KR102327041B1 - Solar cell module - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 복수의 제1 전극과 연결되는 제1 도전성 배선, 복수의 제2 전극과 연결되는 제2 도전성 배선을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지의 제1 도전성 배선과 제2 태양 전지의 제2 도전성 배선을 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고, 인터커넥터가 제1 태양 전지의 제1 도전성 배선에 접속하는 제1 접속 영역의 면적은 인터커넥터가 제2 태양 전지의 제2 도전성 배선에 접속하는 제2 접속 영역의 면적과 다르다.
The present invention relates to a solar cell module.
The solar cell module according to the present invention includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed to be spaced apart from each other on a rear surface of a semiconductor substrate, a first conductive wire connected to the plurality of first electrodes, and a plurality of second electrodes connected to each other a first solar cell and a second solar cell including a second conductive wiring; and an interconnector electrically connecting the first conductive wire of the first solar cell and the second conductive wire of the second solar cell, wherein the interconnector connects to the first conductive wire of the first solar cell. The area of the region is different from the area of the second connection region where the interconnector connects to the second conductive wiring of the second solar cell.

Figure 112021011126042-pat00001
Figure 112021011126042-pat00001

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate and an emitter made of semiconductors of different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter part.

특히, 태양전지의 효율을 높이기 위해 실리콘 기판의 수광면에 전극을 형성하지 않고, 실리콘 기판의 이면 만으로 n 전극 및 p 전극을 형성한 이면 전극 형 태양 전지 셀에 대한 연구 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 이면 전극 형 태양전지 셀을 복수개 연결하여 전기적으로 접속하는 모듈화 기술도 진행되고 있다.In particular, in order to increase the efficiency of the solar cell, research and development on a back-electrode type solar cell in which an n-electrode and a p-electrode are formed only on the back surface of the silicon substrate without forming an electrode on the light-receiving surface of the silicon substrate are being conducted. A modular technology for electrically connecting a plurality of such back-electrode type solar cells is also in progress.

상기 모듈과 기술에는 복수 개의 태양전지 셀을 금속 인터커넥터로 전기적으로 연결하는 방법과, 미리 배선이 형성된 배선기판을 이용해 전기적으로 연결하는 방법이 대표적이다.A method of electrically connecting a plurality of solar cells using a metal interconnector and a method of electrically connecting a plurality of solar cells using a wiring board on which wiring is formed are representative of the module and technology.

본 발명은 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 복수의 제1 전극과 연결되는 제1 도전성 배선, 복수의 제2 전극과 연결되는 제2 도전성 배선을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지의 제1 도전성 배선과 제2 태양 전지의 제2 도전성 배선을 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고, 인터커넥터가 제1 태양 전지의 제1 도전성 배선에 접속하는 제1 접속 영역의 면적은 인터커넥터가 제2 태양 전지의 제2 도전성 배선에 접속하는 제2 접속 영역의 면적과 다르다.The solar cell module according to the present invention includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed to be spaced apart from each other on a rear surface of a semiconductor substrate, a first conductive wire connected to the plurality of first electrodes, and a plurality of second electrodes connected to each other a first solar cell and a second solar cell including a second conductive wiring; and an interconnector electrically connecting the first conductive wire of the first solar cell and the second conductive wire of the second solar cell, wherein the interconnector connects to the first conductive wire of the first solar cell. The area of the region is different from the area of the second connection region where the interconnector connects to the second conductive wiring of the second solar cell.

여기서, 인터커넥터와 제1, 2 태양 전지의 제1, 2 도전성 배선은 서로 중첩되고, 인터커넥터와 제1 도전성 배선이 중첩되는 영역에서 제1 접속 영역은 서로 이격되어 복수 개로 형성되고, 인터커넥터와 제2 도전성 배선이 중첩되는 영역에서 제2 접속 영역은 서로 이격되어 복수 개로 형성될 수 있다. 이때, 복수 개의 제1 접속 영역의 총 면적은 복수 개의 제2 접속 영역의 총 면적과 다를 수 있다.Here, the interconnector and the first and second conductive wirings of the first and second solar cells overlap each other, and in the region where the interconnector and the first conductive wiring overlap, the first connection regions are spaced apart from each other to form a plurality of interconnectors, A plurality of second connection regions may be formed to be spaced apart from each other in a region where the and second conductive wirings overlap. In this case, the total area of the plurality of first connection areas may be different from the total area of the plurality of second connection areas.

또한, 인터커넥터와 제1, 2 태양 전지의 제1, 2 도전성 배선은 도전성 재질의 인터커넥터 접착제에 의해 서로 접속될 수 있는데, 이때에도, 인터커넥터와 제1 도전성 배선이 중첩되는 영역에서 인터커넥터 접착제의 제1 도포 영역의 면적은 인터커넥터와 제2 도전성 배선이 중첩되는 영역에서 인터커넥터 접착제의 제2 도포 영역의 면적과 다를 수 있다.In addition, the interconnector and the first and second conductive wirings of the first and second solar cells may be connected to each other by an interconnector adhesive made of a conductive material. An area of the first application region of the adhesive may be different from an area of the second application region of the interconnect adhesive in a region where the interconnector and the second conductive wiring overlap.

일례로, 인터커넥터와 제1 도전성 배선이 중첩되는 영역에서 제1 도포 영역은 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 이격되어 복수 개로 형성되고, 인터커넥터와 제2 도전성 배선이 중첩되는 영역에서 제2 도포 영역은 제2 방향으로 서로 이격되어 복수 개로 형성될 수 있고, 이때에도, 복수 개의 제1 도포 영역의 총 면적과 복수 개의 제2 도포 영역의 총 면적은 다를 수 있다.For example, in the region where the interconnector and the first conductive wiring overlap, the first application region is formed in plurality and spaced apart from each other in the second direction intersecting the first direction, and in the region where the interconnector and the second conductive wiring overlap A plurality of second application regions may be formed to be spaced apart from each other in the second direction, and even in this case, the total area of the plurality of first application regions may be different from the total area of the plurality of second application regions.

아울러, 인터커넥터는 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 형성되고, 복수 개의 제1 접속 영역 중 어느 하나의 면적은 제2 방향과 나란한 인터커넥터의 중심선을 기준으로 서로 대칭하는 부분에 위치하는 복수 개의 제2 접속 영역 중 어느 하나의 면적과 다를 수 있다.In addition, the interconnector is formed to be elongated in a second direction intersecting the first direction, and an area of any one of the plurality of first connection regions is located in a portion symmetrical to each other with respect to the center line of the interconnector parallel to the second direction. An area of any one of the plurality of second connection areas may be different.

또한, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 도전성 배선 및 제2 태양 전지의 제2 도전성 배선과 중첩되고, 인터커넥터와 제1 도전성 배선 사이의 제1 중첩 면적은 인터커넥터와 제2 도전성 배선 사이의 제2 중첩 면적과 다를 수 있다.Further, the interconnector overlaps the first conductive wiring of the first solar cell and the second conductive wiring of the second solar cell, and the first overlapping area between the interconnector and the first conductive wiring is between the interconnector and the second conductive wiring. may be different from the second overlapping area of .

일례로, 제1 태양 전지와 제2 태양 전지는 인터커넥터 연결에 의해 제1 방향으로 배열되며, 인터커넥터와 제1 도전성 배선이 중첩되는 제1 방향으로의 제1 중첩 폭은 인터커넥터와 제2 도전성 배선 사이에 중첩되는 제1 방향으로의 제2 중첩 폭과 다를 수 있다. 이때, 인터커넥터와 제1 도전성 배선이 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 중첩되는 길이는 인터커넥터와 제2 도전성 배선이 제2 방향으로 중첩하는 길이와 동일할 수 있다.For example, the first solar cell and the second solar cell are arranged in a first direction by interconnector connection, and a first overlapping width in a first direction in which the interconnector and the first conductive wiring overlap is a width of the interconnector and the second solar cell. The width of the second overlap in the first direction overlapped between the conductive lines may be different. In this case, the length at which the interconnector and the first conductive line overlap in the second direction intersecting the first direction may be the same as the length at which the interconnector and the second conductive line overlap in the second direction.

아울러, 제1, 2 태양 전지 각각에서, 제1 도전성 배선은 제1 전극과 연결되는 제1 접속부와 일단이 제1 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제1 패드부를 포함하고, 제2 도전성 배선은 제2 전극과 연결되는 제2 접속부와 일단이 제2 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제2 패드부를 포함할 수 있다.In addition, in each of the first and second solar cells, the first conductive wiring includes a first connection part connected to the first electrode, a first pad part having one end connected to an end of the first connection part, and the other end being connected to an interconnector, , the second conductive wiring may include a second connecting portion connected to the second electrode, and a second pad portion having one end connected to an end of the second connecting portion and the other end connected to an interconnector.

또한, 제1, 2 태양 전지 각각에서, 제1, 2 도전성 배선 각각은 복수 개의 와이어로 형성되고, 제1 태양 전지에 복수 개의 와이어로 구비된 제1 도전성 배선이 인터커넥터에 접속하는 복수 개의 제1 접속 영역의 면적의 합은 제2 태양 전지에 복수 개의 와이어로 구비된 제2 도전성 배선이 인터커넥터에 접속하는 복수 개의 제2 접속 영역의 면적의 합과 다를 수 있다.Further, in each of the first and second solar cells, each of the first and second conductive wirings is formed of a plurality of wires, and the first conductive wirings provided with the plurality of wires in the first solar cell are connected to the interconnector. The sum of the areas of the first connection region may be different from the sum of the areas of the plurality of second connection regions through which the second conductive wiring provided as a plurality of wires in the second solar cell is connected to the interconnector.

이때, 제1, 2 태양 전지 각각에서 인터커넥터에 접속하는 복수 개의 제1 접속 영역 중 적어도 하나의 제1 접속 영역의 접속 위치 또는 접속 면적은 나머지 제1 접속 영역의 접속 위치 또는 접속 면적과 다를 수 있다.In this case, in each of the first and second solar cells, the connection position or connection area of at least one of the plurality of first connection regions connected to the interconnector may be different from the connection position or connection area of the other first connection regions. have.

아울러, 제1, 2 태양 전지 각각에서 인터커넥터에 접속하는 복수 개의 제2 접속 영역 중 적어도 하나의 제1 접속 영역의 접속 위치 또는 접속 면적도 나머지 제2 접속 영역의 접속 위치 또는 접속 면적과 다를 수 있다.In addition, in each of the first and second solar cells, the connection position or connection area of at least one of the plurality of second connection regions connected to the interconnector may be different from the connection position or connection area of the other second connection regions. have.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터가 제1 태양 전지에 접속하는 제1 접속 영역의 면적과 인터커넥터가 제2 태양 전지에 접속하는 제2 접속 영역의 면적을 서로 다르게 함으로써, 인터커넥터가 받을 수 있는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.As described above, in the solar cell module according to the present invention, the area of the first connection area in which the interconnector connects to the first solar cell and the area of the second connection area in which the interconnector connects to the second solar cell are different from each other. It is possible to minimize the thermal expansion stress that can be received.

도 1은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1 실시예에 대한 평면 모습니다.
도 2a는 도 1에 도시된 2-2 라인에 따른 단면의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 2b는 도 1에 도시된 2-2 라인에 따른 단면의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 3은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제2 실시예에 대한 평면 모습이다.
도 4는 도 3에서 4-4 라인에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 6은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이다.
도 7는 도 6에 도시한 태양 전지를 7-7 라인을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 8는 도 6 및 도 7에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 9는 도 8에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이다.
도 10a는 도 9에서 10a-10a 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 10b는 도 9에서 10b-10b 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 10c는 도 9에서 10c-10c 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 11 내지 도 15는 제1, 2 도전성 배선이 복수 개의 와이어로 형성된 태양 전지 모듈에 대해 설명하기 위한 도이다.
1 is a plan view of a first embodiment of a solar cell module according to the present invention.
FIG. 2A is a view for explaining an example of a cross section taken along line 2-2 shown in FIG. 1 .
FIG. 2B is a view for explaining another example of a cross section taken along line 2-2 shown in FIG. 1 .
3 is a plan view of a second embodiment of a solar cell module according to the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 in FIG. 3 .
5 is a view for explaining a third embodiment of the solar cell module according to the present invention.
6 is an example of a partial perspective view of a solar cell according to an example of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating the solar cell shown in FIG. 6 taken along line 7-7.
FIG. 8 is a diagram for explaining an example of electrode patterns of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 to be individually connected in the solar cell described with reference to FIGS. 6 and 7 .
9 is a view for explaining a state in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 shown in FIG. 8 are connected to each other.
FIG. 10A is a cross-sectional view of line 10a-10a in FIG. 9 .
FIG. 10b is a cross-sectional view of line 10b-10b in FIG. 9 .
FIG. 10c is a cross-sectional view of line 10c-10c in FIG. 9 .
11 to 15 are views for explaining a solar cell module in which first and second conductive wirings are formed of a plurality of wires.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in various various forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are given to similar parts throughout the specification.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면 또는 전면 유리 기판의 일면 일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판 및 전면 유리 기판의 일면의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of the semiconductor substrate or the front glass substrate on which direct light is incident, and the rear surface may refer to a semiconductor substrate and a front glass substrate to which direct light is not incident or reflected light other than direct light is incident. may be the opposite side of one side of

이하에서는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈과 그에 적용되는 태양 전지에 대해 설명한다.Hereinafter, a solar cell module according to the present invention and a solar cell applied thereto will be described.

도 1은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1 실시예에 대한 평면 모습이고, 도 2a는 도 1에 도시된 2-2 라인에 따른 단면의 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 2b는 도 1에 도시된 2-2 라인에 따른 단면의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.1 is a plan view of a first embodiment of a solar cell module according to the present invention, FIG. 2A is a diagram for explaining an example of a cross section taken along line 2-2 shown in FIG. 1, FIG. 2B is FIG. It is a diagram for explaining another example of a cross-section taken along line 2-2 shown in FIG.

도 1 내지 도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 제1 태양 전지(CE1), 제2 태양 전지(CE2) 및 인터커넥터(IC)를 포함한다.1 to 2A , an example of a solar cell module according to the present invention includes a first solar cell CE1 , a second solar cell CE2 , and an interconnector IC.

여기의 도 1 내지 도 2a에서는 인터커넥터(IC)와 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 사이의 중첩 면적이 동일한 상태에서 접속 면적이 서로 다른 경우를 일례로 설명한다.1 to 2A , a case in which the connection areas are different from each other in a state where the overlapping areas between the interconnector IC and the first and second solar cells CE1 and CE2 are the same will be described as an example.

여기서, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각은 반도체 기판(110), 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142), 복수의 제1 전극(C141)과 연결되는 제1 도전성 배선(P141), 복수의 제2 전극(C142)과 연결되는 제2 도전성 배선(P142)을 포함하고, 아울러, 도 1 내지 도 2b에는 도시되지 않았지만, 도 6 이하에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)의 후면에는 절연성 부재(미도시)가 더 포함될 수도 있다.Here, each of the first and second solar cells CE1 and CE2 includes a semiconductor substrate 110 and a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C142 formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate 110 , respectively. ), a first conductive wire P141 connected to the plurality of first electrodes C141, and a second conductive wire P142 connected to the plurality of second electrodes C142, and in addition, FIGS. 1 to 2B . Although not shown in FIG. 6 , an insulating member (not shown) may be further included on the rear surfaces of the first and second conductive wirings P141 and P142 as shown in FIG. 6 or less.

이와 같은 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각에 적용되는 태양 전지에 대해서는 도 6 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.A solar cell applied to each of the first and second solar cells CE1 and CE2 will be described in more detail below with reference to FIG. 6 .

이와 같은 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)는 인터커넥터(IC)에 의해 제1 방향(x)으로 직렬 연결되어 배열될 수 있다.The first and second solar cells CE1 and CE2 may be arranged in series connected in the first direction x by the interconnector IC.

여기서, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)를 서로 전기적으로 직렬 연결하는 기능을 하며, 일례로, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 도전성 배선(P141)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 도전성 배선(P142)을 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 그러나, 이와 반대로, 제1 태양 전지(CE1)의 제2 도전성 배선(P142)과 제2 태양 전지(CE2)의 제1 도전성 배선(P141)을 서로 전기적으로 연결할 수도 있다.Here, the interconnector IC functions to electrically connect the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 in series to each other, and for example, as shown in FIG. 1 , the first solar cell ( The first conductive line P141 of CE1 and the second conductive line P142 of the second solar cell CE2 may be electrically connected to each other. However, on the contrary, the second conductive wiring P142 of the first solar cell CE1 and the first conductive wiring P141 of the second solar cell CE2 may be electrically connected to each other.

이와 같은 인터커넥터(IC)는 도전성 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 일례로, 구리(Cu)를 포함하여 형성될 수 있고, 구리(Cu)의 산화 방지를 위해 표면에는 주석(Sn)으로 형성되는 산화 방지층이 형성될 수 있다.Such an interconnector (IC) may include a conductive material, for example, may include copper (Cu), and may be formed of tin (Sn) on the surface to prevent oxidation of copper (Cu). An anti-oxidation layer may be formed.

여기서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서는 도 2a에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1)의 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 태양 전지(CE2)의 제2 도전성 배선(P142)에 별도의 인터커넥터 접착제(ICA) 없이 직접 접속될 수 있다. Here, in the solar cell module according to the present invention, as shown in FIG. 2A , the interconnector IC includes the first conductive line P141 of the first solar cell CE1 and the second conductive line P141 of the second solar cell CE2 . It may be directly connected to the conductive wiring P142 without a separate interconnector adhesive ICA.

*일례로, 인터커넥터(IC)는 레이저나 인덕션과 같은 국부적 선택적 열처리 방법 또는 초음파 접합 공법(sonic welding)과 같은 방법을 통하여 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)에 직접 접속될 수 있다.*For example, the interconnector (IC) can be directly connected to the first and second solar cells CE1 and CE2 through a local selective heat treatment method such as laser or induction, or a method such as sonic welding.

이때, 도 1에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1)의 제1 도전성 배선(P141)에 접속되는 영역을 제1 접속 영역(CS1), 인터커넥터(IC)가 제2 태양 전지(CE2)의 제2 도전성 배선(P142)에 접속되는 영역을 제2 접속 영역(CS2)이라고 하면, 본 발명에서는 제1 접속 영역(CS1)의 면적이 제2 접속 영역(CS2)의 면적과 다를 수 있다.At this time, as shown in FIG. 1 , a region in which the interconnector IC is connected to the first conductive wiring P141 of the first solar cell CE1 is connected to the first connection region CS1 and the interconnector IC is If the region connected to the second conductive line P142 of the second solar cell CE2 is referred to as a second connection region CS2 , in the present invention, the area of the first connection region CS1 is the second connection region CS2 . may be different from the area of

보다 구체적으로 설명하면, 도 1에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)는 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)의 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각과 중첩될 수 있다. 일례로, 인터커넥터(IC)와 제1 태양 전지(CE1)의 제1 도전성 배선(P141)과 제1 방향(x)으로 중첩되는 제1 중첩 폭(OS1)은 인터커넥터(IC)와 제2 태양 전지(CE2)의 제2 도전성 배선(P142)과 제1 방향(x)으로 중첩되는 제2 중첩 폭(OS2)과 동일할 수 있다. 그러나, 도시된 바와 다르게 중첩 폭이 서로 다른 것도 가능하다.More specifically, as shown in FIG. 1 , the interconnector IC may overlap each of the first and second conductive wires P141 and P142 of the first and second solar cells CE1 and CE2 . For example, the first overlapping width OS1 overlapping the interconnector IC and the first conductive line P141 of the first solar cell CE1 in the first direction x is the interconnector IC and the second conductive line P141 . It may be the same as the second overlapping width OS2 overlapping the second conductive line P142 of the solar cell CE2 in the first direction (x). However, it is also possible that the overlapping widths are different from each other as shown.

이때, 인터커넥터(IC)와 제1 도전성 배선(P141)이 서로 중첩되는 영역에서 제1 접속 영역(CS1)은 제2 방향(y)으로 서로 이격되어 복수 개(CS1a, CS1b, CS1c)로 형성될 수 있고, 인터커넥터(IC)와 제2 도전성 배선(P142)이 서로 중첩되는 영역에서 제2 접속 영역(CS2)도 제2 방향(y)으로 서로 이격되어 복수 개(CS2a, CS2b, CS2c)로 형성될 수 있다. At this time, in the region where the interconnector IC and the first conductive wiring P141 overlap each other, the first connection region CS1 is spaced apart from each other in the second direction y to form a plurality of CS1a, CS1b, and CS1c. In the region where the interconnector IC and the second conductive wiring P142 overlap each other, the second connection region CS2 is also spaced apart from each other in the second direction y to a plurality of CS2a, CS2b, and CS2c. can be formed with

이와 같이 인터커넥터(IC)와 제1 태양 전지(CE1) 사이에 형성된 복수 개의 제1 접속 영역(CS1)에서 인터커넥터(IC)에 가해지는 열팽창 스트레스를 보다 완화하기 위하여, CS1a 접속 영역의 면적은 바로 인접한 CS1b 접속 영역의 면적과 다를 수 있으며, CS1b 접속 영역의 면적은 바로 인접한 CS1c 접속 영역의 면적과 다를 수 있다.In order to further relieve the thermal expansion stress applied to the interconnector IC in the plurality of first connection regions CS1 formed between the interconnector IC and the first solar cell CE1 as described above, the area of the CS1a connection region is The area of the immediately adjacent CS1b connection region may be different, and the area of the CS1b connection region may be different from the area of the immediately adjacent CS1c connection region.

아울러, 인터커넥터(IC)와 제2 태양 전지(CE2) 사이에 형성된 복수 개의 제2 접속 영역(CS2)에서도, 서로 바로 인접한 CS2a 접속 영역과 CS2b 접속 영역의 면적은 서로 다를 수 있으며, 아울러, 서로 바로 인접한 CS2b 접속 영역의 면적과 CS2c 접속 영역의 면적은 서로 다를 수 있다.In addition, even in the plurality of second connection regions CS2 formed between the interconnector IC and the second solar cell CE2 , the areas of the CS2a connection region and the CS2b connection region immediately adjacent to each other may be different from each other. The area of the immediately adjacent CS2b connection region and the area of the CS2c connection region may be different from each other.

아울러, 복수 개의 제1 접속 영역(CS1)의 총 면적도 복수 개의 제2 접속 영역(CS2)의 총 면적과 다를 수 있다.In addition, the total area of the plurality of first connection areas CS1 may be different from the total area of the plurality of second connection areas CS2 .

아울러, 이때, 인터커넥터(IC)는 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있고, 복수 개의 제1 접속 영역(CS1) 중 어느 하나(일례로, CS1a)의 면적은 제2 방향(y)과 나란한 인터커넥터(IC)의 중심선을 기준으로 서로 대칭하는 부분에 위치하는 복수 개의 제2 접속 영역(CS2) 중 어느 하나(일례로, CS2a)의 면적과 다를 수 있다.In addition, at this time, the interconnector IC may be elongated in the second direction y intersecting the first direction x, and any one of the plurality of first connection areas CS1 (eg, CS1a) The area of is different from the area of any one (eg, CS2a) of the plurality of second connection regions CS2 positioned at portions symmetrical to each other with respect to the center line of the interconnector IC parallel to the second direction y can

따라서, 도 2a에 도시된 바와 같이, CS1a 접속 영역의 제1 방향(x)으로의 폭(WCS1a)은 CS2a 접속 영역의 제1 방향(x)으로의 폭(WCS2a)과 다를 수 있다. 일례로, CS1a 접속 영역의 폭(WCS1a)은 CS2a 접속 영역의 폭(WCS2a)보다 클 수 있다.Accordingly, as illustrated in FIG. 2A , the width WCS1a of the CS1a connection region in the first direction (x) may be different from the width WCS2a of the CS2a connection region in the first direction (x). For example, the width WCS1a of the CS1a connection region may be greater than the width WCS2a of the CS2a connection region.

도 2a에서는 인터커넥터(IC)가 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)의 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 직접 접속되는 경우를 일례로 설명하였였으나, 이와 다르게, 인터커넥터(IC)는 도 2b에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)와 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)의 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 도전성 재질의 인터커넥터 접착제(ICA)에 의해 서로 접속될 수 있다.In FIG. 2A, a case in which the interconnector IC is directly connected to the first and second conductive wirings P141 and P142 of the first and second solar cells CE1 and CE2 has been described as an example. IC) is, as shown in FIG. 2B, the interconnector IC and the first and second conductive wires P141 and P142 of the first and second solar cells CE1 and CE2 are electrically conductive material interconnector adhesive (ICA) can be connected to each other by

이와 같은 경우, 인터커넥터 접착제(ICA)는 솔더 패이스트(solder paste), 절연성 수지 내에 금속 입자가 포함되는 도전성 패이스트(conductive paste) 또는 도전성 필름(conductive film) 등이 이용될 수 있다. 이 밖에도, carbon nano tube(CNT), carbon을 포함하는 전도성 particle, wire, needle등이 사용될 수 있다.In this case, the interconnect adhesive ICA may be a solder paste, a conductive paste including metal particles in an insulating resin, a conductive film, or the like. In addition, carbon nano tube (CNT), conductive particles containing carbon, wire, needle, etc. may be used.

이와 같은 경우에도, 인터커넥터(IC)와 제1 도전성 배선(P141)이 중첩되는 영역(OS1)에서 인터커넥터 접착제(ICA)의 제1 도포 영역(CS1)의 면적은 인터커넥터(IC)와 제2 도전성 배선(P142)이 중첩되는 영역(OS2)에서 인터커넥터 접착제(ICA)의 제2 도포 영역(CS2)의 면적과 다를 수 있다. Even in this case, in the region OS1 where the interconnector IC and the first conductive wiring P141 overlap, the area of the first application region CS1 of the interconnector adhesive ICA is equal to that of the interconnector IC and the second conductive wiring P141. The area OS2 where the two conductive wirings P142 overlap may be different from the area of the second application area CS2 of the interconnector adhesive ICA.

따라서, 인터커넥터 접착제(ICA)를 통하여 인터커넥터(IC)가 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)의 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 접속된 경우에도 제1, 2 접속 영역(CS1, CS2)은 도 1과 동일할 수 있다.Therefore, even when the interconnector IC is connected to the first and second conductive wires P141 and P142 of the first and second solar cells CE1 and CE2 through the interconnect adhesive ICA, the first and second connection regions (CS1, CS2) may be the same as in FIG. 1 .

따라서, 인터커넥터(IC)와 제1 도전성 배선(P141)이 중첩되는 영역(OS1)에서 제1 도포 영역(CS1)은 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 서로 이격되어 복수 개로 형성되고, 인터커넥터(IC)와 제2 도전성 배선(P142)이 중첩되는 영역(OS2)에서 제2 도포 영역(CS1)은 제2 방향(y)으로 서로 이격되어 복수 개로 형성될 수 있으며, 이와 같은 경우에도, 복수 개의 제1 도포 영역(CS1)의 총 면적과 복수 개의 제2 도포 영역(CS1)의 총 면적은 다를 수 있다.Accordingly, in the region OS1 where the interconnector IC and the first conductive wiring P141 overlap, the first application region CS1 is spaced apart from each other in the second direction y intersecting the first direction x. In the region OS2 where the interconnector IC and the second conductive wiring P142 overlap each other, the second application region CS1 may be formed in plurality and spaced apart from each other in the second direction y. , even in this case, the total area of the plurality of first application areas CS1 may be different from the total area of the plurality of second application areas CS1 .

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 제1 접속 영역(CS1)과 제2 접속 영역(CS2)의 면적이 서로 다르게 형성되도록 하되, 제1, 2 접속 영역(CS1, CS2)이 복수 개로 서로 이격되어 분산되어 형성되도록 함으로써, 인터커넥터(IC)가 각 태양 전지에 접속될 때에, 인터커넥터(IC)에 가해지는 열팽창 스트레스를 보다 완화할 수 있다.As described above, in the solar cell module according to the present invention, the first and second connection regions CS1 and CS2 are formed to have different areas from each other, and the first and second connection regions CS1 and CS2 have a plurality of each other. By being spaced apart and dispersed, the thermal expansion stress applied to the interconnector IC when the interconnector IC is connected to each solar cell can be further alleviated.

아울러, 도 1에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)의 제2 방향(y)으로 배치된 복수 개의 제1, 2 접속 영역(CS1, CS2) 각각의 면적이 서로 다르게 형성되도록 함으로써, 인터커넥터(IC)에 가해지는 열팽창 스트레스를 더욱더 완화할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 1 , each of the plurality of first and second connection regions CS1 and CS2 arranged in the second direction y of the interconnector IC is formed to have different areas, so that the interconnector IC is formed differently. The thermal expansion stress applied to (IC) can be further alleviated.

아울러, 제1 접속 영역(CS1)과 제2 접속 영역(CS2)의 면적을 서로 동일하게 하기 위하여 얼라인할 필요가 없으므로, 설계 자유도를 보다 향상시키고, 인터커넥터(IC) 접속 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.In addition, since it is not necessary to align the areas of the first connection region CS1 and the second connection region CS2 to be equal to each other, the degree of design freedom is further improved and the interconnector (IC) connection process is made easier. can do.

도 1에서는 인터커넥터(IC)와 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과의 중첩 폭이 서로 동일한 경우를 일례로 설명하였으나, 여기서 중첩 폭이 반드시 동일할 필요는 없다.In FIG. 1 , the case where the overlapping widths of the interconnector IC and the first and second conductive wirings P141 and P142 are the same has been described as an example, but the overlapping widths are not necessarily the same.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.3 and 4 are diagrams for explaining a second embodiment of the solar cell module according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제2 실시예에 대한 평면 모습이고, 도 4는 도 3에서 4-4 라인에 따른 단면도이다. 이하의 도 3 및 도 4에서는 도 1 내지 도 2b에서 전술한 내용과 다른 부분에 대해서 설명한다.3 is a plan view of a second embodiment of a solar cell module according to the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 in FIG. 3 . Hereinafter, parts different from those described with reference to FIGS. 1 to 2B will be described with reference to FIGS. 3 and 4 .

여기의 도 3 내지 도 4에서는 인터커넥터(IC)와 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 사이의 중첩 면적이 서로 다른 상태에서 접속 면적이 서로 다른 경우를 일례로 설명한다.Here, in FIGS. 3 to 4 , a case in which the connection areas are different from each other in a state where the overlapping areas between the interconnector IC and the first and second solar cells CE1 and CE2 are different from each other will be described as an example.

도 3에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)와 제1 도전성 배선(P141) 사이의 제1 중첩 면적(OS1)은 인터커넥터(IC)와 제2 도전성 배선(P142) 사이의 제2 중첩 면적(OS2)과 다를 수 있다.As shown in FIG. 3 , the first overlapping area OS1 between the interconnector IC and the first conductive line P141 is a second overlapping area between the interconnector IC and the second conductive line P142 . (OS2) may be different.

예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)와 제1 도전성 배선(P141) 사이의 제1 중첩 면적(OS1)이 인터커넥터(IC)와 제2 도전성 배선(P142) 사이의 제2 중첩 면적(OS2)보다 클 수 있다. For example, as shown in FIG. 3 , the first overlapping area OS1 between the interconnector IC and the first conductive wiring P141 is formed between the interconnector IC and the second conductive wiring P142. It may be larger than the second overlapping area OS2 .

일례로, 인터커넥터(IC)와 제1 도전성 배선(P141) 사이의 제2 방향(y)으로의 중첩 길이와 인터커넥터(IC)와 제2 도전성 배선(P142) 사이의 제2 방향(y)으로의 중첩 길이는 서로 동일할 수 있으나, 도 4에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)와 제1 도전성 배선(P141) 사이의 제1 방향(x)으로의 제1 중첩 폭(OS1)은 인터커넥터(IC)와 제2 도전성 배선(P142) 사이의 제1 방향(x)으로의 제2 중첩 폭(OS2)과 다르고, 일례로, 제1 중첩 폭(OS1)이 제2 중첩 폭(OS2)보다 클 수 있다.For example, the overlapping length in the second direction (y) between the interconnector IC and the first conductive line P141 and the second direction (y) between the interconnector IC and the second conductive line P142 The overlapping lengths may be the same, but as shown in FIG. 4 , the first overlapping width OS1 in the first direction (x) between the interconnector IC and the first conductive wiring P141 is Different from the second overlapping width OS2 in the first direction x between the interconnector IC and the second conductive wiring P142, for example, the first overlapping width OS1 is the second overlapping width OS2 ) can be greater than

일례로, 제1 중첩 폭(OS1) 또는 제2 중첩 폭(OS2)은 0.5mm ~ 3mm 사이의 범위에서 형성될 수 있으나, 이와 같은 범위 내에서 제1 중첩 폭(OS1)과 제2 중첩 폭(OS2)이 서로 다르게 형성될 수 있다. For example, the first overlapping width OS1 or the second overlapping width OS2 may be formed in a range of 0.5 mm to 3 mm, but within this range, the first overlapping width OS1 and the second overlapping width (OS1) OS2) may be formed differently.

아울러, 여기서, 인터커넥터(IC)와 제1 태양 전지(CE1)에 포함된 반도체 기판(110) 사이의 제1 이격 간격(DCI1)도 인터커넥터(IC)와 제2 태양 전지(CE2)에 포함된 반도체 기판(110) 사이의 제2 이격 간격(DCI2)과 다를 수 있다.In addition, here, the first spacing DCI1 between the interconnector IC and the semiconductor substrate 110 included in the first solar cell CE1 is also included in the interconnector IC and the second solar cell CE2 . It may be different from the second separation distance DCI2 between the semiconductor substrates 110 .

또한, 인터커넥터(IC)와 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)는 서로 중첩되는 전체 영역에서 인터커넥터 접착제(ICA)에 의해 서로 접속될 수 있다. 따라서, 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1) 사이에 접속하는 제1 접속 영역(CS1)의 면적은 제1 중첩 면적(OS1)과 동일할 수 있으며, 인터커넥터(IC)가 제2 태양 전지(CE2) 사이에 접속하는 제2 접속 영역(CS2)의 면적은 제2 중첩 면적(OS2)과 동일할 수 있다. 이에 따라, 제1 접속 영역(CS1)의 면적과 제2 접속 영역(CS2)의 면적도 다를 수 있다.In addition, the interconnector IC and the first and second solar cells CE1 and CE2 may be connected to each other by the interconnect adhesive ICA in the entire area overlapping each other. Accordingly, the area of the first connection region CS1 that the interconnector IC connects between the first solar cells CE1 may be the same as the first overlapping area OS1, and the interconnector IC connects the second solar cell CE1 to each other. An area of the second connection region CS2 connected between the solar cells CE2 may be the same as the second overlapping area OS2 . Accordingly, the area of the first connection area CS1 and the area of the second connection area CS2 may also be different.

이와 같이, 제1 중첩 면적(OS1)과 제2 중첩 면적(OS2)이 다른 상태에서, 도 1 내지 도 2b와 같이, 제1, 2 접속 영역(CS1, CS2) 각각이 복수 개로 형성될 수 있다. 이에 대해 도 5를 통하여 설명하면, 다음과 같다.As described above, in a state where the first overlapping area OS1 and the second overlapping area OS2 are different from each other, a plurality of first and second connection areas CS1 and CS2 may be respectively formed as shown in FIGS. 1 to 2B . . This will be described with reference to FIG. 5 as follows.

도 5는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.5 is a view for explaining a third embodiment of the solar cell module according to the present invention.

여기의 도 5에서는 인터커넥터(IC)와 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 사이의 중첩 면적이 서로 다른 상태에서 접속 면적이 복수 개로 형성된 경우에 대해 설명한다.In FIG. 5 , a case in which a plurality of connection areas are formed in a state where overlapping areas between the interconnector IC and the first and second solar cells CE1 and CE2 are different from each other will be described.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제3 실시예는 인터커넥터(IC)와 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 사이의 제1, 2 중첩 면적(OS1, OS2)이 서로 다른 상태에서 제1, 2 접속 영역(CS1, CS2) 각각이 복수 개로 형성될 수 있으며, 여기서, 복수 개의 제1 접속 영역(CS1)의 총 면적은 복수 개의 제2 접속 영역(CS2)의 총 면적과 다를 수 있다.As shown in FIG. 5 , in the third embodiment according to the present invention, the first and second overlapping areas OS1 and OS2 between the interconnector IC and the first and second solar cells CE1 and CE2 are different from each other. In this state, each of the first and second connection regions CS1 and CS2 may be formed in plurality, wherein the total area of the plurality of first connection regions CS1 is equal to the total area of the plurality of second connection regions CS2 and can be different.

아울러, 여기서, 제1 중첩 영역(OS1)에서 복수 개의 제1 접속 영역(CS1) 각각의 면적은 제2 중첩 영역(OS2)에서 복수 개의 제2 접속 영역(CS2) 각각의 면적보다 클 수 있다.In addition, an area of each of the plurality of first connection areas CS1 in the first overlapping area OS1 may be larger than an area of each of the plurality of second connection areas CS2 in the second overlapping area OS2 .

이하에서는 이와 같은 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례에 대해 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, an example of a solar cell applied to such a solar cell module will be described in more detail.

도 6 및 도 7는 도 1 내지 도 5에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.6 and 7 are diagrams for explaining an example of a solar cell applied to the solar cell module shown in FIGS. 1 to 5 .

도 6은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 7는 도 6에 도시한 태양 전지를 7-7 라인을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 8는 도 6 및 도 7에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다. 6 is an example of a partial perspective view of a solar cell according to an example of the present invention, FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the solar cell shown in FIG. 6 taken along line 7-7, and FIG. 8 is an example in FIGS. 6 and 7 . It is a diagram for explaining an example of electrode patterns of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 to be individually connected in the solar cell described above.

여기서, 도 8의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 8의 (b)는 도 8의 (a)에서 8(b)-8(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 8의 (c)는 절연성 부재(200)의 전면에 배치되는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 8의 (d)는 도 8의 (c)에서 8(d)-8(d) 라인에 따른 단면도이다.Here, FIG. 8A is a diagram for explaining an example of a pattern of the first electrode C141 and the second electrode C142 disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 , and FIG. 8B is FIG. 8 . A cross-sectional view taken along line 8(b)-8(b) in (a), (c) of FIG. 8 is a first conductive wire P141 and a second conductive wire (P141) disposed on the front surface of the insulating member 200 ( P142), and FIG. 8(d) is a cross-sectional view taken along line 8(d)-8(d) in FIG. 8(c).

도 6 및 도 7를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141), 복수의 제2 전극(C142), 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142) 및 절연성 부재(200)를 포함할 수 있다.6 and 7, an example of the solar cell according to the present invention includes a semiconductor substrate 110, an anti-reflection film 130, an emitter unit 121, a back surface field (BSF, 172), It may include a plurality of first electrodes C141 , a plurality of second electrodes C142 , a first conductive line P141 and a second conductive line P142 , and the insulating member 200 .

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으며, 아울러, 반사 방지막(130)과 빛이 입사되는 반도체 기판(110) 사이에 위치하며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부인 전면 전계부(미도시)를 더 구비하는 것도 가능하다.Here, the anti-reflection film 130 and the rear electric field unit 172 may be omitted, and are located between the anti-reflection film 130 and the semiconductor substrate 110 on which light is incident, and have the same conductivity as the semiconductor substrate 110 . It is also possible to further include a front electric field part (not shown) that is an impurity part in which the type of impurity is contained at a higher concentration than that of the semiconductor substrate 110 .

이하에서는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Hereinafter, as shown in FIGS. 6 and 7 , the case in which the anti-reflection film 130 and the rear electric field unit 172 are included will be described as an example.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 벌크형 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The semiconductor substrate 110 may be a bulk-type semiconductor substrate 110 made of silicon of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity type. The semiconductor substrate 110 may be formed by doping a wafer formed of a silicon material with impurities of the first conductivity type.

이러한 반도체 기판(110)의 상부 표면은 텍스처링되어 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가질 수 있다. 반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면 상부에 위치하며, 한층 또는 복수 층으로 이루어질 수 있으며, 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H) 등으로 이루어질 수 있다. 아울러, 추가적으로 반도체 기판(110)의 전면에 전면 전계부 등이 더 형성되는 것도 가능하다. The upper surface of the semiconductor substrate 110 may be textured to have a textured surface that is an uneven surface. The anti-reflection film 130 is positioned on the incident surface of the semiconductor substrate 110 , and may be formed of one or more layers, and may be formed of a hydrogenated silicon nitride film (SiNx:H) or the like. In addition, it is also possible to further form a front electric field unit on the front surface of the semiconductor substrate 110 .

에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.The emitter parts 121 are spaced apart from each other in the rear surface of the semiconductor substrate 110 facing the front surface, and extend in a direction parallel to each other. There may be a plurality of emitter units 121 , and the plurality of emitter units 121 may have a second conductivity type opposite to the conductivity type of the semiconductor substrate 110 .

이와 같은 복수의 에미터부(121)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입인 p형의 불순물이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.The plurality of emitter portions 121 may be formed by containing p-type impurities of a second conductivity type opposite to that of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 at a high concentration through a diffusion process.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 6 및 도 7에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치한다.A plurality of rear electric field units 172 may be located inside the rear surface of the semiconductor substrate 110 , are spaced apart from the plurality of emitter units 121 in a parallel direction, and are formed in the same direction as the plurality of emitter units 121 . stretched out to Accordingly, as shown in FIGS. 6 and 7 , the plurality of emitter units 121 and the plurality of rear electric field units 172 are alternately positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 110 .

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. 이와 같은 복수의 후면 전계부(172)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물(n++)이 확산 또는 증착 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다. The plurality of rear electric field units 172 include impurities of the same conductivity type as that of the semiconductor substrate 110 at a higher concentration than that of the semiconductor substrate 110 , for example, n++ units. The plurality of rear electric field units 172 may be formed by containing impurities (n++) of the same conductivity type as that of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 in a high concentration through a diffusion or deposition process.

복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 서로 이격되어 연장된다. 따라서, 에미터부(121)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 에미터부(121)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.The plurality of first electrodes C141 are physically and electrically connected to the emitter part 121 , respectively, and extend apart from each other along the emitter part 121 . Accordingly, when the emitter part 121 extends in the first direction (x), the first electrode C141 may also extend in the first direction (x), and the emitter part 121 moves in the second direction (y). , the first electrode C141 may also extend in the second direction y.

또한, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 연장된다. In addition, the plurality of second electrodes C142 are physically and electrically connected to the semiconductor substrate 110 through the rear electric field unit 172 , respectively, and extend along the plurality of rear electric field units 172 .

따라서, 후면 전계부(172)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 후면 전계부(172)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.Accordingly, when the rear electric field unit 172 extends in the first direction (x), the second electrode C142 may also extend in the first direction (x), and the rear electric field unit 172 extends in the second direction (x). When extending in y), the second electrode C142 may also extend in the second direction y.

여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리되어 있다.Here, on the rear surface of the semiconductor substrate 110 , the first electrode C141 and the second electrode C142 are physically separated from each other and electrically isolated from each other.

따라서, 에미터부(121) 상에 형성된 제1 전극(C141)은 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(172) 상에 형성된 제2 전극(C142)은 해당 후면 전계부(172)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다. Accordingly, the first electrode C141 formed on the emitter portion 121 collects charges, for example, holes, which have moved toward the emitter portion 121, and the second electrode (C141) formed on the rear electric field portion 172 C142) may collect electric charges, for example, electrons that have moved toward the corresponding rear electric field unit 172 .

제1 도전성 배선(P141)은 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 연결되며, 제1 패드부(PP141)는 도 8에 도시된 바와 같이, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. The first conductive wiring P141 includes a first connection part PC141 and a first pad part PP141 as shown in FIG. 8 , and as shown in FIGS. 6 and 7 , the first connection part PC141 ) is connected to the plurality of first electrodes C141, and as shown in FIG. 8 , the first pad part PP141 has one end connected to the end of the first connecting part PC141 and the other end connected to the interconnector IC ) can be connected with

이와 같은 제1 접속부(PC141)는 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제1 전극(C141)에 접속될 수도 있고, 이와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제1 전극(C141)이 접속될 수도 있다. Such a first connection part PC141 may be formed in plurality and each may be connected to a plurality of first electrodes C141. Alternatively, it may be formed as a single barrel electrode, and a plurality of first electrodes ( C141) may be connected.

아울러, 제1 접속부(PC141)가 복수 개로 형성된 경우, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 이와 같은 제1 접속부(PC141)는 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. In addition, when a plurality of first connecting portions PC141 are formed, the first connecting portions PC141 may be formed in the same direction as the plurality of first electrodes C141 or may be formed in a cross direction. In this case, the first connection part PC141 may be electrically connected to each other at a portion overlapping the first electrode C141 .

제2 도전성 배선(P142)은 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함할 수 있다. 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 연결되며, 제2 패드부(PP142)는 도 8에 도시된 바와 같이, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. As shown in FIG. 8 , the second conductive line P142 may include a second connection part PC142 and a second pad part PP142. As shown in FIGS. 6 and 7 , the second connection part PC142 is connected to the plurality of second electrodes C142 , and as shown in FIG. 8 , the second pad part PP142 has one end of the second It is connected to one end of the connection unit PC142, and the other end may be connected to the interconnector IC.

이와 같은 제2 접속부(PC142)도 도시된 바와 같이, 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제2 전극(C142)에 접속될 수도 있고, 도시된 바와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제2 전극(C142)이 접속될 수도 있다.As shown, the second connection part PC142 may also be formed in plurality and may be connected to a plurality of second electrodes C142, respectively, as shown in the figure. A plurality of second electrodes C142 may be connected to the .

여기서, 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성된 경우, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 제2 접속부(PC142)는 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. Here, when a plurality of second connection units PC142 is formed, the second connection units PC142 may be formed in the same direction as the plurality of second electrodes C142 or may be formed in an intersecting direction. In this case, the second connection part PC142 may be electrically connected to each other at a portion overlapping the second electrode C142 .

이와 같은 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The material of the first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142 may include at least one of Cu, Au, Ag, and Al.

아울러, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(P141)은 도전성 재질의 전극 접착제(ECA)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 도전성 배선(P142)은 도전성 재질의 전극 접착제(ECA)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 7 , the first conductive wire P141 may be electrically connected to the first electrode C141 through an electrode adhesive ECA made of a conductive material, and the second conductive wire P142 is conductive. It may be electrically connected to the second electrode C142 through an electrode adhesive ECA of a material.

이와 같은 전극 접착제(ECA)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 낮은 온도인 140℃ ~ 180℃에서 녹는점이 형성되는 도전성 물질이 더 바람직하다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 녹는점은 달라질 수도 있다.The material of the electrode adhesive (ECA) is not particularly limited as long as it is a conductive material, but a conductive material whose melting point is formed at a relatively low temperature of 140° C. to 180° C. is more preferable. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the melting point may vary.

일례로, 전극 접착제(ECA)는 도전성 금속 입자가 절연성 수지 내에 포함되는 도전성 패이스트(conductive paste)가 이용될 수 있고, 이 외에도 솔더 페이스트 또는 도전성 접착 필름(conductive adhesive film)과 같은 도전성 재질이 등이 이용될 수 있다. For example, as the electrode adhesive (ECA), a conductive paste in which conductive metal particles are included in an insulating resin may be used, and in addition, a conductive material such as a solder paste or a conductive adhesive film may be used. This can be used.

또한, 전술한 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142) 사이에는 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시(epoxy)와 같은 절연성 수지가 포함될 수 있다.In addition, an insulating layer IL for preventing a short circuit may be disposed between the above-described first electrode C141 and the second electrode C142 and between the first conductive line P141 and the second conductive line P142 . . The insulating layer IL may include an insulating resin such as epoxy.

아울러, 도 6 및 도 7에서는 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141)의 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩되고, 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142)의 제2 접속부(PC142)가 중첩되는 경우만 도시하고 있으나, 이와 다르게 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142)가 서로 중첩될 수 있고, 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142) 사이 및 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141) 사이에도 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다.In addition, in FIGS. 6 and 7 , the first connection part PC141 of the first electrode C141 and the first conductive wire P141 overlaps each other, and the second electrode C142 and the second conductive wire P142 are connected to each other. Although only the case where the two connecting portions PC142 overlap each other is illustrated, the first electrode C141 and the second connecting portion PC142 may overlap each other, and the second electrode C142 and the first connecting portion PC141 are different. They may overlap each other. In this case, the insulating layer IL for preventing a short circuit may be positioned between the first electrode C141 and the second connection part PC142 and also between the second electrode C142 and the first connection part PC141 .

절연성 부재(200)는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)의 후면에 배치될 수 있다. The insulating member 200 may be disposed on rear surfaces of the first conductive line P141 and the second conductive line P142 .

이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The material of the insulating member 200 is not particularly limited as long as it is an insulating material, but may preferably have a relatively high melting point. For example, polyimide, epoxy-glass, polyester, BT (bismaleimide triazine) that is heat-resistant to high temperatures. It may be formed by including at least one material among resins.

이와 같은 절연성 부재(200)는 유연한(flexible) 필름 형태로 형성되거나 유연하지 않고 단단한 플레이트(plate) 형태로 형성될 수 있다.Such an insulating member 200 may be formed in the form of a flexible film or in the form of a rigid plate without being flexible.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지는 절연성 부재(200)의 전면에 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)이 미리 형성되고, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)이 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다. In the solar cell according to the present invention, the first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142 are previously formed on the front surface of the insulating member 200 , and a plurality of first electrodes are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 . In a state in which C141 and the plurality of second electrodes C142 are previously formed, the insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be individually connected to each other to form one individual device.

즉, 하나의 절연성 부재(200)에 부착되어 접속되는 반도체 기판(110)은 하나일 수 있고, 이와 같은 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)은 서로 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되어 하나의 태양 전지 셀을 형성할 수 있다.That is, there may be one semiconductor substrate 110 attached to and connected to one insulating member 200 , and such one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 are attached to each other to form one integrated individual. It may be formed as a device to form one solar cell.

보다 구체적으로 설명하면, 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성하는 공정에 의해, 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142) 각각은 하나의 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142)과 부착되어 전기적으로 서로 연결될 수 있다. More specifically, by a process of attaching one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 to each other to form one integrated individual device, a plurality of Each of the first electrode C141 and the plurality of second electrodes C142 is attached to the first conductive wire P141 and the second conductive wire P142 formed on the front surface of one insulating member 200 to be electrically connected to each other. can

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지에서, 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142) 각각의 두께(T2)는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 클 수 있다. In the solar cell according to the present invention, the thickness T2 of each of the first conductive line P141 and the second conductive line P142 is the thickness T1 of each of the first electrode C141 and the second electrode C142. ) can be greater than

이와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 각각의 두께(T2)를 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 크게 함으로써, 태양 전지 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 반도체 기판(110)의 후면에 바로 형성하는 것보다 기판에 대한 열팽창 스트레스를 보다 감소시킬 수 있어, 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.As described above, by making the thickness T2 of each of the first connection part PC141 and the second connection part PC142 greater than the thickness T1 of each of the first electrode C141 and the second electrode C142, the solar cell manufacturing process Time can be further shortened, and thermal expansion stress on the substrate can be further reduced than when the first electrode C141 and the second electrode C142 are directly formed on the back surface of the semiconductor substrate 110 , so that the solar cell Efficiency can be further improved.

이와 같은 절연성 부재(200)는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 접착시킬 때에, 공정을 보다 용이하게 도와주는 역할을 한다.The insulating member 200 is formed when the first conductive wire P141 and the second conductive wire P142 are bonded to the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 . , it serves to facilitate the process.

즉, 반도체 제조 공정으로 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)이 형성된 절연성 부재(200)의 전면을 부착시켜 접속시킬 때에, 절연성 부재(200)는 얼라인 공정이나 접속 단계를 보다 용이하게 도와줄 수 있다.That is, the insulating member 200 in which the first conductive wire P141 and the second conductive wire P142 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 on which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed through a semiconductor manufacturing process. ), the insulating member 200 may help the alignment process or the connection step more easily when connecting the front surfaces.

따라서, 이와 같은 절연성 부재(200)는 접속 단계에 의해 제1, 2 전극(C141, C142)에 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 각각 접속된 이후, 제거될 수 있다. 따라서, 태양 전지의 최종 소자에서는 절연성 부재(200)가 생략될 수 있다. 이하에서는 지금까지와 같이, 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 설명한다.Accordingly, the insulating member 200 may be removed after the first and second conductive wires P141 and P142 are respectively connected to the first and second electrodes C141 and C142 by the connection step. Accordingly, the insulating member 200 may be omitted in the final device of the solar cell. Hereinafter, the case in which the insulating member 200 is provided as before will be described as an example.

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 도전성 배선(P141)을 통하여 수집된 정공과 제2 도전성 배선(P142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.In the solar cell according to the present invention manufactured with the above structure, the holes collected through the first conductive line P141 and the electrons collected through the second conductive line P142 are converted to the power of the external device through an external circuit device. can be used

지금까지는 반도체 기판(110)이 결정질 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였다.So far, the case in which the semiconductor substrate 110 is a crystalline silicon semiconductor substrate 110 and the emitter portion 121 and the rear electric field portion 172 are formed through a diffusion process has been described as an example.

그러나, 이와 다르게 비정질 실리콘 재질로 형성된 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 결정질 반도체 기판(110)과 접합하는 이종 접합 태양 전지나, 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 비아홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 연결되는 구조의 태양 전지에서도 본 발명이 동일하게 적용될 수 있다.However, unlike this, a heterojunction solar cell in which the emitter part 121 and the rear electric field part 172 formed of an amorphous silicon material are bonded to the crystalline semiconductor substrate 110 or the emitter part 121 is on the front surface of the semiconductor substrate 110 . The present invention can be equally applied to a solar cell having a structure that is located and connected to the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through a plurality of via holes formed in the semiconductor substrate 110 .

이와 같은 구조를 갖는 태양 전지는 인터커넥터(IC)에 의해 서로 인접하는 태양 전지를 연결할 수 있으며, 이에 따라 복수 개의 태양 전지가 직렬로 연결될 수 있다.A solar cell having such a structure may connect adjacent solar cells to each other by an interconnector (IC), and accordingly, a plurality of solar cells may be connected in series.

한편, 이와 같은 구조에서, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴과, 절연성 부재(200)의 전면에 형성되는 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142)의 패턴에 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, in this structure, the patterns of the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the first conductive wiring P141 formed on the front surface of the insulating member 200 are formed. ) and the pattern of the second conductive wiring P142 will be described in more detail as follows.

도 8의 (a) 및 (b)에 도시된 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 8의 (c) 및 (d)에 도시된 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다. 즉, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 1:1로 결합 또는 부착될 수 있다.By attaching and connecting the front surface of one insulating member 200 shown in FIGS. 8C and 8D to the rear surface of one semiconductor substrate 110 shown in FIGS. , it is possible to form one integral individual element. That is, the insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be coupled or attached in a 1:1 ratio.

이때, 도 8의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 전극(C141)과 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.At this time, as shown in (a) and (b) of FIG. 8 , a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C142 are spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate 110 in the first direction. (x) may be formed long.

아울러, 도 8의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성 부재(200)의 전면에는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)이 형성될 수 있다.In addition, as shown in (c) and (d) of FIG. 8 , a first conductive wire P141 and a second conductive wire P142 may be formed on the front surface of the insulating member 200 according to the present invention. .

여기서, 전술한 바와 같이, 제1 도전성 배선(P141)은 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제1 패드부(PP141)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.Here, as described above, the first conductive wiring P141 includes the first connection part PC141 and the first pad part PP141, and as shown in FIG. 8C , the first connection part PC141 ) may be formed to be elongated in the first direction (x), the first pad portion PP141 is formed to be elongated in the second direction (y), and one end is connected to the end of the first connection portion PC141, the other end is It may be connected to an interconnector (IC).

아울러, 제2 도전성 배선(P142)도 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함하고, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 제1 접속부(PC141)와 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제2 패드부(PP142)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.In addition, the second conductive wiring P142 also includes the second connection part PC142 and the second pad part PP142, and as shown in FIG. 8C , the second connection part PC142 is the first connection part. It may be spaced apart from (PC141) and formed to be long in the first direction (x), and the second pad part (PP142) is formed to be long in the second direction (y), and one end is connected to the end of the second connection part (PC142). and the other end may be connected to the interconnector (IC).

여기서, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142)는 서로 이격되고, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141)도 서로 이격될 수 있다.Here, the first connection part PC141 and the second pad part PP142 may be spaced apart from each other, and the second connection part PC142 and the first pad part PP141 may also be spaced apart from each other.

따라서, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제1 패드부(PP141)가 형성되고, 타단에는 제2 패드부(PP142)가 형성될 수 있다. Accordingly, on the front surface of the insulating member 200 , a first pad part PP141 may be formed at one end of both ends in the first direction x, and a second pad part PP142 may be formed at the other end thereof.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성함으로써, 태양 전지 모듈 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있으며, 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지에 포함된 반도체 기판(110)이 파손되거나 결함이 발생하더라도 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 해당 태양 전지만 교체할 수 있고, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다. As such, in the solar cell according to the present invention, only one insulating member 200 is coupled to one semiconductor substrate 110 to form one integrated individual device, thereby making the solar cell module manufacturing process easier, Even if the semiconductor substrate 110 included in any one solar cell is damaged or a defect occurs during the solar cell module manufacturing process, only the corresponding solar cell formed as a single integrated individual device can be replaced, and the process yield can be further improved have.

아울러, 이와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지는 제조 공정시 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.In addition, as described above, the solar cell formed as one integrated individual device can minimize the thermal expansion stress applied to the semiconductor substrate 110 during the manufacturing process.

여기서, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크게 함으로써, 태양 전지와 태양 전지를 서로 연결할 때에, 절연성 부재(200)의 전면에 인터커넥터(IC)가 부착될 수 있는 영역을 충분히 확보할 수 있다. 이를 위해, 절연성 부재(200)의 면적은 반도체 기판(110)의 면적보다 클 수 있다.Here, by making the area of the insulating member 200 equal to or larger than that of the semiconductor substrate 110 , the interconnector IC can be attached to the front surface of the insulating member 200 when the solar cell and the solar cell are connected to each other. sufficient area can be secured. To this end, the area of the insulating member 200 may be larger than the area of the semiconductor substrate 110 .

이를 위해, 절연성 부재(200)의 제1 방향(x)으로의 길이를 반도체 기판(110)의 제1 방향(x)으로의 길이보다 길게 할 수 있다. To this end, the length of the insulating member 200 in the first direction (x) may be longer than the length of the semiconductor substrate 110 in the first direction (x).

이와 같은 반도체 기판(110)의 후면과 절연성 부재(200)의 전면은 서로 부착되어, 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141)이 서로 연결되고, 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142)이 서로 연결될 수 있다. The rear surface of the semiconductor substrate 110 and the front surface of the insulating member 200 are attached to each other, so that the first electrode C141 and the first conductive wiring P141 are connected to each other, and the second electrode C142 and the second electrode C142 are connected to each other. Conductive wirings P142 may be connected to each other.

도 9는 도 8에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 10a는 도 9에서 10a-10a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 10b는 도 9에서 10b-10b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 10c는 도 9에서 10c-10c 라인의 단면을 도시한 것이다.FIG. 9 is a view for explaining a state in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 shown in FIG. 8 are connected to each other, and FIG. 10A is a cross-section of the line 10a-10a in FIG. 9 , and FIG. 10B is a cross-section of the line 10b-10b in FIG. 9 , and FIG. 10c is a cross-section of the line 10c-10c in FIG. 9 .

도 9에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩되어 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 9 , one semiconductor substrate 110 may be completely overlapped with one insulating member 200 to form one solar cell individual device.

예를 들어, 도 10a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 접속부(PC141)는 서로 중첩되며, 전극 접착제(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.For example, as shown in FIG. 10A , the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the first connection portion PC141 formed on the front surface of the insulating member 200 overlap each other, and the electrode adhesive (ECA) can be electrically connected to each other.

아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 접속부(PC142)도 서로 중첩되며, 전극 접착제(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the second connection portion PC142 formed on the front surface of the insulating member 200 also overlap each other, and may be electrically connected to each other by an electrode adhesive (ECA). have.

또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, the insulating layer IL may be filled in a space spaced apart from each other between the first electrode C141 and the second electrode C142 , and a spaced space between the first connection part PC141 and the second connection part PC142 . Also, the insulating layer IL may be filled.

아울러, 도 10b에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 10c에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, as shown in FIG. 10B , the insulating layer IL may also be filled in the spaced space between the second connection part PC142 and the first pad part PP141 , and as shown in FIG. 10C , the first The insulating layer IL may also be filled in a space spaced apart between the connection part PC141 and the second pad part PP142.

아울러, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 제1 영역(PP141-S1, PP142-S1)과, 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 9 , each of the first pad part PP141 and the second pad part PP142 includes first regions PP141-S1 and PP142-S1 overlapping the semiconductor substrate 110 , and a semiconductor. It may include second regions PP141-S2 and PP142-S2 that do not overlap the substrate 110 .

이와 같이, 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(PP141)의 제2 영역(PP141-S2) 및 제2 패드부(PP142)의 제2 영역(PP142-S2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다. In this way, the second region PP141-S2 of the first pad part PP141 and the second region PP142-S2 of the second pad part PP142 are provided to secure a space to be connected to the interconnector IC. ) may be connected to an interconnector (IC).

본 발명에 따른 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.Each of the first pad part PP141 and the second pad part PP142 according to the present invention includes the second regions PP141-S2 and PP142-S2, so that the interconnector IC can be more easily connected, In addition, when the interconnector IC is connected, thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110 may be minimized.

아울러, 전술한 바와 같이, 복수의 태양 전지를 연결하기 위해 이와 같은 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142)에 인터커넥터(IC)가 접속될 수 있다.In addition, as described above, the interconnector IC may be connected to the first pad part PP141 or the second pad part PP142 to connect the plurality of solar cells.

지금까지는 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 나란한 방향으로 중첩되어 연결되는 경우에 대해 설명하였으나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 교차하는 방향으로 중첩되어 접속할 수도 있다. Until now, the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the semiconductor substrate 110 overlap the first connection portion PC141 and the second connection portion PC142 formed on the insulating member 200 in a parallel direction and are connected. Although described above, the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the semiconductor substrate 110 are the first and second connectors PC141 and PC142 formed on the insulating member 200 differently. ) and can be connected by overlapping in the intersecting direction.

또한, 도시된 바와 다르게 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성되지 않고, 하나의 통전극으로 형성될 수 있으며, 하나의 통전극으로 형성되는 제1 접속부(PC141)에는 복수 개의 제1 전극(C141)이 접속될 수 있고, 하나의 통전극으로 형성되는 제2 접속부(PC142)에는 복수 개의 제2 전극(C142)이 접속될 수 있다. In addition, unlike the figure, the first connection part PC141 and the second connection part PC142 are not formed in plurality, but may be formed as a single conductive electrode, and the first connection part PC141 formed of a single conductive electrode has A plurality of first electrodes C141 may be connected to each other, and a plurality of second electrodes C142 may be connected to the second connection part PC142 formed of one conductive electrode.

지금까지는 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 하나로만 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 복수 개로 형성될 수도 있다. 복수 개로 형성된 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각에 복수 개의 제1 접속부(PC141) 또는 복수 개의 제2 접속부(PC142)가 연결될 수도 있다. A case in which only one of the first pad part PP141 and the second pad part PP142 is formed has been described so far as an example, but differently from this, the first pad part PP141 and the second pad part PP142 are each formed in plural. It can also be formed into a dog. A plurality of first connection parts PC141 or a plurality of second connection parts PC142 may be connected to each of the first pad parts PP141 or PP142 formed in plurality.

아울러, 도 6 내지 도 10c에서는 본 발명에 따른 태양 전지에서 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 도시하고 설명하였으나, 이와 다르게, 절연성 부재(200)는 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 서로 접속된 이후 제거될 수 있고, 이와 같이, 절연성 부재(200)가 제거된 상태에서 인터커넥터(IC)가 제1 도전성 배선(P141) 또는 제2 도전성 배선(P142)에 접속될 수 있다.In addition, although the case in which the insulating member 200 is provided in the solar cell according to the present invention has been illustrated and described as an example in FIGS. 6 to 10C , the insulating member 200 is different from the first and second electrodes C141 and C142. ) and the first and second conductive wirings P141 and P142 may be removed after they are connected to each other. It may be connected to the second conductive line P142.

도 11 내지 도 15는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 복수 개의 와이어로 형성된 태양 전지 모듈에 대해 설명하기 위한 도이다.11 to 15 are diagrams for explaining a solar cell module in which first and second conductive wirings P141 and P142 are formed of a plurality of wires.

이하의 도 11 내지 도 15에서는 도 1 내지 도 10c에서 설명한 바와 동일한 내용에 대해서는 구체적인 설명을 생략하고, 다른 점을 위주로 설명한다.In the following FIGS. 11 to 15 , detailed descriptions of the same contents as those described in FIGS. 1 to 10C will be omitted, and different points will be mainly described.

여기서, 도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 복수 개의 와이어로 형성될 경우 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도로서, 도 11은 태양 전지의 일부 사시도를 도시한 것이고, 도 12는 도 11에 도시된 태양 전지의 후면에 형성된 제1, 2 전극(C141, C142)의 패턴을 도시한 것이다.11 and 12 are roads for explaining an example of a solar cell applied when the first and second conductive wirings P141 and P142 of the solar cell module according to the present invention are formed of a plurality of wires, and FIG. is a partial perspective view of the solar cell, and FIG. 12 shows patterns of the first and second electrodes C141 and C142 formed on the rear surface of the solar cell shown in FIG. 11 .

도 13은 도 11 및 도 12에 도시된 각 태양 전지의 후면에 복수 개의 와이어로 형성된 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 인터커넥터(IC)를 통해 연결된 일례를 도시한 것이고, 도 14는 도 13에서 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과 인터커넥터(IC) 사이의 접속 영역의 면적 차이를 설명하기 위한 도이다.13 shows an example in which first and second conductive wirings P141 and P142 formed of a plurality of wires are connected to the rear surface of each solar cell shown in FIGS. 11 and 12 through an interconnector IC, and FIG. 14 FIG. 13 is a diagram for explaining a difference in area of a connection region between the first and second conductive wirings P141 and P142 and the interconnector IC in FIG. 13 .

아울러, 도 15는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 구비된 복수 개의 와이어와 인터커넥터 사이의 접속 영역 및 접속 위치를 설명하기 위한 도이다.In addition, FIG. 15 is a view for explaining a connection region and a connection position between a plurality of wires provided in the first and second conductive wirings P141 and P142 and the interconnector.

도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에 적용 가능한 태양 전지는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172), 및 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)을 포함할 수 있다.11 , a solar cell applicable to a solar cell module according to an example of the present invention includes an anti-reflection film 130 , a semiconductor substrate 110 , an emitter unit 121 , a rear electric field unit 172 , and a plurality of may include first and second electrodes C141 and C142 of

아울러, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 도 12에 도시된 바와 같이, 서로 교번되어 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 여기서, 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172) 및 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 대한 설명은 앞선 도 6 내지 도 10c에서 설명한 바와 동일할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 12 , the plurality of first and second electrodes C141 and C142 may be alternately formed to extend long in the first direction (x). Here, the description of the anti-reflection film 130 , the semiconductor substrate 110 , the emitter unit 121 , the rear electric field unit 172 , and the plurality of first and second electrodes C141 and C142 is shown in FIGS. 6 to 10C . It may be the same as described.

제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 앞선 도 6 내지 도 10c에서 설명한 바와 다르게, 도 13에 도시된 바와 같이, 복수 개의 와이어 형태로 구비될 수 있다.The first and second conductive wirings P141 and P142 may be provided in the form of a plurality of wires, as shown in FIG. 13 , differently from those described with reference to FIGS. 6 to 10C .

여기서, 복수 개의 와이어 형태로 구비된 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각은 도 13에 도시된 바와 같이, 태양 전지의 후면에 형성되는 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 교차하는 방향인, 제2 방향(y)으로 길게 배치되어 형성될 수 있다. 그러나, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각의 길이 방향이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Here, each of the first and second conductive wires P141 and P142 provided in the form of a plurality of wires is in the longitudinal direction of the first and second electrodes C141 and C142 formed on the rear surface of the solar cell as shown in FIG. 13 , respectively. It may be formed to be elongated in the second direction (y), which is a direction intersecting with the . However, the length direction of each of the first and second conductive wirings P141 and P142 is not necessarily limited thereto.

이때, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각에 포함되는 복수 개의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각은 제1 방향(x)으로 길게 형성되며, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)는 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)을 따라 일렬로 배열될 수 있다. 아울러, 복수 개의 와이어 형태로 구비된 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각은 제2 방향(y)으로 길게 위치할 수 있다.At this time, each of the plurality of first and second electrodes C141 and C142 included in each of the first and second solar cells CE1 and CE2 is elongated in the first direction x, and the first and second solar cells CE1 , CE2 may be arranged in a line along the second direction y intersecting the first direction x. In addition, each of the first and second conductive wirings P141 and P142 provided in the form of a plurality of wires may be elongated in the second direction y.

따라서, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과 각 제1, 2 전극(C141, C142)은 서로 교차하여 중첩되는 부분 중에서 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)의 직렬 연결을 위하여 필요한 부분에서 서로 접속되거나 절연될 수 있다.Accordingly, the first and second conductive wires P141 and P142 and each of the first and second electrodes C141 and C142 cross each other and are necessary for serial connection of the first and second solar cells CE1 and CE2 among overlapping portions. The parts may be connected to each other or insulated from each other.

이때, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과 각 제1, 2 전극(C141, C142) 사이의 접속은 전극 접착제(ECA)에 의해 이루어질 수 있다. 여기서, 전극 접착제(ECA)의 재질은 도 6 내지 도 10c에서 설명한 바와 동일할 수 있다.In this case, the connection between the first and second conductive wires P141 and P142 and each of the first and second electrodes C141 and C142 may be made by an electrode adhesive (ECA). Here, the material of the electrode adhesive (ECA) may be the same as described with reference to FIGS. 6 to 10C .

아울러, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과 각 제1, 2 전극(C141, C142) 사이는 절연층(IL)에 의해 절연될 수 있다. 여기서, 절연층(IL)은 전극 접착제(ECA)에서 도 6 내지 도 10c에서 설명한 바와 동일할 수 있다.In addition, between the first and second conductive wires P141 and P142 and each of the first and second electrodes C141 and C142 may be insulated by the insulating layer IL. Here, the insulating layer IL may be the same as described with reference to FIGS. 6 to 10C in the electrode adhesive ECA.

여기서, 제1, 2 태양 전지 각각에 구비된 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 도 13에 도시된 바와 같이, 별도의 인터커넥터(IC)에 의해 연결될 수 있다.Here, the first and second conductive wires P141 and P142 provided in each of the first and second solar cells may be connected by a separate interconnector IC, as shown in FIG. 13 .

일례로, 제1 태양 전지의 제1 도전성 배선(P141)과 제2 태양 전지의 제2 도전성 배선(P142)은 인터커넥터(IC)를 사이에 두고, 인터커넥터(IC) 접착제(ICA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 인터커넥터(IC) 접착제(ICA)의 재질은 도 1 내지 도 5에서 설명한 바와 동일할 수 있다.For example, the first conductive wiring P141 of the first solar cell and the second conductive wiring P142 of the second solar cell are connected with the interconnector IC interposed therebetween by the interconnector IC adhesive ICA. may be electrically connected to each other. Here, the material of the interconnector (IC) adhesive (ICA) may be the same as described with reference to FIGS. 1 to 5 .

이때, 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지에 복수 개의 와이어로 구비된 제1 도전성 배선(P141)이 인터커넥터(IC)에 접속하는 복수 개의 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c)의 면적의 합은 제2 태양 전지에 복수 개의 와이어로 구비된 제2 도전성 배선(P142)이 인터커넥터(IC)에 접속하는 복수 개의 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c)의 면적의 합과 다를 수 있다. At this time, as shown in FIG. 14 , the area of the plurality of first connection regions CS1a to CS1c in which the first conductive wiring P141 provided as a plurality of wires in the first solar cell is connected to the interconnector IC. The sum of may be different from the sum of the areas of the plurality of second connection regions CS2a to CS2c in which the second conductive wiring P142 provided as a plurality of wires in the second solar cell is connected to the interconnector IC.

일례로, 도 14에 도시된 바와 같이, 복수 개의 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c) 각각의 면적의 합은 복수 개의 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c) 각각의 면적의 합보다 클 수 있다. 그러나, 이와 반대로 복수 개의 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c) 각각의 면적의 합은 복수 개의 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c) 각각의 면적의 합보다 큰 것도 가능하다.For example, as shown in FIG. 14 , the sum of the areas of each of the plurality of first connection areas CS1a to CS1c may be greater than the sum of the areas of each of the plurality of second connection areas CS2a to CS2c. However, conversely, the sum of the areas of each of the plurality of second connection regions CS2a to CS2c may be greater than the sum of the areas of each of the plurality of first connection regions CS1a to CS1c.

아울러, 복수 개의 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c) 각각이 인터커넥터(IC)와 중첩되는 길이(OS1)는 복수 개의 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c) 각각이 인터커넥터(IC)와 중첩되는 길이(OS2)와 다를 수 있다. 일례로 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c)의 중첩 길이(OS1)가 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c)의 중첩 길이(OS2)보다 클 수 있다. 그러나, 이와 반대로 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c)의 중첩 길이(OS2)가 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c)의 중첩 길이(OS1)보다 큰 것도 가능하다.In addition, a length OS1 in which each of the plurality of first connection regions CS1a to CS1c overlaps with the interconnector IC is a length at which each of the plurality of second connection regions CS2a to CS2c overlaps with the interconnector IC. (OS2) may be different. For example, as shown in FIG. 14 , the overlapping length OS1 of the first connection areas CS1a to CS1c may be greater than the overlapping length OS2 of the second connection areas CS2a to CS2c. However, conversely, the overlapping length OS2 of the second connection regions CS2a to CS2c may be greater than the overlapping length OS1 of the first connection regions CS1a to CS1c.

이와 같이, 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c)의 면적이나 중첩 길이가 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c)의 면적이나 중첩 길이와 다르게 함으로써, 복수의 태양 전지를 직렬 연결시키는 공정시 복수 개의 와이어로 구비된 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)의 얼라인 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.In this way, by making the area or overlapping length of the first connection regions CS1a to CS1c different from the area or overlapping length of the second connection regions CS2a to CS2c, in the process of connecting a plurality of solar cells in series, a plurality of wires The alignment process of the provided first and second conductive wirings P141 and P142 may be more easily performed.

아울러, 본 발명은 제1, 2 태양 전지 각각에서 인터커넥터(IC)에 접속하는 복수 개의 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c) 중 적어도 하나의 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c)의 접속 위치 또는 접속 면적을 나머지 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c)의 접속 위치 또는 접속 면적과 다르게 할 수 있다.In addition, the present invention relates to a connection location or connection of at least one of the first connection regions CS1a to CS1c among the plurality of first connection regions CS1a to CS1c connected to the interconnector IC in each of the first and second solar cells. The area may be different from the connection position or connection area of the remaining first connection regions CS1a to CS1c.

아울러, 제1, 2 태양 전지 각각에서 인터커넥터(IC)에 접속하는 복수 개의 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c) 중 적어도 하나의 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c)의 접속 위치 또는 접속 면적을 나머지 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c)의 접속 위치 또는 접속 면적과 다르게 형성할 수도 있다.In addition, the connection position or the connection area of at least one of the first connection regions CS1a to CS1c among the plurality of second connection regions CS2a to CS2c connected to the interconnector IC in each of the first and second solar cells is the remainder. A connection position or a connection area of the second connection regions CS2a to CS2c may be formed differently.

일례로 도 15의 (a)에 도시된 바와 같이, 복수 개의 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c)[또는 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c)]의 각각의 면적이 서로 다르게 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 15A , the respective areas of the plurality of first connection regions CS1a to CS1c (or the second connection regions CS2a to CS2c) may be formed differently from each other.

아울러, 도 15의 (b)에 도시된 바와 같이, 복수 개의 제1 접속 영역(CS1a ~ CS1c)[또는 제2 접속 영역(CS2a ~ CS2c)] 중 CS1b(또는 CS2b)의 접속 위치는 제1 도전성 배선(P141)[또는 제2 도전성 배선(P142)]의 끝단으로부터 D1에 위치할 수 있으며, CS1a 및 CS1c(또는 CS2a 및 CS2c)의 접속 위치는 제1 도전성 배선(P141)[또는 제2 도전성 배선(P142)]의 끝단으로부터 D1보다 작은 D2에 위치할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 15B , the connection position of CS1b (or CS2b) among the plurality of first connection regions CS1a to CS1c (or the second connection regions CS2a to CS2c) is the first conductivity It may be located at D1 from the end of the wiring P141 (or the second conductive wiring P142), and the connection position of CS1a and CS1c (or CS2a and CS2c) is the first conductive wiring P141 (or the second conductive wiring) (P142)] may be located at D2 smaller than D1 from the end.

이와 같이, 본 발명은 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과 인터커넥터(IC)와의 접속 면적이나 접속 위치가 서로 다르게 형성되도록 하여, 태양 전지를 직렬 연결하는 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.As described above, according to the present invention, the connection area or connection location of the first and second conductive wires P141 and P142 and the interconnector IC are formed differently from each other, thereby facilitating the process of serially connecting the solar cells. .

아울러, 도 11 내지 도 15에서는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 복수 개의 와이어로 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 복수 개의 리본(ribbon)으로 형성된 경우에도 동일하게 적용 가능하다.In addition, although the case in which the first and second conductive wirings P141 and P142 are formed of a plurality of wires has been described as an example in FIGS. 11 to 15 , the first and second conductive wirings P141 and P142 are formed of a plurality of ribbons. The same can be applied even when formed with

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various modifications, changes, and substitutions are possible within the range that does not depart from the essential characteristics of the present invention by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are for explaining, not limiting, the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings. . The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (16)

반도체 기판의 후면에 배치되는 복수의 제1 전극과, 상기 반도체 기판의 후면에 배치되고 상기 복수의 제1 전극과 이격되는 복수의 제2 전극과, 상기 복수의 제1 전극과 연결되고 상기 복수의 제2 전극과 절연되는 제1 도전성 배선과, 상기 복수의 제2 전극과 연결되고 상기 복수의 제1 전극과 절연되는 제2 도전성 배선을 포함하고, 제1 방향으로 연결되는 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지; 및
상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지의 사이의 배치되고, 상기 제1 태양 전지의 제1 도전성 배선과 상기 제2 태양 전지의 제2 도전성 배선을 전기적으로 연결하는 인터커넥터를 포함하고,
상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고,
상기 제1 도전성 배선과 상기 제2 도전성 배선은 상기 제1 방향으로 연장되고,
상기 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로 중첩되는 영역의 제1 방향 길이는 상기 제2 도전성 배선과 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로 중첩되는 영역의 제1 방향 길이 다르고,
상기 인터커넥터 상에서, 상기 제1 도전성 배선과 상기 제2 도전성 배선은 상기 제2 방향으로 중첩되는 태양 전지 모듈.
a plurality of first electrodes disposed on the rear surface of the semiconductor substrate, a plurality of second electrodes disposed on the rear surface of the semiconductor substrate and spaced apart from the plurality of first electrodes, and connected to the plurality of first electrodes A first solar cell and a first solar cell, including a first conductive wire insulated from the second electrode, and a second conductive wire connected to the plurality of second electrodes and insulated from the plurality of first electrodes, and connected in a first direction 2 solar cells; and
an interconnector disposed between the first solar cell and the second solar cell and electrically connecting the first conductive wire of the first solar cell and the second conductive wire of the second solar cell;
The plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes extend in a second direction intersecting the first direction,
the first conductive wire and the second conductive wire extend in the first direction;
A length in a first direction of a region overlapping the first conductive line and the interconnector in the second direction is different from a length in the first direction of a region overlapping the second conductive line and the interconnector in the second direction;
On the interconnector, the first conductive line and the second conductive line overlap in the second direction.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전성 배선은 상기 제2 방향으로 이격되는 복수의 제1 도전성 배선을 포함하고,
상기 제2 도전성 배선은 상기 제2 방향으로 이격되는 복수의 제2 도전성 배선을 포함하고,
상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로 중첩되는 영역들의 제1 방향 길이들은, 상기 복수의 제2 도전성 배선과 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로 중첩되는 영역들의 제1 방향 길이들과 다른 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The first conductive wiring includes a plurality of first conductive wirings spaced apart from each other in the second direction,
The second conductive wiring includes a plurality of second conductive wirings spaced apart from each other in the second direction,
The lengths in the first direction of the plurality of first conductive wirings and the regions overlapping in the second direction of the interconnector are the first lengths of the plurality of second conductive wirings and the overlapping regions of the interconnector in the second direction. Solar module with different directional lengths.
제 2 항에 있어서,
상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로 중첩되는 영역들의 제1 방향 길이들은, 상기 복수의 제2 도전성 배선과 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로 중첩되는 영역들의 제1 방향 길이들보다 큰 태양 전지 모듈
3. The method of claim 2,
The lengths in the first direction of the plurality of first conductive wirings and the regions overlapping in the second direction of the interconnector are the first lengths of the plurality of second conductive wirings and the overlapping regions of the interconnector in the second direction. solar module greater than directional lengths
제 2 항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극은 상기 제1 방향으로 서로 교번하여 배치되고,
상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 복수의 제2 도전성 배선은 상기 제2 방향으로 서로 교번하여 배치되는 태양 전지 모듈.
3. The method of claim 2,
The plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes are alternately disposed in the first direction,
The plurality of first conductive wires and the plurality of second conductive wires are alternately disposed in the second direction.
제 2 항에 있어서,
상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터 사이에 배치되는 접착제의 제1 도포 영역들의 총 면적은 상기 복수의 제2 도전성 배선과 상기 인터커넥터 사이에 배치되는 접착제의 제2 도포 영역들의 총 면적과 다른 태양 전지 모듈.
3. The method of claim 2,
The total area of the first application regions of the adhesive disposed between the plurality of first conductive wirings and the interconnector is equal to the total area of the second application regions of the adhesive disposed between the plurality of second conductive wirings and the interconnector, and different solar modules.
제 2 항에 있어서,
상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터는 복수의 제1 접속 영역에서 접속되고,
상기 복수의 제1 접속 영역 중 하나의 면적은 상기 복수의 제1 접속 영역 중 다른 하나의 면적과 다른 태양 전지 모듈.
3. The method of claim 2,
the plurality of first conductive wires and the interconnector are connected in a plurality of first connection regions;
An area of one of the plurality of first connection regions is different from an area of another of the plurality of first connection regions.
제 2 항에 있어서,
상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터는 복수의 제1 접속 영역에서 접속되고,
상기 복수의 제1 접속 영역 중 하나의 제1 방향 끝단은, 상기 복수의 제1 접속 영역 중 다른 하나의 제1 방향 끝단과 제2 방향으로 중첩되지 않는 태양 전지 모듈.
3. The method of claim 2,
the plurality of first conductive wires and the interconnector are connected in a plurality of first connection regions;
A solar cell module wherein an end of one of the plurality of first connection regions in a first direction does not overlap with an end of the other one of the plurality of first connection regions in a second direction.
제 1 항에 있어서,
상기 인터커넥터는 상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지와 상기 제1 방향으로 이격되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The interconnector is a solar cell module spaced apart from the first solar cell and the second solar cell in the first direction.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터가 접속되는 제1 접속 영역의 면적과 상기 제2 도전성 배선과 상기 인터커넥터가 접속되는 제2 접속 영역의 면적은 다른 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
An area of a first connection region to which the first conductive wiring and the interconnector are connected and an area of a second connection region to which the second conductive wiring and the interconnector are connected are different from each other.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터가 접속되는 제1 접속 영역과, 상기 제2 도전성 배선과 상기 인터커넥터가 접속되는 제2 접속 영역은 상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지의 반도체 기판의 외부 영역에 배치되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
A first connection region to which the first conductive wiring and the interconnector are connected, and a second connection region to which the second conductive wiring and the interconnector are connected, are the semiconductor substrates of the first solar cell and the second solar cell. A solar cell module placed in an outer area.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전성 배선과 상기 제2 도전성 배선은 상기 제1 방향으로 중첩되지 않는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The first conductive wiring and the second conductive wiring do not overlap in the first direction.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로 중첩되는 영역의 제1 방향 길이와 상기 제2 도전성 배선과 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로 중첩되는 영역의 제1 방향 길이의 합은 상기 인터커넥터의 제1 방향 길이보다 큰 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
A sum of a length in the first direction of a region overlapping the first conductive line and the interconnector in the second direction and a length in the first direction of a region overlapping the second conductive line and the interconnector in the second direction is a solar cell module greater than a length in the first direction of the interconnector.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로 중첩되는 영역의 제1 방향 길이는 상기 인터커넥터의 제1 방향 길이의 반보다 크고,
상기 제2 도전성 배선과 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로 중첩되는 영역의 제1 방향 길이는 상기 인터커넥터의 제1 방향 길이의 반보다 작은 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
A length in a first direction of a region overlapping the first conductive line and a region of the interconnector in the second direction is greater than half of a length in the first direction of the interconnector;
A first direction length of a region overlapping the second conductive line and the interconnector in the second direction is less than half a length of the interconnector in the first direction.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전성 배선과 상기 인터커넥터 사이에 배치되는 접착제의 제1 도포 영역의 면적은 상기 제2 도전성 배선과 상기 인터커넥터 사이에 배치되는 접착제의 제2 도포 영역의 면적과 다른 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
An area of a first application region of an adhesive disposed between the first conductive wiring and the interconnector is different from an area of a second application region of an adhesive disposed between the second conductive wiring and the interconnector.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 인터커넥터와 상기 제1 태양 전지의 반도체 기판 사이의 제1 이격 간격은 상기 인터커넥터와 상기 제2 태양 전지의 반도체 기판 사이의 제2 이격 간격과 다른 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
A solar cell module wherein a first spacing between the interconnector and the semiconductor substrate of the first solar cell is different from a second spacing between the interconnector and the semiconductor substrate of the second solar cell.
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