KR20200104237A - Resin composition - Google Patents

Resin composition Download PDF

Info

Publication number
KR20200104237A
KR20200104237A KR1020200021636A KR20200021636A KR20200104237A KR 20200104237 A KR20200104237 A KR 20200104237A KR 1020200021636 A KR1020200021636 A KR 1020200021636A KR 20200021636 A KR20200021636 A KR 20200021636A KR 20200104237 A KR20200104237 A KR 20200104237A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin composition
resin
epoxy resin
mass
semiconductor chip
Prior art date
Application number
KR1020200021636A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
미노루 사사키
히로유키 사카우치
Original Assignee
아지노모토 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아지노모토 가부시키가이샤 filed Critical 아지노모토 가부시키가이샤
Publication of KR20200104237A publication Critical patent/KR20200104237A/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22Di-epoxy compounds
    • C08G59/28Di-epoxy compounds containing acyclic nitrogen atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/32Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
    • C08G59/3227Compounds containing acyclic nitrogen atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18Manufacture of films or sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013Fillers, pigments or reinforcing additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2433/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2463/00Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • C08K3/36Silica
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C08L2205/035Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

The present invention provides a resin composition that can prevent a cured product from warping and has excellent adhesion to weighting in a vertical direction of a cured product thin film after an environmental test. The resin composition contains (A) an epoxy resin, (B) a liquid methacrylic polymer at 25°C, (C) a curing agent and (D) an inorganic filler, wherein the component (A) contains (A-1) a glycidyl amine type epoxy resin.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은, 에폭시 수지 및 경화제를 포함하는 수지 조성물; 상기 수지 조성물의 경화물; 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 시트; 상기 경화물을 포함하는 회로 기판; 상기 경화물을 포함하는 반도체 칩 패키지; 및 상기 반도체 칩 패키지를 구비하는 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention is a resin composition containing an epoxy resin and a curing agent; A cured product of the resin composition; A resin sheet comprising the resin composition; A circuit board including the cured product; A semiconductor chip package including the cured product; And a semiconductor device including the semiconductor chip package.

최근, 스마트폰, 태블릿형 디바이스와 같은 소형 고기능 전자기기의 수요가 증대하고 있고, 이에 따라, 이러한 소형 전자기기에 사용되는 반도체 칩 패키지용 절연 재료도 추가적인 고기능화가 요구되고 있다. 이러한 절연층은, 수지 조성물을 경화하여 형성되는 것 등이 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조).BACKGROUND ART In recent years, demand for small, high-performance electronic devices such as smart phones and tablet-type devices is increasing, and accordingly, an insulating material for semiconductor chip packages used in such small electronic devices is also required to be further enhanced. It is known that such an insulating layer is formed by curing a resin composition (see, for example, Patent Document 1).

일본 공개특허공보 특개2017-008312호Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2017-008312

특히 최근, 보다 소형의 반도체 칩 패키지가 요구되고 있기 때문에, 반도체 칩 패키지에 사용하는 절연층이나 밀봉재, 실리콘 칩 자체도 두께를 얇게 하는 것이 요구된다. 이로 인해, 두께가 얇아도, 휨의 억제가 가능한 절연층의 개발이 요구되고 있다.In particular, in recent years, since a smaller semiconductor chip package is required, an insulating layer and a sealing material used for a semiconductor chip package, and a silicon chip itself are also required to have a thin thickness. For this reason, development of an insulating layer capable of suppressing warpage even if the thickness is thin is required.

그러나, 박막에 있어서는 수지 성분의 절대량의 감소에 의해, 밀착 강도의 유지가 곤란해지는 경우가 있고, 특히 이러한 용도에 이용되는 수지 재료에 있어서는, 박막의 수직 방향으로의 가중에 대한 밀착 강도가 중요시되고 있다.However, in thin films, it may be difficult to maintain adhesion strength due to a decrease in the absolute amount of the resin component.In particular, in resin materials used for such applications, adhesion strength against weighting in the vertical direction of the thin film is considered important. have.

본 발명의 과제는, 얻어지는 경화물의 휨을 억제할 수 있고, 또한, 환경 시험 후의 경화물 박막의 수직 방향으로의 가중에 대한 밀착성이 우수한 수지 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a resin composition that can suppress the warpage of the resulting cured product and has excellent adhesion to weighting in the vertical direction of the cured product thin film after an environmental test.

본 발명의 과제를 달성하기 위해, 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 수지 조성물에 (A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지 및 (B) 25℃에서 액상인 (메타)아크릴 중합체를 함유시킴으로써, 경화물의 휨을 억제할 수 있고, 추가로는, 환경 시험 후의 경화물 박막의 수직 방향으로의 가중에 대한 우수한 밀착성이 얻어지는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.In order to achieve the subject of the present invention, the present inventors intensively studied, as a result, by containing (A-1) a glycidylamine-type epoxy resin and (B) a liquid (meth)acrylic polymer at 25°C in the resin composition, It was found that warpage of the cured product can be suppressed, and further, excellent adhesion to weighting in the vertical direction of the cured product thin film after an environmental test is obtained, and the present invention has been completed.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.

[1] (A) 에폭시 수지, (B) 25℃에서 액상인 (메타)아크릴 중합체, (C) 경화제 및 (D) 무기 충전재를 함유하고, (A) 성분이, (A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물.[1] (A) an epoxy resin, (B) a liquid (meth)acrylic polymer at 25°C, (C) a curing agent and (D) an inorganic filler, and the component (A) is (A-1) glycy A resin composition containing a dillamine type epoxy resin.

[2] (A-1) 성분이, 2관능 또는 3관능의 글리시딜아민형 에폭시 수지인, 상기 [1]에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to [1], wherein the component (A-1) is a bifunctional or trifunctional glycidylamine type epoxy resin.

[3] (A-1) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 (D) 성분 이외의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 20질량% 이상 80질량% 이하인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.[3] The above [1] or [2], wherein the content of the component (A-1) is 20% by mass or more and 80% by mass or less when the nonvolatile components other than the (D) component in the resin composition are 100% by mass. The resin composition described in.

[4] (B) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 (D) 성분 이외의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 0.5질량% 이상 20질량% 이하인, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] Any of the above [1] to [3], wherein the content of the component (B) is 0.5% by mass or more and 20% by mass or less when the nonvolatile components other than the (D) component in the resin composition are 100% by mass. The resin composition according to one.

[5] (C) 성분이, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 산 무수물계 경화제, 아민계 경화제 및 이미다졸계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 경화제인, 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[5] Any one of [1] to [4], wherein the component (C) is a curing agent selected from the group consisting of a phenolic curing agent, a naphthol curing agent, an acid anhydride curing agent, an amine curing agent and an imidazole curing agent. The resin composition described in.

[6] (D) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 모든 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 70질량% 이상인, 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the content of the component (D) is 70% by mass or more when all nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass.

[7] 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[7] The resin composition according to any one of [1] to [6], for forming an insulating layer of a semiconductor chip package.

[8] 회로 기판의 절연층을 형성하기 위한 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] The resin composition according to any one of [1] to [6], for forming an insulating layer of a circuit board.

[9] 반도체 칩 패키지의 반도체 칩을 밀봉하기 위한 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The resin composition according to any one of [1] to [6], for sealing a semiconductor chip of a semiconductor chip package.

[10] 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물.[10] A cured product of the resin composition according to any one of [1] to [9].

[11] 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 갖는 수지 시트.[11] A resin sheet having a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of [1] to [9] provided on the support.

[12] 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는 회로 기판.[12] A circuit board comprising an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [9].

[13] 상기 [12]에 기재된 회로 기판과, 상기 회로 기판에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 칩 패키지.[13] A semiconductor chip package comprising the circuit board according to [12] and a semiconductor chip mounted on the circuit board.

[14] 반도체 칩과, 상기 반도체 칩을 밀봉하는 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반도체 칩 패키지.[14] A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip and a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [9], which seals the semiconductor chip.

[15] 상기 [13] 또는 [14]에 기재된 반도체 칩 패키지를 구비하는 반도체 장치.[15] A semiconductor device comprising the semiconductor chip package according to [13] or [14].

본 발명에 의하면, 경화물의 휨을 억제할 수 있고, 또한, 환경 시험 후의 경화물 박막의 수직 방향으로의 가중에 대한 밀착성이 우수한 수지 조성물; 상기 수지 조성물의 경화물; 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 시트; 상기 경화물을 포함하는 회로 기판; 상기 경화물을 포함하는 반도체 칩 패키지; 및 상기 반도체 칩 패키지를 구비하는 반도체 장치를 제공할 수 있다.Advantageous Effects of Invention According to the present invention, a resin composition capable of suppressing warpage of a cured product and excellent in adhesion to weighting in a vertical direction of a cured product thin film after environmental testing; A cured product of the resin composition; A resin sheet comprising the resin composition; A circuit board including the cured product; A semiconductor chip package including the cured product; And a semiconductor device including the semiconductor chip package.

이하, 본 발명을 이의 적합한 실시형태에 입각하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 하기 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구의 범위 및 그 균등의 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in detail based on its preferred embodiment. However, the present invention is not limited to the following embodiments and examples, and can be carried out with arbitrary changes within the scope of the claims of the present invention and the scope of their equivalents.

<수지 조성물><Resin composition>

본 발명의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 25℃에서 액상인 (메타)아크릴 중합체, (C) 경화제 및 (D) 무기 충전재를 함유한다. (A) 성분은, (A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지를 포함한다.The resin composition of the present invention contains (A) an epoxy resin, (B) a liquid (meth)acrylic polymer at 25°C, (C) a curing agent, and (D) an inorganic filler. (A) component contains (A-1) glycidylamine type epoxy resin.

이러한 수지 조성물을 사용함으로써, 경화물의 휨을 억제할 수 있고, 또한, 환경 시험 후의 경화물 박막의 수직 방향으로의 가중에 대한 우수한 밀착성을 달성할 수 있다.By using such a resin composition, warpage of the cured product can be suppressed, and excellent adhesion to weighting in the vertical direction of the cured product thin film after an environmental test can be achieved.

본 발명의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 25℃에서 액상인 (메타)아크릴 중합체, (C) 경화제 및 (D) 무기 충전재 이외에, 임의의 성분을 추가로 포함하고 있어도 좋다. 임의의 성분으로서는, 예를 들면, (E) 유기 용제 및 (F) 기타 첨가제를 들 수 있다. 이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 상세하게 설명한다.The resin composition of the present invention may further contain an optional component in addition to (A) an epoxy resin, (B) a (meth)acrylic polymer in liquid at 25°C, (C) a curing agent, and (D) an inorganic filler. As an arbitrary component, (E) organic solvent and (F) other additives are mentioned, for example. Hereinafter, each component contained in the resin composition will be described in detail.

<(A) 에폭시 수지><(A) Epoxy resin>

본 발명의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지를 포함한다.The resin composition of this invention contains (A) epoxy resin.

(A) 성분의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 (D) 성분 이외의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상, 특히 바람직하게는 35질량% 이상이다. 그 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 92질량% 이하, 더욱 바람직하게는 90질량% 이하, 특히 바람직하게는 88질량% 이하이다.The content of the component (A) is not particularly limited, but when the nonvolatile components other than the component (D) in the resin composition are 100% by mass, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, preferably 10 It is mass% or more, more preferably 20 mass% or more, still more preferably 30 mass% or more, particularly preferably 35 mass% or more. The upper limit is preferably 95% by mass or less, more preferably 92% by mass or less, still more preferably 90% by mass or less, particularly preferably 88% by mass or less from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. to be.

<(A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지><(A-1) Glycidylamine type epoxy resin>

(A) 성분은, (A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지를 포함한다. (A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지란, 적어도 1개의 글리시딜아미노기 및/또는 디글리시딜아미노기를 갖는 에폭시 수지를 말한다. 글리시딜아미노기에는 1개의 에폭시기가, 디글리시딜아미노기에는 2개의 에폭시기가 포함된다. (A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지를 사용함으로써, 수지 조성물의 경화물의 유리 전이 온도(Tg)를 높여서 내열성을 향상시키고, 경화물의 기계적 강도를 향상시키고, 내습성을 향상시킬 수 있다.(A) component contains (A-1) glycidylamine type epoxy resin. (A-1) The glycidylamine type epoxy resin refers to an epoxy resin having at least one glycidylamino group and/or a diglycidylamino group. One epoxy group is included in the glycidylamino group, and two epoxy groups are included in the diglycidylamino group. (A-1) By using a glycidylamine-type epoxy resin, the glass transition temperature (Tg) of the cured product of the resin composition is increased to improve heat resistance, improve the mechanical strength of the cured product, and improve moisture resistance.

(A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지는, 내열성이 우수한 경화물을 얻는 관점에서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 2관능 이상의 글리시딜아민형 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 1분자 중에 2개 또는 3개의 에폭시기를 갖는 2관능 또는 3관능의 글리시딜아민형 에폭시 수지인 것이 보다 바람직하다. 여기서, 에폭시기는, 글리시딜아미노기 및 디글리시딜아미노기 유래의 것에 한정되지 않고, 글리시딜옥시기 유래의 것 등도 포함할 수 있다. 글리시딜아민형 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 2관능 이상의 글리시딜아민형 에폭시 수지의 비율은, 경화물의 내열성을 높이는 관점에서, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상이다.(A-1) The glycidylamine type epoxy resin is preferably a bifunctional or higher glycidylamine type epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule from the viewpoint of obtaining a cured product having excellent heat resistance, and one molecule It is more preferable that it is a bifunctional or trifunctional glycidylamine type epoxy resin having 2 or 3 epoxy groups in the resin. Here, the epoxy group is not limited to those derived from a glycidylamino group and a diglycidylamino group, and may also include those derived from a glycidyloxy group. When the nonvolatile component of the glycidylamine type epoxy resin is 100% by mass, the ratio of the bifunctional or more glycidylamine type epoxy resin is from the viewpoint of increasing the heat resistance of the cured product, preferably 50% by mass or more, more It is preferably 60% by mass or more, and more preferably 70% by mass or more.

(A-1) 성분은, 내열성을 보다 향상시켜, 선열팽창계수를 보다 낮게 하는 관점에서, 분자 내에 1개 이상의 방향 환을 갖는 것이 바람직하다. 본 명세서 중, 방향 환이란, 벤젠 환, 나프탈렌 환 등의 방향족 탄소환, 또는 피리딘 환, 피롤 환, 푸란 환, 티오펜 환 등의 방향족 복소환을 말한다. 분자 내에 2개 이상의 방향 환을 갖는 경우, 방향 환끼리는, 직접 결합되거나 또는 산소 원자, 알킬렌기, 이들의 조합 등을 개재하여 결합될 수 있다.The component (A-1) preferably has one or more aromatic rings in the molecule from the viewpoint of further improving heat resistance and lowering the coefficient of linear thermal expansion. In the present specification, an aromatic ring refers to an aromatic carbocyclic ring such as a benzene ring and a naphthalene ring, or an aromatic heterocycle such as a pyridine ring, a pyrrole ring, a furan ring, and a thiophene ring. In the case of having two or more aromatic rings in a molecule, the aromatic rings may be directly bonded or bonded via an oxygen atom, an alkylene group, a combination thereof, or the like.

본 명세서 중, 알킬렌기란, 직쇄 또는 분기쇄의 2가의 지방족 포화 탄화수소기를 말한다. 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소 원자수 1 내지 5의 알킬렌기가 보다 바람직하다. 알킬렌기로서는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 1,1-디메틸에틸렌기 등을 들 수 있고, 이들의 결합 위치는 특별히 한정되지 않는다.In the present specification, an alkylene group refers to a linear or branched divalent aliphatic saturated hydrocarbon group. An alkylene group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable. Examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, and a 1,1-dimethylethylene group, and the bonding positions thereof are not particularly limited.

(A-1) 성분에 있어서, 글리시딜아미노기 및 디글리시딜아미노기는 방향 환에 직접 결합될 수 있다. 방향 환은, 글리시딜아미노기 및 디글리시딜아미노기에 더하여, 다른 치환기를 추가로 갖고 있어도 좋다. 여기서, 다른 치환기로서는, 예를 들면, 1가의 에폭시 함유기, 1가의 탄화수소기 등을 들 수 있다. 1가의 에폭시 함유기로서는, 글리시딜옥시기 등을 들 수 있다. 1가의 탄화수소기로서는, 예를 들어, 알킬기, 아릴기 등을 들 수 있다.In the component (A-1), the glycidylamino group and the diglycidylamino group may be directly bonded to the aromatic ring. In addition to the glycidylamino group and the diglycidylamino group, the aromatic ring may further have other substituents. Here, as another substituent, a monovalent epoxy-containing group, a monovalent hydrocarbon group, etc. are mentioned, for example. As a monovalent epoxy-containing group, a glycidyloxy group etc. are mentioned. As a monovalent hydrocarbon group, an alkyl group, an aryl group, etc. are mentioned, for example.

본 명세서 중, 알킬기란, 직쇄 또는 분기쇄의 1가의 지방족 포화 탄화수소기를 말한다. 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬기가 바람직하고, 탄소 원자수 1 내지 5의 알킬기가 보다 바람직하다. 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1-에틸프로필기 등을 들 수 있다.In the present specification, an alkyl group refers to a linear or branched monovalent saturated aliphatic hydrocarbon group. An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable. As the alkyl group, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-ethylpropyl And the like.

본 명세서 중, 아릴기란, 1가의 방향족 탄화수소기를 말한다. 탄소 원자수 6 내지 14의 아릴기가 바람직하고, 탄소 원자수 6 내지 10의 아릴기가 보다 바람직하다. 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 비페닐일기, 2-안트릴기 등을 들 수 있다.In this specification, an aryl group refers to a monovalent aromatic hydrocarbon group. An aryl group having 6 to 14 carbon atoms is preferable, and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms is more preferable. As an aryl group, a phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, biphenylyl group, 2-anthryl group, etc. are mentioned, for example.

(A-1) 성분은, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A-1) The component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서 바람직한 (A-1) 성분의 예로서는, 하기 화학식 A-1로 표시되는 것을 들 수 있다.Examples of the component (A-1) preferable from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention include those represented by the following formula (A-1).

[화학식 A-1][Formula A-1]

Figure pat00001
Figure pat00001

화학식 A-1에 있어서, n은, 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수를 나타낸다. 그 중에서도, n은, 0 내지 3의 정수가 바람직하고, 0 내지 2의 정수가 보다 바람직하고, 0 또는 1이 더욱 바람직하고, 1이 특히 바람직하다. 화학식 A-1에 있어서, m은, 1 내지 3의 정수를 나타낸다. 그 중에서도, m은, 1 또는 2가 바람직하고, 1이 더욱 바람직하다.In Formula A-1, n each independently represents an integer of 0 to 4. Especially, as for n, the integer of 0-3 is preferable, the integer of 0-2 is more preferable, 0 or 1 is still more preferable, and 1 is especially preferable. In Formula A-1, m represents an integer of 1 to 3. Especially, as for m, 1 or 2 is preferable and 1 is more preferable.

화학식 A-1에 있어서, R11은, 각각 독립적으로, 글리시딜옥시기 등의 1가의 에폭시 함유기, 및 알킬기, 아릴기 등의 1가의 탄화수소기를 나타낸다. R11이 글리시딜옥시기인 경우, 상기 R11은, 질소 원자와 벤젠환의 결합 부위를 기준으로 하여 파라 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다. 또한, R11이 알킬기인 경우, 상기 R11은, 질소 원자와 벤젠환의 결합 부위를 기준으로 하여, 오르토 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.In Formula A-1, each of R 11 independently represents a monovalent epoxy-containing group such as a glycidyloxy group, and a monovalent hydrocarbon group such as an alkyl group and an aryl group. When R 11 is a glycidyloxy group, it is preferable that R 11 is bonded at the para position based on the bonding site of the nitrogen atom and the benzene ring. In addition, when R 11 is an alkyl group, it is preferable that R 11 is bonded to the ortho position based on the bonding site between the nitrogen atom and the benzene ring.

화학식 A-1에 있어서, R12는, 수소 원자, 또는 1 내지 3가의 탄화수소기를 나타낸다. 2가의 탄화수소기로서는, 알킬렌기, 아릴렌기 등을 들 수 있다. m이 1인 경우, 본 발명의 원하는 효과를 얻는 관점에서, R12로서는, 알킬기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다. 또한, m이 2인 경우, 본 발명의 원하는 효과를 얻는 관점에서, R12로서는, 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기가 보다 바람직하다.In Formula A-1, R 12 represents a hydrogen atom or a 1 to trivalent hydrocarbon group. Examples of the divalent hydrocarbon group include an alkylene group and an arylene group. When m is 1, from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention, as R 12 , an alkyl group is preferable and a methyl group is more preferable. Further, when m is 2, from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention, as R 12 , an alkylene group is preferable, and a methylene group is more preferable.

본 명세서 중, 아릴렌기란, 2가의 방향족 탄화수소기를 말한다. 탄소 원자수 6 내지 14의 아릴렌기가 바람직하고, 탄소 원자수 6 내지 10의 아릴렌기가 보다 바람직하다. 아릴렌기로서는, 예를 들면, 페닐렌기, 나프틸렌기, 비페닐렌기 등을 들 수 있고, 이들의 결합 위치는 특별히 한정되지 않는다.In this specification, an arylene group refers to a divalent aromatic hydrocarbon group. An arylene group having 6 to 14 carbon atoms is preferable, and an arylene group having 6 to 10 carbon atoms is more preferable. As an arylene group, a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, etc. are mentioned, for example, and their bonding position is not specifically limited.

(A-1) 성분의 구체예로서는, 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」(하기 화학식 A-2와 동일함), ADEKA사 제조의 「EP-3980S」(하기 화학식 A-3과 동일함), 「EP3950S」, 「EP3950L」, 스미토모 카가쿠사 제조의 「ELM-100」, 「ELM-100H」, 「ELM-434」, 「ELM-434L」 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As specific examples of the component (A-1), ``630'' and ``630LSD'' manufactured by Mitsubishi Chemical (same as the following formula A-2), ``EP-3980S'' manufactured by ADEKA (same as the following formula A-3) ), "EP3950S", "EP3950L", "ELM-100" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., "ELM-100H", "ELM-434", "ELM-434L", and the like. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

[화학식 A-2][Formula A-2]

Figure pat00002
Figure pat00002

[화학식 A-3][Formula A-3]

Figure pat00003
Figure pat00003

(A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 50 내지 3,000g/eq., 더욱 바람직하게는 60 내지 2,000g/eq., 특히 바람직하게는 70 내지 1,000g/eq.이다. 글리시딜아민형 에폭시 수지의 에폭시 당량이 상기 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분해져, 표면 거칠기가 작은 절연층을 얻을 수 있다.(A-1) The epoxy equivalent of the glycidylamine type epoxy resin is preferably 50 to 5,000 g/eq., more preferably 50 to 3,000 g/eq., still more preferably 60 to 2,000 g/eq. ., particularly preferably 70 to 1,000 g/eq. When the epoxy equivalent of the glycidylamine type epoxy resin is in the above range, the crosslinking density of the cured product of the resin composition becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be obtained.

(A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 100 내지 5,000이고, 보다 바람직하게는 250 내지 3,000이고, 더욱 바람직하게는 400 내지 1,500이다. 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.(A-1) The weight average molecular weight (Mw) of the glycidylamine type epoxy resin is preferably 100 to 5,000, more preferably 250 to 3,000, and still more preferably 400 to 1,500. The weight average molecular weight of a resin can be measured as a value in terms of polystyrene by a gel permeation chromatography (GPC) method.

(A-1) 성분의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 (D) 성분 이외의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 15질량% 이상, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상, 특히 바람직하게는 25질량% 이상이다. 그 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 85질량% 이하, 더욱 바람직하게는 80질량% 이하, 특히 바람직하게는 75질량% 이하이다.The content of the component (A-1) is not particularly limited, but when the nonvolatile components other than the component (D) in the resin composition are 100% by mass, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, it is preferably Is 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, still more preferably 20% by mass or more, and particularly preferably 25% by mass or more. The upper limit is preferably 90% by mass or less, more preferably 85% by mass or less, still more preferably 80% by mass or less, particularly preferably 75% by mass or less, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. to be.

(A) 성분 합계량에 대한 (A-1) 성분의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 (A) 성분을 100질량%로 한 경우, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상, 특히 바람직하게는 40질량% 이상이다. 그 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 100질량% 이하, 90질량% 이하, 80질량% 이하, 70질량% 이하 등으로 할 수 있다.The content of the component (A-1) relative to the total amount of the component (A) is not particularly limited, but when the component (A) in the resin composition is 100% by mass, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, It is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, still more preferably 30% by mass or more, and particularly preferably 40% by mass or more. The upper limit is not particularly limited, and can be, for example, 100 mass% or less, 90 mass% or less, 80 mass% or less, 70 mass% or less.

<(A-1) 성분 이외의 임의의 에폭시 수지><Arbitrary epoxy resin other than component (A-1)>

(A) 에폭시 수지는, (A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지에 더하여, 기타 임의의 에폭시 수지를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 기타 임의의 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선형 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 기타 임의의 에폭시 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A) Epoxy resin may further contain other arbitrary epoxy resins in addition to (A-1) glycidylamine type epoxy resin. Other optional epoxy resins include, for example, bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, tris Phenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin , Cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring containing epoxy resin, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexane A dimethanol type epoxy resin, a naphthylene ether type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin, a tetraphenylethane type epoxy resin, etc. are mentioned. Other arbitrary epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

수지 조성물은, 기타 임의의 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 기타 임의의 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.It is preferable that the resin composition contains an epoxy resin having two or more epoxy groups per molecule as other optional epoxy resins. From the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups per molecule relative to 100% by mass of the nonvolatile component of any other epoxy resin is preferably 50% by mass or more, It is more preferably 60% by mass or more, and particularly preferably 70% by mass or more.

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)가 있다. 일 실시형태에서는, 기타 임의의 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지를 포함한다. 일 실시형태에서는, 기타 임의의 에폭시 수지로서, 고체상 에폭시 수지를 포함한다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지는, 조합하여 사용해도 좋다.Epoxy resins include a liquid epoxy resin at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resin”), and a solid epoxy resin at a temperature of 20°C (hereinafter, referred to as “solid epoxy resin”). There is. In one embodiment, a liquid epoxy resin is included as other optional epoxy resins. In one embodiment, a solid epoxy resin is included as other optional epoxy resins. The liquid epoxy resin and the solid epoxy resin may be used in combination.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups per molecule is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하다.As liquid epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy having an ester skeleton Resins, cyclohexane-type epoxy resins, cyclohexanedimethanol-type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure are preferred.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「EXA-850CRP」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「828EL」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P(CEL2021P)」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」, 니폰 소다사 제조의 「JP-100」, 「JP-200」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a liquid epoxy resin, "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "EXA-850CRP" manufactured by DIC Corporation, "828US", "828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "jER828EL", "825", "Epicoat 828EL" (bisphenol A type epoxy resin); "JER807" and "1750" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol F type epoxy resin); "JER152" (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "ZX1059" by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. (a mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); "EX-721" manufactured by Nagase Chemtex (glycidyl ester type epoxy resin); "Celoxide 2021P (CEL2021P)" manufactured by Daicel Corporation (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton); "PB-3600" by Daicel Corporation, "JP-100" by Nippon Soda Corporation, and "JP-200" (epoxy resin having a butadiene structure); "ZX1658" and "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having three or more epoxy groups per molecule is preferred, and an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups per molecule is more preferred.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하다.Examples of the solid epoxy resin include bixylenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, and Phenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, and tetraphenylethane type epoxy resin are preferable.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니폰 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니폰 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니폰 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX7700」(크실렌 구조 함유 노볼락형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a solid epoxy resin, "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "HP-4700" and "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-690" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-695" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "HP-7200" (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; DIC's "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", and "HP6000" ( Naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" by Nippon Kayaku Co., Ltd. (trisphenol type epoxy resin); "NC7000L" by the Nippon Kayaku company (naphthol novolak type epoxy resin); "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", and "NC3100" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Corporation; "ESN475V" manufactured by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. (naphthol type epoxy resin); "ESN485" manufactured by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. (naphthol novolak type epoxy resin); "YX4000H", "YX4000", and "YL6121" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (bixylenol type epoxy resin); "YX8800" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (anthracene type epoxy resin); "YX7700" by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (xylene structure-containing novolac type epoxy resin); "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemicals; "YL7760" by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (bisphenol AF type epoxy resin); "YL7800" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (fluorene type epoxy resin); "JER1010" manufactured by Mitsubishi Chemical (solid bisphenol A type epoxy resin); "JER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. can be mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

기타 임의의 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 액상 에폭시 수지의 고체상 에폭시 수지에 대한 질량비(액상 에폭시 수지/고체상 에폭시 수지)는, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 10 이상, 특히 바람직하게는 50 이상이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 질량비가 이러한 범위에 있음으로써, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다.When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as other optional epoxy resins, the mass ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin (liquid epoxy resin/solid epoxy resin) is preferably 1 or more, more preferably Is 10 or more, particularly preferably 50 or more. When the mass ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin is within this range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained.

기타 임의의 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 50g/eq. 내지 3,000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 2,000g/eq., 보다 더 바람직하게는 110g/eq. 내지 1,000g/eq.이다. 이러한 범위로 됨으로써, 수지 시트의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 형성할 수 있다. 에폭시 당량은, 에폭시기 1당량당 수지의 질량이다. 이러한 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라서 측정할 수 있다.The epoxy equivalent of any other epoxy resin is preferably 50 g/eq. To 5,000 g/eq., more preferably 50 g/eq. To 3,000 g/eq., more preferably 80 g/eq. To 2,000 g/eq., even more preferably 110 g/eq. To 1,000 g/eq. By being in such a range, the crosslinking density of the cured product of the resin sheet becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be formed. Epoxy equivalent is the mass of resin per 1 equivalent of epoxy group. Such an epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

기타 임의의 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5,000, 보다 바람직하게는 100 내지 3,000, 더욱 바람직하게는 100 내지 1,500이다. 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.The weight average molecular weight (Mw) of other optional epoxy resins is preferably 100 to 5,000, more preferably 100 to 3,000, still more preferably 100 to 1,500 from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. The weight average molecular weight of a resin can be measured as a value in terms of polystyrene by a gel permeation chromatography (GPC) method.

기타 임의의 에폭시 수지의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 (D) 성분 이외의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직 60질량% 이하, 더욱 바람직하게는 50질량% 이하, 특히 바람직하게는 40질량% 이하이다. 그 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 0질량% 이상, 10질량% 이상, 20질량% 이상, 30질량% 이상 등으로 할 수 있다.The content of other optional epoxy resins is not particularly limited, but when nonvolatile components other than the component (D) in the resin composition are 100% by mass, preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, It is more preferably 50% by mass or less, particularly preferably 40% by mass or less. The lower limit is not particularly limited, and can be, for example, 0 mass% or more, 10 mass% or more, 20 mass% or more, 30 mass% or more.

<(B) 25℃에서 액상인 (메타)아크릴 중합체><(B) Liquid (meth)acrylic polymer at 25°C>

본 발명의 수지 조성물은, (B) 25℃에서 액상인 (메타)아크릴 중합체를 포함한다. 여기서, 액상의 판정은, 위험물의 시험 및 성상에 관한 성령(평성 원년 자치성령 제1호)의 별지 제2의 「액상의 확인 방법」에 준하여 행할 수 있다. 또한, 용어 「(메타)아크릴 중합체」에는, 아크릴산 중합체 및 메타크릴산 중합체 양쪽의 개념이 포함된다. 용어 「(메타)아크릴산 에스테르」, 「(메타)아크릴아미드」도 동일하다. (B) 성분은, 수지 조성물의 경화물 중에서, 응력을 완화시키는 작용을 발휘할 수 있다.The resin composition of the present invention contains (B) a liquid (meth)acrylic polymer at 25°C. Here, the determination of the liquid phase can be performed in accordance with the second "Liquid Confirmation Method" of the Holy Spirit on the test and appearance of dangerous substances (No. In addition, the concept of both an acrylic acid polymer and a methacrylic acid polymer is contained in the term "(meth)acrylic polymer". The terms "(meth)acrylic acid ester" and "(meth)acrylamide" are also the same. The component (B) can exhibit an effect of alleviating stress in the cured product of the resin composition.

(메타)아크릴 중합체란, (메타)아크릴산 에스테르계 모노머를 포함하는 모노머 성분을 중합하여 이루어진 중합체를 의미한다. (메타)아크릴 중합체에는, (메타)아크릴산 에스테르계 모노머에 더하여, (메타)아크릴아미드계 모노머, 스티렌계 모노머, 관능기 함유 모노머 등이 공중합 성분으로서 포함되어 있어도 좋다.The (meth)acrylic polymer refers to a polymer formed by polymerizing a monomer component containing a (meth)acrylic acid ester monomer. In addition to the (meth)acrylic acid ester-based monomer, the (meth)acrylic polymer may contain a (meth)acrylamide-based monomer, a styrene-based monomer, and a functional group-containing monomer as a copolymerization component.

(메타)아크릴산 에스테르계 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산 이소부틸, (메타)아크릴산 t-부틸, (메타)아크릴산 네오펜틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 이소데실, (메타)아크릴산 라우릴, (메타)아크릴산 트리데실, (메타)아크릴산 스테아릴, (메타)아크릴산 사이클로헥실, (메타)아크릴산 이소보르닐, (메타)아크릴산 트리사이클로데실 등의 지방족 (메타)아크릴산 에스테르; (메타)아크릴산 페닐, (메타)아크릴산 벤질, (메타)아크릴산 페녹시에틸, (메타)아크릴산 페녹시프로필 등의 방향족계 (메타)아크릴산 에스테르; (메타)아크릴산 2-메톡시에틸, (메타)아크릴산 2-에톡시에틸, (메타)아크릴산 3-메톡시부틸, (메타)아크릴산 2-부톡시에틸 등의 알콕시계 (메타)아크릴산 에스테르; (메타)아크릴산 클로로에틸, (메타)아크릴산 트리플루오로에틸 등의 할로겐화 (메타)아크릴산 에스테르 등을 들 수 있다.Examples of (meth)acrylic acid ester monomers include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, and isobutyl (meth)acrylate. , T-butyl (meth)acrylate, neopentyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, isodecyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, tridecyl (meth)acrylate, (meth)acrylic acid Aliphatic (meth)acrylic acid esters such as stearyl, cyclohexyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, and tricyclodecyl (meth)acrylate; Aromatic (meth)acrylic acid esters such as phenyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, phenoxyethyl (meth)acrylate, and phenoxypropyl (meth)acrylate; Alkoxy-based (meth)acrylic acid esters such as 2-methoxyethyl (meth)acrylate, 2-ethoxyethyl (meth)acrylate, 3-methoxybutyl (meth)acrylate, and 2-butoxyethyl (meth)acrylate; And halogenated (meth)acrylic acid esters such as chloroethyl (meth)acrylate and trifluoroethyl (meth)acrylate.

(메타)아크릴아미드계 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴아미드, N-(n-부톡시알킬)(메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N,N-디에틸(메타)아크릴아미드, N,N-디메틸아미노프로필(메타)아크릴아미드 등을 들 수 있다. 스티렌계 모노머로서는, 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌 등을 들 수 있다.Examples of (meth)acrylamide-based monomers include (meth)acrylamide, N-(n-butoxyalkyl)(meth)acrylamide, N,N-dimethyl(meth)acrylamide, and N,N-di Ethyl (meth)acrylamide, N,N-dimethylaminopropyl (meth)acrylamide, and the like. Examples of the styrenic monomer include styrene and α-methylstyrene.

관능기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 하이드록시기 함유 모노머, 카복실기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머 등을 들 수 있다.As a functional group-containing monomer, a hydroxy group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer, an amino group-containing monomer, a glycidyl group-containing monomer, etc. are mentioned, for example.

하이드록시기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메타)아크릴산 4-하이드록시부틸, (메타)아크릴산 5-하이드록시펜틸, (메타)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메타)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메타)아크릴산 10-하이드록시데실, (메타)아크릴산 (4-하이드록시메틸)사이클로헥실메틸, (메타)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메타)아크릴산 2-하이드록시부틸, (메타)아크릴산 2-하이드록시-3-페녹시프로필, (메타)아크릴산 3-클로로-2-하이드록시프로필, (메타)아크릴산 2-하이드록시-3-페녹시프로필, (메타)아크릴산 2,2-디메틸-2-하이드록시에틸, N-메틸올(메타)아크릴아미드, N-하이드록시에틸(메타)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 5-hydroxypentyl (meth)acrylate, and 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate. , (Meth)acrylic acid 8-hydroxyoctyl, (meth)acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth)acrylic acid (4-hydroxymethyl) cyclohexylmethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxy-3-phenoxypropyl, (meth)acrylic acid 3-chloro-2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxy-3-phenoxypropyl, 2,2-dimethyl-2-hydroxyethyl (meth)acrylic acid, N-methylol (meth)acrylamide, N-hydroxyethyl (meth)acrylamide, and the like.

카복실기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 푸마르산, 계피산 등을 들 수 있다. 아미노기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산 디에틸아미노에틸 등을 들 수 있다. 글리시딜기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 글리시딜, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다.As a carboxyl group-containing monomer, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, itaconic acid, fumaric acid, cinnamic acid, etc. are mentioned, for example. As an amino group-containing monomer, dimethylaminoethyl (meth)acrylate, diethylaminoethyl (meth)acrylate, etc. are mentioned, for example. As a glycidyl group-containing monomer, glycidyl (meth)acrylate, allyl glycidyl ether, etc. are mentioned, for example.

또한, (메타)아크릴 중합체는, 알콕시실릴기를 함유하는 것이라도 좋다. 알콕시실릴기로서는, 예를 들면, 트리메톡시실릴기, 트리에톡시실릴기, 트리이소프로폭시실릴기, 트리페녹시실릴기 등의 트리알콕시실릴기; 디메톡시메틸실릴기, 디에톡시메틸실릴기 등의 디알콕시실릴기; 메톡시디메틸실릴기, 에톡시디메틸실릴기 등의 모노알콕시실릴기를 들 수 있다. 이러한 알콕시실릴기는 단독 또는 2종 이상 함유하고 있어도 좋다.Moreover, the (meth)acrylic polymer may contain an alkoxysilyl group. Examples of the alkoxysilyl group include trialkoxysilyl groups such as trimethoxysilyl group, triethoxysilyl group, triisopropoxysilyl group, and triphenoxysilyl group; Dialkoxysilyl groups such as dimethoxymethylsilyl group and diethoxymethylsilyl group; Monoalkoxysilyl groups, such as a methoxydimethylsilyl group and an ethoxydimethylsilyl group, are mentioned. These alkoxysilyl groups may be contained singly or two or more.

(B) 성분의 구체예로서는, 토아 고세이사 제조의 「ARUFON UP-1000」, 「ARUFON UP-1010」, 「ARUFON UP-1020」, 「ARUFON UP-1021」, 「ARUFON UP-1061」, 「ARUFON UP-1080」, 「ARUFON UP-1110」, 「ARUFON UP-1170」, 「ARUFON UP-1190」, 「ARUFON UP-1500」, 「ARUFON UH-2000」, 「ARUFON UH-2041」, 「ARUFON UH-2190」, 「ARUFON UHE-2012」, 「ARUFON UC-3510」, 「ARUFON UG-4010」, 「ARUFON US-6100」, 「ARUFON US-6170」 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of the component (B), "ARUFON UP-1000", "ARUFON UP-1010", "ARUFON UP-1020", "ARUFON UP-1021", "ARUFON UP-1061", "ARUFON" manufactured by Toa Kosei Co., Ltd. UP-1080'', ``ARUFON UP-1110'', ``ARUFON UP-1170'', ``ARUFON UP-1190'', ``ARUFON UP-1500'', ``ARUFON UH-2000'', ``ARUFON UH-2041'', ``ARUFON UH -2190", "ARUFON UHE-2012", "ARUFON UC-3510", "ARUFON UG-4010", "ARUFON US-6100", and "ARUFON US-6170". These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(B) 성분의 유리 전이 온도(Tg)는, 예를 들면, 20℃ 이하이고, 0℃ 이하가 바람직하고, -20℃ 이하가 보다 바람직하고, -40℃ 이하가 더욱 바람직하고, -50℃ 이하가 특히 바람직하다.The glass transition temperature (Tg) of the component (B) is, for example, 20°C or less, preferably 0°C or less, more preferably -20°C or less, even more preferably -40°C or less, and -50°C The following are particularly preferred.

(B) 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 100 내지 20,000, 보다 바람직하게는 200 내지 10,000, 더욱 바람직하게는 500 내지 5,000, 특히 바람직하게는 1,000 내지 4,000이다.The weight average molecular weight (Mw) of the component (B) is preferably 100 to 20,000, more preferably 200 to 10,000, still more preferably 500 to 5,000, and particularly preferably 1,000 to 4,000.

(B) 성분의 25℃에서의 점도는, 바람직하게는 20,000mPa·s 이하, 보다 바람직하게는 10,000mPa·s 이하, 더욱 바람직하게는 5,000mPa·s 이하이다. 하한으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 100mPa·s 이상, 200mPa·s 이상, 300mPa·s 이상일 수 있다.The viscosity of the component (B) at 25° C. is preferably 20,000 mPa·s or less, more preferably 10,000 mPa·s or less, and still more preferably 5,000 mPa·s or less. The lower limit is not particularly limited, but may be, for example, 100 mPa·s or more, 200 mPa·s or more, and 300 mPa·s or more.

(B) 성분의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 (D) 성분 이외의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이상, 특히 바람직하게는 2질량% 이상이다. 그 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하, 특히 바람직하게는 10질량% 이하이다.The content of the component (B) is not particularly limited, but when the nonvolatile components other than the component (D) in the resin composition are 100% by mass, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, preferably 0.01 It is mass% or more, more preferably 0.1 mass% or more, still more preferably 0.5 mass% or more, particularly preferably 2 mass% or more. The upper limit is preferably 40% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, still more preferably 20% by mass or less, particularly preferably 10% by mass or less from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. to be.

<(C) 경화제><(C) curing agent>

본 발명의 수지 조성물은, (C) 경화제를 함유한다. (C) 경화제는, (A) 성분을 경화하는 기능을 갖는다.The resin composition of the present invention contains (C) a curing agent. (C) The curing agent has a function of curing the component (A).

(C) 경화제로서는, 에폭시 수지를 경화하는 기능을 갖는 한 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 산 무수물계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 카르보디이미드계 경화제, 인계 경화제, 아민계 경화제, 이미다졸계 경화제, 구아니딘계 경화제, 금속계 경화제 등을 들 수 있다. 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 본 발명의 수지 조성물의 (C) 경화제는, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 산 무수물계 경화제, 아민계 경화제 및 이미다졸계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 또한, 일 실시형태에 있어서, (C) 경화제는, 활성 에스테르계 경화제를 포함하고 있는 것이 바람직하다.(C) The curing agent is not particularly limited as long as it has a function of curing the epoxy resin, and examples thereof include a phenolic curing agent, a naphthol curing agent, an acid anhydride curing agent, an active ester curing agent, a benzoxazine curing agent, and a cyanate ester. Type curing agent, carbodiimide type curing agent, phosphorus type curing agent, amine type curing agent, imidazole type curing agent, guanidine type curing agent, metal type curing agent, and the like. Curing agents may be used alone or in combination of two or more. The curing agent (C) of the resin composition of the present invention is selected from the group consisting of a phenolic curing agent, a naphthol curing agent, an acid anhydride curing agent, an amine curing agent and an imidazole curing agent from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. It is desirable to be. Moreover, in one embodiment, it is preferable that (C) hardening agent contains an active ester type hardening agent.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제, 또는 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 피착체에 대한 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제 또는 함질소 나프톨계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제 또는 트리아진 골격 함유 나프톨계 경화제가 보다 바람직하다. 그 중에서도, 내열성, 내수성 및 밀착성을 고도로 만족시키는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지가 바람직하다. 페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 「MEH-8000H」, 니폰 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「SN-170」, 「SN-180」, 「SN-190」, 「SN-475」, 「SN-485」, 「SN-495」, 「SN-375」, 「SN-395」, DIC사 제조의 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-3018」, 「LA-3018-50P」, 「LA-1356」, 「TD2090」, 「TD-2090-60M」 등을 들 수 있다.As the phenolic curing agent and the naphthol curing agent, from the viewpoint of heat resistance and water resistance, a phenolic curing agent having a novolac structure or a naphthol curing agent having a novolac structure is preferable. Further, from the viewpoint of adhesion to an adherend, a nitrogen-containing phenol-based curing agent or a nitrogen-containing naphthol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenolic curing agent or a triazine skeleton-containing naphthol-based curing agent is more preferable. Among them, a triazine skeleton-containing phenol novolac resin is preferred from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesion. Specific examples of the phenolic curing agent and the naphthol curing agent include, for example, ``MEH-7700'', ``MEH-7810'', ``MEH-7851'', ``MEH-8000H'' manufactured by Maywa Kasei, and manufactured by Nippon Kayaku Corporation. "NHN", "CBN", "GPH", "SN-170", "SN-180", "SN-190", "SN-475", "SN-485" manufactured by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., "SN-495", "SN-375", "SN-395", "LA-7052", "LA-7054", "LA-3018", "LA-3018-50P" and "LA manufactured by DIC -1356", "TD2090", "TD-2090-60M", etc. are mentioned.

산 무수물계 경화제로서는, 1분자 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 경화제를 들 수 있다. 산 무수물계 경화제의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화 메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형 산 무수물 등을 들 수 있다. 산 무수물계 경화제의 시판품으로서는, 신닛폰 리카사 제조의 「HNA-100」, 「MH-700」 등을 들 수 있다.Examples of the acid anhydride-based curing agent include a curing agent having one or more acid anhydride groups per molecule. Specific examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydro phthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydro phthalic anhydride, methylnadic anhydride, hydrogenated methylnadic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride , Dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, trimellitic anhydride, pyromelli anhydride Acid, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalene tetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 1,3, 3a,4,5,9b-hexahydro-5-(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho[1,2-C]furan-1,3-dione, ethylene glycolbis (Anhydrotrimellitate), and polymeric acid anhydrides such as styrene maleic resin in which styrene and maleic acid are copolymerized. As commercially available products of the acid anhydride-based curing agent, "HNA-100" and "MH-700" manufactured by Shin-Nippon Rika Co., Ltd. are mentioned.

활성 에스테르계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 상기 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들면 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자를 축합하여 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.Although there is no restriction|limiting in particular as an active ester-type hardening agent, In general, 2 ester groups with high reactive activity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, per molecule. Compounds having two or more are preferably used. It is preferable that the said active ester hardening agent is obtained by condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylate compound, and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. As a phenol compound or a naphthol compound, for example, hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol compound, phenol novolac, and the like. Here, the "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

구체적으로는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물이 바람직하고, 그 중에서도 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜타렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and a benzoylated product of phenol novolac. An active ester compound is preferable, and among them, an active ester compound containing a naphthalene structure and an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene-type diphenol structure" refers to a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentaene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000」, 「HPC-8000H」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L」, 「EXB-8000L-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」, 「EXB-8150-65T」(DIC사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available active ester curing agents are active ester compounds containing dicyclopentadiene-type diphenol structures, such as "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000", "HPC-8000H", and "HPC. -8000-65T", "HPC-8000H-65TM", "EXB-8000L", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC); As an active ester compound containing a naphthalene structure, "EXB9416-70BK" and "EXB-8150-65T" (manufactured by DIC); "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester compound containing an acetylated phenol novolac; "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester compound containing a benzoylated phenol novolak; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester curing agent which is an acetylated product of phenol novolac; Examples of the active ester curing agent that is a benzoylated phenol novolac include "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical), and "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical).

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OP100D」, 「ODA-BOZ」; 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」 등을 들 수 있다.As specific examples of the benzoxazine-based curing agent, "JBZ-OP100D" and "ODA-BOZ" manufactured by JFE Chemical Co., Ltd.; "HFB2006M" manufactured by Showa Kobunshi Corporation, "P-d", "F-a" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Corporation, etc. are mentioned.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트)), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(모두 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.As a cyanate ester curing agent, for example, bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo(3-methylene-1,5-phenylene cyanate)), 4,4'-methylenebis(2,6 -Dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4 -Cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4- Difunctional cyanate resins such as cyanate phenyl) thioether and bis (4-cyanate phenyl) ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolacs and cresol novolacs, and some of these cyanate resins are triazineized Prepolymers and the like are mentioned. As specific examples of the cyanate ester curing agent, ``PT30'' and ``PT60'' (both phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resins), ``BA230'', ``BA230S75'' (part of bisphenol A dicyanate) manufactured by Ronza Japan Or a prepolymer in which all is triazineized to become a trimer), and the like.

카르보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보 케미컬사 제조의 「V-03」, 「V-07」 등을 들 수 있다.As specific examples of the carbodiimide-based curing agent, "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd. are mentioned.

인계 경화제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있다.Examples of phosphorus-based curing agents include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl)triphenylphos Phonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyl triphenylphosphonium thiocyanate, and the like.

아민계 경화제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등의 지방족 아민계 경화제; 벤지딘, o-트리진, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄(시판품으로서는 닛폰 카야쿠 제조의 「카야본드 C-100」), 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸페닐메탄(시판품으로서는 닛폰 카야쿠 제조의 「카야하드 A-A」), 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라메틸디페닐메탄(시판품으로서는 닛폰 카야쿠 제조의 「카야본드 C-200S」), 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라에틸디페닐메탄(시판품으로서는 닛폰 카야쿠 제조의 「카야본드 C-300S」), 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸-5,5'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)네오펜탄, 4,4'-[1,3-페닐렌비스(1-메틸-에틸리덴)]비스아닐린(시판품으로서는 미쓰이 카가쿠 제조의 「비스아닐린 M」), 4,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸-에틸리덴)]비스아닐린(시판품으로서는 미쓰이 카가쿠 제조의 「비스아닐린 P」), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(시판품으로서는 와카야마 세이카 제조의 「BAPP」), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐 등의 방향족 아민계 경화제를 들 수 있다.Examples of the amine curing agent include triethylamine, tributylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, and 1,8-diazabi Cyclo(5,4,0)-undecene, etc., and aliphatic amine curing agents such as 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene; Benzidine, o-triazine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane (as a commercial product, ``Kayabond C-100'' manufactured by Nippon Kayaku ), 4,4'-diamino-3,3'-diethylphenylmethane (as a commercial product, "Kayahard AA" manufactured by Nippon Kayaku), 4,4'-diamino-3,3',5,5 '-Tetramethyldiphenylmethane (as a commercial product, "Kayabond C-200S" manufactured by Nippon Kayaku), 4,4'-diamino-3,3',5,5'-tetraethyldiphenylmethane (as a commercial product, "Kayabond C-300S" manufactured by Nippon Kayaku), 4,4'-diamino-3,3'-diethyl-5,5'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl ether , 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4 -Aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)neopentane, 4,4'-[1,3-phenylenebis(1-methyl-ethylidene)]bisaniline (as a commercial product, Mitsui "Bisaniline M" manufactured by Kagaku), 4,4'-[1,4-phenylenebis(1-methyl-ethylidene)]bisaniline ("bisaniline P" manufactured by Mitsui Chemicals as a commercial product), 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane (commercially available "BAPP" manufactured by Wakayama Seika), 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoro And aromatic amine curing agents such as propane and 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl.

이미다졸계 경화제로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있다.Examples of the imidazole-based curing agent include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Midazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimida Sol, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl- 4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium tri Melitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl Midazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-tri Azine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl -(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2- Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzyl And imidazole compounds such as midazolium chloride, 2-methylimidazoline, and 2-phenylimidazoline, and adducts of an imidazole compound and an epoxy resin.

이미다졸계 경화제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.As the imidazole-based curing agent, a commercial item may be used, and for example, "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation and the like can be mentioned.

구아니딘계 경화제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있다.As a guanidine-based curing agent, for example, dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca. -5-ene, 1-methyl biguanide, 1-ethyl biguanide, 1-n-butyl biguanide, 1-n-octadecyl biguanide, 1,1-dimethyl biguanide, 1,1 -Diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1-allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1-(o-tolyl) biguanide, etc. are mentioned.

금속계 경화제로서는, 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II) 아세틸아세토네이트, 코발트(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing agent include an organic metal complex or an organic metal salt of a metal such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Organic zinc complexes, organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, zinc stearate, and the like.

경화제를 포함하는 경우, 에폭시 수지와 경화제의 양비는, [에폭시 수지의 에폭시기의 합계수]:[경화제의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.2 내지 1:2의 범위가 바람직하고, 1:0.3 내지 1:1.5가 보다 바람직하고, 1:0.4 내지 1:1.2가 더욱 바람직하다. 여기서, 경화제의 반응기란, 활성 수산기, 활성 에스테르기 등이고, 경화제의 종류에 따라서 다르다. 또한, 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수란, 각 에폭시 수지의 불휘발 성분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 대하여 합계한 값이고, 경화제의 반응기의 합계수란, 각 경화제의 불휘발 성분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 경화제 대하여 합계한 값이다. 에폭시 수지와 경화제의 양비를 이러한 범위로 함으로써, 얻어지는 경화물의 내열성이 보다 향상된다.When a curing agent is included, the amount ratio of the epoxy resin and the curing agent is a ratio of [the total number of epoxy groups of the epoxy resin]: [the total number of reactors of the curing agent], and is preferably in the range of 1:0.2 to 1:2, :0.3 to 1:1.5 are more preferable, and 1:0.4 to 1:1.2 are more preferable. Here, the reactive group of the curing agent is an active hydroxyl group, an active ester group, or the like, and varies depending on the type of curing agent. In addition, the total number of epoxy groups of the epoxy resin is a value obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of each epoxy resin by the epoxy equivalent weight for all epoxy resins, and the total number of reactive groups of the curing agent is the nonvolatile component of each curing agent. It is the sum of the value obtained by dividing the mass by the reactor equivalent weight for all curing agents. By setting the amount ratio of the epoxy resin and the curing agent into such a range, the heat resistance of the resulting cured product is further improved.

(C) 성분의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 (D) 성분 이외의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상, 특히 바람직하게는 5질량% 이상이다. 그 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 65질량% 이하, 더욱 바람직하게는 60질량% 이하, 특히 바람직하게는 55질량% 이하이다.The content of the component (C) is not particularly limited, but when the nonvolatile components other than the component (D) in the resin composition are 100% by mass, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, preferably 0.1 It is mass% or more, more preferably 1 mass% or more, still more preferably 3 mass% or more, and particularly preferably 5 mass% or more. The upper limit is preferably 70% by mass or less, more preferably 65% by mass or less, still more preferably 60% by mass or less, particularly preferably 55% by mass or less from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. to be.

<(D) 무기 충전재><(D) inorganic filler>

본 발명의 수지 조성물은 (D) 무기 충전재를 함유한다.The resin composition of the present invention contains (D) an inorganic filler.

(D) 무기 충전재의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무트, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있고, 실리카 및 알루미나가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. (D) 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(D) The material of the inorganic filler is not particularly limited. For example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, Boehmite, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, titanate, bismuth oxide, titanium oxide , Barium titanate, barium titanate zirconate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate and zirconium tungsten phosphate, and the like, silica and alumina are particularly suitable. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, spherical silica is preferable as silica. (D) Inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more.

(D) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들어, 덴카 카가쿠 코교사 제조의 「UFP-30」; 신닛테츠 스미킨 머티리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조의 「UFP-30」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」 등을 들 수 있다.(D) As a commercial item of an inorganic filler, For example, "UFP-30" manufactured by Denka Chemical Co., Ltd.; "SP60-05" and "SP507-05" manufactured by Shinnittetsu Sumikin Materials Corporation; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomex Corporation; "UFP-30" manufactured by Denka Corporation; "Silfil NSS-3N", "Silfil NSS-4N", and "Silfil NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1" and the like manufactured by Adomex Corporation are mentioned.

(D) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 플로우 마크의 발생을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 40μm 이하, 보다 바람직하게는 30μm 이하, 더욱 바람직하게는 20μm 이하, 보다 더 바람직하게는 15μm 이하, 특히 바람직하게는 10μm 이하이다. 무기 충전재의 평균 입자 직경의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.1μm 이상, 보다 바람직하게는 1μm 이상, 더욱 바람직하게는 3μm 이상, 더욱 바람직하게는 5μm 이상이다. 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중간 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병에 측정하여 담아, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치를 사용하여, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우 셀 방식으로 무기 충전재의 체적 기준의 입자 직경 분포를 측정하고, 얻어진 입자 직경 분포로부터 중간 직경으로서 평균 입자 직경을 산출했다. 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 예를 들면 호리바세이사쿠쇼사 제조 「LA-960」 등을 들 수 있다.(D) The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but from the viewpoint of suppressing the generation of flow marks, preferably 40 μm or less, more preferably 30 μm or less, still more preferably 20 μm or less, even more preferably It is preferably 15 μm or less, particularly preferably 10 μm or less. The lower limit of the average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more, still more preferably 3 μm or more, and even more preferably 5 μm or more. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can be measured by creating a particle diameter distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle diameter distribution measuring device, and making the median diameter the average particle diameter. As a measurement sample, 100 mg of an inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone were measured and put in a vial bottle, and the one obtained by dispersing for 10 minutes by ultrasound can be used. Using a laser diffraction type particle diameter distribution measuring apparatus, the measurement sample was made blue and red in wavelength of the light source, and the particle diameter distribution based on the volume of the inorganic filler was measured by a flow cell method, and the median diameter from the obtained particle diameter distribution The average particle diameter was calculated as. Examples of the laser diffraction type particle size distribution measuring device include "LA-960" manufactured by Horiba Seisakusho Corporation.

(D) 무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 알콕시실란 화합물, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등의 1종 이상의 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM503」(3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM5783」 등을 들 수 있다.(D) Inorganic fillers are aminosilane-based coupling agents, epoxysilane-based coupling agents, mercaptosilane-based coupling agents, alkoxysilane compounds, organosilazane compounds, titanate-based coupling agents from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. It is preferable to be treated with one or more surface treatment agents such as. As a commercial item of the surface treatment agent, for example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM803" (3-mercaptopropyl trimethoxy Silane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical "SZ-31" (hexamethyldisilazane) manufactured by Kogyo Corporation, "KBM103" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (phenyltrimethoxysilane), "KBM-4803" manufactured by Shin-Etsu Chemical Company Limited (long-chain epoxy-type silane couple) Ring agent), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-7103" (3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM503" (3-methacryloxypropyltrimethoxy) Silane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM5783", etc. are mentioned.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 소정의 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량%는, 0.2질량% 내지 5질량%의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량% 내지 3질량%로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.3질량% 내지 2질량%로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the degree of surface treatment with the surface treatment agent falls within a predetermined range from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. Specifically, 100% by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with a surface treatment agent of 0.2% by mass to 5% by mass, preferably surface-treated at 0.2% by mass to 3% by mass, and from 0.3% by mass to It is preferable that the surface treatment is performed at 2% by mass.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 따라서 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니시의 용융 점도나 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 방지하는 관점에서, 1mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The degree of surface treatment with the surface treatment agent can be evaluated according to the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg/m 2 or more, from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. On the other hand, from the viewpoint of preventing an increase in the melt viscosity of the resin varnish or the melt viscosity in a sheet form, 1 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is still more preferable.

(D) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 더하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세사쿠쇼사 제조의 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.(D) The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after washing the inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Sesakusho Co., Ltd. can be used.

(D) 무기 충전재의 비표면적은, 본 발명의 효과를 보다 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 0.01㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 0.1㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 0.2㎡/g 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 50㎡/g 이하, 보다 바람직하게는 20㎡/g 이하, 10㎡/g 이하 또는 5㎡/g 이하이다. 무기 충전재의 비표면적은, BET법에 따라서, 비표면적 측정 장치(마운테크사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻어진다.(D) The specific surface area of the inorganic filler is preferably 0.01 m 2 /g or more, more preferably 0.1 m 2 /g or more, particularly preferably 0.2 m 2 /g or more from the viewpoint of further improving the effect of the present invention. . Although there is no particular limitation on the upper limit, it is preferably 50 m2/g or less, more preferably 20 m2/g or less, 10 m2/g or less, or 5 m2/g or less. The specific surface area of the inorganic filler is obtained by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mauntech Co., Ltd.) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method. Lose.

(D) 무기 충전재의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 모든 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 특정 용도에 사용하는 관점에서, 바람직하게는 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 50질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상, 특히 바람직하게는 80질량% 이상이다. 그 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 98질량% 이하, 95질량% 이하, 92질량% 이하, 90질량% 이하 등으로 할 수 있다.(D) The content of the inorganic filler is not particularly limited, but when all non-volatile components in the resin composition are 100% by mass, from the viewpoint of use in a specific application, preferably 20% by mass or more, more preferably It is 50 mass% or more, more preferably 70 mass% or more, particularly preferably 80 mass% or more. The upper limit is not particularly limited, but can be, for example, 98 mass% or less, 95 mass% or less, 92 mass% or less, 90 mass% or less.

<(E) 유기 용제><(E) Organic solvent>

본 발명의 수지 조성물은, 임의의 휘발성 성분으로서, (E) 유기 용제를 추가로 함유하는 경우가 있다.The resin composition of the present invention may further contain (E) an organic solvent as an optional volatile component.

유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 사이클로헥사논 등의 케톤계 용제; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 카비톨아세테이트, 에틸디글리콜아세테이트, γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용제; 셀로솔브 및 부틸카비톨 등의 카비톨 용제; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용제; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제; 메탄올, 에탄올, 2-메톡시프로판올 등의 알코올계 용제; 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산 등의 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. 유기 용제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the organic solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; Ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, carbitol acetate, ethyl diglycol acetate, and γ-butyrolactone; Carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, and trimethylbenzene; Amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc), and N-methylpyrrolidone; Alcohol solvents such as methanol, ethanol, and 2-methoxypropanol; Hydrocarbon solvents, such as cyclohexane and methylcyclohexane, etc. are mentioned. The organic solvent may be used alone or in combination of two or more in an arbitrary ratio.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 유기 용제를 포함하지 않는 것이 바람직하다.In one embodiment, it is preferable that the resin composition of this invention does not contain an organic solvent.

<(F) 기타 첨가제><(F) Other additives>

수지 조성물은, 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, 기타 첨가제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들면, 유기 충전제, 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 중합 개시제, 난연제 등을 들 수 있다. 이들 첨가제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 각각의 함유량은 당업자라면 적절히 설정할 수 있다.In addition to the above-described components, the resin composition may further contain other additives as optional components. As such an additive, an organic filler, a thickener, an antifoaming agent, a leveling agent, an adhesive imparting agent, a polymerization initiator, a flame retardant, etc. are mentioned, for example. These additives may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. Each content can be appropriately set by those skilled in the art.

<수지 조성물의 제조방법><Method of manufacturing resin composition>

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 예를 들면, 반응 용기에 (A) 에폭시 수지, (B) 25℃에서 액상인 (메타)아크릴 중합체, (C) 경화제, (D) 무기 충전재, 필요에 따라서 (E) 유기 용제, 및 필요에 따라서 (F) 기타 첨가제를, 임의의 순서로 및/또는 일부 또는 전부 동시에 첨가하여 혼합하여, 수지 조성물을 얻는 공정을 포함하는 방법에 의하여 제조할 수 있다.In one embodiment, the resin composition of the present invention is, for example, in a reaction container (A) an epoxy resin, (B) a liquid (meth)acrylic polymer at 25°C, (C) a curing agent, (D) an inorganic filler. , If necessary, (E) an organic solvent, and if necessary, (F) other additives, added in an arbitrary order and/or at the same time some or all of them and mixed to prepare a resin composition I can.

상기 공정에 있어서, 각 성분을 첨가하는 과정의 온도는 적절히 설정할 수 있고, 각 성분을 첨가하는 과정에서, 일시적으로 또는 시종(始終)에 걸쳐서, 가열 및/또는 냉각해도 좋다. 각 성분을 첨가하는 과정에서 교반 또는 진탕을 행해도 좋다. 또한, 상기 공정의 후에, 수지 조성물을, 예를 들어, 믹서 등의 교반 장치를 사용하여 교반하여, 균일하게 분산시키는 공정을 추가로 포함하는 것이 바람직하다.In the above process, the temperature in the process of adding each component can be appropriately set, and in the process of adding each component, it may be heated and/or cooled temporarily or over time. You may stir or shake in the process of adding each component. Further, after the above step, it is preferable to further include a step of stirring the resin composition using a stirring device such as a mixer, and dispersing it uniformly.

<수지 조성물의 특성><Characteristics of resin composition>

본 발명의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 25℃에서 액상인 (메타)아크릴 중합체, (C) 경화제 및 (D) 무기 충전재를 함유하고, (A) 성분이, (A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지를 포함하기 때문에, 경화물의 휨을 억제할 수 있고, 또한, 환경 시험 후의 경화물 박막의 수직 방향으로의 가중에 대한 우수한 밀착성을 얻을 수 있다. 또한, 일 실시형태에서는, 본 발명의 수지 조성물은, 플로우 마크의 발생을 억제할 수 있다.The resin composition of the present invention contains (A) an epoxy resin, (B) a liquid (meth)acrylic polymer at 25°C, (C) a curing agent, and (D) an inorganic filler, and the component (A) is (A- 1) Since the glycidylamine-type epoxy resin is included, the cured product can be prevented from warping, and excellent adhesion to the weighting in the vertical direction of the cured product thin film after an environmental test can be obtained. Moreover, in one embodiment, the resin composition of this invention can suppress generation|occurrence|production of a flow mark.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물의 경화물층(두께 300μm; 180℃ 90분 가열하여 열경화)과 12인치 실리콘 웨이퍼로 이루어진 기판의, 전자 정보 기술 산업 협회 규격의 JEITA EDX-7311-24에 준거하여 측정한 25℃에서의 휨량은, 바람직하게는 5mm 미만, 보다 바람직하게는 4mm 미만, 더욱 바람직하게는 3mm 미만, 특히 바람직하게는 2mm 미만이다.In one embodiment, a substrate made of a 12-inch silicon wafer and a cured product layer (thickness 300 μm; heat cured at 180° C. for 90 minutes) of the resin composition of the present invention and JEITA EDX-7311- of the Electronic Information Technology Industry Association standard The amount of warpage at 25° C. measured in accordance with 24 is preferably less than 5 mm, more preferably less than 4 mm, still more preferably less than 3 mm, and particularly preferably less than 2 mm.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물의 고온 고습 환경 시험(130℃ 85%RH 96시간) 후의 경화물층(두께 50μm; 180℃ 90분 가열하여 열경화)의 실리콘 웨이퍼에 대한 밀착 강도는, 0.1Kg/sec로 수직 인장 시험을 행한 경우, 바람직하게는 300Kgf/㎠ 이상, 보다 바람직하게는 400Kgf/㎠ 이상, 더욱 바람직하게는 450Kgf/㎠ 이상, 특히 바람직하게는 500Kgf/㎠ 이상이다.In one embodiment, the adhesion strength of the cured product layer (thickness 50 μm; heat cured by heating at 180° C. for 90 minutes) to a silicon wafer after a high temperature and high humidity environmental test (130° C. 85%RH 96 hours) of the resin composition of the present invention is , When the vertical tensile test is performed at 0.1Kg/sec, it is preferably 300Kgf/cm2 or more, more preferably 400Kgf/cm2 or more, still more preferably 450Kgf/cm2 or more, and particularly preferably 500Kgf/cm2 or more.

<수지 조성물의 용도><Use of resin composition>

본 발명의 수지 조성물의 경화물은, 상기한 이점에 의해, 반도체의 밀봉층 및 절연층에 유용하다. 따라서, 이 수지 조성물은, 반도체 밀봉용 또는 절연층용 수지 조성물로서 사용할 수 있다.The cured product of the resin composition of the present invention is useful for a sealing layer and an insulating layer of a semiconductor due to the above advantages. Therefore, this resin composition can be used as a resin composition for semiconductor sealing or an insulating layer.

예를 들어, 본 발명의 수지 조성물은, 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 조성물), 및 회로 기판(프린트 배선판을 포함함)의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(회로 기판의 절연층용 수지 조성물)로서, 적합하게 사용할 수 있다.For example, the resin composition of the present invention is used to form a resin composition for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package), and an insulating layer of a circuit board (including a printed wiring board). As a resin composition (a resin composition for an insulating layer of a circuit board), it can be used suitably.

또한, 예를 들어, 본 발명의 수지 조성물은, 반도체 칩 패키지의 반도체 칩을 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 밀봉용 수지 조성물)로서, 적합하게 사용할 수 있다.Further, for example, the resin composition of the present invention can be suitably used as a resin composition (resin composition for sealing semiconductor chips) for sealing semiconductor chips of a semiconductor chip package.

본 발명의 수지 조성물의 경화물로 형성된 밀봉층 또는 절연층을 적용할 수 있는 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지, Fan-out형 WLP(Wafer Level Package), Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP(Panel Level Package), Fan-in형 PLP를 들 수 있다.As a semiconductor chip package to which the sealing layer or the insulating layer formed of the cured resin composition of the present invention can be applied, for example, FC-CSP, MIS-BGA package, ETS-BGA package, Fan-out type WLP (Wafer Level Package), Fan-in type WLP, Fan-out type Panel Level Package (PLP), and Fan-in type PLP.

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 언더필재로서 사용해도 좋고, 예를 들면, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF(Molding Under Filling)의 재료로서 사용해도 좋다.In addition, the resin composition of the present invention may be used as an underfill material, and for example, may be used as a material for Molding Under Filling (MUF) used after connecting a semiconductor chip to a substrate.

추가로, 본 발명의 수지 조성물은, 수지 시트, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더 레지스트 등을 위한 수지 잉크 등의 액상 재료, 다이 본딩재, 구멍 메우기 수지, 부품 매립 수지 등, 수지 조성물이 사용되는 광범위한 용도로 사용할 수 있다.In addition, the resin composition of the present invention includes a resin composition, such as a resin sheet, sheet-like laminated material such as a prepreg, a liquid material such as resin ink for a solder resist, a die bonding material, a hole filling resin, a component embedding resin, etc. It can be used for a wide range of uses.

<수지 시트><Resin sheet>

본 발명의 수지 시트는, 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된 수지 조성물층을 갖는다. 수지 조성물층은, 본 발명의 수지 조성물을 포함하는 층이고, 통상적으로는, 수지 조성물로 형성되어 있다.The resin sheet of the present invention has a support and a resin composition layer provided on the support. The resin composition layer is a layer containing the resin composition of the present invention, and is usually formed of a resin composition.

수지 조성물층의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 600μm 이하, 보다 바람직하게는 500μm 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은, 바람직하게는 1μm 이상, 5μm 이상, 보다 바람직하게는 10μm 이상, 더욱 바람직하게는 50μm 이상, 특히 바람직하게는 100μm 이상일 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 600 μm or less, and more preferably 500 μm or less from the viewpoint of thinning. The lower limit of the thickness of the resin composition layer may be preferably 1 μm or more, 5 μm or more, more preferably 10 μm or more, still more preferably 50 μm or more, and particularly preferably 100 μm or more.

또한, 수지 조성물층을 경화시켜 얻어지는 경화물의 두께는, 바람직하게는 1μm 이상, 5μm 이상, 보다 바람직하게는 10μm 이상, 더욱 바람직하게는 50μm 이상, 특히 바람직하게는 100μm 이상이다.In addition, the thickness of the cured product obtained by curing the resin composition layer is preferably 1 μm or more, 5 μm or more, more preferably 10 μm or more, still more preferably 50 μm or more, and particularly preferably 100 μm or more.

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」로 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」으로 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르; 폴리카보네이트(이하, 「PC」로 약칭하는 경우가 있음); 폴리메틸메타크릴레이트(이하, 「PMMA」로 약칭하는 경우가 있음) 등의 아크릴 폴리머; 환상 폴리올레핀; 트리아세틸셀룰로오스(이하, 「TAC」로 약칭하는 경우가 있음); 폴리에테르설파이드(이하, 「PES」로 약칭하는 경우가 있음); 폴리에테르케톤; 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material includes, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter, sometimes abbreviated as ``PET''), polyethylene naphthalate (hereinafter, abbreviated as ``PEN'') There is), etc. polyester; Polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"); Acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes abbreviated as "PMMA"); Cyclic polyolefin; Triacetylcellulose (hereinafter sometimes abbreviated as "TAC"); Polyether sulfide (hereinafter sometimes abbreviated as "PES"); Polyether ketone; Polyimide, etc. are mentioned. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When a metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil. Among them, copper foil is preferred. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and other metals (e.g., tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. good.

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다.The support body may be subjected to treatments such as mat treatment, corona treatment, and antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」 등을 들 수 있다. 또한, 이형층 부착 지지체로서는, 예를 들면, 토레사 제조의 「루미라 T60」; 테이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니티카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.Further, as the support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. As a releasing agent used for the releasing layer of the support body with a releasing layer, for example, one or more releasing agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins and silicone resins can be mentioned. Examples of commercially available products of the mold release agent include "SK-1", "AL-5", and "AL-7" manufactured by Lintec, which are alkyd resin release agents. Moreover, as a support body with a release layer, it is "Lumira T60" manufactured by Tore, for example; "Purex" manufactured by Teijin; "Uni-Feel" manufactured by the Unityka company, etc. are mentioned.

지지체의 두께는, 5μm 내지 75μm의 범위가 바람직하고, 10μm 내지 60μm의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, and more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. Moreover, when using a support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a release layer is the said range.

수지 시트는, 예를 들어, 수지 조성물을, 다이 코터 등의 도포 장치를 사용하여 지지체 위에 도포하여 제조할 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 수지 조성물을 유기 용제에 용해시켜 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를 도포하여 수지 시트를 제조해도 좋다. 용제를 사용함으로써, 점도를 조정하여 도포성을 향상시킬 수 있다. 수지 바니시를 사용한 경우, 통상적으로는, 도포 후에 수지 바니시를 건조시켜 수지 조성물층을 형성한다.The resin sheet can be produced, for example, by applying a resin composition onto a support using a coating device such as a die coater. Further, if necessary, a resin composition may be dissolved in an organic solvent to prepare a resin varnish, and the resin varnish may be applied to prepare a resin sheet. By using a solvent, the viscosity can be adjusted and the coatability can be improved. When a resin varnish is used, usually, after application, the resin varnish is dried to form a resin composition layer.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이, 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다.Drying may be performed by a known method such as heating and hot air spraying. Drying conditions are such that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10 mass% or less, preferably 5 mass% or less. Although it also varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, in the case of using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent, drying the resin at 50°C to 150°C for 3 minutes to 10 minutes A composition layer can be formed.

수지 시트는, 필요에 따라서, 지지체 및 수지 조성물층 이외의 임의의 층을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들어, 수지 시트에서, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름이 제공되어 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는, 예를 들면, 1μm 내지 40μm이다. 보호 필름에 의해, 수지 조성물층의 표면에 대한 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 벗겨냄으로써 수지 시트는 사용 가능해진다. 또한, 수지 시트는, 롤상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다.The resin sheet may contain arbitrary layers other than the support body and the resin composition layer, if necessary. For example, in the resin sheet, a protective film conforming to the support may be provided on a surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support). The thickness of the protective film is, for example, 1 μm to 40 μm. The protective film can prevent adhesion of dust and the like to the surface of the resin composition layer and scratches. When the resin sheet has a protective film, the resin sheet becomes usable by peeling off the protective film. In addition, the resin sheet can be wound up and stored in a roll shape.

수지 시트는, 반도체 칩 패키지의 제조에 있어서 절연층을 형성하기 위해(반도체 칩 패키지의 절연용 수지 시트) 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 수지 시트는, 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해(회로 기판의 절연층용 수지 시트) 사용할 수 있다. 이러한 기판을 사용한 패키지의 예로서는, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지를 들 수 있다.The resin sheet can be suitably used in order to form an insulating layer in the manufacture of a semiconductor chip package (a resin sheet for insulating a semiconductor chip package). For example, a resin sheet can be used to form an insulating layer of a circuit board (a resin sheet for an insulating layer of a circuit board). Examples of packages using such substrates include FC-CSP, MIS-BGA packages, and ETS-BGA packages.

또한, 수지 시트는, 반도체 칩을 밀봉하기 위해(반도체 칩 밀봉용 수지 시트) 적합하게 사용할 수 있다. 적용 가능한 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, Fan-out형 WLP, Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP, Fan-in형 PLP 등을 들 수 있다.In addition, a resin sheet can be suitably used in order to seal a semiconductor chip (resin sheet for semiconductor chip sealing). Examples of applicable semiconductor chip packages include fan-out type WLP, fan-in type WLP, fan-out type PLP, and fan-in type PLP.

또한, 수지 시트를, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF의 재료로 사용해도 좋다.Further, the resin sheet may be used as a material for the MUF used after the semiconductor chip is connected to the substrate.

추가로, 수지 시트는 높은 절연 신뢰성이 요구되는 다른 광범위한 용도로 사용할 수 있다. 예를 들어, 수지 시트는, 프린트 배선판 등의 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해 적합하게 사용할 수 있다.Additionally, the resin sheet can be used for a wide range of other applications requiring high insulation reliability. For example, a resin sheet can be suitably used in order to form an insulating layer of a circuit board, such as a printed wiring board.

<회로 기판><Circuit board>

본 발명의 회로 기판은, 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함한다. 이 회로 기판은, 예를 들어, 하기의 공정 (1) 및 공정 (2)를 포함하는 제조방법에 의해 제조할 수 있다.The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed from a cured product of the resin composition of the present invention. This circuit board can be manufactured, for example, by a manufacturing method including the following steps (1) and (2).

(1) 기재 위에 수지 조성물층을 형성하는 공정.(1) A step of forming a resin composition layer on a substrate.

(2) 수지 조성물층을 열경화하여, 절연층을 형성하는 공정.(2) A step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer.

공정 (1)에서는 기재를 준비한다. 기재로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판(스테인리스나 냉간 압연 강판(SPCC) 등), 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판을 들 수 있다. 또한, 기재는, 상기 기재의 일부로서 표면에 동박 등의 금속층을 갖고 있어도 좋다. 예를 들어, 양쪽의 표면에 박리 가능한 제1 금속층 및 제2 금속층을 갖는 기재를 사용해도 좋다. 이러한 기재를 사용하는 경우, 통상, 회로 배선으로서 기능할 수 있는 배선층으로서의 도체층이, 제2 금속층의 제1 금속층과는 반대측의 면에 형성된다. 이러한 금속층을 갖는 기재로서는, 예를 들어, 미쓰이 킨조쿠 코교사 제조의 캐리어 동박 부착 극박 동박 「Micro Thin」을 들 수 있다.In step (1), a substrate is prepared. Examples of the substrate include glass epoxy substrates, metal substrates (such as stainless steel or cold rolled steel (SPCC)), polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, and thermosetting polyphenylene ether substrates. have. Further, the substrate may have a metal layer such as copper foil on its surface as a part of the substrate. For example, a substrate having a peelable first metal layer and a second metal layer on both surfaces may be used. In the case of using such a substrate, a conductor layer as a wiring layer capable of functioning as a circuit wiring is usually formed on a surface of the second metal layer on the opposite side to the first metal layer. As a base material having such a metal layer, the ultra-thin copper foil "Micro Thin" with carrier copper foil manufactured by Mitsui Kinzoku Kogyo Co., Ltd. is mentioned, for example.

또한, 기재의 한쪽 또는 양쪽의 표면에는 도체층이 형성되어 있어도 좋다. 이하의 설명에서는, 기재와, 이 기재 표면에 형성된 도체층을 포함하는 부재를, 적절히 「배선층 부착 기재」라고 하는 경우가 있다. 도체층에 포함되는 도체 재료로서는, 예를 들면, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 재료를 들 수 있다. 도체 재료로서는, 단금속을 사용해도 좋고, 합금을 사용해도 좋다. 합금으로서는, 예를 들어, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성의 관점에서, 단금속으로서의 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리, 및 합금으로서의 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금이 바람직하다. 그 중에서도, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리 단금속; 및 니켈·크롬 합금이 보다 바람직하고, 구리의 단금속이 특히 바람직하다.Further, a conductor layer may be formed on one or both surfaces of the substrate. In the following description, a member including a substrate and a conductor layer formed on the surface of the substrate may be appropriately referred to as a "substrate with a wiring layer". The conductor material included in the conductor layer is, for example, one selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin, and indium. Materials containing the above metal can be mentioned. As the conductor material, a single metal may be used or an alloy may be used. Examples of the alloy include an alloy of two or more metals selected from the above group (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy). Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper as a single metal, and nickel-chromium alloy, copper-nickel as an alloy, from the viewpoint of versatility, cost, and ease of patterning of the conductor layer formation. An alloy and an alloy of a copper-titanium alloy are preferable. Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal; And a nickel-chromium alloy are more preferable, and a single metal of copper is particularly preferable.

도체층은, 예를 들면 배선층으로서 기능시키기 위해, 패턴 가공되어 있어도 좋다. 이때, 도체층의 라인(회로폭)/스페이스(회로 사이의 폭)비는, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 20/20μm 이하(즉, 피치가 40μm 이하), 보다 바람직하게는 10/10μm 이하, 더욱 바람직하게는 5/5μm 이하, 보다 더 바람직하게는 1/1μm 이하, 특히 바람직하게는 0.5/0.5μm 이상이다. 피치는, 도체층 전체에 걸쳐서 동일할 필요는 없다. 도체층의 최소 피치는, 예를 들어, 40μm 이하, 36μm 이하 또는 30μm 이하라도 좋다.The conductor layer may be patterned in order to function as a wiring layer, for example. At this time, the ratio of the line (circuit width)/space (width between circuits) of the conductor layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 μm or less (that is, the pitch is 40 μm or less), more preferably 10/10 μm or less. , More preferably 5/5 μm or less, even more preferably 1/1 μm or less, and particularly preferably 0.5/0.5 μm or more. The pitch need not be the same throughout the conductor layer. The minimum pitch of the conductor layer may be, for example, 40 μm or less, 36 μm or less, or 30 μm or less.

도체층의 두께는, 회로 기판의 디자인에 따르지만, 바람직하게는 3μm 내지 35μm, 보다 바람직하게는 5μm 내지 30μm, 더욱 바람직하게는 10μm 내지 20μm, 특히 바람직하게는 15μm 내지 20μm이다.The thickness of the conductor layer depends on the design of the circuit board, but is preferably 3 μm to 35 μm, more preferably 5 μm to 30 μm, still more preferably 10 μm to 20 μm, and particularly preferably 15 μm to 20 μm.

도체층은, 예를 들어, 기재 위에 드라이 필름(감광성 레지스트 필름)을 적층하는 공정, 포토마스크를 사용하여 드라이 필름에 대하여 소정의 조건에서 노광 및 현상을 행하여 패턴을 형성하여 패턴 드라이 필름을 얻는 공정, 현상한 패턴 드라이 필름을 도금 마스크로 하여 전해 도금법 등의 도금법에 의해 도체층을 형성하는 공정, 및 패턴 드라이 필름을 박리하는 공정을 포함하는 방법에 의하여 형성할 수 있다. 드라이 필름으로서는, 포토 레지스트 조성물로 이루어진 감광성의 드라이 필름을 사용할 수 있고, 예를 들면, 노볼락 수지, 아크릴 수지 등의 수지로 형성된 드라이 필름을 사용할 수 있다. 기재와 드라이 필름의 적층 조건은, 후술하는 기재와 수지 시트의 적층 조건과 동일할 수 있다. 드라이 필름의 박리는, 예를 들면, 수산화나트륨 용액 등의 알칼리성 박리액을 사용하여 실시할 수 있다.The conductor layer is, for example, a step of laminating a dry film (photosensitive resist film) on a substrate, and a step of forming a pattern by forming a pattern by exposing and developing the dry film under predetermined conditions using a photomask. , Forming a conductor layer by a plating method such as an electrolytic plating method using the developed pattern dry film as a plating mask, and a method including a step of peeling the pattern dry film. As the dry film, a photosensitive dry film made of a photoresist composition can be used, and for example, a dry film made of a resin such as novolac resin or acrylic resin can be used. The lamination conditions of the substrate and the dry film may be the same as the lamination conditions of the substrate and the resin sheet described later. Peeling of the dry film can be performed using, for example, an alkaline peeling solution such as sodium hydroxide solution.

기재를 준비한 후에, 기재 위에 수지 조성물층을 형성한다. 기재의 표면에 도체층이 형성되어 있는 경우, 수지 조성물층의 형성은, 도체층이 수지 조성물층에 매립되도록 행하는 것이 바람직하다.After preparing the substrate, a resin composition layer is formed on the substrate. When a conductor layer is formed on the surface of the base material, it is preferable to form the resin composition layer so that the conductor layer is embedded in the resin composition layer.

수지 조성물층의 형성은, 예를 들면, 수지 시트와 기재를 적층함으로써 행해진다. 이러한 적층은, 예를 들어, 지지체측으로부터 수지 시트를 기재에 가열 압착함으로써, 기재에 수지 조성물층을 첩합함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 기재에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고 하는 경우가 있음)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS롤 등) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것은 아니고, 기재의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 사이에 두고 프레스하는 것이 바람직하다.The formation of the resin composition layer is performed, for example, by laminating a resin sheet and a substrate. Such lamination can be performed, for example, by bonding a resin composition layer to the substrate by heat-press bonding the resin sheet to the substrate from the support side. As a member for heat-pressing the resin sheet to the substrate (hereinafter, sometimes referred to as ``heat-pressing member''), for example, a heated metal plate (SUS hard plate, etc.) or a metal roll (SUS roll, etc.) may be mentioned. . In addition, it is preferable not to press the heat-compressed member directly onto the resin sheet, but to press the heat-resistant rubber or the like between the elastic material so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the base material.

기재와 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이다. 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이다. 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 13hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.Lamination of the substrate and the resin sheet may be performed by, for example, a vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the heating and compression temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, and more preferably 80°C to 140°C. The heating compression pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa. The heating and pressing time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 13 hPa or less of pressure.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 행해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행해도 좋다.After lamination, the laminated resin sheet may be smoothed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing the heat-pressed member from the support side. The press conditions of the smoothing treatment can be set to the same conditions as the heat-pressing conditions of the lamination. In addition, lamination and smoothing treatment may be performed continuously using a vacuum laminator.

또한, 수지 조성물층의 형성은, 예를 들어, 압축 성형법에 의해 행할 수 있다. 성형 조건은, 후술하는 반도체 칩 패키지의 밀봉층을 형성하는 공정에서의 수지 조성물층의 형성 방법과 동일한 조건을 채용해도 좋다.In addition, the resin composition layer can be formed, for example, by a compression molding method. As the molding conditions, the same conditions as the method of forming the resin composition layer in the step of forming the sealing layer of the semiconductor chip package described later may be adopted.

기재 위에 수지 조성물층을 형성한 후, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다. 수지 조성물층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류에 따라서도 다르지만, 경화 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위), 경화 시간은 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)이다.After the resin composition layer is formed on the substrate, the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The thermosetting conditions of the resin composition layer also vary depending on the type of the resin composition, but the curing temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 220°C, more preferably 170°C to 200°C. Range), the curing time is in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층에 대하여, 경화 온도보다도 낮은 온도에서 가열하는 예비 가열 처리를 실시해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물층을, 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다.Before thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer may be subjected to a preheating treatment of heating at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, at a temperature of usually 50°C or more and less than 120°C (preferably 60°C or more and 110°C or less, more preferably 70°C or more and 100°C or less), the resin composition layer You may pre-heat for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes) normally.

이상과 같이 하여, 절연층을 갖는 회로 기판을 제조할 수 있다. 또한, 회로 기판의 제조방법은, 임의의 공정을 추가로 포함하고 있어도 좋다.In the manner described above, a circuit board having an insulating layer can be manufactured. Further, the circuit board manufacturing method may further include an arbitrary step.

예를 들어, 수지 시트를 사용하여 회로 기판을 제조한 경우, 회로 기판의 제조방법은, 수지 시트의 지지체를 박리하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 지지체는, 수지 조성물층의 열경화 전에 박리해도 좋고, 수지 조성물층의 열경화 후에 박리해도 좋다.For example, when a circuit board is manufactured using a resin sheet, the manufacturing method of the circuit board may include a step of peeling the support of the resin sheet. The support may be peeled off before thermal curing of the resin composition layer, or may be peeled off after thermal curing of the resin composition layer.

회로 기판의 제조방법은, 예를 들어, 절연층을 형성한 후에, 그 절연층의 표면을 연마하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 연마 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 평면 연삭반을 사용하여 절연층의 표면을 연마할 수 있다.The circuit board manufacturing method may include, for example, a step of polishing the surface of the insulating layer after forming the insulating layer. The polishing method is not particularly limited. For example, a flat grinding machine can be used to polish the surface of the insulating layer.

회로 기판의 제조방법은, 예를 들면, 도체층을 층간 접속하는 공정 (3), 소위 절연층에 구멍을 뚫는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 이로써 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 비아홀 형성 방법으로서는, 예를 들어, 레이저 조사, 에칭, 메커니컬 드릴링 등을 들 수 있다. 비아홀의 치수나 형상은 회로 기판의 디자인에 따라서 적절하게 결정해도 좋다. 또한, 공정 (3)은, 절연층의 연마 또는 연삭에 의하여 층간 접속을 행해도 좋다.The circuit board manufacturing method may include, for example, a step (3) of interlayer connection of a conductor layer, and a step of making a hole in a so-called insulating layer. Accordingly, holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. As a method for forming a via hole, for example, laser irradiation, etching, mechanical drilling, or the like can be mentioned. The size and shape of the via hole may be appropriately determined according to the design of the circuit board. In addition, in step (3), interlayer connection may be performed by polishing or grinding the insulating layer.

비아홀의 형성 후, 비아홀 내의 스미어를 제거하는 공정을 행하는 것이 바람직하다. 이 공정은, 디스미어 공정이라고 불리는 경우가 있다. 예를 들어, 절연층 위에 대한 도체층의 형성을 도금 공정에 의해 행하는 경우에는, 비아홀에 대하여, 습식 디스미어 처리를 행해도 좋다. 또한, 절연층 위에 대한 도체층의 형성을 스퍼터 공정에 의해 행하는 경우에는, 플라즈마 처리 공정 등의 드라이 디스미어 공정을 행해도 좋다. 또한, 디스미어 공정에 의해서 절연층에 조화 처리가 실시되어도 좋다.After formation of the via hole, it is preferable to perform a step of removing smear in the via hole. This process may be called a desmear process. For example, when forming a conductor layer on an insulating layer by a plating process, a wet desmear treatment may be performed on the via hole. In addition, when the conductor layer is formed on the insulating layer by a sputtering process, a dry desmear process such as a plasma treatment process may be performed. Further, the insulating layer may be subjected to a roughening treatment by a desmear process.

또한, 절연층 위에 도체층을 형성하기 전에, 절연층에 대하여 조화 처리를 행해도 좋다. 이 조화 처리에 의하면, 통상, 비아홀 내를 포함한 절연층의 표면이 조화된다. 조화 처리로서는, 건식 및 습식 중 어느 조화 처리를 행해도 좋다. 건식 조화 처리의 예로서는, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 또한, 습식 조화 처리의 예로서는, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 및 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순으로 행하는 방법을 들 수 있다.Further, before forming the conductor layer on the insulating layer, a roughening treatment may be performed on the insulating layer. According to this roughening treatment, the surface of the insulating layer including the inside of the via hole is usually roughened. As the roughening treatment, you may perform any roughening treatment of a dry type and a wet type. Examples of the dry roughening treatment include plasma treatment and the like. Further, examples of the wet roughening treatment include a method of performing a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralizing liquid in this order.

비아홀을 형성 후, 절연층 위에 도체층을 형성해도 좋다. 비아홀이 형성된 위치에 도체층을 형성함으로써, 새롭게 형성된 도체층과 기재 표면의 도체층이 연통하여, 층간 접속이 행해진다. 도체층의 형성 방법은, 예를 들면, 도금법, 스퍼터법, 증착법 등을 들 수 있고, 그 중에서도 도금법이 바람직하다. 적합한 실시형태로는, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 적절한 방법에 의하여 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성한다. 또한, 수지 시트에서의 지지체가 금속박인 경우, 서브트랙티브법에 의해, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 형성되는 도체층의 재료는, 단금속이라도 좋고, 합금이라도 좋다. 또한, 이 도체층은, 단층 구조를 갖고 있어도 좋고, 다른 종류의 재료의 층을 2층 이상 포함하는 복층 구조를 갖고 있어도 좋다.After the via hole is formed, a conductor layer may be formed on the insulating layer. By forming the conductor layer at the position where the via hole is formed, the newly formed conductor layer and the conductor layer on the surface of the substrate communicate with each other, and interlayer connection is performed. Examples of the method for forming the conductor layer include a plating method, a sputtering method, and a vapor deposition method, and among them, a plating method is preferable. In a preferred embodiment, a conductive layer having a desired wiring pattern is formed by plating the surface of the insulating layer by a suitable method such as a semi-positive method and a full-positive method. In addition, when the support in the resin sheet is a metal foil, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by the subtractive method. The material of the formed conductor layer may be a single metal or an alloy. Further, this conductor layer may have a single-layer structure, or may have a multilayer structure including two or more layers of different types of materials.

여기서, 절연층 위에 도체층을 형성하는 실시형태의 예를 상세하게 설명한다. 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여, 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등의 처리에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 또한, 도체층을 형성할 때, 마스크 패턴의 형성에 사용하는 드라이 필름은, 상기 드라이 필름과 동일하다.Here, an example of an embodiment in which a conductor layer is formed on the insulating layer will be described in detail. A plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, on the formed plating seed layer, a mask pattern for exposing a part of the plating seed layer is formed corresponding to a desired wiring pattern. After the electroplating layer is formed by electroplating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. Thereafter, the unnecessary plating seed layer is removed by a process such as etching, so that a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed. In addition, when forming a conductor layer, the dry film used for formation of a mask pattern is the same as the said dry film.

회로 기판의 제조방법은, 기재를 제거하는 공정 (4)를 포함하고 있어도 좋다. 기재를 제거함으로써, 절연층과, 상기 절연층에 매립된 도체층을 갖는 회로 기판이 얻어진다. 상기 공정 (4)는, 예를 들어, 박리 가능한 금속층을 갖는 기재를 사용한 경우에 행할 수 있다.The circuit board manufacturing method may include a step (4) of removing the substrate. By removing the substrate, a circuit board having an insulating layer and a conductor layer embedded in the insulating layer is obtained. The said step (4) can be performed, for example, when using the base material which has a peelable metal layer.

<반도체 칩 패키지><Semiconductor Chip Package>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지는, 상기 회로 기판과, 상기 회로 기판에 탑재된 반도체 칩을 포함한다. 상기 반도체 칩 패키지는, 회로 기판에 반도체 칩을 접합함으로써, 제조할 수 있다.A semiconductor chip package according to a first embodiment of the present invention includes the circuit board and a semiconductor chip mounted on the circuit board. The semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to a circuit board.

회로 기판과 반도체 칩의 접합 조건은, 반도체 칩의 단자 전극과 회로 기판의 회로 배선이 도체 접속할 수 있는 임의의 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 반도체 칩의 플립칩 실장에서 사용되는 조건을 채용할 수 있다. 또한, 예를 들어, 반도체 칩과 회로 기판 사이에, 절연성 접착제를 통하여 접합해도 좋다.As the bonding condition of the circuit board and the semiconductor chip, any condition in which the terminal electrode of the semiconductor chip and the circuit wiring of the circuit board can be conductor-connected can be adopted. For example, conditions used in flip chip mounting of semiconductor chips can be adopted. Further, for example, you may bond between a semiconductor chip and a circuit board via an insulating adhesive.

접합 방법의 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 압착하는 방법을 들 수 있다. 압착 조건으로서는, 압착 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 130℃ 내지 200℃의 범위, 보다 바람직하게는 140℃ 내지 180℃의 범위), 압착 시간은 통상 1초간 내지 60초간의 범위(바람직하게는 5초간 내지 30초간)이다.As an example of a bonding method, a method of compressing a semiconductor chip to a circuit board is mentioned. As the pressing conditions, the pressing temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 130°C to 200°C, more preferably in the range of 140°C to 180°C), and the pressing time is usually between 1 second and 60 seconds. Range (preferably from 5 seconds to 30 seconds).

또한, 접합 방법의 다른 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 리플로우하여 접합하는 방법을 들 수 있다. 리플로우 조건은, 120℃ 내지 300℃의 범위로 해도 좋다.Further, as another example of the bonding method, a method of reflowing and bonding a semiconductor chip to a circuit board is exemplified. The reflow conditions may be in the range of 120°C to 300°C.

반도체 칩을 회로 기판에 접합한 후, 반도체 칩을 몰드 언더필재로 충전해도 좋다. 이러한 몰드 언더필재로서, 상기 수지 조성물을 사용해도 좋고, 또한, 상기한 수지 시트를 사용해도 좋다.After bonding the semiconductor chip to the circuit board, the semiconductor chip may be filled with a mold underfill material. As such a mold underfill material, the resin composition may be used, or the resin sheet described above may be used.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지는, 반도체 칩과, 상기 반도체 칩을 밀봉하는 상기 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 이러한 반도체 칩 패키지에서는, 통상, 수지 조성물의 경화물은 밀봉층으로서 기능한다. 제2 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, Fan-out형 WLP를 들 수 있다.A semiconductor chip package according to a second embodiment of the present invention includes a semiconductor chip and a cured product of the resin composition for sealing the semiconductor chip. In such a semiconductor chip package, usually, the cured product of the resin composition functions as a sealing layer. As the semiconductor chip package according to the second embodiment, a fan-out type WLP is exemplified.

이러한 반도체 칩 패키지의 제조방법은,The manufacturing method of such a semiconductor chip package,

(A) 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정,(A) the step of laminating a temporary fixing film on the substrate,

(B) 반도체 칩을 가고정 필름 위에 가고정하는 공정,(B) the process of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film,

(C) 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정,(C) the step of forming a sealing layer on the semiconductor chip,

(D) 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정,(D) the step of peeling the substrate and the temporary fixing film from the semiconductor chip,

(E) 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에, 절연층으로서의 재배선 형성층을 형성하는 공정,(E) a step of forming a rewiring forming layer as an insulating layer on the surface from which the substrate and the temporary fixing film of the semiconductor chip are peeled off,

(F) 재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정, 및(F) a step of forming a redistribution layer as a conductor layer on the redistribution formation layer, and

(G) 재배선층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정을 포함한다. 또한, 상기 반도체 칩 패키지의 제조방법은,(G) A step of forming a solder resist layer on the redistribution layer is included. In addition, the method of manufacturing the semiconductor chip package,

(H) 복수의 반도체 칩 패키지를, 개개의 반도체 칩 패키지로 다이싱하고, 개편화하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.(H) The process of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and subdividing them may be included.

(공정 (A))(Step (A))

공정 (A)는, 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정이다. 기재와 가고정 필름의 적층 조건은, 회로 기판의 제조방법에서의 기재와 수지 시트의 적층 조건과 동일할 수 있다.Step (A) is a step of laminating a temporary fixing film on a substrate. The lamination conditions of the substrate and the temporary fixing film may be the same as the lamination conditions of the substrate and the resin sheet in the method of manufacturing a circuit board.

기재로서는, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼; 유리 웨이퍼; 유리 기판; 구리, 티탄, 스테인리스, 냉간 압연 강판(SPCC) 등의 금속 기판; FR-4 기판 등의, 유리 섬유에 에폭시 수지 등을 적셔서 열경화 처리한 기판; BT 수지 등의 비스말레이미드트리아진 수지로 이루어진 기판 등을 들 수 있다.Examples of the substrate include silicon wafers; Glass wafer; Glass substrate; Metal substrates such as copper, titanium, stainless steel, and cold rolled steel sheet (SPCC); Substrates, such as FR-4 substrates, in which glass fibers are wetted with an epoxy resin or the like and subjected to a thermosetting treatment; And a substrate made of a bismaleimide triazine resin such as BT resin.

가고정 필름은, 반도체 칩으로부터 박리할 수 있고, 또한, 반도체 칩을 가고정할 수 있는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 시판품으로서는, 니토 덴코사 제조 「리발파(Revalpha)」 등을 들 수 있다.The temporary fixing film can be peeled off from the semiconductor chip, and any material capable of temporarily fixing the semiconductor chip can be used. As a commercial item, "Revalpha" by Nitto Denko Corporation etc. is mentioned.

(공정 (B))(Step (B))

공정 (B)는, 반도체 칩을 가고정 필름 위에 가고정하는 공정이다. 반도체 칩의 가고정은, 예를 들어, 플립 칩 본더, 다이 본더 등의 장치를 사용하여 행할 수 있다. 반도체 칩의 배치의 레이아웃 및 배치 수는, 가고정 필름의 형상, 크기, 목적으로 하는 반도체 칩 패키지의 생산 수 등에 따라서 적절하게 설정할 수 있다. 예를 들어, 복수 행으로, 또한 복수 열의 매트릭스상으로 반도체 칩을 정렬시켜서 가고정해도 좋다.Step (B) is a step of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporary fixing film. Temporary fixing of the semiconductor chip can be performed using, for example, a device such as a flip chip bonder or a die bonder. The layout and number of arrangements of semiconductor chips can be appropriately set according to the shape and size of the temporary fixing film, the number of production of the target semiconductor chip package, and the like. For example, semiconductor chips may be arranged and temporarily fixed in a plurality of rows and in a matrix of a plurality of columns.

(공정 (C))(Step (C))

공정 (C)는, 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정이다. 밀봉층은, 상기 한 수지 조성물의 경화물에 의해 형성한다. 밀봉층은, 통상, 반도체 칩 위에 수지 조성물층을 형성하는 공정과, 이 수지 조성물층을 열경화시켜서 밀봉층을 형성하는 공정을 포함하는 방법으로 형성한다.Step (C) is a step of forming a sealing layer on a semiconductor chip. The sealing layer is formed by the cured product of the aforementioned resin composition. The sealing layer is usually formed by a method including a step of forming a resin composition layer on a semiconductor chip and a step of thermosetting the resin composition layer to form a sealing layer.

수지 조성물의 우수한 압축 성형성을 활용하여, 수지 조성물층의 형성은, 압축 성형법에 의해 행하는 것이 바람직하다. 압축 성형법에서는, 통상, 반도체 칩 및 수지 조성물을 형(型)에 배치하고, 그 형 내에서 수지 조성물에 압력 및 필요에 따라서 열을 가하여, 반도체 칩을 덮는 수지 조성물층을 형성한다.Taking advantage of the excellent compression moldability of the resin composition, it is preferable to perform the formation of the resin composition layer by a compression molding method. In the compression molding method, a semiconductor chip and a resin composition are usually placed in a mold, and pressure and heat are applied to the resin composition in the mold as necessary to form a resin composition layer covering the semiconductor chip.

압축 성형법의 구체적인 조작은, 예를 들어, 하기와 같이 할 수 있다. 압축 성형용 형으로서, 상형 및 하형을 준비한다. 또한, 상기와 같이 가고정 필름 위에 가고정된 반도체 칩에, 수지 조성물을 도포한다. 수지 조성물이 도포된 반도체 칩을, 기재 및 가고정 필름과 함께 하형에 부착한다. 그 후, 상형과 하형을 형 체결하고, 수지 조성물에 열 및 압력을 가하여, 압축 성형을 행한다.The specific operation of the compression molding method can be performed, for example, as follows. As a mold for compression molding, an upper mold and a lower mold are prepared. In addition, a resin composition is applied to the semiconductor chip temporarily fixed on the temporary fixing film as described above. The semiconductor chip to which the resin composition is applied is attached to the lower mold together with the substrate and the temporary fixing film. Thereafter, the upper mold and the lower mold are mold-fastened, heat and pressure are applied to the resin composition, and compression molding is performed.

또한, 압축 성형법의 구체적인 조작은, 예를 들어, 하기와 같이 해도 좋다. 압축 성형용 형으로서, 상형과 하형을 준비한다. 하형에, 수지 조성물을 얹는다. 또한, 상형에, 반도체 칩을, 기재 및 가고정 필름과 함께 부착한다. 그 후, 하형에 얹은 수지 조성물이 상형에 부착된 반도체 칩에 접하도록 상형과 하형을 형 체결하고, 열 및 압력을 가하여 압축 성형을 행한다.In addition, a specific operation of the compression molding method may be performed as follows, for example. As a compression molding mold, an upper mold and a lower mold are prepared. The resin composition is put on the lower mold. Further, a semiconductor chip is attached to the upper mold together with the substrate and the temporary fixing film. Thereafter, the upper mold and the lower mold are mold-fastened so that the resin composition placed on the lower mold comes into contact with the semiconductor chip attached to the upper mold, and compression molding is performed by applying heat and pressure.

성형 조건은, 수지 조성물의 조성에 따라 다르고, 양호한 밀봉이 달성되도록 적절한 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 성형시의 형의 온도는, 수지 조성물이 우수한 압축 성형성을 발휘할 수 있는 온도가 바람직하고, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상, 특히 바람직하게는 120℃ 이상이고, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 170℃ 이하, 특히 바람직하게는 150℃ 이하이다. 또한, 성형시에 가하는 압력은, 바람직하게는 1MPa 이상, 보다 바람직하게는 3MPa 이상, 특히 바람직하게는 5MPa 이상이고, 바람직하게는 50MPa 이하, 보다 바람직하게는 30MPa 이하, 특히 바람직하게는 20MPa 이하이다. 큐어 타임은, 바람직하게는 1분 이상, 보다 바람직하게는 2분 이상, 특히 바람직하게는 5분 이상이고, 바람직하게는 60분 이하, 보다 바람직하게는 30분 이하, 특히 바람직하게는 20분 이하이다. 통상, 수지 조성물층의 형성 후, 형은 분리된다. 형의 분리는, 수지 조성물층의 열경화 전에 행해도 좋고, 열경화 후에 행해도 좋다.Molding conditions vary depending on the composition of the resin composition, and appropriate conditions can be adopted so that good sealing is achieved. For example, the temperature of the mold during molding is preferably a temperature at which the resin composition can exhibit excellent compression moldability, preferably 80°C or higher, more preferably 100°C or higher, and particularly preferably 120°C or higher. , Preferably 200°C or less, more preferably 170°C or less, and particularly preferably 150°C or less. In addition, the pressure applied at the time of molding is preferably 1 MPa or more, more preferably 3 MPa or more, particularly preferably 5 MPa or more, preferably 50 MPa or less, more preferably 30 MPa or less, particularly preferably 20 MPa or less. . The cure time is preferably 1 minute or more, more preferably 2 minutes or more, particularly preferably 5 minutes or more, preferably 60 minutes or less, more preferably 30 minutes or less, particularly preferably 20 minutes or less. to be. Usually, after formation of the resin composition layer, the mold is separated. Separation of the mold may be performed before thermosetting of the resin composition layer or after thermosetting.

수지 조성물층의 형성은, 수지 시트와 반도체 칩을 적층함으로써 행해도 좋다. 예를 들어, 수지 시트의 수지 조성물층과 반도체 칩을 가열 압착함으로써, 반도체 칩 위에 수지 조성물층을 형성할 수 있다. 수지 시트와 반도체 칩과의 적층은, 통상, 기재 대신에 반도체 칩을 사용하고, 회로 기판의 제조방법에서의 수지 시트와 기판의 적층과 동일하게 하여 행할 수 있다.The resin composition layer may be formed by laminating a resin sheet and a semiconductor chip. For example, by heat-pressing the resin composition layer of the resin sheet and the semiconductor chip, a resin composition layer can be formed on the semiconductor chip. The lamination of the resin sheet and the semiconductor chip can be performed in the same manner as the lamination of the resin sheet and the substrate in the method of manufacturing a circuit board, usually using a semiconductor chip instead of the substrate.

반도체 칩 위에 수지 조성물층을 형성한 후에, 상기 수지 조성물층을 열경화시켜, 반도체 칩을 덮는 밀봉층을 얻는다. 이로써, 수지 조성물의 경화물에 의한 반도체 칩의 밀봉이 행해진다. 수지 조성물층의 열경화 조건은, 회로 기판의 제조방법에서의 수지 조성물층의 열경화 조건과 동일한 조건을 채용해도 좋다. 추가로, 수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층에 대하여, 경화 온도보다도 낮은 온도에서 가열하는 예비 가열 처리를 실시해도 좋다. 이러한 예비 가열 처리의 처리 조건은, 회로 기판의 제조방법에서의 예비 가열 처리와 동일한 조건을 채용해도 좋다.After forming the resin composition layer on the semiconductor chip, the resin composition layer is thermosetted to obtain a sealing layer covering the semiconductor chip. Thereby, sealing of the semiconductor chip with the cured product of the resin composition is performed. As the thermosetting conditions of the resin composition layer, the same conditions as the thermosetting conditions of the resin composition layer in the circuit board manufacturing method may be adopted. Further, before thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer may be subjected to a preheating treatment of heating at a temperature lower than the curing temperature. As the processing conditions for such preliminary heat treatment, the same conditions as the preliminary heat treatment in the circuit board manufacturing method may be adopted.

(공정 (D))(Step (D))

공정 (D)는, 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정이다. 박리 방법은, 가고정 필름의 재질에 따른 적절한 방법을 채용하는 것이 바람직하다. 박리 방법으로서는, 예를 들어, 가고정 필름을 가열, 발포 또는 팽창시켜서 박리하는 방법을 들 수 있다. 또한, 박리 방법으로서는, 예를 들면, 기재를 통하여 가고정 필름에 자외선을 조사하여, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜서 박리하는 방법을 들 수 있다.Step (D) is a step of peeling the substrate and the temporary fixing film from the semiconductor chip. As for the peeling method, it is preferable to adopt an appropriate method according to the material of the temporary fixing film. As a peeling method, a method of peeling by heating, foaming, or expanding a temporary fixing film is mentioned, for example. In addition, as a peeling method, for example, a method of irradiating the temporary fix film with ultraviolet rays through a base material, reducing the adhesive force of a temporary fix film, and peeling is mentioned.

가고정 필름을 가열, 발포 또는 팽창시켜서 박리하는 방법에 있어서, 가열 조건은, 통상, 100℃ 내지 250℃에서 1초간 내지 90초간 또는 5분간 내지 15분간이다. 또한, 자외선을 조사하여 가고정 필름의 점착력을 저하시켜서 박리하는 방법에 있어서, 자외선의 조사량은, 통상, 10mJ/㎠ 내지 1,000mJ/㎠이다.In the method of peeling by heating, foaming, or expanding the temporary fixing film, the heating conditions are usually at 100°C to 250°C for 1 second to 90 seconds or 5 minutes to 15 minutes. Further, in the method of peeling off by irradiating with ultraviolet rays to lower the adhesive force of the temporary fixing film, the irradiation amount of ultraviolet rays is usually 10 mJ/cm 2 to 1,000 mJ/cm 2.

(공정 (E))(Step (E))

공정 (E)는, 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에, 절연층으로서의 재배선 형성층을 형성하는 공정이다.Step (E) is a step of forming a rewiring forming layer as an insulating layer on the surface from which the substrate and the temporary fixing film of the semiconductor chip are peeled off.

재배선 형성층의 재료는, 절연성을 갖는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 반도체 칩 패키지의 제조의 용이성의 관점에서, 감광성 수지 및 열경화성 수지가 바람직하다. 또한, 이러한 열경화성 수지로서, 본 발명의 수지 조성물을 사용해도 좋다.Any material having insulating properties can be used as the material for the rewiring forming layer. Among them, a photosensitive resin and a thermosetting resin are preferable from the viewpoint of easiness of manufacturing a semiconductor chip package. Further, as such a thermosetting resin, the resin composition of the present invention may be used.

재배선 형성층을 형성한 후, 반도체 칩과 재배선층을 층간 접속하기 위하여, 재배선 형성층에 비아홀을 형성해도 좋다.After the redistribution formation layer is formed, a via hole may be formed in the redistribution formation layer in order to connect the semiconductor chip and the redistribution layer between layers.

재배선 형성층의 재료가 감광성 수지인 경우의 비아홀의 형성 방법에서는, 통상, 재배선 형성층의 표면에, 마스크 패턴을 통하여 활성 에너지선을 조사하여, 조사부의 재배선 형성층을 광경화시킨다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 등을 들 수 있고, 특히 자외선이 바람직하다. 자외선의 조사량 및 조사 시간은, 감광성 수지에 따라서 적절하게 설정할 수 있다. 노광 방법으로서는, 예를 들어, 마스크 패턴을 재배선 형성층에 밀착시켜서 노광하는 접촉 노광법, 마스크 패턴을 재배선 형성층에 밀착시키지 않고 평행 광선을 사용하여 노광하는 비접촉 노광법 등을 들 수 있다.In the method of forming a via hole when the material of the redistribution forming layer is a photosensitive resin, the surface of the redistribution forming layer is usually irradiated with active energy rays through a mask pattern to photo-cure the redistribution forming layer of the irradiation part. Examples of the active energy ray include ultraviolet rays, visible rays, electron rays, X rays, and the like, and ultraviolet rays are particularly preferable. The irradiation amount and irradiation time of ultraviolet rays can be appropriately set according to the photosensitive resin. Examples of the exposure method include a contact exposure method in which a mask pattern is in close contact with the redistribution forming layer to expose the light, and a non-contact exposure method in which the mask pattern is exposed using parallel light rays without intimate contact with the redistribution forming layer.

재배선 형성층을 광경화시킨 후에, 재배선 형성층을 현상하고, 미노광부를 제거하여, 비아홀을 형성한다. 현상은, 웨트 현상, 드라이 현상 중 어느 것을 행해도 좋다. 현상의 방식으로서는, 예를 들어, 딥 방식, 패들 방식, 스프레이 방식, 브러싱 방식, 스크래핑 방식 등을 들 수 있고, 해상성(解像性)의 관점에서, 패들 방식이 적합하다.After photocuring the redistribution forming layer, the redistribution forming layer is developed, the unexposed portion is removed, and a via hole is formed. Development may be performed either wet development or dry development. As a method of development, a dip method, a paddle method, a spray method, a brushing method, a scraping method, etc. can be mentioned, for example, and a paddle method is suitable from the viewpoint of resolution.

재배선 형성층의 재료가 열경화성 수지인 경우의 비아홀의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 레이저 조사, 에칭, 메카니컬 드릴링 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 레이저 조사가 바람직하다. 레이저 조사는, 탄산 가스 레이저, UV-YAG 레이저, 엑시머 레이저 등의 광원을 사용하는 적절한 레이저 가공기를 사용하여 행할 수 있다.As a method of forming a via hole when the material of the rewiring forming layer is a thermosetting resin, for example, laser irradiation, etching, mechanical drilling, or the like may be mentioned. Among them, laser irradiation is preferable. Laser irradiation can be performed using an appropriate laser processing machine using a light source such as a carbon dioxide laser, UV-YAG laser, and excimer laser.

비아홀의 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 원형(대략 원형)으로 된다. 비아홀의 탑 직경은, 바람직하게는 50μm 이하, 보다 바람직하게는 30μm 이하, 더욱 바람직하게는 20μm 이하이고, 바람직하게는 3μm 이상, 바람직하게는 10μm 이상, 보다 바람직하게는 15μm 이상이다. 여기서, 비아홀의 탑 직경이란, 재배선 형성층의 표면에서의 비아홀의 개구의 직경을 말한다.The shape of the via hole is not particularly limited, but is generally circular (approximately circular). The top diameter of the via hole is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less, further preferably 20 μm or less, preferably 3 μm or more, preferably 10 μm or more, and more preferably 15 μm or more. Here, the top diameter of the via hole refers to the diameter of the opening of the via hole on the surface of the redistribution layer.

(공정 (F))(Step (F))

공정 (F)는, 재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정이다. 재배선 형성층 위에 재배선층을 형성하는 방법은, 회로 기판의 제조방법에서의 절연층 위로의 도체층의 형성 방법과 동일할 수 있다. 또한, 공정 (E) 및 공정 (F)를 반복하여 행하고, 재배선층 및 재배선 형성층을 교호하여 쌓아 올려도(빌드업) 좋다.Step (F) is a step of forming a redistribution layer as a conductor layer on the redistribution formation layer. The method of forming the redistribution layer on the redistribution formation layer may be the same as the method of forming the conductor layer over the insulating layer in the method of manufacturing a circuit board. Further, steps (E) and (F) may be repeatedly performed, and rewiring layers and rewiring forming layers may be alternately stacked (build-up).

(공정 (G))(Step (G))

공정 (G)는, 재배선층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정이다. 솔더 레지스트층의 재료는, 절연성을 갖는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 반도체 칩 패키지 제조의 용이성의 관점에서, 감광성 수지 및 열경화성 수지가 바람직하다. 또한, 열경화성 수지로서, 본 발명의 수지 조성물을 사용해도 좋다.Step (G) is a step of forming a solder resist layer on the rewiring layer. As the material of the solder resist layer, any material having insulating properties can be used. Among them, a photosensitive resin and a thermosetting resin are preferable from the viewpoint of easiness of manufacturing a semiconductor chip package. Moreover, as a thermosetting resin, you may use the resin composition of this invention.

또한, 공정 (G)에서는, 필요에 따라서, 범프를 형성하는 범핑 가공을 행해도 좋다. 범핑 가공은, 땜납 볼, 땜납 도금 등의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 범핑 가공에서의 비아홀의 형성은, 공정 (E)와 동일하게 행할 수 있다.In addition, in step (G), bumping processing for forming bumps may be performed as necessary. The bumping process can be performed by a method such as solder ball or solder plating. In addition, formation of the via hole in the bumping process can be performed in the same manner as in the step (E).

(공정 (H))(Step (H))

반도체 칩 패키지의 제조방법은, 공정 (A) 내지 (G) 이외에, 공정 (H)를 포함하고 있어도 좋다. 공정 (H)는, 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지로 다이싱하고 개편화(個片化)하는 공정이다. 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지로 다이싱하는 방법은 특별히 한정되지 않는다.The method for manufacturing a semiconductor chip package may include a step (H) in addition to the steps (A) to (G). Step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and subdividing them into pieces. The method of dicing the semiconductor chip package into individual semiconductor chip packages is not particularly limited.

<반도체 장치><Semiconductor device>

반도체 장치는 반도체 칩 패키지를 구비한다. 반도체 장치로서는, 예를 들어, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대 전화, 스마트폰, 태블릿형 디바이스, 웨어러블 디바이스, 디지털 카메라, 의료 기기 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.A semiconductor device includes a semiconductor chip package. As a semiconductor device, for example, electrical appliances (e.g., computers, mobile phones, smartphones, tablet devices, wearable devices, digital cameras, medical devices, televisions, etc.) and vehicles (e.g., motorcycles, And various semiconductor devices provided in automobiles, tanks, ships, aircraft, etc.).

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by examples. The present invention is not limited to these examples. In addition, in the following, "parts" and "%" indicating amounts mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified.

<실시예 1><Example 1>

글리시딜아민형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-3980S」, 에폭시 당량 115g/eq.) 2부, 글리시딜아민형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「630LSD」, 에폭시 당량 95g/eq.) 3부, 액상 아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「UP-1020」, 점도(25℃) 500mPa·s, Mw 2,000, Tg -80℃) 1부, 비스페놀 A형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-850CRP」, 에폭시 당량 170 내지 175g/eq.) 6부, 산 무수물 경화제(신닛폰 리카사 제조 「HNA-100」, 산 무수물 당량 179g/eq.) 6부, 실리카A 83부, 이미다졸계 경화제(시코쿠 카세이사 제조 「2E4MZ」, 2-에틸-4-메틸이미다졸) 0.1부를 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여, 수지 조성물을 조제했다.2 parts of glycidylamine-type epoxy resin ("EP-3980S" manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 115g/eq.), glycidylamine-type epoxy resin ("630LSD" manufactured by Mitsubishi Chemical, 95g/eq. of epoxy equivalent) 3 parts, liquid acrylic polymer ("UP-1020" manufactured by Toa Gosei, viscosity (25°C) 500mPa·s, Mw 2,000, Tg -80°C) 1 part, bisphenol A type epoxy resin ("EXA-850CRP" manufactured by DIC) ", epoxy equivalent 170 to 175 g/eq.) 6 parts, acid anhydride curing agent ("HNA-100" manufactured by Shin Nippon Rica, acid anhydride equivalent 179 g/eq.) 6 parts, silica A 83 parts, imidazole-based curing agent ( Shikoku Kasei Co., Ltd. "2E4MZ", 2-ethyl-4-methylimidazole) 0.1 part was uniformly dispersed using a mixer to prepare a resin composition.

<실시예 2><Example 2>

액상 아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「UP-1020」) 1부 대신에, 액상 아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「UG-4010」, 점도(25℃) 3,700mPa·s, Mw 2,900, Tg -57℃) 1부를 사용한 것 이외에는 실시형태 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제했다.Instead of 1 part of liquid acrylic polymer ("UP-1020" manufactured by Toa Kosei, Inc.), liquid acrylic polymer ("UG-4010" manufactured by Toa Kosei, Inc., viscosity (25°C) 3,700 mPa·s, Mw 2,900, Tg -57°C ) Except having used 1 part, it carried out similarly to Embodiment 1, and prepared the resin composition.

<실시예 3><Example 3>

액상 아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「UP-1020」) 1부 대신에, 액상 아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「US-6100」, 점도(25℃) 2,300mPa·s, Mw 2,500, Tg -58℃) 1부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제했다.Instead of 1 part of liquid acrylic polymer ("UP-1020" manufactured by Toa Kosei), liquid acrylic polymer ("US-6100" manufactured by Toa Kosei, viscosity (25°C) 2,300 mPa·s, Mw 2,500, Tg -58°C) ) Except having used 1 part, it carried out similarly to Example 1, and prepared the resin composition.

<실시예 4><Example 4>

글리시딜아민형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-3980S」, 에폭시 당량 115g/eq.) 1부, 글리시딜아민형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「630LSD」, 에폭시 당량 95g/eq.) 10부, 액상 아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「UP-1020」, 점도(25℃) 500mPa·s, Mw 2,000, Tg -80℃) 1부, 비스페놀 A형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-850CRP」, 에폭시 당량 170 내지 175g/eq.) 6부, 페놀계 경화제(메이와 카세이 제조 「MEH-8000H」) 1부, 실리카A 83부, 이미다졸계 경화제(시코쿠 카세이사 제조 「2E4MZ」, 2-에틸-4-메틸이미다졸) 0.4부를 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여, 수지 조성물을 조제했다.Glycidylamine type epoxy resin ("EP-3980S" manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 115g/eq.) 1 part, glycidylamine type epoxy resin ("630LSD" manufactured by Mitsubishi Chemical, epoxy equivalent 95g/eq.) 10 parts, liquid acrylic polymer ("UP-1020" manufactured by Toa Gosei, viscosity (25°C) 500mPa·s, Mw 2,000, Tg -80°C) 1 part, bisphenol A type epoxy resin ("EXA-850CRP" manufactured by DIC) '', epoxy equivalent 170 to 175 g/eq.) 6 parts, phenolic curing agent (Meiwa Kasei ``MEH-8000H'') 1 part, silica A 83 parts, imidazole curing agent (Shikoku Kasei Kasei ``2E4MZ'', 2 -Ethyl-4-methylimidazole) 0.4 part was uniformly dispersed using a mixer to prepare a resin composition.

<실시예 5><Example 5>

페놀계 경화제(메이와 카세이 제조 「MEH-8000H」) 1부 대신에, 아민계 경화제(니폰 카야쿠사 제조 「KAYABOND C-200S」) 1부를 사용한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제했다.In the same manner as in Example 4, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 4, except that 1 part of the amine-based curing agent (``KAYABOND C-200S'' manufactured by Nippon Kayaku Corporation) was used instead of 1 part of the phenolic curing agent (Meiwa Kasei) Prepared.

<실시예 6><Example 6>

실리카A 83부 대신 알루미나A 95부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제했다.A resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 95 parts of alumina A was used instead of 83 parts of silica A.

<실시예 7><Example 7>

글리시딜아민형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「630LSD」, 에폭시 당량 95g/eq.)의 사용량을 3.5부로 증량하고, 액상 아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「UP-1020」)의 사용량을 0.5부로 감량한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제했다.The amount of glycidylamine type epoxy resin ("630LSD" manufactured by Mitsubishi Chemical, 95 g/eq. of epoxy equivalent) was increased to 3.5 parts, and the amount of liquid acrylic polymer ("UP-1020" manufactured by Toa Kosei) was increased to 0.5 part. Except having reduced the weight, it carried out similarly to Example 1, and prepared the resin composition.

<실시예 8><Example 8>

글리시딜아민형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-3980S」, 에폭시 당량 115g/eq.) 4부, 글리시딜아민형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「630LSD」, 에폭시 당량 95g/eq.) 9부, 액상 아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「UP-1020」, 점도(25℃) 500mPa·s, Mw 2,000, Tg -80℃) 1부, 산 무수물 경화제(신닛폰 리카사 제조 「HNA-100」, 산 무수물 당량 179g/eq.) 4부, 실리카A 83부, 이미다졸계 경화제(시코쿠 카세이사 제조 「2E4MZ」, 2-에틸-4-메틸이미다졸) 0.1부를 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여, 수지 조성물을 조제했다.Glycidylamine type epoxy resin ("EP-3980S" manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 115g/eq.) 4 parts, glycidylamine type epoxy resin ("630LSD" manufactured by Mitsubishi Chemical, epoxy equivalent 95g/eq.) 9 parts, liquid acrylic polymer ("UP-1020" manufactured by Toa Kosei, viscosity (25°C) 500mPa·s, Mw 2,000, Tg -80°C) 1 part, acid anhydride curing agent ("HNA-100" manufactured by Shin-Nippon Rica) '', acid anhydride equivalent 179 g/eq.) 4 parts, silica A 83 parts, imidazole-based curing agent ("2E4MZ", 2-ethyl-4-methylimidazole manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.)0.1 parts uniformly using a mixer It dispersed and prepared a resin composition.

<실시예 9><Example 9>

글리시딜아민형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-3980S」, 에폭시 당량 115g/eq.) 1부, 글리시딜아민형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「630LSD」, 에폭시 당량 95g/eq.) 1부, 액상 아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「UP-1020」, 점도(25℃) 500mPa·s, Mw 2,000, Tg -80℃) 1부, 비스페놀 A형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-850CRP」, 에폭시 당량 170 내지 175g/eq.) 9부, 산 무수물 경화제(신닛폰 리카사 제조 「HNA-100」, 산 무수물 당량 179g/eq.) 6부, 실리카A 83부, 이미다졸계 경화제(시코쿠 카세이사 제조 「2E4MZ」, 2-에틸-4-메틸이미다졸) 0.1부를 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여, 수지 조성물을 조제했다.Glycidylamine type epoxy resin ("EP-3980S" manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 115g/eq.) 1 part, glycidylamine type epoxy resin ("630LSD" manufactured by Mitsubishi Chemical, epoxy equivalent 95g/eq.) 1 part, liquid acrylic polymer ("UP-1020" manufactured by Toa Gosei, viscosity (25°C) 500mPa·s, Mw 2,000, Tg -80°C) 1 part, bisphenol A type epoxy resin ("EXA-850CRP" manufactured by DIC) ", epoxy equivalent 170 to 175 g/eq.) 9 parts, acid anhydride curing agent ("HNA-100" manufactured by Shin Nippon Rica, acid anhydride equivalent 179 g/eq.) 6 parts, silica A 83 parts, imidazole-based curing agent ( Shikoku Kasei Co., Ltd. "2E4MZ", 2-ethyl-4-methylimidazole) 0.1 part was uniformly dispersed using a mixer to prepare a resin composition.

<실시예 10><Example 10>

비스페놀 A형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-850CRP」, 에폭시 당량 170 내지 175g/eq.)의 사용량을 2부로 감량하고, 액상 아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「UP-1020」)의 사용량을 5부로 증량한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제했다.The amount of bisphenol A epoxy resin ("EXA-850CRP" manufactured by DIC, epoxy equivalent 170 to 175 g/eq.) was reduced to 2 parts, and the amount of liquid acrylic polymer ("UP-1020" manufactured by Toa Kosei) was reduced to 5 Except having increased by part, it carried out similarly to Example 1, and prepared the resin composition.

<비교예 1><Comparative Example 1>

아크릴 중합체(토아 고세이사 제조 「UP-1020」)를 사용하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제했다.A resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the acrylic polymer ("UP-1020" manufactured by Toa Kosei Co., Ltd.) was not used.

<사용한 무기 충전재><Used inorganic filler>

실리카 A: 평균 입자 직경 6.0μm, 최대 컷 직경 20μm, 비표면적 4.8㎡/g, KBM573(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 신에츠 카가쿠 코교사 제조)으로 처리된 구상 실리카.Silica A: spherical silica treated with an average particle diameter of 6.0 μm, a maximum cut diameter of 20 μm, a specific surface area of 4.8 m 2 /g, and KBM573 (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

알루미나 A: 평균 입자 직경 4.8um, 최대 컷 직경 24um, 비표면적 2.7㎡/g, KBM573(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 신에츠 카가쿠 코교사 제조)으로 처리된 구상 알루미나.Alumina A: spherical alumina treated with an average particle diameter of 4.8 μm, a maximum cut diameter of 24 μm, a specific surface area of 2.7 m 2 /g, and KBM573 (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

<시험예 1: 휨의 평가><Test Example 1: Evaluation of warpage>

12인치 실리콘 웨이퍼 위에, 실시예 및 비교예에서 조제한 수지 조성물을, 컴프레션 몰드 장치(금형 온도: 130℃, 압력: 6MPa, 큐어 타임: 10분)를 사용하여 압축 성형하여, 두께 300μm의 수지 조성물층을 형성했다. 그 후, 180℃에서 90분 가열하여, 수지 조성물층을 열경화시켰다. 이로써, 실리콘 웨이퍼와 수지 조성물의 경화물층을 포함한 시료 기판을 얻었다. 셰도우 모아레 측정 장치(Akorometrix사 제조 「ThermoireAXP」)를 사용하여, 상기 시료 기판을 25℃에서의 휨량을 측정했다. 측정은, 전자 정보 기술 산업 협회 규격의 JEITA EDX-7311-24에 준거하여 행했다. 구체적으로는, 측정 영역의 기판면의 전체 데이터의 최소 제곱법에 의해 산출한 가상 평면을 기준면으로 하여, 그 기준면으로부터 수직 방향의 최소값과 최대값의 차를 휨량으로서 구했다. 휨량이 2mm 미만을 「○」, 2mm 이상, 3mm 미만을 「△」, 3mm 이상을 「×」로 평가했다.On a 12-inch silicon wafer, the resin composition prepared in Examples and Comparative Examples was compression molded using a compression mold apparatus (mold temperature: 130°C, pressure: 6 MPa, cure time: 10 minutes), and a resin composition layer having a thickness of 300 μm Formed. Then, it heated at 180 degreeC for 90 minutes, and the resin composition layer was thermosetted. Thereby, a sample substrate including a silicon wafer and a cured product layer of a resin composition was obtained. Using a shadow moire measuring device ("ThermoireAXP" manufactured by Akorometrix), the amount of warpage of the sample substrate at 25°C was measured. The measurement was performed in accordance with JEITA EDX-7311-24 of the Electronic Information Technology Industry Association standard. Specifically, the virtual plane calculated by the least squares method of all data on the substrate surface of the measurement region was used as the reference plane, and the difference between the minimum value and the maximum value in the vertical direction from the reference plane was determined as the amount of warpage. The amount of warpage was evaluated as "○" for less than 2 mm, 2 mm or more, and "△" for less than 3 mm, and "x" for 3 mm or more.

<시험예 2: 외관의 평가><Test Example 2: Evaluation of appearance>

시험예 1에서 제작한 시료 기판의 수지층의 외관을 관찰했다. 수지층 표면 전체 중, 플로우 마크가 차지하는 면적이 20% 미만인 것을 「○」, 20%를 초과하는 것을 「△」로 했다.The appearance of the resin layer of the sample substrate prepared in Test Example 1 was observed. Among the entire surface of the resin layer, a flow mark having an area occupied by less than 20% was designated as "○", and an area exceeding 20% was designated as "△".

<시험예 3: 고온 고습 환경 시험(HAST) 후의 밀착 평가><Test Example 3: Adhesion evaluation after high temperature high humidity environmental test (HAST)>

시험예 1에서 제작한 시료 기판을 사용하여, 130℃ 85%RH 96시간의 조건에서 고온 고습 환경 시험(HAST)을 실시했다. HAST 실시 후의 경화물을, #180의 샌드페이퍼를 사용하여 수지층이 두께 50μm가 될 때까지 연마했다. 연마 후의 샘플을 폭 1cm각(角)의 시험편으로 절단하고, 수지층에 대하여 수직으로 φ2.7mm의 접착제 부착 stud pin을 세워서 150℃에서 60분 가열하여, stud pin과 수지층이 접착된 시험편을 작성했다. 얻어진 stud pin 부착 시험편을 QUAD GROUP사 제조 수직 인장형 시험기 ROMULUS를 사용하여, 시험 스피드 0.1Kg/sec로 수직 인장 시험의 측정을 행했다. 5개의 시험편에 대하여 측정을 행하여, 평균값을 산출했다. 밀착 강도가 500Kgf/㎠를 초과한 것을 「○」, 500Kgf/㎠ 미만의 것을 「×」로 했다.Using the sample substrate prepared in Test Example 1, a high-temperature, high-humidity environmental test (HAST) was conducted under conditions of 130°C and 85%RH for 96 hours. The cured product after HAST implementation was polished using #180 sandpaper until the resin layer became 50 µm thick. The polished sample was cut into a 1 cm wide test piece, and a φ2.7 mm adhesive stud pin was placed vertically with respect to the resin layer, heated at 150°C for 60 minutes, and the test piece to which the stud pin and the resin layer were adhered. I wrote. The obtained test piece with stud pin was measured in a vertical tensile test at a test speed of 0.1 Kg/sec using a vertical tensile tester ROMULUS manufactured by QUAD GROUP. Measurements were performed on five test pieces, and an average value was calculated. The adhesive strength exceeding 500 Kgf/cm 2 was defined as "○", and the adhesive strength of less than 500 Kgf/cm 2 was defined as "X".

실시예 및 비교예의 수지 조성물의 불휘발 성분들 및 이들의 사용량, 및 시험예의 평가 결과를 하기 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the nonvolatile components of the resin compositions of Examples and Comparative Examples, their usage, and evaluation results of the test examples.

Figure pat00004
Figure pat00004

이상의 결과로부터, (A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지 및 (B) 25℃에서 액상인 (메타)아크릴 중합체를 사용한 경우에, 경화물의 휨을 억제할 수 있고, 또한, 환경 시험 후의 경화물 박막의 수직 방향으로의 가중에 대한 우수한 밀착성을 달성할 수 있는 것을 알았다.From the above results, when (A-1) a glycidylamine type epoxy resin and (B) a liquid (meth)acrylic polymer at 25°C are used, the cured product can be prevented from warping, and the cured product after the environmental test It has been found that excellent adhesion to the weighting in the vertical direction of the thin film can be achieved.

Claims (16)

(A) 에폭시 수지, (B) 25℃에서 액상인 (메타)아크릴 중합체, (C) 경화제 및 (D) 무기 충전재를 함유하고, (A) 성분이, (A-1) 글리시딜아민형 에폭시 수지를 포함하는, 수지 조성물.(A) epoxy resin, (B) liquid (meth)acrylic polymer at 25°C, (C) curing agent and (D) inorganic filler, and component (A) is (A-1) glycidylamine type A resin composition containing an epoxy resin. 제1항에 있어서, (A-1) 성분이, 2관능 또는 3관능의 글리시딜아민형 에폭시 수지인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (A-1) is a bifunctional or trifunctional glycidylamine type epoxy resin. 제1항에 있어서, (A-1) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 (D) 성분 이외의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 20질량% 이상 80질량% 이하인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the content of the component (A-1) is 20% by mass or more and 80% by mass or less when the nonvolatile components other than the (D) component in the resin composition are 100% by mass. 제1항에 있어서, (B) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 (D) 성분 이외의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 0.5질량% 이상 20질량% 이하인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the content of the component (B) is 0.5% by mass or more and 20% by mass or less when the nonvolatile components other than the (D) component in the resin composition are 100% by mass. 제1항에 있어서, (C) 성분이, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 산 무수물계 경화제, 아민계 경화제 및 이미다졸계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 경화제인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (C) is a curing agent selected from the group consisting of a phenol curing agent, a naphthol curing agent, an acid anhydride curing agent, an amine curing agent, and an imidazole curing agent. 제1항에 있어서, (D) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 모든 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 70질량% 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the content of the component (D) is 70 mass% or more when all nonvolatile components in the resin composition are 100 mass%. 제1항에 있어서, 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, for forming an insulating layer of a semiconductor chip package. 제1항에 있어서, 회로 기판의 절연층을 형성하기 위한, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, for forming an insulating layer of a circuit board. 제1항에 있어서, 반도체 칩 패키지의 반도체 칩을 밀봉하기 위한, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, for sealing a semiconductor chip of a semiconductor chip package. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물.A cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 9. 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 갖는, 수지 시트.A resin sheet comprising a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of claims 1 to 9 provided on the support. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 회로 기판.A circuit board comprising an insulating layer formed from a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 9. 제12항에 기재된 회로 기판과, 상기 회로 기판에 탑재된 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지.A semiconductor chip package comprising the circuit board according to claim 12 and a semiconductor chip mounted on the circuit board. 제13항에 기재된 반도체 칩 패키지를 구비하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising the semiconductor chip package according to claim 13. 반도체 칩과, 상기 반도체 칩을 밀봉하는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 반도체 칩 패키지.A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip and a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 9 for sealing the semiconductor chip. 제15항에 기재된 반도체 칩 패키지를 구비하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising the semiconductor chip package according to claim 15.
KR1020200021636A 2019-02-26 2020-02-21 Resin composition KR20200104237A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-033248 2019-02-26
JP2019033248A JP7151550B2 (en) 2019-02-26 2019-02-26 resin composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200104237A true KR20200104237A (en) 2020-09-03

Family

ID=72194468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200021636A KR20200104237A (en) 2019-02-26 2020-02-21 Resin composition

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7151550B2 (en)
KR (1) KR20200104237A (en)
CN (1) CN111607194A (en)
TW (1) TW202041594A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117106398B (en) * 2023-08-22 2024-04-16 湖北三选科技有限公司 Liquid mold sealing adhesive for printing, chip and preparation method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017008312A (en) 2015-06-22 2017-01-12 味の素株式会社 Resin composition for mold underfill

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100173164A1 (en) * 2007-06-22 2010-07-08 Sumitomo Bakelite Company Limited Adhesive film and semiconductor device having the same
JP5664455B2 (en) * 2011-05-20 2015-02-04 日立化成株式会社 Adhesive composition, adhesive sheet, and semiconductor device
JP2013163747A (en) * 2012-02-10 2013-08-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd Liquid resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor device
TW201809128A (en) * 2016-06-16 2018-03-16 信越化學工業股份有限公司 Epoxy resin composition
JP6897026B2 (en) * 2016-08-10 2021-06-30 味の素株式会社 Resin composition
JP7102093B2 (en) * 2016-09-28 2022-07-19 味の素株式会社 Resin composition, resin sheet, circuit board and semiconductor chip package
JP6787210B2 (en) * 2017-03-23 2020-11-18 味の素株式会社 Resin composition
WO2019031513A1 (en) * 2017-08-10 2019-02-14 日立化成株式会社 Semiconductor device and method for producing same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017008312A (en) 2015-06-22 2017-01-12 味の素株式会社 Resin composition for mold underfill

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020138994A (en) 2020-09-03
JP7151550B2 (en) 2022-10-12
TW202041594A (en) 2020-11-16
CN111607194A (en) 2020-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201826450A (en) Resin compositions
TWI822828B (en) resin composition
KR20190051848A (en) Resin compositions
JP2019151716A (en) Sealing resin composition
JP6897026B2 (en) Resin composition
KR20240066145A (en) Resin composition
JP2018058959A (en) Resin composition
KR20200077427A (en) Resin composition
JP7163654B2 (en) Resin composition, sheet-like laminate material, printed wiring board, semiconductor chip package, and semiconductor device
JP7151550B2 (en) resin composition
JP7424168B2 (en) Resin compositions, resin pastes, cured products, resin sheets, printed wiring boards, semiconductor chip packages, and semiconductor devices
KR20200107819A (en) Resin composition
JP2021187923A (en) Resin composition
TWI839802B (en) Resin composition
CN112940452B (en) Resin composition
JP7298466B2 (en) resin composition
TWI835277B (en) resin composition
TW202222881A (en) Resin composition for sealing capable of obtaining a cured product with a low dielectric loss factor and suppressed occurrence of delamination and cracks
JP2023002324A (en) Resin sheet for semiconductor chip adhesion