KR20200104384A - Method for manufacturing UV-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing and semiconductor chip, and method for using the tape - Google Patents

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Abstract

기재 필름과, 그 기재 필름 상에 마련된 자외선 경화형의 점착제 층을 적어도 가지는 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프로서, 특정의 광원 램프를 이용한 자외선의 조사 전후에 있어서의, JIS　Z　0237에 기초하는 SUS304에 대한 90°떼어내기 시험 방법에 의해 측정되는 상기 점착 테이프의 점착력의 값의 비가, 일정한 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프 및 반도체 칩의 제조 방법과 테이프의 사용 방법.An ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing having at least a base film and an ultraviolet-curable adhesive layer provided on the base film, and about SUS304 based on JIS 　Z　0237 before and after irradiation with ultraviolet rays using a specific light source lamp. A method of manufacturing an ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing and a semiconductor chip, and a method of using the tape, characterized in that the ratio of the value of the adhesive force of the adhesive tape measured by the 90° peeling test method is within a certain range.

Description

반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프 및 반도체 칩의 제조 방법과 이 테이프의 사용 방법Method for manufacturing UV-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing and semiconductor chip, and method for using the tape

본 발명은, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착(粘着) 테이프 및 반도체 칩의 제조 방법과, 이 테이프의 사용 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing and a semiconductor chip, and a method of using the tape.

근래, 스마트 폰으로 대표되는 모바일 정보 단말의 더 높은(가일층의) 고기능화 및 소형화의 요구에 대응한 고밀도 실장 기술의 중요성이 더욱 높아지고 있다. 예를 들면, IC 카드의 보급이나 USB 메모리의 급격한 용량 증가(UP)가 진행되고, 칩을 겹치는 장수(枚數)의 증가에 수반하여, 칩의 더 높은 박형화가 요망되고 있다. 이 때문에, 종래는 두께가 200㎛∼350㎛ 정도였던 반도체 칩을, 두께 50㎛∼100㎛ 혹은 그 이하까지 얇게 할 필요가 생기고 있다.In recent years, the importance of high-density mounting technology in response to the demand for higher (more advanced) higher functionality and miniaturization of mobile information terminals represented by smart phones is increasing. For example, with the spread of IC cards and a rapid increase in capacity (UP) of USB memories, and with the increase in the number of overlapping chips, a higher thickness of chips is desired. For this reason, conventionally, it is necessary to thin a semiconductor chip having a thickness of about 200 µm to 350 µm to a thickness of 50 µm to 100 µm or less.

다른 한편으로, 한번의 가공에 의해서 제조할 수 있는 반도체 칩의 수를 늘려서 칩의 제조 효율을 향상시키는 점에서, 반도체 웨이퍼를 대경화(大徑化)하는 경향이 있다. 반도체 웨이퍼의 박막화에 더하여 대경화의 흐름은, 특히, NAND형이나 NOR형이 존재하는 플래시 메모리의 분야나, 휘발성 메모리인 DRAM 등의 분야에서, 현저한 경향을 보이고 있다.On the other hand, since the number of semiconductor chips that can be manufactured by one single processing is increased to improve the manufacturing efficiency of the chip, there is a tendency for a semiconductor wafer to be large-sized. In addition to thinning of semiconductor wafers, the trend of large-hardening is showing a remarkable trend, in particular, in the field of flash memory in which NAND type and NOR type exist, and in the field of volatile memory such as DRAM.

현재에서는, 12인치의 반도체 웨이퍼를 두께 100㎛ 이하로 박막 연삭하는 것이 표준으로 되어지고 있다.Currently, it is standard to thin-film grinding 12-inch semiconductor wafers to a thickness of 100 μm or less.

예를 들면, 메모리계 디바이스는, 반도체 칩을 겹치는 것에 의해 성능을 향상시키고 있기 때문에, 박막 연삭의 필요성이 매우 높다. 칩의 박형화를 달성하는 방법으로서, 특수한 보호 테이프를 이용하여 통상의 공정에서 박막 연삭을 하는 방법이나, 선다이싱(Dicing Before Grinding)이라 불리는 웨이퍼의 표면측으로부터 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 이 이면측으로부터 연삭을 행하는 반도체 칩의 제조 방법이 알려져 있다. 이와 같은 방법에 의해, 저렴하고 고성능인 플래시 메모리 등을 제조하는 것이 가능해지고 있다.For example, since the memory device improves performance by overlapping semiconductor chips, the necessity of thin film grinding is very high. As a method of achieving the thinning of the chip, a method of grinding a thin film in a normal process using a special protective tape, or after forming a groove of a predetermined depth from the surface side of the wafer called dicing before grinding. A method of manufacturing a semiconductor chip in which grinding is performed from the back side is known. With such a method, it has become possible to manufacture inexpensive and high-performance flash memories and the like.

또, 플립 칩 실장에 이용되는 범프부착(범프가 달린) 웨이퍼에 대해서도, 박막화의 요구가 높아지고 있다. 이 범프부착 웨이퍼는, 그의 표면에 큰 요철을 가지고 있기 때문에 박막 가공이 어렵고, 통상의 보호 테이프를 이용하여 이면 연삭을 행하면 웨이퍼 균열이 생기거나, 웨이퍼의 두께 정밀도가 악화되거나 한다. 그 때문에, 범프부착 웨이퍼의 연삭에는 특수한 표면 보호 테이프가 이용되고 있다(인용문헌 1 참조).In addition, for a wafer with bumps used for flip chip mounting (with bumps), the demand for thinning is increasing. Since this bumped wafer has large irregularities on its surface, it is difficult to process a thin film, and when the back side grinding is performed using a conventional protective tape, the wafer cracks or the thickness accuracy of the wafer is deteriorated. Therefore, a special surface protection tape is used for grinding the wafer with bumps (see Cited Document 1).

그렇지만, 근래의 반도체 웨이퍼의 더 높은 박막화의 진전에 수반하여, 박막 연삭 후에 웨이퍼의 휨(warpage)이 커진다고 하는 문제가 생기고 있다. 웨이퍼의 휨이 크면 연삭 후의 반송 기구로 웨이퍼의 반송을 원활하게 할 수 없고, 웨이퍼의 꺼냄(取出) 불가나 반송시의 떨어뜨림에 의한 파손 등이 생길 가능성이 있다.However, with the progress of higher thinning of semiconductor wafers in recent years, there is a problem that the warpage of the wafer becomes large after thin film grinding. If the warpage of the wafer is large, the wafer cannot be transferred smoothly by the transfer mechanism after grinding, and there is a possibility that the wafer cannot be taken out or damaged due to dropping during transfer.

이 웨이퍼의 휨은, 상기 표면 보호 테이프로서 자외선 경화형의 표면 보호 테이프를 이용한 경우, 특히 커진다. 자외선 경화형의 테이프는, 자외선을 조사함으로써 표면 보호 테이프중의 점착제가 경화 반응에 의해 경화 수축하기 때문에, 비자외선 경화형의 테이프에 비해 휨이 커져, 웨이퍼의 파손 리스크가 보다 높아진다.The warpage of this wafer becomes particularly large when an ultraviolet curable surface protection tape is used as the surface protection tape. In the ultraviolet-curable tape, when irradiated with ultraviolet rays, the pressure-sensitive adhesive in the surface protection tape cures and shrinks due to a curing reaction, so that warpage becomes larger than that of the non-ultraviolet-curable tape, and the risk of damage to the wafer becomes higher.

종래의 웨이퍼의 가공 방법에서는, 반도체 웨이퍼에 연삭용의 표면 보호 테이프의 붙이기(貼付) 후, 소정의 두께로 웨이퍼를 연삭하고, 반도체 웨이퍼에 표면 보호 테이프측으로부터 자외선 조사를 행하여 표면 보호 테이프의 밀착력을 저하시키고, 그 후 반도체 웨이퍼의 이면측에 다이싱 테이프의 붙이기를 행한 후, 표면 보호 테이프를 박리시키는 공정이 이용되고 있다.In a conventional wafer processing method, after attaching a surface protection tape for grinding to a semiconductor wafer, the wafer is ground to a predetermined thickness, and the semiconductor wafer is irradiated with ultraviolet rays from the side of the surface protection tape to achieve adhesion of the surface protection tape. Is lowered, and a dicing tape is then pasted onto the back side of the semiconductor wafer, and then the surface protection tape is peeled off.

일본공개특허공보 특개2004－235395호Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-235395

상기의 종래 공정에서는, 표면 보호 테이프에 자외선 조사를 행하면 웨이퍼의 휨이 커져 반송 기능불량이 생겨 버린다. 이 때문에, 웨이퍼의 휨을 억제하는 점에서, 연삭 후에 표면 보호 테이프에의 자외선 조사는 행하지 않고, 다이싱 테이프의 붙이기 후에 표면 보호 테이프측으로의 자외선 조사를 행하고, 표면 보호 테이프의 밀착성을 저하시키는 방법이 생각된다.In the above-described conventional process, when the surface protection tape is irradiated with ultraviolet rays, the warpage of the wafer increases, resulting in poor transport function. Therefore, from the viewpoint of suppressing the warpage of the wafer, a method of reducing the adhesion of the surface protection tape by performing UV irradiation to the surface protection tape side after attaching the dicing tape without performing UV irradiation to the surface protection tape after grinding I think.

그렇지만, 다이싱 테이프 붙이기 후에 표면 보호 테이프에의 자외선 조사를 행하면, 다이싱 테이프의 일부 면에도 자외선이 조사되어 버린다. 특히, 자외선이 웨이퍼의 에지부로부터 이면의 다이싱 테이프측으로 돌아들어가 버리고, 자외선 경화형의 다이싱 테이프인 경우, 경화 반응에 의해 웨이퍼 에지부 부근의 점착력이 저하해 버리게 된다. 이 때문에, 그 후의 반도체 웨이퍼의 절단 분리(다이싱) 공정으로서, 블레이드에 의한 절삭 가공을 행하는 블레이드 다이싱을 선택한 경우, 이 점착력이 저하한 부분의 칩이 다이싱했을 때에 비산(飛散)하는, 「칩 튐(chip flying)」이 발생해 버린다. 칩 튐의 발생에 수반하여, 칩 수율(칩의 제조 효율)의 저하나 블레이드에 비산한 칩이 충돌한 경우에는 블레이드가 파손된다고 하는 문제가 생긴다.However, if the surface protection tape is irradiated with ultraviolet rays after pasting the dicing tape, the ultraviolet rays are also irradiated on a part of the dicing tape. In particular, ultraviolet rays return from the edge portion of the wafer to the dicing tape side on the back surface, and in the case of an ultraviolet-curable dicing tape, the adhesive strength near the edge portion of the wafer decreases due to a curing reaction. For this reason, in the case of selecting blade dicing in which cutting with a blade is performed as the subsequent cutting and separating (dicing) process of the semiconductor wafer, the chips in the portion where the adhesive strength has decreased are scattered when dicing, "Chip flying" occurs. Along with the occurrence of chip spatter, there arises a problem that the chip yield (chip manufacturing efficiency) is lowered or that the blade is damaged when the chips scattered on the blade collide.

상기 문제를 해소하는 점에서, 다이싱 테이프에는, 표면 보호 테이프측으로부터의 자외선 조사시에는 다이싱 테이프의 점착력이 저하하지 않는 성질이 요구된다. 상기 성질을 가지는 다이싱 테이프로서, 자외선 경화 반응성을 저하시킨 테이프나 비자외선 경화형의 테이프를 사용하는 것에 의해, 다이싱시의 칩 튐을 억제가능하다. 한편, 이와 같은 다이싱 테이프를 이용한 경우에는, 절단 분리된 칩을 꺼내는 픽업 공정에 있어서, 다이싱 테이프로부터 칩을 박리하는 것이 곤란해져, 「칩의 픽업성」이 불충분하게 된다.In terms of solving the above problem, the dicing tape is required to have a property that does not decrease the adhesive strength of the dicing tape when irradiated with ultraviolet rays from the surface protection tape side. As a dicing tape having the above properties, chip spatter at the time of dicing can be suppressed by using a tape with reduced ultraviolet curing reactivity or a non-UV curable tape. On the other hand, in the case of using such a dicing tape, it becomes difficult to peel the chips from the dicing tape in the pickup step of taking out the cut-off chips, and the "chip pick-up property" becomes insufficient.

본 발명은, 반도체 웨이퍼의 가공 공정에 이용했을 때에, 표면 보호 테이프에의 자외선 조사에 수반하는 박막 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있고, 게다가, 다이싱시에 있어서의 칩 튐의 억제와 그 후의 우수한 픽업성을 양립가능한 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프를 제공하는 것을 과제로 한다. 또, 본 발명은, 표면 보호 테이프에의 자외선 조사에 수반하는 박막 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있고, 게다가, 다이싱시에 있어서의 칩 튐의 억제와 그 후의 우수한 픽업성을 양립가능한 반도체 칩의 제조 방법을 제공한다. 또, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 점착력의 저하를 억제하면서, 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 경화시켜, 점착력을 충분히 저하시킬 수 있는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.When the present invention is used in a semiconductor wafer processing step, it is possible to suppress the warpage of the thin film wafer due to ultraviolet irradiation to the surface protection tape, and furthermore, suppress chip spatter during dicing and excellent pickup after that. It is an object to provide an ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing that is compatible with properties. In addition, the present invention can suppress the warpage of the thin film wafer due to ultraviolet irradiation to the surface protection tape, and furthermore, the manufacture of a semiconductor chip capable of both suppressing chip spatter during dicing and excellent pick-up properties after that. Provides a way. In addition, it is an object to provide a method of using a UV-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing, which can sufficiently lower the adhesive strength by curing the UV-curable surface protection tape while suppressing the decrease in the adhesive strength of the UV-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing. do.

본 발명의 상기 과제는, 이하의 수단에 의해서 달성되었다.The said subject of this invention was achieved by the following means.

＜1＞<1>

기재(基材) 필름과, 그 기재 필름 상에 마련된 자외선 경화형의 점착제 층을 적어도 가지는 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프로서,An ultraviolet-curable adhesive tape for processing a semiconductor wafer having at least a base film and an ultraviolet-curable adhesive layer provided on the base film,

JIS　Z　0237에 기초하는 SUS304에 대한 90° 떼어내기 시험(引剝試驗, peeling test) 방법에 의해 측정되는 상기 점착 테이프의 점착력의 값이, 하기 (1) 및 (2)를 함께 만족시키는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.Characterized in that the value of the adhesive force of the adhesive tape measured by the 90° peeling test method for SUS304 based on JIS　Z　0237 satisfies the following (1) and (2) together An ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing.

(1) [파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산(積算) 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]/[자외선 조사 전의 점착력]≥0.50 (1) [Adhesion after UV irradiation of 500mJ/㎠ of accumulated light by an UV irradiation device using an LED lamp with a wavelength of 365nm as a light source]/[Adhesion before UV irradiation]≥0.50

(2) [고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]/[자외선 조사 전의 점착력]≤0.50(2) [Adhesion after ultraviolet irradiation with a cumulative amount of light of 500mJ/㎠ by an ultraviolet irradiation device using a high-pressure mercury lamp as a light source]/[Adhesion before ultraviolet irradiation]≤0.50

＜2＞<2>

상기 [자외선 조사 전의 점착력]이, 1N/25㎜∼10N/25㎜인 것을 특징으로 하는, ＜1＞에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.The ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to <1>, wherein the [adhesive force before ultraviolet irradiation] is 1N/25mm to 10N/25mm.

＜3＞<3>

상기 점착제 층이 베이스 폴리머 성분과 광중합 개시제를 함유하고, 그 베이스 폴리머 성분 100질량부에 대한 광중합 개시제의 함유량이 0.1∼3.0질량부인 것을 특징으로 하는, ＜1＞ 또는 ＜2＞에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.For processing a semiconductor wafer according to <1> or <2>, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a base polymer component and a photopolymerization initiator, and the content of the photopolymerization initiator relative to 100 parts by mass of the base polymer component is 0.1 to 3.0 parts by mass. UV curable adhesive tape.

＜4＞<4>

상기 베이스 폴리머가 측쇄(側鎖)에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 폴리머인 것을 특징으로 하는, ＜1＞ 내지 ＜3＞ 중 어느 1개에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.The ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to any one of <1> to <3>, wherein the base polymer is a polymer having an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain.

＜5＞<5>

상기 점착제 층이 자외선 흡수제를 함유하는 것을 특징으로 하는, ＜1＞ 내지 ＜4＞ 중 어느 1개에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.The ultraviolet curable adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to any one of <1> to <4>, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains an ultraviolet absorber.

＜6＞<6>

반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정에 있어서 사용되는 것을 특징으로 하는, ＜1＞ 내지 ＜5＞ 중 어느 1개에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.The ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to any one of <1> to <5>, which is used in a step of dicing a semiconductor wafer.

＜7＞<7>

하기 공정 (a)∼(e)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor chip, comprising the following steps (a) to (e).

[공정][fair]

(a) 표면에 패턴면을 가지는 반도체 웨이퍼의 그 패턴면측에, 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 붙여맞춘 상태에서, 그 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정,(a) a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer in a state in which an ultraviolet curable surface protection tape is adhered to the pattern surface side of a semiconductor wafer having a pattern surface on its surface,

(b) 상기의 연삭한 반도체 웨이퍼의 이면에 ＜1＞ 내지 ＜6＞ 중 어느 1개에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프를 붙여맞추고, 링 프레임에 지지 고정하는 공정,(b) a step of attaching the ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to any one of <1> to <6> to the back surface of the ground semiconductor wafer, and supporting and fixing it to a ring frame,

(c) 상기 표면 보호 테이프측으로부터, 제1의 자외선 조사 장치에 의해 자외선 조사를 행한 후, 상기 표면 보호 테이프를 박리(剝離)하는 공정,(c) a step of peeling off the surface protection tape after irradiating with ultraviolet rays from the surface protection tape side by a first ultraviolet irradiation device,

(d) 상기 반도체 웨이퍼의 패턴면측으로부터 다이싱 장치를 이용하여, 반도체 웨이퍼의 절단을 행하고, 개개의 칩 단위로 개편화(個片化)하는 공정, 및,(d) a step of cutting the semiconductor wafer from the pattern surface side of the semiconductor wafer using a dicing device, and subdividing the semiconductor wafer into individual chip units, and

(e) 상기 점착 테이프측으로부터, 제2의 자외선 조사 장치에 의해 자외선 조사를 행하는 공정.(e) A step of performing ultraviolet irradiation from the side of the adhesive tape by a second ultraviolet irradiation device.

＜8＞<8>

상기 제1의 자외선 조사 장치가, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치인 것을 특징으로 하는, ＜7＞에 기재된 반도체 칩의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor chip according to <7>, wherein the first ultraviolet irradiation device is an ultraviolet irradiation device using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source.

＜9＞<9>

상기 제2의 자외선 조사 장치가, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치인 것을 특징으로 하는, ＜7＞ 또는 ＜8＞에 기재된 반도체 칩의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor chip according to <7> or <8>, wherein the second ultraviolet irradiation device is an ultraviolet irradiation device using a high-pressure mercury lamp as a light source.

＜10＞<10>

반도체 웨이퍼의 한쪽 면에 자외선 경화형 표면 보호 테이프가 첩합(貼合, paste, stick)되고, 그 반도체 웨이퍼의 또다른 한쪽 면에 ＜1＞ 내지 ＜6＞ 중 어느 1개에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프가 첩합된 반도체 웨이퍼에 대해서, 그 자외선 경화형 표면 보호 테이프측으로부터 자외선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.An ultraviolet curable surface protection tape is pasted onto one side of a semiconductor wafer, and the ultraviolet curable type for processing a semiconductor wafer according to any one of <1> to <6> on the other side of the semiconductor wafer A method of using an ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing, comprising a step of irradiating an ultraviolet ray from the side of the ultraviolet-curable surface protection tape to a semiconductor wafer to which an adhesive tape is adhered.

＜11＞<11>

상기의 자외선 조사가 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사인 것을 특징으로 하는, ＜10＞에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.The method of using the ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to <10>, wherein the ultraviolet irradiation is ultraviolet irradiation using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source.

＜12＞<12>

상기의 자외선 조사 후의 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 상기 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, ＜10＞ 또는 ＜11＞에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.The method of using the ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to <10> or <11>, comprising a step of peeling the ultraviolet-curable surface protection tape after ultraviolet irradiation from the semiconductor wafer.

＜13＞<13>

상기의 반도체 웨이퍼로부터 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 박리하는 공정 후, 그 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프측으로부터 자외선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, ＜12＞에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.The ultraviolet curable adhesive for semiconductor wafer processing according to <12>, comprising the step of irradiating ultraviolet rays from the side of the ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing after the step of peeling the ultraviolet curable surface protection tape from the semiconductor wafer described above. How to use the tape.

＜14＞<14>

상기의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프측으로부터의 자외선 조사가 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사인 것을 특징으로 하는, ＜13＞에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.The method of using an ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to <13>, wherein the ultraviolet irradiation from the side of the ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing is ultraviolet irradiation using a high-pressure mercury lamp as a light source.

＜15＞<15>

상기의, 반도체 웨이퍼의 한쪽 면에 자외선 경화형 표면 보호 테이프가 첩합되고, 그 반도체 웨이퍼의 또다른 한쪽 면에 ＜1＞ 내지 ＜6＞ 중 어느 1개에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프가 첩합된 반도체 웨이퍼가, 반도체 웨이퍼의 가공 공정에 있어서 생기는 것인, ＜10＞ 내지 ＜14＞ 중 어느 1개에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.An ultraviolet curable surface protection tape is adhered to one side of the semiconductor wafer, and an ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to any one of <1> to <6> is adhered to the other side of the semiconductor wafer. The method of using the ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to any one of <10> to <14>, wherein the semiconductor wafer is generated in the processing step of the semiconductor wafer.

본 발명에 있어서 단지 「(메타)아크릴」이라고 하는 경우, 아크릴 및 메타크릴의 어느 하나 또는 양쪽을 의미한다. 따라서, (메타)아크릴 폴리머라고 하는 경우, 아크릴로일기를 가지는 1종 또는 2종 이상의 모노머의 중합체, 메타크릴로일기를 가지는 1종 또는 2종 이상의 모노머의 중합체, 및, 아크릴로일기를 가지는 1종 또는 2종 이상의 모노머와 메타크릴로일기를 가지는 1종 또는 2종 이상의 모노머와의 중합체를 포함하는 의미이다.In the present invention, when simply referred to as "(meth)acrylic", it means either or both of acrylic and methacrylic. Therefore, in the case of (meth)acrylic polymer, a polymer of one or two or more monomers having an acryloyl group, a polymer of one or two or more monomers having a methacryloyl group, and 1 having an acryloyl group It is meant to include a polymer of one or two or more monomers having a species or two or more monomers and a methacryloyl group.

또, 본 발명에 있어서, 「∼」를 이용하여 표시되는 수치 범위는, 「∼」 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 범위를 의미한다.In addition, in the present invention, the numerical range indicated by using "-" means a range including the numerical values described before and after "-" as a lower limit value and an upper limit value.

본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼의 가공 공정에 이용했을 때에, 표면 보호 테이프에의 자외선 조사에 수반하는 박막 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있고, 게다가, 다이싱시에 있어서의 칩 튐의 억제와 그 후의 우수한 픽업성을 양립할 수 있다. 또, 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법은, 표면 보호 테이프에의 자외선 조사에 수반하는 박막 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있고, 게다가, 다이싱시에 있어서의 칩 튐의 억제와 그 후의 픽업성을 양립할 수 있다. 또, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법은, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 점착력의 저하를 억제하면서, 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 경화시켜, 점착력을 충분히 저하시킬 수 있다.When the ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing of the present invention is used in a semiconductor wafer processing step, it is possible to suppress the warpage of the thin film wafer caused by ultraviolet irradiation to the surface protection tape, and furthermore, the chip at the time of dicing. It is possible to achieve both suppression of splashing and excellent pickup properties thereafter. In addition, the semiconductor chip manufacturing method of the present invention can suppress the warpage of the thin film wafer due to ultraviolet irradiation to the surface protection tape, and also suppress chip spatter at the time of dicing and the subsequent pick-up property. can do. In addition, the method of using the ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing of the present invention cures the ultraviolet curable surface protection tape while suppressing the decrease in the adhesive strength of the ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing of the present invention, thereby sufficiently reducing the adhesive strength. have.

도 1은 반도체 웨이퍼에의 표면 보호 테이프의 첩합 공정을 설명하는 개략 단면도이다. 도 1에 있어서, 분도 1(A)는 반도체 웨이퍼의 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 모습을 도시하고, 분도 1(B)는 표면 보호 테이프를 첩합한 반도체 웨이퍼를 도시한다.
도 2는 반도체 웨이퍼의 박막화와 고정까지의 공정을 설명하는 개략 단면도이다. 도 2에 있어서, 분도 2(A)는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭에 의한 박막화 처리를 도시하고, 분도 2(B)는 박막화 처리한 반도체 웨이퍼에 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프를 첩합하는 모습을 도시하고, 분도 2(C)는 반도체 웨이퍼를 링 프레임에 고정한 상태를 도시한다.
도 3은 표면 보호 테이프에의 LED 램프를 광원으로 하는 제1의 자외선 조사 장치에 의한 자외선 조사와 표면 보호 테이프의 박리까지의 공정을 설명하는 개략 단면도이다. 도 3에 있어서, 분도 3(A)는 반도체 웨이퍼의 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하고, 반도체 웨이퍼의 이면에 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프를 첩합한 상태를 도시하고, 분도 3(B)는 표면 보호 테이프를 첩합한 면측으로부터 LED 램프를 광원으로 하는 자외선이 조사되는 모습을 도시하고, 분도 3(C)는 표면 보호 테이프를 떼어내는 모습을 도시한다.
도 4는 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프에의 고압 수은 램프를 광원으로 하는 제2의 자외선 조사 장치에 의한 자외선 조사와 다이싱까지의 공정을 설명하는 개략 단면도이다. 도 4에 있어서, 분도 4(A)는, 반도체 웨이퍼로부터 표면 보호 테이프를 떼어낸 후의 상태를 도시하고, 분도 4(B)는 다이싱 블레이드에 의해 개개의 칩으로 분할해서 개편화하는 공정을 도시하고, 분도 4(C)는, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프를 첩합한 면측으로부터 고압 수은 램프를 광원으로 하는 제2의 자외선 조사 장치에 의해 자외선이 조사되는 모습을 도시한다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a step of bonding a surface protection tape to a semiconductor wafer. In Fig. 1, Fig. 1(A) shows a state in which a surface protection tape is attached to the surface of a semiconductor wafer, and Fig. 1(B) shows a semiconductor wafer to which a surface protection tape is attached.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a step of thinning and fixing a semiconductor wafer. In Fig. 2, Fig. 2(A) shows a thin film processing by grinding the back side of a semiconductor wafer, and Fig. 2(B) is a state in which the ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing of the present invention is bonded to the thin film processed semiconductor wafer. 2(C) shows a state in which the semiconductor wafer is fixed to the ring frame.
Fig. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a step from UV irradiation to the surface protection tape and peeling of the surface protection tape by a first UV irradiation device using an LED lamp as a light source. In Fig. 3, Fig. 3(A) shows a state in which a surface protection tape is attached to the surface of a semiconductor wafer, and the ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing of the present invention is attached to the back surface of the semiconductor wafer, and Fig. 3(B) ) Shows a state in which ultraviolet rays using an LED lamp as a light source are irradiated from the side to which the surface protection tape is adhered, and Fig. 3(C) shows a state in which the surface protection tape is removed.
Fig. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the steps of UV irradiation and dicing by a second UV irradiation device using a high-pressure mercury lamp as a light source to the UV curable adhesive tape for semiconductor wafer processing of the present invention. In FIG. 4, FIG. 4(A) shows a state after the surface protection tape is removed from the semiconductor wafer, and FIG. 4(B) shows a process of dividing into individual chips by a dicing blade and subdividing into pieces. Figure 4(C) shows a state in which ultraviolet rays are irradiated by a second ultraviolet irradiation device using a high-pressure mercury lamp as a light source from the side to which the ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing of the present invention is adhered.

이하에, 본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

[반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프][UV curable adhesive tape for semiconductor wafer processing]

본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프(2)(이하, 「본 발명의 점착 테이프」라고도 칭한다.)는, 기재 필름(3) 및 기재 필름(3) 상에 마련된 자외선 경화형의 점착제 층(4)을 적어도 가지는 테이프이다. 또, 점착제 층(4) 위에는, 필요에 따라 마련되는 박리 라이너(세퍼레이터라고도 칭해진다)가 형성되어 있어도 좋다. 또한, 본 발명의 점착 테이프(2)의 사용시에는, 상기 박리 라이너를 벗겨서 점착제 층(4)을 드러내서, 이용한다.The ultraviolet-curable adhesive tape 2 for semiconductor wafer processing of the present invention (hereinafter, also referred to as "the adhesive tape of the present invention") is an ultraviolet-curable adhesive layer 4 provided on the base film 3 and the base film 3 It is a tape with at least ). Moreover, on the pressure-sensitive adhesive layer 4, a release liner (also referred to as a separator) provided as necessary may be formed. In addition, when using the adhesive tape 2 of the present invention, the release liner is peeled off to expose the adhesive layer 4 and used.

(본 발명의 점착 테이프의 점착력)(Adhesion strength of the adhesive tape of the present invention)

본 발명의 점착 테이프(2)는, JIS　Z　0237에 기초하는 SUS304(스테인리스강)에 대한 90°떼어내기 시험 방법에 의해 측정되는 점착력의 값이, 하기 (1) 및 (2)를 함께 만족시키는 점착 테이프이다.In the adhesive tape 2 of the present invention, the value of the adhesive force measured by the 90° peeling test method for SUS304 (stainless steel) based on JIS 　Z　0237 satisfies the following (1) and (2) together. It is an adhesive tape.

(1) [파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]/[자외선 조사 전의 점착력](이하, 「ALED/A0」이라고도 약칭한다. )≥0.50(1) [Adhesion after UV irradiation with a cumulative amount of light of 500mJ/cm2 by an UV irradiation device using an LED lamp with a wavelength of 365 nm as a light source]/[Adhesion before UV irradiation] (hereinafter, also abbreviated as "A LED /A 0 " . )≥0.50

(2) [고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]/[자외선 조사 전의 점착력](이하, 「AHPM/A0」이라고도 약칭한다. )≤0.50(2) [Adhesion after ultraviolet irradiation with a cumulative amount of light of 500mJ/cm2 by an ultraviolet irradiation apparatus using a high-pressure mercury lamp as a light source]/[Adhesion before ultraviolet irradiation] (hereinafter, also abbreviated as "A HPM /A 0 ") ≤ 0.50

상기에 있어서, [자외선 조사 전의 점착력]이란, 본 발명의 점착 테이프를 제작 후, 미사용 상태에서의 점착력을 의미한다. 또한, 장기 보관 등에 의해 시간이 경과(經時)된 본 발명의 점착 테이프에 대해서는, 차광 등에 의해 자외선 경화가 생기지 않는 상황에서 보관한 상태로의 점착력을 의미한다.In the above, the "adhesive force before irradiation with ultraviolet rays" means the adhesive force in an unused state after the adhesive tape of the present invention is produced. In addition, with respect to the adhesive tape of the present invention for which time has elapsed due to long-term storage or the like, it means the adhesive strength in a stored state in a situation where UV curing does not occur due to light shielding or the like.

또, [자외선 조사 후의 점착력]이란, 상기 미사용 상태의 본 발명의 점착 테이프에 대해서, 각 광원 램프를 이용한 자외선 조사 장치에 의해 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선을 조사한 후의 점착력을 의미한다.In addition, the "adhesive force after ultraviolet irradiation" means the adhesive force after irradiating the adhesive tape of the present invention in the unused state with ultraviolet rays having an accumulated light amount of 500 mJ/cm 2 by an ultraviolet irradiation device using each light source lamp.

상기 점착력의 구체적인 측정 방법은, 실시예의 항에 기재한 대로이다.The specific measuring method of the adhesive force is as described in the section of Examples.

상기 [자외선 조사 전의 점착력](A0)은, 자외선 조사 전의 본 발명의 점착 테이프가 반도체 웨이퍼와 충분한 밀착성을 가지는 점에서, 1N/25㎜∼10N/25㎜인 것이 바람직하고, 1N/25㎜∼5N/25㎜인 것이 보다 바람직하다.The [adhesive force before ultraviolet irradiation] (A 0 ) is preferably 1N/25mm to 10N/25mm, and 1N/25mm, from the point of view that the adhesive tape of the present invention before ultraviolet irradiation has sufficient adhesion with a semiconductor wafer. It is more preferable that it is -5N/25mm.

상기 (1)에 있어서의 ALED/A0은, 0.60 이상이 바람직하고, 0.70 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상기 (1)에 있어서의 ALED/A0의 상한치는 특별히 제한은 없지만, 1.30 이하가 바람직하고, 1.20 이하가 보다 바람직하고, 1.10 이하가 더욱 바람직하고, 1.00 이하가 특히 바람직하다.The A LED /A 0 in the above (1) is preferably 0.60 or more, and more preferably 0.70 or more. In addition, the upper limit of A LED /A 0 in the above (1) is not particularly limited, but 1.30 or less is preferable, 1.20 or less is more preferable, 1.10 or less is still more preferable, and 1.00 or less is particularly preferable.

상기 (2)에 있어서의 AHPM/A0은, 0.40 이하가 바람직하고, 0.30 이하가 보다 바람직하고, 0.20 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 상기 (2)에 있어서의 AHPM/A0의 하한치는 특별히 제한은 없지만, 0.05 이상이 바람직하고, 0.10 이상이 보다 바람직하다.As for A HPM /A 0 in said (2), 0.40 or less are preferable, 0.30 or less are more preferable, and 0.20 or less are still more preferable. In addition, the lower limit value of A HPM /A 0 in the above (2) is not particularly limited, but 0.05 or more is preferable, and 0.10 or more is more preferable.

또한, [고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]에 대한 [파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]의 비(이하, 「ALED/AHPM」이라고도 약칭한다.)는, 0.2∼200인 것이 바람직하고, 2.0∼100인 것이 보다 바람직하다.In addition, for [adhesive strength after ultraviolet irradiation of 500mJ/cm2 of accumulated light by an ultraviolet irradiation device using a high-pressure mercury lamp as a light source], the accumulated light amount of 500mJ/cm2 by an ultraviolet irradiation device using an LED lamp with a wavelength of 365nm as a light source. The ratio (hereinafter, also abbreviated as "A LED /A HPM ") of the adhesive force after irradiation of ultraviolet rays is preferably 0.2 to 200, and more preferably 2.0 to 100.

본 발명의 점착 테이프(2)는, 자외선 조사 전후에서의 점착력의 값의 비인 ALED/A0 및 AHPM/A0이 함께(공히) 상기 (1) 및 (2)를 만족시키는 것에 의해, 파장 365㎚의 LED 램프(본 명세서중에 있어서, 단지「LED 램프」라고도 칭한다.)를 광원으로 하는 자외선 조사에서는 점착력의 저하를 억제할 수 있고, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사에 의해 점착력을 충분히 저하시킬 수 있다.In the adhesive tape 2 of the present invention, by satisfying the above (1) and (2) together (both), A LED /A 0 and A HPM /A 0, which are the ratios of the values of the adhesive strength before and after UV irradiation, In UV irradiation using an LED lamp with a wavelength of 365 nm (in this specification, it is also simply referred to as “LED lamp”) as a light source, the decrease in adhesive strength can be suppressed, and the adhesive strength is reduced by UV irradiation using a high-pressure mercury lamp It can be sufficiently reduced.

이 때문에, 본 발명의 점착 테이프(2)는, 반도체 웨이퍼의 가공 공정에 있어서 다이싱 테이프로서 이용한 경우에는, 표면 보호 테이프에의 자외선 조사의 광원으로서 LED 램프를 이용하는 것에 의해, 표면 보호 테이프에의 자외선 조사에서는 점착력의 저하를 억제할 수 있고, LED 램프의 자외선이 본 발명의 점착 테이프(2)(다이싱 테이프)로 돌아들어가도, 다이싱시에 있어서의 칩 튐을 억제할 수 있다. 또, 본 발명의 점착 테이프(2)는, 광원으로서 고압 수은 램프를 이용하는 자외선 조사에 의해, 본 발명의 점착 테이프(2)의 점착력을 충분히 저하시킬 수 있고, 우수한 픽업성을 나타낼 수 있다.For this reason, when the adhesive tape 2 of the present invention is used as a dicing tape in a processing step of a semiconductor wafer, it is applied to the surface protection tape by using an LED lamp as a light source for ultraviolet irradiation to the surface protection tape. In ultraviolet irradiation, a decrease in adhesive strength can be suppressed, and even if the ultraviolet rays of the LED lamp return to the adhesive tape 2 (dicing tape) of the present invention, chip spatter at the time of dicing can be suppressed. Further, the adhesive tape 2 of the present invention can sufficiently reduce the adhesive force of the adhesive tape 2 of the present invention by irradiation with ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp as a light source, and can exhibit excellent pick-up properties.

(기재 필름)(Base film)

본 발명에 있어서의 기재 필름(3)은, 특별히 제한되는 것은 아니고, 공지의 플라스틱 등의 수지를 이용할 수 있다. 반도체 웨이퍼의 다이싱 용도의 테이프(이하, 「다이싱 테이프」라고 칭한다.)를 구성하는 기재 필름으로서는, 통상, 열가소성의 플라스틱 필름이 이용된다.The base film 3 in the present invention is not particularly limited, and a known resin such as plastic can be used. As a base film constituting a tape for dicing a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "dicing tape"), a thermoplastic plastic film is usually used.

기재 필름(3)을 구성하는 수지(재료)로서, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌－프로필렌 공중합체 및 폴리뷰텐 등의 폴리올레핀, 스타이렌－수소첨가(水添, hydrogenated) 아이소프렌－스타이렌 블록 공중합체, 스타이렌－아이소프렌－스타이렌 공중합체, 스타이렌－수소첨가 부타디엔－스타이렌 공중합체 및 스타이렌－수소첨가 아이소프렌/부타디엔－스타이렌 공중합체 등의 열가소성 일래스토머, 에틸렌－초산 비닐 공중합체, 에틸렌－(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌－(메타)아크릴산 에스터 공중합체 및 에틸렌－(메타)아크릴산 금속염계 아이오노머 등의 에틸렌 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리뷰틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트 및 폴리메타크릴산 메틸 등의 엔지니어링 플라스틱, 연질 폴리염화 비닐, 반경질 폴리염화 비닐, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리아마이드, 폴리이미드, 천연 고무 및 합성 고무 등의 고분자 재료가 바람직하다.As the resin (material) constituting the base film 3, for example, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polyolefin such as polybutene, styrene-hydrogenated isoprene- Thermoplastic elastomers such as styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene copolymer, styrene-hydrogenated butadiene-styrene copolymer, and styrene-hydrogenated isoprene/butadiene-styrene copolymer, Ethylene copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer and ethylene-(meth)acrylic acid metal salt ionomer, polyethylene terephthalate, polybutylene tere Polymer materials such as engineering plastics such as phthalates, polycarbonates and polymethyl methacrylate, soft polyvinyl chloride, semi-rigid polyvinyl chloride, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide, natural rubber and synthetic rubber are preferred. .

상기 에틸렌 공중합체에 있어서, 수지의 구성 단위인, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산 에스터 및 (메타)아크릴산 금속염은, 에틸렌 공중합체중에 1종 포함되어 있어도 좋고 2종 이상 포함되어 있어도 좋다. 또, 에틸렌－(메타)아크릴산 금속염계 아이오노머에 있어서의 금속염은, 2가 이상의 금속염이 바람직하고, 예를 들면, Zn2＋의 금속염을 들 수 있다.In the ethylene copolymer, the constituent units of the resin, (meth)acrylic acid, (meth)acrylic acid ester, and (meth)acrylic acid metal salt may be contained in one type or two or more types in the ethylene copolymer. Further, the metal salt in the ethylene-(meth)acrylic acid metal salt ionomer is preferably a metal salt having a divalent or higher value, and examples thereof include a metal salt of Zn 2+ .

기재 필름(3)을 구성하는 수지로서, 1종 또는 2종 이상의 수지를 이용할 수 있다.As the resin constituting the base film 3, one type or two or more types of resin can be used.

기재 필름(3)은, 단층 구조이더라도 좋고, 2층 이상의 층이 적층된 복층체이더라도 좋다.The base film 3 may have a single layer structure or a multilayer body in which two or more layers are laminated.

기재 필름(3)을 구성하는 수지는, 점착제 층(4)와의 접착성(接着性)에 따라 적당히(適宜) 선택할 수 있다.The resin constituting the base film 3 can be appropriately selected depending on the adhesiveness to the pressure-sensitive adhesive layer 4.

기재 필름(3)은, 시판되는 것을 이용해도 좋고, 캐스트법, T다이법, 인플레이션법 및 캘린더법 등의 상법(常法)에 의해 제막한 필름을 이용해도 좋다.As the base film 3, a commercially available film may be used, or a film formed by a commercial method such as a cast method, a T-die method, an inflation method, and a calender method may be used.

기재 필름(3)의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 통상의 다이싱 테이프에 있어서의 기재 필름의 두께로 설정할 수 있다. 통상, 30∼200㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50∼150㎛이다.The thickness of the base film 3 is not particularly limited, and can be set to the thickness of the base film in an ordinary dicing tape. Usually, it is preferably 30 to 200 µm, more preferably 50 to 150 µm.

기재 필름(3)의 점착제 층(4)에 접하는 면에는, 밀착성을 향상시키기 위해서, 코로나 처리 및 프라이머 처리 등의 어느 하나의 표면 처리를 실시해도 좋다.The surface of the base film 3 in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 4 may be subjected to any one of surface treatments such as corona treatment and primer treatment in order to improve adhesion.

＜점착제 층＞<Adhesive layer>

점착제 층(4)을 구성하는 점착제는, 상기에서 (1) 및 (2)에서 규정하는 자외선 조사 전후에서의 점착력의 비를 만족시킬 수 있는 자외선 경화형 점착제(이하, 단지「점착제」라고도 칭한다.)인 한, 특별히 한정되는 일은 없다.The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 4 is an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive capable of satisfying the ratio of the pressure-sensitive adhesive strength before and after ultraviolet irradiation specified in (1) and (2) above (hereinafter, also referred to simply as "adhesive"). As long as it is, there is no particular limitation.

구체적으로는, 상기 자외선 경화형 점착제를 함유하는 점착제 층(4)은, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사에서는 경화가 그다지 진행하지 않고, 이 자외선 조사에 의해서는 점착력이 저하하기 어렵다. 다른 한편, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사에 의해 경화가 진행되어, 점착력을 충분히 저하시킬 수 있고, 반도체 웨이퍼(반도체 칩)로부터 박리하기 쉬워진다. 즉, 고압 수은 램프를 광원에 이용하면, 254㎚, 313㎚, 365㎚, 405㎚ 및 436㎚ 등의 파장을 포함하는 파장 분포가 넓은 광(빛)을 조사할 수 있기 때문에, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원에 이용한 경우에 비해, 경화 반응을 보다 효율화할 수 있다. 본 발명에 있어서, 점착제 층(4)은, 조사하는 자외선의 파장역(파장 분포)에 따라서 경화 반응성이 다른 자외선 경화형의 층이다.Specifically, in the pressure-sensitive adhesive layer 4 containing the ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive, curing does not proceed very much under ultraviolet irradiation using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source, and the adhesive strength is hardly lowered by this ultraviolet irradiation. On the other hand, curing proceeds by ultraviolet irradiation using a high-pressure mercury lamp as a light source, the adhesive strength can be sufficiently reduced, and peeling from the semiconductor wafer (semiconductor chip) becomes easy. That is, if a high-pressure mercury lamp is used as a light source, light (light) having a wide wavelength distribution including wavelengths such as 254 nm, 313 nm, 365 nm, 405 nm, and 436 nm can be irradiated. Compared to the case where an LED lamp is used as a light source, the curing reaction can be made more efficient. In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer 4 is an ultraviolet-curable layer having a different curing reactivity depending on the wavelength range (wavelength distribution) of ultraviolet rays to be irradiated.

상기 점착제에 포함되는 폴리머(본 명세서중에 있어서, 「베이스 폴리머」라고도 칭한다.)로서는, (메타)아크릴 폴리머가 바람직하다.As the polymer contained in the pressure-sensitive adhesive (in this specification, it is also referred to as "base polymer"), a (meth)acrylic polymer is preferable.

점착제 층(4)중에 포함되는 베이스 폴리머의 함유량은, 50∼95질량%가 바람직하고, 70∼95질량%가 보다 바람직하다.The content of the base polymer contained in the pressure-sensitive adhesive layer 4 is preferably 50 to 95% by mass, more preferably 70 to 95% by mass.

(자외선 경화형 점착제)(UV curable adhesive)

상기 자외선 경화형 점착제는, 상술한 대로, 조사하는 자외선의 파장역에 따라서 경화 반응성이 다른 점착제라면 좋다. 여기서, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사에 의한 경화는, 삼차원 망상화(網狀化)하는 성질을 이용하는 것이라면 좋고, 크게 나누어, 1) 측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합(에틸렌성 이중 결합)을 가지는 베이스 폴리머를 함유하는 점착제와, 2) 통상의 고무계 혹은(메타)아크릴계의 감압성(感壓性) 베이스 폴리머에 대해서, 분자중에 적어도 2개의 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합(에틸렌성 이중 결합)을 가지는 저분자량 화합물(이하, 자외선 중합성 저분자량 화합물이라고 한다)을 함유하는 점착제로 분류된다.As described above, the ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive may be any pressure-sensitive adhesive having different curing reactivity depending on the wavelength range of the ultraviolet light to be irradiated. Here, curing by ultraviolet irradiation using a high-pressure mercury lamp as a light source is good as long as it uses the property of three-dimensional network formation, and is broadly divided into 1) ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond (ethylenic double bond) in the side chain. Bond), and 2) an ordinary rubber-based or (meth)acrylic pressure-sensitive base polymer, at least two ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bonds (ethylene It is classified as a pressure-sensitive adhesive containing a low molecular weight compound (hereinafter referred to as an ultraviolet polymerizable low molecular weight compound) having a double bond).

본 발명의 점착 테이프(2)가 저분자량 화합물(분자량이 약 1000 이하)을 함유하면, 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 첩부(貼付)한 후, 자외선 조사나 픽업을 행할 때까지의 기간이 길면, 저분자량 화합물이 점착 테이프와 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩과의 계면으로 이행하는 것에 의해, 밀착성이 상승하고, 픽업시의 점착 테이프와 반도체 칩 사이에서의 박리가 심해지는 현상이 보이는 경우가 있다. 이 때문에, 상기 자외선 경화형 점착제는, 상기 1)의 측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합(에틸렌성 이중 결합)을 가지는 베이스 폴리머를 함유하는 점착제가 바람직하다. 이 1)의 점착제는, 저분자량 화합물을 함유하고 있어도 좋지만, 상기 박리가 심해지는 현상이 보이지 않을 정도의 함유량인 것이 보다 바람직하다. 또한, 후술하는 광중합 개시제 및 경화제를 함유하는 것을 제한하는 것은 아니다.If the adhesive tape 2 of the present invention contains a low molecular weight compound (molecular weight of about 1000 or less), after the adhesive tape is affixed to a semiconductor wafer, if the period until ultraviolet irradiation or pickup is long, low When the molecular weight compound migrates to the interface between the adhesive tape and the semiconductor wafer or semiconductor chip, the adhesiveness increases, and peeling between the adhesive tape and the semiconductor chip at the time of pickup is sometimes observed. For this reason, the ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive is preferably a pressure-sensitive adhesive containing a base polymer having an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond (ethylenic double bond) in the side chain of 1). Although the pressure-sensitive adhesive of 1) may contain a low molecular weight compound, it is more preferable that the content is such that the phenomenon in which the peeling becomes severe is not observed. In addition, it does not limit what contains the photoinitiator and hardening agent mentioned later.

(측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 베이스 폴리머로 이루어지는 점착제)(Adhesive made of a base polymer having an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain)

점착제 층(4)을 구성하는 점착제가, 측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 베이스 폴리머를 함유하는 경우, 점착제 층(4)은, 측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 (메타)아크릴 폴리머를 포함하는 것이 바람직하다. 점착제 층(4)중의 측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 (메타)아크릴 폴리머의 함유량은, 50질량% 이상이 바람직하고, 80질량% 이상이 보다 바람직하다.When the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 4 contains a base polymer having an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain, the pressure-sensitive adhesive layer 4 has an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain ( It is preferred to include a meth)acrylic polymer. The content of the (meth)acrylic polymer having an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain in the pressure-sensitive adhesive layer 4 is preferably 50% by mass or more, and more preferably 80% by mass or more.

상기 (메타)아크릴 폴리머는, 상기 측쇄에 가지는 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합(에틸렌성 이중 결합) 외에, 에폭시기나 카복시기(카르복시기) 등의 관능기를 가져도 좋다.In addition to the ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond (ethylenic double bond) that the (meth)acrylic polymer has in the side chain, it may have a functional group such as an epoxy group or a carboxyl group (carboxyl group).

측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 (메타)아크릴 폴리머로서는, 폴리머의 구성 단위의 적어도 1종이 에틸렌성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 (메타)아크릴 폴리머가 바람직하다. 상기 (메타)아크릴 폴리머는, 어떻게 해서 제조된 것이라도 좋고, 상법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 측쇄에 관능기(α)를 가지는 (메타)아크릴 폴리머와, (메타)아크릴로일기 등의 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지고, 또한, 이 (메타)아크릴 폴리머의 측쇄의 관능기(α)와 반응할 수 있는 관능기(β)를 갖는 화합물을 반응시켜서 얻은 것이 바람직하다.As the (meth)acrylic polymer having an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain, a (meth)acrylic polymer having at least one structural unit of the polymer having an ethylenic carbon-carbon double bond is preferable. The (meth)acrylic polymer may be produced by any method, and it can be produced by a conventional method. For example, a (meth)acrylic polymer having a functional group (α) in the side chain and an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond such as a (meth)acryloyl group, and a functional group of the side chain of this (meth)acrylic polymer It is preferably obtained by reacting a compound having a functional group (β) capable of reacting with (α).

자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 기는, 비방향족성의 에틸렌성 이중 결합을 가지면 어떠한 기라도 상관없지만, (메타)아크릴로일기, (메타)아크릴로일옥시기, (메타)아크릴로일아미노기, 알릴기, 1－프로펜일기, 비닐기(스타이렌 혹은 치환 스타이렌을 포함한다)가 바람직하고, (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기가 보다 바람직하다.The group having an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond may be any group as long as it has a non-aromatic ethylenic double bond, but a (meth)acryloyl group, a (meth)acryloyloxy group, a (meth)acryloylamino group, An allyl group, a 1-propenyl group, and a vinyl group (including styrene or substituted styrene) are preferable, and a (meth)acryloyl group or a (meth)acryloyloxy group is more preferable.

관능기(α), (β)로서는, 카복시기, 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 환상(環狀) 산 무수기, 에폭시기, 아이소사이아네이트(isocyanate)기(－N=C=O) 등을 들 수 있다.Examples of the functional groups (α) and (β) include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group (-N=C=O). I can.

여기서, 관능기(α)와 관능기(β) 중의 한쪽 관능기가, 카복시기, 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 또는 환상 산 무수기인 경우에는, 다른쪽 관능기는, 에폭시기, 아이소사이아네이트기를 들 수 있고, 한쪽 관능기가 환상 산 무수기인 경우, 다른쪽 관능기는 카복시기, 수산기, 아미노기, 메르캅토기를 들 수 있다. 또한, 한쪽 관능기가, 에폭시기인 경우는, 다른쪽 관능기는 에폭시기이더라도 좋다.Here, when one of the functional group (α) and the functional group (β) is a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, or a cyclic acid anhydride group, the other functional group may be an epoxy group or an isocyanate group. When one functional group is a cyclic acid anhydride group, the other functional group includes a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, and a mercapto group. In addition, when one functional group is an epoxy group, the other functional group may be an epoxy group.

관능기(α)로서는, 카복시기 또는 수산기가 바람직하고, 수산기가 특히 바람직하다.As the functional group (α), a carboxy group or a hydroxyl group is preferable, and a hydroxyl group is particularly preferable.

측쇄에 관능기(α)를 가지는 (메타)아크릴 폴리머는, 관능기(α)를 가지는 (메타)아크릴 모노머, 바람직하게는 (메타)아크릴산 에스터[(특히, 알코올부에 관능기(α)를 가지는 것]를 모노머 성분에 사용함으로써 얻을 수 있다.The (meth)acrylic polymer having a functional group (α) in the side chain is a (meth)acrylic monomer having a functional group (α), preferably a (meth)acrylic acid ester [(particularly, one having a functional group (α) in the alcohol moiety)] It can be obtained by using for a monomer component.

측쇄에 관능기(α)를 가지는 (메타)아크릴 폴리머는, 공중합체가 바람직하다. 이 경우, 측쇄에 관능기(α)를 가지는 (메타)아크릴 모노머와의 공중합 성분은, (메타)아크릴산 알킬에스터, 그 중에서도 알코올부에 관능기(α)나 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 기가 치환되어 있지 않은 (메타)아크릴산 알킬에스터가 바람직하다.The (meth)acrylic polymer having a functional group (?) in the side chain is preferably a copolymer. In this case, the copolymerization component with the (meth)acrylic monomer having a functional group (α) in the side chain is a (meth)acrylic acid alkyl ester, especially a group having a functional group (α) or an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond in the alcohol moiety. Unsubstituted (meth)acrylic acid alkyl esters are preferred.

상기 (메타)아크릴산 에스터로서는, 예를 들면, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n－프로필아크릴레이트, n－뷰틸아크릴레이트, 아이소뷰틸아크릴레이트, n－펜틸아크릴레이트, n－헥실아크릴레이트, n－옥틸아크릴레이트, 아이소옥틸아크릴레이트, 2－에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트 헥실아크릴레이트, 및 이들에 대응하는 메타크릴레이트를 들 수 있다.As said (meth)acrylic acid ester, for example, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, n-pentyl acrylate, n-hexyl acrylate, n -Octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate hexyl acrylate, and methacrylates corresponding to these are mentioned.

(메타)아크릴산 에스터는 1종에서도 2종 이상이라도 상관없지만, 알코올부의 탄소수가 5 이하인 것과 탄소수가 6∼12인 것을 병용하는 것이 바람직하다.Although 1 type or 2 or more types may be sufficient as (meth)acrylic acid ester, it is preferable to use a carbon number of 5 or less in an alcohol part and a C6-C12 thing together.

또한, 알코올부의 탄소수가 큰 모노머를 사용할 수록 유리 전이점(Tg)은 낮아지므로, 원하는(所望) 유리 전이점의 것을 얻을 수 있다. 또, 유리 전이점 외에, 상용성(相溶性)과 각종 성능을 올릴 목적으로 초산 비닐, 스타이렌, 아크릴로니트릴 등의 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 저분자 화합물을 배합하는 것도 바람직하고, 이 경우, 이들 모노머 성분의 함유량은 5질량% 이하의 범위 내가 바람직하다.In addition, since the glass transition point (Tg) becomes lower as the carbon number of the monomer of the alcohol moiety is larger, the desired glass transition point can be obtained. In addition to the glass transition point, it is also preferable to mix a low molecular weight compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene, and acrylonitrile for the purpose of improving compatibility and various performances. In this case, The content of these monomer components is preferably within the range of 5% by mass or less.

관능기(α)를 가지는 (메타)아크릴 모노머로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 계피산, 이타콘산, 퓨말산(푸마르산), 프탈산, 2－하이드록시알킬아크릴레이트류, 2－하이드록시알킬메타크릴레이트류, 글라이콜모노아크릴레이트류, 글라이콜(glycol)모노메타크릴레이트류, N－메틸올아크릴아마이드, N－메틸올메타크릴아마이드, 알릴알코올, N－알킬아미노에틸아크릴레이트류, N－알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아마이드류, 메타크릴아마이드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 퓨말산, 무수 프탈산, 글라이시딜(glycidyl)아크릴레이트, 글라이시딜메타크릴레이트, 알릴글라이시딜에테르, 폴리아이소사이아네이트 화합물의 아이소사이아네이트기의 일부를 수산기 또는 카복시기 및 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 단량체로 우레탄화한 것 등을 들 수 있다.Examples of (meth)acrylic monomers having a functional group (α) include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid (fumaric acid), phthalic acid, 2-hydroxyalkylacrylates, and 2-hydroxyalkylmethacrylates. , Glycol monoacrylates, glycol (glycol) monomethacrylates, N-methylol acrylamide, N-methylol methacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylate, N- Alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, phthalic anhydride, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allylgl The lycidyl ether and a part of the isocyanate group of the polyisocyanate compound are urethanized with a monomer having a hydroxyl group or a carboxy group and an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond.

이들 중에서도, 아크릴산, 메타크릴산, 2－하이드록시알킬아크릴레이트류, 2－하이드록시알킬메타크릴레이트류, 글라이시딜아크릴레이트 또는 글라이시딜메타크릴레이트가 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, 2－하이드록시알킬아크릴레이트류 또는 2－하이드록시알킬메타크릴레이트류가 보다 바람직하고, 2－하이드록시알킬아크릴레이트류 또는 2－하이드록시알킬메타크릴레이트류가 더욱 바람직하다.Among these, acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate are preferable, acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxyalkylacrylates or 2-hydroxyalkylmethacrylates are more preferable, and 2-hydroxyalkylacrylates or 2-hydroxyalkylmethacrylates are still more preferable.

자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합과 관능기(β)를 갖는 화합물에 있어서의 관능기(β)로서는, 아이소사이아네이트기가 바람직하고, 예를 들면, 알코올부에 아이소사이아네이트(－N=C=O)기를 가지는 (메타)아크릴산 에스터를 들 수 있고, 그 중에서도 아이소사이아네이트(－N=C=O)기로 치환된 (메타)아크릴산 알킬에스터가 바람직하다. 이와 같은 모노머로서는, 예를 들면, 2－아이소사이아나토(isocyanato)에틸메타크릴레이트, 2－아이소사이아나토에틸아크릴레이트 등을 들 수 있다.As the functional group (β) in the compound having an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond and a functional group (β), an isocyanate group is preferable. For example, an isocyanate group (-N=C=) in the alcohol moiety O) group-containing (meth)acrylic acid esters are mentioned, and among them, (meth)acrylic acid alkyl esters substituted with an isocyanate (-N=C=O) group are preferable. As such a monomer, 2-isocyanato ethyl methacrylate, 2-isocyanato ethyl acrylate, etc. are mentioned, for example.

또, 관능기(β)가 아이소사이아네이트기 이외인 경우의 바람직한 화합물은, 관능기(α)를 가지는 (메타)아크릴 모노머에서 예시한 화합물을 들 수 있다.Moreover, preferable compounds in the case where the functional group (β) is other than an isocyanate group include the compounds exemplified by the (meth)acrylic monomer having a functional group (α).

자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합과 관능기(β)를 가지는 화합물과, 측쇄에 관능기(α)를 가지는 (메타)아크릴 폴리머를 반응시키는 것에 의해, 폴리머에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 포함시킬 수 있고, 자외선 경화형의 점착제 층을 형성할 수 있다.By reacting a compound having an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond and a functional group (β) with a (meth)acrylic polymer having a functional group (α) in the side chain, the polymer can contain an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond. And can form an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer.

(메타)아크릴 폴리머의 합성에 있어서, 반응을 용액 중합으로 행하는 경우의 유기 용제로서는, 케톤계, 에스터계, 알코올계, 방향족계의 것을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 톨루엔, 초산 에틸, 아이소프로필알코올, 벤젠메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의, 일반적으로 (메타)아크릴 폴리머의 양용매(良溶媒)이고, 끓는점 60∼120℃의 용제가 바람직하다. 중합 개시제로서는, α,α＇－아조비스아이소뷰티로나이트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥사이드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 통상 이용한다. 이 때, 필요에 따라 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합시간을 조절하는 것에 의해, 원하는 분자량의 (메타)아크릴 폴리머를 얻을 수 있다. 또, 분자량을 조절하는 것에 관해서는, 메르캅탄, 사염화 탄소 등의 용제를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 반응은 용액 중합에 한정되는 것은 아니고, 괴상(塊狀) 중합, 현탁(懸濁) 중합 등 다른 방법이라도 지장이 없다.In the synthesis of the (meth)acrylic polymer, when the reaction is carried out by solution polymerization, as an organic solvent, ketone-based, ester-based, alcohol-based and aromatic-based ones can be used. Among them, toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol, It is generally a good solvent for (meth)acrylic polymer, such as benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, and methyl ethyl ketone, and a solvent having a boiling point of 60 to 120°C is preferable. As the polymerization initiator, radical generators such as azobis-based, such as α,α′-azobisisobutyronitrile, and organic peroxide-based, such as benzoyl peroxide, are usually used. At this time, if necessary, a catalyst and a polymerization inhibitor may be used in combination, and a (meth)acrylic polymer having a desired molecular weight can be obtained by controlling the polymerization temperature and polymerization time. Moreover, it is preferable to use a solvent, such as mercaptan and carbon tetrachloride, regarding controlling the molecular weight. In addition, this reaction is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization do not interfere.

측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 베이스 폴리머[바람직하게는 (메타)아크릴 폴리머]의 질량 평균 분자량(Mw)은, 20만∼100만 정도가 바람직하다.The mass average molecular weight (Mw) of the base polymer [preferably (meth)acrylic polymer] having an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain is preferably about 200,000 to 1 million.

질량 평균 분자량이 100만 이하이면, 자외선을 조사한 경우에, 자외선 조사 후도 점착제 층(4)이 물러지지 않고 가요성을 가지기 때문에, 박리시에 반도체 칩면에 점착물질 잔존(adhesive deposit)을 일으키기 어렵다. 또, 질량 평균 분자량이 20만 이상이면, 자외선 조사 전의 응집력이 너무 작지 않고, 충분한 점착력을 가지기 때문에, 다이싱시에 충분히 반도체 칩을 보존유지할 수 있고, 칩 튐이 생기기 어렵다. 또, 자외선 조사 후의 경화가 충분하여, 박리시에 반도체 칩면에 점착물질 잔존을 일으키기 어렵다. 본 발명에 있어서의 질량 평균 분자량이란, 폴리스타이렌 환산의 질량 평균 분자량이다.If the mass average molecular weight is 1 million or less, when irradiated with ultraviolet rays, the adhesive layer 4 does not soften and has flexibility even after ultraviolet irradiation, so it is difficult to cause adhesive deposits on the semiconductor chip surface during peeling. . In addition, when the mass average molecular weight is 200,000 or more, the cohesive force before ultraviolet irradiation is not too small and has sufficient adhesive strength, so that semiconductor chips can be sufficiently stored and maintained during dicing, and chip spatter is difficult to occur. Further, curing after irradiation with ultraviolet rays is sufficient, and it is difficult to cause residual adhesive material on the surface of the semiconductor chip during peeling. The mass average molecular weight in the present invention is a mass average molecular weight in terms of polystyrene.

측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 베이스 폴리머중에의 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합의 도입량은, 0.8∼1.8meq/g이 바람직하고, 0.8∼1.5meq/g이 보다 바람직하다. 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합의 도입량이 상기 범위 내이면, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사에 의해 경화 반응이 충분히 진행되고, 게다가, 충분한 유동성을 가지기 때문에, 점착물질 잔존이 저감된다.The amount of the ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond introduced into the base polymer having an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain is preferably 0.8 to 1.8 meq/g, and more preferably 0.8 to 1.5 meq/g. When the amount of the ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond introduced is within the above range, the curing reaction sufficiently proceeds by irradiation with ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp as a light source, and further, since it has sufficient fluidity, the residual adhesive substance is reduced.

측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 베이스 폴리머의 유리 전이점은, －70∼－35℃가 바람직하고, －70∼－40℃가 보다 바람직하다. 유리 전이점이 상기 하한치 이상이면, 점착제의 유동성이 너무 높지 않아 점착물질 잔존을 억제할 수 있고, 상기 상한치 이하이면, 반도체 웨이퍼의 이면에 잘 융합하는(어울리는) 충분한 유동성을 가지고, 본 발명의 점착 테이프를 익스팬드(expand)하는 경우에도, 반도체 웨이퍼로부터의 벗겨짐을 억제할 수 있다.The glass transition point of the base polymer having an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain is preferably -70 to -35°C, and more preferably -70 to -40°C. If the glass transition point is more than the lower limit, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive is not too high to suppress the residual adhesive material, and if it is less than the upper limit, it has sufficient fluidity to fuse well to the back surface of the semiconductor wafer (matching), and the adhesive tape of the present invention Even in the case of expanding (expand), peeling from the semiconductor wafer can be suppressed.

점착제 층(4)에 이용하는 베이스 폴리머의 유리 전이 온도는, 시차 주사 열량계(DSC)에 의해, 승온 속도 0.1℃／분의 조건에서 측정되는 값이다. 시차 주사 열량계로서는, 예를 들면, 시마즈 세이사쿠쇼(島津製作所)사제의 DSC－60(상품명)을 들 수 있다. 본 발명에 있어서 유리 전이 온도는, JIS　K　7121 「플라스틱의 전이 온도 측정 방법」의, 보외(補外) 유리 전이 개시 온도이다.The glass transition temperature of the base polymer used for the pressure-sensitive adhesive layer 4 is a value measured by a differential scanning calorimeter (DSC) under conditions of a temperature increase rate of 0.1°C/min. As a differential scanning calorimeter, DSC-60 (brand name) manufactured by Shimadzu Seisakusho is mentioned, for example. In the present invention, the glass transition temperature is the extrapolated glass transition start temperature of JIS KK7121 "Measurement of Plastic Transition Temperature".

측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 베이스 폴리머의 산가[베이스 폴리머 1g중에 존재하는 유리(遊離) 지방산을 중화하는데 필요한 수산화 칼륨의 mg수]는, 0.5∼30이 바람직하고, 1∼20이 보다 바람직하다.The acid value of the base polymer having an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain [the number of mg of potassium hydroxide required to neutralize the free fatty acid present in 1 g of the base polymer] is preferably 0.5 to 30, and 1 to 20. This is more preferable.

측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 베이스 폴리머의 수산기가[베이스 폴리머 1g을 아세틸화시켰을 때, 수산기와 결합한 초산을 중화하는데 필요로 하는 수산화 칼륨의 mg수]는, 5∼100이 바람직하고, 10∼80이 보다 바람직하다.The hydroxyl value of the base polymer having an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain [the number of mg of potassium hydroxide required to neutralize the acetic acid bound to the hydroxyl group when 1 g of the base polymer is acetylated] is preferably 5 to 100. And 10 to 80 are more preferable.

이와 같이 함으로써, 더욱 본 발명의 점착 테이프 박리시의 점착물질 잔존 방지 효과가 우수하다.By doing in this way, the effect of preventing the residual adhesive substance when peeling off the adhesive tape of the present invention is further excellent.

또한, 산가나 수산기가의 조제는, 측쇄에 관능기(α)를 가지는 (메타)아크릴 폴리머와, 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지고, 또한, 이 (메타)아크릴 폴리머의 측쇄의 관능기(α)와 반응할 수 있는 관능기(β)를 갖는 화합물을 반응시키는 단계에서, 미반응의 관능기를 남기는 것에 의해 원하는 것으로 조제할 수 있다.In addition, the preparation of an acid value or a hydroxyl value has a (meth)acrylic polymer having a functional group (α) in the side chain and an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond, and further, the functional group (α) of the side chain of the (meth)acrylic polymer In the step of reacting a compound having a functional group (β) capable of reacting with ), it can be prepared as desired by leaving an unreacted functional group.

(경화제)(Hardener)

측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 베이스 폴리머를 함유하는 점착제는, 경화제를 함유하는 것이 바람직하다. 경화제는, 베이스 폴리머가 가지는 관능기와 반응해서 점착력 및 응집력을 조정하기 위해서 이용된다.It is preferable that the pressure-sensitive adhesive containing a base polymer having an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain contains a curing agent. The curing agent is used to adjust the adhesive force and cohesive force by reacting with a functional group of the base polymer.

상기 경화제로서는, 바람직하게는, 폴리아이소사이아네이트류, 멜라민·폼알데하이드 수지 및 에폭시 수지를 들 수 있다. 이 중에서도, 본 발명에서는, 폴리아이소사이아네이트류가 보다 바람직하다.As said curing agent, Preferably, polyisocyanates, melamine formaldehyde resin, and epoxy resin are mentioned. Among these, in the present invention, polyisocyanates are more preferable.

폴리아이소사이아네이트류로서는, 특별히 제한이 없고, 예를 들면, 4, 4＇－다이페닐메탄 다이아이소사이아네이트, 톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 자일릴렌(xylylene) 다이아이소사이아네이트, 4, 4＇－다이페닐에테르 다이아이소사이아네이트, 4, 4＇－[2, 2－비스(4－페녹시페닐)프로판]다이아이소사이아네이트 등의 방향족 아이소사이아네이트, 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트, 2, 2, 4－트라이메틸－헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트, 아이소포론 다이아이소사이아네이트, 4, 4＇－다이사이클로헥실메탄 다이아이소사이아네이트, 2, 4＇－다이사이클로헥실메탄 다이아이소사이아네이트, 라이신(lysine) 다이아이소사이아네이트, 라이신 트라이아이소사이아네이트 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 콜로네이트 L(닛폰(日本) 폴리우레탄 주식회사제, 상품명) 등을 이용할 수 있다.There is no particular limitation on the polyisocyanates, and examples include 4, 4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, Aromatic isocyanates such as 4, 4'-diphenyl ether diisocyanate, 4, 4'-[2, 2-bis(4-phenoxyphenyl)propane] diisocyanate, hexamethylene dia Isocyanate, 2, 2, 4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4, 4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2, 4'- Dicyclohexylmethane diisocyanate, lysine diisocyanate, and lysine triisocyanate. Specifically, colonate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., brand name) or the like can be used.

멜라민·폼알데하이드 수지로서는, 구체적으로는, 니카랙(NIKALAC) MX－45(산와(三和) 케미컬 주식회사제, 상품명), 멜란(히타치 카세이 코교(日立化成工業) 주식회사제, 상품명) 등을 이용할 수 있다.Specifically, as melamine formaldehyde resin, NIKALAC MX-45 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd., brand name), Melan (manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd., brand name), etc. can be used. have.

에폭시 수지로서는, TETRAD－X(미츠비시 카가쿠(三菱化學) 주식회사제, 상품명) 등을 이용할 수 있다.As the epoxy resin, TETRAD-X (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, brand name) or the like can be used.

점착제를 도포 후에, 경화제에 의해, 베이스 폴리머가 가교 구조를 형성함으로써, 점착제의 응집력을 향상시킬 수 있다.After applying the pressure-sensitive adhesive, the base polymer forms a crosslinked structure by the curing agent, so that the cohesive strength of the pressure-sensitive adhesive can be improved.

상기의 경화제는, 미사용의 점착 테이프의 점착제 층(4)중에 있어서, 이미 베이스 폴리머와 반응한 상태에 있다. 또한, 본 발명에 있어서 「베이스 폴리머 성분」이라고 하는 경우, 경화제 성분을 포함하지 않는다. 즉, 베이스 폴리머와 경화제가 반응한 상태에 있어서는, 경화제 성분을 제외한 구조부를 베이스 폴리머 성분이라고 칭한다.The curing agent is already in a state of reacting with the base polymer in the pressure-sensitive adhesive layer 4 of an unused pressure-sensitive adhesive tape. In addition, in the case of a "base polymer component" in the present invention, a curing agent component is not included. That is, in a state in which the base polymer and the curing agent are reacted, the structural part excluding the curing agent component is referred to as a base polymer component.

다만, 점착제 층(4)중에 함유되는 모든 경화제가 반응하고 있어도, 그의 일부가 반응하고 있어도 좋다.However, even if all the curing agents contained in the adhesive layer 4 are reacting, a part of them may react.

점착제 층(4)중에 있어서, 경화제 성분의 함유량은, 베이스 폴리머 성분 100질량부에 대해서 0.1∼10질량부가 바람직하고, 1∼10질량부가 보다 바람직하다.In the pressure-sensitive adhesive layer 4, the content of the curing agent component is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer component.

경화제 성분의 함유량이 상기 하한치 이상이면, 응집력 향상 효과가 충분하게 되어, 점착제의 점착물질 잔존이 억제된다. 또 점착제 층과 피착체 면이 어긋나기 어려어, 익스팬드시의 벗겨짐이 억제된다. 경화제의 배합량이 상기 상한치 이하이면, 점착제의 배합 및 도포 작업중에 가교 구조가 급속히 형성되는 일 없이 경화 반응이 진행되기 때문에, 작업성이 우수하다. 또, 점착제의 유연성이 손상되지 않고, 익스팬드시의 벗겨짐이 억제된다.When the content of the curing agent component is more than the above lower limit, the effect of improving the cohesive strength becomes sufficient, and the residual adhesive substance of the pressure-sensitive adhesive is suppressed. Further, the pressure-sensitive adhesive layer and the surface of the adherend are difficult to shift, and peeling off during expansion is suppressed. When the blending amount of the curing agent is less than the above upper limit, the curing reaction proceeds without rapidly forming a crosslinked structure during the blending and application of the pressure-sensitive adhesive, so that the workability is excellent. Moreover, the flexibility of the pressure-sensitive adhesive is not impaired, and peeling off during expansion is suppressed.

점착제의 베이스 폴리머에 응집력을 부가하기 위해서, 상술하는 폴리아이소사이아네이트류, 멜라민·폼알데하이드 수지 및 에폭시 수지 이외에, 가교제를 배합할 수 있다. 가교제로서는, 베이스 폴리머에 대응해서, 예를 들면, 금속 킬레이트계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민 수지를 들 수 있다. 또 점착제에는, 본 발명의 목적이 손상되지 않는 범위에서, 원하는대로(소망에 따라), 각종 첨가 성분을 함유시킬 수 있다.In order to add cohesive force to the base polymer of the pressure-sensitive adhesive, in addition to the polyisocyanates, melamine-formaldehyde resin and epoxy resin described above, a crosslinking agent may be blended. As a crosslinking agent, corresponding to a base polymer, a metal chelate type crosslinking agent, an aziridine type crosslinking agent, and an amine resin are mentioned, for example. In addition, the pressure-sensitive adhesive can contain various additive components as desired (if desired) within a range in which the object of the present invention is not impaired.

(광중합 개시제)(Photopolymerization initiator)

측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 베이스 폴리머를 자외선 조사에 의해서 경화시키는 경우에는, 점착제중에 광중합 개시제를 배합하는 것이 바람직하다.When curing the base polymer having an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain by ultraviolet irradiation, it is preferable to mix a photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive.

상기 광중합 개시제로서는, 특별히 제한은 없고, 통상 이용되는 광중합 개시제를 널리 이용할 수 있다. 예를 들면, 아이소프로필벤조인에테르, 아이소뷰틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러 케톤(Michler's ketone), 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 다이메틸티오크산톤, 다이에틸티오크산톤, 벤질다이메틸케탈, α－하이드록시사이클로헥실페닐케톤, 2－하이드록시메틸페닐프로판 등을 사용할 수 있다.There is no restriction|limiting in particular as said photoinitiator, The photoinitiator normally used can be used widely. For example, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chloro thioxanthone, dodecyl thioxanthone, dimethyl thioxanthone, diethyl thioxanthone, benzyl Dimethyl ketal, α-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxymethylphenylpropane, and the like can be used.

본 발명의 점착 테이프(2)에, 소정의 파장역에 대한 반응성 차를 갖게 하기 위해, 점착제 층(4)중에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은, 베이스 폴리머 성분 100질량부에 대해서, 0.1∼3.0질량부가 바람직하고, 0.1∼1.5질량부가 보다 바람직하고, 0.1∼1.0질량부가 더욱 바람직하다. 광중합 개시제의 함유량이 상기 상한치 이하이면, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사에 의한 경화 반응성과 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사에 의한 경화 반응성 사이에, 원하는 차를 갖게 할 수 있다. 광중합 개시제의 함유량이 상기 하한치 이상이면, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선의 조사시에 경화 반응이 충분히 진행해서 경화되어, 본 발명의 점착 테이프(2)와 피착체와의 박리성을 보다 향상시킬 수 있다.In order to give the adhesive tape 2 of the present invention a difference in reactivity with respect to a predetermined wavelength range, the content of the photopolymerization initiator in the adhesive layer 4 is 0.1 to 3.0 parts by mass based on 100 parts by mass of the base polymer component. The addition is preferable, 0.1 to 1.5 parts by mass is more preferable, and 0.1 to 1.0 parts by mass is still more preferable. When the content of the photopolymerization initiator is less than the above upper limit, it is possible to provide a desired difference between the curing reactivity by UV irradiation using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source and the curing reactivity by UV irradiation using a high-pressure mercury lamp as a light source. . If the content of the photopolymerization initiator is more than the above lower limit, the curing reaction sufficiently proceeds and cures when irradiated with ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp as a light source, thereby further improving the peelability between the adhesive tape 2 of the present invention and the adherend. I can.

(자외선 흡수제)(Ultraviolet absorber)

본 발명의 점착 테이프(2)에, 소정의 파장역의 흡수성을 높이고, 소정의 광원을 이용했을 때의 경화 반응성을 제어하는 점에서, 점착제에 자외선 흡수제를 첨가해도 좋다.In the pressure-sensitive adhesive tape 2 of the present invention, an ultraviolet absorber may be added to the pressure-sensitive adhesive in order to increase the absorption in a predetermined wavelength range and to control curing reactivity when a predetermined light source is used.

상기 자외선 흡수제로서, 트라이아진 골격, 벤조페논 골격, 벤조트라이아졸 골격 또는 벤조에이트 골격을 가지는 자외선 흡수제중 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다.As the ultraviolet absorber, it is preferable to contain at least one of ultraviolet absorbers having a triazine skeleton, a benzophenone skeleton, a benzotriazole skeleton, or a benzoate skeleton.

상기 트라이아진 골격을 가지는 화합물로서, 예를 들면, 2, 4－비스[2－하이드록시－4－부톡시페닐]－6－(2, 4－다이부톡시페닐)－1, 3, 5－트라이아진, 2, 4－비스(2, 4－다이메틸페닐)－6－(2－하이드록시－4－n－옥틸옥시페닐)－1, 3, 5－트라이아진, 2－(2, 4－다이하이드록시페닐)－4, 6－비스(2, 4－다이메틸페닐)－1, 3, 5－트라이아진, 2－(2, 4－다이하이드록시페닐)－4, 6－다이페닐－1, 3, 5－트라이아진, 2－(2－하이드록시－4－메톡시페닐)－4, 6－다이페닐－1, 3, 5－트라이아진을 들 수 있다.As the compound having the triazine skeleton, for example, 2, 4-bis[2-hydroxy-4-butoxyphenyl]-6-(2, 4-dibutoxyphenyl)-1, 3, 5- Triazine, 2, 4-bis(2, 4-dimethylphenyl)-6-(2-hydroxy-4-n-octyloxyphenyl)-1, 3, 5-triazine, 2-(2, 4- Dihydroxyphenyl)-4, 6-bis(2, 4-dimethylphenyl)-1, 3, 5-triazine, 2-(2, 4-dihydroxyphenyl)-4, 6-diphenyl-1 , 3, 5-triazine, 2-(2-hydroxy-4-methoxyphenyl)-4, 6-diphenyl-1, 3, 5-triazine.

상기 벤조페논 골격을 가지는 화합물로서, 예를 들면, 2, 4－다이하이드록시벤조페논, 2, 2＇－다이하이드록시－4, 4＇－다이메톡시벤조페논, 2－하이드록시－4－메톡시벤조페논, 2－하이드록시－4－n－옥틸옥시벤조페논, 2, 2＇, 4, 4＇－테트라하이드록시벤조페논을 들 수 있다.As the compound having the benzophenone skeleton, for example, 2, 4-dihydroxybenzophenone, 2, 2'-dihydroxy-4, 4'-dimethoxybenzophenone, and 2-hydroxy-4- Methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-n-octyloxybenzophenone, 2, 2', 4, 4'-tetrahydroxybenzophenone can be mentioned.

상기 벤조트라이아졸 골격을 가지는 화합물로서, 예를 들면, 2－(2－하이드록시－5－t－뷰틸페닐)－2H－벤조트라이아졸, 2－(2H－벤조트라이아졸－2－일)－4, 6－비스(1－메틸－1－페닐에틸)페놀, 2－(2H－벤조트라이아졸－2－일)－6－(1－메틸－1－페닐에틸)－4－(1, 1, 3, 3－테트라메틸뷰틸)페놀을 들 수 있다.As the compound having the above benzotriazole skeleton, for example, 2-(2-hydroxy-5-t-butylphenyl)-2H-benzotriazole, 2-(2H-benzotriazole-2-yl)- 4, 6-bis(1-methyl-1-phenylethyl)phenol, 2-(2H-benzotriazole-2-yl)-6-(1-methyl-1-phenylethyl)-4-(1, 1 And 3,3-tetramethylbutyl)phenol.

상기 벤조에이트 골격을 가지는 화합물로서, 예를 들면, 2, 4－다이－t－뷰틸페닐－3, 5－다이－t－뷰틸－4－하이드록시벤조에이트, 2, 4－다이－t－뷰틸페닐－4＇－하이드록시－3＇, 5＇－다이－t－뷰틸벤조에이트를 들 수 있다.As the compound having the benzoate skeleton, for example, 2, 4-di-t-butylphenyl-3, 5-di-t-butyl-4-hydroxybenzoate, 2, 4-di-t-butyl Phenyl-4'-hydroxy-3' and 5'-di-t-butyl benzoate are mentioned.

상기 자외선 흡수제는, 시판되고 있는 것을 사용해도 좋고, 예를 들면, 모두(어느것이나) 상품명으로, 주식회사 ADEKA제의 아데카스탭(Adekastab) LA시리즈(LA－24, LA－29, LA－31, LA－32, LA－36, LA－F70, 1413), BASF사제의 TINUVIN　P, TINUVIN　234, TINUVIN　326, TINUVIN　329, TINUVIN　213, TINUVIN　571, TINUVIN　1577ED, CHIMASSORB　81, TINUVIN　120 등을 들 수 있다.Commercially available ultraviolet absorbers may be used, for example, all (any) under the brand name, ADEKA Co., Ltd. Adekastab LA series (LA-24, LA-29, LA-31, LA-32, LA-36, LA-F70, 1413), BASF's TINUVIN　P, TINUVIN　234, TINUVIN　326, TINUVIN　329, TINUVIN　213, TINUVIN　571, TINUVIN　1577ED, CHIMASSORB　81, TINUVIN　, etc.

자외선 흡수제는 1종류라도 2종 이상 병용해도 좋다.The ultraviolet absorber may be used alone or in combination of two or more.

자외선 흡수제의 첨가량은, 원하는 파장역에 대한 경화 반응성에 따라 조정할 수 있다. 예를 들면, 베이스 폴리머 100질량부에 대해서 0.1∼10.0질량부가 바람직하고, 0.1∼5.0질량부가 보다 바람직하고, 0.1∼1.0질량부가 더욱 바람직하다.The amount of the ultraviolet absorber to be added can be adjusted according to the curing reactivity in the desired wavelength range. For example, 0.1 to 10.0 parts by mass is preferable, more preferably 0.1 to 5.0 parts by mass, and even more preferably 0.1 to 1.0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer.

점착제는, 박리 라이너 상에 점착제를 도공해서 형성하는 경우의 도공성, 균질인 점착제를 조제하는 점에서, 용매를 함유하고 있어도 좋다. 상기 용매로서는, 특별히 제한되지 않고, 반도체 웨이퍼의 가공용 테이프에 있어서의 점착제에서 상용되는 용매를 들 수 있다.The pressure-sensitive adhesive may contain a solvent from the point of preparing a coatability and a homogeneous pressure-sensitive adhesive when formed by coating an adhesive on a release liner. The solvent is not particularly limited, and a solvent compatible with the pressure-sensitive adhesive in a tape for processing a semiconductor wafer may be mentioned.

점착제 층(4)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 적당히 설정해도 좋지만, 본 발명에서는, 5∼30㎛가 바람직하다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 4 is not particularly limited and may be appropriately set, but in the present invention, 5 to 30 µm is preferable.

본 발명의 점착 테이프(2)는, 사용 전에는 상기 점착제 층(4)을 보호하기 위해, 점착제 층(4)의 상면에 박리 필름을 임시(假)점착해 두는 것이 바람직하다.In the adhesive tape 2 of the present invention, in order to protect the adhesive layer 4 before use, it is preferable to temporarily attach a release film to the upper surface of the adhesive layer 4.

＜제조 방법＞<Manufacturing method>

본 발명에 있어서, 기재 필름(3)을 마련하는 방법, 및 기재 필름(3) 상에 점착제 층(4)을 마련하는 방법은 특별히 제한되는 것은 아니고, 공지의 방법으로부터 적당히 선택해서 마련할 수 있다. 1예를 하기에 기재하지만, 하기의 예에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the method of providing the base film 3 and the method of providing the pressure-sensitive adhesive layer 4 on the base film 3 are not particularly limited, and can be appropriately selected from known methods and provided. . Although one example is described below, it is not limited to the following example.

박리 라이너 상에, 점착제를 도공하여, 원하는 두께를 가지는 점착제 층(4)을 형성한다. 이 점착제 층(4)과 기재 필름(3)(기재 필름을 구성하는 수지를 필름화한 것)을 붙여맞추는 것에 의해, 본 발명의 점착 테이프(2)를 제작할 수 있다.On the release liner, an adhesive is applied to form an adhesive layer 4 having a desired thickness. The adhesive tape 2 of the present invention can be produced by attaching the adhesive layer 4 and the base film 3 (a film of a resin constituting the base film).

또한, 본 발명의 점착 테이프는, 제작 후, 차광 조건 하에서 보존(保存)하는 것도 바람직하다.Moreover, it is also preferable to store the adhesive tape of this invention under light-shielding conditions after manufacture.

＜용도＞<use>

본 발명의 점착 테이프(2)는, LED를 광원으로 하는 자외선 조사에서는 점착력의 저하를 억제할 수 있고, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사에 의해 점착력을 충분히 저하시킬 수 있다.The adhesive tape 2 of the present invention can suppress a decrease in adhesive force when irradiated with ultraviolet rays using an LED as a light source, and sufficiently lower the adhesive force by irradiating with ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp as a light source.

그 때문에, 본 발명의 점착 테이프(2)를 반도체 칩의 제조에 있어서, 다이싱 테이프(고정 테이프)로서 이용하는 것에 의해, 표면 보호 테이프에의 자외선 조사에 수반하는 박막 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있고, 게다가, 다이싱시의 칩 튐의 억제와 그 후의 우수한 픽업성을 양립할 수 있다.Therefore, by using the adhesive tape 2 of the present invention as a dicing tape (fixing tape) in the manufacture of a semiconductor chip, it is possible to suppress the warpage of the thin film wafer accompanying ultraviolet irradiation to the surface protection tape, Moreover, it is possible to achieve both suppression of chip spatter during dicing and excellent pick-up properties after that.

또, 본 발명의 점착 테이프(2)와 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 각각 붙여맞추고, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사에 의해 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 경화시키는, 본 발명의 점착 테이프의 사용 방법에, 호적하게 이용할 수 있다. 이 사용 방법에서는, 본 발명의 점착 테이프(2)의 점착력의 저하를 충분히 억제하면서 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 경화해서 반도체 웨이퍼로부터 박리할 수 있다.In addition, the adhesive tape 2 of the present invention and the UV curable surface protection tape are attached to a semiconductor wafer, respectively, and the UV curable surface protection tape is cured by UV irradiation using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source. It can be suitably used for the use method of an adhesive tape. In this method of use, the ultraviolet-curable surface protection tape can be cured and peeled off from the semiconductor wafer while sufficiently suppressing the decrease in the adhesive force of the adhesive tape 2 of the present invention.

또한, 각각의 자외선의 조사 조건은, 원하는 점착력으로 하기 위해서 적당히 조정할 수 있다.In addition, irradiation conditions of each ultraviolet ray can be suitably adjusted in order to obtain a desired adhesive strength.

[반도체 칩의 제조 방법][Method of manufacturing semiconductor chip]

본 발명의 반도체 칩의 제조 방법은, 본 발명의 점착 테이프(2)를 이용하여 반도체 칩을 얻는 방법이다.The method of manufacturing a semiconductor chip of the present invention is a method of obtaining a semiconductor chip using the adhesive tape 2 of the present invention.

바람직하게는, 표면에 패턴면을 가지는 반도체 웨이퍼의 그 패턴면측에, 자외선 경화형 표면 보호 테이프(이하, 단지 「표면 보호 테이프」라고도 칭한다.)를 붙여맞추고, 그 상태에서 패턴면을 보호하면서 그 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭한다. 그 다음에, 반도체 웨이퍼의 이면에 본 발명의 점착 테이프(2)를 붙여맞추고, 링 프레임에 지지, 고정한다. 그 다음에, 표면 보호 테이프측으로부터, 제1의 자외선 조사 장치에 의해 자외선 조사를 행한 후, 표면 보호 테이프를 박리해서, 반도체 웨이퍼의 표면에 패턴면을 노출시킨다. 그 다음에, 반도체 웨이퍼의 패턴면측으로부터 다이싱 장치를 이용하여, 반도체 웨이퍼의 절단을 행하고, 개개의 칩 단위로 개편화함(다이싱)으로써, 목적하는 반도체 칩을 얻을 수 있다. 다이싱의 방법은 특별히 제한되지 않고, 통상의 방법을 채용할 수 있다. 그 중에서도, 다이싱 블레이드를 이용한 다이싱이 바람직하다.Preferably, an ultraviolet-curable surface protection tape (hereinafter, also referred to simply as "surface protection tape") is attached to the pattern surface side of a semiconductor wafer having a pattern surface on its surface, and the semiconductor wafer is protected while protecting the pattern surface in that state. Grind the back side of the wafer. Then, the adhesive tape 2 of the present invention is attached to the back surface of the semiconductor wafer, and is supported and fixed to the ring frame. Then, after performing ultraviolet irradiation from the surface protective tape side by the first ultraviolet irradiation device, the surface protective tape is peeled off, and the pattern surface is exposed on the surface of the semiconductor wafer. Thereafter, the semiconductor wafer is cut from the pattern surface side of the semiconductor wafer using a dicing device and divided into individual chips (dicing), whereby a desired semiconductor chip can be obtained. The method of dicing is not particularly limited, and a conventional method can be employed. Among them, dicing using a dicing blade is preferable.

본 발명의 반도체 칩의 제조 방법은, 또, 본 발명의 점착 테이프(2)측으로부터, 제2의 자외선 조사 장치로부터 자외선을 조사함으로써, 점착 테이프(2)의 점착성을 저하시키는 것이 바람직하다. 그 다음에, 본 발명의 점착 테이프(2)로부터 반도체 칩을 픽업하는 공정을 가지는 것도 바람직하다. 또 게다가, 픽업한 반도체 칩을 다이 본딩 공정으로 이행하는 공정을 포함해도 좋다.In the method for manufacturing a semiconductor chip of the present invention, it is preferable to reduce the adhesiveness of the adhesive tape 2 by irradiating ultraviolet rays from the second ultraviolet irradiation device from the adhesive tape 2 side of the present invention. Then, it is also preferable to have a step of picking up the semiconductor chip from the adhesive tape 2 of the present invention. In addition, a step of transferring the picked up semiconductor chip to a die bonding step may be included.

제1의 자외선 조사 장치는, 예를 들면, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치가 바람직하다. 또, 제2의 자외선 조사 장치는, 예를 들면, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치가 바람직하다.The first ultraviolet irradiation device is preferably an ultraviolet irradiation device using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source, for example. In addition, the second ultraviolet irradiation device is preferably an ultraviolet irradiation device using a high-pressure mercury lamp as a light source, for example.

제1의 자외선 조사 장치에 의한 자외선 조사 및 제2의 자외선 조사 장치에 의한 자외선 조사의 조건은, 사용하는 표면 보호 테이프 및 본 발명의 점착 테이프(2)의 광원에 대한 경화 반응성에 맞추어, 적당히 조정할 수 있다. 조사 조건은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사는, 조사 강도가 30mW/㎠∼50 mW/㎠인 것이 바람직하고, 적산 광량이 200mJ/㎠∼1000mJ/㎠로 되는 조사인 것이 바람직하고, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사는, 조사 강도가 40mW/㎠∼80 mW/㎠인 것이 바람직하고, 자외선(파장 250㎚∼450㎚) 적산 광량이 200mJ/㎠∼1000mJ/㎠로 되는 조사인 것이 바람직하다.The conditions of ultraviolet irradiation by the first ultraviolet irradiation device and ultraviolet irradiation by the second ultraviolet irradiation device are appropriately adjusted according to the curing reactivity of the surface protection tape to be used and the adhesive tape 2 of the present invention to the light source. I can. Although irradiation conditions are not particularly limited, for example, ultraviolet irradiation using an LED lamp with a wavelength of 365 nm as a light source preferably has an irradiation intensity of 30 mW/cm 2 to 50 mW/cm 2, and the accumulated amount of light is 200 mJ/cm 2 to 1000 mJ The irradiation of /cm2 is preferable, and the ultraviolet irradiation using a high-pressure mercury lamp as a light source preferably has an irradiation intensity of 40 mW/cm 2 to 80 mW/cm 2, and the accumulated amount of ultraviolet light (wavelength 250 nm to 450 nm) is 200 mJ. It is preferable that it is irradiation of /cm2-1000mJ/cm2.

또, 상기 고압 수은 램프의 종류는, 특별히 제한되지 않고, 통상 이용되는 고압 수은 램프를 사용할 수 있다.In addition, the type of the high-pressure mercury lamp is not particularly limited, and a high-pressure mercury lamp commonly used may be used.

상기 자외선 경화형 표면 보호 테이프로서는, 통상, 반도체 칩의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 패턴면의 보호에 이용되는 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 이용할 수 있다. 구체적으로는, 기재 필름과, 이 기재 필름 상에 마련된 자외선 경화형의 점착제 층을 적어도 가지는 한, 특별히 한정되지 않는다. 또, 점착제 층의 기재 필름을 가지는 측과는 반대측의 면에, 필름모양 반도체 봉지제(封止劑)를 NCF(non　conductive　film, 비도전성 필름)으로서 가지는 형태도 바람직하게 들 수 있다. 표면 보호 테이프가 필름모양 반도체 봉지제를 가지는 형태인 경우, 반도체 웨이퍼로부터의 표면 보호 테이프의 박리란, 반도체 웨이퍼 상에 필름모양 반도체 봉지제를 남긴 상태에서, 기재 필름과 점착제 층을 일체로 해서 박리하는 것을 의미한다.As the ultraviolet-curable surface protective tape, an ultraviolet-curable surface protective tape that is usually used to protect the pattern surface of a semiconductor wafer in a semiconductor chip manufacturing process can be used. Specifically, it is not particularly limited as long as it has at least a base film and an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer provided on the base film. Further, a form having a film-like semiconductor encapsulant as NCF (non-conductive film, non-conductive film) on the side opposite to the side of the pressure-sensitive adhesive layer with the base film is also preferably mentioned. When the surface protection tape has a film-shaped semiconductor encapsulant, peeling of the surface protective tape from the semiconductor wafer means peeling the base film and the pressure-sensitive adhesive layer integrally with the film-shaped semiconductor encapsulant left on the semiconductor wafer. Means to do.

본 발명의 반도체 칩의 제조 방법(이하, 단지 「본 발명이 적용되는 제조 방법」이라고도 칭한다)에 대해서, 그 바람직한 실시형태를, 도 1∼도 4를 참조하여 이하에 설명한다. 또한, 하기의 실시형태에 있어서, 특별히 언급(단정적인 기재)가 없는 한, 본 발명에서 규정되는 것 이외는 하기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또, 각 도면에 도시되는 형태는, 본 발명의 이해를 쉽게 하기 위한 개략 단면도이고, 각 부재의 사이즈, 두께, 내지는 상대적인 대소 관계 등은 설명의 편의상 대소를 바꾸고 있는 경우가 있고, 실제의 관계를 그대로 나타내는 것은 아니다. 또, 본 발명에서 규정하는 사항 이외는 이들 도면에 도시된 외형, 형상에 한정되는 것도 아니다.A method of manufacturing a semiconductor chip of the present invention (hereinafter, also referred to simply as "a manufacturing method to which the present invention is applied") will be described below with reference to FIGS. 1 to 4. In addition, in the following embodiment, it is not limited to the following embodiment except what is prescribed|regulated in this invention, unless there is special mention (a descriptive description). In addition, the form shown in each drawing is a schematic cross-sectional view for facilitating understanding of the present invention, and the size, thickness, or relative size of each member is sometimes changed for convenience of explanation. It does not represent it as it is. In addition, it is not limited to the appearance and shape shown in these drawings other than the matters specified in the present invention.

반도체 웨이퍼(1)는, 그의 표면(S)에 반도체 소자의 회로 등이 형성된 패턴면을 가지고 있다(분도 1(A) 참조). 패턴면은, 반도체 소자의 회로 등이 형성된 면으로서, 평면에서 보았을 때(平面視)에 있어서 스트리트를 가진다. 이 패턴면측에, 기재 필름(12) 상에 자외선 경화형 점착제 층(13)을 마련한 표면 보호 테이프(11)를 첩합(貼合)하고, 패턴면이 표면 보호 테이프(11)로 피복된 반도체 웨이퍼(1)를 얻는다(분도 1(B) 참조). 분도 1(B)에서는 기재 필름(12)과 점착제 층(13)을 합쳐서 표면 보호 테이프(11)로서 도시했다. 또한, 분도 1(A)에 있어서의 화살표 DA는, 표면 보호 테이프(11)를 반도체 웨이퍼(1)에 붙여맞추는 방향을 나타내고 있다.The semiconductor wafer 1 has a patterned surface in which circuits of semiconductor elements are formed on its surface S (see Fig. 1(A)). The pattern surface is a surface on which a circuit of a semiconductor element or the like is formed, and has a street when viewed in a plan view. On the side of the pattern surface, a surface protection tape 11 provided with an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 13 on the base film 12 is bonded, and a semiconductor wafer (the pattern surface is covered with the surface protection tape 11) ( 1) is obtained (see Figure 1(B)). In Fig. 1(B), the base film 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 13 are combined and shown as a surface protection tape 11. In addition, arrow DA in FIG. 1(A) indicates the direction in which the surface protection tape 11 is pasted onto the semiconductor wafer 1.

다음에, 반도체 웨이퍼(1)의 이면을 웨이퍼 연삭 장치(M1)로 연삭하여, 반도체 웨이퍼(1)의 두께를 얇게 한다(분도 2(A) 참조). 그 후, 이면이 연삭된 상태의 반도체 웨이퍼(1B)의 이면(B)에 본 발명의 점착 테이프(2)를 붙여맞추어,(분도 2(B) 참조), 본 발명의 점착 테이프(2)를 링 프레임(F)에 지지 고정한다(분도 2(C), 분도 3(A) 참조). 또한, 분도 2(A)에 있어서의 화살표 DB는, 웨이퍼 연삭 장치(M1)에 있어서의 연삭 숫돌(砥石)의 회전 방향을 나타내고 있고, 분도 2(B)에 있어서의 화살표 DC는, 반도체 웨이퍼(1)의 이면(B)에 본 발명의 점착 테이프(2)를 붙여맞추는 방향을 나타내고 있다.Next, the back surface of the semiconductor wafer 1 is ground with a wafer grinding device M1 to reduce the thickness of the semiconductor wafer 1 (see Fig. 2(A)). Thereafter, the adhesive tape 2 of the present invention is pasted onto the back surface B of the semiconductor wafer 1B in a state where the back surface is ground (see Fig. 2(B)), and the adhesive tape 2 of the present invention is obtained. Support and fix to the ring frame (F) (see Fig. 2(C), Fig. 3(A)). In addition, the arrow DB in Fig. 2(A) indicates the rotational direction of the grinding wheel in the wafer grinding device M1, and the arrow DC in Fig. 2(B) indicates the semiconductor wafer ( The direction in which the adhesive tape 2 of the present invention is attached to the rear surface B of 1) is shown.

다음에, 표면 보호 테이프(11)로 피복된 반도체 웨이퍼(1B)의 패턴면측으로부터, 365㎚의 파장을 가지는 LED 램프를 광원으로 하는 제1의 자외선 조사 장치(UVS1)를 이용하여 자외선(UV)(분도 3(B) 중 의 화살표로 나타낸다)을 조사한다(분도 3(B) 참조). 이 자외선(UV) 조사에 의해, 표면 보호 테이프(11)의 점착제 층(13)을 경화시켜서 점착력을 저하시킨 후, 표면 보호 테이프(11)를 박리해서(분도 3(C) 참조), 반도체 웨이퍼 표면을 드러낸다(노출시킨다)(분도 4(A) 참조).Next, from the side of the pattern surface of the semiconductor wafer 1B covered with the surface protection tape 11, the first ultraviolet irradiation device (UVS1) using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source is used for ultraviolet (UV) light. irradiates (indicated by arrows in the minute 3 (B)) (reference minutes 3 (B)). By this ultraviolet (UV) irradiation, the pressure-sensitive adhesive layer 13 of the surface protection tape 11 is cured to reduce the adhesive strength, and then the surface protection tape 11 is peeled (see Fig. 3(C)), and the semiconductor wafer The surface is exposed (exposed) (see Fig. 4(A)).

다음에, 반도체 웨이퍼(1)의 패턴면측(표면(S)측)으로부터 다이싱 블레이드(D)에 의한 처리를 행하고, 웨이퍼의 절단을 행하고, 개개의 칩(7)으로 분할해서 개편화한다(분도 4(B) 참조). 마지막으로, 반도체 웨이퍼(1)의 이면(B)측보다 고압 수은 램프를 광원으로 하는 제2의 자외선 조사 장치(UVS2)를 이용하여 자외선(UV)(분도 4(C) 중 의 화살표로 나타낸다)를 조사한다(분도 4(C) 참조). 이 자외선(UV) 조사에 의해, 본 발명의 점착 테이프(2)의 점착제 층(4)을 경화시켜서 점착력을 저하시킨다. 그 후, 개편화된 칩(7)을 픽업 장치로 핀에 의해 밀어올리고(쳐올리고) 압력 콜릿에 의해 흡착해서 픽업한다(도시하지 않는다).Next, processing by the dicing blade D is performed from the pattern surface side (surface S side) of the semiconductor wafer 1, the wafer is cut, and divided into individual chips 7 and divided into pieces ( See Figure 4(B)). Finally, using a UV irradiation apparatus of the second to the back pressure mercury lamp than the (B) side of the semiconductor wafer (1) with a light source (UVS2) (indicated by a one minute 4 (C), arrows) ultraviolet (UV) (Refer to Fig. 4(C)). By this ultraviolet (UV) irradiation, the adhesive layer 4 of the adhesive tape 2 of the present invention is cured to lower the adhesive force. After that, the pieced chip 7 is pushed up (lifted up) by a pin by a pickup device and picked up by being sucked up by a pressure collet (not shown).

분도 4(C)에서 도시하는, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 제2의 자외선 조사 장치(UVS2)를 이용한 자외선(UV) 조사 후, 픽업 공정 전에, 본 발명의 점착 테이프(2)를 익스팬드하고, 개편화된 칩(7) 사이에 일정한 거리를 마련하는 것도 바람직하다. 이 경우, 본 발명의 점착 테이프(2)로서, 익스팬드성을 가지는 테이프를 사용한다. 익스팬드의 속도, 익스팬드량 등의 조건은 적당히 조정할 수 있고, 예를 들면, 익스팬더(expander)를 사용하는 양태를 들 수 있다.After ultraviolet (UV) irradiation using a second ultraviolet irradiation device (UVS2) using a high-pressure mercury lamp as a light source shown in Fig. 4(C), before the pickup process, the adhesive tape 2 of the present invention is expanded. It is also desirable to provide a certain distance between the individualized chips 7. In this case, as the adhesive tape 2 of the present invention, a tape having expandability is used. Conditions such as the speed of the expand and the amount of expand can be appropriately adjusted, and for example, a mode using an expander is exemplified.

상기 각 실시형태는 본 발명의 1예이고, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지에 반하지 않는 한도에 있어서, 각 프로세스에 있어서의 공지의 프로세스의 부가나 삭제, 변경 등을 행할 수 있는 것이다.Each of the above embodiments is an example of the present invention, and it is not limited to this aspect, and the addition, deletion, or modification of known processes in each process can be performed within the limit not contrary to the spirit of the present invention. There is.

[본 발명의 점착 테이프의 사용 방법][Method of using the adhesive tape of the present invention]

본 발명의 점착 테이프의 사용 방법은, 반도체 웨이퍼(1)의 한쪽 면(예를 들면 패턴면)에 자외선 경화형 표면 보호 테이프가 첩합되고, 그 반도체 웨이퍼(1)의 또다른 한쪽 면에 본 발명의 점착 테이프(2)가 첩합된 반도체 웨이퍼에 대해서, 표면 보호 테이프(11)측으로부터 자외선을 조사하는 공정을 가진다.In the method of using the adhesive tape of the present invention, an ultraviolet curable surface protection tape is adhered to one side (for example, a pattern side) of a semiconductor wafer 1, and the other side of the semiconductor wafer 1 A step of irradiating ultraviolet rays from the surface protection tape 11 side is provided on the semiconductor wafer to which the adhesive tape 2 is attached.

이 자외선 조사에 의해, 표면 보호 테이프(11)(바람직하게는 표면 보호 테이프의 점착제 층)을 경화시켜서 점착력을 저하시킨다. 상기 자외선 조사는 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사가 바람직하다.By this ultraviolet irradiation, the surface protection tape 11 (preferably the adhesive layer of a surface protection tape) is hardened, and the adhesive force is reduced. The ultraviolet irradiation is preferably ultraviolet irradiation using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source.

본 발명의 점착 테이프(2)의 사용 방법에 있어서는, 상기 자외선 조사 후, 표면 보호 테이프(11)를 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 공정을 가지는 것이 바람직하고, 또, 이 표면 보호 테이프(11)의 박리 공정 후, 본 발명의 점착 테이프(2)측으로부터 자외선을 조사하는 공정을 가지는 것이 보다 바람직하다.In the method of using the adhesive tape 2 of the present invention, it is preferable to have a step of peeling the surface protection tape 11 from the semiconductor wafer after the ultraviolet irradiation, and the peeling step of the surface protection tape 11 After that, it is more preferable to have a step of irradiating ultraviolet rays from the side of the adhesive tape 2 of the present invention.

이 자외선 조사에 의해, 본 발명의 점착 테이프(2)에 있어서의 점착제 층을 경화시켜서 점착력을 저하시킨다. 상기 자외선 조사는 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사가 바람직하다.By this ultraviolet irradiation, the adhesive layer in the adhesive tape 2 of this invention is hardened, and adhesive force is reduced. The ultraviolet irradiation is preferably ultraviolet irradiation using a high-pressure mercury lamp as a light source.

상기의 각 자외선 조사의 조건은, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 사용하는 표면 보호 테이프(11) 및 본 발명의 점착 테이프(2)의 광원에 대한 반응성에 맞추어, 적당히 조정할 수 있다. 조사 조건은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 전술한 본 발명의 반도체 칩(1)의 제조 방법에 있어서의 자외선 조사의 조건의 기재를 바람직하게 적용할 수 있다.The conditions of each of the above ultraviolet irradiation can be appropriately adjusted in accordance with the reactivity of the surface protection tape 11 and the adhesive tape 2 of the present invention with respect to the light source within the range not impairing the effects of the present invention. Although the irradiation conditions are not particularly limited, for example, the description of the conditions of ultraviolet irradiation in the manufacturing method of the semiconductor chip 1 of the present invention described above can be preferably applied.

본 발명의 점착 테이프의 사용 방법은, 전술한 반도체 칩(1)의 제조 방법에 바람직하게 적용할 수 있다. 또, 본 발명의 점착 테이프(2)의 사용 방법은, 필름모양 반도체 봉지제 일체형의 표면 보호 테이프(이하, 「일체형 표면 보호 테이프」라고도 칭한다.)를 이용한 TSV(실리콘 관통 전극, Through－Silicon　Via) 웨이퍼의 미들층(middle layer) 가공 공정에 있어서도, 호적하게 사용할 수 있다.The method of using the adhesive tape of the present invention can be suitably applied to the method of manufacturing the semiconductor chip 1 described above. In addition, the use method of the adhesive tape 2 of the present invention is a TSV (silicon penetrating electrode, Through-Silicon Via) using a film-shaped semiconductor encapsulant-integrated surface protection tape (hereinafter, also referred to as "integrated surface protection tape"). ) It can be used suitably also in the middle layer processing process of a wafer.

구체적으로는, TSV 웨이퍼의 미들층의 가공 공정은, 이하의 공정을 포함한다. 우선, 웨이퍼의 한쪽 면에 서포트 유리가 첩합된 상태에서 바이어(via)를 형성한다. 그 다음에, 서포트 유리가 첩부(貼付)된 면과는 역측(반대측)의 웨이퍼면을 백 그라인드 연삭(BG 연삭)하고, 연삭한 면에 범프를 형성한다. 계속해서, 범프 형성면에 다이싱 테이프를 첩합한 후, 서포트 유리를 제거한다. 계속해서, 서포트 유리가 제거된 면에 필름모양 반도체 봉지제 일체형의 표면 보호 테이프를 붙인다. 그 후, 일체형 표면 보호 테이프측으로부터 자외선 조사를 행하고, 표면 보호 테이프를 박리해서 웨이퍼 상에 필름모양 반도체 봉지제만을 남긴다. Specifically, the processing step of the middle layer of the TSV wafer includes the following steps. First, a via is formed in a state in which a support glass is adhered to one side of a wafer. Then, the wafer surface on the reverse side (opposite side) from the surface to which the support glass is affixed is subjected to back grinding (BG grinding), and a bump is formed on the ground surface. Subsequently, the support glass is removed after bonding the dicing tape to the bump formation surface. Subsequently, a film-shaped semiconductor encapsulant-integrated surface protection tape is attached to the surface from which the support glass has been removed. After that, ultraviolet irradiation is performed from the side of the integral surface protection tape, the surface protection tape is peeled off, and only the film-like semiconductor encapsulant is left on the wafer.

상기 가공 공정에서는, 웨이퍼의 양측 면에 다이싱 테이프와 일체형 표면 보호 테이프가 각각 붙여진 상태가 존재한다. 이 때문에, 일체형 표면 보호 테이프에의 자외선 조사를 행하면, 다이싱 테이프의 일부 면에도 자외선이 조사되어 버리고, 다이싱 테이프로서 통상의 자외선 경화형 테이프를 이용한 경우에는, 웨이퍼 단부(端部) 부근에 있어서의 점착력이 저하해 버려, 다이싱시에 칩 튐이 발생할 우려가 있다는 것이, 본 발명자들의 검토에 의해 알 수 있게 되었다. 한편, 본 발명의 점착 테이프(2)를 다이싱 테이프로서 사용함으로써, 일체형 표면 보호 테이프에 대한 자외선 조사에 의한 점착력의 저하를 억제할 수 있고, 다이싱시에 있어서의 칩 튐의 발생을 억제할 수 있다.In the processing step, a dicing tape and an integral surface protection tape are attached to both sides of the wafer, respectively. For this reason, when ultraviolet irradiation to the integrated surface protection tape is performed, ultraviolet rays are also irradiated on a part of the dicing tape, and in the case of using an ordinary ultraviolet curable tape as the dicing tape, near the end of the wafer It has become apparent from the investigation of the present inventors that the adhesive force of is lowered and there is a possibility that chip spatter may occur during dicing. On the other hand, by using the adhesive tape 2 of the present invention as a dicing tape, it is possible to suppress a decrease in adhesive force due to ultraviolet irradiation to the integral surface protection tape, and to suppress the occurrence of chip spatter during dicing. I can.

즉, 상기의, 「반도체 웨이퍼의 한쪽 면에 자외선 경화형 표면 보호 테이프가 첩합되고, 그 반도체 웨이퍼의 또다른 한쪽 면에 본 발명의 점착 테이프가 첩합된 반도체 웨이퍼」는, 반도체 웨이퍼의 가공 공정에 있어서 생기는 것인 것이 바람직하다.That is, the ``semiconductor wafer in which an ultraviolet curable surface protection tape is pasted on one side of a semiconductor wafer and the adhesive tape of the present invention is pasted on the other side of the semiconductor wafer'' is in the processing step of a semiconductor wafer. It is preferable that it occurs.

실시예Example

이하, 실시예에 기초하여, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하겠지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited thereto.

＜실시예 1＞<Example 1>

(1) 기재 필름의 제작(1) Preparation of base film

에틸렌－메타크릴산－(아크릴산 2－메틸－프로필) 3원 공중합체－Zn2＋－아이오노머 수지인, 하이밀란 AM－7316(상품명, 미츠이(三井) 듀퐁 케미컬사제)을 사용하고, 두께 80㎛의 기재 필름(3)을 제작했다. 또한, 이 필름의 한면(片面)에는 코로나 처리를 실시했다.Ethylene-methacrylic acid-(acrylic acid 2-methyl-propyl) ternary copolymer-Zn 2+ -ionomer resin, Hy Milan AM-7316 (trade name, manufactured by Mitsui DuPont Chemical), and a thickness of 80 μm The base film 3 was produced. In addition, corona treatment was applied to one side of this film.

(2) 점착제의 조제(2) Preparation of adhesive

점착제는, 베이스 폴리머로서, 측쇄에 자외선 경화성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 자외선 경화형 아크릴 폴리머를 가지는, 이하의 점착제를 사용했다.As the pressure-sensitive adhesive, as a base polymer, the following pressure-sensitive adhesive having an ultraviolet-curable acrylic polymer having an ultraviolet-curable carbon-carbon double bond in the side chain was used.

((메타)아크릴 공중합체 A의 합성)(Synthesis of (meth)acrylic copolymer A)

2－에틸헥실아크릴레이트 70㏖%, 2－하이드록시에틸아크릴레이트 20㏖% 및 메틸메타크릴레이트 10㏖%를 기재한 몰비로 배합하고, 초산 에틸 용액중에서 공중합시키는 것에 의해 (메타)아크릴 공중합체의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액중에, (메타)아크릴 공중합체 100질량부에 대해서 10질량부의 2－메타크릴로일옥시에틸아이소사이아네이트(쇼와 덴코(昭和電工) 주식회사제, 카렌즈(Karenz) MOI(상품명))를 더해서 반응시키고, (메타)아크릴 공중합체의 측쇄의 하이드록실기에 상기 아이소사이아네이트에서 유래하는 이중 결합 함유기를 부가시킴으로써, 측쇄에 이중 결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴 공중합체 A의 조성물을 얻었다.(Meth)acrylic copolymer by mixing 70 mol% of 2-ethylhexyl acrylate, 20 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 10 mol% of methyl methacrylate in the molar ratio described, and copolymerizing in ethyl acetate solution To obtain a polymer solution. In this polymer solution, 10 parts by mass of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (made by Showa Denko Co., Ltd., Karenz MOI (trade name) with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer) )), and by adding a double bond-containing group derived from the isocyanate to the hydroxyl group of the side chain of the (meth)acrylic copolymer, the (meth)acrylic copolymer A having a double bond-containing group on the side chain The composition was obtained.

측쇄에 이중 결합 함유기를 가지는 아크릴 공중합체 A는, 질량 평균 분자량 60만, 유리 전이 온도(Tg) －64℃, 자외선 경화성 탄소－탄소 이중 결합량 0.9meq/g이었다.The acrylic copolymer A having a double bond-containing group in the side chain had a mass average molecular weight of 600,000, a glass transition temperature (Tg) of -64°C, and an ultraviolet curable carbon-carbon double bond amount of 0.9 meq/g.

(점착제의 조제)(Preparation of adhesive)

상기 (메타)아크릴 공중합체 A의 조성물중에, 100질량부의 (메타)아크릴 공중합체 A에 대한 배합량으로, 경화제로서 콜로네이트 L[닛폰 폴리우레탄 코교(주)사제, 상품명, 아이소사이아네이트계 경화제]를 2.0질량부와, 광중합 개시제로서 이르가큐어(Irgacure) 184(BASF사제, 상품명)를 0.1질량부를 배합하고, 점착제 A를 얻었다.In the composition of the (meth)acrylic copolymer A, in the amount of 100 parts by mass relative to the (meth)acrylic copolymer A, as a curing agent, colonate L [made by Nippon Polyurethane Co., Ltd., brand name, isocyanate curing agent ], 2.0 parts by mass and 0.1 parts by mass of Irgacure 184 (manufactured by BASF, brand name) as a photoinitiator were blended to obtain an adhesive A.

(3) 점착 테이프의 제작(3) Preparation of adhesive tape

상기 점착제 A를 박리 라이너 상에 건조 후의 두께가 10㎛로 되도록 도공하고, 점착제 층(4)을 형성했다. 형성한 점착제 층(4)을, 상기에서 제작한 두께 80㎛의 기재 필름(3)에 있어서의 코로나 처리를 실시한 면측에 붙여맞추고, 총두께 90㎛의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프(점착 테이프)(2)를 제작했다.The pressure-sensitive adhesive A was coated on a release liner so that the thickness after drying was 10 µm, and the pressure-sensitive adhesive layer 4 was formed. The formed pressure-sensitive adhesive layer 4 is adhered to the corona-treated side of the 80 μm-thick base film 3 produced above, and a UV-curable adhesive tape (adhesive tape) for semiconductor wafer processing with a total thickness of 90 μm (2) was produced.

＜실시예 2＞<Example 2>

실시예 1에서 사용한 점착제 A에 있어서, 광중합 개시제인 이르가큐어 184(BASF사제)의 배합량을 0.1질량부로부터 0.75질량부로 변경하여 점착제 B를 얻었다. 점착제 A 대신에 점착제 B를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(2)를 제작했다.In the pressure-sensitive adhesive A used in Example 1, the amount of the photopolymerization initiator Irgacure 184 (manufactured by BASF) was changed from 0.1 parts by mass to 0.75 parts by mass to obtain PSA B. Except having used the adhesive B instead of the adhesive A, it carried out similarly to Example 1, and produced the adhesive tape 2.

＜실시예 3＞<Example 3>

실시예 1에서 사용한 점착제 A에 있어서, 광중합 개시제인 이르가큐어 184(BASF사제)의 배합량을 0.1질량부로부터 1.0질량부로 변경해서 점착제 C를 얻었다. 점착제 A 대신에 점착제 C를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(2)를 제작했다.In the pressure-sensitive adhesive A used in Example 1, the blending amount of Irgacure 184 (manufactured by BASF) as a photoinitiator was changed from 0.1 parts by mass to 1.0 parts by mass to obtain PSA C. Except having used the adhesive C instead of the adhesive A, it carried out similarly to Example 1, and produced the adhesive tape 2.

＜실시예 4＞<Example 4>

실시예 1에서 사용한 점착제 A에 있어서, 광중합 개시제인 이르가큐어 184(BASF사제)의 배합량을 0.1질량부로부터 0.5질량부로 변경하고, 자외선 흡수제로서 LA－F70(주식회사 ADEKA제, 상품명)을 0.3질량부 배합해서 점착제 D를 얻었다. 점착제 A 대신에 점착제 D를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(2)를 제작했다.In the pressure-sensitive adhesive A used in Example 1, the amount of the photopolymerization initiator Irgacure 184 (manufactured by BASF) was changed from 0.1 parts by mass to 0.5 parts by mass, and LA-F70 (manufactured by ADEKA Corporation, brand name) was 0.3 parts by mass as the ultraviolet absorber. The mixture was added to obtain an adhesive D. Except having used the adhesive D instead of the adhesive A, it carried out similarly to Example 1, and produced the adhesive tape 2.

＜실시예 5＞<Example 5>

실시예 1에서 사용한 점착제 A에 있어서, 광중합 개시제인 이르가큐어 184(BASF사제)를 광중합 개시제의 이르가큐어 651(BASF사제, 상품명)로 변경하고, 또한 배합량을 0.1질량부로부터 0.3질량부로 변경하고, 자외선 흡수제로서 LA－F70(주식회사 ADEKA제)을 0.3질량부 배합해서 점착제 E를 얻었다. 점착제 A 대신에 점착제 E를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(2)를 제작했다.In the pressure-sensitive adhesive A used in Example 1, the photopolymerization initiator Irgacure 184 (manufactured by BASF) was changed to the photoinitiator Irgacure 651 (manufactured by BASF, brand name), and the blending amount was changed from 0.1 parts by mass to 0.3 parts by mass. Then, 0.3 parts by mass of LA-F70 (manufactured by ADEKA Co., Ltd.) was blended as an ultraviolet absorber to obtain an adhesive E. Except having used the adhesive E instead of the adhesive A, it carried out similarly to Example 1, and produced the adhesive tape 2.

＜비교예 1＞<Comparative Example 1>

실시예 1에서 사용한 점착제 A에 있어서, 광중합 개시제인 이르가큐어 184(BASF사제)의 배합량을 0.1질량부로부터 5.0질량부로 변경해서 점착제 F를 얻었다. 점착제 A 대신에 점착제 F를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프를 제작했다.In the pressure-sensitive adhesive A used in Example 1, the blending amount of the photopolymerization initiator Irgacure 184 (manufactured by BASF) was changed from 0.1 parts by mass to 5.0 parts by mass to obtain the pressure-sensitive adhesive F. Except having used the adhesive F instead of the adhesive A, it carried out similarly to Example 1, and produced the adhesive tape.

＜비교예 2＞<Comparative Example 2>

실시예 1에서 사용한 점착제 A에 있어서, 광중합 개시제인 이르가큐어 184(BASF사제)를 광중합 개시제의 이르가큐어 651(BASF사제)로 변경하고, 또한 배합량을 0.1질량부로부터 4. 0질량부로 변경해서 점착제 G를 얻었다. 점착제 A 대신에 점착제 G를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프를 제작했다.In the pressure-sensitive adhesive A used in Example 1, the photopolymerization initiator Irgacure 184 (manufactured by BASF) was changed to Irgacure 651 (manufactured by BASF) as the photoinitiator, and the blending amount was changed from 0.1 parts by mass to 4.0 parts by mass. Thus, an adhesive G was obtained. Except having used the adhesive G instead of the adhesive A, it carried out similarly to Example 1, and produced the adhesive tape.

＜비교예 3＞<Comparative Example 3>

실시예 1에서 사용한 점착제 A에 있어서, 광중합 개시제인 이르가큐어 184(BASF사제)를 광중합 개시제인 이르가큐어 651(BASF사제)로 변경하고, 또한 배합량을 0.1질량부로부터 3.1질량부로 변경하고, 자외선 흡수제로서 LA－F70(주식회사 ADEKA제)을 0.1질량부 배합해서 점착제 H를 얻었다. 점착제 A 대신에 점착제 H를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프를 제작했다.In the pressure-sensitive adhesive A used in Example 1, the photoinitiator Irgacure 184 (manufactured by BASF) was changed to the photoinitiator Irgacure 651 (manufactured by BASF), and the blending amount was changed from 0.1 parts by mass to 3.1 parts by mass, 0.1 parts by mass of LA-F70 (manufactured by ADEKA Co., Ltd.) was blended as an ultraviolet absorber to obtain an adhesive H. Except having used the adhesive H instead of the adhesive A, it carried out similarly to Example 1, and produced the adhesive tape.

＜특성 및 성능 평가＞<Characteristic and performance evaluation>

상기에서 제작한 점착 테이프에 대한 점착력을 시험예 1과 같이 해서 측정했다. 또, 시험예 2와 같이 해서 다이싱시의 칩 튐을, 시험예 3과 같이 해서 칩 개편화 후의 픽업성을, 각각 평가했다.The adhesive force to the adhesive tape produced above was measured in the same manner as in Test Example 1. Further, in the same manner as in Test Example 2, the chip spatter at the time of dicing was evaluated in the same manner as in Test Example 3, and the pick-up properties after the chip separation were evaluated, respectively.

[시험예 1] 점착력의 측정[Test Example 1] Measurement of adhesion

본 발명에 있어서의 점착력은, JIS　Z　0237에 기초하는, 스테인리스 시험판에 대한 90°떼어내기 점착력 시험 방법에 의해 측정되는 값이다. 구체적인 측정 방법은 이하와 같다. 또한, 이하에 기재하지 않는 조건에 대해서는, JIS　Z　0237에 기초한다.The adhesive force in the present invention is a value measured by a 90° peel-off adhesive force test method for a stainless steel test plate based on JIS 　Z　0237. The specific measurement method is as follows. In addition, about conditions not described below, it is based on JIS　Z　0237.

우선, 점착 테이프로부터 폭 25㎜×길이 150㎜의 시험편(試驗片)을 3개 채취했다. 이들 시험편을, JIS　R　6253에서 규정하는 280번의 내수 연마지(硏磨紙)로 마무리한(마감한), JIS　G　4305에서 규정하는 두께 1.5㎜∼2.0㎜의 SUS304 강판(스테인리스강 시험판) 상에 붙였다. 그 후, 2㎏의 고무 롤러를 3왕복시켜서 압착(壓着)하고, 1시간 방치했다. 그 후, 측정치가 그 용량의 15∼85%의 범위에 들어가는 JIS　B　7721에 적합한 인장(引張) 시험기를 이용하여 점착력을 측정했다. 측정은, 90°떼어내기법에 의해, 인장 속도 50㎜/min, 측정 온도 23℃, 상대 습도 49%의 조건에서 행했다. 본 발명에 있어서의 점착력은, 상기 방법에 의해 측정한 3개의 시험편의 점착력의 산술 평균이다.First, three test pieces having a width of 25 mm and a length of 150 mm were collected from the adhesive tape. These test pieces were finished (finished) with No. 280 water-resistant abrasive paper specified in JIS 　R　6253, and on a SUS304 steel plate (stainless steel test plate) of 1.5mm to 2.0mm thickness stipulated in JIS　G　4305. Pasted. After that, a 2 kg rubber roller was made to reciprocate 3 reciprocating, pressed, and allowed to stand for 1 hour. Thereafter, the adhesive strength was measured using a tensile tester suitable for JIS 　 B 　 7721 in which the measured value falls within the range of 15 to 85% of the capacity. The measurement was performed by a 90° peeling method under conditions of a tensile speed of 50 mm/min, a measurement temperature of 23°C, and a relative humidity of 49%. The adhesive force in the present invention is an arithmetic average of the adhesive force of three test pieces measured by the above method.

(시험예 1－1) 자외선 조사 전의 점착력(Test Example 1-1) Adhesion before UV irradiation

상기에서 제작한 점착 테이프에 대해서, 상기 방법에 의해 자외선 조사 전의 점착력(A0)을 측정했다.About the adhesive tape produced above, the adhesive force (A0) before ultraviolet irradiation was measured by the said method.

(시험예 1－2) 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 후의 점착력(Test Example 1-2) Adhesion after UV irradiation using an LED lamp with a wavelength of 365 nm as a light source

상기에서 제작한 점착 테이프에 대해서, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치(아이테크 시스템사제, 상품명： MUVBA－0.4×0.6×0.2, 피크 파장 365㎚)를 이용하여, 조사 강도 30mW/㎠에서 적산 광량이 500mJ/㎠로 되도록 조사했다.For the adhesive tape prepared above, using an ultraviolet irradiation device (manufactured by I-Tech Systems, brand name: MUVBA-0.4 x 0.6 x 0.2, peak wavelength 365 nm) using an LED lamp with a wavelength of 365 nm as a light source, irradiation intensity of 30 mW It irradiated so that the accumulated light quantity might be 500 mJ/cm<2> in /cm<2>.

자외선을 조사 후, 1시간 방치한 점착 테이프에 대해서, 상기 방법에 의해 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 후의 점착력(ALED)을 측정했다.With respect to the adhesive tape left to stand for 1 hour after irradiation with ultraviolet rays, the adhesive strength (A LED ) after ultraviolet irradiation using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source was measured by the above method.

(시험예 1－3) 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 후의 점착력(Test Example 1-3) Adhesion after UV irradiation using a high-pressure mercury lamp as a light source

상기에서 제작한 점착 테이프에 대해서, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치(테크노비전사제, 상품명： UVC－408)를 이용하여, 조사 강도 70 mW/㎠에서, 자외선(파장 250㎚∼450㎚)의 적산 광량이 500mJ/㎠로 되도록 조사했다.With respect to the adhesive tape produced above, using an ultraviolet irradiation apparatus (manufactured by Technobi Corporation, brand name: UVC-408) using a high-pressure mercury lamp as a light source, at an irradiation intensity of 70 mW/cm2, ultraviolet rays (wavelength 250 nm to 450 nm) ) Was irradiated so that the accumulated light amount was 500 mJ/cm 2.

자외선을 조사 후, 1시간 방치한 점착 테이프에 대해서, 상기 방법에 의해 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 후의 점착력(AHPM)을 측정했다.With respect to the adhesive tape left to stand for 1 hour after irradiation with ultraviolet rays, the adhesive strength (A HPM ) after ultraviolet irradiation using a high-pressure mercury lamp as a light source was measured by the above method.

[시험예 2] 다이싱시의 칩 튐 [Test Example 2] Chip spatter at the time of dicing

두께 150㎛, ＃2000번수(番手) 마무리의 8인치 미러 웨이퍼에 대해서, 상기에서 제작한 점착 테이프를 23℃, 50% RH의 조건 하에서 첩합했다. 테이프 첩합으로부터 1시간 경과후, 시험예 1－2와 동일한 조건에 의해, 자외선을 조사했다. 자외선을 조사 후, 1시간 방치한 후, 하기의 다이싱 조건에 의해, 5㎜×5mm□의 칩이 1238장(枚) 얻어지도록 절단했다.With respect to an 8-inch mirror wafer having a thickness of 150 µm and a #2000 number finish, the adhesive tape produced above was bonded to each other under conditions of 23°C and 50% RH. After 1 hour from the tape bonding, ultraviolet rays were irradiated under the same conditions as in Test Example 1-2. After irradiation with ultraviolet rays, after leaving to stand for 1 hour, it cut so that 1238 chips of 5 mm x 5 mm square were obtained under the following dicing conditions.

＜다이싱 조건＞<Dicing conditions>

다이싱 장치　　　　 ： DISCO사제의 DFD－6340(상품명)Dicing device　　　　: DFD-6340 (brand name) made by DISCO Corporation

블레이드　　　 　　　 ： DISCO사제의 NBC－ZH2050　27 HEDD(상품명)Blade　　　 　　　: NBC-ZH2050　27 HEDD (brand name) made by DISCO Corporation

블레이드 회전수　　 　： 40,000rpmBlade rotation speed　　 　: 40,000rpm

절삭 속도　　　　　　 ： 80mm/secCutting speed　　　　　　 ： 80mm/sec

테이프에의 절입(notch) 깊이： 0.07mmNotch depth into tape: 0.07mm

절삭 라인　　 　　　　　： 길이 205㎜의 절삭 라인을 종횡 41개씩Cutting line　　 　　　　　: 205mm long cutting lines 41 each

절삭수의 유량　　　　　　 ： 2L/minCutting water flow　　　　　　 ： 2L/min

절삭수 온도　　　　　 　　： 23℃Cutting water temperature　　　　　 　　: 23℃

상기 다이싱에 의해 개편화된 칩을 눈으로 보아 관찰하고, 개편화한 칩의 비산(飛散)이 전혀 없으면 「○」, 칩의 비산이 있으면 「×」로서, 평가했다.The chips separated by the dicing were visually observed, and evaluated as "(circle)" if there was no scattering of the chipped chips, and as "x" if there was scattering of the chips.

[시험예 3] 픽업성[Test Example 3] Pickup property

시험예 2의 다이싱 후, 점착 테이프측으로부터, 시험예 1－3과 동일한 조건에 의해, 자외선을 조사했다. 그 후, 하기의 픽업 조건에 의해, 개편화된 칩을 픽업했다.After dicing in Test Example 2, ultraviolet rays were irradiated from the adhesive tape side under the same conditions as in Test Example 1-3. After that, the individualized chips were picked up under the following pickup conditions.

＜픽업 조건＞<Pick up conditions>

픽업 장치： 캐논 머시너리사제의 CAP－300Ⅱ(상품명)Pickup device: CAP-300Ⅱ (brand name) manufactured by Canon Machinery

밀어올림(突上, push up) 핀 형상： 반경 0.7㎜, 선단 곡률 반경 R=0.25㎜, 선단 각도 15°Push-up pin shape: Radius 0.7mm, tip radius R=0.25mm, tip angle 15°

핀 밀어올림 높이： 1mmPin push-up height: 1mm

핀 밀어올림 스피드： 50mm/secPin pushing speed: 50mm/sec

콜릿 형상： 흡착구멍(吸着穴) 0.89mmφCollet shape: suction hole 0.89mmφ

링 프레임： DISCO사제의 형식 DTF－2－6－1(상품명), SUS420J2제Ring frame: Model DTF-2-6-1 (brand name) manufactured by DISCO, manufactured by SUS420J2

상기 조건에서 개편화한 1238칩을 픽업하고, 모든 칩이 박리가능했던 것을 「○」, 박리할 수 없어 점착 테이프 상에 칩이 1∼25칩 남은 것을 「△」, 박리할 수 없어 점착 테이프 상에 칩이 26칩 이상 남은 것을 「×」로서, 평가했다. 본 시험에 있어서는, 「△」 또는 「○」이 합격 레벨이다.1238 chips separated under the above conditions were picked up, "○" that all the chips were peelable, "△" that 1 to 25 chips remained on the adhesive tape because they could not be peeled off. The remaining 26 or more chips were evaluated as "x". In this test, "Δ" or "○" is a pass level.

또한, 상기 시험예 2에 있어서 칩의 비산이 보이지 않은 경우에는, 비산하지 않고 테이프 상에 남아 있는 칩에 대해서, 상기 픽업성을 평가했다.In addition, when scattering of chips was not observed in Test Example 2, the pick-up property was evaluated for chips remaining on the tape without scattering.

상기의 각 시험예에 있어서의 결과를, 하기 표에 정리해서 나타냈다.The results in each of the above test examples were put together in the following table and shown.

또한, 표중에 있어서의 각 점착력의 단위는 「N/25㎜」이다.In addition, the unit of each adhesive force in the table is "N/25 mm".

[표 1][Table 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

[표 1－2][Table 1-2]

Figure pct00002
Figure pct00002

표 1의 결과로부터, 이하를 알 수 있다.From the results in Table 1, the following can be seen.

실시예 1∼5의 점착 테이프는, 본 발명에서 규정하는, (1) [자외선 조사 전의 점착력]에 대한 [파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]의 비(ALED/A0)가 0.50 이상의 값을 가지고, (2) [자외선 조사 전의 점착력]에 대한 [고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]의 비(AHPM/A0)가 0.50 이하의 값을 가진다.The adhesive tape of Examples 1 to 5 is an ultraviolet ray having a cumulative amount of light of 500 mJ/cm 2 by an ultraviolet irradiation device using an LED lamp with a wavelength of 365 nm as a light source for (1) [adhesive strength before ultraviolet irradiation] as defined in the present invention Adhesion after irradiation] ratio (A LED /A 0 ) has a value of 0.50 or more, and (2) [Adhesion before ultraviolet ray irradiation] with an accumulated light quantity of 500mJ/cm2 by an ultraviolet irradiation device using a high-pressure mercury lamp as a light source. The ratio (A HPM /A 0 ) of [adhesive force after ultraviolet irradiation] has a value of 0.50 or less.

이들 실시예 1∼5의 자외선 조사형 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼의 한쪽 면에 첩합해서 사용한 경우에, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 후에 다이싱을 행해도, 다이싱시의 칩 튐을 억제할 수 있다는 것을 알 수 있었다. 또, 상기 다이싱 후에, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선을 조사하고, 그 후 픽업을 행하는 것에 의해, 자외선 조사형 점착 테이프로부터 칩을 양호하게 박리할 수 있다는 것을 알 수 있었다. 다시 말해, 이들 실시예 1∼5의 자외선 조사형 점착 테이프는, 칩 튐의 억제와 픽업성의 양립에 우수하다는 것을 알 수 있었다.When the ultraviolet irradiation adhesive tapes of Examples 1 to 5 are bonded to one side of a semiconductor wafer and used, even if dicing is performed after ultraviolet irradiation using an LED lamp with a wavelength of 365 nm as a light source, the chip at the time of dicing It was found that it could suppress the splash. Further, after the dicing, it was found that the chips could be satisfactorily peeled from the ultraviolet-irradiated adhesive tape by irradiating ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp as a light source and then performing pickup. In other words, it was found that the UV-irradiated adhesive tapes of Examples 1 to 5 were excellent in both suppression of chip spatter and pickup properties.

실시예 1∼5에 대해서 보면, [자외선 조사 전의 점착력]에 대한 [고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]의 비(AHPM/A0)가 0.43인 실시예 5의 점착 테이프를 이용한 경우에는, 픽업 공정시에 점착 테이프 상에 12칩이 남은 것에 반해, 상기 비(AHPM/A0)가 0.40 이하인 실시예 1∼4의 점착 테이프를 이용한 경우에는, 픽업 공정시에 점착 테이프 상에 칩이 1개도 남지 않고, 픽업성이 보다 우수하다는 것을 알 수 있었다.For Examples 1 to 5, the ratio of [adhesive force after ultraviolet irradiation of 500 mJ/cm 2 of accumulated light by an ultraviolet irradiation device using a high-pressure mercury lamp as a light source] to [adhesive strength before ultraviolet irradiation] (A HPM /A 0 ) In the case of using the adhesive tape of Example 5 having a value of 0.43, the adhesive tapes of Examples 1 to 4 having the ratio (A HPM /A 0 ) of 0.40 or less were used, whereas 12 chips remained on the adhesive tape during the pickup process. In the case of using, it was found that no chip was left on the adhesive tape during the pickup step, and the pickup property was more excellent.

이에 반해, 비교예 1의 점착 테이프는, 본 발명에서 규정하는 (2)를 만족시키지만, [자외선 조사 전의 점착력]에 대한 [파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]의 비(ALED/A0)가 0.10이고, 본 발명에서 규정하는 0.50 이상을 만족시키지 않는다. 이 비교예 1의 점착 테이프는, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 후의 다이싱에 의한 칩의 비산이 보이고, 칩 튐의 억제가 충분하지 않았다.On the other hand, the adhesive tape of Comparative Example 1 satisfies (2) specified in the present invention, but the accumulated light quantity of 500 mJ by an ultraviolet irradiation apparatus using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source for [adhesive strength before ultraviolet irradiation] The ratio (A LED /A 0 ) of [adhesive force after irradiation of ultraviolet rays of /cm2] is 0.10, and does not satisfy 0.50 or more specified in the present invention. In the adhesive tape of Comparative Example 1, scattering of chips by dicing after UV irradiation using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source was observed, and the suppression of chip spatter was not sufficient.

비교예 2의 점착 테이프는, 본 발명에서 규정하는 (2)를 만족시키지만, [자외선 조사 전의 점착력]에 대한 [파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]의 비(ALED/A0)가 0.33이고, 본 발명에서 규정하는 0.50 이상을 만족시키지 않는다. 이 비교예 2의 점착 테이프는, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 후의 다이싱에 의한 칩의 비산이 보이고, 칩 튐의 억제가 충분하지 않았다. 또한, 픽업 공정시에는, 점착 테이프 상에 4칩이 남았다.The adhesive tape of Comparative Example 2 satisfies (2) specified in the present invention, but the accumulated light amount of 500 mJ/cm 2 by an ultraviolet irradiation apparatus using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source for [adhesive strength before ultraviolet irradiation] The ratio (A LED /A 0 ) of [adhesive force after ultraviolet irradiation] is 0.33, and does not satisfy 0.50 or more specified in the present invention. In the adhesive tape of Comparative Example 2, scattering of chips by dicing after ultraviolet irradiation using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source was observed, and the suppression of chip spatter was not sufficient. In addition, at the time of the pickup process, four chips remained on the adhesive tape.

비교예 3의 점착 테이프는, 본 발명에서 규정하는 (1)을 만족시키지만, (2) [자외선 조사 전의 점착력]에 대한 [고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]의 비(AHPM/A0)가 0.57이고, 본 발명에서 규정하는 0.50 이하를 만족시키지 않는다. 이 비교예 3의 점착 테이프는, LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 후에 다이싱을 행하고, 그 다음에, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선을 조사하고, 픽업을 행했을 때에는, 1238장의 모든 칩이 점착 테이프 상에 남고, 픽업성이 충분하지 않았다.The adhesive tape of Comparative Example 3 satisfies (1) specified in the present invention, but (2) the accumulated light quantity of 500 mJ/cm 2 by an ultraviolet irradiation apparatus using a high-pressure mercury lamp as a light source for (2) [adhesive strength before ultraviolet irradiation] The ratio (A HPM /A 0 ) of [adhesive force after UV irradiation] is 0.57, and does not satisfy 0.50 or less specified in the present invention. In the adhesive tape of Comparative Example 3, dicing was performed after irradiation with ultraviolet rays using an LED lamp as a light source, and then irradiated with ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp as a light source, and when picking up, all 1238 chips were It remained on the adhesive tape, and the pickup property was not sufficient.

상기한 대로, 본 발명의 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼의 가공용으로 호적하게 사용할 수 있다. 또, 본 발명의 점착 테이프와 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 각각 붙여맞추고, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선에 의해 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 경화시키는, 본 발명의 점착 테이프의 사용 방법에서는, 본 발명의 점착 테이프의 점착력의 저하를 억제하면서 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 박리할 수 있다.As described above, the adhesive tape of the present invention can be suitably used for processing a semiconductor wafer. In addition, the use of the adhesive tape of the present invention in which the adhesive tape of the present invention and the ultraviolet curable surface protection tape are attached to a semiconductor wafer, respectively, and the ultraviolet curable surface protection tape is cured by ultraviolet rays using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source. In the method, the ultraviolet curable surface protection tape can be peeled off while suppressing the decrease in the adhesive force of the adhesive tape of the present invention.

또, 본 발명의 점착 테이프를 사용하는 것에 의해, 칩 튐의 억제와 우수한 픽업성을 양립하면서, 반도체 칩을 제조할 수 있다.Further, by using the adhesive tape of the present invention, it is possible to manufacture a semiconductor chip while both suppression of chip spatter and excellent pick-up properties are achieved.

본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 세부에 있어서도 한정하려고 하는 것은 아니고, 첨부하는 청구범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되어야 할 것이라 생각한다.Although the present invention has been described with its embodiments, we do not intend to limit our invention in any detail in the description unless otherwise specified, and it is broadly interpreted without contrary to the spirit and scope of the invention shown in the appended claims. I think it should be.

본원은, 2019년 1월 25일에 일본에서 특허 출원된 특원2019－011418호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이고, 이것은 모두 여기에 참조하여 그 내용을 본 명세서의 기재의 일부로서 포함시킨다(삽입한다).This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2019-011418 for which a patent was applied in Japan on January 25, 2019, all of which are referred to here and the contents are incorporated as part of the description of this specification (incorporated ).

1: 반도체 웨이퍼
1A: 이면 연삭중의 반도체 웨이퍼
1B: 이면이 연삭된 상태의 반도체 웨이퍼
1C: 분할된 반도체 웨이퍼
2: 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프(점착 테이프)
3: 기재 필름
4: 점착제 층
7: 칩
11: 표면 보호 테이프
12: 기재 필름
13: 점착제 층
S: 표면
B: 이면
M1: 웨이퍼 연삭 장치
D: 다이싱 블레이드
F: 링 프레임
UVS1: 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치
UVS2: 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치1: semiconductor wafer
1A: Semiconductor wafer in back grinding
1B: semiconductor wafer with the back side ground
1C: segmented semiconductor wafer
2: UV curable adhesive tape for semiconductor wafer processing (adhesive tape)
3: base film
4: adhesive layer
7: chip
11: surface protection tape
12: base film
13: adhesive layer
S: surface
B: back side
M1: wafer grinding device
D: Dicing blade
F: ring frame
UVS1: UV irradiation device using an LED lamp with a wavelength of 365 nm as a light source
UVS2: Ultraviolet irradiation device using a high-pressure mercury lamp as a light source

Claims (15)

기재(基材) 필름과, 그 기재 필름 상에 마련된 자외선 경화형의 점착제(粘着劑) 층을 적어도 가지는 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프로서,
JIS　Z　0237에 기초하는 SUS304에 대한 90°떼어내기 시험(peeling test) 방법에 의해 측정되는 상기 점착 테이프의 점착력의 값이, 하기 (1) 및 (2)를 함께 만족시키는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.
(1) [파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]/[자외선 조사 전의 점착력]≥0.50
(2) [고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치에 의한 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선 조사 후의 점착력]/[자외선 조사 전의 점착력]≤0.50An ultraviolet-curable adhesive tape for processing a semiconductor wafer having at least a base film and an ultraviolet-curable adhesive layer provided on the base film,
A semiconductor, characterized in that the value of the adhesive force of the adhesive tape measured by the 90° peeling test method for SUS304 based on JIS Z 0237 satisfies the following (1) and (2) together. UV curable adhesive tape for wafer processing.
(1) [Adhesion after ultraviolet irradiation of 500mJ/㎠ of accumulated light by an ultraviolet irradiation device using an LED lamp with a wavelength of 365nm as a light source]/[Adhesion before ultraviolet irradiation]≥0.50
(2) [Adhesion after ultraviolet irradiation with a cumulative amount of light of 500mJ/㎠ by an ultraviolet irradiation device using a high pressure mercury lamp as a light source]/[Adhesion before ultraviolet irradiation] 제 1 항에 있어서,
상기 [자외선 조사 전의 점착력]이, 1N/25㎜∼10N/25㎜인 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.The method of claim 1,
An ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing, wherein the [adhesive force before ultraviolet irradiation] is 1N/25mm to 10N/25mm. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 점착제 층이 베이스 폴리머 성분과 광중합 개시제를 함유하고, 그 베이스 폴리머 성분 100질량부에 대한 광중합 개시제의 함유량이 0.1∼3.0질량부인 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.The method according to claim 1 or 2,
An ultraviolet curable adhesive tape for processing a semiconductor wafer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a base polymer component and a photopolymerization initiator, and the content of the photopolymerization initiator relative to 100 parts by mass of the base polymer component is 0.1 to 3.0 parts by mass. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 폴리머가 측쇄에 자외선 중합성 탄소－탄소 이중 결합을 가지는 폴리머인 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.The method according to any one of claims 1 to 3,
An ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing, characterized in that the base polymer is a polymer having an ultraviolet polymerizable carbon-carbon double bond in a side chain. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 점착제 층이 자외선 흡수제를 함유하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.The method according to any one of claims 1 to 4,
An ultraviolet curable adhesive tape for processing a semiconductor wafer, characterized in that the pressure-sensitive adhesive layer contains an ultraviolet absorber. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정에 있어서 사용되는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프.The method according to any one of claims 1 to 5,
An ultraviolet curable adhesive tape for processing a semiconductor wafer, which is used in a process of dicing a semiconductor wafer. 하기 공정 (a)∼(e)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩의 제조 방법.
[공정]
(a) 표면에 패턴면을 가지는 반도체 웨이퍼의 그 패턴면측에, 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 붙여맞춘 상태에서, 그 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정,
(b) 상기의 연삭한 반도체 웨이퍼의 이면에 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프를 붙여맞추고, 링 프레임에 지지 고정하는 공정,
(c) 상기 표면 보호 테이프측으로부터, 제1의 자외선 조사 장치에 의해 자외선 조사를 행한 후, 상기 표면 보호 테이프를 박리(剝離)하는 공정,
(d) 상기 반도체 웨이퍼의 패턴면측으로부터 다이싱 장치를 이용하여, 반도체 웨이퍼의 절단을 행하고, 개개의 칩 단위로 개편화(個片化)하는 공정, 및,
(e) 상기 점착 테이프측으로부터, 제2의 자외선 조사 장치에 의해 자외선 조사를 행하는 공정.A method for manufacturing a semiconductor chip, comprising the following steps (a) to (e).
[fair]
(a) a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer in a state in which an ultraviolet curable surface protection tape is adhered to the pattern surface side of a semiconductor wafer having a pattern surface on its surface,
(b) a step of attaching the ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to any one of claims 1 to 6 to the back surface of the ground semiconductor wafer, and supporting and fixing it to a ring frame,
(c) a step of peeling off the surface protection tape after irradiating with ultraviolet rays from the surface protection tape side by a first ultraviolet irradiation device,
(d) a step of cutting the semiconductor wafer from the pattern surface side of the semiconductor wafer using a dicing device, and subdividing the semiconductor wafer into individual chip units, and
(e) A step of performing ultraviolet irradiation from the side of the adhesive tape by a second ultraviolet irradiation device. 제 7 항에 있어서,
상기 제1의 자외선 조사 장치가, 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치인 것을 특징으로 하는, 반도체 칩의 제조 방법.The method of claim 7,
A method for manufacturing a semiconductor chip, wherein the first ultraviolet irradiation device is an ultraviolet irradiation device using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 제2의 자외선 조사 장치가, 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사 장치인 것을 특징으로 하는, 반도체 칩의 제조 방법.The method according to claim 7 or 8,
The method of manufacturing a semiconductor chip, wherein the second ultraviolet irradiation device is an ultraviolet irradiation device using a high-pressure mercury lamp as a light source. 반도체 웨이퍼의 한쪽 면에 자외선 경화형 표면 보호 테이프가 첩합(貼合)되고, 그 반도체 웨이퍼의 또다른 한쪽 면에 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프가 첩합된 반도체 웨이퍼에 대해서, 그 자외선 경화형 표면 보호 테이프측으로부터 자외선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.An ultraviolet curable surface protection tape is adhered to one side of a semiconductor wafer, and an ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to any one of claims 1 to 6 is adhered to the other side of the semiconductor wafer. A method of using an ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing, comprising a step of irradiating ultraviolet rays from the side of the ultraviolet-curable surface protection tape to the resulting semiconductor wafer. 제 10 항에 있어서,
상기 자외선 조사가 파장 365㎚의 LED 램프를 광원으로 하는 자외선 조사인 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.The method of claim 10,
A method of using an ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing, characterized in that the ultraviolet irradiation is ultraviolet irradiation using an LED lamp having a wavelength of 365 nm as a light source. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기의 자외선 조사 후의 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 상기 반도체 웨이퍼로부터 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.The method of claim 10 or 11,
A method of using an ultraviolet-curable adhesive tape for processing a semiconductor wafer, comprising a step of peeling the ultraviolet-curable surface protection tape after ultraviolet irradiation from the semiconductor wafer. 제 12 항에 있어서,
상기의 반도체 웨이퍼로부터 자외선 경화형 표면 보호 테이프를 박리하는 공정 후, 그 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프측으로부터 자외선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.The method of claim 12,
A method of using an ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing, comprising a step of irradiating ultraviolet rays from the side of the ultraviolet-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing after the step of peeling the ultraviolet-curable surface protection tape from the semiconductor wafer. 제 13 항에 있어서,
상기의 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프측으로부터의 자외선 조사가 고압 수은 램프를 광원으로 하는 자외선 조사인 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.The method of claim 13,
A method of using an ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing, characterized in that the ultraviolet irradiation from the side of the ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing is ultraviolet irradiation using a high-pressure mercury lamp as a light source. 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기의, 반도체 웨이퍼의 한쪽 면에 자외선 경화형 표면 보호 테이프가 첩합되고, 그 반도체 웨이퍼의 또다른 한쪽 면에 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프가 첩합된 반도체 웨이퍼가, 반도체 웨이퍼의 가공 공정에 있어서 생기는 것인, 반도체 웨이퍼 가공용 자외선 경화형 점착 테이프의 사용 방법.The method according to any one of claims 10 to 14,
An ultraviolet curable surface protection tape is adhered to one side of the semiconductor wafer, and an ultraviolet curable adhesive tape for semiconductor wafer processing according to any one of claims 1 to 6 is adhered to the other side of the semiconductor wafer. A method of using an ultraviolet curable adhesive tape for processing a semiconductor wafer, wherein a semiconductor wafer is produced in a processing step of a semiconductor wafer.
KR1020207021951A 2019-01-25 2020-01-24 UV-curable adhesive tape for semiconductor wafer processing, manufacturing method of semiconductor chip, and method of using the tape KR102452862B1 (en)

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