodiment of FIG. 1 ;

도 2에 도시된 바와 같이, 제1 실시예의 웨이퍼 캐리어(50)는 캐리어 본체(51), 웨이퍼 장착홀(52), 슬러리홀(53), 치형(54), 코팅부(55)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2 , the wafer carrier 50 of the first embodiment may include a carrier body 51 , a wafer mounting hole 52 , a slurry hole 53 , a tooth shape 54 , and a coating part 55 . can

캐리어 본체(51)는 금속(Metal) 재질로 이루어지며, 대략적으로 원형의 단면을 갖는 형상으로 이루어질 수 있다. 캐리어 본체(51)의 전면(상면)은 웨이퍼 랩핑 장치(1)의 상정반(10)과 접하고, 캐리어 본체(51)의 후면(하면)은 웨이퍼 랩핑 장치(1)의 하정반(20)과 접할 수 있다. 즉, 캐리어 본체(51)의 양면은 정반(10, 20) 사이에 배치된다.The carrier body 51 is made of a metal material, and may have a shape having an approximately circular cross-section. The front surface (upper surface) of the carrier body 51 is in contact with the upper plate 10 of the wafer lapping apparatus 1 , and the rear surface (lower surface) of the carrier body 51 is in contact with the lower plate 20 of the wafer lapping apparatus 1 . can be reached That is, both surfaces of the carrier body 51 are disposed between the surface plates 10 and 20 .

웨이퍼 장착홀(52)은 연마 대상의 웨이퍼(W)가 장착되도록 캐리어 본체(51)의 상면과 하면을 관통하도록 형성된다. 웨이퍼 장착홀(52)은 캐리어 본체(51)의 내주부에 일정한 배열을 갖도록 적어도 하나가 관통 형성될 수 있다. 제1 실시예에서는 다수개, 즉 4개의 웨이퍼 장착홀(52)이 마주보는 것들끼리 대칭되도록 캐리어 본체(51)의 내주부에 균형적으로 배치되는 것을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다.The wafer mounting hole 52 is formed to pass through the upper and lower surfaces of the carrier body 51 so that the wafer W to be polished is mounted. At least one wafer mounting hole 52 may be formed through the inner periphery of the carrier body 51 to have a predetermined arrangement. In the first embodiment, it is illustrated that a plurality of, that is, four wafer mounting holes 52 are balancedly disposed on the inner periphery of the carrier body 51 so that the facing ones are symmetrical, but the present invention is not limited thereto.

슬러리홀(53)은 슬러리 공급관(60)을 통해 상정반(10) 내부로 공급되는 슬러리가 유동할 수 있는 공간을 형성하도록 캐리어 본체(51)에 다수개가 형성될 수 있다. 슬러리홀(53)에 슬러리가 수용되면서 랩핑 공정동안 웨이퍼(W)에는 슬러리가 안정적으로 충분히 공급될 수 있다.A plurality of slurry holes 53 may be formed in the carrier body 51 to form a space in which the slurry supplied to the inside of the upper plate 10 through the slurry supply pipe 60 can flow. While the slurry is accommodated in the slurry hole 53 , the slurry may be stably and sufficiently supplied to the wafer W during the lapping process.

캐리어 본체(51)의 외주부의 가장자리에는 치형(54)이 구비되며, 상술한 선 기어(30) 및 인터널 기어(40)와 맞물리면서 랩핑 공정시 하정반(20)과 상정반(10) 사이에서 회전할 수 있다. Teeth 54 are provided at the edge of the outer periphery of the carrier body 51 and are engaged with the above-described sun gear 30 and internal gear 40 between the lower platen 20 and the upper platen 10 during the lapping process. can rotate

코팅부(55)는 캐리어 본체(51)의 표면 외주부에 배치되면서, 캐리어 본체(51)의 두께를 증강시킬 수 있다. 코팅부(55)는 웨이퍼 캐리어(50)의 외주부에 구비됨으로써 웨이퍼 캐리어(50)의 내부와 외부의 마모를 유사하게 할 수 있다. 즉, 코팅부(55)는 웨이퍼 캐리어(50)에서 편마모가 많이 일어나던 웨이퍼 캐리어(50)의 외주부에 구비될 수 있다.The coating portion 55 is disposed on the outer periphery of the surface of the carrier body 51 , and may increase the thickness of the carrier body 51 . The coating portion 55 is provided on the outer periphery of the wafer carrier 50 so that the wear of the inside and the outside of the wafer carrier 50 is similar. That is, the coating part 55 may be provided on the outer periphery of the wafer carrier 50 , where a lot of uneven wear occurs in the wafer carrier 50 .

코팅부(55)는 적어도 웨이퍼 장착홀의 가장자리 일부 영역을 감싸는 형상으로 배치될 수 있다. 제1 실시예에서 코팅부(55)는 웨이퍼 캐리어(50)의 외주부를 이루는 캐리어 본체(51)의 상면과 하면의 가장자리에 각각 형성된다. 즉, 코팅부(55)는 웨이퍼 캐리어(50)의 양 표면에 모두 구비될 수 있다. 물론, 필요에 다라 코팅부(55)는 웨이퍼 캐리어(50)의 일 표면에만 형성할 수도 있다.The coating part 55 may be disposed in a shape that surrounds at least a portion of the edge of the wafer mounting hole. In the first embodiment, the coating portion 55 is formed on the edges of the upper and lower surfaces of the carrier body 51 constituting the outer periphery of the wafer carrier 50 , respectively. That is, the coating portion 55 may be provided on both surfaces of the wafer carrier 50 . Of course, if necessary, the coating portion 55 may be formed on only one surface of the wafer carrier 50 .

이때, 코팅부(55)의 폭(d)은 도 2에 확대 도시된 바와 같이, 캐리어 본체(51)의 웨이퍼 장작홀(52)과 치형(54) 사이의 거리에서 선택된 길이를 가질 수 있다. 이때, 코팅부(55)(d)의 폭은 웨이퍼 장착홀(52)과 치형(54) 사이의 최대 거리(L) 이하일 수 있다.In this case, the width d of the coating portion 55 may have a length selected from the distance between the wafer firewood hole 52 and the tooth shape 54 of the carrier body 51 as enlarged in FIG. 2 . In this case, the width of the coating portion 55 (d) may be less than or equal to the maximum distance L between the wafer mounting hole 52 and the tooth shape 54 .

코팅부(55)는 DLC(Diamond Like Carbon) 코팅을 포함할 수 있다. 즉, 쉽게 마모되지 않도록 경도가 가장 큰 다이아몬드(Diamond)를 포함할 수 있다.The coating part 55 may include a diamond like carbon (DLC) coating. That is, it may include diamond having the greatest hardness so as not to be easily worn.

한편, 코팅부(55)는 웨이퍼 캐리어(50)의 제조 단계에서, 열처리 후, 캐리어 본체(51)에 상기 코팅부(55)를 형성할 수 있다. 예를 들어 캐리어 본체(51)의 외주부의 냉각 속도가 내주부의 냉각 속도보다 빠르도록 이루어질 수 있다. 즉, 열처리 후, 캐리어 본체(51)의 외주부에는 냉각수를 공급하고, 내주부는 공기에 의한 냉각만 이루어지도록 할 수 있다.Meanwhile, the coating part 55 may form the coating part 55 on the carrier body 51 after heat treatment in the manufacturing step of the wafer carrier 50 . For example, the cooling rate of the outer periphery of the carrier body 51 may be faster than the cooling rate of the inner periphery. That is, after the heat treatment, cooling water may be supplied to the outer periphery of the carrier body 51 , and only the inner periphery may be cooled by air.

상술한 코팅부(55)에 의해 웨이퍼 캐리어(50)는 편마모가 발생하였던 외주부의 두께가 보강됨으로써 종래보다 마모되는 속도를 지연시킴으로써 웨이퍼 캐리어(50)의 수명을 연장시킬 수 있다. 뿐만 아니라 웨이퍼 캐리어(50)의 편마모를 방지할 수 있기 때문에 웨이퍼 랩핑 공정의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The wafer carrier 50 may extend the life of the wafer carrier 50 by delaying the rate of wear compared to the prior art by reinforcing the thickness of the outer periphery where the uneven abrasion occurred by the above-described coating portion 55 . In addition, since uneven wear of the wafer carrier 50 can be prevented, the quality of the wafer lapping process can be improved.

도 3은 제2 및 제3 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 평면도이다.3 is a plan view of a wafer carrier according to second and third embodiments;

이하, 본 실시예들의 웨이퍼 캐리어(50a, 50b)를 설명하면서 중복된 설명을 피하기 위해 전술한 제1 실시예의 웨이퍼 캐리어(50)와 다른 부분을 위주로 설명하기로 한다.Hereinafter, while explaining the wafer carriers 50a and 50b of the present embodiments, in order to avoid overlapping descriptions, portions different from those of the wafer carrier 50 of the first embodiment will be mainly described.

도 3에 도시된 바와 같이, 제2 및 제3 실시예의 웨이퍼 캐리어(50a, 50b)는 3개의 웨이퍼 장착홀(52)이 형성되어 있으며, 크기가 다른 슬러리홀(53a, 53b)들이 구비되는 점에서 차이가 있다.As shown in FIG. 3 , the wafer carriers 50a and 50b of the second and third embodiments have three wafer mounting holes 52 formed therein, and slurry holes 53a and 53b of different sizes are provided. There is a difference in

이때, 도 3의 (a)에 도시된 제2 실시예의 웨이퍼 캐리어(50a)에서 코팅부(55a)는 제1 실시예처럼 캐리어 본체(51)의 외주부에 하나의 폐곡선을 이루도록 형성될 수 있다.At this time, in the wafer carrier 50a of the second embodiment shown in FIG. 3A , the coating portion 55a may be formed to form one closed curve on the outer periphery of the carrier body 51 as in the first embodiment.

그러나 도 3의 (b)에 도시된 제3 실시예의 웨이퍼 캐리어(50b)에서 코팅부(55b)는 다수의 웨이퍼 장착홀(52b)의 가장자리 일부 영역을 각각 감싸는 호(arc) 형상을 가지며 다수개로 이루어질 수 있다. 즉, 각각의 코팅부(55b)는 폐곡선을 이루지 않고, 편마모가 심하게 이루어지던 캐리어 본체(51b)의 외주부의 두께를 국소적으로 보강하도록 개방된 반호 형상을 가질 수 있다.However, in the wafer carrier 50b of the third embodiment shown in FIG. 3B , the coating portion 55b has an arc shape that surrounds a portion of the edge of the plurality of wafer mounting holes 52b, and is formed into a plurality of pieces. can be done That is, each of the coating portions 55b may have an open semi-arc shape to locally reinforce the thickness of the outer periphery of the carrier body 51b, which is heavily unevenly worn, without forming a closed curve.

도 4는 제4 및 제5 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 평면도이다.4 is a plan view of a wafer carrier according to the fourth and fifth embodiments;

이하, 본 실시예들의 웨이퍼 캐리어(50c, 50d)를 설명하면서 중복된 설명을 피하기 위해 전술한 실시예들의 웨이퍼 캐리어(50, 50a, 50b)와 다른 부분을 위주로 설명하기로 한다.Hereinafter, while explaining the wafer carriers 50c and 50d of the present embodiments, in order to avoid overlapping descriptions, portions different from the wafer carriers 50 , 50a and 50b of the above-described embodiments will be mainly described.

도 4에 도시된 바와 같이, 제4 및 제5 실시예의 웨이퍼 캐리어(50c, 50d)는 1개의 웨이퍼 장착홀(52c, 52d)이 형성되어 있으며, 크기가 다른 슬러리홀(53c, 53d)들이 캐리어 본체(51c, 51d)의 외주부에 구비되는 점에서 차이가 있다.As shown in FIG. 4 , in the wafer carriers 50c and 50d of the fourth and fifth embodiments, one wafer mounting hole 52c and 52d is formed, and slurry holes 53c and 53d of different sizes are formed on the carrier. There is a difference in that it is provided on the outer periphery of the main body (51c, 51d).

이때, 도 4의 (a)에 도시된 제4 실시예의 웨이퍼 캐리어(50c)에서 코팅부(55c)는 제1 및 제2 실시예처럼 캐리어 본체(51c)의 외주부에 하나의 폐곡선을 이루도록 형성될 수 있다.At this time, the coating portion 55c in the wafer carrier 50c of the fourth embodiment shown in FIG. can

그러나 도 4의 (b)에 도시된 제5 실시예의 웨이퍼 캐리어(50d)에서 코팅부(55d)는 하나의 웨이퍼 장착홀(52d)의 가장자리 일부 영역을 각각 감싸는 호(arc) 형상을 가질 수 있다. 즉, 코팅부(55d)는 폐곡선을 이루지 않고, 편마모가 심하게 이루어지던 캐리어 본체(51d)의 외주부의 두께를 국소적으로 보강하도록 개방된 반호 형상을 가질 수 있다.However, in the wafer carrier 50d of the fifth embodiment shown in FIG. 4B , the coating portion 55d may have an arc shape that surrounds a portion of the edge of one wafer mounting hole 52d, respectively. . That is, the coating portion 55d does not form a closed curve, and may have an open semi-arc shape to locally reinforce the thickness of the outer periphery of the carrier body 51d, which is heavily unevenly worn.

이와 같이 본 발명의 본 발명의 웨이퍼 캐리어 및 그를 구비한 웨이퍼 랩핑 장치에 따르면, 웨이퍼 캐리어의 외주부에 코팅부를 형성하여 웨이퍼 캐리어의 내부와 외부의 마모를 유사하게 함으로써 웨이퍼 캐리어의 편마모를 방지할 수 있기 때문에 웨이퍼 랩핑 공정의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the wafer carrier of the present invention and the wafer lapping apparatus having the same of the present invention, uneven wear of the wafer carrier can be prevented by forming a coating part on the outer periphery of the wafer carrier to make the wear of the inside and the outside of the wafer carrier similar. Therefore, there is an effect of improving the quality of the wafer lapping process.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by a person skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

1 : 랩핑 장치 10 : 상정반
15 : 회전축 20 : 하정반
30 : 선 기어 40 : 인터널 기어
50 : 웨이퍼 캐리어 51 : 캐리어 본체
52 : 웨이퍼 장착홀 53 : 슬러리홀
54 : 치형(tooth profile, 齒形)
60 : 슬러리 공급관 1: lapping device 10: table plate
15: rotation shaft 20: lower plate
30: sun gear 40: internal gear
50: wafer carrier 51: carrier body
52: wafer mounting hole 53: slurry hole
54: tooth profile
60: slurry supply pipe

Claims

a carrier body through which at least one wafer mounting hole is formed; and
A wafer carrier comprising a coating portion coated on the outer periphery of the surface of the carrier body.

According to claim 1,
The carrier body is formed with a plurality of wafer mounting holes,
The wafer carrier is disposed in a shape that the coating portion surrounds at least a portion of the edge of the wafer mounting hole.

3. The method of claim 2,
The coating portion has an arc (arc) shape surrounding a portion of the edge of the plurality of wafer mounting holes, respectively, a wafer carrier consisting of a plurality.

4. The method of claim 3,
The coating portion is a wafer carrier comprising a diamond like carbon (DLC) coating.

5. The method of claim 4,
The wafer carrier is a wafer carrier to form the coating on the carrier body after heat treatment.

6. The method of claim 5,
The heat treatment is performed so that the cooling rate of the outer periphery of the carrier body is faster than the cooling rate of the inner periphery.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The coating portion is a wafer carrier provided on both surfaces of the carrier body.

a carrier body having a wafer mounting hole and a slurry hole formed therethrough; and
Wafer carrier including a DLC (Diamond Like Carbon) coating portion respectively coated on the outer periphery of both surfaces of the carrier body so as to surround a partial region of the edge of the wafer mounting hole.

9. The method of claim 8,
The coating portion is a wafer carrier having an arc (arc) shape surrounding a portion of the edge of the plurality of wafer mounting holes, respectively.

10. The method of claim 9,
The width of the coating is a wafer carrier having a length selected from the distance between the wafer firewood hole and the tooth of the carrier body.

top table;
lower lip; and
A wafer wrapping apparatus comprising the wafer carrier of any one of claims 1 to 6, 9, and 10 mounted between the upper platen and the lower platen.