KR20200109192A - Light emitting diode device display apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광소자 표시장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 박형의 두께의 편광판을 구비하고 정면 및 측면에서의 반사율이 낮고 측면에서의 색상 변화가 낮은 발광소자 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device display device. More specifically, the present invention relates to a light emitting device display device including a polarizing plate having a thin thickness, low reflectance in front and side surfaces and low color change in side surfaces.
화상표시장치에서 화면의 가장 밝은 부분과 가장 어두운 부분의 휘도 차이를 나타내는 콘트라스트(contrast)를 개선하는 것은 매우 중요한 과제 중 하나이다. 콘트라스트를 높이기 위해서 단순히 광원의 휘도를 높이는 것이 한 방법으로 고려될 수 있다. 그러나 이 방법은 유기발광다이오드(OLED)의 발광 유기물이 발생시키는 소비 전력을 증가시켜 장치에 높은 스트레스를 주는 문제가 있었다. 따라서 유기발광다이오드에서는 패널 입사광의 반사율을 조절하기 위해 한 장의 편광판이 사용되는 것이 일반적이다.In an image display device, it is one of the most important tasks to improve the contrast representing the difference in luminance between the brightest part and the darkest part of the screen. In order to increase the contrast, simply increasing the luminance of the light source can be considered as one method. However, this method has a problem of putting high stress on the device by increasing the power consumption generated by the light-emitting organic material of the organic light-emitting diode (OLED). Therefore, in the organic light emitting diode, it is common to use one polarizing plate to adjust the reflectance of the incident light from the panel.
이방성 물질을 각각 포함하는 2 매형 타입이 구비된 편광판이 제안된 바 있었다. 그러나 두께를 줄이기 위해 역파장 액정을 사용하여 1 매형 편광판을 개발하였다. 하지만 경사 방향에서의 반사 방지 효과, 특히 색상 변화는 여전히 떨어지는 한계가 있다. 개선 방안으로는 1 매형과 함께 포지티브 C 플레이트로 구비된 편광판이 제안되었지만 두께는 증가하게 된다.A polarizing plate provided with a two-sheet type each containing anisotropic material has been proposed. However, in order to reduce the thickness, a single-sheet polarizing plate was developed using a reverse wavelength liquid crystal. However, there is still a limit to the anti-reflection effect in the oblique direction, especially the color change. As an improvement plan, a polarizing plate provided with a positive C plate along with a single sheet has been proposed, but the thickness is increased.
본 발명의 배경 기술은 일본공개특허 제2016-192363호 등에 개시되어 있다.Background technology of the present invention is disclosed in Japanese Laid-Open Patent No. 2016-192363 and the like.
본 발명의 목적은 박형의 두께의 편광판을 구비하고 포지티브 C 플레이트 없이 정면 및 측면에서의 반사율이 낮고 측면에서의 색상 변화가 낮은 발광소자 표시장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a light emitting device display device having a thin polarizing plate and having low reflectance at the front and side and low color change at the side without a positive C plate.
본 발명의 다른 목적은 패턴 위상차층의 패턴이 시인되지 않게 하는 발광소자 표시장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting device display device in which a pattern of a patterned phase difference layer is not visually recognized.
본 발명은 발광소자 표시장치이다.The present invention is a light emitting device display device.
1.발광소자 표시장치는 발광소자 패널 및 상기 발광소자 패널의 상부면에 형성된 편광판을 포함하고, 상기 편광판은 편광 필름 및 상기 편광 필름의 하부면에 형성된 패턴 위상차층을 포함하고, 상기 패턴 위상차층은 서로 교대로 형성된 제1 위상차 영역과 제2위상차 영역을 구비하고, 상기 제1위상차 영역과 상기 제2위상차 영역은 지상축 방향이 서로 다르고, 상기 패턴 위상차층은 역파장 분산성 위상차층이다.1. A light emitting device display device includes a light emitting device panel and a polarizing plate formed on an upper surface of the light emitting device panel, the polarizing plate includes a polarizing film and a pattern retardation layer formed on a lower surface of the polarizing film, and the pattern retardation layer Has a first phase difference region and a second phase difference region alternately formed with each other, the first phase difference region and the second phase difference region have different slow axis directions, and the pattern phase difference layer is a reverse wavelength dispersion retardation layer.
2.1에서, 상기 패턴 위상차층은 Re(450)/Re(550)이 0.7 이상 1 미만, Re(650)/Re(550)이 1 초과 1.5 이하이고, 이때 Re(450), Re(550), Re(650)은 파장 450nm, 550nm, 650nm에서 상기 패턴 위상차층의 면내 위상차일 수 있다.In 2.1, in the pattern phase difference layer, Re(450)/Re(550) is 0.7 or more and less than 1, Re(650)/Re(550) is more than 1 and 1.5 or less, and at this time, Re(450), Re(550), Re 650 may be an in-plane retardation of the pattern retardation layer at wavelengths of 450 nm, 550 nm, and 650 nm.
3.1-2에서, 상기 패턴 위상차층은 Re(450)이 90nm 내지 140nm, Re(550)이 110nm 내지 170nm, Re(650)이 140nm 내지 190nm일 수 있다.In 3.1-2, the pattern phase difference layer may have Re (450) of 90 nm to 140 nm, Re (550) of 110 nm to 170 nm, and Re (650) of 140 nm to 190 nm.
4.1-3에서, 상기 패턴 위상차층은 파장 550nm에서 두께 방향 위상차 Rth가 -150nm 내지 150nm일 수 있다.In 4.1-3, the pattern retardation layer may have a retardation Rth of -150nm to 150nm in a thickness direction at a wavelength of 550nm.
5.1-4에서, 상기 패턴 위상차층은 파장 550nm에서 이축성 정도 NZ가 -2 내지 2일 수 있다.In 5.1-4, the pattern retardation layer may have a biaxial degree NZ of -2 to 2 at a wavelength of 550 nm.
6.1-5에서, 상기 편광 필름의 흡수축을 0°라고 할 때, 상기 제1위상차 영역의 제1지상축이 이루는 각도는 +35° 내지 +55°, 상기 제2위상차 영역의 제2지상축이 이루는 각도는 -35° 내지 -55°일 수 있다.In 6.1-5, when the absorption axis of the polarizing film is 0°, the angle formed by the first ground axis of the first phase difference region is +35° to +55°, and the second ground axis of the second phase difference region is The angle formed may be -35° to -55°.
7.1-6에서, 상기 제1 위상차 영역은 최대폭이 10㎛ 내지 500㎛, 상기 제2위상차 영역은 최대폭이 10㎛ 내지 500㎛일 수 있다.In 7.1-6, the first phase difference region may have a maximum width of 10 μm to 500 μm, and the second phase difference region may have a maximum width of 10 μm to 500 μm.
8.1-7에서, 상기 패턴 위상차층의 상부면 또는 하부면에 점착층, 접착층 또는 점접착층이 직접적으로 형성될 수 있다.In 8.1-7, an adhesive layer, an adhesive layer, or an adhesive layer may be directly formed on the upper or lower surface of the pattern phase difference layer.
9.1-8에서, 상기 발광소자 표시장치는 포지티브 C 플레이트를 구비하지 않을 수 있다.In 9.1-8, the light emitting device display device may not include a positive C plate.
10.1-9에서, 상기 편광 필름은 상부면에 보호층이 더 형성될 수 있다.In 10.1-9, the polarizing film may further have a protective layer formed on the upper surface.
본 발명은 박형의 두께의 편광판을 구비하고 포지티브 C 플레이트 없이 정면 및 측면에서의 반사율이 낮고 측면에서의 색상 변화가 낮은 발광소자 표시장치를 제공하였다.The present invention provides a light emitting device display device having a thin polarizing plate and having low reflectance at the front and side and low color change at the side without a positive C plate.
본 발명은 패턴 위상차층의 패턴이 시인되지 않게 하는 발광소자 표시장치를 제공하였다.The present invention provides a light emitting device display device in which a pattern of a patterned phase difference layer is not visually recognized.
도 1은 본 발명 일 실시예의 발광소자 표시장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 편광판 중 패턴 위상차층의 평면 모식도이다.
도 3은 본 발명의 편광판 중 패턴 위상차층의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
도 4는 실시예와 비교예의 측면 θ=60°에서 색상값 a*, b* 값을 나타낸 그래프이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a schematic plan view of a patterned retardation layer in the polarizing plate of the present invention.
3 is a schematic diagram showing a method of manufacturing a patterned retardation layer in the polarizing plate of the present invention.
4 is a graph showing color values a* and b* values at side θ=60° of Examples and Comparative Examples.
첨부한 도면을 참조하여, 하기 실시예에 의하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 도면에서 각 구성 요소의 길이, 크기는 본 발명을 설명하기 위한 것으로 본 발명이 도면에 기재된 각 구성 요소의 길이, 크기에 제한되는 것은 아니다.With reference to the accompanying drawings, it will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention by the following examples. The present invention may be implemented in various different forms, and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components throughout the specification. The length and size of each component in the drawings are for explaining the present invention, and the present invention is not limited to the length and size of each component described in the drawings.
본 명세서에서 "상부"와 "하부"는 도면을 기준으로 정의한 것으로서, 시 관점에 따라 "상부"가 "하부"로 "하부"가 "상부"로 변경될 수 있고, "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 구조를 개재한 경우도 포함할 수 있다. 반면, "직접 위(directly on)", "바로 위" 또는 "직접적으로 형성" 또는 "직접적으로 접하여 형성"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 구조를 개재하지 않은 것을 의미한다.In the present specification, "upper part" and "lower part" are defined based on the drawings, and "upper part" may be changed to "lower part" and "lower part" may be changed to "upper part" according to a perspective view, and "on" or What is referred to as “on” may include a case where other structures are interposed not only above but also in the middle. On the other hand, what is referred to as "directly on", "directly on", or "directly formed" or "directly formed in contact" means that no other structure is interposed therebetween.
본 명세서에서 "면내 위상차(Re)"는 하기 식 A로 표시되고, "두께 방향 위상차(Rth)"는 하기 식 B로 표시되고, "이축성 정도(NZ)"는 하기 식 C로 표시된다:In the present specification, "in-plane retardation (Re)" is represented by the following formula A, "thickness direction retardation (Rth)" is represented by the following formula B, and "biaxiality degree (NZ)" is represented by the following formula C:
[식 A][Equation A]
Re = (nx - ny) x dRe = (nx-ny) x d
[식 B][Equation B]
Rth = ((nx + ny)/2 - nz) x dRth = ((nx + ny)/2-nz) x d
[식 C][Equation C]
NZ = (nx - nz)/(nx - ny)NZ = (nx-nz)/(nx-ny)
(상기 식 A 내지 식 C에서, nx, ny, nz는 측정 파장에서 각각 위상차층의 지상축(slow axis) 방향, 진상축(fast axis) 방향, 두께 방향의 굴절률이고, d는 위상차층의 두께(단위:nm)이다).(In Equations A to C, nx, ny, and nz are refractive indices in the slow axis direction, fast axis direction, and thickness direction of the retardation layer, respectively, at the measurement wavelength, and d is the thickness of the retardation layer. (Unit: nm)).
상기 "측정 파장"은 파장 450nm, 550nm 또는 650nm를 의미한다.The "measurement wavelength" means a wavelength of 450 nm, 550 nm or 650 nm.
본 명세서에서 수치 범위 "X 내지 Y"는 X 이상 Y 이하(X≤ 그리고 ≤Y)를 의미한다.In the present specification, the numerical range "X to Y" means X or more and Y or less (X≤ and ≤Y).
이하, 본 발명의 일 실시예의 발광소자 표시장치를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device display device according to an embodiment of the present invention will be described.
도 1을 참조하면, 발광소자 표시장치는 발광소자 패널(100), 발광소자 패널(100) 상부면에 형성된 편광판(200)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a light emitting device display device includes a light
발광소자 표시장치에서는 발광소자 패널(100)로부터 패턴 위상차층(210), 편광 필름(220)이 순차적으로 형성되어 있다. 발광소자 표시장치는 발광소자 패널(100) 상부면에 상술한 편광판(200)을 상술한 순서대로 순차적으로 형성됨으로써 측면에서의 반사율과 색상값을 낮추고, 편광판의 박형화 효과를 얻을 수 있다. 발광소자 패널(100) 상부면으로부터 편광 필름(220), 패턴 위상차층(210)이 순차적으로 형성되는 경우 측면에서의 반사율과 색상값을 낮추는 효과가 현저하게 미약하다.In a light emitting device display device, a
편광판(200)은 발광소자 패널(100)의 상부면에 형성되어 외부광이 발광소자 패널(100)에 도달 시 측면에서의 반사율과 색상값을 낮춤으로써, 발광소자 표시장치의 화면 품질을 개선할 수 있다.The polarizing
편광판(200)은 패턴 위상차층(210) 및 패턴 위상차층(210) 상부면에 형성된 편광 필름(220)을 포함한다.The polarizing
패턴 위상차층(210)은 편광 필름(200)으로부터 입사된 외부광을 원편광시켜 반사시킴으로써 측면에서의 반사율과 색상값을 낮춘다. 도 1에서 도시된 바와 같이 패턴 위상차층(210)은 단일층이며, 이를 통해 편광판의 두께를 박형화시킬 수 있다. 상기 "단일층"은 패턴 위상차층이 코팅층을 포함하는 경우 1회의 코팅에 의해 형성되는 층이거나 패턴 위상차층이 필름인 경우 1매의 필름으로 형성되는 층을 의미한다.The
패턴 위상차층(210)은 두께가 0㎛ 초과 10㎛ 이하, 구체적으로 0.1㎛ 내지 8㎛, 더 구체적으로 0.1㎛ 내지 5㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 편광판을 박형화시킬 수 있다.The pattern
패턴 위상차층(210)은 패턴화된 위상차층이다. 상기 "패턴화된 위상차층"은 지상축 방향이 서로 다른 2개의 영역이 서로 교대로 형성되는 층이다. 상기 지상축 방향이 서로 다른 2개의 영역을 제1 위상차 영역, 제2위상차 영역이라고 한다. 제1위상차 영역과 제2위상차 영역은 지상축 방향이 서로 다르다. 편광판(200)은 패턴 위상차층(210)을 포함함으로써, 단일층의 위상차층에서도 측면에서의 반사율과 색상값을 낮추고, 위상차층(210) 및 편광판의 두께를 현저하게 박형화시킬 수 있다. 특히, 패턴 위상차층(210)은 편광판(200)이 포지티브 C 플레이트를 포함하지 않더라도 측면에서의 색상값 변화를 낮출 수 있다.The patterned
일 구체예에서, 위상차층(210)은 지상축 방향이 서로 다르고 서로 교대로 형성되어 있는 제1위상차 영역과 제2위상차 영역만을 구비한다.In one embodiment, the
도 2를 참조하면, 패턴 위상차층(210)은 제1지상축(211a)을 구비하는 제1위상차 영역(211), 제2지상축(212a)을 구비하는 제2위상차 영역(212)이 교대로 형성되어 있다. 제1지상축(211a)과 제2지상축(212a)은 서로 교차한다. 제1지상축(211a)과 제2지상축(212a)이 서로 교차하여 형성됨으로써 패턴 위상차층(210)은 단일층에 의해서도 제1위상차 영역(211), 제2위상차 영역(212) 각각의 효과를 구현할 수 있다.2, in the pattern
제1위상차 영역(211)의 제1지상축(211a)과 제2위상차 영역(212)의 제2지상축(212a)이 이루는 각도는 80° 내지 100°, 구체적으로 85° 내지 95°, 더 구체적으로 90°가 될 수 있다. 상기 범위에서 정면 반사율과 측면색상이 우수한 효과가 있을 수 있다.The angle formed by the first ground axis 211a of the first phase difference region 211 and the second ground axis 212a of the second phase difference region 212 is 80° to 100°, specifically 85° to 95°, more Specifically, it may be 90°. In the above range, the front reflectance and side color may have excellent effects.
제1위상차 영역(211)의 제1지상축(211a), 제2위상차 영역(212)의 제2지상축(212a)은 각각 편광 필름의 흡수축과의 축 간 관계가 고려되어야 한다. 이를 통해 측면에서의 색상값과 반사율을 현저하게 낮출 수 있다. The relationship between the axes of the first ground axis 211a of the first phase difference region 211 and the second ground axis 212a of the second phase difference region 212 and the absorption axis of the polarizing film should be considered. This can significantly lower the color value and reflectance from the side.
구체적으로 제1실시형태에서, 편광 필름의 흡수축을 0°라고 할 때, 제1위상차 영역의 제1지상축(211a)이 이루는 각도는 +35° 내지 +55°, 구체적으로 +40° 내지 +50°, 더 구체적으로 +45°, 제2위상차 영역의 제2지상축(212a)이 이루는 각도는 -35° 내지 -55°, 구체적으로 -40° 내지 -50°, 더 구체적으로 -45°가 될 수 있다. 이를 통해 측면에서의 색상값과 반사율을 현저하게 낮출 수 있다.Specifically, in the first embodiment, when the absorption axis of the polarizing film is 0°, the angle formed by the first ground axis 211a of the first phase difference region is +35° to +55°, specifically +40° to + 50°, more specifically +45°, the angle formed by the second ground axis 212a of the second phase difference region is -35° to -55°, specifically -40° to -50°, more specifically -45° Can be. This can significantly lower the color value and reflectance from the side.
구체적으로 제2실시형태에서, 편광 필름의 흡수축을 0°라고 할 때, 제1위상차 영역의 제1지상축(211a)이 이루는 각도는 -35° 내지 -55°, 구체적으로 -40° 내지 -50°, 더 구체적으로 -45°, 제2위상차 영역의 제2지상축(212a)이 이루는 각도는 +35° 내지 +55°, 구체적으로 +40° 내지 +50°, 더 구체적으로 +45°가 될 수 있다. 이를 통해 측면에서의 색상값과 반사율을 현저하게 낮출 수 있다.Specifically, in the second embodiment, when the absorption axis of the polarizing film is 0°, the angle formed by the first ground axis 211a of the first phase difference region is -35° to -55°, specifically -40° to- 50°, more specifically -45°, the angle formed by the second ground axis 212a of the second phase difference region is +35° to +55°, specifically +40° to +50°, more specifically +45° Can be. This can significantly lower the color value and reflectance from the side.
상기 각도 표현에서 "+", "-"는 각각 편광 필름의 흡수축 0°를 기준으로 시계 방향, 반시계 방향으로의 각도를 의미한다.In the expression of the angle, "+" and "-" mean angles in a clockwise direction and a counterclockwise direction based on the
바람직하게는 발광소자 표시장치는 제1실시형태가 될 수 있다.Preferably, the light emitting device display device may be the first embodiment.
제1위상차 영역(211)과 제2위상차 영역(212)은 면내 위상차가 동일하거나 서로 다를 수 있다. 구체적으로 제1위상차 영역(211)과 제2위상차 영역(212) 간의 파장 550nm에서 면내 위상차의 차이의 절대값은 0nm 내지 30nm, 구체적으로 0nm 내지 10nm, 더 구체적으로 0nm 내지 5nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 반사율이 낮으며 측면 색상이 우수한 효과가 있을 수 있다.The first phase difference region 211 and the second phase difference region 212 may have the same or different in-plane phase difference. Specifically, at a wavelength of 550 nm between the first phase difference region 211 and the second phase difference region 212, the absolute value of the difference of the in-plane phase difference may be 0 nm to 30 nm, specifically 0 nm to 10 nm, and more specifically 0 nm to 5 nm. In the above range, the reflectance is low and the side color may be excellent.
제1위상차 영역(211)은 파장 550nm에서 면내 위상차 Re가 110nm 내지 170nm, 구체적으로 130nm 내지 150nm, 더 구체적으로 140nm 내지 148nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 반사율이 낮으며 색상이 우수한 효과가 있을 수 있다.The first phase difference region 211 may have an in-plane retardation Re at a wavelength of 550 nm of 110 nm to 170 nm, specifically 130 nm to 150 nm, and more specifically 140 nm to 148 nm. In the above range, the reflectance is low and the color may be excellent.
제2위상차 영역(212)은 파장 550nm에서 면내 위상차 Re가 110nm 내지 170nm, 구체적으로 130nm 내지 150nm, 더 구체적으로 140nm 내지 148nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 반사율이 낮으며 색상이 우수한 효과가 있을 수 있다.The second phase difference region 212 may have an in-plane retardation Re of 110 nm to 170 nm, specifically 130 nm to 150 nm, and more specifically 140 nm to 148 nm at a wavelength of 550 nm. In the above range, the reflectance is low and the color may be excellent.
패턴 위상차층(210)은 파장 550nm에서 면내 위상차 Re가 110nm 내지 170nm, 구체적으로 130nm 내지 150nm, 더 구체적으로 140nm 내지 148nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 측면에서 반사율과 색상값을 개선할 수 있다.The
패턴 위상차층(210)은 파장 550nm에서 두께 방향 위상차 Rth가 -150nm 내지 150nm, 구체적으로 -120nm 내지 120nm, 더 구체적으로 -90nm 내지 90nm, 가장 구체적으로 0nm 내지 90nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 측면에서 반사율과 색상값을 개선할 수 있다.The
패턴 위상차층(210)은 파장 550nm에서 이축성 정도 NZ가 -2 내지 2, 구체적으로 -1.5 내지 1.5, 더 구체적으로 -1.2 내지 1.2, 가장 구체적으로 0 내지 1.2가 될 수 있다. 상기 범위에서, 측면에서 반사율과 색상값을 개선할 수 있다.The
패턴 위상차층은 상술한 면내 위상차, 두께 방향 위상차는 하기 상술되는 액정 조성물의 코팅 두께를 조절함으로써 구현될 수 있다. 패턴 위상차층은 상술한 이축성 정도는 하기 상술되는 액정 조성물 중 액정 종류, 액정 함량 등을 조절함으로써 구현될 수 있다.The pattern retardation layer may be implemented by adjusting the in-plane retardation and the retardation in the thickness direction described above by adjusting the coating thickness of the liquid crystal composition described below. The pattern retardation layer may be implemented by adjusting the type of liquid crystal and the liquid crystal content in the liquid crystal composition described below in the degree of biaxiality.
일 구체예에서, 패턴 위상차층(210)은 역파장 분산성이다. In one embodiment, the patterned
패턴 위상차층(210)은 역파장 분산성이 됨으로써 측면에서의 반사율과 색상값을 더 개선할 수 있다. 패턴 위상차층(210)은 0<Re(450)/Re(550)<1이고, Re(650)/Re(550)>1이 될 수 있다. 예를 들면, 패턴 위상차층(210)은 Re(450)/Re(550)이 0.7 이상 1 미만, 구체적으로 0.75 내지 0.95, Re(650)/Re(550)이 1 초과 1.5 이하, 구체적으로 1.01 내지 1.3이 될 수 있다. 상기 범위에서 측면에서의 반사율과 색상값을 더 개선할 수 있다. 상기 "Re(450)", "Re(550)", "Re(650)"은 각각 위상차층의 파장 450nm, 550nm, 650nm에서 면내 위상차를 의미한다.The pattern
일 구체예에서, Re(450)은 90nm 내지 140nm, 구체적으로 110nm 내지 135nm, Re(650)은 140nm 내지 190nm, 구체적으로 140nm 내지 165nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 정면 반사율이 낮은 효과가 있을 수 있다.In one embodiment, Re (450) may be 90nm to 140nm, specifically 110nm to 135nm, Re (650) may be 140nm to 190nm, specifically 140nm to 165nm. In the above range, there may be an effect of having a low front reflectance.
상술한 역파장 분산성은 패턴 위상차층 형성시 원료의 구성 및 공정 조건에 의해 조절될 수 있다.The above-described reverse wavelength dispersion may be adjusted by the composition of raw materials and process conditions when forming the patterned retardation layer.
패턴 위상차층(210)은 광학적으로 투명한 수지로 형성된 필름이 될 수도 있다. 그러나 패턴 위상차층(210)의 제조 공정의 간소화 및 두께 박형화를 위하여, 패턴 위상차층(210)은 액정 코팅층 또는 액정 필름이 될 수 있다.The
액정 코팅층 또는 액정 필름은 상술한 위상차를 구현하기 위하여 패턴 위상차층(210)은 배향막을 더 구비할 수 있다.The liquid crystal coating layer or the liquid crystal film may further include an alignment layer in the pattern
도 3을 참조하여, 패턴 위상차층(210)의 제조 방법을 설명한다.Referring to FIG. 3, a method of manufacturing the patterned
도 3을 참조하면, 이형 필름의 일면에 광 배향막용 조성물을 소정의 두께로 코팅하고 건조 및/또는 경화시켜 이형 필름의 일면에 광 배향막용 도막(1)을 형성한다. Referring to FIG. 3, a composition for a photo-alignment film is coated on one surface of a release film to a predetermined thickness, and dried and/or cured to form a
광 배향막 도막(1) 상에 와이어 그리드 편광자(WGP)를 일 방향으로 놓고 UV를 조사함으로써 광 배향막 도막 중 광 배향성 화합물의 배향을 일 방향으로 고정시켰다. 이를 통해, 제1위상차 영역을 형성할 제1지상축을 형성할 수 있다. 이때, 소정의 간격을 갖는 마스크 패턴(5)을 광 배향막과 WGP 사이에 배치시킴으로써 제1지상축의 형성을 용이하게 할 수 있다. 상기 마스크 패턴의 간격은 0㎛ 초과 1000㎛ 이하, 바람직하게는 10㎛ 내지 800㎛, 더 바람직하게는 20㎛ 내지 500㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 제1위상차 영역과 제2위상차 영역의 패턴이 발광소자 표시 장치에서 시인되는 것을 막을 수 있다.A wire grid polarizer (WGP) was placed on the photo-alignment
그런 다음, 광 배향막 상에 소정의 간격을 갖는 마스크 패턴(10)을 놓고 와이어 그리드 편광자(WGP)를 소정의 방향으로 돌린 다음 UV를 조사함으로써 제1지상축과 서로 교차하는 제2지상축을 형성한다. 상기 마스크 패턴의 간격은 0㎛ 초과 1000㎛ 이하, 바람직하게는 10㎛ 내지 800㎛, 더 바람직하게는 80㎛ 내지 500㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 제1위상차 영역과 제2위상차 영역의 패턴이 발광소자 표시 장치에서 시인되는 것을 막을 수 있다.Then, by placing the
제1지상축과 제2지상축이 형성된 광 배향막에, 액정 조성물을 소정의 두께로 코팅하고 경화시킴으로써 패턴 위상차 층을 형성할 수 있다. 상기 액정 조성물은 당업자에게 알려진 통상의 액정을 포함할 수 있다.A patterned phase difference layer may be formed by coating and curing the liquid crystal composition to a predetermined thickness on the photoalignment layer on which the first and second ground axes are formed. The liquid crystal composition may include a conventional liquid crystal known to those skilled in the art.
일 구체예에서, 패턴 위상차층 중 제1 위상차 영역은 최대폭이 0㎛ 초과 1000㎛ 이하, 바람직하게는 10㎛ 내지 800㎛, 더 바람직하게는 20㎛ 내지 500㎛, 제2위상차 영역은 최대폭이 0㎛ 초과 1000㎛ 이하, 바람직하게는 10㎛ 내지 800㎛, 더 바람직하게는 20㎛ 내지 500㎛이 될 수 있다. 상기 범위에서, 제1위상차 영역과 제2위상차 영역의 패턴이 발광소자 표시 장치에서 시인되는 것을 막을 수 있다.In one embodiment, the first phase difference region of the pattern phase difference layer has a maximum width of more than 0 μm and 1000 μm or less, preferably 10 μm to 800 μm, more preferably 20 μm to 500 μm, and the second phase difference region has a maximum width of 0 It may be more than ㎛ 1000㎛ or less, preferably 10㎛ to 800㎛, more preferably 20㎛ to 500㎛. Within the above range, it is possible to prevent the patterns of the first phase difference region and the second phase difference region from being visually recognized by the light emitting device display.
패턴 위상차층(210)은 편광 필름(220)에 직접적으로 형성될 수 있다. 상기 "직접적으로 형성"은 패턴 위상차층(210)과 편광 필름(220) 사이에 점착층, 접착층 또는 점접착층이 형성되지 않음을 의미한다.The
일 구체예에서, 편광 필름과 패턴 위상차층 사이 즉 패턴 위상차층의 상부면에 배향막이 형성될 수 있다.In one embodiment, an alignment layer may be formed between the polarizing film and the pattern phase difference layer, that is, on the upper surface of the pattern phase difference layer.
다른 구체예에서, 패턴 위상차층 하부면에 배향막이 형성될 수 있다.In another embodiment, an alignment layer may be formed on the lower surface of the patterned phase difference layer.
도 1에서 도시되지 않았지만, 패턴 위상차층(210)은 점착층, 접착층 또는 점접착층에 의해 편광 필름(220) 또는 발광소자 패널(100)에 적층될 수 있다. 일 구체예에서, 발광소자 표시장치는 발광소자 패널(100)로부터 점착층, 접착층 또는 점접착층; 패턴 위상차층; 점착층, 접착층 또는 점접착층; 편광 필름의 순서로 적층될 수 있다.Although not shown in FIG. 1, the
또한, 도 1에서 도시되지 않았지만, 패턴 위상차층(210)은 점착층, 접착층 또는 점접착층에 의해 편광 필름(220)에 적층될 수 있다. 일 구체예에서, 발광소자 표시장치는 발광소자 패널(100)로부터 점착층, 접착층 또는 점접착층; 패턴 위상차층; 편광 필름의 순서로 적층될 수 있다.In addition, although not shown in FIG. 1, the
편광 필름(220)은 폴리비닐알콜계 필름을 1축 연신하여 제조되는 폴리비닐알콜계 편광자, 또는 폴리비닐알콜계 필름을 탈수하여 제조되는 폴리엔계 편광자를 포함할 수 있다. 편광 필름(220)은 두께가 5㎛ 내지 40㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 편광판에 사용될 수 있다.The
편광 필름(220)은 광 투과도가 40% 이상, 바람직하게는 42% 내지 50%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 편광판의 광 투명성을 높일 수 있다.The
도 1에서 도시되지 않았지만, 편광 필름(220)의 상부면에는 보호층이 더 형성될 수 있다. 보호층은 편광 필름(220)을 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 보호층은 광학적으로 투명한 수지로 된 보호 필름 또는 광학적으로 투명한 보호 코팅층이 될 수 있다. 보호 필름은 예를 들면 폴리카보네이트계 수지, 시클릭올레핀폴리머(COP) 수지, 변성 폴리카보네이트계 수지, 이소소르비드계 수지, 트리아세틸셀룰로스계 수지 등을 포함하는 셀룰로오스계 수지, 플루오렌계 수지, 폴리에스테르게 수지 중 1종 이상으로 형성된 폴리머 필름일 수 있다.Although not shown in FIG. 1, a protective layer may be further formed on the upper surface of the
발광 소자 패널(100)은 자체 발광 소자를 구비하는 통상의 표시장치용 패널을 포함한다. 상기 자체 발광 소자는 유기 발광소자, 무기 발광소자, 양자점 발광소자 중 1종 이상을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.The light-emitting
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되지는 않는다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described in more detail through preferred embodiments of the present invention. However, the following examples are for aiding understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following examples.
실시예Example 1 One
폴리비닐알콜 필름을 60℃에서 3배 연신하고 요오드를 흡착시킨 후 40℃의 붕산 수용액에서 2.5배 연신하여 편광 필름(두께:12㎛)을 제조하였다.The polyvinyl alcohol film was stretched three times at 60° C., adsorbed iodine, and then stretched 2.5 times in an aqueous boric acid solution at 40° C. to prepare a polarizing film (thickness: 12 μm).
광 배향막 조성물(NCK社(사), HSPA-141)을 이형 필름의 일면에 소정의 두께로 코팅하고 110℃에서 1분 동안 건조시켜 두께 500㎛의 도막을 형성하였다. 상기 도막 위에 와이어 그리드 편광자를 놓고 UV 램프를 이용하여 자외선을 조사함으로써 광 배향막 중 배향 분자의 배향 방향을 한 방향으로 고정시켜 제1위상차 영역의 지상축을 형성하였다. 제1위상차 영역의 지상축은 이형 필름의 가로 방향에 대해 45°가 되도록 하였다.A photo-alignment layer composition (NCK, HSPA-141) was coated on one side of the release film to a predetermined thickness and dried at 110° C. for 1 minute to form a 500 μm-thick coating. A wire grid polarizer was placed on the coating film and irradiated with ultraviolet rays using a UV lamp to fix the orientation direction of the alignment molecules in one direction to form a slow axis of the first phase difference region. The slow axis of the first phase difference region was set to be 45° with respect to the transverse direction of the release film.
그런 다음, 간격 500㎛의 마스크 패턴을 상기 도막 위에 놓고 와이어 그리드 편광자를 90°로 변경하여 제1위상차 영역의 지상축 대비 90°가 되도록 제2위상차 영역의 지상축을 형성하였다. Then, a mask pattern having a spacing of 500 μm was placed on the coating film, and the wire grid polarizer was changed to 90° to form a slow axis of the second phase difference region to be 90° compared to the slow axis of the first phase difference region.
이형 필름의 일면에 광 배향막용 조성물을 소정의 두께로 코팅하고 건조 및/또는 경화시켜 이형 필름의 일면에 광 배향막을 형성한다. 광 배향막 상에 와이어 그리드 편광자를 일 방향으로 놓고 UV를 조사함으로써 광 배향막 중 광 배향성 화합물의 배향을 일 방향으로 고정시켰다. 이를 통해, 광 배향막 상에 일 방향의 제1지상축을 형성한다. 광 배향막 상에 간격 500㎛의 마스크 패턴을 놓고 와이어 그리드 편광자를 소정의 방향으로 돌린 다음 UV를 조사함으로써 제1지상축과 서로 교차하는 제2지상축을 형성한다. 제1지상축과 제2지상축이 형성된 광 배향막에, 광 배향성 액정 조성물(머크社(사), RMM1640)을 소정의 두께로 코팅하고 경화시킴으로써 위상차 층을 형성할 수 있다.A photo-alignment film is formed on one surface of the release film by coating the composition for a photo-alignment film on one surface of the release film to a predetermined thickness and drying and/or curing it. The alignment of the photoalignable compound in the photoalignment layer was fixed in one direction by placing the wire grid polarizer in one direction on the photoalignment layer and irradiating UV light. Through this, a first ground axis in one direction is formed on the photo-alignment layer. A mask pattern having a spacing of 500 μm is placed on the photo-alignment layer, the wire grid polarizer is rotated in a predetermined direction, and then UV irradiated to form a second ground axis crossing the first ground axis. A phase difference layer may be formed by coating and curing a photo-alignable liquid crystal composition (Merck Co., Ltd., RMM1640) to a predetermined thickness on the photo-alignment layer on which the first and second ground axes are formed.
실시예Example 2 내지 2 to 실시예Example 3 3
실시예 1에서, 광 배향성 액정 조성물의 코팅 두께를 변경시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 패턴 위상차층과 편광판을 제조하였다.In Example 1, a pattern retardation layer and a polarizing plate were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the coating thickness of the photo-alignable liquid crystal composition was changed.
비교예Comparative example 1 One
실시예 1에서, 제1위상차 영역만 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 패턴 위상차층과 편광판을 제조하였다.In Example 1, a pattern phase difference layer and a polarizing plate were manufactured in the same manner as in Example 1, except that only the first phase difference region was formed.
비교예Comparative example 2 2
실시예 1에서, 정파장 액정을 사용하여 패턴 위상차층을 정파장 분산성으로 변경시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 패턴 위상차층과 편광판을 제조하였다.In Example 1, a pattern retardation layer and a polarizing plate were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the pattern retardation layer was changed to a constant wavelength dispersion using a constant wavelength liquid crystal.
비교예Comparative example 3 3
실시예 1에서, 정파장 액정을 사용하여 패턴 위상차층을 정파장 분산성으로 변경시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 패턴 위상차층과 편광판을 제조하였다.In Example 1, a pattern retardation layer and a polarizing plate were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the pattern retardation layer was changed to a constant wavelength dispersion using a constant wavelength liquid crystal.
실시예와 비교예에서 패턴 위상차층, 편광판의 구체적인 사양을 하기 표 1에 나타내었다. 제조한 편광판에 대하여 포지티브 C 플레이트 없이 측면 각도 θ=5°에서 반사율, 측면 각도 θ=60°에서 색상 변화 △a*b*를 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1, 도 4에 나타내었다.Specific specifications of the patterned retardation layer and the polarizing plate in Examples and Comparative Examples are shown in Table 1 below. With respect to the prepared polarizing plate, the reflectance at the side angle θ=5° without the positive C plate, and the color change Δa*b* at the side angle θ=60° were measured. The results are shown in Table 1 and Fig. 4 below.
구체적으로, 반사율 및 색상 변화 △a*b 는 DMS(Instrument Systems사)를 이용해서 측정하였다. Specifically, reflectance and color change Δa*b were measured using DMS (Instrument Systems).
Re(550)Re(450)/
Re(550)
Re(550)Re(650)/
Re(550)
*표 1에서, Re, Rth, NZ는 각각 파장 550nm에서 패턴 위상차층의 위상차값.* In Table 1, Re, Rth, and NZ are the retardation values of the patterned retardation layer at a wavelength of 550 nm, respectively.
*표 1에서, Θp-θr1는 편광 필름의 흡수축(θp)과 제1위상차 영역의 지상축(θr1) 간의 각도* In Table 1, Θp-θr1 is the angle between the absorption axis θp of the polarizing film and the slow axis θr1 of the first phase difference region
*표 1에서, Θp-θr2는 편광 필름의 흡수축(θp)과 제2위상차 영역의 지상축(θr2) 간의 각도* In Table 1, Θp-θr2 is the angle between the absorption axis θp of the polarizing film and the slow axis θr2 of the second phase difference region
상기 표 1, 도 4에서와 같이, 본 발명의 발광소자 표시장치는 포지티브 C 플레이트 없이 정면에서의 반사율이 낮고 측면에서의 색상 변화가 낮았다. 반면에, 제2위상차 영역이 없는 위상차층을 구비한 비교예 1은 측면에서의 색상 변화가 높았다. 또한, 정파장 분산성 패턴 위상차층을 구비한 비교예 2, 비교예 3도 측면에서의 반사율이 높았다.As shown in Tables 1 and 4, in the light emitting device display device of the present invention, the reflectance at the front side is low and the color change at the side thereof is low without a positive C plate. On the other hand, Comparative Example 1 including a phase difference layer without a second phase difference region had a high color change in the side surface. In addition, Comparative Examples 2 and 3 provided with the constant wavelength dispersion pattern retardation layer also had high reflectance from the side.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.Simple modifications or changes of the present invention can be easily implemented by those of ordinary skill in the art, and all such modifications or changes can be considered to be included in the scope of the present invention.
Claims (10)
상기 편광판은 편광 필름 및 상기 편광 필름의 하부면에 형성된 패턴 위상차층을 포함하고,
상기 패턴 위상차층은 서로 교대로 형성된 제1 위상차 영역과 제2위상차 영역을 구비하고,
상기 제1위상차 영역과 상기 제2위상차 영역은 지상축 방향이 서로 다르고,
상기 패턴 위상차층은 역파장 분산성 위상차층인 것인, 발광소자 표시장치.
Including a light emitting device panel and a polarizing plate formed on the upper surface of the light emitting device panel,
The polarizing plate includes a polarizing film and a pattern retardation layer formed on a lower surface of the polarizing film,
The patterned phase difference layer has a first phase difference region and a second phase difference region formed alternately with each other,
The first phase difference region and the second phase difference region have different slow axis directions,
The patterned retardation layer is a reverse wavelength dispersion retardation layer, the light emitting device display device.
The method of claim 1, wherein the pattern phase difference layer has a Re(450)/Re(550) of 0.7 or more and less than 1, and a Re(650)/Re(550) of more than 1 and 1.5 or less, wherein Re(450), Re( 550), Re (650) is the in-plane retardation of the pattern retardation layer at wavelengths of 450 nm, 550 nm, and 650 nm.
The light emitting device display device of claim 2, wherein the pattern retardation layer has Re (450) of 90 nm to 140 nm, Re (550) of 110 nm to 170 nm, and Re (650) of 140 nm to 190 nm.
The light emitting device display device of claim 1, wherein the patterned retardation layer has a retardation Rth in a thickness direction of -150 nm to 150 nm at a wavelength of 550 nm.
The display device of claim 1, wherein the patterned retardation layer has a biaxial degree NZ of -2 to 2 at a wavelength of 550 nm.
The method of claim 1, wherein when the absorption axis of the polarizing film is 0°, an angle formed by the first ground axis of the first phase difference region is +35° to +55°, and the second ground axis of the second phase difference region The angle formed by this is -35° to -55°.
The light emitting device display device of claim 1, wherein the first phase difference region has a maximum width of 10 μm to 500 μm, and the second phase difference region has a maximum width of 10 μm to 500 μm.
The light emitting device display device of claim 1, wherein an adhesive layer, an adhesive layer, or an adhesive layer is directly formed on an upper surface or a lower surface of the patterned phase difference layer.
The light emitting device display device according to claim 1, wherein the light emitting device display device does not include a positive C plate.
The light emitting device display device of claim 1, wherein the polarizing film further includes a protective layer on an upper surface thereof.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |