KR20200110726A - Solar cell and solar cell module - Google Patents

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KR20200110726A KR1020200119393A KR20200119393A KR20200110726A KR 20200110726 A KR20200110726 A KR 20200110726A KR 1020200119393 A KR1020200119393 A KR 1020200119393A KR 20200119393 A KR20200119393 A KR 20200119393A KR 20200110726 A KR20200110726 A KR 20200110726A
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Abstract

The present invention relates to a solar cell and a solar cell module, capable of improving photoelectric conversion efficiency and simplifying a manufacturing method. According to the present invention, the solar cell module includes: a first solar cell and a second solar cell, in which each of the first solar cell and the second solar cell includes a plurality of first electrodes formed on a rear surface of a semiconductor substrate, a plurality of second electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate, a first auxiliary electrode connected to the first electrodes, a second auxiliary electrode connected to the second electrodes, and an insulating member disposed on rear surfaces of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode, and one semiconductor substrate and one insulating member are connected to each other to form one individual integrated element; and an interconnector configured to electrically connect the first solar cell to the second solar cell. In addition, one example of a solar cell applicable to the solar cell module includes: a semiconductor substrate; a plurality of first electrodes formed on a rear surface of the semiconductor substrate; a plurality of second electrodes spaced apart from the first electrodes in parallel with the first electrodes on the rear surface of the semiconductor substrate; and an insulating member including a first auxiliary electrode connected to the first electrodes and a second auxiliary electrode connected to the second electrodes, wherein one insulating member and one semiconductor substrate are connected to each other to form one individual integrated element.

Description

태양 전지 및 태양 전지 모듈{SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE}Solar cell and solar cell module {SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 및 태양 전지 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell and a solar cell module.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate made of semiconductors of different conductive types, such as a p-type and an n-type, and an emitter, and electrodes connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter part.

특히, 태양전지의 효율을 높이기 위해 실리콘 기판의 수광면에 전극을 형성하지 않고, 실리콘 기판의 이면 만으로 n 전극 및 p 전극을 형성한 이면 전극 형 태양 전지 셀에 대한 연구 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 이면 전극 형 태양전지 셀을 복수개 연결하여 전기적으로 접속하는 모듈화 기술도 진행되고 있다.In particular, research and development of a back-electrode solar cell in which an electrode is not formed on the light-receiving surface of a silicon substrate and an n-electrode and a p-electrode are formed only on the back surface of the silicon substrate is being conducted to increase the efficiency of the solar cell. A modular technology for electrically connecting a plurality of such back-electrode solar cell cells is also in progress.

상기 모듈과 기술에는 복수 개의 태양전지 셀을 금속 인터커넥터로 전기적으로 연결하는 방법과, 미리 배선이 형성된 배선기판을 이용해 전기적으로 연결하는 방법이 대표적이다.Typical examples of the modules and technologies include a method of electrically connecting a plurality of solar cell cells with a metal interconnector and a method of electrically connecting a plurality of solar cells using a wiring board on which wiring is formed.

본 발명은 광전 변환 효율을 향상시키고, 제조 방법을 보다 단순화할 수 있는 태양 전지 및 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell and a solar cell module capable of improving photoelectric conversion efficiency and simplifying a manufacturing method.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극, 반도체 기판의 후면에 형성되는 복수의 제2 전극, 복수의 제1 전극에 연결되는 제1 보조 전극, 복수의 제2 전극에 연결되는 제2 보조 전극, 및 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극의 후면에 배치되는 절연성 부재를 포함하고, 반도체 기판과 절연성 부재는 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 전기적으로 서로 연결하는 인터커넥터;를 포함한다.The solar cell module according to the present invention includes a plurality of first electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate, a plurality of second electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate, a first auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes, and a plurality of second electrodes. 2 A second auxiliary electrode connected to the electrode, and an insulating member disposed on the rear surface of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode, and the semiconductor substrate and the insulating member are individually connected to form one integrated individual element. A first solar cell and a second solar cell; And an interconnector electrically connecting the first solar cell and the second solar cell to each other.

여기서, 태양 전지 모듈은 인터커넥터에 의해 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지가 서로 연결되는 셀 스트링의 전면 위에 위치하는 전면 유리 기판; 전면 유리 기판과 셀 스트링 사이에 위치하는 상부 봉지재; 셀 스트링의 후면에 위치하는 하부 봉지재; 및 하부 봉지재의 후면에 위치하는 후면 시트;를 더 포함할 수 있다.Here, the solar cell module includes: a front glass substrate positioned on the front surface of the cell string to which the first solar cell and the second solar cell are connected to each other by an interconnector; An upper encapsulant positioned between the front glass substrate and the cell string; A lower encapsulant positioned on the rear surface of the cell string; And a rear sheet positioned on the rear surface of the lower encapsulant.

여기서, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 반도체 기판 또는 제2 태양 전지의 반도체 기판과 중첩되지 않고 이격될 수 있고, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각의 절연성 부재는 인터커넥터와 서로 중첩될 수 있고, 제1 태양 전지의 절연성 부재와 제2 태양 전지의 절연성 부재는 서로 이격될 수 있다.Here, the interconnector may be spaced apart from the semiconductor substrate of the first solar cell or the semiconductor substrate of the second solar cell without overlapping, and the insulating members of each of the first solar cell and the second solar cell may overlap with the interconnector. In addition, the insulating member of the first solar cell and the insulating member of the second solar cell may be spaced apart from each other.

아울러, 제1 태양 전지의 절연성 부재는 제2 태양 전지의 반도체 기판과 중첩되지 않고, 제2 태양 전지의 절연성 부재는 제1 태양 전지의 반도체 기판과 중첩되지 않을 수 있다.In addition, the insulating member of the first solar cell may not overlap with the semiconductor substrate of the second solar cell, and the insulating member of the second solar cell may not overlap with the semiconductor substrate of the first solar cell.

여기의 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서, 절연성 부재의 면적은 반도체 기판의 면적보다 동일하거나 크고, 반도체 기판 면적의 2배 보다 작을 수 있다. 일례로, 절연성 부재에서 제1 보조 전극과 제2 보조 전극이 연장되는 길이 방향인 제1 방향의 길이는 반도체 기판의 제1 방향의 길이와 같거나 길 수 있고, 2배보다 짧을 수 있다.In each of the first and second solar cells herein, the area of the insulating member may be equal to or greater than the area of the semiconductor substrate, and may be less than twice the area of the semiconductor substrate. For example, in the insulating member, the length in the first direction, which is the length direction in which the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode extend, may be equal to or longer than the length of the semiconductor substrate in the first direction, or may be shorter than twice.

또한, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서, 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극 각각은 제1 방향으로 연장되고, 제1 방향으로 연장되는 제1 보조 전극의 끝단에 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 뻗어 있는 제1 보조 전극 패드를 더 구비하고, 제1 방향으로 연장되는 제2 보조 전극의 끝단에 제2 방향으로 뻗어 있는 제2 보조 전극 패드를 더 구비할 수 있다.In addition, in each of the first solar cell and the second solar cell, each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode extends in a first direction, and crosses the first direction at an end of the first auxiliary electrode extending in the first direction. A first auxiliary electrode pad extending in a second direction may be further provided, and a second auxiliary electrode pad extending in a second direction may be further provided at an end of the second auxiliary electrode extending in the first direction.

여기의 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서, 제2 보조 전극 패드와 제1 보조 전극 패드 각각은 반도체 기판이 중첩되는 제1 영역과, 반도체 기판이 중첩되지 않는 제2 영역을 포함할 수 있다. In each of the first and second solar cells herein, each of the second auxiliary electrode pad and the first auxiliary electrode pad may include a first region where the semiconductor substrate overlaps and a second region where the semiconductor substrate does not overlap. have.

여기서, 제1 태양 전지에 포함되는 제1 보조 전극 패드와 제2 태양 전지에 포함되는 제2 보조 전극 패드는 서로 이격될 수 있다. 이때, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 보조 전극 패드와 제2 태양 전지의 제2 보조 전극 패드를 전기적으로 연결시키거나, 제1 태양 전지의 제1 보조 전극 패드와 제2 태양 전지의 제2 보조 전극 패드를 전기적으로 연결시킬 수 있다.Here, the first auxiliary electrode pad included in the first solar cell and the second auxiliary electrode pad included in the second solar cell may be spaced apart from each other. In this case, the interconnector electrically connects the first auxiliary electrode pad of the first solar cell and the second auxiliary electrode pad of the second solar cell, or the first auxiliary electrode pad of the first solar cell and the second auxiliary electrode pad of the second solar cell. 2 The auxiliary electrode pad can be electrically connected.

보다 구체적으로, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서, 제1 보조 전극 패드의 제2 영역과 제2 보조 전극 패드의 제2 영역이 인터커넥터와 중첩되어 연결될 수 있다.More specifically, in each of the first solar cell and the second solar cell, the second region of the first auxiliary electrode pad and the second region of the second auxiliary electrode pad may overlap and be connected to the interconnector.

이때, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서, 인터커넥터와 제1 보조 전극 패드, 또는 인터커넥터와 제2 보조 전극 패드는 제2 도전성 연결재에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 그러나, 인터커넥터와 제1 보조 전극 패드, 또는 ?使羔엿唜沽? 제2 보조 전극 패드는 물리적으로 직접 접촉하여 전기적으로 연결되는 것도 가능하다.In this case, in each of the first solar cell and the second solar cell, the interconnector and the first auxiliary electrode pad, or the interconnector and the second auxiliary electrode pad may be electrically connected by a second conductive connector. However, the interconnector and the first auxiliary electrode pad, or ?使羔唜沽? The second auxiliary electrode pad may be electrically connected by direct physical contact.

아울러, 인터커넥터의 전면 표면에는 요철이 형성되어 있고, 두께가 균일하지 않을 수 있고, 이와 다르게, 인터커넥터는 두께가 균일하고, 지그재그(zigzag) 형태를 갖는 것도 가능하다.In addition, irregularities may be formed on the front surface of the interconnector, and the thickness may not be uniform. Unlike this, the interconnector may have a uniform thickness and a zigzag shape.

또한, 태양 전지 모듈은 하나의 일체형 개별 소자를 형성하는 복수의 태양 전지가 인터커넥터에 의해 제1 방향으로 직렬로 연결되는 각각의 제1 셀 스트링과 제2 셀 스트링을 포함하고, 제1 셀 스트링과 제2 셀 스트링을 제2 방향으로 직렬로 연결시키는 도전성 리본(ribbon);을 더 포함할 수 있다.In addition, the solar cell module includes a first cell string and a second cell string in which a plurality of solar cells forming one integrated individual element are connected in series in a first direction by an interconnector, and the first cell string A conductive ribbon connecting the and the second cell string in series in the second direction may be further included.

보다 구체적으로, 제1 셀 스트링의 마지막 태양 전지의 제1 보조 전극 패드는 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지의 제2 보조 전극 패드와 도전성 리본을 통하여 연결되거나, 제1 셀 스트링의 마지막 태양 전지의 제2 보조 전극 패드는 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지의 제1 보조 전극 패드와 도전성 리본을 통하여 연결될 수 있다.More specifically, the first auxiliary electrode pad of the last solar cell of the first cell string is connected to the second auxiliary electrode pad of the last solar cell of the second cell string through a conductive ribbon, or of the last solar cell of the first cell string. The second auxiliary electrode pad may be connected to the first auxiliary electrode pad of the last solar cell of the second cell string through a conductive ribbon.

이때, 제1 셀 스트링 또는 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에서 제1 보조 전극 패드의 전면 또는 제2 보조 전극 패드의 전면에 리본이 연결될 수 있다.In this case, in the last solar cell of the first cell string or the second cell string, the ribbon may be connected to the front surface of the first auxiliary electrode pad or the front surface of the second auxiliary electrode pad.

그러나, 이와 다르게, 제1 셀 스트링 또는 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에서 제1 보조 전극 패드 또는 제2 보조 전극 패드는 절연성 부재의 후면 일부분까지 덮도록 형성되어 있고, 리본은 절연성 부재의 후면 일부분에 형성된 제1 보조 전극 패드 또는 제2 보조 전극 패드에 연결되는 것도 가능하다.However, differently, in the last solar cell of the first cell string or the second cell string, the first auxiliary electrode pad or the second auxiliary electrode pad is formed to cover a portion of the rear surface of the insulating member, and the ribbon is a portion of the rear surface of the insulating member. It is also possible to be connected to the first auxiliary electrode pad or the second auxiliary electrode pad formed in the.

또한, 이와 다르게, 제1 셀 스트링 또는 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에서 리본이 연결되는 제1 보조 전극 패드 또는 제2 보조 전극 패드는 절연성 부재의 길이보다 더 긴 부분을 더 포함하고, 더 긴 부분에 리본이 연결되는 것도 가능하다. In addition, differently, the first auxiliary electrode pad or the second auxiliary electrode pad to which the ribbon is connected in the last solar cell of the first cell string or the second cell string further includes a portion longer than the length of the insulating member, It is also possible to connect the ribbon to the part.

또한, 이와 다르게, 제1 셀 스트링 또는 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지는 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지에서 절연성 부재가 제거된 태양 전지이고, 마지막 태양 전지의 제1 보조 전극 패드 또는 제2 보조 전극 패드의 후면 위에 리본이 연결되는 것도 가능하다.In addition, differently, the last solar cell of the first cell string or the second cell string is a solar cell from which the insulating member is removed from the first solar cell and the second solar cell, and the first auxiliary electrode pad or the second auxiliary electrode pad of the last solar cell It is also possible to connect the ribbon on the back side of the auxiliary electrode pad.

또한, 이와 같은 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극; 반도체 기판의 후면에서 복수의 제1 전극과 이격되어 나란하게 형성된 복수의 제2 전극; 복수의 제1 전극과 연결되는 제1 보조 전극과, 복수의 제2 전극과 연결되는 제2 보조 전극을 포함하는 절연성 부재;를 포함하고, 절연성 부재와 반도체 기판은 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별소자를 형성한다.In addition, an example of a solar cell applied to such a solar cell module includes a semiconductor substrate; A plurality of first electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate; A plurality of second electrodes spaced apart from the plurality of first electrodes and formed in parallel on the rear surface of the semiconductor substrate; Including; an insulating member including a first auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes and a second auxiliary electrode connected to the plurality of second electrodes; Including, the insulating member and the semiconductor substrate are connected individually to form one integral type Individual devices are formed.

여기의 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서, 절연성 부재의 면적은 반도체 기판의 면적보다 동일하거나 크고, 반도체 기판 면적의 2배 보다 작을 수 있다. 일례로, 절연성 부재에서 제1 보조 전극과 제2 보조 전극이 연장되는 길이 방향인 제1 방향의 길이는 반도체 기판의 제1 방향의 길이와 같거나 길 수 있고, 2배보다 짧을 수 있다.In each of the first and second solar cells herein, the area of the insulating member may be equal to or greater than the area of the semiconductor substrate, and may be less than twice the area of the semiconductor substrate. For example, in the insulating member, the length in the first direction, which is the length direction in which the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode extend, may be equal to or longer than the length of the semiconductor substrate in the first direction, or may be shorter than twice.

이와 같이, 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극 각각은 제1 방향으로 연장되고, 제1 방향으로 연장되는 제1 보조 전극의 끝단에 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 뻗어 있는 제1 보조 전극 패드를 더 구비하고, 제1 방향으로 연장되는 제2 보조 전극의 끝단에 제2 방향으로 뻗어 있는 제2 보조 전극 패드를 더 구비할 수 있다.In this way, each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode extends in a first direction, and a first auxiliary electrode extending in a second direction crossing the first direction at an end of the first auxiliary electrode extending in the first direction. A pad may be further provided, and a second auxiliary electrode pad extending in the second direction may be further provided at an end of the second auxiliary electrode extending in the first direction.

또한, 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극 각각의 두께는 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극 각각의 두께보다 두꺼울 수 있다.In addition, the thickness of each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode may be thicker than the thickness of each of the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes.

여기서, 제1 전극과 제1 보조 전극 사이, 및 제2 전극과 제2 보조 전극 사이는 제1 도전성 연결재에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 제1 전극과 제2 전극 사이, 및 제1 보조 전극과 제2 보조 전극 사이에는 절연층이 형성될 수 있다.Here, between the first electrode and the first auxiliary electrode, and between the second electrode and the second auxiliary electrode may be electrically connected to each other by a first conductive connecting material, and between the first electrode and the second electrode, and the first auxiliary electrode An insulating layer may be formed between the and the second auxiliary electrode.

구체적 일례로, 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극 각각은 복수 개로 형성되고, 제1 방향으로 뻗어 있으며, 복수의 제1 전극 및 복수의 제2 전극 각각은 제1 방향 또는 제2 방향으로 길게 뻗어 있는 경우, 제1 보조 전극 각각의 적어도 일부분은 복수의 제1 전극과 중첩된 부분에서 제1 도전성 연결재에 의해 연결되고, 복수 개의 제2 보조 전극 각각의 적어도 일부분은 복수의 제2 전극과 중첩된 부분에서 제1 도전성 연결재에 의해 연결될 수 있다.As a specific example, each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode is formed in a plurality and extends in a first direction, and each of the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes extends in a first direction or a second direction. If present, at least a portion of each of the first auxiliary electrodes is connected by a first conductive connector at a portion overlapping the plurality of first electrodes, and at least a portion of each of the plurality of second auxiliary electrodes overlaps the plurality of second electrodes. It can be connected by a first conductive connector in the part.

또한, 다른 일례로, 제1 보조 전극과 제2 보조 전극 각각은 하나의 통 전극(sheet electrode)으로 형성되고, 서로 이격되어 위치할 수 있고, 이와 같은 경우, 하나의 제1 보조 전극과 복수의 제1 전극은 서로 중첩된 부분에서 제1 도전성 연결재에 의해 서로 연결되고, 하나의 제2 보조 전극과 복수의 제2 전극은 서로 중첩된 부분에서 제1 도전성 연결재에 의해 서로 연결되며, 하나의 제1 보조 전극과 복수의 제2 전극은 서로 중첩된 부분에서 절연층에 의해 서로 절연되고, 하나의 제2 보조 전극과 복수의 제2 전극은 서로 중첩된 부분에서 절연층에 의해 서로 절연될 수 있다. In addition, as another example, each of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode may be formed as a sheet electrode and may be located spaced apart from each other. In this case, one first auxiliary electrode and a plurality of The first electrodes are connected to each other by a first conductive connector at a portion overlapping each other, and one second auxiliary electrode and a plurality of second electrodes are connected to each other by a first conductive connector at a portion overlapping each other, 1 The auxiliary electrode and the plurality of second electrodes may be insulated from each other by an insulating layer in a portion overlapping each other, and one second auxiliary electrode and a plurality of second electrodes may be insulated from each other by an insulating layer in the overlapped portion. .

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판에 후면에 상대적으로 두껍게 형성된 제1 보조 전극과 제2 보조 전극이 형성되어, 태양 전지의 효율, 제조 공정 및 수율을 보다 향상시킬 수 있다.As described above, in the solar cell according to the present invention, the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode are formed relatively thickly on the rear surface of one semiconductor substrate, so that the efficiency, manufacturing process, and yield of the solar cell can be further improved.

아울러, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판과 절연성 부재가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지를 이용함으로써, 태양 전지 모듈의 제조 공정을 보다 단순화할 수 있고, 공정 중 일부 태양 전지의 결함시 교체를 용이하게 할 수 있어 태양 전지 모듈의 수율을 보다 향상시킬 수 있다.In addition, the solar cell module according to the present invention can further simplify the manufacturing process of the solar cell module by using a solar cell in which a semiconductor substrate and an insulating member are individually connected to each other and formed as an integrated individual element. In case of defects of some solar cells, replacement may be facilitated, and thus the yield of the solar cell module may be further improved.

도 1은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 대한 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에 적용될 수 있는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 4 내지 도 7c는 도 1의 태양 전지 모듈에서 반도체 기판과 절연성 부재가 각각 낱개로 형성된 하나의 일체형 개별 소자에 관한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 8 내지 도 10d는 도 1의 태양 전지 모듈에서 반도체 기판과 절연성 부재가 각각 낱개로 형성된 하나의 일체형 개별 소자에 관한 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 11 내지 도 13d는 도 1의 태양 전지 모듈에서 반도체 기판과 절연성 부재가 각각 낱개로 형성된 하나의 일체형 개별 소자에 관한 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 14 내지 도 16b는 도 1의 태양 전지 모듈에서 반도체 기판과 절연성 부재가 각각 낱개로 형성된 하나의 일체형 개별 소자에 관한 제4 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 17 내지 도 19는 도 1의 태양 전지 모듈에서 하나의 일체형 개별 소자를 형성하기 위해 반도체 기판과 절연성 부재를 접속하는 방법에 관한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 20 내지 도 22는 도 1의 태양 전지 모듈에서 하나의 일체형 개별 소자를 형성하기 위해 반도체 기판과 절연성 부재를 접속하는 방법에 관한 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 23a 내지 도 24는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 인터커넥터(IC)를 통하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성된 각 태양 전지를 서로 연결한 구조를 설명하기 위한 도이다.
도 25는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 인터커넥터(IC)를 통하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성된 각 태양 전지를 서로 연결한 구조의 다른 예를 설명하기 위한 도이다.
도 26은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 광학적 게인을 높이기 위하여 제1 실시예에 따른 인터커넥터(IC) 를 설명하기 위한 도이다.
도 27은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 광학적 게인 향상과 함께 절연성 부재의 열팽창 신축에 대응하기 위하여 제2 실시예에 따른 인터커넥터(IC)를 설명하기 위한 도이다.
도 28은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈의 전체 평면 구조에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 29 내지 도 31는 도 28의 29-29 라인에 따른 단면을 도시한 것으로, 도전성 리본의 연결을 위해 셀 스트링에서 마지막 태양 전지의 구조를 변경한 제1 내지 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 32a 및 도 32b는 도 28에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 리본의 연결을 위해 셀 스트링에서 마지막 태양 전지에 포함되는 절연성 부재를 제거한 제4 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 33a 및 도 33b는 도 28에 따른 태양 전지 모듈에서, 마지막 태양 전지의 구조를 변경하지 않은 제5 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 34a 내지 도 34g는 본 발명에 따라 태양 전지를 하나의 일체형 개별 소자로 제조하는 방법과 셀 스트링를 제조하는 방법의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 35a 내지 도 35g는 도 1 및 도 28에 도시된 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 36a 및 도 36b는 도 1 및 도 28에 도시된 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 37a 내지 도 37g는 도 1 및 도 28에 도시된 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.
1 is a diagram for explaining an example of a solar cell module according to the present invention.
2 and 3 are diagrams for describing an example of a solar cell applicable to the solar cell module shown in FIG. 1.
4 to 7C are diagrams for explaining a first embodiment of a single integrated individual device in which a semiconductor substrate and an insulating member are separately formed in the solar cell module of FIG. 1.
8 to 10D are diagrams for explaining a second embodiment of a single integrated individual device in which a semiconductor substrate and an insulating member are formed separately in the solar cell module of FIG. 1.
11 to 13D are diagrams for explaining a third embodiment of an integrated individual device in which a semiconductor substrate and an insulating member are formed separately from each other in the solar cell module of FIG. 1.
14 to 16B are diagrams for explaining a fourth embodiment of a single integrated individual device in which a semiconductor substrate and an insulating member are formed separately in the solar cell module of FIG. 1.
17 to 19 are diagrams for explaining a first embodiment of a method of connecting a semiconductor substrate and an insulating member to form one integrated individual device in the solar cell module of FIG. 1.
20 to 22 are diagrams for explaining a second embodiment of a method of connecting a semiconductor substrate and an insulating member to form one integrated individual element in the solar cell module of FIG. 1.
23A to 24 are diagrams for explaining a structure in which each solar cell formed as an integrated individual element is connected to each other through an interconnector (IC) in the solar cell module shown in FIG. 1.
FIG. 25 is a diagram for explaining another example of a structure in which each solar cell formed as an integral individual element is connected to each other through an interconnector (IC) in the solar cell module shown in FIG. 1.
FIG. 26 is a diagram for explaining an interconnector (IC) according to a first embodiment in order to increase an optical gain in the solar cell module shown in FIG. 1.
FIG. 27 is a view for explaining an interconnector IC according to a second embodiment in order to cope with the expansion and contraction of thermal expansion and contraction of an insulating member while improving optical gain in the solar cell module shown in FIG. 1.
FIG. 28 is a diagram for describing an example of an overall plan structure of the solar cell module shown in FIG. 1.
29 to 31 are cross-sectional views taken along lines 29-29 of FIG. 28, and are diagrams for explaining first to third embodiments in which the structure of the last solar cell in the cell string is changed to connect the conductive ribbon. to be.
32A and 32B are diagrams illustrating a fourth embodiment in which an insulating member included in the last solar cell is removed from a cell string for connection of a conductive ribbon in the solar cell module according to FIG. 28.
33A and 33B are diagrams for explaining a fifth embodiment in which the structure of the last solar cell is not changed in the solar cell module according to FIG. 28.
34A to 34G are diagrams for explaining an example of a method of manufacturing a solar cell as an integrated individual device and a method of manufacturing a cell string according to the present invention.
35A to 35G are diagrams for explaining a first embodiment of a method of manufacturing the solar cell module shown in FIGS. 1 and 28.
36A and 36B are views for explaining a second embodiment of the method of manufacturing the solar cell module shown in FIGS. 1 and 28.
37A to 37G are diagrams for explaining a third embodiment of the method of manufacturing the solar cell module shown in FIGS. 1 and 28.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily implement the embodiments of the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and similar reference numerals are given to similar parts throughout the specification.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면 또는 전면 유리 기판의 일면 일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판 및 전면 유리 기판의 일면의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of a semiconductor substrate or a front glass substrate to which direct sunlight is incident, and the rear surface is a semiconductor substrate and a front glass substrate in which direct sunlight is not incident or reflected light other than direct sunlight is incident. It may be the opposite side of one side of.

이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 및 태양 전지 모듈에 대하여 설명한다.Hereinafter, a solar cell and a solar cell module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 대한 일례를 설명하기 위한 도이다.1 is a view for explaining an example of a solar cell module according to the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 전면 유리 기판(FG), 상부 봉지재(EC1), 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b)를 포함하는 복수의 태양 전지, 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b)를 전기적으로 서로 연결하는 인터커넥터(IC), 하부 봉지재(EC2), 및 후면 시트(BS)를 포함할 수 있다.As shown in Figure 1, the solar cell module according to the present invention includes a front glass substrate (FG), an upper encapsulant (EC1), a first solar cell (Cell-a) and a second solar cell (Cell-b). A plurality of solar cells including, an interconnector (IC) electrically connecting the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) to each other, a lower encapsulant (EC2), and a rear sheet (BS ) Can be included.

이와 같은 도 1에서는 설명을 위해 태양 전지 모듈의 일부 단면도를 도시하면서, 전면 유리 기판(FG), 상부 봉지재(EC1), 복수의 태양 전지, 하부 봉지재(EC2), 후면 시트(BS)가 상하로 이격된 것으로 도시하였으나, 이와 같은 태양 전지 모듈의 구성 요소는 라미네이팅 과정에 의해 태양 전지 모듈의 각 구성 요소간 상하로 이격된 공간이 없이 전체가 일체화될 수 있다.In FIG. 1, for illustration, while showing a partial cross-sectional view of a solar cell module, a front glass substrate (FG), an upper encapsulant (EC1), a plurality of solar cells, a lower encapsulant (EC2), and a rear sheet (BS) are Although shown to be spaced up and down, the constituent elements of the solar cell module may be integrated as a whole without spaces separated vertically between the constituent elements of the solar cell module by the laminating process.

여기서, 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b)를 포함하는 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극(C141), 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 복수의 제2 전극(C142), 복수의 제1 전극(C141)에 연결되는 제1 보조 전극(P141), 복수의 제2 전극(C142)에 연결되는 제2 보조 전극(P142), 및 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 후면에 배치되는 절연성 부재(200)를 포함한다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.Here, each of the plurality of solar cells including the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) is a plurality of first electrodes (C141) formed on the rear surface of the semiconductor substrate (110), a semiconductor A plurality of second electrodes C142 formed on the rear surface of the substrate 110, a first auxiliary electrode P141 connected to the plurality of first electrodes C141, and a second electrode connected to the plurality of second electrodes C142 And an insulating member 200 disposed on rear surfaces of the auxiliary electrode P142 and the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142. A detailed description of this will be described later.

이와 같은, 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b)를 포함하는 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)는 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자를 형성할 수 있다. As such, each of the plurality of solar cells including the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) is connected to each of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 in one piece. Individual elements can be formed.

즉, 복수의 태양 전지 중 적어도 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b) 각각은 하나의 절연성 부재(200)에 하나의 반도체 기판(110)만 부착되어 접속될 수 있고, 이로 인하여 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b) 각각은 하나의 절연성 부재(200)과 하나의 반도체 기판(110)이 일체화된 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다.That is, at least one of the plurality of solar cells, each of the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) can be connected by attaching only one semiconductor substrate 110 to one insulating member 200. Thus, each of the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) is formed as one individual element in which one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 are integrated. I can.

아울러, 이와 같이 하나의 일체형 개별 소자를 형성되는 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b) 각각은 인터커넥터(IC)에 의해 전기적으로 서로 연결될 수 있다. In addition, each of the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) forming one integrated individual device as described above may be electrically connected to each other by an interconnector (IC).

아울러, 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b)를 포함하는 복수의 태양 전지 각각이 인터커넥터(IC)에 의해 서로 연결되어 셀 스트링으로 형성될 수 있다.In addition, each of a plurality of solar cells including the first solar cell Cell-a and the second solar cell Cell-b may be connected to each other by an interconnector IC to form a cell string.

이와 같은 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b) 각각의 상세 구조, 하나의 절연성 부재(200)에 하나의 반도체 기판(110)를 일체화하여 하나의 개별 소자를 형성하는 방법, 인터커넥터(IC)에 의해 복수의 태양 전지가 연결된 셀 스트링의 구조에 대한 구체적인 설명은 전면 유리 기판(FG), 상부 봉지재(EC1), 하부 봉지재(EC2), 및 후면 시트(BS)에 대해 먼저 설명한 이후 설명한다.The detailed structure of each of the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b), and one semiconductor substrate 110 are integrated into one insulating member 200 to form one individual device. For a detailed description of the structure of the cell string to which a plurality of solar cells are connected by an interconnector (IC), a front glass substrate (FG), an upper encapsulant (EC1), a lower encapsulant (EC2), and a rear sheet ( BS) will be described first.

도 1에 도시된 바와 같이, 전면 유리 기판(FG)은 인터커넥터(IC)에 의해 제1 태양 전지(Cell-a) 및 제2 태양 전지(Cell-b)가 서로 연결되는 셀 스트링의 전면 위에 위치할 수 있으며, 투과율이 높고 파손을 방지하기 위해 강화 유리 등으로 이루어질 수 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있으며, 도시되지는 않았지만, 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면은 엠보싱(embossing)처리가 행해질 수 있다.1, the front glass substrate FG is on the front surface of the cell string to which the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) are connected to each other by an interconnector (IC). It can be located, and it has high transmittance and can be made of tempered glass or the like to prevent breakage. At this time, the tempered glass may be a low iron tempered glass having a low iron content, and although not shown, the inner surface may be embossed to increase the light scattering effect.

상부 봉지재(EC1)는 전면 유리 기판(FG)과 셀 스트링 사이에 위치할 수 있으며, 하부 봉지재(EC2)는 셀 스트링의 후면, 즉 후면 시트(BS)와 셀 스트링 사이에 위치할 수 있다.The upper encapsulant EC1 may be positioned between the front glass substrate FG and the cell string, and the lower encapsulant EC2 may be positioned between the rear surface of the cell string, that is, between the rear sheet BS and the cell string. .

이와 같은 상부 봉지재(EC1) 및 하부 봉지재(EC2)는 습기 침투로 인한 금속의 부식 등을 방지하고 태양 전지 모듈(100)을 충격으로부터 보호하는 재질로 형성될 수 있다. The upper encapsulant EC1 and the lower encapsulant EC2 may be formed of a material that prevents corrosion of metal due to moisture penetration and protects the solar cell module 100 from impact.

이러한 상부 봉지재(EC1) 및 하부 봉지재(EC2)는 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지의 전면 및 후면에 각각 배치된 상태에서 라미네이션 공정(lamination process) 시에 복수의 태양 전지와 일체화될 수 있다. As shown in FIG. 1, the upper encapsulant EC1 and the lower encapsulant EC2 are disposed on the front and rear surfaces of the plurality of solar cells, respectively, and the plurality of solar cells and the Can be integrated.

이러한 상부 봉지재(EC1) 및 하부 봉지재(EC2)는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate) 등으로 이루어질 수 있다.The upper encapsulant EC1 and the lower encapsulant EC2 may be made of ethylene vinyl acetate (EVA) or the like.

아울러, 후면 시트(BS)는 시트 형태로 하부 봉지재(EC2)의 후면에 위치하고, 태양 전지 모듈의 후면으로 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있으며, 후면 시트(BS) 대신 유리 기판이 사용될 수도 있으나, 후면 시트(BS)가 사용되는 경우, 태양 전지 모듈의 제조 비용 및 무게를 보다 경감할 수 있다. In addition, the rear sheet (BS) is located on the rear side of the lower encapsulant (EC2) in a sheet form, and can prevent moisture from penetrating into the rear surface of the solar cell module, and a glass substrate may be used instead of the rear sheet (BS). , When the rear sheet (BS) is used, the manufacturing cost and weight of the solar cell module can be further reduced.

이와 같이, 후면 시트(BS)이 시트 형태로 형성된 경우, EP/PE/FP (fluoropolymer/polyeaster/fluoropolymer)와 같은 절연 물질로 이루어질 수 있다.In this way, when the rear sheet BS is formed in a sheet form, it may be made of an insulating material such as EP/PE/FP (fluoropolymer/polyeaster/fluoropolymer).

이하에서는 전술한 제1 태양 전지(Cell-a) 및 제2 태양 전지(Cell-b) 각각의 상세한 구조에 대해 설명한다.Hereinafter, detailed structures of each of the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) described above will be described.

도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에 적용될 수 있는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.2 and 3 are diagrams for describing an example of a solar cell applicable to the solar cell module shown in FIG. 1.

도 2는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 3은 도 2에 도시한 태양 전지를 3-3선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 2 is an example of a partial perspective view of a solar cell according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 2 taken along line 3-3.

도 2 및 도 3를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례(1)는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141), 복수의 제2 전극(C142), 제1 보조 전극(P141), 제2 보조 전극(P142) 및 절연성 부재(200)을 구비할 수 있다.2 and 3, an example (1) of a solar cell according to the present invention is a semiconductor substrate 110, an anti-reflection film 130, an emitter part 121, a back surface field (BSF), 172, a plurality of first electrodes C141, a plurality of second electrodes C142, a first auxiliary electrode P141, a second auxiliary electrode P142, and an insulating member 200 may be provided.

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으며, 아울러, 반사 방지막(130)과 빛이 입사되는 반도체 기판(110) 사이에 위치하며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부인 전면 전계부를 더 구비하는 것도 가능하다.Here, the anti-reflection film 130 and the rear electric field part 172 may be omitted, and are located between the anti-reflection film 130 and the semiconductor substrate 110 to which light is incident, and have the same conductivity as the semiconductor substrate 110. It is also possible to further include a front electric field portion, which is an impurity portion in which type impurities are contained in a higher concentration than the semiconductor substrate 110.

이하에서는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Hereinafter, as illustrated in FIGS. 2 and 3, the antireflection film 130 and the rear electric field part 172 will be described as an example.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The semiconductor substrate 110 may be a semiconductor substrate 110 made of silicon of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity type. The semiconductor substrate 110 may be formed by doping a wafer formed of a silicon material with impurities of a first conductivity type.

이러한 반도체 기판(110)의 상부 표면은 텍스처링되어 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가진다. 반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면 상부에 위치하며, 한층 또는 복수층으로 이루어질 수 있으며, 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H) 등으로 이루어질 수 있다. 아울러, 추가적으로 반도체 기판(110)의 전면에 전면 전계부 등이 더 형성되는 것도 가능하다. The upper surface of the semiconductor substrate 110 is textured to have a textured surface that is an uneven surface. The anti-reflection layer 130 is positioned on the incident surface of the semiconductor substrate 110, may be formed of one or more layers, and may be formed of a hydrogenated silicon nitride film (SiNx:H). In addition, it is also possible to further form a front electric field part on the front surface of the semiconductor substrate 110.

에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.The emitter unit 121 is located spaced apart from each other in the rear surface of the semiconductor substrate 110 facing the front surface, and extends in a direction parallel to each other. There may be a plurality of emitter units 121, and the plurality of emitter units 121 may be of a second conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate 110.

이와 같은 복수의 에미터부(121)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입인 p형의 불순물이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.The plurality of emitter units 121 may be formed by containing p-type impurities of a second conductivity type opposite to that of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 in a high concentration through a diffusion process.

후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 2 및 도 3에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치한다.A plurality of rear electric field units 172 may be located inside the rear surface of the semiconductor substrate 110, are formed to be spaced apart in a direction parallel to the plurality of emitter units 121 and extend in the same direction as the plurality of emitter units 121 have. Accordingly, as shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of emitter units 121 and a plurality of rear electric field units 172 are alternately positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. 이와 같은 복수의 후면 전계부(172)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물(n++)이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다. The plurality of rear electric field portions 172 are impurities in which the same conductivity type impurity as the semiconductor substrate 110 is contained in a higher concentration than the semiconductor substrate 110, for example, n++ portions. The plurality of rear electric field units 172 may be formed by containing impurities (n++) of the same conductivity type as those of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 in a high concentration through a diffusion process.

복수의 제1 전극(C141)은 복수의 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 에미터부(121)를 따라서 연장된다. The plurality of first electrodes C141 are physically and electrically connected to the plurality of emitter units 121, respectively, and extend along the plurality of emitter units 121.

따라서, 복수의 에미터부(121)가 제1 방향을 따라 형성된 경우, 복수의 제1 전극(C141)도 제1 방향을 따라 형성될 수 있으며, 복수의 에미터부(121)가 제2 방향을 따라 형성된 경우, 복수의 제1 전극(C141)도 제1 방향을 따라 형성될 수 있다.Therefore, when the plurality of emitter units 121 are formed along the first direction, the plurality of first electrodes C141 may also be formed along the first direction, and the plurality of emitter units 121 are formed along the second direction. When formed, a plurality of first electrodes C141 may also be formed along the first direction.

또한, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 연장된다. In addition, the plurality of second electrodes C142 are physically and electrically connected to the semiconductor substrate 110 through the rear electric field unit 172, respectively, and extend along the plurality of rear electric field units 172.

여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리되어 있다.Here, on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the first electrode C141 and the second electrode C142 are physically spaced apart from each other and are electrically isolated.

따라서, 복수의 후면 전계부(172)가 제1 방향으로 형성된 경우, 복수의 제2 전극(C142)은 복수의 제1 전극(C141)과 이격되어 제1 방향으로 형성될 수 있으며, 복수의 후면 전계부(172)가 제2 방향으로 형성된 경우, 복수의 제2 전극(C142)은 복수의 제1 전극(C141)과 이격되어 제2 방향으로 형성될 수 있다.Therefore, when the plurality of rear electric field units 172 are formed in the first direction, the plurality of second electrodes C142 may be formed in the first direction by being spaced apart from the plurality of first electrodes C141, and When the electric field part 172 is formed in the second direction, the plurality of second electrodes C142 may be formed in the second direction by being spaced apart from the plurality of first electrodes C141.

따라서, 에미터부(121) 상에 형성된 제1 전극(C141)은 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(172) 상에 형성된 제2 전극(C142)은 해당 후면 전계부(172)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자을 수집한다. Accordingly, the first electrode C141 formed on the emitter part 121 collects charges, for example, holes, which have moved toward the emitter part 121, and the second electrode formed on the rear electric field part 172 ( C142) collects charges, for example, electrons that have moved toward the rear electric field unit 172.

제1 보조 전극(P141)은 복수의 제1 전극(C141)의 후면에 전기적으로 연결되어 형성될 수 있다. 이와 같은 제1 보조 전극(P141)은 복수 개로 형성될 수도 있고, 하나의 통 전극 형태로 형성될 수도 있다.The first auxiliary electrode P141 may be formed by being electrically connected to the rear surface of the plurality of first electrodes C141. The first auxiliary electrode P141 may be formed in plural or may be formed in the form of a single electrode.

여기서, 제1 보조 전극(P141)이 복수 개로 형성된 경우, 제1 보조 전극(P141)은 복수의 제1 전극(C141)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다.Here, when a plurality of first auxiliary electrodes P141 are formed, the first auxiliary electrodes P141 may be formed in the same direction as the plurality of first electrodes C141 or may be formed in an intersecting direction.

이와 같은 제1 보조 전극(P141)은 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. The first auxiliary electrode P141 may be electrically connected to each other at a portion overlapping the first electrode C141.

제2 보조 전극(P142)은 복수의 제2 전극(C142)의 후면에 전기적으로 연결되어 형성될 수 있다.The second auxiliary electrode P142 may be formed by being electrically connected to the rear surfaces of the plurality of second electrodes C142.

이와 같은 제2 보조 전극(P142)도 복수 개로 형성될 수도 있고, 하나의 통 전극 형태로 형성될 수도 있다.A plurality of such second auxiliary electrodes P142 may be formed, or may be formed in the form of one whole electrode.

여기서, 제2 보조 전극(P142)이 복수 개로 형성된 경우, 제2 보조 전극(P142)은 복수의 제2 전극(C142)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다.Here, when a plurality of second auxiliary electrodes P142 are formed, the second auxiliary electrodes P142 may be formed in the same direction as the plurality of second electrodes C142 or may be formed in an intersecting direction.

이와 같은, 제2 보조 전극(P142)은 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. As such, the second auxiliary electrodes P142 may be electrically connected to each other at a portion overlapping the second electrode C142.

이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The material of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be formed of at least one of Cu, Au, Ag, and Al.

아울러, 전술한 제1 보조 전극(P141)은 제1 도전성 연결재(CA1)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 보조 전극(P142)은 제1 도전성 연결재(CA1)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the above-described first auxiliary electrode P141 may be electrically connected to the first electrode C141 through the first conductive connector CA1, and the second auxiliary electrode P142 includes the first conductive connector CA1. Through it, it may be electrically connected to the second electrode C142.

이와 같은 제1 도전성 연결재(CA1)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으나, 바람직하게는 상대적으로 낮은 온도인 130℃ ~ 250℃에서도 녹는점이 형성되는 도전성 물질이면 충분하고, 일례로, 솔더 페이스트(solder paste), 금속 입자를 포함하는 도전성 접착재, 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 탄소를 포함하는 전도성 입자, wire, needle 등이 이용될 수 있다. The material of the first conductive connector CA1 is not particularly limited as long as it is a conductive material, but preferably a conductive material having a melting point formed at a relatively low temperature of 130°C to 250°C is sufficient, for example, a solder paste (solder paste), a conductive adhesive material containing metal particles, a carbon nano tube (CNT), conductive particles containing carbon, a wire, a needle, and the like may be used.

또한, 전술한 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이에는 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시 수지일 수 있다.In addition, an insulating layer IL for preventing a short circuit may be positioned between the aforementioned first electrode C141 and the second electrode C142 and between the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142. . The insulating layer IL may be an epoxy resin.

아울러, 도 2 및 도 3에서는 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)이 중첩되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 중첩되는 경우만 도시하고 있으나, 이와 다르게 제1 전극(C141)과 제2 보조 전극(P142)이 중첩될 수 있고, 제2 전극(C142)과 제1 보조 전극(P141)이 중첩되어 위치할 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 보조 전극(P142) 사이 및 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142) 사이에는 단락을 방지하기 위하여 절연층(IL)이 위치할 수 있다.In addition, in FIGS. 2 and 3, only the case where the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141 overlap, and the second electrode C142 and the second auxiliary electrode P142 overlap. Differently, the first electrode C141 and the second auxiliary electrode P142 may overlap, and the second electrode C142 and the first auxiliary electrode P141 may overlap and be positioned. In this case, the insulating layer IL may be positioned between the first electrode C141 and the second auxiliary electrode P142 and between the second electrode C142 and the second auxiliary electrode P142 to prevent a short circuit. have.

아울러, 도 2 및 도 3에서는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 복수 개인 경우를 일례로 도시하고 있으나, 이와 다르게, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)은 하나의 통 전극(sheet electrode)으로 형성될 수도 있다. In addition, FIGS. 2 and 3 illustrate a case in which a plurality of first auxiliary electrodes P141 and second auxiliary electrodes P142 are provided as an example, but differently, the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode ( P142) may be formed as a single sheet electrode.

이와 같은 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)은 반도체 제조 공정이 이용되지 않고, 제1 도전성 연결재(CA1)에 130℃ ~ 250℃ 사이의 열과 압력을 가하는 열처리 공정에 의해 형성될 수 있다. The first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are formed by a heat treatment process that applies heat and pressure between 130°C and 250°C to the first conductive connector CA1 without using a semiconductor manufacturing process. Can be.

아울러, 도 2 및 도 3에는 도시되지는 않았지만, 제1 보조 전극(P141)의 끝단에는 태양 전지의 직렬 연결을 위한 제1 보조 전극 패드(PP141)가 전기적으로 연결되어 형성될 수 있고, 제2 보조 전극(P142)의 끝단에는 태양 전지의 직렬 연결을 위한 제2 보조 전극 패드(PP142)가 전기적으로 연결되어 형성될 수 있다. 이와 같은 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142)의 재질과 두께는 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)과 동일할 수 있다. In addition, although not shown in FIGS. 2 and 3, a first auxiliary electrode pad PP141 for serial connection of a solar cell may be electrically connected to the end of the first auxiliary electrode P141 to be formed, and the second A second auxiliary electrode pad PP142 for serial connection of solar cells may be electrically connected to an end of the auxiliary electrode P142 to be formed. The material and thickness of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 may be the same as those of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142.

절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 후면에 배치될 수 있다.The insulating member 200 may be disposed on the rear surfaces of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142.

이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 제1 도전성 연결재(CA1)보다 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 절연성 부재(200)의 녹는점은 300℃ 이상이 되는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The material of the insulating member 200 is not particularly limited as long as it is an insulating material, but it may be preferable that a relatively melting point is higher than that of the first conductive connector CA1. For example, the melting point of the insulating member 200 is 300 It may be formed of an insulating material that is higher than ℃ ℃. More specifically, as an example, it may be formed by including at least one material of polyimide, epoxy-glass, polyester, and BT (bismaleimide triazine) resin having heat resistance to high temperatures.

이와 같은 절연성 부재(200)는 유연한(flexible) 필름 형태로 형성되거나 유연하지 않고 단단한 플레이트(plate) 형태로 형성될 수 있다.The insulating member 200 may be formed in the form of a flexible film or may be formed in the form of a non-flexible and rigid plate.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지에서, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다. 즉, 하나의 절연성 부재(200)에 부착되어 접속되는 반도체 기판(110)은 하나일 수 있고, 이와 같은 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)은 서로 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되어 하나의 태양 전지 셀을 형성할 수 있다.In the solar cell according to the present invention, the insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be individually connected to each other to form one individual device. That is, the semiconductor substrate 110 attached to and connected to one insulating member 200 may be one, and one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 are attached to each other to form an integral individual It can be formed as a device to form one solar cell.

보다 구체적으로 설명하면, 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성하는 공정에 의해, 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142) 각각은 하나의 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)과 부착되어 전기적으로 서로 연결될 수 있다. 이에 대한 보다 구체적인 설명은 후술한다.More specifically, by a process of attaching one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 to each other to form a single integrated individual element, a plurality of layers formed on the rear surface of one semiconductor substrate 110 Each of the first electrode C141 and the plurality of second electrodes C142 is attached to the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed on the front surface of one insulating member 200 to be electrically connected to each other. I can. A more detailed description of this will be described later.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지에서, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 두께(T2)는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 클 수 있다. 일례로, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 두께(T2)는 10㎛ ~ 900㎛ 사이로 형성될 수 있다.In the solar cell according to the present invention, the thickness T2 of each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 is the thickness T1 of each of the first electrode C141 and the second electrode C142 Can be greater than ). For example, the thickness T2 of each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be formed between 10 μm and 900 μm.

여기서, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 두께(T2)를 10㎛보다 크게 하는 것은 적절한 최소 저항을 확보하기 위함이고, 900㎛보다 작게 하는 것은 적절한 최소 저항을 확보한 상태에서 필요 이상의 두께로 형성되지 않도록 하여, 제조 비용을 절감하기 위함이다.Here, increasing the thickness T2 of each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 greater than 10 μm is to secure an appropriate minimum resistance, and smaller than 900 μm secures an appropriate minimum resistance. This is to reduce the manufacturing cost by not being formed to a thickness more than necessary in one state.

이와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 두께(T2)를 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 크게 함으로써, 태양 전지 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 반도체 기판(110)의 후면에 바로 형성하는 것보다 기판에 대한 열팽창 스트레스를 보다 감소시킬 수 있어, 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.In this way, by making the thickness (T2) of the first auxiliary electrode (P141) and the second auxiliary electrode (P142) larger than the thickness (T1) of each of the first electrode (C141) and the second electrode (C142), solar cell manufacturing The process time can be further shortened, and the thermal expansion stress on the substrate can be further reduced than that of directly forming the first electrode C141 and the second electrode C142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110, so that the solar cell Can further improve the efficiency of.

보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.More specifically, it is as follows.

일반적으로 반도체 기판의 후면에 형성되는 에미터부, 후면 전계부, 에미터부에 연결되는 제1 전극 및 후면 전계부에 연결되는 제2 전극은 반도체 공정에 의해 형성될 수 있고, 이와 같은 반도체 공정 중, 제1 전극과 제2 전극은 반도체 기판의 후면에 직접 접촉되거나 매우 근접하여 주로 도금, PVD 증착 또는 고온의 열처리 과정으로 형성될 수 있다.In general, the emitter unit formed on the rear surface of the semiconductor substrate, the rear electric field unit, the first electrode connected to the emitter unit, and the second electrode connected to the rear electric field unit may be formed by a semiconductor process. Among these semiconductor processes, The first electrode and the second electrode are in direct contact with or very close to the rear surface of the semiconductor substrate, and may be formed mainly by plating, PVD deposition, or high-temperature heat treatment.

이와 같은 경우, 제1 전극과 제2 전극의 저항을 충분히 낮게 확보하기 위해서는 제1 전극 및 제2 전극의 두께를 충분히 두껍게 형성하여야 한다.In this case, in order to ensure the resistance of the first electrode and the second electrode sufficiently low, the thickness of the first electrode and the second electrode must be formed sufficiently thick.

그러나, 제1 전극 및 제2 전극의 두께를 두껍게 형성하는 경우, 도전성 금속 물질을 포함하는 제1 전극 및 제2 전극의 열팽창 계수가 반도체 기판(110)의 열팽창 계수보다 과도하게 커질 수 있다.However, when the thickness of the first electrode and the second electrode is formed to be thick, the coefficient of thermal expansion of the first electrode and the second electrode including the conductive metal material may be excessively greater than that of the semiconductor substrate 110.

따라서, 반도체 기판(110)의 후면에 고온의 열처리 과정으로 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 공정 중에, 제1 전극 및 제2 전극이 수축할 때, 반도체 기판(110)이 열팽창 스트레스를 견디지 못하여, 반도체 기판(110)에 균열(fracture)이나 크렉(crack)이 발생할 가능성이 커지고, 이로 인하여 태양 전지 제조 공정의 수율이 저하되거나, 태양 전지의 효율이 저하될 수 있다.Therefore, during the process of forming the first electrode and the second electrode on the rear surface of the semiconductor substrate 110 by a high-temperature heat treatment process, when the first electrode and the second electrode contract, the semiconductor substrate 110 does not withstand the thermal expansion stress. As a result, the possibility of occurrence of a fracture or crack in the semiconductor substrate 110 increases, and thus, a yield of a solar cell manufacturing process may decrease or efficiency of a solar cell may decrease.

아울러, 제1 전극이나 제2 전극을 도금이나 PVD 증착으로 형성할 경우, 제1 전극이나 제2 전극의 성장 속도가 매우 작아, 태양 전지의 제조 공정 시간이 과도하게 늘어날 수 있다.In addition, when the first electrode or the second electrode is formed by plating or PVD deposition, the growth rate of the first electrode or the second electrode is very small, and the manufacturing process time of the solar cell may be excessively increased.

그러나, 본원 발명에 따른 태양 전지(1)는 반도체 기판(110)의 후면에 상대적으로 작은 두께(T1)로 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 형성한 상태에서, 절연성 부재(200)의 전면에 상대적으로 큰 두께(T2)로 형성된 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)과 중첩되도록 위치시킨 이후, 제1 도전성 연결재(CA1)에 상대적으로 낮은 130℃ ~ 250℃ 사이의 열과 압력을 가하는 열처리 공정으로 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성할 수 있어, 반도체 기판(110)에 균열(fracture)이나 크렉(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있으며, 동시에 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 전극의 저항을 크게 낮출 수 있다.However, in the solar cell 1 according to the present invention, in the state in which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed with a relatively small thickness T1 on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the insulating member ( After positioning the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed with a relatively large thickness T2 on the front surface of 200) to overlap the first electrode C141 and the second electrode C142, It is a heat treatment process that applies relatively low heat and pressure between 130°C and 250°C to the first conductive connector CA1. One insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 are attached to each other to form an integrated individual element. Since it can be formed, it is possible to prevent the occurrence of cracks or cracks in the semiconductor substrate 110, and at the same time, the resistance of the electrode formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 can be greatly reduced.

아울러, 본 발명에 따른 태양 전지(1)는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께(T1)를 상대적으로 작게 하여 상대적으로 공정 시간이 긴 반도체 제조 공정 시간을 최소로 할 수 있고, 한번의 열처리 공정으로 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)을, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)을 서로 연결시킬 수 있어, 태양 전지의 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있다.In addition, the solar cell 1 according to the present invention has a relatively small thickness T1 of the first electrode C141 and the second electrode C142, thereby minimizing a semiconductor manufacturing process time with a relatively long process time. In addition, the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141, and the second electrode C142 and the second auxiliary electrode P142 can be connected to each other in a single heat treatment process, so that the manufacturing process time of the solar cell Can be shorter.

이때, 절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 접착시킬 때에, 공정을 보다 용이하게 도와주는 역할을 한다.In this case, when the insulating member 200 adheres the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 to the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 , It plays a role in helping the process more easily.

즉, 반도체 제조 공정으로 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성된 절연성 부재(200)의 전면을 부착시켜 접속시킬 때에, 절연성 부재(200)는 얼라인 공정이나 접착 공정을 보다 용이하게 도와줄 수 있다. That is, the insulating member 200 in which the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 on which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed in a semiconductor manufacturing process. When connecting by attaching the front surface of ), the insulating member 200 may help the alignment process or the bonding process more easily.

이와 같은 방법으로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지(1)에서 제1 보조 전극(P141)을 통하여 수집된 정공과 제2 보조 전극(P142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.Holes collected through the first auxiliary electrode P141 and electrons collected through the second auxiliary electrode P142 in the solar cell 1 according to the present invention manufactured in this way are external devices through an external circuit device. It can be used as an electric power.

이와 같이 후면 접합 구조의 태양 전지의 동작은 다음과 같다.As described above, the operation of the solar cell of the rear junction structure is as follows.

태양 전지(1)로 빛이 조사되어 반사 방지막(130)을 통과하여 반도체 기판(110)으로 입사되면 빛 에너지에 의해 반도체 기판(110)에서 전자-정공 쌍이 발생한다. When light is irradiated to the solar cell 1, passes through the antireflection film 130, and is incident on the semiconductor substrate 110, electron-hole pairs are generated in the semiconductor substrate 110 by light energy.

이들 전자-정공 쌍은 반도체 기판(110)과 에미터부(121)의 p-n 접합에 의해 서로 분리되어 정공은 p형의 도전성 타입을 갖는 복수의 에미터부(121)쪽으로 이동하고, 전자는 n형의 도전성 타입을 갖는 복수의 후면 전계부(172)쪽으로 이동하여, 각각 제1 보조 전극(P141)과 에 제2 보조 전극(P142)에 의해 수집된다. 이러한 제1 보조 전극(P141)과 에 제2 보조 전극(P142)을 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.These electron-hole pairs are separated from each other by the pn junction of the semiconductor substrate 110 and the emitter part 121, so that the holes move toward the plurality of emitter parts 121 having a p-type conductivity type, and the electrons are n-type. It moves toward the plurality of rear electric field units 172 having a conductivity type, and is collected by the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142, respectively. When the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are connected to each other with a conductive line, a current flows, which is used as power from the outside.

지금까지는 반도체 기판(110)이 단결정 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였다.Until now, the case where the semiconductor substrate 110 is a single crystal silicon semiconductor substrate 110 and the emitter unit 121 and the rear electric field unit 172 are formed through a diffusion process has been described as an example.

그러나, 이와 다르게 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 비정질 실리콘 재질로 형성된 후면 접합 hybrid 태양 전지나, 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 비아홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 연결되는 MWT 구조의 태양 전지에서도 본 발명이 동일하게 적용될 수 있다.However, differently, the emitter unit 121 and the rear electric field unit 172 are rear junction hybrid solar cells formed of amorphous silicon material, or the emitter unit 121 is located on the front surface of the semiconductor substrate 110, The present invention can be applied equally to a solar cell having an MWT structure connected to the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through a plurality of via holes formed.

이하에서는 하나의 반도체 기판(110)과 하나의 절연성 부재(200)가 서로 일체로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성되는 다양한 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, various embodiments in which one semiconductor substrate 110 and one insulating member 200 are integrally connected to each other and formed as one individual element will be described.

도 4 내지 도 7c는 도 1의 태양 전지 모듈에서 반도체 기판과 절연성 부재가 각각 낱개로 형성된 하나의 일체형 개별 소자에 관한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다. 4 to 7C are diagrams for explaining a first embodiment of a single integrated individual device in which a semiconductor substrate and an insulating member are separately formed in the solar cell module of FIG. 1.

도 4의 (a)는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 후면에 배치되는 반도체 기판(110)의 일례 설명하기 위한 도이고, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)에서 4(b)-4(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 4의 (c)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 전면에 배치되는 절연성 부재(200)의 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 4의 (d)는 도 4의 (c)에서 4(d)-4(d) 라인에 따른 단면도이다.4A is a diagram for explaining an example of the semiconductor substrate 110 on which the first electrode C141 and the second electrode C142 are disposed on the rear surface, and FIG. 4B is ) To 4(b)-4(b), and FIG. 4(c) shows the insulating member 200 in which the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are disposed on the front surface. It is a diagram for explaining an example, and (d) of FIG. 4 is a cross-sectional view taken along lines 4(d)-4(d) in FIG. 4(c).

도 4 내지 도 7c에 도시된 태양 전지는 앞서 설명한 태양 전지가 적용될 수 있다. 아울러, 이외에도, 반도체 기판(110)의 후면에 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 위치하는 태양 전지는 어떠한 태양 전지라도 적용이 가능하다.The solar cell illustrated in FIGS. 4 to 7C may be applied to the solar cell described above. In addition, in addition, any solar cell may be applied to a solar cell in which the first electrode C141 and the second electrode C142 are positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

도 4의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같은 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 4의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같은 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다.A front surface of one insulating member 200 as shown in FIGS. 4C and 4D is on the rear surface of one semiconductor substrate 110 as shown in FIGS. 4A and 4B. By being attached and connected, the solar cell according to the present invention can form one integral individual element.

이때, 도 4의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 전극(C141)과 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.At this time, as shown in (a) and (b) of FIG. 4, a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C142 are spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate 110 to be in the first direction. It can be formed as long as (x).

여기서, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 폭(WC142)이 서로 동일한 경우를 일례로 도시하였으나, 이와 다르게, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 폭(WC142)이 서로 다르게 형성될 수도 있다.Here, a case where the widths WC142 of the first electrode C141 and the second electrode C142 are the same is illustrated as an example, but differently, the widths WC142 of the first electrode C141 and the second electrode C142 ) May be formed differently.

아울러, 본 발명에 따른 절연성 부재(200)의 전면에는 도 4의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 복수 개의 제1 전극(C141)과 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.In addition, a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C142 are spaced apart from each other on the front surface of the insulating member 200 according to the present invention, as shown in FIGS. 4C and 4D. It can be formed to be elongated in the first direction (x).

아울러, 절연성 부재(200)의 전면에서 제1 방향(x)으로 형성된 복수 개의 제1 보조 전극(P141)의 끝단에는 제2 방향으로 뻗어 있는 제1 보조 전극 패드(PP141)가 더 구비되고, 제1 보조 전극 패드(PP141)은 복수 개의 제1 보조 전극(P141)의 끝단에 연결될 수 있다.In addition, a first auxiliary electrode pad PP141 extending in the second direction is further provided at ends of the plurality of first auxiliary electrodes P141 formed in the first direction x on the front surface of the insulating member 200, 1 The auxiliary electrode pad PP141 may be connected to ends of the plurality of first auxiliary electrodes P141.

또한, 절연성 부재(200)의 전면에서 제1 방향(x)으로 형성된 복수 개의 제2 보조 전극(P142)의 끝단에는 제2 방향으로 뻗어 있는 제2 보조 전극 패드(PP142)가 더 구비되고, 제2 보조 전극 패드(PP142)는 복수 개의 제2 보조 전극(P142)의 끝단에 연결될 수 있다.In addition, a second auxiliary electrode pad PP142 extending in the second direction is further provided at ends of the plurality of second auxiliary electrodes P142 formed in the first direction x on the front surface of the insulating member 200, 2 The auxiliary electrode pad PP142 may be connected to ends of the plurality of second auxiliary electrodes P142.

여기서, 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각의 제1 방향(x)으로의 끝단은 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 일례로, 절연성 부재(200)의 끝단까지 형성될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정된 것은 아니고, 도 4의 (c)에 도시된 바와 다르게, 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각의 제1 방향(x)으로의 끝단이 절연성 부재(200)의 끝단보다 더 돌출되어 형성되는 것도 가능하다. Here, an end of each of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 in the first direction x is illustrated in FIG. 4C, for example, an insulating member 200 ) Can be formed to the end. However, it is not necessarily limited thereto, and unlike FIG. 4(c), the ends of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 in the first direction x are insulating It is also possible to be formed to protrude more than the end of the member 200.

아울러, 이하의 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 형성된 하나의 일체형 개별 소자에 관한 제2 실시예 내지 제4 실시예에서는 설명의 편의상 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각의 끝단이 절연성 부재(200)의 끝단까지 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 전술한 바와 같이, 제2 실시예 내지 제4 실시예에서도 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각의 끝단이 절연성 부재(200)의 끝단보다 더 돌출되어 형성될 수 있다.In addition, in the second to fourth embodiments of the following semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 of one integrated individual element formed separately, respectively, for convenience of explanation, the first auxiliary electrode pad PP141 and the second 2 A case where each end of the auxiliary electrode pad PP142 is formed to the end of the insulating member 200 has been described as an example, but as described above, the first auxiliary electrode pad PP141 is also used in the second to fourth embodiments. And ends of each of the second auxiliary electrode pads PP142 may be formed to protrude more than the ends of the insulating member 200.

아울러, 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각의 끝단이 절연성 부재(200)의 끝단보다 더 돌출되어 형성되는 경우는 도 24에서 보다 구체적으로 설명한다.In addition, a case in which ends of each of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 are formed to protrude more than the ends of the insulating member 200 will be described in more detail with reference to FIG. 24.

여기서, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극 패드(PP142)는 서로 이격되고, 제2 보조 전극(P142)과 제1 보조 전극 패드(PP141)는 서로 이격될 수 있다.Here, the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode pad PP142 may be spaced apart from each other, and the second auxiliary electrode P142 and the first auxiliary electrode pad PP141 may be spaced apart from each other.

따라서, 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 보조 전극(P141)과 제1 보조 전극 패드(PP141)는 하나의 빗(comb) 모양을 형성하고, 제2 보조 전극(P142)과 제2 보조 전극 패드(PP142)는 다른 하나의 빗(comb) 모양을 형성하면서, 두 개의 빗이 서로 마주보고 있는 형태를 가질 수 있다.Therefore, the first auxiliary electrode P141 and the first auxiliary electrode pad PP141 formed on the front surface of the insulating member 200 form a comb shape, and the second auxiliary electrode P142 and the second auxiliary electrode pad are formed. The electrode pad PP142 may have a shape in which two combs face each other while forming another comb shape.

따라서, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제2 방향(y)으로 제1 보조 전극 패드(PP141)가 형성되고, 타단에는 제2 보조 전극 패드(PP142)가 각각 제2 방향(y)으로 형성될 수 있다. 이와 같은 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142)에는 태양 전지를 서로 연결하기 위한 인터커넥터(IC)가 전기적으로 연결되거나, 복수의 태양 전지가 직렬 연결된 셀 스트링을 서로 연결하기 위한 리본이 전기적으로 연결될 수 있다.Therefore, on the front surface of the insulating member 200, the first auxiliary electrode pad PP141 is formed in the second direction y at one end of the both ends in the first direction x, and the second auxiliary electrode pad at the other end. PP142) may be formed in the second direction (y), respectively. An interconnector (IC) for connecting solar cells to each other is electrically connected to the first auxiliary electrode pad (PP141) and the second auxiliary electrode pad (PP142), or cell strings in which a plurality of solar cells are connected in series are connected to each other. The ribbon for this can be electrically connected.

이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 두께(T2)는 복수의 제2 전극(C142) 및 복수의 제1 전극(C141) 각각의 두께(T1)보다 두꺼울 수 있다.The thickness T2 of each of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 may be thicker than the thickness T1 of each of the plurality of second electrodes C142 and the plurality of first electrodes C141. have.

아울러, 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각의 두께는 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 두께(T2)와 동일하거나 다를 수 있다. 이하에서는 두께가 동일한 경우를 일례로 설명한다.In addition, the thickness of each of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 may be the same as or different from the thickness T2 of each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142. . Hereinafter, a case of the same thickness will be described as an example.

아울러, 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수있다. 즉, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 1:1로 결합 또는 부착될 수 있다.In addition, in the solar cell according to the present invention, the front surface of one insulating member 200 is attached to and connected to the rear surface of one semiconductor substrate 110, thereby forming one integrated individual element. That is, the insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be coupled or attached 1:1.

여기서, 본 발명에 따른 절연성 부재(200)는 인접한 다른 태양 전지의 반도체 기판(110)과 중첩되지 않을 수 있다.Here, the insulating member 200 according to the present invention may not overlap with the semiconductor substrate 110 of another adjacent solar cell.

따라서, 복수 개의 태양 전지를 서로 연결할 때에, 각 태양 전지에 포함되는 절연성 부재(200)는 인접한 다른 태양 전지와 중첩되지 않고 이격되어 형성될 수 있다.Accordingly, when a plurality of solar cells are connected to each other, the insulating member 200 included in each solar cell may be formed to be spaced apart without overlapping with other adjacent solar cells.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성함으로써, 태양 전지 모듈 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있으며, 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지에 포함된 반도체 기판(110)이 파손되거나 결함이 발생하더라도 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 해당 태양 전지만 교체할 수 있고, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다. As described above, in the solar cell according to the present invention, only one insulating member 200 is coupled to one semiconductor substrate 110 to form one integrated individual element, thereby making the solar cell module manufacturing process easier, Even if the semiconductor substrate 110 included in any one solar cell is damaged or defective during the solar cell module manufacturing process, only the solar cell formed as an integrated individual element can be replaced, and the process yield can be further improved. have.

아울러, 이와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지는 태양 전지나 태양 전지 모듈을 제조할 때에, 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.In addition, as described above, the solar cell formed of one integrated individual element can minimize thermal expansion stress applied to the semiconductor substrate 110 when manufacturing a solar cell or a solar cell module.

*이를 위해 절연성 부재(200)의 면적은 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크고, 반도체 기판(110) 면적의 2배 보다 작게 할 수 있다. * For this purpose, the area of the insulating member 200 may be equal to or larger than the area of the semiconductor substrate 110 and may be smaller than twice the area of the semiconductor substrate 110.

일례로, 절연성 부재(200)에서 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 연장되는 길이 방향인 제1 방향(x)의 길이(lx200)는 반도체 기판(110)의 제1 방향(x)의 길이(lx110)와 같거나 길 수 있고 2배보다 짧을 수 있다.For example, in the insulating member 200, the length (lx200) in the first direction x, which is the length direction in which the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 extend, is the first of the semiconductor substrate 110 It may be equal to or longer than the length (lx110) of the direction (x) and may be shorter than twice.

아울러, 절연성 부재(200)의 면적이 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크고, 반도체 기판(110) 면적의 2배 보다 작은 범위에서, 절연성 부재(200)에서 제2 방향(y)의 길이(ly200)도 반도체 기판(110)의 제2 방향(y)의 길이(ly110)와 같거나 길 수 있고 2배보다 짧을 수 있다. In addition, in a range in which the area of the insulating member 200 is equal to or greater than the area of the semiconductor substrate 110 and less than twice the area of the semiconductor substrate 110, the length of the insulating member 200 in the second direction y (ly200) may also be equal to or longer than the length ly110 of the semiconductor substrate 110 in the second direction y, and may be shorter than twice.

여기서, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크게 함으로써, 태양 전지와 태양 전지를 서로 연결할 때에, 절연성 부재(200)의 전면에 인터커넥터(IC)가 부착될 수 있는 영역을 충분히 확보할 수 있다.Here, by making the area of the insulating member 200 equal to or larger than the area of the semiconductor substrate 110, the interconnector IC may be attached to the front surface of the insulating member 200 when connecting the solar cell and the solar cell. You can secure enough area.

아울러, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적의 2배보다 작게 함으로써, 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 부착할 때에, 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.In addition, by making the area of the insulating member 200 smaller than twice the area of the semiconductor substrate 110, the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed on the front surface of the insulating member 200 are semiconductor When attaching to the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the substrate 110, the thermal expansion stress applied to the semiconductor substrate 110 may be minimized.

일례로, 절연성 부재(200)의 면적이 과도하게 큰 경우, 절연성 부재(200)의 면 방향의 길이(lx200 or ly200)가 증가할 수 있다. 이와 같은 경우, 반도체 기판(110)의 후면에 절연성 부재(200)을 부착하기 위해 열처리를 수행하는 경우, 절연성 부재(200)가 팽창 및 수축 길이가 반도체 기판(110)의 팽창 및 수축 길이보다 과도하게 길어질 수 있다. 이에 따라, 반도체 기판(110)은 열팽창 스트레스를 상대적으로 크게 받아 크렉 등이 발생할 수 있는데, 전술한 바와 같이, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적보다 2배 이하로 설정하면, 반도체 기판(110)이 받는 열팽창 스트레스를 보다 낮출 수 있다. For example, when the area of the insulating member 200 is excessively large, the length of the insulating member 200 in the plane direction (lx200 or ly200) may increase. In this case, when heat treatment is performed to attach the insulating member 200 to the rear surface of the semiconductor substrate 110, the expansion and contraction length of the insulating member 200 is excessive than the expansion and contraction length of the semiconductor substrate 110. Can be lengthened. Accordingly, the semiconductor substrate 110 may receive a relatively large thermal expansion stress, and cracks may occur. As described above, if the area of the insulating member 200 is set to be less than twice the area of the semiconductor substrate 110 , The thermal expansion stress received by the semiconductor substrate 110 may be lowered.

이를 위해, 일례로 절연성 부재(200)의 면적이 반도체 기판(110)의 면적보다 2배 이하가 되도록 하면서, 절연성 부재(200)에서 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 길이 방향과 동일한 제1 방향(x)의 길이(lx200)는 반도체 기판(110)의 제1 방향(x)의 길이(lx110)보다 길게 형성할 수 있고, 절연성 부재(200)에서 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)의 길이(ly200)는 반도체 기판(110)의 제2 방향(y)의 길이(ly110)와 같게 하거나 더 길게 할 수 있다. To this end, for example, while the area of the insulating member 200 is less than twice the area of the semiconductor substrate 110, the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are formed in the insulating member 200. The length (lx200) of the first direction (x), which is the same as the length direction, may be formed longer than the length (lx110) of the first direction (x) of the semiconductor substrate 110, and in the insulating member 200, the first direction ( The length ly200 of the second direction y intersecting with x) may be equal to or longer than the length ly110 of the second direction y of the semiconductor substrate 110.

이와 같은 반도체 기판(110)의 후면과 절연성 부재(200)의 전면은 서로 부착되어, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)이 서로 연결되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 연결될 수 있다. The rear surface of the semiconductor substrate 110 and the front surface of the insulating member 200 are attached to each other, so that the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141 are connected to each other, and the second electrode C142 and the second electrode are connected to each other. The auxiliary electrodes P142 may be connected to each other.

도 5은 도 4에 도시된 반도체 기판(110)의 후면에 제1 보조 전극(P141)과 제1 보조 전극 패드(PP141), 및 제2 보조 전극(P142)과 제2 보조 전극 패드(PP142)가 부착된 모습을 반도체 기판(110)의 후면에서 바라본 모습이다. 도 5에서는 설명의 편의상 절연성 부재(200)에 대한 도시는 생략하였다.5 is a first auxiliary electrode P141 and a first auxiliary electrode pad PP141, and a second auxiliary electrode P142 and a second auxiliary electrode pad PP142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110 shown in FIG. 4. This is a view as viewed from the back side of the semiconductor substrate 110. In FIG. 5, illustration of the insulating member 200 is omitted for convenience of description.

도 5에 도시된 바와 같이, 기판의 후면에서 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)은 제1 방향(x)으로 서로 중첩하여 연결 및 접속될 수 있으며, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)도 제1 방향(x)으로 서로 중첩하여 연결 및 접속될 수 있다.As shown in FIG. 5, the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141 may be connected and connected by overlapping each other in the first direction x on the rear surface of the substrate, and the second electrode C142 And the second auxiliary electrode P142 may also be connected and connected by overlapping each other in the first direction x.

이때, 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 제1 영역(PP141-S1, PP142-S1)과, 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 포함할 수 있다.At this time, each of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 overlaps the first regions PP141-S1 and PP142-S1 overlapping the semiconductor substrate 110 and the semiconductor substrate 110. It may include a second area (PP141-S2, PP142-S2) that is not.

여기서, 제1 보조 전극 패드(PP141)의 제1 영역(PP141-S1)에서는 복수의 제1 보조 전극(P141)과 연결되고, 제2 영역(PP141-S2)은 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 반도체 기판(110)과 중첩되지 않고 밖으로 노출될 수 있다. 아울러, 제2 보조 전극 패드(PP142)의 제1 영역(PP142-S1)에서는 복수의 제2 보조 전극(P142)과 연결되고, 제2 영역(PP142-S2)은 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 반도체 기판(110)과 중첩되지 않고 밖으로 노출될 수 있다. Herein, the first region PP141-S1 of the first auxiliary electrode pad PP141 may be connected to the plurality of first auxiliary electrodes P141, and the second region PP141-S2 may be connected to the interconnector IC. In order to secure an existing space, it may be exposed outside without overlapping with the semiconductor substrate 110. In addition, the first region PP142-S1 of the second auxiliary electrode pad PP142 may be connected to the plurality of second auxiliary electrodes P142, and the second region PP142-S2 may be connected to the interconnector IC. In order to secure an existing space, it may be exposed outside without overlapping with the semiconductor substrate 110.

본 발명에 따른 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각은 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 태양 전지에 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.Each of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 according to the present invention includes second regions PP141-S2 and PP142-S2, so that the interconnector IC can be more easily connected. In addition, when the interconnector IC is connected to a solar cell, thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110 may be minimized.

도 6는 도 5에서 도시된 구조에서, 절연성 부재(200)가 추가된 모습을 전면에서 도시한 것이고, 도 7a는 도 6에서 제2 방향(y)으로 7a-7a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 7b는 6에서 제2 보조 전극(P142)과 중첩되도록 제1 방향(x)으로 7b-7b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 7c는 6에서 제1 보조 전극(P141)과 중첩되도록 제1 방향(x)으로 7c-7c 라인의 단면을 도시한 것이다.6 is a front view showing an insulating member 200 is added in the structure shown in FIG. 5, and FIG. 7A is a cross-sectional view of a line 7a-7a in the second direction y in FIG. 6 , FIG. 7B shows a cross-section of the line 7b-7b in the first direction x so that it overlaps the second auxiliary electrode P142 in 6, and FIG. 7C shows the first auxiliary electrode P141 in FIG. It shows a cross section of the 7c-7c line in one direction (x).

도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩되어 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있으며, 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)이 반도체 기판(110)의 밖으로 노출될 수 있고, 이와 같은 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다.As shown in FIG. 6, one semiconductor substrate 110 may be completely overlapped with one insulating member 200 to form one solar cell individual element, and the first auxiliary electrode pad PP141 and the second In each of the auxiliary electrode pads PP142, second regions PP141-S2 and PP142-S2 that do not overlap with the semiconductor substrate 110 may be exposed to the outside of the semiconductor substrate 110, and the second regions PP141- S2, PP142-S2) can be connected to the interconnector (IC).

이때, 도 7a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 보조 전극(P141)은 서로 중첩되며, 제1 도전성 연결재(CA1)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.At this time, as shown in FIG. 7A, the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the first auxiliary electrode P141 formed on the front surface of the insulating member 200 overlap each other, and have a first conductivity. It may be electrically connected to each other by the connector (CA1).

아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 보조 전극(P142)도 서로 중첩되며, 제1 도전성 연결재(CA1)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the second auxiliary electrode P142 formed on the front surface of the insulating member 200 also overlap each other, and are electrically connected to each other by the first conductive connector CA1. Can be connected to.

또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, the insulating layer IL may be filled in a space spaced apart from each other between the first electrode C141 and the second electrode C142, and a separation between the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 The insulating layer IL may also be filled in the space.

아울러, 도 7b에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극(P142)과 제1 전극(C141) 패드 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 7c에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 전극(C142) 패드 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, as shown in FIG. 7B, the insulating layer IL may also be filled in the spaced apart space between the second auxiliary electrode P142 and the pad of the first electrode C141. As shown in FIG. The insulating layer IL may also be filled in a space spaced apart between the first auxiliary electrode P141 and the second electrode C142 pad.

지금까지는 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)은 절연성 부재(200)에 형성된 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)과 나란한 방향으로 중첩되어 연결되는 경우에 대해 설명하였으나, 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)은 절연성 부재(200)에 형성된 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)과 교차하는 방향으로 중첩되어 연결될 수도 있다. 이에 대해 설명하면 다음과 같다.Until now, the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the semiconductor substrate 110 overlap the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed on the insulating member 200 in a parallel direction. A case of being connected and connected has been described, but the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the semiconductor substrate 110 are the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode formed on the insulating member 200. P142) may be overlapped and connected in a direction crossing. This will be described as follows.

도 8 내지 도 10d는 도 1의 태양 전지 모듈에서 반도체 기판과 절연성 부재가 각각 낱개로 형성된 하나의 일체형 개별 소자에 관한 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.8 to 10D are diagrams for explaining a second embodiment of a single integrated individual device in which a semiconductor substrate and an insulating member are formed separately in the solar cell module of FIG. 1.

도 8 내지 도 10d에서는 앞서 설명한 바와 동일한 내용에 대해서는 설명을 생략하고, 다른 부분에 대해서만 설명한다. In FIGS. 8 to 10D, descriptions of the same contents as described above are omitted, and only other parts are described.

도 9은 도 8에 도시된 반도체 기판(110)의 후면에 절연성 부재(200)가 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성된 태양 전지의 평면도이고, 도 10a는 도 9에서 도시된 제2 전극(C142)과 중첩되도록 제2 방향(y)으로 10a-10a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 10b는 도 9에서 도시된 제1 전극(C141)과 중첩되도록 제2 방향(y)으로 10b-10b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 10c는 도 9에서 도시된 제2 보조 전극(P142)과 중첩되도록 제1 방향(x)으로 10c-10c 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 10d는 도 9에서 도시된 제1 보조 전극(P141)과 중첩되도록 제1 방향(x)으로 10d-10d 라인의 단면을 도시한 것이다.FIG. 9 is a plan view of a solar cell formed as an integral individual element by attaching an insulating member 200 to the rear surface of the semiconductor substrate 110 shown in FIG. 8, and FIG. 10A is a second electrode C142 shown in FIG. ) Shows a cross-section of the line 10a-10a in the second direction y so as to overlap with the line 10b-10b in the second direction y so as to overlap the first electrode C141 shown in FIG. 9 FIG. 10C is a cross-sectional view of a line 10c-10c in the first direction x so as to overlap with the second auxiliary electrode P142 shown in FIG. 9, and FIG. 10D is shown in FIG. A cross section of the 10d-10d line is shown in the first direction x so as to overlap the first auxiliary electrode P141.

본 발명에 따라, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성하는 태양 전지는 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 제2 방향(y)으로 형성된 반도체 기판(110)의 후면에, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 제1 방향(x)으로 형성된 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 형성될 수도 있다.According to the present invention, a solar cell in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 are individually connected to each other to form an integrated individual element is a first electrode C141 as shown in FIG. 8A. ) And the second electrode C142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110 formed in the second direction y, as shown in FIG. 8B, the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode It may be formed by attaching the entire surface of the insulating member 200 in which P142 is formed in the first direction x.

이와 같이 연결된 경우, 도 9에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 전면에서 보았을 때에, 제1 전극(C141), 제1 보조 전극(P141), 제2 전극(C142) 및 제2 보조 전극(P142)은 격자 형태를 형성할 수 있다.When connected in this way, as shown in FIG. 9, when viewed from the front of the semiconductor substrate 110, the first electrode C141, the first auxiliary electrode P141, the second electrode C142, and the second auxiliary electrode (P142) may form a lattice shape.

이때에, 도 10a에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 뻗어 있는 제2 전극(C142)과 제1 방향(x)으로 뻗어 있는 제2 보조 전극(P142)이 서로 교차하여 중첩된 부분은 제1 도전성 연결재(CA1)에 의해 서로 연결될 수 있으며, 제2 전극(C142)과 제1 보조 전극(P141)이 서로 교차하여 중첩된 부분은 절연층(IL)이 채워서 서로 절연될 수 있다.At this time, as shown in FIG. 10A, the second electrode C142 extending in the second direction y and the second auxiliary electrode P142 extending in the first direction x cross each other and overlap each other. Silver may be connected to each other by the first conductive connector CA1, and a portion where the second electrode C142 and the first auxiliary electrode P141 cross and overlap each other may be insulated from each other by filling the insulating layer IL.

또한, 도 10b에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 뻗어 있는 제1 전극(C141)과 제1 방향(x)으로 뻗어 있는 제1 보조 전극(P141)이 서로 교차하여 중첩된 부분은 제1 도전성 연결재(CA1)에 의해 서로 연결될 수 있으며, 제1 전극(C141)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 교차하여 중첩된 부분은 절연층(IL)이 채워서 서로 절연될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 10B, a portion where the first electrode C141 extending in the second direction y and the first auxiliary electrode P141 extending in the first direction x cross each other and overlap each other. They may be connected to each other by the first conductive connector CA1, and a portion where the first electrode C141 and the second auxiliary electrode P142 cross and overlap each other may be insulated from each other by filling the insulating layer IL.

아울러, 도 10c에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극(P142)과 제1 보조 전극 패드(PP141) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제2 보조 전극 패드(PP142)에서 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역이 외부로 노출될 수 있다. .In addition, as shown in FIG. 10C, the insulating layer IL may be filled in the spaced apart space between the second auxiliary electrode P142 and the first auxiliary electrode pad PP141, and the second auxiliary electrode pad PP142. A second area that does not overlap with the semiconductor substrate 110 may be exposed to the outside. .

아울러, 도 10d에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극 패드(PP142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 보조 전극 패드(PP141)에서 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역이 외부로 노출될 수 있다. In addition, as shown in FIG. 10D, the insulating layer IL may also be filled in a space spaced apart between the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode pad PP142, and the first auxiliary electrode pad PP141. A second area that does not overlap with the semiconductor substrate 110 may be exposed to the outside.

도 11 내지 도 13d는 도 1의 태양 전지 모듈에서 반도체 기판과 절연성 부재가 각각 낱개로 형성된 하나의 일체형 개별 소자에 관한 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.11 to 13D are diagrams for explaining a third embodiment of an integrated individual device in which a semiconductor substrate and an insulating member are formed separately from each other in the solar cell module of FIG. 1.

도 11 내지 도 13d에서는 앞서 설명한 바와 동일한 내용에 대해서는 설명을 생략하고, 다른 부분에 대해서만 설명한다. In FIGS. 11 to 13D, descriptions of the same contents as described above are omitted, and only other parts are described.

여기서, 도 11의 (a) 및 (b)는 반도체 기판(110)의 후면에 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 제1 방향(x)으로 형성된 경우를 도시한 것이고, 도 11의 (c) 및 (d)는 절연성 부재(200)의 전면에 각각의 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 통 전극(sheelt electrode)으로 형성된 경우를 도시한 것이다.Here, FIGS. 11A and 11B illustrate a case in which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed in the first direction x on the rear surface of the semiconductor substrate 110, and FIG. 11(c) and (d) illustrate a case in which the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are formed as a shelt electrode on the front surface of the insulating member 200.

도 12는 도 11에 도시된 반도체 기판(110)의 후면에 절연성 부재(200)가 부착된 형상의 평면도이고, 도 13a는 도 12에서 제2 보조 전극(P142)과 중첩되도록 제2 방향(y)으로 13a-13a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 13b는 도 12에서 제1 보조 전극(P141)과 중첩되도록 제2 방향(y)으로 13b-13b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 13c는 도 12에서 제2 전극(C142)과 중첩되도록 제1 방향(x)으로 13c-13c 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 13d는 도 12에서 제1 전극(C141)과 중첩되도록 제1 방향(x)으로 13d-13d 라인의 단면을 도시한 것이다.12 is a plan view of a shape in which an insulating member 200 is attached to the rear surface of the semiconductor substrate 110 shown in FIG. 11, and FIG. 13A is a second direction y so as to overlap the second auxiliary electrode P142 in FIG. 12. ) Shows a cross-section of line 13a-13a, and FIG. 13b shows a cross-section of line 13b-13b in a second direction y so as to overlap with the first auxiliary electrode P141 in FIG. 12, and FIG. In FIG. 12, a cross section of the line 13c-13c is shown in the first direction (x) so as to overlap with the second electrode C142, and FIG. 13D is the first direction (x) so as to overlap the first electrode C141 in FIG. ) Shows a cross section of the line 13d-13d.

본 발명에 따라, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성하는 태양 전지는 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 제1 방향(x)으로 형성된 반도체 기판(110)의 후면에, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 제2 방향(y)을 따라 하나의 통전극으로 형성된 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 형성될 수도 있다.According to the present invention, a solar cell in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 are individually connected to each other to form an integrated individual element is a first electrode C141 as shown in FIG. 11A. ) And the second electrode C142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110 formed in the first direction x, as shown in FIG. 11B, the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode (P142) may be formed by attaching the entire surface of the insulating member 200 formed as one conductive electrode along the second direction y.

이때, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각은 절연성 부재(200)의 가운데에서 제2 방향(y)과 나란하게 서로 GP1 간격만큼 이격되어 위치할 수 있다.In this case, each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be positioned in the center of the insulating member 200 in parallel with the second direction y and spaced apart from each other by a GP1 interval.

구체적으로, 절연성 부재(200)을 반도체 기판(110)에 부착시킬 때에, 도 12에서 제1 보조 전극(P141)과 중첩하는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 부분 중에서, 제1 전극(C141) 위에는 제1 도전성 연결재(CA1)를 도포하고, 제2 전극(C142) 위에는 절연층(IL)을 도포하고, 제2 보조 전극(P142)과 중첩하는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 부분 중에서, 제2 전극(C142) 위에는 제1 도전성 연결재(CA1)를 도포하고, 제1 전극(C141) 위에는 절연층(IL)을 도포한 상태에서, 절연성 부재(200)을 반도체 기판(110)에 부착할 수 있다.Specifically, when attaching the insulating member 200 to the semiconductor substrate 110, among the portions of the first electrode C141 and the second electrode C142 overlapping the first auxiliary electrode P141 in FIG. A first conductive connector CA1 is applied on the first electrode C141, an insulating layer IL is applied on the second electrode C142, and the first electrode C141 overlaps the second auxiliary electrode P142 and Among the portions of the second electrode C142, in a state in which the first conductive connector CA1 is applied on the second electrode C142 and the insulating layer IL is applied on the first electrode C141, the insulating member 200 ) May be attached to the semiconductor substrate 110.

이와 같이, 절연성 부재(200)을 반도체 기판(110)에 부착시킨 상태의 평면은 도 12와 같다.In this way, a plane of the insulating member 200 attached to the semiconductor substrate 110 is shown in FIG. 12.

*여기서, 도 13a에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극(P142)과 중첩하는 부분에서는 제2 보조 전극(P142)과 제2 전극(C142)이 제1 도전성 연결재(CA1)에 의해 서로 전기적으로 연결되고, 제2 보조 전극(P142)과 제1 전극(C141)은 절연층(IL)에 의해 서로 절연될 수 있다.* Here, as shown in FIG. 13A, in a portion overlapping with the second auxiliary electrode P142, the second auxiliary electrode P142 and the second electrode C142 are electrically connected to each other by the first conductive connector CA1. It is connected, and the second auxiliary electrode P142 and the first electrode C141 may be insulated from each other by the insulating layer IL.

아울러, 도 13b에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 중첩하는 부분에서는 제1 보조 전극(P141)과 제1 전극(C141)이 제1 도전성 연결재(CA1)에 의해 서로 전기적으로 연결되고, 제1 보조 전극(P141)과 제2 전극(C142)은 절연층(IL)에 의해 서로 절연될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 13B, in a portion overlapping with the first auxiliary electrode P141, the first auxiliary electrode P141 and the first electrode C141 are electrically connected to each other by a first conductive connector CA1. In addition, the first auxiliary electrode P141 and the second electrode C142 may be insulated from each other by the insulating layer IL.

아울러, 제1 방향(x)의 단면을 살펴보면, 도 13c에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 뻗어 있는 제2 전극(C142)에서 제2 보조 전극(P142)과 중첩되는 부분은 제1 도전성 연결재(CA1)에 의해 제2 보조 전극(P142)에 전기적으로 연결되고, 제1 보조 전극(P141)과 중첩되는 부분은 절연층(IL)에 의해 제1 보조 전극(P141)과 절연될 수 있다.In addition, looking at the cross-section in the first direction (x), as shown in FIG. 13C, the portion of the second electrode C142 extending in the first direction (x) overlapping the second auxiliary electrode P142 is 1 A portion that is electrically connected to the second auxiliary electrode P142 by the conductive connector CA1 and overlaps the first auxiliary electrode P141 is to be insulated from the first auxiliary electrode P141 by the insulating layer IL. I can.

아울러, 도 13d에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 뻗어 있는 제1 전극(C141)에서 제1 보조 전극(P141)과 중첩되는 부분은 제1 도전성 연결재(CA1)에 의해 제1 보조 전극(P141)에 전기적으로 연결되고, 제2 보조 전극(P142)과 중첩되는 부분은 절연층(IL)에 의해 제1 보조 전극(P141)과 절연될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 13D, a portion of the first electrode C141 extending in the first direction x and overlapping the first auxiliary electrode P141 is first assisted by the first conductive connector CA1. A portion electrically connected to the electrode P141 and overlapping the second auxiliary electrode P142 may be insulated from the first auxiliary electrode P141 by the insulating layer IL.

이때, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이에도 절연층(IL)이 형성될 수 있다.In this case, the insulating layer IL may also be formed between the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142.

도 14 내지 도 16b는 도 1의 태양 전지 모듈에서 반도체 기판과 절연성 부재가 각각 낱개로 형성된 하나의 일체형 개별 소자에 관한 제4 실시예를 설명하기 위한 도이다.14 to 16B are diagrams for explaining a fourth embodiment of a single integrated individual device in which a semiconductor substrate and an insulating member are formed separately in the solar cell module of FIG. 1.

도 14 내지 도 16b에서는 앞서 설명한 바와 동일한 내용에 대해서는 설명을 생략하고, 다른 부분에 대해서만 설명한다. In FIGS. 14 to 16B, descriptions of the same contents as described above are omitted, and only other parts are described.

여기서, 도 14의 (a) 및 (b)는 반도체 기판(110)의 후면에 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 제2 방향(y)으로 형성된 경우를 도시한 것이고, 도 14의 (c) 및 (d)는 절연성 부재(200)의 전면에 각각의 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 제1 방향(x)으로 통 전극(sheelt electrode)으로 형성된 경우를 도시한 것이다.Here, FIGS. 14A and 14B illustrate a case in which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed in the second direction y on the rear surface of the semiconductor substrate 110, and FIG. In (c) and (d) of 14, each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 on the front surface of the insulating member 200 is in the first direction (x) as a shelt electrode. It shows the case formed.

도 15은 도 14에 도시된 반도체 기판(110)의 후면에 절연성 부재(200)가 부착된 형상의 평면도이고, 도 16a는 도 15에서 제2 보조 전극(P142)과 중첩되도록 제1 방향(x)을 따라 16a-16a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 16b는 도 15에서 제1 보조 전극(P141)과 중첩되도록 제1 방향(x)을 따라 16b-16b 라인의 단면을 도시한 것이다.FIG. 15 is a plan view of an insulating member 200 attached to the rear surface of the semiconductor substrate 110 shown in FIG. 14, and FIG. 16A is a first direction (x) so as to overlap with the second auxiliary electrode P142 in FIG. 15. ) Shows a cross-section of the line 16a-16a along the line, and FIG. 16B is a cross-sectional view of the line 16b-16b along the first direction x so as to overlap the first auxiliary electrode P141 in FIG. 15.

도 14의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 제2 방향(y)으로 형성될 수 있으며, 제2 방향(y)으로 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이, 도 14의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)을 따라 하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)에 교차하도록 연결될 수 있다. As shown in FIGS. 14A and 14B, a first electrode C141 and a second electrode C142 may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 in the second direction y, The first electrode C141 and the second electrode C142 formed in the second direction y, as shown in (c) and (d) of Fig. 14, one cylinder along the first direction (x). It may be connected to cross the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed as electrodes.

본 발명에 따라, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성하는 태양 전지는 도 14의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 제2 방향(y)으로 형성된 반도체 기판(110)의 후면에, 도 14의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 제1 방향(x)을 따라 하나의 통전극으로 형성된 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 형성될 수도 있다.According to the present invention, a solar cell in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 are individually connected to form one integrated individual device is provided as shown in FIGS. 14A and 14B. On the rear surface of the semiconductor substrate 110 in which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed in the second direction y, as shown in FIGS. 14C and 14D, a first auxiliary electrode The entire surface of the insulating member 200 in which the P141 and the second auxiliary electrode P142 are formed as a single current electrode may be attached along the first direction x to be formed.

이때, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각은 절연성 부재(200)의 가운데를 따라 제1 방향(x)과 나란하게 서로 GP2 간격만큼 이격되어 위치할 수 있다.In this case, each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be positioned along the center of the insulating member 200 in parallel with the first direction x and spaced apart from each other by a GP2 interval.

구체적으로, 절연성 부재(200)을 반도체 기판(110)에 부착시킬 때에, 도 15에서 제1 방향(x)으로 뻗어 있는 제1 보조 전극(P141)과 중첩하는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 부분 중에서, 제1 전극(C141) 위에는 제1 도전성 연결재(CA1)를 도포하고, 제2 전극(C142) 위에는 절연층(IL)을 도포하고, 제1 방향(x)으로 뻗어 있는 제2 보조 전극(P142)과 중첩하는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 부분 중에서, 제2 전극(C142) 위에는 제1 도전성 연결재(CA1)를 도포하고, 제1 전극(C141) 위에는 절연층(IL)을 도포한 상태에서, 절연성 부재(200)을 반도체 기판(110)에 부착할 수 있다.Specifically, when attaching the insulating member 200 to the semiconductor substrate 110, the first electrode C141 and the second electrode C141 overlapping with the first auxiliary electrode P141 extending in the first direction x in FIG. 15 Among the portions of the electrode C142, a first conductive connector CA1 is applied on the first electrode C141, an insulating layer IL is applied on the second electrode C142, and extends in the first direction x. Among the portions of the first electrode C141 and the second electrode C142 overlapping with the second auxiliary electrode P142, a first conductive connector CA1 is applied on the second electrode C142, and the first electrode ( The insulating member 200 may be attached to the semiconductor substrate 110 while the insulating layer IL is applied over the C141.

이와 같이, 절연성 부재(200)을 반도체 기판(110)에 부착시킨 상태의 평면은 도 15와 같다.As described above, a plan view of the insulating member 200 attached to the semiconductor substrate 110 is shown in FIG. 15.

따라서, 도 16a에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극(P142)과 중첩하는 부분에서는 제2 보조 전극(P142)과 제2 전극(C142)이 제1 도전성 연결재(CA1)에 의해 서로 전기적으로 연결되고, 제2 보조 전극(P142)과 제1 전극(C141)은 절연층(IL)에 의해 서로 절연될 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 16A, in the portion overlapping the second auxiliary electrode P142, the second auxiliary electrode P142 and the second electrode C142 are electrically connected to each other by the first conductive connector CA1. Also, the second auxiliary electrode P142 and the first electrode C141 may be insulated from each other by the insulating layer IL.

아울러, 도 16b에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 중첩하는 부분에서는 제1 보조 전극(P141)과 제1 전극(C141)이 제1 도전성 연결재(CA1)에 의해 서로 전기적으로 연결되고, 제1 보조 전극(P141)과 제2 전극(C142)은 절연층(IL)에 의해 서로 절연될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 16B, in a portion overlapping with the first auxiliary electrode P141, the first auxiliary electrode P141 and the first electrode C141 are electrically connected to each other by a first conductive connector CA1. In addition, the first auxiliary electrode P141 and the second electrode C142 may be insulated from each other by the insulating layer IL.

이와 같이, 도 11 내지 도 16b에 도시된 바와 같이, 각각의 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 하나의 통전극으로 형성되는 경우, 정교한 얼라인 요구하지 않고, 얼라인을 맞추기가 매우 용이하므로, 태양 전지의 제조 시간을 보다 단축할 수 있다.As described above, as shown in FIGS. 11 to 16B, when each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 is formed as a single current electrode, precise alignment is not required, and alignment Because it is very easy to match, it is possible to further shorten the manufacturing time of the solar cell.

제1 도전성 연결재(CA1)를 통하여 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)을 서로 연결하는 방법에 대해서 설명한다. 이를 위해, 하나의 반도체 기판(110)과 하나의 절연성 부재(200)가 접속되어 형성되는 하나의 개별 소자의 제1 실시예를 일례로 설명한다.A method of connecting the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 to each other through the first conductive connector CA1 will be described. To this end, a first embodiment of one individual element formed by connecting one semiconductor substrate 110 and one insulating member 200 will be described as an example.

도 17 내지 도 19는 도 1의 태양 전지 모듈에서 하나의 일체형 개별 소자를 형성하기 위해 반도체 기판과 절연성 부재를 접속하는 방법에 관한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.17 to 19 are diagrams for explaining a first embodiment of a method of connecting a semiconductor substrate and an insulating member to form one integrated individual device in the solar cell module of FIG. 1.

도 17의 (a)는 반도체 기판(110)의 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 위에 제1 도전성 연결재(CA1)가 도포된 경우이고, 도 17의 (b)는 도 17의 (a)에서 17(b)-17(b) 라인에 따른 단면이다.FIG. 17A is a case where the first conductive connector CA1 is applied on the first electrode C141 and the second electrode C142 of the semiconductor substrate 110, and FIG. 17B is It is a cross section along the lines 17(b)-17(b) from (a).

본 발명에 따라 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)를 각각 낱개로 접속된 하나의 일체형 개별 소자로 형성된 태양 전지를 형성하는 방법은 다음과 같다.According to the present invention, a method of forming a solar cell formed of a single integrated individual element in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 are individually connected to each other is as follows.

먼저, 도 17의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 서로 이격되어 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이에는 절연층(IL)을 형성하는 절연 재료(IL’)가 도포될 수 있으며, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 후면 위에는 제1 도전성 연결재(CA1)를 형성하기 위한 제1 도전성 연결 재료(CA1’)가 제1 방향(x)으로 이격되어 복수 개가 배열될 수 있다. 그러나, 도시된 바와 다르게, 제1 도전성 연결 재료(CA1’)가 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 후면 위에 이격되지 않고 길게 연속적으로 도포되는 것도 가능하다.First, as shown in (a) and (b) of FIG. 17, an insulating layer IL is formed between the first electrode C141 and the second electrode C142 formed to be spaced apart from each other in the first direction x. The insulating material IL' to be formed may be applied, and a first conductive connecting material CA1' for forming the first conductive connecting material CA1 may be applied on the rear surfaces of each of the first electrode C141 and the second electrode C142. ) May be spaced apart in the first direction (x) so that a plurality of them may be arranged. However, unlike shown, the first conductive connection material CA1 ′ may be continuously applied to the rear surfaces of the first electrode C141 and the second electrode C142 without being separated from each other.

이때, 제1 도전성 연결 재료(CA1’)는 볼(ball) 타입 또는 스터드(stud) 타입의 형상일 수 있으며, Sn, Cu, Ag 및 Bi 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 일례로, 솔더 볼로 형성될 수 있다.In this case, the first conductive connection material CA1 ′ may be a ball type or a stud type, and may include at least one of Sn, Cu, Ag, and Bi, and as an example, solder It can be formed into balls.

이때, 제1 도전성 연결 재료(CA1’)의 직경(RCA1’)은 제1 전극(C141)의 폭(WC141)이나 제2 전극(C142)의 폭(WC142)보다 작을 수 있으며, 일례로, 제1 도전성 연결 재료(CA1’)의 직경(RCA1’)은 제1 전극(C141)의 폭(WC141)이나 제2 전극(C142)의 폭(WC142)의 5% ~ 95% 범위일 수 있으며, 구체적으로는 5㎛ ~ 100㎛ 사이의 직경으로 형성될 수 있다.In this case, the diameter RCA1 ′ of the first conductive connection material CA1 ′ may be smaller than the width WC141 of the first electrode C141 or the width WC142 of the second electrode C142, for example, 1 The diameter RCA1' of the conductive connection material CA1' may range from 5% to 95% of the width WC141 of the first electrode C141 or the width WC142 of the second electrode C142, and It may be formed with a diameter between 5㎛ ~ 100㎛.

여기서, 제1 도전성 연결 재료(CA1’)의 녹는점은 절연성 부재(200)의 녹는점보다 낮을 수 있다. 일례로, 제1 도전성 연결 재료(CA1’)의 녹는점이 130℃ ~ 250℃ 사이라면, 절연성 부재(200)의 녹는점은 이보다 높고, 일례로, 300℃ 이상일 수 있다.Here, the melting point of the first conductive connection material CA1 ′ may be lower than the melting point of the insulating member 200. For example, if the melting point of the first conductive connection material CA1 ′ is between 130°C and 250°C, the melting point of the insulating member 200 may be higher, and for example, 300°C or higher.

아울러, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이에 도포되는 절연 재료(IL’)는 에폭시 수지일 수 있다. 이와 같은 절연 재료(IL’)의 녹는점은 제1 도전성 연결 재료(CA1’)의 녹는점과 동일하거나 더 낮을 수 있다.In addition, the insulating material IL' applied between the first electrode C141 and the second electrode C142 may be an epoxy resin. The melting point of the insulating material IL' may be equal to or lower than the melting point of the first conductive connection material CA1'.

이와 같이 절연 재료(IL’)과 제1 도전성 연결 재료(CA1’)가 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 도 18에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)이 서로 중첩하고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 중첩되도록 얼라인하여, 반도체 기판(110)의 후면 위에 절연성 부재(200)의 전면을 부착하기 위한 솔더링(soldering) 공정을 수행할 수 있다.18, the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 on which the insulating material IL' and the first conductive connection material CA1' are formed as described above. A soldering process for attaching the front surface of the insulating member 200 on the rear surface of the semiconductor substrate 110 by aligning the second electrode C142 and the second auxiliary electrode P142 to overlap each other. Can be done.

이와 같은 솔더링 공정시, 절연성 부재(200)에 130℃ ~ 250℃ 사이의 열처리 공정이 수행되면서, 적절한 압력을 가하는 가압 공정이 병행하여 가할 수 있다.In such a soldering process, while a heat treatment process between 130°C and 250°C is performed on the insulating member 200, a pressing process of applying an appropriate pressure may be applied in parallel.

이때, 열처리 공정은 고온의 공기를 지속적으로 제1 도전성 연결 재료(CA1’)에 가하거나, 반도체 기판(110)을 전술한 온도가 가해지는 플레이드(plate) 위에 위치시킨 상태에서 수행될 수 있다.In this case, the heat treatment process may be performed in a state in which high-temperature air is continuously applied to the first conductive connection material CA1 ′, or the semiconductor substrate 110 is placed on a plate to which the above-described temperature is applied. .

이에 따라, 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 연결 재료(CA1’)는 솔더링 공정에 의해 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141) 사이에 넓게 퍼지면서, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)을 서로 연결하는 제1 도전성 연결재(CA1)를 형성할 수 있다. 아울러, 동일하게 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)도 연결될 수 있다.Accordingly, as illustrated in FIG. 19, the first conductive connection material CA1 ′ is widely spread between the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141 by the soldering process, and the first electrode C141 ) And the first auxiliary electrode P141 may be formed with a first conductive connector CA1. In addition, the second electrode C142 and the second auxiliary electrode P142 may be similarly connected.

또한, 절연 재료(IL’)도 솔더링 공정에 의해 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142), 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이의 빈 공간을 채우면서 절연층(IL)이 형성될 수 있다.In addition, the insulating material IL' fills the empty spaces between the first electrode C141 and the second electrode C142, and the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 by a soldering process. An insulating layer IL may be formed.

이와 같은 방법은 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있으며, 반도체 기판(110)의 전극을 보다 두껍게 형성할 수 있어, 전극의 저항을 최소화할 수 있다. 이에 따라 단락 전류를 보다 향상시킬 수 있다. This method can minimize thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110 when forming the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110, Since the electrode of 110) can be formed thicker, the resistance of the electrode can be minimized. Accordingly, the short-circuit current can be further improved.

도 20 내지 도 22는 도 1의 태양 전지 모듈에서 하나의 일체형 개별 소자를 형성하기 위해 반도체 기판과 절연성 부재를 접속하는 방법에 관한 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.20 to 22 are diagrams for explaining a second embodiment of a method of connecting a semiconductor substrate and an insulating member to form one integrated individual element in the solar cell module of FIG. 1.

앞선, 방법과는 다르게, 제1 도전성 연결재(CA1)를 형성하기 위해 도 20에 도시된 바와 같이, 도전성 접착층(PCA1+BIL)이 이용될 수 있다.Unlike the previous method, as shown in FIG. 20, a conductive adhesive layer PCA1 + BIL may be used to form the first conductive connector CA1.

구체적으로, 이와 같은 도전성 접착층(PCA1+BIL)은 절연성 물질의 기지(BIL) 내에 복수의 도전성 금속 입자(PCA1)가 분포된 것일 수 있다. 이와 같은 도전성 금속 입자(PCA1)의 크기 내지 직경(RPCA1)은 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 사이의 간격보다 작을 수 있으며, 및/또는 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 사이의 간격보다 작을 수 있다. 일례로, 도전성 금속 입자(PCA1)의 직경(RPCA1)은 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 사이의 간격(DCE) 또는 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 사이의 간격의 대략 5% 내지 50% 사이로 형성될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the conductive adhesive layer (PCA1 + BIL) may be formed of a plurality of conductive metal particles (PCA1) distributed in the base (BIL) of the insulating material. The size or diameter of the conductive metal particles PCA1 (RPCA1) may be smaller than the distance between the first electrode C141 and the second electrode C142, and/or the first auxiliary electrode P141 and the second electrode. It may be smaller than the interval between the auxiliary electrodes P142. As an example, the diameter (RPCA1) of the conductive metal particles PCA1 is the distance DCE between the first electrode C141 and the second electrode C142 or the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 It may be formed between approximately 5% to 50% of the interval between. However, it is not necessarily limited thereto.

이와 같은 도전성 접착층(PCA1+BIL)은 도 20에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 위에 도포될 수 있다.The conductive adhesive layer PCA1+BIL may be applied on the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 as illustrated in FIG. 20.

이후, 도 21에 도시된 바와 같이, 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)을 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)에 중첩되도록 얼라인하여 적절한 압력과 열을 가함으로써, 절연성 부재(200)을 반도체 기판(110)의 후면에 부착할 수 있다. 이때에, 가하는 열의 온도는 전술한 130℃ ~ 250℃ 사이보다 낮을 수도 있다.Thereafter, as shown in FIG. 21, the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed on the front surface of the insulating member 200 are overlapped with the first electrode C141 and the second electrode C142. The insulating member 200 may be attached to the rear surface of the semiconductor substrate 110 by aligning as possible and applying appropriate pressure and heat. At this time, the temperature of the applied heat may be lower than the above-described 130 ℃ ~ 250 ℃.

이에 따라, 도 22에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)이 중첩되는 부분 및 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 중첩되는 부분에서는 복수의 도전성 금속 입자(PCA1)가 서로 밀착되어 제1 도전성 연결재(CA1)를 형성할 수 있으며, 중첩되지 않는 부분에서는 절연성 물질의 기지(BIL) 내에서 도전성 금속 입자(PCA1)가 이격되어 있어 절연층(IL)이 형성될 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 22, a plurality of parts overlapping the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141 and the overlapping portion of the second electrode C142 and the second auxiliary electrode P142 The conductive metal particles (PCA1) are in close contact with each other to form the first conductive connector (CA1), and in the non-overlapping part, the conductive metal particles (PCA1) are separated from each other within the base of the insulating material (BIL). (IL) can be formed.

지금까지는 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속된 여러 가지 구조와 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)를 각각 낱개로 접속시키는 방법에 대해서 대해서만 설명하였으나, 이하에서는 복수 개의 태양 전지가 인터커넥터(IC)를 통하여 서로 연결되는 구조 및 방법에 대해 설명한다.Until now, only various structures in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 are connected individually, and a method of connecting the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200, respectively, have been described. A structure and method in which four solar cells are connected to each other through an interconnector (IC) will be described.

도 23a 내지 도 24는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 인터커넥터(IC)를 통하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성된 각 태양 전지를 서로 연결한 구조의 예를 설명하기 위한 도이다.23A to 24 are diagrams for explaining an example of a structure in which each solar cell formed as an integrated individual element is connected to each other through an interconnector (IC) in the solar cell module shown in FIG. 1.

여기서, 도 23a은 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 각각의 태양 전지가 인터커넥터(IC)를 통하여 서로 연결되는 셀 스트링 구조에 관한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이고, 도 23b는 제2 실시예를 설명하기 위한 도이고, 도 24는 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 각각의 태양 전지가 인터커넥터(IC)에 의해 연결된 경우, 이를 전면과 후면에서 바라본 형상으로, 도 24의 (a)는 전면, (b)는 후면에서 바라본 형상이다.Here, FIG. 23A is a diagram for explaining a first embodiment of a cell string structure in which each solar cell formed as an integral individual element is connected to each other through an interconnector (IC), and FIG. 23B is a second embodiment. It is a diagram for explaining an example, and FIG. 24 is a shape as viewed from the front and the rear when each solar cell formed as an integrated individual element is connected by an interconnector (IC), and FIG. 24 (a) is Front, (b) is the shape viewed from the rear.

먼저, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 제1 태양 전지(Cell-a) 및 제2 태양 전지(Cell-b)는 앞서 설명한 태양 전지 중 어느 하나가 적용될 수 있다.First, any one of the aforementioned solar cells may be applied to the first solar cell Cell-a and the second solar cell Cell-b applied to the solar cell module according to the present invention.

따라서, 도 23a 내지 도 24에 도시된 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b) 각각은 비록 일부가 도시되지는 않았지만, 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172), 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142), 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142), 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극 패드(PP142), 및 절연성 부재(200)을 포함할 수 있다.Accordingly, each of the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) shown in FIGS. 23A to 24, although some are not shown, the semiconductor substrate 110 and the emitter unit 121 , The rear electric field 172, the first electrode C141 and the second electrode C142, the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142, the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary An electrode pad PP142 and an insulating member 200 may be included.

또한, 각각의 태양 전지에 구비된 제2 보조 전극 패드(PP142)와 제1 보조 전극 패드(PP141) 각각은 반도체 기판(110)이 중첩되는 제1 영역과, 반도체 기판(110)이 중첩되지 않는 제2 영역을 포함할 수 있다.In addition, each of the second auxiliary electrode pads PP142 and the first auxiliary electrode pads PP141 provided in each solar cell has a first region where the semiconductor substrate 110 overlaps, and the semiconductor substrate 110 does not overlap. It may include a second area.

아울러, 이외에 앞에서 설명한 모든 태양 전지의 구조가 필요에 따라 적용 가능하며, 이에 대한 구체적인 설명은 이미 앞에서 설명하였으므로 생략한다.In addition, all the solar cell structures described above can be applied as needed, and a detailed description thereof will be omitted since it has already been described.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 제1 태양 전지(Cell-a) 및 제2 태양 전지(Cell-b) 각각은 하나의 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)이 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성될 수 있다.As described above, each of the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) applied to the solar cell module according to the present invention includes one insulating member 200 and a semiconductor substrate 110, respectively. It can be connected to and formed as an integral individual element.

이에 따라, 하나의 절연성 부재(200)에 여러 개의 반도체 기판(110)이 부착되는 구조와 비교하여, 본 발명은 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지가 파손되거나 결함이 발생해도, 해당 태양 전지만 교체할 수 있어, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다.Accordingly, compared to a structure in which several semiconductor substrates 110 are attached to one insulating member 200, the present invention provides a corresponding solar cell even if any one solar cell is damaged or defective during the solar cell module manufacturing process. Since only the battery can be replaced, the process yield can be further improved.

또한, 전면 유리 기판(FG) 크기에 제한 없이 태양 전지 모듈을 용이하게 형성할 수 있다.In addition, it is possible to easily form a solar cell module without limiting the size of the front glass substrate (FG).

여기서, 제1 태양 전지(Cell-a)의 절연성 부재(200)는 제2 태양 전지(Cell-b)의 반도체 기판(110)과 중첩되지 않고, 제2 태양 전지(Cell-b)의 절연성 부재(200)는 제1 태양 전지(Cell-a)의 반도체 기판(110)과 중첩되지 않을 수 있다.Here, the insulating member 200 of the first solar cell Cell-a does not overlap with the semiconductor substrate 110 of the second solar cell Cell-b, and the insulating member 200 of the second solar cell Cell-b 200 may not overlap with the semiconductor substrate 110 of the first solar cell Cell-a.

따라서, 제1 태양 전지(Cell-a)에 포함되는 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 태양 전지(Cell-b)에 포함되는 제2 보조 전극 패드(PP142)는 서로 이격될 수 있다.Accordingly, the first auxiliary electrode pad PP141 included in the first solar cell Cell-a and the second auxiliary electrode pad PP142 included in the second solar cell Cell-b may be spaced apart from each other.

이와 같은 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b)가 서로 연결되는 태양 전지 모듈은 도 23a에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)를 통하여 서로 연결될 수 있다. The solar cell modules in which the first solar cell Cell-a and the second solar cell Cell-b are connected to each other may be connected to each other through an interconnector IC as shown in FIG. 23A.

즉, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(Cell-a)의 제2 보조 전극 패드(PP142)와 제2 태양 전지(Cell-b)의 제1 보조 전극 패드(PP141)를 전기적으로 연결시키거나, 제1 태양 전지(Cell-a)의 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 태양 전지(Cell-b)의 제2 보조 전극 패드(PP142)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.That is, the interconnector IC electrically connects the second auxiliary electrode pad PP142 of the first solar cell Cell-a and the first auxiliary electrode pad PP141 of the second solar cell Cell-b. Alternatively, the first auxiliary electrode pad PP141 of the first solar cell Cell-a and the second auxiliary electrode pad PP142 of the second solar cell Cell-b may be electrically connected.

구체적 일례로, 제1 태양 전지(Cell-a) 및 제2 태양 전지(Cell-b) 각각의 절연성 부재(200)는 인터커넥터(IC)와 중첩되고, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(Cell-a)의 절연성 부재(200)의 일단에 형성되는 제1 보조 전극 패드(PP141)의 영역 중에서, 제1 태양 전지(Cell-a)의 반도체 기판(110) 밖으로 노출된 제1 보조 전극 패드(PP141)의 제2 영역(PP141-S2)과 중첩되어 일단이 연결되고, 제2 태양 전지(Cell-b)의 절연성 부재(200)의 타단에 형성되는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 영역 중에서, 제2 태양 전지(Cell-b)의 반도체 기판(110) 밖으로 노출된 제2 보조 전극 패드(PP142)의 제2 영역(PP142-S2)과 중첩되어 타단이 연결될 수 있다.As a specific example, the insulating member 200 of each of the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) is overlapped with the interconnector (IC), the interconnector (IC) is a first solar cell The first auxiliary electrode exposed to the outside of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell Cell-a among the regions of the first auxiliary electrode pad PP141 formed at one end of the insulating member 200 of (Cell-a) One end of the second auxiliary electrode pad PP142 formed on the other end of the insulating member 200 of the second solar cell Cell-b is connected to one end overlapping the second region PP141-S2 of the pad PP141. Among the regions, the other end may be connected to the second region PP142-S2 of the second auxiliary electrode pad PP142 exposed outside the semiconductor substrate 110 of the second solar cell Cell-b.

이때, 도 23a에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)와 제1 보조 전극 패드(PP141), 또는 인터커넥터(IC)와 제2 보조 전극 패드(PP142)는 제2 도전성 연결재(CA2)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 제2 도전성 연결재(CA2)는 앞서 설명한 제1 도전성 연결재(CA1)와 동일한 재질로 연결될 수 있다. 여기서, 인터커넥터(IC)는 도전성 금속을 포함하여 형성될 수 있으며, 일례로, Cu, Au, Ag 또는 Al 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 아울러, 제2 도전성 연결재(CA2)는 앞서 설명한 제1 도전성 연결재(CA1)와 동일한 재질이 이용될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 23A, the interconnector IC and the first auxiliary electrode pad PP141, or the interconnector IC and the second auxiliary electrode pad PP142 are formed by a second conductive connector CA2. Can be electrically connected. Here, the second conductive connector CA2 may be connected with the same material as the first conductive connector CA1 described above. Here, the interconnector IC may be formed of a conductive metal, and for example, may be formed of at least one of Cu, Au, Ag, or Al. In addition, the second conductive connector CA2 may be formed of the same material as the first conductive connector CA1 described above.

또는, 도 23a과 다르게, 도 23b과 같이, 도 23b에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)와 제1 보조 전극 패드(PP141), 또는 인터커넥터(IC)와 제2 보조 전극 패드(PP142)는 열과 압력으로, 별도의 제2 도전성 연결재(CA2) 없이, 물리적으로 직접 접촉하여 전기적으로 연결될 수도 있다.Alternatively, unlike FIG. 23A, as shown in FIG. 23B, as shown in FIG. 23B, the interconnector IC and the first auxiliary electrode pad PP141, or the interconnector IC and the second auxiliary electrode pad PP142 May be electrically connected by direct physical contact with heat and pressure, without a separate second conductive connector CA2.

아울러, 도 23a 및 도 23b에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)와 제1 태양 전지(Cell-a)의 반도체 기판(110) 사이 또는 인터커넥터(IC)와 제2 태양 전지(Cell-b)의 반도체 기판(110) 사이는 서로 이격될 수 있다. 그러나, 이는 필수적인 것이 아니고, 인터커넥터(IC)와 반도체 기판(110) 사이가 이격되지 않고 형성되는 것도 가능하다.In addition, as shown in FIGS. 23A and 23B, between the interconnector IC and the semiconductor substrate 110 of the first solar cell Cell-a or between the interconnector IC and the second solar cell Cell-b ) Between the semiconductor substrates 110 may be spaced apart from each other. However, this is not essential, and it is possible to form the interconnector IC and the semiconductor substrate 110 without being spaced apart.

그러나, 인터커넥터(IC)와 반도체 기판(110) 사이가 이격되는 경우, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있고, 인터커넥터(IC)를 통하여, 태양 전지 모듈의 광학적 게인(optical gain)을 보다 증가시킬 수 있으므로, 이하에서는 인터커넥터(IC)와 반도체 기판(110) 사이가 이격되는 경우를 일례로 설명한다.However, when the interconnector (IC) and the semiconductor substrate 110 are spaced apart, the thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110 can be minimized, and through the interconnector (IC), optical gain of the solar cell module (optical gain) Since gain) can be further increased, a case where the interconnector IC and the semiconductor substrate 110 are spaced apart will be described as an example.

인터커넥터(IC)와 반도체 기판(110) 사이가 이격되는 경우, 도 23a 내지 도 24에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터(IC)와 제1 태양 전지(Cell-a)의 반도체 기판(110) 사이가 제1 간격(GSI1)만큼 이격되고, 인터커넥터(IC)와 제2 태양 전지(Cell-b)의 반도체 기판(110) 사이가 제2 간격(GSI2)만큼 이격될 수 있다.When the interconnector (IC) and the semiconductor substrate 110 are spaced apart, as shown in FIGS. 23A to 24, the solar cell module according to the present invention includes an interconnector (IC) and a first solar cell (Cell-a). ) Is spaced apart by a first gap (GSI1), and between the interconnector (IC) and the semiconductor substrate 110 of the second solar cell (Cell-b) by a second gap (GSI2) Can be.

아울러, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(Cell-a)의 절연성 부재(200) 및 제2 태양 전지(Cell-b)의 절연성 부재(200)과 중첩될 수 있다.In addition, the interconnector IC may overlap the insulating member 200 of the first solar cell Cell-a and the insulating member 200 of the second solar cell Cell-b.

따라서, 제1 태양 전지(Cell-a) 및 제2 태양 전지(Cell-b)를 전면에서 보았을 때에, 도 24의 (a)에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(Cell-a) 및 제2 태양 전지(Cell-b)의 절연성 부재(200)의 전면에 부착될 수 있고, 후면에서 보았을 때에, 인터커넥터(IC)의 양 끝단 일부는 제1 태양 전지(Cell-a) 및 제2 태양 전지(Cell-b)의 절연성 부재(200)에 중첩되어 가려질 수 있다.Therefore, when the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) are viewed from the front, as shown in Fig. 24A, the interconnector IC is the first solar cell ( Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) may be attached to the front surface of the insulating member 200, when viewed from the rear, part of both ends of the interconnector (IC) is the first solar cell (Cell- a) and the insulating member 200 of the second solar cell Cell-b may be overlapped and covered.

이에 따라, 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b)의 반도체 기판(110)에 직접 인터커넥터(IC)를 연결하지 않고, 절연성 부재(200)을 통하여 반도체 기판(110)과 이격되도록 인터커넥터(IC)를 연결하므로, 인터커넥터(IC)와 제1 태양 전지(Cell-a) 또는 인터커넥터(IC)와 제2 태양 전지(Cell-b)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 직접적으로 열을 가할 필요가 없어, 각 태양 전지의 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소로 할 수 있다. Accordingly, without directly connecting the interconnector IC to the semiconductor substrate 110 of the first solar cell Cell-a and the second solar cell Cell-b, the semiconductor substrate ( 110), so when connecting the interconnector (IC) and the first solar cell (Cell-a) or the interconnector (IC) and the second solar cell (Cell-b), the semiconductor Since it is not necessary to directly apply heat to the substrate 110, the thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110 of each solar cell can be minimized.

또한, 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b) 사이의 거리를 보다 자유롭게 설정할 수 있어, 태양 전지 모듈의 크기에 따른 제약에서 보다 자유로울 수 있다.In addition, since the distance between the first solar cell Cell-a and the second solar cell Cell-b can be set more freely, it is possible to be more free from restrictions depending on the size of the solar cell module.

아울러, 제1 태양 전지(Cell-a)의 반도체 기판(110)과 제2 태양 전지(Cell-b)의 반도체 기판(110) 사이로 입사되는 빛을 반사하고, 반사된 빛은 전면 유리 기판(FG)에 의해 다시 제1 태양 전지(Cell-a)의 반도체 기판(110)과 제2 태양 전지(Cell-b)의 반도체 기판(110)으로 입사되도록 하여, 광학적 게인(optical gain)을 보다 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 태양 전지의 효율을 보다 증가시킬 수 있다.In addition, the light incident between the semiconductor substrate 110 of the first solar cell (Cell-a) and the semiconductor substrate 110 of the second solar cell (Cell-b) is reflected, and the reflected light is a front glass substrate (FG). ) Again to be incident on the semiconductor substrate 110 of the first solar cell (Cell-a) and the semiconductor substrate 110 of the second solar cell (Cell-b), thereby further increasing the optical gain. I can. Accordingly, the efficiency of the solar cell can be further increased.

여기서, 제1 태양 전지(Cell-a)의 반도체 기판(110)과 인터커넥터(IC) 사이의 제1 간격(GSI1)과 제2 태양 전지(Cell-b)의 반도체 기판(110)과 인터커넥터(IC) 사이의 제2 간격(GSI2)은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 각 반도체 기판(110)의 밖으로 노출된 제1 보조 전극 패드(PP141)의 제2 영역(PP141-S2)의 폭이나, 제2 보조 전극 패드(PP142)의 제2 영역(PP142-S2)의 폭의 크기에 따라 자유롭게 설정될 수 있다.Here, the first gap (GSI1) between the semiconductor substrate 110 of the first solar cell (Cell-a) and the interconnector (IC) and the semiconductor substrate 110 and the interconnector of the second solar cell (Cell-b) The second interval GSI2 between (IC) may be the same or different from each other, and the width of the second region PP141-S2 of the first auxiliary electrode pad PP141 exposed outside of each semiconductor substrate 110, or It may be freely set according to the size of the width of the second region PP142-S2 of the second auxiliary electrode pad PP142.

도 23a 내지 도 24에서는 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142)의 전면에 접속되는 것을 일례로 도시하였지만, 이와 같은 인터커넥터(IC)는 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면에 접속되는 것도 가능하다.23A to 24 illustrate that the interconnector IC is connected to the front surfaces of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 as an example, but the interconnector IC is the first It may be connected to the rear surface of the auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142.

도 25는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 인터커넥터(IC)를 통하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성된 각 태양 전지를 서로 연결한 구조의 다른 예를 설명하기 위한 도이다.FIG. 25 is a diagram for explaining another example of a structure in which each solar cell formed as an integral individual element is connected to each other through an interconnector (IC) in the solar cell module shown in FIG. 1.

도 25에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)는 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면에 접속되는 것도 가능하다.As shown in FIG. 25, the interconnector IC may be connected to the rear surfaces of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142.

이때, 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지는 도 4에서 간략하게 전술한 것처럼, 도 25에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각의 제1 방향(x)으로의 끝단이 절연성 부재(200)의 끝단보다 더 돌출되어 형성된 것이 적용될 수 있다.At this time, the solar cell applied to the solar cell module shown in FIG. 1 is a first auxiliary electrode pad PP141 and a second auxiliary electrode pad PP142 as illustrated in FIG. 25, as briefly described above in FIG. 4. The end of each of the first direction (x) may be formed to protrude more than the end of the insulating member 200 may be applied.

이와 같이, 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각의 끝단이 절연성 부재(200)의 끝단보다 더 돌출되어 형성됨에 따라, 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면이 외부로 노출될 수 있으며, 이에 따라, 인터커넥터(IC)를 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면에 접속시킬 수 있다.In this way, as the ends of each of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 are formed to protrude more than the ends of the insulating member 200, the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP141 The rear surface of the auxiliary electrode pad PP142 may be exposed to the outside, and accordingly, the interconnector IC may be connected to the rear surfaces of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142.

이와 같은 경우, 인터커넥터(IC)를 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면에 접속시키는 경우, 제2 도전성 연결재(CA2)가 원하지 않게 넓게 퍼지더라도, 제2 도전성 연결재(CA2)에 의해 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극(P142)이 서로 단락되거나 제2 보조 전극 패드(PP142)와 제1 보조 전극(P141)이 서로 단락될 염려가 없어, 태양 전지 모듈의 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있을 뿐만 아니라, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다.이와 같이, 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142) 각각의 끝단이 절연성 부재(200)의 끝단보다 더 돌출된 구조는 반도체 기판(110)에 절연성 부재(200)를 일체로 부착시킨 다음, 절연성 부재(200)의 끝단을 제거함으로써 형성할 수 있다.In this case, when the interconnector IC is connected to the rear surfaces of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142, even if the second conductive connector CA2 is undesirably spread out, the second There is no fear that the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode P142 are shorted to each other or the second auxiliary electrode pad PP142 and the first auxiliary electrode P141 are shorted to each other by the conductive connector CA2. In this way, the manufacturing process of the solar cell module can be made easier, and the process yield can be further improved. As such, the ends of each of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 are The structure protruding more than the end of the insulating member 200 may be formed by integrally attaching the insulating member 200 to the semiconductor substrate 110 and then removing the end of the insulating member 200.

도 23a 내지 도 25에서는 인터커넥터(IC)의 전면이 평탄한 면을 가지는 경우를 일례로 설명하였으나, 인터커넥터(IC)의 전면이 요철을 구비할 수도 있다.In FIGS. 23A to 25, a case in which the front surface of the interconnector IC has a flat surface has been described as an example, but the front surface of the interconnector IC may have irregularities.

도 26은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 광학적 게인을 높이기 위하여 제1 실시예에 따른 인터커넥터(IC) 를 설명하기 위한 도이다.FIG. 26 is a diagram illustrating an interconnector (IC) according to the first embodiment in order to increase an optical gain in the solar cell module shown in FIG. 1.

도 26에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에 따른 인터커넥터(ICA)의 전면 표면에는 요철이 형성되어 있고, 두께가 균일하지 않을 수 있다. 이에 따라, 태양 전지 모듈의 전면 유리 기판(FG)을 통하여, 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b) 사이의 공간으로 입사되는 빛이 인터커넥터(ICA)의 전면에 구비된 요철과 전면 유리 기판(FG)에 의해 반사되어, 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b)의 반도체 기판(110)으로 다시 입사되도록 할 수 있다.As shown in FIG. 26, irregularities are formed on the front surface of the interconnector ICA according to the first embodiment, and the thickness may not be uniform. Accordingly, light incident into the space between the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) through the front glass substrate (FG) of the solar cell module is transmitted to the front surface of the interconnector (ICA). It is reflected by the irregularities provided in the front glass substrate FG and the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) to be incident on the semiconductor substrate 110 again.

이에 따라, 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b)의 사이의 이격된 공간으로 입사되는 빛으로도 전력을 생산할 수 있어, 태양 전지 모듈의 광전 변환 효율을 보다 향상시킬 수 있다.Accordingly, power can be generated even from light incident into the spaced space between the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b), further improving the photoelectric conversion efficiency of the solar cell module. I can make it.

도 27은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 광학적 게인 향상과 함께 절연성 부재의 열팽창 신축에 대응하기 위하여 제2 실시예에 따른 인터커넥터(IC)를 설명하기 위한 도이다.FIG. 27 is a view for explaining an interconnector IC according to a second embodiment in order to cope with the expansion and contraction of thermal expansion and contraction of an insulating member while improving optical gain in the solar cell module shown in FIG. 1.

도 27에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 인터커넥터(ICB)의 단면은 지그재그(zigzag) 형태를 가질 수 있고, 이때, 인터커넥터(IC)의 단면 두께는 균일할 수 있다.As shown in FIG. 27, the cross-section of the interconnector ICB according to the second embodiment of the present invention may have a zigzag shape, and at this time, the cross-sectional thickness of the interconnector IC may be uniform. .

이와 같은 경우, 본 발명의 제2 실시예에 따른 인터커넥터(ICB)는 도 26에서 설명한 반사 기능뿐만 아니라 제1 태양 전지(Cell-a) 및 제2 태양 전지(Cell-b)의 절연성 부재(200)의 열팽창 및 열수축에 따른 신축에 대응할 수 있다.In this case, the interconnector ICB according to the second embodiment of the present invention includes not only the reflective function described in FIG. 26 but also the insulating member of the first solar cell Cell-a and the second solar cell Cell-b. 200) can respond to thermal expansion and expansion and contraction due to thermal contraction.

구체적으로, 태양 전지 모듈이 동작 중에 태양 전지 모듈 내부의 온도가 상승하여, 제1 태양 전지(Cell-a) 및 제2 태양 전지(Cell-b)의 절연성 부재(200)가 제1 방향(x)으로 열팽창하거나 수축할 수 있다. Specifically, the temperature inside the solar cell module rises while the solar cell module is operating, so that the insulating member 200 of the first solar cell (Cell-a) and the second solar cell (Cell-b) is moved in the first direction (x ) To thermally expand or contract.

따라서, 제1 태양 전지(Cell-a)의 절연성 부재(200)와 제2 태양 전지(Cell-b)의 절연성 부재(200) 사이의 이격된 간격이 줄어들거나 늘어날 수 있는데, 이와 같은 경우, 도 27에 도시된 바와 같은 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(Cell-a)의 절연성 부재(200)와 제2 태양 전지(Cell-b)의 절연성 부재(200)의 신축에 대응하여 길이가 제1 방향(x)으로 늘어나거나 감소할 수 있다. 이에 따라, 태양 전지 모듈의 내구성을 보다 향상시킬 수 있다.Therefore, the spaced apart distance between the insulating member 200 of the first solar cell (Cell-a) and the insulating member 200 of the second solar cell (Cell-b) may be reduced or increased. In this case, FIG. The interconnector IC as shown in Fig. 27 has a length corresponding to the expansion and contraction of the insulating member 200 of the first solar cell Cell-a and the insulating member 200 of the second solar cell Cell-b. It may increase or decrease in the first direction x. Accordingly, the durability of the solar cell module can be further improved.

도 28은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈의 전체 평면 구조에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다.FIG. 28 is a diagram for describing an example of an overall plan structure of the solar cell module shown in FIG. 1.

도 28의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성된 복수의 태양 전지 각각이 제1 방향(x)으로 직렬로 연결되는 셀 스트링이 전면 유리 기판(FG)의 후면 위에 배치될 수 있다. As shown in (a) of FIG. 28, in the solar cell module according to the present invention, each of a plurality of solar cells formed of one integrated individual element by connecting the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 separately Cell strings connected in series in the first direction x may be disposed on the rear surface of the front glass substrate FG.

구체적으로, 복수의 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)에 포함되는 각각의 반도체 기판(110)의 전면은 전면 유리 기판(FG)의 후면을 향하도록 배치되며, 절연성 부재(200)는 전면 유리 기판(FG)의 반대 방향을 향하도록 배치될 수 있다.Specifically, the front surface of each semiconductor substrate 110 included in the plurality of cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 is disposed to face the rear surface of the front glass substrate FG, and an insulating member ( 200) may be disposed to face in a direction opposite to the front glass substrate FG.

아울러, 도 28의 (b)에 도시된 바와 같이, 이와 같은 셀 스트링은 제1 셀 스트링(ST-1)과 제2 셀 스트링(ST-2)을 포함할 수 있으며, 전면 유리 기판(FG)의 전면 위에 배치될 수 있다.In addition, as shown in (b) of FIG. 28, such a cell string may include a first cell string ST-1 and a second cell string ST-2, and the front glass substrate FG Can be placed over the front of

여기서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 제1 방향(x)으로 뻗어 있는 제1 셀 스트링(ST-1)과 제2 셀 스트링(ST-2)을 제2 방향(y)으로 직렬로 연결시키는 도전성 리본(RB1, RB2)을 더 포함할 수 있다.Here, the solar cell module according to the present invention connects the first cell string ST-1 and the second cell string ST-2 extending in the first direction x in series in the second direction y. Conductive ribbons RB1 and RB2 may be further included.

구체적 일례로, 도 28의 (b)에서, 제2 방향(y)으로 형성된 제1 도전성 리본(RB1)은 제1 셀 스트링(ST-1)의 마지막 태양 전지(Cell-a)에 포함되는 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 셀 스트링(ST-2)의 마지막 태양 전지(Cell-e)에 포함되는 제2 보조 전극 패드(PP142)를 서로 연결시킬 수 있다.As a specific example, in (b) of FIG. 28, the first conductive ribbon RB1 formed in the second direction y is the first conductive ribbon included in the last solar cell Cell-a of the first cell string ST-1. The first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 included in the last solar cell Cell-e of the second cell string ST-2 may be connected to each other.

제2 도전성 리본(RB2)은 제2 셀 스트링(ST-2)의 반대쪽 마지막 태양 전지(Cell-h)에 포함되는 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제3 셀 스트링의 마지막 태양 전지(Cell-l)에 포함되는 제2 보조 전극 패드(PP142)를 서로 연결시킬 수 있다.The second conductive ribbon RB2 includes the first auxiliary electrode pad PP141 included in the last solar cell Cell-h opposite the second cell string ST-2 and the last solar cell Cell- The second auxiliary electrode pads PP142 included in l) may be connected to each other.

이때, 도 28의 (a)에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링은 반도체 기판(110)이 전면 유리 기판(FG)을 향하도록 배치되므로, 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 보조 전극 패드(PP141)나 제2 보조 전극 패드(PP142)가 보이지 않을 수 있으며, 이로 인하여, 태양 전지 모듈의 제조 공정이 상대적으로 까다로울 수 있다.At this time, as shown in (a) of FIG. 28, since each cell string is disposed so that the semiconductor substrate 110 faces the front glass substrate FG, the first auxiliary electrode pad formed on the front surface of the insulating member 200 (PP141) or the second auxiliary electrode pad (PP142) may not be visible, and thus, the manufacturing process of the solar cell module may be relatively difficult.

그러나, 본 발명은 셀 스트링의 마지막에 포함되는 제1 보조 전극 패드(PP141)나 제2 보조 전극 패드(PP142) 또는 절연성 부재(200) 등의 일부 구조를 변경하여, 태양 전지 모듈의 제조 공정에서, 도전성 리본(RB1, RB2)을 보다 용이하게 연결할 수 있다.However, in the present invention, some structures such as the first auxiliary electrode pad PP141, the second auxiliary electrode pad PP142, or the insulating member 200 included at the end of the cell string are changed, , It is possible to connect the conductive ribbons RB1 and RB2 more easily.

이하에서는 도전성 리본으로 복수의 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)을 보다 용이하게 연결할 수 있는 마지막 태양 전지의 구조를 설명한다.Hereinafter, a structure of the last solar cell in which a plurality of cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 can be more easily connected with a conductive ribbon will be described.

도 29 내지 도 31는 도 28의 29-29 라인에 따른 단면을 도시한 것으로, 도전성 리본의 연결을 위해 셀 스트링에서 마지막 태양 전지의 구조를 변경한 제1 내지 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.29 to 31 are cross-sectional views taken along lines 29-29 of FIG. 28, and are diagrams for explaining first to third embodiments in which the structure of the last solar cell in the cell string is changed to connect the conductive ribbon. to be.

본 발명에 따라, 리본(RB1, RB2)을 통하여 복수의 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)을 서로 연결하는 제1 실시예는 도 29와 같다.According to the present invention, a first embodiment in which a plurality of cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 are connected to each other through ribbons RB1 and RB2 is shown in FIG. 29.

각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)의 마지막에 위치하는 태양 전지는 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)와 중첩되는 절연성 부재(200)의 일부 영역이 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)가 노출되도록 접혀진 부분(200’)을 포함할 수 있고, 도전성 리본은 이와 같이 절연성 부재(200)가 접혀짐으로써 노출되는 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 부분에 부착될 수 있다.The solar cell positioned at the end of each of the cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 includes the insulating member 200 overlapping the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142. A portion of the area may include a folded portion 200' such that the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 is exposed, and the conductive ribbon is exposed by folding the insulating member 200 as described above. It may be attached to a portion of the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 to be formed.

일례로, 도 29에 도시된 바와 같이, 제1 셀 스트링(ST-1)의 가장 마지막에 위치하는 태양 전지(Cell-a)에서, 제2 보조 전극 패드(PP142)와 중첩되는 절연성 부재(200)의 일부분(WST1)을 분리하여 접으면, 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면 일부분(WST1)이 외부로 노출될 수 있다.As an example, as shown in FIG. 29, in the solar cell Cell-a positioned at the end of the first cell string ST-1, the insulating member 200 overlapping the second auxiliary electrode pad PP142. When the part WST1 of) is separated and folded, the rear part WST1 of the second auxiliary electrode pad PP142 may be exposed to the outside.

이와 같이, 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면 일부분(WST1)이 외부로 노출된 영역에 제1 도전성 리본(RB1)을 용이하게 연결할 수 있다. 아울러, 도 28에서 제2 셀 스트링(ST-2)의 가장 마지막에 위치하는 태양 전지(Cell-e)도 제1 보조 전극 패드(PP141)의 후면 일부분이 외부로 노출되는 구조를 가질 수 있다.In this way, the first conductive ribbon RB1 can be easily connected to the area where the rear portion WST1 of the second auxiliary electrode pad PP142 is exposed to the outside. In addition, the solar cell Cell-e positioned at the end of the second cell string ST-2 in FIG. 28 may also have a structure in which a rear portion of the first auxiliary electrode pad PP141 is exposed to the outside.

여기서, 제2 보조 전극 패드(PP142)의 노출된 후면 부분의 폭(WST1)은 절연성 부재(200)의 접혀진 부분의 폭(WST1)과 동일할 수 있다. 아울러, 도 29에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극 패드(PP142)의 노출된 후면 부분의 폭(WST1)은 리본(RB1)의 폭(WRB1)과 동일할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되지는 않고, 제2 보조 전극 패드(PP142)의 노출된 후면 부분의 폭(WST1)과 비교하여, 리본(RB1)의 폭(WRB1)이 더 크거나 작을 수 있다.Here, the width WST1 of the exposed rear portion of the second auxiliary electrode pad PP142 may be the same as the width WST1 of the folded portion of the insulating member 200. In addition, as shown in FIG. 29, the width WST1 of the exposed rear portion of the second auxiliary electrode pad PP142 may be the same as the width WRB1 of the ribbon RB1. However, the present invention is not limited thereto, and the width WRB1 of the ribbon RB1 may be larger or smaller than the width WST1 of the exposed rear portion of the second auxiliary electrode pad PP142.

또한, 도전성 리본의 연결을 보다 용이하게 하기 위해 각 셀 스트링에서 마지막 태양 전지의 구조를 변경한 제2 실시예는 다음과 같다.In addition, the second embodiment in which the structure of the last solar cell in each cell string is changed to facilitate connection of the conductive ribbon is as follows.

도 28에서, 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)의 마지막 태양 전지에 포함되는 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)는 절연성 부재(200)의 후면 일부분을 덮도록 연장되는 부분을 더 포함할 수 있고, 절연성 부재(200)의 후면 일부분 형성된 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)에 도전성 리본(RB1, RB2)이 연결될 수 있다.In FIG. 28, the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 included in the last solar cell of each cell string ST-1, ST-2, and ST-3 is an insulating member 200 A portion extending to cover a portion of the rear surface of the insulating member 200 may be further included, and conductive ribbons RB1 and RB2 on the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 formed at the rear portion of the insulating member 200 Can be connected.

일례로, 도 30에 도시된 바와 같이, 제1 셀 스트링(ST-1)의 마지막 태양 전지(Cell-a)는 제2 보조 전극 패드(PP142)는 전면 유리 기판(FG)을 향하는 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 부분(PP142-1)뿐만 아니라, 절연성 부재(200)의 측면에 형성된 제2 부분(PP142-2) 및 절연성 부재(200)의 후면 일부 영역(WST2)에 형성된 제3 부분(PP142-3)을 더 구비할 수 있다.As an example, as shown in FIG. 30, the last solar cell Cell-a of the first cell string ST-1 has an insulating member facing the front glass substrate FG. In addition to the first portion PP142-1 formed on the front surface of 200), the second portion PP142-2 formed on the side surface of the insulating member 200 and the second portion PP142-2 formed on the side surface of the insulating member 200 It may further have three parts (PP142-3).

이에 따라, 제1 셀 스트링(ST-1)의 마지막 태양 전지(Cell-a)는 절연성 부재(200)의 전면이 전면 유리 기판(FG)을 향하도록 배치되더라도, 절연성 부재(200)의 후면 일부(WST2)에 제2 보조 전극 패드(PP142)의 제3 부분(PP142-3)이 노출되도록 구비되므로, 노출된 제3 부분(PP142-3)에 리본(RB1)이 용이하게 연결될 수 있다.Accordingly, even if the last solar cell Cell-a of the first cell string ST-1 is disposed so that the front surface of the insulating member 200 faces the front glass substrate FG, a portion of the rear surface of the insulating member 200 Since the third portion PP142-3 of the second auxiliary electrode pad PP142 is exposed at WST2, the ribbon RB1 can be easily connected to the exposed third portion PP142-3.

또한, 도전성 리본의 연결을 보다 용이하게 하기 위해 각 셀 스트링에서 마지막 태양 전지의 구조를 변경한 제3 실시예는 다음과 같다.In addition, the third embodiment in which the structure of the last solar cell in each cell string is changed in order to facilitate connection of the conductive ribbon is as follows.

도 28에서, 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)의 마지막 태양 전지에 포함되는 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)는 절연성 부재(200)의 길이보다 더 긴 부분을 더 포함할 수 있고, 리본(RB1, RB2)은 절연성 부재(200)의 길이보다 더 길게 형성된 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 부분에 연결될 수 있다. In FIG. 28, the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 included in the last solar cell of each cell string ST-1, ST-2, and ST-3 is an insulating member 200 The ribbons RB1 and RB2 may further include portions of the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 formed longer than the length of the insulating member 200 Can be connected to

일례로, 도 31에 도시된 바와 같이, 제1 셀 스트링(ST-1)의 마지막 태양 전지(Cell-a)에서, 제2 보조 전극(P142)과 중첩하는 절연성 부재(200)의 일부 영역(WST3)을 제거함으로써, 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)를 절연성 부재(200)의 길이보다 더 길게 형성할 수 있다.For example, as illustrated in FIG. 31, in the last solar cell Cell-a of the first cell string ST-1, a partial region of the insulating member 200 overlapping the second auxiliary electrode P142 ( By removing the WST3), the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 may be formed to be longer than the length of the insulating member 200.

여기서, 절연성 부재(200)의 일부 영역(WST3)을 제거하는 방법은 다음과 같다. Here, a method of removing the partial region WST3 of the insulating member 200 is as follows.

태양 전지를 제조하는 과정 중에서, 셀 스트링의 마지막에 배치될 태양 전지를 임의로 선택하여, 선택된 태양 전지의 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)와 중첩되는 절연성 부재(200)의 끝단(WST3)을 국부적으로 고온 열처리(예를 들어, 레이저를 이용할 수 있음)하여, 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면 일부분(WST3)이 노출되도록 할 수 있다.In the process of manufacturing a solar cell, an insulating member 200 overlapping with the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 of the selected solar cell by randomly selecting a solar cell to be disposed at the end of the cell string ) The end (WST3) of the local high-temperature heat treatment (for example, a laser may be used) to expose the rear portion (WST3) of the first auxiliary electrode pad (PP141) or the second auxiliary electrode pad (PP142). can do.

이와 같이, 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면 일부분(WST3)이 노출된 태양 전지를 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지로 구성함으로써, 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면이 노출된 일부분(WST3)에 리본(RB1, RB2)을 용이하게 연결되어 각 셀 스트링이 직렬로 연결될 수 있다. In this way, by configuring the solar cell in which the rear portion WST3 of the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 is exposed as the last solar cell of each cell string, the first auxiliary electrode pad PP141 ) Or the ribbons RB1 and RB2 are easily connected to the portion WST3 where the rear surface of the second auxiliary electrode pad PP142 is exposed, so that each cell string may be connected in series.

도 32a 및 도 32b는 도 28에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 리본의 연결을 위해 셀 스트링에서 마지막 태양 전지에 포함되는 절연성 부재를 제거한 제4 실시예를 설명하기 위한 도이다.32A and 32B are diagrams illustrating a fourth embodiment in which an insulating member included in the last solar cell is removed from a cell string for connection of a conductive ribbon in the solar cell module according to FIG. 28.

도 32a에 도시된 바와 같이, 마지막 태양 전지의 구조를 변경한 제4 실시예는 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지가 앞서 설명한 태양 전지와 다르게 절연성 부재(200)가 제거된 태양 전지일 수 있다.As shown in FIG. 32A, in the fourth embodiment in which the structure of the last solar cell is changed, the last solar cell of each cell string may be a solar cell from which the insulating member 200 is removed, unlike the solar cell described above.

따라서, 각 셀 스트링에서 마지막 태양 전지는 절연성 부재(200)가 없으므로, 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면이 외부로 노출될 수 있고, 리본(RB1, RB2)은 이와 같이 노출된 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면에 부착됨으로써, 각 셀 스트링이 직렬로 연결할 수 있다.Therefore, since the last solar cell in each cell string does not have the insulating member 200, the rear surface of the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 may be exposed to the outside, and the ribbons RB1 and RB2 ) Is attached to the rear surface of the exposed first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142, so that each cell string can be connected in series.

구체적으로, 도 32a의 (a)와 같이, 본 발명에 따른 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지는 절연성 부재(200)가 제거될 수 있다. 이와 같은 경우, 셀 스트링의 마지막 태양 전지는 도 32a의 (b)와 같이, 전면 유리 기판(FG) 위에 배치되었을 때에, 마지막 태양 전지는 32b-32b 라인에 따른 단면을 도시한 도 32b와 같이, 전면 유리 기판(FG)의 반대 방향으로 향하는 제2 보조 전극 패드(PP142) 또는 제1 보조 전극 패드(PP141)의 후면이 그대로 노출될 수 있다.Specifically, as shown in (a) of FIG. 32A, the insulating member 200 may be removed from the last solar cell of each cell string according to the present invention. In this case, when the last solar cell of the cell string is disposed on the front glass substrate FG, as shown in FIG. 32A(b), the last solar cell is as shown in FIG. 32B showing a cross section along the line 32b-32b, The second auxiliary electrode pad PP142 or the rear surface of the first auxiliary electrode pad PP141 facing the front glass substrate FG may be exposed as it is.

이와 같은 경우, 각 스트링의 마지막 태양 전지에서 노출되는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면과 제1 보조 전극 패드(PP141)의 후면이 리본(RB1, RB2)에 의해 서로 용이하게 연결될 수 있다.In this case, the rear surface of the second auxiliary electrode pad PP142 exposed from the last solar cell of each string and the rear surface of the first auxiliary electrode pad PP141 may be easily connected to each other by the ribbons RB1 and RB2.

지금까지는 리본의 연결을 보다 용이하게 하기 위하여, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 포함되는 제1 보조 전극 패드(PP141)나 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면의 적어도 일부분이 노출되도록 일부 구조가 변경되는 경우를 예들로 설명하였으나, 이와 다르게 마지막 태양 전지의 구조가 전혀 변경되지 않고도, 태양 전지 모듈의 제조 방법 변경을 통하여 리본을 보다 용이하게 연결할 수 있다.Until now, in order to facilitate the connection of the ribbon, some structures have been made so that at least a portion of the rear surface of the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 included in the last solar cell of each cell string is exposed. Although the case of the change has been described as an example, unlike this, the ribbon can be more easily connected by changing the manufacturing method of the solar cell module without changing the structure of the last solar cell at all.

이와 같이, 마지막 태양 전지의 구조가 전혀 변경되지 않은 예는 다음과 같다.As such, an example in which the structure of the last solar cell is not changed at all is as follows.

도 33a 및 도 33b는 도 28에 따른 태양 전지 모듈에서 마지막 태양 전지의 구조를 변경하지 않은 제5 실시예를 설명하기 위한 도이다.33A and 33B are diagrams for explaining a fifth embodiment in which the structure of the last solar cell is not changed in the solar cell module according to FIG. 28.

도 33a에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지에서 제1 보조 전극 패드(PP141)나 제2 보조 전극 패드(PP142)의 후면을 노출시키지 않고, 제1 보조 전극 패드(PP141)나 제2 보조 전극 패드(PP142)의 전면에 리본(RB1, RB2)을 연결하는 경우, 전면 유리 기판(FG) 위에 복수의 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)이 배치된 상태를 후면에서 보았을 때에, 리본(RB1, RB2)은 각 셀스트링의 마지막 태양 전지의 절연성 부재(200)에 가려지게 된다.33A, in the last solar cell of each cell string, the rear surface of the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad PP142 is not exposed. 2 When the ribbons RB1 and RB2 are connected to the front of the auxiliary electrode pad PP142, the plurality of cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 are arranged on the front glass substrate FG. When viewed from the rear, the ribbons RB1 and RB2 are covered by the insulating member 200 of the last solar cell of each cell string.

따라서, 도 33a에서 33b-33b 라인에 따른 단면을 보면, 도 33b에 도시된 바와 같이, 리본(RB1, RB2)이 제2 보조 전극 패드(PP142)의 전면과 전면 유리 기판(FG)의 후면 사이에 위치할 수 있다. 이와 같은 구조를 형성하는 방법에 대해서는 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 제2 실시예 및 제3 실시예에서 후술한다.Accordingly, looking at a cross section along the line 33b-33b in FIG. 33a, as shown in FIG. 33b, the ribbons RB1 and RB2 are between the front surface of the second auxiliary electrode pad PP142 and the rear surface of the front glass substrate FG. Can be located in A method of forming such a structure will be described later in the second and third embodiments of the solar cell module manufacturing method.

지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 및 태양 전지 모듈의 구조에 대해서 살펴보았다. 이하에서는 이와 같은 태양 전지 및 태양 전지 모듈을 제조하는 방법에 대해서 설명한다.So far, the structure of the solar cell and the solar cell module according to the present invention has been described. Hereinafter, a method of manufacturing such a solar cell and a solar cell module will be described.

도 34a 내지 도 34g는 본 발명에 따라 태양 전지를 하나의 일체형 개별 소자로 제조하는 방법과 셀 스트링를 제조하는 방법의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.34A to 34G are diagrams for explaining an example of a method of manufacturing a solar cell as an integrated individual device and a method of manufacturing a cell string according to the present invention.

먼저, 도 34a의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 공정을 통하여, 반도체 기판(110)의 후면에 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 형성할 수 있다.First, as shown in (a) and (b) of FIG. 34A, a first electrode C141 and a second electrode C142 may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through a semiconductor manufacturing process. .

여기서, 반도체 기판(110)에 형성되는 에미터부(121), 후면 전계부(172) 및 반사 방지막(130)에 대한 제조 방법은 특별한 한정이 없으며, 구조는 이미 앞선 도 2 내지 도 6에서 설명한 바와 동일하므로 생략한다.Here, the method of manufacturing the emitter part 121, the rear electric field part 172, and the antireflection film 130 formed on the semiconductor substrate 110 is not particularly limited, and the structure is as previously described in FIGS. 2 to 6 It is the same, so it is omitted.

다음, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 하나의 반도체 기판(110)의 후면을 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성된 하나의 절연성 부재(200)의 전면에 부착하기 위하여, 도 34b에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 전면이 아래로 향하도록 한 후, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 각각의 후면 위에는 제1 도전성 연결재(CA1)를 도포하고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 이격되어 노출되는 반도체 기판(110)의 후면 위에는 절연층(IL)을 도포할 수 있다. 그러나, 제1 도전성 연결재와 절연층을 형성하는 공정은 이에 한정되는 것은 아니고 얼마든지 변경될 수 있다.Next, the rear surface of one semiconductor substrate 110 on which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed is replaced with one insulating member 200 on which the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 are formed. ), as shown in FIG. 34B, the front surface of the semiconductor substrate 110 faces downward, and then the first electrode C141 and the second electrode C142 respectively have a first A conductive connector CA1 may be applied, and an insulating layer IL may be applied on the rear surface of the semiconductor substrate 110 exposed by being spaced apart from the first electrode C141 and the second electrode C142. However, the process of forming the first conductive connecting material and the insulating layer is not limited thereto and may be changed.

여기서, 도 34b에 도시된 바와 같이, 절연층(IL)을 제1 도전성 연결재(CA1)의 높이보다 높게 도포할 수 있다.Here, as shown in FIG. 34B, the insulating layer IL may be applied higher than the height of the first conductive connector CA1.

다음, 도 34c에 도시된 바와 같이, 절연성 부재(200)에 형성된 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 중첩되도록 얼라인한 상태에서, 가압 및 가열 공정을 통하여 화살표 방향으로 절연성 부재(200)의 전면을 반도체 기판(110)의 후면 위에 부착할 수 있다.Next, as shown in FIG. 34C, in a state in which the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed on the insulating member 200 overlap each other, in the direction of the arrow through a pressing and heating process. The front surface of the insulating member 200 may be attached on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

이에 따라, 도 34d와 같이 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지를 제조 할 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 34D, the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 are individually connected to each other to manufacture a solar cell formed as an integrated individual device.

이후, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 복수의 태양 전지를 인터커넥터(IC)로 서로 연결하기 위하여, 도 34d에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)의 전면이 위로 향하도록 배치할 수 있다. Thereafter, in order to connect a plurality of solar cells formed as an integrated individual device to each other by an interconnector (IC), as shown in FIG. 34D, the front surfaces of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 face upward. Can be arranged to do so.

즉, 도 34c에 따른 공정 이후, 도 34d에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)을 합착하여 형성된 태양 전지를 뒤집을 수 있다.That is, after the process according to FIG. 34C, as shown in FIG. 34D, the solar cell formed by bonding the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 may be turned over.

이후, 도 34e에 도시된 바와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 복수의 태양 전지 각각에서 반도체 기판(110) 밖으로 노출된 제1 보조 전극 패드(PP141) 및 제2 보조 전극 패드(PP142)의 제2 영역의 전면에 제2 도전성 연결재(CA2)를 도포할 수 있다. Thereafter, as shown in FIG. 34E, the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 exposed outside the semiconductor substrate 110 in each of a plurality of solar cells formed as one integrated individual element A second conductive connector CA2 may be applied on the entire surface of the second region.

다음, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 복수의 태양 전지를 서로 직렬로 인접하도록 제1 방향(x)으로 배치한 상태에서, 적절한 가압 및 가열 공정과 함께 인터커넥터(IC)를 화살표 방향으로 부착시켜, 도 34f에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 각각의 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극 패드(PP142)를 서로 연결할 수 있다. Next, in a state in which a plurality of solar cells formed as an integrated individual element are arranged in the first direction (x) so as to be adjacent to each other in series, the interconnector (IC) is attached in the direction of the arrow along with an appropriate pressing and heating process. As shown in FIG. 34F, the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 of each of the plurality of solar cells may be connected to each other.

이와 같은 과정을 반복하여, 도 34g와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 복수의 태양 전지가 직렬로 연결되는 셀 스트링(ST)이 형성될 수 있다. By repeating such a process, as shown in FIG. 34G, a cell string ST in which a plurality of solar cells formed of one integrated individual element are connected in series may be formed.

이와 같은 셀 스트링(ST)을 전면에서 보면, 도 34g의 (a)와 같이, 인터커넥터(IC)와 함께 각 태양 전지(Cell-a ~ Cell-d)의 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극 패드(PP142)가 노출될 수 있으며, 셀 스트링(ST)을 후면에서 보면, 도 34g의 (b)와 같이, 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극 패드(PP142)는 절연성 부재(200)에 의해 가려질 수 있다.Looking at the cell string ST from the front, as shown in (a) of FIG. 34G, the first auxiliary electrode pad PP141 of each solar cell (Cell-a to Cell-d) along with the interconnector (IC) The second auxiliary electrode pad PP142 may be exposed, and when the cell string ST is viewed from the rear side, as shown in (b) of FIG. 34G, the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 May be covered by the insulating member 200.

여기서, 만약, 리본(RB1, RB2)으로 두 개의 셀 스트링(ST)을 직렬로 연결하는 것을 고려하여, 셀 스트링(ST)의 마지막 태양 전지(Cell-a, Cell-d)를 도 30에서 설명한 바와 같이 구성하면, 셀 스트링(ST)의 양쪽 마지막 태양 전지 중 하나(Cell-a)는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 제3 부분(PP142-3)이 절연성 부재(200)의 후면 위에 형성되도록 할 수 있으며, 나머지 하나(Cell-d)는 제1 보조 전극 패드(PP141)의 제3 부분(PP141-3)이 절연성 부재(200)의 후면 일부분 위에 형성될 수 있다. Here, if, considering connecting the two cell strings ST in series with the ribbons RB1 and RB2, the last solar cells Cell-a and Cell-d of the cell string ST are described in FIG. If configured as described above, in one of the last solar cells on both sides of the cell string ST (Cell-a), the third portion (PP142-3) of the second auxiliary electrode pad (PP142) is formed on the rear surface of the insulating member 200 As for the other cell-d, the third portion PP141-3 of the first auxiliary electrode pad PP141 may be formed on a portion of the rear surface of the insulating member 200.

여기의 셀 스트링(ST) 제조 방법에서는 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 관한 제2 실시예를 일례로 설명하고 있지만, 이외에도, 제1 실시예, 제3 실시예 내지 제5 실시예도 동일하게 적용될 수 있고, 다만, 셀 스트링의 마지막 태양 전지의 구조가 각 실시예에 따른 태양 전지로 구성될 수 있다.In the method of manufacturing the cell string ST here, the second embodiment of the last solar cell of the cell string is described as an example, but in addition to the first embodiment, the third to fifth embodiments can be applied in the same manner. However, the structure of the last solar cell of the cell string may be configured as a solar cell according to each embodiment.

이하에서는 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 다양한 실시예를 설명한다.Hereinafter, various embodiments of a method of manufacturing a solar cell module will be described.

도 35a 내지 도 35g는 도 1 및 도 28에 도시된 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.35A to 35G are diagrams for explaining a first embodiment of a method of manufacturing the solar cell module shown in FIGS. 1 and 28.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 제1 실시예는 먼저, 도 35a에 도시된 바와 같이, 전면 유리 기판(FG)을 배치한 상태에서 전면 유리 기판(FG)의 후면에 상부 봉지재(EC1)를 도포할 수 있다.The first embodiment of the method for manufacturing a solar cell module according to the present invention is, first, as shown in FIG. 35A, in a state in which the front glass substrate FG is disposed, and an upper encapsulant on the rear surface of the front glass substrate FG. (EC1) can be applied.

이후, 도 35b에 도시된 바와 같이, 도 34g에서 설명한 셀 스트링이 상부 봉지재(EC1) 위에 배치될 수 있다. 이때, 도 35b에 도시된 바와 같이, 셀 스트링에 포함되는 제1 태양 전지(Cell-a)와 제2 태양 전지(Cell-b)의 반도체 기판(110)의 전면이 전면 유리 기판(FG)의 후면과 마주보도록 배치할 수 있다. Thereafter, as shown in FIG. 35B, the cell string described in FIG. 34G may be disposed on the upper encapsulant EC1. In this case, as shown in FIG. 35B, the front surfaces of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell Cell-a and the second solar cell Cell-b included in the cell string are formed of the front glass substrate FG. It can be placed facing the back.

이에 따라, 도 35c에 도시된 바와 같이, 전면 유리 기판(FG)의 후면에 배치된 복수의 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)은 엎어진 상태로 배치되어, 절연성 부재(200)의 후면이 위로 향하도록 배치될 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 35C, the plurality of cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 disposed on the rear surface of the front glass substrate FG are disposed in an upside down state, and the insulating member 200 ) Can be arranged so that the back of the face is upward.

이에 따라, 도 35c 및 도 35d에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)의 마지막에 위치하는 태양 전지에서 절연성 부재(200)의 후면에 형성된 제1 보조 전극 패드(PP141) 또는 제2 보조 전극 패드(PP142)의 제3 부분(PP142-3, PP141-3)이 외부로 노출될 수 있다.Accordingly, as shown in FIGS. 35C and 35D, the first auxiliary formed on the rear surface of the insulating member 200 in the solar cell positioned at the end of each cell string ST-1, ST-2, and ST-3 The electrode pad PP141 or the third portions PP142-3 and PP141-3 of the second auxiliary electrode pad PP142 may be exposed to the outside.

이후, 도 35e에 도시된 바와 같이, 복수의 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)의 마지막 태양 전지에서 제2 보조 전극 패드(PP142)의 제3 부분(PP142-3)과 제1 보조 전극 패드(PP141)의 제3 부분(PP141-3)을 리본(RB1, RB2)으로 연결할 수 있다. Thereafter, as shown in FIG. 35E, in the last solar cell of the plurality of cell strings ST-1, ST-2, and ST-3, the third portion PP142-3 of the second auxiliary electrode pad PP142 and The third portion PP141-3 of the first auxiliary electrode pad PP141 may be connected to the ribbons RB1 and RB2.

이후, 도 35f에 도시된 바와 같이, 셀 스트링(ST)이 리본(RB1, RB2)으로 연결된 상태에서, 셀 스트링의 후면 위에 하부 봉지재(EC2)와 후면 시트(BS)를 배치한 후, 라미네이팅 공정을 통하여, 도 35g에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈을 제조할 수 있다. 이때, 라미네이팅 공정시, 상부 봉지재(EC1)와 하부 봉지재(EC2)는 각 태양 전지 사이 및 각 셀 스트링 사이의 이격된 공간을 채울 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 35F, in a state in which the cell string ST is connected by ribbons RB1 and RB2, the lower encapsulant EC2 and the rear sheet BS are disposed on the rear surface of the cell string, and then laminated. Through the process, as shown in Figure 35g, it is possible to manufacture a solar cell module. In this case, during the laminating process, the upper encapsulant EC1 and the lower encapsulant EC2 may fill the spaced space between each solar cell and between each cell string.

지금까지는 리본(RB1, RB2)이 마지막 태양 전지에 포함되는 절연성 부재(200)의 후면 위에서 연결되는 태양 전지 제조 방법에 대해서 설명하였으나, 이와 다르게, 리본(RB1, RB2)이 마지막 태양 전지에 포함되는 절연성 부재(200)의 전면 위에서 연결되도록 할 수도 있다. Until now, a method of manufacturing a solar cell in which the ribbons RB1 and RB2 are connected on the rear surface of the insulating member 200 included in the last solar cell has been described, but differently, the ribbons RB1 and RB2 are included in the last solar cell. It may be connected on the front surface of the insulating member 200.

도 36a 및 도 36b는 도 1 및 도 28에 도시된 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.36A and 36B are views for explaining a second embodiment of the method of manufacturing the solar cell module shown in FIGS. 1 and 28.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 제2 실시예는 먼저, 도 35a 단계처럼, 전면 유리 기판(FG)의 후면 위에 상부 봉지재(EC1)가 도포된 상태에서, 도 36a에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)을 서로 연결하는 리본(RB1, RB2)을 먼저 상부 봉지재(EC1) 위에 배치할 수 있다. The second embodiment of the method for manufacturing a solar cell module according to the present invention is first, as shown in FIG. 36A in a state in which the upper encapsulant EC1 is applied on the rear surface of the front glass substrate FG, as in step 35a. As described above, ribbons RB1 and RB2 connecting the cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 to each other may be first disposed on the upper encapsulant EC1.

이때, 리본(RB1, RB2)이 배치되는 위치는 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)에서 마지막 태양 전지에 포함되는 제1 보조 전극 패드(PP141)나 제2 보조 전극 패드(PP142)와 중첩되는 위치일 수 있다.At this time, the positions where the ribbons RB1 and RB2 are disposed are the first auxiliary electrode pad PP141 or the second auxiliary electrode pad included in the last solar cell in each cell string ST-1, ST-2, and ST-3. It may be a position overlapping with (PP142).

이후, 도 36b에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)에서 마지막 태양 전지에 포함되는 제1 보조 전극 패드(PP141)나 제2 보조 전극 패드(PP142)가 리본(RB1, RB2)에 중첩되도록 얼라인하여 배치할 수 있다. Thereafter, as shown in FIG. 36B, a first auxiliary electrode pad PP141 or a second auxiliary electrode pad PP142 included in the last solar cell in each cell string ST-1, ST-2, and ST-3 Can be arranged so as to overlap the ribbons RB1 and RB2.

이후의 단계는 도 35g 및 도 35g에서 설명한 바와 동일하므로 생략한다. 이와 같은 경우, 복수의 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)을 리본(RB1, RB2)을 통하여 연결되도록 하기 위하여, 복수의 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)의 마지막에 위치되는 태양 전지를 특별히 따로 제작할 필요가 없어, 태양 전지 및 태양 전지 모듈의 제조 공정을 보다 단순화할 수 있다. Subsequent steps are the same as those described in FIGS. 35G and 35G, and thus will be omitted. In this case, in order to connect the plurality of cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 through the ribbons RB1 and RB2, the plurality of cell strings ST-1, ST-2, and ST- It is not necessary to separately manufacture the solar cell positioned at the end of 3), and thus the manufacturing process of the solar cell and the solar cell module can be further simplified.

지금까지는 전면 유리 기판(FG)을 먼저 배치한 이후, 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)을 전면 유리 기판(FG)의 후면에 배치하여 태양 전지 모듈을 제조하는 방법에 대해서 설명하였으나, 이와 다르게, 후면 시트(BS)과 하부 봉지재(EC2)를 먼저 배치한 상태에서, 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)의 전면이 위에 오도록 배치할 수도 있다. 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Until now, a method of manufacturing a solar cell module by placing the front glass substrate (FG) first, and then placing the cell strings (ST-1, ST-2, ST-3) on the rear surface of the front glass substrate (FG) Although described, differently, in a state in which the rear sheet BS and the lower encapsulant EC2 are disposed first, the cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 may be disposed so that the front surfaces thereof are on top. This will be described in more detail as follows.

도 37a 내지 도 37g는 도 1 및 도 28에 도시된 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다. 37A to 37G are diagrams for explaining a third embodiment of the method of manufacturing the solar cell module shown in FIGS. 1 and 28.

이하의 태양 전지 모듈 제조 방법에서는 후면 시트(BS)이 시트 형태로 형성된 경우를 일례로 설명한다. 그러나, 후면 시트(BS)이 플레이트(plate) 형태인 경우에도 동일한 방법이 적용될 수 있다.In the following solar cell module manufacturing method, a case in which the rear sheet BS is formed in a sheet form will be described as an example. However, the same method may be applied even when the rear sheet BS is in the form of a plate.

태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 제3 실시예는 먼저, 도 37a에 도시된 바와 같이, 후면 시트(BS)을 먼저 배치한 상태에서 후면 시트(BS)의 전면에 하부 봉지재(EC2)를 도포할 수 있다. In the third embodiment of the solar cell module manufacturing method, first, as shown in FIG. 37A, a lower encapsulant EC2 is applied to the front surface of the rear sheet BS in a state in which the rear sheet BS is first disposed. can do.

이후, 도 37b 및 도 37c에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)에 포함되는 태양 전지의 반도체 기판(110)의 전면이 위로 향하도록 배치할 수 있다.Thereafter, as shown in FIGS. 37B and 37C, the front surface of the semiconductor substrate 110 of the solar cell included in each of the cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 may be disposed upward. .

이에 따라, 도 37b에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)에 포함되는 복수의 태양 전지에서 각 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)의 전면이 그대로 노출되어, 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)에 포함되는 마지막 태양 전지의 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극 패드(PP142)의 제2 영역도 자연스럽게 외부로 노출될 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 37B, in the plurality of solar cells included in each of the cell strings ST-1, ST-2, and ST-3, the front surfaces of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 As they are exposed, the second region of the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad PP142 of the last solar cell included in each of the cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 is also naturally It can be exposed to the outside.

따라서, 제1 셀 스트링(ST-1)의 마지막 태양 전지(Cell-a)의 제2 보조 전극 패드(PP142) 및 제2 셀 스트링(ST-2)의 마지막 태양 전지(Cell-e)의 제2 보조 전극 패드(PP142)는 자연스럽게 외부로 노출될 수 있다.Accordingly, the second auxiliary electrode pad PP142 of the last solar cell Cell-a of the first cell string ST-1 and the first of the last solar cell Cell-e of the second cell string ST-2 2 The auxiliary electrode pad PP142 may be naturally exposed to the outside.

따라서, 도 37d에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)의 마지막에 포함되는 태양 전지에서 외부로 노출된 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극 패드(PP142)가 리본(RB1)을 통하여 용이하게 연결될 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 37D, the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode exposed to the outside from the solar cell included at the end of each cell string ST-1, ST-2, and ST-3 The electrode pads PP142 may be easily connected through the ribbon RB1.

이때, 리본(RB1, RB2)이 연결된 제1 스트링의 마지막 태양 전지의 단면은 도 37e와 같을 수 있다.In this case, a cross section of the last solar cell of the first string to which the ribbons RB1 and RB2 are connected may be as shown in FIG. 37E.

다음, 도 37f와 같이, 리본(RB1, RB2)과 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)의 전면 위에 상부 봉지재(EC1)를 도포하고, 도 37g와 같이, 전면 유리 기판(FG)을 상부 봉지재(EC1) 위에 배치한 다음, 라미네이팅 공정을 통하여, 태양 전지 모듈을 완성할 수 있다.Next, as shown in Figure 37f, the ribbon (RB1, RB2) and the upper encapsulant (EC1) was applied on the front surface of each of the cell strings (ST-1, ST-2, ST-3), as shown in Figure 37g, the front glass After the substrate FG is disposed on the upper encapsulant EC1, the solar cell module may be completed through a laminating process.

이와 같이, 제3 실시예에 따른 태양 전지 모듈 제조 방법은 제조 공정 중 각 셀 스트링(ST-1, ST-2, ST-3)에서 제1 보조 전극 패드(PP141)와 제2 보조 전극 패드(PP142)가 외부로 노출되므로, 리본(RB1, RB2)의 연결이 용이하여, 태양 전지 모듈의 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.As described above, in the solar cell module manufacturing method according to the third exemplary embodiment, the first auxiliary electrode pad PP141 and the second auxiliary electrode pad in each of the cell strings ST-1, ST-2, and ST-3 during the manufacturing process. Since the PP142) is exposed to the outside, it is easy to connect the ribbons RB1 and RB2, thereby making the manufacturing process of the solar cell module easier.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs can make various modifications, changes, and substitutions within the scope not departing from the essential characteristics of the present invention. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings. . The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

Claims (21)

반도체 기판의 후면(back surface)에 형성되는 복수의 제1 전극, 상기 반도체 기판의 상기 후면에 상기 제1 전극과 나란하게 형성되는 복수의 제2 전극, 절연성 부재의 전면(front surface)에 형성되며 상기 복수의 제1 전극에 연결되는 제1 보조 전극, 및 상기 절연성 부재의 상기 전면에 형성되며 상기 복수의 제2 전극에 연결되는 제2 보조 전극을 포함하고, 상기 반도체 기판과 상기 절연성 부재는 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및
상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지를 전기적으로 서로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고,
상기 제1 보조 전극과 상기 제2 보조 전극의 두께는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각의 두께보다 크게 형성되고,
상기 제1 태양 전지의 상기 제1 보조 전극과 상기 제2 태양 전지의 상기 제2 보조 전극은 상기 제1 태양 전지의 상기 반도체 기판과 상기 제2 태양 전지의 상기 반도체 기판의 사이 영역으로 돌출되어 상기 인터커넥터에 중첩되어 접속되는 영역을 포함하고,
상기 인터커넥터는 전면에서 보았을 때 상기 제1 태양 전지의 상기 반도체 기판 및 상기 제2 태양 전지의 상기 반도체 기판과 각각 중첩되지 않도록 상기 제1 태양 전지의 상기 반도체 기판과 상기 제2 태양 전지의 상기 반도체 기판 사이에 배치되고,
상기 제1 태양 전지의 상기 절연성 부재와 상기 제2 태양 전지의 상기 절연성 부재는 상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지의 사이에서 서로 이격되어 있는 태양 전지 모듈.
A plurality of first electrodes formed on a back surface of a semiconductor substrate, a plurality of second electrodes formed in parallel with the first electrode on the rear surface of the semiconductor substrate, and formed on a front surface of an insulating member, A first auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes, and a second auxiliary electrode formed on the front surface of the insulating member and connected to the plurality of second electrodes, wherein the semiconductor substrate and the insulating member are each A first solar cell and a second solar cell connected individually to form one integrated individual element; And
Including; an interconnector electrically connecting the first solar cell and the second solar cell to each other,
The thickness of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode is formed larger than the thickness of each of the first electrode and the second electrode,
The first auxiliary electrode of the first solar cell and the second auxiliary electrode of the second solar cell protrude to a region between the semiconductor substrate of the first solar cell and the semiconductor substrate of the second solar cell, and the Includes an area overlapped and connected to the interconnector,
The interconnector includes the semiconductor substrate of the first solar cell and the semiconductor of the second solar cell so as not to overlap with the semiconductor substrate of the first solar cell and the semiconductor substrate of the second solar cell when viewed from the front. Placed between the substrates,
A solar cell module in which the insulating member of the first solar cell and the insulating member of the second solar cell are spaced apart from each other between the first solar cell and the second solar cell.
제1 항에 있어서,
상기 태양 전지 모듈은
상기 인터커넥터에 의해 상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지가 서로 연결되는 셀 스트링의 상기 전면 위에 위치하는 전면 유리 기판;
상기 전면 유리 기판과 상기 셀 스트링 사이에 위치하는 상부 봉지재;
상기 셀 스트링의 상기 후면에 위치하는 하부 봉지재; 및
상기 하부 봉지재의 상기 후면에 위치하는 후면 시트;를 더 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The solar cell module
A front glass substrate positioned on the front surface of a cell string to which the first solar cell and the second solar cell are connected to each other by the interconnector;
An upper encapsulant positioned between the front glass substrate and the cell string;
A lower encapsulant positioned on the rear surface of the cell string; And
The solar cell module further comprising a; a rear sheet positioned on the rear surface of the lower encapsulant.
제1 항에 있어서,
상기 인터커넥터는
상기 제1 태양 전지의 상기 반도체 기판 또는 상기 제2 태양 전지의 상기 반도체 기판과 이격되어 있는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The interconnector is
A solar cell module spaced apart from the semiconductor substrate of the first solar cell or the semiconductor substrate of the second solar cell.
제1 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각의 상기 절연성 부재는 상기 인터커넥터와 서로 중첩되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The insulating member of each of the first solar cell and the second solar cell overlaps the interconnector with each other.
제1 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지의 상기 절연성 부재는 상기 제2 태양 전지의 상기 반도체 기판과 중첩되지 않고,
상기 제2 태양 전지의 상기 절연성 부재는 상기 제1 태양 전지의 상기 반도체 기판과 중첩되지 않는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The insulating member of the first solar cell does not overlap the semiconductor substrate of the second solar cell,
The solar cell module in which the insulating member of the second solar cell does not overlap with the semiconductor substrate of the first solar cell.
제1 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각에서,
상기 절연성 부재의 면적은 상기 반도체 기판의 면적과 동일하거나 크고, 상기 반도체 기판의 면적의 2배 보다 작은 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
In each of the first solar cell and the second solar cell,
The area of the insulating member is equal to or larger than the area of the semiconductor substrate, and smaller than twice the area of the semiconductor substrate.
제1 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각에서,
상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극은 상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지가 나열되는 방향인 제1 방향으로 각각 반대로 연장되고,
상기 제1 보조 전극은 상기 제1 방향으로 연장되는 끝단에 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 뻗어 있는 제1 보조 전극 패드를 더 구비하고,
상기 제2 보조 전극은 상기 제1 방향으로 연장되는 끝단에 상기 제2 방향으로 뻗어 있는 제2 보조 전극 패드를 더 구비하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
In each of the first solar cell and the second solar cell,
The first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode extend oppositely in a first direction, which is a direction in which the first solar cell and the second solar cell are arranged,
The first auxiliary electrode further includes a first auxiliary electrode pad extending in a second direction crossing the first direction at an end extending in the first direction,
The second auxiliary electrode further includes a second auxiliary electrode pad extending in the second direction at an end extending in the first direction.
제7 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각에서,
상기 제2 보조 전극 패드와 상기 제1 보조 전극 패드 각각은 상기 반도체 기판이 중첩되는 제1 영역과, 상기 반도체 기판이 중첩되지 않는 제2 영역을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 7,
In each of the first solar cell and the second solar cell,
Each of the second auxiliary electrode pad and the first auxiliary electrode pad includes a first region where the semiconductor substrate overlaps and a second region where the semiconductor substrate does not overlap.
제7 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지에 포함되는 제1 보조 전극 패드와 상기 제2 태양 전지에 포함되는 제2 보조 전극 패드는 서로 이격되고,
상기 제1 보조 전극 패드와 상기 제2 보조 전극 패드의 간격은 상기 인터커넥터의 폭보다 작은 태양 전지 모듈.
The method of claim 7,
The first auxiliary electrode pad included in the first solar cell and the second auxiliary electrode pad included in the second solar cell are spaced apart from each other,
A solar cell module in which an interval between the first auxiliary electrode pad and the second auxiliary electrode pad is smaller than a width of the interconnector.
제8 항에 있어서,
상기 인터커넥터는
상기 제1 태양 전지의 상기 제1 보조 전극 패드와 상기 제2 태양 전지의 상기 제2 보조 전극 패드를 전기적으로 연결시키거나,
상기 제1 태양 전지의 상기 제2 보조 전극 패드와 상기 제2 태양 전지의 상기 제1 보조 전극 패드를 전기적으로 연결시키는 태양 전지 모듈.
The method of claim 8,
The interconnector is
Electrically connecting the first auxiliary electrode pad of the first solar cell and the second auxiliary electrode pad of the second solar cell, or
A solar cell module electrically connecting the second auxiliary electrode pad of the first solar cell and the first auxiliary electrode pad of the second solar cell.
제10 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각에서,
상기 제1 보조 전극 패드의 제2 영역과 상기 제2 보조 전극 패드의 상기 제2 영역은 상기 인터커넥터와 중첩되어 연결되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 10,
In each of the first solar cell and the second solar cell,
A solar cell module in which the second area of the first auxiliary electrode pad and the second area of the second auxiliary electrode pad are connected by overlapping the interconnector.
제11 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각에서,
상기 인터커넥터와 상기 제1 보조 전극 패드, 또는 상기 인터커넥터와 상기 제2 보조 전극 패드는 제2 도전성 연결재에 의해 전기적으로 연결되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 11,
In each of the first solar cell and the second solar cell,
The solar cell module is electrically connected between the interconnector and the first auxiliary electrode pad, or the interconnector and the second auxiliary electrode pad by a second conductive connector.
제11 항에 있어서,
상기 인터커넥터와 상기 제1 보조 전극 패드, 또는 상기 인터커넥터와 상기 제2 보조 전극 패드는 물리적으로 직접 접촉하여 전기적으로 연결되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 11,
The solar cell module is electrically connected to the interconnector and the first auxiliary electrode pad, or the interconnector and the second auxiliary electrode pad by direct physical contact.
제1 항에 있어서,
상기 인터커넥터의 상기 전면 표면에는 요철이 형성되어 있고, 두께가 균일하지 않은 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
A solar cell module having irregularities formed on the front surface of the interconnector and having a non-uniform thickness.
제1 항에 있어서,
상기 인터커넥터는 두께가 균일하고, 지그재그(zigzag) 형태를 갖는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The interconnector is a solar cell module having a uniform thickness and a zigzag shape.
제7 항에 있어서,
상기 태양 전지 모듈은
상기 하나의 일체형 개별 소자를 형성하는 복수의 태양 전지가 상기 인터커넥터에 의해 제1 방향으로 직렬로 연결되는 각각의 제1 셀 스트링과 제2 셀 스트링을 포함하고,
상기 제1 셀 스트링과 상기 제2 셀 스트링을 제2 방향으로 직렬로 연결시키는 도전성 리본(ribbon);을 더 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 7,
The solar cell module
Each of a plurality of solar cells forming the one integrated individual element includes a first cell string and a second cell string connected in series in a first direction by the interconnector,
The solar cell module further comprising a conductive ribbon connecting the first cell string and the second cell string in series in a second direction.
제16 항에 있어서,
상기 제1 셀 스트링의 마지막 태양 전지의 상기 제1 보조 전극 패드는 상기 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지의 상기 제2 보조 전극 패드와 상기 도전성 리본을 통하여 연결되거나,
상기 제1 셀 스트링의 마지막 태양 전지의 상기 제2 보조 전극 패드는 상기 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지의 상기 제1 보조 전극 패드와 상기 도전성 리본을 통하여 연결되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 16,
The first auxiliary electrode pad of the last solar cell of the first cell string is connected to the second auxiliary electrode pad of the last solar cell of the second cell string through the conductive ribbon, or
The second auxiliary electrode pad of the last solar cell of the first cell string is connected to the first auxiliary electrode pad of the last solar cell of the second cell string through the conductive ribbon.
제17 항에 있어서,
상기 제1 셀 스트링 또는 상기 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에서 상기 제1 보조 전극 패드의 상기 전면 또는 상기 제2 보조 전극 패드의 상기 전면에 상기 리본이 연결되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 17,
A solar cell module in which the ribbon is connected to the front surface of the first auxiliary electrode pad or the front surface of the second auxiliary electrode pad in the last solar cell of the first cell string or the second cell string.
제17 항에 있어서,
상기 제1 셀 스트링 또는 상기 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에서 상기 제1 보조 전극 패드 또는 상기 제2 보조 전극 패드는 상기 절연성 부재의 상기 후면의 일부분까지 덮도록 형성되고,
상기 리본은 상기 절연성 부재의 상기 후면의 일부분에 형성된 상기 제1 보조 전극 패드 또는 상기 제2 보조 전극 패드에 연결되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 17,
In the first cell string or the last solar cell of the second cell string, the first auxiliary electrode pad or the second auxiliary electrode pad is formed to cover a part of the rear surface of the insulating member,
The ribbon is connected to the first auxiliary electrode pad or the second auxiliary electrode pad formed on a portion of the rear surface of the insulating member.
제17 항에 있어서,
상기 제1 셀 스트링 또는 상기 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에서 상기 리본이 연결되는 상기 제1 보조 전극 패드 또는 상기 제2 보조 전극 패드는 상기 절연성 부재의 길이보다 더 긴 부분을 더 포함하고, 상기 더 긴 부분에 상기 리본이 연결되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 17,
The first auxiliary electrode pad or the second auxiliary electrode pad to which the ribbon is connected in the last solar cell of the first cell string or the second cell string further includes a portion longer than the length of the insulating member, and the The solar cell module to which the ribbon is connected to the longer part.
제17 항에 있어서,
상기 제1 셀 스트링 또는 상기 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지는 상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지에서 상기 절연성 부재가 제거된 태양 전지이고,
상기 마지막 태양 전지의 상기 제1 보조 전극 패드 또는 상기 제2 보조 전극 패드의 상기 후면 위에 상기 리본이 연결되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 17,
The last solar cell of the first cell string or the second cell string is a solar cell from which the insulating member is removed from the first solar cell and the second solar cell,
A solar cell module in which the ribbon is connected on the rear surface of the first auxiliary electrode pad or the second auxiliary electrode pad of the last solar cell.
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